KR20150110349A

KR20150110349A - 점착 시트

Info

Publication number: KR20150110349A
Application number: KR1020150037199A
Authority: KR
Inventors: 도모치카 도미나가; 요스케 사이토
Original assignee: 린텍 가부시키가이샤
Priority date: 2014-03-20
Filing date: 2015-03-18
Publication date: 2015-10-02
Also published as: JP6322013B2; KR102357444B1; TW201542753A; KR20210119363A; JP2015183008A; KR102314242B1; TWI687500B

Abstract

본 발명은 영률이 1000 ㎫ 이상인 강성 기재와, 당해 강성 기재의 한쪽 면측에 설치된 완충층과, 당해 강성 기재의 다른 쪽 면측에 설치된 점착제층을 갖는 점착 시트로서, 상기 완충층이, 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되어 이루어지는 층이고, 또한 선단 곡률 반경 100 ㎚ 및 능간각 115 °의 삼각추 형상 압자의 선단을 10 ㎛/분의 속도로 당해 완충층에 압입했을 때의 압축 하중이 2 mN에 도달하는 데 필요한 압입 깊이(X)가 2.5 ㎛ 이상인 점착 시트이며, 이물질 흡수성이 우수하고, 반도체 웨이퍼의 연삭 가공의 BG 시트로서 사용했을 때에, 반도체 웨이퍼의 깨짐을 방지할 수 있는 점착 시트를 제공하는 것이다.

Description

점착 시트{ADHESIVE SHEET}

본 발명은 점착 시트에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 예를 들어 반도체 웨이퍼의 연삭 가공의 백그라인드 시트로서 사용했을 때에 반도체 웨이퍼의 깨짐을 방지할 수 있는 점착 시트에 관한 것이다.

정보 단말 기기의 박형화, 소형화, 다기능화가 급속히 진행되는 가운데, 그들에 탑재되는 반도체 칩도 마찬가지로 박형화, 고밀도화가 요구되고 있다. 종래에는 두께가 350 ㎛ 정도였던 반도체 칩을 두께 50 내지 100 ㎛ 또는 그 이하까지 얇게 할 필요가 생기고 있다. 이와 같은 반도체 칩의 박형화의 요청에 대응하기 위해, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여 박형화하는 것이 행해지고 있다.

최근에는, 표면에 높이 30 ㎛ 내지 100 ㎛ 정도의 땜납 등을 포함하는 범프(전극)가 형성되어, 요철 부분을 갖는 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 경우가 있다. 이와 같은 범프가 부착된 반도체 웨이퍼를 이면 연삭하는 경우, 범프 부분의 표면을 보호하기 위해, 범프 부분이 형성된 표면에 전용의 점착 시트[백그라인드 시트(BG 시트)]가 첩부된다.

예를 들어, 특허문헌 1에는 웨이퍼의 표면측으로부터 소정 깊이의 홈을 형성한 후, 이 웨이퍼의 이면측으로부터 연삭을 행하는 「선(先) 다이싱법」에 있어서, 웨이퍼의 표면측을 보호하기 위해 사용되는 점착 시트가 개시되어 있다. 특허문헌 1에 개시된 점착 시트는 강성 기재의 한쪽 면에 진동 완화층을 설치하고, 다른 쪽 면에 점착제층을 설치한 구성을 갖고 있다.

이 특허문헌 1에 개시된 점착 시트는 강성 기재의 두께와 영률, 및 진동 완화층의 두께와 동적 점탄성의 tanδ의 최댓값을 소정의 범위로 조정하였으므로, 선 다이싱법에서 BG 시트로서 사용한 경우, 극박이고 결함이나 변색이 없는 반도체 칩을 제조할 수 있다.

일본 특허 공개 제2005-343997호 공보

그런데, 반도체 웨이퍼의 이면 절삭 가공에 있어서, BG 시트를 첩부한 반도체 웨이퍼의 당해 BG 시트를 웨이퍼 이면 절삭기의 척 테이블 상에 설치했을 때, 당해 척 테이블 상에 부착된 이물질이 원인으로, 반도체 웨이퍼의 절삭 가공에 의해 반도체 웨이퍼에 깨짐이 발생하는 경우가 있다.

즉, 이물질이 부착된 척 테이블 상에, BG 시트가 부착된 반도체 웨이퍼의 BG 시트를 설치하면, BG 시트는 당해 이물질의 두께만큼 당해 이물질과는 반대측이 융기되고, 반도체 웨이퍼의 이면에는 볼록부가 형성된다. 이 상태에서 반도체 웨이퍼의 이면을 절삭하면, 반도체 웨이퍼의 이면에 형성된 볼록부 부근은 다른 곳보다도 두께가 얇아지므로 깨짐이 발생하기 쉽다.

또한, 특허문헌 1에서는 이와 같은 척 테이블 상의 이물질에 의한 웨이퍼의 깨짐에 대한 검토는 이루어져 있지 않다.

그로 인해, 이와 같은 반도체 웨이퍼의 절삭 가공에 사용하는 점착 시트에는, 이물질이 부착된 테이블 상에 당해 점착 시트를 설치하더라도, 당해 이물질과는 반대측의 융기를 억제할 수 있을 정도의 이물질 흡수성이 요구된다.

본 발명은 이물질 흡수성이 우수하고, 예를 들어 반도체 웨이퍼의 연삭 가공의 BG 시트로서 사용했을 때에, 반도체 웨이퍼의 깨짐을 방지할 수 있는 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은 영률이 소정값 이상인 강성 기재의 한쪽 면측에 완충층, 다른 쪽 면측에 점착제층을 갖고, 당해 완충층이, 소정 형상의 압자를 당해 완충층에 압입했을 때의 압축 하중이 2 mN에 도달하는 데 필요한 압입 깊이가 소정값 이상인 점착 시트가 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.

즉, 본 발명은 하기 〔1〕 내지 〔9〕를 제공하는 것이다.

〔1〕 영률이 1000 ㎫ 이상인 강성 기재와, 당해 강성 기재의 한쪽 면측에 설치된 완충층과, 당해 강성 기재의 다른 쪽 면측에 설치된 점착제층을 갖는 점착 시트로서,

상기 완충층이, 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되어 이루어지는 층이고, 또한 선단 곡률 반경 100 ㎚ 및 능간각(稜間角) 115 °의 삼각추 형상 압자의 선단을 10 ㎛/분의 속도로 당해 완충층에 압입했을 때의 압축 하중이 2 mN에 도달하는 데 필요한 압입 깊이(X)가 2.5 ㎛ 이상인, 점착 시트.

〔2〕 상기 완충층 형성용 조성물이 상기 에너지선 중합성 화합물로서, 우레탄(메트)아크릴레이트(a1), 환 형성 원자수 6 내지 20의 지환기 또는 복소환기를 갖는 중합성 화합물(a2), 및 관능기를 갖는 중합성 화합물(a3)을 포함하는, 상기 〔1〕에 기재된 점착 시트.

〔3〕 상기 완충층 형성용 조성물 중의 성분(a2)과 성분(a3)의 함유량비〔(a2)/(a3)〕가 0.5 내지 3.0인, 상기 〔2〕에 기재된 점착 시트.

〔4〕 성분(a2)이 지환기 함유 (메트)아크릴레이트인, 상기 〔2〕 또는 〔3〕에 기재된 점착 시트.

〔5〕 성분(a3)이 수산기 함유 (메트)아크릴레이트인, 상기 〔2〕 내지 〔4〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 시트.

〔6〕 상기 완충층의 두께가 5 내지 100 ㎛인, 상기 〔1〕 내지 〔5〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 시트.

〔7〕 상기 완충층의 －5 내지 120 ℃에 있어서의 동적 점탄성의 tanδ의 최댓값이 0.5 이상인, 상기 〔1〕 내지 〔6〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 시트.

〔8〕 상기 강성 기재와 상기 완충층 사이, 및 상기 강성 기재와 상기 점착제층 사이 중 적어도 한쪽에, 이(易)접착층을 갖는 상기 〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 시트.

〔9〕 반도체 웨이퍼의 절삭 가공에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면측을 보호하는 백그라인드 시트로서 사용되는, 상기 〔1〕 내지 〔8〕 중 어느 한 항에 기재된 점착 시트.

본 발명의 점착 시트는 이물질 흡수성이 우수하다. 그로 인해, 본 발명의 점착 시트는, 예를 들어 반도체 웨이퍼의 연삭 가공의 BG 시트로서 사용했을 때에, 반도체 웨이퍼의 깨짐을 방지할 수 있다.

도 1은 본 발명의 점착 시트의 구성의 일례를 도시하는 점착 시트의 단면도이다.

본 명세서의 기재에 있어서 「에너지선」이란, 예를 들어 자외선, 전자선 등을 의미하고, 자외선 또는 전자선이 바람직하다.

또한, 본 명세서의 기재에 있어서, 「질량 평균 분자량(Mw)」은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법으로 측정되는 표준 폴리스티렌 환산의 값이고, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 기초하여 측정한 값이다.

추가로, 본 명세서의 기재에 있어서 예를 들어 「(메트)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」와 「메타크릴레이트」의 양쪽을 의미하는 단어이고, 다른 유사 용어도 마찬가지이다.

[점착 시트의 구성]

본 발명의 점착 시트는 강성 기재와, 당해 강성 기재의 한쪽 면측에 설치된 완충층과, 당해 강성 기재의 다른 쪽 면측에 설치된 점착제층을 갖는 것이면, 특별히 제한되지 않는다.

본 발명의 점착 시트 구성의 일례로서, 도 1의 (a)에 도시한 바와 같이 강성 기재(11)의 한쪽 면측에 완충층(12)을, 강성 기재(11)의 다른 쪽 면측에 점착제층(13)을 갖는 점착 시트(1a)를 들 수 있다.

또한, 본 발명의 점착 시트는 도 1의 (a)에 도시하는 점착 시트(1a)에 있어서, 완충층(12) 및 점착제층(13) 중 적어도 한쪽에, 박리 시트를 더 갖는 점착 시트로 할 수도 있다.

도 1의 (b)에 도시하는 점착 시트(1b)는 완충층(12) 및 점착제층(13)의 양쪽 면 상에, 박리 시트(14a, 14b)를 각각 설치한 구성을 갖고 있지만, 본 발명의 점착 시트는 완충층(12) 및 점착제층(13)의 한쪽에만 박리 시트를 설치한 구성일 수도 있다.

또한, 본 발명의 점착 시트는 도 1의 (a) 및 (b)에 도시하는 점착 시트(1a, 1b)에 있어서, 강성 기재(11)와 완충층(12) 사이, 및 강성 기재(11)와 점착제층(13) 사이 중 적어도 한쪽에, 이접착층을 갖는 점착 시트로 할 수도 있다.

도 1의 (c) 및 (d)에 도시하는 점착 시트(1c, 1d)는 상기 점착 시트(1a, 1b)의 구성에 대해, 강성 기재(11)와 완충층(12) 사이, 및 강성 기재(11)와 점착제층(13) 사이에, 각각 이접착층(15a, 15b)을 더 설치한 구성을 갖고 있다. 또한, 본 발명의 점착 시트는 이접착층(15a, 15b)의 한쪽만을 설치한 구성일 수도 있다.

또한, 도 1의 (d)에 도시하는 점착 시트(1d)는 완충층(12) 및 점착제층(13)의 양쪽 면 상에 박리 시트(14a, 14b)를 각각 설치한 구성을 갖고 있지만, 본 발명의 점착 시트는 완충층(12) 및 점착제층(13)의 한쪽에만 박리 시트를 설치한 구성일 수도 있다.

이하, 본 발명의 점착 시트를 구성하는 각 층에 관하여 상세하게 서술한다.

<강성 기재>

본 발명의 점착 시트가 갖는 강성 기재는 영률이 1000 ㎫ 이상인 강성 기재이다. 영률이 1000 ㎫ 미만인 기재를 사용한 경우, 얻어지는 점착 시트를 반도체 웨이퍼에 첩부했을 때에, 당해 기재의 신장이 크기 때문에 응력이 발생하기 쉽고, 당해 점착 시트를 첩부한 후의 반도체 웨이퍼의 휨이 발생하기 쉬우므로 바람직하지 않다.

따라서, 본 발명의 점착 시트에서는 영률이 1000 ㎫ 이상인 강성 기재를 사용함으로써, 반도체 웨이퍼에 첩부한 경우에 있어서도, 기재의 신장이 작기 때문에 휨의 발생을 억제할 수 있다. 이는 예를 들어 반도체 웨이퍼의 표면에 유기막이 설치된 것과 같은 휨이 발생하기 쉬운 구성에 있어서도, 점착 시트 전체가 강성을 가지므로 반도체 웨이퍼의 휨을 억제하는 것이 가능해진다.

본 발명에서 사용하는 강성 기재의 영률로서는, 얻어지는 점착 시트를 반도체 웨이퍼에 첩부했을 때에, 당해 반도체 웨이퍼의 휨을 억제하는 관점, 및 당해 점착 시트를 반도체 웨이퍼에 첩부할 때의 작업성(기계 적성)을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 1000 내지 30000 ㎫, 보다 바람직하게는 1300 내지 20000 ㎫, 더욱 바람직하게는 1600 내지 15000 ㎫, 보다 더욱 바람직하게는 1800 내지 10000 ㎫이다.

또한, 본 발명의 강성 기재의 영률은 실시예에 기재된 방법에 의해 측정한 값을 의미한다.

강성 기재의 두께는 강성 기재의 영률이 상기 범위이면 특별히 제한되지는 않지만, 본 발명의 점착 시트를 반도체 웨이퍼에 부착할 때의 작업성(기계 적성)을 양호하게 하는 관점, 및 점착 시트를 반도체 웨이퍼(칩)로부터 박리할 때의 응력을 작게 하는 관점에서, 바람직하게는 10 내지 1000 ㎛, 보다 바람직하게는 20 내지 400 ㎛, 더욱 바람직하게는 25 내지 150 ㎛, 보다 더욱 바람직하게는 30 내지 120 ㎛이다.

본 발명에서 사용하는 강성 기재로서는 영률이 상기 범위이면 특별히 제한되지는 않지만, 내수성 및 내열성의 관점에서 수지 필름이 바람직하다.

당해 수지 필름을 구성하는 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 전체 방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아세탈, 폴리카르보네이트, 변성 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌술피드, 폴리술폰, 폴리에테르케톤, 2축 연신 폴리프로필렌 등을 들 수 있다.

이들 수지 중에서도, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 2축 연신 폴리프로필렌으로부터 선택되는 1종 이상이 바람직하고, 폴리에스테르가 보다 바람직하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트가 더욱 바람직하다.

또한, 본 발명에서 사용하는 강성 기재는 상기의 수지로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 수지를 포함하는 수지 필름의 단층 필름일 수도 있고, 이들 수지 필름을 2종 이상 적층한 적층 필름일 수도 있다.

또한, 본 발명에서 사용하는 강성 기재에는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서, 필러, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 유기 활제, 촉매 등을 함유시킬 수도 있다.

또한, 기재는 투명한 것일 수도 있고, 불투명한 것일 수도 있고, 소망에 따라서 착색 또는 증착되어 있을 수도 있다.

또한, 본 발명에서 사용하는 강성 기재 중 적어도 한쪽의 표면에는, 완충층 및/또는 점착제층과의 밀착성을 향상시키기 위해 코로나 처리 등의 접착 처리를 실시할 수도 있고, 후술하는 이접착층을 설치할 수도 있다.

<완충층>

본 발명의 점착 시트가 갖는 완충층은 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되어 이루어지는 층이고, 선단 곡률 반경 100 ㎚ 및 능간각 115 °의 삼각추 형상 압자의 선단을 10 ㎛/분의 속도로 당해 완충층에 압입했을 때의 압축 하중이 2 mN에 도달하는 데 필요한 압입 깊이(X)(이하, 단순히 「압입 깊이(X)」라고도 함)가 2.5 ㎛ 이상이 되도록 조정된 층이다.

완충층은 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되어 이루어지는 층이므로, 완충층 형성용 조성물의 조성 선택에 의해 점탄성을 조정하는 것이 비교적 용이하다. 그로 인해, 예를 들어 점착 시트를 BG 시트로서 사용한 경우에, 반도체 웨이퍼의 연삭에 의한 진동이 완화되지 않아, 반도체 웨이퍼에 깨짐이나 결함이 발생하거나, 점착 시트 배면이 진공 테이블로부터 떠 버리는 등의 문제 발생을 억제할 수 있다.

또한, 본 발명자들은 점착 시트의 구성에 있어서 상기의 압입 깊이(X)를 2.5 ㎛ 이상이 되도록 조정된 완충층을 설치함으로써 이물질 흡수성을 향상시켜, 예를 들어 본 발명의 점착 시트를 반도체 웨이퍼의 연삭 가공의 BG 시트로서 사용했을 때에, 반도체 웨이퍼의 깨짐을 효과적으로 방지할 수 있는 것을 발견하였다.

한편, 당해 압입 깊이(X)가 2.5 ㎛ 미만인 완충층을 갖는 점착 시트의 경우, 이물질 흡수성이 충분히 향상되지 않아, 당해 점착 시트를 반도체 웨이퍼의 연삭 가공의 BG 시트로서 사용했을 때에 반도체 웨이퍼의 깨짐이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다.

상기의 압입 깊이(X)는 얻어지는 점착 시트의 이물질 흡수성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 2.5 내지 20.0 ㎛, 보다 바람직하게는 2.8 내지 15.0 ㎛, 더욱 바람직하게는 3.0 내지 10.0 ㎛, 보다 더욱 바람직하게는 3.2 내지 7.0 ㎛이다.

또한, 본 발명에 있어서 당해 압입 깊이(X)는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 의미한다.

또한, 당해 압입 깊이(X)는 완충층을 형성하는 완충층 형성용 조성물 중에 포함되는 성분의 종류나 함유량, 완충층의 경화 정도 등을 적절히 바꿈으로써, 상기 범위에 속하도록 조정하는 것이 가능하다.

완충층의 －5 내지 120 ℃에 있어서의 동적 점탄성의 tanδ의 최댓값(이하, 단순히 「tanδ의 최댓값」이라고도 함)은 바람직하게는 0.5 이상, 보다 바람직하게는 0.8 이상, 더욱 바람직하게는 1.0 이상, 보다 더욱 바람직하게는 1.2 이상이다.

완충층의 tanδ의 최댓값이 0.5 이상이면, 선 다이싱법에 있어서, 얻어지는 점착 시트를 칩군에 첩부하여, 당해 칩군의 이면의 연삭 가공 시에 지석의 진동이나 충격을 완충층이 흡수하는 효과가 보다 높기 때문에, 칩군을 100 ㎛ 이하가 될 때까지 연삭하더라도 귀퉁이가 깨지거나, 연삭면이 변색되거나 하는 것을 억제할 수 있다.

또한 tanδ는 손실 정접이라고 불리고, 「손실 탄성률/저장 탄성률」로 정의되며, 동적 점탄성 측정 장치에 의해 대상물에 부여한 인장 응력이나 비틀림 응력 등의 응력에 대한 응답에 의해 측정되는 값이고, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 의미한다.

또한, 이 완충층의 tanδ의 최댓값은 상술한 압입 깊이(X)와는 의존하지 않는다.

본 발명의 점착 시트가 갖는 완충층은 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되어 이루어지는 층이다.

당해 완충층 형성용 조성물 중에 포함되는 에너지선 중합성 화합물로서는, 압입 깊이(X)를 상술한 범위가 되는 완충층을 형성할 수 있는 화합물이면 특별히 제한은 없고, 예를 들어 광경화성 수지 또는 단량체 등을 사용할 수 있다.

단, 압입 깊이(X)를 상술한 범위가 되도록 조정하는 관점에서, 에너지선 중합성 화합물로서, 우레탄(메트)아크릴레이트(a1), 환 형성 원자수 6 내지 20의 지환기 또는 복소환기를 갖는 중합성 화합물(a2), 및 관능기를 갖는 중합성 화합물(a3)을 포함하는 완충층 형성용 조성물이 바람직하다.

또한, 완충층 형성용 조성물은 광 중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하고, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 첨가제나 수지 성분을 함유할 수도 있다.

이하, 완충층 형성용 조성물 중에 포함되는 각 성분에 대해 설명한다.

[우레탄(메트)아크릴레이트(a1)]

본 발명에서 사용하는 우레탄(메트)아크릴레이트(a1)로서는, 적어도 (메트)아크릴로일기 및 우레탄 결합을 갖는 화합물이고, 에너지선 조사에 의해 중합 경화되는 성질을 갖는 것이다.

우레탄(메트)아크릴레이트(a1)는 올리고머, 고분자량체, 또는 이들의 혼합물 중 어느 것일 수 있지만, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머가 바람직하다.

성분(a1)의 질량 평균 분자량(Mw)은 바람직하게는 1,000 내지 100,000, 보다 바람직하게는 2,000 내지 60,000, 더욱 바람직하게는 3,000 내지 20,000이다.

또한, 성분(a1) 중의 (메트)아크릴로일기수(이하, 「관능기수」라고도 함)로서는, 단관능, 2관능 또는 3관능 이상일 수 있지만, 단관능 또는 2관능인 것이 바람직하다.

성분(a1)은, 예를 들어 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 예비 중합체에, 히드록실기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시켜 얻을 수 있다.

또한, 성분(a1)은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.

성분(a1)의 원료가 되는 폴리올 화합물은 히드록시기를 2개 이상 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다.

구체적인 폴리올 화합물로서는, 예를 들어 알킬렌디올, 폴리에테르형 폴리올, 폴리에스테르형 폴리올, 폴리카르보네이트형 폴리올 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 폴리에스테르형 폴리올이 바람직하다.

또한, 폴리올 화합물로서는, 2관능의 디올, 3관능의 트리올, 4관능 이상의 폴리올 중 어느 것일 수 있지만, 2관능의 디올이 바람직하고, 폴리에스테르형 디올이 보다 바람직하다.

다가 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족계 폴리이소시아네이트류; 이소포론디이소시아네이트, 노르보르난디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, ω,ω'-디이소시아네이트디메틸시클로헥산 등의 지환족계 디이소시아네이트류; 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 톨리딘디이소시아네이트, 테트라메틸렌크실렌디이소시아네이트, 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트 등의 방향족계 디이소시아네이트류 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 이소포론디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트가 바람직하다.

상술한 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 예비 중합체에, 히드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시켜 우레탄(메트)아크릴레이트(a1)를 얻을 수 있다.

히드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트로서는, 적어도 1 분자 중에 히드록시기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다.

구체적인 히드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시시클로헥실(메트)아크릴레이트, 5-히드록시시클로옥틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페닐옥시프로필(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트; N-메틸올(메트)아크릴아미드 등의 히드록시기 함유 (메트)아크릴아미드; 비닐알코올, 비닐페놀, 비스페놀 A의 디글리시딜에스테르에 (메트)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 반응물 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 히드록시알킬(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.

말단 이소시아네이트우레탄 예비 중합체 및 히드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시키는 조건으로서는, 필요에 따라서 첨가되는 용제, 촉매의 존재 하, 60 내지 100 ℃에서, 1 내지 4시간 반응시키는 조건이 바람직하다.

완충층 형성용 조성물 중의 성분(a1)의 함유량은 압입 깊이(X)가 상술한 범위가 되는 완충층을 형성하는 관점에서, 완충층 형성용 조성물의 전량(100 질량％)에 대해 바람직하게는 10 내지 70 질량％, 보다 바람직하게는 20 내지 60 질량％, 더욱 바람직하게는 25 내지 55 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 30 내지 50 질량％이다.

[환 형성 원자수 6 내지 20의 지환기 또는 복소환기를 갖는 중합성 화합물(a2)]

본 발명에서 사용하는 성분(a2)은 환 형성 원자수 6 내지 20의 지환기 또는 복소환기를 갖는 중합성 화합물이고, 적어도 1개의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 이 성분(a2)을 사용함으로써, 얻어지는 완충층 형성용 조성물의 성막성을 향상시킬 수 있다.

성분(a2)이 갖는 지환기 또는 복소환기의 환 형성 원자수는 바람직하게는 6 내지 20이지만, 보다 바람직하게는 6 내지 18, 더욱 바람직하게는 6 내지 16, 보다 더욱 바람직하게는 7 내지 12이다.

당해 복소환기의 환 구조를 형성하는 원자로서는, 예를 들어 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자 등을 들 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서 환 형성 원자수란, 원자가 환상으로 결합한 구조의 화합물의 당해 환 자체를 구성하는 원자의 수를 나타내고, 환을 구성하지 않는 원자(예를 들어, 환을 구성하는 원자에 결합한 수소 원자)나, 당해 환이 치환기에 의해 치환되는 경우의 치환기에 포함되는 원자는 환 형성 원자수에는 포함하지 않는다.

구체적인 성분(a2)으로서는, 예를 들어 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 아다만탄(메트)아크릴레이트 등의 지환기 함유 (메트)아크릴레이트; 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 모르폴린(메트)아크릴레이트 등의 복소환기 함유 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

또한, 성분(a2)은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.

이들 중에서도, 지환기 함유 (메트)아크릴레이트가 바람직하고, 이소보르닐(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.

완충층 형성용 조성물 중의 성분(a2)의 함유량은 압입 깊이(X)가 상술한 범위가 되는 완충층을 형성하는 관점, 및 얻어지는 완충층 형성용 조성물의 성막성을 향상시키는 관점에서, 완충층 형성용 조성물의 전량(100 질량％)에 대해 바람직하게는 10 내지 70 질량％, 보다 바람직하게는 20 내지 60 질량％, 더욱 바람직하게는 25 내지 55 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 30 내지 50 질량％이다.

[관능기를 갖는 중합성 화합물(a3)]

본 발명에서 사용하는 성분(a3)은 수산기, 에폭시기, 아미드기, 아미노기 등의 관능기를 함유하는 중합성 화합물이고, 적어도 1개의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.

성분(a3)은 성분(a1)과의 상용성이 양호하며, 완충층 형성용 조성물의 점도를 적당한 범위로 조정하고, 당해 조성물로 형성되는 완충층의 탄성률도 적당한 범위로 할 수 있다. 그로 인해, 이 성분(a3)을 사용함으로써 압입 깊이(X)가 상술한 범위가 되는 완충층을 형성할 수 있다.

성분(a3)으로서는, 예를 들어 수산기 함유 (메트)아크릴레이트, 에폭시기 함유 (메트)아크릴레이트, 아미드기 함유 화합물, 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

수산기 함유 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 페닐히드록시프로필(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

에폭시기 함유 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 글리시딜(메트)아크릴레이트, 메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르 등을 들 수 있다.

아미드기 함유 화합물로서는, 예를 들어 (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N-부틸(메트)아크릴아미드, N-메틸올(메트)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메트)아크릴아미드, N-메톡시메틸(메트)아크릴아미드, N-부톡시메틸(메트)아크릴아미드 등을 들 수 있다.

아미노기 함유 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 제1급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트, 제2급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트, 제3급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

또한, 성분(a3)은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.

이들 중에서도, 압입 깊이(X)가 상술한 범위가 되는 완충층을 형성하는 관점에서, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트가 바람직하고, 페닐히드록시프로필(메트)아크릴레이트 등의 방향환을 갖는 수산기 함유 (메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.

완충층 형성용 조성물 중의 성분(a3)의 함유량은 압입 깊이(X)가 상술한 범위가 되는 완충층을 형성하는 관점, 및 얻어지는 완충층 형성용 조성물의 성막성을 향상시키는 관점에서, 완충층 형성용 조성물의 전량(100 질량％)에 대해 바람직하게는 5 내지 40 질량％, 보다 바람직하게는 7 내지 35 질량％, 더욱 바람직하게는 10 내지 30 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 13 내지 25 질량％이다.

또한, 완충층 형성용 조성물 중의 성분(a2)과 성분(a3)의 함유량비〔(a2)/(a3)〕는 바람직하게는 0.5 내지 3.0, 보다 바람직하게는 1.0 내지 3.0, 더욱 바람직하게는 1.3 내지 3.0, 보다 더욱 바람직하게는 1.5 내지 2.8이다.

당해 함유량비가 0.5 이상이면, 얻어지는 완충층 형성용 조성물의 성막성을 양호하게 할 수 있다. 한편, 당해 함유량비가 3.0 이하이면, 압입 깊이(X)가 상술한 범위가 되는 완충층을 형성할 수 있다.

[성분(a1) 내지 (a3) 이외의 중합성 화합물]

완충층 형성용 조성물에는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서, 상기의 성분(a1) 내지 (a3) 이외의 그 밖의 중합성 화합물을 함유할 수도 있다.

그 밖의 중합성 화합물로서는, 예를 들어 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트; 스티렌, 히드록시에틸비닐에테르, 히드록시부틸비닐에테르, N-비닐포름아미드, N-비닐피롤리돈, N-비닐카프로락탐 등의 비닐 화합물 등을 들 수 있다.

또한, 이들 그 밖의 중합성 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.

완충층 형성용 조성물 중 그 밖의 중합성 화합물의 함유량은, 바람직하게는 0 내지 20 질량％, 보다 바람직하게는 0 내지 10 질량％, 더욱 바람직하게는 0 내지 5 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 0 내지 2 질량％이다.

(광 중합 개시제)

완충층 형성용 조성물에는 완충층을 형성할 때, 광 조사에 의한 중합 시간의 단축 및 광 조사량의 저감의 관점에서, 광 중합 개시제를 더 함유하는 것이 바람직하다.

광 중합 개시제로서는, 예를 들어 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물 등의 광 중합 개시제, 아민이나 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들어, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등을 들 수 있다.

이들 광 중합 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

완충층 형성용 조성물 중의 광 중합 개시제의 함유량은 에너지선 중합성 화합물의 합계량 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.05 내지 15 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 10 질량부, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 5 질량부이다.

(그 밖의 첨가제)

완충층 형성용 조성물에는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 첨가제를 함유할 수도 있다.

그 밖의 첨가제로서는, 예를 들어 산화 방지제, 연화제(가소제), 충전제, 방청제, 안료, 염료 등을 들 수 있다.

이들 첨가제를 배합하는 경우, 완충층 형성용 조성물 중의 각 첨가제의 함유량은 에너지선 중합성 화합물의 합계량 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.01 내지 6 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 3 질량부이다.

(수지 성분)

완충층 형성용 조성물에는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서, 수지 성분을 함유할 수도 있다.

수지 성분으로서는, 예를 들어 폴리엔ㆍ티올계 수지나, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀계 수지, 및 스티렌계 공중합체 등의 열가소성 수지 등을 들 수 있다.

완충층 형성용 조성물 중 이들 수지 성분의 함유량은, 바람직하게는 0 내지 20 질량％, 보다 바람직하게는 0 내지 10 질량％, 더욱 바람직하게는 0 내지 5 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 0 내지 2 질량％이다.

<점착제층>

본 발명의 점착 시트가 갖는 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 반도체 웨이퍼 등의 피착체에 대해, 적당한 재박리성이 있는 점착제이면, 그 점착제의 종류는 한정되지 않는다.

이와 같은 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제, 실리콘계 점착제, 고무계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 에너지선 경화형 점착제, 가열 발포형 점착제, 물 팽윤형 점착제 등을 들 수 있다.

이들 점착제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.

또한, 에너지선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 (소)60-196956호 공보, 일본 특허 공개 (소)60-223139호 공보 등에 기재되어 있는 점착제를 들 수 있고, 자외선 경화형 점착제가 바람직하다.

이들 점착제에 포함되는 수지의 질량 평균 분자량(Mw)으로서는, 바람직하게는 2만 내지 150만, 보다 바람직하게는 5만 내지 120만, 더욱 바람직하게는 10만 내지 100만이다.

또한, 이들 점착제에는 필요에 따라서 에너지선 경화형 수지, 경화제, 가교제, 광 중합 개시제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충전제, 방청제, 안료, 염료 등을 함유할 수도 있다.

점착제층의 두께는 피착체가 되는 반도체 웨이퍼의 범프 형상, 표면 상태 및 연마 방법 등의 조건에 따라서 적절히 설정되지만, 바람직하게는 5 내지 500 ㎛, 보다 바람직하게는 10 내지 300 ㎛, 더욱 바람직하게는 15 내지 100 ㎛이다.

<이접착층>

본 발명의 점착 시트는 강성 기재와 완충층 및/또는 점착제층과의 밀착성을 향상시키는 관점에서, 강성 기재와 완충층 사이, 및 강성 기재와 점착제층 사이 중 적어도 한쪽에, 이접착층을 설치할 수도 있다.

이접착층을 형성하는 이접착층 형성용 조성물로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 폴리에스테르계 수지, 우레탄계 수지, 폴리에스테르우레탄계 수지, 아크릴계 수지 등을 포함하는 조성물을 들 수 있다.

또한, 당해 이접착층 형성용 조성물에는 필요에 따라서 가교제, 광 중합 개시제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충전제, 방청제, 안료, 염료 등을 함유할 수도 있다.

이접착층의 두께로서는, 바람직하게는 0.01 내지 10 ㎛, 보다 바람직하게는 0.03 내지 5 ㎛이다.

또한, 이접착층의 두께는 강성 기재의 두께에 비해 작고 재질도 부드러우므로, 이접착층이 설치된 강성 기재의 영률과, 이접착층이 설치되어 있지 않은 당해 강성 기재만의 영률의 차는 극히 작다.

그로 인해, 본 발명에 있어서는 「이접착층이 설치된 강성 기재의 영률」＝「강성 기재의 영률」이라고 간주한다.

<박리 시트>

본 발명에서 사용하는 박리 시트로서는, 양면 박리 처리가 된 박리 시트나, 편면 박리 처리된 박리 시트 등이 사용되고, 박리 시트용 기재의 표면 상에 박리제를 도포한 것 등을 들 수 있다.

박리 시트용 기재로서는 수지 필름이 바람직하고, 당해 수지 필름을 구성하는 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지 등의 폴리에스테르 수지 필름, 폴리프로필렌 수지, 폴리에틸렌 수지 등의 폴리올레핀 수지 등을 들 수 있다.

박리제로서는, 예를 들어 실리콘계 수지, 올레핀계 수지, 이소프렌계 수지, 부타디엔계 수지 등의 고무계 엘라스토머, 장쇄 알킬계 수지, 알키드계 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있다.

박리 시트의 두께는 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 10 내지 200 ㎛, 보다 바람직하게는 20 내지 150 ㎛이다.

〔점착 시트의 제조 방법〕

본 발명의 점착 시트의 제조 방법으로서는 특별히 제한은 없고, 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다.

예를 들어, 강성 기재의 표면 상에, 박리 시트 상에 설치한 완충층과, 박리 시트 상에 설치한 점착제층을 붙이면, 도 1의 (b)에 도시하는 점착 시트(1b)를 제조할 수 있다.

또한, 도 1의 (b)에 도시하는 점착 시트(1b)로부터 2매의 박리 시트를 제거하면, 도 1의 (a)에 도시하는 점착 시트(1a)로 할 수 있다.

또한, 사용하는 강성 기재의 표면에 미리 이접착층을 형성한 후에, 박리 시트 상에 설치한 완충층과, 박리 시트 상에 설치한 점착제층을 접합하면, 도 1의 (a)에 도시하는 점착 시트(1c)를 제조할 수 있다.

박리 시트 상에 완충층 또는 점착제층을 형성하는 방법으로서는, 박리 시트 상에 완충층 형성용 조성물 또는 점착제를 공지의 도포 방법으로 직접 도포하여 도포막을 형성하고, 이 도포막을 건조 및/또는 에너지선을 조사함으로써, 완충층 또는 점착제층을 형성할 수 있다.

도포 방법으로서는, 예를 들어 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법, 바 코팅법, 나이프 코팅법, 롤 코팅법, 블레이드 코팅법, 다이 코팅법, 그라비아 코팅법 등을 들 수 있다.

또한 도포성을 향상시키기 위해, 완충층 형성용 조성물이나 점착제에 대해 유기 용매를 배합하고 용액의 형태로 하여, 박리 시트 상에 도포할 수도 있다.

사용하는 유기 용매로서는, 예를 들어 메틸에틸케톤, 아세톤, 아세트산에틸, 테트라히드로푸란, 디옥산, 시클로헥산, n-헥산, 톨루엔, 크실렌, n-프로판올, 이소프로판올 등을 들 수 있다.

또한, 이들 유기 용매는 조성물 중에 포함되는 각 성분의 합성 시에 사용된 유기 용매를 그대로 사용할 수도 있고, 그 이외의 1종 이상의 유기 용매를 첨가할 수도 있다.

도포막을 형성하는 완충층 형성용 조성물은 에너지선 중합성 화합물을 포함하므로, 당해 도포막에 대해 에너지선을 조사함으로써 경화시켜 완충층을 형성할 수 있다.

경화 처리는 한번에 완전히 경화시킬 수도 있고, 복수회로 나누어 경화시킬 수도 있다. 즉, 박리 시트 상의 도포막을 완전히 경화시켜 완충층을 형성한 후에 강성 기재에 접합할 수도 있고, 당해 도포막을 완전히 경화시키지 않고 반경화 상태의 완충층 형성막을 형성하여, 당해 완충층 형성막을 강성 기재에 접합한 후, 다시 에너지선을 조사하여 완전히 경화시켜 완충층을 형성할 수도 있다.

당해 경화 처리에서 조사하는 에너지선으로서는 자외선이 바람직하다.

에너지선의 조사량은 에너지선의 종류에 따라서 적절히 변경된다. 예를 들어 자외선을 사용하는 경우, 조사하는 자외선의 조도는 바람직하게는 50 내지 500 ㎽/㎠, 보다 바람직하게는 100 내지 340 ㎽/㎠이고, 자외선의 조사량은 바람직하게는 80 내지 2500 mJ/㎠, 보다 바람직하게는 100 내지 2000 mJ/㎠이다.

본 발명의 점착 시트는 연삭 완료 웨이퍼의 제조 시에, 웨이퍼의 표면측을 보호하는 BG 시트로서 적합하다.

본 발명의 점착 시트를 사용한 연삭 완료 웨이퍼의 제조 방법으로서는, 예를 들어, 하기의 공정 (1A) 내지 (3A)를 갖는 연삭 완료 웨이퍼의 제조 방법이 바람직하다.

공정 (1A): 웨이퍼의 표면측에 본 발명의 점착 시트의 점착제층을 첩부하고, 완충층이 부착된 웨이퍼를 얻는 공정

공정 (2A): 연삭기의 척 테이블 상에, 공정 (1A)에서 얻은 완충층이 부착된 웨이퍼의 완충층을 적치하는 공정

공정 (3A): 완충층이 부착된 웨이퍼의 완충층이 설치되어 있지 않은 웨이퍼의 이면측을 연삭하여, 연삭 완료 웨이퍼를 얻는 공정

본 발명의 점착 시트는 이물질 흡수성이 우수하다. 그로 인해, 상기 연삭 완료 웨이퍼의 제조 방법의 공정 (2A)에서, 척 테이블 상에 이물질이 부착되어 있었다고 하더라도, 당해 완충층이 당해 이물질의 두께를 흡수하여 당해 이물질의 존재가 원인이 되는 웨이퍼 이면의 융기를 억제할 수 있다.

그 결과, 상기 제조 방법에 의하면 당해 이물질의 존재가 원인으로 발생하는, 절삭 가공에 의한 웨이퍼의 깨짐을 방지할 수 있어, 양호한 수율로 박막의 연삭 완료 웨이퍼를 제조할 수 있다.

또한, 본 발명의 점착 시트는 선 다이싱법에 의한 반도체 칩의 제조 방법에 사용되는 BG 시트로서도 적합하다.

본 발명의 점착 시트를 사용한 반도체 칩의 제조 방법으로서는, 예를 들어 하기의 공정 (1B) 내지 (3B)를 갖는 반도체 칩의 제조 방법이 바람직하다.

공정 (1B): 표면에, 소정 깊이의 홈이 소정의 배치로 형성된 웨이퍼의 당해 표면측에, 본 발명의 점착 시트의 점착제층을 첩부하고, 완충층이 부착된 웨이퍼를 얻는 공정

공정 (2B): 연삭기의 척 테이블 상에, 공정 (1B)에서 얻은 완충층이 부착된 웨이퍼의 완충층을 적치하는 공정

공정 (3B): 완충층이 부착된 웨이퍼의 완충층이 설치되어 있지 않은 웨이퍼의 이면측을 소정의 두께가 될 때까지 연삭하고, 개개의 칩으로 분할하는 공정

상기와 같이 본 발명의 점착 시트가 갖는 완충층은 이물질 흡수성이 우수하므로, 척 테이블 상에 부착되어 있던 이물질이 원인이 되는, 절삭 가공에 의한 웨이퍼의 깨짐을 방지할 수 있다. 그 결과 상기 제조 방법에 의하면, 양호한 수율로 박막의 반도체 칩을 제조할 수 있다.

[실시예]

이하의 실시예 및 비교예에서 사용한 각 성분의 질량 평균 분자량(Mw), 및 강성 기재의 영률은 이하에 기재된 방법에 의해 측정한 값을 사용하였다.

<질량 평균 분자량(Mw)>

겔 투과 크로마토그래피 장치(도소 가부시끼가이샤제, 제품명 「HLC-8020」)를 사용하여, 하기의 조건 하에서 측정하고, 표준 폴리스티렌 환산으로 측정한 값을 사용하였다.

(측정 조건)

ㆍ 칼럼: 「TSK 가드 칼럼(guard column) HXL-H」「TSK 겔(gel) GMHXL(×2)」「TSK 겔 G2000 HXL」(모두 도소 가부시끼가이샤제)

ㆍ 칼럼 온도: 40℃

ㆍ 전개 용매: 테트라히드로푸란

ㆍ 유속: 1.0 mL/min

<강성 기재의 영률>

강성 기재의 영률은 인장 시험기를 사용하여 인장 시험을 행하고, 얻어진 인장 강도와 신장의 차트로부터 산출하였다. 구체적으로는, 제조예 3에서 제작한 양면에 이접착층이 부착된 PET 필름을 폭 15 ㎜×길이 150 ㎜의 크기로 절단하고, 연신 가능부가 100 ㎜로 되도록 인장ㆍ압축 시험기(에이 앤드 디사제, 제품명 「텐실론」)에 설치하였다. 그리고, 시험 속도 200 ㎜/분으로 측정을 행하여, 얻어진 차트의 원점에 있어서의 기울기로부터 영률을 산출하였다.

제조예 1

[우레탄아크릴레이트계 올리고머(UA-1)의 합성]

폴리에스테르디올과, 이소포론디이소시아네이트를 반응시켜 얻어진 말단 이소시아네이트우레탄 예비 중합체에, 2-히드록시에틸아크릴레이트를 반응시켜, 질량 평균 분자량(Mw) 5000의 2관능의 우레탄아크릴레이트계 올리고머(UA-1)를 얻었다.

제조예 2

(점착제층이 부착된 박리 시트의 제작)

n-부틸아크릴레이트(BA), 메틸메타크릴레이트(MMA) 및 2-히드록시에틸아크릴레이트(2HEA) 유래의 구성 단위를 갖는 아크릴계 공중합체[BA/MMA/2HEA＝52/20/28(질량％), Mw＝50만]를 100 질량부, 다관능 우레탄아크릴레이트계 자외선 경화형 수지를 6 질량부, 디이소시아네이트계 경화제를 1 질량부 및 광 중합 개시제로서 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드를 1 질량부 배합하고, 메틸에틸케톤으로 희석하여, 고형분 농도 32 질량％의 점착제 용액을 제조하였다.

그리고, 박리 시트[린텍사제, 상품명 「SP-PET381031」, 실리콘 박리 처리를 행한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 두께:38 ㎛]의 박리 처리가 된 면 상에, 상기의 점착제 조성물의 용액을 도포하고, 건조시켜, 두께 20 ㎛의 점착제층을 갖는 점착제층이 부착된 박리 시트를 제작하였다.

제조예 3

(양면에 이접착층이 부착된 PET 필름의 제작)

한쪽 면에 이접착층(제1 이접착층)이 설치된 두께 50 ㎛의 이접착층 부착 PET 필름(도요보사제, 상품명 「PET50 A-4100」)의 제1 이접착층이 설치되어 있는 것과는 반대측의 면 상에, 폴리에스테르계 앵커 코팅제(아라까와 가가꾸사제)를 도포하고, 건조시켜, 두께 2 ㎛의 제2 이접착층을 설치하여, 두께 52 ㎛의 양면에 이접착층이 부착된 PET 필름을 얻었다. 당해 양면에 이접착층이 부착된 PET 필름의 영률은 2500 ㎫이었다.

실시예 1 내지 2, 비교예 1 내지 4

(1) 완충층 형성용 조성물의 제조

에너지선 중합성 화합물로서, 제조예 1에서 합성한 우레탄아크릴레이트계 올리고머(UA-1), 이소보르닐아크릴레이트(IBXA), 페닐히드록시프로필아크릴레이트(HPPA)를 표 1에 기재된 배합량으로 배합하고, 광 중합 개시제로서 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(바스프(BASF)사제, 제품명 「이르가큐어 184」)을 2.0 질량부, 프탈로시아닌계 안료를 0.2 질량부 더 배합하여, 완충층 형성용 조성물을 제조하였다.

(2) 점착 시트의 제작

박리 시트[린텍사제, 상품명 「SP-PET381031」, 실리콘 박리 처리를 행한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 두께:38 ㎛]의 박리 처리가 된 면 상에, 상기의 완충층 형성용 조성물을 도포하여 도포막을 형성하였다. 그리고 당해 도포막에 대해 자외선을 조사하고, 당해 도포막을 반경화시켜 두께 43 ㎛의 완충층 형성막을 형성하였다.

또한, 상기의 자외선 조사는 벨트 컨베이어식 자외선 조사 장치(제품명 「ECS-401GX」, 아이그래픽스사제) 및 고압 수은 램프(H04-L41 아이그래픽스사제:H04-L41)를 사용하여, 램프 높이 150 ㎜, 램프 출력 3 ㎾(환산 출력 120 ㎽/㎝), 광선 파장 365 ㎚의 조도 120 ㎽/㎠, 조사량 100 mJ/㎠의 조사 조건 하에서 행하였다.

그리고 형성한 완충층 형성막의 표면과, 제조예 3에서 제작한 양면에 이접착층이 부착된 PET 필름의 제1 이접착층을 접합하고, 완충층 형성막 상의 박리 시트측으로부터 다시 자외선을 조사하여 당해 완충층 형성막을 완전히 경화시켜, 두께 43 ㎛의 완충층을 형성하였다.

또한, 상기의 자외선 조사는 상술한 자외선 조사 장치 및 고압 수은 램프를 사용하여, 램프 높이 150 ㎜, 램프 출력 3 ㎾(환산 출력 120 ㎽/㎝), 광선 파장 365 ㎚의 조도 160 ㎽/㎠, 조사량 500 mJ/㎠의 조사 조건 하에서 행하였다.

계속해서, 상기 양면에 이접착층이 부착된 PET 필름의 제2 이접착층 상에, 제조예 2에서 제작한 점착제층이 부착된 박리 시트의 점착제층을 접합하여, 도 1의 (d)의 점착 시트(1d)와 동일한 구성을 갖는 점착 시트를 제작하였다.

이상과 같이 제작한 점착 시트에 대해, 각종 물성의 측정 및 특성의 평가를 이하에 기재된 방법에 의해 행하였다. 당해 결과를 표 1에 나타낸다.

<압입 깊이(X)의 측정>

다이내믹 미소 경도계[시마쯔 세이사꾸쇼(주)제, 제품명 「DUH-W201S」] 및 압자로서, 선단 곡률 반경 100 ㎚, 능간각 115 °의 삼각추 형상 압자를 사용하여, 23 ℃, 50 ％RH(상대 습도)의 환경 하에서 측정하였다.

구체적으로는, 다이내믹 미소 경도계의 유리 플레이트 상에, 제작한 점착 시트의 완충층 상의 박리 시트를 제거하여 완충층이 표출되도록 설치하고, 당해 완충층에 대해 상기 삼각추 형상 압자의 선단을 10 ㎛/분의 속도로 압입하여, 압축 하중이 2 mN에 도달했을 때의 압입 깊이(X)의 측정을 행하였다.

<완충층의 tanδ의 최댓값의 측정>

상기와 동일한 방법으로, 각각의 실시예 및 비교예에서 사용한 완충층 형성용 조성물을 포함하는 두께 500 ㎛의 완충층 형성막을 제1 박리 시트 상에 형성하고, 당해 완충층 형성막 상에 제2 박리 시트를 더 접합하였다. 또한, 사용한 제1, 제2 박리 시트는 상기의 실시예 및 비교예에서 사용한 종류와 동일한 것이다.

그리고 제1 박리 시트측으로부터 다시 자외선을 조사하여 상기 완충층 형성막을 완전히 경화시켜, 두께 500 ㎛의 시험용 완충층을 형성하였다. 또한, 상기의 자외선 조사는 상술한 자외선 조사 장치 및 고압 수은 램프를 사용하여, 램프 높이 150 ㎜, 램프 출력 3 ㎾(환산 출력 120 ㎽/㎝), 광선 파장 365 ㎚의 조도 160 ㎽/㎠, 조사량 500 mJ/㎠의 조사 조건 하에서 행하였다.

제작한 시험용 완충층 상의 양면의 박리 시트를 제거한 후, 소정의 크기로 절단한 시험편을 사용하여, 동적 점탄성 장치(오리엔테크사제, 제품명 「레오비브론(Rheovibron) DDV-II-EP1」)에 의해, 주파수 11 ㎐에서, 온도 범위 －20 내지 150 ℃에 있어서의 손실 탄성률 및 저장 탄성률을 측정하였다.

각 온도의 「손실 탄성률/저장 탄성률」의 값을 그 온도의 tanδ로 하여 산출하고, －5 내지 120 ℃의 범위에 있어서의 tanδ의 최댓값을 「완충층의 tanδ의 최댓값」으로 하여 표 1에 기재하고 있다.

<이물질 흡수성(웨이퍼의 깨짐의 유무)의 평가>

두께 700 ㎛의 실리콘 웨이퍼 표면에, 제작한 점착 시트의 점착제층 상의 박리 시트를 제거하여 표출된 점착제층을, BG 테이프용 라미네이터(린텍사제, 제품명 「라미네이터 RAD-3500m/12」)를 사용하여 접합하였다.

실리콘 웨이퍼에 점착 시트를 첩부한 후, 완충층 상의 박리 시트를 제거하여 표출된 완충층의 표면에, 의사(擬似) 이물질로서 테이프(두께 6 ㎛의 PET 필름 상에, 두께 3 ㎛의 아크릴계 점착제를 포함하는 점착제층을 형성한 것, 세로:1 ㎝, 가로:2 ㎝, 두께:9 ㎛)를 5개소 첩부하였다.

그리고, 웨이퍼 이면 연삭기(디스코(DISCO)사제, 제품명 「DFG-8540」)를 사용하여, 당해 실리콘 웨이퍼의 점착 시트가 첩부되어 있지 않은 이면으로부터, 두께가 100 ㎛가 될 때까지 연삭하였다.

연삭 후의 실리콘 웨이퍼의 깨짐의 유무를 육안으로 관찰하고, 하기의 기준에 의해 점착 시트의 이물질 흡수성을 평가하였다.

A:웨이퍼의 깨짐은 보이지 않고, 점착 시트의 이물질 흡수성은 양호하다.

F:웨이퍼의 깨짐이 보이고, 점착 시트의 이물질 흡수성이 떨어진다.

표 1로부터, 실시예 1 내지 2에서 제작한 점착 시트는 이물질 흡수성이 우수한 것을 알 수 있다.

한편, 비교예 1 내지 4에서 제작한 점착 시트는 웨이퍼의 연삭 가공에 사용했을 때에, 이물질 흡수성이 떨어지므로 절삭 후에 웨이퍼의 깨짐이 발생하는 결과가 되었다.

본 발명의 점착 시트는 이물질 흡수성이 우수하다.

그로 인해, 본 발명의 점착 시트는 예를 들어 반도체 웨이퍼의 연삭 가공에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면측을 보호하는 BG 시트로서 적절하게 사용할 수 있고, 당해 용도로 사용했을 때에는, 반도체 웨이퍼의 깨짐을 효과적으로 방지할 수 있다.

1a, 1b, 1c, 1d : 점착 시트
11 : 강성 기재
12 : 완충층
13 : 점착제층
14a, 14b : 박리 시트
15a, 15b : 이접착층

Claims

영률이 1000 ㎫ 이상인 강성 기재와, 당해 강성 기재의 한쪽 면측에 설치된 완충층과, 당해 강성 기재의 다른 쪽 면측에 설치된 점착제층을 갖는 점착 시트로서,
상기 완충층이, 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되어 이루어지는 층이고, 또한 선단 곡률 반경 100 ㎚ 및 능간각(稜間角) 115 °의 삼각추 형상 압자의 선단을 10 ㎛/분의 속도로 당해 완충층에 압입했을 때의 압축 하중이 2 mN에 도달하는 데 필요한 압입 깊이(X)가 2.5 ㎛ 이상인, 점착 시트.
제1항에 있어서, 상기 완충층 형성용 조성물이 상기 에너지선 중합성 화합물로서, 우레탄(메트)아크릴레이트(a1), 환 형성 원자수 6 내지 20의 지환기 또는 복소환기를 갖는 중합성 화합물(a2), 및 관능기를 갖는 중합성 화합물(a3)을 포함하는, 점착 시트.
제2항에 있어서, 상기 완충층 형성용 조성물 중의 성분(a2)과 성분(a3)의 함유량비〔(a2)/(a3)〕가 0.5 내지 3.0인, 점착 시트.
제2항 또는 제3항에 있어서, 성분(a2)이 지환기 함유(메트)아크릴레이트인, 점착 시트.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 성분(a3)이 수산기 함유(메트)아크릴레이트인, 점착 시트.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 완충층의 두께가 5 내지 100 ㎛인, 점착 시트.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 완충층의 －5 내지 120 ℃에 있어서의 동적 점탄성의 tanδ의 최댓값이 0.5 이상인, 점착 시트.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 강성 기재와 상기 완충층 사이, 및 상기 강성 기재와 상기 점착제층 사이 중 적어도 한쪽에, 이(易)접착층을 갖는, 점착 시트.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 반도체 웨이퍼의 절삭 가공에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면측을 보호하는 백그라인드 시트로서 사용되는, 점착 시트.