WO2020230209A1 - ピックアップ性の評価方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの評価方法及び選別方法、並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents

ピックアップ性の評価方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの評価方法及び選別方法、並びに半導体装置の製造方法 Download PDF

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dicing
chip
adhesive
die bonding
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強 田澤
尚弘 木村
恵介 大久保
義信 尾崎
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    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
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    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
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    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
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    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • the present disclosure relates to a pick-up property evaluation method, a dicing / die bonding integrated film, a dicing / die bonding integrated film evaluation method and a sorting method, and a semiconductor device manufacturing method.
  • the dicing step is carried out with the adhesive film for dicing attached to the wafer.
  • an expanding step, a picking step, a mounting step, a die bonding step and the like are carried out.
  • a film called a dicing / die bonding integrated film is used (see Patent Documents 1 and 2).
  • This film has a structure in which a base material layer, an adhesive layer, and an adhesive layer are laminated in this order, and is used, for example, as follows.
  • the surface on the adhesive layer side is attached to the wafer, and the wafer is diced with the wafer fixed by the dicing ring. As a result, the wafer is fragmented into a large number of chips.
  • the chip is separated from the adhesive layer together with the adhesive piece obtained by separating the adhesive layer. Pick up.
  • the semiconductor device is manufactured through a step of mounting the chip on a substrate or the like via an adhesive piece.
  • a laminate of a chip and an adhesive piece is referred to as a "chip with an adhesive piece”.
  • the adhesive layer (dicing film) whose adhesive strength is weakened by irradiation with ultraviolet rays is called a UV curable type.
  • a pressure-sensitive adhesive layer in which the adhesive strength remains constant without being irradiated with ultraviolet rays is called a pressure-sensitive type.
  • the dicing / die bonding integrated film having a pressure-sensitive adhesive layer does not require a process of irradiating ultraviolet rays for users (mainly semiconductor device manufacturers), and does not require equipment for this purpose. There are merits.
  • Patent Document 3 can be said to be a UV curable type in that the pressure-sensitive adhesive layer contains a component that is cured by ultraviolet rays, while only a predetermined portion of the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with ultraviolet rays in advance, and the user can use the semiconductor device.
  • a dicing die bond film which can be said to be a pressure sensitive type in that it does not need to be irradiated with ultraviolet rays in the manufacturing process.
  • the adhesive layer of the dicing / die bond integrated film is required to have high adhesive strength to the adhesive layer and the dicing ring in the dicing process. If the adhesive strength of the adhesive layer is insufficient, peeling occurs between the adhesive layer and the adhesive layer as the dicing blade rotates at high speed, and the chip with the adhesive piece flies (hereinafter referred to as "DAF jump"). DAF is a die attach film), or a phenomenon in which the dicing ring is peeled off from the adhesive layer due to the flow of cutting water (hereinafter, this phenomenon is referred to as "ring peeling”) occurs.
  • the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer to the adhesive layer is required to be low to some extent from the viewpoint of excellent pick-up property. If the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer is excessively strong, the chip with the adhesive piece does not peel off from the pressure-sensitive adhesive layer, resulting in poor pickup or cracking of the chip, resulting in a decrease in yield.
  • the present inventors exhibit a peculiar pickup behavior in the subsequent pickup step from the conventional knowledge. I found that. That is, if a chip having a relatively large size (for example, 8 mm in length ⁇ 6 mm in width) is the pickup target, the pickup target is small even if the adhesive strength of the adhesive layer is reduced to the extent that excellent pickup performance can be achieved. In the case of a chip, there was a phenomenon that the pick-up property was insufficient.
  • edge peeling the peeling of the edge of the chip from the adhesive layer. I got the knowledge. In the case of a chip having a relatively large size, it is presumed that the peeling of the interface between the chip surface and the adhesive layer rather than the edge of the chip is the dominant factor in the pick-up property.
  • the present disclosure provides an evaluation method and a selection method of a dicing / die bonding integrated film in consideration of the influence of edge peeling of a small chip (area 9 mm 2 or less). Further, the present disclosure provides a method for evaluating pick-up property in consideration of the influence of edge peeling of small chips, and a method for manufacturing a dicing / die-bonding integrated film having excellent pick-up property for small chips and a semiconductor device using the same. To do.
  • One aspect of the present disclosure relates to an evaluation method for a dicing / die bonding integrated film.
  • This evaluation method is for evaluating the pickability of a dicing / die bonding integrated film applied to a semiconductor device manufacturing process including a step of fragmenting a wafer into a plurality of chips having an area of 9 mm 2 or less.
  • This evaluation method includes the following steps (A) to (D), and when the edge peeling strength measured in the step (D) exceeds 1.2 N, the dicing / die bonding integrated film has poor pick-up property. It is determined that there is.
  • Step of preparing a die-bonding integrated film to be evaluated having the adhesive layer A silicon wafer having a thickness of 50 ⁇ m is attached to the adhesive layer, and the second surface of the adhesive layer is covered with a silicon wafer.
  • a step of attaching a dicing ring C) a step of separating the silicon wafer and the adhesive layer into a plurality of chips with adhesive pieces to obtain a square chip with adhesive pieces having a side length of 2 mm
  • D Temperature 23 ° C. In the step of pushing the central portion of the chip with adhesive piece from the base material layer side at a speed of 60 mm / min and measuring the edge peeling strength when the edge of the chip with adhesive piece is peeled from the adhesive layer.
  • the evaluation method of the present disclosure is not limited to the one in which the edge peeling strength is measured as described above and the dicing / die bonding integrated film is evaluated based on the result, and the pickability of the chip in the manufacturing process of the semiconductor device is limited. May be the evaluation target.
  • the evaluation method according to one aspect of the present disclosure includes the following steps. (I) Step of preparing a laminate having at least a base material layer, an adhesive layer, and a wafer having a thickness of 10 to 100 ⁇ m in this order (ii) Individualizing the wafer into a plurality of chips having an area of 9 mm 2 or less. Step (iii) A step of pushing the central portion of the chip from the base material layer side and measuring the edge peeling strength when the edge of the chip is peeled from the adhesive layer.
  • a laminate having an adhesive layer is prepared between the pressure-sensitive adhesive layer and the wafer in the above step (i), a plurality of bonding of the semiconductor wafer and the adhesive layer in an area of 9 mm 2 or less in the above-mentioned step (ii).
  • the edge peeling strength when the central portion of the adhesive pieces with adhesive pieces is pushed in from the base material layer side and the edges of the adhesive pieces with adhesive pieces are peeled off from the adhesive layer. Should be measured.
  • a laminate having an adhesive layer between the adhesive layer and the wafer can be obtained, for example, by laminating a dicing / die bonding integrated film on the wafer.
  • This dicing / die bonding integrated film comprises a base material layer, a pressure-sensitive adhesive layer having a first surface facing the base material layer and a second surface on the opposite side thereof, and a second surface of the pressure-sensitive adhesive layer. It is provided with an adhesive layer provided so as to cover the central portion, and the edge peel strength measured through the following steps is 1.2 N or less.
  • ⁇ Measurement of edge peel strength> A process in which a silicon wafer with a thickness of 50 ⁇ m is attached to the adhesive layer and a dicing ring is attached to the second surface of the adhesive layer.-The silicon wafer and the adhesive layer are individually attached to a plurality of chips with adhesive pieces. Step to obtain a square chip with adhesive piece with a side length of 2 mm ⁇ At a temperature of 23 ° C, push the central part of the chip with adhesive piece from the base material layer side at a speed of 60 mm / min, and the edge of the chip with adhesive piece becomes Step to measure edge peeling strength when peeling from adhesive layer
  • the edge peeling strength of the chip with adhesive piece (size: 2 mm ⁇ 2 mm) is sufficiently low at 1.2 N or less, so the wafer is individualized into a plurality of chips with an area of 9 mm 2 or less. It can be suitably applied to a semiconductor device manufacturing process including a step of performing. Further, when the adhesive layer is separated together with the wafer by blade dicing, burrs are likely to occur on the edge of the adhesive layer, and the edge peeling strength of the chip with the adhesive piece tends to be high.
  • the edge peeling strength of the chips with adhesive pieces is preferably 1.2 N or less.
  • the following technical means may be appropriately adopted. -By making the adhesive layer relatively high in viscosity (high elasticity) or thin (for example, 60 ⁇ m or less), the machinability of the adhesive layer during blade dicing is improved. -By changing the amount of the components of the pressure-sensitive adhesive layer (for example, a cross-linking agent or a photopolymerization initiator), the pressure-sensitive adhesive layer is made relatively highly elastic and the adhesive strength is adjusted. -Reduce the breaking elongation of the base material layer. -Thicken the adhesive layer (for example, 30 ⁇ m or more) so as not to cut into the base material layer during blade dicing.
  • One aspect of the present disclosure relates to a method for manufacturing a semiconductor device.
  • This manufacturing method is applied to a step of preparing a dicing / die bonding integrated film having an edge peeling strength of 1.2 N or less measured as described above and an adhesive layer of the dicing / die bonding integrated film.
  • this method for manufacturing a semiconductor device it is easy to achieve excellent pick-up property of a chip with an adhesive piece, and the semiconductor device can be manufactured with a sufficiently high yield.
  • One aspect of the present disclosure relates to a method for selecting a dicing / die bonding integrated film.
  • This sorting method includes comparing the edge peeling strengths of two or more types of dicing / die bonding integrated films to determine the superiority or inferiority of the pickability of two or more types of dicing / die bonding integrated films. According to this sorting method, a dicing / die bonding integrated film capable of producing a semiconductor device with a high yield can be efficiently sorted.
  • FIG. 1A is a plan view showing an embodiment of a dicing / diebonding integrated film
  • FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along the line BB shown in FIG. 1A
  • 2 (a) to 2 (c) are cross-sectional views schematically showing a step of measuring the edge peeling strength.
  • FIG. 3 is a graph showing an example of the relationship between the displacement (mm) due to pushing and the pushing force (N).
  • FIG. 4 is a plan view schematically showing a state in which a mark is added at a position corresponding to the central portion of the chip to be measured.
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing an example of an edge peeling strength measurement area.
  • FIG. 1A is a plan view showing an embodiment of a dicing / diebonding integrated film
  • FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along the line BB shown in FIG. 1A.
  • 2 (a) to 2 (c) are cross-sectional views schematically showing
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing how the 30 ° peel strength of the adhesive layer with respect to the adhesive layer is measured.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of an embodiment of the semiconductor device. 8 (a) to 8 (d) are cross-sectional views schematically showing a process of manufacturing a chip with an adhesive piece.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a process of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 7.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a process of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 7.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a process of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 7.
  • (meth) acrylic acid means acrylic acid or methacrylic acid
  • (meth) acrylate means acrylate or the corresponding methacrylate
  • a or B may include either A or B, or both.
  • the term “layer” includes not only a structure having a shape formed on the entire surface but also a structure having a shape partially formed when observed as a plan view.
  • the term “process” is used not only as an independent process but also as a term as long as the desired action of the process is achieved even when it cannot be clearly distinguished from other processes. included.
  • the numerical range indicated by using "-” indicates a range including the numerical values before and after "-" as the minimum value and the maximum value, respectively.
  • the content of each component in the composition is the total amount of the plurality of substances present in the composition unless otherwise specified, when a plurality of substances corresponding to each component are present in the composition.
  • the exemplary materials may be used alone or in combination of two or more unless otherwise specified.
  • the upper limit value or the lower limit value of the numerical range of one step may be replaced with the upper limit value or the lower limit value of the numerical range of another step.
  • the upper limit value or the lower limit value of the numerical range may be replaced with the value shown in the examples.
  • FIG. 1A is a plan view showing a dicing / diebonding integrated film according to the present embodiment
  • FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along the line BB of FIG.
  • the dicing / die bonding integrated film 10 (hereinafter, sometimes simply referred to as “film 10”) includes a dicing step of separating the wafer W into a plurality of chips having an area of 9 mm 2 or less, and a subsequent pick-up step. It is applied to the manufacturing process of a semiconductor device (see FIGS. 8 (c) and 8 (d)).
  • the film 10 has a base material layer 1, a pressure-sensitive adhesive layer 3 having a first surface F1 facing the base material layer 1 and a second surface F2 on the opposite side thereof, and a second surface F2 of the pressure-sensitive adhesive layer 3.
  • An adhesive layer 5 provided so as to cover the central portion of the above is provided in this order.
  • the square base material layer 1 is illustrated, but the base material layer 1 may be circular and have the same size as the pressure-sensitive adhesive layer 3.
  • the base material layer 1 has a predetermined length
  • the laminated body of the adhesive layer 3 and the adhesive layer 5 may be arranged at predetermined intervals so as to have (100 m or more) and line up in the longitudinal direction thereof.
  • the film 10 has an edge peeling strength of 1.2 N or less.
  • the edge peel strength is measured through the following steps. ⁇ Measurement of edge peel strength> A step of attaching a silicon wafer Ws having a thickness of 50 ⁇ m to the adhesive layer 5 and attaching a dicing ring DR to the second surface F2 of the adhesive layer 3 (see FIG. 2A). -A step of separating the silicon wafer Ws and the adhesive layer 5 into a plurality of chips Ta with adhesive pieces (hereinafter, may be simply referred to as "chip Ta") (see FIG. 2B).
  • the edge peel strength of the film 10 is 1.2 N or less, it is evaluated that the film 10 is suitable for the dicing step of individualizing the wafer into a plurality of small chips having an area of 9 mm 2 or less and the subsequent pick-up step. can do.
  • the upper limit of the edge peeling strength of the film 10 may be 1.1N or 0.9N, and the lower limit may be, for example, 0.1N and 0.15N or 0.2N.
  • the chip Ta is composed of the chip Ts and the adhesive piece 5p.
  • the step of separating the silicon wafer Ws and the adhesive layer 5 into a plurality of chips Ta may be carried out, for example, by blade dicing under the following conditions.
  • the types of blades are blades manufactured by DISCO Co., Ltd. in order to ensure the processing quality of chips and to suppress cutting chips (burrs) generated from the adhesive layer 5, the adhesive layer 3 and the base material layer 1. If there is, it is preferable to use a blade having a fine particle size of # 4000 to # 4800.
  • silicon wafers Ws with a thickness of 50 ⁇ m are as follows. For example, when the thickness of a silicon wafer is 30 ⁇ m or less, problems such as chip chipping and chip cracking are likely to occur when individualizing by blade dicing. In addition to this, the chip may crack when measuring the edge peel strength. On the other hand, for example, when the thickness of the silicon wafer is 80 ⁇ m or more, it may be necessary to apply a step cut when individualizing by blade dicing, which makes it difficult to select the blade and set the conditions. In addition to this, if the chip is thick, the chip is less likely to bend when measuring the edge peeling strength, so that the edge peeling property is improved and the difference between the films may be less likely to occur. Further, since semiconductor wafers have been thinned in recent years, silicon wafers having a thickness of 50 ⁇ m are used in order to match market trends.
  • the reason why the size of the tip Ta with adhesive piece was set to 2 mm x 2 mm is as follows. For example, when the size of the tip Ta with adhesive pieces is 1 mm ⁇ 1 mm, the distance between the center of the tip (the place where the pressing force is applied to the tip) and the edge is too close, so that the edge peelability is improved and the film is separated from each other. It may be difficult to make a difference. In addition to this, it is difficult to mark the central part of the chip because the chip is too small, and there is a possibility that a measurement error may occur due to misalignment in visual inspection without marking.
  • the pressing force due to pushing is transmitted because the distance between the center and the edge of the tip is too large when measuring the peel strength of the tip edge. It becomes difficult to measure the edge peeling strength accurately. In addition to this, a large amount of pushing is required to peel off the edge, which may cause the chip to bend significantly and crack the chip during measurement.
  • the edge peeling strength may be measured under the following conditions using the following devices and the like.
  • FIG. 3 is a graph showing an example of the relationship between the displacement (mm) due to pushing and the pushing force (N).
  • the pushing force temporarily decreases, and a change point occurs in the graph.
  • the value of the pushing force at this change point is defined as the edge peeling strength.
  • the pushing speed is preferably 60 to 1200 mm / min (1 to 20 mm / sec) in the sense of matching with the actual pickup conditions. For example, if the pushing speed is too fast, it takes time to stop pushing after the edge is peeled off. An excessive pressing force is applied to the sample, and the chips around the chip to be measured may be peeled off or the base material layer may be torn, which may adversely affect the subsequent measurement. Therefore, the pushing speed as low as possible was selected within the above range.
  • FIG. 4 is a plan view schematically showing a state in which a mark M is attached to a position corresponding to the central portion of the chip to be measured. In this figure, three chips are spaced between the two chips Ta to be measured.
  • the silicon wafer Ws is a 12-inch wafer
  • the measurement area A is not limited to the position shown in FIG. 5, and may be, for example, the upper side, the left side, or the right side in FIG. 5 as long as there is a predetermined distance from the end portion of the wafer Ws.
  • the pick-up property may be evaluated by actually picking up the same sample using a die bonder device. In this case, it is preferable to measure the edge peeling strength first. Pickup using a die bonder device is usually performed with the base film expanded. After the expanded state is released, the slack of the base material layer 1 due to the expansion may not be restored, and it may be difficult to accurately measure the edge peeling strength.
  • base material layer As the base material layer 1, a known polymer sheet or film can be used, and there is no particular limitation as long as the expanding step can be carried out even under low temperature conditions.
  • the polymer constituting the base material layer crystalline polypropylene, amorphous polypropylene, high density polyethylene, medium density polyethylene, low density polyethylene, ultra low density polyethylene, low density linear polyethylene, polybutene, poly Polyethylene such as methylpentene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer Combined, ethylene-hexene copolymer, polyurethane, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate and other polyesters, polycarbonate, polyimide, polyether ether ketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, total
  • the base material layer 1 has a surface containing at least one resin selected from polyethylene, polypropylene, a polyethylene-polypropylene random copolymer, and a polyethylene-polypropylene block copolymer as a main component, and this surface and the pressure-sensitive adhesive layer 3 Are preferably in contact with each other.
  • These resins are good base materials from the viewpoints of properties such as Young's modulus, stress relaxation property and melting point, as well as price and waste material recycling after use.
  • the base material layer 1 may be a single layer, but may have a multilayer structure in which layers made of different materials are laminated, if necessary.
  • the surface of the base material layer 1 may be subjected to a surface roughness treatment such as a matte treatment or a corona treatment.
  • the thickness of the base material layer 1 is, for example, 10 to 200 ⁇ m, and may be 20 to 180 ⁇ m or 30 to 150 ⁇ m.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 includes a first region 3a including at least a region Rw corresponding to a bonding position of the silicon wafer Ws in the adhesive layer 5, and a second region 3b located so as to surround the first region 3a.
  • the broken lines in FIGS. 1 (a) and 1 (b) indicate the boundary between the first region 3a and the second region 3b.
  • the first region 3a and the second region 3b consist of the same composition before irradiation with active energy rays.
  • the first region 3a is a region in which the adhesive strength is reduced as compared with the second region 3b by being irradiated with active energy rays such as ultraviolet rays.
  • the second region 3b is a region to which the dicing ring DR is attached (see FIG. 2A).
  • the second region 3b is a region not irradiated with active energy rays and has a high adhesive force to the dicing ring DR.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be appropriately set according to the conditions (temperature, tension, etc.) of the expanding step, and may be, for example, 1 to 200 ⁇ m, 5 to 50 ⁇ m, or 15 to 45 ⁇ m. If the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is less than 1 ⁇ m, the adhesiveness tends to be insufficient, and if it exceeds 200 ⁇ m, the calf width is narrow during expansion (stress is relaxed when the pin is pushed up), and pickup tends to be insufficient. ..
  • the adhesive force of the first region 3a to the adhesive layer 5 is preferably 1.2 N / mm or more and 4.5 N / 25 mm or less.
  • This adhesive strength is a 30 ° peel strength measured under the conditions of a peeling angle of 30 ° and a peeling speed of 60 mm / min at a temperature of 23 ° C.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing how the 30 ° peel strength of the adhesive layer 3 is measured with the adhesive layer 5 of the measurement sample (width 25 mm ⁇ length 100 mm) fixed to the support plate 80. Is.
  • the lower limit of the adhesive strength may be 1.5 N / 25 mm or 2.0 N / 25 mm, and the upper limit may be 3.5 N / 25 mm or 2.5 N / 25 mm.
  • the present inventors have focused on the difference between the pickup behavior of a small chip having an area of 9 mm 2 or less and the pickup behavior of a large chip having a size of, for example, about 8 mm ⁇ 6 mm.
  • the interface between the adhesive layer and the adhesive piece from the edge of the chip toward the center as the pin rises.
  • the peeling progresses, if the 30 ° peel strength of the first region 3a with respect to the adhesive layer is larger than 1.2 N / 25 mm, the interfacial peeling cannot keep up with the rise of the pin, and the tip is excessively deformed to crack or pick up. It is easy to make mistakes.
  • the pick-up property of a large chip is mainly controlled by the interfacial peeling between the adhesive layer 3 and the adhesive piece, and the adhesive force of the adhesive layer with respect to the adhesive layer should be set to, for example, less than 1.2 N / 25 mm.
  • the inventors have found.
  • the pick-up property of the small chip is mainly dominated by the peeling of the edge portion of the chip with the adhesive piece, and once the edge part is peeled off by pushing up with the pin, the adhesive layer 3 and the adhesive piece 5p are subsequently peeled off.
  • the present inventors have found that the interfacial delamination progresses smoothly.
  • the first region 3a has an adhesive force in the above range with respect to the adhesive layer 5, and is formed by irradiation with active energy rays.
  • the present inventors have found that reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 3 by irradiation with active energy rays affects the edge peeling strength of a chip with an adhesive piece. That is, if the adhesive strength of the first region 3a is excessively reduced by irradiation with active energy rays, the 30 ° peel strength of the first region 3a with respect to the adhesive layer 5 becomes low, but the pickup target is small. In the case of a chip, the edge of the chip with the adhesive piece tends to be difficult to peel off, and the chip is likely to be excessively deformed to cause cracking or pick-up error.
  • the adhesive force of the first region 3a with respect to the adhesive layer 5 is preferably one in which the adhesive force before irradiation with the active energy ray is not excessively reduced, whereby the adhesive piece having an area of 9 mm 2 or less is attached. Even if it is a chip, its edge is easily peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer 3 (first region 3a).
  • the adhesion of the first region 3a of the pressure-sensitive adhesive layer 3 3a The force can be adjusted.
  • the adhesive strength of the second region 3b to the stainless steel substrate is preferably 0.2 N / 25 mm or more.
  • This adhesive strength is a 90 ° peel strength measured under the conditions of a peeling angle of 90 ° and a peeling speed of 50 mm / min at a temperature of 23 ° C.
  • This adhesive force is 0.2 N / 25 mm or more, it is possible to sufficiently suppress ring peeling during dicing.
  • the lower limit of the adhesive strength may be 0.3 N / 25 mm or 0.4 N / 25 mm, and the upper limit may be, for example, 2.0 N / 25 mm and 1.0 N / 25 mm.
  • the pressure-sensitive adhesive layer before irradiation with active energy rays is composed of, for example, a pressure-sensitive adhesive composition containing a (meth) acrylic resin, a photopolymerization initiator, and a cross-linking agent.
  • the second region 3b which is not irradiated with the active energy ray, has the same composition as the pressure-sensitive adhesive layer before the irradiation with the active energy ray.
  • the components contained in the pressure-sensitive adhesive composition will be described in detail.
  • the pressure-sensitive adhesive composition preferably contains a (meth) acrylic resin having a chain-polymerizable functional group, and the functional group is preferably at least one selected from an acryloyl group and a methacryloyl group.
  • the content of the functional group in the pressure-sensitive adhesive layer before irradiation with active energy rays is, for example, 0.1 to 1.2 mmol / g, and 0.3 to 1.0 mmol / g or 0.5 to 0.8 mmol / g. It may be g.
  • the content of the functional group is 0.1 mmol / g or more, it is easy to form a region (first region 3a) in which the adhesive strength is appropriately reduced by irradiation with active energy rays, while 1.2 mmol / g / g. When it is g or less, it is easy to achieve excellent pick-up property.
  • the (meth) acrylic resin can be obtained by synthesizing it by a known method.
  • the synthesis method include a solution polymerization method, a suspension polymerization method, an emulsion polymerization method, a massive polymerization method, a precipitation polymerization method, a vapor phase polymerization method, a plasma polymerization method, and a supercritical polymerization method.
  • the types of polymerization reactions include radical polymerization, cationic polymerization, anionic polymerization, living radical polymerization, living cationic polymerization, living anionic polymerization, coordination polymerization, immodal polymerization, etc., as well as ATRP (atomic transfer radical polymerization) and RAFT (Atomic transfer radical polymerization).
  • the synthesis by radical polymerization using the solution polymerization method has good economic efficiency, high reaction rate, easy polymerization control, etc., and can be blended by using the resin solution obtained by polymerization as it is. It has advantages such as.
  • the monomer used when synthesizing the (meth) acrylic resin is not particularly limited as long as it has one (meth) acryloyl group in one molecule. Specific examples thereof include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, and isoamyl (meth) acrylate.
  • Aromatic (meth) acrylate 2-tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, N- (meth) acryloyloxyethyl hexahydrophthalimide, 2- (meth) acryloyloxyethyl-N-carbazole, etc.
  • Meta acrylate, these caprolactone modified products, ⁇ -carboxy-polycaprolactone mono (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, ⁇ -ethylglycidyl (meth) acrylate, ⁇ -propyl glycidyl (meth) acrylate, ⁇ -butyl glycidyl (Meta) acrylate, 2-methylglycidyl (meth) acrylate, 2-ethylglycidyl (meth) acrylate, 2-propylglycidyl (meth) acrylate, 3,4-epoxybutyl (meth) acrylate, 3,4-epoxyheptyl ( Meta) acrylate, ⁇ -ethyl-6,7-epoxyheptyl (meth) acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth) acrylate, o-vinylbenzyl glycidy
  • the (meth) acrylic resin preferably has at least one functional group selected from a hydroxyl group, a glycidyl group, an amino group and the like as a reaction point with a functional group-introducing compound or a cross-linking agent described later.
  • the monomer for synthesizing the (meth) acrylic resin having a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 3-chloro-2.
  • Examples thereof include compounds having an ethylenically unsaturated group and a hydroxyl group such as -hydroxypropyl (meth) acrylate and 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, and these may be used alone or in combination of two or more. Can be done.
  • Examples of the monomer for synthesizing a (meth) acrylic resin having a glycidyl group include glycidyl (meth) acrylate, ⁇ -ethylglycidyl (meth) acrylate, ⁇ -propyl glycidyl (meth) acrylate, and ⁇ -butyl glycidyl (meth).
  • the (meth) acrylic resin synthesized from these monomers preferably contains a functional group capable of chain polymerization.
  • the chain-growthable functional group is, for example, at least one selected from an acryloyl group and a methacryloyl group.
  • the chain-growth-capable functional group is introduced into the (meth) acrylic resin, for example, by reacting the (meth) acrylic resin synthesized as described above with the following compound (functional group-introduced compound). be able to.
  • the functional group-introduced compound examples include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl- ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl isocyanate, methacryloylisocyanate, allylisocyanate, 1,1- (bisacryloyloxymethyl) ethyl isocyanate; diisocyanate compound.
  • an acryloyl monoisocyanate compound obtained by reacting a polyisocyanate compound with hydroxyethyl (meth) acrylate or 4-hydroxybutylethyl (meth) acrylate; a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound, a polyol compound, and hydroxyethyl (meth).
  • examples thereof include an acryloyl monoisocyanate compound obtained by reacting with acrylate.
  • 2-methacryloyloxyethyl isocyanate is particularly preferable.
  • One of these compounds may be used alone, or two or more of these compounds may be used in combination.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the (meth) acrylic resin is, for example, 100,000 to 2 million or more, preferably 150,000 to 1,000,000, and more preferably 200,000 to 800,000.
  • Mw weight average molecular weight of the (meth) acrylic resin
  • the hydroxyl value of the (meth) acrylic resin is preferably 10 to 150 mgKOH / g, more preferably 20 to 100 mgKOH / g.
  • the initial adhesive force can be adjusted by the reaction with the cross-linking agent, and the peeling force after the reaction of the chain-polymerizable functional group is reduced. Played.
  • the photopolymerization initiator is not particularly limited as long as it generates an active species capable of chain polymerization by irradiating it with active energy rays (at least one selected from ultraviolet rays, electron beams and visible light), for example.
  • active energy rays at least one selected from ultraviolet rays, electron beams and visible light
  • Photo-radical polymerization initiator at least one selected from ultraviolet rays, electron beams and visible light
  • the chain-growth-capable active species means one in which the polymerization reaction is started by reacting with a chain-polymerizable functional group.
  • photoradical polymerization initiator examples include benzoinketals such as 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one; 1-hydroxycyclohexylphenylketone and 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-1.
  • ⁇ -hydroxyketones such as 1- [4- (2-hydroxyethoxy) phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propane-1-one; 2-benzyl-2-dimethylamino-1-one ⁇ -aminoketones such as (4-morpholinophenyl) -butane-1-one, 1,2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one; 1- [4 -(Phenylthio) phenyl] -1,2-octadionone-2- (benzoyl) oxime and other oxime esters; bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2 , 4,4-trimethylpentylphosphine oxide, phosphine oxides such as 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide; 2- (
  • the content of the photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive composition is, for example, 0.1 to 30 parts by mass and 0.3 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the (meth) acrylic resin. It is preferably 0.5 to 5 parts by mass, and more preferably 0.5 to 5 parts by mass. If the content of the photopolymerization initiator is less than 0.1 parts by mass, the pressure-sensitive adhesive layer is insufficiently cured after irradiation with active energy rays, and pickup failure is likely to occur. If the content of the photopolymerization initiator exceeds 30 parts by mass, contamination of the adhesive layer (transfer of the photopolymerization initiator to the adhesive layer) is likely to occur.
  • the cross-linking agent is used, for example, for the purpose of controlling the elastic modulus and / or the adhesiveness of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the cross-linking agent may be a compound having two or more functional groups in one molecule capable of reacting with at least one functional group selected from the hydroxyl group, glycidyl group, amino group and the like possessed by the (meth) acrylic resin. ..
  • Examples of the bond formed by the reaction between the cross-linking agent and the (meth) acrylic resin include an ester bond, an ether bond, an amide bond, an imide bond, a urethane bond, and a urea bond.
  • a compound having two or more isocyanate groups in one molecule as the cross-linking agent.
  • a compound having two or more isocyanate groups in one molecule it can easily react with the hydroxyl group, glycidyl group, amino group and the like contained in the (meth) acrylic resin to form a strong crosslinked structure.
  • Compounds having two or more isocyanate groups in one molecule include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, and diphenylmethane-4.
  • the above-mentioned isocyanate compound and a reaction product of a polyhydric alcohol having two or more OH groups in one molecule may be adopted.
  • polyhydric alcohols having two or more OH groups in one molecule include ethylene glycol, propylene glycol, butylene glycol, 1,6-hexanediol, 1,8-octanediol, 1,9-nonanediol, Examples thereof include 1,10-decanediol, 1,11-undecanediol, 1,12-dodecanediol, glycerin, pentaerythritol, dipentaerythritol, 1,4-cyclohexanediol and 1,3-cyclohexanediol.
  • a cross-linking agent a reaction product of a polyfunctional isocyanate having two or more isocyanate groups in one molecule and a polyhydric alcohol having three or more OH groups in one molecule (isocyanate group-containing oligomer). Is even more desirable.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 forms a dense cross-linked structure, which can sufficiently suppress the pressure-sensitive adhesive from adhering to the adhesive layer 5 in the pick-up step. ..
  • the content of the cross-linking agent in the pressure-sensitive adhesive composition may be appropriately set according to the cohesive force and the elongation at break required for the pressure-sensitive adhesive layer, the adhesion to the pressure-sensitive adhesive layer 5, and the like.
  • the content of the cross-linking agent is, for example, 2 to 30 parts by mass, 4 to 15 parts by mass, or 7 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the (meth) acrylic resin. You may.
  • the content of the cross-linking agent is less than 2 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the (meth) acrylic resin, the formation of the cross-linked structure tends to be insufficient, and due to this, adhesion is performed in the pickup process.
  • the interfacial adhesion with the agent layer 5 is not sufficiently reduced, and defects are likely to occur during pickup.
  • the content of the cross-linking agent exceeds 30 parts by mass with respect to the content of 100 parts by mass of the (meth) acrylic resin, the pressure-sensitive adhesive layer 3 tends to become excessively hard, and due to this, in the expanding step.
  • the semiconductor chip is easily peeled off.
  • the content of the cross-linking agent with respect to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition is, for example, 0.1 to 20% by mass, and may be 2 to 17% by mass or 3 to 15% by mass.
  • the content of the cross-linking agent is 0.1% by mass or more, it is easy to form a region (first region 3a) in which the adhesive strength is appropriately reduced by irradiation with active energy rays, while the content is 15% by mass or less. By being there, it is easy to achieve excellent pickup performance.
  • a known method can be adopted.
  • a laminate of the base material layer 1 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be formed by a two-layer extrusion method, or a varnish for forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be prepared and applied to the surface of the base material layer 1.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be formed on the film which has been processed or released and transferred to the base material layer 1.
  • the varnish for forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 is preferably prepared by using an organic solvent capable of dissolving the (meth) acrylic resin, the photopolymerization initiator and the cross-linking agent, which volatilizes by heating.
  • organic solvent include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesityrene, cumene and p-simene; cyclic ethers such as tetrahydrofuran and 1,4-dioxane; methanol, ethanol, isopropanol, butanol, ethylene glycol and propylene.
  • Alcohols such as glycol; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone; methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, ⁇ -butyrolactone, etc.
  • Carbonated esters such as ethylene carbonate and propylene carbonate; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol Polyhydric alcohol alkyl ethers such as dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether; ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol mono Polyhydric alcohol alkyl ether acetates such as butyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl
  • toluene for example, toluene, methanol, ethanol, isopropanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol mono Ethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, N, N-dimethylacetamide, and acetylacetone are preferable.
  • One of these organic solvents may be used alone, or two or more of them may be used in combination.
  • the solid content concentration of the varnish is usually preferably 10 to 60% by mass.
  • the adhesive composition constituting the adhesive layer 5 preferably contains an epoxy group-containing acrylic copolymer, an epoxy resin, and an epoxy resin curing agent. According to the adhesive layer 5 containing these components, the adhesiveness between chips / substrates and between chips / chips is excellent, electrode embedding property and wire embedding property can be imparted, and adhesion is performed at a low temperature in the die bonding process. It is preferable because it can be formed, excellent curing can be obtained in a short time, and it has excellent reliability after molding with a sealing agent.
  • the thickness of the adhesive layer 5 is, for example, 1 to 300 ⁇ m, preferably 5 to 150 ⁇ m, and may be 10 to 100 ⁇ m or 15 to 35 ⁇ m. If the thickness of the adhesive layer 5 is less than 1 ⁇ m, the adhesiveness tends to be insufficient, while if it exceeds 300 ⁇ m, the dicing property and the pick-up property tend to be insufficient.
  • epoxy resin examples include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, aliphatic chain epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, and the like.
  • Bisphenol A novolac type epoxy resin diglycidyl etherified product of biphenol, diglycidyl etherified product of naphthalenediol, diglycidyl etherified product of phenols, diglycidyl etherified product of alcohols, and alkyl substituents and halides thereof.
  • Bifunctional epoxy resin such as hydrogen additive, novolac type epoxy resin and the like.
  • epoxy resins such as a polyfunctional epoxy resin and a heterocycle-containing epoxy resin may be applied. These can be used alone or in combination of two or more.
  • a component other than the epoxy resin may be contained as an impurity as long as the characteristics are not impaired.
  • Examples of the epoxy resin curing agent include a phenol resin obtained by reacting a phenol compound with a xylylene compound which is a divalent linking group in the presence of a catalyst or an acid catalyst.
  • Examples of the phenolic compound used in the production of the phenol resin include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, p-ethylphenol, on-propylphenol, mn-propylphenol, and the like.
  • phenol compounds may be used alone or in combination of two or more.
  • the xylylene compound which is a divalent linking group used for producing a phenol resin the following xylylene halides, xylylene diglycols and derivatives thereof can be used.
  • mineral acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and polyphosphoric acid
  • organic substances such as dimethylsulfate, diethylsulfate, p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid and ethanesulfonic acid.
  • Carboxy acids Super strong acids such as trifluoromethanesulfonic acid; Strongly acidic ion exchange resins such as alcan sulfonic acid type ion exchange resin; Super strong acidic ion exchange such as perfluoroalkane sulfonic acid type ion exchange resin Resins (trade names: Nafion, Nafion, manufactured by Du Pont, "Nafion” is a registered trademark); natural and synthetic zeolites; using acidic catalysts such as active white clay (acidic white clay), substantially at 50 to 250 ° C. It is obtained by reacting until the xylylene compound as a raw material disappears and the reaction composition becomes constant. The reaction time depends on the raw material and the reaction temperature, but is about 1 hour to 15 hours. Actually, the reaction composition may be determined by tracking the reaction composition by GPC (gel permeation chromatography) or the like.
  • GPC gel permeation chromatography
  • the epoxy group-containing acrylic copolymer is preferably a copolymer obtained by using glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate as a raw material in an amount of 0.5 to 6% by mass with respect to the obtained copolymer.
  • this amount is 0.5% by mass or more, high adhesive strength can be easily obtained, while when it is 6% by mass or less, gelation can be suppressed.
  • a mixture of alkyl acrylates having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms such as methyl acrylate and methyl methacrylate, alkyl methacrylate, and styrene and acrylonitrile can be used.
  • the mixing ratio is preferably adjusted in consideration of the Tg of the copolymer. If the Tg is less than ⁇ 10 ° C., the tackiness of the adhesive layer 5 in the B stage state tends to increase, and the handleability tends to deteriorate.
  • the upper limit of the glass transition point (Tg) of the epoxy group-containing acrylic copolymer is, for example, 30 ° C.
  • the polymerization method is not particularly limited, and examples thereof include pearl polymerization and solution polymerization. Examples of commercially available epoxy group-containing acrylic copolymers include HTR-860P-3 (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation).
  • the weight average molecular weight of the epoxy group-containing acrylic copolymer is 100,000 or more, and in this range, the adhesiveness and heat resistance are high, preferably 300,000 to 3 million, and preferably 500,000 to 2 million. Is more preferable. When the weight average molecular weight is 3 million or less, it is possible to suppress a decrease in the filling property between the semiconductor chip and the substrate supporting the semiconductor chip.
  • the weight average molecular weight is a polystyrene-equivalent value using a calibration curve of standard polystyrene by gel permeation chromatography (GPC).
  • the adhesive layer 5 may further contain a curing accelerator such as a tertiary amine, imidazoles, or a quaternary ammonium salt, if necessary.
  • a curing accelerator such as a tertiary amine, imidazoles, or a quaternary ammonium salt
  • Specific examples of the curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimerite. One of these may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.
  • the adhesive layer 5 may further contain an inorganic filler, if necessary.
  • the inorganic filler include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, and boron nitride.
  • examples include crystalline silica and amorphous silica. One of these may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.
  • the adhesive layer 5 may not contain a thermosetting resin.
  • the adhesive layer 5 contains a reactive group-containing (meth) acrylic copolymer
  • the adhesive layer 5 contains a reactive group-containing (meth) acrylic copolymer, a curing accelerator, and a filler. Anything is fine.
  • the method for producing the film 10 is to form on the surface of the base material layer 1 a pressure-sensitive adhesive layer composed of a pressure-sensitive adhesive composition whose adhesive strength is reduced by irradiation with active energy rays, and on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • a step of producing a laminated body including the adhesive layer 5 and a step of irradiating a region to be a first region 3a of the pressure-sensitive adhesive layer contained in the laminated body with active energy rays are included in this order.
  • the dose of the active energy ray to the area to be the first region 3a is, for example, 10 ⁇ 1000mJ / cm 2, may be 100 ⁇ 700mJ / cm 2 or 200 ⁇ 500mJ / cm 2.
  • the method for producing the film 10 includes a step of forming a pressure-sensitive adhesive layer made of a composition whose adhesive strength is reduced by irradiation with active energy rays on the surface of the base material layer 1, and a step of forming the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the step of irradiating the region to be the region 3a of 1 with the active energy ray and the step of laminating the adhesive layer 5 on the surface of the adhesive layer 3 after irradiating the active energy ray are included in this order. You can.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 100 shown in this figure includes a substrate 70, four chips T1, T2, T3, and T4 laminated on the surface of the substrate 70, electrodes (not shown) on the surface of the substrate 70, and four chips T1.
  • T2, T3, and T4 are provided with wires W1, W2, W3, and W4 for electrically connecting the wires, and a sealing layer 50 for covering them.
  • the substrate 70 is, for example, an organic substrate and may be a metal substrate such as a lead frame. From the viewpoint of suppressing the warp of the semiconductor device 100, the thickness of the substrate 70 is, for example, 70 to 140 ⁇ m, and may be 80 to 100 ⁇ m.
  • the four chips T1, T2, T3, and T4 are laminated via a cured product 5c of the adhesive piece 5p.
  • the shape of the chips T1, T2, T3, and T4 in a plan view is, for example, a square or a rectangle.
  • the area of the chips T1, T2, T3, and T4 is 9 mm 2 or less, and may be 0.1 to 4 mm 2 or 0.1 to 2 mm 2 .
  • the length of one side of the chips T1, T2, T3, and T4 is, for example, 3 mm or less, and may be 0.1 to 2.0 mm or 0.1 to 1.0 mm.
  • the thickness of the chips T1, T2, T3, and T4 is, for example, 10 to 170 ⁇ m, and may be 25 to 100 ⁇ m.
  • the length of one side of the four chips T1, T2, T3, and T4 may be the same or different from each other, and the thickness is also the same.
  • the method for manufacturing the semiconductor device 100 includes the step of preparing the film 10 described above, the wafer W being attached to the adhesive layer 5 of the film 10, and the dicing ring DR on the second surface F2 of the adhesive layer 3.
  • the above-mentioned film 10 is prepared. As shown in FIGS. 8A and 8B, the film 10 is attached so that the adhesive layer 5 is in contact with one surface of the wafer W. Further, the dicing ring DR is attached to the second surface F2 of the pressure-sensitive adhesive layer 3.
  • the wafer W is fragmented into chips T1, T2, T3, and T4.
  • the adhesive layer 5 is also individualized to become an adhesive piece 5p.
  • Examples of the dicing method include a method using a dicing blade or a laser.
  • the wafer W may be thinned by grinding the wafer W prior to dicing the wafer W.
  • the adhesive layer 3 is separated from each other by expanding the base material layer 1 under normal temperature or cooling conditions as shown in FIG. 8 (d) without irradiating the pressure-sensitive adhesive layer 3 with active energy rays.
  • the adhesive piece 5p is peeled off from the adhesive layer 3 by pushing up with the pin 42, and the tip Tb with the adhesive piece is sucked by the suction collet 44 and picked up.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 100 will be specifically described with reference to FIGS. 9 to 11.
  • the first-stage chip T1 is crimped to a predetermined position on the substrate 70 via the adhesive piece 5p.
  • the adhesive piece 5p is cured by heating.
  • the adhesive piece 5p is cured to become a cured product 5c.
  • the curing treatment of the adhesive piece 5p may be carried out in a pressurized atmosphere from the viewpoint of reducing voids.
  • the second-stage chip T2 is mounted on the surface of the chip T1 in the same manner as the mounting of the chip T1 on the substrate 70. Further, the structure 60 shown in FIG. 10 is manufactured by mounting the third-stage and fourth-stage chips T3 and T4. After the chips T1, T2, T3, T4 and the substrate 70 are electrically connected by wires W1, W2, W3, W4 (see FIG. 11), the semiconductor element and the wire are covered with the sealing layer 50, as shown in FIG. The semiconductor device 100 shown is completed.
  • the film 10 may further include a cover film (not shown) that covers the adhesive layer 5.
  • a cover film (not shown) that covers the adhesive layer 5.
  • the adhesive strength of the first region 3a of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is reduced as compared with the second region 3b by irradiation with active energy rays is illustrated, but the pressure-sensitive adhesive layer 3 is illustrated. May be UV curable or pressure sensitive.
  • the film 10 including the base material layer 1, the pressure-sensitive adhesive layer 3, and the adhesive layer 5 in this order has been illustrated, but an embodiment may not include the adhesive layer 5.
  • an adhesive layer may be formed on the surface of the substrate on which the chip is mounted or the surface of another chip.
  • the evaluation method of the present disclosure is not limited to the one for which the dicing / die bonding integrated film is evaluated, and the pick-up property of the chip (cut piece) used in the manufacturing process of the semiconductor device may be evaluated.
  • This evaluation method includes the following steps. (I) A step of preparing a laminate having at least the base material layer 1, the adhesive layer 3, and the wafer W in this order (ii) A step of separating the wafer W into a plurality of chips having an area of 9 mm 2 or less. (Iii) A step of pushing the central portion of the chip from the base material layer 1 side and measuring the edge peeling strength when the edge of the chip is peeled from the adhesive layer 3.
  • the thickness of the wafer W is, for example, 10 to 100 ⁇ m, and may be 30 to 80 ⁇ m.
  • the laminated body may be prepared by using a dicing / die bonding integrated film. Further, in the step (i), a laminate containing a metal layer or a resin layer may be prepared instead of the wafer W, and the pick-up property of the cut piece may be evaluated.
  • the edge peeling strength may be used for sorting the dicing / die bonding integrated film. That is, by comparing the edge peeling strength of two or more types of dicing / die bonding integrated films and determining the superiority or inferiority of the pickability of two or more types of dicing / die bonding integrated films, the dicing / die bonding integrated film May be sorted. As a result, it is possible to efficiently select a dicing / die bonding integrated film capable of manufacturing a semiconductor device with a high yield.
  • the solution containing the acrylic resin (A) obtained as described above was vacuum dried at 60 ° C. overnight.
  • the solid content obtained by this was elementally analyzed by a fully automatic elemental analyzer (manufactured by Elemental, trade name: varioEL), and the content of the introduced 2-methacryloyloxyethyl isocyanate was calculated from the nitrogen content. , 0.50 mmol / g.
  • the polystyrene-equivalent weight average molecular weight of (A) acrylic resin was determined using the following apparatus. That is, SD-8022 / DP-8020 / RI-8020 manufactured by Tosoh Corporation was used, Gelpack GL-A150-S / GL-A160-S manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. was used for the column, and tetrahydrofuran was used as the eluent. GPC measurement was performed. As a result, the polystyrene-equivalent weight average molecular weight was 800,000. The hydroxyl value and acid value measured according to the method described in JIS K0070 were 56.1 mgKOH / g and 6.5 mgKOH / g.
  • Example 1 [Preparation of dicing film (adhesive layer)] A varnish for forming an adhesive layer was prepared by mixing the following components (see Table 2). The amount of ethyl acetate (solvent) was adjusted so that the total solid content of the varnish was 25% by mass.
  • Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., Irgacure 127, "Irgacure” is a registered trademark): 1.0 g
  • a polyethylene terephthalate film (width 450 mm, length 500 mm, thickness 38 ⁇ m) with a mold release treatment on one surface was prepared.
  • a varnish for forming an adhesive layer was applied to the surface subjected to the mold release treatment using an applicator, and then dried at 80 ° C. for 5 minutes.
  • a laminate (dicing film) composed of a polyethylene terephthalate film and an adhesive layer having a thickness of 30 ⁇ m formed on the polyethylene terephthalate film was obtained.
  • a polyolefin film (width 450 mm, length 500 mm, thickness 80 ⁇ m) with corona treatment on one side was prepared.
  • the surface treated with corona and the adhesive layer of the laminated body were bonded together at room temperature.
  • the pressure-sensitive adhesive layer was transferred to the polyolefin film (cover film) by pressing with a rubber roll. Then, it was left at room temperature for 3 days to obtain a dicing film with a cover film.
  • -Epoxy resin (YDCN-700-10 (trade name), Cresol novolac type epoxy resin manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent 210, molecular weight 1200, softening point 80 ° C.): 14 parts by mass-phenol resin (Millex XLC-LL) (Product name), manufactured by Mitsui Kagaku Co., Ltd., phenol resin, hydroxyl group equivalent 175, water absorption rate 1.8%, heating weight reduction rate at 350 ° C.
  • silane coupling agent NUC A-189 (NUC A-189) Product name
  • ⁇ -mercaptopropyltrimethoxysilane manufactured by NUC Co., Ltd. 0.2 parts by mass silane coupling agent (NUCA-1160 (trade name), manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd., ⁇ -ureidopropyltriethoxysilane) : 0.1 part by mass / filler ("SC2050-HLG (trade name), manufactured by Admatex Co., Ltd., silica, average particle size 0.500 ⁇ m): 32 parts by mass
  • a varnish for forming an adhesive layer was obtained through the steps of stirring and mixing and vacuum degassing.
  • ⁇ Epoxy group-containing acrylic copolymer (HTR-860P-3 (trade name), manufactured by Nagase ChemteX Corporation, weight average molecular weight 800,000): 16 parts by mass
  • Curing accelerator (Curesol 2PZ-CN (trade name), 1-Cyanoethyl-2-phenylimidazole manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., "Curesol” is a registered trademark) 0.0.1 parts by mass
  • a polyethylene terephthalate film (thickness 35 ⁇ m) with a mold release treatment on one surface was prepared.
  • a varnish for forming an adhesive layer was applied to the surface subjected to the mold release treatment using an applicator, and then heat-dried at 140 ° C. for 5 minutes.
  • a laminate (die bonding film) composed of a polyethylene terephthalate film (carrier film) and an adhesive layer (B stage state) having a thickness of 25 ⁇ m formed therein was obtained.
  • a die bonding film composed of an adhesive layer and a carrier film was cut into a circle having a diameter of 335 mm together with the carrier film.
  • a dicing film from which the polyethylene terephthalate film was peeled off was attached to this at room temperature, and then left at room temperature for 1 day. Then, the dicing film was cut into a circle having a diameter of 370 mm.
  • the region (first region of the adhesive layer) corresponding to the bonding position of the wafer in the adhesive layer of the dicing / die bonding integrated film thus obtained was irradiated with ultraviolet rays as follows.
  • a pulsed xenon lamp was used to partially irradiate ultraviolet rays at an irradiation amount of 70 W and 300 mJ / cm 2 .
  • An ultraviolet ray was irradiated to a portion having an inner diameter of 318 mm from the center of the film using a blackout curtain. In this way, a plurality of dicing / die bonding integrated films for use in various evaluation tests described later were obtained.
  • Example 2 When making the dicing film, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, manufactured by Chivas Specialty Chemicals Co., Ltd., Irgacure 184, "Irgacure” is a registered trademark) was used instead of "Irgacure 127", and ultraviolet rays.
  • a plurality of dicing / die bonding integrated films were obtained in the same manner as in Example 1 except that the irradiation amount was set to 200 mJ / cm 2 instead of 300 mJ / cm 2 .
  • Example 3 The irradiation amount of ultraviolet rays instead of the 200 mJ / cm 2, other that was 250 mJ / cm 2 in the same manner as in Example 2 to obtain a plurality of dicing die bonding integrated film.
  • Example 4 A plurality of dicing / die bonding integrated films were obtained in the same manner as in Example 2 except that the irradiation amount of ultraviolet rays was set to 300 mJ / cm 2 instead of 200 mJ / cm 2 .
  • Example 5 As the die bonding film, a plurality of dicing die bonding is carried out in the same manner as in Example 4 except that a film having an adhesive layer B formed as follows is used instead of the one having the adhesive layer A. An integral film was obtained.
  • die bonding film adhesive layer B
  • cyclohexanone solvent
  • -Filler SC2050-HLG (trade name), manufactured by Admatex Co., Ltd., silica, average particle size 0.500 ⁇ m
  • a varnish for forming an adhesive layer was obtained through the steps of mixing and vacuum degassing.
  • -Epoxy group-containing acrylic copolymer (HTR-860P-3 (trade name), manufactured by Nagase ChemteX Corporation, weight average molecular weight 800,000): 100 parts by mass-curing accelerator (Curesol 2PZ-CN (trade name), 1-Cyanoethyl-2-phenylimidazole manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., "Curesol” is a registered trademark) 0.1 parts by mass
  • the chip with the adhesive piece was pushed in from the base material layer side under the following measurement conditions, and the edge peeling strength of the chip with the adhesive piece was measured (see FIG. 2C).
  • the surface of the base material layer corresponding to the central portion of the chip was marked with an oil-based pen.
  • Examples 1 to 5 had better pick-up performance than Comparative Examples 1 to 3. Specifically, although Comparative Example 1 has a significantly lower value of 30 ° peel strength than Examples 1 to 4, the edge peeling strength of the chip is as high as 1.6 N, so that the pick-up property is remarkable. It got worse. Further, in Comparative Example 2, although the peel strength was 30 °, which was the same as that in Example 2, it is considered that the pick-up property was deteriorated because the edge peeling strength of the chip was relatively high at 1.3 N. Further, in Comparative Example 3, the 30 ° peel strength became a low value by increasing the ultraviolet irradiation amount from Example 1, but on the other hand, the edge peeling strength of the chip became relatively high at 1.3 N. It is considered that the pick-up property has deteriorated. From this, it was found that not only the composition of the pressure-sensitive adhesive layer but also the amount of ultraviolet irradiation is an important factor in the edge peeling strength and pick-up property of the chip.

Abstract

本開示に係るピックアップ性の評価方法は、基材層と、粘着剤層と、厚さ１０～１００μｍのウェハとをこの順序で少なくとも備える積層体を準備する工程と、ウェハを面積９ｍｍ２以下の複数のチップに個片化する工程と、基材層側からチップの中央部を押し込む工程と、チップのエッジが粘着剤層から剥離するときのエッジ剥離強度を測定する工程とを含む。

Description

ピックアップ性の評価方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの評価方法及び選別方法、並びに半導体装置の製造方法
　本開示は、ピックアップ性の評価方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの評価方法及び選別方法、並びに半導体装置の製造方法に関する。
　半導体装置は以下の工程を経て製造される。まず、ウェハにダイシング用粘着フィルムを貼り付けた状態でダイシング工程を実施する。その後、エキスパンド工程、ピックアップ工程、マウンティング工程及びダイボンディング工程等が実施される。
　半導体装置の製造プロセスにおいて、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムと称されるフィルムが使用されている（特許文献１，２参照）。このフィルムは、基材層と粘着剤層と接着剤層がこの順序で積層された構造を有し、例えば、次のように使用される。まず、ウェハに対して接着剤層側の面を貼り付けるとともにダイシングリングでウェハを固定した状態でウェハをダイシングする。これにより、ウェハが多数のチップに個片化される。続いて、粘着剤層に対して紫外線を照射することによって接着剤層に対する粘着剤層の粘着力を弱めた後、接着剤層が個片化されてなる接着剤片とともにチップを粘着剤層からピックアップする。その後、接着剤片を介してチップを基板等にマウントする工程を経て半導体装置が製造される。以下、場合により、チップと接着剤片の積層体を「接着剤片付きチップ」と言う。
　上述のように、紫外線の照射によって粘着力が弱まる粘着剤層（ダイシングフィルム）はＵＶ硬化型と称される。これに対し、半導体装置の製造プロセスにおいて紫外線が照射されることなく、粘着力が一定のままの粘着剤層は感圧型と称される。感圧型の粘着剤層を備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、ユーザー（主に半導体装置メーカー）にとって、紫外線を照射する工程を実施する必要がなく、また、このための設備が不要であるというメリットがある。特許文献３は、粘着剤層が紫外線によって硬化する成分を含有する点でＵＶ硬化型であると言える一方、粘着剤層の所定の部分のみに予め紫外線が照射されており、ユーザーは半導体装置の製造プロセスにおいて紫外線を照射する必要がない点で感圧型であるとも言えるダイシング・ダイボンドフィルムを開示する。
特開２０１２－０６９５８６号公報 特開２０１４－１３５４６９号公報 特許第４４４３９６２号公報
　ダイシング・ダイボンド一体型フィルムの粘着剤層は、ダイシング工程において接着剤層及びダイシングリングに対する高い粘着力が求められる。粘着剤層の粘着力が不十分であると、ダイシングブレードの高速回転に伴って接着剤層と粘着剤層の間で剥離が生じて接着剤片付きチップが飛ぶ現象（以下、これを「ＤＡＦ飛び」という。ＤＡＦはｄｉｅ　ａｔｔａｃｈ　ｆｉｌｍである。）が生じたり、切削水の水流によってダイシングリングが粘着剤層から剥離する現象（以下、この現象を「リング剥がれ」と言う。）が生じる。一方、ピックアップ工程においては、粘着剤層の接着剤層に対する粘着力は、優れたピックアップ性の観点から、ある程度低いことが求められる。粘着剤層の粘着力が過剰に強いと、接着剤片付きチップが粘着剤層から剥離せずにピックアップ不良が生じたり、チップ割れが生じたりして歩留まりが低下する。
　ところで、本発明者らは、ダイシングによってウェハを小チップ（例えば、平面視における面積が９ｍｍ２以下）に個片化した場合、その後のピックアップ工程において、従来の知見からすると特異なピックアップ挙動を示すことを見出した。すなわち、比較的大きなサイズ（例えば、縦８ｍｍ×横６ｍｍ）のチップがピックアップ対象であれば、優れたピックアップ性を達成できる程度に粘着剤層の粘着力を低下させたとしても、ピックアップ対象が小チップである場合にはピックアップ性が不十分となるという現象が生じた。本発明者らは、その主因について鋭意検討した結果、小チップの場合、チップのエッジの粘着剤層からの剥離（以下、「エッジ剥離」と言う。）がピックアップ性の支配的因子であるという知見を得た。なお、比較的大きなサイズのチップの場合、チップのエッジよりもチップ表面と粘着剤層の界面の剥離がピックアップ性の支配的因子であると推察される。
　本開示は、小チップ（面積９ｍｍ２以下）のエッジ剥離の影響を考慮したダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの評価方法及び選別方法を提供する。また、本開示は、小チップのエッジ剥離の影響を考慮したピックアップ性の評価方法、並びに、小チップのピックアップ性に優れるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
　本開示の一側面はダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの評価方法に関する。この評価方法は、面積９ｍｍ２以下の複数のチップにウェハを個片化する工程を含む半導体装置製造プロセスに適用されるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのピックアップ性を評価するためのものである。この評価方法は、以下の（Ａ）～（Ｄ）工程を含み、（Ｄ）工程で測定されるエッジ剥離強度が１．２Ｎを超えるとき、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムはピックアップ性が不良であると判定される。
（Ａ）基材層と、基材層と対面する第１の面及びその反対側の第２の面を有する粘着剤層と、粘着剤層の第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層とを備える評価対象のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する工程
（Ｂ）接着剤層に対して厚さ５０μｍのシリコンウェハを貼るとともに、粘着剤層の第２の面に対してダイシングリングを貼る工程
（Ｃ）シリコンウェハ及び接着剤層を複数の接着剤片付きチップに個片化し、辺の長さが２ｍｍの正方形の接着剤片付きチップを得る工程
（Ｄ）温度２３℃において基材層側から接着剤片付きチップの中央部を速度６０ｍｍ／分で押し込み、接着剤片付きチップのエッジが粘着剤層から剥離するときのエッジ剥離強度を測定する工程
　本発明者らの検討によれば、上記の条件（シリコンウェハの厚さ及び接着剤片付きチップのサイズ等）でエッジ剥離強度を測定することで、十分に再現性が高い測定結果を得ることができる。したがって、半導体装置の製造に使用するダイボンダ装置で実際にピックアップしなくても、ピックアップ性が不良のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを効率的に把握することができる。この評価方法は、例えば、半導体装置の製造プロセスに何らかの変更があったとき、新たな製造プロセスに適したダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを効率的に選択できる点で有用である。
　本開示の評価方法は、上記のようにエッジ剥離強度を測定し且つその結果に基づいてダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを評価対象とするものに限られず、半導体装置の製造プロセスにおけるチップのピックアップ性を評価対象としたものであってもよい。本開示の一側面に係る評価方法は以下の工程を含む。
（ｉ）基材層と、粘着剤層と、厚さ１０～１００μｍのウェハとをこの順序で少なくとも備える積層体を準備する工程
（ｉｉ）ウェハを面積９ｍｍ２以下の複数のチップに個片化する工程
（ｉｉｉ）基材層側からチップの中央部を押し込み、チップのエッジが粘着剤層から剥離するときのエッジ剥離強度を測定する工程
　上記（ｉ）工程において、粘着剤層とウェハとの間に接着剤層を備える積層体を準備した場合、上記（ｉｉ）工程において、半導体ウェハ及び接着剤層を面積９ｍｍ２以下の複数の接着剤片付きチップに個片化するとともに、上記（ｉｉｉ）工程において、基材層側から接着剤片付きチップの中央部を押し込み、接着剤片付きチップのエッジが粘着剤層から剥離するときのエッジ剥離強度を測定すればよい。粘着剤層とウェハとの間に接着剤層を備える積層体は、例えば、ウェハにダイシング・ダイボンディング一体型フィルムをラミネートすることによって得ることができる。
　本開示の一側面はダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに関する。このダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、基材層と、基材層と対面する第１の面及びその反対側の第２の面を有する粘着剤層と、粘着剤層の第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層とを備え、以下の工程を経て測定されるエッジ剥離強度が１．２Ｎ以下である。
＜エッジ剥離強度の測定＞
・接着剤層に対して厚さ５０μｍのシリコンウェハを貼るとともに、粘着剤層の第２の面に対してダイシングリングを貼る工程
・シリコンウェハ及び接着剤層を複数の接着剤片付きチップに個片化し、辺の長さが２ｍｍの正方形の接着剤片付きチップを得る工程
・温度２３℃において基材層側から接着剤片付きチップの中央部を速度６０ｍｍ／分で押し込み、接着剤片付きチップのエッジが粘着剤層から剥離するときのエッジ剥離強度を測定する工程
　上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、接着剤片付きチップ（サイズ：２ｍｍ×２ｍｍ）のエッジ剥離強度が１．２Ｎ以下と十分に低いため、面積９ｍｍ２以下の複数のチップにウェハを個片化する工程を含む半導体装置製造プロセスに好適に適用し得る。また、ブレードダイシングによってウェハとともに接着剤層を個片化する場合、接着剤層のエッジにバリが生じやすく、接着剤片付きチップのエッジ剥離強度が高くなる傾向にある。上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、ブレードダイシングによって複数の接着剤片付きチップを得た場合であっても、接着剤片付きチップのエッジ剥離強度が１．２Ｎ以下であることが好ましい。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムがこの条件を満たすためには、例えば、以下の技術的手段を適宜採用すればよい。
・接着剤層を比較的高粘度化（高弾性化）したり、薄膜化（例えば６０μｍ以下）することによって、ブレードダイシング時の接着剤層の切削性を高める。
・粘着剤層の成分（例えば、架橋剤又は光重合開始剤）の量を変更することによって粘着剤層を比較的高弾性化したり、粘着力を調整する。
・基材層の破断伸度を小さくする。
・ブレードダイシング時に基材層まで切り込まないように粘着剤層を厚膜化（例えば３０μｍ以上）する。
　本開示の一側面は半導体装置の製造方法に関する。この製造方法は、上記のようにして測定されるエッジ剥離強度が１．２Ｎ以下であるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する工程と、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層に対してウェハを貼るとともに、粘着剤層の第２の面に対してダイシングリングを貼る工程と、ウェハ及び接着剤層を面積９ｍｍ２以下の複数の接着剤片付きチップに個片化する工程と、接着剤片付きチップを粘着剤層からピックアップする工程と、接着剤片付きチップを、基板又は他のチップ上にマウントする工程とを含む。この半導体装置の製造方法によれば、接着剤片付きチップの優れたピックアップ性を達成しやすく、十分に高い歩留まりで半導体装置を製造し得る。
　本開示の一側面は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの選別方法に関する。この選別方法は、二種以上のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのエッジ剥離強度を比較して、二種以上のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのピックアップ性の優劣を判定することを含む。この選別方法によれば、半導体装置を高い歩留まりで製造し得るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを効率的に選別できる。
　本開示によれば、小チップ（面積９ｍｍ２以下）のエッジ剥離の影響を考慮したダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの評価方法及び選別方法が提供される。また、本開示によれば、小チップのエッジ剥離の影響を考慮したピックアップ性の評価方法、並びに、小チップのピックアップ性に優れるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びこれを用いた半導体装置の製造方法が提供される。
図１（ａ）はダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿った模式断面図である。 図２（ａ）～図２（ｃ）はエッジ剥離強度を測定する工程を模式的に示す断面図である。 図３は、押し込みによる変位（ｍｍ）と押し込み力（Ｎ）との関係の一例を示すグラフである。 図４は、測定対象のチップの中央部に相当する位置にマークを付した状態を模式的に示す平面図である。 図５はエッジ剥離強度の測定エリアの一例を模式的に示す平面図である。 図６は接着剤層に対する粘着剤層の３０°ピール強度を測定している様子を模式的に示す断面図である。 図７は半導体装置の一実施形態の模式断面図である。 図８（ａ）～図８（ｄ）は、接着剤片付きチップを製造する過程を模式的に示す断面図である。 図９は図７に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図１０は図７に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図１１は図７に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本開示の実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、アクリル酸又はメタクリル酸を意味し、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。「Ａ又はＢ」とは、ＡとＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。
　本明細書において「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。また、本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
　本明細書において組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。また、例示材料は特に断らない限り単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
＜ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム＞
　図１（ａ）は、本実施形態に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１のＢ－Ｂ線に沿った模式断面図である。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０（以下、場合により、単に「フィルム１０」と言う。）は、ウェハＷを面積９ｍｍ２以下の複数のチップに個片化するダイシング工程及びその後のピックアップ工程を含む半導体装置の製造プロセスに適用されるものである（図８（ｃ）及び図８（ｄ）参照）。
　フィルム１０は、基材層１と、基材層１と対面する第１の面Ｆ１及びその反対側の第２の面Ｆ２を有する粘着剤層３と、粘着剤層３の第２の面Ｆ２の中央部を覆うように設けられた接着剤層５とをこの順序で備える。本実施形態においては、正方形の基材層１を例示したが、基材層１が円形であり且つ粘着剤層３と同じサイズであってもよい。また、本実施形態においては、基材層１の上に、粘着剤層３及び接着剤層５の積層体が一つ形成された態様を例示したが、基材層１が所定の長さ（例えば、１００ｍ以上）を有し、その長手方向に並ぶように、粘着剤層３及び接着剤層５の積層体が所定の間隔で配置された態様であってもよい。
　フィルム１０はエッジ剥離強度が１．２Ｎ以下である。エッジ剥離強度は以下の工程を経て測定される。
＜エッジ剥離強度の測定＞
・接着剤層５に対して厚さ５０μｍのシリコンウェハＷｓを貼るとともに、粘着剤層３の第２の面Ｆ２に対してダイシングリングＤＲを貼る工程（図２（ａ）参照）
・シリコンウェハＷｓ及び接着剤層５を複数の接着剤片付きチップＴａ（以下、場合により単に「チップＴａ」と言う。）に個片化する工程（図２（ｂ）参照）
・温度２３℃において基材層１側からチップＴａの中央部を速度６０ｍｍ／分で押し込み（図２（ｃ）参照）、チップＴａのエッジが粘着剤層３から剥離するときのエッジ剥離強度を測定する工程
　フィルム１０のエッジ剥離強度が１．２Ｎ以下であることで、フィルム１０はウェハを面積９ｍｍ２以下の複数の小チップに個片化するダイシング工程及びその後のピックアップ工程に適したものであると評価することができる。フィルム１０のエッジ剥離強度の上限値は１．１Ｎ又は０．９Ｎであってもよく、下限値は、例えば、０．１Ｎであり、０．１５Ｎ又は０．２Ｎであってもよい。
　図２（ｂ）に示すように、チップＴａは、チップＴｓと接着剤片５ｐとによって構成されている。シリコンウェハＷｓ及び接着剤層５を複数のチップＴａに個片化する工程は、例えば、以下の条件のブレードダイシングによって実施すればよい。
＜ダイシング条件＞
・ダイサー：ＤＦＤ６３６１（株式会社ディスコ製）
・ブレード：ＺＨ０５－ＳＤ４０００－Ｎ１－７０－ＢＢ（株式会社ディスコ製）
・ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
・ダイシング速度：３０ｍｍ／秒
・ブレードハイト：９０μｍ
・粘着剤層３の表面からの切り込み深さ：２０μｍ
・チップＴａの平面視での形状：２ｍｍ×２ｍｍの正方形
　ブレードの種類としては、チップの加工品質を確保するため、また接着剤層５、粘着剤層３及び基材層１から発生する切削屑（バリ）を抑制するため、株式会社ディスコ製のブレードであれば＃４０００～＃４８００の粒径の細かいブレードを用いることが好ましい。
　厚さ５０μｍのシリコンウェハＷｓを使用する理由は以下のとおりである。例えば、シリコンウェハの厚さが３０μｍ以下である場合、ブレードダイシングによって個片化する際、チップ欠け及びチップ割れといった問題が発生しやすくなる。これに加え、エッジ剥離強度の測定時にチップが割れてしまうおそれがある。一方、例えば、シリコンウェハの厚さが８０μｍ以上の場合、ブレードダイシングにより個片化する際、ステップカットを適用しなければならない場合があり、ブレードの選定及び条件設定が容易ではなくなる。これに加え、チップが厚いとエッジ剥離強度の測定時にチップが撓みにくいため、エッジの剥離性が良くなりフィルム間の差異が出にくくなる可能性もある。また、近年では半導体ウェハの薄化が進行していることから、市場動向に合わせる意味でも厚さ５０μｍのシリコンウェハを用いる。
　接着剤片付きチップＴａのサイズを２ｍｍ×２ｍｍとした理由は以下のとおりである。例えば、接着剤片付きチップＴａのサイズを１ｍｍ×１ｍｍとした場合、チップの中央部（チップに押圧力を加える箇所）とエッジとの距離が近すぎるため、エッジの剥離性が良くなりフィルム間の差異が出にくい可能性がある。これに加え、チップが小さすぎるためにチップの中央部にマーキングすることが難しく、マーキング無しの目視では位置ずれにより測定誤差が生じる可能性がある。一方、例えば、接着剤片付きチップＴａのサイズを３ｍｍ×３ｍｍとした場合、チップエッジ部の剥離強度測定時に、チップの中央部とエッジとの距離が離れすぎているため、押し込みによる押圧力が伝わりにくくなり、エッジ剥離強度を正確に測定することが難しい。これに加え、エッジを剥離させるのに大きな押し込み量が必要であり、これに伴ってチップが大きく撓んで測定中にチップ割れが発生するおそれがある。
　エッジ剥離強度を測定する工程において、図２（ｃ）に示すように、基材層１側からチップＴａの中央部を押し込み冶具Ｐで押し込む。例えば、以下の装置等を使用し、以下の条件でエッジ剥離強度を測定すればよい。
＜測定条件＞
・測定装置：小型卓上試験機ＥＺ－ＳＸ（株式会社島津製作所製）
・ロードセル：５０Ｎ
・押し込み冶具：ＺＴＳシリーズ付属アタッチメント（形状：円錐型、株式会社イマダ製）
・押し込み速度：６０ｍｍ／分
・温度：２３℃
・湿度：４５±１０％
　図３は、押し込みによる変位（ｍｍ）と押し込み力（Ｎ）との関係の一例を示すグラフである。チップのエッジが剥離した時、図３に示すように、一時的に押し込み力が低下し、グラフに変化点が生じる。この変化点における押し込み力の値をエッジ剥離強度とする。
　エッジ剥離強度を測定する際、基材層１におけるチップＴａの中央部に相当する位置に、油性ペン等を用いてマーキングしておくことが好ましい。予めマーキングしておくことで、精度良く測定することが可能となるとともに、位置合わせが容易になり測定効率が向上する。
　押し込み速度を６０ｍｍ／分とした理由は以下のとおりである。すなわち、押し込み速度は、実際のピックアップ条件と合わせる意味で６０～１２００ｍｍ／分（１～２０ｍｍ／秒）が好ましいが、例えば、押し込み速度が速すぎると、エッジが剥離した後に押し込みを止めるまで間に試料に対して必要以上に押圧力が加わり、測定対象のチップの周辺のチップまで剥離したり、基材層が破れたりして、その後の測定に悪影響を及ぼす可能性がある。そのため、上記の範囲内でなるべく低速の押し込み速度を選択した。
　複数のチップＴａについてエッジ剥離強度を測定し、複数の測定値の平均をフィルム１０のエッジ剥離強度とすることが好ましい。例えば、５個以上（より好ましくは１０～２０個）のチップＴａについて測定を行ってその平均値を算出すればよい。第１のチップＴａのエッジ剥離強度を測定した後、第２のチップＴａのエッジ剥離強度を測定する場合、第１のチップＴａに対する押し込みが第２のチップＴａに影響しないように、第２のチップＴａは第１のチップＴａと十分に離間していることが好ましい。例えば、第１のチップＴａと第２のチップＴａの間には二個以上のチップＴａがあることが好ましい。図４は、測定対象のチップの中央部に相当する位置にマークＭを付した状態を模式的に示す平面図である。この図においては、測定対象の二つのチップＴａの間にチップ三個分の間隔があけられている。
　シリコンウェハＷｓが１２インチウェハである場合、図５に示す測定エリアＡ内の複数のチップＴａを測定とすることが好ましい。すなわち、図５に示すように、ダイシングリングＤＲのノッチＮの位置を紙面の上方としたとき、シリコンウェハＷｓの下側の端部から５０ｍｍの距離をあけ、８０ｍｍ×２０ｍｍ内のエリアで測定することが好ましい。シリコンウェハＷｓの端部と中央部とで、基材層１の張力及び押し込み時の基材層１の伸びに違いがあるため、位置によって測定値にばらつきが出る可能性がある。上記測定エリアと同様の設定は、８インチウェハの場合にも適用してもよい。なお、測定エリアＡは図５に示された位置に限定されず、例えば、ウェハＷｓの端部から所定の距離があいていれば、図５における上側、左側又は右側であってもよい。
　なお、エッジ剥離強度の測定によるピックアップ性の評価の他に、同じ試料に対し、ダイボンダ装置を使用して実際にピックアップを行うことによってピックアップ性を評価してもよい。この場合、先にエッジ剥離強度の測定を行うことが好ましい。ダイボンダ装置を使用したピックアップは、通常、基材フィルムをエキスパンドした状態で行う。エキスパンドの状態を解除した後において、エキスパンドによる基材層１の弛みが戻らない場合があり、エッジ剥離強度を精度良く測定することが難しくなるおそれがある。
　次に、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを構成する各層について説明する。
（基材層）
　基材層１としては、既知のポリマーシート又はフィルムを用いることができ、低温条件下においても、エキスパンド工程を実施可能なものであれば、特に制限はない。具体的には、基材層１を構成するポリマーとして、結晶性ポリプロピレン、非晶性ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、低密度直鎖ポリエチレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン－ブテン共重合体、エチレン－ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、又は、これらに可塑剤を混合した混合物、あるいは、電子線照射により架橋を施した硬化物が挙げられる。
　基材層１は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン－ポリプロピレンランダム共重合体、ポリエチレン－ポリプロピレンブロック共重合体から選ばれる少なくとも１種の樹脂を主成分とする表面を有し、この表面と粘着剤層３が接していることが好ましい。これらの樹脂は、ヤング率、応力緩和性及び融点等の特性、並びに、価格面、使用後の廃材リサイクル等の観点からも良好な基材である。基材層１は、単層でも構わないが、必要に応じて異なる材質からなる層が積層された多層構造を有していてもよい。粘着剤層３との密着性を制御するため、基材層１の表面に対して、マット処理、コロナ処理等の表面粗化処理を施してもよい。基材層１の厚さは、例えば、１０～２００μｍであり、２０～１８０μｍ又は３０～１５０μｍであってもよい。
（粘着剤層）
　粘着剤層３は、接着剤層５におけるシリコンウェハＷｓの貼付け位置に対応する領域Ｒｗを少なくとも含む第１の領域３ａと、第１の領域３ａを囲むように位置する第２の領域３ｂとを有する。図１（ａ）及び図１（ｂ）における破線は第１の領域３ａと第２の領域３ｂの境界を示す。第１の領域３ａ及び第２の領域３ｂは、活性エネルギー線の照射前において同一の組成物からなる。第１の領域３ａは、紫外線等の活性エネルギー線が照射されることによって、第２の領域３ｂと比較して粘着力が低下した状態の領域である。第２の領域３ｂはダイシングリングＤＲが貼り付けられる領域である（図２（ａ）参照）。第２の領域３ｂは活性エネルギー線が照射されていない領域であり、ダイシングリングＤＲに対する高い粘着力を有する。
　粘着剤層３の厚さは、エキスパンド工程の条件（温度及び張力等）に応じて適宜設定すればよく、例えば、１～２００μｍであり、５～５０μｍ又は１５～４５μｍであってもよい。粘着剤層３の厚さが１μｍ未満であると粘着性が不十分となりやすく、２００μｍを超えると、エキスパンド時にカーフ幅が狭く（ピン突き上げ時に応力を緩和してしまい）ピックアップが不十分になりやすい。
　接着剤層５に対する第１の領域３ａの粘着力は、１．２Ｎ／ｍｍ以上４．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。この粘着力は、温度２３℃において剥離角度３０°及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で測定される３０°ピール強度である。図６は支持板８０に測定試料（幅２５ｍｍ×長さ１００ｍｍ）の接着剤層５を固定した状態で、粘着剤層３の３０°ピール強度を測定している様子を模式的に示す断面図である。接着剤層５に対する第１の領域３ａの粘着力（３０°ピール強度）を上記範囲とすることで、ダイシング時におけるＤＡＦ飛びの抑制及び優れたピックアップ性の両方を十分高度に両立することができる。これにより、十分に高い歩留まりで半導体装置を製造することが可能となる。この粘着力の下限値は１．５Ｎ／２５ｍｍ又は２．０Ｎ／２５ｍｍであってもよく、上限値は３．５Ｎ／２５ｍｍ又は２．５Ｎ／２５ｍｍであってもよい。
　本発明者らは、面積９ｍｍ２以下の小チップのピックアップ挙動と、例えば、サイズ８ｍｍ×６ｍｍ程度の大チップのピックアップ挙動が異なることを着目して検討を行った。大チップの中心部を突上げ治具のピンで下方から突き上げることによって大チップをピックアップする場合、ピンの上昇に伴って、チップのエッジから中央部分に向けて粘着剤層と接着剤片の界面剥離が進展するものの、接着剤層に対する第１の領域３ａの３０°ピール強度が１．２Ｎ／２５ｍｍより大きいと、界面剥離がピンの上昇に追いつかず、チップが過度に変形して割れ又はピックアップミスが生じやすい。つまり、大チップのピックアップ性は粘着剤層３と接着剤片の界面剥離に主に支配され、接着剤層に対する粘着剤層の粘着力は例えば１．２Ｎ／２５ｍｍ未満に設定すべきことを本発明者らは見出した。これに対し、小チップのピックアップ性は接着剤片付きチップのエッジ部分の剥離に主に支配され、ピンによる突き上げによってエッジ部分の剥離が一旦生じれば、その後、粘着剤層３と接着剤片５ｐの界面剥離はスムーズに進展することを本発明者らは見出した。このため、接着剤層５に対する第１の領域３ａの粘着力が比較的強くても、小チップの場合は優れたピックアップ性を達成し得る。また、接着剤層５に対する第１の領域３ａの粘着力が比較的強いことで、ダイシング工程におけるＤＡＦ飛びを十分に抑制できる。
　第１の領域３ａは、接着剤層５に対して上記範囲の粘着力を有するものであり、活性エネルギー線の照射によって形成される。本発明者らは、活性エネルギー線の照射によって粘着剤層３の粘着力を低下させることが、接着剤片付きチップのエッジ剥離強度に影響を与えることを見出した。すなわち、第１の領域３ａの粘着力が活性エネルギー線の照射によって過度に低下したものであると、接着剤層５に対する第１の領域３ａの３０°ピール強度は低くなる一方、ピックアップ対象が小チップである場合、接着剤片付きチップのエッジが剥離しにくくなる傾向にあり、チップが過度に変形して割れ又はピックアップミスが生じやすい。接着剤層５に対する第１の領域３ａの粘着力は、活性エネルギー線を照射する前の粘着力を過度に低下させていないものであることが好ましく、これにより、面積９ｍｍ２以下の接着剤片付きチップであっても、そのエッジが粘着剤層３（第１の領域３ａ）から剥離しやすくなる。本実施形態においては、例えば、粘着剤層３における架橋剤の量を比較的少なくしたり、活性エネルギー線の照射量を低減するなどすることにより、粘着剤層３の第１の領域３ａの粘着力を調整することができる。
　第２の領域３ｂのステンレス基板に対する粘着力は０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。この粘着力は、温度２３℃において剥離角度９０°及び剥離速度５０ｍｍ／分の条件で測定される９０°ピール強度である。この粘着力が０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることで、ダイシング時におけるリング剥がれを十分に抑制することができる。この粘着力の下限値は０．３Ｎ／２５ｍｍ又は０．４Ｎ／２５ｍｍであってもよく、上限値は、例えば、２．０Ｎ／２５ｍｍであり、１．０Ｎ／２５ｍｍであってもよい。
　活性エネルギー線照射前の粘着剤層は、例えば、（メタ）アクリル系樹脂と、光重合開始剤と、架橋剤とを含む粘着剤組成物からなる。活性エネルギー線が照射されない第２の領域３ｂは活性エネルギー線照射前の粘着剤層と同じ組成からなる。以下、粘着剤組成物の含有成分について詳細に説明する。
［（メタ）アクリル系樹脂］
　粘着剤組成物は、連鎖重合可能な官能基を有する（メタ）アクリル系樹脂を含み、官能基がアクリロイル基及びメタクリロイル基から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。活性エネルギー線照射前の粘着剤層における上記官能基の含有量は、例えば、０．１～１．２ｍｍｏｌ／ｇであり、０．３～１．０ｍｍｏｌ／ｇ又は０．５～０．８ｍｍｏｌ／ｇであってもよい。上記官能基の含有量が０．１ｍｍｏｌ／ｇ以上であることで、活性エネルギー線の照射によって粘着力が適度に低下した領域（第１の領域３ａ）を形成しやすく、他方、１．２ｍｍｏｌ／ｇ以下であることで、優れたピックアップ性を達成しやすい。
　（メタ）アクリル系樹脂は、既知の方法で合成することで得ることができる。合成方法としては、例えば、溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法、塊状重合法、析出重合法、気相重合法、プラズマ重合法、超臨界重合法が挙げられる。また、重合反応の種類としては、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、リビングラジカル重合、リビングカチオン重合、リビングアニオン重合、配位重合、イモーダル重合等の他、ＡＴＲＰ（原子移動ラジカル重合）及びＲＡＦＴ（可逆的付加開裂連鎖移動重合）といった手法も挙げられる。この中でも、溶液重合法を用いてラジカル重合により合成することは、経済性の良さ、反応率の高さ、重合制御の容易さなどの他、重合で得られた樹脂溶液をそのまま用いて配合できる等の利点を有する。
　ここで、溶液重合法を用いてラジカル重合によって、（メタ）アクリル系樹脂を得る方法を例に、（メタ）アクリル系樹脂の合成法について詳細に説明する。
　（メタ）アクリル系樹脂を合成する際に用いられるモノマーとしては、一分子中に１個の（メタ）アクリロイル基を有するものであれば特に制限はない。その具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、ベヘニル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）スクシネート等の脂肪族（メタ）アクリレート；シクロペンチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）テトラヒドロフタレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）ヘキサヒドロフタレート等の脂環式（メタ）アクリレート；ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ｏ－ビフェニル（メタ）アクリレート、１－ナフチル（メタ）アクリレート、２－ナフチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｐ－クミルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｏ－フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、１－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、２－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（ｏ－フェニルフェノキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（１－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（２－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレート；２－テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、Ｎ－（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、２－（メタ）アクリロイロキシエチル－Ｎ－カルバゾール等の複素環式（メタ）アクリレート、これらのカプロラクトン変性体、ω－カルボキシ－ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、α－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α－ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α－エチル－６，７－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基を有する化合物；（２－エチル－２－オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、（２－メチル－２－オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、２－（２－エチル－２－オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、２－（２－メチル－２－オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、３－（２－エチル－２－オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート、３－（２－メチル－２－オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とオキセタニル基を有する化合物；２－（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート等のエチレン性不飽和基とイソシアネート基を有する化合物；２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－クロロ－２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基を有する化合物が挙げられ、これらを適宜組み合わせて目的とする（メタ）アクリル系樹脂を得ることができる。
　（メタ）アクリル系樹脂は、後述する官能基導入化合物又は架橋剤との反応点として、水酸基、グリシジル基及びアミノ基等から選ばれる少なくとも１種の官能基を有することが好ましい。水酸基を有する（メタ）アクリル系樹脂を合成するためのモノマーとしては、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－クロロ－２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基を有する化合物が挙げられ、これらは１種を単独で、あるいは、２種以上を併用することができる。
　グリシジル基を有する（メタ）アクリル系樹脂を合成するためのモノマーとしては、グリシジル（メタ）アクリレート、α－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α－ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α－エチル－６，７－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基を有する化合物が挙げられ、これらは１種を単独で、あるいは、２種以上を併用することができる。
　これらのモノマーから合成される（メタ）アクリル系樹脂は、連鎖重合可能な官能基を含むことが好ましい。連鎖重合可能な官能基は、例えば、アクリロイル基及びメタクリロイル基から選ばれる少なくとも１種である。連鎖重合可能な官能基は、例えば、上述のように合成された（メタ）アクリル系樹脂に以下の化合物（官能基導入化合物）を反応させることにより、当該（メタ）アクリル系樹脂中に導入することができる。官能基導入化合物の具体例として、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、１，１－（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートもしくは４－ヒドロキシブチルエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物などが挙げられる。これらの中でも、特に２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネートが好ましい。これらの化合物は、１種を単独で使用することもできるし、２種以上を組み合わせて使用することもできる。
　（メタ）アクリル系樹脂は、重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、１０万～２００万以上であり、好ましくは１５万～１００万であり、より好ましくは２０万～８０万である。（メタ）アクリル系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）がこのような範囲であれば、粘着性に優れ且つ低分子量成分が少なく被着体の汚染を防止し得る粘着剤層３を形成することができる。
　（メタ）アクリル系樹脂の水酸基価は、好ましくは１０～１５０ｍｇＫＯＨ／ｇであり、より好ましくは２０～１００ｍｇＫＯＨ／ｇである。（メタ）アクリル系樹脂の水酸基価が上記範囲であることで、架橋剤との反応により初期粘着力を調整可能であり且つ連鎖重合可能な官能基の反応後の剥離力が下げられるという効果が奏される。
［光重合開始剤］
　光重合開始剤としては、活性エネルギー線（紫外線、電子線及び可視光線から選ばれる少なくとも１種）を照射することで連鎖重合可能な活性種を発生するものであれば、特に制限はなく、例えば、光ラジカル重合開始剤が挙げられる。ここで連鎖重合可能な活性種とは、連鎖重合可能な官能基と反応することで重合反応が開始されるものを意味する。
　光ラジカル重合開始剤としては、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン等のベンゾインケタール；１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン等のα－ヒドロキシケトン；２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタン－１－オン、１，２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノプロパン－１－オン等のα－アミノケトン；１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１，２－オクタジオン－２－（ベンゾイル）オキシム等のオキシムエステル；ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６－ジメトキシベンゾイル）－２，４，４－トリメチルペンチルホスフィンオキシド、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド；２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２－（ｏ－フルオロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｐ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体；ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ´－テトラメチル－４，４´－ジアミノベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ´－テトラエチル－４，４´－ジアミノベンゾフェノン、４－メトキシ－４´－ジメチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン化合物；２－エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２－ベンズアントラキノン、２，３－ベンズアントラキノン、２－フェニルアントラキノン、２，３－ジフェニルアントラキノン、１－クロロアントラキノン、２－メチルアントラキノン、１，４－ナフトキノン、９，１０－フェナントラキノン、２－メチル－１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルアントラキノン等のキノン化合物；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル化合物；９－フェニルアクリジン、１，７－ビス（９、９´－アクリジニルヘプタン）等のアクリジン化合物：Ｎ－フェニルグリシン、クマリンが挙げられる。
　粘着剤組成物における光重合開始剤の含有量は、（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対し、例えば、０．１～３０質量部であり、０．３～１０質量部であることが好ましく、０．５～５質量部であることがより好ましい。光重合開始剤の含有量が０．１質量部未満であると粘着剤層が活性エネルギー線照射後に硬化不足となり、ピックアップ不良が起こりやすい。光重合開始剤の含有量が３０質量部を超えると接着剤層への汚染（光重合開始剤の接着剤層への転写）が生じやすい。
［架橋剤］
　架橋剤は、例えば、粘着剤層の弾性率及び／又は粘着性の制御を目的に用いられる。架橋剤は、上記（メタ）アクリル系樹脂が有する水酸基、グリシジル基及びアミノ基等から選ばれる少なくとも１種の官能基と反応し得る官能基を一分子中に２つ以上有する化合物であればよい。架橋剤と（メタ）アクリル系樹脂との反応によって形成される結合としては、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、イミド結合、ウレタン結合、ウレア結合等が挙げられる。
　本実施形態においては、架橋剤として、一分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する化合物を採用することが好ましい。このような化合物を用いると、上記（メタ）アクリル系樹脂が有する水酸基、グリシジル基及びアミノ基等と容易に反応し、強固な架橋構造を形成することができる。
　一分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する化合物としては、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４´－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４´－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４´－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４´－ジイソシアネート、リジンイソシアネート等のイソシアネート化合物が挙げられる。
　架橋剤として、上述のイソシアネート化合物と、一分子中に２つ以上のＯＨ基を有する多価アルコールの反応物（イソシアナート基含有オリゴマー）を採用してもよい。一分子中に２つ以上のＯＨ基を有する多価アルコールの例としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、１，６－ヘキサンジオール、１，８－オクタンジオール、１，９－ノナンジオール、１，１０－デカンジオール、１，１１－ウンデカンジオール、１，１２－ドデカンジオール、グリセリン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、１，４－シクロヘキサンジオール、１，３－シクロヘキサンジオールが挙げられる。
　これらの中でも、架橋剤として、一分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートと、一分子中に３つ以上のＯＨ基を有する多価アルコールの反応物（イソシアナート基含有オリゴマー）であることが更に望ましい。このようなイソシアネート基含有オリゴマーを架橋剤として用いることで、粘着剤層３が緻密な架橋構造を形成し、これにより、ピックアップ工程において接着剤層５に粘着剤が付着することを十分に抑制できる。
　粘着剤組成物における架橋剤の含有量は、粘着剤層に対して求められる凝集力及び破断伸び率、並びに、接着剤層５との密着性等に応じて適宜設定すればよい。具体的には、架橋剤の含有量は、（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対し、例えば、２～３０質量部であり、４～１５質量部又は７～１０質量部であってもよい。架橋剤の含有量を上記範囲とすることで、ダイシング工程において粘着剤層に求められる特性と、ダイボンディング工程において粘着剤層３に求められる特性とをバランスよく両立することが可能であるとともに、優れたピックアップ性も達成し得る。
　架橋剤の含有量が（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対して２質量部未満であると、架橋構造の形成が不十分となりやすく、これに起因して、ピックアップ工程において、接着剤層５との界面密着力が十分に低下せずにピックアップ時に不良が発生しやすい。他方、架橋剤の含有量が（メタ）アクリル系樹脂の含有量１００質量部に対して３０質量部を超えると、粘着剤層３が過度に硬くなりやすく、これに起因して、エキスパンド工程において半導体チップが剥離しやすい。
　粘着剤組成物の全質量に対する架橋剤の含有量は、例えば、０．１～２０質量％であり、２～１７質量％又は３～１５質量％であってもよい。架橋剤の含有量が０．１質量％以上であることで、活性エネルギー線の照射によって粘着力が適度に低下した領域（第１の領域３ａ）を形成しやすく、他方、１５質量％以下であることで、優れたピックアップ性を達成しやすい。
　粘着剤層３の形成方法としては、既知の手法を採用できる。例えば、基材層１と粘着剤層３との積層体を二層押し出し法で形成してもよいし、粘着剤層３の形成用ワニスを調製し、これを基材層１の表面に塗工する、あるいは、離型処理されたフィルム上に粘着剤層３を形成し、これを基材層１に転写してもよい。
　粘着剤層３の形成用ワニスは、（メタ）アクリル系樹脂、光重合開始剤及び架橋剤を溶解し得る有機溶剤であって加熱により揮発するものを使用して調製することが好ましい。有機溶剤の具体例としては、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ－シメン等の芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等の多価アルコールアルキルエーテル；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の多価アルコールアルキルエーテルアセテート；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミドが挙げられる。
　これらの中で、溶解性及び沸点の観点から、例えば、トルエン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、アセチルアセトンであることが好ましい。これらの有機溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。ワニスの固形分濃度は、通常１０～６０質量％であることが好ましい。
（接着剤層）
　接着剤層５には、既知のダイボンディングフィルムを構成する接着剤組成物を適用できる。具体的には、接着剤層５を構成する接着剤組成物は、エポキシ基含有アクリル共重合体、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有することが好ましい。これらの成分を含む接着剤層５によれば、チップ／基板間、チップ／チップ間の接着性に優れ、また電極埋め込み性及びワイヤ埋め込み性等も付与可能で、かつダイボンディング工程では低温で接着でき、短時間で優れた硬化が得られる、封止剤でモールド後は優れた信頼性を有する等の特徴があり好ましい。
　接着剤層５の厚さは、例えば、１～３００μｍであり、５～１５０μｍであることが好ましく、１０～１００μｍ又は１５～３５μｍであってもよい。接着剤層５の厚さが１μｍ未満であると接着性が不十分となりやすく、他方、３００μｍを超えるとダイシング性及びピックアップ性が不十分となりやすい。
　エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物等の二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、多官能エポキシ樹脂及び複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているその他のエポキシ樹脂を適用してもよい。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。なお、特性を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
　エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノール化合物と２価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得ることができるフェノール樹脂のようなものが挙げられる。フェノール樹脂の製造に用いられるフェノール化合物としては、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、ｏ－エチルフェノール、ｐ－エチルフェノール、ｏ－ｎ－プロピルフェノール、ｍ－ｎ－プロピルフェノール、ｐ－ｎ－プロピルフェノール、ｏ－イソプロピルフェノール、ｍ－イソプロピルフェノール、ｐ－イソプロピルフェノール、ｏ－ｎ－ブチルフェノール、ｍ－ｎ－ブチルフェノール、ｐ－ｎ－ブチルフェノール、ｏ－イソブチルフェノール、ｍ－イソブチルフェノール、ｐ－イソブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，４－キシレノール、２，６－キシレノール、３，５－キシレノール、２，４，６－トリメチルフェノール、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、４－メトキシフェノール、ｏ－フェニルフェノール、ｍ－フェニルフェノール、ｐ－フェニルフェノール、ｐ－シクロヘキシルフェノール、ｏ－アリルフェノール、ｐ－アリルフェノール、ｏ－ベンジルフェノール、ｐ－ベンジルフェノール、ｏ－クロロフェノール、ｐ－クロロフェノール、ｏ－ブロモフェノール、ｐ－ブロモフェノール、ｏ－ヨードフェノール、ｐ－ヨードフェノール、ｏ－フルオロフェノール、ｍ－フルオロフェノール、ｐ－フルオロフェノール等が例示される。これらのフェノール化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。フェノール樹脂の製造に用いられる２価の連結基であるキシリレン化合物としては、次に示すキシリレンジハライド、キシリレンジグリコール及びその誘導体が用いることができる。すなわち、α，α´－ジクロロ－ｐ－キシレン、α，α´－ジクロロ－ｍ－キシレン、α，α´－ジクロロ－ｏ－キシレン、α，α´－ジブロモ－ｐ－キシレン、α，α´－ジブロモ－ｍ－キシレン、α，α´－ジブロモ－ｏ－キシレン、α，α´－ジヨード－ｐ－キシレン、α，α´－ジヨード－ｍ－キシレン、α，α´－ジヨード－ｏ－キシレン、α，α´－ジヒドロキシ－ｐ－キシレン、α，α´－ジヒドロキシ－ｍ－キシレン、α，α´－ジヒドロキシ－ｏ－キシレン、α，α´－ジメトキシ－ｐ－キシレン、α，α´－ジメトキシ－ｍ－キシレン、α，α´－ジメトキシ－ｏ－キシレン、α，α´－ジエトキシ－ｐ－キシレン、α，α´－ジエトキシ－ｍ－キシレン、α，α´－ジエトキシ－ｏ－キシレン、α，α´－ジ－ｎ－プロポキシ－ｐ－キシレン、α，α´－ジ－ｎ－プロポキシ－ｍ－キシレン、α，α´－ジ－ｎ－プロポキシ－ｏ－キシレン、α，α´－ジ－イソプロポキシ－ｐ－キシレン、α，α´－ジイソプロポキシ－ｍ－キシレン、α，α´－ジイソプロポキシ－ｏ－キシレン、α，α´－ジ－ｎ－ブトキシ－ｐ－キシレン、α，α´－ジ－ｎ－ブトキシ－ｍ－キシレン、α，α´－ジ－ｎ－ブトキシ－ｏ－キシレン、α，α´－ジイソブトキシ－ｐ－キシレン、α，α´－ジイソブトキシ－ｍ－キシレン、α，α´－ジイソブトキシ－ｏ－キシレン、α，α´－ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ－ｐ－キシレン、α，α´－ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ－ｍ－キシレン、α，α´－ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ－ｏ－キシレンを挙げることができる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
　上記したフェノール化合物とキシリレン化合物を反応させる際には、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の鉱酸類；ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ｐ－トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機カルボン酸類；トリフロロメタンスルホン酸等の超強酸類；アルカンスルホン酸型イオン交換樹脂のような、強酸性イオン交換樹脂類；パーフルオロアルカンスルホン酸型イオン交換樹脂の様な、超強酸性イオン交換樹脂類（商品名：ナフィオン、Ｎａｆｉｏｎ、Ｄｕ　Ｐｏｎｔ社製、「ナフィオン」は登録商標）；天然及び合成ゼオライト類；活性白土（酸性白土）類等の酸性触媒を用い、５０～２５０℃において実質的に原料であるキシリレン化合物が消失し、且つ反応組成が一定になるまで反応させて得られる。反応時間は原料及び反応温度にもよるが、おおむね１時間～１５時間程度であり、実際には、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）等により反応組成を追跡しながら決定すればよい。
　エポキシ基含有アクリル共重合体は、原料としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを、得られる共重合体に対し０．５～６質量％となる量用いて得られた共重合体であることが好ましい。この量が０．５質量％以上であることで高い接着力を得やすく、他方、６質量％以下であることでゲル化を抑制できる。その残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレート等の炭素数１～８のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、及びスチレン、アクリロニトリル等の混合物を用いることができる。これらの中でもエチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のＴｇを考慮して調整することが好ましい。Ｔｇが－１０℃未満であるとＢステージ状態での接着剤層５のタック性が大きくなる傾向があり、取り扱い性が悪化する傾向にある。なお、エポキシ基含有アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）の上限値は、例えば、３０℃である。重合方法は特に制限がなく、例えば、パール重合、溶液重合が挙げられる。市販のエポキシ基含有アクリル共重合体としては、例えば、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３（商品名、ナガセケムテックス株式会社製）が挙げられる。
　エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量は１０万以上であり、この範囲であると接着性及び耐熱性が高く、３０万～３００万であることが好ましく、５０万～２００万であることがより好ましい。重量平均分子量が３００万以下であると、半導体チップと、これを支持する基板との間の充填性が低下することを抑制できる。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
　接着剤層５は、必要に応じて、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩類等の硬化促進剤を更に含有してもよい。硬化促進剤の具体例としては、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテートが挙げられる。これらは１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
　接着剤層５は、必要に応じて、無機フィラーを更に含有してもよい。無機フィラーの具体例としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカが挙げられる。これらは１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
　なお、接着剤層５は熱硬化性樹脂を含まない態様であってもよい。例えば、接着剤層５が反応性基含有（メタ）アクリル共重合体を含む場合、接着剤層５は、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体と、硬化促進剤と、フィラーとを含むものであればよい。
＜ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法＞
　フィルム１０の製造方法は、基材層１の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する粘着剤組成物からなる粘着剤層と、粘着剤層の表面上に形成された接着剤層５とを含む積層体を作製する工程と、積層体に含まれる粘着剤層の第１の領域３ａとなる領域に活性エネルギー線を照射する工程とをこの順序で含む。第１の領域３ａとなる領域に対する活性エネルギー線の照射量は、例えば、１０～１０００ｍＪ／ｃｍ２であり、１００～７００ｍＪ／ｃｍ２又は２００～５００ｍＪ／ｃｍ２であってもよい。
　上記製造方法は、粘着剤層と接着剤層５の積層体を先に作製し、その後、粘着剤層の特定の領域に活性エネルギー線を照射するものである。以下のとおり、接着剤層５と貼り合わせる前の粘着剤層に対して活性エネルギー線を照射して第１の領域３ａを形成してもよい。すなわち、フィルム１０の製造方法は、基材層１の表面上に、活性エネルギー線が照射されることによって粘着力が低下する組成物からなる粘着剤層を形成する工程と、粘着剤層の第１の領域３ａとなる領域に活性エネルギー線を照射する工程と、活性エネルギー線を照射した後の粘着剤層３の表面上に接着剤層５を積層する工程とをこの順序で含むものであってよい。
＜半導体装置及びその製造方法＞
　図７は本実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。この図に示す半導体装置１００は、基板７０と、基板７０の表面上に積層された四つのチップＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４と、基板７０の表面上の電極（不図示）と四つのチップＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４とを電気的に接続するワイヤＷ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４と、これらを覆っている封止層５０とを備える。
　基板７０は、例えば、有機基板であり、リードフレーム等の金属基板であってもよい。基板７０は、半導体装置１００の反りを抑制する観点から、基板７０の厚さは、例えば、７０～１４０μｍであり、８０～１００μｍであってもよい。
　四つのチップＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４は、接着剤片５ｐの硬化物５ｃを介して積層されている。平面視におけるチップＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の形状は、例えば正方形又は長方形である。チップＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の面積は９ｍｍ２以下であり、０．１～４ｍｍ２又は０．１～２ｍｍ２であってもよい。チップＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の一辺の長さは、例えば、３ｍｍ以下であり、０．１～２．０ｍｍ又０．１～１．０ｍｍであってもよい。チップＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の厚さは、例えば、１０～１７０μｍであり、２５～１００μｍであってもよい。なお、四つのチップＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の一辺の長さは同じであっても、互いに異なっていてもよく、厚さについても同様である。
　半導体装置１００の製造方法は、上述のフィルム１０を準備する工程と、フィルム１０の接着剤層５に対してウェハＷを貼るとともに、粘着剤層３の第２の面Ｆ２に対してダイシングリングＤＲを貼る工程と、ウェハＷを面積９ｍｍ２以下の複数のチップＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４に個片化する工程（ダイシング工程）と、接着剤片付きチップＴｂ（チップと接着剤片５ｐの積層体、図８（ｄ）参照）を粘着剤層３の第１の領域３ａからピックアップする工程と、接着剤片５ｐを介してチップＴ１を、基板７０上にマウントする工程とを含む。
　図８（ａ）～図８（ｄ）を参照しながら、接着剤片付きチップＴｂの作製方法の一例について説明する。まず、上述のフィルム１０を準備する。図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、ウェハＷの一方の面に接着剤層５が接するようにフィルム１０を貼り付ける。また、粘着剤層３の第２の面Ｆ２に対してダイシングリングＤＲを貼り付ける。
　ウェハＷ、接着剤層５及び粘着剤層３をダイシングする。これにより、図８（ｃ）に示すように、ウェハＷが個片化されてチップＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４となる。接着剤層５も個片化されて接着剤片５ｐとなる。ダイシング方法としては、ダイシングブレード又はレーザを用いる方法が挙げられる。なお、ウェハＷのダイシングに先立ってウェハＷを研削することによって薄膜化してもよい。
　ダイシング後、粘着剤層３に対して活性エネルギー線を照射することなく、図８（ｄ）に示されるように、常温又は冷却条件下において基材層１をエキスパンドすることによってチップを互いに離間させつつ、ピン４２で突き上げることによって粘着剤層３から接着剤片５ｐを剥離させるとともに、接着剤片付きチップＴｂを吸引コレット４４で吸引してピックアップする。
　図９～図１１を参照しながら、半導体装置１００の製造方法について具体的に説明する。まず、図９に示すように、接着剤片５ｐを介して一段目のチップＴ１を基板７０の所定の位置に圧着する。次に、加熱によって接着剤片５ｐを硬化させる。これにより、接着剤片５ｐが硬化して硬化物５ｃとなる。接着剤片５ｐの硬化処理は、ボイドの低減の観点から、加圧雰囲気下で実施してもよい。
　基板７０に対するチップＴ１のマウントと同様にして、チップＴ１の表面上に二段目のチップＴ２をマウントする。更に、三段目及び四段目のチップＴ３，Ｔ４をマウントすることによって図１０に示す構造体６０が作製される。チップＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４と基板７０とをワイヤＷ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４で電気的に接続した後（図１１参照）、封止層５０によって半導体素子及びワイヤを覆うことによって図７に示す半導体装置１００が完成する。
　以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、フィルム１０は、接着剤層５を覆うカバーフィルム（不図示）を更に備えてもよい。上記実施形態においては、活性エネルギー線の照射によって、粘着剤層３の第１の領域３ａの粘着力が第２の領域３ｂと比較して低下している態様を例示したが、粘着剤層３は紫外線硬化型又は感圧型であってもよい。
　上記実施形態においては、基材層１と、粘着剤層３と、接着剤層５とをこの順序で備えるフィルム１０を例示したが、接着剤層５を備えない態様であってもよい。この場合、例えば、チップをマウントする基板又は他のチップの表面に接着剤層を形成すればよい。
　本開示の評価方法は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを評価対象とするものに限られず、半導体装置の製造プロセスで使用されるチップ（切断片）のピックアップ性を評価対象としてもよい。この評価方法は以下の工程を含む。
（ｉ）基材層１と、粘着剤層３と、ウェハＷとをこの順序で少なくとも備える積層体を準備する工程
（ｉｉ）ウェハＷを面積９ｍｍ２以下の複数のチップに個片化する工程
（ｉｉｉ）基材層１側からチップの中央部を押し込み、チップのエッジが粘着剤層３から剥離するときのエッジ剥離強度を測定する工程
　ウェハＷの厚さは、例えば、１０～１００μｍであり、３０～８０μｍであってもよい。なお、（ｉ）工程において、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを使用して上記積層体を準備してもよい。また、（ｉ）工程において、ウェハＷの代わりに、金属層又は樹脂層を含む積層体を準備し、その切断片のピックアップ性を評価してもよい。
　ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの選別にエッジ剥離強度を利用してもよい。すなわち、二種以上のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのエッジ剥離強度を比較し、二種以上のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのピックアップ性の優劣を判定することで、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを選別してもよい。これにより、半導体装置を高い歩留まりで製造し得るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを効率的に選別できる。
　以下、本開示について、実施例に基づいて更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、特に記述がない限り、薬品は全て試薬を使用した。
［アクリル樹脂の合成（製造例１）］
　スリーワンモータ、撹拌翼、窒素導入管が備え付けられた容量２０００ｍｌのフラスコに以下の成分を入れた。
・酢酸エチル（溶剤）：６３５ｇ
・２－エチルヘキシルアクリレート：３９５ｇ
・２－ヒドロキシエチルアクリレート：１００ｇ
・メタクリル酸：５ｇ
・アゾビスイソブチロニトリル：０．０８ｇ
　十分に均一になるまで内容物を撹拌した後、流量５００ｍｌ／分にて６０分間バブリングを実施し、系中の溶存酸素を脱気した。１時間かけて７８℃まで昇温し、昇温後６時間重合させた。次に、スリーワンモータ、撹拌翼、窒素導入管が備え付けられた容量２０００ｍｌの加圧釜に反応溶液を移し、１２０℃、０．２８ＭＰａにて４．５時間加温後、室温（２５℃、以下同様）に冷却した。
　次に酢酸エチルを４９０ｇ加えて撹拌し希釈した。これにウレタン化触媒として、ジオクチルスズジラウレートを０．１０ｇ添加した後、２－メタクリロキシエチルイソシアネート（昭和電工株式会社製、カレンズＭＯＩ（商品名））を４８．６ｇ加え、７０℃で６時間反応させた後、室温に冷却した。次いで、酢酸エチルを加え、アクリル樹脂溶液中の不揮発分含有量が３５質量％となるよう調整し、連鎖重合可能な官能基を有する（Ａ）アクリル樹脂（製造例１）を含む溶液を得た。
　上記のようにして得た（Ａ）アクリル樹脂を含む溶液を６０℃で一晩真空乾燥した。これによって得られた固形分を全自動元素分析装置（エレメンタール社製、商品名：ｖａｒｉｏＥＬ）にて元素分析し、導入された２－メタクリロキシエチルイソシアネートの含有量を窒素含有量から算出したところ、０．５０ｍｍｏｌ／ｇであった。
　また、以下の装置を使用して（Ａ）アクリル樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量を求めた。すなわち、東ソー株式会社製ＳＤ－８０２２／ＤＰ－８０２０／ＲＩ－８０２０を使用し、カラムには日立化成株式会社製Ｇｅｌｐａｃｋ　ＧＬ－Ａ１５０－Ｓ／ＧＬ－Ａ１６０－Ｓを用い、溶離液にテトラヒドロフランを用いてＧＰＣ測定を行った。その結果、ポリスチレン換算重量平均分子量は８０万であった。ＪＩＳ　Ｋ００７０に記載の方法に準拠して測定した水酸基価及び酸価は５６．１ｍｇＫＯＨ／ｇ及び６．５ｍｇＫＯＨ／ｇであった。これらの結果を表１にまとめて示す。
［アクリル樹脂の合成（製造例２）］
　表１の製造例１に示す原料モノマー組成の代わりに、製造例２に示す原料モノマー組成とし、製造例１と同じ手法で製造した製造例２に係る（Ａ）アクリル樹脂の溶液を得た。製造例２に係る（Ａ）アクリル樹脂についての測定結果を表１に示す。
＜実施例１＞
［ダイシングフィルム（粘着剤層）の作製］
　以下の成分を混合することで、粘着剤層形成用のワニスを調製した（表２参照）。酢酸エチル（溶剤）の量は、ワニスの総固形分含有量が２５質量％となるように調整した。
・（Ａ）アクリル樹脂溶液（製造例１）：１００ｇ（固形分）
・（Ｂ）光重合開始剤（２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］－フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オン（チバスペシャリティケミカルズ株式会社製、イルガキュア１２７、「イルガキュア」は登録商標）：１．０ｇ
・（Ｃ）架橋剤（多官能イソシアネート、日本ポリウレタン工業株式会社製、コロネートＬ、固形分：７５％）：８．０ｇ（固形分）
・酢酸エチル（溶剤）
　一方の面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（幅４５０ｍｍ、長さ５００ｍｍ、厚さ３８μｍ）を準備した。離型処理が施された面に、アプリケータを用いて粘着剤層形成用のワニスを塗布した後、８０℃で５分間乾燥した。これにより、ポリエチレンテレフタレートフィルムと、その上に形成された厚さ３０μｍの粘着剤層とからなる積層体（ダイシングフィルム）を得た。
　一方の面にコロナ処理が施されたポリオレフィンフィルム（幅４５０ｍｍ、長さ５００ｍｍ、厚さ８０μｍ）を準備した。コロナ処理が施された面と、上記積層体の粘着剤層とを室温にて貼り合わせた。次いで、ゴムロールで押圧することで粘着剤層をポリオレフィンフィルム（カバーフィルム）に転写した。その後、室温で３日間放置することでカバーフィルム付きのダイシングフィルムを得た。
［ダイボンディングフィルム（接着剤層Ａ）の作製］
　まず、以下の組成物にシクロヘキサノン（溶剤）を加えて攪拌混合した後、更にビーズミルを用いて９０分混練した。
・エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ－７００－１０（商品名）、新日鉄住金化学株式会社製クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０、分子量１２００、軟化点８０℃）：１４質量部
・フェノール樹脂（ミレックスＸＬＣ－ＬＬ（商品名）、三井化学株式会社製、フェノール樹脂、水酸基当量１７５、吸水率１．８％、３５０℃における加熱重量減少率４％）：２３質量部
・シランカップリング剤（ＮＵＣ　Ａ－１８９（商品名）株式会社ＮＵＣ製、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）：０．２質量部
・シランカップリング剤（ＮＵＣＡ－１１６０（商品名）、日本ユニカー株式会社製、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン）：０．１質量部
・フィラー（「ＳＣ２０５０－ＨＬＧ（商品名）、アドマテックス株式会社製、シリカ、平均粒径０．５００μｍ）：３２質量部
　上記のようにして得た組成物に以下の成分を加えた後、攪拌混合及び真空脱気の工程を経て接着剤層形成用のワニスを得た。
・エポキシ基含有アクリル共重合体（ＨＴＲ－８６０Ｐ－３（商品名）、ナガセケムテックス株式会社製、重量平均分子量８０万）：１６質量部
・硬化促進剤（キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ（商品名）、四国化成工業株式会社製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、「キュアゾール」は登録商標）０．０．１質量部
　一方の面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３５μｍ）を準備した。離型処理が施された面に、アプリケータを用いて接着剤層形成用のワニスを塗布した後、１４０℃で５分間加熱乾燥した。これにより、ポリエチレンテレフタレートフィルム（キャリアフィルム）と、その上に形成された厚さ２５μｍの接着剤層（Ｂステージ状態）とからなる積層体（ダイボンディングフィルム）を得た。
［ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの作製］
　接着剤層とキャリアフィルムとからなるダイボンディングフィルムを、キャリアフィルムごと直径３３５ｍｍの円形にカットした。これにポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離したダイシングフィルムを室温で貼り付け後、室温で１日放置した。その後、直径３７０ｍｍの円形にダイシングフィルムをカットした。このようにして得たダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層におけるウェハの貼付け位置に対応する領域（粘着剤層の第１の領域）に以下のようにして紫外線を照射した。すなわち、パルスドキセノンランプを用いて７０Ｗ、３００ｍＪ／ｃｍ２の照射量で部分的に紫外線を照射した。なお、暗幕を用いてフィルムの中心から内径３１８ｍｍの部分に紫外線を照射した。このようにして、後述の種々の評価試験に供するための複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。
＜実施例２＞
　ダイシングフィルムを作製する際、「イルガキュア１２７」の代わりに、１－ヒドロキシ－シクロヘキシル－フェニル－ケトン、チバスペシャリティケミカルズ株式会社製、イルガキュア１８４、「イルガキュア」は登録商標）を使用したこと、及び、紫外線の照射量を３００ｍＪ／ｃｍ２とする代わりに、２００ｍＪ／ｃｍ２としたことの他は、実施例１と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。
＜実施例３＞
　紫外線の照射量を２００ｍＪ／ｃｍ２とする代わりに、２５０ｍＪ／ｃｍ２としたことの他は実施例２と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。
＜実施例４＞
　紫外線の照射量を２００ｍＪ／ｃｍ２とする代わりに、３００ｍＪ／ｃｍ２としたことの他は実施例２と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。
＜実施例５＞
　ダイボンディングフィルムとして、接着剤層Ａを有するものの代わりに、以下のようにして形成した接着剤層Ｂを有するものを使用したことの他は実施例４と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。
［ダイボンディングフィルム（接着剤層Ｂ）の作製］
　まず、以下の成分にシクロヘキサノン（溶剤）を加えて攪拌混合した後、更にビーズミルを用いて９０分混練した。
・フィラー（「ＳＣ２０５０－ＨＬＧ（商品名）、アドマテックス株式会社製、シリカ、平均粒径０．５００μｍ）：５０質量部
　上記のようにして得た組成物に以下の成分を加えた後、攪拌混合及び真空脱気の工程を経て接着剤層形成用のワニスを得た。
・エポキシ基含有アクリル共重合体（ＨＴＲ－８６０Ｐ－３（商品名）、ナガセケムテックス株式会社製、重量平均分子量８０万）：１００質量部
・硬化促進剤（キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ（商品名）、四国化成工業株式会社製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、「キュアゾール」は登録商標）０．１質量部
＜比較例１＞
　ダイシングフィルムを作製する際、製造例２に係る（Ａ）アクリル樹脂の溶液を使用するとともに、架橋剤の量を８．０質量部とする代わりに６．０質量部としたことの他は実施例１と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。
＜比較例２＞
　ダイシングフィルムを作製する際、架橋剤の量を８．０質量部とする代わりに６．０質量部としたことの他は実施例１と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。
＜比較例３＞
　紫外線の照射量を３００ｍＪ／ｃｍ２とする代わりに５００ｍＪ／ｃｍ２としたことの他は実施例１と同様にして、複数のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。
［評価試験］
（１）接着剤層に対する粘着剤層の粘着力（３０°ピール強度）の測定
　接着剤層に対する粘着剤層（紫外線照射領域）の粘着力を３０°ピール強度を測定することによって評価した。すなわち、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムから幅２５ｍｍ及び長さ１００ｍｍの測定試料を切り出した。測定試料は、粘着剤層（紫外線照射領域）と、接着剤層の積層体とした。引張試験機を用いて接着剤層に対する粘着剤層（紫外線照射領域）のピール強度を測定した。測定条件は、剥離角度３０°、引張速度６０ｍｍ／分とした。なお、試料の保存及びピール強度の測定は、温度２３℃、相対湿度４０％の環境下で行った。
（２）チップのエッジ剥離強度測定
　シリコンウェハ（直径：１２インチ、厚さ：５０μｍ）及びダイシングリングにダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを以下条件で貼り付けた。シリコンウェハ及びダイシングリングを貼り付けた後のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのＭＤ方向の伸びは、１．０～１．３％程度であった。
＜貼付条件＞
・貼付装置：ＤＦＭ２８００（株式会社ディスコ製）
・貼付温度：７０℃
・貼付速度：１０ｍｍ／ｓ
・貼付テンションレベル：レベル６
　次いで、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム付きシリコンウェハをブレードダイシングによって複数の接着剤片付きチップ（サイズ２ｍｍ×２ｍｍ）に個片化した。
＜ダイシング条件＞
・ダイサー：ＤＦＤ６３６１（株式会社ディスコ製）
・ブレード：ＺＨ０５－ＳＤ４０００－Ｎ１－７０－ＢＢ（株式会社ディスコ製）
・ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
・ダイシング速度：３０ｍｍ／秒
・ブレードハイト：９０μｍ
・粘着剤層の表面からの切り込み深さ：２０μｍ
・ダイシング時の水量
　　ブレードクーラー：１．５Ｌ／分
　　シャワー：１．０Ｌ／分、
　　スプレー：１．０Ｌ／分
　ダイシングしてから１日後、以下の測定条件で、基材層側から接着剤片付きチップを押し込み、接着剤片付きチップのエッジ剥離強度を測定した（図２（ｃ）参照）。なお、測定前に、チップの中央部に相当する基材層の表面に、油性ペンでマーキングを行った。チップの中央部は定規で計測して特定した。測定はN＝１０で行った。一つのチップについて測定した後、間隔をチップ３個分空けて次の測定を行った（図４参照）。
＜測定条件＞
・測定装置：小型卓上試験機ＥＺ－ＳＸ（株式会社島津製作所製）
・ロードセル：５０Ｎ
・押し込み冶具：ＺＴＳシリーズ付属アタッチメント（形状：円錐型、株式会社イマダ製）
・押し込み速度：６０ｍｍ／分
・温度：２３℃
・湿度：４５±１０％
（３）ピックアップ性の評価
　上記のエッジ剥離強度の測定後、以下の条件で１００個の接着剤片付きチップをピックアップした。
＜ピックアップ条件＞
・ダイボンダ装置：ＤＢ８００－ＨＳＤ（株式会社日立ハイテクノロジーズ製）
・突上げピン：ＥＪＥＣＴＯＲ　ＮＥＥＤＬＥ　ＳＥＮ２－８３－０５（直径：０．７ｍｍ、先端形状：半径３５０μｍの半球、マイクロメカニクス社製）
・突き上げ高さ：２００μｍ
・突き上げ速度：１ｍｍ／秒、
　なお、突上げピンは、チップの中央部に１本配置した。ピックアップの成功率が１００％であったものを「Ａ」、７０％以上１００％未満であったものを「Ｂ」、７０％未満であったものを「Ｃ」とした。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示すように、実施例１～５は、比較例１～３よりもピックアップ性が良好であった。具体的には、比較例１は実施例１～４よりも３０°ピール強度が大幅に低い値であるにもかかわらず、チップのエッジ剥離強度が１．６Ｎと高いためにピックアップ性が顕著に悪化した。また比較例２では、実施例２と同等の３０°ピール強度であるにも関わらず、チップのエッジ剥離強度が１．３Ｎと比較的高いためにピックアップ性が悪化したと考えられる。また比較例３では、実施例１から紫外線照射量を増加させたことで３０°ピール強度が低い値となったが、一方でチップのエッジ剥離強度が１．３Ｎと比較的高くなったことからピックアップ性が悪化したと考えられる。このことから、粘着剤層の組成のみならず、紫外線照射量もチップのエッジ剥離強度及びピックアップ性に重要な要因であることが分かった。
　以上の結果から、小チップのピックアップ性はチップのエッジ剥離強度と相関があることが明らかとなり、エッジ剥離強度が１．２Ｎ以下で良好なピックアップ性が得られることが分かった。
　本開示によれば、小チップ（面積９ｍｍ２以下）のエッジ剥離の影響を考慮したダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの評価方法及び選別方法が提供される。また、本開示によれば、小チップのエッジ剥離の影響を考慮したピックアップ性の評価方法、並びに、小チップのピックアップ性に優れるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びこれを用いた半導体装置の製造方法が提供される。
１…基材層、３…粘着剤層、３ａ…第１の領域、３ｂ…第２の領域、５…接着剤層、５ｐ…接着剤片、５ｃ…硬化物、１０…ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、４２…ピン、４４…吸引コレット、５０…封止層、６０…構造体、７０…基板、８０…支持板、１００…半導体装置、Ａ…測定エリア、ＤＲ…ダイシングリング、Ｆ１…第１の面、Ｆ２…第２の面、Ｍ…マーク、Ｎ…ノッチ、Ｐ…押し込み冶具、Ｒｗ…領域、Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４，Ｔｓ…チップ、Ｔａ，Ｔｂ…接着剤片付きチップ、Ｗ…ウェハ、Ｗｓ…シリコンウェハ、Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…ワイヤ

Claims (10)

  1. （Ａ）基材層と、前記基材層と対面する第１の面及びその反対側の第２の面を有する粘着剤層と、前記粘着剤層の前記第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層とを備える評価対象のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する工程と、
    （Ｂ）前記接着剤層に対して厚さ５０μｍのシリコンウェハを貼るとともに、前記粘着剤層の前記第２の面に対してダイシングリングを貼る工程と、
    （Ｃ）前記シリコンウェハ及び前記接着剤層を複数の接着剤片付きチップに個片化し、辺の長さが２ｍｍの正方形の前記接着剤片付きチップを得る工程と、
    （Ｄ）温度２３℃において前記基材層側から前記接着剤片付きチップの中央部を速度６０ｍｍ／分で押し込み、前記接着剤片付きチップのエッジが前記粘着剤層から剥離するときのエッジ剥離強度を測定する工程と、
    を含み、
    　前記エッジ剥離強度が１．２Ｎ以下であるとき、前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは良好なピックアップ性を有すると判定する、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの評価方法。
  2. （ｉ）基材層と、粘着剤層と、厚さ１０～１００μｍのウェハとをこの順序で少なくとも備える積層体を準備する工程と、
    （ｉｉ）前記ウェハを面積９ｍｍ２以下の複数のチップに個片化する工程と、
    （ｉｉｉ）前記基材層側から前記チップの中央部を押し込み、前記チップのエッジが前記粘着剤層から剥離するときのエッジ剥離強度を測定する工程と、
    を含む、ピックアップ性の評価方法。
  3. 　前記積層体が前記粘着剤層と前記ウェハとの間に接着剤層を更に備え、
    　前記シリコンウェハ及び前記接着剤層を面積９ｍｍ２以下の複数の接着剤片付きチップに個片化し、
    　前記基材層側から前記接着剤片付きチップの中央部を押し込み、前記接着剤片付きチップのエッジが前記粘着剤層から剥離するときのエッジ剥離強度を測定する、請求項２に記載のピックアップ性の評価方法。
  4. 　基材層と、
    　前記基材層と対面する第１の面及びその反対側の第２の面を有する粘着剤層と、
    　前記粘着剤層の前記第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層と、
    を備え、
    　以下の工程を経て測定されるエッジ剥離強度が１．２Ｎ以下である、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
    ＜エッジ剥離強度の測定＞
    ・前記接着剤層に対して厚さ５０μｍのシリコンウェハを貼るとともに、前記粘着剤層の前記第２の面に対してダイシングリングを貼る工程
    ・前記シリコンウェハ及び前記接着剤層を複数の接着剤片付きチップに個片化し、辺の長さが２ｍｍの正方形の前記接着剤片付きチップを得る工程
    ・温度２３℃において前記基材層側から前記接着剤片付きチップの中央部を速度６０ｍｍ／分で押し込み、前記接着剤片付きチップのエッジが前記粘着剤層から剥離するときのエッジ剥離強度を測定する工程
  5. 　面積９ｍｍ２以下の複数の接着剤片付きチップにウェハ及び接着剤層を個片化する工程を含む半導体装置製造プロセスに適用される、請求項４に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  6. 　前記個片化する工程において、ブレードダイシングによって前記複数の接着剤片付きチップが得られる、請求項５に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  7. 　請求項４～６のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する工程と、
    　前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの前記接着剤層に対してウェハを貼るとともに、前記粘着剤層の前記第２の面に対してダイシングリングを貼る工程と、
    　前記ウェハ及び前記接着剤層を面積９ｍｍ２以下の複数の接着剤片付きチップに個片化する工程と、
    　前記接着剤片付きチップを前記粘着剤層からピックアップする工程と、
    　前記接着剤片付きチップを、基板又は他のチップ上にマウントする工程と、
    を含む、半導体装置の製造方法。
  8. 　二種以上のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのエッジ剥離強度を比較して、前記二種以上のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのピックアップ性の優劣を判定することを含む、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの選別方法。
  9. 　前記二種以上のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムが、基材層と、前記基材層と対面する第１の面及びその反対側の第２の面を有する粘着剤層と、前記粘着剤層の前記第２の面の中央部を覆うように設けられた接着剤層とをそれぞれ備える、請求項８に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの選別方法。
  10. 　前記二種以上のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの前記エッジ剥離強度を測定するための以下の工程を含む、請求項９に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの選別方法。
    ・前記接着剤層に対して厚さ５０μｍのシリコンウェハを貼るとともに、前記粘着剤層の前記第２の面に対してダイシングリングを貼る工程
    ・前記シリコンウェハ及び前記接着剤層を複数の接着剤片付きチップに個片化し、辺の長さが２ｍｍの正方形の前記接着剤片付きチップを得る工程
    ・温度２３℃において前記基材層側から前記接着剤片付きチップの中央部を速度６０ｍｍ／分で押し込み、前記接着剤片付きチップのエッジが前記粘着剤層から剥離するときのエッジ剥離強度を測定する工程
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012153819A (ja) * 2011-01-27 2012-08-16 Lintec Corp 接着剤組成物および接着シート
JP2014045034A (ja) * 2012-08-24 2014-03-13 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2016015456A (ja) * 2014-07-03 2016-01-28 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート
WO2016140163A1 (ja) * 2015-03-03 2016-09-09 リンテック株式会社 半導体加工用シート

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4443962B2 (ja) 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2007285795A (ja) * 2006-04-14 2007-11-01 Toppan Printing Co Ltd 被膜の密着性評価方法
JP2009130332A (ja) 2007-11-28 2009-06-11 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP5456441B2 (ja) * 2009-01-30 2014-03-26 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルム
JP2010263041A (ja) 2009-05-01 2010-11-18 Nitto Denko Corp ダイアタッチフィルム付きダイシングテープおよび半導体装置の製造方法
JP5534986B2 (ja) 2010-07-09 2014-07-02 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP5833005B2 (ja) * 2010-07-13 2015-12-16 日立化成株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム
JP2012069586A (ja) 2010-09-21 2012-04-05 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法、及び、半導体装置の製造方法
JP5802396B2 (ja) * 2011-01-27 2015-10-28 株式会社オートネットワーク技術研究所 紫外線硬化性組成物およびこれを用いた硬化物
JP2014135469A (ja) 2012-12-10 2014-07-24 Nitto Denko Corp 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP6926473B2 (ja) 2016-12-28 2021-08-25 昭和電工マテリアルズ株式会社 ダイシング用粘着シート及びその製造方法、ダイシングダイボンディング一体型シート、並びに、半導体装置の製造方法
JP6667468B2 (ja) * 2017-03-10 2020-03-18 古河電気工業株式会社 半導体加工用粘着テープ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012153819A (ja) * 2011-01-27 2012-08-16 Lintec Corp 接着剤組成物および接着シート
JP2014045034A (ja) * 2012-08-24 2014-03-13 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2016015456A (ja) * 2014-07-03 2016-01-28 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート
WO2016140163A1 (ja) * 2015-03-03 2016-09-09 リンテック株式会社 半導体加工用シート

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