TWI743361B - 樹脂膜形成用膜以及樹脂膜形成用複合片 - Google Patents

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Abstract

本發明之樹脂膜形成用膜滿足以下之條件(i)及(ii)。
(i)將使用第1積層體製作之第1試片於純水中浸漬2小時之時，前述第1試片的吸水率成為0.55%以下，前述第1積層體係將複數片前述樹脂膜形成用膜積層而成，大小為50mm×50mm，厚度為200μm。
(ii)於將使用第2積層體製作之第2試片於23℃、50%RH之環境下經時30分鐘之時以及將該經時後的第2試片於純水中浸漬2小時之時之浸漬前後，測定樹脂膜形成用膜或其硬化物與矽鏡面晶圓之間的黏著力時，黏著力變化率成為60%以下，前述第2積層體係將前述樹脂膜形成用膜貼附於矽鏡面晶圓而成。

Description

樹脂膜形成用膜以及樹脂膜形成用複合片
本發明係關於一種樹脂膜形成用膜以及樹脂膜形成用複合片。
本申請案主張基於2017年7月6日在日本提出申請之日本特願2017-132980號的優先權，並將該申請案的內容引用至本文中。
在半導體裝置的製造過程中，於半導體晶片中的與電路面為相反側的面(背面)，設置具備含有有機材料之樹脂膜的半導體晶片(附樹脂膜之半導體晶片)、或具備用以形成該樹脂膜之樹脂膜形成用膜的半導體晶片(附樹脂膜形成用膜之半導體晶片)。作為前述樹脂膜，例如可列舉前述樹脂膜形成用膜之硬化物等。該情形時，於半導體晶圓中的與電路面為相反側的面(背面)貼附樹脂膜形成用膜後，進行由半導體晶圓獲得半導體晶片之單片化以及樹脂膜形成用膜之硬化，藉此製作附樹脂膜之半導體晶片。
相對於此，作為成為樹脂膜形成用膜之使用對象之半導體晶片，可列舉：於電路面具備作為電極之凸塊(bump)之半導體晶片以及於電路面不具備作為電極之凸塊之半導體晶片。
於電路面不具備凸塊之半導體晶片最為通用，於該半導體晶片的背面，通常具備膜狀接著劑作為前述樹脂膜形成用膜，該膜狀接著劑用以將半導體晶片黏晶於基板的電路形成面。亦即，該情形時之樹脂膜形成用膜為膜狀接著劑。
另一方面，於電路面具備凸塊之半導體晶片藉由凸塊而倒裝晶片(flip chip)連接於基板的電路形成面。但是，該情形時之半導體晶片的背面直接裸露，因此於該背面通常具備保護膜作為前述樹脂膜。亦即，該情形時之樹脂膜為保護膜，樹脂膜形成用膜為保護膜形成用膜。
附樹脂膜之半導體晶片及附樹脂膜形成用膜之半導體晶片例如使用樹脂膜形成用複合片而製造，該樹脂膜形成用複合片係具備支持片，於前述支持片上具備樹脂膜形成用膜而成。更具體而言，如以下所述。亦即，首先，將樹脂膜形成用複合片藉由該樹脂膜形成用複合片中的樹脂膜形成用膜貼附於半導體晶圓的背面。其次，視需要，使樹脂膜形成用膜硬化後，將半導體晶圓連同樹脂膜形成用膜或其硬化物一起進行切割而單片化為半導體晶片。其次， 於半導體晶片的背面具備切斷後的樹脂膜形成用膜或前述硬化物之狀態下，將半導體晶片自支持片拉離而進行拾取。藉由以上之步驟，獲得附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片。切割有若干種方法，但最為通用的是使用切割刀片之方法(刀片切割)。於進行刀片切割時，前述支持片作為切割片發揮功能。
作為樹脂膜形成用複合片，此前揭示有各種樹脂膜形成用複合片。例如，揭示有熱硬化性樹脂膜形成用膜(熱硬化型黏晶膜)以及具備該熱硬化性樹脂膜形成用膜之樹脂膜形成用複合片(切晶-黏晶膜)，該熱硬化性樹脂膜相對於有機樹脂成分含有特定範圍量之無機填充材料，熱硬化前的熔融黏度處於特定範圍內，與被黏著體之密接性優異(參照專利文獻1及專利文獻2)。
另一方面，以往進行刀片切割後將附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片自支持片拉離而進行拾取時，存在應與半導體晶片一起被拾取之樹脂膜形成用膜或樹脂膜的一部分或全部殘存於支持片上之問題，亦即存在無法正常獲得附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片而容易產生拾取不良之問題。此種問題於半導體晶片的1邊的長度為4mm以下等之尺寸小的附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片之情形時顯著。
對此，並不確定專利文獻1及專利文獻2中所揭示之熱硬化性樹脂膜形成用膜以及具備該熱硬化性樹脂膜形成用膜膜之樹脂膜形成用複合片是否能解決此種問題。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特許第4732472號公報。
專利文獻2：日本特許第5390209號公報。
本發明之目的在於提供一種樹脂膜形成用膜以及具備該樹脂膜形成用膜之樹脂膜形成用複合片，該樹脂膜形成用膜用以與支持片一起構成樹脂膜形成用複合片，且於半導體晶片的背面形成樹脂膜，並且使用前述樹脂膜形成用膜將刀片切割後所獲得之尺寸小的附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片自支持片拾取時，可抑制樹脂膜形成用膜或樹脂膜殘存於支持片。
本發明提供一種樹脂膜形成用膜，其特徵在於，製作第1積層體，該第1積層體係將複數片前述樹脂膜形成用膜積層而成，大小為50mm×50mm，厚度為200μm；於前 述樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時將前述第1積層體進行能量線硬化而成之第1硬化物作為第1試片，於前述樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形時則將前述第1積層體作為第1試片，將前述第1試片於純水中浸漬2小時之時，前述第1試片的吸水率為0.55%以下；製作第2積層體，該第2積層體係將前述樹脂膜形成用膜貼附於矽鏡面晶圓而成；於前述樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時將前述第2積層體中的前述樹脂膜形成用膜進行能量線硬化而成為第2硬化物後的已硬化的第2積層體作為第2試片，測定將前述第2試片於溫度23℃、相對濕度50%之環境下靜置30分鐘而經時之時的前述第2硬化物與前述矽鏡面晶圓之間的經時後黏著力，並測定將經時後的前述第2試片於純水中浸漬2小時之時的前述第2硬化物與前述矽鏡面晶圓之間的浸漬後黏著力時，由前述經時後黏著力及浸漬後黏著力算出之前述第2試片的黏著力變化率為60%以下；或者於前述樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形時將前述第2積層體作為第2試片，測定將前述第2試片於溫度23℃、相對濕度50%之環境下靜置30分鐘而經時之時的前述樹脂膜形成用膜與前述矽鏡面晶圓之間的經時後黏著力，並測定將經時後的前述第2試片於純水中浸漬2小時之時的前述樹脂膜形成用膜與前述矽鏡面晶圓之間的浸漬後黏著力時，由前述經時後黏著力及浸漬後黏著力算出之前述第2試片的黏著力變化率為60%以下。
製作第3積層體，該第3積層體係將複數片前述樹脂膜形成用膜積層而成，大小為15mm×150mm，厚度為200μm；於前述樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時將前述第3積層體進行能量線硬化而成之第3硬化物作為第3試片，於前述樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形時將前述第3積層體作為第3試片，將前述第3試片於純水中浸漬2小時之時，於依據JIS K 7127之拉伸試驗中，將試驗速度作為200mm/min而測定之浸漬後的前述第3試片的楊氏率亦可為15MPa以上。
本發明之樹脂膜形成用膜亦可含有填充材料，且於前述樹脂膜形成用膜中，前述填充材料的含量相對於前述樹脂膜形成用膜的總質量之比例為25質量%至75質量%。
本發明提供一種樹脂膜形成用複合片，係具備支持片，於前述支持片上具備樹脂膜形成用膜而成，前述樹脂膜形成用膜為上述本發明之樹脂膜形成用膜。
本發明之樹脂膜形成用膜可與支持片一起構成樹脂膜形成用複合片，且於半導體晶片的背面形成樹脂膜。藉由使用前述樹脂膜形成用膜，進行刀片切割而獲得尺寸小的附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片，並將這些附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片自支持片拾取時，可抑制樹脂膜形成用膜或 樹脂膜殘存於支持片。
1‧‧‧支持片
1a‧‧‧支持片的表面
11‧‧‧基材
11a‧‧‧基材的表面
12‧‧‧黏著劑層
12a‧‧‧黏著劑層的表面
13、23‧‧‧樹脂膜形成用膜
13a、23a‧‧‧樹脂膜形成用膜的表面
15‧‧‧剝離膜
16‧‧‧治具用接著劑層
16a‧‧‧治具用接著劑層的表面
101、102、103、104、105‧‧‧樹脂膜形成用複合片
圖1係以示意方式表示本發明之樹脂膜形成用複合片的一實施形態之剖面圖。
圖2係以示意方式表示本發明之樹脂膜形成用複合片的另一實施形態之剖面圖。
圖3係以示意方式表示本發明之樹脂膜形成用複合片的又一實施形態之剖面圖。
圖4係以示意方式表示本發明之樹脂膜形成用複合片的又一實施形態之剖面圖。
圖5係以示意方式表示本發明之樹脂膜形成用複合片的又一實施形態之剖面圖。
◇樹脂膜形成用膜
本發明之樹脂膜形成用膜係由前述樹脂膜形成用膜製作之下述第1試片的吸水率成為0.55%以下，且由前述樹脂膜形成用膜製作之下述第2試片的黏著力變化率成為60%以下。
於前述樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形時，第1試片係將複數片前述樹脂膜形成用膜積層而成且大小為50mm×50mm而厚度為200μm之第1積層體。於前述樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時，第1試片係使前 述第1積層體進行能量線硬化而成之第1硬化物。
於前述樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形時，第2試片係將前述樹脂膜形成用膜貼附於矽鏡面晶圓而成之第2積層體；於前述樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時，第2試片係使前述第2積層體中的前述樹脂膜形成用膜進行能量線硬化而成為第2硬化物後的已硬化的第2積層體。
第1試片的吸水率(%)係藉由式「(WB-WA)/WA×100」而算出。此處，WA係於純水中浸漬之前的第1試片的質量，WB係將供測定WA之第1試片於純水中浸漬2小時之後的第1試片的質量。
於樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形時，第2試片的黏著力變化率(%)係藉由式「(｜PB2-PA2｜)/PA2×100」而算出。此處，PA2係將第2試片於溫度23℃、相對濕度50%之環境下靜置30分鐘而經時之時的第2試片中的樹脂膜形成用膜與矽鏡面晶圓之間的黏著力(經時後黏著力)。另外，PB2係將該經時後的第2試片於純水中浸漬2小時之時的該浸漬後的第2試片中的樹脂膜形成用膜與矽鏡面晶圓之間的黏著力(浸漬後黏著力)。
另一方面，於樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時，第2試片的黏著力變化率(%)係藉由式「(｜PB1-PA1｜)/PA1×100」而算出。此處，PA1係將第2試片於溫度23℃、相對濕度50%之環境下靜置30分鐘而經時之時的第2試片中的第2硬化物與矽鏡面晶圓之間的黏著力(經時後 黏著力)。另外，PB1係將該經時後的第2試片於純水中浸漬2小時之時的該浸漬後的第2試片中的第2硬化物與矽鏡面晶圓之間的黏著力(浸漬後黏著力)。
關於上述吸水率及黏著力變化率將於後文更詳細地進行說明。
本發明之樹脂膜形成用膜可用以於半導體晶片中的與電路面為相反側的面(於本說明書中，有時稱為「背面」)形成樹脂膜。另外，本發明之樹脂膜形成用膜如下所述，可為硬化性及非硬化性之任一種。於本說明書中，只要無特別說明，則於前述樹脂膜形成用膜為硬化性之情形時，將前述樹脂膜形成用膜之硬化物視為樹脂膜；於前述樹脂膜形成用膜為非硬化性之情形時，視為於將前述樹脂膜形成用膜貼附於目標部位之階段形成樹脂膜。
於半導體晶片於電路面不具備凸塊之情形時，作為前述樹脂膜形成用膜或樹脂膜，可列舉用以將半導體晶片黏晶於基板的電路形成面之膜狀接著劑。
另一方面，於半導體晶片於電路面具備凸塊之情形時，此種半導體晶片係藉由凸塊而倒裝晶片連接於基板的電路形成面，且半導體晶片的背面直接裸露。作為對此種半導體晶片使用之情形時之前述樹脂膜形成用膜可列舉保護膜形成用膜，作為前述樹脂膜可列舉用以保護前述背面之保護膜。
亦即，本發明之樹脂膜形成用膜可用作前述膜狀接著劑或保護膜之形成用。
本發明之樹脂膜形成用膜貼附於半導體晶圓中的與電路面為相反側的面(於本說明書中，有時與半導體晶片之情形同樣地稱為「背面」)時，可於與支持片一起構成樹脂膜形成用複合片之狀態下使用。
如上所述，本發明之樹脂膜形成用膜係一併滿足前述吸水率及黏著力變化率之條件。藉由使用此種樹脂膜形成用膜，於刀片切割後將尺寸小的附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片自支持片拾取時，可抑制樹脂膜形成用膜或樹脂膜殘存於支持片。本發明之樹脂膜形成用膜顯示此種優異的拾取適性之理由並不確定，但推測如下。
對於樹脂膜形成用膜以及樹脂膜(樹脂膜形成用膜之硬化物)，於拾取時，自與和半導體晶片接觸之側為相反側的面經由支持片藉由具有突起狀等形狀之頂出機構而施加力。此時，樹脂膜形成用膜以及樹脂膜中，被施加力之部位及其附近壓抵於半導體晶片之力較強，因此不易自半導體晶片剝離。相對於此，樹脂膜形成用膜以及樹脂膜中，自被施加力之部位遠離之部位壓抵於半導體晶片之力較弱，因此相較於被施加力之部位及其附近，容易自半導體晶片剝離。例如，於對樹脂膜形成用膜或樹脂膜中的前述 相反側的面的中央附近施加力之情形時，樹脂膜形成用膜或樹脂膜中之中央附近及其附近不易自半導體晶片剝離，但自中央附近遠離之周緣部及其附近相較於中央附近及其附近則容易自半導體晶片剝離。再者，如上所述，樹脂膜形成用膜以及樹脂膜中，被施加力之部位及其附近相對不易自半導體晶片剝離，但根據條件有時亦會剝離。
另一方面，於進行刀片切割之情形時，為了抑制半導體晶圓及樹脂膜形成用膜或樹脂膜中之與切割刀片之接觸部位中之溫度上升，一邊對這些接觸部位施加冷卻水(亦稱為「切削水」)一邊進行切割。但是，於獲得尺寸小的半導體晶片之情形時，切割部位多，隨之切割時間變長，樹脂膜形成用膜以及樹脂膜曝露於冷卻水之時間變長。該情形時，樹脂膜形成用膜以及樹脂膜藉由吸水而較吸水前柔軟，有時會因拾取時所施加之力而破裂。推測於破裂之情形時，樹脂膜形成用膜以及樹脂膜亦存在以膜的破裂部位為界且至少自被施加力之部位遠離之部位如上所述般容易自半導體晶片剝離之情況，從而殘存於支持片上。另外，於樹脂膜形成用膜或樹脂膜中的自半導體晶片剝離的部位，切割時所使用之冷卻水(切削水)浸入樹脂膜形成用膜或樹脂膜與半導體晶片之間。因此，以後於此種部位中，樹脂膜形成用膜或樹脂膜不與半導體晶片密接，另一方面，樹脂膜形成用膜或樹脂膜容易維持密接於支持片之狀態。推測此種作用使破裂後的樹脂膜形成用膜或樹脂膜容 易殘存於支持片上。
此種問題於樹脂膜形成用膜中顯著，但即便是樹脂膜於未完全硬化之膜等硬化度低之膜中亦顯著。例如，於如下所述之一併具有能量線硬化性及熱硬化性之樹脂膜形成用膜之利用能量線照射獲得之硬化物(能量線硬化物)中，確認到上述問題。
相對於此，推測於使用本發明之樹脂膜形成用膜之情形時，藉由前述吸水率及黏著力變化率均為特定範圍內，可解決如上所述之問題，獲得優異的拾取適性。
上述「日本特許第4732472號說明書」(專利文獻1)及「日本特許第5390209號說明書」(專利文獻2)中，揭示有於熱硬化後顯示特定範圍之吸濕率之熱硬化性樹脂膜形成用膜(熱硬化型黏晶膜)，但對於熱硬化前的吸濕率並未揭示。原因在於，這些專利文獻之目的在於防止這些熱硬化性樹脂膜形成用膜於迴焊(reflow)步驟中於半導體封裝產生龜裂。亦即，這些專利文獻中所揭示之發明之課題與本發明之課題不同。進而，這些專利文獻中所揭示之熱硬化性樹脂膜形成用膜的吸濕率與本發明之樹脂膜形成用膜中的前述吸水率完全無關係，並未使人想起任何關於本發明中之前述吸水率。
再者，於本說明書中，所謂「附樹脂膜形成用膜之半 導體晶片」係指「於半導體晶片的背面具備樹脂膜形成用膜之半導體晶片」，所謂「附樹脂膜之半導體晶片」係指「於半導體晶片的背面具備樹脂膜之半導體晶片」。附樹脂膜之半導體晶片中的樹脂膜可為樹脂膜形成用膜完全硬化之硬化物，亦可為未完全硬化之硬化物(換言之，硬化度更高之硬化物)。
於本說明書中，所謂「能量線」係指具有能量量子的電磁波或帶電粒子束，作為該能量線的示例，可列舉紫外線、放射線、電子束等。紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、融合(Fusion)燈、氙氣燈、黑光燈或LED(Light Emitting Diode；發光二極體)燈等作為紫外線源而進行照射。電子束可照射藉由電子束加速器等產生之電子束。
另外，於本說明書中，所謂「能量線硬化性」係指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」係指即便照射能量線亦不硬化之性質。
本發明之樹脂膜形成用膜可為硬化性，亦可為非硬化性。
硬化性之樹脂膜形成用膜可為熱硬化性及能量線硬化性之任一種，亦可具有熱硬化性及能量線硬化性兩者之特性。
前述樹脂膜形成用膜可使用含有該樹脂膜形成用膜之構成材料之樹脂膜形成用組成物而形成。
再者，於本說明書中，所謂「非硬化性」係指藉由加熱或照射能量線等任何方法均不硬化之性質。
本發明之樹脂膜形成用膜無論有無硬化性，均較佳為含有後述之填充材料(D)等填充材料；另外，於具有硬化性之情形時，無論為熱硬化性及能量線硬化性之任一種，均較佳為含有後述之填充材料(D)等填充材料。藉由使用填充材料，可更容易地製造一併滿足前述吸水率及黏著力變化率之條件之樹脂膜形成用膜。
於本發明之樹脂膜形成用膜含有填充材料之情形時，前述樹脂膜形成用膜中，填充材料的含量相對於前述樹脂膜形成用膜的總質量之比例(換言之，前述樹脂膜形成用組成物中的填充材料的含量相對於溶劑以外的成分的總含量之比例)較佳為25質量%至75質量%，更佳為28質量%至72質量%。由於填充材料相較於其他成分顯著不易吸水，故而藉由填充材料的含量比例為前述下限值以上，更容易將前述吸水率設為0.55%以下。並且，將尺寸小的附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片自支持片拾取時，抑制樹脂膜形成用膜或樹脂膜殘存於支持片之功效變得更高。另外，藉由填充材料的含量比例為前述上限值以下，樹脂膜形成用膜以及樹脂膜的強度進一步提高。關於填充材料將於後文詳細地進行說明。
<<第1試片的吸水率>>
前述樹脂膜形成用膜於將第1試片於純水中浸漬2小時之時，前述第1試片的吸水率成為0.55%以下。再者，於本說明書中，吸水率的單位「%」皆指「質量%」。以下，詳細地說明第1試片的吸水率。
於樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形時，第1試片係將複數片樹脂膜形成用膜於這些樹脂膜形成用膜的厚度方向上積層而成且大小為50mm×50mm而厚度為200μm之第1積層體。
於樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時，第1試片係對前述第1積層體照射能量線，使第1積層體進行能量線硬化而成之第1硬化物。
於樹脂膜形成用膜為熱硬化性之情形時，無論該樹脂膜形成用膜為能量線硬化性及非能量線硬化性之任一種，前述第1積層體及第1硬化物均較佳為未經熱硬化。
用於製作前述第1積層體之複數片樹脂膜形成用膜全部組成相同。
複數片前述樹脂膜形成用膜的厚度可全部相同，亦可全部不同，還可僅一部分相同，但較佳為全部相同。
第1積層體例如可藉由下述方式而製作：將較50mm×50mm大的任意大小的複數片樹脂膜形成用膜，以合 計厚度成為200μm之方式積層而貼合，並沖裁(切斷)成50mm×50mm之大小。另外，第1積層體例如亦可藉由下述方式而製作：將大小為50mm×50mm之複數片樹脂膜形成用膜以合計厚度成為200μm之方式使全部周緣部之位置對齊並進行積層而貼合。
於樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形時，將所製作之第1積層體直接用作第1試片。
於樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時，對所製作之第1積層體進一步照射能量線，使第1積層體中的全部樹脂膜形成用膜進行能量線硬化，將所獲得之第1硬化物用作第1試片。
關於製作前述第1硬化物時的對第1積層體(樹脂膜形成用膜)之能量線之照射條件，只要使第1積層體充分地進行能量線硬化，則並無特別限定。
通常，第1積層體之硬化時的能量線的照度較佳為120mW/cm2至280mW/cm2，能量線的光量較佳為100mJ/cm2至1000mJ/cm2。
為了求出第1試片的吸水率，首先，測定於純水中浸漬之前的第1試片的質量WA。此時，較佳為於製作後的第1試片未顯示因吸濕等所致之明確的質量變化之狀態下測定第1試片的質量WA。藉由此種方式，可更高精度地求出 後述之吸水率。
將供測定質量WA之第1試片於純水中浸漬2小時。此時，以第1試片不自純水中突出而露出之方式(換言之，以第1試片整體完全浸入純水中之方式)，使第1試片沉入充分量的純水中。
浸漬第1試片之過程中的純水的溫度較佳為18℃至28℃。藉由此種方式，可更高精度地求出後述之吸水率。
於純水中浸漬2小時後，將第1試片快速地自純水中取出，視需要，例如將第1試片的表面所附著之多餘的水滴除水(除去)，測定該浸漬後的第1試片的質量WB。
然後，使用這些WA及WB之值，藉由式「(WB-WA)/WA×100」，算出第1試片的吸水率(%)。
於本發明中，第1試片的吸水率為0.55%以下，較佳為0.53%以下，例如亦可為0.4%以下等。藉由第1試片的吸水率為前述上限值以下，於將尺寸小的附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片自支持片拾取時，抑制樹脂膜形成用膜或樹脂膜殘存於支持片之功效變得更高。
於本發明中，第1試片的吸水率的下限值並無特別限 定，例如亦可為0%。可謂第1試片的吸水率越低，第1試片(換言之，樹脂膜形成用膜或樹脂膜)即便曝露於水中之時間長物性亦越不易變化。就更容易製造樹脂膜形成用膜之方面而言，第1試片的吸水率較佳為0.01%以上，更佳為0.05%以上。
於本發明中，第1試片的吸水率可以成為任意組合上述任一下限值與任一上限值而決定之數值範圍之方式適宜調節。例如，第1試片的吸水率較佳為0%至0.55%，更佳為0%至0.53%，亦可為0%至0.4%等。但是，這些係第1試片的吸水率的一例。
<<第2試片的黏著力變化率>>
前述樹脂膜形成用膜係第1試片的吸水率滿足上述條件，且第2試片的黏著力變化率成為60%以下。以下，詳細說明第2試片的黏著力變化率。該黏著力變化率表示將第2試片於特定條件下於純水中浸漬之前後的黏著力的變化程度。
於樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形時，第2試片係將樹脂膜形成用膜貼附於矽鏡面晶圓而成之第2積層體。
於樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時，第2試片係對前述第2積層體中的樹脂膜形成用膜照射能量線使 樹脂膜形成用膜進行能量線硬化而成為第2硬化物後的已硬化的第2積層體(亦即，第2積層體之硬化物)。
於樹脂膜形成用膜為熱硬化性之情形時，無論該樹脂膜形成用膜為能量線硬化性及非能量線硬化性之任一種，前述第2積層體及第2硬化物均較佳為未經熱硬化。
前述第2積層體可藉由於矽鏡面晶圓的鏡面貼附樹脂膜形成用膜的一表面而製作。
用於製作前述第2積層體之矽鏡面晶圓的大小相對於樹脂膜形成用膜的大小為同等以上即可，可以可高精度地測定後述之黏著力之方式適宜調節。
矽鏡面晶圓的厚度較佳為350μm至760μm。藉由此種方式，可更高精度地測定後述之黏著力。
用於製作前述第2積層體之樹脂膜形成用膜的大小並無特別限定。
但是，作為與矽鏡面晶圓之間的黏著力之測定對象(換言之，自矽鏡面晶圓剝離)之樹脂膜形成用膜的寬度較佳為25mm。關於作為前述測定對象之樹脂膜形成用膜的長度，只要可高精度地測定黏著力，則並無特別限定，較佳為150mm至250mm。作為前述經時後黏著力(後述之浸漬前黏著力)之測定對象之樹脂膜形成用膜的大小與作為前述浸漬後黏著力之測定對象之樹脂膜形成用膜的大小作為相 同。
製作前述第2積層體時，較佳為將樹脂膜形成用膜加熱至例如35℃至45℃而貼附於矽鏡面晶圓。藉由此種方式，可獲得更穩定的第2積層體。
於樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形時，將所製作之第2積層體直接用作第2試片。
於樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時，對所製作之第2積層體中的樹脂膜形成用膜，自該樹脂膜形成用膜中的具備矽鏡面晶圓之側的相反側進一步照射能量線，使第2積層體中的樹脂膜形成用膜進行能量線硬化而成為第2硬化物後，將該已硬化的第2積層體(亦即，具備樹脂膜形成用膜之硬化物之矽鏡面晶圓)用作第2試片。
關於製作前述第2硬化物(前述已硬化的第2積層體)時的對樹脂膜形成用膜之能量線之照射條件，只要使樹脂膜形成用膜充分地進行能量線硬化，則並無特別限定。
通常，前述第2硬化物之製作時的能量線的照度及光量均可作為與上述第1積層體之硬化時的能量線的照度及光量相同。
(樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形)
於樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時，為了求 出第2試片的黏著力變化率，首先，將第2試片於溫度23℃、相對濕度50%之環境下靜置30分鐘而經時。其次，針對該經時後的第2試片，於23℃之環境下，測定第2硬化物與矽鏡面晶圓之間的經時後黏著力(於本說明書中，有時亦稱為「浸漬前黏著力」)PA1。此時，較佳為於製作後的第2試片未顯示明確的特性變化之狀態下，測定經時後黏著力PA1。藉由此種方式，可更高精度地求出後述之黏著力變化率。
另一方面，測定浸漬後黏著力時，將測定對象之經時後的第2試片於純水中浸漬2小時。此時，以第2試片不自純水中突出而露出之方式(換言之，以第2試片整體完全浸入純水中之方式)，使第2試片沉入充分量的純水中。
浸漬第2試片之過程中的純水的溫度可作為與上述浸漬第1試片之過程中的純水的溫度相同。藉由此種方式，可更高精度地求出後述之黏著力變化率。
於純水中浸漬2小時後，將第2試片快速地自純水中取出，視需要，例如將第2試片的表面所附著之多餘的水滴除水(除去)，針對該浸漬後的第2試片，於23℃之環境下，測定第2硬化物與矽鏡面晶圓之間的浸漬後黏著力PB1。此時，較佳為於浸漬後的第2試片未顯示明確的特性變化之狀態下，測定浸漬後黏著力PB1。藉由此種方式，可 更高精度地求出後述之黏著力變化率。
然後，使用這些PA1及PB1之值，藉由式「(｜PB1-PA1｜)/PA1×100」，算出第2試片的黏著力變化率(%)。
經時後黏著力(浸漬前黏著力)PA1及浸漬後黏著力PB1可製作複數個相同的第2試片，針對這些第2試片分別進行測定，亦可針對1個同一第2試片依序進行測定。
於針對1個同一第2試片依序測定經時後黏著力PA1及浸漬後黏著力PB1之情形時，例如於1個同一第2試片中的相互不同的部位，分別測定經時後黏著力PA1及浸漬後黏著力PB1即可。
於本發明中，經時後黏著力PA1及浸漬後黏著力PB1均為進行自矽鏡面晶圓剝離第2硬化物之操作時所測定之剝離力。測定經時後黏著力PA1及浸漬後黏著力PB1時，例如可於第2硬化物與矽鏡面晶圓之間產生界面破壞，亦可於第2硬化物中產生凝聚破壞。
測定經時後黏著力PA1時，進行所謂之180°剝離，亦即，以於第2試片中剝離第2硬化物時所產生之2面之剝離面所成之角度成為180°之方式，於在純水中浸漬之前的階段以剝離速度300mm/min剝離第2硬化物。然後，測定此時之剝離力(mN/25mm)，可將該值作為經時後黏著力PA1。
例如，於第2硬化物與矽鏡面晶圓之間產生界面破壞之情形時，上述「2面之剝離面所成之角度」係指「第2硬化物中的對矽鏡面晶圓之貼附面、與矽鏡面晶圓中的對第2硬化物之貼附面所成之角度」。於第2硬化物中產生凝聚破壞之情形時，上述「2面之剝離面所成之角度」係指「第2硬化物中的凝聚破壞面2面所成之角度」。
此時，第2硬化物亦可使用強黏著帶進行剝離。亦即，測定經時後黏著力PA1時，對成為該經時後黏著力PA1之測定對象之於純水中浸漬前的第2硬化物預先貼附強黏著帶。然後，進行以下之180°剝離，亦即，將直接施加剝離力之對象作為前述強黏著帶，藉此以前述剝離面所成之角度成為180°之方式，於在純水中浸漬前的階段以剝離速度300mm/min於第2試片中剝離第2硬化物及前述強黏著帶之積層物。然後，測定此時之剝離力(mN/25mm)，亦可將該值作為經時後黏著力PA1。
於使用前述強黏著帶之情形時，可於樹脂膜形成用膜之硬化前，將前述強黏著帶貼附於該樹脂膜形成用膜，繼而使樹脂膜形成用膜硬化而成為第2硬化物，亦可不將前述強黏著帶貼附於樹脂膜形成用膜，使樹脂膜形成用膜硬化而成為第2硬化物，將前述強黏著帶貼附於該第2硬化物。
浸漬後黏著力PB1亦可利用與經時後黏著力PA1之情形相同的方法進行測定。
亦即，測定浸漬後黏著力PB1時，進行所謂之180°剝離，亦即，將上述經時後的第2試片於純水中浸漬2小時後，以於第2試片中剝離第2硬化物時所產生之2面之剝離面所成之角度成為180°之方式，以剝離速度300mm/min剝離第2硬化物。然後，測定此時之剝離力(mN/25mm)，可將該值作為浸漬後黏著力PB1。
此處，「2面之剝離面所成之角度」與上述經時後黏著力PA1之測定時之情形相同。
另外，測定浸漬後黏著力PB1時，亦可使用強黏著帶。亦即，對成為浸漬後黏著力PB1之測定對象之於純水中浸漬前的第2硬化物，預先貼附強黏著帶。然後，進行以下之180°剝離，亦即，將該貼附有強黏著帶之第2試片於純水中浸漬2小時後，將直接施加剝離力之對象作為前述強黏著帶，藉此以前述剝離面所成之角度成為180°之方式，以剝離速度300mm/min於第2試片中剝離第2硬化物及前述強黏著帶之積層物。然後，測定此時之剝離力(mN/25mm)，可將該值作為浸漬後黏著力PB1。
測定浸漬後黏著力PB1時，與經時後黏著力(浸漬前黏著力)PA1之測定時同樣地，可於樹脂膜形成用膜之硬化前，將前述強黏著帶貼附於該樹脂膜形成用膜，繼而使樹 脂膜形成用膜硬化而成為第2硬化物，亦可不將前述強黏著帶貼附於樹脂膜形成用膜，使樹脂膜形成用膜硬化而成為第2硬化物，將前述強黏著帶貼附於該第2硬化物。
前述強黏著帶的大小較佳為與作為經時後黏著力PA1及浸漬後黏著力PB1之測定對象(換言之，自矽鏡面晶圓剝離)之第2硬化物的大小相同。
於使用較用於製作第2積層體之樹脂膜形成用膜的大小更小的前述強黏著帶之情形時，較佳為於第2積層體中沿著前述強黏著帶之外周於樹脂膜形成用膜形成切口後，測定經時後黏著力PA1及浸漬後黏著力PB1。藉由此種方式，可更容易地測定經時後黏著力PA1。另外，測定浸漬後黏著力PB1時，不僅可更容易地測定浸漬後黏著力PB1，而且可更正確地反映將第2硬化物於純水中浸漬之影響，從而可更高精度地測定浸漬後黏著力PB1。
(樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形)
於樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形時，除將第2積層體直接用作第2試片(換言之，與矽鏡面晶圓之間的黏著力之測定對象為樹脂膜形成用膜，而並非第2硬化物)之方面以外，利用與上述樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形相同的方法，求出第2試片的黏著力變化率(%)。
更具體而言，如以下所述。
於樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形時，為了求出第2試片的黏著力變化率，首先，將第2試片於溫度23℃、相對濕度50%之環境下靜置30分鐘而經時。其次，針對該經時後的第2試片，於23℃之環境下，測定樹脂膜形成用膜與矽鏡面晶圓之間的經時後黏著力(浸漬前黏著力)PA2。此時，較佳為於製作後的第2試片未顯示明確的特性變化之狀態下，測定經時後黏著力PA2。藉由此種方式，可更高精度地求出後述之黏著力變化率。
另一方面，測定浸漬後黏著力時，將測定對象之經時後的第2試片於純水中浸漬2小時。此時之第2試片於純水中之浸漬可與上述樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形相同。
於純水中浸漬2小時後，將第2試片快速地自純水中取出，視需要，例如將第2試片的表面所附著之多餘的水滴除水(除去)，針對該浸漬後的第2試片，於23℃之環境下，測定樹脂膜形成用膜與矽鏡面晶圓之間的浸漬後黏著力PB2。此時，較佳為於浸漬後的第2試片未顯示明確的特性變化之狀態下，測定浸漬後黏著力PB2。藉由此種方式，可更高精度地求出後述之黏著力變化率。
然後，使用這些PA2及PB2之值，藉由式「(｜PB2- PA2｜)/PA2×100」，算出第2試片的黏著力變化率(%)。
經時後黏著力(浸漬前黏著力)PA2及浸漬後黏著力PB2可製作複數個相同的第2試片，針對這些第2試片分別進行測定，亦可針對1個同一第2試片依序進行測定。
於針對1個同一第2試片依序測定經時後黏著力PA2及浸漬後黏著力PB2之情形時，例如於1個同一第2試片中的相互不同的部位，分別測定經時後黏著力PA2及浸漬後黏著力PB2即可。
於本發明中，經時後黏著力PA2及浸漬後黏著力PB2均為進行自矽鏡面晶圓剝離樹脂膜形成用膜之操作時所測定之剝離力。測定經時後黏著力PA2及浸漬後黏著力PB2時，例如可於樹脂膜形成用膜與矽鏡面晶圓之間產生界面破壞，亦可於樹脂膜形成用膜中產生凝聚破壞。
測定經時後黏著力PA2時，進行所謂之180°剝離，亦即，以於第2試片中剝離樹脂膜形成用膜時所產生之2面之剝離面所成之角度成為180°之方式，於在純水中浸漬前的階段以剝離速度300mm/min剝離樹脂膜形成用膜。然後，測定此時的剝離力(mN/25mm)，可將該值作為經時後黏著力PA2。
例如，於樹脂膜形成用膜與矽鏡面晶圓之間產生界面破壞之情形時，上述「2面之剝離面所成之角度」係指「樹 脂膜形成用膜中的對矽鏡面晶圓之貼附面、與矽鏡面晶圓中的對樹脂膜形成用膜之貼附面所成之角度」。於樹脂膜形成用膜中產生凝聚破壞之情形時，上述「2面之剝離面所成之角度」係指「樹脂膜形成用膜中的凝聚破壞面2面所成之角度」。
此時，樹脂膜形成用膜亦可使用強黏著帶進行剝離。亦即，測定經時後黏著力PA2時，對成為該經時後黏著力PA2之測定對象之於純水中浸漬前的樹脂膜形成用膜，預先貼附強黏著帶。然後，進行以下之180°剝離，亦即，將直接施加剝離力之對象作為前述強黏著帶，藉此以前述剝離面所成之角度成為180°之方式，於在純水中浸漬之前的階段以剝離速度300mm/min於第2試片中剝離樹脂膜形成用膜及前述強黏著帶之積層物。然後，測定此時的剝離力(mN/25mm)，亦可將該值作為經時後黏著力PA2。
浸漬後黏著力PB2亦可利用與經時後黏著力PA2之情形相同的方法進行測定。
亦即，測定浸漬後黏著力PB2時，進行所謂之180°剝離，亦即，將上述經時後的第2試片於純水中浸漬2小時後，以於第2試片中剝離樹脂膜形成用膜時所產生之2面之剝離面所成之角度成為180°之方式，以剝離速度300mm/min剝離樹脂膜形成用膜。然後，測定此時之剝離力(mN/25mm)，可將該值作為浸漬後黏著力PB2。
此處，「2面之剝離面所成之角度」與上述經時後黏著力PA2之測定時之情形相同。
另外，測定浸漬後黏著力PB2時，亦可使用強黏著帶。亦即，對成為浸漬後黏著力PB2之測定對象之於純水中浸漬前的樹脂膜形成用膜預先貼附強黏著帶。然後，進行180°剝離，亦即，將該貼附有強黏著帶之第2試片於純水中浸漬2小時後，將直接施加剝離力之對象作為前述強黏著帶，藉此以前述剝離面所成之角度成為180°之方式，以剝離速度300mm/min於第2試片中剝離樹脂膜形成用膜及前述強黏著帶之積層物。然後，測定此時之剝離力(mN/25mm)，亦可將該值作為浸漬後黏著力PB2。
前述強黏著帶的大小較佳為與作為經時後黏著力PA2及浸漬後黏著力PB2之測定對象(換言之，自矽鏡面晶圓剝離)之樹脂膜形成用膜的大小相同。
於使用較用於製作第2積層體之樹脂膜形成用膜的大小更小的前述強黏著帶之情形時，較佳為於第2積層體(第2試片)中，沿著前述強黏著帶之外周，於樹脂膜形成用膜形成切口後，測定經時後黏著力PA2及浸漬後黏著力PB2。藉由此種方式，可更容易地測定經時後黏著力PA2。另外，測定浸漬後黏著力PB2時，不僅可更容易地測定浸漬後黏著力PB2，而且可更正確地反映樹脂膜形成用膜於純水中浸漬 之影響，從而可更高精度地測定浸漬後黏著力PB2。
於本發明中，第2試片的黏著力變化率為60%以下，較佳為50%以下，更佳為45%以下，尤佳為40%以下。藉由第2試片的黏著力變化率為前述上限值以下，於將尺寸小的附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片自支持片拾取時，抑制樹脂膜形成用膜或樹脂膜殘存於支持片之功效變得更高。
於本發明中，第2試片的黏著力變化率的下限值並無特別限定，例如亦可為0%。可謂第2試片的黏著力變化率越低，第2試片(換言之，樹脂膜形成用膜或樹脂膜)即便曝露於水之時間長，黏著力亦越不易變化。就更容易製造樹脂膜形成用膜之方面而言，第2試片的黏著力變化率較佳為3%以上，更佳為5%以上。
於本發明中，第2試片的黏著力變化率可以成為任意組合上述任一下限值與任一上限值而決定之數值範圍之方式適宜調節。例如，第2試片的黏著力變化率較佳為0%至60%，更佳為0%至50%，進而較佳為0%至45%，尤佳為0%至40%。但是，這些係第2試片的黏著力變化率的一例。
<<浸漬後的第3試片的楊氏率>>
前述樹脂膜形成用膜較佳為將第3試片於純水中浸漬2小時之時，於依據JIS K 7127之拉伸試驗中，將試驗速度設為200mm/min而測定之浸漬後的前述第3試片的楊氏率成為15MPa以上。
於樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形時，第3試片係將複數片樹脂膜形成用膜於這些的厚度方向上積層而成且大小為15mm×150mm而厚度為200μm之第3積層體。
於樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時，第3試片係對前述第3積層體照射能量線使第3積層體進行能量線硬化而成之第3硬化物。
於樹脂膜形成用膜為熱硬化性之情形時，無論該樹脂膜形成用膜為能量線硬化性及非能量線硬化性之任一種，前述第3積層體及第3硬化物均較佳為未經熱硬化。
藉由浸漬後的第3試片的前述楊氏率為前述下限值以上，於將尺寸小的附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片自支持片拾取時，抑制樹脂膜形成用膜或樹脂膜殘存於支持片之功效變得更高。
用於製作前述第3積層體之複數片樹脂膜形成用膜全部組成相同。
複數片前述樹脂膜形成用膜的厚度可全部相同，亦可 全部不同，還可僅一部分相同，但較佳為全部相同。
第3積層體例如可藉由下述方式而製作：將較15mm×150mm大的任意大小的複數片樹脂膜形成用膜以合計厚度成為200μm之方式積層而貼合，並沖裁(切斷)成15mm×150mm之大小。另外，第3積層體例如亦可藉由下述方式而製作：將大小為15mm×150mm之複數片樹脂膜形成用膜以合計的厚度成為200μm之方式使全部周緣部之位置對齊並進行積層而貼合。
於樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形時，將所製作之第3積層體直接用作第3試片。
於樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時，對所製作之第3積層體進一步照射能量線，使第3積層體中的全部樹脂膜形成用膜進行能量線硬化，將所獲得之第3硬化物用作第3試片。
關於製作前述第3硬化物時的對第3積層體(樹脂膜形成用膜)之能量線之照射條件，只要為使第3積層體充分地進行能量線硬化，則並無特別限定。
通常，前述第3硬化物之製作時的能量線的照度及光量均可作為與上述第1積層體之硬化時的能量線的照度及光量相同。
就於將尺寸小的附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片自支持片拾取時，抑制樹脂膜形成用膜或樹脂膜殘存於支持片之功效變得更高之方面而言，浸漬後的第3試片的前述楊氏率更佳為17MPa以上，尤佳為19MPa以上。
於本發明中，浸漬後的第3試片的前述楊氏率的上限值並無特別限定。通常，前述楊氏率較佳為350MPa以下，更佳為300MPa以下，尤佳為250MPa以下。前述楊氏率成為前述上限值以下之樹脂膜形成用膜更容易製造。
於本發明中，浸漬後的第3試片的前述楊氏率可以任意組合上述任一下限值與任一上限值而決定之數值範圍之方式適宜調節。例如，前述楊氏率較佳為15MPa至350MPa，更佳為17MPa至300MPa，尤佳為19MPa至250MPa。但是，這些係前述楊氏率的一例。
<<浸漬前的第3試片的楊氏率>>
於本發明中，於依據JIS K 7127之拉伸試驗中，將試驗速度作為200mm/min而測定之於純水中浸漬前的第3試片的楊氏率較佳為20MPa至200MPa，更佳為30MPa至190MPa，尤佳為40MPa至180MPa。藉由浸漬前的第3試片的前述楊氏率為此種範圍，於將尺寸小的附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片自支持片拾取 時，抑制樹脂膜形成用膜或樹脂膜殘存於支持片之功效變得更高。
<<浸漬後的第3試片的斷裂伸長率>>
前述樹脂膜形成用膜較佳為將第3試片於純水中浸漬2小時之時，於依據JIS K 7127之拉伸試驗中，將試驗速度作為200mm/min而測定之浸漬後的前述第3試片的斷裂伸長率成為15%至410%之樹脂膜形成用膜，更佳為成為20%至390%之樹脂膜形成用膜。藉由浸漬後的第3試片的斷裂伸長率為此種範圍，於將尺寸小的附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片自支持片拾取時，抑制樹脂膜形成用膜或樹脂膜殘存於支持片之功效變得更高。
第3試片的斷裂伸長率係於上述第3試片的楊氏率之測定時，根據第3試片斷裂時的第3試片的伸長率而求出。該斷裂伸長率於將第3試片於純水中浸漬之前及浸漬之後之任一者均相同。
再者，於本說明書中，所謂「斷裂伸長率為X%」(X為正數)係指：拉伸試片，將試片在該試片的拉伸方向上拉伸剛好原本長度(換言之，未拉伸時的長度)的X%的長度時亦即試片在拉伸方向上的整體長度成為拉伸前的長度的[1+X/100]倍時，試片發生斷裂。
<<浸漬前的第3試片的斷裂伸長率>>
於本發明中，於依據JIS K 7127之拉伸試驗中，將試驗速度作為200mm/min而測定之於純水中浸漬前的第3試片的斷裂伸長率較佳為20%至550%，更佳為25%至500%。藉由浸漬前的第3試片的斷裂伸長率為此種範圍，將尺寸小的附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片自支持片拾取時，抑制樹脂膜形成用膜或樹脂膜殘存於支持片之功效變得更高。
<<浸漬後的第3試片的斷裂應力>>
前述樹脂膜形成用膜較佳為將第3試片於純水中浸漬2小時之時，於依據JIS K 7127之拉伸試驗中，將試驗速度作為200mm/min而測定之浸漬後的前述第3試片的斷裂應力成為0.8MPa至7MPa之樹脂膜形成用膜，更佳為成為0.8MPa至5.5MPa之樹脂膜形成用膜。藉由浸漬後的第3試片的斷裂應力為此種範圍，於將尺寸小的附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片自支持片拾取時，抑制樹脂膜形成用膜或樹脂膜殘存於支持片之功效變得更高。
第3試片的斷裂應力係於上述第3試片的楊氏率之測定時，根據第3試片斷裂時對第3試片所施加之力而求出。該斷裂應力於將第3試片於純水中浸漬之前及浸漬之後之任一者均相同。
<<浸漬前的第3試片的斷裂應力>>
於本發明中，於依據JIS K 7127之拉伸試驗中，將試驗速度作為200mm/min而測定之於純水中浸漬前的第3試片的斷裂應力較佳為1.1MPa至8MPa，更佳為1.1MPa至6.5MPa。藉由浸漬前的第3試片的斷裂應力為此種範圍，於將尺寸小的附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片自支持片拾取時，抑制樹脂膜形成用膜或樹脂膜殘存於支持片之功效變得更高。
○熱硬化性樹脂膜形成用膜
作為較佳的熱硬化性樹脂膜形成用膜，例如可列舉含有聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)之膜，更佳為含有聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)及填充材料(D)之膜。聚合物成分(A)係被視為聚合性化合物進行聚合反應而形成之成分。另外，熱硬化性成分(B)係可將熱作為反應之觸發(trigger)而進行硬化(聚合)反應之成分。再者，於本發明中，聚合反應中亦包括縮聚反應。
熱硬化性樹脂膜形成用膜可由1層(單層)構成，亦可由2層以上之複數層構成。於熱硬化性樹脂膜形成用膜由複數層之情形時，這些複數層相互可相同亦可不同。
熱硬化性樹脂膜形成用膜的厚度較佳為1μm至100μm，更佳為3μm至75μm，尤佳為5μm至50μm。 藉由熱硬化性樹脂膜形成用膜的厚度為前述下限值以上，厚度的均勻性變得更高。另外，藉由熱硬化性樹脂膜形成用膜的厚度為前述上限值以下，半導體晶圓之刀片切割時所產生之樹脂膜形成用膜或樹脂膜的切削屑的產生量得到抑制。
此處，所謂「熱硬化性樹脂膜形成用膜的厚度」係指熱硬化性樹脂膜形成用膜整體的厚度，例如所謂由複數層構成之熱硬化性樹脂膜形成用膜的厚度係指構成熱硬化性樹脂膜形成用膜之全部層的合計厚度。
關於將熱硬化性樹脂膜形成用膜貼附於半導體晶圓的背面後並使熱硬化性樹脂膜形成用膜熱硬化時的硬化條件，只要硬化物成為充分地發揮該硬化物的功能之程度的硬化度，則並無特別限定，根據熱硬化性樹脂膜形成用膜之種類適宜選擇即可。
例如，熱硬化性樹脂膜形成用膜之熱硬化時的加熱溫度較佳為100℃至200℃，更佳為110℃至180℃，尤佳為120℃至170℃。並且，前述硬化時的加熱時間較佳為0.5小時至5小時，更佳為0.5小時至3小時，尤佳為1小時至2小時。
<<熱硬化性樹脂膜形成用組成物>>
熱硬化性樹脂膜形成用膜可使用含有該熱硬化性樹脂膜形成用膜之構成材料之熱硬化性樹脂膜形成用組成物而 形成。例如，於熱硬化性樹脂膜形成用膜之形成對象面塗敷熱硬化性樹脂膜形成用組成物，視需要使熱硬化性樹脂膜形成用組成物乾燥，藉此可於目標部位形成熱硬化性樹脂膜形成用膜。
利用公知的方法塗敷熱硬化性樹脂膜形成用組成物即可，例如可列舉使用以下各種塗佈機之方法：氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模具塗佈機、刀式塗佈機、絲網塗佈機、繞線(Meyer)棒式塗佈機、接觸式塗佈機等。
熱硬化性樹脂膜形成用組成物的乾燥條件並無特別限定，於熱硬化性樹脂膜形成用組成物含有後述溶劑之情形時，較佳為進行加熱乾燥。並且，含有溶劑之熱硬化性樹脂膜形成用組成物較佳為於例如70℃至130℃且10秒至5分鐘之條件下進行乾燥。但是，於本發明中，較佳為以所形成之熱硬化性樹脂膜形成用膜不發生熱硬化之方式，使熱硬化性樹脂膜形成用組成物進行乾燥。
<熱硬化性樹脂膜形成用組成物(III-1)>
作為較佳的熱硬化性樹脂膜形成用組成物，例如可列舉含有聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)及填充材料(D)之熱硬化性樹脂膜形成用組成物(III-1)(於本說明書中，有時僅簡稱為「組成物(III-1)」)等。
[聚合物成分(A)]
聚合物成分(A)係用以對熱硬化性樹脂膜形成用膜賦予造膜性或可撓性等之成分。
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜所含有之聚合物成分(A)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
作為聚合物成分(A)，例如可列舉：丙烯酸系樹脂、聚酯、胺基甲酸酯系樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧系樹脂、橡膠系樹脂、苯氧基樹脂、熱硬化性聚醯亞胺等，較佳為丙烯酸系樹脂。
作為聚合物成分(A)中的前述丙烯酸系樹脂，可列舉公知的丙烯酸系聚合物。
丙烯酸系樹脂的重量平均分子量(Mw)較佳為10000至2000000，更佳為100000至1500000。藉由丙烯酸系樹脂的重量平均分子量為前述下限值以上，熱硬化性樹脂膜形成用膜的形狀穩定性(保管時的經時穩定性)提高。另外，藉由丙烯酸系樹脂的重量平均分子量為前述上限值以下，熱硬化性樹脂膜形成用膜變得易於追隨被黏著體的凹凸面，可進一步抑制於被黏著體與熱硬化性樹脂膜形成用膜之間產生孔隙(void)等。
再者，於本說明書中，所謂重量平均分子量，只要無 特別說明，則係指藉由凝膠滲透層析(GPC；Gel Permeation Chromatography)法所測定之聚苯乙烯換算值。
丙烯酸系樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-60℃至70℃，更佳為-30℃至50℃。藉由丙烯酸系樹脂的Tg為前述下限值以上，例如樹脂膜形成用膜之硬化物與支持片之接著力得到抑制，支持片的剝離性適度提高。另外，藉由丙烯酸系樹脂的Tg為前述上限值以下，熱硬化性樹脂膜形成用膜及其硬化物與被黏著體之接著力提高。
作為丙烯酸系樹脂，例如可列舉：1種或2種以上之(甲基)丙烯酸酯之聚合物；選自(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及N-羥甲基丙烯醯胺等中之2種以上之單體之共聚物等。
再者，於本說明書中，「(甲基)丙烯酸」的概念包括「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者。關於與(甲基)丙烯酸類似的用語亦相同，例如，「(甲基)丙烯醯基」的概念包括「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」兩者，「(甲基)丙烯酸酯」的概念包括「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者。
作為構成丙烯酸系樹脂之前述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁 酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等構成烷基酯之烷基為碳數為1至18之鏈狀結構之(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯；(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯酯等(甲基)丙烯酸環烯基酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸環烯氧基烷基酯；(甲基)丙烯醯亞胺；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等含羥基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙酯等含取代胺基之(甲基)丙烯酸酯等。此處，所謂「取代胺基」係指胺基之1個或2個氫原子被氫原子以外的基取代而成之基。
丙烯酸系樹脂例如除前述(甲基)丙烯酸酯以外，亦可為使選自(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及N-羥甲基丙烯醯胺等中的1種或2種以上之單體進行共聚合而成之樹脂。
構成丙烯酸系樹脂之單體可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
丙烯酸系樹脂亦可具有乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等可與其他化合物鍵結之官能基。丙烯酸系樹脂中的前述官能基可經由後述交聯劑(F)與其他化合物鍵結，亦可不經由交聯劑(F)與其他化合物直接鍵結。藉由使丙烯酸系樹脂經由前述官能基與其他化合物鍵結，有使用樹脂膜形成用複合片所獲得之封裝的可靠性提高之傾向。
本發明中，作為聚合物成分(A)，亦可將丙烯酸系樹脂以外的熱塑性樹脂(以下，有時僅簡稱為「熱塑性樹脂」)、丙烯酸系樹脂單獨使用，將熱塑性樹脂與丙烯酸系樹脂併用。藉由使用前述熱塑性樹脂，有時樹脂膜自支持片之剝離性提高，或熱硬化性樹脂膜形成用膜變得易於追隨被黏著體的凹凸面，從而可進一步抑制於被黏著體與熱硬化性 樹脂膜形成用膜之間產生孔隙等。
前述熱塑性樹脂的重量平均分子量較佳為1000至100000，更佳為3000至80000。
前述熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-30℃至150℃，更佳為-20℃至120℃。
作為前述熱塑性樹脂，例如可列舉：聚酯、聚胺基甲酸酯、苯氧基樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜所含有之前述熱塑性樹脂可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
組成物(III-1)中，關於聚合物成分(A)的含量相對於溶劑以外的全部成分的總含量之比例(亦即，熱硬化性樹脂膜形成用膜中的聚合物成分(A)的含量相對於熱硬化性樹脂膜形成用膜的總質量之比例)，無論聚合物成分(A)之種類如何，均較佳為3質量%至85質量%，更佳為3質量%至80質量%，例如可為3質量%至65質量%、3質量%至50質量%、3質量%至35質量%以及3質量%至20質量%等之任一者。
聚合物成分(A)有時亦符合熱硬化性成分(B)。本發明中，於組成物(III-1)含有此種符合聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)之兩者之成分之情形時，組成物(III-1)可視為含有聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)。
[熱硬化性成分(B)]
熱硬化性成分(B)係用以使熱硬化性樹脂膜形成用膜硬化之成分。
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜所含有之熱硬化性成分(B)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
作為熱硬化性成分(B)，例如可列舉：環氧系熱硬化性樹脂、熱硬化性聚醯亞胺、聚胺基甲酸酯、不飽和聚酯、聚矽氧樹脂等，較佳為環氧系熱硬化性樹脂。
(環氧系熱硬化性樹脂)
環氧系熱硬化性樹脂由環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)構成。
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜所含有之環氧系熱硬化性樹脂可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
(環氧樹脂(B1))
作為環氧樹脂(B1)，可列舉公知的環氧樹脂，例如可列舉：多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚及其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂等2官能以上之環氧化合物。
作為環氧樹脂(B1)，亦可使用具有不飽和烴基之環氧樹脂。具有不飽和烴基之環氧樹脂相較於不具有不飽和烴基之環氧樹脂而言，與丙烯酸系樹脂之相容性較高。因此，藉由使用具有不飽和烴基之環氧樹脂，使用樹脂膜形成用複合片所獲得之附樹脂膜之半導體晶片的可靠性提高。
作為具有不飽和烴基之環氧樹脂，例如可列舉：多官能系環氧樹脂的一部分環氧基更換為具有不飽和烴基之基而成之化合物。此種化合物例如藉由使(甲基)丙烯酸或其衍生物與環氧基進行加成反應而獲得。
另外，作為具有不飽和烴基之環氧樹脂，例如可列舉：於構成環氧樹脂之芳香環等上直接鍵結有具有不飽和烴基之基之化合物等。
不飽和烴基為具有聚合性之不飽和基，作為該不飽和烴基的具體例，可列舉：次乙基(乙烯基)、2-丙烯基(烯丙基)、(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯胺基等，較佳為丙烯醯基。
環氧樹脂(B1)的數量平均分子量並無特別限定，就熱硬化性樹脂膜形成用膜的硬化性、以及硬化後的樹脂膜的強度及耐熱性之方面而言，較佳為300至30000，更佳為300至10000，尤佳為300至3000。
環氧樹脂(B1)的環氧當量較佳為100g/eq至1000g/eq，更佳為150g/eq至950g/eq。
環氧樹脂(B1)可單獨使用1種，亦可併用2種以上；於併用2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
(熱硬化劑(B2))
熱硬化劑(B2)發揮針對環氧樹脂(B1)之硬化劑的功能。
作為熱硬化劑(B2)，例如可列舉：1分子中具有2個以上可與環氧基反應之官能基之化合物。作為前述官能基，例如可列舉：酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸基經酐化而成之基等，較佳為酚性羥基、胺基、或酸基經酐化而成之基，更佳為酚性羥基或胺基。
熱硬化劑(B2)中，作為具有酚性羥基之酚系硬化劑，例如可列舉：多官能酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等。
熱硬化劑(B2)中，作為具有胺基之胺系硬化劑，例如 可列舉二氰二胺等。
熱硬化劑(B2)亦可具有不飽和烴基。
作為具有不飽和烴基之熱硬化劑(B2)，例如可列舉：酚樹脂的一部分羥基被具有不飽和烴基之基取代而成之化合物、酚樹脂的芳香環上直接鍵結具有不飽和烴基之基而成之化合物等。
熱硬化劑(B2)中的前述不飽和烴基與上述具有不飽和烴基之環氧樹脂中的不飽和烴基相同。
於使用酚系硬化劑作為熱硬化劑(B2)之情形時，就樹脂膜自支持片之剝離性提高之方面而言，熱硬化劑(B2)較佳為軟化點或玻璃轉移溫度高的酚系硬化劑。
熱硬化劑(B2)中，例如多官能酚樹脂、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等樹脂成分的數量平均分子量較佳為300至30000，更佳為400至10000，尤佳為500至3000。
熱硬化劑(B2)中，例如聯苯酚、二氰二胺等非樹脂成分的分子量並無特別限定，例如較佳為60至500。
熱硬化劑(B2)可單獨使用1種，亦可併用2種以上；於併用2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜中，熱硬化劑(B2)的含量相對於環氧樹脂(B1)的含量100質量份，較佳為0.1質量份至500質量份，更佳為1質量份至200質量份，例如可為1質量份至100質量份、1質量份至50質量份、1質量份至25質量份以及1質量份至10質量份等之任一者。藉由熱硬化劑(B2)的前述含量為前述下限值以上，熱硬化性樹脂膜形成用膜更容易進行硬化。另外，藉由熱硬化劑(B2)的前述含量為前述上限值以下，熱硬化性樹脂膜形成用膜的吸濕率降低，使用樹脂膜形成用複合片所獲得之封裝的可靠性進一步提高。
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜中，熱硬化性成分(B)的含量(例如，環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)的總含量)相對於聚合物成分(A)的含量100質量份，較佳為5質量份至600質量份，例如可為50質量份至600質量份、100質量份至600質量份、200質量份至600質量份、300質量份至600質量份、400質量份至600質量份以及500質量份至600質量份等之任一者。藉由熱硬化性成分(B)的前述含量為此種範圍，例如樹脂膜形成用膜之硬化物與支持片之接著力得到抑制，支持片的剝離性提高。
[填充材料(D)]
藉由熱硬化性樹脂膜形成用膜含有填充材料(D)，更容易將前述吸水率及黏著力變化率調節為目標範圍內。另 外，藉由熱硬化性樹脂膜形成用膜及其硬化物(樹脂膜)含有填充材料(D)，更容易調節熱膨脹係數。並且，藉由使該熱膨脹係數對於熱硬化性樹脂膜形成用膜或樹脂膜之形成對象物而言最適宜，使用樹脂膜形成用複合片所獲得之附樹脂膜之半導體晶片的可靠性進一步提高。另外，藉由熱硬化性樹脂膜形成用膜含有填充材料(D)，亦可降低樹脂膜的吸濕率，或提高散熱性。
填充材料(D)可為有機填充材料及無機填充材料之任一者，較佳為無機填充材料。
作為較佳的無機填充材料，例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、鐵丹、碳化矽、氮化硼等的粉末；將這些無機填充材料球形化而成之珠粒；這些無機填充材料的表面改質品；這些無機填充材料的單晶纖維；玻璃纖維等。
這些之中，無機填充材較佳為二氧化矽或氧化鋁，更佳為二氧化矽。
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜所含有之填充材料(D)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
組成物(III-1)中，填充材料(D)的含量相對於溶劑以外的全部成分的總含量之比例(亦即，熱硬化性樹脂膜形成用 膜中的填充材料(D)的含量相對於熱硬化性樹脂膜形成用膜的總質量之比例)較佳為25質量%至75質量%，更佳為28質量%至72質量%。由於填充材料(D)相較於其他成分顯著不易吸水，故而藉由前述比例為前述下限值以上，更容易將前述吸水率設為0.55%以下。並且，於將尺寸小的附樹脂膜之半導體晶片自支持片拾取時，抑制樹脂膜殘存於支持片之功效變得更高。另外，藉由前述比例為前述上限值以下，樹脂膜形成用膜及作為其硬化物之樹脂膜的強度進一步提高。
[硬化促進劑(C)]
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜亦可含有硬化促進劑(C)。硬化促進劑(C)係用以調整組成物(III-1)的硬化速度之成分。
作為較佳的硬化促進劑(C)，例如可列舉：三乙二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲胺基乙醇、三(二甲胺基甲基)苯酚等三級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑類(1個以上之氫原子被氫原子以外的基取代而成之咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有機膦類(1個以上之氫原子被有機基取代而成之膦)；四苯基硼酸四苯基鏻、四苯基硼酸三苯基膦等四苯基硼鹽等。
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜所含有之硬 化促進劑(C)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
於使用硬化促進劑(C)之情形時，組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜中，硬化促進劑(C)的含量相對於熱硬化性成分(B)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至10質量份，更佳為0.1質量份至7質量份。藉由硬化促進劑(C)的前述含量為前述下限值以上，可獲得更顯著的由使用硬化促進劑(C)所帶來之功效。另外，藉由硬化促進劑(C)的含量為前述上限值以下，例如抑制高極性的硬化促進劑(C)於高溫、高濕度條件下在熱硬化性樹脂膜形成用膜中向與被黏著體之接著界面側轉移而偏析之功效變高。結果為，使用樹脂膜形成用複合片所獲得之附樹脂膜之半導體晶片的可靠性進一步提高。
[偶合劑(E)]
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜亦可含有偶合劑(E)。藉由使用具有可與無機化合物或有機化合物反應之官能基之化合物作為偶合劑(E)，可提高熱硬化性樹脂膜形成用膜對被黏著體之接著性及密接性。另外，藉由使用偶合劑(E)，熱硬化性樹脂膜形成用膜之硬化物(樹脂膜)不損害耐熱性而耐水性提高。
偶合劑(E)較佳為具有可與聚合物成分(A)、熱硬化性 成分(B)等所具有之官能基反應之官能基之化合物，更佳為矽烷偶合劑。
作為較佳的前述矽烷偶合劑，例如可列舉：3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(苯基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜所含有之偶合劑(E)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
於使用偶合劑(E)之情形時，組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜中，偶合劑(E)的含量相對於聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)的總含量100質量份，較佳為0.03質量份至20質量份，更佳為0.05質量份至10質量份，尤佳為0.1質量份至5質量份。藉由偶合劑(E)的前述含量為前述 下限值以上，可獲得更顯著的以下由使用偶合劑(E)所帶來之功效：填充材料(D)於樹脂中之分散性提高，或熱硬化性樹脂膜形成用膜與被黏著體之接著性提高等。另外，藉由偶合劑(E)的前述含量為前述上限值以下，可更進一步抑制產生逸氣。
[交聯劑(F)]
於使用具有可與其他化合物鍵結之官能基，例如乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等之上述丙烯酸系樹脂等作為聚合物成分(A)之情形時，組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜亦可含有交聯劑(F)。交聯劑(F)係用以使聚合物成分(A)中的前述官能基與其他化合物鍵結而進行交聯之成分，藉由如此進行交聯，可調節熱硬化性樹脂膜形成用膜的初期接著力及凝聚力。
作為交聯劑(F)，例如可列舉：有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物、金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)、氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)等。
作為前述有機多元異氰酸酯化合物，例如可列舉：芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物及脂環族多元異氰酸酯化合物(以下，有時將這些化合物統一簡稱為「芳香族多元異氰酸酯化合物等」)；前述芳香族多 元異氰酸酯化合物等的三聚物、異氰脲酸酯體及加合物；使前述芳香族多元異氰酸酯化合物等與多元醇化合物反應而獲得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物等。前述「加合物」係指前述芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物或脂環族多元異氰酸酯化合物，與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷或蓖麻油等含低分子活性氫化合物之反應物。作為前述加合物的示例，可列舉如後述之三羥甲基丙烷之苯二甲基二異氰酸酯加成物等。另外，所謂「末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物」，如上文所說明。
作為前述有機多元異氰酸酯化合物，更具體而言，例如可列舉：2,4-甲苯二異氰酸酯；2,6-甲苯二異氰酸酯；1,3-苯二甲基二異氰酸酯；1,4-二甲苯二異氰酸酯；二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯；二苯基甲烷-2,4'-二異氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯；二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯；二環己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯；對三羥甲基丙烷等多元醇的全部或一部分羥基，加成甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯及苯二甲基二異氰酸酯的任1種或2種以上而成之化合物；離胺酸二異氰酸酯等。
作為前述有機多元亞胺化合物，例如可列舉：N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶甲醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β- 氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶甲醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。
於使用有機多元異氰酸酯化合物作為交聯劑(F)之情形時，作為聚合物成分(A)，較佳為使用含羥基之聚合物。於交聯劑(F)具有異氰酸酯基，聚合物成分(A)具有羥基之情形時，藉由交聯劑(F)與聚合物成分(A)之反應，可將交聯結構簡便地導入至熱硬化性樹脂膜形成用膜中。
保護膜形成用組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜所含有之交聯劑(F)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
於使用交聯劑(F)之情形時，組成物(III-1)中，交聯劑(F)的含量相對於聚合物成分(A)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.1質量份至10質量份，尤佳為0.5質量份至5質量份。藉由交聯劑(F)的前述含量為前述下限值以上，可獲得更顯著的由使用交聯劑(F)所帶來之功效。另外，藉由交聯劑(F)的前述含量為前述上限值以下，可抑制使用過量的交聯劑(F)。
[能量線硬化性樹脂(G)]
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜亦可含有能量線硬化性樹脂(G)。熱硬化性樹脂膜形成用膜藉由含有能 量線硬化性樹脂(G)，可藉由照射能量線而使特性變化。
能量線硬化性樹脂(G)係使能量線硬化性化合物進行聚合(硬化)而獲得。
作為前述能量線硬化性化合物，例如可列舉分子內具有至少1個聚合性雙鍵之化合物，較佳為具有(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯系化合物。
作為前述丙烯酸酯系化合物，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等含鏈狀脂肪族骨架之(甲基)丙烯酸酯；二(甲基)丙烯酸二環戊酯等含環狀脂肪族骨架之(甲基)丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等聚伸烷基二醇(甲基)丙烯酸酯；寡酯(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯低聚物；環氧改性(甲基)丙烯酸酯；前述聚伸烷基二醇(甲基)丙烯酸酯以外的聚醚(甲基)丙烯酸酯；衣康酸低聚物等。
前述能量線硬化性化合物的重量平均分子量較佳為100至30000，更佳為300至10000。
用於聚合之前述能量線硬化性化合物可僅為1種，亦 可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜所含有之能量線硬化性樹脂(G)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
於使用能量線硬化性樹脂(G)之情形時，組成物(III-1)中，能量線硬化性樹脂(G)的含量相對於組成物(III-1)的總質量之比例較佳為1質量%至95質量%，更佳為1質量%至90質量%，尤佳為1質量%至85質量%，例如可為1質量%至70質量%、1質量%至55質量%、1質量%至40質量%、1質量%至25質量%以及1質量%至10質量%等之任一者。
[光聚合起始劑(H)]
於組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜含有能量線硬化性樹脂(G)之情形時，亦可含有光聚合起始劑(H)，以使能量線硬化性樹脂(G)之聚合反應高效率地進行。
作為組成物(III-1)中的光聚合起始劑(H)，例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮等安息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1- 苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆等硫醚化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮雙異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮等噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯；二苯偶醯；二苯甲酮；2,4-二乙基噻噸酮；1,2-二苯基甲烷；2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。
另外，作為前述光聚合起始劑，例如亦可列舉：1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光增感劑等。
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜所含有之光聚合起始劑(H)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
於使用光聚合起始劑(H)之情形時，組成物(III-1)中，光聚合起始劑(H)的含量相對於能量線硬化性樹脂(G)的含量100質量份，較佳為0.1質量份至20質量份，更佳為1質量份至10質量份，尤佳為2質量份至5質量份。
[著色劑(I)]
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜亦可含有著色劑(I)。
作為著色劑(I)，例如可列舉：無機系顏料、有機系顏料、有機系染料等公知的著色劑。
作為前述有機系顏料及有機系染料，例如可列舉：銨系色素、花青系色素、部花青系色素、克酮鎓(croconium)系色素、方酸鎓(squalilium)系色素、薁鎓系色素、聚次甲基系色素、萘醌系色素、吡喃鎓系色素、酞菁系色素、萘酞菁系色素、萘內醯胺系色素、偶氮色素、縮合偶氮色素、靛藍系色素、紫環酮(perinone)系色素、苝系色素、二噁烷系色素、喹吖啶酮系色素、異吲哚啉酮系色素、喹啉黃(quinophthalone)系色素、吡咯系色素、硫代靛藍系色素、金屬錯合物系色素(金屬錯鹽染料)、二硫醇金屬錯合物系色素、吲哚酚系色素、三烯丙基甲烷系色素、蒽醌系色素、萘酚系色素、次甲基偶氮系色素、苯并咪唑酮系色素、皮蒽酮系色素及士林(threne)系色等。
作為前述無機系顏料，例如可列舉：碳黑、鈷系色素、鐵系色素、鉻系色素、鈦系色素、釩系色素、鋯系色素、鉬系色素、釕系色素、鉑系色素、ITO(Indium Tin Oxide；氧化銦錫)系色素、ATO(Antimony Tin Oxide；氧化銻錫)系色素等。
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜所含有之著色劑(I)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情 形時，這些之組合及比率可任意選擇。
於使用著色劑(I)之情形時，熱硬化性樹脂膜形成用膜中的著色劑(I)的含量根據目的適宜調節即可。例如，藉由調節熱硬化性樹脂膜形成用膜中的著色劑(I)的含量，調節樹脂膜的透光性，可調節對樹脂膜進行雷射印字之情形時的印字視認性。另外，藉由調節熱硬化性樹脂膜形成用膜中的著色劑(I)的含量，亦可提高樹脂膜的設計性，或使得半導體晶圓的背面的研削痕跡不易見。若考慮這一方面，則於組成物(III-1)中，著色劑(I)的含量相對於溶劑以外的全部成分的總含量之比例(亦即，熱硬化性樹脂膜形成用膜中的著色劑(I)的含量相對於熱硬化性樹脂膜形成用膜的總質量之比例)較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.1質量%至7.5質量%，尤佳為0.1質量%至5質量%。藉由著色劑(I)的前述含量比例為前述下限值以上，可獲得更顯著的由使用著色劑(I)所帶來之功效。另外，藉由著色劑(I)的前述含量比例為前述上限值以下，可抑制熱硬化性樹脂膜形成用膜的透光性過度降低。
[通用添加劑(J)]
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜中，亦可在無損本發明的功效之範圍內含有通用添加劑(J)。
通用添加劑(J)可為公知的添加劑，可根據目的任意選擇，並無特別限定，作為較佳的通用添加劑(J)，例如可列 舉：塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、吸氣劑(gettering agent)等。
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜所含有之通用添加劑(J)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜中的通用添加劑(J)的含量並無特別限定，根據目的適宜選擇即可。
[溶劑]
組成物(III-1)較佳為進一步含有溶劑。含有溶劑之組成物(III-1)的操作性良好。
前述溶劑並無特別限定，作為較佳的前述溶劑，例如可列舉：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。
組成物(III-1)所含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
就可使組成物(III-1)中的含有成分更均勻地混合之方面而言，保護膜形成用組成物(III-1)所含有之溶劑較佳為甲基乙基酮等。
組成物(III-1)中的溶劑的含量並無特別限定，例如根據溶劑以外的成分之種類適宜選擇即可。
作為較佳的組成物(III-1)，例如可列舉以下之組成物(III-1)，該組成物(III-1)含有聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)及填充材料(D)，這些成分的含量均包含於上文說明之較佳的數值範圍之任一者。
作為此種較佳的組成物(III-1)的一實施形態，例如可列舉以下之組成物(III-1)，該組成物(III-1)中，聚合物成分(A)的含量相對於溶劑以外的全部成分的總含量之比例為3質量%至85質量%，且熱硬化性成分(B)的含量相對於聚合物成分(A)的含量100質量份為5質量份至600質量份，且填充材料(D)的含量相對於溶劑以外的全部成分的總含量之比例為25質量%至75質量%。
另外，作為此種較佳的組成物(III-1)的一實施形態，例如可列舉以下之組成物(III-1)，該組成物(III-1)中，聚合物成分(A)的含量相對於溶劑以外的全部成分的總含量之比例為3質量%至35質量%，且熱硬化性成分(B)的含量相對於聚合物成分(A)的含量100質量份為300質量份至600質量份，且填充材料(D)的含量相對於溶劑以外的全部成分的總含量之比例為28質量%至72質量%。
作為更佳的組成物(III-1)，例如可列舉以下之組成物 (III-1)，該組成物(III-1)含有聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)、硬化促進劑(C)、填充材料(D)、偶合劑(E)、交聯劑(F)、能量線硬化性樹脂(G)及光聚合起始劑(H)，這些成分的含量均包含於上文說明之較佳的數值範圍之任一者。
作為此種更佳的組成物(III-1)的一實施形態，例如可列舉以下之組成物(III-1)，該組成物(III-1)中，聚合物成分(A)的含量相對於溶劑以外的全部成分的總含量之比例為3質量%至35質量%，且熱硬化性成分(B)的含量相對於聚合物成分(A)的含量100質量份為300質量份至600質量份，且填充材料(D)的含量相對於溶劑以外的全部成分的總含量之比例為28質量%至72質量%，且硬化促進劑(C)的含量相對於熱硬化性成分(B)的含量100質量份為0.01質量份至10質量份，且偶合劑(E)的含量相對於聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)的總含量100質量份為0.03質量份至20質量份，且交聯劑(F)的含量相對於聚合物成分(A)的含量100質量份為0.01質量份至20質量份，且光聚合起始劑(H)的含量相對於能量線硬化性樹脂(G)的含量100質量份為2質量份至5質量份，且能量線硬化性樹脂(G)的含量相對於組成物(III-1)的總質量之比例為1質量%至10質量%。
<<熱硬化性樹脂膜形成用組成物的製造方法>>
組成物(III-1)等熱硬化性樹脂膜形成用組成物係藉由將用以構成該組成物之各成分進行調配而獲得。
調配各成分時的添加順序並無特別限定，亦可同時添 加2種以上之成分。
於使用溶劑之情形時，可藉由下述方式使用，亦即，將溶劑與溶劑以外的任一種調配成分混合而將該調配成分預先稀釋；亦可藉由下述方式使用，亦即，不將溶劑以外的任一種調配成分預先稀釋而將溶劑與這些調配成分混合。
調配時混合各成分之方法並無特別限定，自以下公知的方法中適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等。
關於添加及混合各成分時的溫度及時間，只要不使各調配成分劣化，則並無特別限定，適宜調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
○能量線硬化性樹脂膜形成用膜
作為能量線硬化性樹脂膜形成用膜，可列舉含有能量線硬化性成分(a)之膜，較佳為含有能量線硬化性成分(a)及填充材料之膜。
能量線硬化性樹脂膜形成用膜中，能量線硬化性成分(a)較佳為未硬化，較佳為具有黏著性，更佳為未硬化且具有黏著性。此處，所謂「能量線」及「能量線硬化性」，如上文所說明。
能量線硬化性樹脂膜形成用膜可僅為1層(單層)，亦 可為2層以上之複數層；於為複數層之情形時，這些複數層相互可相同亦可不同，這些複數層之組合並無特別限定。
能量線硬化性樹脂膜形成用膜的厚度較佳為1μm至100μm，更佳為3μm至75μm，尤佳為5μm至50μm。藉由能量線硬化性樹脂膜形成用膜的厚度為前述下限值以上，厚度的均勻性變得更高。另外，藉由能量線硬化性樹脂膜形成用膜的厚度為前述上限值以下，半導體晶圓之刀片切割時所產生之樹脂膜形成用膜或樹脂膜的切削屑的產生量得到抑制。
此處，所謂「能量線硬化性樹脂膜形成用膜的厚度」係指能量線硬化性樹脂膜形成用膜整體的厚度，例如所謂由複數層構成之能量線硬化性樹脂膜形成用膜的厚度係指構成能量線硬化性樹脂膜形成用膜之全部層的合計厚度。
關於將能量線硬化性樹脂膜形成用膜貼附於半導體晶圓的背面後並使能量線硬化性樹脂膜形成用膜硬化時的硬化條件，只要硬化物成為充分地發揮該硬化物的功能之程度的硬化度，則並無特別限定，根據能量線硬化性樹脂膜形成用膜之種類適宜選擇即可。
例如，能量線硬化性樹脂膜形成用膜之硬化時的能量線的照度較佳為120mW/cm2至280mW/cm2。並且，前述硬化時的能量線的光量較佳為100mJ/cm2至1000mJ/cm2。
<<能量線硬化性樹脂膜形成用組成物>>
能量線硬化性樹脂膜形成用膜可使用含有該能量線硬化性樹脂膜形成用膜之構成材料之能量線硬化性樹脂膜形成用組成物而形成。例如，於能量線硬化性樹脂膜形成用膜之形成對象面塗敷能量線硬化性樹脂膜形成用組成物，視需要使能量線硬化性樹脂膜形成用組成物乾燥，藉此可於目標部位形成能量線硬化性樹脂膜形成用膜。
能量線硬化性樹脂膜形成用組成物之塗敷例如可利用與上述熱硬化性樹脂膜形成用組成物之塗敷之情形相同的方法進行。
能量線硬化性樹脂膜形成用組成物的乾燥條件並無特別限定，於能量線硬化性樹脂膜形成用組成物含有後述溶劑之情形時，較佳為進行加熱乾燥。並且，含有溶劑之能量線硬化性樹脂膜形成用組成物較佳為於例如70℃至130℃且10秒至5分鐘之條件下進行乾燥。但是，於本發明中，較佳為以所形成之能量線硬化性樹脂膜形成用膜不發生熱硬化之方式，使能量線硬化性樹脂膜形成用組成物進行乾燥。
<能量線硬化性樹脂膜形成用組成物(IV-1)>
作為較佳的能量線硬化性樹脂膜形成用組成物，例如可列舉含有前述能量線硬化性成分(a)及填充材料之能量 線硬化性樹脂膜形成用組成物(IV-1)(於本說明書中，有時僅簡稱為「組成物(IV-1)」)等。
[能量線硬化性成分(a)]
能量線硬化性成分(a)係藉由照射能量線而硬化之成分，亦係用以對能量線硬化性樹脂膜形成用膜賦予造膜性或可撓性等，並且於硬化後形成硬質之樹脂膜之成分。
作為能量線硬化性成分(a)，例如可列舉：具有能量線硬化性基且重量平均分子量為80000至2000000之聚合物(a1)以及具有能量線硬化性基且分子量為100至80000之化合物(a2)。前述聚合物(a1)可至少一部分藉由交聯劑進行交聯，亦可不進行交聯。
(具有能量線硬化性基且重量平均分子量為80000至2000000之聚合物(a1))
作為具有能量線硬化性基且重量平均分子量為80000至2000000之聚合物(a1)，例如可列舉丙烯酸系樹脂(a1-1)，該丙烯酸系樹脂(a1-1)係丙烯酸系聚合物(a11)與能量線硬化性化合物(a12)反應而成，前述丙烯酸系聚合物(a11)具有可與其他化合物所具有之基反應之官能基，前述能量線硬化性化合物(a12)具有與前述官能基反應之基及能量線硬化性雙鍵等能量線硬化性基。
作為可與其他化合物所具有之基反應之前述官能 基，例如可列舉：羥基、羧基、胺基、取代胺基(胺基的1個或2個氫原子被氫原子以外的基取代而成之基)、環氧基等。但是，就防止半導體晶圓或半導體晶片等的電路腐蝕之方面而言，前述官能基較佳為羧基以外的基。
這些之中，前述官能基較佳為羥基。
(具有官能基之丙烯酸系聚合物(a11))
前述具有官能基之丙烯酸系聚合物(a11)例如可列舉：使前述具有官能基之丙烯酸系單體與前述不具有官能基之丙烯酸系單體進行共聚合而成之聚合物，亦可為除這些單體以外，進而使丙烯酸系單體以外的單體(非丙烯酸系單體)進行共聚合而成之聚合物。
另外，前述丙烯酸系聚合物(a11)可為無規共聚物，亦可為嵌段共聚物，關於聚合方法，亦可採用公知的方法。
作為前述具有官能基之丙烯酸系單體，例如可列舉：含羥基之單體、含羧基之單體、含胺基之單體、含取代胺基之單體、含環氧基之單體等。
作為前述含羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸系 不飽和醇(不具有(甲基)丙烯醯基骨架之不飽和醇)等。
作為前述含羧基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸、丁烯酸等乙烯性不飽和單羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之單羧酸)；反丁烯二酸、衣康酸、順丁烯二酸、檸康酸等乙烯性不飽和二羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之二羧酸)；前述乙烯性不飽和二羧酸之酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
具有前述官能基之丙烯酸系單體較佳為含羥基之單體。
構成前述丙烯酸系聚合物(a11)之前述具有官能基之丙烯酸系單體可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
作為前述不具有官能基之丙烯酸系單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基 酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等構成烷基酯之烷基為碳數為1至18之鏈狀結構之(甲基)丙烯酸烷基酯等。
另外，作為前述不具有官能基之丙烯酸系單體，例如亦可列舉：(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基烷基之(甲基)丙烯酸酯；包含(甲基)丙烯酸苯酯等(甲基)丙烯酸芳基酯等之具有芳香族基之(甲基)丙烯酸酯；非交聯性的(甲基)丙烯醯胺及其衍生物；(甲基)丙烯酸N,N-二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲胺基丙酯等非交聯性的具有三級胺基之(甲基)丙烯酸酯等。
構成前述丙烯酸系聚合物(a11)之前述不具有官能基之丙烯酸系單體可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
作為前述非丙烯酸系單體，例如可列舉：乙烯、降冰片烯等烯烴；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。
構成前述丙烯酸系聚合物(a11)之前述非丙烯酸系單 體可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
前述丙烯酸系聚合物(a11)中，由具有前述官能基之丙烯酸系單體衍生之結構單元之量相對於構成該丙烯酸系聚合物(a11)之結構單元之總質」量的比例(含量)較佳為0.1質量%至50質量%，更佳為1質量%至40質量%，尤佳為3質量%至30質量%。藉由前述比例為此種範圍，可將由前述丙烯酸系聚合物(a11)與前述能量線硬化性化合物(a12)之共聚合所獲得之前述丙烯酸系樹脂(a1-1)中能量線硬化性基的含量容易地調節為使樹脂膜的硬化程度較佳之範圍。
構成前述丙烯酸系樹脂(a1-1)之前述丙烯酸系聚合物(a11)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
組成物(IV-1)中，丙烯酸系樹脂(a1-1)的含量相對於溶劑以外的成分的總含量之比例(亦即，能量線硬化性樹脂膜形成用膜中的丙烯酸系樹脂(a1-1)的含量相對於前述膜的總質量之比例)較佳為1質量%至70質量%，更佳為5質量%至60質量%，尤佳為10質量%至50質量%。
(能量線硬化性化合物(a12))
前述能量線硬化性化合物(a12)較佳為具有選自由異氰酸酯基、環氧基及羧基所組成之群組中的1種或2種以上作為可與前述丙烯酸系聚合物(a11)所具有之官能基反應之基，更佳為具有異氰酸酯基作為前述基。於前述能量線硬化性化合物(a12)例如具有異氰酸酯基作為前述基之情形時，該異氰酸酯基與前述具有羥基作為官能基之丙烯酸系聚合物(a11)的該羥基容易反應。
前述能量線硬化性化合物(a12)較佳為於1分子中具有1個至5個前述能量線硬化性基，更佳為具有1個至3個。
作為前述能量線硬化性化合物(a12)，例如可列舉：異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、間-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸烯丙酯、異氰酸1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙酯；藉由二異氰酸酯化合物或多異氰酸酯化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯之反應而獲得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；藉由二異氰酸酯化合物或多異氰酸酯化合物、多元醇化合物及(甲基)丙烯酸羥基乙酯之反應而獲得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物等。
這些之中，前述能量線硬化性化合物(a12)較佳為異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯。
構成前述丙烯酸系樹脂(a1-1)之前述能量線硬化性化 合物(a12)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
前述丙烯酸系樹脂(a1-1)中，源自前述能量線硬化性化合物(a12)之能量線硬化性基的含量相對於源自前述丙烯酸系聚合物(a11)之前述官能基的含量之比例較佳為20莫耳%至120莫耳%，更佳為35莫耳%至100莫耳%，尤佳為50莫耳%至100莫耳%。藉由前述含量比例為此種範圍，硬化後之樹脂膜的接著力變得更大。再者，於前述能量線硬化性化合物(a12)為一官能(於1分子中具有1個前述基)化合物之情形時，前述含量之比例的上限值成為100莫耳%，但於前述能量線硬化性化合物(a12)為多官能(於1分子中具有2個以上前述基)化合物之情形時，前述含量之比例的上限值有時超過100莫耳%。
前述聚合物(a1)的重量平均分子量(Mw)較佳為100000至2000000，更佳為300000至1500000。
此處，所謂「重量平均分子量」，如上文所說明。
於前述聚合物(a1)的至少一部分藉由交聯劑進行交聯之情形時，前述聚合物(a1)可使不符合上述說明之構成前述丙烯酸系聚合物(a11)之任一單體且具有與交聯劑反應之基之單體進行聚合，在與前述交聯劑反應之基中進行交聯，亦可在源自前述能量線硬化性化合物(a12)之與前述官 能基反應之基中進行交聯。
組成物(IV-1)及能量線硬化性樹脂膜形成用膜所含有之前述聚合物(a1)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
(具有能量線硬化性基且分子量為100至80000之化合物(a2))
作為具有能量線硬化性基且分子量為100至80000之化合物(a2)中的前述能量線硬化性基，可列舉包含能量線硬化性雙鍵之基，作為較佳的該基，可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基等。
若前述化合物(a2)滿足上述條件，則並無特別限定，可列舉：具有能量線硬化性基之低分子量化合物、具有能量線硬化性基之環氧樹脂、具有能量線硬化性基之酚樹脂等。
前述化合物(a2)中，作為具有能量線硬化性基之低分子量化合物，例如可列舉多官能之單體或低聚物等，較佳為具有(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯系化合物。
作為前述丙烯酸酯系化合物，例如可列舉：甲基丙烯酸2-羥基-3-(甲基)丙烯醯氧基丙酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2- 雙[4-((甲基)丙烯醯氧基聚乙氧基)苯基]丙烷、乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基二乙氧基)苯基]丙烷、9,9-雙[4-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基聚丙氧基)苯基]丙烷、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基乙氧基)苯基]丙烷、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-1,3-二(甲基)丙烯醯氧基丙烷等2官能(甲基)丙烯酸酯；異氰脲酸三(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酯、ε-己內酯改性異氰脲酸三-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酯、乙氧基化甘油三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯低聚物等多官能(甲基)丙烯酸酯低聚物等。
前述化合物(a2)中，作為具有能量線硬化性基之環氧樹脂、具有能量線硬化性基之酚樹脂，例如可使用「日本 特開2013-194102號公報」中的段落0043等中所記載之樹脂。此種樹脂亦符合構成後述之熱硬化性成分之樹脂，但本發明中視作前述化合物(a2)。
前述化合物(a2)的重量平均分子量較佳為100至30000，更佳為300至10000。
組成物(IV-1)及能量線硬化性樹脂膜形成用膜所含有之前述化合物(a2)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
[不具有能量線硬化性基之聚合物(b)]
於組成物(IV-1)及能量線硬化性樹脂膜形成用膜含有前述化合物(a2)作為前述能量線硬化性成分(a)之情形時，較佳為亦進一步含有不具有能量線硬化性基之聚合物(b)。
前述聚合物(b)可至少一部分藉由交聯劑進行交聯，亦可不進行交聯。
作為不具有能量線硬化性基之聚合物(b)，例如可列舉：丙烯酸系聚合物、苯氧基樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚酯、橡膠系樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂等。
這些之中，前述聚合物(b)較佳為丙烯酸系聚合物(以下，有時簡稱為「丙烯酸系聚合物(b-1)」)。
丙烯酸系聚合物(b-1)可為公知的聚合物，例如可為1種丙烯酸系單體的均聚物，亦可為2種以上丙烯酸系單體的共聚物，還可為1種或2種以上丙烯酸系單體與1種或2種以上除丙烯酸系單體以外的單體(非丙烯酸系單體)之共聚物。
作為構成丙烯酸系聚合物(b-1)之前述丙烯酸系單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯、含縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯、含羥基之(甲基)丙烯酸酯、含取代胺基之(甲基)丙烯酸酯等。此處，所謂「取代胺基」，如上文所說明。
作為前述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十 八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等構成烷基酯之烷基為碳數為1至18之鏈狀結構之(甲基)丙烯酸烷基酯等。
作為前述具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯；(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯酯等(甲基)丙烯酸環烯基酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸環烯氧基烷基酯等。
作為前述含縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。
作為前述含羥基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。
作為前述含取代胺基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙酯等。
作為構成丙烯酸系聚合物(b-1)之前述非丙烯酸系單體，例如可列舉：乙烯、降冰片烯等烯烴；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。
作為至少一部分藉由交聯劑進行交聯且不具有前述能量線硬化性基之聚合物(b)，例如可列舉：前述聚合物(b)中的反應性官能基與交聯劑反應之聚合物。
前述反應性官能基根據交聯劑之種類等適宜選擇即可，並無特別限定。例如，於交聯劑為多異氰酸酯化合物之情形時，作為前述反應性官能基，可列舉羥基、羧基、胺基等，這些之中，較佳為與異氰酸酯基之反應性高之羥基。另外，於交聯劑為環氧系化合物之情形時，作為前述反應性官能基，可列舉羧基、胺基、醯胺基等，這些之中，較佳為與環氧基之反應性高之羧基。但是，就防止半導體晶圓或半導體晶片的電路腐蝕之方面而言，前述反應性官能基較佳為羧基以外的基。
作為具有前述反應性官能基且不具有能量線硬化性基之聚合物(b)，例如可列舉：至少使具有前述反應性官能基之單體進行聚合而獲得之聚合物。於丙烯酸系聚合物(b-1)之情形時，作為構成該丙烯酸系聚合物(b-1)之單體所列舉之前述丙烯酸系單體及非丙烯酸系單體的任一者或兩者，使用具有前述反應性官能基之單體即可。作為具有羥基作為反應性官能基之前述聚合物(b)，例如可列舉使含羥基之(甲基)丙烯酸酯進行聚合而獲得之聚合物，除此以外，亦可列舉使上文所列舉之前述丙烯酸系單體或非丙烯酸系單體中1個或2個以上氫原子被前述反應性官能基取代而成之單體進行聚合而獲得之聚合物。
具有反應性官能基之前述聚合物(b)中，由具有反應性官能基之單體衍生之結構單元的量相對於構成該聚合物(b)之結構單元的全部量之比例(含量)較佳為1質量%至20質量%，更佳為2質量%至10質量%。藉由前述比例為此種範圍，前述聚合物(b)中，交聯程度成為更佳的範圍。
就組成物(IV-1)的造膜性更良好之方面而言，不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的重量平均分子量(Mw)較佳為10000至2000000，更佳為100000至1500000。此處，所謂「重量平均分子量」，如上文所說明。
組成物(IV-1)及能量線硬化性樹脂膜形成用膜所含有之不具有能量線硬化性基之聚合物(b)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
作為組成物(IV-1)，可列舉含有前述聚合物(a1)及前述化合物(a2)的任一者或兩者之組成物。並且，於組成物(IV-1)含有前述化合物(a2)之情形時，較佳為亦進一步含有不具有能量線硬化性基之聚合物(b)，該情形時，亦較佳為進一步含有前述(a1)。另外，組成物(IV-1)亦可不含有前述化合物(a2)，且一併含有前述聚合物(a1)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)。
於組成物(IV-1)含有前述聚合物(a1)、前述化合物(a2)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)之情形時，組成物(IV-1)中，前述化合物(a2)的含量相對於前述聚合物(a1)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的總含量100質量份，較佳為10質量份至400質量份，更佳為30質量份至350質量份。
組成物(IV-1)中，前述能量線硬化性成分(a)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的合計含量相對於溶劑以外的成分的總含量之比例(亦即，能量線硬化性樹脂膜形成用膜中的前述能量線硬化性成分(a)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的合計含量相對於前述膜的總質量之比例)較佳為5質量%至90質量%，更佳為10質量%至80質量%，尤佳為20質量%至70質量%。藉由能量線硬化性成分的含量的前述比例為此種範圍，能量線硬化性樹脂膜形成用膜的能量線硬化性變得更良好。
[填充材料]
含有填充材料之能量線硬化性樹脂膜形成用膜發揮與含有填充材料(D)之熱硬化性樹脂膜形成用膜相同的功效。
作為組成物(IV-1)及能量線硬化性樹脂膜形成用膜所含有之填充材料，可列舉與組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜 形成用膜所含有之填充材料(D)相同的填充材料。
組成物(IV-1)及能量線硬化性樹脂膜形成用膜所含有之填充材料可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
組成物(IV-1)中，填充材料的含量相對於溶劑以外的全部成分的總含量之比例(亦即，能量線硬化性樹脂膜形成用膜中的填充材料的含量相對於前述膜的總質量之比例)較佳為25質量%至75質量%，更佳為28質量%至72質量%。由於填充材料相較於其他成分顯著不易吸水，故而藉由前述比例為前述下限值以上，更容易將前述吸水率作為0.55%以下。並且，於將尺寸小的附樹脂膜之半導體晶片自支持片拾取時，抑制樹脂膜殘存於支持片之功效變得更高。另外，藉由前述比例為前述上限值以下，樹脂膜形成用膜及作為其硬化物之樹脂膜的強度進一步提高。
組成物(IV-1)中，除前述能量線硬化性成分及填充材料以外，根據目的，亦可含有選自由熱硬化性成分、偶合劑、交聯劑、光聚合起始劑、著色劑及通用添加劑所組成之群組中的1種或2種以上。
作為組成物(IV-1)中的前述熱硬化性成分、偶合劑、交聯劑、光聚合起始劑、著色劑及通用添加劑，分別可列舉 與組成物(III-1)中的熱硬化性成分(B)、偶合劑(E)、交聯劑(F)、光聚合起始劑(H)、著色劑(I)及通用添加劑(J)相同的化合物。
例如，藉由使用含有前述能量線硬化性成分及熱硬化性成分之組成物(IV-1)，所形成之能量線硬化性樹脂膜形成用膜藉由加熱而對被黏著體之接著力提高，由該能量線硬化性樹脂膜形成用膜形成之樹脂膜的強度亦提高。
另外，藉由使用含有前述能量線硬化性成分及著色劑之組成物(IV-1)，所形成之能量線硬化性樹脂膜形成用膜表現出與上文所說明之熱硬化性樹脂膜形成用膜含有著色劑(I)之情形相同的功效。
組成物(IV-1)中，前述熱硬化性成分、偶合劑、交聯劑、光聚合起始劑、著色劑及通用添加劑分別可單獨使用1種，亦可併用2種以上；於併用2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
組成物(IV-1)中的前述熱硬化性成分、偶合劑、交聯劑、光聚合起始劑、著色劑及通用添加劑的含量根據目的適宜調節即可，並無特別限定。
就藉由稀釋而使該組成物的操作性提高而言，組成物(IV-1)較佳為進一步含有溶劑。
作為組成物(IV-1)所含有之溶劑，例如可列舉與組成物(III-1)中的溶劑相同的溶劑。
組成物(IV-1)所含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上。
<<能量線硬化性樹脂膜形成用組成物的製造方法>>
組成物(IV-1)等能量線硬化性樹脂膜形成用組成物係藉由將用以構成該組成物之各成分進行調配而獲得。
各成分之調配時的添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上之成分。
於使用溶劑之情形時，可藉由下述方式使用，亦即，將溶劑與溶劑以外的任一種調配成分混合而將該調配成分預先稀釋；亦可藉由下述方式使用，亦即，不將溶劑以外的任一種調配成分預先稀釋而將溶劑與這些調配成分混合。
調配時混合各成分之方法並無特別限定，自以下公知的方法中適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等。
關於添加及混合各成分時的溫度及時間，只要不使各調配成分劣化，則並無特別限定，適宜調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
○非硬化性樹脂膜形成用膜
前述非硬化性樹脂膜形成用膜未顯示因硬化所致之特性變化，但於本發明中，可視為在貼附於半導體晶圓的前述背面等目標部位之階段中形成樹脂膜。
作為非硬化性樹脂膜形成用膜，例如可列舉含有熱塑性樹脂之膜，較佳為含有熱塑性樹脂及填充材料之膜。
非硬化性樹脂膜形成用膜可僅為1層(單層)，亦可為2層以上之複數層；於為複數層之情形時，這些複數層相互可相同亦可不同，這些複數層之組合並無特別限定。
非硬化性樹脂膜形成用膜的厚度較佳為1μm至100μm，更佳為3μm至75μm，尤佳為5μm至50μm。藉由非硬化性樹脂膜形成用膜的厚度為前述下限值以上，厚度的均勻性變得更高。另外，藉由非硬化性樹脂膜形成用膜的厚度為前述上限值以下，半導體晶圓之刀片切割時所產生之樹脂膜形成用膜或樹脂膜的切削屑的產生量得到抑制。
此處，所謂「非硬化性樹脂膜形成用膜的厚度」係指非硬化性樹脂膜形成用膜整體的厚度，例如，所謂由複數層構成之非硬化性樹脂膜形成用膜的厚度係指構成非硬化性樹脂膜形成用膜之全部層的合計厚度。
<<非硬化性樹脂膜形成用組成物>>
非硬化性樹脂膜形成用膜可使用含有該非硬化性樹脂膜形成用膜之構成材料之非硬化性樹脂膜形成用組成物而形成。例如，於非硬化性樹脂膜形成用膜之形成對象面塗敷非硬化性樹脂膜形成用組成物，視需要使非硬化性樹脂膜形成用組成物乾燥，藉此可於目標部位形成非硬化性樹脂膜形成用膜。
非硬化性樹脂膜形成用組成物之塗敷例如可利用與上述熱硬化性樹脂膜形成用組成物之塗敷之情形相同的方法進行。
非硬化性樹脂膜形成用組成物的乾燥條件並無特別限定，於非硬化性樹脂膜形成用組成物含有後述溶劑之情形時，較佳為進行加熱乾燥。並且，含有溶劑之非硬化性樹脂膜形成用組成物較佳為於例如70℃至130℃且10秒至5分鐘之條件下進行乾燥。
<非硬化性樹脂膜形成用組成物(V-1)>
作為較佳的非硬化性樹脂膜形成用組成物，例如可列舉含有前述熱塑性樹脂及填充材料之非硬化性樹脂膜形成用組成物(V-1)(於本說明書中，有時僅簡稱為「組成物(V-1)」)等。
[熱塑性樹脂]
前述熱塑性樹脂並無特別限定。
作為前述熱塑性樹脂，更具體而言，例如可列舉：與作為上述組成物(III-1)之含有成分所列舉之丙烯酸系樹脂、聚酯、聚胺基甲酸酯、苯氧基樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等非硬化性之樹脂相同的樹脂。
組成物(V-1)及非硬化性樹脂膜形成用膜所含有之前述熱塑性樹脂可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
組成物(V-1)中，前述熱塑性樹脂的含量相對於溶劑以外的成分的總含量之比例(亦即，非硬化性樹脂膜形成用膜中的前述熱塑性樹脂的含量相對於前述膜的總質量之比例)較佳為25質量%至75質量%，更佳為28質量%至72質量%。
[填充材料]
含有填充材料之非硬化性樹脂膜形成用膜發揮與含有填充材料(D)之熱硬化性樹脂膜形成用膜相同的功效。
作為組成物(V-1)及非硬化性樹脂膜形成用膜所含有之填充材料，可列舉與組成物(III-1)及熱硬化性樹脂膜形成用膜所含有之填充材料(D)相同的填充材料。
組成物(V-1)及非硬化性樹脂膜形成用膜所含有之填充材料可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
組成物(V-1)中，填充材料的含量相對於溶劑以外的全部成分的總含量之比例(亦即，非硬化性樹脂膜形成用膜中的填充材料的含量相對於前述膜的總質量之比例)較佳為25質量%至75質量%，更佳為28質量%至72質量%。由於填充材料相較於其他成分顯著不易吸水，故而藉由前述比例為前述下限值以上，更容易將前述吸水率作為0.55%以下。並且，於將尺寸小的附樹脂膜之半導體晶片自支持片拾取時，抑制樹脂膜殘存於支持片之功效變得更高。另外，藉由前述比例為前述上限值以下，樹脂膜形成用膜(樹脂膜)的強度進一步提高。
組成物(V-1)中，除前述熱塑性樹脂及填充材料以外，根據目的，亦可含有其他成分。
前述其他成分並無特別限定，可根據目的任意選擇。
例如，藉由使用前述含有熱塑性樹脂及著色劑之組成物(V-1)，所形成之非硬化性樹脂膜形成用膜表現出與上文所說明之熱硬化性樹脂膜形成用膜含有著色劑(I)之情形相同的功效。
組成物(V-1)中，前述其他成分可單獨使用1種，亦可 併用2種以上；於併用2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
組成物(V-1)中的前述其他成分的含量根據目的適宜調節即可，並無特別限定。
就藉由稀釋而使該組成物的操作性提高而言，組成物(V-1)較佳為進一步含有溶劑。
作為組成物(V-1)所含有之溶劑，例如可列舉與上述組成物(III-1)中的溶劑相同的溶劑。
組成物(V-1)所含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上。
<<非硬化性樹脂膜形成用組成物的製造方法>>
組成物(V-1)等非硬化性樹脂膜形成用組成物係藉由將用以構成該組成物之各成分進行調配而獲得。
調配各成分時的添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上之成分。
於使用溶劑之情形時，可藉由下述方式使用：將溶劑與溶劑以外的任一種調配成分混合而將該調配成分預先稀釋；亦可藉由下述方式使用：不將溶劑以外的任一種調配成分預先稀釋而將溶劑與這些調配成分混合。
調配時混合各成分之方法並無特別限定，自以下公知的方法中適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行 混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等。
關於添加及混合各成分時的溫度及時間，只要不使各調配成分劣化，則並無特別限定，適宜調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
◇樹脂膜形成用複合片
本發明之樹脂膜形成用複合片係具備支持片，於前述支持片上具備樹脂膜形成用膜而成，且前述樹脂膜形成用膜成為上述本發明之樹脂膜形成用膜。
本發明之樹脂膜形成用複合片適於在藉由刀片切割而將半導體晶圓單片化(分割)為尺寸小的半導體晶片時，貼附於半導體晶圓的背面而使用。樹脂膜形成用複合片中的樹脂膜形成用膜可用於在半導體晶圓或半導體晶片的背面形成樹脂膜，支持片可用作切割片。藉由刀片切割所獲得之尺寸小的附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片自支持片之拾取適性優異，於拾取時，可抑制樹脂膜形成用膜或樹脂膜殘存於支持片。
以下，詳細說明本發明之樹脂膜形成用複合片中的樹脂膜形成用膜以外的構成。
◎支持片
前述支持片可由1層(單層)構成，亦可由2層以上之 複數層構成。於支持片由複數層構成之情形時，這些複數層之構成材料及厚度相互可相同亦可不同，這些複數層之組合只要無損本發明的功效，則並無特別限定。
再者，本說明書中，並不限於支持片之情形，所謂「複數層相互可相同亦可不同」係指「可全部層相同，亦可全部層皆不同，還可僅一部分層相同」，進而所謂「複數層相互不同」係指「各層的構成材料及厚度的至少一者相互不同」。
作為較佳的支持片，例如可列舉：具備基材，於前述基材上積層黏著劑層而成之支持片；具備基材，於前述基材上積層中間層，於前述中間層上積層黏著劑層而成之支持片；僅由基材構成之支持片等。
以下，按照上述支持片之每個種類，一邊參照圖式一邊說明本發明之樹脂膜形成用複合片之示例。再者，以下之說明中所使用之圖中，為了易於理解本發明之特徵，方便起見，有時將成為主要部分之部分放大表示，而並不限於各構成要素的尺寸比率等與實際相同。
圖1係以示意方式表示本發明之樹脂膜形成用複合片的一實施形態之剖面圖。
此處所示之樹脂膜形成用複合片101於基材11上具備黏著劑層12，於黏著劑層12上具備樹脂膜形成用膜13。 支持片1係基材11及黏著劑層12之積層體，換言之，樹脂膜形成用複合片101具有於支持片1的一表面1a上積層有樹脂膜形成用膜13之構成。另外，樹脂膜形成用複合片101進而於樹脂膜形成用膜13上具備剝離膜15。
樹脂膜形成用複合片101中，於基材11的一表面11a積層有黏著劑層12，於黏著劑層12的一表面12a的整個面積層有樹脂膜形成用膜13，於樹脂膜形成用膜13的一表面13a的一部分亦即周緣部附近的區域積層有治具用接著劑層16，於樹脂膜形成用膜13的表面13a中未積層治具用接著劑層16之面及治具用接著劑層16的表面16a(上表面及側面)積層有剝離膜15。
樹脂膜形成用複合片101中，樹脂膜形成用膜13一併滿足上述吸水率及黏著力變化率之條件。
治具用接著劑層16例如可為含有接著劑成分之單層結構，亦可為於成為芯材之片的雙面積層有含有接著劑成分之層之複數層結構。
圖1所示之樹脂膜形成用複合片101係於移除剝離膜15之狀態下，於樹脂膜形成用膜13的表面13a貼附半導體晶圓(省略圖示)的背面，進而於治具用接著劑層16的表面16a中的上表面貼附環狀框等治具而使用。
再者，治具用接著劑層16中，亦存在無法明確區分該層的上表面及側面的邊界之情形。
圖2係以示意方式表示本發明之樹脂膜形成用複合片的另一實施形態之剖面圖。再者，圖2以後之圖中，對於與既已說明之圖所示相同的構成要素，標附與該已說明之圖之情形相同的符號，並省略該符號的詳細說明。
此處所示之樹脂膜形成用複合片102除不具備治具用接著劑層16之方面以外，與圖1所示之樹脂膜形成用複合片101相同。亦即，樹脂膜形成用複合片102中，於基材11的一表面11a積層有黏著劑層12，於黏著劑層12的一表面12a的整個面積層有樹脂膜形成用膜13，於樹脂膜形成用膜13的一表面13a的整個面積層有剝離膜15。
圖2所示之樹脂膜形成用複合片102係於移除剝離膜15之狀態下，於樹脂膜形成用膜13的表面13a中的中央側的一部分區域貼附半導體晶圓(省略圖示)的背面，進一步於樹脂膜形成用膜13的周緣部附近的區域貼附環狀框等治具而使用。
圖3係以示意方式表示本發明之樹脂膜形成用複合片的又一實施形態之剖面圖。
此處所示之樹脂膜形成用複合片103除不具備黏著劑 層12之方面以外，與圖1所示之樹脂膜形成用複合片101相同。亦即，樹脂膜形成用複合片103中，支持片1僅由基材11構成。並且，於基材11的一表面11a(換言之，支持片1的一表面1a)積層有樹脂膜形成用膜13，於樹脂膜形成用膜13的表面13a的一部分亦即周緣部附近的區域積層有治具用接著劑層16，於樹脂膜形成用膜13的表面13a中未積層治具用接著劑層16之面及治具用接著劑層16的表面16a(上表面及側面)積層有剝離膜15。
圖3所示之樹脂膜形成用複合片103係與圖1所示之樹脂膜形成用複合片101同樣地，於移除剝離膜15之狀態下，於樹脂膜形成用膜13的表面13a貼附半導體晶圓(省略圖示)的背面，進一步於治具用接著劑層16的表面16a中的上表面貼附環狀框等治具而使用。
圖4係以示意方式表示本發明之樹脂膜形成用複合片的又一實施形態之剖面圖。
此處所示之樹脂膜形成用複合片104除不具備治具用接著劑層16之方面以外，與圖3所示之樹脂膜形成用複合片103相同。亦即，樹脂膜形成用複合片104中，於基材11的一表面11a積層有樹脂膜形成用膜13，於樹脂膜形成用膜13的一表面13a的整個面積層有剝離膜15。
圖4所示之樹脂膜形成用複合片104與係圖2所示之 樹脂膜形成用複合片102同樣地，於移除剝離膜15之狀態下，於樹脂膜形成用膜13的表面13a中的中央側的一部分區域貼附半導體晶圓(省略圖示)的背面，進一步於樹脂膜形成用膜13的周緣部附近的區域貼附環狀框等治具而使用。
圖5係以示意方式表示本發明之樹脂膜形成用複合片的又一實施形態之剖面圖。
此處所示之樹脂膜形成用複合片105除樹脂膜形成用膜的形狀不同之方面以外，與圖2所示之樹脂膜形成用複合片102相同。亦即，樹脂膜形成用複合片105於基材11上具備黏著劑層12，於黏著劑層12上具備樹脂膜形成用膜23。支持片1係基材11及黏著劑層12之積層體，換言之，樹脂膜形成用複合片105具有於支持片1的一表面1a上積層有樹脂膜形成用膜23之構成。另外，樹脂膜形成用複合片105進而於樹脂膜形成用膜23上具備剝離膜15。
樹脂膜形成用複合片105中，於基材11的一表面11a積層有黏著劑層12，於黏著劑層12的一表面12a的一部分亦即支持片1的寬度方向(圖5中的左右方向)的中央側的區域積層有樹脂膜形成用膜23。並且，於黏著劑層12的表面12a中未積層樹脂膜形成用膜23之面及樹脂膜形成用膜23的一表面23a(上表面及側面)上積層有剝離膜15。
自上方往下看俯視樹脂膜形成用複合片105時，樹脂膜形成用膜23的表面積小於黏著劑層12，且例如具有圓形狀等形狀。
樹脂膜形成用複合片105中，樹脂膜形成用膜23一併滿足上述吸水率及黏著力變化率之條件。
圖5所示之樹脂膜形成用複合片105係於移除剝離膜15之狀態下，於樹脂膜形成用膜23的表面23a貼附半導體晶圓(省略圖示)的背面，進一步於黏著劑層12的表面12a中未積層樹脂膜形成用膜23之面貼附環狀框等治具而使用。
再者，圖5所示之樹脂膜形成用複合片105中，亦可與圖1及圖3所示之樹脂膜形成用複合片同樣地，於黏著劑層12的表面12a中未積層樹脂膜形成用膜23之面積層治具用接著劑層(省略圖示)。與圖1及圖3所示之樹脂膜形成用複合片同樣地，此種具備治具用接著劑層之樹脂膜形成用複合片105係於治具用接著劑層的表面貼附環狀框等治具而使用。
本發明之樹脂膜形成用複合片無論支持片及樹脂膜形成用膜為何種形態，均可具備治具用接著劑層。
本發明之樹脂膜形成用複合片並不限定於圖1至圖5所示之樹脂膜形成用複合片，在無損本發明的功效之範圍內，亦可將圖1至圖5所示之樹脂膜形成用複合片的一部分構成變更或刪除，或者對此前說明之保護膜形成用複合片進一步追加其他構成。
例如，圖3及圖4所示之樹脂膜形成用複合片中，亦可於基材11與樹脂膜形成用膜13之間設置中間層。作為中間層，可根據目的而選擇任意之中間層。
另外，圖1、圖2及圖5所示之樹脂膜形成用複合片中，亦可於基材11與黏著劑層12之間設置中間層。亦即，本發明之樹脂膜形成用複合片中，支持片亦可由基材、中間層及黏著劑層依序積層而成。此處，所謂中間層係與圖3及圖4所示之樹脂膜形成用複合片中可設置之中間層相同。
另外，圖1至圖5所示之樹脂膜形成用複合片中，前述中間層以外的層可設置於任意之部位。
另外，本發明之樹脂膜形成用複合片中，亦可於剝離膜與和該剝離膜直接接觸之層之間產生一部分間隙。
另外，本發明之樹脂膜形成用複合片中，各層之大小或形狀可根據目的而任意調節。
○基材
前述基材為片狀或膜狀，作為前述基材的構成材料， 例如可列舉各種樹脂。
作為前述樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯(LDPE；low density polyethylene)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE；linear low density polyethylene)、高密度聚乙烯(HDPE；high density polyethylene)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、冰片烯樹脂等聚乙烯以外的聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-冰片烯共聚物等乙烯系共聚物(使用乙烯作為單體而獲得之共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯系樹脂(使用氯乙烯作為單體而獲得之樹脂)；聚苯乙烯；聚環烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚2,6-萘二羧酸乙二酯、全部結構單元具有芳香族環式基之全芳香族聚酯等聚酯；2種以上之前述聚酯之共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚胺基甲酸酯；聚丙烯酸胺基甲酸酯；聚醯亞胺；聚醯胺；聚碳酸酯；氟樹脂；聚縮醛；改質聚苯醚；聚苯硫醚；聚碸；聚醚酮等。
另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉前述聚酯與前述聚酯以外的樹脂之混合物等聚合物合金。前述聚酯與前述聚酯以外的樹脂之聚合物合金較佳為聚酯以外的樹脂之量為相對較少量。
另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉：前文所例示之前述樹脂之1種或2種以上交聯而成之交聯樹脂；使用前文所例示之前述樹脂之1種或2種以上之離子聚合物等改 質樹脂。
構成基材之樹脂可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
基材可由1層(單層)構成，亦可由2層以上之複數層構成；於由複數層構成之情形時，這些複數層相互可相同亦可不同，這些複數層之組合並無特別限定。
基材的厚度較佳為50μm至300μm，更佳為60μm至140μm。藉由基材的厚度為此種範圍，前述樹脂膜形成用複合片的可撓性以及對半導體晶圓或半導體晶片之貼附性進一步提高。
此處，所謂「基材的厚度」係指基材整體的厚度，例如，所謂由複數層構成之基材的厚度係指構成基材之全部層的合計厚度。
基材較佳為厚度精度高，亦即任何部位均可抑制厚度不均。上述構成材料中，作為可用於構成此種厚度精度高的基材之材料，例如可列舉：聚乙烯、聚乙烯以外的聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。
基材中，除前述樹脂等主要構成材料以外，亦可含有填充材料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、 觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知的各種添加劑。
基材可為透明，亦可為不透明；根據目的，可著色，亦可蒸鍍其他層。
於樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時，基材較佳為使能量線透過。
為了提高基材與設置於該基材上之層(例如，黏著劑層、中間層或樹脂膜形成用膜)之接著性，亦可對基材表面實施利用噴砂處理、溶劑處理等之凹凸化處理；電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧/紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理等。另外，亦可對基材表面進行底塗處理。
基材可利用公知的方法進行製造。例如，含有樹脂之基材可藉由使含有前述樹脂之樹脂組成物成形而進行製造。
○黏著劑層
前述黏著劑層為片狀或膜狀，並含有黏著劑。
作為前述黏著劑，例如可列舉：丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等黏著性樹脂，較佳為丙烯酸系樹脂。
再者，本發明中，「黏著性樹脂」的概念係包括具有黏著性之樹脂及具有接著性之樹脂兩者，例如不僅包含本身具有黏著性之樹脂，亦包含藉由與添加劑等其他成分併用而顯示黏著性之樹脂或者藉由存在熱或水等觸發劑而顯示接著性之樹脂等。
黏著劑層可由1層(單層)構成，亦可由2層以上之複數層構成；於由複數層構成之情形時，這些複數層相互可相同亦可不同，這些複數層之組合並無特別限定。
黏著劑層的厚度較佳為1μm至100μm，更佳為1μm至60μm，尤佳為1μm至30μm。
此處，所謂「黏著劑層的厚度」係指黏著劑層整體的厚度，例如，所謂由複數層構成之黏著劑層的厚度係指構成黏著劑層之全部層的合計厚度。
黏著劑層可為透明，亦可為不透明；根據目的，亦可著色。
於樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時，黏著劑層較佳為使能量線透過。
黏著劑層可使用能量線硬化性黏著劑而形成，亦可使用非能量線硬化性黏著劑而形成。亦即，黏著劑層可為能 量線硬化性及非能量線硬化性之任一種。能量線硬化性之黏著劑層可容易地調節硬化前及硬化後之物性。
<<黏著劑組成物>>
黏著劑層可使用含有黏著劑之黏著劑組成物而形成。例如，於黏著劑層之形成對象面塗敷黏著劑組成物，視需要使黏著劑組成物乾燥，藉此可於目標部位形成黏著劑層。關於黏著劑層的更具體的形成方法係與其他層的形成方法一起隨後詳細地進行說明。
黏著劑組成物之塗敷例如可利用與上述熱硬化性樹脂膜形成用組成物之塗敷之情形相同的方法進行。
於基材上設置黏著劑層之情形時，例如於基材上塗敷黏著劑組成物，視需要使著劑組成物乾燥，藉此於基材上積層黏著劑層即可。另外，於基材上設置黏著劑層之情形時，例如於剝離膜上塗敷黏著劑組成物，視需要使著劑組成物乾燥，藉此於剝離膜上預先形成黏著劑層，使該黏著劑層的露出面與基材的一表面貼合，藉此亦可於基材上積層黏著劑層。該情形時的剝離膜於樹脂膜形成用複合片的製造過程中的任一時間點移除即可。
黏著劑組成物的乾燥條件並無特別限定，於黏著劑組成物含有後述溶劑之情形時，較佳為進行加熱乾燥。並且， 含有溶劑之黏著劑組成物較佳為於例如70℃至130℃且10秒至5分鐘之條件下進行乾燥。
於黏著劑層為能量線硬化性之情形時，作為含有能量線硬化性黏著劑之黏著劑組成物，亦即能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可列舉以下黏著劑組成物等：黏著劑組成物(I-1)，含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-1a)」)以及能量線硬化性化合物；黏著劑組成物(I-2)，含有能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-2a)」)，該黏著性樹脂(I-2a)於非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基；黏著劑組成物(I-3)，含有前述黏著性樹脂(I-2a)以及能量線硬化性化合物。
<黏著劑組成物(I-1)>
如上所述，前述黏著劑組成物(I-1)含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)以及能量線硬化性化合物。
[黏著性樹脂(I-1a)]
前述黏著性樹脂(I-1a)較佳為丙烯酸系樹脂。
作為前述丙烯酸系樹脂，例如可列舉：至少具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元之丙烯酸系聚合物。
前述丙烯酸系樹脂所具有之結構單元可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可 任意選擇。
作為前述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：構成烷基酯之烷基的碳數為1至20之(甲基)丙烯酸烷基酯，前述烷基較佳為直鏈狀或支鏈狀。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯，更具體而言，可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
就黏著劑層的黏著力提高之方面而言，前述丙烯酸系聚合物較佳為具有源自前述烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元。並且，就黏著劑層的黏著力進一步提高之方面而言，前述烷基的碳數較佳為4至12，更佳 為4至8。另外，前述烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯較佳為丙烯酸烷基酯。
前述丙烯酸系聚合物中，較佳為除源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以外，進一步具有源自含官能基之單體之結構單元。
作為前述含官能基之單體，例如可列舉以下單體，該單體可藉由前述官能基與後述之交聯劑反應而成為交聯的起點，或者可藉由前述官能基與後述之含不飽和基之化合物中的不飽和基反應，而於丙烯酸系聚合物的側鏈導入不飽和基。
作為含官能基之單體中的前述官能基，例如可列舉：羥基、羧基、胺基、環氧基等。
亦即，作為含官能基之單體，例如可列舉：含羥基之單體、含羧基之單體、含胺基之單體、含環氧基之單體等。
作為前述含羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸系不飽和醇(不具有(甲基)丙烯醯基骨架之不飽和醇)等。
作為前述含羧基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸、丁烯酸等乙烯性不飽和單羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之單羧酸)；反丁烯二酸、衣康酸、順丁烯二酸、檸康酸等乙烯性不飽和二羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之二羧酸)；前述乙烯性不飽和二羧酸之酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
含官能基之單體較佳為含羥基之單體、含羧基之單體，更佳為含羥基之單體。
構成前述丙烯酸系聚合物之含官能基之單體可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
前述丙烯酸系聚合物中，源自含官能基之單體之結構單元的含量相對於結構單元的總量，較佳為1質量%至35質量%，更佳為2質量%至32質量%，尤佳為3質量%至30質量%。
前述丙烯酸系聚合物中，亦可除源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以及源自含官能基之單體之結構單元以外，進一步具有源自其他單體之結構單元。
前述其他單體只要能夠與(甲基)丙烯酸烷基酯等共聚合，則並無特別限定。
作為前述其他單體，例如可列舉：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺等。
構成前述丙烯酸系聚合物之前述其他單體可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
前述丙烯酸系聚合物可用作上述非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)。
另一方面，使前述丙烯酸系聚合物中的官能基與具有能量線聚合性不飽和基(能量線聚合性基)之含不飽和基之化合物反應而成之化合物可用作上述能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)。
黏著劑組成物(I-1)所含有之黏著性樹脂(I-1a)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)中，黏著性樹脂(I-1a)的含量相對於黏著劑組成物(I-1)的總質量之比例較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
[能量線硬化性化合物]
作為黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物，可列舉具有能量線聚合性不飽和基且可藉由照射能量線而硬化之單體或低聚物。
能量線硬化性化合物中，作為單體，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；環氧(甲基)丙烯酸酯等。
能量線硬化性化合物中，作為低聚物，例如可列舉：上述所例示之單體進行聚合而成之低聚物等。
就分子量相對較大，不易使黏著劑層的儲存彈性模數降低之方面而言，能量線硬化性化合物較佳為(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯低聚物。
黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
前述黏著劑組成物(I-1)中，前述能量線硬化性化合物的含量相對於黏著劑組成物(I-1)的總質量之比例較佳為1質量%至95質量%，更佳為5質量%至90質量%，尤佳為 10質量%至85質量%。
[交聯劑]
於使用除源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以外，進一步具有源自含官能基之單體之結構單元之前述丙烯酸系聚合物作為黏著性樹脂(I-1a)之情形時，黏著劑組成物(I-1)較佳為進一步含有交聯劑。
前述交聯劑例如與前述官能基反應而使黏著性樹脂(I-1a)彼此進行交聯。
作為交聯劑，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、這些二異氰酸酯之加合物等異氰酸酯系交聯劑(具有異氰酸酯基之交聯劑)；乙二醇縮水甘油醚等環氧系交聯劑(具有縮水甘油基之交聯劑)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三膦三嗪等氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)；鋁螯合物等金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)；異氰脲酸酯系交聯劑(具有異氰脲酸骨架之交聯劑)等。
就提高黏著劑的凝聚力而提高黏著劑層的黏著力之方面以及容易獲取等方面而言，交聯劑較佳為異氰酸酯系交聯劑。
黏著劑組成物(I-1)所含有之交聯劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率 可任意選擇。
前述黏著劑組成物(I-1)中，交聯劑的含量相對於黏著性樹脂(I-1a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為0.3質量份至15質量份。
[光聚合起始劑]
黏著劑組成物(I-1)亦可進一步含有光聚合起始劑。對於含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-1)，即便照射紫外線等相對較低能量之能量線，亦充分地進行硬化反應。
作為前述光聚合起始劑，例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮等安息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫化物、一硫化四甲基秋蘭姆等硫化物化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮雙異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮等噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯；二苯偶醯；二苯甲酮；2,4-二乙基噻噸酮；1,2-二苯基甲烷；2-羥基-2-甲基 -1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。
另外，作為前述光聚合起始劑，例如亦可使用1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光增感劑等。
黏著劑組成物(I-1)所含有之光聚合起始劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)中，光聚合起始劑的含量相對於前述能量線硬化性化合物的含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
[其他添加劑]
黏著劑組成物(I-1)中，在無損本發明之功效之範圍內，亦可含有不屬於上述任一種成分之其他添加劑。
作為前述其他添加劑，例如可列舉：抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、填充材料(填料)、防鏽劑、著色劑(顏料、染料)、增感劑、黏著賦予劑、反應延遲劑、交聯促進劑(觸媒)等公知的添加劑。
再者，所謂反應延遲劑係例如抑制因混入至黏著劑組成物(I-1)中之觸媒之作用而導致保存中之黏著劑組成物(I-1)中進行目的外的交聯反應。作為反應延遲劑，例如可列舉藉由針對觸媒之螯合物而形成螯合物錯合物之化合 物，更具體而言，可列舉：於1分子中具有2個以上之羰基(-C(=O)-)之化合物。
黏著劑組成物(I-1)所含有之其他添加劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)中的其他添加劑的含量並無特別限定，根據該其他添加劑之種類適宜選擇即可。
[溶劑]
黏著劑組成物(I-1)亦可含有溶劑。黏著劑組成物(I-1)藉由含有溶劑，對塗敷對象面之塗敷適性提高。
前述溶劑較佳為有機溶劑，作為前述有機溶劑，例如可列舉：甲基乙基酮、丙酮等酮；乙酸乙酯等酯(羧酸酯)；四氫呋喃、二噁烷等醚；環己烷、正己烷等脂肪族烴；甲苯、二甲苯等芳香族烴；1-丙醇、2-丙醇等醇等。
作為前述溶劑，例如，可將製造黏著性樹脂(I-1a)時所使用之溶劑不自黏著性樹脂(I-1a)中去除而直接於黏著劑組成物(I-1)中使用，亦可於製造黏著劑組成物(I-1)時另行添加與製造黏著性樹脂(I-1a)時所使用之溶劑相同種類或不同種類之溶劑。
黏著劑組成物(I-1)所含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)中，溶劑的含量並無特別限定，適宜調節即可。
<黏著劑組成物(I-2)>
如上所述，前述黏著劑組成物(I-2)含有能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)，該黏著性樹脂(I-2a)於非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基。
[黏著性樹脂(I-2a)]
前述黏著性樹脂(I-2a)例如藉由使黏著性樹脂(I-1a)中的官能基與具有能量線聚合性不飽和基之含不飽和基之化合物反應而獲得。
前述含不飽和基之化合物除具有前述能量線聚合性不飽和基以外，進一步具有以下基，該基藉由與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基反應，可與黏著性樹脂(I-1a)鍵結。
作為前述能量線聚合性不飽和基，例如可列舉：(甲基)丙烯醯基、乙烯基(次乙基)、烯丙基(2-丙烯基)等，較佳為(甲基)丙烯醯基。
作為可與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基鍵結之基，例如可列舉：可與羥基或胺基鍵結之異氰酸酯基及縮水甘油基以及可與羧基或環氧基鍵結之羥基及胺基等。
作為前述含不飽和基之化合物，例如可列舉：異氰酸(甲基)丙烯醯氧基乙酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。
黏著劑組成物(I-2)所含有之黏著性樹脂(I-2a)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-2)中，黏著性樹脂(I-2a)的含量相對於黏著劑組成物(I-2)的總質量之比例較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為10質量%至90質量%。
[交聯劑]
於使用例如與黏著性樹脂(I-1a)中相同的具有源自含官能基之單體之結構單元之前述丙烯酸系聚合物作為黏著性樹脂(I-2a)之情形時，黏著劑組成物(I-2)亦可進一步含有交聯劑。
作為黏著劑組成物(I-2)中的前述交聯劑，可列舉與黏 著劑組成物(I-1)中的交聯劑相同的化合物。
黏著劑組成物(I-2)所含有之交聯劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
前述黏著劑組成物(I-2)中，交聯劑的含量相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為0.3質量份至15質量份。
[光聚合起始劑]
黏著劑組成物(I-2)亦可進一步含有光聚合起始劑。對於含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-2)，即便照射紫外線等相對較低能量之能量線，亦充分地進行硬化反應。
作為黏著劑組成物(I-2)中的前述光聚合起始劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的光聚合起始劑相同的化合物。
黏著劑組成物(I-2)所含有之光聚合起始劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-2)中，光聚合起始劑的含量相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05 質量份至5質量份。
[其他添加劑]
黏著劑組成物(I-2)中，在無損本發明之功效之範圍內，亦可含有不屬於上述任一種成分之其他添加劑。
作為黏著劑組成物(I-2)中的前述其他添加劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的其他添加劑相同的化合物。
黏著劑組成物(I-2)所含有之其他添加劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-2)中，其他添加劑的含量並無特別限定，根據該其他添加劑的種類適宜選擇即可。
[溶劑]
以與黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的，黏著劑組成物(I-2)亦可含有溶劑。
作為黏著劑組成物(I-2)中的前述溶劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的溶劑相同的溶劑。
黏著劑組成物(I-2)所含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-2)中，溶劑的含量並無特別限定，適宜調節即可。
<黏著劑組成物(I-3)>
如上所述，前述黏著劑組成物(I-3)含有前述黏著性樹脂(I-2a)以及能量線硬化性化合物。
黏著劑組成物(I-3)中，黏著性樹脂(I-2a)的含量相對於黏著劑組成物(I-3)的總質量之比例較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
[能量線硬化性化合物]
作為黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性化合物，可列舉具有能量線聚合性不飽和基且可藉由照射能量線而硬化之單體及低聚物，可列舉與黏著劑組成物(I-1)所含有之能量線硬化性化合物相同的化合物。
黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性化合物可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
前述黏著劑組成物(I-3)中，前述能量線硬化性化合物的含量相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至300質量份，更佳為0.03質量份至200質量份，尤佳為0.05質量份至100質量份。
[光聚合起始劑]
黏著劑組成物(I-3)亦可進一步含有光聚合起始劑。對於含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-3)，即便照射紫外線等相對較低能量之能量線，亦充分地進行硬化反應。
作為黏著劑組成物(I-3)中的前述光聚合起始劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的光聚合起始劑相同的化合物。
黏著劑組成物(I-3)所含有之光聚合起始劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-3)中，光聚合起始劑的含量相對於黏著性樹脂(I-2a)及前述能量線硬化性化合物的總含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
[其他添加劑]
黏著劑組成物(I-3)中，在無損本發明之功效之範圍內，亦可含有不屬於上述任一種成分之其他添加劑。
作為前述其他添加劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的其他添加劑相同的化合物。
黏著劑組成物(I-3)所含有之其他添加劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-3)中，其他添加劑的含量並無特別限定，根據該其他添加劑的種類適宜選擇即可。
[溶劑]
以與黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的，黏著劑組成物(I-3)亦可含有溶劑。
作為黏著劑組成物(I-3)中的前述溶劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的溶劑相同的溶劑。
黏著劑組成物(I-3)所含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-3)中，溶劑的含量並無特別限定，適宜調節即可。
<黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物>
前文主要對黏著劑組成物(I-1)、黏著劑組成物(I-2)及黏著劑組成物(I-3)進行了說明，但對於這些3種黏著劑組成物以外之全部黏著劑組成物(本說明書中，稱為「黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物」)，亦可同樣地使用作為這些的含有成分所說明之成分。
作為黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之 黏著劑組成物，除能量線硬化性之黏著劑組成物以外，亦可列舉非能量線硬化性之黏著劑組成物。
作為非能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可列舉：含有丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)之黏著劑組成物(I-4)，較佳為含有丙烯酸系樹脂之黏著劑組成物。
黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物較佳為含有1種或2種以上之交聯劑，該交聯劑的含量可作為與上述黏著劑組成物(I-1)等情形相同。
<黏著劑組成物(I-4)>
作為較佳的黏著劑組成物(I-4)，例如可列舉：含有前述黏著性樹脂(I-1a)以及交聯劑之黏著劑組成物。
[黏著性樹脂(I-1a)]
作為黏著劑組成物(I-4)中的黏著性樹脂(I-1a)，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的黏著性樹脂(I-1a)相同的黏著性樹脂。
黏著劑組成物(I-4)所含有之黏著性樹脂(I-1a)可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-4)中，黏著性樹脂(I-1a)的含量相對於黏著劑組成物(I-4)的總質量之比例較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
[交聯劑]
於使用除源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以外，進而具有源自含官能基之單體之結構單元之前述丙烯酸系聚合物作為黏著性樹脂(I-1a)之情形時，黏著劑組成物(I-4)較佳為進一步含有交聯劑。
作為黏著劑組成物(I-4)中的交聯劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的交聯劑相同的化合物。
黏著劑組成物(I-4)所含有之交聯劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
前述黏著劑組成物(I-4)中，交聯劑的含量相對於黏著性樹脂(I-1a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至47質量份，尤佳為0.3質量份至44質量份。
[其他添加劑]
黏著劑組成物(I-4)中，在無損本發明之功效之範圍 內，亦可含有不屬於上述任一種成分之其他添加劑。
作為前述其他添加劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的其他添加劑相同的化合物。
黏著劑組成物(I-4)所含有之其他添加劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-4)中，其他添加劑的含量並無特別限定，根據該其他添加劑的種類適宜選擇即可。
[溶劑]
以與黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的，黏著劑組成物(I-4)亦可含有溶劑。
作為黏著劑組成物(I-4)中的前述溶劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中的溶劑相同的溶劑。
黏著劑組成物(I-4)所含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上；於為2種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-4)中，溶劑的含量並無特別限定，適宜調節即可。
本發明之樹脂膜形成用複合片中，於後述之樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時，黏著劑層較佳為非能量線硬化性。原因在於，若黏著劑層為能量線硬化性，則藉 由照射能量線而使樹脂膜形成用膜硬化時，無法抑制黏著劑層亦同時硬化。若黏著劑層與樹脂膜形成用膜同時硬化，則有時樹脂膜形成用膜之硬化物及黏著劑層於這些之界面貼附至無法剝離之程度。該情形時，難以將於背面具備樹脂膜形成用膜之硬化物、亦即樹脂膜之半導體晶片(亦即附樹脂膜之半導體晶片)，自具備黏著劑層之硬化物之支持片剝離，無法正常拾取附樹脂膜之半導體晶片。藉由將本發明之支持片中的黏著劑層作為非能量線硬化性，可確實地避免此種不良情況，從而可更容易地拾取附樹脂膜之半導體晶片。
本文對黏著劑層為非能量線硬化性之情形之功效進行了說明，但即便支持片中的與樹脂膜形成用膜直接接觸之層為黏著劑層以外之層，只要該層為非能量線硬化性，則亦發揮同樣的功效。
<<黏著劑組成物的製造方法>>
黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)、或黏著劑組成物(I-4)等黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物藉由將前述黏著劑及視需要之前述黏著劑以外之成分等用以構成黏著劑組成物之各成分加以調配而獲得。
調配各成分時的添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上之成分。
於使用溶劑之情形時，可藉由下述方式使用：將溶劑與溶劑以外的任一種調配成分混合而將該調配成分預先稀釋；亦可藉由下述方式使用：不將溶劑以外的任一種調配成分預先稀釋而將溶劑與這些調配成分混合。
調配時混合各成分之方法並無特別限定，自以下公知的方法中適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機而進行混合之方法；施加超音波而進行混合之方法等。
關於添加及混合各成分時的溫度及時間，只要不使各調配成分劣化，則並無特別限定，適宜調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
◇樹脂膜形成用複合片的製造方法
本發明之樹脂膜形成用複合片可藉由將上述各層以成為對應的位置關係之方式依序積層而製造。各層之形成方法如前文所說明。
例如，製造支持片時，於基材上積層黏著劑層之情形時，於基材上塗敷上述黏著劑組成物，視需要使黏著劑組成物乾燥即可。
另一方面，例如，於已積層於基材上之黏著劑層上進而積層樹脂膜形成用膜之情形時，可於黏著劑層上塗敷樹脂膜形成用組成物直接形成樹脂膜形成用膜。樹脂膜形成用膜以外之層亦可使用用以形成該層之組成物，利用同樣 的方法於黏著劑層上積層該層。如此，於使用任一種組成物，形成連續之2層之積層結構之情形時，可於由前述組成物形成之層上進一步塗敷組成物而新形成層。但是，較佳為藉由下述方式而形成連續之2層之積層結構：於另一剝離膜上使用前述組成物預先形成這些2層中後積層之層，將該已形成之層中的與和前述剝離膜接觸之側為相反側的露出面與既已形成之其餘層的露出面貼合。此時，前述組成物較佳為塗敷於剝離膜的剝離處理面。形成積層結構後，視需要移除剝離膜即可。
例如，於製造於基材上積層黏著劑層且於前述黏著劑層上積層樹脂膜形成用膜而成之樹脂膜形成用複合片(換言之，支持片為基材及黏著劑層之積層物之樹脂膜形成用複合片)之情形時，於基材上塗敷黏著劑組成物，視需要使黏著劑組成物乾燥，藉此於基材上預先積層黏著劑層，另行於剝離膜上塗敷樹脂膜形成用組成物，視需要使樹脂膜形成用組成物乾燥，藉此於剝離膜上預先形成樹脂膜形成用膜。然後，將該樹脂膜形成用膜的露出面與已積層於基材上之黏著劑層的露出面貼合，於黏著劑層上積層樹脂膜形成用膜，藉此獲得樹脂膜形成用複合片。
再者，如上所述，於基材上積層黏著劑層之情形時，亦可代替於基材上塗敷黏著劑組成物之方法，於剝離膜上塗敷黏著劑組成物，視需要使黏著劑組成物乾燥，藉此於 剝離膜上預先形成黏著劑層，將該層的露出面與基材的一表面貼合，藉此於基材上積層黏著劑層。
任一種方法中，均於形成目標積層結構後的任意時間點移除剝離膜即可。
◇樹脂膜形成用複合片的使用方法
本發明之樹脂膜形成用複合片例如可利用以下所示之方法使用。
亦即，首先，將樹脂膜形成用複合片，藉由該樹脂膜形成用複合片中的樹脂膜形成用膜，貼附於半導體晶圓的背面。
其次，於樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時，藉由照射能量線使樹脂膜形成用膜進行能量線硬化而成為樹脂膜；或者不進行能量線硬化而保持狀態不變，於樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形時，使樹脂膜形成用膜保持狀態不變。然後，藉由刀片切割，將半導體晶圓連同樹脂膜形成用膜或樹脂膜一起分割，製成半導體晶片。此時，較佳為以半導體晶片的尺寸變小之方式進行調節。更具體而言，半導體晶片的1邊的長度較佳為4mm以下，例如可為3.5mm以下、3mm以下及2.5mm以下等之任一者。
其次，保持背面貼附有該樹脂膜形成用膜或樹脂膜之狀態不變(亦即，以附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹 脂膜之半導體晶片之形式)，將半導體晶片自支持片拉離而進行拾取。此時，藉由使用本發明之樹脂膜形成用膜，即便為尺寸小的附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片，於將這些附樹脂膜形成用膜之半導體晶片或附樹脂膜之半導體晶片自支持片拾取時，亦可抑制樹脂膜形成用膜或樹脂膜殘存於支持片。
再者，於樹脂膜形成用膜為熱硬化性之情形(例如，樹脂膜形成用膜為熱硬化性而非能量線硬化性之情形或者具有能量線硬化性及熱硬化性兩者之特性之情形)時，貼附於半導體晶片之樹脂膜形成用膜或未經熱硬化之樹脂膜較佳為於拾取結束之前未經熱硬化。亦即，本發明之熱硬化性樹脂膜形成用膜較佳為於半導體晶片之拾取後進行熱硬化。
另外，於不使能量線硬化性樹脂膜形成用膜進行能量線硬化而進行刀片切割之情形時，可於刀片切割後之任一階段使貼附於半導體晶片的背面之樹脂膜形成用膜進行能量線硬化並製成樹脂膜，亦可不進行能量線硬化。
以下，利用與先前法相同的方法，根據樹脂膜之用途，製作目標半導體裝置即可。
例如，於將樹脂膜形成用膜或樹脂膜作為膜狀接著劑使用之情形時，將半導體晶片藉由膜狀接著劑黏晶於基板的電路面，視需要，於該半導體晶片進一步積層1個以上 之半導體晶片並進行打線接合後，將整體藉由樹脂進行密封，藉此製成半導體封裝。然後，使用該半導體封裝，製作目標半導體裝置。
例如，於將樹脂膜形成用膜作為保護膜形成用膜(換言之，將樹脂膜作為保護膜)使用之情形時，將附保護膜之半導體晶片倒裝晶片連接於基板的電路面後，製成半導體封裝。然後，使用該半導體封裝製作目標半導體裝置即可。再者，該情形時，利用樹脂膜形成用膜之利用硬化之樹脂膜(保護膜)之形成可於刀片切割之前後之任一時間點進行。
[實施例]
以下，藉由具體的實施例對本發明進行更詳細的說明。但是，本發明並不受以下所示之實施例之任何限定。
<樹脂膜形成用組成物的製造原料>
以下表示用於製造樹脂膜形成用組成物之原料。
[聚合物成分(A)]
(A)-1：使丙烯酸正丁酯(55質量份)、丙烯酸甲酯(10質量份)、甲基丙烯酸縮水甘油酯(20質量份)及丙烯酸2-羥基乙酯(15質量份)進行共聚合而成之丙烯酸系樹脂(重量平均分子量800000、玻璃轉移溫度-28℃)。
[熱硬化性成分(B)]
‧環氧樹脂(B1)
(B1)-1：液狀雙酚A型環氧樹脂及丙烯酸橡膠微粒子之混合物(日本化藥公司製造之「BPA328」，環氧當量235g/eq)。
(B1)-2：二環戊二烯型環氧樹脂(日本化藥公司製造之「XD-1000-L」，環氧當量248g/eq)。
(B1)-3：二環戊二烯型環氧樹脂(DIC公司製造之「Epiclon HP-7200HH」，環氧當量255g/eq至260g/eq)。
‧熱硬化劑(B2)
(B2)-1：二氰二胺(熱活性潛伏性環氧樹脂硬化劑，ADEKA公司製造之「Adeka Hardener EH-3636AS」，活性氫量21g/eq)。
[硬化促進劑(C)]
(C)-1：2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(四國化成工業公司製造之「Curezol 2PHZ」)。
[填充材料(D)]
(D)-1：球狀二氧化矽(Admatechs公司之「SC2050」)。
[偶合劑(E)]
(E)-1：加成有γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷之矽酸鹽化合物(三菱化學公司製造之「MKC Silicate MSEP2」)。
[交聯劑(F)]
(F)-1：三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(Toyochem公司製造之「BHS8515」)。
[能量線硬化性樹脂(G)]
(G)-1：三環癸烷二羥甲基二丙烯酸酯(日本化藥公司製造之「KAYARAD R-684」，紫外線硬化性樹脂)。
[光聚合起始劑(H)]
光聚合起始劑(H)-1：1-羥基環己基苯基酮(BASFJapan公司製造之「IRGACURE 184」)。
<樹脂膜形成用複合片之製造>
[實施例1]
(熱硬化性樹脂膜形成用組成物(III-1)之製造)
如表1所示，將聚合物成分(A)-1(9.56質量份)、環氧樹脂(B1)-1(12.75質量份)、環氧樹脂(B1)-2(12.75質量份)、環氧樹脂(B1)-3(25.50質量份)、熱硬化劑(B2)-1(1.08質量份)、硬化促進劑(C)-1(1.08質量份)、填充材料(D)-1(30.00質量份)、偶合劑(E)-1(0.38質量份)、交聯劑(F)-1(0.32質量份)、能量線硬化性樹脂(G)-1(6.37質量份)以及光聚合起始劑(H)-1(0.20質量份)混合，進而利用甲基乙基酮以固形物成分之濃度成為55質量%之方式進行稀釋，獲得熱硬化性樹脂膜形成用組成物(III-1)。再者，此處所示之甲基乙基酮以外的成分的調配量全部係固形物成分量。
(樹脂膜形成用膜之製造)
於聚對苯二甲酸乙二酯(PET；Polyethylene terephthalate)製膜的單面藉由聚矽氧處理進行剝離處理之剝離膜(Lintec公司製造之「SP-PET381031」，厚度38μm)的前述剝離處 理面塗敷上述獲得之組成物(III-1)，於100℃下乾燥1分鐘，藉此形成厚度為20μm之樹脂膜形成用膜。
進而，於該樹脂膜形成用膜的露出面(與具備前述剝離膜之側為相反側的表面)，另行地貼合聚對苯二甲酸乙二酯(PET)製膜的單面藉由聚矽氧處理進行剝離處理之剝離膜(Lintec公司製造之「SP-PET502150」，厚度50μm)的前述剝離處理面，製作於樹脂膜形成用膜的兩面積層有剝離膜之積層膜。
(樹脂膜形成用複合片之製造)
自上述獲得之積層膜移除隨後貼合之剝離膜，使樹脂膜形成用膜露出。
使用將乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA；Ethylene Methacrylic Acid copolymer)製膜(厚度40μm)及聚丙烯(PP)製膜(厚度50μm)積層而成之2層結構之膜(2層的合計厚度90μm)作為基材，於該膜的聚丙烯製膜側的表面貼合上述樹脂膜形成用膜的新露出的面，藉此獲得基材(支持片)及樹脂膜形成用膜積層而成之樹脂膜形成用複合片。
<樹脂膜形成用膜之評價>
(第1試片的吸水率)
積層上述獲得之複數片樹脂膜形成用膜並使之貼合，製作合計厚度為200μm之積層體。其次，將該積層體沖裁(切斷)成50mm×50mm之大小，藉此製作大小為 50mm×50mm、厚度為200μm之第1積層體。其次，使用紫外線照射裝置(Lintec公司製造之「RAD-2000 m/12」)，於照度220mW/cm2、光量120mJ/cm2之條件下，對該第1積層體照射紫外線，藉此使第1積層體進行紫外線硬化，製作未經熱硬化之第1硬化物。使用該第1硬化物作為第1試片，直接測定該第1試片的質量WA。其次，將該第1試片於23℃之純水中浸漬2小時，自純水中取出，將附著於表面之多餘的水滴除去後，測定該浸漬後的第1試片的質量WB。其次，藉由式「(WB-WA)/WA×100」，算出第1試片的吸水率(%)。再者，將第1試片於純水中浸漬時，以第1試片整體完全浸入純水中之方式，使用充分量的純水。結果示於表1。
(第2試片的黏著力變化率)
將上述獲得之樹脂膜形成用膜加熱至40℃而貼附於6吋矽鏡面晶圓(厚度350μm)的整個面。然後，將自矽鏡面晶圓伸出之樹脂膜形成用膜切去而除去。進而，於樹脂膜形成用膜的露出面(換言之，與具備矽鏡面晶圓之側為相反側的表面)的複述個部位，貼附寬度25mm、長度200mm、厚度70μm之強黏著帶，沿著該強黏著帶之外周於樹脂膜形成用膜形成切口。藉由以上之步驟，製作第2積層體。其次，使用紫外線照射裝置(Lintec公司製造之「RAD-2000 m/12」)，於照度220mW/cm2、光量120mJ/cm2之條件下對第2積層體中的樹脂膜形成用膜照射紫外線，藉此使樹脂 膜形成用膜進行紫外線硬化，製成未經熱硬化之第2硬化物。使用具備該第2硬化物之第2積層體(已硬化的第2積層體)作為第2試片，直接將該第2試片於溫度23℃、相對濕度50%之環境下靜置30分鐘而經時。其次，直接針對該經時後的第2試片中1個部位之強黏著帶之貼附部位，於23℃之環境下，測定第2硬化物與矽鏡面晶圓之間的經時後黏著力(浸漬前黏著力)PA1。其次，將該經時後的第2試片於23℃之純水中浸漬2小時。其次，將該第2試片自純水中取出，將附著於表面之多餘的水滴除去後，直接針對該浸漬後的第2試片中其他1個部位之強黏著帶之貼附部位，於23℃之環境下，測定第2硬化物與矽鏡面晶圓之間的浸漬後黏著力PB1。其次，藉由式「(｜PB1-PA1｜)/PA1×100」，算出第2試片的黏著力變化率(%)。如此，浸漬前黏著力及浸漬後黏著力係於同一第2試片中的不同部位連續地測定。另外，將第2試片於純水中浸漬時，以第2試片整體完全浸入純水中之方式，使用充分量的純水。
再者，於浸漬前黏著力及浸漬後黏著力之測定時，均使用島津製作所公司製造之萬能拉伸試驗機「Autograph」，進行所謂之180°剝離：以剝離第2硬化物時所產生之2面之剝離面所成之角度成為180°之方式，以剝離速度300mm/min於第2試片中剝離第2硬化物及前述強黏著帶之積層物。並且，測定此時之剝離力(mN/25mm)，將該剝離力分別作為浸漬前黏著力及浸漬後黏著力。結果 示於表1。
(第3試片的楊氏率、斷裂伸長率及斷裂應力)
積層上述獲得之複數片樹脂膜形成用膜，製作合計厚度為200μm之積層體。其次，將該積層體沖裁(切斷)成15mm×150mm之大小，藉此製作大小為15mm×150mm、厚度為200μm之第3積層體。其次，使用紫外線照射裝置(Lintec公司製造之「RAD-2000 m/12」)，於照度220mW/cm2、光量120mJ/cm2之條件下，對該第3積層體照射紫外線，藉此使第3積層體進行紫外線硬化，製作未經熱硬化之第3硬化物。使用該第3硬化物作為第3試片，針對該第3試片，於23℃之環境下，依據JIS K 7127，將試驗速度作為200mm/min而進行拉伸試驗，測定楊氏率(浸漬前楊氏率)(MPa)。
另外，將同一第3試片於23℃之純水中浸漬2小時。其次，直接針對該浸漬後的第3試片，於23℃之環境下，利用相同方法進行拉伸試驗，測定楊氏率(浸漬後楊氏率)(MPa)。再者，將第3試片於純水中浸漬時，以第3試片整體完全浸入純水中之方式，使用充分量的純水。結果示於表1。
另外，於上述第3試片之浸漬前楊氏率及浸漬後楊氏率之測定時，根據第3試片斷裂時的第3試片的伸長率，分別求出第3試片的浸漬前斷裂伸長率(%)及浸漬後斷裂 伸長率(%)，根據第3試片斷裂時對第3試片所施加之力，分別求出浸漬前斷裂應力(MPa)及浸漬後斷裂應力(MPa)。結果示於表1。
<樹脂膜形成用複合片之評價>
(附樹脂膜之半導體晶片的拾取適性(附樹脂膜之半導體晶片的製造適性))
使用帶貼合機(Lintec公司製造之「RAD3510」)，於8吋矽鏡面晶圓，貼附背面研磨帶(Lintec公司製造之「ADWILL E-8180HR」)。其次，使用研磨機(Disco公司製造之「DGP8760」)，對8吋矽鏡面晶圓中的與貼附有背面研磨帶之側為相反側的面進行研削，使矽鏡面晶圓的厚度成為350μm。然後，將該矽鏡面晶圓於研削後放置72小時。其次，使用晶圓貼片機(Lintec公司製造之「RAD2700」)，將上述獲得之樹脂膜形成用複合片加熱至40℃，藉由該樹脂膜形成用複合片中的樹脂膜形成用膜，以20mm/sec之貼附速度貼附於該放置後的矽鏡面晶圓的研削面。其次，移除背面研磨帶後，使用紫外線照射裝置(Lintec公司製造之「RAD-2000 m/12」)，於照度230mW/cm2、光量120mJ/cm2之條件下對該樹脂膜形成用複合片中的樹脂膜形成用膜照射紫外線，藉此使樹脂膜形成用膜進行紫外線硬化，製作未經熱硬化之樹脂膜。其次，使用切割裝置(Disco公司製造之「DFD6361」)，將矽鏡面晶圓連同樹脂膜一起，一邊以1.0L/min之流量施加冷卻水一邊進行切 割，藉此單片化為大小為2mm×2mm之矽晶片。
將切割後的大量的附樹脂膜之矽晶片固定於支持片之工件，於23℃之純水中浸漬2小時。其次，使用拾取-黏晶裝置(Canon Machinery公司製造之「BESTEM-D02」)，針對該浸漬後的工件，將附樹脂膜之矽晶片自支持片(前述基材)拉離而進行拾取，將該操作進行100次。此時之拾取係作為以1根銷頂出1個附樹脂膜之矽晶片之方式，將頂出速度作為20mm/s，將頂出量作為200μm。其次，使用光學顯微鏡(Keyence公司製造之「VHX-100」)，觀察操作結束後支持片中的具備附樹脂膜之矽晶片之側的表面，確認樹脂膜有無殘存。然後，於支持片的前述表面，根據具備附樹脂膜之矽晶片之100個部位中樹脂膜殘存之部位的數量，特定出未正常進行拾取之次數、亦即拾取適性中的不良數。於支持片的前述表面，於樹脂膜殘存之部位，判斷為無法正常拾取附樹脂膜之矽晶片。結果示於表1。表1中的評價結果之欄中，「拾取適性中之不良數」一欄中表示本項目的評價結果。
<樹脂膜形成用膜以及樹脂膜形成用複合片之製造及評價>
[實施例2至實施例3、比較例1至比較例2]
將熱硬化性樹脂膜形成用組成物(樹脂膜形成用膜)中的各成分的含量作為如表1所示，除此方面以外，利用與 實施例1之情形相同的方法，製造樹脂膜形成用膜以及樹脂膜形成用複合片，並進行評價。結果示於表1。
再者，表1中的含有成分一欄記載為「-」時，表示熱硬化性樹脂膜形成用組成物不含有該成分。
Figure 107116627-A0202-12-0137-7
Figure 107116627-A0202-12-0138-8
如根據上述結果所明確，於實施例1至實施例3中，附樹脂膜之矽晶片的拾取適性中的不良數被抑制為4以下。
於實施例1至實施例3中，第1試片的吸水率為0.24%至0.50%，第2試片的黏著力變化率為16.5%至38.4%。於第2硬化物與矽鏡面晶圓之間的浸漬前黏著力(經時後黏著力)PA1之測定時以及浸漬後黏著力PB1之測定時，藉由目視觀察第2試片的剝離部位，結果於實施例1至實施例3中，於浸漬前後之任一者，第2試片的第2硬化物中均產生凝聚破壞。
亦即，實施例1至實施例3之樹脂膜形成用膜中的能 量線硬化物的吸水率低，浸漬(吸水)前後之黏著力之變化得到抑制，於浸漬後拾取適性亦優異。
另外，於實施例1至實施例3中，第3試片的浸漬後楊氏率為20.7MPa至104.5MPa，實施例1至實施例3之樹脂膜形成用膜中的能量線硬化物於拾取時不易引起在目標外部位之切斷，具有更佳的特性。進而，於實施例1至實施例3中，第3試片的浸漬後斷裂伸長率為25%至384%，第3試片的浸漬後斷裂應力為0.9MPa至4.6MPa。
相對於此，於比較例1中，附樹脂膜之矽晶片的拾取適性中的不良數為56，拾取適性明顯較差。
於比較例1中，第1試片的吸水率為0.96%，為高水準。
另一方面，與實施例1至實施例3之情形同樣地，於浸漬前黏著力(經時後黏著力)PA1之測定時以及浸漬後黏著力PB1之測定時，藉由目視觀察第2試片的剝離部位，結果於浸漬後，於第2硬化物與矽鏡面晶圓之間產生界面破壞，於浸漬前於第2硬化物與強黏著帶之間產生界面破壞，第2硬化物與矽鏡面晶圓保持密接狀態。亦即，確認到於比較例1中，浸漬前的剝離力不表示第2硬化物與矽鏡面晶圓之間的黏著力，剝離力的測定值為23584(mN/25mm)，故而第2硬化物與矽鏡面晶圓之間的黏 著力大於23584(mN/25mm)，第2試片的黏著力變化率大於66.0%。但是，可確認前述黏著力變化率為高水準。
亦即，比較例1之樹脂膜形成用膜之能量線硬化物的吸水率偏高，於浸漬(吸水)前後的黏著力的變化未得到抑制，於浸漬後，就拾取適性之方面而言，不具有較佳的特性。
另外，於比較例1中，第3試片的浸漬後楊氏率為1.0MPa，比較例1之樹脂膜形成用膜之能量線硬化物於拾取時容易引起在目標外部位之切斷，就該方面而言，亦不具有較佳的特性。
於比較例2中，附樹脂膜之半導體晶片的拾取適性中的不良數為45，拾取適性明顯較差。
於比較例2中，第1試片的吸水率為0.62%，為高水準。
另一方面，於比較例2中，亦與比較例1之情形同樣地，於浸漬後於第2硬化物與矽鏡面晶圓之間產生界面破壞，但於浸漬前於第2硬化物與強黏著帶之間產生界面破壞，第2硬化物與矽鏡面晶圓保持密接狀態。亦即，確認到於比較例2中，亦浸漬前的剝離力不表示第2硬化物與矽鏡面晶圓之間的黏著力，剝離力的測定值為25877(mN/25mm)，故而第2硬化物與矽鏡面晶圓之間的黏 著力大於25877(mN/25mm)，第2試片的黏著力變化率大於69.0%。但是，可確認前述黏著力變化率為高水準。
亦即，比較例2之樹脂膜形成用膜之能量線硬化物亦吸水率偏高，於浸漬(吸水)前後的黏著力的變化未得到抑制，於浸漬後就拾取適性之方面而言不具有較佳的特性。
另外，於比較例2中，第3試片的浸漬後楊氏率為5.1MPa，比較例2之樹脂膜形成用膜之能量線硬化物亦於拾取時容易引起在目標外部位之切斷，就該方面而言，亦不具有較佳的特性。
(產業可利用性)
本發明可用於製造半導體裝置。
1‧‧‧支持片
1a‧‧‧支持片的表面
11‧‧‧基材
11a‧‧‧基材的表面
12‧‧‧黏著劑層
12a‧‧‧黏著劑層的表面
13‧‧‧樹脂膜形成用膜
13a‧‧‧樹脂膜形成用膜的表面
15‧‧‧剝離膜
16‧‧‧治具用接著劑層
16a‧‧‧治具用接著劑層的表面
101‧‧‧樹脂膜形成用複合片

Claims (4)

  1. 一種樹脂膜形成用膜，其特徵在於，製作第1積層體，該第1積層體係將複數片前述樹脂膜形成用膜積層而成，大小為50mm×50mm，厚度為200μm；於前述樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時將前述第1積層體進行能量線硬化而成之第1硬化物作為第1試片，於前述樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形時則將前述第1積層體作為第1試片，將前述第1試片於純水中浸漬2小時之時前述第1試片的吸水率為0.55%以下；並且製作第2積層體，該第2積層體係將前述樹脂膜形成用膜貼附於矽鏡面晶圓而成；於前述樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時將前述第2積層體中的前述樹脂膜形成用膜進行能量線硬化而成為第2硬化物後的已硬化的第2積層體作為第2試片，測定將前述第2試片於溫度23℃、相對濕度50%之環境下靜置30分鐘而經時之時的前述第2硬化物與前述矽鏡面晶圓之間的經時後黏著力，並測定將經時後的前述第2試片於純水中浸漬2小時之時的前述第2硬化物與前述矽鏡面晶圓之間的浸漬後黏著力時，由前述經時後黏著力及浸漬後黏著力算出之前述第2試片的黏著力變化率為60%以下；或者於前述樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形 時將前述第2積層體作為第2試片，測定將前述第2試片於溫度23℃、相對濕度50%之環境下靜置30分鐘而經時之時的前述樹脂膜形成用膜與前述矽鏡面晶圓之間的經時後黏著力，並測定將經時後的前述第2試片於純水中浸漬2小時之時的前述樹脂膜形成用膜與前述矽鏡面晶圓之間的浸漬後黏著力時，由前述經時後黏著力及浸漬後黏著力算出之前述第2試片的黏著力變化率為60%以下。
  2. 如請求項1所記載之樹脂膜形成用膜，其中製作第3積層體，該第3積層體係將複數片前述樹脂膜形成用膜積層而成，大小為15mm×150mm，厚度為200μm；於前述樹脂膜形成用膜為能量線硬化性之情形時將前述第3積層體進行能量線硬化而成之第3硬化物作為第3試片，於前述樹脂膜形成用膜為非能量線硬化性之情形時則將前述第3積層體作為第3試片，將前述第3試片於純水中浸漬2小時之時，於依據JIS K 7127之拉伸試驗中，將試驗速度設為200mm/min而測定之浸漬後的前述第3試片的楊氏率為15MPa以上。
  3. 如請求項1或2所記載之樹脂膜形成用膜，其中前述樹脂膜形成用膜含有填充材料；於前述樹脂膜形成用膜中，前述填充材料的含量相對於前述樹脂膜形成用膜的總質量之比例為25質量%至75質量%。
  4. 一種樹脂膜形成用複合片，係具備支持片，於前述支 持片上具備樹脂膜形成用膜而成；前述樹脂膜形成用膜為如請求項1至3中任一項所記載之樹脂膜形成用膜。
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