JP4422380B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置技術に関し、特に、半導体装置のパッケージング技術に適用して有効な技術に関するものである。
背景技術
電子機器の小型・軽量化に伴い、半導体装置のパッケージについても薄型化や小型・軽量化が求められている。CSP(Chip Size Package)は、半導体チップのサイズと同等またはわずかに大きいパッケージの総称であり、小型・軽量化を実現できる上、内部の配線長を短くすることができるので、信号遅延や雑音等を低減できるパッケージ構造として実用化されている。CSPの製造方法は、種々あるが、半導体ウエハから半導体チップを切り出した後、その半導体チップを、半導体チップと同等またはわずかに大きな配線基板上に搭載し、その状態で樹脂封止するのが一般的である。
一方、このようなCSPの他の製造技術として、ウエハプロセスパッケージ(Wafer Process Package;以下、WPPと略す)技術がある。この技術は、ウエハプロセスを経て半導体ウエハに形成された複数の半導体チップを、半導体ウエハの状態のまま一括して樹脂封止する技術である。この技術においては、製造工程を簡略化でき、製造コストを低減でき、さらに、CSPを大幅に小型化することができるという優れた特徴がある。しかし、このWPPにおいては、半導体ウエハの複数の半導体チップを一括して樹脂封止した後、その半導体ウエハから個々の半導体チップを切り出すので、半導体チップの側面および裏面は樹脂封止されない。このため、半導体装置の耐湿性や光遮光性等のようなパッケージ特性の向上が阻害される課題がある。
なお、この種の技術については、例えば日経BP社、1998年4月1日発行、「日経マイクロデバイス1998年4月号」p164〜p167に記載があり、ウエハプロセスにおいてパッケージの組立を行うCSPの製造技術が開示されている。
また、本発明者は本発明の結果に基づいて半導体装置のパッケージの観点で公知例を調査した結果、例えば特開昭56−74934号公報には、半導体ウエハをダイシング後、半導体チップの側面および略全面にパラフィン系樹脂で被覆し、さらにその接続用パッドと外部リードとを熱圧着法によってボンディングするTAB(Tape Automated Bonding)方式の半導体装置の製造技術が開示されているが、後に詳細説明するように、本発明は、開示されていない。
本発明の目的は、半導体装置のパッケージの耐湿性を向上させることのできる技術を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、半導体装置のパッケージの遮光性を向上させることのできる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
発明の開示
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
すなわち、本発明は、半導体ウエハを複数の半導体チップに分割する工程と、前記複数の半導体チップを一括して封止樹脂によって封止する工程と、前記複数の半導体チップ間の封止樹脂を切断することによって半導体チップの側面に封止樹脂が残された半導体装置を得る工程とを有するものである。
また、本発明は、半導体ウエハの各チップ形成領域に複数のボンディングパッドを形成する工程と、前記複数のボンディングパッドに再配線を接続する工程と、前記再配線を覆うように前記半導体ウエハ上に第1封止樹脂を堆積し、複数のチップ形成領域を一括して封止する工程と、その一括封止工程後の半導体ウエハを複数の半導体チップに分割する工程と、前記複数の半導体チップを一括して封止樹脂によって封止する工程と、前記複数の半導体チップ間の封止樹脂を切断することによって半導体チップの側面に封止樹脂が残された半導体装置を得る工程とを有するものである。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する(なお、実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する)。
(実施の形態1)
本実施の形態1においては、本発明の技術思想を、例えば例えば携帯電話、携帯型パーソナルコンピュータまたは携帯型の情報処理装置等のような小型・携帯型の電子装置に用いるCSP型の半導体装置の製造方法に適用した場合について説明する。
本実施の形態1の半導体装置の製造方法は、例えばCSP型の半導体装置の製造方法であって、半導体ウエハの分割領域を切断することにより個々の半導体チップを分割した後、その個々の半導体チップの隣接間に封止樹脂を充填し、さらに、その封止樹脂を切断することにより個々のCSP型の半導体装置を製造する技術である。
図1(a)〜(c)は、本実施の形態1の半導体装置の製造工程におけるウエハ・プロセス後の半導体ウエハ1を示している。ウエハ・プロセスは、前工程ともいわれ、鏡面研磨を施した半導体ウエハ1の主面上に半導体素子を形成し、配線層を形成し、表面保護膜を形成した後、半導体ウエハ1に形成された複数のチップ形成領域1CAの各々の電気的試験をプローブ等により行える状態にするまでの工程を言う。半導体ウエハ1は、図1(a)〜(c)に示すように、例えば平面略円形状に形成され、その主面には、例えば四角形状の複数のチップ形成領域1CAが、スクライブライン(分割領域)SLを隔てて、図1(a)の上下左右方向に規則的に並んで配置されている。すなわち、この段階では複数のチップ形成領域1CAが一体的に形成され分割されていない。この半導体ウエハ1の半導体基板1sは、例えばシリコン単結晶からなり、その主面のチップ形成領域1CAには、例えばMISFET(Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)等のような複数の半導体素子が形成されている。また、半導体基板1sの主面上には配線層Lが形成されている。この配線層Lには、複数の配線層が形成されている。各配線層には配線2a,2bが形成されている。配線2a,2bは、例えばアルミニウム、アルミニウム−銅合金またはアルミニウム−シリコン−銅合金等からなる。配線層Lには層間絶縁膜3(3a,3b)が形成されている。層間絶縁膜3(3a,3b)は、例えば酸化シリコンからなる。異なる配線層の配線2a,2bは、層間絶縁膜3aに形成されたスルーホール4を通じて互いに電気的に接続されている。配線層Lのうち、最上の配線層の配線2bの表面は、表面保護膜5によって被覆されている。表面保護膜5は、例えば酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜が堆積されてなる。さらに、その窒化シリコン膜上に、例えばポリイミド系の樹脂を被着しても良い。この場合、例えばα線の阻止能力を向上させることが可能となる。表面保護膜5の一部には、最上の配線層における配線2bの一部が露出するような開口部(第1開口部)6が形成されており、その開口部6から露出する配線部分がボンディングパッドBPを形成している。ボンディングパッドBPは、例えば各チップ形成領域1CAの外周近傍にその外周に沿って複数並んで配置されている。このボンディングパッドBPは、チップ形成領域1CAに形成された上記半導体素子や回路等の電極を外部に引き出す電極である。上記チップ形成領域1CAの電気的試験は、各チップ形成領域1CAのボンディングパッドBPにプローブ等を接触させた状態で行われる。このボンディングパッドBPには、下地金属膜7を介して断面凸状のバンプ電極(導体部、突起電極)8が電気的に接続されている。下地金属膜7は、例えば金、アルミニウム、銀またはニッケルからなる。また、バンプ電極8は、例えば金、銀または鉛−錫等からなる。バンプ電極8の高さは、たとえば数十〜数百μm程度である。
続いて、図2に示すウエハ保持部材9を用意する。ウエハ保持部材9は、平面枠状のウエハフレーム9aと、その開口領域から接着面が露出されるようにウエハフレーム9aの裏面に接着されたウエハシート9bとを有している。このウエハシート9bに、半導体ウエハ1の裏面を貼り付けることで半導体ウエハ1をウエハ保持部材9により保持する。その後、半導体ウエハ1をウエハ保持部材9に保持したまま、ダイサにより半導体ウエハ1のスクライブラインSLに沿って分割することにより、半導体ウエハ1を図3に示すように個々の半導体チップ1Cに分割する。この際、半導体ウエハ1を完全に切断する(フルカット方式)。さらに、その後、ウエハシート9bを面内均等に引き延ばすことにより、半導体チップ1Cの隣接間隔を広げる。この隣接間隔Dは、例えば0.05〜0.2mm程度である。
次いで、図4に示すように、複数の半導体チップ1Cをウエハ保持部材9で保持したまま、その半導体チップ1Cの主面(素子形成面またはバンプ電極8の形成面)とフレーム10Aとを対向させる。このフレーム10Aは、例えば厚さ0.1mm程度の銅、銅合金または42アロイ等のような金属薄板からなり、その平面形状は、図5(a)に示すように、半導体ウエハ1よりも大径の平面略円形状に形成されている。フレーム10Aには、複数のリードパターン群10ALが、上記分割された複数の半導体チップ1Cの各々の平面位置に対応するように、図5(a)の上下左右方向に規則的に並んで繰り返し配置されている。各リードパターン群10ALには、平面帯状に形成された複数のリード配線10AL1が中央の開口領域10AL2から外周の方向に向かって延在するようにパターニングされている。このリード配線10AL1は、半導体チップ1Cの微細なバンプ電極8と、配線基板のランドとの寸法を整合しながら双方を電気的に接続する機能を有している。
次いで、図6に示すように、分割された複数の半導体チップ1Cをフレーム10Aに実装する。すなわち、半導体チップ1Cのバンプ電極8とフレーム10Aのリード配線10AL1とを接続する。続いて、ウエハ保持部材9を半導体チップ1Cから引き離す。その後、図7に示すように、フレーム10Aをその平面中心を軸として回転させながら分割された複数の半導体チップ1Cの裏面側から例えばポリイミド樹脂またはエポキシ樹脂からなる封止用樹脂(封止用絶縁膜)11を塗布する。これにより、図8(a),(b)に示すように、分割された複数の半導体チップ1Cの各々の表面、すなわち、各半導体チップ1Cの主面、側面および裏面が封止樹脂11によって覆われ、各半導体チップ1Cの隣接間に封止樹脂11が充填される。その後、図9に示すように、互いに隣接する半導体チップ1Cの隣接間にダイシング刃12を当てて切断することにより、各半導体チップ1Cを切り出す。これにより、図10に示すように、CSP型の半導体装置13Aを得る。パッケージ(封止樹脂11)の厚さは、例えば0.1〜0.4mm程度である。図10(a)は、その半導体装置13Aの平面図、(b)は図10(a)のA−A線の断面図である。本実施の形態1においては、半導体チップ1Cの表面(主面、裏面および側面)全体が封止樹脂11によって覆われている。このように半導体チップ1Cの側面をも封止樹脂11によって覆うことにより、例えば半導体チップの主面のみしか封止しないCSP構造に比べて、耐湿性を向上させることができる。また、例えば半導体チップの主面のみしか封止しないCSP構造の場合、その半導体チップを搬送する際等に何らかの衝撃により半導体チップ1Cの裏面が欠けたり割れたりする場合があるが、本実施の形態1においては半導体チップ1Cの裏面も封止樹脂11によって覆われているので、半導体チップ1Cの裏面の損傷を抑制または防止することができる。このため、半導体チップ1Cの取り扱いを容易にすることができる。また、半導体チップ1Cの側面をも封止樹脂11によって覆うことにより、封止樹脂11と半導体チップ1Cとの接着強度を向上させることができ、封止樹脂の剥離を抑制できる。また、半導体チップ1Cの側面に封止樹脂11が形成されているので、薄くても機械的強度を確保できる。さらに、半導体チップ1Cの裏面をも封止樹脂11によって封止することにより、遮光性を向上させることもできる。特に、封止樹脂11の材料をポリイミド系の樹脂としたことにより、遮光性およびα線等の抑制および阻止能力を向上させることができる。また、封止樹脂11の材料をエポキシ樹脂とすることにより、耐湿性を向上させることができる。さらに、封止樹脂11の材料として、例えば無水酸性系樹脂を用いることができる。このように、本実施の形態1においては、CSP構造を実現したまま、封止性能(パッケージ特性)を向上させることができる。
また、図10(a),(b)に示すように、半導体チップ1Cのバンプ電極8と電気的に接続されたリード配線10AL1は、パッケージ(封止樹脂11)の実装面および側面(実装面に対して交差する面)の一部から露出されている。図11は、半導体装置13Aを配線基板14上に実装した状態を示している。半導体装置13Aのリード配線10AL1は、配線基板14のランド14aと接合部材15を介して接合され互いに電気的に接続されている。本実施の形態1においては、半導体装置13Aのパッケージの側面からもリード配線10AL1が露出されているので、半導体装置13Aを実装した場合に、その露出部分においてリード配線10AL1とランド14aとが接続されているか否かを容易に判断することができる。
(実施の形態2)
次に、本発明の他の実施の形態を説明する。
図12(a)〜(d)は、本実施の形態2のCSP型の半導体装置の製造工程における半導体ウエハ1を示している。本実施の形態2においては、ウエハ・プロセス後、各チップ形成領域1CA毎に複数のリード配線(導体部)16をパターン形成する。リード配線16は、前記実施の形態1のリード配線10AL1(図5参照)と同様の機能を有しており、例えば銅またはアルミニウム等からなり、ボンディングパッドBPに電気的に接続されている。リード配線16の形成方法は、例えば次の通りである。まず、表面保護膜5上に、リード配線形成用の導体膜をスパッタリング法等によって堆積する。その導体膜の材料を銅とした場合には、銅の堆積に先立って、例えばチタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタルまたはクロム等のような導体膜を堆積する。これは、銅の拡散を抑制または防止するためと、導体膜と表面保護膜5との密着性を向上させるためである。続いて、リード配線形成用の導体膜を通常のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によってパターニングすることにより、リード配線16aを形成する。その後、表面保護膜5上に、リード配線16aの露出表面を覆うように絶縁膜を堆積した後、その絶縁膜にリード配線16aの一部およびボンディングパッドBPが露出するような接続孔をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によって穿孔する。次いで、その絶縁膜上にリード配線形成用の導体膜をスパッタリング法等によって堆積した後、その導体膜を通常のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によってパターニングすることにより、リード配線16bを形成する。リード配線16bは接続孔を通じてリード配線16aまたはボンディングパッドBPと電気的に接続されている。続いて、その絶縁膜を選択的にエッチング除去する。このようにして表面が露出されたリード配線16を形成する。
このような半導体ウエハ1を、前記実施の形態1と同様に、ウエハ保持部材9(図2参照)に保持した後、個々の半導体チップ1Cに分割し、個々の半導体チップ1C間を離間させ、さらに、図13に示すように、分割された複数の半導体チップ1Cの主面をフレーム10Bに対向させ、図14に示すように、各半導体チップ1Cをフレーム10Bに仮に貼り付け、ウエハ保持部材9を引き離す。この場合のフレーム10Bは前記実施の形態1において説明したフレーム10A(図5参照)とは異なり、パターンは形成されておらず、半導体ウエハ1よりも大径の平面略円形状の平坦な薄板からなる。したがって、本実施の形態2の場合は、前記実施の形態1の場合に比べて、半導体チップ1Cのリード配線16とフレーム10Bとの相対的な位置合わせ精度を緩和させることができる。
続いて、前記実施の形態1と同様に、図15に示すように、フレーム10Bをその平面中心を軸として回転させながら分割された複数の半導体チップ1Cの裏面側から封止用樹脂11を塗布する。これにより、前記実施の形態1と同様に、分割された複数の半導体チップ1Cの各々の表面、すなわち、各半導体チップ1Cの主面、側面および裏面を封止樹脂11によって覆い、各半導体チップ1Cの隣接間に封止樹脂11を充填する。その後、半導体チップ1C間の封止樹脂11部分を切断することにより、各半導体チップ1Cを切り出す。この際、本実施の形態2においては、フレーム10Bを付けたまま切断処理を行っても良いし、フレーム10Bを外してから切断処理を行っても良い。フレーム10Bを付けたまま切断処理を行った場合にはその切断処理後にフレーム10Bを外す。これにより、図16に示すように、CSP型の半導体装置13Bを得る。図16(a)は、その半導体装置13Bの平面図、(b)は(a)のA−A線の断面図である。本実施の形態2においても、半導体チップ1Cの表面(主面、裏面および側面)全体が封止樹脂11によって覆われている。また、リード配線16の一部が半導体装置13Bのパッケージ(封止樹脂11)の実装面から露出されている。このような本実施の形態2においても、前記実施の形態1の場合と同様に、CSP構造を実現したまま、封止性能を向上させることができる。このような半導体装置13Bの実装状態を図17に示す。半導体装置13Bのリード配線16は、配線基板14のランド14aとが接合部材15を介して接合され互いに電気的に接続されている。
(実施の形態3)
次に、本実施の形態3においては、例えばWPP技術を用いてCSP型の半導体装置を製造する場合に本発明の技術思想を適用した場合について説明する。
図18(a),(b)は、ウエハ・プロセス終了後の半導体ウエハ1を示している。半導体ウエハ1の主面には、前記実施の形態1と同様に、複数のチップ形成領域1CAがスクライブラインSLを隔てて配置されている。本実施の形態3においては、各チップ形成領域1CAにDRAM(Dynamic Random Access Memory)等のようなメモリ回路が形成されている場合を例として説明する。各チップ形成領域1CAの幅方向中央には、複数のボンディングパッドBPが半導体チップ1Cの長手方向に沿って並んで配置されている(センターパッド配置)。また、表面保護膜5が、表面保護膜5a、5bの積層膜で構成されている。下層の表面保護膜5aは、例えば酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜が堆積されてなり、その上層の表面保護膜5bは、例えばポリイミド樹脂等のような有機系絶縁膜からなる。なお、表面保護膜5bに形成された開口部6の側面はボンディングパッドBPから離間する方向に向かって次第に大径となるようにテーパが形成されている。
続いて、図19(a),(b)に示すように、表面保護膜5上に再配線(導体部、配線)17を形成する。再配線17は、半導体チップのボンディングパッドBPと、半導体チップを所定の配線基板上に実装するためのバンプ電極等のような実装電極とを電気的に接続する配線であって、ウエハ・プロセスの寸法に律則されるボンディングパッドBPと、パッケージ・プロセスの寸法に律則される実装電極との寸法上の整合をとるための配線である。すなわち、実装電極の寸法(電極自体の寸法および隣接間隔等)は、配線基板側の寸法に律則されるため、ボンディングパッドBPの寸法(パッド自体の寸法および隣接間隔等)よりも相対的に大きな寸法が必要となる。このため、ウエハ・プロセスに律則される微細なボンディングパッドBPをそのまま実装電極に使用することはできない。そこで、相対的に大きな寸法の実装電極は、半導体チップ1Cの比較的広い空き領域に配置し、その実装電極とボンディングパッドBPとを再配線17によって電気的に接続するようにしてある。半導体チップ1Cの再配線17は、例えば表面保護膜5上に形成されたクロム等のような導体膜17a上に銅等のような導体膜17bが積み重ねられてなり、チップ形成領域1CAの幅方向中央から長辺に向かって延在されている。表面保護膜5上には、封止樹脂(第2封止用絶縁膜)18が堆積されており、これによって再配線17の表面が覆われている。封止樹脂18は、例えばポリイミド樹脂等からなり、その一部には再配線17の一部が露出するような開口部19が形成されている。再配線17には、この開口部19を通じて下地金属膜20が接続されている。
その後、図20(a),(b)に示すように、下地金属膜20上にバンプ電極(導体部、電極)21を形成する。バンプ電極21は、例えば金または鉛−錫等からなる断面突状の電極であり、開口部19を通じて再配線17と電気的に接続されている。バンプ電極21の高さは、例えば前記バンプ電極8(図1参照)と同じである。このバンプ電極21の形成方法としては、例えば次の方法がある。すなわち、第1は、メタルマスクを用いてバンプ下地金属膜20上に、例えば鉛−錫合金等からなる半田ペーストを印刷した後、半導体ウエハ1に対して半田リフロ処理を施す方法である。第2は、バンプ電極21を金で形成する場合には、例えば下地金属膜20上にAu等からなるボンディングワイヤをワイヤボンディング法によって接合した後、ボンディングワイヤの一部を下地金属膜20上に残した状態でボンディングワイヤを切断する方法である。第3は、鉛−錫等からなる半田ボールを治具等を用いて下地金属膜20上に配置した後、半導体ウエハ1に対して半田リフロ処理を施す方法である。図21は、本実施の形態3のバンプ電極形成工程後のチップ形成領域1CAの拡大平面図である。チップ形成領域1CAの幅方向中央のボンディングパッドBPは、チップ形成領域1CAの長辺側に再配線17を通じて引き出され、バンプ電極21と電気的に接続されている。図22は、チップ形成領域1CAの四辺近傍にボンディングパッドBPが配置されている場合におけるチップ形成領域1CAの角部の拡大平面図を示している。この場合、ボンディングパッドBPは、チップ形成領域1CAの四辺近傍にその四辺に沿って複数個並んで配置されている。各ボンディングパッドBPは、チップ形成領域1CAの中央側に再配線17を通じて引き出され、バンプ電極21と電気的に接続されている。
次いで、バンプ電極形成工程後の半導体ウエハ1を、前記実施の形態1、2と同様に、ウエハ保持部材9(図2参照)に保持した後、個々の半導体チップ1Cに分割し離間させ、さらに、前記実施の形態2と同様、図23に示すように、分割された複数の半導体チップ1Cの主面をフレーム10Bに対向させ、各半導体チップ1Cをフレーム10Bに貼り付け、ウエハ保持部材9を引き離す。この場合のフレーム10Bは前記実施の形態2で説明したフレーム10Bと同じである。したがって、本実施の形態3においても、前記実施の形態1の場合に比べて、半導体チップ1Cのバンプ電極21とフレーム10Bとの相対的な位置合わせ精度を緩和させることができる。
続いて、前記実施の形態1、2と同様に、図24に示すように、フレーム10Bをその平面中心を軸として回転させながら分割された複数の半導体チップ1Cの裏面側から封止用樹脂10を塗布することにより、分割された複数の半導体チップ1Cの各々の表面(主面、側面および裏面を封止樹脂11によって覆い、各半導体チップ1Cの隣接間に封止樹脂11を充填する。その後、前記実施の形態2と同様に各半導体チップ1Cを切り出すことにより、図25に示すように、CSP型の半導体装置13Cを得る。図25(a)は、その半導体装置13Cの平面図、(b)は(a)のA−A線の断面図である。本実施の形態3においても、半導体チップ1Cの表面(主面、裏面および側面)全体が封止樹脂11によって覆われている。また、バンプ電極21の一部が半導体装置13Cのパッケージ(封止樹脂11)の実装面から露出されている。このような本実施の形態3においても、前記実施の形態1、2の場合と同様に、CSP構造を実現したまま、封止性能を向上させることができる。このような半導体装置13Cの実装状態を図26に示す。半導体装置13Cのバンプ電極21は、配線基板14のランド14aとが接合部材15を介して接合され互いに電気的に接続されている。
(実施の形態4)
本実施の形態4は、前記実施の形態1〜3の変形例を説明するものであって、半導体ウエハから分割された複数の半導体チップを封止樹脂によって封止した後、複数個の半導体チップ毎に切り出す場合について説明するものである。
図27は、その切断工程後の半導体装置1Dの全体平面図を示している。また、図28は、図27のA−A線の断面図を示している。本実施の形態4においては、複数個の半導体チップ1Cが一体となって封止樹脂11によって封止されている。ここには、4個の半導体チップ1Cが封止されている場合が例示されている。例えば1つの半導体チップ1Cに1MビットのDRAMが形成されているとすると、半導体装置1Dには、全体として、例えば4MビットのDRAMが形成されていることになる。
本実施の形態4においては、複数の半導体チップ1Cを一体的に封止したことにより、個々の半導体チップ1Cを封止したパッケージを配線基板上に実装した場合に比べて、互いに隣接する半導体チップ1Cの間隔を狭めることができるので、配線基板上の半導体装置の実装密度を向上させることが可能となる。
また、複数の半導体チップ1Cを一体的に封止したことにより、半導体装置の搬送や実装等のような取り扱いを容易にすることが可能となる。上記4MビットのDRAMを一例とすると、半導体チップ毎に封止する技術の場合は、4個の1MビットのDRAMを、それぞればらばらに搬送し、配線基板上に実装することで全体として4MビットのDRAMを構成するようになるが、本実施の形態4においては、4個の1MビットのDRAMが一体的に封止され4MビットのDRAMを有する半導体装置が既に構成されているので、その1個の半導体装置を搬送し、配線基板上に実装することで、4個の半導体チップを一体的に搬送し、配線基板上に一括して実装することになる。したがって、その取り扱いを容易にすることができる。
(実施の形態5)
本実施の形態5においては、前記実施の形態1において説明した半導体ウエハの分割工程後に複数の半導体チップ群を接続するフレームの変形例を説明するものである。
図29は、そのフレーム10Cを示しており、(a)は全体平面図、(b)は要部拡大平面図、(c)は(b)のA−A線の断面図である。本実施の形態5においては、フレーム10Cの基材10C1が、例えばポリイミド樹脂等のような可撓性の樹脂で構成されている。このフレーム10Cは、半導体ウエハ1よりも大径の平面略円形状に形成されている。フレーム10Cには、複数のリードパターン群10CLが、上記分割された複数の半導体チップ1Cの各々の平面位置に対応するように、図29(a)の上下左右方向に規則的に並んで繰り返し配置されている。各リードパターン群10CLには、平面帯状に形成された複数のリード配線10CL1が中央の開口領域10CL2から外周の方向に向かって延在するようにパターニングされている。このリード配線10CL1は、半導体チップ1Cの微細なバンプ電極8と、配線基板のランドとの寸法を整合しながら双方を電気的に接続する機能を有している。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
例えば半導体ウエハは単結晶シリコンの単体構造で構成されるものに限定されるものではなく、例えば絶縁層上に半導体層を設けてなる、いわゆるSOI(silicon On Insulator)基板や半導体ウエハの表面にエピタキシャル層を設けてなる、いわゆるエピタキシャルウエハを用いても良い。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である所定の半導体装置の製造技術に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではない。例えばメモリ回路と論理回路とを同一半導体基板に設けている混載型の半導体装置にも適用できる。また、前記実施の形態3においてはメモリ回路を有する半導体装置の製造技術に適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えばマイクロプロセッサ等のような論理回路を有する半導体装置をWPP技術によって製造する場合にも適用できる。
産業上の利用可能性
以上のように本発明の技術思想は、例えば携帯電話、携帯型パーソナルコンピュータまたは携帯型の情報処理装置等のような小型・携帯型の電子装置に適用して特に有効な技術である。
【図面の簡単な説明】
図1(a)は本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中における半導体ウエハの斜視図、(b)は(a)の要部拡大平面図、(c)は(b)の要部断面図である。
図2は図1に続く半導体装置の製造工程であって、半導体ウエハをウエハ保持部材に保持した場合の斜視図である。
図3は図1に続く半導体装置の製造工程であって、半導体ウエハの切断工程後の要部斜視図である。
図4は図3に続く半導体装置の製造工程であって、分割工程の半導体チップをフレームに実装する工程の説明図である。
図5(a)は図4のフレームの全体斜視図、(b)は(a)の要部拡大平面図である。
図6は図4に続く半導体装置の製造工程であって、分割工程の半導体チップをフレームに実装する工程の説明図である。
図7は図6に続く半導体装置の製造工程であって、分割されフレーム上に実装された複数の半導体チップを一括して封止する工程の説明図である。
図8(a)は図7の工程で封止された複数の半導体チップの要部断面図、(b)は(a)の要部拡大斜視図である。
図9は図7に続く半導体装置の製造工程であって、封止された複数の半導体チップを切り出す工程の説明図である。
図10(a)は図9の工程を経て切り出された半導体装置の平面図、(b)は(a)のA−A線の断面図である。
図11は図10の半導体装置を配線基板上に実装した場合の断面図である。
図12(a)は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中における半導体ウエハの全体斜視図、(b)は(a)のチップ形成領域の平面図、(c)は(b)のA−A線の断面図、(d)は(c)の要部拡大断面図である。
図13は図12に続く半導体装置の製造工程であって、半導体ウエハの分割工程の半導体チップをフレームに実装する工程の説明図である。
図14は図13に続く半導体装置の製造工程であって、半導体ウエハの分割工程の半導体チップをフレームに実装する工程の説明図である。
図15は図14に続く半導体装置の製造工程であって、分割されフレーム上に実装された複数の半導体チップを一括して封止する工程の説明図である。
図16は図15の工程後に経て切り出された半導体装置の平面図、(b)は(a)のA−A線の断面図である。
図17は図16の半導体装置を配線基板上に実装した場合の断面図である。
図18(a)は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中における半導体ウエハの全体斜視図、(b)は(a)の要部断面図である。
図19(a)は図18に続く半導体装置の製造工程であって、再配線形成工程後の半導体ウエハの全体斜視図、(b)は(a)の要部断面図である。
図20(a)は図19に続く半導体装置の製造工程であって、突起電極形成工程後の半導体ウエハの全体斜視図、(b)は(a)の要部断面図である。
図21は図20の半導体装置の製造工程中におけるチップ形成領域の平面図である。
図22は図20の半導体装置の製造工程中におけるチップ形成領域の変形例の要部拡大平面図である。
図23は図20に続く半導体装置の製造工程であって、半導体ウエハの分割工程後の半導体チップをフレームに実装する工程の説明図である。
図24は図20に続く半導体装置の製造工程であって、分割されフレーム上に実装された複数の半導体チップを一括して封止する工程の説明図である。
図25(a)は図20の工程後に経て切り出された半導体装置の平面図、(b)は(a)のA−A線の断面図である。
図26は図25の半導体装置を配線基板上に実装した場合の断面図である。
図27は本発明のさらに他の実施の形態である半導体装置の製造工程であって、図20の工程後に切り出された半導体装置の平面図である。
図28は図27のA−A線の断面図である。
図29(a)は本発明のさらに他の実施の形態である半導体装置の製造工程であって、半導体ウエハの切断工程後の複数の半導体チップを実装するフレームの平面図、(b)は(a)の要部拡大平面図、(c)は(b)のA−A線の断面図である。
Claims (24)
- (a)主面に分割領域によって区画された複数のチップ形成領域を有する半導体ウエハであって、前記複数のチップ形成領域の各々が複数の半導体素子と複数のボンディングパッドとを有する半導体ウエハを準備する工程、
(b)前記チップ形成領域の各々の複数のボンディングパッドに電気的に接続された導体部を形成する工程、
(c)前記半導体ウエハの裏面を第1保持部材に固定し、前記半導体ウエハを前記分割領域に沿って切断することにより、前記導体部が形成された複数の半導体チップに分割する工程、
(d)前記複数の半導体チップの主面と第2保持部材とを対向させて、前記複数の半導体チップを前記第1保持部材から前記第2保持部材に移し替える工程、
(e)前記分割工程後の複数の半導体チップにおいて、互いに隣接する半導体チップ間および半導体チップの裏面に封止用絶縁膜を形成する工程、
(f)前記封止用絶縁膜を切断することによって、前記封止用絶縁膜の一部が側面に形成された複数の半導体チップを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程は、
(a1)前記半導体ウエハの複数のチップ形成領域の各々に半導体素子を形成する工程、
(a2)前記半導体ウエハ上に配線層を形成する工程、
(a3)前記半導体ウエハ上に前記配線層の最上の配線層を覆う表面保護膜を形成する工程、
(a4)前記表面保護膜の一部に前記最上の配線層の一部が露出する第1開口部を形成することにより前記ボンディングパッドを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記導体部を突起電極によって形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程は、
(b1)前記半導体ウエハ上に導体膜を堆積する工程、
(b2)前記導体膜を加工することにより前記導体部を構成する配線を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(d)工程の前記第2保持部材は第1フレームであって、
前記分割工程後の複数の半導体チップの主面を前記第1フレームに対向させ、かつ、前記分割工程後の複数の半導体チップの導体部を、前記第1フレームに形成されたリードに接続する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の半導体装置の製造方法において、
前記(e)工程においては、
前記分割工程後の複数の半導体チップの裏面側から前記封止用絶縁膜を被着する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(d)工程の前記第2保持部材は第2フレームであって、
前記分割工程後の複数の半導体チップの主面を前記第2フレームに対向させ、前記分割工程後の複数の半導体チップの導体部を前記第2フレームの平坦面に仮接続する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項7記載の半導体装置の製造方法において、
前記(e)工程においては、
前記分割工程後の複数の半導体チップの裏面側から前記封止用絶縁膜を被着する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(f)工程において、前記封止用絶縁膜により封止され一体的になっている複数の半導体チップの一群を切り出す工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記封止用絶縁膜がポリイミド系樹脂もしくはエポキシ系樹脂からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- (a)主面に分割領域によって区画された複数のチップ形成領域を有する半導体ウエハであって、前記複数のチップ形成領域の各々が複数の半導体素子と複数のボンディングパッドとを有する半導体ウエハを準備する工程、
(b)前記チップ形成領域の各々の複数のボンディングパッドに電気的に接続された導体部を形成する工程、
(c)前記半導体ウエハの裏面を第1保持部材に固定し、前記半導体ウエハを前記分割領域に沿って切断することにより、前記導体部が形成された複数の半導体チップに分割する工程、
(d)前記複数の半導体チップの主面と第2保持部材とを対向させて、前記複数の半導体チップを前記第1保持部材から前記第2保持部材に移し替える工程、
(e)前記分割工程後の複数の半導体チップにおいて、互いに隣接する半導体チップ間および半導体チップの裏面に封止用絶縁膜を形成する工程、
(f)前記封止用絶縁膜を切断することによって、前記封止用絶縁膜の一部が側面に形成された複数の半導体チップを形成する工程と、を有し、
前記(a)工程は、
(a1)前記半導体ウエハの前記複数のチップ形成領域に半導体素子を形成する工程、
(a2)前記半導体ウエハ上に配線層を形成する工程、
(a3)前記半導体ウエハ上に前記配線層の最上の配線層を覆う表面保護膜を形成する工程、
(a4)前記表面保護膜の一部に前記最上の配線層の一部が露出する第1開口部を形成することによりボンディングパッドを形成する工程を有し、
前記(b)工程は、
(b1)前記半導体ウエハ上に導体膜を堆積した後、これを加工することにより前記ボンディングパッドに電気的に接続され前記導体部を構成する配線を形成する工程、
(b2)前記半導体ウエハ上に前記配線を覆う第1封止用絶縁膜を形成する工程、
(b3)前記第1封止用絶縁膜に前記配線の一部が露出する第2開口部を形成する工程、
(b4)前記第2開口部から露出する配線上に前記導体部を構成する電極を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項11記載の半導体装置の製造方法において、
前記(d)工程の前記第2保持部材は第1フレームであって、
前記分割工程後の複数の半導体チップの主面を前記第1フレームに対向させ、かつ、前記分割工程後の複数の半導体チップの導体部を、前記第1フレームに形成されたリードに接続する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項12記載の半導体装置の製造方法において、
前記(e)工程においては、
前記分割工程後の複数の半導体チップの裏面側から前記封止用絶縁膜を被着する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項13記載の半導体装置の製造方法において、
前記(f)工程においては、
前記封止用絶縁膜の一部が側面および裏面に形成された複数の半導体チップを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項11記載の半導体装置の製造方法において、
前記(d)工程の前記第2保持部材は第2フレームであって、
前記分割工程後の複数の半導体チップの主面を前記第2フレームに対向させ、前記分割工程後の複数の半導体チップの導体部を前記第2フレームの平坦面に仮接続する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項15記載の半導体装置の製造方法において、
前記(e)工程においては、
前記分割工程後の複数の半導体チップの裏面側から前記封止用絶縁膜を被着する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項16記載の半導体装置の製造方法において、
前記(f)工程においては、
前記封止用絶縁膜の一部が側面および裏面に形成された複数の半導体チップを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項11記載の半導体装置の製造方法において、
前記(f)工程に際し、複数の半導体チップが第1封止用絶縁膜により一体になって構成される半導体チップの一群を切り出すことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項11記載の半導体装置の製造方法において、前記封止用絶縁膜および第1封止用絶縁膜がポリイミド系樹脂からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 裏面が第1保持部材に固定された半導体ウエハを複数の半導体チップに分割する工程と、
前記複数の半導体チップの主面と第2保持部材とを対向させて、前記複数の半導体チップを前記第1保持部材から前記第2保持部材に移し替える工程と、
前記複数の半導体チップの互いに隣接する半導体チップ間およびそれぞれの裏面を一括して封止樹脂によって封止する工程と、
前記複数の半導体チップ間の封止樹脂を切断することによって半導体チップの側面に封止樹脂が残された半導体装置を得る工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体ウエハの主面の各チップ形成領域に第1の間隔をもって複数のボンディングパッドを形成する工程と、
その一端が前記複数のボンディングパッドに接続され、かつ、その他端が前記第1の間隔より広い第2の間隔で配置された再配線を形成する工程と、
前記再配線を覆うように前記半導体ウエハ上に第1封止樹脂を堆積し、複数のチップ形成領域を一括して封止する工程と、
その一括封止工程後の半導体ウエハの裏面を第1保持部材に固定し、前記半導体ウエハを前記各チップ形成領域に沿って切断することにより、複数の半導体チップに分割する工程と、
前記複数の半導体チップの主面と第2保持部材とを対向させて、前記複数の半導体チップを前記第1保持部材から前記第2保持部材に移し替える工程と、
前記複数の半導体チップの互いに隣接する半導体チップ間およびそれぞれの裏面を一括して封止樹脂によって封止する工程と、
前記複数の半導体チップ間の封止樹脂を切断することによって半導体チップの側面に封止樹脂が残された半導体装置を得る工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)主面に分割領域によって区画された複数のチップ形成領域を有する半導体ウエハであって、前記複数のチップ形成領域の各々が複数の半導体素子と複数のボンディングパッドとを有する半導体ウエハを準備する工程、
(b)前記半導体ウエハの裏面を第1保持部材に固定し、前記半導体ウエハを前記分割領域に沿って切断することにより、前記半導体ウエハを第1の間隔をもって複数の半導体チップに分割する工程、
(c)前記複数の半導体チップの主面と第2保持部材とを対向させて、前記複数の半導体チップを前記第1保持部材から前記第2保持部材に前記第1の間隔より広い第2の間隔で移し替える工程、
(d)前記工程(c)の後、互いに隣接する前記複数の半導体チップ間および半導体チップの裏面に封止用絶縁膜を形成する工程、
(e)前記封止用絶縁膜を切断することによって、前記封止用絶縁膜の一部が側面に形成された複数の半導体チップを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項22記載の半導体装置の製造方法において、前記封止用絶縁膜は、前記複数の半導体チップの裏面側から供給された樹脂により形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項22記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1保持部材は、絶縁テープを備え、
前記(c)工程は、
前記複数の半導体チップの裏面側に接着された前記絶縁テープを引き延ばすことにより、前記複数の半導体チップを前記第1の間隔から前記第2の間隔に広げる工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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