CN111868192A - 粘着胶带及半导体装置的制造方法 - Google Patents

粘着胶带及半导体装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

作为技术问题，本发明的目的在于，特别是在采用预切割法而制造微小的半导体芯片时，减少将芯片21从背磨胶带10转印至拾取胶带30或粘合胶带的转印不良。此外，本发明的目的在于，改善将芯片从背磨胶带10转印至拾取胶带30或粘合胶带的转印效率。作为解决手段，本发明提供一种粘着胶带10，所述粘着胶带10的特征在于，其优选被用作为上述背磨胶带，其包含基材11与设置在该基材11的一面的粘着剂层12，所述粘着剂层12由能量射线固化性粘着剂构成，将硅晶圆镜面贴附于所述粘着剂层12后，对粘着剂层照射能量射线而进行固化，进一步在压力0.5N/cm2、210℃的条件下热压接5秒钟后的23℃下的粘着力为9.0N/25mm以下。

Description

粘着胶带及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种粘着胶带，更详细而言，涉及一种使用所谓的预切割(predicing)法而制造半导体装置时，优选用于暂时固定半导体晶圆及芯片的粘着胶带、及使用该粘着胶带的半导体装置的制造方法。
背景技术
随着各种电子设备的小型化、多功能化的进展，对搭载于各种电子设备的半导体芯片也同样要求小型化、薄型化。为了芯片的薄型化，通常对半导体晶圆的背面进行磨削而调节厚度。此外，有时也会利用被称为预切割法的技术，其中，从晶圆的表面侧形成规定深度的沟槽后，从晶圆背面侧进行磨削，通过磨削将沟槽的底部去除而将晶圆单颗化(singulation)，进而得到芯片。在预切割法中，由于能够同时进行晶圆的背面磨削与晶圆的单颗化，因此能够效率良好地制造薄型芯片。
以往，对半导体晶圆进行背面磨削时或使用预切割法而制造芯片时，通常将被称为背磨胶带的粘着胶带贴附在晶圆表面，用以保护晶圆表面的电路且将半导体晶圆及半导体芯片预先固定。
以下，参照附图，对使用预切割法将晶圆单颗化后的芯片的拾取进行说明。通过预切割，半导体晶圆被单颗化，在背磨胶带10上得到由经单颗化的许多芯片21组成的芯片组20(图1)。该芯片组20被转印至被称为拾取胶带30的粘着胶带，根据需要进行扩张芯片间隔的扩展后，从拾取胶带30上剥离(专利文献1：日本特开2012-209385号公报)。作为该拾取胶带30，多使用被称为切割胶带的粘着胶带类。以下述方式进行芯片组20从背磨胶带10至拾取胶带30的转印。即，将拾取胶带30贴附于被保持在背磨胶带10上的芯片组20。此时，使用环形框架40固定拾取胶带30的外周部(图2)。接着，通过仅将背磨胶带10剥离，芯片组20被转印至拾取胶带30。
对于背磨胶带10而言，在背面磨削工序中，需要能够稳定地保持晶圆和芯片组的程度的粘着力，将芯片组转印至拾取胶带30时，需要能够容易地从芯片表面剥离的程度的粘着力。因此，在背磨胶带10的粘着剂层12中多使用能够通过能量射线照射而降低粘着力的能量射线固化性粘着剂。例如专利文献2(日本特开2002-053819号公报)中公开了一种背磨胶带，其能量射线固化前的粘着力为150g/25mm以上，能量射线固化后的粘着力为150g/25mm以下。在此，粘着力是依据JIS Z-0237所规定的方法，使用SUS304-BA板作为被粘物，且在剥离速度为300mm/分钟、剥离角度为180度的条件下测得的粘着力。
此外，专利文献3(日本特开2016-72546号公报)中公开了一种用于预切割法的半导体晶圆表面保护用粘着胶带。该粘着胶带的目的在于，抑制预切割时的切口偏移(kerfshift)、消除粘着剂向半导体芯片的转移粘着及半导体芯片的剥离不良，粘着胶带的基材至少具有1层拉伸模量为1～10GPa的刚性层，使粘着剂层辐射固化后的剥离角度为30°时的剥离力为0.1～3.0N/25mm。
剥离背磨胶带10时，将成为剥离的开端的剥离用胶带50固定在背磨胶带10的背面(基材面)(图3)。背磨胶带的形状与半导体晶圆大致相同，由于背磨胶带没有成为剥离的开端的起点，因此将长条状的剥离用胶带50固定以作为剥离的起点。剥离用胶带50通过热压接而被牢固地固定在背磨胶带10的背面。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-209385号公报
专利文献2：日本特开2002-053819号公报
专利文献3：日本特开2016-72546号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
将剥离用胶带50热压接于背磨胶带10时，加热至140～230℃左右且施加压力，从而将剥离用胶带50热封在背磨胶带10的背面。因此，位于热封部分的背磨胶带的粘着剂层也被加热、加压。其结果，通过能量射线照射而固化的粘着剂层因加热、加压而流动、活化，背磨胶带的固化后的粘着剂层与芯片被热压接。在此状态下以剥离用胶带为起点而进行背磨胶带10的剥离时，在热封部及其附近，背磨胶带以芯片21被粘着在背磨胶带10的状态被剥离，导致芯片的产率降低(图4、图5)。以下，有时将该现象称为“芯片的转印不良”。
芯片尺寸较大时，虽然能够良好地进行背磨胶带与芯片表面的剥离，但是随着芯片尺寸变小，芯片容易被埋入背磨胶带的粘着剂层12。其结果，芯片从背磨胶带的剥离变得更加困难，芯片的转印不良会增多。进一步，在预切割法中多使用较硬质的基材作为背磨胶带的基材11。因此，剥离背磨胶带时无法将背磨胶带充分地折回，这也使剥离变得困难，是转印不良增多的主要原因。
在专利文献3中，由于基材为硬质，因此难以将粘着胶带折弯。因此剥离角度为锐角，致使剥离力较强且剥离花费时间。
因此，本发明的目的在于，特别是在采用预切割法而制造微小的半导体芯片的情况下，将芯片组20从背磨胶带10转印至如拾取胶带或粘合胶带的其他胶带时，减少芯片21的转印不良。此外，其目的在于改善将芯片从背磨胶带转印至如拾取胶带或粘合胶带的其他胶带的转印效率。
解决技术问题的技术手段
以解决上述技术问题为目的的本发明的主旨如下。
(1)一种粘着胶带，其包含基材与设置在该基材的一面的粘着剂层，所述粘着胶带中，
所述粘着剂层由能量射线固化性粘着剂构成，
将硅晶圆镜面贴附于所述粘着剂层后，对粘着剂层照射能量射线而进行固化，进一步在压力0.5N/cm2、210℃的条件下热压接5秒钟后的23℃下的粘着力为9.0N/25mm以下。
(2)根据(1)所述的粘着胶带，在包含将背磨胶带贴附于在半导体晶圆表面形成有沟槽的半导体晶圆的表面，并对背面进行磨削且通过该磨削而将半导体晶圆单颗化成半导体芯片，然后将经单颗化的芯片组转印至拾取胶带或粘合胶带的工序的半导体装置的制造方法中，所述粘着胶带被用作为所述背磨胶带。
(3)一种半导体装置的制造方法，其包含将背磨胶带贴附于在半导体晶圆表面形成有沟槽的半导体晶圆的表面，并对背面进行磨削且通过该磨削而将半导体晶圆单颗化成半导体芯片，然后将经单颗化的芯片组转印至拾取胶带或粘合胶带的工序，将(1)所述的粘着胶带用作所述背磨胶带。
(4)上述(1)所述的粘着胶带在半导体装置的制造方法中的应用，所述半导体装置的制造方法包含：将背磨胶带贴附于在半导体晶圆表面形成有沟槽的半导体晶圆的表面，并对背面进行磨削且通过该磨削而将半导体晶圆单颗化成半导体芯片，然后将经单颗化的芯片组转印至拾取胶带或粘合胶带的工序，上述(1)所述的粘着胶带被用作为所述背磨胶带。
发明效果
根据本发明的粘着胶带10，即使在固化能量射线固化性粘着剂层后进行剥离用胶带50的热压接，也可通过将被粘物(半导体芯片)与粘着胶带的粘着力抑制成非常低的水平来防止芯片的转印不良。
附图说明
图1示出通过预切割法而在背磨胶带10上得到芯片组20的状态。
图2示出将芯片组20从背磨胶带10转印至拾取胶带30的工序。
图3示出将剥离用胶带50热压接在背磨胶带10的背面的状态。
图4示出以剥离用胶带50为起点而将背磨胶带10剥离的状态。
图5示出图4的立体图。
具体实施方式
以下，对本发明的粘着胶带进行具体说明。首先，对本说明书中使用的主要用语进行说明。
在本说明书，例如将“(甲基)丙烯酸酯”用作表示“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”这两者的用语，其他类似用语也同样。
粘着胶带是指包含基材与设置在基材的一面的粘着剂层的层叠体，粘着胶带包含除基材与粘着剂层以外的其他构成层也无妨。例如，也可在粘着剂层侧的基材表面上形成底漆层(易粘合层)，为了保护粘着剂层至使用时为止，也可在粘着剂层的表面上层叠剥离片。此外，基材可以为单层，也可以为具备缓冲层等功能层的多层。粘着剂层也同样。
半导体晶圆的“表面”是指形成有电路的面，“背面”是指未形成电路的面。
半导体晶圆的单颗化是指将半导体晶圆以电路为单位进行分割而得到半导体芯片。
硅裸晶圆(silicon bear wafer)是指处于进行图案形成等加工处理前的状态的硅晶圆，其表面进行了镜面抛光。
预切割法是指从晶圆的表面侧形成规定深度的沟槽后，从晶圆背面侧进行磨削且通过磨削而将晶圆单颗化的方法。
背磨胶带是指对半导体晶圆进行背面磨削时为了保护晶圆电路面而使用的粘着胶带，特别是在本说明书中是指能够优选地用于预切割法的粘着胶带。
拾取胶带是指用于转印芯片组、进行芯片的拾取的粘着胶带，典型地，能够使用被称为切割胶带的粘着胶带类。
粘合胶带是指具有作为粘合剂而发挥功能的薄层，为了将粘合剂层转印至其他被粘物而使用的各种胶带。具体而言，可列举出膜状粘合剂与剥离片的层叠体、切割胶带与膜状粘合剂的层叠体、由具有切割胶带与固晶胶带(die bonding tape)这两种功能的粘合剂层及剥离片构成的切割-固晶胶带等。
特别优选将本发明的粘着胶带用作为上述背磨胶带。本发明的粘着胶带10包含基材11与设置在该基材11的一面的粘着剂层12。以下，更详细地说明本发明的粘着胶带10的各构件的构成。
[基材11]
作为粘着胶带10的基材11，可使用被用作为背磨胶带的基材的各种树脂膜。
以下，详述在本发明中使用的基材11的一个实例，但是其只是用于使基材的取得变得容易的记载，不应该对其进行任何限定的解释。
本发明的基材例如可以为较硬质的树脂膜。此外，基材的一面或两面上也可层叠有由较软质的树脂膜构成的缓冲层。
优选的基材的杨氏模量为1000MPa以上。使用杨氏模量小于1000MPa的基材时，粘着胶带对半导体晶圆或半导体芯片的保持性能降低，而且无法抑制背面磨削时的振动等，半导体芯片容易产生缺损和损坏。另一方面，通过将基材的杨氏模量设为1000MPa以上，粘着胶带对半导体晶圆或半导体芯片的保持性能得以提高，能够抑制背面磨削时的振动等，且防止半导体芯片的缺损及损坏等。此外，能够减小将粘着胶带从半导体芯片上剥离时的应力，能够防止胶带剥离时所产生的芯片缺损及损坏。进一步，还能够使将粘着胶带贴附在半导体晶圆时的操作性良好。从这种角度出发，基材的杨氏模量优选为1800～30000MPa，更优选为2500～6000MPa。
基材11的厚度(D1)没有特别限定，优选为500μm以下，更优选为15～350μm，进一步优选为20～160μm。通过将基材的厚度设为500μm以下，容易控制粘着胶带的剥离力。此外，通过将基材的厚度设为15μm以上，基材容易发挥作为粘着胶带的支撑体的功能。
作为基材11的材质，能够使用各种树脂膜。在此，作为杨氏模量为1000MPa以上的基材，例如可列举出聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、全芳香族聚酯等聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、聚缩醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚砜、聚醚酮、双向拉伸聚丙烯等的树脂膜。
这些树脂膜中，优选包含选自聚酯膜、聚酰胺膜、聚酰亚胺膜、双向拉伸聚丙烯膜中的一种以上的膜，更优选包含聚酯膜，进一步优选包含聚对苯二甲酸乙二酯膜。
此外，在不损害本发明的效果的范围内，基材也可含有增塑剂、润滑剂、红外线吸收剂、紫外线吸收剂、填料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、催化剂等。此外，基材对固化粘着剂层时所照射的能量射线具有透射性。
此外，为了提高与缓冲层及粘着剂层中的至少一者的密合性，可对基材的至少一个表面实施电晕处理等粘合处理。此外，基材也可以为具有上述树脂膜与覆盖树脂膜的至少一个表面的易粘合层(底漆层)的基材。
作为形成易粘合层的易粘合层形成用组合物，没有特别限定，例如可列举出含有聚酯类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、聚酯氨基甲酸乙酯类树脂、丙烯酸类树脂等的组合物。易粘合层形成用组合物也可根据需要而含有交联剂、光聚合引发剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充剂、防锈剂、颜料、染料等。
易粘合层的厚度优选为0.01～10μm，更优选为0.03～5μm。另外，由于易粘合层的厚度相对于基材的厚度较小且易粘合层的材质也较柔软，因此对杨氏模量所造成的影响较小，即便在具有易粘合层时，基材的杨氏模量也基本上与树脂膜的杨氏模量相同。
[缓冲层]
也可在上述基材11的一面或两面上设置缓冲层。缓冲层由较软质的树脂膜构成，其缓和因半导体晶圆的磨削引起的振动且防止在半导体晶圆中产生裂纹及缺损。此外，贴附有粘着胶带的半导体晶圆在进行背面磨削时被配置在吸附台上，通过设置缓冲层，粘着胶带容易被适当地保持在吸附台上。
缓冲层的厚度(D2)优选为8～80μm，进一步优选为10～60μm。
优选缓冲层为聚丙烯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、离聚物树脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、LDPE膜、LLDPE膜。此外，也可以为由包含能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物形成的层。具有缓冲层的基材通过将基材与上述膜层压而得到。此外，将含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物涂布在上述基材上且进行固化而形成缓冲层也是优选的方式。由于包含能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物包含能量射线聚合性化合物，因此通过照射能量射线而进行固化并形成缓冲层。另外，“能量射线”是指紫外线、电子束等，优选使用紫外线。
此外，更具体而言，缓冲层形成用组合物优选包含氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯(a1)、具有环形成原子数为6～20的脂环基或杂环基的聚合性化合物(a2)。更优选缓冲层形成用组合物除了上述(a1)及(a2)成分以外，还含有具有官能团的聚合性化合物(a3)。
此外，进一步优选缓冲层形成用组合物除了上述(a1)及(a2)或(a1)～(a3)成分以外，还含有光聚合引发剂，在不损害本发明的效果的范围内，也可含有其他添加剂和树脂成分。
以下，对缓冲层形成用组合物所包含的各个成分进行详细说明。
(氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯(a1))
氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯(a1)为至少具有(甲基)丙烯酰基及氨基甲酸乙酯键的化合物，其具有通过能量射线照射而进行聚合固化的性质。氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯(a1)为低聚物或聚合物。
成分(a1)的质均分子量(Mw)优选为1,000～100,000，更优选为2,000～60,000，进一步优选为3,000～20,000。另外，质均分子量(Mw)为使用凝胶渗透色谱(GPC)法测定的聚苯乙烯换算的值，具体而言，在以下的条件下测定。
(测定条件)
·色谱柱：“TSK guard column HXL-H”“TSK gel GMHXL(×2)”“TSK gelG2000HXL”(均为TOSOH CORPORATION制造)
·色谱柱温度：40℃
·展开溶剂：四氢呋喃
·流速：1.0mL/分钟
此外，作为成分(a1)中的(甲基)丙烯酰基的数目(以下，也称为“官能团数目”)，可以为单官能度、2官能度或3官能度以上，优选为单官能度或2官能度。
成分(a1)例如能够通过使具有羟基的(甲基)丙烯酸酯与末端异氰酸酯氨基甲酸乙酯预聚物进行反应而得到，所述末端异氰酸酯氨基甲酸乙酯预聚物通过使多元醇化合物与多元异氰酸酯化合物反应而得到。另外，成分(a1)可单独使用或者组合使用2种以上。
作为成分(a1)的原料的多元醇化合物只要是具有2个以上羟基的化合物，就没有特别限定。作为具体的多元醇化合物，例如可列举出亚烷基二醇、聚醚型多元醇、聚酯型多元醇、聚碳酸酯型多元醇等。其中，优选聚酯型多元醇。
另外，多元醇化合物可以为2官能度的二醇、3官能度的三元醇、4官能度以上的多元醇中的任一者，优选为2官能度的二醇，更优选为聚酯型二醇。
作为多元异氰酸酯化合物，例如可列举出四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯等脂肪族系多异氰酸酯类；异佛尔酮二异氰酸酯、降冰片烷二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、ω,ω’-二异氰酸酯二甲基环己烷等脂环族系二异氰酸酯类；4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、二甲基联苯二异氰酸酯、四亚甲基苯二亚甲基二异氰酸酯、萘-1,5-二异氰酸酯等芳香族系二异氰酸酯类等。
其中，优选异佛尔酮二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯。
能够通过使具有羟基的(甲基)丙烯酸酯与末端异氰酸酯氨基甲酸乙酯预聚物进行反应而得到氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯(a1)，所述末端异氰酸酯氨基甲酸乙酯预聚物通过使上述的多元醇化合物与多元异氰酸酯化合物反应而得到。作为具有羟基的(甲基)丙烯酸酯，只要为至少在一分子中具有羟基及(甲基)丙烯酰基的化合物，就没有特别限定。
作为具有羟基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基环己酯、(甲基)丙烯酸5-羟基环辛酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-苯氧基丙酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺等含羟基的(甲基)丙烯酰胺；使(甲基)丙烯酸与乙烯醇、乙烯基苯酚、双酚A的二缩水甘油酯进行反应而得到的反应物等。
其中，优选(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，更优选(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯。
作为使末端异氰酸酯氨基甲酸乙酯预聚物与具有羟基的(甲基)丙烯酸酯反应的条件，优选在根据需要而添加的溶剂、催化剂的存在下，使其在60～100℃下反应1～4小时的条件。
相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量％)，缓冲层形成用组合物中的成分(a1)的含量优选为10～70质量％，更优选为20～60质量％，进一步优选为25～55质量％，更进一步优选为30～50质量％。
(具有环形成原子数为6～20的脂环基或杂环基的聚合性化合物(a2))
成分(a2)为具有环形成原子数为6～20的脂环基或杂环基的聚合性化合物，优选为具有至少一个(甲基)丙烯酰基的化合物。通过使用该成分(a2)，能够使所得到的缓冲层形成用组合物的成膜性得以提高。
成分(a2)所具有的脂环基或杂环基的环形成原子数优选为6～20，更优选为6～18，进一步优选为6～16，特别优选为7～12。作为形成该杂环基的环结构的原子，例如可列举出碳原子、氮原子、氧原子、硫原子等。
另外，环形成原子数表示原子键合成环状的结构的化合物的构成该环本身的原子的数目，构成环的原子(例如，键合于构成环的原子的氢原子)、或该环被取代基取代时取代基所含有的原子不包含在环形成原子数中。
作为具体的成分(a2)，例如可列举出(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯基酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯基氧基酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸金刚烷酯等含脂环基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸四氢糠基酯、(甲基)丙烯酸吗啉酯(morpholine(meth)acrylate)等含杂环基的(甲基)丙烯酸酯等。
另外，成分(a2)可单独使用或者组合使用2种以上。
其中，优选含脂环基的(甲基)丙烯酸酯，更优选(甲基)丙烯酸异冰片酯。
相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量％)，缓冲层形成用组合物中的成分(a2)的含量优选为10～70质量％，更优选为20～60质量％，进一步优选为25～55质量％，特别优选为30～50质量％。
(具有官能团的聚合性化合物(a3))
成分(a3)为含有羟基、环氧基、酰胺基、氨基等官能团的聚合性化合物，进一步优选为具有至少一个(甲基)丙烯酰基的化合物。
成分(a3)与成分(a1)的相容性良好，其使将缓冲层形成用组合物的黏度调节至适当的范围变得容易。此外，若含有成分(a3)，则即使缓冲层较薄，缓冲性能也良好。
作为成分(a3)，例如可列举出含羟基的(甲基)丙烯酸酯、含环氧基化合物、含酰胺基化合物、含氨基的(甲基)丙烯酸酯等。
作为含羟基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸苯基羟基丙酯等。
作为含环氧基化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚等，其中，优选(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯等含环氧基的(甲基)丙烯酸酯。
作为含酰胺基化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯酰胺等。
作为含氨基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出含伯氨基的(甲基)丙烯酸酯、含仲氨基的(甲基)丙烯酸酯、含叔氨基的(甲基)丙烯酸酯等。
其中，优选含羟基的(甲基)丙烯酸酯，更优选(甲基)丙烯酸苯基羟基丙酯等具有芳香环的含羟基的(甲基)丙烯酸酯。
另外，成分(a3)可单独使用或者组合使用2种以上。
为了提高缓冲层形成用组合物的成膜性，相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量％)，缓冲层形成用组合物中的成分(a3)的含量优选为5～40质量％，更优选为7～35质量％，进一步优选为10～30质量％，特别优选为13～25质量％。
此外，缓冲层形成用组合物中的成分(a2)与成分(a3)的含量比[(a2)/(a3)]优选为0.5～3.0，更优选为1.0～3.0，进一步优选为1.3～3.0，特别优选为1.5～2.8。
(除成分(a1)～(a3)以外的聚合性化合物)
在不损害本发明的效果的范围内，缓冲层形成用组合物也可含有除上述的成分(a1)～(a3)以外的其他的聚合性化合物。
作为其他的聚合性化合物，例如可列举出具有碳原子数为1～20的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯；苯乙烯、羟乙基乙烯基醚、羟丁基乙烯基醚、N-乙烯基甲酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己内酰胺等乙烯基化合物等。另外，这些其他的聚合性化合物可单独使用或者组合使用2种以上。
缓冲层形成用组合物中的其他的聚合性化合物的含量优选为0～20质量％，更优选为0～10质量％，进一步优选为0～5质量％，特别优选为0～2质量％。
(光聚合引发剂)
从形成缓冲层时，使基于光照射的聚合时间缩短，并使光照射量减少的角度出发，缓冲层形成用组合物优选进一步含有光聚合引发剂。
作为光聚合引发剂，例如可列举出苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、酰基氧化膦化合物、二茂钛化合物、9-噻吨酮(thioxanthone)化合物、过氧化物化合物、以及胺及苯醌等光敏剂等，更具体而言，例如可列举出1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、二苯偶酰(dibenzil)、2,3-丁二酮、8-氯蒽醌、苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦等。
这些光聚合引发剂能够单独使用或组合使用2种以上。
相对于能量射线聚合性化合物的合计量100质量份，缓冲层形成用组合物中的光聚合引发剂的含量优选为0.05～15质量份，更优选为0.1～10质量份，进一步优选为0.3～5质量份。
(其他添加剂)
在不损害本发明的效果的范围内，缓冲层形成用组合物也可含有其他添加剂。作为其他添加剂，例如可列举出抗静电剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充剂、防锈剂、颜料、染料等。掺合这些添加剂时，相对于能量射线聚合性化合物的合计量100质量份，缓冲层形成用组合物中的各添加剂的含量优选为0.01～6质量份，更优选为0.1～3质量份。
(树脂成分)
在不损害本发明的效果的范围内，缓冲层形成用组合物也可含有树脂成分。作为树脂成分，例如可列举出多烯-硫醇类树脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烃类树脂、及苯乙烯类共聚物等热塑性树脂等。
缓冲层形成用组合物中的这些树脂成分的含量优选为0～20质量％，更优选为0～10质量％，进一步优选为0～5质量％，特别优选为0～2质量％。
[粘着剂层12]
粘着剂层12直接或经由缓冲层而形成在上述基材11的一个面上。在本发明中，粘着剂层由能量射线固化性粘着剂构成，其特征在于，将硅晶圆镜面贴附于粘着剂层后，对粘着剂层照射能量射线而进行固化，进一步在压力0.5N/cm2、210℃的条件下热压接5秒钟后的23℃下的硅晶圆镜面与粘着剂层之间的粘着力为9.0N/25mm以下。
以下，有时将上述的粘着力称为“热压接后粘着力”。
热压接后粘着力能够通过粘着剂的组成而控制。后文中对用以控制热压接后粘着力的通常的方针进行描述。
热压接后粘着力优选在0.001～7N/25mm的范围内，进一步优选在0.1～1N/25mm的范围内。通过使热压接后粘着力在上述范围内，即便在粘着剂层固化后，也能够稳定地保持芯片组20，而且将芯片组转印至拾取胶带30或粘合胶带时，能够不残留残渣物而容易地将粘着剂层从芯片组上剥离。测定热压接后粘着力时，通过照射能量射线而将粘着剂完全地固化。即，固化至即便进一步进行能量射线照射，粘着力也不发生变化的程度。此时，将后文中说明的剥离用胶带50同时热压接在粘着胶带的基材侧表面上。剥离用胶带50成为剥离的起点，而且也能够用于衔接测定装置。另外，后述的热压接后粘着力的测定中，所测得的粘着力有时伴随着剥离的进行而发生变化。在本发明中，将直至粘着胶带10剥离完成为止的最大值称为热压接后粘着力。
固化后的粘着剂在常温下的粘着力通常会降低，但是进行热压接时，有牢固地粘合于被粘物且剥离变得困难的倾向。但是，本发明的粘着剂即便在固化后进行热压接，粘着力也不会过度地上升，维持较低的粘着力。通过使热压接后粘着力在上述范围内，即便在高温下对剥离用胶带50进行热压接，芯片等也不会被埋入粘着剂层，能够大幅度地减少芯片的转印不良。
此外，粘着剂的能量射线固化前的23℃下的储能模量优选为0.05～0.50MPa。进一步，能量射线固化前的23℃下的损耗角正切(tanδ＝损耗模量/储能模量)优选为0.2以上。在半导体晶圆表面上形成有电路等，通常存在凹凸。通过使粘着剂的储能模量及tanδ在上述范围内，将粘着胶带贴附于存在凹凸的晶圆表面时，能够使晶圆表面的凹凸与粘着剂层充分地接触且适当地发挥粘着剂层的粘合性。因此，能够确实地将粘着胶带固定在半导体晶圆上，且背面磨削时能够适当地保护晶圆表面。从这些角度出发，粘着剂的能量射线固化前的23℃下的储能模量更优选为0.10～0.35MPa。
此外，固化后的粘着剂的200℃下的储能模量E’200优选为1.5MPa以上。以下，有时将粘着剂的固化后的200℃下的储能模量称为固化后储能模量。
固化后储能模量进一步优选在2.0～100MPa的范围内，特别优选在2.5～70MPa的范围内。通过使固化后储能模量E’200在上述范围内，即便粘着剂层固化后，也能够稳定地保持芯片组20，且将芯片组转印至拾取胶带30或粘合胶带时，能够不残留残渣物而容易地将粘着剂层从芯片组上剥离。测定固化后储能模量时，通过能量射线照射而将粘着剂完全地固化。即，固化至即便进一步进行能量射线照射，弹性模量也不发生变化的程度。固化后的粘着剂在常温下的储能模量通常较高，储能模量有随着成为高温而降低的倾向。但是，本发明的粘着剂即便在高温下也维持较高的固化后储能模量。因此，即便将剥离用胶带50热压接时的条件为高温，使用本发明的粘着胶带时，固化后的粘着剂层也不容易软化。其结果，即便在高温下对剥离用胶带进行热压接，也能够大幅度地减少芯片的转印不良。
此外，粘着剂层在能量射线固化前在常温下具有适当的压敏粘合性。能量射线固化前的粘着剂层对硅晶圆镜面的23℃下的粘着力优选在10～1500mN/25mm的范围内，进一步优选在10～700mN/25mm的范围内。
粘着剂层12的厚度(D3)优选小于200μm，更优选为5～55μm，进一步优选为10～50μm。将粘着剂层如此地薄化时，由于能够使粘着胶带中刚性较低的部分的比例减少，因此容易进一步防止在背面磨削时发生的半导体芯片的缺损。
粘着剂层12例如由将丙烯酸类粘着剂、氨基甲酸乙酯类粘着剂、橡胶类粘着剂、硅酮类粘着剂等作为主剂的能量射线固化性粘着剂形成，优选由丙烯酸类的能量射线固化性粘着剂形成。
由于粘着剂层12由能量射线固化性粘着剂形成，因此在通过能量射线照射而进行固化前，能够将23℃下的粘着力、弹性模量设定在上述范围内，同时在固化后能够容易地将粘着力设定在1000mN/50mm以下。另外，在此，粘着力是指除后述的热封部以外的部分的粘着胶带的粘着力。
此外，粘着剂层12在能量射线固化后的状态下的断裂应力优选为10MPa以上，特别优选为15MPa以上。此外，能量优选线固化后的断裂伸长率优选为15％以上，特别优选为20％以上。如此，当断裂应力的值为10MPa以上、断裂伸长率的值为15％以上时，能量射线固化性粘着剂层的拉伸物性良好，即便在紫外线等的照射不充分、能量射线固化性粘着剂层未被充分地固化的情况下，也能够防止粘着剂残渣附着在晶圆上。
以下，对粘着剂的具体例进行详述，但是其为非限定性例示，不应利用这些具体例对本发明的粘着剂层进行限定性解释。
作为能量射线固化性粘着剂，例如能够使用除了包含非能量射线固化性的粘着性树脂(也称为“粘着性树脂I”)以外，还包含除粘着性树脂以外的能量射线固化性化合物的能量射线固化性粘着剂组合物(以下，也称为“X型的粘着剂组合物”)。此外，作为能量射线固化性粘着剂，也可使用含有将不饱和基团导入至非能量射线固化性的粘着性树脂的侧链而成的能量射线固化性的粘着性树脂(以下，也称为“粘着性树脂II”)作为主成分、且不含有除粘着性树脂以外的能量射线固化性化合物的粘着剂组合物(以下，也称为“Y型的粘着剂组合物”)。
进一步，作为能量射线固化性粘着剂，也可使用X型与Y型的并用型、即除了包含能量射线固化性的粘着性树脂II以外，还含有除粘着性树脂以外的能量射线固化性化合物的能量射线固化性粘着剂组合物(以下，也称为“XY型的粘着剂组合物”)。
其中，优选使用XY型的粘着剂组合物。通过使用XY型的粘着剂组合物，在固化前具有充分的粘着特性，另一方面，在固化后也能够使对半导体晶圆的粘着力充分地降低。
另外，在以下的说明中，将“粘着性树脂”用作指代上述粘着性树脂I及粘着性树脂II中的一者或两者的用语。作为具体的粘着性树脂，例如可列举出丙烯酸类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、橡胶类树脂、硅酮类树脂等，优选丙烯酸类树脂。
以下，作为粘着性树脂，对使用丙烯酸类树脂的丙烯酸类粘着剂进行更详尽的说明。
丙烯酸类树脂中可使用丙烯酸类聚合物(b)。丙烯酸类聚合物(b)通过将至少含有(甲基)丙烯酸烷基酯的单体聚合而得到，其含有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，可列举出烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯，烷基可以为直链也可以为分枝。作为(甲基)丙烯酸烷基酯的具体例，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯等。(甲基)丙烯酸烷基酯可单独使用或组合使用2种以上。
此外，从使粘着剂层的粘着力得以提升的角度出发，丙烯酸类聚合物(b)优选含有源自烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元。该(甲基)丙烯酸烷基酯的碳原子数优选为4～12，进一步优选为4～6。此外，烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯优选为丙烯酸烷基酯。
在丙烯酸类聚合物(b)中，相对于构成丙烯酸类聚合物(b)的单体总量(以下也简称为“单体总量”)，烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯优选为40～98质量％，更优选为45～95质量％，进一步优选为50～90质量％。
为了调节粘着剂层的弹性模量、粘着特性，优选丙烯酸类聚合物(b)为除了包含源自烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外，还含有源自烷基的碳原子数为1～3的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的共聚物。另外，该(甲基)丙烯酸烷基酯优选为碳原子数为1或2的(甲基)丙烯酸烷基酯，更优选为(甲基)丙烯酸甲酯，最优选为甲基丙烯酸甲酯。在丙烯酸类聚合物(b)中，相对于单体总量，烷基的碳原子数为1～3的(甲基)丙烯酸烷基酯优选为1～30质量％，更优选为3～26质量％，进一步优选为6～22质量％。
丙烯酸类聚合物(b)优选除了具有源自上述(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外，还具有源自含官能团单体的结构单元。作为含官能团单体的官能团，可列举出羟基、羧基、氨基、环氧基等。含官能团单体能够与后述的交联剂反应而成为交联起点、或与含不饱和基团化合物反应而将不饱和基团导入至丙烯酸类聚合物(b)的侧链。
作为含官能团单体，可列举出含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含环氧基单体等。这些单体可单独使用或组合使用2种以上。其中，优选含羟基单体、含羧基单体，更优选含羟基单体。
作为含羟基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等不饱和醇等。
作为含羧基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸、巴豆酸等烯属不饱和一元羧酸；富马酸、衣康酸、马来酸、柠康酸等烯属不饱和二羧酸及其酐、甲基丙烯酸2-羧基乙酯等。
相对于构成丙烯酸类聚合物(b)的单体总量，官能团单体优选为1～35质量％，更优选为3～32质量％，进一步优选为6～30质量％。
此外，丙烯酸类聚合物(b)除了上述成分以外，也可含有源自苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯酰胺等能够与上述丙烯酸类单体共聚的单体的结构单元。
能够将上述丙烯酸类聚合物(b)用作非能量射线固化性的粘着性树脂I(丙烯酸类树脂)。此外，作为能量射线固化性的丙烯酸类树脂，可列举出使具有能量射线聚合性不饱和基团的化合物(也称为含不饱和基团化合物)与上述丙烯酸类聚合物(b)的官能团进行反应而成的物质。
含不饱和基团化合物为既具有能够与丙烯酸类聚合物(b)的官能团键合的取代基，还具有能量射线聚合性不饱和基团的化合物。作为能量射线聚合性不饱和基团，可列举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基、烯丙基等，优选(甲基)丙烯酰基。
此外，作为含不饱和基团化合物所具有的能够与官能团键合的取代基，可列举出异氰酸酯基、缩水甘油基等。因此，作为含不饱和基团化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。
此外，优选含不饱和基团化合物与丙烯酸类聚合物(b)的官能团的一部分进行反应，具体而言，优选使含不饱和基团化合物与丙烯酸类聚合物(b)所具有的官能团的50～98摩尔％进行反应，更优选使含不饱和基团化合物与丙烯酸类聚合物(b)所具有的官能团的55～93摩尔％进行反应。如此，由于在能量射线固化性丙烯酸类树脂中，官能团的一部分不与含不饱和基团化合物反应而残留，因此容易通过交联剂而交联。
另外，丙烯酸类树脂的重均分子量(Mw)优选为30万～160万，更优选为40万～140万，进一步优选为50万～120万。此外，丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为-70～10℃。
(能量射线固化性化合物)
作为X型或XY型的粘着剂组合物所含有的能量射线固化性化合物，优选在分子内具有不饱和基团且能够通过能量射线照射而聚合固化的单体或低聚物。
作为这种能量射线固化性化合物，例如可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯单体、氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯等低聚物。能量射线固化性化合物的分子量(低聚物时为重均分子量)优选为100～12000，更优选为200～10000，进一步优选为400～8000，特别优选为600～6000。
其中，从分子量较高、不容易使粘着剂层的弹性模量降低的角度出发，优选氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯低聚物。
优选的氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯低聚物为含有异氰酸酯单元与多元醇单元、且在末端具有(甲基)丙烯酰基的化合物。作为氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯，可列举出通过亚烷基多元醇、聚醚化合物、聚酯化合物等在末端具有羟基的多元醇与多异氰酸酯的反应而生成氨基甲酸乙酯低聚物，并使具有(甲基)丙烯酰基的化合物与其末端的官能团进行反应而得到的化合物等。这种氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯通过(甲基)丙烯酰基的作用而具有能量射线固化性。
作为上述的多异氰酸酯，能够使用异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)、1,3-双-(异氰酸根合甲基)-环己烷(H6XDI)、4,4’-二环己基甲烷二异氰酸酯(H12MDI)等二异氰酸酯。优选在能量射线固化性氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯中使用40～49摩尔％的上述多异氰酸酯。此外，在上述二异氰酸酯中，特别优选使用能够使能量射线固化性氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯对能量射线固化性丙烯酸类聚合物的相容性得以提升的异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)。
作为用以形成(甲基)丙烯酰基的丙烯酸酯，能够使用丙烯酸2-羟基丙酯(2HPA)、丙烯酸2-羟基乙酯(2HEA)等。优选在能量射线固化性氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯中使用4～40摩尔％的上述丙烯酸酯。
相对于能量射线固化性丙烯酸类聚合物100质量份，优选以1～200质量份的比例、更优选以5～100质量份的比例、进一步优选以10～50质量份的比例使用能量射线固化性氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯。此外，从与能量射线固化性丙烯酸类聚合物的相容性、能量射线固化性粘着剂层的加工性等的角度出发，优选氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯的分子量以数均分子量计为300～30,000左右的范围。更优选数均分子量为20,000以下、例如为1,000～15,000的低聚物。
相对于粘着性树脂100质量份，X型的粘着剂组合物中的能量射线固化性化合物的含量优选为40～200质量份，更优选为50～150质量份，进一步优选为60～90质量份。
另一方面，相对于粘着性树脂100质量份，XY型的粘着剂组合物中的能量射线固化性化合物的含量优选为1～30质量份，更优选为2～20质量份，进一步优选为3～15质量份。在XY型的粘着剂组合物中，由于粘着性树脂为能量射线固化性，因此即便能量射线固化性化合物的含量较少，能量射线照射后也能够使粘着力充分地降低。
(交联剂)
粘着剂组合物优选进一步含有交联剂。交联剂例如与源自粘着性树脂所具有的官能团单体的官能团进行反应，从而将粘着性树脂彼此交联。作为交联剂，例如可列举出甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯等、及其加合物等异氰酸酯类交联剂；1,3-双(N,N’-二缩水甘油氨甲基)环己烷等环氧类交联剂；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷杂三嗪(hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine)等氮丙啶类交联剂；铝螯合物等螯合物类交联剂等。这些交联剂可单独使用或者组合使用2种以上。
其中，从提高内聚力而提升粘着力的角度及取得容易性等的角度出发，优选异氰酸酯类交联剂。
从促进交联反应的角度出发，相对于粘着性树脂100质量份，交联剂的掺合量优选为0.01～10质量份，更优选为0.03～7质量份，进一步优选为0.05～4质量份。
(光聚合引发剂)
此外，粘着剂组合物优选进一步含有光聚合引发剂。通过含有光聚合引发剂，即便是紫外线等能量较低的能量射线，也能够使粘着剂组合物的固化反应充分地进行。
作为光聚合引发剂，例如可列举出苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、酰基氧化膦化合物、二茂钛化合物、9-噻吨酮化合物、过氧化物化合物、以及胺及苯醌等光敏剂等，更具体而言，例如可列举出1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、二苯偶酰、2,3-丁二酮、8-氯蒽醌、苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦等。
这些光聚合引发剂可单独使用或组合使用2种以上。
相对于粘着性树脂100质量份，光聚合引发剂的掺合量优选为0.01～10质量份，更优选为0.03～5质量份，进一步优选为0.05～5质量份。
(其他添加剂)
在不损害本发明的效果的范围内，粘着剂组合物也可含有其他添加剂。作为其他添加剂，例如可列举出抗静电剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充剂、防锈剂、颜料、染料等。掺合这些添加剂时，相对于粘着性树脂100质量份，添加剂的掺合量优选为0.01～6质量份。
此外，从提升对基材、剥离片的涂布性的角度出发，可进一步使用有机溶剂稀释粘着剂组合物而制成粘着剂组合物的溶液的形态。
作为有机溶剂，例如可列举出甲基乙基酮、丙酮、乙酸乙酯、四氢呋喃、二噁烷、环己烷、正己烷、甲苯、二甲苯、正丙醇、异丙醇等。
另外，作为这些有机溶剂，可直接使用合成粘着性树脂时所使用的有机溶剂，也可以以能够均匀地涂布该粘着剂组合物的溶液的方式，添加除合成时所使用的有机溶剂以外的1种以上的有机溶剂。
(热压接后粘着力的控制)
通过使构成上述粘着剂层12的能量射线固化性粘着剂的热压接后粘着力在上述范围内，即便将剥离用胶带50热压接，芯片等也不会被埋入粘着剂层，能够大幅度地减少芯片的转印不良。
热压接后粘着力能够通过粘着剂的组成而控制。例如，能够通过提高能量射线固化后的粘着剂的交联度，降低热压接后粘着力。因此，通过增加掺合于粘着剂的交联剂的量、或使用官能团数较多的交联剂，粘着剂的交联度变高且能够降低热压接后粘着力。此外，通过将Tg较高的丙烯酸类树脂用作粘着性树脂，也能够降低热压接后粘着力。
但是，使用这些方法时，存在能量射线固化前的粘着力变低，在能量射线固化前无法得到充分的压敏粘合性的情况。因此，例如提高粘着剂所含有的能量射线聚合性的不饱和基团的密度也是有效的。具体而言，通过使用不饱和基团数目较多的化合物作为增加被导入至能量射线固化性粘着性树脂II的能量射线聚合性不饱和基团的量、增加能量射线固化性化合物的掺合量的能量射线固化性化合物，或者通过增加光聚合引发剂的掺合量，能够通过能量射线固化而形成高度的交联结构，将热压接后粘着力控制得较低。
固化后的粘着剂在常温下的粘着力通常较低，粘着力有随着成为高温而增加的倾向。但是，通过将高度的交联结构导入至粘着剂中，粘着剂层在高温下的软化、流动得到抑制，较低的粘着力得以维持。其结果，即便对剥离用胶带50进行热压接，芯片等也不会被埋入粘着剂层，能够抑制转印不良。
此外，当在固化后、粘着剂层被过度固化时，由于粘着胶带不易变形，因此固化后的粘着胶带的剥离有时会变得困难。此时，通过使用柔软性较高的基材作为基材11，有时剥离会变得容易。当基材柔软时，剥离时能够将粘着胶带10折回且剥离角度变大。因此，由于在进行剥离的部分中芯片与粘着剂层的接触面积变小，因此能够以较小的力进行剥离。另一方面，当基材过硬时，剥离角度变小，在进行剥离的部分中芯片与粘着剂层的接触面积变大，粘着力(剥离力)变高。基于同样的理由，就容易进行剥离而言，将基材的厚度薄化也是有效的。但是，当基材过于柔软或过薄时，粘着胶带的操作性会降低，且有时会无法抑制背面磨削时的振动等，造成半导体芯片的缺损和损坏。
因此，优选通过适当地设定粘着剂层12的物性及基材11的杨氏模量和厚度，来控制粘着胶带10的剥离性。
[剥离片]
也可在粘着胶带的表面上贴附剥离片。具体而言，剥离片被贴附在粘着胶带的粘着剂层的表面。通过将剥离片贴附在粘着剂层表面，其在输送时、保管时保护粘着剂层。剥离片以能够剥离的方式被贴附在粘着胶带上，在使用粘着胶带前(即，晶圆背面磨削前)从粘着胶带上剥离去除。
作为剥离片，可使用至少一面经剥离处理的剥离片，具体而言，可列举出将剥离剂涂布在剥离片用基材的表面上而成的剥离片等。
作为剥离片用基材，优选树脂膜，作为构成该树脂膜的树脂，例如可列举出聚对苯二甲酸乙二酯树脂、聚对苯二甲酸丁二酯树脂、聚萘二甲酸乙二酯树脂等聚酯树脂膜、聚丙烯树脂、聚乙烯树脂等聚烯烃树脂等。作为剥离剂，例如可列举出硅酮类树脂、烯烃类树脂、异戊二烯类树脂、丁二烯类树脂等橡胶类弹性体、长链烷基类树脂、醇酸类树脂、氟类树脂等。
剥离片的厚度没有特别限制，优选为10～200μm，更优选为20～150μm。
(粘着胶带10的制造方法)
作为本发明的粘着胶带10的制造方法，没有特别限制，能够使用公知的方法进行制造。
例如，将缓冲层形成用组合物涂布在剥离片上且固化而设置缓冲层，将该缓冲层与基材贴合并去除剥离片，由此得到缓冲层与基材的层叠体。而且，能够将设置在剥离片上的粘着剂层贴合在层叠体的基材侧，制造在粘着剂层的表面上贴合有剥离片的粘着胶带。另外，将缓冲层设置在基材的两面时，将粘着剂层形成在缓冲层上。被贴附在粘着剂层的表面的剥离片在使用粘着胶带前适当地剥离去除即可。
作为在剥离片上形成缓冲层的方法，能够通过使用公知的涂布方法，将缓冲层形成用组合物直接涂布在剥离片上而形成涂布膜，并对该涂布膜照射能量射线而形成缓冲层。此外，也可将缓冲层形成用组合物直接涂布在基材的一面并进行加热干燥或对涂布膜照射能量射线，由此形成缓冲层。
作为缓冲层形成用组合物的涂布方法，例如可列举出旋涂法、喷涂法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、刮板涂布法、模涂法、凹版涂布法等。此外，为了提升涂布性，也可向缓冲层形成用组合物中掺合有机溶剂而制成溶液的形态，并将其涂布在剥离片上。
当缓冲层形成用组合物含有能量射线聚合性化合物时，优选对缓冲层形成用组合物的涂布膜照射能量射线而使其固化，进而形成缓冲层。缓冲层的固化可通过一次固化处理而进行，也可分成多次进行。例如，可以使剥离片上的涂布膜完全固化而形成缓冲层后，贴合在基材上，也可以不使该涂布膜完全固化而形成半固化状态的缓冲层形成膜，将该缓冲层形成膜贴合在基材上后，再次照射能量射线而使其完全固化，进而形成缓冲层。作为在该固化处理中照射的能量射线，优选紫外线。另外，进行固化时，缓冲层形成用组合物的涂布膜可以为被暴露的状态，但是优选使用剥离片、基材覆盖涂布膜，在涂布膜未被暴露的状态下照射能量射线而进行固化。
作为将粘着剂层形成在剥离片上的方法，能够使用公知的涂布方法将粘着剂(粘着剂组合物)直接涂布在剥离片上，对涂布膜进行加热干燥，由此形成粘着剂层。
此外，也可将粘着剂(粘着剂组合物)直接涂布在基材的一面或缓冲层上而形成粘着剂层。作为粘着剂的涂布方法，可列举出在缓冲层的制造方法中示出的旋涂法、喷涂法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、刮板涂布法、模涂法、凹版涂布法等。
[半导体装置的制造方法]
特别优选将本发明的粘着胶带10用作：在预切割法中保护半导体晶圆电路面，且在进行背面磨削时，贴附在晶圆电路面上的背磨胶带。针对作为背磨胶带的非限定性的使用例，以半导体装置的制造为实例进行更具体的说明。
具体而言，半导体装置的制造方法至少具备以下的工序1～工序4：
工序1：从半导体晶圆的表面侧形成沟槽的工序；
工序2：将上述的粘着胶带10(背磨胶带)贴附于半导体晶圆的表面的工序；
工序3：对于表面贴附有粘着胶带10且形成有上述沟槽的半导体晶圆，从背面侧进行磨削，将沟槽的底部去除，从而单颗化成多个芯片(芯片组20)的工序(参照图1)；及
工序4：将芯片组20转印至拾取胶带30或粘合胶带(参照图2～图5)，将各个芯片从拾取胶带或粘合胶带上剥离的工序。
以下，对上述半导体装置的制造方法的各个工序进行详细说明。
(工序1)
在工序1中，从半导体晶圆的表面侧形成沟槽。
本工序中形成的沟槽为深度比半导体晶圆的厚度浅的沟槽。沟槽的形成能够使用以往公知的晶圆切割装置等且通过切割而进行。此外，在后述的工序3中，通过将沟槽的底部去除，从而沿着沟槽将半导体晶圆分割成多个半导体芯片。
本制造方法中所使用的半导体晶圆可以为硅晶圆，也可以为镓-砷等的晶圆、蓝宝石晶圆、玻璃晶圆等。半导体晶圆的磨削前的厚度没有特别限定，通常为500～1000μm左右。此外，半导体晶圆通常在其表面形成有电路。在晶圆表面形成电路时，能够使用包含蚀刻法、溶脱剥离(lift-off)法等以往通用的方法在内的各种各样的方法来进行。
(工序2)
在工序2中，将本发明的粘着胶带10经由粘着剂层而贴附于形成有沟槽的半导体晶圆表面。
(工序3)
工序1及工序2之后，对吸附台上的半导体晶圆的背面进行磨削，将半导体晶圆单颗化成多个半导体芯片。
在此，当在半导体晶圆上形成有沟槽时，背面磨削以至少将半导体晶圆薄化至沟槽的底部的位置的方式进行。通过该背面磨削，沟槽成为贯穿晶圆的切口，半导体晶圆通过切口而被分割，被单颗化成各个半导体芯片。
经单颗化的半导体芯片的形状可以为方形，也可以为矩形等细长形状。此外，经单颗化的半导体芯片的厚度没有特别限定，优选为5～100μm左右，更优选为10～45μm。此外，经单颗化的半导体芯片的大小没有特别限定，芯片尺寸优选小于200mm2，更优选小于150mm2，进一步优选小于120mm2。
经过上述工序，如图1所示，可在粘着胶带(背磨胶带)10上得到芯片组20。此外，也可在背面磨削结束后、在芯片拾取前进行干式抛光。
(工序4)
接着，将经单颗化的芯片组20从背磨胶带转印至拾取胶带30或粘合胶带，将各个芯片21从拾取胶带或粘合胶带上剥离。以下，基于使用拾取胶带的实例来对本工序进行说明。
首先，对粘着胶带10的粘着剂层12照射能量射线而将粘着剂层固化。接着，将拾取胶带30贴附在芯片组20的背面侧(图2)，以能够拾取的方式进行位置及方向的对准。此时，将配置在芯片组20的外周侧的环形框架40也贴合于拾取胶带30，将拾取胶带30的外周缘部固定在环形框架40上。可同时将芯片组20与环形框架40贴合在拾取胶带30上，也可在不同的时机进行贴合。接着，仅将背磨胶带10剥离，将芯片组20转印至拾取胶带上。
剥离背磨胶带10时，将成为剥离的开端的剥离用胶带50固定在背磨胶带10的背面(基材面)(图3)。背磨胶带的形状与半导体晶圆大致相同，由于背磨胶带没有成为剥离的开端的起点，因此将长条状的剥离用胶带50固定而作为剥离的起点。剥离用胶带50通过热压接而被牢固地固定在背磨胶带10的背面。
如图4、图5所示，在背磨胶带10的剥离中，优选将剥离用胶带50作为起点、以将背磨胶带10折回的方式进行剥离。
随后，根据需要而将拾取胶带30扩展，使芯片间隔分离，拾取位于拾取胶带30上的各个半导体芯片21，将其固定在基板等上，制造半导体装置。
另外，拾取胶带30没有特别限定，例如可由具备基材与设置在基材的一面的粘着剂层的、被称为切割胶带的粘着胶带构成。进行剥离时，拾取胶带30的粘着力只要比背磨胶带30的粘着力大即可。此外，优选具有将芯片21从拾取胶带30上剥离时能够降低粘着力的性质。因此，作为拾取胶带，优选使用能量射线固化性粘着胶带。
此外，也能够使用粘合胶带来代替拾取胶带。作为粘合胶带，可列举出膜状粘合剂与剥离片的层叠体、切割胶带与膜状粘合剂的层叠体、由具有切割胶带与固晶胶带这两种功能的粘合剂层及剥离片构成的切割-固晶胶带等。此外，在贴附拾取胶带前，也可将膜状粘合剂贴合在经单颗化的半导体晶圆的背面侧。使用膜状粘合剂时，膜状粘合剂的形状可以与晶圆相同。
使用粘合胶带时或在贴附拾取胶带前将膜状粘合剂贴合在经单颗化的半导体晶圆的背面侧时，处在粘合胶带、拾取胶带上的多个半导体芯片与被分割成和半导体芯片相同形状的粘合剂层一起被拾取。然后，将半导体芯片经由粘合剂层而固定在基板等上，从而制造半导体装置。粘合剂层的分割能够通过激光或扩展而进行。
此外，作为剥离用胶带50，只要为能够牢固地热封在粘着胶带10的基材背面上的材质，就没有特别限定。因此，剥离用胶带50可考虑粘着胶带10的基材11的材质而适当地选择。本发明的基材11优选由聚对苯二甲酸乙二酯等聚酯类膜构成。因此，作为剥离用胶带50，优选使用与聚酯类膜的热封性良好的聚烯烃类胶带。作为这种聚烯烃类胶带，例如可列举出聚乙烯胶带、聚丙烯胶带等，但是并不限定于此。
剥离用胶带50被切断成长条状，虽然不受任何限定，但通常宽度为50mm、长度为60mm左右。此外，剥离用胶带50的厚度为10～150μm左右即可。
将剥离用胶带50固定于粘着胶带10的背面(基材11)时，能够通过进行热压接而将两者牢固地热封。热压接条件因基材11的材质及剥离用胶带50的材质而各式各样，通常在压力0.2～1N/cm2左右、温度120～250℃左右的条件下，进行0.5～10秒左右的热压接即可。此外，进行热压接时，以能够将剥离用胶带50充分地固定在基材11上的程度的面积设置热封部。例如，优选将基材11中的从基材11的外缘部开始向中央方向0.1～3mm左右的区域设为热封部。
如上所述，将剥离用胶带50热压接在粘着胶带10的背面(基材11)时，热及压力也会传播至粘着胶带10的粘着剂层12，芯片21与粘着剂层12被热压接。热压接后粘着力若增大，则芯片会牢固地粘着于粘着剂层12，在剥离粘着胶带10时，芯片有时会与粘着胶带10一起剥离而产生芯片的转印不良。然而，在本发明中，由于将粘着胶带10的热压接后粘着力控制在规定范围内，因此能够减少芯片的转印不良。
另外，如上所述，本发明的“热压接后粘着力”是指在压力0.5N/cm2、210℃的条件下进行5秒钟热压接后的23℃下的粘着力。经实验确认到，即便增加热压接时的压力、提升温度或增长时间，粘着力的差异也不大。即，本发明所规定的测定热压接后粘着力时的热压接条件(在压力0.5N/cm2、210℃的条件下热压接5秒钟)为十分严苛的条件，即便使条件比之更为严苛，粘着力的差异也不大。因此，通过将热压接后粘着力控制在本申请所规定的范围内，即便在各种各样的热压接条件下，也均能够将芯片表面与粘着胶带10的粘着力保持在较低的水平，达成本发明的效果。
以上，主要对将本发明的粘着胶带用于通过预切割法而将半导体晶圆单颗化的方法的实例进行了说明，但本发明的粘着胶带也能够使用于通常的背面磨削，此外，加工玻璃、陶瓷等时，也能够用于暂时性地固定被加工物。此外，也能够用作为各种再剥离粘着胶带。
实施例
以下，基于实施例而对本发明进行进一步详细的说明，但是本发明并不受这些例子限制。
本发明的测定方法、评价方法如下。
[固化后储能模量]
将实施例及比较例中准备的粘着剂组合物涂布在使用硅酮类剥离剂对聚对苯二甲酸乙二酯膜的一面进行了剥离处理的剥离片(Lintec Corporation制造，SP-PET3801，厚度：38μm)上并进行干燥，制造厚度为20μm的粘着剂层。以使厚度成为3mm的方式，层叠多层所得到的粘着剂层。从所得到的粘着剂层的层叠体中冲切出直径为8mm的圆柱体(高度3mm)，将其作为样品。对样品照射紫外线，使粘着剂层完全固化。另外，上述的紫外线照射条件为波长365nm、照度150mW/cm2、光量300mJ/cm2。
针对固化后的样品，使用动态黏弹性装置(ORIENTEC Co.,LTD制造，商品名称“Rheovibron DDV-11-EP1”)，在11Hz的频率下，对10个样品的温度200℃下的储能模量E’进行测定。
[热压接后粘着力]
边剥离实施例、比较例中得到的带剥离片的粘着胶带的剥离片，边将其安装于胶带贴合机(tape laminator)(Lintec Corporation制造，商品名称“RAD-3510F/12”)，并贴附在裸晶圆(直径12英寸、厚度740μm、#2000抛光)的抛光面上。随后，将粘着胶带的外周部切除，使其形状与裸晶圆相同。
随后，使用附有紫外线照射-胶带剥离装置的贴片机(Lintec Corporation制造，商品名称“RAD-2700”)，从粘着胶带的基材面侧照射紫外线，使粘着剂层完全固化。另外，上述的紫外线照射条件为波长365nm、照度150mW/cm2、光量300mJ/cm2。接着，将切割胶带(Lintec Corporation制造，Adwill D-175)作为拾取胶带而贴附在裸晶圆的另一面。接着，准备宽度为50mm、长度为60mm的聚丙烯膜(Lintec Corporation制造，Adwill S-75C)作为剥离用胶带。使用热封装置，在压力0.5N/cm2、210℃的条件下进行5秒钟热封，将剥离用胶带热压接在粘着胶带的外缘部。热封部为从粘着胶带的外缘部开始向中央方向2mm的区域。
使用拉伸试验机(Shimadzu Corporation制造，AUTOGRAPH AG-IS)，在剥离速度为300mm/分钟、剥离角度为180°的条件下，利用剥离用胶带将粘着胶带从裸晶圆上剥离。测定从剥离开始起至将热封部完全剥离为止之间(约1cm)的最大剥离力。针对10片粘着胶带测定最大剥离力，将其平均值作为热压接后粘着力。
[剥离评价]
在与上述热压接后粘着力的测定同样的裸晶圆的抛光面上，在晶圆的纵向及横向上分别以1mm间隔，削成深度70μm、宽度30μm的沟槽，将粘着胶带(背磨胶带)贴附在该面上。随后，磨削晶圆的背面侧，使用预切割法单颗化成厚度为30μm、芯片尺寸为1mm×1mm。
背面磨削结束后，使用附有紫外线照射-胶带剥离装置的贴片机(LintecCorporation制造，商品名称“RAD-2700”)，从粘着胶带的基材面侧照射紫外线，使粘着剂层完全固化。另外，上述的紫外线照射条件为波长365nm、照度150mW/cm2、光量300mJ/cm2。随后，将切割胶带(Lintec Corporation制造，Adwill D-175)作为拾取胶带而贴附于芯片组，使用环形框架固定切割胶带的外周部。接着，准备宽度为50mm、长度为60mm的聚丙烯膜(Lintec Corporation制造，Adwill S-75C)作为剥离用胶带。使用热封装置在压力0.5N/cm2、210℃的条件下进行5秒钟热封，将剥离用胶带热压接在粘着胶带的外缘部。热封部为从粘着胶带的外缘部开始向中央方向2mm的区域。
拿着剥离用胶带，边将粘着胶带折回、边将粘着胶带从芯片组上剥离。确认残留粘着在粘着胶带的粘着剂层上的芯片的个数。
计数上述操作中残留粘着在粘着胶带上的芯片的个数，按照以下的基准进行评价。
优良：小于10个
良好：10个以上且小于30个
不良：30个以上
另外，以下的实施例及比较例的质量份均为固体成分值。
准备以下的复层基材。
(1)复层基材1
使用厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜(杨氏模量：2500MPa)作为基材。准备在该基材上设置有以下的缓冲层的复层基材1。
(缓冲层形成用组合物)
(氨基甲酸乙酯丙烯酸酯类低聚物的合成)
使聚碳酸酯二醇与异佛尔酮二异氰酸酯反应而得到末端异氰酸酯氨基甲酸乙酯预聚物，使丙烯酸2-羟基乙酯与该末端异氰酸酯氨基甲酸乙酯预聚物反应，得到质均分子量(Mw)约为5000的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯类低聚物(UA-1)。
掺合在上述合成的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯类低聚物(UA-1)50质量份、丙烯酸异冰片酯(IBXA)30质量份、丙烯酸四氢糠基酯(THFA)40质量份、及二季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)15质量份，进一步掺合作为光聚合引发剂的2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF JAPAN公司制造，产品名称“DAROCUR 1173”)1.0质量份，制备缓冲层形成用组合物。
(复层基材1的制造)
将缓冲层形成用组合物涂布在剥离片(Lintec Corporation制造，商品名称“SP-PET381031”)的剥离处理面上而形成涂布膜。接着，对该涂布膜照射紫外线，将涂布膜半固化而形成厚度为53μm的缓冲层形成膜。
另外，使用传送带式紫外线照射装置(EYE GRAPHICS Co.,Ltd.制造，装置名称“US2-0801”)及高压水银灯(EYE GRAPHICS Co.,Ltd.制造，装置名称“H08-L41”)，在灯高度为230mm、输出功率为80mW/cm、光线波长365nm的照度为90mW/cm2、照射量为50mJ/cm2的照射条件下进行上述的紫外线照射。
然后，将所形成的缓冲层形成膜的表面与PET基材贴合，从缓冲层形成膜上的剥离片侧再次照射紫外线而使该缓冲层形成膜完全固化，形成厚度为53μm的缓冲层，准备由PET基材与缓冲层构成的复层基材1。另外，使用上述的紫外线照射装置及高压水银灯，在灯高度为220mm、换算输出功率为120mW/cm、光线波长365nm的照度为160mW/cm2、照射量为350mJ/cm2的照射条件下进行上述的紫外线照射。
(2)复层基材2～4
使用聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜作为基材。准备在该基材上设置有以下的缓冲层的复层基材。作为缓冲层，均使用厚度为27.5μm的低密度聚乙烯(LDPE)。
复层基材2：LDPE(27.5μm)/PET(25.0μm)/LDPE(27.5μm)
复层基材3：LDPE(27.5μm)/PET(50μm)/LDPE(27.5μm)
复层基材4：LDPE(27.5μm)/PET(75.0μm)/LDPE(27.5μm)
(3)粘着剂层
制备以下的粘着剂组合物A～E。
(粘着剂组合物A的制备)
将丙烯酸正丁酯(BA)65质量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)20质量份、及丙烯酸2-羟基乙酯(2HEA)15质量份在乙酸乙酯中共聚而得到丙烯酸类聚合物，以加成于该丙烯酸类聚合物的所有羟基中的80摩尔％的羟基的方式，使2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)与该丙烯酸类聚合物反应，得到能量射线固化性的丙烯酸类树脂(Mw：50万)。
相对于上述能量射线固化性丙烯酸类聚合物100质量份，混合甲苯二异氰酸酯类交联剂(TOSOH CORPORATION制造，产品名称“CORONATE L”)1质量份(固体比)与光聚合引发剂(Ciba Specialty Chemicals股份公司制造，产品名称“IRGACURE 184”)3.5质量份(固体比)，得到能量射线固化性粘着组合物A。
(粘着剂组合物B的制备)
将丙烯酸正丁酯(BA)89质量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)8质量份、及丙烯酸2-羟基乙酯(2HEA)3质量份共聚，得到丙烯酸类聚合物(Mw：80万)。
相对于上述的丙烯酸类聚合物100质量份，混合作为交联剂的甲苯二异氰酸酯类交联剂(TOSOH CORPORATION制造，产品名称“CORONATE L”)1质量份(固体成分)、环氧类交联剂(1,3-双(N,N-二缩水甘油氨甲基)环己烷)2质量份(固体成分)、紫外线固化型树脂(The Nippon Synthetic Chemical Industry Co.,Ltd.制造，产品名称“紫光UV-3210EA”)45质量份(固体成分)、及光聚合引发剂(Ciba Specialty Chemicals股份公司制造，产品名称“IRGACURE 184”)1质量份(固体成分)，得到能量射线固化性粘着剂组合物B。使用所得到的粘着组合物，测定固化后储能模量。
(粘着剂组合物C的制备)
使丙烯酸正丁酯(BA)50质量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)25质量份、及丙烯酸2-羟基乙酯(2HEA)25质量份共聚而得到丙烯酸类聚合物，以加成在该丙烯酸类聚合物的所有羟基中的90摩尔％的羟基的方式，使2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)与该丙烯酸类聚合物反应，得到能量射线固化性的丙烯酸类树脂(Mw：50万)。
相对于上述的能量射线固化性丙烯酸类聚合物100质量份，混合作为能量射线固化性化合物的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物(The Nippon Synthetic Chemical IndustryCo.,Ltd.制造，产品名称“UT-4220”)6质量份、甲苯二异氰酸酯类交联剂(TOSOHCORPORATION制造，商品名称“CORONATE L”)1质量份(固体成分)、及光聚合引发剂(CibaSpecialty Chemicals公司制造，IRGACURE 184)1.16质量份(固体比)，得到能量射线固化性粘着剂组合物C。使用所得到的粘着组合物，测定固化后储能模量。
(粘着剂组合物D的制备)
使丙烯酸正丁酯(BA)60质量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)20质量份、及丙烯酸2-羟基乙酯(2HEA)20质量份共聚而得到丙烯酸类聚合物，以加成在该丙烯酸类聚合物的所有羟基中的80摩尔％的羟基的方式，使2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)与该丙烯酸类聚合物反应，得到能量射线固化性的丙烯酸类聚合物(Mw：45万)。
相对于上述的能量射线固化性丙烯酸类聚合物100质量份，混合甲苯二异氰酸酯类交联剂(TOSOH CORPORATION制造，商品名称“CORONATE L”)0.7质量份(固体成分)、及光聚合引发剂(Ciba Specialty Chemicals公司制造，IRGACURE 184)1.16质量份(固体比)，得到能量射线固化性粘着组合物D。使用所得到的粘着组合物，测定固化后储能模量。
(粘着剂组合物E的制备)
将丙烯酸正丁酯(BA)89质量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)8质量份、及丙烯酸2-羟基乙酯(2HEA)3质量份共聚，得到丙烯酸类聚合物(Mw：80万)。
相对于上述的丙烯酸类聚合物100质量份，混合作为交联剂的甲苯二异氰酸酯类交联剂(TOSOH CORPORATION制造，产品名称“CORONATE L”)1质量份(固体成分)、紫外线固化型树脂(The Nippon Synthetic Chemical Industry Co.,Ltd.制造，产品名称“紫光UV-3210EA”)22质量份(固体成分)及光聚合引发剂(Ciba Specialty Chemicals股份公司制造，产品名称“IRGACURE 184”)1.16质量份(固体成分)，得到能量射线固化性粘着剂组合物E。使用所得到的粘着组合物，测定固化后储能模量。
[实施例1]
将在上述得到的能量射线固化性粘着组合物A的涂布液涂布在剥离片(LintecCorporation制造，商品名称“SP-PET381031”)的剥离处理面上，使其于100℃加热干燥1分钟，在剥离片上形成厚度为20μm的粘着剂层。
将粘着剂层贴合在复层基材1的与形成有缓冲层的面相反的面上，制造粘着胶带。测定所得到的粘着胶带的热压接后粘着力，并进行剥离评价。
[实施例2]
除了使用复层基材2及粘着剂组合物B且将粘着剂层的厚度设为50μm以外，以与实施例1相同的方式制造粘着胶带。粘着剂层设置在作为缓冲层的LDPE层上。测定所得到的粘着胶带的热压接后粘着力，并进行剥离评价。
[实施例3]
除了使用复层基材3及粘着剂组合物C且将粘着剂层的厚度设为20μm以外，以与实施例1相同的方式制造粘着胶带。粘着剂层设置在作为缓冲层的LDPE层上。测定所得到的粘着胶带的热压接后粘着力，并进行剥离评价。
[实施例4]
除了使用复层基材4及粘着剂组合物D且将粘着剂层的厚度设为40μm以外，以与实施例1相同的方式制造粘着胶带。粘着剂层设置在作为缓冲层的LDPE层上。测定所得到的粘着胶带的热压接后粘着力，并进行剥离评价。
[比较例1]
除了使用复层基材3及粘着剂组合物E且将粘着剂层的厚度设为20μm以外，以与实施例1相同的方式制造粘着胶带。粘着剂层设置在作为缓冲层的LDPE层上。测定所得到的粘着胶带的热压接后粘着力，并进行剥离评价。
[表1]
表1
Figure BDA0002689797710000361
根据以上的结果可知：若热压接后粘着力为9.0N/25mm以下，则即便进行剥离用胶带的热压接，在热封部也没有芯片转印不良，能够将芯片良好地转印至拾取胶带或粘合胶带。此外，通过使用详细记载于实施例、比较例的粘着胶带、以及其他各种粘着胶带的试验确认到：若热压接后粘着力为9.0N/25mm以下，则可获得良好的结果。
附图标记说明
10：粘着胶带(背磨胶带)；11：基材；12：粘着剂层；20：芯片组；21：芯片；30：拾取胶带；40：环形框架；50：剥离用胶带。

Claims (4)

1.一种粘着胶带，其包含基材与设置在所述基材的一面的粘着剂层，所述粘着胶带中，
所述粘着剂层由能量射线固化性粘着剂构成，
将硅晶圆镜面贴附于所述粘着剂层后，对粘着剂层照射能量射线而进行固化，进一步在压力0.5N/cm2、210℃的条件下热压接5秒钟后的23℃下的粘着力为9.0N/25mm以下。
2.根据权利要求1所述的粘着胶带，在包含将背磨胶带贴附于在半导体晶圆表面形成有沟槽的半导体晶圆的表面，并对背面进行磨削且通过所述磨削而将半导体晶圆单颗化成半导体芯片，然后将经单颗化的芯片组转印至拾取胶带或粘合胶带的工序的半导体装置的制造方法中，所述粘着胶带被用作为所述背磨胶带。
3.一种半导体装置的制造方法，其包含将背磨胶带贴附于在半导体晶圆表面形成有沟槽的半导体晶圆的表面，并对背面进行磨削且通过所述磨削而将半导体晶圆单颗化成半导体芯片，然后将经单颗化的芯片组转印至拾取胶带或粘合胶带的工序，将权利要求1所述的粘着胶带用作所述背磨胶带。
4.权利要求1所述的粘着胶带在半导体装置的制造方法中的应用，所述半导体装置的制造方法包含：将背磨胶带贴附于在半导体晶圆表面形成有沟槽的半导体晶圆的表面，并对背面进行磨削且通过所述磨削而将半导体晶圆单颗化成半导体芯片，然后将经单颗化的芯片组转印至拾取胶带或粘合胶带的工序，所述权利要求1所述的粘着胶带被用作为所述背磨胶带。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7324023B2 (ja) * 2019-03-22 2023-08-09 日東電工株式会社 ダイシングテープ
JPWO2021065072A1 (zh) * 2019-10-04 2021-04-08

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012046763A (ja) * 2011-10-17 2012-03-08 Nitto Denko Corp 耐熱性粘着テープ
WO2015156389A1 (ja) * 2014-04-11 2015-10-15 リンテック株式会社 バックグラインドテープ用基材、及びバックグラインドテープ
WO2017150676A1 (ja) * 2016-03-03 2017-09-08 リンテック株式会社 半導体加工用粘着テープ、及び半導体装置の製造方法
TW201804531A (zh) * 2016-07-26 2018-02-01 三井化學東賽璐股份有限公司 半導體裝置的製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4707805B2 (ja) 2000-08-08 2011-06-22 三井化学株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハ表面の保護方法
KR101375397B1 (ko) * 2008-03-03 2014-03-17 린텍 코포레이션 점착 시트
JP2011105854A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Hitachi Maxell Ltd 粘着テープ
JP2012209385A (ja) 2011-03-29 2012-10-25 Lintec Corp ピックアップテープおよびチップ状部品の製造方法
JP6419728B2 (ja) 2014-01-21 2018-11-07 リンテック株式会社 ウエハ保護用粘着シート
KR102394517B1 (ko) 2014-03-03 2022-05-06 린텍 가부시키가이샤 반도체 관련 부재 가공용 시트 및 당해 시트를 사용하는 칩의 제조 방법
CN106413427A (zh) * 2014-04-10 2017-02-15 阿彻丹尼尔斯米德兰德公司 还原糖醇、呋喃衍生物的合成
JP5823591B1 (ja) 2014-10-01 2015-11-25 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法
JP2016146437A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 積水化学工業株式会社 ウエハの処理方法
MY186813A (en) 2016-03-03 2021-08-23 Lintec Corp Adhesive tape for semiconductor processing and method for producing semiconductor device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012046763A (ja) * 2011-10-17 2012-03-08 Nitto Denko Corp 耐熱性粘着テープ
WO2015156389A1 (ja) * 2014-04-11 2015-10-15 リンテック株式会社 バックグラインドテープ用基材、及びバックグラインドテープ
WO2017150676A1 (ja) * 2016-03-03 2017-09-08 リンテック株式会社 半導体加工用粘着テープ、及び半導体装置の製造方法
TW201804531A (zh) * 2016-07-26 2018-02-01 三井化學東賽璐股份有限公司 半導體裝置的製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
岳德茂: "《印刷科技实用手册 第3分册 印刷器材篇》", 印刷工业出版社, pages: 64 *

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