JP2015017159A - 半導体ウェハ加工用粘着フィルム、薄層化された半導体ウェハの製造方法及び半導体チップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】
半導体ウェハの薄層化から半導体ウェハの個片化までの一連の工程に適用し得る、半導体ウェハ加工用粘着フィルムを提供すること。
【解決手段】
基材フィルムと、該基材フィルムの一方面上に設けられた粘着剤層と、を備える半導体ウェハ加工用粘着フィルムであって、
前記基材フィルムが、１６０℃における貯蔵せん断弾性率Ｇ’が５．０×１０３Ｐａ以上、且つ、貯蔵せん断弾性率Ｇ’に対する損失せん断弾性率Ｇ”の比である損失係数Ｇ”／Ｇ’が３．０以下のポリウレタンフィルムであり、
前記粘着剤層が、アルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸及びグリシジル（メタ）アクリレートを含むモノマー混合物を重合して得られるポリマーを含み、
前記モノマー混合物が、前記アルキル（メタ）アクリレート及び前記（メタ）アクリル酸の合計１００質量部に対して、９０〜９９質量部以下の前記アルキル（メタ）アクリレート及び１〜１０質量部の前記（メタ）アクリル酸を含み、且つ、前記（メタ）アクリル酸１モルに対して、０．２５〜２．５モルの前記グリシジル（メタ）アクリレートを含む、半導体ウェハ加工用粘着フィルム。
【選択図】なし
半導体ウェハの薄層化から半導体ウェハの個片化までの一連の工程に適用し得る、半導体ウェハ加工用粘着フィルムを提供すること。
【解決手段】
基材フィルムと、該基材フィルムの一方面上に設けられた粘着剤層と、を備える半導体ウェハ加工用粘着フィルムであって、
前記基材フィルムが、１６０℃における貯蔵せん断弾性率Ｇ’が５．０×１０３Ｐａ以上、且つ、貯蔵せん断弾性率Ｇ’に対する損失せん断弾性率Ｇ”の比である損失係数Ｇ”／Ｇ’が３．０以下のポリウレタンフィルムであり、
前記粘着剤層が、アルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸及びグリシジル（メタ）アクリレートを含むモノマー混合物を重合して得られるポリマーを含み、
前記モノマー混合物が、前記アルキル（メタ）アクリレート及び前記（メタ）アクリル酸の合計１００質量部に対して、９０〜９９質量部以下の前記アルキル（メタ）アクリレート及び１〜１０質量部の前記（メタ）アクリル酸を含み、且つ、前記（メタ）アクリル酸１モルに対して、０．２５〜２．５モルの前記グリシジル（メタ）アクリレートを含む、半導体ウェハ加工用粘着フィルム。
【選択図】なし
Description
本発明は、半導体ウェハ加工用粘着フィルム、薄層化された半導体ウェハの製造方法及び半導体チップの製造方法に関する。
近年、電子機器の小型化の要求により、半導体チップのさらなる薄層化が望まれている。半導体チップは、回路形成された半導体ウェハの表面に保護用粘着フィルムを貼着する工程、回路非形成面を研削して薄層化する工程、半導体ウェハから保護用粘着フィルムを剥離する工程、半導体ウェハの回路非形成面にダイシング用粘着フィルムを貼着する工程、半導体ウェハをダイシングして個片化する工程、個片化された半導体ウェハをピックアップして半導体チップを得る工程等を経て製造されることが一般的である。
ここで、保護用粘着フィルムには、半導体ウェハの回路形成面に貼着されるため、剥離に際して回路形成面への糊残りが無く、半導体ウェハの回路形成面を汚染しないことが要求される。一方、ダイシング用粘着フィルムには、ダイシングの際には剥離が生じず、ピックアップの際には容易に半導体チップをピックアップをし得る、適度な粘着力が求められる。また、ピックアップに際しては、ダイシング用粘着フィルムを伸張させて、個片化された半導体ウェハ間を広げて、ピックアップし易くする必要がある。このため、ダイシング用粘着フィルムには、優れた伸張性も求められる。
このように、保護用粘着フィルムとダイシング用粘着フィルムとでは、その要求特性が異なり、各特性に応じたフィルムが用いられている。例えば、特許文献１には、保護用粘着フィルムとして、ショアーＤ型硬度が４０以下である基材シートの表面に粘着剤を設けてなることを特徴とするシリコンウェハ加工用フィルムが記載されている。また、特許文献２には、ダイシング用粘着フィルムとして、ウレタン樹脂組成物をフィルム化してなることを特徴とするダイシング用粘着フィルムが開示されている。
本発明の目的の一つは、半導体ウェハの薄層化から半導体ウェハの個片化までの一連の工程に適用し得る、半導体ウェハ加工用粘着フィルムの提供にある。
本発明はまた、半導体ウェハに対して加熱（例えば、１３０〜１８０℃の加熱）を伴う加工が施される工程に適用可能な、半導体ウェハ加工用粘着フィルムの提供を目的とする。
本発明の一側面は、基材フィルムと、該基材フィルムの一方面上に設けられた粘着剤層と、を備える半導体ウェハ加工用粘着フィルムに関する。この半導体ウェハ加工用粘着フィルムにおいて、上記基材フィルムは、１６０℃における貯蔵せん断弾性率Ｇ’が５．０×１０３Ｐａ以上、且つ、貯蔵せん断弾性率Ｇ’に対する損失せん断弾性率Ｇ”の比である損失係数Ｇ”／Ｇ’が３．０以下のポリウレタンフィルムである。また、上記粘着剤層は、アルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸及びグリシジル（メタ）アクリレートを含むモノマー混合物を重合して得られるポリマーを含む。また、上記モノマー混合物は、上記アルキル（メタ）アクリレート及び上記（メタ）アクリル酸の合計１００質量部に対して、９０〜９９質量部の上記アルキル（メタ）アクリレート及び１〜１０質量部の上記（メタ）アクリル酸を含み、且つ、上記（メタ）アクリル酸１モルに対して、０．２５〜２．５モルの上記グリシジル（メタ）アクリレートを含む。
このような半導体ウェハ加工用粘着フィルムは、半導体ウェハの回路形成面に貼着しても、糊残りが無く剥離することができる。このため、半導体ウェハ加工用粘着フィルムは、半導体ウェハの回路形成面に貼着され、半導体ウェハの回路非形成面の加工に際して半導体ウェハを保護するための保護用粘着フィルムとして、好適に用いることができる。
また、半導体ウェハ加工用粘着フィルムは、良好な粘着力と優れた伸張性を有する。このため、半導体ウェハ加工用粘着フィルムは、半導体ウェハのダイシングに際して半導体ウェハを保護するためのダイシング用粘着フィルムとしても、好適に用いることができる。
さらに、半導体ウェハ加工用粘着フィルムは、優れた耐熱性を有し、半導体ウェハに加熱を伴う加工が施される場合であっても、保護用粘着フィルム及びダイシング用粘着フィルムとしての要求特性を十分に維持することができる。
本発明の他の側面は、薄層化された半導体ウェハの製造方法に関する。該製造方法は、半導体ウェハの回路形成面に、上記半導体ウェハ加工用粘着フィルムを貼着する貼着工程と、上記半導体ウェハ加工用粘着フィルムが貼着された上記半導体ウェハの回路非形成面を加工して、上記半導体ウェハを薄層化する薄層化工程と、を有する。
上記半導体ウェハ加工用粘着フィルムは、回路形成面に貼着しても糊残り無く剥離し得るものであるため、上記製造方法によれば、回路形成面への汚染が十分に抑制された薄層化された半導体ウェハを得ることができる。
本発明のさらに他の側面は、半導体チップの製造方法に関する。該製造方法は、上記半導体ウェハ加工用粘着フィルムが貼着された半導体ウェハを個片化する個片化工程と、個片化された上記半導体ウェハを、上記半導体ウェハ加工用粘着フィルム上からピックアップして半導体チップを得るピックアップ工程と、を有する。
上記半導体ウェハ加工用粘着フィルムは、半導体ウェハから糊残り無く剥離し得るとともに、良好な粘着力と優れた伸張性を有する。このため、上記製造方法では、個片化工程において半導体ウェハが剥離無く保持されるとともに、ピックアップ工程において容易に半導体ウェハ加工用粘着フィルム上から個片化された半導体ウェハをピックアップすることができる。また、ピックアップされて得られた半導体チップは、半導体ウェハ加工用粘着フィルムの糊残りによる汚染が十分に防止されたものとなる。
本発明はさらに他の側面は、半導体ウェハの回路形成面に、第一の粘着フィルムを貼着する第一の貼着工程と、上記第一の粘着フィルムが貼着された上記半導体ウェハの回路非形成面を加工して、上記半導体ウェハを薄層化する薄層化工程と、薄層化された上記半導体ウェハの回路非形成面に、第二の粘着フィルムを貼着する第二の貼着工程と、上記第二の粘着フィルムが貼着された上記半導体ウェハを個片化する個片化工程と、個片化された上記半導体ウェハを、上記第二の粘着フィルム上からピックアップして半導体チップを得るピックアップ工程と、を有し、上記第一の粘着フィルム及び上記第二の粘着フィルムのうち少なくとも一方が、上記半導体ウェハ加工用粘着フィルムである、半導体チップの製造方法に関する。
上記半導体ウェハ加工用粘着フィルムは、半導体ウェハの薄層化から半導体ウェハの個片化までの一連の工程に適用し得るものであるため、上記製造方法では、第一の粘着フィルムとしても第二の粘着フィルムとしても上記半導体ウェハ加工用粘着フィルムを適用することができる。そして、第一の粘着フィルムとして上記半導体ウェハ加工用粘着フィルムを適用する場合には、回路形成面への粘着フィルムの糊残りが十分に防止されるという効果が奏される。また、第二の粘着フィルムとして上記半導体ウェハ加工用粘着フィルムを適用する場合には、個片化工程において半導体ウェハが剥離無く保持されるとともに、ピックアップ工程において容易に粘着フィルム上から個片化された半導体ウェハをピックアップすることができ、また、ピックアップされて得られた半導体チップが、粘着フィルムの糊残りによる汚染が十分に防止されたものとなる。
一態様において、上述の各製造方法は、上記半導体ウェハ加工用粘着フィルムが貼着されている上記半導体ウェハに対して、上記半導体ウェハ加工用粘着フィルムが１３０℃以上に加熱される加工を施す加工工程をさらに有していてもよい。
従来の保護用粘着フィルム及びダイシング用粘着フィルムでは、上記のような加熱を伴う加工工程に供されると、粘着剤及び基材に種々の悪影響が生じるおそれがある。例えば、従来の粘着フィルムでは、高温に曝されることで、粘着剤が固着して、剥離困難となったり、著しく糊残りが生じる場合がある。また、従来の粘着フィルムでは、高温に曝されることで、粘着フィルムの基材が装置定盤に融着して、装置定盤からの粘着フィルムの取外しが困難となる場合もある。
これに対して、上記半導体ウェハ加工用粘着フィルムは、耐熱性に優れ、高温に曝された場合でも保護用粘着フィルム及びダイシング用粘着フィルムとしての要求特性を十分に維持し得るものである。このため、上記態様では、粘着剤層の半導体ウェハへの固着や、装置定盤への基材フィルムの融着が十分に防止される。
本発明によれば、半導体ウェハの回路形成面に貼着しても糊残り無く剥離することができ、良好な粘着力と優れた伸張性を有し、優れた耐熱性を有する、半導体ウェハ加工用粘着フィルムが提供される。
すなわち、本発明によれば、半導体ウェハの薄層化から半導体ウェハの個片化までの一連の工程に適用し得る、半導体ウェハ加工用粘着フィルムが提供される。また、本発明の半導体ウェハ加工用粘着フィルムは、半導体ウェハに対して加熱を伴う加工が施される工程にも好適に用いることができる。
さらに本発明によれば、上記半導体ウェハ加工用粘着フィルムを用いた、薄層化された半導体ウェハの製造方法及び半導体チップの製造方法が提供される。
１．半導体ウェハ加工用粘着フィルム
本発明の半導体ウェハ加工用粘着フィルムの好適な一実施形態について、以下に説明する。
本発明の半導体ウェハ加工用粘着フィルムの好適な一実施形態について、以下に説明する。
本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着フィルム（以下、場合により「粘着フィルム」という。）は、基材フィルムと、該基材フィルムの一方面上に設けられた粘着剤層とを備えるフィルムである。また、本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着フィルムは、インゴットから切り出された半導体ウェハから半導体チップを得るまでの一連の工程（例えば、半導体ウェハの薄層化、半導体ウェハの個片化等）の一部又は全部で、半導体ウェハの一方面上に貼着して半導体ウェハを保護するための粘着フィルムとして、好適に用いることができる。
粘着フィルムが備える基材フィルムは、１６０℃における貯蔵せん断弾性率Ｇ’が５．０×１０３Ｐａ以上、且つ、１６０℃における貯蔵せん断弾性率Ｇ’に対する損失せん断弾性率Ｇ”の比である損失係数Ｇ”／Ｇ’が３．０以下のポリウレタンフィルムである。なお、本明細書中、場合により、１６０℃における貯蔵せん断弾性率Ｇ’を単に「貯蔵せん断弾性率Ｇ’」といい、１６０℃における損失せん断弾性率Ｇ”を単に「損失せん断弾性率Ｇ”」といい、１６０℃における損失係数Ｇ”／Ｇ’を単に「損失係数Ｇ”／Ｇ’」という。
基材フィルムの貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失せん断弾性率Ｇ”は、Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｒｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ（ＡＲＥＳ）（Ｒｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて、せん断モード、周波数１Ｈｚ、１６０℃の条件で測定することができる。
基材フィルムの１６０℃における貯蔵せん断弾性率Ｇ’は、５．０×１０３Ｐａ以上であり、好ましくは１．０×１０４Ｐａ以上であり、より好ましくは５．０×１０４Ｐａ以上である。基材フィルムの１６０℃における貯蔵せん断弾性率Ｇ’が５．０×１０３Ｐａ以上であることで、耐熱性に優れ、安定した伸張性を発揮できる粘着フィルムを得ることができる。
また、基材フィルムの１６０℃における貯蔵せん断弾性率Ｇ’は、１．０×１０９Ｐａ以下であることが好ましく、１．０×１０８Ｐａ以下であることがより好ましい。このような基材フィルムを有する粘着フィルムは、半導体ウェハの微細な表面形状に追従して、半導体ウェハをより確実に保護することができる。このため、当該粘着フィルムは、特に半導体ウェハの回路形成面に貼着される粘着フィルムとして、より好適に使用できる。
粘着フィルムが貼着された半導体ウェハは、粘着フィルムを介して装置定盤に積置されて、粘着フィルムが貼着された面と反対側の面を加工される。ここで、従来の粘着フィルムでは、半導体ウェハに対して加熱（例えば１３０℃以上の加熱）を伴う加工が施された場合に、粘着フィルムの基材が装置定盤に融着して、粘着フィルムを装置定盤から取り外すことが困難となる場合がある。
これに対して、本実施形態では、基材フィルムの１６０℃における貯蔵せん断弾性率Ｇ’に対する損失せん断弾性率Ｇ”の比である損失係数Ｇ”／Ｇ’が３．０以下であることで、加熱を伴う加工が施された場合でも装置定盤への融着が十分に防止される、耐熱性に優れた粘着フィルムが得られる。
基材フィルムの損失係数Ｇ”／Ｇ’は、２．０以下であることが好ましく、１．０以下であることがより好ましい。このような基材フィルムを有する粘着フィルムは、耐熱性に一層優れるため、当該粘着フィルムによれば、上述した装置定盤への融着等をより確実に防止することができる。
基材フィルムは、ポリウレタンフィルムであり、上述の貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失係数Ｇ”／Ｇ’を満たすものである。基材フィルムの貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失係数Ｇ”／Ｇ’は、例えば、ポリウレタンフィルムを構成するポリウレタンの構造を変更することで調整することができる。
例えば、ポリウレタンがジオールに由来するソフトセグメントとジイソシアネートに由来するハードセグメントとを有するものであるとき、ソフトセグメント及びハードセグメントの量比を調整することによって、貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失係数Ｇ”／Ｇ’を調整することができる。具体的には、ソフトセグメントの割合を減らすと（ハードセグメントの割合を増やすと）、貯蔵せん断弾性率Ｇ’は大きく、損失係数Ｇ”／Ｇ’は小さくなる傾向がある。
また、基材フィルムの貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失係数Ｇ”／Ｇ’は、ポリウレタンの重量平均分子量によって調整することもできる。例えば、ポリウレタンの重量平均分子量を大きくすると、貯蔵せん断弾性率Ｇ’は大きく、損失係数Ｇ”／Ｇ’は小さくなる傾向がある。また、ポリウレタンの重量平均分子量を小さくすると、貯蔵せん断弾性率Ｇ’は小さく、損失係数Ｇ”／Ｇ’は大きくなる傾向がある。
ポリウレタンの重量平均分子量は、小さすぎると基材フィルムの破断伸度及び強度が十分に得られず、使用時に引きちぎれたり、引き伸ばされた状態でプロセス装置等に強密着してしまう場合がある。また、ポリウレタンの重量平均分子量は、大きすぎると押出成形による製膜が困難となる場合がある。このため、ポリウレタンの重量平均分子量は、基材フィルムの貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失係数Ｇ”／Ｇ’が所定の範囲内となり、半導体ウェハ加工用粘着フィルムとしての十分な破断伸度及び強度が得られ、且つ、良好な製膜性が得られる範囲に、適宜調整することが好ましい。
ポリウレタンの重量平均分子量は、上述のように適宜調整できる。例えば、ポリウレタンの重量平均分子量は、半導体ウェハ加工用粘着フィルムとしての十分な破断伸度及び強度が得られる観点から、１．０×１０４以上であることが好ましく、３．０×１０４以上であることがより好ましく、５．０×１０４以上であることがさらに好ましい。また、ポリウレタンの重量平均分子量は、良好な製膜性が得られる観点から１．０×１０６以下であることが好ましく、５．０×１０５以下であることがより好ましく、２．０×１０５以下であることがさらに好ましい。
上述のように、基材フィルムの貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失係数Ｇ”／Ｇ’は、基材フィルムを形成するポリウレタンの構成等によって調整できる。そのため、所定の貯蔵せん断弾性率Ｇ”及び損失係数Ｇ”／Ｇ’を有する基材フィルムは、上記を参考にして適宜作製することができる。また、基材フィルムは、複数のポリウレタンフィルムから、所定の貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失係数Ｇ”／Ｇ’を有するポリウレタンフィルムを選別して得ることもできる。
基材フィルムは、ポリウレタンを含むポリウレタンフィルムであり、当該ポリウレタンとしては、例えば、以下のポリウレタンＡ、ポリウレタンＢ、ポリウレタンＣ等が挙げられる。
＜ポリウレタンＡ＞
ポリウレタンＡは、ポリアルキレングリコールに由来する構造単位と、ジイソシアネートに由来する構造単位とを有するポリエーテル系ポリウレタンである。このようなポリウレタンＡでは、ポリアルキレングリコールに由来する構造単位によりソフトセグメントを形成し、ジイソシアネートに由来する構造単位によりハードセグメントを形成することができる。
ポリウレタンＡは、ポリアルキレングリコールに由来する構造単位と、ジイソシアネートに由来する構造単位とを有するポリエーテル系ポリウレタンである。このようなポリウレタンＡでは、ポリアルキレングリコールに由来する構造単位によりソフトセグメントを形成し、ジイソシアネートに由来する構造単位によりハードセグメントを形成することができる。
ポリアルキレングリコールとしては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、ポリヘキシレングリコール等が挙げられる。
ポリウレタンＡにおいては、分子量の大きいポリアルキレングリコールを用いることでソフトセグメントの割合を多く（ハードセグメントの割合を少なく）することができ、分子量の小さいポリアルキレングリコールを用いることでソフトセグメントの割合を少なく（ハードセグメントの割合を多く）することができる。このため、ポリアルキレングリコールは、所定の貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失係数Ｇ”／Ｇ’が得られるポリウレタンを得るため、その数平均分子量を適宜調整することができる。
ポリアルキレングリコールとしては、異なる２種以上を混合して用いることができる。例えば、分子量の大きいポリアルキレングリコールと分子量の小さいポリアルキレングリコールとを組み合わせて、所定の貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失係数Ｇ”／Ｇ’が得られるポリウレタンＡを得ることができる。
ジイソシアネートは、２つのイソシアネート基を有する化合物である。ジイソシアネートとしては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート等のアルキルジイソシアネート；ジフェニルメタンジイソシアネート、トルエンジイソシアネート等の芳香族ジイソシアネート；ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等の脂環式ジイソシアネートが挙げられる。
ポリウレタンＡは、ポリアルキレングリコールとジイソシアネートとの重合反応により得ることができる。このとき、反応に供するポリアルキレングリコールの割合（質量割合）を多くすることで、ポリウレタンＡにおけるソフトセグメントの割合を多くすることができ、反応に供するポリアルキレングリコールの割合（質量割合）を少なくすることで、ポリウレタンＡにおけるソフトセグメントの割合を少なくすることができる。
＜ポリウレタンＢ＞
ポリウレタンＢは、ポリエステルポリオールに由来する構造単位と、ジイソシアネートに由来する構造単位とを有するポリエステル系ポリウレタンである。このようなポリウレタンＢでは、ポリエステルポリオールに由来する構造単位によりソフトセグメントを形成し、ジイソシアネートに由来する構造単位によりハードセグメントを形成することができる。
ポリウレタンＢは、ポリエステルポリオールに由来する構造単位と、ジイソシアネートに由来する構造単位とを有するポリエステル系ポリウレタンである。このようなポリウレタンＢでは、ポリエステルポリオールに由来する構造単位によりソフトセグメントを形成し、ジイソシアネートに由来する構造単位によりハードセグメントを形成することができる。
ポリエステルポリオールは、主鎖に複数のエステル結合を有し、両末端にヒドロキシル基を有する化合物であり、例えば、ジオール（以下、場合により「ジオール（ｂ）」という。）とジカルボン酸との縮合重合反応により得ることができる。
ジオール（ｂ）としては、例えば、エチレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール等のアルカンジオールが挙げられる。アルカンジオールとしては、炭素数２〜９のアルカンジオールを好適に用いることができ、炭素数２〜６のアルカンジオールを用いることもできる。
ジカルボン酸としては、例えば、アジピン酸、セバシン酸等のアルカンジカルボン酸；テレフタル酸、イソフタル酸等の芳香族ジカルボン酸；などが挙げられる。これらのうち、ソフトセグメントを形成し易い観点からは、アルカンジカルボン酸が好適に用いられる。
ポリウレタンＢにおいては、分子量の大きいポリエステルポリオールを用いることでソフトセグメントの割合を多く（ハードセグメントの割合を少なく）することができ、分子量の小さいポリエステルポリオールを用いることでソフトセグメントの割合を少なく（ハードセグメントの割合を多く）することができる。このため、ポリエステルポリオールは、所定の貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失係数Ｇ”／Ｇ’が得られるポリウレタンを得るため、その数平均分子量を適宜調整することができる。
ポリエステルポリオールとしては、異なる２種以上を混合して用いることができる。例えば、分子量の大きいポリエステルポリオールと分子量の小さいポリエステルポリオールとを組み合わせて、所定の貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失係数Ｇ”／Ｇ’が得られるポリウレタンＢを得ることができる。
ジイソシアネートとしては、例えば、上記ポリウレタンＡの項で例示したジイソシアネートを用いることができる。
ポリウレタンＢは、ポリエステルポリオールとジイソシアネートとの重合反応により得ることができる。このとき、反応に供するポリエステルポリオールの割合（質量割合）を多くすることで、ポリウレタンＢにおけるソフトセグメントの割合を多くすることができ、反応に供するポリエステルポリオールの割合（質量割合）を少なくすることで、ポリウレタンＢにおけるソフトセグメントの割合を少なくすることができる。
＜ポリウレタンＣ＞
ポリウレタンＣは、ポリカーボネートジオールに由来する構造単位とジイソシアネートに由来する構造単位とを有するポリカーボネート系ポリウレタンである。このようなポリウレタンＣでは、ポリカーボネートジオールに由来する構造単位によりソフトセグメントを形成し、ジイソシアネートに由来する構造単位によりハードセグメントを形成することができる。
ポリウレタンＣは、ポリカーボネートジオールに由来する構造単位とジイソシアネートに由来する構造単位とを有するポリカーボネート系ポリウレタンである。このようなポリウレタンＣでは、ポリカーボネートジオールに由来する構造単位によりソフトセグメントを形成し、ジイソシアネートに由来する構造単位によりハードセグメントを形成することができる。
ポリカーボネートジオールは、主鎖に複数のカーボネート基（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）を有し、両末端にヒドロキシル基を有する化合物であり、例えば、ジオール（以下、場合により「ジオール（ｃ）」という。）とカーボネート化合物との反応により得ることができる。
ジオール（ｃ）としては、例えば、エチレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール等のアルカンジオールが挙げられる。アルカンジオールとしては、炭素数２〜９のアルカンジオールを好適に用いることができ、炭素数２〜６のアルカンジオールを用いることもできる。
カーボネート化合物は、ジオール（ｃ）と反応してポリカーボネートジオールを形成可能な化合物であればよい。カーボネート化合物としては、例えば、エチレンカーボネートが挙げられる。
ポリウレタンＣにおいては、分子量の大きいポリカーボネートジオールを用いることでソフトセグメントの割合を多く（ハードセグメントの割合を少なく）することができ、分子量の小さいポリカーボネートジオールを用いることでソフトセグメントの割合を少なく（ハードセグメントの割合を多く）することができる。このため、ポリカーボネートジオールは、所定の貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失係数Ｇ”／Ｇ’が得られるポリウレタンを得るため、その数平均分子量を適宜調整することができる。
ポリカーボネートジオールとしては、異なる２種以上を混合して用いることができる。例えば、分子量の大きいポリカーボネートジオールと分子量の小さいポリカーボネートジオールとを組み合わせて、所定の貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失係数Ｇ”／Ｇ’が得られるポリウレタンＣを得ることができる。
ジイソシアネートとしては、例えば、上記ポリウレタンＡの項で例示したジイソシアネートを用いることができる。
ポリウレタンＣは、ポリカーボネートジオールとジイソシアネートとの重合反応により得ることができる。このとき、反応に供するポリカーボネートジオールの割合（質量割合）を多くすることで、ポリウレタンＣにおけるソフトセグメントの割合を多くすることができ、反応に供するポリカーボネートジオールの割合（質量割合）を少なくすることで、ポリウレタンＣにおけるソフトセグメントの割合を少なくすることができる。
基材フィルムは、上述のようなポリウレタンを一種又は複数種含むポリウレタンフィルムであってよい。
基材フィルムの厚さは、１０μｍ以上であることが好ましく、５０μｍ以上であることがより好ましく、７５μｍ以上とすることもできる。このような基材フィルムによれば、半導体ウェハを保護するための十分な強度をより確実に得ることができる。
また、基材フィルムの厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、３００μｍ以下であることがより好ましく、２５０μｍ以下とすることもできる。このような基材フィルムを有する粘着フィルムは、半導体ウェハの微細な表面形状に十分に追従し得る、良好な柔軟性を有するものとなる。このため、当該粘着フィルムは、特に半導体ウェハの回路形成面に貼着される粘着フィルムとして、より好適に使用できる。
基材フィルムの製造方法は特に制限されないが、好適な厚さの基材フィルムを容易に得られる観点からは、押出成形により製造することが好ましい。すなわち、押出成形によれば、半導体ウェハの表面形状に十分に追従できる柔軟性と半導体ウェハを保護するための十分な強度とを両立し得る好適な厚さの基材フィルムを、容易に製造することができる。押出成形の例としては、Ｔダイ押出法、インフレーション法、カレンダー法等が挙げられる。
本実施形態において、粘着剤層は、アルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸及びグリシジル（メタ）アクリレートを含むモノマー混合物を重合して得られるポリマーを含むものである。
また、上記モノマー混合物は、アルキル（メタ）アクリレートと（メタ）アクリル酸との合計１００質量部に対して、９０〜９９質量部のアルキル（メタ）アクリレート及び１〜１０質量部の（メタ）アクリル酸を含み、且つ、（メタ）アクリル酸１モルに対して、０．２５〜２．５モルのグリシジル（メタ）アクリレートを含む。
このような粘着剤層を有する粘着フィルムは、半導体ウェハに貼着しても糊残り無く剥離することができる。また、ダイシングに際して剥がれず、ダイシング後の半導体チップのピックアップに際しては半導体チップが破損しない程度の力でピックアップし得る、適度な粘着力を得ることができる。
また、上記粘着剤層によれば、加熱を伴う工程を経てもその特性が十分に維持される。すなわち、上記粘着剤層を有する粘着フィルムは、半導体ウェハに貼着された後、例えば１３０〜１８０℃に加熱される工程を経た場合でも、糊残り無く剥離することができる。また、上記粘着剤層によれば、半導体ウェハに貼着された後、例えば１３０〜１８０℃に加熱される工程を経た場合でも、半導体ウェハ加工用粘着フィルムとしての良好な粘着力を十分に維持することができる。
なお、上述の効果が奏される理由としては、上記基材フィルムと上記粘着剤層との組み合わせによって、基材フィルムと粘着剤層との界面で優れた接着力及び耐熱性が得られていることも一因と考えられる。
アルキル（メタ）アクリレートは、例えば、炭素数２〜２２のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレートであってよく、好ましくは炭素数４〜１６のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレートである。
アルキル（メタ）アクリレートが有するアルキル基は、直鎖状であっても分岐状であっても環状であってもよい。
直鎖状のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレートとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ−へキシル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘプチル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、ｎ−ノニル（メタ）アクリレート、ｎ−デシル（メタ）アクリレート、ｎ−ウンデシル（メタ）アクリレート、ｎ−ドデシル（メタ）アクリレート、ｎ−トリデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらのうち、例えば、ｎ−ブチルアクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、ｎ−ドデシル（メタ）アクリレート等を好適に用いることができる。
分岐状のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレートとしては、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２−ヘキシルオクチル（メタ）アクリレート、２−ヘキシルデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらのうち、例えば、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２−ヘキシルオクチル（メタ）アクリレート、２−ヘキシルデシル（メタ）アクリレート等を好適に用いることができる。
環状のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレートとしては、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらのうち、例えば、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等を好適に用いることができる。
アルキル（メタ）アクリレートは、直鎖状のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート及び分岐状のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレートからなる群より選択されることが好ましい。
（メタ）アクリル酸は、アルキル（メタ）アクリレート及び（メタ）アクリル酸の合計１００質量部に対して、１〜１０質量部の量でモノマー混合物に含まれる。（メタ）アクリル酸の量が１０質量部を超えると、被着体（半導体ウェハ）への接着性が乏しくなり、半導体ウェハから半導体チップを得るまでの一連の工程で要求される接着性を十分に満たせない場合がある。また、（メタ）アクリル酸の量が１質量部未満であると、（メタ）アクリル酸のカルボキシル基とグリシジル（メタ）アクリレートのグリシジル基（エポキシ基）との反応による架橋が少なくなり、耐熱性が十分に得られない場合があり、また凝集力不足から、使用後の糊残りを生じる場合がある。
グリシジル（メタ）アクリレートは、（メタ）アクリル酸１モルあたりに０．２５〜２．５モルの量でモノマー混合物に含まれる。グリシジル（メタ）アクリレートの量が０．２５モル未満であると、粘着剤層の耐熱性が低くなり、加熱を伴う工程を経た後に剥離しようとしたとき、被着体（半導体ウェハ）への糊残りが生じる場合がある。また、グリシジル（メタ）アクリレートの量が２．５モルを超えると、被着体への接着性が乏しくなり、半導体ウェハから半導体チップを得るまでの一連の工程で要求される接着性を十分に満たせない場合がある。
粘着剤層に含まれるポリマーのためのモノマー混合物は、上述のアルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸及びグリシジル（メタ）アクリレート以外に、本発明の効果が得られる範囲で、他のモノマーを含んでいてもよい。
他のモノマーとしては、例えば、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート；アクリルアミド、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ―ビニルピロリドン、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、イソプロピルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド等の極性モノマー；が挙げられる。
上記ポリマーによる耐熱性及び糊残り防止の効果は、（メタ）アクリル酸とグリシジル（メタ）アクリレートとの架橋による高い凝集力によって発揮されることが考えられる。本実施形態では、ポリマーを形成するためのモノマー混合物における両モノマーの配合量を上記特定の範囲とすることで、半導体ウェハ加工用粘着フィルムとしての要求特性に優れた粘着フィルムを得ることができる。
ここで、粘着フィルムを後述する封止工程（特に、エポキシ封止工程）を有する製造方法に適用する場合、上記ポリマーとしては、２５℃における溶解性パラメータ（ＳＰ）値が２０ＭＰａ０．５以下のポリマーが好ましい。
ＳＰ値が同程度のポリマー同士は親和性が高く、ＳＰ値が異なるポリマー同士は親和性が低い傾向にある。そして、封止工程に用いられるエポキシ樹脂は、通常、２５℃における溶解性パラメータ（ＳＰ）値が２０．０ＭＰａ０．５を超え、２６．０Ｍｐａ０．５以下のものである。このため、粘着剤層に含まれるポリマーとして、ＳＰ値が２０ＭＰａ０．５以下のポリマーを採用することで、エポキシ樹脂に対する粘着剤層の剥離性が良好となり、粘着フィルム上でエポキシ樹脂による封止を行った際に、封止樹脂と粘着剤層とが接しても糊残り無く簡便に剥離することができる。
なお、「２５℃における溶解性パラメータ（ＳＰ）値」（δ）は、
δ＝（ΔＥｖ／Ｖ）０．５
（式中、ΔＥｖは液体のモル蒸発エネルギーであり、Ｖはモル体積である）
によって定義される値であり、Fedorsの方法により化学構造から計算することができる（R.F. Fedors, A Method for Estimating Both the Solubility Parametersand Molar Volumes of Liquids, Polym. Eng. Sci., 14(2), p.147, 1974を参照）。
δ＝（ΔＥｖ／Ｖ）０．５
（式中、ΔＥｖは液体のモル蒸発エネルギーであり、Ｖはモル体積である）
によって定義される値であり、Fedorsの方法により化学構造から計算することができる（R.F. Fedors, A Method for Estimating Both the Solubility Parametersand Molar Volumes of Liquids, Polym. Eng. Sci., 14(2), p.147, 1974を参照）。
ＳＰ値が２０ＭＰａ０．５以下のポリマーは、例えば、上記モノマー混合物中のアルキル（メタ）アクリレートとして、ホモポリマーの２５℃における溶解性パラメータ（ＳＰ）値が１９ＭＰａ０．５以下のアルキル（メタ）アクリレートを採用することにより、得ることができる。
ホモポリマーの２５℃におけるＳＰ値が１９ＭＰａ０．５以下のアルキル（メタ）アクリレートとしては、具体的には、２−エチルヘキシルアクリレート（ホモポリマーのＳＰ値が１８．９ＭＰａ０．５）、イソオクチルアクリレート（ホモポリマーのＳＰ値が１８．９ＭＰａ０．５）、ラウリルアクリレート（ホモポリマーのＳＰ値が１８．７ＭＰａ０．５）、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート（ホモポリマーのＳＰ値が１８．５ＭＰａ０．５）、イソボルニルアクリレート（ホモポリマーのＳＰ値が１８．６ＭＰａ０．５）等が挙げられる。なお、例えば、ｎ−ブチルアクリレートのホモポリマーのＳＰ値は２０．０ＭＰａ０．５である。
モノマー混合物は、一般に、アゾ系化合物又は過酸化物をベースとする重合開始剤の存在下でラジカル重合することができる。また、重合方法としては、溶液重合法、エマルション重合法、懸濁重合法、塊状重合法又はその他の周知・慣用の重合方法を用いることができる。なお、溶液重合法は、重合後に、ポリマーを含む溶液を基材フィルム上に塗布し、乾燥することで粘着剤層を容易に設けることができる点で好ましい。溶液重合は、例えば、窒素雰囲気下、重合温度３０〜８０℃、重合時間１〜２４時間の条件で行うことができる。
粘着剤層における上記ポリマーの含有量は、粘着剤層の全量基準で８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、１００質量％であってもよい。
また、粘着剤層は、本発明の効果が得られる範囲で、上記ポリマー以外の他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、例えば、酸化防止剤、紫外線吸収剤、充填剤（例えば無機フィラー、導電性粒子、顔料等）、ワックス等の滑剤、粘着付与剤、可塑剤、硬化促進剤、蛍光色素などが挙げられる。
粘着剤層の厚さは、例えば０．５μｍ以上とすることができ、好ましくは１μｍ以上である。このように粘着剤層の厚さを厚くすることで、半導体ウェハ加工用粘着フィルムとしての十分な接着性がより確実に発揮され、工程中の半導体ウェハの脱落・粘着フィルムの剥離を十分に抑制することができる。
また、粘着剤層の厚さは、例えば５０μｍ以下とすることができ、好ましくは３０μｍ以下であり、より好ましくは１５μｍ以下である。このように粘着剤層の厚さを薄くすることで、粘着剤のエッジからのはみ出しによる不具合の発生を十分に抑制することができる。
粘着剤層を形成する方法としては、例えば、上記ポリマーを含む粘着剤を溶液又はエマルション液（以下、これらを総称して「粘着剤塗布液」という。）として、ロールコーター、コンマコーター、ダイコーター、メイヤーバーコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター等の公知の方法に従って塗布、乾燥して粘着剤層を形成する方法を用いることができる。
粘着剤塗布液を乾燥する際の乾燥条件には特に制限は無く、例えば、乾燥温度は、５０〜１８０℃とすることができ、６５〜１２０℃であってもよい。また、乾燥時間は、１０秒〜１０分間とすることができ、１５秒〜５分間であってもよい。
粘着剤層は、環境に起因する汚染等から保護する為に、その表面に剥離フィルムを貼着して保管することが好ましい。また、粘着剤層は、剥離フィルムの一方面上に、上記の公知の方法に従って粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成した後、ドライラミネート法等の公知の方法を用いて粘着剤層を基材フィルムに転写させる方法（以下、場合により「転写法」という。）によって形成することもできる。
本実施形態に係る粘着フィルムは、上述のとおり、半導体ウェハの回路形成面に貼着しても糊残り無く剥離することができ、良好な粘着力、優れた伸張性及び優れた耐熱性を有する。そして、耐熱性を有する本実施形態に係る粘着フィルムでは、半導体ウェハへの糊残りの防止、良好な接着力、優れた伸張性といった効果が、加熱（例えば１３０〜１８０℃の加熱）を伴う工程を経た後でも十分に維持される。
このため、本実施形態に係る粘着フィルムは、半導体ウェハから半導体チップを製造するための一連の工程の一部又は全部において、いわゆる保護用粘着フィルム及び／又はダイシング用粘着フィルムとして、好適に用いることができる。
以下に、本実施形態に係る粘着フィルムの好適な使用態様である、薄層化した半導体ウェハの製造方法及び半導体チップの製造方法について詳述する。
２．薄層化した半導体ウェハの製造方法
本実施形態に係る薄層化した半導体ウェハの製造方法は、半導体ウェハの回路形成面に、上記粘着フィルムを貼着する貼着工程と、上記粘着フィルムが貼着された上記半導体ウェハの回路非形成面を加工して、上記半導体ウェハを薄層化する薄層化工程と、を有する。
本実施形態に係る薄層化した半導体ウェハの製造方法は、半導体ウェハの回路形成面に、上記粘着フィルムを貼着する貼着工程と、上記粘着フィルムが貼着された上記半導体ウェハの回路非形成面を加工して、上記半導体ウェハを薄層化する薄層化工程と、を有する。
上記粘着フィルムは、回路形成面に貼着しても糊残り無く剥離し得るものであるため、本製造方法によれば、回路形成面への汚染が十分に抑制され、薄層化された半導体ウェハを得ることができる。
貼着工程では、半導体ウェハの回路形成面に公知の方法で粘着フィルムを貼着することができる。粘着フィルムは、粘着剤層が半導体ウェハの回路形成面と接するように貼着される。このとき、粘着フィルムの粘着剤層上に剥離フィルムが貼着されている場合は、剥離フィルムを剥離してから粘着フィルムを半導体ウェハに貼着する。
薄層化工程では、回路形成面に粘着フィルムが貼着された半導体ウェハの回路非形成面を研磨して、半導体ウェハを薄層化することができる。そして、薄層化工程では、上記粘着フィルムを回路形成面に貼着しているため、薄層化された半導体ウェハの破損等のトラブルの発生を十分に抑制することができる。また、上記粘着フィルムは、回路形成面から糊残り無く剥離できるものであるため、本製造方法では回路形成面を汚染することなく、薄層化工程における半導体ウェハを保護することができる。
薄層化工程における薄層化の程度は、所望の半導体チップの特性等に応じて適宜調整することができ、例えば、厚さが５００〜１０００μｍの半導体ウェハを５０〜５００μｍ（好ましくは５０〜１５０μｍ）の厚さにまで薄層化することができる。
薄層化工程では、例えば、回路形成面に粘着フィルムが貼着された半導体ウェハの回路非形成面を研削（グラインディング）する工程（以下、場合により「研削工程」という。）により、半導体ウェハを薄層化することができる。
研削工程における研削加工の方式に特に制限はなく、スルーフィード方式、インフィード方式等の公知の研削方式を採用することができる。また、研削加工は、半導体ウェハと砥石に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。半導体ウェハの回路非形成面を研削加工する研削機としては、例えば、（株）ディスコ製、形式：ＤＦＧ−８４１、同ＤＦＧ−８５０、同ＤＦＧ−８６０、（株）岡本工作機械製作所製、形式：ＳＶＧ−５０２ＭＫＩＩなどが挙げられる。
また、薄層化工程では、回路形成面に粘着フィルムが貼着された半導体ウェハの回路非形成面を化学エッチング加工する工程（以下、場合により「化学エッチング工程」という。）により、半導体ウェハを薄層化することもできる。
化学エッチング工程における化学エッチング加工の方式に特に制限はなく、薬液処理による加工を行う方式、ＣＭＰと称される研磨と化学エッチングとを同時に行う方式等の公知の化学エッチング加工の方式を採用することができる。薬液処理では、例えば、弗化水素酸、硫酸、硝酸、酢酸等の単独又は混合物の酸性水溶液や、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ性水溶液からなる群より選ばれるエッチング液を用いることができる。また、薬液処理の方式としては、半導体ウェハごと薬液（エッチング液）に浸漬する方式（ディッピング法）、半導体ウェハを回転させながら、半導体ウェハの回路非形成面に選択的に薬液を接触させる方式（スピンエッチング法）等が挙げられる。
薄層化工程では、上記研削工程及び上記化学エッチング工程のいずれか一方によって薄層化を行ってもよく、上記研削工程及び上記化学エッチング工程の双方によって薄層化を行っても良い。すなわち、薄層化工程は、上記研削工程及び／又は上記化学エッチング工程を含むものであってよい。
なお、本製造方法では、上記粘着フィルムが回路形成面への密着性に優れるものであるため、研削工程における冷却水や化学エッチング工程における薬液の、粘着フィルムと回路形成面との界面への浸入を十分に防止することができる。
本製造方法は、上記工程に加えて、粘着フィルムが貼着されている半導体ウェハに対して、加熱を伴う加工が施される工程（以下、場合により「加工工程」という。）を更に有していてもよい。
加工工程としては、例えば、プラズマによるエッチングを行う工程、高温のエッチングガスによるガスエッチングを行う工程等が挙げられる。また、上記加熱は、例えば、半導体ウェハに貼着された粘着フィルムが、１３０℃に以上に加熱される工程であってよく、１３０℃〜１８０℃に加熱される工程であってもよい。
本製造方法では、回路形成面に貼着する粘着フィルムとして上述のものを採用しているため、このような加熱を伴う加工工程を経た場合でも、十分な粘着力が維持されるとともに、剥離の際の糊残りも十分に防止される。
また、従来の粘着フィルムでは、このような加熱を伴う加工を実施した場合、粘着フィルムの基材が装置定盤に融着して、剥離困難となる場合がある。これに対して、上記粘着フィルムでは、基材フィルムが特定の貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失係数Ｇ”／Ｇ’を満たすものであるため、基材フィルムが接する装置定盤への融着を十分に防止することができる。
本製造方法により得られた薄層化された半導体ウェハは、例えば、回路形成面に粘着フィルムが貼着されたまま、後工程（例えば、後述の個片化工程）に供することができる。また、上記粘着フィルムの剥離及び第二の粘着フィルムの貼着を経て、後工程に供することもできる。この第二の粘着フィルムとしては、上記粘着フィルムを用いることも、公知のダイシング用粘着フィルムを用いることもできる。
また、本製造方法の工程は上記のものに限定されず、例えば、半導体チップの製造に際して行われる公知の工程をさらに有していてもよい。このような工程として、例えば、ドライ加工では、ホイール番手が＃２０００以上の研削加工に加え、ラッピングやポリッシングが挙げられ、温度条件次第ではレーザーエッチンングなども工学的に有意である。ウェット加工では、スピンエッチング、酸処理濃度次第ではディッピング等が挙げられる。
３．半導体チップの製造方法（１）
本実施形態に係る半導体チップの製造方法は、上記粘着フィルムが貼着された半導体ウェハを個片化（ダイシング）する個片化工程と、個片化された半導体ウェハを、上記粘着フィルム上からピックアップして半導体チップを得るピックアップ工程と、を有する。
本実施形態に係る半導体チップの製造方法は、上記粘着フィルムが貼着された半導体ウェハを個片化（ダイシング）する個片化工程と、個片化された半導体ウェハを、上記粘着フィルム上からピックアップして半導体チップを得るピックアップ工程と、を有する。
上記粘着フィルムは、半導体ウェハから糊残り無く剥離し得るとともに、良好な粘着力と優れた伸張性を有する。このため、本製造方法では、個片化工程において半導体ウェハが剥離無く保持されるとともに、ピックアップ工程において容易に粘着フィルム上から個片化された半導体ウェハをピックアップすることができる。また、ピックアップされて得られた半導体チップは、粘着フィルムの糊残りによる汚染が十分に防止されたものとなる。
個片化工程では、粘着フィルムが貼着された半導体ウェハを個片化する工程である。個片化工程に供される半導体ウェハは、上述の薄層化された半導体ウェハの製造方法により製造されたものであってもよいし、他の公知の方法で製造された半導体ウェハであってもよい。
また、個片化工程において、粘着フィルムは、半導体ウェハの回路形成面に貼着されていても、回路非形成面に貼着されていてもよい。個片化工程においては、上記粘着フィルムを用いているため、半導体ウェハの回路形成面及び回路非形成面のいずれに粘着フィルムを貼着しても、糊残り無く（すなわち、汚染無く）剥離することができる。
個片化（ダイシング）の方法は、特に制限されず、公知の装置を用いて公知の方法で実施することができる。例えば、半導体ウェハを粘着フィルムを介してダイシング装置のチャックテーブル等に固定し、半導体ウェハの粘着フィルムが貼着されていない側の面から所定の位置に沿ってダイシングブレード（切断刃）により冷却水をかけながら切断し、ダイシングブレードの先端が粘着フィルムに達するまでの深さでダイシングを行うなどの方法を採ることができる。
ダイシング装置としては、（株）ディスコ製、型式：ＤＦＤ６５１、同、型式：ＤＦＤ６３６１、同、型式：ＤＦＤ６４５０、（株）東京精密製、型式：Ａ−ＷＤ−２００Ｔ、同、型式：Ａ−ＷＤ−２５０Ｓなどが例示できる。
個片化工程により個片化された半導体ウェハ（以下、場合により「個片化ウェハ」という。）は、好適には、粘着フィルム上に並置された状態にある。このとき、例えば、粘着フィルムを伸張させることで、個片化ウェハ間を拡張させ、各個片化ウェハのピックアップ性や、各個片化ウェハに対する加工作業の作業性を向上させることもできる。
本製造方法は、上記工程に加えて、粘着フィルムが貼着されている半導体ウェハに対して、加熱を伴う加工が施される工程（以下、場合により「加工工程」という。）を更に有していてもよい。
加工工程としては、例えば、プラズマによるエッチングを行う工程、高温のエッチングガスによるガスエッチングを行う工程等が挙げられる。また、上記加熱は、例えば、半導体ウェハに貼着された粘着フィルムが、１３０℃に以上に加熱される工程であってよく、１３０℃〜１８０℃に加熱される工程であってもよい。
本製造方法では、半導体ウェハに貼着する粘着フィルムとして上述のものを採用しているため、このような加熱を伴う加工工程を経た場合でも、十分な粘着力が維持されるとともに、剥離の際の糊残りも十分に防止される。
また、従来の粘着フィルムでは、このような加熱を伴う加工を実施した場合、粘着フィルムの基材が装置定盤（例えば、ダイシング装置のチャックテーブル）に融着して、剥離困難となる場合がある。これに対して、上記粘着フィルムでは、基材フィルムが特定の貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失係数Ｇ”／Ｇ’を満たすものであるため、基材フィルムが接する装置定盤への融着を十分に防止することができる。
加工工程は、個片化工程の前に実施することもでき、個片化工程とピックアップ工程との間に行うこともできる。すなわち、加工工程は、個片化工程で個片化された半導体ウェハ（すなわち、個片化ウェハ）に対して加熱を伴う加工を施す工程であってもよい。
また、本製造方法は、粘着フィルム上の個片化ウェハを樹脂封止（モールディング）する工程（以下、場合により「封止工程」という。）をさらに有していてもよい。封止工程では、例えば、エポキシ樹脂によって、粘着フィルム上の個片化ウェハを封止することができる。
本製造方法が、エポキシ樹脂による封止を行う工程（以下、場合により「エポキシ封止工程」という。）を有する場合、上述のとおり、粘着フィルムの粘着剤層に含まれるポリマーとして、２５℃における溶解性パラメータ（ＳＰ）値が２０ＭＰａ０．５以下のポリマーを採用することが好ましい。
ＳＰ値が同程度のポリマー同士は親和性が高く、ＳＰ値が異なるポリマー同士は親和性が低い傾向にある。そして、封止工程に用いられるエポキシ樹脂は、通常、２５℃における溶解性パラメータ（ＳＰ）値が２０．０ＭＰａ０．５を超え、２６．０Ｍｐａ０．５以下のものである。このため、粘着剤層に含まれるポリマーとして、ＳＰ値が２０ＭＰａ０．５以下のポリマーを採用することで、エポキシ樹脂に対する粘着剤層の剥離性が良好となり、粘着フィルム上でエポキシ樹脂による封止を行った際に、封止樹脂と粘着剤層とが接しても糊残り無く簡便に剥離することができる。
本製造方法の工程は上記のものに限定されず、例えば、半導体チップの製造に際して行われる公知の工程をさらに有していてもよい。
４．半導体チップの製造方法（２）
本発明に係る半導体チップの製造方法の他の実施形態は、半導体ウェハの回路形成面に、第一の粘着フィルムを貼着する第一の貼着工程と、第一の粘着フィルムが貼着された半導体ウェハの回路非形成面を加工して、半導体ウェハを薄層化する薄層化工程と、薄層化された半導体ウェハの回路非形成面に、第二の粘着フィルムを貼着する第二の貼着工程と、第二の粘着フィルムが貼着された半導体ウェハを個片化する個片化工程と、個片化された半導体ウェハを、第二の粘着フィルム上からピックアップして半導体チップを得るピックアップ工程と、を有するものである。
本発明に係る半導体チップの製造方法の他の実施形態は、半導体ウェハの回路形成面に、第一の粘着フィルムを貼着する第一の貼着工程と、第一の粘着フィルムが貼着された半導体ウェハの回路非形成面を加工して、半導体ウェハを薄層化する薄層化工程と、薄層化された半導体ウェハの回路非形成面に、第二の粘着フィルムを貼着する第二の貼着工程と、第二の粘着フィルムが貼着された半導体ウェハを個片化する個片化工程と、個片化された半導体ウェハを、第二の粘着フィルム上からピックアップして半導体チップを得るピックアップ工程と、を有するものである。
本実施形態において、第一の粘着フィルム及び第二の粘着フィルムのうち少なくとも一方は、上記粘着フィルムである。
本実施形態では、第一の粘着フィルム及び／又は第二の粘着フィルムとして上記粘着フィルムを用いることで、上述の薄層化した半導体ウェハの製造方法及び半導体チップの製造方法（１）に記載した効果を有効に得ることができる。
本製造方法における薄層化工程、個片化工程及びピックアップ工程は、上述の薄層化した半導体ウェハの製造方法及び半導体チップの製造方法（１）で説明した各工程と同様にして行うことができる。また、本製造方法における第一の貼着工程及び第二の貼着工程は、公知の粘着フィルムの貼着方法により行うことができる。
また、本製造方法は、上記粘着フィルムが貼着されている半導体ウェハに対して、加熱を伴う加工が施される工程（加工工程）を更に有していてもよい。ここで、加工工程は、上述の本発明の一実施形態に係る粘着フィルムが半導体ウェハに剥離されている段階であれば、製造方法のいずれの段階のおいて実施してもよい。
また、加工工程としては、上述の薄層化した半導体ウェハの製造方法及び半導体チップの製造方法（１）に記載した加工工程と同様の工程を行うことができる。
また、本製造方法は、上記封止工程をさらに有していてもよい。また、本製造方法は、半導体チップの製造に際して行われる公知の工程を更に有していてもよい。このような工程として、例えば、ドライ加工では、ホイール番手が＃２０００以上の研削加工に加え、ラッピングやポリッシングが挙げられ、温度条件次第ではレーザーエッチンングなども工学的に有意である。ウェット加工では、スピンエッチング、酸処理濃度次第ではディッピング等が挙げられる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記では本発明を半導体ウェハ加工用粘着フィルム、薄層化された半導体ウェハの製造方法及び半導体チップの製造方法として説明したが、本発明は、一側面では半導体ウェハの加工方法ということもできる。また、本発明は、その一側面において、上記製造方法で得られた半導体チップを備える半導体装置ということができ、上記製造方法で得られた半導体チップを用いた半導体装置の製造方法ということもできる。
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
＜合成例１：粘着剤ポリマー（ＰＳＡ−１）の調製＞
４３．２０質量部の２−エチルヘキシルアクリレート（東亜合成株式会社製）、１．８０質量部のアクリル酸（株式会社日本触媒製）、３．５５質量部のグリシジルメタクリレート（日油株式会社製）、溶媒として５５．００質量部の酢酸エチル、及び、重合開始剤として０．０９質量部のアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）（Ｖ−６５，和光純薬工業株式会社製）を混合し、窒素雰囲気下、５０℃で２４時間反応させて、粘着剤ポリマー（ＰＳＡ−１）の酢酸エチル溶液（以下、場合により「ＰＳＡ−１溶液」という。）を得た。
４３．２０質量部の２−エチルヘキシルアクリレート（東亜合成株式会社製）、１．８０質量部のアクリル酸（株式会社日本触媒製）、３．５５質量部のグリシジルメタクリレート（日油株式会社製）、溶媒として５５．００質量部の酢酸エチル、及び、重合開始剤として０．０９質量部のアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）（Ｖ−６５，和光純薬工業株式会社製）を混合し、窒素雰囲気下、５０℃で２４時間反応させて、粘着剤ポリマー（ＰＳＡ−１）の酢酸エチル溶液（以下、場合により「ＰＳＡ−１溶液」という。）を得た。
＜合成例２：粘着剤ポリマー（ＰＳＡ−２）の調製＞
２９．４０質量部のｎ−ブチルアクリレート（三菱化学株式会社製）、０．６０質量部のアクリル酸（株式会社日本触媒製）、溶媒として７０．００質量部の酢酸エチル、及び、重合開始剤として０．０６質量部のアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）（Ｖ−６５，和光純薬工業株式会社製）を混合し、窒素雰囲気下、５０℃で２４時間反応させて、粘着剤ポリマー（ＰＳＡ−２）の酢酸エチル溶液（以下、場合により「ＰＳＡ−２溶液」という。）を得た。
２９．４０質量部のｎ−ブチルアクリレート（三菱化学株式会社製）、０．６０質量部のアクリル酸（株式会社日本触媒製）、溶媒として７０．００質量部の酢酸エチル、及び、重合開始剤として０．０６質量部のアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）（Ｖ−６５，和光純薬工業株式会社製）を混合し、窒素雰囲気下、５０℃で２４時間反応させて、粘着剤ポリマー（ＰＳＡ−２）の酢酸エチル溶液（以下、場合により「ＰＳＡ−２溶液」という。）を得た。
＜作製例１：基材フィルム（ＰＵＲ−１）の作製＞
７２．０質量部のポリテトラメチレンエーテルグリコール（ＰＴＭＧ ６５０、数平均分子量約６５０、三菱化学株式会社製）、２８．０質量部のジフェニルメタンジイソシアネート（和光純薬工業株式会社製）、０．０１質量部のジブチルスズジラウレート（和光純薬株式会社製）を混合し、１８０℃で３時間反応させてポリウレタンを得た。次いで、得られたポリウレタンを加圧成型機で成型し、厚さ２００μｍの基材フィルムを作製した。なお、ＧＰＣ法で測定したところ、得られたポリウレタンの数平均分子量は３１０００、重量平均分子量は６５０００であった。
７２．０質量部のポリテトラメチレンエーテルグリコール（ＰＴＭＧ ６５０、数平均分子量約６５０、三菱化学株式会社製）、２８．０質量部のジフェニルメタンジイソシアネート（和光純薬工業株式会社製）、０．０１質量部のジブチルスズジラウレート（和光純薬株式会社製）を混合し、１８０℃で３時間反応させてポリウレタンを得た。次いで、得られたポリウレタンを加圧成型機で成型し、厚さ２００μｍの基材フィルムを作製した。なお、ＧＰＣ法で測定したところ、得られたポリウレタンの数平均分子量は３１０００、重量平均分子量は６５０００であった。
＜作製例２：基材フィルム（ＰＵＲ−２）の作製＞
５７．０質量部のポリライトＯＤ−Ｘ−２４０（商品名、分子量約１０００の１，４−ブタンジオールとアジピン酸との縮合重合物、ポリエステルポリオール、ＤＩＣ株式会社製）、７．５質量部の１，４−ブタンジオール、３５．５質量部のジフェニルメタンジイソシアネート（和光純薬工業株式会社製）、０．０１質量部のジブチルスズジラウレート（和光純薬工業株式会社製）を混合し、１８０℃で３時間反応させてポリウレタンを得た。次いで、得られたポリウレタンを加圧成型機で成型し、厚さ１５０μｍの基材フィルムを作製した。なお、ＧＰＣ法で測定したところ、得られたポリウレタンの数平均分子量は４７０００、重量平均分子量は９６０００であった。
５７．０質量部のポリライトＯＤ−Ｘ−２４０（商品名、分子量約１０００の１，４−ブタンジオールとアジピン酸との縮合重合物、ポリエステルポリオール、ＤＩＣ株式会社製）、７．５質量部の１，４−ブタンジオール、３５．５質量部のジフェニルメタンジイソシアネート（和光純薬工業株式会社製）、０．０１質量部のジブチルスズジラウレート（和光純薬工業株式会社製）を混合し、１８０℃で３時間反応させてポリウレタンを得た。次いで、得られたポリウレタンを加圧成型機で成型し、厚さ１５０μｍの基材フィルムを作製した。なお、ＧＰＣ法で測定したところ、得られたポリウレタンの数平均分子量は４７０００、重量平均分子量は９６０００であった。
＜作製例３：基材フィルム（ＰＵＲ−３）の作製＞
５３．０質量部の３−メチル−１，５−ペンタンジオール（和光純薬工業株式会社製）、４７．０質量部のエチレンカーボネート（和光純薬工業株式会社製）、触媒として０．０００７２質量部の酢酸鉛三水和物を混合し、１６０℃で１６時間反応させて、数平均分子量１０００のポリカーボネートジオールを得た。次いで、６４．０質量部の上記ポリカーボネートジオールと、８．０質量部の１，４−ブタンジオール（和光純薬工業株式会社製）と、２８．０質量部のヘキサメチレンジイソシアネート（和光純薬工業株式会社製）、０．０１質量部のジブチルスズジラウレート（和光純薬工業株式会社製）を混合し、１８０℃で３時間反応させてポリウレタンを得た。次いで、得られたポリウレタンを加圧成型機で成型し、厚さ１００μｍの基材フィルムを作製した。なお、ＧＰＣ法で測定したところ、得られたポリウレタンの数平均分子量は２８０００、重量平均分子量は８９０００であった。
５３．０質量部の３−メチル−１，５−ペンタンジオール（和光純薬工業株式会社製）、４７．０質量部のエチレンカーボネート（和光純薬工業株式会社製）、触媒として０．０００７２質量部の酢酸鉛三水和物を混合し、１６０℃で１６時間反応させて、数平均分子量１０００のポリカーボネートジオールを得た。次いで、６４．０質量部の上記ポリカーボネートジオールと、８．０質量部の１，４−ブタンジオール（和光純薬工業株式会社製）と、２８．０質量部のヘキサメチレンジイソシアネート（和光純薬工業株式会社製）、０．０１質量部のジブチルスズジラウレート（和光純薬工業株式会社製）を混合し、１８０℃で３時間反応させてポリウレタンを得た。次いで、得られたポリウレタンを加圧成型機で成型し、厚さ１００μｍの基材フィルムを作製した。なお、ＧＰＣ法で測定したところ、得られたポリウレタンの数平均分子量は２８０００、重量平均分子量は８９０００であった。
＜作製例４：基材フィルム（ＰＵＲ−４）の作製＞
６３．０質量部のポリライトＯＤ−Ｘ−２４０（商品名、分子量約１０００の１，４−ブタンジオールとアジピン酸との縮合重合物、ポリエステルポリオール、ＤＩＣ株式会社製）、６．０質量部の１，４−ブタンジオール（和光純薬工業株式会社製）、３１．０質量部のジフェニルメタンジイソシアネート（和光純薬工業株式会社製）、０．０１質量部のジブチルスズジラウレート（和光純薬工業株式会社製）を混合し、１８０℃で３時間反応させてポリウレタンを得た。次いで、得られたポリウレタンを加圧成型機で成型し、厚さ２００μｍの基材フィルムを作製した。なお、ＧＰＣ法で測定したところ、得られたポリウレタンの数平均分子量は５００００、重量平均分子量は１０００００であった。
６３．０質量部のポリライトＯＤ−Ｘ−２４０（商品名、分子量約１０００の１，４−ブタンジオールとアジピン酸との縮合重合物、ポリエステルポリオール、ＤＩＣ株式会社製）、６．０質量部の１，４−ブタンジオール（和光純薬工業株式会社製）、３１．０質量部のジフェニルメタンジイソシアネート（和光純薬工業株式会社製）、０．０１質量部のジブチルスズジラウレート（和光純薬工業株式会社製）を混合し、１８０℃で３時間反応させてポリウレタンを得た。次いで、得られたポリウレタンを加圧成型機で成型し、厚さ２００μｍの基材フィルムを作製した。なお、ＧＰＣ法で測定したところ、得られたポリウレタンの数平均分子量は５００００、重量平均分子量は１０００００であった。
＜作製例５：基材フィルム（ＰＵＲ−５）の作製＞
８５．０質量部のポリテトラメチレンエーテルグリコール（ＰＴＭＧ １５００、数平均分子量約１５００、三菱化学株式会社製）、１５．０質量部のジシクロヘキシルメタンジイソシアネート（和光純薬工業株式会社製）、０．０１質量部のジブチルスズジラウレート（和光純薬工業株式会社製）を混合し、１８０℃で３時間反応させてポリウレタンを得た。次いで、得られたポリウレタンを加圧成型機で成型し、厚さ１５０μｍの基材フィルムを作製した。なお、ＧＰＣ法で測定したところ、得られたポリウレタンの数平均分子量は４８０００、重量平均分子量は１４００００であった。
８５．０質量部のポリテトラメチレンエーテルグリコール（ＰＴＭＧ １５００、数平均分子量約１５００、三菱化学株式会社製）、１５．０質量部のジシクロヘキシルメタンジイソシアネート（和光純薬工業株式会社製）、０．０１質量部のジブチルスズジラウレート（和光純薬工業株式会社製）を混合し、１８０℃で３時間反応させてポリウレタンを得た。次いで、得られたポリウレタンを加圧成型機で成型し、厚さ１５０μｍの基材フィルムを作製した。なお、ＧＰＣ法で測定したところ、得られたポリウレタンの数平均分子量は４８０００、重量平均分子量は１４００００であった。
＜作製例６：基材フィルム（ＰＵＲ−６）の作製＞
４９．０質量部のアジピン酸（和光純薬工業株式会社製）、１４．５質量部のイソフタル酸（和光純薬工業株式会社製）、３６．５質量部の１，４−ブタンジオール（和光純薬工業株式会社製）、触媒として４０質量ｐｐｍのチタニウムテトラブチレート（和光純薬工業株式会社製）を混合し、２４０℃でエステル化反応を行い、数平均分子量１２００のポリエステルポリオールを調製した。次いで、６３．０質量部の上記ポリエステルポリオール、５．０質量部の１，４−ブタンジオール（和光純薬工業株式会社製）、３２．０質量部のジシクロヘキシルメタンジイソシアネート（和光純薬工業株式会社製）、０．０１質量部のジブチルスズジラウレート（和光純薬工業株式会社製）を混合し、１８０℃で３時間反応させてポリウレタンを得た。得られたポリウレタンを加圧成型機で成型し、厚さ１５０μｍの基材フィルムを作製した。なお、ＧＰＣ法で測定したところ、得られたポリウレタンの数平均分子量は５１０００、重量平均分子量は１２０，０００であった。
４９．０質量部のアジピン酸（和光純薬工業株式会社製）、１４．５質量部のイソフタル酸（和光純薬工業株式会社製）、３６．５質量部の１，４−ブタンジオール（和光純薬工業株式会社製）、触媒として４０質量ｐｐｍのチタニウムテトラブチレート（和光純薬工業株式会社製）を混合し、２４０℃でエステル化反応を行い、数平均分子量１２００のポリエステルポリオールを調製した。次いで、６３．０質量部の上記ポリエステルポリオール、５．０質量部の１，４−ブタンジオール（和光純薬工業株式会社製）、３２．０質量部のジシクロヘキシルメタンジイソシアネート（和光純薬工業株式会社製）、０．０１質量部のジブチルスズジラウレート（和光純薬工業株式会社製）を混合し、１８０℃で３時間反応させてポリウレタンを得た。得られたポリウレタンを加圧成型機で成型し、厚さ１５０μｍの基材フィルムを作製した。なお、ＧＰＣ法で測定したところ、得られたポリウレタンの数平均分子量は５１０００、重量平均分子量は１２０，０００であった。
＜実施例１＞
（粘着フィルムの作製）
合成例１で得られたＰＳＡ−１溶液を、固形分量が２０質量％になるようトルエンで希釈して、塗布液を調製した。次いで、作製例１で得られた基材フィルム（ＰＵＲ−１）の一面上に塗布液を塗布し、６５℃で５分間乾燥させて、厚さ５μｍの粘着剤層を形成した。粘着剤層上に、厚さ３８μｍの剥離フィルム（Ｐｕｒｅｘ Ａ３１、帝人デュポンフィルム株式会社製）をラミネートし、実施例１の粘着フィルムを得た。
（粘着フィルムの作製）
合成例１で得られたＰＳＡ−１溶液を、固形分量が２０質量％になるようトルエンで希釈して、塗布液を調製した。次いで、作製例１で得られた基材フィルム（ＰＵＲ−１）の一面上に塗布液を塗布し、６５℃で５分間乾燥させて、厚さ５μｍの粘着剤層を形成した。粘着剤層上に、厚さ３８μｍの剥離フィルム（Ｐｕｒｅｘ Ａ３１、帝人デュポンフィルム株式会社製）をラミネートし、実施例１の粘着フィルムを得た。
（半導体チップの製造）
得られた粘着フィルムを２枚（それぞれ粘着フィルムＡ、粘着フィルムＢという。）用いて、下記（ａ）〜（ｅ）の工程により、半導体チップを製造した。なお、粘着フィルムは貼着時に剥離フィルムを剥離して使用した。
（ａ）研削工程（バックグラインド工程）
シリコンウェハ（直径２００ｍｍ、厚さ７２５μｍ）の一方面上に粘着フィルムＡを貼着し、当該シリコンウェハを粘着フィルムＡを介して研削装置の定盤上に積置し、真空吸着により固定した。次いで、粘着フィルムＡを貼着した面と反対側の面を、水をかけて冷却しながら厚さが２００μｍになるまで研削加工した。
得られた粘着フィルムを２枚（それぞれ粘着フィルムＡ、粘着フィルムＢという。）用いて、下記（ａ）〜（ｅ）の工程により、半導体チップを製造した。なお、粘着フィルムは貼着時に剥離フィルムを剥離して使用した。
（ａ）研削工程（バックグラインド工程）
シリコンウェハ（直径２００ｍｍ、厚さ７２５μｍ）の一方面上に粘着フィルムＡを貼着し、当該シリコンウェハを粘着フィルムＡを介して研削装置の定盤上に積置し、真空吸着により固定した。次いで、粘着フィルムＡを貼着した面と反対側の面を、水をかけて冷却しながら厚さが２００μｍになるまで研削加工した。
（ｂ）化学エッチング工程
シリコンウェハの研削加工された面をフッ硝酸により化学エッチングして、厚さ１８０μｍにまで薄層化した。
シリコンウェハの研削加工された面をフッ硝酸により化学エッチングして、厚さ１８０μｍにまで薄層化した。
（ｃ）個片化工程（ダイシング工程）
シリコンウェハの化学エッチングが施された面に粘着フィルムＢを貼着し、上記（ａ）で貼着した粘着フィルムＡを剥離し、粘着フィルムＢを介してシリコンウェハダイシング装置のチャックテーブル上に積置し、真空吸着により固定した。次いで、粘着フィルムＢが貼着された面と反対側の面からダイヤモンドブレードによる切断を行い、シリコンウェハをチップ状に個片化した。続いて、粘着フィルムＢを伸張させて、個片化されたウェハ間を拡張させた。
シリコンウェハの化学エッチングが施された面に粘着フィルムＢを貼着し、上記（ａ）で貼着した粘着フィルムＡを剥離し、粘着フィルムＢを介してシリコンウェハダイシング装置のチャックテーブル上に積置し、真空吸着により固定した。次いで、粘着フィルムＢが貼着された面と反対側の面からダイヤモンドブレードによる切断を行い、シリコンウェハをチップ状に個片化した。続いて、粘着フィルムＢを伸張させて、個片化されたウェハ間を拡張させた。
（ｄ）ガスエッチング工程（加熱加工工程）
Ｏ３及びＣｌＦ３によるガスエッチングを行った。このとき、粘着フィルムＢは１５０℃に加熱された。
Ｏ３及びＣｌＦ３によるガスエッチングを行った。このとき、粘着フィルムＢは１５０℃に加熱された。
（ｅ）ピックアップ工程
粘着フィルムＢ上から個片化されたウェハをピックアップすることにより、半導体チップを得た。
粘着フィルムＢ上から個片化されたウェハをピックアップすることにより、半導体チップを得た。
＜実施例２＞
基材フィルムとして、作製例２で得られた基材フィルム（ＰＵＲ−２）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、粘着フィルムの作製及び半導体チップの製造を行った。
基材フィルムとして、作製例２で得られた基材フィルム（ＰＵＲ−２）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、粘着フィルムの作製及び半導体チップの製造を行った。
＜実施例３＞
基材フィルムとして、作製例３で得られた基材フィルム（ＰＵＲ−３）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、粘着フィルムの作製及び半導体チップの製造を行った。
基材フィルムとして、作製例３で得られた基材フィルム（ＰＵＲ−３）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、粘着フィルムの作製及び半導体チップの製造を行った。
＜比較例１〜３＞
基材フィルムとして、作製例４〜６で得られた基材フィルム（ＰＵＲ−４）、基材フィルム（ＰＵＲ−５）及び基材フィルム（ＰＵＲ−６）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、粘着フィルムの作製及び半導体チップの製造を行った。
基材フィルムとして、作製例４〜６で得られた基材フィルム（ＰＵＲ−４）、基材フィルム（ＰＵＲ−５）及び基材フィルム（ＰＵＲ−６）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、粘着フィルムの作製及び半導体チップの製造を行った。
＜比較例４＞
合成例２で得られたＰＳＡ−２溶液を、固形分量が２０質量％になるようトルエンで希釈して、塗布液を調製した。次いで、１００質量部の当該塗布液と１０質量部のＥ−ＡＸ（多官能エポキシ化合物の５質量％酢酸エチル溶液、総研化学株式会社製）とを混合し、作製例１で得られた基材フィルム（ＰＵＲ−１）の一面上に塗布し、６５℃で５分間乾燥させて、厚さ５μｍの粘着剤層を形成した。粘着剤層上に、厚さ３８μｍの剥離フィルム（Ｐｕｒｅｘ Ａ３１、帝人デュポンフィルム株式会社製）をラミネートし、比較例４の粘着フィルムを得た。得られた粘着フィルムを用いて、実施例１と同様の方法により、半導体チップの製造を行った。
合成例２で得られたＰＳＡ−２溶液を、固形分量が２０質量％になるようトルエンで希釈して、塗布液を調製した。次いで、１００質量部の当該塗布液と１０質量部のＥ−ＡＸ（多官能エポキシ化合物の５質量％酢酸エチル溶液、総研化学株式会社製）とを混合し、作製例１で得られた基材フィルム（ＰＵＲ−１）の一面上に塗布し、６５℃で５分間乾燥させて、厚さ５μｍの粘着剤層を形成した。粘着剤層上に、厚さ３８μｍの剥離フィルム（Ｐｕｒｅｘ Ａ３１、帝人デュポンフィルム株式会社製）をラミネートし、比較例４の粘着フィルムを得た。得られた粘着フィルムを用いて、実施例１と同様の方法により、半導体チップの製造を行った。
＜評価１．基材フィルムの評価＞
作製例１〜６で得られた基材フィルムの貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失係数Ｇ”／Ｇ’を、Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｒｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ（ＡＲＥＳ）（Ｒｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて、せん断モード、周波数１Ｈｚ、１６０℃の条件で測定した。測定結果は表１に示すとおりであった。
作製例１〜６で得られた基材フィルムの貯蔵せん断弾性率Ｇ’及び損失係数Ｇ”／Ｇ’を、Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｒｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ（ＡＲＥＳ）（Ｒｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて、せん断モード、周波数１Ｈｚ、１６０℃の条件で測定した。測定結果は表１に示すとおりであった。
また、基材フィルムの引張強さ（ＭＰａ）、伸び（％）及び引裂強さ（ｋＮ／ｍ）を、ＪＩＳ−Ｋ−７３１１（１９９５）に準拠して測定した。試験片としては、ＪＩＳ−Ｋ−７３１１（１９９５）に規定するダンベル状試験片（幅５．０ｍｍ、長軸方向の長さ２０．０ｍｍ）を用い、引張速さは２００ｍｍ／分、試験温度は２５℃とした。測定結果は表１に示すとおりであった。
＜評価２．半導体チップ製造時の評価＞
２−１．耐水性評価
工程（ａ）及び（ｂ）において、シリコンウェハと粘着フィルムＡの間への水又はフッ硝酸の浸入が観測された場合をＢ、観測されなかった場合をＡとして評価した。結果は表２に示すとおりであった。
２−１．耐水性評価
工程（ａ）及び（ｂ）において、シリコンウェハと粘着フィルムＡの間への水又はフッ硝酸の浸入が観測された場合をＢ、観測されなかった場合をＡとして評価した。結果は表２に示すとおりであった。
２−２．粘着力評価
工程（ｃ）において、個片化されたシリコンウェハの粘着フィルムＢからの剥離・脱落が観測された場合をＢ、観測されなかった場合をＡとして評価した。結果は表２に示すとおりであった。
工程（ｃ）において、個片化されたシリコンウェハの粘着フィルムＢからの剥離・脱落が観測された場合をＢ、観測されなかった場合をＡとして評価した。結果は表２に示すとおりであった。
２−３．剥離性評価
工程（ｅ）において、ピックアップした際に糊残りが観測された場合をＢ、糊残り無く容易にピックアップが可能であった場合をＡとして評価した。結果は表２に示すとおりであった。
工程（ｅ）において、ピックアップした際に糊残りが観測された場合をＢ、糊残り無く容易にピックアップが可能であった場合をＡとして評価した。結果は表２に示すとおりであった。
２−４．耐熱性評価（１）
工程（ｄ）の後、エッチングガスに曝された部分に変色・変形が生じ、粘着剤層が固着して個片化されたシリコンウェハのピックアップが困難となった場合をＢ、変色・変形が生じず、糊残り無く容易にピックアップできた場合をＡとして評価した。結果は表２に示すとおりであった。
工程（ｄ）の後、エッチングガスに曝された部分に変色・変形が生じ、粘着剤層が固着して個片化されたシリコンウェハのピックアップが困難となった場合をＢ、変色・変形が生じず、糊残り無く容易にピックアップできた場合をＡとして評価した。結果は表２に示すとおりであった。
２−５．耐熱性評価（２）
工程（ｅ）の後、粘着フィルムＢをダイシング装置の装置定盤（チャックテーブル）から外す際、粘着フィルムＢの基材フィルムが装置定盤に融着して、取り外し困難となっていた場合をＢ、基材フィルムの融着が無く容易に粘着フィルムＢを外すことができた場合をＡとして評価した。結果は表２に示すとおりであった。
工程（ｅ）の後、粘着フィルムＢをダイシング装置の装置定盤（チャックテーブル）から外す際、粘着フィルムＢの基材フィルムが装置定盤に融着して、取り外し困難となっていた場合をＢ、基材フィルムの融着が無く容易に粘着フィルムＢを外すことができた場合をＡとして評価した。結果は表２に示すとおりであった。
Claims (5)
- 基材フィルムと、該基材フィルムの一方面上に設けられた粘着剤層と、を備える半導体ウェハ加工用粘着フィルムであって、
前記基材フィルムが、１６０℃における貯蔵せん断弾性率Ｇ’が５．０×１０３Ｐａ以上、且つ、貯蔵せん断弾性率Ｇ’に対する損失せん断弾性率Ｇ”の比である損失係数Ｇ”／Ｇ’が３．０以下のポリウレタンフィルムであり、
前記粘着剤層が、アルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸及びグリシジル（メタ）アクリレートを含むモノマー混合物を重合して得られるポリマーを含み、
前記モノマー混合物が、前記アルキル（メタ）アクリレート及び前記（メタ）アクリル酸の合計１００質量部に対して、９０〜９９質量部以下の前記アルキル（メタ）アクリレート及び１〜１０質量部の前記（メタ）アクリル酸を含み、且つ、前記（メタ）アクリル酸１モルに対して、０．２５〜２．５モルの前記グリシジル（メタ）アクリレートを含む、半導体ウェハ加工用粘着フィルム。 - 半導体ウェハの回路形成面に、請求項１に記載の半導体ウェハ加工用粘着フィルムを貼着する貼着工程と、
前記半導体ウェハ加工用粘着フィルムが貼着された前記半導体ウェハの回路非形成面を加工して、前記半導体ウェハを薄層化する薄層化工程と、
を有する、薄層化された半導体ウェハの製造方法。 - 請求項１に記載の半導体ウェハ加工用粘着フィルムが貼着された半導体ウェハを個片化する個片化工程と、
個片化された前記半導体ウェハを、前記半導体ウェハ加工用粘着フィルム上からピックアップして半導体チップを得るピックアップ工程と、
を有する半導体チップの製造方法。 - 半導体ウェハの回路形成面に、第一の粘着フィルムを貼着する第一の貼着工程と、
前記第一の粘着フィルムが貼着された前記半導体ウェハの回路非形成面を加工して、前記半導体ウェハを薄層化する薄層化工程と、
薄層化された前記半導体ウェハの回路非形成面に、第二の粘着フィルムを貼着する第二の貼着工程と、
前記第二の粘着フィルムが貼着された前記半導体ウェハを個片化する個片化工程と、
個片化された前記半導体ウェハを、前記第二の粘着フィルム上からピックアップして半導体チップを得るピックアップ工程と、
を有し、
前記第一の粘着フィルム及び前記第二の粘着フィルムのうち少なくとも一方が、請求項１に記載の半導体ウェハ加工用粘着フィルムである、半導体チップの製造方法。 - 前記半導体ウェハ加工用粘着フィルムが貼着されている前記半導体ウェハに対して、前記半導体ウェハ加工用粘着フィルムが１３０℃以上に加熱される加工を施す加工工程をさらに有する、請求項２〜４のいずれか一項に記載の製造方法。
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| JP2017048384A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 日本合成化学工業株式会社 | アクリル系樹脂の製造方法および無溶媒型粘着剤用アクリル系樹脂、これを用いた無溶媒型粘着剤組成物、粘着剤ならびに粘着シート |
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2013
- 2013-07-09 JP JP2013143808A patent/JP2015017159A/ja active Pending
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