CN102959689B - 晶片加工用胶带及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供即使在胶粘剂层很薄(10μm以下，特别是5μm以下)的情况下，传感器识别性也很良好，且生产性或检查精度为良好的晶片加工用胶带及其制造方法。晶片加工用胶带(10)，具备：长条状的脱模型膜(11)，与胶粘剂层(12(22))、粘合膜(13(23a、23b))。脱模型膜(11)，于面(11a)形成有沿着标签形状粘接部(22)的外周的环状的第1切痕部(26)。此第1切痕部(26)，在脱模型膜(11)与粘合膜(13(23a))被层叠的层叠部，是以对应于有第1切痕部(26)的位置的层叠部(27b)的600～700nm波长的透过率A(％)与对应于没有第1切痕部(26)的位置的层叠部(27a)的600～700nm波长的透过率B(％)的透过率差C成为0.1％以上的方式被形成的。

Description

晶片加工用胶带及其制造方法
技术领域
本发明涉及芯片加工用胶带及其制造方法。特别涉及具有粘合膜与设于该粘合膜上的胶粘剂层的晶片加工用胶带及其制造方法。
背景技术
近年来，为了在将半导体晶片切断分离(dicing)为各个芯片时固定半导体晶片，开发出在基材膜上设有粘合剂层的晶片加工用胶带。此外，为了把被切断的半导体芯片粘接于导线架、封装基板等，或是为了在堆栈封装中层叠半导体芯片彼此而粘接，也开发出了具有在粘合剂层上进而层叠有胶粘剂层的构造的晶片加工用胶带(切割芯片粘接膜(dicingdiebondingfilm))(例如，参照专利文献1)。
作为这样的晶片加工用胶带(切割芯片粘接膜)，考虑到向半导体晶片的贴附，或是切割时的向环形骨架的安装等的作业性，有被施以预切加工的材料(例如，参照专利文献2)。
被施以预切加工的晶片加工用胶带(切割芯片粘接膜)的制作工序，是具备：在由脱模型膜与胶粘剂层构成的粘接膜的胶粘剂层导入规定形状(例如，圆形)的第1切痕，使第1切痕的外侧的不要的胶粘剂层部分从脱模型膜剥离，使在脱模型膜上形成有规定形状的胶粘剂层的粘接膜，与由粘合剂层与基材膜构成的粘合膜，以胶粘剂层与粘合剂层相接的方式贴合的一次预切工序，及向粘合膜导入包围胶粘剂层的形状的那样的规定的形状(例如，圆形)的第2切痕，使第2切痕的外侧的不要的粘合膜部分从粘接膜(脱模型膜)剥离而卷取，在粘接膜(脱模型膜)上形成规定的形状的粘合膜的二次预切加工的工序。
在如前所述的晶片加工用胶带的制作，有以下的制作方法，即，通过连续进行上述的2道工序(一次预切加工工序及二次预切加工工序)制作晶片加工用胶带的制作方法(第1制作方法)；向胶粘剂层导入规定形状(例如，圆形)的第1切痕，使第1切痕的外侧的不要的胶粘剂层部分从脱模型膜剥离，将在脱模型膜上形成有规定形状的胶粘剂层的粘接膜与由粘合剂层和基材膜构成的粘合膜，以胶粘剂层与粘合剂层相接的方式贴合的进行了一次预切工序的粘接膜卷取为卷状，其后，识别胶粘剂层的位置而位置对准后通过进行二次预切加工工序而制作晶片加工用胶带的制作方法(第2制作方法)。
此外，对应于半导体装置的高速化、省电力化、小型化等，半导体装置也进行着细微化或薄膜化。伴此，半导体芯片的层叠数也进行着高层叠化，使用于半导体装置的制造的晶片加工用胶带，越来越需要具有比从前更薄(10μm以下)的胶粘剂层的晶片加工用胶带。
在如上所述的需要中，在进行二次预切加工时，在上述的第1制作方法中，不去识别被一次预切加工的胶粘剂层的位置，而以预先设定的间隔向粘合膜导入第2切痕，相对于此，在上述的第2制作方法中，在识别被一次预切加工的胶粘剂层的位置后，配合于该胶粘剂层的位置向粘合膜导入第2切痕，因此如专利文献1或专利文献2所提案那样的，在基材膜与粘合剂层与胶粘剂层依此顺序被层叠的从前的晶片加工用胶带中，在使胶粘剂层较薄(为10μm以下)的情况下，在上述的第2制作方法中，会有被一次预切加工的胶粘剂层的外周部分无法以光学传感器(例如，透过型传感器、反射型传感器)识别的标签识别性降低的问题发生。因此，在进行由基材膜和粘合剂层构成的粘合膜的预切加工(二次预切加工)时，例如，发生了招致预切刃不动作的生产性的降低，或者招致无法检查胶粘剂层的有无、形状的检查精度降低的这样的问题。
为了解决这样的传感器识别性降低的问题，通过使用含有吸收或反射光学传感器反应的波长区域的范围内的光的颜料的胶粘剂层，使光学传感器识别到被一次预切加工的胶粘剂层的外周部分的粘接薄片(粘接膜)也被开发出来(例如，参照专利文献3)。
[先前技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本特开2005-303275号公报
[专利文献2]日本特开2006-111727号公报
[专利文献3]日本特开2009-059917号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，在专利文献3所提案的粘接膜或使用此粘接膜的晶片加工用胶带中，因为胶粘剂层含有颜料，所以胶粘剂层的粘接性降低，会产生粘接膜或使用此粘接膜的晶片加工用胶带的可靠性降低的新的问题。
因此，本发明是为了解决以上这样的问题点而完成的发明，目的在于提供即使在胶粘剂层很薄(10μm以下，特别是5μm以下)的情况下，传感器识别性也很良好，且生产性或检查精度为良好的晶片加工用胶带及其制造方法。
用于解决课题的手段
本案发明人等，对于上述课题经过锐意研究的结果，发现在脱模型膜、胶粘剂层及粘合膜依此顺序被层叠的晶片加工用胶带中，通过使在将胶粘剂层进行一次预切时被形成于脱模型膜的面的切痕部，以脱模型膜与粘合膜被层叠的层叠部的对应于有切痕部的位置的部分的600～700nm波长的透过率A与对应于没有切痕部的位置的部分的600～700nm波长的透过率B的透过率差C(＝A-B)，成为0.1％以上的方式形成，即使在胶粘剂层很薄(10μm以下，特别是5μm以下)的情况下，传感器识别性、生产性或检查精度也很良好，从而完成本发明。
即，本发明的第1实施方式的晶片加工用胶带，特征为具备：长条状的脱模型膜、设于所述脱模型膜上的具有规定的平面形状的1个以上的胶粘剂层、和分别覆盖所述胶粘剂层、且在该胶粘剂层的周围以与所述脱模型膜接触的方式被设置的1个以上的粘合膜；所述脱模型膜，在该脱模型膜的层叠有所述胶粘剂层的面，形成有沿着该胶粘剂层的外周的环状的切痕部，在所述脱模型膜与所述粘合膜被层叠的层叠部，对应于有所述切痕部的位置的所述层叠部的600～700nm波长的透过率A与对应于没有所述切痕部的位置的所述层叠部的600～700nm波长的透过率B的透过率差C(＝A-B)，为0.1％以上。
另外，所谓600～700nm是指600nm以上700nm以下。
关于本发明的第2实施方式的晶片加工用胶带，是在本发明的第1实施方式的晶片加工用胶带中，所述透过率差C为0.6～1.3％。
关于本发明的第2实施方式的晶片加工用胶带，是在本发明的第1或第2实施方式的晶片加工用胶带中，所述透过率A为75～95％。
关于本发明的第4实施方式的晶片加工用胶带，是在本发明的第1至第3的任一实施方式的晶片加工用胶带中，具备在所述脱模型膜上以包围上述粘合膜的外侧的方式设置的、由所述粘合膜构成的周边部。
关于本发明的第1实施方式的晶片加工用胶带的制造方法，特征为具备：(a)在长条状的脱模型膜上设置具有规定的平面形状的多个胶粘剂层，在所述脱模型膜与所述胶粘剂层以此顺序被层叠的粘接膜上，以覆盖所述胶粘剂层、且在所述胶粘剂层的周围与所述脱模型膜接触的方式，层叠粘合膜的工序，以及(b)在通过所述工序(a)形成的由所述粘接膜和所述粘合膜构成的层叠体中，在由所述脱模型膜和所述粘合膜构成的层叠部，形成从所述粘合膜的表面到达到所述脱模型膜为止的、分别包围所述胶粘剂层的环状的多个第2切痕部的工序；在所述工序(a)之前，具备：(c)在所述脱模型膜上设置具有规定的平面形状的多个所述胶粘剂层时，在所述脱模型膜上形成沿着该胶粘剂层的外周的环状的第1切痕部的工序；所述工序(b)，在所述脱模型膜和所述粘合膜被层叠的上述层叠部，根据对应于有所述切痕部的位置的所述层叠部的600～700nm波长的透过率A与对应于所述脱模型膜与没有所述切痕部的位置的所述层叠部的600～700nm波长的透过率B的透过率差C(＝A-B)，识别所述第1切痕部，根据识别的所述第1切痕部形成包围所述胶粘剂层的环状的第2切痕部。
关于本发明的第2实施方式的晶片加工用胶带的制造方法，是在本发明的第1实施方式的晶片加工用胶带的制造方法中，所述工序(c)，是以所述透过率差C成为0.1％以上的方式形成前述第1切痕部。
关于本发明的第3实施方式的晶片加工用胶带的制造方法，是在本发明的第1实施方式的晶片加工用胶带的制造方法中，所述工序(c)，是以所述透过率差C成为0.6～1.3％的方式形成前述第1切痕部。
关于本发明的第4实施方式的晶片加工用胶带的制造方法，是在本发明的第1至3的任一实施方式的晶片加工用胶带的制造方法中，替代所述工序(b)，而具备(d)在通过所述工序(a)形成的由所述粘接膜和所述粘合膜构成的所述层叠体中，在由所述脱模型膜和所述粘合膜构成的所述层叠部，形成从所述粘合膜的表面到达到所述脱模型膜为止的、分别包围所述胶粘剂层的环状的多个所述第2切痕部，同时在所述第2切痕部的外侧形成第3切痕部的工序。
发明的效果
根据本发明的晶片加工用胶带，即使在胶粘剂层很薄(10μm以下，特别是5μm以下)的情况下，也可以使传感器识别性为良好。因此，在半导体制造工序中，通过使用本发明的晶片加工用胶带，即使在胶粘剂层很薄(10μm以下，特别是5μm以下)的情况下，也可以防止半导体装置的生产性降低或检查精度的降低。
附图说明
图1(a)是关于本发明的一实施形态的晶片加工用胶带10的概观图，(b)为其平面图，(c)为其剖面图。
图2是关于本发明的第1实施形态的晶片加工用胶带的变形例的晶片加工用胶带10a的概观图。
图3是关于本发明的第1实施形态的晶片加工用胶带的变形例的晶片加工用胶带10b的概观图。
图4是用于说明图1的晶片加工用胶带10的制造方法的图。
图5是接着图4用于说明图1的晶片加工用胶带10的制造方法的图。
具体实施方式
以下，根据图面详细说明本发明的实施形态。
图1(a)是关于本发明的一实施形态的晶片加工用胶带10的立体图，图1(b)为其平面图，图1(c)为其剖面图。
如图1(a)、(b)及(c)所示，晶片加工用胶带10具备：长条状的脱模型膜11、胶粘剂层12(22)、粘合膜13(23a、23b)。此外，晶片加工用胶带10由胶粘剂层12(22)与粘合膜13(23a)构成切割芯片粘接膜(dicingdiebondingfilm)20。
胶粘剂层12设于脱模型膜11的面11a上，具有对应于半导体晶片的形状的标签形状。在此，作为标签形状的例子列举圆形形状进行说明，但标签形状不限于圆形形状。以后，把此标签形状的胶粘剂层12称为标签形状粘接部22。
脱模型膜11在面11a上形成有沿着标签形状粘接部22的外周的环状的第1切痕部(以下，称为第1切痕部)26。
粘合膜13是由标签部23a与周边部23b构成。标签部23a覆盖标签形状粘接部22，且在标签形状粘接部22的周围以接触于脱模型膜11的方式设置。此标签部23a具有对应于切割用环形骨架的大致圆形形状。周边部23b未完全包围此标签部23a的外侧，以标签部23a与周边部23b之间的露出的脱模型膜11成为连续的方式设置。
另外，如图1所示晶片加工用胶带10，周边部23b以标签部23a与周边部23b之间露出的脱模型膜11成为连续的方式设置，但也可以是如图2所示，完全包围周边部23a的外侧，使包围标签部23a的外周的脱模型膜11分别成为不连续的方式设置的晶片加工用胶带10a。此外，如图3所示，还可以是不存在周边部23b，而粘合膜13仅以标签部23a构成的晶片加工用胶带10b。
以下，针对前述的本实施形态的晶片加工用胶带10的各构成要素进行详细说明。
(脱模型膜)
脱模型膜11是为了使胶粘剂层12的操作性变佳的目的而使用的。脱模型膜11在面11a上形成有沿着标签形状粘接部22的外周的环状的第1切痕部26。
作为脱模型膜11，例如使用聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯化乙烯膜、氯化乙烯共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二酯膜、聚氨酯膜、乙烯·醋酸乙烯酯共聚物膜、离聚物树脂膜、乙烯·(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯·(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亚胺膜、氟树酯膜等。此外还使用它们的交联膜。还可为它们的层叠膜。
脱模型膜11的表面张力以40mN/m以下较佳，以35mN/m以下更佳。这样表面张力低的脱模型膜11可以适当的选择材质而获得，此外，还可在膜的表面涂布硅酮树脂等施以脱模处理来获得。
脱模型膜11的膜厚通常为5～300μm以上，更佳为10～200μm以上，特佳者为20～150μm左右。
被形成于脱模型膜11的面11a的第1切痕部26，在脱模型膜11与粘合膜13(23a)被层叠的层叠部，是以有第1切痕部26的层叠部27b的600～700nm波长的透过率A(％)与没有第1切痕部26的层叠部27a的600～700nm波长的透过率B(％)的透过率差C(＝A-B)成为0.1％以上的方式被形成的。更优选为，第1切痕部26以透过率差C成为0.6～1.3％的方式被形成。这是因为透过率差C小于0.1％的话，无法得到充分的传感器识别性。
透过率A、B(％)的测定方法没有特别限定。若透过率A、B(％)的测定光为600～700nm的范围，则不管是相同波长或不同波长都可以，但优选将透过率A(％)的测定光与透过率B(％)的测定光设定为相同波长，使透过率A、B(％)为相同波长的光的透过率。
此外，更优选地，透过率A成为75～95％的方式形成。这是因为透过率A小于75％或比95％更大的话，无法得到充分的传感器识别性。
如后所述那样，在于基材膜设有粘合剂层的粘合膜13中，透过率B由基材膜的种类与厚度决定，透过率差C是由切痕深度来决定，但要切入多深才会成为0.1％以上是随着基材膜的种类与厚度而不同。更详细地说，基材膜的透过率是看起来越接近透明的透过率越高，越为有色者透过率越低。此外，即使相同材料的脱模型膜11，在皱面涂布了粘合剂的粘合膜13透过率变高，在镜面涂布粘合剂的粘合膜13透过率变低。此外，基材膜的厚度越厚透过率越低。接着，要使透过率差C为0.1％以上，在透过率B越高的情况下，对于脱模型膜11有必要切入更深。因此，相对于脱模型膜11的总厚度的第1切痕部26的深度的比例为D时，以比例D成为13～92％的方式形成第1切痕部26即可。
此处，比例D小于13％会使制造性变得不稳定。此外，无法得到充分的传感器识别性。另外，制造性不稳定意味着把胶粘剂层12一次预切形成标签形状粘接部22时，一次预切不充分，而使标签形状粘接部22以外的不需要的胶粘剂层12的部分卷起时，由于卷起至标签形状粘接部22的部分等，会有变得无法制造晶片加工用胶带10的情况。
此外，若比例D比92％更大，则虽可得到良好的传感器识别性，但在一次预切后的晶片加工用胶带10的制造工序，或半导体装置的制造等使用晶片加工用胶带10的作业工序中，会发生脱模型膜11的断裂等种种不良情形。例如，在一次预切后的晶片加工用胶带10的制造的各卷取工序(狭缝、二次预切)中，会发生由于宽幅尺寸偏移而必须再变更条件的狭缝不良，或是由于脱模型膜11的断裂而成为短尺寸制品而必须多次进行接续作业或者再变更条件的卷取不良情形。此外，例如，在半导体装置的制造的半导体晶片与切割芯片粘接膜(dicingdiebondingfilm)20的贴合工序发生断裂的情况下，有时脱模型膜11被卷入半导体晶片与切割芯片粘接膜(dicingdiebondingfilm)20之间而被贴合，会导致全自动装置发生停止，因此发生必须要进行通顺生产线的不良情形。
(胶粘剂层)
胶粘剂层12是在半导体晶片等被贴合而切断后，收取半导体芯片时，附着于半导体芯片背面，作为使芯片固定于基板或导线架时的胶粘剂而被使用的。
作为胶粘剂12，可以使用聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚酯酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚酯酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、聚酯砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酮树脂、氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、聚丙烯酸酰胺树脂、三聚氰胺树脂等或其混合物。
做为聚合物，优选使用含环氧基的丙烯酸共聚物。该含有环氧基的丙烯酸共聚物包含0.5～6质量％的具有环氧基的丙烯酸缩水甘油酯或者甲基丙烯酸缩水甘油酯。为了得到与半导体晶片的高粘接力，最好为0.5质量％以上，若在6质量％以下可以抑制凝胶化。作为上述含环氧基的丙烯酸共聚物的玻璃化转变温度(Tg)以-10℃以上30℃以下为佳。
作为官能基单体使用的丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯的量为0.5～6质量％的共聚物比，但剩下部分可以使用丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯等碳数1～8的具有烷基的丙烯酸烷酯、甲基丙烯酸烷酯、及苯乙烯或丙烯腈等的混合物。其中，更优选为(甲基)丙烯酸乙酯及/或(甲基)丙烯酸丁酯。混合比率优选考虑共聚物的玻璃化转变温度(Tg)而进行调整。聚合方法没有特别的限制，例如可以举出本体聚合、溶液聚合等，利用这些方法得到共聚物。作为这样的含有环氧基的丙烯酸共聚物，例如可以举出HTR-860P-3(NagaseChemteX株式会社制造，商品名)。
丙烯酸系共聚物的重均分子量为5万以上为佳，特别是以20万～100万的范围为佳。若分子量过低则膜形成变得不充分，若过高则与其它成分的相容性变差，结果妨碍膜形成。
在作为热固化性成分使用环氧树脂的情况下，作为固化剂例如可以使用酚醛系树脂。作为酚醛系树脂，没有特别限制可使用烷基酚、多元酚、萘酚等酚类与醛类的缩合物等。这些酚醛系树脂所含有的苯酚性羟基，通过加热可容易与环氧树脂的环氧基与进行加成反应，而形成耐冲击性高的固化物。
酚醛系树脂可以优选使用苯酚酚醛清漆树脂、邻甲酚酚醛清漆树脂、对甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、双环戊二烯甲酚树脂、聚对乙烯基苯酚树脂、双酚A型酚醛清漆树脂，或者它们的改性物。
其它，作为固化剂，也可以使用热活性型潜伏性环氧树脂固化剂。该固化剂是在室温下不与环氧树脂反应，通过加热至某个温度以上而活性化，而与环氧树脂反应的类型的固化剂。
作为活性化方法，存在以下方法：以根据加热的化学反应产生活性种(阴离子、阳离子)的方法；在室温附近稳定地分散于环氧树脂中在高温下与环氧树脂互溶·溶解，而开始固化反应的方法；利用封入分子筛(molecularsieves)型的固化剂在高温下溶出而开始固化反应的方法；利用微胶囊的方法等。
作为热活性型潜伏性环氧树脂固化剂，可以举出各种鎓盐、二元酸二酸酰肼化合物、双氰胺、胺加成物固化剂、咪唑化合物等高融点活性氢化合物等。
在作为热固化性成分使用环氧树脂的情况下，作为助剂例如可以使用固化促进剂等。作为可以使用于本发明的固化促进剂没有特别限制，例如，可以使用叔胺、咪唑类、季铵盐等。作为于本发明适于使用的咪唑类，例如可以举出2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸盐等，可以使用这些的1种还可并用2种以上。咪唑类，例如由四国化成工业(株)以2E4MZ、2PZ-CN、2PZ-CNS等的商品名市售中。
此外，还可配合填料。作为填料，可以举出结晶氧化硅、合成氧化硅等氧化硅、氧化铝、琉璃球等无机填料。通过对固化性保护膜形成层2添加无机填料，可以提高固化后的保护膜的硬度。此外，可以使固化后的保护膜的热膨胀系数接近于晶片的热膨胀系数，由此可以减低加工途中的半导体晶片的翘曲。作为填料以合成氧化硅为佳，特别优选为极力除去了成为半导体装置的误动作的重要原因的α线来源的型式的合成氧化硅。填料的形状可以使用球形、针状、无定形型式的任一种，特别优选为可以最密填充的球形的填料。
进而，为了使异种材料间的界面结合更好，可以配合偶合剂。作为偶合剂以硅烷偶合剂为佳。作为硅烷偶合剂，可以举出γ-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷(glycidyloxypropyltrimethoxysilane)、γ-巯丙基三甲氧基硅烷(Mercaptopropyltriethoxysilane)、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷(Aminopropyltriethoxysilane)、γ-脲丙基三乙氧基硅烷(Ureidopropyltriethoxysilane)、N-β-氨乙基-γ-氨基丙基三乙氧基硅烷等。偶合剂的配合量，由添加的效果、耐热性以及成本来看，相对于分别形成分散相与连续相的组合物的合计100重量份优选添加0.1～10重量份。
此外，清漆(varnish)化的溶剂，最好使用比较低沸点的甲乙酮、丙酮、甲基异丁基酮、2-乙氧基乙醇、甲苯、丁基溶纤剂、甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇等。此外，出于提高涂膜性的目的，还可加入高沸点溶剂。作为高沸点溶剂，可以举出二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺(dimethylformamide)、甲基吡咯烷酮(methylpyrrolidone)、环己酮(Cyclohexanone)等。
胶粘剂层12的厚度可以适当设定，以5～100μm左右为较佳。
为了提高胶粘剂层12的断裂强度，增加聚合物，减少填料，减少环氧树脂(固形)是有效的。此外，为了将低胶粘剂层12的由脱模型膜11剥离的剥离力，减少聚合物，减少环氧树脂(液状)是有效的。
(粘合膜)
作为粘合膜13，没有特别限制，只要在切割半导体晶片时具有使半导体晶片不剥离的充分的粘合力，在切割后拾取芯片时呈现容易由胶粘剂层12剥离的低的粘合力者即可。例如，可以适切地使用于基材膜设置粘合剂层后的材料。
作为粘合膜13的基材膜，只要是以往公知的材料，没有特别限制都可以使用，但在做为后述的粘合剂层使用放射线固化性的材料的情况下，优选使用具有放射线透过性的材料。
例如，作为该材料，可以举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚1-丁烯、聚-4-甲基-1-戊烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物(ionomer)等的α-烯烃的均聚物或共聚物或者它们的混合物、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或者戊烯系共聚物、聚酰胺-聚醇共聚物等热塑性弹性体，以及这些的混合物。此外，基材膜还可为由这些群中选出的2种以上的材料混合而成的材料，还可为它们被单层化或多层化的材料。
基材膜的厚度没有特别限定，可适当设定，而以50～200μm为较佳。
作为粘合膜13的粘合剂层所使用的树脂，没有特别限定，可以使用用于粘合剂的公知的氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂等。
粘合剂层的树脂中，优选适当配合丙烯酸系粘合剂、放射线聚合性化合物、光聚合引发剂、固化剂等而调制粘合剂。粘合剂层的厚度没有特别限定，可适当设定，而以5～30μm为较佳。
通过将放射线聚合性化合物配合于粘合剂层而放射线固化可以容易从胶粘剂层12剥离。该放射线聚合性化合物，可使用例如在利用光线照射而可三维网状化的分子内至少具有2个以上的光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物。
具体而言，可以适用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(trimethylolpropanetriacrylate)、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、丙烯酸寡酯等。
此外，除了上述那样的丙烯酸酯系化合物以外，还可使用氨基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚合物。氨基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚合物，是向使聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物，与多价的异氰酸酯化合物(例如，2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-二甲苯二异氰酸酯、1，4-二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷4，4-二异氰酸酯等)反应而得到的末端异氰酸酯胺基甲酸酯预聚合物，使具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如，2-羟基乙基丙烯酸酯、2-羟基乙基甲基丙烯酸酯、2-羟基丙基丙烯酸酯、2-羟基丙基甲基丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)反应而得的。
粘合剂层还可为从上述树脂选择的2种以上混合后的材料。
在使用光聚合引发剂的情况下，例如可以使用苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯甲酮、米蚩酮(Michler′sketone)、氯噻吨酮(Chlorothioxanthone)、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苯甲基二甲基缩酮、α-羟基环己基苯酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。这些光聚合引发剂的配合量优选相对于丙烯酸系共聚合体100质量份为0.01～5质量份。
关于上述的本发明的一实施形态的晶片加工用胶带10(10a、10b)，即使在胶粘剂层12很薄(10μm以下，特别是5μm以下)的情况下，也可以利用第1切痕部26，以传感器识别胶粘剂层12(标签形状粘接部22)的外周部分。即，上述的关于本发明的一实施形态的晶片加工用胶带10(10a、10b)，即使在胶粘剂层12很薄(10μm以下，特别是5μm以下)的情况下，也可以使传感器识别性为良好。因此，在半导体装置的制造工序中，通过使用关于本发明的一实施形态的晶片加工用胶带10(10a、10b)，即使在胶粘剂层12很薄(10μm以下，特别是5μm以下)的情况下，也可以在进行粘合膜13的预切加工时，例如，防止预切刃不动作的生产性降低，或无法进行胶粘剂层的有无或形状检查的检查精度的降低。
其次，说明用于制造图1(a)、(b)及(c)所示的关于本发明的一实施形态的晶片加工用胶带10的关于本发明的一实施形态的晶片加工用胶带的制造方法。
图4及图5是用于说明制造本发明的晶片加工用胶带10用的本发明的一实施形态的晶片加工用胶带的制造方法的图。
如图4所示，首先，使用预切刃(未图示)，对于在长条状的脱模型膜11上层叠有胶粘剂层12的第1层叠体25，形成由胶粘剂层12的表面12a到达脱模型膜11为止的环状的第1切痕部26(步骤1：S1)。此处，还可替代预切刃而使用模具，以形成第1切痕部26的方式施以冲压加工
此时，第1切痕部26以如下方式被形成，即，在后述的步骤3至5中形成的脱模型膜11与粘合膜13(23a)被层叠的层叠部中，有第1切痕部26的层叠部27b的600～700nm波长的透过率A与没有第1切痕部26的层叠部27a的600～700nm波长的透过率B的透过率差C成为0.1％以上的方式。优选地，第1切痕部26，以透过率差C成为0.6～1.3％的方式被形成。此外，更优选地以透过率A成为75～95％的方式被形成。
另外，为了使透过率差C为0.1％以上，相对于脱模型膜11的总厚度的第1切痕部26的深度的比例为D时，以比例D成为13～92％的方式形成即可。透过率B，是由基材膜的种类与厚度决定，透过率差C是由切痕深度来决定，但要切入多深才会成为0.1％以上是随着基材膜的种类与厚度而不同。更详细地说，基材膜的透过率B，是看起来越接近透明的透过率越高，越为有色者透过率越低。此外，即使相同材料的脱模型膜11，也以在皱面涂布粘合剂的粘合膜13透过率变高，在镜面涂布粘合剂的粘合膜13透过率变低。此外，基材膜的厚度越厚透过率越低。因此，要使透过率差C为0.1％以上，在透过率B越高的情况下，对于脱模型膜11有必要切入更深。
其次，将第1切痕部26的外侧的不要的胶粘剂层12从脱模型膜11剥离除去，成为仅标签形状的胶粘剂层12的标签形状粘接部22残留于脱模型膜11上的状态(步骤2：S2)。
其次，以覆盖标签形状粘接部22及露出的脱模型膜11的整面的方式，形成层叠了粘合膜13的第2层叠体27(步骤3：S3)。
其次，如图5所示，在由第2层叠体27的脱模型膜11与粘合膜13所构成的层叠部27c，使用预切刃(未图示)，形成从粘合膜13的表面13a到达脱模型膜11为止的、包围标签形状粘接部22的环状的第2切痕部28，和在第2切痕部28的外侧未完全包围第2切痕部28的第3切痕部29(步骤4：S4)。
另外，形成第2切痕部28时，在脱模型膜11与粘合膜13被层叠的层叠部27c，根据对应于有第1切痕部26的位置的层叠部27b的600～700nm波长的透过率A与对应于没有第1切痕部26的位置的层叠部27a的600～700nm波长的透过率B的透过率差C(＝A-B)，识别第1切痕部26，根据识别的第1切痕部26形成包围标签形状粘接部22的环状的第2切痕部28。
此处，还可替代预切刃而使用模具，以形成第2切痕部28及第3切痕部29的方式施以冲压加工。此外，可同时进行第2切痕部28的形成与第3切痕部29的形成，也可分别形成。此外，在此时，形成顺序是任何一方先形成皆可。另外，在如晶片加工用胶带10a(参照图2)所示的周边部23b完全包围标签部23a的外侧的形态的情况下，以成为包围第2切痕部28的环状的切痕部的方式形成第3切痕部29。此外，在如晶片加工用胶带10b(参照图3)所示的没有周边部23b的形态的情况下，不形成第3切痕部29，仅形成第2切痕部28。
其次，将第2切痕部28与第3切痕部29之间的不要的粘合膜13从脱模型膜11剥离除去，形成由粘合膜13所构成的标签部23a与周边部23b(步骤5：S5)。由此，形成由标签形状粘接部22与标签部23a构成的，即，具有由胶粘剂层12与粘合膜13构成的切割芯片粘接膜(dicingdiebondingfilm)20的晶片加工用胶带10。
另外，如晶片加工用胶带10b(参照图3)所示的没有周边部23b的形态的情况下，使第2切痕部28的外侧的不要的粘合膜13从脱模型膜11剥离除去，形成仅由粘合膜13构成的标签部23a。
(实施例)
其次，针对本发明的实施例进行说明，但本发明并不被限定于这些实施例。
(胶粘剂层的形成)
向由作为环氧树脂使用甲酚酚醛清漆型环氧树脂(环氧当量197，分子量1200，软化点70℃)50质量份，作为硅烷偶合剂使用γ-巯丙基三甲氧基硅烷(Mercaptopropyltriethoxysilane)1.5质量份，γ-脲丙基三乙氧基硅烷(Ureidopropyltriethoxysilane)3质量份，平均粒径16nm的氧化硅填料30质量份构成的组合物，加入环己酮(Cyclohexanone)搅拌混合，进而使用珠磨机(beadmill)混练90分钟。
向其中加入丙烯酸树脂(质均分子量：80万，玻璃化转变温度-17℃)100质量份，作为6官能丙烯酸酯单体的二季戊四醇六丙烯酸酯(Dipentaerythritolhexaacrylate)5质量份，作为固化剂的六亚甲基二异氰酸酯(hexamethylenediisocyanate)的加成物(adduct)0.5质量份，Curezol2PZ(四国化成(株)制造，商品名，2-苯基咪唑)2.5质量份，混合搅拌，真空脱气，而得胶粘剂。
将上述胶粘剂涂布于厚度38μm的脱模型膜上，以110℃加热1分钟进行干燥，形成膜厚5μm的B阶段状态(热固化性树脂的固化中间状态)的涂膜，于脱模型膜上形成胶粘剂层，予以冷藏保管。
(粘合膜的形成)
向溶剂的甲苯400g中，加入丙烯酸正丁酯128g、丙烯酸-2-乙基己酯307g、甲基丙烯酸甲酯67g、甲基丙烯酸1.5g、作为聚合引发剂将过氧苯甲酰的混合液，适当地调整滴加量，调整反应温度及反应时间，而得具有官能基的化合物(1)的溶液。
其次，向该聚合物溶液，适当调整滴加量，加入作为具有放射线固化性碳碳双键及官能基的化合物(2)的另外由甲基丙烯酸与乙二醇所合成的甲基丙烯酸-2-羟基乙酯2.5g、作为阻聚剂的对苯二酚，调整反应温度及反应时间，得到具有放射线固化性碳碳双键的化合物(A)的溶液。接着，相对于化合物(A)溶液中的化合物(A)100质量份，向化合物(A)溶液加入作为聚异氰酸酯(B)的日本聚氨酯公司制造：CORONATEL1质量份，作为光聚合引发剂的CHIBAGAIGII公司制造：IRGACURE1840.5质量份，作为溶剂的醋酸乙酯150质量份，进行混合，调制放射线固化性的粘合剂组合物。
接着，将调制的粘合剂层组合物涂布于基材膜使干燥膜厚成为20μm，以110℃干燥3分钟，而制作出粘合膜。另外，作为粘合膜，制作了基材膜为不同的4种类的粘合膜13A～13D。
粘合膜13A，为作为基材膜使用厚度100μm的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物基材膜的粘合膜。此外，粘合膜13B，为作为基材膜使用厚度110μm的高密度聚乙烯膜的粘合膜。此外，粘合膜13C，为作为基材膜使用厚度100μm的高密度聚乙烯膜的粘合膜。此外，粘合膜13D，为作为基材膜使用由厚度100μm的高密度聚乙烯层与无规共聚物的聚丙烯、苯乙烯-丁二烯共聚物层的2层结构构成的基材膜的粘合膜。
(关于实施例1～8的晶片加工用胶带的形成)
使冷藏保管的形成有上述膜厚5μm的胶粘剂层的厚度38μm的脱模型膜回到常温，以从胶粘剂层的表面到达脱模型膜的方式形成第1切痕部，进行直径220mm的圆形预切加工(一次预切加工)。其后，除去胶粘剂层的不要部分，与粘合膜在室温层叠。接着，对贴合后的胶粘剂层的外侧的粘合膜，以到达脱模型膜的方式形成第2切痕部，尝试与胶粘剂层为同心圆状地(配合于晶片环形骨架形状的形状)直径290mm的圆形预切加工(二次预切加工)。如此试着制造了实施例1～8的晶片加工用胶带。
另外，在尝试进行二次预切加工时，在脱模型膜与粘合膜被层叠的层叠部，使用光学传感器，根据对应于第1切痕部的位置的层叠部(图1(c)的层叠部27b)的600～700nm波长的透过率A与对应于没有第1切痕部的位置的层叠部(图1(c)的层叠部27a)的600～700nm波长的透过率B的透过率差C识别第1切痕部，根据识别的第1切痕部将粘合膜进行与胶粘剂层为同心圆状地直径290mm的圆形预切加工。作为光学传感器，只要是对于在290～850nm的波长区域的光线可以检测的装置即可，没有特别限定。
(比较例1～3的晶片加工用胶带的形成)
比较例1～3的晶片加工用胶带，是以与上述的实施例1～8的晶片加工用胶带的形成相同的方式进行制作。此外，进行二次预切加工时的识别方法，也与上述实施例1～8的晶片加工用胶带的进行二次预切加工时的识别方法相同。
针对制作的关于实施例1～8以及比较例1～3的晶片加工用胶带，进行了传感器识别性的评价。针对实施例1～8的晶片加工用胶带的传感器识别性的评价结果显示于表1，针对比较例1～3的晶片加工用胶带的传感器识别性的评价结果显示于表2。
[表1]
[表2]
实施例1～5的晶片加工用胶带，是作为粘合膜使用上述的粘合膜13A，使被形成于一次预切加工时的脱模型膜的第1切痕部的深度，通过变更预切刃的按压压力(余隙，clearance)而调整了透过率的晶片加工用胶带。
实施例6及7的晶片加工用胶带，是在实施例6作为粘合膜使用上述的粘合膜13C，在实施例7作为粘合膜使用上述的粘合膜13D，而调整了透过率的晶片加工用胶带。
实施例8的晶片加工用胶带，是作为粘合膜使用上述的粘合膜13B，进而，使被形成于一次预切加工时的脱模型膜的第1切痕部的深度，通过变更预切刃的按压压力(余隙，clearance)进行浅加工而调整了透过率的晶片加工用胶带。
比较例1的晶片加工用胶带，是作为粘合膜使用上述的粘合膜13D，进而，使被形成于一次预切加工时的脱模型膜的第1切痕部的深度，通过变更预切刃的按压压力(余隙，clearance)进行浅加工而调整了透过率的晶片加工用胶带。
比较例2的晶片加工用胶带，是作为粘合膜使用上述的粘合膜13A，使被形成于一次预切加工时的脱模型膜的第1切痕部的深度，通过变更预切刃的按压压力(余隙，clearance)而调整了透过率的晶片加工用胶带。
比较例3的晶片加工用胶带，是作为粘合膜使用上述的粘合膜13B，进而，使被形成于一次预切加工时的脱模型膜的第1切痕部的深度，通过变更预切刃的按压压力(余隙，clearance)进行深加工而调整了透过率的晶片加工用胶带。
<透过率的测定>
使用岛津制作所制造的分光光度计UV3101PC，在脱模型膜与粘合膜被层叠的层叠部，针对实施例1～8以及比较例1～3的晶片加工用胶带，测定了有第1切痕部的层叠部的透过率A(％)与无第1切痕部2的层叠部的透过率B(％)。另外，测定的透过率为波长600～700nm的透过率。
<相对于脱模型膜的总厚度的第1切痕部的深度的比例D(％)的测定>
将通过一次预切而被赋予至脱模型膜的第1切痕部切出适当的尺寸，将此以环氧系树脂等树脂掩埋固定，研磨凝固后的被埋入该树脂的状态的供试片，使用光学显微镜等测定观察第1切痕部的深度。其后，由测定的第1切痕部的深度与脱模型膜的总厚度算出比例D。
<传感器识别性的评价>
在制作实施例1～8及比较例1～3的晶片加工用胶带时使用光学传感器，将上述那样的识别作业(实施例1～8的晶片加工用胶带的情况下，识别第1切痕部，比较例1～3的晶片加工用胶带的情况下，识别脱模型膜与胶粘剂层与粘合膜被层叠的层叠部的作业)，在实施例1～8及比较例1～3的晶片加工用胶带中分别进行50次，旋转二次预切刃，研究在规定的位置能够形成第2切痕部的次数的比例，进行传感器识别性的评价。此处，在表1中，识别次数表示二次预切刃旋转，在规定位置可以形成第2切痕部的次数，成功率表示识别作业50次中的识别次数的比率(％)。
如表1所示，实施例1～8的晶片加工用胶带，在50次的识别作业中，二次预切加工的第2切痕部可以形成45～50次。即，成功率为90～100％。特别是实施例2～4的晶片加工用胶带成功率为100％。
另一方面，如表2所示，在比较例1的晶片加工用胶带中，50次的识别作业中只有5次形成二次预切加工工序中的第2切痕。即，成功率为10％。在比较例2的晶片加工用胶带中，在晶片加工用胶带的制造途中发生脱模型膜的断裂，而无法制造晶片加工用胶带。因此，无法测定透过率A、透过率C以及传感器识别性的评价。在比较例3的晶片加工用胶带中，50次的识别作业中只有5次形成二次预切加工工序的第2切痕。即，成功率为10％。
由以上结果，可知即使在胶粘剂层的厚度为5μm的情况下，在脱模型膜与粘合膜被层叠的层叠部，以对应于第1切痕部的位置的层叠部(图1(c)的层叠部27b)的600～700nm波长的透过率A与对应于没有第1切痕部的位置的层叠部(图1(c)的层叠部27a)的600～700nm波长的透过率B的透过率差C成为0.1％以上的方式形成的实施例1～8的晶片加工用胶带10，在标签识别性及预切加工性上皆为良好。特别是，可知以透过率差C成为0.6～1.3％的方式形成的关于实施例2～4的晶片加工用胶带10，标签识别性及预切加工性都良好。
符号说明
10、10a、10b：晶片加工用胶带
11：脱模型膜
12：胶粘剂层
13：粘合膜
20：切割芯片粘接膜(dicingdiebondingfilm)
22：标签形状粘接部
23a：标签部
23b：周边部
25：第1层叠体
26：第1切痕部
27：第2层叠体
28：第2切痕部
29：第3切痕部

Claims (7)

1.一种晶片加工用胶带，其具备：
长条状的脱模型膜、
设于所述脱模型膜上的具有规定的平面形状的1个以上的胶粘剂层、
分别覆盖所述胶粘剂层，且在所述胶粘剂层的周围以与所述脱模型膜接触的方式设置的1个以上的粘合膜；
所述脱模型膜，在该脱模型膜的层叠有所述胶粘剂层的面，形成有沿着该胶粘剂层的外周形成的环状的切痕部，
在所述脱模型膜与所述粘合膜被层叠的层叠部，对应于有所述切痕部的位置的所述层叠部的600～700nm波长的透过率A与对应于没有所述切痕部的位置的所述层叠部的600～700nm波长的透过率B的透过率差C＝A－B，为0.1％以上，
所述胶粘剂层的合计厚度为5μm以下，
所述透过率A为75～95％。
2.根据权利要求1所述的晶片加工用胶带，其中，
所述透过率差C为0.6～1.3％。
3.根据权利要求1或2所述的晶片加工用胶带，其中，
具备在所述脱模型膜上以包围所述粘合膜的外侧的方式设置的、由所述粘合膜构成的周边部。
4.一种晶片加工用胶带的制造方法，所述方法具备：
(a)在长条状的脱模型膜上设置具有规定的平面形状的多个胶粘剂层，在所述脱模型膜与所述胶粘剂层以此顺序被层叠的粘接膜上，以覆盖所述胶粘剂层、且在所述胶粘剂层的周围与所述脱模型膜接触的方式，层叠粘合膜的工序，
(b)在通过所述工序(a)形成的由所述粘接膜和所述粘合膜构成的层叠体中，在由所述脱模型膜和所述粘合膜构成的层叠部，形成从所述粘合膜的表面到达到所述脱模型膜为止的、分别包围所述胶粘剂层的环状的多个第2切痕部的工序；
在所述工序(a)之前，具备：
(c)在所述脱模型膜上设置具有规定的平面形状的多个所述胶粘剂层时，在所述脱模型膜上形成沿着该胶粘剂层的外周形成的环状的第1切痕部的工序；
所述工序(b)中，在所述脱模型膜和所述粘合膜被层叠的所述层叠部，根据对应于有所述切痕部的位置的所述层叠部的600～700nm波长的透过率A与相对于所述脱模型膜对应于没有所述切痕部的位置的所述层叠部的600～700nm波长的透过率B的透过率差C＝A-B，识别所述第1切痕部，根据识别的所述第1切痕部形成包围所述胶粘剂层的环状的第2切痕部。
5.根据权利要求4所述的晶片加工用胶带的制造方法，其中，
所述工序(c)中，是以所述透过率差C成为0.1％以上的方式形成所述第1切痕部。
6.根据权利要求4所述的晶片加工用胶带的制造方法，其中，
所述工序(c)中，是以所述透过率差C成为0.6～1.3％的方式形成所述第1切痕部。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的晶片加工用胶带的制造方法，其中，替代所述工序(b)，而具备(d)在通过所述工序(a)形成的由所述粘接膜和所述粘合膜构成的所述层叠体中，在由所述脱模型膜和所述粘合膜构成的所述层叠部，形成从所述粘合膜的表面到达到所述脱模型膜为止的、分别包围所述胶粘剂层的环状的多个所述第2切痕部，同时在所述第2切痕部的外侧形成第3切痕部的工序。
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