JPH11238856A - 半導体記憶装置、半導体記憶装置の製造方法及び該製造方法に用いる保護シート - Google Patents
半導体記憶装置、半導体記憶装置の製造方法及び該製造方法に用いる保護シートInfo
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- JPH11238856A JPH11238856A JP10040252A JP4025298A JPH11238856A JP H11238856 A JPH11238856 A JP H11238856A JP 10040252 A JP10040252 A JP 10040252A JP 4025298 A JP4025298 A JP 4025298A JP H11238856 A JPH11238856 A JP H11238856A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 不良メモリセルを予備のメモリセルに切り換
える冗長ヒューズ部を備えた半導体記憶装置において、
冗長ヒューズ部を封止する方法およびその封止材料を提
供する。 【解決手段】 ウエハ裏面の研磨工程において、ベース
テープと樹脂膜との積層構造からなる保護テープに接着
剤を塗布し、かかる保護テープをウエハ上に張り、研磨
工程後に剥がすことにより、接着剤が塗布された領域に
樹脂膜が残り、ウエハ表面の保護膜となる。
える冗長ヒューズ部を備えた半導体記憶装置において、
冗長ヒューズ部を封止する方法およびその封止材料を提
供する。 【解決手段】 ウエハ裏面の研磨工程において、ベース
テープと樹脂膜との積層構造からなる保護テープに接着
剤を塗布し、かかる保護テープをウエハ上に張り、研磨
工程後に剥がすことにより、接着剤が塗布された領域に
樹脂膜が残り、ウエハ表面の保護膜となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不良メモリセルを
予備のメモリセルに切り替える冗長ヒューズ部を備えた
半導体記憶装置において、該冗長ヒューズ部を封止した
半導体記憶装置に関する。
予備のメモリセルに切り替える冗長ヒューズ部を備えた
半導体記憶装置において、該冗長ヒューズ部を封止した
半導体記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体記憶装置の製造においては、製造
工程終了後に半導体記憶装置の検査を行い、一部のメモ
リセルに不良が発見された場合、半導体記憶装置が備え
る冗長ヒューズ部を切断して、不良メモリセルを予備の
メモリセルと切り換えて、半導体記憶装置全体が不良品
となることを防止し、製造歩留まりの向上を図ってい
る。図７は、冗長ヒューズ部の断面図であり、１はシリ
コン基板、２はＳｉＯ2膜、３はヒューズ配線、４はＳ
ｉＯ2膜、５はポリイミド等の基板保護膜を示す。図７
（ａ）に示すように、冗長ヒューズ部は、ＳｉＯ2膜４
に覆われたヒューズ配線３からなり、基板保護膜５の開
口部内に設けられており、検査により不良メモリセルが
発見された場合は、図７（ｂ）に示すように、レーザカ
ット等を用いてＳｉＯ2膜４、ヒューズ配線３を切断し
て、不良メモリセルが予備のメモリセルに置き換えられ
る。
工程終了後に半導体記憶装置の検査を行い、一部のメモ
リセルに不良が発見された場合、半導体記憶装置が備え
る冗長ヒューズ部を切断して、不良メモリセルを予備の
メモリセルと切り換えて、半導体記憶装置全体が不良品
となることを防止し、製造歩留まりの向上を図ってい
る。図７は、冗長ヒューズ部の断面図であり、１はシリ
コン基板、２はＳｉＯ2膜、３はヒューズ配線、４はＳ
ｉＯ2膜、５はポリイミド等の基板保護膜を示す。図７
（ａ）に示すように、冗長ヒューズ部は、ＳｉＯ2膜４
に覆われたヒューズ配線３からなり、基板保護膜５の開
口部内に設けられており、検査により不良メモリセルが
発見された場合は、図７（ｂ）に示すように、レーザカ
ット等を用いてＳｉＯ2膜４、ヒューズ配線３を切断し
て、不良メモリセルが予備のメモリセルに置き換えられ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】冗長ヒューズ部は、半
導体記憶装置完成後に切断する必要があるため、上部に
基板保護膜５を形成することができず、かかる開口部か
ら汚染物質や水分が侵入し、信頼性の低下を招く原因と
なっていた。これに対して、シリコン基板にガードリン
グ層を設けて、汚染物質等の侵入を防止する方法が検討
されているが、かかる方法では、半導体記憶装置の製造
工程の複雑化を招くとともに、ガードリング領域が形成
されることより集積化の妨げとなる。また、冗長ヒュー
ズ部の処理後に、開口部に別途、保護膜を形成する方法
も検討されているが、半導体記憶装置上にはパッド部分
のように保護膜から露出させなければならない領域があ
るため、かかる保護膜形成には、マスク合わせ等のフォ
トリソグラフィ工程が必要となり、製造工程が複雑化す
ることとなる。従って、集積化の妨げとならず、またフ
ォトリソグラフィのような複雑な工程を伴わないで、更
には、製造工程の工程数の増加を伴わず、冗長ヒューズ
部を封止する方法が必要とされる。そこで、本発明は、
冗長ヒューズ部を封止した半導体記憶装置、その製造方
法および該製造方法に用いる保護シートを提供すること
を目的とする。
導体記憶装置完成後に切断する必要があるため、上部に
基板保護膜５を形成することができず、かかる開口部か
ら汚染物質や水分が侵入し、信頼性の低下を招く原因と
なっていた。これに対して、シリコン基板にガードリン
グ層を設けて、汚染物質等の侵入を防止する方法が検討
されているが、かかる方法では、半導体記憶装置の製造
工程の複雑化を招くとともに、ガードリング領域が形成
されることより集積化の妨げとなる。また、冗長ヒュー
ズ部の処理後に、開口部に別途、保護膜を形成する方法
も検討されているが、半導体記憶装置上にはパッド部分
のように保護膜から露出させなければならない領域があ
るため、かかる保護膜形成には、マスク合わせ等のフォ
トリソグラフィ工程が必要となり、製造工程が複雑化す
ることとなる。従って、集積化の妨げとならず、またフ
ォトリソグラフィのような複雑な工程を伴わないで、更
には、製造工程の工程数の増加を伴わず、冗長ヒューズ
部を封止する方法が必要とされる。そこで、本発明は、
冗長ヒューズ部を封止した半導体記憶装置、その製造方
法および該製造方法に用いる保護シートを提供すること
を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、発明者らは鋭意
研究の結果、ウエハ裏面の研磨工程において、ベーステ
ープと樹脂膜との積層構造からなる保護テープに接着剤
を塗布し、かかる保護テープをウエハ上に張り付けて裏
面の研磨を行った後に剥がして、接着剤が塗布された領
域の樹脂膜をウエハ上に残すことにより、製造工程の増
加を伴うことなく冗長ヒューズ部を封止した半導体記憶
装置の製造が可能となることを見出し、本発明を完成し
た。
研究の結果、ウエハ裏面の研磨工程において、ベーステ
ープと樹脂膜との積層構造からなる保護テープに接着剤
を塗布し、かかる保護テープをウエハ上に張り付けて裏
面の研磨を行った後に剥がして、接着剤が塗布された領
域の樹脂膜をウエハ上に残すことにより、製造工程の増
加を伴うことなく冗長ヒューズ部を封止した半導体記憶
装置の製造が可能となることを見出し、本発明を完成し
た。
【０００５】即ち、本発明は、基板保護膜に開口部を設
けて露出させた冗長ヒューズ部を備え、該冗長ヒューズ
部を切断することにより不良メモリセルを予備のメモリ
セルに切り替える半導体記憶装置であって、少なくとも
上記冗長ヒューズ部を覆うように、接着剤により接着さ
れた保護膜を備え、該保護膜が、少なくともベーステー
プと樹脂膜との積層構造からなる保護シートから、上記
接着剤に接着させて切り取られた該樹脂膜からなること
を特徴とする半導体記憶装置である。樹脂膜を用いて冗
長ヒューズ部の封止を行うことにより、基板保護膜に設
けられた開口部内の冗長ヒューズ部からの汚染物質や水
分の侵入を防止することが可能となり、半導体記憶装置
の信頼性、特に、耐湿性の向上を図ることが可能とな
る。
けて露出させた冗長ヒューズ部を備え、該冗長ヒューズ
部を切断することにより不良メモリセルを予備のメモリ
セルに切り替える半導体記憶装置であって、少なくとも
上記冗長ヒューズ部を覆うように、接着剤により接着さ
れた保護膜を備え、該保護膜が、少なくともベーステー
プと樹脂膜との積層構造からなる保護シートから、上記
接着剤に接着させて切り取られた該樹脂膜からなること
を特徴とする半導体記憶装置である。樹脂膜を用いて冗
長ヒューズ部の封止を行うことにより、基板保護膜に設
けられた開口部内の冗長ヒューズ部からの汚染物質や水
分の侵入を防止することが可能となり、半導体記憶装置
の信頼性、特に、耐湿性の向上を図ることが可能とな
る。
【０００６】上記保護膜は、上記半導体記憶装置の電極
パッド部を除く領域全面に接着されてなるものであって
も良い。かかる構造とすることで、半導体記憶装置全体
の耐湿性等の向上が可能となるからである。
パッド部を除く領域全面に接着されてなるものであって
も良い。かかる構造とすることで、半導体記憶装置全体
の耐湿性等の向上が可能となるからである。
【０００７】上記保護膜が、上記樹脂膜に積層されたパ
ッシベーション膜を備え、該パッシベーション膜が、積
層された樹脂膜とパッシベーション膜とを有する上記保
護シートから、樹脂膜と積層した状態で切り取られたパ
ッシベーション膜からなるものであっても良い。ＳｉＮ
膜、ＳｉＯ2膜等のパッシベーション膜を備えることに
より、更に、耐湿性の向上が可能となるからである。
ッシベーション膜を備え、該パッシベーション膜が、積
層された樹脂膜とパッシベーション膜とを有する上記保
護シートから、樹脂膜と積層した状態で切り取られたパ
ッシベーション膜からなるものであっても良い。ＳｉＮ
膜、ＳｉＯ2膜等のパッシベーション膜を備えることに
より、更に、耐湿性の向上が可能となるからである。
【０００８】また、本発明は、ウエハ上の基板保護膜に
設けられた開口部内に露出した半導体記憶装置の冗長ヒ
ューズ部を、該ウエハの裏面研磨工程において、該ウエ
ハ表面をテープして封止する半導体記憶装置の製造方法
であって、少なくともベーステープと樹脂膜との積層構
造からなり、上記半導体記憶装置を形成したウエハの表
面上に張り付ける保護シートを準備する準備工程と、少
なくとも上記ウエハの上記冗長ヒューズ部および／また
は少なくとも上記樹脂膜の該冗長ヒューズ部を覆う領域
に接着剤を塗布する塗布工程と、上記接着剤を用いて、
上記ウエハの表面上に上記保護シートを張り付ける張り
付け工程と、上記保護シートで上記ウエハの表面を保護
しながら、該ウエハの裏面を研磨する研磨工程と、上記
接着剤上の上記樹脂膜が上記保護シートから切り取ら
れ、上記冗長ヒューズ部を覆って残るように、該保護シ
ートを剥がす剥離工程とを含むことを特徴とする半導体
記憶装置の製造方法でもある。かかる方法を用いること
により、フォトリソグラフィ工程のように厳格なマスク
合わせ工程が必要な工程を用いることなく、比較的簡単
な工程で、冗長ヒューズ部の封止が可能となり、半導体
記憶装置の信頼性を向上させることが可能となる。特
に、ウエハ裏面の研磨工程が、かかる封止工程を兼ねる
ため、製造工程の増加を伴わず、従って製造コストの上
昇を招かずに、半導体記憶装置の信頼性向上を図ること
が可能となる。なお、剪断強さとは、材料、ここでは樹
脂膜が、剪断応力に耐えることができる能力をいう。
設けられた開口部内に露出した半導体記憶装置の冗長ヒ
ューズ部を、該ウエハの裏面研磨工程において、該ウエ
ハ表面をテープして封止する半導体記憶装置の製造方法
であって、少なくともベーステープと樹脂膜との積層構
造からなり、上記半導体記憶装置を形成したウエハの表
面上に張り付ける保護シートを準備する準備工程と、少
なくとも上記ウエハの上記冗長ヒューズ部および／また
は少なくとも上記樹脂膜の該冗長ヒューズ部を覆う領域
に接着剤を塗布する塗布工程と、上記接着剤を用いて、
上記ウエハの表面上に上記保護シートを張り付ける張り
付け工程と、上記保護シートで上記ウエハの表面を保護
しながら、該ウエハの裏面を研磨する研磨工程と、上記
接着剤上の上記樹脂膜が上記保護シートから切り取ら
れ、上記冗長ヒューズ部を覆って残るように、該保護シ
ートを剥がす剥離工程とを含むことを特徴とする半導体
記憶装置の製造方法でもある。かかる方法を用いること
により、フォトリソグラフィ工程のように厳格なマスク
合わせ工程が必要な工程を用いることなく、比較的簡単
な工程で、冗長ヒューズ部の封止が可能となり、半導体
記憶装置の信頼性を向上させることが可能となる。特
に、ウエハ裏面の研磨工程が、かかる封止工程を兼ねる
ため、製造工程の増加を伴わず、従って製造コストの上
昇を招かずに、半導体記憶装置の信頼性向上を図ること
が可能となる。なお、剪断強さとは、材料、ここでは樹
脂膜が、剪断応力に耐えることができる能力をいう。
【０００９】上記塗布工程は、上記ウエハのパッド電極
部を除く領域および／または上記樹脂膜の該パッド電極
部を覆う領域を除いた領域に、上記接着剤を塗布する工
程であっても良い。かかる方法により、フォトリソグラ
フィ工程のように厳格なマスク合わせが必要となる工程
を用いることなく、冗長ヒューズ部に加えて、保護膜上
の封止も可能となり、半導体記憶装置の信頼性を向上さ
せることが可能となる。
部を除く領域および／または上記樹脂膜の該パッド電極
部を覆う領域を除いた領域に、上記接着剤を塗布する工
程であっても良い。かかる方法により、フォトリソグラ
フィ工程のように厳格なマスク合わせが必要となる工程
を用いることなく、冗長ヒューズ部に加えて、保護膜上
の封止も可能となり、半導体記憶装置の信頼性を向上さ
せることが可能となる。
【００１０】上記塗布工程は、上記樹脂膜の、上記接着
剤による接着領域を除く領域に、粘着剤を塗布する工程
を含むものであっても良い。更に、ウエハ裏面の研磨工
程における保護テープの密着性が向上し、ウエハ表面の
保護が強化されるからである。
剤による接着領域を除く領域に、粘着剤を塗布する工程
を含むものであっても良い。更に、ウエハ裏面の研磨工
程における保護テープの密着性が向上し、ウエハ表面の
保護が強化されるからである。
【００１１】上記準備工程が、上記樹脂膜に接してパッ
シベーション膜を備えた保護シートを準備する工程から
なり、上記剥離工程が、上記接着剤上の、上記樹脂膜お
よび上記パッシベーション膜が、上記保護シートから積
層状態で切り取られて残るように、上記保護シートを剥
がす工程であっても良い。
シベーション膜を備えた保護シートを準備する工程から
なり、上記剥離工程が、上記接着剤上の、上記樹脂膜お
よび上記パッシベーション膜が、上記保護シートから積
層状態で切り取られて残るように、上記保護シートを剥
がす工程であっても良い。
【００１２】また、本発明は、少なくともベーステープ
と樹脂膜との積層構造からなり、接着剤によりウエハ表
面に張り付けられ、該ウエハの裏面研磨工程において該
ウエハ表面を保護する保護シートであって、上記樹脂膜
と上記ベーステープとの接着強度及び該樹脂膜の剪断強
さよりも大きな接着強度を有し、少なくとも上記冗長ヒ
ューズ部を覆うように設けられた接着剤を用いて、上記
ウエハ上に接着し、剥がすことにより、該接着剤上の上
記樹脂膜が該保護シートから切り取られ、該ウエハ上に
残って保護膜となることを特徴とする保護シートでもあ
る。
と樹脂膜との積層構造からなり、接着剤によりウエハ表
面に張り付けられ、該ウエハの裏面研磨工程において該
ウエハ表面を保護する保護シートであって、上記樹脂膜
と上記ベーステープとの接着強度及び該樹脂膜の剪断強
さよりも大きな接着強度を有し、少なくとも上記冗長ヒ
ューズ部を覆うように設けられた接着剤を用いて、上記
ウエハ上に接着し、剥がすことにより、該接着剤上の上
記樹脂膜が該保護シートから切り取られ、該ウエハ上に
残って保護膜となることを特徴とする保護シートでもあ
る。
【００１３】上記保護シートは、上記樹脂膜の、上記接
着剤による接着領域を除く領域に、粘着剤が塗布された
ものであっても良い。ウエハ裏面の研磨工程における保
護シートとウエハ表面との密着性が向上するからであ
る。
着剤による接着領域を除く領域に、粘着剤が塗布された
ものであっても良い。ウエハ裏面の研磨工程における保
護シートとウエハ表面との密着性が向上するからであ
る。
【００１４】上記保護シートは、上記樹脂膜に接して、
上記接着剤の接着強度よりもその剪断強さが小さいパッ
シベーション膜が積層され、上記樹脂膜と上記パッシベ
ーション膜とが、上記保護シートから積層状態で切り取
られて、上記ウエハ上に残って保護膜となる保護シート
であっても良い。保護シートがパッシベーション膜を含
み、樹脂膜とパッシベーション膜とで冗長ヒューズ部等
を封止することにより、特に、耐湿性の向上が可能とな
る。
上記接着剤の接着強度よりもその剪断強さが小さいパッ
シベーション膜が積層され、上記樹脂膜と上記パッシベ
ーション膜とが、上記保護シートから積層状態で切り取
られて、上記ウエハ上に残って保護膜となる保護シート
であっても良い。保護シートがパッシベーション膜を含
み、樹脂膜とパッシベーション膜とで冗長ヒューズ部等
を封止することにより、特に、耐湿性の向上が可能とな
る。
【００１５】上記保護テープは、上記ベーステープと上
記樹脂膜との間に、該ベーステープにかかる衝撃を緩和
するための緩衝膜を備えるものであっても良い。
記樹脂膜との間に、該ベーステープにかかる衝撃を緩和
するための緩衝膜を備えるものであっても良い。
【００１６】
【発明の実施の形態】実施の形態１．本発明の実施の形
態１について、図１、２を参照しながら説明する。図１
（ａ）は、ＳｉＯ2膜４に覆われたヒューズ配線３から
なる冗長ヒューズ部を備えた半導体記憶装置に、保護テ
ープを張り付ける工程の断面図であり、図１（ｂ）は、
半導体記憶装置上に張り付けた保護テープを剥がし、冗
長ヒューズ上の保護膜を形成した半導体記憶装置の断面
図である。図中、図７と同一符号は、同一または相当箇
所を示し、６は接着剤、７は樹脂膜、８は緩衝膜、９は
ベーステープをそれぞれ示す。図１を用いて、本実施の
形態にかかる冗長ヒューズ部の封止方法について説明す
る。
態１について、図１、２を参照しながら説明する。図１
（ａ）は、ＳｉＯ2膜４に覆われたヒューズ配線３から
なる冗長ヒューズ部を備えた半導体記憶装置に、保護テ
ープを張り付ける工程の断面図であり、図１（ｂ）は、
半導体記憶装置上に張り付けた保護テープを剥がし、冗
長ヒューズ上の保護膜を形成した半導体記憶装置の断面
図である。図中、図７と同一符号は、同一または相当箇
所を示し、６は接着剤、７は樹脂膜、８は緩衝膜、９は
ベーステープをそれぞれ示す。図１を用いて、本実施の
形態にかかる冗長ヒューズ部の封止方法について説明す
る。
【００１７】まず、図１（ａ）に示すように、ベーステ
ープ９上に、緩衝膜８、樹脂膜７をそれぞれ積層形成し
た保護テープを準備する。かかる保護テープは、ウエハ
裏面研磨工程においてウエハ表面に張り付けて表面保護
を行っていた、従来のベーステープ９と緩衝膜８からな
る保護テープに、更に、樹脂膜７を積層形成したもので
ある。ここで、ベーステープ９には、ＯＰＰ（Oriented
Polypropylene）を用いることが好ましい。また、緩衝
膜８には、ＥＶＡ（Ethylene Vinyl Acetate）、ＰＥＴ
（Polyethylene Terephthalate）、ＰＥ（Polyethylen
e）、ＯＰＰ（Oriented Polypropylene）、ＰＶＣ（Pol
y Vinyl Chloride）から選択される材料を用いることが
好ましい。また、樹脂膜７には、ポリイミドを用いるこ
とが好ましい。
ープ９上に、緩衝膜８、樹脂膜７をそれぞれ積層形成し
た保護テープを準備する。かかる保護テープは、ウエハ
裏面研磨工程においてウエハ表面に張り付けて表面保護
を行っていた、従来のベーステープ９と緩衝膜８からな
る保護テープに、更に、樹脂膜７を積層形成したもので
ある。ここで、ベーステープ９には、ＯＰＰ（Oriented
Polypropylene）を用いることが好ましい。また、緩衝
膜８には、ＥＶＡ（Ethylene Vinyl Acetate）、ＰＥＴ
（Polyethylene Terephthalate）、ＰＥ（Polyethylen
e）、ＯＰＰ（Oriented Polypropylene）、ＰＶＣ（Pol
y Vinyl Chloride）から選択される材料を用いることが
好ましい。また、樹脂膜７には、ポリイミドを用いるこ
とが好ましい。
【００１８】次に、保護テープをウエハ上に張り付けた
場合に、冗長ヒューズ部に張り合わされる部分の樹脂膜
７上に、接着剤６を塗布する。接着剤６の接着強度は、
上記樹脂膜の剪断強さ及び該樹脂膜と上記ベーステープ
との接着強度より大きくなるように選択される。接着剤
６には、メタクリレート（Methacrylate）と２−エチル
・ヘキシル・アクリレート（2-ethyl hexyl acrylate）
との混同剤を用いることが好ましい。接着剤６の強度の
調整は、接着剤６を塗布する膜厚により行われ、接着剤
６の膜厚を増すことにより、接着強度を増すことができ
る。また、上記２種類の混同剤の混同比を変えることに
よっても、接着剤６の強度を調整することが可能であ
る。従って、上記樹脂膜の剪断強さ、及び該樹脂膜と上
記ベーステープとの接着強度を参照しながら、接着剤６
の膜厚を変えて、接着剤６の接着強度を調整することが
好ましい。なお、ベーステープ９と緩衝膜８とは、剥離
工程において発生する剪断応力により、切断されない程
度の強度を有することが必要である。
場合に、冗長ヒューズ部に張り合わされる部分の樹脂膜
７上に、接着剤６を塗布する。接着剤６の接着強度は、
上記樹脂膜の剪断強さ及び該樹脂膜と上記ベーステープ
との接着強度より大きくなるように選択される。接着剤
６には、メタクリレート（Methacrylate）と２−エチル
・ヘキシル・アクリレート（2-ethyl hexyl acrylate）
との混同剤を用いることが好ましい。接着剤６の強度の
調整は、接着剤６を塗布する膜厚により行われ、接着剤
６の膜厚を増すことにより、接着強度を増すことができ
る。また、上記２種類の混同剤の混同比を変えることに
よっても、接着剤６の強度を調整することが可能であ
る。従って、上記樹脂膜の剪断強さ、及び該樹脂膜と上
記ベーステープとの接着強度を参照しながら、接着剤６
の膜厚を変えて、接着剤６の接着強度を調整することが
好ましい。なお、ベーステープ９と緩衝膜８とは、剥離
工程において発生する剪断応力により、切断されない程
度の強度を有することが必要である。
【００１９】図２（ａ）は、チップ状態の半導体記憶装
置の上面図、図２（ｂ）は、複数の半導体記憶装置を形
成したウエハ２０の上面図、図２（ｃ）は、半導体記憶
装置に張り付けるための保護テープの樹脂膜７側の平面
図、図２（ｄ）は、保護テープ３０全体の平面図であ
る。図２（ａ）に示すように、半導体記憶装置は、マト
リックス状に形成されたメモリセル２３、その周辺に形
成された冗長ヒューズ部２２、アルミニウム等からなる
外部信号引き出し用パッド電極部２１等を備えており、
冗長ヒューズ部２２は、最終的に保護膜で封止されるこ
とが好ましい。一方、パッド電極部２３の表面は、露出
させておくことが必要である。メモリセル２３は、半導
体記憶装置作製後の検査工程を経て、不良メモリセルが
発見された場合は、かかるメモリセルに対応する冗長ヒ
ューズ部２２のヒューズ配線が、レーザカット等により
切断されて、かかる不良メモリセルは予備のメモリセル
に切り替えられる。
置の上面図、図２（ｂ）は、複数の半導体記憶装置を形
成したウエハ２０の上面図、図２（ｃ）は、半導体記憶
装置に張り付けるための保護テープの樹脂膜７側の平面
図、図２（ｄ）は、保護テープ３０全体の平面図であ
る。図２（ａ）に示すように、半導体記憶装置は、マト
リックス状に形成されたメモリセル２３、その周辺に形
成された冗長ヒューズ部２２、アルミニウム等からなる
外部信号引き出し用パッド電極部２１等を備えており、
冗長ヒューズ部２２は、最終的に保護膜で封止されるこ
とが好ましい。一方、パッド電極部２３の表面は、露出
させておくことが必要である。メモリセル２３は、半導
体記憶装置作製後の検査工程を経て、不良メモリセルが
発見された場合は、かかるメモリセルに対応する冗長ヒ
ューズ部２２のヒューズ配線が、レーザカット等により
切断されて、かかる不良メモリセルは予備のメモリセル
に切り替えられる。
【００２０】図２（ｃ）に示すように、保護シートの樹
脂膜７側に、接着剤６が塗布される。かかる接着剤６
は、保護シート３０を、図２（ｂ）に示すウエハ上に張
り付けた場合に、丁度、冗長ヒューズ部２２を覆うよう
な位置に塗布される。具体的には、図２（ａ）の点線で
表された位置を覆うように塗布することとなる。なお、
かかる接着剤６は、ウエハのみ、またはウエハと保護シ
ートの双方に塗布しても構わない。
脂膜７側に、接着剤６が塗布される。かかる接着剤６
は、保護シート３０を、図２（ｂ）に示すウエハ上に張
り付けた場合に、丁度、冗長ヒューズ部２２を覆うよう
な位置に塗布される。具体的には、図２（ａ）の点線で
表された位置を覆うように塗布することとなる。なお、
かかる接着剤６は、ウエハのみ、またはウエハと保護シ
ートの双方に塗布しても構わない。
【００２１】次に、接着剤６の塗布領域が、冗長ヒュー
ズ部２２を覆うように、ウエハ上に保護シートを張り付
ける。この場合、予め、保護シート３０にアラインメン
トマーク（図示せず）を設けておき、例えば、ウエハ２
０のオリフラに、かかるアラインメントマークが合うよ
うに保護シートを張り付けることにより、容易に、接着
剤６が、丁度、冗長ヒューズ部２２に位置するように張
り付けることができる。
ズ部２２を覆うように、ウエハ上に保護シートを張り付
ける。この場合、予め、保護シート３０にアラインメン
トマーク（図示せず）を設けておき、例えば、ウエハ２
０のオリフラに、かかるアラインメントマークが合うよ
うに保護シートを張り付けることにより、容易に、接着
剤６が、丁度、冗長ヒューズ部２２に位置するように張
り付けることができる。
【００２２】かかる、保護シートの接着は、接着剤６の
みで行っても良いが、従来のウエハ裏面の研磨工程にお
いて、保護シートをウエハ上に張り付けるために用いて
いたアクリル酸エステル等の粘着剤を、接着剤６が塗布
されない領域に塗布して張り付けても構わない。
みで行っても良いが、従来のウエハ裏面の研磨工程にお
いて、保護シートをウエハ上に張り付けるために用いて
いたアクリル酸エステル等の粘着剤を、接着剤６が塗布
されない領域に塗布して張り付けても構わない。
【００２３】次に、ウエハ２０上に、接着剤６を塗布し
た保護シート３０を張り付けた後に、かかる保護シート
３０でウエハ２０表面を保護しながらウエハ裏面の研磨
を行い、ウエハ２０の膜厚を減じる。かかる工程は、接
着剤６が硬化した後に行うことが好ましい。
た保護シート３０を張り付けた後に、かかる保護シート
３０でウエハ２０表面を保護しながらウエハ裏面の研磨
を行い、ウエハ２０の膜厚を減じる。かかる工程は、接
着剤６が硬化した後に行うことが好ましい。
【００２４】次に、図１（ｂ）に示すように、接着剤６
が硬化した後に、保護シート３０を剥がす。上述のよう
に、接着剤６の接着強度は、上記樹脂膜の剪断強さ、及
び該樹脂膜と上記ベーステープとの接着強度より大きく
なるように選択されるため、保護シート３０を剥がした
場合、接着剤６上の樹脂膜７は、接着剤６の周囲で大き
な剪断応力をうけて、かかる部分で切断される。また、
樹脂膜７と緩衝膜８との接着強度は、接着剤６と樹脂膜
７との接着強度より小さいため、樹脂膜７から緩衝膜８
が剥がれることとなる。この結果、図２（ｂ）に示すよ
うに、接着剤６上にのみ樹脂膜７が残り、開口部を封止
した保護膜とすることが可能となる。
が硬化した後に、保護シート３０を剥がす。上述のよう
に、接着剤６の接着強度は、上記樹脂膜の剪断強さ、及
び該樹脂膜と上記ベーステープとの接着強度より大きく
なるように選択されるため、保護シート３０を剥がした
場合、接着剤６上の樹脂膜７は、接着剤６の周囲で大き
な剪断応力をうけて、かかる部分で切断される。また、
樹脂膜７と緩衝膜８との接着強度は、接着剤６と樹脂膜
７との接着強度より小さいため、樹脂膜７から緩衝膜８
が剥がれることとなる。この結果、図２（ｂ）に示すよ
うに、接着剤６上にのみ樹脂膜７が残り、開口部を封止
した保護膜とすることが可能となる。
【００２５】このように、樹脂膜７を用いて冗長ヒュー
ズ部の封止を行うことにより、基板保護膜に設けられた
開口部内の冗長ヒューズ部からの汚染物質や水分の侵入
を防止することが可能となり、半導体記憶装置の信頼
性、特に耐湿性の向上を図ることが可能となる。特に、
従来から行われていたウエハ裏面の研磨工程が、かかる
封止工程を兼ねるため、製造工程の増加を伴わず、従っ
て製造コストの上昇を招かずに、半導体記憶装置の信頼
性向上を図ることが可能となる。
ズ部の封止を行うことにより、基板保護膜に設けられた
開口部内の冗長ヒューズ部からの汚染物質や水分の侵入
を防止することが可能となり、半導体記憶装置の信頼
性、特に耐湿性の向上を図ることが可能となる。特に、
従来から行われていたウエハ裏面の研磨工程が、かかる
封止工程を兼ねるため、製造工程の増加を伴わず、従っ
て製造コストの上昇を招かずに、半導体記憶装置の信頼
性向上を図ることが可能となる。
【００２６】実施の形態２．本発明の実施の形態２につ
いて、図３、４を参照しながら説明する。図３（ａ）
は、ＳｉＯ2膜４に覆われたヒューズ配線３からなる冗
長ヒューズ部を備えた半導体記憶装置に、保護シートを
張り付ける工程の断面図であり、図３（ｂ）は、半導体
記憶装置上に張り付けた保護シートを剥がした後の断面
図である。図中、図７と同一符号は、同一または相当箇
所を示し、また、１１はパッド電極を示す。
いて、図３、４を参照しながら説明する。図３（ａ）
は、ＳｉＯ2膜４に覆われたヒューズ配線３からなる冗
長ヒューズ部を備えた半導体記憶装置に、保護シートを
張り付ける工程の断面図であり、図３（ｂ）は、半導体
記憶装置上に張り付けた保護シートを剥がした後の断面
図である。図中、図７と同一符号は、同一または相当箇
所を示し、また、１１はパッド電極を示す。
【００２７】図４（ａ）は、チップ状態の半導体記憶装
置の上面図、図４（ｂ）は、複数の半導体記憶装置を形
成したウエハ２０の上面図、図４（ｃ）は、半導体記憶
装置に張り付ける保護シート３０の樹脂膜７側の平面
図、図４（ｄ）は、保護シート３０全体の平面図であ
る。上記実施の形態１では、冗長ヒューズ部２２にのみ
塗布していた接着剤６を、本実施の形態では、パッド電
極部２１以外の全面に塗布することが特徴である。パッ
ド電極部２１を除いた領域に接着剤６を塗布するのは、
外部と電気信号の受け渡しを行うパッド電極１１は、最
終的に電極表面が露出した構造にする必要があるためで
ある。具体的には、図４（ａ）の点線でかこまれた領域
以外の領域を覆って保護シート３０が接着されるよう
に、接着剤６を塗布する。なお、かかる接着剤６は、ウ
エハ２０のみ、またはウエハ２０と保護シート３０との
双方に塗布してもかまわない。
置の上面図、図４（ｂ）は、複数の半導体記憶装置を形
成したウエハ２０の上面図、図４（ｃ）は、半導体記憶
装置に張り付ける保護シート３０の樹脂膜７側の平面
図、図４（ｄ）は、保護シート３０全体の平面図であ
る。上記実施の形態１では、冗長ヒューズ部２２にのみ
塗布していた接着剤６を、本実施の形態では、パッド電
極部２１以外の全面に塗布することが特徴である。パッ
ド電極部２１を除いた領域に接着剤６を塗布するのは、
外部と電気信号の受け渡しを行うパッド電極１１は、最
終的に電極表面が露出した構造にする必要があるためで
ある。具体的には、図４（ａ）の点線でかこまれた領域
以外の領域を覆って保護シート３０が接着されるよう
に、接着剤６を塗布する。なお、かかる接着剤６は、ウ
エハ２０のみ、またはウエハ２０と保護シート３０との
双方に塗布してもかまわない。
【００２８】他の工程は、実施の形態１の場合と同様で
あり、図３（ａ）に示すように、接着剤６を塗布しない
部分が、丁度、パッド電極部１１に重なるように、保護
シート３０をウエハ２０上に張り付ける。続いて、かか
る保護シート３０でウエハ２０表面を保護しながらウエ
ハ裏面の研磨を行い、ウエハ２０の膜厚を減じる。かか
る工程は、接着剤６が硬化した後に行うことが好まし
い。
あり、図３（ａ）に示すように、接着剤６を塗布しない
部分が、丁度、パッド電極部１１に重なるように、保護
シート３０をウエハ２０上に張り付ける。続いて、かか
る保護シート３０でウエハ２０表面を保護しながらウエ
ハ裏面の研磨を行い、ウエハ２０の膜厚を減じる。かか
る工程は、接着剤６が硬化した後に行うことが好まし
い。
【００２９】次に、図３（ｂ）に示すように、保護シー
ト３０を剥がすことにより、接着剤６上には樹脂膜７が
残り、接着剤６を塗布しない領域、即ちパッド電極１１
上には樹脂膜７が残らず、パッド電極１１を露出させな
がら、冗長ヒューズ部を含む他のウエハ上に樹脂膜７を
形成することが可能となる。
ト３０を剥がすことにより、接着剤６上には樹脂膜７が
残り、接着剤６を塗布しない領域、即ちパッド電極１１
上には樹脂膜７が残らず、パッド電極１１を露出させな
がら、冗長ヒューズ部を含む他のウエハ上に樹脂膜７を
形成することが可能となる。
【００３０】この結果、冗長ヒューズ部からの汚染物質
や水分の侵入を防止できるとともに、他の領域も樹脂膜
７が積層形成され、かかる部分の保護を強化することが
可能となる。なお、本実施に形態においても、上記実施
の形態１と同様に、製造工程の増加を伴わないで、冗長
ヒューズ部の封止を行うことが可能となる。
や水分の侵入を防止できるとともに、他の領域も樹脂膜
７が積層形成され、かかる部分の保護を強化することが
可能となる。なお、本実施に形態においても、上記実施
の形態１と同様に、製造工程の増加を伴わないで、冗長
ヒューズ部の封止を行うことが可能となる。
【００３１】実施の形態３．本発明の実施の形態３につ
いて、図５、６を参照しながら説明する。本実施の形態
では、保護シートが、更に、緩衝膜８と樹脂膜７との間
に、接着剤６の接着強度よりその剪断強さが小さいパッ
シベーション膜１０を備えている。かかるパッシベーシ
ョン膜１０は、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ2膜等から形成される
ことが好ましい。本実施の形態にかかる保護シートで
は、樹脂膜７とパッシベーション膜１０とは、保護シー
トの剥離工程においても剥離しないように接着され、２
層で一体として機能する。
いて、図５、６を参照しながら説明する。本実施の形態
では、保護シートが、更に、緩衝膜８と樹脂膜７との間
に、接着剤６の接着強度よりその剪断強さが小さいパッ
シベーション膜１０を備えている。かかるパッシベーシ
ョン膜１０は、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ2膜等から形成される
ことが好ましい。本実施の形態にかかる保護シートで
は、樹脂膜７とパッシベーション膜１０とは、保護シー
トの剥離工程においても剥離しないように接着され、２
層で一体として機能する。
【００３２】図５（ａ）（ｂ）は、かかる保護シート
の、冗長ヒューズ部を覆う部分にのみ接着剤６を設けた
場合であり、上述の実施の形態１に対応する場合であ
る。また、図６（ａ）（ｂ）は、パッド電極１１を覆う
部分を除いた全領域に接着剤６を設けた場合であり、上
述の実施の形態２に対応する場合である。それぞれ、図
５（ｂ）、図６（ｂ）に示すように、樹脂膜７上に、更
にパッシベーション膜１０が積層形成されて、冗長ヒュ
ーズ部等を２層構造の保護膜で封止する構造となる。
の、冗長ヒューズ部を覆う部分にのみ接着剤６を設けた
場合であり、上述の実施の形態１に対応する場合であ
る。また、図６（ａ）（ｂ）は、パッド電極１１を覆う
部分を除いた全領域に接着剤６を設けた場合であり、上
述の実施の形態２に対応する場合である。それぞれ、図
５（ｂ）、図６（ｂ）に示すように、樹脂膜７上に、更
にパッシベーション膜１０が積層形成されて、冗長ヒュ
ーズ部等を２層構造の保護膜で封止する構造となる。
【００３３】このように、樹脂膜７の上に、更にパッシ
ベーション膜１０を積層して封止することにより、かか
るＳｉＮやＳｉＯ2等のパッシベーション膜１０は、耐
湿性が高いため、水分の侵入を更に低減でき、半導体記
憶装置の信頼性を向上させることが可能となる。
ベーション膜１０を積層して封止することにより、かか
るＳｉＮやＳｉＯ2等のパッシベーション膜１０は、耐
湿性が高いため、水分の侵入を更に低減でき、半導体記
憶装置の信頼性を向上させることが可能となる。
【００３４】なお、図５、６では、樹脂膜７の上にパッ
シベーション膜１０が積層された保護シートを用いた
が、樹脂膜７の下にパッシベーション膜１０を積層する
ことも可能である。
シベーション膜１０が積層された保護シートを用いた
が、樹脂膜７の下にパッシベーション膜１０を積層する
ことも可能である。
【００３５】また、本実施に形態にかかる樹脂膜７とパ
ッシベーション膜１０とを用いた封止工程が、従来の裏
面の研磨工程に含めて行うことができるため、上記実施
の形態１、２と同様に、製造工程の増加を伴わないで、
冗長ヒューズ部の封止を行うことが可能となる。
ッシベーション膜１０とを用いた封止工程が、従来の裏
面の研磨工程に含めて行うことができるため、上記実施
の形態１、２と同様に、製造工程の増加を伴わないで、
冗長ヒューズ部の封止を行うことが可能となる。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
にかかる半導体記憶装置では、冗長ヒューズ部が、樹脂
膜により封止されていることにより、基板保護膜に設け
られた開口部内に露出した冗長ヒューズ部からの汚染物
質や水分の侵入を防止することが可能となり、半導体記
憶装置の信頼性、特に耐湿性の向上を図ることが可能と
なる。
にかかる半導体記憶装置では、冗長ヒューズ部が、樹脂
膜により封止されていることにより、基板保護膜に設け
られた開口部内に露出した冗長ヒューズ部からの汚染物
質や水分の侵入を防止することが可能となり、半導体記
憶装置の信頼性、特に耐湿性の向上を図ることが可能と
なる。
【００３７】特に、パッシベーション膜が、樹脂膜に積
層された構造とすることにより、更に耐湿性が向上し、
半導体記憶装置の信頼性の向上を図ることが可能とな
る。
層された構造とすることにより、更に耐湿性が向上し、
半導体記憶装置の信頼性の向上を図ることが可能とな
る。
【００３８】また、本発明にかかる方法を用いることに
より、フォトリソグラフィ工程のような厳格なマスク合
わせが必要な工程を用いることなく、更に、製造工程の
増加を伴わず、冗長ヒューズ部の封止が可能となり、比
較的簡単な工程を用いて、半導体記憶装置の信頼性を向
上させることが可能となる。
より、フォトリソグラフィ工程のような厳格なマスク合
わせが必要な工程を用いることなく、更に、製造工程の
増加を伴わず、冗長ヒューズ部の封止が可能となり、比
較的簡単な工程を用いて、半導体記憶装置の信頼性を向
上させることが可能となる。
【００３９】特に、従来から行われていたウエハ裏面の
研磨工程が、封止工程を兼ねるため、製造工程の増加を
伴わず、半導体記憶装置の信頼性の向上を図ることが可
能となる。即ち、製造コストの増大を伴うことなく、半
導体記憶装置の信頼性の向上を図ることが可能となる。
研磨工程が、封止工程を兼ねるため、製造工程の増加を
伴わず、半導体記憶装置の信頼性の向上を図ることが可
能となる。即ち、製造コストの増大を伴うことなく、半
導体記憶装置の信頼性の向上を図ることが可能となる。
【００４０】また、本発明にかかる保護シートを用いる
ことにより、上述の冗長ヒューズ部の封止方法を容易に
行うことが可能となる。
ことにより、上述の冗長ヒューズ部の封止方法を容易に
行うことが可能となる。
【図１】 本発明の実施の形態１にかかる工程断面図で
ある。
ある。
【図２】 本発明の実施の形態１にかかる保護シートの
張り付け工程の概略図である。
張り付け工程の概略図である。
【図３】 本発明の実施の形態２にかかる工程断面図で
ある。
ある。
【図４】 本発明の実施の形態２にかかる保護シートの
張り付け工程の概略図である。
張り付け工程の概略図である。
【図５】 本発明の実施の形態３にかかる工程断面図で
ある。
ある。
【図６】 本発明の実施の形態３にかかる工程断面図で
ある。
ある。
【図７】 （ａ） 冗長ヒューズ部の断面図である。
（ｂ） 切断された冗長ヒューズ部の断面図である。
（ｂ） 切断された冗長ヒューズ部の断面図である。
１ シリコン基板、２ ＳｉＯ2膜、３ ヒューズ配
線、４ ＳｉＯ2膜、５保護膜、６ 接着剤、７ 樹脂
膜、８ 緩衝膜、９ 保護シート、１０ パッシベーシ
ョン膜、１１ パッド電極、２０ ウエハ、２１ 電極
部、２２ 冗長ヒューズ部、２３ メモリセル、３０
保護シート。
線、４ ＳｉＯ2膜、５保護膜、６ 接着剤、７ 樹脂
膜、８ 緩衝膜、９ 保護シート、１０ パッシベーシ
ョン膜、１１ パッド電極、２０ ウエハ、２１ 電極
部、２２ 冗長ヒューズ部、２３ メモリセル、３０
保護シート。
Claims (11)
- 【請求項１】 基板保護膜に開口部を設けて露出させた
冗長ヒューズ部を備え、該冗長ヒューズ部を切断するこ
とにより不良メモリセルを予備のメモリセルに切り替え
る半導体記憶装置であって、 少なくとも上記冗長ヒューズ部を覆うように、接着剤に
より接着された保護膜を備え、 該保護膜が、少なくともベーステープと樹脂膜との積層
構造からなる保護シートから、上記接着剤に接着させて
切り取られた該樹脂膜からなることを特徴とする半導体
記憶装置。 - 【請求項２】 上記保護膜が、上記半導体記憶装置の電
極パッド部を除く領域全面に接着されてなることを特徴
とする請求項１に記載の半導体記憶装置。 - 【請求項３】 上記保護膜が、上記樹脂膜に積層された
パッシベーション膜を備え、 該パッシベーション膜が、積層された樹脂膜とパッシベ
ーション膜とを有する上記保護シートから、樹脂膜と積
層した状態で切り取られたパッシベーション膜からなる
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体記憶装
置。 - 【請求項４】 ウエハ上の基板保護膜に設けられた開口
部内に露出した半導体記憶装置の冗長ヒューズ部を、該
ウエハの裏面研磨工程において、該ウエハ表面をテープ
して封止する半導体記憶装置の製造方法であって、 少なくともベーステープと樹脂膜との積層構造からな
り、上記半導体記憶装置を形成したウエハの表面上に張
り付ける保護シートを準備する準備工程と、 少なくとも上記ウエハの上記冗長ヒューズ部および／ま
たは少なくとも上記樹脂膜の該冗長ヒューズ部を覆う領
域に接着剤を塗布する塗布工程と、 上記接着剤を用いて、上記ウエハの表面上に上記保護シ
ートを張り付ける張り付け工程と、 上記保護シートで上記ウエハの表面を保護しながら、該
ウエハの裏面を研磨する研磨工程と、 上記接着剤上の上記樹脂膜が上記保護シートから切り取
られ、上記冗長ヒューズ部を覆って残るように、該保護
シートを剥がす剥離工程とを含むことを特徴とする半導
体記憶装置の製造方法。 - 【請求項５】 上記塗布工程が、上記ウエハのパッド電
極部を除く領域および／または上記樹脂膜の該パッド電
極部を覆う領域を除いた領域に、上記接着剤を塗布する
工程であることを特徴とする請求項４に記載の半導体記
憶装置の製造方法。 - 【請求項６】 上記塗布工程が、上記樹脂膜の、上記接
着剤による接着領域を除く領域に、粘着剤を塗布する工
程を含むことを特徴とする請求項４又は５に記載の半導
体記憶装置の製造方法。 - 【請求項７】 上記準備工程が、上記樹脂膜に接してパ
ッシベーション膜を備えた保護シートを準備する工程か
らなり、 上記剥離工程が、上記接着剤上の、上記樹脂膜および上
記パッシベーション膜が、上記保護シートから積層状態
で切り取られて残るように、上記保護シートを剥がす工
程であることを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記
載の半導体記憶装置の製造方法。 - 【請求項８】 少なくともベーステープと樹脂膜との積
層構造からなり、接着剤によりウエハ表面に張り付けら
れ、該ウエハの裏面研磨工程において該ウエハ表面を保
護する保護シートであって、 上記樹脂膜と上記ベーステープとの接着強度及び該樹脂
膜の剪断強さよりも大きな接着強度を有し、少なくとも
上記冗長ヒューズ部を覆うように設けられた接着剤を用
いて、上記ウエハ上に接着し、剥がすことにより、該接
着剤上の上記樹脂膜が該保護シートから切り取られ、該
ウエハ上に残って保護膜となることを特徴とする保護シ
ート。 - 【請求項９】 上記樹脂膜の、上記接着剤による接着領
域を除く領域に、粘着剤が塗布されたことを特徴とする
請求項８に記載の保護シート。 - 【請求項１０】 上記樹脂膜に接して、上記接着剤の接
着強度よりもその剪断強さが小さいパッシベーション膜
が積層され、 上記樹脂膜と上記パッシベーション膜とが、上記保護シ
ートから積層状態で切り取られて、上記ウエハ上に残っ
て保護膜となることを特徴とする請求項８又は９に記載
の保護シート。 - 【請求項１１】 上記ベーステープと上記樹脂膜との間
に、該ベーステープにかかる衝撃を緩和するための緩衝
膜を備えることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか
に記載の保護シート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10040252A JPH11238856A (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 半導体記憶装置、半導体記憶装置の製造方法及び該製造方法に用いる保護シート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10040252A JPH11238856A (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 半導体記憶装置、半導体記憶装置の製造方法及び該製造方法に用いる保護シート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238856A true JPH11238856A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12575507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10040252A Pending JPH11238856A (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 半導体記憶装置、半導体記憶装置の製造方法及び該製造方法に用いる保護シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11238856A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111630642A (zh) * | 2018-01-30 | 2020-09-04 | 日立化成株式会社 | 半导体装置的制造方法及膜状粘接剂 |
-
1998
- 1998-02-23 JP JP10040252A patent/JPH11238856A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111630642A (zh) * | 2018-01-30 | 2020-09-04 | 日立化成株式会社 | 半导体装置的制造方法及膜状粘接剂 |
| CN111630642B (zh) * | 2018-01-30 | 2023-05-26 | 株式会社力森诺科 | 半导体装置的制造方法及膜状粘接剂 |
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