JP2020178013A - ダイシングダイボンドフィルム - Google Patents
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- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 226
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 174
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 201
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 100
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 79
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 56
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 30
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 23
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 claims description 18
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 claims description 18
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 9
- NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N diiodomethane Chemical compound ICI NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 56
- 238000007667 floating Methods 0.000 abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 200
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 68
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 56
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 description 49
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 43
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 36
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 30
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 27
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 26
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 26
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 22
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 20
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 17
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 17
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N methacryloyloxyethyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCN=C=O RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 13
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 13
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 13
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 13
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 12
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 11
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 11
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 10
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 9
- AYOHIQLKSOJJQH-UHFFFAOYSA-N dibutyltin Chemical compound CCCC[Sn]CCCC AYOHIQLKSOJJQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 9
- XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 1-morpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCOCC1 XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 8
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 8
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 8
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 7
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 7
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 7
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 7
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 6
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 5
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 5
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 5
- 238000003847 radiation curing Methods 0.000 description 5
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCKZAVNWRLEHIP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-[4-[[4-(2-hydroxy-2-methylpropanoyl)phenyl]methyl]phenyl]-2-methylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(C(=O)C(C)(O)C)=CC=C1CC1=CC=C(C(=O)C(C)(C)O)C=C1 PCKZAVNWRLEHIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 4
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 4
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M methacrylate group Chemical group C(C(=C)C)(=O)[O-] CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DPNXHTDWGGVXID-UHFFFAOYSA-N 2-isocyanatoethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCN=C=O DPNXHTDWGGVXID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000103 Expandable microsphere Polymers 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 3
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 3
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 125000004573 morpholin-4-yl group Chemical group N1(CCOCC1)* 0.000 description 3
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 3
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 3
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 3
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMWRRFHBXARRRT-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-2-yl)-4,6-bis(2-methylbutan-2-yl)phenol Chemical compound CCC(C)(C)C1=CC(C(C)(C)CC)=CC(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1O ZMWRRFHBXARRRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-yl)-2-phenylethanone Chemical class OC(C(=O)c1cccc2Oc12)c1ccccc1 NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UWSMKYBKUPAEJQ-UHFFFAOYSA-N 5-Chloro-2-(3,5-di-tert-butyl-2-hydroxyphenyl)-2H-benzotriazole Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C(C)(C)C)=CC(N2N=C3C=C(Cl)C=CC3=N2)=C1O UWSMKYBKUPAEJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- RGCKGOZRHPZPFP-UHFFFAOYSA-N alizarin Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(O)C(O)=CC=C3C(=O)C2=C1 RGCKGOZRHPZPFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 2
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Chemical compound O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OCWYEMOEOGEQAN-UHFFFAOYSA-N bumetrizole Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(N2N=C3C=C(Cl)C=CC3=N2)=C1O OCWYEMOEOGEQAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N dodecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 2
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- KCNSDMPZCKLTQP-UHFFFAOYSA-N tetraphenylen-1-ol Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C2=C1C=CC=C2O KCNSDMPZCKLTQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 1,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]heptane-2,3-dione Chemical compound C1CC2(C)C(=O)C(=O)C1C2(C)C VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVEMLYIXBCTVOF-UHFFFAOYSA-N 1-(2-isocyanatopropan-2-yl)-3-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC(C(C)(C)N=C=O)=C1 ZVEMLYIXBCTVOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTLXPCBPYBNQNR-UHFFFAOYSA-N 1-Hydroxyanthraquinone Natural products O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2O BTLXPCBPYBNQNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- CQSQUYVFNGIECQ-UHFFFAOYSA-N 1-n,4-n-dimethyl-1-n,4-n-dinitrosobenzene-1,4-dicarboxamide Chemical compound O=NN(C)C(=O)C1=CC=C(C(=O)N(C)N=O)C=C1 CQSQUYVFNGIECQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2C(C)C YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXCIJKOCUAQMKD-UHFFFAOYSA-N 2,4-dichlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC(Cl)=C3SC2=C1 UXCIJKOCUAQMKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZHUBCULTHIFNO-UHFFFAOYSA-N 2,4-dihydroxy-1,5-bis[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2,4-dimethylpentan-3-one Chemical compound C=1C=C(OCCO)C=CC=1CC(C)(O)C(=O)C(O)(C)CC1=CC=C(OCCO)C=C1 LZHUBCULTHIFNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC(C)=C3SC2=C1 LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYAZLDLPUNDVAG-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-2-yl)-4-(2,4,4-trimethylpentan-2-yl)phenol Chemical compound CC(C)(C)CC(C)(C)C1=CC=C(O)C(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1 IYAZLDLPUNDVAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXHVQMGINBSVAY-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-2-yl)-4-tert-butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(O)C(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1 WXHVQMGINBSVAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZUNCLSDTUBVCN-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-2-yl)-6-(2-phenylpropan-2-yl)-4-(2,4,4-trimethylpentan-2-yl)phenol Chemical compound C=1C(C(C)(C)CC(C)(C)C)=CC(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C(O)C=1C(C)(C)C1=CC=CC=C1 UZUNCLSDTUBVCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEGLETKSWODEBL-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-(benzotriazol-2-yl)-2-hydroxy-5-(2,4,4-trimethylpentan-2-yl)phenyl]methyl]-6-tert-butyl-4-methylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(CC=2C(=C(C=C(C=2)C(C)(C)CC(C)(C)C)N2N=C3C=CC=CC3=N2)O)=C1O LEGLETKSWODEBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 2-benzoylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 2-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC=C3SC2=C1 ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUIWJRYTWUGOOF-UHFFFAOYSA-N 2-ethenoxyethanol Chemical compound OCCOC=C VUIWJRYTWUGOOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPZFLZYXYGBAPL-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-methyl-1,3-dioxolane Chemical compound CCC1(C)OCCO1 UPZFLZYXYGBAPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPSJHQMIVNJLNN-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 4-nitrobenzoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 NPSJHQMIVNJLNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004808 2-ethylhexylester Substances 0.000 description 1
- LRRQSCPPOIUNGX-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1,2-bis(4-methoxyphenyl)ethanone Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(O)C(=O)C1=CC=C(OC)C=C1 LRRQSCPPOIUNGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRNDGUSDBCARGC-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyacetophenone Chemical compound COCC(=O)C1=CC=CC=C1 YRNDGUSDBCARGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEHFRMABGJJCPF-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)N=C=O JEHFRMABGJJCPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUZRCMMVHXRSGT-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1-sulfonic acid;prop-2-enamide Chemical compound NC(=O)C=C.CC(C)CS(O)(=O)=O AUZRCMMVHXRSGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 2-methylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3SC2=C1 MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYIOIHBNJMVSBH-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoyloxynaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=C(OC(=O)C=C)C=CC2=C1 YYIOIHBNJMVSBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJQOZHYUIDYNHM-UHFFFAOYSA-N 2-tert-Butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1O WJQOZHYUIDYNHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFOCOVNPZDVGDV-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trihydroxy-2-methylbenzoic acid Chemical compound CC1=C(O)C(O)=C(O)C=C1C(O)=O CFOCOVNPZDVGDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLJHFERYMGMXSC-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(hydrazinesulfonyl)phenyl]sulfonylbenzenesulfonohydrazide Chemical compound NNS(=O)(=O)C1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(C=CC=2)S(=O)(=O)NN)=C1 BLJHFERYMGMXSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 3-methylideneoxolane-2,5-dione Chemical compound C=C1CC(=O)OC1=O OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRRGMQBIAJCOBQ-UHFFFAOYSA-N 4-(thiatriazol-5-yl)morpholine Chemical compound C1COCCN1C1=NN=NS1 GRRGMQBIAJCOBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBOCQTNZUPTTEI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(hydrazinesulfonyl)phenoxy]benzenesulfonohydrazide Chemical compound C1=CC(S(=O)(=O)NN)=CC=C1OC1=CC=C(S(=O)(=O)NN)C=C1 NBOCQTNZUPTTEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMBNQNDUEFFFNZ-UHFFFAOYSA-N 4-ethenoxybutan-1-ol Chemical compound OCCCCOC=C HMBNQNDUEFFFNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-butyl Chemical group [CH2]CCCO SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Natural products CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWRWFPQBGSZWNV-UHFFFAOYSA-N Dinitrosopentamethylenetetramine Chemical compound C1N2CN(N=O)CN1CN(N=O)C2 MWRWFPQBGSZWNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012695 Interfacial polymerization Methods 0.000 description 1
- BWPYBAJTDILQPY-UHFFFAOYSA-N Methoxyphenone Chemical compound C1=C(C)C(OC)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC(C)=C1 BWPYBAJTDILQPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004008 N-nitroso compounds Chemical class 0.000 description 1
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYXVMNRGBMOSIY-UHFFFAOYSA-N OCCC=CC(=O)OP(O)(O)=O Chemical compound OCCC=CC(=O)OP(O)(O)=O NYXVMNRGBMOSIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXOFVDLJLONNDW-UHFFFAOYSA-N Phenytoin Chemical compound N1C(=O)NC(=O)C1(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 CXOFVDLJLONNDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N Propyl levulinate Chemical compound CCCOC(=O)CCC(C)=O QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRTBGOKOPBRVCI-UHFFFAOYSA-N [benzenesulfonyl-[benzenesulfonyl-(carbamoylamino)amino]oxyamino]urea Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)N(NC(=O)N)ON(NC(N)=O)S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 IRTBGOKOPBRVCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 1
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- CAMXVZOXBADHNJ-UHFFFAOYSA-N ammonium nitrite Chemical compound [NH4+].[O-]N=O CAMXVZOXBADHNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001541 aziridines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940049676 bismuth hydroxide Drugs 0.000 description 1
- TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K bismuth;trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Bi+3] TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- FQUNFJULCYSSOP-UHFFFAOYSA-N bisoctrizole Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=NN1C1=CC(C(C)(C)CC(C)(C)C)=CC(CC=2C(=C(C=C(C=2)C(C)(C)CC(C)(C)C)N2N=C3C=CC=CC3=N2)O)=C1O FQUNFJULCYSSOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930006711 bornane-2,3-dione Natural products 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012662 bulk polymerization Methods 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- GCFAUZGWPDYAJN-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl 3-phenylprop-2-enoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC(=O)OC1CCCCC1 GCFAUZGWPDYAJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004807 desolvation Methods 0.000 description 1
- PWZFXELTLAQOKC-UHFFFAOYSA-A dialuminum;hexamagnesium;carbonate;hexadecahydroxide;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[O-]C([O-])=O PWZFXELTLAQOKC-UHFFFAOYSA-A 0.000 description 1
- UMNKXPULIDJLSU-UHFFFAOYSA-N dichlorofluoromethane Chemical compound FC(Cl)Cl UMNKXPULIDJLSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940099364 dichlorofluoromethane Drugs 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009189 diving Effects 0.000 description 1
- MCPKSFINULVDNX-UHFFFAOYSA-N drometrizole Chemical compound CC1=CC=C(O)C(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1 MCPKSFINULVDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004494 ethyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229920006242 ethylene acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006226 ethylene-acrylic acid Polymers 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 150000002429 hydrazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005040 ion trap Methods 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 239000001282 iso-butane Substances 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 1
- 229920000092 linear low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004707 linear low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001179 medium density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004701 medium-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 150000007974 melamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- OKQVTLCUHATGDD-UHFFFAOYSA-N n-(benzotriazol-1-ylmethyl)-2-ethyl-n-(2-ethylhexyl)hexan-1-amine Chemical compound C1=CC=C2N(CN(CC(CC)CCCC)CC(CC)CCCC)N=NC2=C1 OKQVTLCUHATGDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKNQRTHJUNFJ-UHFFFAOYSA-N n-(benzotriazol-1-ylmethyl)-2-ethylhexan-1-amine Chemical compound C1=CC=C2N(CNCC(CC)CCCC)N=NC2=C1 QGLKNQRTHJUNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPECTNGATDYLSS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2-sulfonyl chloride Chemical compound C1=CC=CC2=CC(S(=O)(=O)Cl)=CC=C21 OPECTNGATDYLSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000008442 polyphenolic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- UIIIBRHUICCMAI-UHFFFAOYSA-N prop-2-ene-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC=C UIIIBRHUICCMAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- AAYRWMCIKCRHIN-UHFFFAOYSA-N propane-1-sulfonic acid;prop-2-enamide Chemical compound NC(=O)C=C.CCCS(O)(=O)=O AAYRWMCIKCRHIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRIOVPPHQSLHCZ-UHFFFAOYSA-N propiophenone Chemical compound CCC(=O)C1=CC=CC=C1 KRIOVPPHQSLHCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011134 resol-type phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- DUIOPKIIICUYRZ-UHFFFAOYSA-N semicarbazide Chemical compound NNC(N)=O DUIOPKIIICUYRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N sulfuryl dichloride Chemical compound ClS(Cl)(=O)=O YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001864 tannin Polymers 0.000 description 1
- 239000001648 tannin Substances 0.000 description 1
- 235000018553 tannin Nutrition 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229920006259 thermoplastic polyimide Polymers 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- CYRMSUTZVYGINF-UHFFFAOYSA-N trichlorofluoromethane Chemical compound FC(Cl)(Cl)Cl CYRMSUTZVYGINF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940029284 trichlorofluoromethane Drugs 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001862 ultra low molecular weight polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910000166 zirconium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B zirconium(4+);tetraphosphate Chemical compound [Zr+4].[Zr+4].[Zr+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
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- C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
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- C09J133/062—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06
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- C09J133/18—Homopolymers or copolymers of nitriles
- C09J133/20—Homopolymers or copolymers of acrylonitrile
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- C09J133/24—Homopolymers or copolymers of amides or imides
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
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Abstract
【課題】クールエキスパンド時及び常温エキスパンド時、並びにその後において、接着剤層と粘着剤層との間で浮きが起こりにくいダイシングダイボンドフィルムを提供する。【解決手段】基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層とを備え、前記粘着剤層は、前記接着剤層が密着している側の表面における、水接触角が110°以下であり、算術平均表面粗さRaが1.0μm以下である、ダイシングダイボンドフィルム。【選択図】図1
Description
本発明は、ダイシングダイボンドフィルムに関する。より詳細には、本発明は、半導体装置の製造過程で使用することができるダイシングダイボンドフィルムに関する。
半導体装置の製造過程においては、ダイボンディング用のチップ相当サイズの接着フィルムを有する半導体チップ、すなわち、ダイボンディング用接着剤層付き半導体チップを得る過程で、ダイシングダイボンドフィルムが使用される場合がある。ダイシングダイボンドフィルムは、加工対象である半導体ウエハに対応するサイズを有し、例えば、基材及び粘着剤層からなるダイシングテープと、その粘着剤層側に剥離可能に密着しているダイボンドフィルム(接着剤層)とを有する。
ダイシングダイボンドフィルムを使用して接着剤層付き半導体チップを得る手法の一つとして、ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープをエキスパンドしてダイボンドフィルムを割断させるための工程を経る手法が知られている。この手法では、まず、ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上に半導体ウエハを貼り合わせる。この半導体ウエハは、例えば、後にダイボンドフィルムに共だって割断されて複数の半導体チップへと個片化可能なように加工されたものである。
次に、ダイシングテープ上のダイボンドフィルムを割断させるために、エキスパンド装置を使用してダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープを半導体ウエハの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばす。このエキスパンド工程では、ダイボンドフィルムにおける割断箇所に相当する箇所でダイボンドフィルム上の半導体ウエハにおいても割断が生じ、ダイシングダイボンドフィルム又はダイシングテープ上にて半導体ウエハが複数の半導体チップに個片化される。
次に、ダイシングテープ上の割断後の複数のダイボンドフィルム付き半導体チップについて離間距離を広げるために、再度のエキスパンド工程を行う。次に、例えば洗浄工程を経た後、各半導体チップをそれに密着しているチップ相当サイズのダイボンドフィルムと共に、ダイシングテープの下側からピックアップ機構のピン部材によって突き上げてダイシングテープ上からピックアップする。このようにして、ダイボンドフィルムすなわち接着剤層付き半導体チップが得られる。この接着剤層付き半導体チップは、その接着剤層を介して、実装基板等の被着体にダイボンディングによって固着されることとなる。
以上のように使用されるダイシングダイボンドフィルムに関する技術については、例えば下記の特許文献1〜3に記載されている。
近年、半導体の高容量化のニーズにより回路層の多層化や、シリコン層の薄層化が進んでいる。しかし、回路層の多層化により回路層の厚さ(総厚み)が増加することで、回路層に含まれる樹脂の割合が増加する傾向があり、これによって、多層化された回路層と、薄層化されたシリコン層との線膨張率の差が顕著になり、半導体チップが反りやすくなる。このため、従来のダイシングダイボンドフィルムを用いた場合、特に、ダイシング後に得られる、ダイボンドフィルム付きの回路層が多層化された半導体チップは、エキスパンド工程(後述のクールエキスパンド及び常温エキスパンド)及びその後(例えば、洗浄工程、ピックアップするまでの間等)において、ダイシングテープの粘着剤層とダイボンドフィルムとの界面で剥離(浮き)が発生しやすいという問題があった。浮きが発生すると、エキスパンド工程後(洗浄工程、ハンドリング時等)に半導体チップが滑落しやすい。
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、クールエキスパンド時及び常温エキスパンド時、並びにその後において、接着剤層と粘着剤層との間で浮きが起こりにくいダイシングダイボンドフィルムを提供することにある。
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層とを備え、上記粘着剤層は、上記接着剤層が密着している側の表面における、水接触角が110°以下であり、算術平均表面粗さRaが1.0μm以下である、ダイシングダイボンドフィルムを用いると、クールエキスパンド時及び常温エキスパンド時、並びにその後において、接着剤層と粘着剤層との間で浮きが起こりにくいことを見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。
すなわち、本発明は、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層とを備え、上記粘着剤層は、上記接着剤層が密着している側の表面における、水接触角が110°以下であり、算術平均表面粗さRaが1.0μm以下である、ダイシングダイボンドフィルムを提供する。
本発明のダイシングダイボンドフィルムは、ダイシングテープ及び接着剤層を備える。ダイシングテープは、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有する。接着剤層は、ダイシングテープにおける粘着剤層に剥離可能に密着している。このような構成のダイシングダイボンドフィルムは、半導体装置の製造過程で接着剤層付き半導体チップを得るために使用することができる。
半導体装置の製造過程においては、上述のように、接着剤層付き半導体チップを得るために、ダイシングダイボンドフィルムを使用して行うエキスパンド工程、すなわち、割断のためのエキスパンド工程を実施する場合がある。このエキスパンド工程では、ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープ上の接着剤層に適切に割断力が作用することが必要である。本発明のダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープの粘着剤層は、上記接着剤層が密着している側の表面における、水接触角が110°以下であり、算術平均表面粗さRaが1.0μm以下である。このような構成を有する本発明のダイシングダイボンドフィルムによれば、粘着剤層と接着剤層との密着性が適度に優れ、エキスパンド工程及びその後における粘着剤層と接着剤層との間の剥離(浮き)が生じるのを抑制することができる。
また、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて、上記粘着剤層の上記表面(接着剤層が密着している側の表面)の、水とヨウ化メチレンの接触角を用いてKaelble Uyの式から求められる表面自由エネルギーの極性成分の値が0.10以上であることが好ましい。このような構成を有する本発明のダイシングダイボンドフィルムによれば、接着剤層表面の極性成分との差が小さくなり、粘着剤層表面と接着剤層表面との親和性が高まるため、粘着剤層と接着剤層との密着性がより適度となり、エキスパンド工程及びその後における粘着剤層と接着剤層との間の剥離(浮き)が生じるのをより抑制することができる。
また、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて、上記粘着剤層は、モノマー成分としてアルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステル及びヒドロキシ基含有モノマーを含むアクリル系ポリマーを含有することが好ましい。このような構成を有する本発明のダイシングダイボンドフィルムによれば、水接触角が110°以下であり、算術平均表面粗さRaが1.0μm以下である表面を有する粘着剤層を容易に設計することができる。
上記粘着剤層は、架橋剤としてポリイソシアネート化合物を含有することが好ましい。このような構成を有する本発明のダイシングダイボンドフィルムによれば、水接触角が110°以下であり、算術平均表面粗さRaが1.0μm以下である表面を有する粘着剤層を容易に設計することができ、且つ粘着剤層が相対的に高い粘着力を示す状態と相対的に低い粘着力を示す状態とを使い分けることが可能な放射線硬化型粘着剤層を容易に設計することができる。
本発明のダイシングダイボンドフィルムは、接着剤層付き半導体チップを得るためにダイシングダイボンドフィルムが使用されるエキスパンド工程及びその後において、接着剤層と粘着剤層との間で浮きが起こりにくい。特に、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合にも浮きが起こりにくい。
[ダイシングダイボンドフィルム]
本発明のダイシングダイボンドフィルムは、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層と、を備える。本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態について、以下に説明する。
本発明のダイシングダイボンドフィルムは、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層と、を備える。本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態について、以下に説明する。
図1は、本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態を示す断面模式図である。図1に示すように、ダイシングダイボンドフィルム1は、ダイシングテープ10と、ダイシングテープ10における粘着剤層12上に積層された接着剤層20とを備え、半導体装置の製造において接着剤層付き半導体チップを得る過程でのエキスパンド工程に使用することのできるものである。
ダイシングダイボンドフィルム1は、半導体装置の製造過程における加工対象の半導体ウエハに対応するサイズの円盤形状を有する。ダイシングダイボンドフィルム1の直径は、例えば、345〜380mmの範囲内(12インチウエハ対応型)、245〜280mmの範囲内(8インチウエハ対応型)、195〜230mmの範囲内(6インチウエハ対応型)、又は、495〜530mmの範囲内(18インチウエハ対応型)にある。
ダイシングダイボンドフィルム1におけるダイシングテープ10は、基材11と粘着剤層12とを含む積層構造を有する。ダイシングダイボンドフィルム1における粘着剤層12の、接着剤層20が密着している側の表面12aは、水接触角が110°以下であり、算術平均表面粗さRaが1.0μm以下である。
(基材)
ダイシングテープにおける基材は、ダイシングテープやダイシングダイボンドフィルムにおいて支持体として機能する要素である。基材としては、例えば、プラスチック基材(特にプラスチックフィルム)が挙げられる。上記基材は、単層であってもよいし、同種又は異種の基材の積層体であってもよい。
ダイシングテープにおける基材は、ダイシングテープやダイシングダイボンドフィルムにおいて支持体として機能する要素である。基材としては、例えば、プラスチック基材(特にプラスチックフィルム)が挙げられる。上記基材は、単層であってもよいし、同種又は異種の基材の積層体であってもよい。
上記プラスチック基材を構成する樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)、アイオノマー、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体等のポリオレフィン樹脂;ポリウレタン;ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート(PBT)等のポリエステル;ポリカーボネート;ポリイミド;ポリエーテルエーテルケトン;ポリエーテルイミド;アラミド、全芳香族ポリアミド等のポリアミド;ポリフェニルスルフィド;フッ素樹脂;ポリ塩化ビニル;ポリ塩化ビニリデン;セルロース樹脂;シリコーン樹脂等が挙げられる。基材において良好な熱収縮性を確保して、後述の常温エキスパンド工程においてチップ離間距離をダイシングテープ又は基材の部分的熱収縮を利用して維持しやすい観点から、基材は、エチレン−酢酸ビニル共重合体を主成分として含むことが好ましい。
なお、基材の主成分とは、構成成分中で最も大きな質量割合を占める成分とする。上記樹脂は、一種のみを使用されていてもよいし、二種以上を使用されていてもよい。粘着剤層が後述のように放射線硬化型粘着剤層である場合、基材は放射線透過性を有することが好ましい。
基材がプラスチックフィルムである場合、上記プラスチックフィルムは、無配向であってもよく、少なくとも一方向(一軸方向、二軸方向等)に配向していてもよい。少なくとも一方向に配向している場合、プラスチックフィルムは当該少なくとも一方向に熱収縮可能となる。熱収縮性を有していると、ダイシングテープの、半導体ウエハの外周部分をヒートシュリンクさせることが可能となり、これにより個片化された接着剤層付きの半導体チップ同士の間隔を広げた状態で固定できるため、半導体チップのピックアップを容易に行うことができる。基材及びダイシングテープが等方的な熱収縮性を有するためには、基材は二軸配向フィルムであることが好ましい。なお、上記少なくとも一方向に配向したプラスチックフィルムは、無延伸のプラスチックフィルムを当該少なくとも一方向に延伸(一軸延伸、二軸延伸等)することにより得ることができる。
基材及びダイシングテープは、加熱温度100℃及び加熱時間処理60秒の条件で行われる加熱処理試験における熱収縮率が、1〜30%であることが好ましく、より好ましくは2〜25%、さらに好ましくは3〜20%、特に好ましくは5〜20%である。上記熱収縮率は、MD方向及びTD方向の少なくとも一方向の熱収縮率であることが好ましい。
基材の粘着剤層側表面は、粘着剤層との密着性、保持性等を高める目的で、例えば、コロナ放電処理、プラズマ処理、サンドマット加工処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理等の物理的処理;クロム酸処理等の化学的処理;コーティング剤(下塗り剤)による易接着処理等の表面処理が施されていてもよい。また、帯電防止能を付与するため、金属、合金、これらの酸化物等を含む導電性の蒸着層を基材表面に設けてもよい。密着性を高めるための表面処理は、基材における粘着剤層側の表面全体に施されていることが好ましい。
基材の厚さは、ダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムにおける支持体として基材が機能するための強度を確保するという観点からは、40μm以上が好ましく、より好ましくは50μm以上、さらに好ましくは55μm以上、特に好ましくは60μm以上である。また、ダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムにおいて適度な可撓性を実現するという観点からは、基材の厚さは、200μm以下が好ましく、より好ましくは180μm以下、さらに好ましくは150μm以下である。
(粘着剤層)
本発明のダイシングダイボンドフィルムにおける粘着剤層は、上述のように、接着剤層が密着している側の表面の水接触角が110°以下であり、算術平均表面粗さRaが1.0μm以下である。本発明のダイシングダイボンドフィルムは、このような構成を有することにより、粘着剤層と接着剤層との密着性が適度に優れ、エキスパンド工程及びその後における粘着剤層と接着剤層との間の剥離(浮き)が生じるのを抑制することができる。
本発明のダイシングダイボンドフィルムにおける粘着剤層は、上述のように、接着剤層が密着している側の表面の水接触角が110°以下であり、算術平均表面粗さRaが1.0μm以下である。本発明のダイシングダイボンドフィルムは、このような構成を有することにより、粘着剤層と接着剤層との密着性が適度に優れ、エキスパンド工程及びその後における粘着剤層と接着剤層との間の剥離(浮き)が生じるのを抑制することができる。
粘着剤層の、接着剤層が密着している側の表面(表面12a)の算術平均表面粗さ(Ra)は1.0μm以下であり、好ましくは0.5μm以下、より好ましくは0.3μm以下である。上記Raは、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて接着剤層が積層されていない部分の粘着剤層表面について測定することにより得られる。上記算術平均表面粗さは、JIS B0601に基づいて測定することができる。
粘着剤層の、接着剤層が密着している側の表面(表面12a)の水接触角は110°以下であり、好ましくは108°以下、より好ましくは105°以下である。上記水接触角は、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて接着剤層が積層されていない部分の粘着剤層表面について測定することにより得られる。
また、上記水接触角は、例えば80°以上であり、好ましくは84°以上、より好ましくは88°以上である。上記水接触が80°以上であると、粘着剤層と接着剤層との融着を抑制し、粘着剤層と接着剤層とを意図的に剥がす際に剥がれないという不具合をより起こりにくくすることができる。
粘着剤層の、接着剤層が密着している側の表面(表面12a)の、水とヨウ化メチレンの接触角を用いてKaelble Uyの式から求められる表面自由エネルギーの極性成分の値は、0.10以上であることが好ましく、より好ましくは0.20以上、さらに好ましくは0.40以上である。上記極性成分の値が0.10以上であると、接着剤層表面の極性成分との差が小さくなり、粘着剤層表面と接着剤層表面との親和性が高まるため、粘着剤層と接着剤層との密着性がより適度となり、エキスパンド工程及びその後における粘着剤層と接着剤層との間の剥離(浮き)が生じるのをより抑制することができる。上記極性成分の値は、表面自由エネルギーを求める際に用いられる下記式(1)におけるγspであり、下記式(2)及び下記式(3)を用いて求めることができる。
γs=γsd+γsp (1)
γw(1+cosθw)=2(γsdγwd)1/2+2(γspγwp)1/2 (2)
γi(1+cosθi)=2(γsdγid)1/2+2(γspγip)1/2 (3)
上記式(1)〜(3)中、γsは粘着剤層の表面自由エネルギー、γsdは粘着剤層の表面自由エネルギーの分散成分、γspは粘着剤層の表面自由エネルギーの極性成分、γwは72.8mJ/m2、γwdは21.8mJ/m2、γwpは51.0mJ/m2、γiは50.8mJ/m2、γidは48.5mJ/m2、γipは2.3mJ/m2、θwは粘着剤層表面の水接触角、θiは粘着剤層表面のヨウ化メチレン接触角をそれぞれ示す。γw、γwd、γwp、γi、γid、及びγipは、既知の文献値である。
γs=γsd+γsp (1)
γw(1+cosθw)=2(γsdγwd)1/2+2(γspγwp)1/2 (2)
γi(1+cosθi)=2(γsdγid)1/2+2(γspγip)1/2 (3)
上記式(1)〜(3)中、γsは粘着剤層の表面自由エネルギー、γsdは粘着剤層の表面自由エネルギーの分散成分、γspは粘着剤層の表面自由エネルギーの極性成分、γwは72.8mJ/m2、γwdは21.8mJ/m2、γwpは51.0mJ/m2、γiは50.8mJ/m2、γidは48.5mJ/m2、γipは2.3mJ/m2、θwは粘着剤層表面の水接触角、θiは粘着剤層表面のヨウ化メチレン接触角をそれぞれ示す。γw、γwd、γwp、γi、γid、及びγipは、既知の文献値である。
ダイシングテープの粘着剤層は、ベースポリマーとしてアクリル系ポリマーを含有する粘着剤層(アクリル系粘着剤層)であることが好ましい。上記アクリル系ポリマーは、ポリマーの構成単位として、アクリル系モノマー(分子中に(メタ)アクリロイル基を有するモノマー成分)に由来する構成単位を含むポリマーである。
上記アクリル系ポリマーは、(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多く含むポリマーであることが好ましい。なお、アクリル系ポリマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。また、本明細書において、「(メタ)アクリル」とは、「アクリル」及び/又は「メタクリル」(「アクリル」及び「メタクリル」のうち、いずれか一方又は両方)を表し、他も同様である。
上記(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。
上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、s−ブチルエステル、t−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル(ラウリルエステル)、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等が挙げられる。
上記(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のシクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等が挙げられる。上記(メタ)アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のフェニルエステル、ベンジルエステルが挙げられる。
アルコキシ基を有する炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、上記炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルにおける炭化水素基中の1以上の水素原子をアルコキシ基に置換したものが挙げられ、例えば、(メタ)アクリル酸の2−メトキシメチルエステル、2−メトキシエチルエステル、2−メトキシブチルエステル等が挙げられる。
上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルは、一実施形態では、エステル部における炭素数の総数(アルコキシ基を有する場合はアルコキシ基における炭素数を含む総数)が6〜10であることが好ましい。特に、炭化水素基の炭素数の総数が6〜10である炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルであることが好ましい。これらの場合、エキスパンド工程及びその後における粘着剤層と接着剤層との間の浮きの抑制性と、ピックアップ工程における良好なピックアップ性とをより容易に両立させることができる。
なお、上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルは、他の一実施形態では、エステル部における炭素数の総数(アルコキシ基を有する場合はアルコキシ基における炭素数を含む総数)が2〜4であることが好ましい。特に、炭化水素基の炭素数の総数が2〜4である炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルであることが好ましい。これらの場合、上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルは極性が比較的高いため、極性基含有モノマーの割合が比較的少なくても容易に粘着剤層表面の水接触角を110°以下とすることができる。
アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分におけるアルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルの割合は、20モル%以上が好ましく、より好ましくは30モル%以上、さらに好ましくは40モル%以上である。
なお、本明細書において、上記モノマー成分には、粘着剤層への放射線照射前の、ポリマーに取り込まれた段階において放射線重合性基を有する化合物(例えば、後述の第2の官能基及び放射線重合性の炭素−炭素二重結合を有する化合物)は含まれないものとする。
上記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマー成分に由来する構成単位を含んでいてもよい。上記他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、窒素原子含有モノマー等の極性基含有モノマー等が挙げられる。
上記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等が挙げられる。
上記酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸等が挙げられる。上記ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリル、(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
上記グリシジル基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジル、(メタ)アクリル酸メチルグリシジル等が挙げられる。
上記スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等が挙げられる。
上記リン酸基含有モノマーとしては、例えば、2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等が挙げられる。
上記窒素原子含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリロイルモルホリン等のモルホリノ基含有モノマー、(メタ)アクリロニトリル等のシアノ基含有モノマー、(メタ)アクリルアミド等のアミド基含有モノマー等が挙げられる。
上記他のモノマー成分としては、中でも、ヒドロキシ基含有モノマー、窒素原子含有モノマー(特に、モルホリノ基含有モノマー)が好ましく、より好ましくは(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル(2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート)、(メタ)アクリロイルモルホリンである。すなわち、上記アクリル系ポリマーは、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来の構成単位及び/又は(メタ)アクリロイルモルホリン由来の構成単位を含むことが好ましい。
上記他のモノマー成分は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における、上記極性基含有モノマーの合計割合は、60モル%以下が好ましく、より好ましくは50モル%以下である。また、粘着剤層表面の水接触角を110°以下に容易に設計できる観点から、上記極性基含有モノマーの合計割合は、10モル%以上が好ましく、より好ましくは15モル%以上である。
アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分におけるヒドロキシ基含有モノマー由来の構成単位の割合は、5モル%以上が好ましく、より好ましくは10モル%以上である。また、上記割合は、例えば80モル%以下であり、70モル%以下、60モル%以下であってもよい。
アクリル系ポリマーを形成するモノマー成分として上記窒素原子含有モノマーを用いる場合、粘着剤層表面の水接触角を110°以下に容易に設計できる観点から、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における窒素原子含有モノマー由来の構成単位の割合は、3モル%以上が好ましく、より好ましくは5モル%以上である。また、上記割合は、例えば50モル%以下であり、30モル%以下、20モル%以下であってもよい。
上記アクリル系ポリマーは、そのポリマー骨格中に架橋構造を形成するために、アクリル系ポリマーを形成するモノマー成分と共重合可能な多官能性モノマーに由来する構成単位を含んでいてもよい。上記多官能性モノマーとしては、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート(例えば、ポリグリシジル(メタ)アクリレート)、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート等の分子内に(メタ)アクリロイル基と他の反応性官能基を有する単量体等が挙げられる。
上記多官能性モノマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における上記多官能性モノマーの割合は、40モル%以下が好ましく、より好ましくは30モル%以下である。
上記アクリル系ポリマーは、第1の官能基を有するモノマー(例えば、上記極性基含有モノマー)由来の構成単位と共に、上記第1の官能基と反応し得る第2の官能基及び放射線重合性官能基を有する化合物由来の構造部を有することが好ましい。アクリル系ポリマーがこのような構成を有する場合、後述の放射線硬化性粘着剤の設計が容易となる。
上記第1の官能基と上記第2の官能基の組み合わせとしては、例えば、カルボキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシ基、カルボキシ基とアジリジル基、アジリジル基とカルボキシ基、ヒドロキシ基とイソシアネート基、イソシアネート基とヒドロキシ基等が挙げられる。これらの中でも、反応追跡の容易さの観点から、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせ、イソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせが好ましい。中でも、反応性の高いイソシアネート基を有するポリマーを作製することは技術的難易度が高く、一方でヒドロキシ基を有するアクリル系ポリマーの作製及び入手の容易性の観点から、上記第1の官能基がヒドロキシ基であり、上記第2の官能基がイソシアネート基である組み合わせが好ましい。
上記アクリル系ポリマーは、特に、ヒドロキシ基含有モノマー由来の構成単位と共に、放射線重合性の炭素−炭素二重結合(特に、(メタ)アクリロイル基)及びイソシアネート基を有する化合物由来の構造部を有することが好ましい。
放射性重合性の炭素−炭素二重結合及びイソシアネート基を有する化合物としては、メタクリロイルイソシアネート、2−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、m−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。中でも、2−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートが好ましい。また、ヒドロキシ基を有するアクリル系ポリマーとしては、上述のヒドロキシ基含有モノマーや、2−ヒドロキシエチルビニルエーテル、4−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテル等のエーテル系化合物に由来する構成単位を含むものが挙げられる。
上記第1の官能基を有するモノマー由来の構成単位と上記第2の官能基及び放射線重合性官能基を有する化合物のモル比[前者/後者]は、0.95以上が好ましく、より好ましくは1.00以上、さらに好ましくは1.05以上、特に好ましくは1.10以上である。上記モル比が0.95以上であると、第1の官能基(例えばヒドロキシ基)と第2の官能基(例えばイソシアネート基)の結合が充分に促進され、それでいて粘着剤層中のアクリル系ポリマーにおける未反応の第1の官能基がある程度残存していると推測され、粘着剤層と基材の間の剥離力がより向上し、エキスパンド時の粘着剤層の割れがより起こりにくい。上記モル比は、例えば10.00以下、5.00以下、3.00以下、2.00以下、1.50以下、1.30以下であってもよい。
特に、ヒドロキシ基含有モノマーと2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートのモル比[ヒドロキシ基含有モノマー/2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート]が上記範囲内であることが好ましい。
アクリル系ポリマーは、アクリル系モノマーを含む一種以上のモノマー成分を重合に付すことにより得られる。重合方法としては、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等が挙げられる。
粘着剤層あるいは粘着剤層を形成する粘着剤は、架橋剤を含有していてもよい。例えば、ベースポリマーとしてアクリル系ポリマーを用いる場合、アクリル系ポリマーを架橋させ、粘着剤層中の低分子量物質をより低減させることができる。また、アクリル系ポリマーの数平均分子量を高めることができる。
上記架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物(ポリフェノール系化合物等)、アジリジン化合物、メラミン化合物等が挙げられる。中でも、ポリイソシアネート化合物が好ましい。この場合、水接触角が110°以下であり、算術平均表面粗さRaが1.0μm以下である表面を有する粘着剤層を容易に設計することができ、且つ粘着剤層が相対的に高い粘着力を示す状態と相対的に低い粘着力を示す状態とを使い分けることが可能な放射線硬化型粘着剤層を容易に設計することができる。架橋剤を使用する場合、その使用量は、ベースポリマー100質量部に対して、5質量部程度以下が好ましく、より好ましくは0.1〜5質量部である。
アクリル系ポリマー(架橋剤を用いる場合は架橋後)の質量平均分子量は、30万以上(例えば、30万〜140万)が好ましく、より好ましくは35万以上である。質量平均分子量が30万以上であると、粘着剤層中の低分子量物質が少ない傾向にあり、接着剤層や半導体ウエハ等への汚染をより抑制することができる。
粘着剤層は、ダイシングダイボンドフィルムの使用過程において外部からの作用によって意図的に粘着力を低減させることが可能な粘着剤層(粘着力低減可能型粘着剤層)であってもよいしダイシングダイボンドフィルムの使用過程において外部からの作用によっては粘着力がほとんど又は全く低減しない粘着剤層(粘着力非低減型粘着剤層)であってもよく、ダイシングダイボンドフィルムを使用して個片化される半導体ウエハの個片化の手法や条件等に応じて適宜に選択することができる。
粘着剤層が粘着力低減可能型粘着剤層である場合、ダイシングダイボンドフィルムの製造過程や使用過程において、粘着剤層が相対的に高い粘着力を示す状態と相対的に低い粘着力を示す状態とを使い分けることが可能となる。例えば、ダイシングダイボンドフィルムの製造過程でダイシングテープの粘着剤層に接着剤層を貼り合わせる時や、ダイシングダイボンドフィルムがダイシング工程に使用される時には、粘着剤層が相対的に高い粘着力を示す状態を利用して粘着剤層から接着剤層等の被着体の浮きを抑制・防止することが可能となる一方で、その後、ダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープから接着剤層付き半導体チップをピックアップするためのピックアップ工程では、粘着剤層の粘着力を低減させることで、ピックアップを容易に行うことができる。
このような粘着力低減可能型粘着剤層を形成する粘着剤としては、例えば、放射線硬化性粘着剤、加熱発泡型粘着剤等が挙げられる。粘着力低減可能型粘着剤層を形成する粘着剤としては、一種の粘着剤を用いてもよいし、二種以上の粘着剤を用いてもよい。
上記放射線硬化性粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、又はX線の照射により硬化するタイプの粘着剤を用いることができ、紫外線照射によって硬化するタイプの粘着剤(紫外線硬化性粘着剤)を特に好ましく用いることができる。
上記放射線硬化性粘着剤としては、例えば、上記アクリル系ポリマー等のベースポリマーと、放射線重合性の炭素−炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分とを含有する添加型の放射線硬化性粘着剤が挙げられる。
上記放射線重合性のモノマー成分としては、例えば、ウレタン(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等挙げられる。
上記放射線重合性のオリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等の種々のオリゴマーが挙げられ、分子量が100〜30000程度のものが好ましい。
粘着剤層を形成する放射線硬化性粘着剤中の上記放射線硬化性のモノマー成分及びオリゴマー成分の含有量は、上記ベースポリマー100質量部に対して、例えば5〜500質量部、好ましくは40〜150質量部程度である。
また、添加型の放射線硬化性粘着剤としては、例えば特開昭60−196956号公報に開示のものを用いてもよい。
上記放射線硬化性粘着剤としては、放射線重合性の炭素−炭素二重結合等の官能基をポリマー側鎖や、ポリマー主鎖中、ポリマー主鎖末端に有するベースポリマーを含有する内在型の放射線硬化性粘着剤も挙げられる。このような内在型の放射線硬化性粘着剤を用いると、形成された粘着剤層内での低分子量成分の移動に起因する粘着特性の意図しない経時的変化を抑制することができる傾向がある。
上記内在型の放射線硬化性粘着剤に含有されるベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーが好ましい。アクリル系ポリマーへの放射線重合性の炭素−炭素二重結合の導入方法としては、例えば、上記第1の官能基を有するモノマー成分を含む原料モノマーを重合(共重合)させてアクリル系ポリマーを得た後、上記第2の官能基及び放射線重合性の炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線重合性を維持したままアクリル系ポリマーに対して縮合反応又は付加反応させる方法が挙げられる。
上記放射線硬化性粘着剤は、光重合開始剤を含有することが好ましい。上記光重合開始剤としては、例えば、α−ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート等が挙げられる。
上記α−ケトール系化合物としては、例えば、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、α−ヒドロキシ−α,α’−ジメチルアセトフェノン、2−メチル−2−ヒドロキシプロピオフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等が挙げられる。
上記アセトフェノン系化合物としては、例えば、メトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフエノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)−フェニル]−2−モルホリノプロパン−1等が挙げられる。
上記ベンゾインエーテル系化合物としては、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等が挙げられる。上記ケタール系化合物としては、例えば、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。
上記芳香族スルホニルクロリド系化合物としては、例えば、2−ナフタレンスルホニルクロリド等が挙げられる。上記光活性オキシム系化合物としては、例えば、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(O−エトキシカルボニル)オキシム等が挙げられる。
上記ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、3,3’−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。
上記チオキサントン系化合物としては、例えば、チオキサントン、2−クロロチオキサントン、2−メチルチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、2,4−ジクロロチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントン等が挙げられる。
放射線硬化性粘着剤中の光重合開始剤の含有量は、ベースポリマー100質量部に対して、例えば0.05〜20質量部である。
上記加熱発泡型粘着剤は、加熱によって発泡や膨張をする成分(発泡剤、熱膨張性微小球等)を含有する粘着剤である。
上記発泡剤としては、種々の無機系発泡剤や有機系発泡剤が挙げられる。上記無機系発泡剤としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナトリウム、アジド類等が挙げられる。上記有機系発泡剤としては、例えば、トリクロロモノフルオロメタン、ジクロロモノフルオロメタン等の塩フッ化アルカン;アゾビスイソブチロニトリル、アゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレート等のアゾ系化合物;パラトルエンスルホニルヒドラジド、ジフェニルスルホン−3,3’−ジスルホニルヒドラジド、4,4’−オキシビス(ベンゼンスルホニルヒドラジド)、アリルビス(スルホニルヒドラジド)等のヒドラジン系化合物;p−トルイレンスルホニルセミカルバジド、4,4’−オキシビス(ベンゼンスルホニルセミカルバジド)等のセミカルバジド系化合物;5−モルホリル−1,2,3,4−チアトリアゾール等のトリアゾール系化合物;N,N’−ジニトロソペンタメチレンテトラミン、N,N’−ジメチル−N,N’−ジニトロソテレフタルアミド等のN−ニトロソ系化合物等が挙げられる。
上記熱膨張性微小球としては、例えば、加熱によって容易にガス化して膨張する物質が殻内に封入された構成の微小球が挙げられる。上記加熱によって容易にガス化して膨張する物質としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタン等が挙げられる。加熱によって容易にガス化して膨張する物質をコアセルべーション法や界面重合法等によって殻形成物質内に封入することによって、熱膨張性微小球を作製することができる。上記殻形成物質としては、熱溶融性を示す物質や、封入物質の熱膨張の作用によって破裂し得る物質を用いることができる。そのような物質としては、例えば、塩化ビニリデン・アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホン等が挙げられる。
上記粘着力非低減型粘着剤層としては、例えば、感圧型粘着剤層が挙げられる。なお、感圧型粘着剤層には、粘着力低減可能型粘着剤層に関して上述した放射線硬化性粘着剤から形成された粘着剤層を予め放射線照射によって硬化させつつも一定の粘着力を有する形態の粘着剤層が含まれる。粘着力非低減型粘着剤層を形成する粘着剤としては、一種の粘着剤を用いてもよいし、二種以上の粘着剤を用いてもよい。
また、粘着剤層の全体が粘着力非低減型粘着剤層であってもよいし、一部が粘着力非低減型粘着剤層であってもよい。例えば、粘着剤層が単層構造を有する場合、粘着剤層の全体が粘着力非低減型粘着剤層であってもよいし、粘着剤層における所定の部位(例えば、リングフレームの貼着対象領域であって、中央領域の外側にある領域)が粘着力非低減型粘着剤層であり、他の部位(例えば、半導体ウエハの貼着対象領域である中央領域)が粘着力低減可能型粘着剤層であってもよい。
粘着剤層が積層構造を有する場合、積層構造における全ての粘着剤層が粘着力非低減型粘着剤層であってもよいし、積層構造中の一部の粘着剤層が粘着力非低減型粘着剤層であってもよい。
放射線硬化性粘着剤から形成された粘着剤層(放射線未照射放射線硬化型粘着剤層)を予め放射線照射によって硬化させた形態の粘着剤層(放射線照射済放射線硬化型粘着剤層)は、放射線照射によって粘着力が低減されているとしても、含有するポリマー成分に起因する粘着性を示し、ダイシング工程等においてダイシングテープの粘着剤層に最低限必要な粘着力を発揮することが可能である。
放射線照射済放射線硬化型粘着剤層を用いる場合、粘着剤層の面広がり方向において、粘着剤層の全体が放射線照射済放射線硬化型粘着剤層であってもよく、粘着剤層の一部が放射線照射済放射線硬化型粘着剤層であり且つ他の部分が放射線未照射の放射線硬化型粘着剤層であってもよい。
なお、本明細書において、「放射線硬化型粘着剤層」とは、放射線硬化性粘着剤から形成された粘着剤層をいい、放射線硬化性を有する放射線未照射放射線硬化型粘着剤層及び当該粘着剤層が放射線照射により硬化した後の放射線硬化済放射線硬化型粘着剤層の両方を含む。
上記感圧型粘着剤層を形成する粘着剤としては、公知乃至慣用の感圧型の粘着剤を用いることができ、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤やゴム系粘着剤を好ましく用いることができる。粘着剤層が感圧型の粘着剤としてアクリル系ポリマーを含有する場合、当該アクリル系ポリマーは、(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多い構成単位として含むポリマーであることが好ましい。上記アクリル系ポリマーとしては、例えば、上述の粘着剤層に含まれ得るアクリル系ポリマーとして説明されたアクリル系ポリマーを採用することができる。
粘着剤層又は粘着剤層を形成する粘着剤は、上述の各成分以外に、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、着色剤(顔料、染料等)等の公知乃至慣用の粘着剤層に用いられる添加剤が配合されていてもよい。
上記着色剤としては、例えば、放射線照射により着色する化合物が挙げられる。放射線照射により着色する化合物を含有する場合、放射線照射された部分のみを着色することができる。上記放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物であり、例えば、ロイコ染料等が挙げられる。上記放射線照射により着色する化合物の使用量は特に限定されず適宜選択することができる。
粘着剤層の厚さは、特に限定されないが、粘着剤層が放射線硬化性粘着剤から形成された粘着剤層である場合に当該粘着剤層の放射線硬化の前後における接着剤層に対する接着力のバランスをとる観点から、1〜50μm程度が好ましく、より好ましくは2〜30μm、さらに好ましくは5〜25μmである。
(接着剤層)
接着剤層は、ダイボンディング用の熱硬化性を示す接着剤として機能を有し、さらに必要に応じて半導体ウエハ等のワークとリングフレーム等のフレーム部材とを保持するための粘着機能を併有する。接着剤層は、引張応力を加えることによる割断が可能であり、引張応力を加えることにより割断させて使用される。
接着剤層は、ダイボンディング用の熱硬化性を示す接着剤として機能を有し、さらに必要に応じて半導体ウエハ等のワークとリングフレーム等のフレーム部材とを保持するための粘着機能を併有する。接着剤層は、引張応力を加えることによる割断が可能であり、引張応力を加えることにより割断させて使用される。
接着剤層及び接着剤層を構成する接着剤は、熱硬化性樹脂と例えばバインダー成分としての熱可塑性樹脂とを含んでいてもよいし、硬化剤と反応して結合を生じ得る熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。接着剤層を構成する接着剤が、熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、当該粘着剤は熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂等)を含む必要はない。接着剤層は、単層構造を有していてもよいし、多層構造を有していてもよい。
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6−ナイロンや6,6−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETやPBT等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく且つ耐熱性が高いために接着剤層による接合信頼性を確保しやすいという理由から、アクリル樹脂が好ましい。
上記アクリル系樹脂は、炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多い構成単位として含むことが好ましい。当該炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、上述の粘着剤層に含まれ得るアクリル系ポリマーを形成する炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルとして例示された炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。
上記アクリル樹脂は、炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマー成分に由来する構成単位を含んでいてもよい。上記他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマー等が挙げられ、具体的には、上述の粘着剤層に含まれ得るアクリル系ポリマーを構成する他のモノマー成分として例示されたものを使用することができる。
接着剤層が、熱硬化性樹脂を熱可塑性樹脂とともに含む場合、当該熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。ダイボンディング対象の半導体チップの腐食原因となり得るイオン性不純物等の含有量の少ない傾向にあるという理由から、上記熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
上記エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、臭素化ビスフェノールA型、水添ビスフェノールA型、ビスフェノールAF型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、グリシジルアミン型のエポキシ樹脂等が挙げられる。中でも、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み且つ耐熱性に優れることから、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が好ましい。
エポキシ樹脂の硬化剤として作用し得るフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等が挙げられる。上記フェノール樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。中でも、ダイボンディング用接着剤としてのエポキシ樹脂の硬化剤として用いられる場合に当該接着剤の接続信頼性を向上させる傾向にある観点から、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。
接着剤層において、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との硬化反応を十分に進行させるという観点からは、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基1当量当たり、当該フェノール樹脂中の水酸基が好ましくは0.5〜2.0当量、より好ましくは0.7〜1.5当量となる量で含まれる。
接着剤層が熱硬化性樹脂を含む場合、上記熱硬化性樹脂の含有割合は、接着剤層において熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させるという観点から、接着剤層の総質量に対して、5〜60質量%が好ましく、より好ましくは10〜50質量%である。
接着剤層が熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、当該熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を用いることができる。この熱硬化性官能基含有アクリル樹脂におけるアクリル樹脂は、好ましくは、炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多い構成単位として含む。当該炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、上述の粘着剤層に含まれ得るアクリル系ポリマーを形成する炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルとして例示されたものが挙げられる。
一方、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。中でも、グリシジル基、カルボキシ基が好ましい。すなわち、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂としては、グリシジル基含有アクリル樹脂、カルボキシ基含有アクリル樹脂が特に好ましい。また、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂とともに硬化剤を含むことが好ましく、当該硬化剤としては、例えば、上述の粘着剤層形成用の放射線硬化性粘着剤に含まれ得る架橋剤として例示されたものが挙げられる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基がグリシジル基である場合には、硬化剤としてポリフェノール系化合物を用いることが好ましく、例えば上述の各種フェノール樹脂を用いることができる。
ダイボンディングのために硬化される前の接着剤層について、ある程度の架橋度を実現するためには、例えば、接着剤層に含まれ得る上述の樹脂の分子鎖末端の官能基等と反応して結合し得る多官能性化合物を架橋成分として接着剤層形成用樹脂組成物に配合しておくのが好ましい。このような構成は、接着剤層について、高温下での接着特性を向上させる観点で、また、耐熱性の改善を図る観点で好ましい。
上記架橋成分としては、例えばポリイソシアネート化合物が挙げられる。ポリイソシアネート化合物としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、p−フェニレンジイソシアネート、1,5−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等が挙げられる。また、上記架橋成分としては、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物をポリイソシアネート化合物と併用してもよい。
接着剤層形成用樹脂組成物における架橋成分の含有量は、当該架橋成分と反応して結合し得る上記官能基を有する樹脂100質量部に対し、形成される接着剤層の凝集力向上の観点からは0.05質量部以上が好ましく、形成される接着剤層の接着力向上の観点からは7質量部以下が好ましい。
接着剤層は、フィラーを含有することが好ましい。接着剤層へのフィラーの配合により、接着剤層の導電性や、熱伝導性、弾性率等の物性を調整することができる。フィラーとしては、無機フィラー及び有機フィラーが挙げられ、特に無機フィラーが好ましい。
無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカの他、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の金属単体や、合金、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。フィラーは、球状、針状、フレーク状等の各種形状を有していてもよい。上記フィラーとしては、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。
上記フィラーの平均粒径は、0.005〜10μmが好ましく、より好ましくは0.005〜1μmである。上記平均粒径が0.005μm以上であると、半導体ウエハ等の被着体への濡れ性、接着性がより向上する。上記平均粒径が10μm以下であると、上記各特性の付与のために加えたフィラーの効果を十分なものとすることができると共に、耐熱性を確保することができる。なお、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計(例えば、商品名「LA−910」、株式会社堀場製作所製)を用いて求めることができる。
接着剤層は、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。上記他の成分としては、例えば、硬化触媒、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、染料等が挙げられる。上記他の添加剤は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
上記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。
上記シランカップリング剤としては、例えば、β−(3、4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。
上記イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、含水酸化アンチモン(例えば東亜合成株式会社製の「IXE−300」)、特定構造のリン酸ジルコニウム(例えば東亜合成株式会社製の「IXE−100」)、ケイ酸マグネシウム(例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード600」)、ケイ酸アルミニウム(例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード700」)等が挙げられる。
金属イオンとの間で錯体を形成し得る化合物もイオントラップ剤として使用することができる。そのような化合物としては、例えば、トリアゾール系化合物、テトラゾール系化合物、ビピリジル系化合物が挙げられる。これらのうち、金属イオンとの間で形成される錯体の安定性の観点からはトリアゾール系化合物が好ましい。
上記トリアゾール系化合物としては、例えば、1,2,3−ベンゾトリアゾール、1−{N,N−ビス(2−エチルヘキシル)アミノメチル}ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、2−(2−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ブチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(2−ヒドロキシ−3−t−ブチル−5−メチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(2−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2−ヒドロキシ−5−t−オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、6−(2−ベンゾトリアゾリル)−4−t−オクチル−6’−t−ブチル−4’−メチル−2,2’−メチレンビスフェノール、1−(2’,3’−ヒドロキシプロピル)ベンゾトリアゾール、1−(1,2−ジカルボキシジエチル)ベンゾトリアゾール、1−(2−エチルヘキシルアミノメチル)ベンゾトリアゾール、2,4−ジ−t−ペンチル−6−{(H−ベンゾトリアゾール−1−イル)メチル}フェノール、2−(2−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)−2H−ベンゾトリアゾール、3−(2H−ベンゾトリアゾール−2−イル)−5−(1,1−ジメチルエチル)−4−ヒドロキシ、オクチル−3−[3−t−ブチル−4−ヒドロキシ−5−(5−クロロ−2H−ベンゾトリアゾール−2−イル)フェニル]プロピオネート、2−エチルヘキシル−3−[3−t−ブチル−4−ヒドロキシ−5−(5−クロロ−2H−ベンゾトリアゾール−2−イル)フェニル]プロピオネート、2−(2H−ベンゾトリアゾール−2−イル)−6−(1−メチル−1−フェニルエチル)−4−(1,1,3,3−テトラメチルブチル)フェノール、2−(2H−ベンゾトリアゾール−2−イル)−4−t−ブチルフェノール、2−(2−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2−ヒドロキシ−5−t−オクチルフェニル)−ベンゾトリアゾール、2−(3−t−ブチル−2−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(2−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ブチルフェニル)−5−クロロ−ベンゾトリアゾール、2−[2−ヒドロキシ−3,5−ジ(1,1−ジメチルベンジル)フェニル]−2H−ベンゾトリアゾール、2,2’−メチレンビス[6−(2H−ベンゾトリアゾール−2−イル)−4−(1,1,3,3−テトラメチルブチル)フェノール]、2−[2−ヒドロキシ−3,5−ビス(α,α−ジメチルベンジル)フェニル]−2H−ベンゾトリアゾール、メチル−3−[3−(2H−ベンゾトリアゾール−2−イル)−5−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル]プロピオネート等が挙げられる。
また、キノール化合物や、ヒドロキシアントラキノン化合物、ポリフェノール化合物等の所定の水酸基含有化合物も、イオントラップ剤として使用することができる。そのような水酸基含有化合物としては、具体的には、1,2−ベンゼンジオール、アリザリン、アントラルフィン、タンニン、没食子酸、没食子酸メチル、ピロガロール等が挙げられる。
接着剤層の厚さ(積層体の場合は、総厚み)は、特に限定されないが、例えば1〜200μmである。上限は、100μmが好ましく、より好ましくは80μmである。下限は、3μmが好ましく、より好ましくは5μmである。
本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて、温度23℃、剥離速度300mm/分の条件でのT型剥離試験における、上記粘着剤層と上記接着剤層との間の剥離力は、0.3N/20mm以上であることが好ましく、より好ましくは0.5N/20mm以上、さらに好ましくは0.7N/20mm以上である。上記剥離力が0.3N/20mm以上であると、粘着剤層と接着剤層との密着性を適度とすることができ、放射線硬化を行わない状態でエキスパンド工程を実施する場合に、エキスパンド工程及びその後における粘着剤層と接着剤層との間の剥離(浮き)が生じるのを抑制しやすい。
また、上記剥離力は高いほど好ましいが、その上限は、例えば、10N/20mmであってもよく、5.0N/20mmであってもよく、3.0N/20mmであってもよい。なお、粘着剤層に放射線硬化性粘着剤を用いたダイシングダイボンドフィルムについては、放射線硬化前の粘着剤層の上記剥離力(紫外線硬化前のT型剥離試験における剥離力)が上記の値であることが好ましい。
本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて、温度23℃、剥離速度300mm/分の条件でのT型剥離試験における、放射線硬化後の上記粘着剤層と上記接着剤層との間の剥離力が0.3N/20mm以下であることが好ましく、より好ましくは0.2N/20mm以下である。上記剥離力が0.3N/20mm以下であると、放射線硬化後に行うピックアップ工程において、良好なピックアップを実現することが容易となる。
ダイシングダイボンドフィルムは、セパレータを有していてもよい。具体的には、ダイシングダイボンドフィルムごとに、セパレータを有するシート状の形態であってもよいし、セパレータが長尺状であってその上に複数のダイシングダイボンドフィルムが配され且つ当該セパレータが巻き回されてロールの形態とされていてもよい。
セパレータは、ダイシングダイボンドフィルムの接着剤層の表面を被覆して保護するための要素であり、ダイシングダイボンドフィルムを使用する際には当該フィルムから剥がされる。セパレータとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙類等が挙げられる。セパレータの厚さは、例えば5〜200μmである。
本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態であるダイシングダイボンドフィルム1は、例えば、次の通りにして製造される。
まず基材11は、公知乃至慣用の製膜方法により製膜して得ることができる。上記製膜方法としては、例えば、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が挙げられる。
次に、基材11上に、粘着剤層12を形成する粘着剤及び溶媒等を含む、粘着剤層12を形成する組成物(粘着剤組成物)を塗布して塗布膜を形成した後、必要に応じて脱溶媒や硬化等により該塗布膜を固化させ、粘着剤層12を形成することができる。上記塗布の方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の公知乃至慣用の塗布方法が挙げられる。また、脱溶媒条件としては、例えば、温度80〜150℃、時間0.5〜5分間の範囲内で行われる。
また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、上記の脱溶媒条件で塗布膜を固化させて粘着剤層12を形成してもよい。その後、基材11上に粘着剤層12をセパレータと共に貼り合わせる。以上のようにして、ダイシングテープ10を作製することができる。なお、セパレータ上に形成した粘着剤層12を基材11上に転写する方法を採用する場合、粘着剤層12の表面12aのRaを1.0μm以下とするために、剥離処理面(粘着剤組成物塗布面)のRaがより小さいセパレータを用いることが好ましい。
接着剤層20について、まず、樹脂、フィラー、硬化触媒、溶媒等を含む、接着剤層20を形成する組成物(接着剤組成物)を作製する。次に、接着剤組成物をセパレータ上に塗布して塗布膜を形成した後、必要に応じて脱溶媒や硬化等により該塗布膜を固化させ、接着剤層20を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の公知乃至慣用の塗布方法が挙げられる。また、脱溶媒条件としては、例えば、温度70〜160℃、時間1〜5分間の範囲内で行われる。
続いて、ダイシングテープ10及び接着剤層20からそれぞれセパレータを剥離し、接着剤層20と粘着剤層12とが貼り合わせ面となるようにして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば、30〜50℃が好ましく、より好ましくは35〜45℃である。また、線圧は特に限定されず、例えば、0.1〜20kgf/cmが好ましく、より好ましくは1〜10kgf/cmである。
上述のように、粘着剤層12が放射線硬化型粘着剤層である場合に接着剤層20の貼り合わせより後に粘着剤層12に紫外線等の放射線を照射する時には、例えば基材11の側から粘着剤層12に放射線照射を行い、その照射量は、例えば50〜500mJであり、好ましくは100〜300mJである。
ダイシングダイボンドフィルム1において粘着剤層12の粘着力低減措置としての照射が行われる領域(照射領域R)は、通常、粘着剤層12における接着剤層20貼り合わせ領域内のその周縁部を除く領域である。部分的に照射領域Rを設ける場合、照射領域Rを除く領域に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に放射線を照射して照射領域Rを形成する方法も挙げられる。
以上のようにして、例えば図1に示すダイシングダイボンドフィルム1を作製することができる。
[半導体装置の製造方法]
本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いて、半導体装置を製造することができる。具体的には、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおける上記接着剤層側に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハを貼り付ける工程(「工程A」と称する場合がある)と、相対的に低温の条件下で、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープをエキスパンドして、少なくとも上記接着剤層を割断して接着剤層付き半導体チップを得る工程(「工程B」と称する場合がある)と、相対的に高温の条件下で、上記ダイシングテープをエキスパンドして、上記接着剤層付き半導体チップ同士の間隔を広げる工程(「工程C」と称する場合がある)と、上記接着剤層付き半導体チップをピックアップする工程(「工程D」と称する場合がある)とを含む製造方法により、半導体装置を製造することができる。
本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いて、半導体装置を製造することができる。具体的には、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおける上記接着剤層側に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハを貼り付ける工程(「工程A」と称する場合がある)と、相対的に低温の条件下で、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープをエキスパンドして、少なくとも上記接着剤層を割断して接着剤層付き半導体チップを得る工程(「工程B」と称する場合がある)と、相対的に高温の条件下で、上記ダイシングテープをエキスパンドして、上記接着剤層付き半導体チップ同士の間隔を広げる工程(「工程C」と称する場合がある)と、上記接着剤層付き半導体チップをピックアップする工程(「工程D」と称する場合がある)とを含む製造方法により、半導体装置を製造することができる。
工程Aで用いる上記複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハは、以下のようにして得ることができる。まず、図2(a)及び図2(b)に示すように、半導体ウエハWに分割溝30aを形成する(分割溝形成工程)。半導体ウエハWは、第1面Wa及び第2面Wbを有する。半導体ウエハWにおける第1面Waの側には各種の半導体素子(図示略)が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等(図示略)が第1面Wa上に既に形成されている。
そして、粘着面T1aを有するウエハ加工用テープT1を半導体ウエハWの第2面Wb側に貼り合わせた後、ウエハ加工用テープT1に半導体ウエハWが保持された状態で、半導体ウエハWの第1面Wa側に所定深さの分割溝30aをダイシング装置等の回転ブレードを使用して形成する。分割溝30aは、半導体ウエハWを半導体チップ単位に分離させるための空隙である(図2〜4では分割溝30aを模式的に太線で表す)。
次に、図2(c)に示すように、粘着面T2aを有するウエハ加工用テープT2の、半導体ウエハWの第1面Wa側への貼り合わせと、半導体ウエハWからのウエハ加工用テープT1の剥離とを行う。
次に、図2(d)に示すように、ウエハ加工用テープT2に半導体ウエハWが保持された状態で、半導体ウエハWが所定の厚さに至るまで第2面Wbからの研削加工によって薄化する(ウエハ薄化工程)。研削加工は、研削砥石を備える研削加工装置を使用して行うことができる。このウエハ薄化工程によって、本実施形態では、複数の半導体チップ31に個片化可能な半導体ウエハ30Aが形成される。
半導体ウエハ30Aは、具体的には、当該ウエハにおいて複数の半導体チップ31へと個片化されることとなる部位を第2面Wb側で連結する部位(連結部)を有する。半導体ウエハ30Aにおける連結部の厚さ、すなわち、半導体ウエハ30Aの第2面Wbと分割溝30aの第2面Wb側先端との間の距離は、例えば1〜30μmであり、好ましくは3〜20μmである。
(工程A)
工程Aでは、ダイシングダイボンドフィルム1における接着剤層20側に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハを貼り付ける。
工程Aでは、ダイシングダイボンドフィルム1における接着剤層20側に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハを貼り付ける。
工程Aにおける一実施形態では、図3(a)に示すように、ウエハ加工用テープT2に保持された半導体ウエハ30Aをダイシングダイボンドフィルム1の接着剤層20に対して貼り合わせる。この後、図3(b)に示すように、半導体ウエハ30Aからウエハ加工用テープT2を剥がす。
なお、半導体ウエハ30Aの接着剤層20への貼り合わせの後に、基材11の側から粘着剤層12に対して紫外線等の放射線を照射してもよい。照射量は、例えば50〜500mJ/cm2であり、好ましくは100〜300mJ/cm2である。ダイシングダイボンドフィルム1において粘着剤層12の粘着力低減措置としての照射が行われる領域(図1に示す照射領域R)は、例えば、粘着剤層12における接着剤層20貼り合わせ領域内のその周縁部を除く領域である。
(工程B)
工程Bでは、相対的に低温の条件下で、ダイシングダイボンドフィルム1におけるダイシングテープ10をエキスパンドして、少なくとも接着剤層20を割断して接着剤層付き半導体チップを得る。
工程Bでは、相対的に低温の条件下で、ダイシングダイボンドフィルム1におけるダイシングテープ10をエキスパンドして、少なくとも接着剤層20を割断して接着剤層付き半導体チップを得る。
工程Bにおける一実施形態では、まず、ダイシングダイボンドフィルム1におけるダイシングテープ10の粘着剤層12上にリングフレーム41を貼り付けた後、図4(a)に示すように、半導体ウエハ30Aを伴う当該ダイシングダイボンドフィルム1をエキスパンド装置の保持具42に固定する。
次に、相対的に低温の条件下での第1エキスパンド工程(クールエキスパンド工程)を、図4(b)に示すように行い、半導体ウエハ30Aを複数の半導体チップ31へと個片化するとともに、ダイシングダイボンドフィルム1の接着剤層20を小片の接着剤層21に割断して、接着剤層付き半導体チップ31を得る。
クールエキスパンド工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材43を、ダイシングダイボンドフィルム1の図中下側においてダイシングテープ10に当接させて上昇させ、半導体ウエハ30Aの貼り合わせられたダイシングダイボンドフィルム1のダイシングテープ10を、半導体ウエハ30Aの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。
このエキスパンドは、ダイシングテープ10において15〜32MPa、好ましくは20〜32MPaの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば0℃以下であり、好ましくは−20〜−5℃、より好ましくは−15〜−5℃、より好ましくは−15℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度(突き上げ部材43を上昇させる速度)は、好ましくは0.1〜100mm/秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは3〜16mmである。
工程Bでは、複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハ30Aを用いた場合、半導体ウエハ30Aにおいて薄肉で割れやすい部位に割断が生じて半導体チップ31への個片化が生じる。これとともに、工程Bでは、エキスパンドされるダイシングテープ10の粘着剤層12に密着している接着剤層20において各半導体チップ31が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ31間の分割溝の図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ10に生じる引張応力が作用する。その結果、接着剤層20において半導体チップ31間の分割溝の垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。エキスパンドによる割断の後、図4(c)に示すように、突き上げ部材43を下降させて、ダイシングテープ10におけるエキスパンド状態を解除する。
(工程C)
工程Cでは、相対的に高温の条件下で、上記ダイシングテープ10をエキスパンドして、上記接着剤層付き半導体チップ同士の間隔を広げる。
工程Cでは、相対的に高温の条件下で、上記ダイシングテープ10をエキスパンドして、上記接着剤層付き半導体チップ同士の間隔を広げる。
工程Cにおける一実施形態では、まず、相対的に高温の条件下での第2エキスパンド工程(常温エキスパンド工程)を、図5(a)に示すように行い、接着剤層付き半導体チップ31間の距離(離間距離)を広げる。
工程Cでは、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材43を再び上昇させ、ダイシングダイボンドフィルム1のダイシングテープ10をエキスパンドする。第2エキスパンド工程における温度条件は、例えば10℃以上であり、好ましくは15〜30℃である。第2エキスパンド工程におけるエキスパンド速度(突き上げ部材43を上昇させる速度)は、例えば0.1〜10mm/秒であり、好ましくは0.3〜1mm/秒である。後述のピックアップ工程にてダイシングテープ10から接着剤層付き半導体チップ31を適切にピックアップ可能な程度に、工程Cでは接着剤層付き半導体チップ31の離間距離を広げる。エキスパンドにより離間距離を広げた後、図5(b)に示すように、突き上げ部材43を下降させて、ダイシングテープ10におけるエキスパンド状態を解除する。
エキスパンド状態解除後にダイシングテープ10上の接着剤層付き半導体チップ31の離間距離が狭まることを抑制する観点では、エキスパンド状態を解除するより前に、ダイシングテープ10における半導体チップ31保持領域より外側の部分を加熱して収縮させることが好ましい。
工程Cの後、接着剤層付き半導体チップ31を伴うダイシングテープ10における半導体チップ31側を水等の洗浄液を使用して洗浄するクリーニング工程を必要に応じて有していてもよい。
(工程D)
工程D(ピックアップ工程)では、個片化された接着剤層付き半導体チップをピックアップする。工程Dにおける一実施形態では、必要に応じて上記クリーニング工程を経た後、図6に示すように、接着剤層付き半導体チップ31をダイシングテープ10からピックアップする。例えば、ピックアップ対象の接着剤層付き半導体チップ31について、ダイシングテープ10の図中下側においてピックアップ機構のピン部材44を上昇させてダイシングテープ10を介して突き上げた後、吸着治具45によって吸着保持する。ピックアップ工程において、ピン部材44の突き上げ速度は例えば1〜100mm/秒であり、ピン部材44の突き上げ量は例えば50〜3000μmである。
工程D(ピックアップ工程)では、個片化された接着剤層付き半導体チップをピックアップする。工程Dにおける一実施形態では、必要に応じて上記クリーニング工程を経た後、図6に示すように、接着剤層付き半導体チップ31をダイシングテープ10からピックアップする。例えば、ピックアップ対象の接着剤層付き半導体チップ31について、ダイシングテープ10の図中下側においてピックアップ機構のピン部材44を上昇させてダイシングテープ10を介して突き上げた後、吸着治具45によって吸着保持する。ピックアップ工程において、ピン部材44の突き上げ速度は例えば1〜100mm/秒であり、ピン部材44の突き上げ量は例えば50〜3000μmである。
上記半導体装置の製造方法は、工程A〜D以外の他の工程を含んでいてもよい。例えば、一実施形態においては、図7(a)に示すように、ピックアップした接着剤層付き半導体チップ31を、被着体51に対して接着剤層21を介して仮固着する(仮固着工程)。
被着体51としては、例えば、リードフレーム、TAB(Tape Automated Bonding)フィルム、配線基板、別途作製した半導体チップ等が挙げられる。接着剤層21の仮固着時における25℃での剪断接着力は、被着体51に対して0.2MPa以上が好ましく、より好ましくは0.2〜10MPaである。接着剤層21の上記剪断接着力が0.2MPa以上であるという構成は、後述のワイヤーボンディング工程において、超音波振動や加熱によって接着剤層21と半導体チップ31又は被着体51との接着面でずり変形が生じるのを抑制して適切にワイヤーボンディングを行うことができる。また、接着剤層21の仮固着時における175℃での剪断接着力は、被着体51に対して0.01MPa以上が好ましく、より好ましくは0.01〜5MPaである。
次に、図7(b)に示すように、半導体チップ31の電極パッド(図示略)と被着体51の有する端子部(図示略)とをボンディングワイヤー52を介して電気的に接続する(ワイヤーボンディング工程)。
半導体チップ31の電極パッドや被着体51の端子部とボンディングワイヤー52との結線は、加熱を伴う超音波溶接によって実現でき、接着剤層21を熱硬化させないように行われる。ボンディングワイヤー52としては、例えば金線、アルミニウム線、銅線等を用いることができる。ワイヤーボンディングにおけるワイヤー加熱温度は、例えば80〜250℃であり、好ましくは80〜220℃である。また、その加熱時間は数秒〜数分間である。
次に、図7(c)に示すように、被着体51上の半導体チップ31やボンディングワイヤー52を保護するための封止樹脂53によって半導体チップ31を封止する(封止工程)。
封止工程では、接着剤層21の熱硬化が進行する。封止工程では、例えば、金型を使用して行うトランスファーモールド技術によって封止樹脂53を形成する。封止樹脂53の構成材料としては、例えばエポキシ系樹脂を用いることができる。封止工程において、封止樹脂53を形成するための加熱温度は例えば165〜185℃であり、加熱時間は例えば60秒〜数分間である。
封止工程で封止樹脂53の硬化が十分に進行しない場合には、封止工程の後に封止樹脂53を完全に硬化させるための後硬化工程を行う。封止工程において接着剤層21が完全に熱硬化しない場合であっても、後硬化工程において封止樹脂53と共に接着剤層21の完全な熱硬化が可能となる。後硬化工程において、加熱温度は例えば165〜185℃であり、加熱時間は例えば0.5〜8時間である。
上記の実施形態では、上述のように、接着剤層付き半導体チップ31を被着体51に仮固着させた後、接着剤層21を完全に熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程が行われる。このような構成に代えて、上記半導体装置の製造方法では、接着剤層付き半導体チップ31を被着体51に仮固着させた後、接着剤層21を熱硬化させてからワイヤーボンディング工程を行ってもよい。
上記半導体装置の製造方法においては、他の実施形態として、図2(d)を参照して上述したウエハ薄化工程に代えて、図8に示すウエハ薄化工程を行ってもよい。図2(c)を参照して上述した過程を経た後、図8に示すウエハ薄化工程では、ウエハ加工用テープT2に半導体ウエハWが保持された状態で、当該ウエハが所定の厚さに至るまで第2面Wbからの研削加工によって薄化させて、複数の半導体チップ31を含んでウエハ加工用テープT2に保持された半導体ウエハ分割体30Bを形成する。
上記ウエハ薄化工程では、分割溝30aが第2面Wb側に露出するまでウエハを研削する手法(第1の手法)を採用してもよいし、第2面Wb側から分割溝30aに至るより前までウエハを研削し、その後、回転砥石からウエハへの押圧力の作用により分割溝30aと第2面Wbとの間にクラックを生じさせて半導体ウエハ分割体30Bを形成する手法(第2の手法)を採用してもよい。採用される手法に応じて、図2(a)及び図2(b)を参照して上述したように形成する分割溝30aの、第1面Waからの深さは、適宜に決定される。
図8では、第1の手法を経た分割溝30a、又は、第2の手法を経た分割溝30a及びこれに連なるクラックについて、模式的に太線で表す。上記半導体装置の製造方法では、工程Aにおいて、半導体ウエハ分割体としてこのようにして作製される半導体ウエハ分割体30Bを半導体ウエハ30Aの代わりに用い、図3から図7を参照して上述した各工程を行ってもよい。
図9(a)及び図9(b)は、当該実施形態における工程B、すなわち半導体ウエハ分割体30Bをダイシングダイボンドフィルム1に貼り合わせた後に行う第1エキスパンド工程(クールエキスパンド工程)を表す。
当該実施形態における工程Bでは、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材43を、ダイシングダイボンドフィルム1の図中下側においてダイシングテープ10に当接させて上昇させ、半導体ウエハ分割体30Bの貼り合わせられたダイシングダイボンドフィルム1のダイシングテープ10を、半導体ウエハ分割体30Bの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。
このエキスパンドは、ダイシングテープ10において、例えば5〜28MPa、好ましくは8〜25MPaの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば0℃以下であり、好ましくは−20〜−5℃、より好ましくは−15〜−5℃、より好ましくは−15℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度(突き上げ部材43を上昇させる速度)は、好ましくは1〜400mm/秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは50〜200mmである。
このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルム1の接着剤層20を小片の接着剤層21に割断して接着剤層付き半導体チップ31が得られる。具体的に、クールエキスパンド工程では、エキスパンドされるダイシングテープ10の粘着剤層12に密着している接着剤層20において、半導体ウエハ分割体30Bの各半導体チップ31が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ31間の分割溝30aの図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ10に生じる引張応力が作用する。その結果、接着剤層20において半導体チップ31間の分割溝30aの図中垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。
上記半導体装置の製造方法においては、さらなる他の実施形態として、工程Aにおいて用いる半導体ウエハ30A又は半導体ウエハ分割体30Bに代えて、以下のようにして作製される半導体ウエハ30Cを用いてもよい。
当該実施形態では、図10(a)及び図10(b)に示すように、まず、半導体ウエハWに改質領域30bを形成する。半導体ウエハWは、第1面Wa及び第2面Wbを有する。半導体ウエハWにおける第1面Waの側には各種の半導体素子(図示略)が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等(図示略)が第1面Wa上に既に形成されている。
そして、粘着面T3aを有するウエハ加工用テープT3を半導体ウエハWの第1面Wa側に貼り合わせた後、ウエハ加工用テープT3に半導体ウエハWが保持された状態で、ウエハ内部に集光点の合わせられたレーザー光をウエハ加工用テープT3とは反対の側から半導体ウエハWに対して分割予定ラインに沿って照射して、多光子吸収によるアブレーションに因って半導体ウエハW内に改質領域30bを形成する。改質領域30bは、半導体ウエハWを半導体チップ単位に分離させるための脆弱化領域である。
半導体ウエハにおいてレーザー光照射によって分割予定ライン上に改質領域30bを形成する方法については、例えば特開2002−192370号公報に詳述されているが、当該実施形態におけるレーザー光照射条件は、例えば以下の条件の範囲内で適宜に調整される。
<レーザー光照射条件>
(A)レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Nd:YAGレーザー
波長 1064nm
レーザー光スポット断面積 3.14×10-8cm2
発振形態 Qスイッチパルス
繰り返し周波数 100kHz以下
パルス幅 1μs以下
出力 1mJ以下
レーザー光品質 TEM00
偏光特性 直線偏光
(B)集光用レンズ
倍率 100倍以下
NA 0.55
レーザー光波長に対する透過率 100%以下
(C)半導体基板が載置される裁置台の移動速度 280mm/秒以下
(A)レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Nd:YAGレーザー
波長 1064nm
レーザー光スポット断面積 3.14×10-8cm2
発振形態 Qスイッチパルス
繰り返し周波数 100kHz以下
パルス幅 1μs以下
出力 1mJ以下
レーザー光品質 TEM00
偏光特性 直線偏光
(B)集光用レンズ
倍率 100倍以下
NA 0.55
レーザー光波長に対する透過率 100%以下
(C)半導体基板が載置される裁置台の移動速度 280mm/秒以下
次に、図10(c)に示すように、ウエハ加工用テープT3に半導体ウエハWが保持された状態で、半導体ウエハWが所定の厚さに至るまで第2面Wbからの研削加工によって薄化させ、これによって複数の半導体チップ31に個片化可能な半導体ウエハ30Cを形成する(ウエハ薄化工程)。
上記半導体装置の製造方法では、工程Aにおいて、個片化可能は半導体ウエハとしてこのようにして作製される半導体ウエハ30Cを半導体ウエハ30Aの代わりに用い、図3から図7を参照して上述した各工程を行ってもよい。
図11(a)及び図11(b)は、当該実施形態における工程B、すなわち半導体ウエハ30Cをダイシングダイボンドフィルム1に貼り合わせた後に行う第1エキスパンド工程(クールエキスパンド工程)を表す。
クールエキスパンド工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材43を、ダイシングダイボンドフィルム1の図中下側においてダイシングテープ10に当接させて上昇させ、半導体ウエハ30Cの貼り合わせられたダイシングダイボンドフィルム1のダイシングテープ10を、半導体ウエハ30Cの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。
このエキスパンドは、ダイシングテープ10において、例えば5〜28MPa、好ましくは8〜25MPaの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば0℃以下であり、好ましくは−20〜−5℃、より好ましくは−15〜−5℃、より好ましくは−15℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度(突き上げ部材43を上昇させる速度)は、好ましくは1〜400mm/秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは50〜200mmである。
このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルム1の接着剤層20を小片の接着剤層21に割断して接着剤層付き半導体チップ31が得られる。具体的に、クールエキスパンド工程では、半導体ウエハ30Cにおいて脆弱な改質領域30bにクラックを形成されて半導体チップ31への個片化が生じる。これとともに、クールエキスパンド工程では、エキスパンドされるダイシングテープ10の粘着剤層12に密着している接着剤層20において、半導体ウエハ30Cの各半導体チップ31が密着している各領域では変形が抑制される一方で、ウエハのクラック形成箇所の図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ10に生じる引張応力が作用する。その結果、接着剤層20において半導体チップ31間のクラック形成箇所の図中垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。
また、上記半導体装置の製造方法において、ダイシングダイボンドフィルム1は、上述のように接着剤層付き半導体チップを得る用途に使用することができるが、複数の半導体チップを積層して3次元実装をする場合における接着剤層付き半導体チップを得るための用途にも使用することができる。そのような3次元実装における半導体チップ31間には、接着剤層21と共にスペーサが介在していてもよいし、スペーサが介在していなくてもよい。
以下に実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、実施例及び比較例における粘着剤層の、アクリル系ポリマーP2を構成する各モノマー成分の組成を表に示す。但し、表において、組成物の組成を表す各数値の単位は、モノマー成分に関する数値は当該組成物内での相対的な“モル”であり、モノマー成分以外の各成分に関する数値は当該アクリル系ポリマーP2100質量部に対する “質量部”である。
実施例1
(ダイシングテープ)
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、アクリル酸2−エチルヘキシル(2EHA)100モルと、2−ヒドロキシエチルアクリレート(HEA)30モルと、アクリロイルモルホリン(AM)30モルと、これらモノマー成分100質量部に対して0.2質量部の重合開始剤としての過酸化ベンゾイルと、重合溶媒としてのトルエンとを含む混合物を、61℃で6時間、窒素雰囲気下で撹拌した(重合反応)。これにより、アクリル系ポリマーP1を含有するポリマー溶液を得た。
(ダイシングテープ)
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、アクリル酸2−エチルヘキシル(2EHA)100モルと、2−ヒドロキシエチルアクリレート(HEA)30モルと、アクリロイルモルホリン(AM)30モルと、これらモノマー成分100質量部に対して0.2質量部の重合開始剤としての過酸化ベンゾイルと、重合溶媒としてのトルエンとを含む混合物を、61℃で6時間、窒素雰囲気下で撹拌した(重合反応)。これにより、アクリル系ポリマーP1を含有するポリマー溶液を得た。
次に、このアクリル系ポリマーP1を含有するポリマー溶液と、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)と、付加反応触媒としてのジブチル錫ジラウリレートとを含む混合物を、50℃で48時間、空気雰囲気下で撹拌した(付加反応)。当該反応溶液において、MOIの配合量は25モルである。また、当該反応溶液において、ジブチル錫ジラウリレートの配合量は、アクリル系ポリマーP1100質量部に対して0.01質量部である。この付加反応により、側鎖にメタクリレート基を有するアクリル系ポリマーP2(不飽和官能基含有イソシアネート化合物由来の構成単位を含むアクリル系ポリマー)を含有するポリマー溶液を得た。
次に、当該ポリマー溶液に、アクリル系ポリマーP2100質量部に対して1質量部のポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、東ソー株式会社製)と、2質量部の光重合開始剤(商品名「イルガキュア127」、BASF社製)とを加えて混合し、さらにトルエンを加えて希釈し、粘着剤組成物を得た。
次に、シリコーン離型処理の施された面を有するPETセパレータ(厚さ50μm)のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して粘着剤組成物を塗布して粘着剤組成物層を形成した。次に、この組成物層について120℃で2分間の加熱による脱溶媒を行い、PETセパレータ上に厚さ10μmの粘着剤層を形成した。
次に、ラミネーターを使用して、この粘着剤層の露出面に基材としてのEVAフィルム(厚さ125μm)を室温で貼り合わせた。この貼り合わせ体について、その後に50℃で24時間の保存を行った。以上のようにして実施例1のダイシングテープを作製した。
(接着剤層)
アクリル系ポリマーA1(アクリル酸エチルとアクリル酸ブチルとアクリロニトリルとグリシジルメタクリレートとの共重合体、質量平均分子量は120万、ガラス転移温度は0℃、エポキシ価は0.4eq/kg)54質量部と、固形フェノール樹脂(商品名「MEHC−7851SS」、23℃で固形,明和化成株式会社製)3質量部と、液状フェノール樹脂(商品名「MEH−8000H」、23℃で液状、明和化成株式会社製)3質量部と、シリカフィラー(商品名「SO−C2」、平均粒径は0.5μm、株式会社アドマテックス製)40質量部とを、メチルエチルケトンに加えて混合し、室温での粘度が700mPa・sになるように濃度を調整し、接着剤組成物を得た。
アクリル系ポリマーA1(アクリル酸エチルとアクリル酸ブチルとアクリロニトリルとグリシジルメタクリレートとの共重合体、質量平均分子量は120万、ガラス転移温度は0℃、エポキシ価は0.4eq/kg)54質量部と、固形フェノール樹脂(商品名「MEHC−7851SS」、23℃で固形,明和化成株式会社製)3質量部と、液状フェノール樹脂(商品名「MEH−8000H」、23℃で液状、明和化成株式会社製)3質量部と、シリカフィラー(商品名「SO−C2」、平均粒径は0.5μm、株式会社アドマテックス製)40質量部とを、メチルエチルケトンに加えて混合し、室温での粘度が700mPa・sになるように濃度を調整し、接着剤組成物を得た。
次に、シリコーン離型処理の施された面を有するPETセパレータ(厚さ38μm)のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物を塗布して塗膜を形成し、この塗膜について130℃で2分間の脱溶媒を行った。以上のようにして、実施例1における厚さ10μmの接着剤層をPETセパレータ上に作製した。
(ダイシングダイボンドフィルムの作製)
実施例1のダイシングテープからPETセパレータを剥離し、露出した粘着剤層に実施例1の接着剤層を貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、300mJの紫外線をダイシングテープ側から照射し、実施例1のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
実施例1のダイシングテープからPETセパレータを剥離し、露出した粘着剤層に実施例1の接着剤層を貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、300mJの紫外線をダイシングテープ側から照射し、実施例1のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
実施例2
粘着剤層の、アクリル系ポリマーP2(不飽和官能基含有イソシアネート化合物由来の構成単位を含むアクリル系ポリマー)を構成するアクリロイルモルホリン(AM)の配合量を10モルに変更したこと以外は、実施例1と同様にして実施例2のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
粘着剤層の、アクリル系ポリマーP2(不飽和官能基含有イソシアネート化合物由来の構成単位を含むアクリル系ポリマー)を構成するアクリロイルモルホリン(AM)の配合量を10モルに変更したこと以外は、実施例1と同様にして実施例2のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
実施例3
粘着剤層に紫外線を照射しなかったこと以外は、実施例1と同様にして実施例3のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
粘着剤層に紫外線を照射しなかったこと以外は、実施例1と同様にして実施例3のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
実施例4
粘着剤層の作製において、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、東ソー株式会社製)の配合量を2質量部としたこと以外は、実施例3と同様にして実施例4のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
粘着剤層の作製において、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、東ソー株式会社製)の配合量を2質量部としたこと以外は、実施例3と同様にして実施例4のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
実施例5
粘着剤層に紫外線を照射しなかったこと以外は、実施例2と同様にして実施例5のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
粘着剤層に紫外線を照射しなかったこと以外は、実施例2と同様にして実施例5のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
実施例6
粘着剤層の作製において、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、東ソー株式会社製)の配合量を2質量部としたこと以外は、実施例5と同様にして実施例6のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
粘着剤層の作製において、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、東ソー株式会社製)の配合量を2質量部としたこと以外は、実施例5と同様にして実施例6のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
実施例7
(ダイシングテープ)
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、アクリル酸エチル(EA)50モルと、アクリル酸ブチル(BA)50モルと、2−ヒドロキシエチルアクリレート(HEA)20モルと、これらモノマー成分100質量部に対して0.2質量部の重合開始剤としての過酸化ベンゾイルと、重合溶媒としてのトルエンとを含む混合物を、61℃で6時間、窒素雰囲気下で撹拌した(重合反応)。これにより、アクリル系ポリマーP1を含有するポリマー溶液を得た。
(ダイシングテープ)
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、アクリル酸エチル(EA)50モルと、アクリル酸ブチル(BA)50モルと、2−ヒドロキシエチルアクリレート(HEA)20モルと、これらモノマー成分100質量部に対して0.2質量部の重合開始剤としての過酸化ベンゾイルと、重合溶媒としてのトルエンとを含む混合物を、61℃で6時間、窒素雰囲気下で撹拌した(重合反応)。これにより、アクリル系ポリマーP1を含有するポリマー溶液を得た。
次に、このアクリル系ポリマーP1を含有するポリマー溶液と、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)と、付加反応触媒としてのジブチル錫ジラウリレートとを含む混合物を、50℃で48時間、空気雰囲気下で撹拌した(付加反応)。当該反応溶液において、MOIの配合量は18モルである。また、当該反応溶液において、ジブチル錫ジラウリレートの配合量は、アクリル系ポリマーP1100質量部に対して0.01質量部である。この付加反応により、側鎖にメタクリレート基を有するアクリル系ポリマーP2(不飽和官能基含有イソシアネート化合物由来の構成単位を含むアクリル系ポリマー)を含有するポリマー溶液を得た。
次に、当該ポリマー溶液に、アクリル系ポリマーP2100質量部に対して1質量部のポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、東ソー株式会社製)と、2質量部の光重合開始剤(商品名「イルガキュア127」、BASF社製)とを加えて混合し、さらにトルエンを加えて希釈し、粘着剤組成物を得た。
次に、シリコーン離型処理の施された面を有するPETセパレータ(厚さ50μm)のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して粘着剤組成物を塗布して粘着剤組成物層を形成した。次に、この組成物層について120℃で2分間の加熱による脱溶媒を行い、PETセパレータ上に厚さ10μmの粘着剤層を形成した。
次に、ラミネーターを使用して、この粘着剤層の露出面に基材としてのEVAフィルム(厚さ125μm)を室温で貼り合わせた。この貼り合わせ体について、その後に50℃で24時間の保存を行った。以上のようにして実施例7のダイシングテープを作製した。
(ダイシングダイボンドフィルムの作製)
実施例7のダイシングテープからPETセパレータを剥離し、露出した粘着剤層に実施例1の接着剤層を貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。このようにして、実施例7のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
実施例7のダイシングテープからPETセパレータを剥離し、露出した粘着剤層に実施例1の接着剤層を貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。このようにして、実施例7のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
実施例8
粘着剤層の作製において、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、東ソー株式会社製)の配合量を2質量部としたこと以外は、実施例7と同様にして実施例8のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
粘着剤層の作製において、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、東ソー株式会社製)の配合量を2質量部としたこと以外は、実施例7と同様にして実施例8のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
比較例1
(ダイシングテープ)
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、アクリル酸2−エチルヘキシル(2EHA)100モルと、2−ヒドロキシエチルアクリレート(HEA)20モルと、これらモノマー成分100質量部に対して0.2質量部の重合開始剤としての過酸化ベンゾイルと、重合溶媒としてのトルエンとを含む混合物を、61℃で6時間、窒素雰囲気下で撹拌した(重合反応)。これにより、アクリル系ポリマーP1を含有するポリマー溶液を得た。
(ダイシングテープ)
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、アクリル酸2−エチルヘキシル(2EHA)100モルと、2−ヒドロキシエチルアクリレート(HEA)20モルと、これらモノマー成分100質量部に対して0.2質量部の重合開始剤としての過酸化ベンゾイルと、重合溶媒としてのトルエンとを含む混合物を、61℃で6時間、窒素雰囲気下で撹拌した(重合反応)。これにより、アクリル系ポリマーP1を含有するポリマー溶液を得た。
次に、このアクリル系ポリマーP1を含有するポリマー溶液と、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)と、付加反応触媒としてのジブチル錫ジラウリレートとを含む混合物を、50℃で48時間、空気雰囲気下で撹拌した(付加反応)。当該反応溶液において、MOIの配合量は18モルである。また、当該反応溶液において、ジブチル錫ジラウリレートの配合量は、アクリル系ポリマーP1100質量部に対して0.01質量部である。この付加反応により、側鎖にメタクリレート基を有するアクリル系ポリマーP2(不飽和官能基含有イソシアネート化合物由来の構成単位を含むアクリル系ポリマー)を含有するポリマー溶液を得た。
次に、当該ポリマー溶液に、アクリル系ポリマーP2100質量部に対して0.5質量部のポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、東ソー株式会社製)と、2質量部の光重合開始剤(商品名「イルガキュア127」、BASF社製)とを加えて混合し、さらにトルエンを加えて希釈し、粘着剤組成物を得た。
次に、シリコーン離型処理の施された面を有するPETセパレータ(厚さ50μm)のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して粘着剤組成物を塗布して粘着剤組成物層を形成した。次に、この組成物層について120℃で2分間の加熱による脱溶媒を行い、PETセパレータ上に厚さ10μmの粘着剤層を形成した。
次に、ラミネーターを使用して、この粘着剤層の露出面に基材としてのEVAフィルム(厚さ125μm)を室温で貼り合わせた。この貼り合わせ体について、その後に50℃で24時間の保存を行った。以上のようにして比較例1のダイシングテープを作製した。
(ダイシングダイボンドフィルムの作製)
比較例1のダイシングテープからPETセパレータを剥離し、露出した粘着剤層に実施例1の接着剤層を貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。このようにして、比較例1のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
比較例1のダイシングテープからPETセパレータを剥離し、露出した粘着剤層に実施例1の接着剤層を貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。このようにして、比較例1のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
比較例2
粘着剤層の作製において、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、東ソー株式会社製)の配合量を1質量部としたこと以外は、比較例1と同様にして比較例2のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
粘着剤層の作製において、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、東ソー株式会社製)の配合量を1質量部としたこと以外は、比較例1と同様にして比較例2のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
比較例3
粘着剤層の作製において、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、東ソー株式会社製)の配合量を2質量部としたこと以外は、比較例1と同様にして比較例3のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
粘着剤層の作製において、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、東ソー株式会社製)の配合量を2質量部としたこと以外は、比較例1と同様にして比較例3のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
比較例4
(ダイシングテープ)
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、メタクリル酸ラウリル(LMA)100モルと、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(HEMA)20モルと、これらモノマー成分100質量部に対して0.2質量部の重合開始剤としての過酸化ベンゾイルと、重合溶媒としてのトルエンとを含む混合物を、61℃で6時間、窒素雰囲気下で撹拌した(重合反応)。これにより、アクリル系ポリマーP1を含有するポリマー溶液を得た。
(ダイシングテープ)
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、メタクリル酸ラウリル(LMA)100モルと、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(HEMA)20モルと、これらモノマー成分100質量部に対して0.2質量部の重合開始剤としての過酸化ベンゾイルと、重合溶媒としてのトルエンとを含む混合物を、61℃で6時間、窒素雰囲気下で撹拌した(重合反応)。これにより、アクリル系ポリマーP1を含有するポリマー溶液を得た。
次に、このアクリル系ポリマーP1を含有するポリマー溶液と、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)と、付加反応触媒としてのジブチル錫ジラウリレートとを含む混合物を、50℃で48時間、空気雰囲気下で撹拌した(付加反応)。当該反応溶液において、MOIの配合量は18モルである。また、当該反応溶液において、ジブチル錫ジラウリレートの配合量は、アクリル系ポリマーP1100質量部に対して0.01質量部である。この付加反応により、側鎖にメタクリレート基を有するアクリル系ポリマーP2(不飽和官能基含有イソシアネート化合物由来の構成単位を含むアクリル系ポリマー)を含有するポリマー溶液を得た。
次に、当該ポリマー溶液に、アクリル系ポリマーP2100質量部に対して0.5質量部のポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、東ソー株式会社製)と、2質量部の光重合開始剤(商品名「イルガキュア127」、BASF社製)とを加えて混合し、さらにトルエンを加えて希釈し、粘着剤組成物を得た。
次に、シリコーン離型処理の施された面を有するPETセパレータ(厚さ50μm)のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して粘着剤組成物を塗布して粘着剤組成物層を形成した。次に、この組成物層について120℃で2分間の加熱による脱溶媒を行い、PETセパレータ上に厚さ10μmの粘着剤層を形成した。
次に、ラミネーターを使用して、この粘着剤層の露出面に基材としてのEVAフィルム(厚さ125μm)を室温で貼り合わせた。この貼り合わせ体について、その後に50℃で24時間の保存を行った。以上のようにして比較例4のダイシングテープを作製した。
(ダイシングダイボンドフィルムの作製)
比較例4のダイシングテープからPETセパレータを剥離し、露出した粘着剤層に実施例1の接着剤層を貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。このようにして、比較例4のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
比較例4のダイシングテープからPETセパレータを剥離し、露出した粘着剤層に実施例1の接着剤層を貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。このようにして、比較例4のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
比較例5
粘着剤層の作製において、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、東ソー株式会社製)の配合量を1質量部としたこと以外は、比較例4と同様にして比較例5のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
粘着剤層の作製において、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、東ソー株式会社製)の配合量を1質量部としたこと以外は、比較例4と同様にして比較例5のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
比較例6
粘着剤層の作製において、シリコーン離型処理の施された面を有するPETセパレータ(厚さ50μm、離型処理面の算術平均表面粗さは1.0μm)のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して粘着剤組成物を塗布して粘着剤組成物層を形成したこと以外は、実施例2と同様にして比較例6のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
粘着剤層の作製において、シリコーン離型処理の施された面を有するPETセパレータ(厚さ50μm、離型処理面の算術平均表面粗さは1.0μm)のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して粘着剤組成物を塗布して粘着剤組成物層を形成したこと以外は、実施例2と同様にして比較例6のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。
<評価>
実施例及び比較例で得られたダイシングダイボンドフィルムについて、以下の評価を行った。結果を表に示す。
実施例及び比較例で得られたダイシングダイボンドフィルムについて、以下の評価を行った。結果を表に示す。
(1)表面粗さ
実施例及び比較例で得られたダイシングダイボンドフィルムの、接着剤層が積層されていない領域内の粘着剤層表面について、共焦点レーザー顕微鏡(商品名「形状測定レーザーマイクロスコープ VK−X100」、株式会社キーエンス製)を用い、接眼レンズ10倍、対物レンズ20倍の倍率で、算術平均表面粗さ(Ra)を測定した。
実施例及び比較例で得られたダイシングダイボンドフィルムの、接着剤層が積層されていない領域内の粘着剤層表面について、共焦点レーザー顕微鏡(商品名「形状測定レーザーマイクロスコープ VK−X100」、株式会社キーエンス製)を用い、接眼レンズ10倍、対物レンズ20倍の倍率で、算術平均表面粗さ(Ra)を測定した。
(2)水接触角
接触角計「CA−X型」(協和界面科学株式会社製)を用いて、粘着剤層表面に試薬を1滴滴下し、その際の角度を測定することで水接触角を測定した。
接触角計「CA−X型」(協和界面科学株式会社製)を用いて、粘着剤層表面に試薬を1滴滴下し、その際の角度を測定することで水接触角を測定した。
(3)Kaelble Uyの式から求められる表面自由エネルギーの極性成分の値
上記水接触角の測定と同様にして、粘着剤層表面のヨウ化メチレン接触角を測定した。そして、接触角評価で測定された水接触角をθw、ヨウ化メチレン接触角をθiとして、下記式(2)及び(3)よりγspを求め、表面自由エネルギーの極性成分の値とした。なお、γwは72.8mJ/m2、γwdは21.8mJ/m2、γwpは51.0mJ/m2、γiは50.8mJ/m2、γidは48.5mJ/m2、γipは2.3mJ/m2である。
γw(1+cosθw)=2(γsdγwd)1/2+2(γspγwp)1/2 (2)
γi(1+cosθi)=2(γsdγid)1/2+2(γspγip)1/2 (3)
上記水接触角の測定と同様にして、粘着剤層表面のヨウ化メチレン接触角を測定した。そして、接触角評価で測定された水接触角をθw、ヨウ化メチレン接触角をθiとして、下記式(2)及び(3)よりγspを求め、表面自由エネルギーの極性成分の値とした。なお、γwは72.8mJ/m2、γwdは21.8mJ/m2、γwpは51.0mJ/m2、γiは50.8mJ/m2、γidは48.5mJ/m2、γipは2.3mJ/m2である。
γw(1+cosθw)=2(γsdγwd)1/2+2(γspγwp)1/2 (2)
γi(1+cosθi)=2(γsdγid)1/2+2(γspγip)1/2 (3)
(4)ダイボンドフィルム付き半導体チップの浮き
レーザー加工装置として商品名「ML300−Integration」(株式会社東京精密製)を用いて、12インチの半導体ウエハの内部に集光点を合わせ、格子状(10mm×10mm)の分割予定ラインに沿ってレーザー光を照射し、半導体ウエハの内部に改質領域を形成した。レーザー光の照射は、下記の条件で行った。
(A)レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Nd:YAGレーザー
波長 1064nm
レーザー光スポット断面積 3.14×10-8cm2
発振形態 Qスイッチパルス
繰り返し周波数 100kHz
パルス幅 30ns
出力 20μJ/パルス
レーザー光品質 TEM00 40
偏光特性 直線偏光
(B)集光用レンズ
倍率 50倍
NA 0.55
レーザー光波長に対する透過率 60%
(C)半導体基板が載置される裁置台の移動速度 100mm/秒
レーザー加工装置として商品名「ML300−Integration」(株式会社東京精密製)を用いて、12インチの半導体ウエハの内部に集光点を合わせ、格子状(10mm×10mm)の分割予定ラインに沿ってレーザー光を照射し、半導体ウエハの内部に改質領域を形成した。レーザー光の照射は、下記の条件で行った。
(A)レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Nd:YAGレーザー
波長 1064nm
レーザー光スポット断面積 3.14×10-8cm2
発振形態 Qスイッチパルス
繰り返し周波数 100kHz
パルス幅 30ns
出力 20μJ/パルス
レーザー光品質 TEM00 40
偏光特性 直線偏光
(B)集光用レンズ
倍率 50倍
NA 0.55
レーザー光波長に対する透過率 60%
(C)半導体基板が載置される裁置台の移動速度 100mm/秒
半導体ウエハ内部に改質領域を形成した後、半導体ウエハの表面にバックグラインド用保護テープを貼り合わせ、バックグラインダー(商品名「DGP8760」、株式会社ディスコ製)を用いて半導体ウエハの厚さが30μmになるように裏面を研削した。
実施例及び比較例で得られたダイシングダイボンドフィルムに、改質領域が形成された半導体ウエハとダイシングリングを貼り合わせた。そして、ダイセパレーター(商品名「DDS2300」、株式会社ディスコ製)を用いて、半導体ウエハ及びダイボンドフィルムの割断を行った。具体的には、まず、クールエキスパンダーユニットで、温度−15℃、エキスパンド速度100mm/秒、エキスパンド量15mmの条件でクールエキスパンドを行って半導体ウエハを割断させた。クールエキスパンド後は、割断及びダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きに問題が無いことを確認した。
半導体ウエハ及びダイボンドフィルムの割断後、上記クールエキスパンダーユニットをそのまま用いて、室温、エキスパンド速度0.3mm/秒、エキスパンド量8mmの条件で常温エキスパンドを行った。そして、ダイボンドフィルムがダイシングテープから浮いている部分の面積(ダイボンドフィルム全体の面積を100%としたときの浮いているダイボンドフィルム付き半導体チップの面積の割合)を顕微鏡で観察した。浮いている部分の面積の割合が30%未満である場合を○、30〜50%の場合を△、50%を超える場合を×として評価した。
以上のまとめとして、本発明の構成及びそのバリエーションを以下に付記しておく。
[1]基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、
前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層とを備え、
前記粘着剤層は、前記接着剤層が密着している側の表面における、水接触角が110°以下であり、算術平均表面粗さRaが1.0μm以下である、ダイシングダイボンドフィルム。
[2]前記水接触角が108°以下(好ましくは105°以下)である[1]に記載のダイシングダインボンドフィルム。
[3]前記水接触角が80°以上(好ましくは84°以上、より好ましくは88°以上)である[1]又は[2]に記載のダイシングダインボンドフィルム。
[4]前記算術平均表面粗さRaが0.5μm以下(好ましくは0.3μm以下)である[1]〜[3]のいずれか1つに記載のダイシングダインボンドフィルム。
[5]前記粘着剤層の前記表面の、水とヨウ化メチレンの接触角を用いてKaelble Uyの式から求められる表面自由エネルギーの極性成分の値が0.10以上(好ましくは0.20以上、より好ましくは0.40以上)である、[1]〜[4]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[1]基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、
前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層とを備え、
前記粘着剤層は、前記接着剤層が密着している側の表面における、水接触角が110°以下であり、算術平均表面粗さRaが1.0μm以下である、ダイシングダイボンドフィルム。
[2]前記水接触角が108°以下(好ましくは105°以下)である[1]に記載のダイシングダインボンドフィルム。
[3]前記水接触角が80°以上(好ましくは84°以上、より好ましくは88°以上)である[1]又は[2]に記載のダイシングダインボンドフィルム。
[4]前記算術平均表面粗さRaが0.5μm以下(好ましくは0.3μm以下)である[1]〜[3]のいずれか1つに記載のダイシングダインボンドフィルム。
[5]前記粘着剤層の前記表面の、水とヨウ化メチレンの接触角を用いてKaelble Uyの式から求められる表面自由エネルギーの極性成分の値が0.10以上(好ましくは0.20以上、より好ましくは0.40以上)である、[1]〜[4]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[6]前記粘着剤層はアクリル系ポリマーをベースポリマーとして含む[1]〜[5]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[7]前記アクリル系ポリマーは、モノマー成分として、アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルを含む[6]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[8]前記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルのエステル部における炭素数の総数が6〜10である[7]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[9]前記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルのエステル部における炭素数の総数が2〜4である[6]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[10]前記アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における前記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルの割合が20モル%以上(好ましくは30モル%以上、より好ましくは40モル%以上)である[7]〜[9]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[7]前記アクリル系ポリマーは、モノマー成分として、アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルを含む[6]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[8]前記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルのエステル部における炭素数の総数が6〜10である[7]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[9]前記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルのエステル部における炭素数の総数が2〜4である[6]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[10]前記アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における前記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルの割合が20モル%以上(好ましくは30モル%以上、より好ましくは40モル%以上)である[7]〜[9]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[11]前記アクリル系ポリマーは、モノマー成分として、ヒドロキシ基含有モノマーを含む[6]〜[10]のいずれか1つに記載の請求項1に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[12]前記ヒドロキシ基含有モノマーは2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートである[11]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[13]前記アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における前記ヒドロキシ基含有モノマーの割合が5〜80モル%である[11]又は[12]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[14]アクリル系ポリマーは、モノマー成分として、窒素原子含有モノマー(好ましくはモルホリノ基含有モノマー、より好ましくは(メタ)アクリロイルモルホリン)を含む[6]〜[13]のいずれか1つに記載の請求項1に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[15]前記アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における前記窒素原子含有モノマーの割合が3〜50モル%である[14]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[16]前記アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における前記ヒドロキシ基含有モノマーと前記窒素原子含有モノマーの合計割合が10〜60モル%である[6]〜[15]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[12]前記ヒドロキシ基含有モノマーは2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートである[11]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[13]前記アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における前記ヒドロキシ基含有モノマーの割合が5〜80モル%である[11]又は[12]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[14]アクリル系ポリマーは、モノマー成分として、窒素原子含有モノマー(好ましくはモルホリノ基含有モノマー、より好ましくは(メタ)アクリロイルモルホリン)を含む[6]〜[13]のいずれか1つに記載の請求項1に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[15]前記アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における前記窒素原子含有モノマーの割合が3〜50モル%である[14]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[16]前記アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における前記ヒドロキシ基含有モノマーと前記窒素原子含有モノマーの合計割合が10〜60モル%である[6]〜[15]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[17]前記アクリル系ポリマーは、第1の官能基を有するモノマー由来の構成単位と共に、前記第1の官能基と反応し得る第2の官能基及び放射線重合性官能基を有する化合物由来の構造部を有する[6]〜[16]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[18]前記第1の官能基と前記第2の官能基の組み合わせが、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせ、又はイソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせである[17]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[19]前記第1の官能基がヒドロキシ基であり、前記第2の官能基がイソシアネート基である[17]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[20]前記第2の官能基及び放射線重合性官能基を有する化合物が、放射線重合性の炭素−炭素二重結合(特に、(メタ)アクリロイル基)及びイソシアネート基を有する化合物である[17]〜[19]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[21]前記第2の官能基及び放射線重合性官能基を有する化合物が2−(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネートである[17]〜[20]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[22]前記第1の官能基を有するモノマー由来の構成単位と前記第2の官能基及び放射線重合性官能基を有する化合物のモル比が0.95以上(好ましくは1.00以上、より好ましくは1.05以上、さらに好ましくは1.10以上)である[17]〜[21]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[23]前記第1の官能基を有するモノマー由来の構成単位と前記第2の官能基及び放射線重合性官能基を有する化合物のモル比が10.00以下(好ましくは5.00以下、より好ましくは3.00以下、さらに好ましくは2.00以下、さらに好ましくは1.50以下、特に好ましくは1.30以下)である[17]〜[22]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[18]前記第1の官能基と前記第2の官能基の組み合わせが、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせ、又はイソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせである[17]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[19]前記第1の官能基がヒドロキシ基であり、前記第2の官能基がイソシアネート基である[17]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[20]前記第2の官能基及び放射線重合性官能基を有する化合物が、放射線重合性の炭素−炭素二重結合(特に、(メタ)アクリロイル基)及びイソシアネート基を有する化合物である[17]〜[19]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[21]前記第2の官能基及び放射線重合性官能基を有する化合物が2−(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネートである[17]〜[20]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[22]前記第1の官能基を有するモノマー由来の構成単位と前記第2の官能基及び放射線重合性官能基を有する化合物のモル比が0.95以上(好ましくは1.00以上、より好ましくは1.05以上、さらに好ましくは1.10以上)である[17]〜[21]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[23]前記第1の官能基を有するモノマー由来の構成単位と前記第2の官能基及び放射線重合性官能基を有する化合物のモル比が10.00以下(好ましくは5.00以下、より好ましくは3.00以下、さらに好ましくは2.00以下、さらに好ましくは1.50以下、特に好ましくは1.30以下)である[17]〜[22]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[24]前記粘着剤層は架橋剤(特に、ポリイソシアネート化合物)を含有する[1]〜[23]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[25]前記架橋剤の使用量はベースポリマー100質量部に対して0.1〜5質量部である[24]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[26]前記粘着剤層は硬化触媒(特に、ジブチル錫ジラウリレート)を含む[1]〜[25]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
[25]前記架橋剤の使用量はベースポリマー100質量部に対して0.1〜5質量部である[24]に記載のダイシングダイボンドフィルム。
[26]前記粘着剤層は硬化触媒(特に、ジブチル錫ジラウリレート)を含む[1]〜[25]のいずれか1つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
1 ダイシングダイボンドフィルム
10 ダイシングテープ
11 基材
12 粘着剤層
20,21 接着剤層
W,30A,30C 半導体ウエハ
30B 半導体ウエハ分割体
30a 分割溝
30b 改質領域
31 半導体チップ
10 ダイシングテープ
11 基材
12 粘着剤層
20,21 接着剤層
W,30A,30C 半導体ウエハ
30B 半導体ウエハ分割体
30a 分割溝
30b 改質領域
31 半導体チップ
Claims (4)
- 基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、
前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層とを備え、
前記粘着剤層は、前記接着剤層が密着している側の表面における、水接触角が110°以下であり、算術平均表面粗さRaが1.0μm以下である、ダイシングダイボンドフィルム。 - 前記粘着剤層の前記表面の、水とヨウ化メチレンの接触角を用いてKaelble Uyの式から求められる表面自由エネルギーの極性成分の値が0.10以上である、請求項1に記載のダイシングダイボンドフィルム。
- 前記粘着剤層は、モノマー成分として、アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステル及びヒドロキシ基含有モノマーを含むアクリル系ポリマーを含有する、請求項1又は2に記載のダイシングダイボンドフィルム。
- 前記粘着剤層は、架橋剤としてポリイソシアネート化合物を含有する、請求項3に記載のダイシングダイボンドフィルム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019078729A JP2020178013A (ja) | 2019-04-17 | 2019-04-17 | ダイシングダイボンドフィルム |
KR1020200044458A KR20200122242A (ko) | 2019-04-17 | 2020-04-13 | 다이싱 다이 본드 필름 |
CN202010299872.8A CN111826100A (zh) | 2019-04-17 | 2020-04-16 | 切割芯片接合薄膜 |
TW109112975A TW202100690A (zh) | 2019-04-17 | 2020-04-17 | 切晶黏晶膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019078729A JP2020178013A (ja) | 2019-04-17 | 2019-04-17 | ダイシングダイボンドフィルム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020178013A true JP2020178013A (ja) | 2020-10-29 |
Family
ID=72913399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019078729A Pending JP2020178013A (ja) | 2019-04-17 | 2019-04-17 | ダイシングダイボンドフィルム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2020178013A (ja) |
KR (1) | KR20200122242A (ja) |
CN (1) | CN111826100A (ja) |
TW (1) | TW202100690A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI783530B (zh) * | 2021-06-18 | 2022-11-11 | 李志雄 | 暫時接著積層體及應用彼之晶圓薄化製備方法 |
KR20230025233A (ko) * | 2021-08-13 | 2023-02-21 | 주식회사 제우스 | 기판처리방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015076236A1 (ja) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | 積水化学工業株式会社 | 半導体接合用接着フィルム |
JP2018182275A (ja) * | 2017-04-17 | 2018-11-15 | 日東電工株式会社 | ダイシングダイボンドフィルム |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4876451B2 (ja) | 2005-06-27 | 2012-02-15 | 日立化成工業株式会社 | 接着シート |
JP2010129700A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法 |
JP5255465B2 (ja) | 2009-01-29 | 2013-08-07 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ加工用テープ |
JP6379389B2 (ja) | 2014-12-15 | 2018-08-29 | リンテック株式会社 | ダイシングダイボンディングシート |
KR102528254B1 (ko) * | 2017-04-17 | 2023-05-03 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 다이싱 다이 본드 필름 |
JP2018178002A (ja) * | 2017-04-17 | 2018-11-15 | 日東電工株式会社 | ダイシングダイボンドフィルム |
JP7041475B2 (ja) * | 2017-07-04 | 2022-03-24 | 日東電工株式会社 | ダイシングテープ、ダイシングダイボンドフィルム、及び半導体装置の製造方法 |
-
2019
- 2019-04-17 JP JP2019078729A patent/JP2020178013A/ja active Pending
-
2020
- 2020-04-13 KR KR1020200044458A patent/KR20200122242A/ko active Search and Examination
- 2020-04-16 CN CN202010299872.8A patent/CN111826100A/zh not_active Withdrawn
- 2020-04-17 TW TW109112975A patent/TW202100690A/zh unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015076236A1 (ja) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | 積水化学工業株式会社 | 半導体接合用接着フィルム |
JP2018182275A (ja) * | 2017-04-17 | 2018-11-15 | 日東電工株式会社 | ダイシングダイボンドフィルム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200122242A (ko) | 2020-10-27 |
CN111826100A (zh) | 2020-10-27 |
TW202100690A (zh) | 2021-01-01 |
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KR20180116755A (ko) | 다이싱 다이 본드 필름 |
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|
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|
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