TWI719200B - 保護膜形成用膜、保護膜形成用複合片以及半導體晶片的製造方法 - Google Patents

保護膜形成用膜、保護膜形成用複合片以及半導體晶片的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之保護膜形成用膜同時滿足條件(1)：波長為1342nm之雷射光之透過率為45%以上、及條件(2)：波長為1250nm之雷射光之透過率為35%以上。本發明之保護膜形成用複合片具備支持片，於支持片上具備該保護膜形成用膜。

Description

保護膜形成用膜、保護膜形成用複合片以及半導體晶片的製造方法
本發明係關於一種保護膜形成用膜、保護膜形成用複合片以及半導體晶片的製造方法。
本申請案主張基於2016年4月28日在日本提出申請之日本特願2016-092016號的優先權，並將該申請案的內容引用至本文中。
近年來，業界使用稱為所謂倒裝(face down)方式之安裝方法製造半導體裝置。倒裝方式中，使用於電路面上具有凸塊(bump)等電極之半導體晶片，將前述電極與基板接合。因此，會有半導體晶片中的與電路面為相反側的背面裸露之情形。
會有於該裸露之半導體晶片的背面形成含有有機材 料之樹脂膜作為保護膜從而以附有保護膜的半導體晶片之形式組入至半導體裝置中之情形。保護膜係用以防止在切割步驟或封裝之後半導體晶片產生龜裂。
為了形成此種保護膜，例如使用於支持片上具備用以形成保護膜之保護膜形成用膜而成之保護膜形成用複合片 。保護膜形成用複合片中，可使保護膜形成用膜藉由硬化而形成保護膜，進而可利用支持片作為切割片(dicing sheet)，從而可製成保護膜形成用膜與切割片形成為一體之保護膜形成用複合片。
作為此種保護膜形成用複合片，例如至今主要利用具備熱硬化性之保護膜形成用膜而成之保護膜形成用複合片，前述熱硬化性之保護膜形成用膜係藉由利用加熱進行硬化而形成保護膜。但是，熱硬化性之保護膜形成用膜之加熱硬化通常需要數小時左右之長時間，因此期望縮短硬化時間。針對上述情形，業界正研究將可藉由照射紫外線等能量線而硬化之保護膜形成用膜用於形成保護膜。例如揭示有：形成於剝離膜上之能量線硬化型保護膜(參照專利文獻1)；可形成高硬度且對半導體晶片之密接性優異之保護膜之能量線硬化型晶片保護用膜(參照專利文獻2)。
於使用具備此種能量線硬化性之保護膜形成用膜而成之保護膜形成用複合片之情形時，例如會有於半導體晶 圓的背面(與電極形成面為相反側的面)藉由保護膜形成用膜貼附保護膜形成用複合片後，藉由切割將半導體晶圓連同保護膜形成用膜一起分割而製成半導體晶片，藉由照射能量線使保護膜形成用膜硬化而成為保護膜之情形。然後，將半導體晶片在保持貼附有該保護膜之狀態下直接自支持片拉離而進行拾取。
但是，於將保護膜形成用膜切割後使保護膜形成用膜硬化之情形時，藉由切割與半導體晶圓一起分割之保護膜形成用膜，在該保護膜形成用膜之分割面硬化之前，曝露於空氣中。如此，該分割面亦曝露於空氣中所含之氧，對於此種曝露於氧之保護膜形成用膜，即便照射能量線，亦會因氧而阻礙硬化反應，因此硬化變得不充分。結果產生如下等不良情形：無法拾取附有保護膜的半導體晶片，保護半導體晶片的背面的功效降低，收納附有保護膜的半導體晶片時，附有保護膜的半導體晶片藉由保護膜附著於收納場所中的目標外的部位。
另外，半導體裝置的製造過程中，會有藉由紅外線相機等經由保護膜形成用膜或保護膜檢測具備保護膜形成用膜或保護膜之半導體晶圓或半導體晶片的狀態之情形。因此，作為保護膜形成用複合片，期望紅外線之透過性良好。再者，通常，若保護膜形成用膜之紅外線之透過性良好，則保護膜之紅外線之透過性亦良好。
對此，專利文獻1中所揭示之能量線硬化型保護膜、專利文獻2中所揭示之能量線硬化型晶片保護用膜均未以兼顧以下兩方面為目的：抑制伴隨如上述之分割面之硬化不良而產生不良情形、以及具有良好的紅外線透過性。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特許第5144433號公報。
專利文獻2：日本特開2010-031183號公報。
本發明之目的在於提供一種能量線硬化性之保護膜形成用膜、以及具備前述膜之保護膜形成用複合片，前述保護膜形成用膜用以於半導體晶圓或半導體晶片的背面形成保護膜，可抑制伴隨分割面之硬化不良而產生不良情形，具有良好的紅外線透過性。
為了解決上述課題，本發明提供一種保護膜形成用膜，係具有能量線硬化性，且同時滿足下述條件(1)及(2)。
(1)波長為1342nm之雷射光之透過率為45%以上。
(2)波長為1250nm之雷射光之透過率為35%以上。
另外，本發明提供一種保護膜形成用複合片，具備支持片，於前述支持片上具備前述保護膜形成用膜。
另外，本發明提供一種半導體晶片的製造方法，包含有以下步驟：將前述保護膜形成用膜、或者前述保護膜形成用複合片中的保護膜形成用膜貼附於半導體晶圓；對貼附於前述半導體晶圓之前述保護膜形成用膜照射能量線，於前述半導體晶圓形成保護膜；以聚焦於設定於前述半導體晶圓的內部之焦點之方式，經由前述保護膜或保護膜形成用膜照射紅外區域之雷射光，於前述半導體晶圓的內部形成改質層；及對形成有前述改質層之前述半導體晶圓施加力，藉此於前述改質層之部位分割前述半導體晶圓，獲得複數個半導體晶片。
藉由使用本發明之保護膜形成用膜及保護膜形成用複合片，可於半導體晶圓或半導體晶片的背面形成保護膜，可抑制伴隨保護膜形成用膜之分割面之硬化不良而產生不良情形。另外，半導體裝置的製造過程中，可藉由紅外線相機等經由保護膜形成用膜或保護膜良好地檢測具備保護膜形成用膜或保護膜之半導體晶圓或半導體晶片的狀態。
1A、1B、1C、1D、1E‧‧‧保護膜形成用複合片
9‧‧‧半導體晶圓
9b‧‧‧(半導體晶圓的)背面
9'‧‧‧半導體晶片
10‧‧‧支持片
10a‧‧‧(支持片的)表面
11‧‧‧基材
11a‧‧‧(基材的)表面
12‧‧‧黏著劑層
12a‧‧‧(黏著劑層的)表面
13、23‧‧‧保護膜形成用膜
13a、23a‧‧‧(保護膜形成用膜的一方的)表面
13b‧‧‧(保護膜形成用膜的另一方的)表面
13'‧‧‧保護膜
13a'‧‧‧(保護膜的一方的)表面
13b‧‧‧(保護膜的另一方的)表面
15‧‧‧剝離膜
16‧‧‧治具用接著劑層
16a‧‧‧(治具用接著劑層的)表面
91‧‧‧(半導體晶圓的)改質層
130'‧‧‧(切斷後的)保護膜
151‧‧‧第1剝離膜
152‧‧‧第2剝離膜
圖1係以示意方式顯示本發明之保護膜形成用膜的 一實施形態之剖視圖。
圖2係以示意方式顯示本發明之保護膜形成用複合片的一實施形態之剖視圖。
圖3係以示意方式顯示本發明之保護膜形成用複合片的另一實施形態之剖視圖。
圖4係以示意方式顯示本發明之保護膜形成用複合片的又一實施形態之剖視圖。
圖5係以示意方式顯示本發明之保護膜形成用複合片的又一實施形態之剖視圖。
圖6係以示意方式顯示本發明之保護膜形成用複合片的又一實施形態之剖視圖。
圖7A係用於以示意方式說明單獨使用本發明之保護膜形成用膜之情形時，半導體晶片的製造方法的一實施形態之剖視圖。
圖7B係用於以示意方式說明單獨使用本發明之保護膜形成用膜之情形時，半導體晶片的製造方法的一實施形態之剖視圖。
圖7C係用於以示意方式說明單獨使用本發明之保護膜形成用膜之情形時，半導體晶片的製造方法的一實施形態之剖視圖。
圖7D係用於以示意方式說明單獨使用本發明之保護膜形成用膜之情形時，半導體晶片的製造方法的一實施形態之剖視圖。
圖7E係用於以示意方式說明單獨使用本發明之保護 膜形成用膜之情形時，半導體晶片的製造方法的一實施形態之剖視圖。
圖8A係用於以示意方式說明使本發明之保護膜形成用膜預先與支持片一體化而使用之情形時，半導體晶片的製造方法的一實施形態之剖視圖。
圖8B係用於以示意方式說明使本發明之保護膜形成用膜預先與支持片一體化而使用之情形時，半導體晶片的製造方法的一實施形態之剖視圖。
圖8C係用於以示意方式說明使本發明之保護膜形成用膜預先與支持片一體化而使用之情形時，半導體晶片的製造方法的一實施形態之剖視圖。
圖8D係用於以示意方式說明使本發明之保護膜形成用膜預先與支持片一體化而使用之情形時，半導體晶片的製造方法的一實施形態之剖視圖。
◇保護膜形成用膜
本發明之保護膜形成用膜具有能量線硬化性，且同時滿足下述條件(1)及(2)。
(1)波長為1342nm之雷射光之透過率(以下，有時簡記為「透過率(1342nm)」)為45%以上。
(2)波長為1250nm之雷射光之透過率(以下，有時簡記為「透過率(1250nm)」)為35%以上。
如後述般，藉由將前述保護膜形成用膜設置於支持 片，可構成保護膜形成用複合片。
前述保護膜形成用膜藉由照射能量線進行硬化而成為保護膜。該保護膜用以對半導體晶圓或半導體晶片的背面(與電極形成面為相反側的面)進行保護。保護膜形成用膜為軟質，可容易地貼附於貼附對象物。
前述保護膜形成用膜為能量線硬化性，藉此相較於熱硬化性之保護膜形成用膜而言，可藉由短時間內之硬化而形成保護膜。
再者，本說明書中，所謂「保護膜形成用膜」意指硬化前之保護膜形成用膜，所謂「保護膜」意指保護膜形成用膜硬化後之膜。
作為前述保護膜形成用膜，例如可列舉：含有後述之能量線硬化性成分(a)及著色劑(g)之膜。
能量線硬化性成分(a)較佳為未硬化，較佳為具有黏著性，更佳為未硬化且具有黏著性。
本發明中，所謂「能量線」意指具有能量量子的電磁波或帶電粒子束，作為該能量線的示例，可列舉紫外線、放射線、電子束等。
紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、融合(Fusion)H型燈、氙氣燈、黑光燈或LED(Light Emitting Diode；發光 二極體)燈等作為紫外線源進行照射。電子束可照射藉由電子束加速器等產生之電子束。
本發明中，所謂「能量線硬化性」意指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」意指即便照射能量線亦不硬化之性質。
條件(1)中，波長為1342nm之雷射光適於利用後述方法照射至半導體晶圓而於該半導體晶圓的內部形成改質層。並且，於保護膜形成用膜之透過率(1342nm)高之情形時，該膜硬化而成之保護膜之透過率(1342nm)亦同樣高。因此，滿足條件(1)之保護膜形成用膜適於經由該保護膜形成用膜或經由保護膜，對半導體晶圓照射波長為1342nm之雷射光，形成改質層。
另一方面，對於形成有改質層之半導體晶圓，藉由施加力，而於形成該改質層之部位被分割，成為半導體晶片。此時，半導體晶圓通常與貼附於該半導體晶圓的背面之保護膜一起分割，由於未在保護膜形成用膜之狀態下分割，故而保護膜形成用膜之分割面不會曝露於空氣中，從而不會曝露於氧。因此，照射能量線時，不會因氧而使硬化反應受到阻害，故而保護膜形成用膜整體充分硬化。結果可避免產生如下等不良情形：例如，無法拾取附有保護膜的半導體晶片，保護半導體晶片的背面的功效降低，收納附有保護膜的半導體晶片時，附有保護膜的半導體晶片 藉由保護膜附著於收納場所中的目標外的部位。
如此，本發明之保護膜形成用膜滿足條件(1)，藉此可避免因該保護膜形成用膜之分割面中的硬化不充分而產生不良情形。
前述保護膜形成用膜之透過率(1342nm)較佳為50%以上，更佳為55%以上。藉由透過率(1342nm)為前述下限值以上，可獲得更顯著的本發明之功效。
透過率(1342nm)的上限值並無特別限定，例如可為100%。
另一方面，條件(2)中，波長為1250nm之雷射光適於利用後述方法，藉由紅外線相機等檢測半導體晶圓或半導體晶片之狀態。並且，於保護膜形成用膜之透過率(1250nm)高之情形時，該膜硬化而成之保護膜之透過率(1250nm)亦同樣高。
如此，本發明之保護膜形成用膜滿足條件(2)，藉此適於經由該保護膜形成用膜或經由保護膜，檢測半導體晶圓或半導體晶片之狀態。
前述保護膜形成用膜之透過率(1250nm)較佳為40%以上，更佳為45%以上。藉由透過率(1250nm)為前述下限值以上，可獲得更顯著的本發明之功效。
透過率(1250nm)的上限值並無特別限定，例如可為 100%。
硬化後之前述保護膜形成用膜，亦即保護膜之波長為1342nm之雷射光之透過率(以下，有時簡記為「保護膜透過率(1342nm)」)較佳為45%以上，更佳為50%以上，尤佳為55%以上。藉由保護膜透過率(1342nm)為前述下限值以上，可獲得更顯著的本發明之功效。
保護膜透過率(1342nm)的上限值並無特別限定，例如可為100%。
前述保護膜之波長為1250nm之雷射光之透過率(以下，有時簡記為「保護膜透過率(1250nm)」)較佳為35%以上，更佳為40%以上，尤佳為45%以上。藉由保護膜透過率(1250nm)為前述下限值以上，可獲得更顯著的本發明之功效。
保護膜透過率(1250nm)的上限值並無特別限定，例如可為100%。
以下，本說明書中，僅記載為「透過率(1342nm)」、「透過率(1250nm)」時，分別意指保護膜形成用膜之透過率。
前述保護膜形成用膜之透過率(1342nm)及透過率(1250nm)、以及保護膜透過率(1342nm)及保護膜透過率(1250nm)例如可藉由調節保護膜形成用膜的含有成分的 種類及量等而適宜調節。
例如，保護膜形成用膜的含有成分的種類及量可藉由後述之保護膜形成用組成物的含有成分的種類及量而調節。並且，藉由調節保護膜形成用組成物的含有成分中，例如著色劑(g)的種類及含量，可更容易地調節保護膜形成用膜之透過率(1342nm)及透過率(1250nm)、以及保護膜透過率(1342nm)及保護膜透過率(1250nm)。
保護膜形成用膜可僅為1層(單層)，亦可為2層以上之複數層；於為複數層之情形時，這些複數層相互可相同亦可不同，這些複數層之組合並無特別限定。
再者，本說明書中，並不限於保護膜形成用膜之情形，所謂「複數層相互可相同亦可不同」意指「可全部層相同，亦可全部層皆不同，還可僅一部分層相同」，再者所謂「複數層相互不同」意指「各層的構成材料及厚度之至少一者相互不同」。
保護膜形成用膜的厚度較佳為1μm至100μm，更佳為5μm至75μm，尤佳為5μm至50μm。藉由保護膜形成用膜的厚度為前述下限值以上，可形成保護能力更高的保護膜。另外，藉由保護膜形成用膜的厚度為前述上限值以下，可抑制厚度過厚。
此處，所謂「保護膜形成用膜的厚度」意指保護膜形 成用膜整體的厚度，例如所謂由複數層構成之保護膜形成用膜的厚度意指構成保護膜形成用膜之全部層的合計厚度。
關於使保護膜形成用膜硬化而形成保護膜時的硬化條件，只要保護膜成為充分發揮該保護膜的功能之程度的硬化度，則並無特別限定，根據保護膜形成用膜的種類適宜選擇即可。
例如，保護膜形成用膜之硬化時，能量線之照度較佳為4mW/cm2至280mW/cm2。並且，前述硬化時，能量線之光量較佳為3mJ/cm2至1000mJ/cm2。
圖1係以示意方式顯示本發明之保護膜形成用膜的一實施形態之剖視圖。再者，以下之說明中所使用之圖中，為了易於理解本發明之特徵，方便起見，會有將成為主要部分之部分放大顯示之情形，而並不限於各構成要素的尺寸比率等與實際相同。
此處所示之保護膜形成用膜13於該保護膜形成用膜13的一方的表面13a上具備第1剝離膜151，於與前述表面13a為相反側的另一方的表面13b上具備第2剝離膜152。
此種保護膜形成用膜13例如適於以捲筒狀進行保管。
保護膜形成用膜13可使用後述之保護膜形成用組成物而形成。
保護膜形成用膜13同時滿足前述條件(1)及(2)。
第1剝離膜151及第2剝離膜152均可為公知的剝離膜。
第1剝離膜151及第2剝離膜152可相互相同，亦可相互不同，例如自保護膜形成用膜13剝離時所需之剝離力相互不同等。
圖1所示之保護膜形成用膜13係於將第1剝離膜151及第2剝離膜152之任一者移除所產生之露出面貼附半導體晶圓(省略圖示)的背面。並且，將第1剝離膜151及第2剝離膜152之剩餘之另一者移除所產生之露出面成為支持片之貼附面。
<<保護膜形成用組成物>>
保護膜形成用膜可使用含有該保護膜形成用膜的構成材料之保護膜形成用組成物而形成。例如，於保護膜形成用膜之形成對象面塗敷保護膜形成用組成物，視需要使保護膜形成用組成物乾燥，藉此可於目標部位形成保護膜形成用膜。保護膜形成用組成物中的常溫下不會氣化的成分彼此的含量比率，通常與保護膜形成用膜中的前述成分 彼此的含量比率相同。再者，本說明書中，所謂「常溫」意指不特別冷或特別熱的溫度，亦即平常的溫度，例如可列舉15℃至25℃之溫度等。
利用公知的方法塗敷保護膜形成用組成物即可，例如可列舉使用以下各種塗佈機之方法：氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模具塗佈機、刀式塗佈機、絲網塗佈機、繞線棒(Meyer bar)式塗佈機、接觸式塗佈機等。
保護膜形成用組成物的乾燥條件並無特別限定，於保護膜形成用組成物含有後述溶劑之情形時，較佳為進行加熱乾燥。含有溶劑之保護膜形成用組成物較佳為於例如70℃至130℃且10秒至5分鐘之條件下進行乾燥。
<保護膜形成用組成物(IV-1)>
作為保護膜形成用組成物，例如可列舉含有前述能量線硬化性成分(a)之保護膜形成用組成物(IV-1)等。
[能量線硬化性成分(a)]
能量線硬化性成分(a)係藉由照射能量線而硬化之成分，該成分用以對保護膜形成用膜賦予造膜性或可撓性等。
作為能量線硬化性成分(a)，例如可列舉：具有能量 線硬化性基且重量平均分子量為80000至2000000之聚合物(a1)、及具有能量線硬化性基且分子量為100至80000之化合物(a2)。前述聚合物(a1)可至少一部分藉由後述之交聯劑(f)進行交聯，亦可不進行交聯。
再者，本說明書中，所謂重量平均分子量，只要無特別說明，則意指藉由凝膠滲透層析(GPC；Gel Permeation Chromatography)法所測定之聚苯乙烯換算值。
(具有能量線硬化性基且重量平均分子量為80000至2000000之聚合物(a1))
作為具有能量線硬化性基且重量平均分子量為80000至2000000之聚合物(a1)，例如可列舉丙烯酸系樹脂(a1-1)，該丙烯酸系樹脂(a1-1)係丙烯酸系聚合物(a11)與能量線硬化性化合物(a12)聚合而成，前述丙烯酸系聚合物(a11)具有可與其他化合物所具有之基反應之官能基，前述能量線硬化性化合物(a12)具有與前述官能基反應之基及能量線硬化性雙鍵等能量線硬化性基。
作為可與其他化合物所具有之基反應之前述官能基，例如可列舉：羥基、羧基、胺基、取代胺基(胺基的1個或2個氫原子被氫原子以外的基取代而成之基)、環氧基等。但是，就防止半導體晶圓或半導體晶片等的電路腐蝕之方面而言，前述官能基較佳為羧基以外的基。
這些之中，前述官能基較佳為羥基。
‧具有官能基之丙烯酸系聚合物(a11)
前述具有官能基之丙烯酸系聚合物(a11)例如可列舉：使前述具有官能基之丙烯酸系單體與前述不具有官能基之丙烯酸系單體進行共聚合而成之聚合物，亦可為除這些單體以外，進而使丙烯酸系單體以外的單體(非丙烯酸系單體)進行共聚合而成之聚合物。
另外，前述丙烯酸系聚合物(a11)可為無規共聚物，亦可為嵌段共聚物。
作為前述具有官能基之丙烯酸系單體，例如可列舉：含羥基之單體、含羧基之單體、含胺基之單體、含取代胺基之單體、含環氧基之單體等。
作為前述含羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸系不飽和醇(不具有(甲基)丙烯醯基骨架之不飽和醇)等。
作為前述含羧基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸、丁烯酸等乙烯性不飽和單羧酸(具有乙烯性不飽和鍵 之單羧酸)；反丁烯二酸、衣康酸、順丁烯二酸、檸康酸等乙烯性不飽和二羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之二羧酸)；前述乙烯性不飽和二羧酸之酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
前述具有官能基之丙烯酸系單體較佳為含羥基之單體、或含羧基之單體，更佳為含羥基之單體。
構成前述丙烯酸系聚合物(a11)之前述具有官能基之丙烯酸系單體可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
作為前述不具有官能基之丙烯酸系單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷 基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等構成烷基酯之烷基為碳數為1至18之鏈狀結構之(甲基)丙烯酸烷基酯等。
另外，作為前述不具有官能基之丙烯酸系單體，例如亦可列舉：(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基烷基之(甲基)丙烯酸酯；包含(甲基)丙烯酸苯酯等(甲基)丙烯酸芳基酯等之具有芳香族基之(甲基)丙烯酸酯；非交聯性的(甲基)丙烯醯胺及其衍生物；(甲基)丙烯酸N,N-二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲胺基丙酯等非交聯性的具有三級胺基之(甲基)丙烯酸酯等。
構成前述丙烯酸系聚合物(a11)之前述不具有官能基之丙烯酸系單體可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
作為前述非丙烯酸系單體，例如可列舉：乙烯、降冰片烯等烯烴；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。
構成前述丙烯酸系聚合物(a11)之前述非丙烯酸系單體可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
前述丙烯酸系聚合物(a11)中，由具有前述官能基之丙 烯酸系單體衍生之結構單元之量相對於構成該丙烯酸系聚合物(a11)之結構單元之總質」量的比例(含量)較佳為0.1質量%至50質量%，更佳為1質量%至40質量%，尤佳為3質量%至30質量%。藉由前述比例為此種範圍，可將由前述丙烯酸系聚合物(a11)與前述能量線硬化性化合物(a12)之共聚合所獲得之前述丙烯酸系樹脂(a1-1)中能量線硬化性基的含量容易地調節為使保護膜的硬化程度較佳之範圍。
構成前述丙烯酸系樹脂(a1-1)之前述丙烯酸系聚合物(a11)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
保護膜形成用組成物(IV-1)中，丙烯酸系樹脂(a1-1)的含量較佳為1質量%至40質量%，更佳為2質量%至30質量%，尤佳為3質量%至20質量%。
‧能量線硬化性化合物(a12)
前述能量線硬化性化合物(a12)較佳為具有選自由異氰酸酯基、環氧基及羧基所組成之群組中的1種或2種以上作為可與前述丙烯酸系聚合物(a11)所具有之官能基反應之基，更佳為具有異氰酸酯基作為前述基。於前述能量線硬化性化合物(a12)例如具有異氰酸酯基作為前述基之情形時，該異氰酸酯基與前述具有羥基作為官能基之丙烯 酸系聚合物(a11)的該羥基容易反應。
前述能量線硬化性化合物(a12)較佳為於1分子中具有1個至5個前述能量線硬化性基，更佳為具有1個至3個。
作為前述能量線硬化性化合物(a12)，例如可列舉：異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、間-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸烯丙酯、異氰酸1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙酯；藉由二異氰酸酯化合物或多異氰酸酯化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯之反應而獲得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；藉由二異氰酸酯化合物或多異氰酸酯化合物、多元醇化合物及(甲基)丙烯酸羥基乙酯之反應而獲得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物等。
這些之中，前述能量線硬化性化合物(a12)較佳為異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯。
構成前述丙烯酸系樹脂(a1-1)之前述能量線硬化性化合物(a12)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
前述丙烯酸系樹脂(a1-1)中，源自前述能量線硬化性化合物(a12)之能量線硬化性基的含量相對於源自前述丙 烯酸系聚合物(a11)之前述官能基的含量之比例較佳為20莫耳%至120莫耳%，更佳為35莫耳%至100莫耳%，尤佳為50莫耳%至100莫耳%。藉由前述含量比例為此種範圍，由硬化所形成之保護膜的接著力變得更大。再者，於前述能量線硬化性化合物(a12)為一官能(於1分子中具有1個前述基)化合物之情形時，前述含量之比例的上限值成為100莫耳%，但於前述能量線硬化性化合物(a12)為多官能(於1分子中具有2個以上前述基)化合物之情形時，會有前述含量之比例的上限值超過100莫耳%之情形。
前述聚合物(a1)的重量平均分子量(Mw)較佳為100000至2000000，更佳為300000至1500000。
於前述聚合物(a1)的至少一部分藉由交聯劑(f)進行交聯之情形時，前述聚合物(a1)可使不符合上述說明之構成前述丙烯酸系聚合物(a11)之任一單體且具有與交聯劑(f)反應之基之單體進行聚合，在與交聯劑(f)反應之基中進行交聯，亦可在源自前述能量線硬化性化合物(a12)之與前述官能基反應之基中進行交聯。
保護膜形成用組成物(IV-1)及保護膜形成用膜所含有之前述聚合物(a1)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
(具有能量線硬化性基且分子量為100至80000之化合物(a2))
作為具有能量線硬化性基且分子量為100至80000之化合物(a2)中之前述能量線硬化性基，可列舉包含能量線硬化性雙鍵之基，作為較佳的該基，可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基等。
若前述化合物(a2)滿足上述條件，則並無特別限定，可列舉：具有能量線硬化性基之低分子量化合物、具有能量線硬化性基之環氧樹脂、具有能量線硬化性基之酚樹脂等。
前述化合物(a2)中，作為具有能量線硬化性基之低分子量化合物，例如可列舉多官能之單體或低聚物等，較佳為具有(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯系化合物。
作為前述丙烯酸酯系化合物，例如可列舉：甲基丙烯酸2-羥基-3-(甲基)丙烯醯氧基丙酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基聚乙氧基)苯基]丙烷、乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基二乙氧基)苯基]丙烷、9,9-雙[4-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基聚丙氧基)苯基]丙烷、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯(三環癸烷二羥甲基二(甲基)丙烯酸酯)、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己 二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基乙氧基)苯基]丙烷、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-1,3-二(甲基)丙烯醯氧基丙烷等2官能(甲基)丙烯酸酯；異氰脲酸三(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酯、ε-己內酯改性異氰脲酸三-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酯、乙氧基化甘油三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯低聚物等多官能(甲基)丙烯酸酯低聚物等。
前述化合物(a2)中，作為具有能量線硬化性基之環氧樹脂、具有能量線硬化性基之酚樹脂，例如可使用「日本特開2013-194102號公報」中的段落0043等中所記載之樹脂。此種樹脂亦符合構成後述之熱硬化性成分(h)之樹脂，但本發明中視作前述化合物(a2)。
前述化合物(a2)的重量平均分子量較佳為100至 30000，更佳為300至10000。
保護膜形成用組成物(IV-1)及保護膜形成用膜所含有之前述化合物(a2)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
[不具有能量線硬化性基之聚合物(b)]
於保護膜形成用組成物(IV-1)及保護膜形成用膜含有前述化合物(a2)作為前述能量線硬化性成分(a)之情形時，較佳為進而亦含有不具有能量線硬化性基之聚合物(b)。
前述聚合物(b)可至少一部分藉由交聯劑(f)進行交聯，亦可不進行交聯。
作為不具有能量線硬化性基之聚合物(b)，例如可列舉：丙烯酸系聚合物、苯氧基樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚酯、橡膠系樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂、聚乙烯醇(PVA)、丁醛樹脂、聚酯胺基甲酸酯樹脂等。
這些之中，前述聚合物(b)較佳為丙烯酸系聚合物(以下，有時簡稱為「丙烯酸系聚合物(b-1)」)。
丙烯酸系聚合物(b-1)可為公知的聚合物，例如可為1種丙烯酸系單體的均聚物，亦可為2種以上丙烯酸系單體的共聚物，還可為1種或2種以上丙烯酸系單體與1種或 2種以上除丙烯酸系單體以外的單體(非丙烯酸系單體)之共聚物。
作為構成丙烯酸系聚合物(b-1)之前述丙烯酸系單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯、含縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯、含羥基之(甲基)丙烯酸酯、含取代胺基之(甲基)丙烯酸酯等。此處，所謂「取代胺基」如上文所說明。
作為前述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等構成烷基酯之烷基為碳數為1至18之鏈狀結構之(甲基)丙烯酸烷基酯等。
作為前述具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯；(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯酯等(甲基)丙烯酸環烯基酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸環烯氧基烷基酯等。
作為前述含縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。
作為前述含羥基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。
作為前述含取代胺基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙酯等。
作為構成丙烯酸系聚合物(b-1)之前述非丙烯酸系單體，例如可列舉：乙烯、降冰片烯等烯烴；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。
作為至少一部分藉由交聯劑(f)進行交聯且不具有前述能量線硬化性基之聚合物(b)，例如可列舉：前述聚合 物(b)中的反應性官能基與交聯劑(f)反應之聚合物。
前述反應性官能基根據交聯劑(f)之種類等適宜選擇即可，並無特別限定。例如，於交聯劑(f)為多異氰酸酯化合物之情形時，作為前述反應性官能基，可列舉羥基、羧基、胺基等，這些之中，較佳為與異氰酸酯基之反應性高之羥基。另外，於交聯劑(f)為環氧系化合物之情形時，作為前述反應性官能基，可列舉羧基、胺基、醯胺基等，這些之中，較佳為與環氧基之反應性高之羧基。但是，就防止半導體晶圓或半導體晶片的電路腐蝕之方面而言，前述反應性官能基較佳為羧基以外的基。
作為具有前述反應性官能基且不具有能量線硬化性基之聚合物(b)，例如可列舉：至少使具有前述反應性官能基之單體進行聚合而獲得之聚合物。於丙烯酸系聚合物(b-1)之情形時，作為構成該丙烯酸系聚合物(b-1)之單體所列舉之前述丙烯酸系單體及非丙烯酸系單體的任一者或兩者，使用具有前述反應性官能基之單體即可。作為具有羥基作為反應性官能基之前述聚合物(b)，例如可列舉使含羥基之(甲基)丙烯酸酯進行聚合而獲得之聚合物，除此以外，亦可列舉使上文所列舉之前述丙烯酸系單體或非丙烯酸系單體中1個或2個以上氫原子被前述反應性官能基取代而成之單體進行聚合而獲得之聚合物。
具有反應性官能基之前述聚合物(b)中，由具有反應 性官能基之單體衍生之結構單元的量相對於構成該聚合物(b)之結構單元的全部量之比例(含量)較佳為1質量%至25質量%，更佳為2質量%至20質量%。藉由前述比例為此種範圍，前述聚合物(b)中，交聯程度成為更佳的範圍。
就保護膜形成用組成物(IV-1)的造膜性更良好之方面而言，不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的重量平均分子量(Mw)較佳為10000至2000000，更佳為100000至1500000。
保護膜形成用組成物(IV-1)及保護膜形成用膜所含有之不具有能量線硬化性基之聚合物(b)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
作為保護膜形成用組成物(IV-1)，可列舉含有前述聚合物(a1)及前述化合物(a2)的任一者或兩者之組成物。並且，於保護膜形成用組成物(IV-1)含有前述化合物(a2)之情形時，較佳為亦進一步含有不具有能量線硬化性基之聚合物(b)，該情形時，亦較佳為進一步含有前述(a1)。另外，保護膜形成用組成物(IV-1)亦可不含有前述化合物(a2)，且一併含有前述聚合物(a1)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)。
於保護膜形成用組成物(IV-1)含有前述聚合物(a1)、前述化合物(a2)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)之情形時，保護膜形成用組成物(IV-1)中，前述化合物(a2)的含量相對於前述聚合物(a1)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的總含量100質量份，較佳為10質量份至400質量份，更佳為30質量份至350質量份。
保護膜形成用組成物(IV-1)中，前述能量線硬化性成分(a)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的合計含量相對於溶劑以外的成分的總含量之比例(亦即保護膜形成用膜中的前述能量線硬化性成分(a)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的合計含量)較佳為5質量%至90質量%，更佳為10質量%至80質量%，尤佳為15質量%至70質量%，例如可為15質量%至60質量%、及15質量%至50質量%之任一者。藉由前述合計含量之比例為此種範圍，保護膜形成用膜的能量線硬化性變得更良好。
於保護膜形成用組成物(IV-1)含有前述能量線硬化性成分(a)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)之情形時，保護膜形成用組成物(IV-1)及保護膜形成用膜中，前述聚合物(b)的含量相對於能量線硬化性成分(a)的含量100質量份，較佳為3質量份至160質量份，更佳為6質量份至130質量份。藉由前述聚合物(b)的前述含量為此種範圍，保護膜形成用膜的能量線硬化性變得更良好。
保護膜形成用組成物(IV-1)中，除了能量線硬化性成分(a)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)以外，亦可根據目的含有選自由光聚合起始劑(c)、填充材料(d)、偶合劑(e)、交聯劑(f)、著色劑(g)、熱硬化性成分(h)及通用添加劑(z)所組成之群組中的1種或2種以上。
例如，藉由使用含有前述能量線硬化性成分(a)及熱硬化性成分(h)之保護膜形成用組成物(IV-1)，所形成之保護膜形成用膜藉由加熱而對被接著體之接著力提高，由該保護膜形成用膜形成之保護膜的強度亦提高。
另外，藉由使用著色劑(g)作為保護膜形成用組成物(IV-1)的含有成分，容易調節透過率(1342nm)以滿足前述條件(1)，以及調節透過率(1250nm)以滿足前述條件(2)。
[光聚合起始劑(c)]
作為光聚合起始劑(c)，例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮等安息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫化物、一硫化四甲基秋蘭姆等硫化物化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮雙異丁腈等偶氮化合物；二茂 鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮等噻噸酮化合物；二苯甲酮、2-(二甲基胺基)-1-(4-嗎啉(morpholine)基苯基)-2-苄基-1-丁酮、乙酮，1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(O-乙醯基肟)等二苯甲酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯；二苯偶醯；2,4-二乙基噻噸酮；1,2-二苯基甲烷；2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。
另外，作為光聚合起始劑(c)，例如亦可使用1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光增感劑等。
保護膜形成用組成物(IV-1)所含有之光聚合起始劑(c)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
於使用光聚合起始劑(c)之情形時，保護膜形成用組成物(IV-1)中，光聚合起始劑(c)的含量相對於能量線硬化性化合物(a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
[填充材料(d)]
藉由保護膜形成用膜含有填充材料(d)，保護膜形成用膜硬化而獲得之保護膜容易調整熱膨脹係數。並且，使該熱膨脹係數對於保護膜之形成對象物而言最佳化，藉此 使用保護膜形成用複合片所獲得之封裝的可靠性進一步提高。另外，藉由保護膜形成用膜含有填充材料(d)，可降低保護膜的吸濕率，或提高散熱性。
作為填充材料(d)，例如可列舉由導熱性材料構成之材料。
填充材料(d)可為有機填充材料及無機填充材料之任一者，較佳為無機填充材料。
作為較佳的無機填充材料，例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、鐵丹、碳化矽、氮化硼等的粉末；將這些無機填充材料球形化而成之珠粒；這些無機填充材料的表面改質品；這些無機填充材料的單晶纖維；玻璃纖維等。
這些之中，無機填充材料較佳為二氧化矽或氧化鋁。
填充材料(d)的平均粒徑並無特別限定，較佳為0.01μm至20μm，更佳為0.1μm至15μm，尤佳為0.3μm至10μm。藉由填充材料(d)的平均粒徑為此種範圍，可維持對保護膜之形成對象物之接著性，並且可抑制保護膜之光之透過率之降低。
再者，本說明書中，所謂「平均粒徑」，只要無特別說明，則意指藉由雷射繞射散射法所求出之粒度分佈曲線中累計值50%下的粒徑(D50)之值。
保護膜形成用組成物(IV-1)及保護膜形成用膜所含有之填充材料(d)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
於使用填充材料(d)之情形時，保護膜形成用組成物(IV-1)中，填充材料(d)的含量相對於溶劑以外的全部成分的總含量之比例(亦即保護膜形成用膜中的填充材料(d)的含量)較佳為5質量%至83質量%，更佳為7質量%至78質量%，例如可為10質量%至78質量%、20質量%至78質量%、30質量%至78質量%、40質量%至78質量%、及50質量%至78質量%之任一者。藉由填充材料(d)的含量為此種範圍，更容易調整上述之熱膨脹係數。
[偶合劑(e)]
藉由使用具有可與無機化合物或有機化合物反應之官能基之偶合劑作為偶合劑(e)，可提高保護膜形成用膜對被接著體之接著性及密接性。另外，藉由使用偶合劑(e)，保護膜形成用膜硬化而獲得之保護膜無損耐熱性而耐水性提高。
偶合劑(e)較佳為具有可與能量線硬化性成分(a)、不具有能量線硬化性基之聚合物(b)等所具有之官能基反應之官能基之化合物，更佳為矽烷偶合劑。
作為較佳的前述矽烷偶合劑，例如可列舉：3-縮水甘 油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(苯基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。
保護膜形成用組成物(IV-1)及保護膜形成用膜所含有之偶合劑(e)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
於使用偶合劑(e)之情形時，保護膜形成用組成物(IV-1)及保護膜形成用膜中，偶合劑(e)的含量相對於能量線硬化性成分(a)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的總含量100質量份，較佳為0.03質量份至20質量份，更佳為0.05質量份至10質量份，尤佳為0.1質量份至5質量份。藉由偶合劑(e)的前述含量為前述下限值以上，可獲得更顯著的以下由使用偶合劑(e)所帶來之功效：填充材料(d)於樹脂中的分散性提高，或保護膜形成用膜與被 接著體之接著性提高等。另外，藉由偶合劑(e)的前述含量為前述上限值以下，可進一步抑制產生逸氣。
[交聯劑(f)]
藉由使用交聯劑(f)，使上述之能量線硬化性成分(a)或不具有能量線硬化性基之聚合物(b)進行交聯，可調節保護膜形成用膜的初期接著力及凝聚力。
作為交聯劑(f)，例如可列舉：有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物、金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)、氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)等。
作為前述有機多元異氰酸酯化合物，例如可列舉：芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物及脂環族多元異氰酸酯化合物(以下，有時將這些化合物統一簡稱為「芳香族多元異氰酸酯化合物等」)；前述芳香族多元異氰酸酯化合物等的三聚物、異氰脲酸酯體及加合物；使前述芳香族多元異氰酸酯化合物等與多元醇化合物反應而獲得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物等。前述「加合物」意指前述芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物或脂環族多元異氰酸酯化合物，與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷或蓖麻油等含低分子活性氫之化合物之反應物。作為前述加合物的示例， 可列舉如後述之三羥甲基丙烷之苯二甲基二異氰酸酯加成物等。另外，所謂「末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物」意指具有胺基甲酸酯鍵，並且於分子末端部具有異氰酸酯基之預聚物。
作為前述有機多元異氰酸酯化合物，更具體而言，例如可列舉：2,4-甲苯二異氰酸酯；2,6-甲苯二異氰酸酯；1,3-苯二甲基二異氰酸酯；1,4-二甲苯二異氰酸酯；二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯；二苯基甲烷-2,4'-二異氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯；二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯；二環己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯；對三羥甲基丙烷等多元醇的全部或一部分羥基，加成甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯及苯二甲基二異氰酸酯的任1種或2種以上而成之化合物；離胺酸二異氰酸酯等。
作為前述有機多元亞胺化合物，例如可列舉：N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶甲醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶甲醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。
於使用有機多元異氰酸酯化合物作為交聯劑(f)之情形時，作為能量線硬化性成分(a)或不具有能量線硬化性 基之聚合物(b)，較佳為使用含羥基之聚合物。於交聯劑(f)具有異氰酸酯基，能量線硬化性成分(a)或不具有能量線硬化性基之聚合物(b)具有羥基之情形時，藉由交聯劑(f)與能量線硬化性成分(a)或不具有能量線硬化性基之聚合物(b)之反應，可將交聯結構簡便地導入至保護膜形成用膜中。
保護膜形成用組成物(IV-1)及保護膜形成用膜所含有之交聯劑(f)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
於使用交聯劑(f)之情形時，保護膜形成用組成物(IV-1)中，交聯劑(f)的含量相對於能量線硬化性成分(a)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的總含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.1質量份至10質量份，尤佳為0.5質量份至5質量份。藉由交聯劑(f)的前述含量為前述下限值以上，可獲得更顯著的由使用交聯劑(f)所帶來之功效。另外，藉由交聯劑(f)的前述含量為前述上限值以下，可抑制交聯劑(f)之過量使用。
[著色劑(g)]
作為著色劑(g)，例如可列舉：無機系顏料、有機系顏料、有機系染料等公知的著色劑。
作為前述有機系顏料及有機系染料，例如可列舉：銨系色素、花青系色素、部花青系色素、克酮鎓(croconium)系色素、方酸鎓(squalilium)系色素、薁鎓系色素、聚次甲基系色素、萘醌系色素、吡喃鎓系色素、酞菁系色素、萘酞菁系色素、萘內醯胺系色素、偶氮系色素、縮合偶氮系色素、靛藍系色素、紫環酮(perinone)系色素、苝系色素、二噁烷(dioxane)系色素、喹吖啶酮系色素、異吲哚啉酮系色素、喹啉黃(quinophthalone)系色素、吡咯系色素、硫代靛藍系色素、金屬錯合物系色素(金屬錯鹽染料)、二硫醇金屬錯合物系色素、吲哚酚系色素、三烯丙基甲烷系色素、蒽醌系色素、萘酚系色素、次甲基偶氮系色素、苯并咪唑酮系色素、皮蒽酮系色素及士林(threne)系色素等。
作為前述無機系顏料，例如可列舉：碳黑、鈷系色素、鐵系色素、鉻系色素、鈦系色素、釩系色素、鋯系色素、鉬系色素、釕系色素、鉑系色素、ITO(Indium Tin Oxide；氧化銦錫)系色素、ATO(Antimony Tin Oxide；氧化銻錫)系色素等。
保護膜形成用組成物(IV-1)及保護膜形成用膜所含有之著色劑(g)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
就更容易調節保護膜形成用膜之透過率(1342nm)以 滿足前述條件(1)，以及調節保護膜形成用膜之透過率(1250nm)以滿足前述條件(2)之方面而言，著色劑(g)較佳為有機系顏料或有機系染料。
於使用著色劑(g)之情形時，關於保護膜形成用膜中的著色劑(g)的含量，以保護膜形成用膜同時滿足前述條件(1)及(2)之方式適宜調節即可。例如，保護膜形成用組成物(IV-1)中，著色劑(g)的含量相對於溶劑以外的全部成分的總含量之比例(亦即保護膜形成用膜中的著色劑(g)的含量)較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.4質量%至7.5質量%，尤佳為0.8質量%至5質量%。藉由將前述比例設為此種範圍，最終無損保護膜之功能，並且容易調節保護膜形成用膜之透過率(1342nm)以滿足前述條件(1)，以及調節保護膜形成用膜之透過率(1250nm)以滿足前述條件(2)。另外，於著色劑(g)為有機系顏料或有機系染料之情形時，尤佳為將前述比例設為此種範圍。
[熱硬化性成分(h)]
保護膜形成用組成物(IV-1)及保護膜形成用膜所含有之熱硬化性成分(h)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
作為熱硬化性成分(h)，例如可列舉：環氧系熱硬化性樹脂、熱硬化性聚醯亞胺、聚胺基甲酸酯、不飽和聚酯、 聚矽氧樹脂等，較佳為環氧系熱硬化性樹脂。
(環氧系熱硬化性樹脂)
環氧系熱硬化性樹脂係由環氧樹脂(h1)及熱硬化劑(h2)構成。
保護膜形成用組成物(IV-1)及保護膜形成用膜所含有之環氧系熱硬化性樹脂可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
‧環氧樹脂(h1)
作為環氧樹脂(h1)，可列舉公知的環氧樹脂，例如可列舉：多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚及其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂等2官能以上之環氧化合物。
作為環氧樹脂(h1)，亦可使用具有不飽和烴基之環氧樹脂。具有不飽和烴基之環氧樹脂相較於不具有不飽和烴基之環氧樹脂而言，與丙烯酸系樹脂之相容性較高。因此，藉由使用具有不飽和烴基之環氧樹脂，使用保護膜形成用複合片所獲得之封裝的可靠性提高。
作為具有不飽和烴基之環氧樹脂，例如可列舉：多官 能系環氧樹脂的一部分環氧基更換為具有不飽和烴基之基而成之化合物。此種化合物例如藉由使(甲基)丙烯酸或其衍生物與環氧基進行加成反應而獲得。
另外，作為具有不飽和烴基之環氧樹脂，例如可列舉：於構成環氧樹脂之芳香環等上直接鍵結有具有不飽和烴基之基之化合物等。
不飽和烴基為具有聚合性之不飽和基，作為該不飽和烴基的具體例，可列舉：次乙基(乙烯基)、2-丙烯基(烯丙基)、(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯胺基等，較佳為丙烯醯基。
環氧樹脂(h1)的數量平均分子量並無特別限定，就保護膜形成用膜的硬化性、以及保護膜的強度及耐熱性之方面而言，較佳為300至30000，更佳為400至10000，尤佳為500至3000。
環氧樹脂(h1)的環氧當量較佳為100g/eq至1000g/eq，更佳為150g/eq至800g/eq。
環氧樹脂(h1)可單獨使用1種，亦可併用2種以上，於併用2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
‧熱硬化劑(h2)
熱硬化劑(h2)發揮作為針對環氧樹脂(h1)之硬化劑的功能。
作為熱硬化劑(h2)，例如可列舉：1分子中具有2個以上可與環氧基反應之官能基之化合物。作為前述官能基，例如可列舉：酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸基經酐化而成之基等，較佳為酚性羥基、胺基、或酸基經酐化而成之基，更佳為酚性羥基或胺基。
熱硬化劑(h2)中，作為具有酚性羥基之酚系硬化劑，例如可列舉：多官能酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯系酚樹脂、芳烷基酚樹脂等。
熱硬化劑(h2)中，作為具有胺基之胺系硬化劑，例如可列舉：二氰二胺(以下，有時簡稱為「DICY」)等。
熱硬化劑(h2)亦可具有不飽和烴基。
作為具有不飽和烴基之熱硬化劑(h2)，例如可列舉：酚樹脂的一部分羥基被具有不飽和烴基之基取代而成之化合物、酚樹脂的芳香環上直接鍵結具有不飽和烴基之基而成之化合物等。
熱硬化劑(h2)中的前述不飽和烴基與上述之具有不飽和烴基之環氧樹脂中的不飽和烴基相同。
於使用酚系硬化劑作為熱硬化劑(h2)之情形時，就保護膜自支持片之剝離性提高之方面而言，熱硬化劑(h2)較佳為軟化點或玻璃轉移溫度高的酚系硬化劑。
熱硬化劑(h2)中，例如，多官能酚樹脂、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯系酚樹脂、芳烷基酚樹脂等樹脂成分的數量平均分子量較佳為300至30000，更佳為400至10000，尤佳為500至3000。
熱硬化劑(h2)中，例如，聯苯酚、二氰二胺等非樹脂成分的分子量並無特別限定，例如較佳為60至500。
熱硬化劑(h2)可單獨使用1種，亦可併用2種以上，於併用2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
於使用熱硬化性成分(h)之情形時，保護膜形成用組成物(IV-1)及保護膜形成用膜中，熱硬化劑(h2)的含量相對於環氧樹脂(h1)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份。
於使用熱硬化性成分(h)之情形時，保護膜形成用組成物(IV-1)及保護膜形成用膜中，熱硬化性成分(h)的含量(例如，環氧樹脂(h1)及熱硬化劑(h2)的總含量)相對於不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的含量100質量份，較佳為1質量份至500質量份。
[通用添加劑(z)]
通用添加劑(z)可為公知的通用添加劑，可根據目的而任意選擇，並無特別限定，作為較佳的通用添加劑，例 如可列舉：塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、吸氣劑等。
保護膜形成用組成物(IV-1)及保護膜形成用膜所含有之通用添加劑(z)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
於使用通用添加劑(z)之情形時，保護膜形成用組成物(IV-1)及保護膜形成用膜中的通用添加劑(z)的含量並無特別限定，根據目的適宜選擇即可。
[溶劑]
保護膜形成用組成物(IV-1)較佳為進一步含有溶劑。含有溶劑之保護膜形成用組成物(IV-1)的操作性良好。
前述溶劑並無特別限定，作為較佳的前述溶劑，例如可列舉：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。
保護膜形成用組成物(IV-1)所含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
就可將保護膜形成用組成物(IV-1)中的含有成分更均勻地混合之方面而言，保護膜形成用組成物(IV-1)所含有之溶劑較佳為甲基乙基酮、甲苯或乙酸乙酯等。
<<保護膜形成用組成物的製造方法>>
保護膜形成用組成物(IV-1)等保護膜形成用組成物係藉由將用以構成該保護膜形成用組成物之各成分加以調配而獲得。
調配各成分時的添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上之成分。
於使用溶劑之情形時，可藉由下述方式使用：將溶劑與溶劑以外的任一種調配成分混合而將該調配成分預先稀釋；亦可藉由下述方式使用：不將溶劑以外的任一種調配成分預先稀釋而將溶劑與這些調配成分混合。
調配時混合各成分之方法並無特別限定，自以下公知的方法中適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等。
關於添加及混合各成分時的溫度及時間，只要不使各調配成分劣化，則並無特別限定，適宜調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
與後述之本發明之保護膜形成用複合片同樣地，作為貼附於半導體晶圓或半導體晶片中的與電路面為相反側的背面，且於支持片上具備顯示接著性之層之複合片，有切晶黏晶片。
但是，切晶黏晶片所具備之接著劑層發揮以下功能： 與半導體晶片一起自支持片拾取後，將該半導體晶片安裝於基板、引線框架、或其他半導體晶片等時，作為接著劑之功能。另一方面，關於本發明之保護膜形成用複合片中的保護膜形成用膜，就與半導體晶片一起自支持片拾取之方面而言，與前述接著劑層相同，但最終藉由硬化而成為保護膜，具有保護所貼附之半導體晶片的背面之功能。如此，本發明中的保護膜形成用膜的用途與切晶黏晶片中的接著劑層不同，當然所要求之性能亦不同。並且，反映該用途之差異，通常，若與切晶黏晶片中的接著劑層進行比較，則保護膜形成用膜存在較硬之傾向。通常難以將切晶黏晶片中的接著劑層直接轉用作保護膜形成用複合片中的保護膜形成用膜。
◇保護膜形成用膜的製造方法
本發明之保護膜形成用膜可藉由下述方式製造：於剝離膜(較佳為該剝離膜的剝離處理面)上塗敷保護膜形成用組成物，視需要使保護膜形成用組成物乾燥。
再者，例如，如圖1所示，保護膜形成用膜通常以於該保護膜形成用膜的雙面貼合有剝離膜之狀態保管。因此，於如上述般形成於剝離膜上之保護膜形成用膜的露出面(與具備剝離膜之側為相反側的面)，進而貼合剝離膜(較佳為該剝離膜的剝離處理面)即可。
◇保護膜形成用膜的使用方法
如上述般，藉由將本發明之保護膜形成用膜設置於支持片，可構成保護膜形成用複合片。保護膜形成用複合片係藉由該保護膜形成用複合片之保護膜形成用膜貼附於半導體晶圓的背面(與電極形成面為相反側的面)而使用。以下，利用與後述之保護膜形成用複合片之情形相同的方法，藉由使保護膜形成用膜硬化而形成保護膜，進行切割、附有保護膜的半導體晶片之拾取等，製造目標半導體裝置即可。
另一方面，本發明之保護膜形成用膜可先設置於半導體晶圓的背面，而並非設置於支持片。亦即，將保護膜形成用膜貼附於半導體晶圓的背面。接著，對保護膜形成用膜照射能量線，使保護膜形成用膜硬化而成為保護膜。接著，於該保護膜的露出面(與貼附於半導體晶圓之側為相反側的面)貼合支持片，製成保護膜形成用膜成為保護膜的狀態的保護膜形成用複合片。以下，與上述同樣地，進行切割、附有保護膜的半導體晶片之拾取等，製造目標半導體裝置即可。
再者，此處對使保護膜形成用膜硬化而成為保護膜後，將該保護膜與支持片貼合之情形進行了說明，但於使用本發明之保護膜形成用膜之情形時，進行這些步驟之順序亦可相反。亦即，將保護膜形成用膜貼附於半導體晶圓的背面後，於保護膜形成用膜的露出面(與貼附於半導體 晶圓之側為相反側的面)貼合支持片，藉此製成保護膜形成用膜為未硬化狀態之保護膜形成用複合片。接著，對保護膜形成用膜照射能量線，使保護膜形成用膜硬化而成為保護膜。以下，與上述同樣地，進行切割、附有保護膜的半導體晶片之拾取等，製造目標半導體裝置即可。
◇保護膜形成用複合片
本發明之保護膜形成用複合片具備支持片，於前述支持片上具備前述保護膜形成用膜。
本發明之保護膜形成用複合片被預先賦予作為切割片之功能。
前述保護膜形成用複合片具備前述保護膜形成用膜，藉此可抑制因保護膜形成用膜之分割面中的硬化不充分而產生不良情形，進而，容易經由保護膜形成用膜或經由保護膜而對半導體晶圓或半導體晶片進行紅外線檢測。
本發明中，即便為保護膜形成用膜硬化後，只要維持支持片及保護膜形成用膜之硬化物(換言之，支持片及保護膜)之積層結構，則亦將該積層結構體稱為「保護膜形成用複合片」。
作為本發明之保護膜形成用複合片之使用對象之半導體晶圓或半導體晶片的厚度並無特別限定，就獲得更顯 著的本發明之功效而言，較佳為30μm至1000μm，更佳為100μm至300μm。
以下，對保護膜形成用複合片之構成，進行詳細的說明。
◎支持片
前述支持片可由1層(單層)構成，亦可由2層以上之複數層構成。於支持片由複數層構成之情形時，這些複數層相互可相同亦可不同，只要無損本發明之功效，則這些複數層之組合並無特別限定。
作為較佳的支持片，例如可列舉：於基材上以直接接觸之方式積層黏著劑層而成之支持片、於基材上經由中間層積層黏著劑層而成之支持片、僅由基材構成之支持片等。
以下，按照上述支持片之每個種類，參照圖式說明本發明之保護膜形成用複合片之示例。
圖2係以示意方式顯示本發明之保護膜形成用複合片的一實施形態之剖視圖。
再者，圖2以後之圖中，對於與既已說明之圖所示相同的構成要素，標附與該已說明之圖之情形相同的符號，並省略該符號的詳細說明。
此處所示之保護膜形成用複合片1A於基材11上具備黏著劑層12，於黏著劑層12上具備保護膜形成用膜13。支持片10為基材11及黏著劑層12之積層體，換言之，保護膜形成用複合片1A具有於支持片10的一方的表面10a上積層有保護膜形成用膜13之構成。另外，保護膜形成用複合片1A進一步於保護膜形成用膜13上具備剝離膜15。
保護膜形成用複合片1A中，於基材11的一方的表面11a積層有黏著劑層12，於黏著劑層12的一方的表面12a的整個面積層有保護膜形成用膜13，於保護膜形成用膜13的一方的表面13a的一部分亦即周緣部附近的區域積層有治具用接著劑層16，於保護膜形成用膜13的表面13a中未積層治具用接著劑層16之面及治具用接著劑層16的表面16a(上表面及側面)積層有剝離膜15。
保護膜形成用複合片1A中，保護膜形成用膜13同時滿足前述條件(1)及(2)。
治具用接著劑層16例如可為含有接著劑成分之單層結構，亦可為於成為芯材之片的雙面積層有含有接著劑成分之層之複數層結構。
圖2所示之保護膜形成用複合片1A係以下述方式使 用：在移除剝離膜15之狀態下，於保護膜形成用膜13的表面13a貼附半導體晶圓(省略圖示)的背面，並進一步將治具用接著劑層16的表面16a中的上表面貼附於環狀框等治具。
圖3係以示意方式顯示本發明之保護膜形成用複合片的另一實施形態之剖視圖。
關於此處所示之保護膜形成用複合片1B，除了不具備治具用接著劑層16之方面以外，與圖2所示之保護膜形成用複合片1A相同。亦即，保護膜形成用複合片1B中，於基材11的一方的表面11a積層有黏著劑層12，於黏著劑層12的表面12a的整個面積層有保護膜形成用膜13，於保護膜形成用膜13的表面13a的整個面積層有剝離膜15。
圖3所示之保護膜形成用複合片1B係以下述方式使用：在移除剝離膜15之狀態下，於保護膜形成用膜13的表面13a中的中央側的一部分區域貼附半導體晶圓(省略圖示)的背面，並進一步將周緣部附近的區域貼附於環狀框等治具。
圖4係以示意方式顯示本發明之保護膜形成用複合片的又一實施形態之剖視圖。
關於此處所示之保護膜形成用複合片1C，除了不具 備黏著劑層12之方面以外，與圖2所示之保護膜形成用複合片1A相同。亦即，保護膜形成用複合片1C中，支持片10僅由基材11構成。並且，於基材11的一方的表面11a(支持片10的一方的表面10a)積層有保護膜形成用膜13，於保護膜形成用膜13的表面13a的一部分亦即周緣部附近的區域積層有治具用接著劑層16，於保護膜形成用膜13的表面13a中未積層治具用接著劑層16之區域及治具用接著劑層16的表面16a(上表面及側面)積層剝離膜15。
保護膜形成用複合片1C中，保護膜形成用膜13同時滿足前述條件(1)及(2)。
圖4所示之保護膜形成用複合片1C係以下述方式使用：與圖2所示之保護膜形成用複合片1A同樣地，在移除剝離膜15之狀態下，於保護膜形成用膜13的表面13a貼附半導體晶圓(省略圖示)的背面，並進一步將治具用接著劑層16的表面16a中的上表面貼附於環狀框等治具。
圖5係以示意方式顯示本發明之保護膜形成用複合片的又一實施形態之剖視圖。
關於此處所示之保護膜形成用複合片1D，除了不具備治具用接著劑層16之方面以外，與圖4所示之保護膜形成用複合片1C相同。亦即，保護膜形成用複合片1D 中，於基材11的一方的表面11a積層有保護膜形成用膜13，於保護膜形成用膜13的表面13a的整個面積層有剝離膜15。
圖5所示之保護膜形成用複合片1D係以下述方式使用：與圖3所示之保護膜形成用複合片1B同樣地，在移除剝離膜15之狀態下，於保護膜形成用膜13的表面13a中的中央側的一部分區域貼附於半導體晶圓(省略圖示)的背面，並進一步將周緣部附近的區域貼附於環狀框等治具。
圖6係以示意方式顯示本發明之保護膜形成用複合片的又一實施形態之剖視圖。
關於此處所示之保護膜形成用複合片1E，除了保護膜形成用膜之形狀不同之方面以外，與圖3所示之保護膜形成用複合片1B相同。亦即，保護膜形成用複合片1E於基材11上具備黏著劑層12，於黏著劑層12上具備保護膜形成用膜23。支持片10為基材11及黏著劑層12之積層體，換言之，保護膜形成用複合片1E具有於支持片10的一方的表面10a上積層有保護膜形成用膜23之構成。另外，保護膜形成用複合片1E進一步於保護膜形成用膜23上具備剝離膜15。
保護膜形成用複合片1E中，於基材11的一方的表面 11a積層有黏著劑層12，於黏著劑層12的表面12a的一部分亦即中央側的區域積層有保護膜形成用膜23。並且，於黏著劑層12的表面12a中未積層保護膜形成用膜23之區域及保護膜形成用膜23的表面23a(上表面及側面)上積層有剝離膜15。
自上方往下俯視保護膜形成用複合片1E時，保護膜形成用膜23的表面積小於黏著劑層12，例如具有圓形狀等形狀。
保護膜形成用複合片1E中，保護膜形成用膜23同時滿足前述條件(1)及(2)。
圖6所示之保護膜形成用複合片1E係以下述方式使用：在移除剝離膜15之狀態下，於保護膜形成用膜23的表面23a貼附半導體晶圓(省略圖示)的背面，並進一步將黏著劑層12的表面12a中未積層保護膜形成用膜23之區域貼附於環狀框等治具。
再者，圖6所示之保護膜形成用複合片1E中，亦可於黏著劑層12的表面12a中未積層保護膜形成用膜23之區域，與圖2及圖4所示同樣地，積層治具用接著劑層(省略圖示)。具備此種治具用接著劑層之保護膜形成用複合片1E係以下述方式使用：與圖2及圖4所示之保護膜形 成用複合片同樣地，將治具用接著劑層的表面貼附於環狀框等治具。
如此，關於本發明之保護膜形成用複合片，無論支持片及保護膜形成用膜為何種形態，均可具備治具用接著劑層。但是，通常如圖2及圖4所示，作為具備治具用接著劑層之本發明之保護膜形成用複合片，較佳為於保護膜形成用膜上具備治具用接著劑層。
本發明之保護膜形成用複合片並不限定於圖2至圖6所示之保護膜形成用複合片，在無損本發明之功效之範圍內，亦可變更或刪除圖2至圖6所示之保護膜形成用複合片的一部分構成，或者對前文所說明之保護膜形成用複合片進一步追加其他構成。
例如，圖4及圖5所示之保護膜形成用複合片中，亦可於基材11與保護膜形成用膜13之間設置中間層。作為中間層，可根據目的選擇任意中間層。
另外，圖2、圖3及圖6所示之保護膜形成用複合片中，亦可於基材11與黏著劑層12之間設置中間層。亦即，本發明之保護膜形成用複合片中，支持片亦可由基材、中間層及黏著劑層依序積層而成。此處，所謂中間層，與圖4及圖5所示之保護膜形成用複合片中可設置之中間層相同。
另外，圖2至圖6所示之保護膜形成用複合片中，可將前述中間層以外之層設置於任意部位。
另外，本發明之保護膜形成用複合片中，亦可於剝離膜和與該剝離膜直接接觸之層之間產生一部分間隙。
另外，本發明之保護膜形成用複合片中，各層之大小或形狀可根據目的任意調節。
本發明之保護膜形成用複合片中，如後述般，較佳為黏著劑層等支持片中的與保護膜形成用膜直接接觸之層為非能量線硬化性。此種保護膜形成用複合片可使附有保護膜的半導體晶片更容易拾取。
支持片可為透明，亦可為不透明，還可根據目的而著色。
其中，保護膜形成用膜具有能量線硬化性之本發明中，支持片較佳為使能量線透過之支持片。
例如，支持片中，波長375nm之光之透過率較佳為30%以上，更佳為50%以上，尤佳為70%以上。藉由前述光之透過率為此種範圍，經由支持片對保護膜形成用膜照射能量線(紫外線)時，保護膜形成用膜之硬化度進一步提高。
另一方面，支持片中，波長375nm之光之透過率的上限值並無特別限定。例如，前述光之透過率可為95%以 下。
另外，支持片中，波長532nm之光之透過率較佳為30%以上，更佳為50%以上，尤佳為70%以上。藉由前述光之透過率為此種範圍，經由支持片對保護膜形成用膜或保護膜照射雷射光而於這些進行印字時，可更清晰地進行印字。
另一方面，支持片中，波長532nm之光之透過率的上限值並無特別限定。例如，前述光之透過率可為95%以下。
另外，支持片中，波長1064nm之光之透過率較佳為30%以上，更佳為50%以上，尤佳為70%以上。藉由前述光之透過率為此種範圍，經由支持片對保護膜形成用膜或保護膜照射雷射光而於這些進行印字時，可更清晰地進行印字。
另一方面，支持片中，波長1064nm之光之透過率的上限值並無特別限定。例如，前述光之透過率可為95%以下。
其次，對構成支持片之各層進行更詳細的說明。
○基材
前述基材為片狀或膜狀，作為前述基材的構成材料， 例如可列舉各種樹脂。
作為前述樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯(LDPE；low density polyethylene)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE；linear low density polyethylene)、高密度聚乙烯(HDPE；high density polyethylene)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、冰片烯樹脂等聚乙烯以外的聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-冰片烯共聚物等乙烯系共聚物(使用乙烯作為單體而獲得之共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯系樹脂(使用氯乙烯作為單體而獲得之樹脂)；聚苯乙烯；聚環烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚2,6-萘二羧酸乙二酯、全部結構單元具有芳香族環式基之全芳香族聚酯等聚酯；2種以上之前述聚酯之共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚胺基甲酸酯；聚丙烯酸胺基甲酸酯；聚醯亞胺；聚醯胺；聚碳酸酯；氟樹脂；聚縮醛；改質聚苯醚；聚苯硫醚；聚碸；聚醚酮等。
另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉前述聚酯與前述聚酯以外的樹脂之混合物等聚合物合金。前述聚酯與前述聚酯以外的樹脂之聚合物合金較佳為聚酯以外的樹脂之量為相對較少量。
另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉：前文所例示之前述樹脂之1種或2種以上交聯而成之交聯樹脂；使用前文所例示之前述樹脂之1種或2種以上之離子聚合物等改 質樹脂。
再者，本說明書中，「(甲基)丙烯酸」的概念係包含有「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者。關於與(甲基)丙烯酸類似之用語亦相同。
構成基材之樹脂可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
基材可由1層(單層)構成，亦可由2層以上之複數層構成；於由複數層構成之情形時，這些複數層相互可相同亦可不同，這些複數層之組合並無特別限定。
基材的厚度較佳為50μm至300μm，更佳為60μm至100μm。藉由基材的厚度為此種範圍，前述保護膜形成用複合片的可撓性、及對半導體晶圓或半導體晶片之貼附性進一步提高。
此處，所謂「基材的厚度」意指基材整體的厚度，例如所謂由複數層構成之基材的厚度意指構成基材之全部層的合計厚度。
基材較佳為厚度精度高，亦即，任何部位均可抑制厚度不均。上述之構成材料中，作為可用於構成此種厚度精度高的基材之材料，例如可列舉：聚乙烯、聚乙烯以外的 聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。
基材中，除了前述樹脂等主要構成材料以外，亦可含有填充材料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知的各種添加劑。
基材的光學特性滿足前文所說明之支持片的光學特性即可。亦即，基材可為透明，亦可為不透明，還可根據目的而著色，也可蒸鍍其他層。
並且，保護膜形成用膜具有能量線硬化性之本發明中，基材較佳為使能量線透過之基材。
基材的表面亦可經實施以下處理以提高與設置於該基材上之黏著劑層等其他層之密接性：利用噴砂處理、溶劑處理等之凹凸化處理；或者電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧/紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理等。
另外，基材的表面亦可經實施底塗(primer)處理。
另外，基材亦可具有抗靜電塗層或以下用途之層等：將保護膜形成用複合片重疊保存時，防止基材接著於其他片或基材接著於吸附台。
這些之中，就抑制因切割時刀片摩擦而導致基材產生斷片之方面而言，基材尤佳為表面經實施電子束照射處 理。
基材可利用公知的方法進行製造。例如，含有樹脂之基材可藉由使含有前述樹脂之樹脂組成物成形而進行製造。
○黏著劑層
前述黏著劑層為片狀或膜狀，含有黏著劑。
作為前述黏著劑，例如可列舉：丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等黏著性樹脂，較佳為丙烯酸系樹脂。
再者，本發明中，「黏著性樹脂」的概念係包含有具有黏著性之樹脂及具有接著性之樹脂兩者，例如不僅包含本身具有黏著性之樹脂，亦包含藉由與添加劑等其他成分併用而顯示黏著性之樹脂、或者藉由存在熱或水等觸發劑而顯示接著性之樹脂等。
黏著劑層可由1層(單層)構成，亦可由2層以上之複數層構成；於由複數層構成之情形時，這些複數層相互可相同亦可不同，這些複數層之組合並無特別限定。
黏著劑層的厚度較佳為1μm至100μm，更佳為1μm 至60μm，尤佳為1μm至30μm。
此處，所謂「黏著劑層的厚度」意指黏著劑層整體的厚度，例如所謂由複數層構成之黏著劑層的厚度意指構成黏著劑層之全部層的合計厚度。
黏著劑層的光學特性滿足前文所說明之支持片的光學特性即可。亦即，黏著劑層可為透明，亦可為不透明，還可根據目的而著色。
並且，保護膜形成用膜具有能量線硬化性之本發明中，黏著劑層較佳為使能量線透過之黏著劑層。
黏著劑層可使用能量線硬化性黏著劑而形成，亦可使用非能量線硬化性黏著劑而形成。使用能量線硬化性之黏著劑所形成之黏著劑層可容易地調節硬化前及硬化後的物性。
<<黏著劑組成物>>
黏著劑層可使用含有黏著劑之黏著劑組成物而形成。例如，於黏著劑層之形成對象面塗敷黏著劑組成物，視需要使黏著劑組成物乾燥，藉此可於目標部位形成黏著劑層。關於黏著劑層的更具體的形成方法，與其他層的形成方法一起，隨後詳細地進行說明。黏著劑組成物中的常溫下不會氣化的成分彼此的含量比率，通常與黏著劑層中的前述成分彼此的含量比率相同。此處，所謂「常溫」， 如前文所說明。
利用公知的方法塗敷黏著劑組成物即可，例如可列舉使用以下各種塗佈機之方法：氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模具塗佈機、刀式塗佈機、絲網塗佈機、繞線棒式塗佈機、接觸式塗佈機等。
黏著劑組成物的乾燥條件並無特別限定，於黏著劑組成物含有後述溶劑之情形時，較佳為進行加熱乾燥。含有溶劑之黏著劑組成物較佳為於例如70℃至130℃且10秒至5分鐘之條件下進行乾燥。
於黏著劑層為能量線硬化性之情形時，作為含有能量線硬化性黏著劑之黏著劑組成物，亦即能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可列舉以下黏著劑組成物等：黏著劑組成物(I-1)，含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-1a)」)、及能量線硬化性化合物；黏著劑組成物(I-2)，含有能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-2a)」)，該黏著性樹脂(I-2a)於非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基；黏著劑組成物(I-3)，含有前述黏著性樹脂(I-2a)、及能量線硬化性化合物。
<黏著劑組成物(I-1)>
如上所述，前述黏著劑組成物(I-1)含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)、及能量線硬化性化合物。
[黏著性樹脂(I-1a)]
前述黏著性樹脂(I-1a)較佳為丙烯酸系樹脂。
作為前述丙烯酸系樹脂，例如可列舉：至少具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元之丙烯酸系聚合物。
前述丙烯酸系樹脂所具有之結構單元可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
作為前述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：構成烷基酯之烷基的碳數為1至20之(甲基)丙烯酸烷基酯，前述烷基較佳為直鏈狀或支鏈狀。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯，更具體而言，可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲 基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
就黏著劑層的黏著力提高之方面而言，前述丙烯酸系聚合物較佳為具有源自前述烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元。並且，就黏著劑層的黏著力進一步提高之方面而言，前述烷基的碳數較佳為4至12，更佳為4至8。另外，前述烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯較佳為丙烯酸烷基酯。
前述丙烯酸系聚合物中，較佳為除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以外，進一步具有源自含官能基之單體之結構單元。
作為前述含官能基之單體，例如可列舉以下單體：可藉由前述官能基與後述之交聯劑反應而成為交聯的起點，或者可藉由前述官能基與後述之含不飽和基之化合物中的不飽和基反應，而於丙烯酸系聚合物的側鏈導入不飽和基。
作為含官能基之單體中的前述官能基，例如可列舉：羥基、羧基、胺基、環氧基等。
亦即，作為含官能基之單體，例如可列舉：含羥基之單體、含羧基之單體、含胺基之單體、含環氧基之單體等。
作為前述含羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸系不飽和醇(不具有(甲基)丙烯醯基骨架之不飽和醇)等。
作為前述含羧基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸、丁烯酸等乙烯性不飽和單羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之單羧酸)；反丁烯二酸、衣康酸、順丁烯二酸、檸康酸等乙烯性不飽和二羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之二羧酸)；前述乙烯性不飽和二羧酸之酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
含官能基之單體較佳為含羥基之單體、含羧基之單體，更佳為含羥基之單體。
構成前述丙烯酸系聚合物之含官能基之單體可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
前述丙烯酸系聚合物中，源自含官能基之單體之結構單元的含量相對於結構單元的總量，較佳為1質量%至35質量%，更佳為2質量%至32質量%，尤佳為3質量%至30質量%。
前述丙烯酸系聚合物中，亦可除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元、及源自含官能基之單體之結構單元以外，進一步具有源自其他單體之結構單元。
前述其他單體只要能夠與(甲基)丙烯酸烷基酯等共聚合，則並無特別限定。
作為前述其他單體，例如可列舉：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺等。
構成前述丙烯酸系聚合物之前述其他單體可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
前述丙烯酸系聚合物可用作上述之非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)。
另一方面，使前述丙烯酸系聚合物中的官能基與具有能量線聚合性不飽和基(能量線聚合性基)之含不飽和基之化合物反應而成之化合物可用作上述之能量線硬化性 之黏著性樹脂(I-2a)。
黏著劑組成物(I-1)所含有之黏著性樹脂(I-1a)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)中，黏著性樹脂(I-1a)的含量較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
[能量線硬化性化合物]
作為黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物，可列舉具有能量線聚合性不飽和基且可藉由照射能量線而硬化之單體或低聚物。
能量線硬化性化合物中，作為單體，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；環氧(甲基)丙烯酸酯等。
能量線硬化性化合物中，作為低聚物，例如可列舉：上述所例示之單體進行聚合而成之低聚物等。
就分子量相對較大，不易使黏著劑層的儲存彈性率降 低之方面而言，能量線硬化性化合物較佳為(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯低聚物。
黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
前述黏著劑組成物(I-1)中，前述能量線硬化性化合物的含量較佳為1質量%至95質量%，更佳為5質量%至90質量%，尤佳為10質量%至85質量%。
[交聯劑]
於使用除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以外，進一步具有源自含官能基之單體之結構單元之前述丙烯酸系聚合物作為黏著性樹脂(I-1a)之情形時，黏著劑組成物(I-1)較佳為進一步含有交聯劑。
前述交聯劑例如與前述官能基反應而使黏著性樹脂(I-1a)彼此進行交聯。
作為交聯劑，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、這些二異氰酸酯之加合物等異氰酸酯系交聯劑(具有異氰酸酯基之交聯劑)；乙二醇縮水甘油醚等環氧系交聯劑(具有縮水甘油基之交聯劑)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三膦三嗪等氮丙啶系 交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)；鋁螯合物等金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)；異氰脲酸酯系交聯劑(具有異氰脲酸骨架之交聯劑)等。
就提高黏著劑的凝聚力而提高黏著劑層的黏著力之方面、及容易獲取等方面而言，交聯劑較佳為異氰酸酯系交聯劑。
黏著劑組成物(I-1)所含有之交聯劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
前述黏著劑組成物(I-1)中，交聯劑的含量相對於黏著性樹脂(I-1a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為0.3質量份至15質量份。
[光聚合起始劑]
黏著劑組成物(I-1)亦可進一步含有光聚合起始劑。對於含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-1)，即便照射紫外線等相對較低能量之能量線，亦充分地進行硬化反應。
作為前述光聚合起始劑，例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮等安 息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫化物、一硫化四甲基秋蘭姆等硫化物化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮雙異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮等噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯；二苯偶醯；二苯甲酮；2,4-二乙基噻噸酮；1,2-二苯基甲烷；2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。
另外，作為前述光聚合起始劑，例如亦可使用1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光增感劑等。
黏著劑組成物(I-1)所含有之光聚合起始劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)中，光聚合起始劑的含量相對於前述能量線硬化性化合物的含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
[其他添加劑]
黏著劑組成物(I-1)中，在無損本發明之功效之範圍 內，亦可含有不屬於上述之任一種成分之其他添加劑。
作為前述其他添加劑，例如可列舉：抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、填充材料(填料)、防鏽劑、著色劑(顏料、染料)、增感劑、黏著賦予劑、反應延遲劑、交聯促進劑(觸媒)等公知的添加劑。
再者，所謂反應延遲劑，例如抑制因混入至黏著劑組成物(I-1)中之觸媒之作用而導致保存中之黏著劑組成物(I-1)中進行目的外的交聯反應。作為反應延遲劑，例如可列舉藉由針對觸媒之螯合物而形成螯合物錯合物之化合物，更具體而言，可列舉：於1分子中具有2個以上之羰基(-C(=O)-)之化合物。
黏著劑組成物(I-1)所含有之其他添加劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)中，其他添加劑的含量並無特別限定，根據該其他添加劑的種類適宜選擇即可。
[溶劑]
黏著劑組成物(I-1)亦可含有溶劑。黏著劑組成物(I-1)藉由含有溶劑，對塗敷對象面之塗敷適性提高。
前述溶劑較佳為有機溶劑，作為前述有機溶劑，例如 可列舉：甲基乙基酮、丙酮等酮；乙酸乙酯等酯(羧酸酯)；四氫呋喃、二噁烷等醚；環己烷、正己烷等脂肪族烴；甲苯、二甲苯等芳香族烴；1-丙醇、2-丙醇等醇等。
作為前述溶劑，例如，可將製造黏著性樹脂(I-1a)時所使用之溶劑不自黏著性樹脂(I-1a)中去除而直接於黏著劑組成物(I-1)中使用，亦可於製造黏著劑組成物(I-1)時另行添加與製造黏著性樹脂(I-1a)時所使用之溶劑相同種類或不同種類之溶劑。
黏著劑組成物(I-1)所含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)中，溶劑的含量並無特別限定，適宜調節即可。
<黏著劑組成物(I-2)>
如上所述，前述黏著劑組成物(I-2)含有能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)，該黏著性樹脂(I-2a)於非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基。
[黏著性樹脂(I-2a)]
前述黏著性樹脂(I-2a)例如藉由使黏著性樹脂(I-1a)中 的官能基與具有能量線聚合性不飽和基之含不飽和基之化合物反應而獲得。
前述含不飽和基之化合物除具有前述能量線聚合性不飽和基以外，進一步具有以下基，該基藉由與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基反應，可與黏著性樹脂(I-1a)鍵結。
作為前述能量線聚合性不飽和基，例如可列舉：(甲基)丙烯醯基、乙烯基(次乙基)、烯丙基(2-丙烯基)等，較佳為(甲基)丙烯醯基。
作為可與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基鍵結之基，例如可列舉：可與羥基或胺基鍵結之異氰酸酯基及縮水甘油基、以及可與羧基或環氧基鍵結之羥基及胺基等。
作為前述含不飽和基之化合物，例如可列舉：異氰酸(甲基)丙烯醯氧基乙酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。
黏著劑組成物(I-2)所含有之黏著性樹脂(I-2a)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-2)中，黏著性樹脂(I-2a)的含量較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為10質量%至90質量%。
[交聯劑]
於使用例如與黏著性樹脂(I-1a)中相同的具有源自含官能基之單體之結構單元之前述丙烯酸系聚合物作為黏著性樹脂(I-2a)之情形時，黏著劑組成物(I-2)亦可進一步含有交聯劑。
作為黏著劑組成物(I-2)中的前述交聯劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的交聯劑相同的化合物。
黏著劑組成物(I-2)所含有之交聯劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
前述黏著劑組成物(I-2)中，交聯劑的含量相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為0.3質量份至15質量份。
[光聚合起始劑]
黏著劑組成物(I-2)亦可進一步含有光聚合起始劑。對於含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-2)，即便照射紫外線等相對較低能量之能量線，亦充分地進行硬化反應。
作為黏著劑組成物(I-2)中的前述光聚合起始劑，可列 舉與黏著劑組成物(I-1)中的光聚合起始劑相同的化合物。
黏著劑組成物(I-2)所含有之光聚合起始劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-2)中，光聚合起始劑的含量相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
[其他添加劑]
黏著劑組成物(I-2)中，在無損本發明之功效之範圍內，亦可含有不屬於上述之任一種成分之其他添加劑。
作為黏著劑組成物(I-2)中的前述其他添加劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的其他添加劑相同的化合物。
黏著劑組成物(I-2)所含有之其他添加劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-2)中，其他添加劑的含量並無特別限定，根據該其他添加劑的種類適宜選擇即可。
[溶劑]
以與黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的，黏著劑組 成物(I-2)亦可含有溶劑。
作為黏著劑組成物(I-2)中的前述溶劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的溶劑相同的溶劑。
黏著劑組成物(I-2)所含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-2)中，溶劑的含量並無特別限定，適宜調節即可。
<黏著劑組成物(I-3)>
如上所述，前述黏著劑組成物(I-3)含有前述黏著性樹脂(I-2a)、及能量線硬化性化合物。
黏著劑組成物(I-3)中，黏著性樹脂(I-2a)的含量較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
[能量線硬化性化合物]
作為黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性化合物，可列舉具有能量線聚合性不飽和基且可藉由照射能量線而硬化之單體及低聚物，可列舉與黏著劑組成物(I-1)所含有之能量線硬化性化合物相同的化合物。
黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性化合物可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時， 這些組合及比率可任意選擇。
前述黏著劑組成物(I-3)中，前述能量線硬化性化合物的含量相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至300質量份，更佳為0.03質量份至200質量份，尤佳為0.05質量份至100質量份。
[光聚合起始劑]
黏著劑組成物(I-3)亦可進一步含有光聚合起始劑。對於含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-3)，即便照射紫外線等相對較低能量之能量線，亦充分地進行硬化反應。
作為黏著劑組成物(I-3)中的前述光聚合起始劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的光聚合起始劑相同的化合物。
黏著劑組成物(I-3)所含有之光聚合起始劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-3)中，光聚合起始劑的含量相對於黏著性樹脂(I-2a)及前述能量線硬化性化合物的總含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
[其他添加劑]
黏著劑組成物(I-3)中，在無損本發明之功效之範圍內，亦可含有不屬於上述之任一種成分之其他添加劑。
作為前述其他添加劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的其他添加劑相同的化合物。
黏著劑組成物(I-3)所含有之其他添加劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-3)中，其他添加劑的含量並無特別限定，根據該其他添加劑的種類適宜選擇即可。
[溶劑]
以與黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的，黏著劑組成物(I-3)亦可含有溶劑。
作為黏著劑組成物(I-3)中的前述溶劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的溶劑相同的溶劑。
黏著劑組成物(I-3)所含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-3)中，溶劑的含量並無特別限定，適宜調節即可。
<黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物>
前文主要對黏著劑組成物(I-1)、黏著劑組成物(I-2)及黏著劑組成物(I-3)進行了說明，但對於這些3種黏著劑組成物以外之全部黏著劑組成物(本說明書中，稱為「黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物」)，亦可同樣地使用作為這些的含有成分所說明之成分。
作為黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物，除了能量線硬化性之黏著劑組成物以外，亦可列舉非能量線硬化性之黏著劑組成物。
作為非能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可列舉：含有丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)之黏著劑組成物(I-4)，較佳為含有丙烯酸系樹脂之黏著劑組成物。
黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物較佳為含有1種或2種以上之交聯劑，該交聯劑的含量可設為與上述之黏著劑組成物(I-1)等情形相同。
<黏著劑組成物(I-4)>
作為較佳的黏著劑組成物(I-4)，例如可列舉：含有前述黏著性樹脂(I-1a)、及交聯劑之黏著劑組成物。
[黏著性樹脂(I-1a)]
作為黏著劑組成物(I-4)中的黏著性樹脂(I-1a)，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的黏著性樹脂(I-1a)相同的黏著性樹脂。
黏著劑組成物(I-4)所含有之黏著性樹脂(I-1a)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-4)中，黏著性樹脂(I-1a)的含量較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
[交聯劑]
於使用除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以外，進一步具有源自含官能基之單體之結構單元之前述丙烯酸系聚合物作為黏著性樹脂(I-1a)之情形時，黏著劑組成物(I-4)較佳為進一步含有交聯劑。
作為黏著劑組成物(I-4)中的交聯劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的交聯劑相同的化合物。
黏著劑組成物(I-4)所含有之交聯劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
前述黏著劑組成物(I-4)中，交聯劑的含量相對於黏著性樹脂(I-1a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為0.3質量份至15質量份。
[其他添加劑]
黏著劑組成物(I-4)中，在無損本發明之功效之範圍內，亦可含有不屬於上述之任一種成分之其他添加劑。
作為前述其他添加劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的其他添加劑相同的化合物。
黏著劑組成物(I-4)所含有之其他添加劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-4)中，其他添加劑的含量並無特別限定，根據該其他添加劑的種類適宜選擇即可。
[溶劑]
以與黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的，黏著劑組成物(I-4)亦可含有溶劑。
作為黏著劑組成物(I-4)中的前述溶劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的溶劑相同的溶劑。
黏著劑組成物(I-4)所含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些組合及比率可任 意選擇。
黏著劑組成物(I-4)中，溶劑的含量並無特別限定，適宜調節即可。
本發明之保護膜形成用複合片中，黏著劑層較佳為非能量線硬化性。原因在於，若黏著劑層為能量線硬化性，則會有無法抑制於藉由照射能量線而使保護膜形成用膜硬化時黏著劑層亦同時硬化之情形。若黏著劑層與保護膜形成用膜同時硬化，則會有硬化後之保護膜形成用膜及黏著劑層於這些之界面黏附至無法剝離之程度之情形。該情形時，難以將背面具備硬化後之保護膜形成用膜，亦即保護膜之半導體晶片(附有保護膜的半導體晶片)，自具備硬化後之黏著劑層之支持片剝離，無法正常地拾取附有保護膜的半導體晶片。藉由本發明中的支持片中的黏著劑層設為非能量線硬化性，可確實地避免此種不良情形，從而可更容易地拾取附有保護膜的半導體晶片。
本文對黏著劑層為非能量線硬化性之情形之功效進行了說明，但即便支持片中的與保護膜形成用膜直接接觸之層為黏著劑層以外之層，只要該層為非能量線硬化性，則亦發揮同樣的功效。
<<黏著劑組成物的製造方法>>
黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)、或黏著劑組 成物(I-4)等黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物藉由將前述黏著劑及視需要之前述黏著劑以外之成分等用以構成黏著劑組成物之各成分加以調配而獲得。
調配各成分時的添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上之成分。
於使用溶劑之情形時，可藉由下述方式使用，亦即，將溶劑與溶劑以外的任一種調配成分混合而將該調配成分預先稀釋；亦可藉由下述方式使用，亦即，不將溶劑以外的任一種調配成分預先稀釋而將溶劑與這些調配成分混合。
調配時混合各成分之方法並無特別限定，自以下公知的方法中適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機而進行混合之方法；施加超音波而進行混合之方法等。
關於添加及混合各成分時的溫度及時間，只要不使各調配成分劣化，則並無特別限定，適宜調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
◇保護膜形成用複合片的製造方法
本發明之保護膜形成用複合片可藉由將上述各層以成為對應的位置關係之方式依序積層而製造。各層之形成方法如前文所說明。
例如，製造支持片時，於基材上積層黏著劑層之情形 時，於基材上塗敷上述黏著劑組成物，視需要使黏著劑組成物乾燥即可。
另一方面，例如，於已積層於基材上之黏著劑層上進而積層保護膜形成用膜之情形時，可於黏著劑層上塗敷保護膜形成用組成物，直接形成保護膜形成用膜。保護膜形成用膜以外之層亦可使用用以形成該層之組成物，利用同樣的方法，於黏著劑層上積層該層。如此，於使用任一種組成物，形成連續之2層之積層結構之情形時，可於由前述組成物形成之層上，進一步塗敷組成物而新形成層。但是，較佳為藉由下述方式而形成連續之2層之積層結構，亦即，於另一剝離膜上，使用前述組成物，預先形成這些2層中後積層之層，將該已形成之層中的與和前述剝離膜接觸之側為相反側的露出面，與既已形成之其餘層的露出面貼合。此時，前述組成物較佳為塗敷於剝離膜的剝離處理面。形成積層結構後，視需要移除剝離膜即可。
例如，於製造於基材上積層黏著劑層，於前述黏著劑層上積層保護膜形成用膜而成之保護膜形成用複合片(支持片為基材及黏著劑層之積層物之保護膜形成用複合片)之情形時，於基材上塗敷黏著劑組成物，視需要使黏著劑組成物乾燥，藉此於基材上預先積層黏著劑層，另行於剝離膜上塗敷保護膜形成用組成物，視需要使保護膜形成用組成物乾燥，藉此於剝離膜上預先形成保護膜形成用膜。 然後，將該保護膜形成用膜的露出面與已積層於基材上之黏著劑層的露出面貼合，於黏著劑層上積層保護膜形成用膜，藉此獲得保護膜形成用複合片。
再者，於基材上積層黏著劑層之情形時，如上所述，亦可代替於基材上塗敷黏著劑組成物之方法，於剝離膜上塗敷黏著劑組成物，視需要使黏著劑組成物乾燥，藉此於剝離膜上預先形成黏著劑層，將該層的露出面與基材的一方的表面貼合，藉此於基材上積層黏著劑層。
任一種方法中，均於形成目標積層結構後的任意時間點移除剝離膜即可。
如此，構成保護膜形成用複合片之基材以外的層均可利用以下方法積層：預先形成於剝離膜上，再貼合於目標層的表面，因此視需要適宜選擇採用此種步驟之層，製造保護膜形成用複合片即可。
再者，保護膜形成用複合片通常以如下狀態保管：於該保護膜形成用複合片中的與支持片為相反側的最表層(例如，保護膜形成用膜)的表面貼合有剝離膜之狀態。因此，亦可藉由下述方式而獲得保護膜形成用複合片：於該剝離膜(較佳為該剝離膜的剝離處理面)上，塗敷保護膜形成用組成物等用以形成構成最表層之層之組成物，視需要使組成物乾燥，藉此於剝離膜上預先形成構成最表層之 層，於該層中的與和剝離膜接觸之側為相反側的露出面上，利用上述任一種方法積層其餘各層，不移除剝離膜而保持貼合狀態不變。
◇半導體晶片的製造方法
本發明之保護膜形成用膜及保護膜形成用複合片可用於製造半導體晶片。
作為此時的半導體晶片的製造方法，例如可列舉包含有以下步驟之方法：將前述保護膜形成用膜、或者前述保護膜形成用複合片中的保護膜形成用膜貼附於半導體晶圓之步驟(以下，有時簡記為「貼附步驟」)；對貼附於前述半導體晶圓之前述保護膜形成用膜照射能量線，於前述半導體晶圓形成保護膜之步驟(以下，有時簡記為「保護膜形成步驟」)；以聚焦於設定於前述半導體晶圓的內部之焦點之方式，經由前述保護膜或保護膜形成用膜照射紅外區域之雷射光，於前述半導體晶圓的內部形成改質層之步驟(以下，有時簡記為「改質層形成步驟」)；及藉由對形成有前述改質層之前述半導體晶圓施加力，於前述改質層之部位分割前述半導體晶圓，獲得複數個半導體晶片之步驟(以下，有時簡記為「分割步驟」)。
以下，參照圖式並對上述製造方法進行說明。圖7A至圖7E係用於以示意方式說明單獨使用保護膜形成用膜之情形時，半導體晶片的製造方法的一實施形態之剖視 圖。另外，圖8A至圖8D係用於以示意方式說明使保護膜形成用膜預先與支持片一體化而使用之情形時，半導體晶片的製造方法的一實施形態之剖視圖。
<<單獨使用保護膜形成用膜之情形時的半導體晶片的製造方法>>
首先，列舉保護膜形成用膜為圖1所示之情形為例，對單獨使用保護膜形成用膜之情形時的製造方法進行說明。
前述貼附步驟中，如圖7A所示，於半導體晶圓9的背面(與電極形成面為相反側的面)9b貼附保護膜形成用膜13。此處，顯示自保護膜形成用膜13移除第1剝離膜151，將保護膜形成用膜13的一方的表面13a貼合於半導體晶圓9的背面9b之情形。
貼附步驟後，前述保護膜形成步驟中，對貼附於半導體晶圓9之保護膜形成用膜13照射能量線，如圖7B所示，於半導體晶圓9形成保護膜13'。亦可於自保護膜形成用膜13移除第2剝離膜152後照射能量線。
另外，貼附步驟後，前述改質層形成步驟中，以聚焦於設定於半導體晶圓9之內部之焦點之方式，經由保護膜13'照射紅外區域之雷射光，如圖7C所示，於半導體晶圓9之內部形成改質層91。於自保護膜13'移除第2剝離膜 152後照射紅外區域之雷射光。
改質層形成步驟中，由於保護膜13'之透過率(1342nm)高，故而可於半導體晶圓9之內部穩定且充分地形成改質層91。
此處對於保護膜形成步驟後進行改質層形成步驟之情形進行了說明，但亦可於改質層形成步驟後進行保護膜形成步驟(省略圖示)。該情形時，於半導體晶圓9之內部形成改質層91時，自保護膜形成用膜13移除第2剝離膜152，經由保護膜形成用膜13照射紅外區域之雷射光。並且，該情形時，由於保護膜形成用膜13之透過率(1342nm)高，故而亦可於半導體晶圓9之內部穩定且充分地形成改質層91。
改質層形成步驟後，前述分割步驟前，如圖7D所示，於保護膜13'中的與貼附有半導體晶圓9之側的(一)表面13a'為相反側的(另一)表面13b'，貼附支持片10。支持片10係圖3等中所示之支持片，藉由該支持片中的黏著劑層12，貼附於保護膜13'。
接著，前述分割步驟中，對形成有改質層91之半導體晶圓9施加力，藉此如圖7E所示，於改質層91之部位分割半導體晶圓9，獲得複數個半導體晶片9'。與此同時， 保護膜13'亦於沿半導體晶片9'之周緣部之位置被分割(切斷)。以符號130'顯示該切斷後的保護膜13'。
分割步驟中，沿著圖7D中的箭頭I所示之方向，使半導體晶圓9及保護膜13'延伸(擴展)，藉此將該方向上被施加力(拉伸力)之半導體晶圓9及保護膜13'分割。
該製造方法中，使保護膜形成用膜硬化而成為保護膜後，對該保護膜進行分割，因此不會使保護膜形成用膜之分割面曝露於空氣(氧)中，可避免伴隨保護膜形成用膜之分割面之硬化不良而產生不良情形。
<<使保護膜形成用膜預先與支持片一體化而使用之情形時的半導體晶片的製造方法>>
其次，列舉保護膜形成用複合片為圖2所示之情形為例，對使保護膜形成用膜預先與支持片一體化而使用之情形的製造方法進行說明。
前述貼附步驟中，如圖8A所示，於半導體晶圓9的背面9b貼附保護膜形成用複合片1A中的保護膜形成用膜13。保護膜形成用複合片1A係移除剝離膜15而使用。
貼附步驟後，前述保護膜形成步驟中，對貼附於半導體晶圓9之保護膜形成用膜13照射能量線，如圖8B所示，於半導體晶圓9形成保護膜13'。
另外，貼附步驟後，前述改質層形成步驟中，以聚焦於設定於半導體晶圓9之內部之焦點之方式，經由保護膜13'(保護膜形成用複合片1A)照射紅外區域之雷射光，如圖8C所示，於半導體晶圓9之內部形成改質層91。
改質層形成步驟中，由於保護膜13'與支持片10之透過率(1342nm)高，故而可於半導體晶圓9之內部穩定且充分地形成改質層91。
此處對於保護膜形成步驟後進行改質層形成步驟之情形進行了說明，但亦可於改質層形成步驟後進行保護膜形成步驟(省略圖示)。該情形時，於半導體晶圓9之內部形成改質層91時，經由保護膜形成用膜13未硬化之保護膜形成用複合片1A照射紅外區域之雷射光。並且，該情形時，由於保護膜形成用膜13及支持片10之透過率(1342nm)高，故而亦可於半導體晶圓9之內部穩定且充分地形成改質層91。
前述分割步驟中，藉由對形成有改質層91之半導體晶圓9施加力，如圖8D所示，於改質層91之部位分割半導體晶圓9，獲得複數個半導體晶片9'。與此同時，保護膜13'亦於沿半導體晶片9'之周緣部之位置被分割(切斷)。以符號130'顯示該切斷後的保護膜13'。
分割步驟中，沿著圖8C中的箭頭I所示之方向，使 半導體晶圓9及保護膜13'延伸(擴展)，藉此將該方向上被施加力(拉伸力)之半導體晶圓9及保護膜13'分割。
該製造方法中，使保護膜形成用膜硬化而成為保護膜後，將該保護膜分割，因此不會使保護膜形成用膜之分割面曝露於空氣中(氧)，可避免伴隨保護膜形成用膜之分割面之硬化不良而產生不良情形。
◇半導體裝置的製造方法
藉由上述製造方法，獲得半導體晶片9'後，將該半導體晶片9'在保持貼附有分割後之保護膜130'之狀態直接(亦即以附有保護膜的半導體晶片之形式)自支持片10拉離而進行拾取(省略圖示)。
以下，利用與先前法相同的方法，將所獲得之附有保護膜的半導體晶片的半導體晶片9'倒裝晶片連接於基板的電路面後，製成半導體封裝。然後，使用該半導體封裝，製作目標半導體裝置即可(省略圖示)。
[實施例]
以下，藉由具體的實施例對本發明進行更詳細的說明。但是，本發明並不受以下所示之實施例之任何限定。
以下顯示用於製造保護膜形成用組成物之成分。
‧能量線硬化性成分
(a2)-1：三環癸烷二羥甲基二丙烯酸酯(日本化藥公司製造之「KAYARAD R-684」，2官能紫外線硬化性化合物，分子量304)。
‧不具有能量線硬化性基之聚合物
(b)-1：使丙烯酸丁酯(以下，簡稱為「BA」)(10質量份)、丙烯酸甲酯(以下，簡稱為「MA」)(70質量份)、甲基丙烯酸縮水甘油酯(以下，簡稱為「GMA」)(5質量份)及丙烯酸-2-羥基乙酯(以下，簡稱為「HEA」)(15質量份)進行共聚合而成之丙烯酸系聚合物(重量平均分子量300000，玻璃轉移溫度-1℃)。
‧光聚合起始劑
(c)-1：2-(二甲基胺基)-1-(4-嗎啉基苯基)-2-苄基-1-丁酮(BASF公司製造之「Irgacure(註冊商標)369」)。
(c)-2：乙酮，1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(O-乙醯基肟)(BASF公司製造之「Irgacure(註冊商標)OXE02」)。
‧填充材料
(d)-1：二氧化矽填料(溶融石英填料，平均粒徑8μm)。
‧偶合劑
(e)-1：3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製造之「KBM-503」，矽烷偶合劑)。
‧著色劑
(g)-1：將酞菁系藍色色素(Pigment Blue 15：3)32質量份、異吲哚啉酮系黃色色素(Pigment Yellow 139)18質量 份、及蒽醌系紅色色素(Pigment Red 177)50質量份進行混合，以前述3種色素的合計量/苯乙烯丙烯酸樹脂量=1/3(質量比)之方式進行顏料化而獲得之顏料。
(g)-2：碳黑(三菱化學公司製造之「#MA650」，平均粒徑28nm)。
[實施例1]
<保護膜形成用複合片之製造>
(保護膜形成用組成物(IV-1)之製造)
使能量線硬化性成分(a2)-1、聚合物(b)-1、光聚合起始劑(c)-1、光聚合起始劑(c)-2、填充材料(d)-1、偶合劑(e)-1及著色劑(g)-1，以這些的含量(固形物成分量，質量份)成為表1所示之值之方式溶解或分散於甲基乙基酮中，於23℃下進行攪拌，藉此製備固形物成分濃度為50質量%之保護膜形成用組成物(IV-1)。再者，表1中的含有成分一欄記載為「-」時，顯示保護膜形成用組成物(IV-1)不含有該成分。
(黏著劑組成物(I-4)之製造)
製備固形物成分濃度為30質量%之非能量線硬化性之黏著劑組成物(I-4)，該黏著劑組成物(I-4)含有丙烯酸系聚合物(100質量份，固形物成分)、及3官能苯二甲基二異氰酸酯系交聯劑(三井武田化學公司製造之「Takenate D110N」)(10.7質量份，固形物成分)，進一步含有作為溶 劑之甲基乙基酮。前述丙烯酸系聚合物係使丙烯酸-2-乙基己酯(以下，簡稱為「2EHA」)(36質量份)、BA(59質量份)、及HEA(5質量份)進行共聚合而成，且重量平均分子量為600000。
(支持片之製造)
於聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面經聚矽氧處理進行剝離處理之剝離膜(Lintec公司製造之「SP-PET381031」，厚度38μm)的前述剝離處理面，塗敷上述所獲得之黏著劑組成物(I-4)於120℃下加熱乾燥2分鐘，藉此形成厚度10μm之非能量線硬化性之黏著劑層。
接著，於該黏著劑層的露出面，貼合作為基材之聚氯乙烯系膜(楊氏率280MPa，厚度80μm)，藉此獲得於前述基材的一方的表面上具備前述黏著劑層之支持片(10)-1。
(保護膜形成用複合片之製造)
於聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面經聚矽氧處理進行剝離處理之剝離膜(Lintec公司製造之「SP-PET381031」，厚度38μm)的前述剝離處理面，藉由刀式塗佈機塗敷上述所獲得之保護膜形成用組成物(IV-1)，於100℃下乾燥2分鐘，藉此製造厚度25μm之能量線硬化性之保護膜形成用膜(13)-1。
接著，自上述所獲得之支持片(10)-1之黏著劑層移除 剝離膜，於該黏著劑層的露出面貼合上述所獲得之保護膜形成用膜(13)-1的露出面，製作圖6所示之保護膜形成用複合片，該保護膜形成用複合片係基材、黏著劑層、保護膜形成用膜(13)-1及剝離膜於這些的厚度方向上依序積層而成。所獲得之保護膜形成用複合片之構成示於表2。
<保護膜形成用膜及保護膜之評價>
(保護膜形成用膜之雷射光之透過率)
使用分光光度計(SHIMADZU公司製造之「UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETER UV-3600」)，針對上述所獲得之保護膜形成用膜(13)-1，測定透過率(1342nm)及透過率(1250nm)。測定時，使用附帶之大型試樣室MPC-3100，不使用內置之積分球而進行測定。結果示於表2。再者，表2中，評價結果一欄記載為「-」時，顯示未對該項目進行評價。
(半導體晶圓之分割性)
將上述所獲得之保護膜形成用複合片，藉由該保護膜形成用複合片之保護膜形成用膜(13)-1，貼附於8吋矽晶圓(厚度300μm)之#2000研磨面，進而，將該片固定於環狀框，靜置30分鐘。
接著，使用紫外線照射裝置(Lintec公司製造之「RAD2000m/8」)，於照度195mW/cm2、光量170mJ/cm2之條件下，自支持片(10)-1側對保護膜形成用膜(13)-1照 射紫外線，藉此使保護膜形成用膜(13)-1硬化，成為保護膜。
接著，針對貼附有該保護膜形成用膜(13)-1成為保護膜之保護膜形成用複合片，且固定於環狀框之矽晶圓，以可經由保護膜形成用複合片照射雷射光之方式，將這些矽晶圓及環狀框，一邊調節位置一邊設置於雷射鋸(DISCO公司製造之「DFL7361」)。
接著，以聚焦於設定於矽晶圓之內部之焦點之方式，經由保護膜形成用複合片照射波長為1342nm之雷射光，於矽晶圓之內部形成改質層。
接著，將矽晶圓、保護膜形成用複合片、及環狀框設置於晶片分割機(die separator)(DISCO公司製造之「DDS2300」)，將矽晶圓與保護膜形成用複合片，於這些的表面方向(沿表面之方向)上延伸，藉此將矽晶圓連同保護膜一起分割，獲得大小為3mm×3mm之矽晶片。
接著，目視觀察矽晶圓之分割狀態，將於目標部位將矽晶圓連同保護膜一起全部分割之情形的分割性判定為「A」，將於目標部位的至少一部分未將矽晶圓分割之情形的分割性判定為「B」。結果示於表2。
(保護膜之雷射光之透過率)
針對上述所獲得之保護膜，利用與上述之保護膜形成用膜之情形相同的方法，測定保護膜透過率(1342nm)及保護膜透過率(1250nm)。結果示於表2。
(半導體晶片之紅外線檢測性)
針對上述所獲得之矽晶片，經由分割後之保護膜照射波長為1250nm之雷射光而進行檢測，於可確認矽晶片有無異常之情形時，將紅外線檢測性判定為「A」，於無法確認矽晶片有無異常之情形時，將紅外線檢測性判定為「B」。結果示於表2。
(保護膜之硬化度)
使用傅立葉轉換紅外分光裝置(Perkin Elmer公司製造之「Spectrum One」)，針對上述所獲得之分割後之保護膜之分割面，確認能量線硬化性成分有無特有之波數1410cm-1之波峰。並且，於無波峰之情形時，保護膜充分硬化，將硬化度判定為「A」，於有波峰之情形時，保護膜未充分硬化，將硬化度判定為「B」。結果示於表2。
<保護膜形成用複合片之製造、以及保護膜形成用膜及保護膜之評價>
[實施例2]
使製造保護膜形成用組成物(IV-1)時的調配成分之量如表2所示，製作厚度25μm之能量線硬化性之保護膜形成用膜(13)-2代替保護膜形成用膜(13)-1，除此方面以外，利用與實施例1相同的方法製造保護膜形成用膜及保護膜形成用複合片，對保護膜形成用膜及保護膜進行評 價。結果示於表2。
[參考例1]
<保護膜形成用複合片之製造>
利用與實施例1相同的方法製造保護膜形成用複合片。
<保護膜形成用膜及保護膜之評價>
(半導體晶圓之分割性)
將上述所獲得之保護膜形成用複合片，藉由該保護膜形成用複合片之保護膜形成用膜(13)-1，貼附於8吋矽晶圓(厚度300μm)之#2000研磨面，進而，將該片固定於環狀框，靜置30分鐘。
接著，使用切片機(blade dicer)(DISCO公司製造之「DFD651」)，將矽晶圓連同保護膜形成用膜(13)-1一起切割而進行分割，獲得大小為3mm×3mm之矽晶片。
接著，目視觀察矽晶圓之分割狀態，將於目標部位將矽晶圓連同保護膜形成用膜(13)-1一起全部分割之情形時的分割性判定為「A」，將於目標部位的至少一部分未將矽晶圓分割之情形時的分割性判定為「B」。結果示於表2。
(半導體晶片之紅外線檢測性)
以上述方式獲得矽晶片後，使用紫外線照射裝置(Lintec公司製造之「RAD2000m/8」)，於照度195mW/cm2、 光量170mJ/cm2之條件下，自支持片(10)-1側對分割後之保護膜形成用膜(13)-1照射紫外線，藉此使保護膜形成用膜(13)-1硬化，成為保護膜。
接著，針對所獲得之矽晶片，利用與實施例1相同的方法，對紅外線檢測性進行評價。結果示於表2。
(保護膜之硬化度)
針對上述所獲得之分割後之保護膜之分割面，確認有無波數1410cm-1之波峰，利用與實施例1相同的方法，對保護膜之硬化度進行評價。結果示於表2。
<保護膜形成用複合片之製造、以及保護膜形成用膜及保護膜之評價>
[參考例2]
製作厚度25μm之能量線硬化性之保護膜形成用膜(13)-2代替保護膜形成用膜(13)-1，除此方面以外，利用與參考例1相同的方法製造保護膜形成用膜及保護膜形成用複合片，對保護膜形成用膜及保護膜進行評價。結果示於表2。
[比較例1]
使製造保護膜形成用組成物(IV-1)時的調配成分之量如表2所示，製作厚度25μm之能量線硬化性之保護膜形成用膜(93)-1代替保護膜形成用膜(13)-1，除此方面以 外，利用與實施例1相同的方法製造保護膜形成用膜及保護膜形成用複合片，對保護膜形成用膜及保護膜進行評價。結果示於表2。
[比較例2]
製作厚度25μm之能量線硬化性之保護膜形成用膜(93)-1代替保護膜形成用膜(13)-1，除此方面以外，利用與參考例1相同的方法製造保護膜形成用膜及保護膜形成用複合片，對保護膜形成用膜及保護膜進行評價。結果示於表2。
[比較例3]
使製造保護膜形成用組成物(IV-1)時的調配成分之量如表2所示，製作厚度25μm之能量線硬化性之保護膜形成用膜(93)-2代替保護膜形成用膜(13)-1，除此方面以外，利用與實施例1相同的方法製造保護膜形成用膜及保護膜形成用複合片，對保護膜形成用膜及保護膜進行評價。結果示於表2。
Figure 106113979-A0202-12-0102-3
Figure 106113979-A0202-12-0103-4
Figure 106113979-A0202-12-0103-1
Figure 106113979-A0202-12-0104-2
根據上述結果可明確，實施例1至實施例2中，保護膜形成用膜之透過率(1342nm)為60%，於矽晶圓形成改質層，藉此可良好地分割矽晶圓。另外，保護膜形成用膜之透過率(1250nm)為50%，矽晶片之紅外線檢測性亦良好。並且，於保護膜之分割面，未確認到波數1410cm-1之波峰，保護膜充分硬化。
相對於此，參考例1至參考例2中，儘管使用與實施例1至實施例2相同的保護膜形成用組成物，但是於保護膜形成用膜之硬化前，進行刀片切割，結果於照射紫外線時，保護膜形成用膜之分割面曝露於氧，因此影響，保護膜之分割面未充分硬化。可認為無法抑制這些參考例中所獲得之附有保護膜之矽晶片於拾取、基於保護膜之保護功效、收納等中產生不良情形。
比較例1中，由於保護膜形成用膜之透過率(1342nm)低，故而無法於矽晶圓充分地形成改質層，結果殘存大量無法分割之矽晶圓。如此，可認為本比較例中，矽晶圓之分割性嚴重劣化，因此未對矽晶片之紅外線檢測性進行評價，由於保護膜形成用膜之透過率(1250nm)低，故而矽晶片之紅外線檢測性亦不良。
比較例2中，由於分割矽晶圓時採用刀片切割，故而未受保護膜形成用膜之透過率(1342nm)低之影響，但由於保護膜形成用膜之透過率(1250nm)低，故而矽晶片之紅外線檢測性不良。另外，與參考例1之情形同樣地，於保護膜形成用膜之硬化前，進行刀片切割，結果保護膜之分割面未充分硬化。
比較例3中，由於保護膜形成用膜之透過率(1342nm)較比較例1更低，故而無法於矽晶圓充分地形成改質層，結果較比較例1之情形殘存更多無法分割之矽晶圓。本比較例中，亦與比較例1同樣地，未對矽晶片之紅外線檢測性進行評價，但由於保護膜形成用膜之透過率(1250nm)非常低，故而可認為矽晶片之紅外線檢測性亦嚴重不良。
(產業可利用性)
本發明可用於製造半導體裝置。
1A‧‧‧保護膜形成用複合片
10‧‧‧支持片
10a‧‧‧(支持片的)表面
11‧‧‧基材
11a‧‧‧(基材的)表面
12‧‧‧黏著劑層
12a‧‧‧(黏著劑層的)表面
13‧‧‧保護膜形成用膜
13a‧‧‧(保護膜形成用膜的一方的)表面
15‧‧‧剝離膜
16‧‧‧治具用接著劑層
16a‧‧‧(治具用接著劑層的)表面

Claims (4)

  1. 一種保護膜形成用膜，係具有能量線硬化性，且同時滿足下述條件(1)及(2)：(1)波長為1342nm之雷射光之透過率為45%以上；(2)波長為1250nm之雷射光之透過率為35%以上；前述保護膜形成用膜單獨含有能量線硬化性成分(a)、或是含有能量線硬化性成分(a)與不具有能量線硬化性基之聚合物(b)；前述保護膜形成用膜中之前述能量線硬化性成分(a)與前述不具有能量線硬化性基之聚合物(b)之合計含量為5質量%至90質量%。
  2. 如請求項1所記載之保護膜形成用膜，其中當前述保護膜形成用膜含有前述能量線硬化性成分(a)與前述不具有能量線硬化性基之聚合物(b)之情況，於前述保護膜形成用膜中，前述不具有能量線硬化性基之聚合物(b)之含量相對於前述能量線硬化性成分(a)之含量100質量份為3質量份至160質量份。
  3. 一種保護膜形成用複合片，係具備支持片，於前述支持片上具備如請求項1或2所記載之保護膜形成用膜。
  4. 一種半導體晶片的製造方法，包含有以下步驟：將如請求項1或2所記載之保護膜形成用膜、或 者如請求項3所記載之保護膜形成用複合片中的保護膜形成用膜貼附於半導體晶圓；對貼附於前述半導體晶圓之前述保護膜形成用膜照射能量線，於前述半導體晶圓形成保護膜；以聚焦於設定於前述半導體晶圓的內部之焦點之方式，經由前述保護膜或保護膜形成用膜照射紅外區域之雷射光，於前述半導體晶圓的內部形成改質層；及對形成有前述改質層之前述半導體晶圓施加力，藉此於前述改質層之部位分割前述半導體晶圓，獲得複數個半導體晶片。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020102553A (ja) * 2018-12-21 2020-07-02 日東電工株式会社 半導体背面密着フィルム
WO2019131850A1 (ja) * 2017-12-28 2019-07-04 日東電工株式会社 半導体背面密着フィルム
JP7541503B2 (ja) 2019-02-26 2024-08-28 リンテック株式会社 熱硬化性樹脂フィルム及び第１保護膜形成用シート
TWI834820B (zh) * 2019-02-26 2024-03-11 日商琳得科股份有限公司 熱硬化性樹脂膜以及第1保護膜形成用片
KR20210141481A (ko) * 2019-03-15 2021-11-23 린텍 가부시키가이샤 지지 시트 부착 필름상 소성 재료, 롤체, 적층체, 및 장치의 제조 방법
WO2024122481A1 (ja) * 2022-12-06 2024-06-13 リンテック株式会社 粘着シート、粘着剤層付き面状発熱体および面状発熱部材

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015111631A1 (ja) * 2014-01-22 2015-07-30 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、保護膜形成用複合シートおよび加工物の製造方法
WO2015146936A1 (ja) * 2014-03-24 2015-10-01 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、ワークまたは加工物の製造方法、検査方法、良品と判断されたワーク、および良品と判断された加工物

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5144433B1 (zh) 1970-02-02 1976-11-29
JP2010031183A (ja) 2008-07-30 2010-02-12 Furukawa Electric Co Ltd:The エネルギー線硬化型チップ保護用フィルム
KR20110128863A (ko) * 2009-02-12 2011-11-30 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 다이싱 시트 첨부 반도체 보호막 형성용 필름, 이것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
CN105408105B (zh) * 2013-08-01 2017-08-25 琳得科株式会社 保护膜形成用复合片
JP6334197B2 (ja) * 2014-02-25 2018-05-30 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート、保護膜付きチップ、及び保護膜付きチップの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015111631A1 (ja) * 2014-01-22 2015-07-30 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、保護膜形成用複合シートおよび加工物の製造方法
WO2015146936A1 (ja) * 2014-03-24 2015-10-01 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、ワークまたは加工物の製造方法、検査方法、良品と判断されたワーク、および良品と判断された加工物

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