CN104303271B - 切割片 - Google Patents

切割片 Download PDF

Info

Publication number
CN104303271B
CN104303271B CN201380025930.6A CN201380025930A CN104303271B CN 104303271 B CN104303271 B CN 104303271B CN 201380025930 A CN201380025930 A CN 201380025930A CN 104303271 B CN104303271 B CN 104303271B
Authority
CN
China
Prior art keywords
agent layer
cutting sheet
mass parts
resin
adhering agent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201380025930.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104303271A (zh
Inventor
西田卓生
金井道生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Publication of CN104303271A publication Critical patent/CN104303271A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104303271B publication Critical patent/CN104303271B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L93/00—Compositions of natural resins; Compositions of derivatives thereof
    • C08L93/04—Rosin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/02—Homopolymers or copolymers of acids; Metal or ammonium salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J193/00—Adhesives based on natural resins; Adhesives based on derivatives thereof
    • C09J193/04—Rosin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C09J4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09J159/00 - C09J187/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
    • C08L2205/035—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend containing four or more polymers in a blend
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2400/00—Presence of inorganic and organic materials
    • C09J2400/20—Presence of organic materials
    • C09J2400/22—Presence of unspecified polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2493/00—Presence of natural resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明提供一种切割片，其涉及在切割步骤、扩展步骤及拾取步骤中的任一步骤均可减少发生异常的可能性，其是包括基材2及层积在基材2的至少一个的面上的粘着剂层3的切割片1，粘着剂层由含有丙烯酸类聚合物(A)、能量线聚合性化合物(B)及赋予粘着性树脂(C)的粘着剂组合物形成，所述赋予粘着性树脂(C)含有聚合松香酯(C1)的同时，含有不均化松香酯(C2)及石油类树脂(C3)中的至少一种，所述粘着剂组合物所含有的所述聚合松香酯(C1)的含量，相对于100质量份丙烯酸类聚合物(A)，为5质量份以上，所述切割片，能量线照射前的状态下的粘着力相对于能量线照射后的状态下的粘着力之比为3以上，所述粘着力是以粘着剂层的面向所述基材侧的相反侧的露出面作为测定对象面，以半导体封装的树脂封装面作为被粘着面，按照JIS Z0237:2000进行180°拉剥试验所测定的。

Description

切割片
技术领域
本发明涉及用于切割由树脂封装多个半导体芯片而成的半导体封装的切割片。
背景技术
通常如下制作半导体芯片被树脂封装的半导体零件(在本说明书中称为“封胶芯片”。)。首先，将半导体芯片搭载于TAB带等连接多个基台而成的集合体的各基台上，将这些半导体芯片同时进行树脂封装得到电子零件集合体(在本说明书中，称为“半导体封装”。)。其次，通过在半导体封装的一个面上，粘贴包括基材与粘着剂层的粘着片(在本说明书称为“切割片”。)将半导体封装固定在切割片上。将固定在该切割片的半导体封装切断分离(切割)进行单片化，制作多个封胶芯片近接配置在切割片上的构件(切割步骤)。通常，切割片的粘着剂层，是设计成可通过特定的刺激使粘着剂层的粘着性降低，特定的刺激，例如采用能量线照射。然后，在进行以下的步骤之前，包含对切割片照射能量线，使粘着剂层的粘着性降低的步骤。接着，将在该构件上的切割片扩展(向主面内方向伸长)，扩大配置于切割片上的封胶芯片的间隔(扩展步骤)。将这样在切割片上呈互相离间状态的封胶芯片，单个地拾取由切割片分离(拾取步骤)移送至下一步骤。此时，通过包含使所述粘着剂层的粘着性降低的步骤，可使拾取步骤简单化。
这一连串的步骤之中，在切割步骤及其后的扩展步骤，半导体封装及其被切割而成的封胶芯片，需要可维持固定在切割片上的状态。由实现该目的的观点来看，切割片的粘着剂层，在对该半导体封装及封胶芯片进行能量线照射前的粘着性(在本说明书中，若无说明的“粘着性”是指能量线照射前的粘着性。)高为优选。在此，切割片的被粘着体为半导体封装及封胶芯片时，相较于以半导体芯片作为被粘着体时，被粘着面的凹凸有变大的趋势。因此，将以半导体芯片作为被粘着体的切割片，转用于使用在对半导体封装的所述步骤的切割片，则对被粘着体的粘着性变得不充分，存在在切割步骤切断半导体封装中，单片化的封胶芯片从切割片上剥离飞散，或在扩展步骤中使切割片伸展时封胶芯片从切割片上剥离飞散等异常。以下，将在切割步骤或扩展步骤中产生的这些异常总称为“封胶芯片飞散”。以减少发生该封胶芯片飞散的可能性为目的，例如引用文献1所记载，进行使切割片的粘着剂层含有赋予粘着性的树脂材料(在本说明书中，称为“赋予粘着性树脂”。)。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2005-229040号公报
发明内容
(一)要解决的技术问题
作为赋予粘着性树脂，从提高粘着剂层的粘着性的观点来看，一般的松香类材料为良好的材料。但是，本发明人等详细研究的结果，松香类的赋予粘着性树脂，若不适当地控制其种类或含量，则粘着剂层上的粘着性发生离散，或虽可确保粘着剂层的粘着性但无法适当地进行拾取步骤的情形。具体而言，在拾取步骤中，有发生无法拾取封胶芯片的异常情形。以下，将这些异常总称为“拾取不良”。
本发明的目的是提供一种在切割步骤、扩展步骤及拾取步骤中的任一步骤，均可减少发生异常可能性的切割片，及使用该切割片的封胶芯片的制造方法。
(二)技术方案
为实现上述目的，本发明人等研究后发现，通过使切割片具备的粘着剂层所含有的赋予粘着性树脂为由聚合松香酯、不均化松香酯及石油类树脂中的至少一种构成，使聚合松香酯的含量在该赋予粘着性树脂中为一定量以上的同时，通过使能量线照射前后的粘着力的比例(前/后)为3以上，在切割步骤、扩展步骤及拾取步骤中的任一步骤，均可减少发生上述异常的可能性。
基于该发现所完成的本发明，第一提供一种切割片，其是一种包括基材及层积于所述基材的至少一个面上的粘着剂层的切割片，其特征在于，所述粘着剂层，由含有丙烯酸类聚合物(A)、能量线聚合性化合物(B)及赋予粘着性树脂(C)的粘着剂组合物所形成，所述赋予粘着性树脂(C)在含有聚合松香酯(C1)的同时，还含有不均化松香酯(C2)及石油类树脂(C3)中的至少一种，所述粘着剂组合物所含有的所述聚合松香酯(C1)的含量，相对于100质量份所述丙烯酸类聚合物(A)，为5质量份以上，所述切割片在能量线照射前的状态下的粘着力相对于能量线照射后的状态下的粘着力之比为3以上，所述粘着力是以所述粘着剂层的面向所述基材侧的相反侧的露出面作为测定对象面，以半导体封装的树脂封装面作为被粘着面，依据JIS Z0237:2000进行180°拉剥试验所测定的(发明1)。
该切割片，由于适当地含有赋予粘着性树脂(C)、粘着力之比为3以上，不容易发生封胶芯片的飞散或拾取不良等异常。
在所述发明(发明1)中，其中所述粘着剂组合物所含有的所述聚合松香酯(C1)的含量，相对于100质量份所述丙烯酸类聚合物(A)，优选5质量份以上20质量份以下(发明2)。通过设定该范围，可降低发生粘着性离散或粘着力之比下降的可能性，此外，可容易得到提高粘着剂层的粘着性的粘着剂层。
在所述发明(发明1、2)中，其中所述粘着剂组合物所含有的不均化松香酯(C2)的含量及石油类树脂(C3)的含量的总和，相对于100质量份所述丙烯酸类聚合物(A)，优选50质量份以上(发明3)。不均化松香酯(C2)的含量及石油类树脂(C3)除了作发挥赋予粘着性树脂的功能外，也具有提高聚合松香酯(C1)与丙烯酸类聚合物(A)的相溶性的功能，通过满足所述含量的范围，可更稳定地发挥提高相溶性的功能。
在所述发明(发明1至3)中，其中能量线聚合性化合物(B)，优选含有重均分子量Mw为100以上30,000以下并具有能量线聚合性基团的低分子量化合物(B1)(发明4)。该低分子量化合物(B1)，由选自由具有能量线聚合性基团的单官能单体及多官能单体以及这些单体的寡聚物所组成的群中的一种或二种以上所组成，通过含有该低分子量化合物(B1)可降低粘着剂层的组成稳定性下降的可能性，且由于所述低分子量化合物(B1)可具有与赋予粘着性树脂(C)同样的功能，因此更易提高粘着剂层的粘着性。
在所述发明(发明4)中，其中所述粘着剂组合物所含有的具有能量线聚合性基团的低分子化合物(B1)的含量，相对于100质量份所述丙烯酸类聚合物(A)，优选50质量份以上150质量份以下(发明5)。通过使具有能量线聚合性基团的低分子化合物(B1)的含量在所述范围内，可通过照射能量线使粘着剂层的粘着性适当地降低，同时使粘着剂层塑化，可更显著地发挥该粘着性上升的效果。此外，可防止发生因粘着剂层的各成分的相溶性降低导致的异常。
在所述发明(发明1至5)中，其中所述粘着剂组合物，优选含有可与所述丙烯酸类聚合物进行交联反应的交联剂(发明6)。此时，由粘着剂组合物形成的粘着剂层中，在丙烯酸类聚合物(A)所具有的应与交联剂反应的官能基团(在本说明书中，将可与交联剂反应的官能基团也称为“反应性官能基团”。)中，含有可与交联剂进行交联反应的交联物，通过调整该交联物所具有交联构造(由反应性官能基团-交联剂-反应性官能基团构成。)在粘着剂层内的存在密度(在本说明书中也称为“交联密度”。)，可控制粘着剂层的在能量线照射前的粘着性等特性。
在所述发明(发明1至6)中，其中所述粘着剂层的厚度优选在5μm以上35μm以下(发明7)。通过使该厚度在该范围内，可降低发生粘着剂层的粘着性的离散增大、难以使粘着力之比在所述范围内、拾取时粘着剂层内部发生内聚破坏等问题的可能性。
在所述发明(发明1至7)中，其中在所述基材的所述粘着剂层侧的面上，优选存在具有选自羧基、及其离子及盐所组成的群中的一种或二种以上的成分(发明8)。通过该成分与作为粘着剂层的成分进行化学性相互作用，可降低基材与粘着剂层之间发生剥离的可能性。
优选将所述粘着剂层的与所述基材相反侧的面贴附于树脂封装半导体芯片后的半导体封装的树脂封装面(发明9)。通过使粘着剂层的与基材相反侧的面贴附在所述被粘着面上，可实现适当地发挥作为切割片的功能。
其次，本发明提供一种封胶芯片的制造方法，其将上述发明(发明1至9)中的任一项的切割片的所述粘着剂层侧的面，贴附于半导体封装的树脂封装面上，切断所述切割片上的所述半导体封装使其单片化，得到多个封胶芯片(发明10)。
该制造方法，由于在其过程中不易发生封胶芯片的飞散及拾取不良，因此可制造质量优良且成本有利的封胶芯片。
(三)有益效果
根据本发明，可提供在切割步骤、扩展步骤及拾取步骤中的任一步骤均可减少发生异常的可能性的切割片。此外，通过使用该切割片，可制造质量优良且成本有利的封胶芯片。
附图说明
图1为本发明的一个实施方式的切割片的示意剖面图。
具体实施方式
以下，说明本发明的实施方式。
如图1所示，关于本发明的一个实施方式的切割片1，其包括基材2及粘着剂层3。
1.基材
本实施方式的切割片1的基材2，只要在扩展步骤或拾取步骤不会破断，其构成材料并无特别限定，通常由以树脂类的材料为主材料的薄膜所构成。该薄膜的具体例，可列举低密度聚乙烯(LDPE)薄膜、直链低密度聚乙烯(LLDPE)薄膜、高密度聚乙烯(HDPE)薄膜等聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯-降冰片烯共聚物薄膜、降冰片烯树脂薄膜等聚烯烃类薄膜；聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜等聚氯乙烯类薄膜；聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜等聚酯类薄膜；聚氨酯薄膜；聚酰亚胺薄膜；离聚物树脂薄膜、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜等乙烯类共聚薄膜；聚苯乙烯薄膜；聚碳酸酯薄膜；氟树脂薄膜；以及以这些树脂的氢化物及改性物为主要材料的薄膜。此外，也可使用这些的交联薄膜、共聚物薄膜。所述基材2可以是单独一种，也可以是其中两种以上组合而成的层积薄膜。另外，本说明书中的“(甲基)丙烯酸”指丙烯酸及甲基丙烯酸两者。其它类似的用语也相同。
基材2也可在以上述树脂类材料为主要材料的薄膜内含有颜料、阻燃剂、塑化剂、抗静电剂、润滑剂、填充剂等各种添加剂。作为颜料，可举例如二氧化钛、碳黑等。此外，作为填充剂，可例示例如三聚氰胺树脂等有机类材料，如气相法二氧化硅等无机类材料及镍粒子等金属类材料。这样的添加剂的含量，并无特别限定，但应限于在基材2可发挥所期望的功能，且不失去平滑性及柔软性的范围。
使用紫外线作为用于使粘着剂层3固化所照射的能量线时，优选基材2对紫外线具有透射性。另外，使用电子线作为能量线时，优选基材2具有电子线透射性。
此外，优选在基材2的粘着剂层3侧的面(以下，也称为“基材被粘着面”。)上，存在具有选自羧基、及其离子及盐中的一种或两种以上的成分。基材2中的该成分与作为粘着剂层3的成分(可例示构成粘着剂层3的成分及交联剂等形成粘着剂层3时使用的成分。)通过化学性的相互作用，可降低它们之间发生剥离的可能性。对于使基材的被粘着面上存在这些成分的具体方法无特别限定。例如，可使基材2本身为例如乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、离聚物树脂薄膜等构成材料的树脂的结构单体具有羧基及其离子及盐的物质。作为在基材被粘着面上产生上述成分的其它方法，基材2也可以例如为聚烯烃类薄膜，对基材的被粘着面施以电晕处理，或设置底漆层。此外，也可以在基材2的与基材被粘着面相反侧的面上，设置各种涂膜。
基材2的厚度只要是切割片1可在所述各步骤适当地发挥功能，并无限定。优选20～450μm，更加优选25～200μm，特别优选50～150μm的范围。
本实施方式中的基材2的断裂伸长率，优选在23℃、相对湿度50％时所测定的值为100％以上，特别优选200％以上1000％以下。所述断裂伸长率为100％以上的基材2，在扩展步骤时不容易破断，容易将切断半导体构件所形成的封胶芯片分离。另外，断裂伸长率是根据JIS K7161:1994的拉伸试验中试验片断裂时的试验片的长度相对于原来的长度的伸长率。
此外，优选本实施方式中的基材2的根据JIS K7161:1994的试验所测定的25％变形时的拉伸应力为5N/10mm以上15N/10mm以下，最大拉伸应力优选为15MPa以上50MPa以下。25％变形时的拉伸应力不足5N/10mm、或最大拉伸应力不足15MPa时，则将半导体封装贴附于切割片1之后，固定在环形框等时，由于基材2柔软而发生松弛，形成输送错误的原因。另一方面，在25％变形时的拉伸应力超过15N/10mm、或最大拉伸应力不足50MPa时，则在扩展步骤时施加的荷重增大，有可能会发生切割片1本身由环形框剥落等问题。本发明的断裂伸长率、25％变形时的拉伸应力、最大拉伸应力是指对基材的长度方向进行测定的值。
2.粘着剂层
本实施方式的切割片1所具有的粘着剂层3，由含有如下所说明的丙烯酸类聚合物(A)、能量线聚合性化合物(B)及赋予粘着性树脂(C)等的粘着剂组合物所形成。
(1)丙烯酸类聚合物(A)
用于形成本实施方式的粘着剂层3的粘着剂组合物，含有丙烯酸类聚合物(A)。在由该粘着剂组合物形成的粘着剂层3中，有时也作为交联物含有其至少一部分与后述的交联剂进行交联反应的丙烯酸类聚合物(A)。在本说明书中，也将可与交联剂进行交联反应的官能团称为“反应性官能团”。丙烯酸类聚合物(A)虽并不必须具有反应性官能团，但丙烯酸类聚合物(A)具有反应性官能团时，由于可如上所述与交联剂形成交联物，因此而优选。另外，反应性官能团的种类，可按照交联剂的种类进行设定。
丙烯酸类聚合物(A)，可使用现有已知的丙烯酸类聚合物。丙烯酸类聚合物(A)的重均分子量Mw，优选1万以上200万以下，更加优选10万以上150万以下。此外，丙烯酸类聚合物A的玻璃化转变温度Tg，优选-70℃以上30℃以下，更加优选-60℃以上20℃以下的范围。
上述丙烯酸类聚合物(A)，可以是以一种丙烯酸类单体所形成的单独聚合物，也可以是多种丙烯酸类单体所形成的共聚物，也可以是一种或多种丙烯酸类单体与丙烯酸类单体以外的单体所形成的共聚物。对构成丙烯酸类单体的化合物的具体种类并无特别限定，具体可列举(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯、其衍生物(丙烯腈等)。对(甲基)丙烯酸酯进一步例举具体例，则可例举(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等具有链状骨架的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸环烷酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯基氧乙酯、(甲基)丙烯酸四氢糠酯、酰亚胺丙烯酸酯等环状骨架的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯等具有羟基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙酯等具有羟基以外的反应性官能团的(甲基)丙烯酸酯。此外，丙烯酸类单体以外的单体，可例示乙烯、降冰片烯等烯烃、醋酸乙烯酯、苯乙烯等。另外，丙烯酸类单体为(甲基)丙烯酸烷基酯时，该烷基的碳原子数以1～18的范围为佳。
本实施方式的用于形成粘着剂层3的粘着剂组合物，如后所述地含有可将丙烯酸类聚合物(A)交联的交联剂时，对丙烯酸类聚合物(A)所具有的反应性官能团的种类无特别限定，可根据交联剂的种类等适宜决定。例如，交联剂为聚异氰酸酯化合物时，丙烯酸类聚合物(A)所具有的反应性官能团，可列举羟基、羧基、胺基等。这些极性的官能团，除与交联剂反应的功能之外，还具有提高丙烯酸类聚合物(A)与赋予粘着性树脂(C)的相溶性的效果。其中，交联剂是聚异氰酸酯化合物时，作为反应性官能团优选采用与异氰酸酯基的反应性高的羟基。对于向丙烯酸类聚合物(A)导入作为反应性官能团的羟基的方法无特别限定。例如，可例举丙烯酸类聚合物(A)在骨架中含有基于(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯等具有羟基的丙烯酸酯的结构单元的情况。
(2)能量线聚合性化合物(B)
用于形成本实施方式的粘着剂层3的粘着剂组合物所含有的能量线聚合性化合物(B)，只要是具有能量线聚合性基团，受紫外线、电子线等能量线的照射而聚合反应即可，对其具体的结构无特别限定。通过能量线聚合性化合物(B)聚合，使粘着剂层3的粘着性降低，可提高拾取步骤的操作性。
能量线聚合性基团的种类无特别限定。具体可列举乙烯基、(甲基)丙烯酰基等具有乙烯类不饱和键的官能团等。从聚合反应性优异的方面考虑，能量线聚合性基团优选具有乙烯类不饱和键的官能团，其中，由照射能量线时反应性高方面考虑，更加优选(甲基)丙烯酰基。
能量线聚合性化合物(B)，可大致区分为具有能量线聚合性基团的低分子量化合物(在本说明书中，简称为“低分子量化合物”。)(B1)，及由在主链或侧链具有能量线聚合性基团的高分子所构成的能量线固化型聚合物(B2)。本实施方式的粘着剂层3，可使用这些中的任一种，或同时使用。
i)低分子量化合物(B1)
能量线聚合物(B)含有低分子量化合物(B1)时，由于低分子量化合物(B1)可与后述的赋予粘着性树脂(C)同样地，使粘着剂层3塑化，故可易于提高粘着剂层3的粘着性。低分子量化合物(B1)，可由一种化合物构成，也可由多种化合物构成。低分子量化合物(B1)每分子所具有的能量线聚合性基团数可为1个(单官能团)，也可为多个(多官能团)。此外，低分子量化合物(B1)也可具有被称为所谓寡聚物(具有10至100个左右来自单体的结构单元的化合物)的程度的分子量，其分子量优选100以上30,000以下。低分子量化合物(B1)分子量过小时，有在制造过程中挥发的可能，此时会降低粘着剂层3的组成的稳定性。另一方面，低分子量化合物(B1)的分子量过大时，有可能难以得到使粘着剂层3塑化的功能。从使在制造过程降低挥发的可能性与提高使粘着剂层3塑化的功能稳定地并存的观点出发，低分子量化合物(B1)的分子量，以重均分子量(Mw)计，优选200以上20,000以下，更加优选300以上10,000以下，特别优选300以上4,000以下。
所述低分子量化合物(B1)的具体的组成并无特别限定。具体例，可列举三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、五(甲基)丙烯酸二季戊四醇单羟基酯、六(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯、二(甲基)丙烯酸1,4-丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,6-己二醇酯等具有链状骨架的(甲基)丙烯酸烷基酯；二环戊二烯二甲氧基二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯等具有环状骨架的(甲基)丙烯酸烷基酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸寡聚酯、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物、环氧改性(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯等丙烯酸酯类化合物等。其中，由于丙烯酸酯类化合物对丙烯酸类聚合物(A)的相溶性高而优选。
低分子量化合物(B1)，优选在一个分子中具有3个以上的能量线聚合性基团。本发明的粘着剂层3，含有如后所述的聚合松香酯(C1)，但由于聚合松香酯(C1)具有不饱和碳-碳双键，因此有阻碍低分子量化合物(B1)的能量线聚合性基团聚合的情况。但是，如果使低分子量化合物(B1)在一个分子中所具有的能量线聚合性基团在如上所述的范围内，则可有效地进行聚合，可容易地将后述的切割片1的粘着力之比调整于优选的范围。特别是，如果低分子量化合物(B1)在一个分子中所具有的能量线聚合性基团为5个以上时，则即使不过大加入低分子量化合物(B1)的加入量，也可有效地进行聚合，因此更为优选。
此外，将低分子量化合物(B1)在一个分子中所具有的能量线聚合性基团的数量计为n，将低分子量化合物(B1)的重均分子量计为M，以M除n的值n/M优选1×10-4以上。若n/M在如上所述的范围内，则即使粘着剂层3含有聚合松香酯(C1)，也可有效地进行聚合，容易将后述的切割片1的粘着力之比调整于优选的范围。特别是若n/M为1×10-3以上，则即使不过大加入低分子量化合物(B1)的加入量，也可有效地进行聚合，因此更为优选。从抑制粘着剂层3在保存中固化等操作上的观点考虑，n/M的优选范围的上限为5×10-2左右。
用于形成本实施方式的粘着剂层3的粘着剂组合物中的低分子量化合物(B1)的含量，相对于100质量份丙烯酸类聚合物(A)，优选50质量份以上300质量份以下，更加优选75质量份以上150质量份以下。此外，在本说明书中，表示各成分的含量的“质量份”是指以固体成分计的量。通过使低分子量化合物(B1)的含量在该范围内，可使能量线聚合性基团在粘着剂层3中的存在密度适当，并可通过照射能量线使粘着剂层3的粘着性适当地降低，同时通过本成分可使粘着剂层3可塑化，更显著地发挥提高其粘着性的效果。另一方面，不容易发生丙烯酸类聚合物(A)及后述的赋予粘着性树脂(C)的相溶性下降的异常。结果，可防止粘着剂层3的粘着性发生离散，或可抑制在粘着剂层3的与被粘着体的界面附近，局部产生能量线聚合性化合物(B)的浓度低的部分，从而无法充分提高后述的切割片1的粘着力之比。此外，如果同时考虑上述n/M，则用于形成本实施方式的粘着剂层3的粘着剂组合物中的低分子量化合物(B1)的含量，优选为相对于100质量份丙烯酸类聚合物(A)的含量与所述n/M之积的值为1.0×10-1以上15以下，更加优选为1.5×10-1以上5以下，特别优选为3.0×10-1以上1.0以下。
ii)能量线固化型聚合物(B2)
对能量线固化型聚合物(B2)的具体结构无限定，但其为丙烯酸类聚合物、在主链或侧链具有包含能量线聚合性基团的结构单元时，具有作为丙烯酸类聚合物(A)的性质。因此，具有简化粘着剂层3的制造步骤，易于控制粘着剂层3中的能量线聚合性基团的存在密度等有点。此时，也可不另外含有丙烯酸类聚合物(A)。此外，如此的能量线固化型聚合物(B2)具有作为丙烯酸类聚合物(A)的性质时，确定上述低分子量化合物(B1)或后述赋予粘着性树脂(C)等用于形成粘着剂层3的粘着剂组合物中所含有的除丙烯酸类聚合物(A)以外的成分的含量的合适范围时所使用的“相对于100质量份丙烯酸类聚合物(A)”，是指丙烯酸类聚合物(A)的含量及具有作为丙烯酸类聚合物(A)的性质的能量线固化型聚合物(B2)的含量的总和为100质量份。另外，能量线固化型聚合物(B2)具有作为丙烯酸类聚合物(A)的性质时，丙烯酸类聚合物(A)的全量也可为能量线固化型聚合物(B2)。此时，能量线固化型聚合物(B2)除能量线聚合性基团外，也具有反应性官能团。能量线固化型聚合物(B2)所具有的反应性官能团的至少一部分，也可与交联剂进行交联反应。
能量线固化型聚合物(B2)为具有能量线聚合性基团的聚合物，重均分子量Mw大于30,000。该能量线固化型聚合物(B2)，可与丙烯酸类聚合物(A)同样地产生维持作为粘着剂主剂的常见功能的粘着剂层的凝聚性效果，分子量越高越能发挥该效果。另一方面，能量线固化型聚合物(B2)的分子量过大时，发生制造粘着剂层3时难以薄层化等问题的可能性会变高。因此，能量线固化型聚合物(B2)的重均分子量，优选10万以上200万以下左右，更加优选15万以上150万以下左右。
能量线固化型聚合物(B2)骨架中具有基于(甲基)丙烯酸酯的结构单元时，例如可以用下述方法配制。可以使作为含有基于具备羟团、羧基、胺基、取代胺基、环氧基等官能团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元及基于(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元而成的共聚物的丙烯酸类聚合物，与每1个分子具有1～5个可与上述官能团反应的取代基及能量线聚合性基团(例如具有乙烯类双键的基团)的化合物反应，对上述丙烯酸类聚合物加成能量线聚合性基团。
作为用于使能量线聚合性化合物(B)固化的能量线，可举电离辐射线，即，X射线、紫外线、电子线等。其中，优选较容易导入照射装置的紫外线。
使用紫外线作为电离辐射线时，由于操作简单可以使用含有波长200～380nm左右的紫外线的近紫外线。紫外线量，只要按照能量线聚合性化合物(B)的种类或粘着剂层3的厚度适宜选择即可，通常为50～500mJ/cm2左右，优选100～450mJ/cm2，更加优选200～400mJ/cm2。此外，紫外线照射强度，通常为50～500mW/cm2左右，优选100～450mW/cm2，更加优选200～400mW/cm2。紫外线源，并无特别限制，可使用例如高压水银灯、金属卤素灯等。
使用电子线作为电离辐射线时，关于其加速电压，可根据能量线聚合性化合物(B)的种类或粘着剂层3的厚度适当选定，通常加速电压优选10～1000kV左右。此外，照射剂量，只要设定于能量线聚合性化合物(B)适当地固化的范围即可，通常选定在10～1000krad的范围。电子线源并无特别限制，可以使用例如科克罗夫-瓦耳顿(Cockcroft-Walton)型、范德格拉夫(Van de Graaff)型、共振变压器型、绝缘芯变压器型或直线型、Dynamitron型、高频率型等各种电子线加速器。
(3)赋予粘着性树脂(C)
用于形成本实施方式的粘着剂层3的粘着剂组合物，也可含有聚合松香酯(C1)作为赋予粘着性树脂(C)的同时，含有不均化松香酯(C2)及石油类树脂(C3)中的至少一种。通过含有分子量由数百至数千左右的寡聚物所组成的赋予粘着性树脂(C)，粘着剂层3的粘着性会增加。
用于形成本实施方式的粘着剂层3的粘着剂组合物中的赋予粘着性树脂(C)的含量，可根据粘着剂层3所需的粘着性等适宜设定。基本的趋势是赋予粘着性树脂(C)的含量过少时，难以提高粘着性，相反含量过多时，与丙烯酸类聚合物(A)或能量线聚合性化合物(B)的相溶性下降，发生粘着剂层的粘着性产生离散，或切割片1的粘着力之比下降等异常的可能性高。从易于将粘着性设定在适当范围的观点考虑，用于形成粘着剂层3的粘着剂组合物中的赋予粘着性树脂(C)的含量，相对于100质量份丙烯酸类聚合物A，优选55质量份以上200质量份以下，更加优选100质量份以上175质量份以下。
聚合松香酯(C1)的具体种类，并无特别限定。只要是使以松香酸及其异构体的混合物为主成分的松香聚合(二聚化)，通过使羧基部酯化使其化学稳定化，用于酯化的醇的种类(可例示甘油、季戊四醇等)等可以是任意的。聚合松香酯(C1)的具体例，可举荒川化学工业社制“PENSEL D125”、“PENSEL D135”、“PENSEL D160”等。
由稳定地获得因含有赋予粘着性树脂(C)而导致的粘着剂层的粘着性增加的观点考虑，用于形成本实施方式的粘着剂层3的粘着剂组合物中的聚合松香酯(C1)的含量，相对于100质量份对丙烯酸类聚合物(A)，为5质量份以上。该含量不足5质量份时，可能难以得到基于含有聚合松香酯(C1)导致的粘着性提高的效果。另一方面，聚合松香酯(C1)的含量过多时，可能聚合松香酯(C1)与丙烯酸类聚合物(A)的相溶性易于下降，粘着剂层3的粘着性发生离散，或切割片1的粘着力之比容易下降。因此，用于形成本实施方式的粘着剂层3的粘着剂组合物中的聚合松香酯(C1)的含量，相对于100质量份丙烯酸类聚合物(A)，优选20质量份以下。从可降低粘着性离散的可能性及可更稳定地实现提高粘着性的观点考虑，用于形成粘着剂层3的粘着剂组合物中的聚合松香酯(C1)的含量，相对于100质量份丙烯酸类聚合物(A)，更加优选8质量份以上18质量份以下，特别优选10质量份以上15质量份以下。
不均化松香酯(C2)及石油类树脂(C3)除了具有作为赋予粘着性树脂的功能之外，均还具有提高聚合松香酯(C1)与丙烯酸类聚合物(A)的相溶性的功能。因此，丙烯酸类聚合物(A)与聚合松香酯(C1)间SP值之差很大时，从减少粘着剂层3中粘着性的离散或提高切割片1的粘着力之比的观点考虑，优选含有不均化松香酯(C2)及石油类树脂(C3)两者。
从使其更稳定地发挥上述功能的观点考虑，用于形成粘着剂层3的粘着剂组合物中所含的不均化松香酯(C2)的含量及石油类树脂(C3)的含量的总和，相对于100质量份丙烯酸类聚合物(A)，优选50质量份以上，更加优选80质量份以上，特别优选100质量份以上。用于形成粘着剂层3的粘着剂组合物中所含的不均化松香酯(C2)的含量及石油类树脂(C3)的含量的总和的上限，根据粘着性等应满足粘着剂层3的其它事项所决定，通常，相对于100质量份对丙烯酸类聚合物(A)，优选200质量份以下，更优选170质量份以下。用于形成粘着剂层3的粘着剂组合物中的不均化松香酯(C2)及石油类树脂(C3)的各自的含量范围并无特别限定，但均优选相对于100质量份丙烯酸类聚合物(A)，为25质量份以上140质量份以下。
对不均化松香酯(C2)的具体组成等，并无特别限定。作为具体例，可例举荒川化学工业公司制“Super Ester A100”、“KE656”等。另一方面，对石油类树脂(C3)的具体种类，也无特别限定，可例举C5类石油树脂、C9类石油树脂、C5/C9类石油树脂及它们的氢化树脂等。此外，作为具体例，可例举三井化学公司制“FTR6100”、“FTR7100”、“FTR8100”等。
用于形成粘着剂层3的粘着剂组合物，包含具有能量线聚合性基团的低分子量化合物(B1)时，在由其粘着剂组合物形成的粘着剂层3中，由于具有该化合物可发挥与赋予粘着性树脂同样的功能(粘着剂层3的塑化)的情形，因此使具有能量线聚合性基团的低分子量化合物(B1)的含量与赋予粘着性树脂(C)的含量的总和，相对于100质量份丙烯酸聚合物(A)，优选为165质量份以上400质量份以下，更加优选190质量份以上300质量份以下，更加优选200质量份以上275质量份以下。
(4)交联剂
用于形成本实施方式的粘着剂层3的粘着剂组合物，也可如上所述含有可与丙烯酸类聚合物(A)反应的交联剂。此时，本实施方式的粘着剂层3，含有通过丙烯酸类聚合物(A)与交联剂进行交联反应所得的交联物。作为交联剂，可举例如环氧类化合物、异氰酸酯类化合物、金属螯合物类化合物、二甲亚胺类化合物等的聚酰亚胺化合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂、二醛类、羟甲基聚合物、金属烷氧化合物、金属盐等。其中，因易于控制交联反应等原因，交联剂优选聚异氰酸酯化合物。
在此，稍微详细地说明聚异氰酸酯化合物。聚异氰酸酯化合物为1个分子中具有2个以上异氰酸酯基的化合物，可举例如甲苯基二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、亚二甲苯基二异氰酸酯等芳香族聚异氰酸酯；4,4'-二异氰酸酯二环己基甲烷、双环庚烷三异氰酸酯、亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、甲基亚环己基二异氰酸酯、氢化亚二甲苯基二异氰酸酯等脂环式异氰酸酯化合物；六亚甲基二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯等非环式脂肪族异氰酸酯。
此外，也可使用这些化合物的双缩脲体、异氰脲酸酯体，或这些的化合物与乙二醇、三甲醇基丙烷、蓖麻油等非芳香族性低分子活性含氢化合物的反应物的加成体等改性体。上述聚异氰酸酯化合物，可以为一种，也可以为多种。
本实施方式的粘着剂层3具有基于丙烯酸类聚合物(A)与交联剂的交联物时，可通过调整交联密度，控制粘着剂层3的能量线照射前的粘着性等的特性。因此，该交联密度也可根据粘着剂层3的所需特性适宜设定。另外，用于形成本实施方式的粘着剂层3的粘着剂组合物含有交联剂时，优选根据该交联剂的种类等，含有适当的交联促进剂。例如，交联剂为聚异氰酸酯化合物时，用于形成粘着剂层3的粘着剂组合物优选含有有机锡化合物等有机金属化合物类交联促进剂。
(5)其它成分
用于形成本实施方式的切割片1所具有的粘着剂层3的粘着剂组合物，除上述成分外，也可含有光聚合引发剂、染料或颜料等着色材料、阻燃剂、填充剂等各种添加剂。
在此，稍微详细地说明光聚合引发剂。光聚合引发剂，可例举安息香化合物、苯乙酮化合物、酰基氧化膦化合物、二茂钛化合物、噻吨酮化合物、过氧化物化合物等光引发剂、胺或醌等光增感剂等，具体而言，可例示1-羟基环己基苯酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香异丙醚、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、二苯基乙烷、联乙酰、β-氯蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等。使用紫外线作为能量线时，通过加入光聚合引发剂，可减少照射时间、照射量。
(6)物理性质、形状等
i)粘着力之比
在本说明书中，粘着力之比，是指以本实施方式的切割片1所具有的粘着剂层3的面向基材2侧的相反侧的露出面为测定对象面、以半导体封装的树脂封装面为被粘着面，按照JIS Z0237:2000以180°进行拉剥试验时所测定的切割片1的粘着力中，能量线照射前状态下粘着力(以下，也称为“照射前粘着力”。)相对于能量线照射后的状态下的粘着力(以下，也称为“照射后粘着力”。)之比(前/后)。本实施方式的切割片1的粘着力之比为3以上。通过使粘着力之比在该范围内，可实现降低封胶芯片在切割步骤或扩展步骤发生飞散的可能性，且可降低在拾取步骤中产生拾取不良的可能性。粘着力之比不足3时，有因难以较高维持照射前的粘着力，导致易发生封胶芯片飞散，或因难以较低维持照射后的低粘着力，导致易发生拾取不良的情况。从可更稳定地降低封胶芯片飞散及/或发生拾取不良的可能性的观点考虑，粘着力之比优选4.5以上，更优选8.0以上。粘着力之比的上限并无特别设定，粘着剂层3通过能量线照射固化时所产生的体积收缩的程度，与粘着力之比为正相关关类，因此粘着力之比过高时，有可能产生封胶芯片在粘着剂层3固化时发生移动的异常。因此，通常，粘着力之比优选20以下，更优选13以下，特别优选10以下。
另外，照射前粘着力之比及照射后粘着力之比的合适范围，应根据切割步骤、扩展步骤及拾取步骤的具体条件，或作为被粘着体的半导体封装的材质或表面状态(凹凸的程度等)适宜设定。通常，照射前粘着力，优选2000mN/25mm以上，更加优选2500mN/25mm以上。此外，照射后粘着力，优选600mN/25mm以下，更加优选400mN/25mm以下，特别优选300mN/25mm以下。
ii)厚度
对本实施方式的切割片1所具有的粘着剂层3的厚度，无特别限定。过薄时，有可能发生粘着剂层的粘着性离散变大的问题，过厚时，有可能发生粘着性过高而难以将切割片1的粘着力之比控制在上述范围内，或拾取时在粘着剂层3内部发生内聚破坏的可能性增大，而粘着剂残留率(其定义等详细情况将于实施例中后述。)增高。从稳定地降低发生这些问题的可能性的观点考虑，粘着剂层3的厚度，优选2μm以上50μm以下，更加优选5μm以上35μm以下，更加优选5μm以上20μm以下，特别优选5μm以上15μm以下。粘着剂层3的厚度若为20μm以下，则尤其可降低粘着剂残留率，粘着剂层3的厚度若为15μm以下，则可使粘着剂残留率为20％以下。
iii)剥离片
本实施方式的切割片1，为了在将粘着剂层3贴附于作为被粘着体的半导体封装之前保护粘着剂层3，可在粘着剂层3的面向基材被粘着侧的相反侧的面上，贴附剥离片的剥离面。剥离片的构成可以是任意的，可例示在塑料薄膜上涂布剥离剂等。塑料薄膜的具体例，可例举聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯薄膜，或聚乙烯或聚丙烯等聚烯烃薄膜。剥离剂，可以使用硅酮类、氟类、长链烷基类等，其中，优选廉价且可获得稳定性能的硅酮类。代替所述剥离片的塑料膜，也可使用玻璃纸、涂层纸、优质纸等纸基材或在纸基材上层压聚乙烯等热塑性树脂而成的层压纸。剥离片的厚度，并无特别限制，通常为20μm以上250μm以下左右。
3.切割片的制造方法
切割片1的制造方法，只要是可将由上述粘着剂组合物形成的粘着剂层3层积于基材2的一个面上，则对详细的方法无特别限定。例如，配制含有所述粘着剂组合物、及根据期望进一步含有溶剂的涂布液，通过铸模涂布机、淋幕涂布机、喷雾涂布机、狭缝涂布机、刮刀涂布机等将该涂布液涂布在基材2的一个面上形成涂膜，通过使该面上的涂膜干燥，形成粘着剂层3。对于涂布液，只要可进行涂布，对其性状并无特别限定。有将用于形成粘着剂层3的成分作为溶质含有的情况，也有作为分散质含有的情况。
粘着剂组合物含有交联剂时，通过改变上述干燥条件(温度、时间等)，或者设置其它交联用的加热处理，使涂膜内的丙烯酸类聚合物(A)与交联剂进行交联反应，在粘着剂层3内按所期望的存在密度形成交联结构。为使该交联反应充分进行，也可通过上述方法等将粘着剂层3层积于基材2之后，将所得切割片1进行例如在23℃、相对湿度50％的环境下静置数日的养护。
或者，也可将涂布液涂布于上述剥离片的剥离面上形成涂布层，使其干燥形成由粘着剂层3与剥离片所组成的层积体，将该层积体中粘着剂层3的面向剥离片侧的相对侧的面贴付于基材2的基材被粘着面，得到切割片1与剥离片的层积体。该层积体上的剥离片可作为工程材料剥离，也可在贴附于半导体封装之前保护粘着剂层3。
4.封胶芯片的制造方法
对使用本实施方式的切割片1由半导体封装制造封胶芯片的方法说明如下。
半导体封装，如上所述在基台的集合体的各基台上搭载半导体芯片，将这些半导体芯片整体以树脂封装的电子零件的集合体，而通常具有基板面与树脂封装面，其厚度为200～2000μm左右。树脂封装面的表面的算术平均粗糙度Ra为0.5～10μm左右，此外，为简单地从封装装置的模具中取出，封装材料有时含有脱模成分，因此，将粘着片粘贴于树脂封装面时，存在无法充分发挥固定性能的倾向。对于本实施方式的切割片1，在使用时，将粘着剂层3侧的面(即，粘着剂层3的与基材2相反侧的面)贴附于半导体封装的树脂封装面。此外，切割片1的粘着剂层3侧的面上贴付有剥离片时，可以剥离该剥离片漏出粘着剂层3侧的面，将该面贴付于半导体封装的树脂封装面。切割片1的周边部，通常通过设于该部分的粘着剂层3，贴付在被称为环形框的输送或用于固定到装置的环状夹具。粘着剂层3，由于以适当的量含有赋予粘着性树脂(C)，因此照射前粘着力充分的高。因此，即使将贴付在切割片1的半导体封装供于切割步骤，也可降低半导体封装单片化而得的封胶芯片在加工中飞散的可能性。另外，通过切割步骤所形成的封胶芯片的尺寸，通常为5mm×5mm以下，近年也有作成1mm×lmm的情况，但本实施方式的切割片1的粘着剂层3由于在照射前粘着性充分高，因此可充分对应细微间距的切割。
通过实施以上的切割步骤，可由半导体封装得到多个封胶芯片。切割步骤结束后，为容易拾取近接配置于切割片1上的多个封胶芯片，通常进行使切割片1向主面内方向伸长的扩展步骤。该伸长的程度，可考虑邻接的封胶芯片应具有的间隔、基材2的拉伸强度等适宜设定。
通过实施扩展步骤，使邻接配置的封胶芯片互相间适当地分离，则通过真空夹头等常用工具，进行粘着剂层3上的封胶芯片的拾取。将拾取后的封胶芯片，供给于输送步骤等下一步骤。
切割步骤结束后至拾取步骤开始前，对本实施方式的切割片1，由基材2侧进行能量线照射，在切割片1所具有的粘着剂层3内部，包含在其中的能量线聚合性化合物(B)进行聚合反应，照射后的粘着力为照射前的粘着力的1/3以下。因此，不容易发生拾取不良。该能量线照射的实施时期，只要在切割步骤结束之后、拾取步骤开始之前即可，无特别限定。从降低封胶芯片在扩展步骤时飞散的可能性的观点考虑，优选在扩展步骤之后实施，但由于随着粘着剂层3通过能量线照射固化，而该层会稍微收缩，因此在因该收缩而位位置发生改变的情况下，也在实施扩展步骤前实施能量线照射。
如上所述，本实施方式的封胶芯片的制造方法，不容易发生封胶芯片的飞散，在之后的步骤中，也不容易发生拾取不良。因此，经过将半导体封装分割成多个封胶芯片的切割步骤、扩展步骤及拾取步骤至下一步骤的一系列步骤中，成品率不容易降低。因此，通过使用本实施方式的切割片1的本实施方式的制造方法所得的封胶芯片，容易形成在成本上较有利的产品。此外，封胶芯片的飞散或拾取不良，对于与这些异常直接相关的封胶芯片之外，也有因芯片撞击等，使同批次所制造的其它封胶芯片发生缺陷等问题的情况。因此，通过本实施方式的封胶芯片的制造方法所制造的封胶芯片，可降低发生这些问题的可能性，品质优异。
以上所说明的实施方式是为了容易理解本发明而记载的，并非为限定本发明而记载。因此上述实施方式中所揭示的各要素，还包含属于本发明的技术范围内的所有设计变更或类似情况。
[实施例]
以下，通过实施例等进一步具体说明本发明，本发明的范围并非限定于这些实施例。
[实施例1]
(1)涂布液的配制
配制具有如下组成的涂布液。
i)丙烯酸类聚合物(A)：以固体成分计为100质量份的由100质量份丙烯酸丁酯、2质量份丙烯酸及0.5质量份丙烯酸2-羟基乙酯共聚而得的共聚物(重均分子量60万，固体成分浓度40质量％)；
ii)能量线聚合性化合物(B)：以固体成分计为100重量份的由6官能聚氨酯丙烯酸酯寡聚物(大日精化工业公司制SEIKABEAM14-29B，重均分子量2000，固体成分浓度80质量％、n/M＝3×10-3)所组成的丙烯酸酯类化合物；
iii)赋予粘着性树脂(C)中的聚合松香酯(C1)：以固体成分计为12.5质量份的荒川化学工业公司制PENSEL D125(固体成分浓度100质量％)；
iv)赋予粘着性树脂(C)中的不均化松香酯(C2)，以固体成分计为62.5质量份的荒川化学工业公司制SUPERESTER A100(固体成分浓度100质量％)；
v)赋予粘着性树脂(C)中的石油类树脂(C3)：以固体成分计为62.5质量份的三井化学公司制FTR6100(固体成分浓度100质量％)；
vi)与丙烯酸类聚合物(A)反应的交联剂：以固体成分计为9质量份的由日本聚氨酯公司制CORONATE L组成的聚异氰酸酯化合物(甲苯二异氰酸酯的三羟甲基丙烷加成物，1个分子中的异氰酸酯基个数为3个，固体成分浓度75质量％)、及
vii)光聚合引发剂：以固体成分计为7.5质量份的IRGACURE184(Ciba.Speciality.Chemicals公司制、固体成分浓度100质量％)。
(2)切割片的制作
准备在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯制基材薄膜的一个的主面上形成有机硅类剥离剂层的剥离片(LINTEC公司制︰SP-PET381031)。在该剥离片的剥离面上，以刮刀涂布上述涂布液使最终得到的粘着剂层的厚度为10μm。将得到的涂布层与剥离片仪器在80℃的环境下经过1分钟使涂布层干燥并进行交联反应，得到由剥离片与粘着剂层(厚度为10μm)构成的层积体。
以厚度为140μm的乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA)薄膜(25％拉伸时，拉伸应力10.8N/10mm、最大拉伸应力25.5MPa、断裂伸长率525％)所构成的基材的一个的面作为基材被粘着面，在该面上贴付上述层积体的粘着剂层侧的面，得到如图1所示进一步在粘着剂层侧的面上层积剥离片的状态下的由基材与粘着剂层所构成的切割片。
[实施例2]
在实施例1中，将涂布液所含有的丙烯酸类聚合物(A)，变更为由100质量份丙烯酸丁酯、5质量份丙烯酸及0.2质量份丙烯酸2-羟基乙酯共聚而得到的聚合物(重均分子量60万，固体成分浓度40质量％)，除此之外进行与实施例1同样的操作，得到切割片。
[实施例3]
在实施例1中，将涂布液所含有的赋予粘着性树脂(C)中，将不均化松香酯(C2)的含量变更为以固体成分计为125质量份、将石油类树脂(C3)的含量变更为以固体成分计为50质量份、将赋予粘着性树脂(C)的以固体成分计的含量由实施例1中的137.5质量份变更为182.5质量份，除此之外进行与实施例1同样的操作，得到切割片。
[实施例4]
在实施例1中，将粘着剂层的厚度由10μm变更为15μm，除此之外进行与实施例1同样的操作，得到切割片。
[实施例5]
在实施例1中，将粘着剂层的厚度由10μm变更为30μm，除此之外进行与实施例1同样的操作，得到切割片。
[实施例6]
在实施例1中，使涂布液所含有的赋予粘着性树脂(C)中不含石油类树脂(C3)，将赋予粘着性树脂(C)的以固体成分计的含量由实施例1中的137.5质量份变更为75质量份，除此之外进行与实施例1同样的操作，得到切割片。
[实施例7]
在实施例1中，使涂布液所含有的赋予粘着性树脂(C)中不含不均化松香酯(C2)，使石油类树脂(C3)的含量以固体成分计为75质量份，将赋予粘着性树脂(C)的以固体成分计的含量由实施例1中的137.5质量份变更为87.5质量份，除此之外进行与实施例1同样的操作，得到切割片。
[实施例8]
在实施例1中，将涂布液所含有的能量线聚合性化合物(B)的种类，由6官能聚氨酯丙烯酸酯变更为3官能聚氨酯丙烯酸酯寡聚物(大日精化工业公司制SEIKABEAM EXL-810TL，重均分子量为5000，固体成分浓度为60质量％，n/M＝6×10-4)，将含量变更为250质量份，除此之外进行与实施例1同样的操作，得到切割片。
[比较例1]
在实施例1中，使涂布液所含有的赋予粘着性树脂(C)中不含聚合松香酯(C1)，将赋予粘着性树脂(C)的以固体成分计的含量由实施例1中的137.5质量份变更为125质量份，除此之外进行与实施例1同样的操作，得到切割片。
[比较例2]
在实施例1中，将使涂布液所含有的赋予粘着性树脂(C)中不含聚合松香酯(C1)及不均化松香酯(C2)两者，将赋予粘着性树脂(C)的以固体成分计的含量由实施例1中的137.5质量份变更为62.5质量份，除此之外进行与实施例1同样的操作，得到切割片。
[比较例3]
在实施例1中，使涂布液所含有的赋予粘着性树脂(C)中的聚合松香酯(C1)、不均化松香酯(C2)及石油类树脂(C3)中的任一种的以固体成分计的含量均为125质量份，将赋予粘着性树脂(C)的以固体成分计的含量由实施例1中的137.5质量份变更为375质量份，除此之外进行与实施例1同样的操作，得到切割片。
[比较例4]
在实施例1中，使涂布液中不含有能量线聚合性化合物(B)及光聚合引发剂两者，除此之外进行与实施例1同样的操作，得到切割片。
[比较例5]
在实施例1中，使涂布液所含有的赋予粘着性树脂(C)的含量如下所示，并将赋予粘着性树脂(C)的以固体成分计的含量由实施例1中的137.5质量份变更为52.5质量份，除此之外进行与实施例1同样的操作，得到切割片。
聚合松香酯(C1)：以固体成分计为2.5质量份、
不均化松香酯(C2)：以固体成分计为25质量份、及
石油类树脂(C3)：以固体成分计为25质量份。
[比较例6]
在实施例1中，使涂布液所含有的赋予粘着性树脂(C)中的聚合松香酯(C1)的含量以固体成分计为50质量份、石油类树脂(C3)的含量以固体成分计为75质量份，将赋予粘着性树脂(C)的以固体成分计的含量由实施例1中的137.5质量份变更为187.5质量份，除此之外进行与实施例1同样的操作，得到切割片。
[比较例7]
在实施例1中，使涂布液所含有的赋予粘着性树脂(C)中的聚合松香酯(C1)的含量以固体成分计为50质量份、并且不含有不均化松香酯(C2)及石油类树脂(C3)，将赋予粘着性树脂(C)的以固体成分计的含量由实施例1中的137.5质量份变更为50质量份。除这些变更之外，进行与实施例1同样的操作，得到切割片。
[比较例8]
在实施例1中，将涂布液所含有的能量线聚合性化合物(B)的种类，由6官能聚氨酯丙烯酸酯变更为3官能聚氨酯丙烯酸酯寡聚物(大日精化工业公司制SEIKABEAM EXL-810TL，重均分子量5000，固体成分浓度为60质量％，n/M＝6×10-4)，除此之外进行与实施例1同样的操作，得到切割片。
将以上的实施例及比较例中用于制备切割片而配制的涂布液的组成等及所得到的切割片的厚度，总结示于表1中。此外，实施例及比较例的涂布液所含有的能量线聚合性化合物(B)均为聚氨酯丙烯酸酯寡聚物，因此表1中的能量线聚合性化合物(B)的种类的栏中表示官能团数。
[试验例1]<粘着力之比的测定>
裁切上述实施例及比较例所制造的切割片得到宽度为25mm的粘着力测定用片。使用半导体封装用树脂(KYOCERA CHEMICALS公司制KE-G1250)，制造厚度为600μm、一种个主面的算术平均粗糙度Ra为2μm的片状部件。在该片状部件的上述一个主面上贴付粘着力测定用片的粘着剂层侧的面，得到由片状部件与粘着力测定用片所构成的层积体。将所得到的层积体，在23℃、相对湿度50％的环境下放置20分钟。对放置后的层积体使用万能拉伸试验机(ORIENTEC公司制，TENSILON/UTM-4-100)，根据JIS Z0237:2000进行180°拉剥试验(将粘着力测定用片作为被拉剥侧的部件。)，测定照射前的粘着力(单位︰mN/25mm)。
再制作一个由上述片状部件与粘着测定用片构成的层积体，在23℃、相对湿度50％的环境下放置20分钟。然后，使用紫外线照射装置(LINTEC公司制，RAD-2000m/12)，在氮气环境下由切割片侧照射紫外线(照射强度230mW/cm2，紫外线量190mJ/cm2)，使上述层积体的粘着剂层所含有的能量线聚合性化合物(B)聚合。对于该紫外线照射后的层积体，以与测定上述照射前粘着力的拉剥试验相同的条件进行拉剥试验，测定照射后的粘着力(单位︰mN/25mm)。
由如此得到的照射前的粘着力及照射后的粘着力，求出粘着力之比。将这些结果示于表2中。
[试验例2]<切割步骤中的封胶芯片飞散率的测定>
使用半导体封装用树脂(KYOCERA CHEMICALS公司制KE-G1250)，制作50mm×50mm、厚度为600μm、一个主面的算术平均粗糙度Ra为2μm的模拟半导体封装。将上述实施例及比较例所制造的切割片裁切成直径207mm的圆形，使用贴膜机(LINTEC公司制AdwillRAD2500)，将所得到的圆形的切割片的粘着剂层侧的面，贴付在上述制备的模拟半导体封装的上述的一个面上。将所得到的切割片与模拟半导体封装的层积体，安装在环形框(DISCO公司制2-6-1)中，使用切割装置(株式会社DISCO公司制DFD651)，进行从模拟半导体封装侧开始切割的切割步骤，分割成1mm×lmm大小的封胶芯片(分割数2500)。此外，切割条件如下所示。
切割刀片︰株式会社DISCO公司制ZBT-5074(Z1110LS3)
刀片厚度︰0.17mm
刀尖露出量︰3.3mm
刀片旋转数︰30000rpm
切割速度︰50mm/分
向切割片的基材的切入深度：50μm
切削水量︰1.0L/min
切削水温度︰20℃
目测观察由切割步骤得到的、在切割片的粘着剂层侧的面上贴付封胶芯片而成的部件，数出在切割步骤中由切割片脱落的封胶芯片的个数，以切割步骤中的分割数2500除该个数，求得封胶芯片的飞散率(单位︰％)。将结果示于表2中。
[试验例3]<拾取试验>
使用半导体封装用树脂(KYOCERA CHEMICALS公司制KE-G1250)制作50mm×50mm、厚度为600μm、一个主面的算术平均粗糙度Ra为2μm的模拟半导体封装。将上述实施例及比较例所制造的切割片，裁切成直径207mm，使用贴膜机(Lintec公司制︰Adwi11RAD-2500m)，将所得到的切割片的粘着剂层侧的面，贴付在上述制作的模拟半导体封装的上述的一个面上。将所得到的切割片与模拟半导体封装的层积体安装在切割用环形框(DISCO公司制2-6-1)中，使用切割装置(株式会社DISCO公司制DFD651)进行从模拟半导体封装侧开始切断的切割步骤，分割成1mm×lmm大小的封胶芯片(分割数2500)。此外，切割条件与试验例3的切割条件相同。
使用扩展装置(JAM公司制ME-300B型)，实施使通过切割步骤得到的在切割片的粘着剂层侧的面上附着封胶芯片而成的部件的切割片，以300mm/分速度向该片的主面内方向拉伸20mm的扩展步骤。
使用紫外线照射装置(LINTEC公司制RAD-2000m/12)，在氮气气氛下从切割片侧，对扩展步骤之后的上述部件照射紫外线(照射强度230mW/cm2，紫外线量190mJ/cm2)，使切割片具备的粘着剂层中所含有的能量线聚合性化合物(B)聚合。
接着，对位于切割片的主面的中心附近的100个封胶芯片进行拾取试验。即，将切割片中的与作为拾取对象的封胶芯片相接的部分，从基材侧以针顶起1.5mm，使突出的封胶芯片的面向切割片侧的相反侧的面贴付在真空夹头上，夹起贴付在真空夹头上的封胶芯片。此时，测定能够以真空夹头拾取的封胶芯片的个数，以试验个数(100)除该个数，求出拾取率(单位︰％)。将结果示于表2中。
此外，以光学显微镜观察拾取的封胶芯片中的面向切割片侧的面，确认是否有构成粘着剂层的材料残留，以试验个数(100)除残留的封胶芯片的个数，求出粘着剂残留率(单位︰％)。将结果示于表2中。
[表2]
由表2可知满足本发明条件的实施例的切割片，不容易在切割步骤、扩展步骤及拾取步骤中的任一步骤发生异常。
工业应用性
本发明的切割片，适宜用作被粘着面的凹凸大的半导体封装的切割片。
附图标记说明
1 切割片
2 基材
3 粘着剂层

Claims (10)

1.一种切割片，其是具备基材及层积在所述基材的至少一个面上的粘着剂层的切割片，其特征在于，
所述粘着剂层由含有丙烯酸类聚合物(A)、能量线聚合性化合物(B)及赋予粘着性树脂(C)的粘着剂组合物形成，
所述赋予粘着性树脂(C)含有聚合松香酯(C1)，同时含有不均化松香酯(C2)及石油类树脂(C3)中的至少一种，
相对于100质量份所述丙烯酸类聚合物(A)，所述粘着剂组合物中所含有的所述聚合松香酯(C1)的含量为5质量份以上，
所述切割片的能量线照射前的状态下的粘着力相对于能量线照射后的状态下的粘着力之比为3以上，所述粘着力是以所述粘着剂层的面向所述基材侧的相反侧的露出面为测定对象面，以半导体封装的树脂封装面为被粘着面，按照JIS Z0237:2000进行180°拉剥试验所测定的。
2.根据权利要求1所述的切割片，其特征在于，相对于100质量份所述丙烯酸类聚合物(A)，所述粘着剂组合物中所含有的所述聚合松香酯(C1)的含量为5质量份以上20质量份以下。
3.根据权利要求1所述的切割片，其特征在于，相对于100质量份所述丙烯酸类聚合物(A)，所述粘着剂组合物中含有的不均化松香酯(C2)的含量及石油类树脂(C3)的含量的总和为50质量份以上。
4.根据权利要求1所述的切割片，其特征在于，能量线聚合性化合物(B)含有重均分子量(Mw)为100以上30,000以下的、具有能量线聚合性基团的低分子量化合物(B1)。
5.根据权利要求4所述的切割片，其特征在于，相对于100质量份所述丙烯酸类聚合物(A)，所述粘着剂组合物所含有的具有能量线聚合性基团的低分子化合物(B1)的含量为50质量份以上300质量份以下。
6.根据权利要求1所述的切割片，其特征在于，所述粘着剂组合物含有可与所述丙烯酸类聚合物进行交联反应的交联剂。
7.根据权利要求1所述的切割片，其特征在于，所述粘着剂层的厚度为5μm以上35μm以下。
8.根据权利要求1所述的切割片，其特征在于，在所述基材的所述粘着剂层侧的面上，存在具有选自羧基及其离子及盐中的一种或二种以上的成分。
9.根据权利要求1所述的切割片，其特征在于，将所述粘着剂层的与所述基材相反侧的面贴付于树脂封装半导体芯片的半导体封装的树脂封装面上。
10.一种封胶芯片的制造方法，将根据权利要求1-9中任意一项所述的切割片的所述粘着剂层侧的面贴付于半导体封装的树脂封装面上，切断所述切割片上的所述半导体封装而单片化，得到多个封胶芯片。
CN201380025930.6A 2012-05-25 2013-05-13 切割片 Active CN104303271B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-119884 2012-05-25
JP2012119884 2012-05-25
PCT/JP2013/063305 WO2013175987A1 (ja) 2012-05-25 2013-05-13 ダイシングシート

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104303271A CN104303271A (zh) 2015-01-21
CN104303271B true CN104303271B (zh) 2017-02-22

Family

ID=49623681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380025930.6A Active CN104303271B (zh) 2012-05-25 2013-05-13 切割片

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP6139515B2 (zh)
CN (1) CN104303271B (zh)
MY (1) MY186486A (zh)
PH (1) PH12014502606A1 (zh)
TW (1) TWI580755B (zh)
WO (1) WO2013175987A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3152619B1 (en) * 2014-06-04 2018-03-28 Dow Corning Corporation Imprinting process of hot-melt type curable silicone composition for optical devices
JP6506756B2 (ja) * 2014-07-14 2019-04-24 デンカ株式会社 粘着シート、電子部品の製造方法
JP6470944B2 (ja) * 2014-11-04 2019-02-13 リンテック株式会社 導電性粘着剤組成物及び導電性粘着シート
CN107078038B (zh) * 2015-03-26 2020-04-17 琳得科株式会社 切割片、切割片的制造方法与模具芯片的制造方法
JP6782237B2 (ja) * 2015-07-24 2020-11-11 デンカ株式会社 半導体加工用粘着テープ及びそれを用いた半導体チップ又は半導体部品の製造方法
CN107922810B (zh) * 2015-09-01 2020-08-14 琳得科株式会社 粘合片
JP6572800B2 (ja) 2016-02-26 2019-09-11 株式会社村田製作所 真空装置
JP6992751B2 (ja) * 2016-06-28 2022-01-13 日本ゼオン株式会社 半導体パッケージ製造用支持体、半導体パッケージ製造用支持体の使用、及び半導体パッケージの製造方法
KR102326621B1 (ko) * 2016-09-20 2021-11-15 린텍 가부시키가이샤 반도체 가공용 점착 시트
JP2020043150A (ja) * 2018-09-06 2020-03-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7254669B2 (ja) * 2019-09-20 2023-04-10 リンテック株式会社 ワーク加工用シートおよび半導体装置の製法方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101712849A (zh) * 2008-09-30 2010-05-26 荒川化学工业株式会社 活性能量线固化型粘合剂组合物

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4461359B2 (ja) * 2003-09-24 2010-05-12 Ｄｉｃ株式会社 Ｌｃｄモジュール用粘着テープ
JP2009246216A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体加工用粘着テープ
JP4994429B2 (ja) * 2008-08-04 2012-08-08 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2010258408A (ja) * 2009-03-31 2010-11-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体加工用粘着フィルム、半導体ウエハ、半導体素子および半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101712849A (zh) * 2008-09-30 2010-05-26 荒川化学工业株式会社 活性能量线固化型粘合剂组合物

Also Published As

Publication number Publication date
CN104303271A (zh) 2015-01-21
TW201406913A (zh) 2014-02-16
JP6139515B2 (ja) 2017-05-31
PH12014502606B1 (en) 2015-01-21
JPWO2013175987A1 (ja) 2016-01-12
PH12014502606A1 (en) 2015-01-21
WO2013175987A1 (ja) 2013-11-28
MY186486A (en) 2021-07-22
TWI580755B (zh) 2017-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104303271B (zh) 切割片
CN104508801B (zh) 切割片及装置晶片的制造方法
CN105378899B (zh) 切割片
CN105008481B (zh) 粘合片以及经加工的设备相关部件的制造方法
CN106062928B (zh) 半导体相关构件加工用片材以及利用该片材的晶片的制造方法
JP6081094B2 (ja) ダイシングシート
JP6744930B2 (ja) ダイシングシートおよび当該ダイシングシートを用いるチップの製造方法
CN106795396A (zh) 粘着片以及加工物的制造方法
JPWO2014155756A1 (ja) 粘着シートおよび保護膜形成用複合シートならびに保護膜付きチップの製造方法
CN107078038B (zh) 切割片、切割片的制造方法与模具芯片的制造方法
CN107112229A (zh) 半导体晶片表面保护用胶带
JP6574787B2 (ja) 樹脂膜形成用シート積層体
TWI566282B (zh) Cut the adhesive sheet
CN107236472A (zh) 玻璃切割用粘着片及其制造方法
KR102171423B1 (ko) 수지막 형성용 시트
JPWO2016017265A1 (ja) ダイシングシート、ダイシングシートの製造方法、およびモールドチップの製造方法
CN107408500B (zh) 切割片、切割片的制造方法与模具芯片的制造方法
CN107325741A (zh) 胶带及半导体装置的制造方法
KR102505646B1 (ko) 유리 가공용 테이프
KR102505638B1 (ko) 유리 가공용 테이프
KR102112771B1 (ko) 반도체 가공용 테이프
KR102112788B1 (ko) 반도체 가공용 테이프
KR102505582B1 (ko) 유리 가공용 테이프
KR20190071567A (ko) 다이싱 다이 본딩 필름
WO2022255322A1 (ja) 半導体装置の製造方法及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant