CN102782813B - 晶片加工用薄膜及使用晶片加工用薄膜来制造半导体装置的方法 - Google Patents

Abstract

本发明在于提供一种在将具有由胶粘剂层及粘合薄膜构成的切割/管芯焊接薄膜的晶片加工用薄膜卷成滚筒状时，可充分地抑制在胶粘剂层发生转印痕的晶片加工用薄膜。本发明的晶片加工用薄膜的特征在于，具有：粘合薄膜，其由基材薄膜及设于所述基材薄膜上的粘合剂层构成；及胶粘剂层，其设于所述粘合剂层上，所述粘合剂层中，至少在对应于环框的部分，含有放射线聚合性化合物及第一光引发剂，在含有所述第一光引发剂的位置以外的部分，含有放射线聚合性化合物及其他的光引发剂，所述第一光引发剂会发生反应的光的波长与所述其他的光引发剂会发生反应的光的波长不同。

Description

晶片加工用薄膜及使用晶片加工用薄膜来制造半导体装置的方法

技术领域

本发明涉及晶片加工用薄膜，特别是涉及包含具有切割胶带(DicingTape)及管芯焊接(die bonding)薄膜这两个功能的切割/管芯焊接薄膜的晶片加工用薄膜。还涉及使用所述晶片加工用薄膜来制造半导体装置的方法。

现有技术

最近，正在开发同时具有切割胶带的功能及管芯焊接薄膜(晶片贴膜(Die Attach film))的功能这两个功能的切割/管芯焊接薄膜。所述切割胶带的功能是在将半导体晶片切断分离(切割)成各个半导体芯片时用于固定半导体晶片，所述管芯焊接薄膜的功能是用于将所被切断的半导体芯片粘接于引线架或封装基板等、或在堆叠封装中是用于层叠、粘接半导体芯片。

作为这样的切割/管芯焊接薄膜，考虑到向半导体晶片进行贴附的作业性或切割时向环框进行安装等的作业性而实施预先切割加工。

图4及图5是表示被预先切割加工后的切割/管芯焊接薄膜的例子。图4、图5(A)、图5(B)分别为具有切割/管芯焊接薄膜35的晶片加工用薄膜30的概要图、俯视图、剖面图。晶片加工用薄膜30由脱模薄膜31、胶粘剂层32及粘合薄膜33构成。胶粘剂层32具有被加工成对应于半导体晶片的形状时的形状(例如圆形)的圆形贴纸(label)形状。粘合薄膜33被除去了对应于切割用的环框形状的圆形部分的周边区域，如图所示，具有圆形贴纸部33a、及包围圆形贴纸部33a的外侧那样的周边部33b。胶粘剂层32与粘合薄膜33的圆形贴纸部33a以中心一致的方式层叠，且粘合薄膜33的圆形贴纸部33a覆盖胶粘剂层32，且以其周围与脱模薄膜31接触。由胶粘剂层32及粘合薄膜33的圆形贴纸部33a所形成的层叠构造即构成切割/管芯焊接薄膜35。

在切割半导体晶片时，从层叠状态的胶粘剂层32及粘合薄膜33来剥离脱模薄膜31，如图6所示，在胶粘剂层32上贴附半导体晶片W的背面，在粘合薄膜33的圆形贴纸部33a的外周部粘合固定切割用环框R。在此状态下切割半导体晶片W来形成单片化的半导体芯片，然后对粘合薄膜33(33a)实施紫外线照射等的固化处理，并拾取(pickup)半导体芯片。此时，粘合薄膜33(33a)由于固化处理而粘合力降低，因此容易从胶粘剂层32剥离，半导体芯片在背面附着胶粘剂层32的状态下被拾取。附着于半导体芯片的背面的胶粘剂层32在之后将半导体芯片粘接于引线架或封装基板、或其他的半导体芯片时，具有作为管芯焊接薄膜的功能。

可是，上述那样的晶片加工用薄膜30，如图4及图5所示，胶粘剂层32与粘合薄膜33的圆形贴纸部33a所层叠的部分比其他的部分更厚。并且，圆形贴纸部33a与周边部33b之间露出的脱模薄膜31部分是粘合薄膜33被除去的部分，在与粘合薄膜33(33a、33b)部分之间形成粘合薄膜33的厚度量的阶差。并且，晶片加工用薄膜30是以使用卷芯50(参照图7)卷成滚筒状的状态作为制品流通于市场的。另外，图7是表示在旋转中心形成有圆筒状的空洞部53的卷芯50的一例。因此，如图8所示，在将晶片加工用薄膜30卷成滚筒状时，在胶粘剂层32与粘合薄膜33的圆形贴纸部33a的层叠部分，由于粘合薄膜33与脱模薄膜31所形成的上述阶差会互相重迭，产生阶差被转印于柔软的胶粘剂层32表面的现象，即产生图9所示那样的转印痕(也称为贴纸痕迹、皱纹、或卷痕)。这种转印痕的产生在胶粘剂层32由柔软的树脂形成的情况或具有厚度的情况、及晶片加工用薄膜30的卷数多等的情况下特别显著。然后，一旦发生转印痕，则在胶粘剂层32上贴附半导体晶片W的背面时会一边在胶粘剂层32与半导体晶片W之间卷入空气一边贴附，因此胶粘剂层32与半导体晶片W之间不会密合，其结果，可能有引起粘接不良，在半导体晶片的加工时产生状态不佳的可能性。

为了抑制上述转印痕的发生，虽可考虑减弱晶片加工用薄膜的卷压，但此方法恐有产生制品的捆卷偏移，例如往贴带机(tape mounter)的安装困难等，会给晶片加工用薄膜的实际使用时带来障碍的可能性。

并且，在专利文献1中公开了为了抑制上述那样贴纸痕迹的发生，而在剥离基材上的胶粘剂层及粘合薄膜的外方设置具有与胶粘剂层及粘合薄膜的合计膜厚相同或以上的膜厚的支撑层的粘接薄片。专利文献1的粘接薄片通过具有支撑层来分散施加于粘接薄片的卷取压力或集中于支撑层，由此抑制转印痕的发生。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]特开2007-2173号公报

发明内容

(发明所要解决的课题)

然而，上述专利文献1的粘接薄片是在剥离基材上的、制造半导体装置等时所必要的胶粘剂层及粘合薄膜以外的部分形成支撑层，所以支撑层的宽度受限，相对于胶粘剂层及粘合薄膜的外径，支撑层的宽度窄，会有贴纸痕迹的抑制效果不够充分的问题发生。另外，由于支撑层一般不具粘合性，不能与剥离基材(PET薄膜)充分地贴附，因此在支撑层的最窄部分会从剥离基材浮起，使切割/管芯焊接薄膜贴合于半导体晶片时，上述浮起的部分会刮到装置，发生半导体晶片损伤的问题。

另外，虽也可考虑扩大支撑层的宽度，但晶片加工用薄膜全体的宽度也会变广，所以难以使用原有的设备。另外，由于支撑层最终是被废弃的部分，因此扩大支撑层的宽度会带来材料成本的上升。

于是，本发明的目的在于提供一种在将包含具有胶粘剂层及粘合薄膜的切割/管芯焊接薄膜的晶片加工用薄膜卷成滚筒状时，可充分抑制转印痕发生于胶粘剂层的晶片加工用薄膜。并且，提供一种使用这样晶片加工用薄膜来制造半导体装置的方法。

(解决课题的手段)

为了达成以上那样的目的，本发明的第1方式的晶片加工用薄膜的特征在于，具有：

具有：

粘合薄膜，其由基材薄膜及设于所述基材薄膜上的粘合剂层构成；及

胶粘剂层，其设于所述粘合剂层上，

所述粘合剂层中，至少在对应于环框的部分，含有放射线聚合性化合物及第一光引发剂，在含有所述第一光引发剂的位置以外的部分，含有放射线聚合性化合物及其他的光引发剂，

所述第一光引发剂会发生反应的光的波长与所述其他的光引发剂会发生反应的光的波长不同。

根据上述发明的晶片加工用薄膜，因为粘合剂层包含在至少对应于环框的部分及除至少对应于环框的部分以外的部分对应于不同的波长而发生反应的光引发剂，所以将第一光引发剂会发生反应的波长的光照射于粘合剂层时，可使至少对应于环框的部分固化来使粘合力降低，从而剥离对应于固化的部分的胶粘剂层。而且，通过将其他的光引发剂会发生反应的波长的光照射于粘合剂层时，可将半导体晶片及胶粘剂层从粘合剂层剥离而拾取。

在以往的晶片加工用薄膜中，必须将胶粘剂层及覆盖该胶粘剂层的粘合剂层预先切割成对应于环框的形状，但本发明因为可在至少对应于环框的部分及以外的部分阶段性地剥离胶粘剂层，所以不必预先切割。其结果，在将晶片加工用薄膜以制品的形式卷成滚筒状时，可防止在胶粘剂层发生转印痕。

另外，本发明的第2方式的晶片加工用薄膜的特征在于，具有：

粘合薄膜，其由基材薄膜及设于所述基材薄膜上的粘合剂层构成；及

胶粘剂层，其设于所述粘合剂层上，

所述粘合剂层中，至少在对应于环框的部分，含有放射线聚合性化合物及一方的热聚合性化合物，在含有所述放射线聚合性化合物及一方的热聚合性化合物的位置以外的部分，含有所述放射线聚合性化合物及另一方的热聚合性化合物。

根据上述发明，当粘合剂层的至少对应于环框的部分含放射线聚合性化合物时，通过将放射线照射于粘合剂层，可使所述至少对应于环框的部分固化来使粘合力降低，从而可剥离对应于固化的部分的胶粘剂层。另外，由于所述至少对应于环框的部分以外的部分含热聚合性化合物，所以通过使热聚合来使之固化，可将半导体晶片及胶粘剂层从粘合剂层剥离而拾取。

另一方面，当粘合剂层的至少对应于环框的部分含热聚合性化合物时，可使之热聚合来使固化而令粘合力降低，进而剥离对应于固化的部分的胶粘剂层。另外，由于所述至少对应于环框的部分以外的部分含放射线聚合性化合物，所以将放射线照射于粘合剂层时，可使所述至少对应于环框的部分以外的部分固化，从而可将半导体晶片及胶粘剂层从粘合剂层剥离而拾取。

另外，本发明的第3方式的晶片加工用薄膜的特征在于，上述本发明的第1或2方式的晶片加工用薄膜中，胶粘剂层未被预先切割成对应于半导体晶片的形状，粘合剂层未被预先切割成对应于环框的形状。

根据上述发明，因为粘接薄膜及粘合剂层未被预先切割，所以在将晶片加工用薄膜以制品的形式来卷成滚筒状时，在胶粘剂层与粘合薄膜的层叠部分产生的阶差也不存在，因此可防止在胶粘剂层发生转印痕。

另外，本发明的第4方式的晶片加工用薄膜的特征在于，在上述本发明的第1～3的任一方式的晶片加工用薄膜中，胶粘剂层中，至少在比对应于半导体晶片的位置更靠近外侧且比对应于环框的位置更靠近内侧的位置设有切口。

根据上述发明的晶片加工用薄膜，通过使至少对应于环框的部分的粘合剂层固化，可使粘合力降低，可以切口作为基点，使胶粘剂层从粘合剂层的固化部分剥离。

另外，本发明的第1方式的制造半导体装置的方法，是使用上述本发明的第1～4中任一方式的晶片加工用薄膜来制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：

在所述粘合剂层的对应于晶片的部分以外的部分，至少使对应于所述环框的部分固化，再从已固化的粘合剂层的部分剥离所述胶粘剂层的工序；

在所述胶粘剂层贴合所述晶片的工序；

在所述粘合剂层固定所述环框的工序；

切割所述晶片，形成单片化的芯片及胶粘剂层的工序；及

使所述粘合剂层的对应于晶片的部分固化，拾取所述单片化的芯片及胶粘剂层的工序。

根据上述发明的制造半导体装置的方法，可使粘合剂层的对应于半导体晶片的部分以外的部分，至少对应于环框的部分、及粘合剂层的对应于半导体晶片的部分阶段性地进行固化，从而令粘合剂层的粘合力降低，在胶粘剂层与粘合剂层之间改变可剥离的位置。因此，可在不用大规模变更原有的设备的情况下来设计改变所预期的半导体装置。

另外，对于上述发明的制造半导体装置的方法涉及制造半导体装置之前的晶片加工用薄膜而言，因为胶粘剂层与粘合剂层不必预先切割，所以在以制品的形式卷成滚筒状时，在胶粘剂层与粘合薄膜的层叠部分不存在阶差，因此可防止在胶粘剂层发生转印痕。

[发明的效果]

根据本发明的第1方式的晶片加工用薄膜，因为粘合剂层包含在至少对应于环框的部分及除至少对应于环框的部分以外的部分对应于不同的波长而发生反应的光引发剂，所以通过将第一光引发剂会发生反应的波长的光照射于粘合剂层，可使至少对应于环框的部分固化来使粘合力降低，从而剥离对应于固化的部分的胶粘剂层。而且，通过将其他的光引发剂会发生反应的波长的光照射于粘合剂层，可将半导体晶片及胶粘剂层从粘合剂层剥离而拾取。因此，虽然以往的晶片加工用薄膜，必须将胶粘剂层及覆盖该胶粘剂层的粘合剂层预先切割成对应于环框的形状，但本发明因为可在至少对应于环框的部分及其以外的部分阶段性地剥离胶粘剂层，所以不必预先切割。其结果是，在将晶片加工用薄膜以制品的形式卷成滚筒状时，可防止在胶粘剂层发生转印痕。所以，可防止因空气被卷入胶粘剂层与半导体晶片之间而造成胶粘剂层与半导体晶片之间的密合性降低的同时，可在将半导体芯片粘接于引线架或封装基板、或其他半导体芯片时，防止粘接不良、或晶片的加工时的状态不佳。

根据本发明的第2方式的晶片加工用薄膜，当粘合剂层的至少对应于环框的部分含放射线聚合性化合物时，通过将放射线照射于粘合剂层，可使所述至少对应于环框的部分固化来使粘合力降低，从而可剥离对应于固化的部分的胶粘剂层。另外，由于所述至少对应于环框的部分以外的部分含热聚合性化合物，所以通过使热聚合来使固化，可将半导体晶片及胶粘剂层从粘合剂层剥离而拾取。另一方面，当粘合剂层的至少对应于环框的部分含热聚合性化合物时，可使之热聚合来使固化而令粘合力降低，进而剥离对应于固化的部分的胶粘剂层。另外，由于所述至少对应于环框的部分以外的部分含放射线聚合性化合物，所以将放射线照射于粘合剂层时，可使所述至少对应于环框的部分以外的部分固化，从而可将半导体晶片及胶粘剂层从粘合剂层剥离而拾取。因此，虽然以往的晶片加工用薄膜，必须将胶粘剂层及覆盖该胶粘剂层的粘合剂层预先切割成对应于环框的形状，但本发明因为可在粘合剂层的对应于环框的部分及其以外的部分阶段性地剥离胶粘剂层，所以不必预先切割。其结果是，在将晶片加工用薄膜以制品的形式卷成滚筒状时，可防止在胶粘剂层发生转印痕。所以，可防止因空气被卷入胶粘剂层与半导体晶片之间而造成胶粘剂层与半导体晶片之间的密合性降低的同时，可在将半导体芯片粘接于引线架或封装基板、或其他半导体芯片时，防止粘接不良、或晶片的加工时的状态不佳。

根据本发明的第3方式的晶片加工用薄膜，因为粘接薄膜及粘合剂层未被预先切割，所以在将晶片加工用薄膜以制品的形式卷成滚筒状时，在胶粘剂层与粘合薄膜的层叠部分不会产生阶差，因此可防止在胶粘剂层发生转印痕。所以，可防止因空气被卷入胶粘剂层与半导体晶片之间而造成胶粘剂层与半导体晶片之间的密合性降低的同时，可在将半导体芯片粘接于引线架或封装基板、或其他半导体芯片时，防止粘接不良、或晶片的加工时的状态不佳。

根据本发明的第4方式的晶片加工用薄膜，通过使至少对应于环框的部分的粘合剂层固化，可使粘合力降低，可以切口作为基点，使胶粘剂层从粘合剂层的固化的部分剥离。

根据本发明的第1方式的制造半导体装置的方法，可使粘合剂层的对应于半导体晶片的部分以外的部分，至少对应于环框的部分、及粘合剂层的对应于晶片的部分阶段性地进行固化，从而使粘合剂层的粘合力降低，在胶粘剂层与粘合剂层之间改变可剥离的位置。因此，可在不用大规模变更原有的设备的情况下来设计改变所预期的半导体装置。另外，对于制造半导体装置之前的晶片加工用薄膜而言，因为胶粘剂层与粘合剂层不必预先切割，所以在以制品的形式卷成滚筒状时，在胶粘剂层与粘合薄膜的层叠部分产生的阶差不存在，因此可防止在胶粘剂层发生转印痕。

附图说明

图1是本实施方式的晶片加工用薄膜的剖面图。

图2是说明使用本实施方式的晶片加工用薄膜来制造半导体装置的方法。

图3是说明使用本实施方式的晶片加工用薄膜来制造半导体装置的方法。

图4是以往的晶片加工用薄膜的概要图。

图5(A)是以往的晶片加工用薄膜的俯视图，(B)是剖面图。

图6是贴合切割/管芯焊接薄膜与切割用环框的状态剖面图。

图7(A)是以往的卷芯的剖面图，(B)是侧面图。

图8是说明使用以往的卷芯来卷起晶片加工用薄膜的状态。

图9是用来说明以往的晶片加工用薄膜的状态不佳的模式图。

具体实施方式

以下根据图来详细说明本发明的实施方式。图1是本实施方式的晶片加工用薄膜的剖面图。图2及图3是说明使用本实施方式的晶片加工用薄膜来制造半导体装置的方法的图。

<第1实施方式>

以下，详细说明有关本发明的第1实施方式的晶片加工用薄膜的各构成要素。如图1所示，本发明的第1实施方式的晶片加工用薄膜10是具有粘合薄膜14及胶粘剂层13的切割/管芯焊接薄膜15，该粘合薄膜14由基材薄膜11及设于基材薄膜11上的粘合剂层12构成，该胶粘剂层13设于粘合剂层12上。并且，胶粘剂层13不被预先切割成对应于半导体晶片(或称晶片)的形状，粘合剂层12不被预先切割成对应于环框的形状。在本实施方式中，粘合剂层12及胶粘剂层13在基材薄膜11上，与基材薄膜11同样地层叠成长条状，晶片加工用薄膜10不具有厚度相异的部分。而且，在粘合剂层12中含有放射线聚合性化合物、及所反应的光的波长相异的2种光引发剂。

切割/管芯焊接薄膜15作为制品流通时，未图示的保护薄膜即脱模薄膜会被贴附于胶粘剂层13侧的整个面，以晶片加工用薄膜10的形式流通于市场。以下，说明有关晶片加工用薄膜10的构成要素、即脱模薄膜、胶粘剂层13及由基材薄膜11和粘合剂层12构成的粘合薄膜14。

(脱模薄膜)

使用于晶片加工用薄膜10的脱模薄膜，可使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)系、聚乙烯系、其他被施以脱模处理的薄膜等公知的薄膜。脱模薄膜的厚度并无特别的限定，可适当地设定，但较理想是25～50μm。

(胶粘剂层)

胶粘剂层13是在贴合了半导体晶片等而切割后，拾取单片半导体芯片(或称芯片)时，从粘合薄膜14剥离而附着于芯片，作为将芯片固定于基板或引线架时的胶粘剂使用的。因此，胶粘剂层13是在拾取芯片时，在原封不动附着于单片芯片的状态下，具有可从粘合薄膜14剥离的剥离性，且在管芯焊接时，为了将芯片粘接固定于基板或引线架，而具有充分的粘接可靠性。

胶粘剂层13是预先使胶粘剂成膜化而成的，例如可使用作为胶粘剂而公知的聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚酯树脂、聚酯酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酮树脂、氯化聚丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、聚丙烯酰胺树脂、密胺树脂等或其混合物。另外，为了强化对芯片或引线架的粘接力，最好以硅烷偶联剂或钛偶联剂作为添加剂来加入所述材料或其混合物中。

胶粘剂层13的厚度并无特别加以制限，但通常以5～100μm程度为佳。另外，本实施方式的晶片加工用薄膜10的胶粘剂层13是层叠于粘合薄膜14的粘合剂层12的整个面，未被预先切割成对应于半导体晶片的形状等，且至少在比对应于半导体晶片的位置更向外侧气诶比对应于环框的位置更向内侧的位置设有切口13a。切口13a也可设在贴合了环框时环框的内周及外周所在的部分，但本实施方式是在胶粘剂层13的对应于半导体晶片的外周的位置设置切口13a。

因此，通过使形成于比胶粘剂层13的切口13a还要靠向外侧的部分的胶粘剂层部分下侧的粘合剂层部分固化，可使固化的粘合剂层部分的粘合力降低，而于粘合剂层12固定环框之前，以切口13a作为基点来使胶粘剂层13从粘合剂层12固化的部分剥离。另外，也可不在对应于半导体晶片的外周的位置设置上述切口13a，而在对应于环框的内周及外周的位置设置切口，使对应于环框的位置的粘合剂层部分固化，进而使胶粘剂层13的对应于环框的部分从粘合剂层12剥离。

其结果是，可形成一种在半导体晶片所贴合的部分有胶粘剂层13，在切割用的环框所贴合的部分无胶粘剂层13，只存在粘合剂层固化而成的粘合薄膜14的晶片加工用薄膜。

(粘合薄膜)

本实施方式的粘合薄膜14是在基材薄膜11设置粘合剂层12的薄膜。而且，粘合薄膜14是在切割晶片时具有充分的粘合力，使晶片不会剥离，且在切割后拾取芯片时具有低的粘合力，可容易地从胶粘剂层13剥离。另外，本实施方式的晶片加工用薄膜10中，胶粘剂层13的对应于环框的位置未被预先切割，所以在环框安装前，必须降低位于胶粘剂层13的包含对应于环框的位置的部分的下侧位置的粘合剂层12的粘合力。因此，粘合薄膜14的粘合剂层12是在对应于晶片的部分以外的部分含有放射线聚合性化合物及第一光引发剂，在含第一光引发剂的位置以外的部分也即对应于晶片的部分含有放射线聚合性化合物及其他的光引发剂。另外，虽对应于晶片的部分以外的部分包括对应于环框的位置的部分，但也可只在对应于环框的部分含第一光引发剂，在以外的部分含其他的光引发剂。

粘合薄膜14的基材薄膜11并无特别加以限制，可使用以往公知的基材薄膜，但由于本实施方式的粘合薄膜14的粘合剂层12含有放射线固化性的放射线聚合性化合物，所以使用具有放射线透过性者为理想。

例如，该材料可举聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离子交联聚合物等α-烯烃的均聚物或共聚物或它们的混合物、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性体、及它们的混合物。另外，基材薄膜11也可为从这些的组中选出的2种以上的材料的混合物，这些可为单层或多层。基材薄膜11的厚度并无特别的限定，可酌量设定，但以50～200μm为理想。

使用于粘合薄膜14的粘合剂层12的树脂并非无特别加以限定，可使用作为粘合剂而周知的氯化聚丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂等。

在粘合剂层12的树脂中适当混合丙烯系粘合剂、放射线聚合性化合物、光聚合引发剂、固化剂等来调制粘合剂为理想，本实施方式的粘合剂层12的树脂含有放射线聚合性化合物。因此，将放射线聚合性化合物混合于粘合剂层12，可容易地通过放射线固化来从胶粘剂层13剥离。粘合剂层12的厚度并无特别加以限定，可酌量设定，但以5～30μm为理想。

放射线聚合性化合物，例如可适用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯，1，4-丁二醇二丙烯酸酯，1，6-己二醇二丙烯酸酯，聚乙二醇二丙烯酸酯或低聚酯丙烯酸酯等。

另外，除了上述那样的丙烯酸酯系化合物以外，也可使用胺(基)甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物。胺(基)甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物可通过在使聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物与多价异氰酸盐化合物(例如、2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-二甲苯二异氰酸酯、1，4-二甲苯二异氰酸酯、二苯(基)甲烷4，4-二异氰酸酯等)反应而取得的末端异氰酸酯胺基甲酸乙酯预聚物中，使具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如、2-羟基乙基丙烯酸酯、2-羟基乙基甲基丙烯酸酯、2-羟基丙基丙烯酸酯、2-羟基丙基甲基丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)反应来取得。另外，也可在粘合剂层12中混合从上述树脂中选择的2种以上者。

光引发剂，例如可举出4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α，α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环已基苯酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1等苯乙酮系化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙基醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚系化合物；苄基二甲基缩酮等的缩酮系化合物；2-萘基磺酰氯化物等的芳香族磺酰氯化物系化合物；1-苯酮基-1，1-丙二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟等的光活性肟系化合物；二苯基酮、苯酰基安息香酸、3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯基酮等的二苯基酮系化合物；噻吨酮、2-氯基噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2，4-二氯基噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮等的噻吨酮系化合物；樟脑醌；卤化酮；酰基氧化膦；酰基磷酸盐等。这些光聚合引发剂的混合量，较理想是相对于丙烯酸系共聚物100质量份，为0.01～5质量份。

在此，1-(4-异丙基苯)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、1-苯基-1，2-丙二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟等苯乙酮系光引发剂具有紫外线区域的有效激发波长220～260nm；3，3-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、四(t-丁过氧羰基)二苯甲酮等二苯甲酮系光引发剂具有紫外线区域的有效激发波长210～260nm；2，4-二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮，2，4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮等噻吨酮系光引发剂具有紫外线区域的有效激发波长259～260nm。苯偶姻醚系光引发剂的苯偶姻异丙基醚具有紫外线区域的有效激发波长360nm。因此，通过适当组合这些光引发剂，可使所反应的波长互不相同的2种光引发剂分别包含在粘合剂层12的对应于晶片的部分及对应于晶片的部分以外的部分。另外，只要在对应于晶片的部分及其以外的部分所反应的波长不同即可，可分别包含多种光引发剂。

例如，利用使185～254nm的紫外线产生的低压水银灯、或使365nm的紫外线产生的高压水银灯等，产生2种波长不同的紫外线，通过将这些紫外线照射于包含发生反应的波长不同的2种光引发剂的粘合剂层12，从而可按照光引发剂所反应的波长的紫外线的不同来分2个阶段使粘合剂层12的对应于晶片的部分及其以外的部分固化。

这样的粘合薄膜14可通过下述方式来制造：例如可在基材薄膜11的对应于晶片的位置实施掩蔽，进而涂布含第一光引发剂的粘合剂层组合物并使其干燥，然后再在此部分实施掩蔽，进而涂布含其他光引发剂的粘合剂层组合物。

<第2实施方式>

本发明的第2实施方式的晶片加工用薄膜与本发明的第1实施方式的晶片加工用薄膜10(参照图1)同样，具有粘合薄膜(相当于图1的符号14)及胶粘剂层(相当于图1的符号13)，该粘合薄膜由基材薄膜(相当于图1的符号11)及设于基材薄膜上的粘合剂层(相当于图1的符号12)构成，该胶粘剂层设于粘合剂层上，胶粘剂层未被预先切割成对应于半导体晶片的形状，粘合剂层也未被预先切割成对应于环框的形状。并且，在胶粘剂层中，至少在比对应于半导体晶片的位置更向外侧且比对应于环框的位置更向内侧的位置设有切口。另外，粘合剂层及胶粘剂层在基材薄膜上，与基材薄膜同样地层叠成长条状，晶片加工用薄膜不具有厚度相异的部分。

本发明的第2实施方式的晶片加工用薄膜与本发明的第1实施方式的晶片加工用薄膜10的不同点在于，第1实施方式的晶片加工用薄膜10的粘合薄膜14的粘合剂层12含有放射线聚合性化合物、及所反应的光的波长不同的2种光引发剂，相对的，第2实施方式的晶片加工用薄膜的粘合薄膜的粘合剂层是取代2种光引发剂，而含有1种光引发剂及热聚合性化合物，也即第2实施方式的晶片加工用薄膜的粘合薄膜的粘合剂层含有放射线聚合性化合物及光引发剂、及热聚合性化合物。因此，粘合剂层的对应于晶片的部分以外的部分与对应于晶片的部分，各自在含有放射线聚合性化合物及热聚合性化合物方面不同，所以可使粘合剂层的对应于晶片的部分及其以外的部分分成2个阶段固化。也即，在对应于晶片的部分以外的部分含有放射线聚合性化合物时，可在对应于晶片的部分含有热聚合性化合物，在对应于晶片的部分以外的部分含有热聚合性化合物时，可在对应于晶片的部分含有放射线聚合性化合物。另外，在对应于晶片的部分以外的部分包含对应于环框的位置，也可在对应于晶片的部分以外的部分中，在对应于环框的部分及除了对应于环框的部分以外的部分，分别在含有放射线聚合性化合物及热聚合性化合物的方面不同。

因此，与本发明的第1实施方式的晶片加工用薄膜10的情况相同，本发明的第2实施方式的晶片加工用薄膜时也可阶段性地分开形成粘合剂层的固化的部分，所以不必将胶粘剂层及覆盖该胶粘剂层的粘合剂层预先切割成规定的形状，所以在将晶片加工用薄膜以制品的形式卷成滚筒状时，可防止在胶粘剂层发生转印痕。

热聚合性化合物是通过热来聚合的化合物，例如可举出具有缩水甘油基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、羟基、羧基、三聚异氰酸基、氨基、酰氨基等官能基的化合物，这些可单独使用或组合2种以上使用。需要说明的是，在考虑晶片加工用薄膜的耐热性的基础上，可使用通过热来予以固化，而使粘合剂层的固化的部分的粘合力降低，从而在胶粘剂层与粘合剂层之间能够剥离的化合物。

<制造半导体装置的方法>

利用图2及图3来说明使用第1实施方式的晶片加工用薄膜10来制造半导体装置的方法。图2及图3是说明使用第1实施方式的晶片加工用薄膜10来制造半导体装置的方法的图，图2(A)是表示脱模薄膜16贴附于胶粘剂层13上的状态的晶片加工用薄膜的剖面图。另外，图2(B)是使粘合剂层12的一部分固化，显示使固化的粘合剂层部分12a上的胶粘剂层13剥离的状态的晶片加工用薄膜的剖面图。另外，图2(C)是表示晶片W贴附于晶片加工用薄膜的状态的晶片及晶片加工用薄膜的剖面图，图2(D)是表示晶片被切割的状态的晶片及晶片加工用薄膜的剖面图，图2(E)是表示使对应于晶片的位置的粘合剂层部分12b固化的状态的晶片及晶片加工用薄膜的剖面图。另外，图3(A)是表示将贴合有已被切割的晶片的晶片加工用薄膜搭载于扩展装置的状态下的晶片及晶片加工用薄膜的剖面图，图3(B)是表示扩展后的晶片及晶片加工用薄膜的剖面图。

(准备工序)

如图2(A)所示，首先，准备一晶片加工用薄膜，其从具有粘合薄膜14及胶粘剂层13的切割/管芯焊接薄膜15中的胶粘剂层13侧贴附有脱模薄膜16，该粘合薄膜14由基材薄膜11及设置于基材薄膜11上的粘合剂层12构成，该胶粘剂层13设有形成对应于半导体晶片的外周的形状的切口13a。由于晶片加工用薄膜的胶粘剂层13等未被预先切割，所以在作为贴合有脱模薄膜16的制品来卷成滚筒状时，在胶粘剂层13与粘合薄膜14的层叠部分不会产生阶差，因此可防止在胶粘剂层13发生转印痕。

(第1阶段紫外线照射工序)

接着，将第一光引发剂、也即粘合剂层12的对应于晶片的部分以外的部分所含的光引发剂会发生反应的波长(称为「波长A」)的紫外线，照射于粘合剂层12而使固化。由于固化的部分12a的粘合力会降低，所以如图2(B)所示，可从晶片加工用薄膜剥下脱模薄膜16的同时，以胶粘剂层13的切口13a作为基点，只剥离固化的粘合剂层部分12a上的胶粘剂层13。

(贴合工序)

接着，如图2(C)所示，在固化的粘合剂层部分12a的规定位置贴合环框20，由切割/管芯焊接薄膜15的胶粘剂层13侧对着胶粘剂层13来贴合半导体晶片W的背面。另外，在以后的工序中，不是在将环框20及半导体晶片W贴合于长条状的切割/管芯焊接薄膜15的状态下移送于各工序，而是使环框20及半导体晶片W一组一组地分别移送时，只要在贴合环框20之前或之后，沿着环框20的外周来切断切割/管芯焊接薄膜15即可。

(切割工序)

借助环框20将晶片加工用薄膜固定于切割装置(未图标)，使用刀机械性地切断半导体晶片W，分割成多个半导体芯片C，与此同时，胶粘剂层13也被分割(图2(D))。

(第2阶段紫外线照射工序)

然后，如图2(E)所示，为了使在波长A以外的波长(称为「波长B」)下会发生反应的光引发剂(其包含在对应于已分割成多个半导体芯片C的晶片的位置的粘合剂层部分12b中)反应，而将与波长A不同的波长B的紫外线照射于粘合剂层12而使之固化。固化的部分12b因为粘合力降低，所以可使固化的粘合剂层部分12b上的胶粘剂层13剥离。

(载置工序)

以波长B的紫外线照射使对应于已分割成半导体芯片C的晶片的位置的粘合剂层部分12b固化后，如图3(A)所示，将保持有多个分割后的半导体芯片C的晶片加工用薄膜载置于扩展装置的平台21上。图中，符号22是扩展装置的中空圆柱形状的顶起构件。

(扩展工序)

然后，如图3(B)所示，实施扩展工序，将粘合薄膜14沿着环框20的周方向拉长，该粘合薄膜14由保持被切割成的半导体芯片C及胶粘剂层13的基材薄膜11及粘合剂层12(12a及12b)构成。具体而言，对于保持被切割成的多个半导体芯片C及胶粘剂层13的状态的粘合薄膜14，使中空圆柱形状的顶起构件22从粘合薄膜14的下面侧上升，将上述粘合薄膜14沿着环框20的周方向拉长。通过扩展工序来扩大半导体芯片C彼此间的间隔，提高基于CCD摄影机等针对半导体芯片C的辨识性的同时，可防止拾取时邻接的半导体芯片C彼此间接触而造成半导体芯片C彼此间的再粘接。

(拾取工序)

实施扩展工序后，在维持扩展粘合薄膜14的状态下，实施拾取半导体芯片C的拾取工序。具体而言，从粘合薄膜14的下侧利用销(未图示)来顶起半导体芯片C的同时，从粘合薄膜14的上面侧以吸附夹具(未图示)来吸附半导体芯片C，由此连同附着于该半导体芯片C的状态下的胶粘剂层13一起拾取单片化的半导体芯片C。

(管芯焊接工序)

然后，实施拾取工序后，实施管芯焊接工序。具体而言，通过在拾取工序与半导体芯片C一起被拾取的胶粘剂层13来将半导体芯片C粘接于引线架或封装基板等，制造半导体装置。

另外，在使用第1实施方式的晶片加工用薄膜10来制造半导体装置的方法中，因为使用在粘合剂层12的对应于晶片的部分及其以外的部分分别含有所反应的光的波长不同的光引发剂的晶片加工用薄膜，所以将波长不同的紫外线(波长A与波长B的紫外线)分成2个阶段照射，从而在第1阶段使对应于晶片的部分以外的部分12a(包含对应于环框的部分的部分)固化，为了安装环框R，而剥离粘合剂层12a上的胶粘剂层13。但是，在使用第2实施方式的晶片加工用薄膜时，因为在粘合剂层12的对应于晶片的部分及其以外的部分分别包含光引发剂及热聚合性化合物的其中一方，所以将粘合剂层部分12a的固化及粘合剂层部分12b的固化分成热固化及紫外线固化这2个阶段进行，在第1阶段使对应于晶片的部分以外的部分(包含对应于环框R的部分的部分)固化，为了安装环框R，而剥离固化的粘合剂层12上的胶粘剂层13即可。

以上，根据本实施方式的晶片加工用薄膜，因为不必进行预先切割，所以在将晶片加工用薄膜卷成滚筒状时，可充分抑制在胶粘剂层发生转印痕，防止因空气被卷入胶粘剂层与半导体晶片之间而造成胶粘剂层与半导体晶片之间的密合性降低的同时，可在将半导体芯片粘接于引线架或封装基板、或其他的半导体芯片时，防止粘接不良、或晶片的加工时的状态不佳。另外，根据使用本发明的晶片加工用薄膜来制造半导体装置的方法，可不用大规模变更原有的设备来变更设计预期的半导体装置。

符号说明

10、30：晶片加工用薄膜

11：基材薄膜

12：粘合剂层

13：胶粘剂层

13a：胶粘剂层的切口

14：粘合薄膜

15：切割/管芯焊接薄膜

16：脱模薄膜

Claims (3)

1.一种晶片加工用薄膜，其特征在于：

具有：

粘合薄膜，其由基材薄膜及设于所述基材薄膜上的粘合剂层构成；及

胶粘剂层，其设于所述粘合剂层上，

所述粘合剂层中，至少在对应于环框的部分，含有放射线聚合性化合物及第一光引发剂，在含有所述第一光引发剂的位置以外的部分，含有放射线聚合性化合物及其他的光引发剂，

所述第一光引发剂会发生反应的光的波长与所述其他的光引发剂会发生反应的光的波长不同，

所述胶粘剂层未被预先切割成对应于半导体晶片的形状，

所述粘合剂层未被预先切割成对应于环框的形状。

2.如权利要求1所述的晶片加工用薄膜，其中，

所述胶粘剂层中，至少在比对应于半导体晶片的位置更向外侧且比对应于环框的位置更向内侧的位置设有切口。

3.一种使用权利要求1或2所述的晶片加工用薄膜来制造半导体装置的方法，其特征在于，

包括：

在所述粘合剂层的对应于晶片的部分以外的部分，至少使对应于所述环框的部分固化，再从已固化的粘合剂层的部分剥离所述胶粘剂层的工序；

在所述胶粘剂层贴合所述晶片的工序；

在所述粘合剂层固定所述环框的工序；

切割所述晶片，形成单片化的芯片及胶粘剂层的工序；及

使所述粘合剂层的对应于晶片的部分固化，拾取所述单片化的芯片及胶粘剂层的工序。