JP2012049474A - ウェハ加工用テープ - Google Patents

Abstract

【課題】転写痕の発生を抑制できるウェハ加工用テープを提供する。
【解決手段】このウェハ加工用テープ１では、離型フィルム２と粘接着フィルム５の縁部７との重なり部分に複数の貫通穴８が形成されている。このため、フィルム同士の摩擦力が増加し、巻き取り圧を弱めた状態でウェハ加工用テープ１をロール状に巻いたとしても、巻きずれの発生を抑えることができる。巻き取り圧を弱めてウェハ加工用テープ１をロール状に巻くことで、転写痕Ｐの発生を抑えることが可能となり、粘接着剤層４と半導体ウェハとの接着不良といった不具合の発生を抑制でき、半導体チップの製造歩留まりを向上できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、ウェハ加工用テープに関する。

半導体チップの製造工程として、半導体ウェハを個々のチップに分離するダイシング工程、及び分離したチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着するダイボンディング工程がある。スタックドパッケージでは、ダイボンディング工程において半導体チップ同士を積層・接着する場合もある。このような半導体チップの製造工程では、ダイシング工程における半導体ウェハの固定や、ダイボンディング工程における半導体チップとリードフレーム等との接着に併用できるウェハ加工用テープの導入が進められている。

ウェハ加工用テープには、ウェハへの貼り付け時や、ダイシングの際のリングフレームへの取り付け時の作業性を考慮し、プリカット加工が施されたものがある。図１１は、プリカット加工された従来のウェハ加工用テープの一例を示す図である。また、図１２は、その平面図であり、図１３は、図１２におけるＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線断面図である。図１１〜図１３に示すように、ウェハ加工用テープ１０１は、離型フィルム１０２の一面側に、基材１０３及び粘接着剤層１０４からなる粘接着フィルム１０５を備え、通常はロール状に巻かれた状態となっている。

粘接着フィルム１０５は、半導体ウェハの形状に対応して円形に形成されたラベル部１０６と、ラベル部１０５から離間して離型フィルム１０２の幅方向の両端部にそれぞれ配置された縁部１０７，１０７とを有している。ラベル部１０６は、離型フィルム１０２の中心線に沿って所定の間隔で配列されている。

ウェハ加工用テープ１０１を用いて半導体ウェハをダイシングする場合、離型フィルム１０２から粘接着フィルム１０５のラベル部１０６のみを剥がし、図１４に示すように、粘着剤層１０４上に半導体ウェハ１１１の裏面側を貼り付ける。次に、ラベル部１０６の周縁部にリングフレーム１１２を粘着固定し、図１５に示すように、ブレード１１３によって半導体ウェハ１１１を切断して半導体チップ１１４を得る。そして、図１６に示すように、ラベル部１０６の裏面を突き上げピン１１５で押圧しながら、コレット１１６によって半導体チップ１１４をピックアップする。このとき、粘接着剤層１０４は、ラベル部１０６から剥離し、ピックアップされた半導体チップ１１４に付着した状態となる。この粘接着剤層１０４は、半導体チップ１１４をリードフレーム等に接着する際のダイボンディングフィルムとして機能する。

特開２００９−８８４８０号公報

ところで、上述した構成を有するウェハ加工用テープ１０１では、離型フィルム１０２上に粘接着フィルム１０５のラベル部１０６及び縁部１０７のいずれも配置されていない空隙部分が存在している。このため、ウェハ加工用テープ１０１が製品としてロール状に巻かれると、図１７に示すように、空隙部分に基づく痕（転写痕Ｐ）が柔軟な粘接着フィルム１０５の表面に転写される現象が生じてしまうことがある。

転写痕Ｐは、特に、粘接着剤フィルム１０５が柔らかい樹脂で形成される場合や厚みのある場合、或いはウェハ加工用テープ１０１の巻数が多い場合に顕著に発生すると考えられる。転写痕Ｐの発生は、例えば粘接着剤層１０４と半導体ウェハ１１１との接着不良といった不具合を招き、半導体チップ１１４の製造歩留まりの低下の原因となるおそれがある。

このような転写痕Ｐの発生を抑制するため、ウェハ加工用テープ１０１の巻き取り圧を弱くすることが考えられる。しかしながら、巻き取り圧を弱めると巻きずれが生じやすくなり、製品としてのウェハ加工用テープ１０１を使用するときに、例えばテープマウンタへのセットが困難になるといった問題が生じる場合がある。

また、例えば特許文献１では、離型フィルムの背面に支持テープを貼り付ける手法が採られている。しかしながら、この手法では、ウェハ加工用テープの全体の厚みが増して巻数が多くなるので、段取り工数が上昇するという問題がある。また、支持テープを導入することによる製造コストの増加も問題となる。

上記課題の解決のため、本発明に係るウェハ加工用テープは、半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられる長尺のウェハ加工用テープであって、テープの基部をなす離型フィルムと、離型フィルムの一面側に設けられ、当該離型フィルムの中心線に沿って所定の間隔で設けられたラベル部、及びラベル部から離間して離型フィルムの両脇に設けられた縁部からなる粘接着フィルムと、を備え、離型フィルムと粘接着フィルムの縁部との重なり部分に複数の貫通穴が形成されていることを特徴としている。

このウェハ加工用テープでは、離型フィルムと粘接着フィルムの縁部との重なり部分に複数の貫通穴が形成されている。このため、フィルム同士の摩擦力が増加し、巻き取り圧を弱めた状態でウェハ加工用テープをロール状に巻いたとしても、巻きずれの発生を抑えることができる。巻き取り圧を弱めてウェハ加工用テープをロール状に巻くことで、転写痕の発生を抑えることが可能となり、粘接着剤層と半導体ウェハとの接着不良といった不具合の発生を抑制でき、半導体チップの製造歩留まりを向上できる。

また、貫通穴１個当たりの面積が２００ｍｍ^２以下であることが好ましい。貫通穴の面積が過剰になると、巻き取り圧によって貫通穴の周辺に皺が生じやすくなり、この皺が転写痕を発生させてしまうおそれがある。したがって、貫通穴の面積を上記のように規定することで、皺による転写痕の発生を抑制できる。

また、貫通穴１個当たりの面積が５ｍｍ^２以上５０ｍｍ^２以下であることが好ましい。この範囲では、皺による転写痕の発生を一層確実に抑制できる。また、貫通穴の面積を５ｍｍ^２以上とすることで、フィルム同士の摩擦力を十分に確保できる。

また、貫通穴の総面積が縁部の総面積に対して０．５％以上１０％以下であることが好ましい。この範囲では、皺による転写痕の発生を抑制しつつ、フィルム同士の摩擦力を十分に確保できる。

また、離型フィルムを通る貫通穴の断面形状と、粘接着フィルムの縁部を通る貫通穴の断面形状とが同一であることが好ましい。この場合、一般的な抜き打ち加工機を用いて貫通穴を形成することが可能となり、製造コストが抑えられる。

また、離型フィルムのヤング率が２Ｇｐａ以上であることが好ましい。こうすると、貫通穴の周りの皺の発生を一層確実に抑えることができる。

また、ラベル部と縁部とが同一材料によって形成されていることが好ましい。この場合、プリカット加工において、粘接着フィルムを張り合わせる工程を簡略化できる。

また、粘接着フィルムが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びエポキシ基含有アクリル共重合体、及び１分子中に不飽和二重結合を少なくとも１個有するビニル化合物を必須成分として含有する粘接着剤層と、基材とによって構成されていることが好ましい。このような組成を用いると、接着性、電極の埋め込み性、ワイヤ埋め込み性などを好適に確保できる。また、ダイボンディングの際、突き上げハイト量を抑えてダイに過剰な応力をかけずにピックアップを行うことができ、かつ低温での接着や短時間での硬化が可能となる。さらに、封止剤でモールドした後の信頼性にも優れたものとなる。

本発明に係るウェハ加工用テープによれば、転写痕の発生を抑制できる。この結果、このウェハ加工用テープを用いて製造した半導体チップの歩留まりの向上が図られる。

本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す平面図である。 図１におけるＩＩ−ＩＩ線断面図である。 図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。 実施例１に係るウェハ加工用テープを示す平面図である。 実施例２に係るウェハ加工用テープを示す平面図である。 実施例３に係るウェハ加工用テープを示す平面図である。 実施例４に係るウェハ加工用テープを示す平面図である。 比較例２に係るウェハ加工用テープを示す平面図である。 比較例３に係るウェハ加工用テープを示す平面図である。 実施例及び比較例の評価試験結果を示す図である。 従来のウェハ加工用テープを示す斜視図である。 図１１に示したウェハ加工用テープの平面図である。 図１２におけるＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線断面図である。 半導体ウェハへのウェハ加工用テープの取り付け状態を示す図である。 ウェハ加工用テープを用いたダイシング工程を示す図である。 ウェハ加工用テープを用いたピックアップ工程を示す図である。 ウェハ加工用テープに現れるラベル痕の様子を示す図である。

以下、図面を参照しながら、本発明に係るウェハ加工用テープの好適な実施形態について詳細に説明する。

図１は、本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す平面図である。また、図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ線断面図であり、図３は、図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。図１〜図３に示すウェハ加工用テープ１は、半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられる長尺のテープであり、通常はロール状に巻かれた状態（図１１参照）となっている。

［ウェハ加工用テープの構成］
図１〜図３に示すように、ウェハ加工用テープ１は、プリカット加工されており、テープの基部をなす離型フィルム２と、離型フィルム２の一面側に設けられ、基材３及び粘接着剤層４とによって構成される粘接着フィルム５とを備えている。粘接着フィルム５は、半導体ウェハの形状に対応して離型フィルム２の中心線に沿って所定の間隔で円形に設けられたラベル部６と、ラベル部６から離間して離型フィルム２の両脇にそれぞれ設けられた縁部７，７とを有している。縁部７は、ラベル部６よりも脇側（外側）に位置する第１の部分７ａと、ラベル部６，６間に張り出す第２の部分７ｂとを有している。

ここで、図１及び図３に示すように、離型フィルム２と縁部７の第２の部分７ｂとの重ね合わせ部分には、テープの長手方向に沿って複数の貫通穴８が設けられている。この貫通穴８により、フィルム同士の摩擦力が増加し、巻き取り圧を弱めた状態でウェハ加工用テープ１をロール状に巻いたとしても、巻きずれの発生を抑えることができる。巻き取り圧を弱めてウェハ加工用テープ１をロール状に巻くことで、離型フィルム２上においてラベル部６及び縁部７のいずれも配置されていない空隙部分に基づく痕（転写痕Ｐ：図１７参照）の発生を抑えることが可能となる。これにより、粘接着剤層４と半導体ウェハとの接着不良といった不具合の発生を抑制でき、半導体チップの製造歩留まりを向上できる。

貫通穴８は、例えば公知の打ち抜き加工機を用いて形成され、離型フィルム２を通る貫通穴８の断面形状と、縁部７を通る貫通穴８の断面形状とが同一（図１に示す実施形態では円形）となっている。貫通穴８を加工する場所は、離型フィルム２と縁部７の第２の部分７ｂとの重ね合わせ部分のみとなっている。貫通穴８の形成方法に特に制限はないが、抜き打ち加工によって貫通穴８を形成する場合、加工コストの低減化が図られる。

貫通穴８の１個当たりの面積は、２００ｍｍ^２以下であることが好ましく、５ｍｍ^２以上５０ｍｍ^２以下であることがより好ましい。また、貫通穴８の総面積が縁部７の総面積に対して０．５％以上１０％以下であることが好ましい。貫通穴８の面積が過剰になると、巻き取り圧によって貫通穴８の周辺に皺が生じやすくなり、この皺が転写痕を発生させてしまうおそれがある。一方、貫通穴８の面積が不足すると、フィルム同士の摩擦力を増加させる効果が十分に得られなくなる。したがって、貫通穴８の面積を上記の範囲にすることで、皺による転写痕の発生を抑制しつつ、フィルム同士の摩擦力を十分に確保できる。そして、フィルム同士の摩擦力を十分に確保できることで、巻き取り圧を一層弱くした場合でもウェハ加工用テープ１の巻きずれを抑制でき、転写痕Ｐの発生をより確実に抑制できる。

［ウェハ加工用テープの構成素材］
離型フィルム２は、ヤング率が２Ｇｐａ以上となるように素材及び厚さが調整されている。こうすることで、ウェハ加工用テープ１を巻く際の離型フィルム２の伸びを防ぎ、貫通穴７の周りの皺の発生を一層確実に抑えることができる。離型フィルム２の素材には、公知の材料を用いることができるが、例示するのであれば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリ半芳香族エステルフィルム、全芳香族ポリエステルフィルム、液晶性芳香族ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルムなどが挙げられる。

粘接着剤フィルム５において、ラベル部６を構成する基材３及び粘接着剤層４と、縁部７を構成する基材３及び粘接着剤層４とは、例えば同一材料によって形成されている。こうすることで、プリカット加工において、粘接着フィルムを張り合わせる工程を簡略化できる。

基材３としては、ダイボンディング工程におけるエキスパンド時にフィルムの破断などが生じず、かつ均等に伸長する素材であり、ウェハラミネート時の熱によって収縮しない素材であれば特に制限なく用いることができる。このような素材としては、例えば結晶性ポリプロピレン、非晶性ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、低密度直鎖ポリエチレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂や、これらに可塑剤を混合した混合物、また、電子線照射により架橋を施した硬化物などが挙げられる。

粘接着剤層４は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びエポキシ基含有アクリル共重合体、及び１分子中に不飽和二重結合を少なくとも１個有するビニル化合物を必須成分として構成されている。このような組成を用いると、接着性、電極の埋め込み性、ワイヤ埋め込み性などを好適に確保できる。また、ダイボンディングの際、突き上げハイト量を抑えてダイに過剰な応力をかけずにピックアップを行うことができ、かつ低温での接着や短時間での硬化が可能となる。さらに、封止剤でモールドした後の信頼性にも優れたものとなる。

エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などの二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、多官能エポキシ樹脂や複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することもできる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。さらに、特性を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。

また、フェノール樹脂としては、例えばフェノール化合物と２価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得ることができるものであれば、特に制限はない。フェノール樹脂の製造に用いられるフェノール化合物としては、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ｎ−プロピルフェノール、ｍ−ｎ−プロピルフェノール、ｐ−ｎ−プロピルフェノール、ｏ−イソプロピルフェノール、ｍ−イソプロピルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｏ−ｎ−ブチルフェノール、ｍ−ｎ−ブチルフェノール、ｐ−ｎ−ブチルフェノール、ｏ−イソブチルフェノール、ｍ−イソブチルフェノール、ｐ−イソブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，４−キシレノール、２，６−キシレノール、３，５−キシレノール、２，４，６−トリメチルフェノール、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、４−メトキシフェノール、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−シクロヘキシルフェノール、ｏ−アリルフェノール、ｐ−アリルフェノール、ｏ−ベンジルフェノール、ｐ−ベンジルフェノール、ｏ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−ブロモフェノール、ｐ−ブロモフェノール、ｏ−ヨードフェノール、ｐ−ヨードフェノール、ｏ−フルオロフェノール、ｍ−フルオロフェノール、ｐ−フルオロフェノール等が例示される。これらのフェノール化合物は、単独で用いてもよく、二種類以上を混合して用いてもよい。

フェノール樹脂の製造に用いられる２価の連結基であるキシリレン化合物としては、次に示すキシリレンジハライド、キシリレンジグリコール及びその誘導体が用いることができる。すなわち、α，α′−ジクロロ−ｐ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｍ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｏ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｐ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｍ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｏ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｐ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｍ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｏ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−イソプロポキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジイソプロポキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジイソプロポキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｏ−キシレンを挙げることができる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。

上記したフェノール化合物とキシリレン化合物を反応させる際には、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の鉱酸類；ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機カルボン酸類；トリフロロメタンスルホン酸等の超強酸類；アルカンスルホン酸型イオン交換樹脂のような、強酸性イオン交換樹脂類；パーフルオロアルカンスルホン酸型イオン交換樹脂の様な、超強酸性イオン交換樹脂類（商品名：ナフィオン、Ｎａｆｉｏｎ、Ｄｕ Ｐｏｎｔ社製）；天然及び合成ゼオライト類；活性白土（酸性白土）類等の酸性触媒を用い、５０〜２５０℃において実質的に原料であるキシリレン化合物が消失し、且つ反応組成が一定になるまで反応させて得られる。反応時間は原料や反応温度にもよるが、おおむね１時間〜１５時間程度であり、実際には、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）等により反応組成を追跡しながら決定すればよい。

エポキシ基含有アクリル共重合体とは、エポキシ基含有アクリル共重合体は、エポキシ基を有するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを０．５〜６質量％含む。高い接着力を得るためには、０．５質量％以上が好ましく、６質量％以下であればゲル化を抑制できる。上記エポキシ基含有アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）としては、−５０℃以上６０℃以下、更には−１０℃以上３０℃以下であることが好ましい。

官能基モノマーとして用いるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの量は０．５〜６質量％の共重合体比である。つまり、本実施形態において、エポキシ基含有アクリル共重合体は、原料としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを、得られる共重合体に対し０．５〜６質量％となる量用いて得られた共重合体をいう。その残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数１〜８のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、およびスチレンやアクリロニトリルなどの混合物を用いることができる。これらの中でもエチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のＴｇを考慮して調整することが好ましい。

Ｔｇが−１０℃未満であるとＢステージ状態での接着剤層又はダイシングダイボンドシートのタック性が大きくなる傾向があり、取り扱い性が悪化することがある。重合方法は特に制限が無く、例えば、パール重合、溶液重合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。このようなエポキシ基含有アクリル共重合体としては、例えば、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（ナガセケムテックス株式会社製、商品名）が挙げられる。

エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量は１０万以上であり、この範囲であると接着性及び耐熱性が高く、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。３００万以下であると、フロー性が低下することにより、半導体素子を貼付ける支持部材に必要に応じて形成された配線回路への充填性が低下する可能性を減らすことができる。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。

また、１分子中に不飽和二重結合を少なくとも１個有するビニル化合物とは、その構造に特に制限はないが、具体的に例示するのであれば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、ベヘニル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）スクシネート等の脂肪族（メタ）アクリレート；シクロペンチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）テトラヒドロフタレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）ヘキサヒドロフタレート等の脂環式（メタ）アクリレート；ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ｏ−ビフェニル（メタ）アクリレート、１−ナフチル（メタ）アクリレート、２−ナフチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｐ−クミルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｏ−フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、１−ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、２−ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（ｏ−フェニルフェノキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（１−ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（２−ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレート；２−テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、Ｎ−（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、２−（メタ）アクリロイロキシエチル−Ｎ−カルバゾール等の複素環式（メタ）アクリレート、これらのカプロラクトン変性体、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）スクシネート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）フタレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）イソフタレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）テレフタレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）テトラヒドロフタレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）ヘキサヒドロフタレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）ヘキサヒドロイソフタレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）ヘキサヒドロテレフタレート、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、３−ビニル安息香酸、４−ビニル安息香酸、グリシジル（メタ）アクリレート、α−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α−ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α−エチル−６，７−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基を有する化合物；（２−エチル−２−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、（２−メチル−２−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、２−（２−エチル−２−オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、２−（２−メチル−２−オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、３−（２−エチル−２−オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート、３−（２−メチル−２−オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とオキセタニル基を有する化合物；２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネートなどのエチレン性不飽和基とイソシアネート基を有する化合物；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基を有する化合物；（メタ）アクリル酸、クロトン酸、ケイ皮酸、コハク酸（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）、２−フタロイルエチル（メタ）アクリレート、２−テトラヒドロフタロイルエチル（メタ）アクリレート、２−ヘキサヒドロフタロイルエチル（メタ）アクリレート、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、３−ビニル安息香酸、４−ビニル安息香酸等のエチレン性不飽和基とカルボキシル基を有する化合物当の単官能性重合性化合物や、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、３−メチル−１，５−ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、２−ブチル−２−エチル−１，３−プロパンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０−デカンジオールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノール（メタ）アクリレート、エトキシ化２−メチル−１，３−プロパンジオールジ（メタ）アクリレート等の脂肪族（メタ）アクリレート；シクロヘキサンジメタノール（メタ）アクリレート、エトキシ化シクロヘキサンジメタノール（メタ）アクリレート、プロポキシ化シクロヘキサンジメタノール（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化シクロヘキサンジメタノール（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノール（メタ）アクリレート、エトキシ化トリシクロデカンジメタノール（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリシクロデカンジメタノール（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化トリシクロデカンジメタノール（メタ）アクリレート、エトキシ化水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化水添ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化水添ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化水添ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート等の脂環式（メタ）アクリレート；エトキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡＦジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＡＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ビスフェノールＡＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレート；エトキシ化イソシアヌル酸ジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化イソシアヌル酸ジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化イソシアヌル酸ジ（メタ）アクリレート等の複素環式（メタ）アクリレート；これらのカプロラクトン変性体；ネオペンチルグリコール型エポキシ（メタ）アクリレートなどの脂肪族エポキシ（メタ）アクリレート；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ（メタ）アクリレート、水添ビスフェノールＡ型エポキシ（メタ）アクリレート、水添ビスフェノールＦ型エポキシ（メタ）アクリレートなどの脂環式エポキシ（メタ）アクリレート；レゾルシノール型エポキシ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ型エポキシ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＦ型エポキシ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡＦ型エポキシ（メタ）アクリレート、フルオレン型エポキシ（メタ）アクリレート等の芳香族エポキシ（メタ）アクリレートなどの２官能性重合性化合物、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の脂肪族（メタ）アクリレート；エトキシ化イソシアヌル酸トリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化イソシアヌル酸トリ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化イソシアヌル酸トリ（メタ）アクリレート等の複素環式（メタ）アクリレート；これらのカプロラクトン変性体；フェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等の芳香族エポキシ（メタ）アクリレートなどの多官能性重合性化合物が挙げられる。これらは１種又は２種以上を併用することもできる。

また、粘接着層４の成分には、必要に応じて、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩類などの硬化促進剤を添加しても良い。このような硬化促進剤としては具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは１種又は２種以上を併用することもできる。

また、粘接着層４の成分には、必要に応じて、紫外線や電子線により、不飽和結合に対して連鎖反応を開始しうる活性種を発生する光開始剤を添加しても良い。このような光開始剤の例としては、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オンなどのベンゾインケタール；１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オンなどのα−ヒドロキシケトン；２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、１，２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オンなどのα−アミノケトン；１−［（４−フェニルチオ）フェニル］−１，２−オクタジオン−２−（ベンゾイル）オキシムなどのオキシムエステル；ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキシド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシドなどのホスフィンオキシド；２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体などの２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体；ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’−テトラエチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−ジメチルアミノベンゾフェノンなどのベンゾフェノン化合物；２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルアントラキノンなどのキノン化合物；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテルなどのベンゾインエーテル；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾインなどのベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタールなどのベンジル化合物；９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９、９’−アクリジニルヘプタン）などのアクリジン化合物：Ｎ−フェニルグリシン、クマリンなどが挙げられる。また、前記２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体において、２つのトリアリールイミダゾール部位のアリール基の置換基は、同一で対称な化合物を与えてもよく、相違して非対称な化合物を与えてもよい。また。ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン化合物と３級アミンとを組み合わせてもよい。

さらに、粘接着層４の成分には、必要に応じて無機フィラーを添加することができる。具体的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカなどが挙げられ、これらは１種又は２種以上を併用することもできる。

以下、本発明の実施例について更に詳細に説明する。

［離型フィルム及び粘接着フィルムの作製］
粘接着フィルム５の作製にあたり、シクロヘキサノンに、ＨＴＲ−８６０−Ｐ３（ナガセケムテックス（株）製商品名、グリシジル基含有アクリルゴム、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：−７℃）７０質量部、ＨＴＲ−８６０−Ｐ３−３０万（ナガセケムテックス（株）製商品名、グリシジル基含有アクリルゴム、重量平均分子量：３０万、Ｔｇ：−７℃）３０質量部、ＹＤＣＮ−７０３（東都化成（株）製商品名、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２１０）５．９質量部、ＹＤＦ−８１７０（東都化成（株）製商品名、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１５７）１７．６質量部、プライオーフェンＬＦ２８８２（大日本インキ化学工業（株）製商品名、ビスフェノールＡノボラック樹脂）１６．６質量部、ＦＡ−７３１Ａ（日立化成工業（株）製商品名、トリス（2-アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート）４４質量部、イルガキュア９０７（チバスペシャリティーケミカルズ社製商品名、２−メチル−１（４−（メチルチオ）フェニル−２−モルフォリノプロパン−１−オン：Ｉ−９０７）１．５質量部を加えて攪拌混合し、さらに真空脱気することにより粘接着剤ワニスを得た。

次に、得られた粘接着剤ワニスを、離型処理が施され、かつヤング率が４ＧＰａである厚さ３５μｍ、幅３００ｍｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に、塗工幅が２９０ｍｍとなるよう塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が２０μｍのＢステージ状態の塗膜を形成した。そして、形成した塗膜上に、支持基材としての厚さ１００μｍの軟質ポリオレフィンフィルム（ロンシール社製、商品名：ＰＯＦ−１２０Ａ）を積層してラミネートした。こうして、離型フィルム２、及び基材３と粘接着層４とが積層された粘接着フィルム５を作製した。

［ウェハ加工用テープの作製］
ウェハ加工用テープの作製にあたっては、粘接着フィルム５に対して、離型フィルム２への切り込み深さが１０μｍ以下になるように調整して直径２７０ｍｍ及び直径２７７ｍｍの２つの円形プリカット加工を行った。次に、粘接着フィルム５に切り込まれた２つの同心円に挟まれた不要部を除去し、粘着フィルム５のラベル部６及び縁部７を形成した。これにより、貫通穴８を形成する前のウェハ加工用テープを得た。

［実施例１］
実施例１では、上記のウェハ加工用テープにおいて、図４に示すように、離型フィルム２と縁部７の第２の部分７との重ね合わせ部分に、幅１０ｍｍ、長さ２０ｍｍの長方形の貫通穴８Ａを、接着剤層３２箇所当たり計１６箇所左右対称に設け、ウェハ加工用テープ１Ａを得た。重量から算出した縁部７の総面積は３９０００ｍｍ^２であり、貫通穴８Ａの１個当たりの面積は２００ｍｍ^２であり、縁部６の総面積に対する貫通穴８Ａの総面積の割合は８．２％であった。

［実施例２］
実施例２では、上記のウェハ加工用テープにおいて、図５に示すように、離型フィルム２と縁部７の第２の部分７ｂとの重ね合わせ部分に、幅５ｍｍ、長さ１０ｍｍの長方形の貫通穴８Ｂを、接着剤層３２箇所当たり計１６箇所左右対称に設け、ウェハ加工用テープ１Ｂを得た。重量から算出した縁部７の総面積は３９０００ｍｍ^２であり、貫通穴８Ｂの１個当たりの面積は５０ｍｍ^２であり、縁部７の総面積に対する貫通穴８Ｂの総面積の割合は５．４％であった。

［実施例３］
実施例３では、上記のウェハ加工用テープにおいて、図６に示すように、離型フィルム２と縁部７の第２の部分７ｂとの重ね合わせ部分に、短軸長さ２ｍｍ、長軸長さ３ｍｍの楕円形の貫通穴８Ｃを、接着剤層３２箇所当たり計９６箇所左右対称に設け、ウェハ加工用テープ１Ｃを得た。重量から算出した縁部７の総面積は３９０００ｍｍ^２であり、貫通穴８Ｃの１個当たりの面積は１８．８４ｍｍ^２であり、縁部７の総面積に対する貫通穴８Ｃの総面積の割合は４．６％であった。

［実施例４］
実施例４では、上記のウェハ加工用テープにおいて、図７に示すように、離型フィルム２と縁部７の第２の部分７ｂとの重ね合わせ部分に、幅２ｍｍ、長さ５ｍｍの長方形の貫通穴８Ｄを、接着剤層３２箇所当たり計２０箇所左右対称に設け、ウェハ加工用テープ１Ｄを得た。重量から算出した縁部７の総面積は３９０００ｍｍ^２であり、貫通穴８Ｄの１個当たりの面積は１０ｍｍ^２であり、縁部７の総面積に対する貫通穴８Ｄの総面積の割合は０．５１％であった。

［比較例１］
比較例１では、貫通穴を設けずに上記のウェハ加工用テープをそのままウェハ加工用テープ１０Ａとした。

［比較例２］
比較例２では、上記のウェハ加工用テープにおいて、図８に示すように、離型フィルム２と縁部７の第２の部分７ｂとの重ね合わせ部分に、幅１０ｍｍ、長さ３０ｍｍの長方形の貫通穴１８Ｂを、接着剤層３２箇所当たり計１６箇所左右対称に設け、ウェハ加工用テープ１０Ｂを得た。重量から算出した縁部７の総面積は３９０００ｍｍ^２であり、貫通穴１８Ｂの１個当たりの面積は３００ｍｍ^２であり、縁部７の総面積に対する貫通穴１８Ｂの総面積の割合は１２．３％であった。

［比較例３］
比較例３では、上記のウェハ加工用テープにおいて、図９に示すように、離型フィルム２と縁部７の第２の部分７ｂとの重ね合わせ部分に、直径２ｍｍの円形の貫通穴１８Ｃを、接着剤層３２箇所当たり計１６箇所左右対称に設け、ウェハ加工用テープ１０Ｃを得た。重量から算出した縁部７の総面積は３９０００ｍｍ^２であり、貫通穴１８Ｃの１個当たりの面積は３．１４ｍｍ^２であり、縁部７の総面積に対する貫通穴１８Ｃの総面積の割合は０．１２％であった。

［評価試験］
上述した実施例１〜４及び比較例１〜３の各サンプルを、ラベル部６が１００箇所分配置される長さで用意し、これを３インチのプラスチック製コアに巻き取り圧１ｋｇｆにて巻いて、５℃で１ヶ月間保存した。その後、各サンプルの外観（貫通穴周りの皺）、巻きずれ、及び転写痕について観察した。判定基準は以下のとおりである。

外観の判定：
◎：全体に皺がなく良好
○：縁部に僅かに皺があるが、実用上問題なし
×：部分的に皺が発生
巻きずれの判定：
◎：巻きずれが発生せず良好
○：僅かに巻きずれが発生するが、実用上問題なし
×：巻きずれが酷く、ハンドリングに難あり
転写痕の判定：
◎：転写痕は発生せず
○：僅かに転写痕が見られるが、実用上問題なし
×：全面に明らかな転写痕がみられる

図１０は、評価試験の結果を示す図である。同図に示すように、実施例１〜４では、外観、巻きずれ、転写痕の全ての項目で良好な結果が得られている。これに対し、離型フィルム２と縁部７の第２の部分７ｂとの重ね合わせ部分に貫通穴を設けない比較例１では、巻きズレ及び転写痕が生じ、貫通穴の面積が過剰となっている比較例２では、皺の発生が顕著であった。また、貫通穴の面積が不足している比較例３では、皺の発生は見られないものの、比較例１と同様に巻きズレ及び転写痕が生じた。

１…ウェハ加工用テープ、２…離型フィルム、３…基材、４…粘接着剤層、５…粘接着フィルム、６…ラベル部、７…縁部、７ａ…第１の部分、７ｂ…第２の部分、８…貫通穴。

Claims (8)

1. 半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられる長尺のウェハ加工用テープであって、
   テープの基部をなす離型フィルムと、
   前記離型フィルムの一面側に設けられ、当該離型フィルムの中心線に沿って所定の間隔で設けられたラベル部、及び前記ラベル部から離間して前記離型フィルムの両脇に設けられた縁部からなる粘接着フィルムと、を備え、
   前記離型フィルムと前記粘接着フィルムの前記縁部との重なり部分に複数の貫通穴が形成されていることを特徴とするウェハ加工用テープ。
2. 前記貫通穴１個当たりの面積が２００ｍｍ^２以下であることを特徴とする請求項１記載のウェハ加工用テープ。
3. 前記貫通穴１個当たりの面積が５ｍｍ^２以上５０ｍｍ^２以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のウェハ加工用テープ。
4. 前記貫通穴の総面積が前記縁部の総面積に対して０．５％以上１０％以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載のウェハ加工用テープ。
5. 前記離型フィルムを通る前記貫通穴の断面形状と、前記粘接着フィルムの前記縁部を通る前記貫通穴の断面形状とが同一であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載のウェハ加工用テープ。
6. 前記離型フィルムのヤング率が２Ｇｐａ以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載のウェハ加工用テープ。
7. 前記ラベル部と前記縁部とが同一材料によって形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載のウェハ加工用テープ。
8. 前記粘接着フィルムが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びエポキシ基含有アクリル共重合体、及び１分子中に不飽和二重結合を少なくとも１個有するビニル化合物を必須成分として含有する粘接着剤層と、基材とによって構成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載のウェハ加工用テープ。
   

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