CN114287054A - 层叠体的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种层叠体的制造方法，其中，在支撑片上设置含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分，并且与半导体芯片为相同形状或大致相同的形状且为相同大小的膜状烧成材料，将所述支撑片上的所述膜状烧成材料贴附于基板，将所述支撑片从所述基板及膜状烧成材料上剥离，使所述半导体芯片的背面侧面向所述基板上的所述膜状烧成材料而进行贴附，并将所述膜状烧成材料加热至200℃以上，从而将所述半导体芯片与所述基板烧结结合。

Description

层叠体的制造方法
技术领域
本发明涉及一种层叠体的制造方法。
本申请基于2019年8月26日于日本提出申请的日本特愿2019-153524号主张优先权，并将其内容援用于此。
背景技术
近年来，随着汽车、空调、个人电脑等的高电压·高电流化，对其中所搭载的功率半导体元件(功率器件)的需求不断增加。功率半导体元件在高电压·高电流下进行使用，因为这一特征，半导体元件的发热容易成为问题。
以往，为了对由半导体元件产生的热进行散热，有时会在半导体元件的周围安装散热器。然而，若散热器与半导体元件之间的接合部的导热性不良，则将妨碍有效的散热。
作为可形成导热性优异的所述接合部的接合材料，例如已知一种膏状金属微粒组合物，该组合物通过混合加热烧结性金属颗粒、高分子分散剂及挥发性分散介质而得到。该组合物为通过对其进行烧结从而形成固态金属的烧成材料，该固态金属能够构成所述接合部。
然而，使用这样的膏状的烧成材料时，虽然可以通过将其涂布于烧结接合的对象物并进行烧结来形成所述接合部，但难以使涂布物的厚度均匀，难以形成厚度稳定性高的所述接合部。
这样的问题能够通过使用膜状的烧成材料来解决。即，能够事先形成厚度稳定性高的膜状的烧成材料，将其贴附于烧结接合的对象物(例如，半导体晶圆)并进行烧结，由此形成稳定性高的所述接合部。
作为这样的膜状烧成材料，例如公开了一种含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分的膜状烧成材料。该膜状烧成材料可制成带支撑片的膜状烧成材料而使用，在其一侧以可剥离的方式临时粘贴有支撑片，在另一侧设置有剥离膜。而且，支撑片在基材膜上的整个面或外周部上设置有粘着剂层，其以膜状烧成材料的端部的平均厚度、剥离膜的面积、及剥离膜中有无切口满足特定条件的方式构成(参考专利文献1)。该膜状烧成材料在将剥离膜剥离后使用，能够形成厚度稳定性及导热性优异的所述接合部。而且，该膜状烧成材料还可抑制通常剥离剥离膜时容易发生的内聚破坏等破损。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第6327630号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而，专利文献1所记载的膜状烧成材料的设定为，在使用时贴附于半导体晶圆的整个背面。因此，会在贴附到半导体晶圆之后，将半导体晶圆分割为半导体芯片时，将该膜状烧成材料按照该半导体芯片的形状及大小进行裁切。裁切后的膜状烧成材料最终通过烧结而形成将半导体芯片与基板接合的接合部。然而，由于富含烧结性金属颗粒的膜状烧成材料相对较脆，因此存在将其裁切时容易产生切屑、或根据裁切方法而容易发生破损的问题。进一步，半导体芯片发生故障时，无法使用该半导体芯片，因此存在贴附于该半导体芯片的膜状烧成材料被浪费、膜状烧成材料的成品率降低的问题。
本发明的目的在于提供一种层叠体的制造方法，其为经由接合部层叠半导体芯片与基板而构成的层叠体的制造方法，其中，所述接合部通过将膜状烧成材料烧结而形成，其厚度稳定性及导热性优异，能够抑制膜状烧成材料的破损，膜状烧成材料的成品率良好。
解决技术问题的技术手段
本发明提供一种层叠体的制造方法，其包括：在支撑片上设置膜状烧成材料的工序，其中，所述膜状烧成材料含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分，并且与作为贴附对象的半导体芯片为相同形状或大致相同的形状且为相同大小；将所述支撑片上的所述膜状烧成材料贴附于基板的工序；将所述支撑片从所述基板及所述膜状烧成材料上剥离的工序；使所述半导体芯片的背面侧面向所述基板上的所述膜状烧成材料而进行贴附的工序；及通过将所述膜状烧成材料加热至200℃以上，从而将所述半导体芯片与所述基板烧结结合的工序。
在本发明的层叠体的制造方法中，也可以通过将所述膜状烧成材料加热至200℃以上并同时加压至5MPa以上，从而将所述半导体芯片与所述基板烧结结合。
在本发明的层叠体的制造方法中，所述基板可以为陶瓷基板。
在本发明的层叠体的制造方法中，所述支撑片可具备基材膜与设置于所述基材膜上的整个面的粘着剂层，可在所述支撑片的所述粘着剂层上设置所述膜状烧成材料。
在本发明的层叠体的制造方法中，所述支撑片可具备基材膜与设置于所述基材膜上的周边部的粘着剂层，可在所述支撑片的所述基材膜上的未设置所述粘着剂层的区域设置所述膜状烧成材料。
在本发明的层叠体的制造方法中，所述粘着剂层可以具有能量射线固化性。
在本发明的层叠体的制造方法中，可以对具有能量射线固化性的所述粘着剂层照射能量射线，从而将所述支撑片从所述膜状烧成材料上剥离。
在本发明的层叠体的制造方法中，可以通过将形成在剥离膜上的所述膜状烧成材料转印到所述支撑片上，从而在所述支撑片上设置所述膜状烧成材料。
在本发明的层叠体的制造方法中，可以在所述剥离膜上印刷所述膜状烧成材料，从而在所述剥离膜上形成所述膜状烧成材料。
在本发明的层叠体的制造方法中，可以使用与作为贴附对象的所述半导体芯片为相同形状或大致相同的形状且为相同大小的模具进行冲切加工，从而在所述剥离膜上形成所述膜状烧成材料。
在本发明的层叠体的制造方法中，可以在所述支撑片上印刷所述膜状烧成材料，从而在所述支撑片上设置所述膜状烧成材料。
在本发明的层叠体的制造方法中，所述支撑片可以为圆形。
在本发明的层叠体的制造方法中，所述支撑片可卷绕成卷盘(reel)状，且可将所述膜状烧成材料以恒定间隔排列设置在所述支撑片上。
发明效果
根据本发明，可提供一种层叠体的制造方法，其为经由接合部层叠半导体芯片与基板而构成的层叠体的制造方法，其中，所述接合部通过膜状烧成材料的烧结形成，其厚度稳定性及导热性优异，能够抑制膜状烧成材料的破损，膜状烧成材料的成品率良好。
附图说明
图1A为示意性地示出本实施方案的制造方法中使用的支撑片的一个实例的俯视图。
图1B为图1A所示的支撑片的图1A中的I-I线处的剖面图。
图2A为示意性地示出本实施方案的制造方法中使用的支撑片的另一个实例的俯视图。
图2B为图2A所示的支撑片的图2A中的II-II线处的剖面图。
图3A为示意性地示出本实施方案的制造方法中使用的支撑片的又一个实例的俯视图。
图3B为图3A所示的支撑片的图3A中的III-III线处的剖面图。
图4A为用于示意性地说明第一实施方案的层叠体的制造方法的一个实例的剖面图。
图4B为用于示意性地说明第一实施方案的层叠体的制造方法的一个实例的剖面图。
图4C为用于示意性地说明第一实施方案的层叠体的制造方法的一个实例的剖面图。
图4D为用于示意性地说明第一实施方案的层叠体的制造方法的一个实例的剖面图。
图4E为用于示意性地说明第一实施方案的层叠体的制造方法的一个实例的剖面图。
图5为示意性地示出通过第一实施方案的制造方法而得到的带支撑片的膜状烧成材料的一个实例的俯视图。
图6为示意性地示出通过第一实施方案的制造方法而得到的带支撑片的膜状烧成材料的另一个实例的俯视图。
图7为示意性地示出通过第一实施方案的制造方法而得到的带支撑片的膜状烧成材料的又一个实例的俯视图。
图8为示意性地示出通过第一实施方案的制造方法而得到的具备保护膜的带支撑片的膜状烧成材料的一个实例的剖面图。
图9为示意性地示出从卷盘状拉出的具备保护膜的带支撑片的膜状烧成材料的一个实例的剖面图。
图10A为用于示意性地说明第二实施方案的层叠体的制造方法的一个实例的剖面图。
图10B为用于示意性地说明第二实施方案的层叠体的制造方法的一个实例的剖面图。
图10C为用于示意性地说明第二实施方案的层叠体的制造方法的一个实例的剖面图。
图10D为用于示意性地说明第二实施方案的层叠体的制造方法的一个实例的剖面图。
图10E为用于示意性地说明第二实施方案的层叠体的制造方法的一个实例的剖面图。
图11为示意性地示出通过第二实施方案的制造方法而得到的带支撑片的膜状烧成材料的一个实例的俯视图。
具体实施方式
＜＜层叠体的制造方法＞＞
本发明的一个实施方案的层叠体的制造方法包括：在支撑片上设置膜状烧成材料的工序，其中，所述膜状烧成材料含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分，并且与作为贴附对象的半导体芯片为相同形状或大致相同的形状且为相同大小(在本说明书中，有时称作“工序A”)；将所述支撑片上的所述膜状烧成材料贴附于基板的工序(在本说明书中，有时称作“工序B”)；将所述支撑片从所述基板及所述膜状烧成材料上剥离的工序(在本说明书中，有时称作“工序C”)；使所述半导体芯片的背面侧面向所述基板上的所述膜状烧成材料而进行贴附的工序(在本说明书中，有时称作“工序D”)；通过将所述膜状烧成材料加热至200℃以上，从而将所述半导体芯片与所述基板烧结结合的工序(在本说明书中，有时称作“工序E”)。
在本实施方案的层叠体的制造方法中，在工序A中，在支撑片上设置与作为贴附对象的半导体芯片为相同形状或大致相同的形状且为相同大小的膜状烧成材料，因此无需将膜状烧成材料按照半导体芯片的形状及大小进行裁切。因此，即使膜状烧成材料较脆，也不会产生来自膜状烧成材料的切屑，可抑制膜状烧成材料的破损。此外，在工序D中，将半导体芯片贴附于膜状烧成材料，因此能够通过避免使用有故障的半导体芯片来确保将没有故障的半导体芯片贴附于膜状烧成材料。因此，不会浪费膜状烧成材料，膜状烧成材料的成品率变得良好。
以下，首先，对用于本实施方案的支撑片、膜状烧成材料、半导体芯片及基板进行说明。
＜支撑片＞
所述支撑片只要能够设置所述膜状烧成材料，且能够进行后述的工序B～C，则没有特别限定。
所述支撑片的形状没有特别限定，可列举出四边形、圆形等。四边形中例如包含正方形及长方形，进一步，长方形中包含带状(换言之，长条的四边形)的形状。
在本说明书中，在没有特别说明的情况下，“支撑片的形状”是指，从支撑片的主面(例如，后述的第一面)的上方向下俯视支撑片时的形状(即俯视形状)。
作为支撑片，例如可列举出具备基材膜与设置于所述基材膜上的整个面的粘着剂层的支撑片。
图1A为示意性地示出这样的支撑片的一个实例的俯视图，图1B为图1A所示的支撑片的图1A中的I-I线处的剖面图。
此处所示的支撑片11的形状为四边形，其通过具备基材膜111与设置于基材膜111的一个面(在本说明书中，有时称作“第一面”)111a的整个面的粘着剂层112而构成。
粘着剂层112例如在后述的工序C中，适合用于使支撑片11从膜状烧成材料上的剥离容易。
使用支撑片11时，粘着剂层112的与基材膜111侧为相反侧的面(在本说明书中，有时称作“第一面”)112a在后述的工序A中成为与膜状烧成材料相对的面。支撑片11的一个面(在本说明书中，有时称作“第一面”)11a与粘着剂层112的第一面112a相同。
图2A为示意性地示出支撑片的另一个实例的俯视图，图2B为图2A所示的支撑片的图2A中的II-II线处的剖面图。
另外，在图2A以后的图中，对与已经进行了说明的图中所示的构成要素相同的构成要素，赋予与该已经进行了说明的图相同的附图标记，并省略其详细说明。
此处所示的支撑片31的形状为带状，其通过具备基材膜311与设置于基材膜311的一个面(在本说明书中，有时称作“第一面”)311a的整个面的粘着剂层312而构成。
基材膜311除了其形状不同这一点以外，与图1B所示的基材膜111相同，粘着剂层312除了其形状不同这一点以外，与图1A及图1B所示的粘着剂层112相同。
粘着剂层312例如在后述的工序C中，适合用于使支撑片31从膜状烧成材料上的剥离容易。
使用支撑片31时，粘着剂层312的与基材膜311侧为相反侧的面(在本说明书中，有时称作“第一面”)312a在后述的工序A中成为与膜状烧成材料相对的面。支撑片31的一个面(在本说明书中，有时称作“第一面”)31a与粘着剂层312的第一面312a相同。
作为支撑片，例如还可列举出具备基材膜与设置于所述基材膜上的周边部的粘着剂层的支撑片。
图3A为示意性地示出这样的支撑片的一个实例的俯视图，图3B为图3A所示的支撑片的图3A中的III-III线处的剖面图。
此处所示的支撑片19通过具备基材膜111与设置于基材膜111的一个面(第一面)111a的周边部1110a的粘着剂层192而构成。
基材膜111的第一面111a的周边部1110a为所述第一面111a中的与基材膜111的外周部相应的宽度狭窄的区域，粘着剂层192具有与所述外周部相应的带状的形状。而且，粘着剂层192与所述周边部1110a相连并被设置为矩形环状。
支撑片19的第一面19a与基材膜111的第一面111a相同。
由此，粘着剂层192例如适合用于将支撑片19贴合于支撑框架而临时固定支撑片19，且在之后的工序中将支撑片19从支撑框架上剥离。
所述支撑片优选在所述基材膜上的整个面或周边部设置有粘着剂层，换言之，优选其至少在所述基材膜上的周边部设置有粘着剂层。
[基材膜]
作为所述基材膜的构成材料，可列举出树脂。
作为所述树脂，例如可列举出低密度聚乙烯(LDPE)、线性低密度聚乙烯(LLDPE)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等除聚乙烯以外的聚烯烃；乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物等乙烯类共聚物(具有由乙烯衍生的结构单元的共聚物)；聚氯乙烯；氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物；聚氨酯；离聚物；具有耐热性的聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯；这些树脂的交联物等。
在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”是指包含“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”的概念。与(甲基)丙烯酸类似的术语也同样，例如“(甲基)丙烯酸酯”是指包含“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”的概念。
基材膜也可以为将具有粘着性的树脂作为构成材料的弱粘着性的膜。在后述的工序A中，这样的基材膜适合用于使膜状烧成材料与其直接接触而设置在其之上的情况。
基材膜也可以通过放射线处理、放电处理等进行改性。
基材膜可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，由多个层构成时，这些多个层可以彼此相同也可以彼此不同，这些多个层的组合没有特别限定。
在本说明书中，不限于基材膜的情况，“多个层可以彼此相同也可以彼此不同”是指，“可以所有的层均相同，也可以所有的层均不同，还可以仅一部分的层相同”，进一步“多个层彼此不同”是指，“各个层的构成材料及厚度中的至少一个彼此不同”。
基材膜的厚度没有特别限定，例如可以为30～300μm。
此处，“基材膜的厚度”是指基材膜整体的厚度，例如，由多个层构成的基材膜的厚度是指构成基材膜的所有层的合计厚度。
[粘着剂层]
作为所述粘着剂层，例如可列举出能量射线固化性的粘着剂层、非固化性且具有弱粘着性的粘着剂层等。
能量射线固化性的粘着剂层因照射能量射线而固化，且其粘着力降低。
在本说明书中，“能量射线”是指电磁波或带电粒子束中具有能量量子的能量射线，作为能量射线的实例，可列举出紫外线、放射线、电子束等。紫外线例如能够通过使用高压汞灯、熔融灯(fusion lamp)、氙灯、黑光灯或LED灯等作为紫外线源而进行照射。电子束能够照射通过电子束加速器等而产生的电子束。
此外，“能量射线固化性”是指通过照射能量射线而进行固化的性质，“非固化性”是指无论通过加热或能量射线的照射等何种方式均不发生固化的性质。
作为能量射线固化性的所述粘着剂层的构成材料，可列举出公知的能量射线固化型粘着剂。
作为非固化性且具有弱粘着性的所述粘着剂层的构成材料，例如可列举出橡胶类粘着剂、丙烯酸类粘着剂、硅酮类粘着剂、氨基甲酸酯类粘着剂、乙烯基醚类粘着剂、含热膨胀成分的粘着剂等通用粘着剂。
能够将粘着面呈凹凸形状的粘着剂层用作弱粘着性的粘着剂层。
非固化性且具有弱粘着性的粘着剂层例如可以为在23℃下对SUS板(不锈钢板)显示出30～120mN/25mm的粘着力的粘着剂层。
所述粘着剂层可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，由多个层构成时，这些多个层可以彼此相同也可以彼此不同，这些多个层的组合没有特别限定。
粘着剂层的厚度没有特别限定，例如可以为1～100μm。
此处，“粘着剂层的厚度”是指粘着剂层整体的厚度，例如由多个层构成的粘着剂层的厚度是指构成粘着剂层的所有层的合计厚度。
＜膜状烧成材料＞
所述膜状烧成材料的形状与作为贴附对象的半导体芯片的形状相同或大致相同，例如可以为正方形或长方形。在本说明书中，在没有特殊说明的情况下，“膜状烧成材料的形状”是指，从膜状烧成材料的主面(例如，后述的第一面)的上方向下俯视膜状烧成材料时的形状(即俯视形状)。
膜状烧成材料的大小与作为贴附对象的半导体芯片的大小相同。
膜状烧成材料含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分，进一步还可以含有或不含除此以外的其他成分。
[烧结性金属颗粒]
所述烧结性金属颗粒在将膜状烧成材料烧成时相互结合而形成烧结体。通过烧成，与膜状烧成材料接触配置的构件经由膜状烧成材料的烧结体而彼此接合。
烧结性金属颗粒为至少包含金属元素的颗粒，其可以为仅由金属元素构成的颗粒，也可以为由金属元素与非金属元素构成的颗粒。作为由金属元素与非金属元素构成的颗粒，例如可列举出金属氧化物的颗粒。
作为构成烧结性金属颗粒的金属种类，例如可列举出银、金、铜、铁、镍、铝、硅、钯、铂、钛等，其可以为金属单质，也可以为两种以上的金属的合金。
构成一个烧结性金属颗粒的金属种类可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可任意选择。
例如，所述金属氧化物可以为包含两种以上的金属元素的复合氧化物，作为这样的复合氧化物，例如可列举出钛酸钡等。
关于烧结性金属颗粒的粒径，只要金属颗粒显示出烧结性，则没有特别限定，从烧结性优异的点出发，例如可以为100nm以下、50nm以下及30nm以下中的任一范围。
在本说明书中，“金属颗粒的粒径”是指具有与使用电子显微镜观测到的金属颗粒的投影面积相同的面积的圆的直径(等效投影面积径)。
关于烧结性金属颗粒的粒径，对所述等效投影面积径为100nm以下的颗粒求出的粒径的数均可以为0.1～95nm、0.3～50nm及0.5～30nm中的任一范围。其中，将作为观测对象的金属颗粒设为在一片膜状烧成材料中随机选出的100个以上的金属颗粒。
烧结性金属颗粒优选为纳米尺寸的颗粒，优选为银颗粒，更优选为纳米尺寸的银颗粒(银纳米颗粒)。
在本说明书中，“纳米尺寸的颗粒”是指粒径为100nm以下的颗粒。
[粘结剂成分]
所述粘结剂成分为用于对膜状烧成材料赋予成形性及粘着性的成分。
所述粘结剂成分可以为将膜状烧成材料烧成时发生热分解的热分解性。
粘结剂成分没有特别限定，但优选为树脂。
作为所述树脂，例如可列举出丙烯酸类树脂、聚碳酸酯、聚乳酸、纤维素衍生物的聚合物等，优选丙烯酸类树脂。
作为所述丙烯酸类树脂，例如可列举出(甲基)丙烯酸酯化合物的均聚物、两种以上的(甲基)丙烯酸酯化合物的共聚物、(甲基)丙烯酸酯化合物与其他单体的共聚物等。
在所述丙烯酸类树脂中，来自(甲基)丙烯酸酯化合物的结构单元的含量，例如相对于结构单元的总量可以为50～100质量％。
作为所述(甲基)丙烯酸酯化合物的具体实例，可列举出(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸羟基烷基酯、(甲基)丙烯酸苯氧基烷基酯、(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯、聚亚烷基二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、(甲基)丙烯酸苄基酯、(甲基)丙烯酸四氢呋喃酯等。
优选所述丙烯酸类树脂为甲基丙烯酸酯。通过使粘结剂成分含有来自甲基丙烯酸酯的结构单元，能够将膜状烧成材料以相对较低的温度进行烧成，且在烧结后得到更高的接合强度。
在所述丙烯酸类树脂中，来自甲基丙烯酸酯的结构单元的含量，例如相对于结构单元的总量可以为50～100质量％。
所述其他单体只要为能够与所述(甲基)丙烯酸酯化合物共聚的化合物，则没有特别限定。
作为所述其他单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸、乙烯基苯甲酸、马来酸、乙烯酞酸(vinylphthalic acid)等不饱和羧酸；乙烯基苄基甲醚、乙烯基缩水甘油醚、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、丁二烯、异戊二烯等含乙烯基的自由基聚合性化合物等。
所述树脂的重均分子量(Mw)例如可以为1000～1000000。通过使树脂的重均分子量在这样的范围内，膜状烧成材料可具有更高的强度和更良好的柔软性。
另外，在本说明书中，在没有特别说明的情况下，“重均分子量”是指通过凝胶渗透色谱(GPC)法而测定的聚苯乙烯换算值。
所述树脂的玻璃化转变温度(Tg)例如可以为-60～50℃。通过使树脂的Tg为所述下限值以上，更容易从后述的膜状烧成材料上剥离支撑片。通过使树脂的Tg为所述上限值以下，膜状烧成材料与半导体芯片等的粘合力进一步得以提高。
当所述粘结剂成分为将膜状烧成材料烧成时发生热分解的热分解性时，可通过烧成时的粘结剂成分的质量减少来确认粘结剂成分发生了热分解。
在本实施方案中，将膜状烧成材料烧成时，粘结剂成分的总量可几乎或完全被热分解，也可有一部分未被热分解。
相对于烧成前的粘结剂成分的质量，烧成后的粘结剂成分的质量例如可以为10质量％以下。
＜半导体芯片＞
所述半导体芯片可以为公知的半导体芯片。
半导体芯片的大小(例如，从半导体芯片的电路形成面的上方向下俯视半导体芯片时的面积)例如可以为0.01～25cm2，也可以为0.25～9cm2。
＜基板＞
只要所述基板为半导体芯片的接合对象，则没有特别限定。
作为优选的所述基板，可列举出陶瓷基板。
接着，一边参照附图，一边对本实施方案的层叠体的制造方法进行详细说明。
另外，为了易于理解本发明的特征，出于方便，有时会将以下说明中使用的图的重要部分扩大显示，各构成要素的尺寸比例等不一定与实际相同。
首先，举出使用图2A及图2B所示的支撑片31的情况为例，对所述层叠体的制造方法(在本说明书中，有时称作“第一实施方案”)进行说明。
图4A～图4E为用于示意性地说明本实施方案的层叠体的制造方法的一个实例的剖面图。
·第一实施方案
＜工序A＞
如图4A所示，在工序A中，在支撑片31上设置膜状烧成材料12。在本实施方案中，有时将这种设置有膜状烧成材料的支撑片称作“带支撑片的膜状烧成材料”。在图4A中，对带支撑片的膜状烧成材料赋予附图标记3。
如上所述，由于支撑片31具备粘着剂层312，因此在工序A中，更具体而言，在支撑片31的粘着剂层312上(粘着剂层312的第一面312a)设置膜状烧成材料12。
如此处所示，在工序A中，优选使膜状烧成材料12与支撑片31的第一面31a直接接触。
如此处所示，在工序A中，优选在一片支撑片31上设置多片(两片以上)膜状烧成材料12。此时，设置在一片支撑片31上的膜状烧成材料12的片数优选为10～10000，更优选为25～1000。通过使所述片数为所述下限值以上，所述层叠体的制造效率进一步得以提高。通过使所述片数为所述上限值以下，能够将大小更为适宜的材料用作支撑片31，工序A的操作适性进一步得以提高。
图5为示意性地示出通过本实施方案的制造方法而得到的带支撑片的膜状烧成材料的一个实例的俯视图。
此处所示的支撑片31与带支撑片的膜状烧成材料3的形状为带状，在支撑片31的第一面31a上，沿支撑片31的长度方向设置有一列两片以上的膜状烧成材料12。
在支撑片31上，所有膜状烧成材料12的取向一致，在所述长度方向上，膜状烧成材料12以恒定间隔排列设置。此外，在与所述长度方向正交的方向上，所有膜状烧成材料12的配置位置彼此一致。如此，膜状烧成材料12整齐地配置在支撑片31上。在图5中，附图标记12a表示膜状烧成材料12的与支撑片31侧为相反侧的面(在本说明书中，有时称作“第一面”)。
如此，将膜状烧成材料12以恒定间隔排列设置在支撑片31上的工序A为优选的实施方案的一个实例。特别是如后文所述，支撑片31可卷绕成卷盘状，这样的支撑片适合以恒定间隔排列设置膜状烧成材料12。
图5所示的带支撑片的膜状烧成材料3是支撑片为带状时的带支撑片的膜状烧成材料的一个实例，本实施方案中制作的带状的带支撑片的膜状烧成材料并不限定于此。
例如，在支撑片31上，一片或两片以上的膜状烧成材料12的取向可以不一致。此外，在所述长度方向上，一片或两片以上的膜状烧成材料12可以不以恒定间隔排列设置，在与所述长度方向正交的方向上，一片或两片以上的膜状烧成材料12的配置位置可以彼此不一致。
支撑片31上的膜状烧成材料12的列数也可以不是一列(即两列以上)。所述列数为两列以上时，可以将膜状烧成材料12以格子状排列设置在支撑片31上。
在工序A中，作为在支撑片31上设置膜状烧成材料12的方法中的优选方法，例如可列举出：在支撑片31上印刷膜状烧成材料12，从而在支撑片31上设置膜状烧成材料12的方法(在本说明书中，有时称作“方法(A-1)”)；将形成在剥离膜上的膜状烧成材料12转印到支撑片31上，从而在支撑片31上设置膜状烧成材料12的方法(在本说明书中，有时称作“方法(A-2)”)。
以往已知，使用注射器(syringe)将作为膜状烧成材料12的原料的膏状组合物涂布在支撑片11上，并将其烧结而形成接合部时，难以通过控制所述组合物的涂布量来使所涂布的组合物的厚度均匀，进而难以形成厚度稳定性高的接合部。
与此不同，在采用上述的方法(A-1)或(A-2)时，能够在支撑片31上(此处，更具体而言为支撑片31的第一面31a)设置厚度稳定性高的膜状烧成材料12，其结果，在后述的工序E中，由膜状烧成材料12形成的接合部的厚度稳定性也被保持得较高。特别是在采用方法(A-2)时，由于能够事先将厚度稳定性高的膜状烧成材料12形成在剥离膜上，因此通过将其以该状态直接进行转印，能够在支撑片31上设置厚度稳定性更高的膜状烧成材料12。
在本说明书中，关于膜状烧成材料及由膜状烧成材料形成的接合部，“厚度稳定性高”是指它们的厚度的均一性高。
在方法(A-2)中，作为在所述剥离膜上形成膜状烧成材料12的方法，例如可列举出：在剥离膜上印刷膜状烧成材料12，从而在所述剥离膜上形成膜状烧成材料12的方法；使用与作为贴附对象的半导体芯片为相同形状或大致相同的形状且为相同大小的模具进行冲切加工，从而在剥离膜上形成膜状烧成材料12的方法。
作为方法(A-1)中的在支撑片31上印刷膜状烧成材料12的方法、及方法(A-2)中的在剥离膜上印刷膜状烧成材料12的方法，可列举出公知的印刷法。作为所述印刷法，更具体而言，例如可列举出柔版印刷法等凸版印刷法；照相凹版印刷法(gravure printingmethod)等凹版印刷法；胶版印刷法等平板印刷法；丝网印刷法、圆网印花法(rotaryscreen printing method)等网版印刷法(screen printing method)；喷墨印刷法等使用各种印刷机的印刷法等。
＜工序B＞
工序B在工序A之后实施。
如图4B所示，在工序B中，将支撑片31上的膜状烧成材料12贴附于基板8。
通过使膜状烧成材料12的第一面12a与基板8接触，从而能够将膜状烧成材料12贴附于基板8。
图4B中的箭头G表示将膜状烧成材料12贴附于基板8时的移动方向。
另外，此处示出了部分膜状烧成材料12处在未完成向基板8的贴附的阶段的工序B的状态。
如后文所述，为带状的支撑片31适合通过下述方式制成卷盘状来保存：以在膜状烧成材料12的第一面12a进一步具备保护膜的状态，对一片(一根)该支撑片31进行卷绕。如此，在使用制成为卷盘状的支撑片31时，在将支撑片31从卷盘状拉出之后，将保护膜从膜状烧成材料12的第一面12a上剥离，并使所述第一面12a与基板8接触，从而将支撑片31上的膜状烧成材料12贴附于基板8即可。
关于支撑片的保存方法，在后文中进行详细说明。
如此处所示，在工序B中，优选将支撑片31上的部分或所有膜状烧成材料12以彼此有时间差的方式贴附于基板8，例如，可将膜状烧成材料12以由配置于最靠近支撑片31的一个端部的膜状烧成材料12(即，图4B中，配置于最左侧的膜状烧成材料12)向配置于最靠近支撑片31的另一个端部的膜状烧成材料12(即，图4B中，支撑片31上距离配置于最左侧的膜状烧成材料12最远的膜状烧成材料12)的方向依次贴附于基板8。在工序B中，虽然也可以将支撑片31上的所有膜状烧成材料12同时或几乎同时贴附于基板8，但是从更容易实施带状的带支撑片的膜状烧成材料3的操作的点出发，如上所述地设置时间差而将膜状烧成材料12贴附于基板8的方法是有利的。
＜工序C＞
工序C在工序B之后实施。
如图4C所示，在工序C中，将支撑片31从基板8及膜状烧成材料12上剥离。在剥离支撑片31时，膜状烧成材料12及基板8保持彼此贴合的一体化的状态。在本实施方案中，有时将这种具备基板与设置于所述基板的表面(电路形成面)的膜状烧成材料的构成称作“带膜状烧成材料的基板”。在图4C中，对带膜状烧成材料的基板赋予附图标记80。图4C中的箭头P表示支撑片31的剥离方向。
另外，此处示出了部分支撑片31处在未完成从带膜状烧成材料的基板80上的剥离的阶段的工序C的状态。
通过向着远离膜状烧成材料12的方向对支撑片31施加力，能够将支撑片31从带膜状烧成材料的基板80上剥离。
如此处所示，在工序C中，优选将支撑片31的部分或所有区域以彼此有时间差的方式从带膜状烧成材料的基板80上剥离，例如，将支撑片31以从支撑片31的一个端部(即，图4C中，支撑片31的左侧的端部)到支撑片31的另一个端部(即，图4C中，并非支撑片31的左侧的端部)的方向，依次从带膜状烧成材料的基板80上剥离。在工序C中，可以将支撑片31的所有区域同时或几乎同时从带膜状烧成材料的基板80上剥离，但是从更容易实施带状的支撑片31的操作的点出发，如上所述地设置时间差而将支撑片31从带膜状烧成材料的基板80上剥离的方法是有利的。
如上所述，支撑片31具备基材膜311及粘着剂层312，当粘着剂层312具有能量射线固化性时，在工序C中，优选对粘着剂层312照射能量射线，并将支撑片31(此处，更具体而言为粘着剂层312的固化物)从膜状烧成材料12上剥离。此时，通过照射能量射线而使粘着剂层312固化，由此粘着剂层312的固化物与膜状烧成材料12之间的粘着力变小，因此能够更容易地将支撑片31从带膜状烧成材料的基板80上剥离。
在本实施方案中，可以在所有膜状烧成材料12完成工序B中的支撑片31上的膜状烧成材料12向基板8的贴附后，开始工序C的支撑片31从带膜状烧成材料的基板80上的剥离，也可以在所有膜状烧成材料12完成工序B中的支撑片31上的膜状烧成材料12向基板8的贴附前，开始工序C的支撑片31从带膜状烧成材料的基板80上的剥离。在后一种情况下，可以缩短作为目标物的所述层叠体的制造时间。
＜工序D＞
工序D在工序C之后实施。
如图4D所示，在工序D中，使半导体芯片9的背面9b侧朝向基板8上的膜状烧成材料12(换言之，带膜状烧成材料的基板80中的膜状烧成材料12)而进行贴附。图4D中的箭头M表示将半导体芯片9贴附于膜状烧成材料12(带膜状烧成材料的基板80)时的移动方向。
另外，此处示出了部分半导体芯片9处在未完成向带膜状烧成材料的基板80的贴附的阶段的工序D的状态。
图4D中，附图标记12b表示膜状烧成材料12的与第一面12a为相反侧的面(在本说明书中，有时称作“第二面”)，其有时也为半导体芯片9的贴附面。此处，将膜状烧成材料12的第二面12b与半导体芯片9的背面9b贴合。
例如，能够采用使用夹头(collet)的方法等固定及移动半导体芯片的公知方法，将半导体芯片9贴附于带膜状烧成材料的基板80。
在工序D中，由于将半导体芯片9贴附于带膜状烧成材料的基板80，因此通过避免使用有故障的半导体芯片，能够确保将没有故障的半导体芯片9贴附于带膜状烧成材料的基板80。因此，不会浪费膜状烧成材料12及带膜状烧成材料的基板80，膜状烧成材料12及带膜状烧成材料的基板80的成品率变得良好。
＜工序E＞
工序E在工序D之后实施。
如图4E所示，在工序E中，通过将膜状烧成材料12加热至200℃以上，从而将半导体芯片9与基板8烧结结合。
通过实施工序E，通过膜状烧成材料12的烧成而由膜状烧成材料12形成接合部12’，得到经由接合部12’层叠半导体芯片9与基板8而构成的层叠体801。
在工序E中，膜状烧成材料12的加热温度的上限值没有特别限定。例如，从抑制因加热导致的形成于半导体芯片9表面的布线的损伤的点出发，膜状烧成材料12的加热温度优选为500℃以下。另一方面，通过使加热温度为所述下限值以上，膜状烧成材料12的烧成度进一步得以提高。
在工序E中，可考虑膜状烧成材料12的种类与所述加热温度而适当选择膜状烧成材料12的加热时间，但优选为1～60分钟。通过使加热时间为所述下限值以上，膜状烧成材料12的烧成度进一步得以提高。通过使加热时间为所述上限值以下，可抑制过度加热。
在工序E中，可在加热膜状烧成材料12的同时进行加压。由此，能够进一步提高半导体芯片9与基板8的接合强度以及接合部12’本身的强度。
此时的膜状烧成材料12的加压可以从基板8侧实施，也可以从半导体芯片9侧实施，还可以从基板8侧与半导体芯片9侧这两侧实施。
对膜状烧成材料12进行加压时的压力没有特别限定，但优选为5MPa以上。通过使所述压力为这样的范围，通过加压得到的效果进一步得以提高。
即，在工序E中，也可以通过将膜状烧成材料12加热至200℃以上并同时加压至5MPa以上，从而将半导体芯片9与基板8烧结结合。
在工序E中，将膜状烧成材料12加热并同时进行加压时的压力的上限值没有特别限定。例如，从抑制基板8、特别是为陶瓷基板的基板8的破损的点出发，所述压力优选为50MPa以下。
在本实施方案中，由于接合部12’由膜状烧成材料12形成，因此其厚度稳定性及导热性优异。此外，由于膜状烧成材料12与半导体芯片9为相同形状或大致相同的形状且为相同大小，因此无需将膜状烧成材料12按照半导体芯片9的形状及大小进行裁切，即使膜状烧成材料12较脆，也不会产生来自膜状烧成材料12的切屑，可抑制膜状烧成材料12的破损，形成无破损的接合部12’。
层叠体801适合用于构成功率半导体元件(功率器件)。
本实施方案的制造方法并不限于至此进行了说明的制造方法，可在不脱离本发明的主旨的范围内将部分构成变更或删除、或者在至此进行了说明的制造方法中进一步添加其他构成。更具体而言，如下所述。
至此，对支撑片的形状为带状时的层叠体的制造方法进行了说明，但本实施方案中使用的支撑片的形状也可以为除带状以外的四边形。图6为示意性地示出这种情况下的带支撑片的膜状烧成材料的一个实例的俯视图。
此处所示的支撑片11与带支撑片的膜状烧成材料1的形状为四边形，且在支撑片11的第一面11a上，在彼此正交的两个方向上设置有5列和7列、合计35片的膜状烧成材料12。
此外，在支撑片11上，所有膜状烧成材料12的取向一致，在上述彼此正交的两个方向上，膜状烧成材料12以相邻的膜状烧成材料12的配置位置彼此一致的方式整齐配置。即，膜状烧成材料12以格子状排列设置在支撑片11上。
如此，将膜状烧成材料12以格子状排列设置在支撑片11上的工序A为优选的实施方案的一个实例。
除了膜状烧成材料12的列数、每列中的膜状烧成材料12的片数、及膜状烧成材料12的合计片数可能不同这几点以外，图6所示的支撑片11上的膜状烧成材料12的配置形态与支撑片31上的膜状烧成材料12的配置形态相同。
在图6中，膜状烧成材料12虽然以格子状排列设置在支撑片11上，但支撑片11上的膜状烧成材料12的配置形态并不限定于此。例如，一片或两片以上的膜状烧成材料12的取向可以不一致，对于一片或两片以上的膜状烧成材料12而言，在上述彼此正交的两个方向上，相邻的膜状烧成材料12的配置位置可以彼此不一致。
在图6中，设置在支撑片11上的膜状烧成材料12的片数为35片，但所述片数并不限定于此。例如，所述片数也可以为5～10000。
使用支撑片11时的所述层叠体的制造方法除了使用支撑片11来代替支撑片31以外，与上述层叠体的制造方法相同。
本实施方案中使用的支撑片的形状也可以为圆形。图7为示意性地示出这种情况下的带支撑片的膜状烧成材料的一个实例的俯视图。
此处所示的支撑片21与带支撑片的膜状烧成材料2的形状为圆形，在支撑片21的第一面21a上，在彼此正交的两个方向上设置有4～8列和3～9列、合计56片的膜状烧成材料12。
除了膜状烧成材料12的列数、每列中的膜状烧成材料12的片数、及膜状烧成材料12的合计片数不同这几点以外，图7所示的支撑片21上的膜状烧成材料12的配置形态与支撑片11上的膜状烧成材料12的配置形态相同。
支撑片21中的粘着剂层212除了其形状为圆形这一点以外，与支撑片11中的粘着剂层112相同，支撑片21中的基材膜(省略图示)除了其形状为圆形这一点以外，与支撑片11中的基材膜111相同。
粘着剂层212的与基材膜侧为相反侧的面(在本说明书中，有时称作“第一面”)212a与支撑片21的第一面21a相同。
图7所示的带支撑片的膜状烧成材料2是支撑片为圆形时的带支撑片的膜状烧成材料的一个实例，本实施方案中制作的圆形的带支撑片的膜状烧成材料并不限定于此处所示的带支撑片的膜状烧成材料。
例如，在圆形的带支撑片的膜状烧成材料中，能够根据目的任意设定支撑片上的膜状烧成材料的取向、配置位置及列数、每列中的膜状烧成材料的片数、以及膜状烧成材料的合计片数等配置形态。
使用支撑片21时的所述层叠体的制造方法除了使用支撑片21来代替支撑片31以外，与上述层叠体的制造方法相同。
在本实施方案中，使用支撑片11时，在工序A及工序B中的任一或两个工序中，能够通过将支撑片11中的粘着剂层112(更具体而言，粘着剂层112的第一面112a)的周边部贴合于支撑框架(省略图示)，从而将支撑片11临时固定于支撑框架。此时，使粘着剂层112的第一面112a中的周边部的上部开放，以不阻碍粘着剂层112向支撑框架的贴合。此处，与之前说明的基材膜111的第一面111a的周边部1110a相同，粘着剂层112的第一面112a的周边部是指粘着剂层112的第一面112a中的与粘着剂层112的外周部相应的宽度狭窄的区域。
使用支撑片21时也同样。即，在本实施方案中，使用支撑片21时，在工序A及工序B中的任一或两个工序中，能够通过将支撑片21中的粘着剂层212(更具体而言，为粘着剂层212的第一面212a)的周边部贴合于支撑框架(省略图示)，从而将支撑片21临时固定于支撑框架。此时，使粘着剂层212的第一面212a中的周边部的上部开放，以不阻碍粘着剂层212向支撑框架的贴合。此处，与上述粘着剂层112相同，粘着剂层212的第一面212a的周边部是指粘着剂层212的第一面212a中的与粘着剂层212的外周部相应的宽度狭窄的区域。
在本实施方案中，通过实施工序A而得到的带支撑片的膜状烧成材料适合保存。
例如，在膜状烧成材料的第一面进一步具备保护膜的带支撑片的膜状烧成材料特别适合保存。
即，本实施方案的制造方法还可以在工序A与工序B之间包括：在所述膜状烧成材料的与所述支撑片侧为相反侧的面(第一面)上贴附保护膜的工序(在本说明书中，有时称作“工序F1”)；保存贴附所述保护膜后的所述支撑片及膜状烧成材料(带支撑片的膜状烧成材料)的工序(在本说明书中，有时称作“工序F2”)；及从贴附有所述保护膜且经过保存后的所述支撑片上的所述膜状烧成材料(保存后的带支撑片的膜状烧成材料)上剥离所述保护膜的工序(在本说明书中，有时称作“工序F3”)。
所述保护膜用于保护带支撑片的膜状烧成材料中的膜状烧成材料。作为保护膜，可列举出与之前列举的剥离膜相同的膜。
图8为示意性地示出使用支撑片31时的具备保护膜的带支撑片的膜状烧成材料的一个实例的剖面图。
此处所示的带支撑片的膜状烧成材料3在膜状烧成材料12的第一面12a上具备保护膜7。保护膜7只要能够覆盖带支撑片的膜状烧成材料3中的所有膜状烧成材料12的第一面12a，则对其形状及大小没有特别限定，例如，从提高处在具备保护膜7的状态下的带支撑片的膜状烧成材料3的操作性的点出发，保护膜7的形状(俯视形状)可以与支撑片31的形状(俯视形状)相同。
在支撑片的形状不像支撑片31那样为带状，而是例如如支撑片11那样为四边形时、或如支撑片21那样为圆形时，具备保护膜的带支撑片的膜状烧成材料除了支撑片的形状以外，具有与具备保护膜的带支撑片的膜状烧成材料3相同的结构。
具备保护膜且支撑片的形状为四边形或圆形的带支撑片的膜状烧成材料(例如，带支撑片的膜状烧成材料1或带支撑片的膜状烧成材料2)，例如能够通过将多片该带支撑片的膜状烧成材料沿其厚度方向重叠而保存。
此外，这样的带支撑片的膜状烧成材料例如能够通过将一片该带支撑片的膜状烧成材料卷绕成辊状而保存。
例如，具备保护膜且支撑片的形状为带状的带支撑片的膜状烧成材料(例如，带支撑片的膜状烧成材料3)特别适合通过将一片(一根)该带支撑片的膜状烧成材料卷绕成卷盘状而保存。
即，支撑片的形状为带状时，所述工序F2可以为，将贴附所述保护膜后的所述支撑片及膜状烧成材料(带支撑片的膜状烧成材料)卷绕成卷盘状而保存的工序。而且，所述工序F3可以为，将贴附有所述保护膜且经过保存后的所述支撑片及所述膜状烧成材料(保存后的带支撑片的膜状烧成材料)从卷盘状拉出，接着将所述保护膜从所述膜状烧成材料上剥离的工序。
图9为示意性地示出从卷盘状拉出的具备保护膜的带支撑片的膜状烧成材料的一个实例的剖面图。此处示出了具备保护膜的卷盘状的带支撑片的膜状烧成材料3被拉出的状态。
以保护膜7的露出面朝向卷盘的径向内侧、支撑片11的露出面(第二面11b)朝向卷盘的径向外侧、并将支撑片11卷到外侧(换言之将保护膜7卷到内侧)的方式，将带支撑片的膜状烧成材料3卷绕成卷盘状。
沿一根(一片)带状的保护膜(例如，保护膜7)的长度方向对其贴合多片支撑片的形状为四边形或圆形的带支撑片的膜状烧成材料(例如，带支撑片的膜状烧成材料1或带支撑片的膜状烧成材料2)而得到的构成(以下，称作“带状复合膜”)，也与上述支撑片的形状为带状的带支撑片的膜状烧成材料相同，其特别适合通过将一根该带状复合膜卷绕成卷盘状而保存。此时，以保护膜的露出面朝向卷盘的径向内侧、支撑片的露出面(第二面)朝向卷盘的径向外侧、并将支撑片卷到外侧(换言之将保护膜卷到内侧)的方式，将该带状复合膜卷绕成卷盘状。
贴合于一根带状保护膜的长度方向的多片带支撑片的膜状烧成材料在一根保护膜的长度方向上可以配置为一列，也可以配置为两列以上。
此外，优选将这种以列状配置的多片带支撑片的膜状烧成材料以彼此分离的方式配置。
使用带状复合膜时，所述工序F1可以为，将设置有所述膜状烧成材料的多片支撑片(即多片带支撑片的膜状烧成材料)通过它的所述膜状烧成材料的与所述支撑片侧为相反侧的面(第一面)而以列状贴附于一根带状保护膜的工序。此外，所述工序F2可以为，将贴附有设置了所述膜状烧成材料的多片支撑片(多片带支撑片的膜状烧成材料)的所述带状保护膜卷绕成卷盘状而保存的工序。而且，所述工序F3可以为，将贴附有设置了所述膜状烧成材料的多片支撑片(多片带支撑片的膜状烧成材料)且经过保存后的所述带状保护膜从卷盘状拉出，接着将所述带状保护膜从多片所述膜状烧成材料上剥离的工序。
无论支撑片的形状如何，均依次实施工序F1、工序F2及工序F3。
工序F1中的保护膜向膜状烧成材料的贴附(膜状烧成材料向保护膜的贴附)、工序F2中的带支撑片的膜状烧成材料的保存以及工序F3中的保护膜从经过保存后的带支撑片的膜状烧成材料上的剥离，均可通过公知的方法来实施。
然后，举出使用图3A及图3B所示的支撑片19的情况为例，对所述层叠体的制造方法(在本说明书中，有时称作“第二实施方案”)进行说明。
图10A～图10E为用于示意性地说明本实施方案的层叠体的制造方法的一个实例的剖面图。
·第二实施方案
＜工序A＞
如图10A所示，在工序A中，在支撑片19上设置膜状烧成材料12，制作带支撑片的膜状烧成材料6。
如上所述，在支撑片19中，粘着剂层192设置于基材膜111的第一面111a中的周边部1110a。而且，在工序A中，更具体而言，在支撑片19的基材膜111上(基材膜111的第一面111a)的未设置粘着剂层192的区域设置膜状烧成材料12。
如上所述，除了设置膜状烧成材料12的对象不同这一点以外，第二实施方案中的工序A与第一实施方案中的工序A相同。
例如，在第二实施方案的工序A中，如此处所示，优选使膜状烧成材料12与支撑片19的第一面19a直接接触。
图11为示意性地示出通过第二实施方案的制造方法而得到的带支撑片的膜状烧成材料6的一个实例的俯视图。
此处所示的支撑片19的形状为四边形，膜状烧成材料12以与带支撑片的膜状烧成材料1相同的配置形态，以格子状配置于支撑片19的第一面19a。其中，在支撑片19上，所有的膜状烧成材料12均设置在比粘着剂层192靠内侧(换言之，支撑片19的重心侧)的位置。
支撑片19的第一面19a与基材膜111的第一面111a相同。
＜工序B＞
工序B在工序A之后实施。
如图10B所示，在工序B中，将支撑片19上的膜状烧成材料12贴附于基板8。
如上所述，除了带支撑片的膜状烧成材料不同这一点以外，第二实施方案中的工序B与第一实施方案中的工序B相同。
然而，支撑片19与支撑片31不同，其有时适合制成卷盘状保存，有时也不适合制成卷盘状保存。因此，与使用带支撑片的膜状烧成材料3的情况不同，使用带支撑片的膜状烧成材料6时，例如有时优选将支撑片19上的部分或所有膜状烧成材料12以彼此有时间差的方式贴附于基板8，也有时优选将支撑片19上的所有膜状烧成材料12同时或几乎同时贴附于基板8。膜状烧成材料12的贴附方法，例如能够根据支撑片19上的膜状烧成材料12的配置形态进行选择。
在第二实施方案中，在工序A及工序B中的任一或两个工序中，能够通过将支撑片19中的粘着剂层192贴合于支撑框架(省略图示)，从而将支撑片19临时固定于支撑框架。此时，使粘着剂层192的第一面192a的上部开放，以不阻碍粘着剂层192向支撑框架的贴合。
在粘着剂层192具有能量射线固化性时，优选在将固定于支撑框架的支撑片19从支撑框架上剥离前，对粘着剂层192照射能量射线。此时，通过对粘着剂层192照射能量射线而使其固化，由此使粘着剂层192的固化物与支撑框架之间的粘着力变小，因此能够更容易地将支撑片19从支撑框架上剥离。
＜工序C＞
工序C在工序B之后实施。
如图10C所示，在工序C中，将支撑片19从基板8及膜状烧成材料12(即带膜状烧成材料的基板80)上剥离。剥离支撑片19时，膜状烧成材料12及基板8保持彼此贴合的一体化的状态。
另外，此处示出了支撑片19的部分区域处在未完成从带膜状烧成材料的基板80上的剥离的阶段的工序C的状态。
如上所述，除了带支撑片的膜状烧成材料不同这一点以外，第二实施方案中的工序C与第一实施方案中的工序C相同。
然而，在第二实施方案中，由于膜状烧成材料12不是与粘着剂层192接触而是与基材膜111接触，因此即使粘着剂层192具有能量射线固化性，也不能通过对粘着剂层192照射能量射线而使其固化以使支撑片19更容易从带膜状烧成材料的基板80上剥离。
＜工序D、工序E＞
工序D在工序C之后实施，工序E在工序D之后实施。
如图10D所示，在工序D中，使半导体芯片9的背面9b侧面向基板8上的膜状烧成材料12(换言之，带膜状烧成材料的基板80中的膜状烧成材料12)而进行贴附。此时，将膜状烧成材料12的第二面12b与半导体芯片9的背面9b贴合。与图4D相同，此处示出了部分半导体芯片9处在未完成向带膜状烧成材料的基板80的贴附的阶段的工序D的状态。
而且，如图10E所示，在工序E中，通过将膜状烧成材料12加热至200℃以上，从而将半导体芯片9与基板8烧结结合。
通过实施工序E，通过膜状烧成材料12的烧成，由膜状烧成材料12形成接合部12’，得到经由接合部12’层叠半导体芯片9与基板8而构成的层叠体801。
第二实施方案与第一实施方案相同，通过上述的工序C，得到带膜状烧成材料的基板80。因此，第二实施方案的工序D与第一实施方案的工序D相同，第二实施方案的工序E与第一实施方案的工序E相同。
在第二实施方案中，由于接合部12’也由膜状烧成材料12形成，因此其厚度稳定性及导热性优异。此外，由于膜状烧成材料12与半导体芯片9为相同形状或大致相同的形状且为相同大小，因此无需将膜状烧成材料12按照半导体芯片9的形状及大小进行裁切，即使膜状烧成材料12较脆，也不会产生来自膜状烧成材料12的切屑，可抑制膜状烧成材料12的破损，形成无破损的接合部12’。
第二实施方案的制造方法并不限于至此进行了说明的制造方法，在不脱离本发明的主旨的范围内也可以将部分构成变更或删除、或者在至此进行了说明的制造方法中进一步添加其他构成。更具体而言，如下所述。
第二实施方案也与第一实施方案相同，支撑片的形状除了四边形以外，例如也可以为圆形或带状。然而，无论在哪种情况下，如上所述，在支撑片上，所有膜状烧成材料均设置于比粘着剂层靠内侧(换言之，支撑片的重心侧)的位置。
在第二实施方案中，通过实施工序A而得到的带支撑片的膜状烧成材料也适合保存。
例如，在膜状烧成材料的第一面上进一步具备保护膜的带支撑片的膜状烧成材料特别适合保存。
即，第二实施方案的制造方法也可以在工序A与工序B之间包括：在所述膜状烧成材料的与所述支撑片侧为相反侧的面(第一面)上贴附保护膜的工序(工序F1)；保存贴附所述保护膜后的所述支撑片及膜状烧成材料(带支撑片的膜状烧成材料)的工序(工序F2)；及从贴附有所述保护膜且经过保存后的所述支撑片上的所述膜状烧成材料(保存后的带支撑片的膜状烧成材料)上剥离所述保护膜的工序(工序F3)。
除了所使用的支撑片不同这一点以外，第二实施方案中的工序F1、工序F2及工序F3与第一实施方案中的工序F1、工序F2及工序F3相同。
在第二实施方案中的工序F1中，不仅是在所述膜状烧成材料的第一面，也可以在粘着剂层的第一面(例如，粘着剂层192的第一面192a)上贴附或不贴附保护膜。
第二实施方案中的具备保护膜的带支撑片的膜状烧成材料(例如，带支撑片的膜状烧成材料6)能够利用与第一实施方案中的具备保护膜的带支撑片的膜状烧成材料(例如，带支撑片的膜状烧成材料1～3)相同的方法进行保存。
工业实用性
本发明能够用于功率半导体元件(功率器件)的制造。
附图标记说明
1、2、3、6：带支撑片的膜状烧成材料；11、19、21、31：支撑片；11a、19a、21a、31a：支撑片的第一面；111、311：基材膜；111a、311a：基材膜的第一面；112、212、192、312：粘着剂层；112a、212a、192a、312a：粘着剂层的第一面；12：膜状烧成材料；12a：膜状烧成材料的第一面；12b：膜状烧成材料12的第二面；12’：接合部；8：基板；9：半导体芯片；9b：半导体芯片9的背面；80：带膜状烧成材料的基板；801：层叠体。

Claims (13)

1.一种层叠体的制造方法，其包括：
在支撑片上设置膜状烧成材料的工序，其中，所述膜状烧成材料含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分，并且与作为贴附对象的半导体芯片为相同形状或大致相同的形状且为相同大小；
将所述支撑片上的所述膜状烧成材料贴附于基板的工序；
将所述支撑片从所述基板及所述膜状烧成材料上剥离的工序；
使所述半导体芯片的背面侧面向所述基板上的所述膜状烧成材料而进行贴附的工序；及
通过将所述膜状烧成材料加热至200℃以上，从而将所述半导体芯片与所述基板烧结结合的工序。
2.根据权利要求1所述的层叠体的制造方法，其中，
通过将所述膜状烧成材料加热至200℃以上并同时加压至5MPa以上，从而将所述半导体芯片与所述基板烧结结合。
3.根据权利要求1或2所述的层叠体的制造方法，其中，
所述基板为陶瓷基板。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，
所述支撑片具备基材膜与设置于所述基材膜上的整个面的粘着剂层，且在所述支撑片的所述粘着剂层上设置所述膜状烧成材料。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，
所述支撑片具备基材膜与设置于所述基材膜上的周边部的粘着剂层，且在所述支撑片的所述基材膜上的未设置所述粘着剂层的区域设置所述膜状烧成材料。
6.根据权利要求4或5所述的层叠体的制造方法，其中，
所述粘着剂层具有能量射线固化性。
7.根据权利要求4所述的层叠体的制造方法，其中，
对所述粘着剂层照射能量射线，从而将所述支撑片从所述膜状烧成材料上剥离。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，
将形成在剥离膜上的所述膜状烧成材料转印到所述支撑片上，从而在所述支撑片上设置所述膜状烧成材料。
9.根据权利要求8所述的层叠体的制造方法，其中，
在所述剥离膜上印刷所述膜状烧成材料，从而在所述剥离膜上形成所述膜状烧成材料。
10.根据权利要求8所述的层叠体的制造方法，其中，
使用与作为贴附对象的所述半导体芯片为相同形状或大致相同的形状且为相同大小的模具进行冲切加工，从而在所述剥离膜上形成所述膜状烧成材料。
11.根据权利要求1～7中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，
在所述支撑片上印刷所述膜状烧成材料，从而在所述支撑片上设置所述膜状烧成材料。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，
所述支撑片为圆形。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，
所述支撑片可卷绕成卷盘状，且将所述膜状烧成材料以恒定间隔排列设置在所述支撑片上。
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