TWI632217B - Semiconductor bonded bonding sheet and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Abstract

本發明所提供的半導體接合用接著片，係可埋藏凸塊電極等突起狀電極，結果背面研削性優異。
本發明的半導體接合用接著片，係依序積層著：基材、凹凸吸收層、黏著劑層、及接著劑層而成；而，黏著劑層係由能量線硬化型黏著劑組成物的硬化物構成；接著劑層係可剝離地形成於黏著劑層上。

Description

半導體接合用接著片及半導體裝置的製造方法
本發明係關於特別適用於將矽晶圓等予以晶割，且將所獲得半導體晶片接著(黏晶)於有機基板、引線框架或其他半導體晶片的步驟中，所使用的半導體接合用接著片、及該接著片的半導體裝置的製造方法。
矽、鎵砷等半導體晶圓係依大直徑狀態製造，該晶圓係在被切斷分離(晶割)呈元件小片(半導體晶片)後，被移往下一步驟的黏晶步驟。此時，半導體晶圓會因背面研削步驟而被薄化，然後，經由晶割、洗淨、乾燥、擴展、拾取等各項步驟後，再被移送往下一步驟的焊接步驟。
焊接步驟中，當將半導體晶片安裝於印刷電路板時，有採用在半導體晶片的電路面側之耦接焊墊部上形成由共晶焊料、高溫焊料、金等構成的導通用突起物(凸塊電極)，再利用所謂「倒置方式」，使該等凸塊電極面對面接觸於晶片搭載用基板上相對應的端子部，並施行熔融/擴散接合的覆晶安裝方法。此種安裝方法若使用近年普及之通稱「黏晶薄膜」，將黏貼於晶圓狀態的晶圓施行個片化而獲得晶片，在黏晶時使用供將晶片與晶片搭載用基板予以接著用的接著薄膜，相較於使用其他形態的填底膠材之下較為簡便。
上述用途所使用的積層片，在專利文獻1中所揭 示的積層片，係具有：具有在基材上形成黏著劑層構成的背面研磨膠帶、以及在上述背面研磨膠帶的上述黏著劑層上設置之樹脂組成物層，而上述黏著劑層係放射線硬化型黏著劑層。專利文獻1的積層片中，樹脂組成物層係具有上述接著薄膜的功能。
然而，專利文獻1的積層片，無法將凸塊電極充 分埋藏於該積層片中，若施行晶圓的背面研削，便會導致研削面出現凹洞(凹點)。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-123002號公報
緣是，本發明目的在於提供：可埋藏凸塊電極等突起狀電極，結果背面研削性優異的半導體接合用接著片。又，本發明目的在於提供：在黏著劑層與接著薄膜(接著劑層)間之界面處剝離性優異的半導體接合用接著片。
解決上述課題的本發明，係包含有以下主旨。
[1]一種半導體接合用接著片，係依序積層著：基材、凹凸吸收層、黏著劑層、及接著劑層而成；其中，黏著劑層係由能量線硬化型黏著劑組成物的硬化物構成； 接著劑層係可剝離地形成於黏著劑層上。
[2]如[1]所記載的半導體接合用接著片，其中，70℃下的凹凸吸收層之tan δ係0.5以上。
[3]如[1]或[2]所記載的半導體接合用接著片，其中，黏貼於表面形成有突起狀電極的半導體晶圓表面；接著劑層的厚度較小於突起狀電極的高度。
[4]如[1]~[3]中任一項所述的半導體接合用接著片，其中，凹凸吸收層係由含胺酯聚合體的硬化性組成物之硬化物、或乙烯-α-烯烴共聚合體構成。
[5]一種半導體裝置的製造方法，係使用上述[1]~[4]中任一項所述的半導體接合用接著片的半導體裝置之製造方法，其包括：在晶圓上黏貼半導體接合用接著片的接著劑層之步驟；以及對晶圓背面施行研削的步驟。
本發明的半導體接合用接著片係可適用於覆晶安裝方法，能將在半導體晶圓表面上形成的電路之凹凸(例如突起狀電極)，埋藏於該接著片中。所以，可良好地施行半導體晶圓的背面研削。又，本發明的半導體接合用接著片係黏著劑層與接著劑層之界面處的剝離性優異。
1‧‧‧基材
2‧‧‧凹凸吸收層
3‧‧‧黏著劑層
4‧‧‧接著劑層
10‧‧‧半導體接合用接著片
圖1係本發明第1構成的半導體接合用接著片圖。
圖2係本發明第2構成的半導體接合用接著片圖。
以下，針對本發明的半導體接合用接著片更進一步進行具體說明。如圖1及圖2所示，本發明的半導體接合用接著片10係依序積層著：基材1、凹凸吸收層2、黏著劑層3、及接著劑層4而成。
(基材)
基材並無特別的限制，可使用例如：聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚合體薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、乙烯-醋酸乙烯酯共聚合體薄膜、離子聚合物樹脂薄膜、乙烯‧(甲基)丙烯酸共聚合體薄膜、乙烯‧(甲基)丙烯酸酯共聚合體薄膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、氟樹脂薄膜等薄膜。又，亦可使用該等的交聯薄膜。又，亦可為該等的積層薄膜。又，亦可使用由該等施行著色的薄膜等。
基材的厚度並無特別的限制，較佳係20~300μm、 更佳係60~150μm。藉由將基材的厚度設定在上述範圍內，半導體接合用接著片便具有充份的可撓性，因而對半導體晶圓等工件呈良好的黏貼性。
再者，在基材鄰接凹凸吸收層之面上，為能提升 供形成凹凸吸收層用的組成物(凹凸吸收層用組成物)之潤濕性，可施行電暈處理、或設置底漆層。底漆層係可由接著劑構成的層。底漆層的厚度並無特別的限制。
此種接著劑並無特別的限制，可使用自習知起便 通用的接著劑，例如：丙烯酸系、橡膠系、聚矽氧系等接著劑；聚酯系、聚醯胺系、乙烯共聚合體系、環氧系、胺酯系等熱可塑性或熱硬化性接著劑；丙烯酸系、胺酯系等紫外線硬化型接著劑、電子束硬化型接著劑。
(凹凸吸收層)
本發明的半導體接合用接著片係藉由設有凹凸吸收層，便可將在半導體晶圓表面上所形成電路的凹凸，埋藏於半導體接合用接著片中。即，當將本發明的半導體接合用接著片，黏貼於表面上設有電路的半導體晶圓(特別係表面有形成突起狀電極的半導體晶圓)表面時，對電路凹凸的追蹤性優異，可將電路的凹凸吸收於該接著片中。所以，施行晶圓的背面研削時，可確實防止對晶圓的電路面之研削水等侵入，且在研削面上不易形成凹洞(凹點)。若研削面有發生凹點，則半導體晶圓、或將該晶圓施行個片化而獲得的半導體晶片容易遭破損，導致組裝其的半導體裝置可靠度降低。凹凸吸收層係在能追蹤受黏物表面上所形成凹凸之前提下，其餘並無特別的限定。
此種凹凸吸收層，70℃下的凹凸吸收層之tan δ(損 失正接)較佳係0.5以上、更佳係1以上、特佳係1.3以上。相關上限並無特別的限制，通常係5左右、較佳係4以下。
設有凹凸吸收層的本發明半導體接合用接著片， 當在半導體裝置的製造步驟中黏貼於半導體晶圓時，會依50~110℃程度範圍被加熱。藉由將70℃下的凹凸吸收層之tan δ設定在上述範圍內，則在上述半導體裝置的製造步驟中凹凸吸收層會流動化，容易配合電路的凹凸而變形，因而即便在半 導體晶圓表面上形成的電路凹凸高度(突起狀電極的高度)，較大於後述接著劑層的厚度情況，仍可輕易地將電路的凹凸埋藏於半導體接合用接著片中。
所以，晶圓經研削後的厚度精度高，且即便研削至晶圓厚度在100μm以下，仍可防止晶圓出現龜裂。
另外，70℃下的凹凸吸收層之tan δ係可利用組成的選擇、以及當使用硬化物時的硬化程度進行控制。
凹凸吸收層係例如利用習知公知的各種黏著劑形成便可獲得。此種黏著劑並無任何的限定，可使用例如橡膠系、丙烯酸系、聚矽氧系、聚乙烯醚等黏著劑。又，亦可使用能量線硬化型、加熱發泡型、水膨潤型黏著劑。
再者，凹凸吸收層亦可使用含胺酯聚合體的硬化性組成物之硬化物、或乙烯-α-烯烴共聚合體形成。若由含胺酯聚合體的硬化性組成物之硬化物或乙烯-α-烯烴共聚合體構成凹凸吸收層，便可輕易地將凹凸吸收層的tan δ調整於上述範圍內。
含胺酯聚合體的硬化性組成物，具體係可例如：含有胺酯聚合物與乙烯基系聚合物的摻合物、含有胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物的摻合物等。藉由將該等摻合物予以硬化，便可獲得本發明的凹凸吸收層。
在含有胺酯聚合物與乙烯基系聚合物的摻合物、含有胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物的摻合物中，較佳係摻合入光聚合起始劑。胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物係可例如在由具聚酯骨架、聚醚骨架、聚碳酸酯骨架等的多元醇化合 物、與聚異氰酸酯化合物進行聚合，而獲得的胺甲酸乙酯寡聚物之末端羥基或末端異氰酸酯基，經加成具(甲基)丙烯醯基之化合物者。
在含有胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物的摻合 物中，亦可添加低分子量且具反應性雙鍵基的化合物，而此種化合物所具有的反應性雙鍵基係可例如(甲基)丙烯醯基、乙烯基。藉由添加此種低分子量且具反應性雙鍵基的化合物，便可使含有胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物的摻合物之黏度降低，可提升當利用摻合物塗佈而獲得凹凸吸收層時的摻合物之塗佈適性。又，低分子量且具反應性雙鍵基的化合物係在含有胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物的摻合物經硬化後，介存於胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯的(甲基)丙烯醯基彼此間之聚合間，具有能擴大三維網目構造之網目間隔的效果。
低分子量且具反應性雙鍵基的化合物係可例如： 具有碳數1~30之烷基的(甲基)丙烯酸酯；具有羥基、醯胺基、胺基、環氧基等官能基的(甲基)丙烯酸酯；具脂環式結構的(甲基)丙烯酸酯、芳香族結構的(甲基)丙烯酸酯；具雜環式結構的(甲基)丙烯酸酯；苯乙烯、羥乙基乙烯醚、羥丁基乙烯醚、N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基己內醯胺等乙烯系化合物等等。
具有碳數1~30之烷基的(甲基)丙烯酸酯，係除後 述就丙烯酸聚合體(A1)所例示者之外，尚可例如：(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯、(甲基)丙烯酸廿五烷基酯、(甲基)丙烯酸卅烷基酯等。
具有羥基、胺基、環氧基的(甲基)丙烯酸酯，係可 例如後述就丙烯酸聚合體(A1)所例示者，就具醯胺基的(甲基)丙烯酸酯係可例如：(甲基)丙烯酸醯胺、乙烯雙(甲基)丙烯酸醯胺、二甲基(甲基)丙烯醯胺、二甲胺丙基(甲基)丙烯醯胺、異丙基(甲基)丙烯醯胺、二乙基(甲基)丙烯醯胺、羥乙基(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯醯基啉等。
具脂環式結構的(甲基)丙烯酸酯係可例如：(甲基) 丙烯酸異酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸雙環戊烯氧酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸金剛烷基酯等。
具芳香族結構的(甲基)丙烯酸酯係可例如：(甲基) 丙烯酸苯基羥丙酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸-2-羥-3-苯氧基丙酯等。
具雜環式結構的(甲基)丙烯酸酯係可例如：(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯醯基啉等。
再者，將含有胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物的 摻合物之含有：日本專利特開2011-068727號公報所揭示胺甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物、及分子內具硫醇基的化合物之能量線硬化型組成物進行硬化，亦可形成凹凸吸收層。藉由使用此種摻合物，便可更輕易地將70℃下的凹凸吸收層之tan δ(損失正接)調整於上述範圍內。
乙烯-α-烯烴共聚合體係將乙烯與α-烯烴單體進 行聚合便可獲得。α-烯烴單體係可例如：乙烯、丙烯、1-丁烯、2-甲基-1-丁烯、2-甲基-1-戊烯、1-己烯、2,2-二甲基-1-丁烯、 2-甲基-1-己烯、4-甲基-1-戊烯、1-庚烯、3-甲基-1-己烯、2,2-二甲基-1-戊烯、3,3-二甲基-1-戊烯、2,3-二甲基-1-戊烯、3-乙基-1-戊烯、2,2,3-三甲基-1-丁烯、1-辛烯、2,2,4-三甲基-1-辛烯等。該等α-烯烴單體係可單獨使用、或組合使用2種以上。 又，在乙烯-α-烯烴共聚合體中，除上述單體以外，尚可使用其他的聚合性單體。其他的聚合性單體係可例如：醋酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈、甲基丙烯腈、乙烯酮等乙烯系化合物；丙烯酸、甲基丙烯酸等不飽和羧酸；丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯等不飽和羧酸酯；丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺等不飽和羧酸醯胺等等。該等聚合性單體係可單獨使用、或組合使用2種以上。
凹凸吸收層的厚度並無特別的限制，較佳係10~450μm、更佳係30~300μm。
(黏著劑層)
黏著劑層係由能量線硬化型黏著劑組成物的硬化物構成。根據上述黏著劑層，因為在黏著劑層與接著劑層的界面處之剝離性優異，因而在後述半導體裝置的製造方法中可輕易地獲得具接著劑層的晶片。
若在未使用黏著劑層情況下，於上述凹凸吸收層上直接積層著接著劑層，則凹凸吸收層與接著劑層間之剝離力會變大，會有導致凹凸吸收層與接著劑層的界面處之剝離(層間剝離)困難情形。又，若在凹凸吸收層上直接積層著接著劑層，則在後述半導體裝置的製造步驟中，會有無法獲得想要的 層間剝離情形。例如會有因晶圓的背面研削所生成的剪切力，導致凹凸吸收層與接著劑層出現不經意地剝離情形，以及發生凹凸吸收層的凝聚破壞，導致在接著劑層上附著凹凸吸收層之殘渣物情形。在接著劑層上所附著的凹凸吸收層之殘渣物，會有導致半導體裝置的可靠度降低情形。
藉由隔著由能量線硬化型黏著劑組成物的硬化物 所構成黏著劑層，將凹凸吸收層與接著劑層予以積層，便可解除上述不良情況。即，因為黏著劑層與接著劑層的界面處之剝離性優異，因而可輕易地獲得具接著劑層之晶片。
再者，若取代由能量線硬化型黏著劑組成物的硬 化物構成之黏著劑層，改為使用未硬化的黏著劑層，則為能使黏著劑層的黏著性降低，便必需在黏著劑層中摻合大量交聯劑，導致達既定黏著力(剝離力)為止的養護期間拉長。即，藉由使用由能量線硬化型黏著劑組成物之硬化物構成的黏著劑層，便可縮短養護期間，因而可提升半導體接合用接著片的生產性。
在能量線硬化型黏著劑組成物的硬化物，實質未 含有未反應的反應性雙鍵基，或者即便含有亦是不致對本發明效果構成影響之程度的量。具體而言，具有由能量線硬化型黏著劑組成物的硬化物所構成黏著劑層的黏著片(本發明中為基材、凹凸吸收層及黏著劑層的積層物)，於能量線照射前後的黏著力變化率係在90~100%範圍內。該黏著力的變化率係可依照以下的方法進行測定。首先，將黏著片裁剪為長200mm、寬25mm，而準備黏著力測定用片。接著，將黏著力測定用片的 黏著劑層黏貼於半導體晶圓的鏡面上，會得由半導體晶圓與黏著力測定用片構成的積層體。所獲得積層體在23℃、相對濕度50%環境下放置20分鐘。針對經放置後的積層體之黏著力測定用片，根據JIS Z0237：2000施行180°拉剝試驗(將黏著力測定用片設為被拉剝側的構件)，測定能量線照射前的黏著力(單位：mN/25mm)。又，針對經放置後的積層體之黏著力測定片，施行能量線照射(220mW/cm2、160mJ/cm2)，依照與上述同樣地測定經能量線照射後的黏著力(單位：mN/25mm)。然後，從所測定到能量線照射前後的黏著力計算出變化率。
本發明的反應性雙鍵基係具有聚合性碳-碳雙鍵的 官能基，具體例係可例如：乙烯基、烯丙基、(甲基)丙烯醯基等，較佳係(甲基)丙烯醯基。本發明的反應性雙鍵基因為在自由基存在下會生成自由基，而輕易引發加成聚合反應，因而並非指未具有聚合性的雙鍵。例如構成能量線硬化型黏著劑組成物的各成分中亦可含有芳香環，但芳香環的不飽和結構並非為本發明的反應性雙鍵基。
能量線硬化型黏著劑組成物係至少含有：聚合體 成分(A)(以下亦簡稱「成分(A)」。相關其他的成分亦同)、及能量線硬化性化合物(B)，或者含有兼具(A)成分與(B)成分性質的能量線硬化型聚合體(AB)。又，亦可併用能量線硬化型聚合體(AB)、與聚合體成分(A)及/或能量線硬化性化合物(B)。
以下，就聚合體成分(A)係以含丙烯酸聚合體(A1)的丙烯酸系黏著劑組成物為例進行具體說明。
(A1)丙烯酸聚合體
丙烯酸聚合體(A1)係至少在構成其的單體中，含有(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物的聚合體，較佳係具有反應性官能基。
另外，本發明的反應性官能基係會與後述交聯劑(C)或交聯劑(J)所具有的交聯性官能基產生反應的官能基，具體係可例如：羧基、胺基、環氧基、羥基等。
丙烯酸聚合體(A1)的反應性官能基會與交聯劑(C) 的交聯性官能基產生反應形成三維網目構造，而提高黏著劑層的凝聚力。結果，在黏著劑層上所設置的接著劑層可輕易地從黏著劑層上剝離。
丙烯酸聚合體(A1)的反應性官能基，就從較容易選擇性與當作交聯劑(C)較佳使用的有機多元異氰酸酯化合物進行反應之觀點，較佳係羥基。反應性官能基，係藉由構成丙烯酸聚合體(A1)的單體使用後述具有羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有羧基的(甲基)丙烯酸酯、具有胺基的(甲基)丙烯酸酯、具有環氧基的(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸或衣康酸等(甲基)丙烯酸酯以外具有羧基的單體、乙烯醇或N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺等(甲基)丙烯酸酯以外具有羥基的單體等等具有反應性官能基的單體，便可導入於丙烯酸聚合體(A1)中。
此情況，丙烯酸聚合體(A1)係在構成的總單體中， 具有反應性官能基的單體較佳係含有1~50質量%、更佳係含有2~20質量%、特佳係含有2~15質量%。若丙烯酸聚合體(A1)中具有反應性官能基的單體含量超過50質量%，則一般高極性反應性官能基彼此間的相互作用會變為過大，導致會有丙烯酸 聚合體(A1)的處置趨於困難之顧慮。
丙烯酸聚合體(A1)的重量平均分子量(Mw)較佳係 1萬~200萬、更佳係10萬~150萬。
本發明中，重量平均分子量(Mw)、數量平均分子量(Mn)及分子量分佈(Mw/Mn)的值，係利用凝膠滲透色層分析法(GPC)法(聚苯乙烯標準)測定時的值。依照此種方法進行的測定，係例如使用在TOSOH公司製高速GPC裝置「HLC-8120GPC」上，依照高速管柱「TSK gurd column HXL-H」、「TSK Gel GMHXL」、「TSK Gel G2000 HXL」(以上均為TOSOH公司製)的順序連結者，於管柱溫度：40℃、送液速度：1.0mL/分的條件下，檢測器使用微差折射率計實施。
再者，丙烯酸聚合體(A1)的玻璃轉移溫度(Tg)較佳 係-45~0℃、更佳係-35~-15℃範圍。藉由將丙烯酸聚合體(A1)的玻璃轉移溫度設定在上述範圍內，便可提升黏著劑層與接著劑層的界面處之剝離性。
丙烯酸聚合體(A1)的玻璃轉移溫度(Tg)係藉由構成丙烯酸聚合體(A1)的單體之組合便可調整。例如提高玻璃轉移溫度的方法，當構成丙烯酸聚合體(A1)的單體係使用後述烷基的碳數為1~18之(甲基)丙烯酸烷基酯時，便選擇烷基之碳數較小的(甲基)丙烯酸烷基酯之方法、或增加烷基碳數較小的(甲基)丙烯酸烷基酯含有比例之方法。
另外，丙烯酸聚合體(A1)的玻璃轉移溫度(Tg)係根 據構成丙烯酸聚合體(A1)的單體之單聚物玻璃轉移溫度，依照以下計算式(FOX式)求取。將丙烯酸聚合體(A1)的Tg設為 Tgcopolymer、構成丙烯酸聚合體(A1)的單體X之單聚物Tg設為Tgx、單體Y的單聚物Tg設為Tgy、單體X的莫耳分率設為Wx(mol%)、單體Y的莫耳分率設為Wy(mol%)，則FOX式便依下式(1)表示：100/Tgcopolymer=Wx/Tgx+Wy/Tgy．．．(1)
再者，FOX式係即便丙烯酸聚合體(A1)由3個以上單體形成的共聚合組成，仍可視同成立與上式(1)同樣的加成性。
(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物，係可例如：烷基的碳數為1~18之(甲基)丙烯酸烷基酯、具環狀骨架的(甲基)丙烯酸酯、具羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有環氧基的(甲基)丙烯酸酯、具胺基的(甲基)丙烯酸酯、具羧基的(甲基)丙烯酸酯。
烷基的碳數為1~18之(甲基)丙烯酸烷基酯，係可例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯等。
具環狀骨架的(甲基)丙烯酸酯係可例如：(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸異酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯、醯亞胺(甲基)丙烯酸酯等。
具羥基的(甲基)丙烯酸酯係可例如：(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丁酯等。
具有環氧基的(甲基)丙烯酸酯係可例如(甲基)丙烯酸環氧丙酯等。
具胺基的(甲基)丙烯酸酯係可例如：單乙胺基(甲基)丙烯酸酯、二乙胺基(甲基)丙烯酸酯等。
具羧基的(甲基)丙烯酸酯係可例如：酞酸-2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、酞酸-2-(甲基)丙烯醯氧基丙酯等。
再者，丙烯酸聚合體(A1)中，亦可使例如：(甲基)丙烯酸、衣康酸等(甲基)丙烯酸酯以外具有羧基的單體；乙烯醇、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺等(甲基)丙烯酸酯以外具有羥基的單體；(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯醯胺、醋酸乙烯酯、苯乙烯等進行共聚合。
該等係可單獨使用1種、亦可併用2種以上。
(B)能量線硬化性化合物
能量線硬化性化合物(B)係含有反應性雙鍵基，具有若接收紫外線、電子束等能量線的照射便會聚合硬化，致使黏著劑組成物之黏著性降低的功能。
該能量線硬化性化合物例係可例如具反應性雙鍵基的低分子量化合物(單官能基、多官能基單體及寡聚物)，具體係可使用例如：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯等丙烯酸酯；二環戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯、丙烯酸異酯等含環狀脂肪族骨架的丙烯酸酯；聚乙二醇二丙烯酸酯、寡聚酯丙烯酸酯、胺甲酸乙酯丙烯酸酯寡聚物、環氧改質 丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯等丙烯酸酯系化合物。此種化合物通常係分子量100~30000、較佳係300~10000程度。
一般相對於成分(A)(包含後述能量線硬化型聚合 體(AB)在內)100質量份，具反應性雙鍵基的低分子量化合物較佳係依0~200質量份、更佳係1~100質量份、特佳係1~30質量份程度的比例使用。
(AB)能量線硬化型聚合體
能量線硬化型聚合體(AB)係具有兼具當作聚合體用功能與能量線硬化性的性質。
上述兼具成分(A)及(B)性質的能量線硬化型聚合體(AB)，係在聚合體的主鏈、側鏈或末端鍵結著反應性雙鍵基。
在能量線硬化型聚合體的主鏈、側鏈或末端所鍵結的反應性雙鍵基，係如上述中所例示。反應性雙鍵基亦可經由伸烷基、伸烷氧基、聚伸烷氧基，鍵結於能量線硬化型聚合體的主鏈、側鏈或末端。
能量線硬化型聚合體(AB)的重量平均分子量(Mw)較佳係1萬~200萬、更佳係10萬~150萬。又，能量線硬化型聚合體(AB)的玻璃轉移溫度(Tg)較佳係-45~0℃、更佳係-35~-15℃範圍。另外，當使具有羥基等反應性官能基的丙烯酸聚合體(A1)、與後述聚合性基含有化合物進行反應，而獲得能量線硬化型聚合體(AB)的情況，Tg便指在與含聚合性基之化合物進行反應前的丙烯酸聚合體(A1)之Tg。
能量線硬化型聚合體(AB)係例如使具有羧基、胺基、環氧基、羥基等反應性官能基的丙烯酸聚合體(A1)、與每 1分子中具有1~5個能與該反應性官能基產生反應的取代基與聚合性碳-碳雙鍵之含聚合性基化合物，進行而獲得。丙烯酸聚合體(A1)較佳係由具反應性官能基的(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物構成的聚合體。該聚合性基含有化合物係可例如：異氰酸(甲基)丙烯醯氧基乙酯、異氰酸間異丙烯基-α,α-二甲基苄酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸烯丙酯、(甲基)丙烯酸環氧丙酯、(甲基)丙烯酸等。
當能量線硬化型聚合體(AB)係使含反應性官能基 之丙烯酸聚合體(A1)、與聚合性基含有化合物進行反應而獲得的情況，能量線硬化型聚合體(AB)亦可被交聯。當有添加交聯劑時，藉由交聯劑的交聯性官能基與反應性官能基進行反應，能量線硬化型聚合體(AB)會被交聯，便可調整黏著劑層的凝聚力。
(C)交聯劑
本發明中，為能對黏著劑層賦予凝聚性，較佳係在能量線硬化型黏著劑組成物中添加交聯劑(C)。交聯劑係可例如：有機多元異氰酸酯化合物、有機多元環氧化合物、有機多元亞胺化合物、金屬螯合系交聯劑等，就從反應性高度的觀點，較佳係有機多元異氰酸酯化合物。
有機多元異氰酸酯化合物係可例如使：諸如芳香 族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物、脂環族多元異氰酸酯化合物及該等的有機多元異氰酸酯化合物之三聚體、異三聚氰酸酯體、加成體(其係與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷、葵花油等含低分子活性氫之化合物的 反應物，例如加成三羥甲基丙烷的伸苯二甲基二異氰酸酯等)、有機多元異氰酸酯化合物，與多元醇化合物進行反應而獲得的末端異氰酸酯胺甲酸乙酯預聚物等。
有機多元異氰酸酯化合物的更具體例，係可例 如：2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-伸苯二甲基二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4'-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯、加成三羥甲基丙烷的甲苯二異氰酸酯及離胺酸異氰酸酯。
有機多元環氧化合物的具體例，係可例如：1,3- 雙(N,N'-二縮水甘油胺甲基)環己烷、N,N,N',N'-四環氧丙基-間伸苯二甲基二胺、乙二醇二環氧丙醚、1,6-己二醇二環氧丙醚、三羥甲基丙烷二環氧丙醚、二環氧丙基苯胺、二縮水甘油胺等。
有機多元亞胺化合物的具體例，係可例如：N,N'- 二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶羧醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、及N,N'-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶羧醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。
金屬螯合系交聯劑的具體例，係可例如：三正丁 氧基乙基乙醯醋酸鋯、二正丁氧基雙(乙基乙醯醋酸)鋯、正丁氧基參(乙基乙醯醋酸)鋯、肆(正丙基乙醯醋酸)鋯、肆(乙醯基乙醯醋酸)鋯、肆(乙基乙醯醋酸)鋯等鋯螯合系交聯劑；二異丙氧基‧雙(乙基乙醯醋酸)鈦、二異丙氧基‧雙(乙醯基醋酸)鈦、二異丙氧基‧雙(乙醯基丙酮)鈦等鈦螯合系交聯劑；二異 丙氧基乙基乙醯醋酸鋁、二異丙氧基乙醯丙酮鋁、異丙氧基雙(乙基乙醯醋酸)鋁、異丙氧基雙(乙醯丙酮)鋁、參(乙基乙醯醋酸)鋁、參(乙醯丙酮)鋁、單乙醯丙酮‧雙(乙基乙醯醋酸)鋁等鋁螯合系交聯劑等。
該等係可單獨使用1種、亦可併用2種以上。
如上述交聯劑(C)所具有的交聯性官能基(例如異 氰酸酯基)，係與丙烯酸聚合體(A1)的反應性官能基(例如羥基)產生反應。
交聯劑(C)相對於丙烯酸聚合體(A1)100質量份， 較佳係依0.01~20質量份、更佳係0.1~10質量份、特佳係0.5~5質量份的比率使用。藉由將交聯劑的摻合量設定在上述範圍內，便可提高黏著劑層的凝聚力。另外，當使用能量線硬化型聚合體(AB)的情況，交聯劑(C)相對於能量線硬化型聚合體(AB)100質量份，較佳係依上述範圍的比率使用，當併用丙烯酸聚合體(A1)與能量線硬化型聚合體(AB)的情況，相對於二者合計100質量份，較佳係依上述範圍的比率使用。
含有如上述丙烯酸聚合體(A1)及能量線硬化性化 合物(B)的丙烯酸系黏著劑組成物、或含有能量線硬化型聚合體(AB)的丙烯酸系黏著劑組成物，係藉由能量線照射而硬化。 能量線具體係可使用紫外線、電子束等。
(D)光聚合起始劑
藉由在能量線硬化性化合物(B)、或能量線硬化型聚合體(AB)中組合光聚合起始劑(D)，便可縮短聚合硬化時間，以及減少光線照射量。
此種光聚合起始劑係可例如：二苯基酮、苯乙酮、 苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基縮酮、2,4-二乙基硫酮、1-羥環己基苯基酮、苄基二苯硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆(tetramethylthiuram monosulfide)、偶氮雙異丁腈、苄、聯苄、二乙醯基、1,2-二苯基甲烷、2-羥-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦及β-氯化蒽醌等。光聚合起始劑係可單獨使用1種、亦可組合使用2種以上。
光聚合起始劑的摻合比例，相對於能量線硬化性 化合物(B)或能量線硬化型聚合體(AB)100質量份，較佳係含有0.1~10質量份、更佳係含有1~5質量份。另外，當併用能量線硬化性化合物(B)與能量線硬化型聚合體(AB)的情況，光聚合起始劑相對於二者合計100質量份，較佳係依上述範圍摻合。
若光聚合起始劑的摻合比例未滿0.1質量份，則會因光聚合不足導致無法獲得滿意的硬化性，若超過10質量份，則會生成對光聚合無具貢獻的殘留物，導致成為不良情況的原因。
再者，在能量線硬化型黏著劑組成物中，尚可添加他成分之例如：染料、顏料、抗劣化劑、抗靜電劑、難燃劑、聚矽氧化合物、鏈轉移劑、可塑劑等。
能量線硬化型黏著劑組成物較佳係含上述成分構成，黏著劑層係由此種能量線硬化型黏著劑組成物的硬化物構成。由能量線硬化型黏著劑組成物的硬化物所構成黏著劑層，係藉由在後述半導體接合用接著片之製造方法中所說明的能 量線照射，使含有丙烯酸聚合體(A1)及能量線硬化性化合物(B)的丙烯酸系黏著劑組成物、或含有能量線硬化型聚合體(AB)的丙烯酸系黏著劑組成物所構成被膜(未硬化黏著劑層)硬化而獲得。
黏著劑層的厚度並無特別的限定，通常係 1~100μm、較佳係1~60μm、更佳係1~30μm。
(接著劑層)
接著劑層係可剝離地形成於上述黏著劑層上。對接著劑層至少要求的功能係(1)片形狀維持性、(2)初期接著性、及(3)硬化性。
藉由在接著劑層中添加黏結劑成分，便可賦予(1) 片形狀維持性及(3)硬化性，而黏結劑成分係可使用含有聚合體成分(E)及硬化性成分(F)的第1黏結劑成分、或者含有兼具(E)成分與(F)成分性質之硬化性聚合體成分(EF)的第2黏結劑成分。
另外，為使在截至接著劑層硬化為止前的期間，能暫時性黏著於受黏物上之功能的(2)初期接著性，係可為感壓接著性、亦可為利用熱而軟化並接著的性質。(2)初期接著性通常係藉由黏結劑成分的諸項特性、後述無機填料(G)的摻合量調整等進行控制。
(第1黏結劑成分)
第1黏結劑成分係藉由含有聚合體成分(E)與硬化性成分(F)，便可對接著劑層賦予片形狀維持性與硬化性。另外，第1黏結劑成分就為能與第2黏結劑成分區分的便利，未含有硬化 性聚合體成分(EF)。
(E)聚合體成分
聚合體成分(E)係在對接著劑層賦予片形狀維持性之主要目的下，添加於接著劑層中。為達成上述目的，聚合體成分(E)的重量平均分子量(Mw)通常係20,000以上、較佳係20,000~3,000,000。另外，為與後述硬化性聚合體成分(EF)區分的便利，聚合體成分(E)並未具有後述硬化功能官能基。
聚合體成分(E)係可使用例如：丙烯酸聚合體、聚 酯、苯氧基樹脂(為與後述硬化性聚合體(EF)區分的便利，僅限於未具有環氧基者)、聚碳酸酯、聚醚、聚胺甲酸乙酯、聚矽氧烷、橡膠系聚合體等。又，亦可為鍵結該等2種以上者，例如藉由使具有羥基之丙烯酸聚合體的丙烯酸多元醇，與分子末端具有異氰酸酯基的胺甲酸乙酯預聚物，進行反應而獲得的丙烯酸胺酯樹脂等。又，含有鍵結2種以上的聚合體，亦可組合使用該等2種以上。
(E1)丙烯酸聚合體
聚合體成分(E)較佳係使用丙烯酸聚合體(E1)。丙烯酸聚合體(E1)的玻璃轉移溫度(Tg)較佳係-60~50℃、更佳係-50~40℃、特佳係-40~30℃範圍。若丙烯酸聚合體(E1)的玻璃轉移溫度偏高，則接著劑層的接著性會降低，經轉印後會有發生接著劑層從半導體晶圓上剝離等不良情況。
丙烯酸聚合體(E1)的重量平均分子量較佳係 100,000~1,500,000。若丙烯酸聚合體(E1)的重量平均分子量偏高，則接著劑層的接著性會降低，經轉印後會有發生接著劑層 從半導體晶圓上剝離等不良情況。
丙烯酸聚合體(E1)係至少構成的單體中含有(甲基) 丙烯酸酯單體或其衍生物。(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物係可例如在丙烯酸聚合體(A1)中所例示者。
構成丙烯酸聚合體(E1)的單體亦可使用具有羥基 的單體。藉由使用此種單體在丙烯酸聚合體(E1)中導入羥基，當接著劑層另外含有能量線硬化性成分(F2)的情況，可提升其與丙烯酸聚合體(E1)間之相溶性。具羥基的單體係可例如：(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯等具羥基的(甲基)丙烯酸酯；N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺等。
構成丙烯酸聚合體(E1)的單體亦可使用具有羧基 的單體。藉由使用此種單體，在丙烯酸聚合體(E1)中導入羧基，當接著劑層另外含有能量線硬化性成分(F2)的情況，可提升其與丙烯酸聚合體(E1)間之相溶性。具羧基的單體係可例如：酞酸-2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、酞酸-2-(甲基)丙烯醯氧基丙酯等具羧基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、衣康酸等。當後述硬化性成分(F)係使用環氧系熱硬化性成分的情況，因為羧基會與環氧系熱硬化性成分中的環氧基產生反應，因而具羧基的單體使用量越少越好。
構成丙烯酸聚合體(E1)的單體亦可使用具胺基的 單體。此種單體係可例如單乙胺基(甲基)丙烯酸酯等具有胺基的(甲基)丙烯酸酯等等。
構成丙烯酸聚合體(E1)的單體，除此之外尚可使用 醋酸乙烯酯、苯乙烯、乙烯、α-烯烴等。
丙烯酸聚合體(E1)亦可被交聯。當接著劑層含有後 述交聯劑(J)的情況，丙烯酸聚合體(E1)最好具有反應性官能基。丙烯酸聚合體(E1)的反應性官能基，係與成分(A)中的反應性官能基同義，具有反應性官能基的丙烯酸聚合體係依照在成分(A)中所記載的方法便可獲得。
其中，具有反應性官能基係羥基的丙烯酸聚合體 (E1)，係可輕易製造，因為使用交聯劑(J)便可輕易地導入交聯結構，故屬較佳。又，具有羥基的丙烯酸聚合體(E1)係在與後述熱硬化性成分(F1)間之相溶性優異。
構成丙烯酸聚合體(E1)的單體係當藉由使用具有 反應性官能基的單體，而在丙烯酸聚合體(E1)中導入反應性官能基的情況，具有反應性官能基的單體，在構成丙烯酸聚合體(E1)的單體總質量中之比例，較佳係1~20質量%、更佳係3~15質量%。藉由將丙烯酸聚合體(E1)中，源自具有反應性官能基之單體的構成單元設定在上述範圍內，則反應性官能基會與交聯劑(J)的交聯性官能基產生反應而形成三維網目構造，便可提高丙烯酸聚合體(E1)的交聯密度。結果，接著劑層的剪切強度優異。又，因為接著劑層的吸水性降低，因而可獲得封裝可靠度優異的半導體裝置。
(E2)非丙烯酸系樹脂
再者，聚合體成分(E)亦可從例如聚酯、苯氧基樹脂(為與後述硬化性聚合體(EF)區分的便利，僅限於未具環氧基者)、聚碳酸酯、聚醚、聚胺甲酸乙酯、聚矽氧烷、橡膠系聚合體、或由該等2種以上鍵結者之中選擇的非丙烯酸系樹脂(E2)，單獨 使用1種、或組合使用2種以上。此種樹脂的重量平均分子量較佳係20,000~100,000、更佳係20,000~80,000。
非丙烯酸系樹脂(E2)的玻璃轉移溫度較佳係 -30~150℃、更佳係-20~120℃範圍。
非丙烯酸系樹脂(E2)併用上述丙烯酸聚合體(E1) 時，當使用半導體接合用接著片，將接著劑層轉印於半導體晶圓時，可更輕易地執行黏著劑層與接著劑層間之層間剝離，更可在轉印面上追蹤接著劑層，俾抑制孔洞等發生。
非丙烯酸系樹脂(E2)併用上述丙烯酸聚合體(E1) 時，非丙烯酸系樹脂(E2)含量，就非丙烯酸系樹脂(E2)與丙烯酸聚合體(E1)的質量比(E2：E1)，通常係1：99~60：40、較佳係1：99~30：70範圍。藉由將非丙烯酸系樹脂(E2)含量設定在該範圍內，可獲得上述效果。
(F)硬化性成分
硬化性成分(F)係在對接著劑層賦予硬化性之主要目的下，添加於接著劑層中。硬化性成分(F)係可使用熱硬化性成分(F1)、或能量線硬化性成分(F2)。又，該等亦可組合使用。 熱硬化性成分(F1)係含有具至少利用加熱便會進行反應之官能基的化合物。又，能量線硬化性成分(F2)係含有具反應性雙鍵基的化合物，若接收紫外線、電子束等能量線的照射便會聚合硬化。藉由該等硬化性成分所具有官能基彼此間進行反應，形成三維網目構造，便實現硬化。因為硬化性成分(F)係與聚合體成分(E)組合使用，因而就從抑制供形成接著劑層用的塗佈用組成物(接著劑組成物)黏度、提升取用性等觀點，通常重 量平均分子量(Mw)係10,000以下、較佳係100~10,000。
另外，接著劑層的「反應性雙鍵基」係與在黏著劑層中所說明的「反應性雙鍵基」同義。
(F1)熱硬化性成分
熱硬化性成分較佳係例如環氧系熱硬化性成分。
環氧系熱硬化性成分係含有具環氧基之化合物(F11)，較佳係組合使用具環氧基之化合物(F11)與熱硬化劑(F12)。
(F11)具環氧基之化合物
具環氧基之化合物(F11)(以下亦稱「環氧化合物(F11)」)係可使用習知公知物。具體係可例如：多官能基系環氧樹脂、雙酚A二環氧丙醚或其氫化物、鄰甲酚酚醛環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯骨架型環氧樹脂等分子中具有2官能基以上的環氧化合物。該等係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。
使用環氧化合物(F11)時，在接著劑層中相對於聚 合體成分(E)100質量份，環氧化合物(F11)較佳係含有1~1500質量份含、更佳係含有3~1200質量份。若環氧化合物(F11)偏少，則會有接著劑層經硬化後的接著性降低之傾向。
(F12)熱硬化劑
熱硬化劑(F12)係針對環氧化合物(F11)發揮硬化劑的功能。較佳熱硬化劑係可例如1分子中具有2個以上能與環氧基產生反應之官能基的化合物。該官能基係可例如：酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基及酸酐等。該等之中，較佳係可例如酚 性羥基、胺基、酸酐等，更佳係可例如酚性羥基、胺基。
酚系硬化劑的具體例係可例如：多官能基系酚樹 脂、雙酚、酚醛型酚樹脂、二環戊二烯系酚樹脂、XYLOCK型酚樹脂、芳烷基酚樹脂。
胺系硬化劑的具體例係可例如DICY(雙氰胺)。
該等係可單獨使用1種、或混合使用2種以上。
熱硬化劑(F12)的含量相對於環氧化合物(F11)100 質量份，較佳係0.1~500質量份、更佳係1~200質量份。若熱硬化劑含量偏少，則會有接著劑層經硬化後的接著性降低之傾向。
(F13)硬化促進劑
為調整接著劑層的熱硬化速度亦可使用硬化促進劑(F13)。硬化促進劑(F13)特別就熱硬化性成分(F1)較佳係使用環氧系熱硬化性成分。
較佳硬化促進劑係可例如：三伸乙二胺、苄基二 甲胺、三乙醇胺、二甲胺基乙醇、參(二甲胺甲基)酚等三級胺類；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑等咪唑類；三丁基膦、二苯膦、三苯膦等有機膦類；四苯鏻四苯基硼酸鹽、三苯膦四苯基硼酸鹽等四苯硼酸鹽等等。該等係可單獨使用1種、或混合使用2種以上。
硬化促進劑(F13)相對於環氧化合物(F11)與熱硬 化劑(F12)的合計量100質量份，較佳係依0.01~10質量份、更佳係0.1~1質量份的量含有。藉由硬化促進劑(F13)係依上述範 圍量含有，即便暴露於高溫度高濕度下仍具有優異接著性，即便暴露於嚴苛迴焊條件的情況仍可達成高可靠度。藉由硬化促進劑(F13)的添加，便可提升接著劑層經硬化後的接著性。此種作用係硬化促進劑(F13)含量越多越強。
(F2)能量線硬化性成分
藉由接著劑層含有能量線硬化性成分，便可不用施行需要大量能量與長時間的熱硬化步驟情況下，施行接著劑層的硬化。藉此可達製造成本降低。
能量線硬化性成分係可單獨使用具有反應性雙鍵基之化合物的能量線反應性化合物(F21)，較佳係組合使用能量線反應性化合物(F21)與光聚合起始劑(F22)。
(F21)能量線反應性化合物
能量線反應性化合物(F21)具體係可例如：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯等丙烯酸酯系化合物，又，可例如：寡聚酯丙烯酸酯、胺甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物、環氧丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯及衣康酸寡聚物等具有丙烯酸酯系化合物等聚合結構的丙烯酸酯化合物，低分子量降低者。此種化合物係分子內具有至少1個聚合性碳-碳雙鍵。
當使用能量線反應性化合物(F21)時，在接著劑層 中相對於聚合體成分(E)100質量份，能量線反應性化合物(F21)較佳含有1~1500質量份、更佳係含有3~1200質量份。
(F22)光聚合起始劑
藉由在能量線反應性化合物(F21)中組合光聚合起始劑(F22)，便可縮短聚合硬化時間，以及減少光線照射量。
此種光聚合起始劑(F22)具體係可例如：二苯基 酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基縮酮、2,4-二乙基硫酮、α-羥環己基苯基酮、苄基二苯硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、苄、聯苄、二乙醯、1,2-二苯基甲烷、2-羥-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦、及β-氯化蒽醌等。光聚合起始劑(B22)係可單獨使用1種、亦可組合使用2種以上。
光聚合起始劑(F22)的摻合比例，相對於能量線反 應性化合物(F21)100質量份，較佳係含有0.1~10質量份、更佳係含有1~5質量份。
若光聚合起始劑(F22)的摻合比例未滿0.1質量，則會因光聚合不足導致無法獲得滿意的硬化性，而若超過10質量份，則會生成對光聚合無具貢獻的殘留物，成為不良情況的原因。
(第2黏結劑成分)
第2黏結劑成分係藉由含有硬化性聚合體成分(EF)，而對接著劑層賦予片形狀維持性與硬化性。
(EF)硬化性聚合體成分
硬化性聚合體成分係具有硬化功能官能基的聚合體。硬化功能官能基係相互進行反應而能構成三維網目構造的官能基，可例如：利用加熱進行反應的官能基、以及反應性雙鍵基。
硬化功能官能基係可加成於成為硬化性聚合體成 分(EF)骨架的連續結構單元中，亦可加成於末端。當硬化功能官能基係加成於成為硬化性聚合體成分(EF)骨架的連續結構單元中之時，硬化功能官能基係可加成於側鏈，亦可直接加成於主鏈。硬化性聚合體成分(EF)的重量平均分子量(Mw)，就從達成對接著劑層賦予片形狀維持性之目的觀點，通常達20,000以上。
利用加熱進行反應的官能基係可例如環氧基。具 有環氧基的硬化性聚合體成分(EF)係可例如：高分子量含環氧基的化合物、具環氧基的苯氧基樹脂。
再者，亦可為與上述丙烯酸聚合體(E1)同樣的聚合體，且單體係使用具環氧基的單體進行聚合者(含環氧基的丙烯酸聚合體)。具環氧基的單體係可例如(甲基)丙烯酸環氧丙酯等具環氧丙基的(甲基)丙烯酸酯。
當使用含環氧基的丙烯酸聚合體時，較佳態樣係除相關環氧基以外其餘均與丙烯酸聚合體(E1)相同。
當使用具環氧基的硬化性聚合體成分(EF)時，亦可 與硬化性成分(F)係使用環氧系熱硬化性成分的情況同樣，併用熱硬化劑(F12)、或硬化促進劑(F13)。
硬化性聚合體成分(EF)中的反應性雙鍵基，較佳係 (甲基)丙烯醯基。具有反應性雙鍵基的硬化性聚合體成分(EF)，係聚醚丙烯酸酯等具有聚合結構的丙烯酸酯系化合物等，可使用高分子量者。
再者，亦可使用例如使側鏈具有羥基等官能基X的原料聚 合體，與具有能與官能基X產生反應之官能基Y(例如官能基X為羥基的情況便為異氰酸酯基等)及反應性雙鍵基的低分子化合物，進行反應而製備的聚合體。
此情況，當原料聚合體係隸屬於上述丙烯酸聚合體(E1)時，該原料聚合體的較佳態樣係與丙烯酸聚合體(E1)同樣。
當使用具有反應性雙鍵基的硬化性聚合體成分 (EF)時，亦可與使用能量線硬化性成分(F2)的情況同樣，併用光聚合起始劑(F22)。
第2黏結劑成分亦可併用硬化性聚合體成分 (EF)，含有上述聚合體成分(E)、硬化性成分(F)。
在接著劑層中，除黏結劑成分之外，尚可含有以 下成分。
(G)無機填料
接著劑層亦可含有無機填料(G)。藉由將無機填料(G)摻合於接著劑層中，便可調整經硬化後接著劑層的熱膨脹係數，藉由對半導體晶圓將經硬化後接著劑層的熱膨脹係數最佳化，便可提升半導體裝置的可靠度。又，亦可降低經硬化後接著劑層的吸濕性。
較佳無機填料係可例如：二氧化矽、氧化鋁、滑 石、碳酸鈣、氧化鈦、氧化鐵、碳化矽、氮化硼等粉末、由該等施行球形化的球珠、單晶纖維及玻璃纖維等。該等之中，較佳係二氧化矽填料及氧化鋁填料。上述無機填料(G)係可單獨使用、或混合使用2種以上。
為能更確實獲得上述效果的無機填料(G)含量範圍，相對 於構成接著劑層的總固形份100質量份，較佳係1~80質量份、更佳係5~60質量份、特佳係10~40質量份。
(H)著色劑
在接著劑層可摻合著色劑(H)。著色劑係可使用有機或無機的顏料及染料。該等之中，就從電磁波、紅外線屏蔽性的觀點，較佳係黑色顏料。黑色顏料係可使用碳黑、氧化鐵、二氧化錳、苯胺黑、活性碳等，惟並不僅侷限於該等。
著色劑(H)係可單獨使用1種、亦可組合使用2種以上。
著色劑(H)的摻合量相對於構成接著劑層的總固形份100質量份，較佳係0.1~35質量份、更佳係0.5~25質量份、特佳係1~15質量份。
(I)偶合劑
為提升接著劑層對半導體晶圓的接著性及/或接著劑層之凝聚性，亦可使用具有會與無機物產生反應之官能基及會與有機官能基產生反應之官能基的偶合劑(I)。又，藉由使用偶合劑(I)，便可在不致損及經硬化後接著劑層的耐熱性情況下，提升耐水性。此種偶合劑係可例如：鈦酸酯系偶合劑、鋁酸鹽系偶合劑、矽烷偶合劑等。該等之中，較佳係矽烷偶合劑。
矽烷偶合劑較佳係使用會與其有機官能基產生反 應的官能基，係會與聚合體成分(E)、硬化性成分(F)、硬化性聚合體成分(EF)等所具有官能基進行反應之基的矽烷偶合劑。
此種矽烷偶合劑係可例如：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-(甲基丙烯醯氧基丙基)三甲氧基 矽烷、γ-胺丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺乙基)-γ-胺丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺乙基)-γ-胺丙基甲基二乙氧基矽烷、N-苯基-γ-胺丙基三甲氧基矽烷、γ-脲丙基三乙氧基矽烷、γ-硫醇基丙基三甲氧基矽烷、γ-硫醇基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽烷丙基)四磺胺、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。該等係可單獨使用1種、或混合使用2種以上。
矽烷偶合劑相對於聚合體成分(E)、硬化性成分(F) 及硬化性聚合體成分(EF)的合計100質量份，通常依0.1~20質量份、較佳係0.2~10質量份、更佳係0.3~5質量份的比例含有。若矽烷偶合劑含量未滿0.1質量份，便會有無法獲得上述效果的可能性，而若超過20質量份，便會有成為逸氣原因的可能性。
(J)交聯劑
為調節接著劑層的初期接著力及凝聚力，亦可添加交聯劑(J)。另外，當摻合交聯劑時，上述丙烯酸聚合體(E1)中含有反應性官能基。
交聯劑(J)係可例如：有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物等，可例示與就上述黏著劑層中的交聯劑(C)所例示者為同樣物。
當使用異氰酸酯系交聯劑時，較佳係反應性官能 基具有羥基的丙烯酸聚合體(E1)。若交聯劑具有異氰酸酯基、且丙烯酸聚合體(E1)具有羥基，則會引發交聯劑與丙烯酸聚合體(E1)間之反應，便可輕易地在接著劑層中導入交聯結構。
當使用交聯劑(J)時，交聯劑(J)相對於丙烯酸聚合 體(E1)100質量份，通常依0.01~20質量份、較佳係0.1~10質量份、更佳係0.5~5質量份的比率使用。
(K)通用添加劑
在接著劑層中，除上述之外，視需要亦可摻合各種添加劑。各種添加劑係可例如：均塗劑、可塑劑、抗靜電劑、抗氧化劑、離子捕捉劑、吸氣劑(gettering agent)、鏈轉移劑、剝離劑等。
接著劑層係可使用例如由上述各成分依適當比例 混合而獲得的接著劑組成物。接著劑組成物係可預先利用溶劑稀釋，又亦可在混合時才添加於溶劑中。又，亦可在接著劑組成物使用時，才利用溶劑稀釋。
該溶劑係可例如：醋酸乙酯、醋酸甲酯、二乙醚、二甲醚、丙酮、甲乙酮、乙腈、己烷、環己烷、甲苯、庚烷等。
接著劑層係具有初期接著性與硬化性，在未硬化 狀態下，於常溫或加熱下藉由押壓於半導體晶圓便可輕易地接著。又，押壓之際亦可加熱接著劑層。然後，經硬化，即便在在嚴苛的高溫度高濕度條件下仍可保持充分的接著功能。另外，接著劑層係可為單層構造、亦可為多層構造。
接著劑層的厚度並無特別的限制。本發明的半導 體接合用接著片係藉由設置凹凸吸收層，即便在半導體接合用接著片的接著劑層所黏貼之半導體晶圓表面上，形成突起狀電極，半導體接合用接著片對晶圓表面的突起狀電極追蹤性仍優異，可在該接著片中埋藏突起狀電極，因而可將接著劑層的厚 度設為較小於突起狀電極的高度。具體而言，接著劑層的厚度較佳係1~100μm、更佳係2~80μm、特佳係3~50μm，突起狀電極的高度較佳係10~150μm、更佳係20~120μm、特佳係超過50μm且100μm以下。又，藉由將接著劑層的厚度設定在上述範圍內，接著劑層便可發揮高可靠度接著劑的功能。
(半導體接合用接著片)
由如上述各層構成的本發明半導體接合用接著片構成，係如圖1及圖2所示。如圖1及圖2所示，半導體接合用接著片10係依序積層著：基材1、凹凸吸收層2、黏著劑層3、及接著劑層4。接著劑層4係可剝離地形成於黏著劑層3上，在可包含與半導體晶圓呈略同形狀、或與半導體晶圓形狀呈完全相同的形狀前提下，其餘並無特別的限定。例如圖1所示，半導體接合用接著片10的接著劑層4經調整為可包含與半導體晶圓呈略同形狀、或與半導體晶圓形狀呈完全相同的形狀，再積層於由較接著劑層4更大尺寸的黏著劑層3、凹凸吸收層2及基材1所構成積層體上，便可成為事前成形構成。又，如圖2所示，接著劑層4亦可設為與由黏著劑層3、凹凸吸收層2及基材1構成的積層體相同形狀。
另外，圖1所示態樣的半導體接合用接著片中，在黏著劑層的表面外周部，亦可設置為固定環形框架等其他夾具用的夾具接著層，在圖2所示態樣的半導體接合用接著片中，在接著劑層的表面外周部亦可設置為固定環形框架等其他夾具用的夾具接著層。
夾具接著層係可採用：由黏著劑層單體構成的黏 著構件、由基材與黏著劑層構成的黏著構件、以及在芯材雙面上設有黏著劑層的雙面黏著構件。
夾具接著層係呈環狀(ring狀)，具有空洞部(內部開口)，具有能固定於環形框架等夾具上的大小。
形成夾具接著層之黏著劑層的黏著劑並無特別的限制，較佳係由例如丙烯酸黏著劑、橡膠系黏著劑、或聚矽氧黏著劑構成。該等之中，若考慮從環形框架的再剝離性，較佳係丙烯酸黏著劑。又，上述黏著劑係可單獨使用、亦可混合使用2種以上。
夾具接著層的基材、芯材係可使用與上述基材同樣者。
夾具接著層的黏著劑層厚度較佳係2~20μm、更佳係3~15μm、特佳係4~10μm，而基材的厚度較佳係15~200μm、更佳係30~150μm、特佳係40~100μm。
半導體接合用接著片的形狀並不僅侷限單片，亦可為長條帶狀、亦可將其捲收。
再者，在半導體接合用接著片上，為能在使用前可保護接著劑層，亦可在接著劑層上面積層著剝離膜。該剝離膜係可使用例如：聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、在聚丙烯膜等塑膠材料上經塗佈聚矽氧樹脂等剝離劑者。
半導體接合用接著片的製造方法並無特別的限制，就圖2所示態樣的接著片為例進行說明。
首先，在剝離膜上塗佈構成凹凸吸收層的組成物，經乾燥而形成凹凸吸收層。接著，在凹凸吸收層上積層著 基材，並除去剝離膜。
另外，當構成凹凸吸收層的組成物係能量線硬化 型組成物(例如含胺酯聚合體的硬化性組成物)時，便在剝離膜上塗佈構成凹凸吸收層的組成物，經乾燥而形成塗膜，對塗膜照射能量線，便在剝離膜上形成半硬化層。
接著，在半硬化層上積層著基材，從基材側照射 能量線，使半硬化層完全硬化，便在基材上形成凹凸吸收層。 另外，剝離膜係在能量線照射步驟的前後的任一階段剝離。
再者，將黏著劑組成物塗佈於剝離膜上，經乾燥， 形成未硬化的黏著劑層。
其次，將未硬化的黏著劑層積層於由上述所獲得 凹凸吸收層上。然後，從剝離膜側照射能量線，使黏著劑層硬化，便獲得由依序積層著基材、凹凸吸收層、黏著劑層及剝離膜構成的積層體。
再者，將接著劑組成物塗佈於剝離膜上，經乾燥， 形成接著劑層。
最後，從依上述所獲得積層體上除去剝離膜，並於露出的黏著劑層上黏貼接著劑層，藉由施行轉印，便獲得本發明的半導體接合用接著片。
其次，針對本發明半導體接合用接著片的利用方 法，就將該接著片黏貼於晶圓上，並適用於半導體裝置之製造的情況為例進行說明。
(半導體裝置的製造方法)
本發明的半導體裝置的製造方法係包括有：在晶圓上黏貼 上述半導體接合用接著片的接著劑層之步驟；以及對晶圓背面施行研削的步驟。
以下，針對本發明半導體裝置的製造方法其中一 部分例進行詳述。
本發明半導體裝置的第1製造方法，首先在表面已形成電路的半導體晶圓之電路面上，黏貼著半導體接合用接著片。黏貼之際，將半導體晶圓的電路面載置於半導體接合用接著片的接著劑層上，輕輕押壓，依情況在減壓條件下加熱熱，一邊此接著劑層軟化一邊固定半導體晶圓。接著，視需要在利用半導體接合用接著片保護著半導體晶圓之電路面的狀態下，研削晶圓的背面成為既定厚度的晶圓。
半導體晶圓係可為矽晶圓，又亦可為鎵‧砷等化 合物半導體晶圓。晶圓表面上的電路形成係可利用包括蝕刻法、剝脫法等自習知起便通用方法在內的各種方法實施。在半導體晶圓的電路形成步驟中形成既定的電路。此種晶圓研削前的厚度並無特別的限定，通常係500~1000μm程度。又，半導體晶圓的表面形狀並無特別的限定亦可形成突起狀電極。突起狀電極係可例如：圓柱型電極、球狀電極(凸塊)、貫通半導體晶圓的貫穿電極等。
背面研削係在黏貼著半導體接合用接著片的狀態 下，藉由使用研磨機及供晶圓固定用吸附台等的公知手法實施。在背面研削步驟後，亦可施行除去因研削而生成破碎層的處理。經背面研削後的半導體晶圓厚度並無特別的限定，較佳係10~400μm、更佳係25~300μm程度。根據本發明的半導體 接合用接著片，在晶圓的背面研削時能確實地保持晶圓，且可防止切削水侵入於電路面，並可防止發生凹點。
經背面研削步驟後，在晶圓的背面上黏貼著通稱 「切割片」的黏著片。切割片的黏貼一般係利用通稱「黏晶機」的裝置實施，並無特別的限定。
然後，施行切割片上所黏貼晶圓的晶割，將晶圓 予以個片化便獲得晶片。
當本發明半導體接合用接著片在黏貼於半導體晶 圓的狀態下施行晶割時，晶圓將一起與半導體接合用接著片被個片化。此情況，剝離經個片化的半導體接合用接著片之基材、凹凸吸收層及黏著劑層，使接著劑層殘留於晶片的電路面上。
再者，亦可在施行晶割前，便剝離半導體接合用 接著片的基材、凹凸吸收層及黏著劑層，於接著劑層殘留於晶圓之電路面上的狀態下施行晶割。
另外，剝離半導體接合用接著片的基材、凹凸吸 收層及黏著劑層之方法，並無特別的限定，可例如在半導體接合用接著片的基材側，於覆蓋該接著片的形態下，黏貼黏著片，再將黏著片一起與基材、凹凸吸收層及黏著劑層予以除去的方法。
半導體晶圓的切斷手段並無特別的限定。就一例 係可例如在晶圓切斷時，在切割片周邊部利用環形框架固定後，藉由使用切割機等的旋轉圓刀等公知手法施行晶圓之晶片化的方法等。此時的切斷深度係設為經加權半導體接合用接著 片厚度或接著劑層厚度、與半導體晶圓厚度的合計、及切割鋸刀磨耗份的深度。又，亦可利用雷射光將接著劑層與晶圓予以切斷。
其次，視需要若施行切割片擴展，則半導體晶片 間隔會擴張，便可更輕易地施行半導體晶片的拾取。此時，藉由晶片與切割片之間發生偏移，而減少晶片與切割片間之接著力，俾提升半導體晶片的拾取性。若依此施行半導體晶片的拾取，便可使被切斷的接著劑層固著殘存於半導體晶片電路面上，從切割片上剝離。
其次，施行半導體晶片的焊接步驟(黏晶)。焊接步 驟中，經由接著劑層將半導體晶片載置於引線框架的晶片焊墊部上或其他半導體晶片(下段晶片)上等(以下將晶片所搭載的晶片焊墊部或下段晶片等，稱為「晶片搭載部」)。載置時的壓力通常係1kPa~200MPa。
晶片搭載部係可在載置半導體晶片前便加熱，又亦可在剛載置後才施行加熱。加熱溫度通常係80~200℃、較佳係100~180℃，加熱時間通常係0.1秒~5分、較佳係0.5秒~3分。
另外，當在晶片表面上形成突起狀電極時，即便 因焊接步驟中的加熱或壓力，導致晶片搭載部所接合的突起狀電極產生變形，造成接著劑層的厚度較小於突起狀電極的高度，因為接著劑層仍可埋藏晶片與晶片搭載部間，因而可將晶片牢固地接著於晶片搭載部。
將半導體晶片載置於晶片搭載部之後，視需要亦 可在下述樹脂密封時利用加熱進行的接著劑層硬化之外，另外 施行為使接著劑層硬化的加熱。此時的加熱條件係在上述加熱溫度範圍內，加熱時間通常係1~180分、較佳係10~120分。
再者，亦可在未施行載置後的加熱處理而呈初步 黏著狀態，利用封裝製造中通常於樹脂密封時施行的加熱，使接著劑層硬化。藉由經由此種步驟，接著劑層便會硬化，而將半導體晶片與晶片搭載部予以牢固地接著，便可固定晶片。因為接著劑層在黏晶條件下呈流動化，因而晶片搭載部的凹凸亦能充分地被埋藏，可防止孔洞發生，提高封裝可靠度。
本發明半導體裝置的第2製造方法，係與上述第1 製造方法同樣，在半導體晶圓的電路面上黏貼著半導體接合用接著片的接著劑層，再研削晶圓的背面。在背面研削步驟後，亦可施行除去因研削所生成破碎層的處理。
經背面研削後，從晶圓背面側朝晶圓內部照射雷 射光。雷射光係從雷射光源照射。雷射光源係產生波長與相位經整合之光的裝置，而雷射光的種類係可例如產生脈衝雷射光的Nd-YAG雷射、Nd-YVO雷射、Nd-YLF雷射、鈦藍寶石雷射等引發多光子吸收者。雷射光的波長較佳係800~1100nm、更佳係1064nm。
雷射光係照射於晶圓內部，沿預定切斷線在晶圓 內部形成改質部。針對一個預定切斷線掃描雷射光的次數係可為一次、亦可為複數次。較佳係一邊監視雷射光照射位置、與電路間的預定切斷線位置，施行雷射光的對位，一邊施行雷射光照射。另外，預定切斷線係區分在晶圓表面上所形成各電路間的假想線。
經改質部形成後，在晶圓背面上黏貼切割片。其 次，使接著劑層殘留於晶圓的電路面上，將半導體接合用接著片的基材、凹凸吸收層及黏著劑層予以剝離。
其次，施行在切割片上所黏貼晶圓的晶割，將晶 圓予以個片化而獲得晶片。半導體晶圓係藉由擴展切割片而晶片化。即，在利用雷射光照射而於晶圓內部形成改質部後，若施行擴展，則切割片會伸長，半導體晶圓會以晶圓內部的改質部為起點被切斷分離為各個晶片。此時，接著劑層亦會被切斷分離為各個晶片尺寸。又，亦可在擴展之同時，使用夾具等抓住切割片，將切割片予以伸長，而將接著劑層與晶圓依每個晶片切斷分離。擴展較佳係在-20~40℃環境下，依5~600mm/分的速度實施。又，經擴展步驟後，為能消除經擴展切割片的鬆弛，亦可施行熱收縮。然後，拾取表面上設有接著劑層的晶片，經由焊接步驟便製得半導體裝置。焊接步驟係與上述第1製造方法同樣。
以上詳述的第1製造方法及第2製造方法，充其 量只不過係例示本發明製造方法其中一部分而已，本發明的製造方法亦可為其他的態樣。例如亦可為在半導體接合用接著片黏貼於晶圓之前的段階，便結束晶圓的背面研削，而在半導體接合用接著片黏貼後才施行晶圓之背面研削的製造方法。
再者，亦可為晶圓的個片化方法係從晶圓的表面側形成較晶圓厚度更小深度的溝渠，藉由對晶圓背面施行研削到達溝渠而施行個片化，所謂「先晶割法」實施，亦可如日本專利特開2004-111428所記載，在從晶圓表面使雷射光配合晶片形狀入 射，而於晶圓內部形成改質區域的步驟中，追加研削晶圓背面之步驟的晶圓分割方法。
由上述半導體裝置的製造方法得知，本發明的半 導體接合用接著片係可適用為從晶圓背面研削步驟起至晶片焊接步驟中所使用的背面研磨/黏晶片。
[實施例]
以下，針對本發明利用實施例進行說明，惟本發明並不僅侷限該等實施例。另外，以下的實施例及比較例中，各項評價係依如下述實施。
<70℃下的凹凸吸收層之tan δ>
在實施例的半導體接合用接著片製作過程中，在剝離膜上所形成的半硬化層上，積層著另一剝離膜(材質、厚度均相同)。接著，從所積層的剝離膜側施行紫外線照射[實施例及比較例所使用紫外線照射裝置及紫外線源均相同，照射條件係燈高度150mm、燈輸出3kW(換算輸出120mW/cm)、光線波長365nm的照度271mW/cm2、照射量1200mJ/cm2(使用ORC製作所公司製紫外線光量計「UV-351」測定)]計4次，使半硬化層完全硬化，形成由2片剝離膜挾持的厚度150μm之單層凹凸吸收層。
依厚度成為1~2mm範圍內的方式，積層複數凹凸吸收層，獲得試料。使用所獲得試料，使用黏彈性測定裝置(Rheometric公司製 製品名「ARES」(扭轉剪切方式))，測定在頻率1Hz(6.28rad/秒)下的-20~120℃儲存彈性模數及損失彈性模數，計算出70℃的損失正接(tan δ=損失彈性模數/儲存彈性模數)。
<凹凸吸收能力之評價>
在具有凸塊高度80μm凸塊的晶圓上，將實施例及比較例所製成半導體接合用接著片，使用積層機裝置(Lintec股份有限公司製 製品名「RAD3810」)，於0.1MPa減壓條件下，一邊將晶圓及半導體接合用接著片加熱至90℃一邊黏貼，於剛黏貼後，使用定壓厚度測定機(TECLOCK公司製 製品名「PG-02」)，測定具凸塊部分的總厚「A」(晶圓背面距半導體接合用接著片基材面的距離)、與沒有凸塊部分的總厚「B」，計算出「A-B」高低差。
高低差越小，意味著因凸塊高度造成的凹凸被埋 藏於半導體接合用接著片中而緩和。高低差未滿10μm的情況評為「良好」，達10μm以上的情況評為「不良」。
<接著劑層之剝離性評價>
待凹凸吸收能力的評價結束後，從接著劑層上剝離實施例及比較例的半導體接合用接著片之基材、凹凸吸收層及黏著劑層。毫無便不良情況地可剝離情況評為「良好」，剝離時有發生不良情況的情況(凹凸吸收層有發生凝聚破壞的情況等)評為「不良」。
(實施例1) 黏著劑組成物之製造
相對於將丙烯酸-2-乙基己酯、醋酸乙烯酯及丙烯酸-2-羥乙酯依50：30：20質量比例使用為原料，進行聚合的丙烯酸聚合體(玻璃轉移溫度：-31℃)100質量份，添加異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯21.4質量份(相對於丙烯酸聚合體所具有羥基數 為0.8當量)，於醋酸乙酯溶液下，使用觸媒的月桂酸二丁錫，於25℃、常壓下進行24小時反應而合成，獲得能量線硬化型聚合體(重量平均分子量：70萬)。
相對於該能量線硬化型聚合體100質量份，將光 聚合起始劑(BASF公司製IRGACURE 184(1-羥環己基苯基酮))3.5質量份、及交聯劑(東洋油墨製造公司製BHS-8515(甲苯二異氰酸酯系化合物))0.5質量份予以混合，獲得黏著劑組成物。
所獲得黏著劑組成物塗佈於剝離片(Lintec公司製 SP-PET3811、厚度：38μm)的剝離處理面上，經乾燥，形成黏著劑層。黏著劑層的厚度係10μm。另外，乾燥處理係依100℃、1分鐘實施。然後，在23℃、50%相對濕度的環境下保存3天而施行養護。
基材與凹凸吸收層的積層體製造
將單官能基胺甲酸乙酯甲基丙烯酸酯與雙官能基胺甲酸乙酯甲基丙烯酸酯的混合物40質量份(固形份比)、丙烯酸異酯(IBXA)45質量份(固形份比)、丙烯酸羥丙酯(HPA)15質量份(固形份比)、季戊四醇四(3-硫醇基丁酸酯)[昭和電工股份有限公司製Karenz MT(註冊商標)PE1(含二級四官能基之硫醇的化合物、固形份濃度100質量%)]3.5質量份(固形份比)、以及光聚合起始劑的2-羥-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF公司製DAROCUR® 1173、固形份濃度100質量%)1質量份(固形份比)進行摻合，製備得供形成凹凸吸收層用的組成物(凹凸吸收層用組成物)。
其次，將凹凸吸收層用組成物在聚對苯二甲酸乙 二酯(PET)薄膜系剝離膜(Lintec公司製SP-PET3811、厚度38μm)上，依噴射模頭方式施行塗佈，形成塗膜。塗膜厚度係150μm。
然後，從塗膜側施行紫外線照射，形成半硬化層。 另外，紫外線照射時，紫外線照射裝置係使用輸送帶式紫外線照射裝置(EYE GRAPHICS公司製ECS-401GX)，紫外線源係使用高壓水銀燈(EYE GRAPHICS公司製H04-L41)，在照射條件為燈高度150mm、燈輸出3kW(換算輸出120mW/cm)、光線波長365nm的照度271mW/cm2、照射量177mJ/cm2(利用ORC製作所公司製 紫外線光量計「UV-351」測定)條件下實施。
在所形成半硬化層上，積層著當作基材用的厚度 100μm之PET薄膜。從基材側更進一步施行紫外線照射[使用上述紫外線照射裝置、紫外線源，照射條件係燈高度150mm、燈輸出3kW(換算輸出120mW/cm)、光線波長365nm的照度271mW/cm2、照射量1200mJ/cm2(使用ORC製作所公司製 紫外線光量計「UV-351」測定)]計4次，使完全硬化，便在基材上形成厚度150μm的凹凸吸收層。
凹凸吸收層與黏著劑層的積層
使依上述所獲得未硬化黏著劑層貼合於凹凸吸收層上。然後，從剝離片側使用紫外線照射裝置(Lintec公司製RAD-2000m/12)，照射紫外線(照度140mW/cm2、光量510mJ/cm2)，而使黏著劑層硬化。
接著劑組成物之製造
接著劑組成物的各成分係如下述。依照下述成分及摻合量，摻合各成分而製備接著劑組成物。各成分的數值係表示固形份換算的質量份，本發明中所謂「固形份」係指溶劑以外的所有成分。
(EF)由丙烯酸正丁酯55質量份、甲基丙烯酸酯10 質量份、甲基丙烯酸環氧丙酯20質量份及丙烯酸-2-羥乙酯15質量份構成的丙烯酸聚合體(重量平均分子量：90萬、玻璃轉移溫度：-28℃)/100質量份
(F11-1)雙酚A型環氧樹脂(Japan Epoxy Resins公司製jER828、環氧當量：235g/eq)/90質量份
(F11-2)酚醛型環氧樹脂(日本化藥公司製EOCN-104S、環氧當量：218g/eq)/90質量份
(F12)熱硬化劑：酚醛型酚樹脂(DIC公司製TD-2131、酚性羥基當量：103g/eq)/80質量份
(F13)硬化促進劑：2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑(四國化成工業公司製Curezol 2PHZ-PW)/1質量份
(G)無機填料：二氧化矽填料(日產化學公司製MEK-ST、平均粒徑：10~15nm)/50質量份
(I)偶合劑：矽烷偶合劑(信越化學公司製KBE-403)/3質量份
將接著劑組成物利用甲乙酮依固形份濃度成為50質量%的方式稀釋，塗佈於經聚矽氧處理過的剝離膜(Lintec股份有限公司製SP-PET381031)上，經乾燥，形成接著劑層。接著劑層的厚度係40μm。另外，乾燥處理係利用烤箱依100℃施 行1分鐘。
然後，使經除去在上述黏著劑層上黏貼的剝離片 而露出的黏著劑層、與接著劑層貼合，而將接著劑層轉印於黏著劑層上，便獲得半導體接合用接著片。
(實施例2)
在基材與凹凸吸收層的積層體製造中，除將季戊四醇四(3-硫醇基丁酸酯)的摻合量設為1.5質量份之外，其餘均與實施例1同樣地獲得半導體接合用接著片。
(比較例1)
除在未設置黏著劑層情況下，將接著劑層貼合於凹凸吸收層上之外，其餘均與實施例1同樣地獲得半導體接合用接著片。
(比較例2)
除在未設置凹凸吸收層情況下，將黏著劑層直接與基材相黏貼之外，其餘均與實施例1同樣地獲得半導體接合用接著片。

Claims (6)

  1. 一種半導體接合用接著片，係依序積層著：基材、凹凸吸收層、黏著劑層、及接著劑層而成；黏著劑層係由能量線硬化型黏著劑組成物的硬化物構成；接著劑層係可剝離地形成於黏著劑層上。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體接合用接著片，其中，70℃下的凹凸吸收層之tan δ係0.5以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之半導體接合用接著片，其黏貼於表面形成有突起狀電極的半導體晶圓表面；接著劑層的厚度較小於突起狀電極的高度。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之半導體接合用接著片，其中，凹凸吸收層係由含胺酯聚合體的硬化性組成物之硬化物、或乙烯-α-烯烴共聚合體構成。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之半導體接合用接著片，其中，接著劑層含有無機填料。
  6. 一種半導體裝置的製造方法，使用申請專利範圍第1至5項中任一項之半導體接合用接著片，其包括：在晶圓上黏貼半導體接合用接著片的接著劑層之步驟；以及對晶圓背面施行研削的步驟。
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