CN113493662A - 膜状粘合剂及切割固晶片 - Google Patents

膜状粘合剂及切割固晶片 Download PDF

Info

Publication number
CN113493662A
CN113493662A CN202110280882.1A CN202110280882A CN113493662A CN 113493662 A CN113493662 A CN 113493662A CN 202110280882 A CN202110280882 A CN 202110280882A CN 113493662 A CN113493662 A CN 113493662A
Authority
CN
China
Prior art keywords
adhesive
film
cured product
test piece
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110280882.1A
Other languages
English (en)
Inventor
田中佑耶
佐藤阳辅
石井祐太郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Publication of CN113493662A publication Critical patent/CN113493662A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
    • C08L2205/025—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
    • C08L2205/035—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend containing four or more polymers in a blend
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

本发明提供一种膜状粘合剂(13)，其为固化性的膜状粘合剂(13)，其中，对于作为多片膜状粘合剂(13)的层叠物且厚度为200μm的第一试验片，根据JIS K7128‑3，将夹住第一试验片进行固定的一对夹具之间的距离设为60mm、将撕裂速度设为200mm/分、并通过直角形撕裂法进行撕裂试验时，从第一试验片的撕裂强度达到最大时开始至第一试验片断裂为止的第一试验片在撕裂方向上的位移量为15mm以下。

Description

膜状粘合剂及切割固晶片
技术领域
本发明涉及一种膜状粘合剂及切割固晶片(dicing die bonding sheet)。本申请基于2020年3月18日在日本提出申请的日本特愿2020-048261号主张优先权，并将其内容援用于此。
背景技术
半导体芯片通常通过设置在其背面的膜状粘合剂(有时也称为“固晶膜”)而在基板的电路形成面上进行固晶。然后，根据需要在该半导体芯片上进一步层叠1个以上的半导体芯片，并进行引线键合之后，使用树脂对所得到的结构整体进行密封，从而制造半导体封装。然后，使用该半导体封装，制造目标的半导体装置。
背面具备膜状粘合剂的半导体芯片例如可通过同时切断背面具备膜状粘合剂的半导体晶圆与膜状粘合剂而制作。作为以此方式将半导体晶圆分割成半导体芯片的方法，例如已广泛使用有使用切割刀(dicing blade)将半导体晶圆与膜状粘合剂一同切割的方法。此时，切断前的膜状粘合剂会被层叠在在切割时用于固定半导体晶圆的支撑片(有时也被称作“切割片”)上，由此进行一体化并用作切割固晶片。
在切割结束后，背面具备切断后的膜状粘合剂的半导体芯片(带有膜状粘合剂的半导体芯片)会从支撑片上分离而被拾取。
在拾取时，需要使膜状粘合剂与半导体芯片一同从支撑片上良好地分离。例如，若膜状粘合剂对支撑片的粘合力过强，则会变得难以拾取带有膜状粘合剂的半导体芯片，导致膜状粘合剂从半导体芯片上剥离并残留在支撑片上。若这种膜状粘合剂的残留频率高，则不仅会引发工序故障，半导体装置的制造成本也会上升。
对此，公开了一种切割-固晶一体型胶带(相当于所述切割固晶片)，其由依次层叠有基材层、粘着层、粘合层(相当于所述膜状粘合剂)的结构构成，且其照射电子束、紫外线或可见光线前后的粘着层的断裂伸长率被调节在特定范围内(参考专利文献1)。通过使用该切割-固晶一体型胶带，即使减小拾取时施加于半导体芯片的力，也能够良好地拾取带有膜状粘合剂的半导体芯片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开第2015-126217号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而，为了提高带有膜状粘合剂的半导体芯片的拾取适应性，专利文献1中记载的切割固晶片(切割-固晶一体型胶带)需要使用具备用于与膜状粘合剂直接接触的粘着剂层的材料作为支撑片，支撑片的选择受到限制。
本发明的目的在于提供一种膜状粘合剂与具备所述膜状粘合剂的切割固晶片，所述膜状粘合剂能够通过与支撑片层叠而构成切割固晶片，无需具备用于与膜状粘合剂直接接触的粘着剂层的支撑片，就能够抑制在拾取带有膜状粘合剂的半导体芯片时膜状粘合剂残留在支撑片上。
解决技术问题的技术手段
本发明提供一种膜状粘合剂，其为固化性的膜状粘合剂，其中，对于作为多片所述膜状粘合剂的层叠物且厚度为200μm的第一试验片，根据JIS K7128-3，将夹住所述第一试验片进行固定的一对夹具之间的距离设为60mm、将撕裂速度设为200mm/分、并通过直角形撕裂法进行撕裂试验时，从所述第一试验片的撕裂强度达到最大时开始至所述第一试验片断裂为止的所述第一试验片在撕裂方向上的位移量为15mm以下。
对于本发明的膜状粘合剂，制作第二试验片，其具备：大小为2mm×2mm且厚度为20μm的所述膜状粘合剂的固化物、设置在所述固化物的一个面的整个面上的厚度为500μm的铜板、及设置在所述固化物的另一个面的整个面上的厚度为350μm的硅芯片，并且以使所述固化物的侧面与所述硅芯片的侧面位置对齐的方式而构成；在固定所述铜板的状态下，在平行于所述固化物的一个面的方向上，以200μm/秒的速度，同时对所述第二试验片中的所述固化物的侧面与所述硅芯片的侧面的位置对齐部位施加力时，直至所述固化物被破坏、或所述固化物从所述铜板上剥离、或所述固化物从所述硅芯片上剥离为止时所施加的所述力的最大值优选为100N/2mm□以上。
本发明提供一种切割固晶片，其具备支撑片和设置在所述支撑片的一个面上的膜状粘合剂，所述膜状粘合剂为上述的本发明的膜状粘合剂。
对于本发明的切割固晶片，优选所述支撑片仅由基材构成。
发明效果
根据本发明，可提供一种膜状粘合剂与具备所述膜状粘合剂的切割固晶片，所述膜状粘合剂能够通过与支撑片层叠而构成切割固晶片，无需具备用于与膜状粘合剂直接接触的粘着剂层的支撑片，就能够抑制在拾取带有膜状粘合剂的半导体芯片时膜状粘合剂残留在支撑片上。
附图说明
图1为示出使用本发明的一个实施方式的膜状粘合剂制得的第一试验片的平面图。
图2为用于示意性说明本发明的一个实施方式的膜状粘合剂的固化物的粘合力的测定方法的截面图。
图3为示意性示出本发明的一个实施方式的膜状粘合剂的一个例子的截面图。
图4为示意性示出本发明的一个实施方式的切割固晶片的一个例子的截面图。
图5为示意性示出本发明的一个实施方式的切割固晶片的另一例子的截面图。
图6A为用于示意性说明使用本发明的一个实施方式的切割固晶片时的半导体装置的制造方法的一个例子的截面图。
图6B为用于示意性说明使用本发明的一个实施方式的切割固晶片时的半导体装置的制造方法的一个例子的截面图。
图6C为用于示意性说明使用本发明的一个实施方式的切割固晶片时的半导体装置的制造方法的一个例子的截面图。
图6D为用于示意性说明使用本发明的一个实施方式的切割固晶片时的半导体装置的制造方法的一个例子的截面图。
图7A为用于示意性说明使用本发明的一个实施方式的膜状粘合剂时的半导体装置的制造方法的一个例子的截面图。
图7B为用于示意性说明使用本发明的一个实施方式的膜状粘合剂时的半导体装置的制造方法的一个例子的截面图。
图7C为用于示意性说明使用本发明的一个实施方式的膜状粘合剂时的半导体装置的制造方法的一个例子的截面图。
图7D为用于示意性说明使用本发明的一个实施方式的膜状粘合剂时的半导体装置的制造方法的一个例子的截面图。
图7E为用于示意性说明使用本发明的一个实施方式的膜状粘合剂时的半导体装置的制造方法的一个例子的截面图。
附图标记说明
10：支撑片；10a：支撑片的第一面；11：基材；13：膜状粘合剂；101、102：切割固晶片；90：膜状粘合剂的固化物；90a：膜状粘合剂的固化物的第一面；90b：膜状粘合剂的固化物的第二面；90c：膜状粘合剂的固化物的侧面；91：铜板；92：硅芯片；92c：硅芯片的侧面；99：第一试验片。
具体实施方式
◇膜状粘合剂
本发明的一个实施方式的膜状粘合剂为固化性的膜状粘合剂，对于作为多片所述膜状粘合剂的层叠物且厚度为200μm的第一试验片，根据JIS K7128-3，将夹住所述第一试验片进行固定的一对夹具之间的距离设为60mm、将撕裂速度设为200mm/分、并通过直角形撕裂法进行撕裂试验时，从所述第一试验片的撕裂强度达到最大时开始至所述第一试验片断裂为止的所述第一试验片在撕裂方向上的位移量(在本说明书中，有时称为“D0”)为15mm以下。
本实施方式的膜状粘合剂可通过与支撑片或切割片层叠而构成切割固晶片。
此外，本实施方式的膜状粘合剂通过具有上述撕裂特性，即使不使用具备用于与膜状粘合剂直接接触的粘着剂层的支撑片或切割片，也能够抑制在拾取带有膜状粘合剂的半导体芯片时膜状粘合剂残留在支撑片或切割片上。此外，由此能够抑制发生工序故障，还能够降低半导体装置的制造成本。
本实施方式的膜状粘合剂具有固化性，可以为热固性及能量射线固化性中任意一种，也可具有热固性及能量射线固化性这两种特性。当所述膜状粘合剂具有热固性及能量射线固化性这两种特性时，当对于其固化，热固化的贡献大于能量射线固化的贡献时，将所述膜状粘合剂视作热固性的膜状粘合剂。相反地，当对于其固化，能量射线固化的贡献大于热固化的贡献时，将所述膜状粘合剂视作能量射线固化性的膜状粘合剂。例如，在不对膜状粘合剂照射能量射线，而通过加热膜状粘合剂使膜状粘合剂固化时，将该膜状粘合剂视作热固性的膜状粘合剂。
在本说明书中，“能量射线”是指电磁波或带电粒子束中具有能量量子的射线。作为能量射线的例子，可列举出紫外线、放射线、电子束等。例如，作为紫外线，可通过使用高压汞灯、融合灯(fusion lamp)、氙灯、黑光灯或LED灯等作为紫外线源而进行照射。作为电子束，能够照射利用电子束加速器等而产生的电子束。
在本说明书中，“能量射线固化性”是指通过照射能量射线而进行固化的性质，“非能量射线固化性”是指即使照射能量射线也不进行固化的性质。
当所述膜状粘合剂具有热固性时，优选其具有压敏粘合性。同时具有热固性及压敏粘合性的膜状粘合剂可在未固化状态下，通过轻按压而贴附在各种被粘物上。此外，膜状粘合剂也可以为可通过加热软化而贴附在各种被粘物上的膜状粘合剂。膜状粘合剂通过固化最终形成耐冲击性高的固化物，该固化物即使在严酷的高温高湿度条件下也能够保持充分的粘合特性。
在实际使用所述膜状粘合剂的固化物时，只要所述固化物的固化度变得充分高，则使膜状粘合剂固化而形成固化物时的固化条件没有特别限定，根据膜状粘合剂的种类进行适当选择即可。
热固性膜状粘合剂的热固化时的加热温度优选为100～200℃，例如可以为125～185℃及150～170℃中的任意范围。此外，所述热固化时的加热时间优选为0.5～5小时，例如可以为0.5～4小时及0.5～3小时中的任意范围。
能量射线固化性膜状粘合剂的能量射线固化时的能量射线的照度优选为60～320mW/cm2。此外，所述能量射线固化时的能量射线的光量优选为100～1000mJ/cm2。
<<D0>>
作为D0的测定对象的所述第一试验片，例如可通过下述方式制得：使用厚度小于200μm的本实施方式的多片膜状粘合剂，将这些膜状粘合剂层叠，制作总厚度为200μm的层叠片，然后将该层叠片切断为规定的形状及尺寸，以使其能够按照JIS K7128-3测定撕裂强度。
将第一试验片的平面图及尺寸一同示于图1。在图1中的第一试验片99中，表示长度的数值的单位为“mm”。
构成第一试验片及所述层叠片的多片所述膜状粘合剂的厚度可以均相同，也可以均不同，还可以仅部分相同。但从能够更加易于制作第一试验片及所述层叠片的点出发，优选多片所述膜状粘合剂的厚度均相同。
构成第一试验片及所述层叠片的所述膜状粘合剂的片数只要为2片以上则没有特别限定，可根据各自的膜状粘合剂的厚度进行任意选择。
例如，在将多片所述膜状粘合剂的厚度设为均相同的情况下，考虑到更加易于制作1片膜状粘合剂这一点，通过使用10片厚度为20μm的膜状粘合剂，能够更加易于制作第一试验片及所述层叠片。然而，这仅为一个例子，所使用的膜状粘合剂的片数与厚度并不仅限于此。
对第一试验片进行的所述“直角形撕裂法”是JIS K7128-3中规定的“塑料膜及片的撕裂强度试验方法，第3部：直角形撕裂法”。
在使用夹具夹住第一试验片对其进行固定时，将一对夹具之间的距离设为60mm是指，在进行撕裂试验时，在第一试验片的撕裂方向上，第一试验片的可伸长部分的长度在进行撕裂试验之前的阶段为60mm，该长度为第一试验片的撕裂试验的对象部分的长度。
在进行所述撕裂试验时，第一试验片在该撕裂方向上伸长，并且伴随该伸长第一试验片的撕裂强度增大。然后，当第一试验片的撕裂强度达到最大之后，第一试验片进一步伸长，并且第一试验片会在某一阶段发生断裂。
进行所述撕裂试验时的、第一试验片在撕裂方向上的位移量是指，由撕裂试验中某个时刻下的所述夹具之间的距离减去在该时刻之前的某个时刻下的所述夹具之间的距离而得到的数值，其相当于在这两个不同时刻下的第一试验片在撕裂方向上的第一试验片的长度差。此外，D0为由距离Sb减去距离Sm而得到的数值(Sb-Sm)，该距离Sb为当第一试验片的撕裂强度达到最大之后第一试验片发生断裂时的所述夹具之间的距离，该距离Sm为第一试验片的撕裂强度达到最大时的所述夹具之间的距离。
在本实施方式的膜状粘合剂中，D0为15mm以下，从使上述抑制膜状粘合剂残留在支撑片上的效果更高的点出发，优选为14.5mm以下，例如可以为13mm以下及10mm以下中的任意范围。
D0的下限值没有特别限定。例如，D0为5mm以上的所述膜状粘合剂更加易于制造。
D0可以为任意组合上述下限值与任一上限值而设定的范围内的任意范围。例如，在一个实施方式中，D0优选为5～15mm，更优选为5～14.5mm，例如可以为5～13mm及5～10mm中的任意范围。但这些仅为D0的一个例子。
可通过调节膜状粘合剂的所含成分的种类或量等对D0进行调节。例如，可通过调节膜状粘合剂中的在常温下为固体的成分、交联剂等的种类或量等，在较宽范围内调节D0。当为热固性膜状粘合剂时，可以通过调节后述的聚合物成分(a)、在常温下为固体的环氧树脂(b1)、交联剂(f)等的种类或量等，在较宽范围内调节D0。
在本说明书中，“常温”是指不特别进行冷却或加热的温度，即是指平常的温度，例如可列举出15～25℃的温度等。
<<膜状粘合剂的固化物的粘合力>>
使用本实施方式的膜状粘合剂制作的带有膜状粘合剂的半导体芯片，通过其中的膜状粘合剂粘合在基板的电路形成面上(即在基板的电路形成面上进行固晶)。进一步，膜状粘合剂最终通过照射能量射线而固化。
因此，要求所述膜状粘合剂的固化物对其粘合对象物具有充分的粘合力。
所述膜状粘合剂的固化物的粘合力的程度例如可以以下述值作为指标进行判断：即，制作具备大小为2mm×2mm且厚度为20μm的所述膜状粘合剂的固化物、设置在所述固化物的一个面的整个面上的厚度为500μm的铜板、及设置在所述固化物的另一个面的整个面上的厚度为350μm的硅芯片的、以使所述固化物的侧面与所述硅芯片的侧面位置对齐的方式而构成的第二试验片，在固定所述铜板的状态下，在平行于所述固化物的一个面的方向上，以200μm/秒的速度，同时对所述第二试验片中的所述固化物的侧面与所述硅芯片的侧面的位置对齐部位施加力时，将直至所述固化物被破坏、或所述固化物从所述铜板上剥离、或所述固化物从所述硅芯片上剥离为止时所施加的所述力(即粘合力)的最大值作为指标。
在所述第二试验片中，所述固化物与所述硅芯片的除厚度以外的尺寸可彼此相同，并且可以彼此的所有侧面均位置对齐。如实施例中所述，这样的第二试验片易于制作。
图2为用于示意性说明所述膜状粘合剂的固化物的所述粘合力的测定方法的截面图。
另外，为了易于理解本发明的特征，为了方便，以下说明中所使用的图有时会将主要部分扩大而示出，各结构要素的尺寸比例等不一定与实际情况相同。
此外，在图2之后的图中，对于与已说明的图中所示的结构要素相同的结构要素，标记与该已说明的图中相同的符号，并省略其详细说明。
在测定所述粘合力时，制作第二试验片9。
第二试验片9以具备膜状粘合剂的固化物90、设置在所述固化物90的一个面(在本说明书中，有时称为“第二面”)90b的整个面上的铜板91、及设置在所述固化物90的另一个面(在本说明书中，有时称为“第一面”)90a的整个面上的硅芯片92的方式而构成。
膜状粘合剂的固化物90为本实施方式的膜状粘合剂的固化物。所述固化物90的所述第一面90a及第二面90b的平面形状为矩形(正方形)。
所述固化物90的大小(所述第一面90a及第二面90b的大小)为2mm×2mm，所述固化物90的厚度为20μm。
铜板91的厚度为500μm，硅芯片92的厚度为350μm。
在第二试验片9中，将膜状粘合剂的固化物90的侧面90c与硅芯片92的侧面92c位置对齐，例如在其截面中，在平行于膜状粘合剂90的第一面90a或第二面90b的方向上，使膜状粘合剂90的侧面90c的位置与硅芯片92的侧面92c的位置保持一致。
在硅芯片92的侧面92c上，优选至少与膜状粘合剂的固化物90的侧面90c位置对齐的部位为平面。
硅芯片92的与所述固化物90的接触面的大小只要大于等于所述固化物90的第一面90a的大小即可，可以相同。
硅芯片92的与所述固化物90的接触面的平面形状优选为矩形，例如可以为正方形，优选与所述固化物90的第一面90a的平面形状相同。
如实施例中所述，在通过膜状粘合剂(省略图示)的切断及固化来形成所述固化物90，并通过硅晶圆(省略图示)的分割形成硅芯片92时，能够采用连续性进行所述切断及分割的工艺，此时，能够将硅芯片92的与所述固化物90的接触面和所述固化物90的第一面90a设为彼此大小相同且形状相同，并且还易于将所述固化物90的侧面90c与硅芯片92的侧面92c位置对齐。
铜板91的与膜状粘合剂的固化物90的接触面的大小只要大于等于所述固化物90的第二面90b的大小即可，优选大于第二面90b的大小。
对于铜板91的与所述固化物90的接触面的平面形状，只要铜板91能够覆盖所述固化物90的第二面90b的整个面则没有特别限定，例如可以为矩形。
在测定所述粘合力时，在固定铜板91的状态下，在平行于所述固化物90的一个面(所述第一面90a或第二面90b)的方向上，以200μm/秒的速度，同时对第二试验片9中的膜状粘合剂的固化物90的侧面90c与硅芯片92的侧面92c的位置对齐部位施加力P。此处，示出了使用按压工具8对上述的位置对齐部位施加力P的情况。
从能够以更高精度测定所述粘合力的点出发，优选按压工具8施加力的部位为平面，更优选按压工具8为板状。
作为按压工具8的构成材料，例如可列举出金属等。
在以上述方式同时对膜状粘合剂的固化物90和硅芯片92施加力P时，优选不使按压工具8接触铜板91。
在本实施方式中，将以此方式对膜状粘合剂的固化物90的侧面90c与硅芯片92的侧面92c的位置对齐的部位施加力P，且直至所述固化物90被破坏、或所述固化物90从铜板91上剥离、或所述固化物90从硅芯片92上剥离为止时所施加的力P的最大值采用为所述固化物90的粘合力。
膜状粘合剂的固化物的所述粘合力优选为100N/2mm□以上，更优选为110N/2mm□以上，例如可以为125N/2mm□以上、及140N/2mm□以上中的任意范围。
所述粘合力的上限值没有特别限定。例如，所述粘合力为300N/2mm□以下的所述膜状粘合剂更加易于制造。
所述粘合力可以为将上述任一下限值与上限值进行任意组合而设定的范围内的任意范围。例如在一个实施方式中，所述粘合力优选为100～300N/2mm□，更优选为110～300N/2mm□，例如可以为125～300N/2mm□、及140～300N/2mm□中的任意范围。但这些仅为所述粘合力的一个例子。
在本实施方式中，规定所述粘合力的第二试验片中的膜状粘合剂的固化物为以160℃对热固性膜状粘合剂进行1小时加热处理而得到的热固化物。所述固化物中还包括同时具有热固性及能量射线固化性的膜状粘合剂的固化物。这样的固化物还包括：例如对通过对热固化前的膜状粘合剂照射能量射线而得到的未完全固化的半固化物进一步以160℃进行1小时加热处理而得到的热固化物。
在本说明书中，单位“N/2mm□”与“N/(2mm×2mm)”同义。
所述粘合力可通过调节膜状粘合剂的所含成分的种类或量等进行调节。例如，通过调节膜状粘合剂含有的聚合物成分、固化性成分、填充材料及偶联剂等的种类或量等，可在较宽范围内调节所述粘合力。在为热固性膜状粘合剂时，通过调节后述的聚合物成分(a)、热固性成分(b)、填充材料(d)及偶联剂(e)等的种类或量等，可在较宽范围内调节所述粘合力。
<<ΔT>>
由于本实施方式的膜状粘合剂的以下所示的ΔT(N/mm)在特定范围内，可进一步提高上述抑制膜状粘合剂残留在支撑片上的效果。
所述ΔT可通过如下所示的方法进行计算。
即，对作为多片所述膜状粘合剂的层叠物且厚度为200μm的第一试验片，根据JISK7128-3，将夹住所述第一试验片进行固定的一对夹具之间的距离设为60mm，将撕裂速度设为200mm/分，通过直角形撕裂法进行撕裂试验，并将所述第一试验片的撕裂强度表现出最大值Tmax时的所述第一试验片在撕裂方向上的位移量设为D1，将所述位移量为0.6D1时的所述撕裂强度设为T1时，通过下述公式计算ΔT。
ΔT＝(T1/0.6)-Tmax
用于计算ΔT时的所述第一试验片与前文说明的用于测定D0时的第一试验片相同，计算ΔT时进行的所述撕裂试验与前文说明的测定D0时进行的撕裂试验相同。即，ΔT的计算与D0的测定可同时进行。
通过取第一试验片的撕裂强度T为一个坐标轴(纵轴)，取第一试验片在撕裂方向上的位移量D为与上述坐标轴垂直的另一个坐标轴(横轴)，设想T-D平面。
所述式中的“T1/0.6”为在所述T-D平面上通过原点(0，0)与坐标(0.6D1，T1)这2点的直线、即T＝(T1/0.6D1)D中D＝D1时的T的值。
在所述T-D平面中，通过对第一试验片的T及D进行绘图(plot)，可得到曲线。当该曲线在相对于T增大的方向具有凸状的形状时，下述式：
T1/0.6＞Tmax
即，(T1/0.6)-Tmax＞0的关系成立，反之，当该曲线在相对于T减少的方向具有凸状的形状时，下述式：
T1/0.6＜Tmax
即，(T1/0.6)-Tmax＜0的关系成立。
在本实施方式的膜状粘合剂中，无论上述曲线的形状为哪一种，均优选“(T1/0.6)”与“Tmax”的差为10N/mm以下，即优选ΔT的绝对值(|ΔT|)为10N/mm以下(-10N/mm≤ΔT≤10N/mm)。通过满足这样的条件，上述抑制膜状粘合剂残留在支撑片上的效果变得更高。
从进一步提高上述效果的点出发，|ΔT|例如可以为7N/mm以下、5N/mm以下及3N/mm以下中的任意范围。
|ΔT|的下限值没有特别限定。例如，|ΔT|为1N/mm以上的所述膜状粘合剂更加易于制造。
|ΔT|可以为任意组合上述下限值与任一上限值而设定的范围内的任意范围。例如，在一个实施方式中，|ΔT|优选为1～10N/mm以下，例如可以为1～7N/mm、1～5N/mm及1～3N/mm中的任意范围。但这些仅为|ΔT|的一个例子。
|ΔT|可通过调节膜状粘合剂的所含成分的种类或量等进行调节。例如，通过调节膜状粘合剂中的在常温下为固体的成分、交联剂等的种类或量等，可在较宽范围内调节|ΔT|。在为热固性膜状粘合剂时，通过调节后述的聚合物成分(a)、在常温下为固体的环氧树脂(b1)、交联剂(f)等的种类或量等，可在较宽范围内调节|ΔT|。
图3为示意性示出本实施方式的膜状粘合剂的一个例子的截面图。
此处所示的膜状粘合剂13在其一个面(在本说明书中，有时称为“第一面”)13a上具备第一剥离膜151，在与所述第一面13a为相反侧的另一个面(在本说明书中，有时称为“第二面”)13b上具备第二剥离膜152。
这样的膜状粘合剂13例如适宜制成卷状进行保存。
使用膜状粘合剂13或与膜状粘合剂13为相同组成的膜状粘合剂制作的第一试验片的D0为15mm以下。
优选使用膜状粘合剂13或与膜状粘合剂13为相同组成的膜状粘合剂制作的第一试验片的|ΔT|为10N/mm以下。
优选使用膜状粘合剂13或与膜状粘合剂13为相同组成的膜状粘合剂制作的第二试验片中的所述固化物的粘合力为100N/2mm□以上。
第一剥离膜151及第二剥离膜152可以均为公知的剥离膜。第一剥离膜151及第二剥离膜152可以为彼此相同的剥离膜，也可以为彼此不同的剥离膜，例如在从膜状粘合剂13上剥离时所需的剥离力彼此不同等。
在图1所示的膜状粘合剂13中，第一剥离膜151及第二剥离膜152均被去除，所产生的露出面中的一面为针对半导体晶圆的贴附面，另一面为针对基板的贴附面(粘合面)。例如，当所述第一面13a为针对半导体晶圆的贴附面时，所述第二面13b为针对基板的贴附面。
图1中示出了在膜状粘合剂13的两面(第一面13a、第二面13b)设有剥离膜的例子，但剥离膜也可以仅设置在膜状粘合剂13的任意一个面上，即可以仅设置在第一面13a或仅设置在第二面13b上。
本实施方式的膜状粘合剂可以由一层(单层)形成，也可以由两层以上的多个层形成，由多个层形成时，这些多个层可以彼此相同或不同，这些多个层的组合没有特别限定。
另外，本说明书中，不仅限于膜状粘合剂的情况，“多个层可以彼此相同或不同”是指“可以所有的层相同，也可以所有的层不同，还可以仅部分层相同”，进一步，“多个层彼此不同”是指“各层的构成材料及厚度中至少一者彼此不同”。
所述膜状粘合剂的厚度没有特别限定，但优选为2～100μm，更优选为2～70μm，例如可以为2～40μm。通过使膜状粘合剂的厚度为所述下限值以上，膜状粘合剂的粘合力变得更高。当膜状粘合剂的厚度为所述上限值以下时，膜状粘合剂的制造适应性更高，例如以所需厚度涂布后述的粘合剂组合物时的适应性更高等。
此处，“膜状粘合剂的厚度”是指膜状粘合剂整体的厚度，例如由多个层形成的膜状粘合剂的厚度是指构成膜状粘合剂的所有层的总厚度。
所述膜状粘合剂可使用含有其构成材料的粘合剂组合物形成。例如，可通过在膜状粘合剂的形成对象面上涂布粘合剂组合物，并根据需要使其干燥，从而在目标部位形成膜状粘合剂。热固性膜状粘合剂可使用热固性粘合剂组合物形成，能量射线固化性膜状粘合剂可使用能量射线固化性粘合剂组合物形成。
粘合剂组合物中的、在常温下不汽化的成分彼此的含量比例通常与膜状粘合剂的所述成分彼此的含量比例相同。
粘合剂组合物的涂布使用公知的方法进行即可，例如可列举出使用气刀涂布机、刮板涂布机(blade coater)、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机(knife coater)、丝网涂布机(screen coater)、迈耶棒涂布机、吻涂机(kisscoater)等各种涂布机的方法。
粘合剂组合物的干燥条件没有特别限定，当粘合剂组合物含有后述的溶剂时，优选进行加热干燥。含有溶剂的粘合剂组合物优选例如在70～130℃、10秒～5分钟的条件下进行干燥。
以下，对膜状粘合剂及粘合剂组合物的所含成分进行详细说明。
<<热固性粘合剂组合物>>
作为热固性粘合剂组合物，例如可列举出含有聚合物成分(a)及热固性成分(b)的组合物(在本说明书中，有时缩写为“组合物(III-1)”)。以下对各成分进行说明。
<聚合物成分(a)>
聚合物成分(a)为用于赋予膜状粘合剂造膜性或可挠性等的聚合物化合物。聚合物成分(a)具有热塑性，不具有热固性。另外，在本说明书中，聚合物化合物也包括缩聚反应的生成物。
组合物(III-1)及膜状粘合剂含有的聚合物成分(a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
作为聚合物成分(a)，例如可列举出丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、苯氧树脂、有机硅树脂、饱和聚酯树脂等。
其中，聚合物成分(a)优选为丙烯酸树脂。
作为聚合物成分(a)中的所述丙烯酸树脂，可列举出公知的丙烯酸聚合物。
丙烯酸树脂的重均分子量(Mw)优选为10000～2000000，更优选为100000～1500000，例如可以为500000～1000000。通过使丙烯酸树脂的重均分子量在所述范围内，易于将膜状粘合剂与被粘物之间的粘合力调节至优选范围内。
另一方面，通过使丙烯酸树脂的重均分子量为所述下限值以上，膜状粘合剂的形状稳定性(保存时的经时稳定性)提高。此外，通过使丙烯酸树脂的重均分子量为所述上限值以下，膜状粘合剂易于追随被粘物的凹凸面，可进一步抑制在被粘物与膜状粘合剂之间产生空隙。
在本说明书中，只要没有特别说明，则“重均分子量”是指通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定的聚苯乙烯换算值。
丙烯酸树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为-60～70℃，更优选为-45～50℃，例如可以为-35～30℃。通过使丙烯酸树脂的Tg为所述下限值以上，膜状粘合剂与被粘物之间的粘合力得以抑制，并更加易于在拾取时从后述的支撑片上分离带有膜状粘合剂的半导体芯片。通过使丙烯酸树脂的Tg为所述上限值以下，可提高膜状粘合剂与半导体芯片之间的粘合力。
当丙烯酸树脂具有两种以上的结构单元时，该丙烯酸树脂的玻璃化转变温度(Tg)可使用Fox公式进行计算。作为此时使用的衍生出所述结构单元的单体的Tg，可使用使用高分子数据手册(高分子データ·ハンドブック)、粘着手册(粘着ハンドブック)中记载的值。
作为构成丙烯酸树脂的所述(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酸酯)等构成烷基酯的烷基为碳原子数为1～18的链状结构的(甲基)丙烯酸烷基酯；
(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯等(甲基)丙烯酸环烷基酯；
(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；
(甲基)丙烯酸二环戊烯基酯等(甲基)丙烯酸环烯基酯；
(甲基)丙烯酸二环戊烯基氧基乙酯等(甲基)丙烯酸环烯基氧基烷基酯；
(甲基)丙烯酸酰亚胺；
(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等含羟基的(甲基)丙烯酸酯；
(甲基)丙烯酸N-甲基氨基乙酯等含取代氨基的(甲基)丙烯酸酯等。其中，“取代氨基”是指具有氨基的1个或2个氢原子被除氢原子以外的基团取代而成的结构的基团。
在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”为包含“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者的概念。与(甲基)丙烯酸类似的术语也相同。
除了所述(甲基)丙烯酸酯以外，丙烯酸树脂例如可以为选自(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及N-羟甲基丙烯酰胺等中的一种或两种以上的单体共聚而得到的树脂。
构成丙烯酸树脂的单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
除了上述羟基以外，丙烯酸树脂可具有乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羧基、异氰酸酯基等能够与其他化合物键合的官能团。丙烯酸树脂的以羟基为首的这些官能团可经由后述的交联剂(f)与其他化合物键合，也可不经由交联剂(f)而与其他化合物直接键合。通过使丙烯酸树脂通过所述官能团与其他化合物键合，提高了膜状粘合剂的内聚力，提高了膜状粘合剂的物理稳定性。
在本发明中，作为聚合物成分(a)，也可不使用丙烯酸树脂而单独使用除丙烯酸树脂以外的热塑性树脂(以下，有时仅缩写为“热塑性树脂”)，也可与丙烯酸树脂同时使用。通过使用所述热塑性树脂，更加易于在拾取时从后述的支撑片上分离带有膜状粘合剂的半导体芯片，膜状粘合剂易于追随被粘物的凹凸面，可进一步抑制在被粘物与膜状粘合剂之间产生空隙等。
所述热塑性树脂的重均分子量优选为1000～100000，更优选为3000～80000。
所述热塑性树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为-30～150℃，更优选为-20～120℃。
作为所述热塑性树脂，例如可列举出聚酯树脂、聚氨酯树脂、苯氧树脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。
组合物(III-1)及膜状粘合剂所含有的所述热塑性树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
在组合物(III-1)中，不论聚合物成分(a)的种类如何，聚合物成分(a)的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例(即，膜状粘合剂中的聚合物成分(a)的含量相对于膜状粘合剂的总质量的比例)均优选为5～40质量％，更优选为6～30质量％，例如为7～25质量％等。膜状粘合剂的结构变得更稳定。通过使所述比例为所述上限值以下，能够以较宽广的幅度调节使用聚合物成分(a)所带来的效果与使用除聚合物成分(a)以外的成分所带来的效果之间的平衡。
在组合物(III-1)及膜状粘合剂中，丙烯酸树脂的含量相对于聚合物成分(a)的总含量的比例优选为25～100质量％，例如可以为50～100质量％、70～100质量％及90～100质量％中的任意范围。通过使所述含量的比例为所述下限值以上，膜状粘合剂的保存稳定性变得更高。
通过调节聚合物成分(a)的重均分子量和膜状粘合剂中的聚合物成分(a)的含量，能够更加易于调节D0及|ΔT|。例如，通过使用重均分子量较大的聚合物成分(a)，及增大重均分子量较大的聚合物成分(a)在膜状粘合剂中的含量，能够更加易于减小D0及|ΔT|。
<热固性成分(b)>
热固性成分(b)具有热固性，其为用于使膜状粘合剂热固化的成分。
粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的热固性成分(b)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
作为热固性成分(b)，例如可列举出环氧类热固性树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂等。
其中，热固性成分(b)优选为环氧类热固性树脂。
·环氧类热固性树脂
环氧类热固性树脂由环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)组成。粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的环氧类热固性树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
[环氧树脂(b1)]
作为环氧树脂(b1)，可列举出公知的环氧树脂，例如可列举出多官能度类环氧树脂、联苯化合物、双酚A二缩水甘油醚及其氢化物、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等、双官能度以上的环氧化合物。
环氧树脂(b1)可以为具有不饱和烃基的环氧树脂。具有不饱和烃基的环氧树脂与丙烯酸树脂的相容性高于不具有不饱和烃基的环氧树脂。因此，通过使用具有不饱和烃基的环氧树脂(b1)，提高了使用膜状粘合剂得到的封装的可靠性。
作为具有不饱和烃基的环氧树脂，例如可列举出具有多官能度类环氧树脂的部分环氧基被转换为具有不饱和烃基的基团而成的结构的化合物。这样的化合物例如通过使(甲基)丙烯酸或其衍生物与环氧基进行加成反应而得到。
在本说明书中，只要没有特别说明，则“衍生物”是指具有原化合物的1个以上的基团被除其以外的基团(取代基)取代而成的结构的化合物。其中，“基团”不仅包括多个原子键合而构成的原子团，还包括1个原子。
此外，作为具有不饱和烃基的环氧树脂，例如可列举出具有不饱和烃基的基团直接键合在构成环氧树脂的芳香环等上而成的化合物等。不饱和烃基为具有聚合性的不饱和基团，作为其具体实例，可列举出乙烯基(vinyl group)、2-丙烯基(烯丙基)、(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰胺基等，优选丙烯酰基。
环氧树脂(b1)的数均分子量没有特别限定，从膜状粘合剂的固化性、以及膜状粘合剂的固化物的强度及耐热性的点出发，优选为300～30000，更优选为400～10000，特别优选为500～3000。
环氧树脂(b1)的环氧当量优选为100～1000g/eq，例如可以为150～650g/eq及150～300g/eq中的任意范围，可以为450～1000g/eq及700～1000g/eq中的任意范围。
作为环氧树脂(b1)，选择在常温下为固体的环氧树脂，通过调节其在膜状粘合剂中的含量，能够更加易于调节D0及|ΔT|。例如，通过增大在常温下为固体的环氧树脂(b1)在膜状粘合剂中的含量，能够更加易于减小D0及|ΔT|。
组合物(III-1)及膜状粘合剂所含有的环氧树脂(b1)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
[热固化剂(b2)]
热固化剂(b2)为针对环氧树脂(b1)的固化剂。
作为热固化剂(b2)，例如可列举出在1分子中具有2个以上能够与环氧基反应的官能团的化合物。作为所述官能团，例如可列举出酚羟基、醇羟基、氨基、羧基、酸基酐化而成的基团等，优选为酚羟基、氨基或酸基酐化而成的基团，更优选为酚羟基或氨基。
在热固化剂(b2)中，作为具有酚羟基的酚类固化剂，例如可列举出多官能度酚树脂、双酚、酚醛清漆型酚树脂、二环戊二烯型酚树脂、芳烷基型酚树脂等。
在热固化剂(b2)中，作为具有氨基的胺类固化剂，例如可列举出双氰胺(DICY)等。
热固化剂(b2)可具有不饱和烃基。
作为具有不饱和烃基的热固化剂(b2)，例如可列举出酚树脂的部分羟基被具有不饱和烃基的基团取代而成的化合物、在酚树脂的芳香环上直接键合具有不饱和烃基的基团而成的化合物等。
热固化剂(b2)中的所述不饱和烃基与上述具有不饱和烃基的环氧树脂中的不饱和烃基相同。
当使用酚类固化剂作为热固化剂(b2)时，从易于调节膜状粘合剂的粘合力的点出发，热固化剂(b2)优选为软化点或玻璃化转变温度高的热固化剂。
在热固化剂(b2)中，例如多官能度酚树脂、酚醛清漆型酚树脂、二环戊二烯型酚树脂、芳烷基型酚树脂等树脂成分的数均分子量优选为300～30000，更优选为400～10000，特别优选为500～3000。
在热固化剂(b2)中，例如双酚、双氰胺等非树脂成分的分子量没有特别限定，例如优选为60～500。
组合物(III-1)及膜状粘合剂所含有的热固化剂(b2)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
在组合物(III-1)及膜状粘合剂中，相对于环氧树脂(b1)的含量100质量份，热固化剂(b2)的含量优选为1～60质量份，例如可以为1～35质量份及1～10质量份中的任意范围，可以为20～60质量份及40～60质量份中的任意范围。通过使热固化剂(b2)的所述含量为所述下限值以上，膜状粘合剂更易进行固化。通过使热固化剂(b2)的所述含量为所述上限值以下，膜状粘合剂的吸湿率降低，使用膜状粘合剂而得到的封装的可靠性进一步提高。
在组合物(III-1)及膜状粘合剂中，相对于聚合物成分(a)的含量100质量份，热固性成分(b)的含量(例如环氧树脂(b1)和热固化剂(b2)的总含量)优选为20～1000质量份，更优选为20～700质量份，例如可以为50～500质量份、100～450质量份及200～400质量份中的任意范围。通过使热固性成分(b)的所述含量在上述范围内，更加易于调节膜状粘合剂与后述的支撑片之间的粘合力。此外，通过使热固性成分(b)的所述含量在上述范围内，可更加易于调节D0及|ΔT|。
为了改善膜状粘合剂的各种物性，除了聚合物成分(a)和热固性成分(b)以外，组合物(III-1)及膜状粘合剂可进一步根据需要含有不属于这些成分的其他成分。
作为组合物(III-1)及膜状粘合剂所含有的其他成分，例如可列举出固化促进剂(c)、填充材料(d)、偶联剂(e)、交联剂(f)、能量射线固化性树脂(g)、光聚合引发剂(h)、着色剂(i)、通用添加剂(j)等。
<固化促进剂(c)>
固化促进剂(c)为用于调节组合物(III-1)及膜状粘合剂的固化速度的成分。
作为优选的固化促进剂(c)，例如可列举出三乙烯二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑类(一个以上的氢原子被除氢原子以外的基团取代的咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类(一个以上的氢原子被有机基团取代的膦)；四苯基磷 四苯硼酸盐、三苯基膦四苯基硼酸脂等四苯基硼酸盐；以所述咪唑类为客体化合物的包合物等。
组合物(III-1)及膜状粘合剂所含有的固化促进剂(c)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
在使用固化促进剂(c)时，在组合物(III-1)及膜状粘合剂中，相对于热固性成分(b)的含量100质量份，固化促进剂(c)的含量优选为0.01～5质量份，更优选为0.1～3质量份。通过使固化促进剂(c)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地得到使用固化促进剂(c)带来的效果。通过使固化促进剂(c)的含量为所述上限值以下，例如可提高抑制高极性的固化促进剂(c)在高温高湿度条件下在膜状粘合剂中向与被粘物的粘合界面侧移动而发生偏析的效果，进一步可提高使用膜状粘合剂而得到的封装的可靠性。
<填充材料(d)>
通过含有填充材料(d)，易于调整膜状粘合剂的热膨胀系数，通过针对膜状粘合剂的贴附对象物而优化该热膨胀系数，进一步可提高使用膜状粘合剂得到的封装的可靠性。此外，通过使膜状粘合剂含有填充材料(d)，能够降低膜状粘合剂的固化物的吸湿率、提高放热性。
填充材料(d)可以为有机填充材料及无机填充材料中的任意一种，优选为无机填充材料。
作为优选的无机填充材料，例如可列举出二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、钛白、红氧化铁、碳化硅、氮化硼等的粉末；将这些无机填充材料球形化而得到的珠子；这些无机填充材料的表面改性物；这些无机填充材料的单晶纤维；玻璃纤维等。
其中，无机填充材料优选为二氧化硅、氧化铝或它们的表面改性物。
填充材料(d)的平均粒径没有特别限定，优选为10nm～5μm，例如可以为10～800nm、10～600nm、20～300nm及30～150nm中的任意范围。通过使填充材料(d)的平均粒径在上述范围内，在充分得到使用填充材料(d)带来的效果的同时，膜状粘合剂的保存稳定性也变得更高。
在本说明书中，只要没有特别说明，则“平均粒径”是指通过激光衍射散射法求出的粒度分布曲线中累计值50％时的粒径(D50)的值。
组合物(III-1)及膜状粘合剂所含有的填充材料(d)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
在使用填充材料(d)时，在组合物(III-1)中，填充材料(d)的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例(即，膜状粘合剂中的填充材料(d)的含量相对于膜状粘合剂的总质量的比例)优选为5～60质量％，更优选为10～45质量％，例如可以为10～20质量％。通过使填充材料(d)的含量在上述范围内，更加易于调整上述的热膨胀系数。
<偶联剂(e)>
通过含有偶联剂(e)，可提高膜状粘合剂对被粘物的粘合性及密合性。此外，通过使膜状粘合剂含有偶联剂(e)，可提高其固化物的耐水性且不会损害其耐热性。偶联剂(e)具有能够与无机化合物或有机化合物进行反应的官能团。
偶联剂(e)优选为具有能够与聚合物成分(a)、热固性成分(b)等具有的官能团进行反应的官能团的化合物，更优选为硅烷偶联剂。
作为优选的所述硅烷偶联剂，例如可列举出3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基甲基二乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基甲基二乙氧基硅烷、3-(苯基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-苯胺基丙基三甲氧基硅烷、3-脲丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3-三乙氧基硅基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷、低聚物型或聚合物型有机硅氧烷等。
组合物(III-1)及膜状粘合剂所含有的偶联剂(e)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
在使用偶联剂(e)时，在组合物(III-1)及膜状粘合剂中，相对于聚合物成分(a)及热固性成分(b)的总含量100质量份，偶联剂(e)的含量优选为0.03～20质量份，更优选为0.05～10质量份，特别优选为0.1～5质量份。通过使偶联剂(e)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地得到提高填充材料(d)在树脂中的分散性、或提高膜状粘合剂与被粘物的粘合性等、通过使用偶联剂(e)而带来的效果。通过使偶联剂(e)的所述含量为所述上限值以下，可进一步抑制产生脱气。
<交联剂(f)>
在将上述丙烯酸树脂等具有能够与其他化合物键合的乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羟基、羧基、异氰酸酯基等官能团的化合物用作聚合物成分(a)时，组合物(III-1)及膜状粘合剂可含有用于使所述官能团与其他化合物键合并交联的交联剂(f)。通过使用交联剂(f)进行交联，能够调节膜状粘合剂的初始粘合力及内聚力。
此外，通过使用交联剂(f)，能够更加易于调节D0及|ΔT|。
作为交联剂(f)，例如可列举出有机多异氰酸酯化合物、有机多元亚胺化合物、金属螯合物类交联剂(具有金属螯合结构的交联剂)、氮丙啶类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)等。
作为所述有机多异氰酸酯化合物，例如可列举出芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物及脂环族多异氰酸酯化合物(以下，将这些化合物统一简写为“芳香族多异氰酸酯化合物等”)；所述芳香族多异氰酸酯化合物等的三聚体、异氰脲酸酯体及加合物；使所述芳香族多异氰酸酯化合物等与多元醇化合物进行反应而得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物等。所述“加合物”是指所述芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物或脂环族多异氰酸酯化合物与乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷或蓖麻油等低分子含活性氢化合物的反应产物。作为所述加合物的例子，可列举出如后述的三羟甲基丙烷的甲苯二异氰酸酯三聚体加成物等。此外，“末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物”是指具有氨基甲酸酯键并在分子的末端部具有异氰酸酯基的预聚物。
作为所述有机多异氰酸酯化合物，更具体而言，例如可列举出2,4-甲苯二异氰酸酯；2,6-甲苯二异氰酸酯；1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯；1,4-二甲苯二异氰酸酯；二苯甲烷-4,4’-二异氰酸酯；二苯甲烷-2,4’-二异氰酸酯；3-甲基二苯甲烷二异氰酸酯；六亚甲基二异氰酸酯；异佛尔酮二异氰酸酯；二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯；二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯；三羟甲基丙烷等多元醇的全部或部分羟基与甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯及苯二亚甲基二异氰酸酯中的任意一种或两种以上进行加成而得到的化合物；赖氨酸二异氰酸酯等。
作为所述有机多元亚胺化合物，例如可列举出N,N’-二苯甲烷-4,4’-双(1-氮丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N’-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶甲酰胺)三亚乙基三聚氰胺等。
当使用有机多异氰酸酯化合物作为交联剂(f)时，作为聚合物成分(a)，优选使用含羟基聚合物。当交联剂(f)具有异氰酸酯基、聚合物成分(a)具有羟基时，通过交联剂(f)与聚合物成分(a)的反应，能够简便地向膜状粘合剂中导入交联结构。
组合物(III-1)及膜状粘合剂所含有的交联剂(f)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
使用交联剂(f)时，在粘合剂组合物中，相对于聚合物成分(a)的含量100质量份，交联剂(f)的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.1～10质量份，特别优选为0.3～5质量份。通过使交联剂(f)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地得到使用交联剂(f)带来的效果。通过使交联剂(f)的所述含量为所述上限值以下，可抑制交联剂(f)的过量使用。此外，通过使交联剂(f)的所述含量在上述范围内，可更加易于调节D0及|ΔT|。例如，通过增大交联剂(f)的所述含量，可更加易于减小D0及|ΔT|。
不使用交联剂(f)时，即交联剂(f)的所述含量为0质量份时，在形成膜状粘合剂之后，不需要设置直至基于交联剂(f)的作用的交联反应结束的时间，能够缩短工序时间，在这一点上是有利的。
<能量射线固化性树脂(g)>
通过含有能量射线固化性树脂(g)，可通过照射能量射线改变膜状粘合剂的特性。
能量射线固化性树脂(g)由能量射线固化性化合物得到。
作为所述能量射线固化性化合物，例如可列举出分子内至少具有1个聚合性双键的化合物，优选具有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸酯类化合物。
作为所述丙烯酸酯类化合物，例如可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等含链状脂肪族骨架的(甲基)丙烯酸酯；二环戊基二(甲基)丙烯酸酯等含环状脂肪族骨架的(甲基)丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等聚亚烷基二醇(甲基)丙烯酸酯；低聚酯(甲基)丙烯酸酯；氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物；环氧基改性(甲基)丙烯酸酯；除所述聚亚烷基二醇(甲基)丙烯酸酯以外的聚醚(甲基)丙烯酸酯；衣康酸低聚物等。
能量射线固化性树脂(g)的重均分子量优选为100～30000，更优选为300～10000。
组合物(III-1)所含有的能量射线固化性树脂(g)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
在使用能量射线固化性树脂(g)时，在组合物(III-1)中，能量射线固化性树脂(g)的含量相对于组合物(III-1)的总质量的比例优选为1～95质量％，例如可以为1～50质量％、1～25质量％及1～10质量％中的任意范围。
<光聚合引发剂(h)>
当组合物(III-1)及膜状粘合剂含有能量射线固化性树脂(g)时，为了高效促进能量射线固化性树脂(g)的聚合反应，可含有光聚合引发剂(h)。
作为所述光聚合引发剂(h)，例如可列举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫化物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；过氧化物化合物；丁二酮等二酮化合物；苯偶酰(benzil)；二苯偶酰；二苯甲酮；2,4-二乙基噻吨酮；1,2-二苯基甲烷；2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；1-氯蒽醌、2-氯蒽醌等醌化合物等。
此外，作为光聚合引发剂(h)，例如还可列举出胺等光敏剂。
组合物(III-1)及膜状粘合剂所含有的光聚合引发剂(h)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
在使用光聚合引发剂(h)时，在组合物(III-1)中，相对于能量射线固化性树脂(g)的含量100质量份，光聚合引发剂(h)的含量优选为0.1～20质量份，更优选为1～10质量份，特别优选为2～5质量份。
<着色剂(i)>
在膜状粘合剂及其固化物中，着色剂(i)为能够调节各种波长的光的透光率的成分。
作为着色剂(i)，例如可列举出无机类颜料、有机类颜料、有机类染料等公知的着色剂。
作为所述有机类颜料及有机类染料，例如可列举出胺鎓(aminium)类色素、花青类色素、部花青类色素、克酮酸(croconium)类色素、方酸菁(squarylium)类色素、甘菊蓝鎓(azulenium)类色素、聚甲炔类色素、萘醌类色素、吡喃鎓类色素、酞菁类色素、萘菁类色素、萘内酰亚胺(naphtholactam)类色素、偶氮类色素、缩合偶氮类色素、靛蓝类色素、紫环酮(perinone)类色素、苝类色素、二噁嗪类色素、喹吖啶酮类色素、异吲哚啉酮类色素、喹酞酮类色素、吡咯类色素、硫靛类色素、金属络合物类色素(金属络合盐染料)、二硫醇金属络合物类色素、吲哚酚类色素、三芳基甲烷类色素、蒽醌类色素、二噁嗪类色素、萘酚类色素、甲亚胺类色素、苯并咪唑酮类色素、皮蒽酮类色素及士林(threne)类色素等。
作为所述无机类颜料，例如可列举出炭黑、钴类色素、铁类色素、铬类色素、钛类色素、钒类色素、锆类色素、钼类色素、钌类色素、铂类色素、ITO(氧化铟锡)类色素、ATO(氧化锑锡)类色素等。
组合物(III-1)及膜状粘合剂所含有的着色剂(i)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
在使用着色剂(i)时，组合物(III-1)及膜状粘合剂的着色剂(i)的含量例如可根据着色剂(i)的种类等进行适当调节。通常在组合物(III-1)中，无论着色剂(i)的种类如何，着色剂(i)的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例(即，膜状粘合剂中的着色剂(i)的含量相对于膜状粘合剂的总质量的比例)均优选为0.01～10质量％。通过使所述比例为所述下限值以上，可更显著地得到使用着色剂(i)带来的效果。通过使所述比例为所述上限值以下，可抑制着色剂(i)的过量使用。
<通用添加剂(j)>
通用添加剂(j)可以为公知的添加剂，可根据目的任意选择，没有特别限定。作为优选的通用添加剂(j)，例如可列举出增塑剂、抗静电剂、抗氧化剂、吸杂剂(getteringagent)、消泡剂、流平剂等。
组合物(III-1)及膜状粘合剂所含有的通用添加剂(i)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
组合物(III-1)及膜状粘合剂的通用添加剂(i)的含量没有特别限定，例如可根据通用添加剂(i)的种类进行适当选择。
<溶剂>
组合物(III-1)优选进一步含有溶剂。含有溶剂的组合物(III-1)的操作性良好。
所述溶剂没有特别限定，但作为优选的溶剂，例如可列举出甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺(具有酰胺键的化合物)等。
组合物(III-1)所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
从能够更均匀地混合组合物(III-1)中的所含成分的点出发，组合物(III-1)所含有的溶剂优选为甲基乙基酮等。
组合物(III-1)的溶剂的含量没有特别限定，根据例如除溶剂以外的成分的种类进行适当选择即可。
<<能量射线固化性粘合剂组合物>>
作为能量射线固化性粘合剂组合物，例如可列举出含有能量射线固化性成分的粘合剂组合物(在本说明书中，有时缩写为“组合物(III-2)”)，例如可以为含有能量射线固化性成分、不具有能量射线固化性基团的聚合物、及光聚合引发剂的粘合剂组合物。
作为所述能量射线固化性成分，例如可列举出具有丙烯酰基等能量射线聚合性不饱和基团(能量射线聚合性基团)和缩水甘油基等能够与其他化合物反应的基团的树脂等。
在前文说明的组合物(III-1)中的环氧树脂(b1)中，有属于所述能量射线固化性成分的成分。
作为所述不具有能量射线固化性基团的聚合物，可列举出丙烯酸树脂、苯氧树脂、聚氨酯树脂、聚酯树脂、橡胶类树脂、丙烯酸氨基甲酸酯树脂等。
其中，不具有能量射线固化性基团的聚合物优选为丙烯酸树脂。
在前文说明的(III-1)中的聚合物成分(a)中，有属于所述不具有能量射线固化性基团的聚合物的成分。
作为所述光聚合引发剂，例如可列举出与前文说明的组合物(III-1)中的光聚合引发剂(h)相同的光聚合引发剂。
对于组合物(III-2)中的所述能量射线固化性成分、不具有能量射线固化性基团的聚合物及光聚合引发剂的含量，根据这些成分的种类进行适当调节即可，没有特别限定。例如，当所述能量射线固化性成分、所述不具有能量射线固化性基团的聚合物、及所述光聚合引发剂中的任意一种成分中有属于组合物(III-1)中的任意一种所含成分的成分时，可将该成分在组合物(III-2)中的含量设为与该成分在组合物(III-1)中的含量相同。
组合物(III-2)可根据目的含有既不属于所述能量射线固化性成分、也不属于所述不具有能量射线固化性基团的聚合物、且也不属于所述光聚合引发剂的其他成分。
作为所述其他成分，例如可列举出选自由环氧树脂、热固化剂、填充材料、偶联剂、交联剂、着色剂、通用添加剂及溶剂组成的组中的一种或两种以上。
作为组合物(III-2)中的所述环氧树脂、热固化剂、填充材料、偶联剂、交联剂、着色剂、通用添加剂及溶剂，可分别列举出与组合物(III-1)中的环氧树脂(b1)、热固化剂(b2)、填充材料(d)、偶联剂(e)、交联剂(f)、着色剂(i)、通用添加剂(j)及溶剂相同的化合物。
对于组合物(III-2)中的所述环氧树脂、热固化剂、填充材料、偶联剂、交联剂、着色剂、通用添加剂及溶剂的含量，根据目的进行适当调节即可，没有特别限定。
作为本实施方式的优选的固化性的膜状粘合剂的其他例子，可列举出下述膜状粘合剂，其为固化性的膜状粘合剂，所述膜状粘合剂含有聚合物成分、热固性成分、固化促进剂及偶联剂，所述聚合物成分含有丙烯酸树脂，所述热固性成分含有环氧类热固性树脂，所述环氧类热固性树脂由环氧树脂及热固化剂组成，相对于所述膜状粘合剂的总质量，所述膜状粘合剂中的所述聚合物成分的含量的比例为5～40质量％，相对于所述聚合物成分的总含量，所述膜状粘合剂中的所述丙烯酸树脂的含量的比例为25～100质量％，相对于所述聚合物成分的含量100质量份，所述膜状粘合剂中的所述热固性成分的含量的比例为20～1000质量份，相对于所述环氧树脂的含量100质量份，所述膜状粘合剂中的所述热固化剂的含量为1～60质量份，对于为多片所述膜状粘合剂的层叠物且厚度为200μm的第一试验片，根据JIS K7128-3，将夹住所述第一试验片进行固定的一对夹具之间的距离设为60mm、将撕裂速度设为200mm/分、并通过直角形撕裂法进行撕裂试验时，从所述第一试验片的撕裂强度达到最大时开始至所述第一试验片断裂为止的所述第一试验片在撕裂方向上的位移量为15mm以下。
<<粘合剂组合物的制备方法>>
粘合剂组合物(热固性粘合剂组合物、能量射线固化性粘合剂组合物)可通过掺合用于构成该粘合剂组合物的各成分而得到。
掺合各成分时的添加顺序没有特别限定，可同时添加两种以上的成分。
在使用溶剂时，可通过将溶剂与除溶剂以外的任意一种掺合成分混合而将该掺合成分预先稀释从而进行使用，也可不将除溶剂以外的任意一种掺合成分预先稀释、而是通过将溶剂与这些掺合成分混合从而进行使用。
掺合时混合各成分的方法没有特别限定，从下述公知的方法中适当选择即可：使搅拌子或搅拌桨等旋转而进行混合的方法；使用混合器进行混合的方法；施加超声波进行混合的方法等。
只要各掺合成分不劣化，则各成分的添加及混合时的温度以及时间没有特别限定，适当调节即可，但温度优选为15～30℃。
◇切割固晶片
本发明的一个实施方式的切割固晶片具备支撑片和设置在所述支撑片的一个面上的膜状粘合剂，所述膜状粘合剂为上述的本发明的一个实施方式的膜状粘合剂。
本实施方式的切割固晶片例如可以用作用于通过利用切割将半导体晶圆分割为半导体芯片从而制造前文说明的带有膜状粘合剂的半导体芯片的片。即，所述切割固晶片中的支撑片可用作切割片。
<<支撑片>>
所述支撑片可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成。当支撑片由多个层构成时，这些多个层的构成材料及厚度可彼此相同，也可彼此不同，只要不损害本发明的效果，则这些多个层的组合没有特别限定。
作为所述支撑片，例如可列举出仅由基材构成的支撑片；具备基材和设置在所述基材的一个面上的粘着剂层的支撑片；具备基材和设置在所述基材的一个面上的除粘着剂层以外的功能层的支撑片等。
当支撑片具备所述基材和粘着剂层时，在所述切割固晶片中，粘着剂层配置在基材与所述膜状粘合剂之间。
当支撑片具备所述基材和功能层时，在所述切割固晶片中，功能层可配置在基材的膜状粘合剂侧，也可配置在基材的与膜状粘合剂侧相反的一侧。
在本实施方式中，将配置在基材的膜状粘合剂侧的功能层称为“中间层”，将配置在基材的与膜状粘合剂侧相反的一侧的功能层称为“背面层”。所述中间层通过配置在基材的膜状粘合剂侧，赋予支撑片或切割固晶片除粘着性以外的新功能。所述背面层通过配置在基材的与膜状粘合剂侧相反的一侧，赋予支撑片或切割固晶片除粘着性以外的新功能。作为背面层，例如可列举出用于防止支撑片或切割固晶片产生静电的抗静电层；在将支撑片或切割固晶片堆叠而保存时用于防止支撑片彼此或切割固晶片彼此的粘合、或用于防止支撑片或切割固晶片与吸附台的粘合的防粘层等。
仅由基材构成的所述支撑片不仅适宜用作切割片，还适宜用作载片(carriersheet)。具备这种仅由基材构成的支撑片的切割固晶片以将膜状粘合剂的与具备支撑片(即基材)一侧相反的一侧的面(即，所述第一面)贴附在半导体晶圆的一个面上的方式而使用。
在使用仅由基材构成的支撑片时，能够以低成本制造切割固晶片。
具备基材和粘着剂层的所述支撑片以及具备基材和功能层的所述支撑片适宜用作切割片。具备这种支撑片的切割固晶片同样以将膜状粘合剂的与具备支撑片一侧相反的一侧的面(第一面)贴附在半导体晶圆的一个面上的方式而使用。
在使用具备基材和粘着剂层的支撑片时，对于切割固晶片，可易于调节支撑片与膜状粘合剂之间的粘着力或密合性。
在使用具备基材和功能层的支撑片时，支撑片或切割固晶片可表现出与功能层特性相应的除粘着性以外的功能。
通过使本实施方式的切割固晶片具备所述膜状粘合剂，即使支撑片不具备与膜状粘合剂直接接触的粘着剂层，也能够使用所述切割固晶片制作带有膜状粘合剂的半导体芯片，能够抑制在拾取这些带有膜状粘合剂的半导体芯片时膜状粘合剂残留在支撑片上。
即，在使用在仅由基材构成的支撑片上设有膜状粘合剂的切割固晶片或具备基材与所述功能层的切割固晶片等、具有粘着剂层不与膜状粘合剂直接接触的结构的所述切割固晶片时，最能够显著发挥本发明的效果。
然而，本实施方式的切割固晶片也可具备与膜状粘合剂直接接触的粘着剂层，此时，通过膜状粘合剂的作用与粘着剂层的作用，能够更加易于抑制在拾取带有膜状粘合剂的半导体芯片时膜状粘合剂残留在支撑片上。
切割固晶片的使用方法会在后文进行详细说明。
以下，对构成支撑片的各个层进行说明。
<基材>
所述基材为片状或膜状，作为其构成材料，例如可列举出各种树脂。
作为所述树脂，例如可列举出低密度聚乙烯(LDPE)、直链低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降冰片烯树脂等除聚乙烯以外的聚烯烃；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降冰片烯共聚物等乙烯类共聚物(使用乙烯作为单体而得到的共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯类树脂(使用氯乙烯作为单体而得到的树脂)；聚苯乙烯；聚环烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚间苯二甲酸乙二醇酯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、所有的结构单元都具有芳香族环式基团的全芳香族聚酯等聚酯；两种以上的所述聚酯的共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚氨酯；聚氨酯丙烯酸酯；聚酰亚胺；聚酰胺；聚碳酸酯；氟树脂；聚缩醛；改性聚苯醚；聚苯硫醚；聚砜；聚醚酮等。
此外，作为所述树脂，例如还可列举出所述聚酯与除其以外的树脂的混合物等聚合物合金。所述聚酯与除其以外的树脂的聚合物合金优选为除聚酯以外的树脂的量较少的聚合物合金。
此外，作为所述树脂，例如也可列举出此前例示的所述树脂中的一种或两种以上交联而成的交联树脂；使用了此前例示的所述树脂中的一种或两种以上的离聚物等改性树脂。
在这些成分中，作为基材的构成材料的所述树脂，优选为聚乙烯、除聚乙烯以外的聚烯烃、乙烯类共聚物等具有由烯烃衍生的结构单元的烯烃类树脂。即使在以使所述膜状粘合剂与基材直接接触的方式而构成的切割固晶片中，基材与膜状粘合剂的接触面含有这样的树脂的切割固晶片也能够进一步提高上述抑制膜状粘合剂残留在支撑片(换言之为基材)上的效果。
此外，作为基材的构成材料的所述树脂优选不具有羧基、羰基、羟基等极性基团。基材与膜状粘合剂的接触面含有这样的树脂的切割固晶片同样能够进一步提高上述抑制膜状粘合剂残留在支撑片(换言之为基材)上的效果。
构成基材的树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比例可任意选择。
基材可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，由多个层构成时，这些多个层可彼此相同，也可彼此不同，这些多个层的组合没有特别限定。
基材的厚度优选为50～300μm，更优选为60～150μm。通过使基材的厚度在上述范围内，可进一步提高切割固晶片的可挠性与对半导体晶圆的贴附性。
其中，“基材的厚度”是指基材整体的厚度，例如由多个层构成的基材的厚度是指构成基材的所有层的总厚度。
除了所述树脂等主要构成材料以外，基材可含有填充材料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、有机润滑剂、催化剂、软化剂(增塑剂)等公知的各种添加剂。
基材可以为透明，也可以为不透明，可以根据目的进行着色，也可以蒸镀有其它层。
为了提高基材与设置在该基材上的层(例如，粘着剂层、膜状粘合剂等)的密合性，可对表面实施基于喷砂处理、溶剂处理等的凹凸化处理、电晕放电处理、电子束照射处理、等离子体处理、臭氧-紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理等。
此外，基材可以在表面实施底涂处理。
此外，基材可以在表面具有剥离处理层。所述剥离处理层可通过使用公知的各种剥离剂对基材的表面进行剥离处理而形成。
此外，基材通过含有特定范围的成分(例如，树脂等)，可在至少其一个面上具有粘着性。
当支撑片仅由基材构成时、或支撑片具有基材的露出面时等、支撑片的膜状粘合剂侧的最表层为基材的情况下，从进一步提高抑制在拾取带有膜状粘合剂的半导体芯片时膜状粘合剂残留在支撑片(换言之为基材)上的效果的点出发，优选基材的膜状粘合剂侧的面(在本说明书中，有时称为“第一面”)未实施所述氧化处理、所述底涂处理等表面处理。
基材可通过公知的方法制造。例如，含有树脂的基材可通过使含有所述树脂的树脂组合物成型而制造。
<粘着剂层>
所述粘着剂层为片状或膜状，且含有粘着剂。
作为所述粘着剂，例如可列举出丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、橡胶类树脂、有机硅树脂、环氧类树脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、聚酯树脂等粘着性树脂。
在本说明书中，“粘着性树脂”包括具有粘着性的树脂和具有粘合性的树脂这两种。例如，所述粘着性树脂不仅包括树脂本身具有粘着性的树脂，还包括通过与添加剂等其他成分同时使用而表现出粘着性的树脂或者因热或水等诱因的存在而表现出粘合性的树脂等。
粘着剂层可以由一层(单层)形成，也可以由两层以上的多个层形成，由多个层形成时，这些多个层可以彼此相同或不同，这些多个层的组合没有特别限定。
粘着剂层的厚度没有特别限定，优选为1～100μm，例如可以为1～60μm及1～30μm中的任意范围。
其中，“粘着剂层的厚度”是指粘着剂层整体的厚度，例如，由多个层构成的粘着剂层的厚度是指构成粘着剂层的所有层的总厚度。
粘着剂层可以是使用能量射线固化性粘着剂而形成的层，也可以是使用非能量射线固化性粘着剂而形成的层。即，粘着剂层可以是能量射线固化性及非能量射线固化性中的任意一种。能量射线固化性的粘着剂层可易于调节其固化前及固化后的物性。
粘着剂层可使用含有粘着剂的粘着剂组合物而形成。例如可通过在粘着剂层的形成对象面上涂布粘着剂组合物，并根据需要对其进行干燥，由此在目标部位上形成粘着剂层。粘着剂组合物中的在常温下不汽化的成分彼此的含量的比例通常与粘着剂层中所述成分彼此的含量的比例相同。
粘着剂组合物可通过与上述的粘合剂组合物相同的方法进行涂布。
当粘着剂层为能量射线固化性时，作为能量射线固化性的粘着剂组合物，例如可列举出含有非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)(以下，有时缩写为“粘着性树脂(I-1a)”)和能量射线固化性化合物的粘着剂组合物(I-1)；含有在所述粘着性树脂(I-1a)的侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(I-2a)(以下，有时缩写为“粘着性树脂(I-2a)”)的粘着剂组合物(I-2)；含有所述粘着性树脂(I-2a)和能量射线固化性化合物的粘着剂组合物(I-3)等。
当粘着剂层为非能量射线固化性时，作为非能量射线固化性的粘着剂组合物，例如可列举出含有所述粘着性树脂(I-1a)的粘着剂组合物(I-4)等。
除了掺合成分不同这一点以外，粘着剂组合物(I-1)～(I-4)等的粘着剂组合物可通过与上述的粘合剂组合物相同的方法制备。
<功能层>
所述功能层为片状或膜状，优选含有树脂。
功能层可由树脂形成，也可含有树脂与除树脂以外的成分。
含有树脂的功能层例如可通过使所述树脂或含有所述树脂的功能层形成用组合物成型而形成。此外，功能层还可通过在功能层的形成对象面上涂布功能层形成用组合物，并根据需要对其进行干燥而形成。
所述功能层形成用组合物的所述树脂的含量没有特别限定，例如可设为10～90质量％，但其仅为一个例子。
功能层可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，由多个层构成时，这些多个层的可彼此相同，也可彼此不同，这些功能层的组合没有特别限定。
功能层的厚度没有特别限定，可根据其种类进行适当设定。
此处，“功能层的厚度”是指功能层整体的厚度，例如，由多个层构成的功能层的厚度是指构成功能层的所有层的总厚度。
然后，参考附图对本实施方式的切割固晶片的例子进行说明。
图4为示意性示出本实施方式的切割固晶片的一个例子的截面图。
此处所示的切割固晶片101具备支撑片10，且在支撑片10的一个面(第一面)10a上具备膜状粘合剂13。支撑片10仅由基材11构成，换言之，切割固晶片101具有在基材11的一个面(本说明书中，有时称为“第一面”)11a上层叠有膜状粘合剂13的结构。此外，切割固晶片101进一步在膜状粘合剂13上具备剥离膜15。
在切割固晶片101中，在基材11的第一面11a上层叠有膜状粘合剂13，在膜状粘合剂13的与具备基材11的一侧为相反侧的面(本说明书中，有时称为“第一面”)13a的一部分、即在周边部附近的区域层叠有夹具用粘合剂层16，在膜状粘合剂13的第一面13a中的未层叠夹具用粘合剂层16的面与在夹具用粘合剂层16中的未与膜状粘合剂13接触的面16a(上表面及侧面)上层叠有剥离膜15。
基材11的第一面11a与支撑片10的第一面10a相同。
膜状粘合剂13与前文说明相同。
剥离膜15与图3所示的第一剥离膜151或第二剥离膜152相同。
夹具用粘合剂层16例如可以为含有粘合剂成分的单层结构，也可以为在作为芯材的片的两面上层叠有含有粘合剂成分的层而成的多层结构。
切割固晶片101通过以下方式使用：在去除了剥离膜15的状态下，在膜状粘合剂13的第一面13a上贴附半导体晶圆(省略图示)的背面，进一步，将夹具用粘合剂层16的面16a的上表面贴附在环形框架等夹具上。
图5为示意性示出本实施方式的切割固晶片的另一个例子的截面图。除了不具备夹具用粘合剂层16这一点以外，此处所示的切割固晶片102与图4所示的切割固晶片101相同。即，在切割固晶片102中，在基材11的第一面11a(支撑片10的第一面10a)上层叠有膜状粘合剂13，在膜状粘合剂13的第一面13a的整个面上层叠有剥离膜15。
换言之，切割固晶片102以将基材11、膜状粘合剂13及剥离膜15沿其等厚度方向依次层叠的方式而构成。
图5所示的切割固晶片102通过以下方式使用：在去除了剥离膜15的状态下，在膜状粘合剂13的第一面13a中的、膜状粘合剂13的宽度方向的中央侧的部分区域上贴附半导体晶圆(省略图示)的背面，进一步在膜状粘合剂13的周边部附近的区域贴附环形框架等夹具。
本实施方式的切割固晶片不仅限于图4～图5中所示的切割固晶片，在不损害本发明效果的范围内，可对图4～图5中所示的切割固晶片的部分结构进行变更或删除，或者在此前说明的切割固晶片上进一步追加其他结构。
例如，图4～图5所示的切割固晶片可在任意位置上设置既不属于基材、也不属于膜状粘合剂、且也不属于剥离膜的其他层。
作为所述其它层，例如可列举出前文说明的粘着剂层、功能层(中间层、背面层)等。粘着剂层设置在基材11与膜状粘合剂13之间。功能层中的中间层也设置在基材11与膜状粘合剂13之间。功能层中的背面层设置在基材11的与第一面11a为相反侧的面上，可以为切割固晶片的最表层。
在图4～图5所示的切割固晶片中，在剥离膜和与该剥离膜直接接触的层之间可产生部分空隙。
在图4～图5所示的切割固晶片中，各层的大小或形状可根据目的任意进行调节。
◇切割固晶片的制造方法
将上述各层以成为对应的位置关系的方式进行层叠，并可根据需要调节部分或所有层的形状，由此可制造所述切割固晶片。各层的形成方法如上所述。
例如，在制造支撑片时，在基材上层叠粘着剂层的情况下，在基材上涂布上述粘着剂组合物，并根据需要对其进行干燥即可。
此外，也可通过以下方法在基材上层叠粘着剂层，即在剥离膜上涂布粘着剂组合物，并根据需要对其进行干燥，由此在剥离膜上形成粘着剂层，将该粘着剂层的露出面与基材的一个面进行贴合的方法。此时，优选粘着剂组合物涂布在剥离膜的剥离处理面上。
至此，列举了在基材上层叠粘着剂层的情况，但上述方法也可适用于例如在基材上层叠前文说明的功能层等其他层的情况、在基材上层叠所述膜状粘合剂的情况。在层叠所述膜状粘合剂时，使用所述粘合剂组合物。
另一方面，例如在已层叠于基材上的最上层(以下，缩写为“第一层”)上进一步层叠新的层(以下，缩写为“第二层”)时，使用用于形成所述第二层的组合物，预先在剥离膜上形成第二层，将该已形成的第二层的与和所述剥离膜接触的一侧为相反侧的露出面贴合在基材上的所述第一层的露出面上，由此可形成连续的两层层叠结构(换言之，为第一层与第二层的层叠结构)。此时，所述组合物优选涂布在剥离膜的剥离处理面上。在形成层叠结构之后，可以根据需要去除剥离膜。当所述第二层为所述膜状粘合剂时，将所述粘合剂组合物用作用于形成第二层的组合物。
由此，构成切割固晶片的除基材以外的层均能够通过预先形成在剥离膜上，再贴合于目标层的表面的方法进行层叠，因此只需根据需要适当选择采用这种工序的层来制造切割固晶片即可。
另外，切割固晶片通常以与其支撑片侧为相反侧的最表层(例如膜状粘合剂)的表面贴合有剥离膜的状态进行保存。因此，通过在该剥离膜(优选为其剥离处理面)上涂布所述粘合剂组合物等用于形成构成最表层的层的组合物，并根据需要对其进行干燥，从而在剥离膜上形成构成最表层的层，并通过上述任意一种方法在该层的与和剥离膜接触的一侧为相反侧的露出面上层叠其余的各个层，并保持未去除剥离膜而贴合有剥离膜的状态，由此可得到带有剥离膜的切割固晶片。
◇半导体装置的制造方法(切割固晶片的使用方法)
<<制造方法(1)>>
上述的本发明的一个实施方式的切割固晶片可在制造半导体装置时使用。
作为此时的半导体装置的制造方法，例如可列举出具有下述工序的制造方法(在本说明书，有时称为“制造方法(1)”)：
层叠(1)工序，其中，使用所述切割固晶片，制作层叠体(1)，该层叠体(1)具备半导体晶圆且以通过所述切割固晶片中的所述膜状粘合剂在所述半导体晶圆的背面上贴附所述切割固晶片的方式而构成；
分割/切断工序，其中，通过分割所述层叠体(1)中的所述半导体晶圆，制作半导体芯片，通过沿着所述半导体晶圆的分割部位切断所述膜状粘合剂，制作带有膜状粘合剂的半导体芯片集合体(1)，该半导体芯片集合体(1)以在所述支撑片上保持有多个带有膜状粘合剂的半导体芯片的方式而构成，所述带有膜状粘合剂的半导体芯片具备所述半导体芯片和设置在所述半导体芯片背面的切断后的所述膜状粘合剂；
拾取(1)工序，其中，通过将所述带有膜状粘合剂的半导体芯片集合体(1)中的带有膜状粘合剂的半导体芯片从所述支撑片上分离并拾取，由此获得带有膜状粘合剂的半导体芯片；及
固晶工序，其中，通过所述带有膜状粘合剂的半导体芯片中的膜状粘合剂，在基板的电路形成面上对获得的所述带有膜状粘合剂的半导体芯片中的半导体芯片进行固晶。
在制造方法(1)中，除了使用上述的本发明的一个实施方式的切割固晶片以代替以往的切割固晶片这一点以外，能够通过与以往的方法相同的方法制造半导体装置。
<层叠(1)工序>
在所述层叠(1)工序中，例如通过将所述切割固晶片中的所述膜状粘合剂中的、与所述支撑片侧为相反侧的面(即第一面)贴附在半导体晶圆的背面，由此制作层叠体(1)。
本工序除了使用上述的本发明的一个实施方式的切割固晶片以代替以往的切割固晶片这一点以外，能够通过与以往的将切割固晶片贴附在半导体晶圆背面的方法相同的方法进行。
<分割/切断工序>
在所述分割/切断工序中，进行分割层叠体(1)中的半导体晶圆(制作半导体芯片)与切断层叠体(1)中的膜状粘合剂的顺序没有特别限定，可按照分割半导体晶圆再切断膜状粘合剂的顺序进行，也可按照切断膜状粘合剂再分割半导体晶圆的顺序进行，还可同时进行半导体晶圆的分割和膜状粘合剂的切断。此外，在不同时进行半导体晶圆的分割和膜状粘合剂的切断时，可连续性进行半导体晶圆的分割和膜状粘合剂的切断，也可阶段性进行半导体晶圆的分割和膜状粘合剂的切断。
分割半导体晶圆及切断膜状粘合剂均可通过公知的方法进行。
例如，通过刀片切割、基于激光照射的激光切割或基于喷射含有研磨剂的水的水切割等各种切割，可连续性进行半导体晶圆的分割和膜状粘合剂的切断。但这些仅为半导体晶圆的分割方法及膜状粘合剂的切断方法的一个例子。
膜状粘合剂的切断沿着半导体晶圆的分割位置而进行，此时，在分割半导体晶圆之后切断膜状粘合剂的情况下，膜状粘合剂的切断沿着半导体晶圆被分割的位置进行，即沿着半导体芯片的周边部进行。然而，在分割半导体晶圆之前切断膜状粘合剂的情况下、及在分割半导体晶圆的同时切断膜状粘合剂的情况下，膜状粘合剂的切断沿着半导体晶圆的预定进行分割的位置而进行。
在通过本工序制作的带有膜状粘合剂的半导体芯片集合体(1)中，多个带有膜状粘合剂的半导体芯片以整齐排列的状态保持(固定)在构成所述切割固晶片的1片所述支撑片上。
<拾取(1)工序>
在所述拾取(1)工序中，可通过公知的方法将带有膜状粘合剂的半导体芯片集合体(1)中的带有膜状粘合剂的半导体芯片从支撑片上分离并拾取。
在本工序中，通过使用上述的本发明的一个实施方式的膜状粘合剂(切割固晶片)，即使支撑片不具备用于与膜状粘合剂直接接触的粘着剂层，也能够抑制在拾取带有膜状粘合剂的半导体芯片时膜状粘合剂残留在支撑片上。
<固晶工序>
在所述固晶工序中，可使用公知的方法，在基板的电路形成面上，对拾取后的带有膜状粘合剂的半导体芯片，通过其膜状粘合剂进行固晶。
在所述固晶工序后，可通过与以往的方法相同的方法制造半导体封装及半导体装置。例如，根据需要，进一步在该经过固晶的半导体芯片上层叠1个以上的半导体芯片之后，进行引线键合。然后，使膜状粘合剂热固化，进一步使用树脂对得到的结构整体进行密封。通过经过上述这些工序，可制作半导体封装。然后，可使用该半导体封装制造目标的半导体装置。
图6为用于示意性说明制造方法(1)的截面图。此处示出了使用了图4所示的切割固晶片101时的制造方法(1)。
图6A示出了在层叠(1)工序中得到的层叠体(1)119A。层叠体(1)119A具备半导体晶圆9和设置在半导体晶圆9的背面9b的切割固晶片101。
图6B示出了在分割/切断工序中得到的带有膜状粘合剂的半导体芯片集合体(1)119B。带有膜状粘合剂的半导体芯片集合体(1)119B以在支撑片10上保持有多个带有膜状粘合剂的半导体芯片139’的方式而构成，所述带有膜状粘合剂的半导体芯片139’具备半导体芯片9’和设置在半导体芯片9’的背面9b’的切断后的膜状粘合剂130。
图6C示出了在拾取(1)工序中使用分离工具7，沿箭头I方向，将带有膜状粘合剂的半导体芯片139’从支撑片10上分离并拾取的状态。作为分离工具7，可列举出真空吸嘴等。另外，此处未对分离工具7进行截面表示。膜状粘合剂130残留在支撑片10的第一面10a上的情况得以抑制。
图6D示出了在固晶工序中，通过膜状粘合剂130在基板5的电路形成面5a上对半导体芯片9’进行了固晶的状态。
图6中示出了使用切割固晶片101时的制造方法(1)，但在使用其他切割固晶片时，也能够得到相同的半导体装置。
<<制造方法(2)>>
上述本发明的一个实施方式的膜状粘合剂也可通过在构成上述本发明的一个实施方式的切割固晶片之前贴附在半导体晶圆上从而在制造半导体装置时使用。
作为此时的半导体装置的制造方法，例如可列举出具有以下工序的制造方法(在本说明书中，有时称为“制造方法(2)”)：
层叠(21)工序，其中，使用所述膜状粘合剂，制作具备半导体晶圆和设置在所述半导体晶圆的背面的所述膜状粘合剂的层叠体(21)；
层叠(22)工序，其中，通过在所述层叠体(21)中的所述膜状粘合剂的与所述半导体晶圆侧为相反侧的面(即第二面)上贴附切割片，制作依次层叠所述切割片及层叠体(21)而构成的(换言之，将所述切割片、膜状粘合剂及半导体晶圆沿其等厚度方向依次层叠而构成的)层叠体(22)；
分割/切断工序，其中，通过分割所述层叠体(22)中的所述半导体晶圆制作半导体芯片，通过沿着所述半导体晶圆的分割位置切断所述膜状粘合剂，制作以在所述切割片上保持有多个带有膜状粘合剂的半导体芯片的方式而构成的带有膜状粘合剂的半导体芯片集合体(2)，所述带有膜状粘合剂的半导体芯片具备所述半导体芯片和设置在所述半导体芯片的背面的切断后的所述膜状粘合剂；
拾取(2)工序，其中，通过将所述带有膜状粘合剂的半导体芯片集合体(2)中的带有膜状粘合剂的半导体芯片从所述切割片上分离并拾取，由此获得带有膜状粘合剂的半导体芯片；及
固晶工序，其中，通过所述带有膜状粘合剂的半导体芯片中的膜状粘合剂，在基板的电路形成面上对获得的所述带有膜状粘合剂的半导体芯片中的半导体芯片进行固晶。
在制造方法(2)中，除了使用上述的本发明的一个实施方式的膜状粘合剂以代替以往的膜状粘合剂这一点以外，能够通过与以往的方法相同的方法制造半导体装置。
<层叠(21)工序>
在所述层叠(21)工序中，通过在半导体晶圆的背面贴附所述膜状粘合剂的一个面(即第一面)，制作层叠体(21)。
本工序除了使用上述的本发明的一个实施方式的膜状粘合剂以代替以往的膜状粘合剂这一点以外，可通过与以往的在半导体晶圆的背面贴附膜状粘合剂的方法相同的方法进行。
<层叠(22)工序>
在所述层叠(22)工序中，可通过在所述层叠体(21)中的膜状粘合剂的露出面(即第二面)上贴附切割片，制作层叠体(22)。
本工序中所使用的切割片可以为公知的切割片，可通过公知的方法将切割片贴附在膜状粘合剂上。
所述切割片与制造方法(1)中所使用的切割固晶片中的支撑片基本相同。因此，本工序中得到的层叠体(22)与制造方法(1)中得到的层叠体(1)基本相同。
<分割/切断工序>
在所述分割/切断工序中，可通过与制造方法(1)中的分割层叠体(1)中的半导体晶圆及切断层叠体(1)中的膜状粘合剂时相同的方法，分割层叠体(22)中的半导体晶圆(制作半导体芯片)及切断层叠体(22)中的膜状粘合剂。
本工序中制作的带有膜状粘合剂的半导体芯片与制造方法(1)的分割/切断工序中制作的带有膜状粘合剂的半导体芯片相同。
在本工序中制作的带有膜状粘合剂的半导体芯片集合体(2)中，多个带有膜状粘合剂的半导体芯片以整齐排列的状态保持(固定)在所述切割片上。并且，带有膜状粘合剂的半导体芯片集合体(2)与制造方法(1)的分割/切断工序中制作的带有膜状粘合剂的半导体芯片集合体(1)基本相同。
<拾取(2)工序>
在所述拾取(2)工序中，可通过公知的方法将带有膜状粘合剂的半导体芯片集合体(2)中的带有膜状粘合剂的半导体芯片从切割片上分离并拾取。
除了使用带有膜状粘合剂的半导体芯片集合体(2)以代替带有膜状粘合剂的半导体芯片集合体(1)这一点以外，拾取(2)工序可通过与制造方法(1)中的拾取(1)工序相同的方法进行。
在本工序中，通过使用上述的本发明的一个实施方式的膜状粘合剂，即使切割片不具备用于与膜状粘合剂直接接触的粘着剂层，也能够抑制在拾取带有膜状粘合剂的半导体芯片时膜状粘合剂残留在切割片上。
<固晶工序>
所述固晶工序与制造方法(1)中的固晶工序相同。
在所述固晶工序后，同样可通过与制造方法(1)相同的方法制造半导体封装及半导体装置。
图7为用于示意性说明制造方法(2)的截面图。此处示出了使用了图3所示的膜状粘合剂13时的制造方法(2)。
图7A示出了在层叠(21)工序中得到的层叠体(21)129A。层叠体(21)129A具备半导体晶圆9和设置在半导体晶圆9的背面9b的膜状粘合剂13。
图7B示出了层叠(22)工序中得到的层叠体(22)129B。层叠体(22)129B以将切割片20、膜状粘合剂13及半导体晶圆9沿其等厚度方向依次层叠的方式而构成。
图7C示出了分割/切断工序中得到的带有膜状粘合剂的半导体芯片集合体(2)129C。带有膜状粘合剂的半导体芯片集合体(2)129C以在切割片20上保持有多个带有膜状粘合剂的半导体芯片139’的方式而构成，所述带有膜状粘合剂的半导体芯片139’具备半导体芯片9’和设置在半导体芯片9’的背面9b’的切断后的膜状粘合剂130。
图7D示出了在拾取(2)工序中使用分离工具7，沿箭头I方向将带有膜状粘合剂的半导体芯片139’从切割片20上分离并拾取的状态。膜状粘合剂130残留在切割片20的第一面20a上的情况得以抑制。
图7E示出了在固晶工序中，通过膜状粘合剂130在基板5的电路形成面5a上对半导体芯片9’进行了固晶的状态。
实施例
以下，通过具体的实施例对本发明进行详细说明。但本发明不受以下所示的实施例的任何限定。
<树脂的制造原料>
以下示出本实施例及比较例中缩写的树脂的制造原料的正式名称。
BA：丙烯酸正丁酯
MA：丙烯酸甲酯
GMA：甲基丙烯酸缩水甘油酯
HEA：丙烯酸2-羟基乙酯
MMA：甲基丙烯酸甲酯
AA：丙烯酸
<<粘合剂组合物的制备原料>>
以下示出用于制备粘合剂组合物的原料。
[聚合物成分(a)]
(a)-1：使BA(55质量份)、MA(10质量份)、GMA(20质量份)及HEA(15质量份)进行共聚而得到的丙烯酸树脂(重均分子量800000，玻璃化转变温度-28℃)。
(a)-2：使BA(84质量份)、MMA(8质量份)、AA(3质量份)及HEA(5质量份)进行共聚而得到的丙烯酸树脂(重均分子量800000，玻璃化转变温度-42℃)。
(a)-3：重均分子量为700000的丙烯酸树脂。
[环氧树脂(b1)]
(b1)-1：液状双酚A型环氧树脂及丙烯酸橡胶微粒的混合物(NIPPON SHOKUBAICO.,LTD制造的“BPA328”，环氧当量235g/eq)
(b1)-2：双酚A型环氧树脂(Mitsubishi Chemical Corporation制造的“jER1055”，软化点93℃，环氧当量800～900g/eq)
(b1)-3：邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂(Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造的“EOCN-104S”，软化点90～94℃，环氧当量213～223g/eq)
(b1)-4：液状双酚F型环氧树脂(Mitsubishi Chemical Corporation制造的“YL983U”，环氧当量165～175g/eq)
(b1)-5：邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂(Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造的“EOCN-102S”，软化点55～77℃、环氧当量205～217g/eq)
(b1)-6：三亚苯基型环氧树脂(Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造的“EPPN-502H”，软化点54℃，环氧当量167g/eq)
(b1)-7：液状双酚A型环氧树脂(Mitsubishi Chemical Corporation制造的“jER828”，环氧当量184～194g/eq)
(b1)-8：邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂(Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造的“EOCN-103S”，软化点81～85℃，环氧当量209～219g/eq)
(b1)-9：二环戊二烯型环氧树脂(Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造的“XD-1000”，软化点68～78℃，环氧当量245～260g/eq)
(b1)-10：二环戊二烯型环氧树脂(DIC CORPORATION制造的“EPICLON HP-7200HH”，软化点88～98℃，环氧当量274～286g/eq)
[热固化剂(b2)]
(b2)-1：双氰胺(ADEKA CORPORATION制造的“ADEKA HARDNER EH-3636AS”，固体分散型潜伏性固化剂，软化点209℃，活性氢量21g/eq)
(b2)-2：邻甲酚酚醛清漆树脂(DIC CORPORATION制造的“PHENOLITE KA-1160”，软化点80℃，羟基当量117g/eq)
[固化促进剂(c)]
(c)-1：2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑(SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION制造的“CUREZOL 2PHZ-PW”)
[填充材料(d)]
(d)-1：经过环氧基修饰的球状二氧化硅(ADMATECHS Co.,Ltd.制造的“ADMANANOYA050C-MKK”，平均粒径50nm)
[偶联剂(e)]
(e)-1：加成了3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷的硅酸盐化合物(MitsubishiChemical Corporation制造的“MKC silicate MSEP-2”)
(e)-2：具有环氧基、甲基及甲氧基的低聚物型硅烷偶联剂(Shin-Etsu SiliconeCo.,Ltd.制造的“X-41-1056”，环氧当量280g/eq)
[交联剂(f)]
(f)-1：三羟甲基丙烷的甲苯二异氰酸酯三聚体加成物(TOSOH CORPORATION制造的“CORONATE L”)
[能量射线固化性树脂(g)]
(g)-1：二季戊四醇六丙烯酸酯(六官能度紫外线固化性化合物，分子量578)及二季戊四醇五丙烯酸酯(五官能度紫外线固化性化合物，分子量525)的混合物(NipponKayaku Co.,Ltd.制造的“KAYARAD DPHA”)
(g)-2：三环癸烷二羟甲基二丙烯酸酯(Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造的“KAYARADR-684”，分子量304)
[光聚合引发剂(h)]
(h)-1：1-羟基环己基苯基酮(BASF公司制造的“IRGACURE(注册商标)184”)
[实施例1]
<<膜状粘合剂的制备>>
<粘合剂组合物的制备>
将聚合物成分(a)-1(20质量份)、环氧树脂(b1)-1(25质量份)、环氧树脂(b1)-2(35质量份)、环氧树脂(b1)-3(8质量份)、热固化剂(b2)-1(1.5质量份)、固化促进剂(c)-1(1.5质量份)、偶联剂(e)-1(0.6质量份)、交联剂(f)-1(0.2质量份)、能量射线固化性树脂(g)-1(8质量份)、及光聚合引发剂(h)-1(0.2质量份)溶解或分散于甲基乙基酮中，并在23℃下进行搅拌，制备除溶剂以外的所有成分的总浓度为50质量％的热固性的粘合剂组合物。另外，此处所示的所述除溶剂以外的成分的掺合量均为不含溶剂的目标物的掺合量。
<膜状粘合剂的制造>
使用以硅酮(silicone)处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的一个面进行了剥离处理的剥离膜(Lintec Corporation制造的“SP-PET381031”，厚度38μm)，在其所述剥离处理面上涂布上述得到的粘合剂组合物，以100℃对其进行1分钟干燥，制造厚度为20μm的热固性的膜状粘合剂。
<<切割固晶片的制造>>
将层叠有由聚丙烯(PP)形成的层和由乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA)形成的层而构成的层叠基材(ACHILLES CORPORATION制造的“HUSL 1302”，厚度100μm，以下有时称为“PP/EMAA层叠基材”)用作基材，在该由聚丙烯形成的层的表面上贴合上述得到的膜状粘合剂的与具备剥离膜的一侧为相反侧的露出面，制造切割固晶片。该切割固晶片为将仅由基材构成的支撑片、膜状粘合剂、及剥离膜沿其等厚度方向依次层叠而构成的、带有剥离膜的切割固晶片。
<<膜状粘合剂的评价>>
<D0的测定>
[第一试验片的制作]
通过与上述相同的方法，制造2片在一个面上具备剥离膜的膜状粘合剂。
然后，使用紫外线照射装置(Lintec Corporation制造的“RAD-2000m/12”)，以照度为230mW/cm2、光量为120mJ/cm2的条件，对2片膜状粘合剂照射紫外线。
然后，将照射过紫外线的这2片膜状粘合剂的露出面彼此贴合，由此制作厚度为40μm的、在两面具备剥离膜的2片膜状粘合剂的层叠物(一次层叠物)。然后，制作2片该一次层叠物。
然后，从所述2片一次层叠物的一个面上去除剥离膜，将新产生的膜状粘合剂的露出面彼此贴合，由此制作厚度为80μm的、在两面具备剥离膜的4片膜状粘合剂的层叠物(二次层叠物)。然后，制作2片该二次层叠物。
然后，从所述2片二次层叠物的一个面上去除剥离膜，将新产生的膜状粘合剂的露出面彼此贴合，由此制作厚度为160μm的、在两面具备剥离膜的8片膜状粘合剂的层叠物(三次层叠物)。
然后，使用该三次层叠物与另外制作的所述一次层叠物，从它们的一个面上去除剥离膜，将新产生的膜状粘合剂的露出面彼此贴合，由此制作厚度为200μm的、在两面具备剥离膜的10片膜状粘合剂的层叠物(四次层叠物)。
使用哑铃裁刀(DUMBBELL CO.,LTD.制造的“SDBK-1000”)，以与JIS K7128-3中规定的试验片相同的形状及尺寸，对上述得到的四次层叠物进行冲切，由此制作第一试验片(厚度200μm)。
[D0的测定]
使用万能拉伸试验机(Shimadzu Corporation制造的“AG-IS”)，根据JIS K7128-3对上述得到的第一试验片进行撕裂试验，测定D0。此时，将第一试验片的夹具之间的距离设为60mm，撕裂速度设为200mm/分，采样时间设为10ms。将结果示于表1。
<|ΔT|的计算>
在测定上述D0时，同时测定Tmax、D1及0.6D1，通过这些值计算|ΔT|。将结果示于表1。
<抑制在拾取时膜状粘合剂发生残留的效果的评价>
[带有膜状粘合剂的硅芯片的制造]
从上述得到的切割固晶片中的膜状粘合剂上去除剥离膜。
使用贴膜机(tape mounter)(Lintec Corporation制造的“Adwill RAD2500”)，在背面为#2000研磨面的硅晶圆(直径200mm，厚度350μm)的所述研磨面上贴合去除了剥离膜之后的切割固晶片中的膜状粘合剂的露出面。然后，将晶圆切割用环形框架固定在切割固晶片上。
然后，使用紫外线照射装置(Lintec Corporation制造的“RAD-2000m/12”)，以照度为230mW/cm2、光量为120mJ/cm2的条件对膜状粘合剂照射紫外线。
然后，使用切割装置(DISCO Corporation制造的“DFD6361”)进行切割，由此连续性进行硅晶圆的分割与膜状粘合剂的切断，得到大小为2mm×2mm的硅芯片。此时的切割通过以下方式进行：将切割刀的移动速度设为30mm/秒，将切割刀的转速设为30000rpm，使用切割刀对切割固晶片切至距该基材的膜状粘合剂的贴附面深20μm的区域(即，膜状粘合剂的厚度方向的所有区域与距基材的膜状粘合剂侧的面深20μm的区域)。切割刀使用DISCOCorporation制造的“Z05-SD2000-D1-90 CC”。
通过以上方式，使用切割固晶片，制造带有膜状粘合剂的硅芯片组，该硅芯片组中，多个带有膜状粘合剂的硅芯片通过所述膜状粘合剂以整齐排列的状态固定在基材上，所述带有膜状粘合剂的硅芯片以具备硅芯片和设置在所述硅芯片的背面的膜状粘合剂的方式而构成。
[抑制在拾取时膜状粘合剂发生残留的效果的评价]
使用拾取-固晶装置(Canon Machinery Inc.制造的“BESTEM D-02”)，将上述得到的带有膜状粘合剂的硅芯片组中的带有膜状粘合剂的硅芯片从基材上分离并拾取。对100个带有膜状粘合剂的硅芯片进行该拾取，并以利用1根顶针(pin)从膜状粘合剂侧将1个带有膜状粘合剂的硅芯片向上顶起的方式进行。
然后，使用数字显微镜(Keyence Corporation制造的“VHX-1000”)，对支撑片(基材)上的拾取位置进行观察，对残留有100μm以上长度的膜状粘合剂的位置进行计数，根据下述标准，评价抑制在拾取时膜状粘合剂发生残留的效果。将结果示于表1。在表1中，所对应的栏内括号内的数值为残留有上述膜状粘合剂的位置的数量。
(评价标准)
A：膜状粘合剂的残留位置为5处以下。
B：膜状粘合剂的残留位置为6处以上。
<膜状粘合剂的固化物的粘合力的测定>
[带有膜状粘合剂的硅芯片的制造]
通过与上述“抑制在拾取时膜状粘合剂发生残留的效果的评价”相同的方法，制造带有膜状粘合剂的硅芯片组。
[第二试验片的制作]
然后，将带有膜状粘合剂的硅芯片组中的带有膜状粘合剂的硅芯片从基材上分离并拾取。然后，使用手动固晶机(CAMMAX Precima制造的“EDB65”)，将该带有膜状粘合剂的硅芯片中的膜状粘合剂的露出面(与硅芯片侧为相反侧的面)整个面压合在铜板(厚度500μm)的表面上，在所述铜板上对带有膜状粘合剂的硅芯片进行固晶。此时的固晶通过以下方式进行：对于加热至125℃的带有膜状粘合剂的硅芯片，在垂直于其与所述铜板的接触面的方向上施加3秒2.45N(250gf)的力。
然后，以160℃对固晶后的铜板加热1小时，使铜板上的膜状粘合剂热固化。
通过以上方式，制作将铜板、膜状粘合剂的固化物、及硅芯片沿其等厚度方向依次层叠而构成的第二试验片。
[膜状粘合剂的热固化物的粘合力的测定]
使用粘合力测试仪(bond tester)(Dage制造的“Series 4000”)，在平行于所述固化物的一个面的方向上，以200μm/秒的速度，同时对上述得到第二试验片中的膜状粘合剂的固化物的侧面和硅芯片的侧面的位置对齐部位施加力。此时，作为施加力的按压工具，使用不锈钢制的板状工具，通过调节按压工具的铜板侧的前端的位置以使其成为距铜板的搭载有硅芯片一侧的表面7μm的高度，从而使按压工具不与铜板接触。然后，测定直至所述固化物被破坏、或所述固化物从铜板上剥离、或所述固化物从硅芯片上剥离为止时所施加的力的最大值。将该测定值采用为所述固化物的粘合力(N/2mm□)。将结果示于表1。
<<膜状粘合剂的制造、切割固晶片的制造及膜状粘合剂的评价>>
[实施例2、比较例1～2]
除了对于粘合剂组合物的所含成分的种类及含量，将制造粘合剂组合物时的掺合成分的种类及掺合量中的任意一者或两者变更为如表1所示这一点以外，以与实施例1相同的方法制造膜状粘合剂及切割固晶片，并评价膜状粘合剂。其中，在粘合剂组合物不含有能量射线固化性树脂(g)的实施例2及比较例1中，在制作第一试验片时和在制造带有膜状粘合剂的硅芯片时不对膜状粘合剂照射紫外线，并作为基材使用聚丙烯(PP)制基材(GUNZELTD.制造的“FUNCRARE LLD#80”，厚度80μm)以代替PP/EMAA层叠基材。将结果示于表1。
另外，表1中的所含成分一栏中“-”的记载是指粘合剂组合物不含有该成分。
[表1]
Figure BDA0002978326170000551
由上述结果可知，在实施例1～2中，即使支撑片不具备与膜状粘合剂直接接触的粘着剂层，也能够抑制在拾取带有膜状粘合剂的硅芯片时膜状粘合剂残留在支撑片上。在实施例1～2中，D0为14.2mm以下。
此外，在实施例1～2中，膜状粘合剂的固化物的粘合力为111N/2mm□以上，具有充分的粘合力。另外，在这些实施例中，在测定所述粘合力时，所述固化物未从硅芯片上剥离。
另一方面，在实施例1～2中，|ΔT|为2.3以下。
与此相对，在比较例1～2中，在拾取带有膜状粘合剂的硅芯片时，未能抑制膜状粘合剂残留在支撑片上。在比较例1～2中，D0为27.5mm以上。
并且，在比较例2中，膜状粘合剂的固化物的粘合力为57N/2mm□，粘合力不充分。
另一方面，在比较例1中，|ΔT|较大，为10.2。
工业实用性
本发明可利用于半导体装置的制造。

Claims (4)

1.一种膜状粘合剂，其为固化性的膜状粘合剂，其中，
对于作为多片所述膜状粘合剂的层叠物且厚度为200μm的第一试验片，根据JISK7128-3，将夹住所述第一试验片进行固定的一对夹具之间的距离设为60mm、将撕裂速度设为200mm/分、并通过直角形撕裂法进行撕裂试验时，从所述第一试验片的撕裂强度达到最大时开始至所述第一试验片断裂为止的所述第一试验片在撕裂方向上的位移量为15mm以下。
2.根据权利要求1所述的膜状粘合剂，其中，
制作第二试验片，其具备：大小为2mm×2mm且厚度为20μm的所述膜状粘合剂的固化物、设置在所述固化物的一个面的整个面上的厚度为500μm的铜板、及设置在所述固化物的另一个面的整个面上的厚度为350μm的硅芯片，并且以使所述固化物的侧面与所述硅芯片的侧面位置对齐的方式而构成；在固定所述铜板的状态下，在平行于所述固化物的一个面的方向上，以200μm/秒的速度，同时对所述第二试验片中的所述固化物的侧面与所述硅芯片的侧面的位置对齐部位施加力时，直至所述固化物被破坏、或所述固化物从所述铜板上剥离、或所述固化物从所述硅芯片上剥离为止时所施加的所述力的最大值为100N/2mm□以上。
3.一种切割固晶片，其具备支撑片和设置在所述支撑片的一个面上的膜状粘合剂，
所述膜状粘合剂为权利要求1或2所述的膜状粘合剂。
4.根据权利要求3所述的切割固晶片，其中，所述支撑片仅由基材构成。
CN202110280882.1A 2020-03-18 2021-03-16 膜状粘合剂及切割固晶片 Pending CN113493662A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020048261A JP7471879B2 (ja) 2020-03-18 2020-03-18 フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディングシート
JP2020-048261 2020-03-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113493662A true CN113493662A (zh) 2021-10-12

Family

ID=77851095

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110280882.1A Pending CN113493662A (zh) 2020-03-18 2021-03-16 膜状粘合剂及切割固晶片

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7471879B2 (zh)
KR (1) KR20210117190A (zh)
CN (1) CN113493662A (zh)
TW (1) TW202141598A (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104508069A (zh) * 2012-08-02 2015-04-08 琳得科株式会社 膜状粘接剂、半导体接合用粘接片、和半导体装置的制造方法
CN105829478A (zh) * 2014-11-17 2016-08-03 株式会社Lg化学 用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物和用于半导体的粘合剂膜
CN106104759A (zh) * 2014-03-17 2016-11-09 琳得科株式会社 切割片及使用该切割片的芯片制造方法
CN106663617A (zh) * 2014-09-05 2017-05-10 古河电气工业株式会社 半导体加工用带及使用此所制造的半导体装置
CN109148350A (zh) * 2017-06-27 2019-01-04 日东电工株式会社 切割带一体型粘接性片
CN110041836A (zh) * 2013-09-30 2019-07-23 琳得科株式会社 树脂膜形成用复合片
WO2019182001A1 (ja) * 2018-03-23 2019-09-26 リンテック株式会社 フィルム状接着剤及び半導体加工用シート
CN110831766A (zh) * 2017-07-06 2020-02-21 琳得科株式会社 树脂膜形成用膜及树脂膜形成用复合片

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4827214B2 (ja) 2001-03-06 2011-11-30 日立化成ポリマー株式会社 フレキシブルプリント配線板積層用接着剤組成物および接着フィルム
US20040068061A1 (en) 2001-04-20 2004-04-08 Kohichiro Kawate Thermosetting adhesive film, and an adhesive structure based on the use thereof
KR101177251B1 (ko) 2003-06-06 2012-08-24 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착시트, 다이싱 테이프 일체형 접착시트 및 반도체 장치의 제조방법
JP4137827B2 (ja) 2004-03-23 2008-08-20 住友ベークライト株式会社 導電性接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置
CN101647096B (zh) 2007-04-05 2012-01-04 日立化成工业株式会社 半导体芯片的制造方法和半导体用粘接膜及其复合片
JP6287200B2 (ja) 2013-12-27 2018-03-07 日立化成株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型テープ用ダイシングテープ
JP6967506B2 (ja) 2016-02-23 2021-11-17 リンテック株式会社 フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法
WO2018180594A1 (ja) 2017-03-28 2018-10-04 リンテック株式会社 フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法
WO2019022062A1 (ja) 2017-07-26 2019-01-31 リンテック株式会社 半導体用接着フィルム及び半導体用接着シート

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104508069A (zh) * 2012-08-02 2015-04-08 琳得科株式会社 膜状粘接剂、半导体接合用粘接片、和半导体装置的制造方法
CN110041836A (zh) * 2013-09-30 2019-07-23 琳得科株式会社 树脂膜形成用复合片
CN106104759A (zh) * 2014-03-17 2016-11-09 琳得科株式会社 切割片及使用该切割片的芯片制造方法
CN106663617A (zh) * 2014-09-05 2017-05-10 古河电气工业株式会社 半导体加工用带及使用此所制造的半导体装置
CN105829478A (zh) * 2014-11-17 2016-08-03 株式会社Lg化学 用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物和用于半导体的粘合剂膜
CN109148350A (zh) * 2017-06-27 2019-01-04 日东电工株式会社 切割带一体型粘接性片
CN110831766A (zh) * 2017-07-06 2020-02-21 琳得科株式会社 树脂膜形成用膜及树脂膜形成用复合片
WO2019182001A1 (ja) * 2018-03-23 2019-09-26 リンテック株式会社 フィルム状接着剤及び半導体加工用シート

Also Published As

Publication number Publication date
TW202141598A (zh) 2021-11-01
JP2021147478A (ja) 2021-09-27
KR20210117190A (ko) 2021-09-28
JP7471879B2 (ja) 2024-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107001875B (zh) 膜状粘接剂复合片及半导体装置的制造方法
CN111670231B (zh) 膜状粘合剂及半导体加工用片
JPWO2014155756A1 (ja) 粘着シートおよび保護膜形成用複合シートならびに保護膜付きチップの製造方法
WO2017145979A1 (ja) フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法
CN112703239B (zh) 热固性保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、及芯片的制造方法
CN108701640B (zh) 保护膜形成用膜以及保护膜形成用复合片
CN109287125B (zh) 带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法
CN111417513B (zh) 保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法
JP7155245B2 (ja) ダイボンディングフィルム、ダイシングダイボンディングシート、及び半導体チップの製造方法
CN110831766B (zh) 树脂膜形成用膜及树脂膜形成用复合片
JP7340007B2 (ja) 保護膜形成用シートおよび基板装置の製造方法
CN111849377A (zh) 保护膜形成用复合片
CN108604542B (zh) 保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片
CN113493662A (zh) 膜状粘合剂及切割固晶片
CN113493661A (zh) 膜状粘合剂及切割固晶片
CN112930380B (zh) 膜状粘合剂及半导体加工用片
CN118027840A (zh) 保护膜形成用复合片
CN112868095A (zh) 热固性树脂膜及第一保护膜形成用片
CN115109370A (zh) 保护膜形成膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的工件加工物与带保护膜的工件的制造方法
CN113169082A (zh) 热固性树脂膜、第一保护膜形成用片、套件、及带第一保护膜的工件加工物的制造方法
CN112839767A (zh) 带有第一保护膜的工件加工物的制造方法
TW202348756A (zh) 保護膜形成膜、保護膜形成用複合片、半導體裝置之製造方法、以及保護膜形成膜之使用
CN112805824A (zh) 热固性树脂膜及第一保护膜形成用片
CN117916867A (zh) 热固性膜、复合片及半导体装置的制造方法
CN116891700A (zh) 保护膜形成膜、保护膜形成用复合片、套件及保护膜形成膜的应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination