KR102429210B1 - Semiconductor device manufacturing method and film adhesive - Google Patents

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유키 나카무라
신타로 하시모토
겐타 기쿠치
다이스케 마스노
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쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은, 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 제1 다이 본드 공정과, 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자의 한쪽 면에, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 첩부(貼付)하는 라미네이트 공정과, 필름형 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 필름형 접착제가 제1 반도체 소자를 덮도록 배치하고, 필름형 접착제를 압착함으로써, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자를 필름형 접착제에 매립하는 제2 다이 본드 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention provides a first die bonding process for electrically connecting a first semiconductor element through a first wire on a substrate, and a second semiconductor element that has a larger area than the first semiconductor element on one side of the second semiconductor element at 100°C. The lamination process of affixing the film adhesive whose shear stress relaxation rate after 0.1 second is 40% - 85%, and the 2nd semiconductor element to which the film adhesive was affixed so that a film adhesive covers a 1st semiconductor element It is related with the manufacturing method of the semiconductor device provided with the 2nd die-bonding process of embedding a 1st wire and a 1st semiconductor element in a film adhesive by arrange|positioning and crimping|bonding a film adhesive.

Description

반도체 장치의 제조 방법 및 필름형 접착제Semiconductor device manufacturing method and film adhesive

본 발명은 반도체 장치의 제조 방법 및 필름형 접착제에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and a film adhesive.

반도체 장치에 있어서의 기판의 배선, 반도체 칩에 부설된 와이어 등에 의한 요철을 충전 가능한, 와이어 매립형의 반도체 장치를 얻을 수 있는 접착 시트가 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 및 2). 상기 접착 시트는, 요철 충전 시에 있어서 높은 유동성을 발현하기 위해서, 열경화성 성분을 주성분으로서 함유하고 있다.An adhesive sheet capable of providing a wire-embedded semiconductor device capable of filling irregularities due to wiring of a substrate in a semiconductor device, a wire laid on a semiconductor chip, or the like is known (for example, Patent Documents 1 and 2). The said adhesive sheet contains a thermosetting component as a main component in order to express high fluidity|liquidity at the time of uneven|corrugated filling.

최근, 이러한 와이어 매립형의 반도체 장치의 동작의 고속화가 중요시되고 있다. 종래에는 적층된 반도체 소자의 최상단에, 반도체 장치의 동작을 제어하는 컨트롤러 칩이 배치되어 있었으나, 동작의 고속화를 실현하기 위해서, 최하단에 컨트롤러 칩을 배치한 반도체 장치의 패키지 기술이 개발되어 있다. 이러한 패키지의 하나의 형태로서, 다단으로 적층한 반도체 소자 중, 2단째의 반도체 소자를 압착할 때에 사용하는 필름형 접착제를 두껍게 하여, 상기 필름형 접착제 내부에 컨트롤러 칩을 매립하는 패키지가 주목을 모으고 있다. 이러한 용도에 사용되는 필름형 접착제에는, 컨트롤러 칩, 컨트롤러 칩에 접속되어 있는 와이어, 기판 표면의 요철 기인의 단차 등을 매립할 수 있는 높은 유동성이 필요해진다.In recent years, high-speed operation of such a wire-embedded semiconductor device has become important. Conventionally, a controller chip for controlling the operation of the semiconductor device has been disposed on the top of the stacked semiconductor device. However, in order to realize high-speed operation, a semiconductor device packaging technology in which the controller chip is disposed on the bottom has been developed. As one form of such a package, a package in which a film adhesive used for crimping a second-stage semiconductor element among semiconductor elements stacked in multiple stages is thickened and a controller chip is embedded in the film-type adhesive is attracting attention. have. The film adhesive used for such a use requires high fluidity|liquidity which can fill in the level|step difference etc. of a controller chip, the wire connected to the controller chip, and the unevenness|corrugation origin of the board|substrate surface.

특허문헌 1: 국제 공개 제2005/103180호Patent Document 1: International Publication No. 2005/103180 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2009-120830호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Laid-Open No. 2009-120830

그러나, 특허문헌 1 및 2에 기재된 접착 시트와 같이, 매립성을 확보하기 위해서 단순히 경화 전의 유동성이 높은 것을 특징으로 하는 접착 시트를 이용하면, 압착 시에 접착 시트의 일부가 반도체 소자의 압착면 단부로부터 비어져 나오는 블리드라고 하는 현상이 발생할 우려가 있다. 블리드가 발생하면, 반도체 소자 자신 및 주변 회로를 오염시킨다고 하는 문제가 있다.However, like the adhesive sheets described in Patent Documents 1 and 2, when an adhesive sheet characterized by high fluidity before curing is used simply to ensure embedding properties, a part of the adhesive sheet is part of the bonding surface end of the semiconductor element during crimping. There is a risk of occurrence of a phenomenon called bleed protruding from the tube. When bleed occurs, there is a problem of contaminating the semiconductor element itself and peripheral circuits.

그래서, 본 발명은 압착 시의 블리드를 억제하면서, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 얻는 것이 가능한, 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 또한, 상기 제조 방법에 이용되는 필름형 접착제를 제공하는 것을 목적으로 한다.Then, an object of this invention is to provide the manufacturing method of the semiconductor device which can obtain the semiconductor device excellent in connection reliability, suppressing the bleeding at the time of crimping|compression-bonding. Another object of this invention is to provide the film adhesive used for the said manufacturing method.

본 발명은 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 제1 다이 본드 공정과, 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자의 한쪽 면에, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 첩부(貼付)하는 라미네이트 공정과, 필름형 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 필름형 접착제가 제1 반도체 소자를 덮도록 배치하고, 필름형 접착제를 압착함으로써, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자를 필름형 접착제에 매립하는 제2 다이 본드 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.The present invention relates to a first die bonding process of electrically connecting a first semiconductor element through a first wire on a substrate, and to one side of a second semiconductor element larger than the area of the first semiconductor element, 0.1 at 100°C Lamination process of affixing the film adhesive whose shear stress relaxation rate after second is 40% - 85%, and the 2nd semiconductor element with which the film adhesive was affixed, a film adhesive is arrange|positioned so that a 1st semiconductor element may be covered And the manufacturing method of the semiconductor device provided with the 2nd die-bonding process of embedding a 1st wire and a 1st semiconductor element in a film adhesive by crimping|bonding a film adhesive is provided.

본 발명에 의하면, 압착 시의 블리드를 억제하면서, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 얻는 것이 가능하다. 보다 구체적으로는, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40% 이상인 필름형 접착제를 이용함으로써, 와이어, 반도체 소자 등의 형상에 추종할 수 있고, 매립성을 확보하는 것이 가능해진다. 또한, 전단 응력 완화율이 85% 이하인 필름형 접착제를 이용함으로써, 압착 시에 필름 형상을 고정시켜 둘 수 있고, 블리드를 억제하는 것이 가능해진다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it is possible to obtain the semiconductor device excellent in connection reliability, suppressing the bleeding at the time of crimping|compression-bonding. More specifically, by using the film adhesive whose shear stress relaxation rate after 0.1 second in 100 degreeC is 40 % or more, it can follow shapes, such as a wire and a semiconductor element, and it becomes possible to ensure embedding property. Moreover, by using the film adhesive whose shear stress relaxation rate is 85 % or less, a film shape can be fixed at the time of crimping|compression-bonding, and it becomes possible to suppress bleed.

본 발명에 있어서, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이란, 필름형 접착제를 실온으로부터 100℃까지 승온한 후, 10%의 변형을 부여하여 0.1초 경과 후에 측정되는 전단 응력을, 초기 응력으로 규격화하여 얻어지는 것이다. 승온 속도는, 사용하는 측정 장치의 스펙에도 의존하지만, 10℃∼60℃/분의 범위에서 적절히 설정할 수 있다. 전단 응력 완화율의 측정에는 동적 점탄성 측정 장치를 이용할 수 있다. 한편, 전단 응력 완화율이 X%란, 초기 응력(변형을 부여한 직후의 응력)을 100%로 했을 때, X%의 응력이 경과 시간과 함께 완화되는 것을 의미한다. 이 때문에, 100-전단 응력 완화율(%)=전단 응력 잔존율(%)이다.In this invention, after the shear stress relaxation rate after 0.1 second in 100 degreeC heats up a film adhesive from room temperature to 100 degreeC, 10% of distortion is provided, and the shear stress measured after 0.1 second pass is an initial stage It is obtained by normalizing the stress. Although the temperature increase rate also depends on the specification of the measuring apparatus to be used, it can set suitably in the range of 10 degreeC - 60 degreeC/min. A dynamic viscoelasticity measuring device can be used for the measurement of the shear stress relaxation rate. On the other hand, the shear stress relaxation rate of X% means that when the initial stress (stress immediately after applying the strain) is 100%, the stress of X% is relaxed with the elapsed time. For this reason, 100 - shear stress relaxation rate (%) = shear stress residual rate (%).

본 발명에 있어서, 필름형 접착제의, 120℃에 있어서의 전단 점도가 5000 ㎩·s 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 양호한 매립성을 얻기 쉬워진다.In this invention, it is preferable that the shear viscosity in 120 degreeC of a film adhesive is 5000 Pa.s or less. Thereby, it becomes easy to obtain favorable embedding property.

본 발명에 있어서, 필름형 접착제가, 아크릴 수지 및 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 열가소성 성분과 열경화 성분을 병용함으로써, 양호한 매립성과 열경화성을 얻기 쉬워진다.In this invention, it is preferable that a film adhesive contains an acrylic resin and an epoxy resin. By using a thermoplastic component and a thermosetting component together, it becomes easy to obtain favorable embedding property and thermosetting property.

본 발명에 있어서, 필름형 접착제가, 무기 필러 및 유기 필러 중 적어도 한쪽을 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 필름형 접착제의 취급성 등이 향상된다.In this invention, it is preferable that a film adhesive contains at least one of an inorganic filler and an organic filler. Thereby, the handleability of a film adhesive improves.

본 발명은 또한, 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자가 전기적으로 접속되고, 제1 반도체 소자 상에, 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자가 압착되어 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 제2 반도체 소자를 압착하고, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자를 매립하기 위해서 이용되는, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 제공한다. 본 발명의 필름형 접착제를 이용함으로써, 압착 시의 블리드를 억제하면서, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 얻는 것이 가능하다.The present invention also provides a semiconductor device in which a first semiconductor element is electrically connected to a substrate through a first wire, and a second semiconductor element larger than the area of the first semiconductor element is pressed on the first semiconductor element. , The shear stress relaxation rate 0.1 second in 100 degreeC used in order to press-bond a 2nd semiconductor element and to embed a 1st wire and a 1st semiconductor element is 40 % - 85 % of film adhesives are provided. By using the film adhesive of this invention, it is possible to obtain the semiconductor device excellent in connection reliability, suppressing the bleed at the time of crimping|compression-bonding.

본 발명의 필름형 접착제에 있어서, 120℃에 있어서의 전단 점도가 5000 ㎩·s 이하인 것이 바람직하다.The film adhesive of this invention WHEREIN: It is preferable that the shear viscosity in 120 degreeC is 5000 Pa.s or less.

본 발명의 필름형 접착제는, 아크릴 수지 및 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the film adhesive of this invention contains an acrylic resin and an epoxy resin.

본 발명의 필름형 접착제는, 무기 필러 및 유기 필러 중 적어도 한쪽을 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the film adhesive of this invention contains at least one of an inorganic filler and an organic filler.

본 발명에 의하면, 압착 시의 블리드를 억제하면서, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 얻는 것이 가능한, 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 상기 제조 방법에 이용되는 필름형 접착제를 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the semiconductor device which can obtain the semiconductor device excellent in connection reliability, suppressing the bleeding at the time of crimping|compression-bonding can be provided. Moreover, according to this invention, the film adhesive used for the said manufacturing method can be provided.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 필름형 접착제를 도시한 도면이다.
도 2는 접착 시트를 도시한 도면이다.
도 3은 다른 접착 시트를 도시한 도면이다.
도 4는 다른 접착 시트를 도시한 도면이다.
도 5는 다른 접착 시트를 도시한 도면이다.
도 6은 반도체 장치를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 8은 도 7의 후속의 공정을 도시한 도면이다.
도 9는 도 8의 후속의 공정을 도시한 도면이다.
도 10은 도 9의 후속의 공정을 도시한 도면이다.
도 11은 도 10의 후속의 공정을 도시한 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the film adhesive which concerns on embodiment of this invention.
2 is a view showing an adhesive sheet.
3 is a view showing another adhesive sheet.
4 is a view showing another adhesive sheet.
5 is a view showing another adhesive sheet.
6 is a diagram illustrating a semiconductor device.
7 is a diagram illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a diagram illustrating a subsequent process of FIG. 7 .
FIG. 9 is a diagram illustrating a subsequent process of FIG. 8 .
FIG. 10 is a diagram illustrating a subsequent process of FIG. 9 .
FIG. 11 is a diagram illustrating a subsequent process of FIG. 10 .

이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해 상세히 설명한다. 이하의 설명에서는, 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 상하 좌우 등의 위치 관계는, 특별히 언급하지 않는 한, 도면에 나타내는 위치 관계에 기초하는 것으로 한다. 또한, 도면의 치수 비율은 도시된 비율에 한정되는 것이 아니다. 한편, 본 명세서에 있어서의 「(메트)아크릴」이란, 「아크릴」 및 그것에 대응하는 「메타크릴」을 의미한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, the same code|symbol is attached|subjected to the same or equivalent part, and the overlapping description is abbreviate|omitted. In addition, unless otherwise indicated, positional relationships, such as up, down, left and right, shall be based on the positional relationship shown in drawing. In addition, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios. In addition, "(meth)acryl" in this specification means "acryl" and "methacryl" corresponding to it.

(필름형 접착제)(film adhesive)

도 1은 본 실시형태에 따른 필름형 접착제(10)를 모식적으로 도시한 단면도이다. 필름형 접착제(10)는, 열경화성이고, 반경화(B 스테이지) 상태를 거쳐, 경화 처리 후에 완전 경화물(C 스테이지) 상태가 될 수 있는 접착제 조성물을 필름형으로 성형하여 이루어지는 것이다.1 : is sectional drawing which showed typically the film adhesive 10 which concerns on this embodiment. The film adhesive 10 is thermosetting, it is formed by shape|molding the adhesive composition which can become a fully hardened|cured material (C stage) state after a hardening process into a film form through a semi-hardened (B stage) state.

필름형 접착제(10)는, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%이다. 블리드를 억제하면서, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 보다 얻기 쉬워진다고 하는 관점에서, 전단 응력 완화율은 50%∼80%인 것이 바람직하고, 60%∼70%인 것이 보다 바람직하다. 한편, 전단 응력 완화율은, 후술하는 바와 같이 (a)∼(f) 성분의 종류 및 양을 조정함으로써, 조정하는 것이 가능하다.As for the film adhesive 10, the shear stress relaxation rate after 0.1 second in 100 degreeC are 40 % - 85 %. It is preferable that it is 50 % - 80 %, and, as for the shear stress relaxation rate, it is more preferable that it is 60 % - 70 % from a viewpoint that it becomes easier to obtain the semiconductor device excellent in connection reliability, suppressing bleed. In addition, the shear stress relaxation rate can be adjusted by adjusting the kind and quantity of (a)-(f) components so that it may mention later.

필름형 접착제(10)는, 120℃에 있어서의 전단 점도가 5000 ㎩·s 이하인 것이 바람직하다. 양호한 매립성을 보다 얻기 쉬워진다고 하는 관점에서, 전단 점도는 3000 ㎩·s 이하인 것이 보다 바람직하다. 전단 점도의 하한은 특별히 한정되지 않으나, 과도한 유동성을 억제한다고 하는 관점에서 200 ㎩·s로 할 수 있다. 전단 점도는, 예컨대 동적 점탄성 측정 장치를 이용하여 측정할 수 있다.As for the film adhesive 10, it is preferable that the shear viscosity in 120 degreeC is 5000 Pa.s or less. It is more preferable that a shear viscosity is 3000 Pa.s or less from a viewpoint of becoming more easy to obtain favorable embedding property. Although the lower limit of a shear viscosity is not specifically limited, From a viewpoint of suppressing excessive fluidity|liquidity, it can be set as 200 Pa.s. The shear viscosity can be measured using, for example, a dynamic viscoelasticity measuring device.

필름형 접착제(10)의 함유 성분은 특별히 한정되지 않으나, 예컨대, (a) 열경화성 성분, (b) 열가소성 성분, (c) 무기 필러, (d) 유기 필러, (e) 경화 촉진제, (f) 그 외의 성분 등을 포함할 수 있다. 이들 (a)∼(f) 성분의 종류 및 양을 조정함으로써, 필름형 접착제(10)의 특성을 조정할 수 있다.Although the component contained in the film adhesive 10 is not specifically limited, For example, (a) thermosetting component, (b) thermoplastic component, (c) inorganic filler, (d) organic filler, (e) hardening accelerator, (f) Other ingredients and the like may be included. By adjusting the kind and quantity of these (a)-(f) components, the characteristic of the film adhesive 10 can be adjusted.

(a) 열경화성 성분(a) thermosetting components

열경화성 성분으로서는 열경화성 수지를 들 수 있다. 특히, 반도체 소자를 실장하는 경우에 요구되는 내열성 및 내습성의 관점에서, 열경화성 성분으로서 에폭시 수지, 페놀 수지 등이 바람직하다.A thermosetting resin is mentioned as a thermosetting component. In particular, an epoxy resin, a phenol resin, etc. are preferable as a thermosetting component from a viewpoint of the heat resistance and moisture resistance required when mounting a semiconductor element.

예컨대 에폭시 수지로서는, 방향환 함유 에폭시 수지, 복소환 함유 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 등의, 일반적으로 알려져 있는 에폭시 수지를 이용할 수 있다. 또한, 에폭시 수지는 다작용 에폭시 수지여도 좋다. 에폭시 수지로서는, 구체적으로는, 예컨대, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 E형 에폭시 수지, 이들의 비스페놀형 에폭시 수지를 변성시킨 2작용 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 플루오렌 변성 에폭시 수지, 트리페닐메탄형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 나프탈렌 변성 에폭시 수지 등을 이용할 수 있다.For example, as an epoxy resin, generally known epoxy resins, such as an aromatic ring containing epoxy resin, a heterocyclic containing epoxy resin, and an alicyclic epoxy resin, can be used. In addition, a polyfunctional epoxy resin may be sufficient as an epoxy resin. Specific examples of the epoxy resin include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol E epoxy resin, bifunctional epoxy resin modified with these bisphenol epoxy resins, cresol novolak epoxy resin, bisphenol A Novolak-type epoxy resin, fluorene-modified epoxy resin, triphenylmethane-type epoxy resin, biphenyl-type epoxy resin, glycidylamine-type epoxy resin, naphthalene-modified epoxy resin, etc. can be used.

에폭시 수지로서는, 예컨대, 다이셀 가부시키가이샤 제조의 Celloxide 시리즈, 신닛카 에폭시 세이조 가부시키가이샤 제조의 YDF 시리즈 및 YDCN 시리즈, DIC 가부시키가이샤 제조의 HP-7000L, 가부시키가이샤 프린테크 제조의 VG-3101L 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy resin include Celloxide series manufactured by Daicel Corporation, YDF series and YDCN series manufactured by Shin Nikka Epoxy Seijo Corporation, HP-7000L manufactured by DIC Corporation, VG manufactured by Printtech Corporation. -3101L etc. are mentioned.

또한, 페놀 수지로서는, 예컨대, 노볼락형 페놀 수지, 자일록형 페놀 수지, 비페닐형 페놀 수지, 트리페닐메탄형 페놀 수지, 페놀환 상의 수소를 아릴기로 치환한 변성 페놀 수지 등을 들 수 있다. 한편, 페놀 수지로서는, 내열성의 관점에서, 85℃, 85% RH의 항온 항습조에 48시간 투입 후의 흡수율이 2 질량% 이하이고, 열중량 분석계(TGA)로 측정한 350℃에서의 가열 질량 감소율(승온 속도: 5℃/min, 분위기: 질소)이 5 질량% 미만인 것이 바람직하다.Examples of the phenol resin include novolak-type phenol resins, xylok-type phenol resins, biphenyl-type phenol resins, triphenylmethane-type phenol resins, and modified phenol resins in which hydrogen on the phenol ring is substituted with an aryl group. On the other hand, as a phenol resin, from the viewpoint of heat resistance, the water absorption rate after 48 hours in a constant temperature and humidity chamber at 85 ° C. and 85% RH is 2 mass % or less, and the heating mass reduction rate at 350 ° C. measured by a thermogravimetric analyzer (TGA) ( It is preferable that the temperature increase rate: 5 degreeC/min, atmosphere: nitrogen) is less than 5 mass %.

페놀 수지로서는, 예컨대, 에어·워터 가부시키가이샤 제조의 HE 시리즈, 군에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조의 레지톱 시리즈 등을 들 수 있다.As a phenol resin, the HE series by Air-Water Co., Ltd., the RegTop series by Gunei Chemical Co., Ltd., etc. are mentioned, for example.

(a) 열경화성 성분으로서 에폭시 수지 및 페놀 수지를 병용하는 경우, 에폭시 수지 및 페놀 수지의 배합비는, 각각 에폭시 당량과 수산기 당량의 당량비로 0.70/0.30∼0.30/0.70이 되는 것이 바람직하고, 0.65/0.35∼0.35/0.65가 되는 것이 보다 바람직하며, 0.60/0.40∼0.40/0.60이 되는 것이 더욱 바람직하고, 0.60/0.40∼0.50/0.50이 되는 것이 특히 바람직하다. 배합비가 상기 범위 내임으로써, 우수한 경화성, 유동성 등을 갖는 필름형 접착제(10)가 얻기 쉬워진다.(a) In the case of using an epoxy resin and a phenol resin together as a thermosetting component, the compounding ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably 0.70/0.30 to 0.30/0.70 in the equivalent ratio of the epoxy equivalent and the hydroxyl equivalent, respectively, 0.65/0.35 It is more preferable to be set to -0.35/0.65, it is still more preferable to be set to 0.60/0.40 to 0.40/0.60, and it is especially preferable to set it as 0.60/0.40 to 0.50/0.50. When a compounding ratio exists in the said range, it becomes easy to obtain the film adhesive 10 which has outstanding sclerosis|hardenability, fluidity|liquidity, etc.

한편, 경화 후에 있어서의 반도체 장치의 휘어짐을 억제한다고 하는 관점에서, 경화 속도가 상이한 열경화성 수지를 조합하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기에 예시한 에폭시 수지 및 페놀 수지 중, 예컨대 (a1) 연화점이 60℃ 이하 또는 상온에서 액체인 것(경화하여 접착 작용을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않는다)과, (a2) 연화점이 60℃ 초과(상온에서 고체)인 것을 조합하여 이용하는 것이 바람직하다. 한편, 여기서 말하는 상온이란 5∼35℃를 의미한다.On the other hand, it is preferable to combine the thermosetting resins from which a curing rate differs from a viewpoint of suppressing the curvature of the semiconductor device after hardening. Specifically, among the epoxy resins and phenol resins exemplified above, for example, (a1) a softening point of 60° C. or less or a liquid at room temperature (not particularly limited as long as it has an adhesive action by curing), and (a2) a softening point It is preferable to use a combination of those having a temperature higher than 60°C (solid at room temperature). In addition, the normal temperature here means 5-35 degreeC.

(a1) 성분의 함유량은, (a) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 10∼50 질량%인 것이 바람직하고, 20∼40 질량%인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 매립성과, 다이싱, 픽업 등의 프로세스 적성을 양립시키기 쉬워진다.It is preferable that it is 10-50 mass % on the basis of the total mass of (a) component, and, as for content of (a1) component, it is more preferable that it is 20-40 mass %. Thereby, it becomes easy to make it compatible with embedding property and process aptitude, such as dicing and pick-up.

(a2) 성분의 함유량은, (a) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 10 질량% 이상인 것이 바람직하고, 15 질량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 제막성(製膜性), 유동성, 응력 완화성 등을 조정하기 쉬워진다. 한편, (a2) 성분의 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않으나, (a) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 90 질량%로 할 수 있다.It is preferable that it is 10 mass % or more on the basis of the total mass of (a) component, and, as for content of (a2) component, it is more preferable that it is 15 mass % or more. Thereby, it becomes easy to adjust film forming property, fluidity|liquidity, stress relaxation property, etc. In addition, although the upper limit of content of (a2) component is not specifically limited, Based on the total mass of (a) component, it can be set as 90 mass %.

한편, (a) 성분으로서 지환식 에폭시 수지를 이용함으로써, 전단 응력 완화율을 원하는 범위로 조정하기 쉬워진다. 지환식 에폭시 수지를 이용하는 경우, 그 함유량의 기준은, (a) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 30∼100 질량%로 할 수 있다(즉, (a) 성분의 전량이 지환식 에폭시 수지여도 좋다).On the other hand, by using an alicyclic epoxy resin as (a) component, it becomes easy to adjust a shear stress relaxation rate to a desired range. In the case of using an alicyclic epoxy resin, the content can be set to 30 to 100% by mass based on the total mass of the component (a) (that is, the total amount of the component (a) may be an alicyclic epoxy resin). ).

(a) 성분의 중량 평균 분자량은, 200∼5000인 것이 바람직하다. 이에 의해, 전단 응력 완화율을 원하는 범위로 조정하기 쉬워진다.(a) It is preferable that the weight average molecular weights of a component are 200-5000. Thereby, it becomes easy to adjust a shear stress relaxation rate to a desired range.

(b) 열가소성 성분(b) thermoplastic component

(b) 열가소성 성분으로서는, 가교성 작용기를 갖는 모노머 비율이 높고 분자량이 낮은 열가소성 성분과, 가교성 작용기를 갖는 모노머 비율이 낮고 분자량이 높은 열가소성 성분의 병용이 바람직하다. 특히 후자의 열가소성 성분이 일정량 이상 포함되는 것이 바람직하다.(b) As the thermoplastic component, it is preferable to use a thermoplastic component having a high molecular weight and high monomer ratio having a crosslinkable functional group, and a thermoplastic component having a low molecular weight and low monomer ratio having a crosslinkable functional group. In particular, it is preferable that the latter thermoplastic component is contained in a certain amount or more.

(b) 성분으로서는, 열가소성 수지인 아크릴 수지(아크릴계 수지)가 바람직하고, 또한, 유리 전이 온도 Tg가 -50℃∼50℃이며, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트 등의 에폭시기 또는 글리시딜기를 가교성 작용기로서 갖는 작용성 모노머를 중합하여 얻어지는, 에폭시기 함유 (메트)아크릴 공중합체 등의 아크릴 수지가 보다 바람직하다.(b) As a component, an acrylic resin (acrylic resin) which is a thermoplastic resin is preferable, and glass transition temperature Tg is -50 degreeC - 50 degreeC, and epoxy groups, such as glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate, or An acrylic resin such as an epoxy group-containing (meth)acrylic copolymer obtained by polymerizing a functional monomer having a glycidyl group as a crosslinkable functional group is more preferable.

이러한 아크릴 수지로서, 에폭시기 함유 (메트)아크릴산에스테르 공중합체, 에폭시기 함유 아크릴 고무 등을 사용할 수 있고, 에폭시기 함유 아크릴 고무가 보다 바람직하다. 에폭시기 함유 아크릴 고무는, 아크릴산에스테르를 주성분으로 하고, 주로, 부틸아크릴레이트와 아크릴로니트릴 등의 공중합체, 에틸아크릴레이트와 아크릴로니트릴 등의 공중합체 등을 포함하는, 에폭시기를 갖고 있는 아크릴 고무이다.As such an acrylic resin, an epoxy group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer, an epoxy group-containing acrylic rubber, etc. can be used, and an epoxy group-containing acrylic rubber is more preferable. Epoxy group-containing acrylic rubber is an acrylic rubber containing acrylic acid ester as a main component, and mainly contains a copolymer such as butyl acrylate and acrylonitrile, a copolymer such as ethyl acrylate and acrylonitrile, etc. It is an acrylic rubber having an epoxy group. .

한편, (b) 성분의 가교성 작용기로서는, 에폭시기 외에, 알코올성 또는 페놀성 수산기, 카르복실기 등의 가교성 작용기를 들 수 있다.On the other hand, as a crosslinkable functional group of component (b), other than an epoxy group, crosslinkable functional groups, such as an alcoholic or phenolic hydroxyl group and a carboxyl group, are mentioned.

(b) 성분에 있어서, 높은 접착력이 발현되기 쉽고, 또한 150℃/1시간 가열 후의 인장 탄성률을 낮게 하기 쉬운 관점에서, 가교성 작용기를 갖는 모노머 단위는 모노머 단위 전량에 대해 5∼15 몰%인 것이 바람직하고, 5∼10 몰%가 보다 바람직하다.In the component (b), the monomer unit having a crosslinkable functional group is 5 to 15 mol% based on the total amount of the monomer unit from the viewpoint of easily exhibiting high adhesion and lowering the tensile modulus after heating at 150° C./hour. It is preferable, and 5-10 mol% is more preferable.

(b) 성분의 중량 평균 분자량은, 20만∼100만인 것이 바람직하고, 50만∼100만인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 전단 응력 완화율을 원하는 범위로 조정하기 쉬워진다. 또한, 특히 (b) 성분의 중량 평균 분자량이 50만 이상이면 성막성을 향상시키는 효과가 한층 양호해진다. (b) 성분의 중량 평균 분자량이 100만 이하이면, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 전단 점도를 저감하기 쉬워지기 때문에, 매립성이 보다 양호해진다. 또한, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 절삭성이 개선되어, 다이싱의 품질이 보다 양호해지는 경우가 있다.(b) It is preferable that it is 200,000-1 million, and, as for the weight average molecular weight of a component, it is more preferable that it is 500,000-1 million. Thereby, it becomes easy to adjust a shear stress relaxation rate to a desired range. Moreover, the effect of improving film-forming property becomes it still more favorable especially that the weight average molecular weight of (b) component is 500,000 or more. (b) Since it will become easy to reduce the shear viscosity of the film adhesive 10 of a non-hardened state as the weight average molecular weight of a component is 1 million or less, embedding property becomes more favorable. Moreover, the machinability of the film adhesive 10 of a non-hardened state may improve and the quality of dicing may become more favorable.

중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피법(GPC)에 의해, 표준 폴리스티렌에 의한 검량선을 이용하여 얻어지는 폴리스티렌 환산값이다.A weight average molecular weight is a polystyrene conversion value obtained using the analytical curve by standard polystyrene by the gel permeation chromatography method (GPC).

(b) 성분 전체의 유리 전이 온도 Tg는 -20℃∼40℃인 것이 바람직하고, -10℃∼30℃인 것이 바람직하다. 이에 의해, 다이싱 시에 필름형 접착제(10)가 절단되기 쉬워지기 때문에 수지 부스러기가 발생하기 어렵고, 필름형 접착제(10)의 접착력과 내열성을 높게 하기 쉬우며, 또한 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 높은 유동성을 발현하기 쉬워진다.(b) It is preferable that the glass transition temperature Tg of the whole component is -20 degreeC - 40 degreeC, and it is preferable that it is -10 degreeC - 30 degreeC. Thereby, since it becomes easy to cut|disconnect the film adhesive 10 at the time of dicing, it is hard to generate|occur|produce resin waste, it is easy to make the adhesive force and heat resistance of the film adhesive 10 high, and also the film adhesive of a non-hardened state. It becomes easy to express the high fluidity|liquidity of (10).

유리 전이 온도 Tg는, 열시차 주사 열량계(예컨대, 가부시키가이샤 리가쿠 제조 「Thermo Plus 2」)를 이용하여 측정할 수 있다.Glass transition temperature Tg can be measured using a thermal differential scanning calorimeter (For example, "Thermo Plus 2" by Rigaku Corporation).

(b) 성분의 함유량은, (a) 성분을 100 질량부로 했을 때, 20∼160 질량부인 것이 바람직하고, 50∼120 질량부인 것이 보다 바람직하다. (b) 성분의 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 필름형 접착제(10)의 가요성의 저하를 억제하기 쉬워지고, 경화 후에는 저탄성화되어 반도체 장치(패키지)의 휘어짐을 억제하기 쉬워진다. 한편, (b) 성분의 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 유동성이 상승하여, 매립성을 보다 양호하게 할 수 있다. 한편, (b) 성분의 함유량이 상기 범위 내임으로써, 전단 응력 완화율을 원하는 범위로 조정하기 쉬워진다.(b) When content of component (a) makes 100 mass parts, it is preferable that it is 20-160 mass parts, and it is more preferable that it is 50-120 mass parts. (b) When content of a component is more than the said lower limit, it becomes easy to suppress the flexible fall of the film adhesive 10, it becomes low elastic after hardening, and becomes easy to suppress the curvature of a semiconductor device (package). On the other hand, when content of (b) component is below the said upper limit, the fluidity|liquidity of the film adhesive 10 of a non-hardened state rises, and embedding property can be made more favorable. On the other hand, when content of (b) component is in the said range, it becomes easy to adjust a shear stress relaxation rate to a desired range.

(c) 무기 필러(c) inorganic fillers

(c) 성분으로서는, B 스테이지 상태에 있어서의 필름형 접착제(10)의 다이싱성의 향상, 필름형 접착제(10)의 취급성의 향상, 열전도성의 향상, 전단 점도(용융 점도)의 조정, 틱소트로픽성의 부여, 접착력의 향상 등의 관점에서, 실리카 필러 등이 바람직하다.(c) As a component, the improvement of the dicing property of the film adhesive 10 in a B-stage state, the improvement of the handleability of the film adhesive 10, the improvement of thermal conductivity, adjustment of shear viscosity (melt viscosity), thixotropic A silica filler etc. are preferable from viewpoints, such as provision of property and the improvement of adhesive force.

(c) 성분은, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 다이싱성을 향상시키고, 경화 후의 접착력을 충분히 발현시킬 목적으로, 평균 입경이 상이한 2종류 이상의 필러를 포함하는 것이 바람직하다. (c) 성분은, 예컨대 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 다이싱성 향상을 목적으로 한 (c1) 평균 입경이 0.2 ㎛ 이상인 제1 필러와, 경화 후의 접착력을 충분히 발현시키는 것을 목적으로 한 (c2) 평균 입경이 0.2 ㎛ 미만인 제2 필러를 포함하는 것이 바람직하다.(c) For the purpose of improving the dicing property of the film adhesive 10 of a non-hardened state, and fully expressing the adhesive force after hardening, it is preferable that (c) component contains 2 or more types of fillers from which an average particle diameter differs. (c) component, for example, (c1) for the purpose of improving the dicing properties of the film adhesive 10 in an uncured state, the first filler having an average particle diameter of 0.2 µm or more, and the purpose of sufficiently expressing the adhesive force after curing (c2) It is preferable to contain the 2nd filler whose average particle diameter is less than 0.2 micrometer.

평균 입경은, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치를 이용하여, 아세톤을 용매로 하여 분석한 경우에 얻어지는 값으로 한다. 제1 및 제2 필러의 평균 입경은, 입도 분포 측정 장치로 분석한 경우에, 각각의 필러가 포함되어 있는 것을 판별할 수 있을 정도로, 그 차가 큰 것이 보다 바람직하다.Let the average particle diameter be a value obtained when analyzing using acetone as a solvent using a laser diffraction type particle size distribution analyzer. As for the average particle diameter of a 1st and 2nd filler, when the particle size distribution analyzer analyzes, it is more preferable that the difference is large enough to discriminate|determine that each filler is contained.

(c1) 성분의 함유량은, (c) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 30 질량% 이상인 것이 바람직하다. (c1) 성분의 함유량이 30 질량% 이상임으로써, 필름의 파단성의 악화, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 유동성의 악화를 억제하기 쉬워진다. 한편, (c1) 성분의 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않으나, (c) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 95 질량%로 할 수 있다.It is preferable that content of (c1) component is 30 mass % or more on the basis of the total mass of (c) component. (c1) When content of a component is 30 mass % or more, it becomes easy to suppress the deterioration of the fracture|rupture property of a film, and the fluid deterioration of the film adhesive 10 of a non-hardened state. On the other hand, the upper limit of the content of the component (c1) is not particularly limited, but may be 95% by mass based on the total mass of the component (c).

(c2) 성분의 함유량은, (c) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 5 질량% 이상인 것이 바람직하다. (c2) 성분의 함유량이 5 질량% 이상임으로써, 경화 후의 접착력을 향상시키기 쉽다. 한편, (c2) 성분의 함유량의 상한은, 적당한 유동성을 확보하는 관점에서, (c) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 30 질량%로 할 수 있다.It is preferable that content of (c2) component is 5 mass % or more on the basis of the total mass of (c) component. (c2) When content of a component is 5 mass % or more, it is easy to improve the adhesive force after hardening. In addition, the upper limit of content of (c2) component can be made into 30 mass % based on the total mass of (c) component from a viewpoint of ensuring moderate fluidity|liquidity.

(c) 성분의 함유량은, (a) 성분을 100 질량부로 했을 때, 10∼90 질량부인 것이 바람직하고, 40∼70 질량부인 것이 보다 바람직하다. (c) 성분의 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 다이싱성의 악화, 경화 후의 접착력의 저하를 억제하기 쉽다고 하는 경향이 있다. 한편, (c) 성분의 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 유동성의 저하, 경화 후의 탄성률의 상승을 억제하기 쉽다고 하는 경향이 있다. 한편, (c) 성분의 함유량이 상기 범위 내임으로써, 전단 응력 완화율을 원하는 범위로 조정하기 쉬워진다.(c) When content of component (a) makes 100 mass parts, it is preferable that it is 10-90 mass parts, and it is more preferable that it is 40-70 mass parts. (c) When content of a component is more than the said lower limit, there exists a tendency for it to be easy to suppress the deterioration of the dicing property of the film adhesive 10 of a non-hardened state, and the fall of the adhesive force after hardening. On the other hand, when content of (c) component is below the said upper limit, there exists a tendency for it to be easy to suppress the fall of the fluidity|liquidity of the film adhesive 10 of a non-hardened state, and the raise of the elasticity modulus after hardening. On the other hand, when content of (c) component is in the said range, it becomes easy to adjust a shear stress relaxation rate to a desired range.

(d) 유기 필러(d) organic fillers

(d) 성분으로서는, 필름형 접착제(10)의 다이싱성의 향상, 필름형 접착제(10)의 취급성의 향상, 전단 점도(용융 점도)의 조정, 접착력의 향상, 경화 후의 응력 완화성 등의 관점에서, 스티렌-PMMA 변성 고무 필러, 실리콘 변성 고무 필러 등이 바람직하다. (d) 성분의 평균 입경은, 경화 후의 접착력을 충분히 발현하기 쉽게 하는 관점에서 0.2 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.(d) As a component, the improvement of the dicing property of the film adhesive 10, the improvement of the handleability of the film adhesive 10, adjustment of shear viscosity (melt viscosity), improvement of adhesive force, viewpoints of stress relaxation property after hardening, etc. In this, a styrene-PMMA modified rubber filler, a silicone modified rubber filler, and the like are preferred. (d) It is preferable that the average particle diameter of a component is 0.2 micrometer or less from a viewpoint of making it easy to fully express the adhesive force after hardening.

(d) 성분의 함유량은, (c) 성분을 100 질량부로 했을 때, 0∼50 질량부인 것이 바람직하고, 0∼30 질량부인 것이 보다 바람직하다. 필요에 따라 (d) 성분을 소정량 함유시킴으로써, 매립성을 향상시키면서 응력 완화율을 억제하기 쉽다고 하는 경향이 있다.(d) When content of component (c) makes 100 mass parts, it is preferable that it is 0-50 mass parts, and it is more preferable that it is 0-30 mass parts. There exists a tendency for it to be easy to suppress a stress relaxation rate, improving embedding property by containing (d) component in a predetermined amount as needed.

(e) 경화 촉진제(e) curing accelerator

양호한 경화성을 얻을 목적으로, (e) 경화 촉진제를 이용하는 것이 바람직하다. (e) 성분으로서는, 반응성의 관점에서 이미다졸계의 화합물이 바람직하다. 한편, (e) 성분의 반응성이 지나치게 높으면, 필름형 접착제(10)의 제조 공정 중의 가열에 의해 전단 점도가 상승하기 쉬워질 뿐만이 아니라, 경시에 의한 열화를 야기하기 쉬운 경향이 있다. 한편, (e) 성분의 반응성이 지나치게 낮으면, 필름형 접착제(10)의 경화성이 저하되기 쉬운 경향이 있다. 필름형 접착제(10)가 충분히 경화되지 않은 채로 제품 내에 탑재되면, 충분한 접착성이 얻어지지 않아, 반도체 장치의 접속 신뢰성을 악화시킬 가능성이 있다.For the purpose of obtaining good curability, it is preferable to use (e) a curing accelerator. (e) As a component, an imidazole type compound is preferable from a reactive viewpoint. On the other hand, when the reactivity of (e) component is too high, not only will a shear viscosity rise easily by the heating in the manufacturing process of the film adhesive 10, but there exists a tendency which tends to cause deterioration by time-lapse|temporality. On the other hand, when the reactivity of (e) component is too low, there exists a tendency for sclerosis|hardenability of the film adhesive 10 to fall easily. When the film adhesive 10 is mounted in a product with not fully hardened|cured, sufficient adhesiveness will not be acquired but the connection reliability of a semiconductor device may deteriorate.

(e) 성분을 함유시킴으로써, 필름형 접착제(10)의 경화성이 보다 향상된다. 한편, (e) 성분의 함유량이 지나치게 많은 경우에는, 필름형 접착제(10)의 제조 공정 중의 가열에 의해 전단 점도가 상승하기 쉬워질 뿐만이 아니라, 경시에 의한 열화를 야기하기 쉬운 경향이 있다. 이러한 관점에서, (e) 성분의 함유량은, (a) 성분을 100 질량부로 했을 때, 0∼0.20 질량부인 것이 바람직하다.(e) Sclerosis|hardenability of the film adhesive 10 improves more by containing a component. On the other hand, when there is too much content of (e) component, there exists a tendency not only to become easy to raise a shear viscosity by the heating in the manufacturing process of the film adhesive 10, but also to cause deterioration by time-lapse|temporality easily. From such a viewpoint, when content of (e) component makes (a) component 100 mass parts, it is preferable that it is 0-0.20 mass part.

(f) 그 외의 성분(f) other ingredients

상기 성분 이외에, 접착성 향상의 관점에서, 본 기술 분야에 있어서 사용될 수 있는 그 외의 성분을 또한 적량 이용해도 좋다. 그러한 성분으로서는, 예컨대 커플링제를 들 수 있다. 커플링제로서는, γ-우레이드프로필트리에톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-페닐아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.In addition to the above components, other components that can be used in this technical field may also be used in an appropriate amount from the viewpoint of improving the adhesion. As such a component, a coupling agent is mentioned, for example. Examples of the coupling agent include γ-ureidepropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3-(2-aminoethyl)aminopropyltrimethoxysilane, and the like. can be heard

(필름형 접착제)(film adhesive)

필름형 접착제(10)는, 예컨대 상기 성분을 포함하는 접착제 조성물의 바니시를 기재 필름 상에 도포함으로써 바니시의 층을 형성하는 공정, 가열 건조에 의해 바니시의 층으로부터 용매를 제거하는 공정, 기재 필름을 제거하는 공정에 의해 얻을 수 있다.The film adhesive 10 is, for example, a process of forming a layer of varnish by applying a varnish of an adhesive composition containing the above component on a base film, a process of removing a solvent from the layer of varnish by heat drying, a base film It can be obtained by the process of removing.

바니시는, 상기 성분을 포함하는 접착제 조성물을 유기 용매 중에서 혼합, 혼련 등 하여 조제할 수 있다. 혼합 및 혼련은, 통상의 교반기, 뇌궤기, 3본 롤, 볼 밀 등의 분산기를 이용할 수 있다. 이들 기기는 적절히 조합하여 이용할 수 있다. 바니시의 도포는, 예컨대 콤마 코터, 다이 코터 등에 의해 행할 수 있다. 바니시의 가열 건조 조건은, 사용한 유기 용매가 충분히 휘산되는 조건이면 특별히 제한은 없고, 예컨대 60℃∼200℃에서 0.1∼90분간으로 할 수 있다.A varnish can be prepared by mixing, kneading, etc. the adhesive composition containing the said component in an organic solvent. For mixing and kneading, a disperser such as a normal stirrer, a grinder, three rolls, or a ball mill can be used. These devices can be used in combination as appropriate. The varnish can be applied by, for example, a comma coater, a die coater, or the like. The heat drying conditions of the varnish are not particularly limited as long as the organic solvent used is sufficiently volatilized, and can be, for example, from 60°C to 200°C for 0.1 to 90 minutes.

유기 용매로서는, 상기 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산할 수 있는 것이면 제한은 없고, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 이러한 용매로서는, 예컨대, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N메틸피롤리돈, 톨루엔, 크실렌 등을 들 수 있다. 건조 속도가 빠르고, 가격이 싼 점에서 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등을 사용하는 것이 바람직하다.There is no restriction|limiting as an organic solvent as long as it can melt|dissolve, knead|mix, or disperse|distribute the said component uniformly, A conventionally well-known thing can be used. Examples of such a solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, Nmethylpyrrolidone, toluene, and xylene. It is preferable to use methyl ethyl ketone, cyclohexanone, etc. from a point which a drying rate is quick and price is cheap.

상기 기재 필름으로서는, 특별히 제한은 없고, 예컨대, 폴리에스테르 필름(폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등), 폴리프로필렌 필름(OPP(Oriented PolyPropylene) 필름 등), 폴리이미드 필름, 폴리에테르이미드 필름, 폴리에테르나프탈레이트 필름, 메틸펜텐 필름 등을 들 수 있다.The base film is not particularly limited, and for example, a polyester film (polyethylene terephthalate film, etc.), polypropylene film (OPP (Oriented PolyPropylene) film, etc.), polyimide film, polyetherimide film, polyethernaphthalate film , a methylpentene film, and the like.

필름형 접착제(10)의 두께는, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자, 및 기판의 배선 회로 등의 요철을 충분히 매립할 수 있도록, 20∼200 ㎛인 것이 바람직하다. 또한, 두께가 20 ㎛ 이상임으로써 충분한 접착력을 얻기 쉬워지고, 200 ㎛ 이하임으로써 반도체 장치의 소형화의 요구에 응하기 쉬워진다. 이러한 관점에서, 필름형 접착제(10)의 두께는 30∼200 ㎛인 것이 보다 바람직하고, 40∼150 ㎛인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that the thickness of the film adhesive 10 is 20-200 micrometers so that unevenness|corrugations, such as a 1st wire and a 1st semiconductor element, and the wiring circuit of a board|substrate, can be fully embedded. Moreover, when thickness is 20 micrometers or more, sufficient adhesive force becomes easy to be acquired, and when it is 200 micrometers or less, it becomes easy to meet the request|requirement of the size reduction of a semiconductor device. It is more preferable that it is 30-200 micrometers, and, as for the thickness of the film adhesive 10 from such a viewpoint, it is still more preferable that it is 40-150 micrometers.

두꺼운 필름형 접착제(10)를 얻는 방법으로서는, 필름형 접착제(10)끼리를 접합시키는 방법을 들 수 있다.As a method of obtaining the thick film adhesive 10, the method of bonding the film adhesive 10 comrades is mentioned.

(접착 시트)(Adhesive sheet)

접착 시트(100)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 기재 필름(20) 상에 필름형 접착제(10)를 구비하는 것이다. 접착 시트(100)는, 필름형 접착제(10)를 얻는 공정에 있어서, 기재 필름(20)을 제거하지 않음으로써 얻을 수 있다.The adhesive sheet 100 is equipped with the film adhesive 10 on the base film 20, as shown in FIG. The adhesive sheet 100 can be obtained by not removing the base film 20 in the process of obtaining the film adhesive 10.

접착 시트(110)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 접착 시트(100)의 기재 필름(20)과는 반대측의 면에 또한 커버 필름(30)을 구비하는 것이다. 커버 필름(30)으로서는, 예컨대, PET 필름, PE 필름, OPP 필름 등을 들 수 있다.The adhesive sheet 110, as shown in FIG. 3, is equipped with the cover film 30 further on the surface on the opposite side to the base film 20 of the adhesive sheet 100. As shown in FIG. As the cover film 30, a PET film, a PE film, an OPP film, etc. are mentioned, for example.

필름형 접착제(10)는, 다이싱 테이프 상에 적층되어도 좋다. 이에 의해 얻어지는 다이싱·다이 본딩 일체형 접착 시트를 이용함으로써, 반도체 웨이퍼에의 라미네이트 공정을 한번에 행할 수 있고, 작업의 효율화가 가능하다.The film adhesive 10 may be laminated|stacked on a dicing tape. By using the dicing die-bonding integrated adhesive sheet obtained by this, the lamination process to a semiconductor wafer can be performed at once, and work efficiency improvement is possible.

다이싱 테이프로서는, 예컨대, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 다이싱 테이프에는, 필요에 따라, 프라이머 처리, UV 처리, 코로나 방전 처리, 연마 처리, 에칭 처리 등의 표면 처리가 행해져 있어도 좋다.As a dicing tape, plastic films, such as a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, a polyimide film, etc. are mentioned, for example. If necessary, the dicing tape may be subjected to surface treatment such as a primer treatment, a UV treatment, a corona discharge treatment, a polishing treatment, an etching treatment, and the like.

다이싱 테이프는 점착성을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 다이싱 테이프로서는, 상기 플라스틱 필름에 점착성을 부여한 것, 상기 플라스틱 필름의 한쪽 면에 점착제층을 형성한 것을 들 수 있다.It is preferable that the dicing tape has adhesiveness. Examples of such dicing tapes include those in which adhesiveness is imparted to the plastic film, and those in which an adhesive layer is formed on one surface of the plastic film.

이러한 다이싱·다이 본딩 일체형 접착 시트로서는, 도 4에 도시된 접착 시트(120) 및 도 5에 도시된 접착 시트(130)를 들 수 있다. 접착 시트(120)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 인장 텐션을 가했을 때의 신장을 확보할 수 있는 기재 필름(40) 상에 점착제층(50)이 형성된 다이싱 테이프(60)를 지지 기재로 하고, 다이싱 테이프(60)의 점착제층(50) 상에, 필름형 접착제(10)가 형성된 구조를 갖고 있다. 접착 시트(130)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 접착 시트(120)에 있어서 필름형 접착제(10)의 표면에 또한 기재 필름(20)이 형성된 구조를 갖고 있다.Examples of such a dicing and die-bonding integrated adhesive sheet include the adhesive sheet 120 shown in FIG. 4 and the adhesive sheet 130 shown in FIG. 5 . As shown in FIG. 4 , the adhesive sheet 120 supports the dicing tape 60 in which the adhesive layer 50 is formed on the base film 40 that can ensure elongation when tensile tension is applied. It has a structure in which the film adhesive 10 was formed on the pressure-sensitive adhesive layer 50 of the dicing tape 60 . The adhesive sheet 130 has a structure in which the base film 20 was further formed on the surface of the film adhesive 10 in the adhesive sheet 120, as shown in FIG.

기재 필름(40)으로서는, 다이싱 테이프에 대해 기재한 상기 플라스틱 필름을 들 수 있다. 또한, 점착제층(50)은, 예컨대, 액상 성분 및 열가소성 성분을 포함하고 적당한 택(tack) 강도를 갖는 수지 조성물을 이용하여 형성할 수 있다. 다이싱 테이프(60)를 얻기 위해서는, 상기 수지 조성물을 기재 필름(40) 상에 도포하고 건조시켜 점착제층(50)을 형성하는 방법, PET 필름 등의 다른 필름 상에 일단 형성한 점착제층(50)을 기재 필름(40)과 접합시키는 방법 등을 들 수 있다.As the base film 40, the said plastic film described with respect to a dicing tape is mentioned. In addition, the pressure-sensitive adhesive layer 50 may be formed using, for example, a resin composition including a liquid component and a thermoplastic component and having an appropriate tack strength. In order to obtain the dicing tape 60, the resin composition is applied on the base film 40 and dried to form the pressure-sensitive adhesive layer 50, and the pressure-sensitive adhesive layer 50 once formed on another film such as a PET film. ) and a method of bonding the base film 40 and the like.

다이싱 테이프(60) 상에 필름형 접착제(10)를 적층하는 방법으로서는, 상기한 접착제 조성물의 바니시를 다이싱 테이프(60) 상에 직접 도포하여 건조시키는 방법, 바니시를 다이싱 테이프(60) 상에 스크린 인쇄하는 방법, 미리 필름형 접착제(10)를 제작하고, 이것을 다이싱 테이프(60) 상에, 프레스, 핫 롤 라미네이트에 의해 적층하는 방법 등을 들 수 있다. 연속적으로 제조할 수 있고, 효율이 좋은 점에서, 핫 롤 라미네이트에 의한 적층이 바람직하다.As a method of laminating the film adhesive 10 on the dicing tape 60, the varnish of the adhesive composition described above is directly applied on the dicing tape 60 and dried, and the varnish is applied to the dicing tape 60. The method of screen-printing on the image, the method of producing the film adhesive 10 beforehand, and laminating|stacking this on the dicing tape 60 by press and hot-roll lamination, etc. are mentioned. Lamination by hot-roll lamination is preferable at the point which can manufacture continuously and the efficiency is good.

다이싱 테이프(60)의 두께는, 특별히 제한은 없고, 필름형 접착제(10)의 두께, 다이싱·다이 본딩 일체형 접착 시트의 용도 등에 따라 적절히, 당업자의 지식에 기초하여 정할 수 있다. 한편, 다이싱 테이프(60)의 두께가 60 ㎛ 이상임으로써, 취급성의 저하, 익스팬드에 의한 찢어짐 등을 억제하기 쉬운 경향이 있다. 한편, 다이싱 테이프의 두께가 180 ㎛ 이하임으로써, 경제성과 취급성의 좋음을 양립시키기 쉽다.The thickness in particular of the dicing tape 60 is not restrict|limited, According to the thickness of the film adhesive 10, the use of the dicing die-bonding integrated adhesive sheet, etc., it can determine suitably based on the knowledge of those skilled in the art. On the other hand, when the thickness of the dicing tape 60 is 60 micrometers or more, there exists a tendency for it easy to suppress the fall of handleability, the tear by expansion, etc. On the other hand, when the thickness of a dicing tape is 180 micrometers or less, it is easy to make economical efficiency and good handleability compatible.

(반도체 장치)(Semiconductor device)

도 6은 반도체 장치를 도시한 단면도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 반도체 장치(200)는, 제1 반도체 소자(Wa) 상에, 제2 반도체 소자(Waa)가 중첩된 반도체 장치이다. 상세하게는, 기판(14)에, 제1 와이어(88)를 통해 1단째의 제1 반도체 소자(Wa)가 전기적으로 접속되고, 제1 반도체 소자(Wa) 상에, 제1 반도체 소자(Wa)의 면적보다 큰 2단째의 제2 반도체 소자(Waa)가 필름형 접착제(10)를 통해 압착됨으로써, 제1 와이어(88) 및 제1 반도체 소자(Wa)가 필름형 접착제(10)에 매립되어 이루어지는 와이어 매립형의 반도체 장치이다. 또한, 반도체 장치(200)에서는, 기판(14)과 제2 반도체 소자(Waa)가 또한 제2 와이어(98)를 통해 전기적으로 접속되고, 제2 반도체 소자(Waa)가 밀봉재(42)에 의해 밀봉되어 있다.6 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device. As illustrated in FIG. 6 , the semiconductor device 200 is a semiconductor device in which a second semiconductor element Waa is superimposed on a first semiconductor element Wa. In detail, the first semiconductor element Wa of the first stage is electrically connected to the substrate 14 through the first wire 88, and the first semiconductor element Wa is disposed on the first semiconductor element Wa. ) The second semiconductor element Waa of the second stage larger than the area is compressed through the film adhesive 10 , whereby the first wire 88 and the first semiconductor element Wa are embedded in the film adhesive 10 . It is a wire-embedded semiconductor device formed by Further, in the semiconductor device 200 , the substrate 14 and the second semiconductor element Waa are also electrically connected via the second wire 98 , and the second semiconductor element Waa is connected by the sealing material 42 . It is sealed.

제1 반도체 소자(Wa)의 두께는, 10∼170 ㎛이고, 제2 반도체 소자(Waa)의 두께는 20∼400 ㎛이다. 필름형 접착제(10) 내부에 매립되어 있는 제1 반도체 소자(Wa)는, 반도체 장치(200)를 구동하기 위한 컨트롤러 칩이다.The thickness of the first semiconductor element Wa is 10 to 170 µm, and the thickness of the second semiconductor element Waa is 20 to 400 µm. The first semiconductor element Wa embedded in the film adhesive 10 is a controller chip for driving the semiconductor device 200 .

기판(14)은, 표면에 회로 패턴(84, 94)이 각각 2개소씩 형성된 유기 기판(90)을 포함한다. 제1 반도체 소자(Wa)는, 회로 패턴(94) 상에 접착제(41)를 통해 압착되어 있고, 제2 반도체 소자(Waa)는, 제1 반도체 소자(Wa)가 압착되어 있지 않은 회로 패턴(94), 제1 반도체 소자(Wa), 및 회로 패턴(84)의 일부를 덮도록 필름형 접착제(10)를 통해 기판(14)에 압착되어 있다. 기판(14) 상의 회로 패턴(84, 94)에 기인하는 요철은, 필름형 접착제(10)에 의해 매립되어 있다. 그리고, 수지제의 밀봉재(42)에 의해, 제2 반도체 소자(Waa), 회로 패턴(84) 및 제2 와이어(98)가 밀봉되어 있다.The board|substrate 14 contains the organic board|substrate 90 in which the circuit patterns 84, 94 were formed in two places on the surface, respectively. The first semiconductor element Wa is press-bonded on the circuit pattern 94 via the adhesive 41 , and the second semiconductor element Waa has a circuit pattern ( ) to which the first semiconductor element Wa is not press-bonded. 94 , the first semiconductor element Wa, and a portion of the circuit pattern 84 are pressed against the substrate 14 through the film adhesive 10 . The unevenness|corrugation resulting from the circuit patterns 84 and 94 on the board|substrate 14 is filled with the film adhesive 10. As shown in FIG. Then, the second semiconductor element Waa, the circuit pattern 84 and the second wire 98 are sealed by the resin sealing material 42 .

(반도체 장치의 제조 방법)(Method for manufacturing semiconductor device)

반도체 장치는, 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 제1 다이 본드 공정과, 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자의 한쪽 면에, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 첩부하는 라미네이트 공정과, 필름형 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 필름형 접착제가 제1 반도체 소자를 덮도록 배치하고, 필름형 접착제를 압착함으로써, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자를 필름형 접착제에 매립하는 제2 다이 본드 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법에 의해 제조된다. 이하, 반도체 장치(200)의 제조 순서를 예로서, 구체적으로 설명한다.The semiconductor device includes a first die bonding process of electrically connecting a first semiconductor element through a first wire on a substrate, and one surface of a second semiconductor element larger than the area of the first semiconductor element at 100°C. The lamination process of affixing the film adhesive whose shear stress relaxation rate after 0.1 second is 40% - 85%, and the 2nd semiconductor element to which the film adhesive was affixed are arrange|positioned so that a film adhesive may cover a 1st semiconductor element, It manufactures with the manufacturing method of a semiconductor device provided with the 2nd die-bonding process of embedding a 1st wire and a 1st semiconductor element in a film adhesive by crimping|bonding a film adhesive. Hereinafter, the manufacturing procedure of the semiconductor device 200 will be described in detail as an example.

먼저, 도 7에 도시된 바와 같이, 기판(14) 상의 회로 패턴(94) 상에, 접착제(41) 부착 제1 반도체 소자(Waa)를 압착하고, 제1 와이어(88)를 통해 기판(14) 상의 회로 패턴(84)과 제1 반도체 소자(Wa)를 전기적으로 접속한다(제1 다이 본드 공정).First, as shown in FIG. 7 , the first semiconductor element Waa with the adhesive 41 is pressed onto the circuit pattern 94 on the substrate 14 , and the substrate 14 is passed through the first wire 88 . ) and electrically connect the first semiconductor element Wa to the circuit pattern 84 (a first die bonding process).

다음으로, 반도체 웨이퍼(예컨대 8인치 사이즈)의 한쪽 면에, 접착 시트(100)를 라미네이트하고, 기재 필름(20)을 박리함으로써, 반도체 웨이퍼의 한쪽 면에 필름형 접착제(10)를 부착한다. 그리고, 필름형 접착제(10)에 다이싱 테이프(60)를 접합시킨 후, 소정 사이즈(예컨대 가로 세로 7.5 ㎜)로 다이싱하고, 다이싱 테이프(60)를 박리함으로써, 도 8에 도시된 바와 같이, 필름형 접착제(10)가 첩부된 제2 반도체 소자(Waa)를 얻는다(라미네이트 공정).Next, the adhesive sheet 100 is laminated on one surface of a semiconductor wafer (for example, 8-inch size), and the film adhesive 10 is affixed on one surface of a semiconductor wafer by peeling the base film 20. And after bonding the dicing tape 60 to the film adhesive 10, by dicing to a predetermined size (for example, 7.5 mm in width and length), and peeling the dicing tape 60, as shown in FIG. Similarly, the 2nd semiconductor element Waa to which the film adhesive 10 was affixed is obtained (lamination process).

라미네이트 공정은, 50℃∼100℃에서 행하는 것이 바람직하고, 60℃∼80℃에서 행하는 것이 보다 바람직하다. 라미네이트 공정의 온도가 50℃ 이상이면, 반도체 웨이퍼와 양호한 밀착성을 얻을 수 있다. 라미네이트 공정의 온도가 100℃ 이하이면, 라미네이트 공정 중에 필름형 접착제(10)가 과도하게 유동하는 것이 억제되기 때문에, 두께의 변화 등을 야기하는 것을 방지할 수 있다.It is preferable to perform a lamination process at 50 degreeC - 100 degreeC, and it is more preferable to perform at 60 degreeC - 80 degreeC. A semiconductor wafer and favorable adhesiveness can be acquired that the temperature of a lamination process is 50 degreeC or more. Since it is suppressed that the film adhesive 10 flows too much during a lamination process as the temperature of a lamination process is 100 degrees C or less, it can prevent that a change of thickness etc. are caused.

다이싱 방법으로서는, 회전날을 이용하여 블레이드 다이싱하는 방법, 레이저에 의해 필름형 접착제(10) 또는 웨이퍼와 필름형 접착제(10)의 양방을 절단하는 방법, 또한 상온 또는 냉각 조건하에서의 신장 등 범용의 방법 등을 들 수 있다.As the dicing method, a method of blade dicing using a rotary blade, a method of cutting the film adhesive 10 or both the wafer and the film adhesive 10 with a laser, and general purpose such as stretching under normal temperature or cooling conditions methods and the like.

그리고, 필름형 접착제(10)가 첩부된 제2 반도체 소자(Waa)를, 제1 반도체 소자(Wa)가 와이어(88)를 통해 접속된 기판(14)에 압착한다. 구체적으로는, 도 9에 도시된 바와 같이, 필름형 접착제(10)가 첩부된 제2 반도체 소자(Waa)를, 필름형 접착제(10)가 제1 반도체 소자(Wa)를 덮도록 배치하고, 계속해서, 도 10에 도시된 바와 같이, 제2 반도체 소자(Waa)를 기판(14)에 압착시킴으로써 기판(14)에 제2 반도체 소자(Waa)를 고정한다(제2 다이 본드 공정). 제2 다이 본드 공정은, 필름형 접착제(10)를 80℃∼180℃, 0.01∼0.50 ㎫의 조건으로 0.5∼3.0초간 압착하는 것이 바람직하다.And the 2nd semiconductor element Waa to which the film adhesive 10 was affixed is crimped|bonded to the board|substrate 14 to which the 1st semiconductor element Wa was connected via the wire 88. Specifically, as shown in Fig. 9, the second semiconductor element Waa to which the film adhesive 10 was affixed is arranged so that the film adhesive 10 covers the first semiconductor element Wa, Subsequently, as shown in FIG. 10 , the second semiconductor element Waa is fixed to the substrate 14 by pressing the second semiconductor element Waa to the substrate 14 (second die bonding process). It is preferable that a 2nd die-bonding process pressure-bonds the film adhesive 10 for 0.5 to 3.0 second on 80 degreeC - 180 degreeC, and 0.01-0.50 Mpa conditions.

제2 다이 본드 공정에 있어서 발생할 수 있는 공극을 제거하는 것을 목적으로 하여, 제2 다이 본드 공정 후에, 필름형 접착제(10)를 60℃∼175℃, 0.3∼0.7 ㎫의 조건으로, 5분간 이상 가압 및 가열하는 공정을 실시해도 좋다. 이에 의해, 수율을 안정시키면서, 보다 용이하게 반도체 장치를 제조할 수 있다.For the purpose of removing the space|gap which may generate|occur|produce in a 2nd die-bonding process, after a 2nd die-bonding process, the film adhesive 10 is 60 degreeC - 175 degreeC, and 0.3-0.7 Mpa conditions, 5 minutes or more You may implement the process of pressurizing and heating. Thereby, a semiconductor device can be manufactured more easily, stabilizing a yield.

계속해서, 도 11에 도시된 바와 같이, 기판(14)과 제2 반도체 소자(Waa)를 제2 와이어(98)를 통해 전기적으로 접속한 후, 회로 패턴(84), 제2 와이어(98) 및 제2 반도체 소자(Waa) 전체를, 밀봉재(42)로 170℃∼180℃, 5∼8 ㎫의 조건으로 밀봉한다(밀봉 공정). 이러한 공정을 거침으로써 반도체 장치(200)를 제조할 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 11 , after the substrate 14 and the second semiconductor element Waa are electrically connected through the second wire 98 , the circuit pattern 84 and the second wire 98 are electrically connected to each other. And the whole 2nd semiconductor element Waa is sealed with the sealing material 42 on 170 degreeC - 180 degreeC, and 5-8 MPa conditions (sealing process). Through these processes, the semiconductor device 200 may be manufactured.

상기한 바와 같이, 반도체 장치(200)는, 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자가 전기적으로 접속되고, 제1 반도체 소자 상에, 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자가 압착되어 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 제2 반도체 소자를 압착하고, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자를 매립하기 위해서 이용되는, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 이용하여 제조된다. 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40% 이상인 필름형 접착제를 이용함으로써, 와이어, 반도체 소자 등의 형상에 추종할 수 있고, 매립성을 확보하는 것이 가능해진다. 또한, 전단 응력 완화율이 85% 이하인 필름형 접착제를 이용함으로써, 압착 시에 필름 형상을 고정시켜 둘 수 있고, 블리드를 억제하는 것이 가능해진다.As described above, in the semiconductor device 200, a first semiconductor element is electrically connected to a substrate through a first wire, and a second semiconductor element larger than an area of the first semiconductor element is formed on the first semiconductor element. In the semiconductor device formed by crimping, the shear stress relaxation rate after 0.1 second at 100°C used for crimping the second semiconductor element and embedding the first wire and the first semiconductor element is 40% to 85%. It is manufactured using a film adhesive. By using the film adhesive whose shear stress relaxation rate after 0.1 second in 100 degreeC is 40 % or more, it can follow shapes, such as a wire and a semiconductor element, and it becomes possible to ensure embedding property. Moreover, by using the film adhesive whose shear stress relaxation rate is 85 % or less, a film shape can be fixed at the time of crimping|compression-bonding, and it becomes possible to suppress bleed.

이상, 본 발명의 적합한 실시형태에 대해 설명하였으나, 본 발명은 반드시 전술한 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 이하와 같이 그 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경을 행해도 좋다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not necessarily limited to embodiment mentioned above. For example, you may change suitably in the range which does not deviate from the meaning as follows.

반도체 장치(200)에 있어서, 기판(14)은, 표면에 회로 패턴(84, 94)이 각각 2개소씩 형성된 유기 기판(90)이었으나, 기판(14)으로서는 이것에 한정되지 않고, 리드 프레임 등의 금속 기판을 이용해도 좋다.In the semiconductor device 200, the substrate 14 is an organic substrate 90 having circuit patterns 84 and 94 formed in two places on the surface, respectively, but the substrate 14 is not limited to this, and a lead frame, etc. of metal substrate may be used.

반도체 장치(200)는, 제1 반도체 소자(Wa) 상에 제2 반도체 소자(Waa)가 적층되어 있어, 2단으로 반도체 소자가 적층된 구성을 갖고 있었으나, 반도체 장치의 구성은 이것에 한정되지 않는다. 제2 반도체 소자(Waa) 위에 제3 반도체 소자가 더 적층되어 있어도 상관없고, 제2 반도체 소자(Waa) 위에 복수의 반도체 소자가 더 적층되어 있어도 상관없다. 적층되는 반도체 소자의 수가 증가함에 따라, 얻어지는 반도체 장치의 용량을 늘릴 수 있다.The semiconductor device 200 has a configuration in which the second semiconductor element Waa is stacked on the first semiconductor element Wa and the semiconductor elements are stacked in two stages, but the configuration of the semiconductor device is not limited to this. does not A third semiconductor element may be further laminated on the second semiconductor element Waa, and a plurality of semiconductor elements may be further laminated on the second semiconductor element Waa. As the number of stacked semiconductor elements increases, the capacity of the resulting semiconductor device can be increased.

본 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서는, 라미네이트 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼의 한쪽 면에, 도 2에 도시된 접착 시트(100)를 라미네이트하고, 기재 필름(20)을 박리함으로써, 필름형 접착제(10)를 부착하고 있었으나, 라미네이트 시에 이용하는 접착 시트는 이것에 한정되지 않는다. 접착 시트(100) 대신에, 도 4 및 5에 도시된 다이싱·다이 본딩 일체형 접착 시트(120, 130)를 이용할 수 있다. 이 경우, 반도체 웨이퍼를 다이싱할 때에 다이싱 테이프(60)를 별도로 부착할 필요가 없다.In the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment, in a lamination process, the adhesive sheet 100 shown in FIG. 2 is laminated on one side of a semiconductor wafer, By peeling the base film 20, a film adhesive Although (10) was affixed, the adhesive sheet used at the time of lamination is not limited to this. Instead of the adhesive sheet 100, the dicing and die-bonding integrated adhesive sheets 120 and 130 shown in FIGS. 4 and 5 may be used. In this case, there is no need to separately attach the dicing tape 60 when dicing the semiconductor wafer.

라미네이트 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼가 아니라, 반도체 웨이퍼를 개편화(個片化)하여 얻어진 반도체 소자를, 접착 시트(100)에 라미네이트해도 상관없다. 이 경우, 다이싱 공정을 생략할 수 있다.A lamination process WHEREIN: You may laminate not the semiconductor wafer but the semiconductor element obtained by splitting a semiconductor wafer into pieces on the adhesive sheet 100. In this case, the dicing process can be omitted.

실시예Example

이하, 실시예를 들어 본 발명에 대해 보다 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것이 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the present invention is not limited to the following examples.

(실시예 및 비교예)(Examples and Comparative Examples)

표 1 및 표 2(단위: 질량부)에 따라, 열경화성 수지인 에폭시 수지 및 페놀 수지, 및 무기 필러를 각각 칭량하여 조성물을 얻고, 또한 시클로헥사논을 첨가하여 교반 혼합하였다. 이것에, 열가소성 수지인 아크릴 고무를 첨가하여 교반한 후, 또한 커플링제 및 경화 촉진제를 첨가하여 각 성분이 균일하게 될 때까지 교반하여, 바니시를 얻었다. 한편, 표 중의 각 성분의 품명은 하기의 것을 의미한다.According to Tables 1 and 2 (unit: parts by mass), an epoxy resin and a phenol resin, which are thermosetting resins, and an inorganic filler, respectively, were weighed to obtain a composition, and cyclohexanone was added and mixed with stirring. After adding and stirring the acrylic rubber which is a thermoplastic resin to this, it stirred until each component became uniform by further adding a coupling agent and a hardening accelerator, and obtained the varnish. In addition, the product name of each component in a table|surface means the following.

(에폭시 수지)(epoxy resin)

Celloxide 2021P: (상품명, 다이셀 가부시키가이샤 제조, 3',4'-에폭시시클로헥실메틸 3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트: 에폭시 당량 126, 상온에서 액체, 분자량 236)Celloxide 2021P: (trade name, manufactured by Daicel Co., Ltd., 3',4'-epoxycyclohexylmethyl 3,4-epoxycyclohexanecarboxylate: epoxy equivalent 126, liquid at room temperature, molecular weight 236)

YDF-8170C: (상품명, 신닛카 에폭시 세이조 가부시키가이샤 제조, 비스페놀 F형 에폭시 수지: 에폭시 당량 159, 상온에서 액체, 중량 평균 분자량 약 310)YDF-8170C: (trade name, manufactured by Shin-Nika Epoxy Seijo Co., Ltd., bisphenol F-type epoxy resin: epoxy equivalent 159, liquid at room temperature, weight average molecular weight about 310)

YDCN-700-10: (상품명, 신닛카 에폭시 세이조 가부시키가이샤 제조, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지: 에폭시 당량 210, 연화점 75℃∼85℃)YDCN-700-10: (trade name, manufactured by Shin-Nika Epoxy Seijo Co., Ltd., cresol novolak type epoxy resin: epoxy equivalent 210, softening point 75°C to 85°C)

HP-7000L: (상품명, DIC 가부시키가이샤 제조, 디시클로펜타디엔 변성 에폭시 수지: 에폭시 당량 242∼252, 연화점: 50℃∼60℃)HP-7000L: (trade name, manufactured by DIC Corporation, dicyclopentadiene-modified epoxy resin: epoxy equivalent 242 to 252, softening point: 50°C to 60°C)

VG-3101L: (상품명, 가부시키가이샤 프린테크 제조, 다작용 에폭시 수지: 에폭시 당량 210, 연화점 39℃∼46℃)VG-3101L: (trade name, manufactured by PRINTEC, Ltd., polyfunctional epoxy resin: epoxy equivalent 210, softening point 39°C to 46°C)

(페놀 수지)(phenolic resin)

HE-100C-30: (상품명, 에어·워터 가부시키가이샤 제조, 페놀 수지: 수산기 당량 175, 연화점 79℃, 흡수율 1 질량%, 가열 질량 감소율 4 질량%)HE-100C-30: (trade name, manufactured by Air Water Co., Ltd., phenolic resin: hydroxyl equivalent 175, softening point 79°C, water absorption 1% by mass, heating mass reduction rate 4% by mass)

레지톱 PSM-4326: (상품명, 군에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조, 페놀 수지: 수산기 당량 105, 연화점 118℃∼122℃, 흡수율 1 질량%)Regtop PSM-4326: (trade name, manufactured by Gunei Chemical Industries, Ltd., phenolic resin: hydroxyl equivalent 105, softening point 118°C to 122°C, water absorption 1% by mass)

(무기 필러)(inorganic filler)

SC2050-HLG: (상품명, 아드마텍스 가부시키가이샤 제조, 실리카 필러 분산액: 평균 입경 0.50 ㎛)SC2050-HLG: (trade name, manufactured by Admatex Co., Ltd., silica filler dispersion: average particle diameter 0.50 μm)

아에로질 R972: (상품명, 닛폰 아에로질 가부시키가이샤 제조, 실리카: 평균 입경 0.016 ㎛).Aerosil R972: (trade name, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., silica: average particle diameter 0.016 µm).

(아크릴 고무)(acrylic rubber)

HTR-860P-3CSP: (샘플명: 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조, 아크릴 고무: 중량 평균 분자량 80만, 글리시딜 작용기 모노머 비율 3 몰%, Tg 12℃)HTR-860P-3CSP: (Sample name: Nagase Chemtex Co., Ltd., acrylic rubber: weight average molecular weight 800,000, glycidyl functional group monomer ratio 3 mol%, Tg 12°C)

HTR-860P-3CSP Mw: 50: (샘플명: 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조, 아크릴 고무: 중량 평균 분자량 50만, 글리시딜 작용기 모노머 비율 3 몰%, Tg 12℃)HTR-860P-3CSP Mw: 50: (Sample name: Nagase Chemtex Co., Ltd., acrylic rubber: weight average molecular weight 500,000, glycidyl functional group monomer ratio 3 mol%, Tg 12°C)

HTR-860P-30B-CHN: (샘플명, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조, 아크릴 고무: 중량 평균 분자량 23만, 글리시딜 작용기 모노머 비율 8 질량%, Tg -7℃)HTR-860P-30B-CHN: (Sample name, manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., acrylic rubber: weight average molecular weight 230,000, glycidyl functional group monomer ratio 8 mass%, Tg -7°C)

(커플링제)(Coupling agent)

A-189: (상품명, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬 고도가이샤 제조, γ-머캅토프로필트리메톡시실란)A-189: (trade name, Momentive Performance Materials Japan Kodo Co., Ltd., γ-mercaptopropyltrimethoxysilane)

A-1160: (상품명, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬 고도가이샤 제조, γ-우레이드프로필트리에톡시실란)A-1160: (trade name, Momentive Performance Materials, Japan Kodo Co., Ltd., γ-ureidepropyltriethoxysilane)

(경화 촉진제)(curing accelerator)

큐어졸 2PZ-CN: (상품명, 시코쿠 가세이 고교 가부시키가이샤 제조, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸)Curesol 2PZ-CN: (trade name, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole)

Figure 112020066439969-pct00001
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Figure 112020066439969-pct00002
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다음으로, 얻어진 바니시를 100 메시의 필터로 여과하고, 진공 탈포하였다. 진공 탈포 후의 바니시를, 기재 필름인, 이형 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 38 ㎛) 상에 도포하였다. 도포한 바니시를, 90℃에서 5분간, 계속해서 140℃에서 5분간의 2단계로 가열 건조시켰다. 이렇게 해서, PET 필름 상에, B 스테이지 상태에 있는 두께 60 ㎛의 필름형 접착제를 구비한 접착 시트를 얻었다.Next, the obtained varnish was filtered through a 100 mesh filter, and vacuum degassed. The varnish after vacuum defoaming was apply|coated on the polyethylene terephthalate (PET) film (38 micrometers in thickness) which performed the release process which is a base film. The apply|coated varnish was heat-dried at 90 degreeC for 5 minutes, then, at 140 degreeC for 5 minutes, two steps. In this way, the adhesive sheet provided with the 60-micrometer-thick film adhesive in a B-stage state was obtained on PET film.

<각종 물성의 평가><Evaluation of various physical properties>

얻어진 필름형 접착제에 대해 하기와 같이 평가를 하였다. 평가 결과를 표 3 및 표 4에 나타낸다.The obtained film adhesive was evaluated as follows. The evaluation results are shown in Tables 3 and 4.

[전단 응력 완화율 측정][Measurement of shear stress relaxation rate]

기재 필름을 박리 제거한 필름형 접착제를 복수 매 접합시키고, 두께 방향으로 가로 세로 10 ㎜로 펀칭하였다. 이에 의해 가로 세로 10 ㎜, 두께 360 ㎛의 필름형 접착제의 평가용 샘플을 얻었다. 동적 점탄성 장치 ARES(TA사 제조)에 직경 8 ㎜의 원형 알루미늄 플레이트 지그를 세트하고, 이 지그로 상기 평가용 샘플을 끼워 넣었다. 그 후, 평가용 샘플을 실온(30℃)으로부터 최대로 60℃/분의 승온 속도로 100℃까지 승온한 후, 10%의 변형을 부여하여 0.1초 경과 후의 전단 응력을 기록하였다. 이 응력을 초기 응력으로 규격화하고, 응력 완화율을 산출하였다.A plurality of film adhesives from which the base film was peeled off were bonded together and punched out at 10 mm in width in the thickness direction. Thereby, the sample for evaluation of the film adhesive of 10 mm in width and 360 micrometers in thickness was obtained. A circular aluminum plate jig having a diameter of 8 mm was set in the dynamic viscoelasticity device ARES (manufactured by TA), and the sample for evaluation was sandwiched with this jig. Thereafter, the sample for evaluation was heated from room temperature (30° C.) to 100° C. at a maximum temperature increase rate of 60° C./min. Then, a 10% strain was applied, and the shear stress after 0.1 second was recorded. This stress was normalized to the initial stress, and the stress relaxation rate was calculated.

[전단 점도 측정][Shear Viscosity Measurement]

전단 응력 완화율 측정과 동일하게 하여, 평가용 샘플에 대해 5%의 변형을 주파수 1 ㎐로 부여하면서, 5℃/분의 승온 속도로 실온(30℃)으로부터 140℃까지 승온시키면서 전단 점도를 측정하였다. 그리고, 120℃에서의 측정값을 기록하였다.Shear viscosity was measured while raising the temperature from room temperature (30°C) to 140°C at a temperature increase rate of 5°C/min while applying a strain of 5% to the sample for evaluation at a frequency of 1 Hz in the same manner as the shear stress relaxation rate measurement. did. And the measured value at 120 degreeC was recorded.

[압착 후 매립성 평가][Evaluation of embedding properties after compression]

접착 시트의 필름형 접착제를 2장 접합시켜 두께 120 ㎛로 하고, 이것을 두께 100 ㎛의 반도체 웨이퍼(8인치)에 70℃에서 부착하였다. 다음으로, 이들을 가로 세로 7.5 ㎜로 다이싱하여, 접착 시트 부착 반도체 소자를 얻었다.Two film adhesives of an adhesive sheet were bonded together, it was set to 120 micrometers in thickness, and this was affixed on the semiconductor wafer (8 inches) of 100 micrometers in thickness at 70 degreeC. Next, these were diced to 7.5 mm in width and length, and the semiconductor element with an adhesive sheet was obtained.

한편, 다이싱·다이 본딩 일체형 필름(히타치 가세이 가부시키가이샤 제조, HR-9004-10(두께 10 ㎛))을, 두께 50 ㎛의 반도체 웨이퍼(8인치)에 70℃에서 부착하였다. 다음으로, 이들을 가로 세로 3.0 ㎜로 다이싱하여, 상기한 일체형 필름 부착 칩을 얻었다. 일체형 필름 부착 칩을, 표면 요철이 최대 6 ㎛인 평가용 기판에, 120℃, 0.20 ㎫, 2초간의 조건으로 압착한 후, 120℃에서 2시간 가열하여 일체형 필름을 반경화시켰다. 이에 의해 칩 부착 기판을 얻었다.On the other hand, a dicing and die-bonding integrated film (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., HR-9004-10 (10 µm thick)) was attached to a 50 µm-thick semiconductor wafer (8 inches) at 70°C. Next, these were diced to 3.0 mm in width and length, and the above-mentioned chip|tip with integrated film was obtained. The integrated film-attached chip was pressed against a substrate for evaluation having a surface unevenness of up to 6 μm under conditions of 120° C., 0.20 MPa, 2 seconds, and then heated at 120° C. for 2 hours to semi-harden the integrated film. Thereby, the board|substrate with a chip|tip was obtained.

얻어진 칩 부착 기판에, 접착 시트 부착 반도체 소자를, 120℃, 0.20 ㎫, 1.5초간의 조건으로 압착하였다. 이때, 앞서 압착하고 있는 칩이, 접착 시트 부착 반도체 소자의 한가운데에 오도록 위치 맞춤을 하였다.The semiconductor element with an adhesive sheet was crimped|bonded to the obtained board|substrate with a chip under conditions of 120 degreeC, 0.20 MPa, and 1.5 second. At this time, alignment was carried out so that the chip|tip previously crimped|compressed might come to the center of the semiconductor element with an adhesive sheet.

가열 후 실온까지 자연 방냉한 구조체를, 초음파 C-SCAN 화상 진단 장치(인사이트 가부시키가이샤 제조, 품번 IS350, 프로브: 75 ㎒)로 분석하여, 압착 후 매립성을 확인하였다. 압착 후 매립성은 이하의 기준에 의해 평가하였다.The structure, which was naturally cooled to room temperature after heating, was analyzed with an ultrasonic C-SCAN imaging apparatus (manufactured by Insight Co., Ltd., part number IS350, probe: 75 MHz) to confirm embedding properties after compression. The embedding property after crimping|compression-bonding was evaluated by the following criteria.

◎: 압착 필름 면적에 대한 공극 면적의 비율이 3% 미만.(double-circle): The ratio of the void area with respect to the compression film area is less than 3%.

○: 압착 필름 면적에 대한 공극 면적의 비율이 3% 이상 5% 미만.(circle): The ratio of the void area with respect to the compression film area is 3% or more and less than 5%.

△: 압착 필름 면적에 대한 공극 면적의 비율이 5% 이상 8% 미만.(triangle|delta): The ratio of the space|gap area with respect to the compression film area is 5% or more and less than 8%.

×: 압착 필름 면적에 대한 공극 면적의 비율이 8% 이상.x: The ratio of the space|gap area with respect to the compression film area is 8 % or more.

[블리드량 평가][Bleed amount evaluation]

압착 후 매립성 평가에서 얻어진 구조체를, 광학 현미경을 이용하여 바로 위에서 관찰하였다. 그리고, 반도체 소자의 가장자리를 시점으로 하여, 압착에 의해 반도체 소자의 가장자리로부터 압출된 필름형 접착제의 가장자리까지의 거리를 측장(測長)하였다. 측장은 현미경 부속의 화상 해석 소프트를 이용하여 행하고, 측장된 거리의 최대값을 블리드량으로 하였다. 한편, 압착 후 매립성이 × 및 △인 예에 대해서는 평가를 행하지 않았다.The structure obtained in the embedding evaluation after compression was observed directly from above using an optical microscope. And the distance from the edge of the semiconductor element to the edge of the film adhesive extruded by crimping|compression-bonding was measured with the edge of a semiconductor element as a starting point. The length measurement was performed using the image analysis software attached to the microscope, and the maximum value of the measured distance was made into the bleed amount. On the other hand, evaluation was not performed about the example in which embedding property after crimping|compression-bonding was x and (triangle|delta).

Figure 112020066439969-pct00003
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Figure 112020066439969-pct00004
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10: 필름형 접착제, 14: 기판, 42: 수지(밀봉재), 88: 제1 와이어, 98: 제2 와이어, 200: 반도체 장치, Wa: 제1 반도체 소자, Waa: 제2 반도체 소자DESCRIPTION OF SYMBOLS 10: film adhesive, 14: board|substrate, 42: resin (sealing material), 88: 1st wire, 98: 2nd wire, 200: semiconductor device, Wa: 1st semiconductor element, Waa: 2nd semiconductor element

Claims (8)

기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 제1 다이 본드 공정과,
상기 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자의 한쪽 면에, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 첩부하는 라미네이트 공정과,
상기 필름형 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 상기 필름형 접착제가 상기 제1 반도체 소자를 덮도록 배치하고, 상기 필름형 접착제를 압착함으로써, 상기 제1 와이어 및 상기 제1 반도체 소자를 상기 필름형 접착제에 매립하는 제2 다이 본드 공정
을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법.A first die bonding process of electrically connecting a first semiconductor element through a first wire on a substrate;
The lamination process which affixes the film adhesive whose shear stress relaxation rate after 0.1 second in 100 degreeC is 40% - 85% on one side of a 2nd semiconductor element larger than the area of the said 1st semiconductor element;
The said 1st wire and the said 1st semiconductor element are made into the said film by arrange|positioning so that the said film adhesive may cover the said 1st semiconductor element, and crimping|bonding the said film adhesive for the 2nd semiconductor element to which the said film adhesive was affixed. 2nd die bonding process embedded in mold adhesive
A method of manufacturing a semiconductor device comprising: 제1항에 있어서, 상기 필름형 접착제의, 120℃에 있어서의 전단 점도가 5000 ㎩·s 이하인, 반도체 장치의 제조 방법.The manufacturing method of the semiconductor device of Claim 1 whose shear viscosity in 120 degreeC of the said film adhesive is 5000 Pa.s or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 필름형 접착제가 아크릴 수지 및 에폭시 수지를 포함하는 것인, 반도체 장치의 제조 방법.The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1 or 2, wherein the film adhesive contains an acrylic resin and an epoxy resin. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 필름형 접착제가 무기 필러 및 유기 필러 중 적어도 한쪽을 포함하는 것인, 반도체 장치의 제조 방법.The manufacturing method of the semiconductor device of Claim 1 or 2 in which the said film adhesive contains at least one of an inorganic filler and an organic filler. 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자가 전기적으로 접속되고, 상기 제1 반도체 소자 상에, 상기 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자가 압착되어 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 상기 제2 반도체 소자를 압착하고, 상기 제1 와이어 및 상기 제1 반도체 소자를 매립하기 위해서 이용되는, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제.A semiconductor device in which a first semiconductor element is electrically connected to a substrate through a first wire, and a second semiconductor element larger than an area of the first semiconductor element is pressed on the first semiconductor element, The film adhesive whose shear stress relaxation rate after 0.1 second in 100 degreeC used in order to crimp 2 semiconductor elements and to embed the said 1st wire and a said 1st semiconductor element is 40 % - 85 %. 제5항에 있어서, 120℃에 있어서의 전단 점도가 5000 ㎩·s 이하인 필름형 접착제.The film adhesive of Claim 5 whose shear viscosity in 120 degreeC is 5000 Pa*s or less. 제5항 또는 제6항에 있어서, 아크릴 수지 및 에폭시 수지를 포함하는 필름형 접착제.The film adhesive of Claim 5 or 6 containing an acrylic resin and an epoxy resin. 제5항 또는 제6항에 있어서, 무기 필러 및 유기 필러 중 적어도 한쪽을 포함하는 필름형 접착제.The film adhesive of Claim 5 or 6 containing at least one of an inorganic filler and an organic filler.
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