WO2019022062A1 - 半導体用接着フィルム及び半導体用接着シート - Google Patents

半導体用接着フィルム及び半導体用接着シート Download PDF

Info

Publication number
WO2019022062A1
WO2019022062A1 PCT/JP2018/027650 JP2018027650W WO2019022062A1 WO 2019022062 A1 WO2019022062 A1 WO 2019022062A1 JP 2018027650 W JP2018027650 W JP 2018027650W WO 2019022062 A1 WO2019022062 A1 WO 2019022062A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
semiconductor
adhesive film
mass
adhesive
semiconductors
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/027650
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
佑耶 田中
陽輔 佐藤
Original Assignee
リンテック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by リンテック株式会社 filed Critical リンテック株式会社
Priority to JP2019532627A priority Critical patent/JPWO2019022062A1/ja
Publication of WO2019022062A1 publication Critical patent/WO2019022062A1/ja

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02Non-macromolecular additives
    • C09J11/04Non-macromolecular additives inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35Heat-activated
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/28Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring contours or curvatures

Definitions

  • the present invention relates to an adhesive film for a semiconductor and an adhesive sheet for a semiconductor.
  • Priority is claimed on Japanese Patent Application No. 201-144519, filed July 26, 2017, the content of which is incorporated herein by reference.
  • Examples of the adhesive film for a semiconductor include a film for bonding a sealing resin for sealing a fingerprint authentication sensor, a cover, and the like.
  • a member used for a fingerprint authentication sensor a member having a high relative dielectric constant is required in order to read asperities of fingerprints by electric charge as a capacitance type sensor.
  • Patent Document 1 discloses a capacitive fingerprint sensor including an epoxy resin and an inorganic filler in an insulator that seals a detection electrode provided on a substrate.
  • Patent Document 1 does not disclose at all a sealing resin for sealing a capacitive fingerprint sensor and an adhesive film for adhering a cover or the like for protecting the capacitive fingerprint sensor.
  • a sealing resin for sealing a semiconductor such as a fingerprint authentication sensor is adhered to a member such as a cover for protecting the semiconductor, and the dielectric constant after heat curing is high, and the dielectric characteristics It is an object of the present invention to provide an adhesive film for semiconductors excellent in
  • the inventors have obtained an adhesive film for a semiconductor having a high dielectric constant after thermosetting and excellent in dielectric characteristics by adding a barium titanate filler of 25% by mass or more and 80% by mass or less to a thermosetting resin. It has been found that the present invention is complete. That is, the present invention provides a semiconductor adhesive film and a semiconductor adhesive sheet having the following features. [1] A semiconductor adhesive film containing a thermosetting adhesive and a barium titanate filler of 25% by mass to 80% by mass. [2] The adhesive film for a semiconductor according to [1], wherein an average particle diameter of the barium titanate filler is 10 nm or more and 500 nm or less.
  • an adhesive film for a semiconductor which has a high relative dielectric constant at 1 MHz after thermosetting and is excellent in dielectric characteristics.
  • the adhesive film for a semiconductor of the present invention contains a thermosetting adhesive and a barium titanate filler of 25% by mass to 80% by mass.
  • thermosetting adhesive which comprises the adhesive film for semiconductors of this invention contains a thermosetting component and a binder polymer component.
  • thermosetting component an epoxy resin, a phenol resin, a melamine resin, a urea resin, a polyimide resin, a benzoxazine resin etc. etc. are mentioned, for example, and these mixtures.
  • epoxy resins, phenol resins and mixtures thereof are preferably used.
  • Epoxy resins have the property of being three-dimensional reticulated when heated and forming a strong film.
  • an epoxy resin conventionally, various known epoxy resins are used, but in general, those having a molecular weight of about 200 to 2,000 are preferable, and those having a molecular weight of 300 to 500 are particularly preferable.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 50 to 5000 g / eq.
  • “epoxy equivalent” means the number of grams of epoxy compound containing 1 gram equivalent of epoxy group (g / eq) and can be measured according to the method of JIS K 7236: 2001.
  • an epoxy resin examples include: glycidyl ethers of phenols such as bisphenol A, bisphenol F, resorcinol, phenyl novolac, cresol novolac; glycidyl ethers of alcohols such as butanediol, polyethylene glycol, polypropylene glycol; Glycidyl ethers of carboxylic acids such as phthalic acid, isophthalic acid and tetrahydrophthalic acid; glycidyl type or alkyl glycidyl type epoxy resins in which active hydrogen bonded to a nitrogen atom such as aniline isocyanurate is substituted with glycidyl group or alkyl glycidyl group; vinyl Cyclohexane diepoxide, 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-dicyclohexanecarboxylate, 2- (3,4-epoxy) cyclohexene So-called alicyclic ep
  • an epoxy resin having a biphenyl skeleton, a dicyclopentadiene skeleton, a dicyclohexadiene skeleton, a naphthalene skeleton or the like can also be used.
  • bisphenol-based glycidyl type epoxy resin, o-cresol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin and epoxy resin having a dicyclopentadiene skeleton are preferably used.
  • These epoxy resins can be used singly or in combination of two or more.
  • a heat-activated latent epoxy resin curing agent in combination with a thermosetting adhesive as an auxiliary agent.
  • the thermally activated latent epoxy resin curing agent is a type of curing agent that does not react with the epoxy resin at room temperature, is activated by heating above a certain temperature, and reacts with the epoxy resin.
  • a method of starting the curing reaction by dissolving and dissolving and starting the curing reaction; eluting at a high temperature with a curing agent of molecular sieve encapsulation type to start the curing reaction;
  • thermally activated latent epoxy resin curing agent examples include various onium salts, and high-melting point active hydrogen compounds such as dibasic acid dihydrazide compounds, dicyandiamide, amine adduct curing agents, and imidazole compounds.
  • These heat-activated latent epoxy resin curing agents can be used alone or in combination of two or more.
  • the heat-activated latent epoxy resin curing agent as described above is preferably 0.1 to 20 parts by mass, particularly preferably 0.2 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin. It is used in a proportion of 3 to 5 parts by mass.
  • phenol resin condensation products of phenols such as alkylphenol, polyhydric phenol, naphthol and the like and aldehydes are used without particular limitation.
  • phenol novolac resin, o-cresol novolac resin, p-cresol novolac resin, t-butylphenol novolac resin, dicyclopentadiene cresol resin, polyparavinylphenol resin, bisphenol A novolac resin, or modified products thereof Etc. are used.
  • the phenolic hydroxyl group contained in these phenol resins is easily added to the epoxy group of the above-mentioned epoxy resin by heating to form a cured product having high impact resistance. For this reason, an epoxy resin and a phenol resin may be used in combination.
  • the binder polymer component can give an appropriate tack to the adhesive film for a semiconductor, and can improve the operability of the adhesive sheet 2 for a semiconductor.
  • the weight average molecular weight of the binder polymer is usually in the range of 20,000 to 2,000,000, preferably 50,000 to 1.5,000,000, and particularly preferably 100,000 to 1,000,000. When the molecular weight is too low, the film formation of the adhesive film for a semiconductor becomes insufficient, and when too high, the compatibility with other components becomes worse, and as a result, uniform film formation is hindered.
  • the film of the adhesive film for semiconductor is sufficiently formed, and other components It is well compatible with it and forms a uniform film.
  • a binder polymer for example, an acrylic polymer, a polyester resin, a phenoxy resin, a urethane resin, a silicone resin, a rubber polymer and the like are used, and in particular, an acrylic polymer is preferably used.
  • “mass-average molecular weight” is a polystyrene equivalent value measured by gel permeation chromatography (GPC) unless otherwise specified.
  • the (meth) acrylic-ester copolymer which consists of a structural unit derived
  • the (meth) acrylic acid alkyl ester monomer a (meth) acrylic acid alkyl ester having preferably 1 to 18 carbon atoms in the alkyl group, such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, Propyl methacrylate, butyl (meth) acrylate and the like are used.
  • a (meth) acrylic acid derivative (meth) acrylic acid, glycidyl (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylate etc. can be mentioned, for example.
  • the mass average molecular weight of the polymer is preferably 100,000 or more, particularly preferably 150,000 to 1,000,000.
  • the glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer is usually 40 ° C. or less, preferably about ⁇ 70 to 20 ° C.
  • glass transition temperature (Tg) refers to the temperature at the inflection point of a DSC curve obtained by measuring the DSC curve of a sample using a differential scanning calorimeter.
  • the blending ratio of the thermosetting component to the binder polymer component is preferably 50 to 1500 parts by mass, particularly preferably 70 to 1200 parts by mass, and more preferably 50 parts to 1500 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the binder polymer component. It is preferable to blend 80 to 1000 parts by mass.
  • the content of the thermosetting adhesive in the adhesive film for a semiconductor of the present invention is preferably 20 to 75% by mass, and more preferably 20 to 50% by mass, with respect to the total mass of the adhesive film for a semiconductor. More preferably, it is particularly preferably 20 to 40% by mass.
  • the content of the thermosetting component relative to the total content of the thermosetting adhesive is preferably 30 to 95% by mass, more preferably 40 to 95% by mass, and 40 to 92% by mass. Is particularly preferred.
  • the content of the binder polymer component is preferably 5 to 70% by mass, more preferably 5 to 60% by mass, and more preferably 8 to 60% by mass, with respect to the total content of the thermosetting adhesive. Being particularly preferred. However, the sum total of the content of the thermosetting component and the content of the binder polymer component does not exceed 100% by mass.
  • the adhesive film for a semiconductor of the present invention may contain a coupling agent.
  • a coupling agent having a functional group that reacts with an inorganic compound and a functional group that reacts with an organic functional group By using a coupling agent having a functional group that reacts with an inorganic compound and a functional group that reacts with an organic functional group, the adhesion and adhesiveness of the adhesive film for a semiconductor to an adherend can be improved. Moreover, water resistance can be improved without impairing the heat resistance about the hardened
  • the coupling agent is preferably a compound having a functional group that reacts with a functional group possessed by an acrylic polymer, an epoxy resin, a phenol resin or the like, and is preferably a silane coupling agent.
  • Preferred examples of the silane coupling agent include ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane (also referred to as 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane), ⁇ -glycidoxypropyltriethoxysilane, and ⁇ -glycidoxypropylmethyldi Ethoxysilane, ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, ⁇ - (methacryloxypropyl) trimethoxysilane, ⁇ -aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) - ⁇ -aminopropyl Trimethoxysilane, N-6- (aminoethy
  • the content of the coupling agent in the adhesive film for semiconductor is preferably 0.03 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total content of the thermosetting component and the binder polymer.
  • the amount is more preferably 0.05 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.1 to 5 parts by mass. If the content of the coupling agent is too small, the above-mentioned effects of using the coupling agent may not be obtained, and if the content of the coupling agent is too large, outgassing may occur.
  • the adhesiveness and adhesiveness with respect to the to-be-adhered body of the adhesive film for semiconductors can be improved, without generating outgas, Moreover, the adhesive film for semiconductors is hardened. Water resistance can be improved about the hardened
  • the adhesive film for a semiconductor of the present invention contains 25% by mass or more and 80% by mass or less of a barium titanate filler based on the total mass of the adhesive film for a semiconductor, but is 50% by mass or more and 80% by mass or less Preferably, 60% by mass or more and 80% by mass are more preferable.
  • the average particle diameter of the barium titanate filler is preferably 10 nm or more and 500 nm or less, more preferably 30 nm or more and 300 nm or less, and particularly preferably 50 nm or more and 200 nm or less.
  • the average particle diameter of the barium titanate filler is equal to or more than the upper limit value, close-packing of particles can not be performed, and dielectric paths are hardly connected.
  • the average particle size can be determined by measuring the particle size observed by a scanning electron microscope.
  • the adhesive film for a semiconductor of the present invention may contain a general-purpose additive as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the general-purpose additive may be a known one, can be optionally selected according to the purpose, and is not particularly limited. Preferred examples include fillers other than barium titanate fillers, plasticizers, antioxidants, colorants (for example Dyes, pigments), gettering agents and the like can be mentioned.
  • the adhesive film for a semiconductor of the present invention preferably has a light transmittance of 10% or less at a thickness of 20 ⁇ m and a visible light having a wavelength of 380 to 780 nm. It can be confirmed that the closest packing of particles has been achieved by setting the light transmittance of visible light with a wavelength of 380 to 780 nm at a thickness of 20 ⁇ m to 10% or less. That is, by setting the light transmittance of visible light with a wavelength of 380 to 780 nm to 10% or less at a thickness of 20 ⁇ m, it can be confirmed that the dielectric paths by the barium titanate filler are connected.
  • the light transmittance of visible light having a wavelength of 380 to 780 nm at a thickness of 20 ⁇ m may be 0% or more, or 1% or more, 0% to 10%, 1% to 10%. It may be the following.
  • the light transmittance is calculated by irradiating a light beam of a predetermined wavelength, measuring the transmitted light amount transmitted through the sample with a spectrophotometer, and determining the ratio (%) of the transmitted light amount to the irradiated light amount.
  • the relative dielectric constant ( ⁇ r ) at 1 MHz after thermosetting of the adhesive film for a semiconductor is preferably 5 or more, more preferably 7 or more.
  • the relative dielectric constant ( ⁇ r ) is preferably 100 or less, more preferably 50 or less.
  • the adhesive film for a semiconductor may be formed of a single layer (single layer), or may be formed of a plurality of two or more layers.
  • the adhesive film for a semiconductor comprises a plurality of layers
  • the plurality of layers may be identical to or different from each other, and the combination of the plurality of layers is not particularly limited as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the thickness of the adhesive film for a semiconductor is not particularly limited, but is preferably 5 to 50 ⁇ m, more preferably 10 to 30 ⁇ m, and particularly preferably 15 to 20 ⁇ m.
  • the thickness of the adhesive film for a semiconductor is not less than the above lower limit value, higher adhesive strength can be obtained for an adherend such as a semiconductor sensor.
  • the thickness of the adhesive film for semiconductors is below the said upper limit, the dielectric path
  • the thickness of the adhesive film for a semiconductor means the entire thickness of the adhesive film for a semiconductor, and for example, the thickness of the adhesive film for a semiconductor comprising a plurality of layers means all of the components constituting the adhesive film for a semiconductor Means the total thickness of the layers.
  • thickness is a value represented by an average of thickness measured at any five points according to JIS K 6783: 1994, using a constant-pressure thickness measuring instrument, measuring element diameter 5 mm, adding It can measure by pressure load 1.22N.
  • the adhesive film for a semiconductor of the present invention is a semiconductor obtained by mixing a thermosetting adhesive, a barium titanate filler, and the other additives described above, and diluting with an organic solvent such as ethyl acetate as necessary.
  • the coating agent for adhesive films is prepared, and it can be manufactured by making it dry after apply
  • the adhesive film for a semiconductor of the present invention can be used as an adhesive film for a capacitance type fingerprint sensor in order to bond the sealing resin of the capacitance type fingerprint sensor, the sealing resin, and the protective cover.
  • the adhesive film for a semiconductor of the present invention has a high relative dielectric constant after heat curing, and therefore, in the capacitive fingerprint sensor, the unevenness of the fingerprint can be read with high sensitivity.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor adhesive sheet according to an embodiment of the present invention.
  • the semiconductor adhesive sheet 2 according to the present embodiment is configured to include the semiconductor adhesive film 1 and a release sheet 21.
  • the peeling sheet 21 is peeled at the time of use of the adhesive film 1 for semiconductors.
  • the release sheet 21 protects the adhesive film for a semiconductor until the adhesive film 1 for a semiconductor is used, and may not be necessarily required.
  • the configuration of the release sheet 21 is arbitrary, and a film in which the film itself has a release property to the adhesive film 1 for a semiconductor and a plastic film subjected to release treatment with a release agent or the like is exemplified.
  • Specific examples of the plastic film include polyester films such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate and polyethylene naphthalate, and polyolefin films such as polypropylene and polyethylene.
  • As the release agent silicone type, fluorine type, long chain alkyl type and the like can be used, but among these, silicone type is preferable because inexpensive and stable performance can be obtained.
  • the thickness of the release sheet 21 is not particularly limited, but is usually about 20 to 250 ⁇ m.
  • the release sheet 21 as described above may be laminated also on the other surface (upper surface in FIG. 1) of the adhesive film 1 for a semiconductor. In this case, it is preferable to increase the peel strength of one release sheet 21 to make a heavy release type release sheet, and reduce the release force of the other release sheet 21 to form a light release type release sheet.
  • the semiconductor of the peeling surface of the peeling sheet 21 (a surface having peeling properties; usually a surface subjected to peeling treatment, but is not limited thereto)
  • the adhesive film 1 is formed. Specifically, a coating agent for a semiconductor adhesive film constituting the semiconductor adhesive film 1 is prepared, and a roll coater, a knife coater, a roll knife coater, an air knife coater, a die coater, a bar coater, a gravure coater, a curtain coater, etc.
  • the adhesive film 1 for semiconductor is formed by applying and drying on the peeling surface of the peeling sheet 21 by a coating machine.
  • drying conditions of the coating agent for adhesive film for semiconductor are not particularly limited, when the coating agent for adhesive film for semiconductor contains an organic solvent such as ethyl acetate, it is preferable to heat and dry, and in this case, for example, And drying at 70 to 130 ° C. for 10 seconds to 5 minutes.
  • the semiconductor adhesive sheet 2 is attached to the cover 31 for protecting a capacitance type fingerprint sensor such as ceramic. Then, after peeling off the peeling sheet 21 from the adhesive sheet 2 for semiconductor, on the surface of the sealing resin 32 of the capacitance type fingerprint sensor in which the interlayer film 34 on the substrate 35 and the fingerprint sensor 33 are sealed with epoxy resin or the like. It sticks and hardens the adhesive film 1 for semiconductors (refer FIG. 2).
  • Example 1 Comparative Example 1 The following components were mixed at a compounding ratio (in terms of solids) shown in Table 1, and diluted with methyl ethyl ketone so that the solid concentration would be 60 mass%, to prepare a coating agent for an adhesive film for a semiconductor.
  • A Acrylic copolymer ("Teisan resin SG-P3" manufactured by Nagase ChemteX Corporation)
  • B) -1 Bisphenol F-type epoxy resin ("jER YL983U” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)
  • B) -2 dicyclopentadiene skeleton epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • the above-mentioned coating agent for an adhesive film for a semiconductor is applied by hand coating on a release sheet (SP-PET 381031, manufactured by Lintec Corporation) which is a polyethylene terephthalate film which has been subjected to release treatment on one side, and then 1 in an oven at 100 ° C. It was dried for a minute to obtain a semiconductor adhesive sheet in which a 20 ⁇ m thick adhesive film for a semiconductor was provided on a release sheet.
  • SP-PET 381031 manufactured by Lintec Corporation
  • Example 2 A semiconductor adhesive sheet was produced in the same manner as in Example 1, except that the amounts of the components constituting the adhesive film for a semiconductor were changed as shown in Table 1.
  • Example 3 Example 1 except using barium titanate filler (f) -2 [“high purity perovskite BT-02” manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd .; average particle diameter 200 nm] instead of barium titanate filler (f) -1
  • the adhesive sheet for semiconductors was manufactured by the same method as in.
  • Example 4 Example 1 except using barium titanate filler (f) -3 [“high purity perovskite BT-05” manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd .; average particle diameter 500 nm] instead of barium titanate filler (f) -1
  • the adhesive sheet for semiconductors was manufactured by the same method as in.
  • Comparative Examples 1 and 2 A semiconductor adhesive sheet was produced in the same manner as in Example 1, except that the types and amounts of the components constituting the adhesive film for a semiconductor were changed as shown in Table 1.
  • the adhesive sheet for a semiconductor is manufactured in the same manner as in Example 1 except that titanium oxide filler (g) [A-120 manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd .; average particle diameter 150 nm] is used instead of the barium titanate filler. did.
  • the adhesive film for a semiconductor in which the content of the barium titanate filler is less than 25% by mass, has a relative dielectric constant of less than 5.0 and inferior dielectric characteristics
  • the adhesive film for a semiconductor in which the content of the barium titanate filler is 25% by mass or more has a relative dielectric constant of 5.0 or more, and is excellent in dielectric characteristics.
  • the adhesive sheet for a semiconductor having a light transmittance of 10% or less at a wavelength of 380 to 780 nm at 20 ⁇ m had a relative dielectric constant of 5.0 or more, and was excellent in dielectric characteristics.
  • the adhesive film for a semiconductor using a titanium oxide filler instead of a barium titanate filler has a dielectric constant of 5.% even when the content of the titanium oxide filler is 60% or more. It was less than 0 and the dielectric properties were inferior.
  • the adhesive film for a semiconductor of the present invention has a high relative dielectric constant at 1 MHz and is excellent in dielectric characteristics, and can increase the sensitivity of a semiconductor sensor such as a capacitive fingerprint sensor.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

熱硬化性接着剤と、25質量%以上80質量%以下のチタン酸バリウムフィラーとを含有する、半導体用接着フィルムを提供する。

Description

半導体用接着フィルム及び半導体用接着シート
 本発明は、半導体用接着フィルム及び半導体用接着シートに関する。
 本願は、2017年7月26日に、日本に出願された特願2017-144519号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
 半導体用接着フィルムは、例えば、指紋認証用センサーを封止する封止樹脂とカバー等とを接着させるフィルム等が挙げられる。近年、指紋認証用センサーに用いる部材には、静電容量型センサーとして指紋の凹凸を電荷によって読み取るため、比誘電率が高いものが求められている。
 特許文献1には、基板上に設けられた検出電極を封止する絶縁体に、エポキシ樹脂と無機充填剤を備える静電容量型指紋センサーが開示されている。
国際公開第2015/146816号
 しかしながら、特許文献1には、静電容量型指紋センサーを封止する封止樹脂と当該静電容量型指紋センサーを保護するカバー等とを接着させる接着フィルムについては何ら開示されていない。
 そこで、本発明は、指紋認証用センサー等の半導体を封止する封止樹脂と、当該半導体を保護するカバー等の部材とを接着させ、且つ、熱硬化後の比誘電率が高く、誘電特性に優れた半導体用接着フィルムを提供することを目的とする。
 発明者らは、熱硬化性樹脂に、チタン酸バリウムフィラーを25質量%以上80質量%以下添加することにより、熱硬化後の比誘電率が高く、誘電特性に優れた半導体用接着フィルムを得られることを見出し、本発明を完成させた。
 すなわち、本発明は、下記の特徴を有する半導体用接着フィルム及び半導体用接着シートを提供するものである。
[1] 熱硬化性接着剤と、25質量%以上80質量%以下のチタン酸バリウムフィラーとを含有する、半導体用接着フィルム。
[2] 前記チタン酸バリウムフィラーの平均粒径が、10nm以上500nm以下である、[1]に記載の半導体用接着フィルム。
[3] 前記半導体用接着フィルムが、厚さ20μmでの、波長380~780nmの光線透過率が10%以下である、[1]又は[2]に記載の半導体用接着フィルム。
[4] 前記半導体用接着フィルムの熱硬化後の1MHzにおける比誘電率が、5.0以上である[1]~[3]のいずれか一つに記載の半導体用接着フィルム。
[5] 前記半導体用接着フィルムが、静電容量型指紋センサー用接着フィルムである、[1]~[4]のいずれか一つに記載の半導体用接着フィルム。
[6] 剥離シート上に、[1]~[5]のいずれか一つに記載の半導体用接着フィルムが設けられた、半導体用接着シート。
 本発明によれば、熱硬化後の1MHzにおける比誘電率が高く、誘電特性に優れた半導体用接着フィルムが提供される。
本発明の一実施形態に係る半導体用接着シートの断面図である。 本発明の半導体用接着フィルムを用いた静電容量型指紋センサーの一実施形態を模式的に示す断面図である。
 本発明の半導体用接着フィルムは、熱硬化性接着剤と、25質量%以上80質量%以下のチタン酸バリウムフィラーとを含有する。
 本発明の半導体用接着フィルムを構成する熱硬化性接着剤は、熱硬化性成分とバインダーポリマー成分とを含有することが好ましい。
 熱硬化性成分としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾオキサジン樹脂等及びこれらの混合物が挙げられる。これらの中でも、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びこれらの混合物が好ましく用いられる。
 エポキシ樹脂は、加熱を受けると三次元網状化し、強固な被膜を形成する性質を有する。このようなエポキシ樹脂としては、従来より、公知の種々のエポキシ樹脂が用いられるが、通常は、分子量200~2000程度のものが好ましく、特に分子量300~500のものが好ましい。さらには、分子量310~400の常態で液状のエポキシ樹脂と、分子量400~2500、特に500~2000の常温で固体のエポキシ樹脂とをブレンドした形で用いることが好ましい。また、エポキシ樹脂のエポキシ当量は、50~5000g/eqであることが好ましい。
 本明細書において、「エポキシ当量」とは1グラム当量のエポキシ基を含むエポキシ化合物のグラム数(g/eq)を意味し、JIS K 7236:2001の方法に従って測定することができる。
 このようなエポキシ樹脂としては、具体的には、ビスフェノールA、ビスフェノールF、レゾルシノール、フェニルノボラック、クレゾールノボラック等のフェノール類のグリシジルエーテル;ブタンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のアルコール類のグリシジルエーテル;フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸等のカルボン酸のグリシジルエーテル;アニリンイソシアヌレート等の窒素原子に結合した活性水素をグリシジル基もしくはアルキルグリシジル基で置換したグリシジル型もしくはアルキルグリシジル型のエポキシ樹脂;ビニルシクロヘキサンジエポキシド、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-ジシクロヘキサンカルボキシレート、2-(3,4-エポキシ)シクロヘキシル-5,5-スピロ(3,4-エポキシ)シクロヘキサン-m-ジオキサン等のように、分子内の炭素-炭素二重結合を例えば酸化することによりエポキシが導入された、いわゆる脂環型エポキシドを挙げることができる。その他、ビフェニル骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ジシクロヘキサジエン骨格、ナフタレン骨格等を有するエポキシ樹脂を用いることもできる。
 これらの中でも、ビスフェノール系グリシジル型エポキシ樹脂、o-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂及びジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂が好ましく用いられる。
 これらエポキシ樹脂は、1種を単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
 エポキシ樹脂を用いる場合には、助剤として、熱硬化性接着剤に熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤を併用することが好ましい。熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤とは、室温ではエポキシ樹脂と反応せず、ある温度以上の加熱により活性化し、エポキシ樹脂と反応するタイプの硬化剤である。熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤の活性化方法には、加熱による化学反応で活性種(アニオン、カチオン)を生成する方法;室温付近ではエポキシ樹脂中に安定に分散しており高温でエポキシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法;モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤で高温で溶出して硬化反応を開始する方法;マイクロカプセルによる方法等が存在する。
 熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤の具体例としては、各種オニウム塩や、二塩基酸ジヒドラジド化合物、ジシアンジアミド、アミンアダクト硬化剤、イミダゾール化合物等の高融点活性水素化合物等を挙げることができる。これら熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤は、1種を単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。上記のような熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤は、エポキシ樹脂100質量部に対して、好ましくは0.1~20質量部、特に好ましくは0.2~10質量部、さらに好ましくは0.3~5質量部の割合で用いられる。
 フェノール樹脂としては、アルキルフェノール、多価フェノール、ナフトール等のフェノール類とアルデヒド類との縮合物などが特に制限されることなく用いられる。具体的には、フェノールノボラック樹脂、o-クレゾールノボラック樹脂、p-クレゾールノボラック樹脂、t-ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエンクレゾール樹脂、ポリパラビニルフェノール樹脂、ビスフェノールA型ノボラック樹脂、あるいはこれらの変性物等が用いられる。
 これらのフェノール樹脂に含まれるフェノール性水酸基は、上記エポキシ樹脂のエポキシ基と加熱により容易に付加反応して、耐衝撃性の高い硬化物を形成することができる。このため、エポキシ樹脂とフェノール樹脂とを併用してもよい。
 バインダーポリマー成分は、半導体用接着フィルムに適度なタックを与え、半導体用接着シート2の操作性を向上することができる。バインダーポリマーの質量平均分子量は、通常は2万~200万、好ましくは5万~150万、特に好ましくは10万~100万の範囲にある。分子量が低過ぎると、半導体用接着フィルムのフィルム形成が不十分となり、高過ぎると他の成分との相溶性が悪くなり、結果として均一なフィルム形成が妨げられる。質量平均分子量が、2万~200万、好ましくは5万~150万、特に好ましくは10万~100万の範囲にあると、半導体用接着フィルムのフィルムが十分に形成され、また、他の成分との相溶性もよく、均一なフィルムが形成される。このようなバインダーポリマーとしては、例えば、アクリル系ポリマー、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー等が用いられ、特にアクリル系ポリマーが好ましく用いられる。
 なお、本明細書において、「質量平均分子量」とは、特に断りのない限り、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)法により測定されるポリスチレン換算値である。
 アクリル系ポリマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーと、それ以外の(メタ)アクリル酸誘導体から導かれる構成単位とからなる(メタ)アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。ここで(メタ)アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、好ましくはアルキル基の炭素数が1~18である(メタ)アクリル酸アルキルエステル、例えば(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸ブチル等が用いられる。また、(メタ)アクリル酸誘導体としては、例えば、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸グリシジル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチル等を挙げることができる。
 上記の中でもアクリル系ポリマーにグリシジル基を導入すると、前述した熱硬化性成分としてのエポキシ樹脂との相溶性が向上し、半導体用接着フィルムの硬化後のガラス転移温度(Tg)が高くなり、耐熱性が向上する。また、上記の中でもアクリル酸ヒドロキシエチル等を構成単位として用いてアクリル系ポリマーに水酸基を導入すると、半導体への密着性や粘着物性をコントロールすることができる。
 バインダーポリマーとしてアクリル系ポリマーを使用した場合における当該ポリマーの質量平均分子量は、好ましくは10万以上であり、特に好ましくは15万~100万である。アクリル系ポリマーのガラス転移温度(Tg)は通常40℃以下、好ましくは-70~20℃程度である。
 本明細書において「ガラス転移温度(Tg)」とは、示差走査熱量計を用いて、試料のDSC曲線を測定し、得られたDSC曲線の変曲点の温度で表される。
 熱硬化性成分とバインダーポリマー成分との配合比率は、バインダーポリマー成分100質量部に対して、熱硬化性成分を、好ましくは50~1500質量部、特に好ましくは70~1200質量部、さらに好ましくは80~1000質量部配合することが好ましい。このような割合で熱硬化性成分とバインダーポリマー成分とを配合すると、硬化前には適度なタックを示し、貼付作業を安定して行うことができ、また硬化後には、被膜強度に優れたフィルムが得られる。
 本発明の半導体用接着フィルムにおける、熱硬化性接着剤の含有量は、半導体用接着フィルムの総質量に対して、20~75質量%であることが好ましく、20~50質量%であることがより好ましく、20~40質量%であることが特に好ましい。
 熱硬化性接着剤の総含有量に対する、熱硬化性成分の含有量は、30~95質量%であることが好ましく、40~95質量%であることがより好ましく、40~92質量%であることが特に好ましい。また、熱硬化性接着剤の総含有量に対する、バインダーポリマー成分の含有量は、5~70質量%であることが好ましく、5~60質量%であることがより好ましく、8~60質量%であることが特に好ましい。ただし、熱硬化性成分の含有量とバインダーポリマー成分の含有量との総和は、100質量%を超えない。
 本発明の半導体用接着フィルムには、カップリング剤を含有させてもよい。カップリング剤として、無機化合物と反応する官能基及び有機官能基と反応する官能基を有するものを用いることにより、半導体用接着フィルムの被着体に対する接着性及び密着性を向上させることができる。また、カップリング剤を用いることで、半導体用接着フィルムを硬化して得られる硬化物について、その耐熱性を損なうことなく、耐水性を向上させることができる。
 カップリング剤は、アクリル系ポリマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が有する官能基と反応する官能基を有する化合物であることが好ましく、シランカップリング剤であることが望ましい。
 好ましい前記シランカップリング剤としては、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(3-グリシドキシプロピルトリメトキシシランともいう)、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ-(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-(アミノエチル)-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-(アミノエチル)-γ-アミノプロピルメチルジエトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス(3-トリエトキシシリルプロピル)テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシラン等のシラン化合物や、これらシラン化合物の加水分解縮合物等が例示できる。
 カップリング剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
 カップリング剤を用いる場合、半導体用接着フィルムのカップリング剤の含有量は、熱硬化性成分及びバインダーポリマーの総含有量100質量部に対して、0.03~20質量部であることが好ましく、0.05~10質量部であることがより好ましく、0.1~5質量部であることが特に好ましい。カップリング剤の含有量が少な過ぎると、カップリング剤を用いたことによる上述の効果が得られないことがあり、カップリング剤の含有量が多過ぎると、アウトガスが発生する可能性がある。カップリング剤の含有量を上記範囲にすることにより、アウトガスが発生することなく、半導体用接着フィルムの被着体に対する接着性及び密着性を向上させることができ、また、半導体用接着フィルムを硬化して得られる硬化物について、その耐熱性を損なうことなく、耐水性を向上させることができる。
(チタン酸バリウムフィラー)
 本発明の半導体用接着フィルムは、半導体用接着フィルムの総質量に対して、25質量%以上80質量%以下のチタン酸バリウムフィラーを含有するが、50質量%以上80質量%以下であることが好ましく、60質量%以上80質量%であることがより好ましい。チタン酸バリウムフィラーの含有量を上記下限以上とすることにより、半導体用接着フィルムの誘電特性をより一層向上させ、半導体センサーの感度をより一層向上させることができる。
 チタン酸バリウムフィラーの平均粒径は、10nm以上500nm以下であることが好ましく、30nm以上300nm以下であることがより好ましく、50nm以上200nm以下であることが特に好ましい。チタン酸バリウムフィラーの平均粒径を上限値以上にすると、粒子の最密充填ができず、誘電パスが繋がりにくくなる。チタン酸バリウムフィラーの平均粒径を上記の範囲にすることにより、粒子の最密充填をすることができ、誘電パスが繋がりやすくなる。
 本明細書において、平均粒径は、走査型電子顕微鏡により観察された粒子径を測定して求めることができる。
 本発明の半導体用接着フィルムは、本発明の効果を損なわない範囲内において、汎用添加剤を含有していてもよい。
 汎用添加剤は、公知のものでよく、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、チタン酸バリウムフィラー以外のフィラー、可塑剤、酸化防止剤、着色剤(染料、顔料)、ゲッタリング剤等が挙げられる。
 本発明の半導体用接着フィルムは、厚さ20μmでの、波長380~780nmの可視光線の光線透過率が、10%以下であることが好ましい。厚さ20μmでの、波長380~780nmの可視光線の光線透過率が、10%以下となることで、粒子の最密充填ができたことを確認することができる。すなわち、厚さ20μmでの、波長380~780nmの可視光線の光線透過率を10%以下にすることにより、チタン酸バリウムフィラーによる誘電パスが繋がることを確認することができる。厚さ20μmでの、波長380~780nmの可視光線の光線透過率が、10%を超えると、半導体接着フィルムにおいて、チタン酸バリウムフィラーの最密充填ができていないことになり、チタン酸バリウムフィラーによる誘電パスが繋がりにくくなる。なお、厚さ20μmでの、波長380~780nmの可視光線の光線透過率は、0%以上であっても、1%以上であってもよく、0%以上10%以下、1%以上10%以下であってもよい。
 本明細書において、光線透過率は、所定の波長の光線を照射し、試料を透過した透過光量を分光光度計により測定し、照射光量に対する透過光量の割合(%)を求めることにより算出することができる。
 半導体用接着フィルムの熱硬化後の1MHzにおける比誘電率(ε)は、好ましくは5以上であり、より好ましくは7以上である。比誘電率(ε)が上記下限値以上であることにより、半導体用接着フィルムの誘電特性をより一層向上させることができ、半導体センサーの感度をより一層向上させることができる。
 また、比誘電率(ε)は、好ましくは、100以下であり、より好ましくは50以下である。
 半導体用接着フィルムは1層(単層)からなるものでもよいし、2層以上の複数層からなるものでもよい。半導体用接着フィルムが複数層からなる場合、これら複数層は互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。
 前記半導体用接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、5~50μmであることが好ましく、10~30μmであることがより好ましく、15~20μmであることが特に好ましい。半導体用接着フィルムの厚さが上記下限値以上であることにより、半導体センサー等の被着体に対してより高い接着力が得られる。また、半導体用接着フィルムの厚さが前記上限値以下であることにより、半導体センサーの誘電パスが繋がりやすくなる。
 ここで、「半導体用接着フィルムの厚さ」とは、半導体用接着フィルム全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる半導体用接着フィルムの厚さとは、半導体用接着フィルムを構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
 本明細書において、「厚さ」は、任意の5箇所で厚さを測定した平均で表される値として、JIS K 6783:1994に従い、定圧厚さ測定器を用い、測定子径5mm、加圧荷重1.22Nで測定できる。
 本発明の半導体用接着フィルムは、熱硬化性接着剤と、チタン酸バリウムフィラーと、その他の上記添加剤と、を混合し、必要に応じ、酢酸エチル等の有機溶媒で希釈することにより、半導体用接着フィルム用塗布剤を調製し、これを剥離シート等の被接着体に塗布後、乾燥させることにより製造することができる。
 本発明の半導体用接着フィルムは、静電容量型指紋センサー用接着フィルムとして、静電容量型指紋センサーの封止樹脂と当該封止樹脂と保護カバーを接着させるために用いることができる。本発明の半導体用接着フィルムは、熱硬化後に高い比誘電率を有するため、静電容量型指紋センサーにおいて、指紋の凹凸を感度良く、読み取ることができる。
〔半導体用接着シート〕
 本発明は、剥離シート上に、本発明の半導体用接着フィルムを設けた半導体用接着シートを提供する。図1は本発明の実施形態に係る半導体用接着シートの断面図である。図1に示すように、本実施形態に係る半導体用接着シート2は、半導体用接着フィルム1と、剥離シート21を備えて構成される。ただし、剥離シート21は、半導体用接着フィルム1の使用時に剥離されるものである。
 剥離シート21は、半導体用接着フィルム1が使用されるまでの間、半導体用接着フィルムを保護するものであり、必ずしもなくてもよい。剥離シート21の構成は任意であり、フィルム自体が半導体用接着フィルム1に対し剥離性を有するプラスチックフィルム、及びプラスチックフィルムを剥離剤等により剥離処理したものが例示される。プラスチックフィルムの具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、及びポリプロピレンやポリエチレン等のポリオレフィンフィルムが挙げられる。剥離剤としては、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル系等を用いることができるが、これらの中で、安価で安定した性能が得られるシリコーン系が好ましい。剥離シート21の厚さについては特に制限はないが、通常20~250μm程度である。
 上記のような剥離シート21は、半導体用接着フィルム1の他方の面(図1では上側の面)にも積層されてもよい。この場合は、一方の剥離シート21の剥離力を大きくして重剥離型剥離シートとし、他方の剥離シート21の剥離力を小さくして軽剥離型剥離シートとすることが好ましい。
 本実施形態に係る半導体用接着シート2を製造するには、剥離シート21の剥離面(剥離性を有する面;通常は剥離処理が施された面であるが、これに限定されない)に、半導体用接着フィルム1を形成する。具体的には、半導体用接着フィルム1を構成する半導体用接着フィルム用塗布剤を調製し、ロールコーター、ナイフコーター、ロールナイフコーター、エアナイフコーター、ダイコーター、バーコーター、グラビアコーター、カーテンコーター等の塗工機によって剥離シート21の剥離面に塗布して乾燥させて、半導体用接着フィルム1を形成する。
 半導体用接着フィルム用塗布剤の乾燥条件は、特に限定されないが、半導体用接着フィルム用塗布剤が、酢酸エチル等の有機溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましく、この場合、例えば、70~130℃で10秒間~5分間の条件で乾燥させることが好ましい。
(半導体用接着シートの使用方法)
 本実施形態に係る半導体用接着シート2の使用方法の一例として、静電容量型指紋センサーへ使用する方法を以下に説明する。
 セラミック等の静電容量型指紋センサー保護用カバー31に半導体用接着シート2を貼付する。次いで、半導体用接着シート2から剥離シート21を剥離した後に、基板35上の層間膜34と指紋センサー33をエポキシ樹脂等により封止形成した静電容量型指紋センサーの封止樹脂32の表面に貼付し、半導体用接着フィルム1を硬化させる(図2参照)。
 以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
[実施例1、比較例1]
 次の各成分を表1に示す配合比(固形物換算)で混合し、固形物濃度が60質量%となるようにメチルエチルケトンで希釈して、半導体用接着フィルム用塗布剤を調製した。
 (a):アクリル共重合体(ナガセケムテックス社製「テイサンレジンSG-P3」)
 (b)-1:ビスフェノールF型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「jER YL983U」)
 (b)-2: ジシクロペンタジエン骨格エポキシ樹脂(日本化薬社製「XD-1000」)
 (c):o-クレゾール型ノボラック樹脂(DIC社製「フェノライトKA-1160」)
 (d):イミダゾール系熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤(四国化成工業社製「キュアゾール2PHZ-PW」)
 (e):シランカップリング剤(信越化学工業社製「X-41-1056」)
 (f)-1:チタン酸バリウムフィラー(堺化学工業社製「高純度ペロブスカイトBT-01」;平均粒径100nm)
 上記半導体用接着フィルム用塗布剤を、ハンドコートにて、片面に剥離処理を施したポリエチレンテレフタレート系フィルムである剥離シート(SP-PET381031、リンテック社製)上に塗布後、100℃のオーブンで1分間乾燥し、厚み20μmの半導体用接着フィルムが剥離シート上に設けられた半導体用接着シートを得た。
 [実施例2]
 半導体用接着フィルムを構成する各成分の配合量を表1に示すように変更する以外は、実施例1と同様にして半導体用接着シートを製造した。
[実施例3]
 チタン酸バリウムフィラー(f)-1の代わりに、チタン酸バリウムフィラー(f)-2[堺化学工業社製「高純度ペロブスカイトBT-02」;平均粒径200nm]を用いる以外は、実施例1と同じ方法で、半導体用接着シートを製造した。
 [実施例4]
 チタン酸バリウムフィラー(f)-1の代わりに、チタン酸バリウムフィラー(f)-3[堺化学工業社製「高純度ペロブスカイトBT-05」;平均粒径500nm]を用いる以外は、実施例1と同じ方法で、半導体用接着シートを製造した。
 [比較例1、2]
 半導体用接着フィルムを構成する各成分の種類及び配合量を表1に示すように変更する以外は、実施例1と同様にして半導体用接着シートを製造した。
[比較例3~5]
 チタン酸バリウムフィラーの代わりに、酸化チタンフィラー(g)[堺化学工業社製「A-120」;平均粒径150nm]を用いる以外は、実施例1と同じ方法で、半導体用接着シートを製造した。
[試験例1]<比誘電率評価>
 実施例1~4、及び比較例1~5で得られた各半導体用接着シートから剥離シートを剥離して半導体用接着フィルムを積層後、積層体を打ち抜き、直径10mm、厚さ1mmのサンプル片を得た。そのサンプル片を160℃オーブンで1時間加熱硬化した。ヒューレットパッカード社製4194Aを用い、JIS C 2138に則り1MHzの静電容量を測定し、静電容量値より比誘電率を算出した。結果を表1及び2に示す。
[試験例2]<光線透過性評価>
 分光光度計(SHIMADZU社製,UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETER UV-3600)を用い、直接受光ユニットを用いて、積分球を使用せずに剥離フィルム(SP-PET381031、リンテック社製)をリファレンスとしたときの実施例1~4及び比較例1~5の半導体用接着シートの波長380-780nmの光線透過率を求め、380-780nmの領域で光線透過率が10%以下であるものを〇とし、10%を超えるものを×とした。結果を表1及び2に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 表1から明らかなように、チタン酸バリウムフィラーの含有量が25質量%未満である、半導体用接着フィルムは、比誘電率が5.0未満であり、誘電特性が劣っていたのに対し、チタン酸バリウムフィラーの含有量が25質量%以上である半導体用接着フィルムは、比誘電率が5.0以上であり、誘電特性が優れていた。また、20μmでの波長380-780nmでの光線透過率が10%以下の半導体用接着シートは、比誘電率が5.0以上であり、誘電特性が優れていた。
 また、表2から明らかなように、チタン酸バリウムフィラーの代わりに酸化チタンフィラーを用いた、半導体用接着フィルムは、酸化チタンフィラーの含有量が60%以上であっても、誘電率が5.0未満であり、誘電特性が劣っていた。
 本発明の半導体用接着フィルムは、1MHzにおける比誘電率が高く、誘電特性に優れており、静電容量型指紋センサーのような半導体センサーの感度を上げることができる。
1・・・半導体用接着フィルム
2・・・半導体用接着シート
 21・・・剥離シート
3・・・静電容量型指紋センサー
 31・・・保護カバー
 32・・・封止樹脂
 33・・・指紋センサー
 34・・・層間膜
 35・・・基板

Claims (6)

  1.  熱硬化性接着剤と、25質量%以上80質量%以下のチタン酸バリウムフィラーとを含有する、半導体用接着フィルム。
  2.  前記チタン酸バリウムフィラーの平均粒径が、10nm以上500nm以下である、請求項1に記載の半導体用接着フィルム。
  3.  前記半導体用接着フィルムが、厚さ20μmでの、波長380~780nmの光線透過率が10%以下である、請求項1又は2に記載の半導体用接着フィルム。
  4.  前記半導体用接着フィルムの熱硬化後の1MHzにおける比誘電率が、5.0以上である請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
  5.  前記半導体用接着フィルムが、静電容量型指紋センサー用接着フィルムである、請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
  6.  剥離シート上に、請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムが設けられた、半導体用接着シート。
PCT/JP2018/027650 2017-07-26 2018-07-24 半導体用接着フィルム及び半導体用接着シート WO2019022062A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019532627A JPWO2019022062A1 (ja) 2017-07-26 2018-07-24 半導体用接着フィルム及び半導体用接着シート

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017144519 2017-07-26
JP2017-144519 2017-07-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019022062A1 true WO2019022062A1 (ja) 2019-01-31

Family

ID=65040222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/027650 WO2019022062A1 (ja) 2017-07-26 2018-07-24 半導体用接着フィルム及び半導体用接着シート

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPWO2019022062A1 (ja)
TW (1) TW201910463A (ja)
WO (1) WO2019022062A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020196138A1 (ja) * 2019-03-22 2020-10-01 リンテック株式会社 フィルム状接着剤及び半導体加工用シート
WO2020261501A1 (ja) * 2019-06-27 2020-12-30 昭和電工マテリアルズ株式会社 接着剤組成物及びその選定方法、接着フィルム及びその製造方法、並びに接着体及びその製造方法
JP7471879B2 (ja) 2020-03-18 2024-04-22 リンテック株式会社 フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディングシート
JP7471880B2 (ja) 2020-03-18 2024-04-22 リンテック株式会社 フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディングシート

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002309200A (ja) * 2001-04-17 2002-10-23 Ajinomoto Co Inc 接着フィルム
JP2008010821A (ja) * 2006-06-01 2008-01-17 Hitachi Chem Co Ltd ダイボンディング用樹脂フィルムの硬化方法及びダイボンディング方法
JP2008094993A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Toray Ind Inc 半導体用接着組成物、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法。
JP2017014406A (ja) * 2015-07-01 2017-01-19 味の素株式会社 樹脂組成物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002309200A (ja) * 2001-04-17 2002-10-23 Ajinomoto Co Inc 接着フィルム
JP2008010821A (ja) * 2006-06-01 2008-01-17 Hitachi Chem Co Ltd ダイボンディング用樹脂フィルムの硬化方法及びダイボンディング方法
JP2008094993A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Toray Ind Inc 半導体用接着組成物、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法。
JP2017014406A (ja) * 2015-07-01 2017-01-19 味の素株式会社 樹脂組成物

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020196138A1 (ja) * 2019-03-22 2020-10-01 リンテック株式会社 フィルム状接着剤及び半導体加工用シート
WO2020261501A1 (ja) * 2019-06-27 2020-12-30 昭和電工マテリアルズ株式会社 接着剤組成物及びその選定方法、接着フィルム及びその製造方法、並びに接着体及びその製造方法
JPWO2020261501A1 (ja) * 2019-06-27 2020-12-30
CN113825819A (zh) * 2019-06-27 2021-12-21 昭和电工材料株式会社 黏合剂组合物及其选定方法、黏合剂膜及其制造方法以及黏合体及其制造方法
CN113825819B (zh) * 2019-06-27 2023-09-12 株式会社力森诺科 黏合剂组合物及其选定方法、黏合剂膜及其制造方法以及黏合体及其制造方法
JP7380687B2 (ja) 2019-06-27 2023-11-15 株式会社レゾナック 接着剤組成物及びその選定方法、接着フィルム及びその製造方法、並びに接着体及びその製造方法
JP7471879B2 (ja) 2020-03-18 2024-04-22 リンテック株式会社 フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディングシート
JP7471880B2 (ja) 2020-03-18 2024-04-22 リンテック株式会社 フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディングシート

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2019022062A1 (ja) 2020-05-28
TW201910463A (zh) 2019-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6399665B2 (ja) 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、保護膜形成用複合シートおよび検査方法
WO2019022062A1 (ja) 半導体用接着フィルム及び半導体用接着シート
JP5426511B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物シート及びこれを用いて封止した中空型デバイス
WO2014148642A1 (ja) 保護膜形成用フィルムおよび保護膜形成用複合シート
JP6940508B2 (ja) 樹脂組成物、樹脂シート、及び半導体装置
KR102509165B1 (ko) 보호막 형성용 복합 시트
JP5735029B2 (ja) 電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法
JPWO2009001492A1 (ja) 接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置
JP4050290B2 (ja) 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
JP4893640B2 (ja) 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
KR102602545B1 (ko) 수지 시트 및 반도체 장치
JP5344802B2 (ja) チップ用保護膜形成用シートおよび保護膜付半導体チップ
TW201428078A (zh) 保護膜形成用薄膜
WO2019150446A1 (ja) 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、及び半導体装置の製造方法
WO2019107198A1 (ja) 半導体用接着フィルム及び半導体用接着シート
JP7380565B2 (ja) 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、及び半導体装置の製造方法
TWI766069B (zh) 樹脂薄片
JP7103225B2 (ja) 封止用フィルム及びその硬化物、並びに、電子装置
JP6390434B2 (ja) 電子部品埋め込み用樹脂フィルムの製造方法、電子部品装置の製造方法
JP7457513B2 (ja) 保護膜形成フィルム、保護膜形成用複合シートおよび装置の製造方法
JP4788460B2 (ja) 接着フィルムおよび半導体装置
JP2017088759A (ja) 接着シート
JP2022103721A (ja) 封止用樹脂シート
JPWO2019188255A1 (ja) 樹脂シートおよびその製造方法
JP2019067852A (ja) 樹脂シート、およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18838156

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019532627

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18838156

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1