JP2014154704A - ダイシング・ダイボンディング一体型テープ - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、ダイシング工程時では、高い粘着性を有し、ピックアップ工程では、低粘着性を有する製造可能なダイシング・ダイボンディング一体型テープに関する。特にピックアップ工程での低粘着性を発現させることができる粘着層を有するダイシング・ダイボンディング一体型テープを提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも基材層、粘着層、接着層がこの順で積層されたダイシング・ダイボンディング一体型テープにおいて、粘着層の紫外線照射前の表面自由エネルギーA、Aを極性成分と分散成分に分けた時の分散成分値A分散、粘着層の紫外線照射後の表面自由エネルギーBが、下記一般式(I)の関係を満たす、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
分散/[(B−A)/A]≦20・・・(I)
【選択図】図1

Description

本発明は、ダイシング・ダイボンディング一体型テープに関する。
従来の半導体製造工程において、個片化されたチップを被着対象に接着する際には、ダイボンドテープやダイボンドペーストを基板に塗布又は貼り付けした後に半導体チップを搭載し、硬化させていた。しかしこの方法では、ダイボンド時に個片ごとにダイボンドペーストやダイボンドテープを塗布・貼り付けする工程が必要であり、生産性が劣るという欠点を有していた。
また、更なる生産性を向上するために、ダイシング前の半導体ウェハにダイボンディングテープ、ダイシングテープを順次ラミネートし、ダイシングする手法が提案され、それによりダイボンディング工程において大幅な生産性向上が達成された。しかしながら、本手法ではウェハに2度のラミネート工程を必要とすること、またダイシングテープとダイボンドテープの組み合わせによっては、ダイボンディング工程においてピックアップ不具合が発生するなどの問題を有していた。
近年、更なる生産性や歩留まり向上を目的に、ダイシングテープとダイボンディングテープとを事前に組み合わせたダイシング・ダイボンディング一体型テープが考案され、用いられるようになった。このダイシング・ダイボンディング一体型テープを用いると、半導体ウェハへのラミネート工程は1回で済むため、前述手法よりも更に生産性に優れるという特徴を有している。
このような半導体製造工程に使用するダイシング・ダイボンディング一体型テープは種々提案されている。従来、ダイシング・ダイボンディング一体型テープはピックアップを容易に行うために、低粘着力の感圧接着剤が使用されていた。しかし、粘着層と接着層が製造から使用までの長い時間に渡って、接触していることにより、個片化した接着層付半導体素子をピックアップ工程で、粘着層と接着層をうまく剥離できないという問題点等があった(例えば、特許文献1及び2参照)。
特許第2887274号 特許第4002236号 特開2008−244463号公報 特許第4865926号
古河電工時報 106号、P31−36、2007
上記問題を解決するために、上述の特許文献1及び2には、紫外線照射などによって粘着層が硬化することで、粘着力を大きく低下させることができ、個片化した接着剤付の半導体素子を容易に粘着層から剥離できるダイシング・ダイボンディング一体型テープが記載されている。紫外線照射などによって粘着層と接着層の剥離を大きく変化させることができる要因としては、粘着剤自体の機械的特性の変化、表面張力及び相溶性の劇的な変化が知られている(非特許文献1参照)。さらに、近年の半導体素子の高集積化・薄ウエハ化に伴い、より小さい力でのピックアップ性が求められるようになり、紫外線などによる硬化型ダイシング・ダイボンディング一体型テープにおいても、硬化後の適切な粘着力を詳細に把握する技術が不可欠となっている。
適切な粘着性を有するダイシング・ダイボンディング一体型テープを提供するため、様々な手法で粘着性を制御する技術が発明されている。一般的な粘着剤においては、バルク特性の方が表面特性よりも粘着力に大きく寄与していることが知られており、バルク特性を制御することで適切な粘着力を得る場合が多い。しかし一方で、表面特性(表面自由エネルギー等)によって粘着性を制御する技術も発明されている。熱硬化する接着剤を含む一体型フィルムにおいては、硬化前の接着層の表面自由エネルギーを制御することで、粘着層からの剥離を有利にするだけでなく、被着体への接着性にも優れるダイシング・ダイボンディング一体型テープが知られている(特許文献3参照)。また、粘着層に接している接着層の剥離面と粘着層に接していない接着層の表面自由エネルギー差を制御することで、接着層と粘着層の剥離モードを凝集破壊に保持できるために、剥離時の半導体素子の損傷を抑制できる効果が記載されているものがある(特許文献4参照)。
このように、表面特性、中でも表面自由エネルギーが粘着層と接着層の粘着・剥離現象に関与していることは明らかであり、粘着力制御に効果を発揮している。このように様々な手法によって、適切な粘着性を有するための技術が存在するものの、粘着・剥離のメカニズムは非常に複雑なために、影響を及ぼす因子が多く、使用環境や条件などによって、粘着層の粘着性は、設計時とは大きく異なる場合がある。このような場合には、ダイシング工程やピックアップ工程で不具合が生じてしまう。また、今後は薄いウエハや大型チップサイズに向かう傾向にあり、より低い剥離力でピックアップする必要性が増すことが予想され、バルク特性を中心とした剥離力制御による対応では十分ではない。
本発明は、ダイシング工程時では高粘着性を有し、ピックアップ工程では低剥離性(低粘着性)を有するダイシング・ダイボンディング一体型テープを提供することを目的とする。
本発明者は、鋭意検討を重ねた結果、少なくとも基材層、粘着層、接着層が順次積層された構成からなるダイシング・ダイボンディング一体型テープにおいて、粘着層の紫外線照射前の表面自由エネルギーを極性成分と分散成分に分けた時の分散成分値を、紫外線照射前の粘着層の表面自由エネルギーに対する紫外線照射前後の粘着層の表面自由エネルギーの変化率で除した値が20以下である粘着層を有することで、上記課題を解決し得ることを見出した。
すなわち、本発明は、以下の(1)〜(5)のとおりである。
(1)少なくとも基材層、粘着層、接着層がこの順で積層されたダイシング・ダイボンディング一体型テープにおいて、粘着層の紫外線照射前の表面自由エネルギーA、Aを極性成分と分散成分に分けたときの分散成分値A分散、粘着層の紫外線照射後の表面自由エネルギーBが、下記一般式(I)の関係を満たす、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
分散/[(B−A)/A]≦20・・・(I)
(2)基材層側から粘着層に照射される紫外線は、中心波長365nmにおける露光量が1000mJ/cm2以下である、(1)のダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
(3)紫外線照射後に、粘着層と接着層とを剥離速度300mm/minのT字モードで剥離させたときの剥離モードが界面剥離モードである、(1)又は(2)のダイシング・ダイボンディング一体型テープ
(4)粘着層が、少なくとも放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基、水酸基を有するアクリル系共重合体(A)、光開始剤(B)、及び水酸基と反応しうる官能基を1分子中に2つ以上有する架橋剤(C)を含む、(1)〜(3)のいずれかのダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
(5)接着層が、エポキシ基含有アクリル共重合体、エポキシ樹脂又はエポキシ樹脂硬化剤を含む(1)〜(4)のいずれかのダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
本発明によれば、ダイシング工程時では高粘着性を有し、ピックアップ工程では低剥離性を有するダイシング・ダイボンディング一体型テープを提供することが可能となる。
本発明のダイシング・ダイボンディング一体型テープの好適な一実施形態を示す模式断面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の好適な一実施形態を示す断面図である。 本発明の半導体装置の好適な一実施形態を示す断面図である。
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。図面の便宜上、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致しない。本明細書における「(メタ)アクリル酸」とは「アクリル酸」及びそれに対応する「メタクリル酸」を意味し、「(メタ)アクリレート」とは「アクリレート」及びそれに対応する「メタクリレート」を意味し、(メタ)アクリルエステルとは「アクリルエステル」及びそれに対応する「メタクリルエステル」を意味する。
<ダイシング・ダイボンディング一体型テープ>
ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1は、半導体ウエハを半導体チップに個片化するダイシング用フィルムとしての機能と、個片化された半導体チップを支持基板に接続する際の接着層を半導体チップに付与する機能と、を一体的に有するフィルムである。
図1は、本発明のダイシング・ダイボンディング一体型テープの好適な一実施形態を示す模式断面図である。このダイシング・ダイボンディング一体型テープ1は、基材層10、粘着層20及び接着層30がこの順で積層された構成からなる。以下、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1を構成する各層について詳細に説明する。なお、ここでは粘着層20に照射する光として紫外線を採用する場合を挙げるが、紫外線の代わりに又は紫外線と共に電子線及び/又は可視光線を採用してもよい。
本実施形態のダイシング・ダイボンディング一体型テープは、少なくとも基材層10、粘着層20、接着層30がこの順で積層されており、基材層10における粘着層20と接する面の反対側より紫外線を照射されたものであって、粘着層の紫外線照射前の表面自由エネルギーに対する紫外線照射前後の表面自由エネルギーの変化率を紫外線照射前の表面自由エネルギーを極性成分と分散成分に分けた時の分散成分値で除した値をXとすると、Xが20以下であることで、紫外線照射後の界面剥離モードでの低粘着性を有するダイシング・ダイボンディング一体型テープである。
粘着層20の紫外線照射前の表面自由エネルギーに対する紫外線照射前後の表面自由エネルギーの変化率を紫外線照射前の表面自由エネルギーを極性成分と分散成分に分けた時の分散成分値で除した値をXとすると、Xは20以下で十分な低剥離性を有する。なお、本実施形態において「低剥離性」とは、剥離する際の力(剥離力)が低く(小さく)、剥がれ易いことを意味するものである。さらに低剥離性が必要となる場合には、15以下が好ましく、より好ましくは10以下である。X値を低減させることによって紫外線照射後の粘着層と接着層界面の粘着力を低減させることができる。X値に対する紫外線照射後の粘着層と接着層との界面の粘着力は、接着層の組成に影響を受けて変化する。Xが20より大きい、特に25以上の場合には、粘着力が大きくなる、あるいは、粘着層と接着層界面での剥離形式が界面剥離から混合剥離に変化しスティックスリップ現象が観察され、紫外線照射後のピックアップ工程に問題を生じる場合がある。
本実施形態において低剥離性とは、基材層側から粘着層に照射される紫外線の中心波長365nmにおける露光量が1000mJ/cm以下であるダイシング・ダイボンディング一体型テープにおいて、紫外線照射後に剥離速度300mm/minで粘着層と接着層とをT字モードで界面剥離させた時の粘着力が1.0N/25mm以下であり、より好ましくは0.5N/25mm以下、さらに好ましくは0.3N/25mm以下であることを意味する。粘着力が1.0N/25mm以下であれば、紫外線照射後のピックアップ工程で問題が生じないレベルである。また、剥離モードは、一般に凝集剥離モード、混合剥離モード、界面剥離モードの3つに大きく分けられるところ、凝集剥離モードでは糊残り等の不具合が生じる可能性があり、混合剥離モードでは糊残り等の不具合の他、微振動によるチップ破損等の不具合が生じる可能性がある。一方、界面剥離モードではピックアップ時の不具合は発生しにくく、好ましい形態である。
ここで基材層10について詳細に説明する。基材層10には、既知のポリマーシート又はテープを用いることができる。本実施形態のダイシング・ダイボンディング一体型テープにおいては、ダイボンディング工程中のエキスパンド時において、エキスパンド可能であれば特に制限は無いが、好ましい基材を例示すれば、結晶性ポリプロピレン、非晶性ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、低密度直鎖ポリエチレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド(紙)、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂や、これらに可塑剤、シリカ、アンチブロッキング材、スリップ剤、帯電防止剤などを混合した混合物などが挙げられる。
その中でもポリプロピレン、ポリエチレン-ポリプロピレンランダム共重合体、ポリエチレン-ポリプロピレンブロック共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体から選ばれる少なくとも1種が主成分である層が、粘着層と接していることが好ましい。これらの樹脂は、ヤング率や応力緩和性、融点などの特性や、価格面、使用後の廃材リサイクル等観点からも良好な基材であり、また紫外線による表面改質効果が得られやすいため好ましい。
また基材層10は、単層でも構わないが、必要に応じて異なる材質からなる層が積層された多層構造を有しても良い。このような基材の製造法としては、多層押し出し法で異なる層を有する基材層を一度で作っても良いし、インフレーション法や単層押し出し法で作られたテープを接着剤を用いて張り合わせる、または熱溶着によって張り合わせる等の手法により得ることができる。また基材層には粘着層との密着性を制御するため、必要に応じて、マット処理、コロナ処理などの表面粗化処理を施しても良い。
ここで基材層10に照射される紫外線が、波長365nmにおいて、露光量が1000mJ/cm2以下であることが好ましい。1000mJ/cm2以上では、粘着層20への紫外線露光量が多くなる結果、粘着層20と基材層10、あるいは粘着層20と接着層30が相互作用し、剥離しにくくなる場合がある。ここで基材層10に照射される紫外線の光源は特に制限はないが、ランプとしては、低圧水銀ランプ、Deep-紫外線ランプ、エキシマ紫外線ランプ、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプから選ばれる少なくとも1種を用いることが可能である。また照射においては、光源から発する熱の影響を少なくするためにコールドミラーなどを併用することも可能である。
次に、粘着層20の表面自由エネルギーについて詳細に説明する。粘着層20の紫外線照射前の表面自由エネルギーをA、紫外線照射後の表面自由エネルギーBとしたとき、紫外線照射前の表面自由エネルギーに対する紫外線照射前後の表面自由エネルギー変化率Yは、下記一般式(II)で示される。
Y=(B−A)/A・・・(II)
粘着層20は、紫外線照射によって架橋構造が形成されるため、凝集成分を示す分散成分が増大する。したがって、紫外線照射後の表面自由エネルギーは、紫外線照射前よりも大きくなる。ゆえに、(B−A)が負の値を示すことはない。A分散も負の値を示すことはないため、上記XはYを用いて一般式(I)の範囲を示すと、以下のようになる。
0<X=(A分散)/Y≦20・・・(I)’
式(II)の「B−A」が示していることは、紫外線照射前後の表面自由エネルギーの差である。表面自由エネルギーは、表面積と表面張力の積で示される。紫外線照射前後による硬化収縮などの影響により表面積が変化することは考えられる。これらの表面積変化は、レーザー顕微鏡や原子間力顕微鏡などで測定することが可能である。それらの測定によって本願で記載されている粘着層においては表面積に大きな変化がないことは本出願人によって確認済みである。したがって、「B−A」の値で大きく寄与するものは、主に紫外線照射前後の表面張力の変化であると考える。固体の表面張力は濡れ性と関連があることから、紫外線照射によって濡れ性が保持できると、高粘着を示すものと考える。
式(I)から、Xの分子の一部にあたる紫外線照射前の粘着層20の表面自由エネルギーは、高いほど紫外線照射後の粘着力が高くなることを示す。紫外線照射前の粘着層の表面自由エネルギーが高くなることは、接着層30との表面自由エネルギー差が小さくなることを間接的に示している。接着層30と粘着層20との表面自由エネルギーが近いほど、双方の界面がくっつきやすくなるため、粘着層20と接着層30との界面の粘着力が高くなることを示す。
Xの分子の一部にあたる紫外線照射前の表面自由エネルギーを極性成分と分散成分に分けたときの分散成分値が、紫外線照射後の粘着力、つまり剥離力に寄与する理由は明らかではないが、以下のように推定される。すなわち、分散成分は凝集力に由来する成分であり、架橋剤の添加量や種類によって大きく変化する。また、接着層30の表面自由エネルギー組成に近い分散成分と極性成分の割合の方が、界面が馴染みやすくなるため、粘着層20と接着層30界面の粘着力(剥離力)は高くなると考える。接着層30の分散成分値の割合は粘着層20よりも高いために、粘着層20の分散成分値が高い方が接着層30の分散成分値の割合に近づくことになり、粘着層20と接着層30の界面の粘着力(剥離力)は高くなる。
上記粘着層20は、主鎖に対して少なくとも放射線硬化性炭素―炭素二重結合含有基、水酸基をそれぞれ有するアクリル系共重合体(A)を主成分とし、紫外線、電子線、可視光線から選ばれる少なくとも1種を照射することで連鎖重合可能な活性種を発生しうる光開始剤(B)、及び水酸基と反応しうる官能基を1分子中に2つ以上有する架橋剤(C)を含むことが好ましい。このような粘着層20を用いることで、紫外線等照射によって硬化し、ダイボンディング工程において良好なピックアップ性を得ることができる。
ここで、アクリル系共重合体(A)としての(メタ)アクリル系樹脂について説明する。粘着層に用いるアクリル樹脂は側鎖に不飽和結合を含有し、かつ樹脂自体が粘着性を有するものであれば制限はない。このような樹脂を用いることで良好なピックアップ性を有する粘着層を得ることができる。具体的に例示するのであれば、ガラス転移温度が−40℃以下、水酸基価が20〜150mgKOH/g、連鎖重合可能な官能基を0.3〜1.5mmol/g含まれ、重量平均分子量が30万以上である樹脂が挙げられる。このような構造を満足する(メタ)アクリル系樹脂を用いることで、前述記載の優れた特性を有する粘着層を得ることができる。
このような特徴を有する(メタ)アクリル系樹脂は、既知の方法で合成することで得ることができるが、例えば、溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法、塊状重合法、析出重合法、気相重合法、プラズマ重合法、超臨界重合法などが用いられる。また重合反応の種類としては、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、リビングラジカル重合、リビングカチオン重合、リビングアニオン重合、配位重合、イモーダル重合などの他、ATRPやRAFTといった手法も用いることができる。この中でも、溶液重合法を用いてラジカル重合により合成することは、経済性の良さや、反応率の高さ、重合制御の容易さなどの他、重合で得られた樹脂溶液をそのまま用いて配合できる等の配合の簡便さもあるため好ましい。
このような特徴を有する(メタ)アクリル系樹脂は、既知の方法で合成することで得ることができるが、例えば、溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法、塊状重合法、析出重合法、気相重合法、プラズマ重合法、超臨界重合法などが用いられる。また重合反応の種類としては、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、リビングラジカル重合、リビングカチオン重合、リビングアニオン重合、配位重合、イモーダル重合などの他、ATRPやRAFTといった手法も用いることができる。この中でも、溶液重合法を用いてラジカル重合により合成することは、経済性の良さや、反応率の高さ、重合制御の容易さなどの他、重合で得られた樹脂溶液をそのまま用いて配合できる等の配合の簡便さもあるため好ましい。
ここで、溶液重合法を用いてラジカル重合により(メタ)アクリル系樹脂を得る方法を例に、更にアクリル系共重合体(A)の合成法について詳細に説明する。アクリル系共重合体(A)を合成する際に用いられるモノマーとしては、一分子中に1個の(メタ)アクリル基を有するものであれば特に制限はないが、具体的に例示するのであれば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、tert−ブチル(メタ)アクリレート、ブトキシエチル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、オクチルヘプチル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート、テトラデシル(メタ)アクリレート、ペンタデシル(メタ)アクリレート、ヘキサデシル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、ベヘニル(メタ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、エトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、モノ(2−(メタ)アクリロイロキシエチル)スクシネート等の脂肪族(メタ)アクリレート;シクロペンチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、シクロペンチル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、モノ(2−(メタ)アクリロイロキシエチル)テトラヒドロフタレート、モノ(2−(メタ)アクリロイロキシエチル)ヘキサヒドロフタレート等の脂環式(メタ)アクリレート;ベンジル(メタ)アクリレート、フェニル(メタ)アクリレート、o−ビフェニル(メタ)アクリレート、1−ナフチル(メタ)アクリレート、2−ナフチル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、p−クミルフェノキシエチル(メタ)アクリレート、o−フェニルフェノキシエチル(メタ)アクリレート、1−ナフトキシエチル(メタ)アクリレート、2−ナフトキシエチル(メタ)アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−(o−フェニルフェノキシ)プロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−(1−ナフトキシ)プロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−(2−ナフトキシ)プロピル(メタ)アクリレート等の芳香族(メタ)アクリレート;2−テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、N−(メタ)アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、2−(メタ)アクリロイロキシエチル−N−カルバゾール等の複素環式(メタ)アクリレート、これらのカプロラクトン変性体、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、α−エチルグリシジル(メタ)アクリレート、α−プロピルグリシジル(メタ)アクリレート、α−ブチルグリシジル(メタ)アクリレート、2−メチルグリシジル(メタ)アクリレート、2−エチルグリシジル(メタ)アクリレート、2−プロピルグリシジル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシブチル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシヘプチル(メタ)アクリレート、α−エチル−6,7−エポキシヘプチル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレート、o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基を有する化合物;(2−エチル−2−オキセタニル)メチル(メタ)アクリレート、(2−メチル−2−オキセタニル)メチル(メタ)アクリレート、2−(2−エチル−2−オキセタニル)エチル(メタ)アクリレート、2−(2−メチル−2−オキセタニル)エチル(メタ)アクリレート、3−(2−エチル−2−オキセタニル)プロピル(メタ)アクリレート、3−(2−メチル−2−オキセタニル)プロピル(メタ)アクリレート等のエチレン性不飽和基とオキセタニル基を有する化合物;2−(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネートなどのエチレン性不飽和基とイソシアネート基を有する化合物;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、3−クロロ−2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基を有する化合物;(メタ)アクリル酸、クロトン酸、ケイ皮酸、コハク酸(2−(メタ)アクリロイロキシエチル)、2−フタロイルエチル(メタ)アクリレート、2−テトラヒドロフタロイルエチル(メタ)アクリレート、2−ヘキサヒドロフタロイルエチル(メタ)アクリレート、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート、3−ビニル安息香酸、4−ビニル安息香酸などのエチレン性不飽和基とカルボキシル基を有する化合物などが挙げられ、これらを適宜組み合わせて目的とする組成物を得ることができる。
更に必要に応じて、上述モノマーと共重合可能なスチレン、N−メチルマレイミド、N−エチルマレイミド、N−プロピルマレイミド、N−イソプロピルマレイミド、N−ブチルマレイミド、N−イソブチルマレイミド、N−2−メチル−2−プロピルマレイミド、N−ペンチルマレイミド、N−2−ペンチルマレイミド、N−3−ペンチルマレイミド、N−2−メチル−1−ブチルマレイミド、N−2−メチル−2−ブチルマレイミド、N−3−メチル−1−ブチルマレイミド、N−3−メチル−2−ブチルマレイミド、N−ヘキシルマレイミド、N−2−ヘキシルマレイミド、N−3−ヘキシルマレイミド、N−2−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−2−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−2−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−3−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−3−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−3−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−4−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−4−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−2,2−ジメチル−1−ブチルマレイミド、N−3,3−ジメチル−1−ブチルマレイミド、N−3,3−ジメチル−2−ブチルマレイミド、N−2,3−ジメチル−1−ブチルマレイミド、N−2,3−ジメチル−2−ブチルマレイミド、N−ヒドロキシメチルマレイミド、N−1−ヒドロキシエチルマレイミド、N−2−ヒドロキシエチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−1−プロピルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−1−プロピルマレイミド、N−3―ヒドロキシ−1−プロピルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−プロピルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−プロピルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−1−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−1−ブチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−1−ブチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−1−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−ブチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2−ブチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−2−ブチルマレイミド、N−2−メチル−3−ヒドロキシ−1−プロピルマレイミド、N−2−メチル−3−ヒドロキシ−2−プロピルマレイミド、N−2−メチル−2−ヒドロキシ−1−プロピルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−1−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−1−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−1−ペンチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−1−ペンチルマレイミド、N−5−ヒドロキシ−1−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2−ペンチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−2−ペンチルマレイミド、N−5−ヒドロキシ−2−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−3−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−1−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−2−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−3−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−4−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−メチル−3−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−メチル−4−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−1−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−3−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−4−ブチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−2−メチル−1−ブチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−2−メチル−2−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−メチル−1−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−1−プロピルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−1−プロピルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−1−ヘキシルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−ヘキシルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−ヘキシルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−4−ヘキシルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−5−ヘキシルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−6−ヘキシルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−1−ヘキシルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−ヘキシルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−ヘキシルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−4−ヘキシルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−5−ヘキシルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−6−ヘキシルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−1−ヘキシルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2−ヘキシルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−3−ヘキシルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−4−ヘキシルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−5−ヘキシルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−6−ヘキシルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−4−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−5−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−メチル−4−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−メチル−5−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−4−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−5−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−4−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−4−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−4−メチル−4−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−4−メチル−5−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2−メチル−4−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2−メチル−5−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−4−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−4−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−4−メチル、N−1−ヒドロキシ−3−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−メチル−4−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−メチル−5−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−3−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−エチル−4−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−エチル−4−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−エチル−1−ブチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−3−エチル−1−ブチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−3−エチル−2−ブチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−3−エチル−3−ブチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−3−エチル−4−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−1−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−2−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−4−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−1−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−4−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−1−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−4−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−1−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−4−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−1−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−4−ブチルマレイミドなどのアルキルマレイミド;N−シクロプロピルマレイミド、N−シクロブチルマレイミド、N−シクロペンチルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−シクロヘプチルマレイミド、N−シクロオクチルマレイミド、N−2−メチルシクロヘキシルマレイミド、N−2−エチルシクロヘキシルマレイミド、N−2−クロロシクロヘキシルマレイミドなどのシクロアルキルマレイミド;N−フェニルマレイミド、N−2−メチルフェニルマレイミド、N−2−エチルフェニルマレイミド、N−2−クロロフェニルマレイミドなどのアリールマレイミドなどを、適宜用いることができる。
この中でも、C8〜C23の脂肪族エステルである(メタ)アクリルエステルから選ばれる少なくとも1種を用いるのが好ましい。このようなモノマー成分を共重合して得られた(メタ)アクリル系樹脂は、ガラス転移温度が低いため、粘着材は優れた粘着特性を示す。また、疎水性相互作用が強いため、紫外線又は電子線を照射した後においては、ダイボンディングテープとダイシングテープとの界面における剥離性が優れているため好ましい。
また、このような(メタ)アクリル系樹脂を得るために必要な重合開始剤としては、30℃以上の加熱によりラジカルを発生する化合物であれば特に制限はないが、例えばメチルエチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、メチルシクロヘキサノンパーオキシドなどのケトンパーオキシド;1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−2−メチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサンなどのパーオキシケタール;p−メンタンヒドロパーオキシドなどのヒドロパーオキシド;α、α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキシド、t−ブチルクミルパーオキシド、ジ−t−ブチルパーオキシドなどのジアルキルパーオキシド;オクタノイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ステアリルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシドなどのジアシルパーオキシド;ビス(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、ジ−2−エトキシエチルパーオキシジカーボネート、ジ−2−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−3−メトキシブチルパーオキシカーボネートなどのパーオキシカーボネート;t−ブチルパーオキシピバレート、t−ヘキシルパーオキシピバレート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、2,5−ジメチル−2,5−ビス(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、t−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシイソブチレート、t−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ−3,5,5−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシラウリレート、t−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシベンゾエート、t−ヘキシルパーオキシベンゾエート、2,5−ジメチル−2,5−ビス(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパーオキシアセテートなどのパーオキシエステル;2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(4−メトキシ−2’−ジメチルバレロニトリル)などが挙げられる。
また、溶液重合の際に用いられる反応溶媒としては、(A)を溶解しえるものであれば、特に制限はないが、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、p−シメンなどの芳香族炭化水素;テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサンなどの環状エーテル;メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのアルコール;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノンなどのケトン;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトンなどのエステル;エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどの炭酸エステル;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテルなどの多価アルコールアルキルエーテル;エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどの多価アルコールアルキルエーテルアセテート;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドンなどのアミドなどが挙げられ、更にこれらの有機溶剤は、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。更に超臨界二酸化炭素などを溶媒に用いて重合することもできる。
さらに、得られた(メタ)アクリル樹脂に、紫外線や電子線、可視光線の照射によって反応しうる官能基を化学的に結合させることによって、感光性を付与することができる。ここでいう、紫外線や電子線、可視光線の照射によって反応しうる官能基とは、具体的に例示するのであれば、(メタ)アクリル基、ビニル基、アリル基、グリシジル基、脂環式エポキシ基、オキセタン基などが挙げられる。これらの中でも放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基は、放射線照射によって容易に反応するため好ましく、(メタ)アクリル基は、反応速度が早く、少ない放射線照射量で反応が進行するため好ましい。
その組成や合成方法に特に制限はないが、例えば上記の(メタ)アクリル系樹脂を合成する際に、前もって付加反応しうる官能基、例えば水酸基、カルボキシル基、無水マレイル基、グリシジル基、アミノ基などを有するモノマーと共重合することで(メタ)アクリル樹脂に付加反応可能な官能基を導入し、そこに少なくとも1つのエチレン性不飽和基と、エポキシ基、オキセタニル基、イソシアネート基、ヒドロキシル基、カルボキシル基などから選ばれる少なくともの1つの官能基を有する化合物とを付加反応させて側鎖にエチレン性不飽和基を導入することで、(メタ)アクリル系樹脂に感光性を付与することができる。
このような化合物としては特に制限はなく、グリシジル(メタ)アクリレート、α−エチルグリシジル(メタ)アクリレート、α−プロピルグリシジル(メタ)アクリレート、α−ブチルグリシジル(メタ)アクリレート、2−メチルグリシジル(メタ)アクリレート、2−エチルグリシジル(メタ)アクリレート、2−プロピルグリシジル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシブチル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシヘプチル(メタ)アクリレート、α−エチル−6,7−エポキシヘプチル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレート、o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、p−ビニルベンジルグリシジルエーテルなどのエチレン性不飽和基とエポキシ基を有する化合物;(2−エチル−2−オキセタニル)メチル(メタ)アクリレート、(2−メチル−2−オキセタニル)メチル(メタ)アクリレート、2−(2−エチル−2−オキセタニル)エチル(メタ)アクリレート、2−(2−メチル−2−オキセタニル)エチル(メタ)アクリレート、3−(2−エチル−2−オキセタニル)プロピル(メタ)アクリレート、3−(2−メチル−2−オキセタニル)プロピル(メタ)アクリレートなどのエチレン性不飽和基とオキセタニル基を有する化合物;メタクリロイルイソシアネート、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、2−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、m−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアネートなどのエチレン性不飽和基とイソシアネート基を有する化合物;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3−クロロ−2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレートなどのエチレン性不飽和基とヒドロキシル基を有する化合物;(メタ)アクリル酸、クロトン酸、ケイ皮酸、コハク酸(2−(メタ)アクリロイロキシエチル)、2−フタロイルエチル(メタ)アクリレート、2−テトラヒドロフタロイルエチル(メタ)アクリレート、2−ヘキサヒドロフタロイルエチル(メタ)アクリレート、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート、3−ビニル安息香酸、4−ビニル安息香酸などのエチレン性不飽和基とカルボキシル基を有する化合物などが挙げられる。
これらの中でもコストや反応性の観点から、2−(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、グリシジル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレート、イソシアン酸エチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸、クロトン酸、2−ヘキサヒドロフタロイルエチル(メタ)アクリレートなどを用いて、(メタ)アクリル系樹脂と反応させ、感光性を付与することが好ましい。これらの化合物は、単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。また必要に応じて、付加反応を促進する触媒を添加したり、反応中の二重結合の開裂を避ける目的で重合禁止剤を添加することもできる。また更に好ましくは、OH基を含有する(メタ)アクリル系樹脂と2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、2−アクリロイルオキシエチルイソシアネートから選ばれる少なくとも1種との反応物である。
次に光開始剤(B)について詳細に説明する。(B)は紫外線、電子線、可視光線から選ばれる少なくとも1種を照射することで連鎖重合可能な活性種を発生すれば特に制限はない。ここで連鎖重合可能な活性種とは、連鎖重合可能な官能基と反応することで重合反応が開始されるものであれば特に制限はない。
例えば光ラジカル重合開始剤としては、例えば2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オンなどのベンゾインケタール;1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オンなどのα−ヒドロキシケトン;2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン、1,2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オンなどのα−アミノケトン;1−[(4−フェニルチオ)フェニル]−1,2−オクタジオン−2−(ベンゾイル)オキシムなどのオキシムエステル;ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキシド、ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルホスフィンオキシド、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシドなどのホスフィンオキシド;2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(p−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体などの2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体;ベンゾフェノン、N,N’−テトラメチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン、N,N’−テトラエチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4−メトキシ−4’−ジメチルアミノベンゾフェノンなどのベンゾフェノン化合物;2−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、2−tert−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ベンズアントラキノン、2−フェニルアントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、1−クロロアントラキノン、2−メチルアントラキノン、1,4−ナフトキノン、9,10−フェナントラキノン、2−メチル−1,4−ナフトキノン、2,3−ジメチルアントラキノンなどのキノン化合物;ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテルなどのベンゾインエーテル;ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾインなどのベンゾイン化合物;ベンジルジメチルケタールなどのベンジル化合物;9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9、9’−アクリジニルヘプタン)などのアクリジン化合物:N−フェニルグリシン、クマリンなどが挙げられる。
また、前記2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体において、2つのトリアリールイミダゾール部位のアリール基の置換基は、同一で対称な化合物を与えてもよく、相違して非対称な化合物を与えてもよい。また。ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン化合物と3級アミンとを組み合わせてもよい。
さらに、光カチオン重合開始剤としては、例えばp−メトキシベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロホスフェートなどのアリールジアゾニウム塩、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネートなどのジアリールヨードニウム塩;トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニル−4−チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル−4−チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニル−4−チオフェノキシフェニルスルホニウムペンタフルオロヒドロキシアンチモネートなどのトリアリールスルホニウム塩;トリフェニルセレノニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルセレノニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルセレノニウムヘキサフルオロアンチモネートなどのトリアリールセレノニウム塩;ジメチルフェナシルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジエチルフェナシルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートなどのジアルキルフェナシルスルホニウム塩;4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートなどのジアルキル−4−ヒドロキシ塩;α−ヒドロキシメチルベンゾインスルホン酸エステル、N−ヒドロキシイミドスルホネート、α−スルホニロキシケトン、β−スルホニロキシケトンなどのスルホン酸エステルなどが挙げられるが、これらのカチオン重合開始剤は、単独で又は2種類以上組み合わせて用いることができる。さらに、適切な増感剤と組み合わせて用いることもできる。
その中でもダイボンディングテープに厳しい絶縁性や絶縁信頼性が必要な場合は、光ラジカル開始剤を用いるのが好ましく、その中でも2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オンなどのベンゾインケタール;1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オンなどのα−ヒドロキシケトン、ベンゾフェノン、2−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、2−tert−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ベンズアントラキノン、2−フェニルアントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、1−クロロアントラキノン、2−メチルアントラキノン、1,4−ナフトキノン、9,10−フェナントラキノン、2−メチル−1,4−ナフトキノン、2,3−ジメチルアントラキノンなどのキノン化合物;ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテルなどのベンゾインエーテル;ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾインなどのベンゾイン化合物;ベンジルジメチルケタールなどのベンジル化合物;9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9、9’−アクリジニルヘプタン)などのアクリジン化合物:N−フェニルグリシン、クマリンなどは、ダイシング・ダイボンディング一体型テープにおける保存安定性に優れるため好ましく、更に2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、ベンゾフェノンは一般の紫外線遮光型蛍光灯の元での取り扱いが可能であり、イエロールーム等の設備が必要でないため更に好ましい。
通常これらの光開始剤の配合量は、目的とする粘着層の厚みや用いる光源によって最適値は異なるが、アクリル系共重合体(A)100質量部に対して0.1〜10質量部、より好ましくは0.5〜5質量部配合することで、目標とする特性が達成されやすくなることから好ましい。光開始剤の量が0.1質量部以下であると、紫外線照射後におけるダイボンディングテープとの剥離力が十分に低下しない場合があり、10質量部以であるとピックアップ時に不具合が生じる場合があることから好ましくない。
粘着層20には、破断伸び率や粘着力及び紫外線照射前の表面自由エネルギーの制御を目的に、更に架橋剤(C)を用いることができる。ここでいう架橋剤とは、アクリル系共重合体(A)に導入された水酸基、グリシジル基、アミノ基などから選ばれる少なくとも1種と、これらの官能基と反応しうる官能基を1分子中に2つ以上有する化合物であり、その構造には制限はない。このような架橋剤で形成される結合としては、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、イミド結合、ウレタン結合、ウレア結合などが挙げられる。
その中でも(C)に、1分子中に2つ以上のイソシアネート基を有することが好ましい。このような化合物を用いると、アクリル系共重合体(A)に導入された水酸基、グリシジル基、アミノ基などと容易に反応し、強固な架橋構造を形成するため好ましい。
特に、紫外線照射前粘着層の表面自由エネルギーの制御には、架橋剤が有効である。アクリル樹脂由来の水酸基と架橋剤のイソシアネート基のバランス、すなわち、架橋剤の種類や添加量によって、紫外線照射前の粘着層の表面自由エネルギーは変化する。架橋剤の添加量、つまり、架橋剤の反応性やイソシアネート含有率が紫外線照射前粘着層の表面自由エネルギーに関与している。アクリル樹脂由来の水酸基量に対する架橋剤のイソシアネート基のバランスとしては、5〜40%が好ましく、より好ましくは10〜35%である。40%よりも大きくなると、ポットライフが短くなり、逆に5%より少なくなると凝集力が不足して糊残りの問題が発生する可能性がある。
ここで1分子中に2つ以上のイソシアネート基を有する架橋剤とは、具体的に例示すれば、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、1,3−キシリレンジイソシアネート、1,4−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−2,4’−ジイソシアネート、3−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−2,4’−ジイソシアネート、リジンイソシアネートなどのイソシアネート化合物が挙げられる。
また、更に上述のイソシアネート化合物と、1分子中に2つ以上のOH基を有する多価アルコール類を反応させることで得られるイソシアナート基含有オリゴマーを用いることもできる。そのようなオリゴマーを得る場合、1分子中に2つ以上のOH基を有する多価アルコールの例としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、1,6−ヘキサンジオール、1,8−オクタンジオール、1,9−ノナンジオール、1,10−デカンジオール、1,11−ウンデカンジオール、1,12−ドデカンジオール、グリセリン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、1,4−シクロヘキサンジオール、1,3−シクロヘキサンジオールなどが挙げられる。
これらの中でも、(C)が、1分子中に2つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートと、1分子中に3つ以上のOH基を有する多価アルコールの反応物であることが更に望ましい。このようなイソシアネート基含有オリゴマーを用いることで、粘着層が緻密な架橋構造を形成し、ダイボンディング工程後のチップへの粘着層残りなどを無くすことができる。
続いて接着層30について説明する。接着層30は、エポキシ基含有アクリル共重合体、エポキシ樹脂又はエポキシ樹脂硬化剤を含むことが好ましい。このような組成を有する接着層は、チップ/基板間、チップ/チップ間の接着性に優れ、また電極埋め込み性やワイヤー埋め込み性なども付与可能で、かつダイボンディング工程では低温で接着でき、短時間で優れた硬化が得られる、封止剤でモールド後は優れた信頼性を有する等の特徴があり好ましい。
ここでエポキシ樹脂とは、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などの二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、多官能エポキシ樹脂や複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することもできる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。さらに、特性を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
またエポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノール化合物と2価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得ることができるフェノール樹脂のようなものが挙げられる。
フェノール樹脂の製造に用いられるフェノール化合物としては、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、o−エチルフェノール、p−エチルフェノール、o−n−プロピルフェノール、m−n−プロピルフェノール、p−n−プロピルフェノール、o−イソプロピルフェノール、m−イソプロピルフェノール、p−イソプロピルフェノール、o−n−ブチルフェノール、m−n−ブチルフェノール、p−n−ブチルフェノール、o−イソブチルフェノール、m−イソブチルフェノール、p−イソブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、2,4−キシレノール、2,6−キシレノール、3,5−キシレノール、2,4,6−トリメチルフェノール、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、4−メトキシフェノール、o−フェニルフェノール、m−フェニルフェノール、p−フェニルフェノール、p−シクロヘキシルフェノール、o−アリルフェノール、p−アリルフェノール、o−ベンジルフェノール、p−ベンジルフェノール、o−クロロフェノール、p−クロロフェノール、o−ブロモフェノール、p−ブロモフェノール、o−ヨードフェノール、p−ヨードフェノール、o−フルオロフェノール、m−フルオロフェノール、p−フルオロフェノール等が例示される。これらのフェノール化合物は、単独で用いてもよく、二種類以上を混合して用いてもよい。
フェノール樹脂の製造に用いられる2価の連結基であるキシリレン化合物としては、次に示すキシリレンジハライド、キシリレンジグリコール及びその誘導体が用いることができる。すなわち、α,α′−ジクロロ−p−キシレン、α,α′−ジクロロ−m−キシレン、α,α′−ジクロロ−o−キシレン、α,α′−ジブロモ−p−キシレン、α,α′−ジブロモ−m−キシレン、α,α′−ジブロモ−o−キシレン、α,α′−ジヨード−p−キシレン、α,α′−ジヨード−m−キシレン、α,α′−ジヨード−o−キシレン、α,α′−ジヒドロキシ−p−キシレン、α,α′−ジヒドロキシ−m−キシレン、α,α′−ジヒドロキシ−o−キシレン、α,α′−ジメトキシ−p−キシレン、α,α′−ジメトキシ−m−キシレン、α,α′−ジメトキシ−o−キシレン、α,α′−ジエトキシ−p−キシレン、α,α′−ジエトキシ−m−キシレン、α,α′−ジエトキシ−o−キシレン、α,α′−ジ−n−プロポキシ−p−キシレン、α,α′−ジ−n−プロポキシ−m−キシレン、α,α′−ジ−n−プロポキシ−o−キシレン、α,α′−ジ−イソプロポキシ−p−キシレン、α,α′−ジイソプロポキシ−m−キシレン、α,α′−ジイソプロポキシ−o−キシレン、α,α′−ジ−n−ブトキシ−p−キシレン、α,α′−ジ−n−ブトキシ−m−キシレン、α,α′−ジ−n−ブトキシ−o−キシレン、α,α′−ジイソブトキシ−p−キシレン、α,α′−ジイソブトキシ−m−キシレン、α,α′−ジイソブトキシ−o−キシレン、α,α′−ジ−tert−ブトキシ−p−キシレン、α,α′−ジ−tert−ブトキシ−m−キシレン、α,α′−ジ−tert−ブトキシ−o−キシレンを挙げることができる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
上記したフェノール化合物とキシリレン化合物を反応させる際には、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の鉱酸類;ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、p−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機カルボン酸類;トリフロロメタンスルホン酸等の超強酸類;アルカンスルホン酸型イオン交換樹脂のような、強酸性イオン交換樹脂類;パーフルオロアルカンスルホン酸型イオン交換樹脂の様な、超強酸性イオン交換樹脂類(商品名:ナフィオン、Nafion、DuPont社製);天然及び合成ゼオライト類;活性白土(酸性白土)類等の酸性触媒を用い、50〜250℃において実質的に原料であるキシリレン化合物が消失し、且つ反応組成が一定になるまで反応させて得られる。反応時間は原料や反応温度にもよるが、おおむね1時間〜15時間程度であり、実際には、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)等により反応組成を追跡しながら決定すればよい。
エポキシ基含有アクリル共重合体とは、エポキシ基含有アクリル共重合体は、エポキシ基を有するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを0.5〜6重量%含む。高い接着力を得るためには、0.5重量%以上が好ましく、6重量%以下であればゲル化を抑制できる。上記エポキシ基含有アクリル共重合体のガラス転移点(Tg)としては、−50℃以上30℃以下、更には−10℃以上30℃以下であることが好ましい。
官能基モノマーとして用いるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの量は0.5〜6重量%の共重合体比である。つまり、本実施形態においてエポキシ基含有アクリル共重合体は、原料としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを、得られる共重合体に対し0.5〜6重量%となる量用いて得られた共重合体をいう。その残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数1〜8のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、およびスチレンやアクリロニトリルなどの混合物を用いることができる。これらの中でもエチル(メタ)アクリレート及び/又はブチル(メタ)アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のTgを考慮して調整することが好ましい。Tgが−10℃未満であるとBステージ状態での接着剤層又はダイシングダイボンドシートのタック性が大きくなる傾向があり、取り扱い性が悪化することがある。重合方法は特に制限が無く、例えば、パール重合、溶液重合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。このようなエポキシ基含有アクリル共重合体としては、例えば、HTR−860P−3(ナガセケムテックス株式会社製、商品名)が挙げられる。
エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量は10万以上であり、この範囲であると接着性及び耐熱性が高く、30万〜300万であることが好ましく、50万〜200万であることがより好ましい。300万以下であると、フロー性が低下することにより、半導体素子を貼付ける支持部材に必要に応じて形成された配線回路への充填性が低下する可能性を減らすことができる。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
また接着層成分には、更に必要に応じて、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩類などの硬化促進剤を添加しても良い。このような硬化促進剤としては具体的には、例えば、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは1種又は2種以上を併用することもできる。
また更に、接着層成分には無機フィラーを添加することを特徴とする。具体的には水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカなどが挙げられ、これらは、1種又は2種以上を併用することもできる。
配合量としては、接着層に含まれているエポキシ樹脂100質量部に対して、50質量部以上300質量部以下の無機フィラーを含むことが好ましい。無機フィラーが50質量部未満の場合には凝集力が低減し、ウエハとの適切な接着力が得られなくなり、無機フィラーが300質量部より大きい場合には分散性が難しくなり量産性が悪くなる恐れがある。
<ダイシング・ダイボンディング一体型テープの製造方法>
ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1を製造する方法としては、フィルム状にした接着層30と、基材層10及び粘着層20を積層してなるダイシングテープとを張りあわせて製造する方法が挙げられる。例えば、接着層30の製造方法は、粘着層用の材料を溶液中に分散・混合・溶解し、塗布面が離型処理されたポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、結晶性ポリオレフィンフィルム等の耐熱性を有するキャリアフィルム上に流延・塗布後、乾燥することで得られる。また、ダイシングテープの製造方法は、粘着層用の材料を溶液中に分散・混合・溶解し、塗布面が離型処理されたポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、結晶性ポリオレフィンフィルム等の耐熱性を有するキャリアフィルム上に流延・塗布後、乾燥のち、基材層10とラミネートして粘着層20を基材層10上に転写することで作成することができる。その後、ダイシングテープのキャリアテープを剥がし、接着層30をラミネート後、キャリアフィルムを剥がすことでダイシング・ダイボンディング一体型テープ1を得ることができる。
<半導体装置(半導体パッケージ)の製造方法>
次に、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1を用いて半導体装置(半導体パッケージ)を製造する方法について説明する。
図2(a)〜(f)及び図3は、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1を用いる半導体装置の製造方法の好適な一実施形態を説明するための断面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法は、上述のダイシング・ダイボンディング一体型テープ1の接着層30を半導体ウエハに貼り付ける貼り付け工程(ウエハラミネート工程)と、半導体ウエハW及び接着層30を個片化するダイシング工程と、粘着層20に紫外線を照射する紫外線照射工程と、接着層30が付着した半導体素子50を支持基材からピックアップするピックアップ工程と、接着層30を介して半導体素子50を半導体素子搭載用の支持基板60に接着する接着工程とを備える。以下、図面を参照しながら、各工程について説明する。
(貼り付け工程)
先ず、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1を所定の装置に配置する。続いて、図2(a)及び(b)に示されるように、半導体ウエハWの主面Wsに、接着層30を介してダイシング・ダイボンディング一体型テープ1を貼り付ける。また、半導体ウエハWの回路面は、主面Wsとは反対側の面であることが好ましい。
(ダイシング工程)
次に、図2(c)に示されるように、半導体ウエハW、粘着層20及び接着層30をダイシングする。このとき、基材層10を途中までダイシングしてもよい。このように、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1は、ダイシングシートとしても機能する。
(紫外線照射工程)
次に、図2(d)に示されるように、粘着層20に紫外線を照射することにより粘着層20を硬化させ、粘着層20と接着層30との間の接着力を低下させる。本実施形態においては、波長200〜400nmの紫外線を用いることが好ましく、その照射条件としては、照度:30〜240mW/cmで照射量200〜500mJとなるように照射することが好ましい。
(ピックアップ工程)
紫外線を照射した後、図2(e)に示されるように、基材層10をエキスパンドすることにより、切断により得られた各半導体素子50を互いに離間させつつ、接着層30側からニードル42で突き上げられた接着層付き半導体素子50を吸引コレット44で吸引してピックアップする。なお、接着層付き半導体素子50は、半導体素子Waと接着層30aとを有する。また、半導体素子Waは半導体ウエハWを分割して得られるものであり、接着層30aは接着層30を分割して得られるものである。ピックアップ工程では、必ずしもエキスパンドを行わなくてもよいが、エキスパンドすることによりピックアップ性をより向上させることができる。
また、ニードル42による突き上げ量は、必要に応じて選択できる。更に、極薄ウエハに対しても十分なピックアップ性を確保する観点から、例えば、2段又は3段ピックアップ法を行ってもよい。また、本実施形態においては、吸引コレット44以外の方法によって半導体素子50のピックアップを行うこともできる。
(接着工程)
粘着層付き半導体素子50をピックアップした後、図2(f)に示されるように、接着層付き半導体素子50を、熱圧着により、接着層30aを介して半導体素子搭載用の支持基板60に接着する。
接着層付き半導体素子50を接着層30aを介して支持基板60上に搭載した後、再び、接着層付き半導体素子50を、熱圧着により、接着層30aを介して半導体素子Waに接着するとしてもよい。これにより、複数の半導体素子Waを支持基板60上に搭載することができる。この場合、接着層30aの熱履歴は大きくなるが、本実施形態に係る接着層30aによれば、半導体素子Waと支持基板60との接着性を十分維持することができ、また、支持基板60の表面60aに形成された凹凸の凹部に対して接着層30aを十分良好に充填可能である。
続いて、図3に示されるように、必要に応じて半導体素子Waと支持基板60とをワイヤーボンド70により電気的に接続することが好ましい。このとき、半導体素子Wa、接着層30a及び支持基板60は、例えば、170℃で15〜60分程度加熱される。更に、ワイヤーボンディングにより接続した後、必要に応じて半導体素子Waを樹脂封止してもよい。樹脂封止材80を支持基板60の表面60aに形成し、他方、支持基板60の表面60aとは反対側の面に外部基板(マザーボード)との電気的な接続用として、はんだボール90を形成してもよい。
なお、樹脂封止する際に接着層30aは半硬化の状態であることが好ましい。これにより、樹脂封止する際に支持基板60の表面60aに形成された凹凸の凹部に接着層30aをより良好に充填することができる。半硬化の状態とは、接着層30aが完全には硬化していない状態を意味する。半硬化の状態の接着層30aは半導体装置の製造過程における1回又は複数回の加熱処理を利用して最終的に加熱硬化させてもよい。
以上の工程を経ることにより、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1を用いて半導体装置100を製造することができる。
以下、本発明の実施例をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限するものではない。なお、特に記述が無い限り、薬品は全て試薬を使用した。
[ダイシングテープ用アクリル粘着剤の合成]
スリーワンモータ、撹拌翼、窒素導入管が備え付けられた容量4000mlのオートクレーブに酢酸エチル1000g、2−エチルヘキシルアクリレートを650g、2−ヒドロキシエチルアクリレートを350g、アゾビスイソブチロニトリルを3.0gを配合し、均一になるまで撹拌後、流量100ml/minにて60分間バブリングを実施し、系中の溶存酸素を脱気した。その後、1時間かけて60℃まで昇温し、昇温後4時間重合させた。さらに、その後1時間かけて90℃まで昇温し、更に90℃にて1時間保持後、室温に冷却した。
次に酢酸エチルを1000g加えて撹拌し希釈した。これに重合禁止剤としてメトキノンを0.1g、ウレタン化触媒として、ジオクチルスズジラウレートを0.05g添加したのち、2−メタクリロキシエチルイソシアネート(昭和電工(株)製カレンズMOI)を100g加え、70℃で6時間反応させたのち室温に冷却した。その後、酢酸エチルを加え、アクリル樹脂溶液中の不揮発分含有量が35質量%となるよう調整し、連鎖重合可能な官能基を有するアクリル樹脂溶液を得た。
この樹脂の酸価を、JIS K0070に従って、酸価と水酸基価を測定したところ、酸価は検出されなかった。水酸基価を求めたところ、121mgKOH/gであった。また、得られたアクリル樹脂を60℃で一晩真空乾燥し、得られた固形分をエレメンタール社製全自動元素分析装置varioELにて元素分析し、窒素含有量から導入された2−メタクリロキシエチルイソシアネートの含有量を算出したところ、0.59mmol/gであった。さらに、東ソー株式会社製SD−8022/DP−8020/RI−8020を使用し、カラムには日立化成工業株式会社製Gelpack GL−A150−S/GL−A160−Sを用い、溶離液にテトラヒドロフランを用いてGPC測定をした結果、ポリスチレン換算重量平均分子量は42万であった。
[ダイシングテープの作成]
上述記載の方法で得られた連鎖重合可能な二重結合を有するアクリル樹脂溶液を固形分として100g、架橋剤として多官能イソシアネート(日本ポリウレタン工業(株)製、コロネートL、固形分75%)を固形分として12.0g、光開始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(チバスペシャリティケミカルズ(株)製、イルガキュア184)を1.0g、更に総固形分含有量が27質量%となるように酢酸エチルを加え、10分間均一に撹拌してダイシングテープ用の粘着層用ワニスを得た。
上記粘着剤用ワニスを、片面が離型処理された幅350mm、長さ400mm、厚み38μmのポリエチレンテレフタレートテープ上にアプリケータを用いて粘着層厚みが10μmとなるよう、ギャップを調整しながら塗工し、80℃で5分間乾燥した。
[ダイボンディングテープの作成]
エポキシ樹脂としてYDCN−703(東都化成(株)製商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量210、分子量1200、軟化点80℃)55重量部、フェノール樹脂としてミレックスXLC−LL(三井化学(株)製商品名、フェノール樹脂、水酸基当量175、吸水率1.8%、350℃における加熱重量減少率4%)45重量部、シランカップリング剤としてNUCA−189(日本ユニカー(株)製商品名、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン)1.7重量部とNUCA−1160(日本ユニカー(株)製商品名、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン)3.2重量部、フィラーとしてアエロジルR972(シリカ表面にジメチルジクロロシランを被覆し、400℃の反応器中で加水分解させた、メチル基などの有機基を表面に有するフィラー、日本アエロジル(株)製商品名、シリカ、平均粒径0.016μm)32重量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、更にビーズミルを用いて90分混練した。これにグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート3重量%を含むアクリルゴムHTR−860P−3(ナガセケムテックス(株)製商品名、重量平均分子量80万)を280重量部、及び硬化促進剤としてキュアゾール2PZ−CN(四国化成(株)製商品名、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール)0.5重量部加え、攪拌混合し、真空脱気し、接着層用ワニスを得た。
ワニスを厚さ35μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートテープ上に塗布し、140℃で5分間加熱乾燥して、膜厚が20μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアテープを備えたダイボンディングテープを作製した。
[ダイシング・ダイボンディング一体型テープの作成]
前述記載の手法により得られたダイボンディングテープを、キャリアテープごと取扱いしやすいサイズにカットした。これにカバーテープを剥離したダイシングテープを室温で貼り付け後、4℃の冷蔵庫で1日保管しダイシング・ダイボンディング一体型テープを得た。
[紫外線照射方法]
(株)オーク製作所製無電極紫外線ランプシステムを用いて、作成したサンプルに70mW/cm2モードで所定の照射量になるように照射時間を設定した。一体型フィルムの基材層側から紫外線(中心波長365nm)を照射して、紫外線照射後サンプルとした。
1)表面自由エネルギーの測定
接触角計(協和界面化学(株)製:Drop Master300)を用いて、ダイシングテープに対する接触角θを23〜28℃の温度にて実測し、表面自由エネルギー(mN/m)等を算出した。接触角の測定条件としては、プローブの液適量は1.5μlとし、測定時間はプローブ溶液を滴下後5秒とした。測定は各10回ずつ行い、その平均値を求めた。プローブ溶液には、特性の異なる2種を用いることが理想ではあるが、今回は水とグリセリンの2種を用いた。得られた接触角はYoung-Dupreの式(III)を用いて、単純に連立方程式の解として、サンプルの分散項(分散成分値)及び極性項(極性成分値)、表面自由エネルギー(分散成分値と極性成分値の和)を算出した(Owens and Wendt法)。なお、本願記載の分散成分値は、固体表面自由エネルギー分散項にあたる。
Figure 2014154704
2)Xの算出
紫外線照射前の表面自由エネルギーをA、紫外線照射後の表面自由エネルギーをB、紫外線照射前の表面自由エネルギーを極性成分と分散成分に分けた時の分散成分値をA分散とし、各サンプルのXを求めた。
X=A分散/[(B−A)/A]
3)T字ピール強度の評価(粘着層と接着層界面の粘着力(剥離力)の評価)
T字ピール強度測定用のサンプルは、ダイシング・ダイボンディング一体型テープのうち粘着層側に支持テープを貼り合せ、幅25mm、長さ70-80mmのサイズに切り出したものを用いた。30分以上室温で保管し、紫外線照射前のサンプルとした。紫外線照射後のサンプルは、紫外線照射前サンプルを測定前に所定の強度で紫外線照射したものとした。
T字ピール強度測定には、オートグラフ(島津製作所製)を用い、室温25±3℃、湿度55±5%の中で300mm/minの速度で引っ張り、得られたチャートより安定した点の値の平均値を取り、その平均値をT字ピール強度とした。同様の測定を5回行い、その平均値を最終的なサンプルのT字ピール強度として実施例に記載した。なお、T字剥離では粘着層側を固定し、接着層側を一定の剥離測定で剥離できるように固定した。また、T字ピール強度測定を実施している時及び測定後のサンプル観察により、剥離のモードを判定した。
4)紫外線照射前後の粘着層の表面粗さ変化
表面自由エネルギーは表面積と表面張力の積で表すことができるため、各サンプルの粘着層の紫外線照射前後における表面積の変化を、走査型プローブ顕微鏡を用いて調べた。ここで、紫外線照射前後で表面積に変化がなく、表面自由エネルギーの変化がある場合には、表面自由エネルギーの変化は物理的な変化によってもたらされていない、つまり、表面自由エネルギーの変化は表面張力の変化によるものであることを示す。ここで記載した走査型プローブ顕微鏡は、原子間力顕微鏡(AFM)等を示す。サンプルを1cm角以下にカットした後、ステージ用の金属板にカーボンテープで固定した。測定は、静電気の影響を受けやすいため、サンプルを一晩放置またはイオナイザーを用いて除電した後に行った。測定は、プローブを間欠的にサンプル表面に接触するダイナミック・フォース・モード(DFM)で行った。AFMを用いた表面形状の測定の場合には、DFMモードでの測定が望ましい。
実施例及び比較例の測定では、走査型プローブ顕微鏡(SPA400、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製)を用いDFMモードで測定した。プローブは、背面にALコートを施したSI−DF40等を用いた。得られた表面形状データ(サイズ:20μm×20μm)は、SPA400付属の画像処理およびデータ解析ソフトを用いることで、平均面粗さや表面積(指定面を最も近接した3つのデータ点で微小三角形をとり、この微小三角形を総和したもの)表面積率(指定面がフラットであると仮定したときの面積を実測した表面積で除したもの)データを得た。このうち表面積率が1.000±0.005(単位なし)の範囲にある場合には、表面積の変化は無いものと判断した。
同様の条件で、粘着層の材料及び所定の紫外線照射をし、実施例1〜11及び比較例1〜3とした。結果を以下の表1〜表3に示す。
Figure 2014154704
Figure 2014154704
Figure 2014154704
実施例1〜11で得られたダイシング・ダイボンディング一体型テープは、X≦20の時に、低剥離性を示す紫外線照射後のT字ピール強度が0.3N/25mm以下である上、剥離モードも界面剥離モードであることを示した。実施例7及び8については、紫外線照射量が他の実施例とは異なっているが、X≦20を満たし、T字ピール強度は0.3N/25mm以下、剥離モードは界面剥離モードであった。
一方、比較例1〜3では、Xは20よりも大きく、ピール強度は0.3N/25mm以下であるものの、剥離モードが混合剥離モードであることを示した。
上記に示すように、X値が20以下のときには、界面剥離モードでかつT字ピール強度が0.3N/25mm以下に制御できることを示す。これらの条件を満たすことで、紫外線照射後のピックアップに不具合を生じることなく良好な状態を維持できることを確認した。
このように、ピックアップ時に低剥離性(低粘着性)を有するダイシング・ダイボンディング一体型テープの製造には、紫外線前後のダイシングテープの表面自由エネルギーの変化率等によって紫外線照射後の粘着力(剥離力)を制御することが可能であり、ダイシングテープの製造設計に有用な技術である。
本発明によれば、ダイシング工程時では高粘着性を有し、ピックアップ工程では低剥離性を有するダイシング・ダイボンディング一体型テープを提供することが可能となる。
1・・・ダイシング・ダイボンディング一体型テープ、10・・・基材層、20・・・粘着層、30・・・接着層。

Claims (5)

  1. 少なくとも基材層、粘着層、接着層がこの順で積層されたダイシング・ダイボンディング一体型テープにおいて、
    前記粘着層の紫外線照射前の表面自由エネルギーA、Aを極性成分と分散成分に分けた時の分散成分値A分散、及び前記粘着層の紫外線照射後の表面自由エネルギーBが、下記一般式(I)の関係を満たす、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
    分散/[(B−A)/A]≦20・・・(I)
  2. 前記基材層側から前記粘着層に照射される紫外線は、中心波長365nmにおける露光量が1000mJ/cm以下である、請求項1に記載のダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
  3. 前記紫外線照射後に、前記粘着層と前記接着層とを剥離速度300mm/minのT字モードで剥離させたときの剥離モードが界面剥離モードである、請求項1又は2記載のダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
  4. 前記粘着層が、少なくとも放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基、水酸基を有するアクリル系共重合体(A)、光開始剤(B)、及び水酸基と反応しうる官能基を1分子中に2つ以上有する架橋剤(C)を含む、請求項1〜3のいずれか一項記載のダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
  5. 前記接着層が、エポキシ基含有アクリル共重合体、エポキシ樹脂又はエポキシ樹脂硬化剤を含む、請求項1〜4のいずれか一項記載のダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016056269A1 (ja) * 2014-01-23 2016-04-14 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法
WO2017191815A1 (ja) * 2016-05-02 2017-11-09 日立化成株式会社 仮固定用樹脂フィルム
KR20180116750A (ko) * 2017-04-17 2018-10-25 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 다이 본드 필름
CN108727999A (zh) * 2017-04-17 2018-11-02 日东电工株式会社 切割芯片接合薄膜
JP2018182275A (ja) * 2017-04-17 2018-11-15 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP2020061422A (ja) * 2018-10-05 2020-04-16 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
WO2020137836A1 (ja) * 2018-12-28 2020-07-02 日立化成株式会社 光硬化性粘着剤の評価方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
CN113228237A (zh) * 2018-12-28 2021-08-06 昭和电工材料株式会社 光固化性压敏胶黏剂的评价方法、切割晶粒接合一体型膜及其制造方法以及半导体装置的制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005276971A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイシングシート機能付き半導体用接着フィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2011515839A (ja) * 2008-03-14 2011-05-19 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド 半導体パッケージ用複合機能テープ及びこれを用いた半導体素子の製造方法
JP4865926B1 (ja) * 2011-06-24 2012-02-01 古河電気工業株式会社 ウェハ加工用テープ
JP2013021060A (ja) * 2011-07-08 2013-01-31 Hitachi Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンディング一体型テープ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005276971A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイシングシート機能付き半導体用接着フィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2011515839A (ja) * 2008-03-14 2011-05-19 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド 半導体パッケージ用複合機能テープ及びこれを用いた半導体素子の製造方法
JP4865926B1 (ja) * 2011-06-24 2012-02-01 古河電気工業株式会社 ウェハ加工用テープ
JP2013021060A (ja) * 2011-07-08 2013-01-31 Hitachi Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンディング一体型テープ

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016056269A1 (ja) * 2014-01-23 2016-04-14 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法
JPWO2017191815A1 (ja) * 2016-05-02 2018-11-08 日立化成株式会社 仮固定用樹脂フィルム
WO2017191815A1 (ja) * 2016-05-02 2017-11-09 日立化成株式会社 仮固定用樹脂フィルム
CN108728000B (zh) * 2017-04-17 2022-07-08 日东电工株式会社 切割芯片接合薄膜
JP7019333B2 (ja) 2017-04-17 2022-02-15 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
CN108728000A (zh) * 2017-04-17 2018-11-02 日东电工株式会社 切割芯片接合薄膜
JP2018182275A (ja) * 2017-04-17 2018-11-15 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
CN108727999A (zh) * 2017-04-17 2018-11-02 日东电工株式会社 切割芯片接合薄膜
KR102528254B1 (ko) * 2017-04-17 2023-05-03 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 다이 본드 필름
CN108727999B (zh) * 2017-04-17 2022-07-12 日东电工株式会社 切割芯片接合薄膜
KR20180116750A (ko) * 2017-04-17 2018-10-25 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 다이 본드 필름
JP2020061422A (ja) * 2018-10-05 2020-04-16 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP7176919B2 (ja) 2018-10-05 2022-11-22 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
CN113228237A (zh) * 2018-12-28 2021-08-06 昭和电工材料株式会社 光固化性压敏胶黏剂的评价方法、切割晶粒接合一体型膜及其制造方法以及半导体装置的制造方法
CN113227303A (zh) * 2018-12-28 2021-08-06 昭和电工材料株式会社 光固化性压敏胶黏剂的评价方法、切割晶粒接合一体型膜及其制造方法、以及半导体装置的制造方法
CN113227303B (zh) * 2018-12-28 2023-02-17 昭和电工材料株式会社 光固化性压敏胶黏剂的评价方法、切割晶粒接合一体型膜及其制造方法、以及半导体装置的制造方法
WO2020137836A1 (ja) * 2018-12-28 2020-07-02 日立化成株式会社 光硬化性粘着剤の評価方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JP7463968B2 (ja) 2018-12-28 2024-04-09 株式会社レゾナック 光硬化性粘着剤の評価方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法

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