TWI732330B - 巨量固晶的方法及其裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明係一種巨量固晶的方法及其裝置，包含膠膜的晶片貼附面朝向該基板的晶片設置面的方式覆蓋於該基板，而使巨量的該複數個晶片一併設置於該晶片設置面，以及在該晶片貼附面與該晶片設置面之間形成連通於該空間的一抽氣間隙；以及一抽氣裝置，連接於該抽氣間隙而對該空間抽氣減壓，而藉由減壓所形成的內外壓力差，使得該膠膜對巨量的該複數個晶片均勻施力而使巨量的該複數個晶片貼附於該基板的晶片設置面。
Description
本發明相關於一種貼附晶片的方法及其裝置，特別是相關於一種巨量固晶的方法及其裝置。
習知技術佈置複數個晶片於一基板上，先用晶片貼附於該膠膜，製程中晶片需先脫離膠膜，再於基板上置放晶片，也因先行脫膜，容易造成晶片在置晶過程中，因為膠體或是錫膏的作用，佈置複數個晶片，會產生放置位置的偏移，或傾斜，而使佈置的精確度降低。
習知技術佈置複數個晶片於一基板上，因需要外力或是重力壓制晶片，外力或是重力的施力不平均，容易造成晶片貼附基板的過程中，發生晶片破裂、損壞或傾斜的狀況。
習知技術佈置複數個晶片於一基板上，需要兩個製程流程，第一個製程是置晶轉移，再來第二個製程是固晶作業，因此兩個作業流程，需增加加工時間。
本發明的目的即在提供一種巨量固晶的方法及其裝置，本發明可使用空氣抽吸方法，致使不平整的膠膜及基板，能夠在最適當之壓力下，緊密貼合，不傷及晶片。
本發明為解決習知技術之問題所採用之技術手段係提供一實施例中係提供一種巨量固晶的方法，係透過一膠膜而移送巨量的複數個晶片並
接續以該膠膜均勻施力於該晶片的方式而使經移送的巨量的複數個晶片貼附於一基板的一晶片設置面，其中該膠膜具有一晶片貼附面以使巨量的該複數個晶片貼附於該晶片貼附面上，該巨量固晶的方法包含下列步驟。
(A)步驟：使用膠膜而以該晶片貼附面貼附巨量的該複數個晶片，而使被貼附的該複數個晶片的基板貼附面及該晶片貼附面同為朝向該基板的晶片設置面。
(B)步驟：將該膠膜以被貼附的該複數個晶片的基板貼附面及該晶片貼附面為同時朝向該基板的晶片設置面的方式而將該複數個晶片覆蓋於該基板，而使巨量的該複數個晶片為被設置於該晶片設置面，且使巨量的該複數個晶片、該膠膜的該晶片貼附面及該晶片設置面為在一密閉空間中，並藉由巨量的該複數個晶片而在該膠膜的該晶片貼附面以及該基板的該晶片設置面之間形成一抽氣間隙。
以及(C)步驟：以一抽氣裝置對於該密閉空間進行抽氣減壓，以使得大氣壓力對該膠膜上之巨量的該複數個晶片均勻施力而使巨量的該複數個晶片的該基板貼附面因該均勻施力而貼附於該基板的晶片設置面。
在本發明的一實施例中係提供一種巨量固晶的方法，其中控制真空壓力而以大氣壓力均勻施壓步驟，包含：S11步驟：提供具有彈性的該膠膜，該膠膜具有一第一寬度；S12步驟：提供一真空槽，該真空槽具有一槽口，該槽口具有一第二寬度，該基板容置於該真空槽的一空腔內；S13步驟：使該第一寬度大於該第二寬度，以形成該膠膜全面覆蓋該槽口；S14步驟：使用該抽氣裝置抽吸該空腔，而使該膠膜均勻壓附在該槽口以隔絕該空腔與外界的連通；以及S15步驟：透過對該空間的抽氣減壓而使該膠膜均勻壓附在複數個該晶片上，而大氣壓力透過該膠膜的均勻下壓力至複數個該晶片上，使每個晶片具有均勻受力。
在本發明的一實施例中係提供一種巨量固晶的方法，其中控制脫膜步驟，包含：S20步驟當複數個晶片固定於該基板的貼附面後，作動該膠膜而脫離該基板以及巨量的該複數個晶片。
在本發明的一實施例中係提供一種巨量固晶的方法，其中該控制脫膜步驟，更包含：S21步驟：提供一固持件而環固該膠膜；S22步驟：當複數個晶片固定於該基板的貼附面後，作動該固持件脫離該基板以及巨量的該複數個晶片。
在本發明的一實施例中係提供一種巨量固晶的方法，其中控制固接步驟，包含：S31步驟：提供具有至少一電極的該晶片；S32步驟：該電極附有一凸塊(bumping)；S33步驟：提供至少一焊墊而位於該基板的晶片設置面；以及S34步驟：焊接該晶片的該電極的凸塊於該焊墊上。
在本發明的一實施例中係提供一種巨量固晶的方法，其中控制固接步驟，包含：S41步驟：提供具有至少一電極的該晶片；S42步驟：提供至少一焊墊而位於該基板的晶片設置面；S43步驟：使該基板的晶片設置面每一焊墊刷上錫膏(Solder paste)；以及S44步驟：焊接該晶片的該電極於該焊墊上。
在本發明的一實施例中係提供一種巨量固晶的裝置，係在透過膠膜移送晶片且以膠膜均勻施力於晶片的條件下，使巨量的複數個晶片貼附於一基板的晶片設置面，該巨量固晶的裝置包含：一膠膜，具有一晶片貼附面，其中巨量的該複數個晶片貼附於該晶片貼附面上，該膠膜以該晶片貼附面朝向該基板的晶片設置面的方式覆蓋於該基板，而使巨量的該複數個晶片一併設置於該晶片設置面，而由巨量的該複數個晶片在該膠膜與該基板之間形成一空間，以及在該晶片貼附面與該晶片設置面之間形成連通於該空間的一抽氣間隙；以及一抽氣裝置，連接於該抽氣間隙而對該空間抽氣減壓，而藉由減壓所形成的
內外壓力差，使得該膠膜對巨量的該複數個晶片均勻施力而使巨量的該複數個晶片貼附於該基板的晶片設置面。
在本發明的一實施例中係提供一種巨量固晶的裝置，其中更包含一真空槽，該真空槽具有一槽口，該基板容置於該真空槽的一空腔內，該膠膜具有一第一寬度，該槽口具有一第二寬度，該第一寬度大於該第二寬度，以形成該膠膜全面覆蓋該槽口。
在本發明的一實施例中係提供一種巨量固晶的裝置，其中該晶片具有至少一電極，該電極具有一凸塊，該基板的向上表面具有至少一焊墊，經由該焊墊焊接該電極於該基板上。
在本發明的一實施例中係提供一種巨量固晶的裝置，其中該基板是選自一電路板或一導電平台中之一種。
在本發明的一實施例中係提供一種巨量固晶的裝置，其中該膠膜是具有彈性的壓力傳送結構，使貼附於該膠膜的該晶片，均勻受力。
本發明的巨量固晶的方法及其裝置具有以下之功效，可減少工序，並提高貼附在一次作業上的數量，為巨量轉移晶片的固晶良率技術。本發明不脫膜方式，提供一次作業流程，一次加工時間。此外，本發明的巨量固晶的方法及其裝置使用不脫膜之方式，致使晶片在置晶作業中不受膠體或是錫膏不平整，造成偏移歪斜傾斜狀況，也可減輕在承受壓力貼合的作業中，達成最輕微的偏差。
11:膠膜
12:固持件
13:晶片
131:基板貼附面
14:真空槽
15:基板
16:焊墊
17:抽氣裝置
18:晶片設置面
22:晶片貼附面
23:槽口
24:空腔
H1:第一寬度
H2:第二寬度
S11~S15:控制真空壓力而以大氣壓力均勻施壓步驟
S20、S21、S22:控制脫膜步驟
S31~S34、S41~S44:控制固接步驟
第1圖是根據本發明的一個實施例的巨量固晶的裝置未覆蓋前示意圖。
第2圖是根據本發明的一個實施例的巨量固晶的裝置覆蓋後示意圖。
第3圖是根據本發明的一個實施例的巨量固晶的方法步驟圖。
第4圖是根據本發明的一個實施例的巨量固晶的方法，控制真空壓力而以大氣壓力均勻施壓步驟圖。
第5圖是根據本發明的一個實施例的巨量固晶的方法，控制脫膜步驟圖。
第6圖是根據本發明的一個實施例的巨量固晶的方法，控制脫膜步驟圖。
第7圖是根據本發明的一個實施例的巨量固晶的方法，控制固接步驟圖。
第8圖是根據本發明的一個實施例的巨量固晶的方法，另一控制固接步驟圖。
以下根據第1圖至第7圖，而說明本發明的實施方式。該說明並非為限制本發明的實施方式，而為本發明之實施例的一種。
第1圖、第2圖以及第3圖所示，依據本發明的一實施例的一巨量固晶的方法及其裝置，係透過一膠膜11而移送巨量的複數個晶片13，並不脫膜之方式下，接續以該膠膜11均勻施力於該晶片13的方式，而使經移送的巨量的複數個晶片13貼附於一基板15的一晶片設置面18，其中該膠膜11具有一晶片貼附面22以使巨量的該複數個晶片13貼附於該晶片貼附面22上，該膠膜11的頂面為上表面21。該巨量固晶的方法包含下列步驟，由步驟(A)：使用膠膜11而以該晶片貼附面22貼附巨量的該複數個晶片，而使被貼附的該複數個晶片13的基板貼附面131及該晶片貼附面22同為朝向該基板的晶片設置面18。第1圖所示，複數個晶片的頂面是晶片13上朝向膠膜11的一表面。複數個晶片13的基板貼附面131，其中基板貼附面131是晶片13上朝向基板15的一表面。基板15的晶片設置
面18，係在基板15上朝向膠膜11的一表面。膠膜11的晶片貼附面22，係是膠膜11上朝向晶片13的一表面。本發明不脫膜之方式，致使晶片13在置晶作業中不受膠體或是錫膏不平整，造成偏移歪斜傾斜狀況，也可減輕在承受壓力貼合的作業中，達成最輕微的偏差。此外，本發明不脫膜方式，提供一次作業流程，一次加工時間。習知技術第一個製程是置晶轉移，再來第二個製程是固晶作業，因此習知技術需兩個作業流程，相較本發明不脫膜方法和裝置，需增加加工時間。
進一步而言，複數個晶片13貼附於基板15後，再經由固晶流程而固定於該基板15上，其中固晶流程可為，加壓、直接加熱、IR光(亦即，紅外線，Infrared)、或雷射加熱，而使晶片13固晶於基板15。再者，若是使用透光加熱方式而固晶者，則用以承載複數個晶片13的膠膜11即必須是可透光材質(可供IR光、雷射穿透)。
第1圖、第2圖以及第3圖所示，依據本發明的一實施例的一巨量固晶的方法，此外，不脫膜之方式下，包含步驟(B)：將該膠膜11以被貼附的該複數個晶片13的基板貼附面131及該晶片貼附面22為同時朝向該基板15的晶片設置面18的方式而將該複數個晶片13覆蓋於該基板，而使巨量的該複數個晶片13為被設置於該晶片設置面18，且使巨量的該複數個晶片13、該膠膜11的該晶片貼附面22及該晶片設置面18為在一密閉空間中，第2圖所示，並藉由巨量的該複數個晶片13而在該膠膜11的該晶片貼附面22以及該基板15的該晶片設置面18之間形成一抽氣間隙。第2圖所示，密閉空間，可以由真空槽14的空腔24以及該膠膜11來形成。
第1圖、第2圖以及第3圖所示，依據本發明的一實施例的一巨量固晶的方法及其裝置，本發明提供巨量固晶的方法，致使不平整的膠膜11及基板15，能夠在最適當之壓力下，緊密貼合，而不傷及晶片13，包含步驟(C)：
以一抽氣裝置17對於該密閉空間進行抽氣減壓，以使得該膠膜11對巨量的該複數個晶片13均勻施力而使巨量的該複數個晶片13的該基板貼附面131因該均勻施力而貼附於該基板15的晶片設置面18。
第1圖、第2圖以及第4圖所示，依據本發明的一實施例的一巨量固晶的方法，本發明巨量固晶的方法，致使晶片13在置晶作業中不受膠體，膠膜11或是錫膏不平整，造成晶片13偏移歪斜，或置晶傾斜狀況，也可減輕在晶片13承受壓力貼合的作業中，控制壓力均勻來達成最輕微的偏差。本發明巨量固晶的方法，提供一控制真空壓力而以大氣壓力均勻施壓步驟，包含：S11步驟：提供具有彈性的該膠膜11，該膠膜11具有一第一寬度；S12步驟：提供一真空槽14，該真空槽14具有一槽口23，該槽口23具有一第二寬度，該基板容置於該真空槽14的一空腔24內；S13步驟：使該第一寬度大於該第二寬度，以形成該膠膜11全面覆蓋該槽口23；S14步驟：使用該抽氣裝置17抽吸該空腔24，而使該膠膜11均勻壓附在該槽口23以隔絕該空腔24與外界的連通；以及S15步驟：透過對該空間的抽氣減壓而使該膠膜11均勻壓附在複數個該晶片13上，而大氣壓力透過該膠膜11的均勻下壓力至複數個該晶片13上，使每個晶片13具有均勻受力。
第1圖、第2圖以及第5圖所示，依據本發明的一實施例的一巨量固晶的方法，其中該控制脫膜步驟，包含：S20步驟：當複數個晶片13固定於該基板15的晶片設置面18後，作動該膠膜11而脫離該基板15以及巨量的該複數個晶片13。
第1圖、第2圖以及第6圖所示，依據本發明的一實施例的一巨量固晶的方法，其中該控制脫膜步驟，更包含：S21步驟：提供一固持件12而環固該膠膜11；S22步驟：當複數個晶片13固定於該基板15的晶片設置面18後，作動該固持件12脫離該基板15以及巨量的該複數個晶片13。
第1圖、第2圖以及第7圖所示，依據本發明的一實施例的一巨量固晶的方法，其中控制固接步驟，包含：S31步驟：提供具有至少一電極的該晶片13；S32步驟：該電極附有一凸塊(bumping)；S33步驟：提供至少一焊墊16而位於該基板15的晶片設置面18；以及S34步驟：焊接該晶片13的該電極的凸塊於該焊墊16上。
第1圖、第2圖以及第8圖所示，依據本發明的一實施例的一巨量固晶的方法，其中另一控制固接步驟，包含：S41步驟：提供具有至少一電極的該晶片13；S42步驟：提供至少一焊墊16而位於該基板15的晶片設置面18；S43步驟：使該基板15的晶片設置面18每一焊墊16刷上錫膏(Solder paste)；以及S44步驟：焊接該晶片13的該電極於該焊墊16上。
第1圖、以及第2圖所示，依據本發明的一實施例的一巨量固晶的裝置，係在透過膠膜11移送晶片13且以膠膜11均勻施力於晶片13的條件下，使巨量的複數個晶片13貼附於一基板15的晶片設置面18，該巨量固晶的裝置包含：一膠膜11，具有一晶片貼附面22，其中巨量的該複數個晶片13貼附於該晶片貼附面22上，該膠膜11以該晶片貼附面22朝向該基板15的晶片設置面18的方式覆蓋於該基板，而使巨量的該複數個晶片13一併設置於該晶片設置面18，而由巨量的該複數個晶片13在該膠膜11與該基板15之間形成一空間，以及在該晶片貼附面22與該晶片設置面18之間形成連通於該空間的一抽氣間隙。
第1圖、以及第2圖所示，依據本發明的一實施例的一巨量固晶的裝置，該巨量固晶的裝置包含：一抽氣裝置17，連接於該抽氣間隙而對該空間抽氣減壓，而藉由減壓所形成的內外壓力差，使得該膠膜11對巨量的該複數個晶片13均勻施力而使巨量的該複數個晶片13貼附於該基板15的晶片設置面18。基板的晶片設置面18，係在基板上朝向膠膜11的一表面。膠膜11的晶片貼附面22，係是膠膜11上朝向晶片13的一表面。不脫膜之方式，致使晶片13在置晶作業
中不受膠體或是錫膏不平整，造成偏移歪斜傾斜狀況，也可減輕在承受壓力貼合的作業中，達成最輕微的偏差。
第1圖、以及第2圖所示，依據本發明的一實施例的一巨量固晶的裝置，其中更包含一真空槽14，該真空槽14具有一槽口23，該基板容置於該真空槽14的一空腔24內，該膠膜11具有一第一寬度，該槽口23具有一第二寬度，該第一寬度大於該第二寬度，以形成該膠膜11全面覆蓋該槽口23。
第1圖、以及第2圖所示，依據本發明的一實施例的一巨量固晶的裝置，其中該晶片13具有至少一電極，該電極具有一凸塊，該基板15的向上表面具有至少一焊墊16，經由該焊墊16焊接該電極的凸塊於該基板15上。
第1圖、以及第2圖所示，依據本發明的一實施例的一巨量固晶的裝置，其中該基板15是選自一電路板或一導電平台中之一種。
第1圖、以及第2圖所示，依據本發明的一實施例的一巨量固晶的裝置，其中該膠膜11是具有彈性的壓力傳送結構，使貼附於該膠膜11的該晶片13，均勻受力。本發明的一種巨量固晶的裝置，克服習知技術佈置複數個晶片13於一基板上，容易造成晶片13貼附基板的過程中，破裂或損壞狀況，因為習知技術需要外力或是重力壓制晶片13，外力或是重力的施力不平均，本發明提供一種巨量固晶的裝置，經由整片膠膜11施加的均勻受力，減少晶片13破裂或損壞狀況。
以上之敘述以及說明僅為本發明之較佳實施例之說明，對於此項技術具有通常知識者當可依據以下所界定申請專利範圍以及上述之說明而作其他之修改，惟此些修改仍應是為本發明之發明精神而在本發明之權利範圍中。
11:膠膜
12:固持件
13:晶片
131:基板貼附面
14:真空槽
15:基板
16:焊墊
17:抽氣裝置
18:晶片設置面
21:上表面
22:晶片貼附面
23:槽口
24:空腔
H1:第一寬度
H2:第二寬度
Claims (10)
- 一種巨量固晶的方法，係透過一膠膜而移送巨量的複數個晶片並接續以該膠膜均勻施力於該晶片的方式而使經移送的巨量的複數個晶片貼附於一基板的一晶片設置面，其中該膠膜具有一晶片貼附面以使巨量的該複數個晶片貼附於該晶片貼附面上，該巨量固晶的方法包含下列步驟：(A)使用膠膜而以該晶片貼附面貼附巨量的該複數個晶片，而使被貼附的該複數個晶片的基板貼附面及該晶片貼附面同為朝向該基板的晶片設置面；(B)將該膠膜以被貼附的該複數個晶片的基板貼附面及該晶片貼附面為同時朝向該基板的晶片設置面的方式而將該複數個晶片覆蓋於該基板，而使巨量的該複數個晶片為被設置於該晶片設置面，且使巨量的該複數個晶片、該膠膜的該晶片貼附面及該晶片設置面為在一密閉空間中，並藉由巨量的該複數個晶片而在該膠膜的該晶片貼附面以及該基板的該晶片設置面之間形成一抽氣間隙；以及(C)以一抽氣裝置對於該密閉空間進行抽氣減壓，以使得該膠膜對巨量的該複數個晶片均勻施力而使巨量的該複數個晶片的該基板貼附面因該均勻施力而貼附於該基板的晶片設置面。
- 如請求項1所述之巨量固晶的方法，更具有一控制真空壓力而以大氣壓力均勻施壓步驟，包含：提供具有彈性的該膠膜，該膠膜具有一第一寬度；提供一真空槽，該真空槽具有一槽口，該槽口具有一第二寬度，該基板容置於該真空槽的一空腔內；使該第一寬度大於該第二寬度，以形成該膠膜全面覆蓋該槽口；使用該抽氣裝置抽吸該空腔，而使該膠膜均勻壓附在該槽口以隔絕該空腔與外界的連通；以及 透過對該空間的抽氣減壓而使該膠膜均勻壓附在複數個該晶片上，而大氣壓力透過該膠膜的均勻下壓力至複數個該晶片上，使每個晶片具有均勻受力。
- 如請求項2所述之巨量固晶的方法，更具有一控制脫膜步驟，包含：當複數個晶片固定於該基板的貼附面後，作動該膠膜而脫離該基板以及巨量的該複數個晶片。
- 如請求項3所述之巨量固晶的方法，其中該控制脫膜步驟，更包含：提供一固持件而環固該膠膜；當複數個晶片固定於該基板的貼附面後，作動該固持件脫離該基板以及巨量的該複數個晶片。
- 如請求項4所述之巨量固晶的方法，更具有一控制固接步驟，包含：提供具有至少一電極的該晶片；使該電極附著一凸塊；提供至少一焊墊而位於該基板的晶片設置面；以及焊接該晶片的該電極的凸塊於該焊墊上。
- 一種巨量固晶的裝置，係在透過膠膜移送晶片且以膠膜均勻施力於晶片的條件下，使巨量的複數個晶片貼附於一基板的晶片設置面，該巨量固晶的裝置包含：一膠膜，具有一晶片貼附面，其中巨量的該複數個晶片貼附於該晶片貼附面上，該膠膜以該晶片貼附面朝向該基板的晶片設置面的方式覆蓋於該基板，而使巨量的該複數個晶片一併設置於該晶片設置面，而由巨量的該複數個晶片在 該膠膜與該基板之間形成一空間，以及在該晶片貼附面與該晶片設置面之間形成連通於該空間的一抽氣間隙；以及一抽氣裝置，連接於該抽氣間隙而對該空間抽氣減壓，而藉由減壓所形成的內外壓力差，使得該膠膜對巨量的該複數個晶片均勻施力而使巨量的該複數個晶片貼附於該基板的晶片設置面。
- 如請求項6所述之巨量固晶的裝置，更包含一真空槽，該真空槽具有一槽口，該基板容置於該真空槽的一空腔內，該膠膜具有一第一寬度，該槽口具有一第二寬度，該第一寬度大於該第二寬度，以形成該膠膜全面覆蓋該槽口。
- 如請求項7所述之巨量固晶的裝置，其中該晶片具有至少一電極，該電極具有一凸塊，該基板的向上表面具有至少一焊墊，經由該焊墊焊接該電極的凸塊於該基板上。
- 如請求項8所述之巨量固晶的裝置，其中該基板是選自一電路板或一導電平台中之一種。
- 如請求項9所述之巨量固晶的裝置，其中該膠膜是具有彈性的壓力傳送結構，使貼附於該膠膜的該晶片，均勻受力。
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