JP2009256458A - 粘接着シート及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】プリカット加工等により所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な、粘接着シート及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】剥離基材と、該剥離基材表面の両端に粘接着層と、該剥離基材表面に接着剤層を有する、粘接着シートであって、接着剤層が、粘接着層と同等または±20μmの厚みを有しており、接着剤層が、部分的に形成された所定の平面形状を有しており、接着剤層が粘接着層と接することなく形成されている、粘接着シート。
【選択図】図4
【解決手段】剥離基材と、該剥離基材表面の両端に粘接着層と、該剥離基材表面に接着剤層を有する、粘接着シートであって、接着剤層が、粘接着層と同等または±20μmの厚みを有しており、接着剤層が、部分的に形成された所定の平面形状を有しており、接着剤層が粘接着層と接することなく形成されている、粘接着シート。
【選択図】図4
Description
本発明は、粘接着シート及び半導体装置の製造方法に関する。
近年、電子機器の発達に伴い電子部品の搭載密度が高くなり、マルチチップスタックドパッケージ(以下MCPと略する)と呼ばれるような、半導体チップを積層していく半導体パッケージなどの新しい形式の実装方法が採用され始め、使用される半導体ウエハの厚みもさらなる薄膜化が進んでいる。
従来の半導体搭載基板に用いられる接着部材としては液状あるいはフィルム状の接着剤が使用されるのが一般的であるが、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきており近年、微細加工が容易である接着フィルムが多く使われている。
この接着フィルムは、個片貼付け方式あるいはウエハ裏面貼付け方式において使用されている。前者の個片貼付け方式の接着フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、リール状の接着フィルムをカッティングあるいはパンチングによって個片に切り出した後その個片を支持部材に接着し、上記接着フィルム付き支持部材にダイシング工程によって個片化された半導体素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製し、その後必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程などを経ることによって半導体装置が得られることとなる。しかし、上記個片貼付け方式の接着フィルムを用いるためには、接着フィルムを切り出して支持部材に接着する専用の組立装置が必要であることから、銀ペースト等の液状接着剤を使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題があった。
一方、後者のウエハ裏面貼付け方式の接着フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、まず半導体ウエハの裏面に接着フィルムを貼付けさらに接着フィルムの他方の面に半導体ウエハを固定するための粘着フィルムを貼り合わせ、その後上記ウエハからダイシングによって半導体素子を個片化し、個片化した接着フィルム付き半導体素子を粘着剤層より剥離しそれを支持部材に接合し、その後の加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経ることにより半導体装置が得られることとなる。このウエハ裏面貼付け方式の接着フィルムは、接着フィルム付き半導体素子を支持部材に接合するため、接着フィルムを個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのままあるいは熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、接着フィルムを用いた組立方法の中で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。
このウエハ裏面貼付け方式の接着フィルムと共に用いられる粘着フィルムは、感圧型と紫外線硬化型に大別される。前者の感圧型粘着フィルムは通常、ポリ塩化ビニル系やポリオレフィン系のベースフィルムに粘着剤を塗布したものである。この粘着フィルムは、ダイシング工程における切断時にはダイシングソウの回転、あるいはレーザーの照射によって各素子が飛散しないような十分な粘着力が求められ、半導体用支持部材に接合する時には半導体素子を傷つけることなく基材層より剥離できる程度の低い粘着力が求められる。ところが、上記のような、相反する2つの性能を充分併せ持つ感圧型粘着フィルムがなかったことより、半導体素子のサイズや加工条件毎に粘着フィルムを切替える作業が行われていた。また素子のサイズや加工条件によって粘着力の制御が必要になることから粘着フィルムの在庫管理が複雑化していた。さらに、近年、特にCPUやメモリの大容量化が進んだ結果半導体素子が大型化する傾向にあり、またICカードあるいはメモリーカードなどの製品にあっては使用されるメモリの薄型化が進んでいる。これらの半導体素子の大型化や薄型化に伴い、接着剤層を剥離する際に素子が割れてしまう等の問題が生じていた。
一方、後者の紫外線硬化型粘着フィルムはダイシング時には高粘着力を有するものの、接着剤層を粘着剤層より剥離する前に紫外線を照射することにより低粘着力になる。そのため、上記感圧型粘着フィルムが有する課題が改善されることより、広く採用されるに至っている。
しかし、フィルム状接着剤を用いた上記のウエハ裏面貼付け方式においては、半導体ウエハのダイシングを行うまでに、フィルム状接着剤を半導体ウエハに貼付する工程とダイシングテープをフィルム状接着剤に貼付する工程との2つの貼付工程が必要である。そこで、このプロセスを簡略化するために、フィルム状接着剤とダイシングテープとを貼り合わせ、一枚で両方の機能を併せ持つ接着シート(ダイボンドダイシングシート)が開発されている(例えば、特許文献1参照)。このような接着シートは、例えば、剥離基材/接着剤層/粘着フィルムの三層構造を有している。
また、このような接着シートを、半導体素子を構成するウエハの形状にあらかじめ加工しておく方法(いわゆるプリカット加工)が知られている(例えば特許文献2参照)。かかるプリカット加工は、使用されるウエハの形状に合わせて樹脂層(接着剤層及び粘着フィルム)を打ち抜き、ウエハを貼り付ける部分以外の樹脂層を剥離しておく方法である。
プリカット加工が施された接着シートは、剥離基材上に接着剤層が積層され、その上にさらに粘着フィルムが、剥離基材側が粘着性を有する面となるようにして積層されている。なお、粘着フィルムは接着剤層を覆い、且つ、接着剤層の周囲で剥離基材に接するように積層されており、これにより、半導体ウエハのダイシングを行う際に、半導体ウエハの外周部のウエハリングに粘着フィルムを貼り付けて接着シートを固定することができるようになっている。
かかるプリカット加工を施す場合、上記の接着シートは一般的に、フィルム状接着剤において接着剤層をウエハ形状に合わせてプリカット加工し、それとダイシングテープとを貼り合わせた後、このダイシングテープに対してウエハリング形状に合わせたプリカット加工を施すか、又は、あらかじめウエハリング形状にプリカット加工したダイシングテープを、プリカット加工したフィルム状接着剤と貼り合わせることによって作製される。
特開平7−45557号公報
実公平6−18383号公報
上記プリカット加工が施された接着シートは、通常、長尺の剥離基材を用いて円筒状の巻き芯に巻きつけて、ロール状の接着シートロールとして提供される。このとき、上記接着シートの従来のプリカット加工が施された接着シートでは、以下のような不具合が生じる。すなわち、上記プリカット加工が施された接着シートにおいては、部分的に接着剤層と粘着フィルムとを積層するため、接着剤層と粘着フィルムとの積層部分が他の部分よりも厚くなる。そのため、接着シートロールの直径が大きくなったり、巻き取り時の張力が高くなったりした場合、接着剤の部分に他の接着剤層または粘着フィルムの巻き跡が転写され、フィルムの平滑性が損なわれることがある。また、接着剤の厚みが厚くなった場合、1巻あたりの巻き数が多くなった場合、または接着剤層または粘着シートの硬さが硬くなった時などに巻き跡が更に転写されやすくなる。これら巻き跡の転写により接着シートに平滑性の欠陥があると、接着シートを半導体ウエハへ貼り付けた時に半導体ウエハと接着剤層2との間に空気を巻き込み、半導体装置組み立て方法上、不具合が生じることがある。また、粘着剤層と離型基材との接着力が低い場合、該接着剤層を比着体と貼り付ける際に剥離を生じ、生産性を低下させることがある。
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、プリカット加工等により所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な、粘接着シート及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、以下に関する。
1. 剥離基材と、該剥離基材表面の両端に粘接着層を有する、粘接着シート。
2. 剥離基材と、該剥離基材表面の両端に粘接着層と、該剥離基材表面に接着剤層を有する、粘接着シートであって、接着剤層が、粘接着層と同等または±20μmの厚みを有しており、接着剤層が、部分的に形成された所定の平面形状を有しており、接着剤層が粘接着層と接することなく形成されていることを特徴とする粘接着シート。
3. 粘着フィルムを有する項2記載の粘接着シートであって、粘着フィルムが、接着剤層を覆い、且つ、粘着フィルムが、接着剤層の周囲で剥離基材に接するように形成されたことを特徴とする粘接着シート。
4. 粘着フィルムを有する項2記載の粘接着シートであって、粘着フィルムが、接着剤層を覆い、且つ、粘着フィルムの一部が剥離基材と接するように形成されたことを特徴とする粘接着シート。
5. 粘接着層の主成分が、アクリル酸エステル共重合体であることを特徴とする項1〜4のいずれか一項に記載の粘接着シート。
6. 接着剤層が、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有してなるものであることを特徴とする項2〜5のうちのいずれか一項に記載の粘接着シート。
7. 熱可塑性樹脂が、官能性モノマを含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分であることを特徴とする項6に記載の粘接着シート。
8. 高分子量成分が、エポキシ基含有(メタ)アクリル酸エステル共重合体であることを特徴とする項7記載の粘接着シート。
9. 熱重合性成分が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有してなるものであることを特徴とする項6〜8のうちのいずれか一項に記載の粘接着シート。
10. 項3〜9のうちのいずれか一項に記載の粘接着シートを用いた半導体装置の製造方法であって、前記粘接着シートにおいて、接着剤層及び粘着フィルムからなる積層体を剥離基材から剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウエハに貼り付けて積層体付き半導体ウエハを得る貼り付け工程と、前記積層体付き半導体ウエハを、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの界面までダイシングし、前記半導体ウエハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程と、前記積層体に高エネルギー線を照射して前記粘着フィルムの前記接着剤層に対する粘着力を低下させた後、前記粘着フィルムから前記半導体素子を前記接着剤層とともにピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程と、前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 被着体が、半導体素子搭載用の支持部材、又は、別の半導体素子であることを特徴とする項10記載の半導体装置の製造方法。
1. 剥離基材と、該剥離基材表面の両端に粘接着層を有する、粘接着シート。
2. 剥離基材と、該剥離基材表面の両端に粘接着層と、該剥離基材表面に接着剤層を有する、粘接着シートであって、接着剤層が、粘接着層と同等または±20μmの厚みを有しており、接着剤層が、部分的に形成された所定の平面形状を有しており、接着剤層が粘接着層と接することなく形成されていることを特徴とする粘接着シート。
3. 粘着フィルムを有する項2記載の粘接着シートであって、粘着フィルムが、接着剤層を覆い、且つ、粘着フィルムが、接着剤層の周囲で剥離基材に接するように形成されたことを特徴とする粘接着シート。
4. 粘着フィルムを有する項2記載の粘接着シートであって、粘着フィルムが、接着剤層を覆い、且つ、粘着フィルムの一部が剥離基材と接するように形成されたことを特徴とする粘接着シート。
5. 粘接着層の主成分が、アクリル酸エステル共重合体であることを特徴とする項1〜4のいずれか一項に記載の粘接着シート。
6. 接着剤層が、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有してなるものであることを特徴とする項2〜5のうちのいずれか一項に記載の粘接着シート。
7. 熱可塑性樹脂が、官能性モノマを含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分であることを特徴とする項6に記載の粘接着シート。
8. 高分子量成分が、エポキシ基含有(メタ)アクリル酸エステル共重合体であることを特徴とする項7記載の粘接着シート。
9. 熱重合性成分が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有してなるものであることを特徴とする項6〜8のうちのいずれか一項に記載の粘接着シート。
10. 項3〜9のうちのいずれか一項に記載の粘接着シートを用いた半導体装置の製造方法であって、前記粘接着シートにおいて、接着剤層及び粘着フィルムからなる積層体を剥離基材から剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウエハに貼り付けて積層体付き半導体ウエハを得る貼り付け工程と、前記積層体付き半導体ウエハを、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの界面までダイシングし、前記半導体ウエハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程と、前記積層体に高エネルギー線を照射して前記粘着フィルムの前記接着剤層に対する粘着力を低下させた後、前記粘着フィルムから前記半導体素子を前記接着剤層とともにピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程と、前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 被着体が、半導体素子搭載用の支持部材、又は、別の半導体素子であることを特徴とする項10記載の半導体装置の製造方法。
本発明により、プリカット加工等により所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な、粘接着シート及び半導体装置の製造方法を提供することが可能となった。
本発明の粘接着シートは、剥離基材と、該剥離基材端部に粘着剤層が形成されているおり、該粘着剤層は主成分がアクリル系粘着剤であることが好ましい。このとき剥離基材と粘着層との剥離強度は2N/m以上が好ましく、5N/m以上がより好ましく、10N/m以上が特に好ましい。2N/m未満であると該粘着層が該離型基材から剥離する。剥離力の上限に関しては特に規定はない。
本発明の粘接着シートは、前記剥離基材には部分的に形成された所定の平面形状を有する接着剤層と、該接着剤層を覆い、該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成され、且つ、前記剥離基材の端部では該粘着フィルムと前期粘着剤層が接するように形成された粘接着シートであって、前記接着剤層の膜厚と同等又は±20μmの厚みを有する前記剥離基材上における前記粘着フィルムが形成されていることが好ましい。本発明は、接着剤層の厚みと粘着剤層の厚みにおいて、作製される厚みの差は±20μm以下であり、±10μm以下が好ましく、±5μm以下がより好ましく、±1μm以下が特に好ましい。±20μm以上であると、転写抑制の効果が無く、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することができない。
これにより、接着シートをロール状に巻き取った際に、接着剤層に他の接着剤層の巻き跡が転写されることをより十分に抑制することができる。そして、半導体ウエハ等の被着体に接着剤層を貼り付ける際に、空気の巻き込みによるボイド等の発生をより十分に抑制することができる。
本発明に用いられる粘着剤層は連続で加工されても不連続で加工されてもかまわないが、連続のほうが、空気の巻き込みによるボイド等のはっせいをより十分に抑制することができる。
本発明に用いられる粘着剤の主成分は、公知のアクリル酸エステル共重合体からなる。本発明におけるアクリル酸エステルとは、アクリル酸エステル及び/又はメタクリル酸エステルのことを意味しており、「(メタ)」とは、すべてこのような意味で用いている。アクリル酸エステル共重合体は、(メタ)アクリル酸エステルとこれと共重合可能な不飽和モノマを材料としてなる。
(メタ)アクリル酸エステルの例としては、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、sec−ブチル(メタ)アクリレート、tert−ブチル(メタ)アクリレート、ペンチル(メタ)アクリレート、イソペンチル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、イソノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート等がある。
(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な不飽和モノマの例としては、アルキル(メタ)アクリレートとして前記の通り例示したもの以外のアルキル(メタ)アクリレート類;水酸基、アミノ基、アミド基、エーテル基等を有する(メタ)アクリレート類;(メタ)アクリル酸、フマル酸等の脂肪族不飽和(ジ)カルボン酸類;エチレン、ブタジエン等の脂肪族不飽和炭化水素類;塩化ビニル等の脂肪族不飽和炭化水素類のハロゲン置換体;スチレン、α−メチルスチレン等の芳香族不飽和炭化水素類;酢酸ビニル等のビニルエステル類;ビニルエーテル類;アクリロニトリル等の不飽和シアン化合物等がある。
本発明に用いられる粘着剤層は、アクリル酸エステル共重合体を主成分とし、架橋剤により架橋されたものである。架橋剤としては、イソシアネート化合物、エポキシ樹脂、金属キレート等公知のものを用いることができる。また、粘着剤中に粘着付与樹脂など各種添加剤を適宜加えてもよい。
また剥離基材としては、特に制限はないが、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムだけでなく、紙、不織布、金属箔等も使用することができる。これらの基材の上にシリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤で表面処理されていてもよい。
剥離基材の厚さは、使用時の作業性を損なわない範囲で適宜選択することができるが、10〜500μmであることが好ましく、25〜100μmであることがより好ましく、30〜50μmであることが特に好ましい。
本発明の粘接着シートの製造方法としては、例えば、剥離基材に粘着剤を塗布する際、部分的に粘着剤層を形成するための剥離基材をマスクしこのマスク部以外の部分に上記粘着剤層を塗布する方法や、粘着剤を必要な部分にのみ塗布する方法、剥離基材前面に粘着剤層を塗布した後、不要部分を打ち抜き加工を施し、不要部分を取り除く方法、別の剥離基材に塗布した後、必要部分にのみ粘着剤をラミネートする方法などが挙げられる。中でも剥離基材を部分的にマスクするまたは必要部分にのみ塗布する方法が工程的を削減できることからより好ましい。
本発明の粘接着シートにおいては、これら接着剤層及び粘着剤層が積層されて形成されている。粘着層は、接着シートをロール状に巻き取った際の接着剤層への巻き跡の転写をより十分に低減する観点から、少なくとも剥離基材の短手方向の両端部上に形成されていることが好ましい。この際、粘着剤層は連続、不連続は問わないが、形成位置は、巻き跡の転写が起こりやすい位置を考慮すると、接着剤層が存在せず、且つ粘着剤層が存在する剥離基材上にあることが好ましい。但し、半導体ウエハと接着シートとを貼り合わせる装置のセンサーを考慮すると、短手方向中央部についてのみは粘着剤層は存在しない方が好ましい。すなわち、粘着剤層は、剥離基材における積層体形成されている部分と短手方向中央部とを除く部分をできる限り多く覆うように形成されていることが好ましい。また、粘着剤層は、上述したように、接着剤層の厚みと粘着剤層の厚みにおいて作製される厚みの差は±20μm以下であり、±10μm以下が好ましく、±5μm以下がより好ましく、±1μm以下が特に好ましい。
粘着剤層において、接着剤層と粘着フィルムとの大きさの関係について特に制限はないが、巻き取り時の圧力を粘着層に分散させ、巻き跡の転写をより十分に低減する観点から、両方とも面積が大きい方が好ましい。
本発明の粘接着シートにおいて、接着剤層と粘着フィルムとの積層状態は、それぞれが同じ大きさでちょうど重なり合うように積層されている構造も考えられるが、ウエハリングと半導体素子の大きさの関係上、通常、粘着フィルムはその外周の50%以上、好ましくは70%以上、より好ましくは90%以上が、接着剤層の外周の外側にあることが好ましい。その部分は剥離基材と粘着フィルム層とがこの順に備えた形状であることが好ましい。更に、本発明の粘接着シートにおいて、接着剤層と粘着フィルムとの積層状態は、粘着フィルムが接着剤層を覆い、且つ、接着剤層の周囲で剥離基材に接するように形成されていることが好ましい。すなわち、接着剤層の平面形状の面積よりも粘着フィルムの平面形状の面積が大きく、接着剤層が包み込まれており、接着剤層の周囲において剥離基材と粘着フィルム層とが直接接している状態となっていることが好ましい。なお、接着剤層は、剥離起点として外周の一部に突出部を有していてもよく、この突出部は粘着フィルムで覆われていなくてもよい。
接着剤層の形状としては、半導体ウエハの貼り付けが可能な形状であれば特に制限はなく、例えば、平面形状として、円形、ウエハ形状(円の外周の一部が直線である形状)、四角形、五角形、六角形、八角形などが挙げられる。なお、接着剤層において、半導体ウエハを貼り付ける部分以外の部分は無駄になるため、円形の平面形状を有する一般的な半導体ウエハと貼り合わせる場合には、接着剤層は、円形の平面形状又は半導体ウエハの平面形状に合致する平面形状(半導体ウェハ形状)であることが好ましい。また、接着剤層の外周の一部が粘着フィルムの外周の一部の近傍にあるようにするために、外周の一部に凸部を有していてもよい。
粘着フィルムの形状としては、ウエハリングと密着させることが可能な形状であれば特に制限はなく、例えば、平面形状として、円形、四角形、五角形、六角形、八角形、菱形形状、星型などが挙げられる。なお、現在のウエハリングの形状及び半導体素子の形状を考慮すると、粘着フィルムの平面形状は、円形もしくは円形に順ずる形状であることが好ましい。更に、半導体素子との貼付けを考慮すると、接着剤層の平面形状と似た平面形状であることが好ましい。
また、本発明の粘接着シートにおいて、接着剤層としては、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有してなるものであることが好ましい。これにより、かかる接着剤層を介して、半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材あるいは別の半導体素子に十分に固定することができる。
ここで、上記熱可塑性樹脂は、官能性モノマを含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分であることが好ましい。これにより、半導体装置作製における作業環境下でフィルム形状を維持し、取り扱い易い接着シートにすることができる。また、重量平均分子量が10万以上である高分子量成分を用いることにより、接着剤層の室温での硬さを高めることができ、接着シートを巻き取った際の圧力により接着剤層に巻き跡が転写されることを抑制することができる。更に、何らかの原因で接着剤層に巻き跡の転写が生じた場合でも、上記の熱可塑性樹脂を用いていることで、接着剤層を半導体ウエハに貼り付ける際の熱により容易に変形し、ボイドを低減することができる。
また、上記高分子量成分は、エポキシ基含有(メタ)アクリル酸エステル共重合体であることが好ましい。これにより、かかる接着剤層を介して、半導体装置作製の作業の中で、半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材あるいは別の半導体素子に十分に固定することができ、作製上の不具合を低減することができる。
上記官能性モノマーを含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分としては、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有し、かつ重量平均分子量が10万以上であるグリシジル基含有(メタ)アクリル共重合体等が挙げられ、それらの中でもエポキシ樹脂と非相溶であるものが好ましい。グリシジル基含有(メタ)アクリル共重合体の具体例としては、例えば、ナガセケムテックス株式会社製のHTR−860P−3(商品名)等が挙げられる。
上記グリシジル基含有(メタ)アクリル共重合体としては、例えば、(メタ)アクリルエステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。
上記グリシジル基含有(メタ)アクリル共重合体における、上記グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ樹脂含有モノマー単位の量は、モノマー全量を基準として0.5〜6.0重量%が好ましく、0.5〜5.0重量%がより好ましく、0.8〜5.0重量%が特に好ましい。グリシジル基含有モノマー単位の量がこの範囲にあると、十分な接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止することができる。
グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート以外の上記官能性モノマーとしては、例えば、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート等が挙げられ、これらは、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、本発明において、エチル(メタ)アクリレートとは、エチルアクリレートとエチルメタクリレートの両方を示す。官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、グリシジル基含有(メタ)アクリル共重合体のTgを考慮して決定し、Tgが−10℃以上となるようにすることが好ましい。Tgが−10℃以上であると、Bステージ状態での接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。
上記モノマーを重合させて、官能性モノマーを含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができる。
官能性モノマーを含む高分子量成分の重量平均分子量は、通常、10万以上であるが、30万〜300万であることが好ましく、50万〜200万であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため、配線の回路充填性が確保できる傾向にある。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
また、官能性モノマーを含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分の使用量は、熱重合性成分100重量部に対して、10〜400重量部が好ましい。この範囲にあると、貯蔵弾性率及び成型時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。また、高分子量成分の使用量は、熱重合性成分100重量部に対して、15〜350重量部が好ましく、20〜300重量部がより好ましい。
また、上記熱重合性成分は、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有してなるものであることが好ましい。これにより、かかる接着剤層を介して、半導体装置作製後、半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材あるいは別の半導体素子に十分に固定することができ、半導体装置が使用される環境下で半導体装置の破損や故障を防ぐことができる。
上記エポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されず、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを使用することができる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
上記エポキシ樹脂として、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコートシリーズ(エピコート807、エピコート815、エピコート825、エピコート827、エピコート828、エピコート834、エピコート1001、エピコート1004、エピコート1007、エピコート1009)、ダウケミカル社製のDER−330、DER−301、DER−361、及び、東都化成株式会社製のYD8125、YDF8170等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート152、エピコート154、日本化薬株式会社製のEPPN−201、ダウケミカル社製のDEN−438等が挙げられる。更に、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製のEOCN−102S、EOCN−103S、EOCN−104S、EOCN−1012、EOCN−1025、EOCN−1027、東都化成株式会社製のYDCN701、YDCN702、YDCN703、YDCN704等が挙げられる。
多官能エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のEpon 1031S、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイト0163、ナガセケムテックス株式会社製のデナコールEX−611、EX−614、EX−614B、EX−622、EX−512、EX−521、EX−421、EX−411、EX−321等が挙げられる。
アミン型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート604、東都化成株式会社製のYH−434、三菱ガス化学株式会社製のTETRAD−X及びTETRAD−C、住友化学株式会社製のELM−120等が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイトPT810、UCC社製のERL4234、ERL4299、ERL4221、ERL4206等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
エポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を使用することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ジシアンジアミド、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールSのようなフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。これらの中でも、特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。これらのエポキシ樹脂硬化剤は、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
上記フェノール樹脂硬化剤の中で好ましいものとしては、例えば、大日本インキ化学工業株式会社製、商品名:フェノライトLF2882、フェノライトLF2822、フェノライトTD−2090、フェノライトTD−2149、フェノライトVH−4150、フェノライトVH4170、明和化成株式会社製、商品名:H−1、ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名:エピキュアMP402FPY、エピキュアYL6065、エピキュアYLH129B65、及び、三井化学株式会社製、商品名:ミレックスXL、ミレックスXLC、ミレックスRN、ミレックスRS、ミレックスVR等が挙げられる。
接着剤層は、25℃での硬化前の貯蔵弾性率が10〜10000MPaであり、且つ、260℃での硬化後の貯蔵弾性率が0.5〜200MPaであることが好ましい。ここで、接着剤層の貯蔵弾性率を大きくする方法として、例えば、エポキシ樹脂の使用量を増やす方法、グリシジル基濃度の高いエポキシ樹脂又は水酸基濃度の高いフェノール樹脂を使用する等してポリマー全体の架橋密度を上げる方法、フィラーを添加する方法等が挙げられる。
上記接着剤層が熱重合性成分を含む場合、接着剤層には更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
この硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量100重量部に対して5重量部以下が好ましく、3重量部以下がより好ましい。この添加量が5重量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。
接着剤層には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に限定されず、たとえばフェノキシ樹脂、高分子量熱重合性成分、超高分子量熱重合性成分などが挙げられる。これらは、単独でまたは2種類以上を組み合わせて使用することもできる。
熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、接着剤層が熱重合性成分を含む場合、熱重合性成分の総量100重量部に対して、40重量部以下とすることが好ましい。この範囲であると、接着剤層のTgを確保することができる。
また、接着剤層には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整およびチキソトロピック性付与などを目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。また、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。これらの中でも、熱伝導性向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の観点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。
無機フィラーの添加量は、接着剤層の総量を基準として1〜60重量%が好ましい。添加量が1重量%未満であると添加効果が十分に得られない傾向があり、60重量%を超えると、接着剤層の粘接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。
また、接着剤層には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。
上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、接着剤層全量を基準として0.01〜10重量%とするのが好ましい。
上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、接着剤層全量を基準として0.01〜10重量%とするのが好ましい。
更に、接着剤層には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を向上させるために、イオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。
上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、接着剤層全量を基準として0.1〜10重量%が好ましい。
上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、接着剤層全量を基準として0.1〜10重量%が好ましい。
接着剤層の厚さは、0.1〜200μmであることが好ましく、1〜100μmであることがより好ましく、5〜75μmであることが特に好ましい。厚さが0.1μm未満であると、接着剤として十分な接着力が確保できなくなる傾向があり、200μmを超えると、半導体装置が肉厚になり、半導体装置の使用用途が制限される傾向がある。
更に、粘接着シートとしては、高エネルギー線の照射により、上記接着剤層と上記粘着フィルムとの間の粘着力が低下することが好ましい。これにより、接着剤層と粘着フィルムとを剥離する際において、高エネルギー線を照射することにより、剥離が容易に可能となる。
粘着フィルムは、基材フィルムに粘着剤層を設けたものが好ましい。この場合、粘着フィルムにおける接着剤層と接する側の層が上記接着剤層となっている。
粘着フィルムに使用する基材フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポイエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。
また、上記基材フィルムは異なる2種類以上のフィルムを積層したものであっても良い。この場合、粘着剤層が形成される側のフィルムは、半導体素子のピックアップ作業性が向上する点で、25℃での引張弾性率が2000MPa以上であることが好ましく、2200MPa以上であることがより好ましく、2400MPa以上であることが特に好ましい。
また、粘着剤層が形成される側と反対側のフィルムは、フィルムの伸びが大きく、エキスパンド工程での作業性がよい点で、25℃での引張弾性率が1000MPa以下であることが好ましく、800MPa以下であることがより好ましく、600MPa以下であることが特に好ましい。この引張弾性率は、JIS K7113号に準じて測定されるものである。
基材フィルムが2種以上のフィルムを積層したものである場合、その積層方法としては特に制限はなく、別々に作製したフィルムをラミネートする方法、一方のフィルム上に他方のフィルムを押出しラミネートする方法、2種類以上のフィルムを押出し塗工しながら貼り合せる方法、一方のフィルムの原料となるポリマーを溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、他方のフィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去する方法、及び、接着剤を用いて2種以上のフィルムを貼り合わせる方法等、公知の方法を使用することができる。
粘着フィルムを構成する上記粘着剤層としては、高エネルギー線又は熱によって硬化する(すなわち、粘着力を制御できる)ものが好ましく、高エネルギー線によって硬化するものがより好ましく、紫外線によって硬化するものが特に好ましい。
かかる粘着剤層を構成する粘着剤としては、従来から種々のタイプが知られている。それらの中から、高エネルギー線の照射によって、接着剤層に対する粘着力が低下するものを適宜選んで用いることが好ましい。
上記粘着剤としては、特に制限されないが、例えば、ジオール基を有する化合物、イソシアネート化合物、ウレタン(メタ)アクリレート化合物、ジアミン化合物、尿素メタクリレート化合物、側鎖にエチレン性不飽和基を有する高エネルギー線重合性共重合体等が挙げられる。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
また、粘着剤層が熱により硬化する熱重合性成分を含む場合、粘着剤層には更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量100重量部に対して5重量部以下が好ましく、3重量部以下がより好ましい。この添加量が5重量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。
また、粘着剤層が高エネルギー線の照射により硬化する高エネルギー線重合性成分を含む場合、粘着剤層には、活性光線の照射によって遊離ラジカルを生成する光重合開始剤を添加することもできる。このような光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、N,N’−テトラメチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン(ミヒラーケトン)、N,N’−テトラエチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4−メトキシ−4’−ジメチルアミノベンゾフェノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン−1、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、2−メチル−1−(4−(メチルチオ)フェニル)−2−モルフォリノプロパノン−1、2,4−ジエチルチオキサントン、2−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(m−メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−フェニルイミダゾール二量体、2、(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(p−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2,4−ジ(p−メトキシフェニル)−5−フェニルイミダゾール二量体、2−(2,4−ジメトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9’−アクリジニル)ヘプタン等のアクリジン誘導体などが挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
上記光重合開始剤の使用量としては、特に制限はないが、高エネルギー線重合性成分の総量100重量部に対して、通常0.01〜30重量部である。
粘着フィルムにおいて、粘着剤層の厚さは、0.1〜20μmであることが好ましい。この厚さが0.1μm未満であると、十分な粘着力を確保することが困難となる傾向があり、ダイシング時に半導体チップが飛散する可能性があり、20μmを超えると、経済的でなくなる上に、特性上特に有利な点はない。
剥離基材は、粘接着シートの使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものであり、かかる剥離基材としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどのポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルムなどのポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等を使用することができる。また、紙、不織布、金属箔等も使用することができる。
また、剥離基材の接着剤層と接する側の面は、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤で表面処理されていてもよい。
以上説明した粘接着層は、上記各層を形成する組成物を溶剤に溶解又は分散してワニスとし、剥離基材上に塗布し、加熱により溶剤を除去することによって得ることができる。
ここで、上記のワニス化するための溶剤としては特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性などを考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、2−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレンなどの比較的低沸点の溶媒を使用することが好ましい。
また、塗膜性を向上させるなどの目的で、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
無機フィラーを添加した際のワニスの製造には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、3本ロール、ボールミル及びビーズミルなどを使用することが好ましく、また、これらを組み合わせて使用することもできる。また、無機フィラーと低分子量の原料をあらかじめ混合した後、高分子量の原料を配合することによって、混合する時間を短縮することもできる。また、ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。
以上説明したような構成の粘接着シートに放射線等の高エネルギー線を照射すると、照射後には接着剤層と粘着フィルムとの界面の粘着力が大きく低下し、半導体素子に接着剤層を保持したまま粘着フィルムから容易にピックアップすることが可能となる。
本発明の粘接着シートにおいて、接着剤層と粘着フィルムとの界面の粘着力を低下させる方法としては、放射線等の高エネルギー線の照射のみで粘着力を低下させる方法以外に、高エネルギー線の照射と同時に又は照射後に硬化反応を促進する目的で加熱を併用する方法が挙げられる。加熱を併用することにより、より低温短時間での粘着力の低下が可能となる。加熱温度は、接着剤層の分解点以下であれば特に制限は受けないが、50〜170℃の温度が好ましい。
本発明における接着剤層と粘接着シートのプリカットの方法としては特に規定は無いが、例えば剥離基材に粘着剤層と接着剤層を塗布した後、接着剤層を所定の円形にプリカットした後、粘接着シートを貼り合せ、粘接着シートを所定の形状にプリカットを行う。粘接着シートは接着剤層と同心円状のプリカットのほかにも接着剤層と同様に、端部に連続または非連続のプリカットも同時に行う。
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(粘着剤層形成用ワニス1の作製)
アクリル酸エステル共重合体(綜研化学製:SKダイン1717:不揮発分45重量%)100重量部に対し、イソシアネート系3官能架橋剤(綜研化学製:コロネートL55)を1重量部添加し攪拌混合し、粘着剤形成用のワニスを作製した。本ワニスを粘着剤層形成用ワニス1とする。
(粘着剤層形成用ワニス1の作製)
アクリル酸エステル共重合体(綜研化学製:SKダイン1717:不揮発分45重量%)100重量部に対し、イソシアネート系3官能架橋剤(綜研化学製:コロネートL55)を1重量部添加し攪拌混合し、粘着剤形成用のワニスを作製した。本ワニスを粘着剤層形成用ワニス1とする。
(接着剤層形成用ワニス2の作製)
まず、エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品名:YDCN−703、東都化成株式会社製、エポキシ当量:220)60重量部、及び、硬化剤として低吸水性フェノール樹脂(商品名:XLC−LL、三井化学株式会社製、フェノールキシレングリコールジメチルエーテル縮合物)40重量部に、シクロヘキサノン1500重量部を加えて撹拌混合し、第1のワニスを調製した。次に、この第1のワニスに、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(商品名:NUC A−189、日本ユニカー株式会社製)1.5重量部、及び、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン(商品名:NCU A−1160、日本ユニカー株式会社製)3重量部を加え、更に無機物フィラーとしてシリカフィラー(商品名:R972V、日本アエロジル株式会社製)32重量部を加えて撹拌混合した後、ビーズミルにより分散処理を行うことで第2のワニスを調製した。次に、この第2のワニスに、エポキシ基含有アクリル系共重合体(商品名:HTR−860P−3、帝国化学産業株式会社製)200重量部、及び、硬化促進剤として1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール(商品名:キュアゾール2PZ−CN、四国化成工業株式会社製)0.5重量部を加えて撹拌混合し、接着剤層形成用ワニスを調整した。本ワニスを接着剤層形成用ワニス2とする。
まず、エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品名:YDCN−703、東都化成株式会社製、エポキシ当量:220)60重量部、及び、硬化剤として低吸水性フェノール樹脂(商品名:XLC−LL、三井化学株式会社製、フェノールキシレングリコールジメチルエーテル縮合物)40重量部に、シクロヘキサノン1500重量部を加えて撹拌混合し、第1のワニスを調製した。次に、この第1のワニスに、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(商品名:NUC A−189、日本ユニカー株式会社製)1.5重量部、及び、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン(商品名:NCU A−1160、日本ユニカー株式会社製)3重量部を加え、更に無機物フィラーとしてシリカフィラー(商品名:R972V、日本アエロジル株式会社製)32重量部を加えて撹拌混合した後、ビーズミルにより分散処理を行うことで第2のワニスを調製した。次に、この第2のワニスに、エポキシ基含有アクリル系共重合体(商品名:HTR−860P−3、帝国化学産業株式会社製)200重量部、及び、硬化促進剤として1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール(商品名:キュアゾール2PZ−CN、四国化成工業株式会社製)0.5重量部を加えて撹拌混合し、接着剤層形成用ワニスを調整した。本ワニスを接着剤層形成用ワニス2とする。
(粘着剤層形成用ワニス3の作製)
接着剤層形成用ワニス2の添加する無機フィラーを100重量部加えた以外は同様の操作により粘着剤層形成用ワニス3を得た。
接着剤層形成用ワニス2の添加する無機フィラーを100重量部加えた以外は同様の操作により粘着剤層形成用ワニス3を得た。
(実施例1)
離型基材PET(藤森工業株式会社製 商品:50E8811DG3/BD)の中央部250mmをマスクし、粘着剤層形成用ワニス1を120℃5分乾燥の後に厚みが40μmになるように塗布した。このフィルムのマスクを取り除いた後、接着剤層形成用のワニスを前記マスクした部分に140℃5分の乾燥後に40μmになるように塗布した。これを図4のようにプリカットをし、このプリカットされたフィルム300枚をプラスチックコア(ABS製)に巻き取り、5℃の冷蔵庫内で6ヶ月保管し、粘接着シート1を作製した。
離型基材PET(藤森工業株式会社製 商品:50E8811DG3/BD)の中央部250mmをマスクし、粘着剤層形成用ワニス1を120℃5分乾燥の後に厚みが40μmになるように塗布した。このフィルムのマスクを取り除いた後、接着剤層形成用のワニスを前記マスクした部分に140℃5分の乾燥後に40μmになるように塗布した。これを図4のようにプリカットをし、このプリカットされたフィルム300枚をプラスチックコア(ABS製)に巻き取り、5℃の冷蔵庫内で6ヶ月保管し、粘接着シート1を作製した。
(実施例2)
実施例1のプリカット形状を図5のように行った以外は同様の操作を行って、粘接着シート2を作製した。
実施例1のプリカット形状を図5のように行った以外は同様の操作を行って、粘接着シート2を作製した。
(実施例3)
実施例1の粘着剤層形成用ワニスに接着剤層形成用ワニス2を使用する以外は同様の操作を行って、粘接着シート3を得た。
実施例1の粘着剤層形成用ワニスに接着剤層形成用ワニス2を使用する以外は同様の操作を行って、粘接着シート3を得た。
(比較例1)
離型基材PET(藤森工業株式会社製 商品:50E8811DG3/BD)に接着剤層形成用のワニスを前記マスクした部分に140℃5分の乾燥後に40μmになるように塗布した。これを図1のようにプリカットをした後5℃の冷蔵庫内で6ヶ月保管し、粘接着シート4を作製した。
離型基材PET(藤森工業株式会社製 商品:50E8811DG3/BD)に接着剤層形成用のワニスを前記マスクした部分に140℃5分の乾燥後に40μmになるように塗布した。これを図1のようにプリカットをした後5℃の冷蔵庫内で6ヶ月保管し、粘接着シート4を作製した。
(比較例2)
実施例1の粘着剤層形成用ワニスに粘着剤層形成用ワニス3を使用する以外は同様の操作を行って、粘接着シート5を得た。
実施例1の粘着剤層形成用ワニスに粘着剤層形成用ワニス3を使用する以外は同様の操作を行って、粘接着シート5を得た。
得られた粘接着シートのうち、巻きだしより250枚目と300枚目の粘接着シートをウエハラミネート機(テイコクテーピング製STM−1200)を用いて75μmのウエハに貼り合せ、目視にてボイドの有無を確認した。また、貼り付けの際、剥離基材と粘着剤層の剥離が生じないか目視にて観察した。粘接着剤層と剥離基材との剥離力は100mmに切り出した資料を用いてオートグラフ(島津製作所製)をもちいてT字ピールにて測定した後、単位をN/mに変換した。結果を表1に示した。
本発明により、プリカット加工等により所定の平面形状に形成された接着剤層を有する粘接着シートをロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な、粘接着シート及び半導体装置の製造方法を提供することが可能となった。
Claims (11)
- 剥離基材と、該剥離基材表面の両端に粘接着層を有する、粘接着シート。
- 剥離基材と、該剥離基材表面の両端に粘接着層と、該剥離基材表面に接着剤層を有する、粘接着シートであって、接着剤層が、粘接着層と同等または±20μmの厚みを有しており、接着剤層が、部分的に形成された所定の平面形状を有しており、接着剤層が粘接着層と接することなく形成されていることを特徴とする粘接着シート。
- 粘着フィルムを有する請求項2記載の粘接着シートであって、粘着フィルムが、接着剤層を覆い、且つ、粘着フィルムが、接着剤層の周囲で剥離基材に接するように形成されたことを特徴とする粘接着シート。
- 粘着フィルムを有する請求項2記載の粘接着シートであって、粘着フィルムが、接着剤層を覆い、且つ、粘着フィルムの一部が剥離基材と接するように形成されたことを特徴とする粘接着シート。
- 粘接着層の主成分が、アクリル酸エステル共重合体であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の粘接着シート。
- 接着剤層が、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有してなるものであることを特徴とする請求項2〜5のうちのいずれか一項に記載の粘接着シート。
- 熱可塑性樹脂が、官能性モノマを含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分であることを特徴とする請求項6に記載の粘接着シート。
- 高分子量成分が、エポキシ基含有(メタ)アクリル酸エステル共重合体であることを特徴とする請求項7記載の粘接着シート。
- 熱重合性成分が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有してなるものであることを特徴とする請求項6〜8のうちのいずれか一項に記載の粘接着シート。
- 請求項3〜9のうちのいずれか一項に記載の粘接着シートを用いた半導体装置の製造方法であって、前記粘接着シートにおいて、接着剤層及び粘着フィルムからなる積層体を剥離基材から剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウエハに貼り付けて積層体付き半導体ウエハを得る貼り付け工程と、前記積層体付き半導体ウエハを、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの界面までダイシングし、前記半導体ウエハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程と、前記積層体に高エネルギー線を照射して前記粘着フィルムの前記接着剤層に対する粘着力を低下させた後、前記粘着フィルムから前記半導体素子を前記接着剤層とともにピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程と、前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 被着体が、半導体素子搭載用の支持部材、又は、別の半導体素子であることを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
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