JP2015043383A - ウェハ加工用テープ - Google Patents

Abstract

【課題】薄いウェハをブレードダイシングによって個片化する際においても、チップ飛び、接着層剥がれ、及びリングフレームからのワーク脱落が抑制され、その後のピックアップ工程において、良好なピックアップ性を有する、ウェハ加工用テープを提供する。【解決手段】基材層及び該基材層上の粘着層からなるダイシングテープと、前記粘着層上の接着層とを有し、半導体ウェハに前記接着層及び前記粘着層がこの順で積層された状態で前記半導体ウェハをブレードダイシングによって半導体チップに個片化するダイシング工程と、前記半導体チップを前記接着層とともに前記粘着層から剥離するピックアップ工程とを含む半導体装置の製造方法に用いられるウェハ加工用テープにおいて、−３０℃以上２５℃以下の範囲における前記粘着層の対数減衰率の最大値が０．１５以上０．５以下であり、前記ダイシング工程の後、前記ピックアップ工程の前に、−３０℃以上２５℃以下の範囲における前記粘着層の対数減衰率の最大値を０．１以上低下させて０．２以下とすることが可能であり、前記対数減衰率が剛体振り子式粘弾性試験装置によって求められる、ウェハ加工用テープ。【選択図】なし

Description

本発明は、ウェハ加工用テープに関する。

半導体チップの製造工程として、半導体ウェハを個々のチップに分離するダイシング工程、及び分離したチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着するダイボンディング工程がある。スタックドパッケージでは、ダイボンディング工程において半導体チップ同士を積層・接着する場合もある。このような半導体チップの製造工程では、近年、半導体チップとリードフレームや基板、半導体チップとの接着に用いられるダイボンディングフィルムの機能と、ダイシング工程における半導体ウェハの固定に用いられるダイシングテープとを組み合わせたダイシング・ダイボンディング一体型テープが主に用いられている。

近年半導体メモリの分野においては、パッケージの高密度化、小型化に伴いウェハの厚さも年々薄くなってきている。薄いウェハをブレードダイシングによって個片化した際、その後のピックアップ工程において、個片化したダイボンディングフィルム付きチップがダイシングテープからピックアップすることが困難となってきており、薄いウェハをブレードダイシングした際でも良好なピックアップ性を有するウェハ加工用テープが求められている。

例えば特許文献１では、事前に紫外線硬化型ダイシングテープの粘着層に紫外線を照射したものを用いて接着層と貼り合わせたウェハ加工用テープが示されており、良好なピックアップ性を有すると思われる。

特開２００９−１７０７８７号公報

しかし、従来の材料では、ブレードダイシング中に切削水などの影響により個片化されたチップが剥離したり、外周部の接着層が剥がれたりする可能性があった。そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、薄いウェハをブレードダイシング工程において個片化する際においても、チップ飛び、接着層剥がれ、及びリングフレームからのワーク脱落が抑制され、その後のピックアップ工程において、良好なピックアップ性を有するウェハ加工用テープを提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、ウェハ加工用テープにおける粘着層の対数減衰率を制御し、特定の数値とすることにより、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成した。

すなわち、本発明は、基材層及び該基材層上の粘着層からなるダイシングテープと、前記粘着層上の接着層とを有し、半導体ウェハに前記接着層及び前記粘着層がこの順で積層された状態で前記半導体ウェハをブレードダイシングによって半導体チップに個片化するダイシング工程と、前記半導体チップを前記接着層とともに前記粘着層から剥離するピックアップ工程とを含む半導体装置の製造方法に用いられるウェハ加工用テープに関する。このウェハ加工用テープは、−３０℃以上２５℃以下の範囲における前記粘着層の対数減衰率の最大値が０．１５以上０．５以下であり、前記ダイシング工程の後、前記ピックアップ工程の前に、−３０℃以上２５℃以下の範囲における前記粘着層の対数減衰率の最大値を０．１以上低下させて０．２以下とすることが可能である。前記対数減衰率は剛体振り子式粘弾性試験装置によって求められる。このようなウェハ加工用テープは、薄いウェハをブレードダイシング工程において個片化する際においても、チップ飛び、接着層剥がれ、及びリングフレームからのワーク脱落が抑制され、その後のピックアップ工程において、良好なピックアップ性を有する。

前記ウェハ加工用テープは、−３０℃以上２５℃以下の範囲における前記粘着層の対数減衰率の最大値を、紫外線照射によって０．１以上低下させて０．２以下とすることが可能であることが好ましい。このようなウェハ加工用テープは、紫外線照射によって任意に粘着層の粘着力を制御できるため、例えばブレードダイシング工程では高い粘着力にしてチップ飛びや接着層剥がれなどの不具合を防ぎ、且つその後のピックアップ工程では紫外線照射によって粘着力を低くすることで、接着層付きチップを容易に剥離可能となる。

また、粘着層が、紫外線によって反応し得る官能基を有するアクリル樹脂を含むことが好ましい。このようなアクリル樹脂を用いることで、良好なピックアップ性を有する一体型テープを得ることができる。

前記ウェハ加工用テープは、接着層が、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び無機フィラーを含むことが好ましい。このような組成を有する接着層は、チップ／基板間、チップ／チップ間の接着性に優れ、電極埋め込み性やワイヤー埋め込み性等も付与可能で、且つダイボンディング工程では低温で接着でき、短時間で優れた硬化が得られ、封止剤でモールド後は優れた信頼性を有する等の特徴を有する。

本発明によれば、薄いウェハをブレードダイシング工程において個片化する際においても、チップ飛び、接着層剥がれ、及びリングフレームからのワーク脱落が抑制され、その後のピックアップ工程において、良好なピックアップ性を有するウェハ加工用テープを提供することができる。

以下、本発明を詳細に説明する。ただし、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではない。

本実施形態に係るウェハ加工用テープは、半導体装置の製造方法に用いられるものであり、基材層及び該基材層上の粘着層からなるダイシングテープと、前記粘着層上の接着層とを有する構成である。

本実施形態に係るウェハ加工用テープは、−３０℃以上２５℃以下の範囲における前記粘着層の対数減衰率の最大値が０．１５以上０．５以下であることが好ましい。このような対数減衰率の範囲を有する粘着層を備えるウェハ加工用テープを用いることにより、ブレードダイシング工程において、切削水等によるチップ飛び、接着層剥がれ、及びリングフレームからのワーク脱落などを抑制することができる。以上の観点から、−３０℃以上２５℃以下の範囲における前記粘着層の対数減衰率の最大値が０．２以上０．４以下であることがより好ましい。

ここで、対数減衰率とは、物体の粘弾性を表すパラメータであり、粘着力が低い物体では、対数減衰率は低くなる傾向がある。

対数減衰率は、剛体振り子式粘弾性試験装置によって求めることができ、具体的には、（株）エーアンドデー製ＲＰＴ−３０００Ｗ等を用いることができる。剛体振り子式粘弾性試験装置では、基材層上に積層された薄い粘着層の粘弾性を直接測定することが可能である。一般的な粘弾性試験装置である動的粘弾性試験装置では、ダイシングテープにおける薄い粘着層部分のみを測定することは実質的に不可能であるため、通常は粘着層のみを別途厚く作成して測定するのが一般的である。しかし、この方法では、実際の半導体製造プロセスで使用するダイシングテープの粘着層厚みと大きく乖離するため、剛体振り子式による評価法の方がより適していると考えられる。

本実施形態に係るウェハ加工用テープは、さらに、半導体ウェハに前記接着層及び前記粘着層がこの順で積層された状態で前記半導体ウェハをブレードダイシングによって半導体チップに個片化するダイシング工程の後、前記半導体チップを前記接着層とともに前記粘着層から剥離するピックアップ工程の前に、−３０℃以上２５℃以下の範囲における前記粘着層の対数減衰率の最大値を、０．１以上低下させて０．２以下とすることが可能であることが好ましい。このようなウェハ加工用テープを用いることで、ブレードダイシング工程におけるチップ飛び、接着層剥がれ等の不具合を防ぎ、且つピックアップ工程においては、例えば総厚み５０μｍ以下の薄ウェハにおいても、良好なピックアップ性を示す。以上の観点から、前記最大値を、０．１以上低下させて０．０５以上０．１以下とすることが可能であることがより好ましい。

次に、本発明の実施形態に係るダイシングテープにおける粘着層について説明する。

ダイシングテープにおける粘着層は、紫外線照射により粘着力が変化し得る、すなわち、対数減衰率が変化し得ることが好ましい。このような粘着層を用いることで、紫外線照射によって任意に粘着力を制御できるため、例えばブレードダイシング工程では高い粘着力（高い対数減衰率）にしてチップ飛びや接着層剥がれなどの不具合を防ぎ、且つピックアップ工程においては紫外線照射によって粘着力を低くする（対数減衰率を低くする）ことで、接着層付きチップを粘着層から容易に剥離可能となる。

粘着層は、紫外線によって反応し得る官能基を有するアクリル樹脂を含むことが好ましい。このような官能基を有するアクリル樹脂を用いることで、良好なピックアップ性を有する一体型テープを得ることができるばかりでなく、このような官能基を有しないアクリル樹脂に、紫外線によって反応し得る官能基を有するモノマー類を混ぜて用いる手法に比べて、モノマー類が接着層に移行しにくくなるため、接着層の信頼性を損なわず好ましい。

ここで、紫外線によって反応し得る官能基を有するアクリル樹脂とは、一般に既知の材料を使用することができるが、具体的に例示するのであれば、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、ベヘニル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）スクシネート等の脂肪族（メタ）アクリレート；シクロペンチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）テトラヒドロフタレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）ヘキサヒドロフタレート等の脂環式（メタ）アクリレート；ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ｏ−ビフェニル（メタ）アクリレート、１−ナフチル（メタ）アクリレート、２−ナフチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｐ−クミルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｏ−フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、１−ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、２−ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（ｏ−フェニルフェノキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（１−ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（２−ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレート；２−テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、Ｎ−（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、２−（メタ）アクリロイロキシエチル−Ｎ−カルバゾール等の複素環式（メタ）アクリレート、これらのカプロラクトン変性体、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、α−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α−ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α−エチル−６，７−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基を有する化合物；（２−エチル−２−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、（２−メチル−２−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、２−（２−エチル−２−オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、２−（２−メチル−２−オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、３−（２−エチル−２−オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート、３−（２−メチル−２−オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とオキセタニル基を有する化合物；２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネートなどのエチレン性不飽和基とイソシアネート基を有する化合物；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基を有する化合物；スチレン；Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−イソブチルマレイミド、Ｎ−２−メチル−２−プロピルマレイミド、Ｎ−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−メチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−２−メチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−３−メチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−３−メチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−２−ヘキシルマレイミド、Ｎ−３−ヘキシルマレイミド、Ｎ−２−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−４−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−４−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−２，２−ジメチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−３，３−ジメチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−３，３−ジメチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−２，３−ジメチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−２，３−ジメチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−ヒドロキシメチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシエチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシエチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−１−プロピルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−１−プロピルマレイミド、Ｎ−３―ヒドロキシ−１−プロピルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−プロピルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−プロピルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−１−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−１−ブチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−１−ブチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−１−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−ブチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２−ブチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−２−ブチルマレイミド、Ｎ−２−メチル−３−ヒドロキシ−１−プロピルマレイミド、Ｎ−２−メチル−３−ヒドロキシ−２−プロピルマレイミド、Ｎ−２−メチル−２−ヒドロキシ−１−プロピルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−５−ヒドロキシ−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−５−ヒドロキシ−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−３−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−メチル−３−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−メチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−３−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−２−メチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−２−メチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−メチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２，２−ジメチル−１−プロピルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２，２−ジメチル−１−プロピルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−１−ヘキシルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−ヘキシルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−ヘキシルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−４−ヘキシルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−５−ヘキシルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−６−ヘキシルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−１−ヘキシルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−ヘキシルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−ヘキシルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−４−ヘキシルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−５−ヘキシルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−６−ヘキシルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−１−ヘキシルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２−ヘキシルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−３−ヘキシルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−４−ヘキシルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−５−ヘキシルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−６−ヘキシルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−４−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−５−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−メチル−４−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−メチル−５−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−４−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−５−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−４−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−４−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−４−メチル−４−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−４−メチル−５−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２−メチル−４−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２−メチル−５−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−４−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−４−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−４−メチル、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−メチル−４−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−メチル−５−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−３−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−
３−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−エチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−エチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−エチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−３−エチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−３−エチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−３−エチル−３−ブチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−３−エチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２，３−ジメチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２，３−ジメチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２，３−ジメチル−３−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２，３−ジメチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２，３−ジメチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２，３−ジメチル−３−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２，３−ジメチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２，２−ジメチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２，２−ジメチル−３−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２，２−ジメチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−４−ブチルマレイミド等のアルキルマレイミド；Ｎ−シクロプロピルマレイミド、Ｎ−シクロブチルマレイミド、Ｎ−シクロペンチルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−シクロヘプチルマレイミド、Ｎ−シクロオクチルマレイミド、Ｎ−２−メチルシクロヘキシルマレイミド、Ｎ−２−エチルシクロヘキシルマレイミド、Ｎ−２−クロロシクロヘキシルマレイミド等のシクロアルキルマレイミド；Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−２−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−２−エチルフェニルマレイミド、Ｎ−２−クロロフェニルマレイミド等のアリールマレイミド等から少なくとも２種以上を選択して重合することで得られる共重合体と、グリシジル（メタ）アクリレート、α−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α−ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α−エチル−６，７−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基を有する化合物；（２−エチル−２−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、（２−メチル−２−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、２−（２−エチル−２−オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、２−（２−メチル−２−オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、３−（２−エチル−２−オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート、３−（２−メチル−２−オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とオキセタニル基を有する化合物；メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等のエチレン性不飽和基とイソシアネート基を有する化合物；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基を有する化合物；（メタ）アクリル酸、クロトン酸、ケイ皮酸、コハク酸（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）、２−フタロイルエチル（メタ）アクリレート、２−テトラヒドロフタロイルエチル（メタ）アクリレート、２−ヘキサヒドロフタロイルエチル（メタ）アクリレート、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、３−ビニル安息香酸、４−ビニル安息香酸等のエチレン性不飽和基とカルボキシル基を有する化合物等から選ばれる少なくとも１種を化学的に結合させた樹脂等が挙げられる。

さらに、粘着力の調整や、紫外線硬化性付与等を目的として、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン等のベンゾインケタール；１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン等のα−ヒドロキシケトン；２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、１，２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン等のα−アミノケトン；１−［（４−フェニルチオ）フェニル］−１，２−オクタジオン−２−（ベンゾイル）オキシム等のオキシムエステル；ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキシド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド；２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体；ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’−テトラエチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−ジメチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン化合物；２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルアントラキノン等のキノン化合物；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル化合物；９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９、９’−アクリジニルヘプタン）等のアクリジン化合物；Ｎ−フェニルグリシン、クマリン等の光ラジカル重合開始剤；ｐ−メトキシベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロホスフェート等のアリールジアゾニウム塩；ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート等のジアリールヨードニウム塩；トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニウムペンタフルオロヒドロキシアンチモネート等のトリアリールスルホニウム塩；トリフェニルセレノニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルセレノニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルセレノニウムヘキサフルオロアンチモネート等のトリアリールセレノニウム塩；ジメチルフェナシルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジエチルフェナシルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等のジアルキルフェナシルスルホニウム塩；４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等のジアルキル−４−ヒドロキシ塩；α−ヒドロキシメチルベンゾインスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシイミドスルホネート、α−スルホニロキシケトン、β−スルホニロキシケトン等のスルホン酸エステル等の光カチオン重合開始剤；２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、リジンイソシアネート等のイソシアネート化合物や、これらイソシアネート化合物とエチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオール、１，１１−ウンデカンジオール、１，１２−ドデカンジオール、グリセリン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、１，４−シクロヘキサンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール等とが反応したイソシアネート基含有ウレタンオリゴマー等の架橋剤を使用することもできる。

上記架橋剤の添加量を調整することで、粘着層の対数減衰率を制御することができる。

粘着層の厚みは特に制限はないが、一般的に５μｍ〜４０μｍ程度のものが使用される。

次に、基材層について説明する。

本実施形態において基材層の構成は特に制限はなく、一般に既知の材料を使用することができるが、具体的に例示するのであれば、例えばエチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体のイオン架橋物、無水マレイン酸変性ポリプロピレン等の酸変性オレフィン樹脂、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−プロピレン−α−オレフィン共重合体、エチレン−α−オレフィン共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体等に代表される熱可塑性エラストマーのほか、ポリプロピレンやポリエチレン樹脂と上記熱可塑性エラストマーの混合物等が挙げられ、また必要に応じて帯電防止剤や各種有機フィラー、無機フィラー、酸化防止剤、滑材等を配合することができる。またこれらは単独の層に限らず、異なる材料からなる複数の層からなる多層フィルムも使用することができる。また基材の厚みも特に制限はないが、一般的に７０μｍ〜１５０μｍ程度のものが使用される。このような基材は、例えばインフレーション法、カレンダー法、Ｔダイ押出法等の既知の手法で得ることができる。

さらに、接着層について説明する。

接着層は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び無機フィラーを含むことが好ましい。このような組成を有する接着層は、チップ／基板間、チップ／チップ間の接着性に優れ、電極埋め込み性やワイヤー埋め込み性等も付与可能で、且つダイボンディング工程では低温で接着でき、短時間で優れた硬化が得られ、封止剤でモールド後は優れた信頼性を有する等の特徴があり好ましい。

接着層は、特に限定されるものではないが、ダイボンディングフィルムとして一般的に使用されるフィルム状接着剤を好適に使用することができる。具体的に例示すれば、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂／エポキシ樹脂硬化剤／エポキシ基含有アクリル共重合体／無機フィラーのブレンド系の接着剤等が挙げられる。その厚さは適宜設定してよいが、５μｍ〜１５０μｍ程度が好ましい。

ここでエポキシ樹脂とは、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のジグリシジルエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などの二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、多官能エポキシ樹脂や複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することもできる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。さらに、特性を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。

エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノール化合物と２価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得ることができるフェノール樹脂のようなものが挙げられる。フェノール樹脂の製造に用いられるフェノール化合物としては、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ｎ−プロピルフェノール、ｍ−ｎ−プロピルフェノール、ｐ−ｎ−プロピルフェノール、ｏ−イソプロピルフェノール、ｍ−イソプロピルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｏ−ｎ−ブチルフェノール、ｍ−ｎ−ブチルフェノール、ｐ−ｎ−ブチルフェノール、ｏ−イソブチルフェノール、ｍ−イソブチルフェノール、ｐ−イソブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，４−キシレノール、２，６−キシレノール、３，５−キシレノール、２，４，６−トリメチルフェノール、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、４−メトキシフェノール、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−シクロヘキシルフェノール、ｏ−アリルフェノール、ｐ−アリルフェノール、ｏ−ベンジルフェノール、ｐ−ベンジルフェノール、ｏ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−ブロモフェノール、ｐ−ブロモフェノール、ｏ−ヨードフェノール、ｐ−ヨードフェノール、ｏ−フルオロフェノール、ｍ−フルオロフェノール、ｐ−フルオロフェノール等が例示される。これらのフェノール化合物は、単独で用いてもよく、二種類以上を混合して用いてもよい。

フェノール樹脂の製造に用いられる２価の連結基であるキシリレン化合物としては、次に示すキシリレンジハライド、キシリレンジグリコール及びその誘導体が用いることができる。すなわち、α，α′−ジクロロ−ｐ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｍ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｏ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｐ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｍ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｏ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｐ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｍ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｏ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジイソプロポキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジイソプロポキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジイソプロポキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｏ−キシレンを挙げることができる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。

上記したフェノール化合物とキシリレン化合物を反応させる際には、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の鉱酸類；ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機カルボン酸類；トリフロロメタンスルホン酸等の超強酸類；アルカンスルホン酸型イオン交換樹脂のような、強酸性イオン交換樹脂類；パーフルオロアルカンスルホン酸型イオン交換樹脂のような、超強酸性イオン交換樹脂類（Ｄｕ−Ｐｏｎｔ社製：ナフィオン、Ｎａｆｉｏｎ、商品名）；天然及び合成ゼオライト類；活性白土（酸性白土）類等の酸性触媒を用い、５０℃〜２５０℃において実質的に原料であるキシリレン化合物が消失し、且つ反応組成が一定になるまで反応させて得られる。反応時間は原料や反応温度にもよるが、おおむね１時間〜１５時間程度であり、実際には、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）等により反応組成を追跡しながら決定すればよい。

エポキシ基含有アクリル共重合体とは、エポキシ基を有するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを０．５重量％〜６重量％含む。高い接着力を得るためには、０．５重量％以上であることが好ましく、６重量％以下であれば、ゲル化を抑制できる。上記エポキシ基含有アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）としては、−５０℃以上３０℃以下、さらには−１０℃以上３０℃以下であることが好ましい。

官能基モノマーとして用いるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの量は０．５重量％〜６重量％の共重合比である。つまり、本発明においてエポキシ基含有アクリル共重合体は、原料としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを、得られる共重合体に対し０．５重量％〜６重量％となる量を用いて得られた共重合体をいう。その残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数１〜８のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、およびスチレンやアクリロニトリルなどの混合物を用いることができる。これらの中でもエチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のＴｇを考慮して調整することが好ましい。Ｔｇが−１０℃未満であるとＢステージ状態での接着剤層又はダイシングダイボンドシートのタック性が大きくなる傾向があり、取り扱い性が悪化することがある。重合方法は特に制限が無く、例えば、パール重合、溶液重合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。このようなエポキシ基含有アクリル共重合体としては、例えば、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（ナガセケムテックス（株）製、商品名）が挙げられる。

エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量は例えば１０万以上であり、この範囲であると接着性及び耐熱性が高く、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。３００万以下であると、フロー性が低下することにより、半導体素子を貼付ける支持部材に必要に応じて形成された配線回路への充填性が低下する可能性を減らすことができる。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。

また接着層成分には、更に必要に応じて、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩類等の硬化促進剤を添加してもよい。このような硬化促進剤としては、具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは１種又は２種以上を併用することもできる。

また、更に、接着層成分には、必要に応じて、無機フィラーを添加することができる。具体的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられ、これらは、１種又は２種以上を併用することもできる。

以下、本発明の実施例をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。なお、特に記述がない限り、薬品はすべて試薬を使用した。

[接着層を有するダイボンディングテープの作成]
エポキシ樹脂としてＹＤＣＮ−７０３（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０、分子量１２００、軟化点８０℃；東都化成（株）製、商品名）５５重量部、フェノール樹脂としてミレックスＸＬＣ−ＬＬ（フェノール樹脂、水酸基当量１７５、吸水率１．８％、３５０℃における加熱重量減少率４％；三井化学（株）製、商品名）４５重量部、シランカップリング剤としてＮＵＣＡ−１８９（γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン；日本ユニカー（株）製、商品名）１．７重量部とＮＵＣＡ−１１６０（γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン；日本ユニカー（株）製、商品名）３．２重量部、フィラーとしてアエロジルＲ９７２（シリカ表面にジメチルジクロロシランを被覆し、４００℃の反応器中で加水分解させた、メチル基等の有機基を表面に有するフィラー、平均粒径０．０１６μｍ；日本アエロジル（株）製、商品名）４３重量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて撹拌混合を行い、更にビーズミルを用いて９０分間混練を行った。これにグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート３重量％を含むアクリルゴムＨＴＲ−８６０Ｐ−３（重量平均分子量８０万；ナガセケムテックス（株）製、商品名）２８０重量部、及び硬化促進剤としてキュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール；四国化成（株）製、商品名）０．５重量部を加え、撹拌混合を行った後、真空にて脱気を行い、ワニスを得た。厚さ３８μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートキャリアテープ上にワニスを塗布し、１４０℃の環境下にて５分間加熱乾燥をして、ポリエチレンカバーフィルムをラミネートすることで膜厚が２０μｍのＢステージ状態の接着層を形成し、キャリアテープ、接着層及びカバーフィルムを備えたダイボンディングテープを作成した。

［ダイシングテープ用アクリル樹脂Ａの合成］
スリーワンモータ、撹拌翼、窒素導入管を備える容量４０００ｍｌのオートクレーブに酢酸エチル１０００ｇ、２−エチルヘキシルアクリレート６５０ｇ、２−ヒドロキシエチルアクリレート３４０ｇ、アクリル酸１０ｇ、アゾビスイソブチロニトリル３．０ｇを配合し、均一になるまで撹拌を行った後、流量１００ｍｌ／ｍｉｎにて６０分間バブリングを実施し、系中の溶存酸素を脱気した。その後１時間かけて系中を６０℃まで昇温させ、６０℃にて４時間重合反応を行った。その後１時間かけて系中を９０℃まで昇温させ、９０℃にて１時間保持した後、室温に冷却した。冷却後、酢酸エチル１０００ｇを加えて撹拌し希釈した。これに重合禁止剤としてメトキノン０．１ｇ、ウレタン化触媒としてジオクチルスズジラウレート０．０５ｇを添加した後、カレンズＭＯＩ（２−メタクリロキシエチルイソシアネート；昭和電工（株）製、商品名）１００ｇを加え、７０℃の環境下にて６時間反応を進行させた後、室温に冷却した。その後、アクリル樹脂溶液中の不揮発分含有量が３５質量％となるように酢酸エチルを加え、ダイシングテープ用アクリル樹脂Ａ溶液を得た。重量平均分子量は４５万であった。

［ダイシングテープ用アクリル樹脂Ｂの合成］
カレンズＭＯＩの添加量を５０ｇとした以外は、上記ダイシングテープ用アクリル樹脂Ａの合成と同様の方法によって、ダイシングテープ用アクリル樹脂Ｂ溶液を得た。重量平均分子量は４３万であった。

［ダイシングテープの作成］
上記の方法で得られたアクリル樹脂Ａ溶液を固形分として１００ｇ、架橋剤としてコロネートＬ（多官能イソシアネート、固形分７５％；日本ポリウレタン工業（株）製、商品名）、光開始剤としてイルガキュア１８４（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン；チバスペシャリティケミカルズ（株）製、商品名）を用い、更に総固形分含有量が２７質量％となるように酢酸エチルを加え、１０分間均一に撹拌してダイシングテープ用の粘着層用ワニスを得た。片面が離型処理された幅３５０ｍｍ、長さ４００ｍｍ、厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートテープ上に、上記粘着剤用ワニスを、粘着層の厚さが１０μｍとなるように、アプリケータを用いてギャップを調整しながら塗工し、８０℃の環境下にて５分間乾燥した。その後、基材フィルムとして事前にコロナ処理を行ったダイナソフト（オレフィンフィルム、厚さ１００μｍ；ＪＳＲトレーディング（株）製、商品名）を用い、コロナ処理面とポリエチレンテレフタレート上に形成された粘着層をラミネートすることで、基材フィルム上に粘着層を転写し、４０℃の環境下にて３日間養生してダイシングテープを得た。

［ウェハ加工用テープの作成］
直径２２０ｍｍの円形状の、キャリアテープ、接着層及びカバーフィルムを備えたダイボンディングテープからカバーフィルムを剥離し、該接着層に、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した３００ｍｍ角のダイシングテープの粘着層を貼り付けた後、更に接着層が中央となるよう直径２７０ｍｍにダイシングテープをカットし、ウェハ加工用テープを得た。

［ブレードダンシング性評価］
８インチサイズ、５０μｍミラーウェハ上に、ウェハ加工用テープを、７０℃の環境下にてラミネートした。その後、フルオートマチックダイシングソーＤＦＤ−６３６１（（株）ディスコ製、商品名）を用い、チップサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ及び３ｍｍ×３ｍｍにてダイシングを実施した。その際、ブレードにはＮＢＣ−ＺＨ−１２７Ｆ−ＨＡＢＢ（（株）ディスコ製、商品名）を用い、ダイシングテープへの切込量３０μｍ、ブレード回転数４５０００ｒｐｍ、ダイシング速度＝３０ｍｍ／ｓｅｃ、カット方法はシングルカットとした。ダイシング後、ウェハ外周部の接着層の剥がれ、チップ剥がれ、リングフレームからのワーク脱落の有無を確認し、以下のように判定した。
＜チップ飛び・接着層剥がれ＞
Ａ：１０ｍｍチップサイズ、３ｍｍチップサイズともにまったく剥がれは見られない
Ｂ：１０ｍｍチップサイズではなく、３ｍｍチップサイズでわずかに剥がれが見られる
Ｃ：１０ｍｍチップサイズで剥がれが見られる
実用上、Ｂであれば好ましく、Ａであればより好ましい。
＜リングフレームからのワーク脱落＞
Ａ：ダイシングからピックアップ工程においてリングフレームからのワーク脱落は見られない
Ｂ：リングフレームからのワーク脱落が見られる
実用上、Ａであれば好ましい。

［ピックアップ性評価］
（株）オーク製作所製無電極紫外線ランプシステムを用いて紫外線照射を実施した。光源にはメタルハライドランプを用い、中心波長３５５ｎｍにおける照度が７０ｍＷ／ｃｍ^２、照射量が２００ｍＪ／ｃｍ^２にてブレードダイシングを行ったサンプルに、ダイシングテープ側から紫外線照射を実施した。その後、ダイボンダーＢＥＳＴＥＭ−Ｄ０２（キャノンマシナリー（株）製、商品名）を用い、ピン本数５本、ピン突き上げ高さ３５０μｍ、突き上げ速度２０ｍｍ／ｓｅｃにてピックアップを実施した。５０チップについてピックアップを行い、そのときのピックアップ成功率から以下のように判定した。
Ａ：ピックアップ成功率１００％
Ｂ：ピックアップ成功率９５％以上
Ｃ：ピックアップ成功率９５％未満
実用上、Ｂであれば好ましく、Ａであればより好ましい。

［対数減衰率の測定］
対数減衰率の測定には、剛体振り子式粘弾性試験装置ＲＰＴ−３０００Ｗ（（株）エーアンドデー製、商品名）を用いた。ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した幅１０ｍｍ、長さ２０ｍｍの表１に記載のダイシングテープを、幅２０ｍｍ、長さ３０ｍｍのステンレス板上に粘着層が上面になるように固定した。その際、試験片が動かないよう、得られた試験片の短辺側の片方をポリイミド基材の粘着テープで固定した。振り子にはＦＲＢ−１００、エッジ部には円筒型シリンダエッジＦＲＢ−０２０を使用し、初期の振幅を約０．３ｄｅｇｒｅｅとした。昇温速度５℃／分にて−８０℃〜１００℃まで評価を行った。紫外線照射後のサンプルについては、表１に記載のダイシングテープの基材側より、（株）オーク製作所製無電極紫外線ランプシステムを用い、中心波長３５５ｎｍにおける照度が７０ｍＷ／ｃｍ^２，照射量が５００ｍＪ／ｃｍ^２となるよう紫外線を照射したサンプルを用いた。ダイシングテープの作成におけるアクリル樹脂の種類、架橋剤配合量及び光開始剤配合量を変えて同様の操作を行い、表１、表２記載のウェハ加工用テープを作製した。

実施例から分かるように、本発明で得られるウェハ加工用テープは、ブレードダイシング工程におけるチップ飛び、接着層剥がれ、及びリングフレームからのワーク脱落がなく、良好なピックアップ性を有していた。これに対し、対数減衰率が高い比較例１ではピックアップ性が悪化した。また、対数減衰率が低い比較例２ではチップ飛び、接着層剥がれ、及びリングフレームからのワーク脱落が見られた。また、ピックアップ工程における対数減衰率との差が小さい比較例３ではピックアップ性が悪化した。

Claims (4)

1. 基材層及び該基材層上の粘着層からなるダイシングテープと、前記粘着層上の接着層とを有し、半導体ウェハに前記接着層及び前記粘着層がこの順で積層された状態で前記半導体ウェハをブレードダイシングによって半導体チップに個片化するダイシング工程と、前記半導体チップを前記接着層とともに前記粘着層から剥離するピックアップ工程とを含む半導体装置の製造方法に用いられるウェハ加工用テープにおいて、
   −３０℃以上２５℃以下の範囲における前記粘着層の対数減衰率の最大値が０．１５以上０．５以下であり、
   前記ダイシング工程の後、前記ピックアップ工程の前に、−３０℃以上２５℃以下の範囲における前記粘着層の対数減衰率の最大値を０．１以上低下させて０．２以下とすることが可能であり、
   前記対数減衰率が剛体振り子式粘弾性試験装置によって求められる、
   ウェハ加工用テープ。
2. −３０℃以上２５℃以下の範囲における前記粘着層の対数減衰率の最大値を、紫外線照射によって０．１以上低下させて０．２以下とすることが可能である、請求項１記載のウェハ加工用テープ。
3. 前記粘着層が、紫外線によって反応し得る官能基を有するアクリル樹脂を含む、請求項１又は２記載のウェハ加工用テープ。
4. 前記接着層が、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び無機フィラーを含む、請求項１〜３いずれか一項に記載のウェハ加工用テープ。