KR20200112820A - Semiconductor device manufacturing method and film adhesive - Google Patents

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유키 나카무라
신타로 하시모토
겐타 기쿠치
다이스케 마스노
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히타치가세이가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은, 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 제1 다이 본드 공정과, 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자의 한쪽 면에, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 첩부(貼付)하는 라미네이트 공정과, 필름형 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 필름형 접착제가 제1 반도체 소자를 덮도록 배치하고, 필름형 접착제를 압착함으로써, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자를 필름형 접착제에 매립하는 제2 다이 본드 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention provides a first die bonding step of electrically connecting a first semiconductor element on a substrate through a first wire, and on one side of a second semiconductor element larger than the area of the first semiconductor element at 100°C. Lamination step of attaching a film adhesive having a shear stress relaxation rate of 40% to 85% after 0.1 second, and a second semiconductor element to which the film adhesive is affixed, so that the film adhesive covers the first semiconductor element. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device including a second die bonding step in which a first wire and a first semiconductor element are embedded in a film adhesive by placing and pressing the film adhesive.

Description

반도체 장치의 제조 방법 및 필름형 접착제Semiconductor device manufacturing method and film adhesive

본 발명은 반도체 장치의 제조 방법 및 필름형 접착제에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and a film adhesive.

반도체 장치에 있어서의 기판의 배선, 반도체 칩에 부설된 와이어 등에 의한 요철을 충전 가능한, 와이어 매립형의 반도체 장치를 얻을 수 있는 접착 시트가 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 및 2). 상기 접착 시트는, 요철 충전 시에 있어서 높은 유동성을 발현하기 위해서, 열경화성 성분을 주성분으로서 함유하고 있다.[0003] An adhesive sheet capable of providing a wire-embedded semiconductor device capable of filling irregularities by wiring of a substrate in a semiconductor device, wires laid on a semiconductor chip, etc. is known (for example, Patent Documents 1 and 2). The adhesive sheet contains a thermosetting component as a main component in order to express high fluidity at the time of filling the irregularities.

최근, 이러한 와이어 매립형의 반도체 장치의 동작의 고속화가 중요시되고 있다. 종래에는 적층된 반도체 소자의 최상단에, 반도체 장치의 동작을 제어하는 컨트롤러 칩이 배치되어 있었으나, 동작의 고속화를 실현하기 위해서, 최하단에 컨트롤러 칩을 배치한 반도체 장치의 패키지 기술이 개발되어 있다. 이러한 패키지의 하나의 형태로서, 다단으로 적층한 반도체 소자 중, 2단째의 반도체 소자를 압착할 때에 사용하는 필름형 접착제를 두껍게 하여, 상기 필름형 접착제 내부에 컨트롤러 칩을 매립하는 패키지가 주목을 모으고 있다. 이러한 용도에 사용되는 필름형 접착제에는, 컨트롤러 칩, 컨트롤러 칩에 접속되어 있는 와이어, 기판 표면의 요철 기인의 단차 등을 매립할 수 있는 높은 유동성이 필요해진다.In recent years, high-speed operation of such a wire-embedded semiconductor device has been important. Conventionally, a controller chip for controlling the operation of a semiconductor device has been disposed at the top of the stacked semiconductor devices, but in order to achieve high speed operation, a package technology for a semiconductor device having a controller chip disposed at the bottom has been developed. As one form of such a package, a package in which a controller chip is embedded inside the film adhesive by thickening a film adhesive used for compressing the second semiconductor element among the semiconductor devices stacked in multiple stages attracts attention. have. The film adhesive used for such a use needs high fluidity capable of filling a controller chip, a wire connected to the controller chip, a step caused by irregularities on the substrate surface, and the like.

특허문헌 1: 국제 공개 제2005/103180호Patent Document 1: International Publication No. 2005/103180 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2009-120830호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Laid-Open No. 2009-120830

그러나, 특허문헌 1 및 2에 기재된 접착 시트와 같이, 매립성을 확보하기 위해서 단순히 경화 전의 유동성이 높은 것을 특징으로 하는 접착 시트를 이용하면, 압착 시에 접착 시트의 일부가 반도체 소자의 압착면 단부로부터 비어져 나오는 블리드라고 하는 현상이 발생할 우려가 있다. 블리드가 발생하면, 반도체 소자 자신 및 주변 회로를 오염시킨다고 하는 문제가 있다.However, as with the adhesive sheet described in Patent Documents 1 and 2, if an adhesive sheet characterized by having high fluidity before curing is simply used to ensure embedding, a part of the adhesive sheet is at the end of the pressing surface of the semiconductor element during compression bonding. There is a risk of causing a phenomenon called bleed protruding from the surface. When bleeding occurs, there is a problem that the semiconductor element itself and peripheral circuits are contaminated.

그래서, 본 발명은 압착 시의 블리드를 억제하면서, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 얻는 것이 가능한, 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 또한, 상기 제조 방법에 이용되는 필름형 접착제를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of obtaining a semiconductor device having excellent connection reliability while suppressing bleed during compression bonding. Another object of the present invention is to provide a film adhesive used in the manufacturing method.

본 발명은 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 제1 다이 본드 공정과, 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자의 한쪽 면에, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 첩부(貼付)하는 라미네이트 공정과, 필름형 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 필름형 접착제가 제1 반도체 소자를 덮도록 배치하고, 필름형 접착제를 압착함으로써, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자를 필름형 접착제에 매립하는 제2 다이 본드 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.The present invention relates to a first die bonding step of electrically connecting a first semiconductor element on a substrate through a first wire, and 0.1 at 100° C. on one side of the second semiconductor element larger than the area of the first semiconductor element. Lamination step of affixing a film adhesive having a shear stress relaxation rate of 40% to 85% after second, and a second semiconductor element to which the film adhesive is affixed, and the film adhesive is arranged to cover the first semiconductor element Then, a method for manufacturing a semiconductor device including a second die bonding step of burying a first wire and a first semiconductor element in a film adhesive is provided by pressing the film adhesive.

본 발명에 의하면, 압착 시의 블리드를 억제하면서, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 얻는 것이 가능하다. 보다 구체적으로는, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40% 이상인 필름형 접착제를 이용함으로써, 와이어, 반도체 소자 등의 형상에 추종할 수 있고, 매립성을 확보하는 것이 가능해진다. 또한, 전단 응력 완화율이 85% 이하인 필름형 접착제를 이용함으로써, 압착 시에 필름 형상을 고정시켜 둘 수 있고, 블리드를 억제하는 것이 가능해진다.According to the present invention, it is possible to obtain a semiconductor device excellent in connection reliability while suppressing bleed during compression bonding. More specifically, by using a film adhesive having a shear stress relaxation rate of 40% or more after 0.1 second at 100°C, it is possible to follow the shape of a wire, a semiconductor element, or the like, and to ensure embedding. Further, by using a film adhesive having a shear stress relaxation rate of 85% or less, the shape of the film can be fixed during compression bonding, and bleed can be suppressed.

본 발명에 있어서, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이란, 필름형 접착제를 실온으로부터 100℃까지 승온한 후, 10%의 변형을 부여하여 0.1초 경과 후에 측정되는 전단 응력을, 초기 응력으로 규격화하여 얻어지는 것이다. 승온 속도는, 사용하는 측정 장치의 스펙에도 의존하지만, 10℃∼60℃/분의 범위에서 적절히 설정할 수 있다. 전단 응력 완화율의 측정에는 동적 점탄성 측정 장치를 이용할 수 있다. 한편, 전단 응력 완화율이 X%란, 초기 응력(변형을 부여한 직후의 응력)을 100%로 했을 때, X%의 응력이 경과 시간과 함께 완화되는 것을 의미한다. 이 때문에, 100-전단 응력 완화율(%)=전단 응력 잔존율(%)이다.In the present invention, the shear stress relaxation rate after 0.1 seconds at 100°C refers to the shear stress measured after 0.1 seconds by applying 10% strain after heating the film adhesive from room temperature to 100°C. It is obtained by normalizing with stress. Although the rate of temperature increase depends also on the specifications of the measuring device to be used, it can be appropriately set in the range of 10°C to 60°C/min. A dynamic viscoelasticity measuring device can be used to measure the shear stress relaxation rate. On the other hand, when the shear stress relaxation rate is X%, when the initial stress (the stress immediately after applying the strain) is 100%, it means that the stress of X% is relaxed with the elapsed time. For this reason, it is 100-shear stress relaxation rate (%) = shear stress residual rate (%).

본 발명에 있어서, 필름형 접착제의, 120℃에 있어서의 전단 점도가 5000 ㎩·s 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 양호한 매립성을 얻기 쉬워진다.In the present invention, it is preferable that the film adhesive has a shear viscosity of 5000 Pa·s or less at 120°C. Thereby, it becomes easy to obtain good embedding property.

본 발명에 있어서, 필름형 접착제가, 아크릴 수지 및 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 열가소성 성분과 열경화 성분을 병용함으로써, 양호한 매립성과 열경화성을 얻기 쉬워진다.In the present invention, it is preferable that the film adhesive contains an acrylic resin and an epoxy resin. By using a thermoplastic component and a thermosetting component together, it becomes easy to obtain good embedding property and thermosetting property.

본 발명에 있어서, 필름형 접착제가, 무기 필러 및 유기 필러 중 적어도 한쪽을 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 필름형 접착제의 취급성 등이 향상된다.In the present invention, it is preferable that the film adhesive contains at least one of an inorganic filler and an organic filler. This improves the handling properties of the film adhesive.

본 발명은 또한, 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자가 전기적으로 접속되고, 제1 반도체 소자 상에, 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자가 압착되어 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 제2 반도체 소자를 압착하고, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자를 매립하기 위해서 이용되는, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 제공한다. 본 발명의 필름형 접착제를 이용함으로써, 압착 시의 블리드를 억제하면서, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 얻는 것이 가능하다.The present invention also provides a semiconductor device in which a first semiconductor element is electrically connected to a substrate through a first wire, and a second semiconductor element larger than the area of the first semiconductor element is pressed onto the first semiconductor element. And a film adhesive having a shear stress relaxation rate of 40% to 85% after 0.1 second at 100° C., which is used for pressing the second semiconductor element and embedding the first wire and the first semiconductor element. By using the film adhesive of the present invention, it is possible to obtain a semiconductor device excellent in connection reliability while suppressing bleed during compression bonding.

본 발명의 필름형 접착제에 있어서, 120℃에 있어서의 전단 점도가 5000 ㎩·s 이하인 것이 바람직하다.In the film adhesive of this invention, it is preferable that the shear viscosity at 120 degreeC is 5000 Pa*s or less.

본 발명의 필름형 접착제는, 아크릴 수지 및 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the film adhesive of this invention contains an acrylic resin and an epoxy resin.

본 발명의 필름형 접착제는, 무기 필러 및 유기 필러 중 적어도 한쪽을 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the film adhesive of this invention contains at least one of an inorganic filler and an organic filler.

본 발명에 의하면, 압착 시의 블리드를 억제하면서, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 얻는 것이 가능한, 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 상기 제조 방법에 이용되는 필름형 접착제를 제공할 수 있다.Advantageous Effects of Invention According to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of obtaining a semiconductor device excellent in connection reliability while suppressing bleed during compression bonding. Further, according to the present invention, it is possible to provide a film adhesive used in the manufacturing method.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 필름형 접착제를 도시한 도면이다.
도 2는 접착 시트를 도시한 도면이다.
도 3은 다른 접착 시트를 도시한 도면이다.
도 4는 다른 접착 시트를 도시한 도면이다.
도 5는 다른 접착 시트를 도시한 도면이다.
도 6은 반도체 장치를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 8은 도 7의 후속의 공정을 도시한 도면이다.
도 9는 도 8의 후속의 공정을 도시한 도면이다.
도 10은 도 9의 후속의 공정을 도시한 도면이다.
도 11은 도 10의 후속의 공정을 도시한 도면이다.1 is a view showing a film adhesive according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram showing an adhesive sheet.
3 is a view showing another adhesive sheet.
4 is a view showing another adhesive sheet.
5 is a diagram showing another adhesive sheet.
6 is a diagram showing a semiconductor device.
7 is a diagram showing a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
8 is a diagram showing a process subsequent to FIG. 7.
9 is a diagram illustrating a process subsequent to FIG. 8.
10 is a diagram showing a process subsequent to FIG. 9.
11 is a diagram showing a process subsequent to FIG. 10.

이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해 상세히 설명한다. 이하의 설명에서는, 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 상하 좌우 등의 위치 관계는, 특별히 언급하지 않는 한, 도면에 나타내는 위치 관계에 기초하는 것으로 한다. 또한, 도면의 치수 비율은 도시된 비율에 한정되는 것이 아니다. 한편, 본 명세서에 있어서의 「(메트)아크릴」이란, 「아크릴」 및 그것에 대응하는 「메타크릴」을 의미한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, the same or equivalent parts are denoted by the same reference numerals, and duplicate descriptions are omitted. In addition, the positional relationship, such as top, bottom, left and right, shall be based on the positional relationship shown in a figure, unless otherwise noted. In addition, the dimensional ratio of the drawings is not limited to the illustrated ratio. In addition, "(meth)acrylic" in this specification means "acrylic" and "methacryl" corresponding to it.

(필름형 접착제)(Film adhesive)

도 1은 본 실시형태에 따른 필름형 접착제(10)를 모식적으로 도시한 단면도이다. 필름형 접착제(10)는, 열경화성이고, 반경화(B 스테이지) 상태를 거쳐, 경화 처리 후에 완전 경화물(C 스테이지) 상태가 될 수 있는 접착제 조성물을 필름형으로 성형하여 이루어지는 것이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a film adhesive 10 according to the present embodiment. The film adhesive 10 is a thermosetting, semi-cured (B-stage) state, and formed by molding an adhesive composition capable of becoming a completely cured product (C-stage) state after curing treatment into a film form.

필름형 접착제(10)는, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%이다. 블리드를 억제하면서, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 보다 얻기 쉬워진다고 하는 관점에서, 전단 응력 완화율은 50%∼80%인 것이 바람직하고, 60%∼70%인 것이 보다 바람직하다. 한편, 전단 응력 완화율은, 후술하는 바와 같이 (a)∼(f) 성분의 종류 및 양을 조정함으로써, 조정하는 것이 가능하다.The film adhesive 10 has a shear stress relaxation rate of 40% to 85% after 0.1 second at 100°C. From the viewpoint of making it easier to obtain a semiconductor device having excellent connection reliability while suppressing bleeding, the shear stress relaxation rate is preferably 50% to 80%, and more preferably 60% to 70%. On the other hand, the shear stress relaxation rate can be adjusted by adjusting the type and amount of components (a) to (f) as described later.

필름형 접착제(10)는, 120℃에 있어서의 전단 점도가 5000 ㎩·s 이하인 것이 바람직하다. 양호한 매립성을 보다 얻기 쉬워진다고 하는 관점에서, 전단 점도는 3000 ㎩·s 이하인 것이 보다 바람직하다. 전단 점도의 하한은 특별히 한정되지 않으나, 과도한 유동성을 억제한다고 하는 관점에서 200 ㎩·s로 할 수 있다. 전단 점도는, 예컨대 동적 점탄성 측정 장치를 이용하여 측정할 수 있다.It is preferable that the film adhesive 10 has a shear viscosity in 120 degreeC of 5000 Pa*s or less. From the viewpoint of becoming easier to obtain good embedding property, the shear viscosity is more preferably 3000 Pa·s or less. The lower limit of the shear viscosity is not particularly limited, but can be set to 200 Pa·s from the viewpoint of suppressing excessive fluidity. Shear viscosity can be measured, for example, using a dynamic viscoelastic measuring device.

필름형 접착제(10)의 함유 성분은 특별히 한정되지 않으나, 예컨대, (a) 열경화성 성분, (b) 열가소성 성분, (c) 무기 필러, (d) 유기 필러, (e) 경화 촉진제, (f) 그 외의 성분 등을 포함할 수 있다. 이들 (a)∼(f) 성분의 종류 및 양을 조정함으로써, 필름형 접착제(10)의 특성을 조정할 수 있다.The components contained in the film adhesive 10 are not particularly limited, but, for example, (a) a thermosetting component, (b) a thermoplastic component, (c) an inorganic filler, (d) an organic filler, (e) a curing accelerator, (f) Other ingredients, etc. may be included. By adjusting the types and amounts of these (a) to (f) components, the properties of the film adhesive 10 can be adjusted.

(a) 열경화성 성분(a) thermosetting component

열경화성 성분으로서는 열경화성 수지를 들 수 있다. 특히, 반도체 소자를 실장하는 경우에 요구되는 내열성 및 내습성의 관점에서, 열경화성 성분으로서 에폭시 수지, 페놀 수지 등이 바람직하다.A thermosetting resin can be mentioned as a thermosetting component. In particular, from the viewpoint of heat resistance and moisture resistance required when mounting a semiconductor element, an epoxy resin, a phenol resin, or the like is preferable as a thermosetting component.

예컨대 에폭시 수지로서는, 방향환 함유 에폭시 수지, 복소환 함유 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 등의, 일반적으로 알려져 있는 에폭시 수지를 이용할 수 있다. 또한, 에폭시 수지는 다작용 에폭시 수지여도 좋다. 에폭시 수지로서는, 구체적으로는, 예컨대, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 E형 에폭시 수지, 이들의 비스페놀형 에폭시 수지를 변성시킨 2작용 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 플루오렌 변성 에폭시 수지, 트리페닐메탄형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 나프탈렌 변성 에폭시 수지 등을 이용할 수 있다.For example, as the epoxy resin, generally known epoxy resins such as aromatic ring-containing epoxy resin, heterocycle-containing epoxy resin, and alicyclic epoxy resin can be used. Further, the epoxy resin may be a polyfunctional epoxy resin. Specific examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bifunctional epoxy resin modified with these bisphenol type epoxy resins, cresol novolak type epoxy resin, and bisphenol. A novolac-type epoxy resin, fluorene-modified epoxy resin, triphenylmethane-type epoxy resin, biphenyl-type epoxy resin, glycidylamine-type epoxy resin, naphthalene-modified epoxy resin, and the like can be used.

에폭시 수지로서는, 예컨대, 다이셀 가부시키가이샤 제조의 Celloxide 시리즈, 신닛카 에폭시 세이조 가부시키가이샤 제조의 YDF 시리즈 및 YDCN 시리즈, DIC 가부시키가이샤 제조의 HP-7000L, 가부시키가이샤 프린테크 제조의 VG-3101L 등을 들 수 있다.Examples of epoxy resins include Celloxide series manufactured by Daicel Corporation, YDF series and YDCN series manufactured by Shin Nikka Epoxy Seizo Corporation, HP-7000L manufactured by DIC Corporation, and VG manufactured by Printtech Corporation. -3101L, etc. are mentioned.

또한, 페놀 수지로서는, 예컨대, 노볼락형 페놀 수지, 자일록형 페놀 수지, 비페닐형 페놀 수지, 트리페닐메탄형 페놀 수지, 페놀환 상의 수소를 아릴기로 치환한 변성 페놀 수지 등을 들 수 있다. 한편, 페놀 수지로서는, 내열성의 관점에서, 85℃, 85% RH의 항온 항습조에 48시간 투입 후의 흡수율이 2 질량% 이하이고, 열중량 분석계(TGA)로 측정한 350℃에서의 가열 질량 감소율(승온 속도: 5℃/min, 분위기: 질소)이 5 질량% 미만인 것이 바람직하다.Moreover, as a phenol resin, a novolak type phenol resin, a xyloc type phenol resin, a biphenyl type phenol resin, a triphenylmethane type phenol resin, a modified phenol resin obtained by substituting hydrogen on a phenol ring with an aryl group, etc. are mentioned, for example. On the other hand, as a phenolic resin, from the viewpoint of heat resistance, the water absorption rate after 48 hours input into a constant temperature and humidity tank at 85°C and 85% RH is 2% by mass or less, and the heating mass reduction rate at 350°C as measured by a thermogravimetric analyzer (TGA) ( It is preferable that the temperature increase rate: 5°C/min, atmosphere: nitrogen) is less than 5% by mass.

페놀 수지로서는, 예컨대, 에어·워터 가부시키가이샤 제조의 HE 시리즈, 군에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조의 레지톱 시리즈 등을 들 수 있다.Examples of the phenolic resin include the HE series manufactured by Air Water Co., Ltd., and the resin top series manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd.

(a) 열경화성 성분으로서 에폭시 수지 및 페놀 수지를 병용하는 경우, 에폭시 수지 및 페놀 수지의 배합비는, 각각 에폭시 당량과 수산기 당량의 당량비로 0.70/0.30∼0.30/0.70이 되는 것이 바람직하고, 0.65/0.35∼0.35/0.65가 되는 것이 보다 바람직하며, 0.60/0.40∼0.40/0.60이 되는 것이 더욱 바람직하고, 0.60/0.40∼0.50/0.50이 되는 것이 특히 바람직하다. 배합비가 상기 범위 내임으로써, 우수한 경화성, 유동성 등을 갖는 필름형 접착제(10)가 얻기 쉬워진다.(a) When an epoxy resin and a phenol resin are used in combination as a thermosetting component, the blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably 0.70/0.30 to 0.30/0.70 in the equivalent ratio of the epoxy equivalent and the hydroxyl group equivalent, respectively, and 0.65/0.35 It is more preferable that it is -0.35/0.65, it is more preferable that it is 0.60/0.40-0.40/0.60, and it is especially preferable that it is 0.60/0.40-0.50/0.50. When the blending ratio is within the above range, it becomes easy to obtain the film adhesive 10 having excellent curability, fluidity, and the like.

한편, 경화 후에 있어서의 반도체 장치의 휘어짐을 억제한다고 하는 관점에서, 경화 속도가 상이한 열경화성 수지를 조합하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기에 예시한 에폭시 수지 및 페놀 수지 중, 예컨대 (a1) 연화점이 60℃ 이하 또는 상온에서 액체인 것(경화하여 접착 작용을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않는다)과, (a2) 연화점이 60℃ 초과(상온에서 고체)인 것을 조합하여 이용하는 것이 바람직하다. 한편, 여기서 말하는 상온이란 5∼35℃를 의미한다.On the other hand, from the viewpoint of suppressing the warpage of the semiconductor device after curing, it is preferable to combine thermosetting resins having different curing rates. Specifically, among the epoxy resins and phenol resins exemplified above, for example, (a1) a softening point of 60°C or less or a liquid at room temperature (it is not particularly limited as long as it has an adhesive effect by curing), and (a2) a softening point It is preferable to use a combination of more than 60°C (solid at room temperature). On the other hand, room temperature here means 5 to 35 degreeC.

(a1) 성분의 함유량은, (a) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 10∼50 질량%인 것이 바람직하고, 20∼40 질량%인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 매립성과, 다이싱, 픽업 등의 프로세스 적성을 양립시키기 쉬워진다.The content of the component (a1) is preferably 10 to 50% by mass, more preferably 20 to 40% by mass, based on the total mass of the component (a). Thereby, it becomes easy to make both embedding property and process suitability, such as dicing and pickup, compatible.

(a2) 성분의 함유량은, (a) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 10 질량% 이상인 것이 바람직하고, 15 질량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 제막성(製膜性), 유동성, 응력 완화성 등을 조정하기 쉬워진다. 한편, (a2) 성분의 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않으나, (a) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 90 질량%로 할 수 있다.The content of the component (a2) is preferably 10% by mass or more, and more preferably 15% by mass or more based on the total mass of the component (a). Thereby, it becomes easy to adjust film-forming properties, fluidity, stress relaxation properties, and the like. Meanwhile, the upper limit of the content of the component (a2) is not particularly limited, but may be 90% by mass based on the total mass of the component (a).

한편, (a) 성분으로서 지환식 에폭시 수지를 이용함으로써, 전단 응력 완화율을 원하는 범위로 조정하기 쉬워진다. 지환식 에폭시 수지를 이용하는 경우, 그 함유량의 기준은, (a) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 30∼100 질량%로 할 수 있다(즉, (a) 성분의 전량이 지환식 에폭시 수지여도 좋다).On the other hand, by using an alicyclic epoxy resin as the component (a), it becomes easy to adjust the shear stress relaxation rate to a desired range. In the case of using an alicyclic epoxy resin, the standard of its content may be 30 to 100% by mass based on the total mass of the component (a) (that is, the total amount of the component (a) may be an alicyclic epoxy resin. ).

(a) 성분의 중량 평균 분자량은, 200∼5000인 것이 바람직하다. 이에 의해, 전단 응력 완화율을 원하는 범위로 조정하기 쉬워진다.It is preferable that the weight average molecular weight of the component (a) is 200-5000. Thereby, it becomes easy to adjust the shear stress relaxation rate to a desired range.

(b) 열가소성 성분(b) thermoplastic component

(b) 열가소성 성분으로서는, 가교성 작용기를 갖는 모노머 비율이 높고 분자량이 낮은 열가소성 성분과, 가교성 작용기를 갖는 모노머 비율이 낮고 분자량이 높은 열가소성 성분의 병용이 바람직하다. 특히 후자의 열가소성 성분이 일정량 이상 포함되는 것이 바람직하다.(b) As the thermoplastic component, a combination of a thermoplastic component having a high crosslinkable functional group and a low molecular weight and a thermoplastic component having a low crosslinkable functional group and a high molecular weight is preferable. In particular, it is preferable that the latter thermoplastic component is contained in a certain amount or more.

(b) 성분으로서는, 열가소성 수지인 아크릴 수지(아크릴계 수지)가 바람직하고, 또한, 유리 전이 온도 Tg가 -50℃∼50℃이며, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트 등의 에폭시기 또는 글리시딜기를 가교성 작용기로서 갖는 작용성 모노머를 중합하여 얻어지는, 에폭시기 함유 (메트)아크릴 공중합체 등의 아크릴 수지가 보다 바람직하다.As the component (b), an acrylic resin (acrylic resin) which is a thermoplastic resin is preferable, and the glass transition temperature Tg is -50°C to 50°C, and an epoxy group such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate, or Acrylic resins such as an epoxy group-containing (meth)acrylic copolymer obtained by polymerizing a functional monomer having a glycidyl group as a crosslinkable functional group are more preferable.

이러한 아크릴 수지로서, 에폭시기 함유 (메트)아크릴산에스테르 공중합체, 에폭시기 함유 아크릴 고무 등을 사용할 수 있고, 에폭시기 함유 아크릴 고무가 보다 바람직하다. 에폭시기 함유 아크릴 고무는, 아크릴산에스테르를 주성분으로 하고, 주로, 부틸아크릴레이트와 아크릴로니트릴 등의 공중합체, 에틸아크릴레이트와 아크릴로니트릴 등의 공중합체 등을 포함하는, 에폭시기를 갖고 있는 아크릴 고무이다.As such an acrylic resin, an epoxy group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer, an epoxy group-containing acrylic rubber, or the like can be used, and an epoxy group-containing acrylic rubber is more preferable. The epoxy group-containing acrylic rubber is an acrylic rubber containing an epoxy group, mainly comprising an acrylic ester as a main component, and a copolymer such as butyl acrylate and acrylonitrile, and a copolymer such as ethyl acrylate and acrylonitrile. .

한편, (b) 성분의 가교성 작용기로서는, 에폭시기 외에, 알코올성 또는 페놀성 수산기, 카르복실기 등의 가교성 작용기를 들 수 있다.On the other hand, as the crosslinkable functional group of the component (b), in addition to the epoxy group, a crosslinkable functional group such as an alcoholic or phenolic hydroxyl group and a carboxyl group can be mentioned.

(b) 성분에 있어서, 높은 접착력이 발현되기 쉽고, 또한 150℃/1시간 가열 후의 인장 탄성률을 낮게 하기 쉬운 관점에서, 가교성 작용기를 갖는 모노머 단위는 모노머 단위 전량에 대해 5∼15 몰%인 것이 바람직하고, 5∼10 몰%가 보다 바람직하다.In the component (b), from the viewpoint of easy to exhibit high adhesion and to lower the tensile modulus after heating at 150° C. for 1 hour, the monomer unit having a crosslinkable functional group is 5 to 15 mol% based on the total amount of the monomer unit. It is preferable, and 5-10 mol% is more preferable.

(b) 성분의 중량 평균 분자량은, 20만∼100만인 것이 바람직하고, 50만∼100만인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 전단 응력 완화율을 원하는 범위로 조정하기 쉬워진다. 또한, 특히 (b) 성분의 중량 평균 분자량이 50만 이상이면 성막성을 향상시키는 효과가 한층 양호해진다. (b) 성분의 중량 평균 분자량이 100만 이하이면, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 전단 점도를 저감하기 쉬워지기 때문에, 매립성이 보다 양호해진다. 또한, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 절삭성이 개선되어, 다이싱의 품질이 보다 양호해지는 경우가 있다.It is preferable that it is 200,000-1 million, and, as for the weight average molecular weight of (b) component, it is more preferable that it is 500,000-1 million. Thereby, it becomes easy to adjust the shear stress relaxation rate to a desired range. In addition, especially when the weight average molecular weight of the component (b) is 500,000 or more, the effect of improving the film-forming property becomes even more favorable. When the weight average molecular weight of the component (b) is 1 million or less, since it becomes easy to reduce the shear viscosity of the film adhesive 10 in an uncured state, the embedding property becomes more favorable. Further, the machinability of the uncured film adhesive 10 is improved, and the quality of dicing may be improved in some cases.

중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피법(GPC)에 의해, 표준 폴리스티렌에 의한 검량선을 이용하여 얻어지는 폴리스티렌 환산값이다.The weight average molecular weight is a polystyrene conversion value obtained using a calibration curve with standard polystyrene by gel permeation chromatography (GPC).

(b) 성분 전체의 유리 전이 온도 Tg는 -20℃∼40℃인 것이 바람직하고, -10℃∼30℃인 것이 바람직하다. 이에 의해, 다이싱 시에 필름형 접착제(10)가 절단되기 쉬워지기 때문에 수지 부스러기가 발생하기 어렵고, 필름형 접착제(10)의 접착력과 내열성을 높게 하기 쉬우며, 또한 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 높은 유동성을 발현하기 쉬워진다.The glass transition temperature Tg of the whole component (b) is preferably -20°C to 40°C, and preferably -10°C to 30°C. Thereby, since the film adhesive 10 is easily cut during dicing, it is difficult to generate resin crumbs, it is easy to increase the adhesion and heat resistance of the film adhesive 10, and the film adhesive in an uncured state It becomes easy to express the high fluidity of (10).

유리 전이 온도 Tg는, 열시차 주사 열량계(예컨대, 가부시키가이샤 리가쿠 제조 「Thermo Plus 2」)를 이용하여 측정할 수 있다.The glass transition temperature Tg can be measured using a thermal differential scanning calorimeter (for example, "Thermo Plus 2" manufactured by Rigaku Corporation).

(b) 성분의 함유량은, (a) 성분을 100 질량부로 했을 때, 20∼160 질량부인 것이 바람직하고, 50∼120 질량부인 것이 보다 바람직하다. (b) 성분의 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 필름형 접착제(10)의 가요성의 저하를 억제하기 쉬워지고, 경화 후에는 저탄성화되어 반도체 장치(패키지)의 휘어짐을 억제하기 쉬워진다. 한편, (b) 성분의 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 유동성이 상승하여, 매립성을 보다 양호하게 할 수 있다. 한편, (b) 성분의 함유량이 상기 범위 내임으로써, 전단 응력 완화율을 원하는 범위로 조정하기 쉬워진다.The content of the component (b) is preferably 20 to 160 parts by mass, and more preferably 50 to 120 parts by mass, when the component (a) is 100 parts by mass. When the content of the component (b) is more than the above lower limit, it becomes easy to suppress a decrease in the flexibility of the film adhesive 10, and after curing, the elasticity is lowered and the warpage of the semiconductor device (package) is easily suppressed. On the other hand, when the content of the component (b) is equal to or less than the above upper limit, the fluidity of the uncured film adhesive 10 increases, and the embedding property can be improved. On the other hand, when the content of the component (b) is within the above range, it becomes easy to adjust the shear stress relaxation rate to a desired range.

(c) 무기 필러(c) inorganic filler

(c) 성분으로서는, B 스테이지 상태에 있어서의 필름형 접착제(10)의 다이싱성의 향상, 필름형 접착제(10)의 취급성의 향상, 열전도성의 향상, 전단 점도(용융 점도)의 조정, 틱소트로픽성의 부여, 접착력의 향상 등의 관점에서, 실리카 필러 등이 바람직하다.(c) As a component, improvement of the dicing property of the film adhesive 10 in the B-stage state, improvement of the handling property of the film adhesive 10, improvement of thermal conductivity, adjustment of shear viscosity (melting viscosity), thixotropic From the viewpoint of imparting properties and improving adhesion, a silica filler or the like is preferable.

(c) 성분은, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 다이싱성을 향상시키고, 경화 후의 접착력을 충분히 발현시킬 목적으로, 평균 입경이 상이한 2종류 이상의 필러를 포함하는 것이 바람직하다. (c) 성분은, 예컨대 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 다이싱성 향상을 목적으로 한 (c1) 평균 입경이 0.2 ㎛ 이상인 제1 필러와, 경화 후의 접착력을 충분히 발현시키는 것을 목적으로 한 (c2) 평균 입경이 0.2 ㎛ 미만인 제2 필러를 포함하는 것이 바람직하다.The component (c) preferably contains two or more fillers having different average particle diameters for the purpose of improving the dicing properties of the uncured film adhesive 10 and sufficiently expressing the adhesive strength after curing. The component (c) is, for example, for the purpose of improving the dicing properties of the uncured film adhesive 10 (c1) for the purpose of sufficiently expressing the first filler having an average particle diameter of 0.2 µm or more and the adhesive strength after curing. (c2) It is preferable to include a second filler having an average particle diameter of less than 0.2 µm.

평균 입경은, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치를 이용하여, 아세톤을 용매로 하여 분석한 경우에 얻어지는 값으로 한다. 제1 및 제2 필러의 평균 입경은, 입도 분포 측정 장치로 분석한 경우에, 각각의 필러가 포함되어 있는 것을 판별할 수 있을 정도로, 그 차가 큰 것이 보다 바람직하다.The average particle diameter is a value obtained when analysis is performed using acetone as a solvent using a laser diffraction particle size distribution measuring device. It is more preferable that the difference between the average particle diameters of the first and second fillers is large enough to be able to discriminate that each filler is contained when analyzed by a particle size distribution measuring device.

(c1) 성분의 함유량은, (c) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 30 질량% 이상인 것이 바람직하다. (c1) 성분의 함유량이 30 질량% 이상임으로써, 필름의 파단성의 악화, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 유동성의 악화를 억제하기 쉬워진다. 한편, (c1) 성분의 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않으나, (c) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 95 질량%로 할 수 있다.The content of the component (c1) is preferably 30% by mass or more based on the total mass of the component (c). When the content of the component (c1) is 30% by mass or more, it becomes easy to suppress the deterioration of the fracture property of the film and the deterioration of the fluidity of the uncured film-type adhesive 10. Meanwhile, the upper limit of the content of the component (c1) is not particularly limited, but may be 95% by mass based on the total mass of the component (c).

(c2) 성분의 함유량은, (c) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 5 질량% 이상인 것이 바람직하다. (c2) 성분의 함유량이 5 질량% 이상임으로써, 경화 후의 접착력을 향상시키기 쉽다. 한편, (c2) 성분의 함유량의 상한은, 적당한 유동성을 확보하는 관점에서, (c) 성분의 전체 질량을 기준으로 하여 30 질량%로 할 수 있다.The content of the component (c2) is preferably 5% by mass or more based on the total mass of the component (c). When the content of the component (c2) is 5% by mass or more, it is easy to improve the adhesive strength after curing. On the other hand, the upper limit of the content of the component (c2) can be set to 30% by mass based on the total mass of the component (c) from the viewpoint of ensuring adequate fluidity.

(c) 성분의 함유량은, (a) 성분을 100 질량부로 했을 때, 10∼90 질량부인 것이 바람직하고, 40∼70 질량부인 것이 보다 바람직하다. (c) 성분의 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 다이싱성의 악화, 경화 후의 접착력의 저하를 억제하기 쉽다고 하는 경향이 있다. 한편, (c) 성분의 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 미경화 상태의 필름형 접착제(10)의 유동성의 저하, 경화 후의 탄성률의 상승을 억제하기 쉽다고 하는 경향이 있다. 한편, (c) 성분의 함유량이 상기 범위 내임으로써, 전단 응력 완화율을 원하는 범위로 조정하기 쉬워진다.The content of the component (c) is preferably 10 to 90 parts by mass, and more preferably 40 to 70 parts by mass, when the component (a) is 100 parts by mass. When the content of the component (c) is not less than the above lower limit, it tends to be easy to suppress deterioration of dicing properties of the film adhesive 10 in an uncured state and a decrease in adhesive strength after curing. On the other hand, when the content of the component (c) is equal to or less than the above upper limit, there is a tendency that it is easy to suppress a decrease in fluidity of the film adhesive 10 in an uncured state and an increase in elastic modulus after curing. On the other hand, when the content of the component (c) is within the above range, it becomes easy to adjust the shear stress relaxation rate to a desired range.

(d) 유기 필러(d) organic filler

(d) 성분으로서는, 필름형 접착제(10)의 다이싱성의 향상, 필름형 접착제(10)의 취급성의 향상, 전단 점도(용융 점도)의 조정, 접착력의 향상, 경화 후의 응력 완화성 등의 관점에서, 스티렌-PMMA 변성 고무 필러, 실리콘 변성 고무 필러 등이 바람직하다. (d) 성분의 평균 입경은, 경화 후의 접착력을 충분히 발현하기 쉽게 하는 관점에서 0.2 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.(d) As a component, from the viewpoints of improvement of dicing properties of the film adhesive 10, improvement of the handling properties of the film adhesive 10, adjustment of shear viscosity (melting viscosity), improvement of adhesion, stress relaxation after curing, etc. Here, a styrene-PMMA modified rubber filler, a silicone modified rubber filler, and the like are preferred. The average particle diameter of the component (d) is preferably 0.2 µm or less from the viewpoint of making it easy to sufficiently express the adhesive strength after curing.

(d) 성분의 함유량은, (c) 성분을 100 질량부로 했을 때, 0∼50 질량부인 것이 바람직하고, 0∼30 질량부인 것이 보다 바람직하다. 필요에 따라 (d) 성분을 소정량 함유시킴으로써, 매립성을 향상시키면서 응력 완화율을 억제하기 쉽다고 하는 경향이 있다.The content of the component (d) is preferably 0 to 50 parts by mass, and more preferably 0 to 30 parts by mass, when the component (c) is 100 parts by mass. It tends to be easy to suppress the stress relaxation rate while improving the embedding property by containing the component (d) in a predetermined amount as necessary.

(e) 경화 촉진제(e) hardening accelerator

양호한 경화성을 얻을 목적으로, (e) 경화 촉진제를 이용하는 것이 바람직하다. (e) 성분으로서는, 반응성의 관점에서 이미다졸계의 화합물이 바람직하다. 한편, (e) 성분의 반응성이 지나치게 높으면, 필름형 접착제(10)의 제조 공정 중의 가열에 의해 전단 점도가 상승하기 쉬워질 뿐만이 아니라, 경시에 의한 열화를 야기하기 쉬운 경향이 있다. 한편, (e) 성분의 반응성이 지나치게 낮으면, 필름형 접착제(10)의 경화성이 저하되기 쉬운 경향이 있다. 필름형 접착제(10)가 충분히 경화되지 않은 채로 제품 내에 탑재되면, 충분한 접착성이 얻어지지 않아, 반도체 장치의 접속 신뢰성을 악화시킬 가능성이 있다.For the purpose of obtaining good curability, it is preferable to use (e) a curing accelerator. As the component (e), an imidazole-based compound is preferable from the viewpoint of reactivity. On the other hand, if the reactivity of the component (e) is too high, not only the shear viscosity tends to increase due to heating during the manufacturing process of the film adhesive 10, but also tends to cause deterioration with time. On the other hand, when the reactivity of the component (e) is too low, there is a tendency that the curability of the film adhesive 10 is liable to decrease. If the film adhesive 10 is mounted in the product without being sufficiently cured, sufficient adhesiveness is not obtained, and there is a possibility that the connection reliability of the semiconductor device is deteriorated.

(e) 성분을 함유시킴으로써, 필름형 접착제(10)의 경화성이 보다 향상된다. 한편, (e) 성분의 함유량이 지나치게 많은 경우에는, 필름형 접착제(10)의 제조 공정 중의 가열에 의해 전단 점도가 상승하기 쉬워질 뿐만이 아니라, 경시에 의한 열화를 야기하기 쉬운 경향이 있다. 이러한 관점에서, (e) 성분의 함유량은, (a) 성분을 100 질량부로 했을 때, 0∼0.20 질량부인 것이 바람직하다.By containing the component (e), the curability of the film adhesive 10 is further improved. On the other hand, when the content of the component (e) is too large, not only the shear viscosity tends to increase due to heating during the manufacturing process of the film adhesive 10, but also tends to cause deterioration with time. From this point of view, the content of the component (e) is preferably 0 to 0.20 parts by mass when the component (a) is 100 parts by mass.

(f) 그 외의 성분(f) other ingredients

상기 성분 이외에, 접착성 향상의 관점에서, 본 기술 분야에 있어서 사용될 수 있는 그 외의 성분을 또한 적량 이용해도 좋다. 그러한 성분으로서는, 예컨대 커플링제를 들 수 있다. 커플링제로서는, γ-우레이드프로필트리에톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-페닐아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.In addition to the above components, from the viewpoint of improving adhesion, other components that can be used in the present technical field may also be used in appropriate amounts. As such a component, a coupling agent is mentioned, for example. Examples of the coupling agent include γ-ureidepropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane, and 3-(2-aminoethyl)aminopropyltrimethoxysilane. Can be lifted.

(필름형 접착제)(Film adhesive)

필름형 접착제(10)는, 예컨대 상기 성분을 포함하는 접착제 조성물의 바니시를 기재 필름 상에 도포함으로써 바니시의 층을 형성하는 공정, 가열 건조에 의해 바니시의 층으로부터 용매를 제거하는 공정, 기재 필름을 제거하는 공정에 의해 얻을 수 있다.The film adhesive 10 is, for example, a step of forming a layer of a varnish by applying a varnish of an adhesive composition containing the above component on a base film, a step of removing a solvent from the layer of varnish by heat drying, and a base film. It can be obtained by a removing process.

바니시는, 상기 성분을 포함하는 접착제 조성물을 유기 용매 중에서 혼합, 혼련 등 하여 조제할 수 있다. 혼합 및 혼련은, 통상의 교반기, 뇌궤기, 3본 롤, 볼 밀 등의 분산기를 이용할 수 있다. 이들 기기는 적절히 조합하여 이용할 수 있다. 바니시의 도포는, 예컨대 콤마 코터, 다이 코터 등에 의해 행할 수 있다. 바니시의 가열 건조 조건은, 사용한 유기 용매가 충분히 휘산되는 조건이면 특별히 제한은 없고, 예컨대 60℃∼200℃에서 0.1∼90분간으로 할 수 있다.The varnish can be prepared by mixing and kneading an adhesive composition containing the component in an organic solvent. For mixing and kneading, a conventional stirrer, a threshing machine, a three roll, or a dispersing machine such as a ball mill can be used. These devices can be appropriately combined and used. The varnish can be applied, for example, by a comma coater or a die coater. The heating and drying conditions of the varnish are not particularly limited as long as the organic solvent used is sufficiently evaporated, and may be, for example, 0.1 to 90 minutes at 60°C to 200°C.

유기 용매로서는, 상기 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산할 수 있는 것이면 제한은 없고, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 이러한 용매로서는, 예컨대, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N메틸피롤리돈, 톨루엔, 크실렌 등을 들 수 있다. 건조 속도가 빠르고, 가격이 싼 점에서 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등을 사용하는 것이 바람직하다.The organic solvent is not limited as long as it can uniformly dissolve, knead or disperse the above components, and a conventionally known one can be used. Examples of such a solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, Nmethylpyrrolidone, toluene, xylene, and the like. It is preferable to use methyl ethyl ketone, cyclohexanone, or the like from the viewpoint of a fast drying speed and low price.

상기 기재 필름으로서는, 특별히 제한은 없고, 예컨대, 폴리에스테르 필름(폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등), 폴리프로필렌 필름(OPP(Oriented PolyPropylene) 필름 등), 폴리이미드 필름, 폴리에테르이미드 필름, 폴리에테르나프탈레이트 필름, 메틸펜텐 필름 등을 들 수 있다.The base film is not particularly limited, for example, a polyester film (polyethylene terephthalate film, etc.), a polypropylene film (OPP (Oriented PolyPropylene) film, etc.), a polyimide film, a polyetherimide film, a polyether naphthalate film. , Methylpentene film, etc. are mentioned.

필름형 접착제(10)의 두께는, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자, 및 기판의 배선 회로 등의 요철을 충분히 매립할 수 있도록, 20∼200 ㎛인 것이 바람직하다. 또한, 두께가 20 ㎛ 이상임으로써 충분한 접착력을 얻기 쉬워지고, 200 ㎛ 이하임으로써 반도체 장치의 소형화의 요구에 응하기 쉬워진다. 이러한 관점에서, 필름형 접착제(10)의 두께는 30∼200 ㎛인 것이 보다 바람직하고, 40∼150 ㎛인 것이 더욱 바람직하다.The thickness of the film adhesive 10 is preferably 20 to 200 µm so that irregularities such as the first wire and the first semiconductor element and the wiring circuit of the substrate can be sufficiently filled. Further, when the thickness is 20 µm or more, it becomes easy to obtain sufficient adhesive strength, and when it is 200 µm or less, it becomes easy to meet the demand for downsizing the semiconductor device. From this point of view, the thickness of the film adhesive 10 is more preferably 30 to 200 µm, and still more preferably 40 to 150 µm.

두꺼운 필름형 접착제(10)를 얻는 방법으로서는, 필름형 접착제(10)끼리를 접합시키는 방법을 들 수 있다.As a method of obtaining the thick film adhesive 10, a method of bonding the film adhesives 10 to each other is exemplified.

(접착 시트)(Adhesive sheet)

접착 시트(100)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 기재 필름(20) 상에 필름형 접착제(10)를 구비하는 것이다. 접착 시트(100)는, 필름형 접착제(10)를 얻는 공정에 있어서, 기재 필름(20)을 제거하지 않음으로써 얻을 수 있다.The adhesive sheet 100 is provided with a film adhesive 10 on the base film 20, as shown in FIG. 2. The adhesive sheet 100 can be obtained by not removing the base film 20 in the process of obtaining the film adhesive 10.

접착 시트(110)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 접착 시트(100)의 기재 필름(20)과는 반대측의 면에 또한 커버 필름(30)을 구비하는 것이다. 커버 필름(30)으로서는, 예컨대, PET 필름, PE 필름, OPP 필름 등을 들 수 있다.As shown in FIG. 3, the adhesive sheet 110 further includes a cover film 30 on a surface of the adhesive sheet 100 opposite to the base film 20. As the cover film 30, a PET film, a PE film, an OPP film, etc. are mentioned, for example.

필름형 접착제(10)는, 다이싱 테이프 상에 적층되어도 좋다. 이에 의해 얻어지는 다이싱·다이 본딩 일체형 접착 시트를 이용함으로써, 반도체 웨이퍼에의 라미네이트 공정을 한번에 행할 수 있고, 작업의 효율화가 가능하다.The film adhesive 10 may be laminated on a dicing tape. By using the dicing-die-bonding integrated adhesive sheet thus obtained, the lamination process to the semiconductor wafer can be performed at once, and the efficiency of the operation can be improved.

다이싱 테이프로서는, 예컨대, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 다이싱 테이프에는, 필요에 따라, 프라이머 처리, UV 처리, 코로나 방전 처리, 연마 처리, 에칭 처리 등의 표면 처리가 행해져 있어도 좋다.As a dicing tape, plastic films, such as a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, and a polyimide film, etc. are mentioned, for example. The dicing tape may be subjected to surface treatments such as primer treatment, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment, and etching treatment as necessary.

다이싱 테이프는 점착성을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 다이싱 테이프로서는, 상기 플라스틱 필름에 점착성을 부여한 것, 상기 플라스틱 필름의 한쪽 면에 점착제층을 형성한 것을 들 수 있다.It is preferable that the dicing tape has adhesiveness. Examples of such dicing tapes include those that impart adhesiveness to the plastic film and those in which an adhesive layer is formed on one side of the plastic film.

이러한 다이싱·다이 본딩 일체형 접착 시트로서는, 도 4에 도시된 접착 시트(120) 및 도 5에 도시된 접착 시트(130)를 들 수 있다. 접착 시트(120)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 인장 텐션을 가했을 때의 신장을 확보할 수 있는 기재 필름(40) 상에 점착제층(50)이 형성된 다이싱 테이프(60)를 지지 기재로 하고, 다이싱 테이프(60)의 점착제층(50) 상에, 필름형 접착제(10)가 형성된 구조를 갖고 있다. 접착 시트(130)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 접착 시트(120)에 있어서 필름형 접착제(10)의 표면에 또한 기재 필름(20)이 형성된 구조를 갖고 있다.As such a dicing-die bonding integral type adhesive sheet, the adhesive sheet 120 shown in FIG. 4 and the adhesive sheet 130 shown in FIG. 5 are mentioned. The adhesive sheet 120, as shown in FIG. 4, supports a dicing tape 60 having an adhesive layer 50 formed on a base film 40 that can secure elongation when a tensile tension is applied. It has a structure in which the film adhesive 10 is formed on the pressure-sensitive adhesive layer 50 of the dicing tape 60. The adhesive sheet 130 has a structure in which the base film 20 is further formed on the surface of the film adhesive 10 in the adhesive sheet 120 as shown in FIG. 5.

기재 필름(40)으로서는, 다이싱 테이프에 대해 기재한 상기 플라스틱 필름을 들 수 있다. 또한, 점착제층(50)은, 예컨대, 액상 성분 및 열가소성 성분을 포함하고 적당한 택(tack) 강도를 갖는 수지 조성물을 이용하여 형성할 수 있다. 다이싱 테이프(60)를 얻기 위해서는, 상기 수지 조성물을 기재 필름(40) 상에 도포하고 건조시켜 점착제층(50)을 형성하는 방법, PET 필름 등의 다른 필름 상에 일단 형성한 점착제층(50)을 기재 필름(40)과 접합시키는 방법 등을 들 수 있다.As the base film 40, the plastic film described for the dicing tape can be mentioned. In addition, the pressure-sensitive adhesive layer 50 may be formed using, for example, a resin composition containing a liquid component and a thermoplastic component and having an appropriate tack strength. In order to obtain the dicing tape 60, a method of forming the pressure-sensitive adhesive layer 50 by applying and drying the resin composition on the base film 40, the pressure-sensitive adhesive layer 50 once formed on another film such as a PET film. ) And the method of bonding the base film 40 to each other.

다이싱 테이프(60) 상에 필름형 접착제(10)를 적층하는 방법으로서는, 상기한 접착제 조성물의 바니시를 다이싱 테이프(60) 상에 직접 도포하여 건조시키는 방법, 바니시를 다이싱 테이프(60) 상에 스크린 인쇄하는 방법, 미리 필름형 접착제(10)를 제작하고, 이것을 다이싱 테이프(60) 상에, 프레스, 핫 롤 라미네이트에 의해 적층하는 방법 등을 들 수 있다. 연속적으로 제조할 수 있고, 효율이 좋은 점에서, 핫 롤 라미네이트에 의한 적층이 바람직하다.As a method of laminating the film adhesive 10 on the dicing tape 60, a method of directly applying the varnish of the above-described adhesive composition on the dicing tape 60 and drying it, and the dicing tape 60 A method of screen printing on the image, a method of preparing the film adhesive 10 in advance, and laminating this on the dicing tape 60 by pressing or hot roll lamination, etc. are mentioned. Lamination by hot roll lamination is preferable because it can be manufactured continuously and has good efficiency.

다이싱 테이프(60)의 두께는, 특별히 제한은 없고, 필름형 접착제(10)의 두께, 다이싱·다이 본딩 일체형 접착 시트의 용도 등에 따라 적절히, 당업자의 지식에 기초하여 정할 수 있다. 한편, 다이싱 테이프(60)의 두께가 60 ㎛ 이상임으로써, 취급성의 저하, 익스팬드에 의한 찢어짐 등을 억제하기 쉬운 경향이 있다. 한편, 다이싱 테이프의 두께가 180 ㎛ 이하임으로써, 경제성과 취급성의 좋음을 양립시키기 쉽다.The thickness of the dicing tape 60 is not particularly limited, and can be appropriately determined based on the knowledge of a person skilled in the art according to the thickness of the film adhesive 10 and the application of the integrated dicing/die bonding adhesive sheet. On the other hand, when the thickness of the dicing tape 60 is 60 µm or more, there is a tendency that it is easy to suppress a decrease in handling properties, tearing due to expansion, and the like. On the other hand, when the thickness of the dicing tape is 180 µm or less, it is easy to achieve both economy and good handling.

(반도체 장치)(Semiconductor device)

도 6은 반도체 장치를 도시한 단면도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 반도체 장치(200)는, 제1 반도체 소자(Wa) 상에, 제2 반도체 소자(Waa)가 중첩된 반도체 장치이다. 상세하게는, 기판(14)에, 제1 와이어(88)를 통해 1단째의 제1 반도체 소자(Wa)가 전기적으로 접속되고, 제1 반도체 소자(Wa) 상에, 제1 반도체 소자(Wa)의 면적보다 큰 2단째의 제2 반도체 소자(Waa)가 필름형 접착제(10)를 통해 압착됨으로써, 제1 와이어(88) 및 제1 반도체 소자(Wa)가 필름형 접착제(10)에 매립되어 이루어지는 와이어 매립형의 반도체 장치이다. 또한, 반도체 장치(200)에서는, 기판(14)과 제2 반도체 소자(Waa)가 또한 제2 와이어(98)를 통해 전기적으로 접속되고, 제2 반도체 소자(Waa)가 밀봉재(42)에 의해 밀봉되어 있다.6 is a cross-sectional view showing a semiconductor device. As shown in FIG. 6, the semiconductor device 200 is a semiconductor device in which a second semiconductor element Waa is superimposed on a first semiconductor element Wa. Specifically, the first semiconductor element Wa is electrically connected to the substrate 14 through the first wire 88, and on the first semiconductor element Wa, the first semiconductor element Wa The second semiconductor element (Waa) in the second stage larger than the area of) is pressed through the film adhesive 10, so that the first wire 88 and the first semiconductor element Wa are embedded in the film adhesive 10 It is a wire-embedded semiconductor device that is formed. Further, in the semiconductor device 200, the substrate 14 and the second semiconductor element Waa are also electrically connected through the second wire 98, and the second semiconductor element Waa is connected to the sealing material 42. It is sealed.

제1 반도체 소자(Wa)의 두께는, 10∼170 ㎛이고, 제2 반도체 소자(Waa)의 두께는 20∼400 ㎛이다. 필름형 접착제(10) 내부에 매립되어 있는 제1 반도체 소자(Wa)는, 반도체 장치(200)를 구동하기 위한 컨트롤러 칩이다.The thickness of the first semiconductor element Wa is 10 to 170 μm, and the thickness of the second semiconductor element Waa is 20 to 400 μm. The first semiconductor element Wa embedded in the film adhesive 10 is a controller chip for driving the semiconductor device 200.

기판(14)은, 표면에 회로 패턴(84, 94)이 각각 2개소씩 형성된 유기 기판(90)을 포함한다. 제1 반도체 소자(Wa)는, 회로 패턴(94) 상에 접착제(41)를 통해 압착되어 있고, 제2 반도체 소자(Waa)는, 제1 반도체 소자(Wa)가 압착되어 있지 않은 회로 패턴(94), 제1 반도체 소자(Wa), 및 회로 패턴(84)의 일부를 덮도록 필름형 접착제(10)를 통해 기판(14)에 압착되어 있다. 기판(14) 상의 회로 패턴(84, 94)에 기인하는 요철은, 필름형 접착제(10)에 의해 매립되어 있다. 그리고, 수지제의 밀봉재(42)에 의해, 제2 반도체 소자(Waa), 회로 패턴(84) 및 제2 와이어(98)가 밀봉되어 있다.The substrate 14 includes an organic substrate 90 in which two circuit patterns 84 and 94 are formed on the surface. The first semiconductor element Wa is pressed onto the circuit pattern 94 through an adhesive 41, and the second semiconductor element Waa is a circuit pattern in which the first semiconductor element Wa is not pressed ( 94), the first semiconductor element Wa, and a part of the circuit pattern 84 are pressed onto the substrate 14 through a film adhesive 10. The irregularities caused by the circuit patterns 84 and 94 on the substrate 14 are filled with the film adhesive 10. And the 2nd semiconductor element Waa, the circuit pattern 84, and the 2nd wire 98 are sealed by the sealing material 42 made of resin.

(반도체 장치의 제조 방법)(Method of manufacturing semiconductor device)

반도체 장치는, 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 제1 다이 본드 공정과, 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자의 한쪽 면에, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 첩부하는 라미네이트 공정과, 필름형 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 필름형 접착제가 제1 반도체 소자를 덮도록 배치하고, 필름형 접착제를 압착함으로써, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자를 필름형 접착제에 매립하는 제2 다이 본드 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법에 의해 제조된다. 이하, 반도체 장치(200)의 제조 순서를 예로서, 구체적으로 설명한다.The semiconductor device includes a first die bonding step of electrically connecting a first semiconductor element on a substrate through a first wire, and on one side of a second semiconductor element larger than the area of the first semiconductor element at 100°C. A lamination step of attaching a film adhesive having a shear stress relaxation rate of 40% to 85% after 0.1 second, and a second semiconductor element to which the film adhesive is affixed are arranged so that the film adhesive covers the first semiconductor element, It is manufactured by a method for manufacturing a semiconductor device including a second die bonding process in which the first wire and the first semiconductor element are embedded in the film adhesive by pressing the film adhesive. Hereinafter, a manufacturing procedure of the semiconductor device 200 will be described in detail as an example.

먼저, 도 7에 도시된 바와 같이, 기판(14) 상의 회로 패턴(94) 상에, 접착제(41) 부착 제1 반도체 소자(Waa)를 압착하고, 제1 와이어(88)를 통해 기판(14) 상의 회로 패턴(84)과 제1 반도체 소자(Wa)를 전기적으로 접속한다(제1 다이 본드 공정).First, as shown in FIG. 7, a first semiconductor element Waa with an adhesive 41 attached is pressed onto the circuit pattern 94 on the substrate 14, and the substrate 14 through the first wire 88 ) The circuit pattern 84 and the first semiconductor element Wa are electrically connected (first die bonding process).

다음으로, 반도체 웨이퍼(예컨대 8인치 사이즈)의 한쪽 면에, 접착 시트(100)를 라미네이트하고, 기재 필름(20)을 박리함으로써, 반도체 웨이퍼의 한쪽 면에 필름형 접착제(10)를 부착한다. 그리고, 필름형 접착제(10)에 다이싱 테이프(60)를 접합시킨 후, 소정 사이즈(예컨대 가로 세로 7.5 ㎜)로 다이싱하고, 다이싱 테이프(60)를 박리함으로써, 도 8에 도시된 바와 같이, 필름형 접착제(10)가 첩부된 제2 반도체 소자(Waa)를 얻는다(라미네이트 공정).Next, the adhesive sheet 100 is laminated on one side of the semiconductor wafer (eg, 8-inch size), and the base film 20 is peeled off, thereby attaching the film adhesive 10 to one side of the semiconductor wafer. Then, after bonding the dicing tape 60 to the film adhesive 10, dicing to a predetermined size (for example, 7.5 mm in width and height), and peeling the dicing tape 60, as shown in FIG. Likewise, the second semiconductor element Waa to which the film adhesive 10 was affixed is obtained (lamination process).

라미네이트 공정은, 50℃∼100℃에서 행하는 것이 바람직하고, 60℃∼80℃에서 행하는 것이 보다 바람직하다. 라미네이트 공정의 온도가 50℃ 이상이면, 반도체 웨이퍼와 양호한 밀착성을 얻을 수 있다. 라미네이트 공정의 온도가 100℃ 이하이면, 라미네이트 공정 중에 필름형 접착제(10)가 과도하게 유동하는 것이 억제되기 때문에, 두께의 변화 등을 야기하는 것을 방지할 수 있다.It is preferable to perform a lamination process at 50 degreeC-100 degreeC, and it is more preferable to perform it at 60 degreeC-80 degreeC. When the temperature of the lamination step is 50°C or higher, good adhesion to the semiconductor wafer can be obtained. When the temperature of the lamination process is 100°C or less, since excessive flow of the film adhesive 10 during the lamination process is suppressed, it is possible to prevent causing a change in thickness or the like.

다이싱 방법으로서는, 회전날을 이용하여 블레이드 다이싱하는 방법, 레이저에 의해 필름형 접착제(10) 또는 웨이퍼와 필름형 접착제(10)의 양방을 절단하는 방법, 또한 상온 또는 냉각 조건하에서의 신장 등 범용의 방법 등을 들 수 있다.As a dicing method, a method of blade dicing using a rotating blade, a method of cutting both the film adhesive 10 or the wafer and the film adhesive 10 by a laser, and stretching under normal temperature or cooling conditions, etc. The method of, etc. are mentioned.

그리고, 필름형 접착제(10)가 첩부된 제2 반도체 소자(Waa)를, 제1 반도체 소자(Wa)가 와이어(88)를 통해 접속된 기판(14)에 압착한다. 구체적으로는, 도 9에 도시된 바와 같이, 필름형 접착제(10)가 첩부된 제2 반도체 소자(Waa)를, 필름형 접착제(10)가 제1 반도체 소자(Wa)를 덮도록 배치하고, 계속해서, 도 10에 도시된 바와 같이, 제2 반도체 소자(Waa)를 기판(14)에 압착시킴으로써 기판(14)에 제2 반도체 소자(Waa)를 고정한다(제2 다이 본드 공정). 제2 다이 본드 공정은, 필름형 접착제(10)를 80℃∼180℃, 0.01∼0.50 ㎫의 조건으로 0.5∼3.0초간 압착하는 것이 바람직하다.Then, the second semiconductor element Waa to which the film adhesive 10 is affixed is press-bonded to the substrate 14 to which the first semiconductor element Wa is connected via a wire 88. Specifically, as shown in FIG. 9, the second semiconductor element Waa to which the film adhesive 10 is affixed is disposed so that the film adhesive 10 covers the first semiconductor element Wa, Subsequently, as shown in FIG. 10, the second semiconductor element Waa is fixed to the substrate 14 by pressing the second semiconductor element Waa onto the substrate 14 (a second die bonding process). In the 2nd die bonding process, it is preferable to press-bond the film adhesive 10 under conditions of 80 degreeC to 180 degreeC and 0.01 to 0.50 MPa for 0.5 to 3.0 seconds.

제2 다이 본드 공정에 있어서 발생할 수 있는 공극을 제거하는 것을 목적으로 하여, 제2 다이 본드 공정 후에, 필름형 접착제(10)를 60℃∼175℃, 0.3∼0.7 ㎫의 조건으로, 5분간 이상 가압 및 가열하는 공정을 실시해도 좋다. 이에 의해, 수율을 안정시키면서, 보다 용이하게 반도체 장치를 제조할 수 있다.For the purpose of removing voids that may occur in the second die-bonding process, after the second die-bonding process, the film-type adhesive 10 is applied at 60°C to 175°C and 0.3 to 0.7 MPa for 5 minutes or longer. You may perform the process of pressurizing and heating. Thereby, it is possible to manufacture a semiconductor device more easily while stabilizing the yield.

계속해서, 도 11에 도시된 바와 같이, 기판(14)과 제2 반도체 소자(Waa)를 제2 와이어(98)를 통해 전기적으로 접속한 후, 회로 패턴(84), 제2 와이어(98) 및 제2 반도체 소자(Waa) 전체를, 밀봉재(42)로 170℃∼180℃, 5∼8 ㎫의 조건으로 밀봉한다(밀봉 공정). 이러한 공정을 거침으로써 반도체 장치(200)를 제조할 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 11, after electrically connecting the substrate 14 and the second semiconductor element Waa through the second wire 98, the circuit pattern 84 and the second wire 98 And the entire second semiconductor element Waa is sealed with the sealing material 42 under conditions of 170°C to 180°C and 5 to 8 MPa (sealing step). The semiconductor device 200 can be manufactured by passing through such a process.

상기한 바와 같이, 반도체 장치(200)는, 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자가 전기적으로 접속되고, 제1 반도체 소자 상에, 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자가 압착되어 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 제2 반도체 소자를 압착하고, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자를 매립하기 위해서 이용되는, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 이용하여 제조된다. 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40% 이상인 필름형 접착제를 이용함으로써, 와이어, 반도체 소자 등의 형상에 추종할 수 있고, 매립성을 확보하는 것이 가능해진다. 또한, 전단 응력 완화율이 85% 이하인 필름형 접착제를 이용함으로써, 압착 시에 필름 형상을 고정시켜 둘 수 있고, 블리드를 억제하는 것이 가능해진다.As described above, in the semiconductor device 200, a first semiconductor element is electrically connected on a substrate through a first wire, and a second semiconductor element larger than the area of the first semiconductor element is on the first semiconductor element. In a semiconductor device obtained by compression bonding, the shear stress relaxation rate after 0.1 second at 100° C. used to press the second semiconductor element and bury the first wire and the first semiconductor element is 40% to 85%. It is manufactured using a film adhesive. By using a film adhesive having a shear stress relaxation rate of 40% or more after 0.1 second at 100°C, it becomes possible to follow the shape of a wire or a semiconductor element, and to ensure embedding. Further, by using a film adhesive having a shear stress relaxation rate of 85% or less, the shape of the film can be fixed during compression bonding, and bleed can be suppressed.

이상, 본 발명의 적합한 실시형태에 대해 설명하였으나, 본 발명은 반드시 전술한 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 이하와 같이 그 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경을 행해도 좋다.In the above, preferred embodiments of the present invention have been described, but the present invention is not necessarily limited to the above-described embodiments. For example, as follows, you may change suitably within a range not deviating from that purpose.

반도체 장치(200)에 있어서, 기판(14)은, 표면에 회로 패턴(84, 94)이 각각 2개소씩 형성된 유기 기판(90)이었으나, 기판(14)으로서는 이것에 한정되지 않고, 리드 프레임 등의 금속 기판을 이용해도 좋다.In the semiconductor device 200, the substrate 14 was an organic substrate 90 in which two circuit patterns 84 and 94 were formed on the surface, but the substrate 14 is not limited thereto, and a lead frame, etc. You may use a metal substrate of.

반도체 장치(200)는, 제1 반도체 소자(Wa) 상에 제2 반도체 소자(Waa)가 적층되어 있어, 2단으로 반도체 소자가 적층된 구성을 갖고 있었으나, 반도체 장치의 구성은 이것에 한정되지 않는다. 제2 반도체 소자(Waa) 위에 제3 반도체 소자가 더 적층되어 있어도 상관없고, 제2 반도체 소자(Waa) 위에 복수의 반도체 소자가 더 적층되어 있어도 상관없다. 적층되는 반도체 소자의 수가 증가함에 따라, 얻어지는 반도체 장치의 용량을 늘릴 수 있다.The semiconductor device 200 has a configuration in which a second semiconductor device Waa is stacked on the first semiconductor device Wa, and the semiconductor devices are stacked in two stages, but the configuration of the semiconductor device is not limited to this. Does not. It does not matter if a third semiconductor element is further stacked on the second semiconductor element Waa, or a plurality of semiconductor elements may be further stacked on the second semiconductor element Waa. As the number of stacked semiconductor elements increases, the capacity of the obtained semiconductor device can be increased.

본 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서는, 라미네이트 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼의 한쪽 면에, 도 2에 도시된 접착 시트(100)를 라미네이트하고, 기재 필름(20)을 박리함으로써, 필름형 접착제(10)를 부착하고 있었으나, 라미네이트 시에 이용하는 접착 시트는 이것에 한정되지 않는다. 접착 시트(100) 대신에, 도 4 및 5에 도시된 다이싱·다이 본딩 일체형 접착 시트(120, 130)를 이용할 수 있다. 이 경우, 반도체 웨이퍼를 다이싱할 때에 다이싱 테이프(60)를 별도로 부착할 필요가 없다.In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, in the laminating step, the adhesive sheet 100 shown in FIG. 2 is laminated on one side of the semiconductor wafer, and the base film 20 is peeled, thereby forming a film adhesive. Although (10) was attached, the adhesive sheet used at the time of lamination is not limited to this. Instead of the adhesive sheet 100, the dicing-die bonding integrated adhesive sheets 120 and 130 shown in Figs. 4 and 5 can be used. In this case, it is not necessary to separately attach the dicing tape 60 when dicing the semiconductor wafer.

라미네이트 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼가 아니라, 반도체 웨이퍼를 개편화(個片化)하여 얻어진 반도체 소자를, 접착 시트(100)에 라미네이트해도 상관없다. 이 경우, 다이싱 공정을 생략할 수 있다.In the laminating step, not a semiconductor wafer, but a semiconductor element obtained by dividing a semiconductor wafer into pieces may be laminated on the adhesive sheet 100. In this case, the dicing process can be omitted.

실시예Example

이하, 실시예를 들어 본 발명에 대해 보다 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것이 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples.

(실시예 및 비교예)(Examples and Comparative Examples)

표 1 및 표 2(단위: 질량부)에 따라, 열경화성 수지인 에폭시 수지 및 페놀 수지, 및 무기 필러를 각각 칭량하여 조성물을 얻고, 또한 시클로헥사논을 첨가하여 교반 혼합하였다. 이것에, 열가소성 수지인 아크릴 고무를 첨가하여 교반한 후, 또한 커플링제 및 경화 촉진제를 첨가하여 각 성분이 균일하게 될 때까지 교반하여, 바니시를 얻었다. 한편, 표 중의 각 성분의 품명은 하기의 것을 의미한다.According to Tables 1 and 2 (unit: parts by mass), thermosetting resins such as epoxy resin and phenol resin, and inorganic fillers were each weighed to obtain a composition, and cyclohexanone was added and stirred and mixed. After adding and stirring acrylic rubber which is a thermoplastic resin to this, a coupling agent and a hardening accelerator were further added, and it stirred until each component became uniform, and the varnish was obtained. In addition, the product name of each component in the table means the following.

(에폭시 수지)(Epoxy resin)

Celloxide 2021P: (상품명, 다이셀 가부시키가이샤 제조, 3',4'-에폭시시클로헥실메틸 3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트: 에폭시 당량 126, 상온에서 액체, 분자량 236)Celloxide 2021P: (brand name, manufactured by Daicel Corporation, 3',4'-epoxycyclohexylmethyl 3,4-epoxycyclohexanecarboxylate: epoxy equivalent 126, liquid at room temperature, molecular weight 236)

YDF-8170C: (상품명, 신닛카 에폭시 세이조 가부시키가이샤 제조, 비스페놀 F형 에폭시 수지: 에폭시 당량 159, 상온에서 액체, 중량 평균 분자량 약 310)YDF-8170C: (brand name, manufactured by Shin-Nikka Epoxy Seizo, Bisphenol F type epoxy resin: epoxy equivalent 159, liquid at room temperature, weight average molecular weight about 310)

YDCN-700-10: (상품명, 신닛카 에폭시 세이조 가부시키가이샤 제조, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지: 에폭시 당량 210, 연화점 75℃∼85℃)YDCN-700-10: (brand name, manufactured by Shin-Nikka Epoxy Seizo Co., Ltd., cresol novolak type epoxy resin: epoxy equivalent 210, softening point 75°C to 85°C)

HP-7000L: (상품명, DIC 가부시키가이샤 제조, 디시클로펜타디엔 변성 에폭시 수지: 에폭시 당량 242∼252, 연화점: 50℃∼60℃)HP-7000L: (brand name, manufactured by DIC Corporation, dicyclopentadiene-modified epoxy resin: epoxy equivalent 242 to 252, softening point: 50°C to 60°C)

VG-3101L: (상품명, 가부시키가이샤 프린테크 제조, 다작용 에폭시 수지: 에폭시 당량 210, 연화점 39℃∼46℃)VG-3101L: (brand name, manufactured by Printtech Co., Ltd., multifunctional epoxy resin: epoxy equivalent 210, softening point 39℃∼46℃)

(페놀 수지)(Phenolic resin)

HE-100C-30: (상품명, 에어·워터 가부시키가이샤 제조, 페놀 수지: 수산기 당량 175, 연화점 79℃, 흡수율 1 질량%, 가열 질량 감소율 4 질량%)HE-100C-30: (brand name, manufactured by Air Water Co., Ltd., phenolic resin: hydroxyl equivalent weight 175, softening point 79°C, water absorption rate 1 mass%, heating mass reduction rate 4 mass%)

레지톱 PSM-4326: (상품명, 군에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조, 페놀 수지: 수산기 당량 105, 연화점 118℃∼122℃, 흡수율 1 질량%)Reg-Top PSM-4326: (brand name, manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd., phenolic resin: hydroxyl equivalent weight 105, softening point 118°C to 122°C, water absorption 1% by mass)

(무기 필러)(Inorganic filler)

SC2050-HLG: (상품명, 아드마텍스 가부시키가이샤 제조, 실리카 필러 분산액: 평균 입경 0.50 ㎛)SC2050-HLG: (brand name, manufactured by Admatex Co., Ltd., silica filler dispersion: average particle diameter 0.50 µm)

아에로질 R972: (상품명, 닛폰 아에로질 가부시키가이샤 제조, 실리카: 평균 입경 0.016 ㎛).Aerosil R972: (trade name, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., silica: average particle diameter 0.016 µm).

(아크릴 고무)(Acrylic rubber)

HTR-860P-3CSP: (샘플명: 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조, 아크릴 고무: 중량 평균 분자량 80만, 글리시딜 작용기 모노머 비율 3 몰%, Tg 12℃)HTR-860P-3CSP: (Sample name: manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., acrylic rubber: weight average molecular weight 800,000, glycidyl functional group monomer ratio 3 mol%, Tg 12℃)

HTR-860P-3CSP Mw: 50: (샘플명: 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조, 아크릴 고무: 중량 평균 분자량 50만, 글리시딜 작용기 모노머 비율 3 몰%, Tg 12℃)HTR-860P-3CSP Mw: 50: (Sample name: Nagase Chemtex Co., Ltd. make, acrylic rubber: weight average molecular weight 500,000, glycidyl functional group monomer ratio 3 mol%, Tg 12°C)

HTR-860P-30B-CHN: (샘플명, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조, 아크릴 고무: 중량 평균 분자량 23만, 글리시딜 작용기 모노머 비율 8 질량%, Tg -7℃)HTR-860P-30B-CHN: (sample name, Nagase Chemtex Co., Ltd. make, acrylic rubber: weight average molecular weight 230,000, glycidyl functional group monomer ratio 8% by mass, Tg -7°C)

(커플링제)(Coupling agent)

A-189: (상품명, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬 고도가이샤 제조, γ-머캅토프로필트리메톡시실란)A-189: (brand name, Momentive Performance Materials, manufactured by Kodo Corporation, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane)

A-1160: (상품명, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬 고도가이샤 제조, γ-우레이드프로필트리에톡시실란)A-1160: (brand name, Momentive Performance Materials, manufactured by Kodo Corporation, γ-ureide propyltriethoxysilane)

(경화 촉진제)(Hardening accelerator)

큐어졸 2PZ-CN: (상품명, 시코쿠 가세이 고교 가부시키가이샤 제조, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸)Curesol 2PZ-CN: (trade name, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole)

Figure pct00001
Figure pct00001

Figure pct00002
Figure pct00002

다음으로, 얻어진 바니시를 100 메시의 필터로 여과하고, 진공 탈포하였다. 진공 탈포 후의 바니시를, 기재 필름인, 이형 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 38 ㎛) 상에 도포하였다. 도포한 바니시를, 90℃에서 5분간, 계속해서 140℃에서 5분간의 2단계로 가열 건조시켰다. 이렇게 해서, PET 필름 상에, B 스테이지 상태에 있는 두께 60 ㎛의 필름형 접착제를 구비한 접착 시트를 얻었다.Next, the obtained varnish was filtered through a 100 mesh filter and vacuum defoamed. The varnish after vacuum defoaming was applied onto a polyethylene terephthalate (PET) film (38 µm in thickness), which is a base film, which was subjected to a release treatment. The applied varnish was heated and dried at 90° C. for 5 minutes and then at 140° C. for 5 minutes in two steps. Thus, on the PET film, an adhesive sheet provided with a film adhesive having a thickness of 60 µm in a B stage state was obtained.

<각종 물성의 평가><Evaluation of various physical properties>

얻어진 필름형 접착제에 대해 하기와 같이 평가를 하였다. 평가 결과를 표 3 및 표 4에 나타낸다.The obtained film adhesive was evaluated as follows. The evaluation results are shown in Tables 3 and 4.

[전단 응력 완화율 측정][Shear stress relaxation rate measurement]

기재 필름을 박리 제거한 필름형 접착제를 복수 매 접합시키고, 두께 방향으로 가로 세로 10 ㎜로 펀칭하였다. 이에 의해 가로 세로 10 ㎜, 두께 360 ㎛의 필름형 접착제의 평가용 샘플을 얻었다. 동적 점탄성 장치 ARES(TA사 제조)에 직경 8 ㎜의 원형 알루미늄 플레이트 지그를 세트하고, 이 지그로 상기 평가용 샘플을 끼워 넣었다. 그 후, 평가용 샘플을 실온(30℃)으로부터 최대로 60℃/분의 승온 속도로 100℃까지 승온한 후, 10%의 변형을 부여하여 0.1초 경과 후의 전단 응력을 기록하였다. 이 응력을 초기 응력으로 규격화하고, 응력 완화율을 산출하였다.A plurality of film adhesives from which the base film has been peeled off were bonded to each other, and punched to a width of 10 mm in the thickness direction. Thereby, a sample for evaluation of a film adhesive having a width of 10 mm and a thickness of 360 µm was obtained. A circular aluminum plate jig having a diameter of 8 mm was set in a dynamic viscoelastic device ARES (manufactured by TA), and the sample for evaluation was sandwiched between the jig. Thereafter, the sample for evaluation was heated from room temperature (30° C.) to 100° C. at a maximum rate of 60° C./min, and then a strain of 10% was applied to record the shear stress after 0.1 second elapsed. This stress was normalized as the initial stress, and the stress relaxation rate was calculated.

[전단 점도 측정][Shear viscosity measurement]

전단 응력 완화율 측정과 동일하게 하여, 평가용 샘플에 대해 5%의 변형을 주파수 1 ㎐로 부여하면서, 5℃/분의 승온 속도로 실온(30℃)으로부터 140℃까지 승온시키면서 전단 점도를 측정하였다. 그리고, 120℃에서의 측정값을 기록하였다.In the same manner as the shear stress relaxation rate measurement, the shear viscosity was measured while raising the temperature from room temperature (30°C) to 140°C at a heating rate of 5°C/min while applying 5% strain to the sample for evaluation at a frequency of 1 Hz. I did. And, the measured value at 120°C was recorded.

[압착 후 매립성 평가][Evaluation of landfill after compression]

접착 시트의 필름형 접착제를 2장 접합시켜 두께 120 ㎛로 하고, 이것을 두께 100 ㎛의 반도체 웨이퍼(8인치)에 70℃에서 부착하였다. 다음으로, 이들을 가로 세로 7.5 ㎜로 다이싱하여, 접착 시트 부착 반도체 소자를 얻었다.Two film adhesives of the adhesive sheet were bonded to each other to a thickness of 120 µm, and this was attached to a 100 µm-thick semiconductor wafer (8 inches) at 70°C. Next, these were diced into 7.5 mm in width and height to obtain a semiconductor device with an adhesive sheet.

한편, 다이싱·다이 본딩 일체형 필름(히타치 가세이 가부시키가이샤 제조, HR-9004-10(두께 10 ㎛))을, 두께 50 ㎛의 반도체 웨이퍼(8인치)에 70℃에서 부착하였다. 다음으로, 이들을 가로 세로 3.0 ㎜로 다이싱하여, 상기한 일체형 필름 부착 칩을 얻었다. 일체형 필름 부착 칩을, 표면 요철이 최대 6 ㎛인 평가용 기판에, 120℃, 0.20 ㎫, 2초간의 조건으로 압착한 후, 120℃에서 2시간 가열하여 일체형 필름을 반경화시켰다. 이에 의해 칩 부착 기판을 얻었다.On the other hand, a dicing-die bonding integrated film (Hitachi Kasei Co., Ltd. product, HR-9004-10 (thickness 10 µm)) was attached to a 50 µm-thick semiconductor wafer (8 inches) at 70°C. Next, these were diced into 3.0 mm in width and height to obtain the above-described chip with integral film. The chip with the integral film was pressed onto a substrate for evaluation having a maximum surface irregularity of 6 µm under conditions of 120°C, 0.20 MPa, and 2 seconds, and then heated at 120°C for 2 hours to semi-cure the integrated film. Thereby, a board|substrate with a chip was obtained.

얻어진 칩 부착 기판에, 접착 시트 부착 반도체 소자를, 120℃, 0.20 ㎫, 1.5초간의 조건으로 압착하였다. 이때, 앞서 압착하고 있는 칩이, 접착 시트 부착 반도체 소자의 한가운데에 오도록 위치 맞춤을 하였다.The semiconductor element with an adhesive sheet was press-bonded to the obtained board|substrate with a chip under conditions of 120 degreeC, 0.20 MPa, and 1.5 seconds. At this time, the position was adjusted so that the chip which was previously crimped is in the middle of the semiconductor element with an adhesive sheet.

가열 후 실온까지 자연 방냉한 구조체를, 초음파 C-SCAN 화상 진단 장치(인사이트 가부시키가이샤 제조, 품번 IS350, 프로브: 75 ㎒)로 분석하여, 압착 후 매립성을 확인하였다. 압착 후 매립성은 이하의 기준에 의해 평가하였다.The structure, which was naturally cooled to room temperature after heating, was analyzed with an ultrasonic C-SCAN image diagnostic device (manufactured by Insight Co., Ltd., product number IS350, probe: 75 MHz), and the embedding property was confirmed after compression bonding. After pressing, the embedding property was evaluated according to the following criteria.

◎: 압착 필름 면적에 대한 공극 면적의 비율이 3% 미만.(Double-circle): The ratio of the void area to the compressed film area is less than 3%.

○: 압착 필름 면적에 대한 공극 면적의 비율이 3% 이상 5% 미만.○: The ratio of the void area to the compressed film area is 3% or more and less than 5%.

△: 압착 필름 면적에 대한 공극 면적의 비율이 5% 이상 8% 미만.?: The ratio of the void area to the compressed film area is 5% or more and less than 8%.

×: 압착 필름 면적에 대한 공극 면적의 비율이 8% 이상.X: The ratio of the void area to the compressed film area is 8% or more.

[블리드량 평가][Bleed amount evaluation]

압착 후 매립성 평가에서 얻어진 구조체를, 광학 현미경을 이용하여 바로 위에서 관찰하였다. 그리고, 반도체 소자의 가장자리를 시점으로 하여, 압착에 의해 반도체 소자의 가장자리로부터 압출된 필름형 접착제의 가장자리까지의 거리를 측장(測長)하였다. 측장은 현미경 부속의 화상 해석 소프트를 이용하여 행하고, 측장된 거리의 최대값을 블리드량으로 하였다. 한편, 압착 후 매립성이 × 및 △인 예에 대해서는 평가를 행하지 않았다.The structure obtained by evaluating the embedding property after compression was observed directly from above using an optical microscope. Then, taking the edge of the semiconductor element as a viewpoint, the distance from the edge of the semiconductor element to the edge of the extruded film adhesive by compression was measured. The measurement was performed using the image analysis software attached to the microscope, and the maximum value of the measured distance was taken as the bleed amount. On the other hand, evaluation was not performed about the example in which the embedding property after compression bonding was × and Δ.

Figure pct00003
Figure pct00003

Figure pct00004
Figure pct00004

10: 필름형 접착제, 14: 기판, 42: 수지(밀봉재), 88: 제1 와이어, 98: 제2 와이어, 200: 반도체 장치, Wa: 제1 반도체 소자, Waa: 제2 반도체 소자10: film adhesive, 14: substrate, 42: resin (sealing material), 88: first wire, 98: second wire, 200: semiconductor device, Wa: first semiconductor element, Waa: second semiconductor element

Claims (8)

기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 제1 다이 본드 공정과,
상기 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자의 한쪽 면에, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제를 첩부하는 라미네이트 공정과,
상기 필름형 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 상기 필름형 접착제가 상기 제1 반도체 소자를 덮도록 배치하고, 상기 필름형 접착제를 압착함으로써, 상기 제1 와이어 및 상기 제1 반도체 소자를 상기 필름형 접착제에 매립하는 제2 다이 본드 공정
을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법.A first die bonding process of electrically connecting a first semiconductor element on a substrate through a first wire,
A lamination step of affixing a film adhesive having a shear stress relaxation rate of 40% to 85% after 0.1 second at 100°C on one side of the second semiconductor element larger than the area of the first semiconductor element;
The second semiconductor element to which the film adhesive is affixed is disposed so that the film adhesive covers the first semiconductor element, and the film adhesive is pressed to form the first wire and the first semiconductor element into the film. 2nd die bonding process embedded in mold adhesive
A method for manufacturing a semiconductor device comprising a. 제1항에 있어서, 상기 필름형 접착제의, 120℃에 있어서의 전단 점도가 5000 ㎩·s 이하인 제조 방법.The production method according to claim 1, wherein the film adhesive has a shear viscosity at 120°C of 5000 Pa·s or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 필름형 접착제가 아크릴 수지 및 에폭시 수지를 포함하는 것인 제조 방법.The manufacturing method according to claim 1 or 2, wherein the film adhesive contains an acrylic resin and an epoxy resin. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필름형 접착제가 무기 필러 및 유기 필러 중 적어도 한쪽을 포함하는 것인 제조 방법.The manufacturing method according to any one of claims 1 to 3, wherein the film adhesive contains at least one of an inorganic filler and an organic filler. 기판 상에 제1 와이어를 통해 제1 반도체 소자가 전기적으로 접속되고, 상기 제1 반도체 소자 상에, 상기 제1 반도체 소자의 면적보다 큰 제2 반도체 소자가 압착되어 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 상기 제2 반도체 소자를 압착하고, 상기 제1 와이어 및 상기 제1 반도체 소자를 매립하기 위해서 이용되는, 100℃에 있어서의 0.1초 후의 전단 응력 완화율이 40%∼85%인 필름형 접착제.A semiconductor device comprising: a first semiconductor element is electrically connected to a substrate through a first wire, and a second semiconductor element larger than an area of the first semiconductor element is pressed onto the first semiconductor element. 2 A film adhesive having a shear stress relaxation rate of 40% to 85% after 0.1 second at 100°C, which is used for pressing a semiconductor element and embedding the first wire and the first semiconductor element. 제5항에 있어서, 120℃에 있어서의 전단 점도가 5000 ㎩·s 이하인 필름형 접착제.The film adhesive according to claim 5, wherein the shear viscosity at 120°C is 5000 Pa·s or less. 제5항 또는 제6항에 있어서, 아크릴 수지 및 에폭시 수지를 포함하는 필름형 접착제.The film adhesive according to claim 5 or 6, comprising an acrylic resin and an epoxy resin. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 무기 필러 및 유기 필러 중 적어도 한쪽을 포함하는 필름형 접착제.The film adhesive according to any one of claims 5 to 7, comprising at least one of an inorganic filler and an organic filler.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG11202008637UA (en) * 2018-03-08 2020-10-29 Hitachi Chemical Co Ltd Method for producing semiconductor device and film-like adhesive
CN117170005A (en) * 2023-08-19 2023-12-05 荣谕科技(成都)有限公司 Lens assembly and method of manufacture

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005103180A (en) 2003-10-02 2005-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Washing machine
JP2009120830A (en) 2007-10-24 2009-06-04 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive sheet, semiconductor device using the same, and method for manufacturing the device
JP2010040835A (en) * 2008-08-06 2010-02-18 Toshiba Corp Manufacturing method of multilayer semiconductor device
JP2012214526A (en) * 2011-03-28 2012-11-08 Hitachi Chemical Co Ltd Film adhesive, adhesive sheet and semiconductor apparatus
JP2014175459A (en) * 2013-03-08 2014-09-22 Hitachi Chemical Co Ltd Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
JP2016216562A (en) * 2015-05-18 2016-12-22 日東電工株式会社 Adhesive film, dicing tape-integrated adhesive film, double-layer film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11238856A (en) * 1998-02-23 1999-08-31 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor storage device, manufacture thereof and protective sheet used therefor
JP2004217859A (en) * 2003-01-17 2004-08-05 Hitachi Chem Co Ltd Method for manufacturing adhesive sheet, semiconductor device, and its manufacturing method
JP4599800B2 (en) * 2003-02-20 2010-12-15 日立化成工業株式会社 Adhesive sheet manufacturing method, semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2004323543A (en) * 2003-04-21 2004-11-18 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive composition for optical member, pressure-sensitive adhesive layer for optical member, adherent optical member and image display device
US8017444B2 (en) * 2004-04-20 2011-09-13 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive sheet, semiconductor device, and process for producing semiconductor device
JPWO2008105169A1 (en) * 2007-02-28 2010-06-03 住友ベークライト株式会社 Adhesive film for semiconductor and semiconductor device using the same
JP2010118554A (en) * 2008-11-13 2010-05-27 Nec Electronics Corp Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR20140142676A (en) * 2013-06-04 2014-12-12 닛토덴코 가부시키가이샤 Thermosetting die-bonding film, die-bonding film with dicing sheet, and process for producing semiconductor device
JP6114149B2 (en) * 2013-09-05 2017-04-12 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005103180A (en) 2003-10-02 2005-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Washing machine
JP2009120830A (en) 2007-10-24 2009-06-04 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive sheet, semiconductor device using the same, and method for manufacturing the device
JP2010040835A (en) * 2008-08-06 2010-02-18 Toshiba Corp Manufacturing method of multilayer semiconductor device
JP2012214526A (en) * 2011-03-28 2012-11-08 Hitachi Chemical Co Ltd Film adhesive, adhesive sheet and semiconductor apparatus
JP2014175459A (en) * 2013-03-08 2014-09-22 Hitachi Chemical Co Ltd Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
JP2016216562A (en) * 2015-05-18 2016-12-22 日東電工株式会社 Adhesive film, dicing tape-integrated adhesive film, double-layer film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

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