JP2015109358A - 接続構造体の製造方法、及び異方性導電フィルム - Google Patents

接続構造体の製造方法、及び異方性導電フィルム Download PDF

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Yuji Tanaka
祐治 田中
慎一 林
Shinichi Hayashi
慎一 林
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    • H01L2224/81447—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
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    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201—Compression bonding
    • H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
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    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
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    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
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Abstract

【課題】端子上の硬化不足を解消し、優れた導通抵抗を得ることができる接続構造体の製造方法、及び異方性導電フィルムを提供する。【解決手段】光硬化性の異方性導電フィルムを配線基板１１の端子１１ａ上に貼り付ける貼付工程と、異方性導電フィルム側から紫外線を照射し、硬化率が５〜２０％となるように異方性導電フィルムを仮硬化させる仮硬化工程と、異方性導電フィルム上に電子部品１３を載置する載置工程と、電子部品１３を加熱ツールにより押圧するとともに、配線基板１１側から紫外線を照射し、異方性導電フィルムを本硬化させる本硬化工程とを有する。【選択図】図１

Description

本発明は、ＵＶ（ultraviolet）照射を利用する接続構造体の製造方法、及び異方性導電フィルムに関する。
例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネルとフレキシブル基板とを接続する場合、異方性導電フィルムが使用されている。近年、ＬＣＤパネルの狭額縁化、ガラスの薄型化などに伴い、例えばＣＯＧ（Chip on Glass）実装において、ガラスの反りにより実装部周辺の液晶画面に発生する色むらが問題となっている。この色ムラの主な原因は、実装時のＩＣ（Integrated Circuit）チップとガラス基板の熱膨張の差であるため、実装温度の低温化が望まれている。
実装温度の低温化方法として、紫外線照射によるＵＶ（ultraviolet）硬化が検討されている（例えば特許文献１〜３参照。）。しかしながら、ＵＶ照射では、光の届かない端子上に硬化不足が生じ、接続構造体の導通抵抗が高くなることがあった。
特開２００３−２７１０６９号公報 特開２００７−１０００６３号公報 特開２００８−２５２０９８号公報
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、端子上の硬化不足を解消し、優れた導通抵抗を得ることができる接続構造体の製造方法、及び異方性導電フィルムを提供する。
本発明者は、鋭意検討を行った結果、端子上に貼り付けた異方性導電フィルムを所定の硬化率とすることにより、本硬化後の端子上の硬化不足を解消し、優れた導通抵抗が得られることを見出した。
すなわち、本発明に係る接続構造体の製造方法は、光硬化性の異方性導電フィルムを配線基板の端子上に貼り付ける貼付工程と、前記異方性導電フィルム側から紫外線を照射し、硬化率が５〜２０％となるように異方性導電フィルムを仮硬化させる仮硬化工程と、前記異方性導電フィルム上に電子部品を載置する載置工程と、前記電子部品を加熱ツールにより押圧するとともに、前記配線基板側から紫外線を照射し、異方性導電フィルムを本硬化させる本硬化工程とを有することを特徴とする。
また、本発明に係る異方性導電フィルムは、第１の光開始剤を含有する導電性粒子含有層と、前記第１の光開始剤とは異なる吸収波長域を有する第２の光開始剤を含有する絶縁性樹脂層とを有することを特徴とする。
本発明によれば、異方性導電フィルム側から紫外線を照射し、硬化率が５〜２０％となるように異方性導電フィルムを仮硬化するため、端子上の硬化不足を解消し、優れた導通抵抗を得ることができる。
２層構造の異方性導電フィルムを配線基板の端子上に貼り付けた状態を模式的に示す断面図である。 電子部品が押圧された状態を模式的に示す断面図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
１．接続構造体の製造方法
２．異方性導電フィルム
３．実施例
＜１．接続構造体の製造方法＞
本実施の形態に係る接続構造体の製造方法は、光硬化性の異方性導電フィルムを配線基板の端子上に貼り付ける貼付工程と、異方性導電フィルム側から紫外線を照射し、硬化率が５〜２０％となるように異方性導電フィルムを仮硬化させる仮硬化工程と、異方性導電フィルム上に電子部品を載置する載置工程と、電子部品を加熱ツールにより押圧するとともに、配線基板側から紫外線を照射し、異方性導電フィルムを本硬化させる本硬化工程とを有する。
光硬化性の異方性導電フィルムは、光カチオン系又は光ラジカル系のいずれを用いてもよい。異方性導電フィルムは、１層構造又は２層構造のいずれを用いてもよいが、端子がファインピッチの場合、２層構造のものを用いることが好ましい。
配線基板は、異方性導電フィルムを硬化させる光を透過するものであることが好ましく、例えば、ガラス基板、プラスチック基板などが挙げられる。配線基板の大きさ、形状、構造は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。配線基板の端子としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウムなどの金属が挙げられる。端子の大きさ、形状、構造は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
電子部品は、特に制限はなく、例えば、ＩＣチップ、ＴＡＢテープ、液晶パネルなどが挙げられる。ＩＣチップとしては、例えば、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）における液晶画面制御用ＩＣチップなどが挙げられる。
以下、各工程について詳細に説明する。
［貼付工程］
貼付工程では、光硬化性の異方性導電フィルムを配線基板の端子上に貼り付ける。
図１は、２層構造の異方性導電フィルムを配線基板の端子上に貼り付けた状態を模式的に示す断面図である。この配線基板１１は、液晶画面を制御するＩＣチップ用の端子１１ａと、液晶パネル１２を備える。異方性導電フィルムは、導電性粒子含有層２１と絶縁性樹脂層２２とを有し、導電性粒子含有層２１が配線基板１１の端子１１ａに接着するように貼り付けられる。
［仮硬化工程］
仮硬化工程では、異方性導電フィルム側から紫外線を照射し、硬化率が５〜２０％となるように異方性導電フィルムを仮硬化させる。また、導電性粒子含有層と絶縁性樹脂層とを有する２層構造の異方性導電フィルムを用いた場合、導電性粒子含有層及び絶縁性樹脂層の硬化率、又は導電性粒子含有層の硬化率が５〜２０％となるように異方性導電フィルムを仮硬化させる。硬化率が低すぎると本硬化時に配線上に硬化不足が生じて導通抵抗が高くなり、硬化率が高すぎると本硬化時に導電性粒子を押し込めず導通抵抗が高くなる。
紫外線の照射は、異方性導電フィルム側から行われる。このため、異方性導電フィルムの配線基板の端子上の部位の硬化率を５〜２０％とすることができ、本硬化時において十分な硬化率を得ることができる。また、粘度を上昇させることができるため、本硬化時において導電性粒子の補足率を向上させることができる。
紫外線の光源は、目的に応じて適宜選択することができ、例えば３６５ｎｍなどに最大発光波長を持つＬＥＤランプ、３６５ｎｍを主波長とし、２５４ｎｍ、３０３ｎｍ、３１３ｎｍの紫外線を放射する水銀ランプ、２００ｎｍ〜４５０ｎｍまで広範囲にわたり紫外線を放射するメタルハライドランプなどを用いることができる。
［載置工程］
載置工程では、異方性導電フィルム上に電子部品を載置する。導電性粒子含有層と絶縁性樹脂層とを有する２層構造の異方性導電フィルムを用いた場合、絶縁性接着層が電子部品の端子と接触する。
［本硬化工程］
本硬化工程では、電子部品を加熱ツールにより押圧するとともに、配線基板側から紫外線を照射し、異方性導電フィルムを本硬化させる。加熱ツールにより押圧する処理は、紫外線照射の前に開始し、紫外線照射の終了まで、又は紫外線照射の終了後所定時間後まで行うことが好ましい。
図２は、電子部品が押圧された状態を模式的に示す断面図である。図２に示すように、電子部品１３が加熱及び押圧されることにより、異方性導電フィルムが流動し、配線基板の端子１１ａと電子部品１３の端子１３ａとが導電性粒子を介して電気的に接続される。そして、配線基板１１側から紫外線を照射することにより、異方性導電フィルムが本硬化し、異方性導電膜２３が形成される。
加熱の温度としては、特に制限はないが、異方性導電性フィルムの流動性の観点から、８０℃〜１４０℃であることが好ましい。また、押圧の圧力としては、特に制限はないが、０．１ＭＰａ〜１００ＭＰａであることが好ましい。
紫外線の照射は、配線基板１１側から行われるため、異方性導電フィルムの配線基板１１の端子１１ａ上の部位には、紫外線照射源からの光が直接には届かないが、仮硬化工程でこの部位を５〜２０％の硬化率で仮硬化させているため、硬化不足を解消することができる。また、導電性粒子を十分に押し込める程度の硬化率であるため、優れた導通抵抗を得ることができる。
紫外線の光源は、目的に応じて適宜選択することができ、例えば３６５ｎｍなどに最大発光波長を持つＬＥＤランプ、３６５ｎｍを主波長とし、２５４ｎｍ、３０３ｎｍ、３１３ｎｍの紫外線を放射する水銀ランプ、２００ｎｍ〜４５０ｎｍまで広範囲にわたり紫外線を放射するメタルハライドランプなどを用いることができる。
このような接続構造体の製造方法によれば、端子上の硬化不足を解消し、優れた導通抵抗を得ることができる。また、本法では、導電性粒子含有層と絶縁性樹脂層とを有する２層構造の異方性導電フィルムが好適に用いられ、少なくとも導電性粒子含有層を仮硬化させることが好ましい。これにより、導電性粒子含有層の粘度が上昇するため、導電性粒子の補足率を向上させることができる。
以下、導電性粒子含有層と絶縁性樹脂層とを有する２層構造の異方性導電フィルムを用いた接続構造体の製造方法について、具体例を挙げて説明する。
＜具体例１＞
具体例１では、第１の光開始剤と、第１の光開始剤とは異なる吸収波長域を有する第２の光開始剤とを含有する導電性粒子含有層と、第２の光開始剤を含有する絶縁性樹脂層とを有する異方性導電フィルムを用いる。ここで、導電性粒子含有層の第１の光開始剤の配合量は、第２の光開始剤よりも少ないことが好ましい。これにより、仮硬化時の硬化率の上昇を抑制することが可能となる。
仮硬化工程では、第１の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射し、導電性粒子含有層のみを仮硬化させる。例えば、第１の光開始剤が第２の光開始剤よりも長波長の吸収波長域を有する場合、特定の発光波長を持つＬＥＤランプを用いて第１の光開始剤の長波長の吸収波長域の紫外線を照射することにより、導電性粒子含有層のみを仮硬化させることができる。
また、本硬化工程では、第２の光硬化剤の吸収波長域の紫外線、又は第１の光硬化剤及び第２の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射する。また、本硬化工程では、さらに第１の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射することにより硬化率を向上させることができる。例えば、第１の光開始剤が第２の光開始剤よりも長波長の吸収波長域を有する場合、広範囲の波長域を放射する水銀ランプを用いることにより、第１の光開始剤及び第２の光開始剤を活性化させ、優れた硬化率を得ることができる。
＜具体例２＞
具体例２では、第１の光開始剤と、第１の光開始剤とは異なる吸収波長域を有する第２の光開始剤とを含有する導電性粒子含有層と、第１の光開始剤と、第１の光開始剤とは異なる吸収波長域を有する第２の光開始剤とを含有する絶縁性樹脂層とを有する異方性導電フィルムを用いる。ここで、導電性粒子含有層の第１の光開始剤の配合量は、第２の光開始剤よりも少ないことが好ましい。これにより、仮硬化時の硬化率の上昇を抑制することが可能となる。
仮硬化工程では、第１の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射し、導電性粒子含有層及び絶縁性樹脂層を仮硬化させる。例えば、第１の光開始剤が第２の光開始剤よりも長波長の吸収波長域を有する場合、特定の発光波長を持つＬＥＤランプを用いて第１の光開始剤の長波長の吸収波長域の紫外線を照射することにより、導電性粒子含有層及び絶縁性樹脂層を仮硬化させることができる。
また、本硬化工程では、第２の光硬化剤の吸収波長域の紫外線、又は第１の光硬化剤及び第２の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射する。本硬化工程では、さらに第１の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射することにより硬化率を向上させることができる。例えば、第１の光開始剤が第２の光開始剤よりも長波長の吸収波長域を有する場合、広範囲の波長域を放射する水銀ランプを用いることにより、第１の光開始剤及び第２の光開始剤を活性化させ、優れた硬化率を得ることができる。
＜具体例３＞
具体例３では、第１の光開始剤を含有する導電性粒子含有層と、第１の光開始剤とは異なる吸収波長域を有する第２の光開始剤を含有する絶縁性樹脂層とを有する異方性導電フィルムを用いる。
仮硬化工程では、第１の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射し、導電性粒子含有層のみを仮硬化させる。例えば、第１の光開始剤が第２の光開始剤よりも長波長の吸収波長域を有する場合、特定の発光波長を持つＬＥＤランプを用いて第１の光開始剤の長波長の吸収波長域の紫外線を照射することにより、導電性粒子含有層のみを仮硬化させることができる。
また、本硬化工程では、第２の光硬化剤の吸収波長域の紫外線、又は第１の光硬化剤及び第２の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射する。本硬化工程では、熱圧着により導電性粒子含有層と絶縁性樹脂層とが混合されるため、第２の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射すれば十分な硬化率が得られる。また、さらに第１の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射することにより硬化率を向上させることができる。例えば、第１の光開始剤が第２の光開始剤よりも長波長の吸収波長域を有する場合、広範囲の波長域を放射する水銀ランプを用いることにより、第１の光開始剤及び第２の光開始剤を活性化させ、優れた硬化率を得ることができる。
＜具体例４＞
具体例４では、第２の光開始剤を含有する導電性粒子含有層と、第２の光開始剤を含有する絶縁性樹脂層とを有する異方性導電フィルムを用いる。すなわち、導電性粒子含有層及び絶縁性樹脂層は、それぞれ第２の硬化剤を含有する。
仮硬化工程では、第２の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射する。例えば、第２の光開始剤の吸収波長域を含む広範囲の波長域を放射する水銀ランプを用いる。そして、導電性粒子含有層及び絶縁性樹脂層の硬化率、又は導電性粒子含有層の硬化率が５〜２０％となるように異方性導電フィルムを仮硬化させる。また、本硬化工程では、仮硬化工程と同様に、第２の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射し、異方性導電フィルムを本硬化させる。このように導電性粒子含有層及び絶縁性樹脂層にそれぞれ第２の硬化剤のみ含有させ、仮硬化後の硬化率を５〜２０％の範囲に調整することにより、導電性粒子の補足率を向上させることができる。
＜２．異方性導電フィルム＞
本実施の形態に係る異方性導電フィルムは、第１の光開始剤を含有する導電性粒子含有層と、第１の光開始剤とは異なる吸収波長域を有する第２の光開始剤を含有する絶縁性樹脂層とを有する。これにより、仮硬化工程において、導電性粒子含有層のみを硬化させることが可能となる。
また、導電性粒子含有層は、第２の光開始剤を含有してもよく、第１の光開始剤の配合量が第２の光開始剤よりも少ないことが好ましい。これにより、仮硬化時の硬化率の上昇を抑制することが可能となる。
また、導電性粒子含有層に配合される導電性粒子は、従来の異方性導電フィルムで用いられている導電性粒子を使用することができ、例えば、金粒子、銀粒子、ニッケル粒子等の金属粒子、ベンゾグアナミン樹脂やスチレン樹脂等の樹脂粒子の表面を金、ニッケル、亜鉛等の金属で被覆した金属被覆樹脂粒子等を使用することができる。このような導電性粒子の平均粒径としては、通常１〜１０μｍ、より好ましくは２〜６μｍである。
また、本実施の形態に係る異方性導電フィルムは、光カチオン系又は光ラジカル系のいずれであってもよく、目的に応じて適宜選択することができる。
＜光カチオン系＞
光カチオン系の異方性導電フィルムは、導電性粒子含有層及び絶縁性樹脂層のそれぞれに光カチオン重合開始剤と光カチオン重合性化合物とを含有する。
光カチオン重合開始剤は、それぞれ異なる吸収波長域を有する第１の光開始剤及び第２の光開始剤となるように目的に応じて適宜選択することができる。光カチオン重合開始剤としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、芳香族ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、セレノニウム塩等のオニウム塩や金属アレーン錯体、シラノール／アルミニウム錯体等の錯体化合物、ベンゾイントシレート、ｏ−ニトロベンジルトシレート等を用いることができる。また、塩を形成する際の対アニオンとしては、プロピレンカーボネート、ヘキサフルオロアンチモネート、ヘキサフルオロホスフェート、テトラフルオロボレート、テトラキス（ぺンタフルオロフェニル）ボレート等が用いられる。
光カチオン重合性化合物は、カチオン種によって重合する官能基を有する化合物であり、エポキシ化合物、ビニルエーテル化合物、環状エーテル化合物等が挙げられる。
エポキシ化合物としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物であり、例えば、エピクロルヒドリンとビスフェノールＡやビスフェノールＦ等から誘導されるビスフェノール型エポキシ樹脂や、ポリグリシジルエーテル、ポリグリシジルエステル、芳香族エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物、ノボラック型エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物等が挙げられる。
＜光ラジカル系＞
光ラジカル系の異方性導電フィルムは、導電性粒子含有層及び絶縁性樹脂層のそれぞれに光ラジカル重合開始剤と光ラジカル重合性化合物とを含有する。
光ラジカル重合開始剤は、それぞれ異なる吸収波長域を有する第１の光開始剤及び第２の光開始剤となるように目的に応じて適宜選択することができる。
光ラジカル重合開始剤としては、ベンゾインエチルエーテル、イソプロピルベンゾインエーテル等のベンゾインエーテル、ベンジル、ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のベンジルケタール、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン類およびその誘導体、チオキサントン類、ビスイミダゾール類等があり、これらの光開始剤に必要に応じてアミン類、イオウ化合物、リン化合物等の増感剤を任意の比で添加してもよい。この際、用いる光源の波長や所望の硬化特性等に応じて最適な光開始剤を選択する必要がある。
また、光照射によって活性ラジカルを発生する化合物として有機過酸化物系硬化剤を用いることができる。有機過酸化物としては、ジアシルパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート、パーオキシエステル、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、シリルパーオキサイド等から１種または２種以上を用いることができる。
光ラジカル重合性化合物は、活性ラジカルによって重合する官能基を有する物質であり、アクリル酸エステル化合物、メタクリル酸エステル化合物、マレイミド化合物等が挙げられる。
光ラジカル重合性化合物は、モノマー、オリゴマーいずれの状態で用いることが可能であり、モノマーとオリゴマーを併用することも可能である。
アクリル酸エステル化合物、メタクリル酸エステル化合物としては、エポキシアクリレートオリゴマ一、ウレタンアクリレートオリゴマー、ポリエーテルアクリレートオリゴマー、ポリエステルアクリレートオリゴマー等の光重合性オリゴマー；トリメチロールプロパントリアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリアルキレングリコールジアクリレート、ぺンタエリスリトールアクリレート、２−シアノエチルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロぺンテニルアクリレート、ジシクロベンテニロキシエチルアクリレート、２−（２−エトキシエトキシ）エチルアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、イソボルニルアクリレート、イソデシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ｎ−ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリールアクリレート、ネオぺンチルグリコールジアクリレート、ジぺンタエリスリトールヘキサアクリレート等の光重合性単官能および多官能アクリレートモノマー等が挙げられる。これらは１種あるいは２種類以上を混合して用いてもよい。
＜３．実施例＞
以下、本発明の実施例について説明する。本実施例では、導電性粒子含有層と絶縁性樹脂層とを有する光カチオン系の異方性導電性フィルムを用いて、Ａｌ配線を有するガラス基板とＩＣチップとを接合し、接続構造体を得た。そして、異方性導電フィルムをガラス基板の配線上に配置した仮硬化後の硬化率、ＩＣチップを実装した本硬化後の硬化率、導通抵抗、及び圧痕について評価した。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
仮硬化後の硬化率の測定、本硬化後の硬化率の測定、導通抵抗の測定、及び圧痕の評価は、次のように行った。
＜仮硬化後の硬化率の測定＞
ガラス基板に貼り付けられた異方性導電フィルムについて硬化率を測定した。硬化率は、異方性導電フィルム中の樹脂のエポキシ基の減少率により求めた。すなわち、異方性導電接続前の異方性導電フィルム中の樹脂のエポキシ基が異方性導電接続によりどれだけ減少したかを、赤外吸収スペクトルの９１４ｃｍ−１の吸収を測定することで求めた。この仮硬化後の硬化率は、導電性粒子含有層（ＡＣＦ層）及び絶縁性接着層（ＮＣＦ層）の全体を測定したものである。
＜本硬化後の硬化率の測定＞
接続構造体におけるＡｌ配線上の異方性導電膜及びガラス基板上の異方性導電膜のそれぞれについて、硬化率を測定した。硬化率は、異方性導電膜中のエポキシ基の減少率により求めた。すなわち、異方性導電接続前の異方性導電膜中のエポキシ基が異方性導電接続によりどれだけ減少したかを、赤外吸収スペクトルの９１４ｃｍ−１の吸収を測定することで求めた。
＜導通抵抗の測定＞
各接続構造体について、３０箇所の端子間の抵抗値（Ω）を、４端子法を用いて電流１ｍＡを流し測定した。その際の最大値（ｍａｘ）、及び平均値（ａｖｅ．）を求めた。
＜圧痕の評価＞
接続構造体のガラス基板側から、異方性導電フィルムの異方性導電接続部における、３列千鳥配列バンプの長手方向の中央位置、バンプ列の長手方向の全長Ｌの０．１Ｌ及び０．９Ｌの位置の３箇所を倍率１０倍で顕微鏡観察し、圧痕の均一性について以下の評価基準で評価した。
◎：３つの観察位置についてそれぞれ１０箇所観察した結果、いずれの観察位置においても９箇所以上で圧痕が観察された場合
○：３つの観察位置についてそれぞれ１０箇所観察した結果、いずれかの観察位置において７箇所又は８箇所で圧痕が観察され、それ以外では９箇所以上で圧痕が観察された場合
△：３つの観察位置についてそれぞれ１０箇所観察した結果、いずれかの観察位置において５箇所又は６箇所で圧痕が観察され、それ以外では９箇所以上で圧痕が観察された場合
×：３つの観察位置についてそれぞれ１０箇所観察した結果、いずれかの観察位置で圧痕が観察できたのが５箇所未満であった場合
＜実施例１＞
［異方性導電フィルムの作製］
異方性導電フィルムは、導電性粒子含有層（ＡＣＦ層）と絶縁性接着層（ＮＣＦ層）との２層構造のものを用いた。
フェノキシ樹脂（品名：ＹＰ７０、新日鐵化学社製）３０質量部、液状エポキシ樹脂（品名：ＥＰ８２８、三菱化学社製）４０質量部、導電性粒子（品名：ＡＵＬ７０４、積水化学工業社製）３０質量部、光カチオン系硬化剤Ａ（品名：ＩＲＧＡＣＵＲＥ ２５０、ＢＡＳＦ社製）５質量部、及び光カチオン系硬化剤Ａよりも長波長の吸収波長域を有する光カチオン系硬化剤Ｂ（品名：ＩＲＧＡＣＵＲＥ ２７０、ＢＡＳＦ社製）１質量部を均一混合した。混合後の配合物を剥離処理したＰＥＴ上に乾燥後の平均厚みが６μｍとなるように塗布し、導電性粒子含有層を作製した。
フェノキシ樹脂（品名：ＹＰ７０、新日鐵化学社製）３０質量部、液状エポキシ樹脂（品名：ＥＰ８２８、三菱化学社製）４０質量部、及びカチオン系硬化剤（光カチオン硬化剤、品名：ＩＲＧＡＣＵＲＥ ２５０、ＢＡＳＦ社製）５質量部を均一に混合した。混合後の配合物を剥離処理したＰＥＴ上に乾燥後の平均厚みが１２μｍとなるように塗布し、絶縁性接着層を作製した。
上記で得られた導電性粒子含有層と絶縁性接着層とをロールラミネータを用いて、ロール温度４５℃にてラミネートし、異方性導電フィルムを得た。
［接続構造体の製造］
周縁部に３列千鳥配置された金バンプを有する試験用ＩＣチップ（バンプサイズ２，５５０μｍ２、バンプ高さ１５μｍ、ピッチ１５μｍ（外側バンプ列と中央バンプ列及び中央バンプ列と内側バンプ列間のそれぞれの距離１５μｍ、各列内のバンプ間の距離１５μｍ））と、前記試験用ＩＣチップのバンプに対応するＡｌ配線（平均厚み０．５μｍ）を有するガラス基板（ガラス厚み０．７ｍｍ）とを用い、異方性導電接続を行った。
具体的には、異方性導電フィルムを１．５ｍｍ幅にスリットして、導電性粒子含有層がガラス基板に接するように、異方性導電フィルムをガラス基板に貼り付け、異方性導電フィルム側から３６５ｎｍに最大発光波長を持つＬＥＤランプ（コントローラー：ＺＵＶ−Ｃ２０Ｈ、ヘッドユニット：ＺＵＶ−Ｈ２０ＭＢ、レンズユニット：ＺＵＶ−２１２Ｌ、オムロン社製）を用いて３０Ｊ／ｃｍ２の照射量でＵＶ照射を行い、仮硬化させた。
異方性導電フィルムの上に、試験用ＩＣチップを置いて仮固定した後、ヒートツール１．５ｍｍ幅で緩衝材（厚み７０μｍのテフロン（登録商標））を用いて、圧着条件１２０℃、８０ＭＰａ、１０秒間（ツールスピード２５ｍｍ／秒間、ステージ温度３０℃）で加熱押圧を開始し、開始から５秒間後に、ガラス基板側から水銀ランプＵＶ照射機（ＨＯＹＡＣＡＮＤＥＯ ＯＰＴＲＯＮＩＣＳ（株）製、ＵＬ−７５０）；照射レンズＨＬＬ−ＳＱ５ｓ−１２０）を用いて１０００Ｊ／ｃｍ２の照射量でＵＶ照射を行い、本硬化した。なお、ＵＶ照射の際、加熱押圧は維持していた。
表１に示すように、仮硬化後の硬化率は１０％であり、本硬化後の配線上の硬化率は８５％、基板上の硬化率は９５％であった。また、接続構造体の導通抵抗の最大値は２Ω、平均値は１Ωであった。また、圧痕の評価は◎であった。
＜実施例２＞
仮硬化時に異方性導電フィルム側から水銀ランプＵＶ照射機（ＨＯＹＡＣＡＮＤＥＯ ＯＰＴＲＯＮＩＣＳ（株）製、ＵＬ−７５０）；照射レンズＨＬＬ−ＳＱ５ｓ−１２０）を用いて３０Ｊ／ｃｍ２の照射量でＵＶ照射を行った以外は、実施例１と同様にして接続構造体を製造した。
表１に示すように、仮硬化後の硬化率は１０％であり、本硬化後の配線上の硬化率は８５％、基板上の硬化率は９５％であった。また、接続構造体の導通抵抗の最大値は１２Ω、平均値は４Ωであった。また、圧痕の評価は◎であった。
＜実施例３＞
仮硬化時に異方性導電フィルム側から３６５ｎｍに最大発光波長を持つＬＥＤランプを用いて５０Ｊ／ｃｍ２の照射量でＵＶ照射を行った以外は、実施例１と同様にして接続構造体を製造した。
表１に示すように、仮硬化後の硬化率は２０％であり、本硬化後の配線上の硬化率は８５％、基板上の硬化率は９５％であった。また、接続構造体の導通抵抗の最大値は５Ω、平均値は２Ωであった。また、圧痕の評価は◎であった。
＜実施例４＞
異方性導電フィルムのＮＣＦ層にカチオン系硬化剤Ｂ（光カチオン硬化剤、品名：ＩＲＧＡＣＵＲＥ ２７０、ＢＡＳＦ社製）を１質量部さらに添加した以外は、実施例１と同様にして接続構造体を製造した。
表１に示すように、仮硬化後の硬化率は１０％であり、本硬化後の配線上の硬化率は８５％、基板上の硬化率は９５％であった。また、接続構造体の導通抵抗の最大値は１０Ω、平均値は２Ωであった。また、圧痕の評価は◎であった。
＜実施例５＞
異方性導電フィルムのＡＣＦ層からカチオン系硬化剤Ｂ（光カチオン硬化剤、品名：ＩＲＧＡＣＵＲＥ ２７０、ＢＡＳＦ社製）を除き、仮硬化時に異方性導電フィルム側から水銀ランプＵＶ照射機（ＨＯＹＡＣＡＮＤＥＯ ＯＰＴＲＯＮＩＣＳ（株）製、ＵＬ−７５０）；照射レンズＨＬＬ−ＳＱ５ｓ−１２０）を用いて３０Ｊ／ｃｍ２の照射量でＵＶ照射を行った以外は、実施例１と同様にして接続構造体を製造した。
表１に示すように、仮硬化後の硬化率は１０％であり、本硬化後の配線上の硬化率は８５％、基板上の硬化率は９５％であった。また、接続構造体の導通抵抗の最大値は２０Ω、平均値は６Ωであった。また、圧痕の評価は◎であった。
＜比較例１＞
異方性導電フィルムのＡＣＦ層からカチオン系硬化剤Ｂ（光カチオン硬化剤、品名：ＩＲＧＡＣＵＲＥ ２７０、ＢＡＳＦ社製）を除き、仮硬化時にＵＶ照射を行わなかった以外は、実施例１と同様にして接続構造体を製造した。
表２に示すように、仮硬化後の硬化率は０％であり、本硬化後の配線上の硬化率は２０％、基板上の硬化率は９５％であった。また、接続構造体の導通抵抗の最大値は８０Ω、平均値は２０Ωであった。また、圧痕の評価は×であった。
＜比較例２＞
仮硬化時にＵＶ照射を行わなかった以外は、実施例１と同様にして接続構造体を製造した。
表２に示すように、仮硬化後の硬化率は０％であり、本硬化後の配線上の硬化率は２０％、基板上の硬化率は９５％であった。また、接続構造体の導通抵抗の最大値は８０Ω、平均値は２０Ωであった。また、圧痕の評価は×であった。
＜比較例３＞
異方性導電フィルムのＮＣＦ層にカチオン系硬化剤Ｂ（光カチオン硬化剤、品名：ＩＲＧＡＣＵＲＥ ２７０、ＢＡＳＦ社製）を１質量部さらに添加し、仮硬化時にＵＶ照射を行わなかった以外は、実施例１と同様にして接続構造体を製造した。
表２に示すように、仮硬化後の硬化率は０％であり、本硬化後の配線上の硬化率は２０％、基板上の硬化率は９５％であった。また、接続構造体の導通抵抗の最大値は８５Ω、平均値は１５Ωであった。また、圧痕の評価は×であった。
＜比較例４＞
仮硬化時に異方性導電フィルム側から３６５ｎｍに最大発光波長を持つＬＥＤランプを用いて１００Ｊ／ｃｍ２の照射量でＵＶ照射を行った以外は、実施例１と同様にして接続構造体を製造した。
表２に示すように、仮硬化後の硬化率は３０％であり、本硬化後の配線上の硬化率は８８％、基板上の硬化率は９５％であった。また、接続構造体の導通抵抗の最大値は８５Ω、平均値は１５Ωであった。また、圧痕の評価は×であった。
＜比較例５＞
仮硬化時に異方性導電フィルム側から３６５ｎｍに最大発光波長を持つＬＥＤランプを用いて５Ｊ／ｃｍ２の照射量でＵＶ照射を行った以外は、実施例１と同様にして接続構造体を製造した。
表２に示すように、仮硬化後の硬化率は２％であり、本硬化後の配線上の硬化率は４０％、基板上の硬化率は９５％であった。また、接続構造体の導通抵抗の最大値は６０Ω、平均値は１０Ωであった。また、圧痕の評価は△であった。
比較例１〜３のように紫外線照射により仮硬化を行なっていない場合、本硬化後の配線上の硬化率が不十分であり、良好な導通抵抗を得ることができなった。また、比較例４のように仮硬化時の硬化率が高い場合、導電性粒子を十分に押し込むことができず、良好な導通抵抗が得られなかった。また、比較例５のように仮硬化時の硬化率が低い場合、本硬化後の配線上の硬化率が不十分であり、良好な導通抵抗が得られなかった。
一方、実施例１〜５のように仮硬化時に異方性導電フィルム側から紫外線を照射し、異方性導電フィルムの硬化率を５〜２０％とすることにより、本硬化後の配線上の硬化率を８０％以上とすることができ、硬化不足を解消することができた。また、導電性粒子を十分に押し込むことができ、良好な導通抵抗を得ることができた。
１１ 配線基板、１１ａ 端子、１２ 液晶パネル、１３ 電子部品、１３ａ 端子、２１ 導電性粒子含有層、２２ 絶縁性樹脂層

Claims (8)

  1. 光硬化性の異方性導電フィルムを配線基板の端子上に貼り付ける貼付工程と、
    前記異方性導電フィルム側から紫外線を照射し、硬化率が５〜２０％となるように異方性導電フィルムを仮硬化させる仮硬化工程と、
    前記異方性導電フィルム上に電子部品を載置する載置工程と、
    前記電子部品を加熱ツールにより押圧するとともに、前記配線基板側から紫外線を照射し、異方性導電フィルムを本硬化させる本硬化工程と
    を有する接続構造体の製造方法。
  2. 前記異方性導電フィルムが、光カチオン系又は光ラジカル系である請求項１に記載の接続構造体の製造方法。
  3. 前記異方性導電フィルムが、導電性粒子含有層と絶縁性樹脂層とを有し、
    前記貼付工程では、前記導電性粒子含有層を端子上に貼り付ける請求項１又は２に記載の接続構造体の製造方法。
  4. 前記導電性粒子層が、第１の光開始剤と、該第１の光開始剤とは異なる吸収波長域を有する第２の光開始剤とを含有してなり、
    前記絶縁性樹脂層が、前記第２の光開始剤を含有してなり、
    前記仮硬化工程では、前記第１の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射し、
    前記本硬化工程では、前記第２の光硬化剤の吸収波長域の紫外線、又は前記第１の光硬化剤及び前記第２の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射する請求項３に記載の接続構造体の製造方法。
  5. 前記導電性粒子層及び前記絶縁性樹脂層が、第１の光開始剤と、該第１の光開始剤とは異なる吸収波長域を有する第２の光開始剤とを含有してなり、
    前記仮硬化工程では、前記第１の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射し、
    前記本硬化工程では、前記第２の光硬化剤の吸収波長域の紫外線、又は前記第１の光硬化剤及び前記第２の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射する請求項３に記載の接続構造体の製造方法。
  6. 前記導電性粒子層が、第１の光開始剤を含有してなり、
    前記絶縁性樹脂層が、前記第１の光開始剤とは異なる吸収波長域を有する第２の光開始剤を含有してなり、
    前記仮硬化工程では、前記第１の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射し、
    前記本硬化工程では、前記第２の光硬化剤の吸収波長域の紫外線、又は前記第１の光硬化剤及び前記第２の光硬化剤の吸収波長域の紫外線を照射する請求項３に記載の接続構造体の製造方法。
  7. 第１の光開始剤を含有する導電性粒子含有層と、
    前記第１の光開始剤とは異なる吸収波長域を有する第２の光開始剤を含有する絶縁性樹脂層と
    を有する異方性導電フィルム。
  8. 前記導電性粒子含有層は、前記第２の光開始剤を含有し、
    前記第１の光開始剤の配合量が、第２の光開始剤よりも少ない請求項７記載の異方性導電フィルム。
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Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017092230A (ja) * 2015-11-10 2017-05-25 日立化成株式会社 回路接続材料及び回路部材の接続構造体とその製造方法
JP2017097974A (ja) * 2015-11-18 2017-06-01 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、電子部品の接続方法、及び接続構造体の製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020041032A (ja) * 2018-09-07 2020-03-19 デクセリアルズ株式会社 接続構造体の製造方法および接続フィルム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3801666B2 (ja) * 1995-05-22 2006-07-26 日立化成工業株式会社 電極の接続方法およびこれに用いる接続部材
JP5045251B2 (ja) * 2007-06-05 2012-10-10 藤倉化成株式会社 電子部品の製造方法
CN102265714B (zh) * 2008-12-22 2014-05-14 富士通株式会社 电子部件及其制造方法
SG183334A1 (en) * 2010-03-09 2012-09-27 Furukawa Electric Co Ltd Wafer-processing film and method of manufacturing semiconductor device by using wafer-processing film
JP5608426B2 (ja) * 2010-05-31 2014-10-15 デクセリアルズ株式会社 異方性導電膜の製造方法
JP2013105636A (ja) * 2011-11-14 2013-05-30 Dexerials Corp 異方性導電フィルム、接続方法、及び接合体

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017092230A (ja) * 2015-11-10 2017-05-25 日立化成株式会社 回路接続材料及び回路部材の接続構造体とその製造方法
JP2017097974A (ja) * 2015-11-18 2017-06-01 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、電子部品の接続方法、及び接続構造体の製造方法

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