TW201341199A - 積層片材以及使用積層片材之半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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TW201341199A
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tape
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adhesive
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Hiroyuki Senzai
Shumpei Tanaka
Koji Mizuno
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Nitto Denko Corp
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Abstract

本發明提供一種積層片材，其可防止引起樹脂組合物層之接著力之降低或電氣可靠性之降低，且於切割後可自複數個半導體元件一次剝離背面研磨膠帶。本發明之積層片材包含具有於基材上形成有黏著劑層之構成之背面研磨膠帶、及設置於背面研磨膠帶之黏著劑層上之樹脂組合物層，且黏著劑層之拉伸彈性模數於23℃下為0.1~5.0 MPa，黏著劑層與樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1~5 N/20 mm。

Description

積層片材以及使用積層片材之半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種積層片材及使用積層片材之半導體裝置之製造方法。
近年來，進一步要求半導體裝置及其封裝體之薄型化、小型化。因此，作為半導體裝置及其封裝體，廣泛地利用藉由倒裝晶片接合將半導體晶片等半導體元件安裝於基板上而成之倒裝晶片型之半導體裝置。倒裝晶片接合係以半導體晶片之電路面與基板之電極形成面相對向之形態進行固定者。
於倒裝晶片接合後之半導體元件與基板之間形成有空隙，先前對該空隙填充密封材料(密封樹脂等)進行密封。然而，一般而言，半導體元件與基板之間之空隙狹小，難以使液體之密封材料不產生孔隙(void)而含浸於該空隙中，存在需要花耗步驟時間等問題。
因此，先前揭示有如下方法：使用接著膜作為密封材料並經由該接著膜接著半導體元件與基板，藉此簡便且確實地密封半導體元件與基板之間之空隙(例如參照專利文獻1~3)。
又，先前，根據半導體裝置及其封裝體之薄型化、小型化之要求，將半導體元件研磨得較薄。於專利文獻4及專利文獻5中，揭示有如下製造方法：包括將半導體元件研磨得較薄之步驟，並且包括使用接著膜密封半導體元件與 基板之間之空隙之步驟。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平9-213741號公報
[專利文獻2]日本專利特開平10-242208號公報
[專利文獻3]日本專利特開平10-270497號公報
[專利文獻4]日本專利特開2002-118147號公報
[專利文獻5]日本專利特開2008-130588號公報
專利文獻4中揭示有包括下述[a]~[g]之步驟的將半導體晶片裝載於印刷配線基板之方法。[a]製造於合成樹脂膜之一面上設置熱硬化性樹脂層而成之半導體晶片裝載用片材之步驟。[b]於半導體晶圓之設有凸塊電極之面上壓接半導體晶片裝載用片材之熱硬化性樹脂層之步驟。[c]對壓接有半導體晶片裝載用片材之狀態的半導體晶圓之背面進行研磨而形成期望厚度之步驟。[d]將背面經過研磨之半導體晶圓於壓接有半導體晶片裝載用片材之狀態下切割成單片之半導體晶片之步驟。[e]將藉由切割而得之半導體晶片之凸塊電極面上所壓接的半導體晶片裝載用片材之合成樹脂膜進行剝離之步驟。[f]以半導體晶片之凸塊電極與所對應之印刷配線基板上之端子部正對且接觸之方式進行定位之步驟。[g]將半導體晶片之凸塊電極與印刷配線基板上之對應之端子部接合並且使熱硬化性樹脂加熱硬化之步驟。
於專利文獻4中，在壓接有半導體晶片裝載用片材之狀態下切割成單片之半導體晶片(參照上述[d])，然後將藉由切割而得之半導體晶片之凸塊電極面上所壓接的半導體晶片裝載用片材之合成樹脂膜進行剝離(參照上述[e])。然而，於上述步驟中，合成樹脂膜亦藉由切割而單片化，因此自半導體晶片剝離合成樹脂膜時，無法自複數個半導體晶片一次剝離，必須個別地進行剝離，從而存在需要花耗步驟數等問題。
此外，專利文獻5中揭示有使用電子裝置基板之電子裝置系統之製造方法，該電子裝置基板包含：彼此未電性連接之複數個電子元件、電極、於形成有電極之面上形成之半導體用接著組合物、及層壓於半導體用接著組合物上之塑膠膜。於該製造方法中，在電子裝置基板之半導體接著組合物上形成黏著劑層，繼而對未形成電子元件之電子裝置晶圓面進行研磨加工，剝離塑膠膜後，藉由切割進行單片化，將單片化之附有半導體用接著組合物之電子元件搭載於電路基板上，使形成於電子元件上之電極與電路基板上之電極直接接觸，由此進行電性連接。
然而，專利文獻5中，於剝離塑膠膜後進行切割。即，於半導體用接著組合物露出之狀態下進行切割。因此，切割時之水吸附於半導體用接著組合物，導致倒裝晶片安裝時於半導體用接著組合物之層上產生空隙或孔隙。又，有附著切削屑之虞。因此，存在引起接著力之降低或電氣可靠性之降低等問題。
本發明係鑒於上述課題而成者，其目的在於提供一種積層片材、以及使用積層片材之半導體裝置之製造方法，該積層片材可防止引起樹脂組合物層之接著力之降低或電氣可靠性之降低，且於切割後可自複數個半導體元件一次剝離背面研磨膠帶(backgrind tape)。
本案發明者等人為解決上述先前之問題而對積層片材及使用積層片材之半導體裝置之製造方法進行了研究。其結果發現，藉由使用以下之積層片材可防止引起樹脂組合物層之接著力之降低或電氣可靠性之降低，並且可於切割後自複數個半導體元件一次剝離背面研磨膠帶，從而完成本發明，上述積層片材係一種接著片材，其包含具有於基材上形成有黏著劑層之構成之背面研磨膠帶、及設置於上述背面研磨膠帶之上述黏著劑層上之樹脂組合物層，且上述黏著劑層之拉伸彈性模數處於特定之範圍內，上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度處於特定之範圍內。
即，第一本發明之積層片材之特徵在於，其係包含具有於基材上形成有黏著劑層之構成之背面研磨膠帶、及設置於上述背面研磨膠帶之上述黏著劑層上之樹脂組合物層者，且上述黏著劑層之拉伸彈性模數於23℃下為0.1~5.0 MPa，上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1~5 N/20 mm。
上述積層片材係於如下半導體裝置之製造方法中使用者，該半導體裝置之製造方法包括如下步驟：將積層片材 之樹脂組合物層面與半導體晶圓之電路面貼合而獲得附有積層片材之半導體晶圓；對上述附有積層片材之半導體晶圓之未貼附積層片材之面進行研磨而使其薄化；於經薄化之附有積層片材之半導體晶圓之研磨面上貼合切割膠帶(dicing tape)而獲得貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓；將上述貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓自上述積層片材側進行切割；切割後於上述積層片材上貼附黏著帶；以及將上述黏著帶與上述背面研磨膠帶一起自上述樹脂組合物層剝離。
根據上述積層片材，由於在樹脂組合物層上貼附有背面研磨膠帶之狀態下進行切割，因此可抑制樹脂組合物層吸收切割時之水或切削屑附著於樹脂組合物層上。其結果，可防止引起樹脂組合物層之接著力之降低或電氣可靠性之降低。又，由於上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1 N/20 mm以上，因此可抑制切割時之背面研磨膠帶之飛濺。又，由於上述T剝離強度為5 N/20 mm以下，因此可將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離。又，由於上述黏著劑層之拉伸彈性模數於23℃下為0.1 MPa以上，因此可抑制切割時之背面研磨膠帶之飛濺。又，由於上述黏著劑層之上述拉伸彈性模數為5.0 MPa以下，因此可將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離。
於上述構成中，較佳為上述樹脂組合物層含有熱硬化性樹脂。若上述樹脂組合物層含有熱硬化性樹脂，則於倒裝 晶片安裝半導體元件時可成為半導體元件與被黏著體之間之密封材料。
於上述構成中，較佳為上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂。
又，第一本發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於，其係使用如下積層片材之半導體裝置之製造方法，上述積層片材包含具有於基材上形成有黏著劑層之構成之背面研磨膠帶、及設置於上述背面研磨膠帶之上述黏著劑層上之樹脂組合物層，且上述黏著劑層之拉伸彈性模數於23℃下為0.1~5.0 Pa，上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1~5 N/20 mm，該製造方法包括如下步驟：將上述積層片材之樹脂組合物層面與半導體晶圓之電路面貼合而獲得附有積層片材之半導體晶圓；對上述附有積層片材之半導體晶圓之未貼附積層片材之面進行研磨而使其薄化；於經薄化之附有積層片材之半導體晶圓之研磨面上貼合切割膠帶而獲得貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓；將上述貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓自上述積層片材側進行切割；切割後於上述積層片材上貼附黏著帶；以及將上述黏著帶與上述背面研磨膠帶一起自上述樹脂組合物層剝離。
根據第一本發明之半導體裝置之製造方法，由於在樹脂組合物層上貼附有背面研磨膠帶之狀態下進行切割，因此可抑制樹脂組合物層吸收切割時之水或切削屑附著於樹脂組合物層上。其結果，可防止引起樹脂組合物層之接著力之降低或電氣可靠性之降低。又，由於上述黏著劑層與上 述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1 N/20 mm以上，因此可抑制切割時之背面研磨膠帶之飛濺。又，由於上述T剝離強度為5 N/20 mm以下，因此可將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離。又，由於上述黏著劑層之拉伸彈性模數於23℃下為0.1 MPa以上，因此可抑制切割時之背面研磨膠帶之飛濺。又，由於上述黏著劑層之上述拉伸彈性模數為5.0 MPa以下，因此可將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離。
於上述構成中，較佳為上述樹脂組合物層含有熱硬化性樹脂。若上述樹脂組合物層含有熱硬化性樹脂，則於倒裝晶片安裝半導體元件時可成為半導體元件與被黏著體之間之密封材料。
於上述構成中，較佳為上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂。
又，第二發明之積層片材之特徵在於，其係包含具有於基材上形成有黏著劑層之構成之背面研磨膠帶、及設置於上述背面研磨膠帶之上述黏著劑層上之樹脂組合物層者，且上述黏著劑層為放射線硬化型之黏著劑層，上述黏著劑層之放射線硬化前之拉伸彈性模數於23℃下為0.1~5.0 MPa，放射線硬化前之上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1~20 N/20 mm，放射線硬化後之上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.01~5 N/20 mm。
上述積層片材係於下述(1)~(4)之任一種半導體裝置之製造方法中使用者。
(1)一種半導體裝置之製造方法，其包括如下步驟：將上述積層片材之樹脂組合物層面與半導體晶圓之電路面貼合而獲得附有積層片材之半導體晶圓；對上述附有積層片材之半導體晶圓之未貼附積層片材之面進行研磨而使其薄化；於經薄化之附有積層片材之半導體晶圓之研磨面上貼合切割膠帶而獲得貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓；將上述貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓自上述積層片材側進行切割；切割後於上述積層片材上貼附黏著帶；以及將上述黏著帶與上述背面研磨膠帶一起自上述樹脂組合物層剝離。
(2)一種半導體裝置之製造方法，其包括如下步驟：將上述積層片材之樹脂組合物層面與半導體晶圓之電路面貼合而獲得附有積層片材之半導體晶圓；對上述附有積層片材之半導體晶圓之未貼附積層片材之面進行研磨而使其薄化；於經薄化之附有積層片材之半導體晶圓之研磨面上貼合切割膠帶而獲得貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓；將上述貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓自上述積層片材側進行切割；切割後自上述積層片材側照射放射線；於放射線照射後之上述積層片材上貼附黏著帶；以及將上述黏著帶與上述背面研磨膠帶一起自上述樹脂組合物層剝離。
(3)一種半導體裝置之製造方法，其包括如下步驟：將 上述積層片材之樹脂組合物層面與半導體晶圓之電路面貼合而獲得附有積層片材之半導體晶圓；對上述附有積層片材之半導體晶圓之未貼附積層片材之面進行研磨而使其薄化；於經薄化之附有積層片材之半導體晶圓之研磨面上貼合切割膠帶而獲得貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓；將上述貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓自上述積層片材側進行切割；切割後於上述積層片材上貼附黏著帶；於黏著帶之貼附後自上述積層片材側照射放射線；以及將上述黏著帶與上述背面研磨膠帶一起自上述樹脂組合物層剝離。
(4)一種半導體裝置之製造方法，其包括如下步驟：將上述積層片材之樹脂組合物層面與半導體晶圓之電路面貼合而獲得附有積層片材之半導體晶圓；對上述附有積層片材之半導體晶圓之未貼附積層片材之面進行研磨而使其薄化；於經薄化之附有積層片材之半導體晶圓之研磨面上貼合切割膠帶而獲得貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓；將上述貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓自上述積層片材側進行切割；切割後自上述積層片材側照射放射線；於放射線照射後之上述積層片材上貼附黏著帶；於黏著帶之貼附後自上述積層片材側照射放射線；以及將上述黏著帶與上述背面研磨膠帶一起自上述樹脂組合物層剝離。
根據上述積層片材，由於在樹脂組合物層上貼附有背面研磨膠帶之狀態下進行切割，因此可抑制樹脂組合物層吸 收切割時之水或切削屑附著於樹脂組合物層上。其結果，可防止引起樹脂組合物層之接著力之降低或電氣可靠性之降低。又，由於放射線硬化前之上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1 N/20 mm以上，因此可抑制切割時之背面研磨膠帶之飛濺。又，由於放射線硬化後之上述T剝離強度為5 N/20 mm以下，因此可將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離。又，由於上述黏著劑層之放射線硬化後之拉伸彈性模數於23℃下為0.1 MPa以上且5.0 MPa以下，因此可將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離。
於上述構成中，較佳為上述樹脂組合物層含有熱硬化性樹脂。若上述樹脂組合物層含有熱硬化性樹脂，則於倒裝晶片安裝半導體元件時可成為半導體元件與被黏著體之間之密封材料。
於上述構成中，較佳為上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂。
又，第二發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於，其係使用如下積層片材之半導體裝置之製造方法，上述積層片材包含具有於基材上形成有黏著劑層之構成之背面研磨膠帶、及設置於上述背面研磨膠帶之上述黏著劑層上之樹脂組合物層，且上述黏著劑層為放射線硬化型之黏著劑層，上述黏著劑層之放射線硬化前之拉伸彈性模數於23℃下為0.1~5.0 MPa，放射線硬化前之上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為 0.1~5 N/20 mm，該製造方法包括如下步驟：將上述積層片材之樹脂組合物層面與半導體晶圓之電路面貼合而獲得附有積層片材之半導體晶圓；對上述附有積層片材之半導體晶圓之未貼附積層片材之面進行研磨而使其薄化；於經薄化之附有積層片材之半導體晶圓之研磨面上貼合切割膠帶而獲得貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓；將上述貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓自上述積層片材側進行切割；切割後於上述積層片材上貼附黏著帶；以及將上述黏著帶與上述背面研磨膠帶一起自上述樹脂組合物層剝離。
根據第二發明之半導體裝置之製造方法，由於在樹脂組合物層上貼附有背面研磨膠帶之狀態下進行切割，因此可抑制樹脂組合物層吸收切割時之水或切削屑附著於樹脂組合物層上。其結果，可防止引起樹脂組合物層之接著力之降低或電氣可靠性之降低。又，由於上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1 N/20 mm以上，因此可抑制切割時之背面研磨膠帶之飛濺。又，由於上述T剝離強度為5 N/20 mm以下，因此可將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離。又，由於上述黏著劑層之放射線硬化前之拉伸彈性模數於23℃下為0.1 MPa以上，因此可抑制切割時之背面研磨膠帶之飛濺。又，由於上述黏著劑層之放射線硬化前之上述拉伸彈性模數為5.0 MPa以下，因此可將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離。
於上述構成中，較佳為上述樹脂組合物層含有熱硬化性樹脂。若上述樹脂組合物層含有熱硬化性樹脂，則於倒裝晶片安裝半導體元件時可成為半導體元件與被黏著體之間之密封材料。
於上述構成中，較佳為上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂。
又，第二發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於，其係使用如下積層片材之半導體裝置之製造方法，上述積層片材包含具有於基材上形成有黏著劑層之構成之背面研磨膠帶、及設置於上述背面研磨膠帶之上述黏著劑層上之樹脂組合物層，且上述黏著劑層為放射線硬化型之黏著劑層，上述黏著劑層之放射線硬化前之拉伸彈性模數於23℃下為0.1~5.0 MPa，放射線硬化前之上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1~20 N/20 mm，放射線硬化後之上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.01~5 N/20 mm，該製造方法包括如下步驟：將上述積層片材之樹脂組合物層面與半導體晶圓之電路面貼合而獲得附有積層片材之半導體晶圓；對上述附有積層片材之半導體晶圓之未貼附積層片材之面進行研磨而使其薄化；於經薄化之附有積層片材之半導體晶圓之研磨面上貼合切割膠帶而獲得貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓；將上述貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓自上述積層片材側進行切割；切割後自上述積層片材側照射放射線；於放射線照射後之上述積層片材上貼附黏著帶；以及將上述 黏著帶與上述背面研磨膠帶一起自上述樹脂組合物層剝離。
根據上述半導體裝置之製造方法，由於在樹脂組合物層上貼附有背面研磨膠帶之狀態下進行切割，因此可抑制樹脂組合物層吸收切割時之水或切削屑附著於樹脂組合物層上。其結果，可防止引起樹脂組合物層之接著力之降低或電氣可靠性之降低。又，由於放射線硬化前之上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1 N/20 mm以上，因此可抑制切割時之背面研磨膠帶之飛濺。又，由於放射線硬化後之上述T剝離強度為5 N/20 mm以下，因此可將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離。又，由於上述黏著劑層之放射線硬化前之拉伸彈性模數於23℃下為0.1 MPa以上，因此可抑制切割時之背面研磨膠帶之飛濺。又，由於上述黏著劑層之放射線硬化前之拉伸彈性模數於23℃下為5.0 MPa以下，因此可藉由控制放射線照射量而使放射線照射後之23℃下之拉伸彈性模數為0.1 MPa以上且5.0 MPa以下。其結果，可將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離。
於上述構成中，較佳為上述樹脂組合物層含有熱硬化性樹脂。若上述樹脂組合物層含有熱硬化性樹脂，則於倒裝晶片安裝半導體元件時可成為半導體元件與被黏著體之間之密封材料。
於上述構成中，較佳為上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂。
又，第二發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於，其係使用如下積層片材之半導體裝置之製造方法，上述積層片材包含具有於基材上形成有黏著劑層之構成之背面研磨膠帶、及設置於上述背面研磨膠帶之上述黏著劑層上之樹脂組合物層，且上述黏著劑層為放射線硬化型之黏著劑層，黏著劑層之放射線硬化前之拉伸彈性模數於23℃下為0.1~5.0 MPa，放射線硬化前之上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1~20 N/20 mm，放射線硬化後之上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.01~5 N/20 mm，該製造方法包括如下步驟：將上述積層片材之樹脂組合物層面與半導體晶圓之電路面貼合而獲得附有積層片材之半導體晶圓；對上述附有積層片材之半導體晶圓之未貼附積層片材之面進行研磨而使其薄化；於經薄化之附有積層片材之半導體晶圓之研磨面上貼合切割膠帶而獲得貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓；將上述貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓自上述積層片材側進行切割；切割後於上述積層片材上貼附黏著帶；於黏著帶之貼附後自上述積層片材側照射放射線；以及將上述黏著帶與上述背面研磨膠帶一起自上述樹脂組合物層剝離。
根據上述半導體裝置之製造方法，由於在樹脂組合物層上貼附有背面研磨膠帶之狀態下進行切割，因此可抑制樹脂組合物層吸收切割時之水或切削屑附著於樹脂組合物層 上。其結果，可防止引起樹脂組合物層之接著力之降低或電氣可靠性之降低。又，由於放射線硬化前之上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1 N/20 mm以上，因此可抑制切割時之背面研磨膠帶之飛濺。又，由於放射線硬化後之上述T剝離強度為5 N/20 mm以下，因此可將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離。又，由於上述黏著劑層之放射線硬化前之拉伸彈性模數於23℃下為0.1 MPa以上，因此可抑制切割時之背面研磨膠帶之飛濺。又，由於上述黏著劑層之放射線硬化前之拉伸彈性模數於23℃下為5.0 MPa以下，因此可藉由控制放射線照射量而使放射線照射後之23℃下之拉伸彈性模數為0.1 MPa以上且5.0 MPa以下。其結果，可將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離。
於上述構成中，較佳為上述樹脂組合物層含有熱硬化性樹脂。若上述樹脂組合物層含有熱硬化性樹脂，則於倒裝晶片安裝半導體元件時可成為半導體元件與被黏著體之間之密封材料。
於上述構成中，較佳為上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂。
又，第二發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於，其係使用如下積層片材之半導體裝置之製造方法，上述積層片材包含具有於基材上形成有黏著劑層之構成之背面研磨膠帶、及設置於上述背面研磨膠帶之上述黏著劑層上之樹脂組合物層，且上述黏著劑層為放射線硬化型之黏著劑 層，黏著劑層之放射線硬化前之拉伸彈性模數於23℃下為0.1~5.0 MPa，放射線硬化前之上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1~20 N/20 mm，放射線硬化後之上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.01~5 N/20 mm，該製造方法包括如下步驟：將上述積層片材之樹脂組合物層面與半導體晶圓之電路面貼合而獲得附有積層片材之半導體晶圓；對上述附有積層片材之半導體晶圓之未貼附積層片材之面進行研磨而使其薄化；於經薄化之附有積層片材之半導體晶圓之研磨面上貼合切割膠帶而獲得貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓；將上述貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓自上述積層片材側進行切割；切割後自上述積層片材側照射放射線；於放射線照射後之上述積層片材上貼附黏著帶；於黏著帶之貼附後自上述積層片材側照射放射線；以及將上述黏著帶與上述背面研磨膠帶一起自上述樹脂組合物層剝離。
根據上述半導體裝置之製造方法，由於在樹脂組合物層上貼附有背面研磨膠帶之狀態下進行切割，因此可抑制樹脂組合物層吸收切割時之水或切削屑附著於樹脂組合物層上。其結果，可防止引起樹脂組合物層之接著力之降低或電氣可靠性之降低。又，由於放射線硬化前之上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1 N/20 mm以上，因此可抑制切割時之背面研磨膠帶之飛濺。又，由於放射線硬化後之上述T剝離強 度為5 N/20 mm以下，因此可將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離。又，由於上述黏著劑層之放射線硬化前之拉伸彈性模數於23℃下為0.1 MPa以上，因此可抑制切割時之背面研磨膠帶之飛濺。又，由於上述黏著劑層之放射線硬化前之拉伸彈性模數於23℃下為5.0 MPa以下，因此可藉由控制放射線照射量而使放射線照射後之23℃下之拉伸彈性模數為0.1 MPa以上且5.0 MPa以下。其結果，可將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離。
於上述構成中，較佳為上述樹脂組合物層含有熱硬化性樹脂。若上述樹脂組合物層含有熱硬化性樹脂，則於倒裝晶片安裝半導體元件時可成為半導體元件與被黏著體之間之密封材料。
於上述構成中，較佳為上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂。
根據本發明，可提供一種積層片材、以及使用積層片材之半導體裝置之製造方法，該積層片材可防止引起樹脂組合物層之接著力之降低或電氣可靠性之降低，並且切割後可自複數個半導體元件一次剝離背面研磨膠帶。
<第一本發明>
以下，一面參照圖式一面對第一本發明之實施形態進行說明，但第一本發明不受該等例示之限定。圖1係表示第一本發明之一實施形態之積層片材之剖面模式圖。再者， 圖式中省略無需說明之部分，並且存在放大或縮小等而圖示之部分以便容易地進行說明。
(積層片材)
積層片材10包含具有於基材12上形成有黏著劑層14之構成之背面研磨膠帶11、及設置於背面研磨膠帶11之黏著劑層14上之樹脂組合物層16。
積層片材10係藉由一般之感壓性接著劑而形成黏著劑層14者，其被用於包括下述步驟之半導體裝置之製造方法中。
該半導體裝置之製造方法包括如下步驟：將積層片材10之樹脂組合物層16面與半導體晶圓40之電路面貼合而獲得附有積層片材10之半導體晶圓40(參照圖2)；對附有積層片材10之半導體晶圓40之未貼附積層片材10之面進行研磨而使其薄化(參照圖3)；於經薄化之附有積層片材10之半導體晶圓40之研磨面上貼合切割膠帶20而獲得貼合有切割膠帶20及積層片材10之半導體晶圓40(參照圖4)；將貼合有切割膠帶20及積層片材10之半導體晶圓40自積層片材10側進行切割(參照圖5)；切割後於積層片材10上貼附黏著帶30(參照圖6)；以及將黏著帶30與背面研磨膠帶11一起自樹脂組合物層16剝離(參照圖7)。
(基材)
基材12係成為積層片材10之強度母體者。作為基材12之材質，例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚 丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、聚矽氧樹脂、金屬(箔)、紙等。
又，作為基材12之材料，可列舉上述樹脂之交聯體等聚合物。上述塑膠膜可於非延伸之狀態下使用，亦可根據需要使用實施有單軸或雙軸之延伸處理者。
為提高與鄰接之層之密接性、保持性等，基材12之表面可實施慣用之表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等化學性或物理性之處理；及利用底塗劑(例如下述黏著物質)之塗佈處理。基材12之材質可適當選擇同種類或不同種類之材料使用，根據需要可使用混合有多種材料者。又，為對基材12賦予抗靜電能力，可於上述基材12上設置包含金屬、合金、該等之氧化物等的厚度30~500 Å左右之導電性物質之蒸鍍層。基材12可為單層或2種以上之多層。再者，作為基材12，於黏著劑層為放射線硬化型黏著劑層之情形時，適合使用至少部分透射X射線、紫外線、電子束等放射線之材料。
基材12之厚度並無特別限制，可適當決定，一般為5~200 μm左右。
(黏著劑層)
作為用於形成黏著劑層14之黏著劑，可使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等一般之感壓性接著劑。作為上述感壓性接著劑，就半導體晶圓、玻璃等避忌污染之電子零件之利用超純水或醇等有機溶劑之潔淨清洗性等方面而言，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基底聚合物之丙烯酸系黏著劑。
作為上述丙烯酸系聚合物，例如可列舉將(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基之碳數為1~30、尤其是碳數為4~18之直鏈狀或支鏈狀之烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如環戊酯、環己酯等)中之一種或兩種以上作為單體成分使用之丙烯酸系聚合物等。再者，所謂(甲基)丙烯酸酯，係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，所謂第一本發明之(甲基)，均為相同之含義。
上述丙烯酸系聚合物亦可以凝聚力、耐熱性等之改質為目的而根據需要含有可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷基酯共聚合之其他單體成分所對應之單元。作為此種單體成分，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸 羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等含羧基單體；順丁烯二酸酐、伊康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。該等可共聚合之單體成分可使用一種或兩種以上。該等可共聚合之單體之使用量較佳為全部單體成分之40重量%以下。
進而，上述丙烯酸系聚合物亦可為進行交聯而根據需要含有多官能性單體等作為共聚合用單體成分。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等。該等多官能性單體亦可使用一種或兩種以上。就黏著特性等方面而言，多官能性單體之使用量較佳為全部單體成分之30重量%以下。
上述丙烯酸系聚合物可藉由使單一單體或兩種以上之單體混合物進行聚合而獲得。聚合可藉由溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等任一種方式進行。就防止對潔淨之被黏著體之污染等方面而言，較佳為低分子量物質之含量較少。就該方面而言，丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為30萬以上，進一步較佳為40萬~300萬左右。
又，為提高作為基底聚合物之丙烯酸系聚合物等之數量平均分子量，亦可於上述黏著劑中適當地採用外部交聯劑。作為外部交聯方法之具體手段，可列舉添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等所謂之交聯劑使其反應之方法。於使用外部交聯劑之情形時，其使用量係根據與應交聯之基底聚合物之平衡、進而根據作為黏著劑之使用用途而適當決定。一般而言，相對於上述基底聚合物100重量份，較佳為調配5重量份程度以下，進而較佳為調配0.1~5重量份。進而，於黏著劑中，除上述成分以外，亦可根據需要使用先前公知之各種黏著賦予劑、防老化劑等添加劑。
黏著劑層14之厚度並無特別限定，就晶片切斷面之殘缺防止及樹脂組合物層16之固定保持之兼顧性等方面而言，較佳為1~50 μm左右。較佳為2~30 μm，進而較佳為5~25 μm。
黏著劑層14之拉伸彈性模數於23℃下為0.1~5.0 MPa，更佳為0.1~1.0 MPa。由於黏著劑層14之拉伸彈性模數於23℃下為0.1 MPa以上，因此可抑制切割時之背面研磨膠 帶之飛濺。又，由於黏著劑層14之上述拉伸彈性模數為5.0 MPa以下，因此可將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離。
又，黏著劑層14與樹脂組合物層16之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1~5 N/20 mm，較佳為0.3~5.0 N/20 mm，更佳為0.5~5.0 N/20 mm。由於黏著劑層14與樹脂組合物層16之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1 N/20 mm以上，因此可抑制切割時之背面研磨膠帶11之飛濺。又，由於上述T剝離強度為5 N/20 mm以下，因此可將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離。
(樹脂組合物層)
樹脂組合物層16於半導體裝置之製造時被配置於晶圓電路面上，具有作為對電路面之密封樹脂之功能。又，於晶圓研磨時，樹脂組合物層16係用於保持及固定晶圓。於晶片搭載時，樹脂組合物層16係用於晶片與晶片搭載用基板之空間之填充及彼此之固著。
作為於樹脂組合物層16中使用之樹脂，可使用以下樹脂，即於將樹脂組合物層16向晶圓之電路面貼合之步驟中，藉由加熱及壓接力顯示某程度之流動性而充分追隨電路面之凹凸，並且藉由加熱而表現接著性。作為上述樹脂，例如可列舉B階段樹脂、黏接著劑。
作為上述B階段樹脂，例如可列舉半硬化之環氧樹脂。
作為上述黏接著劑，例如可列舉於常溫下具有感壓接著 性之黏合劑樹脂與熱硬化性樹脂之混合物。作為上述於常溫下具有感壓接著性之黏合劑樹脂，例如可列舉：丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯醚、胺基甲酸酯樹脂、聚醯胺等。作為上述熱硬化性樹脂，例如可使用環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚系樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、間苯二酚樹脂等，較佳為列舉環氧樹脂。上述熱硬化性樹脂可與適當之硬化促進劑組合使用。上述於常溫下具有感壓接著性之黏合劑樹脂、上述熱硬化性樹脂、上述硬化促進劑可適當採用先前公知之樹脂。
具有如上所述之各成分之黏接著劑可形成藉由加熱及壓接力表現適度之流動性而充分追隨電路面之凹凸之樹脂組合物層16。又，於晶圓研磨時與背面研磨膠帶11密接而有助於晶圓之固定，於安裝時可作為將晶片與晶片搭載用基板進行接著之接著劑使用。而且，經由熱硬化最終可提供耐衝擊性較高之硬化物，並且剪切強度與剝離強度之平衡亦優異，即便於嚴酷之熱濕條件下亦可保持充分之接著物性。
為於切割時提高對準精度，樹脂組合物層16較佳為對可見光區域光具有高透過率。樹脂組合物層16之可見光透過率較佳為70~99%之範圍。
樹脂組合物層16之厚度(TA)通常為3~150 μm。於晶圓表面形成凸塊之情形時，為抑制孔隙之產生且覆蓋電路面，凸塊之平均高度(HB)與樹脂組合物層16之厚度(TA)之比(HB/TA)較佳為1.0/0.8~1.0/1.8，更佳為1.0/1.0~1.0/1.5之範 圍。凸塊之平均高度(HB)係自晶片表面(凸塊除外之電路面)至凸塊頂部之高度，於有複數個凸塊之情形時，取該等之算術平均值。
若凸塊高度相對於樹脂組合物層16之厚度而過高，則於晶片表面(凸塊除外之電路面)與晶片搭載用基板之間產生間隔，成為產生孔隙之主要原因。另一方面，若樹脂組合物層之厚度過厚，則由於凸塊不貫穿接著劑層，因此造成導通不良。
(積層片材之製造方法)
本實施形態之積層片材11例如可藉由以下方式製作。
首先，基材12可藉由先前公知之製膜方法而製膜。作為該製膜方法，例如可例示：壓延製膜法、有機溶劑中之澆鑄法、密閉系統中之吹脹擠出法、T模擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。
繼而，於基材12上塗佈作為黏著劑層14之形成材料之黏著劑組合物溶液而形成塗佈膜，其後將該塗佈膜於特定條件下加以乾燥(根據需要進行加熱交聯)而形成黏著劑層14。作為塗佈方法，並無特別限定，例如可列舉輥式塗佈、絲網塗佈、凹版塗佈等。又，作為乾燥條件，例如於乾燥溫度80~150℃、乾燥時間0.5~5分鐘之範圍內進行。又，亦可於分隔件上塗佈黏著劑組合物而形成塗佈膜，其後於上述乾燥條件下乾燥塗佈膜而形成黏著劑層14。然後，將黏著劑層14與分隔件一起貼合於基材12上。由此製作背面研磨膠帶11。
樹脂組合物層16例如可藉由以下方式製作。
首先，製作作為樹脂組合物層16之形成材料之黏接著劑組合物溶液。如上所述，於該黏接著劑組合物溶液中調配於常溫下具有感壓接著性之黏合劑樹脂、熱硬化性樹脂、硬化促進劑等。
繼而，於基材分隔件上以成為特定厚度之方式塗佈黏接著劑組合物溶液，形成塗佈膜後，於特定條件下乾燥該塗佈膜而形成樹脂組合物層16(黏接著劑層)。作為塗佈方法，並無特別限定，例如可列舉輥式塗佈、絲網塗佈、凹版塗佈等。又，作為乾燥條件，例如於乾燥溫度70~160℃、乾燥時間1~5分鐘之範圍內進行。又，亦可於分隔件上塗佈黏著劑組合物溶液而形成塗佈膜，其後於上述乾燥條件下乾燥塗佈膜而形成樹脂組合物層16。然後，將樹脂組合物層16與分隔件一起貼合於基材分隔件上。
繼而，自背面研磨膠帶11及樹脂組合物層16分別剝離分隔件，以樹脂組合物層16與背面研磨膠帶11之黏著劑層14成為貼合面之方式將兩者貼合。作為背面研磨膠帶11與樹脂組合物層16之貼合方法，例如可列舉按壓法(press method)、層壓法等，若考慮生產率，則較佳為層壓法。此時，層壓溫度並無特別限定，例如較佳為30~90℃，更佳為60~80℃。又，線壓並無特別限定，例如較佳為0.1~20 kgf/cm，更佳為1~10 kgf/cm。由此獲得本實施形態之積層片材10。
(半導體裝置之製造)
繼而，對半導體裝置之製造方法進行說明。圖2~圖9係表示使用積層片材10的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。首先，將積層片材10之樹脂組合物層16面與半導體晶圓40之電路面貼合而獲得附有積層片材之半導體晶圓(參照圖2)。本步驟係一面藉由壓接輥等擠壓機構擠壓一面進行。裝配(mount)時之貼附溫度並無特別限定，例如較佳為20~100℃之範圍內。
繼而，對附有積層片材10之半導體晶圓40之未貼附積層片材10之面進行研磨而使其薄化(參照圖3)。薄型加工可採用常法。作為薄型加工機，可列舉研磨機(背面研磨)、CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械研磨)墊等。薄型加工進行至半導體晶圓成為期望之厚度為止。
繼而，於經薄化之附有積層片材10之半導體晶圓40之研磨面上貼合切割膠帶20而獲得貼合有切割膠帶20及積層片材10之半導體晶圓40(參照圖4)。作為半導體晶圓40之研磨面與切割膠帶20之貼合方法，例如可列舉按壓法、層壓法等，若考慮生產率，則較佳為層壓法。此時，層壓溫度並無特別限定，例如較佳為30~50℃，更佳為35~45℃。又，線壓並無特別限定，例如較佳為0.1~20 kgf/cm，更佳為1~10 kgf/cm。作為切割膠帶20，例如可採用包含基材及黏著劑層之先前公知者。作為構成切割膠帶20之黏著劑層，例如可採用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等一般之感壓性黏著劑，亦可採用紫外線硬化型之黏著劑層。
繼而，例如使用切割刀片62，將貼合有切割膠帶20及積 層片材10之半導體晶圓40自積層片材10側進行切割(參照圖5)。由此，將半導體晶圓40切斷成特定尺寸，使其單片化，獲得半導體晶片42。於本步驟中，例如可採用切入至切割膠帶20之被稱為全切(full cut)之切斷方式等。作為本步驟中使用之切割裝置，並無特別限定，可使用先前公知之裝置。於本實施形態中，由於在樹脂組合物層16上貼附有背面研磨膠帶11之狀態下進行切割，因此可抑制樹脂組合物層16吸收切割時之水或切削屑附著於樹脂組合物層16上。其結果，可防止引起樹脂組合物層16之接著力之降低或電氣可靠性之降低。再者，於本步驟中，積層片材10與半導體晶圓40一起被單片化為晶片狀。
繼而，於積層片材10上貼附黏著帶30(參照圖6)。此時，黏著帶30以覆蓋單片化為晶片狀之複數個積層片材10之形態進行貼附。作為黏著帶30，只要黏著帶30與基材12之接著力大於黏著劑層14與樹脂組合物層16之接著力，則可採用先前公知之黏著帶。
繼而，將黏著帶30與背面研磨膠帶11一起自樹脂組合物層16剝離(參照圖7)。此時，由於背面研磨膠帶11藉由上述切割而單片化，因此經單片化之複數個背面研磨膠帶11與黏著帶30一起一次自樹脂組合物層16剝離。
繼而，於切割膠帶20之黏著劑層為紫外線硬化型之情形時，對切割膠帶20照射紫外線，使黏著劑層之黏著力降低。
繼而，為將切割獲得之半導體晶片自切割膠帶20剝離， 進行半導體晶片42之拾取(pick up)(剝離)(參照圖8)。作為拾取之方法，並無特別限定，可採用先前公知之各種方法。例如可列舉藉由針自切割膠帶20側將各個半導體晶片42向上頂，並藉由拾取裝置拾取經頂出之半導體晶片42之方法等。
如圖9所示，經拾取之半導體晶片42經由樹脂組合物層16以倒裝晶片接合方式(倒裝晶片安裝方式)接著固定於被黏著體44上(倒裝晶片接合步驟)。具體而言，將半導體晶片42以半導體晶片42之電路面(亦稱作表面、電路圖案形成面、電極形成面等)與被黏著體44相對向之形態，按照常法固定於被黏著體44上。例如一面使形成於半導體晶片42之電路面側之凸塊(未圖示)與被黏著於被黏著體44之連接墊上之接合用導電材料(未圖示)接觸而擠壓一面使導電材料熔融，藉此可確保半導體晶片42與被黏著體44之電氣導通而將半導體晶片42固定於被黏著體44上。又，於半導體晶片42與被黏著體44之間之空隙配置有樹脂組合物層16。即，於半導體晶片42之搭載時，樹脂組合物層16可進行半導體晶片42與被黏著體44之空間之填充及彼此之固著。
作為被黏著體44，可使用引線框、電路基板(配線電路基板等)等各種基板。作為此種基板之材質，並無特別限定，可列舉陶瓷基板、塑膠基板。作為塑膠基板，例如可列舉：環氧基板、雙順丁烯二醯亞胺三基板、聚醯亞胺基板等。
作為上述凸塊或上述導電材料之材質，並無特別限定，例如可列舉：錫-鉛系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系金屬材料、錫-鋅系金屬材料、錫-鋅-鉍系金屬材料等焊錫類(合金)、金系金屬材料、銅系金屬材料等。
繼而，對倒裝晶片接合之半導體晶片42與被黏著體44之間所配置之樹脂組合物層16進行熱硬化。例如可於165℃~185℃下硬化數分鐘~1小時左右。
<第二本發明>
以下，關於第二本發明，對與第一本發明不同之方面進行說明。第二本發明除於第二本發明之項中特別說明之情況以外，與第一本發明為同樣之構成。
以下，一面參照圖式一面對第二本發明之實施形態進行說明，但第二本發明不受該等例示之限定。圖10係表示第二本發明之一實施形態之積層片材之剖面模式圖。再者，圖式中省略無需說明之部分，並且存在放大或縮小等而圖示之部分以便容易地進行說明。
(積層片材)
積層片材100包含具有於基材120上形成有黏著劑層140之構成之背面研磨膠帶110、及設置於背面研磨膠帶110之黏著劑層140上之樹脂組合物層160。
積層片材100係藉由放射線硬化型黏著劑而形成黏著劑層140者，可於下述(1)~(4)之任一種半導體裝置之製造方法中使用。
(1)一種半導體裝置之製造方法，其包括如下步驟：將 上述積層片材之樹脂組合物層面與半導體晶圓之電路面貼合而獲得附有積層片材之半導體晶圓；對上述附有積層片材之半導體晶圓之未貼附積層片材之面進行研磨而使其薄化；於經薄化之附有積層片材之半導體晶圓之研磨面上貼合切割膠帶而獲得貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓；將上述貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓自上述積層片材側進行切割；切割後於上述積層片材上貼附黏著帶；以及將上述黏著帶與上述背面研磨膠帶一起自上述樹脂組合物層剝離。
(2)一種半導體裝置之製造方法，其包括如下步驟：將上述積層片材之樹脂組合物層面與半導體晶圓之電路面貼合而獲得附有積層片材之半導體晶圓；對上述附有積層片材之半導體晶圓之未貼附積層片材之面進行研磨而使其薄化；於經薄化之附有積層片材之半導體晶圓之研磨面上貼合切割膠帶而獲得貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓；將上述貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓自上述積層片材側進行切割；切割後自上述積層片材側照射放射線；於放射線照射後之上述積層片材上貼附黏著帶；以及將上述黏著帶與上述背面研磨膠帶一起自上述樹脂組合物層剝離。
(3)一種半導體裝置之製造方法，其包括如下步驟：將上述積層片材之樹脂組合物層面與半導體晶圓之電路面貼合而獲得附有積層片材之半導體晶圓；對上述附有積層片材之半導體晶圓之未貼附積層片材之面進行研磨而使其薄 化；於經薄化之附有積層片材之半導體晶圓之研磨面上貼合切割膠帶而獲得貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓；將上述貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓自上述積層片材側進行切割；切割後於上述積層片材上貼附黏著帶；於黏著帶之貼附後自上述積層片材側照射放射線；以及將上述黏著帶與上述背面研磨膠帶一起自上述樹脂組合物層剝離。
(4)一種半導體裝置之製造方法，其包括如下步驟：將上述積層片材之樹脂組合物層面與半導體晶圓之電路面貼合而獲得附有積層片材之半導體晶圓；對上述附有積層片材之半導體晶圓之未貼附積層片材之面進行研磨而使其薄化；於經薄化之附有積層片材之半導體晶圓之研磨面上貼合切割膠帶而獲得貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓；將上述貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓自上述積層片材側進行切割；切割後自上述積層片材側照射放射線；於放射線照射後之上述積層片材上貼附黏著帶；於黏著帶之貼附後自上述積層片材側照射放射線；以及將上述黏著帶與上述背面研磨膠帶一起自上述樹脂組合物層剝離。
(基材)
作為基材120，可使用第一本發明之項中說明之基材(例如基材12)。因此，省略此處之詳細說明。
(黏著劑層)
黏著劑層140係含有紫外線硬化型黏著劑而構成。放射 線硬化型黏著劑藉由紫外線等放射線之照射而使交聯度增大，從而可容易地降低其黏著力，例如藉由對黏著劑層140中之貼附樹脂組合物層之部分所對應之部分照射放射線，可設定該部分與其他部分之黏著力之差。
黏著劑層140中，由未照射放射線之未硬化之放射線硬化型黏著劑形成之部分可與樹脂組合物層160黏著而確保對半導體晶圓進行背面研磨時或切割時之保持力。如此，放射線硬化型黏著劑可接著與剝離之平衡良好地支持用以將半導體晶片固定於基板等被黏著體上之樹脂組合物層160。
上述放射線硬化型黏著劑可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等放射線硬化性之官能基且顯示黏著性之黏著劑。作為放射線硬化型黏著劑，例如可例示於上述丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等一般之感壓性黏著劑中調配放射線硬化性之單體成分或低聚物成分而成之添加型之放射線硬化型黏著劑。作為上述感壓性接著劑，就半導體晶圓或玻璃等避忌污染之電子零件之利用超純水或醇等有機溶劑之潔淨清洗性等方面而言，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基底聚合物之丙烯酸系黏著劑。
作為上述丙烯酸系聚合物，例如可列舉將(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷 基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基之碳數為1~30、尤其是碳數為4~18之直鏈狀或支鏈狀之烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如環戊酯、環己酯等)中之一種或兩種以上作為單體成分使用之丙烯酸系聚合物等。再者，所謂(甲基)丙烯酸酯，係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，所謂第二本發明之(甲基)，均為相同之含義。
上述丙烯酸系聚合物亦可以凝聚力、耐熱性等之改質為目的而根據需要含有可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷基酯共聚合之其他單體成分所對應之單元。作為此種單體成分，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等含羧基單體；順丁烯二酸酐、伊康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。該等可共聚合之單體成分可使用一種或兩種以上。該等可共聚合之單體之使用量較佳為全部單體成分之40重量%以下。
進而，上述丙烯酸系聚合物亦可為進行交聯而根據需要 含有多官能性單體等作為共聚合用單體成分。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等。該等多官能性單體亦可使用一種或兩種以上。就黏著特性等方面而言，多官能性單體之使用量較佳為全部單體成分之30重量%以下。
上述丙烯酸系聚合物可藉由使單一單體或兩種以上之單體混合物進行聚合而獲得。聚合可藉由溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等任一種方式進行。就防止對潔淨之被黏著體之污染等方面而言，較佳為低分子量物質之含量較少。就該方面而言，丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為30萬以上，進一步較佳為40萬~300萬左右。
又，為提高作為基底聚合物之丙烯酸系聚合物等之數量平均分子量，亦可於上述黏著劑中適當地採用外部交聯劑。作為外部交聯方法之具體手段，可列舉添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等所謂之交聯劑使其反應之方法。於使用外部交聯劑之情形時，其使用量係根據與應交聯之基底聚合物之平衡、進而根據作為黏著劑之使用用途而適當決定。一般而言，相對於上述基底聚合物100重量份，較佳為調配5重量份程 度以下，進而較佳為調配0.1~5重量份。進而，於黏著劑中，除上述成分以外，亦可根據需要使用先前公知之各種黏著賦予劑、防老化劑等添加劑。
作為所調配之上述放射線硬化性之單體成分，例如可列舉：胺基甲酸酯低聚物、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。又，放射線硬化性之低聚物成分可列舉胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，適合為分子量為100~30000左右之範圍者。放射線硬化性之單體成分或低聚物成分之調配量可根據上述黏著劑層之種類而適當決定可降低黏著劑層之黏著力之量。一般而言，相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基底聚合物100重量份，例如為5~500重量份，較佳為40~150重量份左右。
又，作為放射線硬化型黏著劑，除上述說明之添加型之放射線硬化型黏著劑以外，亦可列舉使用於聚合物側鏈、或主鏈中或主鏈末端具有碳-碳雙鍵之聚合物作為基底聚合物之內在型之放射線硬化型黏著劑。內在型之放射線硬化型黏著劑無需含有或不含有大量作為低分子成分之低聚物成分等，故可形成穩定之層結構之黏著劑層而不會有低聚物成分等經時地於黏著劑層中移動之情形，故而較佳。
上述具有碳-碳雙鍵之基底聚合物可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵且具有黏著性之聚合物。作為此種基底聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基本骨架者。作為丙烯酸系聚合物之基本骨架，可列舉上述例示之丙烯酸系聚合物。
向上述丙烯酸系聚合物中導入碳-碳雙鍵之方法並無特別限制，可採用各種方法，向聚合物側鏈導入碳-碳雙鍵時分子設計較為容易。例如可列舉如下方法，即，預先使丙烯酸系聚合物與具有官能基之單體共聚合後，使具有可與該官能基反應之官能基及碳-碳雙鍵之化合物於維持碳-碳雙鍵之放射線硬化性之狀態下與其進行縮聚合或加成反應。
作為該等官能基之組合例，可列舉羧酸基與環氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。於該等官能基之組合中，就反應示蹤之容易性而言，較佳為羥基與異氰酸酯基之組合。又，若為藉由該等官能基之組合而生成上述具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物之組合，則官能基可位於丙烯酸系聚合物與上述化合物之任一側，於上述較佳之組合中，較佳為丙烯酸系聚合物具有羥基、上述化合物具有異氰酸酯基。於該情形時，作為具有碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物，例如可列舉甲基丙烯醯基異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。又，作為丙烯酸系聚合物，可使用使上述所例示之含羥基單體、或2-羥基乙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯 醚、二乙二醇單乙烯醚之醚系化合物等共聚合而成之聚合物。
上述內在型之放射線硬化型黏著劑可單獨使用上述具有碳-碳雙鍵之基底聚合物(特別是丙烯酸系聚合物)，亦可於不會使特性惡化之程度下調配上述放射線硬化性之單體成分或低聚物成分。放射線硬化性之低聚物成分等通常相對於基底聚合物100重量份為30重量份之範圍內，較佳為0~10重量份之範圍。
於藉由紫外線等進行硬化之情形時，上述放射線硬化型黏著劑中可含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-啉基丙烷-1等苯乙酮系化合物；安息香乙醚、安息香異丙醚、大茴香偶姻甲醚等安息香醚系化合物；苯偶醯二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；9-氧硫、2-氯-9-氧硫、2-甲基-9-氧硫、2,4-二甲基-9-氧硫、異丙基-9-氧硫、2,4-二氯-9-氧硫、2,4-二乙基-9-氧硫、2,4-二異丙基-9-氧硫等9-氧硫系化合物；樟腦醌；鹵化酮；醯基氧化 膦；醯基膦酸酯(acylphosphonate)等。光聚合起始劑之調配量相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基底聚合物100重量份，例如為0.05~20重量份左右。
又，作為放射線硬化型黏著劑，例如可列舉：日本專利特開昭60-196956號公報中揭示之、含有具有兩個以上不飽和鍵之加成聚合性化合物、具有環氧基之烷氧基矽烷等光聚合性化合物以及羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鎓鹽系化合物等光聚合起始劑之橡膠系黏著劑或丙烯酸系黏著劑等。
黏著劑層140之厚度並無特別限定，就晶片切斷面之殘缺防止及樹脂組合物層160之固定保持之兼顧性等方面而言，較佳為1~50 μm左右。較佳為2~30 μm，進而較佳為5~25 μm。
黏著劑層140之放射線硬化前之拉伸彈性模數較佳為於23℃下為0.1~5.0 MPa，更佳為0.1~1.0 MPa。藉由使黏著劑層140之放射線硬化前之拉伸彈性模數於23℃下為0.1~5.0 MPa，可抑制切割時之背面研磨膠帶110之飛濺。
又，於用於上述(1)之半導體裝置之製造方法之情形時，放射線硬化前之黏著劑層140與樹脂組合物層160之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1~5 N/20 mm，較佳為0.3~5.0 N/20 mm，更佳為0.5~5.0 N/20 mm。由於放射線硬化前之黏著劑層140與樹脂組合物層160之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1 N/20 mm以上，因此可抑制切割時之背面研磨膠帶110之飛濺。
又，於用於上述(2)~(4)中任一種半導體裝置之製造方法之情形時，放射線硬化前之黏著劑層140與樹脂組合物層160之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1~20 N/20 mm，較佳為0.3~5.0 N/20 mm，更佳為0.5~5.0 N/20 mm。由於放射線硬化前之黏著劑層140與樹脂組合物層160之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1 N/20 mm以上，因此可抑制切割時之背面研磨膠帶110之飛濺。
又，於用於上述(2)~(4)中任一種半導體裝置之製造方法之情形時，放射線硬化後之黏著劑層140與樹脂組合物層160之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.01~5 N/20 mm，較佳為0.01~1.0 N/20 mm，更佳為0.01~0.5 N/20 mm。由於放射線硬化後之上述T剝離強度為5 N/20 mm以下，因此可將黏著帶30與背面研磨膠帶110一起一次自樹脂組合物層160剝離。
(樹脂組合物層)
作為樹脂組合物層160，可使用第一本發明之項中說明之樹脂組合物層(例如樹脂組合物層16)。因此，省略此處之詳細說明。
(積層片材之製造方法)
作為本實施形態之積層片材11之製造方法，可採用第一本發明之項中說明之方法。因此，省略此處之詳細說明。
(半導體裝置之製造)
繼而，對半導體裝置之製造方法進行說明。圖11~圖20係表示使用積層片材100之半導體裝置之製造方法之一例 之剖面模式圖。首先，將積層片材100之樹脂組合物層160面與半導體晶圓400之電路面貼合而獲得附有積層片材之半導體晶圓(參照圖11)。本步驟係一面藉由壓接輥等擠壓機構擠壓一面進行。裝配時之貼附溫度並無特別限定，例如較佳為20~100℃之範圍內。
繼而，對附有積層片材100之半導體晶圓400之未貼附積層片材100之面進行研磨而使其薄化(參照圖12)。薄型加工可採用常法。作為薄型加工機，可列舉研磨機(背面研磨)、CMP墊等。薄型加工進行至半導體晶圓成為期望之厚度為止。
繼而，於經薄化之附有積層片材100之半導體晶圓400之研磨面上貼合切割膠帶200而獲得貼合有切割膠帶200及積層片材100之半導體晶圓400(參照圖13)。作為半導體晶圓400之研磨面與切割膠帶200之貼合方法，例如可列舉按壓法、層壓法等，若考慮生產率，則較佳為層壓法。此時，層壓溫度並無特別限定，例如較佳為30~50℃，更佳為35~45℃。又，線壓並無特別限定，例如較佳為0.1~20 kgf/cm，更佳為1~10 kgf/cm。作為切割膠帶200，例如可採用包含基材及黏著劑層之先前公知之切割膠帶。作為構成切割膠帶200之黏著劑層，例如可採用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等一般之感壓性黏著劑，亦可採用紫外線硬化型之黏著劑層。
繼而，例如使用切割刀片620，將貼合有切割膠帶200及積層片材100之半導體晶圓400自積層片材100側進行切割 (參照圖14)。藉此，將半導體晶圓400切斷成特定尺寸，使其單片化，獲得半導體晶片420。於本步驟中，例如可採用切入至切割膠帶200之被稱為全切之切斷方式等。作為本步驟中使用之切割裝置，並無特別限定，可使用先前公知之裝置。於本實施形態中，由於在樹脂組合物層160上貼附有背面研磨膠帶110之狀態下進行切割，因此可抑制樹脂組合物層160吸收切割時之水或切削屑附著於樹脂組合物層160上。其結果，可防止引起樹脂組合物層160之接著力之降低或電氣可靠性之降低。再者，於本步驟中，積層片材100與半導體晶圓400一起被單片化為晶片狀。
繼而，根據需要(採用上述(2)或上述(4)之半導體裝置之製造方法之情形)自積層片材100側照射放射線(參照圖15)。藉此，黏接著劑層14硬化，黏著力降低。作為上述放射線之照射量，例如可列舉：波長10 nm~400 nm之紫外線之照射強度為10 mW/cm2~1000 mW/cm2(較佳為20 mW/cm2~200 mW/cm2)之範圍內，上述紫外線之累計光量為10 mJ/cm2~50 mJ/cm2(較佳為30 mJ/cm2~50 mJ/cm2)之範圍內。具體而言，例如可為以下之照射條件：於利用高壓水銀燈之光照射下，照射強度為10 mW/cm2~1000 mW/cm2(較佳為20 mW/cm2~200 mW/cm2)之範圍內，上述紫外線之累計光量為10 mJ/cm2~50 mJ/cm2(較佳為30 mJ/cm2~50 mJ/cm2)之範圍內。
繼而，於積層片材100上貼附黏著帶300(參照圖16)。此時，黏著帶300以覆蓋單片化為晶片狀之複數個積層片材 100之形態進行貼附。作為黏著帶300，只要黏著帶300與基材120之接著力大於黏著劑層140與樹脂組合物層160之接著力，則可採用先前公知之黏著帶。
繼而，根據需要(採用上述(3)或上述(4)之半導體裝置之製造方法之情形)自積層片材100側照射紫外線(參照圖17)。藉此，黏接著劑層14硬化，黏著力降低。作為上述放射線之照射量，例如可列舉：波長10 nm~400 nm之紫外線之照射強度為10 mW/cm2~1000 mW/cm2(較佳為20 mW/cm2~200 mW/cm2)之範圍內，上述紫外線之累計光量為100 mJ/cm2~1000 mJ/cm2(較佳為400 mJ/cm2~1000 mJ/cm2)之範圍內。具體而言，例如可為以下照射條件：於利用高壓水銀燈之光照射下，照射強度為10 mW/cm2~1000 mW/cm2(較佳為20 mW/cm2~200 mW/cm2)之範圍內，上述紫外線之累計光量為100 mJ/cm2~1000 mJ/cm2(較佳為400 mJ/cm2~1000 mJ/cm2)之範圍內。
繼而，將黏著帶300與背面研磨膠帶110一起自樹脂組合物層160剝離(參照圖18)。此時，由於背面研磨膠帶110藉由上述切割而單片化，因此經單片化之複數個背面研磨膠帶110與黏著帶300一起一次自樹脂組合物層160剝離。
繼而，於切割膠帶200之黏著劑層為紫外線硬化型之情形時，對切割膠帶200照射紫外線，使黏著劑層之黏著力降低。
繼而，為將切割獲得之半導體晶片自切割膠帶200剝離，進行半導體晶片420之拾取(剝離)(參照圖19)。作為拾 取之方法，並無特別限定，可採用先前公知之各種方法。例如可列舉藉由針自切割膠帶200側將各個半導體晶片420向上頂，並藉由拾取裝置拾取經頂出之半導體晶片420之方法等。
如圖20所示，經拾取之半導體晶片420經由樹脂組合物層160以倒裝晶片接合方式(倒裝晶片安裝方式)接著固定於被黏著體440上(倒裝晶片接合步驟)。具體而言，將半導體晶片420以半導體晶片420之電路面(亦稱作表面、電路圖案形成面、電極形成面等)與被黏著體440相對向之狀態，按照常法固定於被黏著體440上。例如一面使形成於半導體晶片420之電路面側之凸塊(未圖示)與被黏著於被黏著體440之連接墊上之接合用導電材料(未圖示)接觸而擠壓一面使導電材料熔融，藉此可確保半導體晶片420與被黏著體440之電氣導通而將半導體晶片420固定於被黏著體440上。又，於半導體晶片420與被黏著體440之間之空隙配置有樹脂組合物層160。即，於半導體晶片420之搭載時，樹脂組合物層160可進行半導體晶片420與被黏著體440之空間之填充及彼此之固著。
作為被黏著體440，可採用引線框、電路基板(配線電路基板等)等各種基板。作為此種基板之材質，並無特別限定，可列舉陶瓷基板或塑膠基板。作為塑膠基板，例如可列舉環氧基板、雙順丁烯二醯亞胺三基板、聚醯亞胺基板等。
作為上述凸塊或上述導電材料之材質，並無特別限定， 例如可列舉：錫-鉛系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系金屬材料、錫-鋅系金屬材料、錫-鋅-鉍系金屬材料等焊錫類(合金)、或金系金屬材料、銅系金屬材料等。
繼而，對倒裝晶片接合之半導體晶片420與被黏著體440之間所配置之樹脂組合物層160進行熱硬化。例如可於165℃~185℃下硬化數分鐘~1小時左右。
於上述(2)之半導體裝置之製造方法中，切割後進行紫外線照射，於黏著帶300之貼合後不進行紫外線照射。於上述(2)之半導體裝置之製造方法之情形時，可降低將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離時之剝離力，容易進行剝離，就該方面而言較佳。
於上述(3)之半導體裝置之製造方法中，切割後不進行紫外線照射，於黏著帶300之貼合後進行紫外線照射。於上述(3)之半導體裝置之製造方法之情形時，可提高黏著帶與背面研磨膠帶之密接力，進而可降低將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離時之剝離力，容易進行剝離，就該方面而言較佳。
於上述(4)之半導體裝置之製造方法中，切割後進行紫外線照射，於黏著帶300之貼合後亦進行紫外線照射。於上述(4)之半導體裝置之製造方法之情形時，可提高黏著帶與背面研磨膠帶之密接力，進而可降低將黏著帶與背面研磨膠帶一起一次自樹脂組合物層剝離時之剝離力，容易進行剝離，就該方面而言較佳。
於上述實施形態中，對放射線為紫外線之情形進行了說 明，但本發明不限定於本例，亦可為X射線、電子束等。於該情形時，黏著劑層只要使用與所用之放射線對應之黏著劑(例如X射線硬化型黏著劑、電子束硬化型黏著劑)即可。
實施例
以下，舉例詳細地說明本發明之較佳之實施例。然而，該實施例中記載之材料或調配量等只要無特別限定之記載，則並非旨在將本發明之主旨僅限定於該等。又，「份」係指重量份。
[第一本發明]
以下之各實施例等對應第一本發明。
[樹脂組合物層之製造]
準備下述所示之環氧樹脂、酚系樹脂、丙烯酸系樹脂、硬化促進劑。
環氧樹脂A：環氧基當量為142 g/eq之萘型環氧樹脂(製品名：HP4032D，DIC公司製)
環氧樹脂B：環氧基當量為169 g/eq之三苯酚甲烷型環氧樹脂(製品名：EPPN501HY，日本化藥公司製)
苯酚酚醛清漆樹脂：苯酚當量175 g/eq之芳烷基型酚系樹脂(製品名：MEH-7800M/MEH-7800SS，明和化成公司製)
丙烯酸系樹脂：重量平均分子量450000之丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯及丙烯腈之共聚合聚合物(製品名：Teisan Resin SG-P3，Nagase Chemtex公司製)
硬化促進劑：三苯基膦(製品名：TPP-K，北興化學公司製)
將上述環氧樹脂A 60份、上述環氧樹脂B 15份、上述苯酚酚醛清漆樹脂90份、上述丙烯酸系樹脂115份、及上述硬化促進劑2份加以混合，獲得樹脂組合物。繼而，於剝離膜(三菱化學股份有限公司製，MRA，厚度50 μm)之剝離處理面上以乾燥後之塗佈厚度成為100 μm之方式塗佈上述樹脂組合物，於110℃下乾燥5分鐘。由此獲得樹脂組合物層。
(實施例1)
向具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中投入丙烯酸2-乙基己酯100份、及丙烯酸2-羥基乙酯20重量份，於甲苯溶液中在氮氣氣流中以60℃聚合處理8小時，獲得丙烯酸系聚合物A。
繼而，相對於丙烯酸系聚合物A 100份，加入聚異氰酸酯系交聯劑(商品名「CORONATE X」，Nippon Polyurethane Industry公司製)15份，獲得黏著劑組合物溶液A。
將黏著劑組合物溶液A塗佈於厚度50 μm之PET(Polyethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)膜上，於120℃下加熱乾燥3分鐘，形成厚度30 μm之黏著劑層A。將於PET膜上形成黏著劑層A而成之膠帶作為背面研磨膠帶A。
(比較例1)
向具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計、及攪拌裝置之反 應容器中投入丙烯酸丁酯100份、丙烯酸乙酯80份、及丙烯酸2-羥基乙酯40份，於甲苯溶液中在氮氣氣流中以60℃聚合處理8小時，獲得丙烯酸系聚合物B。
相對於丙烯酸系聚合物B，加入2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯45份，於空氣氣流中以50℃加成反應處理12小時，獲得丙烯酸系聚合物B'。
繼而，相對於丙烯酸系聚合物B' 100份，加入聚異氰酸酯系交聯劑(商品名「CORONATE L」，Nippon Polyurethane Industry公司製)0.2份，獲得黏著劑組合物溶液B。
將黏著劑組合物溶液B塗佈於厚度50 μm之PET膜上，於120℃下加熱乾燥3分鐘，形成厚度30 μm之黏著劑層B。將於PET膜上形成黏著劑層B而成之膠帶作為背面研磨膠帶B。
(比較例2)
向具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計、及攪拌裝置之反應容器中加入丙烯酸2-乙基己酯100份、及丙烯酸2-羥基乙酯20重量份，於甲苯溶液中在氮氣氣流中以60℃聚合處理8小時，獲得丙烯酸系聚合物C。
繼而，相對於丙烯酸系聚合物C100份，加入聚異氰酸酯系交聯劑(商品名「CORONATE X」，Nippon Polyurethane Industry公司製)30份，獲得黏著劑組合物溶液C。
將黏著劑組合物溶液C塗佈於厚度50 μm之PET膜上，於120℃下加熱乾燥3分鐘，形成厚度30 μm之黏著劑層C。然後，對黏著劑層C照射400 mJ/cm2之紫外線。將其作為背 面研磨膠帶C。
(黏著劑層之拉伸彈性模數之測定)
求出黏著劑層A~C之拉伸彈性模數。具體而言，使用Tensilon型拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司，AGS-J)，由基於所測定之荷重-拉伸曲線之切線所得之計算值獲得拉伸彈性模數。測定條件：夾具(chuck)間距為10 mm、拉伸速度為50 mm/min。結果如表1所示。
(黏著劑層與樹脂組合物層之T剝離強度測定)
使用貼附裝置(Taisho Laminator股份有限公司製)，藉由橡膠製層壓輥，於貼附速度0.6 m/min、輥溫度25℃、荷重0.5 MPa之條件下將上述背面研磨膠帶A之黏著劑面與上述樹脂組合物層進行貼合，製作積層片材A。以積層片材A作為實施例1之積層片材。又，對於背面研磨膠帶B~C，亦同樣地貼合上述樹脂組合物層，製作積層片材B~C。以積層片材B作為比較例1之積層片材。以積層片材C作為比較例2之積層片材。
藉由Tensilon型拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司，AGS-J)對積層片材A~C之黏著劑層與樹脂組合物層之T剝離強度進行測定。剝離條件係設為300 mm/min之速度。結果如表1所示。
(切割時之背面研磨膠帶之飛濺之評價)
與上述同樣地製作積層片材A~C。繼而，使用貼附裝置(Taisho Laminator股份有限公司製)，藉由橡膠製層壓輥，於貼附速度0.6 m/min、輥溫度70℃、荷重0.5 MPa之條件 下將積層片材之樹脂組合物層面與晶圓之鏡面貼合。晶圓為單鏡面晶圓(SYNERGYTEC製，8英吋)。
繼而，將所貼合之積層片材切割成晶圓形狀，使用背面研磨裝置(DISCO股份有限公司製)，將附有積層片材之晶圓之晶圓面研磨成200 μm之厚度。
繼而，使用貼附裝置(Taisho Laminator股份有限公司製)，藉由橡膠製層壓輥，於貼附速度0.6 m/min、輥溫度25℃、荷重0.5 MPa之條件下將附有積層片材之晶圓之研磨面與切割膠帶(日東電工股份有限公司製，DU-300)之黏著劑面進行貼合。
繼而，使用切割機(DISCO股份有限公司製)，於轉軸轉速40,000 rpm、切斷速度30 mm/sec之條件下自背面研磨膠帶側進行切割，第一次切割至背面研磨膠帶之黏著劑層中，第二次切割至切割膠帶之基材膜中。將切割時未出現背面研磨膠帶之飛濺之情形評價為「○」，將出現飛濺之情形評價為「×」。結果如表1所示。
(切割後之背面研磨膠帶之剝離性之評價)
切割後，使用貼附裝置(Taisho Laminator股份有限公司製)，藉由橡膠製層壓輥，於貼附速度0.6 m/min、輥溫度25℃、荷重0.5 MPa之條件下，在附有切割膠帶之晶圓之背面研磨膠帶面上貼合黏著帶(日東電工股份有限公司製，BT-315)。繼而，使用Tensilon型拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司，AGS-J)，藉由T剝離法以剝離速度300 mm/min拉伸黏著帶。將可以背面研磨膠帶貼合於黏著帶 之狀態自樹脂組合物層剝離之情形評價為「○」、將未以背面研磨膠帶貼合於黏著帶之狀態自樹脂組合物層剝離之情形評價為「×」。然而，對於積層片材C而言，由於切割時背面研磨膠帶發生飛濺，因此未進行評價。結果如表1所示。
[第二本發明]
以下之各實施例等對應第二本發明。
[樹脂組合物層之製造]
準備下述所示之環氧樹脂、酚系樹脂、丙烯酸系樹脂、硬化促進劑。
環氧樹脂A：環氧基當量為142 g/eq之萘型環氧樹脂(製品名：HP4032D，DIC公司製)
環氧樹脂B：環氧基當量為169 g/eq之三苯酚甲烷型環氧樹脂(製品名：EPPN501HY，日本化藥公司製)
苯酚酚醛清漆樹脂：苯酚當量175 g/eq之芳烷基型酚系樹脂(製品名：MEH-7800M/MEH-7800SS，明和化成公司製)
丙烯酸系樹脂：重量平均分子量450000之丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯和丙烯腈之共重物(製品名：Teisan Resin SG- P3、Nagase Chemtex公司製)
硬化促進劑：三苯基膦(製品名：TPP-K、北興化學公司製)
將上述環氧樹脂A 60份、上述環氧樹脂B 15份、上述苯酚酚醛清漆樹脂90份、上述丙烯酸系樹脂115份、及上述硬化促進劑2份加以混合，獲得樹脂組合物。繼而，於剝離膜(三菱化學股份有限公司製，MRA，厚度50 μm)之剝離處理面上以乾燥後之塗佈厚度成為100 μm之方式塗佈上述樹脂組合物，於110℃下乾燥5分鐘。藉此獲得樹脂組合物層。
(實施例1)
向具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計、及攪拌裝置之反應容器中投入丙烯酸2-乙基己酯100份、及丙烯酸2-羥基乙酯20重量份，於甲苯溶液中在氮氣氣流中以60℃聚合處理8小時，獲得丙烯酸系聚合物A。
相對於丙烯酸系聚合物A，加入2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯15份，於空氣氣流中以50℃加成反應處理12小時，獲得丙烯酸系聚合物A'。
繼而，相對於丙烯酸系聚合物A' 100份，加入聚異氰酸酯系交聯劑(商品名「CORONATE L」，Nippon Polyurethane Industry公司製)2份、苯乙酮系光聚合起始劑(商品名「Irgacure 651」，Ciba Specialty Chemicals公司製)2份，獲得黏著劑組合物溶液A。
將黏著劑組合物溶液A塗佈於厚度50 μm之PET膜上，於 120℃下加熱乾燥3分鐘，形成厚度30 μm之黏著劑層A。將於PET膜上形成黏著劑層A而成之膠帶作為背面研磨膠帶A。
(實施例2)
以與實施例1之背面研磨膠帶A相同之背面研磨膠帶作為實施例2之背面研磨膠帶B。又，將構成背面研磨膠帶B之黏著劑層設為黏著劑層B。又，實施例2之背面研磨膠帶B如下所述於切割後且黏著帶貼合前照射50 mJ/cm2之紫外線而使用。
(實施例3)
以與實施例1之背面研磨膠帶A相同之背面研磨膠帶作為實施例3之背面研磨膠帶C。又，將構成背面研磨膠帶C之黏著劑層設為黏著劑層C。再者，實施例3之背面研磨膠帶C如下所述於黏著帶貼合後照射400 mJ/cm2之紫外線而使用。
(實施例4)
以與實施例1之背面研磨膠帶A相同之背面研磨膠帶作為實施例4之背面研磨膠帶D。又，將構成背面研磨膠帶D之黏著劑層設為黏著劑層D。再者，實施例4之背面研磨膠帶D如下所述於切割後且黏著帶貼合前照射50 mJ/cm2之紫外線，進而於黏著帶貼合後照射400 mJ/cm2之紫外線而使用。
(比較例1)
向具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計、及攪拌裝置之反 應容器中投入丙烯酸丁酯100份、丙烯酸乙酯80份、及丙烯酸2-羥基乙酯40份，於甲苯溶液中在氮氣氣流中以60℃聚合處理8小時，獲得丙烯酸系聚合物E。
相對於丙烯酸系聚合物E，加入2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯45份，於空氣氣流中以50℃加成反應處理12小時，獲得丙烯酸系聚合物E'。
繼而，相對於丙烯酸系聚合物E' 100份，加入聚異氰酸酯系交聯劑(商品名「CORONATE L」，Nippon Polyurethane Industry公司製)0.2份、苯乙酮系光聚合起始劑(商品名「Irgacure 651」，Ciba Specialty Chemicals公司製)3份，獲得黏著劑組合物溶液E。
將黏著劑組合物溶液E塗佈於厚度50 μm之PET膜上，於120℃下加熱乾燥3分鐘，形成厚度30 μm之黏著劑層E。將於PET膜上形成黏著劑層E而成之膠帶設為背面研磨膠帶E。
(比較例2)
使用UV照射裝置(日東精機股份有限公司)，自基材膜面(PET膜面)側對實施例1之背面研磨膠帶A照射400 mJ/cm2之紫外線。將其作為背面研磨膠帶F。再者，將構成背面研磨膠帶F之黏著劑層設為黏著劑層F。
(比較例3)
以與實施例1之背面研磨膠帶A相同之背面研磨膠帶作為比較例3之背面研磨膠帶G。又，將構成背面研磨膠帶G之黏著劑層設為黏著劑層G。再者，比較例3之背面研磨膠帶 G如下所述於切割後且黏著帶貼合前照射400 mJ/cm2之紫外線而使用。
(黏著劑層之拉伸彈性模數之測定)
求出黏著劑層A~G之拉伸彈性模數。具體而言，使用Tensilon型拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司，AGS-J)，由基於所測定之荷重-拉伸曲線之切線所得之計算值獲得拉伸彈性模數。測定條件：夾具間距為10 mm、拉伸速度為50 mm/min。結果如表2所示。
(黏著劑層與樹脂組合物層之T剝離強度測定)
使用貼附裝置(Taisho Laminator股份有限公司制)，藉由橡膠製層壓輥，於貼附速度0.6 m/min、輥溫度25℃、荷重0.5 MPa之條件下將上述背面研磨膠帶A之黏著劑面與上述樹脂組合物層進行貼合，製作積層片材A。以積層片材A作為實施例1之積層片材。又，對於背面研磨膠帶B~G，亦同樣地貼合上述樹脂組合物層，製作積層片材B~G。以積層片材B作為實施例2之積層片材。以積層片材C作為實施例3之積層片材。以積層片材D作為實施例4之積層片材。以積層片材E作為比較例1之積層片材。以積層片材F作為比較例2之積層片材。以積層片材G作為比較例3之積層片材。
利用Tensilon型拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司，AGS-J)對積層片材A~G之黏著劑層與樹脂組合物層之T剝離強度進行測定。剝離條件係設為300 mm/min之速度。結果如表2所示。
(切割時之背面研磨膠帶之飛濺評價)
與上述同樣地製作積層片材A~G。繼而，使用貼附裝置(Taisho Laminator股份有限公司製)，藉由橡膠製層壓輥，於貼附速度0.6 m/min、輥溫度70℃、荷重0.5 MPa之條件下將積層片材之樹脂組合物層面與晶圓之鏡面貼合。晶圓為單鏡面晶圓(SYNERGYTEC製，8英吋)。
繼而，將貼合之積層片材切割成晶圓形狀，使用背面研磨裝置(DISCO股份有限公司制)，將附有積層片材之晶圓之晶圓面研磨成200 μm之厚度。
繼而，使用貼附裝置(Taisho Laminator股份有限公司製)，藉由橡膠製層壓輥，於貼附速度0.6 m/min、輥溫度25℃、荷重0.5 MPa之條件下將附有積層片材之晶圓之研磨面與切割膠帶(日東電工股份有限公司製，DU-300)之黏著劑面進行貼合。
繼而，使用切割機(DISCO股份有限公司製)，於轉軸轉速40,000 rpm、切斷速度30 mm/sec之條件下自背面研磨膠帶側進行切割，第一次切割至背面研磨膠帶A之黏著劑層中，第二次切割至切割膠帶之基材膜中。將切割時未出現背面研磨膠帶之飛濺之情形評價為「○」，將出現飛濺之情形評價為「×」。結果如表2所示。
(切割後進行紫外線照射(1)後之拉伸彈性模數、及T剝離強度之測定)
切割後，對實施例2、實施例4、比較例3之積層片材之黏著劑層僅照射表2記載之量之紫外線(紫外線照射(1))。 然後，求出各黏著劑層之拉伸彈性模數。具體而言，使用Tensilon型拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司，AGS-J)，由基於所測定之荷重-拉伸曲線之切線所得之計算值獲得拉伸彈性模數。測定條件：夾具間距為10 mm、拉伸速度為50 mm/min。結果如表2所示。
又，藉由Tensilon型拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司，AGS-J)對各積層片材之黏著劑層與樹脂組合物層之T剝離強度進行測定。剝離條件係設為300 mm/min之速度。結果如表2所示。
(剝離帶貼合後進行紫外線照射(2)後之拉伸彈性模數、及T剝離強度之測定)
切割後，使用貼附裝置(Taisho Laminator股份有限公司製)，藉由橡膠製層壓輥，於貼附速度0.6 m/min、輥溫度25℃、荷重0.5 MPa之條件下，在附有切割膠帶之晶圓之背面研磨膠帶面上貼合黏著帶(日東電工股份有限公司製，BT-315)。繼而，對實施例3、實施例4之積層片材之黏著劑層僅照射表2記載之量之紫外線(紫外線照射(2))。然後，求出各黏著劑層之拉伸彈性模數。具體而言，使用Tensilon型拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司，AGS-J)，由基於所測定之荷重-拉伸曲線之切線所得之計算值獲得拉伸彈性模數。測定條件：夾具間距為10 mm、拉伸速度為50 mm/min。結果如表2所示。
又，藉由Tensilon型拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司，AGS-J)對各積層片材之黏著劑層與樹脂組合物層之T 剝離強度進行測定。剝離條件係設為300 mm/min之速度。結果如表2所示。
(切割後之背面研磨膠帶之剝離性評價)
紫外線照射(1)及/或紫外線照射(2)之後，使用Tensilon型拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司，AGS-J)，藉由T剝離法以剝離速度300 mm/min對黏著帶進行拉伸。將可以背面研磨膠帶貼合於黏著帶之狀態自樹脂組合物層剝離之情形評價為「○」、將未以背面研磨膠帶貼合於黏著帶之狀態自樹脂組合物層剝離之情形評價為「×」。然而，對於積層片材F而言，由於切割時背面研磨膠帶發生飛濺，因此未進行評價。結果如表2所示。
10‧‧‧積層片材
11‧‧‧背面研磨膠帶
12‧‧‧基材
14‧‧‧黏著劑層
16‧‧‧樹脂組合物層
20‧‧‧切割膠帶
30‧‧‧黏著帶
40‧‧‧半導體晶圓
42‧‧‧半導體晶片
44‧‧‧被黏著體
100‧‧‧積層片材
110‧‧‧背面研磨膠帶
120‧‧‧基材
140‧‧‧黏著劑層
160‧‧‧樹脂組合物層
200‧‧‧切割膠帶
300‧‧‧黏著帶
400‧‧‧半導體晶圓
420‧‧‧半導體晶片
440‧‧‧被黏著體
圖1係表示第一本發明之一實施形態之積層片材之剖面模式圖。
圖2係表示使用圖1所示之積層片材的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。
圖3係表示使用圖1所示之積層片材的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。
圖4係表示使用圖1所示之積層片材的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。
圖5係表示使用圖1所示之積層片材的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。
圖6係表示使用圖1所示之積層片材的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。
圖7係表示使用圖1所示之積層片材的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。
圖8係表示使用圖1所示之積層片材的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。
圖9係表示使用圖1所示之積層片材的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。
圖10係表示第二本發明之一實施形態之積層片材之剖面模式圖。
圖11係表示使用圖10所示之積層片材的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。
圖12係表示使用圖10所示之積層片材的半導體裝置之製 造方法之一例之剖面模式圖。
圖13係表示使用圖10所示之積層片材的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。
圖14係表示使用圖10所示之積層片材的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。
圖15係表示使用圖10所示之積層片材的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。
圖16係表示使用圖10所示之積層片材的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。
圖17係表示使用圖10所示之積層片材的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。
圖18係表示使用圖10所示之積層片材的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。
圖19係表示使用圖10所示之積層片材的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。
圖20係表示使用圖10所示之積層片材的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。
10‧‧‧積層片材
11‧‧‧背面研磨膠帶
12‧‧‧基材
14‧‧‧黏著劑層
16‧‧‧樹脂組合物層

Claims (6)

  1. 一種積層片材，其特徵在於，其係包含具有於基材上形成有黏著劑層之構成之背面研磨膠帶、及設置於上述背面研磨膠帶之上述黏著劑層上之樹脂組合物層者，且上述黏著劑層之拉伸彈性模數於23℃下為0.1~5.0 MPa，上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1~5 N/20 mm。
  2. 如請求項1之積層片材，其中上述樹脂組合物層含有熱硬化性樹脂。
  3. 如請求項1或2之積層片材，其中上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂。
  4. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於，其係使用如下積層片材之半導體裝置之製造方法，上述積層片材包含具有於基材上形成有黏著劑層之構成之背面研磨膠帶、及設置於上述背面研磨膠帶之上述黏著劑層上之樹脂組合物層，且上述黏著劑層之拉伸彈性模數於23℃下為0.1~5.0 MPa，上述黏著劑層與上述樹脂組合物層之T剝離強度於23℃、300 mm/min之條件下為0.1~5 N/20 mm，該製造方法包括如下步驟：將上述積層片材之樹脂組合物層面與半導體晶圓之電路面貼合而獲得附有積層片材之半導體晶圓；對上述附有積層片材之半導體晶圓之未貼附積層片材 之面進行研磨而使其薄化；於經薄化之附有積層片材之半導體晶圓之研磨面上貼合切割膠帶而獲得貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓；將上述貼合有切割膠帶及積層片材之半導體晶圓自上述積層片材側進行切割；切割後於上述積層片材上貼附黏著帶；以及將上述黏著帶與上述背面研磨膠帶一起自上述樹脂組合物層剝離。
  5. 如請求項4之半導體裝置之製造方法，其中上述樹脂組合物層含有熱硬化性樹脂。
  6. 如請求項4或5之半導體裝置之製造方法，其中上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI715541B (zh) * 2014-11-17 2021-01-11 日商日東電工股份有限公司 附分隔件之密封用片材、及半導體裝置之製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI674972B (zh) * 2013-08-23 2019-10-21 日商味之素股份有限公司 零件封裝用薄膜之製造方法
CN105683319A (zh) * 2013-10-30 2016-06-15 琳得科株式会社 半导体接合用粘接片及半导体装置的制造方法
JP6417711B2 (ja) * 2014-05-21 2018-11-07 日立化成株式会社 研削された基材の製造方法、並びにこれに用いられるフィルム状粘着剤及び積層体
TWI641494B (zh) * 2015-11-04 2018-11-21 日商琳得科股份有限公司 第一保護膜形成用片、第一保護膜形成方法以及半導體晶片的製造方法
CN107431004B (zh) 2015-11-09 2021-11-19 古河电气工业株式会社 掩模一体型表面保护带
DE102016109693B4 (de) * 2016-05-25 2022-10-27 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Trennen von Halbleiterdies von einem Halbleitersubstrat und Halbleitersubstratanordnung
JP6647267B2 (ja) * 2017-11-09 2020-02-14 古河電気工業株式会社 半導体チップの製造方法
KR20220169929A (ko) * 2021-06-21 2022-12-28 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3539528B2 (ja) 1996-01-31 2004-07-07 日立化成工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3604248B2 (ja) 1997-02-25 2004-12-22 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JPH10270497A (ja) 1997-03-27 1998-10-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体素子固定方法
JP2002118147A (ja) 2000-10-11 2002-04-19 Mitsui Chemicals Inc 半導体チップをプリント配線基板に装着する方法及びその方法の実施に用いる装着用シート
JP4952585B2 (ja) * 2006-01-23 2012-06-13 日立化成工業株式会社 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、並びにそれを用いた半導体装置
JP2008130588A (ja) 2006-11-16 2008-06-05 Toray Ind Inc 半導体用接着組成物付き電子デバイス基板、それを用いた電子デバイスシステムおよび電子デバイスシステムの製造方法
US20100317155A1 (en) * 2007-02-09 2010-12-16 Byoung-Un Kang Multifunctional die attachment film and semiconductor packaging using the same
JP2010056407A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ加工用テープ
JP2010263041A (ja) * 2009-05-01 2010-11-18 Nitto Denko Corp ダイアタッチフィルム付きダイシングテープおよび半導体装置の製造方法
WO2010147356A2 (ko) * 2009-06-15 2010-12-23 (주)Lg화학 웨이퍼 가공용 기재
JP2011054940A (ja) * 2009-08-07 2011-03-17 Nitto Denko Corp 半導体ウェハ保持保護用粘着シート及び半導体ウェハの裏面研削方法
JP2011054939A (ja) * 2009-08-07 2011-03-17 Nitto Denko Corp 半導体ウェハ保持保護用粘着シート及び半導体ウェハの裏面研削方法
JP5143196B2 (ja) * 2009-09-28 2013-02-13 日東電工株式会社 半導体装置用フィルム
JP5313837B2 (ja) * 2009-10-23 2013-10-09 日東電工株式会社 再剥離性粘着シート

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI715541B (zh) * 2014-11-17 2021-01-11 日商日東電工股份有限公司 附分隔件之密封用片材、及半導體裝置之製造方法

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