CN114270494A - 带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法及端子保护用胶带 - Google Patents

带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法及端子保护用胶带 Download PDF

Info

Publication number
CN114270494A
CN114270494A CN202080059202.7A CN202080059202A CN114270494A CN 114270494 A CN114270494 A CN 114270494A CN 202080059202 A CN202080059202 A CN 202080059202A CN 114270494 A CN114270494 A CN 114270494A
Authority
CN
China
Prior art keywords
terminal
semiconductor device
layer
adhesive
meth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080059202.7A
Other languages
English (en)
Inventor
田村谦介
坂东沙也香
文田祐介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Publication of CN114270494A publication Critical patent/CN114270494A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

本发明涉及一种带电磁波屏蔽膜的半导体装置(66)的制造方法，其包括：将带端子的半导体装置的端子(91)埋设于具有粘弹性层的端子保护用胶带的所述粘弹性层(12)的工序；在未埋设于所述端子保护用胶带的粘弹性层(12)的所述带端子的半导体装置的露出面上形成电磁波屏蔽膜(10)的工序；及拉伸所述端子保护用胶带，从而将形成了电磁波屏蔽膜(10)的所述带端子的半导体装置从所述端子保护用胶带上剥离的工序。

Description

带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法及端子保护用胶带
技术领域
本发明涉及带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法及端子保护用胶带。
本申请基于2019年12月6日于日本提出申请的日本特愿2019-221466号主张优先权，并将其内容援用于此。
背景技术
以往，在印刷线路板上安装用于MPU或门阵列等的多引脚LSI封装时，作为具备多个电子部件的半导体装置，使用在其连接焊垫部形成有由共晶焊料、高温焊料、金等构成的凸状电极(以下，在本说明书中称为“端子”)的半导体装置。并且，采用使这些端子与芯片搭载用基板上的相对应的端子部相对并接触，并进行熔融、扩散接合的安装方法。
随着个人电脑的普及，互联网变得普遍，目前智能手机或平板电脑与互联网连接，利用无线通信技术经由互联网传播数字化的影像、音乐、照片、文字信息等的情况日益增多。进一步，IoT(物联网；Internet of Things)得以普及，即将对在家电、汽车等各种应用领域中用于更智能地使用传感器、RFID(射频识别；Radio frequency identifier)、MEMS(微机电系统；Micro Electro Mechanical Systems)、无线组件等半导体器件的封装技术带来创新性的变革。
在如此的电子设备发展进程中，对半导体器件的要求水准也逐年提高。特别是为了响应高性能化、小型化、高集成化、低功耗化、低成本化的需求，存在散热措施、抑噪措施这两个重点。
应对该散热措施、抑噪措施，例如如专利文献1所公开的，采用了以导电材料包覆电子部件模块从而形成电磁波屏蔽膜的方法。在专利文献1中，对涂布于单颗化(singulation)的电子部件模块的顶面及侧面的导电性树脂进行加热使其固化，从而形成电磁波屏蔽膜。
在专利文献1所公开的电子部件的制造方法中，设置于集合基板的背面的外部端子电极以填埋于粘着性片的状态而涂布导电性树脂。由于在粘着性片的规定位置设置有遮蔽部，因此可防止外部端子电极与电磁波屏蔽膜之间发生短路。然而，在粘着片的规定位置设置遮蔽部，在工序上是繁琐的。
专利文献2中公开了一种电子部件的制造方法，该方法具备：在具有基层与设置于基层一面侧的粘着剂层的电子部件制造用膜的粘着剂层上，粘贴未屏蔽电子部件的具备电极的电极面从而对电极面进行保护的电极面保护工序；对于除电极面以外的非电极面，利用干式成膜法在非电极面上形成一体化的导电性的屏蔽膜的屏蔽膜形成工序。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-151372号公报
专利文献2：日本特开2017-54891号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
本申请的发明人对专利文献2所公开的电子部件的制造方法进行研究后判明，在形成导电性的屏蔽膜后，难以将所述电子部件从电子部件制造用膜上剥离，制造效率低下。
因此，本发明所要解决的技术问题在于，提供一种在将形成了电磁波屏蔽膜的带端子的半导体装置从端子保护用胶带上剥离的工序中，能够易于剥离且制造效率高的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法及用于所述制造方法的端子保护用胶带。
解决技术问题的技术手段
即，本发明提供以下的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法及用于所述制造方法的端子保护用胶带。
[1]一种带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其包括：
将带端子的半导体装置的端子埋设于具有粘弹性层的端子保护用胶带的所述粘弹性层的工序；
在未埋设于所述端子保护用胶带的粘弹性层的所述带端子的半导体装置的露出面上形成电磁波屏蔽膜的工序；及
拉伸所述端子保护用胶带，从而将形成了电磁波屏蔽膜的所述带端子的半导体装置从所述端子保护用胶带上剥离的工序。
[2]一种带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其包括：
将带端子的半导体装置集合体的端子埋设于具有粘弹性层的端子保护用胶带的所述粘弹性层的工序；
切割所述带端子的半导体装置集合体，从而将所述带端子的半导体装置集合体制成端子埋设于所述端子保护用胶带的粘弹性层的带端子的半导体装置的工序；
在未埋设于所述端子保护用胶带的粘弹性层的所述带端子的半导体装置的露出面上形成电磁波屏蔽膜的工序；及
拉伸所述端子保护用胶带，从而将形成了电磁波屏蔽膜的所述带端子的半导体装置从所述端子保护用胶带上剥离的工序。
[3]根据[1]或[2]所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，在将形成了电磁波屏蔽膜的所述带端子的半导体装置从所述端子保护用胶带上剥离的所述工序中的所述端子保护用胶带的拉伸量为1.0mm以上。
[4]根据[1]～[3]中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，将直径为0.25mm的端子埋设于所述端子保护用胶带的所述粘弹性层时，从所述端子保护用胶带的厚度方向观察到的出现在埋设的所述端子的外侧的来自于气泡的近似圆形的投影的直径为0.30mm以上。
[5]根据[1]～[4]中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，在埋设所述带端子的半导体装置的端子的所述工序后且在形成电磁波屏蔽膜的所述工序前的、所述端子保护用胶带对所述带端子的半导体装置的粘着力为6.5N/25mm以下。
[6]根据[1]～[5]中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，所述粘弹性层的厚度d1相对于所述带端子的半导体装置或带端子的半导体装置集合体的端子的高度h0的比例满足1.2≤d1/h0≤5.0。
[7]根据[1]～[6]中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，所述粘弹性层具有填埋层及粘着剂层。
[8]根据[7]所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，将带端子的半导体装置或带端子的半导体装置集合体的端子埋设于具有粘弹性层的端子保护用胶带的所述粘弹性层的所述工序中的、所述填埋层的弹性模量为0.05～20MPa。
[9]根据[7]或[8]所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，依次具有所述粘着剂层、所述填埋层及基材。
[10]根据[9]所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，所述基材的杨氏模量为100～2000MPa。
[11]根据[7]～[10]中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，所述填埋层为使用能量射线固化性的构成材料而形成的填埋层。
[12]根据[7]～[11]中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，所述粘着剂层为使用能量射线固化性的粘着剂而形成的粘着剂层。
[13]一种端子保护用胶带，其用于[4]～[12]中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法。
发明效果
根据本发明，能够提供一种在将形成了电磁波屏蔽膜的带端子的半导体装置从端子保护用胶带上剥离的工序中，能够易于剥离且制造效率高的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法及用于所述制造方法的端子保护用胶带。
附图说明
图1为示意性地示出本发明的端子保护用胶带的一个实施方案的剖面图。
图2为示意性地示出本发明的端子保护用胶带的另一实施方案的剖面图。
图3为示意性地示出本发明的端子保护用胶带的另一实施方案的剖面图。
图4为示意性地示出本发明的端子保护用胶带的使用方法的实例的剖面图。
图5为示意性地示出本发明的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法的一个实施方案的剖面图。
图6为示意性地示出本发明的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法的另一实施方案的剖面图。
图7为示意性地示出本发明的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法中的端子保护用胶带的拉伸方法的一个实施方案的剖面图。
具体实施方式
＜＜带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法>>
本发明的第一实施方案的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法包括：将带端子的半导体装置的端子埋设于具有粘弹性层的端子保护用胶带的所述粘弹性层的工序；在未埋设于所述端子保护用胶带的粘弹性层的所述带端子的半导体装置的露出面上形成电磁波屏蔽膜的工序；及拉伸所述端子保护用胶带，从而将形成了电磁波屏蔽膜的所述带端子的半导体装置从所述端子保护用胶带上剥离的工序。
本发明的第二实施方案的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法包括：将带端子的半导体装置集合体的端子埋设于具有粘弹性层的端子保护用胶带的所述粘弹性层的工序；切割所述带端子的半导体装置集合体，从而将所述带端子的半导体装置集合体制成端子埋设于所述端子保护用胶带的粘弹性层的带端子的半导体装置的工序；在未埋设于所述端子保护用胶带的粘弹性层的所述带端子的半导体装置的露出面上形成电磁波屏蔽膜的工序；及拉伸所述端子保护用胶带，从而将形成了电磁波屏蔽膜的所述带端子的半导体装置从所述端子保护用胶带上剥离的工序。
以下，对在本发明的第一实施方案及第二实施方案的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法中所使用的端子保护用胶带及本发明的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法的各工序进行详细说明。
<端子保护用胶带>
图1为示意性地示出本发明的端子保护用胶带的一个实施方案的剖面图。另外，为了易于理解本发明的特征，出于方便，有时将以下说明中使用的图的重要部分扩大显示，各构成要素的尺寸比例等不一定与实际相同。
图1所示的端子保护用胶带1为用于在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序的端子保护用胶带1，其具有粘弹性层12。粘弹性层12优选包含填埋层13及粘着剂层14，更优选由填埋层13及粘着剂层14构成。
如图1所示，本实施方案的端子保护用胶带也可以在粘弹性层12的填埋层13一侧的最外层上具备剥离膜21，还可以在粘弹性层12的粘着剂层14一侧的最外层上具备剥离膜20。
本实施方案的端子保护用胶带并非限定于如图1所示的结构，在不损害本发明的效果的范围内，也可以对图1所示结构的部分构成进行变更、删除或添加。
图1所示的端子保护用胶带1能够用于以下的工序，即，剥离两个剥离膜20、21，放置于支撑体上，以端子一侧朝下的方式从其上方按压带端子的半导体装置，从而将端子埋设于粘弹性层12，进一步在其上形成电磁波屏蔽膜。
如图2的端子保护用胶带2所示，本实施方案的端子保护用胶带可以为依次具有粘着剂层14、填埋层13及基材11的构成，也可以在粘弹性层12的粘着剂层14一侧的最外层上具备剥离膜20。
图2所示的端子保护用胶带2能够用于以下工序，即，剥离剥离膜20，以端子一侧朝下的方式将带端子的半导体装置按压在作为支撑体的基材11上的粘弹性层12上，从而将端子埋设于粘弹性层12，进一步在其上形成电磁波屏蔽膜。
如图3的端子保护用胶带3所示，本实施方案的端子保护用胶带为依次具有粘着剂层14、填埋层13及基材11的构成，也可以在粘弹性层12的粘着剂层14一侧的最外层上具备剥离膜20，也可以在基材11的与粘弹性层12相反的一侧上具备用于贴合于支撑体的第二粘着剂层15(即，贴合粘着剂层)，且还可以是在第二粘着剂层15一侧的最外层上具备剥离膜22的双面胶带。
图3所示的端子保护用胶带3能够用于以下的工序，即，剥离剥离膜22，如图4所示固定在支撑体30上，进一步剥离剥离膜20并以端子一侧朝下的方式将带端子的半导体装置按压在粘弹性层12上，从而将端子埋设于粘弹性层12，进一步在其上形成电磁波屏蔽膜。
端子保护用胶带的断裂伸长率优选为10％以上，更优选为15％以上％，进一步优选为20％以上。若端子保护用胶带的断裂伸长率为所述下限值以上，则能够充分拉伸端子保护用胶带，将形成了电磁波屏蔽膜的带端子的半导体装置从端子保护用胶带上剥离的工序中的剥离性增强。端子保护用胶带的断裂伸长率也可以小于45％。端子保护用胶带的断裂伸长率例如优选为10％以上且小于45％，更优选为15％以上且小于45％，进一步优选为20％以上且小于45％。
端子保护用胶带的断裂伸长率能够利用后述实施例中记载的方法进行测定。
端子保护用胶带的断裂应力优选为5MPa以上，更优选为10MPa以上，进一步优选为15MPa以上。若端子保护用胶带的断裂应力为所述下限值以上，则在拉伸端子保护用胶带时能够均匀地进行拉伸。端子保护用胶带的断裂应力也可以小于30MPa。端子保护用胶带的断裂应力例如优选为5MPa以上且小于30MPa，更优选为10MPa以上且小于30MPa，进一步优选为15MPa以上且小于30MPa。
端子保护用胶带的断裂应力能够利用后述实施例中记载的方法进行测定。
接着，对构成本实施方案的端子保护用胶带的各层进行说明。
◎粘弹性层
在本实施方案的端子保护用胶带中，粘弹性层可用于保护带端子的半导体装置的端子形成面(换而言之为电路面)及设置在该端子形成面上的端子。
粘弹性层优选具有填埋层及粘着剂层。
粘弹性层的厚度优选为1～1000μm，更优选为5～800μm，进一步优选为10～600μm。
通过使粘弹性层的厚度为所述下限值以上，即使是焊球等容易产生浮起的端子电极也能够进行填埋。此外，通过使粘弹性层的厚度为所述上限值以下，可抑制端子保护用胶带的厚度变得过厚。
其中，“粘弹性层的厚度”是指粘弹性层整体的厚度，由填埋层及粘着剂层多个层构成的粘弹性层的厚度是指填埋层及粘着剂层的合计厚度。
在本说明书中，各层的厚度例如可按照JIS K6783、Z1702、Z1709并使用TECLOCKCo.,Ltd.制造的恒压测厚仪(型号：“PG-02J”)进行测定。
将带端子的半导体装置的端子形成面密合于粘弹性层12时，优选将带端子的半导体装置的端子形成面直接密合于粘弹性层12中的粘着剂层14。此时，为了防止在端子形成面及端子上产生残胶，优选设定为粘着剂层14比填埋层13更硬。
从提高将形成了电磁波屏蔽膜的带端子的半导体装置从端子保护用胶带上剥离的工序中的剥离性的角度出发，优选将带端子的半导体装置的端子与粘弹性层12的最外层(例如粘着剂层)之间的密合性设为一定以下。能够利用例如以下的方法对带端子的半导体装置的端子与粘弹性层12的最外层之间的密合性进行定量评价。
将端子埋设于端子保护用胶带的粘弹性层12，若从所述端子保护用胶带的厚度方向观察所埋设的端子，则有时在所埋设的端子的外侧可确认到来自于气泡的近似圆形的投影。该气泡表示所埋设的端子与粘弹性层12的最外层之间的空隙，所述近似圆形的投影的面积越大，则表示所埋设的端子与粘弹性层12的最外层之间的密合性越低。在本实施方案中，将直径为0.25mm的端子埋设于端子保护用胶带的粘弹性层12时，优选从所述端子保护用胶带的厚度方向观察到的出现在所述埋设的端子的外侧的来自于气泡的近似圆形的投影的直径为0.30mm以上，更优选为0.32mm以上，进一步优选为0.34mm以上。若来自于气泡的近似圆形的投影的直径为所述下限值以上，则带端子的半导体装置的端子与粘弹性层12的最外层之间的密合性不会变得过大，将形成了电磁波屏蔽膜的带端子的半导体装置从端子保护用胶带上剥离的工序中的剥离性增强。另外，由于来自于气泡的近似圆形的投影的直径出现在上述直径为0.25mm的端子的外侧，因此来自于气泡的近似圆形的投影的直径必然会大于0.25mm。来自于气泡的近似圆形的投影的直径可以采用该投影的最大直径。只要可表现出本发明的效果，则来自于气泡的近似圆形的投影的直径的上限值没有特别限定，例如，可以为1.00mm以下。来自于气泡的近似圆形的投影的直径例如优选为0.30mm以上且0.95mm以下，更优选为0.32mm以上且0.90mm以下，进一步优选为0.34mm以上且0.85mm以下。
来自于气泡的近似圆形的投影的直径能够利用后述实施例中记载的方法进行测定。
○粘着剂层
以下，为了区别于后述的用于贴合于支撑体的第二粘着剂层，有时将构成粘弹性层的粘着剂层称为“第一粘着剂层”。
第一粘着剂层为片状或膜状，并含有粘着剂。在本说明书中，“片状或膜状”是指薄的膜状且面内的厚度偏差小并具有柔性。
作为所述粘着剂，例如可列举出丙烯酸类树脂(由具有(甲基)丙烯酰基的树脂形成的粘着剂)、氨基甲酸酯类树脂(由具有氨基甲酸酯键的树脂形成的粘着剂)、橡胶类树脂(由具有橡胶结构的树脂形成的粘着剂)、有机硅类树脂(由具有硅氧烷键的树脂形成的粘着剂)、环氧类树脂(由具有环氧基的树脂形成的粘着剂)、聚乙烯醚、聚碳酸酯等粘着性树脂，优选丙烯酸类树脂。
另外，在本发明中，“粘着性树脂”为包括具有粘着性的树脂与具有粘合性的树脂这两者的概念，例如，不仅包括树脂自身具有粘着性的树脂，还包含通过与添加剂等其他成分同时使用而表现出粘着性的树脂或因热或水等诱因的存在而表现出粘合性的树脂等。
第一粘着剂层可以仅为一层(单层)，也可以为两层以上的多个层，当为多个层时，这些多个层可以彼此相同，也可以彼此不同，这些多个层的组合没有特别限定。
另外，在本说明书中，不仅限于第一粘着剂层的情况，“多个层可以彼此相同，也可以彼此不同”是指“可以所有层均相同，也可以所有层均不同，还可以仅部分层相同”，进一步“多个层彼此不同”是指“各个层的构成材料及厚度中的至少一个彼此不同”。
第一粘着剂层的厚度优选为1～1000μm，更优选为2～100μm，特别优选为8～20μm。
其中，“第一粘着剂层的厚度”是指第一粘着剂层整体的厚度，例如，由多个层构成的第一粘着剂层的厚度是指构成第一粘着剂层的所有层的合计厚度。
第一粘着剂层可以使用能量射线固化性的粘着剂而形成，也可以使用非能量射线固化性的粘着剂而形成。使用能量射线固化性的粘着剂而形成的第一粘着剂层能够易于调节固化前及固化后的物性，故而优选。
在本发明中，“能量射线”是指电磁波或带电粒子束中具有能量量子的射线，作为能量射线的实例，可列举出紫外线、电子束等。
例如，可通过使用高压汞灯、融合H灯(fusion lamp)或氙灯等作为紫外线源而照射紫外线。作为电子束，能够照射利用电子束加速器等产生的电子束。
在本发明中，“能量射线固化性”是指通过照射能量射线而进行固化的性质，“非能量射线固化性”是指即使照射能量射线也不进行固化的性质。
使用能量射线固化性的粘着剂形成第一粘着剂层时，固化前的第一粘着剂层的弹性模量优选为0.01～0.50MPa，更优选为0.02～0.40MPa，进一步优选为0.03～0.35MPa。若固化前的第一粘着剂层的弹性模量在所述范围内，则可得到半导体装置的保持性。
使用能量射线固化性的粘着剂形成第一粘着剂层时，固化后的第一粘着剂层的弹性模量优选为1.0～50MPa，更优选为2.0～45MPa，进一步优选为3.0～40MPa。若固化后的第一粘着剂层的弹性模量在所述范围内，则可得到半导体装置的保持性。
在本说明书中，“弹性模量”为使用粘弹性测定装置(例如，Rheometrics公司制造，装置名称“DYNAMIC ANALYZER RDAII”)利用扭转剪切法在1Hz且23℃的环境下对直径8mm×厚度3mm大小的样本进行测定而得到的储能模量。
第一粘着剂层的固化在上述第一及第二实施方案的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法的任一工序中进行均可，但优选在埋设带端子的半导体装置(或半导体装置集合体)的端子的工序后且在将形成了电磁波屏蔽膜的所述带端子的半导体装置从所述端子保护用胶带上剥离的工序前进行。
使用非能量射线固化性的粘着剂形成第一粘着剂层时，第一粘着剂层的弹性模量优选为0.10～0.50MPa，更优选为0.11～0.40MPa，进一步优选为0.12～0.35MPa。若第一粘着剂层的弹性模量在所述范围内，则将形成了电磁波屏蔽膜的带端子的半导体装置从端子保护用胶带上剥离的工序中的剥离性增强。
{第一粘着剂组合物}
第一粘着剂层能够使用含有粘着剂的第一粘着剂组合物而形成。例如，通过在第一粘着剂层的形成对象面上涂布第一粘着剂组合物并根据需要而将其干燥，能够在目标部位形成第一粘着剂层。此外，通过在剥离膜上涂布第一粘着剂组合物并根据需要将其干燥，能够形成目标厚度的第一粘着剂层，并能够将第一粘着剂层转印至目标部位。对于第一粘着剂层的更具体的形成方法，将与其他层的形成方法一同在后续进行详细说明。第一粘着剂组合物中的在常温下不汽化的成分之间的含量比率通常与第一粘着剂层的所述成分之间的含量比率相同。另外，在本说明书中，“常温”是指不特别进行冷却或加热的温度，即平常的温度，例如可列举出15～25℃的温度等，例如25℃。
第一粘着剂组合物的涂布使用公知的方法进行即可，例如可列举出使用气刀涂布机、刮板涂布机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机(screen coater)、迈耶棒涂布机、吻涂机(kiss coater)等各种涂布机的方法。
第一粘着剂组合物的干燥条件没有特别限定，但当第一粘着剂组合物含有后述的溶剂时，优选进行加热干燥，此时，例如优选在70～130℃且10秒～5分钟的条件下进行干燥。
第一粘着剂层为能量射线固化性时，作为含有能量射线固化性的粘着剂的第一粘着剂组合物，即能量射线固化性的第一粘着剂组合物，例如可列举出含有非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)(以下有时简写为“粘着性树脂(I-1a)”)和能量射线固化性化合物的第一粘着剂组合物(I-1)；含有在非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)的侧链上引入了不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(I-2a)(以下有时简写为“粘着性树脂(I-2a)”)的第一粘着剂组合物(I-2)；含有所述粘着性树脂(I-2a)和能量射线固化性低分子化合物的第一粘着剂组合物(I-3)等。
{第一粘着剂组合物(I-1)}
如上所述，第一粘着剂组合物(I-1)含有非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)和能量射线固化性化合物。
(粘着性树脂(I-1a))
所述粘着性树脂(I-1a)优选为丙烯酸类树脂。
作为所述丙烯酸类树脂，例如可列举出至少具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的丙烯酸类聚合物。
所述丙烯酸类树脂所具有的结构单元可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
作为所述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列举出构成烷基酯的烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯，所述烷基优选为直链状或支链状。
作为(甲基)丙烯酸烷基酯，更具体而言，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(也称作(甲基)丙烯酸月桂酯。)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(也称作(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯。)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯(也称作(甲基)丙烯酸棕榈酯。)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(也称作(甲基)丙烯酸硬脂酸酯。)、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
另外，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”为包含“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者的概念。与(甲基)丙烯酸类似的术语也相同，例如“(甲基)丙烯酸酯”为包含“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”这两者的概念，“(甲基)丙烯酰基”为包含“丙烯酰基”及“甲基丙烯酰基”这两者的概念。
从提高第一粘着剂层的粘着力这点出发，所述丙烯酸类聚合物优选具有来自所述烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元。并且，从进一步提高第一粘着剂层的粘着力这点出发，所述烷基的碳原子数优选为4～12，更优选为4～8。此外，所述烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯优选为丙烯酸烷基酯。
除了来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外，所述丙烯酸类聚合物优选还进一步具有来自含官能团单体的结构单元。
作为所述含官能团单体，例如可列举出通过使所述官能团与后述的交联剂进行反应而形成交联的起点、或通过使所述官能团与含不饱和基团化合物中的官能团反应，从而能够在丙烯酸类聚合物的侧链上导入不饱和基团的含官能团单体。
作为含官能团单体中的所述官能团，例如可列举出羟基、羧基、氨基、环氧基等。
即，作为含官能团单体，例如可列举出含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含环氧基单体等。
作为所述含羟基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸类不饱和醇(即，不具有(甲基)丙烯酰骨架的不饱和醇)等，优选(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯，更优选丙烯酸2-羟基乙酯。
作为所述含羧基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸、巴豆酸等烯属不饱和一元羧酸(具有烯属不饱和键的一元羧酸)；富马酸、衣康酸、马来酸、柠康酸等烯属不饱和二元羧酸(具有烯属不饱和键的二元羧酸)；所述烯属不饱和二元羧酸的酸酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
含官能团单体优选为含羟基单体、含羧基单体，更优选为含羟基单体。
构成所述丙烯酸类聚合物的含官能团单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在所述丙烯酸类聚合物中，相对于结构单元的总量，来自含官能团单体的结构单元的含量优选为1～35质量％，更优选为3～32质量％，特别优选为5～30质量％。
除了来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元及来自含官能团单体的结构单元以外，所述丙烯酸类聚合物还可以进一步具有来自其他单体的结构单元。
所述其他单体只要能够与(甲基)丙烯酸烷基酯等共聚，则没有特别限定。
作为所述其他单体，例如可列举出苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯酰胺等。
构成所述丙烯酸类聚合物的所述其他单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
所述丙烯酸类聚合物能够用作上述非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)。
另一方面，能够将使具有能量射线聚合性不饱和基团(能量射线聚合性基团)的含不饱和基团化合物与所述丙烯酸类聚合物中的官能团反应而生成的物质用作上述能量射线固化性的粘着性树脂(I-2a)。
另外，在本发明中，“能量射线聚合性”是指通过照射能量射线而进行聚合的性质。
第一粘着剂组合物(I-1)所含有的粘着性树脂(I-1a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-1)中，相对于第一粘着剂组合物(I-1)的总质量，粘着性树脂(I-1a)的含量优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。
(能量射线固化性化合物)
作为第一粘着剂组合物(I-1)所含有的所述能量射线固化性化合物，可列举出具有能量射线聚合性不饱和基团且能够通过照射能量射线而固化的单体或低聚物。
在能量射线固化性化合物中，作为单体，例如可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；环氧(甲基)丙烯酸酯等。
在能量射线固化性化合物中，作为低聚物，例如可列举出由上述所例示出的单体聚合而成的低聚物等。
对于分子量较大、不易降低第一粘着剂层的储能模量这一点而言，能量射线固化性化合物优选氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物。
在本说明书中，“低聚物”是指重均分子量或式量为5,000以下的物质(其中，单体除外)。
第一粘着剂组合物(I-1)所含有的所述能量射线固化性化合物可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-1)中，相对于第一粘着剂组合物(I-1)的总质量,所述能量射线固化性化合物的含量优选为1～95质量％，更优选为5～90质量％，特别优选为10～85质量％。
(交联剂)
当使用除了具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外还进一步具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸类聚合物作为粘着性树脂(I-1a)时，优选第一粘着剂组合物(I-1)进一步含有交联剂。
所述交联剂例如与所述官能团反应而使粘着性树脂(I-1a)彼此交联。
作为交联剂，例如可列举出甲苯-2,6-二异氰酸酯等甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、这些二异氰酸酯的加合物等异氰酸酯类交联剂(具有异氰酸酯基的交联剂)；乙二醇缩水甘油醚、1,3-双(N,N-缩水甘油氨甲基)环己烷等环氧类交联剂(具有缩水甘油基的交联剂)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷杂三嗪(hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine)等氮丙啶类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)；铝螯合物等金属螯合物类交联剂(具有金属螯合物结构的交联剂)；异氰脲酸酯类交联剂(具有异氰脲酸骨架的交联剂)等。
从提高粘着剂的内聚力从而提高第一粘着剂层的粘着力这点以及易于获得这点出发，交联剂优选为异氰酸酯类交联剂。
第一粘着剂组合物(I-1)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-1)中，相对于粘着性树脂(I-1a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为1～10质量份。
(光聚合引发剂)
第一粘着剂组合物(I-1)还可以进一步含有光聚合引发剂。含有光聚合引发剂的第一粘着剂组合物(I-1)即使在照射紫外线等较低能量的能量射线时也能够充分进行固化反应。
作为所述光聚合引发剂，例如可列举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫化物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；过氧化物化合物；双乙酰等二酮化合物；苯偶酰(benzil)、二苯偶酰、二苯甲酮、2,4-二乙基噻吨酮、1,2-二苯基甲烷、2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2-氯蒽醌等。
此外，作为所述光聚合引发剂，例如还可使用1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光敏剂等。
第一粘着剂组合物(I-1)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-1)中，相对于所述能量射线固化性化合物的含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
(其他添加剂)
在不损害本发明的效果的范围内，第一粘着剂组合物(I-1)还可以含有不属于上述任一成分的其他添加剂。
作为所述其他添加剂，例如可列举出抗静电剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充剂(填料)、防锈剂、着色剂(颜料、染料)、敏化剂、增粘剂、反应延迟剂、交联促进剂(催化剂)等公知的添加剂。
另外，反应延迟剂是指抑制例如因混入第一粘着剂组合物(I-1)中的催化剂的作用而在保存中的第一粘着剂组合物(I-1)中进行非目的性交联反应的成分。作为反应延迟剂，例如可列举出利用与催化剂相应的螯合物形成螯合物配位化合物(chelate complex)的反应延迟剂，更具体而言，可列举出一分子中具有两个以上羰基(-C(＝O)-)的反应延迟剂。
第一粘着剂组合物(I-1)所含有的其他添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-1)中，其他添加剂的含量没有特别限定，根据其种类适当选择即可。
(溶剂)
第一粘着剂组合物(I-1)可以含有溶剂。第一粘着剂组合物(I-1)通过含有溶剂，其对涂布对象面的涂布适应性得以提高。
所述溶剂优选为有机溶剂，作为所述有机溶剂，例如可列举出甲基乙基酮、丙酮等酮；醋酸乙酯等酯(羧酸酯)；四氢呋喃、二噁烷等醚；环己烷、正己烷等脂肪族烃；甲苯、二甲苯等芳香族烃；1-丙醇、2-丙醇等醇等。
作为所述溶剂，例如可以不从粘着性树脂(I-1a)中去除制造粘着性树脂(I-1a)时所使用的溶剂而直接将其用于第一粘着剂组合物(I-1)中；也可以在制造第一粘着剂组合物(I-1)时另行添加与制造粘着性树脂(I-1a)时所使用的溶剂相同或不同种类的溶剂。
第一粘着剂组合物(I-1)所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-1)中，溶剂的含量没有特别限定，进行适当调节即可。
{第一粘着剂组合物(I-2)}
如上所述，第一粘着剂组合物(I-2)含有在非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)的侧链上导入了不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(I-2a)。
(粘着性树脂(I-2a))
所述粘着性树脂(I-2a)例如可通过使具有能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团化合物与粘着性树脂(I-1a)中的官能团进行反应而得到。
所述含不饱和基团化合物为除了具有所述能量射线聚合性不饱和基团以外还进一步具有通过与粘着性树脂(I-1a)中的官能团进行反应而能够与粘着性树脂(I-1a)键合的基团的化合物。
作为所述能量射线聚合性不饱和基团，例如可列举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基(也称为次乙基)、烯丙基(也称为2-丙烯基)等，优选(甲基)丙烯酰基。
作为能够与粘着性树脂(I-1a)中的官能团键合的基团，例如可列举出能够与羟基或氨基反应的异氰酸酯基及缩水甘油基，以及能够与羧基或环氧基反应的羟基及氨基等。
作为所述含不饱和基团化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等，优选(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯，其中，特别优选2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯。
所述异氰酸酯化合物能够与粘着性树脂(I-1a)中的羟基反应，将粘着性树脂(I-1a)中的总羟基设为100mol时，所述异氰酸酯化合物的用量优选为10～150mol，更优选为20～140mol，进一步优选为30～130mol。
第一粘着剂组合物(I-2)所含有的粘着性树脂(I-2a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-2)中，相对于第一粘着剂组合物(I-2)的总质量，粘着性树脂(I-2a)的含量优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为10～90质量％。
(交联剂)
当使用例如与粘着性树脂(I-1a)中的丙烯酸类聚合物相同的、具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸类聚合物用作粘着性树脂(I-2a)时，第一粘着剂组合物(I-2)可进一步含有交联剂。
作为第一粘着剂组合物(I-2)中的所述交联剂，可列举出与第一粘着剂组合物(I-1)中的交联剂相同的交联剂。
第一粘着剂组合物(I-2)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-2)中，相对于粘着性树脂(I-2a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为1～10质量份。
(光聚合引发剂)
第一粘着剂组合物(I-2)还可以进一步含有光聚合引发剂。含有光聚合引发剂的第一粘着剂组合物(I-2)即使在照射紫外线等较低能量的能量射线时也能够充分进行固化反应。
作为第一粘着剂组合物(I-2)中的所述光聚合引发剂，可列举出与第一粘着剂组合物(I-1)中的光聚合引发剂相同的光聚合引发剂。
第一粘着剂组合物(I-2)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-2)中，相对于粘着性树脂(I-2a)的含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
(其他添加剂)
在不损害本发明的效果的范围内，第一粘着剂组合物(I-2)还可以含有不属于上述任一成分的其他添加剂。
作为第一粘着剂组合物(I-2)中的所述其他添加剂，可列举出与第一粘着剂组合物(I-1)中的其他添加剂相同的添加剂。
第一粘着剂组合物(I-2)所含有的其他添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-2)中，其他添加剂的含量没有特别限定，根据其种类适当选择即可。
(溶剂)
出于与第一粘着剂组合物(I-1)中相同的目的，第一粘着剂组合物(I-2)也可以含有溶剂。
作为第一粘着剂组合物(I-2)中的所述溶剂，可列举出与第一粘着剂组合物(I-1)中的溶剂相同的溶剂。
第一粘着剂组合物(I-2)所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-2)中，溶剂的含量没有特别限定，进行适当调节即可。
{第一粘着剂组合物(I-3)}
如上所述，第一粘着剂组合物(I-3)含有所述粘着性树脂(I-2a)和能量射线固化性低分子化合物。
在第一粘着剂组合物(I-3)中，相对于第一粘着剂组合物(I-3)的总质量，粘着性树脂(I-2a)的含量优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。
(能量射线固化性低分子化合物)
作为第一粘着剂组合物(I-3)所含有的所述能量射线固化性低分子化合物，可列举出具有能量射线聚合性不饱和基团且能够通过照射能量射线而固化的单体及低聚物，可列举出与第一粘着剂组合物(I-1)所含有的能量射线固化性化合物相同的能量射线固化性化合物。
第一粘着剂组合物(I-3)所含有的所述能量射线固化性低分子化合物可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-3)中，相对于粘着性树脂(I-2a)的含量100质量份，所述能量射线固化性低分子化合物的含量优选为0.01～300质量份，更优选为0.03～200质量份，特别优选为0.05～100质量份。
(光聚合引发剂)
第一粘着剂组合物(I-3)可以进一步含有光聚合引发剂。含有光聚合引发剂的第一粘着剂组合物(I-3)即使在照射紫外线等较低能量的能量射线时也能够充分进行固化反应。
作为第一粘着剂组合物(I-3)中的所述光聚合引发剂，可列举出与第一粘着剂组合物(I-1)中的光聚合引发剂相同的光聚合引发剂。
第一粘着剂组合物(I-3)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-3)中，相对于粘着性树脂(I-2a)及所述能量射线固化性低分子化合物的总含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
(其他添加剂)
在不损害本发明的效果的范围内，第一粘着剂组合物(I-3)还可以含有不属于上述任一成分的其他添加剂。
作为所述其他添加剂，可列举出与第一粘着剂组合物(I-1)中的其他添加剂相同的添加剂。
第一粘着剂组合物(I-3)所含有的其他添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-3)中，其他添加剂的含量没有特别限定，根据其种类适当选择即可。
(溶剂)
出于与第一粘着剂组合物(I-1)中相同的目的，第一粘着剂组合物(I-3)也可以含有溶剂。
作为第一粘着剂组合物(I-3)中的所述溶剂，可列举出与第一粘着剂组合物(I-1)中的溶剂相同的溶剂。
第一粘着剂组合物(I-3)所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-3)中，溶剂的含量没有特别限定，进行适当调节即可。
{除第一粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的第一粘着剂组合物}
至此，主要对第一粘着剂组合物(I-1)、第一粘着剂组合物(I-2)及第一粘着剂组合物(I-3)进行了说明，但以它们的所含成分而进行说明的成分同样也可用于除这三种第一粘着剂组合物以外的所有第一粘着剂组合物(在本实施方案中，称为“除第一粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的第一粘着剂组合物”)中。
作为除第一粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的第一粘着剂组合物，除了能量射线固化性的第一粘着剂组合物以外，还可列举出非能量射线固化性的第一粘着剂组合物。
作为非能量射线固化性的第一粘着剂组合物，例如可列举出含有丙烯酸类树脂(具有(甲基)丙烯酰基的树脂)、氨基甲酸酯类树脂(具有氨基甲酸酯键的树脂)、橡胶类树脂(具有橡胶结构的树脂)、有机硅类树脂(具有硅氧烷键的树脂)、环氧类树脂(具有环氧基的树脂)、聚乙烯醚或聚碳酸酯等粘着性树脂的组合物，优选为含有丙烯酸类树脂的组合物。
除第一粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的第一粘着剂组合物优选含有一种或两种以上的交联剂，可以将其含量设为与上述第一粘着剂组合物(I-1)等的情况相同。
<第一粘着剂组合物的制备方法>
第一粘着剂组合物(I-1)～(I-3)等所述第一粘着剂组合物，可通过掺合所述粘着剂及根据需要的除所述粘着剂以外的成分等用于构成第一粘着剂组合物的各成分而得到。
掺合各成分时的添加顺序没有特别限定，可以同时添加两种以上的成分。
使用溶剂时，可通过将溶剂与除溶剂以外的任意掺合成分混合而预先稀释该掺合成分从而进行使用，也可以不预先稀释除溶剂以外的任意掺合成分、而是通过将溶剂与这些掺合成分混合而进行使用。
掺合时混合各成分的方法没有特别限定，从下述公知的方法中适当选择即可：使搅拌子或搅拌叶片等旋转而进行混合的方法；使用混合器(mixer)而进行混合的方法；施加超声波而进行混合的方法等。
只要各掺合成分不劣化，则添加及混合各成分时的温度以及时间没有特别限定，适当调节即可，但温度优选为15～30℃。
{第一粘着剂层的组成}
本实施方案中的第一粘着剂层的组成为从上述第一粘着剂层组合物中去除溶剂后的组成。
第一粘着剂层组合物为所述第一粘着剂组合物(I-1)时的第一粘着剂层(I-1)中的、粘着性树脂(I-1a)相对于第一粘着剂层(I-1)的总质量的含有比例优选为50～99质量％，更优选为55～95质量％，进一步优选为60～90质量％。此外，作为本发明的另一方面，粘着性树脂(I-1a)相对于第一粘着剂层(I-1)的总质量的含有比例可以为25～80质量％，也可以为30～75质量％，还可以为35～70质量％。此外，能量射线固化性化合物相对于第一粘着剂层(I-1)的总质量的含有比例优选为1～50质量％，更优选为2～48质量％，进一步优选为5～45质量％。第一粘着剂层(I-1)含有交联剂时，交联剂相对于第一粘着剂层(I-1)的总质量的含有比例优选为0.1～10质量％，更优选为0.2～9质量％，进一步优选为0.3～8质量％。第一粘着剂层(I-1)含有光聚合引发剂时，光聚合引发剂相对于第一粘着剂层(I-1)的总质量的含有比例优选为0.5～18.0质量％，更优选为0.7～17.5质量％，进一步优选为1.0～15.0质量％。
以下，在本说明书中，对象为单体时，“含有比例”是指单体本身的含有比例；对象是由单体聚合而成时，“含有比例”是指来自单体的结构单元的含有比例。
第一粘着剂层组合物为所述第一粘着剂组合物(I-2)时的第一粘着剂层(I-2)中的、粘着性树脂(I-2a)相对于第一粘着剂层(I-2)的总质量的含有比例优选为70.0～99.0质量％，更优选为72.5～97.5质量％，进一步优选为75.0～95.0质量％。第一粘着剂层(I-2)含有交联剂时，交联剂相对于第一粘着剂层(I-2)的总质量的含有比例优选为0.1～3.0质量％，更优选为0.2～2.5质量％，进一步优选为0.3～2.0质量％。第一粘着剂层(I-2)含有光聚合引发剂时，光聚合引发剂相对于第一粘着剂层(I-2)的总质量的含有比例优选为0.5～18.0质量％，更优选为0.7～17.5质量％，进一步优选为1.0～17.0质量％。
第一粘着剂层组合物为所述第一粘着剂组合物(I-3)时的第一粘着剂层(I-3)中的、粘着性树脂(I-2a)相对于第一粘着剂层(I-3)的总质量的含有比例优选为50～99质量％，更优选为55～95质量％，进一步优选为60～90质量％。此外，能量射线固化性低分子化合物相对于第一粘着剂层(I-3)的总质量的含有比例优选为1～50质量％，更优选为2～48质量％，进一步优选为5～45质量％。第一粘着剂层(I-3)含有交联剂时，交联剂相对于第一粘着剂层(I-3)的总质量的含有比例优选为0.1～10质量％，更优选为0.2～9质量％，进一步优选为0.3～8质量％。第一粘着剂层(I-3)含有光聚合引发剂时，光聚合引发剂相对于第一粘着剂层(I-3)的总质量的含有比例优选为0.5～18.0质量％，更优选为0.7～17.5质量％，进一步优选为1.0～17.0质量％。
在本实施方案中，优选包含粘着性树脂(1-2a)及交联剂的第一粘着剂层(I-2)。此时，粘着性树脂(1-2a)优选为使具有异氰酸酯基及能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团化合物与具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元、来自含羟基单体的单元的丙烯酸类聚合物反应而得到的丙烯酸类聚合物。交联剂可以使用在第一粘着剂组合物(I-1)中例示出的化合物，特别优选使用甲苯-2,6-二异氰酸酯。光聚合引发剂可以使用在第一粘着剂组合物(I-1)中例示出的化合物，特别优选使用1-羟基环己基苯基酮。
来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元相对于粘着性树脂(1-2a)的总质量的含有比例优选为50～99质量％、更优选为60～98质量％，进一步优选为70～97质量％。来自含羟基单体的单元相对于粘着性树脂(1-2a)的总质量的含有比例优选为0.5～15质量％，更优选为1.0～10质量％，进一步优选为2.0～10质量％。粘着性树脂(1-2a)中的(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基的碳原子数优选为1～12，更优选为1～4。粘着性树脂(1-2a)优选具有来自两种以上(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元，更优选具有来自(甲基)丙烯酸甲酯及(甲基)丙烯酸正丁酯的结构单元，进一步优选具有来自甲基丙烯酸甲酯及丙烯酸正丁酯的结构单元。作为粘着性树脂(1-2a)中的含羟基单体，能够使用在上述粘着性树脂(I-1a)中例示出的含羟基单体，特别优选使用丙烯酸2-羟基乙酯。作为具有异氰酸酯基及能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团化合物，能够使用在第一粘着剂组合物(I-2)中例示出的化合物，特别优选使用2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯。将来自所述含羟基单体的总羟基设为100mol时的、所述具有异氰酸酯基及能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团化合物的用量优选为20～80mol，更优选为25～75mol，进一步优选为30～70mol。
○填埋层
在本实施方案的端子保护用胶带中，填埋层为粘弹性层中的填埋带端子的半导体装置的端子并对其进行保护的层。
填埋层为片状或膜状，只要满足所述条件关系，其构成材料没有特别限定。
例如，当目的在于通过将存在于半导体表面的端子的形状反映在覆盖作为保护对象的带端子的半导体装置的端子形成面的粘弹性层上从而抑制粘弹性层变形时，从进一步提高填埋层的贴附性这点出发，作为所述填埋层的优选的构成材料，可列举出氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸类树脂等。
填埋层可以仅为一层(单层)，也可以为两层以上的多个层，当为多个层时，这些多个层可以彼此相同也可以彼此不同，这些多个层的组合没有特别的限定。
填埋层的厚度能够以使粘弹性层的厚度在上述优选的范围内方式而根据作为保护对象的带端子的半导体装置的端子形成面的端子的高度进行适当调节，但从易于消除高度相对较高的端子的影响这点出发，填埋层的厚度优选为50～600μm，更优选为70～550μm，进一步优选为80～500μm。通过使填埋层的厚度为所述下限值以上，则能够形成端子的保护性能更高的粘弹性层。此外，通过使填埋层的厚度为所述上限值以下，则生产率及卷状下的卷绕适应性得以增加。
此处，“填埋层的厚度”是指填埋层整体的厚度，例如由多个层构成的填埋层的厚度是指构成填埋层的所有层的合计厚度。
填埋层优选具有适合填埋端子的柔软的性质，优选比第一粘着剂层更柔软。
填埋层可以使用能量射线固化性的构成材料而形成，也可以使用非能量射线固化性的构成材料而形成。使用能量射线固化性的构成材料形成的填埋层因易于调节固化前及固化后的物性而优选。
当使用能量射线固化性构成材料形成填埋层时，固化前的填埋层的弹性模量优选为0.01～1.0MPa，更优选为0.02～0.9MPa，进一步优选为0.03～0.8MPa。若固化前的填埋层的弹性模量在所述范围内，则可得到半导体装置的保持性。
当使用能量射线固化性的构成材料形成填埋层时，固化后的填埋层的弹性模量优选为1.0～100MPa，更优选为2.0～95MPa，进一步优选为3.0～90MPa。若固化后的填埋层的弹性模量在所述范围内，则可得到半导体装置的保持性。
当填埋层为使用含有后述的丙烯酸类树脂的填埋层形成用组合物(I)而形成的填埋层(I)时，填埋层(I)的固化可以在上述第一及第二实施方案的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法中的任一工序中进行，但优选在埋设带端子的半导体装置(或半导体装置集合体)的端子的工序后且将形成了电磁波屏蔽膜的所述带端子的半导体装置从所述端子保护用胶带上剥离的工序前进行。
当填埋层为使用含有后述的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯的填埋层形成用组合物(II)而形成的填埋层(II)时，填埋层(II)的固化可以在上述第一及第二实施方案的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法中的任一工序中进行，但优选在埋设带端子的半导体装置(或半导体装置集合体)的端子的工序前进行。
(填埋层形成用组合物)
填埋层能够使用含有填埋层的构成材料的填埋层形成用组合物而形成。
例如，能够通过将填埋层形成用组合物涂布于填埋层的形成对象面上并根据需要将其干燥，并通过照射能量射线使其固化，从而在目标部位形成填埋层。此外，能够通过将填埋层形成用组合物涂布于剥离膜上，并根据需要将其干燥，并通过照射能量射线使其固化，从而能够形成目标厚度的填埋层，并能够将填埋层转印至目标部位。填埋层的更具体的形成方法将与其他层的形成方法一同在后续进行详细说明。填埋层形成用组合物中的、在常温下不汽化的成分之间的含量比率通常与填埋层的所述成分之间的含量比率相同。
填埋层形成用组合物的涂布使用公知的方法进行即可，例如可列举出使用气刀涂布机、刮板涂布机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机(screen coater)、迈耶棒涂布机、吻涂机(kiss coater)等各种涂布机的方法。
填埋层形成用组合物的干燥条件没有特别限定，当填埋层形成用组合物含有后述的溶剂时，优选进行加热干燥，此时，例如优选在70～130℃且10秒～5分钟的条件下进行干燥。
当填埋层形成用组合物具有能量射线固化性时，优选通过照射能量射线而使其固化。
作为填埋层形成用组合物，例如可列举出含有丙烯酸类树脂的填埋层形成用组合物(I)、含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯的填埋层形成用组合物(II)等。
{填埋层形成用组合物(I)}
填埋层形成用组合物(I)含有丙烯酸类树脂。
作为填埋层形成用组合物(I)，能够将上述第一粘着剂组合物(I-1)中的含有作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)和能量射线固化性化合物的组合物、第一粘着剂组合物(I-2)中的含有在作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)的侧链上导入了不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(I-2a)的组合物用作填埋层形成用组合物(I)。
填埋层形成用组合物(I)中所使用的粘着性树脂(I-1a)及能量射线固化性化合物与在上述第一粘着剂组合物(I-1)中所使用的粘着性树脂(I-1a)及能量射线固化性化合物的说明相同。
在填埋层形成用组合物(I)中所使用的粘着性树脂(I-2a)与在上述第一粘着剂组合物(I-2)中所使用的粘着性树脂(I-2a)的说明相同。
填埋层形成用组合物(I)优选进一步含有交联剂。填埋层形成用组合物(I)中所使用的交联剂与在上述第一粘着剂组合物(I-1)、第一粘着剂组合物(I-2)中所使用的交联剂的说明相同。
填埋层形成用组合物(I)可以进一步含有光聚合引发剂、其他添加剂。填埋层形成用组合物(I)中所使用的光聚合引发剂、其他添加剂与在上述第一粘着剂组合物(I-1)、第一粘着剂组合物(I-2)中所使用的光聚合引发剂、其他添加剂的说明相同。
填埋层形成用组合物(I)也可以含有溶剂。填埋层形成用组合物(I)中所使用的溶剂与在上述第一粘着剂组合物(I-1)、第一粘着剂组合物(I-2)中所使用的溶剂的说明相同。
能够通过调整填埋层形成用组合物(I)中的粘着性树脂(I-1a)和/或能量射线固化性化合物的分子量，而将填埋层设计成具有适合于填埋端子的柔软的性质。
此外，能够通过调整填埋层形成用组合物(I)中的交联剂的含量，而将填埋层设计成具有适合于填埋端子的柔软的性质。
{填埋层(I)的组成}
本实施方案中的填埋层的组成为从上述填埋层形成用组合物(I)中去除溶剂后的组成。
填埋层形成用组合物(I)为上述第一粘着剂组合物(I-1)中的含有作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)和能量射线固化性化合物的组合物时，填埋层(I)中的、作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)相对于填埋层(I)的总质量的含有比例优选为50～99质量％，更优选为55～95质量％，进一步优选为60～90质量％。作为本发明的另一方面，作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)相对于填埋层(I)的总质量的含有比例可以为45～90质量％，也可以为50～85质量％。此外，能量射线固化性化合物相对于填埋层(I)的总质量的含有比例优选为0.5～50质量％，进一步优选为5～45质量％。填埋层(I)含有交联剂时，交联剂相对于填埋层(I)的总质量的含有比例优选为0.1～10质量％，更优选为0.2～9质量％，进一步优选为0.3～8质量％。填埋层(I)含有光聚合引发剂时，光聚合引发剂相对于填埋层(I)的总质量的含有比例优选为0.5～18.0质量％，更优选为0.7～17.5质量％，进一步优选为1.0～17.0质量％。
填埋层形成用组合物(I)为含有在作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)的侧链上导入了不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(1-2a)的组合物时，填埋层(I)中的、在侧链上导入了不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(1-2a)相对于填埋层的总质量的含有比例优选为10～70质量％，更优选为15～65质量％，进一步优选为20～60质量％。填埋层(I)含有交联剂时，交联剂相对于填埋层(I)的总质量的含有比例优选为0.1～10质量％，更优选为0.2～9质量％，进一步优选为0.3～8质量％。填埋层(I)含有光聚合引发剂时，光聚合引发剂相对于填埋层(I)的总质量的含有比例优选为0.5～18.0质量％，更优选为0.7～17.5质量％，进一步优选为1.0～17.0质量％。本实施方案的填埋层(I)可以进一步含有作为所述丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)。此时，作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)相对于填埋层(I)的总质量的含有比例优选为20.0～60.0质量％，更优选为22.5～57.5质量％，进一步优选为25.0～55.0质量％。此外，当本实施方案的填埋层(I)进一步含有作为所述丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)时，相对于100质量份的所述粘着性树脂(1-2a)，所述粘着性树脂(1-1a)的含量优选为70.0～99.0质量份，更优选为72.5～97.5质量份，进一步优选为75.0～95.0质量份。
填埋层(I)中所含的作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)、能量射线固化性化合物、或在粘着性树脂(I-1a)的侧链上导入了不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(1-2a)的组成等可以与在上述第一粘着剂组合物(I-1)中所使用的作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)、能量射线固化性化合物、在粘着性树脂(I-1a)的侧链上导入了不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(1-2a)的说明相同。
在本实施方案中，优选为包含粘着性树脂(1-2a)、粘着性树脂(1-1a)、交联剂及光聚合引发剂的填埋层(I)。此时，粘着性树脂(1-1a)优选为具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元和来自含羧基单体的单元的丙烯酸类聚合物。此外，粘着性树脂(1-2a)优选为使具有异氰酸酯基及能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团化合物与具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元、来自含羟基单体的单元的丙烯酸类聚合物反应而得到的丙烯酸类聚合物。交联剂能够使用在上述第一粘着剂组合物(I-1)中例示出的化合物，特别优选使用甲苯-2,6-二异氰酸酯、1,3-双(N,N-二缩水甘油氨甲基)环己烷。交联剂能够使用在上述第一粘着剂组合物(I-1)中例示出的化合物，特别优选使用1-羟基环己基苯基酮。
来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元相对于粘着性树脂(1-1a)的总质量的含有比例优选为75～99质量％，更优选为80～98质量％，进一步优选为85～97质量％。含羧基单体的结构单元相对于粘着性树脂(1-1a)的总质量的含有比例优选为1.0～30质量％，更优选为2.0～25质量％，进一步优选为3.0～20质量％，特别优选为5.0～15质量％。粘着性树脂(1-1a)中的(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基的碳原子数优选为4～12，更优选为4～8。此外，在粘着性树脂(I-1a)中，优选为丙烯酸烷基酯。其中，所述(甲基)丙烯酸烷基酯特别优选为丙烯酸正丁酯。此外，作为粘着性树脂(I-1a)中的含羧基单体，可列举出烯属不饱和一元羧酸、烯属不饱和二元羧酸、烯属不饱和二元羧酸的酸酐等，其中，优选烯属不饱和一元羧酸，更优选(甲基)丙烯酸，特别优选丙烯酸。
本实施方案的粘着性树脂(1-1a)的重均分子量优选为100,000～800,000，更优选为150,000～700,000，进一步优选为200,000～600,000。
另外，在本说明书中，除另有说明外，“重均分子量”是指利用凝胶渗透色谱(GPC)法测定的聚苯乙烯换算值。
来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元相对于粘着性树脂(1-2a)的总质量的含有比例优选为1.0～95质量％，更优选为2.0～90质量％，进一步优选为3.0～85质量％。来自含羟基单体的单元相对于粘着性树脂(1-2a)的总质量的含有比例优选为1.0～50质量％，更优选为2.0～45质量％，进一步优选为3.0～40质量％。粘着性树脂(1-2a)中的(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基的碳原子数优选为1～12，更优选为1～4。粘着性树脂(1-2a)优选具有来自两种以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元，更优选具有来自(甲基)丙烯酸甲酯及(甲基)丙烯酸正丁酯的结构单元，进一步优选具有来自甲基丙烯酸甲酯及丙烯酸正丁酯的结构单元。作为粘着性树脂(1-2a)中的含羟基单体，可使用后述的第一粘着剂组合物(I-1)中例示出的含羟基单体，特别优选使用丙烯酸2-羟基乙酯。作为具有异氰酸酯基及能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团化合物，可使用后述的第一粘着剂组合物(I-2)中例示出的化合物，特别优选使用2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯。将来自所述含羟基单体的总羟基设为100mol时，所述具有异氰酸酯基及能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团化合物的用量优选为20～200mol，更优选为30～190mol，进一步优选为30～180mol。
本实施方案的粘着性树脂(1-2a)的重均分子量优选为50,000～1,000,000，更优选为60,000～900,000，进一步优选为70,000～800,000。
{填埋层形成用组合物(II)}
填埋层形成用组合物(II)含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。
(氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯)
氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯为在1分子中至少具有(甲基)丙烯酰基及氨基甲酸酯键的化合物，其具有能量射线聚合性。
氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯可以为单官能度的化合物(1分子中仅具有一个(甲基)丙烯酰基的化合物)，也可以为二官能度以上的化合物(1分子中具有两个以上(甲基)丙烯酰基的化合物)，即可以为多官能度的化合物，但优选至少使用单官能度的化合物。
另外，在上述粘着性树脂(1-2a)、能量射线固化性化合物、能量射线固化性低分子化合物中，1分子中至少具有(甲基)丙烯酰基及氨基甲酸酯键的化合物或树脂不属于填埋层形成用组合物(II)中的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。
作为填埋层形成用组合物所含有的所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出使具有羟基及(甲基)丙烯酰基的(甲基)丙烯酸类化合物与末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物反应而得到的化合物，所述末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物通过使多元醇化合物与多元异氰酸酯化合物反应而得到。此处，“末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物”是指具有氨基甲酸酯键的同时在其分子末端部具有异氰酸酯基的预聚物。
填埋层形成用组合物(II)所含有的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
(A)多元醇化合物
所述多元醇化合物只要是在1分子中具有两个以上羟基的化合物则没有特别限定。
所述多元醇化合物可以单独使用一种，也可以同时使用两种以上，在同时使用两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
作为所述多元醇化合物，例如可列举出亚烷基二醇、聚醚型多元醇、聚酯型多元醇、聚碳酸酯型多元醇等。
所述多元醇化合物可以为2官能度的二醇、3官能度的三醇、4官能度以上的多元醇等中的任一种，对于易于获得且通用性及反应性等优异这一点而言，优选二醇。
·聚醚型多元醇
所述聚醚型多元醇没有特别限定，但优选聚醚型二醇，作为所述聚醚型二醇，例如可列举出下述式(1)所表示的化合物。
[化学式1]
Figure BDA0003513542470000341
其中，在上述(1)式中，n为2以上的整数；R为2价的烃基，多个R可以彼此相同、也可以彼此不同。
在上述(1)式中，n表示式“-R-O-”所表示的基团的重复单元数，n只要为2以上的整数则没有特别限定。其中，n优选为10～250，更优选为25～205，特别优选为40～185。
在上述(1)式中，R只要为2价的烃基则没有特别限定，优选亚烷基，更优选碳原子数为1～6的亚烷基，进一步优选亚乙基、亚丙基或四亚甲基，特别优选亚丙基或四亚甲基。
上述(1)式所表示的化合物优选为聚乙二醇、聚丙二醇或聚四亚甲基醚二醇，更优选为聚丙二醇或聚四亚甲基醚二醇。
通过使所述聚醚型二醇与所述多元异氰酸酯化合物反应，可得到作为所述末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物的具有下述式(1a)所表示的醚键部的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物。并且，通过使用该末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物，所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯形成为具有所述醚键部的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯，即形成为具有衍生自所述聚醚型二醇的结构单元的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。
[化学式2]
Figure BDA0003513542470000351
其中，在上述(1a)式中，R及n与上述R及n相同。
·聚酯型多元醇
所述聚酯型多元醇没有特别限定，例如可列举出通过使用多元酸或其衍生物进行酯化反应而得到的聚酯型多元醇等。另外，除另有说明外，在本实施方案中“衍生物”是指原本的化合物的一个以上的基团被其以外的基团(取代基)取代而成的化合物。其中，“基团”不仅包括多个原子键合而成的原子团，还包括一个原子。
作为所述多元酸及其衍生物，可列举出作为聚酯的制造原料而通常使用的多元酸及其衍生物。
作为所述多元酸，例如可列举出饱和脂肪族多元酸、不饱和脂肪族多元酸、芳香族多元酸等，也可以使用属于这些中任一种的二聚酸。
作为所述饱和脂肪族多元酸，例如可列举出草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸等饱和脂肪族二元酸等。
作为所述不饱和脂肪族多元酸，例如可列举出马来酸、富马酸等不饱和脂肪族二元酸等。
作为所述芳香族多元酸，例如可列举出邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、2,6-萘二甲酸等芳香族二元酸；1,2,4-苯三甲酸等芳香族三元酸；均苯四甲酸等芳香族四元酸等。
作为所述多元酸的衍生物，例如可列举出上述饱和脂肪族多元酸、不饱和脂肪族多元酸及芳香族多元酸的酸酐以及氢化二聚酸等。
所述多元酸或其衍生物均可以单独使用一种，也可以同时使用两种以上，当同时使用两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
从适宜形成具有适当硬度的填埋层这点出发，所述多元酸优选芳香族多元酸。
在用于得到聚酯型多元醇的酯化反应中，也可以根据需要使用公知的催化剂。
作为所述催化剂，例如可列举出二丁基氧化锡、辛酸亚锡等锡化合物；钛酸四丁酯、钛酸四丙酯等烷氧基钛等。
·聚碳酸酯型多元醇
聚碳酸酯型多元醇没有特别限定，例如可列举出使与上述(1)式所表示的化合物相同的二醇与碳酸亚烷基酯反应而得到的多元醇等。
其中，二醇及碳酸亚烷基酯的均可单独使用一种，也可以同时使用两种以上，当同时使用两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
由所述多元醇化合物的羟值计算出的数均分子量优选为1000～10000，更优选为2000～9000，特别优选为3000～7000。通过使所述数均分子量为1000以上，可抑制过量生成氨基甲酸酯键，并且更易于控制填埋层的粘弹性特性。此外，通过使所述数均分子量为10000以下，可抑制填埋层的过度软化。
由多元醇化合物的羟值计算出的所述数均分子量是指由下述式计算出的值。
[多元醇化合物的数均分子量]＝[多元醇化合物的官能团数]×56.11×1000/[多元醇化合物的羟值(单位：mgKOH/g)]
所述多元醇化合物优选为聚醚型多元醇，更优选为聚醚型二醇。
(B)多元异氰酸酯化合物
与多元醇化合物反应的所述多元异氰酸酯化合物只要具有两个以上异氰酸酯基，则没有特别限定。
多元异氰酸酯化合物可以单独使用一种，也可以同时使用两种以上，当同时使用两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
作为所述多元异氰酸酯化合物，例如可列举出四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯等链状脂肪族二异氰酸酯；异佛尔酮二异氰酸酯、降冰片烷二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、ω,ω’-二异氰酸酯二甲基环己烷等环状脂肪族二异氰酸酯；4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、二甲基联苯二异氰酸酯、四亚甲基苯二亚甲基二异氰酸酯、萘-1,5-二异氰酸酯等芳香族二异氰酸酯等。
其中，从操作性这点出发，多元异氰酸酯化合物优选异佛尔酮二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯或苯二亚甲基二异氰酸酯。
(C)(甲基)丙烯酸类化合物
与所述末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物反应的所述(甲基)丙烯酸类化合物只要是在1分子中至少具有羟基及(甲基)丙烯酰基的化合物，则没有特别限定。
所述(甲基)丙烯酸类化合物可以单独使用一种，也可以同时使用两种以上，当同时使用两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
作为所述(甲基)丙烯酸类化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基环己酯、(甲基)丙烯酸5-羟基环辛酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-苯氧基丙酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯等含羟基(甲基)丙烯酸酯；N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺等含羟基(甲基)丙烯酰胺；使(甲基)丙烯酸与乙烯醇、乙烯基苯酚或双酚A二缩水甘油醚反应而得到的反应产物等。
其中，所述(甲基)丙烯酸类化合物优选为含羟基(甲基)丙烯酸酯，更优选为含羟基(甲基)丙烯酸烷基酯，特别优选为(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯。
所述末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物与所述(甲基)丙烯酸类化合物之间的反应可以根据需要而使用溶剂、催化剂等。
使所述末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物与所述(甲基)丙烯酸类化合物反应时的条件适当调节即可，例如反应温度优选为60～100℃，反应时间优选为1～4小时。
所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯可以为低聚物、聚合物以及低聚物与聚合物的混合物中的任一种，优选为低聚物。
例如，所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯的重均分子量优选为1000～100000，更优选为3000～80000，特别优选为5000～65000。通过使所述重均分子量为1000以上，则在氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯与后述的聚合性单体之间的聚合物中，因来自氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯的结构之间的分子力而容易使填埋层的硬度达到最优化。
(聚合性单体)
从进一步提高成膜性这点出发，除了所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯以外，填埋层形成用组合物(II)还可以含有聚合性单体。
所述聚合性单体为具有能量射线聚合性、重均分子量小于1000且在1分子中至少具有1个(甲基)丙烯酰基的化合物。
作为所述聚合性单体，例如可列举出构成烷基酯的烷基的碳原子数为1～30的链状的(甲基)丙烯酸烷基酯；具有羟基、酰胺基、氨基或环氧基等官能团的含官能团(甲基)丙烯酸类化合物；具有脂肪族环式基团的(甲基)丙烯酸酯；具有芳香族烃基的(甲基)丙烯酸酯；具有杂环式基团的(甲基)丙烯酸酯；具有乙烯基的化合物；具有烯丙基的化合物等。
作为具有碳原子数为1～30的链状烷基的所述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯基、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酸酯)、(甲基)丙烯酸异十八烷基酯((甲基)丙烯酸异硬脂酸酯)、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
作为所述含官能团(甲基)丙烯酸衍生物，例如可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等含羟基(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯酰胺等(甲基)丙烯酰胺及其衍生物；具有氨基的(甲基)丙烯酸酯(以下有时称作“含氨基的(甲基)丙烯酸酯”)；具有氨基中的1个氢原子被氢原子以外的基团取代而成的1取代氨基的(甲基)丙烯酸酯(以下有时称作“含1取代氨基的(甲基)丙烯酸酯”)；具有氨基中的两个氢原子被氢原子以外的基团取代而成的2取代氨基的(甲基)丙烯酸酯(以下有时称作“含2取代氨基的(甲基)丙烯酸酯”)；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯等具有环氧基的(甲基)丙烯酸酯(以下有时称作“含环氧基的(甲基)丙烯酸酯”)等，优选(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯，更优选丙烯酸2-羟基丙酯。
其中，“含氨基的(甲基)丙烯酸酯”是指(甲基)丙烯酸酯的1个或两个以上的氢原子被氨基(-NH2)取代而成的化合物。同样地，“含1取代氨基的(甲基)丙烯酸酯”是指(甲基)丙烯酸酯的1个或两个以上的氢原子被1取代氨基取代而成的化合物，“含2取代氨基的(甲基)丙烯酸酯”是指(甲基)丙烯酸酯的1个或两个以上的氢原子被2取代氨基取代而成的化合物。
作为“1取代氨基”及“2取代氨基”中的、取代了氢原子的除氢原子以外的基团(即，取代基)，例如可列举出烷基等。
作为所述具有脂肪族环式基团的(甲基)丙烯酸酯，例如可例举出(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸金刚烷酯等，优选(甲基)丙烯酸异冰片酯，更优选丙烯酸异冰片酯。
作为所述具有芳香族烃基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸苯基羟基丙酯、甲基丙烯酸苄基酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-苯氧基丙酯等。
所述具有杂环式基团的(甲基)丙烯酸酯中的杂环式基团为芳香族杂环式基团或脂肪族杂环式基团中的任一种均可。
作为所述具有杂环式基团的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸四氢糠酯、(甲基)丙烯酰吗啉等。
作为所述具有乙烯基的化合物，例如可列举出苯乙烯、羟基乙基乙烯基醚、羟基丁基乙烯基醚、N-乙烯基甲酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己内酰胺等。
作为所述具有烯丙基的化合物，例如可列举出烯丙基缩水甘油醚等。
从与所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯的相容性良好这点出发，所述聚合性单体优选具有体积相对较大的基团的化合物，作为这样的化合物可列举出具有脂肪族环式基团的(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族烃基的(甲基)丙烯酸酯、具有杂环式基团的(甲基)丙烯酸酯，更优选具有脂肪族环式基团的(甲基)丙烯酸酯。
填埋层形成用组合物(II)所含有的聚合性单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在填埋层形成用组合物(II)中，聚合性单体的含量优选为10～99质量％，更优选为15～95质量％，进一步优选为20～90质量％，特别优选为25～80质量％。
(光聚合引发剂)
除了所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯及聚合性单体以外，填埋层形成用组合物(II)还可以含有光聚合引发剂。含有光聚合引发剂的填埋层形成用组合物(II)即使在照射紫外线等较低能量的能量射线时也能够充分进行固化反应。
作为填埋层形成用组合物(II)中的光聚合引发剂，可列举出与第一粘着剂组合物(I-1)中的光聚合引发剂相同的光聚合引发剂。
填埋层形成用组合物(II)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在填埋层形成用组合物(II)中，相对于所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯及聚合性单体的总含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
(氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯以外的树脂成分)
在不损害本发明的效果的范围内，填埋层形成用组合物(II)也可以含有除所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯以外的树脂成分。
所述树脂成分的种类与其在填埋层形成用组合物(II)中的含量根据目的进行适当选择即可，没有特别限定。
(其他添加剂)
在不损害本发明的效果的范围内，填埋层形成用组合物(II)还可以含有不属于上述任一种成分的其他添加剂。
作为所述其他添加剂，例如可列举出交联剂、抗静电剂、抗氧化剂、链转移剂、软化剂(增塑剂)、填充剂、防锈剂、着色剂(颜料、染料)等公知的添加剂。
例如，作为所述链转移剂可列举出在1分子中至少具有1个硫醇基(巯基)的硫醇化合物。
作为所述硫醇化合物，例如可列举出壬硫醇、1-十二硫醇、1,2-乙二硫醇、1,3-丙二硫醇、三嗪硫醇、三嗪二硫醇、三嗪三硫醇、1,2,3-丙三硫醇、四乙二醇-双(3-巯基丙酸酯)、三羟甲基丙烷三(3-巯基丙酸酯)、季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)、季戊四醇四巯基乙酸酯、二季戊四醇六(3-巯基丙酸酯)、三[(3-巯基丙酰氧基)-乙基]异氰脲酸酯、1,4-双(3-巯基丁酰氧基)丁烷、四(3-巯基丁酸)季戊四醇酯、1,3,5-三(3-巯基丁酰氧基乙基)-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮等，优选四(3-巯基丁酸)季戊四醇酯。
填埋层形成用组合物(II)所含有的其他添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
在填埋层形成用组合物(II)中，其他添加剂的含量没有特别限定，根据其种类适当选择即可。
(溶剂)
填埋层形成用组合物(II)可以含有溶剂。通过使填埋层形成用组合物(II)含有溶剂，其对涂布对象面的涂布适应性得以提高。
{填埋层(II)的组成}
本实施方案中的填埋层(II)的组成为从上述填埋层形成用组合物(II)中去除溶剂后的组成。
相对于填埋层(II)的总质量，氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯的含有比例优选为20.0～60.0质量％，更优选为22.5～57.5质量％，进一步优选为25.0～55.0质量％。
填埋层(II)包含聚合性单体时，相对于填埋层(II)的总质量，聚合性单体的含有比例优选为40.0～80.0质量％，更优选为42.5～77.5质量％，进一步优选为45.0～75.0质量％。作为聚合性单体优选包含丙烯酸异冰片酯及丙烯酸2-羟基丙酯中的任一种或两种。
填埋层(II)包含交联剂时，相对填埋层(II)的总质量，交联剂的含有比例优选为0.1～5.0质量％，更优选为0.2～4.5质量％，进一步优选为0.3～4.0质量％。
填埋层(II)包含光聚合引发剂时，相对于填埋层(II)的总质量，光聚合引发剂的含有比例优选为0.1～10.0质量％，更优选为0.2～9.0质量％，进一步优选为0.3～8.0质量％。作为光聚合引发剂，优选包含2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮。
填埋层(II)包含硫醇化合物时，相对于填埋层(II)的总质量，硫醇化合物的含有比例优选为0.5～10.0质量％，更优选为0.6～9.0质量％，进一步优选为0.7～8.0质量％。作为硫醇化合物，优选包含四(3-巯基丁酸)季戊四醇酯。
＜＜填埋层形成用组合物的制备方法＞＞
填埋层形成用组合物(I)、(II)等填埋层形成用组合物可通过掺合用于构成这些组合物的各成分而得到。
掺合各成分时的添加顺序没有特别限定，可同时添加两种以上的成分。
使用溶剂时，可通过将溶剂与除溶剂以外的任意掺合成分混合而预先稀释该掺合成分从而进行使用，也可以不预先稀释除溶剂以外的任意掺合成分，而是通过将溶剂与这些掺合成分混合而进行使用。
掺合时混合各成分的方法没有特别限定，从下述公知的方法中适当选择即可：使搅拌子或搅拌叶片等旋转而进行混合的方法；使用混合器而进行混合的方法；施加超声波而进行混合的方法等。
只要各掺合成分不劣化，则添加及混合各成分时的温度以及时间没有特别限定，适当调节即可，但温度优选为15～30℃。
◎基材
基材为片状或膜状，作为基材的构成材料，例如可列举出各种树脂。
作为所述树脂，例如可列举出低密度聚乙烯(也称为LDPE。)、线性低密度聚乙烯(也称作LLDPE。)、高密度聚乙烯(也称作HDPE。)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降冰片烯树脂等除聚乙烯以外的聚烯烃；乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(也称作EVA。)、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降冰片烯共聚物等乙烯类共聚物(即，使用乙烯作为单体而得到的共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯类树脂(即，使用氯乙烯作为单体而得到的树脂)；聚苯乙烯；聚环烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯(也称作PET。)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚间苯二甲酸乙二醇酯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、所有结构单元均具有芳香族环式基团的全芳香族聚酯等聚酯；两种以上所述聚酯的共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚氨酯；聚氨酯丙烯酸酯；聚酰亚胺；聚酰胺；聚碳酸酯；氟树脂；聚缩醛；改性聚苯醚；聚苯硫醚；聚砜；聚醚酮等。
此外，作为所述树脂，例如还可列举出所述聚酯与除其以外的树脂的混合物等聚合物合金(polymer alloy)。对于所述聚酯与除其以外的树脂的聚合物合金，优选除聚酯以外的树脂的量为较少量。
此外，作为所述树脂，例如还可列举出上文中例示的所述树脂中的一种或两种以上交联而成的交联树脂；使用了上文中例示的所述树脂中的一种或两种以上的离聚物等改性树脂。
构成基材的树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可以任意选择。
基材可以仅为一层(单层)，也可以为两层以上的多个层，当为多个层时，这些多个层可以彼此相同也可以彼此不同，这些多个层的组合没有特别限定。
基材的厚度优选为5～1000μm，更优选为10～500μm，进一步优选为15～300μm，特别优选为20～150μm。
其中，“基材的厚度”是指基材整体的厚度，例如，由多个层构成的基材的厚度是指构成基材的所有层的合计厚度。
基材优选厚度的精度高的基材，即可抑制任何部位的厚度的偏差的基材。在上述构成材料中，作为可用于构成该厚度的精度高的基材的材料，例如可列举出聚乙烯、除聚乙烯以外的聚烯烃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)等。
除了所述树脂等主要构成材料以外，基材还可以含有充填材料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、有机润滑剂、催化剂、软化剂(增塑剂)等公知的各种添加剂。
基材的杨氏模量优选为100～2000MPa，更优选为150～1500MPa，进一步优选为200～1000MPa。若基材的杨氏模量为所述范围的下限值以上，则能够在形成电磁波屏蔽膜时确保尺寸稳定性。若基材的杨氏模量为所述范围的上限值以下，则可提高端子保护用胶带的拉伸性。
基材的杨氏模量能够利用后述的实施例中所记载的方法进行测定。
基材的断裂伸长率优选为50～2000％，更优选为70～1600％，进一步优选为90～1200％。若基材的断裂伸长率在所述范围内，则易于通过后述<端子保护用胶带的拉伸方法1>中所记载的使用把持部件等抓住端子保护用胶带的外周部并进行牵拉的方法(双向拉伸)和<端子保护用胶带的拉伸方法2>中所记载的使用环形框架的方法而进行拉伸。
基材的断裂伸长率能够利用后述的实施例中所记载的方法进行测定。
基材的断裂应力优选为10～300MPa，更优选为20～250MPa，进一步优选为30～200MPa。若基材的断裂应力在所述范围内，则能够通过后述<端子保护用胶带的拉伸方法1>中所记载的使用把持部件等抓住端子保护用胶带的外周部并进行牵拉的方法(双向拉伸)和<端子保护用胶带的拉伸方法2>中所记载的使用环形框架的方法而进行拉伸。
基材的断裂应力能够利用后述的实施例中所记载的方法进行测定。
基材可以为透明，也可以为不透明，还可以根据目的进行着色，还可以蒸镀其他层。
所述粘弹性层为能量射线固化性时，基材优选可透射能量射线。
基材能够利用公知的方法进行制造。例如，含有树脂的基材能够通过使含有所述树脂的树脂组合物成型而制造。
◎剥离膜
所述剥离膜可以是本领域公知的剥离膜。
作为优选的所述剥离膜，例如可例举出利用有机硅处理等对聚对苯二甲酸乙二醇酯等树脂制膜的至少一个表面进行了剥离处理的剥离膜；膜的至少一个表面为由聚烯烃构成的剥离面的剥离膜等。
剥离膜的厚度优选与基材的厚度相同。
◎第二粘着剂层
第二粘着剂层(即，贴合粘着剂层)为用于将本实施方案的端子保护用胶带贴合于支撑体的粘着剂层。
所述第二粘着剂层可以为本领域公知的粘着剂层，可根据支撑体从上述第一粘着剂层说明的粘着剂层中适当选择。
用于形成第二粘着剂层的第二粘着剂组合物与所述第一粘着剂组合物相同，第二粘着剂组合物的制备方法也与所述第一粘着剂组合物的制备方法相同。
◇端子保护用胶带的制造方法
所述端子保护用胶带能够通过依次层叠上述各层且形成对应的位置关系而制造。各层的形成方法如上述说明所示。
例如，将上述填埋层形成用组合物涂布于剥离膜的剥离处理面上，并根据需要将其干燥，从而层叠填埋层。将上述的第一粘着剂组合物涂布于另一剥离膜的剥离处理面上，并根据需要进行将其干燥，从而层叠第一粘着剂层。通过将剥离膜上的填埋层与另一剥离膜上的第一粘着剂层贴合，从而得到依次层叠了剥离膜、填埋层、第一粘着剂层及剥离膜的端子保护用胶带。剥离膜在使用端子保护用胶带时去除即可。
此外，能够以如下所示的方法制造将填埋层及第一粘着剂层依次沿它们的厚度方向层叠于基材上的端子保护用胶带。
例如，通过剥离上述的依次层叠了剥离膜、填埋层、第一粘着剂层及剥离膜的端子保护用胶带的填埋层一侧的剥离膜，并将其与基材贴合，从而能够得到在基材上依次层叠了填埋层、第一粘着剂层及剥离膜的端子保护用胶带。剥离膜在使用端子保护用胶带时去除即可。
<带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法1>
本发明的一个实施方案的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法包括：将带端子的半导体装置的端子埋设于具有粘弹性层的端子保护用胶带的所述粘弹性层的工序；在未埋设于所述端子保护用胶带的粘弹性层的所述带端子的半导体装置的露出面上形成电磁波屏蔽膜的工序；及拉伸所述端子保护用胶带，从而将形成了电磁波屏蔽膜的所述带端子的半导体装置从所述端子保护用胶带上剥离的工序。以下，参照图5对本实施方案的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法进行说明。
图5为示意性地示出本实施方案的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法的剖面图，在该带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法中，将依次具有粘着剂层14、填埋层13及基材11的端子保护用胶带3以图4所示的方式固定于支撑体30。
首先，如图5的(a)及(b)所示，以端子91一侧即电路基板63的端子形成面63a朝下的方式将带端子的半导体装置65按压在端子保护用胶带的粘弹性层12上，从而将端子91埋设于粘弹性层12。
此时，使带端子的半导体装置65的端子91与粘弹性层12接触，并将带端子的半导体装置65按压在端子保护用胶带上。由此，将粘弹性层12的粘着剂层14一侧的最外面与端子91的表面及电路基板63的端子形成面63a依次压接。此时，通过加热粘弹性层12而使粘弹性层12软化，从而以覆盖端子91的方式在端子91间延展，在与端子形成面63a密合的同时覆盖端子91的表面、特别是覆盖端子形成面63a附近部位的表面，从而埋设端子91。
作为将带端子的半导体装置65压接于端子保护用胶带的方法，可适当采用将各种片压接到对象物上并进行贴附的公知的方法，例如可列举出使用层压辊或真空层压机的方法。
将带端子的半导体装置65压接于端子保护用胶带时的压力没有特别限定，优选为0.1～1.5MPa，更优选为0.3～1.3MPa。加热温度优选为30～70℃，更优选为35～65℃，特别优选为40～60℃。此外，优选将粘弹性层12的第一粘着剂层14贴合于端子形成面63a。
在将带端子的半导体装置的端子埋设于端子保护用胶带的粘弹性层12的工序中，填埋层13的弹性模量优选为0.05～20MPa，更优选为0.07～18MPa，进一步优选为0.09～16MPa。若弹性模量在所述范围内，则易于将带端子的半导体装置埋设于端子保护用胶带。
将导电性树脂101涂布在未埋设于端子保护用胶带的粘弹性层12的带端子的半导体装置65的露出面(图5的(c))上，进一步将其热固化，由此形成由导电材料构成的电磁波屏蔽膜10(图5的(d))。作为以导电材料包覆而形成电磁波屏蔽膜10的方法，能够使用溅射、离子镀、喷涂等方法。
在埋设带端子的半导体装置65的工序后且在形成电磁波屏蔽膜的工序前的、所述端子保护用胶带3相对于带端子的半导体装置65的粘着力优选为1.0～6.5N/25mm，更优选为1.1～6.0N/25mm，进一步优选为1.2～5.5N/25mm。
若粘着力在所述范围内，则将形成了电磁波屏蔽膜的带端子的半导体装置从端子保护用胶带上剥离的工序中的剥离性增强。所述粘着力的测定方法在实施例中进行详细说明。
通过拉伸端子保护用胶带3，减少形成了电磁波屏蔽膜的带端子的半导体装置与粘弹性层12之间的粘合面积，从而将形成了电磁波屏蔽膜的带端子的半导体装置从端子保护用胶带3上剥离(图5的(e))。剥离时，优选用顶针(pin)等从端子保护用胶带3的基材11一侧向上方顶起所埋设的端子从而进行捡取(picking)。
捡取时的顶起高度u1优选高于端子91的高度h1，优选为2.0≤u1/h1≤10。
另外，在本说明书中，“端子的高度”是指端子的处于最高位置的部位距端子形成面的高度。
拉伸上述端子保护用胶带时的拉伸量优选为1.0mm以上，更优选为2.0mm以上，进一步优选为3.0mm以上。若拉伸量为所述下限值以上，则可充分减小形成了电磁波屏蔽膜的带端子的半导体装置与粘弹性层12之间的粘合面积，从而易于将形成了电磁波屏蔽膜的带端子的半导体装置从端子保护用胶带3上剥离。只要能表现出本发明的效果则拉伸量的上限值没有特别限定，例如可以为20.0mm以下。拉伸量例如优选为1.0mm以上且19.0mm以下，更优选为2.0mm以上且18.0mm以下，进一步优选为3.0mm以上且17.0mm以下。
在本说明书中，“拉伸量”是指“拉伸后的拉伸方向上的端子保护用胶带的长度”－“拉伸前的拉伸方向上的端子保护用胶带的长度”。从多个方向拉伸端子保护用胶带时，可采用拉伸量最大的方向上的拉伸量。
由此，通过从具有粘弹性层12的端子保护用胶带3上拾取带电磁波屏蔽膜的半导体装置66，能够取出以电磁波屏蔽膜10包覆的带端子的半导体装置65(图5的(f))。
当填埋层13及粘着剂层14中的任一个或两个为能量射线固化性时，优选在将带端子的半导体装置的端子埋设于端子保护用胶带的粘弹性层12工序前、或者将带端子的半导体装置的端子埋设于端子保护用胶带的粘弹性层12的工序后且在未埋设于端子保护用胶带的粘弹性层12的带端子的半导体装置的露出面上形成电磁波屏蔽膜的工序前，进行固化。
在图5所示的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法中，作为屏蔽电磁波的对象的带端子的半导体装置65，也可以是分别制造的带端子的半导体装置65，也可以是通过切割法而单颗化的带端子的半导体装置65。
虽然在图5所示的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法中，示出了使用端子保护用胶带3对以密封树脂64密封了单颗化的单个电子部件61、62的带端子的半导体装置65进行了电磁波屏蔽的方法，但也能够以以下方式使用端子保护用胶带2以单颗化前的带端子的半导体装置集合体6的方式对带端子的半导体装置65进行电磁波屏蔽。
<带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法2>
本发明的另一个实施方案的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法包括：将带端子的半导体装置集合体的端子埋设于具有粘弹性层的端子保护用胶带的所述粘弹性层的工序；切割所述带端子的半导体装置集合体，将所述带端子的半导体装置集合体制成端子埋设于所述端子保护用胶带的粘弹性层的带端子的半导体装置的工序；在未埋设于所述端子保护用胶带的粘弹性层的所述带端子的半导体装置的露出面上形成电磁波屏蔽膜的工序；及拉伸所述端子保护用胶带，从而将形成了电磁波屏蔽膜的所述带端子的半导体装置从所述端子保护用胶带上剥离的工序。以下，参照图6对本实施方案的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法进行说明。
图6为示意性地示出本实施方案的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法的剖面图，在该带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法中，将依次具有粘着剂层14、填埋层13及基材11的端子保护用胶带3以图4所示的方式固定于支撑体30。
首先，如图6的(a)及(b)所示，以端子91一侧即电路基板63的端子形成面63a朝下的方式将通过电路基板63连接的带端子的半导体装置集合体6按压在端子保护用胶带的粘弹性层12上，与所述图5的(a)及(b)同样地将端子91埋设于粘弹性层12。
此时，一边从上侧对带端子的半导体装置集合体6施加压力，一边与所述图5的(a)及(b)同样地将端子91埋设于端子保护用胶带的粘弹性层12。
此外，通过一边加热粘弹性层12一边进行贴合，能够使粘弹性层12软化从而能够使粘弹性层12与电路基板63的端子形成面63a密合。将带端子的半导体装置集合体6压接于端子保护用胶带时的压力没有特别限定，优选为0.1～1.5MPa，更优选为0.3～1.3MPa。加热温度优选为30～70℃，更优选为35～65℃，特别优选为40～60℃。此外，优选将粘弹性层12的第一粘着剂层14贴合于端子形成面63a。
接着，切割带端子的半导体装置集合体6，从而制成带端子的半导体装置65(图6的(c))。用于形成电磁波屏蔽膜的工序中的本发明的端子保护用胶带可兼作带端子的半导体装置集合体6的切割胶带。并且，在图5所示的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法中，作为屏蔽电磁波的对象的带端子的半导体装置65为通过切割法而单颗化的带端子的半导体装置65时，需要进行拾取切割胶带上的带端子的半导体装置并更换粘贴于端子保护用胶带的操作(图5的(a))，但在图6所示的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法中，能够省略将切割胶带上的带端子的半导体装置65更换粘贴于端子保护用胶带的操作。
在未埋设于端子保护用胶带的粘弹性层12的带端子的半导体装置65的露出面上涂布导电性树脂101(图6的(d))。此时，当在带端子的半导体装置集合体6的各带端子的半导体装置65的边界部分导电性树脂101未充分分离时，也可以使用扩展装置等拉伸端子保护用胶带。也能够在单颗化的带端子的半导体装置65的各自的侧面上涂布了导电性树脂101的状态下，将各个带端子的半导体装置65单颗化。进一步，对涂布于单颗化的带端子的半导体装置65的顶面及侧面的导电性树脂101进行加热使其固化，从而在未埋设于端子保护用胶带的粘弹性层12的带端子的半导体装置65的露出面上形成由导电材料构成的电磁波屏蔽膜10(图6的(e))。也可以直接对带端子的半导体装置65(图6的(c))溅射导电材料而形成电磁波屏蔽膜10(图6的(e))。
通过拉伸端子保护用胶带3，可减少形成了电磁波屏蔽膜的带端子的半导体装置与粘弹性层12之间的粘合面积，从而将形成了电磁波屏蔽膜的带端子的半导体装置从端子保护用胶带3上剥离(图6的(f))。剥离时，优选用顶针从端子保护用胶带3的基材11一侧向上方顶起从而进行捡取。
通过从具有粘弹性层12的端子保护用胶带上拾取带电磁波屏蔽膜的半导体装置66，能够取出以电磁波屏蔽膜10包覆的带端子的半导体装置65(图6的(g))。
填埋层13及粘着剂层14中的任一个或两个为能量射线固化性时，优选在将带端子的半导体集合体的端子埋设于端子保护用胶带的粘弹性层12的工序前、或者在将带端子的半导体装置集合体的端子埋设于端子保护用胶带的粘弹性层12的工序后且进行切割前，进行固化。
对于在上述带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法1及带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法2的工序中的、拉伸端子保护用胶带3的工序(图5的(e)、图6的(f))中的端子保护用胶带3的拉伸方法没有特别限定，例如可列举出以下的两种方法。
<端子保护用胶带的拉伸方法1>
本实施方案的端子保护用胶带的拉伸方法为使用把持部件等抓住端子保护用胶带的外周部并进行牵拉的方法。
在本实施方案中，优选端子保护用胶带至少通过双向拉伸而进行拉伸。
此时，对端子保护用胶带的例如相互垂直的X轴及Y轴上的+X轴方向、-X轴方向、+Y轴方向、-Y轴方向这四个方向施加张力而进行牵拉。
该双向拉伸，能够使用例如对X轴方向及Y轴方向施加张力的分离装置而进行。其中，将X轴及Y轴设为相互垂直，将平行于X轴方向中的一个方向设为+X轴方向，将与所述+X轴方向相反的方向设为-X轴方向；将平行于Y轴方向中的一个方向设为+Y轴方向，将与所述+Y轴方向相反的方向设为-Y轴方向。
上述分离装置在+X轴方向、-X轴方向、+Y轴方向、-Y轴方向这四个方向对端子保护用胶带施加张力，优选针对该四个方向的各自方向而具备多个保持装置和与保持装置相对应的多个张力施加装置。各个方向上的保持装置及张力施加装置的数量取决于端子保护用胶带的大小，但例如可以为3个以上、10个以下。
<端子保护用胶带的拉伸方法2>
本实施方案的端子保护用胶带的拉伸方法为，利用固定夹具将端子保护用胶带的外周部固定，并推动扩展器，从而牵拉端子保护用胶带的方法。
参照图7，对本实施方案的端子保护用胶带的拉伸方法的实例进行说明。在本实施方案中，将粘弹性层12经由第三粘着剂层16而粘贴于环形框架17。
所述第三粘着剂层为本领域公知的粘着剂层即可，能够根据环形框架17的材质而从上述第一粘着剂层、第二粘着剂层中说明的粘着剂层中适当选择。
用于形成第三粘着剂层的第三粘着剂组合物与所述第一粘着剂组合物、第二粘着剂组合物相同，第三粘着剂组合物的制备方法也与所述第一粘着剂组合物的制备方法、第二粘着剂组合物的制备方法相同。
由此，从基材11侧推动圆筒状的扩展器18并向上顶起以环形框架固定了外周部的端子保护用胶带，由此牵拉端子保护用胶带。
在本发明的端子保护用胶带中，优选端子91的高度h0小于粘弹性层12的厚度d1，且优选1.2≤d1/h0≤5.0。具体而言，端子91的高度优选为20～300μm，更优选为30～270μm，特别优选为40～240μm。通过使端子91的高度为所述下限值以上，能够进一步提高端子91的功能。此外，通过使端子91的高度为所述上限值以下，抑制在端子91的上部残留粘弹性层12的效果变得更高。
另外，在本说明书中，“端子的高度”是指端子的处于最高位置的部位距端子形成面的高度。当带端子的半导体装置集合体及带端子的半导体装置65具有多个端子91时，可将端子91的高度h0设为它们的平均值。端子的高度能够利用例如非接触型三维光干涉式表面粗糙度测试仪(Veeco Instruments Inc制造，产品名称:Wyko NT1100)进行测定。
端子91的宽度没有特别限定，优选170～350μm，更优选200～320μm，特别优选230～290μm。通过使端子91的宽度为所述下限值以上，能够进一步提高端子91的功能。此外，通过使端子91的宽度为所述上限值以下，抑制在端子91的上部残留粘弹性层12的效果变得更高。
另外，在本说明书中，“端子的宽度”是指从垂直于端子形成面的方向向下俯视端子时，以直线连结端子表面上的不同两点间而得到的线段的最大值。端子为球形或半球形时，“端子的宽度”是指向下俯视端子时该端子的最大直径(端子直径)。
相邻的端子91之间的距离(即，端子间距)没有特别限定，优选为250～800μm，更优选为300～600μm，特别优选为350～500μm。通过使所述距离为所述下限值以上，能够进一步提高端子91的填埋性。此外，通过使所述距离为所述上限值以下，抑制在端子91的上部残留粘弹性层12的效果变得更高。
另外，在本说明书中，“相邻的端子之间的距离”是指相邻的端子彼此表面之间的距离的最小值。
实施例
以下，通过具体的实施例对本发明进行更详细的说明。但本发明不受以下所示实施例的任何限定。
<物性的测定方法>
基材的杨氏模量、将端子埋设于端子保护用胶带的粘弹性层时的气泡量、端子保护用胶带对带端子的半导体装置的粘着力、第一粘着剂层及填埋层的弹性模量、基材及端子保护用胶带的断裂应力、以及基材及端子保护用胶带的断裂伸长率的测定，通过以下方法进行测定。
(基材的杨氏模量)
按照JIS K7161:2014测定23℃下的基材的拉伸弹性模量并将其设为杨氏模量。测定时将基材的宽度设为15mm，夹具间距离设为10mm，拉伸速度设为50mm/分钟。
(将端子埋设于端子保护用胶带的粘弹性层时的气泡的量)
将直径为0.25mm的端子埋设于端子保护用胶带的粘弹性层。使用数字光学显微镜(KEYENCE CORPORATION制造，产品名称“VHX-1000”)从基材侧测定在端子外侧产生的圆形空隙的直径。另外，在后述的<剥离性的评价>中的照射紫外线后进行剥离时进行该测定。即，在剥离时进行了端子保护用胶带的拉伸时，对拉伸后的端子保护用胶带进行上述测定。
(端子保护用胶带对带端子的半导体装置的粘着力)
如下所述按照JIS Z0237:2009进行测定。将端子保护用胶带裁切成宽度为25mm、长度为250mm，剥离剥离片，在23℃、50％RH的环境下使用2kg橡胶辊将所露出的粘着剂层贴附在作为被粘物的半导体装置上，在相同环境下放置24小时。并且，在进行了紫外线照射(照度230mW/cm2、光量190mJ/cm2)后，使用万能型拉伸试验机(ORIENTEC CORPORATION制造，产品名称“TENSILON UTM-4-100”)，在剥离角度180°、剥离速度300mm/分钟下将端子保护用胶带从上述半导体装置上剥离，由此测定其粘着力。
(第一粘着剂层及填埋层的弹性模量)
使用粘弹性测定装置(Rheometrics公司制造，装置名称“DYNAMIC ANALYZERRDAII”)，在1Hz、23℃的环境下利用扭转剪切法对直径8mm×厚度3mm大小的样本进行测定。
(基材及端子保护用胶带的断裂应力及断裂伸长率)
在基材或端子保护用胶带上切取10mm宽×75mm长的样本。以使样本测定部位为10mm宽×25mm长(伸长方向)的方式将上述样本安装于拉伸试验机(ORIENTEC CORPORATION制造，产品名称“TENSILON”)，在23℃、50％RH的环境下使用该拉伸试验机以200mm/分钟的拉伸速度使拉伸样本。测定直到上述样本发生断裂时的伸长量、断裂伸长率(％)及断裂应力(MPa)。
<单体>
以下示出简写的单体的正式名称。
HEA：丙烯酸2-羟基乙酯
BA：丙烯酸正丁酯
MMA：甲基丙烯酸甲酯
AAc：丙烯酸
(粘着剂层形成用组合物A的制备)
制备向由74质量份的BA、20质量份的MMA及6质量份的HEA构成的丙烯酸类共聚物加成了2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(相对于HEA约为50摩尔％)的树脂的溶液(粘着剂主剂、固体成分35质量％)。向100质量份的该粘着剂主剂中添加3质量份的作为光聚合引发剂的1-羟基环己基苯基酮(BASF公司制造，产品名称“IRGACURE 184”、固体成分浓度100％)、0.5质量份的作为交联剂的甲苯-2,6-二异氰酸酯(TOYOCHEM CO.,LTD.制造，产品名称“BHS 8515”、固体成分浓度：37.5％)，搅拌30分钟，从而制备粘着剂层形成用组合物A。
(粘着剂层A的制造)
在通过有机硅处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的一个面进行了剥离处理的剥离膜(LINTEC Corporation制造“SP-PET381031”，厚度38μm)的剥离处理面上涂布所述粘着剂层形成用组合物A，在100℃下加热干燥1分钟，从而制造厚度分别为10μm和20μm的粘着剂层A。
粘着剂层A的能量射线固化前的弹性模量为0.05MPa，固化后的弹性模量为24MPa。
(填埋层形成用组合物A的制备)
添加100质量份的由91质量份BA、9质量份AAc构成的丙烯酸类共聚物的溶液(重均分子量(Mw)为400,000、粘着剂主剂、固体成分浓度33.6％、NIPPON CARBIDE INDUSTRIESCO.,INC.制造，产品名称“Nissetsu PE-121”)、93.5质量份的树脂溶液(重均分子量(Mw)100,000、粘着剂主剂、固体成分浓度45％、Nippon Chemical Industrial Co.,Ltd.制造，产品名称“COPONYL UN-2528LM1”)、3质量份的作为光聚合引发剂的1-羟基环己基苯基酮(BASF公司制造，产品名称“IRGACURE 184”，固体成分浓度100％)、2.5质量份的作为交联剂的甲苯-2,6-二异氰酸酯(TOYOCHEM CO.,LTD.制造，产品名称“BHS-8515”、固体成分浓度：37.5％)、2.5质量份的作为交联剂的1,3-双(N,N-二缩水甘油氨甲基)环己烷(MITSUBISHIGAS CHEMICAL COMPANY,INC.制造，产品名称“TETRAD-C”，固体成分浓度：5％)，搅拌30分钟，从而制备填埋层形成用组合物A，其中，所述树脂是以相对于100mol％HEA的加成率为80mol％的方式在由62质量份BA、10质量份MMA及28质量份HEA形成的丙烯酸类共聚物上加成2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯而得到的。
(填埋层形成用组合物B的制备)
掺合40质量份的单官能度氨基甲酸酯丙烯酸酯、45质量份的丙烯酸异冰片酯(IBXA)、15质量份的丙烯酸2-羟基丙酯(HPA)、3.5质量份的四(3-巯基丁酸)季戊四醇酯(SHOWA DENKO K.K.制造，“KARENZ MT PE1”，四官能二级硫醇化合物，固体成分浓度100质量％)、1.8质量份的交联剂、及1.0质量份的作为光聚合引发剂的2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF公司制造，产品名称“Darocur 1173”，固体成分浓度100质量％)，从而制备填埋层形成用组合物B。
(基材)
将厚度为80μm的聚乙烯膜用作基材A。
基材A的杨氏模量为340MPa、断裂伸长率为950％、断裂应力为45MPa。
(带端子的半导体装置的准备)
在评价实施例及比较例的端子保护用胶带的剥离性时，准备了如下带端子的半导体装置。
·带端子的半导体装置
半导体装置的大小：10mm×10mm
端子的高度：250μm
端子直径：250μm
端子间距：400μm
端子的数量：10×10＝100个
<剥离性的评价>
使带端子的半导体装置的端子一侧朝下，并将其在冲压压力(载荷1.1MPa)、冲压时间40s、加热时间50℃下按压于端子保护用胶带进行层压。然后，于常温放置24小时后，进行紫外线照射(照度230mW/cm2、光量190mJ/cm2)，然后根据需要拉伸端子保护用胶带，并进行拾取，评价是否能够从半导体装置上剥离端子保护用胶带。对于评价结果，设定○为能够剥离、×为不能剥离。
[实施例1]
将填埋层形成用组合物A涂布在通过有机硅处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的一个面实施了剥离处理的剥离膜(LINTEC Corporation制造“SP-PET381031”，厚度38μm)的剥离处理面上，于100℃加热干燥1分钟后，在填埋层形成用组合物A上层压通过有机硅处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的一个面实施了剥离处理的剥离膜(LINTEC Corporation制造“SP-PET382150”，厚度38μm)的剥离处理面，从而制造厚度为50μm的填埋层。
剥离所述填埋层上层压的剥离膜，并将由此而得的面相互贴合，从而制作厚度为100μm的填埋层。以相同的方法贴合并层叠填埋层，从而制作厚度为300μm的填埋层A。
填埋层A的能量射线固化前的弹性模量为0.06MPa、固化后的弹性模量为65MPa。
在厚度为10μm的粘着剂层A上贴合厚度为300μm的填埋层A。进一步，剥离填埋层A一侧的剥离膜，将其与基材A的易粘合处理侧贴合，从而制造如图2所示的基材11/填埋层13/粘着剂层14的形态的端子保护用胶带1。将端子保护用胶带1的构成及物性示于表1及2(以下相同)。
使用端子保护用胶带1进行剥离性的评价。将剥离条件及评价结果示于表3。
[实施例2]
除了使用厚度为20μm的粘着剂层A代替厚度为10μm的粘着剂层A以外，用与制造例相同的方法，制造端子保护用胶带2。
使用端子保护用胶带2进行剥离性的评价。将剥离条件及评价结果示于表3。
[实施例3]
利用喷注涂布(ファウンテンダイ)方式将填埋层形成用组合物A涂布在通过有机硅处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的一个面实施了剥离处理的剥离膜(LINTECCorporation制造“SP-PET381031”、厚度38μm)的剥离处理面上，从而得到涂膜。
从涂膜侧照射紫外线从而形成半固化层。采用传送带式紫外线照射装置(EYEGRAPHICS CO.,LTD.制造，产品名称“ECS-401GGX”)作为紫外线照射装置，使用高压汞灯(EYE GRAPHICS CO.,LTD.制造，产品名称“H04-L41”)作为紫外线源，以光波长为365nm时的照度112mW/cm2、光量117mJ/cm2(以EYE GRAPHICS CO.,LTD.制造，产品名称“UVPF-A1”测定)为照射条件，进行紫外线照射。
在所形成的半固化层上层叠基材A，进一步进行紫外线照射(采用上述的紫外线照射装置、紫外线源，照射条件为照度271mW/cm2、光量1,200mJ/cm2)，使填埋层形成用组合物B完全固化，从而在基材A上形成厚度为300μm的填埋层B，得到基材A与填埋层B的层叠体。
剥离剥离膜，在填埋层B的与基材A相反一侧的面上贴合厚度为10μm的粘着剂层A，从而制造如图2所示的基材11/填埋层13/粘着剂层14的形态的端子保护用胶带3。
使用端子保护用胶带3进行剥离性的评价。将剥离条件及评价结果示于表3。
[比较例1]
使用端子保护用胶带1进行剥离性的评价。将剥离条件及评价结果示于表3。
[表1]
Figure BDA0003513542470000591
[表2]
Figure BDA0003513542470000592
[表3]
Figure BDA0003513542470000593
由表3所示的结果，可以确认本发明的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法在将形成了电磁波屏蔽膜的带端子的半导体装置从端子保护用胶带上剥离的工序中，易于剥离，制造效率高。
工业实用性
根据本发明的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，能够对带端子的半导体装置进行电磁波屏蔽，且能够制造带电磁波屏蔽膜的半导体装置。
附图标记说明
1、2、3：端子保护用胶带；10：电磁波屏蔽膜；11：基材；12：粘弹性层；13：填埋层；14：粘着剂层；15：第二粘着剂层(贴合粘着剂层)；16：第三粘着剂层；17：环形框架；18：扩展器；30：支撑体；6：带端子的半导体装置集合体；60：半导体装置集合体；60a：端子形成面；61、62：电子部件；63：电路基板；63a：端子形成面；64：密封树脂层；65：带端子的半导体装置；66：带电磁波屏蔽膜的半导体装置；91：端子；101：导电性树脂；20、21、22：剥离膜。

Claims (13)

1.一种带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其包括：
将带端子的半导体装置的端子埋设于具有粘弹性层的端子保护用胶带的所述粘弹性层的工序；
在未埋设于所述端子保护用胶带的粘弹性层的所述带端子的半导体装置的露出面上形成电磁波屏蔽膜的工序；及
拉伸所述端子保护用胶带，从而将形成了电磁波屏蔽膜的所述带端子的半导体装置从所述端子保护用胶带上剥离的工序。
2.一种带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其包括：
将带端子的半导体装置集合体的端子埋设于具有粘弹性层的端子保护用胶带的所述粘弹性层的工序；
切割所述带端子的半导体装置集合体，将所述带端子的半导体装置集合体制成端子埋设于所述端子保护用胶带的粘弹性层的带端子的半导体装置的工序；
在未埋设于所述端子保护用胶带的粘弹性层的所述带端子的半导体装置的露出面上形成电磁波屏蔽膜的工序；及
拉伸所述端子保护用胶带，从而将形成了电磁波屏蔽膜的所述带端子的半导体装置从所述端子保护用胶带上剥离的工序。
3.根据权利要求1或2所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，
在将形成了电磁波屏蔽膜的所述带端子的半导体装置从所述端子保护用胶带上剥离的所述工序中的所述端子保护用胶带的拉伸量为1.0mm以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，
将直径为0.25mm的端子埋设于所述端子保护用胶带的所述粘弹性层时，从所述端子保护用胶带的厚度方向观察到的出现在埋设的所述端子的外侧的来自于气泡的近似圆形的投影的直径为0.30mm以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，
在埋设所述带端子的半导体装置的端子的所述工序后且形成电磁波屏蔽膜的所述工序前的、所述端子保护用胶带对所述带端子的半导体装置的粘着力为6.5N/25mm以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，
所述粘弹性层的厚度d1相对于所述带端子的半导体装置或带端子的半导体装置集合体的端子的高度h0的比例满足1.2≤d1/h0≤5.0。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，
所述粘弹性层具有填埋层及粘着剂层。
8.根据权利要求7所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，
将带端子的半导体装置或带端子的半导体装置集合体的端子埋设于具有粘弹性层的端子保护用胶带的所述粘弹性层的所述工序中的、所述填埋层的弹性模量为0.05～20MPa。
9.根据权利要求7或8所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，依次具有所述粘着剂层、所述填埋层及基材。
10.根据权利要求9所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，
所述基材的杨氏模量为100～2000MPa。
11.根据权利要求7～10中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，
所述填埋层为使用能量射线固化性的构成材料而形成的填埋层。
12.根据权利要求7～11中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，
所述粘着剂层为使用能量射线固化性的粘着剂而形成的粘着剂层。
13.一种端子保护用胶带，其用于权利要求4～12中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法。
CN202080059202.7A 2019-12-06 2020-12-04 带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法及端子保护用胶带 Pending CN114270494A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019221466 2019-12-06
JP2019-221466 2019-12-06
PCT/JP2020/045307 WO2021112238A1 (ja) 2019-12-06 2020-12-04 電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法及び端子保護用テープ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114270494A true CN114270494A (zh) 2022-04-01

Family

ID=76221755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080059202.7A Pending CN114270494A (zh) 2019-12-06 2020-12-04 带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法及端子保护用胶带

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2021112238A1 (zh)
KR (1) KR20220113345A (zh)
CN (1) CN114270494A (zh)
TW (1) TW202137303A (zh)
WO (1) WO2021112238A1 (zh)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2983729B2 (ja) * 1991-10-24 1999-11-29 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ固定用粘着テープ
JP2011035076A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
JP2011151372A (ja) 2009-12-25 2011-08-04 Murata Mfg Co Ltd 電子部品モジュールの製造方法及び電子部品モジュール
JP6566365B2 (ja) * 2015-01-30 2019-08-28 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シート
JP6584245B2 (ja) 2015-09-08 2019-10-02 三井化学東セロ株式会社 電子部品製造用フィルム及び電子部品の製造方法
JP6989269B2 (ja) * 2016-05-11 2022-01-05 積水化学工業株式会社 半導体パッケージの製造方法
JP6745136B2 (ja) * 2016-05-16 2020-08-26 株式会社アルバック 電子部品の製造方法および処理システム

Also Published As

Publication number Publication date
TW202137303A (zh) 2021-10-01
KR20220113345A (ko) 2022-08-12
JPWO2021112238A1 (zh) 2021-06-10
WO2021112238A1 (ja) 2021-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6475901B2 (ja) 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法
CN108307635B (zh) 工件加工用胶粘带
US11594458B2 (en) Curable resin film and first protective film forming sheet
CN112534554B (zh) 端子保护用胶带及带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法
KR102545393B1 (ko) 제1 보호막 형성용 시트
KR20180079304A (ko) 제1 보호막 형성용 시트, 제1 보호막 형성 방법 및 반도체 칩의 제조 방법
KR20210075965A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
TW202101550A (zh) 工件加工用片材
KR20210044836A (ko) 적층체 및 경화 봉지체의 제조 방법
KR20180080196A (ko) 경화성 수지 필름 및 제1 보호막 형성용 시트
CN114270494A (zh) 带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法及端子保护用胶带
KR20180079337A (ko) 보호막 형성용 시트
KR20180080206A (ko) 열경화성 수지 필름, 제1 보호막 형성용 시트 및 제1 보호막의 형성 방법
TWI830764B (zh) 端子保護用膠帶以及附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法
WO2021235005A1 (ja) 半導体装置の製造方法
CN115141568A (zh) 支撑片、树脂膜形成用复合片、套件、及带树脂膜的芯片的制造方法
KR20230047921A (ko) 반도체 가공용 점착 테이프에 사용되는 점착제 조성물, 및 해당 점착제 조성물을 사용한 점착 테이프
CN115141571A (zh) 支撑片、树脂膜形成用复合片、套件及带树脂膜的芯片的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination