CN108713248B

CN108713248B - 保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法

Info

Publication number: CN108713248B
Application number: CN201780014930.4A
Authority: CN
Inventors: 古野健太; 稻男洋一
Original assignee: Lintec Corp
Current assignee: Lintec Corp
Priority date: 2016-04-28
Filing date: 2017-04-25
Publication date: 2023-03-28
Anticipated expiration: 2037-04-25
Also published as: CN108713248A; KR102303923B1; JPWO2017188229A1; TWI719200B; JP6854811B2; KR20190003463A; TW201802156A; WO2017188229A1

Abstract

本发明提供一种保护膜形成用膜，该保护膜形成用膜同时满足以下条件：条件(1)：波长为1342nm的激光的透过率为45％以上；条件(2)：波长为1250nm的激光的透过率为35％以上。保护膜形成用复合片具备支撑片，并在支撑片上具备该保护膜形成用膜。

Description

保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法

技术领域

本发明涉及保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法。

本申请基于2016年4月28日在日本提出申请的日本特愿2016-092016号主张优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

近年来，正在进行着应用了所谓的被称作倒装(face down)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，所述电极与基板接合。因此，与半导体芯片的电路面相反侧的背面有时会露出。

在该露出的半导体芯片的背面形成有作为保护膜的包含有机材料的树脂膜，有时将其作为带保护膜的半导体芯片而装入半导体装置。为了防止在切割工序或封装后在半导体芯片上产生裂纹从而利用保护膜。

为了形成这样的保护膜，例如使用一种在支撑片上具备用于形成保护膜的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。在保护膜形成用复合片中，保护膜形成用膜可通过固化而形成保护膜，还可将支撑片用作切割片，可制成保护膜形成用膜与切割片一体化的保护膜形成用复合片。

作为这样的保护膜形成用复合片，例如迄今为止主要使用了具备通过加热而进行固化并由此形成保护膜的热固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。然而，热固化性的保护膜形成用膜的加热固化通常需要数小时左右的长时间，因此期望缩短固化时间。对此，正在研究将可通过紫外线等能量射线的照射而固化的保护膜形成用膜用于保护膜的形成。例如，已经公开了形成在剥离膜上的能量射线固化型保护膜(参照专利文献1)、及能够形成高硬度且对半导体芯片的密着性优异的保护膜的能量射线固化型芯片保护用膜(参照专利文献2)。

在使用具备这样的能量射线固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片时，例如，有时在通过保护膜形成用膜在半导体晶圆的背面(与电极形成面相反侧的面)贴附保护膜形成用复合片后，通过切割将半导体晶圆与保护膜形成用膜一同分割，制成半导体芯片，通过能量射线的照射固化保护膜形成用膜，制成保护膜。然后，以贴附有该保护膜的状态直接将半导体芯片从支撑片上剥离并拾取。

然而，在切割保护膜形成用膜后再使其固化时，通过切割而与半导体晶圆一同被分割的保护膜形成用膜在其分割面固化之前，暴露在空气中。若如此，则该分割面也暴露在空气中所含的氧气中，即使对这样的暴露在氧气中的保护膜形成用膜照射能量射线，也会由于氧气阻碍固化反应而导致固化变得不充分。其结果，产生下述不良情况：无法拾取带保护膜的半导体芯片；半导体芯片的背面的保护效果下降；在收纳带保护膜的半导体芯片时，带保护膜的半导体芯片因保护膜而附着在收纳场所的目标以外的位置等。

此外，在半导体装置的制造过程中，有时透过保护膜形成用膜或保护膜、利用红外线相机等，对具备保护膜形成用膜或保护膜的半导体晶圆或半导体芯片的状态进行检查。因此，期望保护膜形成用复合片的红外线的透过性良好。另外，通常若保护膜形成用膜的红外线的透过性良好，则保护膜的红外线的透过性也良好。

对此，专利文献1中公开的能量射线固化型保护膜、专利文献2中公开的能量射线固化型芯片保护用膜，均不是以兼顾对如上所述的伴随分割面的固化不良而产生的不良状况的抑制、及具有良好的红外线透过性为目的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5144433号公报

专利文献2：日本特开2010-031183号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

本发明的目的在于提供一种能量射线固化性的保护膜形成用膜及具备所述膜的保护膜形成用复合片，所述保护膜形成用膜用于在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜，能够抑制伴随分割面的固化不良而产生的不良状况，具有良好的红外线透过性。

解决技术问题的技术手段

为了解决上述技术问题，本发明提供一种保护膜形成用膜，其具有能量射线固化性，且同时满足下述条件(1)及(2)：

(1)波长为1342nm的激光的透过率为45％以上；

(2)波长为1250nm的激光的透过率为35％以上。

此外，本发明提供一种保护膜形成用复合片，其通过具备支撑片、并在所述支撑片上具备所述保护膜形成用膜而成。

此外，本发明提供一种半导体芯片的制造方法，其具有以下工序：将所述保护膜形成用膜、或所述保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜贴附在半导体晶圆上的工序；对贴附在所述半导体晶圆上的所述保护膜形成用膜照射能量射线，在所述半导体晶圆上形成保护膜的工序；以聚焦于设定在所述半导体晶圆的内部的焦点的方式，透过所述保护膜或保护膜形成用膜照射红外区域的激光，在所述半导体晶圆的内部形成改性层工序；通过对形成有所述改性层的所述半导体晶圆施加力，在所述改性层的部位分割所述半导体晶圆，得到多个半导体芯片的工序。

发明效果

通过使用本发明的保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片，能够在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜，能够抑制伴随保护膜形成用膜的分割面的固化不良而产生的不良状况。此外，在半导体装置的制造过程中，可透过保护膜形成用膜或保护膜、利用红外线相机等，良好地检查具备保护膜形成用膜或保护膜的半导体晶圆或半导体芯片的状态。

附图说明

图1为示意性地表示本发明的保护膜形成用膜的一个实施方式的剖面图。

图2为示意性地表示本发明的保护膜形成用复合片的一个实施方式的剖面图。

图3为示意性地表示本发明的保护膜形成用复合片的另一个实施方式的剖面图。

图4为示意性地表示本发明的保护膜形成用复合片的又一个实施方式的剖面图。

图5为示意性地表示本发明的保护膜形成用复合片的又一个实施方式的剖面图。

图6为示意性地表示本发明的保护膜形成用复合片的又一个实施方式的剖面图。

图7A为用于示意性地说明单独使用本发明的保护膜形成用膜时的、半导体芯片的制造方法的一个实施方式的剖面图。

图7B为用于示意性地说明单独使用本发明的保护膜形成用膜时的、半导体芯片的制造方法的一个实施方式的剖面图。

图7C为用于示意性地说明单独使用本发明的保护膜形成用膜时的、半导体芯片的制造方法的一个实施方式的剖面图。

图7D为用于示意性地说明单独使用本发明的保护膜形成用膜时的、半导体芯片的制造方法的一个实施方式的剖面图。

图7E为用于示意性地说明单独使用本发明的保护膜形成用膜时的、半导体芯片的制造方法的一个实施方式的剖面图。

图8A为用于示意性地说明预先使本发明的保护膜形成用膜与支撑片一体化而进行使用时的、半导体芯片的制造方法的一个实施方式的剖面图。

图8B为用于示意性地说明预先使本发明的保护膜形成用膜与支撑片一体化而进行使用时的、半导体芯片的制造方法的一个实施方式的剖面图。

图8C为用于示意性地说明预先使本发明的保护膜形成用膜与支撑片一体化而进行使用时的、半导体芯片的制造方法的一个实施方式的剖面图。

图8D为用于示意性地说明预先使本发明的保护膜形成用膜与支撑片一体化而进行使用时的、半导体芯片的制造方法的一个实施方式的剖面图。

具体实施方式

◇保护膜形成用膜

本发明的保护膜形成用膜具有能量射线固化性，且同时满足下述条件(1)及(2)：

(1)波长为1342nm的激光的透过率(以下，有时简写作“透过率(1342nm)”)为45％以上；

(2)波长为1250nm的激光的透过率(以下，有时简写作“透过率(1250nm)”)为35％以上。

如后文所述，通过在支撑片上设置所述保护膜形成用膜，可构成保护膜形成用复合片。

所述保护膜形成用膜通过能量射线的照射而固化，成为保护膜。该保护膜用于保护半导体晶圆或半导体芯片的背面(与电极形成面相反侧的面)。保护膜形成用膜为软质，可容易地贴附于贴附对象物。

通过使所述保护膜形成用膜为能量射线固化性，可以在比热固化性的保护膜形成用膜更短的时间内进行固化而形成保护膜。

另外，在本说明书中，“保护膜形成用膜”是指固化前的膜，“保护膜”是指使保护膜形成用膜进行固化而成的膜。

作为所述保护膜形成用膜，例如可列举出含有后述的能量射线固化性成分(a)与着色剂(g)的保护膜形成用膜。

优选能量射线固化性成分(a)未固化，优选其具有粘着性，更优选其未固化且具有粘着性。

在本发明中，“能量射线”是指电磁波或带电粒子束中具有能量子的射线，作为其例子，可列举出紫外线、放射线、电子束等。

紫外线例如可通过使用高压汞灯、融合H灯(fusion H lamp)、氙灯、黑光灯或LED灯等作为紫外线源而进行照射。电子束能够照射利用电子束加速器等产生的电子束。

在本发明中，“能量射线固化性”是指通过照射能量射线而进行固化的性质，“非能量射线固化性”是指即使照射能量射线也不进行固化的性质。

条件(1)中的波长为1342nm的激光，适合于通过后述的方法照射半导体晶圆而在其内部形成改性层。而且，在保护膜形成用膜的透过率(1342nm)高时，该膜固化而成的保护膜的透过率(1342nm)同样也高。因此，满足条件(1)的保护膜形成用膜适合于透过该保护膜形成用膜或保护膜，对半导体晶圆照射波长为1342nm的激光而形成改性层。

另一方面，形成有改性层的半导体晶圆通过施加力，而在该改性层的形成部位被分割，形成半导体芯片。此时，由于半导体晶圆通常与贴附在其背面的保护膜一同被分割，不会在保护膜形成用膜的状态下被分割，因此保护膜形成用膜的分割面不暴露在空气中，进而不暴露在氧气中。因此，由于在照射能量射线时不受到由氧气导致的固化反应的阻碍，进而保护膜形成用膜整体充分地进行固化。其结果，例如可避免下述不良情况的发生：无法拾取带保护膜的半导体芯片；半导体芯片的背面的保护效果下降；在收纳带保护膜的半导体芯片时，带保护膜的半导体芯片因保护膜而附着在收纳场所的目标以外的位置等。

如此，本发明的保护膜形成用膜通过满足条件(1)，可避免产生因其分割面的固化不充分而引起的不良状况。

所述保护膜形成用膜的透过率(1342nm)优选为50％以上，更优选为55％以上。通过使透过率(1342nm)为所述下限值以上，可更显著地得到本发明的效果。

透过率(1342nm)的上限值没有特别限定，例如可以为100％。

另一方面，条件(2)中的波长为1250nm的激光适合于通过后述的方法，用红外线相机等检查半导体晶圆或半导体芯片的状态。而且，在保护膜形成用膜的透过率(1250nm)高时，该膜固化而成的保护膜的透过率(1250nm)同样也高。

如此，本发明的保护膜形成用膜通过满足条件(2)，适合于透过该保护膜形成用膜或保护膜检查半导体晶圆或半导体芯片的状态。

所述保护膜形成用膜的透过率(1250nm)优选为40％以上，更优选为45％以上。通过使透过率(1250nm)为所述下限值以上，可更显著地得到本发明的效果。

透过率(1250nm)的上限值没有特别限定，例如可以为100％。

固化后的所述保护膜形成用膜、即保护膜对波长为1342nm的激光的透过率(以下，有时缩写作“保护膜透过率(1342nm)”)优选为45％以上，更优选为50％以上，特别优选为55％以上。通过使保护膜透过率(1342nm)为所述下限值以上，可更显著地得到本发明的效果。

保护膜透过率(1342nm)的上限值没有特别限定，例如可以为100％。

所述保护膜对波长为1250nm的激光的透过率(以下，有时缩写作“保护膜透过率(1250nm)”)优选为35％以上，更优选为40％以上，特别优选为45％以上。通过使保护膜透过率(1250nm)为所述下限值以上，可更显著地得到本发明的效果。

保护膜透过率(1250nm)的上限值没有特别限定，例如可以为100％。

以下，在本说明书中，仅写作“透过率(1342nm)”、“透过率(1250nm)”的记载分别是指保护膜形成用膜的透过率。

例如可通过调节保护膜形成用膜的含有成分的种类及量等来适当调节所述保护膜形成用膜的透过率(1342nm)及透过率(1250nm)、以及保护膜透过率(1342nm)及保护膜透过率(1250nm)。

例如，保护膜形成用膜的含有成分的种类及量可通过后述的保护膜形成用组合物的含有成分的种类及量进行调节。而且，在保护膜形成用组合物的含有成分中，例如通过调节着色剂(g)的种类及含量，可更容易地调节保护膜形成用膜的透过率(1342nm)及透过率(1250nm)、以及保护膜透过率(1342nm)及保护膜透过率(1250nm)。

保护膜形成用膜可以为一层(单层)，也可以为两层以上的多个层，为多个层时，这些多个层可以彼此相同也可以不同，这些多个层的组合没有特别限定。

另外，在本说明书中，不仅限于保护膜形成用膜的情况，“多个层可以彼此相同也可以不同”是指“所有层可以均相同，所有层也可以均不同，也可以只有一部分层相同”，另外，“多个层彼此不同”是指“各层的构成材料及厚度的至少一个彼此不同”。

保护膜形成用膜的厚度优选为1～100μm，更优选为5～75μm，特别优选为5～50μm。通过使保护膜形成用膜的厚度为所述下限值以上，能够形成保护能力更高的保护膜。此外，通过使保护膜形成用膜的厚度为所述上限值以下，可抑制厚度成为过度的厚度。

此处，“保护膜形成用膜的厚度”是指保护膜形成用膜整体的厚度，例如由多个层构成的保护膜形成用膜的厚度是指构成保护膜形成用膜的所有的层的总计的厚度。

只要保护膜成为充分地发挥其功能的程度的固化度，则使保护膜形成用膜固化从而形成保护膜时的固化条件没有特别限定，根据保护膜形成用膜的种类进行适当选择即可。

例如，固化保护膜形成用膜时的能量射线的照度优选为4～280mW/cm²。而且，所述固化时的能量射线的光量优选为3～1000mJ/cm²。

图1为示意性地表示本发明的保护膜形成用膜的一个实施方式的剖面图。另外，为了更易于理解本发明的特征，出于方便，有时将以下说明中使用的图的重要部分扩大显示，各构成要素的尺寸比率等不一定与实际相同。

此处所示的保护膜形成用膜13在其一个表面13a上具备第一剥离膜151，在与所述表面13a相反侧的另一个表面13b上具备第二剥离膜152。

这样的保护膜形成用膜13例如适合以辊状进行保管。

保护膜形成用膜13可使用后述的保护膜形成用组合物形成。

保护膜形成用膜13同时满足所述条件(1)及(2)。

第一剥离膜151及第二剥离膜152均可为公知的剥离膜。

第一剥离膜151及第二剥离膜152可以彼此相同，也可以彼此不同，例如从保护膜形成用膜13上剥离时所需的剥离力彼此不同等。

在去除图1所示的保护膜形成用膜13的第一剥离膜151及第二剥离膜152中的任一者而产生的露出面上贴附半导体晶圆(省略图示)的背面。另外，将第一剥离膜151及第二剥离膜152中的剩下的另一者去除而产生的露出面成为支撑片的贴附面。

《保护膜形成用组合物》

保护膜形成用膜可使用含有其构成材料的保护膜形成用组合物而形成。例如，通过将保护膜形成用组合物涂布在保护膜形成用膜的形成对象面上并根据需要进行干燥，能够在目标部位形成保护膜形成用膜。保护膜形成用组合物中的、常温下不气化的成分彼此的含量比通常与保护膜形成用膜的所述成分彼此的含量比相同。另外，在本说明书中，“常温”是指没有特别进行冷却或加热的温度、即平常的温度，例如可列举出15～25℃的温度等。

利用公知的方法进行保护膜形成用组合物的涂布即可，例如可列举出使用气刀涂布机、刮片涂布机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机(screen coater)、迈耶棒涂布机、吻涂机(kiss coater)等各种涂布机的方法。

保护膜形成用组合物的干燥条件没有特别限定，但当保护膜形成用组合物含有后述的溶剂时，优选进行加热干燥。例如，优选以70～130℃、10秒～5分钟的条件对含有溶剂的保护膜形成用组合物进行干燥。

＜保护膜形成用组合物(IV-1)＞

作为保护膜形成用组合物，例如可列举出含有所述能量射线固化性成分(a)的保护膜形成用组合物(IV-1)等。

[能量射线固化性成分(a)]

能量射线固化性成分(a)为通过能量射线的照射而固化的成分，也是用于对保护膜形成用膜赋予造膜性、可挠性等的成分。

作为能量射线固化性成分(a)，例如可列举出具有能量射线固化性基团的、重均分子量为80000～2000000的聚合物(a1)、及具有能量射线固化性基团的、分子量为100～80000的化合物(a2)。所述聚合物(a1)可以为其至少一部分被后述的交联剂(f)交联而成的物质，也可以为未交联的物质。

另外，在本说明书中，除非另有说明，重均分子量是指利用凝胶渗透色谱(GPC)法测定的聚苯乙烯换算值。

(具有能量射线固化性基团的、重均分子量为80000～2000000的聚合物(a1))

作为具有能量射线固化性基团的、重均分子量为80000～2000000的聚合物(a1)，例如可列举出具有可与其他化合物所具有的基团反应的官能团的丙烯酸类聚合物(a11)与具有与所述官能团反应的基团及能量射线固化性双键等能量射线固化性基团的能量射线固化性化合物(a12)聚合而成的丙烯酸类树脂(a1-1)。

作为可与其他化合物所具有的基团反应的所述官能团，例如可列举出羟基、羧基、氨基、取代氨基(氨基的一个或两个氢原子被除氢原子以外的基团取代而成的基团)、环氧基等。其中，从防止半导体晶圆或半导体芯片等的电路的腐蚀的点出发，优选所述官能团为除羧基以外的基团。

其中，优选所述官能团为羟基。

·具有官能团的丙烯酸类聚合物(a11)

作为所述具有官能团的丙烯酸类聚合物(a11)，例如可列举出具有所述官能团的丙烯酸类单体与不具有所述官能团的丙烯酸类单体共聚而成的聚合物，也可以为除这些单体以外进一步共聚有除丙烯酸类单体以外的单体(非丙烯酸类单体)的聚合物。

此外，所述丙烯酸类聚合物(a11)可以为无规共聚物，也可以为嵌段共聚物。

作为具有所述官能团的丙烯酸类单体，例如可列举出含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含取代氨基单体、含环氧基单体等。

作为所述含羟基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸羟甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸类不饱和醇(不具有(甲基)丙烯酰基骨架的不饱和醇)等。

作为所述含羧基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸、巴豆酸等烯属不饱和一元羧酸(具有烯属不饱和键的一元羧酸)；富马酸、衣康酸、马来酸、柠康酸等烯属不饱和二羧酸(具有烯属不饱和键的二羧酸)；所述烯属不饱和二羧酸的酸酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。

优选具有所述官能团的丙烯酸类单体为含羟基单体、含羧基单体，更优选为含羟基单体。

构成所述丙烯酸类聚合物(a11)的、具有所述官能团的丙烯酸类单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

作为不具有所述官能团的丙烯酸类单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酸酯)等的、构成烷基酯的烷基是碳原子数为1～18的链状结构的(甲基)丙烯酸烷基酯等。

此外，作为不具有所述官能团的丙烯酸类单体，例如也可列举出(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基烷基的(甲基)丙烯酸酯；包含(甲基)丙烯酸苯酯等(甲基)丙烯酸芳基酯等的、具有芳香族基团的(甲基)丙烯酸酯；非交联性的(甲基)丙烯酰胺及其衍生物；(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基丙酯等具有非交联性的叔氨基的(甲基)丙烯酸酯等。

构成所述丙烯酸类聚合物(a11)的、不具有所述官能团的丙烯酸类单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

作为所述非丙烯酸类单体，例如可列举出乙烯、降冰片烯等烯烃；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。

构成所述丙烯酸类聚合物(a11)的所述非丙烯酸类单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在所述丙烯酸类聚合物(a11)中，相对于构成该聚合物的结构单元的总量，由具有所述官能团的丙烯酸类单体衍生的结构单元的量的比例(含量)优选为0.1～50质量％，更优选为1～40质量％，特别优选为3～30质量％。通过使所述比例为这样的范围，通过所述丙烯酸类聚合物(a11)与所述能量射线固化性化合物(a12)的共聚而得到的所述丙烯酸类树脂(a1-1)中的能量射线固化性基团的含量，可容易地将保护膜的固化程度调节为优选的范围。

构成所述丙烯酸类树脂(a1-1)的所述丙烯酸类聚合物(a11)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在保护膜形成用组合物(IV-1)中，丙烯酸类树脂(a1-1)的含量优选为1～40质量％，更优选为2～30质量％，特别优选为3～20质量％。

·能量射线固化性化合物(a12)

优选所述能量射线固化性化合物(a12)具有选自由异氰酸酯基、环氧基及羧基组成的组中的一种或两种以上作为可与所述丙烯酸类聚合物(a11)所具有的官能团反应的基团，更优选具有异氰酸酯基作为所述基团。例如，当所述能量射线固化性化合物(a12)具有异氰酸酯基作为所述基团时，该异氰酸酯基容易与具有羟基作为所述官能团的丙烯酸类聚合物(a11)的该羟基进行反应。

优选所述能量射线固化性化合物(a12)在1分子中具有1～5个所述能量射线固化性基团，更优选具有1～3个所述能量射线固化性基团。

作为所述能量射线固化性化合物(a12)，例如可列举出2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、1,1-(双丙烯酰氧甲基)乙基异氰酸酯；

通过二异氰酸酯化合物或聚异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；

通过二异氰酸酯化合物或聚异氰酸酯化合物、多元醇化合物及(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物等。

其中，优选所述能量射线固化性化合物(a12)为2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯。

构成所述丙烯酸类树脂(a1-1)的所述能量射线固化性化合物(a12)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在所述丙烯酸类树脂(a1-1)中，来自所述能量射线固化性化合物(a12)的能量射线固化性基团的含量相对于来自所述丙烯酸类聚合物(a11)的所述官能团的含量的比例优选为20～120摩尔％，更优选为35～100摩尔％，特别优选为50～100摩尔％。通过使所述含量的比例为这样的范围，通过固化而形成的保护膜的粘合力变得更大。另外，当所述能量射线固化性化合物(a12)为单官能(在1分子中具有1个所述基团)化合物时，所述含量的比例的上限值为100摩尔％，而当所述能量射线固化性化合物(a12)为多官能(在1分子中具有2个以上的所述基团)化合物时，所述含量的比例的上限值有时大于100摩尔％。

所述聚合物(a1)的重均分子量(Mw)优选为100000～2000000，更优选为300000～1500000。

当所述聚合物(a1)为其至少一部分被交联剂(f)交联而成的物质时，所述聚合物(a1)可以为不属于作为构成所述丙烯酸类聚合物(a11)的单体而说明的上述单体中的任一者、且具有与交联剂(f)反应的基团的单体进行共聚，并在与交联剂(f)反应的基团处进行交联而成的聚合物，还可以为在来自所述能量射线固化性化合物(a12)的、与所述官能团反应的基团处进行交联而成的聚合物。

保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的所述聚合物(a1)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

(具有能量射线固化性基团的、分子量为100～80000的化合物(a2))

作为具有能量射线固化性基团的、分子量为100～80000的化合物(a2)中的所述能量射线固化性基团，可列举出包含能量射线固化性双键的基团，作为优选的基团，可列举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基等。

所述化合物(a2)只要满足上述条件则没有特别限定，可列举出具有能量射线固化性基团的低分子量化合物、具有能量射线固化性基团的环氧树脂、具有能量射线固化性基团的酚树脂等。

作为所述化合物(a2)中的具有能量射线固化性基团的低分子量化合物，例如可列举出多官能的单体或低聚物等，优选具有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸酯类化合物。

作为所述丙烯酸酯类化合物，例如可列举出2-羟基-3-(甲基)丙烯酰氧基丙基甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基聚乙氧基)苯基]丙烷、乙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基二乙氧基)苯基]丙烷、9,9-双[4-(2-(甲基)丙烯酰氧基乙氧基)苯基]芴、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基聚丙氧基)苯基]丙烷、三环癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯(三环癸烷二羟甲基二(甲基)丙烯酸酯)、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基乙氧基)苯基]丙烷、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-羟基-1,3-二(甲基)丙烯酰氧基丙烷等双官能(甲基)丙烯酸酯；

三(2-(甲基)丙烯酰氧乙基)异氰脲酸酯、ε-己内酯改性三(2-(甲基)丙烯酰氧乙基)异氰脲酸酯、乙氧基化甘油三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯；

氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物等多官能(甲基)丙烯酸酯低聚物等。

作为所述化合物(a2)中的具有能量射线固化性基团的环氧树脂、具有能量射线固化性基团的酚树脂，例如能够使用“日本特开2013-194102号公报”的第0043段等中记载的树脂。这样的树脂也相当于构成后述的热固性成分(h)的树脂，但本发明中将其视为所述化合物(a2)。

所述化合物(a2)的重均分子量优选为100～30000，更优选为300～10000。

保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的所述化合物(a2)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

[不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)]

当保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜含有所述化合物(a2)作为所述能量射线固化性成分(a)时，优选进一步还含有不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)。

所述聚合物(b)可以为至少一部分被交联剂(f)交联而成的物质，也可以为未交联的物质。

作为不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，例如可列举出丙烯酸类聚合物、苯氧基树脂、氨基甲酸酯树脂、聚酯、橡胶类树脂、丙烯酸氨基甲酸酯树脂、聚乙烯醇(PVA)、丁醛树脂、聚酯氨基甲酸酯树脂等。

其中，优选所述聚合物(b)为丙烯酸类聚合物(以下，有时简写作“丙烯酸类聚合物(b-1)”)。

丙烯酸类聚合物(b-1)可以是公知的丙烯酸类聚合物，例如可以为一种丙烯酸类单体的均聚物，也可以为两种以上的丙烯酸类单体的共聚物，还可以为一种或两种以上的丙烯酸类单体与一种或两种以上的除丙烯酸类单体以外的单体(非丙烯酸类单体)的共聚物。

作为构成丙烯酸类聚合物(b-1)的所述丙烯酸类单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸烷基酯、具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯、含缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯、含羟基的(甲基)丙烯酸酯、含取代氨基的(甲基)丙烯酸酯等。此处，“取代氨基”与在上文中说明的相同。

作为所述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酸酯)等的、构成烷基酯的烷基是碳原子数为1～18的链状结构的(甲基)丙烯酸烷基酯等。

作为所述具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯等(甲基)丙烯酸环烷基酯；

(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；

(甲基)丙烯酸二环戊烯基酯等(甲基)丙烯酸环烯基酯；

(甲基)丙烯酸二环戊烯基氧基乙酯等(甲基)丙烯酸环烯基氧基烷基酯等。

作为所述含缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。

作为所述含羟基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸羟甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等。

作为所述含取代氨基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸N-甲基氨基乙酯等。

作为构成丙烯酸类聚合物(b-1)的所述非丙烯酸类单体，例如可列举出乙烯、降冰片烯等烯烃；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。

作为至少一部分被交联剂(f)交联的、所述不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，例如可列举出所述聚合物(b)中的反应性官能团与交联剂(f)反应而得到的聚合物。

所述反应性官能团根据交联剂(f)的种类等进行适当选择即可，没有特别限定。例如，当交联剂(f)为聚异氰酸酯化合物时，作为所述反应性官能团，可列举出羟基、羧基、氨基等，其中，优选与异氰酸酯基的反应性高的羟基。此外，当交联剂(f)为环氧类化合物时，作为所述反应性官能团，可列举出羧基、氨基、酰胺基等，其中，优选与环氧基的反应性高的羧基。然而，从防止半导体晶圆或半导体芯片的电路的腐蚀的点出发，优选所述反应性官能团为除羧基以外的基团。

作为具有所述反应性官能团且不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，例如可列举出使至少具有所述反应性官能团的单体聚合而得到的聚合物。在为丙烯酸类聚合物(b-1)时，使用具有所述反应性官能团的单体作为构成该丙烯酸类聚合物(b-1)的单体而列举的、所述丙烯酸类单体及非丙烯酸类单体中的任意一者或两者即可。例如，作为具有羟基作为反应性官能团的所述聚合物(b)，例如可列举出将含羟基的(甲基)丙烯酸酯聚合而得到的聚合物，除此以外，可列举出将在上文中列举的所述丙烯酸类单体或非丙烯酸类单体中的一个或两个以上的氢原子取代为所述反应性官能团而成的单体聚合而得到的聚合物。

在具有反应性官能团的所述聚合物(b)中，由具有反应性官能团的单体衍生的结构单元的量相对于构成该聚合物(b)的结构单元的总量的比例(含量)优选为1～25质量％，更优选为2～20质量％。通过使所述比例为这样的范围，在所述聚合物(b)中，交联的程度成为更优选的范围。

从保护膜形成用组合物(IV-1)的造膜性更加良好的点出发，不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的重均分子量(Mw)优选为10000～2000000，更优选为100000～1500000。

保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的、不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

作为保护膜形成用组合物(IV-1)，可列举出含有所述聚合物(a1)及所述化合物(a2)中的任意一者或两者的保护膜形成用组合物。而且，当含有所述化合物(a2)时，优选保护膜形成用组合物(IV-1)进一步含有不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，此时，也优选进一步含有所述(a1)。此外，保护膜形成用组合物(IV-1)也可以不含有所述化合物(a2)而同时含有所述聚合物(a1)、及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)。

当保护膜形成用组合物(IV-1)含有所述聚合物(a1)、所述化合物(a2)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)时，在保护膜形成用组合物(IV-1)中，相对于所述聚合物(a1)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的总含量100质量份，所述化合物(a2)的含量优选为10～400质量份，更优选为30～350质量份。

在保护膜形成用组合物(IV-1)中，所述能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的合计含量(即，保护膜形成用膜的所述能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的合计含量)相对于除溶剂以外的成分的总含量的比例优选为5～90质量％，更优选为10～80质量％，特别优选为15～70质量％，例如，可以为15～60质量％及15～50质量％中的任意一者。通过使所述合计含量的比例为这样的范围，保护膜形成用膜的能量射线固化性变得更加良好。

当保护膜形成用组合物(IV-1)含有所述能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)时，在保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜中，相对于能量射线固化性成分(a)的含量100质量份，所述聚合物(b)的含量优选为3～160质量份，更优选为6～130质量份。通过使所述聚合物(b)的所述含量为这样的范围，保护膜形成用膜的能量射线固化性变得更加良好。

除了含有能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)以外，保护膜形成用组合物(IV-1)还可以根据目的含有选自由光聚合引发剂(c)、填充材料(d)、偶联剂(e)、交联剂(f)、着色剂(g)、热固化性成分(h)、及通用添加剂(z)组成的组中的一种或两种以上。

例如，通过使用含有所述能量射线固化性成分(a)及热固化性成分(h)的保护膜形成用组合物(IV-1)，所形成的保护膜形成用膜对被粘物的粘合力因加热而提高，由该保护膜形成用膜形成的保护膜的强度也得到提高。

此外，通过使用着色剂(g)作为保护膜形成用组合物(IV-1)的含有成分，以满足所述条件(1)的方式调节透过率(1342nm)及以满足所述条件(2)的方式调节透过率(1250nm)均变得容易。

[光聚合引发剂(c)]

作为光聚合引发剂(c)，例如可列举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基膦氧化物化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫化合物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；二苯甲酮、2-(二甲基氨基)-1-(4-吗啉苯基)-2-苄基-1-丁酮、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮1-(O-乙酰肟)等二苯甲酮化合物；过氧化物化合物；双乙酰等二酮化合物；苄基；二苄基；2,4-二乙基噻吨酮；1,2-二苯基甲烷；2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。

此外，作为光聚合引发剂(c)，例如还可使用1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光敏剂等。

保护膜形成用组合物(IV-1)所含有的光聚合引发剂(c)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

使用光聚合引发剂(c)时，在保护膜形成用组合物(IV-1)中，相对于能量射线固化性成分(a)的含量100质量份，光聚合引发剂(c)的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。

[填充材料(d)]

通过使保护膜形成用膜含有填充材料(d)，将保护膜形成用膜固化从而得到的保护膜的热膨胀系数的调整变得容易。而且，通过使该热膨胀系数相对于保护膜的形成对象物最适化，使用保护膜形成用复合片而得到的封装的可靠性得到进一步提高。此外，通过使保护膜形成用膜含有填充材料(d)，也能够降低保护膜的吸湿率，或者提高散热性。

作为填充材料(d)，例如可列举出由导热材料构成的填充材料。

填充材料(d)可以为有机填充材料及无机填充材料中的任一者，优选为无机填充材料。

作为优选的无机填充材料，例如可列举出二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、钛白、铁丹、碳化硅、氮化硼等粉末；将这些无机填充材料球形化而成的珠子；这些无机填充材料的表面改性品；这些无机填充材料的单晶纤维；玻璃纤维等。

其中，优选无机填充材料为二氧化硅或氧化铝。

填充材料(d)的平均粒径没有特别限定，优选为0.01～20μm，更优选为0.1～15μm，特别优选为0.3～10μm。通过使填充材料(d)的平均粒径为这样的范围，能够维持对保护膜的形成对象物的粘合性、并同时抑制保护膜的光的透过率的降低。

另外，除非另有说明，本说明书中的“平均粒径”是指利用激光衍射散射法求得的粒度分布曲线中的、累积值为50％处的粒径(D₅₀)的值。

保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的填充材料(d)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

使用填充材料(d)时，在保护膜形成用组合物(IV-1)中，填充材料(d)的含量(即保护膜形成用膜的填充材料(d)的含量)相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例优选为5～83质量％，更优选为7～78质量％，例如，可以为10～78质量％、20～78质量％、30～78质量％、40～78质量％、及50～78质量％中的任意一者。通过使填充材料(d)的含量为这样的范围，上述的热膨胀系数的调整变得更容易。

[偶联剂(e)]

通过使用具有可与无机化合物或有机化合物反应的官能团的物质作为偶联剂(e)，能够提高保护膜形成用膜对被粘物的粘合性及密着性。此外，通过使用偶联剂(e)，将保护膜形成用膜固化而得到的保护膜的耐水性得到提高而不损害耐热性。

偶联剂(e)优选为具有可与能量射线固化性成分(a)、不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)等所具有的官能团反应的官能团的化合物，更优选为硅烷偶联剂。

作为优选的所述硅烷偶联剂，例如可列举出3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基甲基二乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基甲基二乙氧基硅烷、3-(苯基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-苯胺基丙基三甲氧基硅烷、3-脲丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3-三乙氧基硅基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。

保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的偶联剂(e)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

使用偶联剂(e)时，在保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜中，相对于能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的总含量100质量份，偶联剂(e)的含量优选为0.03～20质量份，更优选为0.05～10质量份，特别优选为0.1～5质量份。通过使偶联剂(e)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地获得填充材料(d)在树脂中的分散性的提高、保护膜形成用膜与被粘物的粘合性的提高等通过使用偶联剂(e)而产生的效果。此外，通过使偶联剂(e)的所述含量为所述上限值以下，可进一步抑制脱气的产生。

[交联剂(f)]

通过使用交联剂(f)交联上述的能量射线固化性成分(a)或不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，能够调节保护膜形成用膜的初期粘合力及凝聚力。

作为交联剂(f)，例如可列举出有机多异氰酸酯化合物、有机多元亚胺化合物、金属螯合物类交联剂(具有金属螯合物结构的交联剂)、氮丙啶类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)等。

作为所述有机多异氰酸酯化合物，例如可列举出芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物及脂环族多异氰酸酯化合物(以下，有时将这些化合物统一简写作“芳香族多异氰酸酯化合物等”)；所述芳香族多异氰酸酯化合物等的三聚体、异氰脲酸酯体及加成物；使所述芳香族多异氰酸酯化合物等与多元醇化合物反应而得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物等。所述“加成物”是指所述芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物或脂环族多异氰酸酯化合物与乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷或蓖麻油等低分子含活性氢化合物的反应物。作为所述加成物的例子，可列举出如后所述的三羟甲基丙烷的苯二亚甲基二异氰酸酯加成物等。此外，“末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物”是指具有氨基甲酸酯键、且在分子的末端部具有异氰酸酯基的预聚物。

作为所述有机多异氰酸酯化合物，更具体而言，例如可列举出2,4-甲苯二异氰酸酯；2,6-甲苯二异氰酸酯；1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯；1,4-苯二亚甲基二异氰酸酯；二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯；二苯基甲烷-2,4’-二异氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯；六亚甲基二异氰酸酯；异佛尔酮二异氰酸酯；二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯；二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯；三羟甲基丙烷等多元醇的全部或一部分的羟基上加成有甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯及苯二亚甲基二异氰酸酯中的任意一种或两种以上而成的化合物；赖氨酸二异氰酸酯等。

作为所述有机多元亚胺化合物，例如可列举出N,N’-二苯基甲烷-4,4’-双(1-氮丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N’-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶甲酰胺)三亚乙基三聚氰胺等。

使用有机多异氰酸酯化合物作为交联剂(f)时，作为能量射线固化性成分(a)或不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，优选使用含羟基的聚合物。当交联剂(f)具有异氰酸酯基、能量射线固化性成分(a)或不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)具有羟基时，通过交联剂(f)与能量射线固化性成分(a)或不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的反应，能够简单地将交联结构导入保护膜形成用膜。

保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的交联剂(f)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

使用交联剂(f)时，在保护膜形成用组合物(IV-1)中，相对于能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的总含量100质量份，交联剂(f)的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.1～10质量份，特别优选为0.5～5质量份。通过使交联剂(f)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地获得通过使用交联剂(f)而产生的效果。此外，通过使交联剂(f)的所述含量为所述上限值以下，可抑制交联剂(f)的过量使用。

[着色剂(g)]

作为着色剂(g)，例如可列举出无机类颜料、有机类颜料、有机类染料等公知的着色剂。

作为所述有机类颜料及有机类染料，例如可列举出胺

(aminium)类色素、花青类色素、部花青类色素、克酮酸(croconium)类色素、方酸菁(squarylium)类色素、甘菊蓝/>

(azulenium)类色素、聚甲炔类色素、萘醌类色素、吡喃/>

类色素、酞菁类色素、萘菁类色素、萘内酰亚胺(naphtholactam)类色素、偶氮类色素、缩合偶氮类色素、靛蓝类色素、紫环酮(perinone)类色素、苝类色素、二噁嗪类色素、喹吖啶酮类色素、异吲哚啉酮类色素、喹酞酮类色素、吡咯类色素、硫靛类色素、金属络合物类色素(金属络合盐染料)、二硫醇金属络合物类色素、吲哚酚类色素、三烯丙基甲烷类色素、蒽醌类色素、萘酚类色素、甲亚胺类色素、苯并咪唑酮类色素、皮蒽酮类色素和士林(threne)类色素等。

作为所述无机类颜料，例如可列举出炭黑、钴类色素、铁类色素、铬类色素、钛类色素、钒类色素、锆类色素、钼类色素、钌类色素、铂类色素、ITO(氧化铟锡)类色素、ATO(氧化锑锡)类色素等。

保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的着色剂(g)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

从以满足所述条件(1)的方式调节保护膜形成用膜的透过率(1342nm)及以满足所述条件(2)的方式调节保护膜形成用膜的透过率(1250nm)均变得更加容易的点出发，优选着色剂(g)为有机类颜料或有机类染料。

使用着色剂(g)时，以使保护膜形成用膜同时满足所述条件(1)和(2)的方式适当调节保护膜形成用膜的着色剂(g)的含量即可。例如，在保护膜形成用组合物(IV-1)中，着色剂(g)的含量(即保护膜形成用膜的着色剂(g)的含量)相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例优选为0.1～10质量％，更优选为0.4～7.5质量％，特别优选为0.8～5质量％。通过将所述比例设为这样的范围，最终不损害保护膜的功能，并且以满足所述条件(1)的方式调节保护膜形成用膜的透过率(1342nm)及以满足所述条件(2)的方式调节保护膜形成用膜的透过率(1250nm)均变得容易。此外，当着色剂(g)为有机类颜料或有机类染料时，特别优选将所述比例设为这样的范围。

[热固化性成分(h)]

保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的热固化性成分(h)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

作为热固化性成分(h)，例如可列举出环氧类热固化性树脂、热固化性聚酰亚胺、聚氨酯、不饱和聚酯、有机硅树脂等，优选环氧类热固化性树脂。

(环氧类热固化性树脂)

环氧类热固化性树脂由环氧树脂(h1)及热固化剂(h2)构成。

保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的环氧类热固化性树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

·环氧树脂(h1)

作为环氧树脂(h1)，可列举出公知的环氧树脂，例如可列举出多官能类环氧树脂、联苯化合物、双酚A二缩水甘油醚及其氢化物、邻甲酚酚醛清漆环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等双官能以上的环氧化合物。

作为环氧树脂(h1)，也可使用具有不饱和烃基的环氧树脂。与不具有不饱和烃基的环氧树脂相比，具有不饱和烃基的环氧树脂与丙烯酸类树脂的相容性高。因此，通过使用具有不饱和烃基的环氧树脂，使用保护膜形成用复合片而得到的封装的可靠性得到提高。

作为具有不饱和烃基的环氧树脂，例如可列举出多官能类环氧树脂的环氧基的一部分变换成具有不饱和烃基的基团而成的化合物。这样的化合物例如可通过使(甲基)丙烯酸或其衍生物与环氧基进行加成反应而得到。

此外，作为具有不饱和烃基的环氧树脂，例如可列举出在构成环氧树脂的芳香环等上直接键合有具有不饱和烃基的基团的化合物等。

不饱和烃基为具有聚合性的不饱和基团，作为其具体例，可列举出次乙基(乙烯基)、2-丙烯基(烯丙基)、(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰胺基等，优选丙烯酰基。

环氧树脂(h1)的数均分子量没有特别限定，从保护膜形成用膜的固化性、以及保护膜的强度及耐热性的点出发，优选为300～30000，更优选为400～10000，特别优选为500～3000。

环氧树脂(h1)的环氧当量优选为100～1000g/eq，更优选为150～800g/eq。

环氧树脂(h1)可以单独使用一种，也可以同时使用两种以上，同时使用两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

·热固化剂(h2)

热固化剂(h2)作为针对环氧树脂(h1)的固化剂而发挥作用。

作为热固化剂(h2)，例如可列举出在1分子中具有2个以上可与环氧基反应的官能团的化合物。作为所述官能团，例如可列举出酚性羟基、醇性羟基、氨基、羧基、酸基酸酐化而成的基团等，优选为酚性羟基、氨基、或酸基酸酐化而成的基团，更优选为酚性羟基或氨基。

作为热固化剂(h2)中的具有酚性羟基的酚类固化剂，例如可列举出多官能酚树脂、联苯二酚、酚醛清漆型酚树脂、二环戊二烯类酚树脂、芳烷基酚树脂等。

作为热固化剂(h2)中的具有氨基的胺类固化剂，例如可列举出双氰胺(以下，有时简写作“DICY”)等。

热固化剂(h2)可以具有不饱和烃基。

作为具有不饱和烃基的热固化剂(h2)，例如可列举出酚树脂的羟基的一部分经具有不饱和烃基的基团取代而成的化合物、在酚树脂的芳香环上直接键合具有不饱和烃基的基团而得到的化合物等。

热固化剂(h2)中的所述不饱和烃基与上述的具有不饱和烃基的环氧树脂中的不饱和烃基相同。

使用酚类固化剂作为热固化剂(h2)时，从提高保护膜从支撑片的剥离性的点出发，优选热固化剂(h2)为软化点或玻璃化转变温度高的热固化剂。

热固化剂(h2)中的、例如多官能酚树脂、酚醛清漆型酚树脂、二环戊二烯类酚树脂、芳烷基酚树脂等树脂成分的数均分子量优选为300～30000，更优选为400～10000，特别优选为500～3000。

热固化剂(h2)中的、例如联苯二酚、双氰胺等非树脂成分的分子量没有特别限定，例如优选为60～500。

热固化剂(h2)可以单独使用一种，也可以同时使用两种以上，同时使用两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

使用热固化性成分(h)时，在保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜中，相对于环氧树脂(h1)的含量100质量份，热固化剂(h2)的含量优选为0.01～20质量份。

使用热固化性成分(h)时，在保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜中，相对于不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的含量100质量份，热固化性成分(h)的含量(例如，环氧树脂(h1)及热固化剂(h2)的总含量)优选为1～500质量份。

[通用添加剂(z)]

通用添加剂(z)可以为公知的添加剂，可根据目的任意选择，没有特别限定，作为优选的添加剂，例如可列举出增塑剂、抗静电剂、抗氧化剂、捕获剂(gettering agent)等。

保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的通用添加剂(z)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

使用通用添加剂(z)时，保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜的通用添加剂(z)的含量没有特别限定，根据目的进行适当选择即可。

[溶剂]

保护膜形成用组合物(IV-1)优选进一步含有溶剂。含有溶剂的保护膜形成用组合物(IV-1)的操作性变得良好。

所述溶剂没有特别限定，作为优选的溶剂，例如可列举出甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺(具有酰胺键的化合物)等。

保护膜形成用组合物(IV-1)所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

从能够将保护膜形成用组合物(IV-1)中的含有成分更均匀地混合的点出发，保护膜形成用组合物(IV-1)所含有的溶剂优选为甲基乙基酮、甲苯或乙酸乙酯等。

＜＜保护膜形成用组合物的制备方法＞＞

保护膜形成用组合物(IV-1)等保护膜形成用组合物能够通过掺合用于构成它的各成分而得到。

掺合各成分时的添加顺序没有特别限定，也可同时添加两种以上的成分。

使用溶剂时，可通过将溶剂与除溶剂以外的任意掺合成分混合而将该掺合成分预稀释从而进行使用，也可以不将除溶剂以外的任意掺合成分预稀释、而通过将溶剂与这些掺合成分混合从而进行使用。

掺合时混合各成分的方法没有特别限定，从下述公知的方法中适当选择即可：使搅拌器或搅拌叶片等旋转而进行混合的方法；使用搅拌机进行混合的方法；施加超声波而进行混合的方法等。

只要各掺合成分不劣化，则添加及混合各成分时的温度以及时间没有特别限定，进行适当调节即可，优选温度为15～30℃。

作为与后述的本发明的保护膜形成用复合片相同的、贴附于与半导体晶圆或半导体芯片的电路面相反侧的背面，并且在支撑片上具备显示粘合性的层的复合片，有切割芯片接合片(dicing die bonding sheet)。

然而，将切割芯片接合片所具备的粘合剂层与半导体芯片一起从支撑片上拾取后，该粘合剂层作为将该半导体芯片贴附于基板、引线框架、或其他半导体芯片等时的粘合剂而发挥作用。另一方面，就将其与半导体芯片一起从支撑片上拾取这一点而言，本发明的保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜与所述粘合剂层相同，但其最终通过固化而成为保护膜，具有保护所贴附的半导体芯片的背面的作用。如此，本发明的保护膜形成用膜与切割芯片接合片中的粘合剂层的用途不同，所谋求的性能当然也不同。而且，通常，与切割芯片接合片中的粘合剂层相比，保护膜形成用膜具有硬的倾向，这也反映出了上述的用途的差异。通常难以将切割芯片接合片中的粘合剂层直接转用作保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜。

◇保护膜形成用膜的制造方法

本发明的保护膜形成用膜可通过在剥离膜(优选在其剥离处理面)上涂布保护膜形成用组合物并根据需要进行干燥而制造。

另外，例如如图1所示，保护膜形成用膜通常以在其两面上贴合有剥离膜的状态进行保管。为此，只需在如上所述地形成于剥离膜上的保护膜形成用膜的露出面(与具备剥离膜的一侧相反侧的面)上进一步贴合剥离膜(优选为其剥离处理面)即可。

◇保护膜形成用膜的使用方法

如上所述，可通过在支撑片上设置本发明的保护膜形成用膜而构成保护膜形成用复合片。保护膜形成用复合片通过其保护膜形成用膜而贴附在半导体晶圆的背面(与电极形成面相反侧的面)而被使用。然后，以与后述的保护膜形成用复合片相同的方法进行基于保护膜形成用膜的固化的保护膜的形成、切割、带保护膜的半导体芯片的拾取等而制造作为目标的半导体装置即可。

另一方面，本发明的保护膜形成用膜可先设置于半导体晶圆的背面而非支撑片上。即，将保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆的背面。然后，对保护膜形成用膜照射能量射线，使保护膜形成用膜固化，形成保护膜。然后，通过在该保护膜的露出面(与贴附于半导体晶圆一侧相反侧的面)上贴合支撑片，制成保护膜形成用膜成为了保护膜的状态的保护膜形成用复合片。然后，与上述相同地进行切割、带保护膜的半导体芯片的拾取等，制造作为目标的半导体装置即可。

另外，此处，对使保护膜形成用膜固化而形成保护膜后将该保护膜与支撑片贴合的情况进行了说明，但在使用本发明的保护膜形成用膜时，进行这些工序的顺序可以相反。即，通过将保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆的背面后，在保护膜形成用膜的露出面(与贴附于半导体晶圆一侧相反侧的面)上贴合支撑片，从而将保护膜形成用膜制成未固化状态的保护膜形成用复合片。然后，对保护膜形成用膜照射能量射线，使保护膜形成用膜固化，形成保护膜。然后，与上述相同地进行切割、带保护膜的半导体芯片的拾取等，制造作为目标的半导体装置即可。

◇保护膜形成用复合片

本发明的保护膜形成用复合片通过具备支撑片，并在所述支撑片上具备所述保护膜形成用膜而成。

本发明的保护膜形成用复合片被预先赋予了作为切割片的功能。

通过使所述保护膜形成用复合片具备所述保护膜形成用膜，可抑制由保护膜形成用膜的分割面的固化不充分导致的不良情况的产生，进一步，透过保护膜形成用膜或透过保护膜的、半导体晶圆或半导体芯片的红外线检查变得容易。

在本发明中，只要保护膜形成用膜在固化后也维持支撑片及保护膜形成用膜的固化物(换而言之，支撑片及保护膜)的层叠结构，则该层叠结构体就称作“保护膜形成用复合片”。

作为本发明的保护膜形成用复合片的使用对象的半导体晶圆或半导体芯片的厚度没有特别限定，由于可更显著地得到本发明的效果，故而优选为30～1000μm，更优选为100～300μm。

以下，对保护膜形成用复合片的构成进行详细说明。

◎支撑片

所述支撑片可以由一个层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成。支撑片由多个层构成时，这些多个层可以彼此相同也可以不同，只要不损害本发明的效果，则这些多个层的组合没有特别限定。

作为优选的支撑片，例如可列举出粘着剂层与基材直接接触并层叠而成的支撑片、粘着剂层经由中间层在基材上层叠而成的支撑片、仅由基材构成的支撑片等。

以下，一边参照附图一边按照这样的支撑片的种类对本发明的保护膜形成用复合片的例子进行说明。

另外，在图2以后的图中，对于与已经进行了说明的图中所示的构成要素相同的构成要素，标记与该已经进行了说明的图相同的附图标记，并省略其详细说明。

此处所示的保护膜形成用复合片1A在基材11上具备粘着剂层12，在粘着剂层12上具备保护膜形成用膜13。支撑片10为基材11及粘着剂层12的层叠体，换而言之，保护膜形成用复合片1A具有在支撑片10的一个表面10a上层叠有保护膜形成用膜13的构成。此外，保护膜形成用复合片1A在保护膜形成用膜13上进一步具备剥离膜15。

在保护膜形成用复合片1A中，在基材11的一个表面11a上层叠有粘着剂层12，在粘着剂层12的一个表面12a的整个面上层叠有保护膜形成用膜13，在保护膜形成用膜13的一个表面13a的一部分、即周缘部附近的区域层叠有夹具用粘合剂层16，在保护膜形成用膜13的表面13a中的未层叠夹具用粘合剂层16的表面与夹具用粘合剂层16的表面16a(上表面及侧面)上层叠有剥离膜15。

在保护膜形成用复合片1A中，保护膜形成用膜13同时满足所述条件(1)及(2)。

夹具用粘合剂层16例如可以为含有粘合剂成分的单层结构，也可以为在作为芯材的片材的两面上层叠含有粘合剂成分的层而成的多层结构。

图2所示的保护膜形成用复合片1A以下述方式进行使用：在去除了剥离膜15的状态下，在保护膜形成用膜13的表面13a上贴附半导体晶圆(省略图示)的背面，进一步使夹具用粘合剂层16的表面16a中的上表面贴附在环形框架等夹具上。

此处所示的保护膜形成用复合片1B除了不具备夹具用粘合剂层16这一点以外，与图2所示的保护膜形成用复合片1A相同。即，在保护膜形成用复合片1B中，在基材11的一个表面11a上层叠有粘着剂层12，在粘着剂层12的表面12a的整个面上层叠有保护膜形成用膜13，在保护膜形成用膜13的表面13a的整个面上层叠有剥离膜15。

图3所示的保护膜形成用复合片1B以下述方式进行使用：在去除了剥离膜15的状态下，在保护膜形成用膜13的表面13a中的中央侧的一部分区域上贴附半导体晶圆(省略图示)的背面，进一步使周缘部附近的区域贴附在环形框架等夹具上。

此处所示的保护膜形成用复合片1C除了不具备粘着剂层12这一点以外，与图2所示的保护膜形成用复合片1A相同。即，在保护膜形成用复合片1C中，支撑片10仅由基材11构成。而且，在基材11的一个表面11a(支撑片10的一个表面10a)上层叠有保护膜形成用膜13，在保护膜形成用膜13的表面13a的一部分、即周缘部附近的区域上层叠有夹具用粘合剂层16，在保护膜形成用膜13的表面13a中的未层叠夹具用粘合剂层16的表面与夹具用粘合剂层16的表面16a(上表面及侧面)上层叠有剥离膜15。

在保护膜形成用复合片1C中，保护膜形成用膜13同时满足所述条件(1)及(2)。

与图2所示的保护膜形成用复合片1A相同，图4所示的保护膜形成用复合片1C以下述方式进行使用：在去除了剥离膜15的状态下，在保护膜形成用膜13的表面13a上贴附半导体晶圆(省略图示)的背面，进一步使夹具用粘合剂层16的表面16a中的上表面贴附在环形框架等夹具上。

此处所示的保护膜形成用复合片1D除了不具备夹具用粘合剂层16这一点以外，与图4所示的保护膜形成用复合片1C相同。即，在保护膜形成用复合片1D中，在基材11的一个表面11a上层叠有保护膜形成用膜13，在保护膜形成用膜13的表面13a的整个面上层叠有剥离膜15。

与图3所示的保护膜形成用复合片1B相同，图5所示的保护膜形成用复合片1D以下述方式进行使用：在去除了剥离膜15的状态下，在保护膜形成用膜13的表面13a中的中央侧的一部分区域上贴附半导体晶圆(省略图示)的背面，进一步使周缘部附近的区域贴附在环形框架等夹具上。

此处所示的保护膜形成用复合片1E除了保护膜形成用膜的形状不同这一点以外，与图3所示的保护膜形成用复合片1B相同。即，保护膜形成用复合片1E在基材11上具备粘着剂层12，在粘着剂层12上具备保护膜形成用膜23。支撑片10为基材11及粘着剂层12的层叠体，换而言之，保护膜形成用复合片1E具有在支撑片10的一个表面10a上层叠有保护膜形成用膜23的构成。此外，保护膜形成用复合片1E在保护膜形成用膜23上进一步具备剥离膜15。

在保护膜形成用复合片1E中，在基材11的一个表面11a上层叠有粘着剂层12，在粘着剂层12的表面12a的一部分、即在中央侧的区域上层叠有保护膜形成用膜23。而且，在粘着剂层12的表面12a中的未层叠保护膜形成用膜23的区域与保护膜形成用膜23的表面23a(上表面及侧面)上层叠有剥离膜15。

从上方向下俯视保护膜形成用复合片1E时，保护膜形成用膜23的表面积比粘着剂层12小，具有例如圆形等形状。

在保护膜形成用复合片1E中，保护膜形成用膜23同时满足所述条件(1)及(2)。

图6所示的保护膜形成用复合片1E以下述方式进行使用：在去除了剥离膜15的状态下，在保护膜形成用膜23的表面23a上贴附半导体晶圆(省略图示)的背面，进一步使粘着剂层12的表面12a中的未层叠保护膜形成用膜23的区域贴附在环形框架等夹具上。

另外，在图6所示的保护膜形成用复合片1E中，可以以与图2及图4所示相同的方式在粘着剂层12的表面12a中的未层叠保护膜形成用膜23的区域上层叠夹具用粘合剂层(省略图示)。与图2及图4所示的保护膜形成用复合片相同，具备这样的夹具用粘合剂层的保护膜形成用复合片1E以使夹具用粘合剂层的表面贴附在环形框架等夹具上的方式而使用。

如上所述，对于本发明的保护膜形成用复合片，无论支撑片及保护膜形成用膜为怎样的形态，均可以具备夹具用粘合剂层。其中，通常如图2及图4所示，具备夹具用粘合剂层的本发明的保护膜形成用复合片，优选在保护膜形成用膜上具备夹具用粘合剂层。

本发明的保护膜形成用复合片并不限于图2～6所示的复合片，在不损害本发明的效果的范围内，可以为变更或删除了图2～6所示的保护膜形成用复合片的一部分构成的复合片、或者也可以为在上文中说明的保护膜形成用复合片的基础上进一步追加了其他构成的复合片。

例如，在图4及图5所示的保护膜形成用复合片中，可在基材11与保护膜形成用膜13之间设置中间层。作为中间层，可根据目的选择任意的中间层。

此外，在图2、图3及图6所示的保护膜形成用复合片中，可在基材11与粘着剂层12之间设置中间层。即，在本发明的保护膜形成用复合片中，支撑片可以依次层叠基材、中间层及粘着剂层而成。此处，中间层是指与可在图4及图5所示的保护膜形成用复合片中设置的中间层相同的中间层。

此外，图2～6所示的保护膜形成用复合片可在任意的位置上设置除所述中间层以外的层。

此外，在本发明的保护膜形成用复合片中，可在剥离膜与和该剥离膜直接接触的层之间产生一部分间隙。

此外，在本发明的保护膜形成用复合片中，能够根据目的任意地调节各层的大小和形状。

在本发明的保护膜形成用复合片中，如下文所述，优选粘着剂层等的、支撑片的与保护膜形成用膜直接接触的层为非能量射线固化性。这样的保护膜形成用复合片可使带保护膜的半导体芯片的拾取变得更加容易。

支撑片可以透明，也可以不透明，也可以根据目的进行着色。

其中，在保护膜形成用膜具有能量射线固化性的本发明中，优选支撑片透过能量射线。

例如，在支撑片中，波长375nm的光的透过率优选为30％以上，更优选为50％以上，特别优选为70％以上。通过使所述光的透过率为这样的范围，透过支撑片对保护膜形成用膜照射能量射线(紫外线)时，保护膜形成用膜的固化度得到进一步提高。

另一方面，在支撑片中，波长375nm的光的透过率的上限值没有特别限定。例如，所述光的透过率可以为95％以下。

此外，在支撑片中，波长532nm的光的透过率优选为30％以上，更优选为50％以上，特别优选为70％以上。通过使所述光的透过率为这样的范围，透过支撑片对保护膜形成用膜或保护膜照射激光从而对其进行印字时，能够更清晰地印字。

另一方面，在支撑片中，波长532nm的光的透过率的上限值没有特别限定。例如，所述光的透过率可以为95％以下。

此外，在支撑片中，波长1064nm的光的透过率优选为30％以上，更优选为50％以上，特别优选为70％以上。通过使所述光的透过率为这样的范围，透过支撑片对保护膜形成用膜或保护膜照射激光从而对其进行印字时，能够更清晰地印字。

另一方面，在支撑片中，波长1064nm的光的透过率的上限值没有特别限定。例如，所述光的透过率可以为95％以下。

接着，进一步对构成支撑片的各层详细地进行说明。

○基材

所述基材为片状或膜状，作为其构成材料，例如可列举出各种树脂。

作为所述树脂，例如可列举出低密度聚乙烯(LDPE)、直链低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降冰片烯树脂等除聚乙烯以外的聚烯烃；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降冰片烯共聚物等乙烯类共聚物(使用乙烯作为单体而得到的共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯类树脂(使用氯乙烯作为单体而得到的树脂)；聚苯乙烯；聚环烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚间苯二甲酸乙二醇酯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、所有的结构单元具有芳香族环式基的全芳香族聚酯等聚酯；两种以上的所述聚酯的共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚氨酯；聚氨酯丙烯酸酯；聚酰亚胺；聚酰胺；聚碳酸酯；氟树脂；聚缩醛；改性聚苯醚；聚苯硫醚；聚砜；聚醚酮等。

此外，作为所述树脂，例如也可列举出所述聚酯与除其以外的树脂的混合物等聚合物合金。优选所述聚酯与除其以外的树脂的聚合物合金中的除聚酯以外的树脂的量为较少量。

此外，作为所述树脂，例如也可列举出上文中例示的所述树脂的一种或两种以上交联而成的交联树脂；使用了上文中例示的所述树脂的一种或两种以上的离聚物等改性树脂。

另外，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”为包含“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者的概念。与(甲基)丙烯酸类似的用语也相同。

构成基材的树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

基材可以由一个层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，由多个层构成时，这些多个层可以彼此相同也可以不同，这些多个层的组合没有特别限定。

基材的厚度优选为50～300μm，更优选为60～100μm。通过使基材的厚度为这样的范围，所述保护膜形成用复合片的可挠性、及对半导体晶圆或半导体芯片的贴附性得到进一步提高。

此处，“基材的厚度”是指基材整体的厚度，例如由多个层构成的基材的厚度是指构成基材的所有的层的总计的厚度。

优选基材为厚度的精度高的基材、即无论在何部位厚度的偏差均得到了抑制的基材。作为上述构成材料中的、可用作构成这样的厚度精度高的基材的材料，例如可列举出聚乙烯、除聚乙烯以外的聚烯烃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。

基材除了含有所述树脂等主要构成材料以外，也可以含有填充材料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、有机润滑剂、催化剂、软化剂(增塑剂)等公知的各种添加剂。

基材的光学特性只要满足上文中说明的支撑片的光学特性即可。即，基材可以透明，也可以不透明，也可以根据目的进行着色，也可以蒸镀有其它层。

而且，在保护膜形成用膜具有能量射线固化性的本发明中，优选基材透过能量射线。

为了提高与设置于其之上的粘着剂层等其它层的密着性，基材可以为对表面实施了基于喷砂处理、溶剂处理等的凹凸化处理、电晕放电处理、电子束照射处理、等离子体处理、臭氧·紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理等的基材。

此外，基材还可以为表面经底漆处理的基材。

此外，叠合抗静电涂层、保护膜形成用复合片并进行保存时，基材也可以具有防止基材与其他片材粘合、或者防止基材与吸台粘合的层等。

其中，从抑制由切割时的刀的摩擦导致的基材的断片的产生的点出发，特别优选基材为表面实施了电子束照射处理的基材。

基材能够利用公知的方法制造。例如，含有树脂的基材能够通过将含有所述树脂的树脂组合物成型而制造。

○粘着剂层

所述粘着剂层为片状或膜状，并含有粘着剂。

作为所述粘着剂，例如可列举出丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、橡胶类树脂、有机硅类树脂、环氧类树脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯类树脂等粘着性树脂，优选丙烯酸类树脂。

另外，在本发明中，“粘着性树脂”为包含具有粘着性的树脂、及具有粘合性的树脂这两者的概念，例如，不仅包括树脂本身具有粘着性的树脂，还包含通过与添加剂等其他成分的同时使用而显示粘着性的树脂、或通过热或水等触发物(trigger)的存在而显示粘合性的树脂等。

粘着剂层可以由一个层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，由多个层构成时，这些多个层可以彼此相同也可以不同，这些多个层的组合没有特别限定。

粘着剂层的厚度优选为1～100μm，更优选为1～60μm，特别优选为1～30μm。

此处，“粘着剂层的厚度”是指粘着剂层整体的厚度，例如由多个层构成的粘着剂层的厚度是指构成粘着剂层的所有的层的总计的厚度。

粘着剂层的光学特性只要满足上文中说明的支撑片的光学特性即可。即，粘着剂层可以透明，也可以不透明，也可以根据目的进行着色。

而且，在保护膜形成用膜具有能量射线固化性的本发明中，优选粘着剂层透过能量射线。

粘着剂层可以使用能量射线固化性粘着剂而形成，也可以使用非能量射线固化性粘着剂而形成。使用能量射线固化性粘着剂而形成的粘着剂层能够容易地调节固化前及固化后的物性。

＜＜粘着剂组合物＞＞

能够使用含有粘着剂的粘着剂组合物形成粘着剂层。例如，通过将粘着剂组合物涂布在粘着剂层的形成对象面上并根据需要进行干燥，能够在目标部位形成粘着剂层。粘着剂层的更具体的形成方法将与其它层的形成方法一起在后文中进行详细说明。粘着剂组合物中的、常温下不气化的成分彼此的含量比通常与粘着剂层的所述成分彼此的含量比相同。此处，“常温”与在上文中说明的相同。

利用公知的方法进行粘着剂组合物的涂布即可，例如可列举出使用气刀涂布机、刮片涂布机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机、迈耶棒涂布机、吻涂机等各种涂布机的方法。

粘着剂组合物的干燥条件没有特别限定，但当粘着剂组合物含有后述的溶剂时，优选进行加热干燥。含有溶剂的粘着剂组合物，例如优选以70～130℃、10秒～5分钟的条件进行干燥。

粘着剂层为能量射线固化性时，作为含有能量射线固化性粘着剂的粘着剂组合物、即能量射线固化性的粘着剂组合物，例如可列举出含有非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)(以下，有时简写作“粘着性树脂(I-1a)”)与能量射线固化性化合物的粘着剂组合物(I-1)；含有在非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)的侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(I-2a)(以下，有时简写作“粘着性树脂(I-2a)”)的粘着剂组合物(I-2)；含有所述粘着性树脂(I-2a)与能量射线固化性化合物的粘着剂组合物(I-3)等。

＜粘着剂组合物(I-1)＞

如上所述，所述粘着剂组合物(I-1)含有非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)与能量射线固化性化合物。

[粘着性树脂(I-1a)]

优选所述粘着性树脂(I-1a)为丙烯酸类树脂。

作为所述丙烯酸类树脂，例如可列举出至少具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的丙烯酸类聚合物。

所述丙烯酸类树脂所具有的结构单元可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

作为所述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列举出构成烷基酯的烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯，优选所述烷基为直链状或支链状。

作为(甲基)丙烯酸烷基酯，更具体而言，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酸酯)、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。

从提高粘着剂层的粘着力的点出发，优选所述丙烯酸类聚合物具有来自所述烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元。而且，从进一步提高粘着剂层的粘着力的点出发，所述烷基的碳原子数优选为4～12，更优选为4～8。此外，优选所述烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯为丙烯酸烷基酯。

所述丙烯酸类聚合物除了具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外，优选进一步具有来自含官能团单体的结构单元。

作为所述含官能团单体，例如可列举出通过所述官能团与后述的交联剂的反应而生成交联的起点、或者可通过所述官能团与后述的含有不饱和基团的化合物中的不饱和基团的反应而在丙烯酸类聚合物的侧链导入不饱和基团的含官能团单体。

作为含官能团单体中的所述官能团，例如可列举出羟基、羧基、氨基、环氧基等。

即，作为含官能团单体，例如可列举出含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含环氧基单体等。

含官能团单体优选为含羟基单体、含羧基单体，更优选为含羟基单体。

构成所述丙烯酸类聚合物的含官能团单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在所述丙烯酸类聚合物中，相对于结构单元的总量，来自含官能团单体的结构单元的含量优选为1～35质量％，更优选为2～32质量％，特别优选为3～30质量％。

所述丙烯酸类聚合物除了具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以及来自含官能团单体的结构单元以外，可以进一步具有来自其他单体的结构单元。

所述其他单体只要可与(甲基)丙烯酸烷基酯等共聚则没有特别限定。

作为所述其他单体，例如可列举出苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯酰胺等。

构成所述丙烯酸类聚合物的所述其他单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

所述丙烯酸类聚合物能够用作上述的非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)。

另一方面，使具有能量射线聚合性不饱和基团(能量射线聚合性基团)的含有不饱和基团的化合物与所述丙烯酸类聚合物中的官能团反应而生成的物质，能够用作上述的能量射线固化性的粘着性树脂(I-2a)。

粘着剂组合物(I-1)所含有的粘着性树脂(I-1a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在粘着剂组合物(I-1)中，粘着性树脂(I-1a)的含量优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。

[能量射线固化性化合物]

作为粘着剂组合物(I-1)所含有的所述能量射线固化性化合物，可列举出具有能量射线聚合性不饱和基团、并且可通过能量射线的照射而固化的单体或低聚物。

作为能量射线固化性化合物中的单体，例如可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；环氧(甲基)丙烯酸酯等。

作为能量射线固化性化合物中的低聚物，例如可列举出上文中例示的单体聚合而成的低聚物等。

就分子量较大、粘着剂层的储能模量不易降低这一点而言，能量射线固化性化合物优选为氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物。

粘着剂组合物(I-1)所含有的所述能量射线固化性化合物可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在所述粘着剂组合物(I-1)中，所述能量射线固化性化合物的含量优选为1～95质量％，更优选为5～90质量％，特别优选为10～85质量％。

[交联剂]

将除了具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外、进一步具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸类聚合物用作粘着性树脂(I-1a)时，优选粘着剂组合物(I-1)进一步含有交联剂。

所述交联剂例如通过与所述官能团的反应从而将粘着性树脂(I-1a)彼此交联。

作为交联剂，例如可列举出甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、这些二异氰酸酯的加成物等异氰酸酯类交联剂(具有异氰酸酯基的交联剂)；乙二醇缩水甘油基醚等环氧类交联剂(具有缩水甘油基的交联剂)；六[1-(2-甲基)氮丙啶基]三磷酸三嗪(Hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine)等三嗪类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)；铝螯合物等金属螯合物类交联剂(具有金属螯合物结构的交联剂)；异氰脲酸酯类交联剂(具有异氰脲酸骨架的交联剂)等。

从提高粘着剂的凝聚力从而提高粘着剂层的粘着力的点、及从容易获得等的点出发，优选交联剂为异氰酸酯类交联剂。

粘着剂组合物(I-1)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在所述粘着剂组合物(I-1)中，相对于粘着性树脂(I-1a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为0.3～15质量份。

[光聚合引发剂]

粘着剂组合物(I-1)也可以进一步含有光聚合引发剂。即使对含有光聚合引发剂的粘着剂组合物(I-1)照射紫外线等较低能量的能量射线，也充分地进行固化反应。

作为所述光聚合引发剂，例如可列举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基膦氧化物化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫化合物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；过氧化物化合物；双乙酰等二酮化合物；苄基；二苄基；二苯甲酮；2,4-二乙基噻吨酮；1,2-二苯基甲烷；2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。

此外，作为所述光聚合引发剂，例如还可使用1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光敏剂等。

粘着剂组合物(I-1)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在粘着剂组合物(I-1)中，相对于所述能量射线固化性化合物的含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。

[其他添加剂]

在不损害本发明的效果的范围内，粘着剂组合物(I-1)也可以含有不对应于上述任何成分的其他添加剂。

作为所述其他添加剂，例如可列举出抗静电剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充材料(填料)、防锈剂、着色剂(颜料、染料)、敏化剂、增粘剂、反应延迟剂、交联促进剂(催化剂)等公知的添加剂。

另外，反应延迟剂是指，例如通过粘着剂组合物(I-1)中混入的催化剂的作用，抑制保存中的粘着剂组合物(I-1)中的非目的性的交联反应的进行的添加剂。作为反应延迟剂，例如可列举出利用针对催化剂的螯合物形成螯合物配位化合物(chelate complex)的反应延迟剂，更具体而言，可列举出在1分子中具有两个以上羰基(-C(＝O)-)的反应延迟剂。

粘着剂组合物(I-1)所含有的其他添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在粘着剂组合物(I-1)中，其他添加剂的含量没有特别限定，根据其种类进行适当选择即可。

[溶剂]

粘着剂组合物(I-1)也可以含有溶剂。粘着剂组合物(I-1)通过含有溶剂，提高对涂布对象表面的涂布适性。

优选所述溶剂为有机溶剂，作为所述有机溶剂，例如可列举出甲基乙基酮、丙酮等酮；乙酸乙酯等酯(羧酸酯)；四氢呋喃、二噁烷等醚；环己烷、正己烷等脂肪族烃；甲苯、二甲苯等芳香族烃；1-丙醇、2-丙醇等醇等。

作为所述溶剂，例如可以不将制造粘着性树脂(I-1a)时使用的溶剂从粘着性树脂(I-1a)中去除而直接用于粘着剂组合物(I-1)，也可以在制造粘着剂组合物(I-1)时另外添加与制造粘着性树脂(I-1a)时使用的溶剂相同或不同种类的溶剂。

粘着剂组合物(I-1)所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在粘着剂组合物(I-1)中，溶剂的含量没有特别限定，可以进行适当调节。

＜粘着剂组合物(I-2)＞

如上所述，所述粘着剂组合物(I-2)含有在非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)的侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(I-2a)。

[粘着性树脂(I-2a)]

所述粘着性树脂(I-2a)例如通过使具有能量射线聚合性不饱和基团的含有不饱和基团的化合物与粘着性树脂(I-1a)中的官能团反应而得到。

所述含有不饱和基团的化合物为除了具有能量射线聚合性不饱和基团以外，进一步具有通过与粘着性树脂(I-1a)中的官能团进行反应而可与粘着性树脂(I-1a)键合的基团的化合物。

作为所述能量射线聚合性不饱和基团，例如可列举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基(次乙基)、烯丙基(2-丙烯基)等，优选(甲基)丙烯酰基。

作为可与粘着性树脂(I-1a)中的官能团键合的基团，例如可列举出可与羟基或氨基键合的异氰酸酯基及缩水甘油基、以及可与羧基或环氧基键合的羟基及氨基等。

作为所述含有不饱和基团的化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。

粘着剂组合物(I-2)所含有的粘着性树脂(I-2a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在粘着剂组合物(I-2)中，粘着性树脂(I-2a)的含量优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为10～90质量％。

[交联剂]

例如，在将与粘着性树脂(I-1a)中相同的、具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸类聚合物用作粘着性树脂(I-2a)时，优选粘着剂组合物(I-2)进一步含有交联剂。

作为粘着剂组合物(I-2)中的所述交联剂，可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的交联剂相同的交联剂。

粘着剂组合物(I-2)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在所述粘着剂组合物(I-2)中，相对于粘着性树脂(I-2a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为0.3～15质量份。

[光聚合引发剂]

粘着剂组合物(I-2)也可以进一步含有光聚合引发剂。即使对含有光聚合引发剂的粘着剂组合物(I-2)照射紫外线等较低能量的能量射线，也充分地进行固化反应。

作为粘着剂组合物(I-2)中的所述光聚合引发剂，可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的光聚合引发剂相同的光聚合引发剂。

粘着剂组合物(I-2)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在粘着剂组合物(I-2)中，相对于粘着性树脂(I-2a)的含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。

[其他添加剂]

在不损害本发明的效果的范围内，粘着剂组合物(I-2)也可以含有不对应于上述任何成分的其他添加剂。

作为粘着剂组合物(I-2)中的所述其他添加剂，可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的其他添加剂相同的其他添加剂。

粘着剂组合物(I-2)所含有的其他添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在粘着剂组合物(I-2)中，其他添加剂的含量没有特别限定，根据其种类进行适当选择即可。

[溶剂]

出于与粘着剂组合物(I-1)的情况相同的目的，粘着剂组合物(I-2)也可以含有溶剂。

作为粘着剂组合物(I-2)中的所述溶剂，可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的溶剂相同的溶剂。

粘着剂组合物(I-2)所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在粘着剂组合物(I-2)中，溶剂的含量没有特别限定，可以进行适当调节。

＜粘着剂组合物(I-3)＞

如上所述，所述粘着剂组合物(I-3)含有所述粘着性树脂(I-2a)与能量射线固化性化合物。

在粘着剂组合物(I-3)中，粘着性树脂(I-2a)的含量优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。

[能量射线固化性化合物]

作为粘着剂组合物(I-3)所含有的所述能量射线固化性化合物，可列举出具有能量射线聚合性不饱和基团、并且可通过能量射线的照射而固化的单体或低聚物，可列举出与粘着剂组合物(I-1)所含有的能量射线固化性化合物相同的能量射线固化性化合物。

粘着剂组合物(I-3)所含有的所述能量射线固化性化合物可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在所述粘着剂组合物(I-3)中，相对于粘着性树脂(I-2a)的含量100质量份，所述能量射线固化性化合物的含量优选为0.01～300质量份，更优选为0.03～200质量份，特别优选为0.05～100质量份。

[光聚合引发剂]

粘着剂组合物(I-3)也可以进一步含有光聚合引发剂。即使对含有光聚合引发剂的粘着剂组合物(I-3)照射紫外线等较低能量的能量射线，也充分地进行固化反应。

作为粘着剂组合物(I-3)中的所述光聚合引发剂，可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的光聚合引发剂相同的光聚合引发剂。

粘着剂组合物(I-3)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在粘着剂组合物(I-3)中，相对于粘着性树脂(I-2a)及所述能量射线固化性化合物的总含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。

[其他添加剂]

在不损害本发明的效果的范围内，粘着剂组合物(I-3)也可以含有不对应于上述任何成分的其他添加剂。

作为所述其他添加剂，可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的其他添加剂相同的其他添加剂。

粘着剂组合物(I-3)所含有的其他添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在粘着剂组合物(I-3)中，其他添加剂的含量没有特别限定，根据其种类进行适当选择即可。

[溶剂]

出于与粘着剂组合物(I-1)的情况相同的目的，粘着剂组合物(I-3)也可以含有溶剂。

作为粘着剂组合物(I-3)中的所述溶剂，可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的溶剂相同的溶剂。

粘着剂组合物(I-3)所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在粘着剂组合物(I-3)中，溶剂的含量没有特别限定，可以进行适当调节。

＜除粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘着剂组合物＞

到此为止，主要对粘着剂组合物(I-1)、粘着剂组合物(I-2)及粘着剂组合物(I-3)进行了说明，作为它们的含有成分而进行了说明的物质同样可以用于除这三种粘着剂组合物以外的所有的粘着剂组合物(在本说明书中，称为“除粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘着剂组合物”)中。

作为除粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘着剂组合物，除了能量射线固化性的粘着剂组合物以外，还可列举出非能量射线固化性的粘着剂组合物。

作为非能量射线固化性的粘着剂组合物，例如可列举出含有丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、橡胶类树脂、有机硅类树脂、环氧类树脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯类树脂等非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)的粘着剂组合物(I-4)，优选含有丙烯酸类树脂的非能量射线固化性的粘着剂组合物。

优选除粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘着剂组合物含有一种或两种以上的交联剂，可以将其含量设定地与上述的粘着剂组合物(I-1)等的情况相同。

＜粘着剂组合物(I-4)＞

作为优选的粘着剂组合物(I-4)，例如可列举出含有所述粘着性树脂(I-1a)与交联剂的粘着剂组合物。

[粘着性树脂(I-1a)]

作为粘着剂组合物(I-4)中的粘着性树脂(I-1a)，可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的粘着性树脂(I-1a)相同的粘着性树脂(I-1a)。

粘着剂组合物(I-4)所含有的粘着性树脂(I-1a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在粘着剂组合物(I-4)中，粘着性树脂(I-1a)的含量优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。

[交联剂]

将除了具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外、进一步具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸类聚合物用作粘着性树脂(I-1a)时，优选粘着剂组合物(I-4)进一步含有交联剂。

作为粘着剂组合物(I-4)中的交联剂，可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的交联剂相同的交联剂。

粘着剂组合物(I-4)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在所述粘着剂组合物(I-4)中，相对于粘着性树脂(I-1a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为0.3～15质量份。

[其他添加剂]

在不损害本发明的效果的范围内，粘着剂组合物(I-4)也可以含有不对应于上述任何成分的其他添加剂。

粘着剂组合物(I-4)所含有的其他添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在粘着剂组合物(I-4)中，其他添加剂的含量没有特别限定，根据其种类进行适当选择即可。

[溶剂]

出于与粘着剂组合物(I-1)的情况相同的目的，粘着剂组合物(I-4)也可以含有溶剂。

作为粘着剂组合物(I-4)中的所述溶剂，可列举出与粘着剂组合物(I-1)中的溶剂相同的溶剂。

粘着剂组合物(I-4)所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。

在粘着剂组合物(I-4)中，溶剂的含量没有特别限定，可以进行适当调节。

在本发明的保护膜形成用复合片中，优选粘着剂层为非能量射线固化性。这是由于，若粘着剂层为能量射线固化性，则在通过能量射线的照射而使保护膜形成用膜固化时，无法抑制粘着剂层的同时固化。若粘着剂层与保护膜形成用膜同时固化，则有时会导致固化后的保护膜形成用膜及粘着剂层在它们的界面上发生不能进行剥离的程度的贴附。此时，难以将在背面具备固化后的保护膜形成用膜、即保护膜的半导体芯片(带保护膜的半导体芯片)从具备固化后的粘着剂层的支撑片上剥离，导致无法正常拾取带保护膜的半导体芯片。对于本发明的支撑片，通过使粘着剂层为非能量射线固化性，能够确切地回避这样的不良状况，能够更加容易地拾取带保护膜的半导体芯片。

此处，对粘着剂层为非能量射线固化性时的效果进行了说明，但即使支撑片的与保护膜形成用膜直接接触的层为除粘着剂层以外的层，只要该层为非能量射线固化性，则发挥同样的效果。

＜＜粘着剂组合物的制备方法＞＞

粘着剂组合物(I-1)～(I-3)、或粘着剂组合物(I-4)等的除粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘着剂组合物可通过掺合所述粘着剂及根据需要的除所述粘着剂以外的成分等用于构成粘着剂组合物的各成分而得到。

◇保护膜形成用复合片的制造方法

能够通过以使上述的各层成为对应的位置关系的方式依次层叠上述的各层而制造本发明的保护膜形成用复合片。各层的形成方法与在上文中说明的相同。

例如，制造支撑片时，在基材上层叠粘着剂层的情况下，将上述的粘着剂组合物涂布在基材上、并根据需要进行干燥即可。

另一方面，例如在已层叠在基材上的粘着剂层上进一步层叠保护膜形成用膜时，可将保护膜形成用组合物涂布在粘着剂层上并直接形成保护膜形成用膜。对于除保护膜形成用膜以外的层，也能够利用同样的方法，使用用于形成该层的组合物在粘着剂层上层叠该层。像这样，使用任意的组合物形成连续两层的层叠结构时，可在由所述组合物形成的层上进一步涂布组合物从而形成新的层。其中，优选使用所述组合物在其他剥离膜上预先形成上述两层中的后层叠的层，并通过将该已形成的层的与同所述剥离膜接触的一侧为相反侧的露出面和已经形成的另一个层的露出面贴合，由此形成连续两层的层叠结构。此时，优选将所述组合物涂布在剥离膜的剥离处理面上。在形成层叠结构后，根据需要去除剥离膜即可。

例如，制造在基材上层叠粘着剂层、并在所述粘着剂层上层叠保护膜形成用膜而得到的保护膜形成用复合片(支撑片是基材及粘着剂层的层叠物的保护膜形成用复合片)时，通过将粘着剂组合物涂布在基材上、并根据需要进行干燥，由此在基材上层叠粘着剂层，另外再通过将保护膜形成用组合物涂布在剥离膜上、并根据需要进行干燥，由此在剥离膜上形成保护膜形成用膜。然后，通过将该保护膜形成用膜的露出面与已层叠在基材上的粘着剂层的露出面贴合，并将保护膜形成用膜层叠在粘着剂层上，可得到保护膜形成用复合片。

另外，在基材上层叠粘着剂层时，也可将粘着剂组合物涂布在剥离膜上来代替如上所述的将粘着剂组合物涂布在基材上的方法、并根据需要进行干燥，由此在剥离膜上形成粘着剂层，并将该层的露出面与基材的一个表面贴合，由此将粘着剂层层叠在基材上。

在任意的方法中，在形成目标层叠结构后的任意的时机去除剥离膜即可。

如上所述，由于构成保护膜形成用复合片的除基材以外的层均可预先形成在剥离膜上，并以贴合在目标层的表面的方法进行层叠，因此根据需要适当选择采用这样的工序的层来制造保护膜形成用复合片即可。

另外，保护膜形成用复合片通常以在与其支撑片相反侧的最表层(例如保护膜形成用膜)的表面贴合有剥离膜的状态进行保管。因此，即使将保护膜形成用组合物等的、用于形成构成最表层的层的组合物涂布在该剥离膜(优选为其剥离处理面)上，并根据需要进行干燥，由此在剥离膜上形成构成最表层的层，并利用上述任意的方法在该层的与同剥离膜接触的一侧为相反侧的露出面上层叠其他的各层，保持不去除而贴合剥离膜的状态时，也可得到保护膜形成用复合片。

◇半导体芯片的制造方法

本发明的保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片可用于半导体芯片的制造。

作为此时的半导体芯片的制造方法，例如可列举出具有以下工序的方法：将所述保护膜形成用膜或所述保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆的工序(以下，有时简写作“贴附工序”)；对贴附于所述半导体晶圆的所述保护膜形成用膜照射能量射线，在所述半导体晶圆上形成保护膜的工序(以下，有时简写作“保护膜形成工序”)；以聚焦于设定在所述半导体晶圆的内部的焦点的方式，透过所述保护膜或保护膜形成用膜照射红外区域的激光，在所述半导体晶圆的内部形成改性层的工序(以下，有时简写作“改性层形成工序”)；通过对形成有所述改性层的所述半导体晶圆施加力，在所述改性层的部位分割所述半导体晶圆，得到多个半导体芯片的工序(以下，有时简写作“分割工序”)。

以下，一边参照附图一边对上述的制造方法进行说明。图7A～图7E为用于示意性地说明单独使用保护膜形成用膜时的、半导体芯片的制造方法的一个实施方式的剖面图。此外，图8A～图8D为用于示意性地说明在预先使保护膜形成用膜与支撑片一体化而进行使用时的、半导体芯片的制造方法的一个实施方式的剖面图。

＜＜单独使用保护膜形成用膜时的半导体芯片的制造方法＞＞

首先，列举出保护膜形成用膜为图1所示的膜时的例子，对单独使用保护膜形成用膜时的制造方法进行说明。

在所述贴附工序中，如图7A所示，在半导体晶圆9的背面(与电极形成面相反侧的面)9b上贴附保护膜形成用膜13。此处示出从保护膜形成用膜13上去除第一剥离膜151、将保护膜形成用膜13的一个表面13a贴合于半导体晶圆9的背面9b上的情况。

在贴附工序后的所述保护膜形成工序中，对贴附于半导体晶圆9的保护膜形成用膜13照射能量射线，如图7B所示，在半导体晶圆9上形成保护膜13’。能量射线的照射也可在从保护膜形成用膜13上去除第二剥离膜152之后进行。

此外，在贴附工序后的所述改性层形成工序中，以聚焦于设定在半导体晶圆9的内部的焦点的方式，透过保护膜13’照射红外区域的激光，如图7C所示，在半导体晶圆9的内部形成改性层91。在从保护膜13’上去除第二剥离膜152之后进行红外区域的激光的照射。

在改性层形成工序中，由于保护膜13’的透过率(1342nm)高，因此可在半导体晶圆9的内部稳定且充分地形成改性层91。

此处，对在保护膜形成工序后进行改性层形成工序的情况进行了说明，但也可在改性层形成工序后进行保护膜形成工序(省略图示)。在该情况下，在半导体晶圆9的内部形成改性层91时，从保护膜形成用膜13上去除第二剥离膜152，透过保护膜形成用膜13，照射红外区域的激光。并且，由于此时的保护膜形成用膜13的透过率(1342nm)也高，因此能够在半导体晶圆9的内部稳定且充分地形成改性层91。

在改性层形成工序后、所述分割工序之前，如图7D所示地在保护膜13’的与贴附有半导体晶圆9的一侧的(一个)表面13a’相反侧的(另一个)表面13b’上，贴附支撑片10。支撑片10为图3等所示的支撑片，通过其粘着剂层12贴附于保护膜13’。

接着，在所述分割工序中，通过对形成有改性层91的半导体晶圆9施加力，如图7E所示，在改性层91的部位分割半导体晶圆9，得到多个半导体芯片9’。此时，保护膜13’也同时在沿着半导体芯片9’的周缘部的位置被分割(切断)。以附图标记130’表示该切断后的保护膜13’。

在分割工序中，通过沿着图7D中的箭头I所示的方向扩张(expand)半导体晶圆9及保护膜13’，由此分割沿着该方向被施加了力(拉伸力)的半导体晶圆9及保护膜13’。

在该制造方法中，由于使保护膜形成用膜固化而形成保护膜后分割该保护膜，因此保护膜形成用膜的分割面不暴露在空气中(氧气)，能够避免伴随保护膜形成用膜的分割面的固化不良而产生的不良情况。

＜＜在预先使保护膜形成用膜与支撑片一体化而进行使用时的、半导体芯片的制造方法＞＞

接着，列举出保护膜形成用复合片为图2所示的复合片时的例子，对预先使保护膜形成用膜与支撑片一体化而进行使用时的制造方法进行说明。

在所述贴附工序中，如图8A所示，在半导体晶圆9的背面9b上贴附保护膜形成用复合片1A中的保护膜形成用膜13。保护膜形成用复合片1A去除剥离膜15而使用。

在贴附工序后的所述保护膜形成工序中，对贴附于半导体晶圆9的保护膜形成用膜13照射能量射线，如图8B所示，在半导体晶圆9上形成保护膜13’。

此外，在贴附工序后的所述改性层形成工序中，以聚焦于设定在半导体晶圆9的内部的焦点的方式，透过保护膜13’(保护膜形成用复合片1A)照射红外区域的激光，如图8C所示，在半导体晶圆9的内部形成改性层91。

在改性层形成工序中，由于保护膜13’与支撑片10的透过率(1342nm)高，可在半导体晶圆9的内部稳定且充分地形成改性层91。

此处，对在保护膜形成工序后进行改性层形成工序的情况进行了说明，但也可在改性层形成工序后进行保护膜形成工序(省略图示)。在该情况下，在半导体晶圆9的内部形成改性层91时，透过未固化的保护膜形成用复合片1A对保护膜形成用膜13照射红外区域的激光。并且，由于此时的保护膜形成用膜13与支撑片10的透过率(1342nm)高，因此能够在半导体晶圆9的内部稳定且充分地形成改性层91。

在所述分割工序中，通过对形成有改性层91的半导体晶圆9施加力，如图8D所示，在改性层91的部位分割半导体晶圆9，得到多个半导体芯片9’。此时，保护膜13’也同时在沿着半导体芯片9’的周缘部的位置被分割(切断)。以附图标记130’表示该切断后的保护膜13’。

在分割工序中，通过沿着图8C中的箭头I所示的方向扩张(expand)半导体晶圆9及保护膜13’，由此分割沿着该方向被施加了力(拉伸力)的半导体晶圆9及保护膜13’。

◇半导体装置的制造方法

通过上述的制造方法而得到半导体芯片9’后，保持贴附有分割后的保护膜130’的状态(即，作为带保护膜的半导体芯片)将该半导体芯片9’从支撑片10上剥离并进行拾取(省略图示)。

之后，利用与以往的方法相同的方法，将得到的带保护膜的半导体芯片的半导体芯片9’倒装连接于基板的电路面后，制作半导体封装。然后，使用该半导体封装，制作目标半导体装置即可(省略图示)。

实施例

以下，根据具体的实施例，对本发明进行更详细的说明。但是，本发明并不限定于以下所示的实施例。

以下示出保护膜形成用组合物的制备中使用的成分。

·能量射线固化性成分

(a2)-1：三环癸烷二羟甲基二丙烯酸酯(Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造的“KAYARAD R-684”，双官能紫外线固化性化合物，分子量304)

·不具有能量射线固化性基团的聚合物

(b)-1：将丙烯酸丁酯(以下，简写作“BA”)(10质量份)、丙烯酸甲酯(以下，简写作“MA”)(70质量份)、甲基丙烯酸缩水甘油酯(以下，简写作“GMA”)(5质量份)及丙烯酸2-羟基乙酯(以下，简写作“HEA”)(15质量份)共聚而成的丙烯酸类聚合物(重均分子量300000、玻璃化转变温度-1℃)。

·光聚合引发剂

(c)-1：2-(二甲基氨基)-1-(4-吗啉苯基)-2-苄基-1-丁酮(BASF公司制造的“Irgacure(注册商标)369”)

(c)-2：1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮1-(O-乙酰肟)(BASF公司制造的“Irgacure(注册商标)OXE02”)

·填充材料

(d)-1：二氧化硅填料(熔融石英填料，平均粒径8μm)

·偶联剂

(e)-1：3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造的“KBM-503”，硅烷偶联剂)

·着色剂

(g)-1：将酞菁类蓝色色素(Pigment Blue 15:3)32质量份、异吲哚啉酮类黄色色素(Pigment Yellow 139)18质量份、及蒽醌类红色色素(Pigment Red 177)50质量份混合，以使所述三种色素的合计量/苯乙烯丙烯酸树脂量＝1/3(质量比)的方式进行颜料化而得到的颜料。

(g)-2：碳黑(Mitsubishi Chemical Analytech Co.,Ltd.制造的“#MA650”，平均粒径28nm)

[实施例1]

＜保护膜形成用复合片的制造＞

(保护膜形成用组合物(IV-1)的制备)

以使能量射线固化性成分(a2)-1、聚合物(b)-1、光聚合引发剂(c)-1、光聚合引发剂(c)-2、填充材料(d)-1、偶联剂(e)-1及着色剂(g)-1的含量(固体成分，质量份)成为表1所示的值的方式，将它们溶解或分散于甲基乙基酮中，并于23℃进行搅拌，由此制备了固体成分浓度为50质量％的保护膜形成用组合物(IV-1)。另外，表1中的含有成分一栏中的“-”的记载表示保护膜形成用组合物(IV-1)不含有该成分。

(粘着剂组合物(I-4)的制备)

制备了含有丙烯酸类聚合物(100质量份、固体成分)、及三官能苯二亚甲基二异氰酸酯类交联剂(MITSUI CHEMICALS POLYURETHANES，INC.制造的“TAKENATE D110N”)(10.7质量份、固体成分)、并进一步含有甲基乙基酮作为溶剂的、固体成分浓度为30质量％的非能量射线固化性的粘着剂组合物(I-4)。所述丙烯酸类聚合物为将丙烯酸2-乙基己酯(以下，简写作“2EHA”)(36质量份)、BA(59质量份)、及HEA(5质量份)共聚而成的重均分子量为600000的丙烯酸类聚合物。

(支撑片的制造)

将上述得到的粘着剂组合物(I-4)涂布在利用硅酮处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜(Lintec Corporation.制造的“SP-PET381031”，厚度38μm)的所述剥离处理面上，并于120℃加热干燥2分钟，由此形成了厚度10μm的非能量射线固化性的粘着剂层。

接着，将作为基材的聚氯乙烯类膜(杨氏模量280MPa，厚度80μm)贴合在该粘着剂层的露出面上，由此得到了在所述基材的一个表面上具备所述粘着剂层的支撑片(10)-1。

(保护膜形成用复合片的制造)

利用刮刀涂布机将上述得到的保护膜形成用组合物(IV-1)涂布在利用硅酮处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜(Lintec Corporation.制造的“SP-PET381031”，厚度38μm)的所述剥离处理面上，并于100℃干燥2分钟，由此制作了厚度25μm的能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)-1。

接着，将剥离膜从上述得到的支撑片(10)-1的粘着剂层上去除，将上述得到的保护膜形成用膜(13)-1的露出面贴合在该粘着剂层的露出面上，制作了将基材、粘着剂层、保护膜形成用膜(13)-1及剥离膜沿它们的厚度方向依次层叠而成的保护膜形成用复合片。将所得到的保护膜形成用复合片的构成示于表2。

＜保护膜形成用膜及保护膜的评价＞

(保护膜形成用膜的激光透过率)

使用分光光度计(Shimadzu Corporation制造的“UV-VIS-NIRSPECTROPHOTOMETER UV-3600”)，对上述得到的保护膜形成用膜(13)-1测定了透过率(1342nm)及透过率(1250nm)。测定中，使用附属的大形样品室MPC-3100，不使用内置的积分球进行了测定。将结果示于表2。另外，在表2中，评价结果一栏中的“-”的记载表示该项目为未评价。

(半导体晶圆的分割性)

使上述得到的保护膜形成用复合片通过其保护膜形成用膜(13)-1贴附在8英寸硅晶圆(厚度300μm)的#2000研磨面上，进一步将该片固定在环形框架上，静置30分钟。

然后，使用紫外线照射装置(Lintec Corporation制造的“RAD2000m/8”)，在照度195mW/cm²、光量170mJ/cm²的条件下，从支撑片(10)-1侧对保护膜形成用膜(13)-1照射紫外线，由此使保护膜形成用膜(13)-1固化，制作了保护膜。

接着，以能够透过保护膜形成用复合片对该贴附有保护膜形成用膜(13)-1成为了保护膜的保护膜形成用复合片、并固定在环形框架上的硅晶圆照射激光的方式，将这些硅晶圆及环形框架一边调节位置一边设置在激光锯(DISCO Corporation制造的“DFL7361”)上。

接着，以聚焦于设定在硅晶圆的内部的焦点的方式，透过保护膜形成用复合片照射波长为1342nm的激光，在硅晶圆的内部形成了改性层。

接着，将硅晶圆、保护膜形成用复合片、环形框架设置在分割机(DISCOCorporation制造的“DDS2300”)上，通过将硅晶圆与保护膜形成用复合片在它们的表面方向(沿着表面的方向)扩张，由此将硅晶圆与保护膜一同分割，得到了大小为3mm×3mm的硅芯片。

接着，目视观察硅晶圆的分割状态，将硅晶圆与保护膜一同在所有目标位置上完全被分割时的分割性判定为“A”，将在目标位置的至少一部分上硅晶圆未被分割时的分割性判定为“B”。将结果示于表2。

(保护膜的激光透过率)

以与上述保护膜形成用膜的情况相同的方法，测定上述得到的保护膜的保护膜透过率(1342nm)及保护膜透过率(1250nm)。将结果示于表2。

(半导体芯片的红外线检查性)

透过分割后的保护膜对上述得到的硅芯片照射波长为1250nm的激光，进行检查，在可确认硅芯片有无异常时，将红外线检查性判定为“A”，在不能确认硅芯片有无异常时，将红外线检查性判定为“B”。将结果示于表2。

(保护膜的固化度)

对于上述得到的分割后的保护膜的分割面，使用傅里叶变换红外分光装置(Perkin Elmer公司制造的“Spectrum One”)确认了是否存在能量射线固化性成分所特有的波数1410cm^-1的峰。并且，将无峰的情况视为保护膜充分固化，将固化度判定为“A”，将有峰的情况视为保护膜未充分固化，将固化度判定为“B”。将结果示于表2。

＜保护膜形成用复合片的制造、以及保护膜形成用膜及保护膜的评价＞

[实施例2]

如表2所示地设定了制备保护膜形成用组合物(IV-1)时的掺合成分的量，并制作了厚度为25μm的能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)-2来代替保护膜形成用膜(13)-1，除这些点以外，以与实施例1相同的方法制造保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片，评价了保护膜形成用膜及保护膜。将结果示于表2。

[参考例1]

＜保护膜形成用复合片的制造＞

以与实施例1相同的方法，制造了保护膜形成用复合片。

＜保护膜形成用膜及保护膜的评价＞

(半导体晶圆的分割性)

将上述得到的保护膜形成用复合片通过其保护膜形成用膜(13)-1贴附在8英寸硅晶圆(厚度300μm)的#2000研磨面上，并将该片固定在环形框架上，静置30分钟。

接着，使用划片机(DISCO Corporation制造的“DFD651”)，将硅晶圆与保护膜形成用膜(13)-1一同切割并分割，得到大小为3mm×3mm的硅芯片。

接着，目视观察硅晶圆的分割状态，将硅晶圆与保护膜形成用膜(13)-1一同在所有目标位置上完全被分割时的分割性判定为“A”，将在目标位置的至少一部分上硅晶圆未被分割时的分割性判定为“B”。将结果示于表2。

(半导体芯片的红外线检查性)

在如上所述地得到硅芯片后，使用紫外线照射装置(Lintec Corporation制造的“RAD2000m/8”)，在照度195mW/cm²、光量170mJ/cm²的条件下，从支撑片(10)-1侧对分割后的保护膜形成用膜(13)-1照射紫外线，由此固化保护膜形成用膜(13)-1，制成了保护膜。

接着，以与实施例1相同的方法，对得到的硅芯片的红外线检查性进行了评价。将结果示于表2。

(保护膜的固化度)

对于上述得到的分割后的保护膜的分割面，确认了有无波数1410cm^-1的峰，以与实施例1相同的方法评价了保护膜的固化度。将结果示于表2。

[参考例2]

除了制作了厚度为25μm的能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)-2来代替保护膜形成用膜(13)-1这一点以外，以与参考例1相同的方法制造保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片，评价了保护膜形成用膜及保护膜。将结果示于表2。

[比较例1]

如表2所示地设定了制备保护膜形成用组合物(IV-1)时的掺合成分的量，并制作了厚度为25μm的能量射线固化性的保护膜形成用膜(93)-1来代替保护膜形成用膜(13)-1，除这些点以外，以与实施例1相同的方法制造保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片，评价了保护膜形成用膜及保护膜。将结果示于表2。

[比较例2]

除了制作了厚度为25μm的能量射线固化性的保护膜形成用膜(93)-1来代替保护膜形成用膜(13)-1这一点以外，以与参考例1相同的方法制造保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片，评价了保护膜形成用膜及保护膜。将结果示于表2。

[比较例3]

如表2所示地设定了制备保护膜形成用组合物(IV-1)时的掺合成分的量，制作了厚度为25μm的能量射线固化性的保护膜形成用膜(93)-2来代替保护膜形成用膜(13)-1，除这些点以外，以与实施例1相同的方法制造保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片，评价了保护膜形成用膜及保护膜。将结果示于表2。

[表1]

[表2]

由上述结果明确可知，在实施例1～2中，保护膜形成用膜的透过率(1342nm)为60％，通过在硅晶圆上形成改性层，良好地分割了硅晶圆。此外，保护膜形成用膜的透过率(1250nm)为50％，硅芯片的红外线检查性也良好。而且，在保护膜的分割面未确认到波数1410cm^-1的峰，保护膜充分地进行了固化。

对此，在参考例1～2中，虽然使用了与实施例1～2相同的保护膜形成用组合物，但在固化保护膜形成用膜前进行了刀片切割，其结果，由于在照射紫外线时保护膜形成用膜的分割面暴露在氧气中的影响，保护膜的分割面未充分地进行固化。认为在这些参考例中得到的带保护膜的硅芯片在拾取、基于保护膜带的保护效果、收纳等方面无法抑制不良情况的产生。

在比较例1中，由于保护膜形成用膜的透过率(1342nm)低，因此未能在硅晶圆上充分地形成改性层，其结果，残留了许多无法分割的硅晶圆。如此，由于在本比较例中硅晶圆的分割性大幅地变差，因此未能进行对硅芯片的红外线检查性的评价，但由于保护膜形成用膜的透过率(1250nm)低，因此认为硅芯片的红外线检查性也不良。

在比较例2中，由于在硅晶圆的分割中采用了刀片切割，因此未受到由保护膜形成用膜的透过率(1342nm)低带来的影响，但由于保护膜形成用膜的透过率(1250nm)低，因此硅芯片的红外线检查性不良。此外，与参考例1的情况相同，在固化保护膜形成用膜前进行了刀片切割，其结果，保护膜的分割面未充分地进行固化。

在比较例3中，保护膜形成用膜的透过率(1342nm)较比较例1更低，因此未能在硅晶圆上充分地形成改性层，其结果，残留的无法分割的硅晶圆较比较例1的情况更多。本比较例与比较例1相同，未对硅芯片的红外线检查性进行评价，但由于保护膜形成用膜的透过率(1250nm)显著较低，因此认为硅芯片的红外线检查性也极度不良。

工业实用性

本发明可利用于半导体装置的制造中。

附图标记说明

1A、1B、1C、1D、1E：保护膜形成用复合片；10：支撑片；10a：支撑片的表面；11：基材；11a：基材的表面；12：粘着剂层；12a：粘着剂层的表面；13、23：保护膜形成用膜；13a、23a：保护膜形成用膜的表面(一个表面)；13b：保护膜形成用膜的表面(另一个表面)；13’：保护膜；130’：切断后的保护膜；15：剥离膜；151：第一剥离膜；152：第二剥离膜；16：夹具用粘合剂层；16a：夹具用粘合剂层的表面；9：半导体晶圆；9b：半导体晶圆的背面；91：半导体晶圆的改性层；9’：半导体芯片。

Claims

1.一种保护膜形成用膜，其为具有能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，

所述保护膜形成用膜同时满足下述条件(1)及(2)：

(1)波长为1342nm的激光的透过率为45％以上；

(2)波长为1250nm的激光的透过率为35％以上，

所述保护膜形成用膜单独含有能量射线固化性成分(a)、或者含有能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，

所述保护膜形成用膜的所述能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的合计含量为5～90质量％。

2.一种保护膜形成用复合片，其通过具备支撑片、并在所述支撑片上具备权利要求1所述的保护膜形成用膜而成。

3.一种半导体芯片的制造方法，其具有以下工序：

将权利要求1所述的保护膜形成用膜、或权利要求2所述的保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜贴附在半导体晶圆上的工序；

对贴附在所述半导体晶圆上的所述保护膜形成用膜照射能量射线，在所述半导体晶圆上形成保护膜的工序；

以聚焦于设定在所述半导体晶圆的内部的焦点的方式，透过所述保护膜或保护膜形成用膜照射红外区域的激光，在所述半导体晶圆的内部形成改性层的工序；

通过对形成有所述改性层的所述半导体晶圆施加力，在所述改性层的部位分割所述半导体晶圆，得到多个半导体芯片的工序。