TW201739870A - 晶圓加工用膠帶 - Google Patents

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Abstract

提供一種晶圓加工用膠帶，當將受到預切割加工之晶圓加工用膠帶以卷狀態保管時，會抑制黏貼部與晶圓加工用膠帶的背面阻滯，而能夠從卷狀態將黏貼部良好地退繞。其特徵為，具有：長條的離型膜(11)；黏著膜(12)，具有設於離型膜(11)的第1面(11a)上而具有環框(R)相對應之規定形狀之黏貼部(12a)、及圍繞黏貼部(12a)的外側之周邊部(12b)；支撐構件(13)，在離型膜(11)的短邊方向兩端部，且設於和設有黏著膜(12)之第1面(11a)相反之第2面(11b)上；黏著膜(12)，未接觸離型膜(11)之側的算術表面粗糙度Ra為0.3μm以下，支撐構件(13)，厚度為30~150μm。

Description

晶圓加工用膠帶
本發明有關晶圓加工用膠帶，特別是有關將半導體晶圓等予以切斷分離(切割)，而分片化(singulate)成晶片狀時使用之晶圓加工用膠帶。
當將半導體晶圓等被加工物分片化成晶片狀的情形下，會使用晶圓加工用膠帶將被加工物固定，藉由旋轉刀或雷射光進行分割。此外，近年來，還使用下述手法，即，在半導體晶圓的內部藉由雷射光而設置稱為改質層之脆弱處，將設有該改質層之半導體晶圓以晶圓加工用膠帶固定，而將晶圓加工用膠帶拉伸擴張，藉此以改質層作為起點將半導體晶圓裁斷而分片化。
習知，對於上述這樣的晶圓加工用膠帶要求之性能，有加工時的固定性佳、及加工後將晶圓加工用膠帶剝離時對被加工物無污染等。不過，近年來，為了加工後的品質確認，會從貼合有晶圓加工用膠帶的面對晶片的狀態等進行目視確認。此外，如上述般在半導體晶圓的內部藉由雷射光形成改質層時，當來自半導體晶圓的未貼合 有晶圓加工用膠帶之面亦即電路面的雷射光照射因電路圖樣而困難的情形下，會進行從貼合有晶圓加工用膠帶之側的面穿過晶圓加工用膠帶而照射雷射光。在這樣的情形下，對於晶圓加工用膠帶，會要求令可見光、或近紅外光充分穿透之性能。
作為令可見光、或近紅外光充分穿透之手法，有人揭示將晶圓加工用膠帶背面的表面粗糙度Ra調整成0.3μm以下(例如，專利文獻1)。不過，晶圓加工用膠帶一般而言具有長條的膜形狀，以捲收成卷狀之捲繞體的狀態受到保管。像這樣，當將晶圓加工用膠帶以捲繞體的狀態保管的情形下，若將晶圓加工用膠帶背面的表面粗糙度Ra做成太小，則被捲疊之晶圓加工用膠帶彼此會容易緊貼，當使用晶圓加工用膠帶時，從捲繞體退繞時會變得容易發生稱為阻滯(blocking)之沾黏。鑑此，專利文獻1中，為了抑制此阻滯，揭示較佳是將晶圓加工用膠帶背面的表面粗糙度Ra訂為0.1μm以上。
此處，作為晶圓加工用膠帶，考量對晶圓之貼附、或切割時對環框(ring frame)之裝配等的作業性，係有一種被施以預切割(precut)加工者。受到預切割加工的切割膠帶之例子如圖2及圖3所示。圖2、圖3(a)、圖3(b)，分別為切割膠帶50的立體圖、平面圖、截面圖。晶圓加工用膠帶50，由離型膜51、及黏著膜52所構成。黏著膜52，具有：黏貼(label)部52a，具有和切割用的環框的形狀相對應之圓形形狀；及周邊部 52b，圍繞該黏貼部52a的外側。在黏貼部52a的周圍，有不存在黏著膜52而僅由離型膜51所成之部分。
當切割晶圓時，將黏著膜52的黏貼部52a從離型膜51剝離，如圖4所示，貼附半導體晶圓W的背面，將切割用的環框R黏著固定至黏著膜52的外周部。在此狀態下切割半導體晶圓W，其後，對黏著膜52施以紫外線照射等硬化處理而拾取半導體晶片。此時，黏著膜52藉由硬化處理而黏著力降低，故半導體晶片會容易地剝離。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-15236號公報
然而，晶圓加工用膠帶50，當如上述般受到預切割加工的情形下，由於存在僅有離型膜51之部分及設有黏貼部52a之部分，因此若捲收成卷狀，黏貼部52a會承受捲壓，即使是專利文獻1揭示之範圍的表面粗糙度Ra仍會變得容易發生阻滯，當使用晶圓加工用膠帶時，欲從捲繞體退繞之黏貼部52a會黏貼在捲繞體側的晶圓加工用膠帶50背面而導致被拉走。
鑑此，本發明之目的在於提供一種晶圓加工用膠帶，當將受到預切割加工之晶圓加工用膠帶以捲收成卷狀的狀態保管時，會抑制黏貼部52a與晶圓加工用膠帶的背面阻滯，當從捲收成卷狀的狀態退繞時，能夠將黏貼部52a良好地退繞。
為解決上述問題，依本發明之晶圓加工用膠帶，其特徵為，具有：長條的離型膜；黏著膜，具有設於前述離型膜的第1面上而具有和切割用的環框相對應之規定形狀之黏貼部、及圍繞前述黏貼部的外側之周邊部；支撐構件，在前述離型膜的短邊方向兩端部，且設於和設有前述黏著膜之第1面相反之第2面上；前述黏著膜，未接觸前述離型膜之側的算術表面粗糙度Ra為0.3μm以下，前述支撐構件，厚度為30~150μm。
此外，上述晶圓加工用膠帶，較佳是，前述支撐構件，設置成具有隔著前述離型膜而與前述黏貼部重疊之區域，與前述黏貼部重疊之區域的，前述離型膜的短邊方向之最大寬度為25mm以下。
上述晶圓加工用膠帶，較佳是，前述支撐構件具有2層以上的層積構造。
此外，上述晶圓加工用膠帶，較佳是，前述支撐構件，為在從聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、及高密度聚乙烯所構成之群中選擇之樹脂膜基材塗布黏接著劑而 成之黏接著膠帶。
按照本發明，當將受到預切割加工之晶圓加工用膠帶以捲收成卷狀的狀態保管時，會抑制黏貼部52a與晶圓加工用膠帶的背面阻滯，當從捲收成卷狀的狀態退繞時，能夠將黏貼部52a良好地退繞。
10‧‧‧晶圓加工用膠帶
11‧‧‧離型膜
12‧‧‧黏著膜
12a‧‧‧黏貼部
12b‧‧‧周邊部
13‧‧‧支撐構件
[圖1](a)為本發明實施形態之晶圓加工用膠帶的平面圖，(b)為同截面圖。
[圖2]習知晶圓加工用膠帶的立體圖。
[圖3](a)為習知晶圓加工用膠帶的平面圖，(b)為同截面圖。
[圖4]晶圓加工用膠帶與切割用環框貼合之狀態示意截面圖。
以下基於圖面詳細說明本發明之實施形態。圖1(a)為本發明實施形態之晶圓加工用膠帶的平面圖，圖1(b)為圖1(a)的截面圖。
如圖1(a)及圖1(b)所示，晶圓加工用膠帶10，具有長條的離型膜11、黏著膜12、支撐構件13。
黏著膜12，具有設於離型膜11的第1面11a之黏貼部12a、及圍繞此黏貼部12a的外側之周邊部12b。周邊部12b，包括完全圍繞黏貼部12a的外側之形態、及如圖示般未完全圍繞之形態。黏貼部12a，具有和切割用的環框相對應之形狀。
支撐構件13，是在離型膜11的和設有黏著膜12之第1面11a相反之第2面11b，且設於離型膜11的短邊方向兩端部，設於和接觸離型膜11的黏貼部12a的區域之第1面11a的區域相對應之區域。亦即，支撐構件13，設置成具有隔著離型膜11而與黏貼部12a重疊之區域。
支撐構件13，能夠沿著離型膜11的長邊方向斷續性地或連續性地設置，但由更有效地抑制轉印痕發生之觀點看來，較佳是沿著離型膜11的長邊方向連續性地設置。
以下，針對本實施形態之晶圓加工用膠帶10的各構成要素詳細說明之。
(離型膜)
作為本發明之晶圓加工用膠帶10中使用的離型膜11，能夠使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)系、聚乙烯系、其他受到離型處理之膜等周知之物。
離型膜的厚度並無特別限定，可適當地設定，但25~50μm較佳。
(黏著膜)
本發明之黏著膜12，如上述般，具有和切割用的環框的形狀相對應之黏貼部12a、及圍繞其外側之周邊部12b。這樣的黏著膜，能夠藉由預切割加工，從膜狀黏著劑將黏貼部12a的周邊區域除去而形成。和切割用的環框的形狀相對應之形狀，為與環框的內側大略同形狀而比環框內側的大小還大之相似形。此外，雖未必一定要是圓形，但為接近圓形之形狀較佳，為圓形更佳。
作為黏著膜12並無特限制，只要具有充分的黏著力以便切割晶圓時晶圓不會剝離，而切割後拾取晶片時則顯現低黏著力以便能夠容易地剝離之物即可。例如，能夠合適地使用在基材膜設有黏著劑層而成者。
作為黏著膜12的基材膜，只要和黏著劑層相反側之面(亦即黏著膜12未與離型膜11接觸之側的面)的算術表面粗糙度Ra為0.3μm以下，則能無特別限制地使用習知周知之物。此外，作為後述的黏著劑層當使用放射線硬化性的材料的情形下，較佳是使用具有放射線穿透性之物。
例如，作為其材料，能夠列舉聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙基共聚物、乙烯-丙烯酸甲基共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離子聚合物等的α-烯烴的單獨聚合物或共聚物或是它們的混合物、聚氨 酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚醯胺-聚醇共聚物等的熱可塑性彈性體、及它們的混合物。此外，基材膜亦可為從該些群中選擇之2種以上的材料混合而成之物，亦可為它們單層或複層化而成之物。
基材膜的厚度並無特別限定，可適當地設定，但50~200μm較佳。
為了實現充分的穿透性之基材膜的算術表面粗糙度Ra為0.3μm以下，更佳為0.25μm以下。若算術表面粗糙度Ra變得比0.3μm還大，則入射光線會散射，無法得到充分的穿透性。
當為了加工後的品質確認，而從貼合有晶圓加工用膠帶10之面目視確認晶片的狀態等、或從半導體晶圓的貼合有晶圓加工用膠帶10之側的面穿過晶圓加工用膠帶10照射雷射光來加工半導體晶圓之情形下，以充分的穿透率的具體數值而言，較佳是400~1100nm下的平行線穿透率為80%以上。
作為黏著膜12的黏著劑層中使用之樹脂，並無特別限定，能夠使用黏著劑中使用之周知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂等。黏著劑層13的樹脂中，較佳是適當調配丙烯酸系黏著劑、放射線聚合性化合物、光聚合起始劑、硬化劑等來調製黏著劑。黏著劑層13的厚度並無特別限定而可適當地設定，但5~30μm較佳。
將放射線聚合性化合物調配於黏著劑層，能 夠藉由放射線硬化而使其容易從黏著劑層剝離。該放射線聚合性化合物，例如是在可藉由光照射而三維網狀化之分子內，使用具有至少2個以上的光聚合性碳-碳雙鍵之低分量化合物。
具體而言，可適用三羥甲丙烷三丙烯酸、新戊四醇三丙烯酸、新戊四醇四丙烯酸、二新戊四醇單羥五丙烯酸、二新戊四醇六丙烯酸、1,4-丁二醇二丙烯酸、1,6己二醇二丙烯酸、聚乙二醇二丙烯酸、或寡酯丙烯酸等。
此外，除上述這般的丙烯酸系化合物外，還能使用胺甲酸乙酯丙烯酸系寡聚物。胺甲酸乙酯丙烯酸系寡聚物，可對於令聚酯型或聚醚型等的聚醇化合物與多價異氰酸酯化合物(例如，2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯甲烷4,4-二異氰酸酯等)反應而得到之末端異氰酸酯胺甲酸乙酯預聚合物，令其與具有羥基之丙烯酸或是甲基丙烯酸酯(例如，2-羥乙基丙烯酸、2-羥乙基甲基丙烯酸酯、2-羥丙基丙烯酸、2-羥丙基甲基丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)反應而得到。黏著劑層，亦可為從上述樹脂選擇之2種以上混合而成之物。
當使用光聚合起始劑的情形下，例如能夠使用異丙基安息香醚、異丁基安息香醚、二苯基甲酮、米其勒酮、氯噻吨酮、十二基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苄基二甲基縮酮、α-羥環己基苯基酮、2-羥甲基 苯基丙烷等。該些光聚合起始劑的調配量，較佳是相對於丙烯酸系共聚物100質量份而言為0.01~5質量份。
(支撐構件)
支撐構件13，是在離型膜11的短邊方向兩端部，於和設有黏著膜12之第1面11a相反之第2面11b上，設置成具有隔著離型膜11而與黏貼部12a重疊之區域。支撐構件13的厚度為30~150μm，更佳為40~140μm。
藉由設置支撐構件13，在晶圓加工用膠帶10被捲收成卷狀的狀態下，會在黏著膜12的黏貼部12a與位於該黏貼部12a的捲繞體中的內側的晶圓加工用膠帶10背面之間造出空間，能夠使兩者不密合，因此會抑制黏貼部52a與晶圓加工用膠帶10的背面(離型膜11的背面)阻滯，當從被捲收成卷狀的狀態退繞時，黏貼部52a不會被拉向捲繞體側而能夠良好地退繞。
若支撐構件13比20μm還薄，則恐會因晶圓加工用膠帶10於捲繞體下之搬運、或貼合至晶圓環時對裝置之裝配所造成之振動，導致黏貼部12a與位於該黏貼部12a的捲繞體中的內側的晶圓加工用膠帶10背面密合，而可能無法獲得充分的效果。此外，若支撐構件13比150μm還厚，則收成捲繞體時的捲繞徑會變大，重量亦上昇，取用會變得困難。
支撐構件13，較佳是與黏貼部12a重疊之區域的於離型膜的短邊方向之最大寬度x(參照圖1(a)) 為25mm以下。若支撐構件13與黏貼部12a重疊之區域的最大寬度x變得比25mm還大，則在捲繞體的狀態下，黏貼部12a與位於該黏貼部12a的捲繞體中的內側的支撐構件13之接觸面積會變得過大，在黏貼部12a與支撐構件13之間會發生阻滯，恐導致欲從捲繞體退繞之黏貼部52a貼附於捲繞體側的支撐構件14而被拉走。此外，與支撐構件13的捲繞體側相接之側的表面亦可為粗糙。若支撐構件13的表面粗糙，則能降低與捲繞體側之接觸面積。
支撐構件13，亦可不具有與黏貼部12a重疊之區域，亦可設置於黏貼部12a的外緣與離型膜的短邊方向端部之間。
作為支撐構件13，例如能夠合適地使用在樹脂膜基材塗布黏接著劑而成之黏接著膠帶。將這樣的黏接著膠帶貼附於離型膜11的第2面11b的兩端部分的規定位置，藉此便能形成本實施形態之晶圓加工用膠帶10。黏接著膠帶可僅貼附一層，亦可使薄的膠帶層積。
作為黏接著膠帶的樹脂膜基材，只要是可耐受捲壓之物則無特別限定，但由耐熱性、平滑性、及容易入手的觀點看來，較佳是從聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚丙烯、及高密度聚乙烯中選擇。
針對黏接著膠帶的黏接著劑的組成及物性並無特別限定，只要是在晶圓加工用膠帶10的捲收工程及保管工程中不會從離型膜11剝離之物即可。
此外，作為支撐構件13，亦可使用著色的支撐構件。藉由使用這樣的著色支撐構件，當將晶圓加工用膠帶10捲收成卷狀時，能夠明確地識別膠帶的種類。例如，令著色支撐構件的顏色依晶圓加工用膠帶10的種類或厚度而不同，藉此便能容易地識別膠帶的種類或厚度，而能抑制、防止人為疏失發生。
<實施例>
以下，基於實施例更詳細地說明本發明，但本發明並非由實施例所限定。
依以下方法製作實施例、比較例之晶圓加工用膠帶，評估其性能。
(基材膜之製作) 〔基材膜1A〕
將NUC公司製聚乙烯樹脂「NUC-8122」加熱熔融，做擠出成形，製作出厚度100μm的基材膜1A。成型時，在不塗敷黏著劑之面施以粗糙化處理，各自進行表面粗糙度的調整而製作出複數種類的基材膜，使成為表1所示之表面粗糙度。
〔基材膜1B〕
除了使用住友化學公司製EMMA樹脂「Acryft WD201」以外，如同基材膜1A般，製作出基材膜1B。
〔基材膜1C〕
除了使用住友化學公司製乙烯醋酸乙烯酯共聚合樹脂「Evatate」以外，如同基材膜1A般，製作出基材膜1C。
(黏著劑組成物之調製) 〔黏著劑組成物2A〕
對於由2-乙基己基丙烯酸、甲基丙烯酸、2-羥乙酯丙烯酸所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量20萬)100重量份，加入東曹公司製聚異氰酸鹽「Coronate L」2重量份作為硬化劑，得到黏著劑組成物2A。
〔黏著劑組成物2B〕
對於由2-乙基己基丙烯酸、甲基丙烯酸、2-羥乙基丙烯酸所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量20萬)100重量份，加入東曹公司製聚異氰酸鹽「Coronate L」2重量份作為硬化劑，新中村化學工業社製「AD-PMT」150重量份作為丙烯酸系寡聚物、日本Ciba-Geigy公司製「IRGACURE 184」2重量份作為光聚合起始劑，得到紫外線硬化型的黏著劑組成物2A。
(支撐構件之製作) 〔支撐構件3A〕
對於丙烯酸樹脂(質量平均分子量60萬、玻璃轉移溫度-20℃)100重量份，混合東曹公司製聚異氰酸鹽「Coronate L」10重量份作為硬化劑，得到黏著劑組成物。
將上述黏著劑組成物，以乾燥膜厚成為10μm之方式塗敷於作為樹脂膜基材的聚對苯二甲酸乙二酯膜，以110℃乾燥3分鐘，以成為寬度30mm之方式製作出全體厚度為35μm的支撐構件3A。
〔支撐構件3B〕
除了使用和支撐構件3A不同厚度的聚對苯二甲酸乙二酯膜而設計成全體厚度成為48μm以外，如同支撐構件3A般，製作出支撐構件3B。
〔支撐構件3C〕
除了使用聚丙烯膜作為樹脂膜基材，設計成全體厚度成為65μm以外，如同支撐構件3A般，製作出支撐構件3C。
〔支撐構件3D〕
除了將上述黏著劑組成物以乾燥膜厚成為5μm之方式塗敷，設計成全體厚度成為25μm以外，如同支撐構件3C般，製作出支撐構件3D。
〔支撐構件3E〕
除了使用高密度聚乙烯膜作為樹脂膜基材，設計成全體厚度成為150μm以外，如同支撐構件3A般，製作出支撐構件3E。
〔支撐構件3F〕
除了使用將一方的面做噴砂處理之聚丙烯膜作為樹脂膜基材，而在和噴砂處理的面相反側之面塗敷上述黏著劑組成物，設計成全體厚度成為65μm以外，如同支撐構件3C般，製作出支撐構件3F。
(晶圓加工用膠帶之製作) 〔實施例1〕
對於經離型處理之由聚對苯二甲酸乙二酯膜所構成之離型膜，以乾燥膜厚成為25μm之方式塗敷黏著劑組成物2A，以110℃乾燥3分鐘後，與基材膜1A貼合而製作出黏著膜。對於黏著膜，調節使得對離型膜之切入深度成為10μm以下，而以圓狀進行直徑290mm的圓形預切割加工。接著，在離型膜2A的和設有黏著膜之第1面相反之第2面，且於離型膜2A的短邊方向兩端部，以與黏著膜的黏貼部重疊之區域的，離型膜的短邊方向之最大寬度成為25mm之方式貼合支撐構件3A，製作出具有圖1所示構造的實施例1之晶圓加工用膠帶。
〔實施例2~6、比較例1~3〕
除了使用表1所示之基材膜、黏著劑組成物、支撐構件，以與黏貼部重疊之區域的最大寬度成為表1所示值之方式設置支撐構件以外，如同實施例1般，製作出實施例2~6、比較例1~3之晶圓加工用膠帶。
(算術表面粗糙度Ra)
針對實施例、比較例之晶圓加工用黏著膠帶中使用的黏著膜，使用MITUTOYO公司製表面粗糙度測定器(SURFTEST SJ-301)，以N=10測定黏著膜的未接觸離型膜之側的面，亦即基材膜的未設有黏著劑層之側的面的算術平均粗糙度Ra，求出平均值。其結果如表1所示。
(自捲繞體之退繞性評估)
將實施例、比較例之晶圓加工用黏著膠帶，以圓形形狀的黏著膜(黏貼部)的數量成為50片之方式捲收成卷狀，製作出捲繞體。藉由貼合至環框之貼合裝置，將晶圓加工用黏著膠帶自捲繞體退繞，計測黏貼部未順利退繞而被拉向捲繞體側之張數。其結果如表1所示。
(穿透率)
針對實施例、比較例之晶圓加工用黏著膠帶中使用的黏著膜，測定平行光線穿透率。測定，係使用島津製作所公司製UV-3101分光光度計，在400~1100nm的範圍內 進行，求出成為最低之穿透率。其結果如表1所示。
如表1所示，實施例1~6之晶圓加工用膠帶，黏著膜的未接觸離型膜之側的算術表面粗糙度Ra為0.3μm以下，支撐構件的厚度為30~150μm，因此具有高穿透性並且能夠自捲繞體良好地進行退繞。支撐構件與黏貼部重疊之區域的，離型膜的短邊方向之最大寬度為25mm以下之實施例1~5，於自捲繞體之退繞性評估中尤得到優良的結果。
相對於此，比較例1之晶圓加工用膠帶，如表1所示，黏著膜的未接觸離型膜之側的算術表面粗糙度Ra比0.3μm還大，因此穿透性不充分。此外，比較例2之晶圓加工用膠帶，支撐構件的厚度比30μm還薄，因此在黏貼部與離型膜的背面之間發生阻滯，黏貼部貼附於捲繞體側的離型膜的背面而被拉走，無法自捲繞體退繞之黏貼部有8片。此外，未設置支撐構件之比較例3中，無法從捲繞體退繞之黏貼部有10片。
10‧‧‧晶圓加工用膠帶
11‧‧‧離型膜
12‧‧‧黏著膜
12a‧‧‧黏貼部
12b‧‧‧周邊部
13‧‧‧支撐構件

Claims (5)

  1. 一種晶圓加工用膠帶，其特徵為，具有：長條的離型膜；黏著膜，具有設於前述離型膜的第1面上而具有和切割用的環框相對應之規定形狀之黏貼部、及圍繞前述黏貼部的外側之周邊部；支撐構件，在前述離型膜的短邊方向兩端部，且設於和設有前述黏著膜之第1面相反之第2面上；前述黏著膜，未接觸前述離型膜之側的算術表面粗糙度Ra為0.3μm以下，前述支撐構件，厚度為30~150μm。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓加工用膠帶，其中，前述支撐構件，設置成具有隔著前述離型膜而與前述黏貼部重疊之區域，與前述黏貼部重疊之區域的，前述離型膜的短邊方向之最大寬度為25mm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之晶圓加工用膠帶，其中，前述支撐構件，沿著前述離型膜的長邊方向連續性地設置。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之晶圓加工用膠帶，其中，前述支撐構件，具有2層以上的層積構造。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之晶圓加工用膠帶，其中，前述支撐構件，為在從聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、及高密度聚乙烯所構成之群中選擇 之樹脂膜基材塗布黏接著劑而成之黏接著膠帶。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7400263B2 (ja) * 2018-08-23 2023-12-19 東レ株式会社 フィルム、及びフィルムの製造方法
KR102332928B1 (ko) * 2019-08-07 2021-12-01 주식회사 아이센스 연속 혈당 측정 장치용 신체 부착 유닛의 보조 접착 패치
JP2021061325A (ja) * 2019-10-07 2021-04-15 倉敷紡績株式会社 ダイシングシートおよびダイシングシート用基材フィルム

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002256239A (ja) * 2001-03-05 2002-09-11 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP4876451B2 (ja) * 2005-06-27 2012-02-15 日立化成工業株式会社 接着シート
JP4762671B2 (ja) * 2005-10-26 2011-08-31 古河電気工業株式会社 ダイシングテープ、および半導体ウェハダイシング方法
EP2192611B9 (en) * 2007-09-14 2012-08-15 Furukawa Electric Co., Ltd. Wafer processing tape
JP4360653B2 (ja) * 2007-09-14 2009-11-11 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP5090241B2 (ja) * 2008-04-17 2012-12-05 リンテック株式会社 ダイソート用シート
JP5391158B2 (ja) * 2010-06-30 2014-01-15 古河電気工業株式会社 ウエハ貼着用粘着シートおよびそれを用いたウエハの加工方法
JP5733049B2 (ja) * 2011-06-23 2015-06-10 日立化成株式会社 接着シート、接着シートの製造方法、接着シートロール、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP5889026B2 (ja) 2012-02-10 2016-03-22 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP5583724B2 (ja) * 2012-09-20 2014-09-03 リンテック株式会社 レーザーダイシングシート−剥離シート積層体、レーザーダイシングシートおよびチップ体の製造方法
WO2014046121A1 (ja) * 2012-09-20 2014-03-27 リンテック株式会社 レーザーダイシングシート－剥離シート積層体、レーザーダイシングシートおよびチップ体の製造方法
JP2014214157A (ja) * 2013-04-22 2014-11-17 日東電工株式会社 エネルギー線硬化型自発巻回性粘着テープ
SG11201609543VA (en) * 2014-05-23 2016-12-29 Lintec Corp Composite sheet for forming protective film

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