TWI443726B - 切割／晶片接合薄膜 - Google Patents

切割／晶片接合薄膜 Download PDF

Info

Publication number
TWI443726B
TWI443726B TW098126113A TW98126113A TWI443726B TW I443726 B TWI443726 B TW I443726B TW 098126113 A TW098126113 A TW 098126113A TW 98126113 A TW98126113 A TW 98126113A TW I443726 B TWI443726 B TW I443726B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
acrylate
bonding film
wafer bonding
dicing
wafer
Prior art date
Application number
TW098126113A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201013767A (en
Inventor
Katsuhiko Kamiya
Takeshi Matsumura
Shuuhei Murata
Hironao Ootake
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of TW201013767A publication Critical patent/TW201013767A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI443726B publication Critical patent/TWI443726B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • C08F220/1808—C8-(meth)acrylate, e.g. isooctyl (meth)acrylate or 2-ethylhexyl (meth)acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J175/00—Adhesives based on polyureas or polyurethanes; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
    • C08F220/281—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing only one oxygen, e.g. furfuryl (meth)acrylate or 2-methoxyethyl (meth)acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/208—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/416—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components use of irradiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01016—Sulfur [S]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01056—Barium [Ba]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2848—Three or more layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/2878—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
    • Y10T428/2891—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer including addition polymer from alpha-beta unsaturated carboxylic acid [e.g., acrylic acid, methacrylic acid, etc.] Or derivative thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511—Of epoxy ether

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

切割/晶片接合薄膜
本發明涉及將用於固著晶片狀工件(半導體晶片等)與電極部件的膠黏劑在切割前黏貼在工件(半導體晶片等)上的狀態下供給工件切割的切割/晶片接合薄膜、其製造方法及使用該切割/晶片接合薄膜的半導體裝置製造方法。
形成電路圖案的半導體晶片(工件)在根據需要通過背面研磨調節厚度後，切割為半導體晶片(晶片狀工件)(切割步驟)。切割步驟中，為了除去切割層一般在適度的液壓(通常是約2kg/cm2)下清洗半導體晶片。然後，利用膠黏劑將所述半導體晶片固著到引線框等被黏物上(安裝步驟)後，進入接合步驟。所述安裝步驟中，將膠黏劑塗布在引線框或半導體晶片上。但是，該方法中膠黏劑層難以均勻化，另外膠黏劑的塗布需要特殊裝置和長時間。因此，提出了在切割步驟中膠黏保持半導體晶片、並且還提供安裝步驟中所需的晶片固著用膠黏劑層的切割/晶片接合薄膜(例如，參照專利文獻1)。
專利文獻1中記載的切割/晶片接合薄膜，在支撐基材上設置有能夠剝離的膠黏劑層。即，在膠黏劑層的保持下切割半導體晶片，然後拉伸支撐基材，將半導體晶片與膠黏劑層一起剝離，將其逐個回收，通過該膠黏劑層固著到引線框等被黏物上。
這種切割/晶片接合薄膜的膠黏劑層，為了不產生無法 切割或尺寸差錯等，希望具有對半導體晶片的良好保持力和能夠將切割後的半導體晶片與膠黏劑層一起從支撐基材剝離的良好剝離性。但是，使這兩種特性平衡絕不是容易的事情。特別是像利用旋轉圓刀等切割半導體晶片的方式那樣要求膠黏劑層具有高保持力的情況下，難以得到滿足上述特性的切割/晶片接合薄膜。
因此，為了克服這樣的問題，提出了各種改進方法(例如，參照專利文獻2)。專利文獻2中公開了在支撐基材和膠黏劑層之間插入可紫外線固化的黏合劑層，將其切割後進行紫外線固化，由此使黏合劑層與膠黏劑層之間的膠黏力下降，從而通過兩者間的剝離使半導體晶片的拾取變得容易的方法。
但是，即使通過該改進方法，有時也難以得到使切割時的保持力和之後的剝離性良好平衡的切割/晶片接合薄膜。例如，在10mm×10mm以上的大型半導體晶片或25~75μm的極薄半導體晶片的情況下，使用一般的晶片接合機不能容易地拾取半導體晶片。
針對這樣的問題，下述專利文獻3中公開了向黏合劑層中與半導體晶片黏貼部分對應的部分照射紫外線使該部分固化，由此提高拾取性的方案。但是，專利文獻3記載的切割/晶片接合薄膜，其切割後的切割面上發生構成晶片接合薄膜的膠黏劑層的膠糊溢出，因此有時切割面之間再附著(黏連)。結果，難以進行半導體晶片的拾取。
專利文獻1：日本特開昭60-57642號公報
專利文獻2：日本特開平2-248064號公報
專利文獻3：日本特開2005-5355號公報
本發明鑒於上述問題而進行，其目的在於提供一種切割/晶片接合薄膜，具有在基材上具有黏合劑層的切割薄膜和在該黏合劑層上設置的晶片接合薄膜，所述切割/晶片接合薄膜即使在半導體晶片為薄型的情況下，切割該薄型半導體晶片時的保持力與將切割得到的半導體晶片和其晶片接合薄膜一起剝離時的剝離性之間的平衡特性也優良；其製造方法；以及使用該切割/晶片接合薄膜的半導體裝置製造方法。
本發明人為了解決上述現有問題，對切割/晶片接合薄膜、其製造方法以及使用該切割/晶片接合薄膜的半導體裝置製造方法進行了研究。結果發現，如果是通過在紫外線照射前的黏合劑層上黏貼晶片接合薄膜而製作的切割/晶片接合薄膜，則黏合劑層與晶片接合薄膜的介面處的密合性高，錨固效應過度顯現，結果，即使通過紫外線照射使黏合劑層固化後對半導體晶片進行拾取，有時也難以剝離。
即，為了解決上述問題，本發明的切割/晶片接合薄膜為具有在基材上具有黏合劑層的切割薄膜和在該黏合劑層上設置的晶片接合薄膜的切割/晶片接合薄膜，其特徵在於，所述黏合劑層由丙烯酸類聚合物形成，所述丙烯酸類聚合物由CH2=CHCOOR1(式中，R1為碳原子數6~10的烷基)表示的丙烯酸酯A、CH2=CHCOOR2(式中，R2為 碳原子數11以上的烷基)表示的丙烯酸酯B、含羥基單體、和分子內具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物構成，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是：相對於丙烯酸酯A 60~90莫耳%，丙烯酸酯B為40~10莫耳%，所述含羥基單體的配合比例是：相對於所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的總量100莫耳%在10~30莫耳%的範圍內，所述異氰酸酯化合物的配合比例是：相對於所述含羥基單體100莫耳%在70~90莫耳%的範圍內，並且，通過紫外線照射而固化，所述晶片接合薄膜由環氧樹脂形成，並且層壓在紫外線照射後的黏合劑層上。
所述黏合劑層在與晶片接合薄膜黏貼前通過紫外線照射預先固化而形成。因此黏合劑層表面硬，在與晶片接合薄膜黏貼時能夠使兩者的密合度下降。由此，減小黏合劑層與晶片接合薄膜之間的錨固效果，例如在拾取半導體晶片時，使黏合劑層與晶片接合薄膜之間的剝離性良好。結果，能夠提高拾取性。另外，通過紫外線照射使黏合劑層固化時，形成交聯結構，由此黏合劑層的體積縮小。因此，例如在與晶片接合薄膜黏貼後對黏合劑層照射紫外線使其固化時，對晶片接合薄膜施加有應力。結果，有時切割/晶片接合薄膜整體產生翹曲。但是，本發明的切割/晶片接合薄膜，由於是在通過紫外線照射進行固化後與晶片接合薄膜黏貼而形成的，因此能夠防止對晶片接合薄膜施加不需要的應力。結果，能夠得到無翹曲的切割/晶片接合薄膜。
另外，所述晶片接合薄膜由環氧樹脂形成，因此即使例如通過切割與半導體晶片一起被切斷，也能夠防止其切割面上發生構成晶片接合薄膜的膠黏劑的膠糊溢出。由此，防止切割面之間再附著(黏連)，從而能夠進一步提高半導體晶片的拾取性。
另外，形成所述黏合劑層的丙烯酸類聚合物中，包含由CH2=CHCOOR1(式中，R1為碳原子數6~10的烷基)表示的丙烯酸酯A和由CH2=CHCOOR2(式中，R2為碳原子數11以上的烷基)表示的丙烯酸酯B，並且相對於丙烯酸酯A 60~90莫耳%，丙烯酸酯B的配合比例為40~10莫耳%。通過使丙烯酸酯A的配合比例為90莫耳%以下並且使丙烯酸酯B的配合比例為10莫耳%以上，能夠提高黏合劑層在紫外線固化後對晶片接合薄膜的剝離性，從而使拾取半導體晶片時的拾取性良好。另一方面，通過使丙烯酸酯A的配合比例為60莫耳%以上並且使丙烯酸酯B的配合比例為40莫耳%以下，使紫外線固化前切割薄膜與晶片接合薄膜的膠黏性良好，能夠防止剝離。另外，通過使含羥基單體的配合比例相對於丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的總量100莫耳%為10莫耳%以上，抑制紫外線照射後的交聯不足。結果，能夠防止例如切割時對黏貼於黏合劑層上的切割環產生膠糊殘留。另一方面，通過使所述配合比例為40莫耳%以下，能夠防止紫外線照射導致交聯過度進行而造成剝離困難，拾取性降低的情況。另外，還能夠防止與聚合物的部分凝膠化相伴隨的生產率下降。
另外，本發明中，不使用多官能單體，而採用分子內具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，因此，不會出現該多官能單體物質擴散至晶片接合薄膜中的情況。結果，防止切割薄膜與晶片接合薄膜的邊界面消失，能夠實現更好的拾取性。
所述紫外線照射時的積分光量優選在30~1000mJ/cm2的範圍內。通過使紫外線照射時的積分光量為30mJ/cm2以上，使黏合劑層充分固化，防止其與晶片接合薄膜過度密合。結果，能夠實現良好的拾取性，並能夠防止拾取後黏合劑附著在晶片接合薄膜上(所謂的膠糊殘留)。另一方面，通過使所述積分光量為1000mJ/cm2以下，能夠減少對基材的熱損害。另外，能夠防止黏合劑層的固化過度進行而使拉伸彈性模量過大，擴張性下降。另外，能夠防止黏合力過低，由此在工件的切割時，能夠防止晶片飛散的發生。
所述含羥基單體優選為選自由(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基十二烷酯和(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯組成的群組中的至少任意一種。
另外，所述具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，優選為選自2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯或者2-丙烯醯氧乙基異氰酸酯的至少任意一種。
另外，所述丙烯酸類聚合物的重均分子量優選在35萬至100萬的範圍內。通過使重均分子量為35萬以上，減少低分子量聚合物的比例，由此，能夠防止例如切割時從黏合劑層上黏貼的切割環上發生剝離。另外，防止紫外線照射後的交聯不足，因此在從黏合劑層上剝離切割環時，能夠防止產生膠糊殘留。另一方面，通過使重均分子量為100萬以下，能夠提高在基材上形成黏合劑層時的操作性。黏合劑層的形成，例如通過在基材上塗布由所述丙烯酸類聚合物形成的黏合劑組合物溶液後使其乾燥來進行，如果丙烯酸類聚合物的重均分子量超過100萬，則黏合劑組合物溶液的黏度過大，因此該丙烯酸類聚合物的聚合以及塗布時的操作性下降。
另外，優選所述黏合劑層的紫外線照射後的23℃下的拉伸彈性模量在7~170MPa的範圍內，並且構成所述黏合劑層的所述丙烯酸類聚合物不包含丙烯酸作為單體成分。通過使紫外線照射後的拉伸彈性模量(23℃)為7MPa以上，能夠保持良好的拾取性。另一方面，通過使拉伸彈性模量為170MPa以下，能夠抑制切割時發生晶片飛散。
構成所述黏合劑層的所述丙烯酸類聚合物優選不包含丙烯酸作為單體成分。由此，能夠防止黏合劑層與晶片接合薄膜的反應或相互作用，從而進一步提高拾取性。
另外，為了解決前述問題，本發明的切割/晶片接合薄膜的製造方法用於製造具有在基材上具有黏合劑層的切割薄膜和在該黏合劑層上設置的晶片接合薄膜的切割/晶片 接合薄膜，其特徵在於包括：在所述基材上形成黏合劑層前體的步驟，所述黏合劑層前體由丙烯酸類聚合物形成，所述丙烯酸類聚合物由CH2=CHCOOR1表示的丙烯酸酯A、CH2=CHCOOR2表示的丙烯酸酯B、含羥基單體、和分子內具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物構成，上述式中，R1為碳原子數6~10的烷基，R2為碳原子數11以上的烷基，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是：相對於丙烯酸酯A 60~90莫耳%，丙烯酸酯B為40~10莫耳%，所述含羥基單體的配合比例是：相對於所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的總量100莫耳%在10~30莫耳%的範圍內，所述異氰酸酯化合物的配合比例是：相對於所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的總量100莫耳%在70~90莫耳%的範圍內；對所述黏合劑層前體照射紫外線而形成所述黏合劑層的步驟；和在所述黏合劑層上黏貼所述晶片接合薄膜的步驟。
所述切割薄膜的黏合劑層在黏貼晶片接合薄膜前通過紫外線照射預先固化。因此黏合劑層表面硬，成為對凹凸的密合性下降的狀態。本發明通過在這樣的黏合劑層上黏貼晶片接合薄膜來製作切割/晶片接合薄膜，因此，黏合劑層與晶片接合薄膜之間的密合性下降，減少錨固效果。結果，例如在拾取半導體晶片時，黏合劑層與晶片接合薄膜之間的剝離性優良，得到顯示良好拾取性的切割/晶片接合薄膜。另外，通過紫外線照射使黏合劑層固化時，形成交聯結構，由此黏合劑層的體積縮小。因此，例如在與晶 片接合薄膜黏貼後對黏合劑層照射紫外線使其固化時，對晶片接合薄膜施加有應力。結果，有時切割/晶片接合薄膜整體產生翹曲。但是，本發明的切割/晶片接合薄膜，由於是在通過紫外線照射進行固化後與晶片接合薄膜黏貼而形成的，因此能夠防止對晶片接合薄膜施加不需要的應力。結果，能夠得到無翹曲的切割/晶片接合薄膜。
另外，所述方法中，使用環氧樹脂作為晶片接合薄膜的構成材料，因此能夠形成例如半導體晶片的切割時，即使半導體晶片與晶片接合薄膜被切斷也能夠防止其切割面上發生膠黏劑的膠糊溢出的晶片接合薄膜。結果，防止晶片接合薄膜的切割面之間再附著(黏連)，由此能夠製作拾取性優良的切割/晶片接合薄膜。
另外，形成所述黏合劑層的丙烯酸類聚合物中，包含由CH2=CHCOOR1(式中，R1為碳原子數6~10的烷基)表示的丙烯酸酯A和由CH2=CHCOOR2(式中，R2為碳原子數11以上的烷基)表示的丙烯酸酯B，並且相對於丙烯酸酯A 60~90莫耳%，丙烯酸酯B的配合比例為40~10莫耳%。通過使丙烯酸酯A的配合比例為90莫耳%以下並且使丙烯酸酯B的配合比例為10莫耳%以上，能夠提高黏合劑層在紫外線固化後對晶片接合薄膜的剝離性，從而使拾取半導體晶片時的拾取性良好。另一方面，通過使丙烯酸酯A的配合比例為60莫耳%以上並且使丙烯酸酯B的配合比例為40莫耳%以下，使紫外線固化前的切割薄膜與晶片接合薄膜的膠黏性良好，能夠防止剝離。另外，通過使 含羥基單體的配合比例相對於丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的總量100莫耳%為10莫耳%以上，抑制紫外線照射後的交聯不足。結果，能夠防止例如切割時對黏貼於黏合劑層上的切割環產生膠糊殘留。另一方面，通過使所述配合比例為40莫耳%以下，能夠防止紫外線照射導致交聯過度進行而造成剝離困難，拾取性降低的情況。另外，也能夠防止與聚合物的部分凝膠化相伴隨的生產率下降。
另外，本發明中，不使用多官能單體，而採用分子內具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，因此，不會出現該多官能單體物質擴散至晶片接合薄膜中的情況。結果，防止切割薄膜與晶片接合薄膜的邊界面消失，能夠實現更好的拾取性。
所述紫外線照射優選在30~1000mJ/cm2的範圍內進行。通過使紫外線的照射為30mJ/cm2以上，使黏合劑層充分固化，防止其與晶片接合薄膜過度密合。結果，能夠實現良好的拾取性，並能夠防止拾取後黏合劑附著在晶片接合薄膜上(所謂的膠糊殘留)。另一方面，通過使紫外線的照射為1000mJ/cm2以下，能夠減少對基材的熱損害。另外，能夠防止黏合劑層的固化過度進行而使拉伸彈性模量過大，擴張性下降。另外，能夠防止黏合力過低，由此在工件的切割時，能夠防止晶片飛散的發生。
另外，為了解決前述問題，本發明的半導體裝置製造方法使用具有在基材上具有黏合劑層的切割薄膜和在該黏合劑層上設置的晶片接合薄膜的切割/晶片接合薄膜，其特 徵在於，包括以下步驟：準備前面記載的切割/晶片接合薄膜，並在所述晶片接合薄膜上壓接半導體晶片的步驟；通過將所述半導體晶片與所述晶片接合薄膜一起切割而形成半導體晶片的步驟；和將所述半導體晶片與所述晶片接合薄膜一起從所述黏合劑層上剝離的步驟；並且從所述半導體晶片的壓接步驟直至半導體晶片的剝離步驟，所述黏合劑層上未照射紫外線。
所述方法中，使用在半導體晶片的切割時防止半導體晶片發生晶片飛散、並且拾取性也優良的切割/晶片接合薄膜，因此即使在例如10mm×10mm以上的大型半導體晶片或25~75μm的極薄半導體晶片的情況下，也能夠容易地將半導體晶片與晶片接合薄膜一起從切割薄膜上剝離。即，如果是所述方法，則能夠提高成品率而製造半導體裝置。
另外，所述方法中，在拾取前不必對黏合劑層照射紫外線。結果，與以往的半導體裝置製造方法相比能夠減少步驟數。另外，即使在半導體晶片具有規定電路圖案的情況下，也能夠防止由紫外線照射引起的電路圖案不良情況的產生。結果，能夠製造可靠性高的半導體裝置。
另外，所述方法中，由於使用具有使用環氧樹脂作為構成材料的晶片接合薄膜的切割/晶片接合薄膜，因此即使在例如半導體晶片的切割時，也能夠防止晶片接合薄膜的切割面上膠黏劑的糊溢出而造成的切割面之間的再附著(黏連)。結果，半導體晶片的剝離更加容易，能夠實現成品率的提高。為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易 懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
(切割/晶片接合薄膜)
參照圖1和圖2對本發明的實施方式進行說明。圖1是表示本發明的實施方式的切割/晶片接合薄膜的剖面示意圖。圖2是表示本發明實施方式的另一個切割/晶片接合薄膜的剖面示意圖。其中，省略不需說明的部分，另外，為了便於說明有擴大或者縮小等進行圖示的部分。
如圖1所示，切割/晶片接合薄膜10的構成為具有：在基材1上設置黏合劑層2的切割薄膜和在該黏合劑層2上設置的晶片接合薄膜3。另外，如圖2所示，本發明也可以是僅在半導體晶片黏貼部分2a上形成晶片接合薄膜3’的構成。
所述基材1具有紫外線透過性，並且作為切割/晶片接合薄膜10、11的強度母體。可以列舉例如：低密度聚乙烯、線型聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳族聚醯胺、聚苯硫醚、芳族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氯乙烯、 聚偏氯乙烯、纖維素樹脂、有機矽樹脂、金屬(箔)、紙等。
另外，作為基材1的材料，可以列舉所述樹脂的交聯物等聚合物。所述塑膠薄膜可以不拉伸而使用，也可以根據需要進行單軸或雙軸拉伸處理後使用。利用經拉伸處理等賦予了熱收縮性的樹脂片，通過在切割後使其基材1熱收縮而降低黏合劑層2與晶片接合薄膜3、3’的膠黏面積，從而容易進行半導體晶片的回收。
為了提高與鄰接層的密合性、保持性等，基材1的表面可以進行常規表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電壓暴露、離子化射線處理等化學或物理處理、以及底塗劑(例如，後述的黏合物質)塗布處理等。
所述基材1，可以適當選擇使用同種或異種材料，根據需要也可以將多種混合使用。另外，為了賦予基材1防靜電性能，可以在所述基材1上設置包含金屬、合金、它們的氧化物等的厚度約30Å~約500Å的導電物質的蒸鍍層。基材1可以是單層或2種以上的多層。
基材1的厚度沒有特別限制，可以適當設定，一般為約5μm~約200μm。
所述黏合劑層2由紫外線固化型黏合劑形成，通過預先照射紫外線而固化。固化的部分不必是黏合劑層2的全部區域，只要至少與黏合劑層2的半導體晶片黏貼部分3a對應的部分2a固化即可(參照圖1)。黏合劑層2在與晶片接合薄膜3黏貼前通過紫外線照射而固化，因此其表面 變硬，能夠抑制黏合劑層2與晶片接合薄膜3的介面處的密合性過度增大。由此，減少黏合劑層2與晶片接合薄膜3之間的錨固效果，實現剝離力的提高。
另外，通過使紫外線固化型黏合劑層2在與圖2所示的晶片接合薄膜3’貼合的狀態下預先固化，抑制黏合劑層2與晶片接合薄膜3的介面處密合性過度增大。由此，具備拾取時晶片接合薄膜3’容易從黏合劑層2上剝離的性質。另一方面，黏合劑層2的其它部分2b由於未照射紫外線因此未固化，黏合力比所述部分2a大。由此，在其它部分2b上黏貼切割環時，能夠將切割環可靠地膠黏固定。
如前所述，圖1所示的切割/晶片接合薄膜10的黏合劑層2中，由未固化的紫外線固化型黏合劑形成的所述部分2b與晶片接合薄膜3黏合，能夠確保切割時的保持力。這樣，紫外線固化型黏合劑能夠以良好的膠黏/剝離支撐用於將半導體晶片固著到襯底等被黏物上的晶片接合薄膜3。圖2所示的切割/晶片接合薄膜11的黏合劑層2中，所述部分2b能夠固定切割環。切割環例如可以使用不銹鋼制等由金屬製成的切割環或樹脂製成的切割環。
切割/晶片接合薄膜10中，優選進行如下設計：使黏合劑層2中所述部分2a對半導體晶片黏貼部分3a的黏合力小於所述其它部分2b對與半導體晶片黏貼部分3a不同的部分3b的黏合力。就常溫(23℃)下的黏合力(剝離角度15度、剝離速度300mm/分鐘)而言，所述部分2a的黏合力從晶片的固定保持力和形成的晶片的回收性等觀點考 慮優選為0.5~0.9N/10mm。黏合力如果小於0.5N/10mm則半導體晶片的膠黏固定不充分，因此在切割時有時發生晶片飛散。另外，黏合力如果超過0.9N/10mm則黏合劑層2過度地膠黏晶片接合薄膜3，因此有時難以拾取半導體晶片。另一方面，所述其它部分2b的黏合力優選為0.5~10N/10mm、進一步優選1~5N/10mm。即使所述部分2a的黏合力低，通過所述其它部分2b的黏合力也能夠抑制晶片飛散等的發生，從而發揮晶片加工所需的保持力。
切割/晶片接合薄膜11中，優選進行如下設計：使黏合劑層2中所述部分2a對半導體晶片黏貼部分3a的黏合力小於所述其它部分2b對切割環的黏合力。所述部分2a對半導體晶片黏貼部分3a的黏合力(常溫(23℃)、剝離角度15度、剝離速度300mm/分鐘)與上述同樣優選為0.5~0.9N/10mm。另一方面，所述其它部分2b對切割環的黏合力優選為0.05~10N/10mm、進一步優選0.1~5N/10mm。即使所述部分2a的剝離黏合力低，通過所述其它部分2b的黏合力也能夠抑制晶片飛散等的發生，從而發揮對晶片加工充分的保持力。另外，這些黏合力基於常溫(23℃)、剝離角度15度、剝離速度300mm/分鐘條件下的測定值。
另外，切割/晶片接合薄膜10、11中，優選進行如下設計：使半導體晶片黏貼部分3a對半導體晶片的黏合力大於其對所述部分2a的黏合力。對半導體晶片的黏合力可以根據其種類適當調節。半導體晶片黏貼部分3a對所述部分 2a的黏合力(常溫(23℃)、剝離角度15度、剝離速度300mm/分鐘)優選為0.05~10N/10mm、進一步優選1~5N/10mm。另一方面，半導體晶片黏貼部分3a對半導體晶片的黏合力(常溫(23℃)、剝離角度15度、剝離速度300mm/分鐘)從切割時、拾取時、晶片接合時的可靠性、拾取性的觀點考慮優選為0.5~15N/10mm以下、進一步優選1~15N/10mm。
在此，當設半導體晶片4的直徑為r1、黏合劑層2中所述部分2a的直徑為r2、晶片接合薄膜3中半導體晶片黏貼部分3a(或晶片接合薄膜3’)的直徑為r3時，優選滿足r1<r2<r3的關係。由此，能夠將半導體晶片4的整個面膠黏固定在晶片接合薄膜3、3’上，同時，能夠將半導體晶片黏貼部分3a(或晶片接合薄膜3’)的邊緣部膠黏固定在所述其它部分2b上。由於所述其它部分2b的黏合力大於所述部分2a，因此能夠在所述邊緣部膠黏固定半導體晶片黏貼部分3a(或晶片接合薄膜3’)。結果，切割時能夠進一步防止晶片飛散的發生。
所述紫外線固化型黏合劑是使用在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有自由基反應性碳碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型紫外線固化型黏合劑。內在型紫外線固化型黏合劑不需要含有或者大部分不含有作為低分子量成分的低聚物等成分等，因此低聚物成分等不會隨時間推移在黏合劑中移動，能夠形成穩定層結構的黏合劑層。
本發明中，所述丙烯酸類聚合物由丙烯酸酯A、丙烯 酸酯B、含羥基單體和分子內具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物構成。
所述丙烯酸酯A由化學式CH2=CHCOOR1(式中，R1為碳原子數6~10、更優選碳原子數8~9的烷基)表示。另外，所述丙烯酸酯B由化學式CH2=CHCOOR2(式中，R2為碳原子數11以上、更優選12~26、進一步優選16~22的烷基)表示。通過含有這樣的長鏈烷基單體，減小黏合劑的極性，能夠提高紫外線固化後的剝離性。
所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是：相對於丙烯酸酯A 60~90莫耳%，丙烯酸酯B為40~10莫耳%。如果所述丙烯酸酯A的配合比例超過90莫耳%並且丙烯酸酯B的配合比例低於10莫耳%，則紫外線固化後的黏合劑層2對晶片接合薄膜的剝離性降低，在拾取半導體晶片時導致拾取性下降。另一方面，如果丙烯酸酯A的配合比例低於60莫耳%並且丙烯酸酯B的比例超過40莫耳%，則黏合劑層2對晶片接合薄膜3的膠黏性下降，切割時有時發生晶片飛散。
所述丙烯酸酯A具體可以列舉例如：丙烯酸己酯、丙烯酸庚酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸壬酯、丙烯酸異壬酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸異癸酯等烷基的碳原子數為6~10(特別是碳原子數8~9)的直鏈或支鏈丙烯酸烷基酯等。這些單體可以單獨使用或者兩種以上組合使用。另外，所述化學式表示的單體中，特別優選丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸異壬酯。
作為所述丙烯酸酯B，只要是烷基的碳原子數為11以上的丙烯酸烷基酯則沒有特別限制，優選烷基的碳原子數為12以上(特別優選碳原子數16以上)的丙烯酸烷基酯。丙烯酸酯B中烷基的碳原子數的上限沒有特別限制，例如可以為30以下，優選26以下(進一步優選22以下)。作為丙烯酸酯B，具體可以列舉例如：丙烯酸十二烷酯、丙烯酸十三烷酯、丙烯酸十四烷酯、丙烯酸十六烷酯、丙烯酸十八烷酯、丙烯酸二十烷酯、丙烯酸二十二烷酯等。這些單體可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
所述丙烯酸類聚合物含有能夠與所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B共聚的含羥基單體作為必須成分。作為含羥基單體，可以列舉例如：(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或(甲基)丙烯酸-(4-羥甲基環己基)甲酯等。所述含羥基單體可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
所述含羥基單體的配合比例，相對於丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的總量100莫耳%優選在10~40莫耳%的範圍內，更優選在15~30莫耳%的範圍內。配合比例如果小於10莫耳%則紫外線照射後交聯不足，有時拾取性下降。另一方面，如果配合比例超過40莫耳%則黏合劑的極性增高，與晶片接合薄膜的相互作用增大，因此剝離困難。
為了改善凝聚力、耐熱性等，所述丙烯酸類聚合物根 據需要可以含有與能夠與所述丙烯酸烷基酯共聚的其它單體成分對應的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸仲丁酯、丙烯酸戊酯等丙烯酸烷基酯；甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸仲丁酯、甲基丙烯酸戊酯等甲基丙烯酸烷基酯；丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體；丙烯醯胺；丙烯腈；丙烯酸環烷酯(環己酯等)；甲基丙烯酸環烷酯；等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體的用量優選為全部單體成分的40重量%以下。但是，在所述含羧基單體的情況下，其羧基與晶片接合薄膜3中的環氧樹脂中的環氧基反應，由此黏合劑層2與晶片接合薄膜3的邊介面消失，有時兩者的剝離性下降。因此，含羧基單體的用量優選為全部單體成分的0~3重量%以下。另外，這些單體成分中，構成本發明的黏合劑層2的丙烯酸類聚合物優選不含丙烯酸作為單體成分。這是因為：有時丙烯酸物質擴散 到晶片接合薄膜3中，使黏合劑層2與晶片接合薄膜3的邊介面消失而使剝離性下降。
在此，所述丙烯酸類聚合物優選不含多官能單體作為共聚用單體成分。由此，多官能單體不會物質擴散至晶片接合薄膜，能夠防止黏合劑層2與晶片接合薄膜3的邊介面消失而導致的拾取性下降。
另外，所述丙烯酸類聚合物中，使用分子內具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物作為必須成分。作為所述異氰酸酯化合物，可以列舉例如：甲基丙烯醯異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯、2-丙烯醯氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。所述異氰酸酯化合物可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
所述具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物的配合比例，相對於含羥基單體100莫耳%優選在70~90莫耳%的範圍內，更優選在75~85莫耳%的範圍內。配合比例如果低於70莫耳%則紫外線照射後的交聯不足，有時拾取性下降。另一方面，配合比例如果超過90莫耳%則黏合劑的極性增高，與晶片接合薄膜的相互作用增大，由此難以剝離，拾取性下降。
所述丙烯酸類聚合物可以通過使所述單體混合物進行聚合而得到。聚合可以通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等中的任意方式進行。從防止污染潔淨的被黏物等方面考慮，優選低分子量物質的含量小。從該觀點考慮，丙烯酸類聚合物的重均分子量優選為約35萬至約 100萬、更優選約45萬至約80萬。重均分子量的測定通過GPC(凝膠滲透色譜法)進行，是通過聚乙烯換算計算得到的值。
另外，為了調節紫外線照射前的黏合力或紫外線照射後的黏合力，所述黏合劑中也可以適當使用外部交聯劑。作為外部交聯方法的具體手段，可以列舉：添加多異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯劑等所謂的交聯劑使其反應的方法。使用外部交聯劑的情況下，其用量根據與欲交聯的基礎聚合物的平衡以及作為黏合劑的使用用途進行適當確定。一般相對於所述基礎聚合物100重量份優選配合約20重量份以下、更優選配合0.1~10重量份。另外，根據需要，黏合劑中除所述成分之外還可以使用現有公知的各種增黏劑、抗老化劑等添加劑。
在所述丙烯酸類聚合物中引入自由基反應性碳碳雙鍵的方法沒有特別限制，可以採用各種方法，從分子設計方面而言在聚合物側鏈中引入自由基反應性碳碳雙鍵是比較容易的。例如可以列舉：預先將具有羥基的單體與丙烯酸類聚合物共聚後，使具有能夠與該羥基反應的異氰酸酯基及自由基反應性碳碳雙鍵的所述異氰酸酯化合物在保持自由基反應性碳碳雙鍵的紫外線固化性的狀態下與所得共聚物進行縮合或加成反應的方法。
所述內在型紫外線固化型黏合劑，可以單獨使用所述具有自由基反應性碳碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的範圍內配合紫外線固 化性單體成分或低聚物成分。
作為配合的所述紫外線固化性單體成分，可以列舉例如：氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外線固化性低聚物成分可以列舉氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量在約100至約30000的範圍內是適當的。紫外線固化性單體成分或低聚物成分的配合量可以根據所述黏合劑層的種類適當確定能夠使黏合劑層的黏合力下降的量。一般而言，相對於構成黏合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為約5重量份至約500重量份、優選約40重量份至約150重量份。
所述紫外線固化型黏合劑中優選含有光聚合引發劑。作為光聚合引發劑，可以列舉例如：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2,2’-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2’-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；聯苯醯二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯類化合 物；1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵化酮；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。光聚合引發劑的配合量相對於構成黏合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份例如為約0.05重量份至約20重量份。
切割/晶片接合薄膜10的黏合劑層2中，可以對黏合劑層2的一部分進行紫外線照射以使所述部分2a的黏合力<其它部分2b的黏合力。即，可以使用對基材1的至少單面的、與半導體晶片黏貼部分3a對應的部分以外的部分的全部或者一部分進行遮光的基材，在其上形成紫外線固化型黏合劑層2後進行紫外線照射，使與半導體晶片黏貼部分3a對應的部分固化，形成黏合力下降的所述部分2a。作為遮光材料，可以通過印刷或蒸鍍等在支撐薄膜上製作能夠形成光掩模的遮光材料。
另外，紫外線照射時因氧而產生固化抑制時，優選從紫外線固化型黏合劑層2的表面隔斷氧(空氣)。作為其方法，可以列舉例如：用隔膜包覆黏合劑層2的表面的方法或者在氮氣氛圍中進行紫外線等的照射的方法等。
黏合劑層2的厚度沒有特別限制，從同時防止晶片切割面的缺陷和保持晶片接合薄膜3的固定等方面考慮，優 選為約1μm至約50μm。優選2~30μm、更優選5~25μm。
晶片接合薄膜3例如可以形成僅由單層膠黏劑層構成的結構。另外，也可以將玻璃化轉變溫度不同的熱塑性樹脂、熱固化溫度不同的熱固性樹脂適當組合，形成兩層以上的多層結構。另外，由於半導體晶片的切割步驟中使用切削水，因此晶片接合薄膜3吸濕，有時達到常態以上的含水率。如果以這樣的高含水率狀態膠黏到襯底等上，則有時在後固化階段膠黏介面處滯留水蒸汽，而產生隆起。因此，作為晶片膠黏用膠黏劑，形成用晶片膠黏劑夾住高透濕性芯材的結構，由此在後固化階段水蒸汽透過薄膜而擴散，從而能夠避免所述問題。從這樣的觀點考慮，晶片接合薄膜3可以形成在芯材的單面或雙面形成膠黏劑層的多層結構。
作為所述芯材，可以列舉薄膜(例如聚醯亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維或塑膠制無紡纖維增強的樹脂襯底、矽襯底或玻璃襯底等。
本發明的晶片接合薄膜3，以環氧樹脂作為主成分而形成。環氧樹脂中使半導體元件腐蝕的離子性雜質等的含量少，因此優選。作為所述環氧樹脂，只要是通常作為膠黏劑組合物使用的環氧樹脂則沒有特別限制，可以使用例如：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥苯基甲烷型、四酚 基乙烷型等雙官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙內醯脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或者縮水甘油胺型等環氧樹脂。這些環氧樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些環氧樹脂中，特別優選酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥苯基甲烷型環氧樹脂或四酚基乙烷型環氧樹脂。這是因為：這些環氧樹脂與作為固化劑的酚樹脂的反應性好，並且耐熱性等優良。
另外，晶片接合薄膜3根據需要可以適當組合使用其它熱固性樹脂或熱塑性樹脂。作為所述熱固性樹脂，可以列舉酚樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚矽氧烷樹脂、或者熱固性聚醯亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。另外，作為環氧樹脂的固化劑優選酚樹脂。
另外，所述酚樹脂作為所述環氧樹脂的固化劑使用，可以列舉例如：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂、甲階酚醛樹脂型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些酚樹脂中特別優選苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂等。這是因為它們能夠提高半導體裝置的連接可靠性。
所述環氧樹脂與酚樹脂的配合比例，優選例如以相對於所述環氧樹脂成分中的每一當量環氧基，酚樹脂中的羥基為0.5~2.0當量的比例進行配合。更優選0.8~1.2當量。 即，這是因為：兩者的配合比例如果在所述範圍以外，則固化反應不充分，環氧樹脂固化物的特性容易變差。
作為所述熱塑性樹脂，可以列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、尼龍6或尼龍6,6等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或者含氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹脂中，特別優選離子性雜質少、耐熱性高、能夠確保半導體元件可靠性的丙烯酸系樹脂。
作為所述丙烯酸系樹脂，沒有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上具有碳原子數30以下、特別是碳原子數4~18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯為成分的聚合物等。作為所述烷基，可以列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者十二烷基等。
另外，作為形成所述聚合物的其它單體，沒有特別限制，可以列舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙 烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；或者丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體。
為了使晶片接合薄膜3的膠黏劑層預先具有某種程度的交聯，在製作時優選添加能夠與聚合物的分子鏈末端的官能團等反應的多官能化合物作為交聯劑。由此，能夠提高高溫下的膠黏特性、改善耐熱性。
另外，晶片接合薄膜3的膠黏劑層中根據需要可以適當配合其它添加劑。作為其它添加劑，可以列舉例如：阻燃劑、矽烷偶聯劑或離子捕獲劑等。作為所述阻燃劑，可以列舉例如：三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述矽烷偶聯劑，可以列舉例如：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。這些化合物可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如：水滑石類、氫氧化鉍等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
晶片接合薄膜3的厚度沒有特別限制，例如為約5μm至約100μm、優選約5μm至約50μm。
可以使切割/晶片接合薄膜10、11具有防靜電性能。由此，能夠防止其膠黏時及剝離時等產生靜電或者電路由於靜電導致的半導體晶片帶電而遭破壞等。防靜電能力的賦予，可以通過在基材1、黏合劑層2或者晶片接合薄膜3中添加防靜電劑或導電物質的方法、在基材1上附設由電荷轉移絡合物或金屬膜等形成的導電層等適宜方式來進行。作為這些方式，優選不易產生可能導致半導體晶片變質的雜質離子的方式。作為以賦予導電性、提高導熱性等為目的而配合的導電物質(導電填料)，可以列舉銀、鋁、金、銅、鎳、導電合金等球狀、針狀、片狀金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、無定形炭黑、石墨等。但是，從不漏電的觀點考慮，優選所述晶片接合薄膜3、3’為非導電性。
所述切割/晶片接合薄膜10、11的晶片接合薄膜3、3’優選由隔膜保護(未圖示)。隔膜具有作為在供給實際應用之前保護晶片接合薄膜3、3’的保護材料的功能。另外，隔膜還可以作為向黏合劑層2上轉印晶片接合薄膜3、3’時的支撐基材使用。隔膜在向切割/晶片接合薄膜的晶片接合薄膜3、3’上黏貼半導體晶片時剝離。作為隔膜，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯，也可以使用由含氟剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝離劑進行了表面塗敷的塑膠薄膜或紙等。
(切割/晶片接合薄膜的製造方法)
以下，以切割/晶片接合薄膜10為例對本發明的切割/晶片接合薄膜的製造方法進行說明。首先，基材1可以通 過現有公知的制膜方式製成膜。作為該制膜方法，可以列舉例如：壓延制膜法、有機溶劑中的流延法、密閉體系的擠壓吹塑法、T形模頭擠出法、共擠出法、幹式層壓法等。
然後，在基材1上塗布黏合劑組合物形成塗膜後，在規定條件下使該塗膜乾燥(根據需要進行加熱交聯)，形成黏合劑層前體。作為塗布方法沒有特別限制，可以列舉例如：輥塗、絲網塗布、凹版塗布等。另外，作為乾燥條件可以根據塗膜的厚度或材料等進行各種設定。具體而言，例如，在乾燥溫度80~150℃、乾燥時間0.5~5分鐘的範圍內進行。另外，也可以在隔膜上塗布黏合劑組合物形成塗膜後，在所述乾燥條件下使塗膜乾燥而形成黏合劑層前體。之後，將黏合劑層前體轉印到基材1上。對這樣形成的黏合劑層前體進行紫外線照射，由此形成黏合劑層2。作為紫外線的照射條件，其積分光量優選在30~1000mJ/cm2的範圍內、更優選在100~500mJ/cm2的範圍內。紫外線照射如果不足30mJ/cm2則有時黏合劑層的固化不充分。結果，與晶片接合薄膜的密合性增大，導致拾取性下降。另外，拾取後在晶片接合薄膜上產生膠糊殘留。另一方面，紫外線照射如果超過1000mJ/cm2則有時對基材產生熱損害。另外，黏合劑層的固化過度進行而使拉伸彈性模量過大，擴張性下降。另外，黏合力過度下降，由此在半導體晶片的切割時，有時發生晶片飛散。
然後，將用於形成晶片接合薄膜3的形成材料塗布在剝離紙上至預定厚度，並且在規定條件下進行乾燥而形成 晶片接合薄膜3。通過將該晶片接合薄膜3轉印到所述黏合劑層2上，形成切割/晶片接合薄膜。通過以上方法，得到本發明的切割/晶片接合薄膜10。
(半導體裝置的製造方法)
參照圖3對使用本發明的切割/晶片接合薄膜11的半導體裝置的製造方法進行說明。
首先，將半導體晶片4壓接在切割/晶片接合薄膜11中的晶片接合薄膜3’上，將其膠黏保持而固定(安裝步驟)。本步驟在用壓接輥等擠壓工具擠壓的同時進行。
然後，進行半導體晶片4的切割。由此，將半導體晶片4切割為規定的尺寸而小片化，形成半導體晶片5。切割例如從半導體晶片4的電路面側一按照常規方法進行。另外，本步驟中，例如可以採用完全切入至晶片接合薄膜3的、稱為全切的切割方式等。由於晶片接合薄膜3由環氧樹脂形成，因此即使通過切割被切斷，也能夠防止其切割面上產生膠黏劑的膠糊溢出。結果，能夠防止切割面之間再附著(黏連)，從而能夠更好地進行後述的拾取。本步驟中使用的切割裝置沒有特別限制，可以使用現有公知的切割裝置。另外，由於半導體晶片4由晶片接合薄膜3膠黏固定，因此不僅能夠抑制晶片缺陷和晶片飛散，也能夠抑制半導體晶片4的破損。另外，即使在通過切割切入至黏合劑導2的情況下，由於黏合劑層2通過紫外線照射而固化，也能夠防止絲屑等的產生。
然後，進行切割/晶片接合薄膜11的擴張。擴張使用 現有公知的擴張裝置進行。擴張裝置具有能夠通過切割環將切割/晶片接合薄膜11向下方下推的甜甜圈(donuts)狀外環和直徑比該外環小的支撐切割/晶片接合薄膜11的內環。切割/晶片接合薄膜11中，僅黏合劑層2的所述部分2a通過紫外線照射而固化，其它部分2b未固化，因此，能夠充分地擴大相鄰半導體晶片間的間隙而不產生斷裂。結果，在後述的拾取時，能夠防止半導體晶片之間接觸而破損。
為了剝離膠黏固定在切割/晶片接合薄膜10上的半導體晶片5，進行半導體晶片5的拾取。拾取以不對黏合劑層2照射紫外線的方式進行。拾取方法沒有特別限制，可以採用現有公知的各種方法。例如，可以列舉用針從切割/晶片接合薄膜10一側將各個半導體晶片5向上推，通過拾取裝置拾取被上推的半導體晶片5的方法等。本發明的切割/晶片接合薄膜10中，黏合劑層2與晶片接合薄膜3的剝離性良好，因此即使減少針數、或者減小上推量也能夠提高成品率而進行拾取。
拾取的半導體晶片5通過晶片接合薄膜3a膠黏固定在被黏物6上(晶片接合)。被黏物6載置於加熱台(heat block)9上。作為被黏物6，可以列舉引線框、TAB薄膜、襯底或者另外製作的半導體晶片等。被黏物6例如可以是容易變形的變形型被黏物、也可以是難以變形的非變形型被黏物(半導體晶片等)。
作為所述襯底，可以使用現有公知的襯底。另外，作 為所述引線框，可以使用Cu引線框、42合金引線框等金屬引線框或者由玻璃環氧、BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)、聚醯亞胺等製成的有機襯底。但是，本發明不限於這些，也包括在安裝半導體元件，與半導體元件電連接後可以使用的電路襯底。
晶片接合薄膜3為熱固型時，通過加熱固化將半導體晶片5膠黏固定在被黏物6上，並提高耐熱強度。另外，通過晶片接合薄膜3a將半導體晶片5膠黏固定到襯底等上而形成的製品可以供給回流焊接步驟。之後，進行用焊線7將襯底的端子部(內部端子)的前端與半導體晶片5上的電極焊盤(未圖示)電連接的絲焊，再用密封樹脂8將半導體晶片密封，並使該密封樹脂8後固化。由此，製作本實施方式的半導體裝置。
實施例
以下，具體地舉例說明本發明的優選實施例。但是，這些實施例中記載的材料或配合量等，只要沒有特別限定的記載，則並不意味本發明的範圍僅限定於此，只不過是舉例說明而已。另外，各例中，只要沒有特別說明，“份”均為重量基準。
(實施例1)
<切割薄膜的製作>
在具有冷凝管、氮氣導入管、溫度計和攪拌裝置的反應容器中，加入51.7份丙烯酸-2-乙基己酯(以下稱為“2EHA”)、39.0份丙烯酸硬脂酯(以下稱為“SA”)、 9.3份丙烯酸-2-羥基己酯(以下稱為“HEA”)、0.2份過氧化苯甲醯及65份甲苯，在氮氣流中在61℃下進行6小時聚合處理，得到重均分子量58萬的丙烯酸類聚合物A。重均分子量如後所述。2EHA、SA、HEA的莫耳比為70莫耳對30莫耳對20莫耳。
在該丙烯酸類聚合物A中加入10.0份(相對於HEA為80莫耳%)2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(以下稱為“MOI”)，在空氣氣流中在50℃下進行48小時加成反應處理，得到丙烯酸類聚合物A’。
然後，在100份丙烯酸類聚合物A’中加入8份多異氰酸酯化合物(商品名“Colonate L”，日本聚氨酯株式會社製造)和5份光聚合引發劑(商品名“Irgacure 651”，汽巴特殊化學品公司制)，製作黏合劑溶液。
將前述製備的黏合劑溶液塗布於PET剝離襯裡的經聚矽氧烷(silicone)處理的表面上，在120℃加熱交聯2分鐘，形成厚度10μm的黏合劑層前體。然後，在該黏合劑層前體表面黏貼厚度100μm的聚烯烴薄膜。之後，在50℃保存24小時。之後，僅對黏合劑層前體的與半導體晶片黏貼部分(直徑200mm)對應的部分(直徑220mm)照射500mJ/cm2的紫外線而形成黏合劑層。由此，製作本實施例的切割薄膜。另外，紫外線照射條件如下所述。
<紫外線照射條件>
紫外線(UV)照射裝置：高壓水銀燈
紫外線照射積分光量：500mJ/cm2
輸出功率：75W
照射強度150mW/cm2
另外，紫外線照射是對黏合劑層前體直接照射。
<晶片接合薄膜的製作>
使100份以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯類聚合物(根上工業株式會社制，商品名：Paracron W-197CM)、59份環氧樹脂1(JER株式會社制，商品名：Epicoat 1004)、53份環氧樹脂2(JER株式會社制，商品名：Epicoat 827)、121份酚樹脂(三井化學株式會社制，商品名：Milex XLC-4L)和222份球狀二氧化矽(ADMATECHS株式會社制，商品名：SO-25R)溶解於甲乙酮中，製備成濃度23.6重量%。
將該膠黏劑組合物的溶液塗布於作為剝離襯裡(隔膜)的經聚矽氧烷處理的厚度38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脫膜處理薄膜上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度25μm的晶片接合薄膜。進而，將晶片接合薄膜轉印到前述切割薄膜的黏合劑層一側，得到本實施例的切割/晶片接合薄膜。
<重均分子量Mw的測定>
重均分子量Mw的測定通過GPC(凝膠滲透色譜法)進行。測定條件如下所述。另外，重均分子量通過聚苯乙烯換算來計算。
測定裝置：HLC-8120GPC(製品名，東曹公司制)
柱：TSKgel GMH-H(S)×2(商品編號，東曹公司制)
流量：0.5ml/分鐘
注射量：100μl
柱溫：40℃
洗脫液：THF
注射試樣濃度：0.1重量%
檢測器：差示折射計
(實施例2~13)
實施例2~13變更為下表1所示的組成及配合比例，除此以外，與實施例1同樣操作，製作切割/晶片接合薄膜。
另外，表1及後述的表2中記載的簡稱的含義如下所述。
2EHA：丙烯酸-2-乙基己酯
i-OA：丙烯酸異辛酯
SA：丙烯酸硬脂酯
VA：丙烯酸二十二烷酯
BA：丙烯酸正丁酯
HEA：丙烯酸-2-羥基乙酯
4HBA：丙烯酸-4-羥基丁酯
AOI：2-丙烯醯氧乙基異氰酸酯
C/L：多異氰酸酯化合物(商品名“Colonate L”，日本聚氨酯株式會社製造)
(比較例1~8)
比較例1~7變更為下表2所示的組成及配合比例，除此以外，與所述實施例1同樣操作，製作切割/晶片接合薄膜。另外，比較例8變更為下表2所示的組成及配合比例並且在晶片接合薄膜的黏貼前不實施紫外線照射，除此以外與實施例1同樣操作，製作切割/晶片接合薄膜。
(切割)
使用各實施例及比較例的各切割/晶片接合薄膜，按照以下要領實際進行半導體晶片的切割，並評價各切割/晶片接合薄膜的性能。
對半導體晶片(直徑8英寸、厚度0.6mm)進行背面研磨處理，將厚度0.15mm的鏡面晶片作為工件使用。從切割/晶片接合薄膜上剝離隔膜後，在40℃下在其晶片接合薄膜上用輥壓接鏡面晶片使其黏貼，進而進行切割。另外，切割以得到1mm見方的晶片尺寸的方式進行全切。確認切割後的半導體晶片及切割/晶片接合薄膜有無晶片飛散。晶片飛散在即使半導體晶片有一個飛散時也評價為×，無飛散時評價為○。晶片磨削條件、黏貼條件及切割條件如下所述。
<晶片磨削條件>
磨削裝置：迪思科(DISCO)
公司制，DFG-8560
半導體晶片：8英寸直徑(從厚度0.6mm背面磨削至0.15mm)
<黏貼條件>
黏貼裝置：日東精機制MA-3000II
黏貼速度：10mm/分鐘
黏貼壓力：0.15MPa
黏貼時的級溫：40℃
<切割条件>
切割裝置：迪思科公司制，DFD-6361
切割環：2-8-1(迪思科公司制)
切割速度：80mm/秒
切割刀片：
Z1：迪思科公司制2050HEDD
Z2：迪思科公司制2050HEBB
切割刀片轉數：
Z1：40000rpm
Z2：40000rpm
刀片高度：
Z1：0.215mm(由半導體晶片厚度決定(晶片厚度為75μm時，為0.170mm))
Z2：0.085mm
切割方式：A模式/階段式切割
晶片晶片尺寸：1.0mm見方
(拾取)
使用各實施例及比較例的各切割/晶片接合薄膜，按照以下要領實際進行半導體晶片的切割後進行拾取，並評價各切割/晶片接合薄膜的性能。
對半導體晶片(直徑8英寸、厚度0.6mm)進行背面研磨處理，將厚度0.050mm的鏡面晶片作為工件使用。從切割/晶片接合薄膜上剝離隔膜後，在40℃下在其晶片接合薄膜上用輥壓接鏡面晶片使其黏貼，進而進行切割。另 外，切割以得到10mm見方的晶片尺寸的方式進行全切。
然後，將各切割/晶片接合薄膜拉伸，進行使各晶片間達到規定間隔的擴張步驟。但是，比較例8的切割/晶片接合薄膜在進行紫外線照射後進行擴張步驟。另外，紫外線的照射條件是：使用日東精機(商品名：UM-810型)作為紫外線(UV)照射裝置，紫外線照射積分光量為300mJ/cm2。另外，紫外線照射從聚烯烴薄膜一側進行。
進而，從各切割/晶片接合薄膜的基材一側通過用針上推的方式拾取半導體晶片，進行拾取性評價。具體而言，連續地拾取400個半導體晶片，顯示在後述條件下進行時的成功率。
<晶片磨削條件>
磨削裝置：迪思科公司制，DFG-8560
半導體晶片：8英寸直徑(從厚度0.6mm背面磨削至0.050mm)
<黏貼條件>
黏貼裝置：日東精機制MA-3000II
黏貼速度：10mm/分鐘
黏貼壓力：0.15MPa
黏貼時的級溫：40℃
<切割条件>
切割裝置：迪思科公司制，DFD-6361
切割環：2-8-1(迪思科公司制)
切割速度：80mm/秒
切割刀片：
Z1：迪思科公司制2050HEDD
Z2：迪思科公司制2050HEBB
切割刀片轉數：
Z1：40000rpm
Z2：40000rpm
刀片高度：
Z1：0.170mm(由半導體晶片厚度決定(晶片厚度為50μm時，為0.170mm))
Z2：0.085mm
切割方式：A模式/階段式切割
晶片晶片尺寸：10.0mm見方
<拾取條件>
拾取條件按照下表3所示的條件分別進行。
(拉伸彈性模量的測定方法)
在樣品尺寸設定為初始長度10mm、截面積 0.1~0.5mm2，測定溫度23℃、夾盤間距50mm、拉伸速度50mm/分鐘的測定條件下，沿MD方向或TD方向進行拉伸試驗，測定各方向上樣品的伸長變化量(mm)。結果，對得到的S-S曲線的初期上升部分作切線，用該切線上相當於100%伸長時的拉伸強度除以基材薄膜的截面積，得到拉伸彈性模量。另外，紫外線照射後的拉伸彈性模量的測定，在按照所述照射條件從聚烯烴薄膜一側照射後進行。
(剝離黏合力)
由各切割/晶片接合薄膜切出寬10mm的試片，將其黏貼於40℃的熱板上載置的矽鏡面晶片上。放置約30分鐘，使用拉伸試驗機測定剝離黏合力。測定條件是：剝離角度15°、拉伸速度300mm/分鐘。另外，試片的保存及剝離黏合力的測定在溫度23℃、相對溫度50%的環境下進行。但是，對於比較例8的切割/晶片接合薄膜，在與前述同樣的條件下黏貼到矽鏡面晶片上並放置約30分鐘後，從切割薄膜一側進行紫外線照射。紫外線照射條件如下所述。之後，在與前述同樣的條件下進行剝離黏合力的測定。
<紫外線照射條件>
紫外線(UV)照射裝置：高壓水銀燈
紫外線照射積分光量：500mJ/cm2
輸出功率：75W
照射強度150mW/cm2
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧基材
2‧‧‧黏合劑層
3‧‧‧晶片接合薄膜
4‧‧‧半導體晶片
5‧‧‧半導體晶片
6‧‧‧被黏物
7‧‧‧焊線
8‧‧‧密封樹脂
9‧‧‧墊片
10、11‧‧‧切割/晶片接合薄膜
圖1是表示本發明的一個實施方式的切割/晶片接合 薄膜的剖面示意圖。
圖2是表示本發明的另一個實施方式的切割/晶片接合薄膜的剖面示意圖。
圖3是表示通過所述切割/晶片接合薄膜中的晶片接合薄膜安裝半導體晶片的例子的剖面示意圖。
1‧‧‧基材
2‧‧‧黏合劑層
3‧‧‧晶片接合薄膜
4‧‧‧半導體晶片
10‧‧‧切割/晶片接合薄膜

Claims (10)

  1. 一種切割/晶片接合薄膜，具有在基材上具有黏合劑層的切割薄膜和在該黏合劑層上設置的晶片接合薄膜，包括：所述黏合劑層由丙烯酸類聚合物形成，所述丙烯酸類聚合物由CH2=CHCOOR1表示的丙烯酸酯A、CH2=CHCOOR2表示的丙烯酸酯B、含羥基單體、和分子內具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物構成，上述式中，R1為碳原子數6~10的烷基，R2為碳原子數11以上的烷基；所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是：相對於丙烯酸酯A 60~90莫耳%，丙烯酸酯B為40~10莫耳%；所述含羥基單體的配合比例是：相對於所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的總量100莫耳%在10~30莫耳%的範圍內；所述異氰酸酯化合物的配合比例是：相對於所述含羥基單體100莫耳%在70~90莫耳%的範圍內；通過紫外線照射而固化；以及所述晶片接合薄膜由環氧樹脂形成，並且層壓在紫外線照射後的黏合劑層上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之切割/晶片接合薄膜，其中所述紫外線照射時的積分光量在30~1000mJ/cm2的範圍內。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之切割/晶片接合薄膜，其中所述含羥基單體為選自由(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基十二烷酯和(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯組成的群組中的至少任意一種。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之切割/晶片接合薄膜，其中所述具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物為選自2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯或者2-丙烯醯氧乙基異氰酸酯的至少任意一種。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之切割/晶片接合薄膜，其中所述丙烯酸類聚合物的重均分子量在35萬~100萬的範圍內。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之切割/晶片接合薄膜，其中所述黏合劑層的紫外線照射後的、23℃下的拉伸彈性模量在7~170MPa的範圍內。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之切割/晶片接合薄膜，其中構成所述黏合劑層的所述丙烯酸類聚合物不含丙烯酸作為單體成分。
  8. 一種切割/晶片接合薄膜的製造方法，所述切割/晶片接合薄膜具有在基材上具有黏合劑層的切割薄膜和在該黏合劑層上設置的晶片接合薄膜，包括：在所述基材上形成黏合劑層前體的步驟，所述黏合劑 層前體由丙烯酸類聚合物形成，所述丙烯酸類聚合物由CH2=CHCOOR1表示的丙烯酸酯A、CH2=CHCOOR2表示的丙烯酸酯B、含羥基單體、和分子內具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物構成，上述式中，R1為碳原子數6~10的烷基，R2為碳原子數11以上的烷基；所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是：相對於丙烯酸酯A 60~90莫耳%，丙烯酸酯B為40~10莫耳%；所述含羥基單體的配合比例是：相對於所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的總量100莫耳%在10~30莫耳%的範圍內；所述異氰酸酯化合物的配合比例是：相對於所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的總量100莫耳%在70~90莫耳%的範圍內；對所述黏合劑層前體照射紫外線而形成所述黏合劑層的步驟；以及在所述黏合劑層上黏貼所述晶片接合薄膜的步驟。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之切割/晶片接合薄膜的製造方法，其中所述紫外線的照射在30~1000mJ/cm2的範圍內進行。
  10. 一種半導體裝置的製造方法，該方法使用具有在基材上具有黏合劑層的切割薄膜和在該黏合劑層上設置的晶片接合薄膜的切割/晶片接合薄膜，包括：準備申請專利範圍1至7所述的切割/晶片接合薄膜， 並在所述晶片接合薄膜上壓接半導體晶片的步驟；通過將所述半導體晶片與所述晶片接合薄膜一起切割而形成半導體晶片的步驟；和將所述半導體晶片與所述晶片接合薄膜一起從所述黏合劑層上剝離的步驟；以及從所述半導體晶片的壓接步驟直至半導體晶片的剝離步驟，所述黏合劑層上未照射紫外線。
TW098126113A 2008-08-04 2009-08-03 切割／晶片接合薄膜 TWI443726B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008200983 2008-08-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201013767A TW201013767A (en) 2010-04-01
TWI443726B true TWI443726B (zh) 2014-07-01

Family

ID=41343094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098126113A TWI443726B (zh) 2008-08-04 2009-08-03 切割／晶片接合薄膜

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8119236B2 (zh)
EP (1) EP2151858A2 (zh)
JP (1) JP4994429B2 (zh)
KR (1) KR20100015290A (zh)
CN (1) CN101645425A (zh)
TW (1) TWI443726B (zh)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2149900A2 (en) * 2008-08-01 2010-02-03 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
EP2151860A2 (en) * 2008-08-04 2010-02-10 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
JP4628479B2 (ja) * 2008-08-04 2011-02-09 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5656379B2 (ja) * 2009-03-03 2015-01-21 日立マクセル株式会社 ダイシング用粘着フィルム、及び半導体素子の製造方法
JP5885325B2 (ja) * 2009-05-29 2016-03-15 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
CN101924056A (zh) 2009-06-15 2010-12-22 日东电工株式会社 半导体背面用切割带集成膜
CN101924055A (zh) * 2009-06-15 2010-12-22 日东电工株式会社 半导体背面用切割带集成膜
JP5144634B2 (ja) * 2009-12-22 2013-02-13 日東電工株式会社 基板レス半導体パッケージ製造用耐熱性粘着シート、及びその粘着シートを用いる基板レス半導体パッケージ製造方法
JP5681374B2 (ja) 2010-04-19 2015-03-04 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
JP5439264B2 (ja) 2010-04-19 2014-03-12 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
JP5461292B2 (ja) * 2010-04-28 2014-04-02 日立マクセル株式会社 ダイシング用粘着フィルム、及び切断片の製造方法
JP5249290B2 (ja) * 2010-07-20 2013-07-31 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、半導体装置の製造方法、及び、フリップチップ型半導体装置
JP2012069586A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法、及び、半導体装置の製造方法
JP5930625B2 (ja) * 2011-08-03 2016-06-08 日東電工株式会社 ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
CN104303271B (zh) * 2012-05-25 2017-02-22 琳得科株式会社 切割片
JP6067405B2 (ja) * 2012-07-31 2017-01-25 日東電工株式会社 放射線硬化型粘着剤、放射線硬化型粘着剤層、放射線硬化型粘着シートおよび積層体
KR101948374B1 (ko) * 2012-09-25 2019-02-14 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 다이싱 필름
US9195929B2 (en) * 2013-08-05 2015-11-24 A-Men Technology Corporation Chip card assembling structure and method thereof
KR102421250B1 (ko) * 2014-09-22 2022-07-14 린텍 가부시키가이샤 수지층이 형성된 워크 고정 시트
WO2016195071A1 (ja) * 2015-06-05 2016-12-08 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート
KR20180116756A (ko) * 2017-04-17 2018-10-25 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 다이 본드 필름
JP7041476B2 (ja) * 2017-07-04 2022-03-24 日東電工株式会社 ダイシングテープおよびダイシングダイボンドフィルム
JP7041475B2 (ja) * 2017-07-04 2022-03-24 日東電工株式会社 ダイシングテープ、ダイシングダイボンドフィルム、及び半導体装置の製造方法
CN107815257A (zh) * 2017-11-08 2018-03-20 苏州赛伍应用技术股份有限公司 一种芯片切割用保护膜及其制备方法和使用方法
JP6977588B2 (ja) * 2018-01-30 2021-12-08 昭和電工マテリアルズ株式会社 半導体装置の製造方法及び接着フィルム
CN111696907A (zh) * 2020-06-28 2020-09-22 苏州佰霖新材料科技有限公司 一种led外延芯片加工用pvc划片膜

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4961804A (en) 1983-08-03 1990-10-09 Investment Holding Corporation Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers and dicing method employing same
IE55238B1 (en) 1983-08-03 1990-07-04 Nat Starch Chem Corp Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers
JP2678655B2 (ja) 1989-03-20 1997-11-17 日東電工株式会社 半導体チップ固着キャリヤの製造方法及びウエハ固定部材
TW221061B (zh) * 1991-12-31 1994-02-11 Minnesota Mining & Mfg
JP4806486B2 (ja) * 2000-02-28 2011-11-02 日東電工株式会社 紫外線架橋型粘着剤組成物とその製造方法ならびに粘着シ―トとその製造方法
JP2005005355A (ja) 2003-06-10 2005-01-06 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4275522B2 (ja) * 2003-12-26 2009-06-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2006165074A (ja) * 2004-12-03 2006-06-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2006303472A (ja) * 2005-03-23 2006-11-02 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2008009489A (ja) 2006-06-27 2008-01-17 Chugoku Electric Power Co Inc:The 環境管理システム
JP4493643B2 (ja) * 2006-12-06 2010-06-30 日東電工株式会社 再剥離型粘着剤組成物、及び粘着テープ又はシート
JP2008159998A (ja) * 2006-12-26 2008-07-10 Nitta Ind Corp ダイシングテープ
EP2149900A2 (en) 2008-08-01 2010-02-03 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
JP4628479B2 (ja) 2008-08-04 2011-02-09 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
EP2151860A2 (en) 2008-08-04 2010-02-10 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010062542A (ja) 2010-03-18
KR20100015290A (ko) 2010-02-12
US20100029060A1 (en) 2010-02-04
EP2151858A2 (en) 2010-02-10
CN101645425A (zh) 2010-02-10
TW201013767A (en) 2010-04-01
JP4994429B2 (ja) 2012-08-08
US8119236B2 (en) 2012-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI443726B (zh) 切割／晶片接合薄膜
TWI439528B (zh) 切割．黏晶薄膜
TWI386988B (zh) 切割／晶片接合薄膜
JP4717085B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
TWI428419B (zh) Cut crystal sticky film
JP4553400B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4628479B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717086B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4790074B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
US20120070960A1 (en) Dicing die bond film, method of manufacturing dicing die bond film, and method of manufacturing semiconductor device
WO2010064376A1 (ja) 半導体装置製造用フィルムロール
JP2011223013A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
JP4718640B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4790073B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4568376B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5436524B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees