CN105008481B - 粘合片以及经加工的设备相关部件的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种粘合片1，其具有基材2以及在基材2的一个主面侧上设置的粘合剂层3，粘合剂层3为粘合剂组合物形成，该粘合剂组合物含有具有聚合性官能基团的聚合物(A)以及相对100质量份具有聚合性官能基团的聚合物(A)为2质量份以下的光聚合引发剂(B)，光聚合引发剂(B)的3质量％甲醇溶液的波长365nm的质量吸光系数(单位:ml/g·cm)为200以上、1000以下。该粘合片1中，粘合剂层3为由含有具有聚合性官能基团的聚合物(A)的粘合剂组合物形成，可通过照射热量少的照射来固化并可充分降低对于加工后设备相关部件的粘合性，并且在抑制释气发生的同时，保存稳定性优异。

Description

粘合片以及经加工的设备相关部件的制造方法

技术领域

本发明涉及对树脂封装半导体晶圆以及多个半导体晶片而成的半导体封装等设备相关部件进行背面表面研磨或切割时所使用的粘合片，以及使用该粘合片的经加工的设备相关部件的制造方法。此外，本发明中的“切割片”，还包括切割〃贴片(Die Bonding)的一部份。另外，“粘合片”还包括为了粘合晶圆环(ring frame)具有其他基材膜以及粘合剂层的粘合片。此外，本发明中的“片”还包括“胶带”的概念。

背景技术

通过在半导体晶圆或半导体封装等设备相关部件上实施加工，尤其是切断或研磨等机械加工，从而形成使设备相关部件个片化而形成的片状部件，或进行设备相关部件的厚度的调整。在本说明书中，还将这种经加工的设备相关部件称为“加工后设备相关部件”。

进行这种加工时，作为暂时粘贴于设备相关部件的粘合片，即切割片或磨片的一例，可列举因紫外线、X线、电子线等能量线的照射，而可让粘合片具有的粘合剂层进行固化的粘合片。这种粘合片可通过能量线的照射降低对于加工后设备相关部件的粘合性，在此情况下，从粘合片中剥离加工后设备相关部件(具体来说，可列举将晶片状部件顶取(pickup)、或从厚度得到调整的设备相关部件上剥离粘合片)变得容易。

在上述能量线中，作为照射紫外线的装置(紫外线照射装置)，以往使用的是以金属卤化物灯或以高压水银灯为光源的装置，但近年来开始提出替代这些装置，而使用以紫外线发光二极管(在本说明书中也称为“紫外线LED”)为光源的紫外线照射装置(例如现有技术文献1)。

但是将紫外线LED用作光源，则由于其低扩散性、低发热性、狭窄的波长领域等原因，有时会出现上述粘合片所具有的粘合剂层的固化不够充分的倾向。

作为形成通过照射与上述同样能量线而固化的粘合剂层的粘合剂组合物，可举出作为兼具粘合主剂与紫外线固化性成分而含有在侧链等具有聚合性官能基团的聚合物的粘合剂组合物(现有技术文献2)。这种粘合剂组合物具有固化时体积收缩小的优点。

此外，还具有以下优点。即，除了作为用于形成能量线固化性粘合剂层的粘合剂组合物，而含有具有上述聚合性官能基团的聚合物的情况(以下也称为“包接型”)之外，可列举含有作为主剂的聚合物以及由固化反应形成三维网眼构造的低分子量成分的情形(以下亦称“共混型”)。在共混型粘合剂组合物的情况下，在低分子量成分中未充分进行固化反应的部分，则形成未被导致粘合剂层固化的三维网眼构造所接受的残存成分。因此在共混型粘合剂组合物的情况下，则有因这种残存成分所致的残渣物附着在从粘合片上剥离的加工后设备相关部件上的可能。此外，这种残存成分有时会成为发生释气的原因。相对于此，在包接型的情况，因这种残存成分所致的残渣物附着在加工后设备相关部件上，或者发生因这种残存成分所致的释气的可能性与共混型相比非常低。

另一方面，具有这种聚合性官能基团的聚合物，由于聚合性官能基团的运动性被限制，在包接型粘合剂组合物中，相对于共混型粘合剂组合物，在照射能量线的情况下难以在其内部进行聚合反应，其结果，有时会出现粘合剂层不易固化的倾向。在使用在如紫外线LED这种被照射物内的发热量少的光源的情况下，聚合物的聚合性官能基团的运动性则相对来说变得更低，其结果，粘合剂层更加难以固化，容易产生无法充分达成能量线固化而导致的降低粘合性的目的。

为了抑制这种问题发生，在现有技术文献3中公开了粘合胶带的发明，其特征在于：对于100重量份作为粘合剂组合物成分的(甲基)丙烯酸酯类共聚物，包含15～35重量份光聚合引发剂以及0.2～3.0重量份阻聚剂。此外，在现有技术文献4以及5中公开了在由任意紫外线LED的紫外线照射下，同时进行补助性加热的胶带的剥离方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-040944号公报

专利文献2：日本特开平05-032945号公报

专利文献3：日本特开2011-105854号公报

专利文献4：日本特开2011-040476号公报

专利文献5：日本特开2011-124480号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

但是，在现有技术文献3中公开的含有大量光聚合引发剂的粘合胶带中，即使想通过添加大量阻聚剂以遏抑制聚合的进行，但阻聚剂只会妨碍所产生的自由基进行链转移，而非抑制在光聚合引发剂中的自由基产生。因此，在粘合胶带的保存中，通过粘合剂中以高浓度包含的光聚合引发剂产生的自由基，则有聚合性官能基团失活的可能性。此外，由于光聚合引发剂为低分子量成分，故具有易发生释气的问题。此外，在现有技术文献4以及5中公开的剥离方法中，为了剥离胶带，除紫外线照射以外必须另外进行加热。因此，在整个过程中能源效率低，且难以得到采用紫外线LED节能设备的优点，加上由于无法发挥紫外线LED作为低发热性的优点而必须使用加热装置，故存在设备负荷增大等问题。

本发明为由含有具聚合性官能基团的聚合物的粘合剂组合物组成的粘合剂层，其课题在于：提供一种粘合片，即使在像紫外线LED中的照射放射热量少的照射下固化，也可以充分降低对于加工后设备相关部件的粘合性，且可抑制释气发生且具有优异的保存稳定性。此外，本发明的课题还在于：提供使用这种粘合片的加工后设备相关部件的制造方法。

解决技术问题的技术手段

为达成上述课题所提供的本发明，首先，提供一种粘合片，其特征在于：该粘合片为具有基材、及在上述基材的一个主面侧上所设置的粘合剂层的粘合片，上述粘合剂层由粘合剂组合物所组成，该组合物具有聚合性官能基的聚合物(A)以及相对于100质量份上述具有述聚合性官能基的聚合物(A)为2质量份以下的光聚合引发剂(B)，上述光聚合引发剂(B)的3质量％甲醇溶液的波长为365nm的质量吸光系数(单位:ml/g·cm)为200以上、1000以下。

在上述发明(发明1)中，用可照射其发光光谱中含有最大强度在350nm以上、400nm以下，且半高宽为5nm以上、30nm以下的单一发光峰值的光线的紫外线光源，在以积算光量为200mJ/cm²的方式将紫外线照射在上述粘合剂层时，将上述粘合片中所述粘合剂层中的与所述基材相对的面的相反侧的主面作为测定对象面，并将硅晶圆的镜面作为被粘合面，对于依据JIS Z0237:2000实施180°剥离试验时所测定得出的粘合力，包含所述紫外线的能量线照射前状态下的粘合力相对于包含所述紫外线的能量线照射后状态下的粘合力的比，优选为10以上(发明2)。

其次，本发明提供经加工设备相关部件的制造方法，其特征在于，该方法包括以下工序：将上述发明(发明1、2)的粘合片粘贴在设备相关部件的一面的工序；在上述设备相关部件中与上述粘合片所粘贴的一面的相反面的面上进行加工，并且形成上述粘合片粘贴在上述经加工设备相关部件的状态的工序；相对于具有粘贴在上述加工后设备相关部件的所述粘合片的所述粘合剂层，照射包含发光光谱中含有最大强度350nm以上、400nm以下，且半高宽为5nm以上、30nm以下的单一发光峰值的光线的光线，使包含在所述粘合剂层的聚合性官能基团进行聚合反应的工序；以及从具有所述固化粘合剂层的粘合片上剥离所述经加工设备相关部件的工序(发明3)。

在所述发明(发明3)中，所述光线的光源优选为包含紫外线发光二极管(发明4)。

在所述发明(发明3、4)中，所述粘合片为研磨片，所述加工可以包含研磨加工(发明5)。

在所述发明(发明3、4)中，所述粘合片为切割片，所述加工可以包含切断加工(发明6)。

发明效果

本发明的粘合片所具有的粘合剂层能够仅由发光二极管的紫外线照射进行固化，既可充分降低对于加工后设备相关部件的粘合性，也可抑制释气发生，且保存时固化功能的稳定性优异。因此，本发明涉及的粘合片不仅保存稳定性优异，且难以产生对于加工后设备相关部件的污染问题。因此，通过使用本发明涉及的粘合片，可制造生产性高且品质优异的加工后设备相关部件。

附图说明

图1为本发明第一实施方式的粘合片的概略截面图。

具体实施方式

以下说明本发明的实施方式。

如图1所示，本发明第一实施方式的粘合片1，具有基材2以及在基材2的至少一面上积层的粘合剂层3。

1.基材

本实施方式的粘合片1的基材2，粘贴在作为粘合片1的被粘贴物的设备相关部件时，以及将加工后设备相关部件从粘合片1剥离时，只要不断裂，则其组成材料没有特别的限定。在粘合片1被用作切割片的情况下，优选在切割工序后进行的扩张工序等中也不断裂。

粘合片1的基材2，通常由以树脂类材料为主材料的膜组成。作为该膜的具体例，可列举乙烯-醋酸乙烯共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等乙烯类共聚物膜；低密度聚乙烯(LDPE)膜、直链低密度聚乙烯(LLDPE)膜、高密度聚乙烯(HDPE)膜等聚乙烯膜；聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降冰片烯共聚物膜、降冰片烯树脂膜等聚烯烃类膜；聚氯化乙烯膜、氯化乙烯共聚物膜等聚氯化乙烯类膜；聚乙烯对苯二甲酸酯膜、聚丁烯对苯二甲酸酯膜等聚酯类膜；聚氨酯膜；聚酰亚胺膜；聚苯乙烯膜；聚碳酸盐膜；氟树脂膜等。此外，也可用这些膜的交联膜、离聚物膜等改性膜。所述基材2可以是由这些物质中的一种组成的膜，进一步，也可以是由这些物质组合两种以上的层叠膜。此外，在本说明书中的“(甲基)丙烯酸”，是指丙烯酸以及甲基丙烯酸这两者。其他类似用语亦同。

组成基材2的膜优选具有乙烯类共聚物膜以及聚烯烃类膜中的至少一种。

乙烯类共聚物膜通过改变共聚比等，容易在广大范围中控制其机械特性。因此，具有乙烯类共聚物膜的基材2，容易满足作为本实施方式的粘合片1的基材所要求的机械特性。此外，由于乙烯类共聚物膜对粘合剂层3的密合性较高，在作为粘合片使用时，基材2与粘合剂层3间的界面难以发生剥离。

由于乙烯类共聚物膜以及聚烯烃类膜，对于作为粘合片的特点带来不良影响的成分(例如，在聚氯化乙烯类膜等中，由该膜含有的塑化剂由基材2转移到粘合剂层3，且分布于粘合剂层3与基材2相对的面相反侧的面，而有降低相对于粘合剂层3的被粘着体的粘合性的情况)含量低，故难以发生相对于粘合剂层3的被粘着体的粘合性降低等问题。即，使用乙烯类共聚物膜以及聚烯烃类膜的粘合片在化学方面的稳定性优异。

基材2在以上述树脂类材料为主剂的膜内，还可以含有颜料、阻燃剂、塑化剂、抗静电剂、润滑剂、填充剂等各种添加剂。作为颜料，可列举二氧化钛、碳黑等。此外，作为填充剂，可列举如三聚氰胺树脂等有机类材料、如气相硅等无机类材料以及如镍粒子等金属类材料。这种添加剂的含量没有特别限制，但应设定在基材2能够发挥所期望的功能且不失去平滑性或柔软性的范围内。

若是在使用紫外线作为让粘合剂层3固化而照射的能量线的情况下，基材2优选对所照射的紫外线具有透过性。作为这种基材，可列举乙烯类共聚物膜、聚烯烃类膜以及聚氯化乙烯类膜。此外，若是在使用电子线作为能量线的情况下，基材2优选具有电子线的透过性。

此外，在基材2的粘合剂层3侧的面(以下也称“基材被粘合面”)上，优选存在含有由羧基以及其离子与盐形成的群组中选出的选择1种或2种以上的成分。在基材2中的所述成分与粘合剂层3的成分(例举有组成粘合剂层3的成分以及交联剂(C)等在形成粘合剂层3时所使用的成分)，通过相互化学作用，而可以降低在它们之间产生剥离的可能性。使这种成分存在于基材被粘合面的具体方法则没有特别限制。例如，将基材2本身作为如乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、离聚物树脂膜等，也可以让作为组成基材2的材料树脂，具有在羧基以及其离子与盐所构成的群组中选出的1种或2种以上。作为使上述成分存在于基材被粘合面的其他方法，基材2例如为聚烯烃类膜，可以在基材被粘合面侧实施电晕处理，或者也可以形成中界层。此外，在基材2的基材被粘合面与反面上，可以设置各种涂膜。

基材2的厚度只要粘合片1在有关前述加工的工序等方面能够发挥适当功能，则没有限制。优选为20μm以上、450μm以下，进一步优选为25μm以上、400μm以下，特别优选为50μm以上、350μm以下的范围。

在本实施方式中基材2的断裂伸度是在23℃、相对湿度50％时所测定的值，优选为100％以上，特别优选为200％以上、1000％以下。在此，断裂伸度为依据JIS K7161:1994(ISO 527-11993)，在拉伸试验中试验片破坏时的试验片的长度相对于原本长度的增加率。上述断裂伸度为100％以上的基材2在粘合片1粘贴或剥离时变得难以断裂。

此外，在本实施方式中当基材2发生25％变形时，拉伸应力优选为5N/10mm以上、15N/10mm以下，最大拉伸应力优选为15MPa以上、50MPa以下。在此变形25％时，拉伸应力以及最大拉伸应力，则通过依据JIS K7161:1994的试验所测定。若变形25％时的拉伸应力不足5N/10mm或最大拉伸应力不足15MPa，则将设备相关部件粘贴在粘合片1之后，固定在晶圆环(ring frame)等框体时，由于基材2柔软而有发生松弛的可能，而这种松弛现象有时会成为导致搬送错误的原因。另一方面，变形25％时，若拉伸应力超过15N/10mm或最大拉伸应力不足50MPa，则在扩张工序时，有可能容易发生在晶圆环(ring frame)出现粘合片1本身剥落等问题。此外，上述断裂伸度、25％变形时的拉伸应力以及最大拉伸应力，是指对于在基材2中原材料的长方向所测定的值。

2.粘合剂层

(1)组成

本实施方式的粘合片1的粘合剂层3，可由现有公知的各种粘合剂组合物形成。作为这种粘合剂组合物没有任何限制可使用橡胶类、丙烯类、硅氧烷类、聚乙烯醚等粘合剂组合物。

本实施方式的粘合片1所具有的粘合剂层3，含有具有聚合性官能基团的聚合物(A)以及光聚合引发剂(B)，且根据需要，由含有交联剂(C)等的粘合剂组合物所组成。

(1-1)具有聚合性官能基团的聚合物(A)

在本说明书中，“具有聚合性官能基团的聚合物(A)”是指将含有具有聚合性的官能基团的聚合性官能基团的结构单元，存在于主链末端以及/或侧链的聚合物。可通过后述的光聚合引发剂(B)开始进行聚合反应，若该聚合反应能够连锁进行，则聚合性官能基团的具体种类则不受到特别限制。例如，作为具体例子，可列举具有乙烯性不饱和键的基团，其中如(甲基)丙烯酰基、乙烯基等。

具有聚合性官能基团的聚合物(A)的重量平均分子量(Mw)，由形成上述粘合剂层3的粘合剂组合物以及根据需要进一步涂布含有溶剂的涂布用组合物时的造膜性的观点来看，优选为1万以上、200万以下，进一步优选为10万以上、150万以下。此外，具有聚合性官能基团的聚合物(A)的玻璃化转变温度Tg优选为-70℃以上、30℃以下，进一步优选为-60℃以上、20℃以下的范围。玻璃化转变温度可由Fox式进行计算。此外，若通过将加成化合物加成在后述未加成丙烯类共聚物，得出作为具有聚合性官能基团的聚合物(A)的丙烯类聚合物的情况下，具有聚合性官能基团的聚合物(A)的Tg，指的是未加成丙烯类共聚物的Tg。

以下，将具有聚合性官能基团的聚合物(A)为丙烯类聚合物的情况作为具体例，说明其组成以及制造方法。

在具有聚合性官能基团的聚合物(A)为丙烯类聚合物的情况下，具有聚合性官能基团的聚合物(A)，例如可根据以下方法来制造。首先，调制未加成丙烯类共聚物，该未加成丙烯类共聚物由以下结构单元形成：根据含有羟基、羧基、胺基、取代胺基、环氧基等反应性官能基团的丙烯类化合物的结构单元，以及根据不具有这些反应性官能基的丙烯类化合物的结构单元。接着，通过使该未加成丙烯类共聚物、以及在1分子内具有可以与上述反应性官能基团进行反应的官能基团的加成官能基团及聚合性官能基(例如，具有乙烯性双键的基团)的化合物(本说明书中也称“加成化合物”)进行反应，由此将聚合性官能基团加成在上述未加成丙烯类共聚物。由此可以得到作为具有聚合性官能基团的聚合物(A)的丙烯类聚合物。

作为上述具有反应性官能基团的丙烯类化合物，可列举(甲基)丙烯酸、衣康酸、(甲基)丙烯腈、具有反应性官能基团的(甲基)丙烯酸酯等。作为所述(甲基)丙烯酸酯的具体例，可列举2-羟乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羟丙基(甲基)丙烯酸酯等具有羟基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、N-甲基胺基乙基(甲基)丙烯酸酯等具有羟基以外官能基团的(甲基)丙烯酸酯等。

作为不具有上述反应性官能基团的丙烯类化合物，可例举(甲基)丙烯酸酯。若对所述(甲基)丙烯酸酯进一步举出具体例，可列举(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等具有链状骨架的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯等具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯等。此外，在(甲基)丙烯酸酯为(甲基)丙烯酸烷基酯的情况下，其烷基的碳数优选在1到18的范围。

此外，上述未加成丙烯类共聚物可以具有基于丙烯类化合物以外的化合物的结构单元。作为这种化合物，可例举乙烯、降冰片烯等烯烃、醋酸乙烯、苯乙烯等。

加成化合物所具有的加成官能基团的种类，可根据反应性官能基团以及聚合性官能基团的关系进行适当设定，作为加成官能基团的具体例，可例举异氰酸酯基。作为包含作为加成官能基团的异氰酸酯基以及具有作为聚合性官能基团的乙烯性不饱和键的基团的加成化合物的具体例，可举出2-甲基丙烯酰氧异氰酸乙酯、2-丙烯酰氧异氰酸乙酯、1,1-(二丙烯酰氧甲基)异氰酸乙酯等。特别是由于1,1-(二丙烯酰氧甲基)异氰酸乙酯在一分子中含有2个丙烯酰基，即使通过放射热量少的照射对粘合剂层进行固化，也可充分降低对于加工后设备相关部件的粘合性，从而让本发明效果更加显著。

具有反应性官能基团的单体，在构成未加成丙烯类共聚物的单体全体所占的比例，优选为5质量％以上、50质量％以下，亦优选为10质量％以上、40质量％以下。此外，当未加成丙烯类共聚物所具有的反应性官能基的数为100mol％时，加成于此的加成化合物的分子数优选为40mol％以上、100mol％以下，亦优选为60mol％以上、90mol％以下。具有反应性官能基团的单体比例，或加成化合物的分子数在此范围时，即使通过放射热量低的照射对粘合剂层进行固化，也可充分降低对于加工后设备相关部件的粘合性，可从而提高本发明效果。

(1-2)光聚合引发剂(B)

为了形成本实施方式的粘合片1所具有的粘合剂层3的粘合剂组合物，含有光聚合引发剂(B)。所述光聚合引发剂(B)可由1种光聚合性化合物组成，也可以是多个光聚合性化合物的混合物，而光聚合引发剂(B)的特点在于其3质量％甲醇溶液的波长365nm的质量吸光系数(单位:ml/g·cm)在200以上、1000以下。通过具有这种特点，即使相对于100质量份具有聚合性官能基团的聚合物(A)，将粘合剂组合物中光聚合引发剂(B)的含量设定在的2质量份以下，当对于由这种粘合剂组合物形成的粘合剂层3照射包含紫外线的能量线时，也可以有效进行具有聚合性官能基团的聚合物(A)的聚合反应。由此，在照射能量线后，可以稳定降低粘合剂层3对于设备相关部件的粘合性。

作为具有上述特点的光聚合引发剂(B)的具体例，可举出烷基苯酮类化合物、酰基氧化膦化合物、二茂钛化合物、噻吨酮化合物、过氧化氢化合物等的光引发剂、胺类化合物或醌类化合物等的光增感剂等，具体可例举2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基-氧化膦、1-羟环己基苯酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香异丙醚、苯甲基二苯基硫化物、四甲基秋兰姆一硫化物、偶氮二异丁腈、β-氯蒽醌等，且亦可使用它们的混合物。

在这之中，由反应性高低程度的观点来看，优选为2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮以及2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基-氧化膦。此外，如苯酮这样挥发性高的化合物，由于具有使来自粘合片1的释气量增加的可能性，由此优选不含有光聚合引发剂(B)的成分。

从提高本实施方式的粘合片1(具体而言为粘合剂层3)的保存稳定性的观点来看，在形成粘合剂层3的粘合剂组成中的光聚合引发剂(B)的含量，相对于100质量份具有聚合性官能基团的聚合物(A)为2质量份以下。由进一步稳定确保上述保存稳定性的观点来看，上述含量相对于100质量份具有聚合性官能基团的聚合物(A)，优选为1.5质量份以下，进一步优选为1.0质量份以下。上述含量的下限，由稳定确保其保存稳定性的观点来说没有限定，但如果在过少的情况下，照射包含紫外线的能量线时，与包含在粘合剂层3的具有聚合性官能基团的聚合物(A)相关的聚合反应会有难以进行的可能。因此，在形成粘合剂层3的粘合剂组成中光聚合引发剂(B)的含量相对于100质量份具有聚合性官能基团的聚合物(A)，优选为0.01质量份以上，进一步优选为0.1质量份以上。

(1-3)交联剂

用于形成本实施方式的粘合剂层3的粘合剂组合物可根据需要含有交联剂(C)。在此情况下，具有聚合性官能基团的聚合物(A)含有用于与交联剂(C)进行反应的可交联官能基团。并且，在该可交联官能基团中，与交联剂(C)的交联性反应基团反应的具有聚合性官能基团的聚合物(A)，作为交联物存在于粘合剂层3内。

作为交联剂(C)的种类，可列举环氧类化合物、异氰酸酯类化合物、金属螫合物类化合物、氮丙啶类化合物等聚亚胺化合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂、二醛类、羟甲基聚合物、金属醇氧化物、金属盐等。其中，因容易控制交联反应等理由，交联剂(C)优选为聚异氰酸酯化合物。

在此，对于聚异氰酸酯化合物进行较为详细的说明。聚异氰酸酯化合物为每一分子具有2个以上异氰酸酯基的化合物，可列举甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯等芳香族聚异氰酸酯；二环己基甲烷-4,4'-二异氰酸酯、二环庚烷三异氰酸酯、环戊二异氰酸酯、环己二异氰酸酯、甲基环己二异氰酸酯、氢化二甲苯二异氰酸酯等脂环式异氰酸酯化合物；具有环己烷二异氰酸酯、三甲基环己烷二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯等链状骨架的异氰酸酯。

此外，还可以使用这些物质的化合物的双缩脲体、异氰脲酸酯体以及将这些化合物与乙二醇、三羟甲基丙烷、蓖麻油等含有非芳香族性低分子活性氢化合物的反应物加合体等的改性体。上述聚异氰酸酯化合物可为1种，也可以为多种。

如前述所述，在使用未加成丙烯类聚合物以及加成用化合物来形成具有聚合性官能基团的聚合物(A)，且如上述所述在交联剂(C)为聚异氰酸酯化合物的情形下，若将加成用化合物的加成官能基作为异氰酸酯基，制备具有聚合性官能基团的聚合物(A)，让未加成丙烯类聚合物中的反应性官能基以一定程度残留，则可将残留的反应性官能基作为与交联剂(C)进行反应的可交联官能基团。

在本实施方式的粘合剂层3中含有的具有聚合性官能基的聚合物(A)含有基于与交联剂(C)反应的交联物的情形下，通过调整包含在粘合剂层3的交联物的交联密度，可控制粘合剂层3的在被照射包含紫外线的能量线前的储藏弹性率(在本说明书中也称“照射前储藏弹性率”)等、对于粘合剂层3的设备相关部件影响粘合性的特性。该交联密度可通过更改包含在用于形成粘合剂层3的组合物中的交联剂(C)的含量等而进行调整。

具体而言，对于100质量份具有聚合性官能基团的聚合物(A)，通过让用于形成粘合剂层3的粘合剂组合物的交联剂(C)的含量为0.1质量份以上，可以容易地将粘合剂层3的照射前储藏弹性率等控制在适当范围。由提高该控制性的观点来看，交联剂(C)的含量相对于100质量份具有聚合性官能基团的聚合物(A)，优选为1质量份以上。对于交联剂(C)的含量上限没有特别限定，但在其含量过高的情况下，有时会出现难以将设备相关部件对于粘合剂层3的粘合性等控制在后述范围的情况，因此交联剂(C)的含量相对于100质量份具有聚合性官能基团的聚合物(A)，优选为10质量份以下，进一步优选为8质量份以下。

(1-4)其他成分

本实施方式的粘合片1所具有的用于形成粘合剂层3的粘合剂组合物，除了上述成分之外，还可以含有不具有聚合性官能基团的聚合物、具有聚合性官能基团的化合物(低分子量成分)、储藏弹性率调整剂、染料或颜料等着色剂、阻燃剂、填充剂等各种添加剂。

不具有聚合性官能基团的聚合物在制备具有聚合性官能基团的聚合物(A)时，可通过以不包含具有聚合性官能基团的结构单元的方式进行制备而获得。例如，对于上述未加成丙烯类共聚物，不与加成化合物进行反应，则可以将其作为不具有聚合性官能基团的聚合物。

具有聚合性官能基团的化合物，在对粘合剂层3照射包含紫外线的能量线时，根据与具有聚合性官能基团的聚合物(A)的聚合反应相同的聚合反应而互相或与具有聚合性官能基团的聚合物(A)结合，而具有降低粘合剂层3对于设备相关部件的粘合性的功能。

作为上述具有聚合性官能基团的化合物，可列举季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等具有链状骨架的烷基(甲基)丙烯酸酯；二环戊二烯二甲氧基二(甲基)丙烯酸酯、异冰片基(甲基)丙烯酸酯等具有环状骨架的烷基(甲基)丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、低聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨酯(甲基)丙烯酸酯低聚物、环氧改性(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、衣康酸低聚物等丙烯酸酯类化合物等。

使本实施方式的用于形成粘合剂层3的粘合剂组合物中含有上述聚合性化合物的情况下，其含量相对于100质量份具有聚合性官能基团的聚合物(A)，优选为超过0质量份、30质量份以下，进一步优选为1质量份以上、25质量份以下，更进一步优选为3质量份以上、10质量份以下。

作为储藏弹性率调整剂，可例举增粘树脂以及长链烷基丙烯低聚物等。在包含储藏弹性率调整剂的情况下，由稳定发挥其功能的观点考虑，其含量相对于100质量份具有聚合性官能基团的聚合物(A)，优选为1质量份以上，进一步优选为5质量份以上。此外，为了将粘合剂层3中含有的粘合剂的凝集性维持在适当程度，储藏弹性率调整剂的含量相对于100质量份具有聚合性官能基团的聚合物(A)，优选为400质量份以下，进一步优选为350质量份以下。

在储藏弹性率调整剂含有增粘树脂的情况下，对于该增粘树脂的种类没有特别限定。可以是聚合松香、松香酯、不均化松香以及这些成分的氢添加树脂等松香类增粘树脂，也可以是α-蒎烯树脂等萜类增粘树脂，也可以是烃树脂等石油类树脂。或者也可以是古马隆树脂、烷基-酚树脂、二甲苯树脂等芳香族类增粘树脂。

长链烷基丙烯低聚物是由碳原子数为4以上、18以下左右的烷基(甲基)丙烯酸酯聚合而成的低聚物，烷基部分的具体构成则没有特别限定。作为用于形成该低聚物的单体的具体例，可举出丁基丙烯酸酯。

(2)厚度、物性等

i)厚度

对于本实施方式的粘合片1所具有的粘合剂层3的厚度，没有特别限定。从将粘合剂层3对于设备相关部件的粘合性维持在适当范围的观点考虑，粘合剂层3的厚度优选为1μm以上，进一步优选为2μm以上，特别优选为3μm以上。另一方面，从降低切割工序中晶片状部件产生破损这种加工中所产生的缺陷的可能性的观点考虑，粘合剂层3的厚度优选为100μm以下，进一步优选为80μm以下，特别优选为50μm以下。

ii)粘合力比

在本说明书中，所谓粘合力比是指，将本实施方式的粘合片1所具有的粘合剂层3中的与基材2相对的面相反侧的主面作为测定对象面，以及将硅晶圆镜面作为被粘合面时，依据JIS Z0237:2000，关于进行180°剥离试验时所测定出的粘合片1的粘合力，即包含紫外线的能量线照射前状态中的粘合力(以下也称“照射前粘合力”)，相对于包含紫外线的能量线照射后状态中的粘合力(以下也称“照射后粘合力”)的比值(前/后)。在此，向上述粘合剂层3实施紫外线照射时，应以最大强度在350nm以上、400nm以下的范围，且将半高宽在5nm以上、30nm以下的单一发光峰值，用可照射具其发光光谱的光线的紫外线光源，让积算光量为200mJ/cm²。作为这种紫外线光源，可例举紫外线LED。

本实施方式的粘合片1的粘合力比优选为10以上。粘合力比为10以上，由此，在对于设备相关部件进行加工，尤其机械加工时，可降低产生晶片状部件飞散的缺陷可能性，并且在将晶片状部件等加工后设备相关部件从粘合片1中剥离的工序中，可实现降低发生剥离不良的可能性。从稳定降低产生这种缺陷的可能性的观点考虑，本实施方式的粘合片1的粘合力比优选为20以上，特别优选为40以上。

此外，在粘合力比过高的情形下，有时会出现难以将照射前粘合力以及照射后粘合力调整在后述合适范围内。此外，由于粘合剂层3通过紫外线照射进行聚合时产生的体积收缩程度与粘合力比存在正相关关系，可能会发生加工后设备相关部件在粘合剂层3聚合时出现移动的缺陷，或降低粘合剂层3与基材的密合性。因此，粘合力比优选为200以下，进一步优选为150以下，特别优选为100以下。

照射前粘合力以及照射后粘合力的各自的合适范围，根据加工条件、剥离加工后设备相关部件的工序的条件、作为被粘贴物的设备相关部件被粘合面的材质或表面状态(凹凸程度等)而适当设定。例如，在加工为切断加工，且加工后设备相关部件为晶片状部件的情况下，从稳定降低切断加工中晶片状部件飞散的可能性的观点考虑，照射前粘合力优选为1000mN/25mm以上，进一步优选为10000mN/25mm以上。此外，从照射后粘合力稳定进行晶片状部件剥离工序的观点考虑，优选为50mN/25mm以上、500mN/25mm以下，进一步优选为100mN/25mm以上、400mN/25mm以下。

iii)剥离片

涉及本实施方式的粘合片1，为了在将粘合剂层3粘贴到作为被粘合物的设备相关部件时保护粘合剂层3，可以让剥离片的剥离面，贴合在粘合剂层3的与相对基材被粘合面的相反侧的一面上。剥离片的构成可为任意，可例举将塑胶膜通过剥离剂等进行剥离处理的构成。作为塑胶膜的具体例，可列举聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜，以及聚丙烯与聚乙烯等聚烯烃膜。作为剥离剂可使用硅类、氟类、长链烷基类等，但其中优选为价格低廉且可获得稳定功能的硅类。至于剥离片的厚度则无特别限制，通常为20μm以上、250μm以下左右。

3.粘合片的制造方法

粘合片1的制造方法，只要可以将由前述粘合剂组合物形成的粘合剂层3层叠在基材2的一面，则对于详细方法没有特别限制。列举一例，可通过制备上述粘合剂组合物以及根据需求进一步含有溶剂的涂布用组合物，在基材1的一面上，通过模具式涂布机(diecoater)、帘式涂布机、喷雾式涂布机、狭缝式涂布机、刮刀式涂布机等将涂布用组合物涂布，形成涂膜，且在该面上的涂膜根据需要进行加热干燥，由此形成粘合剂层3。涂布用组合物若可以进行涂布，则其性状没有特别限定，有作为溶质而含有用于形成粘合剂层3的成分的情况，也有作为分散质而含有的情况。

在涂布用组合物含有交联剂(C)的情况下，可用上述干燥中的热或通过另行设置加热处理，让涂膜内的具有聚合性官能基团的聚合物(A)与交联剂(C)进行交联反应，在粘合剂层3内以所期望的存在密度形成交联构造。为了充分进行此交联反应，也可以通过上述方法等，在基材2层叠粘合剂层3后，将所得到的粘合片1在23℃、相对湿度50％的环境下静置数日，进行保养。

作为粘合片1的制造方法的另外一例，可通过在上述剥离片的剥离面上涂布涂布用组合物，形成涂膜，再将其进行干燥而形成由粘合剂层3与剥离片组成的层叠体，并将此层叠体的粘合剂层3中与剥离片相对的面相反侧的面贴付在基材1的基材被粘合面上，得到粘合片1与剥离片的层叠体。此层叠体的剥离片可作为工序材料来剥离，也可在粘贴于设备相关部件时保护粘合剂层3。

在将粘合片1粘贴于设备相关部件之前，也可预先裁剪成与设备相关部件相同的形状，或裁剪成完全包含设备相关部件的平面视的形状的形状。由此，可省略将粘合片1粘贴在设备相关部件后裁剪粘合片1的劳力与设备。

在将粘合片1作为切割-贴片的一部分而使用时，可以将按照上述方式得到的粘合片1中的粘合剂层3的与基材侧被粘合面相对的面相反侧的面，与由贴片用粘合剂形成的膜状粘合剂进行贴合。膜状粘合剂可在将切割-贴片粘贴在设备相关部件前，预先裁剪成与设备相关部件相同的形状，粘合片1也可在将切割-贴片粘贴在设备相关部件前，事先裁剪成完全包含设备相关部件的平面视形状的形状。

4.加工后设备相关部件的制造方法

将使用本实施方式的粘合片1并由半导体晶圆制造半导体晶片的情况，或将研磨半导体晶圆的内面的情况作为具体例，对由设备相关部件制造成加工后设备相关部件的方法进行具体说明。

(1)半导体晶片的制造方法

首先，将本实施方式的粘合片1粘贴于设备相关部件的一面。具体而言，将粘合片1的粘合剂层3侧的面(即粘合剂层3的与基材2相对的面相反侧的面)粘贴在半导体晶圆的电路面或内面。至于粘贴在半导体晶圆的哪一面，可根据其制程而定。在此，对粘贴在半导体晶圆内面侧的情况进行说明。作为切割片而发挥作用的粘合片1的周边部，通常通过设置在该部分的粘合剂层3，被粘贴在称作晶圆环(ring frame)的用于搬送或固定在装置上的环状夹具上。

然后，作为切割片的粘合片1，使用晶圆环(ring frame)而被载放在切割台，并在半导体晶圆侧上实施切割加工。如后述，粘合剂层3即使在照射包含具有特定波长特点的紫外线的能量线时，也容易降低对半导体晶片的粘合性。如此，则在包含紫外线的能量线照射前的状态中，也不需要为了降低紫外线照射后的粘合性，而将粘合性设定在低值。因此，可按照对半导体晶圆具有优异的粘合性的方式构成。因此，使用本实施方式的粘合片1，在切割工序中难以发生晶片飞散。此外，通过切割工序形成的半导体晶片的大小通常在5mm×5mm以下，而近些年也有为1mm×1mm左右的情况，但由于本实施方式的粘合片1的粘合剂层3具有优异的粘合性，故能充分应对这种细间距切割。

通过实施以上切割工序，可由半导体晶圆获得多个半导体晶片，并形成在多个半导体晶片上粘贴粘合片的状态。切割工序结束后，为了容易顶取被相互临近配置在粘合片1上的多个半导体晶片，实施将粘合片1向主面内方向伸长的扩张工序。此伸长程度可考虑被临近配置的半导体晶片所需具有的间隔、基材2的拉伸强度等而做适当设定。

通过实施扩张工序，若临近配置的半导体晶片之间被适当拉开距离，则通过吸引导管(collet)等常用手段，进行粘合剂层3上半导体晶片的顶取。经过顶取的半导体晶片则被提供到搬送工序等之后的工序。

以上切割工序结束后，直到开始顶取工序前，在本实施方式的粘合片1的基材2一侧，实施照射包含紫外线的能量线。在照射包含此紫外线的能量线的实施时期，只要在切割工序结束后、顶取工序开始前，则无特别限定。

该包含紫外线的能量线在本实施方式的具体一例中，是包含其发光光谱具有最大强度在350nm以上、400nm以下的范围且半高宽在5nm以上、30nm以下的单一发光峰值光线的光线。作为可以照射这种光线的光源，可例举紫外线LED。如上所述，本实施方式的粘合片1所具有的粘合剂层3，当含有具有聚合性官能基团的聚合物(A)以及光聚合引发剂(B)，且光聚合引发剂(B)在被具有上述发光光谱的光线照射时，可对具有聚合性官能基团的聚合物(A)的聚合性官能基团进行高效的聚合反应。因此在上述光线照射前状态中，粘合片1所具有的粘合剂层3对于半导体晶片具有优异的粘合性，在上述光线照射后状态中，则可以充分降低粘合剂层3对于半导体晶片的粘合性。因此，通过使用本实施方式的粘合片1，在制造半导体晶片时，可提高切割工序以及顶取工序两方面的操作性。

(2)内面被研磨的半导体晶圆的制造方法

首先将本实施方式的粘合片1的粘合剂层3侧的面(即粘合剂层3的与基材2相对的面相反侧的面)粘贴在半导体晶圆的电路面。对于发挥磨片功能的粘合片1的周边部，通常去除其多余部分。

然后，作为磨片的粘合片1通过真空吸附，被保持在加工台上，在半导体晶圆侧被实施研削加工以及研磨加工等以降低厚度的机械加工。如后所述，粘合剂层3在照射包含具特定波长特点的紫外线的能量线时，容易降低对半导体晶片的粘合性。如此，则在包含紫外线的能量线照射前的状态，也不需要为了降低紫外线照射后的粘合性，而将粘合性设定在低值。因此，可以相对与半导体晶圆具有优异的粘合性的方式构成。如此，通过使用本实施方式的粘合片1，在上述机械加工中，难以在粘合剂层3与半导体晶圆之间发生加工屑侵入等缺陷。

通过实施以上机械工序，可将半导体晶圆的厚度减薄到数十μm左右。然后，将半导体晶圆从粘合剂层3剥离前，在本实施方式的粘合片1的基材2侧进行包含紫外线的能量线照射。作为该包含紫外线的能量线的具体例，如前所述，可例举包含具有特定发光光谱的光线的光线。

如此，通过照射包含紫外线的能量线，若粘合剂层3对半导体晶圆的粘合性降低，则将粘合片1从半导体晶圆剥离，得到作为加工后设备相关部件的半导体晶圆。本实施方式的粘合片1中，由于在包含紫外线的能量线照射后的粘合剂层3对半导体晶圆的粘合性非常低，故可降低在上述剥离时半导体晶圆破损的可能性。因此根据本实施方式的制造方法，可以高品质低成本获得作为加工后设备相关部件的半导体晶圆。

此外，上述机械加工前，在半导体晶圆的回路面侧预先实施切槽加工，且降低半导体晶圆厚度的上述机械加工，其结果，可实施由半导体晶圆获得多个半导体晶片的所谓先切割加工。在该情况下，机械加工之后，可形成在粘合片1上配置有多个半导体晶片互相临近配置的状态。因此，如上所述，在进行扩张工序后，再进行顶取工序。扩张工序优选将多个半导体晶片从粘合片1转写于另外的粘合片上，并伸长另外的粘合片来进行。在该情况下，从机械加工结束到多个半导体晶片转写之间，可以进行通过包含上述紫外线的能量线照射，降低粘合剂层3的相对于半导体晶片粘合性的工序，若不进行多个半导体晶片的转写时，则从机械加工结束到顶取工序开始之间，则可进行通过包含前述紫外线的能量线照射，降低粘合剂层3的相对于半导体晶片粘合性的工序。

以上说明的实施方式，是为了更容易理解本发明而所记述，而非为了限定本发明。例如，在加工后设备相关部件的制造方法中，虽举出两种机械加工的例子，但加工也可以是蚀刻处理等化学加工。在上述实施方式中公开的各要素，意在包含属于本发明的技术范围内所有设计变更或相同要素。

实施例

以下，虽通过实施例等对本发明进行更加具体的説明，但本发明的范围并不受限于这些实施例等内容。

〔实施例1〕

(1)涂布用组合物的制备

制备具有以下组成的溶液状态的涂布用组合物(溶剂:甲苯)。

i)作为具有聚合性官能基团的聚合物(A)，相对于将52质量份丁基丙烯酸酯、20质量份甲基丙烯酸甲酯、28质量份的丙烯酸羟基乙酯进行共聚而所得的共聚物(重量平均分子量:60万、玻璃化转变温度Tg:-34℃)，使包含相当于该共聚物所具有的羟基的80mol％的量的2-甲基丙烯酰基氧基乙基异氰酸酯的组合物(Showa Denko社制,KARENZ MOI)进行反应，将所得出的聚合物以固体成分计为100质量份、

ii)作为光聚合引发剂(B)，将包含2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮的组合物(BASF社制,IRGACURE 651,在3质量％甲醇溶液状态下波长365nm的质量吸光系数:361ml/g·cm)以固体成分计为0.5重量份，以及

iii)作为交联剂(C)，将包含三羟甲基丙烷甲苯二异氰酸酯(TDI-TMP)的交联剂组合物(NPU社制、CORONATE L)以固体成分计为1质量份。

(2)制造粘合片

准备在厚度38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯制基材膜的一侧主面上形成硅氧烷类剥离剂层而形成的剥离片(Lintec社制,SP-PET381031)。以最终所得的粘合剂层的厚度为10μm的方式，用刮刀式涂布机将上述的涂布用组合物涂布在该剥离片的剥离面上。将所得到的涂膜，在每剥离片100℃的环境下放置1分钟，使涂膜干燥，得到由剥离片与粘合剂层(厚度:10μm)组成的层叠体。粘合剂层的厚度，则通过定压厚度测定器(Teclock社制,PG-02)来测定。

将由厚度80μm的乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA)膜组成的基材的一面作为基材被粘合面，在该面上粘贴上述层叠体的粘合剂层侧的面，在粘合剂层侧的面上进一步层叠剥离片的状态得到如图1所示的由基材和粘合剂层组成的粘合片。

〔实施例2～3以及比较例1～6〕

在实施例1中，将光聚合性化合物(B)的种类以及添加量中的任一项或两项，如表1所示进行变化，得到粘合片。

〔比较例7〕

在实施例1中，通过制备具以下组成的溶液状态的涂布用组合物(溶剂:甲苯)，使用该组合物，得到粘合片。

i)作为具有聚合性官能基团的聚合物(A)，将91质量份丁基丙烯酸酯与9质量份丙烯酸进行共聚所得的共聚物(重量平均分子量:80万,玻璃化转变温度Tg:-45℃)以固体成分计为100质量份、

ii)作为光聚合引发剂(B)，将包含2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮以及二苯甲酮的组合物(BASF社制,IRGACURE 500)以固体成分计为1.0重量份、

iii)作为交联剂(C)，将包含三羟甲基丙烷甲苯二异氰酸酯(TDI-TMP)的交联剂组合物(NPU社制,CORONATE L)以固体成分计为15质量份，以及

iv)作为聚合性化合物，将包含5～9个官能团的丙烯酸酯混合体的组合物(Dainichiseika Color&Chemicals Mfg社制,SEIKA BEAM14-29B以固体成分计为50质量份。

将包含在实施例以及比较例的粘合剂组合物中的光聚合引发剂(B)综合于表1。此外，IRGACURE系列、DAROCURE系列的均为BASF社制。此外，DAROCURE TPO包含2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦，而IRGACURE 369包含2-苯甲基-2-二甲基胺基-1-(4-吗啉苯基)-丁酮-1。

【表1】

〔试验例1〕＜质量吸光系数的测定＞

将制备上述实施例与比较例的粘合剂组合物时所使用的光聚合引发剂(B)，分别溶解在甲醇中，得到光聚合引发剂(B)的3质量％甲醇溶液。对于这些3质量％甲醇溶液，分别测定由紫外光到可视光范围的吸收光谱。测定机器为Eyegraphics社制UVPF-A1。从所得出的吸收光谱中，求出波长365nm中的质量吸光系数(单位:ml/g·cm)。测定结果如表1所示。

〔试验例2〕＜照射前粘合力、照射后粘合力以及粘合力比的测定＞

将通过上述实施例与比较例制造的粘合片，在23℃、相对湿度50％的环境下静置7天进行保养后，分别切断而得出长200mm、宽25mm的粘合力测定用片。对于上述粘合力测定用片，分别将其粘合剂层侧的面粘贴在半导体晶圆(8英寸)的镜面上，得到由半导体晶圆与粘合力测定用片组成的层叠体。将所得到的层叠体在23℃、相对湿度50％的氛围下放置20分钟。对于放置后的层叠体使用万能型拉伸试验机(株式会社ORIENTEC制,TENSILON/UTM-4-100)，依据JIS Z0237:2000，通过进行180°剥离试验(将粘合力测定用片作为剥离侧的部件)，而测定了照射前粘合力(单位:mN/25mm)。照射前粘合力的测定结果如表2所示。

将由上述半导体晶圆与粘合力测定用片组成的层叠体再制造两组，在23℃、相对湿度50％的氛围下放置20分钟。

然后，对于一组层叠体，使用基于紫外线LED(包含发光紫外线的能量线的最大强度为365nm，并其其发光光谱具有半高宽为10nm的单一发光峰值)的紫外线照射装置(LINTEC社制,RAD-2100)，在氮气氛围下，由粘合片侧照射紫外线(照度200mW/cm²,积算光量200mJ/cm²)，使包含在上述层叠体的粘合剂层的具有聚合性官能基团的聚合物(A)聚合。对于该紫外线照射后的层叠体，进行与用于测定上述照射前粘合力的剥离试验为相同条件的剥离试验，并测定照射后粘合力(单位:mN/25mm)。

对于另一组层叠体，使用基于高压水银灯(包含发光紫外线的能量线具有多个发光峰值)的紫外线照射装置(LINTEC社制,RAD-2000m/12)，在氮气氛围下由粘合片侧照射紫外线(照度230mW/cm²,积算光量190mJ/cm²)，并使包含在上述层叠体的粘合剂层中的聚合性官能基的聚合物(A)聚合。对于该紫外线照射后的层叠体，进行与用于测定上述照射前粘合力的剥离试验为相同条件的剥离试验，并测定照射后粘合力(单位:mN/25mm)。

在由此得到的照射前粘合力以及照射后粘合力中，对于两种光源分别求出粘合力比。所得到的照射前粘合力、两种照射后粘合力以及两种粘合力比如表2所示。

〔试验例3〕＜释气量的评价＞

将由上述实施例与比较例制造的粘合片裁剪成10mm直径的圆形后，层叠到超过15mg而作为试样。对于所得出的试样，使用TG-DTA(SHIMADZU社制,DTG-60)，测定出由室温以升温速度10℃/分钟加热到100℃，并其后在100℃维持1小时的重量减少率(单位:％)。若重量减少率在1％以下，则判定为释气量少的优良的粘合片。重量减少率的测定结果如表2所示。

〔试验例4〕＜保存稳定性的评价＞

将由上述实施例与比较例所制造的粘合片在23℃、相对湿度50％的环境下静置7日以进行保养后，分别切断而得出长200mm、宽25mm的粘合力测定用片。

在距各粘合力测定用片中的与基材侧的面相反侧的面50cm的位置配置荧光灯(出力:6Mw,1灯)，维持了一周的点灯状态。

然后，通过与试验例2同样的操作方式，测定照射前粘合力。通过由此求出的保存后照射前粘合力对于保存前(即试验例2中)照射前粘合力的比例(单位:％)的粘合力低减率，即根据粘合力低减率，对保存稳定性进行评价。若该粘合力的降低率为70％以上的情况下，则判定为保存稳定性优秀的粘合片。粘合力降低率的测定结果如表2所示。

【表2】

由表2可知，满足本发明的条件的实施例的切割片，其粘合力比大，且可期待在设备相关部件的机械加工工序以及加工后设备相关部件的剥离工序皆难以出现缺陷。此外，由于加热导致重量减少率低，因此释气量少，且难以通过荧光灯降低粘合力，而保存稳定性优异。

工业实用性

本发明的粘合片适于用作设备相关部件的切割片或磨片。

符号说明

1为粘合片；2为基材；3为粘合剂层。

Claims (4)

1.一种切割片，其特征在于，具有基材与在所述基材的一个主面侧上设置的粘合剂层，所述粘合剂层由含有具有聚合性官能基团的聚合物(A)以及相对100质量份所述具有聚合性官能基的聚合物(A)为2质量份以下的光聚合引发剂(B)的粘合剂组合物形成，所述光聚合引发剂(B)的3质量％甲醇溶液的波长365nm的质量吸光系数(单位:ml/g·cm)为200以上、1000以下，

用可照射其发光光谱中含有最大强度在350nm以上、400nm以下且半高宽为5nm以上、30nm以下的单一发光峰值的光线的紫外线光源，以积算光量为200mJ/cm²的方式对所述粘合剂层照射紫外线时，

对于将所述切割片中所述粘合剂层中与所述基材相对的面的相反侧的主面作为测定对象面，且将硅晶圆的镜面作为被粘合面，依据JIS Z0237:2000实施180°剥离试验时所测定得出的粘合力，包含所述紫外线的能量线照射前状态下的粘合力相对于包含所述紫外线的能量线照射后状态下的粘合力的比值为10以上。

2.一种经加工设备相关部件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

将权利要求1所述的切割片粘贴在设备相关部件的一面的工序；

在所述设备相关部件中的与所述切割片所粘贴的一面相反侧的面一侧进行加工，并且形成所述切割片贴附在经加工的设备相关部件上的状态的工序；

对于贴附在所述经加工的设备相关部件上的所述切割片所具有的所述粘合剂层，照射包含其发光光谱中含有最大强度350nm以上、400nm以下且半高宽为5nm以上、30nm以下的单一发光峰值的光线的光线时，使所述粘合剂层中所含有的聚合性官能基团进行聚合反应的工序；以及

从具有所述固化的粘合剂层的切割片上剥离所述经加工的设备相关部件的工序。

3.如权利要求2所述的经加工的设备相关部件的制造方法，其中，所述光线的光源包含紫外线发光二极管。

4.如权利要求2或3所述的经加工的设备相关部件的制造方法，其中，所述加工包含切断加工。