CN107004590B - 切割芯片接合片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种切割芯片接合片，其具有基材、和形成在基材上的含有染料的粘接剂层，所述粘接剂层的所述染料的含量为8.3质量％以下，所述基材与所述粘接剂层之间的L*a*b*表色系统的色差为30～53。

Description

切割芯片接合片
技术领域
本发明涉及在基材上具备粘接剂层的切割芯片接合片。
本申请主张基于2014年12月15日在日本申请的日本特愿2014-253241号的优先权，并在此引用其内容。
背景技术
在基材上具备粘接剂层的切割芯片接合片可用于从半导体晶片的切割起、经过半导体芯片的拾取、直至将拾取的半导体芯片粘接于基板、引线框、其它半导体芯片等的工序中。
对于这样的片而言，粘接剂层通常是无色透明的，因此，在对片进行预切割加工时、进行半导体芯片的芯片接合时难以探测粘接剂层是否处于粘接于半导体晶片、半导体芯片等粘接对象的状态。如果粘接剂层未粘接于希望的部位，则在半导体装置的制造工序中会发生不良情况。另外，在通过隐形切割(stealth dicing)、冷扩片(cool expand)使粘接剂层切断时，由于粘接剂层是无色透明的，因此，无法容易地确认是否已可靠地切断，半导体装置的制造效率降低。
在半导体装置的制造工序中，粘接剂层的检测例如可以使用能够检测出290～450nm波长区域的光的光学传感器来进行，但随着粘接剂层的薄层化，其检测也变得更加困难。
其中，作为易于检测的粘接剂层，公开了含有吸收或反射波长区域在290～450nm范围内的光的颜料(参照专利文献1)。
这样的粘接剂层通过含有颜料而被着色，可以通过肉眼观察容易地确认其有无。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-059917号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，专利文献1中记载的粘接剂层由于含有颜料，在厚度薄的情况下，有时产生凝聚物、颜色不均，在最终得到的半导体封装中产生裂纹，存在可靠性降低的问题。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其课题在于提供一种易于确认是否存在粘接剂层及其状态、且能够获得可靠性高的半导体封装的切割芯片接合片。
用于解决课题的技术方案
为了解决上述课题，本发明提供一种切割芯片接合片，其具有基材、和形成在基材上的含有染料的粘接剂层，所述粘接剂层的所述染料的含量为8.3质量％以下，所述基材与所述粘接剂层之间的L*a*b*表色系统的色差为30～53。
本发明的切割芯片接合片的所述染料可以是二偶氮染料。
本发明的切割芯片接合片的所述染料可以是在其结构中不含金属原子或金属离子的染料。
发明效果
根据本发明，可以提供一种易于确认是否存在粘接剂层及其状态、且可以获得可靠性高的半导体封装的切割芯片接合片。
具体实施方式
＜＜切割芯片接合片＞＞
本实施方式的切割芯片接合片的特征在于，其具备基材、和形成在基材上的含有染料的粘接剂层，其中，上述粘接剂层的上述染料的含量为8.3质量％以下，上述基材与上述粘接剂层之间的L*a*b*表色系统的色差(以下有时简称为“ΔE”)为30～53。
在本说明书中，上述L*、a*及b*为按照JIS Z8781-4:2013计算出的值。
上述切割芯片接合片通过使粘接剂层含有特定量的染料，将上述色差(ΔE)设为给定的范围内。其结果是可以容易地辨识切割芯片接合片是否具备粘接剂层。
另外，通过使用上述切割芯片接合片，在对其进行预切割加工、拾取半导体芯片并进行芯片接合时，能够容易地辨识粘接剂层是否处于粘接于半导体晶片、半导体芯片等粘接对象的状态，可以抑制半导体装置的制造工序中发生不良情况。
另外，在通过使用上述切割芯片接合片制造半导体芯片的过程中，在进行所谓隐形切割时，也可以容易地辨识粘接剂层是否已可靠地切断及其状态，能够抑制半导体装置制造效率的降低，所述隐形切割是指将粘贴有晶片的切割芯片接合片进行扩片而切断晶片及上述切割芯片接合片，所述晶片通过激光照射而在内部形成了脆质部。
另外，在进行所谓冷扩片时，也与进行隐形切割时同样地可以容易地辨识粘接剂层是否已可靠地切断及其状态，能够抑制半导体装置制造效率的降低，所述冷扩片是指将在低温下形成了脆质部的粘接剂层进行扩片而切断。
通常在进行这些扩片时，通过基于肉眼、显微镜的观察来确认粘接剂层是否被切断，但根据本发明，由于粘接剂层易于辨识，因此可以在短时间内进行确认。如果粘接剂层未被切断，则在拾取作为目标的芯片时，周边的芯片也会同时被提起，发生不良情况。
另外，通过使粘接剂层含有染料，且使其含量为8.3质量％以下，使用上述切割芯片接合片得到的半导体封装的裂纹、接合部的剥离受到抑制，成为可靠性高的半导体封装。在粘接剂层不含有染料而含有颜料的情况下，在粘接剂层的厚度薄时、特别是厚度为10μm以下的程度时，有时在粘接剂层中产生凝聚物、颜色不均，在最终得到的半导体封装中产生裂纹，可靠性降低。
＜基材＞
所述基材与粘接剂层之间的色差(ΔE)满足上述关系。
只要基材的颜色不与粘接剂层的颜色相同，就没有特别限定，通常优选为白色。
可以在基材表面具备粘合剂层(以下有时简称为“粘合基材”，有时将该情况下与粘合剂层接触的基材简称为“支撑基材”)，也可以是不具备粘合剂层的基材(以下有时简称为“非粘合基材”)。
在基材为上述粘合基材的情况下，只要支撑基材及粘合剂层的叠层结构作为一个整体与粘接剂层之间满足上述的色差(ΔE)关系即可。
上述非粘合基材及支撑基材的材质优选为各种树脂，具体而言，可以示例出：聚乙烯(低密度聚乙烯(LDPE)、直链低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE等))、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酰亚胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟树脂、上述任意树脂的氢化物、改性物、交联物或共聚物等。
上述非粘合基材及支撑基材可以由1层(单层)形成，也可以由2层以上的多层形成，在由多层形成的情况下，各层的材质可以全部相同，也可以全部不同，还可以仅一部分相同。
上述非粘合基材及支撑基材的厚度可以根据目的而适当选择，优选为50～300μm，更优选为60～100μm。
对于上述非粘合基材及支撑基材而言，为了提高与设置于其上的层、即粘接剂层或粘合剂层的粘接性，可以对表面实施基于喷砂处理、溶剂处理等的凹凸化处理、电晕放电处理、电子束照射处理、等离子体处理、臭氧/紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理等。另外，上述非粘合基材及支撑基材可以是表面实施了底涂处理的基材。
其中，从抑制切割时的刀刃摩擦所导致的产生基材碎片的观点考虑，上述非粘合基材及支撑基材特别优选为对表面实施了电子束照射处理的基材。
[粘合剂层]
上述粘合剂层可以适当使用公知的粘合剂层。在粘合剂层为无色的情况下，上述粘合基材显示出支撑基材的颜色，在粘合剂层为有色(进行了着色)的情况下，上述粘合基材显示出粘合剂层的颜色、或者显示出支撑基材与粘合剂层两者的颜色。
粘合剂层可以使用用于构成其的含有各种成分的粘合剂组合物来形成。粘合剂组合物中的非挥发性成分彼此的含量比率与粘合剂层中相同。
在上述粘合剂层含有利用能量线照射而进行聚合的成分的情况下，通过照射能量线使其粘合性降低，可以对半导体芯片进行拾取。这样的粘合剂层例如可以使用各种粘合剂组合物来形成，所述粘合剂组合物含有通过能量线的照射而进行聚合的能量线聚合性丙烯酸聚合物。
作为上述粘合剂组合物中的优选组合物，可以示例出：含有上述丙烯酸聚合物和能量线聚合性化合物的组合物(粘合剂组合物(i))、含有具有羟基且在侧链上具有聚合性基团的丙烯酸聚合物(例如，具有羟基且在侧链上隔着氨基甲酸酯键具有聚合性基团的组合物)和异氰酸酯类交联剂的组合物(粘合剂组合物(ii))，进一步优选含有溶剂的组合物。
除了上述成分以外，上述粘合剂组合物还可以进一步含有光聚合引发剂、染料、颜料、劣化防止剂、防静电剂、阻燃剂、聚硅氧烷化合物、链转移剂等各种添加剂中的任意添加剂。
粘合剂层的厚度可以根据目的而适当选择，优选为1～100μm，更优选为1～60μm，特别优选为1～30μm。
粘合剂组合物例如可以通过配合丙烯酸聚合物等用于构成粘合剂层的各种成分而得到。
各成分在配合时的添加顺序没有特别限定，可以同时添加2种以上的成分。
在配合时将各成分进行混合的方法没有特别限定，可以从以下的公知方法中适当选择：使搅拌子或搅拌桨等旋转而进行混合的方法、使用搅拌机进行混合的方法、施加超声波进行混合的方法等。
对于各成分的添加及混合时的温度和时间而言，只要各配合成分不劣化即可，没有特别限定，可以适当调节，温度优选为15～30℃。
在使用溶剂的情况下，可以通过将溶剂与溶剂以外的任一种配合成分混合而预先稀释该配合成分来使用，也可以不对溶剂以外的任一种配合成分进行预先稀释而通过将溶剂与这些配合成分混合来使用。
粘合剂层可以通过在上述支撑基材的表面涂布粘合剂组合物并使其干燥来形成。此时，根据需要可以通过对涂布的粘合剂组合物加热来进行交联。
加热条件例如可以设为在100～130℃下加热1～5分钟，但并不限定于此。另外，将通过在剥离材料的剥离层表面涂布粘合剂组合物并使其干燥而形成的粘合剂层贴合于支撑基材的表面，并除去上述剥离材料，由此也可以形成粘合剂层。
粘合剂组合物向支撑基材的表面或剥离材料的剥离层表面的涂布可以通过公知的方法来进行，可以示例出使用气刀涂布机、刮板涂布机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、帘式淋涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机、麦勒棒涂布器(Meyerbarcoater)、吻涂机等各种涂布机的方法。
＜粘接剂层＞
粘接剂层含有染料。染料与颜料不同，不易在粘接剂层中产生凝聚物，因此上述切割芯片接合片可保持高品质。
粘接剂层的厚度可以根据目的而适当选择，优选为1～100μm，更优选为5～75μm，特别优选为5～50μm。
在本实施方式中，即使在粘接剂层的厚度薄至例如10μm以下的情况下，也与使用了颜料作为着色成分的情况不同，可抑制在粘接剂层中产生凝聚物，因此能够抑制最终得到的半导体封装中产生裂纹等。
只要粘接剂层的颜色与基材(上述粘合基材及非粘合基材)的颜色不相同，就没有特别限定，通常，从环状框胶带为黑色的观点考虑，为了易于与其区别，优选为黑色以外的颜色。其中，在基材为白色的情况下，ΔE为优选的范围，从如前面说明的那样更容易辨识粘接剂层存在的有无及其状态的观点考虑，优选粘接剂层从短波长侧至长波长侧为蓝色～红色中的任一种颜色，作为这样的粘接剂层，可以示例出L*a*b*表色系统中的L*(亮度)为15～97、a*(色度)为-11～+15、且b*(色度)为-30～+5的粘接剂层。其中，优选粘接剂层为蓝色。
粘接剂层的上述染料含量为8.3质量％以下，优选为8.1质量％以下。通过使其为这样的范围，可抑制含有染料所导致的缺点。更具体而言，在使用具备这样的粘接剂层的切割芯片接合片制造半导体封装时，抑制得到的半导体封装发生基板及半导体芯片的接合部的剥离、抑制产生裂纹(封装裂纹)，可抑制可靠性的降低。另外，在切割芯片接合片中使用了上述粘合基材时，也可抑制染料从粘接剂层向粘合剂层的转移。
对于粘接剂层的上述染料含量的下限值而言，只要后面叙述的ΔE为目标值即可，没有特别限定。但是，从容易将ΔE调节为优选范围的观点考虑，粘接剂层的上述染料的含量优选为0.05质量％以上，更优选为0.07质量％以上，特别优选为0.10质量％以上。
如果上述染料可以如上所述对粘接剂层进行着色，则只要不损害本发明的效果，就没有特别限定，可以适当使用公知的染料。
作为染料，具体而言，可以示例出：偶氮染料、亚硝基染料、喹啉染料、硫化染料、硝基染料、次甲基染料、聚甲炔染料、氨基酮染料、噻唑染料、羟基酮染料、茋染料、吲达胺染料、靛酚染料、二苯基甲烷染料、蒽醌染料、三芳基甲烷染料、吖嗪染料、靛类染料、呫吨染料、
Figure BDA0001320129240000073
嗪染料、噻嗪染料、酞菁染料、吖啶染料等。
上述染料可以是水溶性染料及非水溶性染料中的任一种，优选为非水溶性染料，更优选为油溶性染料。
从易于获得、且易于调节成以粘接剂层为目标的特性的观点考虑，上述染料优选为具有偶氮基(-N＝N-)的偶氮染料。
根据一个分子中具有的偶氮基个数，上述偶氮染料可以是单偶氮染料、二偶氮染料、三偶氮染料、四偶氮染料及多偶氮染料(一个分子中具有的偶氮基个数为5以上的染料)中的任一种，但从结构比较刚直、耐热性更高、易于形成特性良好的粘接剂层的观点考虑，优选为二偶氮染料。
从使上述这样的半导体封装的可靠性进一步提高的观点、能够保持粘接剂层的导电性较低的观点等考虑，上述染料优选在其结构中不含金属原子或金属离子。
上述基材与上述粘接剂层之间的L*a*b*表色系统的色差(ΔE)为30～53，优选为31～52，更优选为32～52。
通过使ΔE为这样的范围，如前面说明的那样对是否存在粘接剂层及其状态的辨识变得容易。
更具体而言，可以分别对基材和粘接剂层计算出L*、a*、b*，按照下述式(I)计算出ΔE。
ΔE＝[(L1*－L2*)2+(a1*－a2*)2+(b1*－b2*)2]1/2····(I)
(式中，L1*为基材的L*值，L2*为粘接剂层的L*值，a1*为基材的a*值，a2*为粘接剂层的a*值，b1*为基材的b*值，b2*为粘接剂层的b*值。)
粘接剂层优选具有压敏粘接性，优选具有加热固化性，更优选同时具有压敏粘接性及加热固化性。同时具有压敏粘接性及加热固化性的粘接剂层可以通过在未固化状态下轻轻地按压于各种被粘附物来进行粘贴。另外，粘接剂层可以是能够通过加热并使其软化而粘贴于各种被粘附物的粘接剂层。粘接剂层经过热固化而最终成为耐冲击性高的固化物，上述固化物的剪切强度也优异，即使在严苛的高温/高湿度条件下也能够保持足够的粘接特性。
[粘接剂组合物]
粘接剂层可以使用含有上述染料等用于构成粘接剂层的成分的粘接剂组合物来形成，粘接剂组合物中的非挥发性成分彼此的含量比率与粘接剂层中相同。
粘接剂层优选使用含有粘合剂树脂(a)、环氧类热固性树脂(b)及上述染料(以下有时记载为“染料(s)”)的粘接剂组合物而形成的粘接剂层。
(粘合剂树脂(a))
粘合剂树脂(a)是用于对粘接剂层赋予成膜性及挠性的聚合物化合物。
粘合剂树脂(a)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
作为粘合剂树脂(a)，可以使用丙烯酸类树脂、聚酯树脂、氨基甲酸酯树脂、丙烯酸氨基甲酸酯树脂、有机硅树脂、橡胶类聚合物、苯氧基树脂等，优选为丙烯酸类树脂。
作为上述丙烯酸类树脂，可以使用公知的丙烯酸聚合物。
丙烯酸类树脂的重均分子量(Mw)优选为10000～2000000，更优选为100000～1500000。丙烯酸类树脂的重均分子量过小时，粘接剂层与粘合剂层的粘接力增高，有时发生半导体芯片的拾取不良。另外，丙烯酸类树脂的重均分子量过大时，有时粘接剂层不能跟随被粘附物的凹凸面，有时成为产生空隙等的原因。
需要说明的是，在本说明书中，只要没有特别说明，重均分子量是利用凝胶渗透色谱(GPC)法测定的换算为聚苯乙烯的值。
丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为-60～70℃，更优选为-30～50℃。丙烯酸类树脂的Tg过低时，粘接剂层与粘合剂层的剥离力增大，有时导致半导体芯片的拾取不良。另外，丙烯酸类树脂的Tg过高时，存在用于固定半导体晶片的粘接力变得不足的隐患。
作为构成丙烯酸类树脂的单体，可以示例出：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等烷基碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸环烷基酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二戊烯氧基乙酯、酰亚胺(甲基)丙烯酸酯等具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯等含羟基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸酯。
另外，丙烯酸类树脂也可以是丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯、N-羟甲基丙烯酰胺等单体共聚而成的物质。
构成丙烯酸类树脂的单体可以仅为1种，也可以为2种以上。
需要说明的是，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”是指包含“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者的概念，“(甲基)丙烯酸酯”是指包含“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”这两者的概念。
丙烯酸类树脂可以具有乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羟基、羧基、异氰酸酯基等能够与其它化合物键合的官能团。与其它化合物的键合可以借助后面叙述的交联剂(f)来进行，或者上述官能团可以与其它化合物直接键合而不借助交联剂(f)。丙烯酸类树脂通过这些官能团进行键合，由此存在使用了上述切割芯片接合片的半导体封装的可靠性提高的倾向。
粘接剂组合物的固体成分中的丙烯酸类树脂含量优选为50质量％以上。由此，在使用在半导体芯片的树脂密封时使粘接剂层一起固化的工艺时，粘接剂层为优选的性状。这是由于，在这样的工艺中，虽然在进行半导体芯片的树脂密封之前进行对芯片的引线接合，但在固化前的粘接剂层暴露于高温时，也可以在保持某种程度的硬度的状态下进行引线接合。即，粘接剂组合物中的丙烯酸类树脂的含量较多时，即使在热固化前，也可以提高粘接剂层的贮藏弹性模量。因此，即使粘接剂层处于未固化或半固化的状态，也可抑制引线接合时的芯片振动、位移，能够稳定地进行引线接合。
另外，粘接剂组合物的固体成分中的丙烯酸类树脂含量更优选为50～85质量％。只要丙烯酸类树脂的含量在这样的范围，就可提高半导体芯片的易拾取性。
在本发明中，为了提高粘接剂层的剥离性而提高易拾取性、通过粘接剂层对被粘附物凹凸面的跟随而抑制空隙等的产生，作为(a)粘合剂树脂，可以单独使用丙烯酸类树脂以外的热塑性树脂(以下有时简称为“热塑性树脂”)，也可以与丙烯酸类树脂组合使用。
上述热塑性树脂的重均分子量优选为1000～100000，更优选为3000～80000。
上述热塑性树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为-30～150℃，更优选为-20～120℃。
作为上述热塑性树脂，可以示例出：聚酯树脂、聚氨酯树脂、苯氧基树脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。
上述热塑性树脂可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
通过使用上述热塑性树脂，可以得到如上所述的效果，另一方面，固化前的粘接剂层暴露于高温时的硬度降低，存在未固化或半固化的状态下粘接剂层的引线接合适应性降低的隐患。因此，优选在考虑了这样的影响的基础上设定粘接剂组合物的丙烯酸类树脂含量。
(环氧类热固性树脂(b))
环氧类热固性树脂(b)由环氧树脂及热固化剂形成。
环氧类热固性树脂(b)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
作为上述环氧树脂，可以列举公知的树脂，具体而言，可以示例出：多官能类环氧树脂、联苯化合物、双酚A二缩水甘油基醚及其氢化物、邻甲酚醛环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等2官能以上的环氧化合物。
另外，作为上述环氧树脂，可以使用具有不饱和烃基的环氧树脂。作为具有不饱和烃基的环氧树脂，可以示例多官能类环氧树脂中环氧树脂的一部分被转变为含有不饱和烃基的基团而得到的化合物。这样的化合物例如可以通过使丙烯酸与环氧基进行加成反应来制造。另外，作为具有不饱和烃基的环氧树脂，可以示例出在构成环氧树脂的芳香环等上直接键合了含有不饱和烃基的基团的化合物等。不饱和烃基为具有聚合性的不饱和基团，具体而言，可以示例出：乙烯基(乙烯基)、2-丙烯基(烯丙基)、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、丙烯酰胺基、甲基丙烯酰胺基等，优选为丙烯酰基。
与不具有不饱和烃基的环氧类树脂相比，具有不饱和烃基的环氧树脂与丙烯酸类树脂的相容性高。因此，通过使用含有具有不饱和烃基的环氧树脂的粘接剂组合物，可提高半导体装置的封装可靠性。
从提高易拾取性的观点考虑，上述环氧树脂优选为软化点或玻璃化转变温度高的环氧树脂。
上述环氧树脂的数均分子量没有特别限定，从粘接剂层的固化性、固化后的强度及耐热性的观点考虑，优选为300～30000，更优选为400～10000，特别优选为500～3000。
上述环氧树脂的环氧当量优选为100～1000g/eq，更优选为300～800g/eq。
上述环氧树脂可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
上述热固化剂作为对环氧树脂的固化剂而发挥作用。
作为热固化剂，可以示例出1个分子中具有2个以上可与环氧基反应的官能团的化合物。作为上述官能团，可以示例出：酚羟基、醇羟基、氨基、羧基、羧酸基成酐后的基团等，优选为酚羟基、氨基、羧酸基成酐后的基团，更优选为酚羟基、氨基，特别优选为酚羟基。
在上述热固化剂中，作为酚类固化剂(具有酚羟基的固化剂)，可以示例出：多官能酚醛树脂、双酚、酚醛清漆型酚醛树脂、双环戊二烯类酚醛树脂、芳烷基酚醛树脂等。
在上述热固化剂中，作为胺类固化剂(具有氨基的固化剂)，可以示例出DICY(双氰胺)等。
上述热固化剂可以具有不饱和烃基。
作为具有不饱和烃基的热固化剂，可以示例出：用含有不饱和烃基的基团取代酚醛树脂的一部分羟基而得到的化合物、在酚醛树脂的芳香环上直接键合了含有不饱和烃基的基团的化合物等。热固化剂中的不饱和烃基与上述具有不饱和烃基的环氧树脂中的不饱和烃基相同。
从提高易拾取性的观点考虑，上述热固化剂优选为软化点或玻璃化转变温度高的热固化剂。
上述热固化剂的数均分子量优选为300～30000，更优选为400～10000，特别优选为500～3000。
上述热固化剂可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
相对于上述环氧树脂的含量100质量份，粘接剂组合物的热固化剂含量优选为0.1～500质量份，更优选为1～200质量份。热固化剂的含量过少时，有时因固化不足而无法获得粘接性，热固化剂的含量过多时，粘接剂层的吸湿率增高，有时使封装可靠性降低。
相对于粘合剂树脂(a)100质量份，粘接剂组合物的环氧类热固性树脂(b)的含量(环氧树脂及热固化剂的总含量)优选为1～100质量份，更优选为1.5～75质量份，特别优选为2～60质量份。通过使环氧类热固性树脂(b)的含量为这样的范围，具有可保持固化前粘接剂层硬度的倾向，可提高未固化或半固化的状态下的粘接剂层的引线接合适应性。另外，可提高半导体芯片的易拾取性。
(染料(s))
染料(s)为前面进行了说明的染料。
粘接剂组合物的固体成分中的染料(s)含量优选与前面进行了说明的粘接剂层的染料含量相同。
为了改良粘接剂层的各种物性，粘接剂层可以使用除了粘合剂树脂(a)、环氧类热固性树脂(b)及染料(s)以外进一步根据需要含有不属于上述成分的其它成分的粘接剂组合物来形成。
在粘接剂组合物所含有的其它成分中，作为优选成分，可以示例出：无机填充材料(c)、固化促进剂(d)、偶联剂(e)、交联剂(f)、不属于环氧类热固性树脂(b)的其它热固性树脂(g)、通用添加剂(h)等。
(无机填充材料(c))
通过使粘接剂组合物进一步含有无机填充材料(c)，可以容易地对其热膨胀系数进行调整，通过使固化后的粘接剂层的热膨胀系数相对于半导体芯片、金属或有机基板进行最优化，可以使封装可靠性提高。
另外，通过使粘接剂组合物进一步含有无机填充材料(c)，还可以降低固化后的粘接剂层的吸湿率。
作为优选的无机填充材料(c)，可以示例出：二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、钛白、氧化铁、碳化硅、氮化硼等的粉末；将这些二氧化硅等进行了球形化而得到的珠；这些二氧化硅等的表面改性品；这些二氧化硅等的单晶纤维；玻璃纤维等。
其中，无机填充材料(c)优选为二氧化硅填料、氧化铝填料或它们的表面改性品。
无机填充材料(c)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
在使用无机填充材料(c)的情况下，粘接剂组合物的固体成分中的无机填充材料(c)含量优选为1～80质量％。
(固化促进剂(d))
固化促进剂(d)是为了调整粘接剂组合物的固化速度而使用的。
作为优选的固化促进剂(d)，可以示例出：三亚乙基二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑类(用氢原子以外的基团取代了1个以上氢原子而得到的咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类(用有机基团取代了1个以上氢原子而得到的膦)；四苯基
Figure BDA0001320129240000131
四苯基硼酸盐、三苯基膦四苯基硼酸盐等四苯基硼盐等。
固化促进剂(d)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
在使用固化促进剂(d)的情况下，相对于环氧类热固性树脂(b)的含量100质量份，粘接剂组合物中的固化促进剂(d)的含量优选为0.01～10质量份，更优选为0.1～1质量份。通过使固化促进剂(d)的含量为这样的范围，粘接剂层在高温/高湿度条件下也具有优异的粘接特性，即使在暴露于严苛的回流焊条件的情况下，也可以实现高封装可靠性。在固化促进剂(d)的含量过少时，无法充分获得使用了固化促进剂(d)所带来的效果，在固化促进剂(d)的含量过多时，高极性的固化促进剂(d)在高温/高湿度条件下于粘接剂层中移动至与被粘附物的粘接界面侧而偏析，由此使封装的可靠性降低。
(偶联剂(e))
作为偶联剂(e)，通过使用具有与无机化合物反应的官能团及与有机官能团反应的官能团的物质，可以使粘接剂层对被粘附物的粘接性及密合性得到提高。另外，通过使用偶联剂(e)，对于将粘接剂层进行固化而得到的固化物，可以使耐水性提高而不损害其耐热性。
偶联剂(e)优选为具有与粘合剂树脂(a)、环氧类热固性树脂(b)等所具有的官能团发生反应的官能团的化合物，优选为硅烷偶联剂。
作为优选的上述硅烷偶联剂，可以示例出：γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-脲丙基三乙氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷、γ-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。
偶联剂(e)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
在使用偶联剂(e)的情况下，相对于粘合剂树脂(a)及环氧类热固性树脂(b)的总含量100质量份，粘接剂组合物的偶联剂(e)含量优选为0.03～20质量份，更优选为0.05～10质量份，特别优选为0.1～5质量份。偶联剂(e)的含量过少时，有时无法获得使用了偶联剂(e)所带来的上述效果，偶联剂(e)的含量过多时，存在产生排气的可能性。
(交联剂(f))
作为粘合剂树脂(a)，在使用具有异氰酸酯基等能够与其它化合物键合的官能团的上述丙烯酸类树脂的情况下，为了使该官能团与其它化合物键合而进行交联，可以使用交联剂(f)。通过使用交联剂(f)进行交联，可以调节粘接剂层的初期粘接力及凝聚力。
作为交联剂(f)，可以示例出有机多异氰酸酯化合物、有机多亚胺化合物等。
作为上述有机多异氰酸酯化合物，可以示例出：芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物、脂环族多异氰酸酯化合物及这些化合物的三聚物、异氰脲酸酯体及加合物(与乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷或蓖麻油等低分子含活泼氢的化合物的反应产物，例如三羟甲基丙烷-二甲苯二异氰酸酯加合物等)、以及有机多异氰酸酯化合物与多元醇化合物反应而得到的异氰酸酯封端聚氨酯预聚物等。
作为上述有机多异氰酸酯化合物，更具体而言，可以示例处：甲苯-2,4-二异氰酸酯、甲苯-2,6-二异氰酸酯、1,3-苯二甲基二异氰酸酯、1,4-苯二甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、三羟甲基丙烷等将甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯加成于多元醇的全部或一部分羟基而得到的化合物、赖氨酸二异氰酸酯等。
作为上述有机多亚胺化合物，可以示例出：N,N’-二苯基甲烷-4,4’-二(1-氮丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷三β-氮丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷三β-氮丙啶基丙酸酯、N,N’-甲苯-2,4-二(1-氮丙啶基甲酰胺)三亚乙基三聚氰胺等。
在使用异氰酸酯类交联剂作为交联剂(f)的情况下，作为粘合剂树脂(a)的上述丙烯酸类树脂，优选使用含羟基的聚合物。在交联剂(f)具有异氰酸酯基、丙烯酸类树脂具有羟基的情况下，可以通过交联剂(f)与丙烯酸类树脂的反应来向粘接剂层简单地导入交联结构。
在使用交联剂(f)的情况下，相对于粘合剂树脂(a)的含量100质量份，粘接剂组合物中的交联剂(f)含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.1～10质量份，特别优选为0.5～5质量份。
(其它热固性树脂(g))
其它热固性树脂(g)只要不属于环氧类热固性树脂(b)中的上述环氧树脂即可，可以示例出：热固性聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、不饱和聚酯树脂、有机硅树脂等。
(通用添加剂(h))
作为通用添加剂(h)，可以示例出：公知的增塑剂、防静电剂、抗氧剂、颜料、染料、吸气剂等。
(溶剂)
通过使粘接剂组合物进一步含有溶剂，可通过稀释使操作性变得良好。
粘接剂组合物含有的溶剂没有特别限定，作为优选的溶剂，可以示例出：甲苯、二甲苯等烃类；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇类；乙酸乙酯等酯类；丙酮、甲乙酮等酮类；四氢呋喃等醚类；二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺类(具有酰胺键的化合物)等。
粘接剂组合物含有的溶剂可以仅为1种，也可以为2种以上。
从将粘接剂组合物中使用的各成分均匀地混合的观点考虑，粘接剂组合物所含有的溶剂优选为甲乙酮等。
粘接剂组合物通过将染料(s)和除此以外的用于构成粘接剂层的成分进行配合而得到。
各成分配合时的添加顺序没有特别限定，可以同时添加2种以上的成分。
在配合时将各成分进行混合的方法没有特别限定，可以从以下的公知方法中适当选择：使搅拌子或搅拌桨等旋转而进行混合的方法、使用搅拌机进行混合的方法、施加超声波进行混合的方法等。
对于各成分的添加及混合时的温度和时间而言，只要各配合成分不劣化，就没有特别限定，可以适当调节，温度优选为15～30℃。
在使用溶剂的情况下，可以通过将溶剂与溶剂以外的任一种配合成分混合而预先稀释该配合成分来使用，也可以不对溶剂以外的任一种配合成分进行预先稀释而通过将溶剂与这些配合成分混合来使用。
粘接剂层可以通过与如上所述在支撑基材上形成粘合剂层的情况相同的方法使用粘接剂组合物来形成。但是，上述使用粘合基材的情况下，通常难以在粘合剂层上直接涂布粘接剂组合物。因此，优选如下方法：例如，将通过在剥离材料的剥离层表面涂布粘接剂组合物并使其干燥而形成的粘接剂层贴合于粘合剂层的表面并除去上述剥离材料等、另行预先形成粘接剂层并将其贴合于粘合剂层的表面的方法。
实施例
以下，通过具体的实施例对本发明更详细地进行说明。但是，本发明并不受以下所示的实施例的任何限定。
＜切割芯片接合片的制造＞
[实施例1～6、比较例1～2]
(粘接剂组合物的制造)
按照表1所示的量配合各成分，再用甲乙酮稀释，得到了粘接剂组合物。
表1中的各成分的缩写分别具有以下含义。
·粘合剂树脂(a)
(a)-1：丙烯酸类树脂(Toyochem公司制造、重均分子量500000、玻璃化转变温度9℃、丙烯酸甲酯(95质量份)及丙烯酸2-羟基乙酯(5质量份)共聚而成的树脂)
·环氧类热固性树脂(b)
(b)-11：具有丙烯酰基的甲酚醛型环氧树脂(日本化药株式会社制造的“CNA-147”)
(b)-21：芳烷基酚醛树脂(三井化学株式会社制造的“Milex XLC-4L”)
·填充材料(c)
(c)-1：甲基丙烯酰基修饰填料(Admatechs公司制造的“SO-C2”、平均粒径0.5μm、二氧化硅的3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷处理品)
·偶联剂(e)
(e)-1：硅烷偶联剂(三菱化学株式会社制造的“MKC Silicate MSEP2”))
·交联剂(f)
(f)-1：芳香族多异氰酸酯(日本聚氨酯工业株式会社制造的“CORONATEL”、三羟甲基丙烷的甲苯二异氰酸酯三聚物加成物)
·染料(s)
(s)-1：溶剂黑3(Orient Chemical Industries公司制造的“OIL Black 860”、油溶性二偶氮染料)
(s)-2：溶剂红18(中央合成化学株式会社制造的“Red TR-71”、油溶性二偶氮染料)
(切割芯片接合片的制造)
将上述得到的粘接剂组合物涂布于在聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的一面进行了剥离处理的剥离片的上述剥离处理面，在120℃下使其干燥3分钟，由此形成了厚度为5μm或20μm的粘接剂层。接着，将与上述相同的剥离片贴合于粘接剂层，制作了粘接剂层的厚度为5μm、20μm的2种非载体膜(non-carrier film)。
接下来，在这些非载体膜中，使用粘接剂层的厚度为20μm的非载体膜，将其的一个剥离片剥离，将上述粘接剂层转印于切割胶带(琳得科株式会社制造的“G-562”)的粘合剂层上，得到了切割芯片接合片。需要说明的是，上述切割胶带的基材为白色，粘合剂层为无色。
＜切割芯片接合片的评价＞
通过下述方法对上述得到的切割芯片接合片评价了粘接剂层的辨识性、半导体封装的可靠性。
(基材与粘接剂层之间的色差(ΔE))
使用分光光度计(株式会社岛津制作所制造的“UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETERUV-3600”)对上述切割胶带(琳得科株式会社制造的“G-562”)和上述得到的厚度为5μm的粘接剂层测定了光透射率。需要说明的是，对于切割胶带，从粘合剂层侧测定了光透射率。此时，使用分光光度计所附带的大型试样室MPC-3100而不使用内置的积分球进行了测定。
然后，根据得到的光透射率的测定结果，按照JIS Z8781-4:2013，分别对作为基材的切割胶带和粘接剂层计算出L*、a*、b*，并按照上述式(I)计算出色差(ΔE)。将结果示于表1。表1中一并示出了粘接剂层的L*、a*、b*。需要说明的是，切割胶带的L*为46，a*为1.6，b*为-2.9。
(粘接剂层的辨识性)
使用贴带机(琳得科株式会社制造的“Adwill RAD2500”)，将实施例及比较例的切割芯片接合片中的粘接剂层厚度为20μm的切割芯片接合片隔着其粘接剂层粘贴于干抛光精加工硅晶片(直径150mm、厚度75μm)的抛光面，将该硅晶片固定于晶片切割用环状框。接着，使用切割装置(DISCO公司制造的“DFD651”)将硅晶片切割成8mm×8mm的尺寸，得到了芯片。在该切割时，从表面对基材仅切入20μm。
将粘贴有切割芯片接合片的上述芯片与切割芯片接合片的粘接剂层一起从基材上拾取。然后，在覆铜箔叠层板(三菱瓦斯化学株式会社制造的“CCL-HL830”)的铜箔(厚度18μm)上形成电路图案，使用在该电路图案上叠层有阻焊剂(TAIYO INK公司制造的“PSR-4000AUS303”)的基板(CHINO GIKEN公司制造的“LN001E-001PCB(Au)AUS303”)，将上述带粘接剂层的芯片隔着该粘接剂层在120℃、2.45N(250gf)、0.5秒钟的条件下压粘在该基板上。另外，使用上述得到的切割芯片接合片中的粘接剂层厚度为5μm的切割芯片接合片，以下，按照与上述相同的步骤得到了芯片，然后将该芯片与切割芯片接合片的粘接剂层一起从基材上拾取，并隔着该粘接剂层进一步压粘在压粘于上述基板的芯片上。在该过程中，对于从环状框与晶片之间可看到的粘接剂层颜色和带粘接剂层的芯片的拾取部位的颜色进行肉眼观察，确认了是否可以通过肉眼观察明确地辨识这些颜色相互不同，即确认了是否可以通过肉眼观察明确地辨识粘接剂层转印于芯片。将结果示于表1。Z表1中，“Yes”表示可以通过肉眼观察明确地辨识，“No”表示不能通过肉眼观察明确地辨识。
(半导体封装的可靠性)
使用烘箱在175℃下将在上述的粘接剂层辨识性评价时制作的上述基板及带粘接剂层的芯片的叠层物加热1小时。接着，使用模具树脂(Kyocera Chemical公司制造的“KE-1100AS3”)和密封装置(APIC YAMADA公司制造的“MPC-06M TriAl Press”)，对从烘箱中取出并冷却至常温的上述叠层物进行密封，使得密封厚度为400μm，并在175℃下加热5小时，由此使上述模具树脂固化。接着，将该密封后的上述叠层物粘贴于切割胶带(琳得科株式会社制造的“Adwill D-510T”)，使用切割装置(Disco公司制造的“DFD651”)切割成8mm×8mm的尺寸，得到了可靠性评价用的半导体封装。
通过在85℃、相对湿度60％的条件下将上述得到的半导体封装放置168小时而使其吸湿后，使用回流焊炉(相模理工株式会社制造的“WL-15-20DNX型”)，在最高加热温度260℃、加热时间1分钟的条件下进行了3次IR回流焊。
然后，对进行了该IR回流焊的半导体封装进行了截面观察，观察有无基板及半导体芯片的接合部浮起/剥离，将在上述接合部观察到0.5mm以上的剥离的情况判断为剥离，对25个半导体封装计数了未剥离的半导体芯片的个数。另外，使用扫描型超声波探伤装置(Hitachi Construction Machinery Finetech公司制造“Hye-Focus”)对进行了该IR回流焊的半导体封装确认了是否产生封装裂纹。将结果示于表1。表1中，“No”表示未产生封装裂纹，“Yes”表示产生了封装裂纹。
表1
Figure BDA0001320129240000191
由上述结果可知，通过使实施例1～6的切割芯片接合片的粘接剂层以0.1～8.3质量％的含量含有染料，ΔE在给定的范围以内，粘接剂层的辨识性优异，而且得到的半导体封装的可靠性也高。
相比之下，通过使比较例1的切割芯片接合片的粘接剂层不含有染料，ΔE在给定的范围以外，粘接剂层的辨识性差。
另外，即使比较例2的切割芯片接合片的粘接剂层含有染料，ΔE也在给定的范围以外，粘接剂层的辨识性差。另外，由于粘接剂层的染料含量过多，得到的半导体封装多数在基板及半导体芯片的接合部观察到剥离，产生了封装裂纹，可靠性低。
工业实用性
本发明可以用于半导体芯片等的制造。

Claims (3)

1.一种切割芯片接合片，其具有基材、和形成在基材上的含有染料的粘接剂层，其中，
所述粘接剂层的所述染料的含量为8.3质量％以下，
所述基材与所述粘接剂层之间的L*a*b*表色系统的色差ΔE为30～53，
所述色差ΔE按照下述式(I)计算，
ΔE＝[(L1*－L2*)2+(a1*－a2*)2+(b1*－b2*)2]1/2····(I)
式(I)中，L1*为基材的L*值，L2*为粘接剂层的L*值，a1*为基材的a*值，a2*为粘接剂层的a*值，b1*为基材的b*值，b2*为粘接剂层的b*值。
2.根据权利要求1所述的切割芯片接合片，其中，所述染料为二偶氮染料。
3.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合片，其中，所述染料在其结构中不含金属原子或金属离子。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6995505B2 (ja) 2017-06-22 2022-01-14 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP7105120B2 (ja) 2017-07-04 2022-07-22 日東電工株式会社 ダイシングテープ、ダイシングダイボンドフィルム、および半導体装置製造方法
JP7041476B2 (ja) 2017-07-04 2022-03-24 日東電工株式会社 ダイシングテープおよびダイシングダイボンドフィルム
JP6978890B2 (ja) * 2017-10-16 2021-12-08 リンテック株式会社 ダイシングダイボンディングシート及び半導体チップの製造方法
JP6405482B1 (ja) * 2018-03-27 2018-10-17 タツタ電線株式会社 導電性接着剤層用キャリアフィルム及びそれを備えたボンディングフィルム
JP7176919B2 (ja) 2018-10-05 2022-11-22 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP7075326B2 (ja) 2018-10-05 2022-05-25 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP2020164564A (ja) * 2019-03-28 2020-10-08 リンテック株式会社 塗工液及びそれを用いた粘着テープの製造方法
JP2020178013A (ja) 2019-04-17 2020-10-29 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP7224231B2 (ja) 2019-04-17 2023-02-17 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP7260017B1 (ja) * 2022-01-31 2023-04-18 大日本印刷株式会社 半導体加工用粘着テープ

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101765909A (zh) * 2007-08-31 2010-06-30 日东电工株式会社 半导体装置制造用的胶粘片及使用其的半导体装置的制造方法
CN102347264A (zh) * 2010-07-28 2012-02-08 日东电工株式会社 半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法
JP2012113104A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Fujifilm Corp 着色感光性樹脂組成物、パターン形成方法、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ及びそれを備えた表示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5437111B2 (ja) * 2010-03-01 2014-03-12 日東電工株式会社 ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置
JP5419226B2 (ja) * 2010-07-29 2014-02-19 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム及びその用途
JP5036887B1 (ja) * 2011-03-11 2012-09-26 日東電工株式会社 保護フィルム付きダイシングフィルム
KR101856557B1 (ko) * 2011-03-16 2018-05-10 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 고열전도성 필름상 접착제용 조성물, 고열전도성 필름상 접착제, 및 그것을 사용한 반도체 패키지와 그 제조 방법
JP5997506B2 (ja) * 2012-05-31 2016-09-28 リンテック株式会社 ダイシング・ダイボンディングシート

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101765909A (zh) * 2007-08-31 2010-06-30 日东电工株式会社 半导体装置制造用的胶粘片及使用其的半导体装置的制造方法
CN102347264A (zh) * 2010-07-28 2012-02-08 日东电工株式会社 半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法
JP2012113104A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Fujifilm Corp 着色感光性樹脂組成物、パターン形成方法、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ及びそれを備えた表示装置

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