JP2012238765A - ウェハ加工用テープ - Google Patents

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Koji Suzumura
浩二 鈴村
Keiko Yoshida
桂子 吉田
Yukihiro Iwanaga
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Abstract

【課題】ダイシング性及びエキスパンド性に優れ、安価な手法で製造可能なウェハ加工用テープを提供する。
【解決手段】ウェハ加工用テープであるダイシング・ダイボンディング一体型テープ1は、テープの基部をなす基材層2と、基材層2の一方面2a上に設けられた粘着層3と、粘着層3上に設けられた接着層4と、を備え、基材層2は、紫外線照射前の破断伸び率をAとし、紫外線照射後の破断伸び率をBとしたときに、Bが270%以上で、且つB/Aが0.5以上0.9以下となる材料からなり、基材層2の一方面2a側の破断伸び率は、一方面2aへの紫外線の照射によって他方面2b側の破断伸び率よりも低くなっている。このように、一方面2a側の破断伸び率を低くし、他方面2b側の破断伸び率を高くすることで、ダイシング性とエキスパンド性とを両立させることができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体ウェハのダイシング、及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディング等に用いられるウェハ加工用テープに関する。
従来、このようなウェハ加工用テープとしては、樹脂フィルムからなる基材フィルムと、その片面に設けられた粘着剤層と、を備えたものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
このようなウェハ加工用テープを用いた半導体装置の製造工程では、粘着剤層上に半導体ウェハを設置した状態でダイシングが行われ、ダイシングによって得られた半導体チップのピックアップが行われ、ピックアップされた半導体チップのダイボンディングが行われる。
ここで、ダイシング工程では、一般的に、半導体ウェハ及び粘着剤層と共に基材フィルムの一部が切削される。基材フィルムの一部が切削されると、ヒゲバリと呼ばれる切削くずが生じる。ヒゲバリが過度に生じると、ダイボンディング工程において、半導体チップのピックアップが妨げられる場合や、半導体チップの接着不良が生じる場合がある。このため、基材フィルムは、ヒゲバリを生じ難いもの、即ちダイシング性に優れるものであることが好ましい。
また、半導体チップのピックアップは、一般的に、ウェハ加工用テープを引き伸ばし(エキスパンド工程)、半導体チップ同士の距離を大きくした状態で行われる。このため、基材フィルムは、引き伸ばしても切れ難いもの、即ちエキスパンド性に優れるものであることが好ましい。
特許文献1には、エチレン−(メタ)アクリル共重合体からなる基材フィルムに電子線を照射し、エチレン−(メタ)アクリル共重合体の架橋の程度を適切に調整することで、ダイシング性及びエキスパンド性に優れる基材フィルムを得ることが開示されている。
特開2005−33059号公報
しかしながら、従来のウェハ加工用テープでは、電子線の照射により架橋を進行させることで優れたダイシング性が得られる一方で、架橋を進行させ過ぎるとエキスパンド性を確保できなくなるという問題があった。このため、従来のウェハ加工用テープでは、電子線の照射量等の調整に手間がかかり、結果として製造コストが高くなる傾向があった。
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、ダイシング性及びエキスパンド性に優れ、安価な手法で製造可能なウェハ加工用テープを提供することを目的とする。
上記課題解決のため、本発明に係るウェハ加工用テープは、テープの基部をなす基材層と、基材層の一方面上に設けられた粘着層と、粘着層上に設けられた接着層と、を備え、基材層は、紫外線照射前の破断伸び率をAとし、紫外線照射後の破断伸び率をBとしたときに、Bが270%以上で、且つB/Aが0.5以上0.9以下となる材料からなり、基材層の一方面側の破断伸び率は、一方面への紫外線の照射によって他方面側の破断伸び率よりも低くなっていることを特徴とする。
このウェハ加工用テープでは、基材層は、Bが270%以上で、且つB/Aが0.5以上0.9以下となる材料からなり、一方面への紫外線の照射によって、基材層の一方面側の破断伸び率が低くされている。これにより、ダイシング工程において粘着層と共に切削される一方面側では、基材層はヒゲバリを生じ難い。また、基材層の他方面側の破断伸び率は、一方面側の破断伸び率よりも高くされている。これにより、基材層は引き伸ばしても切れ難い。このように、基材層の一方面側の破断伸び率を低くしても、基材層の他方面側においてエキスパンド性が確保されるため、紫外線の照射量等の許容範囲が広く、紫外線の照射量等の調整に手間がかからない。従って、本発明のウェハ加工用テープは、ダイシング性及びエキスパンド性に優れ、安価な手法で製造可能である。
ここで、基材層は、Bが270%以上480%以下で、且つB/Aが0.5以上0.9以下となる材料からなることが好ましい。
また、紫外線は、中心波長が254nmであり、中心波長における照度が100mW/cm以上であり、中心波長における積算照射量が1000mJ/cm〜50000mJ/cmであることが好ましい。
また、粘着層は、(メタ)アクリル樹脂(C)と、光開始剤(D)と、架橋剤(E)と、を含有し、(メタ)アクリル樹脂(C)は、ガラス転移温度が−40℃以下であり、水酸基価が20〜150mgKOH/gであり、連鎖重合可能な官能基0.3〜1.5mmol/gを含み、酸価が実質検出されず、重量平均分子量が30万以上であり、光開始剤(D)は、紫外線、電子線、可視光線の少なくとも1種を照射することで連鎖重合可能な活性種を発生し、架橋剤(E)は、水酸基と反応しうる官能基を1分子中に2つ以上有することが好ましい。このような粘着層を用いることで、ダイシング工程後にUV照射した際に粘着層3と接着層4との密着性を大幅に低減できる結果、過大なストレスを与えることなくチップをピックアップすることができる。
また、接着層は、エポキシ基含有アクリル共重合体と、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤と、を含有することが好ましい。このような接着層を用いることで、基板やチップ等の各種材質に対する良好な接着性を得ることができる。
本発明によれば、ダイシング性及びエキスパンド性に優れ、安価な手法で製造可能なウェハ加工用テープを提供することができる。
本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す断面図である。 図1のウェハ加工用テープ上に半導体ウェハを設置した状態を示す断面図である。 図2の半導体ウェハのダイシング工程を示す断面図である。 図3に後続するエキスパンド工程を示す断面図である。 実施例のダイシング性及びエキスパンド性の評価結果を示す図である。 比較例のダイシング性及びエキスパンド性の評価結果を示す図である。
以下、図面を参照しながら、本発明に係るウェハ加工用テープの好適な実施形態について詳細に説明する。
図1は、本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す断面図であり、本実施形態のウェハ加工用テープは、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1である。ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1は、ダイシング工程において半導体ウェハを保持するダイシングテープと、ダイシング工程で個片化された半導体チップに接着剤を付与するダイボンディングテープと、を一体化したテープである。ダイシング工程で個片化された半導体チップは、付与された接着剤によって、基板や他のチップ等に接着される。
図1に示すように、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1は、フィルム状の基材層2と、基材層2の一方面2a上に設けられた粘着層3と、粘着層3上に設けられた接着層4と、を備えている。
基材層2は、テープの基部をなし、ダイシング時に半導体ウェハを支持する部分である。基材層2は、紫外線照射前の破断伸び率をAとし、紫外線照射後の破断伸び率をBとしたときに、Bが270%以上で、且つB/Aが0.5以上0.9以下となる材料からなる。
このような材料としては、例えば、結晶性ポリプロピレン、非晶性ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、低密度直鎖ポリエチレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド(紙)、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂や、これらに可塑剤、シリカ、アンチブロッキング材、スリップ剤、帯電防止剤等を混合した混合物等が挙げられる。その中でも、ポリプロピレン、ポリエチレン-ポリプロピレンランダム共重合体、ポリエチレン-ポリプロピレンブロック共重合体から選ばれる少なくとも1種が、基材層2の主成分であることが好ましい。これらの樹脂は、ヤング率や応力緩和性、融点等の特性や、価格面、使用後の廃材リサイクル等の観点で良好な材料であると共に、紫外線によって改質されやすい。
基材層2は、単層でもよいが、異なる材質からなる層が積層された多層構造を有しても良い。多層構造を有する基材層2は、例えば、同時に多層を形成する多層押し出し法によって形成される。また、多層構造を有する基材層2は、インフレーション法や単層押し出し法によって別個に形成された単層のテープを、接着剤や熱溶着によって張り合わせる手法で形成されてもよい。基材層2を多層構造とする場合には、一方面2a側の層が、ポリプロピレン、ポリエチレン-ポリプロピレンランダム共重合体、ポリエチレン-ポリプロピレンブロック共重合体から選ばれる少なくとも1種を主成分とすることが好ましい。基材層2には、粘着層3との密着性を制御するために、マット処理、コロナ処理、プラズマ処理などの表面粗化処理が施されていてもよい。
基材層2の一方面2aには、紫外線が照射されており、基材層2の一方面2a側の破断伸び率が低くされている。これにより、ダイシング工程において粘着層3と共に切削される部分では、基材層2はヒゲバリを生じ難い。また、基材層2の他方面2b側の破断伸び率は、一方面2a側の破断伸び率よりも高くされている。これにより、基材層2は引き伸ばしても切れ難い。このように、一方面2a側の破断伸び率を低くしても、他方面2b側においてエキスパンド性が確保されるため、紫外線の照射量等の許容範囲が広く、紫外線の照射量等の調整に手間がかからない。従って、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1は、ダイシング性及びエキスパンド性に優れ、安価な手法で製造可能である。なお、紫外線を一方面2aではなく他方面2bに照射すると、一方面2a側の破断伸び率を低くするために、基材層2全体の破断伸び率を低くしなくてはならないため、基材層2のエキスパンド性を確保できない。
基材層2への紫外線の照射条件は、基材層2の材料の紫外線照射前の破断伸び率をAとし、紫外線照射後の破断伸び率をBとしたときに、Bが270%以上で、且つB/Aが0.5以上0.9以下となるように設定されている。このような紫外線の照射条件としては、例えば、中心波長が254nmであり、中心波長における紫外線の照度が100mW/cm以上であり、中心波長における紫外線の積算照射量が1000mJ/cm〜50000mJ/cmであるものが挙げられる。Bが270%以上であると、他方面2b側だけでなく、一方面2a側においても適度な破断伸び率が維持され、良好なエキスパンド性が確保される。B/Aが0.5以上であると、材料の改質が適度に抑えられているため、良好なエキスパンド性が確保される。B/Aが0.9以下であると、材料の改質が適度に進行しているため、良好なダイシング性が得られる。なお、基材層2への紫外線の照射条件は、Bが480%以下となるように設定されていることが更に好ましく、B/Aが0.83以下となるように設定されていることが更に好ましい。Bが480%以下であると、一方面2a側の破断伸び率が適度に抑えられているため、良好なダイシング性が得られる。B/Aが0.83以下であると、材料の改質がより適度に進行しているため、更に良好なダイシング性が得られる。
基材層2に照射される紫外線の光源は、例えば、低圧水銀ランプ、Deep-UVランプ、エキシマUVランプ、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプから選ばれる少なくとも1種である。また、紫外線は、光源から発する熱の影響を少なくするために、コールドミラー等を併用して照射されてもよい。
粘着層3は、半導体ウェハを基材層2上に保持する部分であり、以下に説明する(メタ)アクリル樹脂(C)と、光開始剤(D)と、架橋剤(E)と、を含有する。これにより、ダイボンディング工程において良好なピックアップ性が得られる。
(メタ)アクリル樹脂(C)は、ガラス転移温度が−40℃以下であり、水酸基価が20〜150mgKOH/gであり、連鎖重合可能な官能基0.3〜1.5mmol/gを含み、酸価が実質検出されず、重量平均分子量が30万以上である。
(メタ)アクリル樹脂(C)のガラス転移温度が−40℃よりも高いと、架橋剤(E)を配合した際のガラス転移温度が高くなってしまい、粘着性が大幅に失われる。ガラス転移温度を低くするために架橋剤(E)の配合量を減らすと、架橋密度が低くなり、粘着層3の破断伸び率が上昇するため、十分な切削性を得ることができない。従って、(メタ)アクリル樹脂(C)のガラス転移温度が−40℃以下であることにより、優れた粘着性及びダイシング性を有する粘着層3を形成することができる。
(メタ)アクリル樹脂(C)の水酸基価が20mgKOH/gよりも少ないと、凝集力が不足するためダイシング工程に必要な十分な凝集力が得られない。また、架橋剤の配合量が低下する結果、破断伸び率が上昇し、十分な切削性が得られない。(メタ)アクリル樹脂(C)の水酸基価が150mgKOH/gよりも多いと、架橋剤(E)を配合した後のポットライフが著しく低下するため、粘着層3を形成し難い。また、(メタ)アクリル樹脂(C)を合成する際の重合発熱が著しく大きくなり、合成が困難となる。従って、水酸基価を20mgKOH/g〜150mgKOH/gとすることで、十分な凝集力及び優れたダイシング性を有する粘着層3を容易に形成することができる。
(メタ)アクリル樹脂(C)の連鎖重合可能な官能基が0.3mmol/gよりも少ないと、紫外線又は電子線照射により粘着層3の破断伸び率が十分に低下せず、半導体チップをピックアップし難くなる。(メタ)アクリル樹脂(C)の連鎖重合可能な官能基が1.5mmol/gを超えると、コスト高となり、かつ製造が極めて困難となる。従って、連鎖重合可能な官能基を0.3〜1.5mmol/gとすることで、半導体チップのピックアップを妨げない粘着層3を安価且つ容易に形成することができる。
(メタ)アクリル樹脂(C)の酸価が高いと、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1と半導体チップとの粘着性が十分に低下しないだけでなく、接着層4に含まれるエポキシ樹脂との反応が進行してしまい、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1の製品ライフが低下する。従って、酸価が実質検出されない(メタ)アクリル樹脂(C)を用いることで、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1の製品ライフを長くすることができる。
(メタ)アクリル樹脂(C)の重量平均分子量が30万より小さいと、ダイシング工程に必要な十分な凝集力が得られ難い。従って、(メタ)アクリル樹脂(C)の重量平均分子量を30万以上とすることで、十分な凝集力を有する粘着層3を形成することができる。
このような特徴を有する(メタ)アクリル樹脂(C)は、既知の合成方法で得ることができる。(メタ)アクリル樹脂(C)の合成方法としては、例えば、溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法、塊状重合法、析出重合法、気相重合法、プラズマ重合法、超臨界重合法等が挙げられる。また(メタ)アクリル樹脂(C)の重合反応の種類としては、例えば、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、リビングラジカル重合、リビングカチオン重合、リビングアニオン重合、配位重合、イモーダル重合等の他、ATRPやRAFTといった手法が挙げられる。この中でも、経済性の良さ、反応率の高さ、重合制御の容易さ等の点から、溶液重合法を用いたラジカル重合により合成することが更に好ましい。この場合、更に、重合で得られた樹脂溶液をそのまま用いて配合できる等、配合の簡便さが得られる。
ここで、溶液重合法を用いたラジカル重合を例に、(メタ)アクリル樹脂(C)の合成法について詳細に説明する。
(メタ)アクリル樹脂(C)を合成する際に用いられるモノマーとしては、一分子中に1個の(メタ)アクリル基を有するものであれば特に制限はないが、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、tert−ブチル(メタ)アクリレート、ブトキシエチル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、オクチルヘプチル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート、テトラデシル(メタ)アクリレート、ペンタデシル(メタ)アクリレート、ヘキサデシル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、ベヘニル(メタ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、エトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、モノ(2−(メタ)アクリロイロキシエチル)スクシネート等の脂肪族(メタ)アクリレート;シクロペンチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、シクロペンチル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、モノ(2−(メタ)アクリロイロキシエチル)テトラヒドロフタレート、モノ(2−(メタ)アクリロイロキシエチル)ヘキサヒドロフタレート等の脂環式(メタ)アクリレート;ベンジル(メタ)アクリレート、フェニル(メタ)アクリレート、o−ビフェニル(メタ)アクリレート、1−ナフチル(メタ)アクリレート、2−ナフチル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、p−クミルフェノキシエチル(メタ)アクリレート、o−フェニルフェノキシエチル(メタ)アクリレート、1−ナフトキシエチル(メタ)アクリレート、2−ナフトキシエチル(メタ)アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−(o−フェニルフェノキシ)プロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−(1−ナフトキシ)プロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−(2−ナフトキシ)プロピル(メタ)アクリレート等の芳香族(メタ)アクリレート;2−テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、N−(メタ)アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、2−(メタ)アクリロイロキシエチル−N−カルバゾール等の複素環式(メタ)アクリレート及びこれらのカプロラクトン変性体;ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、α−エチルグリシジル(メタ)アクリレート、α−プロピルグリシジル(メタ)アクリレート、α−ブチルグリシジル(メタ)アクリレート、2−メチルグリシジル(メタ)アクリレート、2−エチルグリシジル(メタ)アクリレート、2−プロピルグリシジル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシブチル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシヘプチル(メタ)アクリレート、α−エチル−6,7−エポキシヘプチル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレート、o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基とを有する化合物;(2−エチル−2−オキセタニル)メチル(メタ)アクリレート、(2−メチル−2−オキセタニル)メチル(メタ)アクリレート、2−(2−エチル−2−オキセタニル)エチル(メタ)アクリレート、2−(2−メチル−2−オキセタニル)エチル(メタ)アクリレート、3−(2−エチル−2−オキセタニル)プロピル(メタ)アクリレート、3−(2−メチル−2−オキセタニル)プロピル(メタ)アクリレート等のエチレン性不飽和基とオキセタニル基とを有する化合物;2−(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート等のエチレン性不飽和基とイソシアネート基とを有する化合物;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、3−クロロ−2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基とを有する化合物が挙げられ、これらを適宜組み合わせて目的とする組成物を得ることができる。
更に、上記モノマーと共重合可能なスチレン、N−メチルマレイミド、N−エチルマレイミド、N−プロピルマレイミド、N−イソプロピルマレイミド、N−ブチルマレイミド、N−イソブチルマレイミド、N−2−メチル−2−プロピルマレイミド、N−ペンチルマレイミド、N−2−ペンチルマレイミド、N−3−ペンチルマレイミド、N−2−メチル−1−ブチルマレイミド、N−2−メチル−2−ブチルマレイミド、N−3−メチル−1−ブチルマレイミド、N−3−メチル−2−ブチルマレイミド、N−ヘキシルマレイミド、N−2−ヘキシルマレイミド、N−3−ヘキシルマレイミド、N−2−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−2−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−2−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−3−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−3−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−3−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−4−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−4−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−2,2−ジメチル−1−ブチルマレイミド、N−3,3−ジメチル−1−ブチルマレイミド、N−3,3−ジメチル−2−ブチルマレイミド、N−2,3−ジメチル−1−ブチルマレイミド、N−2,3−ジメチル−2−ブチルマレイミド、N−ヒドロキシメチルマレイミド、N−1−ヒドロキシエチルマレイミド、N−2−ヒドロキシエチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−1−プロピルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−1−プロピルマレイミド、N−3―ヒドロキシ−1−プロピルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−プロピルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−プロピルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−1−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−1−ブチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−1−ブチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−1−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−ブチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2−ブチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−2−ブチルマレイミド、N−2−メチル−3−ヒドロキシ−1−プロピルマレイミド、N−2−メチル−3−ヒドロキシ−2−プロピルマレイミド、N−2−メチル−2−ヒドロキシ−1−プロピルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−1−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−1−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−1−ペンチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−1−ペンチルマレイミド、N−5−ヒドロキシ−1−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2−ペンチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−2−ペンチルマレイミド、N−5−ヒドロキシ−2−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−3−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−1−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−2−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−3−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−4−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−メチル−3−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−メチル−4−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−1−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−3−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−4−ブチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−2−メチル−1−ブチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−2−メチル−2−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−メチル−1−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−1−プロピルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−1−プロピルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−1−ヘキシルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−ヘキシルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−ヘキシルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−4−ヘキシルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−5−ヘキシルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−6−ヘキシルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−1−ヘキシルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−ヘキシルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−ヘキシルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−4−ヘキシルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−5−ヘキシルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−6−ヘキシルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−1−ヘキシルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2−ヘキシルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−3−ヘキシルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−4−ヘキシルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−5−ヘキシルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−6−ヘキシルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−4−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2−メチル−5−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−メチル−4−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−メチル−5−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−4−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−メチル−5−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−4−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−4−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−4−メチル−4−ペンチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−4−メチル−5−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2−メチル−4−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−2−メチル−5−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−4−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−4−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−4−メチル、N−1−ヒドロキシ−3−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−メチル−3−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−メチル−4−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−メチル−5−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−3−メチル−1−ペンチルマレイミド、N−3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ペンチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3−エチル−4−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3−エチル−4−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2−エチル−1−ブチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−3−エチル−1−ブチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−3−エチル−2−ブチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−3−エチル−3−ブチルマレイミド、N−4−ヒドロキシ−3−エチル−4−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−1−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−2−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−4−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−1−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−3−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−2,3−ジメチル−4−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−1−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−3−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−2,2−ジメチル−4−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−1−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチルマレイミド、N−2−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−4−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−1−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−2−ブチルマレイミド、N−1−ヒドロキシ−3,3−ジメチル−4−ブチルマレイミド等のアルキルマレイミド;N−シクロプロピルマレイミド、N−シクロブチルマレイミド、N−シクロペンチルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−シクロヘプチルマレイミド、N−シクロオクチルマレイミド、N−2−メチルシクロヘキシルマレイミド、N−2−エチルシクロヘキシルマレイミド、N−2−クロロシクロヘキシルマレイミド等のシクロアルキルマレイミド;N−フェニルマレイミド、N−2−メチルフェニルマレイミド、N−2−エチルフェニルマレイミド、N−2−クロロフェニルマレイミド等のアリールマレイミド等を、適宜用いることができる。
上記モノマーの中でも、C8〜C23の脂肪族エステルである(メタ)アクリルエステルから選ばれる少なくとも1種を用いるのが好ましい。このようなモノマー成分を共重合して得られた(メタ)アクリル樹脂(C)はガラス転移温度が低いため、粘着材は優れた粘着特性を示すだけでなく、疎水性相互作用が強いため紫外線又は電子線を照射した後においては、接着層4と粘着層3との界面における剥離性が優れているため好ましい。
またこのような(メタ)アクリル樹脂を得るために必要な重合開始剤としては、30℃以上の加熱によりラジカルを発生する化合物であれば特に制限はないが、例えば、メチルエチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、メチルシクロヘキサノンパーオキシド等のケトンパーオキシド;1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−2−メチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン等のパーオキシケタール;p−メンタンヒドロパーオキシド等のヒドロパーオキシド;α、α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキシド、t−ブチルクミルパーオキシド、ジ−t−ブチルパーオキシド等のジアルキルパーオキシド;オクタノイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ステアリルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド;ビス(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、ジ−2−エトキシエチルパーオキシジカーボネート、ジ−2−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−3−メトキシブチルパーオキシカーボネート等のパーオキシカーボネート;t−ブチルパーオキシピバレート、t−ヘキシルパーオキシピバレート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、2,5−ジメチル−2,5−ビス(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、t−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシイソブチレート、t−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ−3,5,5−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシラウリレート、t−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシベンゾエート、t−ヘキシルパーオキシベンゾエート、2,5−ジメチル−2,5−ビス(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパーオキシアセテート等のパーオキシエステル;2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(4−メトキシ−2’−ジメチルバレロニトリル)等が挙げられる。
また溶液重合の際に用いられる反応溶媒としては、(メタ)アクリル樹脂(C)を溶解し得るものであれば特に制限はないが、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、p−シメン等の芳香族炭化水素;テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン等の環状エーテル;メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン等のケトン;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル;エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等の多価アルコールアルキルエーテル;エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の多価アルコールアルキルエーテルアセテート;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。更に、超臨界二酸化炭素等を溶媒として用いてもよい。
更に、(メタ)アクリル樹脂(C)には、紫外線や電子線、可視光線の照射によって反応しうる官能基を化学的に結合させることによって、感光性が付与されている。ここでいう、紫外線や電子線、可視光線の照射によって反応しうる官能基としては、例えば、(メタ)アクリル基、ビニル基、アリル基、グリシジル基、脂環式エポキシ基、オキセタン基等が挙げられる。その官能基の組成や合成方法に特に制限はないが、例えば(メタ)アクリル樹脂(C)を合成する際に、付加反応し得る官能基、例えば、水酸基、カルボキシル基、無水マレイル基、グリシジル基、アミノ基等、を有するモノマーと前もって共重合させることで、(メタ)アクリル樹脂(C)に付加反応可能な官能基を導入し、そこに少なくとも1つのエチレン性不飽和基と、エポキシ基、オキセタニル基、イソシアネート基、ヒドロキシル基、カルボキシル基等から選ばれる少なくともの1つの官能基と、を有する化合物を付加反応させて、側鎖にエチレン性不飽和基を導入することで、(メタ)アクリル樹脂(C)に感光性を付与することができる。
少なくとも1つのエチレン性不飽和基と、エポキシ基、オキセタニル基、イソシアネート基、ヒドロキシル基、カルボキシル基等から選ばれる少なくともの1つの官能基と、を有する化合物としては、例えば、グリシジル(メタ)アクリレート、α−エチルグリシジル(メタ)アクリレート、α−プロピルグリシジル(メタ)アクリレート、α−ブチルグリシジル(メタ)アクリレート、2−メチルグリシジル(メタ)アクリレート、2−エチルグリシジル(メタ)アクリレート、2−プロピルグリシジル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシブチル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシヘプチル(メタ)アクリレート、α−エチル−6,7−エポキシヘプチル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレート、o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基とを有する化合物;(2−エチル−2−オキセタニル)メチル(メタ)アクリレート、(2−メチル−2−オキセタニル)メチル(メタ)アクリレート、2−(2−エチル−2−オキセタニル)エチル(メタ)アクリレート、2−(2−メチル−2−オキセタニル)エチル(メタ)アクリレート、3−(2−エチル−2−オキセタニル)プロピル(メタ)アクリレート、3−(2−メチル−2−オキセタニル)プロピル(メタ)アクリレート等のエチレン性不飽和基とオキセタニル基とを有する化合物;メタクリロイルイソシアネート、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、2−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、m−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアネート等のエチレン性不飽和基とイソシアネート基とを有する化合物;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3−クロロ−2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基とを有する化合物;(メタ)アクリル酸、クロトン酸、ケイ皮酸、コハク酸(2−(メタ)アクリロイロキシエチル)、2−フタロイルエチル(メタ)アクリレート、2−テトラヒドロフタロイルエチル(メタ)アクリレート、2−ヘキサヒドロフタロイルエチル(メタ)アクリレート、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート、3−ビニル安息香酸、4−ビニル安息香酸等のエチレン性不飽和基とカルボキシル基とを有する化合物等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。また必要に応じて、付加反応を促進する触媒を添加したり、反応中の二重結合の開裂を避ける目的で重合禁止剤を添加することもできる。
上記化合物の中でも、コストや反応性の観点から、2−(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、2−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、グリシジル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレート、イソシアン酸エチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸、クロトン酸、2−ヘキサヒドロフタロイルエチル(メタ)アクリレートから選ばれる少なくとも1種を、(メタ)アクリル樹脂(C)に付加反応させることが好ましい。更に、2−(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、2−アクリロイルオキシエチルイソシアネートから選ばれる少なくとも1種を、水酸基を導入した(メタ)アクリル樹脂(C)に付加反応させることが好ましい。
光開始剤(D)は、紫外線、電子線、可視光線の少なくとも1種を照射することで連鎖重合可能な活性種を発生する。ここで、連鎖重合可能な活性種としては、連鎖重合可能な官能基と反応することで重合反応が開始されるものであれば特に制限はない。光開始剤(D)としては、例えば、光ラジカル重合開始剤、光カチオン重合開始剤等が挙げられる。
光ラジカル重合開始剤としては、例えば、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン等のベンゾインケタール;1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン等のα−ヒドロキシケトン;2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン、1,2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン等のα−アミノケトン;1−[(4−フェニルチオ)フェニル]−1,2−オクタジオン−2−(ベンゾイル)オキシム等のオキシムエステル;ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキシド、ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルホスフィンオキシド、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド;2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(p−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体;ベンゾフェノン、N,N’−テトラメチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン、N,N’−テトラエチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4−メトキシ−4’−ジメチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン化合物;2−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、2−tert−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ベンズアントラキノン、2−フェニルアントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、1−クロロアントラキノン、2−メチルアントラキノン、1,4−ナフトキノン、9,10−フェナントラキノン、2−メチル−1,4−ナフトキノン、2,3−ジメチルアントラキノン等のキノン化合物;ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル;ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物;ベンジルジメチルケタール等のベンジル化合物;9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9、9’−アクリジニルヘプタン)等のアクリジン化合物;N−フェニルグリシン、クマリン等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。更に、適切な増感剤と組み合わせて用いてもよい。
また、上記2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体において、2つのトリアリールイミダゾール部位のアリール基の置換基は、同一で対称な化合物を与えたものでもよく、相違して非対称な化合物を与えたものでもよい。また。同置換基は、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン化合物と3級アミンとを組み合わせたものでもよい。
光カチオン重合開始剤としては、例えば、p−メトキシベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロホスフェート等のアリールジアゾニウム塩;ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート等のジアリールヨードニウム塩;トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニル−4−チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル−4−チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニル−4−チオフェノキシフェニルスルホニウムペンタフルオロヒドロキシアンチモネート等のトリアリールスルホニウム塩;トリフェニルセレノニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルセレノニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルセレノニウムヘキサフルオロアンチモネート等のトリアリールセレノニウム塩;ジメチルフェナシルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジエチルフェナシルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等のジアルキルフェナシルスルホニウム塩;4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等のジアルキル−4−ヒドロキシ塩;α−ヒドロキシメチルベンゾインスルホン酸エステル、N−ヒドロキシイミドスルホネート、α−スルホニロキシケトン、β−スルホニロキシケトン等のスルホン酸エステル等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。更に、適切な増感剤と組み合わせて用いてもよい。
ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1に厳しい絶縁性や絶縁信頼性が必要な場合は、光ラジカル重合開始剤を用いるのが好ましく、その中でも2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン等のベンゾインケタール;1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン等のα−ヒドロキシケトン、ベンゾフェノン、2−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、2−tert−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ベンズアントラキノン、2−フェニルアントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、1−クロロアントラキノン、2−メチルアントラキノン、1,4−ナフトキノン、9,10−フェナントラキノン、2−メチル−1,4−ナフトキノン、2,3−ジメチルアントラキノン等のキノン化合物;ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル;ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物;ベンジルジメチルケタール等のベンジル化合物;9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9、9’−アクリジニルヘプタン)等のアクリジン化合物;N−フェニルグリシン、クマリン等は、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1における保存安定性に優れるため好ましく、更に2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、ベンゾフェノンは一般の紫外線遮光型蛍光灯の元での取り扱いが可能であり、イエロールーム等の設備が必要でないため更に好ましい。
通常これらの光開始剤(D)の配合量は、目的とする粘着層3の厚みや用いる光源によって最適値は異なるが、(メタ)アクリル樹脂(C)100質量部に対して0.1〜10質量部配合することで、目標とする特性が達成される。
架橋剤(E)は、粘着層3の破断伸び率や粘着力の制御を目的に配合される。ここでいう架橋剤(E)とは、(メタ)アクリル樹脂(C)に導入された水酸基、グリシジル基、アミノ基等から選ばれる少なくとも1種の官能基と反応し得る官能基を1分子中に2つ以上有する化合物であり、その構造には制限はない。このような架橋剤(E)で形成される結合としては、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、イミド結合、ウレタン結合、ウレア結合等が挙げられる。架橋剤(E)は、1分子中に2つ以上のイソシアネート基を有することが更に好ましい。このような化合物を用いると、(メタ)アクリル樹脂(C)に導入された水酸基、グリシジル基、アミノ基等と容易に反応し、強固な架橋構造が形成される。
ここで1分子中に2つ以上のイソシアネート基を有する架橋剤(E)としては、例えば、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、1,3−キシリレンジイソシアネート、1,4−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−2,4’−ジイソシアネート、3−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−2,4’−ジイソシアネート、リジンイソシアネート等のイソシアネート化合物が挙げられる。
更に、架橋剤(E)は、上述のイソシアネート化合物と、1分子中に2つ以上の水酸基を有する多価アルコール類と、を反応させることで得られるイソシアネート基含有オリゴマーであることが好ましい。1分子中に2つ以上のOH基を有する多価アルコールとしては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、1,6−ヘキサンジオール、1,8−オクタンジオール、1,9−ノナンジオール、1,10−デカンジオール、1,11−ウンデカンジオール、1,12−ドデカンジオール、グリセリン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、1,4−シクロヘキサンジオール、1,3−シクロヘキサンジオール等が挙げられる。
更に、架橋剤(E)は、1分子中に2つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートと、1分子中に3つ以上の水酸基を有する多価アルコールと、を反応させることで得られるイソシアネート基含有オリゴマーであることが好ましい。このようなイソシアネート基含有オリゴマーを用いることで、粘着層3の架橋構造が緻密となり、ダイボンディング工程後の半導体チップへの粘着層3の残り等をなくすことができる。
接着層4は、半導体チップに付与される接着剤の層である。ダイボンディング工程において、半導体チップは、付与された接着剤により、基板や他のチップ等に接着される。接着層4は、以下に説明するエポキシ基含有アクリル共重合体と、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤と、を含有する。これにより、優れた接着性、電極埋め込み性、ワイヤー埋め込み性が得られる。また、低温で接着でき、短時間で優れた硬化が得られる等、優れた作業性が得られる。更に、優れた信頼性が得られる。
エポキシ基含有アクリル共重合体としては、例えば、エポキシ基を有するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを0.5〜6重量%含むものが挙げられる。エポキシ基を有するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの含有率が0.5重量%以上であると、高い接着力が得られる。エポキシ基を有するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの含有率が6重量%以下であると、ゲル化が抑制される。上記エポキシ基含有アクリル共重合体のガラス転移点(Tg)は、−50℃以上30℃以下、更には−10℃以上30℃以下であることが好ましい。
エポキシ基含有アクリル共重合体の他の成分としては、メチルアクリレート、メチルメタクリレート等の炭素数1〜8のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、およびスチレンやアクリロニトリルなどの混合物をが挙げられる。これらの中でもエチル(メタ)アクリレート及び/又はブチル(メタ)アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のTgを考慮して調整されることが好ましい。Tgが−10℃未満であるとBステージ状態での接着層4のタック性が大きくなる傾向があり、取り扱い性が悪化することがある。エポキシ基含有アクリル共重合体の重合方法としては、特に制限は無く、例えば、パール重合、溶液重合等が挙げられる。このようなエポキシ基含有アクリル共重合体としては、例えば、HTR−860P−3(ナガセケムテックス株式会社製、商品名)が挙げられる。
エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量は10万以上でありことが好ましい。この範囲であると優れた接着性及び耐熱性が得られる。更に、エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量は30万〜300万であることが好ましく、50万〜200万であることがより好ましい。エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量が300万以下であると、フロー性の低下が抑制される。これにより、半導体チップが接着される面上の配線回路等への優れた充填性が得られる。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などの二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、エポキシ樹脂は、多官能エポキシ樹脂や複素環含有エポキシ樹脂等であってもよい。これらは単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。更に、接着層4には、特性を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が含まれていてもよい。
エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノール化合物と2価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得ることができるフェノール樹脂が挙げられる。
フェノール化合物としては、例えば、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、o−エチルフェノール、p−エチルフェノール、o−n−プロピルフェノール、m−n−プロピルフェノール、p−n−プロピルフェノール、o−イソプロピルフェノール、m−イソプロピルフェノール、p−イソプロピルフェノール、o−n−ブチルフェノール、m−n−ブチルフェノール、p−n−ブチルフェノール、o−イソブチルフェノール、m−イソブチルフェノール、p−イソブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、2,4−キシレノール、2,6−キシレノール、3,5−キシレノール、2,4,6−トリメチルフェノール、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、4−メトキシフェノール、o−フェニルフェノール、m−フェニルフェノール、p−フェニルフェノール、p−シクロヘキシルフェノール、o−アリルフェノール、p−アリルフェノール、o−ベンジルフェノール、p−ベンジルフェノール、o−クロロフェノール、p−クロロフェノール、o−ブロモフェノール、p−ブロモフェノール、o−ヨードフェノール、p−ヨードフェノール、o−フルオロフェノール、m−フルオロフェノール、p−フルオロフェノール等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、二種類以上を混合して用いてもよい。
2価の連結基であるキシリレン化合物としては、例えば、次に示すキシリレンジハライド、キシリレンジグリコール及びその誘導体が挙げられる。即ち、キシリレン化合物としては、α,α′−ジクロロ−p−キシレン、α,α′−ジクロロ−m−キシレン、α,α′−ジクロロ−o−キシレン、α,α′−ジブロモ−p−キシレン、α,α′−ジブロモ−m−キシレン、α,α′−ジブロモ−o−キシレン、α,α′−ジヨード−p−キシレン、α,α′−ジヨード−m−キシレン、α,α′−ジヨード−o−キシレン、α,α′−ジヒドロキシ−p−キシレン、α,α′−ジヒドロキシ−m−キシレン、α,α′−ジヒドロキシ−o−キシレン、α,α′−ジメトキシ−p−キシレン、α,α′−ジメトキシ−m−キシレン、α,α′−ジメトキシ−o−キシレン、α,α′−ジエトキシ−p−キシレン、α,α′−ジエトキシ−m−キシレン、α,α′−ジエトキシ−o−キシレン、α,α′−ジ−n−プロポキシ−p−キシレン、α,α′−ジ−n−プロポキシ−m−キシレン、α,α′−ジ−n−プロポキシ−o−キシレン、α,α′−ジ−イソプロポキシ−p−キシレン、α,α′−ジイソプロポキシ−m−キシレン、α,α′−ジイソプロポキシ−o−キシレン、α,α′−ジ−n−ブトキシ−p−キシレン、α,α′−ジ−n−ブトキシ−m−キシレン、α,α′−ジ−n−ブトキシ−o−キシレン、α,α′−ジイソブトキシ−p−キシレン、α,α′−ジイソブトキシ−m−キシレン、α,α′−ジイソブトキシ−o−キシレン、α,α′−ジ−tert−ブトキシ−p−キシレン、α,α′−ジ−tert−ブトキシ−m−キシレン、α,α′−ジ−tert−ブトキシ−o−キシレンが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。
上記したフェノール化合物とキシリレン化合物との反応物させる際には、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の鉱酸類;ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、p−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機カルボン酸類;トリフロロメタンスルホン酸等の超強酸類;アルカンスルホン酸型イオン交換樹脂等の強酸性イオン交換樹脂類;パーフルオロアルカンスルホン酸型イオン交換樹脂等の超強酸性イオン交換樹脂類(商品名:ナフィオン、Nafion、DuPont社製);天然及び合成ゼオライト類;活性白土(酸性白土)類等の酸性触媒を用い、50〜250℃において原料であるキシリレン化合物が実質的に消失し、且つ反応組成が一定になるまで反応させる。反応時間は原料や反応温度にもよるが、おおむね1時間〜15時間程度であり、実際には、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)等により反応組成を追跡しながら決定すればよい。
更に、接着層4には、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩類などの硬化促進剤を添加しても良い。このような硬化促進剤としては、例えば、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。
更に、接着層4には、無機フィラーを添加してもよい。無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。
以下、本発明の実施例について更に詳細に説明する。
[基材層2の形成]
軟質ポリプロピレン層、エチレン-酢酸ビニル共重合体層、軟質ポリプロピレン層の3層構造を有し、厚みが100μmであるポリオレフィンテープを、多層押し出し法によって作製した。このポリオレフィンテープを300mm角に切り出したものを基材層2とし、実施例1〜4及び比較例1,2用に複数の基材層2を準備した。その後、各基材層2の一方面2aに紫外線を照射した。紫外線の照射装置には、アイグラフィックス(株)製UVコンベア「アイグランデージ」を使用し、光源には、高圧水銀ランプ(出力160W/cm)1灯を使用した。紫外線の照射条件を次のように設定した。
実施例1:紫外線の中心波長を254nm、中心波長における照度を890mW/cm、積算照射量を45000mJ/cmとした。
実施例2:紫外線の中心波長を254nm、中心波長における照度を890mW/cm、積算照射量を9000mJ/cmとした。
実施例3:紫外線の中心波長を254nm、中心波長における照度を135mW/cm、積算照射量を9100mJ/cmとした。
実施例4:紫外線の中心波長を254nm、中心波長における照度を135mW/cm、積算照射量を1300mJ/cmとした。
比較例1:紫外線の中心波長を254nm、中心波長における照度を890mW/cm、積算照射量を67500mJ/cmとした。
比較例2:紫外線の中心波長を254nm、中心波長における照度を72mW/cm、積算照射量を690mJ/cmとした。
[粘着層3用アクリル粘着剤の合成]
スリーワンモータ、撹拌翼、窒素導入管が備え付けられた容量4000mlのオートクレーブに酢酸エチル1000g、2−エチルヘキシルアクリレートを650g、2−ヒドロキシエチルアクリレートを350g、アゾビスイソブチロニトリルを3.0gを配合し、均一になるまで撹拌後、流量100ml/minにて60分間バブリングを実施し、系中の溶存酸素を脱気した。1時間かけて60℃まで昇温し、昇温後4時間重合させた。その後1時間かけて90℃まで昇温し、更に90℃にて1時間保持後、室温に冷却した。
次に酢酸エチルを1000g加えて撹拌し希釈した。これに重合禁止剤としてメトキノンを0.1g、ウレタン化触媒として、ジオクチルスズジラウレートを0.05g添加したのち、2−メタクリロキシエチルイソシアネート(昭和電工(株)製カレンズMOI)を100g加え、70℃で6時間反応させたのち室温に冷却した。その後、酢酸エチルを加え、アクリル樹脂溶液中の不揮発分含有量が35質量%となるよう調整し、連鎖重合可能な官能基を有するアクリル樹脂溶液を得た。
この樹脂の酸価を、JIS K0070に従って、酸価と水酸基価を測定したところ、酸価は検出されなかった。水酸基価を求めたところ、121mgKOH/gであった。また得られたアクリル樹脂を60℃で一晩真空乾燥し、得られた固形分をエレメンタール社製全自動元素分析装置varioELにて元素分析し、窒素含有量から導入された2−メタクリロキシエチルイソシアネートの含有量を算出したところ、0.59mmol/gであった。また東ソー株式会社製SD−8022/DP−8020/RI−8020を使用し、カラムには日立化成工業株式会社製Gelpack GL−A150−S/GL−A160−Sを用い、溶離液にテトラヒドロフランを用いてGPC測定をした結果、ポリスチレン換算重量平均分子量は42万であった。
[ダイシングテープの作製]
上記方法で得られた連鎖重合可能な二重結合を有するアクリル樹脂溶液を固形分として100g、架橋剤として多官能イソシアネート(日本ポリウレタン工業(株)製、コロネートL、固形分75%)を固形分として12.0g、光開始剤(D)として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(チバスペシャリティケミカルズ(株)製、イルガキュア184)を1.0g、更に総固形分含有量が27質量%となるように酢酸エチルを加え、10分間均一に撹拌して粘着層用ワニスを得た。
片面が離型処理された幅350mm、長さ400mm、厚み38μmのポリエチレンテレフタレートテープを準備した。このポリエチレンテレフタレートテープ上に、粘着層用ワニスを、アプリケータによって塗工した。粘着層用ワニスの塗工は、ギャップを調整しながら行った。これにより、厚みが10μmの粘着層3を形成し、80℃で5分間乾燥させた。実施例1〜4及び比較例1,2用に、複数の粘着層3を準備した。
各粘着層3の上面と、各基材層2の一方面2aと、を室温で張り合わせ、ゴムロールで圧迫して粘着させた。これにより、各基材層2上に粘着層3を形成し、実施例1〜4及び比較例1,2のダイシングテープを作製した。各ダイシングテープのポリエチレンテレフタレートテープを、各粘着層3のカバーテープとして残した。その後、各ダイシングテープを室温で3日間放置した。
[ダイボンディングテープの作製]
エポキシ樹脂としてYDCN−703(東都化成(株)製商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量210、分子量1200、軟化点80℃)55重量部、フェノール樹脂としてミレックスXLC−LL(三井化学(株)製商品名、フェノール樹脂、水酸基当量175、吸水率1.8%、350℃における加熱重量減少率4%)45重量部、シランカップリング剤としてNUCA−189(日本ユニカー(株)製商品名、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン)1.7重量部とNUCA−1160(日本ユニカー(株)製商品名、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン)3.2重量部、フィラーとしてアエロジルR972(シリカ表面にジメチルジクロロシランを被覆し、400℃の反応器中で加水分解させた、メチル基などの有機基を表面に有するフィラー、日本アエロジル(株)製商品名、シリカ、平均粒径0.016μm)32重量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、更にビーズミルを用いて90分混練した。これにグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート3重量%を含むアクリルゴムHTR−860P−3(ナガセケムテックス(株)製商品名、重量平均分子量80万)を280重量部、及び硬化促進剤としてキュアゾール2PZ−CN(四国化成(株)製商品名、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール)0.5重量部加え、攪拌混合し、真空脱気し、接着層用ワニスを得た。
片面が離型処理された厚み35μmのポリエチレンテレフタレートテープを準備した。このポリエチレンテレフタレートテープ上に、接着層用ワニスを塗工し、140℃で5分間加熱乾燥した。これにより、Bステージ状態で、厚みが20μmの接着層4を形成した。接着層4を、ポリエチレンテレフタレートテープと共に直径220mmの円形にカットし、ダイボンディングテープを作製した。実施例1〜4及び比較例1,2用に複数のダイボンディングテープを作製した。
[ダイシング・ダイボンディング一体型テープの作製]
各ダイシングテープのカバーテープを剥離して露出させた粘着層3の上面と、各ダイボンディングテープの接着層4の上面と、を張り合わせ、室温で1日放置した。その後、各基材層2及び粘着層3を、各接着層4と同心で直径290mmの円形にカットし、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1の実施例1〜4及び比較例1,2を作製した。
[基材の破断伸び率の測定]
破断伸び率の測定には、島津製作所製オートグラフ「AGS-1000」を用いた。紫外線を照射していない基材層2と、紫外線を照射した基材層2と、のそれぞれから幅1cm、長さ8cmのサイズでサンプルを切り出した。これらのサンプルの破断伸び率を、チャック間距離50mm、引っ張り速度300mm/minにて測定した。これにより、紫外線照射前後の破断伸び率を測定した。
[ダイシング性の評価]
図2に示すように、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1を70℃にてミラーウェハ5(サイズ8インチ、厚み50um)にラミネートした。その後、図3に示すように、ブレード6によってミラーウェハ5をダイシングした。ダイシングには、(株)ディスコ製フルオートダイサーDF6361を用い、チップサイズを10mm角とした。その際、カット方法はシングルカットとし、ブレード6には、NBC-ZH-127F−SE-27HCBBを用い、基材層2への切り込み深さが30umとなるようにブレードハイトを調整し、ブレード回転数を40000rpmとし、カット速度を50mm/secとした。ダイシング後、チップ上面から10チップを顕微鏡で観察し、以下の基準でダイシング性の良否を判定した。
◎:ヒゲバリが一切見られない。
○:50um以下のバリが10チップあたり1本以下見られる。50um以上のバリは一切見られない。
×:50um以上のバリが10チップあたり1本以上見られる。
なお、実用上○であれば問題なく、◎であればより好ましい。
[エキスパンド性の評価]
ダイシング後に、基材層2側より粘着層3に紫外線を照射した。紫外線の照射は、空冷式高圧水銀灯(80W/cm、照射距離10cm)によって行い、照射量を200mJ/cmとした。その後、図4に示すようにエキスパンドを実施した。エキスパンドには、ダイボンダー装置(NECマシナリー製、商品名CPS−100FM)を用い、エキスパンド量は8mmとした。その後、ダイシングラインを顕微鏡で観察し、以下基準でエキスパンド性の良否を判定した。
○:ダイシングライン上に基材層2の破れは一切なし。
×:ダイシングライン上に基材層2の破れ、裂けあり。
図5に示すように、実施例1〜4では、ダイシング時におけるヒゲバリの発生が抑制された。また、エキスパンド工程におけるテープの切れは無かった。これに対し、図6に示すように、比較例1では、ヒゲバリの発生は抑制されたものの、エキスパンド工程において基材層2の破れ又は裂けが生じた。比較例2では、ヒゲバリの発生が十分に抑制されなかった。
1…ダイシング・ダイボンディング一体型テープ、2…基材層、2a…一方面、2b…他方面、3…粘着層、4…接着層。

Claims (5)

  1. テープの基部をなす基材層と、
    前記基材層の一方面上に設けられた粘着層と、
    前記粘着層上に設けられた接着層と、を備え、
    前記基材層は、紫外線照射前の破断伸び率をAとし、紫外線照射後の破断伸び率をBとしたときに、Bが270%以上で、且つB/Aが0.5以上0.9以下となる材料からなり、
    前記基材層の前記一方面側の破断伸び率は、前記一方面への前記紫外線の照射によって他方面側の破断伸び率よりも低くなっていることを特徴とするウェハ加工用テープ。
  2. 前記基材層は、Bが270%以上480%以下で、且つB/Aが0.5以上0.9以下となる材料からなることを特徴とする請求項1記載のウェハ加工用テープ。
  3. 前記紫外線は、中心波長が254nmであり、前記中心波長における照度が100mW/cm以上であり、前記中心波長における積算照射量が1000mJ/cm〜50000mJ/cmであることを特徴とする請求項1又は2記載のウェハ加工用テープ。
  4. 前記粘着層は、(メタ)アクリル樹脂(C)と、光開始剤(D)と、架橋剤(E)と、を含有し、
    前記(メタ)アクリル樹脂(C)は、ガラス転移温度が−40℃以下であり、水酸基価が20〜150mgKOH/gであり、連鎖重合可能な官能基0.3〜1.5mmol/gを含み、酸価が実質検出されず、重量平均分子量が30万以上であり、
    前記光開始剤(D)は、紫外線、電子線、可視光線の少なくとも1種を照射することで連鎖重合可能な活性種を発生し、
    前記架橋剤(E)は、水酸基と反応しうる官能基を1分子中に2つ以上有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載のウェハ加工用テープ。
  5. 前記接着層は、エポキシ基含有アクリル共重合体と、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤と、を含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載のウェハ加工用テープ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015043372A (ja) * 2013-08-26 2015-03-05 日立化成株式会社 ウェハ加工用テープ
JP2015043383A (ja) * 2013-08-26 2015-03-05 日立化成株式会社 ウェハ加工用テープ
JP2015059124A (ja) * 2013-09-17 2015-03-30 アキレス株式会社 熱剥離性粘着フィルム
JP2018060965A (ja) * 2016-10-07 2018-04-12 積水化学工業株式会社 半導体製造方法

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