KR20200111703A - Semiconductor device manufacturing method and adhesive film - Google Patents
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Abstract
본 발명에는, 점착 필름 상에 접착 필름 및 반도체 웨이퍼를 이 순서로 갖춘 접착 필름 구비 반도체 웨이퍼를 준비하는 공정과, 접착 필름 구비 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 접착 필름 구비 반도체 칩을 얻는 다이싱 공정과, 접착 필름 구비 반도체 칩을 반도체 기판에 압착하는 압착 공정을 구비하고, 접착 필름이 제1 필름과 제1 필름과는 80℃의 전단 점도가 다른 제2 필름을 점착 필름에서부터 이 순서로 포함하고, 제2 필름의 80℃의 전단 점도가 500 Pa·s 이상인, 반도체 장치의 제조 방법이 개시된다. In the present invention, a step of preparing a semiconductor wafer with an adhesive film having an adhesive film and a semiconductor wafer on the adhesive film in this order, a dicing step of dicing a semiconductor wafer with an adhesive film to obtain a semiconductor chip with an adhesive film, It includes a pressing process of compressing a semiconductor chip with an adhesive film to a semiconductor substrate, and the adhesive film includes a second film having a shear viscosity of 80°C different from the first film and the first film in this order from the adhesive film. 2 Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device in which the film has a shear viscosity of 500 Pa·s or more at 80°C.
Description
본 발명은 반도체 장치의 제조 방법 및 접착 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device and an adhesive film.
종래 반도체 칩과 반도체 기판의 접합에는 주로 은 페이스트가 사용되고 있다. 그러나, 최근의 반도체 칩의 소형화 및 집적화에 따라, 사용되는 반도체 기판에도 소형화 및 세밀화가 요구되어 오고 있다. 한편, 은 페이스트를 이용하는 경우에는, 페이스트의 돌출 또는 반도체 칩의 기울기에 기인하는 와이어 본딩 시에 있어서의 문제점 발생, 막 두께 제어의 곤란성, 보이드 발생 등의 문제가 생기는 경우가 있다. Conventionally, a silver paste is mainly used for bonding a semiconductor chip and a semiconductor substrate. However, with the recent miniaturization and integration of semiconductor chips, miniaturization and miniaturization have been demanded for used semiconductor substrates. On the other hand, in the case of using a silver paste, there may be problems such as occurrence of problems in wire bonding due to protrusion of the paste or inclination of the semiconductor chip, difficulty in controlling the film thickness, and generation of voids.
그 때문에, 최근 반도체 칩과 반도체 기판을 접합하기 위한 접착 필름이 사용되고 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 다이싱 테이프와 다이싱 테이프 상에 적층된 접착 필름을 구비하는 접착 필름을 이용하는 경우, 반도체 웨이퍼의 이면에 접착 필름을 붙이고, 다이싱에 의해서 반도체 웨이퍼를 개편화(個片化)함으로써, 접착 필름 구비 반도체 칩을 얻을 수 있다. 얻어진 접착 필름 구비 반도체 칩은, 접착 필름을 통해 반도체 기판에 붙여, 열압착에 의해 접합할 수 있다. Therefore, recently, an adhesive film for bonding a semiconductor chip and a semiconductor substrate has been used (see, for example, Patent Document 1). In the case of using an adhesive film comprising a dicing tape and an adhesive film laminated on the dicing tape, an adhesive film is attached to the back surface of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is divided into pieces by dicing. An equipped semiconductor chip can be obtained. The obtained semiconductor chip with an adhesive film can be pasted to a semiconductor substrate via an adhesive film, and can be bonded by thermocompression bonding.
그러나, 반도체 칩의 소형화 및 집적화에 따라, 접착 필름을 경화시켰을 때에, 반도체 장치의 반도체 기판에 휘어짐이 발생하는 경우가 있다. 반도체 기판에 휘어짐이 발생하면, 예컨대 밀봉 공정에 있어서, 반도체 칩이 밀봉재로부터 돌출되어 전기 불량이 발생할 우려가 있다. However, with the miniaturization and integration of semiconductor chips, when the adhesive film is cured, warpage may occur in the semiconductor substrate of the semiconductor device. When warping occurs in the semiconductor substrate, for example, in the sealing process, the semiconductor chip may protrude from the sealing material, thereby causing electrical failure.
또한, 와이어 매립형 접착 필름인 FOW(Film Over Wire) 또는 칩 매립형 접착 필름인 FOD(Film Over Die)를 이용하는 경우는, 더욱 반도체 기판의 휘어짐이 커지는 경향이 있다. 또한, 이들 접착 필름에서는, 와이어, 컨트롤러 칩 등을 매립할 필요가 있기 때문에, 접착 필름 구비 반도체 칩에도 휘어짐이 발생하는 경우가 있다. In addition, when FOW (Film Over Wire) which is a wire-embedded adhesive film or FOD (Film Over Die) which is a chip-embedded adhesive film is used, the warpage of the semiconductor substrate tends to increase further. In addition, in these adhesive films, since it is necessary to embed a wire, a controller chip, etc., warpage may also occur in a semiconductor chip provided with an adhesive film.
본 발명은 이러한 실정에 감안하여 이루어진 것으로, 반도체 기판의 휘어짐을 억제할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.The present invention has been made in view of such a situation, and its main object is to provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing warpage of a semiconductor substrate.
본 발명의 일 측면은, 점착 필름 상에, 접착 필름 및 반도체 웨이퍼를 이 순서로 갖춘 접착 필름 구비 반도체 웨이퍼를 준비하는 공정과, 접착 필름 구비 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 접착 필름 구비 반도체 칩을 얻는 다이싱 공정과, 접착 필름 구비 반도체 칩을 반도체 기판에 압착하는 압착 공정을 구비하고, 접착 필름이 제1 필름과 제1 필름과는 80℃의 전단 점도가 다른 제2 필름을 점착 필름에서부터 이 순서로 포함하고, 제2 필름의 80℃의 전단 점도가 500 Pa·s 이상인 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 이러한 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 반도체 기판의 휘어짐을 억제할 수 있게 된다.One aspect of the present invention is a process of preparing a semiconductor wafer with an adhesive film on an adhesive film, in which an adhesive film and a semiconductor wafer are provided in this order, and a die for dicing a semiconductor wafer with an adhesive film to obtain a semiconductor chip with an adhesive film A second film having a shearing process and a pressing process of compressing a semiconductor chip provided with an adhesive film to a semiconductor substrate, and the adhesive film having a shear viscosity of 80°C different from the first film and the first film, in this order from the adhesive film. And a second film having a shear viscosity of 500 Pa·s or more at 80° C. is provided. According to such a method of manufacturing a semiconductor device, it is possible to suppress the warpage of the semiconductor substrate.
제2 필름의 두께는 3∼150 ㎛라도 좋다. 제2 필름의 경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률은 1000 MPa 이하라도 좋다.The thickness of the second film may be 3 to 150 µm. The storage modulus at 150° C. after curing of the second film may be 1000 MPa or less.
반도체 장치는, 반도체 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 칩이 와이어 본딩 접속됨과 더불어, 제1 반도체 칩 상에 제2 반도체 칩이 접착 필름을 통해 압착됨으로써, 제1 와이어의 적어도 일부가 접착 필름에 매립되어 이루어지는 와이어 매립형의 반도체 장치라도 좋고, 제1 와이어 및 제1 반도체 칩이 접착 필름에 매립되어 이루어지는 칩 매립형의 반도체 장치라도 좋다. 이러한 반도체 장치에서는, 반도체 기판의 휘어짐뿐만 아니라, 접착 필름 구비 반도체 칩(제2 반도체 칩)의 휘어짐도 억제할 수 있게 될 수 있다.In the semiconductor device, at least a part of the first wire is adhered by bonding the first semiconductor chip to the semiconductor substrate through a first wire by wire bonding, and by compressing the second semiconductor chip on the first semiconductor chip through an adhesive film. A wire-embedded type semiconductor device embedded in a film may be used, or a chip-embedded semiconductor device formed by embedding the first wire and the first semiconductor chip in an adhesive film may be used. In such a semiconductor device, not only the warpage of the semiconductor substrate, but also warpage of the semiconductor chip (second semiconductor chip) provided with the adhesive film can be suppressed.
다른 측면에 있어서, 본 발명은, 제1 필름과, 제1 필름 상에 적층된, 제1 필름과는 80℃의 전단 점도가 다른 제2 필름을 가지고, 제2 필름의 80℃의 전단 점도가 500 Pa·s 이상인 접착 필름을 제공한다. In another aspect, the present invention has a first film and a second film laminated on the first film and having a shear viscosity of 80° C. different from that of the first film, and the shear viscosity of the second film is 80° C. It provides an adhesive film of 500 Pa·s or more.
제2 필름의 두께는 3∼150 ㎛라도 좋다. 제2 필름의 경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률은 1000 MPa 이하라도 좋다.The thickness of the second film may be 3 to 150 µm. The storage modulus at 150° C. after curing of the second film may be 1000 MPa or less.
상술한 접착제 필름은, 반도체 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 칩이 와이어 본딩 접속됨과 더불어, 제1 반도체 칩 상에 제2 반도체 칩이 압착되어 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 제2 반도체 칩을 압착함과 더불어, 제1 와이어의 적어도 일부를 매립하기 위해서 이용되는 것(즉, FOW 용도)이라도 좋고, 제1 와이어 및 제1 반도체 칩을 매립하기 위해서 이용되는 것(즉, FOD 용도)이라도 좋다. In the above-described adhesive film, in a semiconductor device in which a first semiconductor chip is connected by wire bonding through a first wire on a semiconductor substrate, and a second semiconductor chip is pressed onto the first semiconductor chip, the second semiconductor chip is In addition to crimping, it may be used for embedding at least a part of the first wire (i.e., for FOW), or for embedding the first wire and the first semiconductor chip (i.e., for FOD). .
본 발명에 의하면, 반도체 기판의 휘어짐을 억제할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 몇 개의 형태에 따른 제조 방법은, 접착 필름 구비 반도체 칩의 휘어짐도 억제할 수 있게 된다. 또한, 본 발명에 의하면, 이러한 제조 방법에 이용되는 접착 필름이 제공된다. According to the present invention, a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing warpage of a semiconductor substrate is provided. The manufacturing method according to several forms can also suppress the warpage of the semiconductor chip with an adhesive film. Further, according to the present invention, an adhesive film used in such a manufacturing method is provided.
도 1은 기재 필름 및 점착 필름을 갖춘 필름의 모식도이다.
도 2의 (a)는 기재 필름 및 접착 필름을 갖춘 필름의 모식도이다. (b)는 기재 필름 및 접착 필름을 갖춘 필름의 모식도이다. (c)는 접착 필름의 모식도이다.
도 3은 접착 필름의 모식도이다.
도 4는 접착 필름 구비 반도체 웨이퍼의 모식도이다.
도 5은 다이싱 공정을 도시하는 모식도이다.
도 6은 자외선 조사 공정을 도시하는 모식도이다.
도 7은 픽업 공정을 도시하는 모식도이다.
도 8은 압착 공정을 도시하는 모식도이다.
도 9는 반도체 장치의 일 실시형태를 도시하는 모식도이다.
도 10은 반도체 장치의 일 실시형태를 도시하는 모식도이다.
도 11은 반도체 장치의 제조 공정을 도시하는 모식도이다.
도 12는 반도체 장치의 제조 공정을 도시하는 모식도이다.
도 13은 반도체 장치의 일 실시형태를 도시하는 모식도이다.
도 14는 반도체 장치의 제조 공정을 도시하는 모식도이다.
도 15는 반도체 장치의 제조 공정을 도시하는 모식도이다.
도 16은 반도체 장치의 제조 공정을 도시하는 모식도이다.
도 17은 반도체 장치의 제조 공정을 도시하는 모식도이다.
도 18은 반도체 장치의 제조 공정을 도시하는 모식도이다.
도 19는 픽업용 콜릿의 밀어올림면을 도시하는 도면이다.1 is a schematic diagram of a film provided with a base film and an adhesive film.
2A is a schematic diagram of a film provided with a base film and an adhesive film. (b) is a schematic diagram of a film provided with a base film and an adhesive film. (c) is a schematic diagram of an adhesive film.
3 is a schematic diagram of an adhesive film.
4 is a schematic diagram of a semiconductor wafer with an adhesive film.
5 is a schematic diagram showing a dicing process.
6 is a schematic diagram showing an ultraviolet irradiation step.
7 is a schematic diagram showing a pickup process.
8 is a schematic diagram showing a pressing process.
9 is a schematic diagram showing an embodiment of a semiconductor device.
10 is a schematic diagram showing an embodiment of a semiconductor device.
11 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a semiconductor device.
12 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a semiconductor device.
13 is a schematic diagram showing an embodiment of a semiconductor device.
14 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a semiconductor device.
15 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a semiconductor device.
16 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a semiconductor device.
17 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a semiconductor device.
18 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a semiconductor device.
Fig. 19 is a diagram showing a raised surface of a pickup collet.
이하, 도면을 적절하게 참조하면서 본 발명의 실시형태에 관해서 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with appropriate reference to the drawings. However, this invention is not limited to the following embodiment.
본 명세서에 있어서, (메트)아크릴산은 아크릴산 또는 그것에 대응하는 메타크릴산을 의미한다. (메트)아크릴로일기 등의 다른 유사 표현에 관해서도 마찬가지다. In the present specification, (meth)acrylic acid means acrylic acid or methacrylic acid corresponding thereto. The same applies to other similar expressions such as (meth)acryloyl group.
<반도체 장치의 제조 방법><Method of manufacturing semiconductor device>
[준비 공정][Preparation process]
본 공정에서는, 다이싱 대상이 되는 접착 필름 구비 반도체 웨이퍼를 준비한다.In this step, a semiconductor wafer with an adhesive film to be subjected to dicing is prepared.
접착 필름의 제작 방법의 일례에 관해서 설명한다. 우선, 기재 필름(1, 4a 및 4b) 상에 각각 별개의 점착제, 제1 접착제 및 제2 접착제를 도포하여, 기재 필름(1) 및 점착 필름(2)을 갖춘 필름(100)(도 1)과, 기재 필름(4a) 및 제1 필름(3a)을 갖춘 필름(110)(도 2(a))과, 기재 필름(4b) 및 제2 필름(3b)을 갖춘 필름(120)(도 2(b))을 제작한다. 그 후, 필름(110) 및 필름(120)으로부터 기재 필름(4a) 및 기재 필름(4b)을 벗기고, 제1 필름(3a) 및 제2 필름(3b)을 맞붙여 접착 필름(130)(도 2(c))을 제작한다. 이어서, 필름(100)에, 점착 필름(2), 제1 필름(3a) 및 제2 필름(3b)의 순서가 되도록 적층하여, 기재 필름(1)과 점착 필름(2)과 접착 필름(130)을 구비하는 접착 시트(200)(도 3)를 얻을 수 있다. 접착 시트(200)는, 필름(100)(도 1) 상에 제1 접착제 바니시를 도포하고, 이어서 제2 접착제 바니시를 도포하는 방법에 의해서 제작하여도 좋다. 또한, 접착 시트(200)로부터 기재 필름(1)을 제외한 것을 다이싱-다이 본딩 일체형 접착 필름(140)이라고 하는 경우가 있다. 그 후, 접착 필름(130) 상에 반도체 웨이퍼(A)를 붙임으로써, 접착 필름 구비 반도체 웨이퍼(300)를 얻을 수 있다(도 4). 즉, 이와 같이 하여 얻어지는 접착 필름 구비 반도체 웨이퍼(300)는, 점착 필름 상에 접착 필름 및 반도체 웨이퍼를 이 순서로 구비하는 적층체라고 말할 수 있다.An example of a method for producing an adhesive film will be described. First, a separate adhesive, a first adhesive, and a second adhesive are applied on the
기재 필름(1, 4a 및 4b)으로서는, 예컨대 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 기재 필름에는, 필요에 따라서, 프라이머 도포, UV 처리, 코로나 방전 처리, 연마 처리, 에칭 처리 등의 표면 처리가 실시되어 있어도 좋다.As the
점착 필름(2)은 감압형 또는 자외선 경화형 점착제로 형성할 수 있다. 점착 필름(2)의 두께는, 제조하는 반도체 장치의 형상, 치수에 따라서 적절하게 설정할 수 있지만, 바람직하게는 1∼100 ㎛, 보다 바람직하게는 5∼70 ㎛, 더욱 바람직하게는 10∼40 ㎛이다. The
(접착 필름)(Adhesive film)
접착 필름(130)은, 제1 필름(3a) 및 제1 필름(3a) 상에 적층된, 제1 필름(3a)과는 80℃의 전단 점도가 다른 제2 필름을 포함한다. 또한, 제2 필름(3b)의 80℃의 전단 점도는 500 Pa·s 이상이다. The
제1 필름(3a) 및 제2 필름(3b)은 모두 열경화성이며, 반경화(B 스테이지) 상태를 거쳐, 경화 처리 후에 완전 경화물(C 스테이지) 상태로 될 수 있는 제1 접착제 및 제2 접착제로 형성할 수 있다. 제1 필름(3a) 및 제2 필름(3b)은, 열경화성 수지(이하, 단순히 「(a) 성분」이라고 하는 경우가 있다.)와, 고분자량 성분(이하, 단순히 「(b) 성분」이라고 하는 경우가 있다.)과, 무기 필러(이하, 단순히 「(c) 성분」이라고 하는 경우가 있다.)를 함유하는 것이 바람직하다. 제1 필름(3a) 및 제2 필름(3b)은, 커플링제(이하, 단순히 「(d) 성분」이라고 하는 경우가 있다.)와, 경화 촉진제(이하, 단순히 「(e) 성분」이라고 하는 경우가 있다.)를 추가로 함유하고 있어도 좋다. Both the
(a) 열경화성 수지(a) thermosetting resin
(a) 성분은, 접착성의 관점에서, 에폭시 수지(이하, 단순히 「(a1) 성분」이라고 하는 경우가 있다.) 및 에폭시 수지의 경화제로 될 수 있는 페놀 수지(이하, 단순히 「(a2) 성분」이라고 하는 경우가 있다.)를 포함하는 것이 바람직하다.The component (a) is an epoxy resin (hereinafter, simply referred to as ``(a1) component'' in some cases) and a phenol resin (hereinafter simply referred to as ``(a2) component'' as a curing agent for the epoxy resin) from the viewpoint of adhesiveness. It is preferable to include "in some cases.).
(a1) 성분은, 분자 내에 에폭시기를 갖는 것이라면 특별히 제한 없이 이용할 수 있다. (a1) 성분으로서는, 예컨대 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F 노볼락형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 트리아진 골격 함유 에폭시 수지, 플루오렌 골격 함유 에폭시 수지, 트리페놀 페놀메탄형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 크실렌형 에폭시 수지, 비페닐 아르알킬형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 다작용성 페놀류, 안트라센 등의 다환 방향족류의 디글리시딜 에테르 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용하여도 좋다. 이들 중에서도 (a1) 성분은, 필름의 태크성(tackiness), 유연성 등의 관점에서, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지 또는 비스페놀 A형 에폭시 수지라도 좋다. The component (a1) can be used without particular limitation as long as it has an epoxy group in its molecule. As the component (a1), for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, bisphenol A novolac type epoxy resin, bisphenol F no Rock type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, triazine skeleton containing epoxy resin, fluorene skeleton containing epoxy resin, triphenol phenolmethane type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, xylene type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin , Naphthalene-type epoxy resins, polyfunctional phenols, and diglycidyl ether compounds of polycyclic aromatics such as anthracene. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, the component (a1) may be a cresol novolak type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, or a bisphenol A type epoxy resin from the viewpoint of film tackiness and flexibility.
(a1) 성분은, 연화점이 30℃ 미만 또는 상온(25℃)에서 액체인 에폭시 수지를 포함하고 있어도 좋다. 이러한 에폭시 수지를 포함함으로써, 얻어지는 필름이 유연성을 부여할 수 있고, 칩, 와이어 또는 반도체 기판의 매립성이 보다 향상되어, 매립 부족에 의한 휘어짐을 완화할 수 있는 경향이 있다.The component (a1) may contain an epoxy resin having a softening point of less than 30°C or a liquid at room temperature (25°C). By including such an epoxy resin, the obtained film can impart flexibility, the embedding property of chips, wires or semiconductor substrates is further improved, and warpage due to insufficient embedding tends to be alleviated.
(a1) 성분은, 연화점이 50℃ 이상인 에폭시 수지를 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 연화되었을 때에 유동성이 우수한 것을 이용하는 것이 바람직하다.The component (a1) may contain an epoxy resin having a softening point of 50°C or higher. In this case, it is preferable to use what is excellent in fluidity when softened.
(a2) 성분은, 분자 내에 페놀성 수산기를 갖는 것이라면 특별히 제한 없이 이용할 수 있다. (a2) 성분으로서는, 예컨대 페놀, 크레졸, 레조르신, 카테콜, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 페닐페놀, 아미노페놀 등의 페놀류 및/또는 α-나프톨, β-나프톨, 디히드록시나프탈렌 등의 나프톨류와 포름알데히드 등의 알데히드기를 갖는 화합물을 산성 촉매 하에서 축합 또는 공축합하여 얻어지는 노볼락형 페놀 수지, 알릴화 비스페놀 A, 알릴화 비스페놀 F, 알릴화 나프탈렌 디올, 페놀 노볼락, 페놀 등의 페놀류 및/또는 나프톨류와 디메톡시파라크실렌 또는 비스(메톡시메틸)비페닐로부터 합성되는 페놀 아르알킬 수지, 나프톨 아르알킬 수지 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용하여도 좋다. 이들 중에서도, (a2) 성분은 페놀 아르알킬 수지 또는 나프톨 아르알킬 수지라도 좋다.The component (a2) can be used without particular limitation as long as it has a phenolic hydroxyl group in its molecule. (a2) As a component, for example, phenols, such as phenol, cresol, resorcin, catechol, bisphenol A, bisphenol F, phenylphenol, and aminophenol, and/or naphthols such as α-naphthol, β-naphthol, and dihydroxynaphthalene. And phenols such as novolak type phenol resin, allylated bisphenol A, allylated bisphenol F, allylated naphthalene diol, phenol novolac, phenol, etc. obtained by condensing or co-condensing a compound having an aldehyde group such as formaldehyde under an acidic catalyst, and/or Phenol aralkyl resins synthesized from naphthols and dimethoxyparaxylene or bis(methoxymethyl)biphenyl, naphthol aralkyl resins, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, the component (a2) may be a phenol aralkyl resin or a naphthol aralkyl resin.
(a2) 성분의 수산기 당량은, 바람직하게는 70 g/eq 이상, 보다 바람직하게는 70∼300 g/eq이다. (a2) 성분의 수산기 당량이 70 g/eq 이상이면, 필름의 저장 탄성률이 보다 향상되는 경향이 있고, 300 g/eq 이하이면, 발포, 아웃가스(outgas) 등의 발생에 의한 문제점을 막을 수 있게 된다.The hydroxyl group equivalent of the component (a2) is preferably 70 g/eq or more, and more preferably 70 to 300 g/eq. If the hydroxyl equivalent of the component (a2) is 70 g/eq or more, the storage elastic modulus of the film tends to be more improved, and if it is 300 g/eq or less, problems caused by foaming and outgases can be prevented. There will be.
(a2) 성분의 연화점은, 바람직하게는 50∼200℃, 보다 바람직하게 60∼150℃이다. (a2) 성분의 연화점이 200℃ 이하이면, 에폭시 수지와의 상용성이 저하하는 것을 억제할 수 있는 경향이 있다.The softening point of the component (a2) is preferably 50 to 200°C, more preferably 60 to 150°C. When the softening point of the component (a2) is 200°C or less, there is a tendency that it is possible to suppress a decrease in compatibility with an epoxy resin.
(a1) 성분의 에폭시 당량과 (a2) 성분의 수산기 당량의 비((a1) 성분의 에폭시 당량/(a2) 성분의 수산기 당량)는, 경화성의 관점에서, 0.30/0.70∼0.70/0.30, 0.35/0.65∼0.65/0.35, 0.40/0.60∼0.60/0.40 또는 0.45/0.55∼0.55/0.45라도 좋다. 상기 당량비가 0.30/0.70 이상이면, 보다 충분한 경화성을 얻을 수 있는 경향이 있다. 상기 당량비가 0.70/0.30 이하이면, 점도가 지나치게 높아지는 것을 막을 수 있어, 보다 충분한 유동성을 얻을 수 있다.The ratio of the epoxy equivalent of the component (a1) and the equivalent of the hydroxyl group of the component (a2) (the epoxy equivalent of the component (a1) / the equivalent of the hydroxyl group of the component (a2)) is from the viewpoint of curability, from 0.30/0.70 to 0.70/0.30, 0.35 /0.65 to 0.65/0.35, 0.40/0.60 to 0.60/0.40 or 0.45/0.55 to 0.55/0.45 may be used. When the above equivalent ratio is 0.30/0.70 or more, there is a tendency that more sufficient curability can be obtained. When the above equivalent ratio is 0.70/0.30 or less, it is possible to prevent the viscosity from becoming too high, so that more sufficient fluidity can be obtained.
(a) 성분의 함유량은, (a) 성분, (b) 성분 및 (c) 성분의 총 질량 100 질량부에 대하여 5∼70 질량부, 10∼65 질량부 또는 20∼60 질량부라도 좋다. (a) 성분의 함유량이 5 질량부 이상이면, 가교에 의해서 탄성률이 향상되는 경향이 있다. (a) 성분의 함유량이 70 질량부 이하이면, 필름 취급성을 유지할 수 있음과 더불어, 전단 점도 및 탄성률이 원하는 범위로 되기 쉬운 경향이 있다.The content of the component (a) may be 5 to 70 parts by mass, 10 to 65 parts by mass, or 20 to 60 parts by mass based on 100 parts by mass of the total mass of the component (a), the component (b) and the component (c). When the content of the component (a) is 5 parts by mass or more, the elastic modulus tends to be improved by crosslinking. When the content of the component (a) is 70 parts by mass or less, the film handling property can be maintained, and the shear viscosity and the elastic modulus tend to be in a desired range.
(b) 고분자량 성분(b) high molecular weight component
(b) 성분은 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이하인 것이 바람직하다. (b) 성분으로서는, 예컨대 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 실리콘 수지, 부타디엔 수지, 아크릴로니트릴 수지 등; 이들의 변성체 등을 들 수 있다. It is preferable that the component (b) has a glass transition temperature (Tg) of 50°C or less. Examples of the component (b) include acrylic resin, polyester resin, polyamide resin, polyimide resin, silicone resin, butadiene resin, acrylonitrile resin, and the like; These modified products, etc. are mentioned.
(b) 성분은, 유동성의 관점에서, 아크릴 수지를 포함하고 있어도 좋다. 여기서, 아크릴 수지란, (메트)아크릴산 에스테르에 유래하는 구성 단위를 포함하는 폴리머를 의미한다. 아크릴 수지는, 구성 단위로서, 에폭시기, 알코올성 또는 페놀성 수산기, 카르복실기 등의 가교성 작용기를 갖는 (메트)아크릴산 에스테르에 유래하는 구성 단위를 포함하는 폴리머인 것이 바람직하다. 또한, 아크릴 수지는 (메트)아크릴산 에스테르와 아크릴니트릴과의 공중합체 등의 아크릴 고무라도 좋다. The component (b) may contain an acrylic resin from the viewpoint of fluidity. Here, the acrylic resin means a polymer containing a structural unit derived from a (meth)acrylic acid ester. The acrylic resin is preferably a polymer containing, as a structural unit, a structural unit derived from a (meth)acrylic acid ester having a crosslinkable functional group such as an epoxy group, an alcoholic or phenolic hydroxyl group, or a carboxyl group. Further, the acrylic resin may be an acrylic rubber such as a copolymer of (meth)acrylic acid ester and acrylnitrile.
아크릴 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -50∼50℃ 또는 -30∼30℃라도 좋다. 아크릴 수지의 Tg가 -50℃ 이상이면, 접착제의 유연성이 지나치게 높아지는 것을 막을 수 있는 경향이 있다. 이에 따라, 웨이퍼 다이싱 시에 필름형 접착제를 절단하기 쉽게 되어, 버어(burr)의 발생을 막을 수 있게 된다. 아크릴 수지의 Tg가 50℃ 이하이면, 접착제의 유연성 저하를 억제할 수 있는 경향이 있다. 이에 따라, 필름형 접착제를 웨이퍼에 붙일 때에, 보이드를 충분히 매립하기 쉽게 되는 경향이 있다. 또한, 웨이퍼의 밀착성 저하에 의한 다이싱 시의 치핑을 막을 수 있게 된다. 여기서, 유리 전이 온도(Tg)는, DSC(열시차 주사 열량계)(예컨대, 가부시키가이샤리가크 제조 「Thermo Plus 2」)를 이용하여 측정한 값을 의미한다.The glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin may be -50 to 50°C or -30 to 30°C. When the Tg of the acrylic resin is -50° C. or higher, there is a tendency that the flexibility of the adhesive can be prevented from becoming too high. Accordingly, it becomes easy to cut the film adhesive during wafer dicing, and it is possible to prevent the occurrence of burrs. When the Tg of the acrylic resin is 50° C. or less, there is a tendency that the decrease in flexibility of the adhesive can be suppressed. Accordingly, when the film adhesive is applied to the wafer, there is a tendency that it becomes easy to sufficiently fill the voids. In addition, chipping during dicing due to a decrease in the adhesion of the wafer can be prevented. Here, the glass transition temperature (Tg) means a value measured using a DSC (thermal differential scanning calorimeter) (for example, "
아크릴 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은 10만∼300만 또는 20만∼200만이라도 좋다. 아크릴 수지의 Mw가 이러한 범위에 있으면, 필름 형성성, 필름형에 있어서의 강도, 가요성, 태크성 등을 적절하게 제어할 수 있음과 더불어, 리플로우성이 우수하여, 매립성을 향상시킬 수 있다. 또한, Mw가 낮은(예컨대, 10만 미만) 아크릴 수지를 사용하고, 나아가서는 Mw가 낮은(예컨대, 10만 미만) 아크릴 수지의 첨가량을 늘림으로써, 매립성은 향상되는 경향이 있지만, 전단 점도 및 경화 후의 저장 탄성률은 낮아지는 경향이 있다. 여기서 Mw는, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)로 측정하고, 표준 폴리스티렌에 의한 검량선을 이용하여 환산한 값을 의미한다. The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin may be 100,000 to 3 million or 200,000 to 2 million. When the Mw of the acrylic resin is in this range, it is possible to appropriately control film formation, strength in film form, flexibility, tackiness, etc., and excellent reflowability, thereby improving embedding property. have. In addition, by using an acrylic resin having a low Mw (eg, less than 100,000), and by increasing the amount of the acrylic resin having a low Mw (eg, less than 100,000), the embedding property tends to be improved, but shear viscosity and curing The later storage modulus tends to decrease. Here, Mw means a value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using a calibration curve using standard polystyrene.
아크릴 수지의 시판 제품으로서는, 예컨대 SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-280 EK23, HTR-860P-3CSP, HTR-860P-3CSP-30B(모두 나가세켐텍스가부시키가이샤 제조)를 들 수 있다. Commercially available products of acrylic resin include, for example, SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-280 EK23, HTR-860P-3CSP, HTR-860P-3CSP-30B (all are Nagase Chemtex Co., Ltd. Manufacturing).
(b) 성분의 함유량은, (a) 성분, (b) 성분 및 (c) 성분의 총 질량 100 질량부에 대하여 5∼95 질량부, 5∼85 질량부 또는 10∼80 질량부라도 좋다. (b) 성분의 함유량이 5 질량부 이상이면, 80℃에 있어서의 필름의 전단 점도는 높아지는 경향이 있다.The content of the component (b) may be 5 to 95 parts by mass, 5 to 85 parts by mass, or 10 to 80 parts by mass based on 100 parts by mass of the total mass of the component (a), the component (b) and the component (c). When the content of the component (b) is 5 parts by mass or more, the shear viscosity of the film at 80°C tends to increase.
(c) 무기 필러(c) inorganic filler
(c) 성분으로서는, 예컨대 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 실리카 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용하여도 좋다. 이들 중에서도, (c) 성분은 용융 점도 조정의 관점에서 실리카라도 좋다. Examples of the component (c) include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, silica, and the like. . These may be used alone or in combination of two or more. Among these, the component (c) may be silica from the viewpoint of adjusting the melt viscosity.
(c) 성분의 평균 입경은, 유동성의 관점에서, 0.01∼1 ㎛, 0.01∼0.08 ㎛ 또는 0.03∼0.06 ㎛라도 좋다. 여기서, 평균 입경은, BET 비표면적으로부터 환산함으로써 구해지는 값을 의미한다.The average particle diameter of the component (c) may be 0.01 to 1 µm, 0.01 to 0.08 µm, or 0.03 to 0.06 µm from the viewpoint of fluidity. Here, the average particle diameter means a value obtained by converting from the BET specific surface area.
(c) 성분의 함유량은, (a) 성분, (b) 성분 및 (c) 성분의 총 질량 100 질량부에 대하여 3∼80 질량부, 3∼70 질량부 또는 3∼60 질량부라도 좋다. (c) 성분의 함유량이 3 질량부 이상이면, 전단 점도 및 탄성률이 보다 향상되는 경향이 있다.The content of the component (c) may be 3 to 80 parts by mass, 3 to 70 parts by mass, or 3 to 60 parts by mass based on 100 parts by mass of the total mass of the component (a), the component (b) and the component (c). When the content of the component (c) is 3 parts by mass or more, the shear viscosity and elastic modulus tend to be further improved.
(d) 커플링제(d) coupling agent
(d) 성분은 실란 커플링제라도 좋다. 실란 커플링제로서는, 예컨대 γ-우레이도프로필트리에톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-페닐아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용하여도 좋다.The component (d) may be a silane coupling agent. Examples of the silane coupling agent include γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane, and 3-(2-aminoethyl)aminopropyltrimethoxysilane. And the like. These may be used alone or in combination of two or more.
(e) 경화 촉진제(e) hardening accelerator
(e) 성분은 특별히 한정되지 않으며, 일반적으로 사용되는 것을 이용할 수 있다. (e) 성분으로서는, 예컨대 이미다졸류 및 그 유도체, 유기 인계 화합물, 제2급 아민류, 제3급 아민류, 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용하여도 좋다. 이들 중에서도, 반응성의 관점에서 (e) 성분은 이미다졸류 및 그 유도체라도 좋다.The component (e) is not particularly limited, and those generally used may be used. Examples of the component (e) include imidazoles and derivatives thereof, organophosphorus compounds, secondary amines, tertiary amines, and quaternary ammonium salts. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, from the viewpoint of reactivity, the component (e) may be imidazoles and derivatives thereof.
이미다졸류로서는, 예컨대 2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용하여도 좋다. Examples of imidazoles include 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, etc. Can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
제1 필름(3a) 및 제2 필름(3b)은 그 밖의 성분을 추가로 함유하고 있어도 좋다. 그 밖의 성분으로서는, 예컨대 안료, 이온 포착제, 산화 방지제 등을 들 수 있다. The
(d) 성분, (e) 성분 및 그 밖의 성분의 함유량은, (a) 성분, (b) 성분 및 (c) 성분의 총 질량 100 질량부에 대하여 0∼30 질량부라도 좋다.The content of the component (d), the component (e) and other components may be 0 to 30 parts by mass based on 100 parts by mass of the total mass of the component (a), the component (b) and the component (c).
제1 필름(3a) 및 제2 필름(3b)은, (a)∼(c) 성분과 필요에 따라서 (d) 성분 및 (e) 성분과 용제를 함유하는 제1 접착제 바니시 및 제2 접착제 바니시를 조제하여, 이들을 기재 필름에 도포하고, 용제를 가열 건조하여 제거함으로써 형성할 수 있다. 제1 접착제 바니시 및 제2 접착제 바니시는, 예컨대 (a)∼(e) 성분을 용제 중에서 혼합, 혼련함으로써 조제할 수 있다.The
혼합, 혼련은, 통상의 교반기, 레이커, 3본 롤, 볼 밀 등의 분산기를 이용하며, 이들을 적절하게 조합하여 행할 수 있다.Mixing and kneading can be performed by using a conventional stirrer, raker, three roll, or a dispersing machine such as a ball mill, and appropriately combining them.
제1 접착제 바니시 및 제2 접착제 바니시를 제작하기 위한 용제는, 상기 각 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산할 수 있는 것이라면 제한은 없으며, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 이러한 용제로서는, 예컨대 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매, 디메틸 포름아미드, 디메틸 아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 톨루엔, 크실렌 등을 들 수 있다. 건조 속도가 빠르고, 가격이 저렴하다는 점에서 메틸 에틸 케톤, 시클로헥사논 등을 사용하는 것이 바람직하다. The solvent for producing the first adhesive varnish and the second adhesive varnish is not limited as long as it is capable of uniformly dissolving, kneading, or dispersing the respective components, and a conventionally known solvent may be used. Examples of such solvents include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone, dimethyl formamide, dimethyl acetamide, N-methylpyrrolidone, toluene, xylene, and the like. It is preferable to use methyl ethyl ketone, cyclohexanone, or the like from the viewpoint of fast drying speed and low price.
제1 접착제 바니시 및 제2 접착제 바니시를 기재 필름에 도포하는 방법으로서는 공지된 방법을 이용할 수 있으며, 예컨대 나이프 코트법, 롤 코트법, 스프레이 코트법, 그라비아 코트법, 바 코트법, 커튼 코트법 등을 들 수 있다. 가열 건조의 조건은, 사용한 용제가 충분히 휘산되는 조건이라면 특별히 제한은 없지만, 50∼150℃에서 1∼30분간 가열하여 행할 수 있다.As a method of applying the first adhesive varnish and the second adhesive varnish to the base film, a known method can be used, such as knife coat method, roll coat method, spray coat method, gravure coat method, bar coat method, curtain coat method, etc. Can be mentioned. The conditions for heating and drying are not particularly limited as long as the solvent used is sufficiently evaporated, but can be performed by heating at 50 to 150°C for 1 to 30 minutes.
제1 필름(3a)의 두께는, 제조하는 반도체 장치의 형상 또는 치수에 따라서 적절하게 설정할 수 있는데, 예컨대 1∼200 ㎛라도 좋다. 제1 필름(3a)의 두께는 3∼150 ㎛ 또는 3∼120 ㎛라도 좋다. 또한, FOW 용도에서는, 바람직하게는 20∼120 ㎛, 보다 바람직하게는 30∼80 ㎛이다. 와이어를 매립하기 위해서, 와이어가 칩에 접촉하지 않도록 충분한 두께를 확보할 필요가 있다. FOD 용도에서는, 바람직하게는 40∼200 ㎛, 보다 바람직하게는 60∼150 ㎛이다. 칩(예컨대, 컨트롤러 칩)을 매립하기 위해서, 그 두께에 의존하지만, 충분한 두께의 확보가 중요하다.The thickness of the
제2 필름(3b)의 두께는, 제조하는 반도체 장치의 형상 또는 치수에 따라서 적절하게 설정할 수 있는데, 예컨대 3∼150 ㎛라도 좋다. 제2 필름(3b)의 두께는 3∼100 ㎛ 또는 3∼50 ㎛라도 좋다. 또한, FOW 용도에서는, 바람직하게는 3∼150 ㎛, 보다 바람직하게는 3∼80 ㎛이다. 와이어를 매립하기 위해서, 와이어가 칩에 접촉하지 않도록 충분한 두께를 확보할 필요가 있다. FOD 용도에서는, 바람직하게는 3∼150 ㎛, 보다 바람직하게는 3∼100 ㎛이다. 칩(예컨대, 컨트롤러 칩)을 매립하기 위해서, 그 두께에 의존하지만, 충분한 두께의 확보가 중요하다. The thickness of the
제1 필름(3a)과 제2 필름(3b)으로 구성되는 접착 필름(130)의 두께는, 제조하는 반도체 장치의 형상 또는 치수에 따라서 적절하게 설정할 수 있지만, 바람직하게는 6∼300 ㎛, 보다 바람직하게는 10∼250 ㎛, 더욱 바람직하게는 20∼200 ㎛이다. 또한, FOW 용도에서는, 바람직하게는 40∼250 ㎛, 보다 바람직하게는 50∼80 ㎛이다. 와이어를 매립하기 위해서, 와이어가 칩에 접촉하지 않도록 충분한 두께를 확보할 필요가 있다. FOD 용도에서는, 바람직하게는 60∼250 ㎛, 보다 바람직하게는 80∼150 ㎛이다. 칩(예컨대, 컨트롤러 칩)을 매립하기 위해서, 그 두께에 의존하지만, 충분한 두께의 확보가 중요하다.The thickness of the
제1 필름(3a)의 80℃의 전단 점도는, 제2 필름(3b)의 80℃의 전단 점도와 다른 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 제1 필름(3a)의 80℃의 전단 점도는, 제2 필름(3b)의 80℃의 전단 점도보다도 높아지면, 제2 필름(3b)이 휨 응력을 완충하여 반도체 기판의 휘어짐이 칩 상면으로 전파하기 어렵게 되기 때문에, 결과으로서 반도체 기판의 휘어짐이 억제되는 경향이 있다. 또한, 제2 필름(3b)의 80℃의 전단 점도보다도 낮아지면, 제2 필름(3b)이 칩 및 반도체 기판의 휘어짐에 의한 응력에 추종하기 어렵게 되기 때문에, 반도체 기판의 휘어짐이 억제되는 경향이 있다. 제1 필름(3a)의 80℃의 전단 점도는, 반도체 기판의 휘어짐이 보다 억제된다는 관점에서, 제2 필름(3b)의 80℃의 전단 점도보다도 낮은 것이 바람직하다.The 80°C shear viscosity of the
제1 필름(3a)의 80℃의 전단 점도는 예컨대 500∼30000 Pa·s라도 좋다. 제1 필름(3a)의 80℃의 전단 점도는, 500 Pa·s 이상, 700 Pa·s 이상 또는 1000 Pa·s 이상이라도 좋다. 제1 필름(3a)의 80℃의 전단 점도가 500 Pa·s 이상이면, 필름의 취급성이 보다 우수한 경향이 있다. 제1 필름(3a)의 80℃의 전단 점도는, 30000 Pa·s 이하, 20000 Pa·s 이하 또는 15000 Pa·s 이하라도 좋다. 제1 필름(3a)의 80℃의 전단 점도가 30000 Pa·s 이하이면, 칩, 와이어 또는 반도체 기판을 충분히 매립할 수 있어, 휘어짐을 억제할 수 있는 경향이 있다.The shear viscosity of the
제2 필름(3b)은 제1 필름(3a)과는 80℃의 전단 점도가 다르다. 제2 필름(3b)의 80℃의 전단 점도는 500 Pa·s 이상이다. 제2 필름(3b)의 80℃의 전단 점도는, 이러한 조건을 만족하는 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 상기와 같은 이유에 의해, 제2 필름(3b)의 80℃의 전단 점도는, 반도체 기판의 휘어짐이 보다 억제된다는 관점에서, 제1 필름(3a)의 80℃의 전단 점도보다도 높은 것이 바람직하다.The
제2 필름(3b)의 80℃의 전단 점도는, 500 Pa·s 이상이며, 3000 Pa·s 이상, 5000 Pa·s 이상, 10000 Pa·s 이상, 15000 Pa·s 이상, 20000 Pa·s 이상 또는 25000 Pa·s 이상이라도 좋다. 제2 필름(3b)의 80℃의 전단 점도가 500 Pa·s 이상이면, 필름의 취급성이 보다 우수한 경향이 있다. 제2 필름(3b)의 80℃의 전단 점도의 상한은 특별히 제한되지 않지만, 100000 Pa·s 이하, 70000 Pa·s 이하 또는 50000 Pa·s 이하라도 좋다.The shear viscosity at 80°C of the
또한, 제1 필름(3a) 및 제2 필름(3b)의 80℃의 전단 점도는, 예컨대 실시예에 기재된 방법에 의해서 측정할 수 있다. In addition, the 80 degreeC shear viscosity of the
제1 필름(3a) 및 제2 필름(3b)의 80℃의 전단 점도는, 예컨대 이들 필름에 함유되는 성분의 종류 및 함유량을 변화시킴으로써 조정할 수 있다. The 80 degreeC shear viscosity of the
제1 필름(3a)의 경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률은 특별히 제한되지 않지만, 1000 MPa 이하, 500 MPa 이하 또는 300 MPa 이하라도 좋고, 10 MPa 이상, 15 MPa 이상 또는 20 MPa 이상이라도 좋다. 제1 필름(3a)의 경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률이 1000 MPa 이하이면, 칩, 와이어 또는 반도체 기판을 충분히 매립할 수 있어, 휘어짐을 억제할 수 있는 경향이 있다. 제1 필름(3a)의 경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률이 10 MPa 이상이면, 압착 시에 필름이 으깨지는 것을 막아, 칩 단부로부터의 돌출을 억제할 수 있는 경향이 있다.The storage modulus at 150° C. after curing of the
제2 필름(3b)의 경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률은 1000 MPa 이하라도 좋다. 제2 필름(3b)의 경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률은, 500 MPa 이하, 100 MPa 이하 또는 70 MPa 이하라도 좋고, 10 MPa 이상, 15 MPa 이상 또는 20 MPa 이상이라도 좋다. 제2 필름(3b)의 경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률이 1000 MPa 이하이면, 반도체 기판 또는 칩의 휘어짐을 보다 완화할 수 있는 경향이 있다. The storage modulus at 150° C. after curing of the
또한, 제1 필름(3a) 및 제2 필름(3b)의 경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률은, 예컨대 실시예에 기재한 방법에 의해서 측정할 수 있다. In addition, the storage modulus at 150° C. after curing of the
접착 필름(130)은, 제1 필름(3a)과 제2 필름(3b)을 롤 라미네이터, 진공 라미네이터 등을 이용하여 소정 조건(예컨대, 실온(20℃) 또는 가열 상태)으로 라미네이트하여, 기재 필름(4a 및 4b)을 제거함으로써 제작할 수 있다. The
접착 필름(130)은, 우선 제1 접착제 조성물의 바니시를 기재 필름에 도포하고, 용제를 가열 건조하여 제거하여 제1 필름(3a)을 제작하고, 이어서 제1 필름(3a) 상에 제2 접착제 조성물의 바니시를 도포하고, 용제를 가열 건조하여 제거하여 제2 접착 필름을 형성하고, 기재 필름을 제거함으로써 제작하여도 좋다.In the
반도체 웨이퍼(A)는 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 10∼100 ㎛의 박형 반도체 웨이퍼를 이용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(A)로서는, 단결정 실리콘 외에, 다결정 실리콘, 각종 세라믹, 갈륨비소 등의 화합물 반도체 등을 들 수 있다.The semiconductor wafer A is not particularly limited, but a thin semiconductor wafer of 10 to 100 µm can be used, for example. Further, as the semiconductor wafer (A), in addition to single crystal silicon, polycrystalline silicon, various ceramics, compound semiconductors such as gallium arsenide, etc.
[다이싱 공정][Dicing process]
접착 필름 구비 반도체 웨이퍼(300)는, 그 후, 도 5에 도시하는 것과 같이, 예컨대 블레이드(B)를 이용하여 다이싱되고, 추가로 세정, 건조 공정이 더해진다. 이에 따라, 접착 필름(130)까지 다이싱되어, 접착 필름 구비 (개편화된) 반도체 칩을 얻을 수 있다. 다이싱은 블레이드(B) 대신에 다이서를 이용하여도 좋다. 블레이드(B)로서는, 예컨대 가부시키가이샤디스코 제조 다이싱 블레이드 NBC-ZH05 시리즈, NBC-ZH 시리즈 등을 이용할 수 있다. 다이서로서는, 예컨대 풀-오토매틱 다이싱 소우 6000 시리즈, 세미-오토매틱 다이싱 소우 3000 시리즈(모두 가부시키가이샤디스코 제조) 등을 이용할 수 있다. 또한, 다이싱 시에, 반도체 웨이퍼(A)의 주위에는 웨이퍼 링(도시하지 않음)이 배치되어, 접착 필름을 통해 반도체 웨이퍼(A)가 고정된다. 접착 필름에 대한 반도체 웨이퍼(A)의 접착면은, 회로면이라도 좋고, 회로면의 반대면이라도 좋다.After that, as shown in FIG. 5, the
반도체 칩 사이즈는, 한 변이 20 mm 이하, 즉 20 mm×20 mm 이하인 것이 바람직하다. 반도체 칩 사이즈는, 보다 바람직하게는 한 변이 3∼15 mm, 더욱 바람직하게는 한 변이 5∼10 mm이다. 또한, 반도체 기판은 칩 또는 그것에 준한 것도 포함한다. The semiconductor chip size is preferably 20 mm or less on one side, that is, 20 mm x 20 mm or less. The semiconductor chip size is more preferably 3 to 15 mm per side, and still more preferably 5 to 10 mm per side. Further, the semiconductor substrate includes a chip or an equivalent thereof.
[자외선 조사 공정][UV irradiation process]
다이싱 공정 후에, 점착 필름(2)에 자외선을 조사하는 자외선 조사 공정을 추가로 구비하고 있어도 좋다(도 6). 이에 따라, 점착 필름(2)의 일부 또는 대부분을 중합하여 경화할 수 있다. 자외선 조사의 조도는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10∼200 mW/㎠, 보다 바람직하게는 20∼150 mW/㎠이다. 또한, 자외선 조사 시의 조사량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 50∼400 mJ/㎠, 보다 바람직하게는 100∼250 mJ/㎠이다. After the dicing step, an ultraviolet irradiation step of irradiating ultraviolet rays to the
[픽업 공정][Pick-up process]
픽업 공정에서는, 픽업해야 할 반도체 칩(a)을 예컨대 흡인 콜릿(5)에 의해 픽업한다. 이때, 픽업해야 할 반도체 칩(a)을 기재 필름(1)의 하면으로부터, 예컨대 니들 펀치 등에 의해 밀어올릴 수도 있다. 반도체 칩(a)과 접착 필름(130) 사이의 밀착력은, 점착 필름(2)과 기재 필름(1) 사이 및 접착 필름(130)과 점착 필름(2) 사이의 밀착력보다도 높고, 반도체 칩(a)의 픽업을 행하면, 접착 필름(130)은 반도체 칩(a)의 하면에 부착된 상태에서 박리된다(도 7 참조).In the pickup step, the semiconductor chip a to be picked up is picked up by, for example, a
점착 필름(2)과 제1 필름(3a)의 밀착력이, 반도체 웨이퍼(A)와 제2 필름(3b)의 밀착력보다도 작은 것이 바람직하다. 밀착력이 이러한 관계에 있으면, 픽업 공정에서 칩을 밀어올렸을 때, 제1 필름(3a)과 제2 필름(3b)의 사이에서 박리되는 것을 막을 수 있다. 제1 필름(3a)과 제2 필름(3b)의 계면에서 박리하면, 휘어짐 저감 효과를 얻을 수 없는 경향이 있다.It is preferable that the adhesion between the
[압착 공정][Compression process]
이어서, 접착 필름(130)을 통해 반도체 칩(a)을 반도체 기판(6)에 배치하여 가열한다. 가열에 의해 접착 필름(130)은 충분한 접착력을 발현하여, 접착 필름의 경화물(130c)을 통한 반도체 칩(a)와 반도체 기판(6)의 접착이 완료된다(도 8). 여기서, 반도체 기판(6)으로서는, 예컨대 반도체 칩 탑재용 지지 부재, 다른 반도체 칩 등을 들 수 있다. Next, the semiconductor chip (a) is placed on the
압착 온도는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 50∼200℃, 보다 바람직하게는 100∼150℃이다. 압착 온도가 높으면 접착 필름(3)이 유연하게 되기 때문에 매립성이 향상되는 경향이 있다. 압착 시간은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.5∼20초, 보다 바람직하게는 1∼5초이다. 압착 시의 압력은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.01∼5 MPa, 보다 바람직하게는 0.02∼2 MPa이다. FOW 및 FOD 용도에서는, 매립성 향상을 위해서 압착 압력을 높게 설정하는 편이 바람직하다. The pressing temperature is not particularly limited, but is preferably 50 to 200°C, more preferably 100 to 150°C. When the pressing temperature is high, the adhesive film 3 becomes flexible, so that the embedding property tends to be improved. The pressing time is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 20 seconds, more preferably 1 to 5 seconds. The pressure during compression bonding is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 5 MPa, more preferably 0.02 to 2 MPa. In FOW and FOD applications, it is preferable to set the pressing pressure high in order to improve the embedding property.
[경화 공정][Curing process]
압착 공정 후, 접착 필름(130)을 경화시키는 경화 공정을 실시한다. 접착 필름(130)을 경화시키기 위한 온도 및 시간은, 접착 필름에 포함되는 성분의 경화 온도에 맞춰 적절하게 설정할 수 있다. 온도는 단계적으로 변화시키더라도 좋으며, 그와 같은 기구를 갖는 것을 이용하여도 좋다. 온도 및 시간은, 예컨대 40∼300℃라도 좋고, 예컨대 30∼300분이라도 좋다.After the pressing process, a curing process of curing the
<반도체 장치> <Semiconductor device>
본 실시형태의 제조 방법에 의해서 얻어지는 반도체 장치의 양태에 관해서 도면을 이용하여 구체적으로 설명한다. 또한, 최근 다양한 구조의 반도체 장치가 제안되어 있으며, 본 실시형태의 제조 방법에 의해서 얻어지는 반도체 장치는, 이하에 설명하는 구조로 된 것에 한정되지 않는다.The mode of the semiconductor device obtained by the manufacturing method of this embodiment is demonstrated concretely with reference to drawings. In addition, semiconductor devices of various structures have been proposed in recent years, and the semiconductor device obtained by the manufacturing method of this embodiment is not limited to the structure described below.
도 9는 반도체 장치의 일 실시형태를 도시하는 모식 단면도이다. 도 9에 도시하는 반도체 장치(400)는, 접착 필름 구비 반도체 칩인 반도체 칩(a)이 접착 필름(130)을 통해 반도체 기판(10)에 압착되어 이루어지며, 또한 반도체 기판(10) 상에 와이어(11)를 통해 반도체 칩(a)이 와이어 본딩 접속되어 이루어지는 반도체 장치이다. 이 반도체 장치에 있어서, 반도체 칩(a)은 접착 필름의 경화물(130c)에 의해 반도체 기판(10)에 접착되고, 반도체 칩(a)의 접속 단자(도시하지 않음)는 와이어(11)를 통해 외부 접속 단자(도시하지 않음)와 전기적으로 접속되어, 밀봉재(12)에 의해서 밀봉되어 있다. 9 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device. The
도 10은 반도체 장치의 일 실시형태를 도시하는 모식 단면도이다. 도 10에 도시하는 반도체 장치(410)는, 반도체 기판(10) 상에 제1 와이어(11a)를 통해 제1 반도체 칩(a1)이 와이어 본딩 접속됨과 더불어, 제1 반도체 칩(a1) 상에 접착 필름 구비 반도체 칩인 제2 반도체 칩(a2)이 접착 필름(130)을 통해 압착됨으로써, 제1 와이어(11a)의 적어도 일부가 접착 필름(130)에 매립되어 이루어지는 와이어 매립형의 반도체 장치이다. 이 반도체 장치에 있어서, 제1 반도체 칩(a1)은 접착 필름의 경화물(130c1)에 의해, 단자(13)가 형성된 반도체 기판(10)에 접착되고, 제1 반도체 칩(a1) 상에 또한 접착 필름의 경화물(130c2)에 의해 제2 반도체 칩(a2)이 접착되어 있다. 제1 반도체 칩(a1) 및 제2 반도체 칩(a2)의 접속 단자(도시하지 않음)는, 제1 와이어(11a) 및 제2 와이어(11b)를 통해 회로 패턴(14)과 전기적으로 접속되고, 밀봉재(12)에 의해서 밀봉되어 있다. 이와 같이, 상기한 제조 방법은, 반도체 칩을 복수 겹치는 구조의 반도체 장치로서, 와이어의 일부를 매립할 필요가 있는 경우에도 적합하게 사용할 수 있다. 10 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device. In the
도 11 및 도 12는 도 10에 도시하는 반도체 장치의 제조 수순을 도시하는 도이다. 우선, 접착 필름 구비 제1 반도체 칩(a1)을, 접착 필름(130)을 통해 반도체 기판(10)에 가열 압착하여 접착시킨다. 제1 반도체 칩(a1)은 접착 필름의 경화물(130c1)에 의해 매립된다. 이때, 그 밖에 일반적인 제조 방법을 이용하여도 좋다. 그 후, 와이어 본딩 공정을 거침으로써, 도 11에 도시하는 반도체 기판을 얻는다. 이어서, 접착 필름 구비 제2 반도체 칩(a2)을, 접착 필름(130)을 통해 제1 반도체 칩(a1)에 가열 압착하여 접착시킨다. 이와 같이 하여, 도 12에 도시하는 반도체 기판을 얻는다. 그 후, 추가로 와이어 본딩 공정 및 밀봉 공정을 거침으로써, 도 10에 도시하는 반도체 장치를 얻을 수 있다.11 and 12 are diagrams showing a manufacturing procedure of the semiconductor device shown in FIG. 10. First, the first semiconductor chip (a 1 ) with an adhesive film is heat-pressed and bonded to the
도 13은 반도체 장치의 일 실시형태를 도시하는 모식 단면도이다. 도 13에 도시하는 반도체 장치(500)는, 반도체 기판(10) 상에 제1 와이어(11a)를 통해 제1 반도체 칩(a3)이 와이어 본딩 접속됨과 더불어, 제1 반도체 칩(a3) 상에 접착 필름 구비 반도체 칩이면서 또한 제1 반도체 칩(a3)의 면적보다도 큰 제2 반도체 칩(a4)이 접착 필름(130)을 통해 압착됨으로써, 제1 와이어(11a) 및 제1 반도체 칩(a3)이 접착 필름(130)에 매립되어 이루어지는 칩 매립형의 반도체 장치이다. 반도체 장치(500)에서는, 반도체 기판(10)과 제2 반도체 칩(a4)이 또한 제2 와이어(11b)를 통해 전기적으로 접속됨과 더불어, 제2 반도체 칩(a4)이 밀봉재(12)에 의해 밀봉되어 있다. 13 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device. In the
제1 반도체 칩(a3)의 두께는 10∼170 ㎛, 제2 반도체 칩(a4)의 두께는 20∼400 ㎛라도 좋다. 접착 필름의 경화물(130c5)의 두께는 20∼200 ㎛, 바람직하게는 30∼200 ㎛, 보다 바람직하게는 40∼150 ㎛이다. 접착 필름의 경화물(130c5) 내부에 매립되어 있는 제1 반도체 칩(a3)은, 예컨대 반도체 장치(500)를 구동하기 위한 컨트롤러 칩이다.The thickness of the first semiconductor chip a 3 may be 10 to 170 μm, and the thickness of the second semiconductor chip a 4 may be 20 to 400 μm. The thickness of the cured
반도체 기판(10)은, 예컨대 표면에 회로 패턴(14)이 형성된 유기 기판이라도 좋다. 제1 반도체 칩(a3)은, 회로 패턴(14) 상에 접착 필름의 경화물(130c3)을 통해 압착되어 있고, 제2 반도체 칩(a4)은, 제1 반도체 칩(a3)이 압착되어 있지 않은 회로 패턴(14), 제1 반도체 칩(a3), 제1 와이어(11a) 및 회로 패턴(14)의 일부를 덮도록 접착 필름의 경화물(130c4)을 통해 반도체 기판(10)에 압착되어 있다. 반도체 기판(10) 상의 회로 패턴(14)에 기인하는 요철의 단차에는 접착 필름의 경화물(130c4)이 매립되어 있다. 그리고, 수지제 밀봉재(12)에 의해, 제2 반도체 칩(a4), 회로 패턴(14) 및 제2 와이어(11b)가 밀봉되어 있다. The
도 14∼18은 도 13에 도시하는 반도체 장치의 제조 수순을 도시하는 도면이다. 우선 도 14에 도시하는 것과 같이, 반도체 기판(10) 상의 회로 패턴(14) 상에 접착 필름 구비 제1 반도체 칩(a3)을 압착하고, 제1 와이어(11a)를 통해 반도체 기판(10) 상의 회로 패턴(14)과 제1 반도체 칩(a3)을 전기적으로 본딩 접속한다. 이때, 그 밖에 일반적인 제조 방법을 이용하여도 좋다.14 to 18 are diagrams showing a manufacturing procedure of the semiconductor device shown in FIG. 13. First, as shown in Fig. 14, the first semiconductor chip a3 with an adhesive film is pressed onto the
이어서, 도 15에 도시하는 것과 같이, 제1 반도체 칩(a3)의 면적보다도 큰 접착 필름 구비 제2 반도체 칩(a4)을 준비한다. Next, as shown in FIG. 15, a second semiconductor chip a 4 with an adhesive film larger than the area of the first semiconductor chip a 3 is prepared.
그리고, 접착 필름 구비 제2 반도체 칩(a4)을, 제1 반도체 칩(a3)이 제1 와이어(11a)를 통해 본딩 접속된 반도체 기판(10)에 압착한다. 구체적으로는 도 16에 도시하는 것과 같이, 접착 필름 구비 제2 반도체 칩(a4)을, 접착 필름이 제1 반도체 칩(a3)을 덮도록 배치하고, 이어서 도 17에 도시하는 것과 같이, 제2 반도체 칩(a4)을 반도체 기판(10)에 압착시킴으로써 반도체 기판(10)에 제2 반도체 칩(a4)을 고정한다. Then, the second semiconductor chip (a 4 ) with an adhesive film is pressed onto the
이어서, 도 18에 도시하는 것과 같이, 반도체 기판(10)과 제2 반도체 칩(a4)을 제2 와이어(11b)를 통해 전기적으로 접속한 후, 회로 패턴(14), 제2 와이어(11b) 및 제2 반도체 칩(a4)을 밀봉재(12)로 밀봉한다. 이러한 공정을 거침으로써 반도체 장치(500)를 제조할 수 있다.Next, as shown in FIG. 18, after electrically connecting the
실시예Example
이하, 본 발명에 관해서 실시예를 들어 보다 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것이 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these Examples.
<접착제 바니시의 조제><Preparation of adhesive varnish>
[합성예 A∼F][Synthesis Examples A to F]
표 1에 나타내는 품명 및 조성비(단위: 질량부)로, (a) 열경화성 수지로서의 에폭시 수지 및 페놀 수지, 및 (c) 무기 필러를 포함하는 조성물에 시클로헥사논을 가하여, 교반 혼합했다. 이것에, 표 1에 나타내는 (b) 고분자량 성분으로서의 아크릴 고무를 가하여 교반하고, 추가로 표 1에 나타내는 (d) 커플링제 및 (e) 경화 촉진제를 가하여 각 성분이 균일하게 될 때까지 교반하여, 합성예 A∼F의 접착제 바니시를 조제했다. Cyclohexanone was added to the composition containing (a) an epoxy resin and a phenol resin as a thermosetting resin, and (c) an inorganic filler at the product name and composition ratio (unit: parts by mass) shown in Table 1, followed by stirring and mixing. To this, (b) acrylic rubber as a high molecular weight component shown in Table 1 was added and stirred, and further added (d) a coupling agent and (e) a curing accelerator shown in Table 1, and stirred until each component became uniform. , The adhesive varnish of Synthesis Examples A to F was prepared.
여기서, 표 1 중의 각 성분의 기호는 하기의 것을 의미한다.Here, the symbols of each component in Table 1 mean the following.
(에폭시 수지) (Epoxy resin)
YDCN-700-10(상품명, 신닛테츠스미킨카가쿠가부시키가이샤 제조, o-크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 에폭시 당량: 209 g/eq) YDCN-700-10 (brand name, manufactured by Shinnittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd., o-cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent: 209 g/eq)
EXA-830CRP(상품명, DIC가부시키가이샤 제조, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 에폭시 당량: 159 g/eq) EXA-830CRP (brand name, manufactured by DIC Corporation, bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent: 159 g/eq)
YDF-8170C(상품명, 신닛카에폭시세이죠가부시키가이샤 제조, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 에폭시 당량: 156, 상온에서 액체, 중량 분자량 약 310)YDF-8170C (brand name, manufactured by Shin-Nikka Epoxy Seijo Co., Ltd., bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent: 156, liquid at room temperature, weight molecular weight of about 310)
(페놀 수지) (Phenolic resin)
PSM-4326(상품명, 군에이카가쿠가부시키가이샤 제조, 페놀 노볼락 수지, 수산기 당량: 105 g/eq) PSM-4326 (brand name, manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd., phenol novolac resin, hydroxyl group equivalent: 105 g/eq)
HE-100C-30(상품명, 에어워터가부시키가이샤 제조, 페닐 아르알킬형 페놀 수지, 수산기 당량: 174 g/eq, 연화점 77℃)HE-100C-30 (brand name, manufactured by Air Water Co., Ltd., phenyl aralkyl type phenol resin, hydroxyl group equivalent: 174 g/eq, softening point 77℃)
(무기 필러) (Inorganic filler)
R972(상품명, 닛폰아에로질가부시키가이샤 제조, 실리카, 평균 입경: 0.016 ㎛) R972 (brand name, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., silica, average particle diameter: 0.016 µm)
SC2050-HLG(상품명, 가부시키가이샤아드마테크스 제조, 실리카 필러 분산액, 평균 입경 0.50 ㎛)SC2050-HLG (brand name, manufactured by Admatechs, silica filler dispersion, average particle diameter 0.50 µm)
(고분자량 성분) (High molecular weight component)
HTR-860P-3CSP(상품명, 나가세켐텍스가부시키가이샤 제조, 아크릴 고무, 중량 평균 분자량: 80만, Tg: 12℃) HTR-860P-3CSP (brand name, manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., acrylic rubber, weight average molecular weight: 800,000, Tg: 12℃)
HTR-860P-3CSP-30DB(상품명, 나가세켐텍스가부시키가이샤 제조, 아크릴 고무, 중량 평균 분자량: 30만, Tg: 12℃)HTR-860P-3CSP-30DB (brand name, manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., acrylic rubber, weight average molecular weight: 300,000, Tg: 12℃)
(커플링제) (Coupling agent)
A-189(상품명, 모멘티브ㆍ퍼포먼스ㆍ마테리알즈ㆍ재팬고도가이샤 제조, γ-머캅토프로필트리메톡시실란) A-189 (Brand name, Momentive Performance, Materials, Japan Kodo Corporation, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane)
A-1160(상품명, 모멘티브ㆍ퍼포먼스ㆍ마테리알즈ㆍ재팬고도가이샤 제조, γ-우레이도프로필트리에톡시실란)A-1160 (trade name, Momentive Performance, Materials, Japan Kodo Corporation, γ-ureidopropyltriethoxysilane)
(경화 촉진제)(Hardening accelerator)
2PZ-CN(상품명, 시코쿠가세이고교가부시키가이샤 제조, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸)2PZ-CN (trade name, manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd., 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole)
<필름의 제작><production of film>
(필름 A의 제작)(Production of Film A)
합성예 A의 접착제 바니시를 100 메쉬의 필터로 여과하여, 진공 탈포했다. 기재 필름으로서, 두께 38 ㎛의 이형 처리를 실시한 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름을 준비하고, 진공 탈포 후의 접착제 바니시를 PET 필름 상에 도포했다. 도포한 접착제 바니시를, 90℃에서 5분간, 이어서 140℃에서 5분간의 2단계로 가열 건조했다. 가열 건조 후, PET 필름을 벗겨, B 스테이지 상태에 있는 필름 A를 얻었다. 이 필름 A에서는, 접착제 바니시의 도포량을 조정하여 두께가 다른 필름을 제작했다. 두께가 10 ㎛, 20 ㎛, 40 ㎛, 100 ㎛, 120 ㎛ 및 130 ㎛인 필름을, 각각 필름 A-10, A-20, A-40, A-100, A-120 및 A-130으로 했다.The adhesive varnish of Synthesis Example A was filtered through a 100 mesh filter and vacuum defoamed. As a base film, a 38 µm-thick polyethylene terephthalate (PET) film was prepared, and an adhesive varnish after vacuum defoaming was applied onto the PET film. The applied adhesive varnish was heated and dried at 90°C for 5 minutes and then at 140°C for 5 minutes in two steps. After heating and drying, the PET film was peeled off, and the film A in the B stage state was obtained. In this film A, the application amount of the adhesive varnish was adjusted to produce a film having a different thickness. Films having a thickness of 10 µm, 20 µm, 40 µm, 100 µm, 120 µm and 130 µm were set as films A-10, A-20, A-40, A-100, A-120 and A-130, respectively. .
(필름 A의 전단 점도의 측정)(Measurement of shear viscosity of film A)
전단 점도는 ARES(레오매트릭ㆍ사이엔티픽사 제조)를 이용하여 측정했다. 측정 샘플은, 70℃에서 두께가 160 ㎛ 이상이 되도록, 필름 A에 다이 본딩 필름(히타치가세이가부시키가이샤 제조)을 맞붙여, 직경 9 mmφ로 펀칭함으로써 제작했다. 측정은, 측정 샘플에 5%의 왜곡을 부여하면서 5℃/분의 승온 속도로 승온함으로써 행하여, 80℃에서의 값을 80℃의 전단 점도로 했다. 필름 A의 80℃의 전단 점도는 2000 Pa·s였다.Shear viscosity was measured using ARES (manufactured by Reometrics Cyentipic). The measurement sample was produced by attaching a die bonding film (manufactured by Hitachi Chemical Industries, Ltd.) to the film A so that the thickness was 160 µm or more at 70°C, and punching with a diameter of 9 mmφ. The measurement was performed by raising the temperature at a temperature increase rate of 5°C/min while imparting 5% distortion to the measurement sample, and the value at 80°C was made into a shear viscosity of 80°C. The shear viscosity at 80° C. of Film A was 2000 Pa·s.
(필름 A의 경화 후의 저장 탄성률의 측정)(Measurement of storage modulus of film A after curing)
저장 탄성률은 동적 점탄성 측정 장치(레올로지가부시키가이샤 제조, 상품명: DVE 레오스펙트라)를 이용하여 측정했다. 측정 샘플은, 70℃에서 두께가 160 ㎛ 이상이 되도록, 필름 A에 다이 본딩 필름(히타치가세이가부시키가이샤 제조)을 맞붙이고, 4 mm 폭의 스트립형으로 가공하여, 시차 주사 열량계(DSC)로 반응률이 100%가 되는 조건으로 경화시킴으로써 제작했다. 제작한 측정 샘플을, 승온 속도 10℃/분으로 실온에서부터 270℃까지의 저장 탄성률을 측정하여, 150℃에서의 값을 경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률로 했다. 필름 A의 경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률은 54 MPa였다.The storage modulus was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (manufactured by Rheology Co., Ltd., brand name: DVE Reospectra). For the measurement sample, a die-bonding film (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was adhered to the film A so that the thickness was 160 µm or more at 70°C, and processed into a 4 mm wide strip, and a differential scanning calorimeter (DSC ) Was produced by curing under the conditions that the reaction rate became 100%. The produced measurement sample was measured for storage modulus from room temperature to 270°C at a heating rate of 10°C/min, and the value at 150°C was taken as the storage modulus at 150°C after curing. The storage modulus of film A at 150° C. after curing was 54 MPa.
(필름 B의 제작)(Production of film B)
합성예 A의 접착제 바니시를 합성예 B의 접착제 바니시로 변경한 것 이외에는, 필름 A의 제작과 같은 식으로 하여 필름 B를 얻었다. 이 필름 B에서는, 두께가 120 ㎛인 필름 B-120을 제작했다. 필름 B의 80℃의 전단 점도는 1200 Pa·s이고, 필름 B의 경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률은 31 MPa였다. Except having changed the adhesive varnish of Synthesis Example A to the adhesive varnish of Synthesis Example B, it carried out similarly to the production of Film A, and obtained the film B. In this film B, a film B-120 having a thickness of 120 µm was produced. The shear viscosity of the film B at 80°C was 1200 Pa·s, and the storage modulus at 150°C after curing of the film B was 31 MPa.
(필름 C의 제작)(Production of Film C)
합성예 A의 접착제 바니시를 합성예 C의 접착제 바니시로 변경한 것 이외에는, 필름 A의 제작과 같은 식으로 하여 필름 C를 얻었다. 이 필름 C에서는, 두께가 120 ㎛인 필름 C-120을 제작했다. 필름 C의 80℃의 전단 점도는 9000 Pa·s이고, 필름 C의 경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률은 160 MPa였다. Except having changed the adhesive varnish of Synthesis Example A to the adhesive varnish of Synthesis Example C, it carried out similarly to the production of Film A, and obtained the film C. In this film C, a film C-120 having a thickness of 120 µm was produced. The shear viscosity of the film C at 80°C was 9000 Pa·s, and the storage modulus at 150°C after curing of the film C was 160 MPa.
(필름 D의 제작)(Production of Film D)
합성예 A의 접착제 바니시를 합성예 D의 접착제 바니시로 변경한 것 이외에는, 필름 A의 제작과 같은 식으로 하여 필름 D를 얻었다. 이 필름 D에서는, 접착제 바니시의 도포량을 조정하여 두께가 다른 필름을 제작했다. 두께가 10 ㎛, 20 ㎛, 및 40 ㎛인 필름을, 각각 필름 D-10, D-20 및 D-40으로 했다. 필름 D의 전단 점도는 28000 Pa·s이고, 필름 D의 경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률은 6 MPa였다. Except having changed the adhesive varnish of Synthesis Example A to the adhesive varnish of Synthesis D, it carried out similarly to the production of Film A, and obtained the film D. In this film D, the application amount of the adhesive varnish was adjusted to produce a film having a different thickness. Films having a thickness of 10 µm, 20 µm, and 40 µm were set as films D-10, D-20, and D-40, respectively. The shear viscosity of the film D was 28000 Pa·s, and the storage modulus at 150° C. after curing of the film D was 6 MPa.
(필름 E의 제작)(Production of Film E)
합성예 A의 접착제 바니시를 합성예 E의 접착제 바니시로 변경한 것 이외에는, 필름 A의 제작과 같은 식으로 하여 필름 E를 얻었다. 이 필름 E에서는, 두께가 10 ㎛인 필름 E-10을 제작했다. 필름 E의 80℃의 전단 점도는 7400 Pa·s이고, 필름 E의 경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률은 760 MPa였다.Except having changed the adhesive varnish of Synthesis Example A to the adhesive varnish of Synthesis Example E, it carried out similarly to the production of Film A, and obtained the film E. In this film E, a film E-10 having a thickness of 10 μm was produced. The shear viscosity of the film E at 80°C was 7400 Pa·s, and the storage modulus at 150°C after curing of the film E was 760 MPa.
(필름 F의 제작)(Production of Film F)
합성예 A의 접착제 바니시를 합성예 F의 접착제 바니시로 변경한 것 이외에는, 필름 A의 제작과 같은 식으로 하여 필름 F를 얻었다. 이 필름 F에서는, 두께가 20 ㎛인 필름 F-20을 제작했다. 필름 F의 80℃의 전단 점도는 14200 Pa·s이고, 필름 F의 경화 후의 150℃에 있어서의 저장 탄성률은 20 MPa였다.Except having changed the adhesive varnish of Synthesis Example A to the adhesive varnish of Synthesis Example F, it carried out similarly to the production of Film A, and obtained the film F. In this film F, a film F-20 having a thickness of 20 µm was produced. The shear viscosity of the film F at 80°C was 14200 Pa·s, and the storage modulus at 150°C after curing of the film F was 20 MPa.
<접착 필름의 제작><Production of adhesive film>
[실시예 1-1∼1-8 및 비교예 1-1∼1-3][Examples 1-1 to 1-8 and Comparative Examples 1-1 to 1-3]
표 2, 표 3 및 표 4에 나타내는 것과 같이, 필름 A∼F를 제1 필름 또는 제2 필름으로서 이용했다. 제1 필름 및 제2 필름을 맞붙여 원형으로 가공함으로써 접착 필름을 얻었다. 제1 필름의 제2 필름과는 반대쪽의 면에, 점착 필름(두께 110 ㎛, 히타치가세이가부시키가이샤 제조)를 맞붙여, 실시예 1-1∼1- 8및 비교예 1-1∼1-3의 다이싱-다이 본딩 일체형 접착 필름을 제작했다. As shown in Table 2, Table 3, and Table 4, films A-F were used as a 1st film or a 2nd film. The adhesive film was obtained by bonding the 1st film and the 2nd film and processing it into a circle. On the side opposite to the second film of the first film, an adhesive film (
<반도체 장치의 제작><Production of semiconductor device>
[실시예 2-1][Example 2-1]
(제1 반도체 칩을 갖춘 반도체 기판의 제작)(Production of semiconductor substrate with first semiconductor chip)
접착 필름 및 점착 필름을 갖춘 다이싱-다이 본딩 일체형 접착 필름(접착 필름: 두께 10 ㎛, 필름 E-10, 점착 필름: 두께 110 ㎛, 히타치가세이가부시키가이샤 제조)을 준비했다. 접착 필름에, 50 ㎛ 두께의 반도체 웨이퍼를, 스테이지 온도 70℃에서 라미네이트하여, 다이싱 샘플을 제작했다. A dicing-die bonding integral adhesive film (adhesive film:
풀오토 다이서 DFD-6361(가부시키가이샤디스코 제조)을 이용하여, 얻어진 다이싱 샘플을 절단했다. 절단에는, 2장의 블레이드를 이용하는 스텝 컷트 방식으로 행하고, 다이싱 블레이드 ZH05-SD3500-N1-xx-DD 및 ZH05-SD4000-N1-xx-BB(모두 가부시키가이샤디스코 제조)를 이용했다. 절단 조건은, 블레이드 회전수 4000 rpm, 절단 속도 50 mm/sec, 칩 사이즈 3 mm×3 mm로 했다. 절단은, 반도체 웨이퍼가 25 ㎛ 정도 남도록 1번째 단계의 절단을 행하고, 이어서 점착 필름에 20 ㎛ 정도의 절입이 들어가도록 2번째 단계의 절단을 행했다.The obtained dicing sample was cut using a full-auto dicer DFD-6361 (manufactured by Disco Corporation). The cutting was performed by a step-cut method using two blades, and dicing blades ZH05-SD3500-N1-xx-DD and ZH05-SD4000-N1-xx-BB (both manufactured by Disco Corporation) were used. Cutting conditions were a blade rotation speed of 4000 rpm, a cutting speed of 50 mm/sec, and a chip size of 3 mm x 3 mm. In the cutting, the first step was cut so that the semiconductor wafer remains about 25 µm, and then the second step was cut so that a cut of about 20 µm enters the adhesive film.
이어서, 픽업용 콜릿을 이용하여, 제1 반도체 칩(컨트롤러 칩)으로서 픽업해야 할 반도체 칩을 픽업했다. 도 19는 픽업용 콜릿의 밀어올림면을 도시하는 도면이다. 도 19에 도시하는 것과 같이, 사용한 픽업용 콜릿(20)은, 예컨대 3 mm×3 mm의 밀어올림면(21)을 가지고, 5개의 밀어올리기 핀(22)이 밀어올림면(21)의 대각선 위를 따라 소정의 간격으로 배열되어 있다. 픽업에서는, 중앙의 1개의 핀을 이용하여 밀어올렸다. 픽업 조건은, 밀어올리기 속도를 20 mm/s로 하고, 밀어올리기 높이를 450 ㎛로 설정했다. 이와 같이 하여, 접착 필름 구비 제1 반도체 칩(컨트롤러 칩)을 얻었다. Next, a semiconductor chip to be picked up was picked up as a first semiconductor chip (controller chip) using a pickup collet. Fig. 19 is a diagram showing a raised surface of a pickup collet. As shown in Fig. 19, the used
이어서, 다이 본더 BESTEM-D02(캐논머시너리사 제조)를 이용하여 더미 회로를 갖는 유리 에폭시 기판에 접착 필름 구비 제1 반도체 칩을 압착했다. 이때, 제1 반도체 칩이 더미 회로의 중앙이 되도록 위치를 조정했다. 이와 같이 하여, 제1 반도체 칩을 갖춘 반도체 기판을 얻었다.Next, the first semiconductor chip with an adhesive film was press-bonded to a glass epoxy substrate having a dummy circuit using a die bonder BESTEM-D02 (manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.). At this time, the position was adjusted so that the first semiconductor chip became the center of the dummy circuit. In this way, a semiconductor substrate provided with the first semiconductor chip was obtained.
(접착 필름 구비 제2 반도체 칩의 제작)(Production of the second semiconductor chip with adhesive film)
실시예 1-1의 다이싱-다이 본딩 일체형 접착 필름을 준비하고, 제2 필름의 제1 필름과는 반대쪽의 면에, 100 ㎛ 두께의 반도체 웨이퍼(실리콘 웨이퍼)를 스테이지 온도 70℃에서 라미네이트하여, 다이싱 샘플을 제작했다.The dicing-die bonding integrated adhesive film of Example 1-1 was prepared, and a semiconductor wafer (silicon wafer) having a thickness of 100 μm was laminated on the side opposite to the first film of the second film at a stage temperature of 70°C. , To prepare a dicing sample.
풀오토 다이서 DFD-6361(가부시키가이샤디스코 제조)을 이용하여, 얻어진 다이싱 샘플을 절단했다. 절단에는, 2장의 블레이드를 이용하는 스텝 컷트 방식으로 행하고, 다이싱 블레이드 ZH05-SD2000-N1-xx-FF 및 ZH05-SD2000-N1-xx-EE(모두 가부시키가이샤디스코 제조)를 이용했다. 절단 조건은, 블레이드 회전수 4000 rpm, 절단 속도 50 mm/s, 칩 사이즈 7 mm×7 mm로 했다. 절단은, 반도체 웨이퍼가 50 ㎛ 정도 남도록 1번째 단계의 절단을 행하고, 이어서 점착 필름에 20 ㎛ 정도의 절입이 들어가도록 2번째 단계의 절단을 행했다.The obtained dicing sample was cut using a full-auto dicer DFD-6361 (manufactured by Disco Corporation). The cutting was carried out by a step-cut method using two blades, and dicing blades ZH05-SD2000-N1-xx-FF and ZH05-SD2000-N1-xx-EE (both manufactured by Disco Corporation) were used. Cutting conditions were a blade rotation speed of 4000 rpm, a cutting speed of 50 mm/s, and a chip size of 7 mm x 7 mm. The cutting was carried out in a first step so that the semiconductor wafer remains about 50 µm, and then cut in a second step so that a cut of about 20 µm enters the adhesive film.
이어서, 픽업용 콜릿을 이용하여 반도체 칩을 픽업했다. 5개의 밀어올리기 핀을 이용하여 밀어올린 것 이외에는, 제1 반도체 칩의 픽업 조건과 같은 식으로 하여 접착 필름 구비 제2 반도체 칩을 얻었다.Next, a semiconductor chip was picked up using a pickup collet. A second semiconductor chip with an adhesive film was obtained in the same manner as the pickup conditions for the first semiconductor chip except for pushing up using five push pins.
(반도체 장치의 제작)(Manufacture of semiconductor devices)
얻어진 접착 필름 구비 제2 반도체 칩을, 제1 반도체 칩을 갖춘 반도체 기판을 압착했다. 이때, 제2 반도체 칩이 제1 반도체 칩의 중앙이 되도록 위치를 조정했다. 이어서, 제2 반도체 칩이 압착된 반도체 기판을, 가압 오븐(치요다일렉트릭가부시키가이샤 제조)에 의해서, 온도 70℃에서 2시간 유지하고, 추가로 온도 150℃에서 30분 유지하여, 접착 필름을 경화시킴으로써, 실시예 2-1의 반도체 장치를 제작했다. The semiconductor substrate provided with the 1st semiconductor chip was press-bonded to the obtained 2nd semiconductor chip with an adhesive film. At this time, the position was adjusted so that the second semiconductor chip became the center of the first semiconductor chip. Subsequently, the semiconductor substrate to which the second semiconductor chip was pressed was held at a temperature of 70° C. for 2 hours by a pressurizing oven (manufactured by Chiyoda Electric Co., Ltd.), and further maintained at a temperature of 150° C. for 30 minutes to cure the adhesive film. By doing this, the semiconductor device of Example 2-1 was produced.
(휨량의 측정)(Measurement of warpage)
<반도체 기판의 휨량> <The amount of warpage of the semiconductor substrate>
실시예 2-1의 반도체 장치의 반도체 기판의 표면(제2 반도체 칩의 이면)을 실온 하(25℃), 레이저 변위계(가부시키가이샤기엔스 제조, LKG80, 스텝 100 ㎛, 측정 범위 세로 7 mm, 가로 7 mm)로 측정했다. 얻어진 각 점의 변위로부터 3차원의 평균면을 산출하여, 양끝의 점이 제로점이 되도록 보정했다. 얻어진 제로점과, 계측으로 얻어진 변위와의 차가 가장 큰 것을 휨량으로 하여, 반도체 기판의 휨량을 구했다. 결과를 표 5에 나타낸다. The surface of the semiconductor substrate of the semiconductor device of Example 2-1 (the back surface of the second semiconductor chip) was placed at room temperature (25°C), and a laser displacement meter (manufactured by KK, LKG80, step 100 µm, measurement range 7 mm long. , Width 7 mm). The three-dimensional average plane was calculated from the obtained displacement of each point, and the points at both ends were corrected to be zero. The largest difference between the obtained zero point and the displacement obtained by measurement was taken as the warpage amount, and the warpage amount of the semiconductor substrate was determined. Table 5 shows the results.
<제2 반도체 칩의 휨량> <The amount of warpage of the second semiconductor chip>
실시예 2-1의 반도체 장치의 제2 반도체 칩의 반도체 웨이퍼의 표면을 실온 하(25℃), 레이저 변위계(가부시키가이샤기엔스 제조, LKG80, 스텝 100 ㎛, 측정 범위 세로 7 mm, 가로 7 mm)로 측정했다. 얻어진 각 점의 변위로부터 3차원의 평균면을 산출하여, 양끝의 점이 제로점이 되도록 보정했다. 얻어진 제로점과, 계측에서 얻어진 변위와의 차가 가장 큰 것을 휨량으로 하여, 제2 반도체 칩의 휨량을 구했다. 결과를 표 5에 나타낸다. The surface of the semiconductor wafer of the second semiconductor chip of the semiconductor device of Example 2-1 was placed under room temperature (25°C), and a laser displacement meter (manufactured by Co., Ltd., LKG80, step 100 μm, measuring range 7 mm long, 7 horizontally mm). The three-dimensional average plane was calculated from the obtained displacement of each point, and the points at both ends were corrected to be zero. The largest difference between the obtained zero point and the displacement obtained by measurement was taken as the warpage amount, and the warpage amount of the second semiconductor chip was determined. Table 5 shows the results.
[실시예 2-2∼2-6][Examples 2-2 to 2-6]
실시예 1-1의 다이싱-다이 본딩 일체형 접착 필름을 실시예 1-2∼1-6의 다이싱-다이 본딩 일체형 접착 필름으로 변경한 것 이외에는, 실시예 2-1과 같은 식으로 실시예 2-2∼2-6의 반도체 장치를 각각 제작하여, 반도체 기판의 휨량 및 제2 반도체 칩의 휨량을 구했다. 결과를 표 5, 표 6 및 표 7에 나타낸다.Examples in the same manner as in Example 2-1, except that the dicing-die bonding integrated adhesive film of Example 1-1 was changed to the dicing-die bonding integrated adhesive film of Examples 1-2 to 1-6. The semiconductor devices of 2-2 to 2-6 were fabricated, respectively, and the warpage amount of the semiconductor substrate and the warpage amount of the second semiconductor chip were determined. The results are shown in Tables 5, 6 and 7.
[비교예 2-1][Comparative Example 2-1]
실시예 1-1의 다이싱-다이 본딩 일체형 접착 필름을 비교예 1-1의 다이싱-다이 본딩 일체형 접착 필름으로 변경한 것 이외에는, 실시예 2-1과 같은 식으로 비교예 2-1의 반도체 장치를 제작하여, 반도체 기판의 휨량 및 제2 반도체 칩의 휨량을 구했다. 결과를 표 5 및 표 6에 나타낸다. Except for changing the dicing-die bonding integrated adhesive film of Example 1-1 to the dicing-die bonding integrated adhesive film of Comparative Example 1-1, in the same manner as in Example 2-1, Comparative Example 2-1 A semiconductor device was fabricated, and the warpage amount of the semiconductor substrate and the warpage amount of the second semiconductor chip were determined. The results are shown in Tables 5 and 6.
실시예 2-1∼2-6의 반도체 장치는, 비교예 2-1의 반도체 장치와 비교하여 반도체 기판의 휘어짐이 억제되었고, 나아가서는 제2 반도체 칩의 휘어짐이 억제되었다. 또한, 제1 필름의 전단 점도가 낮을수록 휨량을 저감하는 것이 가능했다. 이것은, 제1 반도체 칩의 매립성이 양호하게 되었기 때문에, 이 칩 주변의 보이드를 저감할 수 있고, 보이드 유래의 휘어짐을 억제할 수 있기 때문이라고 미루어 생각된다.In the semiconductor devices of Examples 2-1 to 2-6, warpage of the semiconductor substrate was suppressed compared to the semiconductor device of Comparative Example 2-1, and further, warpage of the second semiconductor chip was suppressed. In addition, it was possible to reduce the amount of warpage as the shear viscosity of the first film was lower. It is considered that this is because the embedding property of the first semiconductor chip is improved, so that voids around this chip can be reduced, and warpage resulting from voids can be suppressed.
<반도체 장치의 제작><Production of semiconductor device>
[실시예 2-7][Example 2-7]
(접착 필름 구비 반도체 칩의 제작)(Production of semiconductor chip with adhesive film)
실시예 1-7의 다이싱-다이 본딩 일체형 접착 필름을 준비하고, 제2 필름의 제1 필름과는 반대쪽의 면에, 100 ㎛ 두께의 반도체 웨이퍼(실리콘 웨이퍼)를, 스테이지 온도 70℃에서 라미네이트하여, 다이싱 샘플을 제작했다.A dicing-die bonding integral adhesive film of Example 1-7 was prepared, and a semiconductor wafer (silicon wafer) having a thickness of 100 μm was laminated on the surface of the second film opposite to the first film at a stage temperature of 70°C. Thus, a dicing sample was produced.
풀오토 다이서 DFD-6361(가부시키가이샤디스코 제조)을 이용하여, 얻어진 다이싱 샘플을 절단했다. 절단에는, 2장의 블레이드를 이용하는 스텝 컷트 방식으로 행하고, 다이싱 블레이드 ZH05-SD2000-N1-xx-FF 및 ZH05-SD2000-N1-xx-EE(모두 가부시키가이샤디스코 제조)를 이용했다. 절단 조건은, 블레이드 회전수 4000 rpm, 절단 속도 50 mm/s, 칩 사이즈 7 mm×7 mm로 했다. 절단은, 반도체 웨이퍼가 50 ㎛ 정도 남도록 1번째 단계의 절단을 행하고, 이어서 점착 필름에 20 ㎛ 정도의 절입이 들어가도록 2번째 단계의 절단을 행했다.The obtained dicing sample was cut using a full-auto dicer DFD-6361 (manufactured by Disco Corporation). The cutting was carried out by a step-cut method using two blades, and dicing blades ZH05-SD2000-N1-xx-FF and ZH05-SD2000-N1-xx-EE (both manufactured by Disco Corporation) were used. Cutting conditions were a blade rotation speed of 4000 rpm, a cutting speed of 50 mm/s, and a chip size of 7 mm x 7 mm. The cutting was carried out in a first step so that the semiconductor wafer remains about 50 µm, and then cut in a second step so that a cut of about 20 µm enters the adhesive film.
이어서, 픽업용 콜릿을 이용하여 반도체 칩을 픽업했다. 핀 5개를 이용하여 밀어올린 것 이외에는, 제1 반도체 칩의 픽업 조건과 같은 식으로 하여 접착 필름 구비 반도체 칩을 얻었다. Next, a semiconductor chip was picked up using a pickup collet. A semiconductor chip with an adhesive film was obtained in the same manner as the pickup conditions of the first semiconductor chip except for pushing up using five pins.
얻어진 접착 필름 구비 반도체 칩을, 더미 회로를 갖는 유리 에폭시 기판에 압착했다. 이때, 반도체 칩이 더미 회로의 중앙이 되도록 위치를 조정했다. 이어서, 반도체 칩이 압착된 유리 에폭시 기판을, 가압 오븐(치요다일렉트릭가부시키가이샤 제조)에 의해서, 온도 70℃에서 2시간 유지하고, 추가로 온도 150℃에서 30분 유지하여, 접착 필름을 경화시킴으로써, 실시예 2-7의 반도체 장치를 제작했다. The obtained semiconductor chip with an adhesive film was press-bonded to a glass epoxy substrate having a dummy circuit. At this time, the position was adjusted so that the semiconductor chip would become the center of the dummy circuit. Subsequently, the glass epoxy substrate to which the semiconductor chip was pressed was held at a temperature of 70° C. for 2 hours by a pressurizing oven (manufactured by Chiyoda Electric Co., Ltd.), and further maintained at a temperature of 150° C. for 30 minutes to cure the adhesive film. , The semiconductor device of Example 2-7 was produced.
(휨량의 측정)(Measurement of warpage)
상기 반도체 기판의 휨량과 같은 방법에 의해서, 반도체 기판의 휨량을 구했다. 결과를 표 8에 나타낸다.The amount of warpage of the semiconductor substrate was determined by the same method as the amount of warpage of the semiconductor substrate. The results are shown in Table 8.
[실시예 2-8 및 비교예 2-2, 2-3][Example 2-8 and Comparative Examples 2-2 and 2-3]
실시예 1-7의 다이싱-다이 본딩 일체형 접착 필름을 실시예 1-8 및 비교예 1-2, 1-3의 다이싱-다이 본딩 일체형 접착 필름으로 변경한 것 이외에는, 실시예 2-7과 같은 식으로 실시예 2-8 및 비교예 2-2, 2-3의 반도체 장치를 각각 제작하여, 반도체 기판의 휨량을 구했다. 결과를 표 8에 나타낸다.Example 2-7, except that the dicing-die bonding integrated adhesive film of Example 1-7 was changed to the dicing-die bonding integrated adhesive film of Examples 1-8 and Comparative Examples 1-2 and 1-3. In the same manner, the semiconductor devices of Example 2-8 and Comparative Examples 2-2 and 2-3 were produced, respectively, and the amount of warpage of the semiconductor substrate was determined. The results are shown in Table 8.
실시예 2-7 및 2-8의 반도체 장치는, 비교예 2-2 및 2-3의 반도체 장치와 비교하여, 반도체 기판의 휘어짐이 억제되었다. In the semiconductor devices of Examples 2-7 and 2-8, warpage of the semiconductor substrate was suppressed as compared with the semiconductor devices of Comparative Examples 2-2 and 2-3.
이상으로부터, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은 반도체 기판의 휘어짐을 억제할 수 있다는 것이 확인되었다. From the above, it was confirmed that the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention can suppress the warpage of the semiconductor substrate.
1: 기재 필름
2: 점착 필름
4a, 4b: 기재 필름
5: 흡인 콜릿
6: 반도체 기판
10: 반도체 기판
11: 와이어
12: 밀봉재
13: 단자
14: 회로 패턴
20: 픽업용 콜릿
21: 밀어올림면
22: 밀어올리기 핀
100, 110, 120: 필름
130: 접착 필름
130c: 경화물
140: 다이싱-다이 본딩 일체형 접착 필름
200: 접착 시트
300: 접착 필름 구비 반도체 웨이퍼
400: 반도체 장치
410: 반도체 장치
500: 반도체 장치
A: 반도체 웨이퍼
B: 블레이드
a: 반도체 칩. 1: base film
2: adhesive film
4a, 4b: base film
5: suction collet
6: semiconductor substrate
10: semiconductor substrate
11: wire
12: sealing material
13: terminal
14: circuit pattern
20: collet for pickup
21: push up side
22: push pin
100, 110, 120: film
130: adhesive film
130c: cured product
140: dicing-die bonding integral adhesive film
200: adhesive sheet
300: semiconductor wafer with adhesive film
400: semiconductor device
410: semiconductor device
500: semiconductor device
A: Semiconductor wafer
B: blade
a: semiconductor chip.
Claims (10)
상기 접착 필름 구비 반도체 웨이퍼를 다이싱하여, 접착 필름 구비 반도체 칩을 얻는 다이싱 공정과,
상기 접착 필름 구비 반도체 칩을 반도체 기판에 압착하는 압착 공정
을 구비하고,
상기 접착 필름이 제1 필름과 상기 제1 필름과는 80℃의 전단 점도가 다른 제2 필름을 상기 점착 필름에서부터 이 순서로 포함하고,
상기 제2 필름의 80℃의 전단 점도가 500 Pa·s 이상인, 반도체 장치의 제조 방법. A step of preparing a semiconductor wafer with an adhesive film having an adhesive film and a semiconductor wafer on the adhesive film in this order,
A dicing step of dicing the semiconductor wafer with an adhesive film to obtain a semiconductor chip with an adhesive film,
A pressing process of compressing the semiconductor chip with the adhesive film onto a semiconductor substrate
And,
The adhesive film includes a first film and a second film having a shear viscosity of 80° C. different from that of the first film in this order from the adhesive film,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the second film has a shear viscosity of at least 500 Pa·s at 80°C.
상기 제1 필름 상에 적층된, 상기 제1 필름과는 80℃의 전단 점도가 다른 제2 필름
을 포함하고,
상기 제2 필름의 80℃의 전단 점도가 500 Pa·s 이상인 접착 필름. The first film,
A second film laminated on the first film and having a shear viscosity of 80° C. different from the first film
Including,
An adhesive film having a shear viscosity of 80° C. of the second film of 500 Pa·s or more.
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