CN103119112A - 粘接膜及晶片加工用带 - Google Patents

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铃木俊宏
石渡伸一
盛岛泰正
金永锡
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Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

本发明提供在制作预切割加工成与半导体晶片的形状对应的形状的晶片加工用带时的粘接剂层的卷绕步骤中，可以防止卷绕的粘接剂层断裂，并且可以提高经预切割加工的晶片加工用带的生产性的粘接膜，及使用该粘接膜所制作的晶片加工用带。相对于粘接剂层(12)自脱模薄膜(11)的每单位剥离力，粘接剂层(12)的每相同单位的断裂强度为87.5倍以上，优选为100倍以上。

Description

粘接膜及晶片加工用带
技术领域
本发明涉及一种粘接膜及晶片加工用带。尤其涉及一种粘接膜及含有具有切割带与芯片焊接薄膜这两种功能的层叠型切割-芯片焊接薄膜的晶片加工用带。
背景技术
最近，已开发出在将半导体晶片切断分离(切割)成各个芯片时用于固定半导体晶片的切割带，及用于使所切断的半导体芯片粘接于引线框或封装基板等，或者在堆叠封装中，同时具有用于使半导体芯片彼此层叠、粘接的粘接膜(也称为芯片焊接薄膜、晶片贴膜)这两种功能的切割-芯片焊接薄膜(DDF)。
作为这种切割-芯片焊接薄膜，考虑对半导体晶片的贴附、或切割时对环形框的安装等作业性，而有实施了预切割加工的情况。
在制作实施了预切割加工的具有切割-芯片焊接薄膜的晶片加工用带时，例如如专利文献1所述，进行了在长条型的脱模薄膜的整面上层叠粘接剂层而成的粘接膜的粘接剂层上，以对应于半导体晶片的圆形刀刃切出切口，自脱模薄膜剥离圆形部分的外侧并进行卷绕(以下称为粘接剂层的卷绕步骤)，对利用该粘接剂层的卷绕步骤而挖空的圆形粘接膜的粘接剂层与在基材薄膜上层叠粘合剂层而成的切割带的粘合剂层进行加热加压而贴合，在切割带上以与环形框对应的圆形刀刃切出切口，剥离与环形框对应的部分并进行卷绕。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-2173号公报
发明内容
发明要解决的问题
上述粘接剂层的卷绕步骤中，边将一定的力施加于圆形部分的外侧的粘接剂层，边自脱模薄膜剥离圆形部分的外侧的粘接剂层并进行卷绕。因此，在粘接剂层卷绕步骤的作业过程中，发生圆形部分的外侧的粘接剂层会切断这样的现象。为了卷绕粘接剂层，而有预先将粘接剂层的端部固定在卷绕用辊上等初期作业，在切断粘接剂层时，必须暂时终止粘接剂层的卷绕作业，在进行初期作业后必须使其再重开，而有实施了预切割加工的具有切割-芯片焊接薄膜的晶片加工用带的生产性降低的问题。
另外，为了解决上述问题，如果将晶片加工用带的幅度较宽地去掉，则在粘接剂层卷绕步骤中，虽然没有将圆形部分的外侧的粘接剂层切断这样的现象，但会使成为不需要的圆形部分的外侧的粘接剂层的量变多，或者半导体晶片的切割、半导体的芯片焊接芯片等中的成为不需要的晶片加工用带的量变多。
因此，本发明是为了解决上述的问题而开发的，其目的在于提供一种制作预切割加工成与半导体晶片形状对应的形状的晶片加工用带时的、自脱模薄膜剥离不需要的粘接剂层并卷绕的步骤中，可防止卷绕的粘接剂层断裂，同时可提高经预切割加工的晶片加工用带的生产性的粘接膜，以及使用该粘接膜制备的晶片加工用带。
用于解决问题的方案
本发明人等针对上述课题进行精心研究，结果发现：通过使用相对于自粘接剂层的脱模薄膜的每单位剥离力，粘接剂层的每相同单位的断裂强度为87.5倍以上、优选为100倍以上的粘接膜，由此在制备经预切割加工的晶片加工用带时的粘接剂层卷绕步骤中，可以防止特定形状的外侧粘接剂层的断裂，进而，发现可以改善贴合有该粘接膜的粘接剂层及粘合膜的粘合剂层的经预切割加工的晶片加工用带的生产性，并且完成本发明。
即，本发明的第一方案所述的粘接膜的特征在于，其为于长条状的脱模薄膜层叠有粘接剂层的粘接膜，相对于前述粘接剂层自前述脱模薄膜的每单位剥离力，前述粘接剂层的每相同单位的断裂强度为87.5倍以上。
此处，剥离力根据与剥离方向垂直方向的大小而变化，且断裂强度根据拉伸方向大小而变化。因此，所谓“每相同单位”是指使与剥离方向垂直的方向的大小和拉伸方向的大小相同的情况(例如，在与剥离方向垂直的方向的大小设为10mm而测定剥离力的情况下，对于断裂强度而言，使拉伸方向的大小设为10mm而测定)，其特征在于，相对于此时的剥离力的断裂强度为87.5倍以上。
另外，粘接膜可以是与如上所述的半导体晶片对应的切口预先切到粘接剂层状态的粘接膜，也可以是切口未切到粘接剂层的状态的粘接膜。
本发明的第二方案所述的粘接膜的特征在于，在上述本发明的第一方案所述的粘接膜中，相对于前述粘接剂层的自前述脱模薄膜的每单位剥离力，前述粘接剂层的每相同单位的断裂强度为100倍以上。
本发明的第一方案所述的晶片加工用带的特征在于，贴合有基材薄膜上层叠有粘合剂层的粘合膜的前述粘合剂层与上述本发明的第一或第二方案所述的粘接膜的粘接剂层。
〔发明效果〕
通过使用本发明的粘接膜，在制备预切割加工成与半导体晶片形状对应的特定形状的晶片加工用带时的、自脱模薄膜剥离成为不需要的特定形状的外侧的粘接剂层并卷绕的粘接剂层的卷绕步骤中，可以防止特定形状的外侧的粘接剂层的破裂。另外，可改善贴合该粘接层薄膜的粘接层与粘合膜的粘合剂层的、经预切割加工的晶片加工用带的生产性。且，可制作特定形状的外侧的粘接剂层的量较少、或者半导体晶片的切割、半导体的芯片焊接芯片等中成为不需要的晶片加工用带的量较少且生产效率良好的晶片加工用带。
附图说明
图1(a)是本发明的一实施方式所述的粘接膜的概略图，(b)是所述粘接膜的剖面图。
图2(a)是用于说明切口的形成步骤的粘接膜的俯视图，(b)是所述粘接膜的剖面图。
图3是用于说明粘结剂层的卷绕步骤的示意图。
图4(a)是本发明的一实施方式所述的晶片加工用带的概略图，(b)是所述晶片加工用带的俯视图，(c)是所述晶片加工用带的剖面图。
具体实施方式
以下基于附图详细说明本发明的实施方式。
图1(a)为本发明一实施方式所述的粘接膜的概略图，图1(b)为该粘接膜的剖面图。如图1(a)及图1(b)所示，粘接膜20B具有在长条状脱模薄膜11上层叠粘接剂层12的构成。另外，本实施方式中，为在粘接剂层12上进一步层叠有脱模薄膜11A并构成，且可生产卷绕成圆筒状的制品的粘接膜。另外，各方案中记载的脱模薄膜相当于脱模薄膜11。
在半导体装置的制造步骤中，使用粘接剂层12预切割加工成与半导体晶片形状对应的圆形标签形状的粘接膜20(参照例如图4(c))。因此，以下参照图2及图3说明经预切割加工的粘接膜20的制作方法。
图2(a)为用于说明以圆形标签形状在粘接剂层12上切出切口的切口形成步骤的粘接膜20A的俯视图，(b)为该粘接膜的剖面图。图3为用于说明自脱模薄膜11剥离成为不需要的圆形标签形状的外侧的粘接剂层12并进行卷绕的粘接剂层卷绕步骤的示意图。
制作经预切割加工的粘接膜20时，首先自粘接膜20B剥离脱模薄膜11A而成为粘接膜20A(参照图1(b))的状态。
粘接，如图2(a)及(b)所示，在粘接膜20A中，在粘接剂层12上形成与半导体晶片形状对应的圆形标签形状的切口22(切口22的形成步骤)。利用切口22，使粘接剂层12被切断成切口22的内侧成为圆形标签形状的粘接剂层(以下称为圆形粘接剂层部12a，及切口22的外侧的粘接剂层(以下称为周边粘接剂层部12b。此处，切口22以自粘接剂层12的表面23a到达与脱模薄膜11接触的粘接剂层12内面23b为止的方式来形成。
最后，如图3所示，粘接膜20A中，边对周边粘接剂层部12b施加一定的力，边自脱模薄膜11剥离周边粘接剂层部12b并卷绕，成为在脱模薄膜11上仅残留被挖开后的圆形粘接剂层部12a(粘接剂层的卷绕步骤)。由此，制作粘接剂层12经预切割加工成与半导体晶片形状对应的圆形标签形状的粘接膜20。
本实施方式所述的粘接膜20B在具有以下构成方面存在特征。
自脱模薄膜11剥离粘接剂层12时，相对于其每单位的剥离力，粘接剂层12的每相同单位的断裂强度为87.5倍以上，优选为100倍以上。此处，剥离力根据与剥离方向垂直方向的大小而变化，且断裂强度根据拉伸方向大小而变化。因此，所谓“每相同单位”为使与剥离方向成垂直的方向大小与拉伸方向大小设为相同的情况，例如以与剥离方向成垂直的方向大小设为10mm而测定剥离力时，对于断裂强度而言，以拉伸方向的大小设为10mm而测定。
然后，针对贴合有粘接膜的粘接剂层与在基材薄膜上层叠有粘合剂层的粘合膜的粘合剂层的晶片加工用带(切割-芯片焊接薄膜)加以说明。
图4(a)为本发明一实施方式所述的晶片加工用带(切割-芯片焊接薄膜)的概略图，图4(b)为该晶片加工用带的俯视图，图4(c)为该晶片加工用带的剖面图。
如图4(a)、(b)及(c)所示，晶片加工用带10具有贴合经预切割加工的粘接膜20的圆形粘接剂层部12a，与在基材薄膜14上层叠有粘合剂层15的粘合膜13的粘合剂层15的构成。
粘合膜13具有覆盖圆形粘接剂层部12a、且在圆形粘接剂层部12a的周围以与脱模薄膜11接触的方式设置的圆形标签部13a，与包围该圆形标签部13a外侧这样的周边部13b。周边部13b包含完全包围圆形标签部13a外侧的方式，及如图示的完全未包围的方式。圆形标签部13a具有与切割用的环形框对应的形状。
关于经预切割加工的晶片加工用带10，首先，如图2及图3所示，制作脱模薄膜11上层叠有圆形粘接剂层部12a的状态的粘接膜20。随后，以使粘合剂层15与圆形粘接剂层部12a重叠的方式，加热并贴合粘合膜13与粘接膜20，在粘合膜13上切出切口，剥离不需要的粘合膜13而形成圆形标签部13a与周边部13b，由此制作经预切割加工的晶片加工用带10。
另外，也可以将将粘合膜13切断成圆形标签部13a与周边部13b的形状后，通过加热并贴合经预切割加工的粘接膜20与圆形标签部13a及周边部13b，由此制作经预切割加工的晶片加工用带10。
本实施方式所述的晶片加工用带10由于使用上述的本实施方式的所述的粘接膜20B制作，所以具有与上述本实施方式所述的粘接膜20B相同的特征。即，相对于粘接剂层12的自脱模薄膜11的每单位剥离力，粘接剂层12的每相同单位的断裂强度为87.5倍以上，优选为100倍以上。
以下针对本实施方式所述的粘接膜20B及本实施方式所述的晶片加工用带10的各构成要素加以详细说明。
(脱模薄膜)
为了使粘接剂层12的操作性良好而使用脱模薄膜11。
作为脱模薄膜11，可以使用例如聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜、聚氨酯薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、离子聚合物树脂薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、氟树脂薄膜等。另外也可以使用上述物质的交联薄膜。进而还可以是上述物质的层叠薄膜。
脱模薄膜11的表面张力优选为40mN/m以下，更优选为35mN/m以下。这样的表面张力低的脱模薄膜11可选择适当材质而获得，另外还可以在薄膜表面涂布硅酮树脂等施以脱模处理而获得。
脱膜薄膜11的膜厚通常为5～300μm，优选为10～200μm，特别优选为20～150μm左右。
脱膜薄膜11A只要是能够自粘接剂层12剥离则无特别限制，但优选聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜。另外，脱膜薄膜11A优选对硅涂敷或烘烤(日文：焼付け)而成。脱膜薄膜11A的厚度并无特别限制，但优选为15～125μm。
(粘接剂层)
粘接剂层12是贴合半导体晶片等并经切割后，拾取半导体芯片时附着于半导体芯片的背面，且作为将芯片固定在基板或引线框上时的粘接剂使用的物质。
作为粘接剂层12，可以使用聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚酯树脂、聚酯酰亚胺树脂、苯氧树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酮树脂、氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、聚丙烯酰胺树脂、三聚氰胺树脂等或其混合物。
作为聚合物，优选使用含有环氧基的丙烯酸共聚物。该含有环氧基的丙烯酸共聚物含有0.5～6质量％的具有环氧基的丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯。为了获得与半导体晶片的高粘接力，优选为0.5质量％以上，只要控制在6质量％以下即可抑制凝胶化。作为上述含有环氧基的丙烯酸共聚物的玻璃化转移温度(Tg)优选为-10℃以上30℃以下。
作为官能团单体使用的丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯的量为0.5～6质量％的共聚物比，但其剩余部分可使用丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯等具有碳数1～8的烷基的丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯、及苯乙烯或丙烯腈等的混合物。其中，特别优选以(甲基)丙烯酸乙酯及/或(甲基)丙烯酸丁酯。混合比率优选考虑共聚物的玻璃化转移温度(Tg)而调整。聚合方法并无特别限制，可列举例如成珠聚合(pearl polymerization)、溶液聚合等，利用这些方法获得共聚物。作为这样的含有环氧基的丙烯酸酯共聚物，可列举例如HTR-860P-3(Nagase Chemtex株式会社制，商品名)。
丙烯酸系共聚物的重均分子量为五万以上，特别优选为20万～100万的范围。分子量过低时薄膜形成变得不充分，过高时与其他成分的相容性变差，结果妨碍薄膜形成。
使用环氧树脂作为热固化性成分时，可使用例如酚醛系树脂作为固化剂。作为酚醛系树脂，可无特别限制的使用烷基酚、多元酚、萘酚等酚类与醛类的缩合物。这些酚醛系树脂中所含的酚性羟基利用加热容易与环氧树脂的环氧基发生加成反应，可形成耐冲击性高的固化物。
酚醛系树脂中，优选使用苯酚酚醛清漆树脂、邻-甲酚酚醛清漆树脂、对-甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基酚酚醛清漆树脂、二环戊二烯甲酚树脂、聚对乙烯酚醛树脂、双酚A型酚醛清漆树脂、或者上述物质的改性物等。
除此以外，还可以使用热活性型潜在性环氧树脂固化剂作为固化剂。该固化剂为在室温不与环氧树脂反应，通过进行某一温度以上的加热而活化，并与环氧树脂反应的类型的固化剂。
作为活化方法，存在有通过基于加热的化学反应生成活性物种(阴离子、阳离子)的方法；在室温附近稳定地分散于环氧树脂中而在高温与环氧树脂相容、溶解，并开始固化反应的方法；通过分子筛封入类型的固化剂在高温溶出并开始固化反应的方法；利用微胶囊的方法等。
作为热活性型潜在性环氧树脂固化剂，可列举为各种鎓盐，或二元酸二酰肼化合物、二氰二酰胺、胺加合物固化剂、咪唑化合物等高熔点活性氢化合物等。
使用环氧树脂作为热固化性成分时，也可以使用固化促进剂等作为助剂。本发明中可使用的固化促进剂并无特别限制，可使用例如叔胺、咪唑类、季铵盐等。作为本发明中可优选使用的咪唑类，可列举例如2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸盐等。这些可使用一种也可并用两种以上。咪唑类为例如由四国化成工业(株)以2E4MZ、2PZ-CN、2PZ-CNS的商品名销售。
另外，还可以配合填料。作为填料，可列举结晶二氧化硅、合成二氧化硅等二氧化硅，或氧化铝、玻璃球等无机填料。通过在固化性保护膜形成层2中添加无机填料，可改善固化后的保护膜的硬度。另外，可以使固化后的保护膜的热膨胀系数接近于晶片的热膨胀系数，由此可以降低加工过程中半导体晶片的翘曲。作为填料优选为合成二氧化硅，尤其是极力消除成为半导体装置误操作的要因的α射线的射线源的类型的合成二氧化硅是最合适的。填料的形状也可以使用球形、针状、无定型类型中的任一种，但特别优选能够最密实填充的球形填料。
进而，为了使异种材料间的界面结合良好，还可以配合偶联剂。作为偶联剂，优选硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂，可列举γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-脲基丙基三乙氧基硅烷、N-β-氨基乙基-γ-氨基基丙基三甲氧基硅烷等。从由添加产生的效果或耐热性及成本出发，相对于形成各个分散相与连续相的组合物的合计100重量份，偶联剂的配合量优选添加0.1～10重量份。
另外，清漆化的溶剂优选使用沸点较低的甲基乙基酮、丙酮、甲基异丁基酮、2-乙氧基乙醇、甲苯、丁基溶纤剂、甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇等。另外，为了改善涂膜性等，也可添加高沸点溶剂。作为高沸点溶剂可列举为二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、甲基吡咯烷酮、环己酮等。
粘接剂层12的厚度可适宜设定，但优选为5～100μm左右。
为了提高粘接剂层12的断裂强度，有效的是增多聚合物，减少填料、减少环氧树脂(固体成分)。另外，关于降低粘接剂层12自脱膜薄膜11的剥离力，有效的是减少聚合物，减少环氧树脂(液状)。
(粘合膜)
作为粘合膜13并无特别限制，只要是具有切割半导体晶片时不会使半导体晶片剥离的充分粘合力，且切割后拾取芯片时显示可轻易地自粘接剂层12剥离这样低的粘合力的物质即可。例如，可优选使用将粘合剂层15设置于基材薄膜14的物质。
作为粘合膜13的基材薄膜14只要是以往公知的基材薄膜即可无特别限制的使用，但使用辐射线固化性材料作为后述的粘合剂层15时，优选使用具有辐射线透过性的物质。
例如，作为上述材料，可列举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚1-丁烯、聚-4-甲基-1-戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离子聚合物等的α-烯烃的均聚物或共聚物或者上述物质的混合物；聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物；聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性体，及上述物质的混合物。另外基材薄膜14可以为使从上述物质的组中选择的两种以上的材料混合而成的薄膜，也可以为使上述物质单层或多层化而成的薄膜。
基材薄膜14的厚度并无特别限制，可适宜设定，但优选为50～200μm。
作为粘合膜13的粘合剂层15中使用的树脂并无特别限制，可使用粘合剂中使用的公知的氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂等。
粘合剂层15的树脂中，优选适宜配合丙烯酸系粘合剂、辐射线聚合性化合物、光聚合引发剂、固化剂等而制备粘合剂。粘合剂层15的厚度并无特别限制，适宜设定即可，但优选为5～30μm。
在粘合剂层15中配合辐射线聚合性化合物并经辐射线固化，可容易自粘接剂层12剥离。该辐射线聚合性化合物可使用例如在利用光照射而能够三维网状化的分子内具有至少两个以上的光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物。
具体而言，可使用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、或寡聚酯丙烯酸酯等。
另外，除如上所述的丙烯酸酯系化合物以外，还可以使用氨基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物。氨基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物为如下获得：使聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物与多元异氰酸酯化合物(例如，2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-苯二甲撑基二异氰酸酯、1，4-苯二甲撑基二异氰酸酯、二苯基甲烷4，4-二异氰酸酯等)反应，且在由此得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物中，使其与具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如，丙烯酸2-羟基乙酯、甲基丙烯酸2-羟基乙酯、丙烯酸2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-羟基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)反应而获得。
粘合剂层15也可以是混合选自上述树脂中的两种以上而成的物质。
使用光聚合引发剂时，可以使用例如异丙基苯偶姻醚、异丁基苯偶姻醚、二苯甲酮、米嗤酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苄基二甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。相对于丙烯酸系共聚物100质量份，这些光聚合引发剂的配合量优选为0.01～5质量份。
(实施例)
以下，针对本发明的实施例加以说明，但本发明并不限于这些实施例。
(粘接膜的制作)
在下述表1中所示配合的粘接剂层组合物1A～1D中添加甲基乙基酮，并搅拌混合制作粘接剂清漆。将制作的粘接剂层组合物1A～1D的粘接剂清漆以表2及表3所示的组合，以干燥后的厚度成为20μm的方式涂敷于脱膜薄膜11上，在110℃干燥3分钟，在各脱膜薄膜11上制作粘接剂层12。接着，在各粘接剂层12上，贴合与上述同样的另一脱膜薄膜11A，制作下述表2所示的实施例1～4及下述表3所示的比较例1～4中的依次层叠了脱膜薄膜11、粘接剂层12及脱膜薄膜11A这三层构成的粘接膜20B。
〔表1〕
粘接剂层组合物 1A 1B 1C 1D
A1(丙烯酸聚合物) 6 15 44 63
B1(环氧树脂(固体)) 11 5 15 12
B2(环氧树脂(液状)) 9 15 5 1
C1(固化剂(1)) 1.5 0 0 0
C2(固化剂(2)) 0 12 15 13
D1(固化促进剂) 0.1 1 1 1
E1(二氧化硅填料) 70 53 20 9
表1中各成分的配合比例单位为质量份。另外，表1中的A1(丙烯酸系聚合物)为重均分子量85万，玻璃化转移温度(Tg)为15℃的丙烯酸系共聚物。另外，B1(环氧树脂(固体))为环氧当量265～285的苯酚联苯型环氧树脂。另外，B2(环氧树脂(液状))为环氧当量162～172的液状双酚A型环氧树脂。另外，C1(固化剂(1))为二氰二酰胺，C2(固化剂(2))为芳烷基酚醛树脂。另外，D1(固化促进剂)为咪唑化合物(2-苯基4，5-二羟基甲基咪唑)。另外，E1(二氧化硅填料)为平均粒径2μm的球状合成二氧化硅。
〔表2〕
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4
粘接剂层组合物 1C 1C 1D 1D
粘接剂层的厚度(μm) 20 20 20 20
脱模薄膜 S314 K-1504 S314 K-1504
断裂强度(N/10mm) 2.4 2.4 3.6 3.6
剥离力(N/10mm) 0.016 0.024 0.016 0.024
断裂强度/剥离力 150 100 225 150
预切割性(390mm) ○ ○ ○ ○
预切割性(450mm) ○ ○ ○ ○
〔表3〕
比较例1 比较例2 比较例3 比较例4
粘接剂层组合物 1A 1A 1B 1B
粘接剂层的厚度(μm) 20 20 20 20
脱模薄膜 S314 K-1504 S314 K-1504
断裂强度(N/10mm) 1 1 1.4 1.4
剥离力(N/10mm) 0.012 0.02 0.024 0.036
断裂强度/剥离力 83.3 50 58.3 38.9
预切割性(390mm) × × × ×
预切割性(450mm) ○ × ○ ×
表2及表3中的S314为经脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜(帝人Dupon Film制，商品名)，K-1504为经脱模处理的PET薄膜(东洋纺织社制，商品名)。
针对实施例1～4及比较例1～4，测定各自断裂强度、剥离力，同时进行预切割性的评价。表2及表3中，显示断裂强度、剥离力的测定结果，断裂强度与剥离力之比(断裂强度/剥离力)，及预切割性的评价。
<断裂强度的测定>
将在脱模薄膜11与脱模薄膜11A之间挟持粘接剂层12的状态的实施例1～4的粘接膜20B及比较例1～4的粘接膜冲压成一号哑铃形状，剥离脱模薄膜11及脱模薄膜11A制备仅有粘接剂层12的试验片。关于试验片的断裂强度，依据JIS B7721、JIS K6301，使用(株)东洋精机制作所制造的STROGRAPH(VE10)，以线速度300mm/min拉伸，测定直到断裂为止的最大荷重。另外，断裂强度的单位为〔N/10mm〕。
<剥离力的测定>
剥离实施例1～4的粘接膜20B及比较例1～4的粘接膜的单面的脱模薄膜11A，以2kg的滚筒将形状保持带(积水化学公司制造，商品名：FORTE)贴合于已剥离脱模薄膜11A的粘接剂层12的表面，切成25mm宽的短棒状，制作依次层叠脱模薄膜11与粘接剂层12及形状保持带而成的三层构成的试验片。以(株)东洋精机制作所制造的STROGRAPH(VE10)将制作的试验片分开为脱模薄膜11、与粘接剂层12及形状保持带的层叠体并捏住，以线速度300mm/min测定脱模薄膜11与粘接剂层12之间的剥离力。另外，剥离力的单位为〔N/10mm〕。另外，分开为脱模薄膜11，与粘接剂层12及形状保持带的层叠体，自脱模薄膜11剥离粘接剂层12及形状维持带的层叠体的理由是仅捏住粘接剂层12剥离时，粘接剂层12伸长。
<预切割性的评价>
对于预切割性的评价而言，对于实施例1～4的粘接膜20B及比较例1～4的粘接膜，在由剥离了单面的脱模薄膜11A的脱模薄膜11与粘接剂层12形成的二层构成的粘接剂层薄膜20A上，以58.5mm间隔切出12英寸晶片用的直径320mm的圆形切口，以加工速度10m/min将周边粘接剂层部12b自脱模薄膜11剥离并卷绕100m，完全无断裂的情况评价为“○”，出现断裂的情况评价为“×”。另外，粘接膜的整卷宽度为390mm与450m。
如表2所示，实施例1的粘接膜20B由于断裂强度与剥离力之比(断裂强度/剥离力)为150，在规定断裂强度与剥离力之比的上述87.5以上范围，所以预切割性的结果是在整卷宽度为390mm的情况与450mm的情况均完全未断裂。
关于实施例2的粘接膜20B，由于断裂强度与剥离力之比(断裂强度/剥离力)为100，在规定断裂强度与剥离力之比的上述87.5以上范围，所以预切割性的结果是在整卷宽度为390mm的情况与450mm的情况均完全未断裂。
关于实施例3的粘接膜20B，由于断裂强度与剥离力之比(断裂强度/剥离力)为225，在规定断裂强度与剥离力之比的上述87.5以上范围，所以预切割性的结果是在整卷宽度为390mm的情况与450mm的情况均完全未断裂。
关于实施例4的粘接膜20B，由于断裂强度与剥离力之比(断裂强度/剥离力)为150，在规定断裂强度与剥离力之比的上述87.5以上范围，所以预切割性的结果是在整卷宽度为390mm的情况与450mm的情况均完全未断裂。
如表3所示，比较例1的粘接膜由于断裂强度与剥离力之比(断裂强度/剥离力)为83.3，在规定断裂强度与剥离力之比的上述87.5以上的范围的外，所以预切割性的结果在整卷宽度为450mm的情况完全未断裂，但在390mm的情况出现断裂。
关于比较例2的粘接膜，由于断裂强度与剥离力之比(断裂强度/剥离力)为50，在规定断裂强度与剥离力之比的上述87.5以上的范围外，所以预切割性的结果是在整卷宽度为390mm的情况与450mm的情况均出现断裂。
关于比较例3的粘接膜，由于断裂强度与剥离力之比(断裂强度/剥离力)为58.3，在规定断裂强度与剥离力之比的上述87.5以上的范围外，所以预切割性的结果是在整卷宽度为450mm的情况完全未断裂，但390mm的情况出现断裂。
关于比较例4的粘接膜，由于断裂强度与剥离力之比(断裂强度/剥离力)为38.9，在规定断裂强度与剥离力之比的上述87.5以上的范围外，所以预切割性的结果是在整卷宽度为390mm及450mm的情况均出现断裂。
由表2及表3示出的结果可知，通过使用相对于粘接剂层12自脱模薄膜11的每单位剥离力，粘接剂层12的每相同单位的断裂强度为87.5倍以上，优选为100倍以上的本实施方式的粘接膜20，可防止制作预切割成与半导体晶片形状对应的形状的晶片加工用带10时的粘接剂层卷绕步骤中的周边粘接剂层部12b的断裂。另外，可提高使用本实施方式的粘接膜20制作经预切割加工的晶片加工用带10的生产性。另外，可制备成为不需要的周边粘接剂层部12b的量较少或者半导体晶片的切割、半导体芯片焊接芯片等成为不需要的晶片加工用带10的量较少且生产效率良好的晶片加工用带10。
符号说明
10：晶片加工用带
11：脱模薄膜
12：粘接剂层
12a：圆形粘接剂层部
12b：周边粘接剂层部
13：粘合膜
13a：圆形标签部
13b：周边部
14：基材薄膜
15：粘合剂层
20、20A、20B：粘接膜
21：切割-芯片焊接薄膜
22：切口

Claims (3)

1.一种粘接膜，其特征在于，
其为于长条状的脱模薄膜层叠有粘接剂层的粘接膜，
相对于所述粘接剂层自所述脱模薄膜的每单位剥离力，所述粘接剂层的每相同单位的断裂强度为87.5倍以上。
2.如权利要求1所述的粘接膜，其中，
相对于所述粘接剂层自所述脱模薄膜的每单位剥离力，所述粘接剂层的每相同单位的断裂强度为100倍以上。
3.一种晶片加工用带，其特征在于，
贴合有基材薄膜上层叠有粘合剂层的粘合膜的所述粘合剂层与权利要求1或2项所述的粘接膜的粘接剂层。
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