CN108604542B - 保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片 - Google Patents
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 554
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 99
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 75
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 83
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 105
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 104
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 67
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 description 58
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 58
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 51
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 49
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 32
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 30
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 29
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 26
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 26
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 25
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 23
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 23
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 22
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 21
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 21
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 20
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 20
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 20
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 20
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 17
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 17
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 16
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 16
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 15
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 15
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 14
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 12
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 12
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 12
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 11
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 11
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 11
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 11
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 10
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 8
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 7
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 7
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 7
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 5
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 5
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical class C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 5
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXZQEOJJUGGUIB-UHFFFAOYSA-N isoindolin-1-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NCC2=C1 PXZQEOJJUGGUIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- CWRBWLKXTXSMEH-UHFFFAOYSA-N 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)carbazol-3-yl]ethanone Chemical compound C=1C=C2N(CC)C3=CC=C(C(C)=O)C=C3C2=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1C CWRBWLKXTXSMEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 3
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 3
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- ZZXXBDPXXIDUBP-UHFFFAOYSA-N hydroxymethyl prop-2-enoate Chemical compound C(C=C)(=O)OCO.C(C=C)(=O)OCO ZZXXBDPXXIDUBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 3
- 229920005792 styrene-acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000001052 yellow pigment Substances 0.000 description 3
- FKTHNVSLHLHISI-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical compound O=C=NCC1=CC=CC=C1CN=C=O FKTHNVSLHLHISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- QOXOZONBQWIKDA-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl Chemical group [CH2]CCO QOXOZONBQWIKDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-butyl Chemical group [CH2]CCCO SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N C[CH]O Chemical group C[CH]O GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N allyl alcohol Chemical compound OCC=C XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 2
- FFBZKUHRIXKOSY-UHFFFAOYSA-N aziridine-1-carboxamide Chemical compound NC(=O)N1CC1 FFBZKUHRIXKOSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N azulene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC2=C1 CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 125000006841 cyclic skeleton Chemical group 0.000 description 2
- PESYEWKSBIWTAK-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;titanium(2+) Chemical class [Ti+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 PESYEWKSBIWTAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000001938 differential scanning calorimetry curve Methods 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 125000002960 margaryl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N methacryloyloxyethyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCN=C=O RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 2
- 125000002958 pentadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920003067 (meth)acrylic acid ester copolymer Polymers 0.000 description 1
- QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrostilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1CCC1=CC=CC=C1 QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLKMGYGBHFODF-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical compound O=C=NCC1=CC=C(CN=C=O)C=C1 OHLKMGYGBHFODF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWWWRCRHNMOYQY-UHFFFAOYSA-N 1,5-diisocyanato-2,4-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(N=C=O)C=C1N=C=O FWWWRCRHNMOYQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVEMLYIXBCTVOF-UHFFFAOYSA-N 1-(2-isocyanatopropan-2-yl)-3-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC(C(C)(C)N=C=O)=C1 ZVEMLYIXBCTVOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSYQGOYOIKQFNA-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-3-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(CC=2C=CC=CC=2)=C1 KSYQGOYOIKQFNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOCJQSFSGAZAPQ-UHFFFAOYSA-N 1-chloroanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2Cl BOCJQSFSGAZAPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- LFSYUSUFCBOHGU-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanato-2-[(4-isocyanatophenyl)methyl]benzene Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=CC=C1N=C=O LFSYUSUFCBOHGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMYINDVYGQKYMI-UHFFFAOYSA-N 2-[2,2-bis(hydroxymethyl)butoxymethyl]-2-ethylpropane-1,3-diol Chemical compound CCC(CO)(CO)COCC(CC)(CO)CO WMYINDVYGQKYMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPKCTSIVDAWGFA-UHFFFAOYSA-N 2-chloroanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC=C3C(=O)C2=C1 FPKCTSIVDAWGFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKJNJZAGYPPJKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1,2-diphenylethanone;methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 FKJNJZAGYPPJKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEHFRMABGJJCPF-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)N=C=O JEHFRMABGJJCPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOBYKYZJUGYBDK-UHFFFAOYSA-N 2-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 UOBYKYZJUGYBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBWOBTUYQXLKSS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylprop-2-enoyloxy)propanoic acid Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(O)=O SBWOBTUYQXLKSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-4-hydroxybutanoate Chemical compound OCC(N)CC(O)=O BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XURABDHWIADCPO-UHFFFAOYSA-N 4-prop-2-enylhepta-1,6-diene Chemical compound C=CCC(CC=C)CC=C XURABDHWIADCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N Diacetyl Chemical group CC(=O)C(C)=O QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920010126 Linear Low Density Polyethylene (LLDPE) Polymers 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEEVRZDUPHZSOX-WPWMEQJKSA-N [(e)-1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)carbazol-3-yl]ethylideneamino] acetate Chemical compound C=1C=C2N(CC)C3=CC=C(C(\C)=N\OC(C)=O)C=C3C2=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1C SEEVRZDUPHZSOX-WPWMEQJKSA-N 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N [phenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphoryl]-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- HXBPYFMVGFDZFT-UHFFFAOYSA-N allyl isocyanate Chemical compound C=CCN=C=O HXBPYFMVGFDZFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- MYONAGGJKCJOBT-UHFFFAOYSA-N benzimidazol-2-one Chemical compound C1=CC=CC2=NC(=O)N=C21 MYONAGGJKCJOBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSNNWDJQKGMZPO-UHFFFAOYSA-N benzoic acid;2-hydroxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 CSNNWDJQKGMZPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- LKMCJXXOBRCATQ-UHFFFAOYSA-N benzylsulfanylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1CSC1=CC=CC=C1 LKMCJXXOBRCATQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 125000004181 carboxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000001031 chromium pigment Substances 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N citraconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C\C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- 229940018557 citraconic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000001032 cobalt pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBSLJAJQOVYTRQ-UHFFFAOYSA-N croconic acid Chemical compound OC1=C(O)C(=O)C(=O)C1=O RBSLJAJQOVYTRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate Chemical compound C1CC(N=C=O)CCC1CC1CCC(N=C=O)CC1 KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 description 1
- PPSZHCXTGRHULJ-UHFFFAOYSA-N dioxazine Chemical compound O1ON=CC=C1 PPSZHCXTGRHULJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000005448 ethoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005745 ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 239000003349 gelling agent Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 1
- 150000002314 glycerols Chemical class 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSAZYXZUJROYKR-UHFFFAOYSA-N indophenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1N=C1C=CC(=O)C=C1 RSAZYXZUJROYKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229920004889 linear high-density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- AYLRODJJLADBOB-QMMMGPOBSA-N methyl (2s)-2,6-diisocyanatohexanoate Chemical compound COC(=O)[C@@H](N=C=O)CCCCN=C=O AYLRODJJLADBOB-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- 229940086559 methyl benzoin Drugs 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLBPOJLDZXHVRR-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCNCCN YLBPOJLDZXHVRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- PNXMTCDJUBJHQJ-UHFFFAOYSA-N propyl prop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C=C PNXMTCDJUBJHQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLBIOIRWAYBCKK-UHFFFAOYSA-N pyranthrene-8,16-dione Chemical compound C12=CC=CC=C2C(=O)C2=CC=C3C=C4C5=CC=CC=C5C(=O)C5=C4C4=C3C2=C1C=C4C=C5 LLBIOIRWAYBCKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N quinoline yellow Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C3C(C4=CC=CC=C4C3=O)=O)=CC=C21 IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- JOUDBUYBGJYFFP-FOCLMDBBSA-N thioindigo Chemical compound S\1C2=CC=CC=C2C(=O)C/1=C1/C(=O)C2=CC=CC=C2S1 JOUDBUYBGJYFFP-FOCLMDBBSA-N 0.000 description 1
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000001038 titanium pigment Substances 0.000 description 1
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- IUCJMVBFZDHPDX-UHFFFAOYSA-N tretamine Chemical compound C1CN1C1=NC(N2CC2)=NC(N2CC2)=N1 IUCJMVBFZDHPDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950001353 tretamine Drugs 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTHOKNTVYKTUPI-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(3-triethoxysilylpropyltetrasulfanyl)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCSSSSCCC[Si](OCC)(OCC)OCC VTHOKNTVYKTUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
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- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
- B32B37/26—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with at least one layer which influences the bonding during the lamination process, e.g. release layers or pressure equalising layers
- B32B2037/268—Release layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
- B32B2307/538—Roughness
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
- B32B2307/748—Releasability
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Dicing (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜，在对保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。
Description
技术领域
本发明涉及保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片。
本申请基于2016年4月28日在日本提出申请的日本特愿2016-92009号主张优先权，并将其内容援用于此。
背景技术
近年来，正在进行着应用了所谓的被称作倒装(face down)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，所述电极与基板接合。因此，与半导体芯片的电路面相反侧的背面有时会露出。
在该露出的半导体芯片的背面形成有作为保护膜的包含有机材料的树脂膜，有时将其作为带保护膜的半导体芯片而装入半导体装置。
为了防止在切割工序或封装后在半导体芯片上产生裂纹从而利用保护膜。
为了形成这样的保护膜，例如使用一种在支撑片上具备用于形成保护膜的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。在保护膜形成用复合片中，保护膜形成用膜可通过固化而形成保护膜，还可将支撑片用作切割片，可制成保护膜形成用膜与切割片一体化的保护膜形成用复合片。
作为这样的保护膜形成用复合片，例如迄今为止主要使用了具备通过加热而进行固化并由此形成保护膜的热固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。此时，例如利用热固化性的保护膜形成用膜将保护膜形成用复合片贴附于半导体晶圆的背面(与电极形成面相反侧的面)后，通过加热使保护膜形成用膜固化从而制成保护膜，通过切割将半导体晶圆与保护膜一同分割从而制成半导体芯片。然后，保持贴附有该保护膜的状态，将半导体芯片从支撑片上分离并进行拾取。另外，有时也以与上述相反的顺序进行保护膜形成用膜的固化与切割。
然而，热固化性的保护膜形成用膜的加热固化通常需要数小时左右的长时间，因此期望缩短固化时间。对此，正在研究将可通过紫外线等能量射线的照射而固化的保护膜形成用膜用于保护膜的形成。例如，已经公开了形成在剥离膜上的能量射线固化型保护膜(参照专利文献1)、及能够形成高硬度且对半导体芯片的密着性优异的保护膜的能量射线固化型芯片保护用膜(参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国专利第5144433号公报
专利文献2：日本特开第2010-031183号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而，不确定专利文献1中公开的能量射线固化型保护膜对支撑片的粘着力是否合适。此外，对于专利文献2中公开的能量射线固化型芯片保护用膜，虽然公开了其形成在支撑片上，但不确定对支撑片的粘着力是否合适。如上所述，专利文献1及2中公开的保护膜形成用膜的拾取适性尚不明确。
因此，本发明的目的在于提供一种可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜、且具有良好的拾取适性的能量射线固化性的保护膜形成用膜、及具备所述保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。
解决技术问题的技术手段
为了解决上述技术问题，本发明提供一种能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，在对保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。
在本发明的保护膜形成用膜中，所述表面(β)的表面粗糙度(Ra)优选为1.5μm以下。
此外，本发明提供一种保护膜形成用复合片，其通过在支撑片上具备所述保护膜形成用膜而成，所述保护膜形成用膜的所述表面(β)面向所述支撑片。
发明效果
根据本发明，能够提供一种具备能量射线固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片，所述保护膜形成用膜可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜、且具有良好的拾取适性。
附图说明
图1为示意性地表示本发明的保护膜形成用复合片的一个实施方式的剖面图。
图2为示意性地表示本发明的保护膜形成用复合片的另一个实施方式的剖面图。
图3为示意性地表示本发明的保护膜形成用膜的又一个实施方式的剖面图。
具体实施方式
◇保护膜形成用膜
本发明的保护膜形成用膜为能量射线固化性的保护膜形成用膜，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。
本发明的保护膜形成用膜可以在至少一侧的表面上具有第一剥离膜，也可以在另一侧的表面上进一步具有第二剥离膜。本发明的保护膜形成用膜可以以卷成卷状的长条状膜的形式进行提供。
图3为示意性地表示本发明的保护膜形成用膜的一个实施方式的剖面图。在图3中，依次层叠有第一剥离膜15b、保护膜形成用膜13(23)及第二剥离膜15a。
在本说明书中，在保护膜形成用膜中，有时将贴附在半导体晶圆的背面(即，与电路面相反侧的表面)的表面称为“表面(α)”，将与贴附在半导体晶圆的背面的表面相反侧的表面称为“表面(β)”。
本发明的保护膜形成用膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)优选为0.038μm以上，优选为1.5μm以下。
一方面，本发明涉及一种保护膜形成用膜，其为具有能量射线固化性的、用于在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用膜，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的、与贴附在所述半导体晶圆或半导体芯片一侧的表面(α)相反侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。与贴附在所述半导体晶圆或半导体芯片一侧的表面(α)相反侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)优选为1.5μm以下。
另一方面，本发明涉及一种保护膜形成用片，其具备第一剥离膜、及与所述第一剥离膜直接接触且具有能量射线固化性的保护膜形成用膜，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的、与所述第一剥离膜直接接触的一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。贴附在所述第一剥离膜一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)优选为1.5μm以下。
与所述保护膜形成用膜的表面(β)直接接触的第一剥离膜的表面的表面粗糙度(Ra)优选为0.03～2.0μm，更优选为0.05～1.8μm。通过在具有上述表面粗糙度(Ra)的剥离膜的表面上直接层叠保护膜形成用膜，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，可将所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)调整为0.038μm以上、1.5μm以下。即，通过将所述保护膜形成用膜的、与贴附有第一剥离膜的一侧相反侧的表面(α)贴附在半导体晶圆或半导体芯片的背面，对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜，并剥离所述第一剥离膜，可将所述保护膜的表面(β)的表面粗糙度(Ra)调整为0.038μm以上、1.5μm以下。
在本发明的保护膜形成用膜中，所述表面(β)的表面粗糙度(Ra)优选为0.038～1.5μm，更优选为0.04～1.47μm，更优选为0.08～1.47μm，进一步优选为0.8～1.43μm。
在本说明书中，保护膜形成用膜的表面(β)的表面粗糙度(Ra)可通过实施例中记载的测定方法进行测定。
◇保护膜形成用复合片
本发明的保护膜形成用复合片通过在支撑片上具备能量射线固化性的保护膜形成用膜而成，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。
在本发明的保护膜形成用复合片中，优选所述保护膜形成用膜的所述表面(β)面向所述支撑片。
本发明的保护膜形成用复合片中的所述保护膜形成用膜的所述表面(β)优选为0.038μm以上，优选为1.5μm以下。此外，在本发明的保护膜形成用复合片中的所述保护膜形成用膜中，所述表面(β)的表面粗糙度(Ra)优选为0.038～1.5μm，更优选为0.04～1.47μm，更优选为0.08～1.47μm，进一步优选为0.8～1.43μm。
在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜与所述支撑片之间的粘着力可以为50～1500mN/25mm。
另外，在本说明书中，“保护膜形成用膜”是指固化前的膜，“保护膜”是指使保护膜形成用膜进行固化而成的膜。此外，保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜的表面(β)的表面粗糙度(Ra)可通过实施例中记载的测定方法进行测定。
所述保护膜形成用膜通过能量射线的照射而固化，成为保护膜。该保护膜用于保护半导体晶圆或半导体芯片的背面(与电极形成面相反侧的面)。保护膜形成用膜为软质，可容易地贴附于贴附对象物。而且，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，通过使所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上，本发明的保护膜形成用复合片具有良好的拾取适性，例如，可高选择性地拾取作为目标的半导体芯片，抑制此时的半导体芯片的开裂及缺损。进一步，通过使保护膜与所述支撑片之间的粘着力例如为50～1500mN/25mm，从而具有良好的拾取适性。
此外，对于本发明的保护膜形成用复合片，通过使所述保护膜形成用膜为能量射线固化性，可以在比具备热固化性的保护膜形成用膜的以往的保护膜形成用复合片更短的时间内进行固化而形成保护膜。
在本发明中，“能量射线”是指电磁波或带电粒子束中具有能量子的射线，作为其例子，可列举出紫外线、放射线、电子束等。
紫外线例如可通过使用高压汞灯、融合H灯(fusion H lamp)、氙灯、黑光灯或LED灯等作为紫外线源而进行照射。电子束能够照射利用电子束加速器等产生的电子束。
在本发明中，“能量射线固化性”是指通过照射能量射线而进行固化的性质，“非能量射线固化性”是指即使照射能量射线也不进行固化的性质。
作为本发明的保护膜形成用复合片的使用对象的半导体晶圆或半导体芯片的厚度没有特别限定，由于可获得更显著的本发明的效果，故而优选为30～1000μm，更优选为100～300μm。
以下，对本发明的构成详细地进行说明。
◎支撑片
所述支撑片可以由一个层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成。支撑片由多个层构成时，这些多个层的构成材料及厚度可以彼此相同也可以不同，只要不损害本发明的效果，则这些多个层的组合没有特别限定。
另外，在本说明书中，不仅限于支撑片的情况，“多个层可以彼此相同也可以不同”是指“所有层可以均相同，所有层也可以均不同，也可以只有一部分层相同”，另外，“多个层彼此不同”是指“各层的构成材料及厚度的至少一个彼此不同”。
作为优选的支撑片，例如可列举出粘着剂层与基材直接接触并层叠而成的支撑片、粘着剂层经由中间层在基材上层叠而成的支撑片、仅由基材构成的支撑片等。在本发明中，优选仅由基材构成的支撑片。
以下，一边参照附图一边按照这样的支撑片的种类对本发明的保护膜形成用复合片的例子进行说明。另外，为了更易于理解本发明的特征，出于方便，有时将以下说明中使用的图的重要部分扩大显示，各构成要素的尺寸比率等不一定与实际相同。
图1为示意性地表示本发明的保护膜形成用复合片的一个实施方式的剖面图。
此处所示的保护膜形成用复合片1C不具备粘着剂层。即，在保护膜形成用复合片1C中，支撑片10仅由基材11构成。而且，在基材11的一侧的表面11a(支撑片10的一侧的表面10a)上层叠有保护膜形成用膜13，在保护膜形成用膜13的表面13a的一部分、即周缘部附近的区域上层叠有夹具用粘合剂层16，在保护膜形成用膜13的表面13a中的未层叠夹具用粘合剂层16的表面与夹具用粘合剂层16的表面16a(上表面及侧面)上层叠有剥离膜15。
在保护膜形成用复合片1C中，固化后的保护膜形成用膜13(即保护膜)与支撑片10之间的粘着力，换而言之，保护膜与基材11之间的粘着力为50～1500mN/25mm。
图1所示的保护膜形成用复合片1C以下述方式进行使用：在去除了剥离膜15的状态下，在保护膜形成用膜13的表面13a上贴附半导体晶圆(省略图示)的背面，进一步使夹具用粘合剂层16的表面16a中的上表面贴附在环形框架等夹具上。
图2为示意性地表示本发明的保护膜形成用复合片的另一个实施方式的剖面图。
此处所示的保护膜形成用复合片1D除了不具备夹具粘合剂层16这一点以外，与图1所示的保护膜形成用复合片1C相同。即，在保护膜形成用复合片1D中，在基材11的一侧的表面11a上层叠有保护膜形成用膜13，在保护膜形成用膜13的表面13a的整个面上层叠有剥离膜15。
图2所示的保护膜形成用复合片1D以下述方式进行使用：在去除了剥离膜15的状态下，在保护膜形成用膜13的表面13a中的中央侧的一部分区域上贴附半导体晶圆(省略图示)的背面，进一步使保护膜形成用膜13的周缘部附近的区域贴附在环形框架等夹具上。
如上所述，本发明的保护膜形成用复合片可以具备夹具用粘合剂层。其中，通常如图1所示，作为具备夹具用粘合剂层的本发明的保护膜形成用复合片，优选在保护膜形成用膜上具备夹具用粘合剂层。
本发明的保护膜形成用复合片并不限于图1～3所示的复合片，在不损害本发明的效果的范围内，可以为变更或删除了图1～3所示的保护膜形成用复合片的一部分构成的复合片、或者也可以为在上述说明的保护膜形成用复合片的基础上追加了其他构成的复合片。
此外，在本发明的保护膜形成用复合片中，可在剥离膜与和该剥离膜直接接触的层之间产生一部分间隙。
此外，在本发明的保护膜形成用复合片中，可根据目的任意地调节各层的大小和形状。
支撑片可以透明，也可以不透明，也可以根据目的进行着色。
其中，在保护膜形成用膜具有能量射线固化性的本发明中，优选支撑片透过能量射线。
例如，在支撑片中，波长375nm的光的透过率优选为30％以上，更优选为50％以上，特别优选为70％以上。通过使所述光的透过率为这样的范围，透过支撑片对保护膜形成用膜照射能量射线(紫外线)时，保护膜形成用膜的固化度得到进一步提高。
另一方面，在支撑片中，波长375nm的光的透过率的上限值没有特别限定，例如可设定为95％。
此外，在支撑片中，波长532nm的光的透过率优选为30％以上，更优选为50％以上，特别优选为70％以上。
通过使所述光的透过率为这样的范围，透过支撑片对保护膜形成用膜或保护膜照射激光从而对其进行印字时，能够更清晰地印字。
另一方面，在支撑片中，波长532nm的光的透过率的上限值没有特别限定，例如可设定为95％。
此外，在支撑片中，波长1064nm的光的透过率优选为30％以上，更优选为50％以上，特别优选为70％以上。通过使所述光的透过率为这样的范围，透过支撑片对保护膜形成用膜或保护膜照射激光从而对其进行印字时，能够更清晰地印字。
另一方面，在支撑片中，波长1064nm的光的透过率的上限值没有特别限定，例如可设定为95％。
接着，进一步对构成支撑片的各层详细地进行说明。
○基材
所述基材为片状或膜状，作为其构成材料，例如可列举出各种树脂。
作为所述树脂，例如可列举出低密度聚乙烯(LDPE)、直链低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降冰片烯树脂等除聚乙烯以外的聚烯烃；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降冰片烯共聚物等乙烯类共聚物(使用乙烯作为单体而得到的共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯类树脂(使用氯乙烯作为单体而得到的树脂)；聚苯乙烯；聚环烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚间苯二甲酸乙二醇酯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、所有的结构单元具有芳香族环式基的全芳香族聚酯等聚酯；两种以上的所述聚酯的共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚氨酯；聚氨酯丙烯酸酯；聚酰亚胺；聚酰胺；聚碳酸酯；氟树脂；聚缩醛；改性聚苯醚；聚苯硫醚；聚砜；聚醚酮等。
此外，作为所述树脂，例如也可列举出所述聚酯与除其以外的树脂的混合物等聚合物合金。优选所述聚酯与除其以外的树脂的聚合物合金中的除聚酯以外的树脂的量为较少量。
此外，作为所述树脂，例如也可列举出上文中例示的所述树脂的一种或两种以上交联而成的交联树脂；使用了上文中例示的所述树脂的一种或两种以上的离聚物等改性树脂。
另外，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”为包含“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这二者的概念。与(甲基)丙烯酸类似的用语也相同。
构成基材的树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
基材可以由一个层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，由多个层构成时，这些多个层可以彼此相同也可以不同，这些多个层的组合没有特别限定。
基材的厚度优选为50～300μm，更优选为60～100μm。通过使基材的厚度为这样的范围，所述保护膜形成用复合片的可挠性、及对半导体晶圆或半导体芯片的贴附性得到进一步提高。
此处，“基材的厚度”是指基材整体的厚度，例如由多个层构成的基材的厚度是指构成基材的所有的层的总计的厚度。
在本说明书中，“厚度”是指使用接触式厚度计测定对象物的任意5个位置，并以其平均值表示的值。
优选基材为厚度的精度高的基材、即无论在何部位厚度的偏差均得到了抑制的基材。在上述的构成材料中，作为可用于构成所述厚度精度高的基材的材料，例如可列举出聚乙烯、除聚乙烯以外的聚烯烃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。
基材除了含有所述树脂等主要构成材料以外，也可以含有填充材料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、有机润滑剂、催化剂、软化剂(增塑剂)等公知的各种添加剂。
基材的光学特性只要满足上文中说明的支撑片的光学特性即可。即，基材可以透明，也可以不透明，也可以根据目的进行着色，也可以蒸镀有其它层。
而且，在保护膜形成用膜具有能量射线固化性的本发明中，优选基材透过能量射线。
为了提高与设置于其之上的粘着剂层等其它层的密着性，基材可以为对表面实施了基于喷砂处理、溶剂处理等的凹凸化处理、电晕放电处理、电子束照射处理、等离子体处理、臭氧·紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理等的基材。
此外，基材还可以为表面经底漆处理的基材。
此外，叠加抗静电涂层、保护膜形成用复合片并进行保存时，基材也可以具有防止基材与其他片材粘合、或者防止基材与吸台粘合的层等。
其中，从抑制由切割时的刀的摩擦导致的基材的断片的产生的点出发，基材特别优选为表面实施了电子束照射处理的基材。
对于基材的表面的表面粗糙度(Ra)，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，只要所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上，则没有特别限定。
作为本发明的一个形态，基材的至少一侧的表面的表面粗糙度(Ra)优选为0.03～2.0μm，更优选为0.05～1.8μm。将在剥离膜上涂布后述的保护膜形成用组合物，并根据需要进行干燥从而形成的保护膜形成用膜的露出面(即，表面(β))贴合在具有上述表面粗糙度(Ra)的基材的表面上，由此，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，可将所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)调整为0.038μm以上、1.5μm以下。
作为本发明的另一个形态，基材的至少一侧的表面的表面粗糙度(Ra)优选为0.05～1.3μm。将在剥离膜上涂布后述的保护膜形成用组合物，并根据需要进行干燥从而形成的保护膜形成用膜的露出面(即，表面(β))贴合在具有上述表面粗糙度(Ra)的基材的表面上，由此，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，可将所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)调整为0.038μm以上、0.9μm以下。
作为本发明的又一个形态，基材的至少一侧的表面的表面粗糙度(Ra)小于0.12μm，更优选小于0.03μm，进一步优选为0.020～0.025μm。在至少一侧的表面的表面粗糙度(Ra)为0.03～2.0μm的第一剥离膜的、具有所述表面粗糙度的表面上涂布后述的保护膜形成用组合物，根据需要进行干燥，形成保护膜形成用膜，在所述保护膜形成用膜的露出面上贴合第二剥离膜，将所述第一剥离膜剥离，并将保护膜形成用膜的露出面(即，表面(β))贴合在具有上述表面粗糙度(Ra)的基材的表面上，由此，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，可将所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)调整为0.038μm以上、0.9μm以下。
作为本发明的又一个形态，基材的至少一侧的表面的表面粗糙度(Ra)小于0.12μm，更优选小于0.03μm，进一步优选为0.020～0.025μm。将后述的保护膜形成用组合物涂布在第二剥离膜上，根据需要进行干燥，形成保护膜形成用膜，在所述保护膜形成用膜的露出面上贴合至少一侧的表面的表面粗糙度(Ra)为0.03～2.0μm的第一剥离膜的、具有所述表面粗糙度的表面，将所述第一剥离膜剥离，并将保护膜形成用膜的露出面(即，表面(β))贴合在具有上述表面粗糙度(Ra)的基材的表面上，由此，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，可将所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)调整为0.038μm以上、0.9μm以下。
在本说明书中，基材的表面的表面粗糙度(Ra)可通过实施例中记载的测定方法进行测定。
基材能够利用公知的方法制造。例如，含有树脂的基材能够通过将含有所述树脂的树脂组合物成型而制造。
◎保护膜形成用膜
在本发明的保护膜形成用复合片中，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，通过使所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上，在拾取带保护膜的半导体芯片时，可抑制非目标的带保护膜的半导体芯片的拾取，能够高选择性地拾取作为目标的带保护膜的半导体芯片。此外，通过使所述粘着力为所述上限值以下，拾取带保护膜的半导体芯片时，可抑制半导体芯片的开裂及缺损。此外，使保护膜形成用膜固化而得到的保护膜与支撑片之间的粘着力优选为50～1500mN/25mm，更优选为52～1450mN/25mm，进一步优选为53～1430mN/25mm。以此方式，通过进一步使所述粘着力在特定的范围内，保护膜形成用复合片具有更良好的拾取适性。
另外，在本发明中，即使在保护膜形成用膜固化后，只要维持支撑片及保护膜形成用膜的固化物(换而言之，支撑片及保护膜)的层叠结构，则该层叠结构体就被称为“保护膜形成用复合片”。
利用以下的方法测定保护膜与支撑片之间的粘着力。
即，使宽度为25mm、长度任意的保护膜形成用复合片通过其保护膜形成用膜贴附在被粘物上。
接着，照射能量射线使保护膜形成用膜固化从而形成保护膜后，以剥离速度300mm/min将支撑片从贴附在被粘物上的该保护膜上剥离。将此时的剥离设为所谓的180°剥离，其中，以使保护膜与支撑片互相接触的面彼此呈180°的角度的方式将支撑片沿其长度方向(保护膜形成用复合片的长度方向)剥离。然后，测定该180°剥离时的荷载(剥离力)，并将其测定值作为所述粘着力(mN/25mm)。
供于测定的保护膜形成用复合片的长度只要在能够稳定地检测粘着力的范围内则没有特别限定，优选为100～300mm。此外，测定时，优选使保护膜形成用复合片为贴附在被粘物上的状态，并使保护膜形成用复合片的贴附状态稳定化。
在本发明中，保护膜形成用膜与所述支撑片之间的粘着力没有特别限定，例如可以为80mN/25mm以上等，优选为100mN/25mm以上，更优选为150mN/25mm以上，特别优选为200mN/25mm以上。通过使所述粘着力为100mN/25mm以上，在进行切割时，可抑制保护膜形成用膜与支撑片的剥离，例如，可抑制背面具备保护膜形成用膜的半导体芯片从支撑片上飞散。
另一方面，保护膜形成用膜与所述支撑片之间的粘着力的上限值没有特别限定，例如可以设为4000mN/25mm、3500mN/25mm、3000mN/25mm等中的任意数值。但是，这些只是一个例子。
除了未进行供于测定的保护膜形成用膜的、基于能量射线的照射的固化这一点以外，能够利用与上述的保护膜与支撑片之间的粘着力相同的方法测定保护膜形成用膜与支撑片之间的粘着力。
例如，可通过调节保护膜形成用膜的含有成分的种类及量、支撑片中的设置保护膜形成用膜的层的构成材料、及该层的表面状态等来适当地调节上述的保护膜与支撑片之间的粘着力、及保护膜形成用膜与支撑片之间的粘着力。
例如，保护膜形成用膜的含有成分的种类及量可通过后述的保护膜形成用组合物的含有成分的种类及量进行调节。而且，通过对保护膜形成用组合物的含有成分中的、例如不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的种类及含量、填充材料(d)的含量、或交联剂(f)的含量进行调节，能够更容易地调节保护膜或保护膜形成用膜与支撑片之间的粘着力。
当支撑片中的设置有保护膜形成用膜的层为基材时，保护膜或保护膜形成用膜与支撑片之间的粘着力，除了通过基材的构成材料进行调节以外、也可通过基材的表面状态进行调节。而且，基材的表面状态例如能够通过实施作为提高基材与其它层的密着性的表面处理而在上文中列举的下述处理中的任意一种而进行调节：即，基于喷砂处理、溶剂处理等的凹凸化处理；电晕放电处理、电子束照射处理、等离子体处理、臭氧·紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理；底漆处理等。
保护膜形成用膜具有能量射线固化性，例如可列举出含有能量射线固化性成分(a)的保护膜形成用膜。
优选能量射线固化性成分(a)未固化，优选其具有粘着性，更优选其未固化且具有粘着性。
保护膜形成用膜可以为一层(单层)，也可以为两层以上的多个层，为多个层时，这些多个层可以彼此相同也可以不同，这些多个层的组合没有特别限定。
保护膜形成用膜的厚度优选为1～100μm，更优选为5～75μm，特别优选为5～50μm。通过使保护膜形成用膜的厚度为所述下限值以上，能够形成保护能力更高的保护膜。此外，通过使保护膜形成用膜的厚度为所述上限值以下，可抑制厚度成为过度的厚度。
此处，“保护膜形成用膜的厚度”是指保护膜形成用膜整体的厚度，例如由多个层构成的保护膜形成用膜的厚度是指构成保护膜形成用膜的所有的层的总计的厚度。
只要保护膜成为充分地发挥其功能的程度的固化度，则使保护膜形成用膜固化从而形成保护膜时的固化条件没有特别限定，根据保护膜形成用膜的种类进行适当选择即可。
例如，固化保护膜形成用膜时的能量射线的照度优选为4～280mW/cm2。而且，所述固化时的能量射线的光量优选为3～1000mJ/cm2。
＜＜保护膜形成用组合物＞＞
保护膜形成用膜可使用含有其构成材料的保护膜形成用组合物而形成。例如，通过将保护膜形成用组合物涂布在保护膜形成用膜的形成对象面上并根据需要进行干燥，能够在目标部位形成保护膜形成用膜。保护膜形成用组合物中的、常温下不气化的成分彼此的含量比通常与保护膜形成用膜的所述成分彼此的含量比相同。此处，“常温”是指没有特别进行冷却或加热的温度、即平常的温度，例如可列举出15～25℃的温度等。
利用公知的方法进行保护膜形成用组合物的涂布即可，例如可列举出使用气刀涂布机、刮片涂布机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机(screen coater)、迈耶棒涂布机、吻涂机(kiss coater)等各种涂布机的方法。
保护膜形成用组合物的干燥条件没有特别限定，但当保护膜形成用组合物含有后述的溶剂时，优选进行加热干燥，此时，例如优选以70～130℃、10秒～5分钟的条件进行干燥。
＜保护膜形成用组合物(IV-1)＞
作为保护膜形成用组合物，例如可列举出含有所述能量射线固化性成分(a)的保护膜形成用组合物(IV-1)等。
[能量射线固化性成分(a)]
能量射线固化性成分(a)为通过能量射线的照射而固化的成分，也是用于对保护膜形成用膜赋予造膜性、可挠性等的成分。
作为能量射线固化性成分(a)，例如可列举出具有能量射线固化性基团的、重均分子量为80000～2000000的聚合物(a1)、及具有能量射线固化性基团的、分子量为100～80000的化合物(a2)。所述聚合物(a1)可以为其至少一部分被后述的交联剂(f)交联而成的物质，也可以为未交联的物质。
另外，在本说明书中，除非另有说明，重均分子量是指利用凝胶渗透色谱(GPC)法测定的聚苯乙烯换算值。
(具有能量射线固化性基团的、重均分子量为80000～2000000的聚合物(a1))
作为具有能量射线固化性基团的、重均分子量为80000～2000000的聚合物(a1)，例如可列举出具有可与其他化合物所具有的基团反应的官能团的丙烯酸类聚合物(a11)与具有与所述官能团反应的基团及能量射线固化性双键等能量射线固化性基团的能量射线固化性化合物(a12)聚合而成的丙烯酸类树脂(a1-1)。
作为可与其他化合物所具有的基团反应的所述官能团，例如可列举出羟基、羧基、氨基、取代氨基(氨基的一个或两个氢原子被除氢原子以外的基团取代而成的基团)、环氧基等。其中，从防止半导体晶圆或半导体芯片等的电路的腐蚀的点出发，优选所述官能团为除羧基以外的基团。
其中，优选所述官能团为羟基。
·具有官能团的丙烯酸类聚合物(a11)
作为所述具有官能团的丙烯酸类聚合物(a11)，例如可列举出具有所述官能团的丙烯酸类单体与不具有所述官能团的丙烯酸类单体共聚而成的聚合物，也可以为除这些单体以外进一步共聚有除丙烯酸类单体以外的单体(非丙烯酸类单体)的聚合物。
此外，所述丙烯酸类聚合物(a11)可以为无规共聚物，也可以为嵌段共聚物。
作为具有所述官能团的丙烯酸类单体，例如可列举出含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含取代氨基单体、含环氧基单体等。
作为所述含羟基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸羟甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸类不饱和醇(不具有(甲基)丙烯酰基骨架的不饱和醇)等。
作为所述含羧基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸、巴豆酸等烯属不饱和一元羧酸(具有烯属不饱和键的一元羧酸)；富马酸、衣康酸、马来酸、柠康酸等烯属不饱和二羧酸(具有烯属不饱和键的二羧酸)；所述烯属不饱和二羧酸的酸酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
优选具有所述官能团的丙烯酸类单体为含羟基单体、含羧基单体，更优选为含羟基单体。
构成所述丙烯酸类聚合物(a11)的、具有所述官能团的丙烯酸类单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
作为不具有所述官能团的丙烯酸类单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸硬脂酸酯)等的、构成烷基酯的烷基为碳原子数为1～18的链状结构的(甲基)丙烯酸烷基酯等。
此外，作为不具有所述官能团的丙烯酸类单体，例如也可列举出(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基烷基的(甲基)丙烯酸酯；包含(甲基)丙烯酸苯酯等(甲基)丙烯酸芳基酯等的、具有芳香族基团的(甲基)丙烯酸酯；非交联性的(甲基)丙烯酰胺及其衍生物；(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基丙酯等具有非交联性的叔氨基的(甲基)丙烯酸酯等。
构成所述丙烯酸类聚合物(a11)的、不具有所述官能团的丙烯酸类单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
作为所述非丙烯酸类单体，例如可列举出乙烯、降冰片烯等烯烃；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。
构成所述丙烯酸类聚合物(a11)的所述非丙烯酸类单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在所述丙烯酸类聚合物(a11)中，相对于构成该聚合物的结构单元的总质量，由具有所述官能团的丙烯酸类单体衍生的结构单元的量的比例(含量)优选为0.1～50质量％，更优选为1～40质量％，特别优选为3～30质量％。通过使所述比例为这样的范围，通过所述丙烯酸类聚合物(a11)与所述能量射线固化性化合物(a12)的共聚而得到的所述丙烯酸类树脂(a1-1)中的能量射线固化性基团的含量，可容易地将第一保护膜的固化程度调节为优选的范围。
构成所述丙烯酸类树脂(a1-1)的所述丙烯酸类聚合物(a11)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在保护膜形成用组合物(IV-1)中，相对于所述保护膜形成用组合物(IV-1)的总质量，丙烯酸类树脂(a1-1)的含量优选为1～40质量％，更优选为2～30质量％，特别优选为3～20质量％。
·能量射线固化性化合物(a12)
优选所述能量射线固化性化合物(a12)具有选自由异氰酸酯基、环氧基及羧基组成的组中的一种或两种以上作为可与所述丙烯酸类聚合物(a11)所具有的官能团反应的基团，更优选具有异氰酸酯基作为所述基团。例如，当所述能量射线固化性化合物(a12)具有异氰酸酯基作为所述基团时，该异氰酸酯基容易与具有羟基作为所述官能团的丙烯酸类聚合物(a11)的该羟基进行反应。
优选所述能量射线固化性化合物(a12)在1分子中具有1～5个所述能量射线固化性基团，更优选具有1～3个所述能量射线固化性基团。
作为所述能量射线固化性化合物(a12)，例如可列举出2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、1,1-(双丙烯酰氧甲基)乙基异氰酸酯；
通过二异氰酸酯化合物或聚异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；
通过二异氰酸酯化合物或聚异氰酸酯化合物、多元醇化合物及(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物等。
其中，优选所述能量射线固化性化合物(a12)为2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯。
构成所述丙烯酸类树脂(a1-1)的所述能量射线固化性化合物(a12)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在所述丙烯酸类树脂(a1-1)中，来自所述能量射线固化性化合物(a12)的能量射线固化性基团的含量相对于来自所述丙烯酸类聚合物(a11)的所述官能团的含量的比例优选为20～120摩尔％，更优选为35～100摩尔％，特别优选为50～100摩尔％。通过使所述含量的比例为这样的范围，通过固化而形成的保护膜的粘合力变得更大。另外，当所述能量射线固化性化合物(a12)为单官能(在1分子中具有1个所述基团)化合物时，所述含量的比例的上限值为100摩尔％，而当所述能量射线固化性化合物(a12)为多官能(在1分子中具有2个以上的所述基团)化合物时，所述含量的比例的上限值有时大于100摩尔％。
所述聚合物(a1)的重均分子量(Mw)优选为100000～2000000，更优选为300000～1500000。
当所述聚合物(a1)为其至少一部分被交联剂(f)交联而成的物质时，所述聚合物(a1)可以为不属于作为构成所述丙烯酸类聚合物(a11)的单体而说明的上述单体中的任一者、且具有与交联剂(f)反应的基团的单体进行共聚，并在与所述交联剂(f)反应的基团处进行交联而成的聚合物，还可以为在来自所述能量射线固化性化合物(a12)的、与所述官能团反应的基团处进行交联而成的聚合物。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的所述聚合物(a1)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
(具有能量射线固化性基团的、分子量为100～80000的化合物(a2))
作为具有能量射线固化性基团的、分子量为100～80000的化合物(a2)所具有的能量射线固化性基团，可列举出包含能量射线固化性双键的基团，作为优选的基团，可列举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基等。
所述化合物(a2)只要满足上述条件则没有特别限定，可列举出具有能量射线固化性基团的低分子量化合物、具有能量射线固化性基团的环氧树脂、具有能量射线固化性基团的酚树脂等。
作为所述化合物(a2)中的具有能量射线固化性基团的低分子量化合物，例如可列举出多官能的单体或低聚物等，优选具有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸酯类化合物。
作为所述丙烯酸酯类化合物，例如可列举出2-羟基-3-(甲基)丙烯酰氧基丙基甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基聚乙氧基)苯基]丙烷、乙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基二乙氧基)苯基]丙烷、9,9-双[4-(2-(甲基)丙烯酰氧基乙氧基)苯基]芴、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基聚丙氧基)苯基]丙烷、三环癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯(也称为三环癸烷二羟甲基二(甲基)丙烯酸酯)、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基乙氧基)苯基]丙烷、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-羟基-1,3-二(甲基)丙烯酰氧基丙烷等双官能(甲基)丙烯酸酯；
三(2-(甲基)丙烯酰氧乙基)异氰脲酸酯、ε-己内酯改性三(2-(甲基)丙烯酰氧乙基)异氰脲酸酯、乙氧基化甘油三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯；
氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物等多官能(甲基)丙烯酸酯低聚物等。
作为所述化合物(a2)中的具有能量射线固化性基团的环氧树脂、具有能量射线固化性基团的酚树脂，例如能够使用“日本特开2013-194102号公报”的段落0043等中记载的树脂。这样的树脂也相当于构成后述的热固性成分(h)的树脂，但本发明中将其视为所述化合物(a2)。
所述化合物(a2)的重均分子量优选为100～30000，更优选为300～10000。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的所述化合物(a2)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
[不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)]
当保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜含有所述化合物(a2)作为所述能量射线固化性成分(a)时，优选进一步还含有不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)。
所述聚合物(b)可以为至少一部分被交联剂(f)交联而成的物质，也可以为未交联的物质。
作为不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，例如可列举出丙烯酸类聚合物、苯氧基树脂、氨基甲酸酯树脂、聚酯、橡胶类树脂、丙烯酸氨基甲酸酯树脂、聚乙烯醇(PVA)、丁醛树脂、聚酯氨基甲酸酯树脂等。
其中，优选所述聚合物(b)为丙烯酸类聚合物(以下，有时简写作“丙烯酸类聚合物(b-1)”)。
丙烯酸类聚合物(b-1)可以是公知的丙烯酸类聚合物，例如可以为一种丙烯酸类单体的均聚物，也可以为两种以上的丙烯酸类单体的共聚物，还可以为一种或两种以上的丙烯酸类单体与一种或两种以上的除丙烯酸类单体以外的单体(非丙烯酸类单体)的共聚物。
作为构成丙烯酸类聚合物(b-1)的所述丙烯酸类单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸烷基酯、具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯、含缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯、含羟基的(甲基)丙烯酸酯、含取代氨基的(甲基)丙烯酸酯等。此处，“取代氨基”与在上文中说明的相同。
作为所述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸硬脂酸酯)等的、构成烷基酯的烷基为碳原子数为1～18的链状结构的(甲基)丙烯酸烷基酯等。
作为所述具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯等(甲基)丙烯酸环烷基酯；
(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；
(甲基)丙烯酸二环戊烯基酯等(甲基)丙烯酸环烯基酯；
(甲基)丙烯酸二环戊烯基氧基乙酯等(甲基)丙烯酸环烯基氧基烷基酯等。
作为所述含缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。
作为所述含羟基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸羟甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等。
作为所述含取代氨基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸N-甲基氨基乙酯等。
作为构成丙烯酸类聚合物(b-1)的所述非丙烯酸类单体，例如可列举出乙烯、降冰片烯等烯烃；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。
作为至少一部分被交联剂(f)交联的、所述不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，例如可列举出所述聚合物(b)中的反应性官能团与交联剂(f)反应而得到的聚合物。
所述反应性官能团根据交联剂(f)的种类等进行适当选择即可，没有特别限定。例如，当交联剂(f)为聚异氰酸酯化合物时，作为所述反应性官能团，可列举出羟基、羧基、氨基等，其中，优选与异氰酸酯基的反应性高的羟基。此外，当交联剂(f)为环氧类化合物时，作为所述反应性官能团，可列举出羧基、氨基、酰胺基等，其中，优选与环氧基的反应性高的羧基。然而，从防止半导体晶圆或半导体芯片的电路的腐蚀的点出发，优选所述官能团为除羧基以外的基团。
作为具有所述反应性官能团且不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，例如可列举出使至少具有所述反应性官能团的单体聚合而得到的聚合物。在为丙烯酸类聚合物(b-1)时，使用具有所述反应性官能团的单体作为构成该丙烯酸类聚合物(b-1)的单体而列举的、所述丙烯酸类单体及非丙烯酸类单体中的任意一者或两者即可。例如，作为具有羟基作为反应性官能团的所述聚合物(b)，例如可列举出将含羟基的(甲基)丙烯酸酯聚合而得到的聚合物，除此以外，可列举出将在上文中列举的所述丙烯酸类单体或非丙烯酸类单体中的一个或两个以上的氢原子取代为所述反应性官能团而成的单体聚合而得到的聚合物。
在具有反应性官能团的所述聚合物(b)中，由具有反应性官能团的单体衍生的结构单元的量相对于构成该聚合物(b)的结构单元的总质量的比例(含量)优选为1～25质量％，更优选为2～20质量％。通过使所述比例为这样的范围，在所述聚合物(b)中，交联的程度成为更优选的范围。
从保护膜形成用组合物(IV-1)的造膜性更加良好的点出发，不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的重均分子量(Mw)优选为10000～2000000，更优选为100000～1500000。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的、不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
作为保护膜形成用组合物(IV-1)，可列举出含有所述聚合物(a1)及所述化合物(a2)中的任意一者或两者的保护膜形成用组合物。而且，当含有所述化合物(a2)时，优选保护膜形成用组合物(IV-1)进一步含有不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，此时，也优选进一步含有所述(a1)。此外，保护膜形成用组合物(IV-1)也可以不含有所述化合物(a2)而同时含有所述聚合物(a1)、及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)。
当保护膜形成用组合物(IV-1)含有所述聚合物(a1)、所述化合物(a2)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)时，在保护膜形成用组合物(IV-1)中，相对于所述聚合物(a1)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的总含量100质量份，所述化合物(a2)的含量优选为10～400质量份，更优选为30～350质量份。
在保护膜形成用组合物(IV-1)中，所述能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的合计含量(即，保护膜形成用膜的所述能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的合计含量)相对于除溶剂以外的成分的总含量的比例优选为5～90质量％，更优选为10～80质量％，特别优选为15～70质量％。通过使所述合计含量的比例为这样的范围，保护膜形成用膜的能量射线固化性变得更加良好。
在本发明的一个形态中，所述能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的总计含量相对于所述除溶剂以外的成分的总含量的比例优选为78～92质量％，更优选为82～91质量％，进一步优选为84～90质量％。
当保护膜形成用组合物(IV-1)含有所述能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)时，在保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜中，相对于能量射线固化性成分(a)的含量100质量份，所述聚合物(b)的含量优选为3～160质量份，更优选为6～130质量份。通过使所述聚合物(b)的所述含量为这样的范围，保护膜形成用膜的能量射线固化性变得更加良好。
除了含有能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)以外，保护膜形成用组合物(IV-1)还可以根据目的含有选自由光聚合引发剂(c)、填充材料(d)、偶联剂(e)、交联剂(f)、着色剂(g)、热固化性成分(h)、及通用添加剂(z)组成的组中的一种或两种以上。例如，通过使用含有所述能量射线固化性成分(a)及热固化性成分(h)的保护膜形成用组合物(IV-1)，所形成的保护膜形成用膜对被粘物的粘合力因加热而提高，由该保护膜形成用膜形成的保护膜的强度也得到提高。
[光聚合引发剂(c)]
作为光聚合引发剂(c)，例如可列举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基膦氧化物化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫化合物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；二苯甲酮、2-(二甲基氨基)-1-(4-吗啉苯基)-2-苄基-1-丁酮、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮1-(O-乙酰肟)等二苯甲酮化合物；过氧化物化合物；双乙酰等二酮化合物；苄基；二苄基；2,4-二乙基噻吨酮；1,2-二苯基甲烷；2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。
此外，作为光聚合引发剂(c)，例如还可使用1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光敏剂等。
保护膜形成用组合物(IV-1)所含有的光聚合引发剂(c)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用光聚合引发剂(c)时，在保护膜形成用组合物(IV-1)中，相对于能量射线固化性成分(a)的含量100质量份，光聚合引发剂(c)的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
[填充材料(d)]
通过使保护膜形成用膜含有填充材料(d)，将保护膜形成用膜固化从而得到的保护膜的热膨胀系数的调整变得容易，通过使该热膨胀系数相对于保护膜的形成对象物最适化，使用保护膜形成用复合片而得到的封装的可靠性得到进一步提高。此外，通过使保护膜形成用膜含有填充材料(d)，能够降低保护膜的吸湿率，或者能够提高散热性。
作为填充材料(d)，例如可列举出由导热材料构成的填充材料。
填充材料(d)可以为有机填充材料及无机填充材料中的任一者，优选为无机填充材料。
作为优选的无机填充材料，例如可列举出二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、钛白、铁丹、碳化硅、氮化硼等粉末；将这些无机填充材料球形化而成的珠子；这些无机填充材料的表面改性品；这些无机填充材料的单晶纤维；玻璃纤维等。
其中，优选无机填充材料为二氧化硅或氧化铝，更优选为表面经环氧基修饰的二氧化硅。
填充材料(d)的平均粒径没有特别限定，优选为0.01～20μm，更优选为0.1～15μm，特别优选为0.3～10μm。此外，在本发明的一个形态中，填充材料(d)的平均粒径为0.05～0.1μm。通过使填充材料(d)的平均粒径为这样的范围，能够维持对保护膜的形成对象物的粘合性、并同时抑制保护膜的光的透过率的降低。
另外，除非另有说明，本说明书中的“平均粒径”是指利用激光衍射散射法求得的粒度分布曲线中的、累积值为50％处的粒径(D50)的值。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的填充材料(d)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用填充材料(d)时，在保护膜形成用组合物(IV-1)中，填充材料(d)的含量(即保护膜形成用膜的填充材料(d)的含量)相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例优选为5～83质量％，更优选为7～78质量％。通过使填充材料(d)的含量为这样的范围，上述的热膨胀系数的调整变得更容易。
作为本发明的一个形态，相对于保护膜形成用膜的质量，填充材料(d)的含量优选为4～15质量％，更优选为4～10质量％。
作为本发明的另一个形态，当填充材料(d)的平均粒径为0.05～0.1μm时，相对于保护膜形成用膜的质量，填充材料(d)的含量优选为4～15质量％，更优选为4～10质量％。
[偶联剂(e)]
通过使用具有可与无机化合物或有机化合物反应的官能团的物质作为偶联剂(e)，能够提高保护膜形成用膜对被粘物的粘合性及密着性。此外，通过使用偶联剂(e)，将保护膜形成用膜固化而得到的保护膜在不损害耐热性的状态下提高耐水性。
偶联剂(e)优选为具有可与能量射线固化性成分(a)、不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)等所具有的官能团反应的官能团的化合物，更优选为硅烷偶联剂。
作为优选的所述硅烷偶联剂，例如可列举出3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基甲基二乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基甲基二乙氧基硅烷、3-(苯基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-苯胺基丙基三甲氧基硅烷、3-脲丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3-三乙氧基硅基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的偶联剂(e)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用偶联剂(e)时，在保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜中，相对于能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的总含量100质量份，偶联剂(e)的含量优选为0.03～20质量份，更优选为0.05～10质量份，特别优选为0.1～5质量份。通过使偶联剂(e)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地获得填充材料(d)在树脂中的分散性的提高、保护膜形成用膜与被粘物的粘合性的提高等通过使用偶联剂(e)而产生的效果。此外，通过使偶联剂(e)的所述含量为所述上限值以下，可进一步抑制脱气的产生。
[交联剂(f)]
通过使用交联剂(f)交联上述的能量射线固化性成分(a)或不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，能够调节保护膜形成用膜的初期粘合力及凝聚力。
作为交联剂(f)，例如可列举出有机多异氰酸酯化合物、有机多元亚胺化合物、金属螯合物类交联剂(具有金属螯合物结构的交联剂)、氮丙啶类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)等。
作为所述有机多异氰酸酯化合物，例如可列举出芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物及脂环族多异氰酸酯化合物(以下，有时将这些化合物统一简写作“芳香族多异氰酸酯化合物等”)；所述芳香族多异氰酸酯化合物等的三聚体、异氰脲酸酯体及加成物；使所述芳香族多异氰酸酯化合物等与多元醇化合物反应而得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物等。所述“加成物”是指所述芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物或脂环族多异氰酸酯化合物与乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷或蓖麻油等低分子含活性氢化合物的反应物，作为其例子，可列举出如后所述的三羟甲基丙烷的苯二亚甲基二异氰酸酯加成物等。此外，“末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物”是指具有氨基甲酸酯键、且在分子的末端部具有异氰酸酯基的预聚物。
作为所述有机多异氰酸酯化合物，更具体而言，例如可列举出2,4-甲苯二异氰酸酯；2,6-甲苯二异氰酸酯；1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯；1,4-苯二亚甲基二异氰酸酯；二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯；二苯基甲烷-2,4’-二异氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯；六亚甲基二异氰酸酯；异佛尔酮二异氰酸酯；二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯；二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯；三羟甲基丙烷等多元醇的全部或一部分的羟基上加成有甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯及苯二亚甲基二异氰酸酯中的任意一种或两种以上而成的化合物；赖氨酸二异氰酸酯等。
作为所述有机多元亚胺化合物，例如可列举出N,N’-二苯基甲烷-4,4’-双(1-氮丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N’-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶甲酰胺)三亚乙基三聚氰胺等。
使用有机多异氰酸酯化合物作为交联剂(f)时，作为能量射线固化性成分(a)或不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，优选使用含羟基的聚合物。当交联剂(f)具有异氰酸酯基、能量射线固化性成分(a)或不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)具有羟基时，通过交联剂(f)与能量射线固化性成分(a)或不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的反应，能够简单地将交联结构导入保护膜形成用膜。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的交联剂(f)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用交联剂(f)时，在保护膜形成用组合物(IV-1)中，相对于能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的总含量100质量份，交联剂(f)的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.1～10质量份，特别优选为0.5～5质量份。通过使交联剂(f)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地获得通过使用交联剂(f)而产生的效果。此外，通过使交联剂(f)的所述含量为所述上限值以下，可抑制交联剂(f)的过量使用。
[着色剂(g)]
作为着色剂(g)，例如可列举出无机类颜料、有机类颜料、有机类染料等公知的着色剂。
作为所述有机类颜料及有机类染料，例如可列举出胺
(aminium)类色素、花青类色素、部花青类色素、克酮酸(croconium)类色素、方酸菁(squarylium)类色素、甘菊蓝
(azulenium)类色素、聚甲炔类色素、萘醌类色素、吡喃
类色素、酞菁类色素、萘菁类色素、萘内酰亚胺(naphtholactam)类色素、偶氮类色素、缩合偶氮类色素、靛蓝类色素、紫环酮(perinone)类色素、苝类色素、二噁嗪类色素、喹吖啶酮类色素、异吲哚啉酮类色素、喹酞酮类色素、吡咯类色素、硫靛类色素、金属络合物类色素(金属络合盐染料)、二硫醇金属络合物类色素、吲哚酚类色素、三烯丙基甲烷类色素、蒽醌类色素、萘酚类色素、甲亚胺类色素、苯并咪唑酮类色素、皮蒽酮类色素和士林(threne)类色素等。
作为所述无机类颜料，例如可列举出炭黑、钴类色素、铁类色素、铬类色素、钛类色素、钒类色素、锆类色素、钼类色素、钌类色素、铂类色素、ITO(氧化铟锡)类色素、ATO(氧化锑锡)类色素等。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的着色剂(g)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用着色剂(g)时，保护膜形成用膜的着色剂(g)的含量根据目的进行适当调节即可。例如，保护膜有时通过激光照射被施以印字，通过对保护膜形成用膜的着色剂(g)的含量进行调节并对保护膜的透光性进行调节，由此能够调节印字可视性。此时，在保护膜形成用组合物(IV-1)中，着色剂(g)的含量(即保护膜形成用膜的着色剂(g)的含量)相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例优选为0.1～10质量％，更优选为0.4～7.5质量％，特别优选为0.8～5质量％。通过使着色剂(g)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地获得通过使用着色剂(g)而产生的效果。此外，通过使着色剂(g)的所述含量为所述上限值以下，可抑制着色剂(g)的过量使用。
[热固化性成分(h)]
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的热固化性成分(h)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
作为热固化性成分(h)，例如可列举出环氧类热固化性树脂、热固化性聚酰亚胺、聚氨酯、不饱和聚酯、有机硅树脂等，优选环氧类热固化性树脂。
(环氧类热固化性树脂)
环氧类热固化性树脂由环氧树脂(h1)及热固化剂(h2)构成。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的环氧类热固化性树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
·环氧树脂(h1)
作为环氧树脂(h1)，可列举出公知的环氧树脂，例如可列举出多官能类环氧树脂、联苯化合物、双酚A二缩水甘油醚及其氢化物、邻甲酚酚醛清漆环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等双官能以上的环氧化合物。
作为环氧树脂(h1)，可使用具有不饱和烃基的环氧树脂。与不具有不饱和烃基的环氧树脂相比，具有不饱和烃基的环氧树脂与丙烯酸类树脂的相容性高。因此，通过使用具有不饱和烃基的环氧树脂，使用保护膜形成用复合片而得到的封装的可靠性得到提高。
作为具有不饱和烃基的环氧树脂，例如可列举出多官能类环氧树脂的环氧基的一部分变换成具有不饱和烃基的基团而成的化合物。这样的化合物例如可通过使(甲基)丙烯酸或其衍生物与环氧基进行加成反应而得到。
此外，作为具有不饱和烃基的环氧树脂，例如可列举出在构成环氧树脂的芳香环等上直接键合有具有不饱和烃基的基团的化合物等。
不饱和烃基为具有聚合性的不饱和基团，作为其具体例，可列举出次乙基(也称为乙烯基)、2-丙烯基(也称为烯丙基)、(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰胺基等，优选丙烯酰基。
环氧树脂(h1)的数均分子量没有特别限定，从保护膜形成用膜的固化性、以及保护膜的强度及耐热性的点出发，优选为300～30000，更优选为400～10000，特别优选为500～3000。
在本说明书中，除非另有说明，“数均分子量”是指以利用凝胶渗透色谱(GPC)法测定的标准聚苯乙烯换算值而表示的数均分子量。
环氧树脂(h1)的环氧当量优选为100～1000g/eq，更优选为150～800g/eq。
在本说明书中，“环氧当量”是指包含1克当量的环氧基的环氧化合物的克数(g/eq)，其可按照JIS K 7236:2001的方法进行测定。
环氧树脂(h1)可以单独使用一种，也可以同时使用两种以上，同时使用两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
·热固化剂(h2)
热固化剂(h2)作为针对环氧树脂(h1)的固化剂而发挥作用。
作为热固化剂(h2)，例如可列举出在1分子中具有两个以上可与环氧基反应的官能团的化合物。作为所述官能团，例如可列举出酚性羟基、醇性羟基、氨基、羧基、酸基酸酐化而成的基团等，优选为酚性羟基、氨基、或酸基酸酐化而成的基团，更优选为酚性羟基或氨基。
作为热固化剂(h2)中的具有酚性羟基的酚类固化剂，例如可列举出多官能酚树脂、联苯二酚、酚醛清漆型酚树脂、二环戊二烯类酚树脂、芳烷基酚树脂等。
作为热固化剂(h2)中的具有氨基的胺类固化剂，例如可列举出双氰胺(以下，有时简写作“DICY”)等。
热固化剂(h2)可以具有不饱和烃基。
作为具有不饱和烃基的热固化剂(h2)，例如可列举出酚树脂的羟基的一部分经具有不饱和烃基的基团取代而成的化合物、在酚树脂的芳香环上直接键合具有不饱和烃基的基团而得到的化合物等。
热固化剂(h2)中的所述不饱和烃基与上述的具有不饱和烃基的环氧树脂中的不饱和烃基相同。
使用酚类固化剂作为热固化剂(h2)时，从提高保护膜从支撑片的剥离性的点出发，优选热固化剂(h2)为软化点或玻璃化转变温度高的热固化剂。
在本说明书中，使用示差扫描热量计，测定样品的DSC曲线，以得到的DSC曲线的拐点的温度表示“玻璃化转变温度”。
热固化剂(h2)中的、例如多官能酚树脂、酚醛清漆型酚树脂、二环戊二烯类酚树脂、芳烷基酚树脂等树脂成分的数均分子量优选为300～30000，更优选为400～10000，特别优选为500～3000。
热固化剂(h2)中的、例如联苯二酚、双氰胺等非树脂成分的分子量没有特别限定，例如优选为60～500。
热固化剂(h2)可以单独使用一种，也可以同时使用两种以上，同时使用两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用热固化性成分(h)时，在保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜中，相对于环氧树脂(h1)的含量100质量份，热固化剂(h2)的含量优选为0.01～20质量份。
使用热固化性成分(h)时，在保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜中，相对于不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的含量100质量份，热固化性成分(h)的含量(例如，环氧树脂(h1)及热固化剂(h2)的总含量)优选为1～500质量份。
[通用添加剂(z)]
通用添加剂(z)可以为公知的添加剂，可根据目的任意选择，没有特别限定，作为优选的添加剂，例如可列举出增塑剂、抗静电剂、抗氧化剂、捕获剂(gettering agent)等。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的通用添加剂(z)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
使用通用添加剂(z)时，保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜的通用添加剂(z)的含量没有特别限定，根据目的进行适当选择即可。
[溶剂]
保护膜形成用组合物(IV-1)优选进一步含有溶剂。含有溶剂的保护膜形成用组合物(IV-1)的操作性变得良好。
所述溶剂没有特别限定，作为优选的溶剂，例如可列举出甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(也称为2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺(具有酰胺键的化合物)等。
保护膜形成用组合物(IV-1)所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
从能够将保护膜形成用组合物(IV-1)中的含有成分更均匀地混合的点出发，保护膜形成用组合物(IV-1)所含有的溶剂优选为甲基乙基酮、甲苯或乙酸乙酯等。
在本发明的一个形态中，保护膜形成用组合物(IV-1)含有以下成分：作为能量射线固化性成分(a2)的三环癸烷二羟甲基二丙烯酸酯(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为37～45质量％，更优选为40～43质量％)；作为聚合物(b)的丙烯酸类树脂(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为41～50质量％，更优选为44～47质量％)，其中，所述丙烯酸类树脂由来自丙烯酸丁酯的结构单元(相对于丙烯酸类树脂的质量为8～12质量％，更优选为10质量％)、来自丙烯酸甲酯的结构单元(相对于丙烯酸类树脂的质量为68～72质量％，更优选为70质量％)、来自甲基丙烯酸缩水甘油酯的结构单元(相对于丙烯酸类树脂的质量为3～7质量％，更优选为5质量％)及来自丙烯酸2-羟基乙酯的结构单元(相对于丙烯酸类树脂的质量为13～17质量％，更优选为15质量％)构成；作为光聚合引发剂(c)的2-(二甲基氨基)-1-(4-吗啉苯基)-2-苄基-1-丁酮(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为0.2～1.1质量％，更优选为0.6～0.64质量％)及1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮1-(O-乙酰肟)(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为0.2～1.1质量％，更优选为0.6～0.64质量％)；作为填充材料(d)的二氧化硅填料(表面修饰基团：环氧基)(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为2.1～13.5质量％，更优选为4.2～10质量％)；作为偶联剂(e)的3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为0.4～1.5质量％，更优选为0.8～0.86质量％)；以及作为着色剂(g)的含有酞菁类蓝色色素、异吲哚酮类黄色色素及蒽醌类红色色素与苯乙烯丙烯酸树脂的颜料(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为2.0～6.25质量％，更优选为4.0～4.3质量％)(其中，各成分的含量的和相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量，不超过100质量％)。
＜＜保护膜形成用组合物的制备方法＞＞
保护膜形成用组合物(IV-1)等保护膜形成用组合物能够通过掺合用于构成它的各成分而得到。
掺合各成分时的添加顺序没有特别限定，也可同时添加两种以上的成分。
使用溶剂时，可通过将溶剂与除溶剂以外的任意掺合成分混合而将该掺合成分预稀释从而进行使用，也可以不将除溶剂以外的任意掺合成分预稀释、而通过将溶剂与这些掺合成分混合从而进行使用。
掺合时混合各成分的方法没有特别限定，从下述公知的方法中适当选择即可：使搅拌器或搅拌叶片等旋转而进行混合的方法；使用搅拌机进行混合的方法；施加超声波而进行混合的方法等。
只要各掺合成分不劣化，则添加及混合各成分时的温度以及时间没有特别限定，进行适当调节即可，优选温度为15～30℃。
作为与本发明的保护膜形成用复合片相同的、贴附于与半导体晶圆或半导体芯片的电路面相反侧的背面，并且在支撑片上具备显示粘合性的层的复合片，有切割芯片接合片(dicing die bonding sheet)。
然而，将切割芯片接合片所具备的粘合剂层与半导体芯片一起从支撑片上拾取后，该粘合剂层作为将该半导体芯片贴附于基板、引线框架、或其他半导体芯片等时的粘合剂而发挥作用。另一方面，就将其与半导体芯片一起从支撑片上拾取这一点而言，本发明的保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜与所述粘合剂层相同，但其最终通过固化而成为保护膜，具有保护所贴附的半导体芯片的背面的作用。如此，本发明的保护膜形成用膜与切割芯片接合片中的粘合剂层的用途不同，所谋求的性能当然也不同。而且，通常，与切割芯片接合片中的粘合剂层相比，保护膜形成用膜具有硬且难以拾取的倾向，这也反映出了上述的用途的差异。因此，通常难以将切割芯片接合片中的粘合剂层直接转用作保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜。作为具备能量射线固化性的保护膜形成用膜的复合片，本发明的保护膜形成用复合片为以往没有的、带保护膜的半导体芯片的拾取适性极其优异的保护膜形成用复合片。
◇保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片的制造方法
＜保护膜形成用膜的制造方法(1)＞
对于本发明的保护膜形成用膜的制造方法的第一形态，可通过在剥离膜(有时称作第二剥离膜)上涂布保护膜形成用组合物，根据需要进行干燥，形成保护膜形成用膜，在所述保护膜形成用膜的露出面(即，表面(β))上贴合至少一侧的表面的表面粗糙度(Ra)为0.03～2.0μm的第一剥离膜的、具有所述表面粗糙度的表面而进行制造。
此时，所述第一剥离膜的表面的表面粗糙度(Ra)优选为0.03～1.8μm。
在本说明书中，有时将具备剥离膜的保护膜形成用膜称作“保护膜形成用片”。
＜保护膜形成用膜的制造方法(2)＞
对于本发明的保护膜形成用膜的制造方法的第二形态，可通过在至少一个表面的表面粗糙度(Ra)为0.03～2.0μm的剥离膜(有时称作第一剥离膜)的具有所述表面粗糙度的表面上，涂布保护膜形成用组合物，根据需要进行干燥而进行制造。此时，所述第一剥离膜的表面的表面粗糙度(Ra)优选为0.03～1.8μm。此外，在以上述方式制造的保护膜形成用膜中，可以在本发明的保护膜形成用膜的与贴附有所述第一剥离膜的表面相反侧的表面(即，表面(α))上贴附其它的剥离膜(有时称作第二剥离膜)。
在本说明书中，有时将具备剥离膜的保护膜形成用膜称作“保护膜形成用片”。
在本发明的一个形态中，保护膜形成用膜含有以下成分：作为能量射线固化性成分(a2)的三环癸烷二羟甲基二丙烯酸酯(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为37～45质量％，更优选为40～43质量％)；作为聚合物(b)的丙烯酸类树脂(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为41～50质量％，更优选为44～47质量％)，其中，所述丙烯酸类树脂由来自丙烯酸丁酯的结构单元(相对于丙烯酸类树脂的质量为8～12质量％，更优选为10质量％)、来自丙烯酸甲酯的结构单元(相对于丙烯酸类树脂的质量为68～72质量％，更优选为70质量％)、来自甲基丙烯酸缩水甘油酯的结构单元(相对于丙烯酸类树脂的质量为3～7质量％，更优选为5质量％)及来自丙烯酸2-羟基乙酯的结构单元(相对于丙烯酸类树脂的质量为13～17质量％，更优选为15质量％)构成；作为光聚合引发剂(c)的2-(二甲基氨基)-1-(4-吗啉苯基)-2-苄基-1-丁酮(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为0.2～1.1质量％，更优选为0.6～0.64质量％)及1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰)-9H-咔唑-3-基]乙酮1-(O-乙酰肟)(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为0.2～1.1质量％，更优选为0.6～0.64质量％)；作为填充材料(d)的二氧化硅填料(表面修饰基团：环氧基)(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为2.1～13.5质量％，更优选为4.2～10质量％)；作为偶联剂(e)的3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为0.4～1.5质量％，更优选为0.8～0.86质量％)；以及作为着色剂(g)的含有酞菁类蓝色色素、异吲哚酮类黄色色素及蒽醌类红色色素与苯乙烯丙烯酸树脂的颜料(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为2.0～6.25质量％，更优选为4.0～4.3质量％)(其中，各成分的含量的和相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量，不超过100质量％)。
＜保护膜形成用复合片的制造方法(1)＞
以下，对本发明的保护膜形成用复合片的制造方法的第一形态进行说明。
在至少一侧的表面的表面粗糙度(Ra)为0.03～2.0μm的剥离膜(有时称作第一剥离膜)的具有所述表面粗糙度的表面上，涂布保护膜形成用组合物，根据需要进行干燥，形成保护膜形成用膜，在所述保护膜形成用膜的露出面上贴合第二剥离膜。
可通过将剥离了所述第一剥离膜的保护膜形成用膜的露出面(即，表面(β))贴合在作为支撑片的基材的表面上从而制造保护膜形成用复合片。所述基材的表面的表面粗糙度(Ra)没有特别限定，例如优选贴合在所述表面粗糙度(Ra)小于0.12μm、更优选贴合在所述表面粗糙度(Ra)小于0.03μm、进一步优选贴合在所述表面粗糙度(Ra)为0.020～0.025μm的平滑的面上。
＜保护膜形成用复合片的制造方法(2)＞
以下，对本发明的保护膜形成用复合片的制造方法的第二形态进行说明。
在第二剥离膜上涂布保护膜形成用组合物，根据需要进行干燥，形成保护膜形成用膜，在所述保护膜形成用膜的露出面上，贴合至少一侧的表面的表面粗糙度(Ra)为0.03～2.0μm的第一剥离膜的具有所述表面粗糙度的表面上。
可通过将剥离了所述第一剥离膜的保护膜形成用膜的露出面(即，表面(β))贴合在作为支撑片的基材的表面上从而制造保护膜形成用复合片。所述基材的表面的表面粗糙度(Ra)没有特别限定，例如优选贴合在所述表面粗糙度(Ra)小于0.12μm、更优选贴合在所述表面粗糙度(Ra)小于0.03μm、进一步优选贴合在所述表面粗糙度(Ra)为0.020～0.025μm的平滑的面上。
＜保护膜形成用复合片的制造方法(3)＞
以下，对本发明的保护膜形成用复合片的制造方法的第三形态进行说明。
在剥离膜上涂布保护膜形成用组合物，根据需要进行干燥，形成保护膜形成用膜。
可通过将所述保护膜形成用膜的露出面(即，表面(β))贴合在具有至少一侧的表面的表面粗糙度(Ra)为0.03～2.0μm、更优选为0.05～1.8μm、进一步优选为0.05～1.3μm的表面粗糙度(Ra)的基材的所述表面粗糙度(Ra)的表面上从而制造保护膜形成用复合片。
也能够通过以使上述的各层成为对应的位置关系的方式依次层叠上述的各层而制造本发明的保护膜形成用复合片。各层的形成方法与在上文中说明的相同。
形成连续两层的层叠结构时，可在由第一组合物形成的层上进一步涂布第二组合物从而形成新的层。其中，优选使用所述第二组合物在其他剥离膜上预先形成上述两层中的后层叠的层，并通过将该已形成的层的与同所述剥离膜接触的一侧为相反侧的露出面、和已经形成的另一个层的露出面贴合，形成连续两层的层叠结构。此时，优选将所述第二组合物涂布在剥离膜的剥离处理面上。在形成层叠结构后，根据需要去除剥离膜即可。
在形成目标层叠结构后的任意时机去除剥离膜即可。
如上所述，由于构成保护膜形成用复合片的除基材以外的层均可预先形成在剥离膜上，并以贴合在目标层的表面的方法进行层叠，因此根据需要适当选择采用这样的工序的层来制造保护膜形成用复合片即可。
另外，保护膜形成用复合片通常以在与其支撑片相反侧的最表层(例如保护膜形成用膜)的表面贴合有剥离膜的状态进行保管。因此，即使将保护膜形成用组合物等的、用于形成构成最表层的层的组合物涂布在剥离膜(优选为其剥离处理面)上，并根据需要使其干燥，由此在剥离膜上形成构成最表层的层，并利用上述任意的方法在该层的与同剥离膜接触的一侧为相反侧的露出面上层叠其他的各层(例如，作为支撑片的基材)，保持不去除而贴合剥离膜的状态时，也可得到保护膜形成用复合片。
◇保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片的使用方法
本发明的保护膜形成用膜或保护膜形成用片例如能够利用以下所示的方法进行使用。
即，将保护膜形成用片的、与具有第一剥离膜的面相反一侧的表面(α)通过其保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆的背面(与电极形成面相反侧的面)。接着，对保护膜形成用膜照射能量射线，使保护膜形成用膜固化从而制成保护膜。接着，剥离第一剥离膜，将所述保护膜的露出面(表面(β))贴附在支撑片上，通过切割，将半导体晶圆与保护膜一同分割，制成半导体芯片。然后，将半导体芯片以贴附有该保护膜的状态(即，作为带保护膜的半导体芯片)从支撑片上分离并拾取。在本说明书中，优选所述支撑片为仅由基材构成的支撑片。其中，作为支撑片，可适用在本发明的保护膜形成用复合片中使用的支撑片。
之后，利用与以往的方法相同的方法，将得到的带保护膜的半导体芯片的半导体芯片倒装连接于基板的电路面后，制成半导体封装体。然后，使用该半导体封装体，制作目标半导体装置即可。
本发明的保护膜形成用复合片例如能够利用以下所示的方法进行使用。
即，将保护膜形成用复合片通过其保护膜形成用膜贴附在半导体晶圆的背面(与电极形成面相反侧的面)。然后，对保护膜形成用膜照射能量射线，固化保护膜形成用膜从而形成保护膜。然后，通过切割，将半导体晶圆与保护膜一同分割，制成半导体芯片。然后，将半导体芯片以贴附有该保护膜的状态(即，作为带保护膜的半导体芯片)从支撑片上分离并拾取。
之后，利用与以往的方法相同的方法，将得到的带保护膜的半导体芯片的半导体芯片倒装连接于基板的电路面后，利用树脂对整体进行密封，由此制成半导体封装体。然后，使用该半导体封装体，制作目标半导体装置即可。
另外，此处对使保护膜形成用膜固化从而形成保护膜后再进行切割的情况进行了说明，但在使用本发明的保护膜形成用复合片时，进行这些工序的顺序也可以相反。即，在将保护膜形成用复合片贴附在半导体晶圆的背面上后，通过切割将半导体晶圆与保护膜形成用膜一同分割，制成半导体芯片。然后，对已分割的保护膜形成用膜照射能量射线，使保护膜形成用膜固化从而形成保护膜。之后与上述相同，将带保护膜的半导体芯片从支撑片上分离并进行拾取，制作作为目标的半导体装置即可。
实施例
以下，根据具体的实施例，对本发明进行更详细的说明。其中，本发明并不限定于以下所示的实施例。
以下示出保护膜形成用组合物的制造中使用的成分。
·能量射线固化性成分
(a2)-1：三环癸烷二羟甲基二丙烯酸酯(Nippon Kayaku Co.，Ltd.制造的“KAYARAD R-684”，双官能紫外线固化性化合物，分子量304)
·不具有能量射线固化性基团的聚合物
(b)-1：将丙烯酸丁酯(以下，简写作“BA”)(10质量份)、丙烯酸甲酯(以下，简写作“MA”)(70质量份)、甲基丙烯酸缩水甘油酯(以下，简写作“GMA”)(5质量份)及丙烯酸2-羟基乙酯(以下，简写作“HEA”)(15质量份)共聚而成的丙烯酸类树脂(重均分子量300000，玻璃化转变温度-1℃)。
·光聚合引发剂
(c)-1：2-(二甲基氨基)-1-(4-吗啉苯基)-2-苄基-1-丁酮(BASF公司制造的“Irgacure(注册商标)369”)
(c)-2：1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮1-(O-乙酰肟)(BASF公司制造的“Irgacure(注册商标)OXE02”)
·填充材料
(d)-1：二氧化硅填料(表面修饰基团：环氧基)(平均粒径0.1μm)
(d)-2：二氧化硅填料(表面修饰基团：环氧基)(平均粒径0.05μm)
·偶联剂
(e)-1：3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造的“KBM-503”，硅烷偶联剂)
·着色剂
(g)-1：将酞菁类蓝色色素(Pigment Blue 15:3)32质量份、异吲哚啉酮类黄色色素(Pigment Yellow 139)18质量份、及蒽醌类红色色素(Pigment Red 177)50质量份混合，以使所述三种色素的合计量/苯乙烯丙烯酸树脂量＝1/3(质量比)的方式进行颜料化而得到的颜料。
[实施例1]
＜保护膜形成用复合片的制造＞
(保护膜形成用组合物(IV-1)的制备)
将能量射线固化性成分(a2)-1(20质量份)、聚合物(b)-1(22质量份)、光聚合引发剂(c)-1(0.3质量份)、光聚合引发剂(c)-2(0.3质量份)、填充材料(d)-1(2质量份，即相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为4.3质量％)、偶联剂(e)-1(0.4质量份)、及着色剂(g)-1(2质量份)溶解或分散于甲基乙基酮中，并于23℃进行搅拌，由此制备了固体成分浓度为50质量％的保护膜形成用组合物(IV-1)。
(保护膜形成用复合片的制造)
利用刮刀涂布机，将上述得到的保护膜形成用组合物(IV-1)涂布在通过硅酮处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜(LINTEC Corporation制造的“SP-PET381031”，厚度38μm)的所述剥离处理面上，在100℃下干燥2分钟，由此制作了厚度25μm的能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)-1。
然后，在作为表面粗糙度(Ra)为1.3μm的聚丙烯类膜(厚度80μm)的基材的支撑片(10)-1的具有所述表面粗糙度(Ra)的面上，贴合上述得到的保护膜形成用膜(13)-1的露出面，制作了将基材、保护膜形成用膜(13)-1及剥离膜沿它们的厚度方向依次层叠而成的保护膜形成用复合片。
[实施例2]
＜保护膜形成用复合片的制造＞
将实施例1中使用的作为表面粗糙度(Ra)为1.3μm的聚丙烯类膜(厚度80μm)的基材的支撑片(10)-1，替换为作为表面粗糙度(Ra)为0.05μm的聚丙烯类膜(厚度80μm)的基材的支撑片(10)-2，其它与实施例1相同，制作了保护膜形成用膜(13)-1与保护膜形成用片。
[实施例3]
＜保护膜形成用复合片的制造＞
将实施例1中使用的保护膜形成用组合物(IV-1)的填充材料(d)-1(2质量份，即相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为4.3质量％)替换为填充材料(d)-2(5质量份，即相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为10质量％)，其它与实施例1相同，制作了保护膜形成用膜(13)-2与保护膜形成用片。
[实施例4]
＜保护膜形成用片的制造＞
利用刮刀涂布机，将实施例1中使用的保护膜形成用组合物(IV-1)涂布在为表面粗糙度(Ra)为1.8μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜(厚度80μm)的第一剥离膜的具有所述表面粗糙度(Ra)的表面上，在100℃下干燥2分钟，由此制作了厚度25μm的能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)-1。
然后，将上述得到的保护膜形成用膜(13)-1的露出面贴合在通过硅酮处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的第二剥离膜(LINTEC Corporation制造的“SP-PET381031”，厚度38μm)的所述剥离处理面上，制作了将第一剥离膜、保护膜形成用膜(13)-1及第二剥离膜沿它们的厚度方向依次层叠而成的保护膜形成用片。
[比较例1]
＜保护膜形成用复合片的制造＞
将实施例1中使用的作为表面粗糙度(Ra)为1.3μm的聚丙烯类膜(厚度80μm)的基材的支撑片(10)-1替换为作为表面粗糙度(Ra)为0.025μm的聚丙烯类膜(厚度80μm)的基材的支撑片(10)-3，其它与实施例1相同，制作了保护膜形成用膜(13)-1与保护膜形成用片。
[比较例2]
＜保护膜形成用复合片的制造＞
将实施例1中使用的作为表面粗糙度(Ra)为1.3μm的聚丙烯类膜(厚度80μm)的基材的支撑片(10)-1替换为作为表面粗糙度(Ra)为0.020μm的聚丙烯类膜(厚度80μm)的基材的支撑片(10)-4，其它与实施例1相同，制作了保护膜形成用膜(13)-1与保护膜形成用片。
[比较例3]
＜保护膜形成用复合片的制造＞
将实施例1中使用的保护膜形成用组合物(IV-1)的填充材料(d)-1(2质量份，即相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为4.3质量％)替换为填充材料(d)-2(5质量份，即相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为10质量％)，此外，将实施例1中使用的作为表面粗糙度(Ra)为1.3μm的聚丙烯类膜(厚度80μm)的基材的支撑片(10)-1替换为作为表面粗糙度(Ra)为0.025μm的聚丙烯类膜(厚度80μm)的基材的支撑片(10)-3，其它与实施例1相同，制作了保护膜形成用膜(13)-2与保护膜形成用片。
＜保护膜形成用片及保护膜形成用复合片的评价＞
(表面粗糙度度(Ra)的测定)
使用光干涉式表面形状测定装置(Veeco Metrology Group制造，产品名称“WYKOWT1100”)，利用PSI模式以10倍倍率测定了测定对象的表面的表面粗糙度(Ra)。
对于实施例1～3以及比较例1～3的保护膜形成用复合片，将贴合在作为支撑片的基材上的保护膜形成用膜的表面作为表面(β)，固化保护膜形成用膜从而形成保护膜后，从支撑片的基材上剥离保护膜，测定了所述保护膜的所述表面(β)的表面粗糙度(Ra)。此外，对于作为支撑片的基材的表面粗糙度(Ra)，在贴合于保护膜形成用膜之前进行了测定。
将其结果示于表1。
(拾取时的硅芯片的开裂及缺损的抑制)
(1)将在实施例1～3及比较例1～3中得到的保护膜形成用复合片通过其保护膜形成用膜的露出面(即表面(α))贴附在8英寸硅晶圆(厚度100μm)的#2000研磨面上，进一步，将该片固定在环形框架上，静置了30分钟。
然后，使用紫外线照射装置(LINTEC Corporation制造的“RAD2000m/8”)，在照度195mW/cm2、光量170mJ/cm2的条件下，由所述支撑片侧向保护膜形成用复合片照射紫外线，由此使所述保护膜形成用膜固化，形成了保护膜。
然后，使用切割刀片，将硅晶圆与保护膜一同切片，得到了5mm×5mm的硅芯片。
然后，使用芯片接合机(die bonder)(Canon Machinery Inc制造的“BESTEM-D02”)，对20个带保护膜的硅芯片进行了拾取。此时，通过目视确认有无硅芯片的开裂及缺损，将完全没有开裂及缺损的情况判定为“○”，将即便有些微开裂或缺损的情况也判定为“×”，评价了拾取适性。
将其结果示于表1。
(2)将实施例4中得到的保护膜形成用片的第二剥离膜剥离，通过保护膜形成用膜(13)-1的露出面(即表面(α))贴附在8英寸硅晶圆(厚度100μm)的#2000研磨面上，进一步剥离该片的第一剥离膜，将保护膜形成用膜的露出面(即表面(β))贴合在在比较例2中使用的支撑片(10)-3上，将其固定在环形框架上，静置了30分钟。
之后的工序与上述(1)中记载的工序相同，对20个带保护膜的硅芯片进行了拾取。
将其结果示于表2。
[表1]
[表2]
由上述结果明确可知，在使用实施例1～3的保护膜形成用复合片或实施例4的保护膜形成用片时，在对保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，若所述保护膜的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上，则拾取时的硅芯片的开裂及缺损受到抑制，也未观察到其他不良情况，拾取适性优异。
与之相比，在使用比较例1～3的保护膜形成用复合片时，在对保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，若所述保护膜的表面(β)的表面粗糙度(Ra)小于0.038μm，则拾取时的硅芯片的开裂及缺损未受到抑制，拾取适性差。
推测这是由于：在上述形态中，在基材上直接层叠保护膜形成用膜，因此在将所述保护膜形成用膜固化从而形成保护膜时，通过在特定的范围内对所述保护膜与基材的界面进行表面粗糙化，所述保护膜与基材的粘着力得到适当的调整，拾取性得到提高。此时，通过使支撑片仅由基材构成，所述保护膜的表面粗糙化的效果容易显现，故而优选。
工业实用性
本发明可用于半导体装置的制造。
附图标记说明
1C、1D：保护膜形成用复合片；10：支撑片；10a：支撑片的表面；11：基材；11a：基材的表面；13、23：保护膜形成用膜；13a、23a：保护膜形成用膜的表面；15：剥离膜；16：夹具用粘合剂层；16a：夹具用粘合剂层的表面。
Claims (2)
1.一种保护膜形成用膜，其为用于保护半导体晶圆或半导体芯片的背面的能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，在对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的至少一侧的表面β的表面粗糙度Ra为0.038μm以上且1.5μm以下。
2.一种保护膜形成用复合片，其通过在支撑片上具备权利要求1所述的保护膜形成用膜而成，所述保护膜形成用膜的所述表面β面向所述支撑片。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016-092009 | 2016-04-28 | ||
| JP2016092009 | 2016-04-28 | ||
| PCT/JP2017/016259 WO2017188201A1 (ja) | 2016-04-28 | 2017-04-25 | 保護膜形成用フィルム及び保護膜形成用複合シート |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108604542A CN108604542A (zh) | 2018-09-28 |
| CN108604542B true CN108604542B (zh) | 2022-10-28 |
Family
ID=60160443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201780011276.1A Active CN108604542B (zh) | 2016-04-28 | 2017-04-25 | 保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6938476B2 (zh) |
| KR (2) | KR102429046B1 (zh) |
| CN (1) | CN108604542B (zh) |
| TW (1) | TWI778960B (zh) |
| WO (1) | WO2017188201A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7457513B2 (ja) * | 2020-02-03 | 2024-03-28 | リンテック株式会社 | 保護膜形成フィルム、保護膜形成用複合シートおよび装置の製造方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5144433B1 (zh) | 1970-02-02 | 1976-11-29 | ||
| JP4364508B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2009-11-18 | リンテック株式会社 | チップ裏面用保護膜形成用シートおよび保護膜付きチップの製造方法 |
| KR20110010601A (ko) * | 2008-03-31 | 2011-02-01 | 헨켈 코포레이션 | 다중층 ｕｖ-경화성 접착 필름 |
| JP2010031183A (ja) | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | エネルギー線硬化型チップ保護用フィルム |
| JP5144433B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-02-13 | 古河電気工業株式会社 | チップ保護用フィルム |
| JP5412347B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2014-02-12 | 日東電工株式会社 | 積層フィルムおよび粘着テープ |
| US20110020637A1 (en) * | 2009-07-03 | 2011-01-27 | Nitto Denko Corporation | Laminated film and pressure-sensitive adhesive tape |
| IN2012DN02720A (zh) * | 2009-09-29 | 2015-09-11 | Lintec Corp | |
| JP2011204806A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Nitto Denko Corp | ウエハの加工方法 |
| JP5465284B2 (ja) * | 2012-07-19 | 2014-04-09 | 日東電工株式会社 | フリップチップ型半導体裏面用フィルム、及び、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム |
| WO2014092200A1 (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用フィルム |
| WO2014155756A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | リンテック株式会社 | 粘着シートおよび保護膜形成用複合シートならびに保護膜付きチップの製造方法 |
| US20160185089A1 (en) * | 2013-08-01 | 2016-06-30 | Lintec Corporation | Protective Film Formation-Use Composite Sheet |
| SG11201609543VA (en) * | 2014-05-23 | 2016-12-29 | Lintec Corp | Composite sheet for forming protective film |
| EP3159914B1 (en) * | 2014-06-18 | 2019-07-24 | LINTEC Corporation | Dicing-sheet base film and dicing sheet |
| WO2016027883A1 (ja) * | 2014-08-22 | 2016-02-25 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用シートおよび保護膜付き半導体チップの製造方法 |
| JP6826803B2 (ja) * | 2014-08-26 | 2021-02-10 | 中国塗料株式会社 | 光硬化性樹脂組成物、該組成物から形成される硬化被膜および防眩フィルム、画像表示装置、並びに硬化被膜および防眩フィルムの製造方法 |
-
2017
- 2017-04-19 TW TW106113089A patent/TWI778960B/zh active
- 2017-04-25 KR KR1020187023999A patent/KR102429046B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-25 JP JP2018514596A patent/JP6938476B2/ja active Active
- 2017-04-25 WO PCT/JP2017/016259 patent/WO2017188201A1/ja active Application Filing
- 2017-04-25 KR KR1020227026573A patent/KR102577856B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-25 CN CN201780011276.1A patent/CN108604542B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20220113548A (ko) | 2022-08-12 |
| KR20190003460A (ko) | 2019-01-09 |
| KR102429046B1 (ko) | 2022-08-04 |
| TW201806978A (zh) | 2018-03-01 |
| CN108604542A (zh) | 2018-09-28 |
| TWI778960B (zh) | 2022-10-01 |
| JP6938476B2 (ja) | 2021-09-22 |
| WO2017188201A1 (ja) | 2017-11-02 |
| KR102577856B1 (ko) | 2023-09-12 |
| JPWO2017188201A1 (ja) | 2019-03-07 |
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Legal Events
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| GR01 | Patent grant |