CN103797080B - 胶粘片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种胶粘片，其可以抑制在胶粘剂层与粘合膜之间产生气洞，减少对晶片的粘贴不良，且即使在加大扩张量和/或速度的情况下，粘合膜也不会裂开可良好地进行扩张。本发明是一种胶粘片（10），以卷筒状卷取，具有：长脱模膜（11）；以标签状设置在脱模膜（11）上的胶粘剂层（12）；及粘合膜（13），其具有：将胶粘剂层（12）覆盖且在胶粘剂层（12）的周围与脱模膜（11）接触的方式设置的标签部（13a）、及将标签部（13a）的外侧包围的周边部（13b）；所述卷取为卷筒状的胶粘片的特征在于，将脱模膜（11）贯通的贯通孔（14）被设置于包含以下部分的位置，所述部分为：比胶粘剂层（12）的预定粘贴被粘物的部分（15）更靠外侧、且与标签部（13a）的内侧对应的部分的位置。

Description

胶粘片
技术领域
本发明关于胶粘片，尤其关于具有切割胶带及芯片接合膜的2种功能的胶粘片。
现有技术
最近开发了一种胶粘片，其合并了2种功能，即具有：在将半导体晶片切断分离（切割）成各芯片时将半导体晶片固定用的切割胶带的功能；及用于将被切断的半导体芯片胶粘在引线框和封装基板等，或是在堆叠封装中将半导体芯片彼此层叠、胶粘的芯片接合膜（也称为芯片固定膜）的功能。
作为这种胶粘片，考虑到朝晶片的粘贴、切割时的朝环形框的安装等的作业性，会施加预切断加工（例如参考专利文献1）。
被预切断加工的胶粘片的例，如图11及图12所示。图11是示出将胶粘片卷取成卷筒状的状态的图，图12（a）是从胶粘片的粘合膜53侧所见的俯视图，图12（b）是图12（a）的线B-B的剖视图。胶粘片50由脱模膜51、胶粘剂层52及粘合膜53所构成。胶粘剂层52被加工为与晶片的形状对应的圆形，具有圆形标签形状。粘合膜53是将与切割用的环形框的形状对应的圆形部分的周边区域除去者，如图示，具有：圆形标签部53a、及将其外侧包围的周边部53b。胶粘剂层52及粘合膜53的圆形标签部53a，以将其中心对齐的方式被层叠，且粘合膜53的圆形标签部53a，将胶粘剂层52覆盖，且在其周围与脱模膜51接触。粘合膜53中，一般将粘合剂层层叠在基材膜上。
在要将晶片切割时，从层叠状态的胶粘剂层52及粘合膜53将脱模膜51剥离，如图13所示，将半导体晶片W的背面粘贴在胶粘剂层52上，将切割用环形框F粘合固定于粘合膜53的圆形标签部53a的外周部。在此状态下将半导体晶片W切割，其后，依据需要对于粘合膜53施加紫外线照射等固化处理将半导体芯片拾取。此时，粘合膜53从胶粘剂层52剥离，半导体芯片在背面附着有胶粘剂层52的状态下被拾取。附着在半导体芯片的背面的胶粘剂层52，之后在将半导体芯片胶粘于引线框、封装基板或其他半导体芯片时，作为芯片接合膜发挥作用。
但是，一般而言，粘合膜53将胶粘剂层52覆盖，且在其周围与脱模膜51接触，但是由于胶粘剂层52的厚度，在脱模膜51及粘合膜53之间极会产生些微的空隙，而具有空气残留的情况。此现象在60μm以上的厚的胶粘剂层52、粘合膜53的弹性率高的情况时更显著。这种脱模膜51及粘合膜53之间的空气，也有会移动而朝圆形标签部53a的外侧逃逸，不会大大地影响粘合膜53的物性，因此单独的话不会成为问题。
但是，胶粘片50在保存时及运送时被放置于低温状态（例如-20℃～5℃），朝半导体晶片W粘贴时被加热，在将半导体晶片W加工时的使用时被置于常温状态等，即被置于温度变化大的特殊的环境下。通过这种温度变化会使脱模膜51、胶粘剂层52及粘合膜53的尺寸变化变大，从而有时会在胶粘剂层52及粘合膜53之间产生空气侵入而产生空隙（气洞）。气洞有可能产生对半导体晶片W的粘贴不良，并导致之后的半导体晶片W的切割工序、芯片的拾取工序、芯片接合工序中的成品率的下降。另外，在本说明书中，空气是指粘合膜与脱模膜、或是胶粘剂层与脱模膜之间的空气，气洞是指胶粘剂层与粘合膜之间的空气。
气洞是如上述会使成品率下降，且由于在胶粘剂层52及粘合膜53之间产生，因此不易移除，因此对于胶粘片50成为非常地重大的问题。且，从气洞产生的原理考虑，空气越多越有可能发展成气洞，所以优选减少。
作为抑制气洞的对策，公开了：以沿厚度方向将粘合膜的基材膜及粘合剂层贯通的方式设置有贯通孔的层叠片（例如参考专利文献2的图1及图2）。如此地成为在粘合膜设置贯通孔的构成的话，在胶粘剂层与粘合膜之间的气洞就不会产生，可以期待有效地抑制对半导体晶片的粘贴不良的效果。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-2173号公报
专利文献2：日本特开2008-153587号公报
发明内容
本发明所要解决的课题
但是，将带胶粘剂层的芯片从粘合剂层拾取的拾取工序之前，为了将芯片彼此的间隔扩大，提高由CCD照相机等所进行的芯片的辨认性，并且防止拾取时相邻接的芯片彼此再愈合，而进行将粘合膜朝圆周方向拉伸的扩张工序。在扩张工序中，为了更可靠地防止再愈合、或是为了短缩生产节拍时间，而具有欲加大扩张量和/或扩张速度的情况。
但是在专利文献2的胶粘片中，因为贯通孔是设置在粘合膜上，所以若加大扩张量和/或扩张速度的情况，具有粘合膜会以将该贯通孔为起点裂开的问题。尤其是从气洞产生的原理考虑，在胶粘剂层的外周缘设置贯通孔最有效果，在专利文献2中记载的晶片加工胶带中，贯通孔以将粘合膜贯通的方式被设置在胶粘剂层的外周缘部，但是在层叠有胶粘剂层的区域及仅粘合膜的区域中，扩张时的扩张性不同，胶粘剂层的外周缘的扩张负荷最大，所以扩张时粘合膜变得容易裂开。
在此，本发明的目的是提供一种胶粘片，其可以抑制在胶粘剂层与粘合膜之间产生气洞，减少对晶片的粘贴不良，且即使在加大扩张量和/或速度的情况下，粘合膜也不会裂开可良好地进行扩张。
解决课题的手段
为了解决上述的课题，本发明的胶粘片，是一种以卷筒状卷取的胶粘片，其具有：长脱模膜；胶粘剂层，以标签状设置在所述脱模膜上；及粘合膜，具有以将所述胶粘剂层覆盖、且在所述胶粘剂层的周围与所述脱模膜接触的方式设置的标签部、及将所述标签部的外侧包围的周边部；所述卷取为卷筒状的胶粘片的特征在于，将所述脱模膜贯通的贯通孔被设置于包含以下部分的位置，所述部分为：比所述胶粘剂层的预定粘贴被粘物的部分更靠外侧、且与所述标签部的内侧对应的部分。
且上述胶粘片中，优选所述脱模膜与所述粘合膜的线膨胀率之差为250ppm/K以下。
上述胶粘片中，优选所述贯通孔以通过所述胶粘剂层的中心点且与所述脱模膜的长度方向垂直的直线为基准被设置在从所述胶粘剂层的中心点至±60°以内的范围。
且上述胶粘片中，优选具有在所述粘合膜的标签部的外侧沿长度方向设置的支撑构件。
上述胶粘片中，优选所述胶粘剂层具有在将所述脱模膜剥离后与欲粘贴所述胶粘剂层的被粘物对应的平面形状。
且上述胶粘片中，优选所述粘合膜具有在将所述脱模膜剥离后与欲粘贴所述粘合膜的被粘物对应的平面形状。
且上述胶粘片中，优选所述贯通孔被设置在包含与所述胶粘剂层的外缘部接触的部分的位置。
发明效果
依据本发明，可以抑制在胶粘剂层与粘合膜之间产生气洞，减少对晶片的粘贴不良，且即使在加大扩张量和/或扩张速度的情况下，粘合膜也不会裂开可良好地进行扩张。
附图说明
图1（a）是示意地示出本发明的实施方式的胶粘片的结构的俯视图，（b）是（a）的A-A剖视图。
图2是示意地示出本发明的实施方式的胶粘片的变形例的结构的俯视图。
图3是示意地示出本发明的实施方式的胶粘片的另一变形例的结构的俯视图。
图4是示意地示出本发明的实施方式的胶粘片的另一变形例的结构的俯视图。
图5是示意地示出本发明的实施方式的胶粘片的另一变形例的结构的俯视图。
图6是示意地示出本发明的实施方式的胶粘片的另一变形例的结构的俯视图。
图7是示意地示出本发明的实施方式的胶粘片的另一变形例的结构的俯视图。
图8（a）是示意地示出本发明的另一实施方式的胶粘片的结构的俯视图，（b）是（a）的A-A剖视图。
图9是示出本发明的实施例、比较例的胶粘片的贯通孔的形状的图。
图10是示出本发明的实施例、比较例的胶粘片的贯通孔的位置的图。
图11是示意地示出现有的胶粘片以卷筒状卷取的样态的立体图。
图12（a）是示出现有的胶粘片的结构的俯视图，（b）是（a）的B-B剖视图。
图13是示出现有的胶粘片与切割用环形框粘贴后的状态的剖视图。
具体实施方式
第一实施方式
以下，依据附图详细说明本发明的实施方式。图1（a）是本发明的实施方式的胶粘片的从脱模膜侧观察的俯视图，图1（b）是图1（a）的线A-A剖视图。
如图1（a）及图1（b）所示，胶粘片10是具有长脱模膜11、胶粘剂层12及粘合膜13、且具有切割胶带及芯片接合膜的2种功能的晶片加工用粘合带。
胶粘剂层12设置在脱模膜11的第一面上，具有与晶片的形状对应的圆形标签形状。粘合膜13具有覆盖胶粘剂层12、且以在胶粘剂层12的周围与脱模膜11接触的方式设置的圆形标签部13a、及将该圆形标签部13a的外侧包围的周边部13b。周边部13b包括将圆形标签部13a的外侧完全地包围的形态、及如图示的未完全地包围的形态。圆形标签部13a具有与切割用的环形框对应的形状。
以下，详细说明本实施方式的胶粘片10的各构成要素。
（脱模膜）
作为本发明的胶粘片10所使用的脱模膜11，只要脱模膜11与粘合膜13的线膨胀率的差为250ppm/K以下，则没有特别限定，可以使用：聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）系、聚乙烯系、以及经脱模处理的膜等公知的物质。脱模膜11的厚度没有特别限定，虽可以适宜地设定，但是优选25～75μm。
如图1所示，在脱模膜11中，将脱模膜11贯通的圆形的贯通孔以与胶粘剂层12的外缘部接触的方式被设置。关于贯通孔14，以通过胶粘剂层12的中心点且与脱模膜11的长度方向垂直的直线a为基准，被设置在从胶粘剂层12的中心点至±60°以内的范围（在图1中是线b-c的内侧的区域R及线d-e的内侧的区域R）。
贯通孔14的位置不限定于与胶粘剂层12的外缘部接触的位置，在包含以下部分的位置即可，所述部分为：比胶粘剂层12的预定粘贴被粘物的部分15更靠外侧、且与圆形标签部13a的内侧对应的部分。例如，如图2所示，从脱模膜11中与胶粘剂层12的预定粘贴被粘物的部分15的外缘部对应的位置开始呈辐射线状地设置贯通孔14也可以。另外，在本变形例中将圆形的贯通孔14呈辐射线状排列，但是在包含比胶粘剂层12的预定粘贴被粘物的部分15更靠外侧、且与圆形标签部13a的内侧对应的部分的位置，随机设置贯通孔14也可以。
在此，比胶粘剂层12的预定粘贴被粘物的部分15更靠外侧且与圆形标签部13a的内侧对应的部分，是在脱模膜11中从与胶粘剂层12的预定粘贴被粘物的部分15的外缘部相对的位置至在脱模膜11中与圆形标签部13a的外缘部相对的位置为止的区域R’。
且胶粘剂层12的预定粘贴被粘物的部分15，在使用胶粘片10将半导体晶片切割时，处于半导体晶片应被粘贴的位置，例如，距离胶粘剂层12的外缘部10mm～25mm内侧的位置。
且设置贯通孔14的位置，是在包含比胶粘剂层12的预定粘贴被粘物的部分15更靠外侧、且与圆形标签部13a的内侧对应的部分即区域R’的位置即可，因此，如图2所示，在区域R’内及从区域R’超出的位置设置贯通孔也可以。
贯通孔的目的在于排出使对半导体晶片的粘贴不良产生的气洞本身、朝气洞发展的前阶段中的空气，因而需要将其向胶粘剂层12的预定粘贴半导体晶片（被粘物）的部分15的更外侧排出。在仅在与比胶粘剂层12的预定粘贴被粘物的部分15的更内侧对应的部分、或是仅在与粘合膜13的圆形标签部13a的外侧对应的部分设有贯通孔14的情况下，由于因胶粘剂层12的厚度产生的脱模膜11与粘合膜13之间的空隙中残余的空气、伴随温度变化产生脱模膜11、胶粘剂层12及粘合膜13的尺寸变化，因此无法将空气侵入胶粘剂层12及粘合膜13之间而产生的空隙（气洞）向胶粘剂层12的预定粘贴被粘物的部分15的更外侧排出，所以需要在包含比胶粘剂层12的预定粘贴被粘物的部分15更靠外侧、且与圆形标签部13a的内侧对应的部分的位置设置贯通孔14。
且设置在与胶粘剂层12的外侧对应的位置的话，因为可以将空气进行的方向朝胶粘剂层12的外侧引导，所以空气朝胶粘剂层12及粘合膜13之间侵入而发展成气洞的可能性可以极度降低。进一步，设置于与胶粘剂层12的外缘部接触的部分的话，因为空气发展成气洞的可能性不仅可降低，且可以将在胶粘剂层12的外缘部产生的空气立即排出，达成空气本身的减少，所以效果更高。因此，在使贯通孔14的个数为最小限度时，优选仅设置在与胶粘剂层12的外缘部接触的部分。
且设置贯通孔14的位置，不限定于以通过胶粘剂层12的中心点且与脱模膜11的长度方向垂直的直线a为基准从胶粘剂层12的中心点至±60°以内的范围，如图3所示，设置在以直线a为基准从胶粘剂层的中心点至±90°全部的范围也可以。但是，胶粘片10因为是成为以卷筒状卷取的制品，所以沿脱模膜11的宽度方向具有贯通孔的话空气就容易排除，气洞的抑制效果大，因此贯通孔14优选处于以直线a为基准从胶粘剂层12的中心点至±60°以内的范围，更优选处于±45°以内的范围。
贯通孔14的形状只要可排除气洞的话不限定于圆形，三角形、菱形、线形等也可以，但是从胶粘剂层12的污染防止的观点出发，线形优选。线形的贯通孔，例如如图4所示的直线状的贯通孔141也可以，如图5所示的波型的贯通孔142也可以，进一步，如图6所示的U字型的贯通孔143也可以，如图7所示的V字型的贯通孔144也可以。
贯通孔14的方向是设计事项，发明人通过实验发现以下优选。即，贯通孔是圆形或正多边形的情况时，可以任意。贯通孔是“圆形或正多边形”以外的情况、及直线或波形的情况时，优选以贯通孔的长度方向与胶粘剂层12、粘合膜13的标签的圆周的切线尽可能平行的方式进行设置。贯通孔是U字型、V字型的情况时，优选以分别向上述标签的圆周的外侧为凸的方式进行设置。由此，气洞容易朝向外侧被排出。
另外，在图4及图5中，贯通孔141、142的长度方向虽是与胶粘剂层12、粘合膜13的标签的圆周的切线平行地设置，但是与胶粘剂层12、粘合膜13的标签的圆周的切线垂直也可以，此时，在包含区域R’的范围内即使连续地长地设置也可以。
进一步，贯通孔14适宜地组合上述的位置、形状地设置也可以。
贯通孔14的最大宽度，优选是50mm以下，更优选是0.01mm以上且10mm以下，进一步优选是0.1mm以上且5mm以下。小于0.01mm时气洞不易排除，比50mm大的话空气容易从脱模膜11的外侧进入，反而具有诱发气洞的危险性。最大宽度，在贯通孔为线形的情况下是指从起点至终点为止的长度，在线形以外的情况时是指在孔的内侧距离最长的部分。
贯通孔14的个数，相对于1个粘合膜13的圆形标签部13a，优选是1个以上且150个以内，更优选是6个以上且100个以内，进一步优选是8个以上且64个以内。比150个多的话，空气容易从脱模膜11的外侧进入，反而具有诱发气洞的危险性。
且相对于1个粘合膜13的圆形标签部13a，贯通孔14的个数是偶数的情况时，相对于胶粘剂层12的中心点以点对称的形式配置的话，空气容易排除，且气洞的抑制效果大。
虽与贯通孔14的最大宽度及个数无相关关系，但是考虑到设置贯通孔14的场所优选位于与胶粘剂层12的外缘部对应的位置、特别是位于以通过胶粘剂层12的中心点且与脱模膜11的长度方向垂直的直线a为基准±60°以内的范围内的话，相对于1个粘合膜13的圆形标签部13a优选最大宽度×个数<胶粘剂层的外周，更优选最大宽度×个数<胶粘剂层的外周×2/3。
（胶粘剂层）
本发明的胶粘剂层12，是如上述，形成于脱模膜11上，具有与晶片的形状对应的圆形标签形状。与晶片的形状对应的形状，包括与晶片的形状大致相同的大小且大致相同的形状、以及与晶片的形状大致相同的形状且比晶片的大小更大的相似形。且，不一定是圆形，但是优选接近圆形的形状，更优选圆形。
关于胶粘剂层12，在半导体晶片被粘贴且被切割之后进行芯片拾取时，附着在芯片背面，作为将芯片固定于基板、引线框时的胶粘剂使用。作为胶粘剂层12，可以优选使用包含选自环氧系树脂、丙烯酸系树脂、酚醛系树脂中的至少1种的胶粘剂等。另外，使用聚酰亚胺系树脂、硅酮系树脂也可以。其厚度虽可以适宜地设定，但是优选5～100μm左右。
（粘合膜）
本发明的粘合膜13，是如上述，具有：与切割用的环形框的形状对应的圆形标签部13a、及将其外侧包围的周边部13b。这种粘合膜可以通过利用预切断加工从膜状粘合剂将圆形标签部13a的周边区域除去而形成。与切割用的环形框的形状对应的形状，是与环形框的内侧大致相同的形状且比环形框内侧的大小更大的相似形。且，不一定是圆形，但是优选接近圆形的形状，更优选圆形。
作为粘合膜13，只要脱模膜11与粘合膜13的线膨胀率的差为250ppm/K以下，则没有特别限制，只要是在将晶片切割时具有晶片不会剥离的充分的粘合力，在切割后将芯片拾取时显示可容易地从胶粘剂层剥离的较低的粘合力即可。例如，可以适当地使用在基材膜上设置粘合剂层的物体。
脱模膜11与粘合膜13的线膨胀率的差是250ppm/K以下的话，在冷藏保存～常温下，即使产生脱模膜11及粘合膜13的尺寸变化，两者的尺寸变化的差也小且可保持密合性，所以可以防止胶带13及脱模膜11剥离而成为空气容易进入的状态。因此，通过与由贯通孔14所产生的气洞的排出效果的协同效应，可以在气洞及空气皆无的最佳的状态下保存制品。
另一方面，脱模膜11与粘合膜13的线膨胀率的差超过250ppm/K的话，在冷藏保存～常温下的尺寸变化的差变大，粘合带13及脱模膜11容易剥离。如此的话，通过欲将气洞排出的贯通孔，反而空气会从外部侵入。但是，即使空气从外部侵入，若贯通孔位于将空气的进行朝胶粘剂层12的外侧引导的位置的话，在使用胶粘片10的常温状态下密合性也可恢复，所以空气会朝胶粘剂层12的外侧被排出，不会以气洞的形式残留，所以无问题。即使空气残余，空气的进行也通过贯通孔14朝胶粘剂层12的外侧被引导，因此留在粘合带13及脱模膜11之间，而粘合带13及脱模膜11间的空气不会引起与半导体晶片的粘贴不良，所以无问题。且，在贯通孔14未位于将空气的进行朝胶粘剂层12的外侧引导的位置情况时，虽是容易产生气洞的状态，但是即使产生气洞也从贯通孔14排出即可，所以在允许范围内。
粘合膜13的基材膜，是现有公知的话不特别限制皆可以使用，但是使用辐射线固化性的材料作为后述的粘合剂层的情况时，优选使用具有辐射线透射性者。
例如，其材料可以列举：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚1-丁烯、聚-4-甲基-1-戊烯、乙烯-酢酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或是共聚物或是这些的混合物、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性体、及这些的混合物。且，基材膜是从这些的组中选择的2种以上材料混合得到的物质也可以，这些是单层或被多层化者也可以。
基材膜的厚度，没有特别限定，虽可以适宜地设定，但是优选50～200μm。
作为被使用在粘合膜13的粘合剂层中的树脂，没有特别限定，可以使用：被使用在粘合剂中的公知的氯化聚丙烯类树脂、丙烯酸类树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂等。优选在粘合剂层13的树脂中将丙烯酸系粘合剂、辐射线聚合性化合物、光聚合引发剂、固化剂等适宜配合从而制备粘合剂。粘合剂层13的厚度没有特别限定，虽可以适宜地设定，但是优选5～30μm。
将辐射线聚合性化合物配合在粘合剂层中后，可以通过辐射线固化从胶粘剂层容易地进行剥离。该辐射线聚合性化合物，例如可以使用在可通过光照射而进行三维网状化的分子内具有至少2个以上光聚合性碳-碳双键的低分量化合物。
具体而言，可适用：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯等。
且如上述的丙烯酸酯系化合物之外，还可使用聚氨酯丙烯酸酯系低聚物。聚氨酯丙烯酸酯系低聚物，是使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物及多异氰酸酯化合物（例如2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯、1,4-苯二亚甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷4,4-二异氰酸酯等）反应而得的异氰酸酯基封端的氨基甲酸酯预聚物与具有羟基的丙烯酸酯或是甲基丙烯酸酯（例如丙烯酸2-羟基乙酯、甲基丙烯酸2-羟基乙酯、丙烯酸2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-羟基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等）反应而得。粘合剂层，是选自上述的树脂中的2种以上混合者也可以。
使用光聚合引发剂的情况，可以使用例如苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁基醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙噻吨酮、联苯酰二甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。这些光聚合引发剂的配合量相对于丙烯酸系共聚物100质量份优选为0.01～5质量份。
接着，说明本实施方式的胶粘片10的制造方法。
首先，通过将长形的粘合膜13层压于设有具有与晶片的形状对应的圆形标签形状的胶粘剂层12的长形的脱模膜11，制造粘贴后的层叠体。需要说明的是，具有圆形标签形状的胶粘剂层12，是将胶粘剂清漆涂布于脱模膜11并使其干燥，冲裁成圆形，将圆形部分的周边的不需要部分从脱模膜11剥离，由此进行预切断加工来形成即可。
接着，从上述层叠体的粘合膜13侧至脱模膜11的厚度方向的途中为止用刀具切入切槽，将圆形标签部13a及周边部13b残留、将粘合膜13从脱模膜11剥离，由此进行预切断加工。
贯通孔，是任意方式形成也可以，但是优选与胶粘剂层或/和粘合膜的预切断同时进行形成。通过在预切断用的刀具上设置对应贯通孔14的刀具，就可以与预切断同时进行形成，可以将工序简单化。且，若与胶粘剂层12的预切断同时进行的话，则利用之后进行的粘合膜13的预切断时施加的切槽的按压、通道线（パスライン）上的夹持辊等，还可以将空气移除。
[第二实施方式]
接着，说明第二实施方式。本实施方式的胶粘片10’，除了具有支撑构件16的点不同以外，可以适用与第一实施方式所说明的同样的构成、制造方法。
以下，说明与第一实施方式不同的点。如图8（a）所示，支撑构件16，被设置在脱模膜11的宽度方向两端部。
支撑构件16的厚度，只要是脱模膜11上的胶粘剂层12及粘合膜13的圆形标签部13a的层叠部分、与粘合膜13的周边部13b的高低差的厚度以上，即胶粘剂层12的厚度以上即可。通过支撑构件具有这种厚度，在将胶粘片10卷取时，在粘合膜13与在其表面重叠的脱模膜11的第二面11b之间形成空间，所以在胶粘剂层与粘合膜之间产生的气洞就容易被排除。
另外，支撑构件16，不限定于脱模膜11的宽度方向两端部，只要是在与胶粘剂层12的外侧对应的位置的话，可以设置于任意处，但是在卷取成卷筒状来得到制品时，从防止胶粘剂层12及粘合膜13的圆形标签部13a、支撑构件16的层叠部分、与粘合膜13的周边部13b的高低差彼此重叠，从而向柔软的胶粘剂层12表面转印高低差的观点出发，优选在从脱模膜11的宽度方向两端部至胶粘剂层12为止的区域R”内进行设置。
且优选在脱模膜11的设有胶粘剂层12及粘合膜13的第一面的相反的第二面设置支撑构件16。在设置于脱模膜11的第二面且与胶粘剂层12的外侧对应的位置的情况时，也可以将在预切断加工时除去空气、利用结束不再需要的贯通孔14用支撑构件进行堵塞。
支撑构件16，在设置于脱模膜11的宽度方向两端部的情况时，虽可以沿着脱模膜11的长度方向间断或连续地设置，但是从更有效地抑制转印痕迹的产生的观点出发，优选沿基材膜11的长度方向连续地设置。
支撑构件16，可以适当地使用例如将胶粘剂涂布于树脂膜基材的胶粘胶带。通过将这种胶粘胶带粘贴在脱模膜11的第二面的两端部分的预定位置，就可以形成本实施方式的胶粘片10’。胶粘胶带，只粘贴一层也可以，将薄胶带层叠也可以。
胶粘胶带的基材树脂，虽无特别限定，但是从耐热性、平滑性、及容易取得度的观点出发，优选选自聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚丙烯、及高密度聚乙烯。对于胶粘胶带的粘合剂的组成及物性，没有特别限定，在胶粘片10的卷取工序及保存工序中，不会从脱模膜11剥离即可。
<实施例>
以下，虽依据实施例进一步详细说明本发明，但是本发明不限定于这些实施例。
如下述将粘合剂组合物及胶粘剂组合物进行制备，由以下的方法制作胶粘片，评价其性能。
（粘合剂组合物的制备）
[粘合剂组合物1]
在溶剂甲苯400g中，将丙烯酸异辛酯340g、甲基丙烯酸甲酯13g、羟基丙烯酸酯60g、甲基丙烯酸0.5g、作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰的混合液，适宜地调整滴加量后加入，调整反应温度及反应时间，而获得重均分子量80万的化合物（1）的溶液。接着，在化合物（1）的溶液中，相对于溶液中的化合物（1）100重量份，加入作为聚异氰酸酯的CoronateL（日本聚氨酯工业株式会社制）2重量份，加入作为溶剂的酢酸乙酯300重量份，搅拌而获得粘合剂组合物1。
[粘合剂组合物2]
在上述化合物（1）的溶液中，将作为具有辐射性固化性碳-碳双键及官能团的化合物的甲基丙烯酸-2-异氰酸根合乙酯2.5g、作为阻聚剂的对苯二酚，适宜地调整滴加量后滴加，调整反应温度及反应时间而获得具有辐射性固化性碳-碳双键的化合物（2）的溶液。以DSC测定化合物（2）的Tg，为-49℃。接着，在化合物（2）的溶液中，相对于溶液中的化合物（2）100重量份，加入2重量份作为聚异氰酸酯的CoronateL，加入作为光聚合引发剂的IRGACURE184（日本汽巴嘉基公司制）1重量份，作为溶剂的酢酸乙酯300重量份，搅拌而获得粘合剂组合物2。
（粘合膜的制作）
[粘合膜1A]
在已脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜所形成的剥离膜上使粘合剂组合物1成为干燥膜厚为25μm的方式进行涂布，在110℃进行3分钟干燥之后，与在180℃挤出的厚度80μm的低密度聚乙烯膜粘贴来制作线膨胀系数为260ppm/K的粘合膜1A。线膨胀系数是使用热机械的分析装置（理学电气株式会社制）由以下的条件测定，读取-20℃～+20℃的范围的线膨胀率。
《测定条件》
机器:理学电气株式会社制TMA8310
温度范围:-30～50℃
升温速度:5℃/min
测定负荷:49mN
环境气体:N2
[粘合膜1B]
将粘合剂组合物2以成为干燥膜厚为10μm的方式涂布于由已脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜形成的剥离膜，在110℃3分钟干燥之后，与在180℃挤出的厚度80μm的乙烯-乙烯乙酸酯共聚物膜粘贴来制作线膨胀系数为300ppm/K的粘合膜1B。线膨胀系数与上述同样地进行测定。
[粘合膜1C]
将粘合剂组合物1以成为干燥膜厚为10μm的方式涂布于由已脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜所形成的剥离膜，在110℃3分钟干燥之后，与在170℃挤出的厚度100μm的聚氯乙烯膜粘贴，制作线膨胀系数为380ppm/K的粘合膜1C。线膨胀系数与上述同样地进行测定。
（脱模膜）
[脱模膜2A]
使用厚度38μm的已脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。线膨胀系数经与上述粘合膜的线膨胀系数的测定同样地由热机械的分析装置（理学电气（株）制）进行测定后，为60ppm/K。
[脱模膜2B]
使用厚度38μm的已脱模处理的聚丙烯膜。将线膨胀系数与上述粘合膜的线膨胀系数的测定同样地由热机械的分析装置（理学电气（株）制）进行测定后，为120ppm/K。
（胶粘剂组合物的制备）
[胶粘剂组合物]
对于包含甲酚酚醛清漆型环氧树脂（环氧当量197、分子量1200、软化点70℃）15质量份、丙烯酸类树脂SG-P3（长濑化成株式会社制，质均分子量:85万，玻璃化转变温度12℃）70质量份、作为固化剂的苯酚酚醛清漆树脂（羟基当量104、软化点80℃）15质量份，作为促进剂的CUREZOL2PZ（四国化成株式会社制，商品名:2-苯基咪唑）1份的组合物，加上环己酮搅拌混合，进一步使用珠磨机搅拌90分，获得胶粘剂组合物。
（胶粘剂层的形成）
[胶粘剂层A]
将上述胶粘剂组合物以干燥后的膜厚成为40μm的方式，涂布于脱模膜2A或脱模膜2B上，在110℃1分钟加热干燥，形成B平台状态（热固性树脂的固化中间状态）的涂膜，获得胶粘剂层3A后，冷藏保存。
[胶粘剂层B]
将上述胶粘剂组合物以干燥后的膜厚成为120μm的方式，涂布于脱模膜2A或是脱模膜2B上，在110℃1分钟加热干燥，形成B平台状态（热固性树脂的固化中间状态）的涂膜，获得胶粘剂层3B后，冷藏保存。
（胶粘片的制作）
将被冷藏保存的形成有胶粘剂层3A的脱模膜2A返回至常温，使朝脱模膜2A的切槽深度成为15μm以下的方式进行调整将胶粘剂层3A预切断加工成直径为220mm（圆周周长约691mm）的圆形。其后，从与胶粘剂层3A相反的一侧将图9（a）的形状的贯通孔32个设置于脱模膜2A中的图10（a）所示的位置，将胶粘剂层3A的不需要部分除去，将粘合膜1A以其粘合剂层与胶粘剂层3A接触的方式在室温层压于脱模膜2A。接着对于粘合膜1A，使朝脱模膜2A的切槽深度成为15μm以下的方式进行调节，与胶粘剂层呈同心圆状地进行直径270mm的圆形预切断加工，制作实施例1的胶粘片。
由与实施例1同样的方法，由下述表3所示的组合，制作实施例14的胶粘片。
将被冷藏保存的形成有胶粘剂层3A的脱模膜2B返回至常温，使朝脱模膜2B的切槽深度成为15μm以下的方式进行调整将胶粘剂层3A预切断加工成直径为220mm（圆周周长约691mm）的圆形，同时将图9（b）的形状的贯通孔6个设置于脱模膜2B中的图10（b）所示的位置。然后，将胶粘剂层3A的不需要部分除去，将粘合膜1B以其粘合剂层与胶粘剂层3A接触的方式在室温层压于脱模膜2B。接着对于粘合膜1B，使朝脱模膜2B的切槽深度成为15μm以下的方式进行调节，与胶粘剂层呈同心圆状地进行直径270mm的圆形预切断加工，制作实施例2的胶粘片。
由与实施例2同样的方法，由下述表1～3所示的组合，制作实施例3～13、15～19的胶粘片。
将被冷藏保存的形成有胶粘剂层3A的脱模膜2B返回至常温，使朝脱模膜2B的切槽深度成为15μm以下的方式调整将胶粘剂层3A预切断加工成直径220mm（圆周周长约691mm）的圆形。其后，将胶粘剂层3A的不需要部分除去，将粘合膜1B以其粘合剂层与胶粘剂层3A接触的方式在室温层压在脱模膜2B。接着对于粘合膜1A，使朝脱模膜2A的切槽深度成为15μm以下的方式进行调节，与胶粘剂层呈同心圆状地预切断加工成直径270mm的圆形，制作比较例1的胶粘片。
将被冷藏保存的形成有胶粘剂层3A的脱模膜2A返回至常温，使朝脱模膜2A的切槽深度成为15μm以下的方式进行调整将胶粘剂层3A预切断加工成直径为220mm（圆周周长约691mm）的圆形。其后，将胶粘剂层3A的不需要部分除去，将粘合膜1A以其粘合剂层与胶粘剂层3A接触的方式在室温层压在脱模膜2A。接着对于粘合膜1A，使朝脱模膜2A的切槽深度成为15μm以下的方式进行调节，与胶粘剂层呈同心圆状地预切断加工成直径270mm的圆形的同时，将图9（a）的形状的贯通孔在粘合膜1A中的图10（a）所示的位置设置4个，制作比较例2的胶粘片。
由与比较例2同样的方法，由下述表4、5所示的组合，制作实施例3～11的胶粘片。
另外，图9（a）的贯通孔是最大宽度（从起点至终点为止的长度）为0.1mm的直线形状，图9（b）的贯通孔是最大宽度（直径）为1mm的圆形形状。且，图9（c）的贯通孔是最大宽度（从起点至终点为止的长度）为0.01mm的圆弧形状，图9（d）的贯通孔是最大宽度（从起点至终点为止的长度）为30mm的V字形状。
图10（a）所示的设置贯通孔的位置，是比胶粘剂层的预定粘贴被粘物的部分更靠外侧且与圆形标签部的内侧对应的部分，在图10（a）中为由斜线显示的区域Ra。图10（b）所示的设置贯通孔的位置，是比胶粘剂层的外缘部更靠外侧且与圆形标签部的内侧对应的部分，在图10（b）中为由斜线显示的区域Rb。图10（c）所示的设置贯通孔的位置，是与胶粘剂层的外缘部对应的部分，在图10（c）中为由实线显示的区域Rc。图10（d）所示的设置贯通孔的位置，是比胶粘剂层的外缘部更靠外侧且与圆形标签部的内侧对应的部分，且以通过胶粘剂层的中心点且与脱模膜的长度方向垂直的直线a为基准从胶粘剂层的中心点至±60°以内的范围，在图10（d）中为由斜线显示的区域Rd。图10（e）所示的设置贯通孔的位置，是与胶粘剂层的外缘部对应的部分，且以通过胶粘剂层的中心点且与脱模膜的长度方向垂直的直线a为基准从胶粘剂层的中心点至±45°以内的范围，在图10（e）中为由实线显示的区域Re。图10（f）所示的设置贯通孔的位置，是比胶粘剂层的外缘部更靠外侧且与圆形标签部的内侧对应的部分，且以通过胶粘剂层的中心点且与脱模膜的长度方向垂直的直线a为基准从胶粘剂层的中心点至±45°以内的范围，在图10（f）中为由斜线显示的区域Rf。
关于贯通孔，在实施例中，设置在脱模膜的图10所示的位置，在比较例2～11中，设置在粘合剂层的图10所示的位置。
图9（a）的贯通孔，在图10（a）～（f）中的任一的情况下，均以贯通孔的长度方向与胶粘剂层、粘合膜的标签的圆周的切线平行的方式设置。且，图9（c）、（d）的贯通孔，在图10（a）～（f）中的任一的情况下，均以向标签的圆周的外侧为凸的方式设置。
贯通孔以等间隔设置，在设置在图10（a）、（b）、（d）、（f）所示的位置的情况时，呈辐射线状排列。
（特性评价试验）
对于实施例1～19、比较例1～11的晶片加工用粘合带，由下述的方式进行特性评价试验。
[气洞的抑制性评价]
对于实施例及比较例的晶片加工用粘合带，使圆形的形状的粘合膜的数量成为300枚，并以卷筒状卷取，制作晶片加工用粘合带卷筒。所获得的晶片加工用粘合带卷筒在电冰箱内（5℃）保存1个月之后，包装捆包并载置于运送用卡车往返于日本的平冢～神戸之间（约1000km）。卡车内是通过干冰保持-20℃的冷藏状态。其后，将胶粘片卷筒开捆，将晶片加工用粘合带卷筒返回至常温将包装袋开封，评价实施例及比较例的晶片加工用粘合带的气洞的抑制性。晶片加工用粘合带的气洞的抑制性，是以目视对气洞的有无进行观察，依据以下的评价基准，由◎、○、△、×的4个等级进行评价。
◎（优良品）:即使从各种的角度目视观察也无法确认到气洞及空气。
○（良品）:粘合膜与脱模膜之间可以确认到若干的空气。
△（允许品）:胶粘剂层与脱模膜之间可以确认到若干的空气。
×（不良品）:胶粘剂层与粘合膜之间可以确认到气洞。
[扩张性评价]
使用无气洞的胶粘剂层及粘合膜层叠而成的标签如以下地评价扩张性。将标签的胶粘剂层在70℃1分钟加热并粘贴于厚度75μm的半导体晶片之后，固定于环形框，将半导体晶片切割成10mm×10mm的芯片。其后，仅使用粘合膜1B的胶粘片（实施例2、5、11、13及比较例1、6）通过气冷式高压汞灯（80W/cm、照射距离10cm）照射紫外线200mJ/cm2，通过芯片接合装置，由扩张量15mm、扩张速度30mm/sec将带半导体晶片胶粘片扩张，进行扩张性评价。扩张性评价是依据以下的评价基准，由○、×的2个等级进行评价。
○（良品）:粘合膜能不裂开地扩张
×（不良品）:在粘合膜确认到裂开
各实施例、比较例中的上述试验的结果如表1～5所示。
表1
表2
表3
表4
表5
如表1～3所示，实施例1～19中，将脱模膜贯通的贯通孔，设置在比胶粘剂层的预定粘贴被粘物的部分更靠外侧且包含与标签部的内侧对应的部分的位置，所以即使加大扩张量及速度仍可以良好地进行扩大。
且实施例1～13中，如表1、2所示，脱模膜及粘合膜的线膨胀率的差是250ppm/K以下，所以可以非常地良好地抑制气洞。实施例17～19中，如表3所示，脱模膜及粘合膜的线膨胀率的差超过250ppm/K，所以可见到空气的侵入。但是，因为贯通孔限定于以通过胶粘剂层的中心点且与脱模膜的长度方向垂直的直线a为基准从胶粘剂层的中心点至±60°的范围内进行设置，所以只是粘合膜与脱模膜之间残留若干空气，可以良好地抑制造成对晶片的粘贴不良的气洞。实施例14～16中，如表3所示，脱模膜及粘合膜的线膨胀率的差超过250ppm/K，所以空气的侵入被确认，且，贯通孔以通过胶粘剂层的中心点且与脱模膜的长度方向垂直的直线a为基准从胶粘剂层的中心点在±90°的范围内进行设置，所以空气的侵入量较多，在胶粘剂层与脱模膜之间也确认到。可见，空气进行的方向没有朝胶粘剂层12的外侧引导，是容易产生气洞的胶粘片，但由于贯通孔的气洞排出效果无法确认到气洞，因而成为允许范围的结果。
另一方面，如表4所示，比较例1中，因为未设有贯通孔，虽扩张性成为良好的结果，但是在胶粘剂层与粘合膜之间确认到气洞。且，如表4、5所示，比较例2～11中，因为是在粘合膜设置贯通孔，加大扩张量及速度进行扩张的话，粘合膜裂开。
另外，比较例2～6中，如表4所示，脱模膜及粘合膜的线膨胀率的差因为是250ppm/K以下，所以气洞的抑制非常地良好。另一方面，比较例9～11中，如表5所示，因为脱模膜及粘合膜的线膨胀率的差超过250ppm/K，所以粘合膜与脱模膜之间确认到若干空气，但是气洞未被确认到。比较例7、8中，如表5所示，脱模膜及粘合膜的线膨胀率的差超过250ppm/K，因此确认到空气的侵入，且，贯通孔以通过胶粘剂层的中心点且与脱模膜的长度方向垂直的直线a为基准从胶粘剂层的中心点至±90°的范围内进行设置，所以在胶粘剂层与脱模膜之间也确认到。
从这些的实施例及比较例可知，本发明的胶粘片，可以抑制在胶粘剂层与粘合膜之间产生气洞，减少对半导体晶片的粘贴不良，且即使在加大扩张量和/或扩张速度的情况下，粘合膜也不会裂开可以良好地扩张。
标号说明
10、10’：胶粘片
11：脱模膜
12：胶粘剂层
13：粘合膜
13a：圆形标签部
13b：周边部
14：贯通孔
15：预定粘贴被粘物的部分
16：支撑构件

Claims (7)

1.一种胶粘片，该胶粘片卷取为卷筒状，其具有：
长的脱模膜(11)；
胶粘剂层(12)，以标签状设置在所述脱模膜(11)上；及
粘合膜(13)，具有以将所述胶粘剂层(12)覆盖、且在所述胶粘剂层(12)的周围与所述脱模膜(11)接触的方式设置的标签部(13a)、及将所述标签部(13a)的外侧包围的周边部(13b)；
所述胶粘片的特征在于，将所述脱模膜(11)贯通的贯通孔(14)被设置于包含以下部分的位置，所述部分为：比所述胶粘剂层(12)的预定粘贴被粘物的部分(15)更靠外侧、且与所述标签部(13a)的内侧对应的部分，
所述被粘物为半导体晶片。
2.如权利要求1所述的胶粘片，其特征在于，所述脱模膜(11)与所述粘合膜(13)的线膨胀率之差为250ppm/K以下。
3.如权利要求1或2所述的胶粘片，其特征在于，所述贯通孔(14)以通过所述胶粘剂层(12)的中心点且与所述脱模膜(11)的长度方向垂直的直线为基准被设置在从所述胶粘剂层(12)的中心点至±60°以内的范围。
4.如权利要求1或2所述的胶粘片，其特征在于，
具有在所述粘合膜(13)的标签部(13a)的外侧沿长度方向设置的支撑构件(16)。
5.如权利要求1或2所述的胶粘片，其特征在于，
所述胶粘剂层(12)具有在将所述脱模膜(11)剥离后与欲粘贴所述胶粘剂层(12)的被粘物对应的平面形状。
6.如权利要求1或2所述的胶粘片，其特征在于，
所述粘合膜(13)具有在将所述脱模膜(11)剥离后与欲粘贴所述粘合膜(13)的被粘物对应的平面形状。
7.如权利要求1或2所述的胶粘片，其特征在于，
所述贯通孔(14)被设置在包含与所述胶粘剂层(12)的外缘部接触的部分的位置。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5158907B1 (ja) 2012-04-02 2013-03-06 古河電気工業株式会社 接着シート
JP6377513B2 (ja) * 2014-12-16 2018-08-22 株式会社ディスコ シート状部材
WO2018118832A1 (en) 2016-12-23 2018-06-28 Carbon, Inc. Adhesive sheet for securing 3d object to carrier platform and method of using same
US12068188B2 (en) * 2018-02-28 2024-08-20 Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. Component producing method, holding film, and holding tool forming device
US20200392378A1 (en) * 2019-06-17 2020-12-17 Richard William Schofield Adhesive tape with strip to help locate and lift the leading edge, and methods of manufacturing same
CN114437648A (zh) * 2022-02-22 2022-05-06 苏州佳值电子工业有限公司 一种省料分布式易剥离电池背胶及电子产品

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101814432A (zh) * 2009-02-20 2010-08-25 古河电气工业株式会社 晶片加工用薄膜
JP4785093B2 (ja) * 2010-03-08 2011-10-05 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープの長尺体
JP2012049474A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ加工用テープ

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5088126A (en) * 1990-04-26 1992-02-18 Mathis Richard M Disposable liner for protective head coverings
JP4666887B2 (ja) * 2003-03-03 2011-04-06 日立化成工業株式会社 接着シート及び接着剤つき半導体チップの製造方法
JP4677758B2 (ja) 2004-10-14 2011-04-27 日立化成工業株式会社 ダイボンドダイシングシート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法
JP5063026B2 (ja) * 2005-05-10 2012-10-31 リンテック株式会社 半導体ウエハ加工用シートおよび半導体ウエハの加工方法
JP4876451B2 (ja) 2005-06-27 2012-02-15 日立化成工業株式会社 接着シート
JP4999066B2 (ja) * 2006-12-20 2012-08-15 古河電気工業株式会社 ウェハ加工用テープ
EP2192611B9 (en) 2007-09-14 2012-08-15 Furukawa Electric Co., Ltd. Wafer processing tape
JP2009256458A (ja) * 2008-04-16 2009-11-05 Hitachi Chem Co Ltd 粘接着シート及び半導体装置の製造方法
JP5453894B2 (ja) * 2008-04-17 2014-03-26 日立化成株式会社 接着シート
USD628170S1 (en) 2008-07-16 2010-11-30 The Furukawa Electric Company Semiconductor wafer processing tape
USD621803S1 (en) 2008-07-16 2010-08-17 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor wafer processing tape
JP2012004944A (ja) * 2010-06-18 2012-01-05 Nec Corp テレビ電話装置、テレビ電話システム、テレビ電話方法及びテレビ電話制御プログラム
JP5716322B2 (ja) * 2010-08-30 2015-05-13 日立化成株式会社 ウェハ加工用テープ
JP5590136B2 (ja) 2010-10-15 2014-09-17 日立化成株式会社 ウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101814432A (zh) * 2009-02-20 2010-08-25 古河电气工业株式会社 晶片加工用薄膜
JP4785093B2 (ja) * 2010-03-08 2011-10-05 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープの長尺体
JP2012049474A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ加工用テープ

Also Published As

Publication number Publication date
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