KR102421250B1 - 수지층이 형성된 워크 고정 시트 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기재 필름 위에 점착제층을 구비하고, 상기 점착제층 위에 경화성 수지층을 구비하여 이루어지는 수지층이 형성된 워크 고정 시트로서, 상기 점착제층은 알킬기의 탄소수가 10∼18인 (메타)아크릴산알킬에스테르를 포함하는 단량체가 중합된 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체를 함유하고, 상기 경화성 수지층은 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b)를 함유하며, 상기 경화성 수지층의 상기 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b)의 총함유량이 상기 경화성 수지층의 전체량에 대해 95질량% 이상인 것을 특징으로 하는 수지층이 형성된 워크 고정 시트에 관한 것이다.
Description
본 발명은 기재 필름 위에 점착제층을 구비하고, 상기 점착제층 위에 경화성 수지층을 구비하여 이루어지는 수지층이 형성된 워크 고정 시트에 관한 것이다.
본 출원은 2014년 9월 22일에 일본에 출원된 특허출원 2014-192505호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
기재 필름 위에 점착제층을 구비하고, 상기 점착제층 위에 경화성 수지층을 구비하여 이루어지는 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 예를 들면, 반도체 웨이퍼를 다이싱하고 나서 반도체 칩을 픽업하는 공정을 거쳐, 픽업된 반도체 칩을 기판, 리드 프레임, 혹은 다른 반도체 칩 등에 접착하는 다이 본딩까지의 공정에 있어서의 사용에 바람직한 것이다. 예를 들면, 반도체 장치의 제조시에 상기 수지층이 형성된 워크 고정 시트의 경화성 수지층은 다이 접착용의 접착 필름으로서 기능해, 상기 수지층이 형성된 워크 고정 시트를 상기 경화성 수지에 의해 반도체 웨이퍼에 첩부한 상태로 다이싱을 행하는 경우에 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 다이싱다이 본딩 시트로서 사용된다.
또한, 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 상기 용도 이외에도 예를 들면, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩(플립 칩)의 보호막과 다이싱 시트를 겸하는 것이나, 플립 칩을 칩 탑재부에 접착할 때의 접착 필름과 백 그라인드 시트를 겸하는 것으로서도 사용할 수 있다.
어느 용도에서도 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 경화성 수지층에 의해 반도체 칩에 첩부된 상태로 이루어지고, 또한 점착제층이 기재 필름과 함께 경화성 수지층에서 박리된다. 이 때, 필요에 따라, 점착제층에서 중합 반응을 행함으로써, 점착제층의 점착성을 저하시켜 두는 경우가 있다.
한편, 수지층이 형성된 워크 고정 시트의 경화성 수지층은 충전재를 함유함으로써, 강도가 향상된다. 이에 대해, 충전재는 경화성 수지층에서 균일하게 분산시키는 것이 어려운 경우가 있다. 또한, 충전재를 함유하는 경화성 수지층을 경화 시킨 후의 경화막에서는 충전재가 탈락할 가능성이 있다. 이에, 충전재를 실질적으로 함유하지 않는 경화성 수지층을 구비한 수지층이 형성된 워크 고정 시트가 요망되고 있다. 그러나, 수지층이 형성된 워크 고정 시트와는 달리 경화성 수지층을 개재하지 않고 점착제층을 직접 반도체 웨이퍼에 첩부하는 점착 시트가 알려져 있다. 이러한 점착 시트로는 예를 들면, 탄소수 10∼17의 알킬기를 갖는 메타크릴레이트 모노머와, 이것 이외의 특정한 2종의 모노머에서 유래하는 구조 단위를 갖는 베이스 폴리머를 사용한 점착제층을 구비한 것이 개시되어 있다(특허문헌 1 참조).
그러나, 특허문헌 1에는 점착 시트의 점착제층 위에 경화성 수지층을 형성하는 것과, 경화성 수지층의 구성 성분에 대해서는 기재도 시사도 되어 있지 않다. 그리고, 충전재를 실질적으로 함유하지 않는 경화성 수지층을 구비한 수지층이 형성된 워크 고정 시트를 사용했을 경우, 통상 큰 외력이 가해지지 않도록 하여 반도체 칩을 용이하게 픽업할 수 있는 이른바 이(易)픽업성이 저하된다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 기재 필름 위에 점착제층을 구비하고, 충전재를 실질적으로 함유하지 않는 경화성 수지층을 상기 점착제층 위에 구비하여 이루어지며, 반도체 칩에 대한 이픽업성을 갖는 수지층이 형성된 워크 고정 시트를 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 기재 필름 위에 점착제층을 구비하고, 상기 점착제층 위에 경화성 수지층을 구비하여 이루어지는 수지층이 형성된 워크 고정 시트로서, 상기 점착제층은 알킬기의 탄소수가 10∼18인 (메타)아크릴산알킬에스테르를 포함하는 단량체가 중합된 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체를 함유하고, 상기 경화성 수지층은 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b)를 함유하며, 상기 경화성 수지층의 상기 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b)의 총함유량이 상기 경화성 수지층의 전체량에 대해 95질량% 이상인 것을 특징으로 하는 수지층이 형성된 워크 고정 시트를 제공한다.
본 발명의 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 상기 경화성 수지층이 상기 중합체 성분(a)로서 아크릴계 수지를 함유하고, 상기 경화성 수지층의 고형분의 전체량에 대한 상기 아크릴계 수지의 함유량이 50질량% 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 상기 경화성 수지층의 상기 경화성 성분(b)의 함유량이 상기 중합체 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 1∼100질량부인 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 기재 필름 위에 점착제층을 구비하고, 충전재를 실질적으로 함유하지 않는 경화성 수지층, 즉, 충전재를 전혀 함유하지 않거나, 또는 충전재를 사용한 것에 의한 효과가 무시할 수 있을 정도로 충전재를 함유한 경화성 수지층을 상기 점착제층 위에 구비하여 이루어지며, 반도체 칩에 대한 이픽업성을 갖는 수지층이 형성된 워크 고정 시트가 제공된다.
도 1은 본 발명에 따른 수지층이 형성된 워크 고정 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
<수지층이 형성된 워크 고정 시트>
본 발명에 따른 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 기재 필름 위에 점착제층을 구비하고, 상기 점착제층 위에 경화성 수지층을 구비하여 이루어지는 수지층이 형성된 워크 고정 시트로서, 상기 점착제층은 알킬기의 탄소수가 10∼18인 (메타)아크릴산알킬에스테르를 포함하는 단량체가 중합된 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체를 함유하고, 상기 경화성 수지층은 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b)를 함유하며, 상기 경화성 수지층의 상기 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b)의 총함유량이 상기 경화성 수지층의 전체량에 대해 95질량% 이상인 것을 특징으로 한다.
본 명세서에서는 기재 필름 및 점착제층의 적층 구조를 워크 고정 시트로 칭한다.
본 명세서에 있어서, 「중합」이란, 단일종의 모노머(단량체라고도 한다)의 단독 중합 및 복수종의 모노머의 공중합의 양자를 포함한다. 따라서, 본 명세서에 있어서, 「중합체」란, 단일종의 모노머가 단독 중합된 단독 중합체 및 복수종의 모노머가 공중합된 공중합체의 양자를 포함한다.
상기 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 예를 들면, 반도체 웨이퍼를 다이싱하고 나서 반도체 칩을 픽업하는 공정을 거쳐, 픽업된 반도체 칩을 기판, 리드 프레임, 혹은 다른 반도체 칩 등에 접착하는 다이 본딩까지의 공정에 있어서의 사용에 바람직한 것이다. 이 경우, 상기 경화성 수지층(수지층)은 다이 접착용 접착 필름으로서 기능하고, 상기 수지층이 형성된 워크 고정 시트를 상기 경화성 수지층에 의해 반도체 웨이퍼에 첩부한 상태로 다이싱을 행하는 경우에, 상기 수지층이 형성된 워크 고정 시트를 다이싱 다이 본딩 시트로서 사용한다.
상기 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 워크(반도체 칩)를 작은 외력으로도 용이하게 픽업할 수 있는 충분한 이픽업성을 갖는다. 따라서, 두께가 얇은 반도체 칩을 픽업할 때의 균열 등의 파손이 억제된다. 이러한 이픽업성은 점착제층이 중합 반응 가능한 화합물을 함유하는 경우에는 그 중합 반응 후의 점착제층의 점착성 저하에 의해, 더욱 향상된다.
수지층이 형성된 워크 고정 시트는 통상, 경화성 수지층이 충전재를 실질적으로 함유하지 않는 경우에는 상기의 이픽업성이 저하된다. 이에 대해, 본 발명에 따른 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 점착제층이 알킬기의 탄소수가 10∼18인 (메타)아크릴산알킬에스테르를 포함하는 단량체가 중합된 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체를 함유함으로써, 경화성 수지층이 충전재를 실질적으로 함유하고 있지 않아도 양호한 이픽업성을 갖는다. 점착제층에 사용하는 (메타)아크릴산알킬에스테르의 알킬기의 탄소수가 9 이하이면, 경화성 수지층이 충전재를 실질적으로 함유하고 있지 않은 경우에 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 반도체 칩의 이픽업성을 갖지 않는다. 한편, 점착제층에 사용하는 (메타)아크릴산알킬에스테르의 알킬기의 탄소수가 19 이상인 것은 용해성이 낮거나 하여 취급하기 어렵다.
통상, 기재 필름 위에 점착제층을 구비하여 이루어지는 워크 고정 시트를 사용하여, 그 점착제층에 직접 반도체 칩을 고정했을 경우에는 다이싱 후에 반도체 칩을 점착제층에서 박리시킨다(픽업한다). 점착제층이 에너지선 조사에 의해 중합하는 성분을 포함하고 있는 경우에는 점착제층에 에너지선을 조사하여, 점착제층의 점착성을 저하시킨 후에 픽업을 행할 수 있다.
한편, 수지층이 형성된 워크 고정 시트를 사용하여, 그 경화성 수지층에 반도체 칩을 고정했을 경우에는 다이싱 후에 반도체 칩을 경화성 수지층과 일체화한 상태인 그대로 점착제층에서 박리시키거나, 경우에 따라서는 에너지선을 조사한 후에 점착제층에서 박리시킨다(픽업한다).
그리고, 통상은 수지층이 형성된 워크 고정 시트 쪽이 경화성 수지층을 구비하지 않은 워크 고정 시트보다 상술한 박리가 용이하지 않아, 박리성(이픽업성)이 떨어지는 경향에 있다.
이에 비해, 본 발명에 따른 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 상기 구성을 채용함으로써, 박리성(이픽업성)이 우수하다.
또한, 본 발명에 따른 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 플립 칩의 이면을 보호하는 보호막 형성용 시트로서의 사용에도 바람직한 것이다. 이 경우, 경화성 수지층(수지층)은 플립 칩의 보호막 형성용의 필름으로서 기능하여, 반도체 웨이퍼에 수지층이 형성된 워크 고정 시트를 경화성 수지층에 의해 첩부한 상태로 다이싱을 행하는 경우에, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩(플립 칩)의 보호 시트와 다이싱 시트를 겸하는 것으로서 사용한다.
또한, 본 발명에 따른 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 경화성 수지층을 플립 칩용의 반도체 웨이퍼의 전극 형성면에 첩부하여, 반도체 웨이퍼의 전극 형성면과 반대측의 면을 연삭한 후, 전극 형성면에 경화성 수지층을 남겨 워크 고정 시트를 박리하는 경우에 사용할 수도 있다. 이 경우, 경화성 수지층(수지층)은 그 후, 플립 칩을 칩 탑재부에 접착할 때의 접착 필름으로서 기능하여, 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 접착 필름과 백 그라인드 시트를 겸하는 것으로서 사용한다.
도 1은 본 발명에 따른 수지층이 형성된 워크 고정 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 1에 나타내는 수지층이 형성된 워크 고정 시트(10)는 기재 필름(11) 위에 점착제층(12)을 구비하고, 점착제층(12) 위에 경화성 수지층(13)을 구비하여 이루어지는 것으로서, 워크 고정 시트(1)의 점착제층(12) 위에 경화성 수지층(13)을 구비한 구성의 것이다. 또한, 수지층이 형성된 워크 고정 시트(10)는 추가로 경화성 수지층(13) 위에 박리 필름(14)을 구비하고 있다.
워크 고정 시트(10)에 있어서, 점착제층(12)은 기재 필름(11)의 표면(11a) 위에 적층되고, 경화성 수지층(13)은 점착제층(12)의 표면(12a)의 일부에 적층되어 있다. 그리고, 점착제층(12)의 표면(12a) 중, 경화성 수지층(13)이 적층되어 있지 않은 노출면과, 경화성 수지층(13)의 표면(13a)(상면 및 측면) 위에 박리 필름(14)이 적층되어 있다.
단, 본 발명에 따른 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 도 1에 나타내는 것에 한정되지 않는다.
[기재 필름]
기재 필름의 재질은 각종 수지인 것이 바람직하고, 구체적으로는 폴리에틸렌(저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE 등)), 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 폴리염화비닐, 염화비닐 중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리우레탄, 폴리우레탄아크릴레이트, 폴리이미드, 에틸렌초산비닐 중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌·(메타)아크릴산 중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산에스테르 중합체, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 불소 수지, 이들 중 어느 수지의 수첨가물, 변성물, 가교물 또는 중합물 등을 예시할 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴」이란, 「아크릴」 및 「메타크릴」 양쪽 모두를 포함하는 개념으로 한다.
기재 필름은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 각 층의 재질은 전부 동일해도 되고, 전부 상이해도 되며, 일부만 동일해도 된다.
기재 필름의 두께는 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 50∼300㎛인 것이 바람직하고, 60∼100㎛인 것이 보다 바람직하다.
상기 「기재 필름의 두께」란, 임의의 5지점에서 접촉식 두께계로 두께를 측정한 평균으로 나타내는 값이다.
기재 필름은 그 위에 형성되는 점착제층과의 접착성을 향상시키기 위해, 샌드 블라스트 처리, 용제 처리 등에 의한 요철화 처리나, 코로나 방전 처리, 전자선 조사 처리, 플라즈마 처리, 오존·자외선 조사 처리, 화염 처리, 크롬산 처리, 열풍 처리 등의 산화 처리 등이 표면에 실시된 것이어도 된다. 또한, 기재 필름은 표면이 프라이머 처리가 실시된 것이어도 된다.
이들 중에서도 기재 필름은 다이싱시의 블레이드의 마찰에 의한 기재 필름의 단편의 발생이 억제된다는 점에서, 특히 표면이 전자선 조사 처리가 실시된 것이 바람직하다.
[점착제층]
상기 점착제층은 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체를 함유한다.
점착제층은 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체 등의, 목적으로 하는 성분을 함유하는 점착제 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 그리고, 점착제 조성물 중의 비휘발성 성분끼리의 함유량의 비율은 점착제층에 있어서도 동일한 비율이 된다.
점착제층의 두께는 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 1∼60㎛인 것이 보다 바람직하며, 1∼30㎛인 것이 특히 바람직하다.
상기 「점착제층의 두께」란, 임의의 5지점에서 접촉식 두께계로 두께를 측정한 평균으로 나타내는 값이다. 또한, 점착제층에 직접 접촉식 두께계를 적용하는 것이 곤란할 경우에는 기재 필름이나, 후술하는 박리재 등, 다른 필름이 겹쳐진 상태로 상기와 동일하게 전체의 두께를 측정하고, 겹쳐진 다른 필름의 두께(상기와 동일한 방법으로 측정한 것)와의 차분을 취함으로써 산출해도 된다.
((메타)아크릴산알킬에스테르 중합체)
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체는 알킬에스테르를 구성하는 알킬기의 탄소수가 10∼18인 (메타)아크릴산알킬에스테르를 포함하는 단량체가 중합된 것이다. 또한, 본 명세서에 있어서, 단순히 「(메타)아크릴산알킬에스테르」라는 기재는 특별히 언급이 없는 한, 상기 「알킬기의 탄소수가 10∼18인 (메타)아크릴산알킬에스테르」를 의미하는 것으로 한다.
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르의 탄소수가 10∼18인 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상 및 고리형 중 어느 것이어도 되고, 고리형인 경우, 단고리형 및 다고리형 중 어느 것이어도 되지만, 직쇄상 또는 분기쇄상인 것이 바람하다.
알킬기의 탄소수가 10∼18인 (메타)아크릴산알킬에스테르로 바람직한 것으로는 (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산운데실, (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴), (메타)아크릴산트리데실, (메타)아크릴산테트라데실((메타)아크릴산 미리스틸), (메타)아크릴산펜타데실기, (메타)아크릴산헥사데실((메타)아크릴산팔미틸), (메타)아크릴산헵타데실, (메타)아크릴산옥타데실((메타)아크릴산스테아릴), (메타)아크릴산이소옥타데실((메타)아크릴산이소스테아릴) 등의 알킬기가 사슬형의 (메타)아크릴산알킬에스테르; (메타)아크릴산이소보르닐 및 (메타)아크릴산디시클로펜타닐 등의 (메타)아크릴산시클로알킬에스테르 등을 예시할 수 있다. 또한, 알킬기의 탄소수가 10∼18인 (메타)아크릴산알킬에스테르로는 상기 중에서도 (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴), 또는 (메타)아크릴산이소옥타데실((메타)아크릴산이소스테아릴)이 워크에 대한 이픽업성이 향상되는 효과가 얻어진다는 관점에서, 특히 바람직하다.
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체는 에너지선의 조사에 의해 중합하는 에너지선 중합성의 것도 사용할 수 있고, 이러한 중합체로 바람직한 것으로는 수산기를 갖고, 추가로 우레탄 결합을 통하여 중합성기를 측쇄에 갖는 것을 예시할 수 있다. 이러한 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체는 예를 들면, 이것이 갖는 수산기가 후술하는 이소시아네이트계 가교제 중의 이소시아네이트기와 반응함으로써 가교된다. 또한, 이러한 아크릴산에스테르 중합체는 중합성기를 측쇄에 가짐으로써 예를 들면, 별도로 저분자량의 에너지선 중합성 화합물을 사용하여, 에너지선의 조사에 의해 중합 반응시켰을 경우보다 중합 반응 후의 점착제층의 점착성 저하에 의해, 피착체로부터의 박리성이 향상되어, 워크에 대한 이픽업성이 향상되는 효과가 얻어진다. 또한, 별도로 저분자량의 에너지선 중합성 화합물을 사용할 필요가 없기 때문에, 후술하는 바와 같이, 점착제층 위에 경화성 수지층을 형성했을 경우에 이러한 저분자량의 에너지선 중합성 화합물의 점착제층으로부터 경화성 수지층에 대한 이행이 억제되어, 경화성 수지층의 특성의 변화가 억제된다.
상술한 바람직한 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체는 통상, 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 및 수산기 함유 모노머가 배합되어 이루어지는 조성물을 사용하고, 이것을 중합시켜 중합체를 얻어, 그 중합체가 갖는 수산기에 이소시아네이트기 및 중합성기를 갖는 화합물의 이소시아네이트기를 반응시킴으로써 얻어진다. 여기서, 수산기 및 이소시아네이트기를 반응(우레탄 결합을 형성)시키기 위해서는 유기 주석 화합물 등의 촉매를 추가로 사용할 필요가 있다. 이 촉매는 반응 종료 후에 반응계에 그대로 남지만, 얻어진 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체로부터 완전히 제거하는 것이 곤란하거나, 또는 제거가 가능하더라도 이를 위한 공정이 추가됨으로써, 조작이 번잡해져 생산성도 저하된다. 이에, 통상은 반응 종료 후에 반응계로부터 촉매를 제거하지 않는 방법이 채용되기 때문에, 얻어진 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체 중에 촉매가 잔존한다.
(메타)아크릴산알킬에스테르 중합체 중에 잔존하는 상기 촉매는 이러한 중합체를 사용한 상기 점착제 조성물을 보존했을 때, 목적으로 하지 않는 가교 반응을 진행시킬 수 있는 것이다. 그리고, (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체 중의 수산기 1몰에 대한, 상기 이소시아네이트계 가교제 중의 이소시아네이트기의 몰수가 큰 경우에는 특히 이 경향이 강하다.
이에 대해, 본 발명에 있어서는 비록 상술한 이소시아네이트기의 몰수가 큰 경우여도 후술하는 반응 지연제를 사용함으로써, 상술한 목적으로 하지 않는 가교 반응의 진행이 억제된다. 그리고, 이 억제 효과가 보다 향상된다는 점에서, 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체는 상기 촉매의 잔존량(함유량)이 2질량% 이하인 것이 바람직하고, 1질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.5질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체 중에서도 보다 바람직한 중합체로는 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 및 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르를 필수 단량체로 하는 이들 단량체의 공중합체와 이소시아네이트기 및 중합성기를 갖는 화합물의 반응물로서, 상기 공중합체가 갖는 수산기와, 상기 이소시아네이트기 및 중합성기를 갖는 화합물의 이소시아네이트기가 화합하고 있는 상기 반응물을 예시할 수 있다.
상기 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르로는 (메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸 및 (메타)아크릴산 2-히드록시프로필 등을 예시할 수 있다.
상기 이소시아네이트기 및 중합성기를 갖는 화합물로는 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 등의 이소시아네이트기 함유 (메타)아크릴산알킬에스테르 등을 예시할 수 있다.
상술한 바람직한 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체는 상기 필수 단량체 및 화합물 이외에, 추가로 임의의 화합물이 반응하여 이루어지는 것이어도 되고, 상기 임의의 화합물로서 단량체가 중합된 것이어도 된다.
상기 임의의 단량체로는 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르에 해당하지 않는 수산기 비함유 (메타)아크릴산에스테르, (메타)아크릴산, 이타콘산 및 비 (메타)아크릴계 단량체 등을 예시할 수 있다.
상기 수산기 비함유 (메타)아크릴산에스테르로는 (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산프로필, (메타)아크릴산부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산헵틸, (메타)아크릴산 n-옥틸, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산 2-에틸헥실, (메타)아크릴산 n-노닐, (메타)아크릴산이소노닐 등의, 알킬에스테르를 구성하는 알킬기가 직쇄상 또는 분기쇄상으로 탄소수가 1∼9인 (메타)아크릴산알킬에스테르; 벤질(메타)아크릴레이트 등의 아르알킬(메타)아크릴레이트; 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트 등의 시클로알케닐(메타)아크릴레이트; 디시클로펜테닐옥시에틸(메타)아크릴레이트 등의 시클로알케닐옥시알킬(메타)아크릴레이트; 이미드(메타)아크릴레이트; 글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴레이트 등을 예시할 수 있다.
상기 비 (메타)아크릴계 단량체로는 초산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 및 N-메틸올아크릴아미드 등을 예시할 수 있다.
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르, 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르, 이소시아네이트기 및 중합성기를 갖는 화합물 및 상기 임의의 화합물 등의 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체의 제조에 사용하는 성분(상기 중합체의 구성 성분)은 전부 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체(상술한 수산기를 갖고, 추가로 우레탄 결합을 통하여 중합성기를 측쇄에 갖는 바람직한 형태의 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체에는 한정되지 않는다)에 있어서, 중합에 사용한 모든 단량체의 질량의 합계에 대해, 상술한 알킬기의 탄소수가 10∼18인 (메타)아크릴산알킬에스테르의 비율이 60질량% 이상인 것이 바람직하고, 70질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 75질량% 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체에 있어서의, 알킬기의 탄소수가 10∼18인 (메타)아크릴산알킬에스테르의 비율은 중합에 사용한 모든 단량체의 질량의 합계에 대해 100질량% 이하이다.
점착제층이 함유하는 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
또한, 알킬기의 탄소수가 10∼18인 (메타)아크릴산알킬에스테르를 포함하는 단량체에 있어서, 그 밖에 포함되는 단량체로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르에 해당하지 않는 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르, 수산기 비함유 (메타)아크릴산에스테르, (메타)아크릴산, 이타콘산 및 비 (메타)아크릴계 단량체 등을 예시할 수 있고, 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르, 수산기 비함유 (메타)아크릴산에스테르 및 비 (메타)아크릴계 단량체의 구체예로는 전술한 것과 동일하다.
점착제층은 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체의 함유량이 75질량% 이상인 것이 바람직하고, 80질량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 그리고, 이러한 점착제층을 형성하기 위해, 상기 점착제 조성물의 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체의 함유량은 점착제 조성물 중의 용매 이외의 전체 성분의 총량에 대해 75질량% 이상인 것이 바람직하고, 80질량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기 점착제 조성물의 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체의 함유량은 100질량%여도 된다.
상기 점착제 조성물로 바람직한 것으로는 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체 이외에, 추가로 이소시아네이트계 가교제 및 반응 지연제를 함유하는 것을 예시할 수 있다. 이러한 점착제 조성물은 그 보존 중에 목적으로 하지 않는 가교 반응의 진행이 억제되기 때문에, 보존 중에 있어서의 점도 등의 특성의 변화가 억제되어 보존성이 높다.
(이소시아네이트계 가교제)
상기 이소시아네이트계 가교제는 이소시아네이트기(-N=C=O)를 갖는 가교제이면 특별히 한정되지 않고, 바람직한 것으로는 2,4-톨릴렌디이소시아네이트; 2,6-톨릴렌디이소시아네이트; 1,3-자일리렌디이소시아네이트; 1,4-자일렌디이소시아네이트; 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트; 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트; 헥사메틸렌디이소시아네이트; 이소포론디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트; 트리메틸올프로판 등의 폴리올의 전부 혹은 일부의 수산기에 톨릴렌디이소시아네이트 및 헥사메틸렌디이소시아네이트 중 어느 일방 또는 양쪽 모두를 부가한 화합물; 리신디이소시아네이트 등을 예시할 수 있다.
상기 점착제 조성물이 함유하는 이소시아네이트계 가교제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
상기 점착제 조성물 중의 이소시아네이트계 가교제가 갖는 이소시아네이트기의 몰수는 상기 점착제 조성물 중의 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체가 갖는 수산기의 몰수에 대해 0.2배 이상인 것이 바람직하다. 이와 같이 구성함으로써, 점착제층은 UV 조사 등에 의한 경화 후에 있어서 워크(경화성 수지층 등)에 대한 점착성이 작아져, 이로써, 워크 고정 시트의 이픽업성이 향상된다.
한편, 본 발명에 있어서는 상기 점착제 조성물 중의 이소시아네이트계 가교제가 갖는 이소시아네이트기의 몰수는 상기 점착제 조성물 중의 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체가 갖는 수산기의 몰수에 대해 3배 이하인 것이 바람직하다. 이와 같이 구성함으로써, 이소시아네이트계 가교제끼리의 부생성물의 발생을 억제하는 효과가 보다 높아진다.
즉, 상기 점착제 조성물 중의 이소시아네이트계 가교제가 갖는 이소시아네이트기의 몰수는 점착제 조성물 중의 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체가 갖는 수산기의 몰수에 대해, 0.2∼3배의 범위인 것이 바람직하다.
상기 점착제 조성물의 이소시아네이트계 가교제의 함유량은 이소시아네이트기의 몰수가 상술한 범위가 되도록 적절히 조절하면 되지만, 이러한 조건을 만족시킨 후에, 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체의 함유량 100질량부에 대해, 3∼20질량부인 것이 바람직하고, 5∼15질량부인 것이 보다 바람직하다.
(반응 지연제)
상기 반응 지연제는 보존 중의 상기 점착제 조성물에 있어서, 목적으로 하지 않는 가교 반응의 진행을 억제하는 것이다.
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체는 통상, 상술한 바와 같이 그 제조에 사용한 촉매를 함유한다. 반응 지연제로는 이 촉매의 점착제 조성물 중에 있어서의 작용을 저해하는 것을 예시할 수 있고, 바람직한 것으로는 상기 촉매에 대한 킬레이트에 의해 킬레이트 착물을 형성하는 것을 예시할 수 있다. 예를 들면, 상기 촉매가 유기 주석 화합물인 경우에는 반응 지연제로서 주석과 킬레이트 착물을 형성하는 것을 예시할 수 있다.
바람직한 반응 지연제로서 보다 구체적으로는, 분자 중에 카르보닐기(-C(=O)-)를 2개 이상 갖는 것을 예시할 수 있고, 분자 중에 카르보닐기를 2개 갖는 것이면, 디카르복실산, 케토산 및 디케톤 등을 예시할 수 있다.
그 중에서도, 보다 바람직한 상기 반응 지연제로는 카르보닐메틸카르보닐기(-C(=O)-CH2-C(=O)-)를 갖는 것을 예시할 수 있고, 보다 구체적으로는 말론산, 아세토초산 등의 β-케토산;
아세토초산메틸, 아세토초산에틸, 아세토초산 n-프로필, 아세토초산이소프로필, 아세토초산 n-부틸, 아세토초산이소부틸, 아세토초산 tert-부틸, 프로피오닐초산메틸, 프로피오닐초산에틸, 프로피오닐초산 n-프로필, 프로피오닐초산이소프로필, 프로피오닐초산 n-부틸, 프로피오닐초산 tert-부틸, 부티릴초산메틸, 부티릴초산에틸, 부티릴초산 n-프로필, 부티릴초산이소프로필, 부티릴초산 n-부틸, 부티릴초산 tert-부틸, 이소부티릴초산메틸, 이소부티릴초산에틸, 이소부티릴초산 n-프로필, 이소부티릴초산이소프로필, 이소부티릴초산 n-부틸, 이소부티릴초산 tert-부틸, 3-옥소헵탄산메틸, 3-옥소헵탄산에틸, 3-옥소헵탄산 n-프로필, 3-옥소헵탄산이소프로필, 3-옥소헵탄산 n-부틸, 3-옥소헵탄산 tert-부틸, 5-메틸-3-옥소헥산산메틸, 5-메틸-3-옥소헥산산에틸, 5-메틸-3-옥소헥산산 n-프로필, 5-메틸-3-옥소헥산산이소프로필, 5-메틸-3-옥소헥산산 n-부틸, 5-메틸-3-옥소헥산산 tert-부틸, 4,4-디메틸-3-옥소펜탄산메틸, 4,4-디메틸-3-옥소펜탄산에틸, 4,4-디메틸-3-옥소펜탄산 n-프로필, 4,4-디메틸-3-옥소펜탄산이소프로필, 4,4-디메틸-3-옥소펜탄산 n-부틸, 4,4-디메틸-3-옥소펜탄산 tert-부틸, 벤조일초산메틸, 말론산디메틸, 말론산디에틸, 말론산메틸에틸, 말론산디 n-프로필, 말론산디이소프로필, 말론산디 n-부틸, 말론산디 tert-부틸, 말론산메틸 tert-부틸 등의 β-케토산에스테르;
아세틸아세톤, 디벤조일메탄 등의 β-디케톤(1,3-디케톤) 등을 예시할 수 있다.
상기 점착제 조성물이 함유하는 반응 지연제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
상기 점착제 조성물은 전체 성분의 합계량에 대해, 반응 지연제를 0.01∼2질량% 함유하고 있는 것이 바람직하다. 반응 지연제의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 점착제 조성물은 그 보존 중에 있어서의 목적으로 하지 않는 가교 반응의 진행 억제 효과가 보다 높아진다. 또한, 반응 지연제의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 점착제층을 상기 점착제 조성물의 도포 및 건조에 의해 형성하는 경우에 건조에 의해 반응 지연제를 휘발시켜, 점착제층 중에 반응 지연제가 과잉으로 잔존하는 것을 방지할 수 있다.
상기 점착제 조성물 중에 있어서의 반응 지연제의 함유량은 점착제 조성물의 전체 성분의 합계량 중의 질량 비율이 상술한 범위가 되도록 적절히 조절하면 되지만, 이러한 조건을 만족시킨 후에, 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼10질량부인 것이 바람직하고, 0.05∼5질량부인 것이 보다 바람직하다.
(광중합 개시제)
상기 점착제 조성물은 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체, 이소시아네이트계 가교제 및 반응 지연제 이외에, 추가로 광중합 개시제를 함유하는 것이 보다 바람직하다.
상기 광중합 개시제는 공지된 것이어도 되고, 구체적으로는 4-(2-히드록시 에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2,4-디메틸티옥산톤, 이소프로필티옥산톤, 2,4-디클로로티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 2,4-디이소프로필티옥산톤 등의 티옥산톤계 화합물; 캄퍼퀴논; 할로겐화케톤; 아실포스핀옥사이드; 아실포스포네이트 등을 예시할 수 있다.
상기 점착제 조성물의 광중합 개시제의 함유량은 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체의 함유량 100질량부에 대해, 0.05∼20질량부인 것이 바람직하다.
(용매)
상기 점착제 조성물은 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체 이외에, 추가로 용매를 함유하는 것이 보다 바람직하다.
상기 용매는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 것으로는 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(2-메틸프로판-1-올), 1-부탄올 등의 알코올; 초산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤;
테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드 결합을 갖는 화합물) 등을 예시할 수 있다.
상기 점착제 조성물이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
상기 점착제 조성물이 용매를 함유하는 경우의 용매의 함유량은 점착제 조성물의 총질량에 대해 40∼90질량%인 것이 바람직하고, 50∼80질량%인 것이 보다 바람직하다.
(그 밖의 성분)
상기 점착제 조성물은 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체 이외에, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위 내에 있어서, 상기 이소시아네이트계 가교제, 반응 지연제, 광중합 개시제 및 용매에 해당하지 않는 그 밖의 성분을 함유하고 있어도 된다.
상기 그 밖의 성분은 공지된 것이어도 되고, 목적에 따라 임의로 선택할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 것으로는 염료, 안료, 열화 방지제, 대전 방지제, 난연제, 실리콘 화합물 및 연쇄 이동제 등의 각종 첨가제를 예시할 수 있다.
상기 점착제 조성물은 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체와, 상기 중합체 이외의 성분을 배합함으로써 얻어진다.
상기 각 성분의 배합시에 있어서의 첨가 순서는 특별히 한정되지 않고, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 된다.
배합시에 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여 혼합하는 방법 등, 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 된다.
각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도 및 시간은 각 배합 성분이 열화되지 않는 한, 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 되지만, 온도는 15∼30℃인 것이 바람직하다.
[경화성 수지층]
상기 경화성 수지층은 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b)를 함유하고, 상기 경화성 수지층의 상기 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b)의 총함유량이 상기 경화성 수지층의 전체량에 대해 95질량% 이상인 것이고, 97질량% 이상인 것이 바람직하고, 98질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 100질량%인 것이어도 된다. 이러한 경화성 수지층은 충전재(후술하는 충전재(c))를 실질적으로 함유하지 않는 것이 된다. 그리고, 본 발명에 있어서는 이러한 경화성 수지층을 구비하고 있더라도 상기 수지층이 형성된 워크 고정 시트가 상술한 바와 같이 이픽업성을 갖는다. 또한, 경화성 수지층이 충전재를 실질적으로 함유하지 않음으로써, 본 발명에 따른 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 충전재를 함유하고 있는 경우에 특유의 충전재가 경화성 수지층에서 불균일하게 분산된 상태가 되어, 경화성 수지층을 경화시킨 후의 경화막으로부터 충전재가 탈락하는 등의 문제점을 갖지 않는다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「경화성 수지층이 충전재를 실질적으로 함유하지 않는다」란, 경화성 수지층이 충전재를 전혀 함유하지 않거나, 또는 충전재를 사용한 것에 의한 효과가 무시할 수 있을 정도로, 경화성 수지층이 충전재를 소량 함유하고 있는 것에 지나지 않는 것을 의미한다. 구체적으로는 경화성 수지층에 포함되는 충전재가 경화성 수지층을 이루는 경화성 수지 조성물의 고형분의 전체량에 대해 5질량% 미만이고, 바람직하게는 3질량% 미만, 보다 바람직하게는 1질량% 미만인 경우를 의미한다.
경화성 수지층은 상기 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b) 등의 목적으로 하는 성분을 함유하는 경화성 수지 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 그리고, 경화성 수지 조성물 중의 비휘발성 성분끼리의 함유량의 비율은 경화성 수지층에 있어도 동일해진다.
본 발명에 있어서, 상기 중합체 성분(a)는 중합성 화합물이 중합 반응하여 형성된 것으로 간주할 수 있는 성분이다. 또한, 상기 경화성 성분(b)는 경화(중합) 반응할 수 있는 성분이다. 또한, 본 발명에 있어서, 중합 반응에는 중축합 반응도 포함된다.
중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b)는 경화성 수지층이 그 효과를 나타내기 위해 필요한 경화성 수지층의 주된 구성 성분이다. 또한, 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b) 양쪽 모두에 해당하는 성분도 있지만, 이러한 성분은 본 발명에 있어서는 경화성 성분(b)가 아니라 중합체 성분(a)로서 취급한다.
경화성 수지층의 두께는 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 5∼75㎛인 것이 보다 바람직하며, 5∼50㎛인 것이 특히 바람직하다. 또한, 경화성 수지층의 평균 두께는 상술한 점착제층의 평균 두께와 동일한 측정 방법으로 구하는 것이 가능하다.
상기 「경화성 수지층의 두께」란, 임의의 5지점에서 접촉식 두께계로 두께를 측정한 평균으로 나타내는 값이다. 또한, 점착제층에 직접 접촉식 두께계를 적용하는 것이 곤란할 경우에는 기재 필름이나 점착제층, 후술하는 박리재 등, 다른 층이 겹쳐진 상태로 상기와 동일하게 전체의 두께를 측정하고, 겹쳐진 다른 층의 두께(상기와 동일한 방법으로 측정한 것 또는 상술한 점착제층의 측정 방법에 의해 측정한 것)와의 차분을 취함으로써 산출해도 된다.
경화성 수지층은 감압 접착성을 갖는 것이 바람직하고, 가열 경화성을 갖는 것이 바람직하며, 감압 접착성 및 가열 경화성을 모두 갖는 것이 보다 바람직하다. 감압 접착성 및 가열 경화성을 모두 갖는 경화성 수지층은 미경화 상태에서는 각종 피착체에 가볍게 가압함으로써 첩부할 수 있다. 또한, 경화성 수지층은 가열하여 연화시킴으로써 각종 피착체에 첩부할 수 있는 것이어도 된다. 경화성 수지층은 열경화를 거쳐, 최종적으로는 내충격성이 높은 경화물이 되고, 이러한 경화물은 전단 강도도 우수하며, 엄격한 고온·고습도 조건하에 있어서도 충분한 접착 특성을 유지할 수 있다.
(중합체 성분(a))
중합체 성분(a)는 경화성 수지층에 조막성이나 가요성 등을 부여하기 위한 중합체 화합물이다. 중합체 성분(a)는 경화성 성분(b)에도 해당하는 경우가 있다. 예를 들면, 페녹시 수지나, 측쇄에 에폭시기를 갖는 아크릴계 수지 등은 중합체 성분(a)에 해당하고, 또한 경화성 성분(b)에도 해당하는 경우가 있다. 이러한 성분은 중합체 성분(a)로서 취급한다.
중합체 성분(a)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
중합체 성분(a)로는 아크릴계 수지, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 아크릴우레탄 수지, 실리콘 수지, 고무계 폴리머, 또는 페녹시 수지 등을 사용할 수 있지만, 아크릴계 수지가 바람직하다.
상기 아크릴계 수지로는 공지의 아크릴 중합체를 사용할 수 있다.
아크릴계 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은 1만∼200만인 것이 바람직하고, 10만∼150만인 것이 보다 바람직하다. 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 지나치게 작으면, 경화성 수지층과 상기 점착제층의 접착력이 높아져 반도체 칩의 픽업 불량이 생기는 경우가 있다. 또한, 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 지나치게 크면, 피착체의 요철면에 경화성 수지층이 추종할 수 없는 경우가 있어, 보이드 등의 발생 요인이 되는 경우가 있다.
또한, 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량이란, 특별히 언급이 없는 한, 겔·퍼미에이션·크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산값이다.
아크릴계 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -60∼70℃인 것이 바람직하고, -30∼50℃인 것이 보다 바람직하다. 아크릴계 수지의 Tg가 지나치게 낮으면, 경화성 수지층과 상기 점착제층의 박리력이 커져 반도체 칩의 픽업 불량이 일어나는 경우가 있다. 또한, 아크릴계 수지의 Tg가 지나치게 높으면, 반도체 웨이퍼를 고정하기 위한 접착력이 불충분해질 우려가 있다.
아크릴계 수지를 구성하는 모노머로는 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, n-옥틸(메타)아크릴레이트, n-노닐(메타)아크릴레이트, 이소노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 운데실(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트(라우릴(메타)아크릴레이트), 트리데실(메타)아크릴레이트, 테트라데실(메타)아크릴레이트(미리스틸(메타)아크릴레이트), 펜타데실(메타)아크릴레이트, 헥사데실(메타)아크릴레이트(팔미틸(메타)아크릴레이트), 헵타데실(메타)아크릴레이트, 옥타데실(메타)아크릴레이트(스테아릴(메타)아크릴레이트) 등의 알킬기가 사슬형이며 탄소수가 1∼18인 알킬(메타)아크릴레이트;
시클로알킬(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메타)아크릴레이트, 이미드(메타)아크릴레이트 등의 고리형 골격을 갖는 (메타)아크릴레이트;
히드록시메틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트 등의 수산기 함유 (메타)아크릴레이트;
글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산에스테르를 예시할 수 있다.
또한, 아크릴계 수지는 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌, 또는 N-메틸올아크릴아미드 등의 모노머가 중합된 것이어도 된다.
아크릴계 수지를 구성하는 모노머는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
본 명세서에 있어서, 모노머가 중합된 물질에 대해 사용되는 용어 「중합체」또는「수지」등은 상기 모노머에서 도출되는 구성 단위(반복 단위라고도 한다)로 이루어지는 「중합체」또는「수지」등을 의미한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 상기 「중합체」또는 「수지」등에 관하여 이들 제조에 사용되는 모노머의 사용량이 질량 또는 몰수 등의 비로 설명되는 경우, 이러한 비는 상기 모노머가 중합된 「중합체」또는「수지」 등의 전체량에 대한 상기 모노머에서 도출되는 구성 단위의 비로서 해석할 수 있다. 즉, 예를 들면, 모노머 X 및 Y를 각각 20질량% 및 80질량% 사용하고, 이들을 중합시켜 중합체 Z가 얻어지는 것으로 설명되고 있는 경우, 이러한 중합체 Z에 있어서, 중합체 Z의 총질량에 대한 모노머 X에서 도출되는 구성 단위와 모노머 Y에서 도출되는 구성 단위의 비율은 각각 20질량% 및 80질량%인 것으로 해석할 수 있다.
아크릴계 수지는 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 수산기, 카르복실기, 이소시아네이트기 등의 다른 화합물과 결합 가능한 관능기를 갖고 있어도 된다. 다른 화합물과의 결합은 후술하는 가교제(f)를 통하여 행해져도 되고, 또는 가교제(f)를 통하지 않고 상기 관능기가 다른 화합물과 직접 결합하고 있어도 된다. 아크릴계 수지가 이들 관능기에 의해 결합함으로써, 수지층이 형성된 워크 고정 시트를 사용한 반도체 장치의 패키지 신뢰성이 향상되는 경향이 있다.
경화성 수지 조성물이 중합체 성분(a)로서 아크릴계 수지를 함유하는 경우, 경화성 수지 조성물의 아크릴계 수지의 함유량은 경화성 수지 조성물의 고형분의 전체량에 대해 50질량% 이상인 것이 바람직하다. 이러한 범위임으로써, 경화성 수지층을 반도체 칩의 수지 봉지시에 일괄 경화시키는 프로세스에 사용하는 경우에 경화성 수지층이 바람직한 성상이 된다. 왜냐하면, 이러한 프로세스에서는 반도체 칩의 수지 봉지를 행하기 전에 칩에 대한 와이어 본딩이 행해지지만, 경화 전의 경화성 수지층이 고온에 노출되었을 때에도 어느 정도의 경도가 유지된 상태로 와이어 본딩을 행할 수 있기 때문이다. 즉, 경화성 수지 조성물에 있어서의 아크릴계 수지의 함유량이 비교적 많으면 열경화 전이라도 경화성 수지층의 저장 탄성률을 높게 할 수 있다. 이 때문에, 경화성 수지층이 미경화 또는 반경화 상태에서도 와이어 본딩시에 있어서의 칩의 진동, 변위가 억제되어, 와이어 본딩을 안정적으로 행할 수 있게 된다.
또한, 경화성 수지 조성물이 중합체 성분(a)로서 아크릴계 수지를 함유하는 경우, 경화성 수지 조성물의 아크릴계 수지의 함유량은 상기 경화성 수지 조성물의 고형분의 전체량에 대해 50∼90질량%인 것이 보다 바람직하다. 아크릴계 수지의 함유량이 상기와 같이 비교적 많은 경우, 점착제층과 경화성 수지층의 밀착성이 높아져 접착력이 높아지는 경향에 있지만, 본 발명에 있어서의 점착제층을 사용함으로써, 점착제층과 경화성 수지층 사이의 접착력이 저감되어 반도체 칩의 이픽업성이 향상된다.
이와 같이, 경화성 수지층이 중합체 성분(a)로서 아크릴계 수지를 함유하는 경우, 경화성 수지층 중의 아크릴계 수지의 함유량은 50질량% 이상인 것이 바람직하고, 50∼90질량%인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서는 상술한 워크 고정 시트(점착제층)의 경화성 수지층으로부터의 박리성을 향상시켜, 이픽업성을 향상시키거나 피착체의 요철면에 대한 경화성 수지층의 추종에 의해 보이드 등의 발생을 억제하기 위해, 중합체 성분(a)로서 아크릴계 수지 이외의 열가소성 수지(이하, 간단히 「열가소성 수지」라고 약기하는 경우가 있다)를 단독으로 사용해도 되고, 아크릴계 수지와 병용해도 된다.
상기 열가소성 수지는 중량 평균 분자량이 1000∼10만인 것이 바람직하고, 3000∼8만인 것이 보다 바람직하다.
상기 열가소성 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -30∼150℃인 것이 바람직하고, -20∼120℃인 것이 보다 바람직하다.
상기 열가소성 수지로는 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 페녹시 수지, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 또는 폴리스티렌 등을 예시할 수 있다.
상기 열가소성 수지는 상기 중의 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
상기 열가소성 수지의 사용에 의해, 상술한 효과가 얻어지는 한편, 경화 전의 경화성 수지층이 고온에 노출되었을 때의 경도가 저하되어, 미경화 또는 반경화 상태에 있어서의 경화성 수지층의 와이어 본딩 적성이 저하될 염려가 있다. 이에, 경화성 수지 조성물의 열가소성 수지의 함유량은 이러한 영향을 고려한 후에 설정하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는 상기 열가소성 수지를 아크릴계 수지와 병용하는 것이 바람직하다.
(경화성 성분(b))
경화성 성분(b)로는 에폭시계 열경화성 수지, 열경화성 폴리이미드 수지, 우레탄 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 실리콘 수지 등을 예시할 수 있고, 이들 중에서도 에폭시계 열경화성 수지가 바람직하다. 경화성 성분(b)는 중합체 성분(a)에도 해당하는 경우가 있지만, 이러한 성분은 중합체 성분(a)로서 취급한다.
·에폭시계 열경화성 수지
에폭시계 열경화성 수지는 에폭시 수지 및 열경화제로 이루어진다.
에폭시계 열경화성 수지는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
상기 에폭시 수지로는 공지된 것을 들 수 있고, 구체적으로는 다관능계 에폭시 수지, 비페닐 화합물, 비스페놀 A 디글리시딜에테르 및 그 수첨물, 오르토크레졸노볼락에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지 및 페닐렌 골격형 에폭시 수지등 2관능 이상의 에폭시 화합물을 예시할 수 있다.
또한, 상기 에폭시 수지로는 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용해도 된다. 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로는 다관능계 에폭시 수지의 에폭시 수지의 일부가 불포화 탄화수소기를 포함하는 기로 변환되어 이루어지는 화합물을 예시할 수 있다. 이러한 화합물은 예를 들면, 에폭시기에 아크릴산을 부가 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 또한, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로는 에폭시 수지를 구성하는 방향 고리 등에, 불포화 탄화수소기를 포함하는 기가 직접 결합된 화합물 등을 예시할 수 있다. 불포화 탄화수소기는 중합성을 갖는 불포화기이며, 구체적으로는 에테닐기(비닐기), 2-프로페닐기(알릴기), 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 아크릴아미드기 및 메타크릴아미드기 등을 예시할 수 있고, 아크릴로 일기가 바람직하다.
불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지는 불포화 탄화수소기를 갖지 않는 에폭시 수지보다 아크릴계 수지와의 상용성이 높다. 이 때문에, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 경화성 수지 조성물을 사용함으로써, 반도체 장치의 패키지 신뢰성이 향상된다.
상기 에폭시 수지는 이픽업성이 향상된다는 점에서, 연화점 또는 유리 전이 온도가 높은 것이 바람직하다.
상기 에폭시 수지의 수평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 경화성 수지층의 경화성이나 경화 후의 강도 및 내열성의 관점에서, 300∼30000인 것이 바람직하고, 400∼10000인 것이 보다 바람직하며, 500∼3000인 것이 특히 바람직하다.
상기 에폭시 수지의 에폭시 당량은 100∼1000g/eq인 것이 바람직하고, 300∼800g/eq인 것이 보다 바람직하다.
상기 에폭시 수지는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
상기 열경화제는 에폭시 수지에 대한 경화제로서 기능한다.
열경화제로는 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물을 예시할 수 있다. 상기 관능기로는 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복실기 및 산기가 무수물화된 기 등을 예시할 수 있고, 페놀성 수산기, 아미노기, 산기가 무수물화된 기인 것이 바람직하고, 페놀성 수산기, 아미노기인 것이 보다 바람직하며, 페놀성 수산기인 것이 특히 바람직하다.
상기 열경화제 중, 페놀계 경화제(페놀성 수산기를 갖는 경화제)로는 다관능 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지 및 아르알킬페놀 수지 등을 예시할 수 있다.
상기 열경화제 중, 아민계 경화제(아미노기를 갖는 경화제)로는 DICY(디시안디아미드) 등을 예시할 수 있다.
상기 열경화제는 불포화 탄화수소기를 갖는 것이어도 된다.
불포화 탄화수소기를 갖는 열경화제로는 페놀 수지의 수산기의 일부를 불포화 탄화수소기를 포함하는 기로 치환하여 이루어지는 화합물, 페놀 수지의 방향 고리에 불포화 탄화수소기를 포함하는 기가 직접 결합된 화합물 등을 예시할 수 있다. 열경화제에 있어서의 불포화 탄화수소기는 상술한 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지에 있어서의 불포화 탄화수소기와 동일한 것이다.
상기 열경화제는 이픽업성이 향상된다는 점에서, 연화점 또는 유리 전이 온도가 높은 것이 바람직하다.
상기 열경화제의 수평균 분자량은 300∼30000인 것이 바람직하고, 400∼10000인 것이 보다 바람직하며, 500∼3000인 것이 특히 바람직하다.
상기 열경화제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
경화성 수지 조성물의 열경화제의 함유량은 상기 에폭시 수지의 함유량 100질량부에 대해, 0.1∼500질량부인 것이 바람직하고, 1∼200질량부인 것이 보다 바람직하다. 열경화제의 함유량이 지나치게 적으면, 경화 부족으로 접착성이 얻어지지 않는 경우가 있고, 열경화제의 함유량이 과잉이면, 경화성 수지층의 흡습률이 높아져 패키지 신뢰성을 저하시키는 경우가 있다.
경화성 수지 조성물(경화성 수지층)의 경화성 성분(b)의 함유량은 중합체 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 1∼100질량부인 것이 바람직하고, 1.5∼75질량부인 것이 보다 바람직하며, 2∼60질량부인 것이 특히 바람직하다. 경화성 성분(b)의 함유량이 상기와 같은 범위임으로써, 경화 전의 경화성 수지층의 경도가 유지되는 경향이 있어, 미경화 또는 반경화 상태에 있어서의 경화성 수지층의 와이어 본딩 적성이 향상된다. 한편, 경화성 성분(b)의 함유량이 중합체 성분(a)의 함유량에 대해 비교적 소량인 경우, 경화성 성분(b)의 각 성분을 연화점이나 유리 전이 온도가 높은 것으로 하여, 상기 점착제층과 경화성 수지층의 접착력이 높아지는 것을 억제해 이픽업성을 향상시키고자 해도 충분히 향상되지 않는 경우가 있다. 그러나, 본 발명에 있어서의 점착제층을 사용함으로써, 점착제층과 경화성 수지층 사이의 접착력이 저감되어 반도체 칩의 이픽업성이 향상된다.
경화성 수지층은 이 각종 물성을 개량하기 위해, 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b) 이외에 추가로 필요에 따라, 이들에 해당하지 않는 다른 성분을 함유하는 경화성 수지 조성물을 사용하여 형성된 것이어도 된다.
경화성 수지 조성물이 함유하는 다른 성분으로는 충전재(c), 경화 촉진제(d), 커플링제(e), 가교제(f), 범용 첨가제(g) 등을 예시할 수 있다.
(충전재(c))
경화성 수지 조성물은 통상, 충전재(c)를 함유함으로써, 그 열팽창 계수의 조정이 용이해진다. 따라서, 이러한 경화성 수지 조성물을 사용하여 반도체 칩이나 금속 또는 유기 기판에 대해, 경화 후의 경화성 수지층의 열팽창 계수를 최적화함으로써, 패키지 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 통상, 충전재(c)를 함유하는 경화성 수지 조성물을 사용함으로써, 경화 후의 경화성 수지층의 흡습률을 저감시킬 수도 있다.
충전재(c)는 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b) 중 어느 것에도 해당하지 않는 성분이다.
단, 본 발명에 있어서는 상기 설명과 같이 경화성 수지층이 충전재(c)를 함유하고 있지 않거나, 또는 충전재(c)의 함유량을 0질량%보다 많고 5질량% 미만으로 함으로써, 경화성 수지 조성물의 충전재(c)의 함유량은 경화성 수지 조성물의 고형분의 전체량에 대해 5질량% 미만이고, 바람직하게는 3질량% 미만, 보다 바람직하게는 1질량% 미만이다.
충전재(c)는 무기 충전재(c)인 것이 바람직하고, 바람직한 무기 충전재로는 실리카, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 티탄 화이트, 철단, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말; 이들 실리카 등을 구형화한 비즈; 이들 실리카 등의 단결정 섬유; 유리 섬유 등을 예시할 수 있다.
이들 중에서도, 무기 충전재는 실리카 필러 또는 알루미나 필러인 것이 바람직하다.
무기 충전재(c)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
(경화 촉진제(d))
경화 촉진제(d)는 경화성 수지 조성물의 경화 속도를 조정하기 위해 사용되고, 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b) 중 어느 것에도 해당하지 않는 성분이다.
바람직한 경화 촉진제(d)로는 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 제3급 아민; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류(1개 이상의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환된 이미다졸); 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류(1개 이상의 수소 원자가 유기기로 치환된 포스핀); 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐보레이트 등을 예시할 수 있다.
경화 촉진제(d)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
경화 촉진제(d)를 사용하는 경우, 경화성 수지 조성물에 있어서의 경화 촉진제(d)의 함유량은 경화성 성분(b)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼10질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼1질량부인 것이 보다 바람직하다. 경화 촉진제(d)의 함유량이 이러한 범위임으로써, 경화성 수지층은 고온·고습도 조건하에서도 우수한 접착 특성을 갖고, 엄격한 리플로우 조건에 노출되었을 경우에도 높은 패키지 신뢰성을 달성할 수 있다. 경화 촉진제(d)의 함유량이 지나치게 적으면, 경화 촉진제(d)를 사용한 것에 의한 효과가 충분히 얻어지지 않으며, 경화 촉진제(d)의 함유량이 과잉이면, 고극성의 경화 촉진제(d)는 고온·고습도 조건하에서 경화성 수지층 중에 있어서 피착체와의 접착계면측에 이동하여 편석됨으로써, 패키지의 신뢰성을 저하시킨다.
(커플링제(e))
커플링제(e)로서 무기 화합물과 반응하는 관능기 및 유기 관능기와 반응하는 관능기를 갖는 것을 사용함으로써, 경화성 수지층의 피착체에 대한 접착성 및 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 커플링제(e)를 사용함으로써, 경화성 수지층을 경화 하여 얻어지는 경화물에 대해, 그 내열성을 해치지 않고, 내수성을 향상시킬 수 있다.
커플링제(e)는 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b) 중 어느 것에도 해당하지 않는 성분이다.
커플링제(e)는 중합체 성분(a), 경화성 성분(b) 등이 갖는 관능기와 반응하는 관능기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 실란 커플링제인 것이 바람직하다.
바람직한 상기 실란 커플링제로는 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-(메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-우레이도프로필트리에톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라술판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란 및 이미다졸실란 등을 예시할 수 있다.
커플링제(e)는 상기 중의 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
커플링제(e)를 사용하는 경우, 경화성 수지 조성물의 커플링제(e)의 함유량은 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b)의 총함유량 100질량부에 대해, 0.03∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.05∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.1∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 커플링제(e)의 함유량이 지나치게 적으면, 커플링제(e)를 사용한 것에 의한 상술한 효과가 얻어지지 않는 경우가 있고, 한편, 커플링제(e)의 함유량이 지나치게 많으면, 아웃 가스가 발생할 가능성이 있다.
(가교제(f))
중합체 성분(a)로서 이소시아네이트기 등의 다른 화합물이 갖는 관능기와 결합 가능한 관능기를 갖는 상술한 아크릴계 수지를 사용하는 경우, 이 관능기를 다른 화합물과 결합시켜 가교하기 위해 가교제(f)를 사용할 수 있다. 상기와 같은 가교제(f)를 사용한 가교에 의해, 경화성 수지층의 초기 접착력 및 응집력을 조절할 수 있다.
가교제(f)로는 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물 등을 예시할 수 있다.
가교제(f)는 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b) 중 어느 것에도 해당하지 않는 성분이다.
상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로는 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물, 지환족 다가 이소시아네이트 화합물 및 이들 화합물의 삼량체, 이소시아누레이트체 및 어덕트체(에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 트리메틸올프로판 또는 피마자유 등의 저분자 활성 수소 함유 화합물과의 반응물, 예를 들면, 트리메틸올프로판어덕트자일리렌디이소시아네이트 등)나, 유기 다가 이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머 등을 예시할 수 있다.
상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로서 보다 구체적으로는 2,4-톨릴렌디이소시아네이트; 2,6-톨릴렌디이소시아네이트; 1,3-자일리렌디이소시아네이트; 1,4-자일렌디이소시아네이트; 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트; 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트; 헥사메틸렌디이소시아네이트; 이소포론디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트; 트리메틸올프로판 등의 폴리올 중 전부 혹은 일부의 수산기에 톨릴렌디이소시아네이트 및 헥사메틸렌디이소시아네이트 중 어느 일방 또는 양쪽 모두를 부가한 화합물; 리신디이소시아네이트 등을 예시할 수 있다.
상기 유기 다가 이민 화합물로는 N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드)트리에틸렌멜라민 등을 예시할 수 있다.
가교제(f)로서 이소시아네이트계 가교제를 사용하는 경우, 중합체 성분(a)인 상기 아크릴계 수지로는 수산기 함유 중합체를 사용하는 것이 바람직하다. 가교제(f)가 이소시아네이트기를 갖고, 아크릴계 수지가 수산기를 갖는 경우, 가교제(f)와 아크릴계 수지의 반응에 의해, 경화성 수지층에 가교 구조를 간편하게 도입할 수 있다.
가교제(f)를 사용하는 경우, 경화성 수지 조성물에 있어서의 가교제(f)의 함유량은 중합체 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.5∼5질량부인 것이 특히 바람직하다.
(범용 첨가제(g))
범용 첨가제(g)로는 공지의 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 안료, 염료, 게터링제 등을 예시할 수 있다.
범용 첨가제(g)는 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b) 중 어느 것에도 해당하지 않는 성분이다.
(용매)
경화성 수지 조성물은 희석에 의해 그 취급성을 양호하게 하기 위해, 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다.
경화성 수지 조성물이 함유하는 용매는 상술한 점착제 조성물에 있어서의 용매와 동일한 것이면 된다.
경화성 수지 조성물이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
경화성 수지 조성물이 함유하는 용매는 경화성 수지 조성물에서 사용하는 각 성분을 균일하게 혼합한다는 점에서, 메틸에틸케톤 등인 것이 바람직하다.
용매는 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b) 중 어느 것에도 해당하지 않는 성분이다.
경화성 수지층의 상기 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b)의 총함유량은 상술한 바와 같이, 경화성 수지층의 전체량에 대해 95질량% 이상이고, 97질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 98질량% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 그리고, 이러한 경화성 수지층을 형성하기 위해, 경화성 수지 조성물의 상기 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b)의 총함유량은 경화성 수지 조성물 중의 용매 이외의 전체 성분의 총량에 대해 95질량% 이상이고, 97질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 98질량% 이상인 것이 더욱 바람직한 것이다.
또한, 상기 경화성 수지층에 있어서의 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b)의 총함유량은 경화성 수지층의 전체량에 대해 100질량%여도 된다.
경화성 수지 조성물은 이를 구성하기 위한 상술한 각 성분을 배합함으로써 얻어지고, 예를 들면, 배합 성분이 상이한 점 이외에는 상술한 점착제 조성물의 경우와 동일한 방법으로 얻어진다.
용매를 사용하는 경우에는 용매를 용매 이외의 어느 배합 성분과 혼합하여 이 배합 성분을 미리 희석해 둠으로서 사용해도 되고, 용매 이외의 어느 배합 성분을 미리 희석해 두지 않고, 용매를 이들 배합 성분과 혼합함으로써 사용해도 된다.
여기서, 본 발명에 따른 수지층이 형성된 워크 고정 시트에 있어서 설명하는 반도체 칩의 이픽업성은 예를 들면, 수지층이 형성된 워크 고정 시트 표면의 반도체 칩을 시판의 다이 본더를 이용해, 니들이 가압 스피드 및 가압 높이를 소정의 조건으로 설정하여, 이 조건에서 반도체 칩을 픽업할 수 있을지 여부를 평가할 수 있다. 이 때, 예를 들면, 합계 100개의 칩에 대해 연속하여 픽업을 실행해, 모든 칩의 픽업이 성공했을 경우이거나, 혹은 1개 이상의 칩의 픽업이 성공한 후, 2개째 이후의 칩 중 어느 것의 픽업에 실패한 정도인 경우에 이픽업성이 비교적 양호한 것으로 판단할 수 있다.
<수지층이 형성된 워크 고정 시트의 제조 방법>
본 발명에 따른 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 예를 들면, 기재 필름 위에 상기 점착제 조성물을 사용해 점착제층을 형성하고, 상기 점착제층 위에 상기 경화성 수지 조성물을 사용하여 경화성 수지층을 형성함으로써 제조할 수 있다.
점착제층은 기재 필름의 표면(도 1에 있어서는 기재 필름(11)의 표면(11a))에 점착제 조성물을 도포하여 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 이 때, 필요에 따라, 도포한 점착제 조성물을 가열함으로써 가교해도 된다. 가열 조건은 예를 들면, 100∼130℃에서 1∼5분간으로 할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 또한, 박리재의 박리층 표면에 점착제 조성물을 도포하여 건조시킴으로써 형성한 점착제층을 기재 필름의 표면에 첩합시켜, 상기 박리재를 제거하는 것으로도 점착제층을 형성할 수 있다.
점착제 조성물의 기재 필름의 표면 또는 박리재의 박리층 표면에 대한 도포는 공지의 방법으로 행하면 되고, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커텐 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 마이어바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 이용하는 방법을 예시할 수 있다.
경화성 수지층은 경화성 수지 조성물을 사용하여, 상술한 기재 필름 위에 점착제층을 형성하는 경우와 동일한 방법으로 형성할 수 있지만, 통상은 점착제층 위에 경화성 수지 조성물을 직접 도포하는 것은 곤란하다. 이에, 예를 들면, 박리재의 박리층 표면에 경화성 수지 조성물을 도포하여 건조시킴으로써 형성한 경화성 수지층을 점착제층의 표면에 첩합하여 상기 박리재를 제거하는 등, 경화성 수지층을 별도로 형성해 두고, 이것을 점착제층의 표면에 첩합시키는 방법이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 상술한 방법 이외에도 예를 들면, 상기 점착제 조성물을 사용하여 점착제층을 형성하고, 상기 경화성 수지 조성물을 사용하여 경화성 수지층을 형성한 후, 이들 점착제층 및 경화성 수지층을 겹쳐 적층체로 하고, 이 적층체의 상기 점착제층의 표면에 기재 필름을 첩합함으로써 제조할 수도 있다.
이 경우의 점착제층 및 경화성 수지층의 형성 조건은 상술한 방법과 동일하다.
실시예
이하, 구체적인 실시예에 의해, 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예에 전혀 한정되지 않는다.
<수지층이 형성된 워크 고정 시트의 제조>
[실시예 1]
도 1에 나타내는 구성의 수지층이 형성된 워크 고정 시트를 제조하였다. 보다 구체적으로는 이하에 나타내는 바와 같다.
(아크릴산알킬에스테르 중합체의 제조)
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에 아크릴산라우릴(이하, 「LA」라고 약기한다)(80질량부), 아크릴산-2-히드록시에틸(이하, 「HEA」라고 약기한다)(20질량부), 과산화벤조일(0.2질량부), 초산에틸(70질량부), 톨루엔(30질량부)을 넣고, 질소 기류 중에 있어서 60℃에서 8시간 중합 반응을 행함으로써, 아크릴계 폴리머(A)를 얻었다. 각 성분의 배합비를 하기 표 1에 나타낸다.
이 아크릴계 폴리머(A)에 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(이하, 「MOI」라고 약기한다)(22질량부, HEA에 대해 약 80%), 디부틸 주석 라우릴레이트(이하, 「DBTL」라고 약기한다)(0.13질량부)를 첨가하고, 공기 기류 중에 있어서 23℃에서 12시간 부가 반응을 행함으로써, 목적으로 하는 아크릴산알킬에스테르 중합체(A-1)을 47질량% 용액 상태로 얻었다. 각 성분의 배합비를 하기 표 1에 나타낸다.
(점착제 조성물의 제조)
상기에서 얻어진 아크릴산알킬에스테르 중합체(A-1)(100질량부)에 대해, 광중합 개시제(Z-1)(치바·스페셜티·케미컬즈사 제조 「이르가큐어 651」, 벤질디메틸케탈)(3질량부), 반응 지연제로서 아세틸아세톤(1질량부)을 첨가하고, 메틸에틸케톤으로 희석한 후, 잘 교반하고 추가로 여기에 이소시아네이트계 가교제(B-1)로서 트리메틸올프로판의 톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(닛폰 폴리우레탄사 제조 「코로네이트 L」)(7.5질량부, 아크릴산에스테르 중합체(A-1) 중의 잔존 수산기 1몰에 대해, 갖고 있는 이소시아네이트기가 1몰이 되는 양)을 첨가하여 23℃에서 교반함으로써, 고형분 농도가 25질량%인 점착제 조성물을 얻었다. 여기서, 이 「점착제 조성물의 제조」에 있어서의 배합 부수는 전부 고형분 환산값이다. 각 성분의 배합비를 하기 표 1에 나타낸다.
(워크 고정 시트의 제조)
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 박리면 위에 상기에서 얻어진 점착제 조성물을 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 건조시켜 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 이어서, 이 점착제층의 표면에 기재 필름으로서의 두께 100㎛의 에틸렌-메타크릴산 중합체 필름을 첩합시켜 23℃에서 168시간 보존함으로써, 워크 고정 시트를 얻었다.
(경화성 수지 조성물의 제조)
아크릴계 수지(나가세 켐텍스사 제조 「SG-P3」)(87.8질량부), 에폭시 수지(닛폰 화약사 제조 「NC-3000」)(12질량부), 페놀 수지(메이와 화성사 제조 「MEH-7851-H」)(10질량부), 경화 촉진제로서의 트리페닐포스핀(0.2질량부) 및 실란 커플링제(신에츠 실리콘사 제조 「KBM403」, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란)(1질량부)를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 경화성 수지 조성물로서 고형분 농도가 20질량%인 메틸에틸케톤 용액을 얻었다.
(수지층이 형성된 워크 고정 시트의 제조)
박리 라이너(린텍사 제조 「SP-PET381031」) 위에, 상기에서 얻어진 경화성 수지 조성물을 도포하고, 100℃에서 1분간 건조시켜 두께 20㎛의 경화성 수지층을 형성하였다. 추가로, 경화성 수지층에 상기와 동종의 박리 라이너를 첩합하였다. 그리고, 추가로 첩합한 박리 라이너와 경화성 수지층을 절단하도록 직경 150㎜의 원형에 하프 컷을 실시한 뒤에 원형 외측의 불필요한 부분을 제거하였다. 이어서, 상기에서 얻어진 워크 고정 시트로부터 박리 라이너를 제거하였다. 또한, 이 경화성 수지층으로부터 함께 하프 컷한 박리 라이너를 제거하고, 경화성 수지층의 표면에 워크 고정 시트의 점착제층을 첩합함으로써, 수지층이 형성된 워크 고정 시트를 얻었다.
<수지층이 형성된 워크 고정 시트의 평가>
상기에서 얻어진 수지층이 형성된 워크 고정 시트에 대해, 하기 방법에 의해 이픽업성을 평가하였다.
(이픽업성)
테이프 마운터(린텍사 제조 「Adwill RAD2500」)를 이용하여 실리콘 웨이퍼(150㎜ 직경, 두께 100㎛)의 2000번 연마면에 상기에서 얻어진 수지층이 형성된 워크 고정 시트를 60℃에서 첩부하였다. 이어서, 이것을 웨이퍼 다이싱용 링 프레임에 고정한 후, 다이싱 장치(디스코사 제조 「DFD651」)를 이용해, 10㎜×10㎜ 사이즈로 실리콘 웨이퍼를 다이싱하여, 칩을 얻었다. 이 다이싱시에 기재 필름을 표면으로부터 20㎛만 칼집을 내도록 하였다. 이어서, 자외선 조사 장치(린텍사 제조 「Adwill RAD2000」)를 이용하여 220mW/㎠, 190mJ/㎠의 조건에서 기재 필름측으로부터 수지층이 형성된 워크 고정 시트에 자외선을 조사하였다. 이어서, 다이 본더(캐논 머시너리사 제조 「BESTEM-D02」)를 이용하여 니들이 가압 스피드를 1㎜/s로 하고, 가압 높이가 0.2㎜일 때 칩을 픽업할 수 있을지 여부를 평가하였다. 니들은 8㎜ 사방 4핀 배치로 하였다. 평가는 100개의 칩에 대해 연속하여 픽업을 실행함으로써 행하고, 모든 칩의 픽업이 성공했을 경우를 「A」, 1개 이상의 칩의 픽업이 성공한 후, 2개째 이후의 칩 중 어느 것의 픽업에 실패했을 경우를 「A1」, 최초의 칩에서 실패했을 경우를 「B」로서, 각각 평가하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
<수지층이 형성된 워크 고정 시트의 제조 및 평가>
[실시예 2, 비교예 1∼2, 참고예 1]
아크릴산알킬에스테르 중합체 제조시의 배합 성분, 경화성 수지 조성물 제조시의 배합 성분을 하기 표 1에 나타내는 바와 같이 한 점 이외에는 실시예 1과 동일하게 수지층이 형성된 워크 고정 시트를 제조하여, 평가하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
또한, 여기에서 얻어진 아크릴산알킬에스테르 중합체를 각각, 아크릴산알킬에스테르 중합체(A-2)(실시예 2), 아크릴산알킬에스테르 중합체(R-1)(비교예 1), 아크릴산알킬에스테르 중합체(R-2)(비교예 2, 참고예 1)로 한다.
또한, 모든 실시예, 비교예 및 참고예에 있어서, 점착제 조성물은 메틸에틸케톤의 양을 조정하여 고형분 농도를 25질량%로 조정하고 있다.
여기서, 하기 표 1 중, 「2EHA」는 아크릴산 2-에틸헥실을, 「ISTA」는 아크릴산이소스테아릴을, 「MA」는 아크릴산메틸을 각각 의미한다.
또한, 「충전재」는 아드마텍스사 제조 「SC2050MA」이다.
또한, 배합 성분의 란의 「-」은 이 성분이 미배합인 것을 의미한다.
표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1∼2의 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 아크릴산알킬에스테르 중합체(상기 중합체(A-1), (A-2))의 제조에 아크릴산알킬에스테르로서 LA(알킬기의 탄소수가 12) 또는 ISTA(알킬기의 탄소수가 18)를 사용해 경화성 수지층의 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b)의 총함유량을 98.9질량%로 한 것으로, 이픽업성을 갖고 있었다.
이에 비해, 비교예 1∼2의 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 아크릴산알킬에스테르 중합체(상기 중합체(R-1), (R-2))의 제조에 아크릴산알킬에스테르로서 MA(알킬기의 탄소수가 1) 또는 2EHA(알킬기의 탄소수가 8)를 사용한 것으로, 이픽업성을 갖고 있지 않았다.
참고예 1의 수지층이 형성된 워크 고정 시트는 아크릴산알킬에스테르 중합체의 제조에 아크릴산알킬에스테르로서 MA를 사용했지만, 경화성 수지층에 충전재를 함유시킨 것으로, 이픽업성을 갖고 있었다.
또한, 표 1에 나타내는 바와 같이, 상기의 각 예에 있어서는 1개 이상의 칩의 픽업이 성공한 후, 2개째 이후의 칩 중 어느 것의 픽업에 실패한 케이스, 즉, 이픽업성이 「A1」의 평가가 되는 예는 관찰되지 않았다.
본 발명은 반도체 칩 등의 제조에 이용 가능하다.
1···워크 고정 시트, 10···수지층이 형성된 워크 고정 시트, 11···기재 필름, 11a···기재 필름의 표면, 12···점착제층, 12a···점착제층의 표면, 13···경화성 수지층, 13a···경화성 수지층의 표면, 14···박리 필름
Claims (3)
- 기재 필름 위에 점착제층을 구비하고, 상기 점착제층 위에 경화성 수지층을 구비하여 이루어지는 수지층이 형성된 워크 고정 시트로서,
상기 점착제층은 알킬기의 탄소수가 10∼18인 (메타)아크릴산알킬에스테르를 포함하는 단량체가 중합된 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체를 함유하고,
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 중합체는, 중합에 사용한 모든 단량체의 질량의 합계에 대해, 알킬기의 탄소수가 10∼18인 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르의 비율이 70질량% 이상인 것이며,
상기 경화성 수지층은 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b)를 함유하고,
상기 경화성 수지층의 상기 중합체 성분(a) 및 경화성 성분(b)의 총함유량이 상기 경화성 수지층의 전체량에 대해 95질량% 이상인 것을 특징으로 하는 수지층이 형성된 워크 고정 시트. - 제 1 항에 있어서,
상기 경화성 수지층이 상기 중합체 성분(a)로서 아크릴계 수지를 함유하고,
상기 경화성 수지층의 고형분의 전체량에 대한 상기 아크릴계 수지의 함유량이 50질량% 이상인 것을 특징으로 하는 수지층이 형성된 워크 고정 시트. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 경화성 수지층의 상기 경화성 성분(b)의 함유량이 상기 중합체 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 1∼100질량부인 것을 특징으로 하는 수지층이 형성된 워크 고정 시트.
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