JP7463968B2 - 光硬化性粘着剤の評価方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、光硬化性粘着剤の評価方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法に関する。

半導体チップの製造においては、半導体ウエハを個々の半導体チップに個片化するダイシング工程、及び個片化した半導体チップをリードフレーム、パッケージ基板等に接着するダイボンディング工程が通常備えられている。このような半導体チップの製造においては、ダイシング工程における半導体ウエハの固定に用いられる光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤層を備えるダイシングフィルムと、半導体チップとリードフレーム、パッケージ基板等との接着に用いられる接着剤層を備えるダイボンディングフィルムとを組み合わせたダイシング・ダイボンディング一体型フィルムが主に用いられている。

近年、薄型半導体ウエハを個片化して半導体チップを製造する方法の一例として、半導体ウエハを完全に切断せずに折り目となる溝を加工する方法及び半導体ウエハを完全に切断せずに、切断予定ライン上の半導体ウエハ内部にレーザ光を照射して改質層を形成する方法が提案されている。前者はハーフカットダイシングと呼ばれ、後者はステルスダイシングと呼ばれる（例えば、特許文献１、２）。これらの方法では、薄型半導体ウエハを用いる場合、半導体ウエハの反りの影響によって、光硬化性粘着剤層と接着剤層との一部が剥離してしまうチップ浮きが発生する場合がある。チップ浮きが発生すると、その後の紫外線照射工程で剥離した部分が酸素阻害によって粘着力が低下し難くなり、ピックアップ工程におけるピックアップ性に影響を与えるおそれがある。チップ浮きを抑制するためには、光硬化性粘着剤層の粘着力を向上させる必要性があるが、粘着力を向上させ過ぎると、紫外線照射後のピール強度が増大し、ピックアップ性に影響を与える場合がある。そのため、薄型半導体チップの製造にダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いる場合は、チップ浮きを抑制しつつ、ピックアップ性を向上させることができるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムが必要であり、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの光硬化性粘着剤層を構成する光硬化性粘着剤の選定が重要となっている。

特開２００２－１９２３７０号公報 特開２００３－３３８４６７号公報

しかしながら、半導体チップの製造において、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの光硬化性粘着剤層として使用予定の光硬化性粘着剤がチップ浮きを抑制しつつ、ピックアップ性を向上させることができるかを事前に予測することは難しく、実際に使用しなければ分からないこと多い。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに用いられる新規な光硬化性粘着剤の評価方法を提供することを主な目的とする。

被着体と粘着剤との粘着性の影響因子としては、粘着剤の粘着力（粘着剤のバルク特性）、被着体と粘着剤との界面における相互作用（粘着剤の表面特性）等が挙げられる。一般的に、バルク特性の方が表面特性よりも粘着性への寄与が大きいことが知られており、バルク特性を調整することによって粘着性は制御される傾向にある。しかし、薄型半導体チップのチップ浮きにおいては、表面特性の影響も無視できず、例えば、粘着剤が被着体から剥離するときに、粘着剤が破断されずに糸のように伸びてしまう糸曳き現象も大きな影響を与えると考えられる。本発明者らは、被着体と粘着剤とからなる積層体からの粘着剤の剥離メカニズムを以下のように推察している。まず、被着体と粘着剤とからなる積層体から粘着剤を引っ張ると、粘着剤から糸曳きが発生し、変形しながら剥離に必要な応力に達したときに糸曳きが被着体界面から剥離する。次いで、剥離した糸曳きが収縮し、糸曳きの収縮応力が他の糸曳きに応力集中し、これが繰り返されることによって、最終的に、被着体と粘着剤とが剥離する。このような剥離メカニズムでは、応力を一定にして粘着剤を引っ張ったときに、糸曳きによる応力集中が大きいほど、他の糸曳きでの剥離までに必要な応力が減少する効果（収縮効果）を生じるため、被着体と粘着剤との剥離が生じ易くなる。本発明者らはこのような収縮効果の割合を引張試験における引張圧縮挙動を測定することによって見積もることができることを見出し、本発明を完成するに至った。

本発明の一側面は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに用いられる光硬化性粘着剤の評価方法を提供する。この光硬化性粘着剤の評価方法は、光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤シートを準備し、下記引張圧縮条件で光硬化性粘着剤シートに対して引張試験を実施して、変位に対する試験力のグラフを作成し、得られるヒステリシス曲線からヒステリシス曲線で囲われる面積を損失仕事として求める第１の工程と、基材層、光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤層、及び接着剤層がこの順に積層されたダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備し、光硬化性粘着剤層に対して下記照射条件で紫外線を照射して、光硬化性粘着剤層の硬化物を形成し、下記剥離条件で接着剤層と光硬化性粘着剤層の硬化物とを剥離させたときの剥離力を測定する第２の工程と、損失仕事及び剥離力に基づいて、光硬化性粘着剤の良否を判定する第３の工程とを備える。
（引張圧縮条件）
温度：２５±５℃
湿度：５５±１０％
チャック間距離：４０ｍｍ
引張条件：試験力が０．５Ｎになるまで５００ｍｍ／分で引張
圧縮条件：変位が０ｍｍになるまで５００ｍｍ／分で圧縮
（照射条件）
照射強度：７０ｍＷ／ｃｍ^２
積算光量：１５０ｍＪ／ｃｍ^２
（剥離条件）
温度：２５±５℃
湿度：５５±１０％
剥離角度：３０°
剥離速度：６００ｍｍ／分

このような光硬化性粘着剤の評価方法は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの光硬化性粘着剤層として使用予定の光硬化性粘着剤がチップ浮きを抑制し、ピックアップ性に優れるものであるかを事前に予測するのに有用である。

第３の工程は、剥離力並びに糸曳き痕の痕数及び痕幅が下記条件（ａ）及び下記条件（ｂ）を満たすか否かによって光硬化性粘着剤の良否を判定する工程であってよい。
条件（ａ）：損失仕事が１．２１Ｎ・ｍｍ以上である。
条件（ｂ）：剥離力が０．６０Ｎ／２５ｍｍ以下である。

本発明の他の一側面は、基材層上に、上述の光硬化性粘着剤の評価方法で良と判定された光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤層を形成する工程と、光硬化性粘着剤層上に接着剤層を形成する工程とを備える、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法を提供する。

本発明の他の一側面は、上述の製造方法によって得られるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層を半導体ウエハに貼り付ける工程と、少なくとも半導体ウエハ及び接着剤層をダイシングによって個片化する工程と、光硬化性粘着剤層に対して紫外線を照射し、光硬化性粘着剤層の硬化物を形成する工程と、光硬化性粘着剤層の硬化物から接着剤層が付着した半導体素子をピックアップする工程と、接着剤層を介して、半導体素子を半導体素子搭載用の支持基板に接着する工程とを備える、半導体装置の製造方法を提供する。

半導体ウエハの厚みは、３５μｍ以下であってよい。ダイシングは、ステルスダイシングを適用したものであってよい。

本発明の他の一側面は、基材層と、上述の光硬化性粘着剤の評価方法で良と判定された光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤層と、接着剤層とをこの順に備える、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを提供する。

本発明によれば、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに用いられる新規な光硬化性粘着剤の評価方法が提供される。また、本発明によれば、このような光硬化性粘着剤の評価方法に基づく、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法が提供される。さらに、本発明によれば、このようなダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いた半導体装置の製造方法が提供される。

図１は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。 図２は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、及び（ｅ）は、各工程を示す模式断面図である。 図３は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図３（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、及び（ｉ）は、各工程を示す模式断面図である。 図４は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。

以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態について説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。

本明細書における数値及びその範囲についても同様であり、本発明を制限するものではない。本明細書において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。

本明細書において、（メタ）アクリレートは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリル共重合体等の他の類似表現についても同様である。

本明細書において、「糸曳き」とは、被着体と粘着剤との間における粘着剤の変形形態であり、被着体と粘着剤とを剥離させたときに、粘着剤が被着体との間で破断されずに糸、場合によっては壁のように大変形することを意味する。

［光硬化性粘着剤の評価方法］
一実施形態に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに用いられる光硬化性粘着剤の評価方法は、光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤シートを準備し、下記引張圧縮条件で光硬化性粘着剤シートに対して引張試験を実施して、変位に対する試験力のグラフを作成し、得られるヒステリシス曲線からヒステリシス曲線で囲われる面積を損失仕事として求める第１の工程と、基材層、光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤層、及び接着剤層がこの順に積層されたダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備し、光硬化性粘着剤層に対して下記照射条件で紫外線を照射して、光硬化性粘着剤層の硬化物を形成し、下記剥離条件で基材層から光硬化性粘着剤層の硬化物を剥離させたときの剥離力を測定する第２の工程と、損失仕事及び剥離力に基づいて、光硬化性粘着剤の良否を判
定する第３の工程とを備える。

以下では、まず、評価対象である光硬化性粘着剤、並びに光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤層を備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法を説明し、次いで、評価基準である損失仕事の影響因子を考察し、最後に各工程について説明する。

＜光硬化性粘着剤＞
本実施形態に係る光硬化性粘着剤の評価方法では、紫外線の照射によって硬化する光硬化性粘着剤が評価対象となり得る。以下、評価対象となる光硬化性粘着剤の一例として、反応性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体と、光重合開始剤と、反応性官能基と反応可能な官能基を２以上有する架橋剤とを含有する光硬化性粘着剤を説明する。

（反応性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体）
反応性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体は、例えば、１種又は２種以上の（メタ）アクリレート単量体（ａ１）又は（メタ）アクリル酸と、反応性官能基を有する１種又は２種以上の重合性化合物（ａ２）とを共重合することによって得ることができる。

（メタ）アクリレート単量体（ａ１）は、例えば、直鎖又は分岐アルキル（メタ）アクリレート、脂環式（メタ）アクリレート、芳香族（メタ）アクリレート、アルコキシアルキル（メタ）アクリレート、アルコキシ（ポリ）アルキレングリコール（メタ）アクリレート、アルコキシアルコキシアルキル（メタ）アクリレート、及びジアルキルアミノアルキル（メタ）アクリレートからなる群より選ばれる少なくとも１種であってもよい。

直鎖又は分岐アルキル（メタ）アクリレートとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ－ブチル（メタ）アクリレート、エチルへキシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

脂環式（メタ）アクリレートとしては、例えば、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

芳香族（メタ）アクリレートとしては、例えば、フェノキシエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

アルコキシアルキル（メタ）アクリレートとしては、例えば、エトキシエチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

アルコキシ（ポリ）アルキレングリコール（メタ）アクリレートとしては、例えば、メトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ブトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシジプロピレングリコール（メタ）アクリレート等が挙げられる。

アルコキシアルコキシアルキル（メタ）アクリレートとしては、例えば、２－メトキシエトキシエチル（メタ）アクリレート、２－エトキシエトキシエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

ジアルキルアミノアルキル（メタ）アクリレートとしては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

重合性化合物（ａ２）は、ヒドロキシ基及びエポキシ基からなる群より選ばれる少なくとも１種の反応性官能基を有していてよい。ヒドロキシ基及びエポキシ基は、イソシアネート基等を有する化合物（ｂ）との反応性が良好であるため、好適に用いることができる。重合性化合物（ａ２）は、ヒドロキシ基を有することが好ましい。

反応性官能基としてヒドロキシ基を有する重合性化合物（ａ２）としては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。

反応性官能基としてエポキシ基を有する重合性化合物（ａ２）としては、例えば、グリシジル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシシクロヘキシル（メタ）アクリレート等のエポキシ基を有する（メタ）アクリレートなどが挙げられる。

（メタ）アクリル共重合体は、（メタ）アクリル酸を単量体単位として含んでいてもよい。また、（メタ）アクリレート単量体（ａ１）及び重合性化合物（ａ２）に加えて、他の重合性化合物を単量体単位として含んでいてもよい。他の重合性化合物としては、例えば、スチレン、ビニルトルエン等の芳香族ビニル化合物などが挙げられる。

反応性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体は、連鎖重合可能な官能基をさらに有していてもよい。すなわち、反応性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体からなる主鎖と、主鎖に結合し、重合性二重結合を含む側鎖とを有するものであってもよい。重合性二重結合を含む側鎖は、（メタ）アクリルロイル基であってよいが、これに限られない。連鎖重合可能な官能基を有する（メタ）アクリル共重合体は、反応性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体の反応性官能基と反応する官能基と連鎖重合可能な官能基とを有する１種又は２種以上の化合物（ｂ）とを反応させて（メタ）アクリル共重合体の側鎖に連鎖重合可能な官能基を導入することによって得ることができる。

反応性官能基（エポキシ基、ヒドロキシ基等）と反応する官能基としては、例えば、イソシアネート基等が挙げられる。

イソシアネート基を有する化合物（ｂ）の具体例としては、２－メタクリロキシエチルイソシアネート（例えば、昭和電工株式会社製、商品名「カレンズＭＯＩ」）が挙げられる。

化合物（ｂ）の含有量は、反応性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体に対して、０．３～１．５ｍｍｏｌ／ｇであってよい。

反応性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体の酸価は、例えば、１～１５０ｍｇＫＯＨ／ｇであってよい。反応性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体の水酸基価は、例えば、１～１５０ｍｇＫＯＨ／ｇであってよい。酸価及び水酸基価は、ＪＩＳ Ｋ００７０に準じて測定されるものである。

反応性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０万～１００万、２０万～６０万、又は２５万～４０万であってよい。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。

（光重合開始剤）
光重合開始剤としては、紫外線の照射によって重合を開始させるものであれば特に制限されず、例えば、光ラジカル重合開始剤等が挙げられる。光ラジカル重合開始剤としては、例えば、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン等のベンゾインケタール；１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα－ヒドロキシケトン；２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタン－１－オン等のα－アミノケトン；１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１，２－オクタジオン－２－（ベンゾイル）オキシム等のオキシムエステル；ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド；２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体；ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン化合物；２－エチルアントラキノン等のキノン化合物；ベンゾインメチルエーテル等のベンゾインエーテル；ベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル化合物；９－フェニルアクリジン等のアクリジン化合物：Ｎ－フェニルグリシン、クマリンなどが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよく、適切な増感剤と組み合わせて用いてもよい。

光重合開始剤の含有量は、（メタ）アクリル共重合体１００質量部に対して、０．１～２０質量部、０．３～１０質量部、又は０．５～３質量部であってよい。

（架橋剤）
架橋剤は、反応性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体の反応性官能基（エポキシ基、ヒドロキシ基等）と反応可能な官能基を２以上有する化合物であれば特に制限されない。架橋剤と反応性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体との反応によって形成される結合としては、例えば、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、イミド結合、ウレタン結合、ウレア結合等が挙げられる。

架橋剤としては、例えば、一分子中に２以上のイソシアネート基を有する化合物が挙げられる。このような化合物を用いると、上記（メタ）アクリル共重合体が有する反応性官能基と容易に反応するため、粘着性及び糸曳きの制御がし易い傾向にある。

一分子中に２以上のイソシアネート基を有する化合物としては、例えば、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、リジンイソシアネート等のイソシアネート化合物などが挙げられる。

一分子中に２以上のイソシアネート基を有する化合物の具体例としては、多官能イソシアネート（日本ポリウレタン工業株式会社製、商品名「コロネートＬ」）が挙げられる。

架橋剤は、上述のイソシアネート化合物と、一分子中に２以上のヒドロキシ基を有する多価アルコールの反応物（イソシアナート基含有オリゴマー）であってもよい。一分子中に２以上のヒドロキシ基を有する多価アルコールとしては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、１，６－ヘキサンジオール、１，８－オクタンジオール、１，９－ノナンジオール、１，１０－デカンジオール、１，１１－ウンデカンジオール、１，１２－ドデカンジオール、グリセリン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、１，４－シクロヘキサンジオール、１，３－シクロヘキサンジオール等が挙げられる。

これらの中でも、架橋剤は、一分子中に２以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートと、一分子中に３以上のヒドロキシ基を有する多価アルコールの反応物（イソシアナート基含有オリゴマー）であってもよい。このようなイソシアネート基含有オリゴマーを架橋剤として用いることで、光硬化性粘着剤層２０がより緻密な架橋構造を形成する傾向にある。

架橋剤の含有量は、例えば、（メタ）アクリル共重合体全質量に対して、３～３０質量部、４～１５質量部、又は５～１０質量部であってよい。

＜ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法＞
図１は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１は、基材層１０、光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤層２０、及び接着剤層３０がこの順に積層されている。

（基材層）
基材層１０は、既知のポリマーシート又はフィルムを用いることができ、ダイボンディング工程においてエキスパンドすることが可能な材料で構成されているのであれば、特に制限されない。このような材料としては、例えば、結晶性ポリプロピレン、非晶性ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、低密度直鎖ポリエチレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン；エチレン－酢酸ビニル共重合体；アイオノマー樹脂；エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体；エチレン－（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体；エチレン－プロピレン共重合体；エチレン－ブテン共重合体；エチレン－ヘキセン共重合体；ポリウレタン；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリカーボネート；ポリイミド；ポリエーテルエーテルケトン；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリアミド；全芳香族ポリアミド；ポリフェニルスルフイド；アラミド（紙）；ガラス；ガラスクロス；フッ素樹脂；ポリ塩化ビニル；ポリ塩化ビニリデン；セルロース系樹脂；シリコーン樹脂などが挙げられる。これらの材料は、可塑剤、シリカ、アンチブロッキング材、スリップ剤、帯電防止剤等と混合した材料であってもよい。

これらの中でも、基材層１０は、ヤング率、応力緩和性、融点等の特性、価格面、使用後の廃材リサイクルなどの観点から、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン－ポリプロピレンランダム共重合体、及びポリエチレン－ポリプロピレンブロック共重合体から選ばれる少なくとも１種の材料を主成分とする表面を有し、当該表面が光硬化性粘着剤層２０と接しているものであってよい。基材層１０は、単層であっても、異なる材料からなる２層以上の多層であってもよい。基材層１０は、後述の光硬化性粘着剤層２０との密着性を制御する観点から、必要に応じて、コロナ放電処理、マット処理等の表面粗化処理が施されていてもよい。

基材層１０の厚みは、例えば、７０～１２０μｍ又は８０～１００μｍであってよい。基材層１０の厚みが７０μｍ以上であると、エキスパンドよる破損をより抑制できる傾向にある。基材層１０の厚みが１２０μｍ以下であると、ピックアップにおける応力が接着剤層まで到達し易くなり、ピックアップ性により優れる傾向にある。

（光硬化性粘着剤層）
光硬化性粘着剤層２０は、上述の光硬化性粘着剤からなる層である。光硬化性粘着剤層２０は、基材層１０上に形成されている。基材層１０上に光硬化性粘着剤層２０を形成する方法としては、例えば、光硬化性粘着剤層形成用ワニスを調製し、当該ワニスを基材層１０に塗工して、光硬化性粘着剤層２０を形成する方法、当該ワニスを離型処理されたフィルム上に塗工し、光硬化性粘着剤層２０を形成して、得られた光硬化性粘着剤層２０を基材層１０に転写する方法が挙げられる。

光硬化性粘着剤層形成用ワニスは、反応性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体、光重合開始剤、及び反応性官能基と反応可能な官能基を２以上有する架橋剤と有機溶剤とを含有する。有機溶剤は、反応性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体、光重合開始剤、及び反応性官能基と反応可能な官能基を２以上有する架橋剤を用化し得るものであって、加熱によって揮発するものであってよい。このような有機溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；メタノール、エタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル等の多価アルコールアルキルエーテル；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の多価アルコールアルキルエーテルアセテート；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。ワニスの固形分濃度は、ワニス全質量を基準として、１０～６０質量％であってよい。

光硬化性粘着剤層２０の厚みは、例えば、１～２００μｍ、５～５０μｍ、又は１０～２０μｍであってよい。

（接着剤層）
接着剤層３０は、接着剤からなる層である。接着剤は、ダイボンディングフィルムの分野で使用される接着剤であれば特に制限されない。以下、接着剤の一例として、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤と、エポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体とを含有する接着剤を説明する。このような接着剤からなる接着剤層３０によれば、チップと基板との間、チップとチップとの間の接着性に優れ、電極埋め込み性、ワイヤー埋め込み性等を付与することが可能であり、かつダイボンディング工程において、低温で接着することが可能となる。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格含有エポキシ樹脂、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、多官能フェノール類、アントラセン等の多環芳香族類のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

エポキシ樹脂硬化剤は、例えば、フェノール樹脂であってよい。フェノール樹脂は、分子内にフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。フェノール樹脂はとしては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα－ナフトール、β－ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、アリル化ビスフェノールＡ、アリル化ビスフェノールＦ、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂などが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

エポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体は、原料としてグリシジル（メタ）アクリレートを、得られる共重合体に対し０．５～６質量％となる量に調整された共重合体であってよい。当該量が０．５質量％以上であると、高い接着力が得られ易くなる傾向にあり、当該量が６質量％以下であると、ゲル化を抑制できる傾向にある。グリシジル（メタ）アクリレートの残部はメチル（メタ）アクリレート等の炭素数１～８のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート、及びスチレン、アクリロニトリル等の混合物であってよい。アルキル（メタ）アクリレートは、エチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートを含んでいてよい。各成分の混合比率は、得られるエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体のＴｇ（ガラス転移点）を考慮して調整することができる。Ｔｇが－１０℃以上であると、Ｂステージ状態での接着剤層３０のタック性が良好になる傾向にあり、取り扱い性に優れる傾向にある。エポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体のＴｇの上限値は、例えば、３０℃であってよい。

エポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量は１０万以上であってよく、３０万～３００万又は５０万～２００万であってよい。重量平均分子量が３００万以下であると、半導体チップと支持基板との間の充填性の低下を制御できる傾向にある。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。

接着剤は、必要に応じて、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩類等の硬化促進剤をさらに含有していてもよい。硬化促進剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテートが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

接着剤は、必要に応じて、無機フィラーをさらに含有してもよい。無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

接着剤層３０は、光硬化性粘着剤層２０上に形成されている。光硬化性粘着剤層２０上に接着剤層３０を形成する方法としては、例えば、接着剤層形成用ワニスを調製し、当該ワニスを離型処理されたフィルム上に塗工して、接着剤層３０を形成し、得られた接着剤層３０を光硬化性粘着剤層２０に転写する方法が挙げられる。接着剤層形成用ワニスは、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、及びエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体と、有機溶剤とを含有する。有機溶剤は、光硬化性粘着剤層形成用ワニスで使用される有機溶剤で例示したものと同様であってよい。

接着剤層３０の厚みは、例えば、１～３００μｍ、５～１５０μｍ、又は１０～１００μｍであってよい。

［損失仕事の影響因子］
損失仕事は、光硬化性粘着剤層と被着体（接着剤層）との界面での相互作用（例えば、糸曳き現象等）が影響し得る。そのため、損失仕事の影響因子の１つとしては、架橋剤の種類及び含有量が挙げられる。例えば、架橋剤の含有量を減少させると、損失仕事は大きくなり、架橋剤の含有量を増加させると、損失仕事は小さくなる傾向にある。したがって、架橋剤の種類及び含有量を調整することによって、損失仕事を制御し得る。また、その他の損失仕事の影響因子としては、例えば、塗工条件が挙げられる。

＜第１の工程＞
本工程では、まず、光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤シートを準備する。

光硬化性粘着剤シートは、光硬化性粘着剤からなる。光硬化性粘着剤シートは、例えば、上述の光硬化性粘着剤層形成用ワニスを用意し、これを離型処理が施されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗工して、当該ワニスの揮発成分を除去し、光硬化性粘着剤層を形成することによって得ることができる。光硬化性粘着剤シートは、光硬化性粘着剤層上に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが保護フィルムとして配置されていてもよい。光硬化性粘着剤シートのサイズは、後述の引張試験おいて、チャック間距離を４０ｍｍで確保できるものであれば特に制限されない。光硬化性粘着剤シートの厚みは、例えば、１０μｍとすることができる。

次いで、下記の引張圧縮条件で光硬化性粘着剤シートに対して引張試験を実施する。引張試験における変位に対する試験力のグラフを作成し、得られるヒステリシス曲線からヒステリシス曲線で囲われる面積を損失仕事として求める。損失仕事を求める際には、任意の評価処理解析ソフトを用いてよい。

（引張圧縮条件）
温度：２５±５℃
湿度：５５±１０％
チャック間距離：４０ｍｍ
引張条件：試験力が０．５Ｎになるまで５００ｍｍ／分で引張
圧縮条件：変位が０ｍｍになるまで５００ｍｍ／分で圧縮

＜第２の工程＞
本工程では、まず、基材層、評価対象である光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤層、及び接着剤層がこの順に積層された評価用ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する。

評価用ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムにおいて、基材層、光硬化性粘着剤層、及び接着剤層の種類等は特に制限されず、任意に選択されるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いることができる。評価対象である光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤の厚みは、例えば、１０μｍとすることができる。接着剤層の厚みは、例えば、１０μｍとすることができる。

次いで、光硬化性粘着剤層に対して下記照射条件で紫外線を照射して、光硬化性粘着剤を硬化させて、光硬化性粘着剤層の硬化物（光硬化性粘着剤の硬化物を含む層）を形成する。紫外線の光源は、使用する光重合開始剤の種類によって適宜最適なものを選択することができる。紫外線の光源は、特に制限されないが、低圧水銀ランプ、遠紫外線ランプ、エキシマ紫外線ランプ、高圧水銀ランプ、及びメタルハライドランプからなる群より選ばれる１種であってよい。これらのうち、紫外線の光源は、中心波長３６５ｎｍである高圧水銀ランプであることが好ましい。また、紫外線の照射においては、光源から発する熱の影響を低減させるために、コールドミラー等を併用してもよい。

（照射条件）
照射強度：７０ｍＷ／ｃｍ^２
積算光量：１５０ｍＪ／ｃｍ^２

紫外線の照射条件における照射温度は、６０℃以下又は４０℃以下であってよい。

最後に、下記剥離条件で基材層から光硬化性粘着剤層の硬化物を剥離させたときの剥離力（低角ピール強度）を測定する。基材層から光硬化性粘着剤層の硬化物を剥離させる場合、剥離角度を調整することが可能なピール強度測定装置を用いて、接着剤層に粘着テープ、支持テープ等を貼り付けてこれらのテープを引っ張ることによって行うことが好ましい。

（剥離条件）
温度：２５±５℃
湿度：５５±１０％
剥離角度：３０°
剥離速度：６００ｍｍ／分

なお、剥離角度は低角にするほど、剥離力における基材層の影響を排除できる傾向にあるが、１５°未満では測定が困難となる。そのため、３０°が低角ピール強度の試験条件として好適である。

＜第３の工程＞
本工程では、損失仕事及び剥離力に基づいて、光硬化性粘着剤の良否を判定する。評価基準である損失仕事及び剥離力の数値は、半導体ウエハの厚み等に合わせて任意の数値を設定することができる。

第３の工程は、損失仕事及び剥離力が下記条件（ａ）及び下記条件（ｂ）を満たすか否かによって光硬化性粘着剤の良否を判定する工程であってよい。下記条件（ａ）及び下記条件（ｂ）を満たす光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤層を備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、厚みが比較的薄い（例えば、３５μｍ以下）半導体ウエハに適用されるダイシングプロセス（例えば、ステルスダイシング等）に好適に用いることができる。

条件（ａ）：損失仕事が１．２１Ｎ・ｍｍ以上である。
条件（ｂ）：剥離力が０．６０Ｎ／２５ｍｍ以下である。

条件（ａ）を満たすことによって、半導体チップの製造におけるチップ浮きがより抑制される傾向にある。条件（ａ）の損失仕事は、１．２２Ｎ・ｍｍ以上又は１．２４Ｎ・ｍｍ以上であってよい。条件（ａ）の損失仕事の上限値は、特に制限されないが、１．４０Ｎ・ｍｍ以下であってよい。

条件（ｂ）を満たすことによって、半導体チップの製造におけるピックアップ性がより向上する傾向にある。条件（ｂ）の剥離力は、０．５９Ｎ／２５ｍｍ以下又は０．５８Ｎ／２５ｍｍ以下であってもよい。条件（ｂ）の剥離力の下限値は、特に制限されないが、０．５４Ｎ／２５ｍｍ以上であってよい。

［ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法］
一実施形態に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法は、基材層上に、上述の光硬化性粘着剤の評価方法で良と判定された光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤層を形成する工程と、光硬化性粘着剤層上に接着剤層を形成する工程とを備える。基材層及び接着剤層は、上述の光硬化性粘着剤の評価方法で例示したものと同様のものであってよい。光硬化性粘着剤層の形成方法及び接着剤層の形成方法も、上述の光硬化性粘着剤の評価方法で例示した方法と同様であってよい。

［ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム］
一実施形態に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、基材層と、上述の光硬化性粘着剤の評価方法で良と判定された光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤層と、接着剤層とをこの順に備える。基材層及び接着剤層は、上述の光硬化性粘着剤の評価方法で例示したものと同様のものであってよい。

［半導体装置（半導体パッケージ）の製造方法］
図２及び図３は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、上述の製造方法によって得られるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１の接着剤層３０を半導体ウエハＷ２に貼り付ける工程（ウエハラミネート工程）と、半導体ウエハＷ２、接着剤層３０、及び光硬化性粘着剤層２０を個片化する工程（ダイシング工程）と、光硬化性粘着剤層２０に対して紫外線を照射する工程（紫外線照射工程）と、基材層１０から接着剤層３０ａが付着した半導体素子（接着剤層付き半導体素子５０）をピックアップする工程（ピックアップ工程）と、接着剤層３０ａを介して、接着剤層付き半導体素子５０を半導体素子搭載用支持基板６０に接着する工程（半導体素子接着工程）とを備える。

ダイシング工程におけるダイシングは、特に制限されず、例えば、ブレードダイシング、レーザダイシング、ステルスダイシング等が挙げられる。半導体ウエハＷ２の厚みを３５μｍ以下とする場合、ダイシングはステルスダイシングを適用したものであってよい。以下では、ダイシングとして主にステルスダイシングを用いた態様について詳細に説明する。

＜改質層形成工程＞
ダイシングがステルスダイシングを適用したものである場合、半導体装置の製造方法は、ウエハラミネート工程の前に改質層形成工程を備えていてよい。

まず、厚みＨ１の半導体ウエハＷ１を用意する。改質層を形成する半導体ウエハＷ１の厚みＨ１は、３５μｍを超えていてよい。続いて、半導体ウエハＷ１の一方の主面上に保護フィルム２を貼り付ける（図２（ａ）参照）。保護フィルム２が貼り付けられる面は、半導体ウエハＷ１の回路面であることが好ましい。保護フィルム２は、半導体ウエハの裏面研削（バックグラインド）に使用されるバックグラインドテープであってよい。続いて、半導体ウエハＷ１内部にレーザ光を照射して改質層４を形成し（図２（ｂ）参照）、半導体ウエハＷ１の保護フィルム２が張り付けられた面とは反対側（裏面側）に対してバックグラインディング（裏面研削）及びポリッシング（研磨）を行うことによって、改質層４を有する半導体ウエハＷ２を作製する（図２（ｃ）参照）。得られる半導体ウエハＷ２の厚みＨ２は、３５μｍ以下であってよい。

＜ウエハラミネート工程＞
次いで、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１の接着剤層３０を所定の装置に配置する。続いて、半導体ウエハＷ２の主面Ｗｓに、接着剤層３０を介してダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１を貼り付け（図２（ｄ）参照）、半導体ウエハＷ２の保護フィルム２を剥離する（図２（ｅ）参照）。

＜ダイシング工程＞
次に、少なくとも半導体ウエハＷ２及び接着剤層３０をダイシングによって個片化する（図３（ｆ）参照）。ダイシングがステルスダイシングを適用したものである場合、ク－ルエキスパンド及びヒートシュリンクを行うことによって個片化することができる。

＜紫外線照射工程＞
次に、光硬化性粘着剤層２０に紫外線を照射することによって光硬化性粘着剤層２０における光硬化性粘着剤を硬化させ、光硬化性粘着剤層の硬化物（光硬化性粘着剤の硬化物を含む層）を形成する（図３（ｇ）参照）。これによって、光硬化性粘着剤層２０と接着剤層３０との間の粘着力を低下させることができる。紫外線照射においては、波長２００～４００ｎｍの紫外線を用いることが好ましい。紫外線照射条件は、照度：３０～２４０ｍＷ／ｃｍ^２で照射量２００～５００ｍＪ／ｃｍ^２となるように調整することが好ましい。

＜ピックアップ工程＞
次に、基材層１０をエキスパンドすることによって、ダイシングされた接着剤層付き半導体素子５０を互いに離間させつつ、基材層１０側からニードル４２で突き上げられた接着剤層付き半導体素子５０を吸引コレット４４で吸引して、光硬化性粘着剤層の硬化物２０ａｃからピックアップする（図３（ｈ）参照）。なお、接着剤層付き半導体素子５０は、半導体素子Ｗａと接着剤層３０ａとを有する。半導体素子Ｗａは半導体ウエハＷ２がダイシングによって分割されたものであり、接着剤層３０ａは接着剤層３０がダイシングによって分割されたものである。光硬化性粘着剤層の硬化物２０ａｃは光硬化性粘着剤層の硬化物がダイシングによって分割されたものである。光硬化性粘着剤層の硬化物２０ａｃは接着剤層付き半導体素子５０をピックアップする際に基材層１０上に残存し得る。ピックアップ工程では、必ずしもエキスパンドする必要はないが、エキスパンドすることによってピックアップ性をより向上させることができる。

ニードル４２による突き上げ量は、適宜設定することができる。さらに、極薄ウエハに対しても充分なピックアップ性を確保する観点から、例えば、２段又は３段のピックアップを行ってもよい。また、吸引コレット４４を用いる方法以外の方法で接着剤層付き半導体素子５０のピックアップを行ってもよい。

＜半導体素子接着工程＞
接着剤層付き半導体素子５０をピックアップした後、接着剤層付き半導体素子５０を、熱圧着によって、接着剤層３０ａを介して半導体素子搭載用支持基板６０に接着する（図３（ｆ）参照）。半導体素子搭載用支持基板６０には、複数の接着剤層付き半導体素子５０を接着してもよい。

図４は、半導体装置の一実施形態を模式的に示す断面図である。図４に示す半導体装置１００は、上記工程と、半導体素子Ｗａと半導体素子搭載用支持基板６０とをワイヤーボンド７０によって電気的に接続する工程と、半導体素子搭載用支持基板６０の表面６０ａ上に、樹脂封止材８０を用いて半導体素子Ｗａを樹脂封止する工程とをさらに備える製造方法によって製造することができる。半導体素子搭載用支持基板６０の表面６０ａと反対側の面に、外部基板（マザーボード）との電気的な接続用として、はんだボール９０が形成されていてもよい。

以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、特に記載がない限り、化合物は市販の試薬を使用した。

［ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの準備］
（（メタ）アクリル共重合体溶液の調製）
スリーワンモータ、撹拌翼、及び窒素導入管が備え付けられた容量２０００ｍＬのオートクレーブに、２－エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）７９質量部、２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）１９質量部、及びメタクリル酸（ＭＡＡ）２質量部を加え、さらに酢酸エチル１２７質量部及びアゾビスイソブチロニトリル０．０４質量部を加えた。これを均一になるまで撹拌し、流量５００ｍｌ／ｍｉｎで６０分間バブリングを実施し、系中の溶存酸素を脱気した。次いで、１時間かけて８０℃まで昇温し、８０℃で維持したまま６時間重合させた。その後、スリーワンモータ、撹拌翼、及び窒素導入管が備え付けられた容量２０００ｍＬの加圧釜に反応溶液を移し、１２０℃、０．２８ＭＰａ条件で６時間加温した後、室温（２５℃、以下同様）まで冷却した。次に、酢酸エチルを８９質量部さらに加えて希釈した。これに重合禁止剤としてジブチルヒドロキシトルエン０．００５質量部及びウレタン化触媒としてジオクチルスズジラウレート０．０１１質量部を添加し、連鎖重合可能な官能基を有する化合物として２－メタクリロキシエチルイソシアネート（昭和電工株式会社製、商品名「カレンズＭＯＩ」）１４質量部を加えて、７０℃で１２時間反応させ、室温まで冷却した。その後、不揮発分（固形分）含有量が３５質量％となるように酢酸エチルを加えて、反応性官能基としてヒドロキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体溶液を得た。

（メタ）アクリル共重合体溶液における（メタ）アクリル共重合体の酸価及び水酸基価を、ＪＩＳ Ｋ００７０に従って測定した。酸価は１０．２ｍｇＫＯＨ／ｇであり、水酸基価は８０．０ｍｇＫＯＨ／ｇであった。また、得られたアクリル樹脂を６０℃で一晩真空乾燥し、得られた固形分をエレメンタール社製全自動元素分析装置ｖａｒｉｏＥＬにて元素分析を実施し、窒素含有量から導入された２－メタクリロキシエチルイソシアネートの含有量を算出した。２－メタクリロキシエチルイソシアネートの含有量は０．９０ｍｍｏｌ／ｇであった。さらに、ＧＰＣ装置として東ソー株式会社製ＳＤ－８０２２／ＤＰ－８０２０／ＲＩ－８０２０、カラムとして日立化成株式会社製Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ－Ａ１５０－Ｓ／ＧＬ－Ａ１６０－Ｓ、及び溶離液としてテトラヒドロフランを用いて、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）を測定した。重量平均分子量は２７万であった。

＜製造例１：光硬化性粘着剤シートＡ及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＡの作製＞
（光硬化性粘着剤Ａの調製）
反応性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体として上記で調製した（メタ）アクリル共重合体溶液を固形分として１００質量部、光重合開始剤として１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（チバスペシャリティケミカルズ株式会社製、イルガキュア１８４）０．６質量部及びビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）－フェニルホスフィンオキシド（チバスペシャリティケミカルズ株式会社製、イルガキュア８１９）０．３質量部、並びに架橋剤として多官能イソシアネート（日本ポリウレタン工業株式会社製、商品名「コロネートＬ」、固形分７５％）６．８質量部を混合した。この混合物に対して、固形分の総含有量が２５質量％となるように酢酸エチルを加え、１０分間均一に撹拌して、光硬化性粘着剤Ａのワニスを得た。

（光硬化性粘着剤シートの作製）
上述の光硬化性粘着剤Ａのワニスを、片面が離型処理された厚み２０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に乾燥後の光硬化性粘着剤層（光硬化性粘着剤シート）の厚みが１０μｍとなるように、塗工機を用いて塗工した。塗工は、速度３．０ｍ／分、第一乾燥炉温度８０℃、第二乾燥炉温度８０℃の条件で行った。得られた光硬化性粘着剤層（光硬化性粘着剤シート）上に、厚み３８μｍのＰＥＴフィルムを配置し、２枚のＰＥＴフィルムに挟持された光硬化性粘着剤層（光硬化性粘着剤シート）を得た。

（ダイシングフィルムの作製）
上述の光硬化性粘着剤Ａのワニスを、片面が離型処理された幅３５０ｍｍ、長さ４００ｍｍ、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に乾燥後の光硬化性粘着剤層の厚みが１０μｍとなるように、ギャップを調整しながら塗工し、８０～１００℃で光硬化性粘着剤層形成用ワニスを３分間加熱乾燥した。その後、片面にコロナ放電処理が施されたポリオレフィン製フィルム（基材層、厚み：９０μｍ）を貼り合わせ、４０℃、７２時間の条件で養生を行い、架橋処理を行うことによって、基材層と光硬化性粘着剤層とを備えるダイシングフィルムを得た。なお、架橋処理は、ＦＴ－ＩＲスペクトルを用いて、養生の進行を確認しながら行った。

（ダイボンディングフィルムの作製）
エポキシ樹脂としてＹＤＣＮ－７０３（東都化成株式会社製、商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０、分子量１２００、軟化点８０℃）５５質量部、フェノール樹脂としてミレックスＸＬＣ－ＬＬ（三井化学株式会社製、商品名、水酸基当量１７５、吸水率１．８％、３５０℃における加熱質量減少率４％）４５質量部、シランカップリング剤としてＮＵＣＡ－１８９（日本ユニカー株式会社製、商品名、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）１．７質量部及びＮＵＣＡ－１１６０（日本ユニカー株式会社製、商品名、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン）３．２質量部、並びにフィラーとしてアエロジルＲ９７２（シリカ表面をジメチルジクロロシランで被覆し、４００℃の反応器中で加水分解して、メチル基等の有機基によって表面修飾されたシリカフィラー、日本アエロジル株式会社製、商品名、平均粒径０．０１６μｍ）３２質量部に、シクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分混錬した。得られた混合物に対して、アクリルゴムとしてＨＴＲ－８６０Ｐ－３（ナガセケムテックス株式会社製、商品名、重量平均分子量８０万、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート３質量％を含むアクリルゴム）２８０質量部及び硬化促進剤としてキュアゾール２ＰＺ－ＣＮ（四国化成株式会社製、商品名、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール）０．５質量部加えて撹拌混合し、真空脱気することによって、接着剤層形成用ワニスを得た。得られた接着剤層形成用ワニスを厚み３８μｍの離型処理されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、厚みが１０μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、接着剤層を備えるダイボンディングフィルムを作製した。

（ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの作製）
上記で作製したダイボンディングフィルムをＰＥＴフィルムごと取り扱いし易いサイズにカットした。カットしたダイボンディングフィルムの接着剤層に、ＰＥＴフィルムを剥離したダイシングフィルムの光硬化性粘着剤層を貼り合わせることによって、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＡを得た。貼り合わせは、クリーンルーム（温度２３℃、湿度５０％の無塵室内）でラミネートマシンを用いて行った。

＜製造例２：光硬化性粘着剤シートＢ及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＢの作製＞
架橋剤の含有量を６．８質量部から７．２質量部に変更した以外は、製造例１と同様にして、光硬化性粘着剤シートＢ及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＢを得た。

＜製造例３：光硬化性粘着剤シートＣ及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＣの作製＞
架橋剤の含有量を６．８質量部から７．６質量部に変更した以外は、製造例１と同様にして、光硬化性粘着剤シートＣ及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＣを得た。

＜製造例４：光硬化性粘着剤シートＤ及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＤの作製＞
架橋剤の含有量を６．８質量部から４．０質量部に変更した以外は、製造例１と同様にして、光硬化性粘着剤シートＤ及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＤを得た。

＜製造例５：光硬化性粘着剤シートＥ及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＥの作製＞
架橋剤の含有量を６．８質量部から６．４質量部に変更した以外は、製造例１と同様にして、光硬化性粘着剤シートＥ及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＥを得た。

＜製造例６：光硬化性粘着剤シートＦ及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＦの作製＞
架橋剤の含有量を６．８質量部から８．０質量部に変更した以外は、製造例１と同様にして、光硬化性粘着剤シートＦ及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＦを得た。

［損失仕事の計測］
光硬化性粘着剤シートＡ～Ｆをそれぞれ５０ｍｍ×５０ｍｍに切り出し、光硬化性粘着剤シートから光硬化性粘着剤層を剥離し、一辺から均一に光硬化性粘着剤層を円柱状に丸めた。中心部から２０ｍｍ（末端から５ｍｍ）の両端に養生テープ（株式会社寺岡製作所製）を貼り付け、高速引張試験機テンシロン（株式会社エイ・アンド・デイ製）を用い、光硬化性粘着剤層に対して引張試験を実施した。引張試験は、２５±５℃、湿度：５５±１０％で行い、チャック間距離を４０ｍｍとした。引張試験は、試験力が０．５Ｎになるまで５００ｍｍ／分で引っ張り、変位が０ｍｍになるまで５００ｍｍ／分で圧縮した。変位（ｍｍ）に対する試験力（Ｎ）のグラフを作成し、得られるヒステリシス曲線で囲われる面積を損失仕事として求めた。データ処理解析ソフトとして、ＴＡＣＴ（株式会社エイ・アンド・デイ製）を用いた。結果を表１に示す。また、条件（ａ）（損失仕事が１．２１Ｎ・ｍｍ以上である）の充足性についても表１に示す。

［剥離力の測定］
＜測定サンプルの作製＞
ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＡ～Ｆをそれぞれ幅３０ｍｍ、長さ２００ｍｍに切り分け、ダイボンディングフィルムの接着剤層側のＰＥＴフィルムを剥がし、粘着フィルム（王子タック株式会社製）を接着剤層側にローラーを用いて貼り付け、幅２５ｍｍ、長さ１７０ｍｍに切り出した。次に、切り出した粘着フィルム付きダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの基材層（ポリオレフィン製フィルム）側から、紫外線照射装置（株式会社ＧＳユアサ製、ＵＶ ＳＹＳＴＥＭ、中心波長３６５ｎｍの紫外線）を用いて、照射温度４０℃以下、照射強度７０ｍＷ／ｃｍ^２、及び積算光量１５０ｍＪ／ｃｍ^２で照射し、光硬化性粘着剤層の硬化物を形成することによって測定サンプルを得た。

＜剥離力の測定＞
上記で作製した測定サンプルを角度自在タイプの粘着・被膜剥離解析装置ＶＰＡ－２Ｓ（協和界面科学株式会社製）を用い、温度２５±５℃、湿度５５±１０％、剥離角度３０°、及び剥離速度６００ｍｍ／分で基材層から光硬化性粘着剤層の硬化物を剥離させたときの剥離力（低角（３０°）ピール強度）を測定した。同様の測定を３回行い、その平均値を低角ピール強度とした。結果を表１に示す。また、条件（ｂ）（剥離力が０．６０Ｎ／２５ｍｍ以下である）の充足性についても表１に示す。

［チップ浮き及びピックアップ性の評価］
得られた製造例１～６のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＡ～Ｆについて、チップ浮き（エキスパンドにおける接着剤層と硬化前の光硬化性粘着剤層との密着性）及びピックアップ性を評価した。

＜評価サンプルの作製＞
（改質層形成）
半導体ウエハ（シリコンウエハ（厚み７５０μｍ、外径１２インチ））の片面に、バックグラインドテープを貼り付け、バックグラインドテープ付き半導体ウエハを得た。半導体ウエハのバックグラインドテープが貼り付けられた側とは反対側の面に対してレーザ光を照射して半導体ウエハ内部に改質層を形成した。レーザの照射条件は以下のとおりである。

レーザ発振器型式：半導体レーザ励起Ｑスイッチ固体レーザ
波長：１３４２ｎｍ
発振形式：パルス
周波数：９０ｋＨｚ
出力：１．７Ｗ
半導体ウエハの載置台の移動速度：７００ｍｍ／秒

次いで、半導体ウエハのバックグラインドテープが貼り付けられた側とは反対側の面に対して、バックグラインディング及びポリッシングを行うことによって、厚みが３０μｍである半導体ウエハを得た。

（ウエハラミネート）
半導体ウエハのバックグラインドテープが貼り付けられた側とは反対側の面に、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのＰＥＴフィルムを剥がし、接着剤層を貼り付けた。

（ダイシング）
次いで、改質層を有するダイシング・ダイボンディング一体型フィルム付き半導体ウエハをエキスパンド装置に固定した。次いで、ダイシングフィルムを下記条件でエキスパンドし、半導体ウエハ、接着剤層、及び光硬化性粘着剤層を個片化した。なお、後述のチップ浮きの評価では、この紫外線照射前の個片化サンプルを評価サンプルとした。

装置：株式会社ディスコ社製、商品名「ＤＤＳ２３００ Ｆｕｌｌｙ Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｄｉｅ Ｓｅｐａｒａｔｏｒ」
クールエキスパンド条件：
温度：－１５℃、高さ：９ｍｍ、冷却時間：９０秒、速度：３００ｍｍ／秒、待機時間：０秒
ヒートシュリンク（ヒートエキスパンド）条件：
温度：２２０℃、高さ：７ｍｍ、保持時間：１５秒、速度：３０ｍｍ／秒、ヒーター速度：７℃／秒

（紫外線照射）
個片化された半導体ウエハの光硬化性粘着剤層を照射強度７０ｍＷ／ｃｍ^２及び積算光量１５０ｍＪ／ｃｍ^２で中心波長３６５ｎｍの紫外線を照射し、光硬化性粘着剤層の硬化物を形成した。後述のピックアップ性の評価では、紫外線照射後の個片化サンプルを評価サンプルとした。

＜チップ浮きの評価＞
上述で作製した評価サンプルを用いて、半導体ウエハ側から顕微鏡で観察することによって、接着剤層と光硬化性粘着剤層との密着性をチップ浮きとして評価した。顕微鏡による観察では、半導体ウエハ周辺部と中央部に対して行い、単位半導体チップ面積に対する浮き領域を剥離面積とした。接着剤層と光硬化性粘着剤層との剥離面積が全面積の１５％未満であったものを「Ａ」、接着剤層と光硬化性粘着剤層との剥離面積が全面積の１５％以上２０％未満であったものを「Ｂ」、接着剤層と光硬化性粘着剤層との剥離面積が全面積の２０％以上であったものを「Ｃ」と評価した。結果を表１に示す。

＜ピックアップ性の評価＞
上述で作製した紫外線照射後の個片化サンプルを用い、フレキシブルダイボンダーＤＢ－７３０（日立ハイテク株式会社製、商品名）を使用して評価した。ピックアップ用コレットは、サイズ１２．２１×５．９３ｍｍのものを用いた。３段突上げ方式を採用し、１段目をサイズ１１．２９×５．２９ｍｍ、速度１ｍｍ／秒、２段目をサイズ９．５７×３．５７ｍｍ、速度１０ｍｍ／秒、及び３段目をサイズ８．４１×２．４１ｍｍ、速度２０ｍｍ／秒で行い、突き上げ高さを３５０μｍとした。１０００個のチップを連続でピックアップし、チップ割れ又はピックアップミス等が発生した割合が０．５％未満であったものを「Ａ」、０．５％以上を「Ｂ」とした。結果を表１に示す。

表１に示すように、製造例１～３のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＡ～Ｃは、損失仕事が１．２１Ｎ・ｍｍ以上であり、かつ剥離力が０．６０Ｎ／２５ｍｍ以下であり、条件（ａ）及び条件（ｂ）の両方を満たしていた。これら製造例１～３のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＡ～Ｃは、チップ浮き及びピックアップ性に優れていた。これ対して、条件（ａ）及び条件（ｂ）の両方を充足しない製造例４～６のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＤ～Ｆは、チップ浮き特性及びピックアップ性の両方を満たさないことが判明した。

１…ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、２…保護フィルム、４…改質層、１０…基材層、２０…光硬化性粘着剤層、２０ａｃ…光硬化性粘着剤層の硬化物、３０、３０ａ…接着剤層、４２…ニードル、４４…吸引コレット、５０…接着剤層付き半導体素子、６０…半導体素子搭載用支持基板、７０…ワイヤーボンド、８０…樹脂封止材、９０…はんだボール、Ｗ１、Ｗ２…半導体ウエハ、Ｈ１…半導体ウエハＷ１の厚み、Ｈ２…半導体ウエハＷ２の厚み、１００…半導体装置。

Claims (7)

1. ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに用いられる光硬化性粘着剤の評価方法であって、
   光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤シートを準備し、下記引張圧縮条件で前記光硬化性粘着剤シートに対して引張試験を実施して、変位に対する試験力のグラフを作成し、得られるヒステリシス曲線から前記ヒステリシス曲線で囲われる面積を損失仕事として求める第１の工程と、
   基材層、光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤層、及び接着剤層がこの順に積層されたダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備し、前記光硬化性粘着剤層に対して下記照射条件で紫外線を照射して、前記光硬化性粘着剤層の硬化物を形成し、下記剥離条件で前記接着剤層と前記光硬化性粘着剤層の硬化物とを剥離させたときの剥離力を測定する第２の工程と、
   前記損失仕事及び前記剥離力に基づいて、前記光硬化性粘着剤の良否を判定する第３の工程と、
   を備える、光硬化性粘着剤の評価方法。
   （引張圧縮条件）
   温度：２５±５℃
   湿度：５５±１０％
   チャック間距離：４０ｍｍ
   引張条件：試験力が０．５Ｎになるまで５００ｍｍ／分で引張
   圧縮条件：変位が０ｍｍになるまで５００ｍｍ／分で圧縮
   （照射条件）
   照射強度：７０ｍＷ／ｃｍ^２
   積算光量：１５０ｍＪ／ｃｍ^２
   （剥離条件）
   温度：２５±５℃
   湿度：５５±１０％
   剥離角度：３０°
   剥離速度：６００ｍｍ／分
2. 前記第３の工程は、前記損失仕事及び前記剥離力が下記条件（ａ）及び下記条件（ｂ）を満たすか否かによって前記光硬化性粘着剤の良否を判定する工程である、請求項１に記載の光硬化性粘着剤の評価方法。
   条件（ａ）：前記損失仕事が１．２１Ｎ・ｍｍ以上である。
   条件（ｂ）：前記剥離力が０．６０Ｎ／２５ｍｍ以下である。
3. 基材層上に、請求項１又は２に記載の光硬化性粘着剤の評価方法で良と判定された光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤層を形成する工程と、
   前記光硬化性粘着剤層上に接着剤層を形成する工程と、
   を備える、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法。
4. 請求項３に記載の製造方法によって得られるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの前記接着剤層を半導体ウエハに貼り付ける工程と、
   少なくとも前記半導体ウエハ及び前記接着剤層をダイシングによって個片化する工程と、
   前記光硬化性粘着剤層に対して紫外線を照射し、前記光硬化性粘着剤層の硬化物を形成する工程と、
   前記光硬化性粘着剤層の硬化物から前記接着剤層が付着した半導体素子をピックアップする工程と、
   前記接着剤層を介して、前記半導体素子を半導体素子搭載用の支持基板に接着する工程と、
   を備える、半導体装置の製造方法。
5. 前記半導体ウエハの厚みが、３５μｍ以下である、請求項４に記載の製造方法。
6. 前記ダイシングが、ステルスダイシングを適用したものである、請求項４又は５に記載の製造方法。
7. 基材層と、請求項２に記載の光硬化性粘着剤の評価方法で良と判定された光硬化性粘着剤からなる光硬化性粘着剤層と、接着剤層とをこの順に備える、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。

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