CN110079224A - 切割片及半导体晶片的制造方法 - Google Patents

切割片及半导体晶片的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种切割片，由厚度20～200μm的基材、位于该基材表面的中间层、以及位于该中间层上厚度8～30μm的粘接剂层所构成，该粘接剂层包括分子内具有能量线硬化性双键的化合物，且该粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G'为中间层的23℃储存弹性率G'的4倍以上，在高15μm、直径15μm的圆柱型电极以40μm的间距等间隔地形成3行3列所形成的晶片通过该粘接剂层粘贴的情形中，该3行3列所形成的圆柱型电极的中心的电极中，该电极高度7.5μm以下的部分不接触该粘接剂层。本发明提供的切割片在突起状电极(贯通电极)间不残留粘接剂层的残渣、晶片不破损、可切割及提取。

Description

切割片及半导体晶片的制造方法
本发明是一件分案申请，原申请的申请日为2012年11月02日，申请号为201210433531.0，发明名称为：切割片及半导体晶片的的制造方法。
技术领域
本发明涉及一种在使半导体晶片的每个电路单体化作成半导体晶片时为了固定半导体晶片所使用的切割片，特别涉及一种较佳用于固定及切断半导体晶片表面具有突起状电极的切割片及利用该切割片制造半导体晶片的方法。
背景技术
半导体晶片表面形成电路后，进行对晶片内面一侧的研磨、削切加工而调整晶片厚度的内面研磨削切步骤，及将晶片单体化为特定的晶片体积的切割步骤。接续内面研磨削切步骤，实施进一步对内面蚀刻处理等的伴随发热的加工处理，或对内面的金属膜蒸镀地进行高温的处理。单体化晶片体积的半导体晶片被提取，移送至下一步骤。
近年随着IC电路的普及，其构成元件的半导体晶片朝薄型化发展。因此，约350μm厚度的晶片被要求薄成50～100μm或以下。
电子电路的大容量化，因应高机能化，朝向使多个半导体晶片立体层积的集成电路开发。此类的集成电路中，一般经由电子封线进行半导体晶片的导电连接，但是由于近年的小型化、高机能化的必要性，不进行电子封线而是在半导体晶片设置从形成电路面贯通至内面的电极(贯通电极)，直接导线连接上下晶片之间的方法为有效的方法而进行开发。
此种具有贯通电极的晶片的制造方法，例如在半导体晶片的特定位置以等离子体等设置贯通孔，经此贯通孔流入铜等的导电体后进行蚀刻等，使半导体晶片表面设置电路与贯通电极的方法。设有电路及贯通电极的半导体晶片使用在基材膜上形成粘接剂层的切割片切割，获得每个具有贯通电极的晶片。
已有提议在为了获得上述具有贯通电极的晶片的切割步骤中，在基材膜上所形成的粘接剂层的粘贴面压入突出的贯通电极而变形，将电极埋入与电极的突出部相似形状的粘接剂层的凹陷部，形成贯通电极的半导体晶片贴附于切割片固定后进行切割而获得各晶片的方法(专利文献1、2)。但是，专利文献1、2所记载的切割片因为将贯通电极埋入粘接剂层，恐有在贯通电极间残留下粘接剂层的残渣。因为此残渣，而有晶片表面被污染，半导体晶片的信赖度降低。专利文献1、2的方法中虽提议减少此种残渣残留的手段，但是无法确定可完全排除残渣残留的可能性。且专利文献1、2所记载的切割片为了埋入贯通电极必须调低切割时的弹性。因此，切割时的震动也容易发生晶片破损(破裂)的问题。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]特开2006-202926号公报
[专利文献2]特开2010-135494号公报
发明内容
本发明以解决伴随上述已知技术问题为目的。也即，本发明以提供使突起状电极(贯通电极)之间不残留粘接剂层的残渣、不使晶片破损的可切割及提取的切割片为目的。
以解决此课题为目的的本发明的要旨如下所述。
本发明提供一种切割片，由基材、位于该基材一表面的中间层、以及位于该中间层上、厚度8～30μm的粘接剂层所构成，
该粘接剂层包括分子内具有能量线硬化性双键的化合物，且该粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G'为中间层的23℃储存弹性率G'的4倍以上，
在高15μm、直径15μm的圆柱型电极以40μm的间距等间隔地形成3行 3列所形成的晶片通过该粘接剂层粘贴的情形中，该3行3列所形成的圆柱型电极的中心的电极中，该电极高度7.5μm以下的部分不接触该粘接剂层。
[本发明所述的切割片，其中该分子内具有能量线硬化性双键的化合物包括由聚合物主链或侧链键结能量线聚合性基所形成的能量线硬化型粘接性聚合物。
本发明所述的切割片，其中该中间层的23℃储存弹性率G'为104Pa以上、未满105Pa。
本发明所述的切割片，其中该粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G' 为3×105Pa以上。
本发明所述的切割片，其中该粘接剂层包括具有反应性官能团的丙烯聚合物及交联剂，相对于该丙烯聚合物100质量份，含有该交联剂5质量份以上。
本发明所述的切割片，其中该交联剂为异氰酸酯系交联剂。
本发明任一所述的切割片，其用于粘贴于具有突起状电极的晶片。
本发明所述的切割片，其中该突起状电极为贯通电极。
本发明所述的切割片，其中该中间层的厚度为该突起状电极高度的 0.5～1.5倍。
本发明还提供一种半导体晶片制造方法，包括在具有突起状电极的半导体晶片形成电极的表面粘贴本发明所述的切割片的步骤，切割该半导体晶片使每个电路单体化而制成半导体晶片的步骤，以及提取该半导体晶片的步骤。
【发明效果】
本发明所述的切割片在贴附半导体晶片之时，粘接剂层不沿着突起状电极，但沿着突起状电极所形成的区域(电极形成区域)的外围部。结果，突起状电极间不残留粘接剂层的残渣，且抑制因聚合不全所造成的电极形成区域的外围部中残渣的残留。在电极形成区域的外围部中，粘接剂层贴附于半导体晶片，且粘接剂层不过度柔软化，因此防止切割时的水入侵。切割性优良，可防止破裂发生。通过使粘接剂层能量线硬化，可控制其粘接力，使晶片的提取容易，可防止晶片破损。
附图说明
图1为本发明的切割片的剖面示意图。
图2为显示本发明的切割片贴附于形成圆柱型电极的晶片的状态的剖面示意图。
图3为显示形成圆柱型的半导体晶片的电路形成面的平面图。
【主要部件符号说明】
1～粘接剂层；2～中间层；
3～粘接剂层；10～切割片；
20(20a～20e)～圆柱型电极；30～半导体晶片。
具体实施方式
以下针对本发明的切割片具体说明。如图1所示，本发明的切割片10 由基材3、设置于该基材一表面的中间层2、以及设置于中间层2上的粘接剂层1所构成。
(粘接剂层1)
粘接剂层的硬化前(能量线照射前)的23℃储存弹性率G'为中间层的 23℃储存弹性率G'的4倍以上，较佳为中间层的23℃储存弹性率G'的5倍以上。以覆盖如此低弹性率的中间层2的型态而存在弹性率较高的粘接剂层者，良好地抑制粘接剂层沿着突起状电极间，可防止突起状电极间的粘接剂层的残渣发生或者提取时的晶片破损。粘接剂层与中间层的层集成中，因为粘接剂层补强中间层的低弹性，相较于仅有一层低弹性率层存在的情形，切割时的晶片震动被抑制，破裂发生变得困难。粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G'具体较佳为3×105Pa以上，更佳为3.5×105Pa～1×107Pa。粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G'在上述范围时，可更确实地获得抑制粘接剂沿着突起状电极间的效果等。
粘接剂层的厚度为8～30μm，较佳为8～25μm的范围。粘接剂层的厚度在上述范围内时，切割性提升，可抑制破裂的发生。良好地抑制粘接剂层沿着突起状电极间，可抑制突起状电极间的粘接剂层的残渣发生或提取时晶片的破损，且维持如后述的突起状电极所形成的区域(电极形成区域)的外围部中切割片沿着的追随性。
粘接剂层含有由分子内具有能量线硬化性双键的化合物及为了表现粘接性的物质所构成的成分(以下记载为”能量线硬化型粘接成分”)。
粘接剂层使用调配能量线硬化型粘接成分与视需要而定的光聚合起始剂的粘接剂组成物所形成。而且，为了改良各种性质，上述粘接剂组成物可视需要含有其他成分。其他成分较佳为交联剂。
以下，对于能量线硬化型粘接成分以丙烯系粘接剂为例具体说明。
丙烯系粘接剂含有赋予粘接剂组成物充分的粘接性与成膜性(片形成性) 的丙烯共聚物(A)，又含有能量线硬化性化合物(B)。能量线硬化性化合物(B) 包含能量线聚合性基，受到紫外线、电子线等的能量线照射而聚合硬化，具有使粘接剂组成物的粘接力降低的功能。作为兼具上述成分(A)及(B)性质的物质，较佳使用主链或侧链键结能量线聚合性基所形成的能量线硬化型粘接性聚合物(以下为记载成分(AB)的情形)。此能量线硬化型粘接性聚合物(AB) 兼具粘接性与能量线硬化性的性质。
丙烯聚合物(A)可使用已知的丙烯聚合物。丙烯聚合物(A)的重量平均分子量(Mw)较佳为1万～200万，更佳为10万～150万。丙烯聚合物(A)的玻璃转移温度(Tg)较佳为-70℃～30℃，更佳为-60℃～20℃的范围。
构成丙烯聚合物(A)的单体例如(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物。
具体例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等的烷基碳数1～18的(甲基)丙烯酸烷酯；(甲基)丙烯酸环烷酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸亚胺等的具有环状结构的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸羟甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯等的含羟基的(甲基) 丙烯酸酯；丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯等。也可为乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等的共聚合。这些可1 种单独使用，也可并用2种以上。
本发明中的丙烯共聚物(A)较佳具有反应性官能团。反应性官能团与本发明中构成粘接剂层的粘接剂组成物中所较佳添加的交联剂的反应性官能团反应，形成三维网络结构，使得调整粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率 G'在特定范围内变得容易。丙烯共聚物(A)的反应性官能团例如羧基、胺基、环氧基、羟基等，但是因为容易与交联剂选择性反应，因此较佳为羟基。使用上述含羟基的(甲基)丙烯酸酯或丙烯酸等的具有反应性官能团的单体构成丙烯聚合物(A)者，反应性官能团可被导入丙烯聚合物(A)。
丙烯聚合物(A)，在作为其构成的所有单体中，具有反应性官能团的单体较佳含有5～30质量％，更佳含有10～25质量％。具有反应性官能团的单体的调配比例在此范围时，通过交联剂可有效地交联丙烯聚合物(A)，使得调整粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G'在特定范围内变得容易。又丙烯聚合物 (A)的反应性官能团(例如羟基)的当量较佳为交联剂的反应性官能团(例如异氰酸酯基)当量的0.17～2.0倍。丙烯聚合物(A)的反应性官能团的当量与交联剂的反应性官能团当量的关系在上述范围者，调整粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G'在特定范围内变得更容易。
能量线硬化性化合物(B)为受到紫外线、电子线等的能量线照射而聚合硬化的化合物。此能量线硬化性化合物例如具有能量线聚合性基的低分子量化合物(单官能、多官能的单体及寡聚物)，具体使用三甲氧基丙烷三丙烯酸酯、四甲氧基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己烷二醇二丙烯酸酯等的丙烯酸酯；二环戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯、丙烯酸异冰片酯等的含环状脂肪族结构的丙烯酸酯；聚乙二醇二丙烯酸酯、丙烯酸寡酯、丙烯酸氨酯寡聚物、环氧基变性丙烯酸酯、丙烯酸聚醚、衣康酸寡聚物等的丙烯酸酯系化合物。这些化合物分子内具有能量线硬化性双键，通常分子量为约 100～30000，较佳为约300～10000。
一般对于成分(A)(包含后述的能量线硬化型粘接剂聚合物(AB))100质量份，具有能量线硬化性基的低分子量化合物较佳使用约0～200质量份，更佳使用约1～100质量份，再更佳使用约1～30质量份的比例。具有能量线硬化性基的低分子量化合物，由于其分子量低，添加者使得能量线硬化前的粘接剂层软化。如此恐怕不能充分获得如后述的粘接剂层难以沿着突起状电极间的本发明效果。因此，较佳限制具有能量线硬化性基的低分子量化合物的使用量少。
兼具上述成分(A)及(B)性质的能量线硬化型粘接性聚合物(AB)在聚合物的主链与侧链键结能量线聚合性基。如上述，较佳限制具有能量线硬化性基的低分子量化合物的使用量少，然而，此情形使得经能量线照射的粘接剂层的硬化不充分，有可能使粘接剂层对被粘接物的残渣的抑制效果降低。此处，能量线硬化型粘接性聚合物(AB)适用于粘接剂层者，不会使能量线照射前的粘接剂层软化，且通过能量线的照射，可使粘接剂层的硬化充分地进行。
能量线硬化型粘接性聚合物(AB)分子内具有能量线聚合性基且也可具有反应性官能团，因此一分子与其他分子之间键结的机率高。照射能量线使粘接剂层硬化后，低分子成分不能进入三维网络结构，残存的可能性低。因此，起因于不能进入三维网络结构的低分子成分的残渣的发生被抑制。
能量线硬化型粘接性聚合物的主结构没有特别限定，也可为粘接剂广用的丙烯共聚物。
能量线硬化型粘接性聚合物中键结于主链或侧链的能量线聚合性基为例如含能量线硬化性的碳-碳双键，具体可例如(甲基)丙烯酰基等。能量线聚合性基可通过烷烯基、烷烯氧基、聚烷烯氧基键结于能量线硬化型粘接性聚合物。
键结能量线聚合性基的能量线硬化型粘接性聚合物(AB)的重量平均分子量(Mw)较佳为1万～200万，更佳为10万～150万。能量线硬化型粘接性聚合物(AB)的玻璃转移温度(Tg)较佳为-70℃～30℃，更佳为-60℃～20℃的范围。
能量线硬化型粘接性聚合物(AB)由例如含有羟基、羧基、胺基、取代的胺基、环氧基等的官能团的丙烯粘接性聚合物，与具有与该官能团反应的取代基及每1分子有1～5个能量线聚合性碳-碳双键的含聚合性基的化合物反应而得。丙烯粘接性聚合物较佳由具有羟基、羧基、胺基、取代的胺基、环氧基等的官能团的(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物与上述构成成分(A)的单体所形成的共聚物。该含聚合性基的化合物例如(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；(甲基)丙烯酸等。
如上述含有丙烯共聚物(A)及能量线硬化性化合物(B)、或能量线硬化型粘接剂聚合物(AB)的丙烯系粘接剂经能量线照射硬化。能量线具体使用紫外线、电子线等。
光聚合起始剂例如苯偶因化合物、苯乙酮化合物、酰基膦氧化合物、二茂钛化合物、噻吨酮(thioxantone)化合物、过氧化物等的光起始剂、胺或苯醌等的光增感剂等，具体例如1-羟基环己基苯基酮、苯偶因(benzoin)、苯偶因甲基醚、苯偶因乙基醚、苯偶因异丙醚、苄基二苯基硫、单硫化四甲基秋兰姆(thiuram)、偶氮双异丁烯腈、二苯乙烷、2,3-丁二酮、β-氯蒽、2,4,6-三甲基苯酰基二苯基膦氧化合物等。以紫外线作为能量线的情形，通过调配光聚合起始剂可减少照射时间、照射量。
光聚合起始剂的含量，理论上根据粘接剂层中所存在的不饱和键结量(能量线硬化性双键量)或其反应性及所使用的光聚合起始剂的反应性来决定，但在复杂的混合物系中不一定容易。以一般的指标，光聚合起始剂的含量，相对于能量线硬化性化合物(B)100质量份，较佳为0.1～10质量份，更佳为1～5 质量份。当光聚合起始剂的含量低于上述范围时，光聚合不足，不能获得满足的提取性。当高于上述范围时，未进行光聚合的残留物生成，使得粘接剂层的硬化性不充分。
交联剂例如有机多价异氰酸酯化合物、有机多价环氧化合物、有机多价亚胺化合物抖，较佳为有机多价异氰酸酯化合物(异氰酸酯交联剂)。
有机多价异氰酸酯化合物例如芳族多价异氰酸酯化合物、脂族多价异氰酸酯化合物、脂环族多价异氰酸酯化合物及这些的有机多价异氰酸酯化合物的三元体，以及这些的有机多价异氰酸酯化合物与多元醇化合物反应所得的末端异氰酸酯氨酯预聚物等。
有机多价异氰酸酯化合物更具体例如2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-二甲苯二异氰酸酯、1,4-二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷-4,4- 二异氰酸酯、二苯基甲烷-2,4'-二异氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4'-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4'-二异氰酸酯、三甲氧基丙烷加成甲苯二异氰酸酯及赖胺酸 (lysine)二异氰酸酯。
有机多价环氧化合物例如1,3-双(N,N'-二缩水甘油基胺基甲基)环己烷、 N,N,N',N'-四缩水甘油基-m-二甲苯二胺、乙二醇二缩水甘油醚、1,6-己烷二氧二缩水甘油醚、三甲氧基丙烷二缩水甘油醚、二缩水甘油苯胺、二缩水甘油胺等。
有机多价亚胺化合物例如N,N'-二苯基甲烷-4,4'-双(1-氮丙啶(aziridine)羧酰胺)、三甲氧基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酯、四甲氧基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酯及N,N'-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶羧酰胺)三乙烯三聚氰胺等。
交联剂使用相对于丙烯聚合物(A)(包含能量线硬化型粘接剂聚合物 (AB))100质量份较佳为5质量份以上的比例，更佳为8～35质量份，更佳为 12～30质量份的比例。交联剂的调配量为上述范围者，使得调整粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G'在特定范围内变得容易。
作为其他成份，除了交联剂以外，也可添加染料、颜料、防劣化剂、防带电剂、难燃剂、硅酮化合物、链转移剂等。
粘接剂层的能量线照射前的粘接力较佳为500mN/25mm以上，更佳为 800～30000mN/25mm。能量线照射后的粘接力较佳为10～500mN/25mm以上，更佳为10～300mN/25mm。粘接剂层的粘接力在上述范围内者，切割性与提取性优良。
粘接剂层上较佳在使用前层积用于保护粘接剂层的剥离片。剥离片没有特别限定可使用例如聚乙烯对苯二甲酸酯、聚丙烯、聚乙烯等的树脂所构成的膜或这些的发泡膜、或者在玻璃纸、涂覆纸、层压纸等的纸上以硅酮系、氟系、含长链烷基的氨基甲酸纸等的剥离剂剥离处理者。
(中间层2)
中间层2由例如已知的粘接剂所形成而得。此粘接剂没有别限定，使用橡胶系、丙烯系、硅酮系、聚乙烯醚等的粘接剂。也可使用能量线硬化型或加热发泡型、水膨润型的粘接剂。能量线硬化(紫外线硬化、电子线硬化等) 型粘接剂特别以紫外线硬化型粘接剂为佳。
如上所述，粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G'为中间层的23℃储存弹性率G'的4倍以上，较佳为中间层的23℃储存弹性率G'的5倍以上。对于粘接剂层，具有特定程度低弹性率的中间层设置于粘接剂层与基材之间，本发明的切割片，相较于一般仅有弹性较高的粘接剂层存在的情形，电极形成区域的外围部的切割片追随性提高。另一方面，虽未见突起状电极间的粘接剂层变得容易追随的倾向，但是电极间弹性较高的粘接剂层为以突起状电极为支柱而伸展的状态，推断是因为维持粘接剂层形状的力量与中间层侵入电极间的力量互相拮抗的缘故。
粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G'为中间层的23℃储存弹性率G' 的4倍以下的情形，电极形成区域外围部的切割片的追随性降低，当形成突起状电极的晶片贴附于本发明的切割片时，电极形成区域的外围部中因为晶片与切割片之间含入的空气量变多，因空气中的氧而使能量线硬化性化合物等的活性部分失效，导致能量线照射时粘接剂层发生聚合不全。结果在电极形成区域的外围部恐怕发生糊残留。
中间层的23℃储存弹性率G'具体较佳为104Pa以上、未满105Pa，更佳为104～9×104Pa，再更佳为104～8×104Pa。当中间层的23℃储存弹性率G'调整为此述范围，可更确实地得到使电极形成区域的外围部的切割片的追随性提高的效果。
当中间层的23℃储存弹性率G'太低时，粘接剂层沿着突起状电极间。在突起状电极间，粘接剂层的残渣发生。
在中间层具有经能量线照射而硬化的性质的情形，中间层的23℃储存弹性率G'为能量线照射前的储存弹性率。
中间层的厚度较佳为后述突起状电极高度的0.5～1.5倍，更佳为1.0～1.5 倍。中间层的具体厚度可从上述的较佳范围选择，从选用的晶片的突起状电极高度来计算。中间层的厚度在上述范围者，突起状电极间切割片的非追随性及电极形成区域外围部的切割片的追随性优良，使得切割性提高，抑制破裂的发生。
(基材3)
基材3没有特别限制，但可使用例如低密度聚乙烯(LDPE)膜、直链低密度聚乙烯(LLDPE)膜、高密度聚乙烯(HDPE)膜等的聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚乙烯对苯二甲酯膜、聚丁烯对苯二甲酯、聚氨酯膜、聚亚胺膜、乙烯乙酸乙烯酯共聚物膜、离聚物树脂(ionomer resin)膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、氟树脂膜、及其水添加物或变性物等所构成的膜。也可使用这些交联膜、共聚物膜。上述基材可为单独1种，也可为这些的2种以上组合的复合膜。
当使用紫外线作为使粘接剂层及/或中间层硬化的能量线的情形时，较佳使用对紫外线具有透光性的基材。在使用电子线作为能量线的情形时则基材不必为透光性。在要求被粘接体的视认性的情形下，基材较佳为透明的。基材也可被着色。
为了使基材上面，即设置于中间层侧的基材表面，对中间层的密合性提高，可施以电晕处理或设置等离子体层。也可在中间层的相反侧面进行各种涂膜的涂工。本发明的切割片在上述基材一表面形成中间层且在该中间层上粘接剂层所制造。基材的厚度较佳为20～200μm，更佳为25～110μm，再更佳为50～90μm的范围。基材的厚度大时，对抗基材弯曲的力量变大，则提取时的剥离角度难以变大。因此，提取所需的力量增加，为提取性劣化的情形。基材厚度小时，有因材料而使制膜困难的情形。
在上述基材表面设置中间层的方法是由构成中间层的中间层用组成物在剥离片上以形成固定膜厚而涂布，形成中间层，也可转写于上述基材表面，也可在上述基材表面直接涂布中间层用组成物而形成中间层。在中间层上设置粘接剂层的方法是使用粘接剂组成物，与在基材上设置中间层的方法相同。如此可得本发明的切割片。
本发明的切割片在高15μm、直径15μm的圆柱型电极以40μm的间距等间隔地形成3行3列所形成的晶片，通过该粘接剂层粘贴的情形中，该形成 3行3列的圆柱型电极中心的电极中，该电极高度7.5μm以下的部分不接触该粘接剂层。也即如图2及图3所示，本发明的切割片10在高15μm、直径 15μm的圆柱型电极20(20a～20i)以40μm的间距等间隔地形成3行3列所形成的区域(电极形成区域)的内周部25(图3中虚线内侧)中，粘接剂层1不沿着电极20间，电极20e的高度7.5μm以下的部分不接触粘接剂层1。作为突起状电极的代表例，通过调整上述体积及排列的圆柱型电极的电极间根部(电极的高度7.5μm以下的部分)不接触粘接剂层，可获得粘接剂层难以沿着突起状电极的电极间的本发明效果。此种特性可通过具有特定厚度的粘接剂层及中间层的切割片以及设定在粘贴时中间层与粘接剂层的23℃的储存弹性率 G'的差而可调整。
在电极形成区域的外围部26(图3中虚线的外侧)中，粘接剂层1沿着电极20而贴着于晶片30。因此，防止切割时的水侵入，切割性优良，可防止破裂的发生。通过使粘接剂层1进行能量线硬化，可控制其粘接力，因此晶片容易提取且可防止破损。上述特性在评估之时，对晶片的粘贴在23℃、粘贴压0.3MPa、粘贴速度5mm/秒的条件下进行。
本发明的切割片较佳用于粘贴具有突起状电极的半导体晶片所形成的表面。突起状电极例如圆柱状电极、球状电极等。本发明的切割片特别适用于近年来使用增加的具有贯通电极的晶片。对于半导体晶片的切割片的粘贴方法没有特别限定。
之后，使用切割盘等的切断手段，将半导体晶片的每个电路单体化，制作半导体晶片。此时的切断深度为半导体晶片厚度、粘接剂层与中间层的厚度总和、以及切割盘的磨损量的总和的深度。
切割后视需要延展本发明的切割片，使各半导体晶片的间隔增加后，通过吸引夹头等的广用手段，进行各半导体晶片的提取，制造半导体晶片。较佳使粘接剂层照射能量线，使粘接力下降后，进行延展、提取。
[实施例]
以下通过实施例说明本发明，但本发明不限于此等的实施例。以下的实施例及比较例所述的“追随性”、“切割性”、“粘接剂层的残渣”及“储存弹性率 G'”如下述评估。
<追随性>
在3行3列间距40μm等间距、两面分别有圆柱型电极(高15μm、直径 15μm)突出所形成的硅晶片(直径8吋，厚度50μm)的一表面上，粘贴(23℃、粘贴压0.3MPa、粘贴速度5mm/秒)切割片。之后使用紫外线照射装置(Lintec 公司制RAD-2000m/12)，在氮气氛围下照射紫外线(照度230mW/cm2，光量 190mJ/cm2)，使粘接剂层硬化。自晶片剥离切割片后，沿着排列成1行1列的圆柱型电极(图3的圆柱型电极20a)的痕迹中心与排列成3行3列的圆柱型电极(图3的圆柱型电极20i)的痕迹中心连接的直线，切断剥离的切割片。使用数位显微镜观察切断面，计算连接圆柱型电极的顶部的点与粘接剂层与晶片表面最接近的点的距离晶片表面的距离差，确认此差是否较7.5μm小，判断圆柱型电极的高度7.5μm以下的部分是否与粘接剂层接触。
粘接剂层未沿着圆柱型电极间的情形(圆柱型电极的高度7.5μm以下的部分未与粘接剂层接触的情形)评价为“A”，沿着圆柱型电极间的情形评价为“B”。
<切割性>
切割硅晶片获得晶片，观察10个该晶片的端部，端部中没有大于30μm 以上破裂(晶片端部缺损)的情形评价为“A”，超过30μm、50μm以下的破裂情形评价为“B”，大于50μm的破裂情形评价为“C”。切割条件如下。
切割条件
两面圆柱型电极(高15μm、直径15μm)形成的硅晶片(直径8吋，厚度 50μm)的一表面，粘贴切割片(23℃、粘贴压0.3MPa、粘贴速度5mm/秒)。使用切割装置(Disco公司制，DFD651)，以切断速度20mm/分，向切割片的基材切入深20μm，进行硅晶片的切割，获得晶片(体积:5mm×5mm)。切割盘使用Disco公司制的切割盘(27HECC)，盘的旋转数为40000rpm。又圆柱型电极以40μm的间隔等间格地形成，每1mm2有400个。
<提取性>
切割硅晶片，获得晶片后，使用紫外线照射装置(Lintec公司制 RAD-2000m/12)，在氮氛围气下照射紫外线(照度230mW/cm2，光量 190mJ/cm2)。之后，使用提取装置(CanonMachinery公司制，BESTEM D02)，提取晶片。晶片可提取的情形评价为“A”，不能提取的情形评价为“B”。切割条件同上所述。
<粘接剂层的残渣>
观察提取后的晶片表面，确认在圆柱型电极间与圆柱型电极形成区域的外围部是否有粘接剂层的残渣。未发生残渣的情形评价为“A”，发生少量残渣评价为“B”，残渣发生的情形评价为“C”
<储存弹性率G'>
硬化前的中间层与粘接剂层的23℃储存弹性率G'经由动态粘弹性装置(Rheometrix公司制，RDAII)测定在周波数1Hz，扭曲量0.5％。
(实施例1)
[粘接剂组成物的制作]
将丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/2-丙烯酸羟乙酯＝62/10/28(质量比)反应所得的丙烯粘接性聚合物，与该丙烯粘接性聚合物100g有30.2g(每100摩尔的丙烯黏接性聚合体的丙烯酸2-羟乙酯，为80摩尔)的甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)反应，所得的能量线硬化型粘接性聚合物(重量平均分子量： 60万)100质量份，光聚合起始剂(α-羟基环己基苯基酮(Ciba Specialty Chemical公司制，Irgacure 184))3质量份，及交联剂(多价异氰脲酯化合物(日本Polyurethane公司制，Coronate L))8.6质量份，在溶剂中混合，获得粘接剂组成物。重量平均分子量为以市售分子量测定机(本体制品名 HLC-8220GPC，Tosoh公司制，玻璃制品名TSKGel SuperHZM-M，Tosoh 公司制，展开溶液四氢呋喃)所得的值(以下相同)。质量份数为溶液稀释后的总重，为总固形分换算值(以下相同)。
[中间层组成物的制作]
丙烯酸丁酯/丙烯酸＝91/9(质量比)反应，得到丙烯聚合物(重量平均分子量：80万)。
从羟基所算出的分子量700的聚丙二醇与异佛尔酮二异氰酸酯聚合而得的末端异氰酸酯氨酯预聚物的末端与丙烯酸2-羟丙酯反应，获得重量平均分子量4000的二官能氨酯丙烯酸酯寡聚物。
将上述丙烯聚合物100质量份、二官能氨酯丙烯酸酯寡聚物80质量份、光聚合起始剂(α-羟基环己基苯基酮(Ciba Specialty Chemical公司制，Irgacure 184))2.4质量份，及交联剂(多价异氰脲酯化合物(日本Polyurethane公司制， Coronate L))1质量份在溶剂中混合，获得中间层组成物。
[切割片的制作]
在剥离膜(Lintec公司制，SP-PET3811(S))上以干燥后膜厚为15μm的量涂布上述中间层组成物，干燥(干燥条件：100℃，1分钟)，获得形成于剥离膜上的中间层。之后使中间层与基材(乙烯甲基丙烯酸共聚物膜，80μm厚) 贴合，从中间层上剥离剥离膜，使中间层转写于基材上。
在剥离膜(Lintec公司制，SP-PET3811(S))上以干燥后膜厚为10μm的量涂布上述中间层组成物，干燥(干燥条件：100℃，1分钟)，获得形成于剥离膜上的粘接剂层。
之后使于基材上的中间层与于剥离膜上的粘接剂层贴合，获得切割片，去除剥离膜后进行各项评估。结果如表1所示。
(实施例2)
除中间层的厚度为20μm以外，其余与实施例1相同，获得切割片。进行各项评估。结果如表1所示。
(实施例3)
除了以厚度60μm的乙烯甲基丙烯酸共聚物膜作为基材以外，其余与实施例1相同，获得切割片。进行各项评估。结果如表1所示。
(实施例4)
除粘接剂层的厚度为20μm以外，其余与实施例3相同，获得切割片。进行各项评估。结果如表1所示。
(实施例5)
除使用下述的中间层组成物以及中间层的厚度为20μm以外，其余与实施例3相同，获得切割片。进行各项评估。结果如表1所示。
[中间层组成物的制作]
丙烯酸丁酯/丙烯酸2-羟乙酯＝85/15(质量比)反应所得的丙烯聚合物，与该丙烯粘接性聚合物每100g有16.2g(每100摩尔的丙烯黏接性聚合体的丙烯酸2-羟乙酯，为80摩尔)的甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)反应，所得的能量线硬化型粘接性聚合物(重量平均分子量：60万)100质量份，光聚合起始剂(α-羟基环己基苯基酮(Ciba SpecialtyChemical公司制，Irgacure 184))3 质量份，及交联剂(多价异氰脲酯化合物(日本Polyurethane公司制，Coronate L))0.1质量份，在溶剂中混合，获得中间层组成物。
(实施例6)
除了使用下述的粘接剂组成物以外，其余与实施例3相同，获得切割片。进行各项评估。结果如表1所示。
[粘接剂组成物的制作]
丙烯酸2-乙基己酯/乙酸乙烯酯/丙烯酸2-羟乙酯＝40/40/20(质量比)反应而得的丙烯粘接性聚合物，与该丙烯粘接性聚合物100g有21.6g(每100摩尔的丙烯粘接性聚合体的丙烯酸2-羟乙酯，为80摩尔)的甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)反应，所得的能量线硬化型粘接性聚合物(重量平均分子量： 55万)100质量份，光聚合起始剂(α-羟基环己基苯基酮(Ciba Specialty Chemical公司制，Irgacure 184))3质量份，及交联剂(多价异氰脲酯化合物(日本Polyurethane公司制，Coronate L))7.0质量份，在溶剂中混合，获得粘接剂组成物。
(实施例7)
除粘接剂层的厚度为15μm以外，其余与实施例6相同，获得切割片。进行各项评估。结果如表1所示。
(实施例8)
除使用下述的中间层组成物以外，其余与实施例3相同，获得切割片。进行各项评估。结果如表1所示。
[中间层组成物的制作]
丙烯酸2-乙基己酯/丙烯酸2-羟乙酯＝90/10(质量比)反应所得的丙烯聚合物(重量平均分子量：78万)100质量份，与交联剂(多价异氰脲酯化合物(日本 Polyurethane公司制，Coronate L))0.5质量份，在溶剂中混合，获得中间层组成物。
(实施例9)
除中间层的厚度为25μm以外，其余与实施例5相同，获得切割片。进行各项评估。结果如表1所示。
(实施例10)
除中间层的厚度为10μm以外，其余与实施例5相同，获得切割片。进行各项评估。结果如表1所示。
(比较例1)
除不使用中间层以外，其余与实施例3相同，获得切割片。进行各项评估。结果如表1所示。
(比较例2)
除不使用中间层且粘接剂层的厚度为25μm以外，其余与实施例1相同，获得切割片。进行各项评估。结果如表1所示。
(比较例3)
除了使用以下的中间层组成物以外，其余与实施例1相同，获得切割片。进行各项评估。结果如表1所示。
[中间层组成物的制作]
丙烯酸丁酯/丙烯酸＝90/10(质量比)反应所得的丙烯聚合物(重量平均分子量：85万)100质量份，与交联剂(多价异氰脲酯化合物(日本Polyurethane 公司制，CoronateL))2质量份在溶剂中混合，获得中间层组成物。
(比较例4)
除了中间层的厚度为20μm且不使用粘接剂层以外，其余与实施例1相同，获得切割片。进行各项评估。结果如表1所示。
(比较例5)
除了粘接剂层的厚度为5μm以外，其余与实施例3相同，获得切割片。进行各项评估。结果如表1所示。
(比较例6)
除了粘接剂层的厚度为40μm以外，其余与实施例3相同，获得切割片。进行各项评估。结果如表1所示。
[表1]
实施例9的切割片因为中间层为圆柱型电极高度的1.67倍，因此发生超过30μm、50μm以下的破裂，但是在实用上没有问题。实施例10的切割片因为中间层为圆柱型电极高度的0.67倍，因此电极形成区域的外围部的切割片追随性降低，少量的粘接剂层残渣发生，但是在实用上没有问题。
比较例1及2的切割片因为没有中间层，因此电极形成区域的外围部的切割片追随性低，粘接剂层的残渣发生。比较例3的切割片因为中间层的硬化前的23℃储存弹性率G'与粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G'的差小，所以电极形成区域的外围部的切割片追随性低，发生粘接剂层的残渣。比较例4和5的切割片因为圆柱型电极间与电极形称区域的外围部的切割片追随性良好，电极间发生粘接剂层的残渣，不能提取。特别是比较例4的切割片，未设置粘接剂层，因为中间层的储存弹性率G'低，当中间层进入圆柱型电极间，粘接剂层的残渣发生且无法提取。中间层(本例中直接与半导体晶片接触，兼具作为粘接剂层的功能)的储存弹性率G'低，因此切割中发生大于50μm的破裂。比较例6的切割片因为粘接剂层过厚，因此通过中间层与粘接剂层的层积的电极形成区域的外围部的切割片追随性不充足，粘接剂层的残渣发生。

Claims (11)

1.一种切割片，其由厚度20～200μm的基材、位于所述基材表面的中间层、以及位于所述中间层上厚度8～30μm的粘接剂层所构成，其中
所述粘接剂层包括分子内具有能量线硬化性双键的化合物，且所述粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G'为所述中间层的23℃储存弹性率G'的4倍以上，
在高15μm、直径15μm的圆柱型电极以40μm的间距等间隔地形成3行3列所形成的晶片通过所述粘接剂层粘贴的情形中，所述3行3列所形成的圆柱型电极中心的电极中，所述电极高度7.5μm以下的部分不接触所述粘接剂层。
2.如权利要求1所述的切割片，其中所述分子内具有能量线硬化性双键的化合物包括由聚合物主链或侧链键结能量线聚合性基所形成的能量线硬化型粘接性聚合物。
3.如权利要求1或2所述的切割片，其中所述中间层的23℃储存弹性率G'为104Pa以上、未满105Pa。
4.如权利要求1至3任一项所述的切割片，其中所述粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G'为3×105Pa以上。
5.如权利要求1至4任一项所述的切割片，其中所述粘接剂层包括具有反应性官能团的丙烯聚合物及交联剂，相对于所述丙烯聚合物100质量份，含有所述交联剂5质量份以上。
6.如权利要求5所述的切割片，其中所述交联剂为异氰酸酯系交联剂。
7.如权利要求1至6任一项所述的切割片，其中该切割片用于粘贴于具有突起状电极的晶片。
8.如权利要求7所述的切割片，其中所述突起状电极为贯通电极。
9.如权利要求7或8所述的切割片，其中所述中间层的厚度为所述突起状电极高度的0.5～1.5倍。
10.如权利要求1所述的切割片，其中所述中间层的厚度为10～25μm。
11.一种半导体晶片的制造方法，包括在具有突起状电极的半导体晶片形成电极的表面粘贴如权利要求1至10任一项所述的切割片的步骤，使所述半导体晶片单体化成每个电路而制成半导体晶片的步骤，以及提取所述半导体晶片的步骤。
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