TWI460779B - 切割－晶粒黏合一體型膜、切割－晶粒黏合一體型膜的製造方法以及半導體晶片的製造方法 - Google Patents

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Description

切割-晶粒黏合一體型膜、切割-晶粒黏合一體型膜的製造方法以及半導體晶片的製造方法
本發明是有關於一種刀片切割用的切割-晶粒黏合一體型膜、切割-晶粒黏合一體型膜的製造方法、以及半導體晶片的製造方法。
先前，半導體晶片與半導體晶片用支持構件接合時，主要使用糊狀的接著劑。然而，於使用糊狀接著劑的情況，存在自半導體晶片露出或半導體晶片傾斜而接著等不良情況、膜厚控制的困難性等問題。
為了解決上述問題，近年來，代替糊狀接著劑，膜狀接著劑受到關注(例如參照下述專利文獻1~專利文獻3)。該膜狀接著劑的使用方法有晶圓背面貼附方式。晶圓背面貼附方式中，首先將膜狀接著劑層貼附於半導體晶圓的背面後，將形成有黏著劑層的切割用基材片貼合於接著劑層的另一面。其後，將半導體晶圓切割而獲得經單片化的半導體晶片(chip)。經單片化的半導體晶片經拾取後轉移至黏合步驟。因此，對於切割用基材片的黏著劑層，要求接著劑層的黏著力不會由於伴隨半導體晶圓切斷的負荷而飛散的程度，另一方面，要求在拾取半導體晶片時，黏著劑於各半導體晶片上並無殘留，可容易拾取附接著劑層的半導體晶片。
另外，用於晶圓背面貼附方式的切割帶有紫外線(ultraviolet，UV)型與感壓型。UV型切割帶在UV照射 前具有切割時所要求的黏著力，且於UV照射後可降低至可容易拾取半導體晶片的黏著力。另一方面，感壓型切割帶不需要UV照射步驟，但要求具有切割時所必需的黏著力、及可容易拾取半導體晶片的黏著力之類可使相反的特性兼顧的黏著力。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2002-226796號公報
專利文獻2：日本專利特開2002-158276號公報
專利文獻3：日本專利特開平2-32181號公報
已知將上述膜狀接著劑層、與切割用基材片一體化而成的切割-晶粒黏合一體型膜。該切割-晶粒黏合一體型膜中，例如於長條的剝離性基材上以如下順序形成接著劑層、黏著劑層、以及切割用基材片，接著劑層是預切割(預先切斷)為大於半導體晶圓。
但是，切割步驟中，為了將高速旋轉的切割刀片與半導體晶圓之間產生的摩擦熱加以冷卻，而向切割刀片及半導體晶圓上吹附切削水。然而，於接著劑層與黏著劑層的密著力弱的情況，存在著無法耐受由該切削水所引起的負荷-水壓，而導致如上所述經預切割為大於半導體晶圓的接著劑層的周緣部剝落的問題。如上所述剝落的接著劑層存在污染半導體晶圓的顧慮。
本發明是為了解決上述問題而形成的，目的在於提供 一種在半導體晶圓的切割步驟中抑制接著劑層的周緣部自黏著劑層上剝落的切割-晶粒黏合一體型膜及其製造方法、以及半導體晶片的製造方法。
為了解決上述問題，本發明的切割-晶粒黏合一體型膜的特徵在於，其包括基材膜、感壓型黏著劑層以及接著劑層，其中感壓型黏著劑層形成於基材膜上，且貼附有用於刀片切割的晶圓環，接著劑層形成於黏著劑層上，且具有貼附有作為刀片切割對象的半導體晶圓的中央部，並且接著劑層的平面形狀成為圓形，接著劑層的面積成為大於半導體晶圓的面積且小於基材膜及黏著劑層的各面積，接著劑層的直徑成為大於半導體晶圓的直徑且小於晶圓環的內徑，並且接著劑層的直徑與半導體晶圓的直徑的差成為大於20mm且小於35mm。
該切割-晶粒黏合一體型膜中，接著劑層的直徑與半導體晶圓的直徑的差成為大於20mm且小於35mm。通常，由於晶圓環的內徑比半導體晶圓的直徑大35mm以上，故而接著劑層收納於晶圓環的孔的內側。另外，當半導體晶圓貼附於接著劑層的中央部時，接著劑層的周緣於半導體晶圓的外側露出大於10mm。因此，當切割半導體晶圓時，抑制吹附於切割刀片及半導體晶圓上的切削水直接衝擊接著劑層的周緣部。因此，可抑制由切割中的切削水的負荷或水壓所引起的接著劑層的周緣部的剝離。
另外，本發明的切割-晶粒黏合一體型膜的製造方法的特徵在於包括以下步驟：切割膜準備步驟、晶粒黏合膜準 備步驟、接著劑層切斷步驟以及膜貼附步驟，其中切割膜準備步驟為準備於基材膜上形成有黏著劑層的切割膜，晶粒黏合膜準備步驟為準備於剝離性基材上形成有接著劑層的晶粒黏合膜，接著劑層切斷步驟為以接著劑層的面積成為大於貼附於接著劑層的中央部的半導體晶圓的面積且小於黏著劑層及基材膜的各面積的方式，將接著劑層切斷為圓形，膜貼附步驟為將切割膜的形成有黏著劑層的面貼附於晶粒黏合膜的剝離性基材以及已被切斷成圓形的接著劑層上，並且於接著劑層切斷步驟中，以接著劑層的直徑成為大於半導體晶圓的直徑且小於用於刀片切割的晶圓環的內徑，接著劑層的直徑與半導體晶圓的直徑的差成為大於20mm且小於35mm的方式，來切斷接著劑層。
於切割膜準備步驟中，較佳為準備於基材膜上形成有感壓型黏著劑層的切割膜。
依據該切割-晶粒黏合一體型膜的製造方法，接著劑層的直徑與半導體晶圓的直徑的差成為大於20mm且小於35mm。通常，由於晶圓環的內徑比半導體晶圓的直徑大35mm以上，故而接著劑層收納於晶圓環的孔的內側。另外，當半導體晶圓貼附於接著劑層的中央部時，接著劑層的周緣於半導體晶圓的外側露出10mm以上。因此，當切割半導體晶圓時，抑制吹附於切割刀片及半導體晶圓上的切削水直接衝擊接著劑層的周緣部。因此，可抑制由切割中的切削水的負荷或水壓所引起的接著劑層的周緣部的剝離。
另外，本發明的半導體晶片的製造方法中，其特徵在於包括以下步驟：半導體晶圓貼附步驟、半導體晶圓貼附步驟以及晶片化步驟，其中半導體晶圓貼附步驟為於基材膜上形成有黏著劑層且在黏著劑層上形成有接著劑層之切割-晶粒黏合一體型膜的接著劑層上，以使接著劑層之整個周緣露出超過10mm的方式貼附半導體晶圓，半導體晶圓貼附步驟為於接著劑層的周緣的外側，將晶圓環貼附於黏著劑層，晶片化步驟為對半導體晶圓進行刀片切割，獲得經單片化的多個半導體晶片。
依據該半導體晶片的製造方法，接著劑層收納於晶圓環的孔的內側，並且接著劑層之整個周緣露出半導體晶圓的外側10mm以上。因此，當切割半導體晶圓時，抑制吹附於切割刀片及半導體晶圓上的切削水直接衝擊接著劑層的周緣部。因此，可抑制由切割中的切削水的水壓所引起的接著劑層的周緣部的剝離。因此，可獲得由接著劑層的剝離所引起的污染少的半導體晶片。
依據本發明，可提供一種於半導體晶圓的切割步驟中抑制接著劑層的周緣部自黏著劑層上剝落的切割-晶粒黏合一體型膜、切割-晶粒黏合一體型膜的製造方法、以及半導體晶片的製造方法。
以下，一邊參照圖式，一邊對本發明的半導體晶片的製造方法以及加工用膜的較佳實施形態進行詳細說明。
圖1是表示本發明的切割-晶粒黏合一體型膜1的一實施形態的圖。圖2是表示沿著圖1的II-II線的剖面圖。
切割-晶粒黏合一體型膜1是一體地具有以下功能的膜：作為將半導體晶圓單片化為半導體晶片的切割用膜的功能、及對半導體晶片賦予將經單片化的半導體晶片連接於晶粒墊上時的接著劑層的功能。該切割-晶粒黏合一體型膜1包括基材膜3a、黏著劑層3b、以及接著劑層2。
基材膜3a是切割時支持半導體晶圓的部分。基材膜3a具有圓形的平面形狀，基材膜3a的直徑α1成為大於用於切割的環狀晶圓環的內徑。基材膜3a例如可使用聚四氟乙烯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、包含聚乙酸乙烯酯聚乙烯共聚物的膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯等的塑膠膜、以及將該些膜積層而成的膜等。
黏著劑層3b是貼附-固定有晶圓環的部分。黏著劑層3b具有圓形的平面形狀，黏著劑層3b的直徑α1成為大於用於切割的環狀晶圓環的內徑。黏著劑層3b的厚度例如成為1μm~50μm左右。黏著劑層3b為感壓型，例如是以丙烯酸系、橡膠系、聚矽氧系、聚胺基甲酸酯系、或者聚酯系等作為主成分的黏著劑層。此外，所謂感壓型黏著劑層，是指即便不照射能量線，亦可剝離被黏附物的黏著劑層。若黏著劑層3b為感壓型，則難以產生連同黏著劑層3b上的部位一起的黏著力的不均。
接著劑層2具有同心狀地貼附有作為切割對象的半導體晶圓的中央部，用於將切割後經單片化的半導體晶片接 著-連接於晶粒墊上。接著劑層2中所含的接著劑例如可列舉：環氧樹脂等熱硬化性接著劑、光硬化性接著劑、熱塑性接著劑或者氧反應性接著劑等。接著劑層2具有圓形的平面形狀。接著劑層2的面積成為大於半導體晶圓的面積。接著劑層2的膜厚成為例如1μm以上且250μm以下左右。若接著劑層2的膜厚薄於1μm，則晶粒黏合時難以確保充分的接著力，若厚於250μm，則不經濟，特性上的優點亦少。
接著劑層2的直徑α2大於半導體晶圓的直徑，接著劑層2的直徑α2與半導體晶圓的直徑的差成為大於20mm且小於35mm。刀片切割用的晶圓環的內徑必需大至刀片切割時刀片不觸及晶圓環的程度。因此，晶圓環的內徑成為例如比半導體晶圓的直徑大45mm以上。接著劑層2較佳為確實地收納於晶圓環的孔的內側的大小。例如，若考慮到配置晶圓環的裝置的定位精度，則接著劑層2的直徑較佳為比晶圓環的孔的內徑小10mm左右。另外，於將切割後經單片化的半導體晶片接著-連接於晶粒墊上的步驟中，切割-晶粒黏合一體型膜1擴展(expand)。藉由切割-晶粒黏合一體型膜1擴展，半導體晶片的間隔擴大，變得可容易進行拾取。為了充分傳遞該擴展的應力，接著劑層2亦較佳為比晶圓環的孔的內徑小10mm左右。因此，若接著劑層2的直徑與半導體晶圓的直徑的差小於35mm，則接著劑層2確實地收納於晶圓環的孔的內側，並且可充分傳導擴展的應力。尤其若接著劑層2的直徑與半 導體晶圓的直徑的差小於32mm，則接著劑層2更確實地收納於晶圓環的孔的內側，並且可更充分地傳導擴展的應力。
例如，於作為切割對象的半導體晶圓的直徑為8英吋(203mm)，且晶圓環的內徑為248mm的情況，接著劑層2的直徑例如為223mm以上且小於248mm，較佳為228mm以上且小於238mm。另外，例如於作為切割對象的半導體晶圓的直徑為12英吋(305mm)，且晶圓環的內徑為350mm的情況，接著劑層2的直徑例如為325mm以上且小於350mm，較佳為330mm以上且小於340mm。
切割-晶粒黏合一體型膜1是藉由基材膜3a、黏著劑層3b、以及接著劑層2以此順序積層而構成。即，黏著劑層3b是接觸而形成於基材膜3a上，接著劑層2是接觸而形成於黏著劑層3b上。相互具有圓形平面形狀的基材膜3a、黏著劑層3b、以及接著劑層2是以各圓的中心重疊的方式積層。另外，基材膜3a及黏著劑層3b、與接著劑層2配置為同心狀。基材膜3a及黏著劑層3b的直徑α1彼此相同，黏著劑層3b的面積成為與基材膜3a的面積相同。接著劑層2的面積成為小於黏著劑層3b及基材膜3a的各面積。
上述切割-晶粒黏合一體型膜1中，接著劑層2的直徑α2與半導體晶圓的直徑的差成為大於20mm且小於35mm，於在接著劑層2的中央部同心狀地貼附半導體晶圓的情況(即以接著劑層2的中心與半導體晶圓的中心重疊 的方式來貼附的情況)，接著劑層2的周緣遍及整體而自半導體晶圓的外側露出大於10mm。因此，如圖8所示，當以切割裝置的切割刀片30來切割半導體晶圓時，抑制自切削水供給噴嘴40中噴附的切削水直接衝擊接著劑層2的周緣部E。因此，可抑制由切割中的切削水的水壓所引起的接著劑層2的周緣部E的剝離，且抑制由接著劑層2的剝離所引起的半導體晶圓的污染。尤其若接著劑層2的直徑α2與半導體晶圓的直徑的差為25mm以上，則可更確實地抑制由切割中的切削水的水壓所引起的接著劑層2的周緣部E的剝離，且更確實地抑制由接著劑層2的剝離所引起的半導體晶圓的污染。此處，所謂接著劑層2的周緣部E，是指自接著劑層2的外周的端部起的距離約為10mm以下的外周部分。
此外，接著劑層2的周緣特佳為遍及整體而自半導體晶圓的外側露出大於10mm，但若於切削水容易衝擊的方向露出大於10mm，則接著劑層2的周緣未必需要遍及整體而露出大於10mm。
此外，切削水例如標準裝備有刀片冷卻器、噴水器、噴霧器。刀片冷卻器、噴水器、噴霧器的各供給壓力例如為0.2MPa~0.6MPa左右。刀片冷卻器、噴水器、噴霧器的各流量例如為0.5L/min~2.0L/min左右。
相對於此，若如先前的切割-晶粒黏合一體型膜那樣，接著劑層2的直徑與半導體晶圓的直徑的差為20mm以下，則於在接著劑層2的中央部同心狀地貼附半導體晶圓 的情況，接著劑層2的周緣自半導體晶圓的外側露出的量遍及整體而成為10mm以下。於此情況，若如圖10所示，以切割刀片30來切割半導體晶圓，則切削水直接衝擊接著劑層2的周緣部E。因此，產生由切割中的切削水的水壓所引起的接著劑層2的周緣部E的剝離，導致所剝離的接著劑層2的碎片B附著於半導體晶圓。
另外，上述切割-晶粒黏合一體型膜1中，基材膜3a及黏著劑層3b的各直徑α1成為大於用於切割的晶圓環的內徑，接著劑層2的直徑α2成為小於晶圓環的內徑，藉此可容易將用於切割的晶圓環貼附於積層於基材膜3a上的黏著劑層3b。
另外，本發明並不限定於上述切割-晶粒黏合一體型膜1。例如，接著劑層2的平面形狀較佳為與半導體晶圓的平面形狀相似的關係，例如亦可為圓的外周的一部分為直線的形狀等。另外，基材膜3a及黏著劑層3b的平面形狀可為圓形以外的形狀，例如亦可為矩形。另外，黏著劑層3b的直徑只要成為大於用於切割的環狀晶圓環的內徑即可，亦可成為基材膜3a的直徑以下。若黏著劑層3b為感壓型，則本發明的效果變得特別顯著，但即便黏著劑層3b為UV型(可藉由UV照射而使黏著力變化的類型)，亦可獲得本發明的效果。另外，上述切割-晶粒黏合一體型膜1的接著劑層2及黏著劑層3b較佳為由剝離性基材所支持-保護。此種剝離性基材可使用具有比作為貼附對象的半導體晶圓的直徑大的寬度的長條片。剝離性基材的厚度可於不損及 作業性的範圍內適當選擇，例如可設為1μm以上且1000μm以下左右。剝離性基材可使用聚酯系膜、聚烯烴系膜、塑膠膜等。
以下，使用圖3(a)~圖5，對切割-晶粒黏合一體型膜1的製造方法的一例進行說明。首先，如圖3(a)所示，準備於基材膜3a上形成有黏著劑層3b的切割膜(切割膜準備步驟)。另外，如圖3(b)所示，準備於剝離性基材10上形成有接著劑層2的晶粒黏合膜(晶粒黏合膜準備步驟)。
繼而，如圖4(a)所示，將接著劑層2切斷為圓形(接著劑層切斷步驟)。接著劑層切斷步驟中，以下述的方式來切斷接著劑層2：使接著劑層2的面積成為大於同心狀地貼附於接著劑層2的中央部的半導體晶圓的面積，且小於黏著劑層3b及基材膜3a的面積的方式。此時，以接著劑層2的直徑成為大於半導體晶圓的直徑且小於切割時使用的晶圓環的內徑，並且接著劑層2的直徑與半導體晶圓的直徑的差成為大於20mm且小於35mm的方式，將接著劑層2切斷為圓形。
繼而，如圖4(b)所示，將切割膜的形成有黏著劑層3b的面貼附於剝離性基材10及已被切斷成圓形的接著劑層2上(膜貼附步驟)。藉此，切割膜與晶粒黏合膜成為一體。
於膜貼附步驟之後，將基材膜3a及黏著劑層3b切斷為圓形(基材膜及黏著劑層切斷步驟)。於基材膜及黏著劑 層切斷步驟中，以基材膜3a及黏著劑層3b的各直徑成為大於用於切割的晶圓環的內徑的方式，將基材膜3a及黏著劑層3b切斷為圓形。此外，若事先基材膜3a及黏著劑層3b的平面形狀的尺寸大於晶圓環，則基材膜及黏著劑層切斷步驟可省略。
依據該切割-晶粒黏合一體型膜1的製造方法，接著劑層2的直徑α2與半導體晶圓的直徑的差成為大於20mm且小於35mm。因此，如上所述，當以切割刀片來切割半導體晶圓時，抑制切削水直接衝擊接著劑層2的周緣部E。因此，可抑制由切割中的切削水的負荷-水壓所引起的接著劑層2的周緣部E的剝離。
以下，對本發明的半導體晶片的製造方法的一例進行說明。首先，準備利用上述切割-晶粒黏合一體型膜1的製造方法來製造的切割-晶粒黏合一體型膜1(準備步驟)。該例中，使用將接著劑層2、黏著劑層3b、及基材膜3a形成於長條的剝離性基材10上的切割-晶粒黏合一體型膜1。最初，切割-晶粒黏合一體型膜1是如圖6所示捲繞於抽出裝置11上。
於準備步驟之後，將剝離性基材10剝離(基材剝離步驟)。繼而，於藉由將剝離性基材10剝離而露出的接著劑層2上，將半導體晶圓W同心狀地貼附於接著劑層2的中央部(半導體晶圓貼附步驟)。藉此，接著劑層2之整個周緣於半導體晶圓W的外側露出超過10mm。此外，接著劑層2的周緣特佳為遍及整體而自半導體晶圓的外側露出 大於10mm，但若於切削水容易衝擊的方向露出大於10mm，則未必需要遍及整體而露出大於10mm。繼而，於接著劑層2的周緣的外側，在黏著劑層3b上貼附晶圓環R(晶圓環貼附步驟)。
具體而言，首先，自抽出裝置11上利用送出輥13來送出切割-晶粒黏合一體型膜1，利用分離板15將剝離性基材10剝離。藉此，將接著劑層2、黏著劑層3b、及基材膜3a自剝離性基材10上分離。利用擠壓輥14，將所分離的接著劑層2、黏著劑層3b、及基材膜3a擠壓於平台S上的半導體晶圓W及晶圓環R。如此，如圖7所示，於接著劑層2上貼附半導體晶圓W，且於黏著劑層3b上貼附晶圓環R。此外，經剝離的剝離性基材10是利用捲取輥16而捲取於捲取裝置12上。
繼而，如圖8所示，將貼附於接著劑層2上的半導體晶圓W切割，獲得經單片化的多個半導體晶片W1(晶片化步驟)。切割時，向切割刀片30及半導體晶圓W上，自切割裝置的切削水供給噴嘴40中吹附切削水。藉由切削水，半導體晶圓W與切割刀片30之間的摩擦熱得以冷卻，並且半導體晶圓W的碎屑等被清洗-去除。
該切割時，將作為切削水的標準裝備的刀片冷卻器、噴水器、噴霧器的各供給壓力設為0.2MPa~0.6MPa左右，且將流量設為0.5L/min~2.0L/min左右。
其後，拾取經單片化的半導體晶片W1，如圖9所示經由接著劑層2a而搭載於晶粒墊7上(晶粒黏合步驟)。 接著，將晶粒墊7上的半導體晶片W1連接於引線框架的引線(打線接合步驟)。最後，將搭載有半導體晶片W1的引線框架以樹脂等來成形(模製步驟)。
如以上說明所示，利用該半導體晶片的製造方法，接著劑層2的直徑α2與半導體晶圓W的直徑的差成為大於20mm且小於35mm。因此，如上所述，當以切割刀片30來切割半導體晶圓W時，抑制切削水直接衝擊接著劑層2的周緣部E。因此，可抑制由切割中的切削水的水壓所引起的接著劑層2的周緣部E的剝離。因此，可獲得由接著劑層2所引起的污染少的半導體晶片W1。
以下，對實例1~實例8及比較例1~比較例2進行說明，但本發明並不限定於以下的實例。
(實例1)
實例1中，表示以75μm的厚度使用直徑為203mm(8英吋)的矽晶圓、直徑為248mm以上的晶圓環的例子。首先，準備於基材膜上形成有黏著劑層的300mm寬的切割膜(例如，日立化成工業股份有限公司製造的SD-3001系列)。另外，準備於剝離性基材上形成有接著劑層的晶粒黏合膜(例如，日立化成工業股份有限公司製造的FH-900系列)。
繼而，以晶粒黏合膜的接著劑層的平面形狀成為直徑223mm的圓形的方式，對接著劑層進行預切割(預先切斷)。此時，以接著劑層的面積成為大於作為切割對象的矽晶圓的面積且小於黏著劑層及基材膜的面積的方式，對接 著劑層進行預切割。
繼而，將切割膜的形成有黏著劑層的面貼附於剝離性基材及經預切割的接著劑層上。其後，以基材膜及黏著劑層的平面形狀成為直徑270mm的圓形的方式，對基材膜及黏著劑層進行預切割(預先切斷)，製作切割-晶粒黏合一體型膜。此時，使圓形的基材膜及黏著劑層、與圓形的接著劑層成為同心狀。
接著，將切割-晶粒黏合一體型膜的剝離性基材剝離，於所露出的接著劑層上層壓矽晶圓。另外，將晶圓環固著於黏著劑層上。於該狀態下，使用切割刀片(例如，Disco股份有限公司製造的全自動切割機DFD-6361)，對矽晶圓一邊吹附切削水一邊切割。切割是以依次使用厚度不同的2片切割刀片進行加工的階式切割方式來進行。使用Disco股份有限公司製造的切割刀片NBC-ZH204J-SE 27HDDD作為第1片厚的切割刀片，且使用Disco股份有限公司製造的切割刀片NBC-ZH127F-SE 27HDBB作為第2片薄的切割刀片。刀片轉速設為40,000rpm，切斷速度設為30mm/sec。另外，將切斷矽晶圓時的刀片的進給間距(feeding pitch)，即進行切割的間隔設為5mm。另外，切割時，將作為切削水而標準裝備的刀片冷卻器、噴水器、噴霧器的各供給壓力設為0.4MPa左右，且將刀片冷卻器、噴水器、噴霧器的各流量設為1.5L/min、1.0L/min、1.0L/min。
(實例2~實例8)
實例2~實例8中，除了將晶粒黏合膜的接著劑層的 直徑分別設為225mm、228mm、230mm、233mm、235mm、238mm、240mm以外，設為與實例1相同的條件。
(比較例1)
比較例1中，除了將晶粒黏合膜的接著劑層的直徑設為220mm以外，設為與實例1相同的條件。
(實例9~實例16)
實例9中，除了以75μm的厚度使用直徑為305mm(12英吋)的矽晶圓、直徑為350mm以上的晶圓環、400mm寬的切割膜，且將晶粒黏合膜的接著劑層的直徑分別設為325mm、327mm、330mm、332mm、335mm、337mm、340mm、342mm以外，設為與實例1相同的條件。
(比較例2)
比較例2中，除了以75μm的厚度使用直徑為305mm(12英吋)的矽晶圓、直徑為350mm以上的晶圓環、400mm寬的切割膜，且將晶粒黏合膜的接著劑層的直徑設為320mm以外，設為與實例1相同的條件。
(評價)
作為評價方法，觀測切割-晶粒黏合一體型膜的接著劑層的端部由於切割時的切削水而自黏著劑層上剝落的量。接著劑層的端部的剝離的有無是藉由目視來確認。將其結果示於表1及表2中。表1及表2中，將利用切割刀片將矽晶圓切割80線時不剝離的膜記作○，將剝離的膜記作×。
根據表1及表2，比較例1及比較例2中看到接著劑層的端部產生剝離，與此相對，實例1~實例16中未看到接著劑層的端部產生剝離，結果良好。根據以上情況可知，為了使切割-晶粒黏合一體型膜的接著劑層的周緣部不會因切割時的切削水而自黏著劑層上剝落，於將半導體晶圓同心狀地貼附於接著劑層的中央部的情況，只要將接著劑層的直徑與半導體晶圓的直徑的差設為大於20mm即可。
[產業上之可利用性]
依據本發明，可提供一種在半導體晶圓的切割步驟中抑制接著劑層的周緣部自黏著劑層上剝落的切割-晶粒黏合一體型膜、切割-晶粒黏合一體型膜的製造方法、以及半 導體晶片的製造方法。
1‧‧‧切割-晶粒黏合一體型膜
2、2a‧‧‧接著劑層
3a‧‧‧基材膜
3b‧‧‧黏著劑層
7‧‧‧晶粒墊
10‧‧‧剝離性基材
11‧‧‧抽出裝置
12‧‧‧捲取裝置
13‧‧‧送出輥
14‧‧‧擠壓輥
15‧‧‧分離板
16‧‧‧捲取輥
30‧‧‧切割刀片
40‧‧‧噴嘴
B‧‧‧碎片
E‧‧‧周緣部
R‧‧‧晶圓環
S‧‧‧平台
W‧‧‧半導體晶圓
W1‧‧‧半導體晶片
α1‧‧‧基材膜及黏著劑層的各直徑
α2‧‧‧接著劑層的直徑
圖1是表示本發明的切割-晶粒黏合一體型膜的一實施形態的圖。
圖2是表示沿著圖1的II-II線的剖面圖。
圖3(a)是表示切割膜的圖。圖3(b)是表示晶粒黏合膜的圖。
圖4(a)是表示對接著劑層進行預切割的狀態的圖。 圖4(b)是表示將切割膜貼附於晶粒黏合膜的狀態的圖。
圖5是表示對基材膜及黏著劑層進行預切割的狀態的圖。
圖6是表示半導體晶圓貼附步驟的圖。
圖7是表示於接著劑層上貼附有半導體晶圓的狀態的圖。
圖8是表示使用本發明的切割-晶粒黏合一體型膜來進行切割的狀態的圖。
圖9是表示將經單片化的半導體晶片搭載於晶粒墊上的狀態的圖。
圖10是表示使用先前的切割-晶粒黏合一體型膜來進行切割的狀態的圖。
2‧‧‧接著劑層
3a‧‧‧基材膜
3b‧‧‧黏著劑層
30‧‧‧切割刀片
40‧‧‧噴嘴
E‧‧‧周緣部
R‧‧‧晶圓環
W‧‧‧半導體晶圓
W1‧‧‧半導體晶片

Claims (4)

  1. 一種切割-晶粒黏合一體型膜，其特徵在於，包括：基材膜；感壓型黏著劑層，形成於上述基材膜上，且貼附有用於刀片切割的晶圓環；以及接著劑層，形成於上述黏著劑層上，且具有貼附有作為刀片切割對象的半導體晶圓的中央部，其中上述接著劑層的平面形狀成為圓形，上述接著劑層的面積成為大於上述半導體晶圓的面積且小於上述基材膜及上述黏著劑層的各面積，上述接著劑層的直徑成為大於上述半導體晶圓的直徑且小於上述晶圓環的內徑，且上述接著劑層的直徑與上述半導體晶圓的直徑的差成為大於20mm且小於35mm。
  2. 一種切割-晶粒黏合一體型膜的製造方法，其特徵在於，包括：切割膜準備步驟，準備於基材膜上形成有黏著劑層的切割膜；晶粒黏合膜準備步驟，準備於剝離性基材上形成有接著劑層的晶粒黏合膜；接著劑層切斷步驟，以上述接著劑層的面積成為大於貼附於上述接著劑層的中央部的半導體晶圓的面積且小於上述黏著劑層及上述基材膜的各面積的方式，將上述接著劑層切斷為圓形；以及膜貼附步驟，將上述切割膜的形成有上述黏著劑層的 面貼附於上述晶粒黏合膜的上述剝離性基材及上述已被切斷成圓形的接著劑層上，且於上述接著劑層切斷步驟中，以上述接著劑層的直徑成為大於上述半導體晶圓的直徑且小於用於刀片切割的晶圓環的內徑，且上述接著劑層的直徑與上述半導體晶圓的直徑的差成為大於20mm且小於35mm的方式，來切斷上述接著劑層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之切割-晶粒黏合一體型膜的製造方法，其中於上述切割膜準備步驟中，準備於基材膜上形成有感壓型黏著劑層的切割膜。
  4. 一種半導體晶片的製造方法，其特徵在於，包括：半導體晶圓貼附步驟，於基材膜上形成有黏著劑層且於上述黏著劑層上形成有接著劑層之切割-晶粒黏合一體型膜的上述接著劑層上，以使上述接著劑層之整個周緣露出超過10mm的方式貼附半導體晶圓；半導體晶圓貼附步驟，於上述接著劑層的周緣的外側，將晶圓環貼附於上述黏著劑層上；以及晶片化步驟，對上述半導體晶圓進行刀片切割，獲得經單片化的多個半導體晶片。
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