JP6977588B2 - Manufacturing method of semiconductor devices and adhesive film - Google Patents
Manufacturing method of semiconductor devices and adhesive film Download PDFInfo
- Publication number
- JP6977588B2 JP6977588B2 JP2018013752A JP2018013752A JP6977588B2 JP 6977588 B2 JP6977588 B2 JP 6977588B2 JP 2018013752 A JP2018013752 A JP 2018013752A JP 2018013752 A JP2018013752 A JP 2018013752A JP 6977588 B2 JP6977588 B2 JP 6977588B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor
- adhesive film
- semiconductor chip
- adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 310
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 title claims description 156
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 50
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 50
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 30
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 29
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 29
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 23
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 15
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 13
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 9
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 8
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 4
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 4
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 4
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 3
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013500 performance material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MODAACUAXYPNJH-UHFFFAOYSA-N 1-(methoxymethyl)-4-[4-(methoxymethyl)phenyl]benzene Chemical group C1=CC(COC)=CC=C1C1=CC=C(COC)C=C1 MODAACUAXYPNJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLBVJHVRECUXKP-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethoxy-1,4-dimethylbenzene Chemical group COC1=C(C)C=CC(C)=C1OC BLBVJHVRECUXKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CC1=NC=CN1CCC#N SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N biphenyl-2-ol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002903 organophosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002987 primer (paints) Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N trans-stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 125000006839 xylylene group Chemical group 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Dicing (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
本発明は、半導体装置の製造方法及び接着フィルムに関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and an adhesive film.
従来、半導体チップと半導体基板との接合には、主に銀ペーストが使用されている。しかし、近年の半導体チップの小型化・集積化に伴い、使用される半導体基板にも小型化及び細密化が要求されるようになってきている。その一方で、銀ペーストを用いる場合では、ペーストのはみ出し又は半導体チップの傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、膜厚制御の困難性、ボイド発生等の問題が生じる場合がある。 Conventionally, silver paste is mainly used for joining a semiconductor chip and a semiconductor substrate. However, with the recent miniaturization and integration of semiconductor chips, the semiconductor substrates used are also required to be miniaturized and miniaturized. On the other hand, when the silver paste is used, there may be problems such as problems during wire bonding due to sticking out of the paste or tilting of the semiconductor chip, difficulty in controlling the film thickness, and generation of voids.
そのため、近年、半導体チップと半導体基板とを接合するための接着フィルムが使用されている(例えば、特許文献1参照)。ダイシングテープとダイシングテープ上に積層された接着フィルムとを備える接着フィルムを用いる場合、半導体ウエハの裏面に接着フィルムを貼り付け、ダイシングによって半導体ウエハを個片化することによって、接着フィルム付き半導体チップを得ることができる。得られた接着フィルム付き半導体チップは、接着フィルムを介して半導体基板に貼り付け、熱圧着により接合することができる。 Therefore, in recent years, an adhesive film for joining a semiconductor chip and a semiconductor substrate has been used (see, for example, Patent Document 1). When an adhesive film including a dicing tape and an adhesive film laminated on the dicing tape is used, the semiconductor chip with the adhesive film is formed by attaching the adhesive film to the back surface of the semiconductor wafer and separating the semiconductor wafer by dicing. Obtainable. The obtained semiconductor chip with an adhesive film can be attached to a semiconductor substrate via the adhesive film and bonded by thermocompression bonding.
しかしながら、半導体チップの小型化及び集積化に伴い、接着フィルムを硬化させたときに、半導体装置の半導体基板に反りが発生する場合がある。半導体基板に反りが発生すると、封止工程において、半導体チップが封止材からはみ出し、電気不良が発生するおそれがある。 However, with the miniaturization and integration of semiconductor chips, warpage may occur in the semiconductor substrate of the semiconductor device when the adhesive film is cured. If the semiconductor substrate is warped, the semiconductor chip may protrude from the sealing material in the sealing process, resulting in electrical defects.
また、ワイヤ埋込型接着フィルムであるFOW(Film Over Wire)又はチップ埋込型接着フィルムであるFOD(Film Over Die)を用いる場合は、さらに半導体基板の反りが増大する傾向にある。また、これらの接着フィルムでは、ワイヤ、コントローラチップ等を埋め込む必要があるため、接着フィルム付き半導体チップにも反りが発生する場合がある。 Further, when FOW (Film Over Wire), which is a wire-embedded adhesive film, or FOD (Film Over Die), which is a chip-embedded adhesive film, is used, the warp of the semiconductor substrate tends to increase further. Further, since it is necessary to embed a wire, a controller chip, or the like in these adhesive films, the semiconductor chip with the adhesive film may also be warped.
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、半導体基板の反りを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを主な目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing warpage of a semiconductor substrate.
本発明の一側面は、粘着フィルム上に、接着フィルム、及び半導体ウエハをこの順に備える接着フィルム付き半導体ウエハを準備する工程と、接着フィルム付き半導体ウエハをダイシングし、接着フィルム付き半導体チップを得るダイシング工程と、接着フィルム付き半導体チップを半導体基板に圧着する圧着工程と、を備え、接着フィルムが第1のフィルムと第1のフィルムとは80℃のずり粘度が異なる第2のフィルムとを粘着フィルムからこの順に含み、第2のフィルムの80℃のずり粘度が500Pa・s以上である、半導体装置の製造方法を提供する。このような半導体装置の製造方法によれば、半導体基板の反りを抑制することが可能となる。 One aspect of the present invention is a step of preparing a semiconductor wafer with an adhesive film having an adhesive film and a semiconductor wafer in this order on an adhesive film, and dying of the semiconductor wafer with an adhesive film to obtain a semiconductor chip with an adhesive film. An adhesive film comprises a step and a crimping step of crimping a semiconductor chip with an adhesive film to a semiconductor substrate, and the adhesive film is a second film having a shear viscosity of 80 ° C. different from that of the first film. To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which includes the second film in this order and has a shear viscosity of the second film at 80 ° C. of 500 Pa · s or more. According to such a method for manufacturing a semiconductor device, it is possible to suppress the warp of the semiconductor substrate.
第2のフィルムの厚さは、3〜150μmであってよい。第2のフィルムの硬化後の150℃における貯蔵弾性率は、1000MPa以下であってよい。 The thickness of the second film may be 3 to 150 μm. The storage elastic modulus at 150 ° C. after curing of the second film may be 1000 MPa or less.
半導体装置は、半導体基板上に第1のワイヤを介して第1の半導体チップがワイヤボンディング接続されると共に、第1の半導体チップ上に、第2の半導体チップが接着フィルムを介して圧着されることで、第1のワイヤの少なくとも一部が接着フィルムに埋め込まれてなるワイヤ埋込型の半導体装置であってもよく、第1のワイヤ及び第1の半導体チップが接着フィルムに埋め込まれてなるチップ埋込型の半導体装置であってもよい。このような半導体装置においては、半導体基板の反りだけでなく、接着フィルム付き半導体チップ(第2の半導体チップ)の反りも抑制することが可能となり得る。 In the semiconductor device, the first semiconductor chip is wire-bonded and connected on the semiconductor substrate via the first wire, and the second semiconductor chip is crimped onto the first semiconductor chip via the adhesive film. This may be a wire-embedded semiconductor device in which at least a part of the first wire is embedded in the adhesive film, and the first wire and the first semiconductor chip are embedded in the adhesive film. It may be a chip-embedded semiconductor device. In such a semiconductor device, it may be possible to suppress not only the warp of the semiconductor substrate but also the warp of the semiconductor chip with the adhesive film (second semiconductor chip).
別の側面において、本発明は、第1のフィルムと、第1のフィルム上に積層された、第1のフィルムとは80℃のずり粘度が異なる第2のフィルムと、を有し、第2のフィルムの80℃のずり粘度が500Pa・s以上である、接着フィルムを提供する。 In another aspect, the present invention comprises a first film and a second film laminated on the first film, which has a shear viscosity of 80 ° C. different from that of the first film. Provided is an adhesive film having a shear viscosity at 80 ° C. of 500 Pa · s or more.
第2のフィルムの厚さは、3〜150μmであってよい。第2のフィルムの硬化後の150℃における貯蔵弾性率は、1000MPa以下であってよい。 The thickness of the second film may be 3 to 150 μm. The storage elastic modulus at 150 ° C. after curing of the second film may be 1000 MPa or less.
上述の接着剤フィルムは、半導体基板上に第1のワイヤを介して第1の半導体チップがワイヤボンディング接続されると共に、第1の半導体チップ上に、第2の半導体チップが圧着されてなる半導体装置において、第2の半導体チップを圧着すると共に、第1のワイヤの少なくとも一部を埋め込むために用いられるもの(すなわち、FOW用途)であってもよく、第1のワイヤ及び第1の半導体チップを埋め込むために用いられるもの(すなわち、FOD用途)であってもよい。 The above-mentioned adhesive film is a semiconductor in which a first semiconductor chip is wire-bonded and connected to a semiconductor substrate via a first wire, and a second semiconductor chip is crimped onto the first semiconductor chip. In the device, the second semiconductor chip may be crimped and used for embedding at least a part of the first wire (that is, for FOW use), and the first wire and the first semiconductor chip may be used. It may be the one used for embedding (ie, FOD use).
本発明によれば、半導体基板の反りを抑制することが可能な半導体装置の製造方法が提供される。いくつかの形態に係る製造方法は、接着フィルム付き半導体チップの反りも抑制することが可能となる。また、本発明によれば、このような製造方法に用いられる接着フィルムが提供される。 INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing warpage of a semiconductor substrate. The manufacturing method according to some forms can also suppress the warp of the semiconductor chip with the adhesive film. Further, according to the present invention, there is provided an adhesive film used in such a manufacturing method.
以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態について説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate. However, the present invention is not limited to the following embodiments.
本明細書において、(メタ)アクリル酸はアクリル酸又はそれに対応するメタクリル酸を意味する。(メタ)アクリロイル基等の他の類似表現についても同様である。 As used herein, (meth) acrylic acid means acrylic acid or methacrylic acid corresponding thereto. The same applies to other similar expressions such as (meth) acryloyl group.
<半導体装置の製造方法>
[準備工程]
本工程では、ダイシング対象となる接着フィルム付き半導体ウエハを準備する。
<Manufacturing method of semiconductor devices>
[Preparation process]
In this step, a semiconductor wafer with an adhesive film to be diced is prepared.
接着フィルムの作製方法の一例について説明する。まず、基材フィルム1、4a、及び4b上にそれぞれ別個の粘着剤、第1の接着剤、及び第2の接着剤を塗布し、基材フィルム1及び粘着フィルム2を備えるフィルム100(図1)と、基材フィルム4a及び第1のフィルム3aを備えるフィルム110(図2(a))と、基材フィルム4b及び第2のフィルム3bを備えるフィルム120(図2(b))とを作製する。その後、フィルム110及びフィルム120から基材フィルム4a及び基材フィルム4bを剥がして、第1のフィルム3a及び第2のフィルム3bを貼り合わせて接着フィルム130(図2(c))を作製する。次いで、フィルム100に、粘着フィルム2、第1のフィルム3a、及び第2のフィルム3bの順となるように積層して、基材フィルム1と、粘着フィルム2と、接着フィルム130とを備える接着シート200(図3)を得ることができる。接着シート200は、フィルム100(図1)上に、第1の接着剤ワニスを塗布し、次いで第2の接着剤ワニスを塗布する方法によって作製してもよい。なお、接着シート200から基材フィルム1を除いたものをダイシング−ダイボンディング一体型接着フィルム140という場合がある。その後、接着フィルム130上に半導体ウエハAを貼り付けることで、接着フィルム付き半導体ウエハ300を得ることができる(図4)。すなわち、このようにして得られる接着フィルム付き半導体ウエハ300は、粘着フィルム上に接着フィルム及び半導体ウエハをこの順に備える積層体ということができる。
An example of a method for producing an adhesive film will be described. First, a film 100 (FIG. 1) comprising a
基材フィルム1、4a、及び4bとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムなどが挙げられる。基材フィルムには、必要に応じて、プライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が行われていてもよい。
Examples of the
粘着フィルム2は、感圧型又は紫外線硬化型の粘着剤から形成することができる。粘着フィルム2の厚さは、製造する半導体装置の形状、寸法に応じて適宜設定できるが、好ましくは1〜100μm、より好ましくは5〜70μm、さらに好ましくは10〜40μmである。
The pressure-
(接着フィルム)
接着フィルム130は、第1のフィルム3a及び第1のフィルム3a上に積層された、第1のフィルム3aとは80℃のずり粘度が異なる第2のフィルムを含む。また、第2のフィルム3bの80℃のずり粘度は500Pa・s以上である。
(Adhesive film)
The
第1のフィルム3a及び第2のフィルム3bは、いずれも熱硬化性であり、半硬化(Bステージ)状態を経て、硬化処理後に完全硬化物(Cステージ)状態となり得る第1の接着剤及び第2の接着剤から形成することができる。第1のフィルム3a及び第2のフィルム3bは、熱硬化性樹脂(以下、単に「(a)成分」という場合がある。)と、高分子量成分(以下、単に「(b)成分」という場合がある。)と、無機フィラー(以下、単に「(c)成分」という場合がある。)と、を含有することが好ましい。第1のフィルム3a及び第2のフィルム3bは、カップリング剤(以下、単に「(d)成分」という場合がある。)と、硬化促進剤(以下、単に「(e)成分」という場合がある。)と、をさらに含有していてもよい。
Both the
(a)熱硬化性樹脂
(a)成分は、接着性の観点から、エポキシ樹脂(以下、単に「(a1)成分」という場合がある。)及びエポキシ樹脂の硬化剤となり得るフェノール樹脂(以下、単に「(a2)成分」という場合がある。)を含むことが好ましい。
(A) Thermosetting resin (a) component is an epoxy resin (hereinafter, may be simply referred to as “(a1) component”) and a phenol resin that can be a curing agent for the epoxy resin (hereinafter, may be simply referred to as “(a1) component”) from the viewpoint of adhesiveness. It may be simply referred to as "(a2) component").
(a1)成分は、分子内にエポキシ基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。(a1)成分としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールFノボラック型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格含有エポキシ樹脂、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェノールフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、多官能フェノール類、アントラセン等の多環芳香族類のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、(a1)成分は、フィルムのタック性、柔軟性などの観点から、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、又はビスフェノールA型エポキシ樹脂であってもよい。 The component (a1) can be used without particular limitation as long as it has an epoxy group in the molecule. Examples of the component (a1) include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, and bisphenol F novolak type. Epoxy resin, stilben type epoxy resin, triazine skeleton-containing epoxy resin, fluorene skeleton-containing epoxy resin, triphenolphenol methane type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, xylylene type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, many Examples thereof include functional phenols, polycyclic aromatic diglycidyl ether compounds such as anthracene, and the like. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, the component (a1) may be a cresol novolac type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, or a bisphenol A type epoxy resin from the viewpoint of film tackiness, flexibility, and the like.
(a1)成分は、軟化点が30℃未満又は常温(25℃)で液体のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。このようなエポキシ樹脂を含むことによって、得られるフィルムが柔軟性を付与することができ、チップ、ワイヤ、又は半導体基板の埋め込み性がより向上し、埋め込み不足による反りを緩和できる傾向にある。 The component (a1) may contain an epoxy resin having a softening point of less than 30 ° C. or a liquid at room temperature (25 ° C.). By including such an epoxy resin, the obtained film can be imparted with flexibility, the embedding property of the chip, wire, or semiconductor substrate is further improved, and the warp due to insufficient embedding tends to be alleviated.
(a1)成分は、軟化点が50℃以上のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。この場合、軟化したときに流動性に優れるものを用いることが好ましい。 The component (a1) may contain an epoxy resin having a softening point of 50 ° C. or higher. In this case, it is preferable to use one having excellent fluidity when softened.
(a2)成分は、分子内にフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。(a2)成分としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び/又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、アリル化ビスフェノールA、アリル化ビスフェノールF、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び/又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス(メトキシメチル)ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂などが挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、(a2)成分は、フェノールアラルキル樹脂又はナフトールアラルキル樹脂であってもよい。 The component (a2) can be used without particular limitation as long as it has a phenolic hydroxyl group in the molecule. Examples of the component (a2) include phenols such as phenol, cresol, resorcin, catechol, bisphenol A, bisphenol F, phenylphenol and aminophenol, and / or naphthols such as α-naphthol, β-naphthol and dihydroxynaphthalene. Novolak-type phenolic resin obtained by condensing or co-condensing with a compound having an aldehyde group such as formaldehyde under an acidic catalyst, allylated bisphenol A, allylated bisphenol F, allylated naphthalenediol, phenol novolak, phenols such as phenol. And / or a phenol aralkyl resin synthesized from naphthols and dimethoxyparaxylene or bis (methoxymethyl) biphenyl, a naphthol aralkyl resin, and the like can be mentioned. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, the component (a2) may be a phenol aralkyl resin or a naphthol aralkyl resin.
(a2)成分の水酸基当量は、好ましくは70g/eq以上、より好ましくは70〜300g/eqである。(a2)成分の水酸基当量が70g/eq以上であると、フィルムの貯蔵弾性率がより向上する傾向にあり、300g/eq以下であると、発泡、アウトガス等の発生による不具合を防ぐことが可能となる。 The hydroxyl group equivalent of the component (a2) is preferably 70 g / eq or more, more preferably 70 to 300 g / eq. When the hydroxyl group equivalent of the component (a2) is 70 g / eq or more, the storage elastic modulus of the film tends to be further improved, and when it is 300 g / eq or less, it is possible to prevent problems due to the generation of foaming, outgas, etc. Will be.
(a2)成分の軟化点は、好ましくは50〜200℃、より好ましく60〜150℃である。(a2)成分の軟化点が200℃以下であると、エポキシ樹脂との相溶性の低下を抑制できる傾向にある。 The softening point of the component (a2) is preferably 50 to 200 ° C, more preferably 60 to 150 ° C. When the softening point of the component (a2) is 200 ° C. or lower, the decrease in compatibility with the epoxy resin tends to be suppressed.
(a1)成分のエポキシ当量と(a2)成分の水酸基当量との比((a1)成分のエポキシ当量/(a2)成分の水酸基当量)は、硬化性の観点から、0.30/0.70〜0.70/0.30、0.35/0.65〜0.65/0.35、0.40/0.60〜0.60/0.40、又は0.45/0.55〜0.55/0.45であってよい。当該当量比が0.30/0.70以上であると、より充分な硬化性が得られる傾向にある。当該当量比が0.70/0.30以下であると、粘度が高くなり過ぎることを防ぐことができ、より充分な流動性を得ることができる。 The ratio of the epoxy equivalent of the component (a1) to the hydroxyl equivalent of the component (a2) (the epoxy equivalent of the component (a1) / the hydroxyl equivalent of the component (a2)) is 0.30 / 0.70 from the viewpoint of curability. ~ 0.70 / 0.30, 0.35 / 0.65-0.65 / 0.35, 0.40 / 0.60 to 0.60 / 0.40, or 0.45 / 0.55- It may be 0.55 / 0.45. When the equivalent amount ratio is 0.30 / 0.70 or more, more sufficient curability tends to be obtained. When the equivalent equivalent ratio is 0.70 / 0.30 or less, it is possible to prevent the viscosity from becoming too high, and it is possible to obtain more sufficient fluidity.
(a)成分の含有量は、(a)成分、(b)成分、及び(c)成分の総質量100質量部に対して、5〜70質量部、10〜65質量部、又は20〜60質量部であってよい。(a)成分の含有量が5質量部以上であると、架橋によって弾性率が向上する傾向にある。(a)成分の含有量が70質量部以下であると、フィルム取扱い性を維持できるとともに、ずり粘度及び弾性率が所望の範囲になり易い傾向にある。 The content of the component (a) is 5 to 70 parts by mass, 10 to 65 parts by mass, or 20 to 60 parts with respect to 100 parts by mass of the total mass of the component (a), the component (b), and the component (c). It may be a mass part. (A) When the content of the component is 5 parts by mass or more, the elastic modulus tends to be improved by crosslinking. When the content of the component (a) is 70 parts by mass or less, the film handleability can be maintained, and the shear viscosity and elastic modulus tend to be in the desired ranges.
(b)高分子量成分
(b)成分は、ガラス転移温度(Tg)が50℃以下であるものが好ましい。(b)成分としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ブタジエン樹脂、アクリロニトリル樹脂及びこれらの変性体等が挙げられる。
(B) High molecular weight component The component (b) preferably has a glass transition temperature (Tg) of 50 ° C. or lower. Examples of the component (b) include acrylic resin, polyester resin, polyamide resin, polyimide resin, silicone resin, butadiene resin, acrylonitrile resin, and modified products thereof.
(b)成分は、流動性の観点から、アクリル樹脂を含んでいてもよい。ここで、アクリル樹脂とは、(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーを意味する。アクリル樹脂は、構成単位として、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシル基等の架橋性官能基を有する(メタ)アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーであることが好ましい。また、アクリル樹脂は、(メタ)アクリル酸エステルとアクリルニトリルとの共重合体等のアクリルゴムであってもよい。 The component (b) may contain an acrylic resin from the viewpoint of fluidity. Here, the acrylic resin means a polymer containing a structural unit derived from a (meth) acrylic acid ester. The acrylic resin is preferably a polymer containing a structural unit derived from a (meth) acrylic acid ester having a crosslinkable functional group such as an epoxy group, an alcoholic or phenolic hydroxyl group, or a carboxyl group as a structural unit. Further, the acrylic resin may be an acrylic rubber such as a copolymer of (meth) acrylic acid ester and acrylonitrile.
アクリル樹脂のガラス転移温度(Tg)は、−50〜50℃又は−30〜30℃であってよい。アクリル樹脂のTgが−50℃以上であると、接着剤の柔軟性が高くなり過ぎることを防ぐことができる傾向にある。これにより、ウエハダイシング時にフィルム状接着剤を切断し易くなり、バリの発生を防ぐことが可能となる。アクリル樹脂のTgが50℃以下であると、接着剤の柔軟性の低下を抑えることができる傾向にある。これにより、フィルム状接着剤をウエハに貼り付ける際に、ボイドを充分に埋め込み易くなる傾向にある。また、ウエハの密着性の低下によるダイシング時のチッピングを防ぐことが可能となる。ここで、ガラス転移温度(Tg)は、DSC(熱示差走査熱量計)(例えば、株式会社リガク製「Thermo Plus 2」)を用いて測定した値を意味する。
The glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin may be −50 to 50 ° C. or -30 to 30 ° C. When the Tg of the acrylic resin is −50 ° C. or higher, it tends to be possible to prevent the adhesive from becoming too flexible. This makes it easier to cut the film-like adhesive during wafer dicing and prevents the occurrence of burrs. When the Tg of the acrylic resin is 50 ° C. or lower, it tends to be possible to suppress a decrease in the flexibility of the adhesive. This tends to make it easier to sufficiently embed voids when the film-like adhesive is attached to the wafer. In addition, it is possible to prevent chipping during dicing due to a decrease in the adhesion of the wafer. Here, the glass transition temperature (Tg) means a value measured using a DSC (heat differential scanning calorimeter) (for example, "
アクリル樹脂の重量平均分子量(Mw)は、10万〜300万又は20万〜200万であってよい。アクリル樹脂のMwがこのような範囲にあると、フィルム形成性、フィルム状における強度、可撓性、タック性等を適切に制御することができると共に、リフロー性に優れ、埋め込み性を向上することができる。また、Mwの低い(例えば、10万未満)のアクリル樹脂を使用し、さらにはMwの低い(例えば、10万未満)のアクリル樹脂の添加量を増やすことによって、埋め込み性は向上する傾向にあるが、ずり粘度及び硬化後の貯蔵弾性率は低くなる傾向にある。ここで、Mwは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値を意味する。 The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin may be 100,000 to 3,000,000 or 200,000 to 2,000,000. When the Mw of the acrylic resin is in such a range, the film formability, the strength in the film form, the flexibility, the tackiness, etc. can be appropriately controlled, and the reflowability is excellent and the embedding property is improved. Can be done. Further, the embedding property tends to be improved by using an acrylic resin having a low Mw (for example, less than 100,000) and further increasing the amount of an acrylic resin having a low Mw (for example, less than 100,000). However, the shear viscosity and the storage elastic modulus after curing tend to be low. Here, Mw means a value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using a calibration curve made of standard polystyrene.
アクリル樹脂の市販品としては、例えば、SG−70L、SG−708−6、WS−023 EK30、SG−280 EK23、HTR−860P−3CSP、HTR−860P−3CSP−30B(いずれもナガセケムテックス株式会社製)が挙げられる。 Examples of commercially available acrylic resins include SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-280 EK23, HTR-860P-3CSP, and HTR-860P-3CSP-30B (all of which are Nagase ChemteX stocks). Made by the company).
(b)成分の含有量は、(a)成分、(b)成分、及び(c)成分の総質量100質量部に対して、5〜95質量部、5〜85質量部、又は10〜80質量部であってよい。(b)成分の含有量が5質量部以上であると、80℃におけるフィルムのずり粘度は高くなる傾向にある。 The content of the component (b) is 5 to 95 parts by mass, 5 to 85 parts by mass, or 10 to 80 parts with respect to 100 parts by mass of the total mass of the component (a), the component (b), and the component (c). It may be a mass part. (B) When the content of the component is 5 parts by mass or more, the shear viscosity of the film at 80 ° C. tends to be high.
(c)無機フィラー
(c)成分としては、例えば、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ホウ素、シリカ等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、(c)成分は、溶融粘度の調整の観点から、シリカであってもよい。
(C) Inorganic filler (c) The components include, for example, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, and the like. Examples thereof include aluminum borate whisker, boron nitride, silica and the like. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, the component (c) may be silica from the viewpoint of adjusting the melt viscosity.
(c)成分の平均粒径は、流動性の観点から、0.01〜1μm、0.01〜0.08μm、又は0.03〜0.06μmであってよい。ここで、平均粒径は、BET比表面積から換算することによって求められる値を意味する。 The average particle size of the component (c) may be 0.01 to 1 μm, 0.01 to 0.08 μm, or 0.03 to 0.06 μm from the viewpoint of fluidity. Here, the average particle size means a value obtained by converting from the BET specific surface area.
(c)成分の含有量は、(a)成分、(b)成分、及び(c)成分の総質量100質量部に対して、3〜80質量部、3〜70質量部、又は3〜60質量部であってよい。(c)成分の含有量が3質量部以上であると、ずり粘度及び弾性率がより向上する傾向にある。 The content of the component (c) is 3 to 80 parts by mass, 3 to 70 parts by mass, or 3 to 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total mass of the component (a), the component (b), and the component (c). It may be a mass part. (C) When the content of the component is 3 parts by mass or more, the shear viscosity and the elastic modulus tend to be further improved.
(d)カップリング剤
(d)成分は、シランカップリング剤であってよい。シランカップリング剤としては、例えば、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(D) Coupling agent The component (d) may be a silane coupling agent. Examples of the silane coupling agent include γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, and the like. Be done. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
(e)硬化促進剤
(e)成分は、特に限定されず、一般に使用されるものを用いることができる。(e)成分としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、反応性の観点から(e)成分はイミダゾール類及びその誘導体であってもよい。
(E) Curing accelerator The component (e) is not particularly limited, and generally used ones can be used. Examples of the component (e) include imidazoles and derivatives thereof, organic phosphorus compounds, secondary amines, tertiary amines, quaternary ammonium salts and the like. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, the component (e) may be imidazoles or a derivative thereof from the viewpoint of reactivity.
イミダゾール類としては、例えば、2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the imidazoles include 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole and the like. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
第1のフィルム3a及び第2のフィルム3bは、その他の成分をさらに含有していてもよい。その他の成分としては、例えば、顔料、イオン補捉剤、酸化防止剤等が挙げられる。
The
(d)成分、(e)成分、及びその他の成分の含有量は、(a)成分、(b)成分、及び(c)成分の総質量100質量部に対して、0〜30質量部であってよい。 The content of the component (d), the component (e), and other components is 0 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total mass of the component (a), the component (b), and the component (c). It may be there.
第1のフィルム3a及び第2のフィルム3bは、(a)〜(c)成分と必要に応じて(d)成分及び(e)成分と溶剤とを含有する第1の接着剤ワニス及び第2の接着剤ワニスを調製し、これらを基材フィルムに塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによって形成することができる。第1の接着剤ワニス及び第2の接着剤ワニスは、例えば、(a)〜(e)成分を、溶剤中で混合、混練することによって調製することができる。
The
混合、混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を用い、これらを適宜組み合わせて行うことができる。 Mixing and kneading can be performed by using a disperser such as a normal stirrer, a raft machine, a three-roll machine, or a ball mill, and combining these as appropriate.
第1の接着剤ワニス及び第2の接着剤ワニスを作製するための溶剤は、上記各成分を均一に溶解、混練または分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Nメチルピロリドン、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノン等を使用することが好ましい。 The solvent for producing the first adhesive varnish and the second adhesive varnish is not limited as long as it can uniformly dissolve, knead or disperse each of the above components, and conventionally known ones may be used. can. Examples of such a solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, toluene, xylene and the like. It is preferable to use methyl ethyl ketone, cyclohexanone, etc. because the drying speed is fast and the price is low.
第1の接着剤ワニス及び第2の接着剤ワニスを基材フィルムに塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。加熱乾燥の条件は、使用した溶剤が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、50〜150℃で、1〜30分間加熱して行うことができる。 As a method of applying the first adhesive varnish and the second adhesive varnish to the base film, known methods can be used, for example, a knife coating method, a roll coating method, a spray coating method, and a gravure coating method. , Bar coat method, curtain coat method and the like. The conditions for heating and drying are not particularly limited as long as the solvent used is sufficiently volatilized, but the heating can be performed at 50 to 150 ° C. for 1 to 30 minutes.
第1のフィルム3aの厚さは、製造する半導体装置の形状又は寸法に応じて適宜設定できるが、例えば、1〜200μmであってよい。第1のフィルム3aの厚さは、3〜150μm、又は3〜120μmであってもよい。なお、FOW用途では、好ましくは20〜120μm、より好ましくは30〜80μmである。ワイヤを埋め込むため、ワイヤがチップに接触しないよう充分な厚さを確保する必要がある。FOD用途では、好ましくは40〜200μm、より好ましくは60〜150μmである。チップ(例えば、コントローラチップ)を埋め込むため、その厚さに依存するが、充分な厚さ確保が重要である。
The thickness of the
第2のフィルム3bの厚さは、製造する半導体装置の形状又は寸法に応じて適宜設定できるが、例えば、3〜150μmであってよい。第2のフィルム3bの厚さは、3〜100μm、又は3〜50μmであってもよい。なお、FOW用途では、好ましくは3〜150μm、より好ましくは3〜80μmである。ワイヤを埋め込むため、ワイヤがチップに接触しないよう充分な厚さを確保する必要がある。FOD用途では、好ましくは3〜150μm、より好ましくは3〜100μmである。チップ(例えば、コントローラチップ)を埋め込むため、その厚さに依存するが、充分な厚さ確保が重要である。
The thickness of the
第1のフィルム3aと第2のフィルム3bから構成される接着フィルム130の厚さは、製造する半導体装置の形状又は寸法に応じて適宜設定できるが、好ましくは6〜300μm、より好ましくは10〜250μm、さらに好ましくは20〜200μmである。なお、FOW用途では、好ましくは40〜250μm、より好ましくは50〜80μmである。ワイヤを埋め込むため、ワイヤがチップに接触しないよう充分な厚さを確保する必要がある。FOD用途では、好ましくは60〜250μm、より好ましくは80〜150μmである。チップ(例えば、コントローラチップ)を埋め込むため、その厚さに依存するが、充分な厚さ確保が重要である。
The thickness of the
第1のフィルム3aの80℃のずり粘度は、第2のフィルム3bの80℃のずり粘度と異なっているのであれば特に制限されない。第1のフィルム3aの80℃のずり粘度は、第2のフィルム3bの80℃のずり粘度よりも高くになると、第2のフィルム3bが反り応力を緩衝して半導体基板の反りがチップ上面へ伝搬し難くなるため、結果として半導体基板の反りが抑制される傾向にある。また、第2のフィルム3bの80℃のずり粘度よりも低くなると、第2のフィルム3bがチップ及び半導体基板の反りによる応力に追従し難くなるため、半導体基板の反りが抑制される傾向にある。第1のフィルム3aの80℃のずり粘度は、半導体基板の反りがより抑制される観点から、第2のフィルム3bの80℃のずり粘度よりも低いことが好ましい。
The shear viscosity of the
第1のフィルム3aの80℃のずり粘度は、例えば、500〜30000Pa・sであってよい。第1のフィルム3aの80℃のずり粘度は、500Pa・s以上、700Pa・s以上、又は1000Pa・s以上であってもよい。第1のフィルム3aの80℃のずり粘度が500Pa・s以上であると、フィルムの取り扱い性により優れる傾向にある。第1のフィルム3aの80℃のずり粘度は、30000Pa・s以下、20000Pa・s以下、又は15000Pa・s以下であってもよい。第1のフィルム3aの80℃のずり粘度が30000Pa・s以下であると、チップ、ワイヤ、又は半導体基板を充分に埋め込むことができ、反りを抑制できる傾向にある。
The shear viscosity of the
第2のフィルム3bは、第1のフィルム3aとは80℃のずり粘度が異なり、第2のフィルム3bの80℃のずり粘度は、500Pa・s以上である。第2のフィルム3bの80℃のずり粘度は、このような条件を満たすものであれば特に制限されない。上記と同様の理由により、第2のフィルム3bの80℃のずり粘度は、半導体基板の反りがより抑制される観点から、第1のフィルム3aの80℃のずり粘度よりも高いことが好ましい。
The
第2のフィルム3bの80℃のずり粘度は、500Pa・s以上であり、3000Pa・s以上、5000Pa・s以上、10000Pa・s以上、15000Pa・s以上、20000Pa・s以上、25000Pa・s以上であってよい。第2のフィルム3bの80℃のずり粘度が500Pa・s以上であると、フィルムの取り扱い性がより優れる傾向にある。第2のフィルム3bの80℃のずり粘度の上限は、特に制限されないが、100000Pa・s以下、70000Pa・s以下、又は50000Pa・s以下であってよい。
The shear viscosity of the
なお、第1のフィルム3a及び第2のフィルム3bの80℃のずり粘度は、例えば、実施例に記載の方法によって測定することができる。
The shear viscosities of the
第1のフィルム3a及び第2のフィルム3bの80℃のずり粘度は、例えば、これらフィルムに含有される成分の種類及び含有量を変化させることによって調整することができる。
The shear viscosity at 80 ° C. of the
第1のフィルム3aの硬化後の150℃における貯蔵弾性率は、特に制限されないが、1000MPa以下、500MPa以下、又は300MPa以下であってよく、10MPa以上、15MPa以上、又は20MPa以上であってよい。第1のフィルム3aの硬化後の150℃における貯蔵弾性率が1000MPa以下であると、チップ、ワイヤ、又は半導体基板を充分に埋め込むことができ、反りを抑制できる傾向にある。第1のフィルム3aの硬化後の150℃における貯蔵弾性率が10MPa以上であると、圧着時にフィルムのつぶれを防ぎ、チップの端からのはみ出しを抑制できる傾向にある。
The storage elastic modulus of the
第2のフィルム3bの硬化後の150℃における貯蔵弾性率は、1000MPa以下であってよい。第2のフィルム3bの硬化後の150℃における貯蔵弾性率は、500MPa以下、100MPa以下、又は70MPa以下であってもよく、10MPa以上、15MPa以上、又は20MPa以上であってもよい。第2のフィルム3bの硬化後の150℃における貯蔵弾性率が1000MPa以下であると、半導体基板又はチップの反りをより緩和できる傾向にある。
The storage elastic modulus of the
なお、第1のフィルム3a及び第2のフィルム3bの硬化後の150℃における貯蔵弾性率は、例えば、実施例に記載の方法によって測定することができる。
The storage elastic modulus of the
接着フィルム130は、第1のフィルム3aと第2のフィルム3bとをロールラミネーター、真空ラミネーター等を用いて所定条件(例えば、室温(20℃)、又は加熱状態)でラミネートし、基材フィルム4a及び4bを除去することによって作製することができる。
In the
接着フィルム130は、まず、第1の接着剤組成物のワニスを基材フィルムに塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去して第1のフィルム3aを作製し、次いで、第1のフィルム3a上に、第2の接着剤組成物のワニスを塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去して第2の接着フィルムを形成し、基材フィルムを除去することによって作製してもよい。
In the
半導体ウエハAは、特に限定されないが、例えば、10〜100μmの薄型半導体ウエハを用いることができる。また、半導体ウエハAとしては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウム砒素等の化合物半導体などが挙げられる。 The semiconductor wafer A is not particularly limited, but for example, a thin semiconductor wafer having a thickness of 10 to 100 μm can be used. Examples of the semiconductor wafer A include single crystal silicon, polycrystalline silicon, various ceramics, and compound semiconductors such as gallium arsenide.
[ダイシング工程]
接着フィルム付き半導体ウエハ300は、その後図5に示されるように、例えばブレードBを用いてダイシングされ、さらに洗浄、乾燥の工程が加えられる。これにより接着フィルム130までがダイシングされ、接着フィルム付きの(個片化された)半導体チップが得られる。ダイシングは、ブレードBに代えてダイサーを用いてもよい。ブレードBとしては、例えば、株式会社ディスコ製ダイシングブレードNBC−ZH05シリーズ、NBC−ZHシリーズ等を用いることができる。ダイサーとしては、例えば、フルオートマチックダイシングソー6000シリーズ、セミオートマチックダイシングソー3000シリーズ(いずれも、株式会社ディスコ製)等を用いることができる。なお、ダイシングの際、半導体ウエハAの周囲には、ウエハリング(不図示)が配置され、接着フィルムを介して半導体ウエハAが固定される。接着フィルムに対する半導体ウエハAの貼り付け面は、回路面であってもよく、回路面の反対面であってもよい。
[Dicing process]
The
半導体チップサイズは、一辺が20mm以下、すなわち20mm×20mm以下であることが好ましい。より好ましくは一辺が3〜15mm、さらに好ましくは一辺が5〜10mmである。なお、半導体基板はチップ又はそれに準ずるものも含む。 The semiconductor chip size is preferably 20 mm or less on a side, that is, 20 mm × 20 mm or less. More preferably, one side is 3 to 15 mm, and further preferably one side is 5 to 10 mm. The semiconductor substrate also includes a chip or a similar one.
[紫外線照射工程]
ダイシング工程後に、粘着フィルム2に紫外線を照射する紫外線照射工程をさらに備えていてもよい(図6)。これにより、粘着フィルム2の一部又は大部分を重合し硬化することができる。紫外線照射の照度は特に限定されないが、好ましくは10〜200mW/cm2、より好ましくは20〜150mW/cm2である。また、紫外線照射時の照射量は特に限定されないが、好ましくは50〜400mJ/cm2、より好ましくは100〜250mJ/cm2である。
[Ultraviolet irradiation process]
After the dicing step, the
[ピックアップ工程]
ピックアップ工程では、ピックアップすべき半導体チップaを例えば吸引コレット5によりピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体チップaを基材フィルム1の下面から、例えば、針扞等により突き上げることもできる。半導体チップaと接着フィルム130との間の密着力は、粘着フィルム2と基材フィルム1との間及び接着フィルム130と粘着フィルム2との間の密着力よりも高く、半導体チップaのピックアップを行うと、接着フィルム130は半導体チップaの下面に付着した状態で剥離される(図7参照)。
[Pickup process]
In the pick-up process, the semiconductor chip a to be picked up is picked up by, for example, a
粘着フィルム2と第1のフィルム3aとの密着力が、半導体ウエハAと第2のフィルム3bとの密着力よりも小さいことが好ましい。密着力がこのような関係にあると、ピックアップ工程においてチップを突き上げた際、第1のフィルム3aと第2のフィルム3bの間で剥離することを防ぐことができる。第1のフィルム3aと第2のフィルム3bの界面で剥離すると、反りの低減効果が得られない傾向にある。
It is preferable that the adhesive force between the
[圧着工程]
次いで、接着フィルム130を介して、半導体チップaを半導体基板6に載置し加熱する。加熱により接着フィルム130は充分な接着力を発現し、接着フィルムの硬化物130cを介した半導体チップaと半導体基板6との接着が完了する(図8)。なお、半導体基板6としては、例えば、半導体チップ搭載用支持部材、他の半導体チップ等が挙げられる。
[Crimping process]
Next, the semiconductor chip a is placed on the
圧着温度は特に限定されないが、好ましくは50〜200℃、より好ましくは100〜150℃である。圧着温度が高いと接着フィルム3が柔らかくなるため埋め込み性が向上する傾向にある。圧着時間は特に限定されないが、好ましくは0.5〜20秒、より好ましくは1〜5秒である。圧着時の圧力は特に限定されないが、好ましくは0.01〜5MPa、より好ましくは0.02〜2MPaである。FOW及びFOD用途では埋め込み性向上のため圧着圧力を高めに設定したほうが好ましい。 The crimping temperature is not particularly limited, but is preferably 50 to 200 ° C, more preferably 100 to 150 ° C. When the crimping temperature is high, the adhesive film 3 becomes soft and the embedding property tends to be improved. The crimping time is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 20 seconds, more preferably 1 to 5 seconds. The pressure at the time of crimping is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 5 MPa, more preferably 0.02 to 2 MPa. For FOW and FOD applications, it is preferable to set the crimping pressure higher in order to improve the embedding property.
[硬化工程]
圧着工程後、接着フィルム130を硬化させる硬化工程を実施する。接着フィルム130を硬化させるための温度及び時間は、接着フィルムに含まれる成分の硬化温度に合わせて適宜設定することができる。温度は段階的に変化させてもよく、そのような機構を有するものを用いてもよい。温度及び時間は、例えば、40〜300℃であってよく、例えば、30〜300分であってよい。
[Curing process]
After the crimping step, a curing step of curing the
<半導体装置>
本実施形態の製造方法によって得られる半導体装置の態様について図面を用いて具体的に説明する。なお、近年、様々な構造の半導体装置が提案されており、本実施形態の製造方法によって得られる半導体装置は、以下に説明する構造のものに限定されない。
<Semiconductor device>
The embodiment of the semiconductor device obtained by the manufacturing method of the present embodiment will be specifically described with reference to the drawings. In recent years, semiconductor devices having various structures have been proposed, and the semiconductor devices obtained by the manufacturing method of the present embodiment are not limited to those having the structures described below.
図9は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図9に示す半導体装置400は、接着フィルム付き半導体チップである半導体チップaが接着フィルム130を介して半導体基板10に圧着されてなり、なおかつ半導体基板10上にワイヤ11を介して半導体チップaがワイヤボンディング接続されてなる半導体装置である。当該半導体装置において、半導体チップaは接着フィルムの硬化物130cにより半導体基板10に接着され、半導体チップaの接続端子(図示せず)はワイヤ11を介して外部接続端子(図示せず)と電気的に接続され、封止材12によって封止されている。
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device. In the
図10は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図10に示す半導体装置410は、半導体基板10上に第1のワイヤ11aを介して第1の半導体チップa1がワイヤボンディング接続されると共に、第1の半導体チップa1上に、接着フィルム付き半導体チップである第2の半導体チップa2が接着フィルム130を介して圧着されることで、第1のワイヤ11aの少なくとも一部が接着フィルム130に埋め込まれてなるワイヤ埋込型の半導体装置である。当該半導体装置において、第1の半導体チップa1は接着フィルムの硬化物130c1により、端子13が形成された半導体基板10に接着され、第1の半導体チップa1の上にさらに接着フィルムの硬化物130c2により第2の半導体チップa2が接着されている。第1の半導体チップa1及び第2の半導体チップa2の接続端子(図示せず)は、第1のワイヤ11a及び第2のワイヤ11bを介して回路パターン14と電気的に接続され、封止材12によって封止されている。このように、上記の製造方法は、半導体チップを複数重ねる構造の半導体装置であって、ワイヤの一部を埋め込む必要がある場合にも好適に使用できる。
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device. The
図11及び図12は、図10に示す半導体装置の製造手順を示す図である。まず、接着フィルム付きの第1の半導体チップa1を、接着フィルム130を介して半導体基板10に加熱圧着して接着させる。第1の半導体チップa1は接着フィルムの硬化物130c1により埋め込まれる。この際、その他一般的な製造方法を用いてもよい。その後、ワイヤボンディング工程を経ることで、図11に示す半導体基板を得る。次に、接着フィルム付きの第2の半導体チップa2を、接着フィルム130を介して第1の半導体チップa1に加熱圧着して接着させる。このようにして、図12に示す半導体基板を得る。その後、さらにワイヤボンディング工程及び封止工程を経ることで、図10に示す半導体装置を得ることができる。
11 and 12 are diagrams showing a manufacturing procedure of the semiconductor device shown in FIG. 10. First, the first semiconductor chip a 1 with the adhesive film, is adhered by thermocompression bonding to the
図13は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図13に示す半導体装置500は、半導体基板10上に第1のワイヤ11aを介して第1の半導体チップa3がワイヤボンディング接続されると共に、第1の半導体チップa3上に、接着フィルム付き半導体チップでありかつ第1の半導体チップa3の面積よりも大きい第2の半導体チップa4が接着フィルム130を介して圧着されることで、第1のワイヤ11a及び第1の半導体チップa3が接着フィルム130に埋め込まれてなるチップ埋込型の半導体装置である。半導体装置500では、半導体基板10と第2の半導体チップa4とがさらに第2のワイヤ11bを介して電気的に接続されると共に、第2の半導体チップa4が封止材12により封止されている。
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device. The
第1の半導体チップa3の厚さは10〜170μm、第2の半導体チップa4の厚さは20〜400μmであってよい。接着フィルムの硬化物130c5の厚さは20〜200μm、好ましくは30〜200μm、より好ましくは40〜150μmである。接着フィルムの硬化物130c5内部に埋め込まれている第1の半導体チップa3は、例えば半導体装置500を駆動するためのコントローラチップである。
The thickness of the first semiconductor chip a 3 is 10~170Myuemu, the thickness of the second semiconductor chip a 4 may be a 20~400Myuemu. The thickness of the cured
半導体基板10は、例えば、表面に回路パターン14が形成された有機基板であってよい。第1の半導体チップa3は、回路パターン14上に接着フィルムの硬化物130c3を介して圧着されており、第2の半導体チップa4は、第1の半導体チップa3が圧着されていない回路パターン14、第1の半導体チップa3、第1のワイヤ11a、及び回路パターン14の一部を覆うように接着フィルムの硬化物130c4を介して半導体基板10に圧着されている。半導体基板10上の回路パターン14に起因する凹凸の段差には、接着フィルムの硬化物130c4が埋め込まれている。そして、樹脂製の封止材12により、第2の半導体チップa4、回路パターン14及び第2のワイヤ11bが封止されている。
The
図14〜18は、図13に示す半導体装置の製造手順を示す図である。まず、図14に示すように、半導体基板10上の回路パターン14上に、接着フィルム付きの第1の半導体チップa3を圧着し、第1のワイヤ11aを介して半導体基板10上の回路パターン14と第1の半導体チップa3とを電気的にボンディング接続する。この際、その他一般的な製造方法を用いてもよい。
14 to 18 are diagrams showing a manufacturing procedure of the semiconductor device shown in FIG. First, as shown in FIG. 14, on the
次に、図15に示すように、第1の半導体チップa3の面積よりも大きい、接着フィルム付きの第2の半導体チップa4を準備する。 Next, as shown in FIG. 15, greater than the area of the first semiconductor chip a 3, to prepare a second semiconductor chip a 4 with the adhesive film.
そして、接着フィルム付きの第2の半導体チップa4を、第1の半導体チップa3が第1のワイヤ11aを介してボンディング接続された半導体基板10に圧着する。具体的には、図16に示すように、接着フィルム付きの第2の半導体チップa4を、接着フィルムが第1の半導体チップa3を覆うように載置し、次いで、図17に示すように、第2の半導体チップa4を半導体基板10に圧着させることで半導体基板10に第2の半導体チップa4を固定する。
Then, the second semiconductor chip a 4 with the adhesive film, the first semiconductor chip a 3 is pressed against the
次いで、図18に示すように、半導体基板10と第2の半導体チップa4とを第2のワイヤ11bを介して電気的に接続した後、回路パターン14、第2のワイヤ11b及び第2の半導体チップa4を封止材12で封止する。このような工程を経ることで半導体装置500を製造することができる。
Then, as shown in FIG. 18, after the
以下、本発明について実施例を挙げてより具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
<接着剤ワニスの調製>
[合成例A〜F]
表1に示す品名及び組成比(単位:質量部)で、(a)熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂及びフェノール樹脂、並びに(c)無機フィラーからなる組成物にシクロヘキサノンを加え、撹拌混合した。これに、表1に示す(b)高分子量成分としてのアクリルゴムを加えて撹拌し、さらに表1に示す(d)カップリング剤及び(e)硬化促進剤を加えて各成分が均一になるまで撹拌して合成例A〜Fの接着剤ワニスを調製した。
<Preparation of adhesive varnish>
[Synthesis Examples A to F]
Cyclohexanone was added to a composition consisting of (a) an epoxy resin and a phenol resin as a thermosetting resin, and (c) an inorganic filler under the product names and composition ratios (unit: parts by mass) shown in Table 1, and the mixture was stirred and mixed. To this, (b) acrylic rubber as a high molecular weight component shown in Table 1 is added and stirred, and further (d) a coupling agent and (e) a curing accelerator shown in Table 1 are added to make each component uniform. The adhesive varnishes of Synthesis Examples A to F were prepared by stirring up to.
なお、表1中の各成分の記号は下記のものを意味する。 The symbols of each component in Table 1 mean the following.
(エポキシ樹脂)
YDCN−700−10(商品名、新日鉄住金化学株式会社製、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量:209g/eq)
EXA−830CRP(商品名、DIC株式会社製、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量:159g/eq)
YDF−8170C(商品名、新日化エポキシ製造株式会社製、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量:156、常温で液体、重量分子量約310)
(Epoxy resin)
YDCN-700-10 (trade name, manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation, o-cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent: 209 g / eq)
EXA-830CRP (trade name, manufactured by DIC Corporation, bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent: 159 g / eq)
YDF-8170C (trade name, manufactured by Shin Nikka Epoxy Mfg. Co., Ltd., bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent: 156, liquid at room temperature, weight molecular weight about 310)
(フェノール樹脂)
PSM−4326(商品名、群栄化学株式会社製、フェノールノボラック樹脂、水酸基当量:105g/eq)
HE−100C−30(商品名、エア・ウォーター株式会社製、フェニルアラルキル型フェノール樹脂、水酸基当量:174g/eq、軟化点77℃)
(Phenol resin)
PSM-4326 (trade name, manufactured by Gun Ei Chemical Industry Co., Ltd., phenol novolac resin, hydroxyl group equivalent: 105 g / eq)
HE-100C-30 (trade name, manufactured by Air Water Inc., phenylaralkyl type phenol resin, hydroxyl group equivalent: 174 g / eq, softening point 77 ° C.)
(無機フィラー)
R972(商品名、日本アエロジル株式会社製、シリカ、平均粒径:0.016μm)
SC2050−HLG(商品名、株式会社アドマテックス製、シリカフィラー分散液、平均粒径0.50μm)
(Inorganic filler)
R972 (trade name, manufactured by Nippon Aerodil Co., Ltd., silica, average particle size: 0.016 μm)
SC2050-HLG (trade name, manufactured by Admatex Co., Ltd., silica filler dispersion, average particle size 0.50 μm)
(高分子量成分)
HTR−860P−3CSP(商品名、ナガセケムテックス株式会社製、アクリルゴム、重量平均分子量:80万、Tg:12℃)
HTR−860P−3CSP−30DB(商品名、ナガセケムテックス株式会社製、アクリルゴム、重量平均分子量:30万、Tg:12℃)
(High molecular weight component)
HTR-860P-3CSP (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, acrylic rubber, weight average molecular weight: 800,000, Tg: 12 ° C)
HTR-860P-3CSP-30DB (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, acrylic rubber, weight average molecular weight: 300,000, Tg: 12 ° C)
(カップリング剤)
A−189(商品名、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン)
A−1160(商品名、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン)
(Coupling agent)
A-189 (trade name, manufactured by Momentive Performance Materials Japan LLC, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane)
A-1160 (trade name, manufactured by Momentive Performance Materials Japan GK, γ-ureidopropyltriethoxysilane)
(硬化促進剤)
2PZ−CN(商品名、四国化成工業株式会社製、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール)
(Hardening accelerator)
2PZ-CN (trade name, manufactured by Shikoku Chemicals Corporation, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole)
<フィルムの作製>
(フィルムAの作製)
合成例Aの接着剤ワニスを100メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡した。基材フィルムとして、厚さ38μmの離型処理を施したポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用意し、真空脱泡後の接着剤ワニスをPETフィルム上に塗布した。塗布した接着剤ワニスを、90℃で5分間、続いて140℃で5分間の2段階で加熱乾燥した。加熱乾燥後、PETフィルムを剥がして、Bステージ状態にあるフィルムAを得た。このフィルムAにおいては、接着剤ワニスの塗布量を調整して厚さの異なるフィルムを作製した。厚さが10μm、20μm、40μm、100μm、120μm、及び130μmであるフィルムを、それぞれフィルムA−10、A−20、A−40、A−100、A−120、及びA−130とした。
<Making a film>
(Preparation of film A)
The adhesive varnish of Synthesis Example A was filtered through a 100 mesh filter and vacuum defoamed. As a base film, a polyethylene terephthalate (PET) film having been subjected to a mold release treatment having a thickness of 38 μm was prepared, and an adhesive varnish after vacuum defoaming was applied onto the PET film. The applied adhesive varnish was heated and dried in two steps at 90 ° C. for 5 minutes and then at 140 ° C. for 5 minutes. After heat-drying, the PET film was peeled off to obtain a film A in the B stage state. In this film A, the amount of the adhesive varnish applied was adjusted to produce films having different thicknesses. The films having thicknesses of 10 μm, 20 μm, 40 μm, 100 μm, 120 μm, and 130 μm were designated as films A-10, A-20, A-40, A-100, A-120, and A-130, respectively.
(フィルムAのずり粘度の測定)
ずり粘度は、ARES(レオメトリック・サイエンティフィック社製)を用いて測定した。測定サンプルは、70℃で厚さが160μm以上になるように、フィルムAにダイボンディングフィルム(日立化成株式会社製)を貼り合わせ、直径9mmφに打ち抜くことによって作製した。測定は、測定サンプルに5%の歪みを与えながら、5℃/分の昇温速度で昇温することによって行い、80℃での値を80℃のずり粘度とした。フィルムAの80℃のずり粘度は2000Pa・sであった。
(Measurement of shear viscosity of film A)
The shear viscosity was measured using ARES (manufactured by Leometric Scientific). The measurement sample was prepared by attaching a die bonding film (manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd.) to the film A so that the thickness would be 160 μm or more at 70 ° C. and punching the film to a diameter of 9 mmφ. The measurement was carried out by raising the temperature of the measurement sample at a heating rate of 5 ° C./min while applying a strain of 5%, and the value at 80 ° C. was taken as the shear viscosity at 80 ° C. The shear viscosity of film A at 80 ° C. was 2000 Pa · s.
(フィルムAの硬化後の貯蔵弾性率の測定)
貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置(レオロジ株式会社製、商品名:DVEレオスペクトラ)を用いて測定した。測定サンプルは、70℃で厚さが160μm以上になるように、フィルムAにダイボンディングフィルム(日立化成株式会社製)を貼り合わせ、4mm幅の短冊状に加工し、示差走査熱量計(DSC)で反応率が100%となる条件で硬化させることによって作製した。作製した測定サンプルを、昇温速度10℃/分で室温から270℃までの貯蔵弾性率を測定し、150℃での値を硬化後の150℃における貯蔵弾性率とした。フィルムAの硬化後の150℃における貯蔵弾性率は54MPaであった。
(Measurement of storage elastic modulus after curing of film A)
The storage elastic modulus was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (manufactured by Rheology Co., Ltd., trade name: DVE Leospectra). For the measurement sample, a die bonding film (manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd.) is attached to film A so that the thickness becomes 160 μm or more at 70 ° C., and the sample is processed into a strip with a width of 4 mm, and a differential scanning calorimeter (DSC) is used. It was produced by curing under the condition that the reaction rate was 100%. The prepared measurement sample was measured for the storage elastic modulus from room temperature to 270 ° C. at a heating rate of 10 ° C./min, and the value at 150 ° C. was taken as the storage elastic modulus at 150 ° C. after curing. The storage elastic modulus of the film A at 150 ° C. after curing was 54 MPa.
(フィルムBの作製)
合成例Aの接着剤ワニスを合成例Bの接着剤ワニスに変更した以外は、フィルムAの作製と同様にして、フィルムBを得た。このフィルムBでは、厚さが120μmであるフィルムB−120を作製した。フィルムBの80℃のずり粘度は1200Pa・sであり、フィルムBの硬化後の150℃における貯蔵弾性率は31MPaであった。
(Preparation of film B)
A film B was obtained in the same manner as in the production of the film A, except that the adhesive varnish of the synthetic example A was changed to the adhesive varnish of the synthetic example B. For this film B, a film B-120 having a thickness of 120 μm was produced. The shear viscosity of film B at 80 ° C. was 1200 Pa · s, and the storage elastic modulus of film B at 150 ° C. after curing was 31 MPa.
(フィルムCの作製)
合成例Aの接着剤ワニスを合成例Cの接着剤ワニスに変更した以外は、フィルムAの作製と同様にして、フィルムCを得た。このフィルムCでは、厚さが120μmであるフィルムC−120を作製した。フィルムCの80℃のずり粘度は9000Pa・sであり、フィルムCの硬化後の150℃における貯蔵弾性率は160MPaであった。
(Preparation of film C)
A film C was obtained in the same manner as in the production of the film A, except that the adhesive varnish of the synthetic example A was changed to the adhesive varnish of the synthetic example C. In this film C, a film C-120 having a thickness of 120 μm was produced. The shear viscosity of the film C at 80 ° C. was 9000 Pa · s, and the storage elastic modulus of the film C at 150 ° C. after curing was 160 MPa.
(フィルムDの作製)
合成例Aの接着剤ワニスを合成例Dの接着剤ワニスに変更した以外は、フィルムAの作製と同様にして、フィルムDを得た。このフィルムDにおいては、接着剤ワニスの塗布量を調整して厚さの異なるフィルムを作製した。厚さが10μm、20μm、及び40μmであるフィルムを、それぞれフィルムD−10、D−20、及びD−40とした。フィルムDのずり粘度は28000Pa・sであり、フィルムDの硬化後の150℃における貯蔵弾性率は6MPaであった。
(Preparation of film D)
A film D was obtained in the same manner as in the production of the film A, except that the adhesive varnish of the synthetic example A was changed to the adhesive varnish of the synthetic example D. In this film D, the amount of the adhesive varnish applied was adjusted to produce films having different thicknesses. The films having thicknesses of 10 μm, 20 μm, and 40 μm were designated as films D-10, D-20, and D-40, respectively. The shear viscosity of the film D was 28,000 Pa · s, and the storage elastic modulus of the film D at 150 ° C. after curing was 6 MPa.
(フィルムEの作製)
合成例Aの接着剤ワニスを合成例Eの接着剤ワニスに変更した以外は、フィルムAの作製と同様にして、フィルムEを得た。このフィルムEでは、厚さが10μmであるフィルムE−10を作製した。フィルムEの80℃のずり粘度は7400Pa・sであり、フィルムEの硬化後の150℃における貯蔵弾性率は760MPaであった。
(Preparation of film E)
A film E was obtained in the same manner as in the production of the film A, except that the adhesive varnish of the synthetic example A was changed to the adhesive varnish of the synthetic example E. In this film E, a film E-10 having a thickness of 10 μm was produced. The shear viscosity of the film E at 80 ° C. was 7400 Pa · s, and the storage elastic modulus of the film E at 150 ° C. after curing was 760 MPa.
(フィルムFの作製)
合成例Aの接着剤ワニスを合成例Fの接着剤ワニスに変更した以外は、フィルムAの作製と同様にして、フィルムFを得た。このフィルムFでは、厚さが20μmであるフィルムF−20を作製した。フィルムFの80℃のずり粘度は14200Pa・sであり、フィルムFの硬化後の150℃における貯蔵弾性率は20MPaであった。
(Preparation of film F)
A film F was obtained in the same manner as in the production of the film A, except that the adhesive varnish of the synthetic example A was changed to the adhesive varnish of the synthetic example F. In this film F, a film F-20 having a thickness of 20 μm was produced. The shear viscosity of the film F at 80 ° C. was 14200 Pa · s, and the storage elastic modulus of the film F at 150 ° C. after curing was 20 MPa.
<接着フィルムの作製>
[実施例1−1〜1−8及び比較例1−1〜1−3]
表2、表3、及び表4に示すように、フィルムA〜Fを第1のフィルム又は第2のフィルムとして用いた。第1のフィルム及び第2のフィルムを貼り合わせ、円型に加工することによって、接着フィルムを得た。第1のフィルムの第2のフィルムとは反対側の面に、粘着フィルム(厚さ110μm、日立化成株式会社製)を貼り合わせて、実施例1−1〜1−8及び比較例1−1〜1−3のダイシング−ダイボンディング一体型接着フィルムを作製した。
<Making an adhesive film>
[Examples 1-1 to 1-8 and Comparative Examples 1-1 to 1-3]
As shown in Tables 2, 3 and 4, films A to F were used as the first film or the second film. An adhesive film was obtained by laminating the first film and the second film and processing them into a circular shape. An adhesive film (
<半導体装置の作製>
[実施例2−1]
(第1の半導体チップを備える半導体基板の作製)
接着フィルム及び粘着フィルムを備えるダイシング−ダイボンディング一体型接着フィルム(接着フィルム:厚さ10μm、フィルムE−10、粘着フィルム:厚さ110μm、日立化成株式会社製)を用意した。接着フィルムに、50μm厚の半導体ウエハを、ステージ温度70℃でラミネートし、ダイシングサンプルを作製した。
<Manufacturing of semiconductor devices>
[Example 2-1]
(Manufacturing of a semiconductor substrate including the first semiconductor chip)
A dicing-die bonding integrated adhesive film (adhesive film:
フルオートダイサーDFD−6361(株式会社ディスコ製)を用いて、得られたダイシングサンプルを切断した。切断には、2枚のブレードを用いるステップカット方式で行い、ダイシングブレードZH05−SD3500−N1−xx−DD、及びZH05−SD4000−N1−xx−BB(いずれも株式会社ディスコ製)を用いた。切断条件は、ブレード回転数4000rpm、切断速度50mm/sec、チップサイズ3mm×3mmとした。切断は、半導体ウエハが25μm程度残るように1段階目の切断を行い、次いで、粘着フィルムに20μm程度の切り込みが入るように2段階目の切断を行った。 The obtained dicing sample was cut using a fully automatic dicing DFD-6361 (manufactured by Disco Corporation). Cutting was performed by a step cutting method using two blades, and dicing blades ZH05-SD3500-N1-xx-DD and ZH05-SD4000-N1-xx-BB (both manufactured by DISCO Corporation) were used. The cutting conditions were a blade rotation speed of 4000 rpm, a cutting speed of 50 mm / sec, and a chip size of 3 mm × 3 mm. For cutting, the first step was cut so that the semiconductor wafer remained about 25 μm, and then the second step was cut so that the adhesive film had a notch of about 20 μm.
次に、ピックアップ用コレットを用いて、第1の半導体チップ(コントローラチップ)としてピックアップすべき半導体チップをピックアップした。図19は、ピックアップ用コレットの突き上げ面を示す図である。図19に示すように、使用したピックアップ用コレット20は、例えば3mm×3mmの突き上げ面21を有し、5本の突き上げピン22が突き上げ面21の対角線上に沿って所定の間隔で配列されている。ピックアップでは、中央の1本のピンを用いて突き上げた。ピックアップ条件は、突き上げ速度を20mm/sとし、突き上げ高さを450μmに設定した。このようにして、接着フィルム付き第1の半導体チップ(コントローラチップ)を得た。
Next, the semiconductor chip to be picked up as the first semiconductor chip (controller chip) was picked up using the pick-up collet. FIG. 19 is a diagram showing a push-up surface of a pickup collet. As shown in FIG. 19, the
次に、ダイボンダBESTEM−D02(キャノンマシナリー社製)を用いてダミー回路を有するガラスエポキシ基板に、接着フィルム付き第1の半導体チップを圧着した。このとき、第1の半導体チップがダミー回路の中央となるように位置を調整した。このようにして、第1の半導体チップを備える半導体基板を得た。 Next, a first semiconductor chip with an adhesive film was crimped onto a glass epoxy substrate having a dummy circuit using a die bonder BESTEM-D02 (manufactured by Canon Machinery). At this time, the position was adjusted so that the first semiconductor chip was in the center of the dummy circuit. In this way, a semiconductor substrate including the first semiconductor chip was obtained.
(接着フィルム付き第2の半導体チップの作製)
実施例1−1のダイシング−ダイボンディング一体型接着フィルムを用意し、第2のフィルムの第1のフィルムとは反対側の面に、100μm厚の半導体ウエハ(シリコンウエハ)を、ステージ温度70℃でラミネートし、ダイシングサンプルを作製した。
(Making a second semiconductor chip with an adhesive film)
The dicing-die bonding integrated adhesive film of Example 1-1 was prepared, and a semiconductor wafer (silicon wafer) having a thickness of 100 μm was placed on the surface of the second film opposite to the first film at a stage temperature of 70 ° C. A dicing sample was prepared by laminating with.
フルオートダイサーDFD−6361(株式会社ディスコ製)を用いて、得られたダイシングサンプルを切断した。切断には、2枚のブレードを用いるステップカット方式で行い、ダイシングブレードZH05−SD2000−N1−xx−FF及びZH05−SD2000−N1−xx−EE(いずれも株式会社ディスコ製)を用いた。切断条件は、ブレード回転数4000rpm、切断速度50mm/s、チップサイズ7mm×7mmとした。切断は、半導体ウエハが50μm程度残るように1段階目の切断を行い、次いで、粘着フィルムに20μm程度の切り込みが入るように2段階目の切断を行った。 The obtained dicing sample was cut using a fully automatic dicing DFD-6361 (manufactured by Disco Corporation). The cutting was performed by a step cutting method using two blades, and dicing blades ZH05-SD2000-N1-xx-FF and ZH05-SD2000-N1-xx-EE (both manufactured by Disco Corporation) were used. The cutting conditions were a blade rotation speed of 4000 rpm, a cutting speed of 50 mm / s, and a chip size of 7 mm × 7 mm. For cutting, the first step was cut so that the semiconductor wafer remained about 50 μm, and then the second step was cut so that the adhesive film had a notch of about 20 μm.
次に、ピックアップ用コレットを用いて、半導体チップをピックアップした。5本の突き上げピンを用いて突き上げた以外は、第1の半導体チップのピックアップ条件と同様にして、接着フィルム付き第2の半導体チップを得た。 Next, the semiconductor chip was picked up using the pick-up collet. A second semiconductor chip with an adhesive film was obtained in the same manner as in the pickup conditions of the first semiconductor chip except that it was pushed up using five push-up pins.
(半導体装置の作製)
得られた接着フィルム付き第2の半導体チップを、第1の半導体チップを備える半導体基板を圧着した。このとき、第2の半導体チップが第1の半導体チップの中央となるように位置を調整した。続いて、第2の半導体チップが圧着された半導体基板を、加圧オーブン(チヨダエレクトリック株式会社製)によって、温度70℃で2時間保持し、さらに温度150℃で30分保持して、接着フィルムを硬化させることによって、実施例2−1の半導体装置を作製した。
(Manufacturing of semiconductor devices)
The obtained second semiconductor chip with an adhesive film was pressure-bonded to a semiconductor substrate provided with the first semiconductor chip. At this time, the position was adjusted so that the second semiconductor chip was at the center of the first semiconductor chip. Subsequently, the semiconductor substrate to which the second semiconductor chip is crimped is held in a pressure oven (manufactured by Chiyoda Electric Co., Ltd.) at a temperature of 70 ° C. for 2 hours, and further held at a temperature of 150 ° C. for 30 minutes to form an adhesive film. The semiconductor device of Example 2-1 was produced by curing.
(反り量の測定)
<半導体基板の反り量>
実施例2−1の半導体装置の半導体基板の表面(第2の半導体チップの裏面)を室温下(25℃)、レーザー変位計(株式会社キーエンス製、LKG80、ステップ100μm、測定範囲縦7mm、横7mm)で測定した。得られた各点の変位から3次元の平均面を算出し、両端の点がゼロ点となるよう補正した。得られたゼロ点と、計測で得られた変位との差が最も大きいものを反り量とし、半導体基板の反り量を求めた。結果を表5に示す。
(Measurement of warpage)
<Amount of warpage of semiconductor substrate>
The surface of the semiconductor substrate of the semiconductor device of Example 2-1 (the back surface of the second semiconductor chip) is placed at room temperature (25 ° C.), a laser displacement meter (manufactured by KEYENCE CORPORATION, LKG80, step 100 μm, measurement range length 7 mm, width). 7 mm). A three-dimensional average plane was calculated from the displacement of each of the obtained points, and the points at both ends were corrected to be zero points. The amount of warpage was defined as the one having the largest difference between the obtained zero point and the displacement obtained by measurement, and the amount of warpage of the semiconductor substrate was determined. The results are shown in Table 5.
<第2の半導体チップの反り量>
実施例2−1の半導体装置の第2の半導体チップの半導体ウエハの表面を室温下(25℃)、レーザー変位計(株式会社キーエンス製、LKG80、ステップ100μm、測定範囲縦7mm、横7mm)で測定した。得られた各点の変位から3次元の平均面を算出し、両端の点がゼロ点となるよう補正した。得られたゼロ点と、計測で得られた変位との差が最も大きいものを反り量とし、第2の半導体チップの反り量を求めた。結果を表5に示す。
<Amount of warpage of the second semiconductor chip>
The surface of the semiconductor wafer of the second semiconductor chip of the semiconductor device of Example 2-1 is placed at room temperature (25 ° C.) with a laser displacement meter (manufactured by KEYENCE CORPORATION, LKG80, step 100 μm, measurement range length 7 mm, width 7 mm). It was measured. A three-dimensional average plane was calculated from the displacement of each of the obtained points, and the points at both ends were corrected to be zero points. The amount of warpage was defined as the one having the largest difference between the obtained zero point and the displacement obtained by measurement, and the amount of warpage of the second semiconductor chip was obtained. The results are shown in Table 5.
[実施例2−2〜2−6]
実施例1−1のダイシング−ダイボンディング一体型接着フィルムを実施例1−2〜1−6のダイシング−ダイボンディング一体型接着フィルムに変更した以外は、実施例2−1と同様にして、実施例2−2〜2−6の半導体装置をそれぞれ作製し、半導体基板の反り量及び第2の半導体チップの反り量を求めた。結果を表5、表6、及び表7に示す。
[Examples 2-2-2-6]
The same procedure as in Example 2-1 was carried out except that the dicing-die bonding integrated adhesive film of Example 1-1 was changed to the dicing-die bonding integrated adhesive film of Examples 1-2-1-6. The semiconductor devices of Examples 2-2-2-6 were manufactured, respectively, and the amount of warpage of the semiconductor substrate and the amount of warpage of the second semiconductor chip were determined. The results are shown in Tables 5, 6 and 7.
[比較例2−1]
実施例1−1のダイシング−ダイボンディング一体型接着フィルムを比較例1−1のダイシング−ダイボンディング一体型接着フィルムに変更した以外は、実施例2−1と同様にして、比較例2−1の半導体装置を作製し、半導体基板の反り量及び第2の半導体チップの反り量を求めた。結果を表5及び表6に示す。
[Comparative Example 2-1]
Comparative Example 2-1 in the same manner as in Example 2-1 except that the dicing-die bonding integrated adhesive film of Example 1-1 was changed to the dicing-die bonding integrated adhesive film of Comparative Example 1-1. The semiconductor device of the above was manufactured, and the amount of warpage of the semiconductor substrate and the amount of warpage of the second semiconductor chip were determined. The results are shown in Tables 5 and 6.
実施例2−1〜2−6の半導体装置は、比較例2−1の半導体装置に比べて、半導体基板の反りが抑制されており、さらには第2の半導体チップの反りが抑制されていた。また、第1のフィルムのずり粘度が低いほど、反り量を低減することが可能であった。これは、第1の半導体チップの埋め込み性が良好となったため、このチップ周辺のボイドを低減でき、ボイド由来の反りを抑制できたためであると推察される。 In the semiconductor device of Examples 2-1 to 2-6, the warp of the semiconductor substrate was suppressed as compared with the semiconductor device of Comparative Example 2-1 and further, the warp of the second semiconductor chip was suppressed. .. Further, it was possible to reduce the amount of warpage as the shear viscosity of the first film was lower. It is presumed that this is because the embedding property of the first semiconductor chip is good, so that the voids around the chip can be reduced and the warpage derived from the voids can be suppressed.
<半導体装置の作製>
[実施例2−7]
(接着フィルム付き半導体チップの作製)
実施例1−7のダイシング−ダイボンディング一体型接着フィルムを用意し、第2のフィルムの第1のフィルムとは反対側の面に、100μm厚の半導体ウエハ(シリコンウエハ)を、ステージ温度70℃でラミネートし、ダイシングサンプルを作製した。
<Manufacturing of semiconductor devices>
[Example 2-7]
(Manufacturing of semiconductor chips with adhesive film)
The dicing-die bonding integrated adhesive film of Example 1-7 was prepared, and a semiconductor wafer (silicon wafer) having a thickness of 100 μm was placed on the surface of the second film opposite to the first film at a stage temperature of 70 ° C. A dicing sample was prepared by laminating with.
フルオートダイサーDFD−6361(株式会社ディスコ製)を用いて、得られたダイシングサンプルを切断した。切断には、2枚のブレードを用いるステップカット方式で行い、ダイシングブレードZH05−SD2000−N1−xx−FF及びZH05−SD2000−N1−xx−EE(いずれも株式会社ディスコ製)を用いた。切断条件は、ブレード回転数4000rpm、切断速度50mm/s、チップサイズ7mm×7mmとした。切断は、半導体ウエハが50μm程度残るように1段階目の切断を行い、次いで、粘着フィルムに20μm程度の切り込みが入るように2段階目の切断を行った。 The obtained dicing sample was cut using a fully automatic dicing DFD-6361 (manufactured by Disco Corporation). The cutting was performed by a step cutting method using two blades, and dicing blades ZH05-SD2000-N1-xx-FF and ZH05-SD2000-N1-xx-EE (both manufactured by Disco Corporation) were used. The cutting conditions were a blade rotation speed of 4000 rpm, a cutting speed of 50 mm / s, and a chip size of 7 mm × 7 mm. For cutting, the first step was cut so that the semiconductor wafer remained about 50 μm, and then the second step was cut so that the adhesive film had a notch of about 20 μm.
次に、ピックアップ用コレットを用いて、半導体チップをピックアップした。ピン5本を用いて突き上げた以外は、第1の半導体チップのピックアップ条件と同様にして、接着フィルム付き半導体チップを得た。 Next, the semiconductor chip was picked up using the pick-up collet. A semiconductor chip with an adhesive film was obtained in the same manner as in the pickup conditions of the first semiconductor chip except that it was pushed up using five pins.
得られた接着フィルム付き半導体チップを、ダミー回路を有するガラスエポキシ基板に圧着した。このとき、半導体チップがダミー回路の中央となるように位置を調整した。続いて、半導体チップが圧着されたガラスエポキシ基板を、加圧オーブン(チヨダエレクトリック株式会社製)によって、温度70℃で2時間保持し、さらに温度150℃で30分保持して、接着フィルムを硬化させることによって、実施例2−7の半導体装置を作製した。 The obtained semiconductor chip with an adhesive film was crimped onto a glass epoxy substrate having a dummy circuit. At this time, the position was adjusted so that the semiconductor chip was in the center of the dummy circuit. Subsequently, the glass epoxy substrate to which the semiconductor chip was crimped was held in a pressure oven (manufactured by Chiyoda Electric Co., Ltd.) at a temperature of 70 ° C. for 2 hours, and further held at a temperature of 150 ° C. for 30 minutes to cure the adhesive film. By doing so, the semiconductor device of Example 2-7 was manufactured.
(反り量の測定)
上記半導体基板の反り量と同様の方法によって、半導体基板の反り量を求めた。結果を表8に示す。
(Measurement of warpage)
The amount of warpage of the semiconductor substrate was determined by the same method as the amount of warpage of the semiconductor substrate. The results are shown in Table 8.
[実施例2−8及び比較例2−2、2−3]
実施例1−7のダイシング−ダイボンディング一体型接着フィルムを実施例1−8及び比較例1−2、1−3のダイシング−ダイボンディング一体型接着フィルムに変更した以外は、実施例2−7と同様にして、実施例2−8及び比較例2−2、2−3の半導体装置をそれぞれ作製し、半導体基板の反り量を求めた。結果を表8に示す。
[Examples 2-8 and Comparative Examples 2-2, 2-3]
Example 2-7 except that the dicing-die bonding integrated adhesive film of Example 1-7 was changed to the dicing-die bonding integrated adhesive film of Examples 1-8 and Comparative Examples 1-2 and 1-3. In the same manner as above, the semiconductor devices of Examples 2-8 and Comparative Examples 2-2 and 2-3 were manufactured, respectively, and the amount of warpage of the semiconductor substrate was determined. The results are shown in Table 8.
実施例2−7及び2−8の半導体装置は、比較例2−2及び2−3の半導体装置に比べて、半導体基板の反りが抑制されていた。 In the semiconductor devices of Examples 2-7 and 2-8, the warp of the semiconductor substrate was suppressed as compared with the semiconductor devices of Comparative Examples 2-2 and 2-3.
以上より、本発明の半導体装置の製造方法が、半導体基板の反りを抑制することが可能であることが確認された。 From the above, it was confirmed that the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention can suppress the warp of a semiconductor substrate.
1…基材フィルム、2…粘着フィルム、4a、4b…基材フィルム、5…吸引コレット、6…半導体基板、10…半導体基板、11…ワイヤ、12…封止材、13…端子、14…回路パターン、20…ピックアップ用コレット、21…突き上げ面、22…突き上げピン、100…基材フィルム及び粘着フィルムを備えるフィルム、110、120…基材フィルム及び接着フィルムを備えるフィルム、130…接着フィルム、130c…硬化物、140…ダイシング−ダイボンディング一体型接着フィルム、200…接着シート、300…接着フィルム付き半導体ウエハ、400…半導体装置、410…半導体装置、500…半導体装置、A…半導体ウエハ、B…ブレード、a…半導体チップ。 1 ... Base film, 2 ... Adhesive film, 4a, 4b ... Base film, 5 ... Suction collet, 6 ... Semiconductor substrate, 10 ... Semiconductor substrate, 11 ... Wire, 12 ... Encapsulant, 13 ... Terminal, 14 ... Circuit pattern, 20 ... Pickup collet, 21 ... Push-up surface, 22 ... Push-up pin, 100 ... Film with base film and adhesive film, 110, 120 ... Film with base film and adhesive film, 130 ... Adhesive film, 130c ... Cured product, 140 ... Dying-die bonding integrated adhesive film, 200 ... Adhesive sheet, 300 ... Semiconductor wafer with adhesive film, 400 ... Semiconductor device, 410 ... Semiconductor device, 500 ... Semiconductor device, A ... Semiconductor wafer, B ... blade, a ... semiconductor chip.
Claims (10)
前記接着フィルム付き半導体ウエハをダイシングし、接着フィルム付き半導体チップを得るダイシング工程と、
前記接着フィルム付き半導体チップを半導体基板に圧着する圧着工程と、
を備え、
前記接着フィルムが第1のフィルムと前記第1のフィルムとは80℃のずり粘度が異なる第2のフィルムとを前記粘着フィルムからこの順に含み、
前記第2のフィルムの80℃のずり粘度が500Pa・s以上である、半導体装置の製造方法。 A process of preparing a semiconductor wafer with an adhesive film, which comprises an adhesive film and a semiconductor wafer in this order on the adhesive film.
The dicing step of dicing the semiconductor wafer with an adhesive film to obtain a semiconductor chip with an adhesive film,
The crimping process of crimping the semiconductor chip with adhesive film to the semiconductor substrate,
Equipped with
The adhesive film contains a first film and a second film having a shear viscosity different from that of the first film at 80 ° C. in this order from the adhesive film.
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the second film has a shear viscosity at 80 ° C. of 500 Pa · s or more.
前記第1のフィルム上に積層された、前記第1のフィルムとは80℃のずり粘度が異なる第2のフィルムと、
を含み、
前記第2のフィルムの80℃のずり粘度が500Pa・s以上である、接着フィルム。 The first film and
A second film laminated on the first film and having a shear viscosity of 80 ° C. different from that of the first film.
Including
An adhesive film having a shear viscosity of the second film at 80 ° C. of 500 Pa · s or more.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018013752A JP6977588B2 (en) | 2018-01-30 | 2018-01-30 | Manufacturing method of semiconductor devices and adhesive film |
SG11202007053XA SG11202007053XA (en) | 2018-01-30 | 2019-01-29 | Manufacturing method for semiconductor device, and adhesive film |
PCT/JP2019/003010 WO2019151260A1 (en) | 2018-01-30 | 2019-01-29 | Manufacturing method for semiconductor device, and adhesive film |
KR1020207021839A KR102602489B1 (en) | 2018-01-30 | 2019-01-29 | Manufacturing method and adhesive film for semiconductor devices |
CN201980010201.0A CN111656500B (en) | 2018-01-30 | 2019-01-29 | Method for manufacturing semiconductor device and adhesive film |
TW108103596A TWI791751B (en) | 2018-01-30 | 2019-01-30 | Semiconductor device manufacturing method and adhesive film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018013752A JP6977588B2 (en) | 2018-01-30 | 2018-01-30 | Manufacturing method of semiconductor devices and adhesive film |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019134020A JP2019134020A (en) | 2019-08-08 |
JP6977588B2 true JP6977588B2 (en) | 2021-12-08 |
Family
ID=67479794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018013752A Active JP6977588B2 (en) | 2018-01-30 | 2018-01-30 | Manufacturing method of semiconductor devices and adhesive film |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6977588B2 (en) |
KR (1) | KR102602489B1 (en) |
CN (1) | CN111656500B (en) |
SG (1) | SG11202007053XA (en) |
TW (1) | TWI791751B (en) |
WO (1) | WO2019151260A1 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7298404B2 (en) * | 2019-09-06 | 2023-06-27 | 株式会社レゾナック | Semiconductor device manufacturing method |
JP7427480B2 (en) | 2020-03-09 | 2024-02-05 | キオクシア株式会社 | semiconductor equipment |
JP2022036756A (en) | 2020-08-24 | 2022-03-08 | キオクシア株式会社 | Semiconductor device |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1209948C (en) * | 2002-07-17 | 2005-07-06 | 威盛电子股份有限公司 | Integrated module board with embedded IC chip and passive element and its production method |
JP2004217757A (en) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Hitachi Chem Co Ltd | Adhesive sheet with cushionable cover film and semiconductor device and method for producing the semiconductor device |
US7375370B2 (en) | 2004-08-05 | 2008-05-20 | The Trustees Of Princeton University | Stacked organic photosensitive devices |
JP5003090B2 (en) * | 2006-10-06 | 2012-08-15 | 住友ベークライト株式会社 | Adhesive film and semiconductor device using the same |
CN101523561B (en) * | 2006-10-06 | 2011-06-22 | 住友电木株式会社 | Film for semiconductor, method for producing film for semiconductor, and semiconductor device |
JP5476673B2 (en) * | 2007-04-02 | 2014-04-23 | 日立化成株式会社 | Adhesive sheet |
EP2139028A1 (en) * | 2007-04-05 | 2009-12-30 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor chip, adhesive film for semiconductor, and composite sheet using the film |
KR20120002556A (en) * | 2007-10-09 | 2012-01-05 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | Method for producing semiconductor chip with adhesive film, adhesive film for semiconductor used in the method, and method for producing semiconductor device |
EP2151858A2 (en) * | 2008-08-04 | 2010-02-10 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
JP2010254763A (en) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Hitachi Chem Co Ltd | Adhesive composition, method for manufacturing the same, adhesive sheet using this, integrated sheet, method for manufacturing the same, and semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2012089630A (en) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Film for semiconductor and semiconductor device |
JP5736899B2 (en) * | 2011-03-28 | 2015-06-17 | 日立化成株式会社 | Film adhesive, adhesive sheet and semiconductor device |
JP5834662B2 (en) * | 2011-09-13 | 2015-12-24 | 日立化成株式会社 | Film adhesive, adhesive sheet, semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2013133275A1 (en) * | 2012-03-08 | 2013-09-12 | 日立化成株式会社 | Adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device |
JP5924145B2 (en) * | 2012-06-12 | 2016-05-25 | 日立化成株式会社 | Film adhesive, adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor device |
JP6322026B2 (en) * | 2014-03-31 | 2018-05-09 | 日東電工株式会社 | Die bond film, die bond film with dicing sheet, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
JP6670177B2 (en) * | 2016-05-30 | 2020-03-18 | 日東電工株式会社 | Die bond film, dicing die bond film, and method of manufacturing semiconductor device |
JP6222395B1 (en) * | 2017-08-07 | 2017-11-01 | 日立化成株式会社 | Film adhesive and dicing die bonding integrated adhesive sheet |
-
2018
- 2018-01-30 JP JP2018013752A patent/JP6977588B2/en active Active
-
2019
- 2019-01-29 CN CN201980010201.0A patent/CN111656500B/en active Active
- 2019-01-29 KR KR1020207021839A patent/KR102602489B1/en active IP Right Grant
- 2019-01-29 WO PCT/JP2019/003010 patent/WO2019151260A1/en active Application Filing
- 2019-01-29 SG SG11202007053XA patent/SG11202007053XA/en unknown
- 2019-01-30 TW TW108103596A patent/TWI791751B/en active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019151260A1 (en) | 2019-08-08 |
TWI791751B (en) | 2023-02-11 |
KR20200111703A (en) | 2020-09-29 |
JP2019134020A (en) | 2019-08-08 |
CN111656500B (en) | 2023-08-15 |
SG11202007053XA (en) | 2020-08-28 |
KR102602489B1 (en) | 2023-11-16 |
CN111656500A (en) | 2020-09-11 |
TW201941314A (en) | 2019-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6133542B2 (en) | Film adhesive, adhesive sheet and semiconductor device | |
JP7298613B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method, thermosetting resin composition, and dicing/die bonding integrated film | |
JP7513015B2 (en) | Adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor device | |
JP6977588B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor devices and adhesive film | |
JP2023017948A (en) | Adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor device | |
TWI774916B (en) | Manufacturing method of semiconductor device, film-like adhesive, and adhesive sheet | |
JP7136200B2 (en) | Semiconductor device, thermosetting resin composition and dicing die bonding integrated tape used for its manufacture | |
JP7028264B2 (en) | Film-shaped adhesive and its manufacturing method, and semiconductor device and its manufacturing method | |
TW202105489A (en) | Production method for semiconductor device, die-bonding film, and dicing/die-bonding integrated adhesive sheet | |
WO2020136904A1 (en) | Adhesive film, integrated dicing/die bonding film, and method for producing semiconductor package | |
WO2022163465A1 (en) | Semiconductor device, method for producing same, thermosetting resin composition, bonding film and integrated dicing/die bonding film | |
WO2023152837A1 (en) | Film-form adhesive, dicing and die-bonding two-in-one film, semiconductor device, and method for manufacturing same | |
WO2024189855A1 (en) | Film-shaped adhesive, dicing/die-bonding integral film, and semiconductor device and manufacturing method for same | |
WO2022149582A1 (en) | Film-like adhesive, integrated dicing/die bonding film, semiconductor device and method for producing same | |
WO2019150995A1 (en) | Thermosetting resin composition, film-form adhesive, adhesive sheet, and method for producing semiconductor device | |
JP2022044991A (en) | Die bonding film, adhesive sheet, semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP2023142901A (en) | Adhesive film for semiconductor, integration-type film for dicing and die bonding, and method for manufacturing semiconductor device | |
TW202237786A (en) | Adhesive agent composition, film-form adhesive agent, dicing/die-bonding integrated film, semiconductor device, and method for manufacturing same | |
JP2016191060A (en) | Film-like adhesive agent, adhesive sheet and semiconductor apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211012 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211025 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6977588 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |