JP6902530B2 - 保護膜形成用複合シート及び保護膜付き半導体チップの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents

保護膜形成用複合シート及び保護膜付き半導体チップの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6902530B2
JP6902530B2 JP2018514592A JP2018514592A JP6902530B2 JP 6902530 B2 JP6902530 B2 JP 6902530B2 JP 2018514592 A JP2018514592 A JP 2018514592A JP 2018514592 A JP2018514592 A JP 2018514592A JP 6902530 B2 JP6902530 B2 JP 6902530B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
protective film
forming
film
meth
sensitive adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018514592A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2017188197A1 (ja
Inventor
力也 小橋
力也 小橋
洋一 稲男
洋一 稲男
裕之 米山
裕之 米山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Publication of JPWO2017188197A1 publication Critical patent/JPWO2017188197A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6902530B2 publication Critical patent/JP6902530B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

本発明は、保護膜付き半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。
本願は、2016年4月28日に、日本に出願された特願2016−092012号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
近年、いわゆるフェースダウン(face down)方式と呼ばれる実装法を適用した半導体装置の製造が行われている。フェースダウン方式においては、回路面上にバンプ等の電極を有する半導体チップが用いられ、前記電極が基板と接合される。このため、半導体チップの回路面とは反対側の裏面は剥き出しとなることがある。
この剥き出しとなった半導体チップの裏面には、保護膜として、有機材料を含有する樹脂膜が形成され、保護膜付き半導体チップとして半導体装置に取り込まれることがある。
保護膜は、ダイシング工程やパッケージングの後に、半導体チップにおいてクラックが発生するのを防止するために利用される。
このような保護膜を形成するためには、例えば、支持シート上に保護膜を形成するための保護膜形成用フィルムを備えてなる保護膜形成用複合シートが使用される。保護膜形成用複合シートにおいては、保護膜形成用フィルムが硬化によって保護膜を形成することが可能であり、さらに支持シートをダイシングシートとして利用することが可能であって、保護膜形成用フィルムとダイシングシートとが一体化されたものとすることが可能である。
このような保護膜形成用複合シートとしては、例えば、加熱により硬化することで保護膜を形成する熱硬化性の保護膜形成用フィルムを備えたものが、これまでに主に利用されてきた。この場合、例えば、半導体ウエハの裏面(電極形成面とは反対側の面)に熱硬化性の保護膜形成用フィルムによって保護膜形成用複合シートを貼付した後、加熱によって保護膜形成用フィルムを硬化させて保護膜とし、ダイシングによって半導体ウエハを保護膜ごと分割して半導体チップとする。そして、半導体チップをこの保護膜が貼付された状態のまま、支持シートから引き離してピックアップする。なお、保護膜形成用フィルムの硬化とダイシングは、これとは逆の順序で行われることもある。
しかし、熱硬化性の保護膜形成用フィルムの加熱硬化には、通常数時間程度と長時間を要するため、硬化時間の短縮が望まれている。これに対して、紫外線等のエネルギー線の照射により硬化可能な保護膜形成用フィルムを保護膜の形成に用いることが検討されている。例えば、剥離フィルム上に形成されたエネルギー線硬化型保護膜(特許文献1参照)、高硬度でかつ半導体チップに対する密着性に優れた保護膜を形成できるエネルギー線硬化型チップ保護用フィルム(特許文献2参照)が開示されている。
日本国特許第5144433号公報 特開2010−031183号公報
しかし、特許文献1及び2で開示されているエネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルムを用いて保護膜付き半導体チップを製造し、ピックアップする場合、特定の一個の保護膜付き半導体チップをピックアップすることができない、ピックアップ不良を生じることがある。
そこで、本発明は、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルムを用いて保護膜付き半導体チップを製造しピックアップする際、ピックアップ不良を抑制することのできる、保護膜付き半導体チップ及び半導体装置の製造方法、並びにそれらの製造方法に用いることのできる保護膜形成用複合シートを提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明者らが鋭意検討をした結果、次の事象を発見した。すなわち、従来、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルムを用いて保護膜付き半導体チップを製造する際、保護膜形成用フィルムに半導体ウエハを貼付すると、その保護膜形成用フィルムには、その半導体ウエハが貼付されない領域が、半導体ウエハの外周よりも半導体ウエハから遠い領域(すなわち、保護膜形成用フィルムにおける半導体ウエハが貼付された領域の外側)に生じる。ところが、エネルギー線を照射して保護膜形成用フィルムを硬化させる際、その保護膜形成用フィルムの半導体ウエハが貼付された領域と、その半導体ウエハの外周の、その半導体ウエハが貼付されない領域との、両方の領域に対して、エネルギー線を照射して保護膜形成用フィルムを硬化させている。そして、本発明者らは、その半導体ウエハの外周よりも半導体ウエハから遠い領域の保護膜形成用フィルム(すなわち、保護膜形成用フィルムにおける半導体ウエハが貼付された領域の外側の領域)を含めて硬化してしまうことが、エキスパンド不良を生じさせ、ピックアップ不良に繋がっていることを発見した。
本発明の保護膜形成用複合シートは、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルムを支持シート上に備えてなり、前記支持シートが周縁部近傍の領域に遮光層を有する。
本発明の保護膜形成用複合シートにおいては、前記遮光層が印刷層からなるものであってもよい。
本発明の一の態様の保護膜付き半導体チップの製造方法は、支持シート、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルム及び半導体ウエハをこの順に備えた積層体の、前記半導体ウエハをダイシングし、次いで、前記保護膜形成用フィルムの周縁部近傍の領域を除く前記保護膜形成用フィルムのうち前記半導体ウエハの貼着領域部分にエネルギー線を照射して前記支持シート上に保護膜付き半導体チップを形成し、前記保護膜付き半導体チップをピックアップする。
本発明の他の態様の保護膜付き半導体チップの製造方法は、支持シート、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルム及び半導体ウエハをこの順に備えた積層体を準備し、前記保護膜形成用フィルムの周縁部近傍の領域を除く前記保護膜形成用フィルムのうち前記半導体ウエハの貼着領域部分にエネルギー線を照射した後、前記半導体ウエハをダイシングして前記支持シート上に保護膜付き半導体チップ形成し、前記保護膜付き半導体チップをピックアップする。
本発明の保護膜付き半導体チップの製造方法においては、前記支持シートが周縁部近傍の領域に遮光層を有するものであってもよい。
本発明の保護膜付き半導体チップの製造方法においては、前記保護膜形成用フィルムの周縁部近傍の領域を除く前記半導体ウエハの貼着領域部分に、遮蔽板を介して、エネルギー線を照射するものであってもよい。
本発明の半導体装置の製造方法は、上記のいずれかに記載の方法により得られた保護膜付き半導体チップを基板に接続する。
すなわち、本発明は以下の態様を含む。
[1]エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルムを支持シート上に備えてなり、前記支持シートが周縁部近傍の領域に遮光層を有する、保護膜形成用複合シート。
[2]前記遮光層が印刷層からなる、[1]に記載の保護膜形成用複合シート。
[3]支持シート、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルム及び半導体ウエハをこの順に備えた積層体の、前記半導体ウエハと前記保護膜形成用フィルムをダイシングすること、
前記ダイシングされた保護膜形成用フィルムにおける周縁部近傍の領域を除く前記半導体ウエハの貼着領域部分にエネルギー線を照射することによって前記支持シート上に保護膜付き半導体チップを形成すること、及び
前記保護膜付き半導体チップをピックアップすること、
を含む、保護膜付き半導体チップの製造方法。
[4]支持シート、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルム及び半導体ウエハをこの順に備えた積層体の、前記保護膜形成用フィルムにおける周縁部近傍の領域を除く前記半導体ウエハの貼着領域部分にエネルギー線を照射すること、
前記エネルギー線照射後、前記半導体ウエハをダイシングして前記支持シート上に保護膜付き半導体チップ形成すること、及び
前記保護膜付き半導体チップをピックアップすること、
を含む、保護膜付き半導体チップの製造方法。
[5]前記支持シートが周縁部近傍の領域に遮光層を有する、[3]又は[4]に記載の保護膜付き半導体チップの製造方法。
[6]前記保護膜形成用フィルムの周縁部近傍の領域を除く前記半導体ウエハの貼着領域部分に、遮蔽板を介して、エネルギー線を照射することを含む、[3]又は[4]に記載の保護膜付き半導体チップの製造方法。
[7][3]〜[6]〜6のいずれか1つに記載の方法により得られた保護膜付き半導体チップを基板に接続することを含む、半導体装置の製造方法。
本発明によれば、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルムを用いて保護膜付き半導体チップを製造しピックアップする際、ピックアップ不良を抑制することのできる、保護膜付き半導体チップ及び半導体装置の製造方法、並びにそれらの製造方法に用いることのできる保護膜形成用複合シートが提供される。
本発明の保護膜形成用複合シートの一実施形態を模式的に示す断面図である。 図1の保護膜形成用複合シートの裏面を示す。 本発明の保護膜形成用複合シートの他の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の保護膜形成用複合シートのさらに他の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の保護膜形成用複合シートのさらに他の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の保護膜形成用複合シートのさらに他の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の保護膜付き半導体チップの製造方法に用いることのできる保護膜形成用シートの一実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の保護膜付き半導体チップの製造方法の一実施形態を示す概略図である。 本発明の保護膜付き半導体チップの製造方法の他の実施形態を示す概略図である。
◇保護膜形成用複合シート
本発明の保護膜形成用複合シートは、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルムを支持シート上に備えてなり、前記支持シートは前記支持シートの周縁部近傍の領域に遮光層を有する。
なお、本明細書において、「保護膜形成用フィルム」とは硬化前のものを意味し、「保護膜」とは、保護膜形成用フィルムを硬化させたものを意味する。
本明細書において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味し、その例として、紫外線、放射線、電子線等が挙げられる。
紫外線は、例えば、紫外線源として高圧水銀ランプ、ヒュージョンHランプ、キセノンランプ、ブラックライト又はLEDランプ等で照射できる。電子線は、電子線加速器等によって発生させたものを照射できる。
本明細書において、「エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射することにより硬化する性質を意味し、「非エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射しても硬化しない性質を意味する。
前記保護膜形成用フィルムは、エネルギー線の照射によって硬化し、保護膜となる。この保護膜は、半導体ウエハ又は半導体チップの裏面(電極形成面とは反対側の面)を保護するためのものである。保護膜形成用フィルムは、軟質であり、貼付対象物に容易に貼付できる。例えば、保護膜形成用フィルムの引張弾性率(ヤング率)は1×10〜1×10Pa程度である。
これに対して、保護膜形成用フィルムにエネルギー線を照射して得られる保護膜の引張弾性率(ヤング率)は、1×10〜5.4×10Pa程度まで硬くなる。
本発明の保護膜形成用フィルムにエネルギー線を照射して得られた保護膜の引張弾性率(ヤング率)は、1×10Pa以上であり、1.3×10Pa以上であることが好ましく、1.6×10Pa以上であることがより好ましく、1.9×10Pa以上であることが特に好ましい。前記保護膜の引張弾性率が前記下限値以上であることで、保護膜におけるピンによる突き上げ痕の残存抑制効果が高くなる。
一方、前記保護膜の引張弾性率の上限値は、特に限定されないが、例えば、6×10Pa、5.7×10Pa、及び5.4×10Paのいずれかとすることができる。
すなわち、前記保護膜の引張弾性率の1つの側面としては、1×10〜6×10Paであり、1.3×10〜5.7×10Paが好ましく、1.6×10〜5.7×10Paがより好ましく、1.9×10〜5.4×10Paが特に好ましい。
なお、保護膜形成用フィルム及び保護膜の引張弾性率(ヤング率)は後述の実施例に記載の方法で測定することができる。
本発明の保護膜形成用複合シートは、後述する保護膜付き半導体チップの製造方法において、半導体ウエハに貼付されて、支持シート、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルム及び半導体ウエハをこの順に備えた積層体を準備する際に用いられ、(1)前記半導体ウエハをダイシングし、次いで、前記保護膜形成用フィルムの周縁部近傍の領域を除く前記半導体ウエハの貼着領域部分にエネルギー線を照射するか、又は、(2)エネルギー線を照射した後、前記半導体ウエハをダイシングして前記支持シート上に保護膜付き半導体チップ形成し、前記積層体をエキスパンドするとともに、前記保護膜付き半導体チップをピックアップする。
このとき、保護膜形成用フィルムには、前記半導体ウエハが貼付された領域と、前記半導体ウエハの外周よりも半導体ウエハから遠い領域の、前記半導体ウエハが貼付されない領域(例えば、保護膜形成用フィルムにおける、半導体ウエハが貼付された領域の外側の領域)とが生じる。本発明の保護膜形成用複合シートは、前記支持シートが、前記支持シートの周縁部近傍の領域、好ましくは前記支持シートの周縁部近傍の全部の領域、に遮光層を有する。そのため、エネルギー線を照射して保護膜形成用フィルムを硬化させる際、その保護膜形成用フィルムにおいて、半導体ウエハが貼付された領域では、エネルギー線が照射されて前記領域が良好に硬化する。これに対して、保護膜形成用フィルムにおいて、半導体ウエハの外周(周囲)の、その半導体ウエハが貼付されない領域であって、前記支持シートの周縁部近傍の領域(例えば、保護膜形成用フィルムに半導体ウエハを貼付したとき、保護膜形成用フィルムにおける半導体ウエハが貼付された領域の外側の領域であり、かつ支持シートの周縁部近傍の領域が積層されている領域)では、エネルギー線が遮蔽されて、硬化されない領域が生じる。
そうすると、保護膜形成用フィルムの全体にエネルギー線が照射されて、保護膜形成用フィルムの全体が硬化する場合に比べて、保護膜形成用フィルムにおける半導体ウエハが貼付されない領域において硬化されない領域があることによって、前記積層体をエキスパンドした際に、エキスパンドの作用が半導体ウエハの貼付されている領域に満遍なく伝わり、カーフ幅もより良好に拡げることができ、ピックアップ性を改善することができる。
なお、ここでいう「外周」とは、半導体ウエハの周囲の領域を意味する。
すなわち、本発明の保護膜形成用複合シートは、良好なピックアップ適性を有し、例えば、目的とする半導体チップを高選択的にピックアップできる。また、このとき半導体チップの割れ及び欠けが抑制される。
また、本発明の保護膜形成用複合シートでは、前記保護膜形成用フィルムがエネルギー線硬化性であることにより、熱硬化性の保護膜形成用フィルムを備えた従来の保護膜形成用複合シートの場合よりも、短時間での硬化によって保護膜を形成できる。
前記積層体の、支持シートと前記保護膜形成用フィルムとの間の粘着力は、100mN/25mm以上であることが好ましく、150mN/25mm以上であることがより好ましく、220mN/25mm以上であることが特に好ましく、また、10000mN/25mm以下であることが好ましく、8000mN/25mm以下であることがより好ましく、7000mN/25mm以下であることが特に好ましい。下限値以上に調整することにより、ダイシング時においてシリコンチップの飛散が抑制され、保護膜形成用フィルムと支持シートとの間への切削水の侵入も防ぐことができる。また、上限値以下に調整することにより、その後、エネルギー線照射により硬化させて保護膜としたときの、前記保護膜と前記支持シートとの間の粘着力を適切に調整し易くすることができる。
すなわち、1つの側面として、前記積層体の、支持シートと前記保護膜形成用フィルムとの間の粘着力は、100〜10000mN/25mmであることが好ましく、150〜8000mN/25mmであることがより好ましく、220〜7000mN/25mm以下であることが特に好ましい。
前記保護膜形成用フィルムは、エネルギー線の照射によって硬化し、保護膜となる。この保護膜は、半導体ウエハ又は半導体チップの裏面(電極形成面とは反対側の面)を保護するためのものである。保護膜形成用フィルムは、軟質であり、貼付対象物に容易に貼付できる。そして、前記保護膜形成用フィルムにエネルギー線を照射して保護膜としたとき、前記保護膜と前記支持シートとの間の粘着力は、50〜1500mN/25mmであることが好ましく、52〜1450mN/25mmであることがより好ましく、53〜1430mN/25mmであることが特に好ましい。前記粘着力が前記下限値以上であることで、保護膜付き半導体チップのピックアップ時に、目的外の保護膜付き半導体チップのピックアップが抑制され、目的とする保護膜付き半導体チップを高選択的にピックアップできる。また、前記粘着力が前記上限値以下であることで、保護膜付き半導体チップのピックアップ時に、半導体チップの割れ及び欠けが抑制される。このように、前記粘着力が特定の範囲内であることで、保護膜形成用複合シートは、良好なピックアップ適性を有する。
また、本発明に用いることのできる保護膜形成用複合シートでは、前記保護膜形成用フィルムがエネルギー線硬化性であることにより、熱硬化性の保護膜形成用フィルムを備えた従来の保護膜形成用複合シートの場合よりも、短時間での硬化によって保護膜を形成できる。
本発明の保護膜形成用複合シートの使用対象である半導体ウエハ又は半導体チップの厚さは、特に限定されないが、本発明の効果がより顕著に得られることから、30〜1000μmであることが好ましく、100〜300μmであることがより好ましい。
なお、本明細書において「厚さ」とは、任意の5箇所で、接触式厚み計で厚さを測定した平均で表される値を意味する。
以下、本発明の構成について、詳細に説明する。
◎支持シート
前記支持シートは、周縁部近傍の領域に遮光層を有する。ここで、「遮光層」とは、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルムにエネルギー線を照射して保護膜形成用フィルムを硬化させる際に、このエネルギー線を遮蔽する層を云う。遮光層は、保護膜形成用フィルムを硬化させる、紫外線、X線、電子線等のエネルギー線の遮蔽機能を有するものであれば限定はされないが、エネルギー線、特に、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルム中の光重合開始剤を活性化可能なエネルギー線の透過を完全に遮るものが、最も好適であるが、このエネルギー線の透過率を50%以下にすることができるものならば好適であり、10%以下にすることができるものはより好適である。
すなわち、遮光層とは、1つの側面として、エネルギー線の透過率が50%以下、好ましくは10%以下、特に好ましくは0%である層を意味する。
遮光層としては、半導体ウエハの大きさに合わせて、内側が円形にくり抜かれた形状であることが好ましい。くり抜かれた円形の径(直径)は、半導体ウエハの外径の95〜140%が好ましく、98〜135%がより好ましく、100〜130%が特に好ましい。遮光層の形状としては、リング状であってもよい。 前記遮光層は、前記支持シートの周縁部近傍の領域にある層であって、前記保護膜形成用フィルムにエネルギー線を照射する際に、前記保護膜形成用フィルムの周縁部近傍の領域を遮蔽して、前記保護膜形成用フィルムのうち前記半導体ウエハの貼着領域部分にエネルギー線を照射するためのものである。前記遮光層の内側が円形にくり抜かれた形状であるとき、そのくり抜かれた円形の径を半導体ウエハの外径の95%以上とするのは、半導体ウエハの外周近傍が少し前記遮光層によって遮られたとしても、半導体ウエハの端部の不要チップ(すなわち、三角チップ)がピックアップできないだけで、問題とならないときがあるからである。
前記エネルギー線の遮蔽機能を有する材料としては、光重合開始剤の種類に応じて適宜選択することが好ましい。具体的には、前記エネルギー線の遮蔽機能を有する材料としては、特に限定されないが、例えば、CeO、TiO、ZnO、Fe、V、PbO等の紫外線吸収性を有する無機物を含有するインキや、アルミ蒸着PETフィルム(アルミニウム蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルム) 等が挙げられる。
前記遮光層が印刷層からなるものであってもよい。印刷法としては特に限定されず、例えば、凸版式印刷法、平版式印刷法、凹版印刷法、孔版印刷法が挙げられる。印刷層の厚さは特に限定されないが、通常50μm以下であり、0.05〜50μmであってもよく、好ましくは0.05〜10μm、さらに好ましくは0.1〜2μm程度である。
すなわち、前記印刷層としては、1つの側面として、CeO、TiO、ZnO、Fe、V、PbO等の紫外線吸収性を有する無機物を含有するインキを含み、印刷法により形成された層が挙げられる。
前記「支持シートの周縁部近傍の領域」とは、保護膜形成用フィルムに半導体ウエハを貼付したとき、保護膜形成用複合シートを上方から見下ろして平面視した前記保護膜形成用フィルムにおける、半導体ウエハの外周(周囲)の、その半導体ウエハが貼付されない領域であって、かつエネルギー線が遮蔽されて硬化されない領域、と一致する支持シートにおける領域を意味する。
別の側面として、前記「支持シートの周縁部近傍の領域」とは、保護膜形成用フィルムに半導体ウエハを貼付したとき、前記支持シートにおける、前記半導体ウエハの形状に合わせた領域(例えば、前記半導体ウエハの大きさにあわせた円形領域)を除いた領域、を意味する。
なお「外径」とは、物体の外側から接する二本の平行線の間の距離の最大値として定義される。すなわち、「半導体ウエハの外径」とは、半導体ウエハを平面に載置したとき、前記半導体ウエハ上面と接する二本の平行線の間の距離の最大値を意味する。半導体ウエハの外径は、ノギス等で測定することができる。
また、本明細書において、「保護膜形成用フィルムの周縁部近傍の領域」とは、保護膜形成用フィルムに半導体ウエハを貼付したとき、前記保護膜形成用フィルムにおける、前記半導体ウエハの外周(周囲)の、半導体ウエハが貼付されない領域を意味する。
前記支持シートは、1層(単層)からなるものでもよいし、2層以上の複数層からなるものでもよい。支持シートが複数層からなる場合、これら複数層の構成材料及び厚さは、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。
なお、本明細書においては、支持シートの場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。
好ましい支持シートとしては、例えば、基材上に粘着剤層が直接接触して積層されてなるもの、基材上に中間層を介して粘着剤層が積層されてなるもの、基材のみからなるもの等が挙げられる。
本発明の保護膜形成用複合シートの例を、このような支持シートの種類ごとに、以下、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
図1は、本発明の保護膜形成用複合シートの一実施形態を模式的に示す断面図である。
図2は、図1の保護膜形成用複合シートの裏面を示す。
ここに示す保護膜形成用複合シート1Aは、基材11と粘着剤層12と遮光層24との積層体である支持シート10の一方の表面10a上に保護膜形成用フィルム13が積層された構成を有する。
具体的には、保護膜形成用複合シート1Aは、基材11上に粘着剤層12を備え、粘着剤層12上に保護膜形成用フィルム13を備え、基材11の下部(すなわち、基材11における粘着剤層12が備えられている側とは反対側の面上)であって、前記支持シート10の周縁部近傍の領域には、リング状の印刷層からなる遮光層24を備えている。また、保護膜形成用複合シート1Aは、さらに保護膜形成用フィルム13上に剥離フィルム15を備えている。
図1、図2の保護膜形成用複合シートでは、基材11の下部(すなわち、基材11Bにおける粘着剤層12が備えられている側とは反対側の面上)にリング状の印刷層からなる遮光層24を備えているが、遮光層24は、基材11及び粘着剤層12の間に設けてもよく、粘着剤層12及び保護膜形成用フィルム13の間にリング状に設けてもよい。
保護膜形成用複合シート1Aにおいては、基材11の一方の表面11aに粘着剤層12が積層され、粘着剤層12の表面12a(すなわち、粘着剤層12における基材11と接する面とは反対側の面)の全面に保護膜形成用フィルム13が積層され、保護膜形成用フィルム13の表面13a(すなわち、保護膜形成用フィルム13における粘着剤層12と接する面とは反対側の面)の一部、すなわち、保護膜形成用フィルム13の周縁部近傍の領域に治具用接着剤層16が積層され、保護膜形成用フィルム13の表面13aのうち、治具用接着剤層16が積層されていない面と、治具用接着剤層16の表面16a(上面、すなわち、治具用接着剤層16における保護膜形成用フィルム13と接する面とは反対側の面、及び治具用接着剤層16の側面)に、剥離フィルム15が積層されている。
保護膜形成用複合シート1Aにおいて、硬化後の保護膜形成用フィルム13(すなわち保護膜)と支持シート10との間の粘着力、換言すると保護膜と粘着剤層12との間の粘着力は、50〜1500mN/25mmであることが好ましい。
治具用接着剤層16は、例えば、接着剤成分を含有する単層構造のものであってもよいし、芯材となるシートの両面に接着剤成分を含有する層が積層された複数層構造のものであってもよい。
図1に示す保護膜形成用複合シート1Aは、剥離フィルム15が取り除かれた状態で、保護膜形成用フィルム13の表面13aに半導体ウエハ(図示略)の裏面が貼付され、さらに、治具用接着剤層16の表面16aのうち上面が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。
図3は、本発明の保護膜形成用複合シートの他の実施形態を模式的に示す断面図である。なお、図3以降の図において、既に説明済みの図に示すものと同じ構成要素には、その説明済みの図の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
ここに示す保護膜形成用複合シート1Bは、治具用接着剤層16を備えていない点以外は、図1及び図2に示す保護膜形成用複合シート1Aと同じものである。すなわち、保護膜形成用複合シート1Bは、基材11と粘着剤層12と遮光層24との積層体である支持シート10の一方の表面10a上に保護膜形成用フィルム13が積層された構成である。
具体的には、保護膜形成用複合シート1Bは、基材11の一方の表面11aに粘着剤層12が積層され、粘着剤層12の表面12a(すなわち、粘着剤層12における基材11と接する面とは反対側の面)の全面に保護膜形成用フィルム13が積層され、基材11の下部(すなわち、基材11における粘着剤層12が備えられている側とは反対側の面上)であって、前記支持シート10の周縁部近傍の領域には、リング状の印刷層からなる遮光層24が積層されており、さらに、保護膜形成用フィルム13の表面13aの全面に剥離フィルム15が積層されている。
図3に示す保護膜形成用複合シート1Bは、剥離フィルム15が取り除かれた状態で、保護膜形成用フィルム13の表面13aのうち、中央側の一部の領域に半導体ウエハ(図示略)の裏面が貼付され、さらに、保護膜形成用フィルム13の周縁部近傍の領域が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。
図4は、本発明の保護膜形成用複合シートのさらに他の実施形態を模式的に示す断面図である。
ここに示す保護膜形成用複合シート1Cは、粘着剤層12を備えていない点以外は、図1及び図2に示す保護膜形成用複合シート1Aと同じものである。すなわち、保護膜形成用複合シート1Cにおいては、支持シート10が基材11及び遮光層24のみからなる。
そして、基材11の一方の表面11a(支持シート10の一方の表面10a)に保護膜形成用フィルム13が積層され、基材11の下部(すなわち、基材11における保護膜形成用フィルム13が備えられている側とは反対側の面上)であって、前記支持シート10の周縁部近傍の領域には、リング状の印刷層からなる遮光層24が積層されており、さらに保護膜形成用フィルム13の表面13a(すなわち、保護膜形成用フィルム13の基材11が備えられている側とは反対側の面)の一部、すなわち、保護膜形成用フィルム13の周縁部近傍の領域に治具用接着剤層16が積層され、保護膜形成用フィルム13の表面13aのうち、治具用接着剤層16が積層されていない面と、治具用接着剤層16の表面16a(上面、すなわち、治具用接着剤層16における保護膜形成用フィルム13と接する面とは反対側の面、及び治具用接着剤層16における側面)に、剥離フィルム15が積層されている。
保護膜形成用複合シート1Cにおいて、硬化後の保護膜形成用フィルム13(すなわち保護膜)と支持シート10との間の粘着力、換言すると保護膜と基材11との間の粘着力は、50〜1500mN/25mmであることが好ましい。
図4に示す保護膜形成用複合シート1Cは、図1に示す保護膜形成用複合シート1Aと同様に、剥離フィルム15が取り除かれた状態で、保護膜形成用フィルム13の表面13aに半導体ウエハ(図示略)の裏面が貼付され、さらに、治具用接着剤層16の表面16aのうち上面が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。
図5は、本発明の保護膜形成用複合シートのさらに他の実施形態を模式的に示す断面図である。
ここに示す保護膜形成用複合シート1Dは、治具用接着剤層16を備えていない点以外は、図4に示す保護膜形成用複合シート1Cと同じものである。すなわち、保護膜形成用複合シート1Dにおいては、基材11の一方の表面11aに保護膜形成用フィルム13が積層され、基材11の下部(すなわち、基材11における保護膜形成用フィルム13が備えられている側とは反対側の面上)であって、前記支持シート10の周縁部近傍の領域には、リング状の印刷層からなる遮光層24を備え、保護膜形成用フィルム13の表面13a(すなわち、保護膜形成用フィルム13における基材11が備えられている側とは反対側の面)の全面に剥離フィルム15が積層されている。
図5に示す保護膜形成用複合シート1Dは、図3に示す保護膜形成用複合シート1Bと同様に、剥離フィルム15が取り除かれた状態で、保護膜形成用フィルム13の表面13aのうち、中央側の一部の領域に半導体ウエハ(図示略)の裏面が貼付され、さらに、保護膜形成用フィルム13の周縁部近傍の領域が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。
図6は、本発明の保護膜形成用複合シートのさらに他の実施形態を模式的に示す断面図である。
ここに示す保護膜形成用複合シート1Eは、保護膜形成用フィルムの形状が異なる点以外は、図1に示す保護膜形成用複合シート1Aと同じものである。すなわち、保護膜形成用複合シート1Eは、基材11及び粘着剤層12と遮光層24との積層体である支持シート10の一方の表面10a上に保護膜形成用フィルム23が積層された構成を有する。
具体的には、保護膜形成用複合シート1Eは、基材11上に粘着剤層12を備え、粘着剤層12上に保護膜形成用フィルム23を備え、基材11の下部(すなわち、基材11における粘着剤層12が備えられている側とは反対側の面上)であって、前記支持シート10の周縁部近傍の領域には、リング状の印刷層からなる遮光層24を備えている。また、保護膜形成用複合シート1Eは、さらに保護膜形成用フィルム23上に剥離フィルム15を備えている。
保護膜形成用複合シート1Eにおいては、基材11の一方の表面11aに粘着剤層12が積層され、粘着剤層12の表面12a(すなわち、粘着剤層12における基材11が備えられている側とは反対側の面)の一部、すなわち、表面12aの中央側の領域に保護膜形成用フィルム23が積層されている。そして、そして、粘着剤層12の表面12aのうち、保護膜形成用フィルム23が積層されていない面と、保護膜形成用フィルム23の表面23a(上面、すなわち、保護膜形成用フィルム23における粘着剤層12と接する面とは反対側の面、及び保護膜形成用フィルム23の側面)の上に、剥離フィルム15が積層されている。
保護膜形成用複合シート1Eを上方から見下ろして平面視したときに、保護膜形成用フィルム23は粘着剤層12よりも表面積が小さく、例えば、円形状等の形状を有する。
保護膜形成用複合シート1Eにおいて、硬化後の保護膜形成用フィルム23(すなわち保護膜)と支持シート10との間の粘着力、換言すると保護膜と粘着剤層12との間の粘着力は、50〜1500mN/25mmであることが好ましい。
図6に示す保護膜形成用複合シート1Eは、剥離フィルム15が取り除かれた状態で、保護膜形成用フィルム23の表面23aに半導体ウエハ(図示略)の裏面が貼付され、さらに、粘着剤層12の表面12aのうち、保護膜形成用フィルム23が積層されていない面が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。
なお、図6に示す保護膜形成用複合シート1Eにおいては、粘着剤層12の表面12aのうち、保護膜形成用フィルム23が積層されていない面に、図1及び図4に示すものと同様に治具用接着剤層が積層されていてもよい(図示略)。このような治具用接着剤層を備えた保護膜形成用複合シート1Eは、図1及び図4に示す保護膜形成用複合シートと同様に、治具用接着剤層の表面が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。
このように、本発明の保護膜形成用複合シートは、支持シート及び保護膜形成用フィルムがどのような形態であっても、治具用接着剤層を備えたものであってもよい。ただし、通常は、図1及び図4に示すように、治具用接着剤層を備えた本発明の保護膜形成用複合シートとしては、保護膜形成用フィルム上に治具用接着剤層を備えたものが好ましい。
本発明の保護膜形成用複合シートは、図1〜図6に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図1〜図6に示すものの一部の構成が変更又は削除されたものや、これまでに説明したものにさらに他の構成が追加されたものであってもよい。
例えば、図4及び図5に示す保護膜形成用複合シートにおいては、基材11と保護膜形成用フィルム13との間に、中間層が設けられていてもよい。中間層としては、目的に応じて任意のものを選択できる。
また、図1、図3及び図6に示す保護膜形成用複合シートにおいては、基材11と粘着剤層12との間に中間層が設けられていてもよい。すなわち、本発明の保護膜形成用複合シートにおいて、支持シートは、基材、中間層及び粘着剤層がこの順に積層されてなるものでもよい。ここで中間層とは、図4及び図5に示す保護膜形成用複合シートにおいて設けられていてもよい中間層と同じものである。
また、図1〜図6に示す保護膜形成用複合シートは、前記中間層以外の層が、任意の箇所に設けられていてもよい。
また、本発明の保護膜形成用複合シートにおいては、剥離フィルムと、この剥離フィルムと直接接触している層との間に、一部隙間が生じていてもよい。
また、本発明の保護膜形成用複合シートにおいては、各層の大きさや形状は、目的に応じて任意に調節できる。
本発明の保護膜形成用複合シートにおいては、後述するように、粘着剤層等の、支持シートの保護膜形成用フィルムと直接接触している層が、非エネルギー線硬化性であることが好ましい。このような保護膜形成用複合シートは、保護膜を裏面に備えた半導体チップをより容易にピックアップできる。
支持シートは、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよい。
なかでも、保護膜形成用フィルムがエネルギー線硬化性を有する本発明においては、支持シートはエネルギー線を透過させるものが好ましい。
例えば、支持シートにおいて、波長375nmの光の透過率は30%以上であることが好ましく、50%以上であることがより好ましく、70%以上であることが特に好ましい。前記光の透過率がこのような範囲であることで、支持シートを介して保護膜形成用フィルムにエネルギー線(紫外線)を照射しときに、保護膜形成用フィルムの硬化度がより向上する。
一方、支持シートにおいて、波長375nmの光の透過率の上限値は特に限定されないが、例えば、95%とすることが可能である。
すなわち、1つの側面として、支持シートにおいて、波長375nmの光の透過率は、30〜95%が好ましく、50〜95%がより好ましく、70〜95%が特に好ましい。
また、支持シートにおいて、波長532nmの光の透過率は30%以上であることが好ましく、50%以上であることがより好ましく、70%以上であることが特に好ましい。
前記光の透過率がこのような範囲であることで、支持シートを介して保護膜形成用フィルム又は保護膜にレーザー光を照射して、これらに印字したときに、より明りょうに印字できる。
一方、支持シートにおいて、波長532nmの光の透過率の上限値は特に限定されないが、例えば、95%とすることが可能である。
すなわち、1つの側面として、支持シートにおいて、波長532nmの光の透過率は、30〜95%が好ましく、50〜95%がより好ましく、70〜95%が特に好ましい。
また、支持シートにおいて、波長1064nmの光の透過率は30%以上であることが好ましく、50%以上であることがより好ましく、70%以上であることが特に好ましい。前記光の透過率がこのような範囲であることで、支持シートを介して保護膜形成用フィルム又は保護膜にレーザー光を照射して、これらに印字したときに、より明りょうに印字できる。
一方、支持シートにおいて、波長1064nmの光の透過率の上限値は特に限定されないが、例えば、95%とすることが可能である。
すなわち、1つの側面として、支持シートにおいて、波長1064nmの光の透過率は、30〜95%が好ましく、50〜95%がより好ましく、70〜95%が特に好ましい。
次に、支持シートを構成する各層について、さらに詳細に説明する。
○基材
前記基材は、シート状又はフィルム状であり、その構成材料としては、例えば、各種樹脂が挙げられる。
前記樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン(LDPEと略すことがある)、直鎖低密度ポリエチレン(LLDPEと略すことがある)、高密度ポリエチレン(HDPEと略すことがある)等のポリエチレン;ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ノルボルネン樹脂等のポリエチレン以外のポリオレフィン;エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エチレン−ノルボルネン共重合体等のエチレン系共重合体(モノマーとしてエチレンを用いて得られた共重合体);ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂(モノマーとして塩化ビニルを用いて得られた樹脂);ポリスチレン;ポリシクロオレフィン;ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリエチレン−2,6−ナフタレンジカルボキシレート、すべての構成単位が芳香族環式基を有する全芳香族ポリエステル等のポリエステル;2種以上の前記ポリエステルの共重合体;ポリ(メタ)アクリル酸エステル;ポリウレタン;ポリウレタンアクリレート;ポリイミド;ポリアミド;ポリカーボネート;フッ素樹脂;ポリアセタール;変性ポリフェニレンオキシド;ポリフェニレンスルフィド;ポリスルホン;ポリエーテルケトン等が挙げられる。
また、前記樹脂としては、例えば、前記ポリエステルとそれ以外の樹脂との混合物等のポリマーアロイも挙げられる。前記ポリエステルとそれ以外の樹脂とのポリマーアロイは、ポリエステル以外の樹脂の量が比較的少量であるものが好ましい。
また、前記樹脂としては、例えば、ここまでに例示した前記樹脂の1種又は2種以上が架橋した架橋樹脂;ここまでに例示した前記樹脂の1種又は2種以上を用いたアイオノマー等の変性樹脂も挙げられる。
なお、本明細書において、「(メタ)アクリル酸」とは、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」の両方を包含する概念とする。(メタ)アクリル酸と類似の用語についても同様である。
基材を構成する樹脂は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
基材は1層(単層)からなるものでもよいし、2層以上の複数層からなるものでもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
基材の厚さは、50〜300μmであることが好ましく、60〜100μmであることがより好ましい。基材の厚さがこのような範囲であることで、前記保護膜形成用複合シートの可撓性と、半導体ウエハ又は半導体チップへの貼付性がより向上する。
ここで、「基材の厚さ」とは、基材全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる基材の厚さとは、基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
基材は、厚さの精度が高いもの、すなわち、部位によらず厚さのばらつきが抑制されたものが好ましい。上述の構成材料のうち、このような厚さの精度が高い基材を構成するのに使用可能な材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリエチレン以外のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、エチレン−酢酸ビニル共重合体等が挙げられる。
基材は、前記樹脂等の主たる構成材料以外に、充填材、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、有機滑剤、触媒、軟化剤(可塑剤)等の公知の各種添加剤を含有していてもよい。
基材の光学特性は、先に説明した支持シートの光学特性を満たすようになっていればよい。すなわち、基材は、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよいし、他の層が蒸着されていてもよい。
そして、保護膜形成用フィルムがエネルギー線硬化性を有する本発明においては、基材はエネルギー線を透過させるものが好ましい。
基材は、その上に設けられる粘着剤層等の他の層との密着性を向上させるために、サンドブラスト処理、溶剤処理等による凹凸化処理や、コロナ放電処理、電子線照射処理、プラズマ処理、オゾン・紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理等の酸化処理等が表面に施されたものであってもよい。
また、基材は、表面がプライマー処理を施されたものであってもよい。
また、基材は、帯電防止コート層、保護膜形成用複合シートを重ね合わせて保存する際に、基材が他のシートに接着することや、基材が吸着テーブルに接着することを防止する層等を有するものであってもよい。
これらの中でも基材は、ダイシング時のブレードの摩擦による基材の断片の発生が抑制される点から、特に表面が電子線照射処理を施されたものが好ましい。
基材は、公知の方法で製造できる。例えば、樹脂を含有する基材は、前記樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。
○粘着剤層
前記粘着剤層は、シート状又はフィルム状であり、粘着剤を含有する。
前記粘着剤としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート、エステル系樹脂等の粘着性樹脂が挙げられ、アクリル系樹脂が好ましい。
なお、本明細書において、「粘着性樹脂」とは、粘着性を有する樹脂と、接着性を有する樹脂と、の両方を含む概念であり、例えば、樹脂自体が粘着性を有するものだけでなく、添加剤等の他の成分との併用により粘着性を示す樹脂や、熱又は水等のトリガーの存在によって接着性を示す樹脂等も含む。
粘着剤層は1層(単層)からなるものでもよいし、2層以上の複数層からなるものでもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
粘着剤層の厚さは1〜100μmであることが好ましく、1〜60μmであることがより好ましく、1〜30μmであることが特に好ましい。
ここで、「粘着剤層の厚さ」とは、粘着剤層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる粘着剤層の厚さとは、粘着剤層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
粘着剤層の光学特性は、先に説明した支持シートの光学特性を満たすようになっていればよい。すなわち、粘着剤層は、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよい。
そして、保護膜形成用フィルムがエネルギー線硬化性を有する本発明においては、粘着剤層はエネルギー線を透過させるものが好ましい。
粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤を用いて形成されたものでもよいし、非エネルギー線硬化性粘着剤を用いて形成されたものでもよい。エネルギー線硬化性の粘着剤を用いて形成された粘着剤層は、硬化前及び硬化後での物性を、容易に調節できる。
<<粘着剤組成物>>
粘着剤層は、粘着剤を含有する粘着剤組成物から形成できる。例えば、粘着剤層の形成対象面に粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に粘着剤層を形成できる。粘着剤層のより具体的な形成方法は、他の層の形成方法とともに、後ほど詳細に説明する。粘着剤組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、粘着剤層の前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。なお、本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、15〜25℃の温度等が挙げられる。
粘着剤組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。
粘着剤組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、粘着剤組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましく、この場合、例えば、70〜130℃で10秒間〜5分間の条件で乾燥させることが好ましい。
粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合、エネルギー線硬化性粘着剤を含有する粘着剤組成物、すなわち、エネルギー線硬化性の粘着剤組成物としては、例えば、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I−1a)(以下、「粘着性樹脂(I−1a)」と略記することがある)と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する粘着剤組成物(I−1);非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I−1a)の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I−2a)(以下、「粘着性樹脂(I−2a)」と略記することがある)を含有する粘着剤組成物(I−2);前記粘着性樹脂(I−2a)と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する粘着剤組成物(I−3)等が挙げられる。
<粘着剤組成物(I−1)>
前記粘着剤組成物(I−1)は、上述の様に、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I−1a)と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する。
[粘着性樹脂(I−1a)]
前記粘着性樹脂(I−1a)は、アクリル系樹脂であることが好ましい。
前記アクリル系樹脂としては、例えば、少なくとも(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有するアクリル系重合体が挙げられる。
前記アクリル系樹脂が有する構成単位は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
本明細書において、「由来」とは、重合するために、化学構造が変化することを意味する。
前記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、アルキルエステルを構成するアルキル基の炭素数が1〜20であるのものが挙げられ、前記アルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。
(メタ)アクリル酸アルキルエステルとして、より具体的には、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n−プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸sec−ブチル、(メタ)アクリル酸tert−ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸n−オクチル、(メタ)アクリル酸n−ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル((メタ)アクリル酸ラウリルともいう)、(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル((メタ)アクリル酸ミリスチルともいう)、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル((メタ)アクリル酸パルミチルともいう)、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシル((メタ)アクリル酸ステアリルともいう)、(メタ)アクリル酸ノナデシル、(メタ)アクリル酸イコシル等が挙げられる。
粘着剤層の粘着力が向上する点から、前記アクリル系重合体は、前記アルキル基の炭素数が4以上である(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有することが好ましい。そして、粘着剤層の粘着力がより向上する点から、前記アルキル基の炭素数は、4〜12であることが好ましく、4〜8であることがより好ましい。また、前記アルキル基の炭素数が4以上である(メタ)アクリル酸アルキルエステルは、アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。
前記アクリル系重合体は、(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位以外に、さらに、官能基含有モノマー由来の構成単位を有することが好ましい。
前記官能基含有モノマーとしては、例えば、前記官能基が後述する架橋剤と反応することで架橋の起点となったり、前記官能基が後述する不飽和基含有化合物中の不飽和基と反応することで、アクリル系重合体の側鎖に不飽和基の導入を可能とするものが挙げられる。
官能基含有モノマー中の前記官能基としては、例えば、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。
すなわち、官能基含有モノマーとしては、例えば、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。
前記水酸基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸ヒドロキシメチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル等の(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキル;ビニルアルコール、アリルアルコール等の非(メタ)アクリル系不飽和アルコール(すなわち、(メタ)アクリロイル骨格を有しない不飽和アルコール)等が挙げられる。
前記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸(すなわち、エチレン性不飽和結合を有するモノカルボン酸);フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸(すなわち、エチレン性不飽和結合を有するジカルボン酸);前記エチレン性不飽和ジカルボン酸の無水物;2−カルボキシエチルメタクリレート等の(メタ)アクリル酸カルボキシアルキルエステル等が挙げられる。
官能基含有モノマーは、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマーが好ましく、水酸基含有モノマーがより好ましい。
前記アクリル系重合体を構成する官能基含有モノマーは、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
前記アクリル系重合体において、官能基含有モノマー由来の構成単位の含有量は、前記アクリル系重合体を構成する構成単位の総質量に対して、1〜35質量%であることが好ましく、2〜32質量%であることがより好ましく、3〜30質量%であることが特に好ましい。
前記アクリル系重合体は、(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位、及び官能基含有モノマー由来の構成単位以外に、さらに、他のモノマー由来の構成単位を有していてもよい。
前記他のモノマーは、(メタ)アクリル酸アルキルエステル等と共重合可能なモノマーであれば特に限定されない。
前記他のモノマーとしては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、ギ酸ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリルアミド等が挙げられる。
前記アクリル系重合体を構成する前記他のモノマーは、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
前記アクリル系重合体は、上述の非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I−1a)として使用できる。
一方、前記アクリル系重合体中の官能基に、エネルギー線重合性不飽和基(エネルギー線重合性基ともいう)を有する不飽和基含有化合物を反応させたものは、上述のエネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I−2a)として使用できる。
なお、本明細書において、「エネルギー線重合性」とは、エネルギー線を照射することにより重合する性質を意味する。
粘着剤組成物(I−1)が含有する粘着性樹脂(I−1a)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤組成物(I−1)において、粘着性樹脂(I−1a)の含有量は、粘着剤組成物(I−1)の総質量に対して、5〜99質量%であることが好ましく、10〜95質量%であることがより好ましく、15〜90質量%であることが特に好ましい。
[エネルギー線硬化性化合物]
粘着剤組成物(I−1)が含有する前記エネルギー線硬化性化合物としては、エネルギー線重合性不飽和基を有し、エネルギー線の照射により硬化可能なモノマー又はオリゴマーが挙げられる。
エネルギー線硬化性化合物のうち、モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトール(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4−ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−へキサンジオール(メタ)アクリレート等の多価(メタ)アクリレート;ウレタン(メタ)アクリレート;ポリエステル(メタ)アクリレート;ポリエーテル(メタ)アクリレート;エポキシ(メタ)アクリレート等が挙げられる。
エネルギー線硬化性化合物のうち、オリゴマーとしては、例えば、上記で例示したモノマーが重合してなるオリゴマー等が挙げられる。
エネルギー線硬化性化合物は、分子量が比較的大きく、粘着剤層の貯蔵弾性率を低下させにくいという点では、ウレタン(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーが好ましい。
粘着剤組成物(I−1)が含有する前記エネルギー線硬化性化合物は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
前記粘着剤組成物(I−1)において、前記エネルギー線硬化性化合物の含有量は、前記粘着剤組成物(I−1)の総質量に対して、1〜95質量%であることが好ましく、5〜90質量%であることがより好ましく、10〜85質量%であることが特に好ましい。
[架橋剤]
粘着性樹脂(I−1a)として、(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位以外に、さらに、官能基含有モノマー由来の構成単位を有する前記アクリル系重合体を用いる場合、粘着剤組成物(I−1)は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。
前記架橋剤は、例えば、前記官能基と反応して、粘着性樹脂(I−1a)同士を架橋するものである。
架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、これらジイソシアネートのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤(すなわち、イソシアネート基を有する架橋剤);エチレングリコールグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤(すなわち、グリシジル基を有する架橋剤);ヘキサ[1−(2−メチル)−アジリジニル]トリフオスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤(すなわち、アジリジニル基を有する架橋剤);アルミニウムキレート等の金属キレート系架橋剤(すなわち、金属キレート構造を有する架橋剤);イソシアヌレート系架橋剤(すなわち、イソシアヌル酸骨格を有する架橋剤)等が挙げられる。
粘着剤の凝集力を向上させて粘着剤層の粘着力を向上させる点、及び入手が容易である等の点から、架橋剤はイソシアネート系架橋剤であることが好ましい。
粘着剤組成物(I−1)が含有する架橋剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
前記粘着剤組成物(I−1)において、架橋剤の含有量は、粘着性樹脂(I−1a)の含有量100質量部に対して、0.01〜50質量部であることが好ましく、0.1〜20質量部であることがより好ましく、0.3〜15質量部であることが特に好ましい。
[光重合開始剤]
粘着剤組成物(I−1)は、さらに光重合開始剤を含有していてもよい。光重合開始剤を含有する粘着剤組成物(I−1)は、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線を照射しても、十分に硬化反応が進行する。
前記光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール等のベンゾイン化合物;アセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン等のアセトフェノン化合物;ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物;ベンジルフェニルスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド等のスルフィド化合物;1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール化合物;アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物;チタノセン等のチタノセン化合物;チオキサントン等のチオキサントン化合物;パーオキサイド化合物;ジアセチル等のジケトン化合物;ベンジル;ジベンジル;ベンゾフェノン;2,4−ジエチルチオキサントン;1,2−ジフェニルメタン;2−ヒドロキシ−2−メチル−1−[4−(1−メチルビニル)フェニル]プロパノン;2−クロロアントラキノン等が挙げられる。
また、前記光重合開始剤としては、例えば、1−クロロアントラキノン等のキノン化合物;アミン等の光増感剤等を用いることもできる。
粘着剤組成物(I−1)が含有する光重合開始剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤組成物(I−1)において、光重合開始剤の含有量は、前記エネルギー線硬化性化合物の含有量100質量部に対して、0.01〜20質量部であることが好ましく、0.03〜10質量部であることがより好ましく、0.05〜5量部であることが特に好ましい。
[その他の添加剤]
粘着剤組成物(I−1)は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
前記その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤(可塑剤)、充填材(フィラー)、防錆剤、着色剤(顔料、染料)、増感剤、粘着付与剤、反応遅延剤、架橋促進剤(触媒)等の公知の添加剤が挙げられる。
なお、反応遅延剤とは、例えば、粘着剤組成物(I−1)中に混入している触媒の作用によって、保存中の粘着剤組成物(I−1)において、目的としない架橋反応が進行するのを抑制するものである。反応遅延剤としては、例えば、触媒に対するキレートによってキレート錯体を形成するものが挙げられ、より具体的には、1分子中にカルボニル基(−C(=O)−)を2個以上有するものが挙げられる。
粘着剤組成物(I−1)が含有するその他の添加剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤組成物(I−1)において、その他の添加剤の含有量は特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
[溶媒]
粘着剤組成物(I−1)は、溶媒を含有していてもよい。粘着剤組成物(I−1)は、溶媒を含有していることで、塗工対象面への塗工適性が向上する。
前記溶媒は有機溶媒であることが好ましく、前記有機溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン等のケトン;酢酸エチル等のエステル(例えば、カルボン酸エステル);テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル;シクロヘキサン、n−ヘキサン等の脂肪族炭化水素;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素;1−プロパノール、2−プロパノール等のアルコール等が挙げられる。
前記溶媒としては、例えば、粘着性樹脂(I−1a)の製造時に用いたものを粘着性樹脂(I−1a)から取り除かずに、そのまま粘着剤組成物(I−1)において用いてもよいし、粘着性樹脂(I−1a)の製造時に用いたものと同一又は異なる種類の溶媒を、粘着剤組成物(I−1)の製造時に別途添加してもよい。
粘着剤組成物(I−1)が含有する溶媒は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤組成物(I−1)において、溶媒の含有量は特に限定されず、適宜調節すればよい。
<粘着剤組成物(I−2)>
前記粘着剤組成物(I−2)は、上述の様に、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I−1a)の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I−2a)を含有する。
[粘着性樹脂(I−2a)]
前記粘着性樹脂(I−2a)は、例えば、粘着性樹脂(I−1a)中の官能基に、エネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物を反応させることで得られる。
前記不飽和基含有化合物は、前記エネルギー線重合性不飽和基以外に、さらに粘着性樹脂(I−1a)中の官能基と反応することで、粘着性樹脂(I−1a)と結合可能な基を有する化合物である。
前記エネルギー線重合性不飽和基としては、例えば、(メタ)アクリロイル基、ビニル基(エテニル基ともいう)、アリル基(2−プロペニル基ともいう)等が挙げられ、(メタ)アクリロイル基が好ましい。
粘着性樹脂(I−1a)中の官能基と結合可能な基としては、例えば、水酸基又はアミノ基と結合可能なイソシアネート基及びグリシジル基、並びにカルボキシ基又はエポキシ基と結合可能な水酸基及びアミノ基等が挙げられる。
前記不飽和基含有化合物としては、例えば、(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、(メタ)アクリロイルイソシアネート、グリシジル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
粘着剤組成物(I−2)が含有する粘着性樹脂(I−2a)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤組成物(I−2)において、粘着性樹脂(I−2a)の含有量は、粘着剤組成物(I−2)の総質量に対して、5〜99質量%であることが好ましく、10〜95質量%であることがより好ましく、10〜90質量%であることが特に好ましい。
[架橋剤]
粘着性樹脂(I−2a)として、例えば、粘着性樹脂(I−1a)におけるものと同様の、官能基含有モノマー由来の構成単位を有する前記アクリル系重合体を用いる場合、粘着剤組成物(I−2)は、さらに架橋剤を含有していてもよい。
粘着剤組成物(I−2)における前記架橋剤としては、粘着剤組成物(I−1)における架橋剤と同じものが挙げられる。
粘着剤組成物(I−2)が含有する架橋剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
前記粘着剤組成物(I−2)において、架橋剤の含有量は、粘着性樹脂(I−2a)の含有量100質量部に対して、0.01〜50質量部であることが好ましく、0.1〜20質量部であることがより好ましく、0.3〜15量部であることが特に好ましい。
[光重合開始剤]
粘着剤組成物(I−2)は、さらに光重合開始剤を含有していてもよい。光重合開始剤を含有する粘着剤組成物(I−2)は、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線を照射しても、十分に硬化反応が進行する。
粘着剤組成物(I−2)における前記光重合開始剤としては、粘着剤組成物(I−1)における光重合開始剤と同じものが挙げられる。
粘着剤組成物(I−2)が含有する光重合開始剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤組成物(I−2)において、光重合開始剤の含有量は、粘着性樹脂(I−2a)の含有量100質量部に対して、0.01〜20質量部であることが好ましく、0.03〜10質量部であることがより好ましく、0.05〜5質量部であることが特に好ましい。
[その他の添加剤]
粘着剤組成物(I−2)は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
粘着剤組成物(I−2)における前記その他の添加剤としては、粘着剤組成物(I−1)におけるその他の添加剤と同じものが挙げられる。
粘着剤組成物(I−2)が含有するその他の添加剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤組成物(I−2)において、その他の添加剤の含有量は特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
[溶媒]
粘着剤組成物(I−2)は、粘着剤組成物(I−1)の場合と同様の目的で、溶媒を含有していてもよい。
粘着剤組成物(I−2)における前記溶媒としては、粘着剤組成物(I−1)における溶媒と同じものが挙げられる。
粘着剤組成物(I−2)が含有する溶媒は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤組成物(I−2)において、溶媒の含有量は特に限定されず、適宜調節すればよい。
<粘着剤組成物(I−3)>
前記粘着剤組成物(I−3)は、上述の様に、前記粘着性樹脂(I−2a)と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する。
粘着剤組成物(I−3)において、粘着性樹脂(I−2a)の含有量は、粘着剤組成物(I−3)の総質量に対して、5〜99質量%であることが好ましく、10〜95質量%であることがより好ましく、15〜90質量%であることが特に好ましい。
[エネルギー線硬化性化合物]
粘着剤組成物(I−3)が含有する前記エネルギー線硬化性化合物としては、エネルギー線重合性不飽和基を有し、エネルギー線の照射により硬化可能なモノマー及びオリゴマーが挙げられ、粘着剤組成物(I−1)が含有するエネルギー線硬化性化合物と同じものが挙げられる。
粘着剤組成物(I−3)が含有する前記エネルギー線硬化性化合物は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
前記粘着剤組成物(I−3)において、前記エネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂(I−2a)の含有量100質量部に対して、0.01〜300質量部であることが好ましく、0.03〜200質量部であることがより好ましく、0.05〜100質量部であることが特に好ましい。
[光重合開始剤]
粘着剤組成物(I−3)は、さらに光重合開始剤を含有していてもよい。光重合開始剤を含有する粘着剤組成物(I−3)は、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線を照射しても、十分に硬化反応が進行する。
粘着剤組成物(I−3)における前記光重合開始剤としては、粘着剤組成物(I−1)における光重合開始剤と同じものが挙げられる。
粘着剤組成物(I−3)が含有する光重合開始剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤組成物(I−3)において、光重合開始剤の含有量は、粘着性樹脂(I−2a)及び前記エネルギー線硬化性化合物の合計含有量100質量部に対して、0.01〜20質量部であることが好ましく、0.03〜10質量部であることがより好ましく、0.05〜5質量部であることが特に好ましい。
[その他の添加剤]
粘着剤組成物(I−3)は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
前記その他の添加剤としては、粘着剤組成物(I−1)におけるその他の添加剤と同じものが挙げられる。
粘着剤組成物(I−3)が含有するその他の添加剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤組成物(I−3)において、その他の添加剤の含有量は特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
[溶媒]
粘着剤組成物(I−3)は、粘着剤組成物(I−1)の場合と同様の目的で、溶媒を含有していてもよい。
粘着剤組成物(I−3)における前記溶媒としては、粘着剤組成物(I−1)における溶媒と同じものが挙げられる。
粘着剤組成物(I−3)が含有する溶媒は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤組成物(I−3)において、溶媒の含有量は特に限定されず、適宜調節すればよい。
<粘着剤組成物(I−1)〜(I−3)以外の粘着剤組成物>
ここまでは、粘着剤組成物(I−1)、粘着剤組成物(I−2)及び粘着剤組成物(I−3)について主に説明したが、これらの含有成分として説明したものは、これら3種の粘着剤組成物以外の全般的な粘着剤組成物(本明細書においては、「粘着剤組成物(I−1)〜(I−3)以外の粘着剤組成物」と称する)でも、同様に用いることができる。
粘着剤組成物(I−1)〜(I−3)以外の粘着剤組成物としては、エネルギー線硬化性の粘着剤組成物以外に、非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物も挙げられる。
非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート、エステル系樹脂等の、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I−1a)を含有する粘着剤組成物(I−4)が挙げられ、アクリル系樹脂を含有するものが好ましい。
粘着剤組成物(I−1)〜(I−3)以外の粘着剤組成物は、1種又は2種以上の架橋剤を含有することが好ましく、その含有量は、上述の粘着剤組成物(I−1)等の場合と同様とすることができる。
<粘着剤組成物(I−4)>
粘着剤組成物(I−4)で好ましいものとしては、例えば、前記粘着性樹脂(I−1a)と、架橋剤と、を含有するものが挙げられる。
[粘着剤組成物(I−4)における粘着性樹脂(I−1a)]
粘着剤組成物(I−4)における粘着性樹脂(I−1a)としては、粘着剤組成物(I−1)における粘着性樹脂(I−1a)と同じものが挙げられる。
粘着剤組成物(I−4)が含有する粘着性樹脂(I−1a)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤組成物(I−4)において、粘着性樹脂(I−1a)の含有量は、粘着剤組成物(I−4)の総質量に対して、5〜99質量%であることが好ましく、10〜95質量%であることがより好ましく、15〜90質量%であることが特に好ましい。
[架橋剤]
前記粘着性樹脂(I−1a)として、(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位以外に、さらに、官能基含有モノマー由来の構成単位を有する前記アクリル系重合体を用いる場合、粘着剤組成物(I−4)は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。
粘着剤組成物(I−4)における架橋剤としては、粘着剤組成物(I−1)における架橋剤と同じものが挙げられる。
粘着剤組成物(I−4)が含有する架橋剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
前記粘着剤組成物(I−4)において、架橋剤の含有量は、粘着性樹脂(I−1a)の含有量100質量部に対して、0.01〜50質量部であることが好ましく、0.1〜20質量部であることがより好ましく、0.3〜15質量部であることが特に好ましい。
[その他の添加剤]
粘着剤組成物(I−4)は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
前記その他の添加剤としては、粘着剤組成物(I−1)におけるその他の添加剤と同じものが挙げられる。
粘着剤組成物(I−4)が含有するその他の添加剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤組成物(I−4)において、その他の添加剤の含有量は特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
[溶媒]
粘着剤組成物(I−4)は、粘着剤組成物(I−1)の場合と同様の目的で、溶媒を含有していてもよい。
粘着剤組成物(I−4)における前記溶媒としては、粘着剤組成物(I−1)における溶媒と同じものが挙げられる。
粘着剤組成物(I−4)が含有する溶媒は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
粘着剤組成物(I−4)において、溶媒の含有量は特に限定されず、適宜調節すればよい。
本発明の保護膜形成用複合シートにおいて、粘着剤層は非エネルギー線硬化性であることが好ましい。これは、粘着剤層がエネルギー線硬化性であると、エネルギー線の照射によって保護膜形成用フィルムを硬化させるときに、粘着剤層も同時に硬化するのを抑制できないことがあるためである。粘着剤層が保護膜形成用フィルムと同時に硬化してしまうと、硬化後の保護膜形成用フィルム及び粘着剤層がこれらの界面において剥離不能な程度に貼り付いてしまうことがある。その場合、硬化後の保護膜形成用フィルム、すなわち保護膜を裏面に備えた半導体チップ(本明細書においては、「保護膜付き半導体チップ」と称することがある)を、硬化後の粘着剤層を備えた支持シートから剥離させることが困難となり、保護膜付き半導体チップを正常にピックアップできなくなってしまう。本発明における支持シートで、粘着剤層を非エネルギー線硬化性のものとすることで、このような不具合を確実に回避でき、保護膜付き半導体チップをより容易にピックアップできる。
ここでは、粘着剤層が非エネルギー線硬化性である場合の効果について説明したが、支持シートの保護膜形成用フィルムと直接接触している層が粘着剤層以外の層であっても、この層が非エネルギー線硬化性であれば、同様の効果を奏する。
<<粘着剤組成物の製造方法>>
粘着剤組成物(I−1)〜(I−3)や、粘着剤組成物(I−4)等の粘着剤組成物(I−1)〜(I−3)以外の粘着剤組成物は、前記粘着剤組成物を構成するための各成分、すなわち、前記粘着剤と、必要に応じて前記粘着剤以外の成分と、を配合することで得られる。
各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、2種以上の成分を同時に添加してもよい。
溶媒を用いる場合には、溶媒を溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。
配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法;ミキサーを用いて混合する方法;超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は15〜30℃であることが好ましい。
◎保護膜形成用フィルム
本発明において、保護膜形成用フィルムを硬化して得られた保護膜と、支持シートとの間の粘着力は、50〜1500mN/25mmであり、52〜1450mN/25mmであることが好ましく、53〜1430mN/25mmであることがより好ましい。前記粘着力が前記下限値以上であることで、保護膜付き半導体チップのピックアップ時に、目的外の保護膜付き半導体チップのピックアップが抑制され、目的とする保護膜付き半導体チップを高選択的にピックアップできる。また、前記粘着力が前記上限値以下であることで、保護膜付き半導体チップのピックアップ時に、半導体チップの割れ及び欠けが抑制される。このように、前記粘着力が特定の範囲内であることで、保護膜形成用複合シートは、良好なピックアップ適性を有する。
なお、本明細書においては、保護膜形成用フィルムが硬化した後であっても、支持シート及び保護膜形成用フィルムの硬化物(換言すると、支持シート及び保護膜)の積層構造が維持されている限り、この積層構造体を「保護膜形成用複合シート」と称する。
保護膜と支持シートとの間の粘着力は、以下の方法で測定できる。
すなわち、幅が25mmで長さが任意の保護膜形成用複合シートをその保護膜形成用フィルムにより被着体へ貼付する。
次いで、エネルギー線を照射して保護膜形成用フィルムを硬化させて、保護膜を形成した後、被着体へ貼付されているこの保護膜から、支持シートを剥離速度300mm/minで剥離させる。このときの剥離は、保護膜及び支持シートの互いに接触していた面同士が180°の角度を為すように、支持シートをその長さ方向(保護膜形成用複合シートの長さ方向)へ剥離させる、いわゆる180°剥離とする。そして、この180°剥離のときの荷重(剥離力)を測定し、その測定値を前記粘着力(mN/25mm)とする。
測定に供する保護膜形成用複合シートの長さは、粘着力を安定して検出できる範囲であれば、特に限定されないが、100〜300mmであることが好ましい。また、測定に際しては、保護膜形成用複合シートを被着体へ貼付した状態とし、保護膜形成用複合シートの貼付状態を安定化させておくことが好ましい。
本発明において、保護膜形成用フィルムと前記支持シートとの間の粘着力は、特に限定されず、例えば、80mN/25mm以上等であってもよいが、100mN/25mm以上であることが好ましく、150mN/25mm以上であることがより好ましく、200mN/25mm以上であることが特に好ましい。前記粘着力が100mN/25mm以上であることで、ダイシング時において、保護膜形成用フィルムと支持シートとの剥離が抑制され、例えば、裏面に保護膜形成用フィルムを備えた半導体チップの支持シートからの飛散が抑制される。
一方、保護膜形成用フィルムと前記支持シートとの間の粘着力の上限値は、特に限定されず、例えば、4000mN/25mm、3500mN/25mm、3000mN/25mm等のいずれかとすることができる。ただし、これらは一例である。
すなわち、保護膜形成用フィルムと前記支持シートとの間の粘着力は、1つの側面として、80〜4000mN/25mmであってもよく、100〜3500mN/25mmであることが好ましく、150〜3500mN/25mmであることが更により好ましく、200〜3000mN/25mmであることが特に好ましい。
保護膜形成用フィルムと支持シートとの間の粘着力は、測定に供する保護膜形成用フィルムの、エネルギー線の照射による硬化を行わない点以外は、上述の保護膜と支持シートとの間の粘着力と同じ方法で測定できる。
上述の、保護膜と支持シートとの間の粘着力、及び保護膜形成用フィルムと支持シートとの間の粘着力は、例えば、保護膜形成用フィルムの含有成分の種類及び量、支持シートにおける保護膜形成用フィルムを設ける層の構成材料、この層の表面状態等を調節することで、適宜調節できる。
例えば、保護膜形成用フィルムの含有成分の種類及び量は、後述する保護膜形成用組成物の含有成分の種類及び量により調節できる。そして、保護膜形成用組成物の含有成分のうち、例えば、エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の種類及び含有量、充填材(d)の含有量、又は架橋剤(f)の含有量を調節することで、保護膜又は保護膜形成用フィルムと支持シートとの間の粘着力をより容易に調節できる。
また、例えば、支持シートにおける保護膜形成用フィルムを設ける層が、粘着剤層である場合には、その構成材料は、粘着剤層の含有成分の種類及び量を調節することで、適宜調節できる。そして、粘着剤層の含有成分の種類及び量は、上述の粘着剤組成物の含有成分の種類及び量により調節できる。
一方、支持シートにおける保護膜形成用フィルムを設ける層が、基材である場合には、保護膜又は保護膜形成用フィルムと支持シートとの間の粘着力は、基材の構成材料以外に、基材の表面状態でも調節できる。そして、基材の表面状態は、例えば、基材の他の層との密着性を向上させるものとして先に挙げた表面処理、すなわち、サンドブラスト処理、溶剤処理等による凹凸化処理;コロナ放電処理、電子線照射処理、プラズマ処理、オゾン・紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理等の酸化処理;プライマー処理等のいずれかを施すことで、調節できる。
保護膜形成用フィルムは、エネルギー線硬化性を有し、例えば、エネルギー線硬化性成分(a)を含有するものが挙げられる。
エネルギー線硬化性成分(a)は、未硬化であることが好ましく、粘着性を有することが好ましく、未硬化でかつ粘着性を有することがより好ましい。
保護膜形成用フィルムは1層(単層)のみでもよいし、2層以上の複数層でもよく、複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
保護膜形成用フィルムの厚さは、1〜100μmであることが好ましく、5〜75μmであることがより好ましく、5〜50μmであることが特に好ましい。保護膜形成用フィルムの厚さが前記下限値以上であることで、保護能がより高い保護膜を形成できる。また、保護膜形成用フィルムの厚さが前記上限値以下であることで、過剰な厚さとなることが抑制される。
ここで、「保護膜形成用フィルムの厚さ」とは、保護膜形成用フィルム全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる保護膜形成用フィルムの厚さとは、保護膜形成用フィルムを構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
保護膜形成用フィルムを硬化させて保護膜を形成するときの硬化条件は、保護膜が十分にその機能を発揮する程度の硬化度となる限り特に限定されず、保護膜形成用フィルムの種類に応じて、適宜選択すればよい。
例えば、保護膜形成用フィルムの硬化時における、エネルギー線の照度は、4〜280mW/cmであることが好ましい。そして、前記硬化時における、エネルギー線の光量は、3〜1000mJ/cmであることが好ましい。
<<保護膜形成用組成物>>
保護膜形成用フィルムは、その構成材料を含有する保護膜形成用組成物を用いて形成できる。例えば、保護膜形成用フィルムの形成対象面に保護膜形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に保護膜形成用フィルムを形成できる。保護膜形成用組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、保護膜形成用フィルムの前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。ここで、「常温」とは、先に説明したとおりである。
保護膜形成用組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。
保護膜形成用組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、保護膜形成用組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましく、この場合、例えば、70〜130℃で10秒間〜5分間の条件で乾燥させることが好ましい。
<保護膜形成用組成物(IV−1)>
保護膜形成用組成物としては、例えば、前記エネルギー線硬化性成分(a)を含有する保護膜形成用組成物(IV−1)等が挙げられる。
[エネルギー線硬化性成分(a)]
エネルギー線硬化性成分(a)は、エネルギー線の照射によって硬化する成分であり、保護膜形成用フィルムに造膜性や、可撓性等を付与するための成分でもある。
エネルギー線硬化性成分(a)としては、例えば、エネルギー線硬化性基を有する、重量平均分子量が80000〜2000000の重合体(a1)、及びエネルギー線硬化性基を有する、分子量が100〜80000の化合物(a2)が挙げられる。前記重合体(a1)は、その少なくとも一部が、後述する架橋剤(f)によって架橋されたものであってもよいし、架橋されていないものであってもよい。
なお、本明細書において、「重量平均分子量」とは、特に断りのない限り、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。
(エネルギー線硬化性基を有する、重量平均分子量が80000〜2000000の重合体(a1))
エネルギー線硬化性基を有する、重量平均分子量が80000〜2000000の重合体(a1)としては、例えば、他の化合物が有する基と反応可能な官能基を有するアクリル系重合体(a11)と、前記官能基と反応する基、及びエネルギー線硬化性二重結合等のエネルギー線硬化性基を有するエネルギー線硬化性化合物(a12)と、が重合してなるアクリル系樹脂(a1−1)が挙げられる。
アクリル系重合体(a11)における他の化合物が有する基と反応可能な前記官能基としては、例えば、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、置換アミノ基(アミノ基の1個又は2個の水素原子が水素原子以外の基で置換されてなる基)、エポキシ基等が挙げられる。ただし、半導体ウエハや半導体チップ等の回路の腐食を防止するという点では、前記官能基はカルボキシ基以外の基であることが好ましい。
これらの中でも、前記官能基は、水酸基であることが好ましい。
・官能基を有するアクリル系重合体(a11)
前記官能基を有するアクリル系重合体(a11)としては、例えば、前記官能基を有するアクリル系モノマーと、前記官能基を有しないアクリル系モノマーと、が共重合してなるものが挙げられ、これらモノマー以外に、さらにアクリル系モノマー以外のモノマー(非アクリル系モノマー)が共重合したものであってもよい。
また、前記アクリル系重合体(a11)は、ランダム共重合体であってもよいし、ブロック共重合体であってもよい。
前記官能基を有するアクリル系モノマーとしては、例えば、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、置換アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。
前記水酸基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸ヒドロキシメチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル等の(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキル;ビニルアルコール、アリルアルコール等の非(メタ)アクリル系不飽和アルコール(すなわち、(メタ)アクリロイル骨格を有しない不飽和アルコール)等が挙げられる。
前記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸(すなわち、エチレン性不飽和結合を有するモノカルボン酸);フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸(すなわち、エチレン性不飽和結合を有するジカルボン酸);前記エチレン性不飽和ジカルボン酸の無水物;2−カルボキシエチルメタクリレート等の(メタ)アクリル酸カルボキシアルキルエステル等が挙げられる。
前記官能基を有するアクリル系モノマーは、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマーが好ましく、水酸基含有モノマーがより好ましい。
前記アクリル系重合体(a11)を構成する、前記官能基を有するアクリル系モノマーは、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
前記官能基を有しないアクリル系モノマーとしては、アルキルエステルを構成するアルキル基が、炭素数が1〜18の鎖状構造である(メタ)アクリル酸アルキルエステル等が好ましく、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n−プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸sec−ブチル、(メタ)アクリル酸tert−ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸n−オクチル、(メタ)アクリル酸n−ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル((メタ)アクリル酸ラウリルともいう)、(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル((メタ)アクリル酸ミリスチルともいう)、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル((メタ)アクリル酸パルミチルともいう)、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシル((メタ)アクリル酸ステアリルともいう)等が挙げられる。
また、前記官能基を有しないアクリル系モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メトキシメチル、(メタ)アクリル酸メトキシエチル、(メタ)アクリル酸エトキシメチル、(メタ)アクリル酸エトキシエチル等のアルコキシアルキル基含有(メタ)アクリル酸エステル;(メタ)アクリル酸フェニル等の(メタ)アクリル酸アリールエステル等を含む、芳香族基を有する(メタ)アクリル酸エステル;非架橋性の(メタ)アクリルアミド及びその誘導体;(メタ)アクリル酸N,N−ジメチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸N,N−ジメチルアミノプロピル等の非架橋性の3級アミノ基を有する(メタ)アクリル酸エステル等も挙げられる。
前記アクリル系重合体(a11)を構成する、前記官能基を有しないアクリル系モノマーは、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
前記非アクリル系モノマーとしては、例えば、エチレン、ノルボルネン等のオレフィン;酢酸ビニル;スチレン等が挙げられる。
前記アクリル系重合体(a11)を構成する前記非アクリル系モノマーは、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
前記アクリル系重合体(a11)において、前記官能基を有するアクリル系モノマーから誘導された構成単位の割合(含有量)は、前記アクリル系重合体(a11)を構成する構成単位の総質量に対して、0.1〜50質量%であることが好ましく、1〜40質量%であることがより好ましく、3〜30質量%であることが特に好ましい。前記割合がこのような範囲であることで、前記アクリル系重合体(a11)と前記エネルギー線硬化性化合物(a12)との共重合によって得られた前記アクリル系樹脂(a1−1)におけるエネルギー線硬化性基の含有量により第1保護膜の硬化の程度を好ましい範囲に容易に調節できる。
前記アクリル系樹脂(a1−1)を構成する前記アクリル系重合体(a11)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
・エネルギー線硬化性化合物(a12)
前記エネルギー線硬化性化合物(a12)は、前記アクリル系重合体(a11)が有する官能基と反応可能な基として、イソシアネート基、エポキシ基及びカルボキシ基からなる群より選択される1種又は2種以上を有するものが好ましく、前記基としてイソシアネート基を有するものがより好ましい。前記エネルギー線硬化性化合物(a12)は、例えば、前記基としてイソシアネート基を有する場合、このイソシアネート基が、前記官能基として水酸基を有するアクリル系重合体(a11)のこの水酸基と容易に反応する。
前記エネルギー線硬化性化合物(a12)は、1分子中に前記エネルギー線硬化性基を1〜5個有することが好ましく、1〜3個有することがより好ましい。
前記エネルギー線硬化性化合物(a12)としては、例えば、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、1,1−(ビスアクリロイルオキシメチル)エチルイソシアネート;
ジイソシアネート化合物又はポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物;
ジイソシアネート化合物又はポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物等が挙げられる。
これらの中でも、前記エネルギー線硬化性化合物(a12)は、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートであることが好ましい。
前記アクリル系樹脂(a1−1)を構成する前記エネルギー線硬化性化合物(a12)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
アクリル系樹脂(a1−1)の含有量は、保護膜形成用組成物(IV−1)の溶媒以外の総質量に対して、1〜40質量%であることが好ましく、2〜30質量%であることがより好ましく、3〜20質量%であることが特に好ましい。
前記アクリル系樹脂(a1−1)において、前記アクリル系重合体(a11)に由来する前記官能基の含有量に対する、前記エネルギー線硬化性化合物(a12)に由来するエネルギー線硬化性基の含有量の割合は、20〜120モル%であることが好ましく、35〜100モル%であることがより好ましく、50〜100モル%であることが特に好ましい。前記含有量の割合がこのような範囲であることで、硬化により形成された保護膜の接着力がより大きくなる。なお、前記エネルギー線硬化性化合物(a12)が一官能(前記基を1分子中に1個有する)化合物である場合には、前記含有量の割合の上限値は100モル%となるが、前記エネルギー線硬化性化合物(a12)が多官能(前記基を1分子中に2個以上有する)化合物である場合には、前記含有量の割合の上限値は100モル%を超えることがある。
前記重合体(a1)の重量平均分子量(Mw)は、100000〜2000000であることが好ましく、300000〜1500000であることがより好ましい。
前記重合体(a1)が、その少なくとも一部が架橋剤(f)によって架橋されたものである場合、前記重合体(a1)は、前記アクリル系重合体(a11)を構成するものとして説明した、上述のモノマーのいずれにも該当せず、かつ架橋剤(f)と反応する基を有するモノマーが重合して、前記架橋剤(f)と反応する基において架橋されたものであってもよいし、前記エネルギー線硬化性化合物(a12)に由来する、前記官能基と反応する基において、架橋されたものであってもよい。
保護膜形成用組成物(IV−1)及び保護膜形成用フィルムが含有する前記重合体(a1)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
(エネルギー線硬化性基を有する、分子量が100〜80000の化合物(a2))
エネルギー線硬化性基を有する、分子量が100〜80000の化合物(a2)が有するエネルギー線硬化性基としては、エネルギー線硬化性二重結合を含む基が挙げられ、好ましいものとしては、(メタ)アクリロイル基、ビニル基等が挙げられる。
前記化合物(a2)としては、上記の条件を満たすものであれば、特に限定されないが、エネルギー線硬化性基を有する低分子量化合物、エネルギー線硬化性基を有するエポキシ樹脂、エネルギー線硬化性基を有するフェノール樹脂等が挙げられる。
前記化合物(a2)のうち、エネルギー線硬化性基を有する低分子量化合物としては、例えば、多官能のモノマー又はオリゴマー等が挙げられ、(メタ)アクリロイル基を有するアクリレート系化合物が好ましい。
前記アクリレート系化合物としては、例えば、2−ヒドロキシ−3−(メタ)アクリロイルオキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロポキシ化エトキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、2,2−ビス[4−((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル]プロパン、エトキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、2,2−ビス[4−((メタ)アクリロキシジエトキシ)フェニル]プロパン、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン、2,2−ビス[4−((メタ)アクリロキシポリプロポキシ)フェニル]プロパン、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート(トリシクロデカンジメチロールジ(メタ)アクリレートともいう)、1,10−デカンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、2,2−ビス[4−((メタ)アクリロキシエトキシ)フェニル]プロパン、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、エトキシ化ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−1,3−ジ(メタ)アクリロキシプロパン等の2官能(メタ)アクリレート;
トリス(2−(メタ)アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ε−カプロラクトン変性トリス−(2−(メタ)アクリロキシエチル)イソシアヌレート、エトキシ化グリセリントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールポリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート;
ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマー等の多官能(メタ)アクリレートオリゴマー等が挙げられる。
前記化合物(a2)のうち、エネルギー線硬化性基を有するエポキシ樹脂、エネルギー線硬化性基を有するフェノール樹脂としては、例えば、「特開2013−194102号公報」の段落0043等に記載されているものを用いることができる。このような樹脂は、後述する熱硬化性成分(h)を構成する樹脂にも該当するが、本発明においては前記化合物(a2)として取り扱う。
前記化合物(a2)は、重量平均分子量が100〜30000であることが好ましく、300〜10000であることがより好ましい。
保護膜形成用組成物(IV−1)及び保護膜形成用フィルムが含有する前記化合物(a2)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
[エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)]
保護膜形成用組成物(IV−1)及び保護膜形成用フィルムは、前記エネルギー線硬化性成分(a)として前記化合物(a2)を含有する場合、さらにエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)も含有することが好ましい。
前記重合体(b)は、その少なくとも一部が架橋剤(f)によって架橋されたものであってもよいし、架橋されていないものであってもよい。
エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)としては、例えば、アクリル系重合体、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル、ゴム系樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリビニルアルコール(PVA)、ブチラール樹脂、ポリエステルウレタン樹脂等が挙げられる。
これらの中でも、前記重合体(b)は、アクリル系重合体(以下、「アクリル系重合体(b−1)」と略記することがある)であることが好ましい。
アクリル系重合体(b−1)は、公知のものでよく、例えば、1種のアクリル系モノマーの単独重合体であってもよいし、2種以上のアクリル系モノマーの共重合体であってもよいし、1種又は2種以上のアクリル系モノマーと、1種又は2種以上のアクリル系モノマー以外のモノマー(非アクリル系モノマー)と、の共重合体であってもよい。
アクリル系重合体(b−1)を構成する前記アクリル系モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、環状骨格を有する(メタ)アクリル酸エステル、グリシジル基含有(メタ)アクリル酸エステル、水酸基含有(メタ)アクリル酸エステル、置換アミノ基含有(メタ)アクリル酸エステル等が挙げられる。ここで、「置換アミノ基」とは、アミノ基の1個又は2個の水素原子が水素原子以外の基で置換されてなる基を意味する。
前記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、アルキルエステルを構成するアルキル基が、炭素数が1〜18の鎖状構造である(メタ)アクリル酸アルキルエステル等が好ましく、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n−プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸sec−ブチル、(メタ)アクリル酸tert−ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸n−オクチル、(メタ)アクリル酸n−ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル((メタ)アクリル酸ラウリルともいう)、(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル((メタ)アクリル酸ミリスチルともいう)、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル((メタ)アクリル酸パルミチルともいう)、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシル((メタ)アクリル酸ステアリルともいう)等が挙げられる。
前記環状骨格を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸イソボルニル、(メタ)アクリル酸ジシクロペンタニル等の(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル;
(メタ)アクリル酸ベンジル等の(メタ)アクリル酸アラルキルエステル;
(メタ)アクリル酸ジシクロペンテニルエステル等の(メタ)アクリル酸シクロアルケニルエステル;
(メタ)アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチルエステル等の(メタ)アクリル酸シクロアルケニルオキシアルキルエステル等が挙げられる。
前記グリシジル基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジル等が挙げられる。
前記水酸基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸ヒドロキシメチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル等が挙げられる。
前記置換アミノ基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸N−メチルアミノエチル等が挙げられる。
アクリル系重合体(b−1)を構成する前記非アクリル系モノマーとしては、例えば、エチレン、ノルボルネン等のオレフィン;酢酸ビニル;スチレン等が挙げられる。
少なくとも一部が架橋剤(f)によって架橋された、前記エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)としては、例えば、前記重合体(b)中の反応性官能基が架橋剤(f)と反応したものが挙げられる。
前記反応性官能基は、架橋剤(f)の種類等に応じて適宜選択すればよく、特に限定されない。例えば、架橋剤(f)がポリイソシアネート化合物である場合には、前記反応性官能基としては、水酸基、カルボキシ基、アミノ基等が挙げられ、これらの中でも、イソシアネート基との反応性が高い水酸基が好ましい。また、架橋剤(f)がエポキシ系化合物である場合には、前記反応性官能基としては、カルボキシ基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、これらの中でもエポキシ基との反応性が高いカルボキシ基が好ましい。ただし、半導体ウエハや半導体チップの回路の腐食を防止するという点では、前記反応性官能基はカルボキシ基以外の基であることが好ましい。
前記反応性官能基を有する、エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)としては、例えば、少なくとも前記反応性官能基を有するモノマーを重合させて得られたものが挙げられる。アクリル系重合体(b−1)の場合であれば、これを構成するモノマーとして挙げた、前記アクリル系モノマー及び非アクリル系モノマーのいずれか一方又は両方として、前記反応性官能基を有するものを用いればよい。例えば、反応性官能基として水酸基を有する前記重合体(b)としては、例えば、水酸基含有(メタ)アクリル酸エステルを重合して得られたものが挙げられ、これ以外にも、先に挙げた前記アクリル系モノマー又は非アクリル系モノマーにおいて、1個又は2個以上の水素原子が前記反応性官能基で置換されてなるモノマーを重合して得られたものが挙げられる。
反応性官能基を有する前記重合体(b)において、反応性官能基を有するモノマーから誘導された構成単位の割合(含有量)は、前記重合体(b)を構成する構成単位の総質量に対して、1〜25質量%であることが好ましく、2〜20質量%であることがより好ましい。前記割合がこのような範囲であることで、前記重合体(b)において、架橋の程度がより好ましい範囲となる。
エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の重量平均分子量(Mw)は、保護膜形成用組成物(IV−1)の造膜性がより良好となる点から、10000〜2000000であることが好ましく、100000〜1500000であることがより好ましい。
保護膜形成用組成物(IV−1)及び保護膜形成用フィルムが含有する、エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
保護膜形成用組成物(IV−1)としては、前記重合体(a1)及び前記化合物(a2)のいずれか一方又は両方を含有するものが挙げられる。そして、保護膜形成用組成物(IV−1)は、前記化合物(a2)を含有する場合、さらにエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)も含有することが好ましく、この場合、さらに前記(a1)を含有することも好ましい。また、保護膜形成用組成物(IV−1)は、前記化合物(a2)を含有せず、前記重合体(a1)、及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)をともに含有していてもよい。
保護膜形成用組成物(IV−1)が、前記重合体(a1)、前記化合物(a2)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)を含有する場合、保護膜形成用組成物(IV−1)における前記化合物(a2)の含有量は、前記重合体(a1)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の合計含有量100質量部に対して、10〜400質量部であることが好ましく、30〜350質量部であることがより好ましい。
保護膜形成用組成物(IV−1)において、溶媒以外の成分の合計含有量に対する、前記エネルギー線硬化性成分(a)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の合計含有量(すなわち、保護膜形成用フィルムの総質量に対する、前記エネルギー線硬化性成分(a)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の合計含有量(質量))は、5〜90質量%であることが好ましく、10〜80質量%であることがより好ましく、15〜70質量%であることが特に好ましい。前記合計含有量の割合がこのような範囲であることで、保護膜形成用フィルムのエネルギー線硬化性がより良好となる。
保護膜形成用組成物(IV−1)が前記エネルギー線硬化性成分(a)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)を含有する場合、保護膜形成用組成物(IV−1)及び保護膜形成用フィルムにおいて、前記重合体(b)の含有量は、エネルギー線硬化性成分(a)の含有量100質量部に対して、3〜160質量部であることが好ましく、6〜130質量部であることがより好ましい。前記重合体(b)の前記含有量がこのような範囲であることで、保護膜形成用フィルムのエネルギー線硬化性がより良好となる。
保護膜形成用組成物(IV−1)は、エネルギー線硬化性成分(a)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)以外に、目的に応じて、光重合開始剤(c)、充填材(d)、カップリング剤(e)、架橋剤(f)、着色剤(g)、熱硬化性成分(h)、及び汎用添加剤(z)からなる群より選択される1種又は2種以上を含有していてもよい。例えば、前記エネルギー線硬化性成分(a)及び熱硬化性成分(h)を含有する保護膜形成用組成物(IV−1)を用いることにより、形成される保護膜形成用フィルムは、加熱によって被着体に対する接着力が向上し、この保護膜形成用フィルムから形成された保護膜の強度も向上する。
[光重合開始剤(c)]
光重合開始剤(c)としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール等のベンゾイン化合物;アセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン等のアセトフェノン化合物;ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物;ベンジルフェニルスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド等のスルフィド化合物;1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール化合物;アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物;チタノセン等のチタノセン化合物;チオキサントン等のチオキサントン化合物;ベンゾフェノン、2−(ジメチルアミノ)−1−(4−モルホリノフェニル)−2−ベンジル−1−ブタノン、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)等のベンゾフェノン化合物;パーオキサイド化合物;ジアセチル等のジケトン化合物;ベンジル;ジベンジル;2,4−ジエチルチオキサントン;1,2−ジフェニルメタン;2−ヒドロキシ−2−メチル−1−[4−(1−メチルビニル)フェニル]プロパノン;2−クロロアントラキノン等が挙げられる。
また、光重合開始剤(c)としては、例えば、1−クロロアントラキノン等のキノン化合物;アミン等の光増感剤等を用いることもできる。
保護膜形成用組成物(IV−1)が含有する光重合開始剤(c)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
光重合開始剤(c)を用いる場合、保護膜形成用組成物(IV−1)において、光重合開始剤(c)の含有量は、エネルギー線硬化性化合物(a)の含有量100質量部に対して、0.01〜20質量部であることが好ましく、0.03〜10質量部であることがより好ましく、0.05〜5質量部であることが特に好ましい。
[充填材(d)]
保護膜形成用フィルムが充填材(d)を含有することにより、保護膜形成用フィルムを硬化して得られた保護膜は、熱膨張係数の調整が容易となり、この熱膨張係数を保護膜の形成対象物に対して最適化することで、保護膜形成用複合シートを用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。また、保護膜形成用フィルムが充填材(d)を含有することにより、保護膜の吸湿率を低減したり、放熱性を向上させたりすることもできる。
充填材(d)としては、例えば、熱伝導性材料からなるものが挙げられる。
充填材(d)は、有機充填材及び無機充填材のいずれでもよいが、無機充填材であることが好ましい。
好ましい無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化ケイ素、窒化ホウ素等の粉末;これら無機充填材を球形化したビーズ;これら無機充填材の表面改質品;これら無機充填材の単結晶繊維;ガラス繊維等が挙げられる。
これらの中でも、無機充填材は、シリカ又はアルミナであることが好ましい。
充填材(d)の平均粒子径は、特に限定されないが、0.01〜20μmであることが好ましく、0.1〜15μmであることがより好ましく、0.3〜10μmであることが特に好ましい。充填材(d)の平均粒子径がこのような範囲であることで、保護膜の形成対象物に対する接着性を維持しつつ、保護膜の光の透過率の低下を抑制できる。
なお、本明細書において「平均粒子径」とは、特に断りのない限り、レーザー回折散乱法によって求められた粒度分布曲線における、積算値50%での粒子径(D50)の値を意味する。
保護膜形成用組成物(IV−1)及び保護膜形成用フィルムが含有する充填材(d)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
充填材(d)を用いる場合、保護膜形成用組成物(IV−1)において、溶媒以外の全ての成分の総含有量(総質量)に対する充填材(d)の含有量(すなわち、保護膜形成用フィルムの総質量に対する充填材(d)の含有量)は、5〜83質量%であることが好ましく、7〜78質量%であることがより好ましい。充填材(d)の含有量がこのような範囲であることで、上記の熱膨張係数の調整がより容易となる。
[カップリング剤(e)]
カップリング剤(e)として、無機化合物又は有機化合物と反応可能な官能基を有するものを用いることにより、保護膜形成用フィルムの被着体に対する接着性及び密着性を向上させることができる。また、カップリング剤(e)を用いることで、保護膜形成用フィルムを硬化して得られた保護膜は、耐熱性を損なうことなく、耐水性が向上する。
カップリング剤(e)は、エネルギー線硬化性成分(a)、エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)等が有する官能基と反応可能な官能基を有する化合物であることが好ましく、シランカップリング剤であることがより好ましい。
好ましい前記シランカップリング剤としては、例えば、3−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、3−グリシジルオキシメチルジエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−(2−アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3−(2−アミノエチルアミノ)プロピルメチルジエトキシシラン、3−(フェニルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3−アニリノプロピルトリメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス(3−トリエトキシシリルプロピル)テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシラン等が挙げられる。
保護膜形成用組成物(IV−1)及び保護膜形成用フィルムが含有するカップリング剤(e)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
カップリング剤(e)を用いる場合、保護膜形成用組成物(IV−1)及び保護膜形成用フィルムにおいて、カップリング剤(e)の含有量は、エネルギー線硬化性成分(a)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の合計含有量100質量部に対して、0.03〜20質量部であることが好ましく、0.05〜10質量部であることがより好ましく、0.1〜5質量部であることが特に好ましい。カップリング剤(e)の前記含有量が前記下限値以上であることで、充填材(d)の樹脂への分散性の向上や、保護膜形成用フィルムの被着体との接着性の向上等、カップリング剤(e)を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、カップリング剤(e)の前記含有量が前記上限値以下であることで、アウトガスの発生がより抑制される。
[架橋剤(f)]
架橋剤(f)を用いて、上述のエネルギー線硬化性成分(a)やエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)架橋することにより、保護膜形成用フィルムの初期接着力及び凝集力を調節できる。
架橋剤(f)としては、例えば、有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物、金属キレート系架橋剤(金属キレート構造を有する架橋剤)、アジリジン系架橋剤(アジリジニル基を有する架橋剤)等が挙げられる。
前記有機多価イソシアネート化合物としては、例えば、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物及び脂環族多価イソシアネート化合物(以下、これら化合物をまとめて「芳香族多価イソシアネート化合物等」と略記することがある);前記芳香族多価イソシアネート化合物等の三量体、イソシアヌレート体及びアダクト体;前記芳香族多価イソシアネート化合物等とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等が挙げられる。前記「アダクト体」は、前記芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物又は脂環族多価イソシアネート化合物と、エチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン又はヒマシ油等の低分子活性水素含有化合物との反応物を意味し、その例としては、後述するようなトリメチロールプロパンのキシリレンジイソシアネート付加物等が挙げられる。また、「末端イソシアネートウレタンプレポリマー」とは、ウレタン結合を有するとともに、分子の末端部にイソシアネート基を有するプレポリマーを意味する。
前記有機多価イソシアネート化合物として、より具体的には、例えば、2,4−トリレンジイソシアネート;2,6−トリレンジイソシアネート;1,3−キシリレンジイソシアネート;1,4−キシレンジイソシアネート;ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート;ジフェニルメタン−2,4’−ジイソシアネート;3−メチルジフェニルメタンジイソシアネート;ヘキサメチレンジイソシアネート;イソホロンジイソシアネート;ジシクロヘキシルメタン−4,4’−ジイソシアネート;ジシクロヘキシルメタン−2,4’−ジイソシアネート;トリメチロールプロパン等のポリオールのすべて又は一部の水酸基に、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート及びキシリレンジイソシアネートのいずれか1種又は2種以上が付加した化合物;リジンジイソシアネート等が挙げられる。
前記有機多価イミン化合物としては、例えば、N,N’−ジフェニルメタン−4,4’−ビス(1−アジリジンカルボキシアミド)、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、N,N’−トルエン−2,4−ビス(1−アジリジンカルボキシアミド)トリエチレンメラミン等が挙げられる。
架橋剤(f)として有機多価イソシアネート化合物を用いる場合、エネルギー線硬化性成分(a)又はエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)としては、水酸基含有重合体を用いることが好ましい。架橋剤(f)がイソシアネート基を有し、エネルギー線硬化性成分(a)又はエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)が水酸基を有する場合、架橋剤(f)とエネルギー線硬化性成分(a)又はエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)との反応によって、保護膜形成用フィルムに架橋構造を簡便に導入できる。
保護膜形成用組成物(IV−1)及び保護膜形成用フィルムが含有する架橋剤(f)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
架橋剤(f)を用いる場合、保護膜形成用組成物(IV−1)において、架橋剤(f)の含有量は、エネルギー線硬化性成分(a)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の合計含有量100質量部に対して、0.01〜20質量部であることが好ましく、0.1〜10質量部であることがより好ましく、0.5〜5質量部であることが特に好ましい。架橋剤(f)の前記含有量が前記下限値以上であることで、架橋剤(f)を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、架橋剤(f)の前記含有量が前記上限値以下であることで、架橋剤(f)の過剰使用が抑制される。
[着色剤(g)]
着色剤(g)としては、例えば、無機系顔料、有機系顔料、有機系染料等、公知のものが挙げられる。
前記有機系顔料及び有機系染料としては、例えば、アミニウム系色素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、アズレニウム系色素、ポリメチン系色素、ナフトキノン系色素、ピリリウム系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、ナフトラクタム系色素、アゾ系色素、縮合アゾ系色素、インジゴ系色素、ペリノン系色素、ペリレン系色素、ジオキサジン系色素、キナクリドン系色素、イソインドリノン系色素、キノフタロン系色素、ピロール系色素、チオインジゴ系色素、金属錯体系色素(金属錯塩染料)、ジチオール金属錯体系色素、インドールフェノール系色素、トリアリルメタン系色素、アントラキノン系色素、ナフトール系色素、アゾメチン系色素、ベンズイミダゾロン系色素、ピランスロン系色素及びスレン系色素等が挙げられる。
前記無機系顔料としては、例えば、カーボンブラック、コバルト系色素、鉄系色素、クロム系色素、チタン系色素、バナジウム系色素、ジルコニウム系色素、モリブデン系色素、ルテニウム系色素、白金系色素、ITO(すなわち、インジウムスズオキサイド)系色素、ATO(すなわち、アンチモンスズオキサイド)系色素等が挙げられる。
保護膜形成用組成物(IV−1)及び保護膜形成用フィルムが含有する着色剤(g)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
着色剤(g)を用いる場合、保護膜形成用フィルムの着色剤(g)の含有量は、目的に応じて適宜調節すればよい。例えば、保護膜はレーザー照射により印字が施される場合があり、保護膜形成用フィルムの着色剤(g)の含有量を調節し、保護膜の光透過性を調節することにより、印字視認性を調節できる。この場合、保護膜形成用組成物(IV−1)において、溶媒以外の全ての成分の合計含有量に対する着色剤(g)の含有量(すなわち、保護膜形成用フィルムの総質量に対する着色剤(g)の含有量)は、0.1〜10質量%であることが好ましく、0.4〜7.5質量%であることがより好ましく、0.8〜5質量%であることが特に好ましい。着色剤(g)の前記含有量が前記下限値以上であることで、着色剤(g)を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、着色剤(g)の前記含有量が前記上限値以下であることで、着色剤(g)の過剰使用が抑制される。
[熱硬化性成分(h)]
保護膜形成用組成物(IV−1)及び保護膜形成用フィルムが含有する熱硬化性成分(h)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
熱硬化性成分(h)としては、例えば、エポキシ系熱硬化性樹脂、熱硬化性ポリイミド、ポリウレタン、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂等が挙げられ、エポキシ系熱硬化性樹脂が好ましい。
(エポキシ系熱硬化性樹脂)
エポキシ系熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂(h1)及び熱硬化剤(h2)からなる。
保護膜形成用組成物(IV−1)及び保護膜形成用フィルムが含有するエポキシ系熱硬化性樹脂は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
・エポキシ樹脂(h1)
エポキシ樹脂(h1)としては、公知のものが挙げられ、例えば、多官能系エポキシ樹脂、ビフェニル化合物、ビスフェノールAジグリシジルエーテル及びその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂等、2官能以上のエポキシ化合物が挙げられる。
エポキシ樹脂(h1)としては、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂を用いてもよい。不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂は、不飽和炭化水素基を有しないエポキシ樹脂よりもアクリル系樹脂との相溶性が高い。そのため、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂を用いることで、保護膜形成用複合シートを用いて得られたパッケージの信頼性が向上する。
不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、多官能系エポキシ樹脂のエポキシ基の一部が不飽和炭化水素基を有する基に変換されてなる化合物が挙げられる。このような化合物は、例えば、エポキシ基へ(メタ)アクリル酸又はその誘導体を付加反応させることにより得られる。
また、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を構成する芳香環等に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合した化合物等が挙げられる。
不飽和炭化水素基は、重合性を有する不飽和基であり、その具体的な例としては、エテニル基(ビニル基ともいう)、2−プロペニル基(アリル基ともいう)、(メタ)アクリロイル基、(メタ)アクリルアミド基等が挙げられ、アクリロイル基が好ましい。
エポキシ樹脂(h1)の数平均分子量は、特に限定されないが、保護膜形成用フィルムの硬化性、並びに保護膜の強度及び耐熱性の点から、300〜30000であることが好ましく、400〜10000であることがより好ましく、500〜3000であることが特に好ましい。
本明細書において、「数平均分子量」は、特に断らない限り、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法によって測定される標準ポリスチレン換算の値で表される数平均分子量を意味する。
エポキシ樹脂(h1)のエポキシ当量は、100〜1000g/eqであることが好ましく、150〜800g/eqであることがより好ましい。
本明細書において、「エポキシ当量」とは1グラム当量のエポキシ基を含むエポキシ化合物のグラム数(g/eq)を意味し、JIS K 7236:2001の方法に従って測定することができる。
エポキシ樹脂(h1)は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよく、2種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
・熱硬化剤(h2)
熱硬化剤(h2)は、エポキシ樹脂(h1)に対する硬化剤として機能する。
熱硬化剤(h2)としては、例えば、1分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を2個以上有する化合物が挙げられる。前記官能基としては、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシ基、酸基が無水物化された基等が挙げられ、フェノール性水酸基、アミノ基、又は酸基が無水物化された基であることが好ましく、フェノール性水酸基又はアミノ基であることがより好ましい。
熱硬化剤(h2)のうち、フェノール性水酸基を有するフェノール系硬化剤としては、例えば、多官能フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、アラルキルフェノール樹脂等が挙げられる。
熱硬化剤(h2)のうち、アミノ基を有するアミン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド(以下、「DICY」と略記することがある)等が挙げられる。
熱硬化剤(h2)は、不飽和炭化水素基を有するものでもよい。
不飽和炭化水素基を有する熱硬化剤(h2)としては、例えば、フェノール樹脂の水酸基の一部が、不飽和炭化水素基を有する基で置換されてなる化合物、フェノール樹脂の芳香環に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合してなる化合物等が挙げられる。
熱硬化剤(h2)における前記不飽和炭化水素基は、上述の不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂における不飽和炭化水素基と同様のものである。
熱硬化剤(h2)としてフェノール系硬化剤を用いる場合には、保護膜の支持シートからの剥離性が向上する点から、熱硬化剤(h2)は軟化点又はガラス転移温度が高いものが好ましい。
熱硬化剤(h2)のうち、例えば、多官能フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、アラルキルフェノール樹脂等の樹脂成分の数平均分子量は、300〜30000であることが好ましく、400〜10000であることがより好ましく、500〜3000であることが特に好ましい。
熱硬化剤(h2)のうち、例えば、ビフェノール、ジシアンジアミド等の非樹脂成分の分子量は、特に限定されないが、例えば、60〜500であることが好ましい。
熱硬化剤(h2)は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよく、2種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
熱硬化性成分(h)を用いる場合、保護膜形成用組成物(IV−1)及び保護膜形成用フィルムにおいて、熱硬化剤(h2)の含有量は、エポキシ樹脂(h1)の含有量100質量部に対して、0.01〜20質量部であることが好ましい。
熱硬化性成分(h)を用いる場合、保護膜形成用組成物(IV−1)及び保護膜形成用フィルムにおいて、熱硬化性成分(h)の含有量(例えば、エポキシ樹脂(h1)及び熱硬化剤(h2)の合計含有量)は、エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の含有量100質量部に対して、1〜500質量部であることが好ましい。
[汎用添加剤(z)]
汎用添加剤(z)は、公知のものでよく、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、ゲッタリング剤等が挙げられる。
保護膜形成用組成物(IV−1)及び保護膜形成用フィルムが含有する汎用添加剤(z)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
汎用添加剤(z)を用いる場合、保護膜形成用組成物(IV−1)及び保護膜形成用フィルムの汎用添加剤(z)の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
[溶媒]
保護膜形成用組成物(IV−1)は、さらに溶媒を含有することが好ましい。溶媒を含有する保護膜形成用組成物(IV−1)は、取り扱い性が良好となる。
前記溶媒は特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素;メタノール、エタノール、2−プロパノール、イソブチルアルコール(2−メチルプロパン−1−オール)、1−ブタノール等のアルコール;酢酸エチル等のエステル;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン;テトラヒドロフラン等のエーテル;ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン等のアミド(アミド結合を有する化合物)等が挙げられる。
保護膜形成用組成物(IV−1)が含有する溶媒は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
保護膜形成用組成物(IV−1)が含有する溶媒は、保護膜形成用組成物(IV−1)中の含有成分をより均一に混合できる点から、メチルエチルケトン、トルエン又は酢酸エチル等であることが好ましい。
<<保護膜形成用組成物の製造方法>>
保護膜形成用組成物(IV−1)等の保護膜形成用組成物は、これを構成するための各成分を配合することで得られる。
各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、2種以上の成分を同時に添加してもよい。
溶媒を用いる場合には、溶媒を溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。
配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法;ミキサーを用いて混合する方法;超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は15〜30℃であることが好ましい。
本発明の保護膜形成用複合シートと同様に、半導体ウエハ又は半導体チップの回路面とは反対側の裏面に貼付されるもので、支持シート上に、接着性を示す層を備えた複合シートとしては、ダイシングダイボンディングシートがある。
しかし、ダイシングダイボンディングシートが備える接着剤層は、半導体チップとともに支持シートからピックアップされた後、この半導体チップを基板、リードフレーム、又は他の半導体チップ等に取り付ける際の接着剤として機能する。一方、本発明の保護膜形成用複合シートにおける保護膜形成用フィルムは、半導体チップとともに支持シートからピックアップされる点では前記接着剤層と同じであるが、最終的には硬化によって保護膜となり、貼付されている半導体チップの裏面を保護するという機能を有する。このように、本発明における保護膜形成用フィルムは、ダイシングダイボンディングシートにおける接着剤層とは、用途が異なり、求められる性能も当然に異なる。そして、この用途の違いを反映して、保護膜形成用フィルムは、通常、ダイシングダイボンディングシートにおける接着剤層と比較すると、硬めで、ピックアップが難しい傾向にある。したがって、ダイシングダイボンディングシートにおける接着剤層を、そのまま保護膜形成用複合シートにおける保護膜形成用フィルムとして転用することは、通常、困難である。本発明の保護膜形成用複合シートは、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルムを備えたものとしては、保護膜付き半導体チップのピックアップ適性に関して、従来になく極めて優れたものである。
◇保護膜形成用複合シートの製造方法
本発明の保護膜形成用複合シートは、上述の各層を対応する位置関係となるように順次積層することで製造できる。各層の形成方法は、先に説明したとおりである。
例えば、支持シートを製造するときに、基材上に粘着剤層を積層する場合には、基材上に上述の粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させればよい。また、予め基材上に印刷法等により遮光層を設けておいてもよい。
一方、例えば、基材上に積層済みの粘着剤層の上に、さらに保護膜形成用フィルムを積層する場合には、粘着剤層上に保護膜形成用組成物を塗工して、保護膜形成用フィルムを直接形成することが可能である。保護膜形成用フィルム以外の層も、この層を形成するための組成物を用いて、同様の方法で、粘着剤層の上にこの層を積層できる。このように、いずれかの組成物を用いて、連続する2層の積層構造を形成する場合には、前記組成物から形成された層の上に、さらに組成物を塗工して新たに層を形成することが可能である。
ただし、これら2層のうちの後から積層する層は、別の剥離フィルム上に前記組成物を用いてあらかじめ形成しておき、この形成済みの層の前記剥離フィルムと接触している側とは反対側の露出面を、既に形成済みの残りの層の露出面と貼り合わせることで、連続する2層の積層構造を形成することが好ましい。このとき、前記組成物は、剥離フィルムの剥離処理面に塗工することが好ましい。剥離フィルムは、積層構造の形成後、必要に応じて取り除けばよい。
例えば、基材上に粘着剤層が積層され、前記粘着剤層上に保護膜形成用フィルムが積層されてなる保護膜形成用複合シート(支持シートが基材及び粘着剤層の積層物である保護膜形成用複合シート)を製造する場合には、基材上に粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、基材上に粘着剤層を積層しておき、別途、剥離フィルム上に保護膜形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、剥離フィルム上に保護膜形成用フィルムを形成しておく。そして、この保護膜形成用フィルムの露出面を、基材上に積層済みの粘着剤層の露出面と貼り合わせて、保護膜形成用フィルムを粘着剤層上に積層することで、保護膜形成用複合シートが得られる。
なお、基材上に粘着剤層を積層する場合には、上述の様に、基材上に粘着剤組成物を塗工する方法に代えて、剥離フィルム上に粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、剥離フィルム上に粘着剤層を形成しておき、この層の露出面を、基材の一方の表面と貼り合わせることで、粘着剤層を基材上に積層してもよい。
いずれの方法においても、剥離フィルムは目的とする積層構造を形成後の任意のタイミングで取り除けばよい。
このように、保護膜形成用複合シートを構成する基材以外の層はいずれも、剥離フィルム上にあらかじめ形成しておき、目的とする層の表面に貼り合わせる方法で積層できるため、必要に応じてこのような工程を採用する層を適宜選択して、保護膜形成用複合シートを製造すればよい。
なお、保護膜形成用複合シートは、通常、その支持シートとは反対側の最表層(例えば、保護膜形成用フィルム)の表面に剥離フィルムが貼り合わされた状態で保管される。したがって、この剥離フィルム(好ましくはその剥離処理面)上に、保護膜形成用組成物等の、最表層を構成する層を形成するための組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、剥離フィルム上に最表層を構成する層を形成しておき、この層の剥離フィルムと接触している側とは反対側の露出面上に残りの各層を上述のいずれかの方法で積層し、剥離フィルムを取り除かずに貼り合わせた状態のままとすることでも、保護膜形成用複合シートが得られる。
なお、本発明においては、保護膜形成用フィルムが硬化した後であっても、支持シート及び保護膜形成用フィルムの硬化物(換言すると、支持シート及び保護膜)の積層構造が維持されている限り、この積層構造体を「保護膜形成用複合シート」と称する。
本発明に用いることのできる保護膜形成用複合シートと同様に、半導体ウエハ又は半導体チップの回路面とは反対側の裏面に貼付されるもので、支持シート上に、接着性を示す層を備えた複合シートとしては、ダイシングダイボンディングシートがある。
しかし、ダイシングダイボンディングシートが備える接着剤層は、半導体チップとともに支持シートからピックアップされた後、この半導体チップを基板、リードフレーム、又は他の半導体チップ等に取り付ける際の接着剤として機能する。一方、本発明に用いることのできる保護膜形成用複合シートにおける保護膜形成用フィルムは、半導体チップとともに支持シートからピックアップされる点では前記接着剤層と同じであるが、最終的には硬化によって保護膜となり、貼付されている半導体チップの裏面を保護するという機能を有する。このように、本発明における保護膜形成用フィルムは、ダイシングダイボンディングシートにおける接着剤層とは、用途が異なり、求められる性能も当然に異なる。そして、この用途の違いを反映して、保護膜形成用フィルムは、通常、ダイシングダイボンディングシートにおける接着剤層と比較すると、硬めで、ピックアップが難しい傾向にある。したがって、ダイシングダイボンディングシートにおける接着剤層を、そのまま保護膜形成用複合シートにおける保護膜形成用フィルムとして転用することは、通常、困難である。本発明に用いることのできる保護膜形成用複合シートは、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルムを備えたものとしては、保護膜付き半導体チップのピックアップ適性に関して、優れたものが要求される。
◎保護膜形成用シート
本発明において保護膜形成用フィルムは、上述の保護膜形成用複合シートとして用いられるほか、後述する保護膜付き半導体チップの製造方法において、剥離フィルム上に保護膜形成用フィルムが設けられた保護膜形成用シートとして、前記半導体ウエハの裏面に貼付した後、支持シートを貼付して用いることもできる。
ここで用いることのできる保護膜形成用フィルムは、上述の保護膜形成用複合シートの項で説明した通りである。
図7は、後述する保護膜付き半導体チップの製造方法に用いることのできる保護膜形成用シート2Fの一実施形態を模式的に示す断面図である。
ここに示す保護膜形成用シート2Fは、第1の剥離フィルム15’上に保護膜形成用フィルム13を備え、保護膜形成用フィルム13上に第2の剥離フィルム15”を備えてなるものである。
図7に示す保護膜形成用シート2Fは、第2の剥離フィルム15”が取り除かれた状態で、保護膜形成用フィルム13の表面13a(すなわち、保護膜形成用フィルム13における第2の剥離フィルム15”が備えられていた側の面)の中央側の一部の領域に半導体ウエハ(図示略)の裏面が貼付され、さらに、第1の剥離フィルム15’が取り除かれた状態で、保護膜形成用フィルム13の表面13aとは反対の表面13b(すなわち、保護膜形成用フィルム13における第1の剥離フィルム15’が備えられていた側の面)に基材シートが貼付され、さらに、保護膜形成用フィルム13の周縁部近傍の領域が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。
◇保護膜付き半導体チップの製造方法
本発明の一の態様の保護膜付き半導体チップの製造方法を図8によって説明する。
本発明の一の態様の保護膜付き半導体チップの製造方法は、支持シート10、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルム13及び半導体ウエハ18をこの順に備えた積層体の、半導体ウエハ18をダイシングし、次いで、保護膜形成用フィルム13の周縁部近傍の領域を除く半導体ウエハ18の貼着領域部分にエネルギー線を照射して支持シート10上に保護膜付き半導体チップ19を形成し、保護膜付き半導体チップ19をピックアップする。
支持シート10は、基材11と粘着剤層12と遮光層24とからなり、基材11の下部(すなわち、基材11の粘着剤層が備えられている側とは反対側)であって、前記支持シート10の周縁部近傍の領域において、リング状の印刷層からなる遮光層24を備えている。
すなわち、半導体ウエハの裏面(電極形成面とは反対側の面)に、保護膜形成用複合シートを貼付した後、ダイシングによって、半導体ウエハを保護膜形成用フィルムごと分割して半導体チップとする。次いで、分割済みの保護膜形成用フィルムの周縁部近傍の領域を除く前記半導体ウエハの貼着領域部分にエネルギー線を照射して、保護膜形成用フィルムを硬化させて保護膜とする。そして、支持シート及び保護膜からなる積層体を、その表面方向(表面に沿った方向)において拡張させる、所謂エキスパンドするとともに、前記保護膜付き半導体チップを、この保護膜が貼付された状態のまま(すなわち、保護膜付き半導体チップとして)、支持シートから引き離してピックアップする。
あるいは、保護膜形成用複合シートを用いることなく、保護膜形成用フィルムと基材シートとを別々に半導体ウエハに貼付することができるが、その際の、保護膜形成用フィルム及び基材シートは、上述の保護膜形成用複合シートの説明で説明された保護膜形成用フィルム及び基材シートを適宜使用することができる。
また、図8の一実施形態の保護膜付き半導体チップの製造方法では、支持シート10はリング状の印刷層からなる遮光層24を備えているが、これに限定されず、保護膜形成用フィルム13の周縁部近傍の領域を除く半導体ウエハ18の貼着領域部分に、遮蔽板を介して、エネルギー線を照射するものであってもよい。
遮蔽板としては、内側が円形にくり抜かれた形状であることが好ましい。くり抜かれた円形の径は、半導体ウエハの外径の95〜140%が好ましく、98〜135%がより好ましく、100〜130%が特に好ましい。遮蔽板としては、例えば、SUS製のリング状の遮蔽板を用いることができる。
前記遮蔽板は、前記保護膜形成用フィルムにエネルギー線を照射する際に、前記保護膜形成用フィルムの周縁部近傍の領域を遮蔽して、前記保護膜形成用フィルムのうち前記半導体ウエハの貼着領域部分にエネルギー線を照射するためのものである。前記遮蔽板の内側が円形にくり抜かれた形状であるとき、そのくり抜かれた円形の径を半導体ウエハの外径の95%以上とするのは、半導体ウエハの外周近傍が少し前記遮蔽板によって遮られたとしても、半導体ウエハの端部の不要チップ(すなわち、三角チップ)がピックアップできないだけで、問題とならないときがあるからである。
本発明の他の態様の保護膜付き半導体チップの製造方法を図9によって説明する。
本発明の他の態様の保護膜付き半導体チップの製造方法は、支持シート、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルム及び半導体ウエハをこの順に備えた積層体を準備し、前記保護膜形成用フィルムの周縁部近傍の領域を除く前記半導体ウエハの貼着領域部分にエネルギー線を照射した後、前記半導体ウエハをダイシングして前記支持シート上に保護膜付き半導体チップ形成し、前記保護膜付き半導体チップをピックアップする。
すなわち、半導体ウエハ18の裏面(電極形成面とは反対側の面)に、支持シート10及びエネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルム13からなる保護膜形成用複合シートをその保護膜形成用フィルム13によって貼付する。次いで、保護膜形成用フィルム13にエネルギー線を照射して、保護膜形成用フィルム13を硬化させて保護膜13’とする。
次いで、ダイシングによって、半導体ウエハ18を保護膜13’ごと分割して保護膜付き半導体チップ19とする。そして、支持シート及び保護膜からなる積層体を、その表面方向(表面に沿った方向)において拡張させる、所謂エキスパンドするとともに、前記保護膜付き半導体チップを、この保護膜が貼付された状態のまま(すなわち、保護膜付き半導体チップ19として)、支持シート10から引き離してピックアップする。
あるいは、保護膜形成用複合シートを用いることなく、保護膜形成用フィルムと基材シートとを別々に半導体ウエハに貼付することができるが、その際の、保護膜形成用フィルム及び基材シートは、上述の保護膜形成用複合シートの説明で説明された保護膜形成用フィルム及び基材シートを適宜使用することができる。
また、図9の実施形態の保護膜付き半導体チップの製造方法では、支持シート10はリング状の印刷層からなる遮光層24を備えているが、これに限定されず、保護膜形成用フィルム13の周縁部近傍の領域を除く半導体ウエハ18の貼着領域部分に、遮蔽板を介して、エネルギー線を照射するものであってもよい。
遮蔽板としては、内側が円形にくり抜かれた形状であることが好ましい。くり抜かれた円形の径の好ましい大きさは、上記と同様である。遮蔽板としては、例えば、SUS製のリング状の遮蔽板を用いることができる。
◇半導体装置の製造方法
以降は、従来法と同様の方法で、得られた保護膜付き半導体チップを、この保護膜が貼付された状態のまま、支持シートから引き離してピックアップし、得られた保護膜付き半導体チップの半導体チップを基板の回路面にフリップチップ接続した後、半導体パッケージとする。そして、この半導体パッケージを用いて、目的とする半導体装置を作製すればよい。
本発明の一実施形態である保護膜形成用複合シートの1つの側面は、
エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルムを支持シート上に備えてなり、
前記支持シートは、基材と、粘着剤層と、遮光層との積層体であり、
前記遮光層は、リング状の印刷層であり、かつ前記支持シートにおける周縁部近傍の領域に設けられている保護膜形成用複合シートが挙げられる。
前記保護膜形成用複合シートは、さらに、
前記基材が、ポリプロピレン系フィルム又はポリ塩化ビニル系フィルムであってもよく;
前記遮光層のエネルギー線の透過率が50%以下、好ましくは10%以下、特に好ましくは0%であってもよく;
前記保護膜形成用フィルムは、エネルギー線硬化性成分(a)と、エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)と、光重合開始剤(c)と、所望によりその他の成分とを含み、かつ
前記エネルギー線硬化性成分(a)が、トリシクロデカンジメチロールジアクリレートであり、
エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)が、アクリル酸ブチル、アクリル酸メチル、メタクリル酸グリシジル、及びアクリル酸−2−ヒドロキシエチルからなる群から選択される少なくとも1つのモノマーを共重合してなるアクリル系樹脂であり、
光重合開始剤(c)が、2−(ジメチルアミノ)−1−(4−モルホリノフェニル)−2−ベンジル−1−ブタノン及びエタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)からなる群から選択される少なくとも1つであり、
前記その他の成分が、充填材、カップリング剤及び着色剤からなる群から選択される少なくとも1つである保護膜形成用フィルムであってもよく;
前記エネルギー線硬化性成分(a)の含有量は、前記保護膜形成用フィルムの総質量に対して、18~20質量%であってもよく、
前記エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の含有量は、前記保護膜形成用フィルムの総質量に対して、20〜23質量%であってもよく、前記光重合開始剤(c)の含有量は、前記保護膜形成用フィルムの総質量に対して、0.5〜0.7質量%であってもよく、
前記その他の成分の含有量は、前記保護膜形成用フィルムの総質量に対して、56〜59質量%であってもよい。
以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
保護膜形成用組成物の製造に用いた成分を以下に示す。
・エネルギー線硬化性成分
(a2)−1:トリシクロデカンジメチロールジアクリレート(日本化薬社製「KAYARAD R−684」、2官能紫外線硬化性化合物、分子量304)
・エネルギー線硬化性基を有しない重合体
(b)−1:アクリル酸ブチル(以下、「BA」と略記する)(10質量部)、アクリル酸メチル(以下、「MA」と略記する)(70質量部)、メタクリル酸グリシジル(以下、「GMA」と略記する)(5質量部)及びアクリル酸−2−ヒドロキシエチル(以下、「HEA」と略記する)(15質量部)を共重合してなるアクリル系樹脂(重量平均分子量300000、ガラス転移温度−1℃)。
・光重合開始剤
(c)−1:2−(ジメチルアミノ)−1−(4−モルホリノフェニル)−2−ベンジル−1−ブタノン(BASF社製「Irgacure(登録商標)369」)
(c)−2:エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)(BASF社製「Irgacure(登録商標)OXE02」)
・充填材
(d)−1:シリカフィラー(溶融石英フィラー、平均粒子径8μm)
・カップリング剤
(e)−1:3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製「KBM−503」、シランカップリング剤)
・着色剤
(g)−1:フタロシアニン系青色色素(Pigment Blue 15:3)32質量部と、イソインドリノン系黄色色素(Pigment Yellow 139)18質量部と、アントラキノン系赤色色素(Pigment Red 177)50質量部とを混合し、前記3種の色素の合計量/スチレンアクリル樹脂量=1/3(質量比)となるように顔料化して得られた顔料。
[実施例1]
<保護膜形成用複合シートの製造>
(保護膜形成用組成物(IV−1)の製造)
エネルギー線硬化性成分(a2)−1、重合体(b)−1、光重合開始剤(c)−1、光重合開始剤(c)−2、充填材(d)−1、カップリング剤(e)−1及び着色剤(g)−1を、これらの含有量(固形分量、質量部)が表1に示す値となるようにメチルエチルケトンに溶解又は分散させて、23℃で撹拌することで、固形分濃度が50質量%である保護膜形成用組成物(IV−1)を調製した。なお、表1中の含有成分の欄の「−」との記載は、保護膜形成用組成物(IV−1)がその成分を含有していないことを意味する。
(粘着剤組成物(I−4)の製造)
アクリル系重合体(100質量部、固形分)、及び3官能キシリレンジイソシアネート系架橋剤(三井武田ケミカル社製「タケネートD110N」)(10.7質量部、固形分)を含有し、さらに溶媒としてメチルエチルケトンを含有する、固形分濃度が30質量%の非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物(I−4)を調製した。前記アクリル系重合体は、アクリル酸−2−エチルヘキシル(以下、「2EHA」と略記する)(36質量部)、BA(59質量部)、及びHEA(5質量部)を共重合してなる、重量平均分子量が600000のものである。
(支持シートの製造)
ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム(リンテック社製「SP−PET381031」、厚さ38μm)の前記剥離処理面に、上記で得られた粘着剤組成物(I−4)を塗工し、120℃で2分間加熱乾燥させることにより、厚さ10μmの非エネルギー線硬化性の粘着剤層を形成した。
次いで、この粘着剤層の露出面に、基材としてポリプロピレン系フィルム(ヤング率(400MPa)、厚さ80μm)を貼り合せることにより、前記基材の一方の表面上に前記粘着剤層を備えた支持シート(10)−1を得た。
(保護膜形成用複合シートの製造)
ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム(リンテック社製「SP−PET381031」、厚さ38μm)の前記剥離処理面に、上記で得られた保護膜形成用組成物(IV−1)をナイフコーターにより塗工し、100℃で2分間乾燥させることにより、厚さ25μmのエネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルム(13)−1を作製した。
次いで、上記で得られた支持シート(10)−1の粘着剤層から剥離フィルムを取り除き、この粘着剤層の露出面に、上記で得られた保護膜形成用フィルム(13)−1の露出面を貼り合わせて、基材、粘着剤層、保護膜形成用フィルム(13)−1及び剥離フィルムが、これらの厚さ方向においてこの順に積層されてなる保護膜形成用複合シートを作製した。得られた保護膜形成用複合シートの構成を表2に示す。
<保護膜形成用複合シートの評価>
(保護膜形成用フィルムと支持シートとの間の粘着力)
上記で得られた保護膜形成用複合シートを25mm×140mmの大きさに裁断し、保護膜形成用複合シートから剥離フィルムを取り除いて、保護膜形成用フィルム(13)−1の一方の表面を露出させ、硬化前試験片とした。一方、SUS製の支持板(70mm×150mm)の表面に両面粘着テープを貼り合わせたものを用意した。そして、ラミネーター(Fuji社製「LAMIPACKER LPD3214」)を用いて、硬化前試験片の保護膜形成用フィルム(13)−1の露出面を、支持板上の前記両面粘着テープに貼付することで、支持板に両面粘着テープを介して硬化前試験片を貼付した。
次いで、精密万能試験機(島津製作所製「オートグラフAG−IS」)を用いて、剥離角度180°、測定温度23℃、引張速度300mm/minの条件で、支持シート(10)−1(硬化前の粘着剤層と基材との積層物)を保護膜形成用フィルム(13)−1から剥がす引張試験を行い、このときの荷重(剥離力)を測定して、保護膜形成用フィルム(13)−1と支持シート(10)−1との間の粘着力とした。なお、前記荷重の測定値としては、支持シート(10)−1を長さ100mmに渡って剥がしたときの測定値のうち、最初に長さ10mm分だけ剥がしたときと、最後に長さ10mm分だけ剥がしたときの、それぞれの測定値を有効値から除外したものを採用した。結果を表2に示す。
(保護膜形成用フィルムの引張弾性率)
保護膜形成用フィルム(13)−1の引張弾性率(ヤング率)を次の様に評価した。
すなわち、保護膜形成用シート(厚み:25μm)を2層積層することで、厚み50μmとし、そのサンプルを15mm×100mmのサイズで引張試験(引張速度:50mm/min)を行い、引張初期の応力・歪曲線の傾きから、保護膜形成用フィルム(13)−1の引張弾性率を算出した。
上記で得られた保護膜形成用フィルム(13)−1を裁断して試験片を作製した。
次いで、JIS K7161:1994に準拠して、23℃における前記試験片の引張弾性率(ヤング率)を測定した。このとき、試験片の測定時の幅を15mm、つかみ具間距離を10mm、引張速度を50mm/minとした。
評価結果を表2に示す。
(保護膜と支持シートとの間の粘着力)
上述の、硬化前試験片の粘着力の測定時と同じ方法で、硬化前試験片を作製し、SUS製の支持板に両面粘着テープを介してこの硬化前試験片を貼付した。
次いで、紫外線照射装置(リンテック社製「RAD2000m/8」)を用いて、照度195mW/cm、光量170mJ/cmの条件で、硬化前試験片に紫外線を照射することで、保護膜形成用フィルム(13)−1を硬化させ、硬化後試験片を得た。
次いで、この硬化後試験片について、上述の硬化前試験片の場合と同じ方法で、保護膜形成用フィルム(13)−1を硬化させた保護膜と、支持シート(10)−1との間の粘着力を測定した。結果を表2に示す。
<保護膜の引張弾性率>
上記で得られた保護膜形成用フィルム(13)−1を裁断して試験片を作製した。
次いで、紫外線照射装置(リンテック社製「RAD2000m/8」)を用いて、照度195mW/cm、光量170mJ/cmの条件で、前記試験片に紫外線を照射することで、保護膜形成用フィルム(13)−1を硬化させ、保護膜試験片を得た。
次いで、JIS K7161:1994に準拠して、23℃における前記保護膜試験片の引張弾性率(ヤング率)を測定した。このとき、保護膜試験片の測定時の幅を15mm、つかみ具間距離を10mm、引張速度を50mm/minとした。
評価結果を表2に示す。
(ダイシング評価)
8インチシリコンウエハ(厚さ100μm)の#2000研磨面に、上記で得られた保護膜形成用複合シートをその保護膜形成用フィルム(13)−1によって貼付し、さらにこのシートをリングフレームに固定して、30分間静置した。
次いで、紫外線照射装置(リンテック社製「RAD2000m/8」)を用いて、UV光源と支持シート(10)−1との間に、支持シート(10)−1に接して、外径12インチ、内径8インチのリング状であって、厚さ10mmのSUS製の遮蔽板を設け、この遮蔽板を介して、照度195mW/cm、光量170mJ/cmの条件で、支持シート(10)−1側から保護膜形成用複合シートに紫外線を照射することで、保護膜形成用フィルム(13)−1の周縁部近傍の領域を除く半導体ウエハの貼着領域部分の保護膜形成用フィルム(13)−1を硬化させ、保護膜とした。
次いで、ダイシングブレードを用いて、シリコンウエハを保護膜ごとダイシングして個片化し、3mm×3mmのシリコンチップを得た。
次いで、ダイボンダー(キャノンマシナリー社製「BESTEM−D02」)を用いて、エキスバンド量3mmの条件で、20個の保護膜付きシリコンチップをピックアップした。
このとき、エラーにならずにピックアップできれば「A」と判定し、エラーとなれば、「B」と判定し、ピックアップ適性を評価した。結果を表2に示す。また、このときのエキスパンド後のカーフ幅の測定結果を表2に示す。
[実施例2]
<保護膜形成複合用シートの製造及び評価>
(支持シートの製造)
ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム(リンテック社製「SP−PET381031」、厚さ38μm)の前記剥離処理面に、上記で得られた粘着剤組成物(I−4)を塗工し、120℃で2分間加熱乾燥させることにより、厚さ10μmの非エネルギー線硬化性の粘着剤層を形成した。
次いで、基材としてポリプロピレン系フィルム(ヤング率(400MPa)、厚さ80μm)の一方の表面上に、外径12インチ、内径8インチのリング状であって、厚さ2μmの遮光性を有する印刷層からなる遮光層を設けた。
そして、上記で得られた粘着剤層の露出面に、上記で得られた基材の他方の面を貼り合せることにより、前記基材の他方の表面上に前記粘着剤層を備えた支持シート(10)−2を得た。
(保護膜形成用複合シートの製造及び評価)
上記で得られた支持シート(10)−2を用いた点以外は、実施例1と同様にして、保護膜形成用シートを作製した。
そして、支持シート(10)−1に代えて、この支持シート(10)−2を用いた点以外は、実施例1と同じ方法で保護膜形成用複合シートを製造した。得られた保護膜形成用複合シートの構成を表2に示す。
保護膜形成用フィルムと支持シートとの間の粘着力、保護膜形成用フィルムの引張弾性率、保護膜と支持シートとの間の粘着力、保護膜の引張弾性率の評価結果は、実施例1と同じであった。
(ダイシング評価)
8インチシリコンウエハ(厚さ100μm)の#2000研磨面に、上記で得られた保護膜形成用複合シートをその保護膜形成用フィルム(13)−1によって貼付し、さらにこのシートをリングフレームに固定して、30分間静置した。
次いで、紫外線照射装置(リンテック社製「RAD2000m/8」)を用いて、印刷層からなる遮光層を介して、照度195mW/cm、光量170mJ/cmの条件で、支持シート(10)−1側から保護膜形成用複合シートに紫外線を照射することで、保護膜形成用フィルム(13)−1の周縁部近傍の領域を除く半導体ウエハの貼着領域部分の保護膜形成用フィルム(13)−1を硬化させ、保護膜とした。
次いで、ダイシングブレードを用いて、シリコンウエハを保護膜ごとダイシングして個片化し、3mm×3mmのシリコンチップを得た。
次いで、ダイボンダー(キャノンマシナリー社製「BESTEM−D02」)を用いて、エキスバンド量3mmの条件で、20個の保護膜付きシリコンチップをピックアップした。
このとき、エラーにならずにピックアップできれば「A」と判定し、エラーとなれば、「B」と判定し、ピックアップ適性を評価した。結果を表2に示す。また、このときのエキスパンド後のカーフ幅の測定結果を表2に示す。
[実施例3]
<保護膜形成用複合シートの製造及び評価>
(保護膜形成用複合シートの製造)
実施例1で基材として用いたポリプロピレン系フィルム(厚さ80μm)を、ポリ塩化ビニル系フィルム(ヤング率(280MPa)、厚さ80μm)に代えて用いた点以外は、実施例1と同様にして、支持シート(10)−3を作製した。
そして、支持シート(10)−1に代えて、この支持シート(10)−3を用いた点以外は、実施例1と同じ方法で保護膜形成用複合シートを製造した。得られた保護膜形成用複合シートの構成を表2に示す。
保護膜形成用フィルムと支持シートとの間の粘着力、保護膜形成用フィルムの引張弾性率、保護膜と支持シートとの間の粘着力、保護膜の引張弾性率の評価結果は、実施例1と同じであった。
(ダイシング評価)
実施例1で用いた支持シート(10)−1を、支持シート(10)−3に代えた点以外は、実施例1と同様にして、ダイシング評価をした。
結果を表2に示す。
[実施例4]
<保護膜形成用複合シートの製造及び評価>
(保護膜形成用複合シートの製造)
実施例1で基材として用いたポリプロピレン系フィルム(厚さ80μm)を、ポリ塩化ビニル系フィルム(ヤング率(280MPa)、厚さ80μm)に代えて用いた点以外は、実施例2と同様にして、支持シート(10)−4を作製した。
そして、支持シート(10)−1に代えて、この支持シート(10)−4を用いた点以外は、実施例1と同じ方法で保護膜形成用複合シートを製造した。得られた保護膜形成用複合シートの構成を表2に示す。
保護膜形成用フィルムと支持シートとの間の粘着力、保護膜形成用フィルムの引張弾性率、保護膜と支持シートとの間の粘着力、保護膜の引張弾性率の評価結果は、実施例1と同じであった。
(ダイシング評価)
実施例1で用いた支持シート(10)−1を、支持シート(10)−4に代えた点以外は、実施例1と同様にして、ダイシング評価をした。
結果を表2に示す。
[比較例1]
<保護膜形成用複合シートの製造及び評価>
(保護膜形成用複合シートの製造)
実施例1と同様にして、支持シート(10)−1を作製した。
保護膜形成用フィルムと支持シートとの間の粘着力、保護膜形成用フィルムの引張弾性率、保護膜と支持シートとの間の粘着力、保護膜の引張弾性率の評価結果は、実施例1と同じであった。
(ダイシング評価)
実施例1で用いたSUS製の遮蔽板を用いなかった点以外は実施例1と同様にして、支持シート(10)−1側から保護膜形成用複合シートの全体に紫外線を照射して、ダイシング評価をした。
結果を表2に示す。
[比較例2]
<保護膜形成用複合シートの製造及び評価>
(保護膜形成用複合シートの製造)
実施例3と同様にして、支持シート(10)−3を作製した。
保護膜形成用フィルムと支持シートとの間の粘着力、保護膜形成用フィルムの引張弾性率、保護膜と支持シートとの間の粘着力、保護膜の引張弾性率の評価結果は、実施例1と同じであった。
(ダイシング評価)
実施例1で用いたSUS製の遮蔽板を用いなかった点以外は実施例3と同様にして、支持シート(10)−3側から保護膜形成用複合シートの全体に紫外線を照射して、ダイシング評価をした。
結果を表2に示す。
Figure 0006902530
Figure 0006902530
実施例1〜4の結果から明らかなように、保護膜形成用フィルムの周縁部近傍の領域を除く半導体ウエハの貼着領域部分にエネルギー線を照射した後、半導体ウエハをダイシングした場合、ピックアップ性を改善することができた。保護膜形成用フィルムのうち前記半導体ウエハの貼着領域部分にエネルギー線を照射しつつ、支持シートの周縁部近傍の領域に、保護膜形成用フィルムが硬化されない領域があることによって、積層体をエキスパンドした際に、エキスパンドの作用が保護膜形成用フィルムのうち半導体ウエハの貼付されている領域に満遍なく伝わり、カーフ幅がより良好に拡げることができたことにより、ピックアップ性を改善することができたと推定される。
これに対して、比較例1〜2では、支持シート(10)−1側から保護膜形成用複合シートの全体に紫外線を照射して、保護膜形成用フィルムのうち半導体ウエハの貼着領域の外周部分を含む全体が硬化していることから、積層体をエキスパンドした際に、保護膜形成用フィルムのうち半導体ウエハの貼付されていない外周の領域の硬い保護膜が障害となって、エキスパンドの作用が中央部分の半導体ウエハの貼着領域に良好に伝わらず、ピックアップ性の不良に繋がったと推測される。
本発明は、半導体装置の製造に利用可能である。
1A,1B,1C,1D,1E・・・保護膜形成用複合シート、2F・・・保護膜形成用シート、10・・・支持シート、10a・・・支持シートの表面、11・・・基材、11a・・・基材の表面、12・・・粘着剤層、12a・・・粘着剤層の表面、13,23・・・保護膜形成用フィルム、13’,23’・・・保護膜、13a,23a・・・保護膜形成用フィルムの表面、15・・・剥離フィルム、15’・・・第一の剥離フィルム、15”・・・第二の剥離フィルム、16・・・治具用接着剤層、16a・・・治具用接着剤層の表面、17・・・リングフレーム、18・・・半導体ウエハ、19・・・半導体チップ、20・・・ダイシングブレード、21・・・エネルギー線照射装置、24・・・遮光層

Claims (10)

  1. エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルムを支持シート上に備えてなり、
    前記保護膜形成用フィルムは、前記支持シートの非エネルギー線硬化性の層に直接積層しており、かつ前記支持シートが周縁部近傍の領域に遮光層を有する、保護膜形成用複合シート。
  2. 前記保護膜形成用フィルムの引張弾性率が1×10 Pa以下であり、前記保護膜形成用フィルムにエネルギー線を照射して得られた保護膜の引張弾性率が1.3×10 以上の特性を有する、請求項1に記載の保護膜形成用複合シート。
  3. 前記遮光層が印刷層からなる、請求項1又は2に記載の保護膜形成用複合シート。
  4. 支持シート、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルム及び半導体ウエハをこの順に備えた積層体の、前記半導体ウエハ及び前記保護膜形成用フィルムをダイシングすること、
    前記ダイシングされた保護膜形成用フィルムにおける周縁部近傍の領域を除く前記半導体ウエハの貼着領域部分にエネルギー線を照射することによって前記支持シート上に保護膜付き半導体チップを形成すること、及び
    前記保護膜付き半導体チップをピックアップすること、
    を含み、
    前記保護膜形成用フィルムは、前記支持シートの非エネルギー線硬化性の層に直接積層している、保護膜付き半導体チップの製造方法。
  5. 前記エネルギー線を照射された前記半導体ウエハの貼着領域部分の前記保護膜形成用フィルムは、引張弾性率が1.3×10 以上である保護膜を形成し、前記エネルギー線を照射されない前記保護膜形成用フィルムにおける周縁部近傍の領域の前記保護膜形成用フィルムの引張弾性率は1×10 Pa以下である、請求項4に記載の保護膜付き半導体チップの製造方法。
  6. 支持シート、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルム及び半導体ウエハをこの順に備えた積層体の、前記保護膜形成用フィルムにおける周縁部近傍の領域を除く前記半導体ウエハの貼着領域部分にエネルギー線を照射すること、
    前記エネルギー線を照射後、前記半導体ウエハをダイシングして前記支持シート上に保護膜付き半導体チップ形成すること、及び
    前記保護膜付き半導体チップをピックアップすること、
    を含み、
    前記保護膜形成用フィルムは、前記支持シートの非エネルギー線硬化性の層に直接積層している、保護膜付き半導体チップの製造方法。
  7. 前記エネルギー線を照射された前記半導体ウエハの貼着領域部分の前記保護膜形成用フィルムは、引張弾性率が1.3×10 以上である保護膜を形成し、前記エネルギー線を照射されない前記保護膜形成用フィルムにおける周縁部近傍の領域の前記保護膜形成用フィルムの引張弾性率は1×10 Pa以下である、請求項6に記載の保護膜付き半導体チップの製造方法。
  8. 前記支持シートが周縁部近傍の領域に遮光層を有する、請求項4〜7のいずれか一項に記載の保護膜付き半導体チップの製造方法。
  9. 前記保護膜形成用フィルムの周縁部近傍の領域を除く前記半導体ウエハの貼着領域部分に、遮蔽板を介して、エネルギー線を照射することを含む、請求項4〜7のいずれか一項に記載の保護膜付き半導体チップの製造方法。
  10. 請求項4〜9のいずれか一項に記載の方法により得られた保護膜付き半導体チップを基板に接続することを含む、半導体装置の製造方法。
JP2018514592A 2016-04-28 2017-04-25 保護膜形成用複合シート及び保護膜付き半導体チップの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 Active JP6902530B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016092012 2016-04-28
JP2016092012 2016-04-28
PCT/JP2017/016254 WO2017188197A1 (ja) 2016-04-28 2017-04-25 保護膜形成用複合シート及び保護膜付き半導体チップの製造方法、並びに半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2017188197A1 JPWO2017188197A1 (ja) 2019-03-07
JP6902530B2 true JP6902530B2 (ja) 2021-07-14

Family

ID=60161522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018514592A Active JP6902530B2 (ja) 2016-04-28 2017-04-25 保護膜形成用複合シート及び保護膜付き半導体チップの製造方法、並びに半導体装置の製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6902530B2 (ja)
KR (1) KR102376021B1 (ja)
CN (1) CN109075047B (ja)
TW (1) TWI772293B (ja)
WO (1) WO2017188197A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7192249B2 (ja) * 2018-05-25 2022-12-20 昭和電工マテリアルズ株式会社 樹脂組成物、硬化物、半導体装置及びその製造方法
JP2022152296A (ja) 2021-03-29 2022-10-12 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用複合シート、及び保護膜付きチップの製造方法
JP2023148425A (ja) 2022-03-30 2023-10-13 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、ロール体、及び、保護膜形成フィルムの使用
JP2023148426A (ja) 2022-03-30 2023-10-13 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用複合シート、キット、及び、保護膜形成フィルムの使用

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5144433B1 (ja) 1970-02-02 1976-11-29
JP3097619B2 (ja) * 1997-10-02 2000-10-10 日本電気株式会社 電界放射冷陰極の製造方法
JP2002043251A (ja) * 2000-07-25 2002-02-08 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP4195646B2 (ja) * 2002-07-26 2008-12-10 日東電工株式会社 多層シートとその製造方法及びこの多層シートを用いた粘着シート
JP4364508B2 (ja) * 2002-12-27 2009-11-18 リンテック株式会社 チップ裏面用保護膜形成用シートおよび保護膜付きチップの製造方法
US20050244631A1 (en) * 2004-04-28 2005-11-03 Mitsui Chemicals, Inc. Surface protecting film for semiconductor wafer and method of protecting semiconductor wafer using the same
KR20110010601A (ko) * 2008-03-31 2011-02-01 헨켈 코포레이션 다중층 uv-경화성 접착 필름
JP2010031183A (ja) 2008-07-30 2010-02-12 Furukawa Electric Co Ltd:The エネルギー線硬化型チップ保護用フィルム
JP5456440B2 (ja) * 2009-01-30 2014-03-26 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルム
JP2011204806A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Nitto Denko Corp ウエハの加工方法
JP5439264B2 (ja) * 2010-04-19 2014-03-12 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
JP5840830B2 (ja) * 2010-06-10 2016-01-06 株式会社ブリヂストン 熱線遮蔽複層ガラス
JP5419226B2 (ja) * 2010-07-29 2014-02-19 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム及びその用途
JP5036887B1 (ja) * 2011-03-11 2012-09-26 日東電工株式会社 保護フィルム付きダイシングフィルム
WO2014030699A1 (ja) * 2012-08-23 2014-02-27 リンテック株式会社 保護膜形成層付ダイシングシートおよびチップの製造方法
JP6091955B2 (ja) * 2013-03-26 2017-03-08 リンテック株式会社 粘着シートおよび保護膜形成用複合シートならびに保護膜付きチップの製造方法
EP2979864B1 (en) * 2013-03-28 2020-10-14 LINTEC Corporation Protective film formation composite sheet and method for fabricating a chip equipped with a protective film
JP6334197B2 (ja) * 2014-02-25 2018-05-30 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート、保護膜付きチップ、及び保護膜付きチップの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180134926A (ko) 2018-12-19
KR102376021B1 (ko) 2022-03-17
JPWO2017188197A1 (ja) 2019-03-07
TWI772293B (zh) 2022-08-01
TW201742151A (zh) 2017-12-01
CN109075047B (zh) 2023-08-08
WO2017188197A1 (ja) 2017-11-02
CN109075047A (zh) 2018-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6854811B2 (ja) 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法
JP6902530B2 (ja) 保護膜形成用複合シート及び保護膜付き半導体チップの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JP7071916B2 (ja) 保護膜付き半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP6956074B2 (ja) 保護膜形成用フィルム及び保護膜形成用複合シート
JP6963024B2 (ja) 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法
JP6971977B2 (ja) 保護膜形成用フィルム及び保護膜形成用複合シート、並びに、保護膜付き半導体チップの製造方法及び保護膜付き半導体チップの梱包方法
JPWO2019082974A1 (ja) 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法
JP7086986B2 (ja) 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法
JP6837057B2 (ja) 保護膜付き半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP7290771B2 (ja) 保護膜形成用フィルム及び保護膜形成用複合シート
JPWO2019082968A1 (ja) 保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法
JP6929835B2 (ja) 保護膜形成用複合シート
JP7039460B2 (ja) 保護膜形成用複合シート
JP6938476B2 (ja) 保護膜形成用フィルム及び保護膜形成用複合シート
JP6438173B2 (ja) 保護膜形成用フィルム及び保護膜形成用複合シート
JP6938477B2 (ja) 保護膜形成用複合シート
JP2024008899A (ja) 保護膜形成フィルム、保護膜形成用複合シート、キット、及び、保護膜形成フィルムの使用

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200205

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210323

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210615

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210621

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6902530

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250