CN105981137A - 保护膜以及使用该保护膜的半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明是一种保护膜，其粘贴在半导体晶片的电路形成面，并具有聚酰亚胺基材以及热固性粘着层，所述热固性粘着层设置在上述聚酰亚胺基材的一个表面，并由包含丙烯酸系聚合物(a)、1分钟半衰期温度为140℃以上且200℃以下的热自由基产生剂(b)和交联剂(c)的组合物获得。

Description

保护膜以及使用该保护膜的半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及保护膜以及使用该保护膜的半导体装置的制造方法。
具体而言，涉及在分立器件、IGBT元件等半导体装置的制造工序中使用的、保护半导体晶片的电路形成面的保护膜和使用了该保护膜的半导体装置的制造方法。
背景技术
在制造分立器件、IGBT元件时，以往，对晶片背面侧实施：将半导体晶片的电路非形成面(以下，适当称为“晶片背面”)进行磨削的工序，将晶片背面的加工改性层用药液等进行蚀刻的工序，在晶片背面形成金属电极的工序，此外，在IGBT元件的情况下进一步在晶片背面进行离子注入的工序，将注入的掺杂剂进行活化的退火工序等各种加工。
其中，在将晶片背面进行磨削而将半导体晶片薄层化的工序中，为了防止半导体晶片的破损、污染，在半导体晶片的电路形成面(以下，适当称为“晶片表面”)粘贴具备粘着层的保护膜。
作为这样的保护膜，可举出以下那样的保护膜。
例如，在日本特开2011-216735号公报和日本特开2011-213919号公报中，公开了“在由聚酯树脂构成的基材树脂膜上具备放射线固化性的粘着剂层的晶片加工用粘着带”。
此外，在日本特开2010-287819号公报中公开了，“在基材膜上，将包含粘着成分和固化成分的中间树脂层组合物固化而形成的中间树脂层与放射线固化性的粘着剂层依次叠层而得的半导体晶片加工用粘着带”。
此外，在日本特开2011-249608号公报中公开了，“在含有聚酯树脂的基材树脂膜上，具备由放射线固化性的树脂组合物构成的粘着剂层的半导体晶片表面保护用粘着带”。
除了上述的保护膜以外，作为具备粘着层的膜，作为在具有减压加热工序的半导体的加工时粘贴于半导体而用于对其进行保护的保护膜，例如，日本特开2012-109585号公报中公开了“在基材的至少一个面，具备包含光固化型粘着剂、特定粒径的二氧化硅微粒和气体产生剂的粘着剂层的半导体加工用带”。
进一步，作为具备粘着层的膜，作为通过加热而使粘着力降低的半导体晶片固定用片，例如，日本特开平10-025456号公报中公开了，“一种半导体晶片固定用片，其特征在于，是由片状的支持体与叠层在该支持体上的压敏性粘着剂形成主要部的半导体晶片固定用片，该粘着剂的主成分由基础聚合物100质量份、加热固化性化合物10～900质量份和加热聚合引发剂0.1～10质量份形成”。
此外，作为适用于装饰用片等的粘着片，例如，日本特开平8-302301号公报中公开了，“在具有1×108cc·cm/cm2·sec·cmHg以上的氧透过系数的厚度500μm以下的膜状基材上，形成如果氧存在则不固化或延迟固化但通过加热进行固化的固化性粘着剂层而成的加热剥离性粘着片。”，也公开了这样的粘着片的固化性粘着剂层以粘着性橡胶系树脂(A)100质量份作为基准，配合了含有烯属不饱和基的化合物(B)50～150质量份、有机过氧化物(C)0.1～15质量份、交联剂(D)0.01～5.00质量份和阻聚剂(E)0.001～1.0质量份。
该粘着片具有能够通过加热而容易地剥离这样的特征。
发明内容
发明所要解决的问题
在上述的对晶片背面侧实施的各种加工中，包括在真空下加热半导体晶片的工序。
特别是，在进行金属蒸镀、金属溅射和离子注入这样的加工的工序中，半导体晶片在真空装置内在真空下进行200℃以上的加热。
如果将上述那样的各专利文献所记载的粘贴了具备粘着层的膜的半导体晶片，在真空下加热到200℃以上，则有时膜发生浮起，或粘着力上升到从半导体晶片的剥离变得困难的程度。如果膜发生浮起，则运送变得困难。
即，现状是：以往的具备粘着层的膜不能适用于在真空下进行200℃以上的加热的工序。
这里，本说明书中，将在真空下200℃以上的加热适当称为“真空加热”。
在以上那样的状况下，本发明的课题是提供在应用于包括下述工序的半导体装置的制造方法时，保护半导体晶片的电路形成面，同时抑制浮起的发生，并且，从半导体晶片剥离时的剥离性优异的保护膜，所述工序是将保护膜粘贴在半导体晶片的电路形成面，使热固性粘着层热固化后，在粘贴在半导体晶片的状态下直接在真空加热下进行的工序。
此外，本发明的其它课题是提供使用了上述保护膜的、包括在真空加热下进行的工序的半导体装置的制造方法。
用于解决课题的方法
用于解决上述课题的方法如下所述。
＜1＞一种保护膜，其粘贴在半导体晶片的电路形成面，并具有：
聚酰亚胺基材；以及
热固性粘着层，该热固性粘着层设置在上述聚酰亚胺基材的一个表面，并由包含丙烯酸系聚合物(a)、1分钟半衰期温度为140℃以上且200℃以下的热自由基产生剂(b)和交联剂(c)的组合物获得。
＜2＞根据＜1＞所述的保护膜，上述热自由基产生剂(b)的分子量为200以上且1000以下。
＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的保护膜，上述组合物进一步包含2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)。
＜4＞＜1＞～＜3＞的任一项所述的保护膜，上述丙烯酸系聚合物(a)为在侧链具有自由基反应性的双键的聚合物。
＜5＞根据＜1＞～＜4＞的任一项所述的保护膜，其作为半导体装置的制造方法中的下述保护膜使用，所述半导体装置的制造方法包括下述工序：
(1)在半导体晶片的电路形成面，将具有热固性粘着层的保护膜以该电路形成面与该热固性粘着层相接触的方式粘贴的粘贴工序；
(2)将粘贴了上述保护膜的上述半导体晶片在120℃以上且180℃以下的温度加热的加热工序；
(3)在(2)的加热工序后，将粘贴了上述保护膜的上述半导体晶片在真空下静置的静置工序；以及
(4)在(3)的静置工序后，在真空并且200℃以上的条件下，对上述半导体晶片中的电路非形成面，实施金属蒸镀、金属溅射和离子注入中的任一种处理的处理工序。
＜6＞一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：
(A)在半导体晶片的电路形成面，将＜1＞～＜5＞的任一项所述的保护膜以上述热固性粘着层与该电路形成面相接触的方式粘贴的粘贴工序，
(B)将上述半导体晶片中的电路非形成面进行磨削的磨削工序；
(C)将粘贴了上述保护膜并磨削了电路非形成面的上述半导体晶片在120℃以上且180℃以下的温度加热的加热工序；
(D)在(C)的加热工序后，将粘贴了上述保护膜的上述半导体晶片在真空下静置的静置工序；
(E)在(D)的静置工序后，在真空并且200℃以上的条件下，对粘贴了上述保护膜的上述半导体晶片中的电路非形成面，实施金属蒸镀、金属溅射和离子注入中的任一种处理的处理工序；以及
(F)将上述保护膜从上述半导体晶片剥离的剥离工序。
＜7＞根据＜6＞所述的半导体装置的制造方法，在上述(A)的粘贴工序之后且上述(B)的磨削工序之前，包括下述工序：
(i)在上述保护膜的聚酰亚胺基材的表面，粘贴半导体晶片磨削用膜的工序。
＜8＞根据＜6＞所述的半导体装置的制造方法，上述(A)的粘贴工序中所使用的上述保护膜是在该保护膜的聚酰亚胺基材的表面粘贴半导体晶片磨削用膜而成的。
＜9＞根据＜7＞或＜8＞所述的半导体装置的制造方法，在上述(B)的磨削工序之后且上述(C)的加热工序之前，包括下述工序：
(ii)将上述半导体晶片磨削用膜从上述保护膜剥离的工序。
＜10＞根据＜6＞～＜9＞的任一项所述的半导体装置的制造方法，上述(B)的磨削工序为残留上述半导体晶片中的电路非形成面的外周缘部，将内周部进行磨削的工序。
发明的效果
根据本发明，可以提供在应用于包括下述工序的半导体装置的制造方法时，保护半导体晶片的电路形成面，同时抑制浮起的发生，并且，从半导体晶片剥离时的剥离性优异的保护膜，所述工序是将保护膜粘贴在半导体晶片的电路形成面，使热固性粘着层热固化后，在粘贴在半导体晶片的状态下直接在真空加热下进行的工序。
此外，根据本发明，可以提供使用了上述保护膜的、包括在真空加热下进行的工序的半导体装置的制造方法。
具体实施方式
以下，对本发明详细地说明。
在本说明书中，使用“～”表示的数值范围是指包含“～”的前后所记载的数值作为下限值和上限值的范围。
本发明的保护膜是粘贴在半导体晶片的电路形成面的保护膜，具有聚酰亚胺基材与热固性粘着层，该热固性粘着层设置在上述聚酰亚胺基材的一个表面，并由包含丙烯酸系聚合物(a)、1分钟半衰期温度为140℃以上且200℃以下的热自由基产生剂(b)(以下，适当称为“特定热自由基产生剂(b)”)和交联剂(c)的组合物获得。
通过采用上述那样的构成，从而即使应用于包括在真空加热下进行的工序的半导体装置的制造方法，也可获得保护半导体晶片的电路形成面，同时抑制浮起的发生，并且，从半导体晶片剥离时的剥离性优异的保护膜。
关于与通过采用本发明的构成而发挥的效果的关系没有确定，但如下推定。
热固性粘着层中所包含的1分钟半衰期温度为140℃以上且200℃以下的热自由基产生剂(b)具有下述性质：在室温下的保存时、形成热固性粘着层时的干燥条件下分解难以开始，并且，即使不是表现从半导体晶片的剥离变得困难程度的粘着力那样的加热条件也分解。
此外，聚酰亚胺基材具有下述性质：加热引起的软化难以发生，即使在高温下也可以维持高弹性模量，热膨胀率与半导体晶片接近，进一步，热收缩率低。
推测通过将使用上述那样的热自由基产生剂(b)的热固性粘着层与聚酰亚胺基材组合，从而本发明的保护膜通过粘贴在半导体晶片的电路形成面，使热固性粘着层热固化，从而即使是高温也难以膨胀，并且，可以形成具有从半导体晶片的易剥离性的粘着层(热固化后)。
其结果，通过固化后的粘着层的存在，本发明的保护膜即使供于在真空加热下这样的苛刻的环境下进行的工序，也可以抑制浮起的发生，使半导体晶片的电路形成面的保护继续，然后，在从半导体晶片剥离时也可以显示优异的剥离性。
以下，对构成本发明的保护膜的聚酰亚胺基材和热固性粘着层进行说明。
(热固性粘着层)
本发明中的热固性粘着层(以下，有时简写为“粘着层”)由包含丙烯酸系聚合物(a)、1分钟半衰期温度为140℃以上且200℃以下的热自由基产生剂(b)和交联剂(c)的组合物获得。
-丙烯酸系聚合物(a)-
丙烯酸系聚合物(a)是成为粘着层中的粘着剂的基础的粘合剂树脂，可以使用将一般的(甲基)丙烯酸酯单体数种共聚而得的聚合物。作为构成丙烯酸系聚合物(a)的(甲基)丙烯酸酯单体，可以适用在粘着剂用途中公知的单体。
关于本发明的保护膜，从暴露于高温方面考虑，丙烯酸系聚合物(a)也优选热分解温度高的聚合物。一般而言，由丙烯酸酯单体聚合而得的丙烯酸系聚合物与由甲基丙烯酸酯单体聚合而得的丙烯酸系聚合物相比具有耐热性(热分解性方面)，因此更优选为以丙烯酸酯单体为主(例如，50摩尔％以上)的聚合物。
作为为了获得丙烯酸系聚合物(a)而使用的单体，适合的单体可举出例如，丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸己酯、甲基丙烯酸己酯、丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸辛酯、丙烯酸壬酯、甲基丙烯酸壬酯、丙烯酸十二烷基酯、甲基丙烯酸十二烷基酯等。
这些单体的侧链烷基可以为直链状也可以为支链状。此外，上述的丙烯酸烷基酯单体根据目的可以并用2种以上。
从调整粘着层的特性(例如粘着性等)的方面考虑，优选丙烯酸系聚合物(a)具有与后述的交联剂(c)反应的官能团。
具体而言，作为丙烯酸系聚合物(a)所具有的与交联剂(c)反应的官能团，优选为羧酸基、羟基、缩水甘油基等。另外，羧酸基、羟基、缩水甘油基等与作为交联剂(c)的多异氰酸酯、多官能环氧树脂反应。在导入这样的官能团时，只要将具有这样的官能团的(甲基)丙烯酸酯单体共聚即可。
作为具有与交联剂(c)反应的官能团的(甲基)丙烯酸酯单体，可举出例如，丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、衣康酸、马来酸、富马酸等具有羧基的单体；丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸羟乙酯、丙烯酸羟丙酯、甲基丙烯酸羟丙酯等具有羟基的单体；丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯等具有缩水甘油基的单体；等。
此外，从使粘着层固化的方面考虑，优选丙烯酸系聚合物(a)在侧链具有自由基反应性的双键。在导入这样的自由基反应性的双键时，只要使具有这样的自由基反应性的双键的(甲基)丙烯酸酯单体与共聚后的主聚合物侧链进行加成反应即可。
作为这样的反应的组合，可举出作为公知的方法的预先对主链共聚(甲基)丙烯酸缩水甘油酯，作为二次反应使(甲基)丙烯酸与主链的缩水甘油基进行加成反应的方法；预先对主链共聚(甲基)丙烯酸，作为二次反应使(甲基)丙烯酸缩水甘油酯与(甲基)丙烯酸部分进行加成反应的方法；预先对主链共聚上述具有羟基的单体，通过二次反应使2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、1,1-(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯等具有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯与羟基部分进行加成反应的方法；等。
如本发明的保护膜那样，在要求耐热性的用途中，从热分解性方面考虑，作为上面举出的侧链的加成反应，和异氰酸酯与羟基的反应相比，酸与缩水甘油基的反应更优异。
通过丙烯酸系聚合物(a)在侧链具有自由基反应性的双键，从而利用由特定热自由基产生剂(b)产生的自由基，能够进行丙烯酸系聚合物(a)彼此的反应、或丙烯酸系聚合物(a)与后述的2官能以上的丙烯酸系低聚物的反应。
丙烯酸系聚合物(a)在组合物中优选以50质量％以上且99.5质量％以下的范围包含，更优选以65质量％以上且99质量％以下的范围包含。
-特定热自由基产生剂(b)-
本发明中使用的特定热自由基产生剂(b)为考虑以下那样的方面来选择的成分。
即，本发明中，将获得粘着层时使用的各成分(包含丙烯酸系聚合物(a)、特定热自由基产生剂(b)和交联剂(c))溶解于溶剂而成的粘着层形成用涂布液，涂布在聚酰亚胺基材(或隔板)上，进行干燥，制作保护膜。
由于在该干燥时受热，因此优选选择在这样的干燥的温度下，分解难以开始的分解温度的物质。此外，在室温下的保存稳定性方面也优选分解温度高的物质。另一方面，如果分解温度过高，则为了分解而需要设为高温，在该高温条件下粘着性高涨，从半导体晶片的剥离变难，因此也不优选分解温度过高的物质。
从以上方面考虑，本发明所使用的特定热自由基产生剂(b)需要1分钟半衰期温度为140℃以上且200℃以下。
这里，特定热自由基产生剂的1分钟半衰期温度优选为145℃以上且180℃以下。
此外，如果在上述干燥时，与溶剂一起挥发，则粘着层中的特定热自由基产生剂量(b)变少，充分的反应变得难以获得，因此优选选择分子量大，难以挥发的物质。
从这样方面考虑，特定热自由基产生剂的分子量优选为200～1000，更优选为200～700，进一步优选为300～700。
作为特定热自由基产生剂(b)，可使用1分钟半衰期温度为上述范围的公知的过氧化物、偶氮化合物等。
作为特定热自由基产生剂(b)的具体例，可举出以下所示的例子，但本发明不限定于此。
另外，在以下的具体例中除了化合物名称以外，也一并记载市售品名称(全部为日油株式会社制)、分子量和1分钟半衰期温度。
[表1]
作为特定热自由基产生剂(b)的具体的市售品，优选为例如，日油株式会社制的PERHEXA MC、PERHEXA TMH、PERHEXAHC、PERHEXA C、PERTETRA A、PERHEXYL I、PERBUTYL 355、PERBUTYL L、PERBUTYLE、PERHEXYL Z、PERHEXA 25Z、PERHEXA 22、PERHEXA V、PERBUTYLP、PERCUMYL D、PERHEXYL D、PERHEXA 25B、PERBUTYL C、PERHEXYNE 25B等。
作为特定热自由基产生剂(b)的添加量，相对于构成丙烯酸系聚合物(a)的单体的总量100质量份，优选为0.1质量份以上且5质量份以下，更优选为0.2质量份以上且2质量份以下，进一步优选为0.3质量份以上且1质量份以下。
如果特定热自由基产生剂的添加量过少，则有时产生粘着层的热固化不充分，粘着性高涨的问题，另一方面，如果过多，则有时产生发生用X射线光电子分光分析(XPS/ESCA)、微小颗粒检测器等检测到的分解物(自由基的再结合物等)的物质所导致的半导体晶片的污染、真空装置的污染的问题。
-交联剂(c)-
本发明中的交联剂(c)为能够与丙烯酸系聚合物(a)反应，形成丙烯酸系聚合物(a)的交联体(三维交联体)的成分。
通过使丙烯酸系聚合物(a)成为交联体，从而可以调整粘着层的初期的粘着力、调整带的切割容易性(切割面粘着层的切断容易性)、加压变形性等，进一步可以抑制丙烯酸系聚合物(a)的主链的热分解。
作为交联剂(c)，可使用作为用于丙烯酸系粘着剂的普通交联剂的、异氰酸酯系、环氧系的交联剂等。
此外，从上述的丙烯酸系聚合物(a)的耐热性(热分解性)提高方面考虑，优选选择耐热性(热分解性)高的交联剂。
在本发明中，作为优选的交联剂(c)，可举出以下所示的交联剂，但本发明不限定于此。
即，可举出山梨糖醇聚缩水甘油基醚、聚甘油聚缩水甘油基醚、季戊四醇聚缩水甘油基醚、二甘油聚缩水甘油基醚、甘油聚缩水甘油基醚、新戊二醇二缩水甘油基醚、间苯二酚二缩水甘油基醚、作为商品名的三菱GAS化学制Tetrad C、Tetrad X等环氧系化合物；四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、三羟甲基丙烷的甲苯二异氰酸酯3加成物、多异氰酸酯、异氰脲酸酯型异氰酸酯等异氰酸酯系化合物；等。
如果交联剂少，则固化前的粘着层变为软质且具有流动性，有对晶片表面的润湿性、凹凸追随性优异的倾向。然而，如果交联剂少，则形状稳定性变差，在使本发明的保护膜成卷来保存的情况下可能高低差痕变得易于发生。此外，在切割本发明的保护膜时可能粘着剂的切断变差。
另一方面，如果交联剂多，则有时固化前的粘着层变为硬质，对晶片表面的润湿性、凹凸追随性难以获得，在真空加热下发生保护膜的浮起。
在本发明中，只要考虑上述那样的方面来确定交联剂(c)的添加量即可。
关于交联剂的适当的添加量，在添加到本发明的组合物中的2官能以上的丙烯酸系低聚物多的情况下，成为上述的软质的粘着剂的倾向被促进，因此可以更多地添加。
例如，作为交联剂(c)的添加量，相对于构成丙烯酸系聚合物(a)的单体的总量100质量份，优选为0.1质量份以上且20质量份以下，更优选为0.2质量份以上且10质量份以下。
-2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)-
用于获得本发明中的热固性粘着层的组合物优选进一步包含2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)。
2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)是具有2个以上自由基反应性的双键的丙烯酸系低聚物，并且是通过由特定热自由基产生剂(b)产生的自由基进行反应，有助于粘着层的固化的成分。
在上述的丙烯酸系聚合物(a)在侧链不具有自由基反应性的双键的情况下，作为使粘着层热固化的成分而成为必须。
在热固化后的粘着层硬而脆的情况下，有时粘着层在陷入到晶片表面的凹凸的状态下断裂，在晶片表面残留粘着层的一部分(也称为残胶)。因此，可以以使热固化后的粘着层的拉伸断裂时伸长率变大的方式，调整2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)的添加量、官能团数等。如果多量地添加官能团数多、分子量小的丙烯酸系低聚物(d)，则可能变得硬而脆。另一方面，如果多量地添加官能团数少、分子量大的丙烯酸系低聚物(d)，则作为固化物，可能变得软质，固化不充分且粘着高涨而残胶。
作为2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)，优选为6官能以下的丙烯酸系低聚物，更优选为3官能以上、5官能以下。
本发明的保护膜由于要求耐热性，因此在2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)中，也优选选择耐热性(不易热分解)高的结构的丙烯酸系低聚物。从耐热性方面考虑，与具有氨基甲酸酯键的丙烯酸系低聚物相比，优选具有酯键的丙烯酸系低聚物。
此外，作为丙烯酸系低聚物(d)的分子量，从固化物性方面考虑，优选为200以上且10000以下，更优选为300以上且5000以下。
作为2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)的具体例，可举出市售的氨基甲酸酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、季戊四醇聚丙烯酸酯、二季戊四醇聚丙烯酸酯、乙氧基化异氰脲酸三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯等。
关于2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)，在丙烯酸系聚合物(a)在侧链具有自由基反应性的双键的情况下可以不添加，但通过添加，从而2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)作为低分子量成分起作用，热固化前的粘着层对晶片表面的凹凸追随性、润湿性提高。此外，如果多量地使用2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)，特别是在官能团数多的情况下，有时固化后的粘着层变得硬而脆，发生上述的粘着层的断裂。
从上述方面考虑，2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)的添加量相对于丙烯酸系聚合物(a)100质量份为0质量份以上且100质量份以下，更优选为0质量份以上50质量份以下是适当的。
此外，在丙烯酸系聚合物(a)在侧链不具有自由基反应性的双键的情况下，作为使粘着层热固化的成分成为必须，但如果2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)少，则有时粘着层的热固化不充分，在晶片表面残留粘着层的一部分(凝集破坏)。此外，如果多量地使用2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)，则有时发生上述的粘着层的断裂。
从上述方面考虑，将2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)作为必须的情况下的添加量，相对于丙烯酸系聚合物(a)100质量份为1质量份以上且100质量份以下，更优选为20质量份以上且50质量份以下是适当的。
-粘着层的厚度-
由包含以上那样的各成分的组合物获得的粘着层的厚度优选形成为可以对晶片表面的凹凸充分地追随的厚度。
具体而言，粘着层的厚度为10μm以上且100μm以下，更优选为20μm以上且50μm以下是适当的。
(聚酰亚胺基材)
本发明中的聚酰亚胺基材是从以下那样的方面考虑而选择的。
即，将基材供于真空加热下时，如果基材软化，则与接触的构件粘结，因此不优选。此外，优选即使在高温下也可维持高的弹性模量。
此外，粘贴本发明的保护膜的半导体晶片(硅晶片)被薄薄地加工成150μm以下，根据情况被薄薄地加工成100μm以下。将这样的薄薄的半导体晶片与保护膜粘贴后，进行加热的话，如果基材的线膨胀率与半导体晶片的硅的热膨胀率大幅偏离，则半导体晶片发生翘曲。如果在真空加热下的装置内半导体晶片翘曲，则产生从晶片保持机构脱落而不能运送的问题、晶片开裂的问题。从这点考虑，优选为基材的热膨胀系数与硅接近的材料。此外，如果在基材的制造工序中由于基材内残留的应力等而加热工序中基材热收缩，则仍然发生翘曲而在运送、开裂方面成为问题。
这样，对于基材，从在高温下不软化方面、抑制薄薄的半导体晶片的翘曲方面考虑，要求难以热分解，维持高温时的弹性模量，热膨胀率与半导体晶片没有大幅偏离，热收缩率低等。
如果考虑那样的方面，则作为材料选择聚酰亚胺。
此外，在真空加热下进行的工序之前，进行降低保护膜所含有的水分的干燥工序。在该干燥工序中，从易于从保护膜除去水分的方面考虑，作为聚酰亚胺基材，优选选择水蒸气的透过性好的聚酰亚胺基材。
如果聚酰亚胺基材与粘着层的界面的粘接差，则有时在保护膜的剥离时粘着剂残留在晶片表面而成为残胶。
因此，优选对聚酰亚胺基材实施表面处理(公知的放电处理(电晕、等离子体)、偶联剂处理等)或设置粘接层等，来提高粘着层与聚酰亚胺基材的粘接力。
聚酰亚胺基材的厚度优选为25μm以上且100μm以下，更优选为38μm以上且50μm以下。
如果聚酰亚胺基材过薄，则有时在粘贴时变得易于引入褶皱，另一方面，如果过厚，则有时水蒸气的透过性变差，或对半导体晶片表面的凹凸的追随性变差。
作为聚酰亚胺基材，只要使用市售聚酰亚胺基材即可。
具体而言，例如，东丽杜邦公司的Kapton(注册商标)、kaneka公司的APICAL(注册商标)、宇部兴产的UPILEX(注册商标)等被商品化，可以使用它们。
-保护膜的制作-
保护膜如下制作。
首先，将构成为了获得粘着层而使用的组合物的各成分溶解于溶剂，调制粘着层形成用涂布液。
将调制出的粘着层形成用涂布液，以与干燥后的粘着层的厚度对应的厚度，用涂布装置涂布在聚酰亚胺基材上，然后，用干燥炉进行干燥从而制作保护膜。
另外，可以使用下述方法来制成保护膜：将粘着层形成用涂布液，以与干燥后的粘着层的厚度对应的厚度，用涂布装置涂布在聚酰亚胺基材或隔板上，然后，用干燥炉干燥，进一步，使涂布面与隔板或聚酰亚胺基材贴合，从而获得隔板/粘着层/聚酰亚胺基材的构成的叠层体。这样的叠层体的保护膜只要在粘贴在半导体晶片之前，剥离隔板即可。
另外，在上述的粘着层形成用涂布液的干燥中，优选选择不使特定热自由基产生剂(b)分解的温度、干燥炉中的滞留时间。此外，在干燥中，优选也考虑可通过充分除去溶剂等挥发成分来抑制真空加热下的保护膜的浮起方面，来选择温度、干燥炉中的滞留时间。
具体而言，例如，干燥工序中的温度优选为60℃以上且130℃以下，作为滞留时间，优选为1分钟以上且10分钟以下。
-保护膜的适用用途-
本发明的保护膜优选作为包括以下的(1)～(4)的工序的半导体装置的制造方法中的保护膜来使用。
(1)在半导体晶片的电路形成面，将具有热固性粘着层的保护膜以该电路形成面与该热固性粘着层相接触的方式粘贴的粘贴工序；
(2)将粘贴了上述保护膜的上述半导体晶片在120℃以上且180℃以下的温度进行加热的加热工序；
(3)在(2)的加热工序后，将粘贴了上述保护膜的上述半导体晶片在真空下静置的静置工序；以及
(4)在(3)的静置工序后，在真空并且200℃以上的条件下，对上述半导体晶片中的电路非形成面，实施金属蒸镀、金属溅射和离子注入中的任一种处理的处理工序。
这里，上述(1)的工序与后述的(A)粘贴工序对应，上述(2)的工序与后述的(C)加热工序对应，上述(3)的工序与后述的(D)静置工序对应，上述(4)的工序与后述的(E)真空加热下的处理工序对应。各工序的详细内容由于与对应的(A)粘贴工序、(C)加热工序、(D)静置工序和(E)真空加热下的处理工序同样，因此这里省略。
(半导体装置的制造方法)
接下来，对使用了本发明的保护膜的半导体装置的制造方法进行说明。
本发明的半导体装置的制造方法是包括下述工序的半导体装置的制造方法：
(A)在半导体晶片的电路形成面，将本发明的保护膜以上述热固性粘着层与该电路形成面相接触的方式粘贴的粘贴工序；
(B)将上述半导体晶片中的电路非形成面进行磨削的磨削工序；
(C)将粘贴了上述保护膜并磨削了电路非形成面的上述半导体晶片在120℃以上且180℃以下的温度进行加热的加热工序；
(D)在(C)的加热工序后，将粘贴了上述保护膜的上述半导体晶片在真空下静置的静置工序；
(E)在(D)的静置工序后，在真空并且200℃以上的条件下，对粘贴了上述保护膜的上述半导体晶片中的电路非形成面，实施金属蒸镀、金属溅射和离子注入中的任一种处理的处理工序；以及
(F)将上述保护膜从上述半导体晶片剥离的剥离工序。
以下，对各工序进行说明。
-(A)粘贴工序-
在本发明的(A)粘贴工序中，以本发明的保护膜中的热固性粘着层与半导体晶片的电路形成面相接触的方式粘贴。
这样的(A)粘贴工序在(B)磨削工序之前或之后进行。
(A)粘贴工序在(B)磨削工序之前进行的情况下，粘贴了本发明的保护膜的半导体晶片直接适用于(B)磨削工序。
此外，在(A)粘贴工序在(B)磨削工序之后进行的情况下，在(B)磨削工序之前，进行以公知的保护膜中的粘着层与半导体晶片的电路形成面相接触的方式粘贴的工序。此外，使用粘贴了公知的保护膜的半导体晶片进行(B)磨削工序后，进行将公知的保护膜从半导体晶片剥离的工序。
从工序数少，没有必要进行保护膜的重贴的方面考虑，优选(A)粘贴工序在(B)磨削工序之前进行。
本发明的保护膜对半导体晶片的粘贴中，能够适用公知的贴带机。
为了不在晶片表面的电路的凹凸中进入空气而粘贴，优选使用真空贴机。如果进入空气，则在(E)在真空加热下进行的处理工序中成为保护膜的浮起的契机，因此不优选。
-(B)磨削工序-
本发明的(B)磨削工序中，对半导体晶片中的电路非形成面(晶片背面)进行磨削。
(B)磨削工序中，例如，将粘贴了本发明的保护膜或以往的保护膜的半导体晶片介由聚酰亚胺基材而固定在磨削机的工作盘等，对半导体晶片中的电路非形成面(晶片背面)进行磨削。
磨削结束后，在半导体晶片粘贴有以往的保护膜的情况下，剥离该保护膜。
晶片背面的磨削完成后，有时对带有保护膜状态的半导体晶片，实施晶片背面的化学蚀刻、抛光等通过药液进行的蚀刻处理工序。
此外，在晶片背面的磨削完成后、实施蚀刻处理工序后，可以对粘贴了本发明的保护膜的半导体晶片，进行用于除去这样的保护膜中的水分的预加热。
本发明的保护膜由丙烯酸系粘着剂和聚酰亚胺基材构成，都是吸湿率高的材料。由于磨削工序、蚀刻处理工序是使用了水的工序，因此本发明的保护膜成为吸湿的状态。
如果将该吸湿的状态的保护膜在(C)加热工序中加热，则有时由于吸湿的水分的急剧膨胀而发生浮起。为了抑制浮起，优选使用烘箱等，将粘贴了本发明的保护膜的半导体晶片在60℃以上且100℃以下预加热干燥数分钟～数10分钟。
-(C)加热工序-
在本发明的(C)加热工序中，将粘贴了本发明的保护膜并磨削了电路非形成面的半导体晶片在120℃以上且180℃以下的温度进行加热。另外，本工序可以在减压下或在加压下实施，如果在减压下实施，则因伴随过氧化物的分解的产生气体而可能发生浮起，因此优选在接近大气压的压力下实施，从可以使用通用的烘箱方面考虑，更优选在大气压下进行。
通过该(C)加热工序，本发明的保护膜的粘着层热固化。
通过该(C)加热工序，可以防止润湿、凹凸追随优异的粘着层的粘着高涨而变得不能剥离。
此外，为了抑制由特定热自由基产生剂(b)的分解而产生的气体所导致的保护膜的浮起，也优选特定热自由基产生剂(b)的分解在本工序中完成。
从这样的方面考虑，(C)加热工序中的加热条件只要根据使用的特定热自由基产生剂(b)的1分钟半衰期温度来设定即可，例如，可以相对于特定热自由基产生剂(b)的1分钟半衰期温度，优选在±30℃以内(更优选为±20℃以内)进行。
作为(C)加热工序的条件，具体而言，优选在大气压下，在120℃以上且180℃以下(优选为130℃以上且170℃以下)的温度，进行数分钟以上且1小时以下(优选为1分钟～1小时，更优选为3分钟～30分钟，进一步优选为5分钟～30分钟，特别优选为10分钟～30分钟)的加热。
-(D)静置工序和(E)真空加热下的处理工序-
本发明的(D)静置工序中，在(C)的加热工序后，将粘贴了本发明的保护膜的半导体晶片在真空下静置。
此外，(E)真空加热下的处理工序中，在(D)静置工序后，在真空并且200℃以上的条件下，对粘贴了保护膜的半导体晶片中的电路非形成面，实施金属蒸镀、金属溅射和离子注入中的任一种处理。
在(E)真空加热下的处理工序中，金属蒸镀时适用真空蒸镀装置，金属溅射时适用溅射装置，离子注入时适用离子注入装置，这些装置都是公知的真空装置。
对于这些真空装置，一般而言，使半导体晶片静置于预排气室，在这里达到某种程度的真空度(例如1Pa以下)后，将半导体晶片移到主装置。这样的预排气室中的静置成为上述的(D)静置工序。然后，在主装置中，进行真空下的金属蒸镀、金属溅射或离子注入的处理，此时的装置内的半导体晶片被加热到200℃以上。另外，(E)真空加热下的处理工序中的加热的上限根据该处理的种类、装置的加温/冷却机构等来确定，具体而言为300℃左右。
-(F)剥离工序-
本发明的(F)剥离工序中，在(E)真空加热下的处理工序后，将本发明的保护膜从半导体晶片剥离。
将本发明的保护膜从晶片表面剥离的操作也有时通过人工来进行，但一般而言，使用被称为自动剥离机的装置来进行。作为这样的自动剥离机，有takatori(株)制的型号：ATRM-2000B、takatori(株)制的型号：ATRM-2100、帝国精机(株)制的型号：STP系列、日东精机(株)制的型号：HR-8500II等。此外，作为通过上述的自动剥离机从晶片表面剥离本发明的保护膜时使用的被称为剥离带的粘着带，可以使用例如，住友3M(株)制的商品标识为Highland的纤维带No.897等。
将本发明的保护膜从晶片表面剥离时的温度通常在25℃左右的室温进行，但在上述的自动剥离机具备升温晶片的功能的情况下，可以在将半导体晶片升温直到规定的温度(通常，40℃～90℃程度)的状态下剥离保护膜。
剥离了本发明的保护膜后的晶片表面根据需要进行洗涤。作为洗涤方法，可举出水洗涤、溶剂洗涤等湿式洗涤、等离子体洗涤等干式洗涤等。在湿式洗涤的情况下，可以并用超声波洗涤。这些洗涤方法根据晶片表面的污染状况来适当选择。
在本发明的半导体装置的制造方法中，优选进一步包括以下那样的工序。
即，在聚酰亚胺基材为硬质、粘着层的厚度薄的情况下，有时不能吸收晶片表面的凹凸。在该情况下，有时在(B)磨削工序中的磨削时过剩地磨削凸部背面。
从防止该过剩磨削的方面考虑，采用在本发明的保护膜中的聚酰亚胺基材的表面(粘着层的非形成面)，粘贴公知的半导体晶片磨削用膜的方法。
作为粘贴半导体晶片磨削用膜的方法，可举出：在(B)磨削工序之前，进行在半导体晶片上粘贴的保护膜的聚酰亚胺基材的表面，粘贴半导体晶片磨削用膜的工序((i)工序)的方法；或者，在(A)粘贴工序中应用在保护膜的聚酰亚胺基材的表面预先粘贴半导体晶片磨削用膜而成的保护膜的方法。
作为这里使用的半导体晶片磨削用膜，优选包含吸收晶片表面的凹凸的软质/应力缓和层的半导体晶片磨削用膜。
另外，半导体晶片磨削用膜优选在(B)磨削工序之后并且(C)加热工序之前，从本发明的保护膜剥离((ii)工序)。
在(B)磨削工序中被磨削、薄膜化了的半导体晶片易于翘曲或破损。因此，从抑制薄膜化了的半导体晶片的翘曲，提高强度的方面考虑，(B)磨削工序优选为残留半导体晶片中的电路非形成面的外周缘部，将内周部进行磨削的工序。即，在(B)磨削工序中，优选采用厚厚地残留半导体晶片的外周缘部，提高强度，另一方面，中央部磨削成规定厚度的方法，所谓TAIKO工艺。
本发明的保护膜中的聚酰亚胺基材不是不发生热膨胀，此外，也不是与硅晶片的热膨胀率完全一致。因此，在要求更严格控制翘曲的局面(例如半导体晶片的进一步薄膜化、供于高温的情况)，优选在适用本发明的保护膜的状态下，并用上述那样的TAIKO工艺，来抑制半导体晶片的翘曲的发生。由此，翘曲所导致的运送不良等难以发生。
作为本发明的半导体装置的制造方法可以适用的半导体晶片，不限于硅晶片，可举出氮化镓、锗、镓-砷、镓-磷、镓-砷-铝等半导体晶片。
实施例
以下，示出实施例对本发明进一步说明详细内容。
〔粘着层形成用涂布液的调制〕
将下述表2所记载的各成分以表2所记载的配合量(记载在括号内)使用并进行混合搅拌，调制粘着层形成用涂布液1～10。
这里，表2中，配合量是相对于丙烯酸系聚合物中的单体100质量份的质量份，是固体成分的质量比。
[表2]
表2中简写的聚合物1和2、低聚物1和2、过氧化物1～5、交联剂1是以下物质。
·聚合物1：将丙烯酸乙酯82份、甲基丙烯酸甲酯10份、丙烯酸羟丁酯8份和作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.5质量份进行混合，一边搅拌一边在80℃经5小时滴加到加入有甲苯65质量份、乙酸乙酯50质量份的氮气置换烧瓶中，进一步搅拌5小时使其反应，获得了丙烯酸酯共聚物溶液。将其设为聚合物1。
·聚合物2：将丙烯酸乙酯48质量份、丙烯酸-2-乙基己酯27质量份、丙烯酸甲酯20质量份、甲基丙烯酸缩水甘油酯5质量份和作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.5质量份进行混合，一边搅拌一边在80℃经5小时滴加到加入有甲苯65质量份、乙酸乙酯50质量份的氮气置换烧瓶中，进一步搅拌5小时使其反应。反应结束后，冷却，在其中加入二甲苯25质量份、丙烯酸2.5质量份和十四烷基苄基氯化铵1.5质量份，一边吹入空气一边在80℃反应10小时，获得了导入有聚合性碳-碳双键的丙烯酸酯共聚物溶液。将其设为聚合物2。
·低聚物1：AD-TMP(新中村化学制，双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯)
·低聚物2：Aronix M-402(东亚合成制，二季戊四醇五丙烯酸酯和二季戊四醇六丙烯酸酯)
·过氧化物1：PERTETRA A(日油制，2,2-二(4,4-二-(叔丁基过氧基)环己基)丙烷，分子量561，1分钟半衰期温度154℃)
·过氧化物2：NYPER BMT(日油制，1分钟半衰期温度131℃)
·过氧化物3：PEROYL TCP(日油制，分子量399，1分钟半衰期温度92℃)
·过氧化物4：PERBUTYL C(日油制，叔丁基枯基过氧化物，分子量208，1分钟半衰期温度173℃)
·过氧化物5：PERCUMYL P(日油制，分子量194，1分钟半衰期温度233℃)
·交联剂1：OLESTER P49-75S(三井化学制)
〔保护膜的制作〕
在38μm厚度的聚酰亚胺膜(东丽杜邦公司制Kapton150EN-A)上，以干燥厚度成为30μm的方式，涂布表2所记载的粘着层形成用涂布液，在100℃、6分钟条件下干燥，制作实施例1～4和比较例1～6的保护膜。
然后，在40℃熟化7天，使交联剂与丙烯酸系聚合物反应。
〔粘着带的评价〕
将各保护膜粘贴于6英寸的硅晶片的镜面后，将其在烘箱中在80℃加热(预加热)10分钟，接着，在表2所记载的条件下加热使粘着层热固化(比较例4、5不加热)。然后，将粘贴了保护膜的硅晶片投入到真空烘箱在真空下放置后，在250℃加热30分钟。目视确认在烘箱内有无发生保护膜的浮起。
真空加热后，恢复到室温后将保护膜从硅晶片剥离，通过目视确认在硅晶片上是否有粘着层的残存(残胶)。
评价指标如下所述。将结果示于表2中。
由表2明确可知，实施例1～4的保护膜由于具有本发明中的由包含丙烯酸系聚合物(a)、特定热自由基产生剂(b)、交联剂(c)和2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)的涂布液获得的粘着层，因此即使在热固化后供于真空加热，也不发生保护膜的浮起，此外，也不产生残胶。
〔实施例A～D、比较例a～f和参考例〕
使用实施例1～4和比较例1～6的保护膜，如下进行预加热、粘着层的热固化和真空加热。
实施例A：在将实施例1的保护膜粘贴于6英寸的硅晶片的镜面后，将其在烘箱中在80℃加热(预加热)10分钟，接着用烘箱在150℃加热15分钟，使粘着层热固化。接着，将其投入到真空烘箱在真空下放置后，在250℃加热30分钟。
另外，预加热和粘着层的热固化时的加热在大气压下进行。
实施例B～D、比较例a～f和参考例：将实施例A中使用的保护膜改变为下述表3所记载的保护膜，进行了下述表3所记载的加热，除此以外，与实施例A同样地操作。
实施例A～D、比较例a～f和参考例中的真空加热时，目视确认在烘箱内有无发生保护膜的浮起。
此外，真空加热后，恢复到室温后将保护膜从硅晶片剥离，目视确认硅晶片上是否有粘着层的残存(残胶)。
将结果示于表3中。
[表3]
由表3明确可知，使用实施例1～4的保护膜，进行预加热、120℃以上且180℃以下的温度的粘着层的热固化、及在真空并且200℃以上的条件下的放置的实施例A～D中，没发生保护膜的浮起，此外，也没发生残胶。
可知，使用比较例1～3的保护膜，进行预加热、120℃以上且180℃以下的温度的粘着层的热固化、及在真空并且200℃以上的条件下的放置的比较例a～c中，虽然没发生保护膜的浮起，但是发生残胶。
这是因为，粘着层中所包含的热自由基产生剂的1分钟半衰期温度小于140℃(比较例1、2)，或者，未使用热自由基产生剂(比较例3)。推测由于热自由基产生剂的1分钟半衰期温度小于140℃，因此在粘着层的干燥阶段热自由基产生剂分解或挥发，粘着层的热固化不充分。此外，推测未使用热自由基产生剂的情况下也同样地，粘着层的热固化不充分。推测其结果是，虽然热固化未充分进行，但是粘着层通过真空加热而急剧地变为高温，因此粘着性高涨，发生残胶。
使用比较例4的保护膜，在预加热后，不进行粘着层的热固化，而进行在真空并且200℃以上的条件下的放置的比较例d中，虽然没发生残胶，但是发生保护膜的浮起。推测这是因为，由于使用多量地添加有交联剂的涂布液，因此成为硬质的粘着层，对硅晶片的润湿性低，在真空加热时没能维持相对于硅晶片的粘接。
使用比较例5的保护膜，在预加热后，不进行粘着层的热固化，而进行在真空并且200℃以上的条件下的放置的比较例e中，虽然没发生保护膜的浮起，但是发生残胶。推测这是因为，由于使用少量地添加有交联剂的涂布液，因此成为软质的粘着层，对硅晶片的润湿性优异，即使在真空加热下也可以维持相对硅晶片的粘接，但由于为高温，因此粘着性高涨，发生残胶。
根据参考例，可知即使使用实施例1的保护膜，如果不经过热固化的工序，则虽然没发生残胶，但是发生保护膜的浮起。推定这是因为，在真空加热下，伴随特定热自由基产生剂(过氧化物)的分解的气体成分成为浮起发生的诱因。
〔实施例E〕
将实施例1的保护膜粘贴于8英寸硅晶片(镜)的镜面((A)粘贴工序)。
接着，使用DISCO公司制的背面研磨机，磨削晶片背面直至厚度成为100μm为止((B)磨削工序)。
磨削后，晶片没有开裂，翘曲也为1mm以下。
接着，将该晶片在烘箱中在80℃干燥(预加热)10分钟，进一步接着，在150℃用烘箱加热15分钟而将粘着层固化((C)加热工序)。另外，预加热和粘着层的热固化时的加热在大气压下进行。
将粘着层固化后，晶片的翘曲为2mm左右，是用晶片的运送装置可操作的范围的翘曲量。
接着，将该晶片投入到真空烘箱在真空下放置后，在250℃加热30分钟，结果在这样的真空烘箱中未发生浮起。
然后，从恢复到大气压、室温的环境下的晶片，将实施例1的保护膜从晶片剥离，结果晶片表面未见残胶。
在2014年3月31日申请的日本申请2014-074489的公开的全部内容通过参照并入到本说明书中。
关于本说明书所记载的全部文献、专利申请和技术规格，各个文献、专利申请和技术规格通过参照并入与具体并且单独记载的情况同等程度地通过参照并入到本说明书中。

Claims (10)

1.一种保护膜，其粘贴在半导体晶片的电路形成面，并具有：
聚酰亚胺基材；以及
热固性粘着层，所述热固性粘着层设置在所述聚酰亚胺基材的一个表面，并由包含丙烯酸系聚合物(a)、1分钟半衰期温度为140℃以上且200℃以下的热自由基产生剂(b)和交联剂(c)的组合物获得。
2.根据权利要求1所述的保护膜，所述热自由基产生剂(b)的分子量为200以上且1000以下。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的保护膜，所述组合物进一步包含2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)。
4.根据权利要求1～权利要求3的任一项所述的保护膜，所述丙烯酸系聚合物(a)为在侧链具有自由基反应性的双键的聚合物。
5.根据权利要求1～权利要求4的任一项所述的保护膜，其作为半导体装置的制造方法中的下述保护膜使用，所述半导体装置的制造方法包括下述工序：
(1)在半导体晶片的电路形成面，将具有热固性粘着层的保护膜以该电路形成面与该热固性粘着层相接触的方式粘贴的粘贴工序；
(2)将粘贴了所述保护膜的所述半导体晶片在120℃以上且180℃以下的温度加热的加热工序；
(3)在(2)的加热工序后，将粘贴了所述保护膜的所述半导体晶片在真空下静置的静置工序；以及
(4)在(3)的静置工序后，在真空并且200℃以上的条件下，对所述半导体晶片中的电路非形成面，实施金属蒸镀、金属溅射和离子注入中的任一种处理的处理工序。
6.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：
(A)在半导体晶片的电路形成面，将权利要求1～权利要求5的任一项所述的保护膜以所述热固性粘着层与该电路形成面相接触的方式粘贴的粘贴工序；
(B)将所述半导体晶片中的电路非形成面进行磨削的磨削工序；
(C)将粘贴了所述保护膜并磨削了电路非形成面的所述半导体晶片在120℃以上且180℃以下的温度加热的加热工序；
(D)在(C)的加热工序后，将粘贴了所述保护膜的所述半导体晶片在真空下静置的静置工序；
(E)在(D)的静置工序后，在真空并且200℃以上的条件下，对粘贴了所述保护膜的所述半导体晶片中的电路非形成面，实施金属蒸镀、金属溅射和离子注入中的任一种处理的处理工序；以及
(F)将所述保护膜从所述半导体晶片剥离的剥离工序。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，在所述(A)的粘贴工序之后且所述(B)的磨削工序之前，包括下述工序：
(i)在所述保护膜的聚酰亚胺基材的表面，粘贴半导体晶片磨削用膜的工序。
8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，所述(A)的粘贴工序中所使用的所述保护膜是在该保护膜的聚酰亚胺基材的表面粘贴半导体晶片磨削用膜而成的。
9.根据权利要求7或权利要求8所述的半导体装置的制造方法，在所述(B)的磨削工序之后且所述(C)的加热工序之前，包括下述工序：
(ii)将所述半导体晶片磨削用膜从所述保护膜剥离的工序。
10.根据权利要求6～权利要求9的任一项所述的半导体装置的制造方法，所述(B)的磨削工序为残留所述半导体晶片中的电路非形成面的外周缘部，将内周部进行磨削的工序。
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