TWI432548B - 晶片保持用膠帶、晶片狀工件的保持方法、使用晶片保持用膠帶的半導體裝置製造方法以及晶片保持用膠帶的製造方法 - Google Patents

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Description

晶片保持用膠帶、晶片狀工件的保持方法、使用晶片保持用膠帶的半導體裝置製造方法以及晶片保持用膠帶的製造方法
本發明涉及晶片保持用膠帶、晶片狀工件的保持方法、使用晶片保持用膠帶的半導體裝置製造方法以及晶片保持用膠帶的製造方法。
以往，作為半導體裝置的製造方法，已知包括以下步驟的製造方法：將固定於切割薄膜上的半導體晶片切割為多個半導體晶片的切割步驟；從切割薄膜上拾取(pick up)半導體晶片的拾取步驟；和將拾取的半導體晶片晶片接合到襯底等被黏物上的步驟。
另外，近年來，有時使用在切割薄膜上層疊晶片接合薄膜而得到的切割/晶片接合薄膜代替上述切割薄膜。此時，在切割步驟中，半導體晶片與晶片接合薄膜一起被切斷，在拾取步驟中，以帶有晶片接合薄膜的半導體晶片的形式被拾取，在晶片接合步驟中，通過該晶片接合薄膜將半導體晶片晶片接合到被黏物上。
另一方面，有時拾取的半導體晶片不晶片接合(die bonding)到被黏物上，而是先保存起來。將晶片狀工件進行保存的情況下，以往是將半導體晶片黏貼到通用的切割薄膜(dicing film)等黏合膠帶上而被保持、保存。
但是，在將帶有晶片接合薄膜的半導體晶片黏貼到黏合膠帶上保持的情況下，由於晶片接合薄膜與黏合膠帶的黏合性過強，有時不能將保持的帶有晶片接合薄膜的半導 體晶片再剝離，或者長時間保持時黏著力隨時間的推移而上升從而難以再剝離。
因此，以往提出了在週邊部露出黏合劑層、在週邊部內側的中央部露出基材薄膜的晶片分選用片(例如，參考日本特開2008-100755號公報)。日本特開2008-100755號公報中記載的晶片分選用片，通過將帶有晶片接合薄膜的半導體晶片暫時黏著到基材薄膜上來使用。
但是，由於上述晶片分選用片要通過將帶有晶片接合薄膜的半導體晶片暫時黏著在不具有黏合力的基材薄膜上來使用，因此需要附著在半導體晶片上的晶片接合薄膜具有某種程度的黏合力，從而導致構成晶片接合薄膜的材料的選擇餘地變小。另外，在常溫下黏合力弱的晶片接合薄膜的情況下，為了暫時黏著必須進行加熱，因此存在製造步驟複雜化的問題。
另外，在上述半導體裝置的製造方法中，在不使用切割/晶片接合薄膜(dicing‧bonding film)而使用切割薄膜(dicing film)的情況下，欲拾取的半導體晶片上未附著晶片接合薄膜而不具有黏合力，因此不能使用上述晶片分選用片。
本發明鑒於上述課題而做出，其目的在於提供容易進行晶片狀工件的黏貼剝離的晶片保持用膠帶、該晶片狀工件的保持方法、使用該晶片保持用膠帶的半導體裝置製造方法、以及該晶片保持用膠帶的製造方法。
本發明人為了解決上述現有問題，對晶片保持用膠帶進行了研究。結果發現，通過將測定溫度23±3℃、牽引速度300mm/分鐘的條件下，測定的黏貼安裝框架的框架黏貼區域中的對鏡面矽晶片的180度剝離黏合力設定為黏貼晶片狀工件的晶片狀工件黏貼區域中的對鏡面矽晶片的180度剝離黏合力的5倍以上，可以適當地進行晶片狀工件的黏貼剝離，從而完成了本發明。
即，本發明提供如下發明。
(1)一種晶片保持用膠帶，具有在基材上形成有黏合劑層的構成，所述黏合劑層具有用於黏貼晶片狀工件的晶片狀工件黏貼區域和用於黏貼安裝框架的框架黏貼區域，所述晶片保持用膠帶通過將安裝框架黏貼到所述框架黏貼區域上來使用，其特徵在於，所述黏合劑層中，在測定溫度23±3℃、牽引速度300mm/分鐘的條件下，所述框架黏貼區域中的對鏡面矽晶片的180度剝離黏合力為所述晶片狀工件黏貼區域中的對鏡面矽晶片的180度剝離黏合力的5倍以上。
根據(1)的構成，由於框架黏貼區域中的剝離黏合力在所述條件下為晶片狀工件黏貼區域中的剝離黏合力的5倍以上，因此在黏合力比較強的框架黏貼區域，能夠牢固地黏貼安裝框架，並且在黏合力比較弱的晶片狀工件黏貼區域，能夠以可黏貼剝離的方式黏貼晶片狀工件。
特別是根據(1)的構成，由於晶片狀工件黏貼區域具有某種程度的弱黏合力，因此無論是不帶有具有黏合力的 樹脂層(例如晶片接合薄膜)的晶片狀工件(例如，半導體晶片)，還是帶有在室溫或保存時的溫度下幾乎不發揮黏合力的樹脂層的晶片狀工件，都可以進行黏貼。
另外，本發明中，晶片狀工件包括帶有具有黏合力的樹脂層的晶片狀工件和無樹脂層的晶片狀工件兩者。
(2)如上述(1)所述的晶片保持用膠帶，其中在測定溫度23±3℃、牽引速度(pulling speed)300mm/分鐘的條件下，所述晶片狀工件黏貼區域中的黏合劑層對鏡面矽晶片(silicon mirror wafer)的180度剝離黏合力(peeling adhesive force)優選為0.01~0.1N/20mm膠帶寬度。
根據(2)的構成，由於晶片狀工件黏貼區域中的黏合層的黏合力在上述條件下為0.01N/20mm膠帶寬度以上，因此晶片狀工件可確實地黏貼而防止脫落。另外，由於所述黏合力為0.1N/20mm膠帶寬度以下，因此在剝離時無需進行加熱或輻射線照射等操作就可以進行剝離。
(3)如上述(1)或(2)所述的晶片保持用膠帶，其中，所述晶片狀工件黏貼區域中的黏合劑層的楊氏模量(Young's modulus)優選為3MPa以上。
根據(3)的構成，由於晶片狀工件黏貼區域中的黏合劑層的楊氏模量為3MPa以上，因此晶片狀工件與黏合劑層的密合不會過強，可以容易地剝離晶片狀工件。
(4)如上述(1)至(3)中任一項所述的晶片保持用膠帶，其中優選：所述晶片保持用膠帶具有基材和在所述基材上形成的 輻射線固化型黏合劑層，所述晶片狀工件黏貼區域是通過輻射線照射引起的固化而使黏合力下降所形成的區域。
根據(4)的構成，由於晶片狀工件黏貼區域是通過輻射線照射引起的固化而使黏合力下降所形成的區域，因此交聯密度高，可以抑製構成黏合劑層的聚合物的微觀運動。因此，即使長時間黏貼在晶片狀工件的表面，密合性的上升也少，晶片狀工件在長時間(例如，一個月)保持黏貼的狀態後，也可以容易地剝離。另外，由於可以根據輻射線照射量來設定晶片狀工件黏貼區域的黏合力，因此容易得到所需的黏合力。
(5)如上述(1)至(3)中任一項所述的晶片保持用膠帶，其中優選：所述黏合劑層是由表面具有所述框架黏貼區域的強黏合劑層和表面具有所述晶片狀工件黏貼區域的弱黏合劑層以兩者在基材上不層疊的形態形成的黏合劑層。
(6)如上述(1)至(3)中任一項所述的晶片保持用膠帶，其中優選：所述黏合劑層具有強黏合劑層和以使所述強黏合劑層面的週邊部露出的方式層疊在所述強黏合劑層上的弱黏合劑層，所述強黏合劑層的露出部位相當於所述框架黏貼區域，所述弱黏合劑層的表面相當於所述晶片狀工件黏貼區域。
(7)如上述(1)至(3)中任一項所述的晶片保持用膠帶，其中優選： 所述黏合劑層具有弱黏合劑層和以使所述弱黏合劑層面的中央部露出的方式層疊在所述弱黏合劑層上的強黏合劑層，所述強黏合劑層的表面相當於所述框架黏貼區域，所述弱黏合劑層的露出部位相當於所述晶片狀工件黏貼區域。
(8)一種晶片狀工件的保持方法，用於保持通過切割而形成的晶片狀工件，其特徵在於包括以下步驟：將安裝框架黏貼到上述(1)至(7)中任一項所述的晶片保持用膠帶的框架黏貼區域的步驟，以及將通過切割而形成的晶片狀工件黏貼到晶片保持用膠帶的晶片狀工件黏貼區域的步驟。
根據(8)的構成，通過將安裝框架黏貼到晶片保持用膠帶的框架黏貼區域、將通過切割形成的晶片狀工件黏貼到晶片保持用膠帶的晶片狀工件黏貼區域，例如，可以將通過切割形成的晶片狀工件先進行保存。另外，保存中的晶片狀工件根據需要可以用於半導體裝置的製造等。
另外，本發明提供如下發明。
(9)一種半導體裝置的製造方法，使用上述(1)至(8)中任一項所述的晶片保持用膠帶，其特徵在於包括以下步驟：切割(dicing)工件的步驟，將通過切割而形成的晶片狀工件黏貼到所述晶片保持用膠帶的所述晶片狀工件黏貼區域的步驟，將黏貼在所述晶片保持用膠帶上的所述晶片狀工件剝 離的剝離步驟，以及將剝離的所述晶片狀工件固定到被黏物上的步驟。
根據(9)的構成，可以將通過切割形成的晶片狀工件黏貼在晶片保持用膠帶的晶片狀工件黏貼區域上來進行保持。然後，在使用的階段，將晶片狀工件從晶片保持用膠帶上剝離，並固定到被黏物上。因此，例如，可以將在拾取步驟中未被拾取而殘留的少量晶片狀工件先集中保持在晶片保持用膠帶上來保存，之後，將保存的晶片狀工件用於半導體裝置的製造。結果，在保存晶片狀工件時，可以節省空間。
(10)如上述(9)所述的半導體裝置的製造方法，其中，優選：所述剝離步驟是在不使所述晶片狀工件黏貼區域的黏合力降低的情況下將所述晶片狀工件剝離的步驟。
根據(10)的構成，可以在不使晶片狀工件黏貼區域的黏合力降低的情況下將晶片狀工件剝離，因此可以簡化製造步驟。
另外，本發明提供如下發明。
(11)一種晶片保持用膠帶的製造方法，用於製造上述(4)所述的晶片保持用膠帶，其特徵在於包括以下步驟：形成輻射線固化型黏合劑層的黏合劑層形成步驟，以及對所述輻射線固化型黏合劑層的一部分照射輻射線使其固化，從而形成因固化而黏合力降低的晶片狀工件黏貼 區域和未固化因而黏合力不降低的框架黏貼區域的輻射線照射步驟。
根據(11)的構成，由於通過照射輻射線進行固化，形成因固化而黏合力降低的晶片狀工件黏貼區域和未固化因而黏合力不降低的框架黏貼區域，因此可以根據輻射線照射量設定晶片狀工件黏貼區域的黏合力，從而容易得到所需的黏合力。另外，通過照射輻射線，可以設定黏合力差，因此可以簡單地製造晶片保持用膠帶。(12)如上述(11)所述的晶片保持用膠帶的製造方法，其中優選：還包括在與層疊於基材上的輻射線固化型黏合劑層的框架黏貼區域對應的部位形成具有輻射線遮蔽功能的輻射線遮蔽層的輻射線遮蔽層形成步驟，所述輻射線照射步驟是從所述基材面側照射輻射線，使與晶片狀工件黏貼區域對應的部位的輻射線固化型黏合劑層固化，以形成因固化而黏合力降低的晶片狀工件黏貼區域和未固化因而黏合力不降低的框架黏貼區域的步驟。
(13)如上述(12)所述的晶片保持用膠帶的製造方法，其中優選：所述輻射線遮蔽層形成步驟是使用印刷法形成所述輻射線遮蔽層的步驟。
以下，對本發明的實施方式進行說明。
[第一實施方式]
圖1(a)是表示本發明的第一實施方式的晶片保持用 膠帶的示意剖面圖，圖1(b)是其俯視圖。如圖1(a)所示，晶片保持用膠帶10具有如下構成：沿基材12的週邊形成有具有輻射線遮蔽功能的印刷層20，並且在未形成印刷層20的基材12以及印刷層20上層疊有黏合劑層14。
基材12是晶片保持用膠帶10的強度母體。作為基材12的材料，例如可以列舉：低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、丙烯均聚物、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳香族聚醯胺(aramid)(紙)、玻璃、玻璃布(glass cloth)、含氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素類樹脂、聚矽氧烷樹脂、金屬(箔)、紙等。
為了提高與鄰接層的密合性和保持性等，基材12的表面可以進行慣用的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離射線處理等化學或物理處理、底塗劑(例如，後述的黏合物質)塗布處理。基材12的材料，可以適當選擇使用同種或異種材料，根據需要也可以將多種材料混合使用。另外，為了賦予基材12防靜電功能，所述基材12上可以設置包含金屬、合金、該些氧化物等的厚度約30Å~約500Å的導電物質的蒸鍍層。基材12 可以是單層或者兩種以上的多層。另外，作為基材12，在黏合劑層為輻射線固化型黏合劑層的情況下，優選使用至少能夠部分透射X射線、紫外線、電子射線等輻射線的基材。
基材12的厚度沒有特別限制，可以適當設定，一般為約5μm~約200μm。
黏合劑層14在沿俯視圖週邊具有框架黏貼區域16，並在俯視圖中央部分具有晶片狀工件黏貼區域18(以下也稱為晶片黏貼區域18)。框架黏貼區域16是在使用時黏貼安裝框架的區域，其是用於將晶片保持用膠帶10固定到安裝框架上的區域。晶片黏貼區域18是在使用時用於黏貼小片化的帶有晶片接合薄膜的半導體晶片42、或者不帶有晶片接合薄膜的半導體晶片42的區域。在第一實施方式中，與形成有印刷層20的部分對應的區域是框架黏貼區域16，與未形成印刷層20的部分對應的區域相當於晶片黏貼區域18。
黏合劑層14包含輻射線固化型黏合劑而構成。輻射線固化型黏合劑可以通過照射輻射線使交聯度增大從而容易地降低其黏合力。圖1(a)和圖1(b)所示的黏合劑層14中，晶片黏貼區域18通過輻射線照射而與框架黏貼區域16之間設有黏合力差。在第一實施方式中，從基材12面側(圖1(a)中為下側)向晶片保持用膠帶10的整個面照射輻射線時，輻射線到達晶片黏貼區域18，黏合力下降。另一方面，在框架黏貼區域16中，由於印刷層20遮 蔽了輻射線，因此黏合力不降低。因此，通過從基材12面側向晶片保持用膠帶10的整個面照射輻射線，可以設定框架黏貼區域16與晶片黏貼區域18的黏合力差。由於帶有晶片接合薄膜的晶片狀工件黏貼在固化而黏合力降低的晶片黏貼區域18上，因此黏合劑層14的晶片黏貼區域18與晶片接合薄膜的介面具有在拾取時容易剝離的性質。另一方面，未照射輻射線的框架黏貼區域16具有充分的黏合力，可以將晶片保持用膠帶10牢固地固定在安裝框架上。作為輻射線，可以舉例例如紫外線、電子射線等。
黏合劑層14的框架黏貼區域16中的對鏡面矽晶片的黏合力為晶片黏貼區域18中的對鏡面矽晶片的黏合力的5倍以上，優選為10倍以上。由於框架黏貼區域16中的剝離黏合力(peeling adhesive force)為晶片黏貼區域18中的剝離黏合力的5倍以上，因此，在黏合力比較強的框架黏貼區域16，能夠牢固地黏貼安裝框架，並且在黏合力比較弱的晶片黏貼區域18，能夠以可黏貼剝離的方式黏貼半導體晶片42。
黏合劑層14的框架黏貼區域16中的黏合力，優選為0.2~20N/20mm膠帶寬度，更優選為0.3~10N/20mm膠帶寬度。這是因為：通過設定為0.2N/20mm膠帶寬度以上，可以牢固地固定在安裝框架上。並且，通過設定為20N/20mm膠帶寬度以下，可以防止黏合劑殘留在安裝框架上。
黏合劑層14的晶片黏貼區域18中的黏合力，優選為0.01~0.1N/20mm膠帶寬度，更優選為0.02~0.08N/20mm膠 帶寬度。黏合劑層14的框架黏貼區域16和晶片黏貼區域18中的黏合力，是根據JIS Z0237測定的值，且是黏貼到鏡面矽晶片上後，在23±3℃的測定溫度下，設定黏合劑層14的表面與鏡面矽晶片的表面所成的角θ為180°、牽引速度為300mm/分鐘而將黏合片剝離時的值。晶片黏貼區域18中的黏合力為0.01N/20mm膠帶寬度以上時，半導體晶片42可靠地黏貼，可以防止脫落。另外，所述黏合力為0.1N/20mm膠帶寬度以下時，在剝離時可以在不進行加熱或輻射線照射等操作的情況下進行剝離。黏合劑層14的框架黏貼區域16中的楊氏模量優選為0.01~2MPa，更優選0.05~1MPa。
黏合劑層14的晶片黏貼區域18中的楊氏模量，優選為3MPa以上，更優選5MPa以上。另外，晶片黏貼區域18中的楊氏模量優選為1000MPa以下，更優選100MPa以下。這是因為：晶片黏貼區域18中的楊氏模量為3MPa以上時，可以容易地將晶片剝離。另外，晶片黏貼區域18中的楊氏模量為1000MPa以下時，可以容易地將晶片固定。
另外，本發明中，楊氏模量是指根據JIS K 7127，使用切割為長度100mm、寬度50mm的條狀的試驗片，在測定時溫度23±3℃、測定時濕度50±10%Rh、牽引速度50mm/分鐘的條件下測定的值。
黏合劑層14的框架黏貼區域16中的剪切黏著力(shear adhesion force)優選為0.01~10MPa，更優選 0.1~5MPa。這是因為：該剪切黏著力為0.01MPa以上時，擴晶(expanded)時膠帶不易從框架上剝離，剪切黏著力為10MPa以下時，使用後可以容易地將膠帶從框架上剝離。
黏合劑層14的框架黏貼區域16中的定負載(constant load)剝離速度優選為20mm/小時以下，更優選10mm/小時以下。這是因為：可以防止膠帶的端部捲縮而從框架上脫落下來。本發明中，定負載剝離速度是指，將切割為長度100mm、寬度20mm的條狀的晶片保持用膠帶10的框架黏貼區域(實施印刷的部分)黏貼到SUS304BA板上，將所得的板在以晶片保持用膠帶10為下面而保持水準的狀態下，在晶片保持用膠帶10的一端沿90°方向(鉛直方向)安裝2g的重物時的剝離速度。
所述輻射線固化型黏合劑可以沒有特別限制地使用具有碳碳雙鍵等輻射線固化性官能團、並且顯示黏合性的黏合劑。另外，作為輻射線固化型黏合劑，例如，也可以使用在丙烯酸類黏合劑、橡膠類黏合劑等一般的壓敏(pressure-sensitive)黏合劑中配合有輻射線固化性單體成分或低聚物成分的添加型輻射線固化型黏合劑。
作為所述壓敏黏合劑，從半導體晶片或玻璃等避忌污染的電子部件的利用超純水或醇等有機溶劑的清潔洗滌性等方面考慮，優選以丙烯酸類聚合物為基礎聚合物的丙烯酸類黏合劑。
作為所述丙烯酸類聚合物，可以列舉例如使用(甲基) 丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯(s-butyl ester)、叔丁酯(t-butyl ester)、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子數1~30、特別是碳原子數4~18的直鏈或支鏈烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷酯(例如，環戊酯、環己酯等)中的一種或兩種以上作為單體成分的丙烯酸類聚合物等。其中，優選使用丙烯酸己酯、丙烯酸庚酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸壬酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸異癸酯、丙烯酸十一烷酯、丙烯酸十二烷酯等烷基的碳原子數6~12(特別是6~10)的(甲基)丙烯酸烷基酯作為單體成分的疏水性側鏈長的聚合物。這是因為：通過使用疏水性側鏈長的聚合物，可以使晶片黏貼區域18與晶片接合薄膜的相容性較小，從而可以容易地將壓接的晶片狀工件剝離。另外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發明的“(甲基)”全部具有同樣的含義。
所述丙烯酸類聚合物，為了改善凝聚力和耐熱性等，可以根據需要而含有與能夠與所述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷酯共聚的其他單體成分對應的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、 (甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基十二烷酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體；丙烯醯胺；丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。但是，在本發明中，所述丙烯酸類聚合物優選極性基團少，因此這些可共聚單體優選不使用、或者使用量為全部單體成分的3重量%以下。另外，這些單體成分中，構成本發明的黏合劑層14的丙烯酸類聚合物優選不含有丙烯酸作為單體成分。這是因為：丙烯酸會物質傳遞到晶片接合薄膜中而使黏合劑層14與黏合劑層14上黏貼的晶片接合薄膜的邊界面消失，有時導致剝離性下降。
另外，為了進行交聯，所述丙烯酸類聚合物根據需要也可以含有多官能單體等作為共聚用單體成分。作為這樣的多官能單體，可以列舉例如：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體可以使用一種或者兩種以上。多官能 單體的使用量從黏合特性等觀點考慮優選為全部單體成分的30重量%以下。
所述丙烯酸類聚合物可以通過將單一單體或兩種以上單體的混合物聚合而得到。聚合可以通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等的任意方式進行。從防止污染潔淨的被黏物等觀點考慮，優選低分子量物質的含量小。從該觀點考慮，丙烯酸類聚合物的數均分子量優選為約30萬以上、更優選約40萬至約300萬。另外，上述數均分子量是指通過GPC(凝膠滲透色譜法)測定得到的分子量。
另外，為了提高作為基礎聚合物的丙烯酸類聚合物等的數均分子量，所述黏合劑中也可以適當使用外部交聯劑。作為外部交聯方法的具體手段，可以列舉：添加多異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺型交聯劑等所謂的交聯劑進行反應的方法。使用外部交聯劑的情況下，其使用量根據與欲交聯的基礎聚合物的平衡以及作為黏合劑的使用用途進行適當確定。外部交聯劑的添加量相對於所述基礎聚合物100重量份優選為0.1~20重量份，更優選0.2~10重量份。根據需要，黏合劑中除所述成分之外還可以使用各種增黏劑、抗老化劑等添加劑。
作為配合的所述輻射線固化性單體成分，可以列舉例如：氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇 單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，輻射線固化性的低聚物成分可以列舉聚氨酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量在約100至約30000的範圍內是適當的。輻射線固化性單體成分或低聚物成分的配合量可以根據所述黏合劑層的種類適當確定為能夠使黏合劑層的黏合力下降的量。一般而言，相對於構成黏合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為約1重量份至約200重量份、優選約5重量份至約100重量份。
另外，作為輻射線固化型黏合劑，除前面說明過的添加型的輻射線固化型黏合劑以外，還可以列舉：使用在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型的輻射線固化型黏合劑。內在型的輻射線固化型黏合劑不需要含有作為低分子量成分的低聚物成分等或者含量不多，因此低聚物成分等不會隨時間推移在黏合劑中遷移，可以形成層結構穩定的黏合劑層，因而優選。
所述具有碳碳雙鍵的基礎聚合物，可以沒有特別限制地使用具有碳碳雙鍵並且具有黏合性的基礎聚合物。作為這樣的基礎聚合物，優選以丙烯酸類聚合物為基本骨架的基礎聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以列舉前面例示的丙烯酸類聚合物。
在所述丙烯酸類聚合物中引入碳碳雙鍵的方法沒有特 別限制，可以採用各種方法，從分子設計方面而言在聚合物側鏈中引入碳碳雙鍵是比較容易的。例如可以列舉：預先將具有官能團的單體與丙烯酸類聚合物共聚後，在保持碳碳雙鍵的輻射線固化性的情況下使具有能夠與該官能團反應的官能團及碳碳雙鍵的化合物與所得共聚物進行縮合或加成反應的方法。
作為這些官能團的組合例，可以列舉：羧酸基與環氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。這些官能團的組合中，從容易跟蹤反應的觀點考慮，優選羥基與異氰酸酯基的組合。另外，根據這些官能團的組合，如果是生成所述具有碳碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的組合，則官能團可以在丙烯酸類聚合物和所述化合物的任意一個上，在所述優選組合的情況下，優選丙烯酸類聚合物具有羥基、所述化合物具有異氰酸酯基。此時，作為具有碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉例如：甲基丙烯醯異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸類聚合物，可以使用將前面例示的含羥基單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等醚類化合物等共聚而得到的丙烯酸類聚合物。
所述內在型的輻射線固化型黏合劑，可以單獨使用所述具有碳碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的範圍內配合所述輻射線固化性的單體成分或低聚物成分。輻射線固化性的低聚物成分等通常 相對於基礎聚合物100重量份在100重量份的範圍內，優選0~50重量份的範圍。本發明中，配合的所述輻射線固化性單體成分和/或低聚物成分，相對於構成黏合劑的基礎聚合物100重量份優選為0~100重量份，更優選0~80重量份。這是因為：通過配合輻射線固化性單體成分和/或低聚物成分，可以促進輻射線固化從而使晶片黏貼區域18的黏合力較小，可以容易地將壓接(pressure bonding)的晶片狀工件剝離。在通過輻射線等進行固化的情況下，所述輻射線固化型黏合劑中優選含有光聚合引發劑。作為光聚合引發劑，可以列舉例如：4-(2-羥基乙氧基)苯基-(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2,2’-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2’-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-(N-嗎啉基)丙烷-1-酮等苯乙酮類化合物；苯偶姻(benzoin)乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；聯苯醯二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯類化合物；1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮(thioxanthone)、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵代酮；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。光聚合引發劑的配合量相對於構成黏合劑 的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份例如為約0.05重量份至約20重量份。
另外，作為輻射線固化型黏合劑，可以列舉例如：日本特開昭60-196956號公報中公開的、包含具有兩個以上不飽合鍵的加聚性化合物、具有環氧基的烷氧基矽烷等光聚合性化合物和羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鹽類化合物等光聚合引發劑的橡膠類黏合劑或丙烯酸類黏合劑等。
黏合劑層14的厚度沒有特別限制，從晶片狀工件的固定保持的觀點考慮，優選為約1μm~約50μm，更優選2μm~30μm，進一步優選5μm~25μm。
印刷層20包含具有輻射線遮蔽功能的材料而構成。本發明中，輻射線遮蔽功能是指不僅使可見光的透射量減少、而且使包括X射線、紫外線、電子射線等在內的輻射線(特別是可以活化用於使輻射線固化型黏合劑固化的光聚合引發劑的輻射線)的透射量減少的功能。作為具有輻射線遮蔽功能的材料，更優選完全阻擋輻射線(特別是可以活化輻射線固化型黏合劑層中的光聚合引發劑的輻射線)的透射的材料，但是，能夠使輻射線(特別是可以活化輻射線固化型黏合劑層中的光聚合引發劑的輻射線)的透射率為50%以下(特別是10%以下)的材料也是適合的。因此，借助於印刷層20，即使從基材12側照射輻射線，也可以抑製或防止作為黏合劑層14的輻射線固化型黏合劑層的框架黏貼區域中的180度剝離黏合力的下降，從而可 以控製黏合劑層14的晶片狀工件黏貼區域中的180度剝離黏合力與框架黏貼區域中的180度剝離黏合力的比。另外，作為從基材12側照射輻射線後的黏合劑層14的框架黏貼區域中的180度剝離黏合力，在剝離角度180度、測定溫度23±3℃、牽引速度300mm/分鐘、被黏物為鏡面矽晶片的條件下，優選相對於輻射線照射前的180度剝離黏合力為50%以上(特別是80%以上，其中更優選90%以上)的大小，優選在0.2~20N/20mm的範圍內。作為具有輻射線遮蔽功能的材料，優選根據光聚合引發劑的種類適當選擇。具體而言，作為具有輻射線遮蔽功能的材料，沒有特別限制，可以列舉例如：含有CeO2 、TiO2 、ZnO、Fe2 O3 、V2 O5、PbO等具有紫外線吸收性的無機物的油墨、鋁蒸鍍的PET薄膜(鋁蒸鍍的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜)等。印刷層20的厚度沒有特別限制，通常為約50μm以下(例如，約0.05μm~約50μm)，優選約0.05μm~約10μm，更優選約0.1μm~約2μm。
晶片保持用膠帶10的晶片黏貼區域18具有黏合力，因此可以用於以可剝離的狀態保持通過使用切割薄膜而小片化的半導體晶片(背面未形成晶片接合薄膜等樹脂層的半導體晶片)。另外，也可以對小片化前的矽晶片(例如，背面磨削後的矽晶片、背面磨削後進行拋光的矽晶片等)使用。
另外，晶片保持用膠帶10，例如，也可以用於以可剝離的狀態保持通過使用切割/晶片接合薄膜而小片化的帶 有晶片接合薄膜的半導體晶片。因此，以下對黏貼於晶片保持用膠帶上的切割/晶片接合薄膜進行說明。
(切割/晶片接合薄膜)
圖2是表示本發明的第一實施方式的切割/晶片接合薄膜的示意剖面圖。如圖2所示，切割/晶片接合薄膜30具有在切割薄膜32上層疊有晶片接合薄膜34的構成。切割薄膜32具有在基材36上層疊有黏合劑層38的構成，晶片接合薄膜34設置在黏合劑層38上。另外，關於構成切割/晶片接合薄膜30的切割薄膜32，可以使用現有公知的切割薄膜，因此在此省略詳細說明。
作為構成晶片接合薄膜34的黏著劑組合物，可以列舉例如將熱塑性樹脂和熱固性樹脂組合使用的組合物。作為所述熱塑性樹脂，可以列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、尼龍6或尼龍6,6等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或者含氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹脂中，特別優選離子性雜質少、耐熱性高、能夠確保半導體元件的可靠性的丙烯酸類樹脂。
作為所述丙烯酸類樹脂，沒有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上具有碳原子數30以下、特別是碳原子數4~18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯作為 成分的聚合物等。作為所述烷基，可以列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者十二烷基等。
另外，作為形成所述聚合物的其他單體，沒有特別限制，可以列舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基十二烷酯或(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；或者丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體。
所述熱固性樹脂的配合比例，只要是在100~250℃的條件下加熱時晶片接合薄膜34可以作為熱固型晶片接合薄膜發揮功能的程度則沒有特別限制，一般優選在5~60重量%的範圍內，更優選在10~50重量%的範圍內。
作為所述熱固性樹脂，可以列舉：酚樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、聚氨酯樹脂、聚矽氧烷樹脂或熱固性聚醯亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨使用或者兩 種以上組合使用。特別優選會腐蝕半導體元件的離子性雜質等的含量少的環氧樹脂。另外，作為環氧樹脂的固化劑，優選酚樹脂。
所述環氧樹脂，只要是作為黏著劑組合物通常使用的環氧樹脂則沒有特別限制，可以使用例如：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥苯基甲烷型、四苯酚基乙烷型等雙官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙內醯脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環氧樹脂。這些環氧樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些環氧樹脂中，特別優選酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥苯基甲烷型環氧樹脂或四苯酚基乙烷型環氧樹脂。這是因為：這些環氧樹脂與作為固化劑的酚樹脂的反應性好，並且耐熱性等優良。
另外，所述酚樹脂作為所述環氧樹脂的固化劑起作用，可以列舉例如：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂、甲階型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些酚樹脂中特別優選苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是因為可以提高半導體裝置的連接可靠性。
所述環氧樹脂與酚樹脂的配合比例，例如以相對於所 述環氧樹脂成分中的環氧基1當量，酚樹脂中的羥基為0.5~2.0當量的比例進行配合是適當的。更優選0.8~1.2當量。這是因為：兩者的配合比例如果在所述範圍以外，則固化反應不能充分進行，環氧樹脂固化物的特性容易變差。
預先使晶片接合薄膜34進行某種程度的交聯的情況下，在製作時可以添加與聚合物的分子鏈末端的官能團等反應的多官能化合物作為交聯劑。由此，可以提高高溫下的黏著特性，改善耐熱性。
作為所述交聯劑，可以使用現有公知的交聯劑。特別是更優選甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成產物等多異氰酸酯化合物。交聯劑的添加量相對於所述聚合物100重量份通常優選設定為0.05~7重量份。交聯劑的量超過7重量份時，黏著力下降，因此不優選。另一方面，低於0.05重量份時，凝聚力不足，因此不優選。另外，根據需要可以與這樣的多異氰酸酯化合物一起含有環氧樹脂等其他多官能化合物。
另外，晶片接合薄膜34中根據其用途可以適當配合無機填充劑。無機填充劑的配合可以賦予導電性、提高導熱性、調節彈性模量等。作為所述無機填充劑，可以列舉例如：二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、氮化矽等陶瓷類、鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊料等金屬或合金類、以及包含碳等的各種無機粉末。這些填充劑可以單獨使用或者兩種以 上組合使用。
另外，晶片接合薄膜34中除所述無機填充劑以外根據需要可以適當配合其他添加劑。作為其他添加劑，可以列舉例如：阻燃劑、矽烷偶聯劑或離子捕獲劑等。作為所述阻燃劑，可以列舉例如：三氧化二銻、五氧化二銻、溴化環氧樹脂等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述矽烷偶聯劑，可以列舉例如：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。這些化合物可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如：水滑石、氫氧化鉍等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
晶片接合薄膜34的厚度(層壓體的情況下為總厚度)沒有特別限制，例如可以為約5μm至約100μm，優選約5μm至約50μm。
(晶片保持用膠帶的製作)
第一實施方式的晶片保持用膠帶10(參考圖1(a))例如通過如下方法製作。
首先，可以通過現有公知的成膜方法製成基材12(參考圖1(a))。作為該成膜方法，可以例示例如：壓延成膜法、有機溶劑中的流延法、密閉體系中的吹塑擠出法、T形模頭擠出法、共擠出法、幹式層壓法等。
然後，利用印刷法在基材12上形成印刷層20(輻射線遮蔽層形成步驟)。印刷法沒有特別限制，可以列舉例 如：凸版印刷法、平板印刷法、凹版印刷法、孔板印刷法。
然後，通過在基材12上塗布黏合劑組合物溶液形成塗膜後，在規定條件下對該塗膜進行乾燥(根據需要進行加熱交聯)，形成黏合劑層14(黏合劑層形成步驟)。塗布方法沒有特別限制，可以列舉例如：輥塗、絲網塗布、凹版塗布等。另外，作為乾燥條件，例如可以在乾燥溫度80~150℃、乾燥時間0.5分鐘~5分鐘的範圍內進行。另外，也可以在隔片上塗布黏合劑組合物形成塗膜後，在前述乾燥條件下使塗膜乾燥而形成黏合劑層14。之後，將黏合劑層14與隔片一起黏貼到基材12上。由此，可以製作晶片保持用膠帶10。
然後，從基材12面側向晶片保持用膠帶10的整個面上照射輻射線(輻射線照射步驟)。這樣，輻射線到達晶片黏貼區域18，因此引起固化，黏合力下降。此時，黏合劑層14的固化通過將輻射線的照射設定為一定量而進行到具有一定的黏合力(例如，180度剝離黏合力為0.01~0.1N/20mm膠帶寬度)的程度。另外，作為上述輻射線的照射條件，只要是在剝離角度180度、測定溫度23±3℃、牽引速度300mm/分鐘、被黏物為鏡面矽晶片的條件下，使黏合劑層14的晶片狀工件黏貼區域中的180度剝離黏合力相對於框架黏貼區域中的180度剝離黏合力為20%以下(1/5以下)的大小的照射條件則沒有特別限制，例如，可以是波長10nm~400nm的紫外線的照射強度在1mW/cm2 ~200mW/cm2 (優選10mW/cm2 ~100mW/cm2 )的 範圍內，所述紫外線的累積光量在100mJ/cm2 ~1000mJ/cm2 (優選200mJ/cm2 ~800mJ/cm2 )的範圍內的照射條件。具體而言，例如可以是在高壓汞燈的光照射下，照射強度在1mW/cm2 ~200mW/cm2 (優選10mW/cm2 ~100mW/cm2 )的範圍內、所述紫外線的累積光量在100mJ/cm2 ~1000mJ/cm2 (優選200mJ/cm2 ~800mJ/cm2 )的範圍內的照射條件。
另一方面，在框架黏貼區域16中，由於如前所述通過印刷層20遮蔽了輻射線，因此黏合力幾乎不降低而保持原狀。由此，製成在框架黏貼區域16和晶片黏貼區域18之間設有黏合力差的晶片保持用膠帶10。
(切割/晶片接合薄膜的製作)
切割/晶片接合薄膜30(參考圖2)例如通過如下方法製作。
首先，製作作為晶片接合薄膜的形成材料的黏著劑組合物溶液。然後，將黏著劑組合物溶液塗布於基材隔片上使其達到預定的厚度而形成塗膜，然後在預定條件下使該塗膜乾燥，形成黏著劑層34。塗布方法沒有特別限制，可以列舉例如：輥塗、絲網塗布、凹版塗布等。另外，作為乾燥條件，例如可以在乾燥溫度70~160℃、乾燥時間1分鐘~5分鐘的範圍內進行。另外，也可以在隔片上塗布黏合劑組合物溶液形成塗膜後，在前述乾燥條件下使塗膜乾燥而形成黏著劑層。之後，將黏著劑層與隔片一起黏貼到基材隔片上。
接著，從黏著劑層34上將隔片剝離，並黏貼到切割薄 膜32上。此時，以黏著劑層和切割薄膜32的黏合劑層38為黏貼面的方式將兩者黏貼。黏貼例如可以壓接來進行。此時，層壓溫度沒有特別限制，例如，優選30~50℃，更優選35~45℃。另外，線壓沒有特別限制，例如，優選0.1~20kgf/cm，更優選1~10kgf/cm。然後，將黏著劑層上的基材隔片剝離，得到切割/晶片接合薄膜30。(半導體裝置的製造)
以下，對半導體裝置的製造方法進行說明。
首先，將半導體晶片40壓接在切割/晶片接合薄膜30上而進行固定(參考圖2)。本步驟在利用壓接輥等擠壓手段擠壓的同時進行。安裝時的黏貼溫度沒有特別限制，例如優選在20~80℃的範圍內。
然後，進行半導體晶片40的切割。由此，將半導體晶片40切割為規定的尺寸而小片化，得到半導體晶片42。切割例如從半導體晶片40的電路面一側按照常規方法來進行。另外，本步驟中，例如可以採用切入至切割/晶片接合薄膜30處的、稱為全切的切割方式等。本步驟中使用的切割裝置沒有特別限制，可以使用現有公知的切割裝置。
為了將固定在切割/晶片接合薄膜30上的半導體晶片剝離，進行半導體晶片42的拾取。拾取方法沒有特別限制，可以使用現有公知的各種方法。例如，可以列舉用針從切割/晶片接合薄膜30一側將各個半導體晶片42上推，通過拾取裝置拾取被上推的半導體晶片42的方法等。
在拾取步驟中，有時不使用全部的半導體晶片，此時， 一部分(例如少量)半導體晶片42殘留在切割薄膜32上。
在此，預先將安裝框架黏貼到晶片保持用膠帶10(參考圖1(b))的框架黏貼區域16上。然後，將殘留在切割薄膜32上的半導體晶片42黏貼到晶片保持用膠帶10上。黏貼可以通過壓接來進行。由此，可以先將多個切割薄膜32上殘留的半導體晶片42彙集到晶片保持用膠帶10上來保持、保存，之後，再將保存的半導體晶片42用於半導體裝置的製造。結果，在保存半導體晶片42時，可以節省空間。另外，黏貼到晶片保持用膠帶10上是為了暫時保持半導體晶片42而進行的。即，黏貼到晶片保持用膠帶10上的半導體晶片42以後會再次剝離，因此在上述黏貼中，不進行使晶片接合薄膜熱固化等的後固化步驟。
使用晶片保持用膠帶10而彙集的半導體晶片42，另外再用於半導體裝置的製造。因此，參考圖3對使用半導體晶片42的半導體裝置製造方法進行說明。
圖3是表示本發明的一個實施方式的半導體裝置的示意剖面圖。首先，在不使晶片黏貼區域18的黏合力降低的情況下將黏貼在晶片保持用膠帶10上的、具有晶片接合薄膜36的半導體晶片42剝離。在此，“在不使黏合力降低的情況下將…剝離”是指，在不引起化學變化如通過對輻射線固化型黏合劑層照射輻射線進行固化而使黏合力下降、或者不引起物理變化如通過對後述的具有熱發泡性的黏合劑層進行加熱而使黏合力下降的情況下將晶片狀工件(半導體晶片)剝離。剝離可以與在晶片接合步驟中對通 常的切割後的半導體晶片進行拾取同樣地通過拾取來進行。
拾取的半導體晶片42，如圖3所示借助於晶片接合薄膜34黏著固定於被黏物44上(晶片接合)。作為被黏物44，可以列舉引線框(lead frame)、TAB薄膜、襯底或另外製作的半導體晶片等。被黏物44例如可以為容易變形的變形型被黏物，也可以為難以變形的非變形型被黏物(半導體晶片等)。
作為所述襯底，可以使用現有公知的襯底。另外，作為所述引線框，可以使用Cu引線框、42合金引線框等金屬引線框或者由玻璃環氧、BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)、聚醯亞胺等製成的有機襯底。但是，本發明不限於這些，也包括在安裝半導體元件並與半導體元件電連接後可以使用的電路板。
晶片接合薄膜34為熱固型，因此通過加熱固化將半導體晶片42黏著固定於被黏物44上，使耐熱強度提高。另外，通過將半導體晶片42黏著固定到襯底等上而得到的材料可以供給回流焊接步驟。
另外，本實施方式的半導體裝置的製造方法中，可以在不經過對晶片接合薄膜34進行加熱處理的熱固化步驟的情況下進行絲焊，再用密封樹脂將半導體晶片42密封，然後將該密封樹脂後固化。
所述絲焊(wire bonding)，是用焊線46將被黏物44的端子部(內部引線)的前端與半導體晶片42上的電極焊盤 (未圖示)電連接的步驟。作為焊線46，可以使用例如金線、鋁線或銅線等。進行絲焊時的溫度為80~250℃，優選在80~220℃的範圍內。另外，其加熱時間為幾秒~幾分鐘。接線在加熱至所述溫度範圍內的狀態下，通過組合使用超聲波的振動能與外加壓力的壓接能來進行。本步驟可以在不進行晶片接合薄膜34的熱固化的情況下實施。
所述密封步驟是利用密封樹脂48將半導體晶片42密封的步驟。本步驟是為了保護搭載在被黏物44上的半導體晶片42和焊線46而進行的。本步驟通過用模具將密封用樹脂成形來進行。作為密封樹脂48，例如可以使用環氧樹脂。樹脂密封時通常在175℃的加熱溫度下進行60~90秒，但是，本發明不限於此，例如也可以在165~185℃下進行幾分鐘固化。由此，在使密封樹脂固化的同時通過晶片接合薄膜34將半導體晶片42與被黏物44固著。
在所述後固化步驟中，使在所述密封步驟中固化不充分的密封樹脂48完全固化。即使是在密封步驟中晶片接合薄膜34未完全熱固化的情況下，在本步驟中也可以使晶片接合薄膜34與密封樹脂48一起完全熱固化。本步驟中的加熱溫度因密封樹脂的種類而異，例如，在165~185℃的範圍內，加熱時間為約0.5小時~約8小時。由以上步驟，製造半導體裝置50。
上述的第一實施方式的晶片保持用膠帶10中，對通過印刷形成印刷層20的情況進行了說明，但是，本發明中，具有輻射線遮蔽功能的層不限於通過印刷，也可以通過塗 布等來形成。
上述的第一實施方式的晶片保持用膠帶10中，對印刷層20形成在基材12與黏合劑層14之間的情況進行了說明，但是，本發明中，紫外線遮蔽層(印刷層)也可以形成在基材的與黏合層相反側的表面上。
第一實施方式的晶片保持用膠帶10中，對設置印刷層20並對晶片保持用膠帶10的整個面照射輻射線從而在框架黏貼區域16與晶片黏貼區域18之間設置黏合力差的情況進行了說明。但是，本發明中，也可以不設置輻射線遮蔽層(印刷層20)而僅對晶片黏貼區域18照射輻射線。此時，可以在將用於遮蔽照射到框架黏貼區域上的輻射線的掩模層疊在晶片保持用膠帶上的情況下照射輻射線。
第一實施方式的晶片保持用膠帶10中，對通過輻射線照射在框架黏貼區域16與晶片黏貼區域18之間設置黏合力差的情況進行了說明，但是，本發明不僅限於此例，也可以通過塗布組成不同的黏合劑組合物溶液而在框架黏貼區域16與晶片黏貼區域18之間設置黏合力差。此時，例如，在框架黏貼區域16中可以使用第一實施方式中說明過的黏合劑組合物溶液，在晶片黏貼區域18中可以使用通過適當調節配合使黏合力為框架黏貼區域16中的黏合力的1/5以下而製作的黏合劑組合物溶液。另外，在分別塗布不同組成的黏合劑組合物溶液的情況下，不必設置輻射線遮蔽層(印刷層20)。另外，不必使用輻射線固化型黏合劑，使用一般的壓敏黏著劑即可。
第一實施方式的晶片保持用膠帶10中，對通過輻射線照射在框架黏貼區域16與晶片黏貼區域18之間設置黏合力差的情況進行了說明，但是，本發明中，也可以使用熱剝離型黏合劑。這是因為：即使使用熱剝離型黏合劑，也可以在框架黏貼區域與晶片狀工件黏貼區域之間設置黏合力差。
作為熱剝離型黏合劑，可以列舉在丙烯酸類聚合物等中配合有熱膨脹性微粒的熱發泡型黏合劑。通過對晶片狀工件黏貼區域進行加熱，黏合劑層發泡或者膨脹，使黏合劑層表面變為凹凸狀。結果，晶片狀工件黏貼區域中的黏合力降低，從而在晶片狀工件黏貼區域與框架黏貼區域之間形成黏合力差。
對於所述熱膨脹性微粒沒有特別限制，可以選擇使用各種無機或有機熱膨脹性微球。另外，也可以使用將熱膨脹性物質微囊化而得到的膨脹性微粒。另外，使用熱剝離型黏合劑的情況下，不必設置輻射線遮蔽層(印刷層20)。
第一實施方式的晶片保持用膠帶10中，對框架黏貼區域16與晶片黏貼區域18相連續的情況進行了說明，但是，如下所示，也可以在框架黏貼區域與晶片狀工件黏貼區域之間設置間隙。
[第二實施方式]
圖4是表示本發明的第二實施方式的晶片保持用膠帶的示意剖面圖。如圖4所示，晶片保持用膠帶60具有基材62和層疊在基材62上的黏合劑層64。作為基材62，可以 採用與第一實施方式的基材12同樣的構成。黏合劑層64由沿俯視圖週邊形成的、其表面相當於框架黏貼區域66的強黏合劑層64a和在俯視圖中央部分形成的、其表面相當於晶片黏貼區域68的弱黏合劑層64b構成。另外，在框架黏貼區域66與晶片黏貼區域68的邊界處設置有間隙67。這樣，本發明中，在晶片狀工件黏貼區域不顯著變窄的範圍內，可以在晶片狀工件黏貼區域與框架黏貼區域之間存在間隙。
作為黏合劑層64的形成方法，沒有特別限制，例如可以採用如上所述用不同組成的黏合劑組合物溶液分別塗布框架黏貼區域66和晶片黏貼區域68的方法。即，可以採用包括如下步驟的晶片保持用膠帶的製造方法：在基材上使用強黏合劑層形成用(框架黏貼區域66形成用)的黏合劑組合物溶液和弱黏合劑層形成用(晶片黏貼區域68形成用)的黏合劑組合物溶液，以強黏合劑層和弱黏合劑層兩者在基材上不層疊的形態形成強黏合劑層和弱黏合劑層。此時，不必使用輻射線固化型黏合劑，使用一般的壓敏黏著劑即可。另外，也可以象晶片保持用膠帶10(參考圖1(a))那樣，在設置紫外線遮蔽層(印刷層20)的同時使用輻射線固化型黏合劑作為黏合劑層，通過輻射線照射在框架黏貼區域66與晶片黏貼區域68之間設置黏合力差。使用輻射線固化型黏合劑的情況下，可以使用在第一實施方式中說明過的輻射線固化型黏合劑。
框架黏貼區域66中的對鏡面矽晶片的黏合力，為工件 黏貼區域68中的對鏡面矽晶片的黏合力的5倍以上，優選10倍以上。由於框架黏貼區域66中的剝離黏合力為晶片黏貼區域68中的剝離黏合力的5倍以上，因此在黏合力比較強的框架黏貼區域66，能夠牢固地黏貼安裝框架，並且在黏合力比較弱的晶片黏貼區域68，能夠以可黏貼剝離的方式黏貼半導體晶片42。
框架黏貼區域66中的黏合力優選為0.2~20N/20mm膠帶寬度，更優選0.3~10N/20mm膠帶寬度。這是因為：通過設定為0.2N/20mm膠帶寬度以上，可以牢固地固定在安裝框架上。另外，通過設定為20N/20mm膠帶寬度以下，可以防止黏合劑殘留在安裝框架上。
晶片黏貼區域68中的黏合力優選為0.01~0.1N/20mm膠帶寬度，更優選0.02~0.08N/20mm膠帶寬度。框架黏貼區域66及晶片黏貼區域68中的黏合力，是根據JIS Z0237測定的值，是黏貼到鏡面矽晶片上後，在23±3℃的測定溫度下，設定黏合劑層64(強黏合劑層64a、弱黏合劑層64b)的表面與鏡面矽晶片的表面所成的角θ為180°、牽引速度為300mm/分鐘，將晶片保持用膠帶60剝離時的值。晶片黏貼區域68中的黏合力為0.01N/20mm膠帶寬度以上時，半導體晶片42可靠地黏貼，可以防止脫落。另外，該黏合力為0.1N/20mm膠帶寬度以下時，在剝離時可以在不進行加熱或輻射線照射等操作的情況下進行剝離。
框架黏貼區域66中的楊氏模量優選為0.01~2MPa，更優選0.05~1MPa。
晶片黏貼區域68中的楊氏模量優選為3MPa以上，更優選5MPa以上。另外，晶片黏貼區域68中的楊氏模量優選為1000MPa以下，更優選為100MPa以下。這是因為：晶片黏貼區域68中的楊氏模量為3MPa以上時，可以容易地將晶片剝離。另外，晶片黏貼區域68中的楊氏模量為1000MPa以下時，可以容易地將晶片固定。
本發明中，框架黏貼區域和晶片狀工件黏貼區域也可以以下述方式形成。
[第三實施方式]
圖5是表示本發明的第三實施方式的晶片保持用膠帶的示意剖面圖。如圖5所示，晶片保持用膠帶70具有基材72、層疊於基材72上的強黏合劑層74和層疊於強黏合劑層74上的弱黏合劑層75。作為基材72，可以採用與第一實施方式的基材12同樣的構成。弱黏合劑層75在俯視圖中的面積小於強黏合劑層74，並以使強黏合劑層74的週邊部露出的方式層疊於強黏合劑層74上。強黏合劑層74的週邊部露出而形成的框架黏貼區域76是黏貼安裝框架的區域，弱黏合劑層75的表面(晶片黏貼區域78)是黏貼小片化的晶片狀工件的區域。作為晶片保持用膠帶70的製作方法，沒有特別限制，可以採用包括如下步驟的晶片保持用膠帶的製造方法：在基材上形成強黏合劑層的步驟；和以使強黏合劑層面的週邊露出的方式在強黏合劑層上形成弱黏合劑層的步驟。作為這樣的製造方法，可以列舉例如：通過塗布在基材72上形成強黏合劑層74，同時 另外製作弱黏合劑層75，並將它們貼合的方法；在基材72上形成的強黏合劑層74上塗布黏合劑組合物溶液而得到弱黏合劑層75的方法。另外製作弱黏合劑層75時，作為其製作方法，可以使用通過適當調節配合使其黏合力為強黏合劑層74的黏合力的1/5以下而製作的黏合劑組合物溶液來製作，也可以使用輻射線固化型黏合劑通過在形成黏合劑層後照射輻射線來製作具有預定黏合力的弱黏合劑層75。使用輻射線固化型黏合劑的情況下，可以使用在第一實施方式中說明過的輻射線固化型黏合劑。
強黏合劑層74的對鏡面矽晶片的黏合力，為弱黏合劑層75的對鏡面矽晶片的黏合力的5倍以上，優選10倍以上。由於強黏合劑層74的剝離黏合力為弱黏合劑層75的剝離黏合力的5倍以上，因此在黏合力比較強的強黏合劑層74上，能夠牢固地黏貼安裝框架，並且在黏合力比較弱的弱黏合劑層75上，能夠以可黏貼剝離的方式黏貼半導體晶片42。
強黏合劑層74的黏合力優選為0.2~20N/20mm膠帶寬度，更優選0.3~10N/20mm膠帶寬度。這是因為：通過設定為0.2N/20mm膠帶寬度以上，可以牢固地固定在安裝框架上。另外，通過設定為20N/20mm膠帶寬度以下，可以防止黏合劑殘留在安裝框架上。
弱黏合劑層75的黏合力優選為0.01~0.1N/20mm膠帶寬度，更優選0.02~0.08N/20mm膠帶寬度。強黏合劑層74及弱黏合劑層75的黏合力，是根據JIS Z0237測定的值， 是黏貼到鏡面矽晶片上後，在23±3℃的測定溫度下，設定強黏合劑層74或弱黏合劑層75的表面與鏡面矽晶片的表面所成的角θ為180°、牽引速度為300mm/分鐘，將晶片保持用膠帶70剝離時的值。弱黏合劑層75的黏合力為0.01N/20mm膠帶寬度以上時，半導體晶片42可靠地黏貼，可以防止脫落。另外，該黏合力為0.1N/20mm膠帶寬度以下時，在剝離時可以在不進行加熱或輻射線照射等操作的情況下進行剝離。
強黏合劑層74的楊氏模量優選為0.01~2MPa，更優選0.05~1MPa。
弱黏合劑層75的楊氏模量優選為3MPa以上，更優選5MPa以上。另外，弱黏合劑層75中的楊氏模量優選為1000MPa以下，更優選為100MPa以下。這是因為：弱黏合劑層75的楊氏模量為3MPa以上時，可以容易地將晶片剝離。另外，弱黏合劑層75的楊氏模量為1000MPa以下時，可以容易地將晶片固定。
[第四實施方式]
圖6是表示本發明的第四實施方式的晶片保持用膠帶的示意剖面圖。如圖6所示，晶片保持用膠帶80具有基材82、層疊於基材82上的弱黏合劑層84和層疊於弱黏合劑層84上的強黏合劑層85。作為基材82，可以採用與第一實施方式的基材12同樣的構成。強黏合劑層85具有將中央部分挖除使位於弱黏合劑層84中央的晶片黏貼區域88露出的環形的框架黏貼區域86。
作為晶片保持用膠帶80的製作方法，沒有特別限制，可以採用包括如下步驟的晶片保持用膠帶的製造方法：在基材上形成弱黏合劑層的步驟；和以使弱黏合劑層面的中央部露出的方式在弱黏合劑層上形成強黏合劑層的步驟，可以通過例如與第三實施方式的晶片保持用膠帶70同樣的方法來製作。
強黏合劑層85的對鏡面矽晶片的黏合力，為弱黏合劑層84的對鏡面矽晶片的黏合力的5倍以上，優選10倍以上。由於強黏合劑層85的剝離黏合力為弱黏合劑層84的剝離黏合力的5倍以上，因此在黏合力比較強的強黏合劑層85上，能夠牢固地黏貼安裝框架，並且在黏合力比較弱的弱黏合劑層84上，能夠以可黏貼剝離的方式黏貼半導體晶片42。
強黏合劑層85的黏合力優選為0.2~20N/20mm膠帶寬度，更優選0.3~10N/20mm膠帶寬度。這是因為：通過設定為0.2N/20mm膠帶寬度以上，可以牢固地固定在安裝框架上。另外，通過設定為20N/20mm膠帶寬度以下，可以防止黏合劑殘留在安裝框架上。
弱黏合劑層84的黏合力優選為0.01~0.1N/20mm膠帶寬度，更優選0.02~0.08N/20mm膠帶寬度。強黏合劑層85及弱黏合劑層84的黏合力，是根據JIS Z0237測定的值，是黏貼到鏡面矽晶片上後，在23±3℃的測定溫度下，設定強黏合劑層85或弱黏合劑層84的表面與鏡面矽晶片的表面所成的角θ為180°、牽引速度為300mm/分鐘，將晶片 保持用膠帶80剝離時的值。弱黏合劑層84的黏合力為0.01N/20mm膠帶寬度以上時，半導體晶片42可靠地黏貼，可以防止脫落。另外，該黏合力為0.1N/20mm膠帶寬度以下時，在剝離時可以在不進行加熱或輻射線照射等操作的情況下進行剝離。
強黏合劑層85的楊氏模量優選為0.01~2MPa，更優選0.05~1MPa。
弱黏合劑層84的楊氏模量優選為3MPa以上，更優選5MPa以上。另外，弱黏合劑層84中的楊氏模量優選為1000MPa以下，更優選為100MPa以下。這是因為：弱黏合劑層84的楊氏模量為3MPa以上時，可以容易地將晶片剝離，另外，弱黏合劑層84的楊氏模量為1000MPa以下時，可以容易地將晶片固定。
在上述的實施方式中，對將未使用的半導體晶片彙集在晶片保持用膠帶上進行保持、保存的情況進行了說明。但是，本發明中，晶片保持用膠帶的使用方法不限於此例，例如，也可以用於輸送小片化的晶片狀工件。
實施例
以下，例示性地對本發明的優選實施例進行詳細說明。但是，該實施例中記載的材料或配合量等，只要不是特別限定的記載則無意將本發明的要旨僅限於此。另外，以下說明中，“份”表示“重量份”。
(晶片接合薄膜(die-bonding film)A)
將作為環氧樹脂(a)的JER有限公司製製造的 Epicoat1001 20份、作為酚樹脂(b)的三井化學有限公司製製造的MEH 7851 22份、作為以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主要成分的丙烯酸酯類聚合物(c)的根上工業有限公司製製造的Paracron W-197CM 100份、作為填料(d)球形二氧化矽矽的ADMATECHS有限公司製製造的SO-25R 180份溶解於甲乙酮中，製製備成23.6重量%的濃度。將該黏著劑組合物的溶液塗布到經聚矽氧烷脫模處理後的厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脫模處理薄膜上後，在130℃乾燥2分鐘，由此製作厚度40μm的晶片接合薄膜A。
(晶片接合薄膜B)
除了將厚度設定為20μm以外，與晶片接合薄膜A同樣操作，製作晶片接合薄膜B。
(晶片接合薄膜C)
將作為環氧樹脂(a)的JER有限公司製製造的Epicoat 1001 12份、作為酚樹脂(b)的三井化學有限公司製製造的MEH 7851 13份、作為以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主要成分的丙烯酸酯類聚合物(c)的根上工業有限公司製製造的Paracron W-197CM 100份、作為填料(d)球形二氧化矽的ADMATECHS有限公司製製造的SO-25R 200份溶解於甲乙酮中，製製備成23.6重量%的濃度。將該黏著劑組合物的溶液塗布到經聚矽氧烷脫模處理後的厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脫模處理薄膜上後，在130℃乾燥2分鐘，由此製作厚度40μm的晶片 接合薄膜C。
(晶片接合薄膜D)
將作為環氧樹脂(a)的JER有限公司製製造的Epicoat1004 144份、作為環氧樹脂(b)的JER有限公司製製造的Epicoat827 130份、作為酚樹脂(c)的三井化學有限公司製製造的MILEX XLC-4L 293份、作為以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主要成分的丙烯酸酯類聚合物(d)的根上工業有限公司製製造的ParacronW-197CM 100份、作為填料(e)球形二氧化矽的ADMATECHS有限公司製製造的SO-25R 200份溶解於甲乙酮中，製製備成23.6重量%的濃度。將該黏著劑組合物的溶液塗布到經聚矽氧烷脫模處理後的厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脫模處理薄膜上後，在130℃乾燥2分鐘，由此製作厚度40μm的晶片接合薄膜D。
(晶片保持用膠帶A)
在具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計和攪拌裝置的反應容器中加入丙烯酸-2-乙基己酯(以下也稱為“2EHA”)86.4份、丙烯酸-2-羥基乙酯(以下也稱為“HEA”)13.6份、過氧化苯甲醯0.2份及甲苯65份，在氮氣流中在61℃下進行6小時聚合處理，得到丙烯酸類聚合物A。在丙烯酸類聚合物A中加入2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(以下也稱為“MOI”)14.6份，在空氣氣流中在50℃下進行48小時加成反應處理，得到丙烯酸類聚合物A’。
然後，在丙烯酸類聚合物A’100份中加入多異氰酸酯 化合物(商品名“CORONATE L”，日本聚氨酯有限公司製)2份和光聚合劑引發劑(商品名“Irgacure 651”，汽巴精化公司製)5份，得到黏合劑组合物溶液A。
將黏合劑組合物溶液A塗布於PET剝離襯墊的經聚矽氧烷處理的面上，並在120℃加熱乾燥2分鐘，從而形成厚度10μm的黏合劑層。然後，在形成的黏合劑層上黏貼聚烯烴薄膜。該聚烯烴薄膜的厚度為100μm，在與框架黏貼區域對應的部分預先形成有用於遮蔽輻射線的印刷層。之後，在50℃加熱24小時進行交聯處理，再使用日東精機製造的紫外線照射裝置(商品名UM-810)以20mW/cm2 的照度從聚烯烴薄膜一側照射紫外線使累積光量為400mJ/cm2 ，由此製作晶片保持用膠帶A。
(晶片保持用膠帶B)
在丙烯酸類聚合物A’100份中加入多異氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”，日本聚氨酯有限公司製)8份和光聚合劑引發劑(商品名“Irgacure 651”，汽巴精化公司製)5份，製製備黏合劑溶液，除此以外，與晶片保持用膠帶A同樣操作，製作晶片保持用膠帶B。
(晶片保持用膠帶C)
在丙烯酸類聚合物A’100份中加入多異氰酸酯化合物(商品名“CORONATEL”，日本聚氨酯有限公司製)2份和光聚合劑引發劑(商品名“Irgacure 184”，汽巴精化公司製)5份，製備黏合劑溶液，除此以外，與晶片保持用膠帶A同樣操作，製作晶片保持用膠帶C。
(晶片保持用膠帶D)
在具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計和攪拌裝置的反應容器中加入丙烯酸丁酯50.0份、丙烯酸乙酯50.0份、HEA 16.0份、過氧化苯甲醯0.2份及甲苯65份，在氮氣流中在61℃下進行6小時聚合處理，得到丙烯酸類聚合物B。
在丙烯酸類聚合物B中加入20.0份MOI，在空氣氣流中在50℃下進行48小時加成反應處理，得到丙烯酸類聚合物B’。
然後，在丙烯酸類聚合物B’100份中加入多異氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”，日本聚氨酯有限公司製)1份、光聚合劑引發劑(商品名“Irgacure 651”，汽巴精化公司製)3份以及UV固化性低聚物(商品名“紫光UV-1700B”，日本合成化學工業有限公司製)30份，得到黏合劑组合物溶液B。
將黏合劑組合物溶液B塗布於PET剝離襯墊的經聚矽氧烷處理的面上，並在120℃加熱乾燥2分鐘，從而形成厚度10μm的黏合劑層。然後，在形成的黏合劑層上黏貼聚烯烴薄膜。該聚烯烴薄膜的厚度為100μm，在與框架黏貼區域對應的部分預先形成有用於遮蔽輻射線的印刷層。之後，在50℃加熱24小時進行交聯處理，由此製作晶片保持用膠帶D。
(晶片保持用膠帶E)
將黏合劑組合物溶液A塗布於PET剝離襯墊的經聚矽 氧烷處理的面上，並在120℃加熱乾燥2分鐘，從而形成厚度10μm的黏合劑層，並黏貼另一片PET剝離襯墊的聚矽氧烷處理面，從而製作由PET剝離襯墊夾住的黏合劑層X。然後，使用日東精機製造的紫外線照射裝置(商品名UM-810)以20mW/cm2 的照度對該黏合劑層X照射紫外線使累積光量為400mJ/cm2 。
另一方面，將黏合劑組合物溶液B塗布於PET剝離襯墊的經聚矽氧烷處理的面上，並在120℃加熱乾燥2分鐘，從而形成厚度10μm的黏合劑層Y。然後，在黏合劑層Y上黏貼未實施遮光印刷的厚度100μm的聚烯烴薄膜。之後，在50℃加熱24小時進行交聯處理。
然後，將由PET剝離襯墊夾住的黏合劑層X切割為與晶片黏貼區域對應的大小後，將一個PET剝離襯墊剝離，並黏貼到將PET剝離襯墊剝離後的黏合劑層Y上使得黏合劑相互緊貼，由此製作晶片保持用膠帶E。
(晶片保持用膠帶F)
將黏合劑組合物溶液B塗布於PET剝離襯墊的經聚矽氧烷處理的面上，並在120℃加熱乾燥2分鐘，從而形成厚度10μm的黏合劑層，並黏貼另一片PET剝離襯墊的聚矽氧烷處理面，從而製作由PET剝離襯墊夾住的黏合劑層X’。
另一方面，將黏合劑組合物溶液A塗布於PET剝離襯墊的經聚矽氧烷處理的面上，並在120℃加熱乾燥2分鐘，從而形成厚度10μm的黏合劑層Y’。然後，在黏合劑層 Y’上黏貼未實施遮光印刷的厚度100μm的聚烯烴薄膜。之後，在50℃加熱24小時進行交聯處理，再使用日東精機製造的紫外線照射裝置(商品名UM-810)以20mW/cm2 的照度從聚烯烴薄膜一側照射紫外線使累積光量為400mJ/cm2 。
然後，將由PET剝離襯墊夾住的黏合劑層X’挖空使成為晶片黏貼區域的部分露出，然後將一個PET剝離襯墊剝離，並黏貼到將PET剝離襯墊剝離後的黏合劑層Y’上使黏合劑層相互緊貼，由此製作晶片保持用膠帶F。
將晶片保持用膠帶A~C作為實施例1~3、晶片保持用膠帶E作為實施例4、晶片保持用膠帶F作為實施例5、晶片保持用膠帶D作為比較例1，進行以下的評價。
<對鏡面矽晶片的黏合力的測定>
首先，用含有甲苯的抹布擦拭鏡面矽晶片，然後用含有甲醇的抹布擦拭，再用含有甲苯的抹布擦拭。然後，將晶片保持用膠帶A~F的晶片黏貼區域部分以及框架黏貼區域部分分別切割為20mm膠帶寬度的條狀後，將剝離襯墊剝離，並黏貼到上述鏡面矽晶片上。之後，在室溫環境下靜置30分鐘。
靜置30分鐘後，根據JIS Z0237，測定晶片保持用膠帶A~F的剝離黏合力。剝離條件如下：黏合劑層的表面與鏡面矽晶片的表面所成的角度θ為180°，牽引速度為300mm/分鐘，室溫(23℃)。結果如表1所示。
<黏合劑層的楊氏模量測定>
為了測定黏合劑層的楊氏模量，將晶片保持用膠帶A~D的實施例中的各黏合劑組合物溶液塗布到PET剝離襯墊的經聚矽氧烷處理的面上，並在120℃加熱乾燥2分鐘，由此形成厚度10μm的黏合劑層，並黏貼另一片PET剝離襯墊的聚矽氧烷處理面，從而製作由PET剝離襯墊夾住的黏合劑層(相當於實施例1~6的黏合劑層)。然後，測定框架黏貼區域中的楊氏模量和晶片黏貼區域中的楊氏模量。框架黏貼區域中的楊氏模量如下測定：將由PET剝離襯墊夾住的黏合劑層分別切割為長100mm、寬50mm的條狀後，將一個PET剝離襯墊剝離，僅將黏合劑層卷成筒狀，然後進行測定。另一方面，晶片黏貼區域中的楊氏模量如下測定：在製作由PET剝離襯墊夾住的黏合劑層後，利用日東精機製造的紫外線照射裝置(商品名UM-810)以20mW/cm2 的照度照射紫外線使累積光量為400mJ/cm2 ，之後與框架黏貼區域中的楊氏模量同樣地進行測定。使用拉伸試驗機，在測定時溫度23±3℃、測定時濕度55±10%Rh、牽引速度50mm/分鐘的條件下進行測定。結果如表1所示。
<剪切黏著力的測定>
在晶片保持用膠帶A~F的基材面側用PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)薄膜加襯，然後將框架黏貼區域部分切割為10mm寬度，將所得的試樣黏貼到SUS304BA板上，以50mm/分鐘在水準方向上牽引。測定此時的最大應力作為剪切黏著力。另外，在SUS304BA板上的黏貼部分為10mm ×10mm。結果如表1所示。
<定負載剝離速度的測定>
按照以下的(a)~(c)的順序進行測定。
(a)將晶片保持用膠帶A~F的框架黏貼區域部分切割為20mm寬度，並使用2kg的輥往返一次將其壓接在SUS304BA板上。
(b)將黏貼有晶片保持用膠帶A~F的SUS304BA板在以晶片保持用膠帶A~F為下面而保持水準的狀態下，在晶片保持用膠帶A~F的一端沿90°方向(鉛直方向)安裝2g的重物。
(c)每隔2小時測定從測定開始時起的剝離長度，共測定5個點。
(d)由5個點的測定值進行線性近似，將所得直線的斜率作為剝離速度。另外，線性近似採用最小二乘法。結果如表1所示。
(實施例6)
<對晶片接合薄膜的剝離力的測定>
在晶片保持用膠帶A的晶片黏貼區域分別黏貼晶片接合薄膜A~D。然後，將晶片接合薄膜側的剝離襯墊剝離，並在晶片接合薄膜上經由10μm厚的黏合劑用50μm的PET薄膜加襯。將所得材料切割為20mm寬度，對晶片保持用膠帶A和加襯後的晶片接合薄膜進行牽引，並測定剝離力。在測定時溫度23±3℃、測定時濕度55±10%Rh、剝離角度180°、剝離速度300mm/分鐘的條件下進行測 定。結果如表2所示。
<帶有晶片接合薄膜的晶片的製作>
首先，在切割薄膜(使用晶片保持用膠帶A作為切割薄膜)上分別層疊晶片接合薄膜A~D，製作切割/晶片接合薄膜A~D。然後，將磨削為厚度50μm的鏡面矽晶片安裝到切割/晶片接合薄膜A~D上，通過刀片切割加工切割為10mm見方的晶片。從晶片接合薄膜上將所得的晶片剝離，由此製作帶有晶片接合薄膜的晶片A~D。
<晶片脫落(室溫黏貼)評價>
將晶片保持用膠帶A的剝離襯墊剝離，並黏貼到安裝框架上固定。之後，將製作的帶有晶片接合薄膜的晶片A~D以晶片接合薄膜側作為黏貼方向黏貼到晶片保持用膠帶A的晶片黏貼區域，並在室溫下放置30分鐘。黏貼條件為：黏貼時溫度23℃、黏貼時壓力0.2MPa、加壓時間0.1秒。
在室溫下在黏貼有帶有晶片接合薄膜的晶片A~D的狀態下將安裝框架翻過來輕輕敲擊，通過落下的晶片數進行評價。評價中，各自使用5個帶有晶片接合薄膜的晶片A~D，一個也未脫落的情況評價為○，脫落1~4個的情況評價為△，5個全部脫落的情況評價為×。結果如表2所示。
<晶片脫落(0℃保持)評價>
將晶片保持用膠帶A的剝離襯墊剝離，並黏貼到安裝框架上固定。之後，將製作的帶有晶片接合薄膜的晶片A~D以晶片接合薄膜側作為黏貼方向黏貼到晶片保持用 膠帶A的晶片黏貼區域，並在0℃冷卻24小時。之後，在0℃環境下將安裝框架翻過來輕輕敲擊，通過落下的晶片數進行評價。評價中，各自使用5個帶有晶片接合薄膜的晶片A~D，一個也未脫落的情況評價為○，脫落1~4個的情況評價為△，5個全部脫落的情況評價為×。結果如表2所示。
<拾取性評價>
將晶片保持用膠帶A的剝離襯墊剝離，並黏貼到安裝框架上固定。之後，將製作的帶有晶片接合薄膜的晶片A~D以晶片接合薄膜側作為黏貼方向黏貼到晶片保持用膠帶A的晶片黏貼區域，並在室溫下放置30分鐘。使用製作的試樣，從晶片保持用膠帶A上進行帶有晶片接合薄膜的晶片A~D的拾取。使用剛製作後的試樣和在室溫下放置1個月後的試樣進行拾取性評價。另外，拾取條件如下所述。
(拾取條件)
晶片接合裝置：有限公司新川製SPA-300
安裝框架：DISCO公司製2-8-1
晶片類型：鏡面晶片(無圖案)
晶片尺寸：10mm×10mm
晶片厚度：50μm
針數：9根
針上推速度：5mm/秒
夾頭保持時間：1000毫秒
擴張：拉下量3mm
針上推高度：300μm
評價中，拾取10個晶片，全部能夠拾取的情況評價為○，能夠拾取1~9個晶片的情況評價為△，全部不能拾取的情況評價為×。結果如表2所示。
(實施例7)
除了將實施例6的晶片保持用膠帶A變為晶片保持用膠帶B以外，與上述實施例6進行同樣的試驗。結果如表3所示。
(實施例8)
除了將實施例6的晶片保持用膠帶A變為晶片保持用膠帶C以外，與上述實施例6進行同樣的試驗。結果如表 4所示。
(實施例9)
除了將實施例6的晶片保持用膠帶A變為晶片保持用膠帶E以外，與上述實施例6進行同樣的試驗。結果如表5所示。
(實施例10)
除了將實施例6的晶片保持用膠帶A變為晶片保持用膠帶F以外，與上述實施例6進行同樣的試驗。結果如表6所示。
(實施例11)
<對矽晶片的剝離力的測定>
用2000號砂紙對鏡面矽晶片進行背面研磨，磨削為厚度500μm後，用含有甲苯的抹布擦拭磨削面，然後用含有甲醇的抹布擦拭，再用含有甲苯的抹布擦拭。然後，將晶片保持用膠帶A~F的晶片黏貼區域部分分別切割為20mm膠帶寬度的條狀後，將剝離襯墊剝離，並黏貼在上述晶片的磨削面上。之後，在室溫環境下靜置30分鐘，根據JIS Z0237測定晶片保持用膠帶A的剝離黏合力。剝離條件是：黏合劑層的表面與鏡面矽晶片的表面所成的角度θ為180°，牽引速度300mm/分鐘，室溫(23℃)。結果如表7所示。
<矽晶片的製作>
用2000號砂紙對鏡面矽晶片進行背面研磨，磨削為厚度100μm，然後將其安裝到切割薄膜(使用晶片保持用膠帶A作為切割薄膜)上，通過刀片切割加工切割為10mm見方的晶片。將所得的晶片從晶片接合薄膜上剝離，由此得到矽晶片A。
<晶片脫落(室溫黏貼)評價>
將晶片保持用膠帶A的剝離襯墊剝離，並黏貼到安裝框架上固定。之後，將製作的矽晶片A黏貼到晶片保持用膠帶A的晶片黏貼區域，並在室溫下放置30分鐘。黏貼條件為：黏貼時溫度23℃、黏貼時壓力0.2MPa、加壓時間0.1秒。
在室溫下在黏貼有矽晶片A的狀態下將安裝框架翻過來輕輕敲擊，通過落下的晶片數進行評價。評價中，使用5個矽晶片A，一個也未脫落的情況評價為○，脫落1~4個的情況評價為△，5個全部脫落的情況評價為×。結果如表7所示。
<晶片脫落(0℃保持)評價>
將晶片保持用膠帶A的剝離襯墊剝離，並黏貼到安裝框架上固定。之後，將製作的矽晶片A黏貼到晶片保持用膠帶A的晶片黏貼區域，並在0℃冷卻24小時。之後，在0℃環境下將安裝框架翻過來輕輕敲擊，通過落下的晶片數進行評價。評價中，使用5個矽晶片A，一個也未脫落的情況評價為○，脫落1~4個的情況評價為△，5個全部脫 落的情況評價為×。結果如表7所示。
<拾取性評價>
將晶片保持用膠帶A的剝離襯墊剝離，並黏貼到安裝框架上固定。之後，將製作的矽晶片A黏貼到晶片保持用膠帶A的晶片黏貼區域，並在室溫下放置30分鐘。使用製作的試樣，從晶片保持用膠帶A上進行矽晶片A的拾取。使用剛製作後的試樣和在室溫下放置1個月後的試樣進行拾取性評價。另外，拾取條件如下所述。
(拾取條件)
晶片接合裝置：有限公司新川製SPA-300
安裝框架：DISCO公司製2-8-1
晶片類型：鏡面晶片(無圖案)
晶片尺寸：10mm×10mm
晶片厚度：100μm
針數：9根
針上推速度：5mm/秒
夾頭保持時間：1000毫秒
擴張：拉下量3mm
針上推高度：300μm
評價中，拾取10個晶片，全部能夠拾取的情況評價為○，能夠拾取1~9個晶片的情況評價為△，全部不能拾取的情況評價為×。結果如表7所示。
(實施例12)
除了將實施例11的晶片保持用膠帶A變為晶片保持用膠帶B以外，與上述實施例11進行同樣的試驗。結果如表8所示。
(實施例13)
除了將實施例11的晶片保持用膠帶A變為晶片保持用膠帶C以外，與上述實施例11進行同樣的試驗。結果如表9所示。
(實施例14)
除了將實施例11的晶片保持用膠帶A變為晶片保持用膠帶E以外，與上述實施例11進行同樣的試驗。結果如表10所示。
(實施例15)
除了將實施例11的晶片保持用膠帶A變為晶片保持用膠帶F以外，與上述實施例11進行同樣的試驗。結果如表11所示。
(比較例2)
<對晶片接合薄膜的剝離力的測定>
在晶片保持用膠帶D(未進行紫外線照射)的晶片黏貼區域分別黏貼晶片接合薄膜A~D。然後，從基材側以20mW/cm2 的照度對晶片保持用膠帶D照射紫外線使累積光量為400mJ/cm2 。之後，將晶片接合薄膜側的剝離襯墊剝離，並在晶片接合薄膜上經由10μm厚的黏合劑用50μm的PET薄膜加襯。將所得材料切割為20mm寬度，以300mm/分鐘的速度上下牽引晶片保持用膠帶A和加襯後的晶片接合薄膜，測定剝離力。結果如表7所示。
<晶片脫落(室溫黏貼)評價>
將晶片保持用膠帶D(未進行紫外線照射)的剝離襯墊剝離，並黏貼到安裝框架上固定。然後，將帶有晶片接合薄膜的晶片A~D黏貼到晶片保持用膠帶D的晶片黏貼區域，並在室溫下放置30分鐘。之後，使用日東精機製造的紫外線照射裝置(商品名UM-810)以20mW/cm2 的照度從聚烯烴薄膜一側照射紫外線使累積光量為400mJ/cm2 。對於這樣製作的試樣，進行與實施例1同樣的晶片脫落(室溫黏貼)評價。結果如表12所示。
<晶片脫落(0℃保持)評價>
將晶片保持用膠帶D(未進行紫外線照射)的剝離襯墊剝離，並黏貼到安裝框架上固定。然後，將帶有晶片接合薄膜的晶片A~D黏貼到晶片保持用膠帶D的晶片黏貼區域，並在0℃冷卻24小時。之後，使用日東精機製造的紫外線照射裝置(商品名UM-810)以20mW/cm2 的照度從聚烯烴薄膜一側照射紫外線使累積光量為400mJ/cm2 。對於這樣製作的試樣，進行與實施例1同樣的晶片脫落(0℃保持)評價。結果如表12所示。
<拾取性評價>
將晶片保持用膠帶D(未進行紫外線照射)的剝離襯墊剝離，並黏貼到安裝框架上固定。然後，將製作的帶有晶片接合薄膜的晶片A~D黏貼到晶片保持用膠帶D的晶片黏貼區域，並在室溫下放置30分鐘。使用製作的試樣，從晶片保持用膠帶D上進行帶有晶片接合薄膜的晶片A~D的拾取。在使用日東精機製造的紫外線照射裝置(商品名UM-810)以20mW/cm2 的照度從聚烯烴薄膜一側照射紫外線使累積光量為400mJ/cm2 後進行拾取性評價。另外，使用剛製作後的試樣和在室溫下放置1個月後的試樣進行拾取性評價。另外，拾取條件與實施例1同樣。結果如表12所示。
(結果)
從表2~12的結果可以看出，如實施例6~15所示，如果使用框架黏貼區域中的180度剝離黏合力為晶片狀工件黏貼區域中的180度剝離黏合力的5倍以上的晶片保持用膠帶，則可以在不引起晶片脫落的情況下保持晶片，並且具有良好的拾取性。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10、60、70、80‧‧‧晶片保持用膠帶
12、62、72、82‧‧‧基材
14、64‧‧‧黏合劑層
16、66、76、86‧‧‧框架黏貼區域
18、68、78、88‧‧‧晶片狀工件黏貼區域(晶片黏貼區域)
20‧‧‧印刷層
30‧‧‧切割/晶片接合薄膜
32‧‧‧切割薄膜
34‧‧‧晶片接合薄膜
36‧‧‧基材
38‧‧‧黏合劑層
40‧‧‧半導體晶片
42‧‧‧半導體晶片
44‧‧‧被黏物
46‧‧‧焊線
48‧‧‧密封樹脂
50‧‧‧半導體裝置
64a、74、85‧‧‧強黏合劑層
64b、75、84‧‧‧弱黏合劑層
圖1(a)是表示本發明的第一實施方式的晶片保持用膠帶的示意剖面圖，圖1(b)是其俯視圖。
圖2是表示本發明的第一實施方式的切割/晶片接合薄膜的示意剖面圖。
圖3是表示本發明的一個實施方式的半導體裝置的示意剖面圖。
圖4是表示本發明的第二實施方式的晶片保持用膠帶的示意剖面圖。
圖5是表示本發明的第三實施方式的晶片保持用膠帶的示意剖面圖。
圖6是表示本發明的第四實施方式的晶片保持用膠帶的示意剖面圖。
10‧‧‧晶片保持用膠帶
12‧‧‧基材
14‧‧‧黏合劑層
16‧‧‧框架黏貼區域
18‧‧‧晶片狀工件黏貼區域(晶片黏貼區域)
20‧‧‧印刷層
30‧‧‧切割/晶片接合薄膜
42‧‧‧半導體晶片

Claims (10)

  1. 一種晶片保持用膠帶，具有在基材上形成有黏合劑層的構成，該黏合劑層具有用於黏貼晶片狀工件的晶片狀工件黏貼區域以及用於黏貼安裝框架的框架黏貼區域，該晶片保持用膠帶通過將安裝框架黏貼到該框架黏貼區域上來使用，其特徵在於：該黏合劑層中，在測定溫度23±3℃、牽引速度300mm/分鐘的條件下，該框架黏貼區域中的對鏡面矽晶片的180度剝離黏合力為該晶片狀工件黏貼區域中的對鏡面矽晶片的180度剝離黏合力的5倍以上；以及該黏合劑層是由表面具有該框架黏貼區域的第一強黏合劑層以及表面具有該晶片狀工件黏貼區域的第一弱黏合劑層以兩者在基材上不層疊的形態形成的黏合劑層；或者該黏合劑層具有第二強黏合劑層以及以使該第二強黏合劑層面的週邊部露出的方式層疊在該第二強黏合劑層上的第二弱黏合劑層，其中該第二強黏合劑層的露出部位相當於該框架黏貼區域，該第二弱黏合劑層的表面相當於該晶片狀工件黏貼區域；或者該黏合劑層具有第三弱黏合劑層以及以使該第三弱黏合劑層面的中央部露出的方式層疊在該第三弱黏合劑層上的第三強黏合劑層，其中該第三強黏合劑層的表面相當於該框架黏貼區域，該第三弱黏合劑層的露出部位相當於該晶片狀工件黏貼區域。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之晶片保持用膠帶，其 特徵在於：在測定溫度23±3℃、牽引速度300mm/分鐘的條件下，該晶片狀工件黏貼區域中的黏合劑層對鏡面矽晶片的180度剝離黏合力為0.01~0.1N/20mm膠帶寬度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之晶片保持用膠帶，其特徵在於：該晶片狀工件黏貼區域中的黏合劑層的楊氏模量為3MPa以上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之晶片保持用膠帶，其特徵在於：該晶片保持用膠帶具有基材以及在該基材上形成的輻射線固化型黏合劑層；該晶片狀工件黏貼區域是通過輻射線照射引起的固化導致黏合力下降所形成的區域。
  5. 一種晶片狀工件的保持方法，用於保持通過切割而形成的晶片狀工件，其特徵在於包括以下步驟：將安裝框架黏貼到如申請專利範圍第1項所述之晶片保持用膠帶的框架黏貼區域的步驟；以及將通過切割而形成的晶片狀工件黏貼到晶片保持用膠帶的晶片狀工件黏貼區域的步驟。
  6. 一種半導體裝置的製造方法，使用如申請專利範圍第1項該之晶片保持用膠帶，其特徵在於包括以下步驟：切割工件的步驟；將通過切割而形成的晶片狀工件黏貼到該晶片保持用 膠帶的該晶片狀工件黏貼區域的步驟；將黏貼在該晶片保持用膠帶上的該晶片狀工件剝離的剝離步驟；以及將剝離的該晶片狀工件固定到被黏物上的步驟。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之半導體裝置的製造方法，其特徵在於：該剝離步驟是在不使該晶片狀工件黏貼區域的黏合力降低的情況下將該晶片狀工件剝離的步驟。
  8. 一種晶片保持用膠帶的製造方法，用於製造如申請專利範圍第4項所述的晶片保持用膠帶，其特徵在於包括以下步驟：形成輻射線固化型黏合劑層的黏合劑層形成步驟；以及對該輻射線固化型黏合劑層的一部分照射輻射線使其固化，以形成因固化而黏合力降低的晶片狀工件黏貼區域和未固化因而黏合力不降低的框架黏貼區域的輻射線照射步驟。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之晶片保持用膠帶的製造方法，其特徵在於：更包括輻射線遮蔽層形成步驟，其中該輻射線遮蔽層形成步驟為在與層疊於基材上的輻射線固化型黏合劑層的框架黏貼區域對應的部位形成具有輻射線遮蔽功能的輻射線遮蔽層步驟，其中該輻射線照射步驟是從該基材面一側照射輻射線使與晶片狀工件黏貼區域對應的部位的輻射線 固化型黏合劑層固化，從而形成因固化而黏合力降低的晶片狀工件黏貼區域和未固化因而黏合力不降低的框架黏貼區域的步驟。
  10. 如申請專利範圍第9項該之晶片保持用膠帶的製造方法，其特徵在於：該輻射線遮蔽層形成步驟是使用印刷法形成該輻射線遮蔽層的步驟。
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