CN106104759A - 切割片及使用该切割片的芯片制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种切割片(1)，其具备基材(2)和层叠于基材(2)的至少一面上的粘着剂层(3)；该粘着剂层(3)由含有能量聚合性化合物(B)的粘着剂组合物形成；粘着剂层(3)在照射能量线之前，在23℃下的储能模量为135,000Pa以下；对于对粘着剂层(3)照射能量线之前的切割片(1)，依据JIS Z0237:2009进行相对于不锈钢试验板的180°粘着力试验时，测定的粘着力为10N/25mm以上；即使在向切割片(1)的粘着剂层(3)照射能量线后，利用Gardner式芯轴弯曲实验仪，并根据ASTM‑D522，将芯轴的直径设为2mm后对该切割片(1)进行弯曲试验，照射能量线后的粘着剂层(3)也不发生破裂。

Description

切割片及使用该切割片的芯片制造方法
技术领域
本发明涉及一种切割片及利用该切割片的芯片制造方法，其中，在切割加工带有保护膜的硅晶圆、半导体封装等半导体相关部件而制造所形成的部件的芯片时使用。
背景技术
作为从带有保护膜的硅晶圆、半导体封装等半导体相关部件而制造芯片的方法的一例，可以举出如下方法：首先在半导体相关部件的一面(若半导体相关部件有硅晶圆，那么该面相当于与硅晶圆上电路形成面相反的面)贴附基材和具粘着剂层的粘合片(在本说明书中称之为“切割片”)，从而将半导体相关部件固定在切割片上。
接下来利用旋转刀片等切割固定在切割片上的半导体相关部件，使其单片化，制作出在切割片上邻近布置多个芯片的部件(切割工序)。
接着将延伸该部件额切割片(向主面内方向延伸)，使配置在切割片上的芯片间距拉大(延伸工序)。如此，分别拾取在切割片上呈相互分离状态的芯片并使其从切割片上分离(拾取工序)，并转移到下一步骤。
完成切割工序后在实施拾取工序前，实施降低所述粘着剂层粘着性粘着性的工序，提高拾取工序的作业效率。该降低粘着性的工序一般设计为通过向切割片的粘着剂层施加特定刺激来降低该粘着性，作为特定刺激，例如可采用紫外线、电子束等能量线照射。
在切割工序及延伸工序中，从外部对半导体相关部件分割形成的芯片和切割片的粘着剂层之间施加外力。此时，最好难以产生因该外力出现芯片从粘着剂层剥离的现象(本说明书上称该现象为“芯片飞散”)。
但，在有切割工序中所提供的半导体相关部件具备保护膜的情况，或半导体芯片以树脂封装方式进行半导体封装的情况，保护膜或密封树脂有时用作信息显示的部件。即，对保护膜和密封树脂的面进行激光标记处理等，并在其表面上形成凹凸，由此可看出半导体相关部件或芯片相关信息(例如文字、记号等)。
如上所述，若在有凹凸的面形成的被粘面上贴附切割片的粘着剂层，有时存在粘着剂层进入被粘面的凹部(本说明书中称为“凹陷部”)，并在拾取工序中拾取切割片上的芯片时，芯片的凹陷部内出现残留构成粘着剂层的材料的现象(本说明书中称该现象为“凹陷部的物质残留”)的问题。
关于该凹陷部的物质残留，专利文献1中公开一种切割用粘接胶带，其特征在于，在切割至少一面上设置由具有记录信息的凹凸树脂面的固化树脂层的半导体设备时，粘接在所述固化树脂层的凹凸树脂面上，用于固定该半导体设备，在所述切割用粘接胶带上，具有基材膜和设置于其上的能量线固化型粘着剂层，且该粘着剂层在能量线固化前的25℃下的储能模量为1.0×105Pa以上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开第2005-277297号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
专利文献1所公开的切割用粘接胶带(切割片)可提高照射能量线之前的粘着剂层储能模量，从而抑制构成粘着剂层的材料进入凹陷部，难以在凹陷部内残留物质。
本发明的目的在于从专利文献1不同的观点出发，提供一种可兼顾在切割工序中难以产生芯片飞散及凹陷部内出现残留物质的切割片和使用该切割片的芯片制作方法。
解决技术问题的技术手段
为达到所述目的，本发明人们经研究获得如下见解：
(Ⅰ)将照射能量线之前的粘着剂层23℃下储能模量(单位：Pa，本说明书上称为“照射前储能模量”)设为上限，将照射能量线之前，根据JIS Z0237:2009规定的测定从不锈钢试验板剥开至180°时的粘着力(单位：N/25mm，本说明书中称为“照射前粘着力”)设为下限，可难以产生出现芯片飞散现象。
(Ⅱ)通过提高照射能量线后的粘着剂层耐屈曲性，可难以产生凹陷部内残留物质。该耐屈曲性可通过切割片的弯曲试验或粘着剂层的断裂伸长率来进行评估。
基于所述见解完成的本发明内容如下：
(1)一种切割片，其特征在于，具有基材和层叠于所述基材的至少一面上的粘着剂层；所述粘着剂层由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有作为具有能量线聚合性官能团的化合物的能量聚合性化合物(B)；所述粘着剂层在照射能量线之前，在23℃下的储能模量为135,000Pa以下；对于对所述粘着剂层照射能量线之前的所述切割片，依据JISZ0237:2009进行相对于不锈钢试验板的180°剥离粘着力试验时，测定的粘着力为10N/25mm以上；在照射能量线于切割片的粘着剂层后，利用Gardner式芯轴(mandrel)弯曲实验仪，并根据ASTM-D522，将芯轴的直径设为2mm后对该切割片进行弯曲试验，照射能量线粘着剂层不发生破裂。
(2)所述(1)中所述切割片，在所述弯曲试验中，即使将芯轴的直径设为1mm，照射所述能量线后粘着剂层上也不发生破裂。
(3)所述(1)或(2)中所述切割片，所述粘着剂层的厚度在25μm以下。
(4)所述(1)至(3)中任一项所述的切割片，其至少满足下列条件之一：所述粘着剂组合物中进一步含主剂(A)；或所述能量聚合性化合物(B)含化合物(BA)，所述化合物(BA)具有充当所述主剂(A)的功能。
(5)所述(4)中所述的切割片，所述能量聚合性化合物(B)的重均分子量为4,000以下，且含具有储能模量调整功能的化合物(BD)，该化合物(BD)由选自具有能量线聚合性基的单官能单体、多官能单体、单官能及多官能的低聚物所构成的组中的1种或2种以上构成；相对于所述粘着剂组合物中具有充当所述主剂(A)的功能的物质的含量100质量份，所述粘着剂组合物中所述化合物(BD)的含量为35质量份以上200质量份以下。
(6)所述(1)至(4)中任一项所述的切割片，所述粘着剂组合物含重均分子量为4,000以下的储能模量调整剂(D)，重均分子量在4,000以下，其中，由选自具有能量线聚合性基的单官能单体、多官能单体、单官能及多官能低聚物所构成的组中的1种或2种以上构成的化合物除外。
(7)一种芯片制造方法，将所述(1)至(6)中任一项所述的切割片的所述粘着剂层的面贴附于半导体相关部件的面上，切割所述切割片上的所述半导体相关部件，使其单片化，从而获得多个芯片，其中，所述切割片的所述粘着剂层一侧的面相粘附的所述半导体相关部件的面具有凹部。
发明效果
本发明的切割片的粘着剂层照射前储能模量为135,000Pa以下，同时照射前粘着力为10N/25mm以上，因此在切割工序中难以出现芯片飞散现象。此外，本发明的切割片在照射能量线后，其粘着剂层的耐屈曲性优异，因此，进入凹陷部的构成粘着剂层的材料在拾取时很难在粘着剂层之间断裂。因此根据本发明的切割片上难以出现凹陷部内残留物质的现象。
因此，通过利用本发明中的切割片，可以难以出现切割工序及拾取工序中的缺陷现象，从而可以高生产效率制造质量优异的芯片。
附图说明
图1为根据本发明中一个实施方式的切割片的示意性剖面图。
具体实施方式
下面，说明本发明的具体实施方式。
如图1所示，根据本发明一个实施方式的切割片1中具备基材2和在基材2的一面层叠的粘着剂层3。
1.基材
本实施方式的切割片1的基材2，只要在切割工序后进行的延伸工序等中不断裂，则没有对其构成材料的特别限定，通常由以树脂类材料作为主材料的膜构成。作为该膜的具体例可列举出：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)乙烯酸酯共聚物膜等乙烯类共聚物膜；低密度聚乙烯(LDPE)膜、直链低密度聚乙烯(LLDPE)膜、高密度聚乙烯(HDPE)膜等聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降冰片烯共聚物膜、降冰片烯树脂膜等聚烯烃膜；聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等聚氯乙烯类膜；聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜等聚酯类膜；聚氨酯膜；聚酰亚胺膜；聚苯乙烯膜；聚碳酸酯膜；氟树脂膜等。此外，也可以使用它们的交联膜、离聚物膜的改性膜。所述基材2可以是所述膜中的一种构成，也可以进一步由组合2种以上的层叠膜。此外，本说明书中的“(甲基)丙烯酸”指丙烯酸和甲基丙烯酸两者。其他类似术语也是如此。
构成基材2的薄膜优选具有乙烯类共聚物膜和聚烯烃类膜中至少一种。
乙烯共聚物膜可容易地通过改变共聚比例而在广泛范围内控制其机械特点。因此，具备乙烯类共聚物膜的基材2易于满足本实施方式所述的切割片1基材所要求的机械特点。此外，乙烯类共聚物膜对粘着剂层3具有较高的贴附性，因此，若用作切割片使用时，难以出现在基材2和粘着剂层3之间的界面的剥离。
由于乙烯类共聚物膜和聚烯烃类膜中对切割片特性产生不良影响的成分(例如，在聚氯乙烯类膜等中，该膜中所含增塑剂从基材2转移到粘着剂层3，同时分布于粘着剂层3的基材2相对侧的相反侧的面，从而降低粘着剂层3对被粘体的粘着性。)含量低，难以出现粘着剂层3的被粘体粘着性降低等问题。即，乙烯类共聚物膜和聚烯烃类膜的化学稳定性优异。
基材2在一所述类树脂材料为主材料的膜中，可包含颜料、阻燃剂、增塑剂、抗静电剂、润滑剂、填料等各种添加物。作为颜料，可列举二氧化钛、炭黑等。作为填料可列举三聚氰胺树脂等有机类材料、二氧化硅等无机类材料及镍粒子等金属类材料。此类添加剂的含量无特定限制，但应保证基材2可以发挥所需功能，在不失去平滑性和灵活性的范围内。
作为用于固化粘着剂层3而照射的能量线而使用照射紫外线时，基材2优选对紫外线具渗透性。此外，若将电子束作为能量线使用时，基材2优选具有电子束的渗透性。
此外，基材2的粘着剂层3侧的面(以下称为“基材第一面”)优选存在具有选自由羧基及其离子及盐所构成的组中选择一种或两种以上的成分。基材2中的所述成分和粘着剂层3的成分(例如，构成粘着剂层3的成分及在形成交联剂(C)等粘着剂层3时所使用的成分)产生化学的相互作用，能够降低它们之间发生剥离的可能性。使所述成分存在于基材第一面的具体方法没有特别的限制。以基材2本身为例，可为乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、离聚物树脂膜等，构成基材2的材料的树脂可以为选自由羧基及其离子和盐中选一种或2种以上的物质。作为使所述成分存在于基材第一面的另一种方法，基材2例如为聚烯烃类薄膜，可对基材第一面施加电晕处理或设置底漆层。此外，基材2的基材第一面和相反侧面可设置各种涂膜。
只要适当完成切割片1的所述各个工序的功能，基材2的厚度没有任何限制。优选20μm以上450μm以下，更优选25μm以上400μm以下，特别优选50μm以上350μm以下。
本实施方式中，基材2的断裂伸长率优选在23℃、相对湿度为50％时测定的值为100％以上，特别优选200％以上1000％以下。本说明书中的断裂伸长率是根据JIS K7161:1994(ISO 527-1 1993)测定伸长测试中试验片断裂时的长度对原长度的伸长率。所述断裂伸长率为100％以上的基材2在进行延伸工序时不易断裂，易于切断半导体相关部件后分离形成的设备芯片。
另外，在本实施方式中，基材2在进行25％的变形时，拉伸应力优选5N/10mm以上15N/10mm，最大拉伸应力15MPa以上50Mpa以下。此时，25％变形时的拉伸应力及最大拉伸应力根据JIS K7161:1994进行测试。25％变形时的拉伸应力低于5N/10mm或最大拉伸应力低于15Mpa，则将半导体相关部件贴附于切割片1后，在固定于圈架(ring frame)等框体时，则因基材2软而有可能发生松弛现象，该松弛现象可能成为传输错误的原因。另一方面，25％变形时的拉伸应力超过15N/10mm或最大拉伸应力超过50Mpa，则有可能进行延伸工序时出现切割片1本身从圈架脱落等问题。此外，所述断裂伸长率25％变形时的拉伸应力、最大拉伸应力均指在基材2纵向测得的值。
2.粘着剂层
本实施方式中，具备半导体相关部件加工用片1的粘着剂层3形成于含有具有能量线聚合性官能团的化合物的能量聚合性化合物(B)的粘着剂组合物上。由此，粘着剂层3含所述化合物，如后述，在照射能量线前后改变粘着剂层3的物性。
该粘着剂组合物优选满足满足下列条件之一：进一步包括主剂(A)；或聚合性化合物(B)中含化合物(BA)，化合物(BA)具有充当主剂(A)的功能。能量线聚合性化合物(B)含化合物(BA)时，粘着剂组合物除化合物(BA)外，有时不含成为主剂(A)的成分。粘着剂组合物根据需求可以进一步含交联剂(C)等。下面对构成粘着剂组合物的成分进行说明。
(1)主剂(A)
主剂(A)的种类没有特别的限制，但优选易于为粘着剂层，尤其是照射能量线之前的粘着剂层赋予适当粘着性的主剂(A)。作为此类主剂(A)，可列举橡胶类、丙烯酸类、硅酮类、聚乙烯醚类等树脂材料。下面更为详细地说明作为丙烯酸类材料的一种的丙烯酸类聚合物(A1)。
用于形成本实施方式中粘着剂层3的粘着剂组合物可含丙烯酸类聚合物(A1)。在该粘着剂组合物形成的粘着剂层3中，有时丙烯酸类聚合物(A1)的至少其一部分与后述的交联剂(C)进行交联反应，作为交联物而含有。
作为丙烯酸类聚合物(A1)可利用以往公知的丙烯酸类的聚合物。从涂布时的观点上来看，丙烯酸类聚合物(A1)的聚苯乙烯换算重均分子量(Mw)优选1万以上200万以下，更优选10万以上150万以下。
另外，本说明书中，粘着剂组合物所含成分的重均分子量(Mw)是指，该成分为聚合物，不可避免地具有一定程度的分子量分布时，利用凝胶渗透色谱(GPC)法(以聚苯乙烯为准)测定的聚苯乙烯换算重均分子量，若该成分由具有特定结构的化合物与其他成分(例如制造该化合物时所生成的副产物等)组成时，指该化合物的分子量(式量)。测定聚苯乙烯换算重均分子量的测定，例如，按顺序连接东曹株式会社生产的高速GPC装置“HLC-8121GPC/HT”、Tosoh Corporation生产的管柱、TSK保护柱HXL-H、TSK凝胶GMHXL-L(2个)、TSK凝胶G2000HXL后使用。以洗脱液：四氢呋喃、温度：40℃、样品浓度：0.2％(w/v)、流速1.0毫升/分钟的条件，检测器作为示差折射计来进行实验。
此外，丙烯酸类聚合物(A1)的玻璃化转变温度Tg优选为-70℃以上30℃以下，更优选在-60℃以上20℃以下的范围内。玻璃化转变温度可以从Fox方程计算。
所述丙烯酸类聚合物(A1)可以是从1种丙烯酸类单体形成的均聚物，也可以是多种丙烯酸类单体形成的共聚物，或者也可以是有一种或多种丙烯酸类单体和丙烯酸类单体以外的单体形成的共聚物。丙烯酸类单体化合物的具体种类没有特别的限制，作为具体例可列举为(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯及其衍生物(丙烯腈)等。对于(甲基)丙烯酸酯具体可列举(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己基酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸硬脂酰酯等具有链状骨架的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸四氢糠酯、酰亚胺丙烯酸酯等具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯；2-羟乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羟丙基(甲基)丙烯酸等具有羟基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、N-甲基氨基乙基(甲基)丙烯酸酯等具有羟基以外的反应性官能团的(甲基)丙烯酸酯。此外，作为丙烯酸类单体外的单体，还可列举例如乙烯、降冰片烯等烯烃；醋酸乙烯、苯乙烯等。同时，当丙烯酸类单体为(甲基)丙烯酸烷基酯时，其烷基的碳原子数优选1至18的范围。
用于形成本实施方式中粘着剂层3的粘着剂组合物在如后述含可交联丙烯酸类聚合物(A1)的交联剂(C)时，对丙烯酸类聚合物(A1)所具有的反应性官能团没有特别的限制，只要根据交联剂(C)的种类等适当决定即可。例如，在交联剂(C)为聚异氰酸酯化合物的情况，作为丙烯酸类聚合物(A1)的反应性官能团，可列举羟基、羧基、氨基等。其中，交联剂(C)为聚异氰酸酯化合物的情况，则优选将与异氰酸酯基团反应性较高的羟基作为反应性官能团。在丙烯酸类聚合物(A1)引入作为反应性官能团的羟基的方法没有特别的限制。作为一个例子，可列举丙烯酸类聚合物(A1)的骨架中含有基于具有2-羟乙基(甲基)丙烯酸酯等羟基的丙烯酸酯的构成单元。
(2)能量线聚合性化合物(B)
用于形成本实施方式粘着剂层3的粘着剂组合物所含有的能量线聚合性化合物(B)具有能量线聚合性基，只要是照射到紫外线、电子束、X线等能量线时可以产生聚合反应，则具体构成上没有特别的限制。由于能量线聚合性化合物(B)聚合，粘着剂层3的粘着性降低，从而提高拾取工序的工作效率。在能量线照射前，能量线聚合性基的聚合反应无实质性发生，因此，本实施方式的切割片1的粘着剂层3在照射能量线之前的状态时，含有能量线聚合性化合物(B)。
能量线聚合性基的种类没有特别的限定。作为其具体例，可列举含乙烯基、(甲基)丙烯酰基等具有烯属不饱和键的官能团。能量线聚合性基优选为含烯属不饱和键的官能团，其中考虑到当照射能量线时反应性的高度，更优选(甲基)丙烯酰基。
能量线聚合性化合物(B)的分子量无特别限制。若分子量过小，在制造过程中有可能导致化合物挥发，因而降低粘着剂层3的构成稳定性。因此能量线聚合性化合物(B)的分子量以重均分子量(Mw)计优选设为100以上，更优选200以上，特别优选300以上。
能量线聚合性化合物(B)中可含有在照射能量线前使粘着剂层的储能模量降低的化合物，即可含有具有调整储能模量的功能的化合物(BD)。作为此类化合物(BD)，可列举重均分子量(Mw)在4,000以下，选自由在具有能量线聚合性基的单官能单体、多官能单体、单官能及多官能的低聚物所构成的组中的一种或两种以上构成的化合物。化合物(BD)可定位于后述的储能模量调整剂(D)的一种。
所述化合物(BD)的具体组成无特别限制。作为化合物(BD)具体例，可列举三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化异氰脲酸三(甲基)丙烯酸酯、二三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己内酯改性二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、二环戊二烯二甲氧基二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、低聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯低聚物、环氧改性(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯等。粘着剂组合物含有作为主剂(A)的丙烯酸类聚合物(A1)时，从丙烯酸类聚合物(A1)的相容性观点，化合物(BD)优选具有(甲基)丙烯酰基。
1分子的能量线聚合性化合物(B)中所含的能量线聚合性基的数量无限制，但优选多个，更优选3个以上，特别优选5个以上。1分子的能量线聚合性化合物(B)中能量线聚合性基的数量上限优选16个以下，更优选12个以下。能量线聚合性化合物(B)的重均分子量(Mw)小时，1分子的能量线聚合性化合物(B)中所含能量线聚合性基数量也需要保持均衡，才能具有易于保持后述的粘着剂层3的耐屈曲性的倾向。
粘着剂组合物的化合物(BD)含量相对于粘着剂组合物中具有充当主剂(A)的功能的物质含量(该物质仅由主剂(A)组成时则为主剂(A)的含量，仅由后述化合物(BA)组成时则为化合物(BA)的含量，由主剂(A)和化合物(BA)组成时则为它们的总含量)100质量份，优选35质量份以上200质量份以下，更优选45质量份以上120质量份以下。此外，本说明书中表示各成分含量的“质量份”指固体成分的量。化合物(BD)的含量设在此范围内，在照射能量线之前的状态下，容易将粘着剂层3的23℃下储能模量的范围设在后述范围内，同时兼顾通过照射能量线适当降低粘着剂层3的粘着性。此外，还可易于提升后述粘着剂层3的耐屈曲性。
能量线聚合性化合物(B)中可含有具有充当主剂(A)功能的化合物(BA)。作为化合物(BA)的具体例，可列举在主链或侧链上具有含有能量线聚合性基的构成单元的聚合物。此时，由于化合物(BA)拥有主剂(A)的性质，因此具有可以简化用于形成粘着剂层3的组合物构成等的优点。
所述具主剂(A)性质的化合物(BA)例如可通过如下方法进行调制。将包括基于含有羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官能基的(甲基)丙烯酸酯的结构单元、及基于烷基(甲基)丙烯酸酯的结构单元的共聚物也即丙烯酸类聚合物，与一分子中具有可与所述官能基反应的官能基及能量线聚合性基(例如具有烯属双键的基团)的化合物进行反应，可以获得附加有能量线聚合性基的丙烯酸聚合物。
作为用于固化能量线聚合性化合物(B)的能量线，可列举电离放射线，即就是X射线、紫外线、电子束等。其中，优选较容易导入照射设备的紫外线。
将紫外线作为电离放射线时，考虑使用便利性，选用含有200～380nm左右的紫外线的近紫外线即可。对于紫外线的光量，可根据能量线聚合性化合物(B)的种类及粘着剂层3的厚度适当选择即可，通常为50～500mJ/cm2左右，优选100～450mJ/cm2，更优选150～400mJ/cm2。此外，紫外线光照度通常为50～500mW/cm2，优选100～450mW/cm2，更优选200～400mW/cm2。紫外线光源没有特别的限制，例如，可利用高压汞灯、金属卤化物灯、UV-LED等。
将电子束作为电离放射线时，可根据能量线聚合性化合物(B)的种类及粘着剂层3的厚度适当选择加速电压，通常加速电压优选10～1000kV左右。此外，照射线量可在能量线聚合性化合物(B)适当固化的范围内进行设定，通常选为10～1000krad的范围内。对于电子束源无特别的限制，例如可利用Cockcroft Walton型、Van de Graaff形、共振变压器型、绝缘芯变压器型或直链型、Dynamitron型、高频型等各种电子束加速器。
(3)交联剂(C)
用于形成本实施方式粘着剂层3的粘着剂组合物，如前所述，可以含有与丙烯酸类聚合物(A1)等中的主剂(A)产生反应的交联剂(C)。此时，本实施方式的粘着剂层3中含有通过主剂(A)和交联剂(C)的交联反应获得的交联物。
对交联剂(C)含量没有特别限制。从容易形成所述交联物的程度来看，交联剂(C)的含量相对于100质量份主剂(A)，优选为0.02质量份以上。而从防止熟化期间过长的观点来看，交联剂(C)的含量量相对于100质量份主剂(A)优选为15质量份以下。作为交联剂(C)的种类，可列举环氧类化合物、异氰酸酯类化合物、金属螯合类化合物、氮丙啶类化合物等聚亚胺化合物；三聚氰胺树脂、尿素树脂、二醛类、羟甲基聚合物、金属醇盐、金属盐等。其中考虑到容易控制交联反应等理由，交联剂(C)优选为聚异氰酸酯化合物及/或聚环氧化合物。
异氰酸酯化合物是每个分子中含有2个以上异氰酸酯基的化合物，例如，甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、亚二甲苯基二异氰酸酯等芳香族聚异氰酸酯；二环己基甲烷-4,4'-二异氰酸酯、双环庚异氰酸酯、亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、甲基环己基二异氰酸酯、氢化亚二甲苯基二异氰酸酯等脂环式异氰酸酯化合物；六亚甲基氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯等具有链状骨架的异氰酸酯。
此外，还可使用所述化合物的缩二脲体、异氰脲酸酯体、所述化合物与乙二醇、三羟甲基丙烷、蓖麻油等含有非芳香族低分子活性氢的化合物的反应产物的改性体。所述异氰酸酯化合物可以是一种，也可以是多种。
聚环氧化合物是每个分子包括2个以上环氧基的化合物。例如，可列举1,3-二(N,N-二缩水甘油基氨基甲基)环己烷、1,3-二(N,N-二缩水甘油基氨基甲基)甲苯、N,N,N’,N’-四缩水甘油基-4,4-二氨基二苯甲烷、N,N,N’,N’-四缩水甘油基-间二甲苯二胺、1,6-二缩水甘油基正己烷、双酚A型环氧化合物、双酚F型环氧化合物等。
在用于形成本实施方式的粘着剂层3的粘着剂组合物中含有交联剂(C)时，优选根据其交联剂(C)的种类而汉以后适当的交联促进剂。例如，交联剂(C)为异氰酸酯化合物时，用于形成粘着剂层3的粘着剂组合物优选含有有机锡化合物等有机金属化合物类的交联促进剂。
用于形成本实施方式的粘着剂层3的粘着剂组合物的重均分子量(Mw)优选为4,000以下，并且含有具有在照射能量线之前降低粘着剂层的储能模量功能的化合物的储能模量调整剂(D)。所述的化合物(BD)为储能模量调整剂(D)，可定位具有能量线聚合性基的化合物。作为化合物(BD)以外的储能模量调整剂(D)，可举例为增粘树脂、增塑剂。作为增粘树脂的具体例，可列举松香和其衍生物作为(具体例，可列举聚合松香、酯化松香、聚合松香酯、歧化松香和它们的氢化树脂等)等松香类增粘树脂；α蒎烯树脂、β蒎烯树脂、萜烯酚树脂、萜烯和苯乙烯的共聚物等萜烯类增粘树脂；C5类石油树脂、C9类石油树脂、C5/C9类石油树脂及其氢化树脂等石油类树脂；古马隆树脂；烷基酚醛树脂；二甲苯树脂等。化合物(BD)以外的储能模量调整剂(D)，可以在粘着剂组合物含有化合物(BA)的情况下调整粘着剂层3的储能模量的目的使用，或可以如后述在降低化合物(BD)对于主剂(A)的含量时，补充目的来使用。
在粘着剂组合物除化合物(BD)外还含有储能模量调整剂(D)时，粘着剂组合物中的储能模量调整剂(D)含量(若在该物质包括化合物(BD)时，那么将其也包括的总计)相对于粘着剂组合物中具有充当主剂(A)功能的物质含量(若该物质只由主剂(A)组成则为主剂(A)的含量，若仅包括后述的化合物(BA)则为化合物(BA)的含量，若包括主剂(A)和化合物(BA)，则为它们含量的总计)100质量份，优选为35质量份以上200质量份以下，更优选为45质量份以上120质量份以下。
(4)其余成分
用于形成本实施方式切割片1具有的粘着剂层3的粘着剂组合物，除所述成分外，可以添加光聚合引发剂、增粘剂、染料和颜料等着色材料、阻燃剂、填料、防静电剂等各种添加剂。
在此，对光聚合引发剂进行详细说明。作为光聚合引发剂，可列举苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、酰基氧化膦化合物、二茂钛化合物、噻吨酮化合物、过氧化合物等光引发剂，以及胺、醌等光敏剂，具体而言，可列举1-羟基环己基苯基酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、二苯偶酰、双乙酰、β-氯蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲酰二苯基氧化膦等。若将紫外线作为能量线使用时，可通过添加光聚合引发剂减少照射时间、照射量等。
(5)物性、形状等
(5-1)照射前储能模量
本实施方式的切割片1具有的粘着剂层3，在照射能量线之前在23℃下的储能模量(本说明书中称为“照射前储能模量”)为135,000Pa以下。通过照射前储能模量满足该范围，构成粘着剂层3的材料可在被粘面即半导体相关部件的面易于濡湿扩展，从而获得拥有优异粘着性的切割片1。被粘面具有凹陷部时，构成粘着剂层3的材料可濡湿扩展到凹陷部内，此时切割片1对半导体相关部件的粘着性特别大。从切割片1对半导体相关部件的粘着性进一步稳定提高的观点上来看，照射前储能模量优选120,000Pa以下，更优选100,000Pa以下。
照射前储能模量下限没有特别的限定。从稳定保持粘着剂层3形状的观点上来看，照射前储能模量优选1,0000Pa以上，更优选20,000Pa以上。
在利用丙烯酸类聚合物(A1)等的主剂(A)的分子量及含量、交联剂(C)来进行主剂(A)的交联时，可通过改变其交联程度的种类及含量调整照射前储能模量，在含储能模量调整剂(D)(也可以是用这一种来定位的化合物(BD))时，可通过改变其种类和含量调整照射前储能模量。
此外，所述照射前储能模量可利用公知的粘弹性测定仪(例如TA仪器公司“ARES”)进行测定。从减少测定结果误差的角度上来看，在进行测定时，如实施例中后述内容，可将由构成粘着剂层3的材料组成的厚度为1mm左右的层状体作为被测定物。
(5-2)照射前粘着力
对于照射能量线前状态下本发明实施方式的一个实施方式的切割片1，根据JISZ0237:2009，测定从不锈钢试验板剥开至180°时的粘着力(照射前粘着力)为10N/25mm以上。由于照射前粘着力为10N/25mm以上，根据本发明中一个实施方式的切割片1，不仅在其被粘面由保护膜的面构成，即使在被粘面由半导体封装的密封树脂的面构成的情况，均难以在切割工序中发生芯片飞散等问题。出于更稳定地降低在切割工序中产生问题的可能，根据本发明一个实施方式的切割片1的照射前粘着力优选15N/25mm，更优选20N/25mm，特别优选25N/25mm。根据本发明一个实施方式的切割片1的照射前粘着力的上限不受限定。
通常，被粘面为半导体封装的密封树脂的面时，与被粘面为有保护膜的面构成的情况相比，切割片对被粘面的粘着性易于降低，但在本发明一个实施方式的切割片1在该情况下却具有优异的粘着性。即，本发明一个实施方式的切割片1在将半导体封装的密封树脂的面作为被粘面进行与测定所述照射前粘着力的试验相同的实验时，其测出的粘着力容易超过1N/25mm。
此外，对于在照射能量线后状态下的本发明一个实施方式的切割片1，以被粘面作为半导体封装的密封树脂的面，根据所述方法进行剥离粘着力试验时，所测出的粘着力没有不受限制。该粘着力越低越好。通常小于1N/25mm，优选700mN/25mm，更优选500mN/25mm。
(5-3)耐屈曲性
本发明一个实施方式的切割片1的粘着剂层3具有优异的耐屈曲性。耐屈曲性可通过如下弯曲试验进行评价。
对本发明实施方式之一的切割片1照射能量线后，利用Gardner式芯轴弯曲实验仪，根据ASTM-D522，将芯轴的直径设为2mm，对切割片1进行弯曲试验，此时，粘着剂层3上不发生破裂。由于本发明一个实施方式的切割片1的粘着剂层3具有如此优异的耐屈曲性，通过将切割片1贴附在被粘面时，构成该粘着剂层3的材料即使濡湿扩展到被粘面的凹陷部，将切割片1从被粘面剥离时，其材料也仍然易于同粘着剂层3从被粘面分离开。因此，难以发生凹陷部内物质残留现象，由凹陷部形成的显示的能见度也容易保持良好。
本发明实施方式之一的切割片1在所述弯曲试验中，优选即使将芯轴的直径变更为1mm，在照射能量线后的粘着剂层3也不发生破裂。此时，即使进行激光标记的被粘面长期(作为具体例，可列举1周)贴附粘着剂层3，构成粘着剂层3的材料充分进入被粘面的凹陷部的情况，在照射能量线降低粘着剂层3的粘着性后，剥离切割片1时，由凹陷部形成的显示的能见度仍易于保持良好。
粘着剂层3使不因照射能量线而过固化，从而易于提高粘着剂层3的耐屈曲性。如所述的粘着剂层3的过固化抑制，例如可通过使能量线聚合性化合物(B)一个分子中所含能量线聚合性基的数量相对于能量线聚合性化合物(B)的重均分子量(Mw)不过多的方式进行调整。此外，若能量线聚合性化合物(B)含所述化合物(BD)时，通过降低化合物(BD)相对于主剂(A)的含量，易于抑制粘着剂层3过度固化。通过降低化合物(BD)相对于主剂(A)的含量，在粘着剂层3的储能模量没能充分降低的情况，可以同时使用化合物(BD)以外的储能模量调整剂(D)。
(5-4)粘着剂层的厚度
本实施方式的切割片1中粘着剂层3的厚度没有限制。粘着剂层3厚则难以发生芯片飞散问题，而粘着剂层3薄则难以在切割工序中出现因粘着剂凝结于被粘面所导致的问题(生成粗大凝结物，凝结物量较多等)。此外，若粘着剂层3过厚，有可能易于出现凹陷部的物质残留。凹陷部的物质残留量增加是导致通过激光标识处理等后的印字能见度降低问题的主要原因。在难以使芯片飞散及凹陷部的物质残留的观点上，本实施方式的切割片1的粘着剂层3厚度优选2μm以上30μm以下，更优选5μm以上25μm以下，最优选7μm以上15μm以下。
(5-5)剥离片
本实施方式的切割片1在将粘着剂层3贴附于作为被粘体的半导体相关部件之前，可在与粘着剂层3的基材第一面相对侧的相反侧的面上贴合剥离片的剥离面，其目的是保护粘着剂层3。剥离片的构成为任意，例如，用剥离剂等进行过剥离处理的塑料膜。作为塑料膜的具体例，可列举聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜、聚丙烯、聚乙烯等聚烯烃膜。作为剥离剂可使用硅酮类、氟类、长链烷基类等，但其中优选价格低廉、性能稳定的硅酮类。剥离片的厚度无特别限制，通常为20μm以上250μm以下。
3.切割片的制造方法
切割片1的制造方法只要可以将由所述粘着剂组合物所形成的粘着剂层3层叠于基材2的一面上，则没有特别限制。若举出一个例子，调制含有所述粘着剂组合物及根据所需的溶剂的涂料组合物，在基材2的一面用模涂机、帘式涂布机、喷雾涂布机、狭缝涂布机、刮刀涂布机等涂布该涂料组合物，形成涂膜并干燥该面上的涂膜，由此可形成粘着剂层3。只要可以涂布，涂料组合物的性状无特别限制。用于形成粘着剂层3的成分有时作为溶质而含有，有时作为分散质而含有。
涂料组合物中含交联剂(C)时，可变更所述干燥条件(温度、时间等)，或另行加热处理来促进涂膜内的丙烯酸类聚合物(A1)和交联剂(C)的交联反应，可在粘着剂层3内形成所期的存在密度的交联结构。为充分进行所述交联反应，通常通过所述方法等在基材2上层叠粘着剂层3后，将得到的切割片1例如在23℃、相对湿度50％的环境下，静置数日来进行熟化。
作为切割片1制作方法的另一个例子，可以在所述剥离片上的剥离面上涂布涂料用组合物，并形成涂膜后进行干燥，形成由粘着剂层3和剥离片组成的层叠体，将该层叠体的粘着剂层3与剥离片相对的面的相反侧的面贴附于基材2的基材第一面上，得到切割片1和剥离片的层叠体。该层叠体的剥离片可作为工序材料来进行剥离，也可作为保护粘着剂层3，直到贴附到半导体封装上。
4.芯片的制造方法
利用本方式的切割片1由半导体封装制造模芯片时，作为具体例，下面说明在半导体相关部件制造芯片的方法。在本说明书中“半导体相关部件”是指半导体制造中使用的材料，例如，硅、碳化硅、氮化镓等用于半导体晶片部件，氧化铝、蓝宝石等陶瓷基片、半导体封装、玻璃部件等。“半导体封装”是指在基座集合体中的各基座上，安装半导体芯片，并将该半导体芯片统一用树脂进行密封的电子部件集合体。“模芯片”是指用树脂密封半导体芯片的半导体部件。
首先，在如Tab带的多个基座相连而成的基座集合体中各基座上安装好半导体芯片，将这些半导体芯片统一进行树脂密封获得半导体封装。然后在半导体封装的密封树脂一面贴附本实施方式的切割片1，由此将半导体封装相对于切割片1固定。具体而言，切割片1的粘着剂层3的一面(即粘着剂层3的基材2的相反侧的面)贴附在半导体封装的密封树脂的一面。切割片1的边缘部通常通过在该部分设置粘着剂层3，而贴附于被称为“圈架”用于的输送及固定到装置的环状治具上。
由于本实施方式的切割片1可在适当范围内控制粘着剂层3的照射前储能模量及照射前粘着力，因此对由密封树脂构成的被粘面也易于渗透。因此，在切割工序中，具体而言，切断分离(切割)相对于切割片1固定的半导体封装，使其单片化，制作切割片上邻近布置多个模芯片的部件的工序中，难以出现芯片飞散现象。
接着延伸该部件的切割片(向主面内方向延伸)，使切割片上配置的模芯片间距拉大(延伸工序)。如此，将在切割片上呈相互分离的状态的模芯片分别拾取使其从切割片上分离(拾取工序)，并转移到下一步骤。
在开始进行拾取工序为止，要对切割片1的粘着剂层3照射能量线，降低其粘着性。本实施方式的切割片1的粘着剂层3在被照射能量线后，具有优异的耐屈曲性，因此在密封树脂一面具有通过激光标记等形成的凹陷部，即使构成粘着剂层3的材料进入凹陷部内，在剥离切割片1时，该材料也易于从凹陷部分离，凹陷部内部也难以残留物质。因此，通过本实施形式的芯片制造方法而制作的芯片(所述说明中称为设备芯片)易于保持通过凹陷部而形成的显示的能见度良好的状态，其质量也优异。
所述说明的实施方式是为帮助本发明理解而记载，非限定本发明内容。因此，在所述实施方式中所公开的各因素，包括属于本发明技术范围内的所有设计变更及等同物。
实施例
以下，通过实施例等对本发明进行具体说明，，但本发明的范围并不受这些实施例等的限定。
〔实施例1〕
对于作为主剂的丙烯酸类聚合物(2-乙基己丙烯酸酯/丙烯酸甲酯/丙烯酸＝50/40/10的组成比，重均分子量：80万)100质量份，添加以下能量线聚合性化合物(B1)75质量份，及含三羟甲基丙烷甲苯二异氰酸酯(TMP-TDI)的交联剂(TOYO INK GROUP制造，“BHS8515”)10质量份(添加量均为固体成分量)，得到作为有机溶剂的溶液的粘着剂涂料用组合物。将其涂布于剥离膜(LINTEC公司制造，“SP-PET381031”)上，在100℃下干燥1分钟。接着在照射电子束，在厚140μm的乙烯-甲基丙烯酸共聚物膜的电子束照射面上转印粘着剂层，获得切割片。粘着剂层干燥后的厚度为10μm。
能量线聚合性化合物(B1)：10官能聚氨酯丙烯酸酯(日本合成化学工业公司制造，“UV-1700B”，分子量：1700)
能量线聚合性化合物(B2)：6官能丙烯酸酯(Nippon Kayaku公司制造，“DPCA-120”，分子量：1946)
能量线聚合性化合物(B3)：3官能丙烯酸酯(新中村化学株式会社制造，“A-9300”，分子量：423)
能量线聚合性化合物(B4)：4官能丙烯酸酯(新中村化学株式会社制造，“AD-TMP”，分子量：466)
能量线聚合性化合物(B5)：3～4官能的聚氨酯丙烯酸酯(大日精化制造，“EXL810TL”，重均分子量：5000)
〔实施例1-1〕
在实施例1中，除了以使粘着剂层的厚度(干燥后的厚度)为30μm的方式进行涂布外，进行与实施例1相同的操作，获得切割片。
〔实施例2至6及比较例1至5〕
在实施例1中，除了将为获得涂料组合物所使用的能量线聚合性化合物之种类及其添加量(相对于主剂100质量份的添加量)按照表1所示进行变更，进行与实施例1相同的操作，获得切割片。
〔试验例1〕＜照射前储能模量的测定＞
准备了剥离片(LINTEC公司制造，“SP-PET382120”)，该剥离片由在厚38μm的对苯二甲酸乙二醇酯制基材膜的一侧主面上形成厚0.1μm的硅酮类剥离剂层而成。将从实施例及比较例所调配的涂料用组合物利用刮刀涂布机分别涂布在所述剥离片的剥离面上。将获得的涂膜在100℃环境下放置1分钟，干燥涂膜，准备多个由在各涂料用组合物中形成粘着剂层(最终所获得的粘着剂层厚度为40μm)和剥离片组成的层叠体。利用这些层叠体将用各个涂料用组合物形成的粘着剂层贴合使其厚度达到800μm，并将得到的该粘着剂层的层叠体打孔成直径10mm的圆形，得到用于测定从各涂料用组合物中形成的粘着剂层的粘弹性的试样。利用粘弹性测定装置(TA Instruments公司制造，“ARES”)给所述试样施加频率为1Hz的应变，测定-50～150℃的储能模量，将23℃的储能模量的值作为照射前储能模量。其结果如表1所示。
〔试验例2〕＜能量线照射前后的粘着力＞
根据JIS0237：2009(ISO29862～29864：2007)，如下测定了实施例及比较例中所获得的切割片的粘着力。
在不锈钢试验板的一面上，贴附宽25mm×长200mm的切割片，保管于23℃、相对湿度为50％的环境下20分钟后，利用万能拉伸试验机(ORIENTEC公司制造“TENSILON/UTM-4-100”)在剥离速度300mm/分钟、剥离角度180°条件下测定切割片的粘着力。将获得的粘着力值设为照射前粘着力(单位：N/25mm)。
在不锈钢试验板面上，将所述试验中的被粘面变更为由密封树脂组合物(京瓷化学公司制造“KE-G1250”)形成的半导体封装(150mm×50mm，厚600μm，切割片贴附面的算术平均粗糙度Ra：2μm)的密封树脂的面之外，用与所述相同的方法测定粘着力，将获得的粘着力值设为PKG粘着力(照射前)(单位：N/25mm)。
在实施例和比较例中所获得的切割片贴附于所述半导体封装的密封树脂面，放置于23℃、相对湿度为50％的环境下20分钟后，从切割片的基材侧，利用紫外线照射装置(Lintec Corporation制造“RAD-2000m/12”),在氮气氛下从切割片侧进行照射(照度：230mW/cm2，光量：190mJ/cm2)。对于照射紫外线后的切割片，以与测定PKG粘着力(照射前)相同的方法测定粘着力，并将得到的粘着力设为PKG粘着力(照射后)(单位：N/25mm)。
其结果如表1所示。
〔试验例3〕＜弯曲试验＞
在氮气氛下，以实施例2中所记载的条件，对实施例及比较例的切割片从切割片侧进行紫外线照射。对于照射紫外线后的切割片，根据ASTM-D522，利用Gardner式芯轴弯曲实验仪，将芯轴直径设为2mm后，进行对切割片的弯曲试验。弯曲试验后观察切割片的粘着剂层，确认是否发生破裂。
将芯轴直径设为1mm后，进行同样的试验。弯曲试验后观察切割片的粘着剂层，确认是否发生破裂。
其结果如表1所示。
〔试验例4〕＜芯片飞散及粘着剂凝结物产生容易度评价＞
在由密封树脂组合物(京瓷化学公司制造，“KE-G1250”)成型的半导体封装(50mm×50mm，厚600μm，切割片的贴附面的算术平均粗糙度Ra：2μm)的密封树脂的面上，利用胶带安装机(Lintec Corporation制造“Adwill RAD2500”)贴附实施例及比较例中的切割片，并固定于切割用圈架(DISCO制造，“2-6-1”)。随后，在下列切割条件下，将半导体封装切割为1mm见方的半导体部件。切割后，用肉眼数飞散的半导体部件的个数。计算相对于切割的半导体部件个数的、飞散的半导体部件的个数的比例(％)，小于10％判定为“良好”，10％以上则判定为“不良”。
此外，通过显微镜确认因切割发生粘着剂凝结物，并测定芯片侧面的粘着剂凝结物的大小。并以有无10μm以上粘着剂凝结物，评价粘着剂凝结物的产生容易度。
其结果如表1所示。
＜切割条件＞
·切割设备：DISCO公司产“DFD651”
·刀片：DISCO公司产“ZBT-5074(Z111OLS3)”
·刃厚：0.17毫米
·刀刃突出量：3.3毫米
·刀片转速：30000rpm
·切割速度：100毫米/分钟
·基材切割深度：50μm
·切割水量：1.0L/分钟
·切割水温度：20℃
〔试验例5〕＜激光标记的能见度＞
在由密封树脂组合物(京瓷化学公司产“KE-G1250”)成型的半导体封装(50mm×50mm、厚600μm、切割片贴附面的算术平均粗糙度为Ra：2μm)的密封树脂面，以下述条件进行了激光标记。对于在其密封树脂一面贴附实施例和比较例的切割片，在贴附后以试验例2中记载的条件照射紫外线，再进行剥离的情况(条件1)，以及对于将其保管于23℃、相对湿度50％的环境下经过1个星期后，再以试验例2中记载的条件照射紫外线，再进行剥离的情况(条件2)，用肉眼观察半导体封装的密封树脂一面施加标记的部分，判定标记部分的能见度是否良好。其结果如表1所示。
＜激光标记条件＞
·装置：松下制“LP-V10U-W20”
·使用激光：FAYb激光(波长为1064nm)
·扫描速度：400毫米/秒
·印字脉冲周期：1000μs
[表1]
如表1中所示，满足本发明条件的实施例中的切割片很难发生芯片飞散现象。此外，实施例的切割片具有优异的耐屈曲性，因此，在利用实施例的切割片时，剥离切割片后半导体封装上的激光标记能见度良好。
工业实用性
根据本发明的切割片可适用于带保护膜的硅晶圆或半导体封装等半导体相关部件，特别适用作半导体相关部件的切割片，其具备含有在被粘面上通过激光标记等而形成凹陷部的面。
附图标记说明
1…切割片；2…基材；3…粘着剂层。

Claims (7)

1.一种切割片，其特征在于，具有基材和层叠于所述基材的至少一面上的粘着剂层，
所述粘着剂层由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有作为具有能量线聚合性官能团的化合物的能量聚合性化合物(B)，
所述粘着剂层在照射能量线之前，在23℃下的储能模量为135,000Pa以下，
对于对所述粘着剂层照射能量线之前的所述切割片，依据JISZ0237:2009进行相对于不锈钢试验板的180°剥离粘着力试验时，测定的粘着力为10N/25mm以上，
即使在对切割片的粘着剂层照射能量线后，利用Gardner式芯轴弯曲实验仪，并根据ASTM-D522，将芯轴的直径设为2mm后对该切割片进行弯曲试验，该照射能量线后的粘着剂层也不发生破裂。
2.根据权利要求1所述的切割片，在所述弯曲试验中，即使将芯轴的直径设为1mm，所述照射能量线后的粘着剂层也不发生破裂。
3.根据权利要求1或2所述的切割片，所述粘着剂层的厚度在25μm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的切割片，其至少满足下列条件之一：所述粘着剂组合物中进一步含主剂(A)；或所述能量聚合性化合物(B)含化合物(BA)，所述化合物(BA)具有充当所述主剂(A)的功能。
5.根据权利要求4所述的切割片，所述能量聚合性化合物(B)的重均分子量为4,000以下，且含具有储能模量调整功能的化合物(BD)，该化合物(BD)由选自具有能量线聚合性基的单官能单体、多官能单体、单官能及多官能的低聚物所构成的组中的1种或2种以上构成；
相对于所述粘着剂组合物中具有充当所述主剂(A)的功能的物质的含量100质量份，所述粘着剂组合物中所述化合物(BD)的含量为35质量份以上200质量份以下。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的切割片，所述粘着剂组合物含重均分子量为4,000以下的储能模量调整剂(D)，其中，重均分子量在4,000以下，由选自具有能量线聚合性基的单官能单体、多官能单体、单官能及多官能低聚物所构成的组中的1种或2种以上构成的化合物除外。
7.一种芯片制造方法，将权利要求1至6中任一项所述的切割片的所述粘着剂层一侧的面贴附于半导体相关部件的面，切割所述切割片上的所述半导体相关部件，使其单片化，从而获得多个芯片，其中，
与所述切割片的所述粘着剂层一侧的面相粘附的半导体相关部件的面具有凹部。
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