JP2005332901A - 半導体ウエハの保護方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
基材フィルムの片表面に光照射により高弾性率化する粘着剤層が形成された粘着フィルムを半導体ウェハの回路形成面に貼着する第一工程、該半導体ウェハを研削機又は研磨機に固定し、半導体ウェハの回路非形成面を加工する第二工程、粘着フィルムに光照射して粘着剤層を高弾性率化する第三工程、半導体ウェハの回路非形成面にダイボンティング用接着フィルムを貼着する第四工程、及び粘着フィルムを半導体ウェハより剥離する第五工程を具備することを特徴とする半導体ウェハの製造における半導体ウエハの保護方法。
【選択図】 なし
Description
基材フィルムの片表面に光照射により高弾性率化する粘着剤層が形成された粘着フィルムを半導体ウェハの回路形成面に貼着する第一工程、該半導体ウェハを研削機又は研磨機に固定し、半導体ウェハの回路非形成面を加工する第二工程、粘着フィルムに光照射して粘着剤層を高弾性率化する第三工程、半導体ウェハの回路非形成面にダイボンティング用接着フィルムを貼着する第四工程、及び粘着フィルムを半導体ウェハより剥離する第五工程を具備することを特徴とする半導体ウェハの製造における半導体ウエハの保護方法である。
粘着フィルムに光照射し、粘着剤層を三次元網状化して高弾性率化する(第三工程)。次いで、粘着フィルムを剥離することなしに、ダイボンディング用接着フィルムの貼着工程に搬送され、ダイボンディング用接着フィルムを貼着する(第四工程)。その後、粘着フィルムは半導体ウェハ表面から剥離される(第五工程)。
本発明における第三工程において、粘着フィルムの基材フィルム側から光照射して粘着剤を三次元網状化して高弾性率化する。照射光の種類としては、X線、γ線等、紫外線、電子線等が挙げられるが、これらの光の中から、粘着剤層を構成する粘着剤のタイプに応じて適当な光を選択して、粘着剤層を三次元網状化して高弾性率化するのに十分な照射量を照射すればよい。
なお本発明において高弾性率化とは、光照射により弾性率が光照射前の弾性率より高くなることを意味する。
本発明の半導体ウエハ表面の保護方法が適用できる半導体ウエハとして、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニウム、等のウエハが挙げられる。
本発明に係わる半導体ウェハ保護用粘着フィルムは、基材フィルムの片表面に粘着剤層を形成することにより製造される。通常、粘着剤層を保護するために、粘着剤層の表面に剥離フィルムが貼着される。剥離フィルムを剥離したときに露出する粘着剤層の表面を介して半導体ウェハ表面に貼着することを考慮し、粘着剤層による半導体ウェハ表面の汚染防止を図るためには、剥離フィルムの片面に、粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成した後、得られた粘着剤層を基材フィルムの片面に転写する方法が好ましい。
これらの樹脂をフィルム状に成形加工する際には、必要に応じて、安定剤、滑剤、酸化防止剤、顔料、ブロッキング防止剤、可塑剤、粘着付与剤、柔軟材等を添加してもよい。基材フィルムを成型加工する際に安定剤等の各種添加剤を添加した場合、添加剤が粘着剤層に移行して、粘着剤の特性を変化させたり、ウエハ表面を汚染することがある。このような場合には、基材フィルムと粘着剤層の間にバリヤー層を設けることが好ましい。
また、基材フィルムと粘着剤層との接着力を高めるために、基材フィルムの片表面にコロナ放電処理または化学処理等を施すことが好ましい。
上記エチレン性二重結合を有するモノマーと官能基を有する共重合性モノマーの割合は、前者70〜99重量%に対し、後者30〜1重量%が好ましい。さらに好ましくは、前者80〜95重量%に対し、後者20〜5重量%である。
粘着剤層の厚みは通常3〜100μmであるが、本発明における、凹部や段差を表面に有するウェハに対してよく密着して研削水の浸入を防止するという課題を鑑みると、10〜100μmであることが好ましい。20〜100μmであることがさらに好ましい。
あるいは、剥離フィルムの片表面に、上記した公知の方法に従って粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成した後、ドライラミネート法等の慣用の方法を用いて粘着剤層を転写させる方法(以下、転写法という)をとってもよい。
本発明の半導体ウエハ保護用粘着フィルムを製造する際には、半導体ウエハ表面の汚染防止の観点から、基材フィルム、剥離フィルム、粘着剤主剤等全ての原料資材の製造環境、粘着剤塗布液の調製、保存、塗布及び乾燥環境は、米国連邦規格209bに規定されるクラス1,000以下のクリーン度に維持されていることが好ましい。
下記に規定した条件以外は、全てJIS Z−0237に準じて測定する。
<加熱後>:23℃において、実施例及び比較例で得られた粘着フィルムをその粘着剤層を介して、SUS304−BA板(JIS G−4305規定、縦:20cm、横:5cm)の表面に貼付し、1時間放置する。放置後、180℃に昇温されたホットプレートの上に試料を載せ、粘着フィルム側から試料を加熱する。加熱時間は2分間とする。2分間の加熱後、室温にて5分間試料を放置して自然冷却する。冷却後の試料の一端を挟持し、剥離角度:180度、剥離速度:300mm/min.でSUS304−BA板の表面から試料を剥離し、剥離する際の応力をテンシロン引張試験機にて測定してN/25mmに換算する。
<紫外線照射条件>発生源:高圧水銀ランプ〔(株)オーク製作所製、形式;OHD−320M〕、照度:30mW/cm2〔(株)オーク製作所製、ディジタル指示型紫外線照度計UV−M02(受光器:UV−35)、を用いて測定した値〕、照射時間:60秒、照射量:1800mJ/cm2。
下記に示す方法により粘着剤を厚み約1mmのフィルム(シート)状とした後、直径8mm、厚み1000μmの円盤型形状にサンプリングする。このサンプルを、動的粘弾性測定装置{レオメトリックス社製、形式;RMS−800、直径8mmのパラレルプレート(平行円盤)型アタッチメントを使用}を用いて、周波数1rad/secにて、10〜200℃の温度範囲で貯蔵弾性率を測定する。具体的には、サンプルを10℃にて上記パラレルプレート型アタッチメントを介して動的粘弾性測定装置にセットし、10℃から200℃まで3℃/分の昇温速度で昇温しながら貯蔵弾性率を測定する。測定終了後、得られた10℃〜200℃の貯蔵弾性率−温度曲線の中から、23℃における貯蔵弾性率G’(Pa)の値、又は、23〜200℃における貯蔵弾性率の最小値を読み取り採用する。
片面が離型処理されたPETフィルムの片表面に、リバースロールコーターを用いて粘着剤塗布液を塗布し、温度120℃で4分間乾燥し、乾燥後の厚さが30μmの粘着剤層を片表面上に有するPETフィルムを得る。光照射後の貯蔵弾性率測定用に用いるサンプルについては、ここで前述の粘着力測定の際に実施した紫外線照射条件と同一の条件にて紫外線を照射する。この粘着剤層付きPETフィルム2枚を、ハンドローラーを用いて、それぞれのフィルムの粘着剤層同士が重なり合うように押圧してラミネートした後、粘着剤層の両側のPETフィルムのうちの1枚のみを剥離することによって、厚さ60μmの粘着剤層を片表面に有するPETフィルムを得る。同様の方法を繰り返すことにより、厚さ約1mmの粘着剤層を片表面に有するPETフィルムを得る。最後に、PETフィルムを粘着剤層から剥離して、厚さ約1mmのフィルム(シート)状の粘着剤を得る。
調整例1:光硬化A
アクリル酸エチル48重量部、アクリル酸−2−エチルヘキシル27重量部、アクリル酸メチル20重量部、メタクリル酸グリシジル5重量部、及び重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイド0.5重量部を混合し、トルエン65重量部、酢酸エチル50重量部が入った窒素置換フラスコ中に撹拌しながら80℃で5時間かけて滴下し、さらに5時間撹拌して反応させた。反応終了後、冷却し、これにキシレン25重量部、アクリル酸2.5重量部、及びテトラデシルベンジルアンモニウムクロライド1.5重量部を加え、空気を吹き込みながら80℃で10時間反応させ、光重合性炭素−炭素二重結合が導入されたアクリル酸エステル共重合体溶液を得た。この溶液に、共重合体(固形分)100重量部に対して光開始剤としてベンゾイン7重量部、イソシアナート系架橋剤(三井化学(株)製、商品名:オレスターP49−75S)0.5重量部、1分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を2個以上有する低分子量化合物としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(東亜合成化学工業(株)製、商品名:アロニックスM−400)5重量部を添加して、紫外線硬化型粘着剤「光硬化A」の塗布液を得た。
イソシアナート系架橋剤の添加量を1.0重量部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートの添加量を0.5重量部とした以外は、調整例1と同様にして紫外線硬化型粘着剤「光硬化B」の塗布液を得た。
「光硬化B」粘着剤の光照射前の23℃における貯蔵弾性率は7.0×105Paであり、光照射後の23〜200℃における貯蔵弾性率の最小値は5.0×106Paであった。
片表面にシリコーン処理(離型処理)が施された厚み38μmのPETフィルムの離型処理が施された側の面に、調整例1で調整した紫外線硬化型の粘着剤「光硬化A」の塗布液をコンマコーターにより塗布し、120℃で4分間乾燥し、厚み30μmの粘着剤層(光硬化A)を得た。これに、片面にコロナ処理が施された厚み75μmのPETフィルム{帝人デュポンフィルム(株)製、テトロン}のコロナ処理が施された側の面を、ドライラミネーターにより貼り合わせて押圧して、紫外線硬化型粘着剤層(A)を基材フィルムのコロナ処理が施された側の面に転写、積層した。積層後、60℃において48時間加熱した後、室温まで冷却することにより、半導体ウエハ保護用粘着フィルムを得た。
この粘着フィルムの粘着力は、初期:光照射前が10.9N/25mm、光照射・加熱後が0.4N/25mm、加熱後が25.9N/25mmであった。
集積回路がウエハの周辺部まで組み込まれた半導体シリコンウエハ(直径:200mm、厚み:725μm、チップ面積100mm2、スクライブラインの幅:100μm、スクライブラインの深さ:5μm)10枚の表面に、得られた半導体ウエハ保護用粘着フィルムを自動貼り機{日東精機(株)製、形式;DR−8500II}を用いて貼着した。粘着フィルムが貼着された半導体ウェハを、研削装置{(株)ディスコ製、形式;DFG860}を用いて、水をかけて冷却しながらウエハの裏面を研削加工して、研削後のウエハ厚みを100μmとした。研削加工が終了した後、各半導体シリコンウエハについて、表面と粘着フィルムとの間にウエハ周辺から研削水が浸入したか否かを目視で観察したが、研削水が浸入したウェハは無かった。研削水の浸入を観察した後、紫外線照射機{(株)オーク製作所製、形式;OHD−320M、ランプの種類:高圧水銀ランプ}を用いて光量1800mJ/cm2の条件で粘着フィルムの基材フィルム側から紫外線照射を行った。続いて、該ウェハの裏面にダイボンディングフィルムを貼り付けた。その際、貼り付けステージの温度は120℃とし、貼り付け後のウェハを180℃に加熱されたステージ上に移載して、粘着フィルム側から180℃×2分間の加熱を行った。加熱後の半導体ウェハから、表面保護テープ剥がし機{日東精機(株)製、形式:HR−8500II;使用剥がしテープ:ハイランド印フィラメントテープNo.897〔住友スリーエム(株)製〕}を用いて該粘着フィルムを剥離したところ、10枚のウェハ全てについて、問題なく剥離可能であった。得られた結果を表1に示す。
紫外線硬化型の粘着剤塗布液として、調製例2で調製した「光硬化B」を用いた以外は全て、実施例1と同様にして半導体ウェハ保護用粘着フィルムを得た。 この粘着フィルムの粘着力は、初期:光照射前が6.1N/25mm、光照射・加熱後が1.1N/25mm、加熱後が18.3N/25mmであった。この粘着フィルムを用いて、ダイボンディングフィルム貼り付けの際の加熱温度を120℃とした以外は全て、実施例1と同様にしてテープの評価を行った。研削加工終了後、研削水が浸入したウェハは無かった。また、10枚のウェハ全てが問題なく剥離可能であった。得られた結果を表1に示す。
実施例1と全く同様にして半導体ウェハ保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの粘着力は、初期:光照射前が10.9N/25mm、光照射・加熱後が0.4N/25mm、加熱後が25.9N/25mmであった。
この粘着フィルムについて、ホットプレートでの加熱前に紫外線照射を行わかったこと以外は全て、実施例1と同様にして評価を行った。研削加工終了後、研削水が浸入したウェハは無かった。しかし、10枚のウェハ全てについて、テープがウェハから剥離できず、ウェハが剥離テーブルから脱落して破損するトラブルが発生した。得られた結果を表1に示す。
実施例2と全く同様にして半導体ウェハ保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの粘着力は、初期:光照射前が6.1N/25mm、光照射・加熱後が1.1N/25mm、加熱後が18.3N/25mmであった。この粘着フィルムについて、ホットプレートでの加熱前に紫外線照射を行わかったこと以外は全て、実施例2と同様にして評価を行った。。研削加工終了後、研削水が浸入したウェハは無かった。しかし、10枚のウェハ全てについて、テープがウェハから剥離できず、ウェハが剥離テーブルから脱落して破損するトラブルが発生した。得られた結果を表1に示す。
Claims (3)
- 基材フィルムの片表面に光照射により高弾性率化する粘着剤層が形成された粘着フィルムを半導体ウェハの回路形成面に貼着する第一工程、該半導体ウェハを研削機又は研磨機に固定し、半導体ウェハの回路非形成面を加工する第二工程、粘着フィルムに光照射して粘着剤層を高弾性率化する第三工程、半導体ウェハの回路非形成面にダイボンティング用接着フィルムを貼着する第四工程、及び粘着フィルムを半導体ウェハより剥離する第五工程を具備することを特徴とする半導体ウェハの製造工程における半導体ウェハ保護方法。
- 第四工程において半導体ウェハの回路非形成面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する温度が、80〜200℃であることを特徴とする請求項1記載の半導体ウェハの保護方法。
- 光照射により高弾性率化する粘着剤層の貯蔵弾性率が、光照射前には23℃において1×106Pa未満であり、光照射後には、23〜200℃のいずれの温度においても1×106Pa以上である粘着フィルムを使用することを特徴とする請求項1記載の半導体ウェハの保護方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
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JP2005332901A true JP2005332901A (ja) | 2005-12-02 |
Family
ID=35487346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004148616A Pending JP2005332901A (ja) | 2004-05-19 | 2004-05-19 | 半導体ウエハの保護方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005332901A (ja) |
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