KR102429210B1 - 반도체 장치의 제조 방법 및 필름형 접착제 - Google Patents
반도체 장치의 제조 방법 및 필름형 접착제 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102429210B1 KR102429210B1 KR1020207018666A KR20207018666A KR102429210B1 KR 102429210 B1 KR102429210 B1 KR 102429210B1 KR 1020207018666 A KR1020207018666 A KR 1020207018666A KR 20207018666 A KR20207018666 A KR 20207018666A KR 102429210 B1 KR102429210 B1 KR 102429210B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor element
- film adhesive
- film
- adhesive
- semiconductor device
- Prior art date
Links
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims abstract description 166
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims abstract description 165
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 156
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 36
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 36
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 8
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 140
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 16
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 12
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 10
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 9
- -1 Nmethylpyrrolidone Chemical compound 0.000 description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 9
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 8
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 8
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 8
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 8
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 7
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 4
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 4
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000005026 oriented polypropylene Substances 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 239000013500 performance material Substances 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 229920003067 (meth)acrylic acid ester copolymer Polymers 0.000 description 1
- HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-Bis(4-hydroxyphenyl)ethane Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)C1=CC=C(O)C=C1 HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 2-methylpent-2-ene Chemical compound CCC=C(C)C JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- NIYNIOYNNFXGFN-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol;7-oxabicyclo[4.1.0]heptane-4-carboxylic acid Chemical compound OCC1CCC(CO)CC1.C1C(C(=O)O)CCC2OC21.C1C(C(=O)O)CCC2OC21 NIYNIOYNNFXGFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1CO1 RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
- C09J11/02—Non-macromolecular additives
- C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/46—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
- C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Dicing (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
본 발명은, 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 제1 다이 본드 공정과, 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자의 한쪽 면에, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 첩부(貼付)하는 라미네이트 공정과, 필름형 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 필름형 접착제가 제1 반도체 소자를 덮도록 배치하고, 필름형 접착제를 압착함으로써, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자를 필름형 접착제에 매립하는 제2 다이 본드 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 반도체 장치의 제조 방법 및 필름형 접착제에 관한 것이다.
반도체 장치에 있어서의 기판의 배선, 반도체 칩에 부설된 와이어 등에 의한 요철을 충전 가능한, 와이어 매립형의 반도체 장치를 얻을 수 있는 접착 시트가 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 및 2). 상기 접착 시트는, 요철 충전 시에 있어서 높은 유동성을 발현하기 위해서, 열경화성 성분을 주성분으로서 함유하고 있다.
최근, 이러한 와이어 매립형의 반도체 장치의 동작의 고속화가 중요시되고 있다. 종래에는 적층된 반도체 소자의 최상단에, 반도체 장치의 동작을 제어하는 컨트롤러 칩이 배치되어 있었으나, 동작의 고속화를 실현하기 위해서, 최하단에 컨트롤러 칩을 배치한 반도체 장치의 패키지 기술이 개발되어 있다. 이러한 패키지의 하나의 형태로서, 다단으로 적층한 반도체 소자 중, 2단째의 반도체 소자를 압착할 때에 사용하는 필름형 접착제를 두껍게 하여, 상기 필름형 접착제 내부에 컨트롤러 칩을 매립하는 패키지가 주목을 모으고 있다. 이러한 용도에 사용되는 필름형 접착제에는, 컨트롤러 칩, 컨트롤러 칩에 접속되어 있는 와이어, 기판 표면의 요철 기인의 단차 등을 매립할 수 있는 높은 유동성이 필요해진다.
그러나, 특허문헌 1 및 2에 기재된 접착 시트와 같이, 매립성을 확보하기 위해서 단순히 경화 전의 유동성이 높은 것을 특징으로 하는 접착 시트를 이용하면, 압착 시에 접착 시트의 일부가 반도체 소자의 압착면 단부로부터 비어져 나오는 블리드라고 하는 현상이 발생할 우려가 있다. 블리드가 발생하면, 반도체 소자 자신 및 주변 회로를 오염시킨다고 하는 문제가 있다.
그래서, 본 발명은 압착 시의 블리드를 억제하면서, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 얻는 것이 가능한, 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 또한, 상기 제조 방법에 이용되는 필름형 접착제를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 제1 다이 본드 공정과, 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자의 한쪽 면에, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 첩부(貼付)하는 라미네이트 공정과, 필름형 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 필름형 접착제가 제1 반도체 소자를 덮도록 배치하고, 필름형 접착제를 압착함으로써, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자를 필름형 접착제에 매립하는 제2 다이 본드 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 압착 시의 블리드를 억제하면서, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 얻는 것이 가능하다. 보다 구체적으로는, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40% 이상인 필름형 접착제를 이용함으로써, 와이어, 반도체 소자 등의 형상에 추종할 수 있고, 매립성을 확보하는 것이 가능해진다. 또한, 전단 응력 완화율이 85% 이하인 필름형 접착제를 이용함으로써, 압착 시에 필름 형상을 고정시켜 둘 수 있고, 블리드를 억제하는 것이 가능해진다.
본 발명에 있어서, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이란, 필름형 접착제를 실온으로부터 100℃까지 승온한 후, 10%의 변형을 부여하여 0.1초 경과 후에 측정되는 전단 응력을, 초기 응력으로 규격화하여 얻어지는 것이다. 승온 속도는, 사용하는 측정 장치의 스펙에도 의존하지만, 10℃∼60℃/분의 범위에서 적절히 설정할 수 있다. 전단 응력 완화율의 측정에는 동적 점탄성 측정 장치를 이용할 수 있다. 한편, 전단 응력 완화율이 X%란, 초기 응력(변형을 부여한 직후의 응력)을 100%로 했을 때, X%의 응력이 경과 시간과 함께 완화되는 것을 의미한다. 이 때문에, 100-전단 응력 완화율(%)=전단 응력 잔존율(%)이다.
본 발명에 있어서, 필름형 접착제의, 120℃에 있어서의 전단 점도가 5000 ㎩·s 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 양호한 매립성을 얻기 쉬워진다.
본 발명에 있어서, 필름형 접착제가, 아크릴 수지 및 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 열가소성 성분과 열경화 성분을 병용함으로써, 양호한 매립성과 열경화성을 얻기 쉬워진다.
본 발명에 있어서, 필름형 접착제가, 무기 필러 및 유기 필러 중 적어도 한쪽을 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 필름형 접착제의 취급성 등이 향상된다.
본 발명은 또한, 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자가 전기적으로 접속되고, 제1 반도체 소자 상에, 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자가 압착되어 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 제2 반도체 소자를 압착하고, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자를 매립하기 위해서 이용되는, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 제공한다. 본 발명의 필름형 접착제를 이용함으로써, 압착 시의 블리드를 억제하면서, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 얻는 것이 가능하다.
본 발명의 필름형 접착제에 있어서, 120℃에 있어서의 전단 점도가 5000 ㎩·s 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 필름형 접착제는, 아크릴 수지 및 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 필름형 접착제는, 무기 필러 및 유기 필러 중 적어도 한쪽을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 압착 시의 블리드를 억제하면서, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 얻는 것이 가능한, 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 상기 제조 방법에 이용되는 필름형 접착제를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 필름형 접착제를 도시한 도면이다.
도 2는 접착 시트를 도시한 도면이다.
도 3은 다른 접착 시트를 도시한 도면이다.
도 4는 다른 접착 시트를 도시한 도면이다.
도 5는 다른 접착 시트를 도시한 도면이다.
도 6은 반도체 장치를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 8은 도 7의 후속의 공정을 도시한 도면이다.
도 9는 도 8의 후속의 공정을 도시한 도면이다.
도 10은 도 9의 후속의 공정을 도시한 도면이다.
도 11은 도 10의 후속의 공정을 도시한 도면이다.
도 2는 접착 시트를 도시한 도면이다.
도 3은 다른 접착 시트를 도시한 도면이다.
도 4는 다른 접착 시트를 도시한 도면이다.
도 5는 다른 접착 시트를 도시한 도면이다.
도 6은 반도체 장치를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 8은 도 7의 후속의 공정을 도시한 도면이다.
도 9는 도 8의 후속의 공정을 도시한 도면이다.
도 10은 도 9의 후속의 공정을 도시한 도면이다.
도 11은 도 10의 후속의 공정을 도시한 도면이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해 상세히 설명한다. 이하의 설명에서는, 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 상하 좌우 등의 위치 관계는, 특별히 언급하지 않는 한, 도면에 나타내는 위치 관계에 기초하는 것으로 한다. 또한, 도면의 치수 비율은 도시된 비율에 한정되는 것이 아니다. 한편, 본 명세서에 있어서의 「(메트)아크릴」이란, 「아크릴」 및 그것에 대응하는 「메타크릴」을 의미한다.
(필름형 접착제)
도 1은 본 실시형태에 따른 필름형 접착제(10)를 모식적으로 도시한 단면도이다. 필름형 접착제(10)는, 열경화성이고, 반경화(B 스테이지) 상태를 거쳐, 경화 처리 후에 완전 경화물(C 스테이지) 상태가 될 수 있는 접착제 조성물을 필름형으로 성형하여 이루어지는 것이다.
필름형 접착제(10)는, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%이다. 블리드를 억제하면서, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 보다 얻기 쉬워진다고 하는 관점에서, 전단 응력 완화율은 50%∼80%인 것이 바람직하고, 60%∼70%인 것이 보다 바람직하다. 한편, 전단 응력 완화율은, 후술하는 바와 같이 (a)∼(f) 성분의 종류 및 양을 조정함으로써, 조정하는 것이 가능하다.
필름형 접착제(10)는, 120℃에 있어서의 전단 점도가 5000 ㎩·s 이하인 것이 바람직하다. 양호한 매립성을 보다 얻기 쉬워진다고 하는 관점에서, 전단 점도는 3000 ㎩·s 이하인 것이 보다 바람직하다. 전단 점도의 하한은 특별히 한정되지 않으나, 과도한 유동성을 억제한다고 하는 관점에서 200 ㎩·s로 할 수 있다. 전단 점도는, 예컨대 동적 점탄성 측정 장치를 이용하여 측정할 수 있다.
필름형 접착제(10)의 함유 성분은 특별히 한정되지 않으나, 예컨대, (a) 열경화성 성분, (b) 열가소성 성분, (c) 무기 필러, (d) 유기 필러, (e) 경화 촉진제, (f) 그 외의 성분 등을 포함할 수 있다. 이들 (a)∼(f) 성분의 종류 및 양을 조정함으로써, 필름형 접착제(10)의 특성을 조정할 수 있다.
(a) 열경화성 성분
열경화성 성분으로서는 열경화성 수지를 들 수 있다. 특히, 반도체 소자를 실장하는 경우에 요구되는 내열성 및 내습성의 관점에서, 열경화성 성분으로서 에폭시 수지, 페놀 수지 등이 바람직하다.
예컨대 에폭시 수지로서는, 방향환 함유 에폭시 수지, 복소환 함유 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 등의, 일반적으로 알려져 있는 에폭시 수지를 이용할 수 있다. 또한, 에폭시 수지는 다작용 에폭시 수지여도 좋다. 에폭시 수지로서는, 구체적으로는, 예컨대, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 E형 에폭시 수지, 이들의 비스페놀형 에폭시 수지를 변성시킨 2작용 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 플루오렌 변성 에폭시 수지, 트리페닐메탄형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 나프탈렌 변성 에폭시 수지 등을 이용할 수 있다.
에폭시 수지로서는, 예컨대, 다이셀 가부시키가이샤 제조의 Celloxide 시리즈, 신닛카 에폭시 세이조 가부시키가이샤 제조의 YDF 시리즈 및 YDCN 시리즈, DIC 가부시키가이샤 제조의 HP-7000L, 가부시키가이샤 프린테크 제조의 VG-3101L 등을 들 수 있다.
또한, 페놀 수지로서는, 예컨대, 노볼락형 페놀 수지, 자일록형 페놀 수지, 비페닐형 페놀 수지, 트리페닐메탄형 페놀 수지, 페놀환 상의 수소를 아릴기로 치환한 변성 페놀 수지 등을 들 수 있다. 한편, 페놀 수지로서는, 내열성의 관점에서, 85℃, 85% RH의 항온 항습조에 48시간 투입 후의 흡수율이 2 질량% 이하이고, 열중량 분석계(TGA)로 측정한 350℃에서의 가열 질량 감소율(승온 속도: 5℃/min, 분위기: 질소)이 5 질량% 미만인 것이 바람직하다.
페놀 수지로서는, 예컨대, 에어·워터 가부시키가이샤 제조의 HE 시리즈, 군에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조의 레지톱 시리즈 등을 들 수 있다.
(a) 열경화성 성분으로서 에폭시 수지 및 페놀 수지를 병용하는 경우, 에폭시 수지 및 페놀 수지의 배합비는, 각각 에폭시 당량과 수산기 당량의 당량비로 0.70/0.30∼0.30/0.70이 되는 것이 바람직하고, 0.65/0.35∼0.35/0.65가 되는 것이 보다 바람직하며, 0.60/0.40∼0.40/0.60이 되는 것이 더욱 바람직하고, 0.60/0.40∼0.50/0.50이 되는 것이 특히 바람직하다. 배합비가 상기 범위 내임으로써, 우수한 경화성, 유동성 등을 갖는 필름형 접착제(10)가 얻기 쉬워진다.
한편, 경화 후에 있어서의 반도체 장치의 휘어짐을 억제한다고 하는 관점에서, 경화 속도가 상이한 열경화성 수지를 조합하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기에 예시한 에폭시 수지 및 페놀 수지 중, 예컨대 (a1) 연화점이 60℃ 이하 또는 상온에서 액체인 것(경화하여 접착 작용을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않는다)과, (a2) 연화점이 60℃ 초과(상온에서 고체)인 것을 조합하여 이용하는 것이 바람직하다. 한편, 여기서 말하는 상온이란 5∼35℃를 의미한다.
(a1) 성분의 함유량은, (a) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 10∼50 질량%인 것이 바람직하고, 20∼40 질량%인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 매립성과, 다이싱, 픽업 등의 프로세스 적성을 양립시키기 쉬워진다.
(a2) 성분의 함유량은, (a) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 10 질량% 이상인 것이 바람직하고, 15 질량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 제막성(製膜性), 유동성, 응력 완화성 등을 조정하기 쉬워진다. 한편, (a2) 성분의 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않으나, (a) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 90 질량%로 할 수 있다.
한편, (a) 성분으로서 지환식 에폭시 수지를 이용함으로써, 전단 응력 완화율을 원하는 범위로 조정하기 쉬워진다. 지환식 에폭시 수지를 이용하는 경우, 그 함유량의 기준은, (a) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 30∼100 질량%로 할 수 있다(즉, (a) 성분의 전량이 지환식 에폭시 수지여도 좋다).
(a) 성분의 중량 평균 분자량은, 200∼5000인 것이 바람직하다. 이에 의해, 전단 응력 완화율을 원하는 범위로 조정하기 쉬워진다.
(b) 열가소성 성분
(b) 열가소성 성분으로서는, 가교성 작용기를 갖는 모노머 비율이 높고 분자량이 낮은 열가소성 성분과, 가교성 작용기를 갖는 모노머 비율이 낮고 분자량이 높은 열가소성 성분의 병용이 바람직하다. 특히 후자의 열가소성 성분이 일정량 이상 포함되는 것이 바람직하다.
(b) 성분으로서는, 열가소성 수지인 아크릴 수지(아크릴계 수지)가 바람직하고, 또한, 유리 전이 온도 Tg가 -50℃∼50℃이며, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트 등의 에폭시기 또는 글리시딜기를 가교성 작용기로서 갖는 작용성 모노머를 중합하여 얻어지는, 에폭시기 함유 (메트)아크릴 공중합체 등의 아크릴 수지가 보다 바람직하다.
이러한 아크릴 수지로서, 에폭시기 함유 (메트)아크릴산에스테르 공중합체, 에폭시기 함유 아크릴 고무 등을 사용할 수 있고, 에폭시기 함유 아크릴 고무가 보다 바람직하다. 에폭시기 함유 아크릴 고무는, 아크릴산에스테르를 주성분으로 하고, 주로, 부틸아크릴레이트와 아크릴로니트릴 등의 공중합체, 에틸아크릴레이트와 아크릴로니트릴 등의 공중합체 등을 포함하는, 에폭시기를 갖고 있는 아크릴 고무이다.
한편, (b) 성분의 가교성 작용기로서는, 에폭시기 외에, 알코올성 또는 페놀성 수산기, 카르복실기 등의 가교성 작용기를 들 수 있다.
(b) 성분에 있어서, 높은 접착력이 발현되기 쉽고, 또한 150℃/1시간 가열 후의 인장 탄성률을 낮게 하기 쉬운 관점에서, 가교성 작용기를 갖는 모노머 단위는 모노머 단위 전량에 대해 5∼15 몰%인 것이 바람직하고, 5∼10 몰%가 보다 바람직하다.
(b) 성분의 중량 평균 분자량은, 20만∼100만인 것이 바람직하고, 50만∼100만인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 전단 응력 완화율을 원하는 범위로 조정하기 쉬워진다. 또한, 특히 (b) 성분의 중량 평균 분자량이 50만 이상이면 성막성을 향상시키는 효과가 한층 양호해진다. (b) 성분의 중량 평균 분자량이 100만 이하이면, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 전단 점도를 저감하기 쉬워지기 때문에, 매립성이 보다 양호해진다. 또한, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 절삭성이 개선되어, 다이싱의 품질이 보다 양호해지는 경우가 있다.
중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피법(GPC)에 의해, 표준 폴리스티렌에 의한 검량선을 이용하여 얻어지는 폴리스티렌 환산값이다.
(b) 성분 전체의 유리 전이 온도 Tg는 -20℃∼40℃인 것이 바람직하고, -10℃∼30℃인 것이 바람직하다. 이에 의해, 다이싱 시에 필름형 접착제(10)가 절단되기 쉬워지기 때문에 수지 부스러기가 발생하기 어렵고, 필름형 접착제(10)의 접착력과 내열성을 높게 하기 쉬우며, 또한 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 높은 유동성을 발현하기 쉬워진다.
유리 전이 온도 Tg는, 열시차 주사 열량계(예컨대, 가부시키가이샤 리가쿠 제조 「Thermo Plus 2」)를 이용하여 측정할 수 있다.
(b) 성분의 함유량은, (a) 성분을 100 질량부로 했을 때, 20∼160 질량부인 것이 바람직하고, 50∼120 질량부인 것이 보다 바람직하다. (b) 성분의 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 필름형 접착제(10)의 가요성의 저하를 억제하기 쉬워지고, 경화 후에는 저탄성화되어 반도체 장치(패키지)의 휘어짐을 억제하기 쉬워진다. 한편, (b) 성분의 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 유동성이 상승하여, 매립성을 보다 양호하게 할 수 있다. 한편, (b) 성분의 함유량이 상기 범위 내임으로써, 전단 응력 완화율을 원하는 범위로 조정하기 쉬워진다.
(c) 무기 필러
(c) 성분으로서는, B 스테이지 상태에 있어서의 필름형 접착제(10)의 다이싱성의 향상, 필름형 접착제(10)의 취급성의 향상, 열전도성의 향상, 전단 점도(용융 점도)의 조정, 틱소트로픽성의 부여, 접착력의 향상 등의 관점에서, 실리카 필러 등이 바람직하다.
(c) 성분은, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 다이싱성을 향상시키고, 경화 후의 접착력을 충분히 발현시킬 목적으로, 평균 입경이 상이한 2종류 이상의 필러를 포함하는 것이 바람직하다. (c) 성분은, 예컨대 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 다이싱성 향상을 목적으로 한 (c1) 평균 입경이 0.2 ㎛ 이상인 제1 필러와, 경화 후의 접착력을 충분히 발현시키는 것을 목적으로 한 (c2) 평균 입경이 0.2 ㎛ 미만인 제2 필러를 포함하는 것이 바람직하다.
평균 입경은, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치를 이용하여, 아세톤을 용매로 하여 분석한 경우에 얻어지는 값으로 한다. 제1 및 제2 필러의 평균 입경은, 입도 분포 측정 장치로 분석한 경우에, 각각의 필러가 포함되어 있는 것을 판별할 수 있을 정도로, 그 차가 큰 것이 보다 바람직하다.
(c1) 성분의 함유량은, (c) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 30 질량% 이상인 것이 바람직하다. (c1) 성분의 함유량이 30 질량% 이상임으로써, 필름의 파단성의 악화, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 유동성의 악화를 억제하기 쉬워진다. 한편, (c1) 성분의 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않으나, (c) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 95 질량%로 할 수 있다.
(c2) 성분의 함유량은, (c) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 5 질량% 이상인 것이 바람직하다. (c2) 성분의 함유량이 5 질량% 이상임으로써, 경화 후의 접착력을 향상시키기 쉽다. 한편, (c2) 성분의 함유량의 상한은, 적당한 유동성을 확보하는 관점에서, (c) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 30 질량%로 할 수 있다.
(c) 성분의 함유량은, (a) 성분을 100 질량부로 했을 때, 10∼90 질량부인 것이 바람직하고, 40∼70 질량부인 것이 보다 바람직하다. (c) 성분의 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 다이싱성의 악화, 경화 후의 접착력의 저하를 억제하기 쉽다고 하는 경향이 있다. 한편, (c) 성분의 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 유동성의 저하, 경화 후의 탄성률의 상승을 억제하기 쉽다고 하는 경향이 있다. 한편, (c) 성분의 함유량이 상기 범위 내임으로써, 전단 응력 완화율을 원하는 범위로 조정하기 쉬워진다.
(d) 유기 필러
(d) 성분으로서는, 필름형 접착제(10)의 다이싱성의 향상, 필름형 접착제(10)의 취급성의 향상, 전단 점도(용융 점도)의 조정, 접착력의 향상, 경화 후의 응력 완화성 등의 관점에서, 스티렌-PMMA 변성 고무 필러, 실리콘 변성 고무 필러 등이 바람직하다. (d) 성분의 평균 입경은, 경화 후의 접착력을 충분히 발현하기 쉽게 하는 관점에서 0.2 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.
(d) 성분의 함유량은, (c) 성분을 100 질량부로 했을 때, 0∼50 질량부인 것이 바람직하고, 0∼30 질량부인 것이 보다 바람직하다. 필요에 따라 (d) 성분을 소정량 함유시킴으로써, 매립성을 향상시키면서 응력 완화율을 억제하기 쉽다고 하는 경향이 있다.
(e) 경화 촉진제
양호한 경화성을 얻을 목적으로, (e) 경화 촉진제를 이용하는 것이 바람직하다. (e) 성분으로서는, 반응성의 관점에서 이미다졸계의 화합물이 바람직하다. 한편, (e) 성분의 반응성이 지나치게 높으면, 필름형 접착제(10)의 제조 공정 중의 가열에 의해 전단 점도가 상승하기 쉬워질 뿐만이 아니라, 경시에 의한 열화를 야기하기 쉬운 경향이 있다. 한편, (e) 성분의 반응성이 지나치게 낮으면, 필름형 접착제(10)의 경화성이 저하되기 쉬운 경향이 있다. 필름형 접착제(10)가 충분히 경화되지 않은 채로 제품 내에 탑재되면, 충분한 접착성이 얻어지지 않아, 반도체 장치의 접속 신뢰성을 악화시킬 가능성이 있다.
(e) 성분을 함유시킴으로써, 필름형 접착제(10)의 경화성이 보다 향상된다. 한편, (e) 성분의 함유량이 지나치게 많은 경우에는, 필름형 접착제(10)의 제조 공정 중의 가열에 의해 전단 점도가 상승하기 쉬워질 뿐만이 아니라, 경시에 의한 열화를 야기하기 쉬운 경향이 있다. 이러한 관점에서, (e) 성분의 함유량은, (a) 성분을 100 질량부로 했을 때, 0∼0.20 질량부인 것이 바람직하다.
(f) 그 외의 성분
상기 성분 이외에, 접착성 향상의 관점에서, 본 기술 분야에 있어서 사용될 수 있는 그 외의 성분을 또한 적량 이용해도 좋다. 그러한 성분으로서는, 예컨대 커플링제를 들 수 있다. 커플링제로서는, γ-우레이드프로필트리에톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-페닐아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.
(필름형 접착제)
필름형 접착제(10)는, 예컨대 상기 성분을 포함하는 접착제 조성물의 바니시를 기재 필름 상에 도포함으로써 바니시의 층을 형성하는 공정, 가열 건조에 의해 바니시의 층으로부터 용매를 제거하는 공정, 기재 필름을 제거하는 공정에 의해 얻을 수 있다.
바니시는, 상기 성분을 포함하는 접착제 조성물을 유기 용매 중에서 혼합, 혼련 등 하여 조제할 수 있다. 혼합 및 혼련은, 통상의 교반기, 뇌궤기, 3본 롤, 볼 밀 등의 분산기를 이용할 수 있다. 이들 기기는 적절히 조합하여 이용할 수 있다. 바니시의 도포는, 예컨대 콤마 코터, 다이 코터 등에 의해 행할 수 있다. 바니시의 가열 건조 조건은, 사용한 유기 용매가 충분히 휘산되는 조건이면 특별히 제한은 없고, 예컨대 60℃∼200℃에서 0.1∼90분간으로 할 수 있다.
유기 용매로서는, 상기 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산할 수 있는 것이면 제한은 없고, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 이러한 용매로서는, 예컨대, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N메틸피롤리돈, 톨루엔, 크실렌 등을 들 수 있다. 건조 속도가 빠르고, 가격이 싼 점에서 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 기재 필름으로서는, 특별히 제한은 없고, 예컨대, 폴리에스테르 필름(폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등), 폴리프로필렌 필름(OPP(Oriented PolyPropylene) 필름 등), 폴리이미드 필름, 폴리에테르이미드 필름, 폴리에테르나프탈레이트 필름, 메틸펜텐 필름 등을 들 수 있다.
필름형 접착제(10)의 두께는, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자, 및 기판의 배선 회로 등의 요철을 충분히 매립할 수 있도록, 20∼200 ㎛인 것이 바람직하다. 또한, 두께가 20 ㎛ 이상임으로써 충분한 접착력을 얻기 쉬워지고, 200 ㎛ 이하임으로써 반도체 장치의 소형화의 요구에 응하기 쉬워진다. 이러한 관점에서, 필름형 접착제(10)의 두께는 30∼200 ㎛인 것이 보다 바람직하고, 40∼150 ㎛인 것이 더욱 바람직하다.
두꺼운 필름형 접착제(10)를 얻는 방법으로서는, 필름형 접착제(10)끼리를 접합시키는 방법을 들 수 있다.
(접착 시트)
접착 시트(100)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 기재 필름(20) 상에 필름형 접착제(10)를 구비하는 것이다. 접착 시트(100)는, 필름형 접착제(10)를 얻는 공정에 있어서, 기재 필름(20)을 제거하지 않음으로써 얻을 수 있다.
접착 시트(110)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 접착 시트(100)의 기재 필름(20)과는 반대측의 면에 또한 커버 필름(30)을 구비하는 것이다. 커버 필름(30)으로서는, 예컨대, PET 필름, PE 필름, OPP 필름 등을 들 수 있다.
필름형 접착제(10)는, 다이싱 테이프 상에 적층되어도 좋다. 이에 의해 얻어지는 다이싱·다이 본딩 일체형 접착 시트를 이용함으로써, 반도체 웨이퍼에의 라미네이트 공정을 한번에 행할 수 있고, 작업의 효율화가 가능하다.
다이싱 테이프로서는, 예컨대, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 다이싱 테이프에는, 필요에 따라, 프라이머 처리, UV 처리, 코로나 방전 처리, 연마 처리, 에칭 처리 등의 표면 처리가 행해져 있어도 좋다.
다이싱 테이프는 점착성을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 다이싱 테이프로서는, 상기 플라스틱 필름에 점착성을 부여한 것, 상기 플라스틱 필름의 한쪽 면에 점착제층을 형성한 것을 들 수 있다.
이러한 다이싱·다이 본딩 일체형 접착 시트로서는, 도 4에 도시된 접착 시트(120) 및 도 5에 도시된 접착 시트(130)를 들 수 있다. 접착 시트(120)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 인장 텐션을 가했을 때의 신장을 확보할 수 있는 기재 필름(40) 상에 점착제층(50)이 형성된 다이싱 테이프(60)를 지지 기재로 하고, 다이싱 테이프(60)의 점착제층(50) 상에, 필름형 접착제(10)가 형성된 구조를 갖고 있다. 접착 시트(130)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 접착 시트(120)에 있어서 필름형 접착제(10)의 표면에 또한 기재 필름(20)이 형성된 구조를 갖고 있다.
기재 필름(40)으로서는, 다이싱 테이프에 대해 기재한 상기 플라스틱 필름을 들 수 있다. 또한, 점착제층(50)은, 예컨대, 액상 성분 및 열가소성 성분을 포함하고 적당한 택(tack) 강도를 갖는 수지 조성물을 이용하여 형성할 수 있다. 다이싱 테이프(60)를 얻기 위해서는, 상기 수지 조성물을 기재 필름(40) 상에 도포하고 건조시켜 점착제층(50)을 형성하는 방법, PET 필름 등의 다른 필름 상에 일단 형성한 점착제층(50)을 기재 필름(40)과 접합시키는 방법 등을 들 수 있다.
다이싱 테이프(60) 상에 필름형 접착제(10)를 적층하는 방법으로서는, 상기한 접착제 조성물의 바니시를 다이싱 테이프(60) 상에 직접 도포하여 건조시키는 방법, 바니시를 다이싱 테이프(60) 상에 스크린 인쇄하는 방법, 미리 필름형 접착제(10)를 제작하고, 이것을 다이싱 테이프(60) 상에, 프레스, 핫 롤 라미네이트에 의해 적층하는 방법 등을 들 수 있다. 연속적으로 제조할 수 있고, 효율이 좋은 점에서, 핫 롤 라미네이트에 의한 적층이 바람직하다.
다이싱 테이프(60)의 두께는, 특별히 제한은 없고, 필름형 접착제(10)의 두께, 다이싱·다이 본딩 일체형 접착 시트의 용도 등에 따라 적절히, 당업자의 지식에 기초하여 정할 수 있다. 한편, 다이싱 테이프(60)의 두께가 60 ㎛ 이상임으로써, 취급성의 저하, 익스팬드에 의한 찢어짐 등을 억제하기 쉬운 경향이 있다. 한편, 다이싱 테이프의 두께가 180 ㎛ 이하임으로써, 경제성과 취급성의 좋음을 양립시키기 쉽다.
(반도체 장치)
도 6은 반도체 장치를 도시한 단면도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 반도체 장치(200)는, 제1 반도체 소자(Wa) 상에, 제2 반도체 소자(Waa)가 중첩된 반도체 장치이다. 상세하게는, 기판(14)에, 제1 와이어(88)를 통해 1단째의 제1 반도체 소자(Wa)가 전기적으로 접속되고, 제1 반도체 소자(Wa) 상에, 제1 반도체 소자(Wa)의 면적보다 큰 2단째의 제2 반도체 소자(Waa)가 필름형 접착제(10)를 통해 압착됨으로써, 제1 와이어(88) 및 제1 반도체 소자(Wa)가 필름형 접착제(10)에 매립되어 이루어지는 와이어 매립형의 반도체 장치이다. 또한, 반도체 장치(200)에서는, 기판(14)과 제2 반도체 소자(Waa)가 또한 제2 와이어(98)를 통해 전기적으로 접속되고, 제2 반도체 소자(Waa)가 밀봉재(42)에 의해 밀봉되어 있다.
제1 반도체 소자(Wa)의 두께는, 10∼170 ㎛이고, 제2 반도체 소자(Waa)의 두께는 20∼400 ㎛이다. 필름형 접착제(10) 내부에 매립되어 있는 제1 반도체 소자(Wa)는, 반도체 장치(200)를 구동하기 위한 컨트롤러 칩이다.
기판(14)은, 표면에 회로 패턴(84, 94)이 각각 2개소씩 형성된 유기 기판(90)을 포함한다. 제1 반도체 소자(Wa)는, 회로 패턴(94) 상에 접착제(41)를 통해 압착되어 있고, 제2 반도체 소자(Waa)는, 제1 반도체 소자(Wa)가 압착되어 있지 않은 회로 패턴(94), 제1 반도체 소자(Wa), 및 회로 패턴(84)의 일부를 덮도록 필름형 접착제(10)를 통해 기판(14)에 압착되어 있다. 기판(14) 상의 회로 패턴(84, 94)에 기인하는 요철은, 필름형 접착제(10)에 의해 매립되어 있다. 그리고, 수지제의 밀봉재(42)에 의해, 제2 반도체 소자(Waa), 회로 패턴(84) 및 제2 와이어(98)가 밀봉되어 있다.
(반도체 장치의 제조 방법)
반도체 장치는, 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 제1 다이 본드 공정과, 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자의 한쪽 면에, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 첩부하는 라미네이트 공정과, 필름형 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 필름형 접착제가 제1 반도체 소자를 덮도록 배치하고, 필름형 접착제를 압착함으로써, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자를 필름형 접착제에 매립하는 제2 다이 본드 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법에 의해 제조된다. 이하, 반도체 장치(200)의 제조 순서를 예로서, 구체적으로 설명한다.
먼저, 도 7에 도시된 바와 같이, 기판(14) 상의 회로 패턴(94) 상에, 접착제(41) 부착 제1 반도체 소자(Waa)를 압착하고, 제1 와이어(88)를 통해 기판(14) 상의 회로 패턴(84)과 제1 반도체 소자(Wa)를 전기적으로 접속한다(제1 다이 본드 공정).
다음으로, 반도체 웨이퍼(예컨대 8인치 사이즈)의 한쪽 면에, 접착 시트(100)를 라미네이트하고, 기재 필름(20)을 박리함으로써, 반도체 웨이퍼의 한쪽 면에 필름형 접착제(10)를 부착한다. 그리고, 필름형 접착제(10)에 다이싱 테이프(60)를 접합시킨 후, 소정 사이즈(예컨대 가로 세로 7.5 ㎜)로 다이싱하고, 다이싱 테이프(60)를 박리함으로써, 도 8에 도시된 바와 같이, 필름형 접착제(10)가 첩부된 제2 반도체 소자(Waa)를 얻는다(라미네이트 공정).
라미네이트 공정은, 50℃∼100℃에서 행하는 것이 바람직하고, 60℃∼80℃에서 행하는 것이 보다 바람직하다. 라미네이트 공정의 온도가 50℃ 이상이면, 반도체 웨이퍼와 양호한 밀착성을 얻을 수 있다. 라미네이트 공정의 온도가 100℃ 이하이면, 라미네이트 공정 중에 필름형 접착제(10)가 과도하게 유동하는 것이 억제되기 때문에, 두께의 변화 등을 야기하는 것을 방지할 수 있다.
다이싱 방법으로서는, 회전날을 이용하여 블레이드 다이싱하는 방법, 레이저에 의해 필름형 접착제(10) 또는 웨이퍼와 필름형 접착제(10)의 양방을 절단하는 방법, 또한 상온 또는 냉각 조건하에서의 신장 등 범용의 방법 등을 들 수 있다.
그리고, 필름형 접착제(10)가 첩부된 제2 반도체 소자(Waa)를, 제1 반도체 소자(Wa)가 와이어(88)를 통해 접속된 기판(14)에 압착한다. 구체적으로는, 도 9에 도시된 바와 같이, 필름형 접착제(10)가 첩부된 제2 반도체 소자(Waa)를, 필름형 접착제(10)가 제1 반도체 소자(Wa)를 덮도록 배치하고, 계속해서, 도 10에 도시된 바와 같이, 제2 반도체 소자(Waa)를 기판(14)에 압착시킴으로써 기판(14)에 제2 반도체 소자(Waa)를 고정한다(제2 다이 본드 공정). 제2 다이 본드 공정은, 필름형 접착제(10)를 80℃∼180℃, 0.01∼0.50 ㎫의 조건으로 0.5∼3.0초간 압착하는 것이 바람직하다.
제2 다이 본드 공정에 있어서 발생할 수 있는 공극을 제거하는 것을 목적으로 하여, 제2 다이 본드 공정 후에, 필름형 접착제(10)를 60℃∼175℃, 0.3∼0.7 ㎫의 조건으로, 5분간 이상 가압 및 가열하는 공정을 실시해도 좋다. 이에 의해, 수율을 안정시키면서, 보다 용이하게 반도체 장치를 제조할 수 있다.
계속해서, 도 11에 도시된 바와 같이, 기판(14)과 제2 반도체 소자(Waa)를 제2 와이어(98)를 통해 전기적으로 접속한 후, 회로 패턴(84), 제2 와이어(98) 및 제2 반도체 소자(Waa) 전체를, 밀봉재(42)로 170℃∼180℃, 5∼8 ㎫의 조건으로 밀봉한다(밀봉 공정). 이러한 공정을 거침으로써 반도체 장치(200)를 제조할 수 있다.
상기한 바와 같이, 반도체 장치(200)는, 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자가 전기적으로 접속되고, 제1 반도체 소자 상에, 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자가 압착되어 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 제2 반도체 소자를 압착하고, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자를 매립하기 위해서 이용되는, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 이용하여 제조된다. 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40% 이상인 필름형 접착제를 이용함으로써, 와이어, 반도체 소자 등의 형상에 추종할 수 있고, 매립성을 확보하는 것이 가능해진다. 또한, 전단 응력 완화율이 85% 이하인 필름형 접착제를 이용함으로써, 압착 시에 필름 형상을 고정시켜 둘 수 있고, 블리드를 억제하는 것이 가능해진다.
이상, 본 발명의 적합한 실시형태에 대해 설명하였으나, 본 발명은 반드시 전술한 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 이하와 같이 그 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경을 행해도 좋다.
반도체 장치(200)에 있어서, 기판(14)은, 표면에 회로 패턴(84, 94)이 각각 2개소씩 형성된 유기 기판(90)이었으나, 기판(14)으로서는 이것에 한정되지 않고, 리드 프레임 등의 금속 기판을 이용해도 좋다.
반도체 장치(200)는, 제1 반도체 소자(Wa) 상에 제2 반도체 소자(Waa)가 적층되어 있어, 2단으로 반도체 소자가 적층된 구성을 갖고 있었으나, 반도체 장치의 구성은 이것에 한정되지 않는다. 제2 반도체 소자(Waa) 위에 제3 반도체 소자가 더 적층되어 있어도 상관없고, 제2 반도체 소자(Waa) 위에 복수의 반도체 소자가 더 적층되어 있어도 상관없다. 적층되는 반도체 소자의 수가 증가함에 따라, 얻어지는 반도체 장치의 용량을 늘릴 수 있다.
본 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서는, 라미네이트 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼의 한쪽 면에, 도 2에 도시된 접착 시트(100)를 라미네이트하고, 기재 필름(20)을 박리함으로써, 필름형 접착제(10)를 부착하고 있었으나, 라미네이트 시에 이용하는 접착 시트는 이것에 한정되지 않는다. 접착 시트(100) 대신에, 도 4 및 5에 도시된 다이싱·다이 본딩 일체형 접착 시트(120, 130)를 이용할 수 있다. 이 경우, 반도체 웨이퍼를 다이싱할 때에 다이싱 테이프(60)를 별도로 부착할 필요가 없다.
라미네이트 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼가 아니라, 반도체 웨이퍼를 개편화(個片化)하여 얻어진 반도체 소자를, 접착 시트(100)에 라미네이트해도 상관없다. 이 경우, 다이싱 공정을 생략할 수 있다.
실시예
이하, 실시예를 들어 본 발명에 대해 보다 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것이 아니다.
(실시예 및 비교예)
표 1 및 표 2(단위: 질량부)에 따라, 열경화성 수지인 에폭시 수지 및 페놀 수지, 및 무기 필러를 각각 칭량하여 조성물을 얻고, 또한 시클로헥사논을 첨가하여 교반 혼합하였다. 이것에, 열가소성 수지인 아크릴 고무를 첨가하여 교반한 후, 또한 커플링제 및 경화 촉진제를 첨가하여 각 성분이 균일하게 될 때까지 교반하여, 바니시를 얻었다. 한편, 표 중의 각 성분의 품명은 하기의 것을 의미한다.
(에폭시 수지)
Celloxide 2021P: (상품명, 다이셀 가부시키가이샤 제조, 3',4'-에폭시시클로헥실메틸 3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트: 에폭시 당량 126, 상온에서 액체, 분자량 236)
YDF-8170C: (상품명, 신닛카 에폭시 세이조 가부시키가이샤 제조, 비스페놀 F형 에폭시 수지: 에폭시 당량 159, 상온에서 액체, 중량 평균 분자량 약 310)
YDCN-700-10: (상품명, 신닛카 에폭시 세이조 가부시키가이샤 제조, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지: 에폭시 당량 210, 연화점 75℃∼85℃)
HP-7000L: (상품명, DIC 가부시키가이샤 제조, 디시클로펜타디엔 변성 에폭시 수지: 에폭시 당량 242∼252, 연화점: 50℃∼60℃)
VG-3101L: (상품명, 가부시키가이샤 프린테크 제조, 다작용 에폭시 수지: 에폭시 당량 210, 연화점 39℃∼46℃)
(페놀 수지)
HE-100C-30: (상품명, 에어·워터 가부시키가이샤 제조, 페놀 수지: 수산기 당량 175, 연화점 79℃, 흡수율 1 질량%, 가열 질량 감소율 4 질량%)
레지톱 PSM-4326: (상품명, 군에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조, 페놀 수지: 수산기 당량 105, 연화점 118℃∼122℃, 흡수율 1 질량%)
(무기 필러)
SC2050-HLG: (상품명, 아드마텍스 가부시키가이샤 제조, 실리카 필러 분산액: 평균 입경 0.50 ㎛)
아에로질 R972: (상품명, 닛폰 아에로질 가부시키가이샤 제조, 실리카: 평균 입경 0.016 ㎛).
(아크릴 고무)
HTR-860P-3CSP: (샘플명: 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조, 아크릴 고무: 중량 평균 분자량 80만, 글리시딜 작용기 모노머 비율 3 몰%, Tg 12℃)
HTR-860P-3CSP Mw: 50: (샘플명: 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조, 아크릴 고무: 중량 평균 분자량 50만, 글리시딜 작용기 모노머 비율 3 몰%, Tg 12℃)
HTR-860P-30B-CHN: (샘플명, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조, 아크릴 고무: 중량 평균 분자량 23만, 글리시딜 작용기 모노머 비율 8 질량%, Tg -7℃)
(커플링제)
A-189: (상품명, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬 고도가이샤 제조, γ-머캅토프로필트리메톡시실란)
A-1160: (상품명, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬 고도가이샤 제조, γ-우레이드프로필트리에톡시실란)
(경화 촉진제)
큐어졸 2PZ-CN: (상품명, 시코쿠 가세이 고교 가부시키가이샤 제조, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸)
다음으로, 얻어진 바니시를 100 메시의 필터로 여과하고, 진공 탈포하였다. 진공 탈포 후의 바니시를, 기재 필름인, 이형 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 38 ㎛) 상에 도포하였다. 도포한 바니시를, 90℃에서 5분간, 계속해서 140℃에서 5분간의 2단계로 가열 건조시켰다. 이렇게 해서, PET 필름 상에, B 스테이지 상태에 있는 두께 60 ㎛의 필름형 접착제를 구비한 접착 시트를 얻었다.
<각종 물성의 평가>
얻어진 필름형 접착제에 대해 하기와 같이 평가를 하였다. 평가 결과를 표 3 및 표 4에 나타낸다.
[전단 응력 완화율 측정]
기재 필름을 박리 제거한 필름형 접착제를 복수 매 접합시키고, 두께 방향으로 가로 세로 10 ㎜로 펀칭하였다. 이에 의해 가로 세로 10 ㎜, 두께 360 ㎛의 필름형 접착제의 평가용 샘플을 얻었다. 동적 점탄성 장치 ARES(TA사 제조)에 직경 8 ㎜의 원형 알루미늄 플레이트 지그를 세트하고, 이 지그로 상기 평가용 샘플을 끼워 넣었다. 그 후, 평가용 샘플을 실온(30℃)으로부터 최대로 60℃/분의 승온 속도로 100℃까지 승온한 후, 10%의 변형을 부여하여 0.1초 경과 후의 전단 응력을 기록하였다. 이 응력을 초기 응력으로 규격화하고, 응력 완화율을 산출하였다.
[전단 점도 측정]
전단 응력 완화율 측정과 동일하게 하여, 평가용 샘플에 대해 5%의 변형을 주파수 1 ㎐로 부여하면서, 5℃/분의 승온 속도로 실온(30℃)으로부터 140℃까지 승온시키면서 전단 점도를 측정하였다. 그리고, 120℃에서의 측정값을 기록하였다.
[압착 후 매립성 평가]
접착 시트의 필름형 접착제를 2장 접합시켜 두께 120 ㎛로 하고, 이것을 두께 100 ㎛의 반도체 웨이퍼(8인치)에 70℃에서 부착하였다. 다음으로, 이들을 가로 세로 7.5 ㎜로 다이싱하여, 접착 시트 부착 반도체 소자를 얻었다.
한편, 다이싱·다이 본딩 일체형 필름(히타치 가세이 가부시키가이샤 제조, HR-9004-10(두께 10 ㎛))을, 두께 50 ㎛의 반도체 웨이퍼(8인치)에 70℃에서 부착하였다. 다음으로, 이들을 가로 세로 3.0 ㎜로 다이싱하여, 상기한 일체형 필름 부착 칩을 얻었다. 일체형 필름 부착 칩을, 표면 요철이 최대 6 ㎛인 평가용 기판에, 120℃, 0.20 ㎫, 2초간의 조건으로 압착한 후, 120℃에서 2시간 가열하여 일체형 필름을 반경화시켰다. 이에 의해 칩 부착 기판을 얻었다.
얻어진 칩 부착 기판에, 접착 시트 부착 반도체 소자를, 120℃, 0.20 ㎫, 1.5초간의 조건으로 압착하였다. 이때, 앞서 압착하고 있는 칩이, 접착 시트 부착 반도체 소자의 한가운데에 오도록 위치 맞춤을 하였다.
가열 후 실온까지 자연 방냉한 구조체를, 초음파 C-SCAN 화상 진단 장치(인사이트 가부시키가이샤 제조, 품번 IS350, 프로브: 75 ㎒)로 분석하여, 압착 후 매립성을 확인하였다. 압착 후 매립성은 이하의 기준에 의해 평가하였다.
◎: 압착 필름 면적에 대한 공극 면적의 비율이 3% 미만.
○: 압착 필름 면적에 대한 공극 면적의 비율이 3% 이상 5% 미만.
△: 압착 필름 면적에 대한 공극 면적의 비율이 5% 이상 8% 미만.
×: 압착 필름 면적에 대한 공극 면적의 비율이 8% 이상.
[블리드량 평가]
압착 후 매립성 평가에서 얻어진 구조체를, 광학 현미경을 이용하여 바로 위에서 관찰하였다. 그리고, 반도체 소자의 가장자리를 시점으로 하여, 압착에 의해 반도체 소자의 가장자리로부터 압출된 필름형 접착제의 가장자리까지의 거리를 측장(測長)하였다. 측장은 현미경 부속의 화상 해석 소프트를 이용하여 행하고, 측장된 거리의 최대값을 블리드량으로 하였다. 한편, 압착 후 매립성이 × 및 △인 예에 대해서는 평가를 행하지 않았다.
10: 필름형 접착제, 14: 기판, 42: 수지(밀봉재), 88: 제1 와이어, 98: 제2 와이어, 200: 반도체 장치, Wa: 제1 반도체 소자, Waa: 제2 반도체 소자
Claims (8)
- 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 제1 다이 본드 공정과,
상기 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자의 한쪽 면에, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 첩부하는 라미네이트 공정과,
상기 필름형 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 상기 필름형 접착제가 상기 제1 반도체 소자를 덮도록 배치하고, 상기 필름형 접착제를 압착함으로써, 상기 제1 와이어 및 상기 제1 반도체 소자를 상기 필름형 접착제에 매립하는 제2 다이 본드 공정
을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서, 상기 필름형 접착제의, 120℃에 있어서의 전단 점도가 5000 ㎩·s 이하인, 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 필름형 접착제가 아크릴 수지 및 에폭시 수지를 포함하는 것인, 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 필름형 접착제가 무기 필러 및 유기 필러 중 적어도 한쪽을 포함하는 것인, 반도체 장치의 제조 방법.
- 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자가 전기적으로 접속되고, 상기 제1 반도체 소자 상에, 상기 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자가 압착되어 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 상기 제2 반도체 소자를 압착하고, 상기 제1 와이어 및 상기 제1 반도체 소자를 매립하기 위해서 이용되는, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제.
- 제5항에 있어서, 120℃에 있어서의 전단 점도가 5000 ㎩·s 이하인 필름형 접착제.
- 제5항 또는 제6항에 있어서, 아크릴 수지 및 에폭시 수지를 포함하는 필름형 접착제.
- 제5항 또는 제6항에 있어서, 무기 필러 및 유기 필러 중 적어도 한쪽을 포함하는 필름형 접착제.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/003021 WO2019150444A1 (ja) | 2018-01-30 | 2018-01-30 | 半導体装置の製造方法、及びフィルム状接着剤 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200112820A KR20200112820A (ko) | 2020-10-05 |
KR102429210B1 true KR102429210B1 (ko) | 2022-08-03 |
Family
ID=67480016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020207018666A KR102429210B1 (ko) | 2018-01-30 | 2018-01-30 | 반도체 장치의 제조 방법 및 필름형 접착제 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6988923B2 (ko) |
KR (1) | KR102429210B1 (ko) |
CN (1) | CN111630642B (ko) |
SG (1) | SG11202004755QA (ko) |
TW (1) | TWI785197B (ko) |
WO (1) | WO2019150444A1 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111819672A (zh) * | 2018-03-08 | 2020-10-23 | 日立化成株式会社 | 半导体装置的制造方法及膜状粘接剂 |
CN117170005A (zh) * | 2023-08-19 | 2023-12-05 | 荣谕科技(成都)有限公司 | 镜片组件及加工方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040835A (ja) | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Toshiba Corp | 積層型半導体装置の製造方法 |
JP2012214526A (ja) | 2011-03-28 | 2012-11-08 | Hitachi Chemical Co Ltd | フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 |
JP2014175459A (ja) | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2016216562A (ja) | 2015-05-18 | 2016-12-22 | 日東電工株式会社 | 接着フィルム、ダイシングテープ一体型接着フィルム、複層フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11238856A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置、半導体記憶装置の製造方法及び該製造方法に用いる保護シート |
JP2004217859A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シートの製造方法、半導体装置およびその製造方法 |
JP4599800B2 (ja) * | 2003-02-20 | 2010-12-15 | 日立化成工業株式会社 | 接着シートの製造方法、半導体装置およびその製造方法 |
JP2004323543A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-18 | Nitto Denko Corp | 光学部材用粘着剤組成物、光学部材用粘着剤層、粘着型光学部材および画像表示装置 |
JP2005103180A (ja) | 2003-10-02 | 2005-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 洗濯機 |
WO2005103180A1 (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-03 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 接着シート、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
KR20090128400A (ko) * | 2007-02-28 | 2009-12-15 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 반도체용 접착 필름 및 그것을 이용한 반도체 장치 |
JP5524465B2 (ja) * | 2007-10-24 | 2014-06-18 | 日立化成株式会社 | 接着シート及びこれを用いた半導体装置およびその製造方法 |
JP2010118554A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR20140142676A (ko) * | 2013-06-04 | 2014-12-12 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 열경화형 다이 본딩 필름, 다이싱 시트 부착 다이 본딩 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP6114149B2 (ja) * | 2013-09-05 | 2017-04-12 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
-
2018
- 2018-01-30 KR KR1020207018666A patent/KR102429210B1/ko active IP Right Grant
- 2018-01-30 JP JP2019568437A patent/JP6988923B2/ja active Active
- 2018-01-30 SG SG11202004755QA patent/SG11202004755QA/en unknown
- 2018-01-30 CN CN201880087177.6A patent/CN111630642B/zh active Active
- 2018-01-30 WO PCT/JP2018/003021 patent/WO2019150444A1/ja active Application Filing
-
2019
- 2019-01-28 TW TW108103160A patent/TWI785197B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040835A (ja) | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Toshiba Corp | 積層型半導体装置の製造方法 |
JP2012214526A (ja) | 2011-03-28 | 2012-11-08 | Hitachi Chemical Co Ltd | フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 |
JP2014175459A (ja) | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2016216562A (ja) | 2015-05-18 | 2016-12-22 | 日東電工株式会社 | 接着フィルム、ダイシングテープ一体型接着フィルム、複層フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200112820A (ko) | 2020-10-05 |
CN111630642A (zh) | 2020-09-04 |
TW201936829A (zh) | 2019-09-16 |
JPWO2019150444A1 (ja) | 2021-01-07 |
TWI785197B (zh) | 2022-12-01 |
JP6988923B2 (ja) | 2022-01-05 |
SG11202004755QA (en) | 2020-06-29 |
CN111630642B (zh) | 2023-05-26 |
WO2019150444A1 (ja) | 2019-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6135202B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5736899B2 (ja) | フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 | |
JP5428423B2 (ja) | 半導体装置及びフィルム状接着剤 | |
JP6222395B1 (ja) | フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディング一体型接着シート | |
JP6191799B1 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法及びフィルム状接着剤 | |
TWI774916B (zh) | 半導體裝置的製造方法、膜狀接著劑及接著片 | |
KR102429210B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 필름형 접착제 | |
JP6443521B2 (ja) | フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディング一体型接着シート | |
KR20200111703A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 접착 필름 | |
KR102553619B1 (ko) | 접착제 조성물, 필름형 접착제, 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP6191800B1 (ja) | フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディング一体型接着シート | |
KR102450758B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 및 필름형 접착제 | |
KR20200112874A (ko) | 필름형 접착제 및 그 제조 방법과, 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR102561428B1 (ko) | 열경화성 수지 조성물, 필름형 접착제, 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP7115537B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及びフィルム状接着剤 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |