TW201843728A

TW201843728A - 切晶黏晶膜

Info

Publication number: TW201843728A
Application number: TW107112986A
Authority: TW
Inventors: 木村雄大; 高本尚英; 大西謙司; 宍戶雄一郎; 福井章洋; 大和道子; 井上真一
Original assignee: 日商日東電工股份有限公司
Priority date: 2017-04-17
Filing date: 2018-04-17
Publication date: 2018-12-16
Also published as: JP7017334B2; JP7019333B2; JP2018182275A; JP2018182294A; JP6995616B2; TWI769242B; TW201842117A; TW201843268A; JP2018182276A; TWI803489B

Abstract

本發明提供一種於為了獲得附接著劑層之半導體晶片而使用切晶黏晶膜之擴張步驟中，切晶帶上之接著劑層能夠被良好地割斷，且割斷後之附接著劑層之半導體晶片能夠實現良好之拾取的切晶黏晶膜。本發明之切晶黏晶膜具備：具有包含基材與黏著劑層之積層構造之切晶帶、及可剝離地密接於上述切晶帶中之上述黏著劑層之接著劑層，且上述黏著劑層表面於溫度23℃、頻率100 Hz之條件下藉由奈米壓痕法進行500 nm壓入時之彈性模數為0.1～20 MPa。

Description

切晶黏晶膜

本發明係關於一種切晶黏晶膜。更詳細而言，本發明係關於一種於半導體裝置之製造過程中可使用之切晶黏晶膜。

於半導體裝置之製造過程中，存在於獲得具有與晶片尺寸相當之黏晶用接著膜的半導體晶片、即附黏晶用接著劑層之半導體晶片之過程中使用切晶黏晶膜的情況。切晶黏晶膜具有與作為加工對象之半導體晶圓對應之尺寸，例如具有：包含基材及黏著劑層之切晶帶、以及可剝離地密接於該黏著劑層側之黏晶膜(接著劑層)。作為使用切晶黏晶膜獲得附接著劑層之半導體晶片之方法之一，已知經由擴張切晶黏晶膜中之切晶帶以割斷黏晶膜之步驟的方法。該方法首先於切晶黏晶膜之黏晶膜上貼合半導體晶圓。該半導體晶圓例如以其後能夠隨黏晶膜一起被割斷而單片化成複數個半導體晶片之方式進行有加工。繼而，為了割斷切晶帶上之黏晶膜，使用擴張裝置於包含半導體晶圓之徑方向及周方向之二維方向上拉伸切晶黏晶膜之切晶帶。於該擴張步驟中，黏晶膜上之半導體晶圓於相當於黏晶膜中之割斷部位的部位亦發生割斷，而將切晶黏晶膜或切晶帶上之半導體晶圓單片化成複數個半導體晶片。繼而，為了擴寬切晶帶上之割斷後之複數個附黏晶膜之半導體晶片之間隔距離，再次進行擴張步驟。繼而，例如經過洗淨步驟後，利用拾取機構之銷構件自切晶帶之下側將各半導體晶片連同其所密接之與晶片尺寸相當之黏晶膜一起頂起後，自切晶帶上進行拾取。如此獲得附黏晶膜即接著劑層之半導體晶片。該附接著劑層之半導體晶片經由其接著劑層，藉由黏晶而固著於安裝基板等被黏著體。下述專利文獻1～3中記載有如以上般使用之切晶黏晶膜之相關技術。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2007-2173號公報 [專利文獻2]日本專利特開2010-177401號公報 [專利文獻3]日本專利特開2016-115804號公報

[發明所欲解決之問題] 圖14係以其剖面模式圖表示之先前型切晶黏晶膜Y。切晶黏晶膜Y包含切晶帶60及黏晶膜70。切晶帶60具有基材61與發揮黏著力之黏著劑層62之積層構造。黏晶膜70利用黏著劑層62之黏著力而密接於黏著劑層62。此種切晶黏晶膜Y具有與半導體裝置之製造過程中作為加工對象或工件之半導體晶圓對應尺寸的圓盤形狀，可用於上述擴張步驟。例如，如圖15所示，半導體晶圓81貼合於黏晶膜70，且環狀框82貼附於黏著劑層62，於此狀態下實施上述擴張步驟。半導體晶圓81例如以能夠單片化成複數個半導體晶片之方式進行有加工。環狀框82係於貼附於切晶黏晶膜Y之狀態下，擴張裝置所具備之搬送臂等搬送機構於工件搬送時所機械抵接之框構件。先前型切晶黏晶膜Y係以此種環狀框82可利用切晶帶60之黏著劑層62之黏著力而固定於該膜的方式設計。即，先前型切晶黏晶膜Y具有確保於切晶帶60之黏著劑層62中在黏晶膜70之周圍存在環狀框貼附用區域的設計。於此種設計中，黏著劑層62之外周端62e與黏晶膜70之外周端70e於膜面內方向上之距離為10～30 mm左右。本發明係鑒於上述情況考慮而成者，其目的在於提供一種於為了獲得附接著劑層之半導體晶片而使用切晶黏晶膜之擴張步驟中，切晶帶上之接著劑層能夠被良好地割斷，且割斷後之附接著劑層之半導體晶片能夠實現良好之拾取的切晶黏晶膜。 [解決問題之技術手段] 本發明者等人為了達成上述目的，經過努力研究，結果發現，若使用黏著劑層表面於藉由奈米壓痕法進行500 nm壓入時之彈性模數處於特定範圍內之切晶黏晶膜，則於擴張步驟中，切晶帶上之接著劑層能夠被良好地割斷，且割斷後之附接著劑層之半導體晶片能夠實現良好之拾取。本發明係基於該等見解而完成者。即，本發明提供一種切晶黏晶膜，其具備切晶帶與接著劑層，該切晶帶具有包含基材與黏著劑層之積層構造，該接著劑層可剝離地密接於上述切晶帶中之上述黏著劑層，上述黏著劑層表面於溫度23℃、頻率100 Hz之條件下藉由奈米壓痕法進行500 nm壓入時之彈性模數為0.1～20 MPa。本發明之切晶黏晶膜具備切晶帶及接著劑層。切晶帶具有包含基材與黏著劑層之積層構造。接著劑層可剝離地密接於切晶帶中之黏著劑層。切晶帶之黏著劑層於溫度23℃、頻率100 Hz之條件下藉由奈米壓痕法對該黏著劑層表面進行500 nm壓入時之彈性模數為0.1～20 MPa。此種構成之切晶黏晶膜可用於半導體裝置之製造過程中獲得附接著劑層之半導體晶片。又，本發明之切晶黏晶膜例如可藉由如下方法(積層塗佈方法)製造，該方法會經過於形成於分隔件上之接著劑層上塗佈黏著劑層形成用組合物並使之固化而形成黏著劑層之過程、或者於形成於基材上之黏著劑層上塗佈接著劑層形成用組合物並使之固化而形成接著劑層之過程。於半導體裝置之製造過程中，如上所述，存在為了獲得附接著劑層之半導體晶片而實施使用切晶黏晶膜進行之擴張步驟、即用以割斷之擴張步驟的情況。於該擴張步驟中，需適當地使割斷力作用於切晶黏晶膜中之切晶帶上之接著劑層。如上所述，本發明之切晶黏晶膜中之切晶帶之黏著劑層於溫度23℃、頻率100 Hz之條件下藉由奈米壓痕法對該黏著劑層表面進行500 nm壓入時之彈性模數為0.1～20 MPa。基於上述奈米壓痕法之彈性模數係指於將壓子壓入黏著劑層表面時，包括負荷時及除荷時不間斷地連續測定對壓子之負荷荷重與壓入深度，由所獲得之負荷荷重-壓入深度曲線而求出之彈性模數。如此，基於上述奈米壓痕法之彈性模數係表示黏著劑層表面之物理特性之指標，不同於作為表示黏著劑層整體之物理特性之指標的先前藉由黏彈性測定所獲得之拉伸彈性模數等彈性模數。本發明之切晶黏晶膜中之黏著劑層之此種基於上述奈米壓痕法之彈性模數為0.1 MPa以上，藉此，擴張時產生之應力容易傳遞至接著劑層，故可良好地割斷接著劑層，且可使黏著劑層與接著劑層具有適度之密接性，而可抑制於擴張步驟中黏著劑層與接著劑層之間發生剝離。又，基於上述奈米壓痕法之彈性模數為20 MPa以下，藉此，可使擴張步驟中之黏著劑層不易產生破裂，且於拾取步驟中割斷後之附接著劑層之半導體晶片可自黏著劑層良好地剝離，而能夠實現良好之拾取。再者，於黏著劑層12為下述放射線硬化型黏著劑層之情形時，較佳為放射線硬化後之黏著劑層12基於上述奈米壓痕法之彈性模數處於上述範圍內。又，本發明之切晶黏晶膜可於膜面內方向上以實質相同之尺寸設計切晶帶或其黏著劑層與其上之接著劑層，而使該接著劑層不僅包含工件貼附用區域且包含框貼附用區域。例如可採用如下設計：於切晶黏晶膜之面內方向上，接著劑層之外周端與切晶帶之基材或黏著劑層之各外周端相距1000 μm以內。此種本發明之切晶黏晶膜於藉由例如上述積層塗佈方法積層形成接著劑層與黏著劑層後，可藉由一衝壓加工等加工而一次地實施用以形成具有基材與黏著劑層之積層構造之一切晶帶之加工、及用以形成一接著劑層之加工。於上述先前型切晶黏晶膜Y之製造過程中，用以形成特定尺寸及形狀之切晶帶60之加工步驟(第1加工步驟)與用以形成特定尺寸及形狀之黏晶膜70之加工步驟(第2加工步驟)需分成獨立步驟。於第1加工步驟中，例如對於具有分隔件、待形成為基材61之基材層、及位於該等之間之待形成為黏著劑層62之黏著劑層之積層構造的積層片體，實施將加工刀自基材層側起插入至分隔件為止之加工。藉此，於分隔件上形成具有分隔件上之黏著劑層62與基材61之積層構造之切晶帶60。於第2加工步驟中，例如對於具有分隔件與待形成為黏晶膜70之接著劑層之積層構造之積層片體，實施將加工刀自接著劑層側起插入至分隔件為止之加工。藉此，於分隔件上形成黏晶膜70。其後將如此藉由單獨步驟所形成之切晶帶60與黏晶膜70進行位置對準並貼合。圖16表示附帶被覆黏晶膜70表面及黏著劑層62表面之分隔件83之先前型切晶黏晶膜Y。相對於此，切晶帶或其黏著劑層與其上之接著劑層於膜面內方向上具有實質相同設計尺寸之情形時之本發明之切晶黏晶膜於藉由例如上述積層塗佈方法積層形成接著劑層與黏著劑層後，可藉由一衝壓加工等加工而一次地實施用以形成具有基材與黏著劑層之積層構造之一切晶帶之加工、及用以形成一接著劑層之加工。此種本發明之切晶黏晶膜適於藉由擴張步驟而良好地割斷接著劑層，且適於藉由拾取步驟而良好地拾取附接著劑層之半導體晶片，並且就減少製造步驟數之觀點或控制製造成本之觀點等而言亦適於高效率地進行製造。又，於本發明之切晶黏晶膜中，上述黏著劑層為放射線硬化型黏著劑層，於溫度23℃、剝離速度300 mm/min之條件下之T型剝離試驗中，放射線硬化後之上述黏著劑層與上述接著劑層之間之剝離力較佳為0.06～0.25 N/20 mm。若上述放射線硬化後之上述T型剝離試驗中之剝離力為0.06 N/20 mm以上，則可確保切晶帶之黏著劑層與其上之接著劑層之間之密接性，而進一步抑制於擴張步驟中附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層局部地發生剝離即隆起。若上述放射線硬化後之上述T型剝離試驗中之剝離力為0.25 N/20 mm以下，則可於拾取步驟中實現更良好之拾取。又，於本發明之切晶黏晶膜中，於溫度23℃、剝離速度300 mm/min之條件下之T型剝離試驗中，放射線硬化前之上述黏著劑層與上述接著劑層之間之剝離力較佳為2 N/20 mm以上。若上述放射線硬化前之上述T型剝離試驗中之剝離力為2 N/20 mm以上，則於未進行放射線硬化之狀態下實施擴張步驟之情形時，可確保切晶帶之黏著劑層與其上之接著劑層之間之密接性，而進一步抑制於擴張步驟中附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層局部地發生剝離即隆起，且可更良好地割斷接著劑層。又，於本發明之切晶黏晶膜中，上述黏著劑層與上述接著劑層之接觸面中之上述黏著劑層表面之表面粗糙度Ra與上述接著劑層表面之表面粗糙度Ra的差較佳為100 nm以下。若上述表面粗糙度Ra之差為100 nm以下，則可進一步提高切晶帶之黏著劑層與其上之接著劑層之間之密接性，可進一步抑制於擴張步驟中附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層局部地發生剝離即隆起。又，於本發明之切晶黏晶膜中，上述黏著劑層較佳為含有第1丙烯酸系聚合物，該第1丙烯酸系聚合物包含源自具有碳數10以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元及源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之結構單元。藉由上述黏著劑層含有上述第1丙烯酸系聚合物，而於拾取步驟中附接著劑層之半導體晶片更容易自切晶帶之黏著劑層剝離，可實現更良好之拾取。又，於本發明之切晶黏晶膜中，上述第1丙烯酸系聚合物中之源自具有碳數10以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元相對於源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之結構單元的莫耳比率較佳為1～40。存在上述莫耳比率越減小則切晶帶中之黏著劑層與其上之接著劑層之相互作用越增強的傾向，因此，若上述莫耳比率為1以上，則可將上述相互作用抑制為較低，於拾取步驟中附接著劑層之半導體晶片更容易自切晶帶之黏著劑層剝離，可實現更良好之拾取。又，若上述莫耳比率為40以下，則可於一定程度上維持上述相互作用，而可確保切晶帶之黏著劑層與其上之接著劑層之間之密接性，進一步抑制於擴張步驟中附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層局部地發生剝離即隆起。又，於本發明之切晶黏晶膜中，上述第1丙烯酸系聚合物較佳為包含源自含不飽和官能基之異氰酸酯化合物之結構單元，且上述第1丙烯酸系聚合物中之源自含不飽和官能基之異氰酸酯化合物之結構單元相對於源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之結構單元的莫耳比率為0.1～2。若上述第1丙烯酸系聚合物包含源自含不飽和官能基之異氰酸酯化合物之結構單元，且上述莫耳比率為0.1以上，則存在放射線硬化後之黏著劑層基於上述奈米壓痕法之彈性模數提高之傾向，於擴張步驟中可更良好地割斷接著劑層。若上述莫耳比率為2以下，則存在放射線硬化後之黏著劑層基於上述奈米壓痕法之彈性模數降低之傾向，可使擴張步驟中之黏著劑層更不易產生破裂。又，於本發明之切晶黏晶膜中，上述接著劑層於溫度23℃、剝離速度300 mm/min、角度180°之條件下對SUS之黏著力較佳為0.1～20 N/10 mm。若上述黏著力為0.1 N/10 mm以上，則於擴張步驟中於上述接著劑層貼附環狀框之情形時，可提高接著劑層與環狀框之密接性，於擴張步驟中可利用環狀框良好地保持本發明之切晶黏晶膜。若上述黏著力為20 N/10 mm以下，則於擴張步驟中於上述接著劑層貼附環狀框之情形時，本發明之切晶黏晶膜容易自環狀框剝離。又，於本發明之切晶黏晶膜中，上述接著劑層於23℃下之儲存彈性模數較佳為100～4000 MPa。若上述儲存彈性模數為100 MPa以上，則於擴張步驟中於上述接著劑層貼附環狀框之情形時，本發明之切晶黏晶膜容易自環狀框剝離。若上述儲存彈性模數為4000 MPa以下，則於擴張步驟中於上述接著劑層貼附環狀框之情形時，可提高接著劑層與環狀框之密接性，於擴張步驟中可利用環狀框良好地保持本發明之切晶黏晶膜。 [發明之效果] 本發明之切晶黏晶膜於為了獲得附接著劑層之半導體晶片而使用切晶黏晶膜之擴張步驟中，切晶帶上之接著劑層能夠被良好地割斷，且割斷後之附接著劑層之半導體晶片能夠實現良好之拾取。

[切晶黏晶膜] 本發明之切晶黏晶膜具備：具有包含基材與黏著劑層之積層構造之切晶帶、及可剝離地密接於上述切晶帶中之上述黏著劑層之接著劑層。以下說明本發明之切晶黏晶膜之一實施形態。圖1係表示本發明之切晶黏晶膜之一實施形態之剖面模式圖。如圖1所示，切晶黏晶膜X具備切晶帶10、與積層於切晶帶10中之黏著劑層12上之接著劑層20，可用於在半導體裝置製造時獲得附接著劑層之半導體晶片之過程中之擴張步驟。又，切晶黏晶膜X具有與半導體裝置之製造過程中作為加工對象之半導體晶圓對應尺寸的圓盤形狀。切晶黏晶膜X之直徑例如處於345～380 mm之範圍內(12英吋晶圓對應型)、245～280 mm之範圍內(8英吋晶圓對應型)、195～230 mm之範圍內(6英吋晶圓對應型)、或495～530 mm之範圍內(18英吋晶圓對應型)。切晶黏晶膜X中之切晶帶10具有包含基材11與黏著劑層12之積層構造。 (基材) 切晶帶10中之基材11係於切晶帶10或切晶黏晶膜X中作為支持體發揮功能之元件。作為基材11，例如可列舉塑膠基材(尤其是塑膠膜)。上述基材11可為單層，亦可為同種或不同種之基材之積層體。作為構成上述塑膠基材之樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚合聚丙烯、嵌段共聚合聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離子聚合物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烴樹脂；聚胺基甲酸酯；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯；聚碳酸酯；聚醯亞胺；聚醚醚酮；聚醚醯亞胺；芳香族聚醯胺、全芳香族聚醯胺等聚醯胺；聚苯硫醚；氟樹脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；纖維素樹脂；聚矽氧樹脂等。就確保基材11具有良好之熱收縮性，以便於利用切晶帶10或基材11之局部熱收縮而維持藉由下述常溫擴張步驟所實現之晶片間隔距離的觀點而言，基材11較佳為包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為主成分。再者，所謂基材11之主成分係指於構成成分中占最大質量比率之成分。上述樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。於黏著劑層12如下所述為放射線硬化型黏著劑層之情形時，基材11較佳為具有放射線透過性。於基材11為塑膠膜之情形時，上述塑膠膜可為無配向，亦可於至少一方向(單軸方向、雙軸方向等)上配向。於至少一方向上配向之情形時，塑膠膜能夠於該至少一方向上進行熱收縮。若具有熱收縮性，則能夠使切晶帶10中之半導體晶圓之外周部分熱收縮，藉此可於經單片化之附接著劑層之半導體晶片彼此之間隔擴大之狀態下進行固定，故可容易地進行半導體晶片之拾取。就使基材11及切晶帶10具有各向同性熱收縮性之方面而言，基材11較佳為雙軸配向膜。再者，上述於至少一方向上配向之塑膠膜可藉由將無延伸之塑膠膜沿該至少一方向進行延伸(單軸延伸、雙軸延伸等)而獲得。基材11及切晶帶10於加熱溫度100℃及加熱時間處理60秒之條件下進行之加熱處理試驗中之熱收縮率較佳為1～30%，更佳為2～25%，進而較佳為3～20%，尤佳為5～20%。上述熱收縮率較佳為MD方向及TD方向中之至少一方向之熱收縮率。可對基材11之黏著劑層12側表面實施例如電暈放電處理、電漿處理、噴砂加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、離子化放射線處理等物理處理，鉻酸處理等化學處理，使用塗佈劑(底塗劑)之易接著處理等表面處理，以提高與黏著劑層12之密接性、保持性等。又，亦可於基材11表面設置包含金屬、合金、該等之氧化物等之導電性蒸鍍層以賦予抗靜電能力。用以提高密接性之表面處理較佳為對基材11中之黏著劑層12側之整個表面實施。就確保基材11作為切晶帶10或切晶黏晶膜X中之支持體發揮功能所需之強度之觀點而言，基材11之厚度較佳為40 μm以上，更佳為50 μm以上，進而較佳為55 μm以上，尤佳為60 μm以上。又，就使切晶帶10或切晶黏晶膜X實現適度之可撓性之觀點而言，基材11之厚度較佳為200 μm以下，更佳為180 μm以下，進而較佳為150 μm以下。 (黏著劑層) 如上所述，切晶黏晶膜X中之黏著劑層12於溫度23℃、頻率100 Hz之條件下藉由奈米壓痕法對黏著劑層表面12a進行500 nm壓入時之彈性模數為0.1～20 MPa，較佳為0.5～15 MPa，更佳為1～10 MPa。藉由基於上述奈米壓痕法之彈性模數為0.1 MPa以上，擴張時產生之應力容易傳遞至接著劑層，因此，可良好地割斷接著劑層，且可使黏著劑層與接著劑層具有適度之密接性，而可抑制於擴張步驟中黏著劑層與接著劑層之間發生剝離。又，藉由基於上述奈米壓痕法之彈性模數為20 MPa以下，可使擴張步驟中之黏著劑層不易產生破裂，且於拾取步驟中割斷後之附接著劑層之半導體晶片可自黏著劑層良好地剝離，而能夠實現良好之拾取。基於上述奈米壓痕法之彈性模數係指於將壓子壓入黏著劑層表面時，包括負荷時及除荷時不間斷地連續測定對壓子之負荷荷重與壓入深度，由所獲得之負荷荷重-壓入深度曲線而求出之彈性模數。即，基於上述奈米壓痕法之彈性模數係表示黏著劑層表面之物理特性之指標，不同於作為表示黏著劑層整體之物理特性之指標的先前藉由黏彈性測定所獲得之拉伸彈性模數等彈性模數。上述黏著劑層基於奈米壓痕法之彈性模數係於荷重：1 mN、負荷/除荷速度：0.1 mN/s、保持時間：1 s之條件下藉由奈米壓痕試驗所獲得之彈性模數。切晶帶10之黏著劑層12較佳為含有丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物。上述丙烯酸系聚合物係包含源自丙烯酸系單體(分子中具有(甲基)丙烯醯基之單體成分)之結構單元作為聚合物之結構單元的聚合物。上述丙烯酸系聚合物較佳為以最大質量比率包含源自(甲基)丙烯酸酯之結構單元之聚合物。再者，丙烯酸系聚合物可僅使用一種，亦可使用兩種以上。又，於本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」表示「丙烯酸」及/或「(甲基丙烯酸」(「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」中之任一者或兩者)，其他亦相同。作為上述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉含烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為含烴基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等含烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯(月桂酯)、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等。作為上述(甲基)丙烯酸環烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之環戊酯、環己酯等。作為上述(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之苯酯、苄酯。作為上述含烴基之(甲基)丙烯酸酯，其中較佳為(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為具有碳數10以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯。即，上述丙烯酸系聚合物較佳為包含源自具有碳數10以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元。上述含烴基之(甲基)丙烯酸酯可僅使用一種，亦可使用兩種以上。作為上述具有碳數10以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂基)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等具有碳數10～25之烷基(C_10-25 烷基)之(甲基)丙烯酸酯。其中，較佳為(甲基)丙烯酸月桂酯。就使黏著劑層12適當表現出源於含烴基之(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，用以形成丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之含烴基之(甲基)丙烯酸酯(尤其是具有碳數10以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯)之比率較佳為40質量%以上，更佳為60質量%以上。上述丙烯酸系聚合物亦可包含源自能夠與含烴基之(甲基)丙烯酸酯共聚合之其他單體成分之結構單元，以實現對凝集力、耐熱性等之改質。作為上述其他單體成分，例如可列舉：含羧基之單體、酸酐單體、含羥基之單體、含縮水甘油基之單體、含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、丙烯醯胺、丙烯腈等含官能基之單體等。作為上述含羧基之單體，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等。作為上述酸酐單體，例如可列舉：順丁烯二酸酐、伊康酸酐等。作為上述含羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等。作為上述含縮水甘油基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯等。作為上述含磺酸基之單體，例如可列舉：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等。作為上述含磷酸基之單體，例如可列舉：丙烯醯基磷酸2-羥基乙酯等。作為上述其他單體成分，其中較佳為含羥基之單體，更佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。即，上述丙烯酸系聚合物較佳為包含源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之結構單元。上述其他單體成分可僅使用一種，亦可使用兩種以上。就使黏著劑層12適當表現出源於含烴基之(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，用以形成丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之上述其他單體成分(尤其是(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯)之比率較佳為60質量%以下，更佳為40質量%以下。上述丙烯酸系聚合物尤佳為至少包含源自具有碳數10以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元及源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之結構單元的丙烯酸系聚合物(有時稱為「第1丙烯酸系聚合物」)。即，黏著劑層12較佳為含有至少包含源自具有碳數10以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元及源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之結構單元的第1丙烯酸系聚合物。若黏著劑層12含有上述第1丙烯酸系聚合物，則於拾取步驟中附接著劑層之半導體晶片更容易自切晶帶之黏著劑層剝離，可實現更良好之拾取。上述第1丙烯酸系聚合物中之源自具有碳數10以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元相對於源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之結構單元的莫耳比率較佳為1以上，更佳為3以上，進而較佳為5以上。又，上述莫耳比率較佳為40以下，更佳為35以下，進而較佳為30以下。存在上述莫耳比率越減小則切晶帶中之黏著劑層與其上之接著劑層之相互作用越增強之傾向，因此，若上述莫耳比率為1以上，則可將上述相互作用抑制為較低，於拾取步驟中附接著劑層之半導體晶片更容易自切晶帶之黏著劑層剝離，可實現更良好之拾取。又，若上述莫耳比率為40以下，則可於一定程度上維持上述相互作用，而可確保切晶帶之黏著劑層與其上之接著劑層之間之密接性，進一步抑制於擴張步驟中附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層局部地發生剝離即隆起。包含第1丙烯酸系聚合物之上述丙烯酸系聚合物亦可包含源自能夠與形成丙烯酸系聚合物之單體成分共聚合之多官能性單體的結構單元，以於其聚合物骨架中形成交聯結構。作為上述多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯(例如聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯)、聚酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等分子內具有(甲基)丙烯醯基與其他反應性官能基之單體等。上述多官能性單體可僅使用一種，亦可使用兩種以上。就使黏著劑層12適當表現出源於含烴基之(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，用以形成丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之上述多官能性單體之比率較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下。丙烯酸系聚合物可藉由使包含丙烯酸系單體之一種以上之單體成分進行聚合而獲得。作為聚合方法，可列舉：溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等。丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為10萬以上，更佳為20萬～300萬。若數量平均分子量為10萬以上，則存在黏著劑層中之低分子量物質較少之傾向，可進一步抑制對接著劑層或半導體晶圓等之污染。黏著劑層12或形成黏著劑層12之黏著劑可含有交聯劑。例如於使用丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之情形時，可使丙烯酸系聚合物交聯而進一步減少黏著劑層12中之低分子量物質。又，可提高丙烯酸系聚合物之數量平均分子量。作為上述交聯劑，例如可列舉：多異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物(多酚系化合物等)、氮丙啶化合物、三聚氰胺化合物等。於使用交聯劑之情形時，其使用量相對於基礎聚合物100質量份較佳為5質量份左右以下，更佳為0.1～5質量份。黏著劑層12可為藉由放射線照射或加熱等外部作用而能夠刻意地減弱黏著力之黏著劑層(黏著力減弱型黏著劑層)，亦可為黏著力幾乎或完全不會因外部作用而減弱之黏著劑層(黏著力非減弱型黏著劑層)，可根據使用切晶黏晶膜X進行單片化之半導體晶圓之單片化之方法或條件等適當選擇。於黏著劑層12為黏著力減弱型黏著劑層之情形時，於切晶黏晶膜X之製造過程或使用過程中，可靈活運用黏著劑層12表現出相對較高之黏著力之狀態與表現出相對較低之黏著力之狀態。例如於切晶黏晶膜X之製造過程中於切晶帶10之黏著劑層12貼合接著劑層20時、或將切晶黏晶膜X用於切晶步驟時，利用黏著劑層12表現出相對較高之黏著力之狀態而能夠抑制、防止接著劑層20等被黏著體自黏著劑層12之隆起，另一方面，於其後用以自切晶黏晶膜X之切晶帶10拾取附接著劑層之半導體晶片之拾取步驟中，藉由減弱黏著劑層12之黏著力而可容易地進行拾取。作為形成此種黏著力減弱型黏著劑層之黏著劑，例如可列舉：放射線硬化型黏著劑、加熱發泡型黏著劑等。作為形成黏著力減弱型黏著劑層之黏著劑，可使用一種黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著劑。作為上述放射線硬化型黏著劑，例如可使用藉由照射電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線或X射線而硬化之類型之黏著劑，可尤佳地使用藉由照射紫外線而硬化之類型之黏著劑(紫外線硬化型黏著劑)。作為上述放射線硬化型黏著劑，例如可列舉含有上述丙烯酸系聚合物等基礎聚合物、與具有放射線聚合性碳-碳雙鍵等官能基之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分的添加型之放射線硬化型黏著劑。作為上述放射線聚合性單體成分，例如可列舉：(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作為上述放射線聚合性低聚物成分，例如可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，較佳為分子量為100～30000左右者。形成黏著劑層12之放射線硬化型黏著劑中之上述放射線硬化性之單體成分及低聚物成分之含量相對於上述基礎聚合物100質量份例如為5～500質量份、較佳為40～150質量份左右。又，作為添加型之放射線硬化型黏著劑，例如可使用日本專利特開昭60-196956號公報中所揭示者。作為上述放射線硬化型黏著劑，亦可列舉含有於聚合物側鏈、或於聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端具有放射線聚合性碳-碳雙鍵等官能基之基礎聚合物的內在型之放射線硬化型黏著劑。若使用此種內在型之放射線硬化型黏著劑，則存在可抑制因所形成之黏著劑層12內低分子量成分之移動而非意圖引起之黏著特性之經時變化的傾向。作為上述內在型之放射線硬化型黏著劑所含有之基礎聚合物，較佳為丙烯酸系聚合物(尤其是上述第1丙烯酸系聚合物)。作為於丙烯酸系聚合物中導入放射線聚合性碳-碳雙鍵之方法，例如可列舉如下方法：使包含具有第1官能基之單體成分之原料單體聚合(共聚合)而獲得丙烯酸系聚合物後，於維持碳-碳雙鍵之放射線聚合性之狀態下，使丙烯酸系聚合物和具有能夠與上述第1官能基反應之第2官能基及放射線聚合性碳-碳雙鍵之化合物進行縮合反應或加成反應。作為上述第1官能基與上述第2官能基之組合，例如可列舉：羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸基、異氰酸基與羥基等。該等之中，就易進行反應追蹤之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸基之組合、異氰酸基與羥基之組合。其中，製作具有反應性較高之異氰酸基之聚合物的技術難度較大，另一方面，具有羥基之丙烯酸系聚合物易於製作及獲得，就此觀點而言，較佳為上述第1官能基為羥基且上述第2官能基為異氰酸基之組合。作為該情形時之具有異氰酸基及放射線聚合性碳-碳雙鍵之化合物、即放射線聚合性之含不飽和官能基之異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、異氰酸間異丙烯基-α,α-二甲基苄酯等。又，作為具有羥基之丙烯酸系聚合物，可列舉包含源自上述含羥基之單體、或源自2-羥基乙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚等醚系化合物之結構單元者。於第1丙烯酸系聚合物具有源自含不飽和官能基之異氰酸酯化合物之結構單元之情形時，第1丙烯酸系聚合物中之源自含不飽和官能基之異氰酸酯化合物之結構單元相對於源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之結構單元的莫耳比率較佳為0.1以上，更佳為0.2以上，進而較佳為0.3以上。又，上述莫耳比率較佳為2以下，更佳為1.5以下，進而較佳為1以下。若上述莫耳比率為0.1以上，則存在放射線硬化後之黏著劑層基於上述奈米壓痕法之彈性模數提高之傾向，於擴張步驟中可更良好地割斷接著劑層。若上述莫耳比率為2以下，則存在放射線硬化後之黏著劑層基於上述奈米壓痕法之彈性模數降低之傾向，可使擴張步驟中之黏著劑層更不易產生破裂。上述放射線硬化型黏著劑較佳為含有光聚合起始劑。作為上述光聚合起始劑，例如可列舉：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫系化合物、樟腦醌、鹵代酮、醯基膦氧化物、醯基磷酸酯等。作為上述α-酮醇系化合物，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等。作為上述苯乙酮系化合物，例如可列舉：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-啉基丙烷-1等。作為上述安息香醚系化合物，例如可列舉：安息香乙醚、安息香異丙醚、茴香偶姻甲醚等。作為上述縮酮系化合物，例如可列舉：苯偶醯二甲基縮酮等。作為上述芳香族磺醯氯系化合物，例如可列舉：2-萘磺醯氯等。作為上述光活性肟系化合物，例如可列舉：1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等。作為上述二苯甲酮系化合物，例如可列舉：二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等。作為上述9-氧硫系化合物，例如可列舉：9-氧硫、2-氯9-氧硫、2-甲基9-氧硫、2,4-二甲基9-氧硫、異丙基9-氧硫、2,4-二氯9-氧硫、2,4-二乙基9-氧硫、2,4-二異丙基9-氧硫等。放射線硬化型黏著劑中之光聚合起始劑之含量相對於基礎聚合物100質量份例如為0.05～20質量份。上述加熱發泡型黏著劑係含有藉由加熱而發泡或膨脹之成分(發泡劑、熱膨脹性微小球等)之黏著劑。作為上述發泡劑，可列舉各種無機系發泡劑或有機系發泡劑。作為上述無機系發泡劑，例如可列舉：碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硝酸銨、硼氫化鈉、疊氮化物類等。作為上述有機系發泡劑，例如可列舉：三氯單氟甲烷、二氯單氟甲烷等氯氟化烷烴，偶氮二異丁腈、偶氮二甲醯胺、偶氮二甲酸鋇等偶氮系化合物，對甲苯磺醯肼、二苯碸-3,3'-二磺醯肼、4,4'-氧基雙(苯磺醯肼)、烯丙基雙(磺醯肼)等肼系化合物，對甲苯磺醯半卡肼、4,4'-氧基雙(苯磺醯半卡肼)等半卡肼系化合物，5-啉基-1,2,3,4-硫雜三唑等三唑系化合物，N,N'-二亞硝基五亞甲基四胺、N,N'-二甲基-N,N'-二亞硝基對苯二甲醯胺等N-亞硝基系化合物等。作為上述熱膨脹性微小球，例如可列舉將藉由加熱而容易氣化膨脹之物質封入殼體內而構成之微小球。作為上述藉由加熱而容易氣化膨脹之物質，例如可列舉：異丁烷、丙烷、戊烷等。利用凝聚法或界面聚合法等將藉由加熱而容易氣化膨脹之物質封入至成殼物質內，藉此可製作熱膨脹性微小球。作為上述成殼物質，可使用表現出熱熔融性之物質、或能夠於封入物質之熱膨脹作用下破裂之物質。作為此種物質，例如可列舉：偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚碸等。作為上述黏著力非減弱型黏著劑層，例如可列舉感壓型黏著劑層。再者，感壓型黏著劑層中包含藉由預先對由上文關於黏著力減弱型黏著劑層所記述之放射線硬化型黏著劑所形成之黏著劑層照射放射線使之硬化但仍具有一定黏著力的形態之黏著劑層。作為形成黏著力非減弱型黏著劑層之黏著劑，可使用一種黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著劑。又，黏著劑層12可整體為黏著力非減弱型黏著劑層，亦可局部為黏著力非減弱型黏著劑層。例如於黏著劑層12具有單層構造之情形時，可黏著劑層12整體為黏著力非減弱型黏著劑層，亦可黏著劑層12中之特定部位(例如作為環狀框之貼附對象區域的位於中央區域之外側之區域)為黏著力非減弱型黏著劑層，其他部位(例如作為半導體晶圓之貼附對象區域的中央區域)為黏著力減弱型黏著劑層。又，於黏著劑層12具有積層構造之情形時，可積層構造中之全部之黏著劑層均為黏著力非減弱型黏著劑層，亦可積層構造中之一部分之黏著劑層為黏著力非減弱型黏著劑層。藉由預先對由放射線硬化型黏著劑所形成之黏著劑層照射放射線而硬化之形態之黏著劑層(經放射線照射過之放射線硬化型黏著劑層)即便因放射線照射導致黏著力減弱，亦表現出源於所含有之聚合物成分之黏著性，於切晶步驟等中能夠發揮切晶帶之黏著劑層所需之最低限度之黏著力。於使用經放射線照射過之放射線硬化型黏著劑層之情形時，於黏著劑層12之面擴展方向上，可黏著劑層12整體為經放射線照射過之放射線硬化型黏著劑層，亦可黏著劑層12局部為經放射線照射過之放射線硬化型黏著劑層，其他部分為未經放射線照射之放射線硬化型黏著劑層。作為形成上述感壓型黏著劑層之黏著劑，可使用公知或慣用之感壓型黏著劑，可較佳地使用以丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑或橡膠系黏著劑。於黏著劑層12含有丙烯酸系聚合物作為感壓型黏著劑之情形時，該丙烯酸系聚合物較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之結構單元作為質量比率最大之結構單元的聚合物。作為上述丙烯酸系聚合物，可採用例如作為上述黏著劑層可含有之丙烯酸系聚合物所說明之丙烯酸系聚合物(例如第1丙烯酸系聚合物)。黏著劑層12或形成黏著劑層12之黏著劑除上述各成分以外，亦可調配交聯促進劑、黏著賦予劑、防老化劑、著色劑(顏料、染料等)等公知或慣用之黏著劑層所使用之添加劑。作為上述著色劑，例如可列舉藉由放射線照射而著色之化合物。於含有藉由放射線照射而著色之化合物之情形時，可僅使經放射線照射之部分著色。上述藉由放射線照射而著色之化合物係於放射線照射前為無色或淺色，但藉由放射線照射而變為有色之化合物，例如可列舉隱色染料等。上述藉由放射線照射而著色之化合物之使用量並無特別限定，可適當選擇。黏著劑層12之厚度並無特別限定，於黏著劑層12為由放射線硬化型黏著劑所形成之黏著劑層之情形時，就取得該黏著劑層12於放射線硬化之前後對接著劑層20之接著力之平衡性之觀點而言，較佳為1～50 μm左右，更佳為2～30 μm，進而較佳為5～25 μm。 (接著劑層) 接著劑層20兼備作為表現出熱硬化性之黏晶用接著劑之功能、及用以保持半導體晶圓等工件與環狀框等框構件之黏著功能。接著劑層20能夠藉由施加拉伸應力而被割斷，從而可施加拉伸應力將其割斷而使用。接著劑層20及構成接著劑層20之接著劑可包含熱硬化性樹脂與例如作為黏合劑成分之熱塑性樹脂，亦可包含具有能夠與硬化劑反應而生成鍵之熱硬化性官能基之熱塑性樹脂。於構成接著劑層20之接著劑包含具有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之情形時，該接著劑無需包含熱硬化性樹脂(環氧樹脂等)。接著劑層20可具有單層構造，亦可具有多層構造。作為上述熱塑性樹脂，例如可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂等。上述熱塑性樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。作為上述熱塑性樹脂，較佳為丙烯酸系樹脂，其原因在於離子性雜質較少且耐熱性較高，故容易確保接著劑層20之接合可靠性。就同時實現接著劑層20於室溫及其附近之溫度下對環狀框之貼附性與防止剝離時之殘渣之觀點而言，接著劑層20較佳為包含玻璃轉移溫度為-10～10℃之聚合物作為熱塑性樹脂之主成分。所謂熱塑性樹脂之主成分係指於熱塑性樹脂成分中占最大質量比率之樹脂成分。關於聚合物之玻璃轉移溫度，可採用基於下述Fox式所求出之玻璃轉移溫度(理論值)。Fox式係聚合物之玻璃轉移溫度Tg與該聚合物中之各構成單體之均聚物之玻璃轉移溫度Tgi的關係式。於下述Fox式中，Tg表示聚合物之玻璃轉移溫度(℃)，Wi表示構成該聚合物之單體i之重量分率，Tgi表示單體i之均聚物之玻璃轉移溫度(℃)。均聚物之玻璃轉移溫度可採用文獻值，例如於「新高分子文庫7 塗料用合成樹脂入門」(北岡協三著，高分子刊行會，1995年)或「Acrylic Ester Catalog(1997年版)」(Mitsubishi Rayon股份有限公司)中列舉有各種均聚物之玻璃轉移溫度。另一方面，單體之均聚物之玻璃轉移溫度亦可藉由日本專利特開2007-51271號公報中所具體記載之方法而求出。 Fox式：1/(273＋Tg)＝Σ[Wi/(273＋Tgi)] 上述丙烯酸系樹脂較佳為包含源自含烴基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元作為質量比率最大之結構單元。作為該含烴基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉例如作為上述黏著劑層可含有之形成丙烯酸系聚合物之含烴基之(甲基)丙烯酸酯所例示之含烴基之(甲基)丙烯酸酯。上述丙烯酸系樹脂亦可包含源自能夠與含烴基之(甲基)丙烯酸酯共聚合之其他單體成分之結構單元。作為上述其他單體成分，例如可列舉：含羧基之單體、酸酐單體、含羥基之單體、含縮水甘油基之單體、含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、丙烯醯胺、丙烯腈等含官能基之單體或各種多官能性單體等，具體而言，可使用作為上述黏著劑層可含有之構成丙烯酸系聚合物之其他單體成分所例示者。作為上述丙烯酸系樹脂，其中，較佳為具有腈基之丙烯酸系聚合物(有時稱為「第2丙烯酸系聚合物」)。尤佳為黏著劑層12包含第1丙烯酸系聚合物且接著劑層20包含第2丙烯酸系聚合物。藉由黏著劑層12包含第1丙烯酸系聚合物且接著劑層20包含第2丙烯酸系聚合物之構成，不僅確保兩層間具有較高之剪切接著力，且可抑制於兩層間之積層方向上作用之結合性相互作用，因此，可進一步抑制於擴張步驟中附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層隆起，且可於拾取步驟中實現更良好之拾取。尤其於藉由上述積層塗佈方法積層形成黏著劑層與接著劑層之情形時，一般而言，該於兩層間之積層方向上作用之結合性之相互作用容易過剩，因此較佳為上述構成。具有腈基之第2丙烯酸系聚合物較佳為包含源自含腈基之單體之結構單元。作為含腈基之單體，例如可列舉：丙烯腈、甲基丙烯腈、氰基苯乙烯。於具有腈基之第2丙烯酸系聚合物之紅外線吸收光譜中，源自腈基之2240 cm^-1 附近之波峰(屬於C≡N伸縮振動之吸收峰)之高度相對於源自羰基之1730 cm^-1 附近之波峰(屬於C=O伸縮振動之吸收峰)之高度的比值較佳為0.01以上，更佳為0.015以上，進而較佳為0.02以上。又，上述比值較佳為0.1以下，更佳為0.09以下，進而較佳為0.08以下。即，較佳為將第2丙烯酸系聚合物之腈基相對含量設定為使上述比值處於此種範圍內之程度。若上述比值為0.01以上，則可於拾取步驟中實現更良好之拾取。若上述比值為0.1以下，則可進一步抑制於擴張步驟中經割斷之附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層隆起。於接著劑層20同時包含熱塑性樹脂與熱硬化性樹脂之情形時，作為該熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。上述熱硬化性樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。作為上述熱硬化性樹脂，較佳為環氧樹脂，其原因在於存在可能引起黏晶對象之半導體晶片腐蝕之離子性雜質等之含量較少之傾向。又，作為環氧樹脂之硬化劑，較佳為酚樹脂。作為上述環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型、乙內醯脲型、異氰尿酸三縮水甘油酯型、縮水甘油胺型之環氧樹脂等。其中，就與作為硬化劑之酚樹脂之反應性充分且耐熱性優異之方面而言，較佳為酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂。關於可發揮作為環氧樹脂硬化劑之作用之酚樹脂，例如可列舉：酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。作為酚醛清漆型酚樹脂，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等。上述酚樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。其中，就於用作作為黏晶用接著劑之環氧樹脂之硬化劑之情形時存在可提高該接著劑之連接可靠性之傾向之觀點而言，較佳為苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。於接著劑層20中，就使環氧樹脂與酚樹脂之硬化反應充分進行之觀點而言，以使該酚樹脂中之羥基相對於環氧樹脂成分中之環氧基1當量而較佳成為0.5～2.0當量、更佳成為0.7～1.5當量的量包含酚樹脂。於接著劑層20包含熱硬化性樹脂之情形時，就使接著劑層20適當表現出作為熱硬化型接著劑之功能之觀點而言，上述熱硬化性樹脂之含有比率相對於接著劑層20之總質量而較佳為5～60質量%，更佳為10～50質量%。於接著劑層20包含具有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂(例如第2丙烯酸系聚合物)之情形時，作為該熱塑性樹脂，例如可使用含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂。該含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之丙烯酸系樹脂較佳為包含源自含烴基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元作為質量比率最大之結構單元。作為該含烴基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉作為上述黏著劑層可含有之形成丙烯酸系聚合物之含烴基之(甲基)丙烯酸酯所例示之含烴基之(甲基)丙烯酸酯。另一方面，作為含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基，例如可列舉：縮水甘油基、羧基、羥基、異氰酸基等。其中，較佳為縮水甘油基、羧基。即，作為含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂，尤佳為含縮水甘油基之丙烯酸系樹脂、含羧基之丙烯酸系樹脂。又，較佳為一併含有含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂與硬化劑，作為該硬化劑，例如可列舉作為上述黏著劑層12形成用放射線硬化型黏著劑可含有之交聯劑所例示者。於含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基為縮水甘油基之情形時，較佳為使用多酚系化合物作為硬化劑，例如可使用上述各種酚樹脂。接著劑層20中可含有之第2丙烯酸系聚合物之環氧值較佳為0.05 eq/kg以上，更佳為0.1 eq/kg以上，進而較佳為0.2 eq/kg以上。又，該第2丙烯酸系聚合物之環氧值較佳為1 eq/kg以下，更佳為0.9 eq/kg以下。此種環氧值之第2丙烯酸系聚合物於接著劑層20中之含有比率較佳為5～95質量%，更佳為40～80質量%。接著劑層20中可含有之第2丙烯酸系聚合物之羧酸值較佳為1 mgKOH/g以上，更佳為3 mgKOH/g以上，進而較佳為5 mgKOH/g以上。又，該第2丙烯酸系聚合物之羧酸值較佳為20 mgKOH/g以下，更佳為18 mgKOH/g以下。此種羧酸值之第2丙烯酸系聚合物於接著劑層20中之含有比率較佳為5～95質量%，更佳為40～80質量%。對於在以黏晶為目的而進行硬化前之接著劑層20，為了實現一定程度之交聯度，較佳為例如於接著劑層形成用樹脂組合物中調配能夠與接著劑層20可含有之上述樹脂之分子鏈末端之官能基等反應並鍵結之多官能性化合物作為交聯成分。此種構成就提高接著劑層20於高溫下之接著特性之觀點，且就實現接著劑層20於耐熱性上之改善之觀點而言較佳。作為上述交聯成分，例如可列舉多異氰酸酯化合物。作為多異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯之加成物等。關於接著劑層形成用樹脂組合物中之交聯成分之含量，相對於具有能夠與該交聯成分反應並鍵結之上述官能基之樹脂100質量份，就提高所形成之接著劑層20之凝集力之觀點而言，較佳為0.05質量份以上，就提高所形成之接著劑層20之接著力之觀點而言，較佳為7質量份以下。又，作為上述交聯成分，亦可將環氧樹脂等其他多官能性化合物與多異氰酸酯化合物併用。接著劑層20中之高分子量成分之含有比率較佳為50～100質量%，更佳為50～80質量%。所謂高分子量成分係指重量平均分子量10000以上之成分。若上述高分子量成分之含有比率為上述範圍內，則就同時實現接著劑層20於室溫及其附近之溫度下對環狀框之貼附性與防止剝離時之殘渣的觀點而言較佳。又，接著劑層20亦可含有23℃下為液狀之液狀樹脂。於接著劑層20含有上述液狀樹脂之情形時，接著劑層20中之該液狀樹脂之含有比率較佳為1～10質量%，更佳為1～5質量%。若上述液狀樹脂之含有比率為上述範圍內，則就同時實現接著劑層20於室溫及其附近之溫度下對下述環狀框之貼附性與防止剝離時之殘渣的觀點而言較佳。接著劑層20較佳為含有填料。藉由對接著劑層20調配填料，可調整接著劑層20之導電性、或導熱性、彈性模數等物性。作為填料，可列舉無機填料及有機填料，尤佳為無機填料。作為無機填料，例如可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶質二氧化矽、非晶質二氧化矽，此外亦可列舉鋁、金、銀、銅、鎳等金屬單質、或合金、非晶質碳黑、石墨等。填料可具有球狀、針狀、薄片狀等各種形狀。作為上述填料，可僅使用一種，亦可使用兩種以上。就確保接著劑層20於下述冷擴張步驟中對環狀框之貼附性之觀點而言，接著劑層20中之填料含有比率較佳為30質量%以下，更佳為25質量%以下。上述填料之平均粒徑較佳為0.005～10 μm，更佳為0.005～1 μm。若上述平均粒徑為0.005 μm以上，則對半導體晶圓等被黏著體之潤濕性、接著性進一步提高。若上述平均粒徑為10 μm以下，則可充分發揮為了賦予上述各特性所添加之填料之效果，且可確保耐熱性。再者，填料之平均粒徑可使用例如光度式粒度分佈計(例如商品名「LA-910」，堀場製作所股份有限公司製造)求出。接著劑層20視需要亦可含有其他成分。作為上述其他成分，例如可列舉：硬化觸媒、阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑、染料等。作為上述阻燃劑，例如可列舉：三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。作為上述矽烷偶合劑，例如可列舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。作為上述離子捕捉劑，例如可列舉：水滑石類、氫氧化鉍、含水氧化銻(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-300」)、特定結構之磷酸鋯(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-100」)、矽酸鎂(例如協和化學工業股份有限公司製造之「Kyoword 600」)、矽酸鋁(例如協和化學工業股份有限公司製造之「Kyoword 700」)等。亦可使用能夠與金屬離子之間形成錯合物之化合物作為離子捕捉劑。作為此種化合物，例如可列舉：三唑系化合物、四唑系化合物、聯吡啶系化合物。該等之中，就與金屬離子之間所形成之錯合物之穩定性之觀點而言，較佳為三唑系化合物。作為此種三唑系化合物，例如可列舉：1,2,3-苯并三唑、1-{N,N-雙(2-乙基己基)胺基甲基}苯并三唑、羧基苯并三唑、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3-第三丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)苯并三唑、6-(2-苯并三唑基)-4-第三辛基-6'-第三丁基-4'-甲基-2,2'-亞甲基雙酚、1-(2',3'-羥基丙基)苯并三唑、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并三唑、1-(2-乙基己基胺基甲基)苯并三唑、2,4-二第三戊基-6-{(H-苯并三唑-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羥基-5-第三丁基苯基)-2H-苯并三唑、3-[3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-(1,1-二甲基乙基)-4-羥基苯基]丙酸C7-C9烷基酯、3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸辛酯、3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸2-乙基己酯、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-第三丁基苯酚、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)苯并三唑、2-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三丁基苯基)-5-氯-苯并三唑、2-[2-羥基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2,2'-亞甲基雙[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羥基-3,5-雙(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、3-[3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-第三丁基-4-羥基苯基]丙酸甲酯等。又，亦可使用氫醌(quinol)化合物、或羥基蒽醌化合物、多酚化合物等特定之含羥基之化合物作為離子捕捉劑。作為此種含羥基之化合物，具體而言，可列舉：1,2-苯二酚、茜素、蒽絳酚(anthrarufin)、單寧、沒食子酸、沒食子酸甲酯、連苯三酚等。上述其他添加劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。接著劑層20於溫度23℃、剝離速度300 mm/min、角度180°之條件下對SUS之黏著力較佳為0.1～20 N/10 mm，更佳為0.5～15 N/10 mm，進而較佳為1～12 N/10 mm。若上述黏著力為0.1 N/10 mm以上，則於擴張步驟中於接著劑層20貼附環狀框之情形時，可提高接著劑層20與環狀框之密接性，而於擴張步驟中利用環狀框良好地保持切晶黏晶膜X。若上述黏著力為20 N/10 mm以下，則於擴張步驟中於接著劑層20貼附環狀框之情形時，切晶黏晶膜X容易自環狀框剝離。上述對SUS之黏著力可使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)測定。供於該試驗之試樣片較佳為寬度50 mm×長度120 mm之尺寸之試驗片。接著劑層20於23℃下之儲存彈性模數較佳為100～4000 MPa，更佳為300～3000 MPa，進而較佳為500～2000 MPa。若上述儲存彈性模數為100 MPa以上，則於擴張步驟中於接著劑層20貼附環狀框之情形時，切晶黏晶膜X容易自環狀框剝離。若上述儲存彈性模數為4000 MPa以下，則於擴張步驟中於接著劑層20貼附環狀框之情形時，可提高接著劑層20與環狀框之密接性，而於擴張步驟中利用環狀框良好地保持切晶黏晶膜X。上述儲存彈性模數可使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)測定。供於該試驗之試樣片較佳為寬度50 mm×長度120 mm之尺寸之試驗片。接著劑層20之厚度(積層體之情形為總厚度)並無特別限定，例如1～200 μm。上限較佳為100 μm，更佳為80 μm。下限較佳為3 μm，更佳為5 μm。於本實施形態中，於切晶黏晶膜X之面內方向D上，接著劑層20之外周端20e與切晶帶10中之基材11之外周端11e及黏著劑層12之外周端12e相距1000 μm以內、較佳為500 μm以內。即，接著劑層20之外周端20e於膜面內方向D上，其全周位於相對於基材11之外周端11e而言之內側1000 μm至外側1000 μm之間、較佳為內側500 μm至外側500 μm之間，且位於相對於黏著劑層12之外周端12e而言之內側1000 μm至外側1000 μm之間、較佳為內側500 μm至外側500 μm之間。於切晶帶10或其黏著劑層12與其上之接著劑層20在面內方向D上具有實質相同尺寸之該構成中，接著劑層20不僅包含工件貼附用區域且包含框貼附用區域。於切晶黏晶膜X中，於切晶帶10之黏著劑層12為放射線硬化型黏著劑層之情形時，於溫度23℃、剝離速度300 mm/min之條件下之T型剝離試驗中，放射線硬化後之黏著劑層12與接著劑層20之間之剝離力較佳為0.06～0.25 N/20 mm，更佳為0.1～0.2 N/20 mm。若上述剝離力為0.06 N/20 mm以上，則可確保切晶帶之黏著劑層與其上之接著劑層之間之密接性，而進一步抑制於擴張步驟中附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層隆起。若上述剝離力為0.25 N/20 mm以下，則可於拾取步驟中實現更良好之拾取。再者，於本說明書中，所謂「放射線硬化型黏著劑層」係指由上述放射線硬化型黏著劑所形成之黏著劑層，包含具有放射線硬化性之黏著劑層及使該黏著劑層藉由放射線照射而硬化後之黏著劑層(經放射線照射過之放射線硬化型黏著劑層)兩者。於切晶黏晶膜X中，於溫度23℃、剝離速度300 mm/min之條件下之T型剝離試驗中，放射線硬化前之黏著劑層12與接著劑層20之間之剝離力較佳為2 N/20 mm以上，更佳為3 N/20 mm以上。若上述剝離力為2 N/20 mm以上，則於未進行放射線硬化之狀態下實施擴張步驟之情形時，可確保切晶帶之黏著劑層與其上之接著劑層之間之密接性，而進一步抑制於擴張步驟中附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層隆起，且可更良好地割斷接著劑層。又，上述剝離力例如為20 N/20 mm以下，較佳為10 N/20 mm以下。再者，上述所謂「放射線硬化前」係指未對黏著劑層照射放射線使之硬化之狀態，亦包括黏著劑層12並非放射線硬化型黏著劑層之情況。上述T型剝離試驗係使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)進行。供於該試驗之試樣片可藉由如下方式製作。首先，於黏著劑層為放射線硬化前且欲獲得放射線硬化後之黏著劑層12之情形時，自切晶黏晶膜X中之基材11側對黏著劑層12照射350 mJ/cm² 之紫外線而使黏著劑層12硬化。繼而，於切晶黏晶膜X之接著劑層20側貼合襯底膠帶(商品名「BT-315」，日東電工股份有限公司製造)後，切出寬度50 mm×長度120 mm之尺寸之試驗片。於切晶黏晶膜X中，黏著劑層12與接著劑層20之接觸面中之黏著劑層12之表面粗糙度Ra與接著劑層20之表面粗糙度Ra的差，即[(與接著劑層20之接觸面中之黏著劑層12之表面粗糙度Ra)－(與黏著劑層12之接觸面中之接著劑層20之表面粗糙度Ra)]之絕對值較佳為100 nm以下。若上述表面粗糙度Ra之差為100 nm以下，則可進一步提高切晶帶之黏著劑層與其上之接著劑層之間之密接性，可進一步抑制於擴張步驟中附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層局部地發生剝離即隆起。再者，關於上述黏著劑層12與接著劑層20之接觸面中之黏著劑層12之表面粗糙度Ra及接著劑層20之表面粗糙度Ra，例如可藉由如下方式獲得：於切晶黏晶膜X中之黏著劑層12與接著劑層20之界面進行剝離，對於黏著劑層12之與接著劑層20積層之側之表面、及接著劑層20之與黏著劑層12積層之側之表面，分別測定表面粗糙度Ra。切晶黏晶膜X如圖2所示可具有分隔件S。具體而言，可採用各切晶黏晶膜X分別附帶分隔件S之片狀之形態，亦可採用分隔件S呈長條狀而於其上配置複數個切晶黏晶膜X且將該分隔件S捲繞成輥狀之形態。分隔件S係用以被覆切晶黏晶膜X之接著劑層20之表面對其進行保護之元件，於使用切晶黏晶膜X時自該膜剝離。作為分隔件S，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、表面經氟系剝離劑或丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑塗佈之塑膠膜或紙類等。分隔件S之厚度例如為5～200 μm。作為本發明之切晶黏晶膜之一實施形態的切晶黏晶膜X例如藉由如下方式製造。首先，如圖3(a)所示，於分隔件S上製作接著劑膜20'。接著劑膜20'係待加工形成為上述接著劑層20之長條狀膜。於製作接著劑膜20'時，首先，製作包含樹脂、填料、硬化觸媒、溶劑等之形成接著劑層20之組合物(接著劑組合物)。繼而，於分隔件上塗佈接著劑組合物而形成接著劑組合物層。作為接著劑組合物之塗佈方法，例如可列舉：輥式塗佈、網版塗佈、凹版塗佈等。繼而，視需要藉由脫溶劑或硬化等使該接著劑組合物層固化。脫溶劑例如於溫度70～160℃、時間1～5分鐘之範圍內進行。藉由如上方式可於分隔件S上製作接著劑膜20'。繼而，如圖3(b)所示，於接著劑膜20'上積層形成黏著劑層12'。黏著劑層12'係待加工形成為上述黏著劑層12者。於形成黏著劑層12'時，首先，於接著劑膜20'上塗佈包含形成黏著劑層12之黏著劑及溶劑等之形成黏著劑層之組合物(黏著劑組合物)而形成黏著劑組合物層。作為黏著劑組合物之塗佈方法，例如可列舉：輥式塗佈、網版塗佈、凹版塗佈等。繼而，視需要藉由脫溶劑或硬化等使該黏著劑組合物層固化。脫溶劑例如於溫度80～150℃、時間0.5～5分鐘之範圍內進行。藉由此種積層塗佈方法而可形成待加工形成為接著劑層20之接著劑膜20'與待加工形成為黏著劑層12之黏著劑層12'。繼而，如圖3(c)所示，於黏著劑層12'上壓接基材11'而進行貼合。基材11'係待加工形成為上述基材11者。樹脂製基材11'可藉由壓延製膜法、有機溶劑中之流延法、密閉系統中之吹脹擠出法、T型模頭擠出法、共擠出法、乾式層壓法等製膜方法製作。視需要對製膜後之膜及基材11'實施表面處理。於本步驟中，貼合溫度例如為30～50℃，較佳為35～45℃。貼合壓力(線壓)例如為0.1～20 kgf/cm，較佳為1～10 kgf/cm。藉此，獲得具有分隔件S、接著劑膜20'、黏著劑層12'、及基材11'之積層構造之長條狀積層片體。又，於黏著劑層12如上所述為放射線硬化型黏著劑層之情形時，於與接著劑膜20'貼合後再對黏著劑層12'照射紫外線等放射線時，例如自基材11'側對黏著劑層12'進行紫外線等放射線之照射。該照射量例如為50～500 mJ/cm² ，較佳為100～300 mJ/cm² 。該照射區域例如待形成為與接著劑層20密接之黏著劑層12之區域整體。繼而，如圖3(d)所示，對於上述積層片體，實施將加工刀自基材11'之側起插入至分隔件S為止之加工(於圖3(d)中，以粗實線模式性地表示切斷部位)。例如一面使積層片體沿一方向F以一定速度移動，一面使以能夠繞與該方向F正交之軸心旋轉之方式配置且於輥表面安裝有衝壓加工用加工刀之附加工刀之旋轉輥(未圖示)的附加工刀之表面以特定之按壓力抵接於積層片體之基材11'側。藉此，一次加工形成切晶帶10(基材11、黏著劑層12)與接著劑層20，而於分隔件S上形成切晶黏晶膜X。此後，如圖3(e)所示，自分隔件S上去除切晶黏晶膜X周圍之材料積層部。藉由如上方式可製造切晶黏晶膜X。 [半導體裝置之製造方法] 可使用本發明之切晶黏晶膜而製造半導體裝置。具體而言，可藉由下述製造方法製造半導體裝置，該方法包括如下步驟：於本發明之切晶黏晶膜中之上述接著劑層側貼附包含複數個半導體晶片之半導體晶圓之分割體、或能夠單片化成複數個半導體晶片之半導體晶圓(有時稱為「步驟A」)；於相對低溫之條件下擴張本發明之切晶黏晶膜中之切晶帶以至少割斷上述接著劑層而獲得附接著劑層之半導體晶片(有時稱為「步驟B」)；於相對高溫之條件下擴張上述切晶帶以將上述附接著劑層之半導體晶片彼此之間隔擴寬(有時稱為「步驟C」)；及拾取上述附接著劑層之半導體晶片(有時稱為「步驟D」)。圖4～9表示使用本發明之切晶黏晶膜之半導體裝置製造方法之一實施形態。步驟A中所使用之上述包含複數個半導體晶片之半導體晶圓之分割體、或能夠單片化成複數個半導體晶片之半導體晶圓可藉由如下方式獲得。首先，如圖4(a)及圖4(b)所示，於半導體晶圓W上形成分割槽30a(分割槽形成步驟)。半導體晶圓W具有第1面Wa及第2面Wb。於半導體晶圓W中之第1面Wa側已置入各種半導體元件(未圖示)，且第1面Wa上已形成有該半導體元件所需之配線構造等(未圖示)。繼而，將具有黏著面T1a之晶圓加工用帶T1貼合於半導體晶圓W之第2面Wb側後，於半導體晶圓W保持於晶圓加工用帶T1之狀態下，使用切晶裝置等之旋轉刀片於半導體晶圓W之第1面Wa側形成特定深度之分割槽30a。分割槽30a係用以將半導體晶圓W分離成半導體晶片單元之空隙(於圖4～6中，以粗實線模式性地表示分割槽30a)。繼而，如圖4(c)所示，進行具有黏著面T2a之晶圓加工用帶T2向半導體晶圓W之第1面Wa側之貼合、與晶圓加工用帶T1自半導體晶圓W之剝離。繼而，如圖4(d)所示，於半導體晶圓W保持於晶圓加工用帶T2之狀態下，藉由對半導體晶圓W自第2面Wb進行研削加工而使之薄化，直至成為特定厚度(晶圓薄化步驟)。研削加工可使用具備研削磨石之研削加工裝置進行。藉由該晶圓薄化步驟，於本實施形態中，形成能夠單片化成複數個半導體晶片31之半導體晶圓30A。半導體晶圓30A具體而言，該晶圓於第2面Wb側具有將待單片化成複數個半導體晶片31之部位加以連結之部位(連結部)。半導體晶圓30A中之連結部之厚度、即半導體晶圓30A之第2面Wb與分割槽30a之第2面Wb側末端之間的距離例如為1～30 μm，較佳為3～20 μm。 (步驟A) 於步驟A中，於切晶黏晶膜X中之接著劑層20側貼附包含複數個半導體晶片之半導體晶圓之分割體、或能夠單片化成複數個半導體晶片之半導體晶圓。於步驟A之一實施形態中，如圖5(a)所示，將保持於晶圓加工用帶T2之半導體晶圓30A貼合於切晶黏晶膜X之接著劑層20。此後，如圖5(b)所示，自半導體晶圓30A剝離晶圓加工用帶T2。於切晶黏晶膜X中之黏著劑層12為放射線硬化型黏著劑層之情形時，亦可於將半導體晶圓30A貼合於接著劑層20後再自基材11之側對黏著劑層12照射紫外線等放射線，以此代替切晶黏晶膜X之製造過程中之上述放射線照射。照射量例如為50～500 mJ/cm² ，較佳為100～300 mJ/cm² 。切晶黏晶膜X中進行作為黏著劑層12之黏著力減弱措施之照射的區域(圖1所示之照射區域R)例如為黏著劑層12中之接著劑層20貼合區域內除其周緣部以外之區域。 (步驟B) 於步驟B中，於相對低溫之條件下擴張切晶黏晶膜X中之切晶帶10以至少割斷接著劑層20而獲得附接著劑層之半導體晶片。於步驟B之一實施形態中，首先，於切晶黏晶膜X中之接著劑層20上貼附環狀框41後，如圖6(a)所示，將附帶半導體晶圓30A之該切晶黏晶膜X固定於擴張裝置之保持具42。繼而，如圖6(b)所示，進行相對低溫之條件下之第1擴張步驟(冷擴張步驟)，而將半導體晶圓30A單片化成複數個半導體晶片31，且將切晶黏晶膜X之接著劑層20割斷成小片之接著劑層21，從而獲得附接著劑層之半導體晶片31。於冷擴張步驟中，使擴張裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜X之圖中下側抵接於切晶帶10並上升，將貼合有半導體晶圓30A之切晶黏晶膜X之切晶帶10於包含半導體晶圓30A之徑方向及周方向之二維方向上進行拉伸而使之擴張。該擴張係於使切晶帶10產生15～32 MPa、較佳為20～32 MPa之範圍內之拉伸應力的條件下進行。冷擴張步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～‑5℃，更佳為-15℃。冷擴張步驟中之擴張速度(頂起構件43之上升速度)較佳為0.1～100 mm/sec。又，冷擴張步驟中之擴張量較佳為3～16 mm。於步驟B中使用能夠單片化成複數個半導體晶片之半導體晶圓30A之情形時，半導體晶圓30A於較薄且易破裂之部位發生割斷而單片化成半導體晶片31。並且，於步驟B中，切晶帶10產生之拉伸應力於與受到擴張之切晶帶10之黏著劑層12密接之接著劑層20中，發揮於與各半導體晶片31密接之各區域中抑制變形之作用，另一方面，於位於半導體晶片31間之分割槽之圖中垂直方向上之部位，未產生此種變形抑制作用。其結果，接著劑層20於位於半導體晶片31間之分割槽之垂直方向上之部位發生割斷。於藉由擴張而割斷後，如圖6(c)所示，使頂起構件43下降而解除切晶帶10之擴張狀態。 (步驟C) 於步驟C中，於相對高溫之條件下擴張上述切晶帶10以將上述附接著劑層之半導體晶片彼此之間隔擴寬。於步驟C之一實施形態中，首先，如圖7(a)所示，進行相對高溫之條件下之第2擴張步驟(常溫擴張步驟)，而將附接著劑層之半導體晶片31間之距離(間隔距離)擴寬。於步驟C中，使擴張裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43再次上升，而將切晶黏晶膜X之切晶帶10進行擴張。第2擴張步驟中之溫度條件例如為10℃以上，較佳為15～30℃。第2擴張步驟中之擴張速度(頂起構件43之上升速度)例如為0.1～10 mm/sec，較佳為0.3～1 mm/sec。又，第2擴張步驟中之擴張量例如為3～16 mm。於步驟C中，將附接著劑層之半導體晶片31之間隔距離擴寬至在下述拾取步驟中能夠適當地自切晶帶10拾取附接著劑層之半導體晶片31之程度。藉由擴張而擴寬間隔距離後，如圖7(b)所示，使頂起構件43下降而解除切晶帶10之擴張狀態。就抑制切晶帶10上之附接著劑層之半導體晶片31之間隔距離於擴張狀態解除後縮小之觀點而言，較佳為於解除擴張狀態前，對切晶帶10中之較半導體晶片31保持區域而言外側之部分進行加熱而使之收縮。於步驟C之後，視需要亦可具有清洗步驟，即，使用水等清洗液對附帶附接著劑層之半導體晶片31的切晶帶10中之半導體晶片31側進行清洗。 (步驟D) 於步驟D(拾取步驟)中，拾取經單片化之附接著劑層之半導體晶片。於步驟D之一實施形態中，視需要經過上述清洗步驟後，如圖8所示，自切晶帶10拾取附接著劑層之半導體晶片31。例如於切晶帶10之圖中下側，使拾取機構之銷構件44上升而隔著切晶帶10將拾取對象之附接著劑層之半導體晶片31頂起後，利用吸附治具45進行吸附保持。於拾取步驟中，銷構件44之頂起速度例如為1～100 mm/sec，銷構件44之頂起量例如為50～3000 μm。上述半導體裝置之製造方法亦可包括步驟A～D以外之其他步驟。例如於一實施形態中，如圖9(a)所示，將所拾取之附接著劑層之半導體晶片31經由接著劑層21而暫時固定於被黏著體51(暫固定步驟)。作為被黏著體51，例如可列舉：引線框架、TAB(Tape Automated Bonding，捲帶式自動接合)膜、配線基板、另外製作之半導體晶片等。接著劑層21於暫時固定時在25℃下對被黏著體51之剪切接著力較佳為0.2 MPa以上，更佳為0.2～10 MPa。接著劑層21之上述剪切接著力為0.2 MPa以上之構成可抑制於下述打線接合步驟中因超音波振動或加熱導致接著劑層21與半導體晶片31或與被黏著體51之接著面處產生剪切變形之情況，而可適當地進行打線接合。又，接著劑層21於暫時固定時在175℃下對被黏著體51之剪切接著力較佳為0.01 MPa以上，更佳為0.01～5 MPa。繼而，如圖9(b)所示，將半導體晶片31之電極墊(未圖示)與被黏著體51所具有之端子部(未圖示)經由接合線52而電性連接(打線接合步驟)。半導體晶片31之電極墊或被黏著體51之端子部與接合線52之接線可藉由附帶加熱之超音波焊接而實現，且以不會使接著劑層21熱硬化之方式進行。作為接合線52，例如可使用金線、鋁線、銅線等。打線接合時之線加熱溫度例如為80～250℃，較佳為80～220℃。又，其加熱時間為數秒～數分鐘。繼而，如圖9(c)所示，藉由用以保護被黏著體51上之半導體晶片31或接合線52之密封樹脂53而將半導體晶片31加以密封(密封步驟)。於密封步驟中，接著劑層21進行熱硬化。於密封步驟中，例如藉由使用模具進行之轉注成形技術形成密封樹脂53。作為密封樹脂53之構成材料，例如可使用環氧系樹脂。於密封步驟中，用以形成密封樹脂53之加熱溫度例如為165～185℃，加熱時間例如為60秒～數分鐘。於密封步驟中密封樹脂53未充分硬化之情形時，於密封步驟之後進行用以使密封樹脂53完全硬化之後硬化步驟。於密封步驟中接著劑層21未完全熱硬化之情形時，亦可於後硬化步驟中使接著劑層21與密封樹脂53一起實現完全之熱硬化。於後硬化步驟中，加熱溫度例如為165～185℃，加熱時間例如為0.5～8小時。於上述實施形態中，如上所述，將附接著劑層之半導體晶片31暫時固定於被黏著體51後，進行打線接合步驟而暫不使接著劑層21完全熱硬化。於上述半導體裝置之製造方法中，亦可代替此種構成，將附接著劑層之半導體晶片31暫時固定於被黏著體51後，先使接著劑層21熱硬化後再進行打線接合步驟。於上述半導體裝置之製造方法中，作為另一實施形態，亦可進行圖10所示之晶圓薄化步驟代替參照圖4(d)之上述晶圓薄化步驟。參照圖4(c)經過上述過程後，於圖10所示之晶圓薄化步驟中，於半導體晶圓W保持於晶圓加工用帶T2之狀態下，藉由對該晶圓自第2面Wb進行研削加工而使之薄化，直至成為特定厚度，而形成包含複數個半導體晶片31且保持於晶圓加工用帶T2之半導體晶圓分割體30B。於上述晶圓薄化步驟中，可採用如下方法：研削晶圓直至分割槽30a於第2面Wb側露出(第1方法)；亦可採用如下方法：自第2面Wb側研削晶圓直至即將到達分割槽30a，其後，藉由自旋轉磨石向晶圓之按壓力之作用使分割槽30a與第2面Wb之間產生裂痕而形成半導體晶圓分割體30B(第2方法)。根據所採用之方法，適當決定參照圖4(a)及圖4(b)如上所述般所形成之分割槽30a距離第1面Wa之深度。於圖10中，以粗實線模式性地表示經第1方法處理後之分割槽30a、或經第2方法處理後之分割槽30a及其所連接之裂痕。於上述半導體裝置之製造方法中，於步驟A中，可使用藉由如上方式製作之作為半導體晶圓分割體之半導體晶圓分割體30B代替半導體晶圓30A，參照圖5～圖9而進行上述各步驟。圖11(a)及圖11(b)係表示該實施形態中之步驟B，即，於切晶黏晶膜X貼合半導體晶圓分割體30B後進行之第1擴張步驟(冷擴張步驟)。於該實施形態中之步驟B中，使擴張裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜X之圖中下側抵接於切晶帶10並上升，將貼合有半導體晶圓分割體30B之切晶黏晶膜X之切晶帶10於包含半導體晶圓分割體30B之徑方向及周方向之二維方向上進行拉伸而使之擴張。該擴張係於使切晶帶10產生例如5～28 MPa、較佳為8～25 MPa之範圍內之拉伸應力的條件下進行。冷擴張步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，進而較佳為-15℃。冷擴張步驟中之擴張速度(頂起構件43之上升速度)較佳為1～400 mm/sec。又，冷擴張步驟中之擴張量較佳為50～200 mm。藉由此冷擴張步驟，將切晶黏晶膜X之接著劑層20割斷成小片之接著劑層21而獲得附接著劑層之半導體晶片31。具體而言，於冷擴張步驟中，切晶帶10產生之拉伸應力於與受到擴張之切晶帶10之黏著劑層12密接之接著劑層20中，發揮於與半導體晶圓分割體30B之各半導體晶片31密接之各區域中抑制變形之作用，另一方面，於位於半導體晶片31間之分割槽30a之圖中垂直方向上之部位，未產生此種變形抑制作用。其結果，接著劑層20於位於半導體晶片31間之分割槽30a之圖中垂直方向上之部位發生割斷。於上述半導體裝置之製造方法中，作為又一實施形態，亦可使用藉由如下方式製作之半導體晶圓30C代替步驟A中使用之半導體晶圓30A或半導體晶圓分割體30B。於該實施形態中，如圖12(a)及圖12(b)所示，首先，於半導體晶圓W形成改質區域30b。半導體晶圓W具有第1面Wa及第2面Wb。於半導體晶圓W中之第1面Wa側已置入各種半導體元件(未圖示)，且第1面Wa上已形成有該半導體元件所需之配線構造等(未圖示)。進而，將具有黏著面T3a之晶圓加工用帶T3貼合於半導體晶圓W之第1面Wa側後，於半導體晶圓W保持於晶圓加工用帶T3之狀態下，自晶圓加工用帶T3之相反側對半導體晶圓W沿分割預定線向晶圓內部照射由聚光點聚集而成之雷射光，藉由利用多光子吸收之剝蝕而於半導體晶圓W內形成改質區域30b。改質區域30b係用以將半導體晶圓W分離成半導體晶片單元之脆弱化區域。關於藉由對半導體晶圓照射雷射光而於分割預定線上形成改質區域30b之方法，例如於日本專利特開2002-192370號公報中有詳細記述，該實施形態中之雷射光照射條件例如於以下條件範圍內適當調整。＜雷射光照射條件＞ (A)雷射光雷射光源：半導體雷射激發Nd：YAG雷射波長：1064 nm 雷射光點截面面積：3.14×10^-8 cm² 振盪形態：Q開關脈衝反覆頻率：100 kHz以下脈衝寬度：1 μs以下輸出：1 mJ以下雷射光品質：TEM00 偏光特性：直線偏光 (B)聚光用透鏡倍率：100倍以下 NA(numerical aperture，數值孔徑)：0.55 對雷射光波長之透過率：100%以下 (C)供載置半導體基板之載置台之移動速度：280 mm/sec以下繼而，如圖12(c)所示，於半導體晶圓W保持於晶圓加工用帶T3之狀態下，藉由對半導體晶圓W自第2面Wb進行研削加工而使之薄化，直至成為特定厚度，藉此形成能夠單片化成複數個半導體晶片31之半導體晶圓30C(晶圓薄化步驟)。於上述半導體裝置之製造方法中，於步驟A中，可使用藉由如上方式製作之半導體晶圓30C代替半導體晶圓30A作為能夠進行單片化之半導體晶圓，參照圖5～圖9而進行上述各步驟。圖13(a)及圖13(b)係表示該實施形態中之步驟B，即，於切晶黏晶膜X貼合半導體晶圓30C後進行之第1擴張步驟(冷擴張步驟)。於冷擴張步驟中，使擴張裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜X之圖中下側抵接於切晶帶10並上升，將貼合有半導體晶圓30C之切晶黏晶膜X之切晶帶10於包含半導體晶圓30C之徑方向及周方向之二維方向上進行拉伸而使之擴張。該擴張係於使切晶帶10產生例如5～28 MPa、較佳為8～25 MPa之範圍內之拉伸應力的條件下進行。冷擴張步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，進而較佳為-15℃。冷擴張步驟中之擴張速度(頂起構件43之上升速度)較佳為1～400 mm/sec。又，冷擴張步驟中之擴張量較佳為50～200 mm。藉由此冷擴張步驟，將切晶黏晶膜X之接著劑層20割斷成小片之接著劑層21而獲得附接著劑層之半導體晶片31。具體而言，於冷擴張步驟中，使半導體晶圓30C於脆弱之改質區域30b形成裂痕而單片化成半導體晶片31。並且，於冷擴張步驟中，切晶帶10產生之拉伸應力於與受到擴張之切晶帶10之黏著劑層12密接之接著劑層20中，發揮於與半導體晶圓30C之各半導體晶片31密接之各區域中抑制變形之作用，另一方面，於位於晶圓之裂痕形成部位之圖中垂直方向上之部位，未產生此種變形抑制作用。其結果，接著劑層20於位於半導體晶片31間之裂痕形成部位之圖中垂直方向上之部位發生割斷。又，於上述半導體裝置之製造方法中，切晶黏晶膜X如上所述可用於獲得附接著劑層之半導體晶片之用途，亦可用於獲得積層複數個半導體晶片進行三維安裝之情形時之附接著劑層之半導體晶片之用途。於此種三維安裝中之半導體晶片31間，可一併介存接著劑層21與間隔件，亦可不介存間隔件。 [實施例] 以下，列舉實施例而更詳細地說明本發明，但本發明並不受該等實施例之任何限定。實施例1 (接著劑層) 於甲基乙基酮中添加丙烯酸系聚合物A₁ (丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯腈、及甲基丙烯酸縮水甘油酯之共聚物，即上述第2丙烯酸系聚合物，重量平均分子量為120萬，玻璃轉移溫度為0℃，環氧值為0.4 eq/kg)54質量份、固態酚樹脂(商品名「MEHC-7851SS」，23℃下固態，明和化成股份有限公司製造)3質量份、液態酚樹脂(商品名「MEH-8000H」，23℃下液狀，明和化成股份有限公司製造)3質量份、及二氧化矽填料(商品名「SO-C2」，平均粒徑為0.5 μm，Admatechs股份有限公司製造)40質量份，加以混合，調整濃度以使室溫下之黏度成為700 mPa・s，而獲得接著劑組合物。繼而，於具有經聚矽氧脫模處理之面之PET分隔件(厚度38 μm)之聚矽氧脫模處理面上，使用敷料器塗佈接著劑組合物而形成塗膜，對該塗膜於130℃下進行2分鐘之脫溶劑。藉由如上方式於PET分隔件上製作實施例1中之厚度10 μm之接著劑層。將實施例1中之接著劑層之組成示於表1(於表1中，除下述關於MOI之數值以外，表示組合物之組成之各數值之單位係該組合物內之相對“質量份”)。 (黏著劑層) 於具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計、及攪拌裝置之反應容器內，將包含丙烯酸月桂酯(LA)100莫耳份、丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)20莫耳份、相對於該等單體成分100質量份為0.2質量份之作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯、及作為聚合溶劑之甲苯的混合物於氮氣環境中於60℃下攪拌10小時(聚合反應)。藉此，獲得含有丙烯酸系聚合物P₁ 之聚合物溶液。該聚合物溶液中之丙烯酸系聚合物P₁ 其重量平均分子量(Mw)為46萬，玻璃轉移溫度為9.5℃，源自LA之結構單元相對於源自2HEA之結構單元之莫耳比率為5。繼而，將包含該含有丙烯酸系聚合物P₁ 之聚合物溶液、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)、及作為加成反應觸媒之二月桂酸二丁基錫的混合物於空氣環境中於室溫下攪拌48小時(加成反應)。於該反應溶液中，MOI之調配量相對於上述丙烯酸月桂酯100莫耳份為16莫耳份，該MOI調配量相對於丙烯酸系聚合物P₁ 中之源自2HEA之結構單元或其羥基總量的莫耳比率為0.8。又，於該反應溶液中，二月桂酸二丁基錫之調配量相對於丙烯酸系聚合物P₁ 100質量份為0.01質量份。藉由該加成反應，獲得含有側鏈具有甲基丙烯酸酯基之丙烯酸系聚合物P₂ (包含源自含不飽和官能基之異氰酸酯化合物之結構單元的上述第1丙烯酸系聚合物)之聚合物溶液。繼而，於該聚合物溶液中添加相對於丙烯酸系聚合物P₂ 100質量份為1質量份之多異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Tosoh股份有限公司製造)與2質量份之光聚合起始劑(商品名「Irgacure 127」，BASF公司製造)，加以混合，並對該混合物添加甲苯進行稀釋以使該混合物於室溫下之黏度成為500 mPa・s，而獲得黏著劑組合物。繼而，使用敷料器，於形成於PET分隔件上之上述接著劑層上塗佈黏著劑組合物而形成塗膜，對該塗膜於130℃下進行2分鐘之脫溶劑，而於接著劑層上形成厚度10 μm之黏著劑層。繼而，使用貼合機，於室溫下於該黏著劑層之露出面貼合乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)製基材(商品名「RB-0104」，厚度130 μm，倉敷紡織股份有限公司製造)。繼而，進行將加工刀自EVA基材側插入至分隔件為止之衝壓加工。藉此，於分隔件上形成具有EVA基材/黏著劑層/接著劑層之積層構造之直徑370 mm之圓盤形狀之切晶黏晶膜。繼而，對切晶帶中之黏著劑層自EVA基材側照射紫外線。於照射紫外線時，使用高壓水銀燈，累計照射光量設為350 mJ/cm² 。藉由如上方式製作具有切晶帶(EVA基材/黏著劑層)與接著劑層之積層構造之實施例1之切晶黏晶膜。實施例2及3 於形成黏著劑層時，將MOI之調配量由16莫耳份變為12莫耳份(實施例2)或8莫耳份(實施例3)，除此以外，藉由與實施例1之切晶黏晶膜相同之方式製作實施例2及3之各切晶黏晶膜。實施例4 (黏著劑層) 於具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計、及攪拌裝置之反應容器內，將包含丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)100莫耳份、丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)20莫耳份、相對於該等單體成分100質量份為0.2質量份之作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯、及作為聚合溶劑之甲苯的混合物於氮氣環境中於60℃下攪拌10小時(聚合反應)。藉此，獲得含有丙烯酸系聚合物P₃ 之聚合物溶液。該聚合物溶液中之丙烯酸系聚合物P₃ 其重量平均分子量(Mw)為40萬，玻璃轉移溫度為9.5℃，源自2EHA之結構單元相對於源自2HEA之結構單元之莫耳比率為5。繼而，將包含該含有丙烯酸系聚合物P₃ 之聚合物溶液、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)、及作為加成反應觸媒之二月桂酸二丁基錫的混合物於空氣環境中於室溫下攪拌48小時(加成反應)。於該反應溶液中，MOI之調配量相對於上述丙烯酸2-乙基己酯100莫耳份為16莫耳份，該MOI調配量相對於丙烯酸系聚合物P₃ 中之源自2HEA之結構單元或其羥基總量的莫耳比率為0.8。又，於該反應溶液中，二月桂酸二丁基錫之調配量相對於丙烯酸系聚合物P₃ 100質量份為0.01質量份。藉由該加成反應，獲得含有側鏈具有甲基丙烯酸酯基之丙烯酸系聚合物P₄ (包含源自含不飽和官能基之異氰酸酯化合物之結構單元的丙烯酸系聚合物)之聚合物溶液。繼而，於該聚合物溶液中添加相對於丙烯酸系聚合物P₄ 100質量份為1質量份之多異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Tosoh股份有限公司製造)與2質量份之光聚合起始劑(商品名「Irgacure 127」，BASF公司製造)，進行混合，並對該混合物添加甲苯進行稀釋以使該混合物於室溫下之黏度成為500 mPa・s，而獲得黏著劑組合物。進而，使用該黏著劑組合物作為黏著劑組合物，除此以外，藉由與實施例1之切晶黏晶膜相同之方式製作實施例4之切晶黏晶膜。實施例5 (黏著劑層) 使用敷料器，於具有經聚矽氧脫模處理之面之PET分隔件(厚度38 μm)之聚矽氧脫模處理面上塗佈實施例4中所製作之黏著劑組合物而形成塗膜，對該塗膜於130℃下進行2分鐘之脫溶劑，而於PET分隔件上形成厚度10 μm之黏著劑層。繼而，使用貼合機，於室溫下於該黏著劑層之露出面貼合乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)製基材(商品名「RB-0104」，厚度130 μm，倉敷紡織股份有限公司製造)。藉由如上方式製作具有EVA基材/黏著劑層之積層構造之切晶帶。 (接著劑層) 自上述切晶帶剝離PET分隔件，於露出之黏著劑層貼合實施例1中所製作之附接著劑層之PET分隔件之接著劑層。於貼合時，將切晶帶之中心與接著劑層之中心進行位置對準。又，使用手動輥進行貼合。繼而，進行將加工刀自EVA基材側插入至分隔件為止之衝壓加工。藉此，於分隔件上形成具有EVA基材/黏著劑層/接著劑層之積層構造之直徑370 mm之圓盤形狀之切晶黏晶膜。繼而，對切晶帶中之黏著劑層自EVA基材側照射紫外線。於照射紫外線時，使用高壓水銀燈，累計照射光量設為350 mJ/cm² 。藉由如上方式製作具有包含切晶帶(EVA基材/黏著劑層)與接著劑層之積層構造之實施例5之切晶黏晶膜。比較例1 於形成黏著劑層時，將MOI之調配量由16莫耳份變為20莫耳份，除此以外，藉由與實施例4之切晶黏晶膜相同之方式製作比較例1之切晶黏晶膜。＜評價＞針對實施例及比較例中所獲得之切晶黏晶膜，進行以下之評價。將結果示於表1。 (基於奈米壓痕法之彈性模數) 對於實施例及比較例中分別所獲得之各切晶黏晶膜，自黏著劑層上剝離接著劑層，針對黏著劑層之剝離面，使用奈米壓痕儀(商品名「TriboIndenter」，HYSITRON Inc.公司製造)，於以下之條件下進行黏著劑層表面之奈米壓痕測定。進而，將所獲得之彈性模數示於表1。使用壓子：Berkovich(三角錐型) 測定方法：單一壓入測定測定溫度：23℃ 頻率：100 Hz 壓入深度設定：500 nm 荷重：1 mN 負荷速度：0.1 mN/s 除荷速度：0.1 mN/s 保持時間：1 s (表面粗糙度) 對於實施例及比較例中分別所獲得之各切晶黏晶膜，自黏著劑層上剝離接著劑層，針對黏著劑層及接著劑層之剝離面，測定各自之表面粗糙度Ra。再者，表面粗糙度之測定係使用共焦雷射顯微鏡(商品名「OPTELICS H300」，Lasertec股份有限公司製造)進行。進而，將所獲得之各自之表面粗糙度Ra及其差示於表1。 (紫外線硬化後之T型剝離試驗) 針對實施例及比較例中分別所獲得之各切晶黏晶膜，藉由如下方式測定黏著劑層與接著劑層之間之剝離力。首先，由各切晶黏晶膜製作試驗片。具體而言，於切晶黏晶膜之接著劑層側貼合襯底膠帶(商品名「BT-315」，日東電工股份有限公司製造)，自具有該襯底膠帶之切晶黏晶膜切出寬度50 mm×長度120 mm之尺寸之試驗片。進而，使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)，對試驗片進行T型剝離試驗，測定剝離力(N/20 mm)。於本測定中，溫度條件設為23℃，剝離速度設為300 mm/min。將測定結果示於表1。 (擴張步驟與拾取步驟之實施) 使用實施例及比較例中分別所獲得之各切晶黏晶膜，進行如下之貼合步驟、用以割斷之第1擴張步驟(冷擴張步驟)、用以間隔之第2擴張步驟(常溫擴張步驟)、及拾取步驟。於貼合步驟中，將保持於晶圓加工用帶(商品名「UB-3083D」，日東電工股份有限公司製造)之半導體晶圓分割體貼合於切晶黏晶膜之接著劑層，其後，自半導體晶圓分割體剝離晶圓加工用帶。於貼合時，使用貼合機，貼合速度設為10 mm/sec，溫度條件設為60℃，壓力條件設為0.15 MPa。又，半導體晶圓分割體係藉由如下方式形成而準備。首先，針對處於與環狀框一起保持於晶圓加工用帶(商品名「V12S-R2-P」，日東電工股份有限公司製造)之狀態的裸晶圓(直徑12英吋，厚度780 μm，東京化工股份有限公司製造)，於其一面之側，使用切晶裝置(商品名「DFD6260」，Disco股份有限公司製造)，利用其旋轉刀片形成單片化用之分割槽(寬度25 μm，深度50 μm，一區塊6 mm×12 mm之格子狀)。繼而，於分割槽形成面貼合晶圓加工用帶(商品名「UB-3083D」，日東電工股份有限公司製造)後，將上述晶圓加工用帶(商品名「V12S-R2-P」)自晶圓剝離。此後，使用背面研磨裝置(商品名「DGP8760」，Disco股份有限公司製造)，自晶圓之另一面(未形成分割槽之面)之側進行研削，藉此將該晶圓薄化至厚度20 μm，繼而，使用同一裝置進行乾式拋光，藉此對該研削面實施鏡面拋光。藉由如上方式形成半導體晶圓分割體(處於保持於晶圓加工用帶之狀態)。該半導體晶圓分割體中包含複數個半導體晶片(6 mm×12 mm)。冷擴張步驟係使用晶片隔離裝置(商品名「Die Separator DDS3200」，Disco股份有限公司製造)，藉由其冷擴張單元進行。具體而言，首先，於室溫下，於附帶半導體晶圓分割體之上述切晶黏晶膜中之接著劑層之框貼附用區域(工件貼附用區域之周圍)貼附直徑12英吋之SUS製環狀框(Disco股份有限公司製造)。繼而，將該切晶黏晶膜安裝於裝置內，藉由同一裝置之冷擴張單元對附帶半導體晶圓分割體之切晶黏晶膜之切晶帶進行擴張。於該冷擴張步驟中，溫度為-15℃，擴張速度為100 mm/sec，擴張量為7 mm。常溫擴張步驟係使用晶片隔離裝置(商品名「Die Separator DDS3200」，Disco股份有限公司製造)，藉由其常溫擴張單元進行。具體而言，藉由同一裝置之常溫擴張單元對經過上述冷擴張步驟之附帶半導體晶圓分割體之切晶黏晶膜之切晶帶進行擴張。於該常溫擴張步驟中，溫度為23℃，擴張速度為1 mm/sec，擴張量為10 mm。此後，對經過常溫擴張之切晶黏晶膜實施加熱收縮處理。該處理溫度為200℃，處理時間為20秒。於拾取步驟中，使用具有拾取機構之裝置(商品名「Die Bonder SPA-300」，新川股份有限公司製造)，嘗試於切晶帶上拾取經單片化之附接著劑層之半導體晶片。關於該拾取，銷構件之頂起速度為1 mm/sec，頂起量為2000 μm，拾取評價數為5個。於使用實施例及比較例中所獲得之各切晶黏晶膜進行之如上所述之過程中，關於冷擴張步驟，於附接著劑層之半導體晶片自切晶帶之隆起之面積為5%以下之情形時，將割斷時之隆起評價為良(○)，於隆起之面積超過5%且為40%以下之情形時，將割斷時之隆起評價為可(△)。關於拾取步驟，於5個附接著劑層之半導體晶片全部自切晶帶成功拾取之情形時，將拾取性評價為良(○)，於1～4個成功拾取之情形時，將拾取性評價為可(△)，於無一成功拾取之情形時，將拾取性評價為不良(×)。將該等之評價結果示於表1。 [表1] 根據實施例1～4之切晶黏晶膜，於冷擴張步驟中，可良好地割斷接著劑層而不會發生附接著劑層之半導體晶片自切晶帶隆起之情況，並且，於拾取步驟中，可適當地拾取附接著劑層之半導體晶片。

1‧‧‧切晶黏晶膜

10‧‧‧切晶帶

10'‧‧‧帶

11‧‧‧基材

11'‧‧‧基材

11e‧‧‧外周端

12‧‧‧黏著劑層

12'‧‧‧黏著劑層

12a‧‧‧黏著面

12e‧‧‧外周端

20‧‧‧接著劑層

20'‧‧‧接著劑膜

20e‧‧‧外周端

21‧‧‧接著劑層

30a‧‧‧分割槽

30b‧‧‧改質區域

30A‧‧‧半導體晶圓

30B‧‧‧半導體晶圓分割體

30C‧‧‧半導體晶圓

31‧‧‧半導體晶片

41‧‧‧環狀框

42‧‧‧保持具

43‧‧‧頂起構件

44‧‧‧銷構件

45‧‧‧吸附治具

51‧‧‧被黏著體

52‧‧‧接合線

53‧‧‧密封樹脂

60‧‧‧切晶帶

61‧‧‧基材

62‧‧‧黏著劑層

62e‧‧‧外周端

70‧‧‧黏晶膜

70e‧‧‧外周端

81‧‧‧半導體晶圓

82‧‧‧環狀框

83‧‧‧分隔件

D‧‧‧面內方向

F‧‧‧移動方向

R‧‧‧照射區域

S‧‧‧分隔件

T1‧‧‧晶圓加工用帶

T1a‧‧‧黏著面

T2‧‧‧晶圓加工用帶

T2a‧‧‧黏著面

T3‧‧‧晶圓加工用帶

T3a‧‧‧黏著面

W‧‧‧半導體晶圓

Wa‧‧‧第1面

Wb‧‧‧第2面

X‧‧‧切晶黏晶膜

Y‧‧‧ 切晶黏晶膜

圖1係本發明之切晶黏晶膜之一實施形態之剖面模式圖。圖2係表示圖1所示之切晶黏晶膜於具有分隔件之情形時之一例。圖3(a)～(e)係表示圖1所示之切晶黏晶膜之製造方法之一例。圖4(a)～(d)係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置之製造方法中之部分步驟。圖5(a)、(b)係表示圖4所示之步驟之後續步驟。圖6(a)～(c)係表示圖5所示之步驟之後續步驟。圖7(a)、(b)係表示圖6所示之步驟之後續步驟。圖8係表示圖7所示之步驟之後續步驟。圖9(a)～(c)係表示圖8所示之步驟之後續步驟。圖10係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置之製造方法之變化例中之部分步驟。圖11(a)、(b)係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置之製造方法之變化例中之部分步驟。圖12(a)～(c)係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置之製造方法之變化例中之部分步驟。圖13(a)、(b)係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置之製造方法之變化例中之部分步驟。圖14係表示先前之切晶黏晶膜之剖面模式圖。圖15係表示圖14所示之切晶黏晶膜之使用態樣。圖16係表示圖14所示之切晶黏晶膜之一供給形態。

Claims

一種切晶黏晶膜，其具備：具有包含基材與黏著劑層之積層構造之切晶帶、及可剝離地密接於上述切晶帶中之上述黏著劑層之接著劑層，且上述黏著劑層表面於溫度23℃、頻率100 Hz之條件下藉由奈米壓痕法進行500 nm壓入時之彈性模數為0.1～20 MPa。
如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層為放射線硬化型黏著劑層，於溫度23℃、剝離速度300 mm/min之條件下之T型剝離試驗中，放射線硬化後之上述黏著劑層與上述接著劑層之間之剝離力為0.06～0.25 N/20 mm。
如請求項1或2之切晶黏晶膜，其中於溫度23℃、剝離速度300 mm/min之條件下之T型剝離試驗中，放射線硬化前之上述黏著劑層與上述接著劑層之間之剝離力為2 N/20 mm以上。
如請求項1或2之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層與上述接著劑層之接觸面中之上述黏著劑層表面之表面粗糙度Ra與上述接著劑層表面之表面粗糙度Ra的差為100 nm以下。
如請求項1或2之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層含有第1丙烯酸系聚合物，該第1丙烯酸系聚合物包含源自具有碳數10以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元及源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之結構單元。
如請求項5之切晶黏晶膜，其中上述第1丙烯酸系聚合物中之源自具有碳數10以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元相對於源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之結構單元的莫耳比率為1～40。
如請求項5或6之切晶黏晶膜，其中上述第1丙烯酸系聚合物包含源自含不飽和官能基之異氰酸酯化合物之結構單元，上述第1丙烯酸系聚合物中之源自含不飽和官能基之異氰酸酯化合物之結構單元相對於源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之結構單元的莫耳比率為0.1～2。
如請求項1或2之切晶黏晶膜，其中上述接著劑層於溫度23℃、剝離速度300 mm/min、角度180°之條件下對SUS之黏著力為0.1～20 N/10 mm。
如請求項1或2之切晶黏晶膜，其中上述接著劑層於23℃下之儲存彈性模數為100～4000 MPa。
如請求項1或2之切晶黏晶膜，其中上述接著劑層之外周端於膜面內方向上與上述黏著劑層之外周端相距1000 μm以內。