CN111656492A - 半导体背面密合薄膜及切割带一体型半导体背面密合薄膜 - Google Patents

Abstract

提供可在自隔离体的剥离时不易产生褶皱的半导体背面密合薄膜。半导体背面密合薄膜的平面投影面积为22500mm²以上，平面投影形状为具有至少1个曲率半径R1为0.5～10mm的圆弧部的非圆形状。一种切割带一体型半导体背面密合薄膜，其具备：切割带，所述切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和前述半导体背面密合薄膜，其以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层，前述切割带的平面投影面积比前述半导体背面密合薄膜大，并且平面投影形状具有圆弧部。

Description

半导体背面密合薄膜及切割带一体型半导体背面密合薄膜

技术领域

本发明涉及半导体背面密合薄膜及切割带一体型半导体背面密合薄膜。更详细而言，本发明涉及在半导体装置的制造过程中可以使用的半导体背面密合薄膜及切割带一体型半导体背面密合薄膜。

背景技术

在具备进行了倒装芯片安装的半导体芯片的半导体装置的制造中，作为用于在该芯片的所谓里面形成保护膜的薄膜，有时使用半导体背面密合薄膜。另外，这样的半导体背面密合薄膜有时也以与切割带一体化的形态来提供。

(参照专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-151360号公报

专利文献2：国际公开第2014/092200号

发明内容

发明要解决的问题

半导体背面密合薄膜通常通过卷对卷(role to role)方式、以在长条状的隔离体上分别配置有模切为与半导体晶圆形状为相同形状的大致圆形状的多个半导体背面密合薄膜的状态来制造。这样制造的半导体背面密合薄膜在使用时一边用输送辊沿长度方向输送，一边使上述隔离体在与半导体背面密合薄膜处于相反的一侧弯曲，由此使半导体背面密合薄膜的端部从隔离体浮起，并从其剥离而使用。

近年，有时采用被称为所谓扇出(Fan-out)型面板级封装(PLP)的半导体装置。该情况下，使用与扇出型PLP的基板的大小及形状相对应的、例如比以往更大型且四边形状的半导体背面密合薄膜。但是，这种形状的半导体背面密合薄膜在从长条状隔离体剥离时，有时浮起的前端部会卡住、产生褶皱。另外，使用切割带一体型半导体背面密合薄膜的情况下也同样，从在长条状的隔离体上分别配置有四边形状的多个切割带一体型半导体背面密合薄膜的状态剥离时，有时产生褶皱。

本发明是鉴于上述的问题而作出的，其目的在于，提供可在自隔离体的剥离时不易产生褶皱的半导体背面密合薄膜。

用于解决问题的方案

本发明人等为了达成上述目的而进行了深入研究，结果发现，使用平面投影面积为22500mm²以上、平面投影形状为具有至少1个圆弧部的非圆形状的半导体背面密合薄膜时，所述圆弧部的曲率半径R1为0.5～10mm，能够在自隔离体的剥离时不易产生褶皱。本发明是基于这些见解而完成的。

即，本发明提供一种半导体背面密合薄膜，其平面投影面积为22500mm²以上，平面投影形状为具有至少1个圆弧部的非圆形状，所述圆弧部的曲率半径R1为0.5～10mm。这样的构成的半导体背面密合薄膜可以在半导体装置的制造过程中使用。

本发明的半导体背面密合薄膜如上所述，平面投影面积为22500mm²以上。而且，平面投影形状为非圆形状，并且具有至少1个曲率半径R1为0.5～10mm的圆弧部。具有这样的构成的本发明的半导体背面密合薄膜与以往的对应于最大12英寸以下的圆形状的半导体晶圆的半导体背面密合薄膜相比，虽然比较大，并且为非圆形状，但是能够在自隔离体的剥离时不易产生褶皱。例如，通过以上述曲率半径R1为0.5～10mm的圆弧部在长条状隔离体的输送时成为前进方向的方式来配置半导体背面密合薄膜，能够在自隔离体的剥离时不易产生褶皱。

对于本发明的半导体背面密合薄膜，上述平面投影形状优选为短径与长径的比[长径/短径]为1～10的四边形的至少1个角被加工成上述圆弧部的形状。本发明的半导体背面密合薄膜具有这样的构成的情况下，更不易产生自隔离体的剥离时的褶皱。

另外，本发明提供一种切割带一体型半导体背面密合薄膜，其具备：切割带，所述切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和上述半导体背面密合薄膜，其以可剥离的方式密合于上述切割带中的上述粘合剂层，上述切割带的平面投影面积比上述半导体背面密合薄膜大，并且平面投影形状具有圆弧部。这样的构成的切割带一体型半导体背面密合薄膜可以在半导体装置的制造过程中使用。

本发明的切割带一体型半导体背面密合薄膜如上所述，具备：切割带，所述切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和上述半导体背面密合薄膜，其以可剥离的方式密合于上述切割带中的上述粘合剂层，上述切割带的平面投影面积比上述半导体背面密合薄膜大，并且平面投影形状具有圆弧部。具有这样的构成的切割带一体型半导体背面密合薄膜在切割时可以将切割用的框贴附于粘合剂层表面，而且更不易产生自隔离体的剥离时的褶皱。

上述切割带中的未形成圆弧部的平面投影形状与上述半导体背面密合薄膜中的未形成圆弧部的平面投影形状为相似形状，上述相似形状的相似比[前者/后者]优选为1.01以上。本发明的切割带一体型半导体背面密合薄膜具有这样的构成的情况下，可以将切割框贴接于切割带中的粘合剂层上并直接用于切割。

上述切割带中的圆弧部的曲率半径R2与上述曲率半径R1的比[R2/R1]优选为0.5～100。本发明的切割带一体型半导体背面密合薄膜具有这样的构成的情况下，能够将切割框固定于切割带而不产生浪费，即使切割带与背面密合薄膜的面积有差异，在背面密合薄膜与切割带的贴合工序中背面密合薄膜也不易产生褶皱，并且在切割带与基板、框的贴合工序中也不易产生褶皱。另外，操作性优异。

发明的效果

本发明的半导体背面密合薄膜及本发明的切割带一体型半导体背面密合薄膜虽然比较大型并且为非圆形状，但能够在自隔离体的剥离时不易产生褶皱。例如，通过以上述曲率半径R1为特定范围内的圆弧部在长条状隔离体的输送时成为前进方向的方式配置半导体背面密合薄膜，能够在自隔离体的剥离时不易产生褶皱。

附图说明

图1为示出本发明的半导体背面密合薄膜的一实施方式的俯视概略图(平面投影图)。

图2为图1所示的本发明的半导体背面密合薄膜的正面截面图。

图3为示出本发明的切割带一体型半导体背面密合薄膜的一实施方式的俯视概略图(平面投影图)。

图4为图3所示的本发明的切割带一体型半导体背面密合薄膜的、从半导体背面密合薄膜侧观察而得到的俯视图(平面投影图)。

图5为图3所示的本发明的切割带一体型半导体背面密合薄膜的正面截面图。

图6为示出贴附工序的一实施方式的概略图(正面截面图)。

图7为示出切割工序的一实施方式的概略图(正面截面图)。

图8为示出拾取工序的一实施方式的概略图(正面截面图)。

图9为示出倒装芯片安装工序的一实施方式的概略图(正面截面图)。

具体实施方式

[半导体背面密合薄膜]

本发明的半导体背面密合薄膜(有时简称为“背面密合薄膜”)为平面投影面积为22500mm²以上，平面投影形状为具有至少1个曲率半径R1为0.5～10mm的圆弧部的非圆形状。需要说明的是，本说明书中，半导体(工件)的“表面”是指工件的形成有用于倒装芯片安装的凸块的面，“背面”是指表面的相反侧、即未形成凸块的面。而且，“背面密合薄膜”是指密合于半导体的背面而使用的薄膜，包含用于在半导体芯片的背面(所谓里面)形成保护膜的薄膜(半导体里面保护薄膜)。另外，本说明书中，有时将上述曲率半径R1为0.5～10mm的圆弧部称为“圆弧部X”。

本发明的背面密合薄膜的平面投影形状为具有至少1个圆弧部X的非圆形状。作为这样的平面投影形状，例如，可列举出多边形(例如，三角形、正方形、长方形等四边形、六边形、八边形等)的至少1个角被加工成圆弧部X的形状、在前进方向具有沿宽度方向延伸的直线部的形状(例如，半圆、扇形等)的上述直线部的端部的角被加工成圆弧部X的形状等除圆形以外的形状。其中，从能够与比较大型的基板相对应、并且能够使得使用后的废弃部分为最小限的观点出发，优选多边形的至少1个角(特别是全部角)被加工成圆弧部X的形状，更优选为四边形(特别是正方形)的至少1个角(特别是全部角)被加工成圆弧部X的形状。

以下对本发明的背面密合薄膜的一实施方式进行说明。图1为示出本发明的背面密合薄膜的一实施方式的俯视图(平面投影图)。如图1所示，在长条状隔离体(长条状剥离衬垫)30上沿一方向F配置有多个本发明的背面密合薄膜10。从图1所示的本发明的背面密合薄膜10的上面观察时的形状(平面投影形状)是正方形的全部角被加工成作为圆弧部X的10a、10b、10c、及10d的形状。将本发明的背面密合薄膜10从长条状隔离体30剥离时，例如，以将长条状隔离体30沿一方向F输送、并从本发明的背面密合薄膜10的一方向F侧的端部剥离的方式，使长条状隔离体30在本发明的背面密合薄膜10侧的相反侧翘曲，由此使本发明的背面密合薄膜10从上述端部剥离。图1所示的本发明的背面密合薄膜10以圆弧部10a及10c成为一方向F的端部的方式来配置，从长条状隔离体30剥离时，以一方向F成为前进方向的方式利用长条状隔离体30输送。需要说明的是，本发明的背面密合薄膜10为了与再配置有作为贴合对象的工件的半导体芯片的基板等相对应，为比工件大一圈的尺寸。

本发明的背面密合薄膜的平面投影面积为22500mm²以上，优选为23225mm²以上、更优选为32400mm²以上。通过使上述平面投影面积为22500mm²以上，从而能够与比较大型的基板相对应。另外，将以往的背面密合薄膜设为平面投影面积22500mm²以上的情况下，在剥离时特别容易产生褶皱，但本发明的背面密合薄膜即使平面投影面积为22500mm²以上，也能够在剥离时不易产生褶皱。上述平面投影面积例如为400000mm²以下，优选为360000mm²以下。上述平面投影面积例如为图1所示的平面投影图中的本发明的背面密合薄膜10的面积。

上述圆弧部X的曲率半径R1为0.5～10mm，优选为0.55～9.5mm、更优选为0.6～9.0mm。通过使上述曲率半径R1为0.5mm以上，从而即使平面投影面积为比较大型，也能够在剥离时不易产生褶皱。另外，通过使上述曲率半径R1为10mm以下，从而能够使得使用后的废弃部分为最小限。本发明的背面密合薄膜具有多个圆弧部的情况下，只要至少1个圆弧部为上述圆弧部X即可，具有其他圆弧部的情况下的该圆弧部的曲率半径可以在上述曲率半径R1的范围之外。

本发明的背面密合薄膜的上述平面投影形状为四边形的至少1个角被加工成圆弧部的形状的情况下，上述平面投影形状优选为短边与长边的比[长边/短边]为1～10的四边形(特别是长方形或正方形)的至少1个角被加工成上述圆弧部的形状。上述比优选为1～6、更优选为1～3。上述比在上述范围内时，更不易产生自隔离体的剥离时的褶皱。

(粘接剂层)

本发明的背面密合薄膜至少包含具有对工件背面的贴接面的粘接剂层。粘接剂层可以具有热固化性，以使得在贴接于工件背面后，能够通过热固化粘接于工件背面而进行保护。需要说明的是，粘接剂层为不具有热固化性的非热固化性的情况下，粘接剂层可以通过基于压敏等的在界面处的密合性(润湿性)、化学键合粘接于工件背面而进行保护。粘接剂层可以具有单层结构，也可以具有多层结构。

上述粘接剂层及形成粘接剂层的粘接剂组合物(树脂组合物)优选包含热塑性树脂。上述粘接剂层具有热固化性的情况下，上述粘接剂层及形成粘接剂层的粘接剂组合物可以包含热固化性树脂和热塑性树脂，也可以包含具有可与固化剂发生反应而发生键合的热固化性官能团的热塑性树脂。粘接剂层包含具有热固化性官能团的热塑性树脂的情况下，该树脂组合物不必包含热固化性树脂(环氧树脂等)。

粘接剂层中的热塑性树脂承担例如粘结剂功能。作为上述热塑性树脂，例如，可列举出丙烯酸类树脂、天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂等。上述热塑性树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。作为上述热塑性树脂，从离子性杂质少并且耐热性高的观点出发，优选丙烯酸类树脂。

上述丙烯酸类树脂为包含源自丙烯酸系单体(分子中具有(甲基)丙烯酰基的单体成分)的构成单元作为聚合物的构成单元的聚合物。上述丙烯酸类树脂优选为以质量比例计包含最多源自(甲基)丙烯酸酯的构成单元的聚合物。需要说明的是，丙烯酸类树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。另外，本说明书中，“(甲基)丙烯酸”表示“丙烯酸”和/或“甲基丙烯酸”(“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”中的任一者或两者)，其他也同样。

作为上述(甲基)丙烯酸酯，例如，可列举出可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯。作为含烃基(甲基)丙烯酸酯，可列举出(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等。作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸的甲基酯、乙基酯、丙基酯、异丙基酯、丁基酯、异丁基酯、仲丁基酯、叔丁基酯、戊基酯、异戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己基酯、异辛基酯、壬基酯、癸基酯、异癸基酯、十一烷基酯、十二烷基酯(月桂基酯)、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等。作为上述(甲基)丙烯酸环烷基酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸的环戊基酯、环己基酯等。作为上述(甲基)丙烯酸芳基酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸的苯基酯、苄基酯。作为具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯，可列举出上述含烃基(甲基)丙烯酸酯中的烃基中的1个以上氢原子被烷氧基取代而得者，例如，可列举出(甲基)丙烯酸的2-甲氧基甲基酯、2-甲氧基乙基酯、2-甲氧基丁基酯等。上述可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯可以仅使用一种，也可以使用两种以上。

对于上述丙烯酸类树脂，出于内聚力、耐热性等的改性的目的，可以包含源自能与可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯共聚的其他单体成分的构成单元。作为上述其他单体成分，例如，可列举出含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含缩水甘油基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺、丙烯腈等含官能团单体等。作为上述含羧基单体，例如，可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等。作为上述酸酐单体，例如，可列举出马来酸酐、衣康酸酐等。作为上述含羟基单体，例如，可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、(4-羟基甲基环己基)甲基(甲基)丙烯酸酯等。作为上述含缩水甘油基单体，例如，可列举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯等。作为上述含磺酸基单体，例如，可列举出苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等。作为上述含磷酸基单体，例如，可列举出2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等。上述其他单体成分可以仅使用一种，也可以使用两种以上。

对于粘接剂层中可包含的丙烯酸类树脂，从粘接剂层兼顾对工件的粘接性和切割时的良好的割断性的观点出发，优选为从丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯腈、及丙烯酸中适宜选择的单体的共聚物。

粘接剂层同时包含热固化性树脂和热塑性树脂的情况下，作为该热固化性树脂，例如，可列举出环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、热固化性聚酰亚胺树脂等。上述热固化性树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。基于有可成为半导体芯片的腐蚀原因的离子性杂质等的含量少的倾向的理由，作为上述热固化性树脂，优选环氧树脂。另外，作为环氧树脂的固化剂，优选酚醛树脂。

作为上述环氧树脂，例如，可列举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂等甲酚酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四酚基乙烷型环氧树脂等多官能环氧树脂。上述环氧树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。其中，从与作为固化剂的酚醛树脂的反应性高并且耐热性优异的方面出发，优选苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四酚基乙烷型环氧树脂。

对于可作为环氧树脂的固化剂而发挥作用的酚醛树脂，例如，可列举出苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂。另外，作为该酚醛树脂，也可列举出甲阶酚醛型酚醛树脂、聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯。上述酚醛树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。

在粘接剂层中，从使环氧树脂与酚醛树脂的固化反应充分进行的观点出发，酚醛树脂以相对于环氧树脂成分中的环氧基1当量、该酚醛树脂中的羟基优选为0.5～2.0当量、更优选为0.8～1.2当量的量来含有。

粘接剂层包含热固化性树脂的情况下，对于上述热固化性树脂的含有比例，从使粘接剂层适当地固化的观点出发，相对于粘接剂层的总质量，优选为5～60质量％、更优选为10～50质量％。

粘接剂层包含具有热固化性官能团的热塑性树脂的情况下，作为该热塑性树脂，例如，可以使用含热固化性官能团的丙烯酸类树脂。该含热固化性官能团的丙烯酸类树脂中的丙烯酸类树脂优选包含源自含烃基(甲基)丙烯酸酯的构成单元作为质量比例最多的构成单元。作为该含烃基(甲基)丙烯酸酯，例如，可列举出作为形成作为上述的粘接剂层中可包含的热塑性树脂的丙烯酸类树脂的含烃基(甲基)丙烯酸酯而例示出的例子。另一方面，作为含热固化性官能团的丙烯酸类树脂中的热固化性官能团，例如，可列举出缩水甘油基、羧基、羟基、异氰酸酯基等。其中，优选缩水甘油基、羧基。即，作为含热固化性官能团的丙烯酸类树脂，特别优选含缩水甘油基丙烯酸类树脂、含羧基丙烯酸类树脂。另外，优选同时包含含热固化性官能团的丙烯酸类树脂和固化剂，作为该固化剂，例如，可列举出作为后述的粘合剂层形成用的辐射线固化性粘合剂中可包含的交联剂而例示出的例子。含热固化性官能团的丙烯酸类树脂中的热固化性官能团为缩水甘油基的情况下，作为固化剂，优选使用多酚系化合物，例如可以使用上述的各种酚醛树脂。

粘接剂层优选含有热固化催化剂(热固化促进剂)。若含有热固化催化剂，则能够在粘接剂层的固化时充分进行树脂成分的固化反应、或提高固化反应速度。作为上述热固化催化剂，例如，可列举出咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、三卤素硼烷系化合物等。作为咪唑系化合物，例如，可列举出2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪异氰脲酸加成物、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等。作为三苯基膦系化合物，例如，可列举出三苯基膦、三丁基膦、三(对甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦、四苯基溴化鏻、甲基三苯基鏻、甲基三苯基氯化鏻、甲氧基甲基三苯基鏻、苄基三苯基氯化鏻等。三苯基膦系化合物还包含兼具三苯基膦结构和三苯基硼烷结构的化合物。作为那样的化合物，例如，可列举出四苯基鏻四苯基硼酸盐、四苯基鏻四对三硼酸盐、苄基三苯基鏻四苯基硼酸盐、三苯基膦三苯基硼烷等。作为胺系化合物，例如，可列举出单乙醇胺三氟硼酸酯、双氰胺等。作为三卤素硼烷系化合物，例如可列举出三氯硼烷等。上述热固化催化剂可以仅含有一种，也可以含有两种以上。

粘接剂层可以含有填料。通过含有填料，从而容易调整粘接剂层的弹性模量、屈服点强度、断裂伸长率等物性。作为填料，可列举出无机填料、有机填料。作为无机填料的构成材料，例如，可列举出氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、钙氧化物、镁氧化物、铝氧化物、铝氮化物、硼酸铝晶须、硅氮化物、硼氮化物、结晶质二氧化硅、非晶质二氧化硅等。另外，作为无机填料的构成材料，也可列举出铝、金、银、铜、镍等单质金属、合金、无定形碳、石墨等。作为有机填料的构成材料，例如，可列举出聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺、聚酯酰亚胺。上述填料可以仅含有一种，也可以含有两种以上。

上述填料可以具有球状、针状、片状等各种形状。上述填料的平均粒径优选30～500nm、更优选为40～400nm、更优选为50～300nm。即，粘接剂层优选含有纳米填料。含有这样的粒径的纳米填料作为填料时，对于要小片化的背面密合薄膜，割断性更优异。填料的平均粒径例如可以使用光度式的粒度分布计(商品名“LA-910”、HORIBA,Ltd.制)来求出。另外，粘接剂层含有填料的情况下的该填料的含有比例优选10质量％以上、更优选为15质量％以上、更优选为20质量％以上。上述含有比例优选50质量％以下、更优选为47质量％以下、更优选为45质量％以下。

粘接剂层可以含有着色剂。作为粘接剂层中的着色剂，例如，可列举出作为后述的激光标记层可含有的着色剂而例示的例子。从在背面密合薄膜中的激光标记层侧的基于激光标记的刻印部位与其以外的部位之间确保高的对比度从而对该刻印信息实现良好的视觉辨识性的观点出发，上述着色剂优选为黑色系着色剂。上述着色剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。另外，从基于激光标记的刻印信息实现上述的良好的视觉辨识性的观点出发，粘接剂层中的着色剂的含有比例优选0.5质量％以上、更优选为1质量％以上、进一步优选为2质量％以上。上述含有比例优选10质量％以下、更优选为8质量％以下，进一步优选为5质量％以下。

粘接剂层根据需要可以包含其他成分。作为上述其他成分，例如，可列举出阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕捉剂等。作为上述阻燃剂，例如，可列举出氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化铁、氢氧化钙、氢氧化锡、复合化金属氢氧化物等金属氢氧化物、磷腈系化合物、三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。作为上述硅烷偶联剂，例如，可列举出β-(3、4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。作为上述离子捕捉剂，例如，可列举出水滑石类、氢氧化铋、含水氧化锑(例如东亚合成株式会社制的“IXE-300”)、特定结构的磷酸锆(例如东亚合成株式会社制的“IXE-100”)、硅酸镁(例如协和化学工业株式会社制的“KYOWAAD 600”)、硅酸铝(例如协和化学工业株式会社制的“KYOWAAD 700”)等。与金属离子之间可形成络合物的化合物也可以作为离子捕捉剂使用。作为这样的化合物，例如，可列举出三唑系化合物、四唑系化合物、联吡啶系化合物。这些之中，从与金属离子间形成的络合物的稳定性的观点出发，优选三唑系化合物。作为这样的三唑系化合物，例如，可列举出1,2,3-苯并三唑、1-{N,N-双(2-乙基己基)氨基甲基}苯并三唑、羧基苯并三唑、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二-叔丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3-叔丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)苯并三唑、6-(2-苯并三唑基)-4-叔辛基-6’-叔丁基-4’-甲基-2,2’-亚甲基双酚、1-(2’,3’-羟基丙基)苯并三唑、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并三唑、1-(2-乙基己基氨基甲基)苯并三唑、2,4-二-叔戊基-6-{(H-苯并三唑-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羟基-5-叔丁基苯基)-2H-苯并三唑、3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-(1,1-二甲基乙基)-4-羟基、辛基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯、2-乙基己基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-叔丁基苯酚、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)-苯并三唑、2-(3-叔丁基-2-羟基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二-叔戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔丁基苯基)-5-氯-苯并三唑、2-[2-羟基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2,2’-亚甲基双[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羟基-3,5-双(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、甲基-3-[3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-叔丁基-4-羟基苯基]丙酸酯等。另外，对苯二酚化合物、羟基蒽醌化合物、多酚化合物等规定的含羟基化合物也可以作为离子捕捉剂使用。作为这样的含羟基化合物，具体而言，可列举出1,2-苯二醇、茜素、蒽绛酚、丹宁、没食子酸、没食子酸甲酯、邻苯三酚等。上述其他成分可以仅使用一种，也可以使用两种以上。

粘接剂层在23℃下的拉伸储能模量(固化前)没有特别限定，优选为0.5GPa以上、更优选为0.75GPa以上、进一步优选为1GPa以上。上述拉伸储能模量为0.5GPa以上时，能够防止附着于输送载带。23℃下的拉伸储能模量的上限例如为50GPa。上述拉伸储能模量可以根据树脂成分的种类、其含量、填料的种类、其含量等进行调节。

粘接剂层的厚度例如为2～200μm、优选为4～160μm、更优选为6～100μm、进一步优选为10～80μm。

本发明的背面密合薄膜可以为由上述粘接剂层形成的单层构成，也可以为多层结构。作为多层结构的本发明的背面密合薄膜例如具有包含上述粘接剂层和通过激光标记可赋予刻印信息的激光标记层的层叠结构。具有这样的多层结构的背面密合薄膜可以采用通过在120℃下2小时的加热处理而上述粘接剂层发生热固化、但上述激光标记层实质上未发生热固化的层叠结构。需要说明的是，本发明的背面密合薄膜中通过在120℃下2小时的加热处理而实质上未发生热固化的层包含已经固化了的热固化型层。

将本发明的背面密合薄膜为包含粘接剂层和激光标记层的多层结构的情况下的一实施方式示于图2。需要说明的是，图2相当于图1所示的本发明的背面密合薄膜的正面截面图。如图2所示，在长条状隔离体30上沿一方向F配置有多个背面密合薄膜10。背面密合薄膜10具有包含粘接剂层11和激光标记层12的多层结构，激光标记层12以可剥离的方式密合于长条状隔离体30。需要说明的是，图2中，粘接剂层11与激光标记层12可以为相反的位置关系(即，粘接剂层11以可剥离的方式密合于长条状隔离体30的方式)。粘接剂层11与激光标记层12为图2所示的位置关系的情况下，可以将背面密合薄膜10贴接于工件背面并使其热固化而使用。另一方面，粘接剂层11与激光标记层12的位置关系与图2所示位置相反的情况下，可以优选用于制作后述的切割带一体型背面密合薄膜。另外，图1所示的背面密合薄膜10的表面成为粘接剂层11，但同样地表面也可以为激光标记层12。

(激光标记层)

本发明的背面密合薄膜为具有粘接剂层和激光标记层的多层结构的情况下，在半导体装置的制造过程中对激光标记层表面施加激光标记。需要说明的是，切割带一体型背面密合薄膜中，上述激光标记层优选在背面密合薄膜内位于切割带侧、并且与切割带及其粘合剂层密合。另外，激光标记层优选为热固化性成分进行了热固化的热固化型层(已热固化的层)。激光标记层通过使由形成激光标记层的树脂组合物形成的热固化性的树脂组合物层固化来形成。

激光标记层及形成激光标记层的树脂组合物优选包含热塑性树脂。上述激光标记层为热固化型层(即，热固化性层或已热固化的层)的情况下，上述激光标记层或形成激光标记层的树脂组合物可以包含热固化性树脂和热塑性树脂，也可以包含具有可与固化剂反应而发生键合的热固化性官能团的热塑性树脂。

上述热塑性树脂例如在激光标记层中承担粘结剂功能，作为上述热塑性树脂，可列举出作为上述的粘接剂层可包含的热塑性树脂而例示出的例子。上述热塑性树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。作为上述热塑性树脂，从离子性杂质少并且耐热性高的观点出发，优选丙烯酸类树脂。

对于激光标记层及上述树脂组合物中可包含的丙烯酸类树脂，从兼顾基于激光标记的刻印信息的视觉辨识性和切割时的良好的割断性观点出发，优选为从丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯腈、及丙烯酸中适宜选择的单体的共聚物。

同时包含热固化性树脂和热塑性树脂的情况下，作为该热固化性树脂，例如，可列举出环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、热固化性聚酰亚胺树脂等。上述热固化性树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。基于有可成为半导体芯片的腐食原因的离子性杂质等的含量少的倾向的理由，作为上述热固化性树脂，优选环氧树脂。另外，作为环氧树脂的固化剂，优选酚醛树脂。

作为上述环氧树脂，可列举出作为上述的粘接剂层可包含的环氧树脂而例示出的例子。上述环氧树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。

对于可作为环氧树脂的固化剂而发挥作用的酚醛树脂，可列举出作为上述的粘接剂层可包含的酚醛树脂而例示出的例子。上述酚醛树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。

在激光标记层及上述树脂组合物中，从使环氧树脂与酚醛树脂的固化反应充分进行的观点出发，酚醛树脂以相对于环氧树脂成分中的环氧基1当量、该酚醛树脂中的羟基优选为0.5～2.0当量、更优选为0.8～1.2当量的量来含有。

激光标记层及上述树脂组合物包含热固化性树脂的情况下，上述热固化性树脂的含有比例相对于上述激光标记层及树脂组合物的总质量优选为5～60质量％、更优选为10～50质量％。

激光标记层及上述树脂组合物包含具有热固化性官能团的热塑性树脂的情况下，作为该热塑性树脂，可列举出作为上述的粘接剂层可包含的含热固化性官能团的丙烯酸类树脂而例示出的例子。另外，优选同时包含含热固化性官能团的丙烯酸类树脂和固化剂，作为该固化剂，例如，可列举出作为后述的粘合剂层形成用的辐射线固化性粘合剂可包含的交联剂而例示出的例子。含热固化性官能团的丙烯酸类树脂中的热固化性官能团为缩水甘油基的情况下，作为固化剂优选使用多酚系化合物，例如可以使用上述的各种酚醛树脂。

激光标记层及上述树脂组合物优选含有热固化催化剂(热固化促进剂)。若包含热固化催化剂，则能够在上述树脂组合物的固化时充分进行树脂成分的固化反应、或提高固化反应速度。作为上述热固化催化剂，可列举出作为上述的粘接剂层可包含的热固化催化剂而例示出的例子。上述热固化催化剂可以仅含有一种，也可以含有两种以上。

激光标记层及上述树脂组合物可以含有填料。通过包含填料，从而容易调整激光标记层的弹性模量、屈服点强度、断裂伸长率等物性。作为填料，可列举出作为上述的粘接剂层可包含的填料而例示出的例子。上述填料可以仅含有一种，也可以含有两种以上。

上述填料可以具有球状、针状、片状等各种形状。上述填料的平均粒径优选为30～500nm、更优选为40～400nm、更优选为50～300nm。即，激光标记层及上述树脂组合物优选含有纳米填料。含有这样的粒径的纳米填料作为填料时，对于要小片化的背面密合薄膜，分断性及割断性更优异。另外，激光标记层或上述树脂组合物含有填料的情况下的该填料的含有比例优选为10质量％以上、更优选为15质量％以上、更优选为20质量％以上。上述含有比例优选为50质量％以下、更优选为47质量％以下、更优选为45质量％以下。

激光标记层及上述树脂组合物可以含有着色剂。含有着色剂的情况下，能够发挥优异的标记性及外观性，可以进行激光标记从而赋予文字信息、图形信息等各种信息。另外，通过适宜选择着色剂的颜色，能够使通过标记赋予的信息(文字信息、图形信息等)具有优异的视觉辨识性。进而，通过着色剂的选择，可以将制品按颜色区分开。

上述着色剂可以为颜料，也可以为染料。作为着色剂，例如，可列举出黑色系着色剂、青色系着色剂、品红系着色剂、黄色系着色剂等。从通过激光标记在激光标记层刻印信息、该信息的视觉辨识性更优异的观点出发，优选黑色系着色剂。上述着色剂可以仅含有一种，也可以含有两种以上。

作为黑色系着色剂，例如，可列举出炭黑、碳纳米管、石墨(graphite)、铜氧化物、二氧化锰、偶氮甲碱偶氮黑等偶氮系颜料、苯胺黑、苝黑、钛黑、花青黑、活性炭、铁素体、磁铁矿(magnetite)、铬氧化物、铁氧化物、二硫化钼、复合氧化物系黑色色素、蒽醌系有机黑色染料、偶氮系有机黑色染料等。作为炭黑，例如，可列举出炉黑、槽法炭黑、乙炔黑、热裂炭黑、灯黑等。作为黑色系着色剂，也可列举出C.I.溶剂黑3、同7、同22、同27、同29、同34、同43、同70；C.I.直接黑17、同19、同22、同32、同38、同51、同71；C.I.酸性黑1、同2、同24、同26、同31、同48、同52、同107、同109、同110、同119、同154；C.I.分散黑1、同3、同10、同24；C.I.颜料黑1、同7等。

作为青色系着色剂，例如，可列举出C.I.溶剂蓝25、同36、同60、同70、同93、同95；C.I.酸性蓝6、同45；C.I.颜料蓝1、同2、同3、同15、同15：1、同15：2、同15：3、同15：4、同15：5、同15：6、同16、同17、同17：1、同18、同22、同25、同56、同60、同63、同65、同66；C.I.还原蓝4；同60、C.I.颜料绿7等。

作为品红系着色剂，例如，可列举出C.I.溶剂红1、同3、同8、同23、同24、同25、同27、同30、同49、同52、同58、同63、同81、同82、同83、同84、同100、同109、同111、同121、同122；C.I.分散红9；C.I.溶剂紫8、同13、同14、同21、同27；C.I.分散紫1；C.I.碱性红1、同2、同9、同12、同13、同14、同15、同17、同18、同22、同23、同24、同27、同29、同32、同34、同35、同36、同37、同38、同39、同40；C.I.碱性紫1、同3、同7、同10、同14、同15、同21、同25、同26、同27、28等。另外，作为品红系着色剂，例如，可列举出C.I.颜料红1、同2、同3、同4、同5、同6、同7、同8、同9、同10、同11、同12、同13、同14、同15、同16、同17、同18、同19、同21、同22、同23、同30、同31、同32、同37、同38、同39、同40、同41、同42、同48：1、同48：2、同48：3、同48：4、同49、同49：1、同50、同51、同52、同52：2、同53：1、同54、同55、同56、同57：1、同58、同60、同60：1、同63、同63：1、同63：2、同64、同64：1、同67、同68、同81、同83、同87、同88、同89、同90、同92、同101、同104、同105、同106、同108、同112、同114、同122、同123、同139、同144、同146、同147、同149、同150、同151、同163、同166、同168、同170、同171、同172、同175、同176、同177、同178、同179、同184、同185、同187、同190、同193、同202、同206、同207、同209、同219、同222、同224、同238、同245；C.I.颜料紫3、同9、同19、同23、同31、同32、同33、同36、同38、同43、同50；C.I.还原红1、同2、同10、同13、同15、同23、同29、同35等。

作为黄色系着色剂，例如，可列举出C.I.溶剂黄19、同44、同77、同79、同81、同82、同93、同98、同103、同104、同112、同162；C.I.颜料橙31、同43；C.I.颜料黄1、同2、同3、同4、同5、同6、同7、同10、同11、同12、同13、同14、同15、同16、同17、同23、同24、同34、同35、同37、同42、同53、同55、同65、同73、同74、同75、同81、同83、同93、同94、同95、同97、同98、同100、同101、同104、同108、同109、同110、同113、同114、同116、同117、同120、同128、同129、同133、同138、同139、同147、同150、同151、同153、同154、同155、同156、同167、同172、同173、同180、同185、同195；C.I.还原黄1、同3、同20等。

对于上述着色剂的含有比例，从通过激光标记刻印于激光标记层的信息实现高的视觉辨识性的观点出发，相对于激光标记层或上述树脂组合物的总质量，例如为0.5质量％以上，优选为1质量％以上、更优选为2质量％以上。上述含有比例例如为10质量％以下，优选为8质量％以下、更优选为5质量％以下。

激光标记层及上述树脂组合物根据需要可以包含其他成分。作为上述其他成分，可列举出作为上述的粘接剂层可包含的其他成分而例示出的、阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕捉剂等。上述其他成分可以仅使用一种，也可以使用两种以上。

激光标记层在23℃下的拉伸储能模量(固化后)没有特别限定，优选为0.5GPa以上、更优选为0.75GPa以上、进一步优选为1GPa以上。上述拉伸储能模量为0.5GPa以上时，能够防止附着于输送载带。另外，能够在热固化后更坚固地保护工件背面。23℃下的拉伸储能模量的上限例如为50GPa。上述拉伸储能模量可以根据树脂成分的种类、其含量、填料的种类、其含量等来调节。

本发明的背面密合薄膜为具有粘接剂层和激光标记层的多层结构的情况下，激光标记层的厚度相对于粘接剂层的厚度的比优选为1以上、更优选为1.5以上、进一步优选为2以上。上述比例如为8以下。

具有激光标记层的情况下的激光标记层的厚度例如为2～180μm，优选为4～160μm。

本发明的背面密合薄膜的厚度例如为2～200μm，优选为4～160μm、更优选为6～100μm、进一步优选为10～80μm。上述厚度为2μm以上时，能够更坚固地保护工件背面。上述厚度为200μm以下时，能够使背面密合后的工件为更薄型。

本发明的背面密合薄膜对隔离体的剥离处理面的剥离力(剥离角度180°、剥离速度300mm/分钟)没有特别限定，优选为0.4N/100mm以下、更优选为0.35N/100mm以下，进一步优选为0.3N/100mm以下。上述剥离力为0.4N/100mm以下时，能够更容易地将本发明的背面密合薄膜从隔离体剥离。需要说明的是，上述剥离力越小越优选，例如为0.01N/100mm以上。

[切割带一体型半导体背面密合薄膜]

本发明的背面密合薄膜可以以具备具有层叠结构的切割带、和以可剥离的方式密合于上述切割带中的上述粘合剂层的本发明的背面密合薄膜的形态，即切割带一体型半导体背面密合薄膜(有时称为“切割带一体型背面密合薄膜”)的形式来使用，其中，所述层叠结构包含基材和粘合剂层。需要说明的是，有时将上述切割带一体型背面密合薄膜称为“本发明的切割带一体型背面密合薄膜”。将本发明的背面密合薄膜用作切割带一体型背面密合薄膜的情况下，能够在贴附于基板及框时更不易产生褶皱。

上述切割带一体型背面密合薄膜中的切割带优选平面投影面积比本发明的背面密合薄膜大。该情况下，能够将在切割时用于切割的框贴附于粘合剂层表面。

上述切割带优选其平面投影形状具有圆弧部。该情况下，能够更容易地将本发明的切割带一体型背面密合薄膜从隔离体剥离。

上述切割带的平面投影形状具有圆弧部的情况下，该圆弧部的曲率半径R2没有特别限定，优选0.5～50mm、更优选为0.7～40mm、进一步优选为0.9～30mm。上述曲率半径R2为0.5mm以上时，即使平面投影面积为比较大型，在剥离时也不易产生褶皱。另外，上述曲率半径R2为50mm以下时，能够使得使用后的废弃部分为最小限。

上述曲率半径R2与上述曲率半径R1的比[R2/R1]优选为0.5～100、更优选为0.8～50、进一步优选为1～30。上述比在上述范围内时，能够将框固定于切割带而不产生浪费，即使切割带与背面密合薄膜的面积有差异，在背面密合薄膜与切割带的贴合工序中背面密合薄膜也不易产生褶皱，并且在切割带与基板、框的贴合工序中不易产生褶皱。另外，操作性优异。

假定切割带及本发明的背面密合薄膜的具有圆弧部的平面投影形状为对至少1个角进行了圆弧部加工而成的形状的情况下，有时将对上述至少1个角部进行圆弧部加工前的平面投影形状称为“未形成圆弧部的平面投影形状”。而且，上述切割带中的未形成圆弧部的平面投影形状优选与本发明的背面密合薄膜中的未形成圆弧部的平面投影形状为相似形状。该情况下，更不易产生自隔离体的剥离时的褶皱。另外，可以使得使用后的切割带的废弃部分为最小限。本发明的背面密合薄膜及切割带中的未形成圆弧部的平面投影形状为相似形状的情况下，上述未形成圆弧部的平面投影形状例如为多边形。

未形成圆弧部的平面投影形状为相似形状的情况下，上述相似形状的相似比[前者/后者]没有特别限定，优选为1.01以上、更优选为1.03以上、进一步优选为1.05以上。上述相似比为1.01以上时，可以将切割框贴接于切割带中的粘合剂层上并直接用于切割。上述相似比例如为2.0以下，优选为1.8以下。

上述切割带的平面投影形状具有圆弧部、且未形成圆弧部的平面投影形状为相似形状的情况下，上述切割带中的圆弧部与圆弧部X优选在未形成圆弧部的相似形状中为对应的角。

对于切割带一体型背面密合薄膜，本发明的背面密合薄膜对粘合剂层的剥离力(剥离角度180°、剥离速度300mm/分钟、固化后)没有特别限定，优选为10N/20mm以下、更优选为5N/20mm以下。上述剥离力为10N/20mm以下时，能够在拾取时容易地将芯片从切割带拾取。上述剥离力优选为0.02N/20mm以上、更优选为0.05N/20mm以上。上述剥离力为0.02N/20mm以上时，在切割时固化后的背面密合薄膜不易从切割带剥离。

用图3～5对本发明的切割带一体型背面密合薄膜的一实施方式进行说明。图3为示出本发明的切割带一体型背面密合薄膜的一实施方式的俯视图(平面投影图)。图4为图3所示的本发明的切割带一体型背面密合薄膜的、从背面密合薄膜侧观察时的俯视图(平面投影图)。图5为图3所示的本发明的切割带一体型背面密合薄膜1的正面截面图。如图3所示，在长条状隔离体30上沿一方向F配置有多个切割带一体型背面密合薄膜1。如图4所示，切割带一体型背面密合薄膜1中的背面密合薄膜10的平面投影形状是作为未形成圆弧部的平面投影形状的正方形的全部角被加工成作为圆弧部X的10a、10b、10c、及10d的形状。而且，切割带一体型背面密合薄膜1中的切割带20的平面投影形状是作为未形成圆弧部的平面投影形状的正方形的全部角被加工成作为圆弧部的20a、20b、20c、及20d的形状。本发明的切割带一体型背面密合薄膜1中，对于背面密合薄膜10与切割带20而言，未形成圆弧部的平面投影形状为相似形状。将本发明的切割带一体型背面密合薄膜1从长条状隔离体30剥离时，例如，以将长条状隔离体30沿一方向F输送、并从本发明的切割带一体型背面密合薄膜1的一方向F侧的端部剥离的方式，使长条状隔离体30在本发明的切割带一体型背面密合薄膜1侧的相反侧翘曲，由此使本发明的切割带一体型背面密合薄膜1从上述端部剥离。

(基材)

切割带中的基材为在切割带、切割带一体型背面密合薄膜中作为支撑体而发挥功能的要素。作为基材，例如，可列举出塑料基材(特别是塑料薄膜)。上述基材可以为单层，也可以为同种或不同种的基材的层叠体。

作为构成上述塑料基材的树脂，例如，可列举出低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烃树脂；聚氨酯；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；聚碳酸酯；聚酰亚胺；聚醚醚酮；聚醚酰亚胺；芳纶、全芳香族聚酰胺等聚酰胺；聚苯基硫醚；氟树脂；聚氯乙烯；聚偏氯乙烯；纤维素树脂；有机硅树脂等。从确保基材良好的热收缩性从而在用于扩大切割后的半导体芯片彼此的分隔距离的扩展工序中容易利用切割带或基材的部分热收缩来维持芯片分离距离的观点出发，基材优选包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物或聚氯乙烯作为主成分。需要说明的是，基材的主成分是指在构成成分中占据最大质量比例的成分。上述树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。粘合剂层如后述那样为辐射线固化型粘合剂层的情况下，基材优选具有辐射线透过性。

基材为塑料薄膜的情况下，上述塑料薄膜可以为无取向，也可以在至少一个方向(单轴方向、二轴方向等)进行取向。在至少一个方向进行了取向的情况下，塑料薄膜可以在该至少一个方向进行热收缩。若具有热收缩性，则即使在基板或框的贴合时产生了褶皱的情况下，也能够通过其后的热处理进行热收缩从而减少褶皱。为了使基材及切割带具有各向同性的热收缩性，基材优选为二轴取向薄膜。需要说明的是，上述在至少一个方向进行了取向的塑料薄膜可以通过在该至少一个方向对未拉伸的塑料薄膜进行拉伸(单轴拉伸、二轴拉伸等)来获得。基材及切割带在加热温度100℃及加热时间处理60秒的条件下进行的加热处理试验中的热收缩率优选为1～30％、更优选为2～25％、进一步优选为3～20％、特别优选为5～20％。上述热收缩率优选为MD方向及TD方向中的至少一个方向的热收缩率。需要说明的是，对于上述热收缩率可以如下来求出：从切割带切出MD方向的长度150mm、宽度25mm的条状的试验片，对试验片以100mm的间隔画2个标记线并测定标记线间距离(加热前的标记线间距离)，其后使用公知的拉伸试验器，将试验片悬挂在竿上，将试验片用干燥机在100℃下加热60秒钟后冷却，测定2个标记线的间隔(加热后的标记线间距离)，以加热后的标记线间距离相对于加热前的标记线间距离(％)的形式来求出。

对于基材的粘合剂层侧表面，出于提高与粘合剂层的密合性、保持性等的目的，例如可以实施电晕放电处理、等离子体处理、喷砂加工处理、臭氧暴露处理、火焰暴露处理、高压电击暴露处理、离子化辐射线处理等物理处理；铬酸处理等化学处理；基于涂布剂(底涂剂)的易粘接处理等表面处理。另外，为了赋予抗静电能力，可以在基材表面设置包含金属、合金、它们的氧化物等的导电性的蒸镀层。用于提高密合性的表面处理优选对基材的粘合剂层侧的表面整体实施。

对于基材厚度，从确保用于使基材作为切割带及切割带一体型背面密合薄膜中的支撑体而发挥功能的强度的观点出发，优选为40μm以上、更优选为50μm以上、进一步优选为55μm以上、特别优选为60μm以上。另外，从切割带及切割带一体型背面密合薄膜实现适度的挠性的观点出发，基材厚度优选为200μm以下、更优选为180μm以下，进一步优选为150μm以下。

(粘合剂层)

切割带中的粘合剂层可以为在切割带一体型背面密合薄膜的使用过程中可以通过来自外部的作用有意地使粘合力降低的粘合剂层(粘合力可降低型粘合剂层)，也可以为在切割带一体型背面密合薄膜的使用过程中粘合力基本或完全不因来自外部的作用而降低的粘合剂层(粘合力非降低型粘合剂层)，可以根据使用切割带一体型背面密合薄膜进行单片化的工件的单片化的方法、条件等来适宜选择。粘合剂层可以具有单层结构，也可以具有多层结构。

粘合剂层为粘合力可降低型粘合剂层的情况下，在切割带一体型背面密合薄膜的制造过程、使用过程中，可以分开使用粘合剂层表现出相对较高的粘合力的状态和表现出相对较低的粘合力的状态。例如，在切割带一体型背面密合薄膜的制造过程中将背面密合薄膜贴合于切割带的粘合剂层时、切割带一体型背面密合薄膜用于切割工序时，可以利用粘合剂层表现出相对较高的粘合力的状态来抑制·防止背面密合薄膜自粘合剂层的浮起，另一方面，然后，在用于从切割带一体型背面密合薄膜的切割带拾取半导体芯片的拾取工序中，可以通过使粘合剂层的粘合力降低来容易地进行拾取。

作为形成这样的粘合力可降低型粘合剂层的粘合剂，例如，可列举出辐射线固化性粘合剂、加热发泡型粘合剂等。作为形成粘合力可降低型粘合剂层的粘合剂，可以使用一种粘合剂，也可以使用两种以上的粘合剂。

作为上述辐射线固化性粘合剂，例如，可以使用通过电子束、紫外线、α射线、β射线、γ射线、或X射线的照射而发生固化的类型的粘合剂，特别优选可以使用通过紫外线照射而发生固化的类型的粘合剂(紫外线固化性粘合剂)。

作为上述辐射线固化性粘合剂，例如，可列举出添加型的辐射线固化性粘合剂，其含有丙烯酸系聚合物等基础聚合物、和具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分。

上述丙烯酸系聚合物为包含源自丙烯酸系单体(分子中具有(甲基)丙烯酰基的单体成分)的构成单元作为聚合物的构成单元的聚合物。上述丙烯酸系聚合物优选为以质量比例计含有最多源自(甲基)丙烯酸酯的构成单元的聚合物。需要说明的是，丙烯酸系聚合物可以仅使用一种，也可以使用两种以上。

作为上述(甲基)丙烯酸酯，例如，可列举出可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯。作为可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯，可列举出作为上述的粘接剂层可包含的丙烯酸类树脂的构成单元而例示的可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯。上述可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯可以仅使用一种，也可以使用两种以上。作为上述可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯，优选丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸月桂酯。为了使粘合剂层适当地表现出基于可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性，用于形成丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的、可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯的比例优选为40质量％以上、更优选为60质量％以上。

对于上述丙烯酸系聚合物，出于内聚力、耐热性等的改性的目的，可以包含源自能与上述可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯共聚的其他单体成分的构成单元。作为上述其他单体成分，可列举出作为上述的粘接剂层可包含的丙烯酸类树脂的构成单元而例示出的其他单体。上述其他单体成分可以仅使用一种，也可以使用两种以上。为了使粘合剂层适当地表现出基于可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性，用于形成丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的、上述其他单体成分的合计比例优选为60质量％以下、更优选为40质量％以下。

对于上述丙烯酸系聚合物，为了在该聚合物骨架中形成交联结构，可以包含源自能与形成丙烯酸系聚合物的单体成分共聚的多官能性单体的构成单元。作为上述多官能性单体，例如，可列举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯(例如，聚(甲基)丙烯酸缩水甘油酯)、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等在分子内具有(甲基)丙烯酰基和其他反应性官能团的单体等。上述多官能性单体可以仅使用一种，也可以使用两种以上。为了使粘合剂层适当地表现出基于可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性，用于形成丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的上述多官能性单体的比例优选为40质量％以下、更优选为30质量％以下。

丙烯酸系聚合物可以通过使包含丙烯酸系单体的一种以上的单体成分聚合来获得。作为聚合方法，可列举出溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等。

丙烯酸系聚合物可以将用于形成其的原料单体聚合而获得。作为聚合方法，例如可列举出溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等。丙烯酸系聚合物的质均分子量优选为10万以上、更优选为20万～300万。质均分子量为10万以上时，有粘合剂层中的低分子量物质少的倾向，能够进一步抑制对背面密合薄膜、半导体晶圆等的污染。

粘合剂层或者形成粘合剂层的粘合剂可以含有交联剂。例如，使用丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的情况下，能够使丙烯酸系聚合物交联、进一步减少粘合剂层中的低分子量物质。另外，能够提高丙烯酸系聚合物的质均分子量。作为上述交联剂，例如，可列举出多异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物(多酚系化合物等)、氮丙啶化合物、三聚氰胺化合物等。使用交联剂的情况下，其用量相对于基础聚合物100质量份优选为5质量份左右以下、更优选为0.1～5质量份。

作为上述辐射线聚合性的单体成分，例如，可列举出氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作为上述辐射线聚合性的低聚物成分，例如，可列举出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，优选分子量为100～30000左右的低聚物成分。形成粘合剂层的辐射线固化性粘合剂中的上述辐射线聚合性的单体成分及低聚物成分的含量相对于上述基础聚合物100质量份例如为5～500质量份，优选为40～150质量份左右。另外，作为添加型的辐射线固化性粘合剂，例如可以使用日本特开昭60-196956号公报中公开的物质。

作为上述辐射线固化性粘合剂，也可列举出内在型的辐射线固化性粘合剂，该内在型的辐射线固化性粘合剂含有在聚合物侧链、聚合物主链中、聚合物主链末端具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的基础聚合物。若使用这样的内在型的辐射线固化性粘合剂，则有能够抑制所形成的粘合剂层内的低分子量成分的移动所引起的粘合特性的不期望的经时变化的倾向。

作为上述内在型的辐射线固化性粘合剂中含有的基础聚合物，优选丙烯酸系聚合物。作为辐射线聚合性的碳-碳双键向丙烯酸系聚合物的导入方法，例如，可列举出如下方法：使包含具有第1官能团的单体成分的原料单体聚合(共聚)而得到丙烯酸系聚合物后，使具有可与上述第1官能团反应的第2官能团及辐射线聚合性的碳-碳双键的化合物在保持碳-碳双键的辐射线聚合性的状态下与丙烯酸系聚合物发生缩合反应或加成反应的方法。

作为上述第1官能团与上述第2官能团的组合，例如，可列举出羧基与环氧基、环氧基与羧基、羧基与氮丙啶基、氮丙啶基与羧基、羟基与异氰酸酯基、异氰酸酯基与羟基等。这些之中，从反应追踪的容易性的观点出发，优选羟基与异氰酸酯基的组合、异氰酸酯基与羟基的组合。其中，从制作具有反应性高的异氰酸酯基的聚合物的技术难度高、另外具有羟基的丙烯酸系聚合物的制作及获得的容易性的观点出发，优选上述第1官能团为羟基、上述第2官能团为异氰酸酯基的组合。作为具有异氰酸酯基及辐射线聚合性的碳-碳双键的化合物、即含辐射线聚合性的不饱和官能团的异氰酸酯化合物，例如，可列举出甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。另外，作为具有羟基的丙烯酸系聚合物，可列举出包含源自上述的含羟基单体、2-羟基乙基乙烯基醚、4-羟基丁基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚等醚系化合物的构成单元的丙烯酸系聚合物。

上述辐射线固化性粘合剂优选含有光聚合引发剂。作为上述光聚合引发剂，例如，可列举出α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦、酰基膦酸酯等。作为上述α-酮醇系化合物，例如，可列举出4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮等。作为上述苯乙酮系化合物，例如，可列举出甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉基丙烷-1-酮等。作为上述苯偶姻醚系化合物，例如，可列举出苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、茴香偶姻甲基醚等。作为上述缩酮系化合物，例如，可列举出苯偶酰二甲基缩酮等。作为上述芳香族磺酰氯系化合物，例如，可列举出2-萘磺酰氯等。作为上述光活性肟系化合物，例如，可列举出1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等。作为上述二苯甲酮系化合物，例如，可列举出二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等。作为上述噻吨酮系化合物，例如，可列举出噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等。辐射线固化性粘合剂中的光聚合引发剂的含量相对于基础聚合物100质量份例如为0.05～20质量份。

上述加热发泡型粘合剂为含有通过加热而发泡、膨胀的成分(发泡剂、热膨胀性微球等)的粘合剂。作为上述发泡剂，可列举出各种无机系发泡剂、有机系发泡剂。作为上述无机系发泡剂，例如，可列举出碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钠、亚硝酸铵、硼氢化钠、叠氮化物类等。作为上述有机系发泡剂，例如，可列举出三氯单氟甲烷、二氯单氟甲烷等氯氟化烷烃；偶氮双异丁腈、偶氮二甲酰胺、偶氮二甲酸钡等偶氮系化合物；对甲苯磺酰肼、二苯基砜-3,3’-二磺酰肼、4,4’-氧代双(苯磺酰肼)、烯丙基双(磺酰肼)等肼系化合物；对甲苯磺酰氨基脲、4,4’-氧代双(苯磺酰氨基脲)等氨基脲系化合物；5-吗啉基-1,2,3,4-噻三唑等三唑系化合物；N,N’-二亚硝基五亚甲基四胺、N,N’-二甲基-N,N’-二亚硝基对苯二甲酰胺等N-亚硝基系化合物等。作为上述热膨胀性微球，例如，可列举出通过加热容易气化而膨胀的物质被封入壳内的构成的微球。作为上述通过加热容易气化而膨胀的物质，例如，可列举出异丁烷、丙烷、戊烷等。通过利用凝聚法、界面聚合法等将通过加热容易气化而膨胀的物质封入壳形成物质内，能够制作热膨胀性微球。作为上述壳形成物质，可以使用显示出热熔融性的物质、通过封入物质的热膨胀的作用而能够破裂的物质。作为这样的物质，例如，可列举出偏氯乙烯·丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏氯乙烯、聚砜等。

作为上述粘合力非降低型粘合剂层，例如，可列举出压敏型粘合剂层。需要说明的是，压敏型粘合剂层包含预先通过辐射线照射使关于粘合力可降低型粘合剂层在上面叙述的辐射线固化性粘合剂所形成的粘合剂层固化并且还具有一定的粘合力的形态的粘合剂层。作为形成粘合力非降低型粘合剂层的粘合剂，可以使用一种粘合剂，也可以使用两种以上的粘合剂。另外，可以粘合剂层的整体为粘合力非降低型粘合剂层，也可以一部分为粘合力非降低型粘合剂层。例如，粘合剂层具有单层结构的情况下，可以粘合剂层的整体为粘合力非降低型粘合剂层，也可以粘合剂层中的特定的部位(例如，作为切割框的贴接对象区域的、位于中央区域的外侧的区域)为粘合力非降低型粘合剂层、其他部位(例如，作为半导体晶圆的分割体或者半导体晶圆的贴接对象区域的中央区域)为粘合力可降低型粘合剂层。另外，粘合剂层具有层叠结构的情况下，可以层叠结构中的全部粘合剂层为粘合力非降低型粘合剂层，也可以层叠结构中的一部分粘合剂层为粘合力非降低型粘合剂层。

对于预先通过辐射线照射使由辐射线固化性粘合剂形成的粘合剂层(辐射线未照射辐射线固化型粘合剂层)固化的形态的粘合剂层(辐射线照射完的辐射线固化型粘合剂层)，即使粘合力因辐射线照射而降低，也能够表现出含有的聚合物成分所带来的粘合性，在切割工序等中切割带的粘合剂层能够发挥所需的最低限的粘合力。使用辐射线照射完的辐射线固化型粘合剂层的情况下，可以在粘合剂层的面扩展方向上粘合剂层的整体为辐射线照射完的辐射线固化型粘合剂层，也可以粘合剂层的一部分为辐射线照射完的辐射线固化型粘合剂层、并且其他部分为辐射线未照射辐射线固化型粘合剂层。需要说明的是，本说明书中，“辐射线固化型粘合剂层”是指由辐射线固化性粘合剂形成的粘合剂层，包含具有辐射线固化性的辐射线未照射辐射线固化型粘合剂层及该粘合剂层通过辐射线照射进行固化后的辐射线固化完的辐射线固化型粘合剂层这两者。

作为形成上述压敏型粘合剂层的粘合剂，可以使用公知乃至惯用的压敏型的粘合剂，可以优选使用以丙烯酸系聚合物为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂。粘合剂层含有丙烯酸系聚合物作为压敏型的粘合剂的情况下，该丙烯酸系聚合物优选为包含源自(甲基)丙烯酸酯的构成单元作为质量比例最多的构成单元的聚合物。作为上述丙烯酸系聚合物，例如，可以采用作为上述的添加型的辐射线固化性粘合剂中可包含的丙烯酸系聚合物而说明的丙烯酸系聚合物。

粘合剂层或形成粘合剂层的粘合剂除了上述的各成分以外还可以配混有交联促进剂、增粘剂、防老剂、着色剂(颜料、染料等)等公知乃至惯用的粘合剂层中使用的添加剂。作为上述着色剂，例如，可列举出通过辐射线照射而发生着色的化合物。含有通过辐射线照射而发生着色的化合物的情况下，可以仅将进行了辐射线照射的部分着色。上述通过辐射线照射而发生着色的化合物是在辐射线照射前为无色或淡色、但通过辐射线照射而成为有色的化合物，例如，可列举出隐色染料等。通过上述辐射线照射而发生着色的化合物的用量可以没有特别限定地适宜选择。

粘合剂层的厚度没有特别限定，粘合剂层为由辐射线固化性粘合剂形成的粘合剂层的情况下，从获取该粘合剂层在辐射线固化前后对背面密合薄膜的粘接力的平衡的观点出发，优选为1～50μm左右、更优选为2～30μm、进一步优选为5～25μm。

本发明的切割带一体型背面密合薄膜优选具有与半导体装置的制造过程中的加工对象的半导体晶圆或半导体晶圆进行了单片化而得的半导体芯片的集合体相对应的尺寸的形状。本发明的切割带一体型背面密合薄膜的平面投影面积例如优选22725mm²以上、更优选为23457mm²以上、更优选为32724mm²以上。上述平面投影面积例如为800000mm²以下，优选为720000mm²以下。需要说明的是，本发明的切割带一体型背面密合薄膜中，切割带的平面投影面积与本发明的背面密合薄膜的平面投影面积相同或更大的情况下，本发明的切割带一体型背面密合薄膜的平面投影面积与切割带的平面投影面积相同。

本发明的背面密合薄膜及本发明的切割带一体型背面密合薄膜可以在背面密合薄膜表面具有隔离体。具体而言，可以为每个本发明的背面密合薄膜、或每个切割带一体型背面密合薄膜均具有隔离体的片状的形态，也可以如图1、2、3、及5所示，是隔离体为长条状、在其上配置多个背面密合薄膜或多个切割带一体型背面密合薄膜、并且该隔离体卷绕而成卷的形态。隔离体为用于覆盖并保护本发明的背面密合薄膜(图1、2、3、及5所示的方式中为背面密合薄膜10表面)的要素，在使用本发明的背面密合薄膜或本发明的切割带一体型背面密合薄膜时从该片剥离。作为隔离体，例如，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、利用氟系剥离剂、丙烯酸长链烷基酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜、纸类等。

隔离体的厚度例如为10～200μm，优选为15～150μm、更优选为20～100μm。上述厚度为10μm以上时，在隔离体的加工时不易因切入而断裂。上述厚度为200μm以下时，向基板及框的贴合时，更容易将切割带一体型背面密合薄膜从隔离体剥离。

[背面密合薄膜的制造方法]

作为本发明的背面密合薄膜的一实施方式的背面密合薄膜10例如如下来制造。

图1及2所示的背面密合薄膜10的制作中，首先，分开制作粘接剂层11和激光标记层12。粘接剂层11可以如下来制作：将粘接剂层11形成用的树脂组合物(粘接剂组合物)涂布于隔离体上而形成树脂组合物层后，通过加热进行脱溶剂、固化，使该树脂组合物层固化，由此制作。粘接剂层11的制作中，加热温度例如为90～150℃，加热时间例如为1～2分钟。作为树脂组合物的涂布方法，例如，可列举出辊涂布、丝网涂布、凹版涂布等。另一方面，激光标记层12可以如下来制作：将激光标记层12形成用的树脂组合物涂布于隔离体上而形成树脂组合物层后，通过加热进行脱溶剂、固化，使该树脂组合物层固化，由此制作。激光标记层12的制作中，加热温度例如为90～160℃，加热时间例如为2～4分钟。如上操作，可以以分别带有隔离体的形态制作粘接剂层11及激光标记层12。然后，将这些粘接剂层11及激光标记层12的露出面彼此贴合，接着进行冲裁加工以成为目标平面投影形状及平面投影面积，制作具有粘接剂层11与激光标记层12的层叠结构的背面密合薄膜10。

[切割带一体型背面密合薄膜的制造方法]

作为本发明的切割带一体型背面密合薄膜的一实施方式的切割带一体型背面密合薄膜1例如如下来制造。

对于图3～5所示的切割带一体型背面密合薄膜1的切割带20，可以通过在准备的基材21上设置粘合剂层22来制作。例如树脂制的基材21可以通过公知乃至惯用的制膜方法来制膜。作为上述制膜方法，例如，可列举出压延制膜法、有机溶剂中的浇铸法、密闭体系中的吹塑挤出法、T模挤出法、共挤出法、干式层压法等。根据需要对基材21实施表面处理。在粘合剂层22的形成中，例如，制备粘合剂层形成用的粘合剂组合物(粘合剂)后，首先，将该组合物涂布于基材21上或隔离体上而形成粘合剂组合物层。作为粘合剂组合物的涂布方法，例如，可列举出辊涂布、丝网涂布、凹版涂布等。接着，对于该粘合剂组合物层，通过加热、根据需要使其脱溶剂，另外，根据需要使其发生交联反应。加热温度例如为80～150℃，加热时间例如为0.5～5分钟。粘合剂层22形成于隔离体上的情况下，将该带有隔离体的粘合剂层22贴合于基材21，接着进行冲裁加工以成为目标的平面投影形状(例如，与背面密合薄膜10呈相似形状的形状)及平面投影面积，然后，将隔离体剥离。由此，制作具有基材21与粘合剂层22的层叠结构的切割带20。

接着，将上述中得到的背面密合薄膜10的激光标记层12侧贴合于切割带20的粘合剂层22侧。贴合温度例如为30～50℃，贴合压力(线压)例如为0.1～20kgf/cm。粘合剂层22为上述辐射线固化性粘合剂层的情况下，可以在该贴合前对粘合剂层22照射紫外线等辐射线，也可以在该贴合后从基材21侧对粘合剂层22照射紫外线等辐射线。或者，在切割带一体型背面密合薄膜1的制造过程中可以不进行这样的辐射线照射(该情况下，可以在切割带一体型背面密合薄膜1的使用过程中使粘合剂层22辐射线固化)。粘合剂层22为紫外线固化型的情况下，用于使粘合剂层22固化的紫外线照射量例如为50～500mJ/cm²。切割带一体型背面密合薄膜1中，进行作为粘合剂层22的粘合力降低措施的照射的区域(照射区域R)例如如图5所示，为粘合剂层22中的背面密合薄膜10贴合区域内的除其外周边缘部以外的区域。

如上所述地操作，能够制作例如图1及2所示的背面密合薄膜10及图3～5所示的切割带一体型背面密合薄膜1。

[半导体装置的制造方法]

可以使用本发明的切割带一体型背面密合薄膜来制造半导体装置。具体而言，可以通过包括如下工序的制造方法来制造半导体装置：将工件背面贴附于本发明的切割带一体型背面密合薄膜中的背面密合薄膜侧(特别是粘接剂层侧)的工序(贴附工序)；和通过至少对包含工件的对象进行切削而得到经单片化的半导体芯片的工序(切割工序)。需要说明的是，图6～9示出使用了图3～5所示的切割带一体型背面密合薄膜1的半导体装置的制造方法中的工序。

(贴附工序)

上述贴附工序中，作为贴附于本发明的切割带一体型背面密合薄膜中的背面密合薄膜侧(特别是粘接剂层侧)的工件，可列举出半导体晶圆、例如如图6的(a)所示那样的、多个半导体芯片各自利用树脂对背面和/或侧面进行密封而成的密封体。然后，例如如图6的(b)所示，将保持于晶圆加工用带T1的上述密封体40与切割带一体型背面密合薄膜1的背面密合薄膜10(特别是粘接剂层11)贴合。密封体40中，半导体芯片41的侧面被密封树脂42密封。在密封体40的表面连接有具备用于进行倒装芯片安装的凸块44的基板43。其后，如图6的(c)所示，从密封体40将晶圆加工用带T1剥离。

(热固化工序)

本发明的背面密合薄膜具有热固化性的粘接剂层的情况下，优选在上述贴附工序之后具有使背面密合薄膜中的粘接剂层热固化的工序(热固化工序)。例如，上述热固化工序中，进行用于使粘接剂层11热固化的加热处理。加热温度优选为80～200℃、更优选为100～150℃。加热时间优选为0.5～5小时、更优选为1～3小时。加热处理具体而言例如在120℃下进行2小时。热固化工序中，通过粘接剂层11的热固化，切割带一体型背面密合薄膜1的背面密合薄膜10与密封体40的密合力提高，切割带一体型背面密合薄膜1及其背面密合薄膜10的对密封体固定保持力提高。另外，本发明的背面密合薄膜不具有热固化性的粘接剂层的情况下，例如可以在50～100℃的范围进行几小时烘烤处理，由此，粘接剂层界面的润湿性提高，对密封体固定保持力提高。

(激光标记工序)

本发明的背面密合薄膜具有激光标记层的情况下，上述半导体装置的制造方法优选具有对激光标记层从切割带的基材侧照射激光而进行激光标记的工序(激光标记工序)。激光标记工序优选在上述热固化工序后进行。具体而言，激光标记工序中，例如对激光标记层12从切割带20的基材21侧照射激光而进行激光标记。通过该激光标记工序，能够在每个半导体芯片上刻印文字信息、图形信息等各种信息。激光标记工序中，可以在一次的激光标记工艺中对多个半导体芯片同时效率良好地进行激光标记。作为激光标记工序中使用的激光，例如，可列举出气体激光、固体激光。作为气体激光，例如，可列举出二氧化碳激光(CO₂激光)、准分子激光。作为固体激光，例如可列举出Nd：YAG激光。

(切割工序)

上述切割工序中，例如如图7所示，将用于按压并固定切割带的框(切割框)51贴附于切割带一体型背面密合薄膜中的粘合剂层上并保持在切割装置的保持件52后，进行基于上述切割装置所具备的切割刀片的切削加工。图7中，示意性地用粗线表示切削部位。切割工序中，密封体40被单片化为各个半导体芯片41，与此同时，切割带一体型背面密合薄膜1的背面密合薄膜10被切断为小片的薄膜10’。由此，得到带有芯片背面密合膜形成用的薄膜10’的密封体40’、即带有薄膜10’的密封体40’。

(辐射线照射工序)

上述半导体装置的制造方法可以具有从基材侧对粘合剂层照射辐射线的工序(辐射线照射工序)。切割带的粘合剂层为由辐射线固化性粘合剂形成的层的情况下，可以代替切割带一体型背面密合薄膜的制造过程中的上述的辐射线照射，在上述的切割工序之后从基材侧对粘合剂层照射紫外线等辐射线。照射量例如为50～500mJ/cm²。切割带一体型背面密合薄膜中进行作为粘合剂层的粘合力降低措施的照射的区域(图5所示的照射区域R)例如为粘合剂层中的背面密合薄膜贴合区域内的除其外周边缘部以外的区域。

(拾取工序)

上述半导体装置的制造方法优选具有拾取带有薄膜的密封体的工序(拾取工序)。上述拾取工序根据需要，例如可以在经过对伴随有带有薄膜10’的密封体40’的切割带20中的密封体40’侧用水等清洗液进行清洗的清洁工序、用于扩大带有薄膜10’的密封体40’间的分隔距离的扩展工序后进行。例如，如图8所示，从切割带20拾取带有薄膜10’的密封体40’。例如，在将带有切割框51的切割带20保持于装置的保持件52的状态下，对拾取对象的带有薄膜10’的密封体40’，在切割带20的图中下侧使拾取机构的销构件53上升并隔着切割带20顶起后，用吸附夹具54进行吸附保持。拾取工序中，销构件53的顶起速度例如为1～100mm/秒，销构件53的顶起量例如为50～3000μm。

(倒装芯片安装工序)

上述半导体装置的制造方法优选在经过拾取工序后具有对带有薄膜的密封体40’进行倒装芯片安装的工序(倒装芯片工序)。例如，如图9所示，对安装基板61倒装芯片安装带有薄膜10’的密封体40’。作为安装基板61，例如，可列举出引线框、TAB(卷带自动结合，Tape Automated Bonding)薄膜、布线基板。通过倒装芯片安装，半导体芯片41借助凸块44与安装基板61进行电连接。具体而言，半导体芯片41在其电路形成面侧具有的基板43(电极垫)与安装基板61所具有的端子部(图示略)借助凸块44进行电连接。凸块44例如为焊锡凸块。另外，在芯片41与安装基板61之间夹杂有热固化性的底部填充剂63。

如上所述地操作，可以使用本发明的切割带一体型背面密合薄膜来制造半导体装置。

实施例

以下举出实施例更详细地对本发明进行说明，但本发明不受这些实施例任何限定。

实施例1

<背面密合薄膜的制作>

(激光标记层)

将丙烯酸类树脂(商品名“Teisan Resin SG-P3”、质均分子量为85万、玻璃化转变温度Tg为12℃、Nagase ChemteX Corporation制)100质量份、环氧树脂E₁(商品名“KI-3000-4”、东都化成株式会社制)50质量份、环氧树脂E₂(商品名“JERYL980”、MitsubishiChemical Corporation制)20质量份、酚醛树脂(商品名“MEH7851-SS”、明和化成株式会社制)75质量份、填料(商品名“SO-25R”、二氧化硅、平均粒径为0.5μm、ADMATECHS CO.,LTD.制)175质量份、黑色系染料(商品名“OIL BLACKBS”、ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD.制)15质量份、和热固化催化剂Z₁(商品名“Curezol 2PZ”、四国化成工业株式会社制)20质量份加入到甲乙酮中并混合，得到固体成分浓度30质量％的树脂组合物。接着，使用涂抹器将该树脂组合物涂布于具有实施了有机硅脱模处理的面的长条状的PET隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上而形成树脂组合物层。接着，对该组合物层在130℃下进行2分钟的加热而使其脱溶剂及热固化，在长条状的PET隔离体上制作厚度18μm的激光标记层(已热固化的层)。

(粘接剂层)

将丙烯酸类树脂(商品名“Teisan Resin SG-P3”、Nagase ChemteX Corporation制)100质量份、环氧树脂E₁(商品名“KI-3000-4”、东都化成株式会社制)50质量份、环氧树脂E₂(商品名“JERYL980”、Mitsubishi Chemical Corporation制)20质量份、酚醛树脂(商品名“MEH7851-SS”、明和化成株式会社制)75质量份、填料(商品名“SO-25R”、ADMATECHSCO.,LTD.制)175质量份、黑色系染料(商品名“OILBLACKBS”、ORIENT CHEMICAL INDUSTRIESCO.,LTD.制)15质量份、和热固化催化剂Z₂(商品名“Curezol 2PHZ”、四国化成工业株式会社制)7质量份加入到甲乙酮中并混合，得到固体成分浓度36质量％的树脂组合物。接着，使用涂抹器将该树脂组合物涂布于具有实施了有机硅脱模处理的面的长条状的PET隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上而形成树脂组合物层。接着，对该组合物层在130℃下进行2分钟的加热而使其脱溶剂，在长条状的PET隔离体上制作厚度7μm的粘接剂层(热固化性的粘接剂层)。

使用层压机使如上所述地操作而制作的长条状的PET隔离体上的激光标记层与长条状的PET隔离体上的粘接剂层贴合。具体而言，在温度100℃及压力0.85MPa的条件下、使激光标记层及粘接剂层的露出面彼此贴合，制作薄膜。对如上所述地操作而得到的薄膜进行冲裁加工，以成为平面投影形状为正方形(短边与长边的比[长边/短边]为1)中的全部角被加工成具有表1所示的曲率半径的圆弧部的形状的平面投影面积。如上所述地操作，制作实施例1的背面密合薄膜。

实施例2～4

使平面投影形状为正方形中的全部角被加工成具有表1所示的曲率半径的圆弧部的形状，除此以外，与实施例1同样地操作，制作背面密合薄膜。

实施例5

使平面投影形状为[长边/短边]为10的长方形中的全部角被加工成具有表1所示的曲率半径的圆弧部的形状，除此以外，与实施例1同样地操作，制作背面密合薄膜。

比较例1

对于平面投影形状，不将正方形的角加工成圆弧部，除此以外，与实施例1同样地操作，制作背面密合薄膜。

实施例6

<切割带的制作>

在具备冷凝管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器内，将包含丙烯酸2-乙基己酯100质量份、丙烯酸2-羟基乙酯19质量份、作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.4质量份、和作为聚合溶剂的甲苯80质量份的混合物在60℃下、在氮气气氛下搅拌10小时(聚合反应)。由此，得到含有丙烯酸系聚合物P₁的聚合物溶液。接着，将包含该含有丙烯酸系聚合物P₁的聚合物溶液、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)、和作为加成反应催化剂的二月桂酸二丁基锡的混合物在50℃下、在空气气氛下搅拌60小时(加成反应)。在该反应溶液中，MOI的配混量相对于上述丙烯酸系聚合物P₁ 100质量份为12质量份，二月桂酸二丁基锡的配混量相对于丙烯酸系聚合物P₁100质量份为0.06质量份。通过该加成反应，得到含有在侧链具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物P₂的聚合物溶液。接着，对该聚合物溶液加入相对于丙烯酸系聚合物P₂ 100质量份为2质量份的多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)、2质量份的光聚合引发剂(商品名“Irgacure 369”、BASF公司制)、和甲苯并混合，得到固体成分浓度28质量％的粘合剂组合物。接着，使用涂抹器将粘合剂组合物涂布于具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上而形成粘合剂组合物层。接着，对该组合物层进行基于120℃下2分钟的加热的脱溶剂，在PET隔离体上形成厚度30μm的粘合剂层。接着，使用层压机在室温下将作为基材的聚丙烯薄膜(商品名“SC040PP1-BL”、厚度40μm、仓敷纺织株式会社制)贴合于该粘合剂层的露出面。然后对该贴合体在23℃下进行72小时的保存。如上来制作切割带。

<切割带一体型背面密合薄膜的制作>

进行冲裁加工以成为表2所示的曲率半径的圆弧部及平面投影面积，除此以外，与实施例1同样地操作，制作背面密合薄膜。接着，从该背面密合薄膜将激光标记层侧的长条状的PET隔离体剥离，并且从如上所述地操作而得到的切割带将PET隔离体剥离后，使用层压机使该切割带中露出的粘合剂层与背面密合薄膜中通过PET隔离体的剥离而露出的面贴合。接着，对这样与背面密合薄膜贴合的切割带进行冲裁加工以使切割带的中心与背面密合薄膜的中心一致、并成为具有表2所示的曲率半径的圆弧部及相似比。如上所述地操作，制作具有包含切割带和背面密合薄膜的层叠结构的切割带一体型背面密合薄膜。需要说明的是，对于背面密合薄膜与切割带，未形成圆弧部的平面投影形状(正方形)为相似形状。

实施例7～9、参考例1、及比较例2～3

对背面密合薄膜及切割带，分别使平面投影形状为正方形中的全部角被加工成具有表2所示的曲率半径的圆弧部的形状，除此以外，与实施例6同样地操作，制作背面密合薄膜及切割带一体型背面密合薄膜。需要说明的是，关于比较例2及3的背面密合薄膜、以及实施例9及比较例2的切割带，采用不具有圆弧部的平面投影形状。另外，对于上述切割带一体型背面密合薄膜中的背面密合薄膜与切割带，未形成圆弧部的平面投影形状(正方形)为相似形状，相似比分别如表2所示。

实施例10

对于切割带的平面投影形状，采用相对于背面密合薄膜中的未形成圆弧部的平面投影形状(正方形)具有短边1.01倍、长边1.1倍的边长的长方形的全部角被加工成具有表2所示的曲率半径的圆弧部的形状，除此以外，与实施例6同样地操作，制作切割带一体型背面密合薄膜。

<评价>

对实施例、参考例、及比较例中得到的背面密合薄膜及切割带一体型背面密合薄膜进行以下的评价。将结果示于表1及2。

(1)剥离评价1(背面密合薄膜的废弃部分)

对实施例1～5及比较例1中得到的背面密合薄膜，对保留包含长条状的PET隔离体及具有表1所示的曲率半径R1的圆弧部的背面密合薄膜、并将周边部的背面密合薄膜及隔着背面密合薄膜位于与长条状的PET隔离体相反的一侧的隔离体剥离去除时的、包含上述圆弧部的背面密合薄膜的自长条状的PET隔离体的浮起、剥离所导致的褶皱的产生的有无，将在背面密合薄膜产生了褶皱的情况记为×、将未产生褶皱的情况记为○。将结果示于表1的“剥离评价1”的栏。

(2)剥离评价2(背面密合薄膜)

对于上述剥离评价1中得到的、具备长条状的PET隔离体的包含上述圆弧部的背面密合薄膜，从长条状的PET隔离体将上述背面密合薄膜的一边部分剥离。此时，将在背面密合薄膜产生了褶皱的情况记为×、将未产生褶皱的情况记为○。将结果示于表1的“剥离评价2”的栏。

(3)剥离评价(切割带一体型背面密合薄膜)

对实施例6～10、参考例1、及比较例2～3中得到的切割带一体型背面密合薄膜，从长条状的PET隔离体将切割带一体型背面密合薄膜的一边部分剥离，与此同时贴附于框的一边上，用辊连续地进行自PET隔离体的剥离和向框的贴合。此时，将在切割带一体型背面密合薄膜产生了褶皱的情况记为×、将未产生褶皱的情况记为○。将结果示于表2的“剥离评价3”的栏。

[表1]

(表1)

实施例1

实施例2

实施例3

实施例4

实施例5

比较例1

曲率半径R1[mm]

0.5

1

5

10

1

0

[长边/短边]

1

1

1

1

10

1

剥离评价1

○

○

○

○

○

×

剥离评价2

○

○

○

○

○

×

[表2]

(表2)

	实施例6	实施例7	实施例8	实施例9	参考例1	实施例10	比较例2	比较例3
									曲率半径R1[mm]	1	1	0.5	0.5	1	1	0	0
曲率半径R2[mm]	1	25	25	50	0	25	0	25
									[R2/R1]	1	25	50	100	-	25	-	-
相似比	1.1	1.1	1.1	1.1	1.1	-	1.1	1.1
									[长边/短边]	1	1	1	1	1	10	1	1
剥离评价3	○	○	○	○	×	○	×	×

附图标记说明

1 切割带一体型背面密合薄膜

10 背面密合薄膜

11 粘接剂层

12 激光标记层

20 切割带

21 基材

22 粘合剂层

30 长条状的隔离体

40 密封体

41 半导体芯片

42 密封树脂

43 基板

44 凸块

Claims (5)

1.一种半导体背面密合薄膜，其平面投影面积为22500mm²以上，平面投影形状为具有至少1个曲率半径R1为0.5～10mm的圆弧部的非圆形状。

2.根据权利要求1所述的半导体背面密合薄膜，其中，所述平面投影形状是短边与长边的比即长边/短边为1～10的四边形的至少1个角被加工成所述圆弧部的形状。

3.一种切割带一体型半导体背面密合薄膜，其具备：

切割带，所述切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和

权利要求1或2所述的半导体背面密合薄膜，其以可剥离的方式密合于所述切割带中的所述粘合剂层，

所述切割带的平面投影面积比所述半导体背面密合薄膜大，并且平面投影形状具有圆弧部。

4.根据权利要求3所述的切割带一体型半导体背面密合薄膜，其中，所述切割带中的未形成圆弧部的平面投影形状与所述半导体背面密合薄膜中的未形成圆弧部的平面投影形状为相似形状，所述相似形状的相似比即前者/后者为1.01以上。

5.根据权利要求3或4所述的切割带一体半导体背面密合薄膜，其中，所述切割带中的圆弧部的曲率半径R2与所述曲率半径R1的比即R2/R1为0.5～100。

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