CN1254743A - 压敏粘合片及其使用方法 - Google Patents

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Abstract

一种压敏粘合片,包括基片,依次叠置的中间层和压敏粘合层,该粘合层23℃时的弹性模量为5.0×104—1.0×107Pa,该中间层23℃时的弹性模量不大于所述压敏粘合层23℃时的弹性模量。或者该中间层40℃时的弹性模量小于1.0×106Pa。在加工表面具有大的不平整高度差的被粘物背面时,该粘合片最好粘附在被粘物表面上,以便在加工过程中保护之。即当要将被粘物研磨至很薄的厚度时,粘合片能使被粘物研磨成均匀的厚度,不产生凹陷。

Description

压敏粘合片及其便用方法
本发明涉及压敏粘合片。更具体地说，本发明涉及压敏粘合片，在加工表面不平整(不规则度)高度差别大的被粘物背面时，它能粘合在被粘物的表面上，从而在加工过程中保护之。
在研磨半导体晶片的背面的步骤中，常用压敏粘合片保护上面形成有电路的晶片表面。常用电路由电极元件(electrode element)引起的高度相差约5-20微米。对于形成有这些电路的晶片，常规的表面保护片完全能保护电路，避免电路断裂或晶片开裂，因此是令人满意的。
但是，近年来，开发出各种各样固定IC芯片的方法。例如，开发出IC芯片的电路表面向下排列的封装方法。在这种封装方法中，电极元件从电路表面上突起，其高度差为30微米或更大，有时甚至大于100微米。在晶片表面上形成的上述突起的部分被称为凸起。
每块芯片一般至少有两个凸起。当凸起数目较大时，凸起的谷底间距(pitch)(两个凸起之间的距离)可为数百微米。根据凸起的谷底间距图形和芯片排列，形成了凸起聚集的密集部分和凸起图形稀疏的稀疏部分。具体地说，晶片的周边很可能会形成稀疏的凸起部分，因为不存在芯片。对于粘附有压敏粘合剂的晶片，在凸起密集部位和凸起稀疏部位的厚度明显不同。研磨这种厚度显著不同的晶片时，这种厚度差会使经研磨的晶片产生厚度差异。
在研磨带有这种凸起的晶片背面并同时用常规的表面保护片保护该晶片表面时，晶片背面被深深地研磨以贴合凸起的形状，从而在晶片背面形成凹坑(凹陷)，使晶片的厚度不均匀。另外，凹陷部分还会开裂，导致晶片断裂。
在检测晶片电路后用油墨标记不合格电路(疵品标记)时也会遇到同样的问题。
已对具有大凸起的半导体晶片采取了各种方法，它包括，例如降低表面保护片基片膜的硬度，或增加压敏粘合片的厚度。但是这些方法并不令人满意，上述问题仍未解决。
在现有技术的上述状况下作出了本发明。本发明的目的是提供一种压敏粘合片，在加工具有大的不平整高度差的表面的被粘物背面时，它较好粘附在被粘物表面上，从而在加工过程中保护之。具体地说，本发明的目的是提供一种压敏粘合片，当需要将被粘物研磨至很小的厚度时，它能使被粘物研磨成均匀的厚度，而不产生凹陷。
本发明第一种压敏粘合片包括基片，叠置在基片上的中间层和叠置在中间层上的压敏粘合层。
上述压敏粘合层在23℃时的弹性模量为5.0×104-1.0×107Pa，上述中间层在23℃时的弹性模量不大于上述压敏粘合层在23℃时的弹性模量。
本发明第二种压敏粘合片包括基片，叠置在该基片上的中间层和叠置在中间层上的压敏粘合层。
上述中间层在40℃时的弹性模量小于1.0×106Pa。
在本发明中，在-5～80℃的温度范围内基片的动态粘弹性tanδ的最大值最好至少为0.5。
基片的厚度和杨氏模量之乘积较好为0.5-100kg/cm。
另外，本发明压敏粘合片的使用方法包括将压敏粘合片粘附在被粘物表面上，加工被粘物背面同时用压敏粘合片保护该被粘物的表面。
因此，本发明提供一种保护表面的压敏粘合片，它如需地贴合(follow)被粘物表面上的不平整度，从而消除(absorb)不平整高度差，顺利地进行被粘物背面研磨，而不受表面不平整的影响，不会形成厚度差。另外，本发明提供一种压敏粘合片的使用方法，其特征在于该方法使用这种保护表面的压敏粘合片。
下面将更详细地说明本发明。首先，说明本发明第一种压敏粘合片。
本发明第一种压敏粘合片包括基片，依次排列在基片上的中间层和压敏粘合层。
压敏粘合层可由各种常规的压敏粘合剂制成。该压敏粘合层在23℃时的弹性模量为5.0×104-1.0×107Pa，较好为6.0×104-5.0×106Pa，最好为8.0×104-1.0×106Pa。当压敏粘合层是由下面将描述的可用能量(能量束)辐照固化的压敏粘合剂制成的时，该弹性模量是指能量辐照前压敏粘合层的弹性模量。
当23℃时压敏粘合层的弹性模量低于5.0×104Pa，则压敏粘合剂会从压敏粘合片的边缘渗出，或者由于内聚强度不够而在研磨力的作用下产生剪切变形，结果增加了研磨晶片的厚度差异。另外，如果剪力施加至进入凸起凹陷中的压敏粘合剂，则在晶片表面上残留压敏粘合剂的危险较大。另一方面，当23℃时压敏粘合层的弹性模量高于1.0×107Pa时，则压敏粘合层会变硬，其贴合凹陷不平整度的能力下降。结果，会产生例如研磨晶片的厚度差增加和研磨冷却水侵入凸起和压敏粘合片之间的缝隙中这类问题。
尽管无任何限制，但是压敏粘合剂可选自，例如橡胶、丙烯酸、硅氧烷和聚乙烯基醚基压敏粘合剂。另外，可使用可用能量辐照固化的、热发泡的或可水溶胀的压敏粘合剂。
在可用能量辐照固化(可用能量束辐照固化、可用紫外光辐照固化、可用电子束辐照固化)的压敏粘合剂中，可用紫外光辐照固化的压敏粘合剂是较好的。对于可水溶胀的压敏粘合剂，较好使用例如日本公开专利No.5(1993)-77284和6(1994)-101455公开的压敏粘合剂。
可用能量辐照固化的压敏粘合剂一般含有丙烯酸压敏粘合剂和可用能量辐照聚合的化合物作为主要组分。
例如，日本公开专利No.60(1985)-196,956和60(1985)-223,139中所述的分子中至少具有两根可光致聚合的碳-碳双键的低分子量化合物广泛地作为可用能量辐照聚合的化合物，混入可用能量辐照固化的压敏粘合剂中，所述碳-碳双键在光照后可转化成三维的网络结构。这种化合物的具体例子包括三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯和市售的丙烯酸低聚酯。
另外，除了上述丙烯酸酯化合物以外，聚氨酯丙烯酸酯低聚物也可作为可用能量辐照聚合的化合物。聚氨酯丙烯酸酯低聚物可通过聚酯或聚醚型多元醇化合物与多异氰酸酯化合物(如2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-苯二亚甲基二异氰酸酯、1，4-苯二亚甲基二异氰酸酯或二苯甲烷-4，4-二异氰酸酯)反应，制得异氰酸酯封端的聚氨酯预聚物，并将得到的异氰酸酯封端的预聚物与含羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(如丙烯酸2-羟乙酯、甲基丙烯酸2-羟乙酯、丙烯酸2-羟丙酯、甲基丙烯酸2-羟丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯或聚乙二醇甲基丙烯酸酯)反应制得。
对于可用能量辐照固化的压敏粘合剂中可用能量辐照聚合的化合物与丙烯酸压敏粘合剂的混合比，按100重量份丙烯酸压敏粘合剂计，所用的可用能量辐照聚合的化合物较好为50-200重量份，尤其是50-150重量份，最好为70-120重量份。在这种情况下，获得的压敏粘合片的初始粘合强度较大，用能量辐照压敏粘合层后其粘合强度急剧下降。因此，在对晶片背面进行研磨后能容易地从晶片和可用能量辐照固化的压敏粘合层的界面上进行剥离。
可用能量辐照固化的压敏粘合剂可由带有可用能量辐照聚合的基团作为侧链的可用能量辐照固化的共聚物组成。这种可用能量辐照固化的共聚物同时表现出令人满意的粘性和能量辐照固化性能。带有可用能量辐照聚合的基团作为侧链的可用能量辐照固化的共聚物的详细情况可参见例如日本的公开专利申请No.93-32,946和96-27,239。
在可用能量辐照固化的压敏粘合剂中混入光致聚合引发剂可减小光致聚合所需的时间和光辐照剂量。
这种光致聚合引发剂可以是一种光引发剂，如苯偶姻化合物、乙酰苯化合物、酰基氧化膦化合物、茂钛(titanocene)化合物、噻吨酮化合物或过氧化物，或者是光敏化剂，如胺或醌。它们的具体例子包括1-羟基环己基苯基酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苄基联苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苯甲酰(diberzyl)、联乙酰和β-氯蒽醌。
按100重量份的树脂总量计，光致聚合引发剂的加入量宜为0.05-15重量份，更好为0.1-10重量份，最好为0.5-5重量份。
在用能量辐照前，上述可用能量辐照固化的丙烯酸压敏粘合剂与晶片具有令人满意的粘合强度，在用能量辐照后该粘合强度急剧下降。也就是说，在用能量辐照前可用能量辐照固化的丙烯酸压敏粘合剂可使晶片与压敏粘合片相粘合，两者具有令人满意的粘合强度，从而对晶片进行表面保护，但是用能量辐照后，可容易地将粘合片从研磨的晶片上剥离。
在23℃时中间层的弹性模量不大于压敏粘合层在23℃时的弹性模量。中间层在23℃时的弹性模量宜为压敏粘合层在23℃时的弹性模量的1-100％，较好为10-90％，最好为30-80％。
当23℃时压敏粘合层和中间层的弹性模量满足上述关系时，不仅能使粘附的压敏粘合片令人满意地贴合凸起的不平整度，而且能分散施加至压敏粘合层上的剪力，从而防止剥离时残留压敏粘合剂。另外，可粘附压敏粘合片，使得晶片表面上密集的凸起部分和稀疏的凸起部分之间不存在厚度差异。
构成中间层的材料无特别的限制，只要能满足上述性能即可。例如，它可选自各种压敏粘合剂组合物，如基于丙烯酸、橡胶和硅氧烷的组合物，和下面将描述的可用于制造基片的热塑性弹性体和可用紫外光固化的树脂。
中间层最好由在0-60℃的温度范围内动态粘弹性tanδ的最大值(下面简称为“tanδ值”)至少为0.3`较好为0.4-2.0，最好为0.5-1.2的材料制成。在本文中术语“tanδ”指损耗角正切，它限定了损耗弹性模量与储存弹性模量之比。例如，它是用动态粘弹性测量仪在测定施加至物体上的应力(张力或扭力)的基础上测得的。
可对中间层的上表面(形成压敏粘合层的那一面)进行电晕处理或施加另一层(如底涂层)来增加与压敏粘合剂的粘性。
尽管可将常用于压敏粘合片的各种薄膜用作基片而无特别的限制，但是较好的薄膜在-5～80℃的温度范围内的动态粘弹性“tanδ值”至少为0.5，较好为0.5-2.0，最好为0.7-1.8。
基片的厚度和杨氏模量之乘积宜为0.5-100kg/cm，较好为1.0-50kg/cm，最好为2.0-40kg/cm。
当基片的厚度和杨氏模量之乘积落入上述范围内时，可增强压敏粘合片的机械性能(如粘性)，从而提高工作效率。
基片最好由树脂薄膜组成。基片可通过将可固化树脂模塑成薄膜并固化之，或者模塑热塑性树脂而制得。
例如，使用可用能量辐照固化的树脂或热固性树脂作为所述可固化的树脂。较好使用可用能量辐照固化的树脂。
可用能量辐照固化的树脂较好选自，例如基本组分为可光致聚合的聚氨酯丙烯酸酯低聚物和多烯/硫醇树脂的树脂组合物。
该聚氨酯丙烯酸酯低聚物可通过聚酯或聚醚型多元醇化合物与多异氰酸酯化合物(如2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-苯二亚甲基二异氰酸酯、1，4-苯二亚甲基二异氰酸酯或二苯甲烷-4，4’-二异氰酸酯)反应获得异氰酸酯封端的聚氨酯预聚物，随后使之与具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(如丙烯酸2-羟乙酯、甲基丙烯酸2-羟乙酯、丙烯酸2-羟丙酯、甲基丙烯酸2-羟丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯或聚乙二醇甲基丙烯酸酯)反应制得。这种聚氨酯丙烯酸酯低聚物的分子中具有可光致聚合的双键，当受光照射时发生聚合和固化，形成薄膜。
适用于本发明的聚氨酯丙烯酸酯低聚物的分子量为1000-50,000，较好为2000-30,000。这些聚氨酯丙烯酸酯可单独使用或组合使用。
通常难以仅用上述聚氨酯丙烯酸酯低聚物制得薄膜。因此，一般用可光致聚合的单体稀释上述聚氨酯丙烯酸酯低聚物、成膜并固化该薄膜来制备所述薄膜。所述可光致聚合的单体的分子中具有可光致聚合的双键，在本发明中，最好使用具有一个较大体积基团的丙烯酸酯化合物。
用于稀释聚氨酯丙烯酸酯低聚物的可光致聚合的单体可例如选自：
脂环化合物，如(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯基酯、(甲基)丙烯酸二环戊烷基酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基酯、(甲基)丙烯酸环己酯和(甲基)丙烯酸金刚烷酯；
芳族化合物，如丙烯酸苯基羟丙酯、丙烯酸苄酯和酚环氧乙烷改性的丙烯酸酯；以及
杂环化合物，如(甲基)丙烯酸四氢糠酯、丙烯酸吗啉酯、N-乙烯基吡咯烷酮和N-乙烯基己内酰胺。根据需要，可使用多官能的(甲基)丙烯酸酯。
按100重量份聚氨酯丙烯酸酯低聚物计，上述可光致聚合的单体的加入量较好为5-900重量份，更好为10-500重量份，最好为30-200重量份。
另一方面，用于制造基片的可光致聚合的多烯/硫醇树脂包括不含丙烯酰基的多烯化合物和多硫醇化合物。具体地说，多烯化合物选自，例如二丙烯醛季戊四醇、苯亚甲基二异氰酸酯的三羟甲基丙烷二烯丙基醚加合物以及不饱和烯丙基聚氨酯低聚物。较好使用巯基乙酸或巯基丙酸的季戊四醇酯作为多硫醇化合物。另外，可使用市售的多烯多硫醇低聚物。本发明使用的多烯/硫醇树脂的分子量宜为3000-50,000，较好为5000-30,000。
在用可用能量辐照固化的树脂制备基片时，在该树脂中混入光致聚合引发剂可减小光致聚合所需的时间和光辐照剂量。
光致聚合引发剂可以是前面提到的光引发剂，按100重量份的树脂总量计，其加入量宜为0.05-15重量份，更好为0.1-10重量份，最好为0.5-5重量份。
在制造上述可固化的树脂时，可采用各种低聚物和单体的组合，以获得上述性能。
用于制造基片的热塑性树脂可选自，例如聚烯烃树脂，如聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯和聚甲基戊烯；以及未氢化或氢化的苯乙烯-乙烯基异戊二烯嵌段共聚物。其中，较好是未氢化或氢化的苯乙烯-乙烯基异戊二烯嵌段共聚物。
苯乙烯-乙烯基异戊二烯嵌段共聚物一般是高乙烯基键合的SIS(苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物)。未氢化和氢化的苯乙烯-乙烯基异戊二烯嵌段共聚物均在室温左右表现出高的tanδ峰值。
较好在上述树脂中加入可增强tanδ值的添加剂。能增强tanδ值的添加剂的例子包括无机填料，如碳酸钙、氧化硅和云母以及金属填料，如铁和铅。加入高比重的金属填料尤其有用。
另外，除上述组分外，基片可含有其它填料，例如着色剂，如颜料和染料。
对于薄膜的形成方法，例如，可用将液态树脂(如预固化的树脂或树脂溶液)流延在流延板上，形成薄的涂层，随后进行给定的成膜步骤的方法制得基片。在这种方法中，在成膜过程中树脂上受到的应力较小，使形成鱼眼的可能性下降。另外，薄膜的厚度均匀性较高，厚度偏差一般在2％以内。
形成薄膜的另一种较好的方法包括使用T型模头或吹胀进行压延或挤出成型。
通过在叠置于上述基片上的中间层上形成压敏粘合层来制备本发明压敏粘合片。当压敏粘合层是由可用紫外光固化的压敏粘合剂制成的时，基片和中间层必须是透明的。
在本发明压敏粘合片中，基片的厚度较好为30-1000微米，宜为50-800微米，最好为80-500微米。
中间层的厚度宜为5-100微米，较好为10-80微米，最好为20-60微米。另外，压敏粘合层的厚度虽然依赖于其制造材料的种类，但是一般约为5-100微米，较好为10-80微米，最好为20-60微米。
可根据压敏粘合片要粘附的被粘物上的凸起高度、凸起的形状、凸起间的间距等来决定中间层和压敏粘合层的总厚度。中间层和压敏粘合层的总厚度一般较好为凸起高度的至少50％，最好为60-100％。如果中间层和压敏粘合层的总厚度具有如此的厚度，则压敏粘合片能贴合线路的不平整表面，从而能消除不平整的高度差。
可如下制得本发明压敏粘合片：将用于形成中间层的树脂施涂在基片上；用适当的方法干燥或固化该树脂，形成中间层；使用常规技术，利用辊涂机、刮涂机、凹槽辊涂覆机、口模式涂覆机、反转涂覆机(reverse coater)等在中间层上涂覆适当厚度的上述压敏粘合剂，并将压敏粘合剂干燥，在中间层上形成压敏粘合层。如有必要，可在压敏粘合层上施加一层剥离衬里。
下面将描述本发明第二种压敏粘合片。
本发明第二种压敏粘合片包括基片，依次叠置在该基片上的中间层和压敏粘合层。尽管在第二种压敏粘合片上可使用各种基片和压敏粘合剂，但是最好使用前面描述第一种压敏粘合片时所述的基片和压敏粘合剂。
第二种压敏粘合片的中间层在40℃时的弹性模量小于1.0×106Pa，较好为5.0×103-5.0×105Pa，最好为1.0×104-1.0×105Pa。
在研磨半导体晶片背面时，由于研磨热而使压敏粘合片的温度达到约40℃。因此，中间层在该温度的弹性模量是重要的。也就是说，当中间层在40℃时的弹性模量在该范围内时，压敏粘合片可精确地贴合被粘物不平整的表面，在研磨被粘物背面时消除不平整的高度差，从而顺利地进行被粘物背面研磨，不会形成厚度差异，不受被粘物不平整表面的影响，而与基片和压敏粘合剂的类型无关。
第二种压敏粘合片基片、中间层和压敏粘合层的较好的实例(如厚度等)与前面描述第一种压敏粘合片时所述的相同，其制备方法也与第一种压敏粘合片所述的方法相同。
本发明第一和第二种压敏粘合片可用于保护各种元件的表面并在精密加工时将其临时固定。具体地说，该压敏粘合片适用于在研磨半导体晶片背面时保护其电路表面。本发明压敏粘合片具有上述特殊的结构，因此能有效地消除电路表面的不平整度。因此，本发明压敏粘合片不仅能以令人满意的粘性粘附在由于凸起等而具有很大的表面高度差的晶片上，而且能减轻晶片表面的不平整对其背面研磨的影响，从而能很顺利地进行研磨并防止晶片断裂。另外，当压敏粘合层是由例如可用紫外光固化的压敏粘合剂制成的时，通过紫外光辐照可容易地减弱其粘结强度，从而在完成所需的加工后，通过用紫外光辐照压敏粘合层可容易地剥离该压敏粘合层。
本发明提供一种保护表面的压敏粘合片，它能精确地贴合被粘物不平整的表面，从而消除不平整的高度差，在研磨被粘物背面时，能顺利地进行背面研磨，不产生厚度差，不受被粘物不平整的表面的影响。
实施例
下面将参照实施例对本发明进行进一步说明，这些实施例对本发明范围不构成限制。
在下列实施例和比较例中，用下列方法进行“背面研磨性能试验”。
背面研磨性能试验
在6英寸的镜面晶片上形成下列印刷点疵品标记作为凸起。将各种压敏粘合片粘附在带有疵品标记的晶片表面上，研磨晶片相反的一面。晶片形状、研磨条件和评价方法如下：
(1)晶片形状
晶片直径：6英寸，
晶片厚度(不带点印部分的厚度)：650-700微米，
点直径：500-600微米，
点高度：105微米
点的谷底间距：2.0mm间距(晶片边界附近20mm未印刷点)；
(2)背面研磨条件
抛光(finish)厚度：200微米，和
研磨设备：DFG 840型磨床，Disco Corporation制；
(3)评价方法
(3-1)凹陷
观察研磨晶片的背面。无裂缝或凹陷时，将晶片评价为“优”。当观察到凹陷，但其最大深度小于2微米时，将晶片评价为“良”。另一方面，当观察到凹陷并且其最大深度为2微米或更大时，将晶片评价为“差”。
(3-2)晶片厚度差
背面研磨完成后，从晶片上剥离压敏粘合片。在30个位置(包括晶片边界20mm以内处)测定晶片厚度。厚度差是指晶片的最大厚度减去最小厚度。
使用Dial Thickness Gauge(Ozaki Mfg.Co.，Ltd制)进行厚度测定。
tanδ
tanδ是用动态粘弹性测量仪在110Hz拉伸应力下测得的。具体地说，将各种基材切割成给定的尺寸，使用Orientec Corporation制的Rheovibron DDV-II-EP在-40℃～150℃的温度范围内在110Hz的频率下测定tanδ。对于基片，在-5～80℃的温度范围内测得的tanδ最大值定义为“tanδ值”。对于中间层，在0～60℃的温度范围内测得的tanδ最大值定义为“tanδ值”。
杨氏模量
根据日本工业标准(JIS)k7127，在200mm/min的试验速度下测得。
弹性模量
各种压敏粘合剂和中间层的弹性模量G’是用扭剪切法测得的，其中，试样：直径8mm×高3mm的圆柱体；仪器：Dynamic Analyzer RDA II(Reometric制)；频率：1Hz。
实施例1
将50重量份重均分子量为5,000的聚氨酯丙烯酸酯低聚物(Arakawa ChemicalIndustry Co.，Ltd制)、25重量份丙烯酸异冰片酯、25重量份丙烯酸苯基羟丙酯、2.0重量份光致聚合引发剂1-羟基环己基苯基酮(Irgacure 184，Ciba-Geigy制)和0.2重量份酞菁颜料混合在一起，制得可用能量辐照固化的树脂组合物。
用供料模(fountain die)技术将上述树脂组合物以110微米的厚度涂覆在作为流延片的PET薄膜(Toray Industries制，38微米厚)上，从而形成树脂组合物层。涂覆后，立即用相同的PET薄膜层压在树脂组合物层上，用高压汞灯(160W/cm，高10cm)发出的紫外光辐照之，辐照剂量为250mJ/cm2，使树脂组合物层交联并固化。如此得到110微米厚的基片膜。用上述方法测定该基片膜的tanδ和杨氏模量。结果列于表1。
将60重量份聚氨酯丙烯酸酯(Toagosei Chemical Industry Co.，Ltd制)，20重量份酚环氧乙烷改性的丙烯酸酯(商品名：M-101，Toagosei Chemical IndustryCo.，Ltd制)、10重量份丙烯酸异冰片酯和2.0重量份光致聚合引发剂(Irgacure184，Ciba-Geigy制)混合在一起，并用供料模技术将其流延在上述基片膜上。从而形成40微米厚的中间层。用上述方法测定该中间层的tanδ和杨氏模量。结果列于表1。
将100重量份丙烯酸压敏粘合剂(丙烯酸正丁酯和丙烯酸的共聚物)、120重量份分子量为8000的聚氨酯丙烯酸酯低聚物、10重量份固化剂(二异氰酸酯化合物)和5重量份光致聚合引发剂(二苯酮化合物)混合在一起制得压敏粘合剂组合物，将该组合物涂覆在中间层上，干燥后形成厚度为20微米的压敏粘合层。如此获得压敏粘合片。
对制得的压敏粘合片进行背面研磨性能试验。结果列于表1。
实施例2
重复实施例1相同的步骤，但是用包括100重量份丙烯酸正丁酯和丙烯酸的共聚物、5重量份固化剂(二异氰酸酯化合物)的组合物形成20微米厚的中间层，并且压敏粘合层的厚度为40微米。结果列于表1。
实施例3
重复实施例1相同的步骤，但是使用50重量份丙烯酸异冰片酯而不使用丙烯酸苯基羟丙酯形成基片，并且20微米厚的中间层是由含100重量份丙烯酸2-乙基己酯、乙酸乙烯酯和丙烯酸的共聚物及5重量份环氧固化剂(Tetrad C)的组合物制成的，并且40微米厚的压敏粘合层是由含实施例1的丙烯酸压敏粘合剂和5重量份固化剂(二异氰酸酯化合物)的组合物形成的。结果列于表1。
实施例4
重复实施例2相同的步骤，但是使用110微米厚的低密度聚乙烯薄膜(商品名为Sumikathene L705)作为基片膜。结果列于表1。
比较例1
重复实施例1相同的步骤，但是不使用中间层。结果列于表1。
比较例2
重复实施例1相同的步骤，但是40微米厚的中间层是施涂含5重量份二异氰酸酯固化剂和100重量份由90重量份乙酸乙烯酯、8重量份甲基丙烯酸甲酯和2重量份丙烯酸组成的丙烯酸共聚物的组合物，随后干燥而成的。结果列于表1。
比较例3
重复与实施例4相同的步骤，但是不使用中间层并且压敏粘合层的厚度为20微米。结果列于表1。
比较例4
重复与实施例1相同的步骤，但是使用120微米厚的乙烯/乙酸乙烯酯共聚物膜(乙酸乙烯酯含量：12％)作为基片膜，不使用中间层并且用与实施例1相同的压敏粘合剂形成10微米厚的压敏粘合层。结果列于表1。
比较例5
重复与实施例1相同的步骤，但是使用100微米厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜作为基片膜，不使用中间层并且用与实施例1相同的压敏粘合剂形成10微米厚的压敏粘合层。。结果列于表1。
表1
                  基片                         中间层
   tanδ   厚度(微米) 厚度×杨氏模量(kg/m)     tanδ   厚度(微米)   弹性模量23℃(Pa)   弹性模量40℃(Pa)
  实施例1   1.20     110     22.0     1.20     40  5.5×104   1.8×104
  实施例2   1.20     110     22.0     1.50     20  1.0×105   3.2×105
  实施例3   0.75     110     9.0     0.45     20  9.0×104   5.0×104
  实施例4   0.19     110     14.3     1.50     20  1.0×105   3.2×105
  比较例1   1.20     110     22.0
  比较例2   1.20     110     22.0     0.5     40  3.0×106   1.7×106
  比较例3   0.19     110     14.3
  比较例4   0.17     120     6.6
  比较例5   0.03     100     350.0
表1(续)
                    压敏粘合剂       背面研磨性能
  厚度(微米)   23℃弹性模量(Pa)    40℃弹性模量(Pa)     凹陷   晶片厚度差(微米)
实施例1     20     1.5×105      5.8×104     优      3.2
实施例2     40     1.5×105      5.8×104     优      4.8
实施例3     40     1.0×105      4.1×104     优      6.0
实施例4     40     1.5×105      5.8×104     良      6.8
比较例1     20     1.5×105     优      59
比较例2     20     1.5×105      5.8×105     优      37
比较例3     20     1.5×105     差      72
比较例4     10     1.5×105     差      66
比较例5     10     1.5×105     差      73

Claims (10)

1.一种压敏粘合片，包括基片，叠置在基片上的中间层和叠置在中间层上的压敏粘合层，所述压敏粘合层在23℃时的弹性模量为5.0×104-1.0×107Pa，所述中间层在23℃时的弹性模量不大于所述压敏粘合层在23℃时的弹性模量。
2.如权利要求1所述的压敏粘合片，其特征在于在-5～80℃的温度范围内，基片的动态粘弹性tanδ的最大值至少为0.5。
3.如权利要求1所述的压敏粘合片，其特征在于基片的厚度和杨氏模量之乘积为0.5-100kg/cm。
4.如权利要求2所述的压敏粘合片，其特征在于基片的厚度和杨氏模量之乘积为0.5-100kg/cm。
5.如权利要求1-4中任何一项所述的压敏粘合片的使用方法，它包括将压敏粘合片粘附在被粘物表面上，在用压敏粘合片保护被粘物表面的同时加工被粘物的背面。
6.一种压敏粘合片，包括基片，叠置在该基片上的中间层和叠置在中间层上的压敏粘合层，所述中间层在40℃时的弹性模量小于1.0×106Pa。
7.如权利要求6所述的压敏粘合片，其特征在于在-5～80℃的温度范围内，基片的动态粘弹性tanδ的最大值至少为0.5。
8.如权利要求6所述的压敏粘合片，其特征在于基片的厚度和杨氏模量之乘积为0.5-100kg/cm。
9.如权利要求7所述的压敏粘合片，其特征在于基片的厚度和杨氏模量之乘积为0.5-100kg/cm。
10.如权利要求6-9中任何一项所述的压敏粘合片的使用方法，它包括将压敏粘合片粘附在被粘物表面上，在用压敏粘合片保护被粘物表面的同时加工被粘物的背面。
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